JP2003329798A - Radiation image conversion panel and method for manufacturing the same - Google Patents

Radiation image conversion panel and method for manufacturing the same

Info

Publication number
JP2003329798A
JP2003329798A JP2002132633A JP2002132633A JP2003329798A JP 2003329798 A JP2003329798 A JP 2003329798A JP 2002132633 A JP2002132633 A JP 2002132633A JP 2002132633 A JP2002132633 A JP 2002132633A JP 2003329798 A JP2003329798 A JP 2003329798A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image conversion
radiation image
conversion panel
stimulable phosphor
phosphor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002132633A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4259035B2 (en
Inventor
Akihiro Maezawa
明弘 前澤
Noriyuki Mishina
紀之 三科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2002132633A priority Critical patent/JP4259035B2/en
Priority to US10/424,418 priority patent/US6992305B2/en
Priority to EP03008890A priority patent/EP1376613A3/en
Publication of JP2003329798A publication Critical patent/JP2003329798A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4259035B2 publication Critical patent/JP4259035B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation image conversion panel which has less afterglow, high intensity and high sharpness and a method for manufacturing the radiation image conversion panel. <P>SOLUTION: The radiation image conversion panel which has stimulable phosphor layers on a support is characterized in that at least one of the stimulable phosphor layers is formed by a vapor phase method (or a vapor phase deposition method) so that its film thickness will be 50 μm to 1 mm and two or more rare-earth compounds are contained in the phosphor composition. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は放射線画像変換パネ
ル及び放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a radiation image conversion panel and a method for manufacturing a radiation image conversion panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、放射線画像を得るために銀塩を使
用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀
塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発され
ている。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収
せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励
起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍
光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方
法が開示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a so-called radiographic method using a silver salt for obtaining a radiographic image has been used, but a method for forming a radiographic image without using the silver salt has been developed. That is, the radiation that has passed through the subject is absorbed by the fluorescent substance, and then this fluorescent substance is excited with a certain energy to cause the radiation energy accumulated by this fluorescent substance to be emitted as fluorescent light, and this fluorescent light is detected. A method of imaging is disclosed.

【0003】具体的な方法としては、支持体上に輝尽性
蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして
可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線画像
変換方法が知られている(米国特許第3,859,52
7号参照)。
As a concrete method, there is known a radiation image conversion method using a panel having a stimulable phosphor layer provided on a support and using one or both of visible light and infrared as excitation energy ( U.S. Pat. No. 3,859,52
(See No. 7).

【0004】より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用い
た放射線画像変換方法として、例えば特開昭59−75
200号等に記載されているBaFX:Eu2+系(X:
Cl、Br、I)蛍光体を用いた放射線画像変換方法、
同61−72087号等に記載されているようなアルカ
リハライド蛍光体を用いた放射線画像変換方法、同61
−73786号、同61−73787号等に記載のよう
に、共賦活剤としてTl+及びCe3+、Sm3+、E
3+、Y3+、Ag+、Mg2+、Pb2+、In3+の金属を
含有するアルカリハライド蛍光体が開発されている。
A radiation image conversion method using a stimulable phosphor having higher brightness and higher sensitivity is disclosed in, for example, JP-A-59-75.
BaFX: Eu 2+ system (X:
Cl, Br, I) Radiation image conversion method using phosphor
A radiographic image conversion method using an alkali halide phosphor as described in JP-A-61-72087,
-73786, 61-73787, etc., Tl + and Ce 3+ , Sm 3+ , E as co-activators.
Alkali halide phosphors containing metals such as u 3+ , Y 3+ , Ag + , Mg 2+ , Pb 2+ and In 3+ have been developed.

【0005】更に、近年診断画像の解析においてより高
鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭
性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光
体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改
良を図る試みがされている。
Further, in recent years, a radiation image conversion panel having higher sharpness has been demanded in analysis of diagnostic images. As a means for improving the sharpness, for example, attempts have been made to improve the sensitivity and the sharpness by controlling the shape itself of the stimulable phosphor formed.

【0006】これらの試みの1つの方法として、例えば
特開昭61−142497号等に記載されている微細な
凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積さ
せ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体
層を用いる方法がある。
As one of the methods of these attempts, for example, a fine pseudo columnar structure formed by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine concavo-convex pattern as described in JP-A-61-242497. There is a method of using a stimulable phosphor layer composed of blocks.

【0007】また、特開昭61−142500号に記載
のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍
光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショ
ック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有す
る放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭
62−39737号に記載されている支持体上に形成さ
れた輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬
柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法、更に
は、特開昭62−110200号に記載に記載されてい
るように、支持体上に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍
光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ
亀裂を設ける方法等も提案されている。
Further, as described in JP-A-61-142500, a crack between columnar blocks obtained by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine pattern is shock-treated to further A method of using a radiation image conversion panel having a developed photostimulable phosphor layer, and further, a photostimulable phosphor layer formed on a support described in JP-A-62-39737, the surface of which. A method of using a radiation image conversion panel in which cracks are generated from the side to form a pseudo column, and further, as described in JP-A-62-110200, a stimulable material having cavities on a support by vapor deposition. A method has also been proposed in which, after forming the phosphor layer, a cavity is grown by heat treatment to form a crack.

【0008】更に、特開平2−58000号には、気相
成長法(気相堆積法)によって支持体上に、支持体の法
線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成
した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが記
載されている。
Further, in JP-A-2-58000, elongated columnar crystals having a constant inclination with respect to the normal direction of the support are formed on the support by a vapor phase growth method (vapor deposition method). A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer is described.

【0009】これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロ
ールする方法は、いずれも輝尽性蛍光体層を柱状とする
ことで、輝尽励起光又は輝尽発光の横方向への拡散を抑
える(クラック(柱状結晶)界面において反射を繰り返
しながら支持体面まで到達する)ことができるため、輝
尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることがで
きるという特徴がある。
In any of these methods for controlling the shape of the stimulable phosphor layer, the stimulable phosphor layer is formed into a columnar shape to suppress lateral diffusion of stimulated excitation light or stimulated emission. Since it can reach the surface of the support while repeating reflection at the crack (columnar crystal) interface, the sharpness of the image due to stimulated emission can be remarkably increased.

【0010】最近ではCsBrなどのハロゲン化アルカ
リを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線
画像変換パネルが提案され、特にEuを賦活剤とするこ
とで従来不可能であったX線変換効率を向上させること
が可能となった。
Recently, there has been proposed a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor in which Eu is activated with an alkali halide such as CsBr as a matrix, and it has been impossible by using Eu as an activator. It has become possible to improve the line conversion efficiency.

【0011】しかしながら、ハロゲン化アルカリの母体
結晶ではX線吸収を増した組成にしていくと蛍光体結晶
の歪みが大きくなり、発光準位を多く有するため高輝度
であるにもかかわらず発光波長における発光分布は広が
りブロードな発光となる。このブロードな発光は賦活剤
をEuとした際に影響が顕著となり、輝度は高いが発光
準位での分布が広がることで残光・応答が悪くなる。
However, in the host crystal of alkali halide, when the composition with increased X-ray absorption is increased, the strain of the phosphor crystal becomes large, and since it has a large number of emission levels, it has a high luminance, but at the emission wavelength. The light emission distribution is broad and the light emission is broad. This broad emission has a remarkable effect when Eu is used as the activator, and although the luminance is high, the afterglow and the response are deteriorated because the distribution in the emission level is widened.

【0012】放射線撮像システムとしてCRディテクタ
にハロゲン化アルカリを利用する場合はこの残光特性の
問題が大きく、特に放射線撮像システムにおいては瞬時
残光の影響としてX線爆射後の読みとりまでに一定時間
を置いた後読みとりをしなくてはならないこと、輝尽残
光の影響としては、残光によって読みとりのコントラス
トが悪化することが問題となると共に読みとり速度(読
みとりサイクル、利用回数)に悪影響を及ぼすことが分
かった。
When an alkali halide is used for a CR detector as a radiation imaging system, the problem of this afterglow characteristic is large, and in particular, in a radiation imaging system, the effect of instantaneous afterglow causes a fixed time until reading after X-ray exposure. It is necessary to read after placing, and the effect of photostimulable afterglow is that deterioration of reading contrast due to afterglow poses a problem and adversely affects the reading speed (reading cycle, number of times of use). I found out.

【0013】従って、依然として、市場から、放射線画
像変換パネルの輝度、鮮鋭性の更なる改善及び高速化に
見合う残光特性(瞬時残光、輝尽残光)の改良が求めら
れていた。
Therefore, there is still a demand from the market for further improvement of the brightness and sharpness of the radiation image conversion panel, and improvement of the afterglow characteristics (instantaneous afterglow, stimulated afterglow) commensurate with the speeding up.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、残光
(瞬時残光、輝尽残光)が少ないためコントラストに優
れ、且つ、高輝度、高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネ
ル及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel and a radiation image conversion panel which exhibit excellent contrast due to less afterglow (instantaneous afterglow, photostimulable afterglow), high brightness and high sharpness. It is to provide a method for manufacturing an image conversion panel.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は以下
の構成により達成される。
The above object of the present invention can be achieved by the following constitutions.

