JP2003198248A - Antenna-integrated package - Google Patents

Antenna-integrated package

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JP2003198248A
JP2003198248A JP2001394295A JP2001394295A JP2003198248A JP 2003198248 A JP2003198248 A JP 2003198248A JP 2001394295 A JP2001394295 A JP 2001394295A JP 2001394295 A JP2001394295 A JP 2001394295A JP 2003198248 A JP2003198248 A JP 2003198248A
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Japan
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antenna
micro
millimeter wave
lead frame
package
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Application number
JP2001394295A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoyuki Osada
尚之 長田
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Support Of Aerials (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency semiconductor-antenna-integrated package, which effectively utilizes a lead frame used in a package product as a part of an antenna, a coil and a capacitor in frequency bands extending from several GHz to 30 GHz to perform a high efficiency radiation, while miniaturizing the structure and reducing the number of peripheral components and the cost by the known technology. <P>SOLUTION: The antenna-integrated package 1, having a micro/millimeter wave IC 3 having active and passive elements and an antenna part 2, uses a part of a lead frame 26 constituting the micro/millimeter wave IC as an antenna 4. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アンテナ一体型パ
ッケージに関し、特に、マイクロ/ミリ波の能動素子で
構成される化合物半導体、いわゆるマイクロ波/マイク
ロ波ICとアンテナを一体化したパッケージ技術に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antenna-integrated package, and more particularly to a package technology in which a compound semiconductor composed of micro / millimeter wave active elements, a so-called microwave / microwave IC, and an antenna are integrated. Is.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報量の増加に対応すべく無線通
信技術の発展に伴い、より使用する周波数が高くなりマ
イクロ波の需要が急増している。これに伴い、ワイヤレ
スで高速通信を行う小型携帯機器のみならず、多種多様
の電化製品にもワイヤレス通信機能が組み込まれたもの
が採用されている。このような通信機能を機器の内部に
設置するに当り、設置スペースを取らないマイクロ波の
アンテナの小型化や軽量化が進められており、さらにチ
ップアンテナの開発も進行している。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of wireless communication technology in order to cope with the increase in the amount of information, the frequency to be used has become higher and the demand for microwaves has rapidly increased. Along with this, not only small portable devices that perform high-speed wireless communication but also various electric appliances that incorporate a wireless communication function have been adopted. In installing such a communication function inside a device, a microwave antenna that does not occupy an installation space is being reduced in size and weight, and further, a chip antenna is being developed.

【0003】さらに、無線データ通信として使用され始
めている2.4GHz帯、そして5GHz帯からさらに
ミリ波へとワイヤレス通信の需要は様々なところで拡大
していく様相がある。既に、ブルートゥースによるワイ
ヤレス応用製品が開発され、携帯電話、ノート型PC、
PDA、ハンドヘルドゲーム他のモバイル機器のリンク
がはじまりつつある。
[0003] Furthermore, there is a situation that the demand for wireless communication is expanding in various places from the 2.4 GHz band, which has begun to be used for wireless data communication, and the 5 GHz band to millimeter waves. Wireless application products by Bluetooth have already been developed for mobile phones, laptops,
Links to PDAs, handheld games and other mobile devices are starting.

【0004】今後、IPV6の使用開始により、家電製
品、自動車、道路へとあらゆる製品のネットワーク化が
進み、マイクロ/ミリ波の需要は飛躍的に伸びるものと
考えられる。そこで、上述した応用製品にとって、より
小型、軽量で製品機器への簡単な取り付けが可能なマイ
クロ/ミリ波のデバイスが必要となっている。
With the start of use of IPV6 in the future, it is considered that demand for micro / millimeter waves will increase dramatically as all products including home electric appliances, automobiles and roads will be networked. Therefore, for the above-mentioned applied products, there is a need for a micro / millimeter-wave device that is smaller and lighter and that can be easily attached to product equipment.

【0005】しかしながら、従来のマイクロ/ミリ波を
用いたデバイスは、マイクロ/ミリ波の能動素子で構成
される化合物半導体の端子、いわゆるマイクロ/ミリ波
ICとチップアンテナとが別体で構成されているため、
部品点数の増加、部品容積の増加、部品の総重量が増大
する等の問題を有している。さらに、マイクロ波部品
は、一般に出荷時の微調整が必須であるため、工数もか
さみコストの低減も頭打ちとなってきている。
However, in the conventional device using the micro / millimeter wave, the terminal of the compound semiconductor constituted by the active element of the micro / millimeter wave, that is, the so-called micro / millimeter wave IC and the chip antenna are separately constructed. Because
There are problems such as an increase in the number of parts, an increase in the volume of parts, and an increase in the total weight of parts. Further, since microwave components generally require fine adjustment at the time of shipment, reduction in cost and man-hours has also reached a ceiling.

【0006】そこで、特開平5−67919号公報に開
示されているように、マイクロ波ICとアンテナを一体
化したモジュールが提案されている。しかしながら、現
段階では、容積が大きく、高価となるという問題点を有
している。
Therefore, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-67919, a module in which a microwave IC and an antenna are integrated has been proposed. However, at the present stage, there is a problem that the volume is large and the cost is high.

