JP2002183238A - Method for deciding crowdedness recording medium with computer program for verifying crowdedness recorded thereon and verifying device - Google Patents

Method for deciding crowdedness recording medium with computer program for verifying crowdedness recorded thereon and verifying device

Info

Publication number
JP2002183238A
JP2002183238A JP2000385143A JP2000385143A JP2002183238A JP 2002183238 A JP2002183238 A JP 2002183238A JP 2000385143 A JP2000385143 A JP 2000385143A JP 2000385143 A JP2000385143 A JP 2000385143A JP 2002183238 A JP2002183238 A JP 2002183238A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contact holes
dimensional
flag
contact hole
density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000385143A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuji Miyamae
哲治 宮前
Ken Kotani
憲 小谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2000385143A priority Critical patent/JP2002183238A/en
Publication of JP2002183238A publication Critical patent/JP2002183238A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and surely decide the crowdedness. SOLUTION: This method for deciding whether or not the pattern of a plurality of contact holes of an integrated circuit forms a one-dimensional crowdedness consists of a step for acquiring pattern data defining the layout pattern of the plurality of contact holes and interval data defining respective intervals of the plurality of contact holes; a step for generating a crowdedness decision flag obtained by enlarging the individual intervals of the plurality of contact holes by a prescribed amount on the basis of the acquired pattern data and interval data, and a step for deciding whether the pattern of the plurality of contact holes form one-dimensional crowdedness.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
レイアウトパターンデータを利用した、コンタクトホー
ルの位置判定に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to the determination of the position of a contact hole using layout pattern data of a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路のレイアウト設計が終了
した後には、レイアウトが定められた基準で行われてい
るか否か、すなわち正しく設計されたか否かを確認する
ために検証が行われている。その1つが、例えばCAD
パターンデータの配線幅、配線間隔、余裕等の最小距離
を計測して、設計基準値を確認するデザインルールチェ
ック(Design Rule Check)である。
2. Description of the Related Art After a layout design of a semiconductor integrated circuit is completed, verification is performed to confirm whether the layout is performed according to a predetermined standard, that is, whether the layout is correctly designed. One of them is CAD
This is a design rule check in which a minimum distance such as a wiring width, a wiring interval, and a margin of pattern data is measured to confirm a design reference value.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】近年のプロセスの微細
化に伴い、矩形パターンを多用する工程のレイアウトパ
ターンデータに対しては、その密集性を高精度に検証す
る必要が高まってきた。例えば、二次元方向の密集を形
成するコンタクトホールは、(1)写真製版時の光の干
渉による影響、(2)ウェハプロセスにおけるレジスト
の残滓の影響により、仕上がりの形状が悪く、レイアウ
トパターンデータ設計の寸法規定が一次元密集よりも厳
しい。したがって、密集性の検証を高精度に行うための
手法が求められている。
As the process becomes finer in recent years, it has become necessary to verify the density of layout pattern data in a process that uses a large number of rectangular patterns with high accuracy. For example, a contact hole forming a two-dimensional congestion has a poor finish shape due to (1) the influence of light interference at the time of photolithography, and (2) the influence of resist residue in a wafer process. Is stricter than one-dimensional density. Therefore, there is a need for a method for verifying the density with high accuracy.

【0004】ところが、従来の配線幅、配線間隔、余裕
による検証ではこれらの密集性を検証できない。具体的
には、設計者の目視により危険な個所の確認を行ってい
たため対応できる回路規模に限界があり、検証精度にも
問題があった。
However, the conventional verification based on the wiring width, the wiring interval, and the margin cannot verify the density. Specifically, a dangerous part was confirmed visually by the designer, so that the circuit scale that could be handled was limited, and there was also a problem in verification accuracy.

【0005】本発明の目的は、密集性を容易に、かつ、
確実に判定できるようにすることである。
[0005] It is an object of the present invention to facilitate compactness and
It is to be able to make a reliable determination.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の密集性の判定方
法は、集積回路の複数のコンタクトホールのパターン
が、一次元密集を形成するか否かを判定する密集性の判
定方法であって、複数のコンタクトホールのレイアウト
パターンを規定するパターンデータ、および、複数のコ
ンタクトホールの各々の間隔を規定する間隔データを取
得するステップと、取得した前記パターンデータおよび
前記間隔データに基づいて、複数のコンタクトホールの
各々の間隔を所定の量だけ拡大した密集性判定フラグを
生成するステップと、前記密集性判定フラグの形状が矩
形か否かに基づいて、複数のコンタクトホールのパター
ンが一次元密集を形成するか否かを判定するステップと
からなる判定方法であり、これにより上記目的が達成さ
れる。
According to the present invention, there is provided a method for judging density, which is for judging whether or not a pattern of a plurality of contact holes of an integrated circuit forms one-dimensional density. Acquiring pattern data defining a layout pattern of a plurality of contact holes, and interval data defining an interval between each of the plurality of contact holes, and a plurality of pattern data based on the acquired pattern data and the interval data. Generating a density determination flag in which the intervals between the contact holes are enlarged by a predetermined amount; and determining whether the pattern of the plurality of contact holes is one-dimensional density based on whether or not the shape of the density determination flag is rectangular. And a step of determining whether or not to form, thereby achieving the above object.

【0007】判定する前記ステップは、前記密集性判定
フラグの形状が矩形の場合には、複数のコンタクトホー
ルのパターンが一次元密集を形成すると判定し、矩形で
ない場合には一次元密集でないと判定するステップであ
ってもよい。
In the determining step, when the shape of the density determination flag is rectangular, it is determined that the pattern of the plurality of contact holes forms one-dimensional density, and when the shape is not rectangular, it is determined that the pattern is not one-dimensional density. Step.

【0008】密集性判定フラグを生成する前記ステップ
は、取得した前記間隔データに基づいて、複数のコンタ
クトホールの各々の間隔と所定の検証値とを比較して間
隔の検証を行うステップと、取得した前記パターンデー
タと、さらに前記間隔データとに基づいて、複数のコン
タクトホールの各々の間隔に関する間隔判定フラグを生
成するステップと、生成した前記間隔判定フラグを所定
の量だけ大きくして密集性判定フラグを生成するステッ
プとをさらに含んでもよい。
[0008] The step of generating the density determination flag includes the step of comparing each interval of the plurality of contact holes with a predetermined verification value based on the acquired interval data to verify the interval. Generating an interval determination flag for each of the plurality of contact holes based on the pattern data and the interval data, and increasing the generated interval determination flag by a predetermined amount to determine the density. Generating a flag.

【0009】前記所定の量は、前記コンタクトホールの
大きさの半分より小さい。
The predetermined amount is smaller than half the size of the contact hole.

【0010】本発明による判定方法は、集積回路の複数
のコンタクトホールが二次元密集を形成する場合に、二
次元密集内の個々のコンタクトホールの位置を判定する
判定方法であって、複数のコンタクトホールのレイアウ
トパターンを規定するパターンデータ、および、複数の
コンタクトホールの各々の間隔を規定する間隔データを
取得するステップと、取得したパターンデータに基づい
て、複数のコンタクトホールの全てのエッジに対してエ
ッジフラグを生成するステップと、取得した前記パター
ンデータおよび前記間隔データに基づいて、二次元密集
の領域を規定する密集コンタクトホールフラグを生成
し、前記エッジフラグから前記密集コンタクトホールフ
ラグを除く論理差演算を行って、位置判定フラグを生成
するステップと、前記位置判定フラグの個数に基づい
て、二次元密集内の個々のコンタクトホールの位置を判
定するステップとからなる判定方法であり、これにより
上記目的が達成される。
[0010] A determination method according to the present invention is a determination method for determining the position of each contact hole in a two-dimensional congestion when a plurality of contact holes of an integrated circuit form a two-dimensional congestion. Pattern data defining a hole layout pattern, and a step of acquiring interval data defining an interval between each of the plurality of contact holes; and, based on the acquired pattern data, for all edges of the plurality of contact holes. Generating an edge flag, generating a dense contact hole flag that defines a two-dimensional dense area based on the acquired pattern data and the interval data, and removing a logical contact difference from the edge flag excluding the dense contact hole flag. Performing a calculation to generate a position determination flag; Based on the number of position determination flag, a determination method comprising the step of determining the position of each contact hole in the two-dimensional dense, whereby the above-mentioned object can be achieved.