【0016】1.支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像変換パネルにおいて、少なくとも1層の該輝尽
性蛍光体層が気相法(気相堆積法ともいう)により50
μm〜1mmの膜厚を有するように形成され、蛍光体組
成中に希土類化合物を2種類以上均一に含有しているこ
とを特徴とする放射線画像変換パネル。
1. In a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, at least one stimulable phosphor layer is formed by a gas phase method (also referred to as a vapor phase deposition method).
A radiation image conversion panel, which is formed to have a film thickness of μm to 1 mm and which contains two or more kinds of rare earth compounds uniformly in the phosphor composition.

【0017】2.前記少なくとも1層の輝尽性蛍光体層
が、前記一般式(1)で表されるハロゲン化アルカリを
母体とする輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が
気相成長法(気相堆積法ともいう)により50μm〜1
mmの膜厚を有するように形成されていることを特徴と
する前記1に記載の放射線画像変換パネル。
2. The at least one stimulable phosphor layer contains a stimulable phosphor having an alkali halide represented by the general formula (1) as a matrix, and the stimulable phosphor layer is vapor-phase grown. Method (also called vapor deposition method) 50 μm to 1
2. The radiation image conversion panel as described in 1 above, which is formed to have a film thickness of mm.

【0018】3.前記蛍光体組成中の2種類以上の希土
類化合物のうち少なくとも1種の希土類化合物がCs原
子を有することを特徴とする前記1又は2に記載の放射
線画像変換パネル。
3. 3. The radiation image conversion panel according to 1 or 2, wherein at least one rare earth compound among the two or more rare earth compounds in the phosphor composition has a Cs atom.

【0019】4.X線爆射300msec後の輝尽残光
量が0.0001〜0.1%であることを特徴とする前
記1〜3の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。
4. The radiation image conversion panel according to any one of the above 1 to 3, wherein the amount of photostimulable afterglow after 300 msec of X-ray bombardment is 0.0001 to 0.1%.

【0020】5.X線爆射300msec後の瞬時発光
残光量が0.0001〜0.01%であることを特徴と
する前記4に記載の放射線画像変換パネル。
5. The radiation image conversion panel as described in 4 above, wherein the instantaneous light emission afterglow amount after 300 msec of X-ray bombardment is 0.0001 to 0.01%.

【0021】6.前記1〜5の何れか1項に記載の放射
線画像変換パネルを乾燥空気の雰囲気内で製造すること
を特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
6. A method for manufacturing a radiation image conversion panel, comprising manufacturing the radiation image conversion panel according to any one of 1 to 5 in an atmosphere of dry air.

【0022】以下、本発明を更に、詳細に説明する。本
発明の放射線画像変換パネルは、支持体上の少なくとも
1層の輝尽性蛍光体層が気相法(気相堆積法ともいう)
により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成さ
れ、蛍光体組成中に希土類化合物を2種類以上均一に含
有していることを特徴としている。
The present invention will be described in more detail below. In the radiation image conversion panel of the present invention, at least one stimulable phosphor layer on the support is a vapor phase method (also referred to as a vapor phase deposition method).
Is formed to have a film thickness of 50 μm to 1 mm, and the phosphor composition contains two or more kinds of rare earth compounds uniformly.

【0023】ここで、均一に含有とは、蛍光体層中の支
持体側と蛍光体表面側で賦活剤存在量が同じであること
をいう。
Here, the term “uniformly contained” means that the amount of activator present in the phosphor layer is the same as that of the activator in the phosphor surface.

【0024】具体的には蛍光体層の支持体側と表面側で
の賦活剤存在量が±10%以内で一致することであり、
確認方法としては、蛍光体層の賦活剤存在量は蛍光体層
として約500μm形成した蛍光体層の表面側を約10
0μm削りとった試料と支持体側の蛍光体層を100μ
mにした試料をそれぞれを純水にて溶解し水溶液とす
る。この水溶液をICPにて分析して賦活剤量を算出し
確認することができる。
Specifically, it means that the amount of the activator present on the support side of the phosphor layer and the amount of the activator present on the surface side are within ± 10%,
As a confirmation method, the amount of activator present in the phosphor layer is about 10 on the surface side of the phosphor layer formed as a phosphor layer of about 500 μm.
100μ between the sample and the phosphor layer on the support side
Each of the samples of m is dissolved in pure water to obtain an aqueous solution. This aqueous solution can be analyzed by ICP to calculate and confirm the amount of activator.

【0025】蛍光体組成中に希土類化合物を2種類以上
有するとは、本発明においては、例えば希土類化合物が
3種類の場合、蛍光体賦活剤が3種類あり、該蛍光体賦
活剤をそれぞれ蛍光体主賦活剤、蛍光体副賦活剤1及び
蛍光体副賦活剤2とする。
In the present invention, having two or more kinds of rare earth compounds in the phosphor composition means that, for example, when there are three kinds of rare earth compounds, there are three kinds of phosphor activators, and each of the phosphor activators is a phosphor. The main activator, phosphor sub-activator 1 and phosphor sub-activator 2 are used.

【0026】蛍光体主賦活剤(以下、主賦活剤ともい
う)、蛍光体副賦活剤1(以下、副賦活剤1ともいう)
及び蛍光体副賦活剤2(以下、副賦活剤2ともいう)に
ついて説明する。
Phosphor main activator (hereinafter also referred to as main activator), phosphor sub activator 1 (hereinafter also referred to as sub activator 1)
The phosphor sub-activator 2 (hereinafter, also referred to as the sub-activator 2) will be described.

【0027】1)蛍光体副賦活剤1 主賦活剤Euの拡散防止剤として副賦活剤1Gdを添加
すると、Gdの存在により主賦活剤Euの熱拡散速度を
抑え、蒸着膜形成後の主賦活剤Euの蛍光体結晶中の遍
在及び蒸着膜からの離散を防止することができ発光分布
の安定化が可能となる。
1) Phosphor Subactivator 1 When the subactivator 1Gd is added as a diffusion inhibitor for the main activator Eu, the thermal diffusion rate of the main activator Eu is suppressed by the presence of Gd, and the main activator after the vapor deposition film is formed. It is possible to prevent the agent Eu from being unevenly distributed in the phosphor crystal and from being separated from the vapor deposition film, so that the emission distribution can be stabilized.

【0028】Euの使用量は通常は5×10-4gである
が、5×10-2〜5×10-5gの範囲で使用されても良
い。
The amount of Eu used is usually 5 × 10 -4 g, but it may be used in the range of 5 × 10 -2 to 5 × 10 -5 g.

【0029】Gdの使用量は通常は5×10-5gである
が、5×10-2〜5×10-5gの範囲で使用されても良
い。
The amount of Gd used is usually 5 × 10 -5 g, but it may be used in the range of 5 × 10 -2 to 5 × 10 -5 g.

【0030】2)蛍光体副賦活剤2 主賦活剤Euの準位安定剤として副賦活剤2Ceを添加
すると、Ceの存在により蛍光体結晶への主賦活剤Eu
導入による格子欠陥による蛍光体結晶の安定性が増し、
主賦活剤Euの遍在が合っても発光分布が広がらなく、
発光がシャープになる。
2) Phosphor subactivator 2 When the subactivator 2Ce is added as a level stabilizer of the main activator Eu, the presence of Ce causes the main activator Eu to the phosphor crystal.
The stability of the phosphor crystal increases due to the lattice defects introduced,
Even if the main activator Eu is ubiquitous, the luminescence distribution does not spread,
The luminescence becomes sharp.

【0031】3)蒸着方法 気相堆積による蒸着膜形成において蛍光体母体結晶Cs
Brに添加する不純物(含賦活剤)により蛍光体原料の
融点が低下する。
3) Vapor deposition method In forming a vapor deposition film by vapor phase deposition, phosphor host crystal Cs
Impurities (activator) added to Br lower the melting point of the phosphor material.

【0032】特に主賦活剤Euを蛍光体母体結晶CsB
rに添加した蛍光体原料(CsBr:Eu)の融点が低
下し、加熱蒸着した場合、蒸着膜形成段階で融点の低い
CsBr(融点645℃前後)から徐々に揮発し、主賦
活剤として蒸着膜に導入すべきEuの導入量が減少し、
且つ、EuがCsBr結晶の結晶格子(格子欠陥)に存
在するようになり、得られる柱状結晶の形状が崩れた結
晶状態になり、柱状結晶内で光散乱が起こり、レーザー
励起に対して鮮鋭性が低下する原因となる。
Particularly, the main activator Eu is added to the phosphor host crystal CsB.
When the phosphor raw material (CsBr: Eu) added to r has a low melting point and is vapor-deposited by heating, it gradually volatilizes from CsBr having a low melting point (melting point of about 645 ° C.) in the vapor deposition film formation stage, and serves as a main activator. The amount of Eu to be introduced into
In addition, Eu is present in the crystal lattice (lattice defect) of the CsBr crystal, the obtained columnar crystal is in a deformed crystalline state, light scattering occurs in the columnar crystal, and sharpness for laser excitation is obtained. Cause decrease.