【0007】一方、マイクロ/ミリ波IC上にアンテナ
を作り込んだ、いわゆるモノリシック・マイクロ/ミリ
波デバイスの研究、開発も盛んに行われている。しかし
ながら、モノリシック・マイクロ/ミリ波デバイスによ
ると、マイクロ/ミリ波の中の低い周波数に相当する数
GHzから30GHzの帯域では、波長が1cmから数
cmに相当するため、マイクロ/ミリ波ICを構成する
小さなチップ面積内に、帯域の広い高利得のアンテナを
作ることは容易ではなかった。
On the other hand, research and development of so-called monolithic micro / millimeter wave devices in which an antenna is built on a micro / millimeter wave IC are also being actively conducted. However, according to the monolithic micro / millimeter wave device, the wavelength corresponds to 1 cm to several cm in the band of several GHz to 30 GHz, which corresponds to the low frequency in the micro / millimeter wave. It was not easy to make a wide band high gain antenna within a small chip area.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のマイクロ/ミリ波ICとチップアンテナとの2つの部
品を搭載する方式やマイクロ/ミリ波ICとアンテナと
を一体にモジュールを構成する方式では、部品容積が大
きくなり、製品の小型化や軽量化が難しいという問題点
を有している。したがって、既存技術を使用して低価格
化を進めるために、出荷調整の簡略化や部品点数の低減
が必要とされている。
As described above, a method of mounting two parts of a conventional micro / millimeter wave IC and a chip antenna or a method of integrally forming a module with the micro / millimeter wave IC and antenna. However, there is a problem in that the volume of parts becomes large and it is difficult to reduce the size and weight of the product. Therefore, simplification of shipment adjustment and reduction of the number of parts are required in order to reduce the price by using the existing technology.

【0009】また、通常、マイクロ/ミリ波ICとその
アンテナは、製品の実装場所とその周囲部品の材質、大
きさ、配置により影響を受けやすく、アンテナの性能を
最大限に引き出すことが難しい。したがって、モノリシ
ック・マイクロ/ミリ波ICよりも利得の高いアンテナ
で、しかもアンテナの短縮率が小さく、ブロードバンド
に適応する広帯域でフラットな利得が得られるアンテナ
が要求されている。
[0009] Usually, the micro / millimeter wave IC and its antenna are easily affected by the material, size and arrangement of the product mounting place and its peripheral parts, and it is difficult to maximize the performance of the antenna. Therefore, there is a demand for an antenna having a higher gain than that of a monolithic micro / millimeter wave IC and having a small antenna shortening rate and capable of obtaining a flat gain in a wide band adapted to a wide band.

【0010】また、波長の非常に短いミリ波(例えば3
0GHz以上)送受信であれば、今後はアンテナを半導
体の一部として取りこみ、モノリシック・マイクロ/ミ
リ波IC化が進む可能性もあるが、数GHzから30G
Hz以下の周波数では、たとえシングルチップ化が実現
できてもICチップ上でアンテナ、キャパシタ、コイル
等を作るには広い面積を必要とし、小型化/短縮化した
アンテナでは自由空間への輻射効率が良く、利得の高い
アンテナを作る事は容易なことではでない。したがっ
て、電磁波を効率良く自由空間に輻射するためには、少
しでもアンテナの実効長を大きく取れる配線とすること
が求められている。
In addition, a millimeter wave having a very short wavelength (for example, 3
If it is transmission and reception (0 GHz or more), it is possible that the antenna will be incorporated as a part of semiconductor in the future, and monolithic micro / millimeter wave IC will be developed, but from several GHz to 30 GHz
At frequencies below Hz, even if a single chip can be realized, a large area is required to make an antenna, a capacitor, a coil, etc. on an IC chip, and a miniaturized / shortened antenna has a radiation efficiency to a free space. Creating a good, high-gain antenna is not easy. Therefore, in order to efficiently radiate the electromagnetic waves into the free space, it is required to make the wiring to have a large effective length of the antenna.

【0011】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、特に数GHzから30GHz帯の周波
数域において、パッケージ品で使用するリードフレーム
をアンテナ、コイル、キャパシタの一部として有効に活
用し、既存技術で小型化、周辺部品数の低減と低コスト
化を図りながら、効率の良い輻射が行える高周波半導
体、アンテナ一体型パッケージを提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above conventional problems, and particularly in a frequency range of several GHz to 30 GHz, a lead frame used in a package product is effective as a part of an antenna, a coil and a capacitor. It is an object of the present invention to provide a high frequency semiconductor / antenna integrated package capable of efficient radiation while utilizing the existing technology to reduce the size, reduce the number of peripheral components and reduce the cost.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、アンテナ一体
型パッケージに係り、能動素子および受動素子を備えた
マイクロ/ミリ波回路と、マイクロ/ミリ波アンテナと
を有するマイクロ/ミリ波アンテナモジュールにおい
て、前記マイクロ/ミリ波回路を構成するリードフレー
ムの一部をアンテナとして使用することを特徴とするア
ンテナ一体型パッケージであって、既存半導体製造装置
の有効利用と低価格製品で数GHzから30GHz帯の
周波数に対応した波長の短い省電力短距離通信に適した
ものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an antenna-integrated package, and a micro / millimeter wave antenna module having a micro / millimeter wave circuit having an active element and a passive element and a micro / millimeter wave antenna. An antenna-integrated package characterized by using a part of a lead frame constituting the micro / millimeter wave circuit as an antenna, which is an effective use of an existing semiconductor manufacturing apparatus and a low-priced product in a band of several GHz to 30 GHz. It is suitable for power-saving short-distance communication with a short wavelength corresponding to the frequency.

