JP2003140349A - Positive resist composition - Google Patents

Positive resist composition

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JP2003140349A
JP2003140349A JP2001339439A JP2001339439A JP2003140349A JP 2003140349 A JP2003140349 A JP 2003140349A JP 2001339439 A JP2001339439 A JP 2001339439A JP 2001339439 A JP2001339439 A JP 2001339439A JP 2003140349 A JP2003140349 A JP 2003140349A
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acid
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Toru Fujimori
亨 藤森
Shinichi Kanna
慎一 漢那
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition causing little problem relating to developing defects. SOLUTION: The positive resist composition is characterized in containing (A) a fluorine group-containing resin which has a structure substituted with a fluorine atom in the main chain and/or side chain of the polymer skeleton and which is decomposed by the effect of an acid to increase the solubility with an alkali developing liquid, (B) a compound which generates an acid by irradiation with active rays or radiation, and (D) a nitrogen-containing compound having at least one fluorine atom.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超LSI、高容量
マイクロチップの製造などのマイクロリソグラフィープ
ロセスや、その他のフォトファブリケーションプロセス
に好適に用いられるポジ型レジスト組成物に関するもの
である。更に詳しくは、180nm以下の遠紫外光を使
用して高精細化したパターンを形成し得るポジ型レジス
ト組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive resist composition suitable for use in microlithography processes such as manufacturing of ultra-LSIs and high-capacity microchips, and other photofabrication processes. More specifically, it relates to a positive resist composition capable of forming a highly detailed pattern by using deep ultraviolet light of 180 nm or less.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路はその集積度を益々高めてお
り、超LSIなどの半導体基板の製造においては、クオ
ーターミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加
工が必要とされるようになってきた。パターンの微細化
を図る手段の一つとして、レジストのパターン形成の際
に使用される露光光源の短波長化が知られている。
2. Description of the Related Art The degree of integration of integrated circuits is increasing more and more, and in the manufacture of semiconductor substrates such as VLSI, it has become necessary to process ultrafine patterns having a line width of less than quarter micron. It was As one of means for achieving a finer pattern, it is known to shorten the wavelength of an exposure light source used when forming a resist pattern.

【0003】例えば64Mビットまでの集積度の半導体
素子の製造には、現在まで高圧水銀灯のi線(365n
m)が光源として使用されてきた。この光源に対応する
ポジ型レジストとしては、ノボラック樹脂と感光物とし
てのナフトキノンジアジド化合物を含む組成物が、数多
く開発され、0.3μm程度までの線幅の加工において
は十分な成果をおさめてきた。また256Mビット以上
集積度の半導体素子の製造には、i線に代わりKrFエ
キシマレーザー光(248nm)が露光光源として採用
されてきた。更に1Gビット以上の集積度の半導体製造
を目的として、近年より短波長の光源であるArFエキ
シマレーザー光(193nm)の使用、更には0.1μ
m以下のパターンを形成する為にF2エキシマレーザー
光(157nm)の使用が検討されている。
For example, to manufacture a semiconductor device with an integration degree of up to 64 Mbits, up to now, the i-line (365n) of a high pressure mercury lamp has been used.
m) has been used as a light source. As a positive resist compatible with this light source, many compositions containing a novolac resin and a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive material have been developed, and have achieved sufficient results in processing line widths up to about 0.3 μm. . Further, KrF excimer laser light (248 nm) has been adopted as an exposure light source instead of the i-line in the manufacture of a semiconductor device having an integration degree of 256 Mbits or more. Furthermore, for the purpose of manufacturing semiconductors with a degree of integration of 1 Gbit or more, the use of ArF excimer laser light (193 nm), which is a light source with a shorter wavelength in recent years, has a
The use of F2 excimer laser light (157 nm) for forming a pattern of m or less has been studied.

【0004】これら光源の短波長化に合わせ、レジスト
材料の構成成分及びその化合物構造も大きく変化してい
る。即ち従来のノボラック樹脂とナフトキノンジアジド
化合物を含むレジストでは、248nmの遠紫外領域に
おける吸収が大きいため、光がレジスト底部まで十分に
到達しにくくなり、低感度でテーパー形状のパターンし
か得られなかった。このような問題を解決する為、24
8nm領域での吸収の小さいポリ(ヒドロキシスチレ
ン)を基本骨格とし酸分解基で保護した樹脂を主成分と
して用い、遠紫外光の照射で酸を発生する化合物(光酸
発生剤)を組み合わせた組成物、所謂化学増幅型レジス
トが開発されるに至った。化学増幅型レジストは露光部
に発生した酸の触媒分解反応により、現像液に対する溶
解性を変化させる為、高感度で高解像度なパターンを形
成することができる。
With the shortening of the wavelength of these light sources, the constituent components of the resist material and the compound structure thereof have changed greatly. That is, in the conventional resist containing a novolac resin and a naphthoquinonediazide compound, since absorption in the far ultraviolet region of 248 nm is large, it is difficult for light to reach the bottom of the resist, and only a tapered pattern with low sensitivity can be obtained. To solve such problems, 24
Composition in which a compound (photo-acid generator) that generates an acid by irradiation with far-ultraviolet light is used by using as a main component a resin that has a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) having a small absorption in the 8 nm region and is protected by an acid-decomposing group. The thing, what is called a chemically amplified resist, came to be developed. Since the chemically amplified resist changes its solubility in a developing solution due to the catalytic decomposition reaction of the acid generated in the exposed portion, a highly sensitive and high resolution pattern can be formed.

【0005】しかしながら、ArFエキシマレーザー光
(193nm)を使用した場合、芳香族基を有する化合
物が本質的に193nm波長領域に大きな吸収を有する
為、上記化学増幅型レジストでも十分な性能は得られな
かった。
However, when ArF excimer laser light (193 nm) is used, since the compound having an aromatic group essentially has a large absorption in the wavelength region of 193 nm, sufficient performance cannot be obtained even with the above chemically amplified resist. It was

【0006】この問題に対し、ポリ(ヒドロキシスチレ
ン)を基本骨格とする酸分解性樹脂を、193nmに吸
収を持たない脂環式構造をポリマーの主鎖又は側鎖に導
入した酸分解性樹脂に代え、化学増幅型レジストの改良
が図られている。
To solve this problem, an acid-decomposable resin having a basic skeleton of poly (hydroxystyrene) is used as an acid-decomposable resin in which an alicyclic structure having no absorption at 193 nm is introduced into the polymer main chain or side chain. Instead, the chemically amplified resist is being improved.

【0007】しかしながら、F2エキシマレーザー光
(157nm)に対しては、上記脂環型樹脂においても
157nm領域の吸収が大きく、目的とする0.1μm
以下のパターンを得るには不十分であることが判明し
た。これに対し、フッ素原子(パーフルオロ構造)を導
入した樹脂が157nmに十分な透明性を有することが
Proc. SPIE. Vol.3678. 13頁(1999)にて報
告され、有効なフッ素樹脂の構造がProc. SPIE. Vol.3
999. 330頁(2000)、同357頁(200
0)、同365頁(2000)、WO−00/1771
2号等に提案されるに至っているが、これらフッ素樹脂
を有するレジストにおいても現像欠陥の問題に関して不
充分であった。
However, with respect to the F2 excimer laser light (157 nm), the alicyclic resin also has a large absorption in the 157 nm region, which is 0.1 μm.
It was found to be insufficient to obtain the following pattern. On the other hand, a resin having a fluorine atom (perfluoro structure) introduced may have sufficient transparency at 157 nm.
Proc. SPIE. Vol. 3678. Reported on page 13 (1999), effective structure of fluororesin is Proc. SPIE. Vol. 3
999. 330 pages (2000), 357 pages (200)
0), p. 365 (2000), WO-00 / 1771.
No. 2, etc., it has been proposed, but even the resists containing these fluororesins were insufficient with respect to the problem of development defects.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
フォトレジスト組成物の公知技術では、安定なパターン
が得られず、また現像欠陥の問題が見られるため、更な
る改良が望まれていた。従って、本発明の目的は、18
0nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157n
m)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を
提供することであり、具体的には157nmの光源使用
時に生じる現像欠陥の問題が改善されたポジ型レジスト
組成物を提供することである。
As described above, the known techniques of conventional photoresist compositions do not provide a stable pattern, and the problem of development defects is observed. Therefore, further improvement is desired. It was Therefore, the object of the present invention is
0 nm or less, especially F2 excimer laser light (157n
m) to provide a positive resist composition suitable for use with an exposure light source, and specifically to provide a positive resist composition in which the problem of development defects caused when using a 157 nm light source is improved. is there.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、特定の酸分解性樹脂及び
フッ素原子を含有する含窒素化合物を組み合わせること
によって上記目的が達成されることを見出し、本発明に
至った。即ち、上記目的は下記構成によって達成され
る。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted extensive studies with the above characteristics in mind. As a result, the above object was achieved by combining a specific acid-decomposable resin and a nitrogen-containing compound containing a fluorine atom. It was found that the present invention has led to the present invention. That is, the above object is achieved by the following configurations.

【0010】(1) (A)ポリマー骨格の主鎖及び/
又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の
作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増
大する基を有するフッ素基含有樹脂、(B)活性光線又
は放射線の照射により、酸を発生する化合物、及び
(D)少なくとも一つのフッ素原子を含有する含窒素化
合物を含有するポジ型レジスト組成物。
(1) (A) Main chain of polymer skeleton and /
Alternatively, a fluorine group-containing resin having a structure in which a fluorine atom is substituted in the side chain and having a group that decomposes by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developing solution, (B) actinic ray or radiation, A positive resist composition containing a compound which generates a hydrogen atom, and (D) a nitrogen-containing compound containing at least one fluorine atom.

【0011】(2) (A)の樹脂が、パーフルオロア
ルキレン基、パーフルオロアリーレン基から選択される
部位を、ポリマー骨格の主鎖に少なくとも一つ有する
か、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアリール
基、ヘキサフルオロ−2−プロパノ−ル基、及びヘキサ
フルオロ−2−プロパノ−ル基のOH基を保護した基か
ら選択される部位を、ポリマー骨格の側鎖に少なくとも
一つ有するフッ素基含有樹脂であることを特徴とする前
記(1)に記載のポジ型レジスト組成物。
(2) The resin (A) has at least one site selected from a perfluoroalkylene group and a perfluoroarylene group in the main chain of the polymer skeleton, or a perfluoroalkyl group or a perfluoroaryl group. , A hexafluoro-2-propanol group, and a fluorine group-containing resin having at least one site selected from the group protecting the OH group of the hexafluoro-2-propanol group in the side chain of the polymer skeleton. The positive resist composition as described in (1) above, wherein

【0012】(3) 180nm以下の波長の遠紫外光
による露光用組成物であることを特徴とする前記(1)
又は(2)に記載のポジ型レジスト組成物。
(3) The composition for exposure by far-ultraviolet light having a wavelength of 180 nm or less, (1)
Alternatively, the positive resist composition as described in (2).

【0013】以下に、好ましい態様を記載する。 (4) 更に(E)酸拡散抑制剤として、塩基性窒素原
子を有する化合物を含有することを特徴とする前記
(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成
物。
The preferred embodiments will be described below. (4) The positive resist composition as described in any of (1) to (3) above, which further contains (E) a compound having a basic nitrogen atom as an acid diffusion inhibitor.

【0014】(5) (B)成分の化合物が、活性光線
又は放射線の照射により、炭素原子数2以上のパーフル
オロアルキルスルホン酸、パーフルオロアリールスルホ
ン酸、もしくはパーフルオロアルキル基が置換したアリ
ールスルホン酸を発生するスルホニウム塩、又はヨード
ニウム塩の化合物から選択されることを特徴とする前記
(1)〜(4)のいずれかに記載のポジ型レジスト組成
物。
(5) The compound of the component (B) is a perfluoroalkylsulfonic acid having 2 or more carbon atoms, a perfluoroarylsulfonic acid, or an arylsulfone having a perfluoroalkyl group substituted by irradiation with actinic rays or radiation. The positive resist composition as described in any of (1) to (4) above, wherein the positive resist composition is selected from compounds of sulfonium salts or iodonium salts that generate an acid.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 [(A)成分 フッ素基含有樹脂 ]本発明(A)におけ
るフッ素基含有樹脂は、フッ素原子が置換した構造をポ
リマーの主鎖及び/又は側鎖に有し、且つ酸の作用によ
り分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基
を有することを特徴とする樹脂であり、好ましくはパー
フルオロアルキレン基、パーフルオロアリーレン基から
選択される部位を、ポリマー骨格の主鎖に少なくとも一
つ有するか、パーフルオロアルキル基、パーフルオロア
リール基、ヘキサフルオロ−2−プロパノ−ル基、及び
ヘキサフルオロ−2−プロパノ−ル基のOH基を保護し
た基から選択される部位を、ポリマー骨格の側鎖に少な
くとも一つ有するフッ素基含有樹脂である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The compounds used in the present invention are described in detail below. [(A) Component Fluorine Group-Containing Resin] The fluorine group-containing resin in the present invention (A) has a structure in which a fluorine atom is substituted in the main chain and / or side chain of the polymer, and decomposes by the action of an acid, A resin characterized by having a group that increases solubility in an alkaline developer, preferably having at least one site selected from a perfluoroalkylene group and a perfluoroarylene group in the main chain of the polymer skeleton, A site selected from a perfluoroalkyl group, a perfluoroaryl group, a hexafluoro-2-propanol group, and a group in which the OH group of the hexafluoro-2-propanol group is protected is attached to the side chain of the polymer skeleton. It is a resin containing at least one fluorine group.

【0016】具体的には、下記一般式(I)〜(X)で
示される繰り返し単位を少なくとも一つ有する樹脂であ
る。
Specifically, it is a resin having at least one repeating unit represented by the following general formulas (I) to (X).

【0017】[0017]

【化1】 [Chemical 1]

【0018】一般式中、R0、R1は水素原子、フッ素原
子、置換基を有していてもよい、アルキル基、パーフル
オロアルキル基、シクロアルキル基もしくはアリール基
を表す。R2〜R4は置換基を有していてもよい、アルキ
ル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基もし
くはアリール基を表す。またR0とR1、R0とR2、R3
とR4が結合し環を形成してもよい。R5は水素原子、置
換基を有していてもよい、アルキル基、パーフルオロア
ルキル基、単環又は多環のシクロアルキル基、アシル
基、アルコキシカルボニル基を表す。R6、R7、R8
同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原
子、置換基を有していてもよい、アルキル基、パーフル
オロアルキル基、アルコキシ基を表す。
In the general formula, R 0 and R 1 represent a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alkyl group, perfluoroalkyl group, cycloalkyl group or aryl group. R 2 to R 4 represent an alkyl group, a perfluoroalkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group which may have a substituent. Also, R 0 and R 1 , R 0 and R 2 , R 3
And R 4 may combine to form a ring. R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a perfluoroalkyl group, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group. R 6 , R 7 and R 8 may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, a perfluoroalkyl group or an alkoxy group, which may have a substituent.

【0019】R9、R10は同じでも異なっていてもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有し
ていてもよい、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
11、R12は同じでも異なっていてもよく、水素原子、
ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ
基、アシル基又は置換基を有していてもよいアルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基も
しくはアリール基を表す。R13、R14は同じでも異なっ
ていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置
換基を有していてもよい、アルキル基又はハロアルキル
基を表す。
R 9 and R 10, which may be the same or different, each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group or a haloalkyl group which may have a substituent.
R 11 and R 12 may be the same or different and each is a hydrogen atom,
It represents a hydroxyl group, a halogen atom, a cyano group, an alkoxy group, an acyl group or an optionally substituted alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group. R 13 and R 14 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, or an alkyl group or a haloalkyl group which may have a substituent.

【0020】R15はフッ素原子を有する、アルキル基、
単環又は多環のシクロアルキル基、アルケニル基、アラ
ルキル基もしくはアリール基を表す。R16、R17、R18
は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、置換基を有していてもよい、アルキル
基、パーフルオロアルキル基、アルコキシ基、−CO−
O−R15を表す。R19、R20、R21は同じでも異なって
いてもよく、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有す
る、アルキル基、単環又は多環のシクロアルキル基、ア
ルケニル基、アラルキル基、アリール基もしくはアルコ
キシ基を表す。但しR19、R20、R21の少なくとも一つ
は水素原子以外の基である。
R 15 is an alkyl group having a fluorine atom,
It represents a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or aryl group. R 16 , R 17 , R 18
May be the same or different, and may have a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, or a substituent, an alkyl group, a perfluoroalkyl group, an alkoxy group, -CO-
Represents OR 15 . R 19 , R 20 , and R 21 may be the same or different and each is a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having a fluorine atom, a monocyclic or polycyclic cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, or Represents an alkoxy group. However, at least one of R 19 , R 20 , and R 21 is a group other than a hydrogen atom.

