JP2003012344A - Non-alkali glass substrate and method for manufacturing the same - Google Patents

Non-alkali glass substrate and method for manufacturing the same

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JP2003012344A
JP2003012344A JP2001193176A JP2001193176A JP2003012344A JP 2003012344 A JP2003012344 A JP 2003012344A JP 2001193176 A JP2001193176 A JP 2001193176A JP 2001193176 A JP2001193176 A JP 2001193176A JP 2003012344 A JP2003012344 A JP 2003012344A
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JP
Japan
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glass substrate
alkali
substrate
liquid crystal
thickness
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JP2001193176A
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Japanese (ja)
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Hiroki Ishichi
弘樹 石地
Toshiyuki Fujine
俊之 藤根
Noriaki Nakamura
憲明 中村
Kazuo Jinjiyo
一夫 仁上
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Sharp Corp
Sanwa Frost Industry Co Ltd
Original Assignee
Sharp Corp
Sanwa Frost Industry Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma address liquid crystal display device (PALC) with good display quality while reducing cross-talk phenomenon. SOLUTION: A non-alkali glass substrate of 40 μm or less thickness is used as an intermediate substrate of PALC. This non-alkali glass substrate is obtained by laminating a non-alkali glass substrate 1 with 50 μm or more thickness onto a supporting body 2 and chemically grinding the outer surface until the thickness becomes 40 μm or less.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマアドレス
液晶表示装置に関する。また、プラズマアドレス液晶表
示装置の中間基板などとして利用し得る無アルカリガラ
ス基板およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma addressed liquid crystal display device. Further, the present invention relates to a non-alkali glass substrate that can be used as an intermediate substrate of a plasma addressed liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】プラズマアドレス液晶表示装置(以下、
PALCともいう。)100は、図2に示すように、液
晶セル101とプラズマセル102とが中間基板103
を介して積層された構造を有している。プラズマセル1
02は、プラズマセル基板104と、中間基板103
と、これらの間にストライプ状に配設された複数の隔壁
105とを有する。隣接する隔壁105と、プラズマセ
ル基板104と、中間基板103とによって密封された
空間で規定されるプラズマチャネル106には、放電に
よってイオン化が可能な放電ガスが封入されている。複
数のプラズマチャネル106のそれぞれは、プラズマセ
ル基板104上に形成された放電電極(アノード107
およびカソード108)を有している。
2. Description of the Related Art Plasma addressed liquid crystal display devices (hereinafter referred to as
Also called PALC. ) 100, the liquid crystal cell 101 and the plasma cell 102, as shown in FIG.
It has a structure of being laminated via. Plasma cell 1
02 is a plasma cell substrate 104 and an intermediate substrate 103
And a plurality of partition walls 105 arranged in stripes between them. A discharge gas that can be ionized by discharge is sealed in a plasma channel 106 defined by a space sealed by the adjacent partition wall 105, the plasma cell substrate 104, and the intermediate substrate 103. Each of the plurality of plasma channels 106 has a discharge electrode (anode 107) formed on the plasma cell substrate 104.
And a cathode 108).

【0003】液晶セル101は、液晶セル基板109と
中間基板103と、これらの間に設けられた液晶層11
0とを有する。液晶セル基板109の液晶層110側に
は、互いに平行なストライプ状の複数の信号電極111
が、プラズマチャネル106と交差するように形成され
ている。また、液晶セル基板109は、信号電極111
に対応して設けられた着色層112を液晶層110側に
備えている。
The liquid crystal cell 101 comprises a liquid crystal cell substrate 109, an intermediate substrate 103, and a liquid crystal layer 11 provided between them.
Has 0 and. On the liquid crystal layer 110 side of the liquid crystal cell substrate 109, a plurality of stripe-shaped signal electrodes 111 parallel to each other.
Are formed so as to intersect the plasma channel 106. Further, the liquid crystal cell substrate 109 has a signal electrode 111.
The colored layer 112 provided corresponding to is provided on the liquid crystal layer 110 side.

【0004】PALCの動作原理は、次の通りである。
アノード107とカソード108間でプラズマを発生さ
せることによって、プラズマチャネル106内を等電位
とし、仮想電極114のスイッチをオンとする。これに
より、信号電極111と仮想電極114との間に電位差
を発生させて、信号電極111から与えられる映像信号
が液晶層110に書き込まれる。バックライト(不図
示)からの光が、所定画素に対応する液晶層110およ
び着色層112を透過することによって、画像表示が行
なわれる。
The operating principle of PALC is as follows.
By generating plasma between the anode 107 and the cathode 108, the inside of the plasma channel 106 is made equipotential, and the switch of the virtual electrode 114 is turned on. As a result, a potential difference is generated between the signal electrode 111 and the virtual electrode 114, and the video signal given from the signal electrode 111 is written in the liquid crystal layer 110. Image display is performed by transmitting light from a backlight (not shown) through the liquid crystal layer 110 and the coloring layer 112 corresponding to a predetermined pixel.

【0005】ところで、液晶セル101に印加する電圧
(以下、セル電圧ともいう。)、すなわち信号電極11
1と仮想電極114との間に印加される電圧が大きい
と、クロストーク現象が発生し、画質の低下を招く。液
晶層110に印加される実効的な電圧(以下、液晶電圧
ともいう。)を維持しつつ、セル電圧を低下させること
ができれば、表示状態を変えずにクロストーク現象だけ
を低減させることができる。そこで、中間基板103を
できる限り薄くして、セル電圧を低下させることが求め
られる。
By the way, the voltage applied to the liquid crystal cell 101 (hereinafter, also referred to as cell voltage), that is, the signal electrode 11
If the voltage applied between 1 and the virtual electrode 114 is large, a crosstalk phenomenon occurs and the image quality deteriorates. If the cell voltage can be lowered while maintaining the effective voltage applied to the liquid crystal layer 110 (hereinafter, also referred to as liquid crystal voltage), only the crosstalk phenomenon can be reduced without changing the display state. . Therefore, it is required to reduce the cell voltage by making the intermediate substrate 103 as thin as possible.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】現在、工業的に入手可
能なガラス基板としては、厚さが30μmのガラス基板
(製品名D263、Schott社製)がある。しかし、D2
63はアルカリ含有ガラスであり、抵抗率が1.6×1
8Ω・cm(250℃)と小さい。したがって、D2
63を中間基板103として用いた場合、液晶層110
に印加される直流オフセット電圧が無視できなくなり、
PALCの信頼性に悪影響を及ぼすおそれがある。
At present, as a glass substrate which is industrially available, there is a glass substrate having a thickness of 30 μm (product name D263, manufactured by Schott). But D2
63 is an alkali-containing glass with a resistivity of 1.6 × 1
0 8 Ω · cm (250 ℃ ) and small. Therefore, D2
When 63 is used as the intermediate substrate 103, the liquid crystal layer 110
The DC offset voltage applied to the
It may adversely affect the reliability of PALC.