【0011】判定する前記ステップは、前記位置判定フ
ラグの数が0個の場合には、該コンタクトホールは二次
元密集の内部に存在すると判定し、前記位置判定フラグ
の数が1個の場合には、該コンタクトホールは二次元密
集の外周部に存在すると判定し、前記位置判定フラグの
数が2個の場合には、該コンタクトホールは二次元密集
の外周コーナー部に存在すると判定してもよい。
In the step of determining, when the number of the position determination flags is 0, it is determined that the contact hole exists inside the two-dimensional dense area, and when the number of the position determination flags is 1, Determines that the contact hole exists in the outer peripheral portion of the two-dimensional dense area, and when the number of the position determination flags is two, determines that the contact hole exists in the outer peripheral corner portion of the two-dimensional dense area. Good.

【0012】本発明の記録媒体は、集積回路の複数のコ
ンタクトホールのパターンが、一次元密集を形成するか
否かを判定することにより密集性の検証を行うコンピュ
ータプログラムを記録した記録媒体であって、複数のコ
ンタクトホールのレイアウトパターンを規定するパター
ンデータ、および、複数のコンタクトホールの各々の間
隔を規定する間隔データを取得するステップと、取得し
た前記パターンデータおよび前記間隔データに基づい
て、複数のコンタクトホールの各々の間隔を所定の量だ
け拡大した密集性判定フラグを生成するステップと、前
記密集性判定フラグの形状が矩形か否かに基づいて、複
数のコンタクトホールのパターンが一次元密集を形成す
るか否かを判定するステップとからなる判定を行うコン
ピュータプログラムを記録した記録媒体であり、これに
より上記目的が達成される。
The recording medium of the present invention is a recording medium on which a computer program for verifying the density by determining whether or not the pattern of a plurality of contact holes of an integrated circuit forms a one-dimensional density is recorded. Acquiring pattern data defining a layout pattern of a plurality of contact holes, and interval data defining an interval between each of the plurality of contact holes; and, based on the acquired pattern data and the interval data, Generating a denseness determination flag in which the distance between each of the contact holes is enlarged by a predetermined amount; and determining whether the pattern of the plurality of contact holes is one-dimensionally dense based on whether the shape of the denseness determination flag is rectangular. Determining whether or not to form a computer A recorded recording medium, thereby the objective described above being achieved.

【0013】本発明の記録媒体は、集積回路の複数のコ
ンタクトホールが二次元密集を形成する場合に、二次元
密集内の個々のコンタクトホールの位置を判定すること
により密集性の検証を行うコンピュータプログラムを記
録した記録媒体であって、複数のコンタクトホールのレ
イアウトパターンを規定するパターンデータ、および、
複数のコンタクトホールの各々の間隔を規定する間隔デ
ータを取得するステップと、取得したパターンデータに
基づいて、複数のコンタクトホールの全てのエッジに対
してエッジフラグを生成するステップと、取得した前記
パターンデータおよび前記間隔データに基づいて、二次
元密集の領域を規定する密集コンタクトホールフラグを
生成し、前記エッジフラグから前記密集コンタクトホー
ルフラグを除く論理差演算を行って、位置判定フラグを
生成するステップと、前記位置判定フラグの個数に基づ
いて、二次元密集内の個々のコンタクトホールの位置を
判定するステップとからなる判定を行うコンピュータプ
ログラムを記録した記録媒体であり、これにより上記目
的が達成される。
A recording medium according to the present invention is a computer for verifying the density by determining the position of each contact hole in a two-dimensional density when a plurality of contact holes of an integrated circuit form a two-dimensional density. A recording medium on which a program is recorded, wherein pattern data defining a layout pattern of a plurality of contact holes, and
Acquiring interval data defining intervals of the plurality of contact holes; generating edge flags for all edges of the plurality of contact holes based on the acquired pattern data; and Generating a dense contact hole flag that defines a two-dimensional dense area based on the data and the interval data, performing a logical difference operation excluding the dense contact hole flag from the edge flag, and generating a position determination flag. And a step of determining the position of each contact hole in the two-dimensional density based on the number of the position determination flags. You.

【0014】本発明の検証装置は、集積回路の複数のコ
ンタクトホールのパターンが、一次元密集を形成するか
否かを判定することにより密集性の検証を行う検証装置
であって、複数のコンタクトホールのレイアウトパター
ンを規定するパターンデータ、および、複数のコンタク
トホールの各々の間隔を規定する間隔データを記憶した
記憶部と、記憶部から取得した前記パターンデータおよ
び前記間隔データに基づいて、複数のコンタクトホール
の各々の間隔を所定の量だけ拡大した密集性判定フラグ
を生成する密集性判定フラグ生成部と、密集性判定フラ
グ生成部により生成された前記密集性判定フラグの形状
が矩形か否かに基づいて、複数のコンタクトホールのパ
ターンが一次元密集を形成するか否かを判定するフラグ
形状判定部とを備えた検証装置であり、これにより上記
目的が達成される。
A verification apparatus according to the present invention is a verification apparatus for verifying the density by determining whether or not patterns of a plurality of contact holes of an integrated circuit form one-dimensional density. Based on the pattern data defining the layout pattern of the holes, and the storage unit storing the interval data defining the intervals of the plurality of contact holes, based on the pattern data and the interval data acquired from the storage unit, a plurality of A density determination flag generation unit that generates a density determination flag in which the intervals between contact holes are enlarged by a predetermined amount, and whether the shape of the density determination flag generated by the density determination flag generation unit is rectangular or not. A flag shape determining unit that determines whether or not the pattern of the plurality of contact holes forms a one-dimensional density based on the A verification device, thereby the objective described above being achieved.