【0013】また、前記リードフレームは、マイクロ/
ミリ波の能動素子で構成される化合物半導体の端子が接
続されることが好ましい。また、前記リードフレーム
は、スタブを備えていることが好ましい。また、前記ア
ンテナの外周部を、数GHzから30GHzの帯域の電
磁波の透過性の高いパッケージ樹脂で外周部を覆うよう
に構成したことが好ましい。
The lead frame is micro /
It is preferable that a terminal of a compound semiconductor composed of a millimeter wave active element is connected. Further, it is preferable that the lead frame includes a stub. Further, it is preferable that the outer peripheral portion of the antenna is configured to be covered with a package resin having high permeability of electromagnetic waves in a band of several GHz to 30 GHz.

【0014】本発明によれば、以下のような作用が得ら
れる。すなわち、能動素子および受動素子を備えたマイ
クロ/ミリ波回路と、マイクロ/ミリ波アンテナとを有
するマイクロ/ミリ波アンテナモジュールにおいて、前
記マイクロ/ミリ波回路を構成するリードフレームの一
部をアンテナとして使用すると、大量生産に向いた打ち
抜き方式を使用したリードフレーム、少量生産に向いた
エッチングタイプのリードフレームのどちらでも利用す
る事が可能で、応用製品の仕様に適したフレームを選択
しながら生産コスト、開発時間の短縮の対応もできる。
According to the present invention, the following effects can be obtained. That is, in a micro / millimeter wave antenna module having a micro / millimeter wave circuit including an active element and a passive element, and a micro / millimeter wave antenna, a part of a lead frame constituting the micro / millimeter wave circuit is used as an antenna. When used, it is possible to use either a lead frame using a punching method suitable for mass production or an etching type lead frame suitable for small volume production, while selecting the frame suitable for the specifications of the applied product Also, it is possible to shorten the development time.

【0015】また、使用する周波数が30GHzまでで
あれば、1波長が1cmであるため、1波長の200分
の1の精度が得られれば実質問題ないものとすると、
0.05mmの精度が必要となり、現存するリードフレ
ームのアセンブリ技術でアンテナの仕様寸法の精度が得
られる。つまり、ワイヤーボンディング、リードフレー
ムのアセンブリに関しては、今までに培われてきた単導
体装置がそのまま使用できる。したがって、既存技術を
使用することで生産コストの増大を抑制でき、リードフ
レームをアンテナとして使用することができるので、生
産に適した手段の選択が可能となる。
Further, if the frequency to be used is up to 30 GHz, one wavelength is 1 cm, so that if there is an accuracy of 1/200 of one wavelength, there is no problem.
An accuracy of 0.05 mm is required, and the accuracy of the dimensions of the antenna can be obtained with the existing lead frame assembly technology. In other words, for wire bonding and lead frame assembly, the single conductor device cultivated up to now can be used as it is. Therefore, by using the existing technology, an increase in production cost can be suppressed, and the lead frame can be used as an antenna, so that it is possible to select a means suitable for production.

【0016】また、アンテナのインピーダンスがパッケ
ージ周辺の環境によって影響を受けにくくするために、
アンテナ本体をパッケージ樹脂に封じこめることで、周
辺部品からアンテナ本体を隔離すると同時に、アンテナ
の機械強度向上と形状の安定化を図ることができる。
Further, in order to make the impedance of the antenna less susceptible to the environment around the package,
By encapsulating the antenna main body in the package resin, the antenna main body can be separated from the peripheral parts, and at the same time, the mechanical strength of the antenna can be improved and the shape can be stabilized.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して詳細に説明する。図1〜図4は発明を実施
する形態の一例であって、図1は本発明の実施形態に係
るアンテナ一体型パッケージの全体構成の概要を示すブ
ロック図、図2は前記アンテナ一体型パッケージのアン
テナ部の構成を示す説明図、図3の(a)は前記アンテ
ナ部とマイクロ/ミリ波ICの構成を示す斜視図、
(b)は前記アンテナ部とマイクロ/ミリ波ICとのパ
ッケージ状態での(a)のA−A断面矢視図、図4は前
記アンテナ部に発生する主要浮遊キャパシタンスとリア
クタンスの場所を示す説明図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. 1 to 4 are examples of embodiments for carrying out the invention. FIG. 1 is a block diagram showing an outline of the overall configuration of an antenna-integrated package according to an embodiment of the present invention, and FIG. Explanatory drawing showing the structure of the antenna part, FIG. 3A is a perspective view showing the structure of the antenna part and the micro / millimeter wave IC,
4B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 4A in the packaged state of the antenna unit and the micro / millimeter wave IC, and FIG. 4 is a diagram showing locations of main stray capacitances and reactances generated in the antenna unit. It is a figure.

【0018】本実施形態のアンテナ一体型パッケージ1
は、図1に示すように、アンテナ部2とマイクロ/ミリ
波IC3とにより構成され、前記アンテナ部2にはアン
テナ4を備え、前記マイクロ/ミリ波IC3にはスイッ
チ5、RFパワーアンプ6、ローノイズアンプ7、ミキ
サ8、PLL(1)9、ミキサ10、バイパスフィルタ
(1)11、バイパスフィルタ(2)12、モジュレー
タ13、PLL(2)14、ミキサ15、バイパスフィ
ルタ(3)16、ベースバンドプロセッサ17、CPU
18を備えている。
The antenna integrated package 1 of this embodiment
As shown in FIG. 1, it is composed of an antenna unit 2 and a micro / millimeter wave IC 3, the antenna unit 2 is provided with an antenna 4, and the micro / millimeter wave IC 3 is provided with a switch 5, an RF power amplifier 6, Low noise amplifier 7, mixer 8, PLL (1) 9, mixer 10, bypass filter (1) 11, bypass filter (2) 12, modulator 13, PLL (2) 14, mixer 15, bypass filter (3) 16, base Band processor 17, CPU
Eighteen.