【0021】A1、A2は、単結合、置換基を有してもよ
い、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアル
キレン基もしくはアリーレン基、又は−O−CO−R22
−、−CO−O−R23−、−CO−N(R24)−R25
を表す。R22、R23、R25は同じでも異なっていてもよ
く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、
ウレタン基もしくはウレイド基を有してもよい、2価の
アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又
はアリーレン基を表す。R24は水素原子、置換基を有し
ていてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アラル
キル基又はアリール基を表す。nは0又は1を表し、
x、y、zは0〜4の整数を表す。
A 1 and A 2 are a single bond, a divalent alkylene group which may have a substituent, an alkenylene group, a cycloalkylene group or an arylene group, or --O--CO--R 22.
-, - CO-O-R 23 -, - CO-N (R 24) -R 25 -
Represents R 22 , R 23 and R 25, which may be the same or different, are a single bond, or an ether group, an ester group, an amide group,
It represents a divalent alkylene group, alkenylene group, cycloalkylene group or arylene group which may have a urethane group or an ureido group. R 24 represents a hydrogen atom, or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group or aryl group. n represents 0 or 1,
x, y, z represent the integer of 0-4.

【0022】本発明において(A)の樹脂は、好ましく
は更に下記一般式(XI)〜(XIII)で示される繰り返し
単位を少なくとも一つ有する酸分解性基を有するフッ素
基含有樹脂である。
In the present invention, the resin (A) is preferably a fluorine group-containing resin having an acid-decomposable group having at least one repeating unit represented by the following general formulas (XI) to (XIII).

【0023】[0023]

【化2】 [Chemical 2]

【0024】式中、R26、R27、R32は同じでも異なっ
ていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置
換基を有していてもよい、アルキル基又はハロアルキル
基を表す。R28、R33は−C(R36)(R37
(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、もしくは
下記一般式(XIV)の基を表す。
In the formula, R 26 , R 27 and R 32 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group or a haloalkyl group which may have a substituent. R 28 and R 33 are -C (R 36 ) (R 37 )
(R 38 ), —C (R 36 ) (R 37 ) (OR 39 ), or a group represented by general formula (XIV) shown below.

【0025】[0025]

【化3】 [Chemical 3]

【0026】式中、R29、R30、R31は同じでも異なっ
ていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置
換基を有していてもよい、アルキル基、パーフルオロア
ルキル基、アルコキシ基、−CO−O−R28を表す。
In the formula, R 29 , R 30 , and R 31 may be the same or different, and are a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group which may have a substituent, a perfluoroalkyl group, It represents an alkoxy group, -CO-OR 28 .

【0027】R34、R35は同じでも異なっていてもよ
く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ
基、アルコキシ基、アシル基、又は置換基を有していて
もよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。R36、R
37、R38、R39は同じでも異なっていてもよく、置換基
を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基もしくはア
リール基を表す。R36、R37、R38の内の2つ、又はR
36、R 37、R39の内の2つが結合して環を形成してもよ
い。また、形成された環には、オキソ基を含有していて
もよい。R40は置換基を有していてもよい、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
アラルキル基もしくはアリール基を表す。
R34, R35Can be the same or different
Hydrogen atom, hydroxyl group, halogen atom, cyano
Having a group, an alkoxy group, an acyl group, or a substituent
Good, alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl
Represents a group, an aralkyl group or an aryl group. R36, R
37, R38, R39May be the same or different, and the substituents
Which may have an alkyl group, a cycloalkyl group,
Alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group or
Represents a reel group. R36, R37, R382 out of, or R
36, R 37, R39Two of them may combine to form a ring
Yes. In addition, the ring formed contains an oxo group
Good. R40Is an optionally substituted alkyl
Group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group,
Represents an aralkyl group or an aryl group.

【0028】A3〜A4は、単結合、置換基を有してもよ
い、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアル
キレン基もしくはアリーレン基、又は−O−CO−R22
−、−CO−O−R23−、−CO−N(R24)−R25
を表す。R22〜R25は上記と同義である。Zは炭素原子
と共に単環又は多環の脂環式基を構成する原子団を表
す。nは0又は1を表す。
A 3 to A 4 are a single bond, a divalent alkylene group which may have a substituent, an alkenylene group, a cycloalkylene group or an arylene group, or --O--CO--R 22.
-, - CO-O-R 23 -, - CO-N (R 24) -R 25 -
Represents R 22 to R 25 have the same meaning as above. Z represents an atomic group forming a monocyclic or polycyclic alicyclic group together with a carbon atom. n represents 0 or 1.

【0029】また本発明においては、フッ素基含有樹脂
の親疎水性、ガラス転移点、露光光に対する透過率等の
物性を制御する為、あるいはポリマー合成時の重合性を
制御する為に、下記一般式(XV)〜(XVII)で示される
無水マレイン酸、ビニルエーテル又はシアノ基を含有す
るビニル化合物から由来される繰り返し単位を少なくと
も一つ有してもよい。
Further, in the present invention, in order to control the physical properties such as hydrophilicity / hydrophobicity of the fluorine group-containing resin, glass transition point, and transmittance to exposure light, or to control the polymerizability at the time of polymer synthesis, It may have at least one repeating unit derived from a maleic anhydride represented by (XV) to (XVII), a vinyl ether or a vinyl compound containing a cyano group.

【0030】[0030]

【化4】 [Chemical 4]

【0031】式中、R41は置換基を有していてもよい、
アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基もしくは
アリール基を表す。R42は水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、置換基を有していてもよい、アルキル基又はハ
ロアルキル基を表す。A5は単結合、置換基を有しても
よい、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロア
ルキレン基もしくはアリーレン基、又は−O−CO−R
22−、−CO−O−R23−、−CO−N(R24)−R25
−を表す。R22〜R25は上記と同義である。
In the formula, R 41 may have a substituent,
It represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group. R 42 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, or an optionally substituted alkyl group or haloalkyl group. A 5 represents may have a single bond, a substituent, a divalent alkylene group, alkenylene group, cycloalkylene group or arylene group, or -O-CO-R
22 -, - CO-O- R 23 -, - CO-N (R 24) -R 25
Represents-. R 22 to R 25 have the same meaning as above.

【0032】また、本発明における更に好ましいフッ素
基含有樹脂(A)として、下記一般式(IA)及び(I
IA)で示される繰り返し単位を各々少なくとも1つ有
する樹脂、並びに下記一般式(IIA)及び(VIA)
で示される繰り返し単位を各々少なくとも1つ有する樹
脂を挙げることができる。これら、下記一般式(IA)
及び(IIA)で示される繰り返し単位を各々少なくと
も1つ有する樹脂、並びに下記一般式(IIA)及び
(VIA)で示される繰り返し単位を各々少なくとも1
つ有する樹脂(A)は、更に前記一般式(I)〜(V)
で示される繰り返し単位を有していてもよい。
Further, as the more preferred fluorine group-containing resin (A) in the present invention, the following general formulas (IA) and (I
A resin having at least one repeating unit represented by formula (IA), and the following general formulas (IIA) and (VIA)
Examples of the resin include at least one repeating unit represented by: The following general formula (IA)
And a resin having at least one repeating unit represented by (IIA), and at least one repeating unit represented by the following general formulas (IIA) and (VIA).
The resin (A) having one of the general formulas (I) to (V)
You may have the repeating unit shown by.

【0033】[0033]

【化5】 [Chemical 5]

【0034】[0034]

【化6】 [Chemical 6]

【0035】一般式(IA)及び(IIA)中、R1a
びR5aは、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいア
ルキル基を表す。R2a、R3a、R6a及びR7aは、同じで
も異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよい、
アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アシル
基、アシロキシ基、アルケニル基、アリール基若しくは
アラルキル基を表す。R50a〜R55aは、同じでも異なっ
ていてもよく、水素原子、フッ素原子又は置換基を有し
ていてもよいアルキル基を表す。但し、R50a〜R55a
内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つ
の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表
す。R56aは、水素原子又は置換基を有していてもよ
い、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基若しくは
アルコキシカルボニル基を表し、水素原子であることが
好ましい。R4aは、下記一般式(IVA)又は(VA)
の基を表す。
In formulas (IA) and (IIA), R 1a and R 5a, which may be the same or different, each represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent. Represent R 2a , R 3a , R 6a and R 7a may be the same or different and may have a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a hydroxyl group or a substituent,
It represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an alkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 50a to R 55a may be the same or different, represent a hydrogen atom, an alkyl group which may have a fluorine atom or a substituent. However, at least one of R 50a to R 55a represents a fluorine atom or an alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom. R 56a represents a hydrogen atom or an alkyl group, a cycloalkyl group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group which may have a substituent, and is preferably a hydrogen atom. R 4a is the following general formula (IVA) or (VA)
Represents the group of.

【0036】[0036]

【化7】 [Chemical 7]

【0037】一般式(IVA)中、R11a、R12a及びR
13aは、同じでも異なっていてもよく、置換基を有して
いてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニ
ル基、アラルキル基又はアリール基を表す。一般式(V
A)中、R14a及びR15aは、同じでも異なっていてもよ
く、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基
を表す。R16aは、置換基を有していてもよい、アルキ
ル基、シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリー
ル基を表す。R14a〜R16aの内の2つが結合し、環を形
成してもよい。
In the general formula (IVA), R 11a , R 12a and R
13a may be the same or different and represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may have a substituent. General formula (V
In A), R 14a and R 15a, which may be the same or different, each represents a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. R 16a represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group which may have a substituent. Two of R 14a to R 16a may combine with each other to form a ring.

【0038】[0038]

【化8】 [Chemical 8]

【0039】一般式(VIA)中、R17a1及びR
17a2は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロ
ゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアル
キル基を表す。R18aは、−C(R18a1)(R18a2
(R18a3)又は−C(R18a1)(R18a 2)(OR18a4
を表す。R18a1〜R18a4は、同じでも異なっていてもよ
く、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基若
しくはアリール基を表す。R18a1、R18a2、R18a3の内
の2つ又はR18a1、R18a2、R18a4の内の2つが結合し
て環を形成してもよい。A0は、単結合又は置換基を有
していてもよい2価の連結基を表すが、単結合であるこ
とが好ましい。
In the general formula (VIA), R 17a1 and R 17a1
17a2 may be the same or different and represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent. R 18a is -C (R 18a1 ) (R 18a2 )
(R 18a3 ) or -C (R 18a1 ) (R 18a 2 ) (OR 18a4 )
Represents R 18a1 to R 18a4 may be the same or different and each represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may have a hydrogen atom or a substituent. Two of R 18a1 , R 18a2 and R 18a3 or two of R 18a1 , R 18a2 and R 18a4 may combine to form a ring. A 0 represents a single bond or a divalent linking group which may have a substituent, and it is preferably a single bond.

【0040】これらのフッ素基含有樹脂(A)は、一般
式(VIA)中のR18aが下記一般式(VIA−A)又
は一般式(VIA−B)で表される基であるのが好まし
い。また、これらのフッ素基含有樹脂(A)は、一般式
(IA)中のR1a、一般式(IIA)中のR5a及び一般
式(VIA)中のR17a2の少なくとも1つが、トリフル
オロメチル基であることが好ましい。
In these fluorine group-containing resins (A), R 18a in the general formula (VIA) is preferably a group represented by the following general formula (VIA-A) or general formula (VIA-B). . Further, in these fluorine group-containing resins (A), at least one of R 1a in the general formula (IA), R 5a in the general formula (IIA) and R 17a2 in the general formula (VIA) is trifluoromethyl. It is preferably a group.

【0041】[0041]

【化9】 [Chemical 9]

【0042】[0042]

【化10】 [Chemical 10]

【0043】一般式(VIA−A)中、R18a5及びR
18a6は、同じでも異なっていてもよく、置換基を有して
いてもよいアルキル基を表す。R18a7は、置換基を有し
ていてもよいシクロアルキル基を表す。
In the general formula (VIA-A), R 18a5 and R 18a5
18a6 may be the same or different and represents an alkyl group which may have a substituent. R 18a7 represents a cycloalkyl group which may have a substituent.

【0044】一般式(VIA−B)中、R18a8は、置換
基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
In formula (VIA-B), R 18a8 represents an optionally substituted alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aralkyl group or aryl group.

【0045】また、上記一般式(IA)及び(IIA)
で示される繰り返し単位を各々少なくとも1つ有する樹
脂、並びに上記一般式(IIA)及び(VIA)で示さ
れる繰り返し単位を各々少なくとも1つ有する樹脂
(A)は、更に下記一般式(IIIA)又は(VII
A)で表される繰り返し単位を少なくとも1つ有してい
てもよい。
Further, the above general formulas (IA) and (IIA)
The resin having at least one repeating unit represented by and the resin (A) having at least one repeating unit represented by the general formulas (IIA) and (VIA) each have the following general formula (IIIA) or ( VII
It may have at least one repeating unit represented by A).

【0046】[0046]

【化11】 [Chemical 11]

【0047】一般式(IIIA)中、R8aは、水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していても
よいアルキル基を表す。R9a及びR10aは、同じでも異
なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基
又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、ア
ルケニル基、アリール基若しくはアラルキル基を表す。
一般式(VIIA)中、R19a及びR20aは、同じでも異
なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基
又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。R
21aは、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していて
もよいアルキル基又は−A1−CN基を表す。A1は、単
結合又は2価の連結基を表す。
In formula (IIIA), R 8a represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent. R 9a and R 10a may be the same or different and each may have a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or a substituent, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, It represents an alkenyl group, an aryl group or an aralkyl group.
In formula (VIIA), R 19a and R 20a, which may be the same or different, each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent. R
21a represents a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted alkyl group or -A 1 -CN group. A 1 represents a single bond or a divalent linking group.

【0048】上記アルキル基としては、例えば炭素数1
〜8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基を
好ましく挙げることができる。シクロアルキル基として
は単環型でもよく、多環型でもよい。単環型としては炭
素数3〜8個のものであって、例えばシクロプロピル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプ
チル基、シクロオクチル基を好ましく挙げることができ
る。多環型としては炭素数6〜20個のものであって、
例えばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル
基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、a−ピネル
基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、ア
ンドロスタニル基等を好ましく挙げることができる。但
し、上記の単環又は多環のシクロアルキル基中の炭素原
子が、酸素原子等のヘテロ原子に置換されていてもよ
い。
The above alkyl group has, for example, 1 carbon atom.
~ 8 alkyl groups, specifically, a methyl group,
Preferable examples include ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group and octyl group. The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. The monocyclic type has 3 to 8 carbon atoms, and preferred examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. The polycyclic type has 6 to 20 carbon atoms,
Preferred examples thereof include an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, a camfanyl group, a dicyclopentyl group, an a-pinel group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecyl group and an androstanyl group. However, the carbon atom in the above monocyclic or polycyclic cycloalkyl group may be substituted with a hetero atom such as an oxygen atom.

【0049】パーフルオロアルキル基としては、例えば
炭素数4〜12個のものであって、具体的にはパーフル
オロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロ
オクチル基、パーフルオロオクチルエチル基、パーフル
オロドデシル基等を好ましくあげることができる。ハロ
アルキル基としては、例えば炭素数1〜4個のハロアル
キル基であって、具体的にはクロロメチル基、クロロエ
チル基、クロロプロピル基、クロロブチル基、ブロモメ
チル基、ブロモエチル基等を好ましく挙げることができ
る。
The perfluoroalkyl group is, for example, one having 4 to 12 carbon atoms, specifically, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group, perfluorooctylethyl group, perfluoro. Dodecyl group and the like can be preferably mentioned. The haloalkyl group is, for example, a haloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and specific examples thereof include a chloromethyl group, a chloroethyl group, a chloropropyl group, a chlorobutyl group, a bromomethyl group and a bromoethyl group.

【0050】アリール基としては、例えば炭素数6〜1
5個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、
トリル基、ジメチルフェニル基、2,4,6−トリメチ
ルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、9,10−
ジメトキシアントリル基等を好ましく挙げることができ
る。アラルキル基としては、例えば炭素数7〜12個の
アラルキル基であって、具体的には、ベンジル基、フェ
ネチル基、ナフチルメチル基等を好ましく挙げることが
できる。アルケニル基としては、例えば炭素数2〜8個
のアルケニル基であって、具体的には、ビニル基、アリ
ル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基を好ましく挙げ
ることができる。
The aryl group has, for example, 6 to 1 carbon atoms.
5 aryl groups, specifically, a phenyl group,
Tolyl group, dimethylphenyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, naphthyl group, anthryl group, 9,10-
Preferred examples thereof include a dimethoxyanthryl group. The aralkyl group is, for example, an aralkyl group having a carbon number of 7 to 12, and specific examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group and a naphthylmethyl group. The alkenyl group is, for example, an alkenyl group having a carbon number of 2 to 8, and specific examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, and a cyclohexenyl group.