【0015】本発明の検証装置は、集積回路の複数のコ
ンタクトホールが二次元密集を形成する場合に、二次元
密集内の個々のコンタクトホールの位置を判定すること
によりレイアウトの検証を行う検証装置であって、複数
のコンタクトホールのレイアウトパターンを規定するパ
ターンデータ、および、複数のコンタクトホールの各々
の間隔を規定する間隔データを記憶する記憶部と、記憶
部から取得したパターンデータに基づいて、複数のコン
タクトホールの全てのエッジに対してエッジフラグを生
成するコンタクトホールエッジ生成部と、記憶部から取
得した前記パターンデータおよび前記間隔データに基づ
いて、二次元密集の領域を規定する密集コンタクトホー
ルフラグを生成し、コンタクトホールエッジ生成部によ
り前記エッジフラグから前記密集コンタクトホールフラ
グを除く論理差演算を行って、位置判定フラグを生成す
る位置判定フラグ生成部と、位置判定フラグ生成部によ
り生成された前記位置判定フラグの個数に基づいて、二
次元密集内の個々のコンタクトホールの位置を判定する
位置判定部とを備えた検証装置であり、これにより上記
目的が達成される。
According to the present invention, there is provided a verification apparatus for verifying a layout by judging the position of each contact hole in a two-dimensional density when a plurality of contact holes of an integrated circuit form a two-dimensional density. Based on pattern data that defines a layout pattern of the plurality of contact holes, and a storage unit that stores interval data that defines the interval between each of the plurality of contact holes, based on the pattern data acquired from the storage unit. A contact hole edge generation unit that generates an edge flag for all edges of the plurality of contact holes, and a dense contact hole that defines a two-dimensional dense area based on the pattern data and the interval data obtained from the storage unit A flag is generated, and the edge flag is generated by the contact hole edge generation unit. A position determination flag generator that generates a position determination flag by performing a logical difference operation excluding the dense contact hole flag, and a two-dimensional cluster based on the number of the position determination flags generated by the position determination flag generator. And a position judging unit for judging the position of each individual contact hole in the verification device, thereby achieving the above object.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して、本
発明の実施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0017】(実施の形態1)本明細書では、半導体集
積回路のレイアウトパターンデータにおける、コンタク
トホールの密集性を検証する手法について説明する。コ
ンタクトホールの密集性の検証とは、ここでは、コンタ
クトホールが直線的(一次元的)に配置されているか、
または平面的(二次元的)に配置されているかの検証を
いう。なお、コンタクトホールは単なる例であり、レイ
アウトパターンが矩形のパターンであればどのような構
成要素に対しても適用可能である。本明細書では、一次
元的に配置されていることを「一次元密集」と、二次元
的に配置されていることを「二次元密集」という。例え
ば、図1は、検証の対象となるコンタクトホールの例を
示す。図の「□」のそれぞれが、コンタクトホールであ
る。左右の列を別々に見れば、各列は、コンタクトホー
ルの一次元密集である。一方、8つのコンタクトホール
に着目すれば、これらのコンタクトホールは二次元密集
となる。なお、以下の説明では、一次元密集の最小間隔
Aは二次元密集の最小間隔Bより小さいとする。
(Embodiment 1) In this specification, a method for verifying the density of contact holes in layout pattern data of a semiconductor integrated circuit will be described. Verification of the density of contact holes here means whether the contact holes are arranged linearly (one-dimensionally),
Or, verification of whether they are arranged two-dimensionally (two-dimensionally). Note that the contact hole is merely an example, and can be applied to any component as long as the layout pattern is a rectangular pattern. In this specification, one-dimensional arrangement is referred to as “one-dimensional dense”, and two-dimensional arrangement is referred to as “two-dimensional dense”. For example, FIG. 1 shows an example of a contact hole to be verified. Each “□” in the figure is a contact hole. Looking at the left and right columns separately, each column is a one-dimensional congestion of contact holes. On the other hand, focusing on the eight contact holes, these contact holes are two-dimensionally dense. In the following description, it is assumed that the minimum interval A of one-dimensional density is smaller than the minimum interval B of two-dimensional density.

【0018】続いて、本実施の形態の検証装置を説明す
る。図2は、実施の形態1における、コンタクトホール
の密集性を検証する検証装置1のブロック図である。検
証装置1は、ハードディスク等の記憶部2と、密集性判
定フラグ生成部5と、フラグ形状判定部6と、エラーコ
ンタクトホール判定部7とを含む。以下、各構成要素に
ついて説明する。記憶部2は、検証の対象となるレイア
ウトパターンを記述したレイアウトパターンデータファ
イル3と、コンタクトホールの間隔等のデータを記述し
た検証コマンドファイル4とを含む。レイアウトパター
ンデータファイル3には、図1に示すレイアウトが記述
されている。なお、レイアウトパターンデータは、複数
の入力レイヤーから構成されている。この入力レイヤー
は、LSIの製造プロセスで用いられる各マスクのパタ
ーンに対応したデータを有している。検証コマンドファ
イル4には、コンタクトホール間の間隔等に関するデー
タが記述されている。密集性判定フラグ生成部5は、コ
ンタクトホール間の平行部分を埋めるデータ(間隔判定
フラグ)を生成し、一定量のオーバーサイズ処理を行
い、密集性判定フラグを生成する。これらの各動作は、
図3を参照して後述する。フラグ形状判定部6は、密集
性判定フラグの形状を判定する。エラーコンタクトホー
ル判定部7は、非一次元密集コンタクトホールをエラー
コンタクトホールと判定し、出力する。
Next, the verification device of the present embodiment will be described. FIG. 2 is a block diagram of the verification device 1 for verifying the density of contact holes according to the first embodiment. The verification device 1 includes a storage unit 2 such as a hard disk, a density determination flag generation unit 5, a flag shape determination unit 6, and an error contact hole determination unit 7. Hereinafter, each component will be described. The storage unit 2 includes a layout pattern data file 3 in which a layout pattern to be verified is described, and a verification command file 4 in which data such as contact hole intervals is described. The layout shown in FIG. 1 is described in the layout pattern data file 3. Note that the layout pattern data is composed of a plurality of input layers. This input layer has data corresponding to the pattern of each mask used in the LSI manufacturing process. The verification command file 4 describes data on the interval between contact holes and the like. The density determination flag generation unit 5 generates data (interval determination flag) for filling the parallel portion between the contact holes, performs a certain amount of oversize processing, and generates a density determination flag. Each of these actions
It will be described later with reference to FIG. The flag shape determination unit 6 determines the shape of the density determination flag. The error contact hole determination unit 7 determines a non-one-dimensional dense contact hole as an error contact hole and outputs it.

【0019】以下、検証装置1の具体的な動作を説明す
る。図3は、検証装置1(図2)の動作フローを示すフ
ローチャートである。まず、密集性判定フラグ生成部5
は、記憶部2(図2)から、レイアウトパターンデータ
ファイル3(図2)および検証コマンドファイル4(図
2)を受け取る。上述のように、レイアウトパターンデ
ータファイル3(図2)には複数のコンタクトホールの
レイアウトパターンを規定するパターンデータが記述さ
れ、かつ、検証コマンドファイル4(図2)には複数の
コンタクトホールの各々の間隔を規定する間隔データが
記述されている。密集性判定フラグ生成部5(図2)
は、これらのデータに基づいて、コンタクトホール間の
間隔を検証する(ステップ31)。間隔の検証は、チェ
ック値aとの比較により行われる。チェック値aとは、
αを最小グリッド程度の微小な値としたときに、a=二
次元密集の最小値−α により求められる値である。
「二次元密集の最小値」は、図1において「B」に相当
する値である。
Hereinafter, a specific operation of the verification device 1 will be described. FIG. 3 is a flowchart showing an operation flow of the verification device 1 (FIG. 2). First, the density determination flag generation unit 5
Receives the layout pattern data file 3 (FIG. 2) and the verification command file 4 (FIG. 2) from the storage unit 2 (FIG. 2). As described above, the layout pattern data file 3 (FIG. 2) describes the pattern data defining the layout pattern of the plurality of contact holes, and the verification command file 4 (FIG. 2) describes each of the plurality of contact holes. Is described. Denseness determination flag generation unit 5 (FIG. 2)
Verifies the interval between contact holes based on these data (step 31). Verification of the interval is performed by comparison with the check value a. The check value a is
When α is a small value of about the minimum grid, it is a value obtained by a = minimum value of two-dimensional density−α.
The “minimum value of two-dimensional density” is a value corresponding to “B” in FIG.

【0020】コンタクトホール間の間隔を検証した後、
密集性判定フラグ生成部5(図2)は続いて間隔判定フ
ラグを生成する(ステップ32)。間隔判定フラグは、
複数のコンタクトホールの各々の間隔に関するデータ、
より具体的にはコンタクトホール間を埋めるデータであ
る。具体例で説明する。図4の(a)〜(c)は、間隔
判定フラグが生成されたコンタクトホールの例を示す。
(a)は、一次元密集の間隔判定フラグを示す。(b)
および(c)は、二次元密集の間隔判定フラグを示す。
間隔判定フラグが生成されるのは、ステップ31でエラ
ーとされたコンタクトホールである。
After verifying the distance between the contact holes,
Subsequently, the density determination flag generation unit 5 (FIG. 2) generates an interval determination flag (step 32). The interval judgment flag is
Data on the spacing of each of the plurality of contact holes,
More specifically, it is data for filling the space between contact holes. A specific example will be described. FIGS. 4A to 4C show examples of contact holes in which the interval determination flag has been generated.
(A) shows a one-dimensional dense interval determination flag. (B)
(C) shows a two-dimensional dense interval determination flag.
The interval determination flag is generated for the contact hole for which an error has occurred in step 31.