【0007】そこで、本発明者らは、抵抗率が高い無ア
ルカリガラス基板を中間基板に用いることに想到した。
例えば、Schott社製の製品名AF45は、抵抗率が6×
10 13Ω・cm(250℃)と大きいので、AF45を
中間基板103として用いた場合、液晶層110に印加
される直流オフセット電圧を無視できる程度に小さくす
ることができる。
[0007] Therefore, the present inventors have found that
The idea of using a Lucari glass substrate as an intermediate substrate was reached.
For example, the product name AF45 manufactured by Schott has a resistivity of 6 ×.
10 13Since it is as large as Ω · cm (250 ° C), the AF45
When used as the intermediate substrate 103, it is applied to the liquid crystal layer 110.
The DC offset voltage generated is negligible.
You can

【0008】しかしながら、無アルカリガラスは、アル
カリ含有ガラスに比してガラス軟化点温度が高い。例え
ばアルカリ含有ガラスのD263のガラス軟化点温度が
736℃であるのに対して、無アルカリガラスのAF4
5のそれは883℃である。ガラス基板は、一定の粘度
となるように温度を制御した条件下で製造されるので、
ガラス軟化点温度が高い無アルカリガラスは、アルカリ
含有ガラスに比して大きな厚みのものが入手できるに過
ぎない。例えばアルカリ含有ガラスのD263では30
μmの厚みのものを入手することが可能であるが、無ア
ルカリガラスのAF45では厚み50μmが限界であ
る。
However, alkali-free glass has a higher glass softening temperature than alkali-containing glass. For example, while the glass softening temperature of D263 of alkali-containing glass is 736 ° C., AF4 of non-alkali glass is used.
That of 5 is 883 ° C. Since the glass substrate is manufactured under conditions in which the temperature is controlled so that it has a constant viscosity,
Alkali-free glass having a high glass softening temperature can only be obtained in a thickness larger than that of alkali-containing glass. For example, D263 of alkali-containing glass is 30
It is possible to obtain a product with a thickness of μm, but the thickness of the non-alkali glass AF45 is limited to 50 μm.

【0009】一方、PALCの中間基板を薄くする技術
については、例えば特開2000−39853公報に開示されて
いる。同公報には、膜厚の中間基板を放電セル基板に接
合させた後、中間基板の液晶層側表面を化学的研磨処理
することが記載されている。
On the other hand, a technique for thinning the intermediate substrate of PALC is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-39853. The publication describes that after bonding an intermediate substrate having a film thickness to a discharge cell substrate, the surface of the intermediate substrate on the liquid crystal layer side is chemically polished.

【0010】しかしながら、同公報に記載の方法では、
化学的研磨処理を行うための前準備として、端子部等の
保護を行う必要あり、また研磨処理後に保護材を取り外
す必要があるので、煩雑な作業を要し、製造効率の点で
好ましくない。また、研磨処理された中間基板の表面に
は、概略0.1μm程度の凹凸が発生するので、液晶層
の厚み(セルギャップ)にムラが生じる。これにより、
液晶層に印加される電圧が不均一になり、表示ムラが発
生して、表示品位を低下させるおそれもある。
However, in the method described in the publication,
Since it is necessary to protect the terminal portions and the like as a pre-preparation for performing the chemical polishing treatment, and it is necessary to remove the protective material after the polishing treatment, complicated work is required and it is not preferable in terms of manufacturing efficiency. Further, since unevenness of about 0.1 μm occurs on the surface of the intermediate substrate that has been subjected to the polishing treatment, the thickness (cell gap) of the liquid crystal layer becomes uneven. This allows
The voltage applied to the liquid crystal layer may become non-uniform, display unevenness may occur, and display quality may be degraded.

【0011】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、クロストーク現象を低減しつ
つ、良好な表示品位が得られるPALCを提供すること
にある。また、本発明は、本発明のPALCに好適に用
いられる無アルカリガラス基板およびその製造方法を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a PALC capable of obtaining a good display quality while reducing the crosstalk phenomenon. Another object of the present invention is to provide a non-alkali glass substrate that is preferably used for the PALC of the present invention and a method for manufacturing the same.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の局面によ
る無アルカリガラス基板は、厚さ40μm以下の無アル
カリガラス基板である。
The alkali-free glass substrate according to the first aspect of the present invention is an alkali-free glass substrate having a thickness of 40 μm or less.

【0013】本発明の第2の局面による無アルカリガラ
ス基板は、厚さ50μm以上の無アルカリガラス基板を
支持体に貼り合わせる工程と、前記無アルカリガラス基
板の前記支持体側と反対側の面を化学的に研磨して、前
記無アルカリガラス基板の厚さを40μm以下にする工
程とを含む、無アルカリガラス基板の製造方法によって
製造される、厚さ40μm以下の無アルカリガラス基板
である。厚さ50μm以上の無アルカリガラス基板とし
ては、上記のAF45の他に、コーニング社製の#70
59や#1737、日本電気硝子社製のOA−2やOA
−10、NHテクノグラス社製のNA−45やNA−3
5、旭硝子社製のAN635やAN100などが例示さ
れる。
In the alkali-free glass substrate according to the second aspect of the present invention, a step of adhering an alkali-free glass substrate having a thickness of 50 μm or more to a support, and a surface of the alkali-free glass substrate opposite to the support side are provided. A non-alkali glass substrate having a thickness of 40 μm or less, which is manufactured by a method for manufacturing a non-alkali glass substrate, including a step of chemically polishing the thickness of the non-alkali glass substrate to 40 μm or less. As the alkali-free glass substrate having a thickness of 50 μm or more, in addition to AF45 described above, # 70 manufactured by Corning
59 and # 1737, OA-2 and OA manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.
-10, NA-45 and NA-3 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.
5, AN635 and AN100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. are exemplified.

【0014】本発明の第2の局面による無アルカリガラ
ス基板において、前記研磨工程の後に、前記無アルカリ
ガラス基板と前記支持体側とを分離させる工程をさらに
含んでいてもよい。
The alkali-free glass substrate according to the second aspect of the present invention may further include a step of separating the alkali-free glass substrate and the support side after the polishing step.

