JP2002319649A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JP2002319649A
JP2002319649A JP2002094690A JP2002094690A JP2002319649A JP 2002319649 A JP2002319649 A JP 2002319649A JP 2002094690 A JP2002094690 A JP 2002094690A JP 2002094690 A JP2002094690 A JP 2002094690A JP 2002319649 A JP2002319649 A JP 2002319649A
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hole
resin substrate
resin
substrate
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Susumu Shibata
進 柴田
Tadashi Inuzuka
忠志 犬塚
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device, capable of being miniaturized and lowering a price by mounting an LSI on a single layer wiring board, and to provide manufacturing a package. SOLUTION: The semiconductor device is provided with a resin substrate 200, provided with a first surface and a second surface on the opposite side of the first surface and provided with a through-hole passing through the first surface and the second surface, metal wirings 204 and 208 formed on the first surface of the resin substrate 200 so as to cover the through-hole at a part; an insulation sheet 231 provided on an area corresponding to the through-hole of the metal wiring 204 and 208; a semiconductor chip 240 loaded on the area corresponding to the through-hole of the insulation sheet 231 and provided with a plurality of electrodes electrically connected to the part exposed from the insulation sheet 231 of the metal wirings 204 and 208; and solder balls 234 and 238 formed on the second surface side of the resin substrate 200 and connected to the metal wiring 204 and 208 exposed inside the through-hole.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSIのパッケー
ジに係り、特に、LSIチップと略同じ大きさの半導体
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LSI package, and more particularly, to a semiconductor device having substantially the same size as an LSI chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のパッケージは、μ−BG
A、チップサイズパッケージ、CSP等種々の名前で呼
ばれ、また色々なタイプのチップサイズパッケージが開
発されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, this type of package has a μ-BG
A, chip size package, CSP, etc. are called by various names, and various types of chip size packages have been developed.

【0003】このような、第2のチップサイズパッケー
ジについては、例えば、実践講座「VLSIパッケージ
ング技術(下)」、日経BP社発行、1993年5月3
1日 174頁に記載されるものがあった。
Such a second chip size package is described in, for example, a practical lecture “VLSI Packaging Technology (Lower)”, published by Nikkei BP, May 3, 1993.
There were those described on page 174 a day.

【0004】図11はかかる従来のチップサイズパッケ
ージがセラミック基板に実装された全体断面図、図12
は図11のA部拡大断面図である。
FIG. 11 is an overall sectional view showing such a conventional chip size package mounted on a ceramic substrate.
FIG. 12 is an enlarged sectional view of a portion A in FIG. 11.

【0005】これらの図に示すように、LSIチップ1
のアルミニューム電極2にAuのスタッドバンプ3が形
成され、これが2層配線のセラミック基板5にフリップ
チップボンディングされている。
As shown in these figures, an LSI chip 1
A stud bump 3 made of Au is formed on the aluminum electrode 2 of this embodiment, and this is flip-chip bonded to a ceramic substrate 5 having a two-layer wiring.

【0006】セラミック基板5の上配線層7と下配線層
8はビアホール6でつながっている。このセラミック基
板5とこのスタッドバンプ3とは、AgPdペースト4
で電気的につながり、このAgPdペースト4はこのセ
ラミック基板5のビアホール6と電気的に接続されてい
る。そのLSIチップ1とこのセラミック基板5とは両
者間に注入された封止樹脂9で固定されている。このセ
ラミック基板5の裏面にはランド8Aが形成され、ビア
ホール6と電気的に接続され、さらにこのランド8Aは
外部配線に接続される。
The upper wiring layer 7 and the lower wiring layer 8 of the ceramic substrate 5 are connected by a via hole 6. The ceramic substrate 5 and the stud bumps 3 are made of an AgPd paste 4
The AgPd paste 4 is electrically connected to the via hole 6 of the ceramic substrate 5. The LSI chip 1 and the ceramic substrate 5 are fixed by a sealing resin 9 injected between them. A land 8A is formed on the back surface of the ceramic substrate 5 and is electrically connected to the via hole 6, and the land 8A is connected to an external wiring.

【0007】また、2層のプリント基板にLSIをワイ
ヤボンド後、LSI搭載側をモールドし、パッケージ裏
面にエリヤ状に半田バンプを形成する(実装は、この半
田バンプにより、基板に直接ハンダ付けする)。
Further, after wire bonding the LSI to the two-layer printed circuit board, the side on which the LSI is mounted is molded, and an area-shaped solder bump is formed on the back surface of the package. ).

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の構造ではLSIを配線基板に実装するのに、2
多層のセラミック基板を用いるので高価格となる。ま
た、セラミックの膨張係数等の影響を除去するには、セ
ラミックの厚さを0.4mm以下にする必要があり、安
定に操作するにはセラミックとしては薄すぎる。
However, in the above-described conventional structure, the mounting of the LSI on the wiring board requires two steps.
The use of a multilayer ceramic substrate results in a high price. Further, in order to eliminate the influence of the expansion coefficient of the ceramic and the like, the thickness of the ceramic needs to be 0.4 mm or less, which is too thin for a stable operation.

【0009】また、以下のような問題点を有している。There are also the following problems.

【0010】(1)プリント基板(上記文献ではエポキ
シ樹脂)とモールド樹脂間の密着性が悪く、両者の接合
面からしばしば剥離が生ずる。
(1) The adhesion between the printed circuit board (epoxy resin in the above document) and the mold resin is poor, and peeling often occurs from the joint surface between the two.

【0011】(2)プリント基板とモールド材の熱膨張
係数の違いから、リフロー時、パッケージに反りが生
じ、信頼性のある搭載が不可能となる。
(2) Due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the printed circuit board and the mold material, the package is warped during reflow, making reliable mounting impossible.

【0012】(3)2層のプリント基板を配線基板に実
装することになるので、価格が割高となる。
(3) Since the two-layer printed circuit board is mounted on the wiring board, the price is relatively high.

【0013】(4)モールド用の金型が必要であり、し
かも、モールド材に離型剤の添加が必要である(モール
ド樹脂と基板、配線金属等の密着が悪くなる)。
(4) A mold is required for the mold, and a mold release agent must be added to the mold material (the adhesion between the mold resin and the substrate, wiring metal, etc. becomes poor).

【0014】(5)放熱が良くない。(5) Heat radiation is not good.

【0015】(6)プリント基板(文献ではエポキシ樹
脂)を用いるので、プリント基板の耐熱性を超える用途
には用いられない。
(6) Since a printed circuit board (epoxy resin in the literature) is used, it cannot be used for applications exceeding the heat resistance of the printed circuit board.

【0016】など、多数の問題点があり、ファインピッ
チQFPの未達分野をフォローする技術と称せられなが
ら、その一般的な実用化が今なお危ぶまれている。
[0016] There are a number of problems such as this, and although it is called a technology that follows the field of fine pitch QFP that has not been achieved, its general practical application is still in danger.

【0017】本発明は、上記問題点を除去し、単層配線
板を用い、構造が簡素化され、価格を低く抑えることが
できる半導体装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device which eliminates the above problems, uses a single-layer wiring board, has a simplified structure, and can be kept at a low price.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕半導体装置において、第1の表面と前記第1の表
面と反対側の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前
記第2の表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板
と、一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前記
第1の表面上に形成された金属配線と、前記金属配線の
前記貫通孔に対応する領域上に設けられた絶縁シート
と、前記絶縁シートの前記貫通孔に対応する領域上に搭
載され、前記金属配線の前記絶縁シートから露出する部
分に電気的に接続された複数の電極を有する半導体チッ
プと、前記樹脂基板の前記第2の表面側に形成され、前
記貫通孔内に露出する前記金属配線に接続された半田ボ
ールと、を含むことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a semiconductor device having a first surface and a second surface opposite to the first surface. A resin substrate provided with a through-hole penetrating the first surface and the second surface; and a resin substrate formed on the first surface of the resin substrate so as to partially cover the through-hole. A metal wiring, an insulating sheet provided on a region of the metal wiring corresponding to the through hole, and mounted on a region of the insulating sheet corresponding to the through hole, and exposed from the insulating sheet of the metal wiring A semiconductor chip having a plurality of electrodes electrically connected to portions thereof, and a solder ball formed on the second surface side of the resin substrate and connected to the metal wiring exposed in the through hole. It is characterized by including.

【0019】〔2〕上記〔1〕記載の半導体装置におい
て、前記樹脂基板は単層基板であることを特徴とする。
[2] The semiconductor device according to [1], wherein the resin substrate is a single-layer substrate.

【0020】〔3〕上記〔1〕又は〔2〕記載の半導体
装置において、前記樹脂基板はガラスエポキシ基板であ
ることを特徴とする。
[3] The semiconductor device according to [1] or [2], wherein the resin substrate is a glass epoxy substrate.

【0021】〔4〕上記〔1〕又は〔2〕記載の半導体
装置において、前記樹脂基板はポリイミドフィルムであ
ることを特徴とする。
[4] The semiconductor device according to the above [1] or [2], wherein the resin substrate is a polyimide film.

【0022】〔5〕上記〔1〕から〔4〕のいずれか1
項に記載の半導体装置において、前記半導体チップの前
記電極は、ワイヤを介して前記金属配線に接続されるこ
とを特徴とする。
[5] Any one of the above [1] to [4]
Item 13. The semiconductor device according to Item 1, wherein the electrode of the semiconductor chip is connected to the metal wiring via a wire.