【0021】間隔判定フラグを生成すると、密集性判定
フラグ生成部5(図2)は続いて密集性判定フラグを生
成する(ステップ33)。密集性判定フラグは、間隔判
定フラグを所定の量だけ大きくする「オーバーサイズ処
理」により生成される。所定の量(オーバーサイズ量
b)とは、コンタクトホールの大きさの半分より小さい
量であり、上述のαを用いて、b=(コンタクトホール
サイズ)/2−αと表すことができる。この結果、密集
性判定フラグは、コンタクトホールに重なることとな
る。
After generating the interval determination flag, the density determination flag generator 5 (FIG. 2) subsequently generates a density determination flag (step 33). The denseness determination flag is generated by “oversize processing” that increases the interval determination flag by a predetermined amount. The predetermined amount (oversize amount b) is an amount smaller than half the size of the contact hole, and can be expressed as b = (contact hole size) / 2−α using the above α. As a result, the denseness determination flag overlaps the contact hole.

【0022】図5の(a)〜(c)は、それぞれ図4の
(a)〜(c)における間隔判定フラグから生成した密
集性判定フラグを示す。図5の(a)は、一次元密集に
対する密集性判定フラグの形状例を示す。図示されるよ
うに、2つの密集性判定フラグはそれぞれが矩形で、互
いに重なることなく生成されている。次に、(b)は二
次元密集に対する密集性判定フラグの形状例を示す。
(b)では、どの密集性判定フラグも隣の密集性判定フ
ラグと重なりあっており、全体としては矩形を呈してい
ないことが理解される。また、(c)は非一次元密集に
対する密集性判定フラグの形状例を示す。(c)の密集
性判定フラグも(b)の密集性判定フラグと同様に、一
方が他方と重なり合っており全体としては矩形でないこ
とが理解される。なお、(c)での「非一次元密集」と
は、二次元密集と同義である。
FIGS. 5A to 5C show density determination flags generated from the interval determination flags in FIGS. 4A to 4C, respectively. FIG. 5A shows an example of the shape of the density determination flag for one-dimensional density. As illustrated, each of the two density determination flags is rectangular and is generated without overlapping each other. Next, (b) shows an example of the shape of the density determination flag for two-dimensional density.
In (b), it is understood that any of the density determination flags overlaps with the adjacent density determination flag, and does not have a rectangular shape as a whole. (C) shows an example of the shape of the density determination flag for non-one-dimensional density. It is understood that one of the denseness determination flags in (c) overlaps the other and is not rectangular as a whole, like the denseness determination flag in (b). Note that “non-one-dimensional density” in (c) is synonymous with two-dimensional density.

【0023】これをまとめると、コンタクトホールが一
次元密集を形成する場合には密集性判定フラグは矩形を
呈するが、非一次元密集を形成する場合には非矩形を呈
すると結論付けられる。この性質を利用して、一次元密
集か否かを判定できる。
In summary, it can be concluded that the denseness determination flag exhibits a rectangular shape when the contact holes form a one-dimensional density, but a non-rectangular shape when the contact holes form a non-one-dimensional density. Utilizing this property, it can be determined whether or not one-dimensional density is high.

【0024】再び図3を参照して、フラグ形状判定部6
(図2)は、密集性判定フラグの形状が矩形か否かを判
断する(ステップ34)。エラーコンタクトホール判定
部7(図2)は、フラグ形状判定部6(図2)の判断の
結果を受け取り、矩形である場合には隣接するコンタク
トホールを一次元密集として判定する(ステップ3
5)。矩形でない場合には、隣接するコンタクトホール
を二次元密集として判定する(ステップ36)。その
後、判定結果を出力して検証装置1(図2)の処理は終
了する。例えば、本実施の形態では、エラーコンタクト
ホール判定部7(図2)は、非一次元(すなわち二次
元)密集コンタクトホールをエラーコンタクトホールと
して出力する。
Referring again to FIG. 3, flag shape determination unit 6
(FIG. 2) determines whether or not the shape of the density determination flag is rectangular (step 34). The error contact hole determination unit 7 (FIG. 2) receives the result of the determination by the flag shape determination unit 6 (FIG. 2), and determines that the adjacent contact holes are one-dimensionally dense if they are rectangular (step 3).
5). If it is not rectangular, the adjacent contact holes are determined as two-dimensional dense (step 36). Thereafter, the determination result is output, and the processing of the verification device 1 (FIG. 2) ends. For example, in the present embodiment, the error contact hole determination unit 7 (FIG. 2) outputs a non-one-dimensional (ie, two-dimensional) dense contact hole as an error contact hole.

【0025】以上説明したように、本実施の形態の検証
装置1(図2)の処理によれば、コンタクトホールが密
集している場合には、その密集が一次元密集か二次元密
集かを容易に判断できる。なお本実施の形態では、二次
元密集を呈しているコンタクトホールは、二次元密集の
最小間隔を満たしていないものを選択した場合である
が、上述したチェック値aを適宜変更することにより、
判定対象とする二次元密集の間隔を調整してもよい。
As described above, according to the processing of the verification apparatus 1 (FIG. 2) of the present embodiment, if the contact holes are dense, it is determined whether the contact holes are one-dimensional or two-dimensional. Easy to judge. Note that, in the present embodiment, the contact holes exhibiting the two-dimensional denseness are those in which the contact holes that do not satisfy the minimum interval of the two-dimensional denseness are selected, but by appropriately changing the check value a described above,
The interval of the two-dimensional crowd to be determined may be adjusted.

【0026】(実施の形態2)実施の形態2では、コン
タクトホールが二次元密集の状態にあるとき、任意のコ
ンタクトホールがその二次元密集内のどの位置に存在す
るかを、容易にかつ漏れなく検証する手法を説明する。
(Embodiment 2) In the embodiment 2, when the contact holes are in a two-dimensional dense state, it is possible to easily and easily determine where any arbitrary contact hole exists in the two-dimensional dense state. The method of verifying without the following will be described.

【0027】以下、本実施の形態の検証装置を説明す
る。図6は、実施の形態2における、密集内のコンタク
トホールの位置を検証する検証装置60のブロック図で
ある。検証装置60は、レイアウトパターンデータファ
イル3および検証コマンドファイル4を記憶したハード
ディスク等の記憶部2と、コンタクトホールエッジ生成
部61と、位置判定フラグ生成部62と、位置判定部6
3とを含む。以下、各構成要素について説明するが、記
憶部2に格納されたレイアウトパターンデータファイル
3および検証コマンドファイル4は、実施の形態1と同
じであるので、その説明は省略する。コンタクトホール
エッジ生成部61は、検証対象となるコンタクトホール
の全てのエッジに対してエッジフラグを生成する。位置
判定フラグ生成部62は、コンタクトホールエッジフラ
グのうち、二次元密集の内側に存在するエッジを消去
し、位置判定フラグを生成する。位置判定部63は、各
コンタクトホールが、二次元密集内のどの位置に存在す
るかの判定を行う。
Hereinafter, the verification device of the present embodiment will be described. FIG. 6 is a block diagram of a verification device 60 that verifies the positions of contact holes in a dense area according to the second embodiment. The verification device 60 includes a storage unit 2 such as a hard disk storing the layout pattern data file 3 and the verification command file 4, a contact hole edge generation unit 61, a position determination flag generation unit 62, and a position determination unit 6.
3 is included. Hereinafter, each component will be described. However, since the layout pattern data file 3 and the verification command file 4 stored in the storage unit 2 are the same as those in the first embodiment, description thereof will be omitted. The contact hole edge generation unit 61 generates edge flags for all edges of a contact hole to be verified. The position determination flag generation unit 62 deletes, from the contact hole edge flags, edges that exist inside the two-dimensional crowd, and generates a position determination flag. The position determining unit 63 determines where each contact hole exists in the two-dimensional density.