【0019】前記CPU18は、演算処理をするだけで
なく、マイクロ/ミリ波IC3の全体をコントロールす
るようにされている。
The CPU 18 not only performs arithmetic processing but also controls the entire micro / millimeter wave IC 3.

【0020】送信時には、RFパワーアンプ6とアンテ
ナ4がスイッチ5に依ってスルーとなり、ベースバンド
プロセッサ17はマイクロ/ミリ波のキャリアを発振す
るPLL(1)9、PLL(2)14のコントロールを
行い、PLL(2)14で発生したキャリアとベースバ
ンドプロセッサ17からのデータ信号をモジュレータ1
3で変調をかけ、バイパスフィルタ(1)11を通して
不用キャリアを除去後、PLL(1)9で発振した高周
波とその変調した信号をミキサ8でミキシングして特定
周波数に変換し、RFパワーアンプ6でその信号を増幅
してスイッチ5を経由してアンテナ4にその信号が供給
される。
At the time of transmission, the RF power amplifier 6 and the antenna 4 are turned through by the switch 5, and the baseband processor 17 controls the PLL (1) 9 and the PLL (2) 14 which oscillate the carrier of the micro / millimeter wave. Then, the carrier generated in the PLL (2) 14 and the data signal from the baseband processor 17 are processed by the modulator 1
After modulation by 3, the unnecessary carrier is removed through the bypass filter (1) 11, the high frequency oscillated by the PLL (1) 9 and the modulated signal are mixed by the mixer 8 to be converted into a specific frequency, and the RF power amplifier 6 Then, the signal is amplified and supplied to the antenna 4 via the switch 5.

【0021】一方、受信時には、ローノイズアンプ7と
アンテナ4がスイッチ5によりスルーとなり、アンテナ
4から入った信号をローノイズアンプ7で増幅後、PL
L(1)9で発生したキャリアとミキサ10でミキシン
グして中間周波数に変換し、バイパスフィルタ(2)1
2を通して不用なキャリアを除去した後、PLL(2)
14で発振したキャリアとその信号をミキシングしベー
スバンドプロセッサ17が受信できる周波数に変換し、
バイパスフィルタ(3)16で不用なキャリアを除去し
てベースバンドプロセッサ17に入る。
On the other hand, at the time of reception, the low noise amplifier 7 and the antenna 4 are made through by the switch 5, and the signal input from the antenna 4 is amplified by the low noise amplifier 7 and then PL
The carrier generated in L (1) 9 and the mixer 10 are mixed and converted into an intermediate frequency, and the bypass filter (2) 1
After removing the unwanted carrier through 2, PLL (2)
The carrier oscillated in 14 and its signal are mixed and converted into a frequency that can be received by the baseband processor 17,
The bypass filter (3) 16 removes unnecessary carriers and enters the baseband processor 17.

【0022】リードフレーム26は、図2に示すよう
に、アンテナ部25を折り曲げる前の状態で、リード線
(1)21、リード線(2)22、リード線(3)2
3、アイランド(GND)24、リードフレーム26、
スタブ27を備えて構成されている。前記リード線
(1)21、リード線(2)22、リード線(3)2
3、アイランド24は、汎用のリードフレームとして使
用されるものである。前記アンテナ部25は、リードフ
レーム26とアンテナ入力インピーダンスのマッチング
をとるためのスタブ27とにより構成されている。
As shown in FIG. 2, the lead frame 26 has the lead wire (1) 21, the lead wire (2) 22, and the lead wire (3) 2 before the antenna portion 25 is bent.
3, island (GND) 24, lead frame 26,
It is provided with a stub 27. Lead wire (1) 21, lead wire (2) 22, lead wire (3) 2
3. The island 24 is used as a general-purpose lead frame. The antenna section 25 is composed of a lead frame 26 and a stub 27 for matching the antenna input impedance.

【0023】図3の(a)は、アンテナ部25をパッケ
ージ化(パッケージ樹脂は省略)した際の配置図であっ
て、アンテナ部25をマイクロ/ミリ波IC3の上部に
設置するために、リードフレーム26を根元付近で折り
曲げ、パッケージの小型化を図ったものである。
FIG. 3A is a layout view of the antenna portion 25 when packaged (the package resin is omitted). In order to install the antenna portion 25 on the upper part of the micro / millimeter wave IC 3, leads are provided. The frame 26 is bent near the base to reduce the size of the package.

【0024】前記マイクロ/ミリ波IC3上には、ボン
ディングパッド28が複数個所に設けられている。前記
ボンディングパッド28と前記リードフレーム26の根
元付近とがボンディングワイヤ29で接続されている。
A plurality of bonding pads 28 are provided on the micro / millimeter wave IC 3. The bonding pad 28 and the vicinity of the root of the lead frame 26 are connected by a bonding wire 29.

【0025】前記リードフレーム26には、該リードフ
レーム26の入力インピーダンスとマイクロ/ミリ波I
C3の出力インピーダンスがマッチングできる様に設定
された寸法でスタブ27が設けられている。
The lead frame 26 has an input impedance and a micro / millimeter wave I
The stub 27 is provided with a size set so that the output impedance of C3 can be matched.