【0033】このため、CsBr蒸着においては主賦活
剤Euを導入するにあたり、例えばCsBrとEuBr
2の混合物である蛍光体原料を使用し蒸着する場合は、
EuBr2の融点(705℃)より20℃以上高い温度
で蛍光体原料を加熱し蒸着膜を形成させる。
Therefore, when the main activator Eu is introduced in CsBr vapor deposition, for example, CsBr and EuBr are introduced.
When using a phosphor material that is a mixture of 2 and vapor deposition,
The phosphor material is heated at a temperature higher than the melting point of EuBr 2 (705 ° C.) by 20 ° C. or more to form a vapor deposition film.

【0034】(Csa、Eub)Brx(a+b=x)
となる複塩結晶を原料として蒸着する場合は前記同様に
EuBr2の融点より20℃以上高い温度で該原料を加
熱して蒸気を形成する。このため蒸発時の膜厚形成速度
は20μm/min以上となることが好ましく、60μ
m/min以上が最も好ましい。
(Csa, Eub) Brx (a + b = x)
When vapor-depositing a double salt crystal as a raw material is vapor-deposited, the raw material is heated at a temperature higher than the melting point of EuBr 2 by 20 ° C. or more to form vapor. Therefore, it is preferable that the film thickness formation rate during evaporation is 20 μm / min or more, and 60 μm or more.
Most preferably m / min or more.

【0035】しかしながら、上記融点による加熱制御だ
けでは蒸気発生量を十分制御できないために基板上に得
られた結晶が柱状のきれいな針状結晶を示さず蛍光体の
鮮鋭性の効果は十分とは言えない。
However, since the amount of vapor generated cannot be sufficiently controlled only by controlling the heating based on the melting point, the crystals obtained on the substrate do not show fine needle-like crystals having a columnar shape, and it can be said that the effect of the sharpness of the phosphor is sufficient. Absent.

【0036】従って、本発明は、副賦活剤Ce、Gdを
添加し蛍光体原料の融点を一定領域に抑えると共に蛍光
体原料の揮発蒸着源と基板間に基板付着量が一定となる
ようにじゃま板を形成して揮発発生量を制限することが
好ましい。
Therefore, according to the present invention, the sub-activators Ce and Gd are added to suppress the melting point of the phosphor raw material within a certain range and the deposition amount of the phosphor raw material on the substrate is kept constant between the vapor deposition source and the substrate. It is preferable to form a plate to limit the amount of volatilization.

【0037】この基板と原料蒸着源との間に設置するじ
ゃま板は原料と基板に平行にし、揮発温度に合わせて中
央が通過抑制が大きく、サイドほど通過抑制が少ない形
状(例えば穴の数:中央少ない、サイド多い)となるよ
うに形成することがより好ましい。
The baffle installed between the substrate and the source of vapor deposition of the raw material is parallel to the raw material and the substrate, and has a shape in which the passage is greatly suppressed in the center and less in the side according to the volatilization temperature (eg, the number of holes: It is more preferable to form so as to have a small number in the center and a large number of sides.

【0038】また、蛍光体の発光波長の半値幅は結晶の
状態を示す因子の一つとなり半値幅が広いと結晶が崩
れ、半値幅が狭いと結晶が崩れない柱状結晶が得られ、
柱状結晶内で光散乱を起こさず、鮮鋭性の点で好まし
い。
Further, the full width at half maximum of the emission wavelength of the phosphor becomes one of the factors showing the state of the crystal, and when the half width is wide, the crystal collapses.
It is preferable because it does not cause light scattering in the columnar crystals and is sharp.

【0039】蛍光体の発光波長は通常の吸収スペクトル
装置で測定する。本発明の放射線画像変換パネルはX線
爆射300msec後の輝尽残光比率が0.0001〜
0.1%であることが好ましく、X線爆射300mse
c後の瞬時発光残光比率が0.0001〜0.01%で
あることが好ましく、この範囲であるとコントラストが
良好な放射線画像変換パネルを得ることができる。
The emission wavelength of the phosphor is measured by a usual absorption spectrum device. The radiation image conversion panel of the present invention has a photostimulable afterglow ratio of 0.0001 to 300 msec after X-ray irradiation.
0.1% is preferable, X-ray exposure is 300 mse
The instantaneous light emission afterglow ratio after c is preferably 0.0001 to 0.01%, and in this range, a radiation image conversion panel having good contrast can be obtained.

【0040】次に、本発明に好ましく用いられる前記一
般式(1)で表される輝尽性蛍光体について説明する。
Next, the stimulable phosphor represented by the general formula (1), which is preferably used in the present invention, will be described.

【0041】前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体
において、MIは、Na、K、Rb及びCs等の各原子
から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子を表
し、中でもRb及びCsの各原子から選ばれる少なくと
も1種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好まし
くはCs原子である。
In the stimulable phosphor represented by the general formula (1), M I represents at least one alkali metal atom selected from each atom such as Na, K, Rb and Cs, and among them, Rb And at least one kind of alkaline earth metal atom selected from each atom of Cs, and more preferably Cs atom.

【0042】M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Z
n、Cd、Cu及びNi等の各原子から選ばれる少なく
とも1種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用
いられるのは、Be、Mg、Ca、Sr及びBa等の各
原子から選ばれる二価の金属原子である。
M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Z
It represents at least one divalent metal atom selected from each atom such as n, Cd, Cu and Ni, and among them, preferably used is selected from each atom such as Be, Mg, Ca, Sr and Ba. It is a divalent metal atom.

【0043】M3はSc、Y、La、Ce、Pr、N
d、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、E
r、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びIn等の各原子
から選ばれる少なくとも1種の三価の金属原子を表す
が、中でも好ましく用いられるのはY、Ce、Sm、E
u、Al、La、Gd、Lu、Ga及びIn等の各原子
から選ばれる三価の金属原子である。
M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, N
d, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, E
It represents at least one trivalent metal atom selected from each atom such as r, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, among which Y, Ce, Sm and E are preferably used.
It is a trivalent metal atom selected from each atom such as u, Al, La, Gd, Lu, Ga and In.

【0044】AはEu、Tb、In、Ce、Tm、D
y、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、S
m、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から
選ばれる少なくとも2種以上の金属原子である。
A is Eu, Tb, In, Ce, Tm, D
y, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, S
It is at least two kinds of metal atoms selected from each atom of m, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg.

【0045】輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点か
ら、X、X′及びX″はF、Cl、Br及びIの各原子
から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子を表すが、
F、Cl及びBrから選ばれる少なくとも1種のハロゲ
ン原子が好ましく、Br及びIの各原子から選ばれる少
なくとも1種のハロゲン原子が更に好ましい。
From the viewpoint of improving the stimulated emission brightness of the stimulable phosphor, X, X'and X "represent at least one halogen atom selected from each atom of F, Cl, Br and I.
At least one halogen atom selected from F, Cl and Br is preferable, and at least one halogen atom selected from Br and I is more preferable.

【0046】また、一般式(1)において、b値は0≦
b<0.5を表すが、好ましくは、0≦b≦10-2であ
る。
In the general formula (1), the b value is 0 ≦.
It represents b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10 −2 .

【0047】本発明の一般式(1)で表される輝尽性蛍
光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造され
る。
The stimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention is produced, for example, by the production method described below.

【0048】蛍光体原料としては、(a)NaF、Na
Cl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、K
I、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、C
sCl、CsBr及びCsIから選ばれる少なくとも1
種もしくは2種以上の化合物が用いられる。
As the phosphor material, (a) NaF, Na
Cl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, K
I, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, C
at least 1 selected from sCl, CsBr, and CsI
One kind or two or more kinds of compounds are used.

【0049】(b)MgF2、MgCl2、MgBr2
MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2
SrF2、SrCI2、SrBr2、SrI2、BaF2
BaCl2、BaBr2、BaBr2・2H2O、Ba
2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、Cd
2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、Cu
Cl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、Ni
Br2及びNiI2の化合物から選ばれる少なくとも1種
又は2種以上の化合物が用いられる。
(B) MgF 2 , MgCl 2 , MgBr 2 ,
MgI 2 , CaF 2 , CaCl 2 , CaBr 2 , CaI 2 ,
SrF 2 , SrCI 2 , SrBr 2 , SrI 2 , BaF 2 ,
BaCl 2 , BaBr 2 , BaBr 2 .2H 2 O, Ba
I 2 , ZnF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , Cd
F 2 , CdCl 2 , CdBr 2 , CdI 2 , CuF 2 , Cu
Cl 2 , CuBr 2 , CuI, NiF 2 , NiCl 2 , Ni
At least one compound or two or more compounds selected from compounds of Br 2 and NiI 2 are used.

【0050】(c)前記一般式(1)において、Eu、
Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、N
d、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、
Ag、Cu及びMg等の各原子から選ばれる金属原子を
有する化合物が用いられる。
(C) In the general formula (1), Eu,
Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, N
d, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na,
A compound having a metal atom selected from each atom such as Ag, Cu and Mg is used.