【0028】以下、検証装置60の具体的な動作を説明
する。図7は、検証装置60(図6)の動作フローを示
すフローチャートである。まず、コンタクトホールエッ
ジ生成部61は、記憶部2(図6)から、レイアウトパ
ターンデータファイル3(図6)および検証コマンドフ
ァイル4(図6)を受け取る。そして、取得したレイア
ウトパターンデータファイル3(図6)に基づいて、複
数のコンタクトホールの全てのエッジに対してエッジフ
ラグを生成する(ステップ71)。エッジフラグは、単
にコンタクトホールのエッジのみに関するデータであ
る。なお、隣接するエッジ同士のフラグは完全に分離さ
れていることが必要である。図8の(a)は、強調され
た二種類のエッジフラグを示す。なお、コンタクトホー
ルの間を埋めている黒色の領域は密集コンタクトホール
データによるものである。
Hereinafter, a specific operation of the verification device 60 will be described. FIG. 7 is a flowchart showing the operation flow of the verification device 60 (FIG. 6). First, the contact hole edge generation unit 61 receives the layout pattern data file 3 (FIG. 6) and the verification command file 4 (FIG. 6) from the storage unit 2 (FIG. 6). Then, based on the acquired layout pattern data file 3 (FIG. 6), an edge flag is generated for all edges of the plurality of contact holes (step 71). The edge flag is data relating only to the edge of the contact hole. Note that the flags between adjacent edges need to be completely separated. FIG. 8A shows two types of emphasized edge flags. The black region filling the space between the contact holes is based on dense contact hole data.

【0029】続いて密集コンタクトホールデータを説明
する。再び図7を参照して、位置判定フラグ生成部62
(図6)は、コンタクトホールに対してオーバーサイズ
処理およびアンダーサイズ処理を行い、二次元密集部の
領域を規定する密集コンタクトホールフラグを生成する
(ステップ72)。ここで「オーバーサイズ処理」と
は、実施の形態1で説明したと同じ処理である。一方
「アンダーサイズ処理」とは、オーバーサイズ処理の逆
の処理、すなわち所定の量(アンダーサイズ量)だけ小
さくする処理をいう。なお、オーバーサイズ量およびア
ンダーサイズ量は同じであり、その量cは、c=二次元
密集の最小値−αにより与えられる。密集コンタクトホ
ールフラグは、所定の範囲内にあるコンタクトホールを
1つの密集とみなすためのものであり、同じ量のオーバ
ーサイズ/アンダーサイズの組み合わせは、その目的に
合ったデータを生成することになる。この密集コンタク
トホールフラグにより表されているのが、図8の(a)
に示す、コンタクトホールおよびコンタクトホールの間
を埋めている黒色の領域である。
Next, dense contact hole data will be described. Referring to FIG. 7 again, position determination flag generation unit 62
(FIG. 6) performs oversize processing and undersize processing on the contact hole to generate a dense contact hole flag that defines the area of the two-dimensional dense part (step 72). Here, the “oversize process” is the same process as described in the first embodiment. On the other hand, the "undersize process" is a process opposite to the oversize process, that is, a process of reducing the size by a predetermined amount (undersize amount). Note that the oversize amount and the undersize amount are the same, and the amount c is given by c = minimum value of two-dimensional density-α. The dense contact hole flag is for considering contact holes within a predetermined range as one dense, and the same amount of oversize / undersize combination will generate data for that purpose. . This dense contact hole flag is represented by (a) in FIG.
And black regions filling the space between the contact holes.

【0030】次に位置判定フラグ生成部62(図6)
は、エッジフラグと密集コンタクトホールフラグの論理
差演算を行い、位置判定フラグを生成する(ステップ7
3)。論理差演算とは、エッジフラグから密集コンタク
トホールフラグの領域を除く処理、すなわち、エッジフ
ラグと密集コンタクトホールフラグの重複部分を除く処
理である。留意すべきは、密集コンタクトホールフラグ
の領域は、複数のコンタクトホールにより画定される領
域の外周を規定するコンタクトホールのエッジよりも内
側に存在することである。したがって、エッジフラグと
密集コンタクトホールフラグの論理差演算を行うと、外
周部分のコンタクトホールのエッジのみが残されること
になる。これは図8の(b)に示すとおりである。この
外周部分のコンタクトホールのエッジが、位置判定フラ
グとして生成される。ただし位置判定フラグの各々は、
その位置におけるコンタクトホールと関連付けられて生
成される。したがって、あるコンタクトホールが指定さ
れると、そのコンタクトホールに対応する位置判定フラ
グが特定される。場合によっては、コンタクトホールに
対応する位置判定フラグが存在しないことがある。例え
ば、二次元密集の内部に存在するコンタクトホール場合
である。その時は、対応するコンタクトホールは存在し
ないこととなる。なお、図8の(b)には、参考のため
密集コンタクトホールフラグの領域も示している。
Next, the position determination flag generator 62 (FIG. 6)
Performs a logical difference operation between the edge flag and the dense contact hole flag to generate a position determination flag (step 7).
3). The logical difference operation is a process of removing the area of the dense contact hole flag from the edge flag, that is, a process of removing the overlapping portion of the edge flag and the dense contact hole flag. It should be noted that the area of the dense contact hole flag exists inside the edge of the contact hole that defines the outer periphery of the area defined by the plurality of contact holes. Therefore, when the logical difference operation between the edge flag and the dense contact hole flag is performed, only the edge of the contact hole in the outer peripheral portion is left. This is as shown in FIG. The edge of the contact hole in the outer peripheral portion is generated as a position determination flag. However, each of the position determination flags
It is generated in association with the contact hole at that position. Therefore, when a certain contact hole is designated, the position determination flag corresponding to the contact hole is specified. In some cases, there is no position determination flag corresponding to the contact hole. For example, there is a case of a contact hole existing inside a two-dimensional crowd. At that time, there is no corresponding contact hole. FIG. 8B also shows a dense contact hole flag area for reference.

【0031】続いて、各コンタクトホールが密集内のど
の位置に存在するかを判定する処理を説明する。この処
理では、位置判定フラグ生成部62により生成された位
置判定フラグが利用される。判定可能な位置は、二次元
密集の内部、外周部、さらに外周のコーナー部である。
Next, a description will be given of a process for determining where each contact hole exists in a dense area. In this process, the position determination flag generated by the position determination flag generator 62 is used. The positions that can be determined are the inside, the outer peripheral portion, and the outer peripheral corner portion of the two-dimensional density.