【0051】アルコキシ基としては、例えば炭素数1〜
8個のアルコキシ基であって、具体的には、メトキシ
基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキ
シ基、ブトキシ基、ペントキシ基、アリルオキシ基、オ
クトキシ基等を好ましく挙げることができる。アシル基
としては、例えば炭素数1〜10個のアシル基であっ
て、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイ
ル基、ブタノイル基、ピバロイル基、オクタノイル基、
ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。アシロ
キシ基としては、炭素数2〜12個のアシロキシ基が好
ましく、例えばアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、
ベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。アルキニ
ル基としては、炭素数2〜5のアルキニル基が好まし
く、例えばエチニル基、プロピニル基、ブチニル基等を
挙げることができる。アルコキシカルボニル基として
は、i−プロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボ
ニル基、t−アミロキシカルボニル基、1−メチル−1
−シクロヘキシルオキシカルボニル基等、好ましくは2
級、より好ましくは3級のアルコキシカルボニル基が挙
げられる。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができ
る。
The alkoxy group has, for example, 1 to 1 carbon atoms.
Of the eight alkoxy groups, specific examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, a butoxy group, a pentoxy group, an allyloxy group and an octoxy group. As the acyl group, for example, an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, specifically, formyl group, acetyl group, propanoyl group, butanoyl group, pivaloyl group, octanoyl group,
A benzoyl group and the like can be preferably mentioned. As the acyloxy group, an acyloxy group having 2 to 12 carbon atoms is preferable, for example, an acetoxy group, a propionyloxy group,
A benzoyloxy group etc. can be mentioned. The alkynyl group is preferably an alkynyl group having 2 to 5 carbon atoms, and examples thereof include an ethynyl group, a propynyl group and a butynyl group. Examples of the alkoxycarbonyl group include i-propoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, t-amyloxycarbonyl group, 1-methyl-1.
-Cyclohexyloxycarbonyl group and the like, preferably 2
And more preferably a tertiary alkoxycarbonyl group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom,
Examples thereof include chlorine atom, bromine atom and iodine atom.

【0052】アルキレン基としては、好ましくは置換基
を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭
素数1〜8個のものが挙げられる。アルケニレン基とし
ては、好ましくは置換基を有していてもよいエテニレン
基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭素数2〜6個
のものが挙げられる。シクロアルキレン基としては、好
ましくは置換基を有していてもよいシクロペンチレン
基、シクロヘキシレン基等の炭素数5〜8個のものが挙
げられる。アリーレン基としては、好ましくは置換基を
有していてもよいフェニレン基、トリレン基、ナフチレ
ン基等の炭素数6〜15個のものが挙げられる。
As the alkylene group, those having 1 to 8 carbon atoms such as methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, hexylene group and octylene group which may have a substituent are preferable. As the alkenylene group, those having 2 to 6 carbon atoms such as an ethenylene group, a propenylene group and a butenylene group which may have a substituent are preferable. As the cycloalkylene group, those having 5 to 8 carbon atoms such as a cyclopentylene group which may have a substituent and a cyclohexylene group are preferable. The arylene group is preferably an arylene group having a carbon number of 6 to 15, such as a phenylene group which may have a substituent, a tolylene group and a naphthylene group.

【0053】2価の連結基とは、置換基を有していても
よい、2価の、アルキレン基、シクロアルキレン基、ア
ルケニレン基若しくはアリーレン基又は−O−CO−R
22a−、−CO−O−R23a−若しくは−CO−N(R
24a)−R25a−を表す。R22a、R23a及びR25aは、同
じでも異なっていてもよく、単結合又はエーテル基、エ
ステル基、アミド基、ウレタン基若しくはウレイド基を
有していてもよい、2価の、アルキレン基、アルケニレ
ン基、シクロアルキレン基若しくはアリーレン基を表
す。R24aは、水素原子又は置換基を有していてもよ
い、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基若し
くはアリール基を表す。
The divalent linking group means a divalent alkylene group, cycloalkylene group, alkenylene group or arylene group which may have a substituent, or -O-CO-R.
22a -,-CO-OR- 23a -or-CO-N (R
24a) -R 25a - represents a. R 22a , R 23a and R 25a, which may be the same or different, may have a single bond or an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a ureido group, a divalent alkylene group, It represents an alkenylene group, a cycloalkylene group or an arylene group. R 24a represents a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group or aryl group.

【0054】R0とR1、R0とR2、R3とR4が結合して
形成した環としては、例えば5〜7員環であり、具体的
にはフッ素が置換したペンタン環、ヘキサン環、フラン
環、ジオキソノール環、1,3−ジオキソラン環等が挙
げられる。R36〜R38の内の2つ、又はR36〜R37とR
39の内の2つが結合して形成した環としては、例えば3
〜8員環であり、具体的にはシクロプロパン環、シクロ
ペンタン環、シクロヘキサン環、フラン環、ピラン環等
を好ましく挙げることができる。
The ring formed by combining R 0 and R 1 , R 0 and R 2 , and R 3 and R 4 is, for example, a 5- to 7-membered ring, specifically, a pentane ring substituted with fluorine, Examples thereof include a hexane ring, a furan ring, a dioxonol ring, and a 1,3-dioxolane ring. Two of R 36 to R 38 , or R 36 to R 37 and R
A ring formed by combining two of 39 is, for example, 3
To 8 membered rings, and specific examples thereof include a cyclopropane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a furan ring and a pyran ring.

【0055】R14a〜R16aの内の2つ、R18a1〜R18a3
の内の2つ又はR18a1、R18a2、R 18a4の内の2つが結
合して形成する環としては、3〜8員環が好ましく、例
えばシクロプロパン環、シクロペンタン環、シクロヘキ
サン環、テトラメチレンオキシド環、ペンタメチレンオ
キシド環、ヘキサメチレンオキシド環、フラン環、ピラ
ン環、ジオキソノール環、1,3−ジオキソラン環等を
挙げることができる。
R14a~ R16aTwo of the, R18a1~ R18a3
2 of or R18a1, R18a2, R 18a4Two of the
The ring formed by combining is preferably a 3- to 8-membered ring, examples
For example, cyclopropane ring, cyclopentane ring, cyclohexene
Sun ring, tetramethylene oxide ring, pentamethylene
Xide ring, hexamethylene oxide ring, furan ring, pyra
Ring, dioxonol ring, 1,3-dioxolane ring, etc.
Can be mentioned.

【0056】Zは単環又は多環の脂環式基を構成する原
子団を表し、形成される脂環式基としては、単環型とし
て炭素数3〜8個のものであって、例えばシクロプロピ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへ
プチル基、シクロオクチル基を好ましく挙げることがで
きる。多環型としては炭素数6〜20個のものであっ
て、例えばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロ
ニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、a−ピ
ネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル
基、アンドロスタニル基等を好ましく挙げることができ
る。
Z represents an atomic group constituting a monocyclic or polycyclic alicyclic group, and the alicyclic group formed is a monocyclic group having 3 to 8 carbon atoms, for example, A cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group can be preferably mentioned. The polycyclic type has 6 to 20 carbon atoms, and includes, for example, an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an a-pinel group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecyl group, An androstanyl group and the like can be preferably mentioned.

【0057】またこれらの基に置換される置換基として
は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミ
ノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ
ル基、カルボキシル基等の活性水素を有するものや、ハ
ロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等)、チオエーテル基、アシル基
(アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等)、ア
シロキシ基(アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基等)、アルコキシカルボニル基(メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシ
カルボニル基等)、シアノ基、ニトロ基等が挙げられ
る。ここで、アルキル基、シクロアルキル基、アリール
基は上記で示したものが挙げられるが、アルキル基は、
更にフッソ原子、シクロアルキル基で置換されていても
よい。
Substituents substituted by these groups have active hydrogen such as alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, amino group, amide group, ureido group, urethane group, hydroxyl group and carboxyl group. Or halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), thioether group, acyl group (acetyl group, propanoyl group, benzoyl group, etc.) ), An acyloxy group (acetoxy group, propanoyloxy group, benzoyloxy group, etc.), an alkoxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, etc.), a cyano group, a nitro group and the like. Here, examples of the alkyl group, cycloalkyl group, and aryl group include those described above, and the alkyl group is
Further, it may be substituted with a fluorine atom or a cycloalkyl group.

【0058】本発明のフッ素基含有樹脂に含まれる、酸
の作用により分解しアルカリ可溶性を示す基としては、
例えば−O−C(R36)(R37)(R38)、−O−C
(R36)(R37)(OR39)、−O−COO−C
(R36)(R37)(R38)、−O−C(R01)(R02
COO−C(R36)(R37)(R38)、−COO−C
(R36)(R37)(R38)、−COO−C(R36)(R
37)(OR39)等が挙げられる。R36〜R39は上記と同
義であり、R01、R02は水素原子、上記で示した置換基
を有していてもよいアルキル基、シクロアルキル基、ア
ルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表
す。
The group contained in the fluorine group-containing resin of the present invention, which is decomposed by the action of an acid to be alkali-soluble, is
For example -O-C (R 36) ( R 37) (R 38), - O-C
(R 36) (R 37) (OR 39), - O-COO-C
( R36 ) ( R37 ) ( R38 ), -OC ( R01 ) ( R02 )
COO-C ( R36 ) ( R37 ) ( R38 ), -COO-C
(R 36 ) (R 37 ) (R 38 ), -COO-C (R 36 ) (R
37 ) (OR 39 ) and the like. R 36 to R 39 have the same meanings as described above, and R 01 and R 02 are each a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent shown above, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, or an aryl group. Represents

【0059】好ましい具体例としては、t−ブチル基、
t−アミル基、1−アルキル−1−シクロヘキシル基、
2−アルキル−2−アダマンチル基、2−アダマンチル
−2−プロピル基、2−(4−メチルシクロヘキシル)
−2−プロピル基等の3級アルキル基のエーテル基又は
エステル基、1−アルコキシ−1−エトキシ基、テトラ
ヒドロピラニル基等のアセタール基又はアセタールエス
テル基、t−アルキルカーボネート基、t−アルキルカ
ルボニルメトキシ基等が好ましく挙げられる。
A preferred specific example is a t-butyl group,
t-amyl group, 1-alkyl-1-cyclohexyl group,
2-alkyl-2-adamantyl group, 2-adamantyl-2-propyl group, 2- (4-methylcyclohexyl)
Ether group or ester group of tertiary alkyl group such as 2-propyl group, acetal group or acetal ester group such as 1-alkoxy-1-ethoxy group, tetrahydropyranyl group, t-alkyl carbonate group, t-alkylcarbonyl A methoxy group and the like are preferable.

【0060】一般式(I)〜(X)で示される繰り返し
単位の含量の合計は、全ポリマー組成中において、一般
的に10〜80モル%、好ましくは30〜70モル%、
更に好ましくは35〜65モル%の範囲で使用される。
一般式(XI)〜(XIII)で表される繰り返し単位の含量
は、全ポリマー組成中において、一般的に0〜70モル
%、好ましくは10〜60モル%、更に好ましくは20
〜50モル%の範囲で使用される。一般式(XV)〜(XV
II)で表される繰り返し単位の含量は、全ポリマー組成
中において、一般的に0〜70モル%、好ましくは10
〜60モル%、更に好ましくは20〜50モル%の範囲
で使用される。
The total content of the repeating units represented by the general formulas (I) to (X) is generally 10 to 80 mol%, preferably 30 to 70 mol%, in the total polymer composition.
More preferably, it is used in the range of 35 to 65 mol%.
The content of the repeating units represented by the general formulas (XI) to (XIII) is generally 0 to 70 mol%, preferably 10 to 60 mol%, more preferably 20 in the total polymer composition.
It is used in the range of 50 mol%. General formula (XV) ~ (XV
The content of the repeating unit represented by II) is generally 0 to 70 mol%, preferably 10 in the total polymer composition.
-60 mol%, more preferably 20-50 mol% is used.

【0061】本発明の(A)の樹脂としては、一般式
(I)〜(III)で示される繰り返し単位を少なくとも
一つと、一般式(IV)〜(VI)で示される繰り返し単位
を少なくとも一つを有することが更に好ましい。また、
本発明の(A)の樹脂としては、一般式(IV)〜(VI)
で示される繰り返し単位を少なくとも一つと、一般式
(VIII)〜(X)で示される繰り返し単位を少なくとも
一つを有することが上記と同様に更に好ましい。
The resin (A) of the present invention has at least one repeating unit represented by the general formulas (I) to (III) and at least one repeating unit represented by the general formulas (IV) to (VI). It is more preferable to have one. Also,
Examples of the resin (A) of the present invention include those represented by general formulas (IV) to (VI)
It is more preferable to have at least one repeating unit represented by and at least one repeating unit represented by the general formulas (VIII) to (X), as in the above.

【0062】更に、本発明の(A)の樹脂としては、一
般式(IV)〜(VII)で示される繰り返し単位を少なく
とも一つと、一般式(XV)〜(XVII)で示される繰り返
し単位を少なくとも一つを有することが上記と同様に更
に好ましい。これにより、樹脂における157nmの透
過性を十分に高め、且つ耐ドライエッチング性の低下を
抑えることができる。
Further, the resin (A) of the present invention comprises at least one repeating unit represented by the general formulas (IV) to (VII) and repeating units represented by the general formulas (XV) to (XVII). It is more preferable to have at least one similarly to the above. As a result, it is possible to sufficiently enhance the transmittance of the resin at 157 nm and suppress the deterioration of the dry etching resistance.

【0063】本発明の(A)の樹脂が、一般式(I)〜
(III)で示される繰り返し単位を少なくとも一つと、
一般式(IV)〜(VI)で示される繰り返し単位を少なく
とも一つを有する場合、一般式(I)〜(III)で示さ
れる繰り返し単位の含量の合計は、全ポリマー組成中に
おいて、一般的に0〜70モル%、好ましくは10〜6
0モル%、更に好ましくは20〜50モル%の範囲で使
用される。一般式(IV)〜(VI)で表される繰り返し単
位の含量の合計は、全ポリマー組成中において、一般的
に10〜80モル%、好ましくは30〜70モル%、更
に好ましくは35〜65モル%の範囲で使用される。
The resin (A) of the present invention has the general formula (I) to
At least one repeating unit represented by (III),
When it has at least one repeating unit represented by general formulas (IV) to (VI), the total content of repeating units represented by general formulas (I) to (III) is 0 to 70 mol%, preferably 10 to 6
It is used in an amount of 0 mol%, more preferably 20 to 50 mol%. The total content of the repeating units represented by formulas (IV) to (VI) is generally 10 to 80 mol%, preferably 30 to 70 mol%, more preferably 35 to 65 mol% in the total polymer composition. Used in the mol% range.

【0064】本発明の(A)の樹脂が、一般式(IV)〜
(VI)で示される繰り返し単位を少なくとも一つと、一
般式(VIII)〜(X)で示される繰り返し単位を少なく
とも一つを有する場合、一般式(IV)〜(VI)で示され
る繰り返し単位の含量の合計は、全ポリマー組成中にお
いて、一般的に10〜80モル%、好ましくは30〜7
0モル%、更に好ましくは35〜65モル%の範囲で使
用される。一般式(VIII)〜(X)で表される繰り返し
単位の含量の合計は、全ポリマー組成中において、一般
的に0〜70モル%、好ましくは10〜60モル%、更
に好ましくは20〜50モル%の範囲で使用される。
The resin (A) of the present invention has the general formula (IV)
In the case of having at least one repeating unit represented by (VI) and at least one repeating unit represented by general formulas (VIII) to (X), the repeating units represented by general formulas (IV) to (VI) The total content is generally 10 to 80 mol%, preferably 30 to 7 in the total polymer composition.
It is used in an amount of 0 mol%, more preferably 35 to 65 mol%. The total content of the repeating units represented by formulas (VIII) to (X) is generally 0 to 70 mol%, preferably 10 to 60 mol%, more preferably 20 to 50 in the total polymer composition. Used in the mol% range.