【0023】〔6〕半導体装置において、第1の表面と
前記第1の表面と反対側の第2の表面とを有し、前記第
1の表面と前記第2の表面とを貫通する貫通孔が設けら
れた樹脂基板と、一部が前記貫通孔を覆うように前記樹
脂基板の前記第1の表面上に形成された金属配線と、前
記金属配線に接続された複数のバンプ電極を備えるとと
もに前記樹脂基板の前記貫通孔に対応する前記第1の表
面上に搭載された半導体チップと、前記バンプ電極と接
続される領域を除く前記金属配線を覆う絶縁シートと、
前記樹脂基板の前記第2の表面側に形成され、前記貫通
孔内に露出する前記金属配線に接続された半田ボール
と、を含むことを特徴とする。
[6] In the semiconductor device, a through hole having a first surface and a second surface opposite to the first surface, penetrating the first surface and the second surface. And a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate so as to partially cover the through-hole, and a plurality of bump electrodes connected to the metal wiring. A semiconductor chip mounted on the first surface corresponding to the through hole of the resin substrate, and an insulating sheet covering the metal wiring excluding a region connected to the bump electrode;
A solder ball formed on the second surface side of the resin substrate and connected to the metal wiring exposed in the through hole.

【0024】〔7〕上記〔6〕記載の半導体装置におい
て、前記金属配線の前記貫通孔に対応する部分は前記樹
脂基板における前記半導体チップの搭載された領域内に
位置することを特徴とする。
[7] In the semiconductor device according to the above [6], a portion of the metal wiring corresponding to the through hole is located in a region of the resin substrate where the semiconductor chip is mounted.

【0025】〔8〕上記〔6〕記載の半導体装置におい
て、前記金属配線の前記バンプ電極と接続される部分
は、前記樹脂基板の周辺近傍に配置されることを特徴と
する。
[8] In the semiconductor device according to the above [6], a portion of the metal wiring connected to the bump electrode is arranged near a periphery of the resin substrate.

【0026】[0026]

〔9〕上記〔6〕記載の半導体装置におい
て、前記樹脂基板は前記半導体チップと略同形状である
ことを特徴とする。
[9] The semiconductor device according to [6], wherein the resin substrate has substantially the same shape as the semiconductor chip.

【0027】〔10〕半導体装置において、第1の表面
と、前記第1の表面と反対側の第2の表面と、前記第1
の表面から前記第2の表面を貫通する貫通孔とを有する
樹脂基板と、第1の端と前記第1の端よりも内側に配置
される第2の端とを有し、前記第2の端が前記貫通孔を
覆うように前記樹脂基板の前記第1の表面側に形成され
た金属配線と、前記金属配線の前記第1の端が露出する
ように前記金属配線を覆う絶縁樹脂と、前記樹脂基板の
前記第1の表面側に搭載され、前記金属配線の前記第1
の端に電気的に接続された半導体チップと、前記貫通孔
内に設けられ、前記貫通孔から露出している前記金属配
線の前記第2の端に接続された半田ボールと、を含むこ
とを特徴とする半導体装置。
[10] In the semiconductor device, the first surface, the second surface opposite to the first surface, and the first surface.
A resin substrate having a through-hole penetrating from the surface of the second surface to the second surface, a first end and a second end disposed inside the first end, A metal wiring formed on the first surface side of the resin substrate such that an end covers the through hole, an insulating resin that covers the metal wiring such that the first end of the metal wiring is exposed, The first surface of the metal wiring is mounted on the first surface side of the resin substrate.
And a solder ball provided in the through-hole and connected to the second end of the metal wiring exposed from the through-hole. Characteristic semiconductor device.

【0028】〔11〕上記〔10〕記載の半導体装置に
おいて、前記金属配線の前記第2の端は前記絶縁樹脂で
覆われていることを特徴とする。
[11] The semiconductor device according to the above [10], wherein the second end of the metal wiring is covered with the insulating resin.

【0029】〔12〕半導体装置において、第1の表面
と前記第1の表面と反対側の第2の表面とを有し、前記
第1の表面と前記第2の表面とを貫通する貫通孔が設け
られた樹脂基板と、前記樹脂基板の前記第1の表面上に
形成され、一部が前記貫通孔を介して前記第2の表面側
に突出する金属配線と、前記第1の表面上の前記金属配
線に接続された複数のバンプ電極を備えるとともに前記
樹脂基板の前記第1の表面側に搭載された半導体チップ
と、を含むことを特徴とする。
[12] In a semiconductor device, a through hole having a first surface and a second surface opposite to the first surface, penetrating the first surface and the second surface. And a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate and partially projecting toward the second surface through the through hole; and A plurality of bump electrodes connected to the metal wiring, and a semiconductor chip mounted on the first surface side of the resin substrate.

【0030】〔13〕上記〔12〕記載の半導体装置に
おいて、前記金属配線の前記貫通孔に対応する部分は前
記樹脂基板における前記半導体チップの搭載された領域
内に位置することを特徴とする。
[13] In the semiconductor device according to the above [12], a portion of the metal wiring corresponding to the through hole is located in a region of the resin substrate where the semiconductor chip is mounted.

【0031】〔14〕上記〔13〕記載の半導体装置に
おいて、前記金属配線の前記バンプ電極と接続される部
分は、前記樹脂基板の周辺近傍に配置されることを特徴
とする。
[14] In the semiconductor device according to the above [13], a portion of the metal wiring connected to the bump electrode is arranged near a periphery of the resin substrate.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0033】図1は本発明の第1実施例を示すLSIを
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図2は図1の
A−A′断面図、図3はその樹脂基板を有する小型パッ
ケージの断面図である。
FIG. 1 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA 'of FIG. 1, and FIG. It is sectional drawing of the small package which has.

【0034】ここで、LSIを実装するために、例え
ば、単層の樹脂基板を用いる。必ずしも樹脂に限定する
ものではないが、樹脂基板が現在のところ低価格であり
望ましい。
Here, in order to mount the LSI, for example, a single-layer resin substrate is used. Although not necessarily limited to resin, resin substrates are currently inexpensive and desirable.

【0035】図1において、100は配線層を支える樹
脂基板であり、ポリイミドフィルム、ガラスエポキシ基
板が用いられる。ポリイミドフィルムの場合、50μm
前後の厚さが一般的である。ガラスエポキシ基板の場合
は、通常のプリント基板を用いることができる。
In FIG. 1, reference numeral 100 denotes a resin substrate for supporting a wiring layer, and a polyimide film or a glass epoxy substrate is used. 50 μm for polyimide film
The thickness before and after is common. In the case of a glass epoxy board, an ordinary printed board can be used.

【0036】101,102,103,…,108は、
LSIの各電極とワイヤボンディングにより電気的に接
続される銅配線板であり(必ずしも銅である必要はな
い)、略35μm位の厚さがよく用いられる。101は
ランド111につながり、102はランド112につな
がり、103はランド113につながる。他も同様であ
る。
.., 108 are:
A copper wiring board electrically connected to each electrode of the LSI by wire bonding (not necessarily copper), and a thickness of about 35 μm is often used. 101 is connected to a land 111, 102 is connected to a land 112, and 103 is connected to a land 113. Others are the same.

【0037】ランド111内に点線で示された121
は、樹脂基板100の樹脂部に形成された穴である(従
って、銅のランド111は樹脂基板100の裏面に露出
している)。
The dashed line 121 in the land 111
Are holes formed in the resin portion of the resin substrate 100 (therefore, the copper lands 111 are exposed on the back surface of the resin substrate 100).

【0038】穴122,穴123,…,128も同様で
あり、樹脂基板100の裏面に露出している。130は
リードフレームにおけるダイパッドに相当する。このよ
うに、樹脂基板100に銅配線板101,102,10
3,…,108、ランド111,112,113,…,
118、ダイパッド130、そして、ダイパッド130
には開口131等が形成されている。
Similarly, the holes 122, 123,..., 128 are exposed on the back surface of the resin substrate 100. 130 corresponds to a die pad in the lead frame. Thus, the copper wiring boards 101, 102, 10
3, ..., 108, lands 111,112,113, ...,
118, die pad 130, and die pad 130
Are formed with openings 131 and the like.

【0039】本実施例に用いる樹脂基板をよりよく理解
するため、図2に示すように、ダイパッド(金属板、例
えば銅板)130の直下も樹脂が削除され開口131が
形成されている。この穴131の形成は、本発明におい
ては必ずしも必要ではない。
In order to better understand the resin substrate used in this embodiment, as shown in FIG. 2, the resin is also removed immediately below a die pad (metal plate, for example, a copper plate) 130 to form an opening 131. The formation of the hole 131 is not always necessary in the present invention.

【0040】この様にして準備された樹脂基板100の
ダイパッド130に、図3に示すように、LSI140
をダイスボンディングし、さらにLSI140の各電極
から銅配線板101,102,103,…,108にワ
イヤボンディングを行う。次に、LSI140,ワイヤ
141,142等を保護するためモールド樹脂143で
モールドを行う。
As shown in FIG. 3, an LSI 140 is mounted on the die pad 130 of the resin substrate 100 thus prepared.
, And wire bonding from the electrodes of the LSI 140 to the copper wiring boards 101, 102, 103,... Next, molding is performed with a molding resin 143 to protect the LSI 140, the wires 141, 142 and the like.

【0041】最後に、極通常の手法により半田ボール1
52,153を穴121,122,123,124,
…,128の露出面に設置して一個のパッケージとす
る。このLSIが放熱を特に必要とする場合は、ダイパ
ッド130の裏面にも半田等のダイバッド(金属)15
1を設置し、配線基板に熱的に接続させ放熱効果をあげ
ることができる。
Finally, the solder ball 1 is formed by a very ordinary method.
52, 153 with holes 121, 122, 123, 124,
, 128 to form a single package. If the LSI particularly requires heat radiation, a die pad (metal) 15 such as solder is also provided on the back surface of the die pad 130.
1 can be installed and thermally connected to the wiring board to improve the heat radiation effect.