【0032】図7を参照して、存在位置を特定したいコ
ンタクトホールが指定されると、位置判定部63(図
6)は、そのコンタクトホールに対応する位置判定フラ
グの個数をカウントする。すなわち、位置判定フラグの
数が0個か(ステップ74)、さらには1個か(ステッ
プ75)を判断する。位置判定フラグの数が0個の場合
には、位置判定部63(図6)は当該コンタクトホール
は二次元密集内の内部に位置すると判定する(ステップ
76)。その理由は、位置判定フラグの数が0個という
ことは、このコンタクトホールのエッジフラグは密集コ
ンタクトホールフラグの領域と重複していたことを意味
するからである。一方、位置判定フラグの数が0個でな
い場合には、次は位置判定フラグの数が1個か否かが判
断される(ステップ75)。1個の場合には、位置判定
部63(図6)は当該コンタクトホールは二次元密集内
の外周部に位置すると判定する(ステップ77)。位置
判定フラグの数が1個であるので、当該コンタクトホー
ルのエッジが1つだけ外周部分に存在していたことを意
味するからである。位置判定フラグの数が0個でも1個
でもない場合には、必然的に2以上(本実施の形態では
2)になるので、位置判定部63(図6)は、当該コン
タクトホールは外周のコーナー部に位置すると判定する
(ステップ78)。
Referring to FIG. 7, when a contact hole whose existence position is to be specified is designated, position determination section 63 (FIG. 6) counts the number of position determination flags corresponding to the contact hole. That is, it is determined whether the number of position determination flags is 0 (step 74) or 1 (step 75). If the number of the position determination flags is 0, the position determination unit 63 (FIG. 6) determines that the contact hole is located inside the two-dimensional dense area (step 76). The reason is that the fact that the number of position determination flags is 0 means that the edge flag of this contact hole overlaps the area of the dense contact hole flag. On the other hand, if the number of the position determination flags is not 0, it is determined next whether or not the number of the position determination flags is 1 (step 75). If there is one, the position determination unit 63 (FIG. 6) determines that the contact hole is located on the outer peripheral portion in the two-dimensional dense area (step 77). This is because the number of position determination flags is one, which means that only one edge of the contact hole exists in the outer peripheral portion. If the number of the position determination flags is neither zero nor one, it is inevitably two or more (two in the present embodiment). Therefore, the position determination part 63 (FIG. 6) It is determined that it is located at the corner (step 78).

【0033】以上のようにして二次元密集内に存在する
コンタクトホールの位置を特定することにより、コンタ
クトホールの位置を容易に、かつ漏れなく判定すること
ができる。例えば、内部に存在するコンタクトホールを
エラーとして取り扱うこともできるし、また検証の目的
により、外周部に存在するコンタクトホールをエラーと
して取り扱うこともできる。二次元密集の間隔は、上述
したオーバーサイズ量およびアンダーサイズ量のcの大
きさを調整することにより調整できる。
By specifying the positions of the contact holes existing in the two-dimensional dense area as described above, the positions of the contact holes can be easily and completely determined. For example, a contact hole existing inside can be treated as an error, and a contact hole existing in an outer peripheral portion can be treated as an error for the purpose of verification. The two-dimensional density interval can be adjusted by adjusting the size of the oversize amount and the undersize amount c described above.

【0034】本発明の実施の形態で説明した検証装置1
(図2)および検証装置60(図6)の動作は、そのよ
うな処理を規定するコンピュータプログラムを実行する
ことにより行われる。例えば、検証装置1(図2)で
は、各構成要素の動作を制御するメインCPU(図示せ
ず)がそのようなコンピュータプログラムを解釈し、実
行する。コンピュータプログラムは、CD−ROM、D
VD等の光ディスクや、フロッピー(登録商標)ディス
ク、ハードディスク2(図1)等の磁気記録媒体に記録
でき、またインターネット等の電気通信回線を介して他
のコンピュータに伝送され、通信相手のコンピュータの
メモリ等の記録媒体に記録される。
Verification device 1 described in the embodiment of the present invention
The operations of (FIG. 2) and the verification device 60 (FIG. 6) are performed by executing a computer program that defines such processing. For example, in the verification device 1 (FIG. 2), a main CPU (not shown) that controls the operation of each component interprets and executes such a computer program. Computer programs are CD-ROM, D
It can be recorded on a magnetic recording medium such as an optical disk such as a VD, a floppy (registered trademark) disk, and a hard disk 2 (FIG. 1), and transmitted to another computer via an electric communication line such as the Internet. It is recorded on a recording medium such as a memory.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、密集性判定フラグの形
状が矩形か否かに応じて、複数のコンタクトホールのパ
ターンが一次元密集を形成するか否かを判定するので、
一次元密集か二次元密集かを容易にかつ確実に判定でき
る。具体的には、密集性判定フラグの形状が矩形の場合
には複数のコンタクトホールのパターンが一次元密集を
形成すると判定し、矩形でない場合には一次元密集でな
いと判定する。よって、非常に容易に判定でき、検証効
率を向上させ、設計工期の短縮を図れる。より詳しく
は、間隔判定フラグを所定の量だけ大きくして密集性判
定フラグを生成するので、一次元密集の場合には密集性
判定フラグの形状が矩形になる。また二次元密集の場合
には密集性判定フラグの形状が矩形ではなくなる。所定
の量とは、コンタクトホールの大きさの半分より小さい
値であるので、一次元密集の場合には密集性判定フラグ
の形状は必ず矩形になる。
According to the present invention, it is determined whether or not the pattern of the plurality of contact holes forms a one-dimensional density according to whether or not the shape of the density determination flag is rectangular.
It can be easily and reliably determined whether one-dimensional or two-dimensional. Specifically, when the shape of the density determination flag is rectangular, it is determined that the pattern of the plurality of contact holes forms one-dimensional density, and when it is not rectangular, it is determined that the pattern is not one-dimensional density. Therefore, the determination can be made very easily, the verification efficiency can be improved, and the design period can be shortened. More specifically, since the density determination flag is generated by increasing the interval determination flag by a predetermined amount, the shape of the density determination flag is rectangular in the case of one-dimensional density. In the case of two-dimensional crowding, the shape of the crowding determination flag is not rectangular. Since the predetermined amount is a value smaller than half the size of the contact hole, in the case of one-dimensional density, the shape of the density determination flag is always rectangular.

【0036】本発明によれば位置判定部63(図6)
は、位置判定フラグの個数(例えば0、1、2個)に基
づいて、二次元密集内の個々のコンタクトホールの位置
を判定できる。したがってコンタクトホールの位置を容
易に、かつ漏れなく判定できる。よって、検証効率を向
上させ、設計工期の短縮を図れる。
According to the present invention, the position judging section 63 (FIG. 6)
Can determine the position of each contact hole in a two-dimensional crowd based on the number of position determination flags (for example, 0, 1, and 2). Therefore, the position of the contact hole can be easily determined without any omission. Therefore, the verification efficiency can be improved and the design period can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 検証の対象となるコンタクトホールの例を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a contact hole to be verified.

【図2】 実施の形態1における、コンタクトホールの
密集性を検証する検証装置のブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a verification device for verifying the density of contact holes according to the first embodiment.

【図3】 検証装置の動作フローを示すフローチャート
である。
FIG. 3 is a flowchart illustrating an operation flow of the verification device.

【図4】 間隔判定フラグの例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of an interval determination flag.

【図5】 密集性判定フラグの例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a density determination flag;

【図6】 実施の形態2における、密集内のコンタクト
ホールの位置を検証する検証装置のブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram of a verification device for verifying positions of contact holes in a dense area according to the second embodiment.

【図7】 検証装置の動作フローを示すフローチャート
である。
FIG. 7 is a flowchart illustrating an operation flow of the verification device.