【0026】図3の(b)に示すように、前記マイクロ
/ミリ波IC3は、アイランド24の上面に配設される
とともに、全周をパッケージ樹脂31により覆われてい
る。前記アンテナ部25は、前記マイクロ/ミリ波IC
3に隣接配置されるリードフレーム26の根元の部分が
前記マイクロ/ミリ波IC3とともにパッケージ樹脂3
1により覆われ、前記マイクロ/ミリ波IC3上に折り
返されたリードフレーム26が誘電率の低い材料(マイ
クロ/ミリ波の透過し易い、例えばテフロン(R)など
の材料)32により覆われている。
As shown in FIG. 3B, the micro / millimeter wave IC 3 is disposed on the upper surface of the island 24, and the entire circumference is covered with the package resin 31. The antenna unit 25 is the micro / millimeter wave IC.
3 and the base portion of the lead frame 26 disposed adjacent to the package 3 together with the micro / millimeter wave IC 3 are package resin 3
1, the lead frame 26 folded back on the micro / millimeter wave IC 3 is covered with a material having a low dielectric constant (a material easily transmitting micro / millimeter waves, such as Teflon (R)) 32. .

【0027】前記マイクロ/ミリ波IC3本体には、マ
イクロ波の能動態素子、受動態素子があり、アンテナ部
25との干渉を避けるために、アンテナ部25とマイク
ロ/ミリ波IC3上の能動態素子/受動態素子の間は物
理的に隔離されている。
The main body of the micro / millimeter wave IC3 has a microwave active element and a passive element, and in order to avoid interference with the antenna section 25, the active element / passive element on the antenna section 25 and the micro / millimeter wave IC3 is provided. The elements are physically separated.

【0028】前記マイクロ/ミリ波IC3およびアンテ
ナ部25をパッケージ樹脂31やテフロン(R)等の誘電
率の低い材料32で覆うことで、リードフレーム26の
機械強度を増して形状を安定させると共に周辺機器、パ
ーツから物理的な距離を置くこととなり、周囲の影響を
少なくすることができる。
By covering the micro / millimeter wave IC 3 and the antenna section 25 with the package resin 31 and the material 32 having a low dielectric constant such as Teflon (R), the mechanical strength of the lead frame 26 is increased to stabilize its shape and its periphery. The physical distance from the equipment and parts will reduce the influence of the surroundings.

【0029】次に、アンテナ部25に発生する主要浮遊
キャパシタとリアクタンスについて説明する。アンテナ
部25とマイクロ/ミリ波IC3を一体化するために
は、各部位のキャパシタ、リアクタンスを予め把達して
検証が必要となる。主なものとして、図4に示すよう
に、ボンディングワイヤ29のコイル成分29a、前記
ボンディングワイヤ29とスタブ27間のアンテナ部2
5を構成するリードフレーム26の曲がった部分に発生
するコイル成分26a1、前記リードフレーム26のス
タブ27付近と中央部のリードが近接して平行に配置さ
れた部分のキャパシタ成分26b1、前記スタブ27に
発生するキャパシタ成分27b、リードフレーム26の
曲部に発生するコイル成分26a2、リードフレーム2
6とパッケージ樹脂(図示省略)との間に発生するイン
ピーダンス成分26b2等の検証を要する。
Next, the main floating capacitors and reactances generated in the antenna section 25 will be described. In order to integrate the antenna unit 25 and the micro / millimeter wave IC 3, it is necessary to verify the capacitors and reactances of the respective parts in advance. Mainly, as shown in FIG. 4, the coil component 29a of the bonding wire 29 and the antenna part 2 between the bonding wire 29 and the stub 27 are provided.
5, a coil component 26a 1 generated in a bent portion of the lead frame 26, a capacitor component 26b 1 in a portion in which the stub 27 of the lead frame 26 and a central lead are closely arranged in parallel, the stub Capacitor component 27b generated in 27, coil component 26a 2 generated in the bent portion of the lead frame 26, lead frame 2
6 and the package resin (not shown) require verification of the impedance component 26b 2 and the like.

【0030】それらを調整する手段として、 (1)リードフレーム26の配線長、間隔、形状 (2)マイクロ/ミリ波ICの端子配置とリードフレー
ム26への設置場所 (3)ボンディングワイヤの長さ/間隔 (4)パッケージの材質 (5)その他の要因 がある。
As means for adjusting them, (1) wiring length, spacing and shape of the lead frame 26 (2) terminal arrangement of the micro / millimeter wave IC and installation place on the lead frame 26 (3) length of bonding wire / Interval (4) package material (5) and other factors.

【0031】上述した項目を考慮することで、アンテナ
部25のインピーダンスの不一致、マイクロ/ミリ波I
C3とアンテナ部25の適合を図り、マイクロ/ミリ波
をパッケージから効率良く輻射でき、かつ受信能力を向
上することができる。
By considering the above items, the impedance mismatch of the antenna section 25, the micro / millimeter wave I
By adapting C3 and the antenna unit 25, it is possible to efficiently radiate a micro / millimeter wave from the package and improve the receiving capability.

【0032】また、リードフレーム26を小型化する程
アンテナの利得は低下し、帯域を広くとることが困難と
なり、ブロードバンドに適応できなくなるので、広帯に
おける特定の周波数の電磁波を放射/受信するために、
アンテナ部25を構成するリードフレーム26を屈曲し
て構成し、出きるだけ実効長を大きく取れる構造として
いる。
Further, the smaller the lead frame 26 is, the lower the gain of the antenna becomes, which makes it difficult to obtain a wide band, and it becomes impossible to adapt to broadband. Therefore, the electromagnetic wave of a specific frequency in a wide band is radiated / received. To
The lead frame 26 forming the antenna portion 25 is bent to have a structure in which the effective length can be increased as much as possible.