【0015】本明細書において「無アルカリガラス」と
は、SiO2を45重量%以上含有し、R2O(Rはアル
カリ金属)で示されるアルカリ成分の含有量が0.5重
量%以下、好ましくは0.1重量%以下のガラスをい
う。本明細書における「無アルカリガラス」は、SiO
2をほぼ100重量%含有し、他の成分を実質的に含ま
ない石英ガラスを包含する。本明細書において「無アル
カリガラス」は、Ba 23、Al23またはBaOをそ
れぞれ30重量%以下(好ましくは25重量%以下)、
MO(MはBa以外のアルカリ土類金属)を20重量%
以下(好ましくは15重量%以下)含んでいても良い。
このような組成を有するガラスとしては、上記Schott社
製のAF45、コーニング社製の#7059、日本電気
硝子社製のOA−2、NHテクノグラス社製のNA−4
5、旭硝子社製のAN635などが例示される。
In the present specification, "alkali-free glass"
Is SiO2Containing 45% by weight or more of R2O (R is Al
The content of the alkali component represented by (potassium metal) is 0.5
% Glass, preferably 0.1% by weight or less
U In the present specification, "alkali-free glass" means SiO 2.
2Containing almost 100% by weight and substantially containing other components
Not including quartz glass. In this specification,
Potash glass "is Ba 2O3, Al2O3Or BaO
30% by weight or less (preferably 25% by weight or less),
20% by weight of MO (M is an alkaline earth metal other than Ba)
The following may be included (preferably 15% by weight or less).
As the glass having such a composition, the above Schott
AF45, Corning # 7059, NEC
OA-2 made by Glass Co., NA-4 made by NH Techno Glass Co., Ltd.
5, Asahi Glass Co., Ltd. AN635 etc. are illustrated.

【0016】本発明の無アルカリガラス基板の厚さは4
0μm以下、好ましくは30μm以下であり、一枚の基
板での板厚偏差は±5%程度である。無アルカリガラス
基板の厚さの下限は、特に制限されず、基板の厚さは薄
いほど好ましい。但し、ガラス基板の化学的に研磨され
た面には、概略0.1μm程度の凹凸が発生するので、
無アルカリガラス基板の厚さは、0.1μmよりも大き
いことが必要である。また、取り扱い性の観点からは、
1μm以上、5μm以上、10μm以上、20μm以
上、さらに25μm以上と、厚さが大きくなるほど好ま
しい。
The thickness of the alkali-free glass substrate of the present invention is 4
It is 0 μm or less, preferably 30 μm or less, and the plate thickness deviation on one substrate is about ± 5%. The lower limit of the thickness of the alkali-free glass substrate is not particularly limited, and the thinner the substrate, the more preferable. However, since irregularities of approximately 0.1 μm occur on the chemically polished surface of the glass substrate,
The thickness of the alkali-free glass substrate needs to be larger than 0.1 μm. Also, from the viewpoint of handleability,
It is preferable that the thickness be as large as 1 μm or more, 5 μm or more, 10 μm or more, 20 μm or more, and further 25 μm or more.

【0017】本発明の無アルカリガラス基板は、250
℃における抵抗率が1×1013Ω・cm以上であること
が好ましい。例えば、上記Schott社製のAF45、コー
ニング社製の#7059、日本電気硝子社製のOA−
2、NHテクノグラス社製のNA−45、旭硝子社製の
AN635などは、いずれも250℃における抵抗率が
1×1013Ω・cm以上の無アルカリガラスであり、こ
れらのガラスを無アルカリガラス基板に用いるのが好ま
しい。抵抗率は、JISR3256:1998に準じて
測定することができる。
The alkali-free glass substrate of the present invention is 250
The resistivity at 0 ° C. is preferably 1 × 10 13 Ω · cm or more. For example, AF45 manufactured by Schott, # 7059 manufactured by Corning, and OA- manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.
2. NH-45 manufactured by NH Techno Glass Co., and AN635 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. are all alkali-free glasses having a resistivity at 250 ° C. of 1 × 10 13 Ω · cm or more. It is preferably used as a substrate. The resistivity can be measured according to JIS R3256: 1998.

【0018】本発明の無アルカリガラス基板は、面積が
2400cm2以上、好ましくは4800cm2以上であ
っても良い。
The alkali-free glass substrate of the present invention may have an area of 2400 cm 2 or more, preferably 4800 cm 2 or more.

【0019】本発明の無アルカリガラス基板の製造方法
は、厚さ50μm以上の無アルカリガラス基板を支持体
に貼り合わせる工程と、前記無アルカリガラス基板の前
記支持体側と反対側の面を化学的に研磨して、前記無ア
ルカリガラス基板の厚さを40μm以下にする工程とを
含む。好ましくは、前記研磨工程の後に、前記無アルカ
リガラス基板と前記支持体側とを分離させる工程をさら
に含む。厚さ50μm以上の無アルカリガラス基板とし
ては、上記の無アルカリガラスが用いられる。無アルカ
リガラス基板の厚さの上限は、特に制限されず、経済
性、作業性などの観点から適宜決定される。例えば、厚
さ50μm以上100μm以下の無アルカリガラス基板
を用いることができる。
In the method for producing an alkali-free glass substrate of the present invention, a step of bonding an alkali-free glass substrate having a thickness of 50 μm or more to a support, and a surface of the alkali-free glass substrate opposite to the support side are chemically treated. Polishing to reduce the thickness of the alkali-free glass substrate to 40 μm or less. Preferably, the method further includes a step of separating the non-alkali glass substrate and the support side after the polishing step. The above alkali-free glass is used as the alkali-free glass substrate having a thickness of 50 μm or more. The upper limit of the thickness of the non-alkali glass substrate is not particularly limited and is appropriately determined from the viewpoints of economy, workability and the like. For example, an alkali-free glass substrate having a thickness of 50 μm or more and 100 μm or less can be used.

【0020】本発明の第1の局面によるPALCは、複
数の隔壁を有するプラズマセル基板と中間基板とによっ
て複数のプラズマチャネルが規定され、前記中間基板と
液晶セル基板との間に液晶層が挟持されたPALCであ
って、前記中間基板が本発明の第1または第2の局面に
よる無アルカリガラス基板である。
In the PALC according to the first aspect of the present invention, a plurality of plasma channels are defined by a plasma cell substrate having a plurality of partition walls and an intermediate substrate, and a liquid crystal layer is sandwiched between the intermediate substrate and the liquid crystal cell substrate. The intermediate substrate is a non-alkali glass substrate according to the first or second aspect of the present invention.

【0021】本発明の第2の局面によるPALCは、複
数の隔壁を有するプラズマセル基板と中間基板とによっ
て複数のプラズマチャネルが規定され、前記中間基板と
液晶セル基板との間に液晶層が挟持されたPALCであ
って、前記中間基板が本発明の第2の局面による無アル
カリガラス基板であり、前記無アルカリガラス基板の化
学的に研磨された面が前記プラズマセル基板に対向す
る。
In the PALC according to the second aspect of the present invention, a plurality of plasma channels are defined by a plasma cell substrate having a plurality of partition walls and an intermediate substrate, and a liquid crystal layer is sandwiched between the intermediate substrate and the liquid crystal cell substrate. The intermediate substrate is an alkali-free glass substrate according to the second aspect of the present invention, and the chemically polished surface of the alkali-free glass substrate faces the plasma cell substrate.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しながら、本
発明の実施形態を説明する。なお、以下の実施形態で
は、無アルカリガラス基板を化学的に研磨しているが、
機械的に研磨しても良い。また、微粒子を含む液状のス
ラリーを用いるCMP(化学的機械的研磨)法でも良
い。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following embodiments, the non-alkali glass substrate is chemically polished,
It may be mechanically polished. Alternatively, a CMP (chemical mechanical polishing) method using a liquid slurry containing fine particles may be used.