【0051】一般式(1)で表される化合物において、
aは0≦a<0.5、好ましくは0≦a<0.01、b
は0≦b<0.5、好ましくは0≦b≦10-2、eは0
<e≦0.2、好ましくは0<e≦0.1である。
In the compound represented by the general formula (1),
a is 0 ≦ a <0.5, preferably 0 ≦ a <0.01, b
Is 0 ≦ b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10 −2 , and e is 0
<E ≦ 0.2, preferably 0 <e ≦ 0.1.

【0052】上記の数値範囲の混合組成になるように前
記(a)〜(c)の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボール
ミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。
The phosphor raw materials (a) to (c) described above are weighed so as to obtain a mixed composition within the above numerical range, and sufficiently mixed using a mortar, a ball mill, a mixer mill or the like.

【0053】尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼
成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物
粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と
同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に
高めることができる、また、焼成物を焼成温度より室温
に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で
放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができ
るが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲
気のままで冷却してもよい。また、焼成物を電気炉内で
加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性
雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、
得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高める
ことができる。
After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out of the electric furnace and crushed, and then the fired product powder is charged again in a heat-resistant container and placed in the electric furnace to perform the same firing as described above. The light emission brightness of the phosphor can be further increased by performing the re-baking under the conditions. Further, when the baked product is cooled to the room temperature from the baking temperature, the baked product is taken out of the electric furnace and allowed to cool in the air. Although a desired phosphor can be obtained, the phosphor may be cooled in the same weak reducing atmosphere or neutral atmosphere as when firing. Further, by moving the fired product from the heating unit to the cooling unit in the electric furnace and quenching it in a weak reducing atmosphere, a neutral atmosphere or a weak oxidizing atmosphere,
The emission brightness due to the stimulation of the obtained phosphor can be further increased.

【0054】また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長
法によって形成される。輝尽性蛍光体の気相成長法とし
ては蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレ
ーティング法、その他を用いることができる。
The photostimulable phosphor layer of the present invention is formed by the vapor phase growth method. As the vapor phase growth method of the stimulable phosphor, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like can be used.

【0055】本発明においては、例えば、以下の方法が
挙げられる。第1の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸
着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×
10-4Pa程度の真空度とする。
In the present invention, for example, the following methods can be mentioned. The vapor deposition method of the first method is as follows. First, the support is installed in the vapor deposition apparatus, and then the apparatus is evacuated to 1.333 ×.
The degree of vacuum is set to about 10 −4 Pa.

【0056】次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一
つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱
蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さ
に成長させる。
Next, at least one of the stimulable phosphors is heated and evaporated by a method such as a resistance heating method or an electron beam method to grow the stimulable phosphor on the surface of the support to a desired thickness.

【0057】この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
As a result, the stimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the stimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step.

【0058】また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器
あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体
上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性
蛍光体層を形成することも可能である。
In the vapor deposition step, a plurality of resistance heaters or electron beams are used for co-evaporation to synthesize the desired stimulable phosphor on the support and simultaneously form a stimulable phosphor layer. Is also possible.

【0059】蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光
体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることによ
り本発明の放射線画像変換パネルが製造される。尚、保
護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける
手順をとってもよい。
After completion of the vapor deposition, the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer on the side of the stimulable phosphor layer opposite to the support side, if necessary. Incidentally, after forming the stimulable phosphor layer on the protective layer, a procedure of providing a support may be adopted.

【0060】さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、
必要に応じて被蒸着体(支持体、保護層又は中間層)を
冷却あるいは加熱してもよい。
Further, in the vapor deposition method, during vapor deposition,
The material to be vapor-deposited (support, protective layer or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary.

【0061】また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じ
てO2、H2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行
ってもよい。
After the completion of vapor deposition, the stimulable phosphor layer may be heat-treated. Further, in the above vapor deposition method, reactive vapor deposition in which a gas such as O 2 or H 2 is introduced and vapor deposition may be performed, if necessary.

【0062】第2の方法としてのスパッタリング法は、
蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパ
ッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して
1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパ
ッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスを
スパッタリング装置内に導入して1.333×10-1
a程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をター
ゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支
持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。
The sputtering method as the second method is
Similar to the vapor deposition method, a support having a protective layer or an intermediate layer is placed in a sputtering apparatus, and then the apparatus is evacuated to a vacuum degree of about 1.333 × 10 −4 Pa and then used as a gas for sputtering. 1.333 × 10 -1 P by introducing an inert gas such as Ar or Ne into the sputtering apparatus
The gas pressure is about a. Next, by using the stimulable phosphor as a target, sputtering is performed to grow a stimulable phosphor layer on the support to a desired thickness.

【0063】前記スパッタリング工程では蒸着法と同様
に各種の応用処理を用いることができる。
In the sputtering process, various applied treatments can be used as in the vapor deposition method.

【0064】第3の方法としてCVD法があり、又、第
4の方法としてイオンプレーティング法がある。
The third method is the CVD method, and the fourth method is the ion plating method.

【0065】また、前記気相成長における輝尽性蛍光体
層の成長速度は0.05μm/分〜300μm/分であ
ることが好ましい。成長速度が0.05μm/分未満の
場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が悪く
好ましくない。また成長速度が300μm/分を越える
場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましく
ない。
The growth rate of the stimulable phosphor layer in the vapor phase growth is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is poor, which is not preferable. When the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate, which is not preferable.

【0066】放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着
法、スパッタリイング法などにより得る場合には、結着
剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大で
き、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネル
が得られ好ましい。
When the radiation image conversion panel is obtained by the above-mentioned vacuum deposition method, sputtering method, etc., since the binder is not present, the packing density of the stimulable phosphor can be increased, and the sensitivity and resolution can be improved. Is preferable because a preferable radiation image conversion panel can be obtained.

【0067】前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像
変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種
類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50μ
m〜1mmであり、好ましくは50〜300μmであ
り、更に好ましくは100〜300μmであり、特に好
ましくは、150〜300μmである。
The film thickness of the stimulable phosphor layer varies depending on the purpose of use of the radiation image conversion panel and the type of the stimulable phosphor, but is 50 μ from the viewpoint of obtaining the effect of the present invention.
m to 1 mm, preferably 50 to 300 μm, more preferably 100 to 300 μm, and particularly preferably 150 to 300 μm.

【0068】上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の
作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温
度は、100℃以上に設定することが好ましく、更に好
ましくは、150℃以上であり、特に好ましくは150
〜400℃である。
In the production of the stimulable phosphor layer by the above vapor phase growth method, the temperature of the support on which the stimulable phosphor layer is formed is preferably set to 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C or higher, particularly preferably 150
~ 400 ° C.

【0069】また、高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネ
ルを得る観点から、本発明の輝尽性蛍光体層の反射率は
20%以上であるが、好ましくは30%以上であり、よ
り好ましくは40%以上である。尚、上限は100%で
ある。
From the viewpoint of obtaining a radiation image conversion panel exhibiting high sharpness, the reflectance of the stimulable phosphor layer of the present invention is 20% or more, preferably 30% or more, more preferably It is 40% or more. The upper limit is 100%.

【0070】又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を
充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高
光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよく、
これにより補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に
入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効で
ある。
A filler such as a binder may be filled in the gaps between the columnar crystals to reinforce the stimulable phosphor layer, and a substance having a high light absorption and a substance having a high light reflectance are filled. Maybe,
This is effective not only for providing a reinforcing effect but also for reducing the lateral light diffusion of the photostimulated excitation light that has entered the photostimulable phosphor layer.

【0071】次に、本発明の輝尽性蛍光体層の形成を図
1、図2を用いて説明する。図1は、上記記載の気相成
長法を用いて、支持体上に形成した柱状結晶を有する輝
尽性蛍光体層の一例を示す概略断面図である。11は支
持体、12が輝尽性蛍光体層、13が該輝尽性蛍光体層
を構成する柱状結晶を示している。尚、14は柱状結晶
間に形成された間隙を示している。
Next, the formation of the stimulable phosphor layer of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a stimulable phosphor layer having columnar crystals formed on a support by using the vapor phase growth method described above. Reference numeral 11 is a support, 12 is a stimulable phosphor layer, and 13 is a columnar crystal constituting the stimulable phosphor layer. Incidentally, 14 indicates a gap formed between the columnar crystals.

【0072】図2は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着
により形成される様子を示す図であるが、輝尽性蛍光体
蒸気流16の支持体面の法線方向(R)に対する入射角
度をθ2(図では60°で入射している)とすると、形
成される柱状結晶の支持体面の法線方向(R)に対する
角度はθ1(図では約30°、経験的には大体半分にな
る)で表され、この角度で柱状結晶が形成される。
FIG. 2 is a view showing a state in which a stimulable phosphor layer is formed on a support by vapor deposition, and the stimulable phosphor vapor stream 16 with respect to the normal direction (R) to the support surface is shown. If the incident angle is θ 2 (incident at 60 ° in the figure), the angle of the formed columnar crystal with respect to the normal direction (R) of the support surface is θ 1 (about 30 ° in the figure, empirically Columnar crystals are formed at this angle.

