JP2002090751A - Liquid crystal display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method for manufacturing the same

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JP2002090751A
JP2002090751A JP2000285134A JP2000285134A JP2002090751A JP 2002090751 A JP2002090751 A JP 2002090751A JP 2000285134 A JP2000285134 A JP 2000285134A JP 2000285134 A JP2000285134 A JP 2000285134A JP 2002090751 A JP2002090751 A JP 2002090751A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
insulating structure
insulating
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JP2000285134A
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Japanese (ja)
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Yasushi Kawada
靖 川田
Shoichi Kurauchi
昭一 倉内
Takashi Yamaguchi
剛史 山口
Atsuyuki Manabe
敦行 真鍋
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the display quality without increasing the production cost. SOLUTION: The liquid crystal display device has a liquid crystal having negative dielectric anisotropy held between electrode substrates G1, G2. The electrode substrate G2 has an insulating structure 21 to control the tilt direction of the liquid crystal to divide each pixel into a plurality of domains and has a columnar spacer 22 to maintain the gap between the electrode substrates G1, G2. In particular, the insulating structure 21 is disposed in a recessed part formed on the electrode substrate G2 and made of the same material as that of the columnar spacer 22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極基板間
に液晶を挟持した液晶表示装置であって、特に各画素が
液晶分子のチルト方向の互いに異なる複数のドメインに
分割される液晶表示装置およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a pair of electrode substrates, and more particularly to a liquid crystal display device in which each pixel is divided into a plurality of mutually different domains in the tilt direction of liquid crystal molecules. And its manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電
力という特性からOA機器、情報端末、時計、テレビの
ような様々な分野で応用されている。特にアクティブマ
トリクス型液晶表示装置は、薄膜トランジスタ(Thin Fi
lm Transistor)を用いて画素のスイッチングを行うこ
とにより優れた応答性を得ることができるため、多くの
画像情報を表示しなくてはならない携帯テレビあるいは
コンピュータの表示モニタとして利用されている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have been applied in various fields such as OA equipment, information terminals, watches, and televisions because of their characteristics of light weight, thinness, and low power consumption. In particular, active matrix type liquid crystal display devices use thin film transistors (Thin Fi
Since excellent responsiveness can be obtained by switching pixels using an lm transistor, it is used as a display monitor of a portable television or a computer in which a large amount of image information must be displayed.

【0003】近年では、液晶表示装置の精細度および表
示速度の向上が情報量の増大に伴って要求され始めてい
る。精細度の向上はTFTアレイ構造を微細化して画素
数を増大することにより行われる。この場合、画素数の
増大に伴って液晶分子の配列をより短い時間内に遷移さ
せるために、現在の2倍から数十倍という液晶分子の応
答速度を得られるような液晶表示モードが必要となる。
この液晶表示モードとしては、例えばネマチック液晶を
用いたOCB型、VAN型、HAN型、π配列型、スメ
チック液晶を用いた界面安定型強誘電性液晶(Surface S
tabilized Ferroelectric Liquid Crystal)型、あるい
は反強誘電性液晶型が利用できる。
[0003] In recent years, the improvement in definition and display speed of a liquid crystal display device has been demanded with an increase in the amount of information. The improvement in definition is achieved by making the TFT array structure finer and increasing the number of pixels. In this case, in order to transition the arrangement of the liquid crystal molecules within a shorter time with an increase in the number of pixels, a liquid crystal display mode capable of obtaining a response speed of the liquid crystal molecules of twice to several tens times the current one is necessary. Become.
As the liquid crystal display mode, for example, an OCB type, a VAN type, a HAN type, a π-alignment type using a nematic liquid crystal, and an interface stable ferroelectric liquid crystal (Surface S) using a smectic liquid crystal.
Tabilized Ferroelectric Liquid Crystal) type or antiferroelectric liquid crystal type can be used.

【0004】特にVAN型配向モードは、従来のツイス
トネマチック型(TN)型配向モードよりも速い応答速度
が得られることや、静電気破壊のような不良発生の原因
となる従来のラビング配向処理を垂直配向処理の採用に
より不要にできることから近年注目されている。さら
に、VAN型配向モードは視野角の補償設計が容易であ
り、液晶分子のチルト方向が互いに異なる複数のドメイ
ンに画素を分割するマルチドメイン形式にすることによ
り広い視野角を得ることができる。
[0004] In particular, the VAN type alignment mode can obtain a faster response speed than the conventional twisted nematic type (TN) type alignment mode, and can perform the conventional rubbing alignment processing which causes defects such as electrostatic breakdown. In recent years, it has attracted attention because it can be made unnecessary by employing an alignment treatment. Further, in the VAN-type alignment mode, it is easy to design a compensation for a viewing angle, and a wide viewing angle can be obtained by adopting a multi-domain system in which pixels are divided into a plurality of domains in which tilt directions of liquid crystal molecules are different from each other.

【0005】例えば特許登録2565639は液晶層に
電場を印加する電極の一部または周囲に電気的な欠落部
分としてスリットを設け、このスリット上またはその近
傍で生じる電場の揺らぎにより液晶材料の誘電率異方性
に対応させてチルト方向を一律に規定する技術を開示す
る。この文献では、複数のドメインが電場の揺らぎに多
方向成分を持たせることにより生成され、これにより広
い視野角を達成する。
For example, Japanese Patent No. 2565639 discloses a method in which a slit is provided as a part of or partially surrounding an electrode for applying an electric field to a liquid crystal layer, and the dielectric constant of the liquid crystal material varies due to fluctuation of the electric field on or near the slit. A technique for uniformly defining a tilt direction corresponding to anisotropy is disclosed. In this document, multiple domains are created by having a multi-directional component in the fluctuation of the electric field, thereby achieving a wide viewing angle.