【0023】〔実施形態1〕本実施形態では、厚さ50
μmの無アルカリガラス基板(以下、単にガラス基板と
もいう。)として、Schott社製のAF45を用いて、厚
さ40μm以下の無アルカリガラス基板を製造する。こ
のガラス基板は、42型(対角106cm、横930m
m×縦523mm、面積4864cm2)ディスプレイ
に適用可能な縦横寸法を有する。ガラス基板は、支持体
に保持した状態で化学的に研磨される。図1は、ガラス
基板1を支持体2に保持した状態を示す図であり、図1
(a)は平面図、図1(b)はB−B’線断面図であ
る。
[Embodiment 1] In the present embodiment, a thickness of 50
As a non-alkali glass substrate having a thickness of μm (hereinafter, also simply referred to as a glass substrate), AF45 manufactured by Schott is used to manufacture a non-alkali glass substrate having a thickness of 40 μm or less. This glass substrate is 42 type (diagonal 106 cm, width 930 m)
m × length 523 mm, area 4864 cm 2 ) It has vertical and horizontal dimensions applicable to a display. The glass substrate is chemically polished while being held on a support. FIG. 1 is a diagram showing a state in which the glass substrate 1 is held by the support body 2.
1A is a plan view, and FIG. 1B is a sectional view taken along the line BB ′.

【0024】支持体2は、ガラス基板1を化学的に研磨
し、洗浄するときにガラス基板1が割れないように保持
するために用いられるので、耐エッチング性で平坦な基
板が望ましい。支持体2は、ポリエチレン、テフロン
(登録商標)、ポリウレタン、ポリ塩化ビニルなどのプ
ラスチック基板、ガラス基板、あるいはラミネータで貼
り付けることができる樹脂フィルム、例えばPET(ポ
リエチレンテレフタレート)、PES(ポリエーテルス
ルホン)、TAC(トリアセチルセルロース)等のフィ
ルムが好適である。
Since the support 2 is used for chemically polishing the glass substrate 1 and holding it so that the glass substrate 1 is not cracked during cleaning, a flat substrate having etching resistance is desirable. The support 2 is a plastic substrate such as polyethylene, Teflon (registered trademark), polyurethane, or polyvinyl chloride, a glass substrate, or a resin film that can be attached with a laminator, such as PET (polyethylene terephthalate) or PES (polyether sulfone). , TAC (triacetyl cellulose) and the like are suitable.

【0025】本実施形態では、表面が平坦で、エッチン
グ工程・洗浄工程に十分耐える強度を持っており、安価
であるという理由から、厚さ2mmのソーダガラス基板
を用いた。ソーダガラス基板は、化学的研磨に用いられ
るエッチング液におかされるが、エッチングする量がた
かだか20μm程度であるので、厚さが2mm程度あれ
ば、ガラス基板1を十分に保持することができる。な
お、支持体2の厚みは、上記の値に限られず、支持体2
の縦横寸法などに応じて、好適な厚さを自由に選択でき
る。本実施形態では、支持体2の縦横寸法は、ガラス基
板1の寸法とほぼ同じであるが、ガラス基板1より大き
くても良い。
In this embodiment, a soda glass substrate having a thickness of 2 mm is used because it has a flat surface, has sufficient strength to withstand the etching process / cleaning process, and is inexpensive. The soda glass substrate is immersed in an etching solution used for chemical polishing. Since the etching amount is about 20 μm at most, the glass substrate 1 can be sufficiently held if the thickness is about 2 mm. The thickness of the support 2 is not limited to the above value, and
A suitable thickness can be freely selected according to the vertical and horizontal dimensions of the. In this embodiment, the vertical and horizontal dimensions of the support 2 are almost the same as the dimensions of the glass substrate 1, but may be larger than the glass substrate 1.

【0026】支持体2には、ガラス基板1と支持体2と
を貼り合わせる際に、ガラス基板1と支持体2との間隙
に残留する空気を除くための空気抜き穴3を設けても良
い。空気抜き穴3は、支持体2の中央付近に設けること
が望ましい。空気抜き穴3の大きさや数は特に規定され
ず、例えば直径1mm程度の孔を1個設ける。
The support 2 may be provided with an air vent hole 3 for removing air remaining in the gap between the glass substrate 1 and the support 2 when the glass substrate 1 and the support 2 are bonded together. The air vent hole 3 is preferably provided near the center of the support 2. The size and number of the air vent holes 3 are not particularly limited, and for example, one hole having a diameter of about 1 mm is provided.

【0027】(貼り合わせ工程)次に、ガラス基板1を
支持体2に貼り合わせる工程について説明する。まず、
図1に示すように、支持体2の片面の外周に接着剤4を
塗布する。接着剤4は、ディスペンサー塗布やスクリー
ン印刷などの既知の塗布方法で塗布することができる。
本実施形態では、接着剤4として一液性のエポキシ樹脂
を用いたが、これに限らない。ガラス基板1を支持体2
に貼り合わせることができ、エッチング液に対して耐性
があって、エッチング工程・洗浄工程において貼り合せ
状態を保持でき、さらに支持体2から剥離した後にガラ
ス基板1上に残留しない接着剤4が好適に用いられる。
接着剤4の塗布厚みは、接着剤4の種類などを考慮して
適宜決定され、本実施形態では約10μmである。な
お、本実施形態では、接着剤4を支持体2の外周に塗布
したが、接着剤4を支持体2の全面に塗布しても良い。
(Laminating Step) Next, the step of attaching the glass substrate 1 to the support 2 will be described. First,
As shown in FIG. 1, the adhesive 4 is applied to the outer periphery of one surface of the support 2. The adhesive 4 can be applied by a known application method such as dispenser application or screen printing.
In this embodiment, a one-component epoxy resin is used as the adhesive 4, but the adhesive is not limited to this. Glass substrate 1 to support 2
Adhesive 4 that can be stuck to the glass substrate 1, has resistance to an etching solution, can hold the stuck state in the etching process / washing process, and does not remain on the glass substrate 1 after being peeled from the support 2 is preferable. Used for.
The coating thickness of the adhesive 4 is appropriately determined in consideration of the type of the adhesive 4 and the like, and is about 10 μm in this embodiment. Although the adhesive 4 is applied to the outer periphery of the support 2 in the present embodiment, the adhesive 4 may be applied to the entire surface of the support 2.

【0028】支持体2の接着剤塗布面であって、接着剤
4が塗布された領域より内側の領域に、スペーサ5を設
ける。スペーサ5は、ガラス基板1を貼り合せるときの
空気の残留を減少させ、貼り合せ後のガラス基板1表面
の凹凸を無くす、などの目的のために設けられる。スペ
ーサ5としては、紙あるいは不織布などからなるものが
用いられる。スペーサ5の厚さは、接着剤4の塗布厚み
より薄いほうが良い。
A spacer 5 is provided on the adhesive-coated surface of the support 2 inside the area coated with the adhesive 4. The spacers 5 are provided for the purpose of reducing residual air when the glass substrates 1 are bonded together and eliminating unevenness on the surface of the glass substrates 1 after bonding. As the spacer 5, one made of paper or non-woven fabric is used. The thickness of the spacer 5 is preferably thinner than the coating thickness of the adhesive 4.