【0073】この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍
光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れ
ており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルより層厚を厚くすること
ができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱
が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
Since the stimulable phosphor layer thus formed on the support does not contain a binder, it has excellent directivity, and the directivity of stimulated excitation light and stimulated emission is excellent. The layer thickness is higher than that of a radiation image conversion panel having a dispersion-type stimulable phosphor layer in which a stimulable phosphor is dispersed in a binder. Further, the scattering of the stimulable excitation light in the stimulable phosphor layer is reduced to improve the sharpness of the image.

【0074】又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を
充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高
光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、
これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体
層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有
効である。
A filler such as a binder may be filled in the gap between the columnar crystals to reinforce the stimulable phosphor layer, and a substance having a high light absorption and a substance having a high light reflectance may be filled. May
This is effective not only for providing the above-mentioned reinforcing effect but also for reducing the lateral light diffusion of the photostimulable excitation light incident on the photostimulable phosphor layer.

【0075】高反射率の物質とは、輝尽励起光(500
〜900nm、特に600〜800nm)に対する反射
率の高い物質のことをいい、例えば、アルミニウム、マ
グネシウム、銀、インジウム、その他の金属等、白色顔
料及び緑色〜赤色領域の色材を用いることができる。白
色顔料は輝尽発光も反射することができる。
A substance having a high reflectance means a stimulated excitation light (500
Up to 900 nm, especially 600 to 800 nm), and a white pigment and a coloring material in the green to red region such as aluminum, magnesium, silver, indium, and other metals can be used. White pigments can also reflect stimulated emission.

【0076】白色顔料としては、例えば、TiO2(ア
ナターゼ型、ルチル型)、MgO、PbCO3・Pb
(OH)2、BaSO4、Al23、M(II)FX(但
し、M(II)はBa、Sr及びCaの各原子から選ばれ
るの少なくとも一種の原子であり、XはCl原子又はB
r原子である。)、CaCO3、ZnO、Sb23、S
iO2、ZrO2、リトポン(BaSO4・ZnS)、珪
酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸
アルミニウムなどがあげられる。
Examples of white pigments include TiO 2 (anatase type, rutile type), MgO, PbCO 3 .Pb
(OH) 2 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , M (II) FX (provided that M (II) is at least one atom selected from each atom of Ba, Sr and Ca, and X is a Cl atom or B
r atom. ), CaCO 3 , ZnO, Sb 2 O 3 , S
Examples thereof include iO 2 , ZrO 2 , lithopone (BaSO 4 .ZnS), magnesium silicate, basic silicate sulfate, basic lead phosphate, and aluminum silicate.

【0077】これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率
が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより
輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネ
ルの感度を顕著に向上させることができる。
Since these white pigments have a strong hiding power and a large refractive index, the photostimulable luminescence is easily scattered by reflecting or refracting light, and the sensitivity of the obtained radiation image conversion panel is remarkably improved. Can be made.

【0078】また、高光吸収率の物質としては、例え
ば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸
化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボン
ブラックは輝尽発光も吸収する。
As the substance having a high light absorptivity, for example, carbon black, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide and the like, and a blue coloring material are used. Of these, carbon black also absorbs stimulated emission.

【0079】また、色材は、有機又は無機系色材のいず
れでもよい。有機系色材としては、例えば、ザボンファ
ーストブルー3G(ヘキスト製)、エストロールブリル
ブルーN−3RL(住友化学製)、D&CブルーNo.
1(ナショナルアニリン製)、スピリットブルー(保土
谷化学製)、オイルブルーNo.603(オリエント
製)、キトンブルーA(チバガイギー製)、アイゼンカ
チロンブルーGLH(保土ヶ谷化学製)、レイクブルー
AFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産
業製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学
製)、シアンブルーBNRCS(東洋インク製)、ライ
オノイルブルーSL(東洋インク製)等が用いられる。
The coloring material may be either organic or inorganic coloring material. Examples of organic colorants include Pomelo First Blue 3G (made by Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (made by Sumitomo Chemical), and D & C Blue No.
1 (made by National Aniline), Spirit Blue (made by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), Oil Blue No. 603 (manufactured by Orient), Kiton Blue A (manufactured by Ciba Geigy), Aizenka Tiron Blue GLH (manufactured by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (manufactured by Kyowa Sangyo), Primocyanin 6GX (manufactured by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (Hodogaya). Chemically manufactured), cyan blue BNRCS (manufactured by Toyo Ink), lionoyl blue SL (manufactured by Toyo Ink) and the like are used.

【0080】また、カラーインデクスNo.2441
1、23160、74180、74200、2280
0、23154、23155、24401、1483
0、15050、15760、15707、1794
1、74220、13425、13361、1342
0、11836、74140、74380、7435
0、74460等の有機系金属錯塩色材もあげられる。
The color index No. 2441
1, 23160, 74180, 74200, 2280
0, 23154, 23155, 24401, 1483
0, 15050, 15760, 15707, 1794
1, 74220, 13425, 13361, 1342
0, 11836, 74140, 74380, 7435
Organic metal complex salt colorants such as 0 and 74460 are also included.

【0081】無機系色材としては群青、例えば、コバル
トブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2
ZnO−Co−NiO系等の無機顔料があげられる。
As the inorganic coloring material, ultramarine blue, for example, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, TiO 2
Inorganic pigments such as ZnO-Co-NiO type can be used.

【0082】本発明の放射線画像変換パネルに用いられ
る支持体としては各種のガラス、例えば、高分子材料、
金属等が用いられるが、例えば、石英、ホウ珪酸ガラ
ス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、或いはセルロー
スアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエ
チレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、
ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカ
ーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミ
ニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或い
は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好まし
い。
As the support used in the radiation image conversion panel of the present invention, various kinds of glass such as polymer material,
Metals or the like are used, for example, quartz, borosilicate glass, plate glass such as chemically strengthened glass, or cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate film, polyamide film,
A plastic film such as a polyimide film, a triacetate film or a polycarbonate film, a metal sheet such as an aluminum sheet, an iron sheet, a copper sheet or a metal sheet having a coating layer of the metal oxide is preferable.

【0083】即ち、これら支持体の表面は滑面であって
もよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的
で支持体の表面をマット面としてもよい。
That is, the surface of these supports may be a smooth surface, or the surface of the supports may be a matte surface for the purpose of improving the adhesiveness to the stimulable phosphor layer.

【0084】また、本発明においては、支持体と輝尽性
蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて支
持体の表面に予め接着層を設けてもよい。
In the present invention, in order to improve the adhesiveness between the support and the stimulable phosphor layer, an adhesive layer may be provided in advance on the surface of the support, if necessary.

【0085】これら支持体の厚みは用いる支持体の材質
等によって異なるが、一般的には80〜2000μmで
あり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは80〜
1000μmである。
The thickness of these supports varies depending on the material of the support used and the like, but is generally 80 to 2000 μm, and more preferably 80 to 2000 from the viewpoint of handling.
It is 1000 μm.

【0086】また、本発明の輝尽性蛍光体層は保護層を
有していても良い。保護層は保護層用塗布液を輝尽性蛍
光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ
別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよ
い。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を
形成する手段を取ってもよい。
Further, the stimulable phosphor layer of the present invention may have a protective layer. The protective layer may be formed by directly coating the protective layer coating solution on the stimulable phosphor layer, or a separately formed protective layer may be adhered onto the stimulable phosphor layer. Alternatively, a means for forming a stimulable phosphor layer on a separately formed protective layer may be used.

【0087】保護層の材料としては、酢酸セルロース、
ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フ
ッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化
エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデ
ン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニ
トリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。
他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもで
きる。
As a material for the protective layer, cellulose acetate,
Nitrocellulose, polymethylmethacrylate, polyvinylbutyral, polyvinylformal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-ethylene chloride, tetrafluoroethylene-hexafluoride Usual protective layer materials such as propylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer and the like are used.
Alternatively, a transparent glass substrate can be used as the protective layer.

【0088】また、この保護層は蒸着法、スパッタリン
グ法等により、SiC、SiO2、SiN、Al23
の無機物質を積層して形成してもよい。
Further, this protective layer may be formed by laminating an inorganic substance such as SiC, SiO 2 , SiN or Al 2 O 3 by a vapor deposition method, a sputtering method or the like.

【0089】これらの保護層の層厚は0.1〜2000
μmが好ましい。図3は、本発明の放射線画像変換パネ
ルの構成の一例を示す概略図である。
The layer thickness of these protective layers is 0.1 to 2000.
μm is preferred. FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel of the present invention.