【0065】本発明の(A)の樹脂が、一般式(IV)〜
(VII)で示される繰り返し単位を少なくとも一つと、
一般式(XV)〜(XVII)で示される繰り返し単位を少な
くとも一つを有する場合、一般式(IV)〜(VII)で示
される繰り返し単位の含量の合計は、全ポリマー組成中
において、一般的に10〜80モル%、好ましくは30
〜70モル%、更に好ましくは35〜65モル%の範囲
で使用される。一般式(XV)〜(XVII)で表される繰り
返し単位の含量の合計は、全ポリマー組成中において、
一般的に0〜70モル%、好ましくは10〜60モル
%、更に好ましくは20〜50モル%の範囲で使用され
る。
The resin (A) of the present invention has the general formula (IV)
At least one repeating unit represented by (VII),
When it has at least one repeating unit represented by general formulas (XV) to (XVII), the total content of repeating units represented by general formulas (IV) to (VII) is 10 to 80 mol%, preferably 30
˜70 mol%, more preferably 35 to 65 mol%. The total content of the repeating units represented by the general formulas (XV) to (XVII) is, in the total polymer composition,
Generally, it is used in the range of 0 to 70 mol%, preferably 10 to 60 mol%, and more preferably 20 to 50 mol%.

【0066】一般式(IA)及び(IIA)で示される
繰り返し単位を各々少なくとも1つ有するフッ素基含有
樹脂(A)に於いて、一般式(IA)で示される繰り返
し単位の含量は、一般的に5〜80モル%、好ましくは
10〜75モル%、更に好ましくは20〜70モル%で
ある。一般式(IA)及び(IIA)で示される繰り返
し単位を各々少なくとも1つ有するフッ素基含有樹脂
(A)に於いて、一般式(IIA)で示される繰り返し
単位の含量は、一般的に5〜80モル%、好ましくは1
0〜70モル%、更に好ましくは20〜65モル%であ
る。一般式(IIA)及び(VIA)で示される繰り返
し単位を各々少なくとも1つ有するフッ素基含有樹脂
(A)に於いて、一般式(IIA)で示される繰り返し
単位の含量は、一般的に5〜80モル%、好ましくは1
0〜70モル%、更に好ましくは20〜65モル%であ
る。一般式(IIA)及び(VIA)で示される繰り返
し単位を各々少なくとも1つ有するフッ素基含有樹脂
(A)に於いて、一般式(VIA)で示される繰り返し
単位の含量は、一般的に5〜80モル%、好ましくは1
0〜70モル%、更に好ましくは20〜65モル%であ
る。これらのフッ素基含有樹脂(A)に於いて、一般式
(IIIA)で示される繰り返し単位の含量は、一般的
に1〜40モル%、好ましくは3〜35モル%、更に好
ましくは5〜30モル%である。これらのフッ素基含有
樹脂(A)に於いて、一般式(VIIA)で示される繰
り返し単位の含量は、一般的に1〜40モル%、好まし
くは3〜35モル%、更に好ましくは5〜30モル%で
ある。
In the fluorine group-containing resin (A) having at least one repeating unit represented by the general formulas (IA) and (IIA), the content of the repeating unit represented by the general formula (IA) is generally 5 to 80 mol%, preferably 10 to 75 mol%, and more preferably 20 to 70 mol%. In the fluorine group-containing resin (A) having at least one repeating unit represented by the general formulas (IA) and (IIA), the content of the repeating unit represented by the general formula (IIA) is generally 5 to 5. 80 mol%, preferably 1
It is 0 to 70 mol%, more preferably 20 to 65 mol%. In the fluorine group-containing resin (A) having at least one repeating unit represented by the general formulas (IIA) and (VIA), the content of the repeating unit represented by the general formula (IIA) is generally 5 to 80 mol%, preferably 1
It is 0 to 70 mol%, more preferably 20 to 65 mol%. In the fluorine group-containing resin (A) having at least one repeating unit represented by the general formulas (IIA) and (VIA), the content of the repeating unit represented by the general formula (VIA) is generally 5 to 80 mol%, preferably 1
It is 0 to 70 mol%, more preferably 20 to 65 mol%. In the fluorine group-containing resin (A), the content of the repeating unit represented by the general formula (IIIA) is generally 1 to 40 mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol%. Mol%. In these fluorine group-containing resins (A), the content of the repeating unit represented by the general formula (VIIA) is generally 1 to 40 mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol%. Mol%.

【0067】本発明(A)の樹脂は、上記のような繰り
返し構造単位以外にも、更に本発明のポジ型レジストの
性能を向上させる目的で、他の重合性モノマーを共重合
させてもよい。
The resin of the present invention (A) may be copolymerized with other polymerizable monomers in addition to the above repeating structural units for the purpose of further improving the performance of the positive resist of the present invention. .

【0068】使用することができる共重合モノマーとし
ては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外の
アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル
酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビ
ニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロ
トン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結
合を1個有する化合物である。
Copolymerizable monomers that can be used include those shown below. For example, addition-polymerizable unsaturated bonds selected from acrylic acid esters, acrylamides, methacrylic acid esters, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonic acid esters, etc. other than the above It is a compound having one.

【0069】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜1
0のものが好ましい)アクリレート(例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸t−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シ
クロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸
オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルア
クリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート2,2
−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒド
ロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパン
モノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリル
アクリレート、など)アリールアクリレート(例えばフ
ェニルアクリレートなど);
Specifically, for example, acrylates such as alkyl (wherein the alkyl group has 1 to 1 carbon atoms).
0 acrylate) (eg, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, t-butyl acrylate, amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, tert-octyl acrylate) , Chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,2
-Dimethyl hydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, etc.) Aryl acrylate (eg phenyl acrylate etc.);

【0070】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好まし
い)メタクリレート(例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど)、
アリールメタクリレート(例えば、フェニルメタクリレ
ート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレー
トなど);
Methacrylic acid esters, for example, alkyl (alkyl groups preferably having 1 to 10 carbon atoms) methacrylate (for example, methyl methacrylate,
Ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, t-butyl methacrylate,
Amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate,
Chlorbenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, glycidyl methacrylate. , Furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, etc.),
Aryl methacrylate (eg, phenyl methacrylate, cresyl methacrylate, naphthyl methacrylate, etc.);

【0071】アクリルアミド類、例えば、アクリルアミ
ド、N−アルキルアクリルアミド、(アルキル基として
は、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒ
ドロキシエチル基、ベンジル基などがある。)、N−ア
リールアクリルアミド(アリール基としては、例えばフ
ェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、
シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシ
フェニル基などがある。)、N,N−ジアルキルアクリ
ルアミド(アルキル基としては、炭素原子数1〜10の
もの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブ
チル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基などがあ
る。)、N,N−ジアリールアクリルアミド(アリール
基としては、例えばフェニル基などがある。)、N−メ
チル−N−フェニルアクリルアミド、N−ヒドロキシエ
チル−N−メチルアクリルアミド、N−2−アセトアミ
ドエチル−N−アセチルアクリルアミドなど;
Acrylamides, for example, acrylamide, N-alkylacrylamide, (the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, t-butyl group, heptyl group) Group, octyl group, cyclohexyl group, benzyl group, hydroxyethyl group, benzyl group, etc.), N-arylacrylamide (as the aryl group, for example, phenyl group, tolyl group, nitrophenyl group, naphthyl group,
There are cyanophenyl group, hydroxyphenyl group, carboxyphenyl group and the like. ), N, N-dialkylacrylamide (the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, butyl group, isobutyl group, ethylhexyl group, cyclohexyl group, etc.), N, N-diarylacrylamide (an aryl group includes, for example, a phenyl group), N-methyl-N-phenylacrylamide, N-hydroxyethyl-N-methylacrylamide, N-2-acetamidoethyl-N-acetylacrylamide, etc. ;

【0072】メタクリルアミド類、例えば、メタクリル
アミド、N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基と
しては、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メチル
基、エチル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒド
ロキシエチル基、シクロヘキシル基などがある。)、N
−アリールメタクリルアミド(アリール基としては、フ
ェニル基などがある。)、N,N−ジアルキルメタクリ
ルアミド(アルキル基としては、エチル基、プロピル
基、ブチル基などがある。)、N,N−ジアリールメタ
クリルアミド(アリール基としては、フェニル基などが
ある。)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメタクリ
ルアミド、N−メチル−N−フェニルメタクリルアミ
ド、N−エチル−N−フェニルメタクリルアミドなど;
アリル化合物、例えば、アリルエステル類(例えば、酢
酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウ
リン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリ
ル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリルな
ど)、アリルオキシエタノールなど;
Methacrylamides such as methacrylamide and N-alkylmethacrylamide (wherein the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, t-butyl group, ethylhexyl group, hydroxyethyl group). Group, cyclohexyl group, etc.), N
-Aryl methacrylamide (an aryl group includes a phenyl group, etc.), N, N-dialkyl methacrylamide (an alkyl group includes an ethyl group, a propyl group, a butyl group, etc.), N, N-diaryl. Methacrylamide (such as a phenyl group as an aryl group), N-hydroxyethyl-N-methylmethacrylamide, N-methyl-N-phenylmethacrylamide, N-ethyl-N-phenylmethacrylamide, etc .;
Allyl compounds, such as allyl esters (eg, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate), allyloxyethanol Such;

【0073】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル(例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニル
エーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど)、ビニルアリールエ
ーテル(例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
2,4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど);
Vinyl ethers such as alkyl vinyl ethers (eg, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether,
Ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, Tetrahydrofurfuryl vinyl ether, etc.), vinyl aryl ether (eg vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorophenyl ether, vinyl-
2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether, vinyl anthranyl ether, etc.);

【0074】ビニルエステル類、例えば、ビニルブチレ
ート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテ
ート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビ
ニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジ
クロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニル
ブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニ
ルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−
フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシ
レート、安息香酸ビニル、サルチル酸ビニル、クロル安
息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ
酸ビニルなど;
Vinyl esters such as vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl barrate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate. , Vinyl phenylacetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-
Phenyl butyrate, vinyl cyclohexyl carboxylate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorobenzoate, vinyl tetrachlorobenzoate, vinyl naphthoate, etc .;

【0075】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン(例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど)、アルコキシスチレン(例
えば、メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど)、ハロゲンスチレン
(例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2
−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フル
オル−3−トリフルオルメチルスチレンなど)、カルボ
キシスチレン、ビニルナフタレン;
Styrenes such as styrene, alkylstyrenes (eg methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, diethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, cyclohexylstyrene, decylstyrene, benzylstyrene, chloromethyl). Styrene, trifluoromethylstyrene, ethoxymethylstyrene, acetoxymethylstyrene, etc.), alkoxystyrene (eg, methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene, etc.), halogen styrene (eg, chlorostyrene, dichlorostyrene). , Trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromstyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluoros Ren, trifluoromethyl styrene, 2
-Bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, etc.), carboxystyrene, vinylnaphthalene;

【0076】クロトン酸エステル類、例えば、クロトン
酸アルキル(例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘ
キシル、グリセリンモノクロトネートなど);イタコン
酸ジアルキル類(例えば、イタコン酸ジメチル、イタコ
ン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなど);マレイン酸
あるいはフマール酸のジアルキルエステル類(例えば、
ジメチルマレレート、ジブチルフマレートなど)、無水
マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、マレイロニトリル等がある。その他、一般
的には共重合可能である付加重合性不飽和化合物であれ
ばよい。
Crotonic acid esters, for example, alkyl crotonic acid (eg, butyl crotonic acid, hexyl crotonic acid, glycerin monocrotonate, etc.); Dialkyl itaconic acids (eg, dimethyl itaconic acid, diethyl itaconic acid, dibutyl itaconic acid, etc.) ); Dialkyl esters of maleic acid or fumaric acid (eg,
Dimethyl maleate, dibutyl fumarate, etc.), maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleironitrile and the like. In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that is generally copolymerizable may be used.

【0077】以下に一般式(I)〜(X)で表される繰
り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating structural units represented by formulas (I) to (X) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0078】[0078]

【化12】 [Chemical 12]

【0079】[0079]

【化13】 [Chemical 13]

【0080】[0080]

【化14】 [Chemical 14]

【0081】[0081]

【化15】 [Chemical 15]

【0082】[0082]

【化16】 [Chemical 16]

【0083】[0083]

【化17】 [Chemical 17]

【0084】[0084]

【化18】 [Chemical 18]

【0085】また一般式(XI)〜(XIII)で表される繰
り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating structural units represented by formulas (XI) to (XIII) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0086】[0086]

【化19】 [Chemical 19]

【0087】[0087]

【化20】 [Chemical 20]

【0088】[0088]

【化21】 [Chemical 21]

【0089】[0089]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0090】また一般式(XVI)〜(XVII)で表される
繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限
定されるものではない。
Specific examples of the repeating structural units represented by formulas (XVI) to (XVII) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0091】[0091]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0092】以下に、一般式(IA)で表される繰り返
し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by formula (IA) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0093】[0093]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0094】[0094]

【化25】 [Chemical 25]

【0095】[0095]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0096】[0096]

【化27】 [Chemical 27]

【0097】[0097]

【化28】 [Chemical 28]

【0098】[0098]

【化29】 [Chemical 29]

【0099】[0099]

【化30】 [Chemical 30]

【0100】[0100]

【化31】 [Chemical 31]

【0101】[0101]

【化32】 [Chemical 32]

【0102】以下に、一般式(IIA)で表される繰り
返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by formula (IIA) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0103】[0103]

【化33】 [Chemical 33]

【0104】[0104]

【化34】 [Chemical 34]

【0105】[0105]

【化35】 [Chemical 35]

【0106】[0106]

【化36】 [Chemical 36]

【0107】更に、一般式(IIA)で表される繰り返
し単位の具体例として、先に例示した(F−40)〜
(F−45)を挙げることができる。
Further, as specific examples of the repeating unit represented by the general formula (IIA), (F-40) to (F-40) mentioned above are exemplified.
(F-45) can be mentioned.

【0108】以下に、一般式(VIA)で表される繰り
返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれらに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by formula (VIA) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0109】[0109]

【化37】 [Chemical 37]

【0110】[0110]

【化38】 [Chemical 38]

【0111】[0111]

【化39】 [Chemical Formula 39]

【0112】[0112]

【化40】 [Chemical 40]

【0113】[0113]

【化41】 [Chemical 41]

【0114】更に、一般式(VIA)で表される繰り返
し単位の具体例として先に例示した(F−29)〜(F
−38)及び(F−47)〜(F−54)を挙げること
ができる。
Further, as specific examples of the repeating unit represented by the general formula (VIA), (F-29) to (F) mentioned above are exemplified.
-38) and (F-47) to (F-54).

【0115】以下に、一般式(IIIA)で表される繰
り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by formula (IIIA) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0116】[0116]

【化42】 [Chemical 42]

【0117】[0117]

【化43】 [Chemical 43]

【0118】以下に、一般式(VIIA)で表される繰
り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by formula (VIIA) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0119】[0119]

【化44】 [Chemical 44]

【0120】上記具体例で表される繰り返し構造単位
は、各々1種で使用してもよいし、複数を混合して用い
てもよい。上記繰り返し構造単位を有する本発明の樹脂
(A)の好ましい分子量は、重量平均で1,000〜2
00,000であり、更に好ましくは3,000〜2
0,000の範囲で使用される。分子量分布は1〜10
であり、好ましくは1〜3、更に好ましくは1〜2の範
囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、
解像度、レジスト形状、及びレジストパターンの側壁が
スムーズであり、ラフネス性に優れる。
The repeating structural units represented by the above specific examples may be used alone or in combination of two or more. The preferred molecular weight of the resin (A) of the present invention having the repeating structural unit is 1,000 to 2 on a weight average basis.
0,000, and more preferably 3,000 to 2
Used in the range of 10,000. Molecular weight distribution is 1-10
And preferably in the range of 1 to 3, more preferably 1 to 2. The smaller the molecular weight distribution,
The resolution, the resist shape, and the side wall of the resist pattern are smooth, and the roughness is excellent.

【0121】本発明の樹脂(A)の添加量は組成物の全
固形分を基準として、一般的に50〜100重量%、好
ましくは60〜98重量%、更に好ましくは65〜95
重量%の範囲で使用される。
The addition amount of the resin (A) of the present invention is generally 50 to 100% by weight, preferably 60 to 98% by weight, more preferably 65 to 95% by weight based on the total solid content of the composition.
Used in the weight% range.