【0033】このように、配線長を大きく取るためにリ
ードフレーム26の引き回しを行うと、物理的にコイル
成分を持つ事になるので入力インピーダンスが増加す
る。そこで、その調整を行うためにスタブ27を設ける
ことでキャパシタ成分を追加し、アンテナ部25の入力
インピーダンスを下げることでマッチングをとるように
している。
As described above, when the lead frame 26 is laid out in order to increase the wiring length, it physically has a coil component, so that the input impedance increases. Therefore, a stub 27 is provided to perform the adjustment to add a capacitor component, and the input impedance of the antenna unit 25 is lowered to achieve matching.

【0034】これらのマッチングは、マイクロ/ミリ波
IC3から出力される高周波の出力インピーダンスに合
わせなくてはならない。また、パッケージ化した際、よ
りコンパクトに容積を纏めるため、アンテナ部25を折
り返してシリコンチップのマイクロ/ミリ波IC3上方
に配置する。この時、リードフレーム26のスタブ27
付近の折り返し付近にもコイル成分26a1が現れてく
るため、折り返しの形状によってアンテナの入力インピ
ーダンスが変化する。同様に、ループ状のアンテナ部2
5の曲線部において、キャパシタとコイル成分26a2
をもつため、上記成分に合成してアンテナ入力インピー
ダンスとして働く。
These matching must be matched with the high frequency output impedance output from the micro / millimeter wave IC 3. Further, in order to make the volume more compact when packaged, the antenna part 25 is folded back and arranged above the micro / millimeter wave IC 3 of the silicon chip. At this time, the stub 27 of the lead frame 26
Since the coil component 26a 1 also appears in the vicinity of the folded portion, the input impedance of the antenna changes depending on the folded shape. Similarly, the loop-shaped antenna unit 2
In the curved portion of 5, the capacitor and the coil component 26a 2
Therefore, it functions as an antenna input impedance by combining with the above components.

【0035】一方、マイクロ/ミリ波IC3から出力さ
れる高周波は、ボンディングパッド28からボンディン
グワイヤ29を経由してアンテナ部25ヘと伝わる。そ
こでは、ボンディングワイヤ29のコイル成分と、ボン
ディングワイヤ29間の容量成分が出力インピーダンス
に最も大きな影響を与えることが考えられるため、予め
出力インピーダンスを正確に把握しておく。
On the other hand, the high frequency output from the micro / millimeter wave IC 3 is transmitted from the bonding pad 28 to the antenna section 25 via the bonding wire 29. Here, since the coil component of the bonding wire 29 and the capacitance component between the bonding wires 29 may have the greatest influence on the output impedance, the output impedance should be accurately grasped in advance.

【0036】また、前記アンテナ部25は、自由空間に
電磁波を効率良く輻射し、かつ受信しなければならない
ため、マイクロ/ミリ波に与える影響が少なく、かつ使
用する電磁波の帯域における透過性の高い材質が必要で
ある。したがって、パッケージに使用するモールド樹脂
は、例えばテフロン(R)等をアンテナ部25の封じ込み
材料として使用する。
Further, since the antenna section 25 must efficiently radiate and receive electromagnetic waves in a free space, it has little influence on the micro / millimeter waves and has high transparency in the band of the electromagnetic waves used. Material is required. Therefore, as the mold resin used for the package, for example, Teflon (R) or the like is used as a sealing material for the antenna section 25.

【0037】以上のように、アンテナ一体型パッケージ
1は電磁波を効率良く放射できる構成にして、マイクロ
/ミリ波IC3からの出力インピーダンス、ボンディン
グワイヤ29を通過したあとのインピーダンス、アンテ
ナの入力インピーダンスをマッチングさせ、アセンブリ
完了後のマッチング調整を必要としない、アセンブリ前
のシミュレーションを行う。
As described above, the antenna-integrated package 1 is configured to efficiently radiate electromagnetic waves, and matches the output impedance from the micro / millimeter wave IC 3, the impedance after passing through the bonding wire 29, and the input impedance of the antenna. Then, the simulation before the assembly that does not require the matching adjustment after the assembly is completed is performed.

【0038】それから、マイクロ/ミリ波の帯域ではR
F特性が周囲の影響を受けやすいため、PCBの寄生抵
抗であるリアクタンス、キャパシタ、レジスタ成分の影
響を受けにくい構造にする。アンテナ部25もマイクロ
/ミリ波IC3と同一パッケージに密封してソリッド型
とするために、アンテナ部25をパッケージの上方に設
置する構造として、マイクロ/ミリ波IC3からアンテ
ナ部25に接続する機構は全てパッケージ内部に収める
ものとする。
Then, in the microwave / millimeter wave band, R
Since the F characteristic is easily influenced by the surroundings, the structure is made to be less susceptible to the reactance, the capacitor, and the resistor component which are the parasitic resistance of the PCB. Since the antenna unit 25 is also sealed in the same package as the micro / millimeter wave IC 3 to be a solid type, the antenna unit 25 is installed above the package, and a mechanism for connecting the micro / millimeter wave IC 3 to the antenna unit 25 is provided. All shall be stored inside the package.

【0039】また、設計時において、アンテナ部25と
マイクロ/ミリ波の能動素子、受動素子間にスタブ27
を設けて進行波に対する反射波を抑えるマッチング回路
として、スタブ27の形状・寸法を調整する。
Further, at the time of designing, a stub 27 is provided between the antenna section 25 and the active element / passive element for the micro / millimeter wave.
Is provided to adjust the shape and size of the stub 27 as a matching circuit that suppresses the reflected wave against the traveling wave.