【0006】現在では、電極または電極周辺に形成され
る凸状または凹状絶縁性構造体により誘起される液晶分
子の初期傾斜(プレチルト)と絶縁性構造体の誘電性に
対応する電場の揺らぎとにより複数のドメインを生成し
て視野角を広げる技術も提案されている。
At present, an initial tilt (pretilt) of liquid crystal molecules induced by a convex or concave insulating structure formed on an electrode or the periphery of the electrode and a fluctuation of an electric field corresponding to the dielectric property of the insulating structure. A technique for generating a plurality of domains to increase the viewing angle has also been proposed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶層の厚
さが一対の電極基板の間隙(セルギャップ)を一定に保
つために一方の電極基板から突出して他方の電極基板を
支持する複数の柱状スペーサにより規定される場合、セ
ルギャップがこの柱状スペーサとドメイン分割用の絶縁
性構造体との重畳によって不均一になりやすい。これを
防止するために、柱状スペーサをドメイン分割用の絶縁
性構造体に重畳しないように独立したプロセスで形成す
ることも可能であるが、これは製造プロセスを複雑化し
製造コストを増大させてしまう結果となる。
By the way, in order to keep the gap (cell gap) between the pair of electrode substrates constant, the thickness of the liquid crystal layer protrudes from one of the electrode substrates to form a plurality of columnar supports for supporting the other electrode substrate. When defined by the spacer, the cell gap tends to be non-uniform due to the overlap of the columnar spacer and the insulating structure for dividing the domain. To prevent this, it is possible to form the columnar spacer by an independent process so as not to overlap the insulating structure for dividing the domain, but this complicates the manufacturing process and increases the manufacturing cost. Results.

【0008】本発明の目的は、製造コストを増大させる
ことなく表示品質を向上できる液晶表示装置およびその
製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of improving display quality without increasing the manufacturing cost, and a method of manufacturing the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一対の
基板間に誘電率異方性が負の液晶が挟持され、一対の基
板の一方には、各画素を複数のドメインに分割するべく
液晶のチルト方向を制御する絶縁性構造体と、一対の基
板のギャップを保持するスペーサとを含み、絶縁性構造
体は一方の基板に形成された凹部に配置され、且つスペ
ーサと同材料からなる液晶表示装置が提供される。
According to the present invention, a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sandwiched between a pair of substrates, and each pixel is divided into a plurality of domains on one of the pair of substrates. To control the tilt direction of the liquid crystal, and a spacer for holding a gap between the pair of substrates, wherein the insulating structure is disposed in a recess formed in one of the substrates, and is made of the same material as the spacer. Liquid crystal display device is provided.

【0010】さらに本発明によれば、一対の基板間に誘
電率異方性が負の液晶が挟持され、一対の基板の一方に
は、各画素を複数のドメインに分割するべく液晶のチル
ト方向を制御する絶縁性構造体と、一対の基板のギャッ
プを保持するスペーサとを含む液晶表示装置の製造方法
において、一方の基板に凹部を有する下地層を形成する
工程と、下地層上に絶縁材料を成膜する工程と、絶縁材
料のパターニングにより絶縁性構造体を凹部に配置して
絶縁性構造体とスペーサとを同時に形成する工程とを含
む液晶表示装置の製造方法が提供される。
Further, according to the present invention, a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sandwiched between a pair of substrates, and one of the substrates has a tilt direction of the liquid crystal to divide each pixel into a plurality of domains. Forming a base layer having a concave portion on one substrate in a method for manufacturing a liquid crystal display device including an insulating structure for controlling the thickness of the substrate and a spacer for holding a gap between the pair of substrates; And a step of arranging the insulating structure in the recess by patterning the insulating material to simultaneously form the insulating structure and the spacer.

【0011】この液晶表示装置およびその製造方法で
は、絶縁性構造体は一方の基板に形成された凹部に配置
される。この場合、絶縁性構造体の位置とスペーサの位
置が重なる場合でも、下地の高低差を利用して柱状スペ
ーサのようなスペーサを絶縁性構造体と同一の製造プロ
セスで形成できるため、製造コストの増大させずに表示
品質を向上できる。また、凹部が画素の周囲にある場合
には、絶縁性構造体が光漏れを防ぐために遮光性であっ
ても画素のコントラスト低下を緩和できる。さらにこの
場合、絶縁性構造体が画素領域に大きく入り込むことが
避けられるので、第1電極基板の電極との重なり面積を
十分に低減でき、蓄積電荷に起因する焼付現象も低減で
きる。
In the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same, the insulating structure is disposed in a recess formed in one of the substrates. In this case, even when the position of the insulating structure and the position of the spacer overlap, a spacer such as a columnar spacer can be formed by the same manufacturing process as that of the insulating structure using the difference in height of the base, so that manufacturing costs are reduced. The display quality can be improved without increasing. Further, when the concave portion is located around the pixel, the decrease in the contrast of the pixel can be alleviated even if the insulating structure is light-shielding to prevent light leakage. Further, in this case, since the insulating structure is prevented from largely entering the pixel region, the overlapping area with the electrode of the first electrode substrate can be sufficiently reduced, and the burning phenomenon due to the accumulated charge can be reduced.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1実施形態に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置について図1お
よび図2を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an active matrix type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0013】図1は液晶表示装置の断面構造を示し、図
2はこの液晶表示装置の平面構造を示す。液晶表示装置
はマルチドメイン形式のVAN型配向モードで動作する
もので、電極基板G1およびG2、およびこれら電極基
板G1およびG2間に挟持される液晶層LQを備える。
液晶層LQは誘電率異方性が負であるネマチック液晶を
含む液晶材料および電極基板G1およびG2間において
液晶材料を取り囲む周辺シール材により構成される。電
極基板G1およびG2はこの周辺シール材によって貼り
合わされることにより液晶層LQと一体化する。
FIG. 1 shows a sectional structure of a liquid crystal display device, and FIG. 2 shows a plan structure of the liquid crystal display device. The liquid crystal display device operates in a multi-domain VAN type alignment mode, and includes electrode substrates G1 and G2, and a liquid crystal layer LQ sandwiched between the electrode substrates G1 and G2.
The liquid crystal layer LQ is composed of a liquid crystal material including a nematic liquid crystal having a negative dielectric anisotropy and a peripheral sealing material surrounding the liquid crystal material between the electrode substrates G1 and G2. The electrode substrates G1 and G2 are integrated with the liquid crystal layer LQ by being bonded by the peripheral sealing material.

【0014】電極基板G1はガラス板等の光透過性絶縁
基板1、マトリクス状に配置され各々画素を構成する液
晶分子の配列を制御する電場を液晶層LQに印加する複
数の画素電極2、これら画素電極2の行に沿って配置さ
れる複数の走査線3、これら画素電極2の列に沿って配
置される複数の信号線4、各々対応走査線3および対応
信号線4の交差位置近傍にスイッチング素子として配置
される複数の画素用薄膜トランジスタ5、および複数の
画素電極2を覆って形成され電圧無印加状態で液晶層L
Qの液晶分子を電極基板G1平面に対して略垂直に配向
する垂直配向膜6を含む。各画素用薄膜トランジスタ5
は絶縁基板1上で対応走査線3に接続されるゲート電極
5A、およびこのゲート電極5Aを覆うゲート絶縁膜1
A上に形成されるアモルファスシリコンあるいはポリシ
リコンの半導体層5Bを有する。半導体層5Bはゲート
電極5Aの両側に配置されるソース領域およびドレイン
領域を持つ。ソース領域は対応画素電極2に接続され、
ドレイン領域は対応信号線4に接続される。複数の走査
線3、複数の信号線4、および複数の薄膜トランジスタ
5は絶縁層7により覆われる。複数の画素電極2はこの
絶縁層7上に形成され、絶縁層7に形成されるコンタク
トホール7Aを介して対応薄膜トランジスタ5の半導体
層5Bのソース領域に接続される。電極基板G1はさら
に各画素電極2に形成されるスリット20を含む。この
スリット20は液晶層LQに印加される電場において画
素を複数のドメインに分割してこれらドメイン相互間で
液晶分子のチルト方向を異ならせるチルト制御部を構成
する。
The electrode substrate G1 is a light-transmitting insulating substrate 1 such as a glass plate, a plurality of pixel electrodes 2 arranged in a matrix and applying an electric field to the liquid crystal layer LQ for controlling the arrangement of liquid crystal molecules constituting pixels. A plurality of scanning lines 3 arranged along the rows of the pixel electrodes 2, a plurality of signal lines 4 arranged along the columns of the pixel electrodes 2, each near the intersection of the corresponding scanning line 3 and the corresponding signal line 4. The liquid crystal layer L formed so as to cover the plurality of pixel thin film transistors 5 arranged as switching elements and the plurality of pixel electrodes 2 and to be applied with no voltage is applied.
A vertical alignment film 6 for aligning the liquid crystal molecules of Q substantially perpendicular to the plane of the electrode substrate G1 is included. Thin film transistor 5 for each pixel
Denotes a gate electrode 5A connected to the corresponding scanning line 3 on the insulating substrate 1, and a gate insulating film 1 covering the gate electrode 5A.
A has a semiconductor layer 5B of amorphous silicon or polysilicon formed on A. The semiconductor layer 5B has a source region and a drain region arranged on both sides of the gate electrode 5A. The source region is connected to the corresponding pixel electrode 2,
The drain region is connected to the corresponding signal line 4. The plurality of scanning lines 3, the plurality of signal lines 4, and the plurality of thin film transistors 5 are covered with an insulating layer 7. The plurality of pixel electrodes 2 are formed on the insulating layer 7 and connected to the source region of the semiconductor layer 5B of the corresponding thin film transistor 5 via the contact holes 7A formed in the insulating layer 7. The electrode substrate G1 further includes a slit 20 formed in each pixel electrode 2. The slit 20 constitutes a tilt control unit that divides a pixel into a plurality of domains in an electric field applied to the liquid crystal layer LQ and makes the tilt direction of liquid crystal molecules different between these domains.

【0015】電極基板G2は、ガラス板等の光透過性絶
縁基板10、この絶縁基板10上に形成されるカラーフ
ィルタ11、複数の画素電極2に対向するようカラーフ
ィルタ11上に形成される対向電極12、この対向電極
12を覆って形成され電圧無印加状態で液晶層LQの液
晶分子を電極基板G2平面に対して略垂直に配向する垂
直配向膜13を含む。カラーフィルタ11は赤(R),
緑(G),青(B)という3色の着色層により構成され
る。これら着色層は複数の画素電極2にそれぞれ対向
し、これら画素電極2の間隙に対応して互いに離され
る。電極基板G2はさらにこれら着色層の間隙において
対向電極12上に形成され配向膜13により覆われる絶
縁性構造体21および複数の柱状スペーサ22を含む。
この絶縁性構造体21は液晶層LQに印加される電場に
おいて画素を複数のドメインに分割してこれらドメイン
相互間で液晶分子のチルト方向を異ならせるチルト制御
部を構成する。各柱状スペーサ22は電極基板G1およ
びG2の間隙(セルギャップ)を一定に保つために電極
基板G2から突出して電極基板G1を支持する。
The electrode substrate G2 includes a light-transmitting insulating substrate 10 such as a glass plate, a color filter 11 formed on the insulating substrate 10, and a facing filter formed on the color filter 11 so as to face the plurality of pixel electrodes 2. An electrode 12 includes a vertical alignment film 13 formed over the counter electrode 12 to align liquid crystal molecules of the liquid crystal layer LQ substantially perpendicularly to the plane of the electrode substrate G2 when no voltage is applied. The color filter 11 is red (R),
It is composed of three colored layers of green (G) and blue (B). These coloring layers respectively face the plurality of pixel electrodes 2 and are separated from each other in accordance with the gap between the pixel electrodes 2. The electrode substrate G2 further includes an insulating structure 21 and a plurality of columnar spacers 22 formed on the counter electrode 12 and covered with the alignment film 13 in the gap between the colored layers.
The insulating structure 21 constitutes a tilt control unit that divides a pixel into a plurality of domains in an electric field applied to the liquid crystal layer LQ and makes the tilt direction of liquid crystal molecules different between these domains. Each columnar spacer 22 protrudes from the electrode substrate G2 to support the electrode substrate G1 in order to keep the gap (cell gap) between the electrode substrates G1 and G2 constant.

【0016】ここで、上述の液晶表示装置の製造方法に
ついて説明する。
Here, a method for manufacturing the above-described liquid crystal display device will be described.

【0017】電極基板G1の製造工程では、公知の製造
プロセスに従って成膜およびパターニングが絶縁基板1
上で繰り返され、上述の走査線3、信号線4、薄膜トラ
ンジスタ5、および絶縁層7が形成される。絶縁層7の
形成後、厚さ150nmのITO膜がスパッタ蒸着装置
により絶縁層7上に堆積される。このITO膜は所定の
マスクパターンを用いてパターニングされ、これにより
各々幅5μmのスリット20を構成する欠落部分を持つ
複数の画素電極2を形成する。続いて、垂直配向膜6が
複数の画素電極2を覆うように例えばポリイミドのよう
な配向膜材料を70nmの厚さで塗布して180℃で焼
成することにより形成される。ここで、スリット20は
画素電極2を行方向において二等分して得られる第1お
よび第2領域の境界に形成される。
In the manufacturing process of the electrode substrate G1, film formation and patterning are performed according to a known manufacturing process.
The above is repeated, and the above-described scanning line 3, signal line 4, thin film transistor 5, and insulating layer 7 are formed. After the formation of the insulating layer 7, an ITO film having a thickness of 150 nm is deposited on the insulating layer 7 by a sputter deposition apparatus. This ITO film is patterned using a predetermined mask pattern, thereby forming a plurality of pixel electrodes 2 each having a missing portion forming a slit 20 having a width of 5 μm. Subsequently, the vertical alignment film 6 is formed by applying an alignment film material such as polyimide with a thickness of 70 nm and baking it at 180 ° C. so as to cover the plurality of pixel electrodes 2. Here, the slit 20 is formed at the boundary between the first and second regions obtained by bisecting the pixel electrode 2 in the row direction.

【0018】電極基板G2の製造工程では、カラーフィ
ルタ11が3μmの厚さで絶縁基板10上に形成され、
厚さ150nmのITO膜がスパッタ蒸着装置によりカ
ラーフィルタ11の着色層およびこれら着色層よってマ
スクされない絶縁基板10上に堆積される。このITO
膜は所定のマスクパターンを用いてパターニングされ、
これにより対向電極12を形成する。この後、対向電極
12は例えばアクリル系感光性樹脂にフタロシアニン系
色素を混合して得られる厚さ4.8μmの黒色レジスト
材料で覆われる。この黒色レジスト材料は所定のマスク
パターンを用いたフォトエングレイビングプロセスでパ
ターニングされ、これにより絶縁性構造体21および複
数の柱状スペーサ22を形成する。絶縁性構造体21は
カラーフィルタ11の着色層相互の間隙に対応した対向
電極12の凹部上に配置され、図2に示すように各画素
を取り囲むグリッド状の遮光層として用いられる。対向
電極12の凹部は電極基板G1およびG2のセルギャッ
プ値dに対して0.5d〜0.7dの深さを持つ。各柱
状スペーサ22は、電極基板G1の薄膜トランジスタ5
に対向するカラーフィルタ11の着色層部分に対応した
対向電極12の凸部上に数画素に1個の割合で配置さ
れ、電極基板G1および電極基板G2のセルギャップを
一定値dに規定する。ここで、絶縁性構造体21および
複数の柱状スペーサ22は下地の高低差を利用して同時
に形成される。この形成後、垂直配向膜13が対向電極
12、絶縁性構造体21および柱状スペーサ22を覆う
ように例えばポリイミドのような配向膜材料を70nm
の厚さで塗布して180℃で焼成することにより形成さ
れる。
In the manufacturing process of the electrode substrate G2, a color filter 11 is formed on the insulating substrate 10 with a thickness of 3 μm,
An ITO film having a thickness of 150 nm is deposited on the colored layers of the color filter 11 and the insulating substrate 10 which is not masked by the colored layers by a sputter deposition apparatus. This ITO
The film is patterned using a predetermined mask pattern,
Thereby, the counter electrode 12 is formed. Thereafter, the counter electrode 12 is covered with a 4.8 μm thick black resist material obtained by mixing a phthalocyanine dye with an acrylic photosensitive resin, for example. This black resist material is patterned by a photoengraving process using a predetermined mask pattern, thereby forming an insulating structure 21 and a plurality of columnar spacers 22. The insulating structure 21 is disposed on the concave portion of the counter electrode 12 corresponding to the gap between the colored layers of the color filter 11, and is used as a grid-shaped light shielding layer surrounding each pixel as shown in FIG. The concave portion of the counter electrode 12 has a depth of 0.5d to 0.7d with respect to the cell gap value d of the electrode substrates G1 and G2. Each columnar spacer 22 is provided on the thin film transistor 5 of the electrode substrate G1.
Are arranged on the convex portion of the counter electrode 12 corresponding to the colored layer portion of the color filter 11 facing each other at a ratio of one for every several pixels, and the cell gap between the electrode substrate G1 and the electrode substrate G2 is regulated to a constant value d. Here, the insulating structure 21 and the plurality of columnar spacers 22 are formed at the same time by utilizing the height difference of the base. After this formation, an alignment film material such as polyimide is applied to a thickness of 70 nm so that the vertical alignment film 13 covers the counter electrode 12, the insulating structure 21, and the columnar spacer 22.
And fired at 180 ° C.

【0019】電極基板G1およびG2の貼り合せ工程で
は、例えば熱硬化型のアクリルまたはエポキシ系接着剤
が液晶注入口を残すように電極基板G1の外縁に沿って
配向膜6上に印刷される。この後、電極基板G1および
G2が配向膜6および13を内側にして重ねられ、接着
剤を周辺シール材として硬化するために加熱処理され
る。続いて、誘電率異方性が負の液晶材料が電極基板G
1およびG2間において周辺シール材により取り囲まれ
た液晶注入空間に液晶注入口から通常の方法で注入さ
れ、さらに液晶注入口が紫外線硬化樹脂で封止される。
この後、偏光フィルム15および16が偏光軸を互いに
直交させて液晶層LQとは反対側となる電極基板G1お
よびG2の表面にそれぞれ貼付けられる。液晶表示装置
はこれにより完成する。
In the step of bonding the electrode substrates G1 and G2, for example, a thermosetting acrylic or epoxy-based adhesive is printed on the alignment film 6 along the outer edge of the electrode substrate G1 so as to leave a liquid crystal injection port. Thereafter, the electrode substrates G1 and G2 are stacked with the alignment films 6 and 13 inside, and are heated to cure the adhesive as a peripheral sealing material. Subsequently, a liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy is applied to the electrode substrate G.
The liquid crystal filling space is surrounded by a peripheral sealing material between 1 and G2, and is injected from the liquid crystal filling port by a normal method, and the liquid crystal filling port is sealed with an ultraviolet curable resin.
Thereafter, the polarizing films 15 and 16 are attached to the surfaces of the electrode substrates G1 and G2 on the opposite sides of the liquid crystal layer LQ with the polarization axes orthogonal to each other. Thus, the liquid crystal display device is completed.

【0020】第1実施形態の液晶表示装置では、薄膜ト
ランジスタ5を介して画素電極2の電位設定を行うこと
により画素電極2および対向電極12間において液晶層
LQに電場を印加すると、液晶分子の配列が各基板平面
に略垂直な状態から平行な状態に向かって変形する。こ
のとき、液晶分子のチルト方向はドメイン相互間で逆に
なる。これにより良好な視野角を得ることができる。
In the liquid crystal display device of the first embodiment, when an electric field is applied to the liquid crystal layer LQ between the pixel electrode 2 and the counter electrode 12 by setting the potential of the pixel electrode 2 through the thin film transistor 5, the arrangement of the liquid crystal molecules is reduced. Are deformed from a state substantially perpendicular to each substrate plane to a state parallel thereto. At this time, the tilt direction of the liquid crystal molecules is reversed between the domains. Thereby, a good viewing angle can be obtained.

【0021】絶縁性構造体21は画素の周囲において電
極基板G2に形成される凹部上に遮光層として配置され
る。この場合、コントラストの低下を緩和できる。ま
た、絶縁性構造体21が画素領域に大きく入り込むこと
が避けられるので、画素電極2との重なり面積を十分に
低減でき、蓄積電荷に起因する焼付現象を低減できる。
さらに柱状スペーサ22が絶縁性構造体21と同一プロ
セスで形成されるため、製造コストの増大を防止でき
る。
The insulating structure 21 is disposed as a light-shielding layer on the recess formed in the electrode substrate G2 around the pixel. In this case, a decrease in contrast can be reduced. In addition, since the insulating structure 21 is prevented from largely entering the pixel region, the overlapping area with the pixel electrode 2 can be sufficiently reduced, and the burning phenomenon caused by the accumulated charge can be reduced.
Furthermore, since the columnar spacers 22 are formed in the same process as the insulating structure 21, an increase in manufacturing cost can be prevented.

【0022】以下、本発明の第2実施形態に係るアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置について図3および図4
を参照して説明する。この液晶表示装置は図1に示す柱
状スペーサ22が絶縁性構造体21に重なって低抵抗レ
ジスト材料から一体的に形成されることを除いて第1実
施形態の液晶表示装置と同様に構成される。
Hereinafter, an active matrix type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. This liquid crystal display device is configured in the same manner as the liquid crystal display device of the first embodiment except that the columnar spacer 22 shown in FIG. 1 overlaps with the insulating structure 21 and is formed integrally from a low-resistance resist material. .

【0023】図3はこの液晶表示装置の断面構造を示
し、図4はこの液晶表示装置の平面構造を示す。第1実
施形態と同様の部分は図3および図4において同一参照
符号で表し、その説明を簡略化あるいは省略する。
FIG. 3 shows a sectional structure of the liquid crystal display device, and FIG. 4 shows a plan structure of the liquid crystal display device. 3 and 4 denote the same parts as in the first embodiment, and a description thereof will be simplified or omitted.

【0024】そこで、この液晶表示装置の製造方法につ
いて説明する。ちなみに、電極基板G1の製造工程並び
に電極基板G1およびG2の貼り合せ工程は、第1実施
形態と同様である。
Therefore, a method of manufacturing the liquid crystal display will be described. Incidentally, the manufacturing process of the electrode substrate G1 and the bonding process of the electrode substrates G1 and G2 are the same as in the first embodiment.

【0025】電極基板G2の製造工程では、カラーフィ
ルタ11が3μmの厚さで絶縁基板10上に形成され、
厚さ150nmのITO膜がスパッタ蒸着装置によりカ
ラーフィルタ11の着色層およびこれら着色層よってマ
スクされない絶縁基板10上に堆積される。このITO
膜は所定のマスクパターンを用いてパターニングされ、
これにより対向電極12を形成する。この後、対向電極
12は例えばアクリル系感光性樹脂にカーボンブラック
0.01wt%を混合して得られ3.9×10 12 Ω
・cmの抵抗値ρを持つ厚さ4.8μmの低抵抗レジス
ト材料で覆われる。この低抵抗レジスト材料としては、
一般的な有機レジスト材料や無機金属酸化物等を用いる
ことが出来るが、基本的には抵抗値ρが1011Ω・c
m<ρ<1014Ω・cmの範囲で30μm未満の加工
誤差となる材料を用いるのが好ましい。この抵抗値ρの
範囲はカーボンブラックの混合による低抵抗化を制限す
るために重要である。
In the manufacturing process of the electrode substrate G2, a color filter is used.
A filter 11 is formed on the insulating substrate 10 with a thickness of 3 μm,
A 150 nm thick ITO film is covered with a sputter deposition device.
The coloring layers of the color filter 11 and the coloring layers
It is deposited on the insulating substrate 10 which is not to be screened. This ITO
The film is patterned using a predetermined mask pattern,
Thereby, the counter electrode 12 is formed. After this, the counter electrode
12 is, for example, carbon black on an acrylic photosensitive resin.
3.9 × 10 obtained by mixing 0.01 wt% 12Ω
4.8 μm thick low-resistance resist with a resistance value ρ of cm
Covered with material. As this low-resistance resist material,
Use common organic resist materials, inorganic metal oxides, etc.
However, basically, when the resistance value ρ is 1011Ω ・ c
m <ρ <1014Processing less than 30μm in the range of Ωcm
It is preferable to use a material that causes an error. This resistance ρ
Range limits low resistance by mixing carbon black
Is important for.

【0026】この低抵抗レジスト材料は所定のマスクパ
ターンを用いたフォトエングレイビングプロセスでパタ
ーニングされ、これにより絶縁性構造体21および複数
の柱状スペーサ22を同時に形成する。絶縁性構造体2
1はカラーフィルタ11の着色層相互の間隙に対応した
対向電極12の凹部上に配置され、図4に示すように各
画素を取り囲むグリッド状の遮光層として用いられる。
対向電極12の凹部は電極基板G1およびG2のセルギ
ャップ値dに対して0.5d〜0.7dの深さを持つ。
各柱状スペーサ22は、電極基板G1の薄膜トランジス
タ5に対向するカラーフィルタ11の着色層部分に対応
した対向電極12の凸部上で絶縁性構造体21に一部重
なるようして数画素に1個の割合で配置され、電極基板
G1および電極基板G2のセルギャップを一定値dに規
定する。ここで、絶縁性構造体21および複数の柱状ス
ペーサ22は下地の高低差を利用して同時かつ一体的に
形成される。この形成後、垂直配向膜13が対向電極1
2、絶縁性構造体21および柱状スペーサ22を覆うよ
うに例えばポリイミドのような配向膜材料を70nmの
厚さで塗布して180℃で焼成することにより形成され
る。
This low-resistance resist material is patterned by a photoengraving process using a predetermined mask pattern, thereby forming an insulating structure 21 and a plurality of columnar spacers 22 at the same time. Insulating structure 2
Numeral 1 is disposed on the concave portion of the counter electrode 12 corresponding to the gap between the colored layers of the color filter 11, and is used as a grid-shaped light shielding layer surrounding each pixel as shown in FIG.
The concave portion of the counter electrode 12 has a depth of 0.5d to 0.7d with respect to the cell gap value d of the electrode substrates G1 and G2.
Each of the columnar spacers 22 overlaps with the insulating structure 21 on the convex portion of the counter electrode 12 corresponding to the colored layer portion of the color filter 11 facing the thin film transistor 5 of the electrode substrate G1. And the cell gap between the electrode substrate G1 and the electrode substrate G2 is defined as a constant value d. Here, the insulating structure 21 and the plurality of columnar spacers 22 are formed simultaneously and integrally using the difference in height of the base. After this formation, the vertical alignment film 13 is
2. It is formed by applying an alignment film material such as polyimide with a thickness of 70 nm and baking at 180 ° C. so as to cover the insulating structure 21 and the columnar spacers 22.

【0027】第2実施形態の液晶表示装置では、縁性構
造体21の位置と柱状スペーサ22の位置との重なりを
許容して第1実施形態と同様の効果を得ることができ
る。
In the liquid crystal display device of the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained by allowing the position of the edge structure 21 and the position of the columnar spacer 22 to overlap.

【0028】図5は比較例の液晶表示装置の断面構造を
示す。この液晶表示装置では、対向電極31がカラーフ
ィルタ32において互いに間隔を設けずに隣接する着色
層上に形成される。ドメイン分割用の絶縁性構造体33
はアクリル系感光性樹脂にフタロシアニン系色素を混合
して得られる厚さ1.5μmの黒色レジスト材料で対向
電極31を覆いこの黒色レジスト材料を所定のマスクパ
ターンを用いてパターニングすることによりカラーフィ
ルタの着色層相互の境界に配置される。また、柱状スペ
ーサ34は厚さ5.0μmのアクリル系感光性樹脂で対
向電極31を覆いこの感光性樹脂を所定のマスクパター
ンを用いてパターニングすることにより形成される。し
かしこの構成では、絶縁性構造体31の一部が各画素電
極によって規定される画素領域に大きく入り込むことが
避けられないため、この画素の光透過率を低下させてし
まう。さらにドメイン分割用の絶縁性構造体および柱状
スペーサが成膜、露光、パターニングというプロセスを
それぞれ独立に必要とする。
FIG. 5 shows a sectional structure of a liquid crystal display device of a comparative example. In this liquid crystal display device, the counter electrode 31 is formed on the adjacent colored layer in the color filter 32 without providing any space therebetween. Insulating structure 33 for domain division
Is covered with a 1.5 μm thick black resist material obtained by mixing a phthalocyanine dye with an acrylic photosensitive resin, and the black resist material is patterned using a predetermined mask pattern to form a color filter. The colored layers are arranged at the boundaries between each other. The columnar spacer 34 is formed by covering the counter electrode 31 with an acrylic photosensitive resin having a thickness of 5.0 μm and patterning the photosensitive resin using a predetermined mask pattern. However, in this configuration, it is inevitable that a part of the insulating structure 31 largely enters the pixel region defined by each pixel electrode, so that the light transmittance of the pixel is reduced. Further, the insulating structure for dividing the domain and the columnar spacer require independent processes of film formation, exposure, and patterning.

【0029】そこで、第1および第2実施形態に係る液
晶表示装置の光透過率および焼付現象のような表示ムラ
を図5に示す比較例の液晶表示装置のそれらと比較し
た。光透過率は画素の開口率を60%として評価し、表
示ムラは黒背景で白ウインドウを8時間表示した後で得
られる残像の有無により評価した。この比較結果によれ
ば、比較例の液晶表示装置は4%の透過率を有し表示ム
ラを発生してしまう。これに対し、実施形態の液晶表示
装置は4.44%の透過率を有し表示ムラを無くすこと
ができる。
Therefore, display unevenness such as light transmittance and image sticking of the liquid crystal display devices according to the first and second embodiments were compared with those of the liquid crystal display device of the comparative example shown in FIG. The light transmittance was evaluated by setting the aperture ratio of the pixel to 60%, and the display unevenness was evaluated by the presence or absence of an afterimage obtained after displaying a white window on a black background for 8 hours. According to this comparison result, the liquid crystal display device of the comparative example has a transmittance of 4% and causes display unevenness. In contrast, the liquid crystal display device according to the embodiment has a transmittance of 4.44% and can eliminate display unevenness.

【0030】尚、本発明は上述の実施形態に限定され
ず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能であ
る。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified without departing from the gist thereof.

【0031】各実施形態の柱状スペーサ22および絶縁
性構造体21は電極基板G1およびG2のいずれの側に
形成されてもよい。また、柱状スペーサ22は柱あるい
は角柱として形成でき、3μmから5μmの高さを持つ
ことが好ましい。さらに、ドメイン分割用の絶縁性構造
体21はカラーフィルタ11を部分的に薄くして得られ
る凹部、スイッチング素子5を覆う絶縁層に形成されス
イッチング素子5まで貫通するコンタクトホールにより
得られる凹部、2本の隣接配線の間隙として得られる凹
部、電極基板G1またはG2に予め形成される絶縁構造
体用の凹部を利用して形成可能である。ここで、スイッ
チング素子5を覆う絶縁層はカラーフィルタであっても
よい。
The columnar spacer 22 and the insulating structure 21 of each embodiment may be formed on either side of the electrode substrates G1 and G2. The columnar spacer 22 can be formed as a column or a prism, and preferably has a height of 3 μm to 5 μm. Further, the insulating structure 21 for domain division is formed by a concave portion obtained by partially thinning the color filter 11, a concave portion formed by an insulating layer covering the switching element 5, and formed by a contact hole penetrating to the switching element 5. It can be formed using a concave portion obtained as a gap between adjacent wirings and a concave portion for an insulating structure formed in advance on the electrode substrate G1 or G2. Here, the insulating layer covering the switching element 5 may be a color filter.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、製造コス
トを増大させることなく表示品質を向上できる液晶表示
装置およびその製造方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device capable of improving display quality without increasing the manufacturing cost, and a method of manufacturing the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の断
面構造を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す液晶表示装置の平面構造を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing a planar structure of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】本発明の第2実施形態に係る液晶表示装置の断
面構造を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図3に示す液晶表示装置の平面構造を示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram showing a planar structure of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図5】比較例の液晶表示装置の断面構造を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a liquid crystal display device of a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…画素電極 12…対向電極 6,13…垂直配向膜 20…スリット 21…絶縁性構造体 22…柱状スペーサ LQ…液晶層 G1,G2…電極基板 2: Pixel electrode 12: Counter electrode 6, 13: Vertical alignment film 20: Slit 21: Insulating structure 22: Columnar spacer LQ: Liquid crystal layer G1, G2: Electrode substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 320 G09F 9/30 349C 5G435 349 349Z 349A G02F 1/136 500 (72)発明者 山口 剛史 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 真鍋 敦行 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2号 株 式会社東芝深谷工場内 Fターム(参考) 2H089 LA09 MA04X MA05X NA14 NA15 NA17 NA55 QA05 QA14 TA12 TA15 2H090 HB08Y HC12 LA04 LA09 LA15 MA01 MA10 MB14 2H091 FA08X FA08Z FA35Y FB04 FC12 FC26 GA06 GA08 GA13 LA03 LA12 LA15 2H092 GA13 HA04 JA24 JB52 KA04 KA05 MA04 PA02 PA03 PA08 PA09 PA11 5C094 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 EC03 FB15 5G435 AA17 BB12 CC09 FF13 GG12 HH14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme court ゛ (Reference) G09F 9/30 320 G09F 9/30 349C 5G435 349 349Z 349A G02F 1/136 500 (72) Inventor Takeshi Yamaguchi Saitama Saitama 1-9-9, Hara-cho, Fukaya-shi, Japan Inside the Toshiba Fukaya plant (72) Inventor Atsushi Manabe 1-9-2, Hara-cho, Fukaya-shi, Saitama F-term in the Toshiba Fukaya plant (reference) 2H089 LA09 MA04X MA05X NA14 NA15 NA17 NA55 QA05 QA14 TA12 TA15 2H090 HB08Y HC12 LA04 LA09 LA15 MA01 MA10 MB14 2H091 FA08X FA08Z FA35Y FB04 FC12 FC26 GA06 GA08 GA13 LA03 LA12 LA15 2H092 GA13 HA04 JA24 PA03 PA03 PA05 PA03 PA03 PA03 PA05 PA04 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 EC03 FB15 5G435 AA17 BB12 CC09 FF13 GG12 HH14

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の基板間に誘電率異方性が負の液晶
が挟持され、前記一対の基板の一方には、各画素を複数
のドメインに分割するべく液晶のチルト方向を制御する
絶縁性構造体と、前記一対の基板のギャップを保持する
スペーサとを含み、前記絶縁性構造体は前記一方の基板
に形成された凹部に配置され、且つ前記スペーサと同材
料からなることを特徴とする液晶表示装置。
1. A liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sandwiched between a pair of substrates, and one of the pair of substrates has an insulating layer for controlling a tilt direction of the liquid crystal to divide each pixel into a plurality of domains. An insulating structure, and a spacer that holds a gap between the pair of substrates, wherein the insulating structure is disposed in a recess formed in the one substrate, and is made of the same material as the spacer. Liquid crystal display device.
【請求項2】 前記絶縁性構造体は遮光性を有すること
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the insulating structure has a light shielding property.
【請求項3】 前記絶縁性構造体は1011Ω・cm<
ρ<1014Ω・cmの抵抗値ρを有することを特徴と
する請求項1に記載の液晶表示装置。
3. The insulating structure according to claim 1, wherein the insulating structure has a resistance of 10 11 Ω · cm <.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device has a resistance value ρ of ρ <10 14 Ω · cm.
【請求項4】 前記絶縁性構造体は前記各画素の周囲に
形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示
装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the insulating structure is formed around each of the pixels.
【請求項5】 前記凹部は、前記一方の基板に形成され
たカラーフィルタにより形成されることを特徴とする請
求項1に記載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the recess is formed by a color filter formed on the one substrate.
【請求項6】 前記一方の基板には、スイッチング素子
と、このスイッチング素子を覆う絶縁層が形成され、前
記凹部は前記絶縁層に形成されたスイッチング素子まで
貫通するコンタクトホールにより形成されることを特徴
とする請求項1に記載の液晶表示装置。
6. The semiconductor device according to claim 6, wherein the switching element and an insulating layer covering the switching element are formed on the one substrate, and the recess is formed by a contact hole penetrating to the switching element formed in the insulating layer. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【請求項7】 前記絶縁層はカラーフィルタであること
を特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the insulating layer is a color filter.
【請求項8】 一対の基板間に誘電率異方性が負の液晶
が挟持され、前記一対の基板の一方には、各画素を複数
のドメインに分割するべく液晶のチルト方向を制御する
絶縁性構造体と、前記一対の基板のギャップを保持する
スペーサとを含む液晶表示装置の製造方法において、前
記一方の基板に凹部を有する下地層を形成する工程と、
前記下地層上に絶縁材料を成膜する工程と、前記絶縁材
料のパターニングにより前記絶縁性構造体を前記凹部に
配置して前記絶縁性構造体と前記スペーサとを同時に形
成する工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。
8. A liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sandwiched between a pair of substrates, and one of the pair of substrates has an insulating layer for controlling a tilt direction of the liquid crystal to divide each pixel into a plurality of domains. A method of manufacturing a liquid crystal display device including a conductive structure and a spacer that holds a gap between the pair of substrates, wherein a step of forming a base layer having a recess on the one substrate;
Forming an insulating material on the base layer, and arranging the insulating structure in the concave portion by patterning the insulating material to simultaneously form the insulating structure and the spacer. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
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