【0122】[(B)成分 活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する化合物(以下光酸発生剤と呼ぶこと
がある。)]本発明の組成物には、成分(B)として活
性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(光
酸発生剤)を含有する。そのような光酸発生剤として
は、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開
始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロ
レジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を
適宜に選択して使用することができる。
[Component (B) Compound that Generates Acid upon Irradiation with Actinic Rays or Radiation (hereinafter sometimes referred to as photoacid generator)] In the composition of the present invention, actinic ray or It contains a compound (photoacid generator) that generates an acid upon irradiation with radiation. Such photo-acid generators include photo-initiators for photo-cationic polymerization, photo-initiators for photo-radical polymerization, photo-decoloring agents for dyes, photo-color-changing agents, or actinic rays used for micro resists or the like. Known compounds that generate an acid upon irradiation with radiation and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

【0123】たとえば、ジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化物、o
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができ
る。
For example, onium salts such as diazonium salts, ammonium salts, phosphonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, selenonium salts and arsonium salts,
Organic halogen compounds, organic metal / organic halides, o
Examples thereof include a photoacid generator having a nitrobenzyl-type protecting group, a compound represented by iminosulfonate and the like, which photolyzes to generate a sulfonic acid, and a disulfone compound.

【0124】また、これらの活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主
鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第
3,849,137号、独国特許第3914407号、特
開昭63−26653号、特開昭55−164824
号、特開昭62−69263号、特開昭63−1460
38 号、特開昭63−163452 号、特開昭62−
153853号、特開昭63−146029号等に記載
の化合物を用いることができる。
Also, a group in which an acid-generating group upon irradiation with actinic rays or radiation or a compound is introduced into the main chain or side chain of a polymer, for example, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3,914,407, JP-A-63-26653, JP-A-55-164824.
No. 62-69263, 63-1460.
38, JP-A-63-163452, JP-A-62-
The compounds described in JP-A-153853 and JP-A-63-146029 can be used.

【0125】さらに米国特許第3,779,778号、欧
州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生
する化合物も使用することができる。
Further, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778 and European Patent 126,712 can also be used.

【0126】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられる
ものについて以下に説明する。
Among the compounds which decompose when exposed to actinic rays or radiation to generate an acid, those which are particularly effectively used are described below.

【0127】(1)下記の一般式(PAG1)で表され
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG2)で表される
スルホニウム塩。
(1) An iodonium salt represented by the following general formula (PAG1) or a sulfonium salt represented by the following general formula (PAG2).

【0128】[0128]

【化45】 [Chemical formula 45]

【0129】ここで式Ar1、Ar2は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基及びハロゲン原子が挙げられる。
Here, the formulas Ar 1 and Ar 2 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. Preferable substituents include an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxy group, a mercapto group and a halogen atom.

【0130】R203、R204、R205は各々独立に、置換
もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ま
しくは、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8の
アルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい置
換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8のア
ルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、カ
ルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、
アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、カ
ルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。
R 203 , R 204 and R 205 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Of these, an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a substituted derivative thereof are preferable. Preferred substituents are an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a nitro group, a carboxyl group, a hydroxy group and a halogen atom for an aryl group,
The alkyl group is an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group or an alkoxycarbonyl group.

【0131】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、ClO4 -
CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオ
ン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこ
れらに限定されるものではない。
Z represents a counter anion, for example, BF 4 ,
AsF 6 -, PF 6 -, SbF 6 -, SiF 6 2-, ClO 4 -,
Perfluoroalkane sulfonate anions such as CF 3 SO 3 , pentafluorobenzene sulfonate anions, condensed polynuclear aromatic sulfonate anions such as naphthalene-1-sulfonate anions, anthraquinone sulfonate anions, sulfonate group-containing dyes, etc. Examples thereof include, but are not limited to:

【0132】またR203、R204、R205のうちの2つ及
びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。
Two of R 203 , R 204 and R 205 and Ar 1 and Ar 2 may be bonded to each other via a single bond or a substituent.

【0133】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the compounds shown below, but the invention is not limited thereto.

【0134】[0134]

【化46】 [Chemical formula 46]

【0135】[0135]

【化47】 [Chemical 47]

【0136】[0136]

【化48】 [Chemical 48]

【0137】[0137]

【化49】 [Chemical 49]

【0138】[0138]

【化50】 [Chemical 50]

【0139】[0139]

【化51】 [Chemical 51]

【0140】[0140]

【化52】 [Chemical 52]

【0141】[0141]

【化53】 [Chemical 53]

【0142】[0142]

【化54】 [Chemical 54]

【0143】[0143]

【化55】 [Chemical 55]

【0144】[0144]

【化56】 [Chemical 56]

【0145】一般式(PAG1)、(PAG2)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えば米国特許第
2,807,648 号及び同4,247,473号、特開
昭53−101,331号等に記載の方法により合成す
ることができる。
The onium salts represented by the general formulas (PAG1) and (PAG2) are known, for example, US Pat. Nos. 2,807,648 and 4,247,473, and JP-A-53-101,331. Can be synthesized by the method described in No.

【0146】(2)下記一般式(PAG3)で表される
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG4)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。
(2) A disulfone derivative represented by the following general formula (PAG3) or an iminosulfonate derivative represented by the general formula (PAG4).

【0147】[0147]

【化57】 [Chemical 57]

【0148】式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R206は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
In the formula, Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 206 represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. A represents a substituted or unsubstituted alkylene group, alkenylene group, or arylene group. Specific examples thereof include the compounds shown below, but the invention is not limited thereto.

【0149】[0149]

【化58】 [Chemical 58]

【0150】[0150]

【化59】 [Chemical 59]

【0151】[0151]

【化60】 [Chemical 60]

【0152】[0152]

【化61】 [Chemical formula 61]

【0153】[0153]

【化62】 [Chemical formula 62]

【0154】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジアゾジスルホン誘導体。
(3) A diazodisulfone derivative represented by the following general formula (PAG5).

【0155】[0155]

【化63】 [Chemical formula 63]

【0156】ここでRは、直鎖状、分岐状又は環状アル
キル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表
す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
Here, R represents a linear, branched or cyclic alkyl group or an aryl group which may be substituted. Specific examples include the compounds shown below,
It is not limited to these.

【0157】[0157]

【化64】 [Chemical 64]

【0158】また、上記化合物の他に、下記一般式
(I)で表される化合物も本発明の成分(B)の酸発生
剤として有効に用いられる。
In addition to the above compounds, compounds represented by the following general formula (I) are also effectively used as the acid generator of the component (B) of the present invention.

【0159】[0159]

【化65】 式(I)中、R1〜R5は、水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキルオキシカ
ルボニル基又はアリール基を表し、R1〜R5のうち少な
くとも2つ以上が結合して環構造を形成してもよい。R
6及びR7は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はアリ
ール基を表す。Y1及びY2は、アルキル基、アリール
基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表
し、Y1とY2とが結合して環を形成してもよい。Y
3は、単結合または2価の連結基を表す。X-は、非求核
性アニオンを表す。但し、R1からR5の少なくとも1つ
とY1又はY2の少なくとも一つが結合して環を形成する
か、若しくは、R1からR5の少なくとも1つとR6又は
7の少なくとも1つが結合して環を形成する。尚、R1
からR7のいずれか、若しくは、Y1又はY2のいずれか
の位置で、連結基を介して結合し、式(I)の構造を2
つ以上有していてもよい。
[Chemical 65] In formula (I), R 1 to R 5 represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a nitro group, a halogen atom, an alkyloxycarbonyl group or an aryl group, and at least two or more of R 1 to R 5 are It may combine with each other to form a ring structure. R
6 and R 7 represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group or an aryl group. Y 1 and Y 2 represent an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an aromatic group containing a hetero atom, and Y 1 and Y 2 may be bonded to each other to form a ring. Y
3 represents a single bond or a divalent linking group. X represents a non-nucleophilic anion. Provided that at least one of R 1 to R 5 and at least one of Y 1 or Y 2 are combined to form a ring, or at least one of R 1 to R 5 and at least one of R 6 or R 7 are combined. To form a ring. In addition, R 1
To R 7 or any of Y 1 or Y 2 via a linking group to form a structure of formula (I)
You may have one or more.

【0160】R1〜R7のアルキル基は、置換あるいは無
置換のアルキル基であり、好ましくは炭素数1〜5のア
ルキル基であり、無置換のアルキル基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基等を挙げることができ
る。R1〜R5のアルコキシ基及びアルキルオキシカルボ
ニル基におけるアルコキシ基は、置換あるいは無置換の
アルコキシ基であり、好ましくは炭素数1〜5のアルコ
キシ基であり、無置換のアルコキシ基としては、例え
ば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等を挙げることができる。R1〜R7、Y1、Y2のアリ
ール基は、置換あるいは無置換のアリール基であり、好
ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、無置換の
アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、
ナフチル基等を挙げることができる。R1〜R5のハロゲ
ン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、沃素原子等を挙げることができる。
The alkyl group represented by R 1 to R 7 is a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of the unsubstituted alkyl group include methyl group and ethyl group. Group, propyl group, n-butyl group,
Examples thereof include sec-butyl group and t-butyl group. The alkoxy group of R 1 to R 5 and the alkoxy group in the alkyloxycarbonyl group are substituted or unsubstituted alkoxy groups, preferably alkoxy groups having 1 to 5 carbon atoms, and examples of the unsubstituted alkoxy group include , A methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group and the like. The aryl group represented by R 1 to R 7 , Y 1 and Y 2 is a substituted or unsubstituted aryl group, preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and examples of the unsubstituted aryl group include phenyl. Group, tolyl group,
Examples thereof include a naphthyl group. Examples of the halogen atom of R 1 to R 5 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

【0161】Y1及びY2のアルキル基は、置換あるいは
無置換のアルキル基であり、好ましくは炭素数1〜30
のアルキル基である。無置換のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基等の直鎖状若しく
は分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノル
ボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げるこ
とができる。
The alkyl group of Y 1 and Y 2 is a substituted or unsubstituted alkyl group, preferably having 1 to 30 carbon atoms.
Is an alkyl group. As the unsubstituted alkyl group, for example, a linear or branched alkyl group such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, and cyclopropyl group, Examples thereof include cyclic alkyl groups such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group and boronyl group.

【0162】Y1及びY2のアラルキル基は、置換あるい
は無置換のアラルキル基であり、好ましくは炭素数7〜
12のアラルキル基であり、無置換のアラルキル基とし
ては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等
を挙げることができる。
The aralkyl group for Y 1 and Y 2 is a substituted or unsubstituted aralkyl group, preferably having 7 to 7 carbon atoms.
Examples of the aralkyl group of 12 and the unsubstituted aralkyl group include a benzyl group, a phenethyl group, and a cumyl group.

【0163】ヘテロ原子を含む芳香族基とは、例えば炭
素数6〜14のアリール基等の芳香族基に、ヘテロ原
子、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を有する
基を表す。Y1及びY2のヘテロ原子を含む芳香族基とし
ては、置換あるいは無置換のヘテロ原子を含む芳香族基
であり、無置換のものとしては、例えば、フラン、チオ
フェン、ピロール、ピリジン、インドール等の複素環式
芳香族炭化水素基が挙げられる。
The aromatic group containing a hetero atom means a group having a hetero atom such as a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom in an aromatic group such as an aryl group having 6 to 14 carbon atoms. The aromatic group containing a hetero atom of Y 1 and Y 2 is an aromatic group containing a substituted or unsubstituted hetero atom, and examples of the unsubstituted group include furan, thiophene, pyrrole, pyridine and indole. And a heterocyclic aromatic hydrocarbon group.

【0164】Y1とY2とは結合して、式(I)中のS+
とともに、環を形成してもよい。この場合、Y1とY2
が結合して形成する基としては、例えば、炭素数4〜1
0のアルキレン基、好ましくはブチレン基、ペンチレン
基、ヘキシレン基、特に好ましくはブチレン基、ペンチ
レン基を挙げることができる。また、Y1とY2と結合し
て、式(I)中のS+とともに形成した環の中に、ヘテ
ロ原子を含んでいてもよい。
Y 1 and Y 2 are combined to form S + in the formula (I).
Together, they may form a ring. In this case, the group formed by combining Y 1 and Y 2 has, for example, 4 to 1 carbon atoms.
And an alkylene group of 0, preferably a butylene group, a pentylene group and a hexylene group, particularly preferably a butylene group and a pentylene group. Further, a hetero atom may be contained in the ring formed together with S + in the formula (I) by combining with Y 1 and Y 2 .

【0165】上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコ
キシカルボニル基、アリール基、アラルキル基の各々
は、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子、カルボキシル
基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ま
しくは炭素数1〜5)等で置換されていてもよい。更に
アリール基、アラルキル基については、アルキル基(好
ましくは炭素数1〜5)で置換されていてもよい。ま
た、アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子が好ま
しい。
Each of the above-mentioned alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, aryl group and aralkyl group is, for example, a nitro group, a halogen atom, a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyano group or an alkoxy group (preferably having a carbon number. 1-5) etc. may be substituted. Further, the aryl group and aralkyl group may be substituted with an alkyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms). Moreover, a halogen atom is preferable as a substituent of the alkyl group.

【0166】Y3は、単結合または2価の連結基を表
し、2価の連結基としては、置換していてもよいアルキ
レン基、アルケニレン基、−O−、−S−、−CO−、
−CONR−(Rは、水素、アルキル基、アシル基であ
る。)、及びこれらのうち2つ以上を含んでもよい連結
基が好ましい。
Y 3 represents a single bond or a divalent linking group, and as the divalent linking group, an optionally substituted alkylene group, alkenylene group, —O—, —S—, —CO—,
-CONR- (R is hydrogen, an alkyl group, an acyl group.), And a linking group which may include two or more of these are preferable.

【0167】X-の非求核性アニオンとしては、例え
ば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン等を挙げ
ることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起
こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応
による経時分解を抑制することができるアニオンであ
る。これによりレジストの経時安定性が向上する。スル
ホン酸アニオンとしては、例えば、アルキルスルホン酸
アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カンファース
ルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオ
ンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、ア
リールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニ
オンなどが挙げられる。
Examples of the non-nucleophilic anion of X include sulfonate anion and carboxylate anion. The non-nucleophilic anion is an anion having an extremely low ability to cause a nucleophilic reaction, and is an anion capable of suppressing decomposition over time due to an intramolecular nucleophilic reaction. This improves the temporal stability of the resist. Examples of the sulfonate anion include an alkyl sulfonate anion, an aryl sulfonate anion, and a camphor sulfonate anion. Examples of the carboxylic acid anion include an alkylcarboxylic acid anion, an arylcarboxylic acid anion, and an aralkylcarboxylic acid anion.

【0168】アルキルスルホン酸アニオンにおけるアル
キル基としては、好ましくは炭素数1〜30のアルキル
基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチ
ル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペン
タデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタ
デシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマン
チル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることがで
きる。アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基
としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例
えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げるこ
とができる。
The alkyl group in the alkyl sulfonate anion is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group. , Pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group Group, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, boronyl group and the like. The aryl group in the aryl sulfonate anion is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, for example, a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group and the like.

【0169】上記アルキルスルホン酸アニオン及びアリ
ールスルホン酸アニオンにおけるアルキル基及びアリー
ル基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、
例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
ルキルチオ基等を挙げることができる。
The alkyl group and aryl group in the alkyl sulfonate anion and aryl sulfonate anion may have a substituent. As a substituent,
For example, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group and the like can be mentioned.

【0170】ハロゲン原子としては、例えば、塩素原
子、臭素原子、弗素原子、沃素原子等を挙げることがで
きる。アルキル基としては、例えば、好ましくは炭素数
1〜15のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、
テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘ
プタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコ
シル基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、例えば、好ましくは炭素数1〜5のアルコキシ基、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基等を挙げることができる。アルキルチオ基として
は、例えば、好ましくは炭素数1〜15のアルキルチオ
基、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、イソブ
チルチオ基、sec−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、
ネオペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ
基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウ
ンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、
テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシ
ルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、
ノナデシルチオ基、エイコシルチオ基等を挙げることが
できる。尚、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ
基は、更にハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)で置
換されていてもよい。
Examples of the halogen atom include chlorine atom, bromine atom, fluorine atom, iodine atom and the like. As the alkyl group, for example, an alkyl group preferably having 1 to 15 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group,
Propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group,
Decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group,
Examples thereof include a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group, and an eicosyl group. As the alkoxy group, for example, preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms,
For example, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group and the like can be mentioned. The alkylthio group is, for example, preferably an alkylthio group having 1 to 15 carbon atoms, for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, isopropylthio group, n-butylthio group, isobutylthio group, sec-butylthio group, pentylthio group,
Neopentylthio group, hexylthio group, heptylthio group, octylthio group, nonylthio group, decylthio group, undecylthio group, dodecylthio group, tridecylthio group,
Tetradecylthio group, pentadecylthio group, hexadecylthio group, heptadecylthio group, octadecylthio group,
Examples thereof include nonadecylthio group and eicosylthio group. The alkyl group, alkoxy group and alkylthio group may be further substituted with a halogen atom (preferably a fluorine atom).