【図8】 (a)は、エッジフラグと密集コンタクトホ
ールフラグの領域を示す図である。(b)は、エッジフ
ラグと密集コンタクトホールフラグの論理差演算を行っ
た結果を示す図である。
FIG. 8A is a diagram showing an area of an edge flag and a dense contact hole flag. (B) is a diagram showing a result of performing a logical difference operation between the edge flag and the dense contact hole flag.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 検証装置、 2 記憶部、 3 レイアウトパター
ンデータファイル、4 検証コマンドファイル、 5
密集性判定フラグ生成部、 6 フラグ形状判定部、
7 エラーコンタクトホール判定部、 61 コンタク
トホールエッジ生成部、 62 位置判定フラグ生成
部、 63 位置判定部
REFERENCE SIGNS LIST 1 verification device, 2 storage unit, 3 layout pattern data file, 4 verification command file, 5
Denseness determination flag generation unit, 6 flag shape determination unit,
7 error contact hole determination unit, 61 contact hole edge generation unit, 62 position determination flag generation unit, 63 position determination unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B046 AA08 BA04 JA02 5F033 QQ37 UU01 XX34 5F064 EE15 EE27 HH06 HH10 HH11 HH12 HH16  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5B046 AA08 BA04 JA02 5F033 QQ37 UU01 XX34 5F064 EE15 EE27 HH06 HH10 HH11 HH12 HH16

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集積回路の複数のコンタクトホールのパ
ターンが、一次元密集を形成するか否かを判定する密集
性の判定方法であって、 複数のコンタクトホールのレイアウトパターンを規定す
るパターンデータ、および、複数のコンタクトホールの
各々の間隔を規定する間隔データを取得するステップ
と、 取得した前記パターンデータおよび前記間隔データに基
づいて、複数のコンタクトホールの各々の間隔を所定の
量だけ拡大した密集性判定フラグを生成するステップ
と、 前記密集性判定フラグの形状が矩形か否かに基づいて、
複数のコンタクトホールのパターンが一次元密集を形成
するか否かを判定するステップとからなる判定方法。
1. A method for determining whether or not a pattern of a plurality of contact holes of an integrated circuit forms one-dimensional denseness, comprising: pattern data defining a layout pattern of the plurality of contact holes; And acquiring interval data defining intervals of the plurality of contact holes; and densely expanding the intervals of the plurality of contact holes by a predetermined amount based on the acquired pattern data and the acquired interval data. Generating a gender determination flag, and based on whether or not the shape of the denseness determination flag is rectangular,
Determining whether the patterns of the plurality of contact holes form one-dimensional density.
【請求項2】 判定する前記ステップは、前記密集性判
定フラグの形状が矩形の場合には、複数のコンタクトホ
ールのパターンが一次元密集を形成すると判定し、矩形
でない場合には一次元密集でないと判定するステップで
ある、請求項1に記載の判定方法。
2. The method according to claim 1, wherein the step of determining includes determining that the pattern of the plurality of contact holes forms a one-dimensional density when the shape of the density determination flag is rectangular; The determination method according to claim 1, wherein the determination is performed.
【請求項3】 密集性判定フラグを生成する前記ステッ
プは、 取得した前記間隔データに基づいて、複数のコンタクト
ホールの各々の間隔と所定の検証値とを比較して間隔の
検証を行うステップと、 取得した前記パターンデータと、さらに前記間隔データ
とに基づいて、複数のコンタクトホールの各々の間隔に
関する間隔判定フラグを生成するステップと、 生成した前記間隔判定フラグを所定の量だけ大きくして
密集性判定フラグを生成するステップとをさらに含む、
請求項1に記載の判定方法。
3. The method according to claim 1, wherein the step of generating the density determination flag includes the step of comparing the intervals of the plurality of contact holes with a predetermined verification value based on the acquired interval data to verify the intervals. Generating an interval determination flag for each of the plurality of contact holes based on the obtained pattern data and the interval data; and increasing the generated interval determination flag by a predetermined amount to increase the density. Generating a gender determination flag.
The method according to claim 1.
【請求項4】 前記所定の量は、前記コンタクトホール
の大きさの半分より小さい、請求項1〜3に記載の判定
方法。
4. The method according to claim 1, wherein the predetermined amount is smaller than half the size of the contact hole.
【請求項5】 集積回路の複数のコンタクトホールが二
次元密集を形成する場合に、二次元密集内の個々のコン
タクトホールの位置を判定する判定方法であって、 複数のコンタクトホールのレイアウトパターンを規定す
るパターンデータ、および、複数のコンタクトホールの
各々の間隔を規定する間隔データを取得するステップ
と、 取得したパターンデータに基づいて、複数のコンタクト
ホールの全てのエッジに対してエッジフラグを生成する
ステップと、 取得した前記パターンデータおよび前記間隔データに基
づいて、二次元密集の領域を規定する密集コンタクトホ
ールフラグを生成し、前記エッジフラグから前記密集コ
ンタクトホールフラグを除く論理差演算を行って、位置
判定フラグを生成するステップと、 前記位置判定フラグの個数に基づいて、二次元密集内の
個々のコンタクトホールの位置を判定するステップとか
らなる判定方法。
5. A method for determining a position of an individual contact hole in a two-dimensional cluster when a plurality of contact holes of an integrated circuit form a two-dimensional cluster, the method comprising: determining a layout pattern of the plurality of contact holes; A step of obtaining specified pattern data and interval data specifying intervals of the plurality of contact holes; and generating an edge flag for all edges of the plurality of contact holes based on the obtained pattern data. Based on the acquired pattern data and the interval data, based on the acquired pattern data, generate a dense contact hole flag that defines a two-dimensional dense area, perform a logical difference operation excluding the dense contact hole flag from the edge flag, Generating a position determination flag; Determining how to, consisting of determining the position of each of the contact holes in the two-dimensional dense based on.
【請求項6】 判定する前記ステップは、前記位置判定
フラグの数が0個の場合には、該コンタクトホールは二
次元密集の内部に存在すると判定し、 前記位置判定フラグの数が1個の場合には、該コンタク
トホールは二次元密集の外周部に存在すると判定し、 前記位置判定フラグの数が2個の場合には、該コンタク
トホールは二次元密集の外周コーナー部に存在すると判
定する、請求項5に記載の判定方法。
6. The step of determining, when the number of the position determination flags is zero, determining that the contact hole exists inside the two-dimensional crowd, and determining that the number of the position determination flags is one. In this case, it is determined that the contact hole exists at the outer peripheral portion of the two-dimensional dense area. When the number of the position determination flags is two, it is determined that the contact hole is present at the outer peripheral corner portion of the two-dimensional dense area. The determination method according to claim 5.
【請求項7】 集積回路の複数のコンタクトホールのパ
ターンが、一次元密集を形成するか否かを判定すること
により密集性の検証を行うコンピュータプログラムを記
録した記録媒体であって、 複数のコンタクトホールのレイアウトパターンを規定す
るパターンデータ、および、複数のコンタクトホールの
各々の間隔を規定する間隔データを取得するステップ
と、 取得した前記パターンデータおよび前記間隔データに基
づいて、複数のコンタクトホールの各々の間隔を所定の
量だけ拡大した密集性判定フラグを生成するステップ
と、 前記密集性判定フラグの形状が矩形か否かに基づいて、
複数のコンタクトホールのパターンが一次元密集を形成
するか否かを判定するステップとからなる判定を行うコ
ンピュータプログラムを記録した記録媒体。
7. A recording medium recording a computer program for verifying the density by determining whether or not the pattern of a plurality of contact holes of an integrated circuit forms a one-dimensional density, comprising: A step of acquiring pattern data defining a hole layout pattern and interval data defining an interval of each of the plurality of contact holes; each of the plurality of contact holes based on the acquired pattern data and the interval data; Generating a denseness determination flag by expanding the interval of the predetermined amount by a predetermined amount, based on whether the shape of the denseness determination flag is rectangular,
A step of determining whether or not the patterns of the plurality of contact holes form one-dimensional denseness.
【請求項8】 集積回路の複数のコンタクトホールが二
次元密集を形成する場合に、二次元密集内の個々のコン
タクトホールの位置を判定することにより密集性の検証
を行うコンピュータプログラムを記録した記録媒体であ
って、 複数のコンタクトホールのレイアウトパターンを規定す
るパターンデータ、および、複数のコンタクトホールの
各々の間隔を規定する間隔データを取得するステップ
と、 取得したパターンデータに基づいて、複数のコンタクト
ホールの全てのエッジに対してエッジフラグを生成する
ステップと、 取得した前記パターンデータおよび前記間隔データに基
づいて、二次元密集の領域を規定する密集コンタクトホ
ールフラグを生成し、前記エッジフラグから前記密集コ
ンタクトホールフラグを除く論理差演算を行って、位置
判定フラグを生成するステップと、 前記位置判定フラグの個数に基づいて、二次元密集内の
個々のコンタクトホールの位置を判定するステップとか
らなる判定を行うコンピュータプログラムを記録した記
録媒体。
8. A computer program for verifying the density by determining the position of each contact hole in the two-dimensional density when the plurality of contact holes of the integrated circuit form a two-dimensional density. A medium, wherein pattern data defining a layout pattern of the plurality of contact holes, and interval data defining an interval between each of the plurality of contact holes; and a plurality of contacts based on the acquired pattern data. Generating an edge flag for every edge of the hole; generating a dense contact hole flag that defines a two-dimensional dense area based on the acquired pattern data and the interval data; Perform logical difference operation excluding dense contact hole flag, A recording medium recording a computer program for performing a determination including: a step of generating a position determination flag; and a step of determining a position of each contact hole in a two-dimensional density based on the number of the position determination flags.
【請求項9】 集積回路の複数のコンタクトホールのパ
ターンが、一次元密集を形成するか否かを判定すること
により密集性の検証を行う検証装置であって、 複数のコンタクトホールのレイアウトパターンを規定す
るパターンデータ、および、複数のコンタクトホールの
各々の間隔を規定する間隔データを記憶した記憶部と、 記憶部から取得した前記パターンデータおよび前記間隔
データに基づいて、複数のコンタクトホールの各々の間
隔を所定の量だけ拡大した密集性判定フラグを生成する
密集性判定フラグ生成部と、 密集性判定フラグ生成部により生成された前記密集性判
定フラグの形状が矩形か否かに基づいて、複数のコンタ
クトホールのパターンが一次元密集を形成するか否かを
判定するフラグ形状判定部とを備えた検証装置。
9. A verification device for verifying the congestion by determining whether or not a pattern of a plurality of contact holes of an integrated circuit forms one-dimensional congestion, the verification device comprising: A storage unit storing pattern data to be defined, and interval data defining each interval between the plurality of contact holes; and a plurality of contact holes based on the pattern data and the interval data acquired from the storage unit. A density determination flag generation unit that generates a density determination flag with an interval expanded by a predetermined amount; and a plurality of types based on whether the shape of the density determination flag generated by the density determination flag generation unit is rectangular. And a flag shape determination unit for determining whether or not the contact hole pattern forms one-dimensional denseness.
【請求項10】 集積回路の複数のコンタクトホールが
二次元密集を形成する場合に、二次元密集内の個々のコ
ンタクトホールの位置を判定することによりレイアウト
の検証を行う検証装置であって、 複数のコンタクトホールのレイアウトパターンを規定す
るパターンデータ、および、複数のコンタクトホールの
各々の間隔を規定する間隔データを記憶する記憶部と、 記憶部から取得したパターンデータに基づいて、複数の
コンタクトホールの全てのエッジに対してエッジフラグ
を生成するコンタクトホールエッジ生成部と、 記憶部から取得した前記パターンデータおよび前記間隔
データに基づいて、二次元密集の領域を規定する密集コ
ンタクトホールフラグを生成し、コンタクトホールエッ
ジ生成部により前記エッジフラグから前記密集コンタク
トホールフラグを除く論理差演算を行って、位置判定フ
ラグを生成する位置判定フラグ生成部と、 位置判定フラグ生成部により生成された前記位置判定フ
ラグの個数に基づいて、二次元密集内の個々のコンタク
トホールの位置を判定する位置判定部とを備えた検証装
置。
10. A verification apparatus for verifying a layout by determining a position of each contact hole in a two-dimensional dense area when a plurality of contact holes of the integrated circuit form a two-dimensional dense area. A storage unit storing pattern data defining a layout pattern of the contact holes, and interval data defining intervals of the plurality of contact holes; and a plurality of contact holes based on the pattern data acquired from the storage unit. A contact hole edge generation unit that generates an edge flag for all edges, and a dense contact hole flag that defines a two-dimensional dense area based on the pattern data and the interval data obtained from the storage unit; The contact hole edge generator generates the dense code from the edge flag. A position determination flag generation unit that performs a logical difference operation excluding a contact hole flag to generate a position determination flag; and, based on the number of the position determination flags generated by the position determination flag generation unit, the individual And a position determining unit for determining the position of the contact hole.
JP2000385143A 2000-12-19 2000-12-19 Method for deciding crowdedness recording medium with computer program for verifying crowdedness recorded thereon and verifying device Pending JP2002183238A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000385143A JP2002183238A (en) 2000-12-19 2000-12-19 Method for deciding crowdedness recording medium with computer program for verifying crowdedness recorded thereon and verifying device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000385143A JP2002183238A (en) 2000-12-19 2000-12-19 Method for deciding crowdedness recording medium with computer program for verifying crowdedness recorded thereon and verifying device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002183238A true JP2002183238A (en) 2002-06-28