【0090】図3において21は放射線発生装置、22
は被写体、23は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし
赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、
24は放射線画像変換パネル23の放射線潜像を輝尽発
光として放出させるための輝尽励起光源、25は放射線
画像変換パネル23より放出された輝尽発光を検出する
光電変換装置、26は光電変換装置25で検出された光
電変換信号を画像として再生する画像再生装置、27は
再生された画像を表示する画像表示装置、28は輝尽励
起光源24からの反射光をカットし、放射線画像変換パ
ネル23より放出された光のみを透過させるためのフィ
ルタである。
In FIG. 3, 21 is a radiation generator, 22
Is a subject, 23 is a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer of visible light or infrared light containing a stimulable phosphor,
24 is a stimulated excitation light source for emitting the radiation latent image of the radiation image conversion panel 23 as stimulated emission, 25 is a photoelectric conversion device for detecting the stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 23, and 26 is photoelectric conversion An image reproducing device that reproduces the photoelectrically converted signal detected by the device 25 as an image, 27 is an image display device that displays the reproduced image, and 28 is a radiation image conversion panel that cuts off the reflected light from the stimulated excitation light source 24. It is a filter for transmitting only the light emitted from 23.

【0091】尚、図3は被写体の放射線透過像を得る場
合の例であるが、被写体22自体が放射線を放射する場
合には、前記放射線発生装置21は特に必要ない。
Although FIG. 3 shows an example in which a radiation transmission image of a subject is obtained, the radiation generator 21 is not particularly required when the subject 22 itself emits radiation.

【0092】また、光電変換装置25以降は放射線画像
変換パネル23からの光情報を何らかの形で画像として
再生できるものであればよく、前記に限定されない。
Further, the photoelectric conversion device 25 and thereafter may be any device capable of reproducing the optical information from the radiation image conversion panel 23 as an image in some form, and is not limited to the above.

【0093】図3に示されるように、被写体22を放射
線発生装置21と放射線画像変換パネル23の間に配置
し放射線Rを照射すると、放射線Rは被写体22の各部
の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像RI
(即ち、放射線の強弱の像)が放射線画像変換パネル2
3に入射する。
As shown in FIG. 3, when the subject 22 is placed between the radiation generator 21 and the radiation image conversion panel 23 and the radiation R is irradiated, the radiation R is transmitted according to the change in the radiation transmittance of each part of the subject 22. And the transmitted image RI
(That is, an image of the intensity of radiation) is the radiation image conversion panel 2
It is incident on 3.

【0094】この入射した透過像RIは放射線画像変換
パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって
輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の
電子及び/又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のト
ラップレベルに蓄積される。
This incident transmission image RI is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23, and as a result, the number of electrons and / or the number of electrons and / or that is proportional to the amount of radiation absorbed in the stimulable phosphor layer. Holes are generated and accumulated at the trap level of the stimulable phosphor.

【0095】即ち、放射線透過像のエネルギーを蓄積し
た潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励
起して顕在化する。
That is, a latent image is formed by accumulating the energy of the radiation transmission image. Next, this latent image is excited by light energy to become visible.

【0096】また、可視あるいは赤外領域の光を照射す
る輝尽励起光源24によって輝尽性蛍光体層に照射して
トラップレベルに蓄積された電子及び/又は正孔を追い
出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出させ
る。
Further, the photostimulable excitation light source 24 for irradiating light in the visible or infrared region irradiates the stimulable phosphor layer to expel the electrons and / or holes accumulated at the trap level to accumulate the accumulated energy. Is emitted as stimulated emission.

【0097】この放出された輝尽発光の強弱は蓄積され
た電子及び/又は正孔の数、すなわち放射線画像変換パ
ネル23の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギ
ーの強弱に比例しており、この光信号を、例えば、光電
子増倍管等の光電変換装置25で電気信号に変換し、画
像再生装置26によって画像として再生し、画像表示装
置27によってこの画像を表示する。
The intensity of the emitted stimulated emission is proportional to the number of accumulated electrons and / or holes, that is, the intensity of the radiation energy absorbed in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23. The optical signal is converted into an electric signal by the photoelectric conversion device 25 such as a photomultiplier tube, reproduced by the image reproduction device 26 as an image, and displayed by the image display device 27.

【0098】画像再生装置26は単に電気信号を画像信
号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像
の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用すると
より有効である。
It is more effective for the image reproducing device 26 to use not only an electric signal as an image signal but also a so-called image processing, image calculation, image storage and storage.

【0099】また、光エネルギーで励起する際、輝尽励
起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光
とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放
出される発光を受光する光電変換器は一般に600nm
以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなると
いう理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光
はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったもの
が望ましい。
Further, it is necessary to separate the reflected light of the photostimulable excitation light and the photostimulated luminescence emitted from the photostimulable phosphor layer when excited by light energy, and The photoelectric converter that receives the emitted light is generally 600 nm
The photostimulable luminescence emitted from the stimulable phosphor layer preferably has a spectral distribution in the short wavelength region as much as possible, because the sensitivity to the light energy of the following short wavelengths is high.

【0100】本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は30
0〜500nmであり、一方輝尽励起波長域は500〜
900nmであるので前記の条件を同時に満たすが、最
近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像変
換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力
で、且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好ま
れ、そのレーザ光の波長は680nmであることが好ま
しく、本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝
尽性蛍光体は、680nmの励起波長を用いた時に、極
めて良好な鮮鋭性を示すものである。
The emission wavelength range of the stimulable phosphor of the present invention is 30.
0 to 500 nm, while the stimulated excitation wavelength range is 500 to
Since it is 900 nm, the above conditions are satisfied at the same time, but recently, the downsizing of diagnostic equipment has advanced, and the excitation wavelength used for the image reading of the radiation image conversion panel has a high output and a semiconductor laser which is easy to be made compact. Preferably, the wavelength of the laser beam is preferably 680 nm, and the stimulable phosphor incorporated in the radiation image conversion panel of the present invention exhibits extremely good sharpness when an excitation wavelength of 680 nm is used. It is a thing.

【0101】即ち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも5
00nm以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起
光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致す
るため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を高め
ることができる。
That is, each of the stimulable phosphors of the present invention is 5
Emission having a main peak at 00 nm or less is shown, the stimulated excitation light can be easily separated, and the spectral sensitivity of the photodetector is in good agreement, so that the light can be efficiently received, and as a result, the sensitivity of the image receiving system can be increased.

【0102】輝尽励起光源24としては、放射線画像変
換パネル23に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長
を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学
系が簡単になり、また輝尽励起光強度を大きくすること
ができるために輝尽発光効率をあげることができ、より
好ましい結果が得られる。
As the stimulated excitation light source 24, a light source containing the stimulated excitation wavelength of the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel 23 is used. In particular, when laser light is used, the optical system becomes simple, and the intensity of stimulated excitation light can be increased, so that the stimulated emission efficiency can be increased, and more preferable results can be obtained.

【0103】レーザとしては、例えば、He−Neレー
ザ、He−Cdレーザ、Arイオンレーザ、Krイオン
レーザ、N2レーザ、YAGレーザ及びその第2高調
波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、
銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はHe
−NeレーザやArイオンレーザのような連続発振のレ
ーザが望ましいが、パネル1画素の走査時間とパルスを
同期させればパルス発振のレーザを用いることもでき
る。
Examples of the laser include He-Ne laser, He-Cd laser, Ar ion laser, Kr ion laser, N 2 laser, YAG laser and its second harmonic, ruby laser, semiconductor laser, various dye lasers. ,
There is a metal vapor laser such as a copper vapor laser. Usually He
A continuous wave laser such as a —Ne laser or an Ar ion laser is preferable, but a pulsed laser can also be used if the scanning time of one pixel on the panel is synchronized with the pulse.

【0104】また、フィルタ28を用いずに特開昭59
−22046号に示されるような、発光の遅延を利用し
て分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて
変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好まし
い。
Further, without using the filter 28, the method disclosed in JP-A-59-59
In the case of the method of separating by utilizing the delay of light emission as shown in No. 22046, it is preferable to use a pulse oscillation laser rather than modulation using a continuous oscillation laser.

【0105】上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レ
ーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるの
で特に好ましく用いられる。
Among the various laser light sources described above, the semiconductor laser is particularly preferable because it is small and inexpensive, and a modulator is unnecessary.

【0106】フィルタ28としては放射線画像変換パネ
ル23から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光を
カットするものであるから、これは放射線画像変換パネ
ル23に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励
起光源24の波長の組合わせによって決定される。
The filter 28 transmits the stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 23 and cuts the stimulated excitation light. Therefore, this is a stimulable phosphor contained in the radiation image conversion panel 23. Of the stimulated emission wavelength and the wavelength of the stimulated excitation light source 24.

【0107】例えば、輝尽励起波長が500〜900n
mで輝尽発光波長が300〜500nmにあるような実
用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば
東芝社製C−39、C−40、V−40、V−42、V
−44、コーニング社製7−54、7−59、スペクト
ロフィルム社製BG−1、BG−3、BG−25、BG
−37、BG−38等の紫〜青色ガラスフィルタを用い
ることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程
度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電
変換装置25としては、光電管、光電子倍増管、フォト
ダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素
子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら
何れでもよい。
For example, the stimulated excitation wavelength is 500 to 900 n.
In the case of a practically preferable combination such that the stimulated emission wavelength is 300 to 500 nm in m, the filter is, for example, C-39, C-40, V-40, V-42, V manufactured by Toshiba Corporation.
-44, Corning 7-54, 7-59, Spectrofilm BG-1, BG-3, BG-25, BG.
A purple to blue glass filter such as -37 or BG-38 can be used. Further, if an interference filter is used, a filter having arbitrary characteristics can be selected and used to some extent. The photoelectric conversion device 25 may be a photoelectric tube, a photomultiplier tube, a photodiode, a phototransistor, a solar cell, a photoconductive element, or any other device capable of converting a change in the amount of light into a change in an electronic signal.