【0029】接着剤4を介してガラス基板1を支持体2
に貼り付けた後に、ガラス基板1の表面をゴムローラー
で押さえる。これにより、ガラス基板1の表面に残る凹
凸やしわを取り除いて平坦化することができるので、そ
の後のエッチング工程でガラス基板1の表面が均一にエ
ッチングされ、板厚のムラが発生するのを抑制すること
ができる。支持体2の空気抜き穴3を、塩化ビニルテー
プなどのシート状の小片6で塞いで、ガラス基板1と支
持体2との間隙にエッチング液が進入しないようにす
る。
The glass substrate 1 is attached to the support 2 via the adhesive 4.
Then, the surface of the glass substrate 1 is pressed by a rubber roller. As a result, the unevenness and wrinkles remaining on the surface of the glass substrate 1 can be removed and the surface can be flattened, so that the surface of the glass substrate 1 is uniformly etched in the subsequent etching step, and the occurrence of uneven plate thickness is suppressed. can do. The air vent hole 3 of the support 2 is closed with a sheet-shaped small piece 6 such as a vinyl chloride tape so that the etching solution does not enter the gap between the glass substrate 1 and the support 2.

【0030】(化学的研磨工程)次に、支持体2に貼り
付けられた状態でガラス基板1を化学的研磨液(エッチ
ング液)に所定時間浸して、厚さ40μm以下、好まし
くは厚さ30μm以下になるまでガラス基板1の支持体
2側と反対側の面を化学的に研磨(エッチング)する。
(Chemical Polishing Step) Next, the glass substrate 1 attached to the support 2 is immersed in a chemical polishing liquid (etching liquid) for a predetermined time to have a thickness of 40 μm or less, preferably 30 μm. The surface of the glass substrate 1 opposite to the side of the support 2 is chemically polished (etched) until the following.

【0031】化学的研磨液としては、フッ酸、バッファ
ードフッ酸などからなる水溶液に、pH調整剤や粘度調
整剤などを加えたものが用いられる。化学的研磨を行っ
ている間は、化学反応の生じているガラス表面での化学
的研磨液が更新されるように、接触部付近の化学的研磨
液を十分に撹拌させ、支持体2に貼り付けた状態のガラ
ス基板1を揺動させる。これにより、ガラス基板1表面
での不均一なエッチングの進行を防止し、ガラス基板1
表面への反応性生物の付着を抑制することができる。し
たがって、ガラス基板1表面の凹凸発生を抑制し、初期
の平滑な表面状態を保ったまま板厚を薄くすることがで
きる。化学的研磨が終了した後、ガラス基板1表面の化
学的研磨液を水で洗い流す。
As the chemical polishing liquid, an aqueous solution containing hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid and the like, to which a pH adjusting agent, a viscosity adjusting agent and the like are added, is used. During the chemical polishing, the chemical polishing liquid in the vicinity of the contact portion is sufficiently stirred so that the chemical polishing liquid on the glass surface where the chemical reaction is occurring is renewed, and the chemical polishing liquid is attached to the support 2. The glass substrate 1 in the attached state is swung. This prevents uneven etching on the surface of the glass substrate 1,
It is possible to suppress the attachment of the reactive organism to the surface. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of irregularities on the surface of the glass substrate 1 and reduce the plate thickness while maintaining the initial smooth surface state. After the chemical polishing is completed, the chemical polishing liquid on the surface of the glass substrate 1 is washed off with water.

【0032】(分離工程)支持体2に貼り付けられた状
態のガラス基板1を剥離液に浸漬して、板厚が薄くなっ
たガラス基板1を支持体2から分離して取り出す。本実
施形態では、剥離液としてメチレンクロライドを用いた
が、使用する接着剤4の種類に応じて好適な剥離液を選
択することができる。
(Separation Step) The glass substrate 1 attached to the support 2 is immersed in a stripping solution to separate the glass substrate 1 having a reduced thickness from the support 2 and take it out. Although methylene chloride is used as the stripping solution in the present embodiment, a suitable stripping solution can be selected depending on the type of the adhesive 4 used.

【0033】分離されたガラス基板1を、水または有機
溶剤など既知の洗浄液で洗浄し、乾燥させることで、厚
さ40μm以下、好ましくは厚さ30μm以下の無アル
カリガラス基板を得る。この無アルカリガラス基板は、
PALCの中間基板として好適に用いられる他、フォト
センサやCCD(Charge Coupled Device)のカバーガ
ラスとして利用することができる。
The separated glass substrate 1 is washed with a known washing liquid such as water or an organic solvent and dried to obtain a non-alkali glass substrate having a thickness of 40 μm or less, preferably 30 μm or less. This non-alkali glass substrate is
Besides being suitably used as an intermediate substrate of PALC, it can be used as a cover glass for a photo sensor or a CCD (Charge Coupled Device).

【0034】〔実施形態2〕実施形態1の無アルカリガ
ラス基板を中間基板に用いたPALCについて、図2お
よび図3を参照しながら説明する。本実施形態のPAL
C100は、42型(対角106cm、横930mm×
縦523mm、面積4864cm2)ディスプレイであ
る。
[Embodiment 2] A PALC using an alkali-free glass substrate of Embodiment 1 as an intermediate substrate will be described with reference to FIGS. 2 and 3. PAL of this embodiment
C100 is 42 type (diagonal 106 cm, width 930 mm x
It is a display having a length of 523 mm and an area of 4864 cm 2 .

【0035】PALC100は、液晶セル101とプラ
ズマセル102とが中間基板103を介して積層された
構造を有している。プラズマセル102は、プラズマセ
ル基板104と中間基板103と、これらの間にストラ
イプ状に配設された複数の隔壁105とを有する。隣接
する隔壁105と、プラズマセル基板104と、中間基
板103とによって密封された空間で規定されるプラズ
マチャネル106には、放電によってイオン化が可能な
放電ガスが封入されている。複数のプラズマチャネル1
06のそれぞれは、プラズマセル基板104上に形成さ
れた放電電極(アノード107およびカソード108)
を有している。
The PALC 100 has a structure in which a liquid crystal cell 101 and a plasma cell 102 are laminated via an intermediate substrate 103. The plasma cell 102 has a plasma cell substrate 104, an intermediate substrate 103, and a plurality of partition walls 105 arranged in stripes between them. A discharge gas that can be ionized by discharge is sealed in a plasma channel 106 defined by a space sealed by the adjacent partition wall 105, the plasma cell substrate 104, and the intermediate substrate 103. Multiple plasma channels 1
Each of 06 is a discharge electrode (anode 107 and cathode 108) formed on the plasma cell substrate 104.
have.