【0042】図3において、モールド樹脂143を用い
てモールドするが、その場合、全面にモールドする場合
もある。いわゆる、ポッティング剤をポッティングする
のみでもよい。141はLSI140の電極から銅配線
板104にボンディングされたワイヤであり、142は
LSI140の電極から銅配線板108にボンディング
されたワイヤである。
In FIG. 3, the molding is performed using the molding resin 143. In this case, the entire surface may be molded. A so-called potting agent may be simply potted. 141 is a wire bonded from the electrode of the LSI 140 to the copper wiring board 104, and 142 is a wire bonded from the electrode of the LSI 140 to the copper wiring board 108.

【0043】そして、半田ボール152はランド114
に、半田ボール153はランド118に接続されてい
る。
The solder balls 152 are connected to the lands 114.
The solder balls 153 are connected to the lands 118.

【0044】図4は本発明の第2実施例を示すLSIを
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図5はその樹
脂基板にLSIを実装した小型パッケージの断面(図4
のB−B′線に対応する断面)図である。以下、第1実
施例と同じ部分の説明は省略する。
FIG. 4 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a sectional view of a small package (FIG. 4) in which the LSI is mounted on the resin substrate.
(Sectional view corresponding to line BB 'of FIG. 3). Hereinafter, description of the same parts as in the first embodiment will be omitted.

【0045】上記第1実施例では配線基板に接続するた
めの半田ボール152,153は、LSI140の周囲
に存在した。しかし、よりパッケージの寸法を小さくす
るため第2実施例では、その半田ボールのほとんどをL
SIの直下に設置する。
In the first embodiment, the solder balls 152 and 153 for connecting to the wiring board exist around the LSI 140. However, in order to further reduce the size of the package, in the second embodiment, most of the solder balls are L
Install immediately below SI.

【0046】これらの図に示すように、銅配線板201
の先端にあるランド211,214,218はLSI2
40の直下に存在する。221,224,228はラン
ド211における樹脂にあけられた穴である(第1実施
例と同様である)。銅配線板202は本実施例では、L
SI240の直下にはない。銅配線板204に連なるラ
ンド214は直下に存在する。以下同様である。図4の
一点破線231は銅配線板201,203,204,2
05,207,208の上に塗布された絶縁シートであ
る。
As shown in these figures, copper wiring board 201
Lands 211, 214, and 218 at the tip of
It exists directly below 40. Reference numerals 221, 224, and 228 denote holes formed in the resin on the lands 211 (the same as in the first embodiment). In this embodiment, the copper wiring board 202 is L
It is not directly below SI240. The land 214 connected to the copper wiring board 204 exists immediately below. The same applies hereinafter. 4 indicate the copper wiring boards 201, 203, 204, and 2.
05, 207 and 208 are insulating sheets applied.

【0047】この基板の絶縁シート231にLSI24
0のダイスボンドを行い、次にワイヤボンド、モールド
樹脂243を被着した後、樹脂基板200の樹脂側(本
発明では裏面と記載)から穴228,224に半田ボー
ル238,234を配置する。なお、図5において、2
41、242はワイヤである。
The LSI 24 is provided on the insulating sheet 231 of this substrate.
After the die bonding of No. 0 is performed, and then the wire bonding and the molding resin 243 are applied, the solder balls 238 and 234 are arranged in the holes 228 and 224 from the resin side (the back surface in the present invention) of the resin substrate 200. In FIG. 5, 2
41 and 242 are wires.

【0048】図6は本発明の第3実施例を示すLSIを
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図7はその樹
脂基板にLSIを実装した小型パッケージの断面(図6
のC−C′線断面)図である。
FIG. 6 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of a small package having the LSI mounted on the resin substrate (FIG. 6).
(C-C 'line section) of FIG.

【0049】この実施例では搭載するLSIにバンプを
形成し、フリップチップ方式により基板にひとまず実装
し、チップサイズパッケージとし、次に、そのチップサ
イズパッケージを回路基板に実装する形態をとる。
In this embodiment, bumps are formed on an LSI to be mounted, mounted temporarily on a substrate by a flip chip method to form a chip size package, and then mounted on the circuit board.

【0050】図6において、既に述べた様に300は樹
脂基板であり、例えば、絶縁層に金属板を張り付け、こ
の金属板を所望の形状にエッチング等により加工形成し
たものである。点線で囲った部分にLSI350が搭載
される。301,302,303,304,…308は
加工形成された銅等による金属配線板で、この部分にL
SI350の各電極からワイヤがボンドされる。
In FIG. 6, as described above, reference numeral 300 denotes a resin substrate, which is formed, for example, by attaching a metal plate to an insulating layer and processing the metal plate into a desired shape by etching or the like. The LSI 350 is mounted on a portion surrounded by a dotted line. 308 are metal wiring boards made of processed copper or the like, and L
A wire is bonded from each electrode of SI350.

【0051】311,312,313,314,…31
8は、それぞれ金属配線板301,302,303,3
04,…308と電気的に連なったランドであり、点線
350の内側に設置されている。321,322,32
3,324,…328は各ランド311,312,31
3,314,…318の部分に絶縁層のみに形成された
穴でありLSIの搭載されない側には銅板が露出してい
る。
311, 312, 313, 314,... 31
8 is a metal wiring board 301, 302, 303, 3 respectively
The lands are electrically connected to the lands 04,... 308, and are installed inside the dotted line 350. 321,322,32
3,324, ... 328 are lands 311,312,31
318 are holes formed only in the insulating layer, and the copper plate is exposed on the side where the LSI is not mounted.

【0052】一点破線341はこの基板に接着された絶
縁シートであり、ランド311,312,313,31
4,…318の内側に存在する様に設置される。
A dashed line 341 is an insulating sheet adhered to the substrate, and the lands 311, 312, 313, 31
4, ... 318 are installed inside.

【0053】このような基板にLSI350をフリップ
チップ実装した状態が図7に示されており、図6のC−
C′線に沿う断面図である。図において、344、34
8はLSI350に形成された半田ボールであり、穴3
24,328の部分に半田ボール334,338が設置
されている。必要に応じて樹脂モールドする。
FIG. 7 shows a state in which the LSI 350 is flip-chip mounted on such a substrate.
It is sectional drawing which follows the C 'line. In the figure, 344, 34
Reference numeral 8 denotes a solder ball formed on the LSI 350;
Solder balls 334 and 338 are provided at portions 24 and 328, respectively. Resin mold if necessary.

【0054】次に、本発明の第4実施例について説明す
る。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.

【0055】この第4実施例では本発明のチップサイズ
パッケージと外部回路との電気接続に半田ボール等は使
用せずパッケージの配線板の一部を加工して接続端子と
する手法について説明する。
In the fourth embodiment, a method of processing a part of a wiring board of a package to form connection terminals without using solder balls or the like for electrical connection between a chip size package and an external circuit will be described.

【0056】図8は本発明の第4実施例を示すLSIを
実装するための単層の樹脂基板の平面図、図9は図8の
D−D′断面図、図10はその樹脂基板を有する小型パ
ッケージの断面図である。
FIG. 8 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 9 is a sectional view taken along the line DD 'of FIG. 8, and FIG. It is sectional drawing of the small package which has.

【0057】これらの図に示すように、400は配線板
を支える絶縁基板、配線板401,402,403,…
408等にLSIが接続される。421,422,42
3,424,…428は絶縁板に形成された穴である。
411は配線板401に連なり外部回路と接続する端子
である。414は配線板404に連なり外部基板と接続
する端子である。同様に、418は配線板408に連な
り外部回路に接続する端子である。
As shown in these figures, reference numeral 400 denotes an insulating substrate for supporting a wiring board, and wiring boards 401, 402, 403,.
An LSI is connected to 408 or the like. 421, 422, 42
.. 428 are holes formed in the insulating plate.
411 is a terminal connected to the wiring board 401 and connected to an external circuit. 414 is a terminal connected to the wiring board 404 and connected to an external substrate. Similarly, 418 is a terminal connected to the wiring board 408 and connected to an external circuit.

【0058】端子411は穴421の場所で宙に浮いて
いる。端子414は穴424の場所で宙に浮いている。
端子418は穴428で宙に浮いている。他も同様であ
る。この様な構造は通常の技術で容易に作製できる。例
えば、穴を予め形成した絶縁基板に金属板を張り付け、
これを表面からエッチングすればよい。
The terminal 411 is floating in the air at the hole 421. The terminal 414 is suspended at the hole 424.
Terminals 418 are suspended in holes 428. Others are the same. Such a structure can be easily manufactured by ordinary techniques. For example, a metal plate is stuck on an insulating substrate with holes formed in advance,
This may be etched from the surface.

【0059】次に、宙に浮いたこれら端子を加工する。
この加工も通常の手段で容易に実現できる。端子41
4,418は外部回路と接続し易いように変形してい
る。
Next, these terminals floating in the air are processed.
This processing can also be easily realized by ordinary means. Terminal 41
4,418 are deformed so as to be easily connected to an external circuit.

【0060】LSIを接続した状態が図10に示されて
いるが、要部を明確にするために、絶縁シートやモール
ド樹脂は図示されておらず、省略されている。
FIG. 10 shows a state in which the LSIs are connected, but the insulating sheet and the mold resin are not shown and are omitted to clarify the main parts.