【0171】アルキルカルボン酸アニオンにおけるアル
キル基としては、アルキルスルホン酸アニオンにおける
アルキル基と同様のものを挙げることができる。アリー
ルカルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、ア
リールスルホン酸アニオンにおけるアリール基と同様の
ものを挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニ
オンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数
6〜12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネ
チル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチ
ルメチル基等を挙げることができる。
Examples of the alkyl group in the alkylcarboxylic acid anion include those similar to the alkyl group in the alkylsulfonic acid anion. Examples of the aryl group in the arylcarboxylic acid anion include the same as the aryl group in the arylsulfonic acid anion. The aralkyl group in the aralkylcarboxylate anion is preferably an aralkyl group having 6 to 12 carbon atoms, for example, a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group, a naphthylmethyl group and the like.

【0172】上記アルキルカルボン酸アニオン、アリー
ルカルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオ
ンにおけるアルキル基、アリール基及びアラルキル基は
置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、
アリールスルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を
挙げることができる。
The alkyl group, aryl group and aralkyl group in the above alkylcarboxylic acid anion, arylcarboxylic acid anion and aralkylcarboxylic acid anion may have a substituent, and examples of the substituent include:
The same halogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group and the like as in the aryl sulfonate anion can be mentioned.

【0173】その他の非求核性アニオンとしては、例え
ば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げ
ることができる。
Other non-nucleophilic anions include, for example, fluorinated phosphorus, fluorinated boron and fluorinated antimony.

【0174】尚、本発明の式(I)において、R1から
5の少なくとも1つとY1又はY2の少なくとも一つが
結合して環が形成されるか、若しくは、R1からR5の少
なくとも1つとR6又はR7の少なくとも1つが結合して
環が形成されている。式(I)に示す化合物は、環を形
成することにより、立体構造が固定され、光分解能が向
上する。また、R1からR7のいずれか、若しくは、Y1
又はY2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、
式(I)の構造を2つ以上有していてもよい。
In the formula (I) of the present invention, at least one of R 1 to R 5 and at least one of Y 1 or Y 2 are combined to form a ring, or a ring of R 1 to R 5 At least one and at least one of R 6 and R 7 are combined to form a ring. By forming a ring, the compound represented by the formula (I) has a fixed three-dimensional structure and improves optical resolution. Any one of R 1 to R 7 or Y 1
Or at any position of Y 2 is bonded via a linking group,
It may have two or more structures of formula (I).

【0175】さらに式(I)の化合物は、下記一般式
(IA)又は(IB)であるのが好ましい。
Further, the compound of formula (I) is preferably of the following general formula (IA) or (IB).

【0176】[0176]

【化66】 [Chemical formula 66]

【0177】式(IA)中、R1〜R4、R7、Y1、Y2
及びX-は、上記式(I)中のものと同様であり、Y
は、単結合又は2価の連結基を表す。式(IB)中、R
1〜R4、R6、R7、Y1及びX-は、上記式(I)中のも
のと同様であり、Yは、単結合又は2価の連結基を表
す。
In the formula (IA), R 1 to R 4 , R 7 , Y 1 and Y 2
And X are the same as those in the above formula (I), and Y
Represents a single bond or a divalent linking group. In formula (IB), R
1 to R 4 , R 6 , R 7 , Y 1 and X are the same as those in the above formula (I), and Y represents a single bond or a divalent linking group.

【0178】Yは、単結合又は2価の連結基を表し、2
価の連結基としては、置換していてもよいアルキレン
基、アルケニレン基、−O−、−S−、−CO−、−C
ONR−(Rは、水素、アルキル基、アシル基であ
る。)、及びこれらのうち2つ以上を含んでもよい連結
基が好ましい。式(IA)中、Yとしてはアルキレン基
又は酸素原子を含むアルキレン基、硫黄原子を含むアル
キレン基が好ましく、具体的にはメチレン基、エチレン
基、プロピレン基、−CH2−O−、−CH2−S−が好
ましく、最も好ましくはエチレン基、−CH2−O−、
−CH2−S−のように6員環を形成する連結基であ
る。6員環を形成することによりカルボニル平面とC−
S+シグマ結合がより垂直に近くなり、軌道相互作用に
より光分解効率が向上する。
Y represents a single bond or a divalent linking group, and 2
As the valent linking group, an optionally substituted alkylene group, alkenylene group, -O-, -S-, -CO-, -C
ONR- (R is hydrogen, an alkyl group, or an acyl group), and a linking group which may include two or more of these are preferable. In formula (IA), Y is preferably an alkylene group, an alkylene group containing an oxygen atom, or an alkylene group containing a sulfur atom, and specifically, a methylene group, an ethylene group, a propylene group, —CH 2 —O—, —CH. 2 -S- are preferred, and most preferably an ethylene group, -CH 2 -O-,
A connecting group forming a 6-membered ring such as —CH 2 —S—. By forming a 6-membered ring, the carbonyl plane and C-
The S + sigma bond becomes closer to vertical, and the photolysis efficiency is improved by the orbital interaction.

【0179】式(IA)に示す化合物は、対応するα−
ハロ環状ケトンとスルフィド化合物を反応させる方法、
或いは対応する環状ケトンをシリルエノールエーテルに
変換した後、スルホキシドと反応させることにより得る
ことができる。式(IB)に示す化合物は、アリールア
ルキルスルフィドにα−又はβ−ハロゲン化ハライドを
反応させることにより得ることができる。
The compound of formula (IA) has the corresponding α-
A method of reacting a halo cyclic ketone with a sulfide compound,
Alternatively, it can be obtained by converting the corresponding cyclic ketone into a silyl enol ether and then reacting it with a sulfoxide. The compound represented by the formula (IB) can be obtained by reacting an arylalkyl sulfide with an α- or β-halogenated halide.

【0180】以下に、上記式(I)で表される化合物の
具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
The specific examples of the compounds represented by the above formula (I) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0181】[0181]

【化67】 [Chemical formula 67]

【0182】[0182]

【化68】 [Chemical 68]

【0183】[0183]

【化69】 [Chemical 69]

【0184】[0184]

【化70】 [Chemical 70]

【0185】[0185]

【化71】 [Chemical 71]

【0186】[0186]

【化72】 [Chemical 72]

【0187】[0187]

【化73】 [Chemical formula 73]

【0188】[0188]

【化74】 [Chemical 74]

【0189】[0189]

【化75】 [Chemical 75]

【0190】上記一般式(I)で表される酸発生剤の具
体例において、(IA−1)〜(IA−30)及び(I
B−1)〜(IB−12)がより好ましい。
Specific examples of the acid generator represented by the above general formula (I) include (IA-1) to (IA-30) and (I).
B-1) to (IB-12) are more preferable.

【0191】上記式(I)の化合物は、1種単独で又は
2種以上を組み合わせて使用することができる。
The compounds of the above formula (I) can be used alone or in combination of two or more.

【0192】(B)成分の化合物の本発明のポジ型レジ
スト組成物中の含量は、組成物の固形分を基準として、
0.1〜20重量%が好ましく、より好ましくは0.5
〜10重量%、更に好ましくは1〜7重量%である。
The content of the compound of the component (B) in the positive resist composition of the present invention is based on the solid content of the composition.
0.1 to 20% by weight is preferable, and 0.5 is more preferable.
10 to 10% by weight, more preferably 1 to 7% by weight.

【0193】本発明に使用される(B)活性光線又は放
射線の照射により酸を発生する化合物の中で、特に好ま
しいものの例を以下に挙げる。
Among the compounds (B) which generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation used in the present invention, particularly preferable examples are shown below.

【0194】[0194]

【化76】 [Chemical 76]

【0195】[0195]

【化77】 [Chemical 77]

【0196】[0196]

【化78】 [Chemical 78]

【0197】[0197]

【化79】 [Chemical 79]

【0198】〔(D)成分 少なくとも一つのフッ素原
子を含有する含窒素化合物〕(以下、単に含窒素化合物
と呼ぶことがある) 本発明のポジ型レジスト組成物は、(D)少なくとも一
つ、好ましくは1〜30個のフッ素原子を含有する含窒
素化合物を含有する。
[Component (D) Nitrogen-containing compound containing at least one fluorine atom] (hereinafter sometimes simply referred to as nitrogen-containing compound) The positive resist composition of the present invention comprises (D) at least one compound, It preferably contains a nitrogen-containing compound containing 1 to 30 fluorine atoms.

【0199】これら含窒素化合物は、分子内のいずれか
の位置に少なくとも一つのフッ素原子を含有していれ
ば、限定されるものではなく、フッ素原子の位置は、主
骨格に直接結合していてもよいし、側鎖に結合してもよ
い。
The nitrogen-containing compound is not limited as long as it contains at least one fluorine atom at any position in the molecule, and the position of the fluorine atom is directly bonded to the main skeleton. Or may be attached to a side chain.

【0200】本発明の(D)成分の含窒素化合物として
は、例えば下記に示される化合物が例示されるが、本発
明はこれに限定されるものではない。
Examples of the nitrogen-containing compound of the component (D) of the present invention include the compounds shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0201】[0201]

【化80】 [Chemical 80]

【0202】これら含窒素化合物は、単独であるいは2
種以上組み合わせて用いることができる。(D)含窒素
化合物の使用量は、ポジ型レジスト組成物の固形分を基
準として、通常、0.001〜10重量%、好ましくは
0.01〜5重量%である。少なすぎると含窒素化合物
の添加の効果が充分ではなく、一方、多すぎると感度の
低下や非露光部の現像性が悪化する傾向がある。
These nitrogen-containing compounds may be used alone or in combination with 2.
A combination of two or more species can be used. The amount of the nitrogen-containing compound (D) used is usually 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight, based on the solid content of the positive resist composition. If it is too small, the effect of adding the nitrogen-containing compound is not sufficient, while if it is too large, the sensitivity tends to decrease and the developability of the unexposed area tends to deteriorate.

【0203】[(C)成分 フッ素系及び/又はシリコ
ン系界面活性剤 ]本発明のポジ型レジスト組成物には、
(C)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有
してもよい。すなわち、本発明のポジ型レジスト組成物
には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤及び
フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤のい
ずれか、あるいは2種以上を含有することができる。こ
れらフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤の添加
は、現像欠陥の抑制及び塗布性の向上に効果を有する。
[Component (C) Fluorine-based and / or Silicon-based Surfactant] The positive resist composition of the present invention comprises:
(C) Fluorine-based and / or silicon-based surfactant may be contained. That is, the positive resist composition of the present invention contains at least one of a fluorine-based surfactant, a silicon-based surfactant, and a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom, or two or more thereof. You can Addition of these fluorine-based and / or silicon-based surfactants is effective in suppressing development defects and improving coating properties.

【0204】これらの界面活性剤として、例えば特開昭
62−36663号、特開昭61−226746号、特
開昭61−226745号、特開昭62−170950
号、特開昭63−34540号、特開平7−23016
5号、特開平8−62834号、特開平9−54432
号、特開平9−5988号、米国特許5405720
号、同5360692号、同5529881号、同52
96330号、同5436098号、同5576143
号、同5294511号、同5824451号記載の界
面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤を
そのまま用いることもできる。使用できる市販の界面活
性剤として、例えばエフトップEF301、EF30
3、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、43
1(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F
173、F176、F189、R08(大日本インキ
(株)製)、サーフロンS−382、SC101、10
2、103、104、105、106(旭硝子(株)
製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤
を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーK
P−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面
活性剤として用いることができる。
Examples of these surfactants include JP-A-62-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745, and JP-A-62-170950.
JP-A-63-34540, JP-A-7-23016
No. 5, JP-A-8-62834, and JP-A-9-54432.
U.S. Pat. No. 5,405,720.
No. 5,360,692, No. 55298881, No. 52
No. 96330, No. 5436098, No. 5576143.
Nos. 5,294,511 and 5,824,451 can be mentioned, and the following commercially available surfactants can be used as they are. Examples of commercially available surfactants that can be used include Ftop EF301 and EF30.
3, (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430, 43
1 (Sumitomo 3M Limited), Megafac F171, F
173, F176, F189, R08 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Surflon S-382, SC101, 10
2, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.
Manufactured by Troy Sol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.)
Fluorine-based surfactants or silicon-based surfactants. Also polysiloxane polymer K
P-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as the silicon-based surfactant.

【0205】界面活性剤を含有する場合、その配合量は
本発明の組成物中の固形分を基準として、通常0.00
1重量%〜2重量%、好ましくは0.01重量%〜1重
量%である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよ
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。
When a surfactant is contained, its content is usually 0.00 based on the solid content in the composition of the present invention.
It is 1% to 2% by weight, preferably 0.01% to 1% by weight. These surfactants may be added alone or in some combinations.

【0206】[(E)成分 酸拡散抑制剤 ]本発明の組
成物には、活性光線又は放射線の照射後、加熱処理まで
の経時による性能変動(パターンのT−top形状形
成、感度変動、パターン線幅変動等)や塗布後の経時に
よる性能変動、更には活性光線又は放射線の照射後、加
熱処理時の酸の過剰な拡散(解像度の劣化)を防止する
目的で、酸拡散抑制剤を添加することが好ましい。酸拡
散抑制剤としては、有機塩基性化合物であり、例えば塩
基性窒素を含有する有機塩基化合物であり、共役酸のp
Ka値で4以上の化合物が好ましく使用される。具体的
には下記式(A)〜(E)の構造を挙げることができ
る。
[Component (E) Acid Diffusion Inhibitor] In the composition of the present invention, the performance variation (T-top shape formation of the pattern, sensitivity variation, pattern of the pattern) with time after irradiation with actinic rays or radiation until heat treatment is performed. Addition of an acid diffusion inhibitor for the purpose of preventing fluctuations in line width, etc.) and performance fluctuations with time after coating, and excessive acid diffusion (deterioration in resolution) during heat treatment after irradiation with actinic rays or radiation. Preferably. The acid diffusion inhibitor is an organic basic compound, for example, an organic basic compound containing basic nitrogen, and p of the conjugate acid is used.
A compound having a Ka value of 4 or more is preferably used. Specifically, the structures of the following formulas (A) to (E) can be mentioned.

【0207】[0207]

【化81】 [Chemical 81]

【0208】ここで、R250 、R251 及びR252 は、同
一でも異なってもよく、水素原子、炭素数1〜10個の
アルキル基、炭素数1〜10個のアミノアルキル基、炭
素数1〜10個のヒドロキシアルキル基又は炭素数6〜
20個の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここ
で、R251とR252は、互いに結合して環を形成してもよ
い。R253 、R254 、R255 及びR256 は、同一でも異
なってもよく、炭素数1〜10個のアルキル基を表す。
更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の
窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化合物か、又は
脂肪族3級アミンである。
Here, R 250 , R 251 and R 252 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or 1 carbon atom. 10 hydroxyalkyl groups or 6 to 6 carbon atoms
It represents 20 substituted or unsubstituted aryl groups, wherein R 251 and R 252 may combine with each other to form a ring. R 253 , R 254 , R 255 and R 256, which may be the same or different, each represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
More preferable compounds are nitrogen-containing basic compounds having two or more nitrogen atoms having different chemical environments in one molecule, or aliphatic tertiary amines.

【0209】好ましい具体例としては、置換もしくは未
置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジ
ン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置
換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未
置換のインダゾール、イミダゾール、置換もしくは未置
換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換
もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプ
リン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしく
は未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。
Preferred specific examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazole, imidazole, Substituted or unsubstituted pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted Alternatively, unsubstituted aminomorpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine and the like can be mentioned. Preferred substituents are amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group, cyano group. Is.

【0210】特に好ましい化合物として、グアニジン、
1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テト
ラメチルグアニジン、イミダゾール、2−メチルイミダ
ゾール、4−メチルイミダゾール、N−メチルイミダゾ
ール、2−フェニルイミダゾール、4,5−ジフェニル
イミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾー
ル、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−ア
ミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメ
チルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2
−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチル
ピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミ
ノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリ
ジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピ
リジン、
Particularly preferred compounds are guanidine,
1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, N-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4,5-diphenylimidazole, 2 , 4,5-Triphenylimidazole, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2
-(Aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4 -Aminoethylpyridine,

【0211】3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−
(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエ
チル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テト
ラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−
イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジ
ン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、
5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、
ピラジン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジ
ン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6
−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラ
ゾリン、N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエ
チル)モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定され
るものではない。これらの含窒素塩基性化合物は、単独
であるいは2種以上一緒に用いられる。
3-aminopyrrolidine, piperazine, N-
(2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-
Iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole,
5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole,
Pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6
-Dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine and the like, but not limited thereto. These nitrogen-containing basic compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0212】酸発生剤と有機塩基性化合物の組成物中の
使用割合は、(酸発生剤)/(有機塩基性化合物)(モ
ル比)=2.5〜300であることが好ましい。該モル
比が2.5未満では低感度となり、解像力が低下する場
合があり、また、300を越えると露光後加熱処理まで
の経時でレジストパターンの太りが大きくなり、解像力
も低下する場合がある。(酸発生剤)/(有機塩基性化
合物)(モル比)は、好ましくは5.0〜200、更に
好ましくは7.0〜150である。
The ratio of the acid generator and the organic basic compound used in the composition is preferably (acid generator) / (organic basic compound) (molar ratio) = 2.5 to 300. If the molar ratio is less than 2.5, the sensitivity may be low and the resolution may be lowered. If the molar ratio is more than 300, the resist pattern may become thicker with the lapse of time after the post-exposure heat treatment, and the resolution may be lowered. . The (acid generator) / (organic basic compound) (molar ratio) is preferably 5.0 to 200, more preferably 7.0 to 150.