【0036】液晶セル101は、液晶セル基板109と
中間基板103と、これらの間に設けられた液晶層11
0とを有する。液晶セル基板109の液晶層110側に
は、互いに平行なストライプ状の複数の信号電極111
が、プラズマチャネル106と交差するように形成され
ている。また、液晶セル基板109は、信号電極111
に対応して設けられる着色層112を液晶層110側に
備えている。着色層112は、典型的には、赤、緑およ
び青色層である。
The liquid crystal cell 101 includes a liquid crystal cell substrate 109, an intermediate substrate 103, and a liquid crystal layer 11 provided between them.
Has 0 and. On the liquid crystal layer 110 side of the liquid crystal cell substrate 109, a plurality of stripe-shaped signal electrodes 111 parallel to each other.
Are formed so as to intersect the plasma channel 106. Further, the liquid crystal cell substrate 109 has a signal electrode 111.
The colored layer 112 provided corresponding to is provided on the liquid crystal layer 110 side. The colored layer 112 is typically a red, green and blue layer.

【0037】液晶層110としては、例えば、TN(Tw
isted Nematic)モードの液晶層を使用するが、広視野
角化のためにASM(Axially Symmetric aligned Micr
ocell)モードやVA(Vertical Alignment)モードの
液晶層を使用してもよく、従来の様々な表示モードの液
晶層を使用してもよい。
As the liquid crystal layer 110, for example, TN (Tw
A liquid crystal layer of isted Nematic mode is used, but ASM (Axially Symmetric aligned Micr) is used for widening the viewing angle.
A liquid crystal layer of an ocell) mode or a VA (Vertical Alignment) mode may be used, or a liquid crystal layer of various conventional display modes may be used.

【0038】本実施形態のPALC100の製造方法を
説明する。まず、プラズマセル102の製造方法につい
て説明する。プラズマセル基板104上に、所定の間隔
で対向するアノード107およびカソード108を形成
する。アノード107およびカソード108は、導電性
ペースト(例えば、ニッケルペースト、アルミニウムペ
ースト、銀ペースト)を用いたスクリーン印刷法などに
より形成することができる。
A method of manufacturing the PALC 100 of this embodiment will be described. First, a method of manufacturing the plasma cell 102 will be described. An anode 107 and a cathode 108 facing each other are formed on the plasma cell substrate 104 at predetermined intervals. The anode 107 and the cathode 108 can be formed by a screen printing method using a conductive paste (eg, nickel paste, aluminum paste, silver paste).

【0039】複数の隔壁105を、プラズマセル基板1
04上にストライプ状に形成する。隔壁105は、例え
ば、厚膜ペーストを用いてスクリーン印刷法により形成
する。厚膜ペーストは、低融点ガラス、セラミックフィ
ラー、有機バインダ、溶剤および黒色顔料を含む。厚膜
ペーストをスクリーン印刷したあとに約100℃〜約1
50℃で乾燥させるという工程を10回程度繰り返すこ
とにより、高さ約200μmの隔壁105を形成する。
The plurality of partition walls 105 are connected to the plasma cell substrate 1
It is formed in a stripe shape on 04. The partition wall 105 is formed by a screen printing method using a thick film paste, for example. The thick film paste contains low melting glass, ceramic filler, organic binder, solvent and black pigment. After screen printing thick film paste, about 100 ℃ ~ 1
By repeating the process of drying at 50 ° C. about 10 times, the partition wall 105 having a height of about 200 μm is formed.

【0040】プラズマセル基板104と中間基板103
とを、公知のフリット材を用いて公知の方法により、中
間基板103の化学的に研磨された面をプラズマセル基
板104側に向けて貼り合わせる。
Plasma cell substrate 104 and intermediate substrate 103
And are bonded by a known method using a known frit material with the chemically polished surface of the intermediate substrate 103 facing the plasma cell substrate 104 side.

【0041】真空引き用の管(チップ管)から排気して
プラズマチャネル106内を真空(〜10-7Torr
(〜約1.3×10-5Pa))とする。放電ガスを内部
に注入し、チップ管を加熱溶融して封止することによっ
て、複数のプラズマチャネルを形成する。
The inside of the plasma channel 106 is evacuated by evacuating from the evacuation tube (tip tube) (~ 10 -7 Torr).
(Up to about 1.3 × 10 −5 Pa)). A plurality of plasma channels are formed by injecting a discharge gas into the interior and heating and melting the tip tube to seal it.

【0042】次に、液晶セル101の製造方法について
説明する。着色層112および互いに平行なストライプ
状の複数の信号電極111が形成された液晶セル基板
(例えば、ガラス基板)109を用意する。着色層11
2は、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法などにより
形成される。信号電極111は、例えば、ITOを用い
てスパッタリング法により形成される。次に、TNモー
ドの場合、水平配向材を中間基板103および液晶セル
基板109の液晶層110に対向する側に塗布し、約2
00℃で焼成した後、ラビング処理を行う。ASMモー
ドやVAモードの場合には、水平配向材の代わりに垂直
配向材を用い、ラビング処理は行わなくてもよい。水平
配向材および垂直配向材としては、公知の材料を用いる
ことができる。なお、本発明は上述した表示モードに限
定されず、従来の様々な表示モードに適用することがで
きるので、使用するモードによって、適宜配向材および
配向処理方法を選べばよい。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal cell 101 will be described. A liquid crystal cell substrate (for example, a glass substrate) 109 having a colored layer 112 and a plurality of stripe-shaped signal electrodes 111 parallel to each other is prepared. Colored layer 11
2 is formed by a dyeing method, a pigment dispersion method, a printing method, an electrodeposition method, or the like. The signal electrode 111 is formed by sputtering using ITO, for example. Next, in the case of the TN mode, a horizontal alignment material is applied to the sides of the intermediate substrate 103 and the liquid crystal cell substrate 109 that face the liquid crystal layer 110, and about 2
After firing at 00 ° C., rubbing treatment is performed. In the case of ASM mode or VA mode, a vertical alignment material may be used instead of the horizontal alignment material, and the rubbing process may not be performed. Known materials can be used as the horizontal alignment material and the vertical alignment material. The present invention is not limited to the above-mentioned display modes and can be applied to various conventional display modes. Therefore, an aligning material and an alignment treatment method may be appropriately selected depending on the mode to be used.

【0043】シール材(不図示)を用いて、中間基板1
03と液晶セル基板109とを貼り合わせる。シール材
としては、公知の材料を用いることができ、例えば、熱
硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂またはこれらの混合物を
用いる。このとき、中間基板103と液晶セル基板10
9との間にスペーサを散布する。
An intermediate substrate 1 is formed by using a sealing material (not shown).
03 and the liquid crystal cell substrate 109 are bonded together. A known material can be used as the sealing material, and for example, a thermosetting resin, an ultraviolet curing resin, or a mixture thereof is used. At this time, the intermediate substrate 103 and the liquid crystal cell substrate 10
Sprinkle the spacer between 9 and.