【0061】また、454,458はLSI450に形
成されたバンプであり、配線板404,408に接続さ
れている。
Reference numerals 454 and 458 denote bumps formed on the LSI 450, which are connected to the wiring boards 404 and 408.

【0062】さらに、以下のような利用形態をとること
ができる。
Further, the following utilization forms can be adopted.

【0063】(1)上記実施例では説明を容易にするた
め(樹脂)基板にLSIを一個搭載した例を説明した
が、複数個搭載することも可能であり、また同時にチッ
プ部品等を搭載することも可能である。
(1) In the above embodiment, an example in which one LSI is mounted on a (resin) substrate has been described for ease of description. However, a plurality of LSIs can be mounted, and chip components and the like can be mounted simultaneously. It is also possible.

【0064】(2)LSI、チップ部品群を複数個基板
に搭載後、それぞれを工程の途中、または最後に切り離
すようにしてもよい。
(2) After mounting a plurality of LSIs and chip components on a substrate, each of them may be cut off during the process or at the end.

【0065】(3)半田ボールを設置する場合は、半田
レジストの記述は行わなかったが、基板の絶縁層部分に
レジスト層の役目を兼ねさせたためであり、改めて半田
レジスト層を塗布するようにしてもよい。
(3) When the solder balls were provided, the solder resist was not described, but this was because the insulating layer portion of the substrate also served as the resist layer, so that the solder resist layer was applied again. You may.

【0066】(4)第2実施例において、絶縁シートを
用いた。この絶縁シートはLSIをダイスボンドすると
きの接着剤で代用することができる。
(4) In the second embodiment, an insulating sheet was used. This insulating sheet can be replaced with an adhesive for die bonding the LSI.

【0067】(5)第3実施例においては、バンプを用
いたが、そのバンプは金、銅等の場合、鉛−錫半田の場
合等がある。また、絶縁シートはバンプが接続時溶融し
て流出するのを防ぐ半田ダムの役割を持たせるもので、
金、銅等を用いた場合は特に必要としなかった。
(5) Although bumps are used in the third embodiment, the bumps may be made of gold, copper, or the like, or may be made of lead-tin solder. In addition, the insulation sheet has the role of a solder dam that prevents the bumps from melting and flowing out during connection,
When gold, copper, or the like was used, it was not particularly required.

【0068】(6)第4実施例においては、LSIがフ
リップチップ実装されているが、この実装方法に限った
ものではなく、ワイヤボンド実装等他の実装方法によっ
てもよい。また、外部回路との接続場所が常にLSI直
下にある必要はない。
(6) In the fourth embodiment, the LSI is flip-chip mounted. However, the present invention is not limited to this mounting method, and another mounting method such as wire bonding may be used. Further, the connection place with the external circuit does not always need to be directly below the LSI.

【0069】更に、単層配線基板の配線の先端部分を加
工して接続端子とする説明を行ったが、必ずしも先端で
有る必要はなく、途中部分を開口(スルーホール)上に
浮かし、これを加工するようにしてもよい。
Further, the description has been given of the case where the tip of the wiring of the single-layer wiring board is processed to be a connection terminal. However, it is not always necessary to have the tip, and the middle part is floated on an opening (through hole). It may be processed.

【0070】次に、本発明の第5実施例について説明す
る。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.

【0071】図13〜図18は本発明の第5実施例を示
す構成図であり、図13は本発明の第5実施例を示すL
SIの実装基板を示す斜視図、図14は図13のE−
E′線断面図、図15はそのLSIの実装基板の平面
図、図16は本発明の第5実施例を示す小型パッケージ
の製造工程断面図である。
FIGS. 13 to 18 are configuration diagrams showing a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a block diagram showing a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a perspective view showing an SI mounting substrate, and FIG.
FIG. 15 is a plan view of the LSI mounting substrate, and FIG. 16 is a sectional view of a small package manufacturing process showing a fifth embodiment of the present invention.

【0072】図13において、500は金属基板、例え
ばコバール板または銅板であり、30〜100μm厚で
ある。この金属基板500にLSI511,512,5
13,514,515,516,…を規則正しくダイス
ボンドする。例えば、LSI511とLSI512との
間隔L1 、LSI511とLSI514との間隔L2
既知である。お互いの角度も既知である。501,50
2…はボンディングを行う場合の基準孔である。基準孔
501,502…と各LSIとの位置関係は既知であ
る。
In FIG. 13, reference numeral 500 denotes a metal substrate, for example, a Kovar plate or a copper plate, which has a thickness of 30 to 100 μm. LSIs 511, 512, 5
13, 514, 515, 516,... Are regularly die-bonded. For example, the interval L 1 between the LSI 511 and the LSI 512 and the interval L 2 between the LSI 511 and the LSI 514 are known. The angles of each other are also known. 501,50
.. Are reference holes for bonding. The positional relationship between the reference holes 501, 502,... And each LSI is known.

【0073】また、521,522,523,…,53
1,536は、LSI511の各々のパッド(電極)か
ら金属基板500に張られたワイヤである。これらは通
常のワイヤボンドによるものである。同様に、541,
542,543,…,556はLSI512の各パッド
と金属基板500をつなぐワイヤ、561,…563,
…,571はLSI514から金属基板500にボンド
されたワイヤである。
Also, 521, 522, 523,..., 53
Reference numerals 1536 denote wires extending from the respective pads (electrodes) of the LSI 511 to the metal substrate 500. These are due to ordinary wire bonds. Similarly, 541,
, 556 are wires connecting each pad of the LSI 512 and the metal substrate 500, and 561,.
, 571 are wires bonded from the LSI 514 to the metal substrate 500.

【0074】点線で示された円部610は金属基板50
0における位置を示すもので、円部610にワイヤ52
1が接続される。同様に円部611にワイヤ522が接
続され、円部612にワイヤ523が接続される。円部
631にはワイヤ563が、円部632にはワイヤ57
1が接続されている。各円部はその位置が既知である。
The circle 610 shown by the dotted line is the metal substrate 50.
0 indicates that the wire 52
1 is connected. Similarly, the wire 522 is connected to the circle 611, and the wire 523 is connected to the circle 612. The wire 563 is provided on the circular portion 631, and the wire 57 is provided on the circular portion 632.
1 is connected. Each circle has a known position.

【0075】上記したように、金属基板500にLSI
がダイスボンド、ワイヤボンドされた後、全面に樹脂
(ここでは、エポキシ樹脂)を被着した。図14におい
て、650は樹脂であり、この樹脂650を押圧しつつ
加熱硬化させた。
As described above, the metal substrate 500
After die bonding and wire bonding, a resin (here, epoxy resin) was applied to the entire surface. In FIG. 14, reference numeral 650 denotes a resin, which was heated and cured while pressing the resin.

【0076】この工程では金属基板500をホットプレ
スにセットし、その表面からプレスを行った(この工程
は理解が容易であるので図示していない)。
In this step, the metal substrate 500 was set in a hot press and pressed from its surface (this step is not shown because it is easy to understand).

【0077】なお、今回はモールド金型は用いないの
で、樹脂650と金属基板500、樹脂650とLSI
511,512,513,…との密着を良くするため
の、カップリング剤を十分に活用することができた。ま
た、樹脂650に離型剤は添加しなかった。
Since no mold is used this time, the resin 650 and the metal substrate 500, and the resin 650 and the LSI
The coupling agent for improving the adhesion to 511, 512, 513,... Could be sufficiently utilized. No release agent was added to the resin 650.

【0078】金属の種類、特にその熱膨張係数、厚さ、
寸法により樹脂との間で応力が許容値以上の値で発生
し、好ましくない状態が生ずることがある。予め金属基
板500を切断し、樹脂の収縮を許容する方法も有効で
あった。
The type of metal, especially its coefficient of thermal expansion, thickness,
Depending on the dimensions, stress may occur between the resin and the resin at a value higher than the allowable value, and an undesirable state may occur. A method of cutting the metal substrate 500 in advance and allowing the resin to shrink was also effective.

【0079】ホットプレスと樹脂650との間には、プ
レス時に薄いエポキシ製のシートを挿入し、シートが樹
脂650と接着した状態の時はシートはそのままにし、
剥離作業は行わなかった。
A thin epoxy sheet is inserted between the hot press and the resin 650 at the time of pressing, and the sheet is left as it is when the sheet is bonded to the resin 650.
No stripping operation was performed.

【0080】プレスに際しては金属基板500とプレス
板間にスペーサーを入れ、圧力15kg/cm2 、温度
80℃で加圧時間1時間にわたって硬化した。スペーサ
ーの寸法により樹脂の厚さをコントロールでき、また加
圧硬化させることにより、LSI等の存在による表面の
凹凸も発生していなかった。
At the time of pressing, a spacer was inserted between the metal substrate 500 and the pressing plate, and the mixture was cured at a pressure of 15 kg / cm 2 and a temperature of 80 ° C. for a pressing time of 1 hour. The thickness of the resin could be controlled by the size of the spacer, and the resin was cured by pressure, so that no irregularities on the surface due to the presence of LSI or the like were generated.

【0081】次に、金属基板500を所望の形状にエッ
チングすることを試みた。金属基板500は通常の金属
を用いているので、そのエッチング加工は既存の技術を
用いることができた。例えば、金属基板500の表面に
ドライフィルムを被着し、マスクを用いて現像後、エッ
チング液で不要な部分を除去する。位置合わせは基準孔
501,502…等を用いた。金属基板500が銅の場
合は、塩化鉄、塩化錫等による良好なエッチング液が開
発されている。コバール等他の金属についても同様であ
る。
Next, an attempt was made to etch the metal substrate 500 into a desired shape. Since a normal metal is used for the metal substrate 500, an existing technique can be used for the etching. For example, a dry film is applied to the surface of the metal substrate 500, developed using a mask, and unnecessary portions are removed with an etchant. The positioning was performed using reference holes 501, 502, and so on. When the metal substrate 500 is made of copper, a good etching solution using iron chloride, tin chloride or the like has been developed. The same applies to other metals such as Kovar.