【0040】これらの事項を満足させる事はもとより、
設計にあたってはリードフレーム26、ボンディングワ
イヤ29のRF特性への影響、パッケージ樹脂の材質
(比誘電率)を定める際、予め3次元シミュレーション
で確認しておくことは云うまでもない。
In addition to satisfying these matters,
In designing, it is needless to say that the influence on the RF characteristics of the lead frame 26 and the bonding wire 29 and the material (relative permittivity) of the package resin are confirmed in advance by a three-dimensional simulation.

【0041】以上のように構成したので、本実施形態に
よるアンテナ一体型パッケージによれば、数GHzから
30GHzのマイクロ/ミリ波ICとアンテナの一体化
を図りながら、アンテナの利得が確保でき、周囲の影響
を受け難く、かつ、高周波デバイスに干渉を与えること
のないアンテナ一体型パッケージを提供することができ
る。
With the above configuration, the antenna-integrated package according to the present embodiment can secure the gain of the antenna while integrating the micro / millimeter wave IC of several GHz to 30 GHz and the antenna, It is possible to provide an antenna-integrated package that is not easily affected by the above and does not interfere with the high frequency device.

【0042】また、本実施形態によれば、マイクロ/ミ
リ波IC3は、RFのベースバンドプロセッサを有し、
周波数の選択と安定化するための回路が設けられている
ので、一体化したCPUあるいは外部CPU等からのコ
ントロールも可能である。
Further, according to the present embodiment, the micro / millimeter wave IC 3 has an RF baseband processor,
Since a circuit for selecting and stabilizing the frequency is provided, control from an integrated CPU or an external CPU is also possible.

【0043】また、本発明の技術を応用すれば、リード
フレームをアンテナ本体として使用する他の方法とし
て、ボールボンディング技術を使用した、インターポー
ザ等にアンテナを配線して使用する方法への展開も容易
に考えられる。
Further, by applying the technique of the present invention, as another method of using the lead frame as the antenna main body, it is easy to develop to a method of using the ball bonding technique and wiring the antenna to an interposer or the like. Conceivable.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上、説明したように本発明の請求項1
〜4記載のアンテナ一体型パッケージによれば、パッケ
ージ品で使用するリードフレームをアンテナ、コイル、
キャパシタの一部として有効に活用し、既存技術で小型
化、周辺部品数の低減と低コスト化を図るとともに、特
に、数GHzから30GHz帯の周波数域において、効
率の良い輻射が行える高周波半導体を実現できるという
優れた効果を奏し得る。
As described above, the first aspect of the present invention is as described above.
According to the antenna-integrated package described in 1 to 4, the lead frame used in the package product is an antenna, a coil,
A high-frequency semiconductor that can be effectively used as a part of a capacitor to achieve miniaturization, reduction in the number of peripheral components and cost reduction with existing technology, and particularly efficient radiation in the frequency range of several GHz to 30 GHz. The excellent effect that it can be realized can be achieved.

【0045】すなわち、本発明によれば、リードフレー
ムの一部をアンテナとして使用することで、モノリシッ
ク・マイクロ/ミリ波ICと比較してアンテナの短縮率
が小さく、大きな面積をアンテナとして使用できるた
め、アンテナの利得を上げることで、マイクロ/ミリ波
ICの出力電力を低減でき、消費電流を下げることが可
能となり、特に小型携帯機器等のバッテリー寿命を延ば
すことができる。さらに、動作周波数の広帯域が可能
で、マイクロ/ミリ波とアンテナ一体型のモノリシック
・マイクロ/ミリ波ICでは実現の難しい周波数帯域
(30GHz以下)のワイヤレスネットワーク化を可能
にすることができる。
That is, according to the present invention, by using a part of the lead frame as an antenna, the shortening rate of the antenna is small as compared with the monolithic micro / millimeter wave IC, and a large area can be used as the antenna. By increasing the gain of the antenna, the output power of the micro / millimeter wave IC can be reduced, the current consumption can be reduced, and the battery life of a small portable device or the like can be particularly extended. Furthermore, a wide operating frequency range is possible, and it is possible to realize a wireless network in a frequency band (30 GHz or less) that is difficult to realize with a monolithic micro / millimeter wave IC that integrates a micro / millimeter wave and an antenna.

【0046】また、本発明によれば、リードフレームに
マイクロ/ミリ波の能動素子で構成される化合物半導体
の端子を接続するようにしたので、アンテナ部と回路内
の受動素子との干渉を避けるとともに、マイクロ/ミリ
波ICから分離させ、且つアンテナ部を一体化すること
が可能となり、部品点数の低減、出荷調整の簡略化によ
る低価格化を実現できる。さらに、IC本体とアンテナ
部とを分離して構成したので、モノリシック・マイクロ
/ミリ波ICと比較して実行誘電率が下がり、アンテナ
の高効率化を図ることができる。
Further, according to the present invention, since the lead frame is connected to the terminal of the compound semiconductor composed of the micro / millimeter wave active element, the interference between the antenna section and the passive element in the circuit is avoided. At the same time, it is possible to separate it from the micro / millimeter wave IC and integrate the antenna part, so that the number of parts can be reduced and the price can be reduced by simplifying the shipping adjustment. Further, since the IC body and the antenna section are configured separately, the effective permittivity is lower than that of the monolithic micro / millimeter wave IC, and the efficiency of the antenna can be improved.

【0047】また、本発明によれば、既存半導体製造装
置の有効利用と低価格製品で数GHzから30GHz帯
の周波数に対応した波長の短い短距離通信に最適であ
り、小型機器あるいは家電製品を含む民生機器のネット
ワーク化の一部品として構成することで、占有面積が少
なく、実装が容易な小型マイクロ/ミリ波ICとアンテ
ナを提供することができる。
Further, according to the present invention, it is suitable for effective use of existing semiconductor manufacturing equipment and low-priced products for short-distance communication with a short wavelength corresponding to frequencies of several GHz to 30 GHz. It is possible to provide a small-sized micro / millimeter wave IC and an antenna that occupy a small area and are easy to mount by configuring the device as a part of a network of consumer devices including the same.