【0108】[0108]

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるもので
はない。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the embodiments of the present invention are not limited thereto.

【0109】実施例1 《放射線画像変換パネル試料1〜5の作製(表1中では
試料1〜5と記載)》表1に示した条件で、1mm厚の
結晶化ガラス(日本電気ガラス社製)支持体の表面に図
4に示した蒸着装置(但し、θ1=5度、θ2=5度に
設定する)を用いて輝尽性蛍光体(CsBr:Eu)を
有する輝尽性蛍光体層を形成した。
Example 1 << Preparation of Radiation Image Conversion Panel Samples 1 to 5 (Indicated as Samples 1 to 5 in Table 1) >> 1 mm thick crystallized glass (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) under the conditions shown in Table 1. ) A stimulable phosphor layer having a stimulable phosphor (CsBr: Eu) on the surface of a support by using the vapor deposition device shown in FIG. 4 (where θ1 = 5 degrees and θ2 = 5 degrees are set). Was formed.

【0110】図4に示した蒸着装置を使用し、アルミニ
ウム製のスリットを用い、支持体とスリットとの距離d
を60cmとして、支持体と平行な方向に支持体を搬送
しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが300
μmになるように調整した。
Using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 4, a slit made of aluminum was used, and the distance d between the support and the slit was d.
Is 60 cm, vapor deposition is carried out while transporting the support in a direction parallel to the support, and the thickness of the stimulable phosphor layer is 300.
It was adjusted to be μm.

【0111】尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着
器内に設置し、次いで、蛍光体原料(CsBr:Eu)
を蒸着源としてタングステン製蒸着板に詰め、電流を流
して蒸着板を加熱温度を調整しながら蒸着を行った。
In the vapor deposition, the support is placed in the vapor deposition device, and then the phosphor material (CsBr: Eu) is used.
Was deposited in a tungsten vapor deposition plate as a vapor deposition source, and an electric current was passed to vapor-deposit the vapor deposition plate while adjusting the heating temperature.

【0112】その後、蒸着器内を一旦排気、N2ガスを
導入し、0.133Paに真空度を調整した後、支持体
の温度(基板温度ともいう)を約350℃に保持しなが
ら、蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が300μmとな
ったところで蒸着を終了させ、次いで、この蛍光体層を
温度400℃で加熱処理した。乾燥空気の雰囲気内で、
支持体及び硼珪酸ガラスを有する保護層周縁部を接着剤
で封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変
換パネル試料1(比較例)を得た。
After that, the inside of the vapor deposition apparatus was once evacuated, N 2 gas was introduced, the degree of vacuum was adjusted to 0.133 Pa, and the vapor deposition was performed while maintaining the temperature of the support (also referred to as the substrate temperature) at about 350 ° C. did. The vapor deposition was terminated when the film thickness of the stimulable phosphor layer reached 300 μm, and then this phosphor layer was heat-treated at a temperature of 400 ° C. In an atmosphere of dry air,
A radiation image conversion panel sample 1 (comparative example) having a structure in which the phosphor layer was sealed was obtained by encapsulating the periphery of the protective layer having the support and borosilicate glass with an adhesive.

【0113】尚、蒸着時の蒸発源加熱温度は638℃で
行った。放射線画像変換パネル試料1(比較例)の作製
において、表1に記載の条件にした以外は同様にして、
放射線画像変換パネル試料2、3、4及び5を各々作製
した。尚、Euの使用量は5×10-4g、Gdの使用量
は5×10-4gである。
The evaporation source heating temperature during vapor deposition was 638.degree. In the production of the radiation image conversion panel sample 1 (comparative example), the conditions are the same as those shown in Table 1, except that
Radiation image conversion panel samples 2, 3, 4 and 5 were prepared respectively. The amount of Eu used is 5 × 10 −4 g, and the amount of Gd used is 5 × 10 −4 g.

【0114】得られた放射線画像変換パネル試料1〜5
について、下記のような評価を行った。
Radiation image conversion panel samples 1 to 5 thus obtained
Was evaluated as follows.

【0115】《輝度の評価》輝度はコニカ(株)製Re
gius350を用いて評価を行った。
<< Evaluation of Luminance >> Luminance is measured by Re manufactured by Konica Corporation.
Evaluation was performed using gius350.

【0116】X線をタングステン管球にて80kVp、
10mAsで爆射線源とプレート間距離2mで照射した
後、Regius350にプレートを設置して読みとっ
た。得られたフォトマルからの電気信号を元に相対評価
を行った。試料2の輝度を1.0とし、後はその相対値
で表した。
X-rays were emitted from a tungsten tube at 80 kVp,
After irradiation at 10 mAs with a distance of 2 m between the radiation source and the plate, the plate was placed on the Regius 350 and read. Relative evaluation was performed based on the electric signal from the obtained photomul. The brightness of Sample 2 was set to 1.0, and the subsequent values were represented by their relative values.

【0117】《鮮鋭性評価》放射線画像変換パネル試料
の鮮鋭性は、変調伝達関数(MTF)を求めて評価し
た。
<< Evaluation of Sharpness >> The sharpness of the radiation image conversion panel sample was evaluated by obtaining the modulation transfer function (MTF).

【0118】MTFは、放射線画像変換パネル試料にC
TFチャートを貼付した後、放射線画像変換パネル試料
に80kVpのX線を10mR(被写体までの距離:
1.5m)照射した後、100μmφの直径の半導体レ
ーザ(680nm:パネル上でのパワー40mW)を用
いてCTFチャート像を走査読み取りして求めた。表の
値は、2.0lp/mmのMTF値を足し合わせた値
(%)で示す。得られた結果を以下表1に示す。
MTF is a radiographic image conversion panel sample with C
After attaching the TF chart, the radiation image conversion panel sample was exposed to 80 mVp of X-ray at 10 mR (distance to the subject:
After irradiation for 1.5 m), a CTF chart image was obtained by scanning and reading using a semiconductor laser having a diameter of 100 μm (680 nm: power on the panel: 40 mW). The values in the table are shown as a value (%) obtained by adding MTF values of 2.0 lp / mm. The obtained results are shown in Table 1 below.

【0119】《瞬時残光比率、輝尽残光比率測定》評価
方法輝尽発光は輝度評価と同様に信号値を読みとり測定
する。
<< Measurement of Instantaneous Afterglow Ratio and Stimulated Afterglow Ratio >> Evaluation Method For stimulated luminescence, the signal value is read and measured in the same manner as the luminance evaluation.

【0120】輝尽残光比率の測定はレーザー走査時に半
分をレーザー走査し、走査後の輝度の値(a)を求め、
半分をレーザーoffにし、レーザーoff後よりX線
爆射300msec後の値(b)を測定し輝度の比率に
て輝尽残光比率とした。
For the measurement of the photostimulable afterglow ratio, half the laser scanning was carried out at the time of laser scanning, and the value (a) of the luminance after scanning was obtained.
Half of the laser was turned off, and after laser off, the value (b) after 300 msec of X-ray bombardment was measured and the ratio of luminance was taken as the photostimulable afterglow ratio.

【0121】輝尽残光比率(%)=(a/b)×100 X線/プレート/フォトマル(浜松フォトニクス社製R
1305)の構成にてX線爆射直後の信号を1.0とし
てX線爆射300msec後の信号を測定(c)し、そ
の比率を瞬時残光比率とした。
Stimulated afterglow ratio (%) = (a / b) × 100 X-ray / plate / Photomar (R manufactured by Hamamatsu Photonics KK
In the configuration of 1305), the signal immediately after X-ray bombardment was set to 1.0, and the signal after 300 msec of X-ray bombardment was measured (c), and the ratio was defined as the instantaneous afterglow ratio.

【0122】瞬時残光比率(%)=(c/1.0)×1
00 《発光波長の半値幅の測定》吸収スペクトル装置を用い
て蛍光体の発光波長の半値幅を測定した。
Instantaneous afterglow ratio (%) = (c / 1.0) × 1
00 <Measurement of full width at half maximum of emission wavelength> The full width at half maximum of emission wavelength of the phosphor was measured using an absorption spectrum device.

【0123】半値幅が広いと結晶が崩れ、半値幅が狭い
と結晶が崩れない柱状結晶が得られ、柱状結晶内で光散
乱を起こさず、鮮鋭性が優れている。
When the full width at half maximum is wide, the crystal collapses, and when the full width at half maximum is narrow, a columnar crystal in which the crystal does not collapse is obtained, light scattering does not occur in the columnar crystal, and the sharpness is excellent.