【0082】図15はエッチング終了後の金属基板であ
る。511Aはその裏面に図1のLSI511が搭載さ
れた部分であり、リードフレームのダイパッドに相当
し、図13ではLSI511の周辺に点線でその位置が
示されている。512A,513A,…等についても同
様である。
FIG. 15 shows the metal substrate after the etching is completed. Reference numeral 511A denotes a portion on the back surface on which the LSI 511 of FIG. 1 is mounted, which corresponds to a die pad of a lead frame. In FIG. The same applies to 512A, 513A,...

【0083】また、円部610の裏面にはワイヤ521
(図13参照)がつながっている。円部611の裏面に
はワイヤ522(図13参照)がつながっている。他の
円部についても同様である。
The wire 521 is provided on the back surface of the circular portion 610.
(See FIG. 13) are connected. A wire 522 (see FIG. 13) is connected to the back surface of the circular portion 611. The same applies to other circles.

【0084】図16は金属基板のエッチング後の工程断
面図である。つまり、図13のA−A′線に沿った断面
図である。
FIG. 16 is a process sectional view after the etching of the metal substrate. That is, FIG. 14 is a cross-sectional view along the line AA ′ in FIG.

【0085】まず、図16(a)に示すように、LSI
511,514は樹脂650で封止されている。
First, as shown in FIG.
511 and 514 are sealed with a resin 650.

【0086】次に、図16(b)に示すように、上記し
た全ての円部に半田ボールを接続するために、これら円
部の接続場所以外の部分に半田レジスト701をコーテ
ィングする。
Next, as shown in FIG. 16 (b), in order to connect the solder balls to all the above-mentioned circle portions, a portion other than the connection portions of these circle portions is coated with a solder resist 701.

【0087】次いで、図16(c)に示すように、通常
の半田ボール形成方法により、半田ボール702,70
3を形成した後、最後の工程として図15に示した一点
破線C1,C3,…,C2,C4,C6,C8,…に沿
ってカッティングを行う。
Next, as shown in FIG. 16 (c), the solder balls 702, 70
After forming No. 3, cutting is performed along the dashed lines C1, C3,..., C2, C4, C6, C8,.

【0088】次に、LSIの放熱を良好にするため、図
16(d)に示すように、511A,512A、513
A,…にも半田等を被着し、基板との熱的接触を改良す
ることも可能である。ここでは、熱伝導良好材704を
半田ボールとともに具備した状況を示す。
Next, in order to improve the heat radiation of the LSI, as shown in FIG.
It is also possible to apply solder or the like to A,... To improve the thermal contact with the substrate. Here, a situation in which the material 704 having good heat conductivity is provided together with the solder balls is shown.

【0089】図17は本発明の第6実施例を示すLSI
の実装基板の平面図である。
FIG. 17 shows an LSI showing a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view of the mounting substrate of FIG.

【0090】図17において、1000は支持体であ
り、これに金属片(矩形部)1210,1220,12
30,1240,1250,1260、また、金属片
(円部)1010、1020、…1050,…が設置さ
れている。作り方の一例として、1000は支持体とし
ての接着剤を塗布したカプトンテープであり、これに金
属基板を張り付けた後エッチングにより図に示すような
金属片の配置を得る。
In FIG. 17, reference numeral 1000 denotes a support, on which metal pieces (rectangular portions) 1210, 1220, 1212
30, 1240, 1250, 1260, and metal pieces (circular portions) 1010, 1020,... 1050,. As an example of the manufacturing method, reference numeral 1000 denotes a Kapton tape to which an adhesive as a support is applied, and after attaching a metal substrate to the Kapton tape, an arrangement of metal pieces as shown in FIG.

【0091】次いで、金属片1210にLSIを図15
と同じ様にダイボンドしたLSIのパット(電極)から
金属片1010,1020,…,1050…に各々ワイ
ヤボンドを行う。金属片1220、1230、…につい
ても同様である。
Next, the LSI is placed on the metal piece 1210 as shown in FIG.
Similarly, wire bonding is performed on metal pieces 1010, 1020,..., 1050. The same applies to the metal pieces 1220, 1230,...

【0092】更に、エポキシ樹脂を全面に十分に被着
後、既に第1実施例で述べたように、ホットプレスによ
り押圧、加熱しつつ硬化させる。次に、同じように、第
5実施例で示したように、半田レジストの塗布、半田ボ
ールの設置を行いその後、図17に一点破線で示したC
1,C3,C5,…,C2,C4,C6,C8等の位置
をカッティングする。
Further, after the epoxy resin is sufficiently applied to the entire surface, the resin is cured while being pressed and heated by a hot press as already described in the first embodiment. Next, similarly, as shown in the fifth embodiment, the application of the solder resist and the installation of the solder balls are performed, and then, C shown by the dashed line in FIG.
, C2, C4, C6, C8, etc. are cut.

【0093】図18は本発明の第7実施例を示すLSI
の実装基板の平面図、図19は図18のF−F′線断面
図である。ここでは、図18に即して説明するが、他の
小型パッケージ領域においても同様である。この実施例
では金属片が配線の役目も担うものである。
FIG. 18 shows an LSI showing a seventh embodiment of the present invention.
19 is a cross-sectional view taken along the line FF 'in FIG. Here, the description will be made with reference to FIG. 18, but the same applies to other small package regions. In this embodiment, the metal piece also serves as a wiring.

【0094】この図において、金属片4030にはLS
Iのパッドからのワイヤがボンドされるが金属片403
0の裏面には半田ボールは設置されない。金属片403
0はこれに連なる配線4031を経て金属片4032に
達する。配線4031はLSIの直下を通過する。この
金属片4032の裏面に実装用の半田ボールが形成され
る。
In this figure, the metal piece 4030 has LS
The wire from the pad of I is bonded,
No solder ball is set on the back surface of the “0”. Metal piece 403
0 reaches the metal piece 4032 via the wiring 4031 connected thereto. The wiring 4031 passes directly below the LSI. A solder ball for mounting is formed on the back surface of the metal piece 4032.

【0095】また、金属片4060にもLSIのパッド
からのワイヤがボンドされるが配線4061を通って金
属片4062に達し、この金属片4062の裏面に半田
ボールが形成される。同様に、金属片4110にワイヤ
は接続されるが、金属片4110の裏面に半田ボールは
形成されず、これに連なる配線4111を通って金属片
4112に達し、この金属片4112の裏面に半田ボー
ルが設置される。
Also, a wire from the LSI pad is bonded to the metal piece 4060, but reaches the metal piece 4062 through the wiring 4061, and a solder ball is formed on the back surface of the metal piece 4062. Similarly, a wire is connected to the metal piece 4110, but no solder ball is formed on the back surface of the metal piece 4110, reaches the metal piece 4112 through the wiring 4111 connected thereto, and the solder ball is Is installed.

【0096】ここで、金属片の形状を得る作業はLSI
の実装前であっても、樹脂の硬化後であってもよい。L
SIの固定のためには、配線4111,4031等の幅
を広く設計することも可能であるし、電気的につながっ
ていない金属片を4210′,4220′,…の領域に
相当する場所に設置しても良い(図示なし)。
Here, the work of obtaining the shape of the metal piece is performed by an LSI.
Before mounting or after the resin is cured. L
In order to fix the SI, the width of the wirings 4111, 4031, etc. can be designed to be wide, and a metal piece that is not electrically connected is set in a place corresponding to the area of 4210 ', 4220',. (Not shown).

【0097】図19の断面においては、4100は半田
レジスト、4406,4416はワイヤ、4514はL
SI、4650はモールド樹脂である。
In the cross section of FIG. 19, 4100 is a solder resist, 4406 and 4416 are wires, and 4514 is L
SI, 4650 is a mold resin.

【0098】エポキシ樹脂モールド、半田マスクの塗
布、半田ボールの設置、樹脂のカッティング等は第5実
施例及び第6実施例と全く同じである。全工程終了後に
おける図18のF−F′線に相当する場所の要部断面を
図19に示す。図19において4060、4061は半
田ボールである。
The epoxy resin mold, the application of the solder mask, the installation of the solder balls, the cutting of the resin, and the like are exactly the same as those in the fifth and sixth embodiments. FIG. 19 shows a cross section of a main part at a location corresponding to the line FF 'in FIG. In FIG. 19, reference numerals 4060 and 4061 denote solder balls.

【0099】図20〜図22は本発明の第8実施例を示
す構成図であり、図20はそのLSIの実装基板の斜視
図、図21は図20の裏面図、図22は図20のG−
G′線断面図である。
20 to 22 are configuration diagrams showing an eighth embodiment of the present invention. FIG. 20 is a perspective view of a mounting board of the LSI, FIG. 21 is a rear view of FIG. 20, and FIG. G-
It is G 'line sectional drawing.

【0100】この実施例では、いわゆるマルチチップモ
ジュール方式について説明する。
In this embodiment, a so-called multi-chip module system will be described.

【0101】BGAに搭載するのは、LSI4020と
LSI4030、チップ部品4040であり多層配線4
500を含んでいる。
The LSI 4020, the LSI 4030, and the chip component 4040 are mounted on the BGA.
500.

【0102】この実施例の工程では、LSI4020と
LSI4030、チップ部品4040を金属板4010
の所定の場所にダイスボンドする(金属板4010は第
5実施例におけるものと同様であるので、本実施例では
図示しない)。ダイスボンドは、図20に示すように行
う。ただし、この工程では基板は4010であり、図の
様な配線パターンは、まだ、形成されていない。形成さ
れるとして実装の作業を行う。このダイスボンドの工程
は全く通常の接続技術で行える。
In the steps of this embodiment, the LSI 4020, the LSI 4030, and the chip
(The metal plate 4010 is the same as that in the fifth embodiment, and is not shown in the present embodiment). Die bonding is performed as shown in FIG. However, in this step, the substrate is 4010, and the wiring pattern as shown in the figure has not been formed yet. Perform mounting work as it is formed. The die bonding process can be performed by a completely ordinary connection technique.

【0103】次に、LSI4020とLSI4030の
各パッドから金属板4011に所定の場所にそれぞれワ
イヤボンドする。本ワイヤボンドの要領は第5実施例と
同じである。また、多層配線部4500をボンディング
技術等で形成する。
Next, wire bonding is performed from the pads of the LSI 4020 and the LSI 4030 to the metal plate 4011 at predetermined positions. The procedure of this wire bond is the same as that of the fifth embodiment. Further, the multilayer wiring portion 4500 is formed by a bonding technique or the like.

【0104】LSI、チップ部品及びワイヤの各々のボ
ンディングの順序はこだわらない。
The order of bonding of the LSI, the chip components, and the wires does not matter.

【0105】これらLSI4020とLSI4030、
チップ部品4040、多層配線4500、ボンディング
された多数のワイヤの群を、図20に示すように、規則
正しく金属板4010に形成していく。
These LSI 4020 and LSI 4030,
A chip component 4040, a multilayer wiring 4500, and a group of a large number of bonded wires are regularly formed on a metal plate 4010 as shown in FIG.

【0106】次に、第5実施例のように、全面にエポキ
シ樹脂4650を被着し、ホットプレスで加熱、押圧し
てエポキシ樹脂を硬化させる。さらに、金属板4010
の露出している側から、これも、第5実施例と同じ工程
でエッチング加工する。エッチング加工後を図21に示
す。
Next, as in the fifth embodiment, an epoxy resin 4650 is applied to the entire surface and heated and pressed by a hot press to cure the epoxy resin. Further, the metal plate 4010
Is also etched from the exposed side in the same steps as in the fifth embodiment. FIG. 21 shows the state after the etching process.

【0107】図21において、4071、4072の反
対側の面にはLSI4020、4030が接続されてい
る。4040はチップ部品である。その他基板4010
がエッチング加工されて、金属片4401,4402,
4403,4404,4405,4406,…になる。
In FIG. 21, LSIs 4020 and 4030 are connected to the surface opposite to the surfaces 4071 and 4072. Reference numeral 4040 denotes a chip component. Other substrate 4010
Is etched to form metal pieces 4401, 4402,
4403, 4404, 4405, 4406,...

【0108】このBGAでは、接続用の半田ボールは完
成後のモジュールの両端に設置するとした。この方針に
基づいて、既成の手法で半田用レジストを塗布し、次に
半田ボールを設置した。さらに、図20の一点破線C
1,C3,C5,…,C2,C4,C6,C8…に沿っ
てカッティングを行った。
In this BGA, connection solder balls are provided at both ends of the completed module. Based on this policy, a solder resist was applied by an existing method, and then solder balls were installed. Further, a dashed line C of FIG.
, C3, C5,..., C2, C4, C6, C8.

【0109】図22に示すように、カッティングされた
小型パッケージには、半田ボール4031,4033、
半田レジスト4100が形成されている。
As shown in FIG. 22, solder balls 4031 and 4033,
A solder resist 4100 is formed.

【0110】図23は本発明の第9実施例を示すLSI
の実装基板の平面図、図24は本発明の第9実施例を示
す小型パッケージの断面(図23のH−H′線断面)図
である。
FIG. 23 is an LSI showing a ninth embodiment of the present invention.
FIG. 24 is a cross-sectional view (cross section taken along line HH 'of FIG. 23) of a small package showing a ninth embodiment of the present invention.

【0111】この実施例ではBGAの接続用半田ボール
をLSI直下にも設置するようにしている。
In this embodiment, the BGA connection solder balls are arranged directly below the LSI.

【0112】金属基板(図示なし)に第5実施例と同様
に、複数のLSIをダイスボンドするが、ダイスボンド
前に絶縁シート5210,5220,…,5260をL
SIを設置する場所に接着しておく。(図23は金属片
1010をエッチング加工した後の図であるが、LSI
1021と絶縁シート5210等の関係を、この図から
理解することができる)。
As in the fifth embodiment, a plurality of LSIs are die-bonded to a metal substrate (not shown), but before the dice bonding, the insulating sheets 5210, 5220,.
It is glued to the place where SI is installed. (FIG. 23 is a view after the metal piece 1010 is etched.
The relationship between 1021 and the insulating sheet 5210 can be understood from this figure).

【0113】LSIのダイスボンディング後は、図23
に示す金属片1010,1020,1030,104
0,1050,…の各場所にLSIの各パッドからワイ
ヤボンディングを行う。この工程は第1実施例とほぼ同
じである。さらにエポキシ樹脂の被着(図示せず)、加
熱押圧による樹脂硬化を行う。
After the die bonding of the LSI, FIG.
Metal pieces 1010, 1020, 1030, 104 shown in FIG.
Wire bonding is performed from each pad of the LSI at each location of 0, 1050,... This step is almost the same as in the first embodiment. Further, an epoxy resin is applied (not shown), and the resin is cured by heating and pressing.

【0114】次に、金属板4010を、図23に示すよ
うに、エッチング加工する。この図において、金属片1
020(裏面にワイヤが接続されている)に配線102
1が連なり、更に、LSI1021の直下にある金属片
1022に達している。金属片1022には半田ボール
が後ほど設置される。金属片1122に関しても同様で
ある。
Next, the metal plate 4010 is etched as shown in FIG. In this figure, metal piece 1
020 (the wire is connected to the back surface)
1 and continues to the metal piece 1022 immediately below the LSI 1021. A solder ball is placed on the metal piece 1022 later. The same applies to the metal piece 1122.

【0115】半田ボール設置後、図23の一点破線C
1,C3,C5,…,C2,C4,C6,C8,…に沿
いカッティングを行う。
After the solder balls are set, the dashed line C in FIG.
.., C2, C4, C6, C8,.

【0116】更に、以下のような利用形態をとることが
できる。
Further, the following utilization forms can be adopted.

【0117】第5実施例で金属基板の材質を、銅、また
はコバールとしたが、これらの金属に限ることではなく
銅合金、または全く他の金属を用いることが可能であ
り、表面のメッキについても規定するものではない。
In the fifth embodiment, the material of the metal substrate is made of copper or Kovar. However, the material is not limited to these metals, and a copper alloy or a completely different metal can be used. Nor does it specify.

【0118】金属基板については他の実施例についても
同様である。またその厚さも限定するものではない。
The same applies to the other examples of the metal substrate. Also, the thickness is not limited.

【0119】本発明の実施例においては、LSIの実装
はワイヤボンディングにおいて説明したが、フリップチ
ップ方式等他の方式によっても可能であることは言うま
でもない。
In the embodiments of the present invention, the mounting of the LSI has been described by wire bonding, but it is needless to say that other methods such as a flip chip method can be used.

【0120】また、LSI等をモールドするモールド材
としてエポキシ樹脂として説明した。使用される状況に
より、例えば、耐熱が必要な雰囲気では耐熱性エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられるべきである。
Also, an epoxy resin has been described as a molding material for molding an LSI or the like. Depending on the usage conditions, for example, in an atmosphere requiring heat resistance, a heat-resistant epoxy resin, a polyimide resin, or the like should be used.

【0121】第5実施例においてホットプレスと樹脂間
にプレス時樹脂膜を挿入するとしたが、これは硬化され
る樹脂とプレスとの接着を防ぐものであり、他の実施例
においても同様である。樹脂膜でなく、紙等であっても
よい。不要な場合も多い。
In the fifth embodiment, the resin film is inserted between the hot press and the resin at the time of pressing, but this prevents adhesion between the resin to be cured and the press, and is the same in other embodiments. . Instead of a resin film, paper or the like may be used. Often unnecessary.

【0122】上記実施例では、モジュールは外部との接
続を半田ボールで行うと説明した。しかし、状況によっ
ては半田ボールのかわりにリード線、リード端子を接続
することも可能であり、またいわゆるリードレスパッケ
ージと同様な実装方法も可能である。
In the above embodiment, it has been described that the module is connected to the outside by solder balls. However, depending on the situation, lead wires and lead terminals can be connected instead of solder balls, and a mounting method similar to a so-called leadless package is also possible.

【0123】上記のような構成になっているので、半田
ボールによる接続点を最も効率的な場所に設置すること
が可能となる。
With the above-described configuration, it is possible to set the connection point by the solder ball at the most efficient place.

【0124】従来のリードフレームを用いた手法ではL
SIのパッドとパッケージのピンとが、そのまま対応し
てしまうので設計の自由度が無く、結果としてLSIを
搭載するプリント基板の配線を大きく引き回す必要もし
ばしば生じた。また、BGAでも、その内部で配置を変
えようとするとプリント基板の総数が増え、価格上昇に
つながった。
In the conventional method using a lead frame, L
Since the pads of the SI correspond to the pins of the package as they are, there is no freedom in design, and as a result, it is often necessary to largely route the wiring of the printed circuit board on which the LSI is mounted. Also, in the case of BGA, if the arrangement is changed inside the BGA, the total number of printed boards increases, which leads to an increase in price.