【0213】[本発明の組成物に使用されるその他の成
分 ] (1)溶剤類 本発明の組成物は、上記各成分を溶解する溶媒に溶かし
て支持体上に塗布する。ここで使用する溶媒としては、
エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペン
タノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチル
エチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メト
キシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メト
キシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸
プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラ
ン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して
使用する。
[Other Components Used in the Composition of the Present Invention] (1) Solvents The composition of the present invention is dissolved in a solvent that dissolves each of the above components and applied onto a support. As the solvent used here,
Ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol Monoethyl ether,
Propylene glycol monomethyl ether acetate,
Toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, etc. Are preferred, and these solvents are used alone or as a mixture.

【0214】精密集積回路素子の製造などにおいてレジ
スト膜上へのパターン形成工程は、基板(例:シリコン
/二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ITO基板等の透
明基板等)上に、本発明のポジ型フォトレジスト組成物
を塗布し、次に活性光線又は放射線描画装置を用いて照
射を行い、加熱、現像、リンス、乾燥することにより良
好なレジストパターンを形成することができる。
In the process of forming a pattern on the resist film in the production of precision integrated circuit devices, etc., the positive electrode of the present invention is formed on the substrate (eg, silicon / silicon dioxide covering, glass substrate, transparent substrate such as ITO substrate). A good resist pattern can be formed by applying the mold photoresist composition, then irradiating with an actinic ray or radiation drawing device, and heating, developing, rinsing and drying.

【0215】本発明のポジ型レジスト組成物の現像液と
しては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プ
ロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−
n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチル
エタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ル
アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テ
トラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四
級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミ
ン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアル
コール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を
適当量添加して使用することもできる。これらの現像液
の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましく
は、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリン
である。
The developer for the positive resist composition of the present invention includes sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, inorganic alkalis such as aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine. Primary amines such as diethylamine, di-
Secondary amines such as n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and primary amines such as choline. An aqueous solution of alkali such as quaternary ammonium salt, cyclic amines such as pyrrole and piperidine, and the like can be used. Furthermore, alcohols such as isopropyl alcohol and surfactants such as nonionic surfactants may be added to the aqueous solution of the above alkalis in appropriate amounts. Of these developers, quaternary ammonium salts are preferable, and tetramethylammonium hydroxide and choline are more preferable.

【0216】尚、本発明のレジスト組成物は、如何なる
露光源のための組成物であってもよいが、特には180
nm以下の波長の遠紫外光による露光用の組成物である
のが好ましい。
The resist composition of the present invention may be a composition for any exposure source, but especially 180
A composition for exposure by far ultraviolet light having a wavelength of nm or less is preferable.

【0217】[0217]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。
EXAMPLES The present invention will now be described in more detail with reference to examples, but the contents of the present invention are not limited thereto.

【0218】[合成例1]1Lオートクレーブ中にノル
ボルネン9.4g(0.10モル)、ノルボルネン−2
−カルボン酸t−ブチルエステル19.4g(0.10
モル)の1,1,2−トリクロロ−トリフルオロエチレ
ン150ml溶液を入れ、窒素雰囲気下200psiに
加圧した。更にテトラフロオロエチレン20g(0.2
0モル)を注入し、攪拌下、50℃に加熱した。この反
応液にジ(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシ
ジカーボネート1.2gの1,1,2−トリクロロ−ト
リフルオロエチレン15ml溶液を20分かけて注入
し、更に20時間攪拌を続けた。反応終了後、反応液を
メタノール2L中に激しく攪拌しながら投入し、白色の
樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾別、真空下乾燥
後、本発明の樹脂(1)23.5gを得た。GPC測定
により、樹脂(1)の分子量は重量平均(Mw)で6,
200であった。またC13−NMR測定により、樹脂
(1)の組成を調べたところ、モル比で構造例(F−
1)/ノルボルネン/(B−16)=45/30/25
であった。
[Synthesis Example 1] 9.4 g (0.10 mol) of norbornene and norbornene-2 in a 1 L autoclave.
-Carboxylic acid t-butyl ester 19.4 g (0.10
Mol) of 1,1,2-trichloro-trifluoroethylene in 150 ml, and the pressure was increased to 200 psi under a nitrogen atmosphere. Furthermore, 20 g of tetrafluoroethylene (0.2
0 mol) was added and heated to 50 ° C. with stirring. A solution of 1.2 g of di (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate in 15 ml of 1,1,2-trichloro-trifluoroethylene was added to this reaction solution over 20 minutes, and stirring was continued for another 20 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into 2 L of methanol with vigorous stirring to precipitate a white resin. The precipitated resin was separated by filtration and dried under vacuum to obtain 23.5 g of Resin (1) of the present invention. According to GPC measurement, the molecular weight of the resin (1) is 6, in terms of weight average (Mw).
It was 200. Moreover, when the composition of the resin (1) was examined by C 13 -NMR measurement, a structural example (F-
1) / norbornene / (B-16) = 45/30/25
Met.

【0219】[合成例2]下記モノマー(a)14.3
g(0.04モル)、無水マレイン酸3.9g(0.0
4モル)、t−ブチルアクリレート2.6g(0.02
モル)をMEK100mlに溶解し、窒素気流下、70
℃に加熱した。重合開始剤として、V−601(和光純
薬工業(株)製)0.2gを加え、3時間攪拌した。更
にV−601を0.2g追加し、4時間攪拌を続けた。
その後、反応液をt−ブチルメチルエーテル1L中に激
しく攪拌しながら投入し、白色の樹脂を析出させた。析
出した樹脂を濾別、真空下乾燥後、本発明の樹脂(2)
12.1gを得た。GPC測定により、樹脂(2)の分
子量は重量平均(Mw)で8,900であった。またC
13−NMR測定により、樹脂(2)の組成を調べたとこ
ろ、モル比で構造例(F−21)/無水マレイン酸/
(B−4)=39/38/23であった。
[Synthesis Example 2] Monomer (a) 14.3 shown below
g (0.04 mol), maleic anhydride 3.9 g (0.0
4 mol), t-butyl acrylate 2.6 g (0.02
Mol) in 100 ml of MEK, and under a nitrogen stream, 70
Heated to ° C. 0.2 g of V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added as a polymerization initiator, and the mixture was stirred for 3 hours. Further, 0.2 g of V-601 was added, and stirring was continued for 4 hours.
Then, the reaction solution was poured into 1 L of t-butyl methyl ether with vigorous stirring to precipitate a white resin. The precipitated resin is separated by filtration and dried under vacuum, and then the resin (2) of the present invention
12.1 g was obtained. The weight average molecular weight (Mw) of the resin (2) was 8,900 by GPC measurement. Also C
When the composition of the resin (2) was examined by 13- NMR measurement, a structural example (F-21) / maleic anhydride / molar ratio was obtained.
(B-4) = 39/38/23.

【0220】[0220]

【化82】 [Chemical formula 82]

【0221】[合成例3]下記モノマー(b)6.7g
(0.015モル)、2−メチル−2−アダマンタンメ
タクリレート1.4g(0.006モル)、メバロニッ
クラクトンメタクリレート1.8g(0.009モル)
を1−メトキシ−2−プロパノール30mlに溶解し、
窒素気流及び撹拌下、70℃にて重合開始剤2,2’−
アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純
薬工業(株)製;商品名V−65)0.1gとモノマー
(b)15.6g(0.035モル)、2−メチル−2
−アダマンタンメタクリレート3.3g(0.014モ
ル)、メバロニックラクトンメタクリレート4.2g
(0.021モル)の1−メトキシ−2−プロパノール
70ml溶液を2時間かけて滴下した。2時間後開始剤
0.1gを追加し、更に2時間反応を行った。その後9
0℃に昇温し撹拌を1時間続けた。反応液を放冷後、イ
オン交換水/メタノール(1/1)1Lに激しく撹拌し
ながら投入することにより、白色樹脂を析出させた。得
られた樹脂を減圧下で乾燥後、本発明の樹脂(3)1
5.8gを得た。GPCにて分子量を測定したところ、
重量平均(Mw)で10,200であった。またC13
NMR測定により、樹脂(3)の組成を調べたところ、
モル比で構造例(F−30)/(B−7)/(B−1
1)=48/21/31であった。
[Synthesis Example 3] 6.7 g of the following monomer (b)
(0.015 mol), 2-methyl-2-adamantanemethacrylate 1.4 g (0.006 mol), mevalonic lactone methacrylate 1.8 g (0.009 mol)
Is dissolved in 30 ml of 1-methoxy-2-propanol,
Polymerization initiator 2,2'- at 70 ° C under nitrogen stream and stirring
Azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd .; trade name V-65) 0.1 g and monomer (b) 15.6 g (0.035 mol), 2-methyl-2
-Adamantane methacrylate 3.3 g (0.014 mol), mevalonic lactone methacrylate 4.2 g
A solution of (0.021 mol) in 1-methoxy-2-propanol (70 ml) was added dropwise over 2 hours. After 2 hours, 0.1 g of an initiator was added, and the reaction was further performed for 2 hours. Then 9
The temperature was raised to 0 ° C. and stirring was continued for 1 hour. After allowing the reaction solution to cool, it was poured into 1 L of ion-exchanged water / methanol (1/1) with vigorous stirring to precipitate a white resin. After drying the obtained resin under reduced pressure, the resin (3) 1 of the present invention
5.8 g was obtained. When the molecular weight was measured by GPC,
The weight average (Mw) was 10,200. Also C 13
When the composition of the resin (3) was examined by NMR measurement,
Structural example (F-30) / (B-7) / (B-1 in molar ratio
1) = 48/21/31.

【0222】[0222]

【化83】 [Chemical 83]

【0223】[合成例4〜12]以下、同様にして表1
に示す本発明(A)の樹脂を合成した。
[Synthesis Examples 4 to 12] [Table 1]
The resin of the present invention (A) shown in was synthesized.

【0224】[0224]

【表1】 [Table 1]

【0225】[合成例13]1Lオートクレーブ中にノ
ルボルネン9.4g(0.10モル)、下記モノマー
(a)35.8g(0.10モル)の1,1,2−トリ
クロロ−トリフルオロエチレン150ml溶液を入れ、
窒素雰囲気下200psiに加圧した。更にテトラフロ
オロエチレン20g(0.20モル)を注入し、攪拌
下、50℃に加熱した。この反応液にジ(4−t−ブチ
ルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート1.2g
の1,1,2−トリクロロ−トリフルオロエチレン15
ml溶液を20分かけて注入し、更に20時間攪拌を続
けた。反応終了後、反応液をメタノール2L中に激しく
攪拌しながら投入し、白色の樹脂を析出させた。析出し
た樹脂を濾別、真空下乾燥後、本発明の樹脂(13)3
7.4gを得た。GPC測定により、樹脂(13)の分
子量は重量平均(Mw)で8,800であった。またC
13−NMR測定により、樹脂(13)の組成を調べたと
ころ、モル比で構造例(F−1)/(F−21)/ノル
ボルネン=48/30/22であった。
[Synthesis Example 13] 150 ml of 1,1,2-trichloro-trifluoroethylene containing 9.4 g (0.10 mol) of norbornene and 35.8 g (0.10 mol) of the following monomer (a) in a 1 L autoclave. Add the solution,
Pressurized to 200 psi under a nitrogen atmosphere. Further, 20 g (0.20 mol) of tetrafluoroethylene was injected, and the mixture was heated to 50 ° C with stirring. 1.2 g of di (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate was added to the reaction solution.
1,1,2-trichloro-trifluoroethylene 15
The ml solution was injected over 20 minutes and stirring was continued for another 20 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was poured into 2 L of methanol with vigorous stirring to precipitate a white resin. The precipitated resin is separated by filtration and dried under vacuum, and then the resin (13) 3 of the present invention
7.4 g was obtained. According to GPC measurement, the molecular weight of the resin (13) was 8,800 in weight average (Mw). Also C
When the composition of the resin (13) was examined by 13- NMR measurement, it was Structural Example (F-1) / (F-21) / norbornene = 48/30/22 in molar ratio.

【0226】[0226]

【化84】 [Chemical 84]

【0227】[合成例14]合成例13のモノマー
(a)の代わりに、下記モノマー(c)32.2g
(0.04モル)を用い、以下合成例13と同様にし
て、本発明の樹脂(14)34.1gを合成した。GP
C測定により、樹脂(14)の分子量は重量平均(M
w)で7,400であった。またC13−NMR測定によ
り、樹脂(14)の組成を調べたところ、モル比で構造
例(F−1)/(F−15)/ノルボルネン=49/2
5/26であった。
[Synthesis Example 14] 32.2 g of the following monomer (c) was used instead of the monomer (a) of Synthesis Example 13.
(0.04 mol) was used in the same manner as in Synthesis Example 13 to synthesize 34.1 g of the resin (14) of the present invention. GP
According to C measurement, the molecular weight of the resin (14) is a weight average (M
It was 7,400 in w). Moreover, when the composition of the resin (14) was examined by C 13 -NMR measurement, a structural example (F-1) / (F-15) / norbornene = 49/2 was obtained in a molar ratio.
It was 5/26.

【0228】[0228]

【化85】 [Chemical 85]

【0229】[合成例15〜22]以下、同様にして表
2に示す本発明(A)の樹脂を合成した。
[Synthesis Examples 15 to 22] The resins of the present invention (A) shown in Table 2 were synthesized in the same manner.

【0230】[0230]

【表2】 [Table 2]

【0231】[合成例23]下記モノマー(a)14.
3g(0.04モル)、無水マレイン酸3.9g(0.
04モル)、ノルボルネン−2−カルボン酸パーフルオ
ロオクチルエチル11.7g(0.02モル)をMEK
100mlに溶解し、窒素気流下、70℃に加熱した。
重合開始剤として、V−601(和光純薬工業(株)
製)0.2gを加え、3時間攪拌した。更にV−601
を0.2g追加し、4時間攪拌を続けた。その後、反応
液をt−ブチルメチルエーテル1L中に激しく攪拌しな
がら投入し、白色の樹脂を析出させた。析出した樹脂を
濾別、真空下乾燥後、本発明の樹脂(23)16.2g
を得た。GPC測定により、樹脂(23)の分子量は重
量平均(Mw)で8,700であった。またC13−NM
R測定により、樹脂(23)の組成を調べたところ、モ
ル比で構造例(F−21)/(F−55)/無水マレイ
ン酸=42/18/40であった。
Synthesis Example 23 Monomer (a) 14.
3 g (0.04 mol), maleic anhydride 3.9 g (0.
04 mol) and 11.7 g (0.02 mol) of perfluorooctylethyl norbornene-2-carboxylate in MEK
It was dissolved in 100 ml and heated to 70 ° C. under a nitrogen stream.
As a polymerization initiator, V-601 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
0.2 g) was added and the mixture was stirred for 3 hours. Further V-601
0.2 g was added and stirring was continued for 4 hours. Then, the reaction solution was poured into 1 L of t-butyl methyl ether with vigorous stirring to precipitate a white resin. The precipitated resin was separated by filtration and dried under vacuum, and then 16.2 g of the resin (23) of the present invention
Got The weight average molecular weight (Mw) of the resin (23) was 8,700 as measured by GPC. Also C 13 -NM
When the composition of the resin (23) was examined by R measurement, it was Structural Example (F-21) / (F-55) / maleic anhydride = 42/18/40 in molar ratio.