【0044】この後、液晶材料を中間基板103と液晶
セル基板109との間に注入し、注入口を、例えば、紫
外線硬化型樹脂を用いて封止する。液晶材料としては、
TNモードの場合は正の誘電異方性をもつ公知の液晶材
料を用い、ASMモードやVAモードの場合は負の誘電
異方性をもつ公知の液晶材料を用いる。なお、本発明は
上述した表示モードに限定されず、従来の様々な表示モ
ードに適用することができるので、使用するモードによ
って、適宜液晶材料を選べばよい。
After that, a liquid crystal material is injected between the intermediate substrate 103 and the liquid crystal cell substrate 109, and the injection port is sealed with, for example, an ultraviolet curable resin. As a liquid crystal material,
A known liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy is used in the TN mode, and a known liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy is used in the ASM mode or the VA mode. Note that the present invention is not limited to the above-mentioned display modes and can be applied to various conventional display modes, and therefore a liquid crystal material may be appropriately selected depending on the mode to be used.

【0045】以上のようにして、1つのプラズマチャネ
ル106に沿って、3つの連続した絵素領域112R、
112Gおよび112B(それぞれ赤色、緑色および青
色に対応し、隣接する絵素領域の間にブラックマトリク
ス113が形成されている。)を有するPALC100
が製造される。
As described above, three continuous picture element regions 112R along one plasma channel 106,
PALC 100 having 112G and 112B (corresponding to red, green, and blue, respectively, and a black matrix 113 is formed between adjacent pixel regions).
Is manufactured.

【0046】次に、PALCにおける中間基板の厚みと
セル電圧との関係について説明する。図4は、液晶層に
印加される実効的な電圧(液晶電圧)を7.5Vにする
ために必要なセル電圧と、中間基板の厚みとの関係のシ
ミュレーションを示すグラフであり、液晶層の厚み(セ
ルギャップ)ごとにシミュレーションを行っている。
Next, the relationship between the thickness of the intermediate substrate and the cell voltage in PALC will be described. FIG. 4 is a graph showing a simulation of the relationship between the cell voltage required to set the effective voltage (liquid crystal voltage) applied to the liquid crystal layer to 7.5 V and the thickness of the intermediate substrate. Simulation is performed for each thickness (cell gap).

【0047】例えばセルギャップ6μmのPALCで
は、厚み50μmの中間基板を用いた場合、液晶電圧を
7.5Vにするためにセル電圧を約70Vにする必要が
ある。しかしながら、この場合、クロストーク現象が発
生するおそれがあり、クロストーク現象を十分に低減す
るには、セル電圧を約50Vにするのが好ましいことが
本発明者らによる他の試験から明らかとなった。したが
って、この場合、中間基板の厚みは約30μm以下が好
ましいことが、図4から分かる。
For example, in a PALC having a cell gap of 6 μm, when an intermediate substrate having a thickness of 50 μm is used, it is necessary to set the cell voltage to about 70V in order to set the liquid crystal voltage to 7.5V. However, in this case, the crosstalk phenomenon may occur, and it is clear from other tests by the present inventors that the cell voltage is preferably about 50 V in order to sufficiently reduce the crosstalk phenomenon. It was Therefore, in this case, it is understood from FIG. 4 that the thickness of the intermediate substrate is preferably about 30 μm or less.

【0048】また、図4から分かるように、液晶層の厚
み(セルギャップ)が大きいほど、セル電圧が小さくな
る。したがって、セルギャップが7μm以上のときは、
厚み40μm以下の中間基板を用いることによって、セ
ル電圧を約50V以下にすることができ、クロストーク
現象を十分に低減することができる。
As can be seen from FIG. 4, the cell voltage decreases as the thickness (cell gap) of the liquid crystal layer increases. Therefore, when the cell gap is 7 μm or more,
By using the intermediate substrate having a thickness of 40 μm or less, the cell voltage can be set to about 50 V or less, and the crosstalk phenomenon can be sufficiently reduced.

【0049】〔他の実施形態〕実施形態1では、42型
(対角106cm)ディスプレイに適した無アルカリガ
ラス基板を記載したが、ディスプレイの寸法はこれに限
らず、30型(対角76cm、横664mm×縦374
mm、面積2483cm2)、50型(対角127c
m)や61型(対角155cm)ディスプレイに適用す
ることができる。本発明の無アルカリガラス基板の製造
方法は、ガラス基板の寸法が大きい程、より有利な効果
を奏する。すなわち、ガラス基板の寸法が大きい程、機
械的研磨による均一な研磨が困難となるのに対して、化
学的な研磨によれば、均一な研磨が可能である。さら
に、本発明によれば、量産が困難であった、約2500
cm2以上の面積を有する無アルカリガラス基板を製造
することができる。また、この無アルカリガラス基板を
中間基板に用いて、大画面のPALCを製造することが
できる。
[Other Embodiments] In the first embodiment, the alkali-free glass substrate suitable for the 42-inch (diagonal 106 cm) display is described, but the size of the display is not limited to this, and the 30-inch (diagonal 76 cm, diagonal 76 cm, Horizontal 664 mm x Vertical 374
mm, area 2483 cm 2 ), 50 type (diagonal 127c
m) and 61-inch (diagonal 155 cm) displays. In the method for producing an alkali-free glass substrate of the present invention, the larger the size of the glass substrate, the more advantageous the effect. That is, the larger the size of the glass substrate, the more difficult it becomes to perform uniform polishing by mechanical polishing, whereas the chemical polishing enables uniform polishing. Further, according to the present invention, it was difficult to mass produce about 2500.
An alkali-free glass substrate having an area of cm 2 or more can be manufactured. Moreover, a large-screen PALC can be manufactured by using this alkali-free glass substrate as an intermediate substrate.

【0050】[0050]

【発明の効果】本発明によると、クロストーク現象を低
減しつつ、良好な表示品位が得られるPALCを提供す
ることができる。
According to the present invention, it is possible to provide a PALC which can obtain a good display quality while reducing the crosstalk phenomenon.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施形態1でのガラス基板1を支持体2に保持
した状態を示す図であり、図1(a)は平面図、図1
(b)はB−B’線断面図である。
FIG. 1 is a diagram showing a state in which a glass substrate 1 according to Embodiment 1 is held by a support body 2, FIG. 1 (a) is a plan view, and FIG.
(B) is a BB 'line sectional view.

【図2】実施形態2のPALC100を模式的に示す断
面図である。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing a PALC 100 according to a second embodiment.

【図3】実施形態2のPALC100を模式的に示す平
面図である。
FIG. 3 is a plan view schematically showing a PALC 100 according to a second embodiment.