【0125】本発明の構造では簡単に接続点の配置を変
更することができる。
With the structure of the present invention, the arrangement of the connection points can be easily changed.

【0126】更に、プリント基板を用いないMCM(マ
ルチチップモジュール)を得ることが可能である。近年
電子機器の発達に伴い、例えば自動車のエンジンの近傍
に低価格のMCMを設置する要望も多い。従来のFR−
4基板からなるモジュールでは耐熱性等に問題があって
搭載は不可能であった。
Further, it is possible to obtain an MCM (multi-chip module) that does not use a printed circuit board. In recent years, with the development of electronic devices, there are many demands for installing a low-cost MCM near, for example, an engine of an automobile. Conventional FR-
A module consisting of four substrates has a problem in heat resistance and the like, and cannot be mounted.

【0127】更に、本発明によるMCMでは十分対応が
可能である。
Further, the MCM according to the present invention can cope sufficiently.

【0128】また、通常のBGAに比べ、作製するのが
容易である。またプリント基板を用いていないので実装
時反りが生じ難く実装に便利である。
Further, it is easier to manufacture than a normal BGA. Also, since a printed circuit board is not used, warpage does not easily occur during mounting, which is convenient for mounting.

【0129】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible based on the gist of the present invention, and they are not excluded from the scope of the present invention.

【0130】[0130]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0131】(1)LSIにバンプを形成することなく
パッケージを作製することが可能であり、しかも単層配
線板を用いるので価格を低く抑えることができる。
(1) A package can be manufactured without forming bumps on an LSI, and the cost can be reduced because a single-layer wiring board is used.

【0132】また、単層配線板にLSIを実装し、パッ
ケージを作製するようにしたので、小型化を図るととも
に、価格を低く抑えることができる。
Further, since the LSI is mounted on the single-layer wiring board and the package is manufactured, the size can be reduced and the price can be reduced.

【0133】(2)LSIの周辺に端子を形成するよう
にしたので、上記(1)の構成に加え、端子間の間隔を
十分にとり、確実な接続を行うことができる。
(2) Since the terminals are formed around the LSI, in addition to the configuration of the above (1), a sufficient interval between the terminals can be ensured and a reliable connection can be made.

【0134】(3)単層配線板に形成されるバンプをL
SIの面積内に配置するようにしたので、上記(1)の
構成に加え、集積度を高め、小型化を図ることができ
る。
(3) The bumps formed on the single-layer wiring board are
Since it is arranged within the area of the SI, in addition to the configuration of the above (1), the degree of integration can be increased and the size can be reduced.

【0135】(4)略LSIの面積を有する単層配線板
にLSIを実装し、パッケージを作製するようにしたの
で、小型化を図るとともに、価格を低く抑えることがで
きる。
(4) Since the LSI is mounted on a single-layer wiring board having a substantially LSI area to produce a package, the size can be reduced and the price can be reduced.

【0136】(5)前記単層配線基板の開口から金属配
線板の先端または途中部分が突出した電極部を形成する
ようにしたので、集積度を高めるとともに、低価格のチ
ップサイズパッケージを得ることができる。
(5) Since the electrode portion protruding from the opening of the single-layer wiring board at the tip or in the middle of the metal wiring board is formed, it is possible to increase the degree of integration and obtain a low-priced chip size package. Can be.

【0137】また、半田ボールを使用しないので接続部
に傷がつき難い。実装前の素子評価にも便利である。
Further, since no solder ball is used, the connection portion is hardly damaged. It is also convenient for device evaluation before mounting.

【0138】(6)簡単な工程で、多くの小型パッケー
ジを低価格で製造することができる。
(6) Many small packages can be manufactured at low cost by simple steps.

【0139】(7)従来のプリント基板を用いることな
く、小型パッケージ(BGA)を得ることができる。
(7) A small package (BGA) can be obtained without using a conventional printed circuit board.

【0140】(8)プリント基板を用いないので、エポ
キシ樹脂と基板との剥離の心配が無い。いわゆる、モー
ルド用の金型を用いないので、エポキシ樹脂に離型剤を
入れる必要がなく、しかも、金属とエポキシ樹脂との接
着を良くするカップリング剤を十分に用いることができ
る。
(8) Since a printed board is not used, there is no fear of peeling off the epoxy resin from the board. Since a so-called mold is not used, there is no need to add a release agent to the epoxy resin, and a coupling agent that improves the adhesion between the metal and the epoxy resin can be sufficiently used.

【0141】従って、樹脂と金属、樹脂とLSIとの接
続を確かなものにでき、信頼性の高い小型パッケージを
得ることができる。
Therefore, the connection between the resin and the metal and the connection between the resin and the LSI can be ensured, and a small package with high reliability can be obtained.

【0142】LSIのパッドからのワイヤを通った信号
は、直接接続用の半田ボールに至るので、接続距離を短
くでき、電気特性の良好な小型パッケージを得ることが
できる。
Signals passed through wires from the pads of the LSI reach the solder balls for direct connection, so that the connection distance can be shortened and a small package with good electrical characteristics can be obtained.

【0143】工数が少なく、材料も少ないので低価格の
パッケージを得ることができる。
Since the number of processes and the materials are small, a low-cost package can be obtained.

【0144】モールド用の金型が不要なので初期投資が
少ない。
Since no mold is required, initial investment is small.

【0145】更に、樹脂の硬化時、既に金属片が形成さ
れているので、樹脂と金属との熱膨張係数の違いによる
応力の発生は極めて小さい。
Further, when the resin is cured, since a metal piece has already been formed, the generation of stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the resin and the metal is extremely small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例を示すLSIを実装するた
めの単層の樹脂基板の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A′断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1;

【図3】本発明の第1実施例を示す樹脂基板を有する小
型パッケージの断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a small package having a resin substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2実施例を示すLSIを実装するた
めの単層の樹脂基板の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2実施例を示す樹脂基板にLSIを
実装した小型パッケージの断面(図4のB−B′線に対
応する断面)図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view (cross-section corresponding to line BB ′ in FIG. 4) of a small package in which an LSI is mounted on a resin substrate according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3実施例を示すLSIを実装するた
めの単層の樹脂基板の平面図である。
FIG. 6 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3実施例を示す樹脂基板にLSIを
実装した小型パッケージの断面(図6のC−C′線に対
応する断面)図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view (a cross-section corresponding to line CC ′ in FIG. 6) of a small package in which an LSI is mounted on a resin substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4実施例を示すLSIを実装するた
めの単層の樹脂基板の平面図である。
FIG. 8 is a plan view of a single-layer resin substrate for mounting an LSI according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】図8のD−D′断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along the line DD ′ of FIG. 8;

【図10】本発明の第4実施例を示す樹脂基板を有する
小型パッケージの断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of a small package having a resin substrate according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】従来のチップサイズパッケージがセラミック
基板に実装された全体断面図である。
FIG. 11 is an overall sectional view showing a conventional chip size package mounted on a ceramic substrate.

【図12】図11のA部拡大断面図である。FIG. 12 is an enlarged sectional view of a portion A in FIG. 11;

【図13】本発明の第5実施例を示すLSIの実装基板
を示す斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view showing an LSI mounting board according to a fifth embodiment of the present invention.

【図14】図13のE−E′線断面図である。FIG. 14 is a sectional view taken along line EE ′ of FIG. 13;

【図15】本発明の第5実施例を示すLSIの実装基板
の平面図である。
FIG. 15 is a plan view of an LSI mounting board according to a fifth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第5実施例を示す小型パッケージの
製造工程断面図である。
FIG. 16 is a sectional view showing a manufacturing process of a small package according to a fifth embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第6実施例を示すLSIの実装基板
の平面図である。
FIG. 17 is a plan view of an LSI mounting board according to a sixth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第7実施例を示すLSIの実装基板
の平面図である。
FIG. 18 is a plan view of an LSI mounting board according to a seventh embodiment of the present invention.

【図19】図18のF−F′線断面図である。FIG. 19 is a sectional view taken along line FF ′ of FIG. 18;

【図20】本発明の第8実施例を示すLSIの実装基板
の斜視図である。
FIG. 20 is a perspective view of an LSI mounting board according to an eighth embodiment of the present invention.

【図21】図20の裏面図である。FIG. 21 is a rear view of FIG. 20;

【図22】図20のG−G′線断面図である。FIG. 22 is a sectional view taken along line GG ′ of FIG. 20;

【図23】本発明の第9実施例を示すLSIの実装基板
の平面図である。
FIG. 23 is a plan view of an LSI mounting board according to a ninth embodiment of the present invention.