【0232】[0232]

【化86】 [Chemical 86]

【0233】[合成例24]下記モノマー(b)6.7
g(0.015モル)、パーフルオロオクチルエチルメ
タクリレート2.7g(0.005モル)、2−メチル
−2−アダマンタンメタクリレート1.2g(0.00
5モル)、メバロニックラクトンメタクリレート1.0
g(0.005モル)を1−メトキシ−2−プロパノー
ル30mlに溶解し、窒素気流及び撹拌下、70℃にて
重合開始剤2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレ
ロニトリル)(和光純薬工業(株)製;商品名V−6
5)0.1gとモノマー(b)15.6g(0.035
モル)、パーフルオロオクチルエチルメタクリレート
6.4g(0.012モル)、2−メチル−2−アダマ
ンタンメタクリレート2.8g(0.012モル)、メ
バロニックラクトンメタクリレート2.4g(0.01
2モル)の1−メトキシ−2−プロパノール70ml溶
液を2時間かけて滴下した。2時間後開始剤0.1gを
追加し、更に2時間反応を行った。その後90℃に昇温
し撹拌を1時間続けた。反応液を放冷後、イオン交換水
/メタノール(1/1)1Lに激しく撹拌しながら投入
することにより、白色樹脂を析出させた。得られた樹脂
を減圧下で乾燥後、本発明の樹脂(24)21.5gを
得た。GPCにて分子量を測定したところ、重量平均
(Mw)で10,500であった。またC13−NMR測
定により、樹脂(24)の組成を調べたところ、モル比
で構造例(F−30)/(F−48)/(B−7)/
(B−11)=48/15/18/19であった。
[Synthesis Example 24] The following monomer (b) 6.7 was used.
g (0.015 mol), perfluorooctylethyl methacrylate 2.7 g (0.005 mol), 2-methyl-2-adamantanemethacrylate 1.2 g (0.00
5 mol), mevalonic lactone methacrylate 1.0
g (0.005 mol) was dissolved in 30 ml of 1-methoxy-2-propanol, and a polymerization initiator 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (sum was added at 70 ° C. under nitrogen stream and stirring). Kojunyaku Kogyo Co., Ltd .; trade name V-6
5) 0.1 g and monomer (b) 15.6 g (0.035
Mol), 6.4 g (0.012 mol) of perfluorooctylethyl methacrylate, 2.8 g (0.012 mol) of 2-methyl-2-adamantane methacrylate, 2.4 g (0.01 of mevalonic lactone methacrylate).
A 70 ml solution of 1-methoxy-2-propanol (2 mol) was added dropwise over 2 hours. After 2 hours, 0.1 g of an initiator was added, and the reaction was further performed for 2 hours. Then, the temperature was raised to 90 ° C. and stirring was continued for 1 hour. After allowing the reaction solution to cool, it was poured into 1 L of ion-exchanged water / methanol (1/1) with vigorous stirring to precipitate a white resin. The obtained resin was dried under reduced pressure to obtain 21.5 g of Resin (24) of the present invention. When the molecular weight was measured by GPC, the weight average (Mw) was 10,500. Moreover, when the composition of the resin (24) was examined by C 13 -NMR measurement, a structural example (F-30) / (F-48) / (B-7) /
(B-11) = 48/15/18/19.

【0234】[0234]

【化87】 [Chemical 87]

【0235】[合成例25〜32]以下、同様にして表
3に示す本発明の樹脂(A)を合成した。
[Synthesis Examples 25 to 32] The resins (A) of the present invention shown in Table 3 were synthesized in the same manner.

【0236】[0236]

【表3】 [Table 3]

【0237】[合成例33]4−[ビス(トリフルオロ
メチル)−ヒドロキシメチル]スチレン13.5g
(0.05モル)、メタクリロニトリル3.4g(0.
05モル)をN,N−ジメチルアセトアミド100ml
に溶解し、窒素気流下、70℃に加熱した。重合開始剤
として2,2‘−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニ
トリル)(和光純薬工業(株)製;商品名V−65)
0.1gを加え、3時間攪拌した。更にV−65を0.
1g追加し、4時間攪拌を続けた。その後、反応液をメ
タノール/t−ブチルメチルエーテル1L中に激しく攪
拌しながら投入し、白色の樹脂を析出させた。析出した
樹脂を濾別、真空下乾燥後、THF100mlに溶解
し、エチルビニルエーテル2.9g(0.04モル)を
加え、p−トルエンスルホン酸を触媒量添加して、室温
にて8時間攪拌した。反応液にトリエチルアミンをp−
トルエンスルホン酸触媒の2倍量加えて反応を停止さ
せ、超純水3L中に激しく攪拌しながら投入した。析出
した樹脂を濾別、乾燥して本発明の樹脂(33)14.
1gを得た。GPC測定により、樹脂(33)の分子量
は重量平均(Mw)で10,900であった。またC13
−NMR、IR測定により、樹脂(33)の組成を調べ
たところ、モル比で構造例(F−39)/(F−42)
/(C−10)=16/36/48であった。
[Synthesis Example 33] 13.5 g of 4- [bis (trifluoromethyl) -hydroxymethyl] styrene
(0.05 mol), methacrylonitrile 3.4 g (0.
(05 mol) to 100 ml of N, N-dimethylacetamide
And was heated to 70 ° C. under a nitrogen stream. 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as a polymerization initiator (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd .; trade name V-65)
0.1 g was added and stirred for 3 hours. Furthermore, V-65 is set to 0.
An additional 1 g was added and stirring was continued for 4 hours. Then, the reaction solution was poured into 1 L of methanol / t-butyl methyl ether with vigorous stirring to precipitate a white resin. The precipitated resin was separated by filtration, dried under vacuum, dissolved in 100 ml of THF, 2.9 g (0.04 mol) of ethyl vinyl ether was added, a catalytic amount of p-toluenesulfonic acid was added, and the mixture was stirred at room temperature for 8 hours. . P- was added to the reaction solution
The reaction was stopped by adding twice the amount of the toluenesulfonic acid catalyst, and the mixture was put into 3 L of ultrapure water with vigorous stirring. The precipitated resin is separated by filtration and dried to obtain the resin (33) of the present invention 14.
1 g was obtained. According to GPC measurement, the molecular weight of the resin (33) was 10,900 in weight average (Mw). Also C 13
When the composition of the resin (33) was examined by -NMR and IR measurements, a structural example (F-39) / (F-42) was obtained in a molar ratio.
/ (C-10) = 16/36/48.

【0238】[合成例34〜40]以下同様にして、表
4に示す本発明の樹脂(A)を合成した。
[Synthesis Examples 34 to 40] In the same manner, the resin (A) of the present invention shown in Table 4 was synthesized.

【0239】[0239]

【表4】 [Table 4]

【0240】[合成例41〜68] 樹脂(42)の合成 還流管及び窒素導入管を備えた100mlの3つ口フラ
スコ中に、4−(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプ
ロピル)スチレン(セントラル硝子社製)、4−(1−
メトキシエトキシ)スチレン(東ソー社製)を各々モル
比50/50の割合で仕込んだ後、テトラヒドロフラン
を加え、モノマー濃度30重量%の反応液全30gを調
整した。それを攪拌及び窒素気流下65℃まで加熱し
た。アゾ系重合開始剤V−65(和光純薬工業社製)を
前記2つのモノマー合計のモル数に対して5.0モル%
添加し、窒素気流下攪拌しながら8時間反応させた。得
られた反応液にヘキサン200mlを添加し、生成した
ポリマーを溶液から沈殿させて未反応モノマーを分離精
製した。C13−NMRから求めたポリマー組成は、49
/51であった。得られたポリマーをGPC(THF溶
媒中、標準ポリスチレン換算)にて分析したところ、重
量平均分子量10,200、分散度2.20、ポリマー
中に含まれる分子量1000以下の割合は15重量%で
あった。以下、同様にして表5に示す本発明の樹脂
(A)を合成した。
[Synthesis Examples 41 to 68] Synthesis of Resin (42) 4- (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) styrene (manufactured by Central Glass Co., Ltd.) was placed in a 100 ml three-necked flask equipped with a reflux tube and a nitrogen inlet tube. ), 4- (1-
Methoxyethoxy) styrene (manufactured by Tosoh Corporation) was charged at a molar ratio of 50/50, and then tetrahydrofuran was added to prepare a total of 30 g of a reaction liquid having a monomer concentration of 30% by weight. It was stirred and heated to 65 ° C. under a stream of nitrogen. 5.0 mol% of azo polymerization initiator V-65 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) based on the total number of moles of the two monomers.
The mixture was added and reacted for 8 hours with stirring under a nitrogen stream. 200 ml of hexane was added to the obtained reaction solution to precipitate the produced polymer from the solution, and unreacted monomers were separated and purified. The polymer composition determined from C 13 -NMR is 49
It was / 51. When the obtained polymer was analyzed by GPC (in a THF solvent, converted to standard polystyrene), the weight average molecular weight was 10,200, the dispersity was 2.20, and the proportion of the polymer having a molecular weight of 1,000 or less was 15% by weight. It was Hereinafter, the resin (A) of the present invention shown in Table 5 was synthesized in the same manner.

【0241】[0241]

【表5】 [Table 5]

【0242】実施例1〜22及び比較例1〜3 上記表1〜5に示した樹脂1.36g、トリフェニルス
ルホニウムのノナフレート塩0.04gをプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート8.5gに溶解
し、これに、下記表6に記載されるフッ素系及び/又は
シリコン系界面活性剤0.01g、少なくとも一つのフ
ッ素原子を含有する含窒素化合物を実施例1〜18では
0.005g、実施例19〜22では0.025g、更
に(E)成分を実施例19〜22では0.0025g、
比較例1〜3では0.005g添加して、本発明のレジ
スト組成物を調製した。
Examples 1 to 22 and Comparative Examples 1 to 3 1.36 g of the resins shown in Tables 1 to 5 and 0.04 g of triphenylsulfonium nonaphlate salt were dissolved in 8.5 g of propylene glycol monomethyl ether acetate. In addition, 0.01 g of a fluorine-based and / or silicon-based surfactant described in Table 6 below and 0.005 g of a nitrogen-containing compound containing at least one fluorine atom in Examples 1 to 18 and Examples 19 to 22. 0.025 g, and (E) component is 0.0025 g in Examples 19 to 22,
In Comparative Examples 1 to 3, 0.005 g was added to prepare the resist composition of the present invention.

【0243】各試料溶液を0.1μmのテフロン(登録
商標)フィルターで濾過した後、スピンコーターにより
ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコンウェハー
上に塗布し、110℃、90秒間真空密着型のホットプ
レート上で加熱乾燥して、膜厚0.3μmのレジスト膜
を得た。得られたレジスト膜に対し、Canon社Kr
Fエキシマステッパー(FPA−3000EX5)を用
い画像露光を行ない、110℃、90秒にて後加熱した
後、0.262NのTMAH水溶液で現像することによ
り0.5μのL/Sのパターンを形成させた。
Each sample solution was filtered through a 0.1 μm Teflon (registered trademark) filter, and then applied on a hexamethyldisilazane-treated silicon wafer with a spin coater, and vacuum contact type hot at 110 ° C. for 90 seconds. It was heated and dried on the plate to obtain a resist film having a film thickness of 0.3 μm. For the obtained resist film, Kr
Image exposure was performed using an F excimer stepper (FPA-3000EX5), post-heating was performed at 110 ° C. for 90 seconds, and then development was performed with a 0.262N TMAH aqueous solution to form a 0.5 μL / S pattern. It was

【0244】[0244]

【表6】 [Table 6]

【0245】表中、界面活性剤W1〜W4は、以下を表
す。 W1:メガファックF176(大日本インキ化学工業
(株)製)(フッ素系) W2:メガファックR08(大日本インキ化学工業
(株)製)(フッ素及びシリコン系) W3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学
工業(株)製) W4:ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
In the table, the surfactants W1 to W4 represent the following. W1: Megafac F176 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) (fluorine-based) W2: Megafacque R08 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) (fluorine and silicon-based) W3: Polysiloxane polymer KP-341 (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) W4: polyoxyethylene nonylphenyl ether

【0246】また、(E)成分の略号は、以下を表す。 TBA:トリブチルアミン DBN:ジアザビシクロノネン DPA:2,6−ジイソプロピルアニリンThe abbreviations of the component (E) represent the following. TBA: tributylamine DBN: diazabicyclononene DPA: 2,6-diisopropylaniline

【0247】(評価試験) 〔現像欠陥〕:上記のようにして得られたレジストパタ
ーンについて、ケーエルエー・テンコール(株)製KL
A−2112機により現像欠陥数を測定し、得られた1
次データ値を現像欠陥数とした。表6及び表7の結果か
ら、本発明の組成物を用いた塗膜の透過率測定値は、ほ
ぼ50%を超え、157nmに十分な透過性を有するこ
とが判る。性能評価結果を表7に示した。
(Evaluation test) [Development defect]: KL manufactured by KLA-Tencor Co., Ltd. was used for the resist pattern obtained as described above.
A-2112 machine was used to measure the number of development defects, and the number was 1
The next data value was defined as the number of development defects. From the results of Tables 6 and 7, it is understood that the measured transmittance values of the coating film using the composition of the present invention exceed about 50% and have sufficient transmittance at 157 nm. The performance evaluation results are shown in Table 7.

【0248】[0248]

【表7】 [Table 7]

【0249】表7の結果より、少なくとも一つのフッ素
原子を含有する含窒素化合物を加えた本発明の組成物
は、同成分のない比較例に比べ、現像欠陥が非常に少な
いことが判る。
From the results shown in Table 7, it can be seen that the composition of the present invention to which the nitrogen-containing compound containing at least one fluorine atom is added has very few development defects as compared with the comparative example without the same component.

【0250】[0250]

【発明の効果】本発明により、現像欠陥の問題が改良さ
れたポジ型レジスト組成物を提供できる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can provide a positive resist composition in which the problem of development defects is improved.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08F 16/38 C08F 16/38 20/22 20/22 20/28 20/28 20/44 20/44 32/04 32/04 G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 H01L 21/027 H01L 21/30 502R Fターム(参考) 2H025 AA04 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 4J100 AB07P AB07Q AC26P AC27P AE38R AK32Q AL03R AL08P AL08Q AL08R AL08S AM02P AR11P AR11Q AR11R BA02P BA02Q BA03Q BA11Q BA15R BA20R BB10P BB18Q BB18R BB18S BC08P BC09Q BC09R BC53P BC53Q CA04 CA05 CA06 DA39 FA03 JA38 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C08F 16/38 C08F 16/38 20/22 20/22 20/28 20/28 20/44 20/44 32 / 04 32/04 G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 H01L 21/027 H01L 21/30 502R F Term (reference) 2H025 AA04 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BG00 CC20 FA03 FA12 FA17 4J100 AB07P AB07Q AC26P AC27P AE38R AL08Q AL32Q AL32Q AL08Q AL08R AL08S AM02P AR11P AR11Q AR11R BA02P BA02Q BA03Q BA11Q BA15R BA20R BB10P BB18Q BB18R BB18S BC08P BC09Q BC09R BC53P BC53Q CA04 CA05 CA06 DA39 FA03 JA38

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側
鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用に
より分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する
基を有するフッ素基含有樹脂、(B)活性光線又は放射
線の照射により、酸を発生する化合物、及び(D)少な
くとも一つのフッ素原子を含有する含窒素化合物を含有
することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
1. A fluorine group having (A) a structure having a fluorine atom substituted in the main chain and / or side chain of a polymer skeleton, and having a group that decomposes by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developing solution. A positive resist composition comprising a contained resin, (B) a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and (D) a nitrogen-containing compound containing at least one fluorine atom.
【請求項2】 (A)の樹脂が、パーフルオロアルキレ
ン基、パーフルオロアリーレン基から選択される部位
を、ポリマー骨格の主鎖に少なくとも一つ有するか、パ
ーフルオロアルキル基、パーフルオロアリール基、ヘキ
サフルオロ−2−プロパノ−ル基、及びヘキサフルオロ
−2−プロパノ−ル基のOH基を保護した基から選択さ
れる部位を、ポリマー骨格の側鎖に少なくとも一つ有す
るフッ素基含有樹脂であることを特徴とする請求項1に
記載のポジ型レジスト組成物。
2. The resin (A) has at least one site selected from a perfluoroalkylene group and a perfluoroarylene group in the main chain of the polymer skeleton, or a perfluoroalkyl group, a perfluoroaryl group, It is a fluorine group-containing resin having at least one site selected from a hexafluoro-2-propanol group and a group protecting the OH group of the hexafluoro-2-propanol group in the side chain of the polymer skeleton. The positive resist composition according to claim 1, wherein
【請求項3】 180nm以下の波長の遠紫外光による
露光用組成物であることを特徴とする請求項1又は2に
記載のポジ型レジスト組成物。
3. The positive resist composition according to claim 1, which is a composition for exposure by far ultraviolet light having a wavelength of 180 nm or less.
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