【図4】セル電圧と中間基板の厚みとの関係のシミュレ
ーションを示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a simulation of the relationship between the cell voltage and the thickness of the intermediate substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 支持体 3 空気抜き穴 4 接着剤 5 スペーサ 6 シート状小片 103 中間基板 1 glass substrate 2 support 3 air vent holes 4 adhesive 5 spacers 6 Sheet-like pieces 103 intermediate substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C03C 3/085 C03C 3/085 3/087 3/087 3/089 3/089 3/091 3/091 (72)発明者 藤根 俊之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 中村 憲明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 仁上 一夫 東京都大田区京浜島2丁目3番12号 三和 フロスト工業株式会社内 Fターム(参考) 2H089 HA36 QA16 2H090 JA09 JB02 JC01 JD09 4G059 AA08 AB01 AB09 AB11 AC30 BB04 BB16 4G062 AA01 BB02 BB05 BB06 DA05 DA06 DA07 DA08 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA01 EA02 EA10 EB01 EB02 EC01 EC02 ED01 ED02 ED03 ED04 EE01 EE02 EE03 EE04 EF01 EF02 EF03 EF04 EG01 EG02 EG03 EG04 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN40 5C058 AA06 AB01 BA35 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (51) Int.Cl. 7 Identification Code FI Theme Coat (Reference) C03C 3/085 C03C 3/085 3/087 3/087 3/089 3/089 3/091 3/091 ( 72) Inventor Toshiyuki Fujine 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Prefecture Sharp Corporation (72) Inventor Noriaki Nakamura 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Prefecture (72) Inventor Kazuo Nigami 2-3-2, Keihinjima, Ota-ku, Tokyo F-term in Sanwa Frost Industry Co., Ltd. (reference) 2H089 HA36 QA16 2H090 JA09 JB02 JC01 JD09 4G059 AA08 AB01 AB09 AB11 AC30 BB04 BB16 4G062 AA01 BB02 BB05 BB06 DA05 DA05 DA07 DA08 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA01 EA02 EA10 EB01 EB02 EC01 EC02 ED01 ED02 ED03 ED04 EE01 EE02 EE03 EE04 EF01 EF02 EF03 EF01 FA01 FE04 FA01 FA01 FA01 FA01 FA01 FA01 FA01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ05 JJ07 JJ05 BB07 NN40

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 厚さ40μm以下の無アルカリガラス基
板。
1. A non-alkali glass substrate having a thickness of 40 μm or less.
【請求項2】 厚さ50μm以上の無アルカリガラス基
板を支持体に貼り合わせる工程と、 前記無アルカリガラス基板の前記支持体側と反対側の面
を化学的に研磨して、前記無アルカリガラス基板の厚さ
を40μm以下にする工程とを含む、無アルカリガラス
基板の製造方法によって製造される、厚さ40μm以下
の無アルカリガラス基板。
2. A step of laminating an alkali-free glass substrate having a thickness of 50 μm or more to a support, and chemically polishing the surface of the alkali-free glass substrate opposite to the support to obtain the alkali-free glass substrate. A thickness of 40 μm or less, and a non-alkali glass substrate having a thickness of 40 μm or less, which is produced by a method for producing an alkali-free glass substrate.
【請求項3】 前記研磨工程の後に、前記無アルカリガ
ラス基板と前記支持体側とを分離させる工程をさらに含
む、請求項2に記載の無アルカリガラス基板。
3. The alkali-free glass substrate according to claim 2, further comprising a step of separating the alkali-free glass substrate and the support side after the polishing step.
【請求項4】 アルカリ成分が0.5重量%以下であ
る、請求項1から3のいずれか1項に記載の無アルカリ
ガラス基板。
4. The alkali-free glass substrate according to claim 1, wherein the alkali component is 0.5% by weight or less.
【請求項5】 250℃における抵抗率が1×1013Ω
・cm以上である、請求項1から4のいずれか1項に記
載の無アルカリガラス基板。
5. The resistivity at 250 ° C. is 1 × 10 13 Ω.
-The alkali-free glass substrate according to any one of claims 1 to 4, which has a size of not less than cm.
【請求項6】 面積が2400cm2以上である、請求
項1から5のいずれか1項に記載の無アルカリガラス基
板。
6. The alkali-free glass substrate according to claim 1, which has an area of 2400 cm 2 or more.
【請求項7】 厚さ50μm以上の無アルカリガラス基
板を支持体に貼り合わせる工程と、 前記無アルカリガラス基板の前記支持体側と反対側の面
を化学的に研磨して、前記無アルカリガラス基板の厚さ
を40μm以下にする工程とを含む、無アルカリガラス
基板の製造方法。
7. A step of laminating a non-alkali glass substrate having a thickness of 50 μm or more to a support, and chemically polishing the surface of the non-alkali glass substrate opposite to the support to form the non-alkali glass substrate. And a step of reducing the thickness of the substrate to 40 μm or less.
【請求項8】 前記研磨工程の後に、前記無アルカリガ
ラス基板と前記支持体側とを分離させる工程をさらに含
む、請求項7に記載の無アルカリガラス基板の製造方
法。
8. The method for producing an alkali-free glass substrate according to claim 7, further comprising a step of separating the alkali-free glass substrate and the support side after the polishing step.
【請求項9】 複数の隔壁を有するプラズマセル基板と
中間基板とによって複数のプラズマチャネルが規定さ
れ、前記中間基板と液晶セル基板との間に液晶層が挟持
されたプラズマアドレス液晶表示装置であって、前記中
間基板が請求項1から6のいずれか1項に記載の無アル
カリガラス基板であるプラズマアドレス液晶表示装置。
9. A plasma addressed liquid crystal display device in which a plurality of plasma channels are defined by a plasma cell substrate having a plurality of partition walls and an intermediate substrate, and a liquid crystal layer is sandwiched between the intermediate substrate and the liquid crystal cell substrate. A plasma addressed liquid crystal display device in which the intermediate substrate is the alkali-free glass substrate according to any one of claims 1 to 6.
【請求項10】 複数の隔壁を有するプラズマセル基板
と中間基板とによって複数のプラズマチャネルが規定さ
れ、前記中間基板と液晶セル基板との間に液晶層が挟持
されたプラズマアドレス液晶表示装置であって、前記中
間基板が請求項2または3のいずれか1項に記載の無ア
ルカリガラス基板であり、前記無アルカリガラス基板の
化学的に研磨された面が前記プラズマセル基板に対向す
る、プラズマアドレス液晶表示装置。
10. A plasma addressed liquid crystal display device in which a plurality of plasma channels are defined by a plasma cell substrate having a plurality of partition walls and an intermediate substrate, and a liquid crystal layer is sandwiched between the intermediate substrate and the liquid crystal cell substrate. The intermediate substrate is the alkali-free glass substrate according to claim 2 or 3, and the chemically-polished surface of the alkali-free glass substrate faces the plasma cell substrate. Liquid crystal display device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014531387A (en) * 2011-09-15 2014-11-27 アップル インコーポレイテッド Thin glass manufacturing method using support substrate

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