【0048】また、本発明によれば、リードフレームで
構成されるアンテナ部とマイクロ/ミリ波の能動素子、
受動素子間にスタブを設けることで、進行波に対する反
射波を抑えるマッチング回路を構成することができる。
さらに、アンテナ本体をパッケージ樹脂に封じこめるこ
とで、周辺部品からアンテナ本体を隔離すると同時に、
アンテナのインピーダンスがパッケージ周辺の環境によ
って影響を受けにくくするとともに、アンテナの機械強
度向上と形状の安定化を図ることができる。
Further, according to the present invention, an antenna section composed of a lead frame and a micro / millimeter wave active element,
By providing the stub between the passive elements, a matching circuit that suppresses the reflected wave with respect to the traveling wave can be configured.
Furthermore, by sealing the antenna body in the package resin, at the same time separating the antenna body from the peripheral parts,
The impedance of the antenna is less likely to be affected by the environment around the package, and the mechanical strength and shape of the antenna can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態に係るアンテナ一体型パッケ
ージの全体構成の概要を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an outline of an overall configuration of an antenna integrated package according to an embodiment of the present invention.

【図2】前記アンテナ一体型パッケージのアンテナ部の
構成を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration of an antenna unit of the antenna integrated package.

【図3】(a)は前記アンテナ部とマイクロ/ミリ波I
Cの構成を示す斜視図、(b)は前記アンテナ部とマイ
クロ/ミリ波ICとのパッケージ状態での(a)のA−
A断面矢視図である。
FIG. 3A is a diagram showing the antenna part and a micro / millimeter wave I.
FIG. 3B is a perspective view showing the configuration of C, and FIG. 3B is a view of A of FIG.
FIG.

【図4】前記アンテナ部に発生する主要浮遊キャパシタ
ンスとリアクタンスの場所を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing locations of main stray capacitances and reactances generated in the antenna unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アンテナ一体型パッケージ 2 アンテナ部 3 マイクロ/ミリ波IC 4 アンテナ 25 アンテナ部 26 リードフレーム 26a1、26a2 コイル成分 26b2 インピーダンス成分 26b1、27b キャパシタ成分 27 スタブ 28 ボンディングパッド 29 ボンディングワイヤ 29a コイル成分 31 パッケージ樹脂 32 誘電率の低い材料1 Antenna Integrated Package 2 Antenna Part 3 Micro / millimeter Wave IC 4 Antenna 25 Antenna Part 26 Lead Frames 26a 1 , 26a 2 Coil Component 26b 2 Impedance Components 26b 1 , 27b Capacitor Component 27 Stub 28 Bonding Pad 29 Bonding Wire 29a Coil Component 31 Package resin 32 Low dielectric constant material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01Q 1/44 H01Q 1/44 H04B 1/38 H04B 1/38 Fターム(参考) 5F067 BA03 CD00 CD10 5J021 AA01 AB04 CA04 CA06 FA24 FA26 FA31 HA10 JA07 5J046 AA07 AA12 AB11 QA02 SA00 SA07 5J047 AA07 AA12 AB11 FC01 FC05 5K011 AA06 BA04 DA02 KA18 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01Q 1/44 H01Q 1/44 H04B 1/38 H04B 1/38 F term (reference) 5F067 BA03 CD00 CD10 5J021 AA01 AB04 CA04 CA06 FA24 FA26 FA31 HA10 JA07 5J046 AA07 AA12 AB11 QA02 SA00 SA07 5J047 AA07 AA12 AB11 FC01 FC05 5K011 AA06 BA04 DA02 KA18

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 能動素子および受動素子を備えたマイク
ロ/ミリ波回路と、マイクロ/ミリ波アンテナとを有す
るマイクロ/ミリ波アンテナモジュールにおいて、 前記マイクロ/ミリ波回路を構成するリードフレームの
一部をアンテナとして使用することを特徴とするアンテ
ナ一体型パッケージ。
1. A micro / millimeter wave antenna module having a micro / millimeter wave circuit including an active element and a passive element, and a micro / millimeter wave antenna, wherein a part of a lead frame constituting the micro / millimeter wave circuit. An antenna-integrated package characterized by using as an antenna.
【請求項2】 前記リードフレームは、マイクロ/ミリ
波の能動素子で構成される化合物半導体の端子が接続さ
れることを特徴とする請求項1に記載のアンテナ一体型
パッケージ。
2. The antenna-integrated package according to claim 1, wherein the lead frame is connected to a terminal of a compound semiconductor formed of an active element of micro / millimeter wave.
【請求項3】 前記リードフレームは、スタブを備えて
いることを特徴とする請求項1または2に記載のアンテ
ナ一体型パッケージ。
3. The antenna integrated package according to claim 1, wherein the lead frame has a stub.
【請求項4】 前記アンテナは、その外周部を数GHz
から30GHzの帯域の電磁波の透過性の高いパッケー
ジ樹脂で覆うようにしたことを特徴とする請求項1乃至
3のうちの何れか一項に記載のアンテナ一体型パッケー
ジ。
4. The antenna has an outer peripheral portion of several GHz.
The antenna integrated package according to any one of claims 1 to 3, wherein the package is covered with a package resin having a high permeability of electromagnetic waves in the range from 1 to 30 GHz.
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