【図24】本発明の第9実施例を示す小型パッケージの
断面(図23のH−H′線に対応する断面)図である。
FIG. 24 is a cross-sectional view (cross-section corresponding to line HH ′ in FIG. 23) of a small package showing a ninth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100,200,300 樹脂基板 101〜108,201〜208 銅配線板 111〜118,211,214,218,311〜3
18 ランド 121〜128,221,224,228,321〜3
28,421〜428穴 130,151,511A,512A,513A,…5
16A ダイパッド131 開口 140,240,350,450,511〜516,1
021,4020,4030,4514 LSI 141,142,241,242,521,522,5
23,…531,536,541,542,543,
…,556,561,…563,…571,4406,
4416 ワイヤ 143,243,4650 モールド樹脂 152,153,234,238,334,338,7
02,703,4031,4033 半田ボール 231,341,5210,5220,…,5260
絶縁シート 301〜308 金属配線板 344,348,454,458 バンプ 400 絶縁基板 401〜408 配線板 411,414,418 端子 500 金属基板 501,502… 基準孔 610,611,612,614,620,621,6
31,632 円部 650,4650 樹脂 701,4100 半田レジスト 704 熱伝導良好材 1000 カプトンテープ(支持体) 1010,1020,1022,1050,1160,
1210,1220,1230,1240,1250,
1260,4030,4032,4060,4062,
4110,4112,4401,4402,…4406
金属片 1031,1061,1111,4031,4061,
4111 配線 4011 金属板 4040 チップ部品 4500 多層配線
100, 200, 300 Resin substrate 101-108, 201-208 Copper wiring board 111-118, 211, 214, 218, 311-3
18 lands 121 to 128, 221, 224, 228, 321 to 3
28,421-428 holes 130,151,511A, 512A, 513A, ... 5
16A die pad 131 opening 140, 240, 350, 450, 511-516, 1
021, 4020, 4030, 4514 LSI 141, 142, 241, 242, 521, 522, 5
23, ... 531,536,541,542,543,
..., 556, 561, ... 563, ... 571, 4406,
4416 Wire 143, 243, 4650 Mold resin 152, 153, 234, 238, 334, 338, 7
02,703,4031,4033 Solder balls 231,341,5210,5220, ..., 5260
Insulating sheet 301-308 Metal wiring board 344, 348, 454, 458 Bump 400 Insulating substrate 401-408 Wiring board 411, 414, 418 Terminal 500 Metal substrate 501, 502 ... Reference hole 610, 611, 612, 614, 620, 621 , 6
31,632 Circular portion 650,4650 Resin 701,4100 Solder resist 704 Good thermal conductive material 1000 Kapton tape (support) 1010,1020,1022,1050,1160,
1210, 1220, 1230, 1240, 1250,
1260, 4030, 4032, 4060, 4062
4110, 4112, 4401, 4402,... 4406
Metal pieces 1031, 1061, 1111, 4031, 4061
4111 wiring 4011 metal plate 4040 chip component 4500 multilayer wiring

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(a)第1の表面と前記第1の表面と反対
側の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前記第2の
表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、
(b)一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前
記第1の表面上に形成された金属配線と、(c)前記金
属配線の前記貫通孔に対応する領域上に設けられた絶縁
シートと、(d)前記絶縁シートの前記貫通孔に対応す
る領域上に搭載され、前記金属配線の前記絶縁シートか
ら露出する部分に電気的に接続された複数の電極を有す
る半導体チップと、(e)前記樹脂基板の前記第2の表
面側に形成され、前記貫通孔内に露出する前記金属配線
に接続された半田ボールと、 を含むことを特徴とする半導体装置。
(A) a first surface having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a through-hole penetrating the first surface and the second surface; Resin substrate,
(B) a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate so as to partially cover the through hole; and (c) a metal wiring provided on a region corresponding to the through hole of the metal wiring. An insulating sheet, and (d) a semiconductor chip mounted on a region corresponding to the through hole of the insulating sheet and having a plurality of electrodes electrically connected to a portion of the metal wiring exposed from the insulating sheet; (E) a solder ball formed on the second surface side of the resin substrate and connected to the metal wiring exposed in the through hole.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置において、前
記樹脂基板は単層基板であることを特徴とする半導体装
置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein said resin substrate is a single-layer substrate.
【請求項3】 請求項1又は2記載の半導体装置におい
て、前記樹脂基板はガラスエポキシ基板であることを特
徴とする半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein said resin substrate is a glass epoxy substrate.
【請求項4】 請求項1又は2記載の半導体装置におい
て、前記樹脂基板はポリイミドフィルムであることを特
徴とする半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein said resin substrate is a polyimide film.
【請求項5】 請求項1から4のいずれか1項に記載の
半導体装置において、前記半導体チップの前記電極は、
ワイヤを介して前記金属配線に接続されることを特徴と
する半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein said electrode of said semiconductor chip is:
A semiconductor device connected to the metal wiring via a wire.
【請求項6】(a)第1の表面と前記第1の表面と反対
側の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前記第2の
表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、
(b)一部が前記貫通孔を覆うように前記樹脂基板の前
記第1の表面上に形成された金属配線と、(c)前記金
属配線に接続された複数のバンプ電極を備えるとともに
前記樹脂基板の前記貫通孔に対応する前記第1の表面上
に搭載された半導体チップと、(d)前記バンプ電極と
接続される領域を除く前記金属配線を覆う絶縁シート
と、(e)前記樹脂基板の前記第2の表面側に形成さ
れ、前記貫通孔内に露出する前記金属配線に接続された
半田ボールと、 を含むことを特徴とする半導体装置。
6. A through hole having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and penetrating the first surface and the second surface. Resin substrate,
(B) a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate so as to partially cover the through hole, and (c) a plurality of bump electrodes connected to the metal wiring, and the resin A semiconductor chip mounted on the first surface corresponding to the through hole of the substrate; (d) an insulating sheet covering the metal wiring excluding a region connected to the bump electrode; and (e) the resin substrate. And a solder ball formed on the second surface side and connected to the metal wiring exposed in the through hole.
【請求項7】 請求項6記載の半導体装置において、前
記金属配線の前記貫通孔に対応する部分は前記樹脂基板
における前記半導体チップの搭載された領域内に位置す
ることを特徴とする半導体装置。
7. The semiconductor device according to claim 6, wherein a portion of said metal wiring corresponding to said through hole is located in a region of said resin substrate where said semiconductor chip is mounted.
【請求項8】 請求項6記載の半導体装置において、前
記金属配線の前記バンプ電極と接続される部分は、前記
樹脂基板の周辺近傍に配置されることを特徴とする半導
体装置。
8. The semiconductor device according to claim 6, wherein a portion of the metal wiring connected to the bump electrode is disposed near a periphery of the resin substrate.
【請求項9】 請求項6記載の半導体装置において、前
記樹脂基板は前記半導体チップと略同形状であることを
特徴とする半導体装置。
9. The semiconductor device according to claim 6, wherein said resin substrate has substantially the same shape as said semiconductor chip.
【請求項10】(a)第1の表面と、前記第1の表面と
反対側の第2の表面と、前記第1の表面から前記第2の
表面を貫通する貫通孔とを有する樹脂基板と、(b)第
1の端と前記第1の端よりも内側に配置される第2の端
とを有し、前記第2の端が前記貫通孔を覆うように前記
樹脂基板の前記第1の表面側に形成された金属配線と、
(c)前記金属配線の前記第1の端が露出するように前
記金属配線を覆う絶縁樹脂と、(d)前記樹脂基板の前
記第1の表面側に搭載され、前記金属配線の前記第1の
端に電気的に接続された半導体チップと、(e)前記貫
通孔内に設けられ、前記貫通孔から露出している前記金
属配線の前記第2の端に接続された半田ボールと、 を含むことを特徴とする半導体装置。
10. A resin substrate having a first surface, a second surface opposite to the first surface, and a through-hole penetrating from the first surface to the second surface. And (b) a first end and a second end disposed inside the first end, wherein the second end of the resin substrate covers the through-hole so that the second end covers the through hole. A metal wiring formed on the surface side of 1;
(C) an insulating resin covering the metal wiring so that the first end of the metal wiring is exposed; and (d) an insulating resin mounted on the first surface side of the resin substrate, And (e) a solder ball provided in the through hole and connected to the second end of the metal wiring exposed from the through hole. A semiconductor device characterized by including:
【請求項11】 請求項10記載の半導体装置におい
て、前記金属配線の前記第2の端は前記絶縁樹脂で覆わ
れていることを特徴とする半導体装置。
11. The semiconductor device according to claim 10, wherein said second end of said metal wiring is covered with said insulating resin.
【請求項12】(a)第1の表面と前記第1の表面と反
対側の第2の表面とを有し、前記第1の表面と前記第2
の表面とを貫通する貫通孔が設けられた樹脂基板と、
(b)前記樹脂基板の前記第1の表面上に形成され、一
部が前記貫通孔を介して前記第2の表面側に突出する金
属配線と、(c)前記第1の表面上の前記金属配線に接
続された複数のバンプ電極を備えるとともに前記樹脂基
板の前記第1の表面側に搭載された半導体チップと、を
含むことを特徴とする半導体装置。
(A) a first surface having a first surface and a second surface opposite to the first surface, wherein the first surface and the second surface are provided;
A resin substrate provided with a through-hole penetrating the surface of the
(B) a metal wiring formed on the first surface of the resin substrate, a part of which protrudes toward the second surface through the through hole; and (c) the metal wiring on the first surface. A semiconductor chip provided with a plurality of bump electrodes connected to metal wiring and mounted on the first surface side of the resin substrate.
【請求項13】 請求項12記載の半導体装置におい
て、前記金属配線の前記貫通孔に対応する部分は前記樹
脂基板における前記半導体チップの搭載された領域内に
位置することを特徴とする半導体装置。
13. The semiconductor device according to claim 12, wherein a portion of said metal wiring corresponding to said through hole is located in a region of said resin substrate on which said semiconductor chip is mounted.
【請求項14】 請求項13記載の半導体装置におい
て、前記金属配線の前記バンプ電極と接続される部分
は、前記樹脂基板の周辺近傍に配置されることを特徴と
する半導体装置。
14. The semiconductor device according to claim 13, wherein a portion of the metal wiring connected to the bump electrode is disposed near a periphery of the resin substrate.
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