Family

ID=18852462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000385143A Pending JP2002183238A (en) 2000-12-19 2000-12-19 Method for deciding crowdedness recording medium with computer program for verifying crowdedness recorded thereon and verifying device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002183238A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7681168B2 (en) 2004-12-03 2010-03-16 Nec Electronics Corporation Semiconductor integrated device, method of designing semiconductor integrated device, device for designing the same, and program

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7681168B2 (en) 2004-12-03 2010-03-16 Nec Electronics Corporation Semiconductor integrated device, method of designing semiconductor integrated device, device for designing the same, and program

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10846454B2 (en) Integrated circuits having in-situ constraints
US7404173B2 (en) Intermediate layout for resolution enhancement in semiconductor fabrication
US6598206B2 (en) Method and system of modifying integrated circuit power rails
US7703067B2 (en) Range pattern definition of susceptibility of layout regions to fabrication issues
US8782570B1 (en) Methods, systems, and articles of manufacture for implementing a physical electronic circuit design with multiple-patterning techniques
US6892368B2 (en) Patching technique for correction of minimum area and jog design rule violations
CN106055724B (en) Designing semiconductor device, the system for manufacturing device and the method using system
US20080059929A1 (en) Ic design modeling allowing dimension-dependent rule checking
JP5708330B2 (en) Generation method of wiring pattern data
JP2010506336A (en) Characteristics in electronic design automation.
US20120047479A1 (en) Incremental Layout Analysis
US7380227B1 (en) Automated correction of asymmetric enclosure rule violations in a design layout
JP4580006B2 (en) Method for verifying mask layout design data of semiconductor integrated circuit
JP2006259943A (en) Integrated circuit layout design system, its method and program
US20180046072A1 (en) Automated full-chip design space sampling using unsupervised machine learning
KR20200002002A (en) Integrated circuit structure, layout diagram method, and system
US8677300B2 (en) Canonical signature generation for layout design data
US9262574B2 (en) Voltage-related analysis of layout design data
US20150135151A1 (en) Canonical Forms Of Layout Patterns
US20150143317A1 (en) Determination Of Electromigration Features
US9626474B2 (en) Expanded canonical forms of layout patterns
JP2006058413A (en) Method for forming mask
US8132141B2 (en) Method and apparatus for generating a centerline connectivity representation
JP2002183238A (en) Method for deciding crowdedness recording medium with computer program for verifying crowdedness recorded thereon and verifying device
US20110041111A1 (en) Method and apparatus for generating a memory-efficient representation of routing data