【0124】尚、表中主賦活剤Euの下の数字は蒸着時
の蒸発源加熱温度を表す。
The numbers below the main activator Eu in the table represent the evaporation source heating temperature during vapor deposition.

【0125】[0125]

【表1】 [Table 1]

【0126】[0126]

【発明の効果】実施例で実証した如く、本発明による放
射線画像変換パネル及び該放射線画像変換パネルの製造
方法は残光が少なく、蛍光体の発光波長の半値幅が狭
く、高輝度、高鮮鋭性が得られ、優れた効果を有する。
As demonstrated in the examples, the radiation image conversion panel and the method for manufacturing the radiation image conversion panel according to the present invention have a small afterglow, a narrow half-width of the emission wavelength of the phosphor, a high brightness and a high sharpness. Property is obtained and it has an excellent effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】支持体上に形成した柱状結晶を有する輝尽性蛍
光体層の一例を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a stimulable phosphor layer having columnar crystals formed on a support.

【図2】支持体上に輝尽性蛍光体層を蒸着法により形成
される様子を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing how a stimulable phosphor layer is formed on a support by a vapor deposition method.

【図3】本発明の放射線画像変換パネルの構成の一例を
示す概略図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a configuration of a radiation image conversion panel of the present invention.

【図4】蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を作製す
る方法の一例を示す概略図である。
FIG. 4 is a schematic view showing an example of a method for producing a stimulable phosphor layer on a support by vapor deposition.

【符号の説明】 11 支持体 12 輝尽性蛍光体層 13 柱状結晶 14 柱状結晶間に形成された間隙 15 支持体ホルダ 21 放射線発生装置 22 被写体 23 放射線画像変換パネル 24 輝尽励起光源 25 該変換パネルにより放射された輝尽蛍光を検出す
る光電変換装置 26 画像再生装置 27 画像表示装置 28 フィルタ
[Description of Reference Signs] 11 support 12 stimulable phosphor layer 13 columnar crystal 14 gap 15 formed between columnar crystals 15 support holder 21 radiation generator 22 subject 23 radiation image conversion panel 24 photostimulation excitation light source 25 conversion Photoelectric conversion device 26 for detecting stimulated fluorescence emitted by the panel 26 Image reproducing device 27 Image display device 28 Filter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/85 C09K 11/85 G01T 1/00 G01T 1/00 B Fターム(参考) 2G083 AA03 BB01 CC03 DD02 DD11 EE02 EE03 EE04 4H001 CA04 CA05 CA08 CF01 XA00 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 YA00 YA11 YA12 YA29 YA47 YA49 YA63 YA65 YA81 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C09K 11/85 C09K 11/85 G01T 1/00 G01T 1/00 BF term (reference) 2G083 AA03 BB01 CC03 DD02 DD11 EE02 EE03 EE04 4H001 CA04 CA05 CA08 CF01 XA00 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA55 YAYA YA47 YA49 YA49 YA49 YA56 YA56 YA47

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射
線画像変換パネルにおいて、少なくとも1層の該輝尽性
蛍光体層が気相法(気相堆積法ともいう)により50μ
m〜1mmの膜厚を有するように形成され、蛍光体組成
中に希土類化合物を2種類以上均一に含有していること
を特徴とする放射線画像変換パネル。
1. A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, wherein at least one stimulable phosphor layer is 50 μm by a vapor phase method (also referred to as a vapor phase deposition method).
A radiation image conversion panel, which is formed to have a film thickness of m to 1 mm and which contains two or more kinds of rare earth compounds uniformly in the phosphor composition.
【請求項2】 前記少なくとも1層の輝尽性蛍光体層
が、下記一般式(1)で表されるハロゲン化アルカリを
母体とする輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が
気相成長法(気相堆積法ともいう)により50μm〜1
mmの膜厚を有するように形成されていることを特徴と
する請求項1に記載の放射線画像変換パネル。 一般式(1) M1X・aM2X′2・bM3X″3:eA 〔式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子
から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であ
り、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、C
d、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種
の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、
Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H
o、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各
原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であ
り、X、X′、X″はF、Cl、Br及びIの各原子か
ら選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、Aは
Eu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、N
d、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、
Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも2
種以上の金属原子であり、また、a、b、eはそれぞれ
0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範
囲の数値を表す。〕
2. The stimulable phosphor layer, wherein the at least one stimulable phosphor layer contains a stimulable phosphor having an alkali halide represented by the following general formula (1) as a matrix. The layer has a thickness of 50 μm to 1 by a vapor deposition method (also referred to as vapor deposition method)
The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the radiation image conversion panel is formed to have a thickness of mm. Formula (1) M 1 X · aM 2 X '2 · bM 3 X "3: eA wherein at least one alkali metal M 1 is Li, Na, K, selected from atoms of Rb and Cs Is an atom, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, C
d is at least one divalent metal atom selected from Cu and Ni atoms, and M 3 is Sc, Y, La, Ce,
Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H
o, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, and at least one trivalent metal atom selected from In, X, X ′, and X ″ are F, Cl, Br, and I atoms. Is at least one kind of halogen atom selected from, A is Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, N
d, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na,
At least 2 selected from each atom of Ag, Cu and Mg
It is at least one kind of metal atom, and a, b, and e each represent a numerical value in the range of 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <e ≦ 0.2. ]
【請求項3】 前記蛍光体組成中の2種類以上の希土類
化合物のうち少なくとも1種の希土類化合物がCs原子
を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の放射
線画像変換パネル。
3. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein at least one rare earth compound among the two or more rare earth compounds in the phosphor composition has a Cs atom.
【請求項4】 X線爆射300msec後の輝尽残光量
が0.0001〜0.1%であることを特徴とする請求
項1〜3の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。
4. The radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 3, wherein the amount of photostimulable afterglow after 300 msec of X-ray bombardment is 0.0001 to 0.1%.
【請求項5】 X線爆射300msec後の瞬時発光残
光量が0.0001〜0.01%であることを特徴とす
る請求項4に記載の放射線画像変換パネル。
5. The radiation image conversion panel according to claim 4, wherein the amount of instantaneous afterglow after 300 msec of X-ray exposure is 0.0001 to 0.01%.
【請求項6】 請求項1〜5の何れか1項に記載の放射
線画像変換パネルを乾燥空気の雰囲気内で製造すること
を特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
6. A method of manufacturing a radiation image conversion panel, which comprises manufacturing the radiation image conversion panel according to claim 1 in an atmosphere of dry air.
JP2002132633A 2002-05-08 2002-05-08 Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel Expired - Fee Related JP4259035B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002132633A JP4259035B2 (en) 2002-05-08 2002-05-08 Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
US10/424,418 US6992305B2 (en) 2002-05-08 2003-04-28 Radiation image converting panel and production method of the same
EP03008890A EP1376613A3 (en) 2002-05-08 2003-04-30 Radiation image conversion panel and production method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002132633A JP4259035B2 (en) 2002-05-08 2002-05-08 Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003329798A true JP2003329798A (en) 2003-11-19
JP4259035B2 JP4259035B2 (en) 2009-04-30

Family

ID=29696100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002132633A Expired - Fee Related JP4259035B2 (en) 2002-05-08 2002-05-08 Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4259035B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005187817A (en) * 2003-12-19 2005-07-14 Agfa Gevaert Nv Method for preparing storage phosphor from precursor
JP2005232458A (en) * 2004-02-20 2005-09-02 Agfa Gevaert Nv Method for manufacturing storage phosphor from precursor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005187817A (en) * 2003-12-19 2005-07-14 Agfa Gevaert Nv Method for preparing storage phosphor from precursor
JP2005232458A (en) * 2004-02-20 2005-09-02 Agfa Gevaert Nv Method for manufacturing storage phosphor from precursor

Also Published As

Publication number Publication date
JP4259035B2 (en) 2009-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6992305B2 (en) Radiation image converting panel and production method of the same
US7053385B2 (en) Radiographic image conversion panel and method for manufacturing the same
JP4770737B2 (en) Radiation image conversion panel
JP4304998B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2002350597A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP3915593B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2005083792A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP4259035B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP3879629B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP4828771B2 (en) Radiation image conversion panel
JP4475106B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2008116462A (en) Radiographic image conversion panel, and manufacturing method of radiographic image conversion panel
JP3807347B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP4079073B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2003270395A (en) Radiogram conversion panel
JP2006133152A (en) Radiological image conversion panel
JP2006125854A (en) Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor
JP5360160B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2007024817A (en) Radiological image conversion panel and its manufacturing method
JP2007057306A (en) Radiation image conversion panel using stimulable phosphor and method for manufacturing it
JP2006064382A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP2004002530A (en) Radiation image conversion panel and method for producing radiation image conversion panel
JP2004132934A (en) Radiation image conversion panel and its manufacturing method
JP2004061159A (en) Radiological image conversion panel and method for manufacturing the same
JP2004085430A (en) Radiation image transformation panel, and manufacturing method for radiation image transformation panel

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20050322

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20080108

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080226

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20080826

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Effective date: 20081021

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090120

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Effective date: 20090202

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees