JP2001291689A - Polishing apparatus for wafer - Google Patents

Polishing apparatus for wafer

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JP2001291689A
JP2001291689A JP2000107019A JP2000107019A JP2001291689A JP 2001291689 A JP2001291689 A JP 2001291689A JP 2000107019 A JP2000107019 A JP 2000107019A JP 2000107019 A JP2000107019 A JP 2000107019A JP 2001291689 A JP2001291689 A JP 2001291689A
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JP
Japan
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wafer
holding member
holding
peripheral edge
liquid
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000107019A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Susumu Onishi
大西  進
Yasuhide Denda
康秀 傳田
Takeshi Hasegawa
毅 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikoshi Machinery Corp
Original Assignee
Fujikoshi Machinery Corp
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Publication date
Application filed by Fujikoshi Machinery Corp filed Critical Fujikoshi Machinery Corp
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily strip a wafer held on a holding member stuck to a holding board by the surface tension of liquid, while suppressing variations in stripping time. SOLUTION: The polishing apparatus for wafer comprises a holding member 12 stuck to a rotatable holding board 10 and holding a wafer 20 by the surface tension of water, and a guide ring 14 fixed to the surface of the holding member to surround the wafer and preventing slippage of the wafer, where the surface of the wafer is mirror surface polished by pressing the surface of the wafer held on the surface of the holding member against the polishing face of a surface plate with a prescribed load and causing the holding board and the surface plate to move relatively. The polishing apparatus further comprises nozzles 30, 30, 30 for ejecting water towards the gap between the outer circumferential edge of the wafer fixed to a rotating holding board and the inner circumferential edge of the guide ring, at stripping of the mirror surface polished wafer from the surface of the holding member, and an oscillator horn for irradiating ultrasonic waves to the jet water.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハの研磨装置
に関し、更に詳細には回転装置によって回転可能に設け
られた保持盤と、この保持盤の表面に貼着され、表面に
ウェーハを水等の液体の表面張力によって保持する保持
部材と、前記ウェーハの周囲を取り囲むように、前記保
持部材の表面に装着され、ウェーハの滑り移動を防止す
るガイドリングとを具備し、前記保持部材の表面に保持
されたウェーハの表面を定盤の研磨面に所定の荷重で押
し付けると共に、前記保持盤と定盤とを相対的に運動さ
せてウェーハの表面を鏡面研磨するウェーハの研磨装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for a wafer, and more particularly, to a holding plate rotatably provided by a rotating device, and attached to the surface of the holding plate, and the surface of which is coated with water or the like. A holding member that holds the liquid by surface tension, and a guide ring that is mounted on the surface of the holding member so as to surround the periphery of the wafer and that prevents the wafer from sliding, and is held on the surface of the holding member. The present invention relates to a wafer polishing apparatus that presses a surface of a wafer thus set against a polishing surface of a surface plate with a predetermined load, and that relatively moves the holding plate and the surface plate to mirror-polish the surface of the wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体装置の高密度化及び高集積
化が進展すると共に、その小型化及び薄型化も要請され
ている。このため、半導体素子の基盤となる半導体素子
用シリコンウェーハ(以下、単にウェーハと称する)
も、更に薄化されると共に、その表面の平坦度も更に一
層の精度が求められている。かかるウェーハを得るに
は、従来、柱状のシリコン単結晶から切り出されたウェ
ーハを複数段の研磨工程で研磨を施し、所定の厚さ及び
平坦度のウェーハとしている。ところで、後段の研磨工
程ほど、ウェーハは薄化され且つ表面が鏡面化されるた
め、その取り扱いに注意を要する。かかる後段の研磨工
程で用いられるウェーハの研磨装置を図8に示す。この
ウェーハの研磨装置は、モータ等の回転装置(図示せ
ず)によって矢印方向に回転可能に設けられた保持盤1
0と、保持盤10の表面に貼着され、表面にウェーハ2
0を水の表面張力によって保持するポリウレタン等の軟
質材料から成る保持部材12と、ウェーハ20の周囲を
取り囲むように、保持部材12の表面に装着され、ウェ
ーハ20の滑り移動を防止するガイドリング14とを具
備する。
2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor devices have become higher in density and higher in integration, there has been a demand for smaller and thinner semiconductor devices. For this reason, a silicon wafer for a semiconductor device (hereinafter simply referred to as a wafer) serving as a base of the semiconductor device
Are further thinned, and the flatness of the surface is required to be even more accurate. Conventionally, to obtain such a wafer, a wafer cut from a columnar silicon single crystal is polished in a plurality of polishing steps to obtain a wafer having a predetermined thickness and flatness. By the way, since the wafer is thinned and the surface is mirror-finished in the polishing process at the later stage, it is necessary to handle the wafer with care. FIG. 8 shows a wafer polishing apparatus used in the subsequent polishing step. The wafer polishing apparatus includes a holding plate 1 rotatably provided in a direction indicated by an arrow by a rotating device (not shown) such as a motor.
0 and the wafer 2 is stuck on the surface of the holding plate 10 and
And a guide ring 14 attached to the surface of the holding member 12 so as to surround the periphery of the wafer 20 to prevent the wafer 20 from sliding. And

【0003】この研磨装置では、保持盤10に装着され
たウェーハ20を、定盤40の表面に貼着された研磨布
42の研磨面に所定の荷重で押し付け、回転方向が同一
方向の保持盤10と定盤40とを回転させることによっ
て、ウェーハ20の表面を鏡面研磨する。ここで、ウェ
ーハ20を保持盤10に保持部材12を用いることなく
真空吸着すると、図9に示す如く、保持盤10に形成し
た吸着孔50内にウェーハ20の対応部が吸引された状
態で研磨に付される。このため、かかるウェーハ20の
吸引部には研磨が施されないため、研磨後のウェーハ2
0は、その研磨面の平坦度が低下する。
In this polishing apparatus, a wafer 20 mounted on a holding plate 10 is pressed against a polishing surface of a polishing cloth 42 stuck on a surface of a surface plate 40 with a predetermined load, and the rotation direction of the holding plate is the same. By rotating the plate 10 and the platen 40, the surface of the wafer 20 is mirror-polished. Here, when the wafer 20 is vacuum-sucked to the holding plate 10 without using the holding member 12, polishing is performed in a state where the corresponding portion of the wafer 20 is sucked into the suction holes 50 formed in the holding plate 10, as shown in FIG. Attached to For this reason, since the suction portion of the wafer 20 is not polished, the polished wafer 2 is not polished.
0 means that the flatness of the polished surface is reduced.

【0004】図8に示す研磨装置を用いて鏡面研磨を施
したウェーハ20は、研磨終了後に保持盤10から剥離
することを要するが、ウェーハ20は、保持部材12を
介して水の表面張力によって保持盤10に保持されてい
る。このため、ウェーハ20を治具等によって物理的に
剥離せんとすると、ウェーハ20の研磨面を損傷した
り、或いはウェーハ20が損傷されるおそれがある。こ
のため、特開平8−1509号公報には、図10に示す
様に、保持盤10に装着されたウェーハ20の外周縁と
ガイドリング14の内周縁との間隙に向けて水を噴射す
る水噴射ノズル30を設けたウェーハの研磨装置が提案
されている。
The wafer 20 that has been mirror-polished using the polishing apparatus shown in FIG. 8 needs to be separated from the holding plate 10 after the polishing is completed. It is held on a holding board 10. Therefore, if the wafer 20 is physically separated by a jig or the like, the polished surface of the wafer 20 may be damaged, or the wafer 20 may be damaged. For this reason, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 8-1509 discloses that water is sprayed toward a gap between the outer peripheral edge of the wafer 20 mounted on the holding plate 10 and the inner peripheral edge of the guide ring 14 as shown in FIG. A wafer polishing apparatus provided with an injection nozzle 30 has been proposed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図10に示すウェーハ
の研磨装置では、鏡面研磨終了後に保持盤10からのウ
ェーハ20の剥離を、水噴射ノズル30から水を噴射す
ることによって行うことができ、ウェーハ20の研磨面
等の損傷を可及的に防止できる。しかしながら、図10
に示すウェーハの研磨装置では、ウェーハ20の剥離時
間にバラツキが発生し易く、複数段の研磨工程における
各研磨工程のタクトタイムの調整が煩雑となることが判
明した。そこで、本発明の課題は、保持盤に貼着された
保持部材に水等の液体の表面張力によって保持されたウ
ェーハを容易に剥離でき、且つ剥離時間のバラツキを可
及的に少なくできるウェーハの研磨装置を提供すること
にある。
In the wafer polishing apparatus shown in FIG. 10, the peeling of the wafer 20 from the holding plate 10 after the mirror polishing is completed can be performed by spraying water from a water spray nozzle 30. Damage to the polished surface of the wafer 20 can be prevented as much as possible. However, FIG.
It has been found that in the wafer polishing apparatus shown in (1), the peeling time of the wafer 20 tends to vary, and the adjustment of the tact time in each polishing step in a plurality of polishing steps becomes complicated. Therefore, an object of the present invention is to provide a wafer which can easily peel a wafer held by a surface tension of a liquid such as water on a holding member attached to a holding board, and which can minimize variations in the peeling time. An object of the present invention is to provide a polishing apparatus.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく検討を重ねた結果、保持部材の表面からウェ
ーハを剥離する際に、回転する保持盤に水の表面張力に
より保持されたウェーハの外周縁とガイドリングの内周
縁との間隙に向け、超音波を照射しつつ水を噴射するこ
とによって、保持部材からウェーハを容易に剥離するこ
とができ、且つ剥離時間のバラツキを可及的に少なくで
きることを見出し、本発明に到達した。すなわち、本発
明は、回転装置によって回転可能に設けられた保持盤
と、前記保持盤に貼着され、表面にウェーハを水等の液
体の表面張力によって保持するポリウレタン等の軟質材
料から成る保持部材と、前記ウェーハの周囲を取り囲む
ように、前記保持部材の表面に装着され、ウェーハの滑
り移動を防止するガイドリングとを具備し、前記保持部
材の表面に保持されたウェーハの表面を定盤の研磨面に
所定の荷重で押し付けると共に、前記保持盤と定盤とを
相対的に運動させてウェーハの表面を鏡面研磨するウェ
ーハの研磨装置において、該保持部材の表面から鏡面研
磨されたウェーハを剥離する際に、前記回転装置によっ
て回転されている保持盤に装着されたウェーハの外周縁
とガイドリングの内周縁との間隙に向けて水等の液体を
噴射する液体噴射ノズルと、前記液体に超音波を照射す
る超音波照射手段とが設けられていることを特徴とする
ウェーハの研磨装置にある。
As a result of repeated studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found that when a wafer is separated from the surface of a holding member, the wafer is held on a rotating holding plate by the surface tension of water. By spraying water while irradiating ultrasonic waves toward the gap between the outer periphery of the wafer and the inner periphery of the guide ring, the wafer can be easily peeled from the holding member, and variations in the peel time are possible. The present inventors have found that the number can be reduced as much as possible, and reached the present invention. That is, the present invention provides a holding plate rotatably provided by a rotating device, and a holding member made of a soft material such as polyurethane which is attached to the holding plate and holds a wafer on the surface thereof by surface tension of a liquid such as water. And a guide ring mounted on the surface of the holding member so as to surround the periphery of the wafer, and a guide ring for preventing sliding movement of the wafer, wherein the surface of the wafer held on the surface of the holding member is In a wafer polishing apparatus that presses against a polishing surface with a predetermined load and relatively moves the holding plate and the platen to mirror-polish the surface of the wafer, peels off the mirror-polished wafer from the surface of the holding member. A liquid such as water toward the gap between the outer peripheral edge of the wafer mounted on the holding plate being rotated by the rotating device and the inner peripheral edge of the guide ring. A liquid injection nozzle that is in the polishing apparatus of the wafer, characterized in that the ultrasonic irradiation means is provided for irradiating ultrasonic waves to the liquid.

【0007】かかる本発明において、ウェーハの外周縁
とガイドリングの内周縁との間隙に向けて複数個所から
液体を噴射すべく、前記ガイドリングに沿って複数個の
液体噴射ノズルを配設することによって、液体噴射ノズ
ルの各々の位置調整を容易とすることができる。更に、
ウェーハの外周縁とガイドリングの内周縁との間隙に向
けて噴射する液体に超音波を照射すべく、超音波を発生
する振動子ホーンを液体噴射ノズル内に設けること、或
いは回転装置によって回転されている保持盤に装着され
た保持部材とウェーハとが浸漬されている液体に超音波
を照射すべく、超音波を発生する振動子ホーンを前記液
体の貯留槽内に設けることによって、ウェーハの外周縁
とガイドリングの内周縁との間隙に向けて噴射する液体
に超音波を好適に照射できる。また、保持部材の表面か
らウェーハを剥離する際に、前記保持部材の一部を保持
盤から剥離すべく、前記保持盤と保持部材との間に流体
を注入し得る流路を設けることによって、更に容易にウ
ェーハを剥離できる。
In the present invention, a plurality of liquid jet nozzles are provided along the guide ring so as to jet liquid from a plurality of locations toward a gap between an outer peripheral edge of the wafer and an inner peripheral edge of the guide ring. Thereby, the position adjustment of each of the liquid ejection nozzles can be facilitated. Furthermore,
In order to irradiate ultrasonic waves to the liquid ejected toward the gap between the outer peripheral edge of the wafer and the inner peripheral edge of the guide ring, a vibrator horn for generating ultrasonic waves is provided in the liquid jet nozzle, or rotated by a rotating device. In order to irradiate ultrasonic waves to the liquid in which the holding member mounted on the holding plate and the wafer are immersed, ultrasonic vibrator horns for generating ultrasonic waves are provided in the liquid storage tank, so that the outside of the wafer is provided. Ultrasonic waves can be suitably applied to the liquid ejected toward the gap between the peripheral edge and the inner peripheral edge of the guide ring. Further, when peeling the wafer from the surface of the holding member, in order to peel a part of the holding member from the holding plate, by providing a flow path through which a fluid can be injected between the holding plate and the holding member, Further, the wafer can be easily peeled off.

【0008】保持盤に貼着されたポリウレタン等の軟質
材料から成る保持部材に水等の液体の表面張力によって
保持されて鏡面研磨されたウェーハを剥離するには、液
体の表面張力を破壊することが必要である。前掲の特許
公報で提案されたウェーハの研磨装置では、液体噴射ノ
ズルからの噴射液体によってウェーハを保持している表
面張力を破壊せんとしている。しかしながら、ウェーハ
の外周縁とガイドリングの内周縁との間隙幅は一定では
なく、液体噴射ノズルから噴射された噴射液体が所望の
部分に充分に噴射されない場合がある。また、保持部材
の表面状態等の条件によって、ウェーハを保持している
表面張力にバラツキが存在し、噴射液体のみではウェー
ハを保持している表面張力を充分に破壊できない場合が
あるため、ウェーハの剥離時間にバラツキが発生するも
のと推察される。この点、本発明では、ウェーハを回転
しつつ、ウェーハの外周縁とガイドリングの内周縁との
間隙に向けて水等の液体を液体噴射ノズルから噴射する
と共に、噴射する液体に超音波を照射することによっ
て、ポリウレタン等の軟質材料から成る保持部材とウェ
ーハとの間に液体を確実に侵入せしめることができる。
その結果、ウェーハを保持している表面張力を確実に低
下させることができ、ウェーハを保持部材から剥離でき
る。このため、鏡面研磨が施されたウェーハを、その研
磨面を損傷することなく保持部材から容易に剥離でき、
且つ剥離時間のバラツキも可及的に少なくできる。
In order to peel off a mirror-polished wafer held by a holding member made of a soft material such as polyurethane adhered to a holding plate by the surface tension of a liquid such as water, the surface tension of the liquid must be destroyed. is necessary. In the wafer polishing apparatus proposed in the above-mentioned patent publication, the surface tension holding the wafer is not destroyed by the liquid ejected from the liquid ejecting nozzle. However, the width of the gap between the outer peripheral edge of the wafer and the inner peripheral edge of the guide ring is not constant, and the liquid ejected from the liquid ejecting nozzle may not be sufficiently ejected to a desired portion. Also, depending on conditions such as the surface condition of the holding member, there is variation in the surface tension holding the wafer, and the surface tension holding the wafer may not be sufficiently destroyed with only the ejected liquid. It is presumed that the peeling time varies. In this regard, in the present invention, while rotating the wafer, a liquid such as water is jetted from the liquid jet nozzle toward the gap between the outer peripheral edge of the wafer and the inner peripheral edge of the guide ring, and the jetted liquid is irradiated with ultrasonic waves. By doing so, it is possible to reliably inject the liquid between the holding member made of a soft material such as polyurethane and the wafer.
As a result, the surface tension holding the wafer can be reliably reduced, and the wafer can be separated from the holding member. Therefore, the mirror-polished wafer can be easily separated from the holding member without damaging the polished surface,
In addition, variations in the peeling time can be reduced as much as possible.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明に係るウェーハの研磨装置
の一例を図1に示す。図1に示すウェーハの研磨装置に
は、モータ等の回転装置によって回転可能に設けられた
保持盤10と、保持盤10に貼着され、表面にウェーハ
20を水の表面張力によって保持するポリウレタン等の
軟質材料から成る保持部材12が設けられている。この
保持部材12は、バッキング材とも称され、例えばポウ
レタンを主体とする軟質材料の微孔質シートを用いるこ
とができる。かかる保持部材12は、接着剤によって保
持盤10の一面側に接着されており、微細孔等に含有さ
れる水の表面張力によってウェーハ20を保持する。こ
の保持部材12に水の表面張力によって保持されている
ウェーハ20に、保持部材12のウェーハ20の接着面
と平行の方向に力が作用すると、ウェーハ20は滑り移
動(横滑り)をし易いため、ウェーハ20の周囲を取り
囲むように、ガイドリング14を保持部材12の表面に
貼着している。
FIG. 1 shows an example of a wafer polishing apparatus according to the present invention. The wafer polishing apparatus shown in FIG. 1 includes a holding plate 10 rotatably provided by a rotating device such as a motor, and a polyurethane or the like which is attached to the holding plate 10 and holds the wafer 20 on the surface by the surface tension of water. The holding member 12 made of a soft material is provided. The holding member 12 is also called a backing material, and for example, a microporous sheet made of a soft material mainly composed of polyurethane can be used. The holding member 12 is bonded to one surface of the holding plate 10 with an adhesive, and holds the wafer 20 by the surface tension of water contained in the fine holes and the like. When a force is applied to the wafer 20 held by the holding member 12 by the surface tension of water in a direction parallel to the bonding surface of the holding member 12 to the wafer 20, the wafer 20 easily slides (slides). A guide ring 14 is attached to the surface of the holding member 12 so as to surround the periphery of the wafer 20.

【0010】この様に、保持盤10に装着されたウェー
ハ20は、図8に示す様に、定盤40の表面に貼着され
た研磨布42の研磨面に所定の荷重で押し付け、回転方
向が同一方向の保持盤10と定盤40とを異なる回転速
度で回転させることによって、ウェーハ20の表面を鏡
面研磨する。かかる鏡面研磨が終了したウェーハ20を
保持盤10の保持部材12から剥離すべく、図1にウェ
ーハの研磨装置には、モータ等の回転装置によって回転
している保持盤10に装着されたウェーハ20の外周縁
とガイドリング14の内周縁との間隙に向けて水、好ま
しくは純水を噴射する液体噴射ノズルとしての水噴射ノ
ズル30と、噴射する水に超音波を照射する超音波照射
手段とが設けられている。この超音波照射手段は、超音
波発生装置34と、図2に示す様に、水噴射ノズル30
のケース36内に設けられた振動子ホーン38とから成
り、超音波発生装置34によって発生した振動が振動子
ホーン38に伝達され、噴射水に超音波が照射される。
As shown in FIG. 8, the wafer 20 mounted on the holding plate 10 is pressed against the polishing surface of the polishing cloth 42 stuck on the surface of the platen 40 with a predetermined load, as shown in FIG. By rotating the holding plate 10 and the platen 40 in the same direction at different rotation speeds, the surface of the wafer 20 is mirror-polished. In order to separate the wafer 20 after the mirror polishing from the holding member 12 of the holding plate 10, the wafer polishing apparatus shown in FIG. 1 includes a wafer 20 mounted on the holding plate 10 rotated by a rotating device such as a motor. A water jet nozzle 30 serving as a liquid jet nozzle for jetting water, preferably pure water, toward a gap between the outer peripheral edge of the guide ring 14 and the inner peripheral edge of the guide ring 14, and ultrasonic irradiation means for irradiating the jetted water with ultrasonic waves. Is provided. This ultrasonic irradiation means includes an ultrasonic generator 34 and, as shown in FIG.
The vibration generated by the ultrasonic generator 34 is transmitted to the vibrator horn 38 and the jet water is irradiated with ultrasonic waves.

【0011】この様に、水噴射ノズル30のケース36
内に設けられた振動子ホーン38によって、水噴射ノズ
ル30から噴射される噴射水に超音波を照射しつつ、保
持盤10を回転することによって、ウェーハ20の剥離
時間のバラツキを少なくできる。つまり、前述した様
に、ウェーハ20は保持部材12上を横滑りすることが
あるため、ウェーハ20の外周縁とガイドリング14の
内周縁との間隙幅は変化し易い。このため、保持盤10
を停止した状態で且つ一個の水噴射ノズル30を設けた
場合、ウェーハ20の外周縁とガイドリング14の内周
縁とが当接している個所や極めて狭くなっている個所の
みに、水噴射ノズル30からの水が噴射されるようなと
き、ウェーハ20の外周縁とガイドリング14の内周縁
との間隙に水が充分に噴射されず、ウェーハ20の剥離
時間が長くなり、ウェーハ20の剥離時間のバラツキ要
因の一つとなる。
As described above, the case 36 of the water injection nozzle 30
By rotating the holding plate 10 while irradiating the jet water jetted from the water jet nozzle 30 with ultrasonic waves by the vibrator horn 38 provided therein, variations in the peeling time of the wafer 20 can be reduced. That is, as described above, since the wafer 20 may slide on the holding member 12, the gap width between the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14 is likely to change. For this reason, the holding plate 10
Is stopped and one water injection nozzle 30 is provided, the water injection nozzle 30 is provided only at the point where the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14 are in contact or extremely narrow. When water is sprayed, water is not sufficiently sprayed into the gap between the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14, and the peeling time of the wafer 20 becomes longer. This is one of the causes of variation.

【0012】この点、ウェーハ20を回転させることに
よって、ウェーハ20が横滑りしても、ウェーハ20の
外周縁とガイドリング14の内周縁との間隙が他よりも
広く形成されている個所に、水噴射ノズル30から水を
確実に噴射できるため、ウェーハ20の剥離時間のバラ
ツキを少なくできる。特に、図1に示す様に、複数の水
噴射ノズル30,30,30を、ガイドリング14に沿
って設けることによって、保持盤10を回転することと
相俟って、ウェーハ20の剥離時間のバラツキを更に少
なくできる。すなわち、ウェーハ20が横滑り等してウ
ェーハ20の外周縁とガイドリング14の内周縁との間
隙が他よりも広く形成されている個所に、複数の水噴射
ノズル30,30,30から水が繰り返し噴射されるこ
とによって、更に一層ポリウレタン等の軟質材料から成
る保持部材12とウェーハ20との間に水を確実に侵入
させることができるためである。ここで、水噴射ノズル
30の先端とウェーハ20の外周縁とガイドリング14
の内周縁との距離dは、1〜5cm程度とすることが好
ましい。尚、図1においては、超音波発生装置34と水
噴射ノズル30,30との接続等を省略した。
In this regard, when the wafer 20 is rotated, even if the wafer 20 slides sideways, water is formed at a place where the gap between the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14 is formed wider than the others. Since the water can be reliably injected from the injection nozzle 30, the variation in the peeling time of the wafer 20 can be reduced. In particular, as shown in FIG. 1, by providing a plurality of water injection nozzles 30, 30, 30 along the guide ring 14, in conjunction with rotating the holding plate 10, the separation time of the wafer 20 can be reduced. Variation can be further reduced. That is, water is repeatedly discharged from the plurality of water injection nozzles 30, 30, 30 where the gap between the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14 is formed wider than the other due to the side slip of the wafer 20 or the like. This is because water can be more reliably infiltrated between the wafer 20 and the holding member 12 made of a soft material such as polyurethane by being sprayed. Here, the tip of the water injection nozzle 30, the outer peripheral edge of the wafer 20, and the guide ring 14
Is preferably about 1 to 5 cm. In FIG. 1, the connection between the ultrasonic generator 34 and the water injection nozzles 30, 30 and the like are omitted.

【0013】図1に示す水噴射ノズル30,30,30
の各々は、図3に示す様に、基盤50に立設された立設
板52に、角度調整可能に保持されている。かかる立設
板52に形成された円弧状のスリット54に、ホルダー
56の二箇所に突設されたボルト57a,57bが嵌っ
ており、ボルト57a,57bには、立設板52の裏面
側で蝶ナットが螺合している。この蝶ナットを締め付け
ることによって、水噴射ノズル30を所定角度で固定で
きる。基盤50には、ウエットステーション60が配設
されており、保持盤10の保持部材12から剥離された
ウェーハ20を受けて一旦保持する。このウエットステ
ーション60には、水が張られており、剥離されたウェ
ーハ20の衝撃を緩和する。
The water injection nozzles 30, 30, 30 shown in FIG.
As shown in FIG. 3, each of them is held on an upright plate 52 erected on a base 50 so as to be adjustable in angle. Bolts 57a and 57b projecting from two places of the holder 56 are fitted into the arc-shaped slit 54 formed in the standing plate 52, and the bolts 57a and 57b are fitted on the back side of the standing plate 52. The wing nut is screwed. The water injection nozzle 30 can be fixed at a predetermined angle by tightening the wing nut. A wet station 60 is provided on the base 50 and receives and temporarily holds the wafer 20 peeled from the holding member 12 of the holding board 10. The wet station 60 is filled with water to reduce the impact of the peeled wafer 20.

【0014】図3に示す水噴射ノズル30の角度は、ウ
ェーハ20の外周縁とガイドリング14の内周縁との間
隙には、その全周に亘って水が噴射されるように、調整
することが好ましいが、前述した様に、ウェーハ20が
横滑りして間隙幅は一定ではない。また、ガイドリング
14の厚さ等との関係で、ウェーハ20の外周縁とガイ
ドリング14の内周縁との間隙には、その全周に亘って
水が噴射されるように調整できない場合もある。この様
な場合、ウェーハ20に形成される、図4(a)に示す
オリエンテーションフラット22や図4(b)に示すノ
ッチ24の部分に、水が噴射されるように水噴射ノズル
30の角度を調整してもよい。この部分は、ウェーハ2
0が横滑りしてウェーハ20の外周縁とガイドリング1
4の内周縁とが当接しても、必ず間隙が形成される部分
である。しかも、オリエンテーションフラット22やノ
ッチ24の部分の端面22a(24a),22b(24
b)にも、図5に示す様に、面取りがなされており、保
持部材12とウェーハ20との間に水を確実に侵入させ
ることができる。
The angle of the water jet nozzle 30 shown in FIG. 3 is adjusted so that water is jetted over the entire circumference of the gap between the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14. However, as described above, the gap width is not constant because the wafer 20 slides sideways. Also, due to the thickness of the guide ring 14 and the like, the gap between the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14 may not be adjusted so that water is sprayed over the entire circumference. . In such a case, the angle of the water jet nozzle 30 is adjusted so that water is jetted onto the orientation flat 22 shown in FIG. 4A and the notch 24 shown in FIG. It may be adjusted. This part is wafer 2
0 slides and the outer peripheral edge of the wafer 20 and the guide ring 1
4 is a portion where a gap is always formed even if the inner peripheral edge of the base member 4 abuts. In addition, the end faces 22a (24a) and 22b (24) of the orientation flat 22 and the notch 24 are formed.
Also in FIG. 5B, chamfering is performed as shown in FIG. 5, so that water can reliably enter between the holding member 12 and the wafer 20.

【0015】図1に示すウェーハの研磨装置では、保持
部材12として用いられている、ポウレタンを主体とす
る軟質材料の微孔質シートを、保持盤10の表面の全面
に接着剤によって接着している。ところで、この微孔質
シートは、空気や水等の流体を実質的に透過し難い部材
である。このため、図6に示す様に、保持部材12の中
央部が保持盤10の表面から剥離されるように、保持盤
10と保持部材12との間に圧空を注入し得る圧空流路
26,26・・を保持盤10に形成することが好まし
い。この様に、保持盤10と保持部材12との間に圧空
を注入することにより、保持部材12の中央部が保持盤
10の表面から剥離することによって、保持部材12の
表面に水の表面張力によって保持されているウェーハ2
0の端縁と保持部材12と間に隙間28が形成され易く
なるため、水噴射ノズル30.30.30から噴射され
る噴射水に因る剥離も更に容易とすることができる。
尚、図6に示すウェーハの研磨装置でも、保持盤10を
回転しつつ水噴射ノズル30,30,30・・から水を
噴射することが好ましい。
In the wafer polishing apparatus shown in FIG. 1, a microporous sheet mainly made of polyurethane, which is used as the holding member 12, is adhered to the entire surface of the holding plate 10 with an adhesive. I have. By the way, this microporous sheet is a member that is substantially difficult to transmit a fluid such as air or water. For this reason, as shown in FIG. 6, the compressed air flow path 26, which can inject compressed air between the holding plate 10 and the holding member 12, so that the central portion of the holding member 12 is separated from the surface of the holding plate 10. 26 .. are preferably formed on the holding plate 10. In this way, by injecting compressed air between the holding plate 10 and the holding member 12, the central portion of the holding member 12 is separated from the surface of the holding plate 10, so that the surface tension of water is applied to the surface of the holding member 12. Wafer 2 held by
Since the gap 28 is easily formed between the edge of the “0” and the holding member 12, the separation due to the jet water jetted from the water jet nozzle 30.30.30 can be further facilitated.
In addition, in the wafer polishing apparatus shown in FIG. 6, it is preferable that water is sprayed from the water spray nozzles 30, 30, 30,.

【0016】また、図1及び図6に示すウェーハの研磨
装置における超音波照射手段は、水噴射ノズル30のケ
ース36内に設けられた振動子ホーン38によって噴射
水に超音波を照射しているが、図7に示す様に、保持盤
10に装着された保持部材12とウェーハ20とを貯留
槽44に貯留されている貯留水46中に浸漬し、貯留槽
44の底部に設けられた振動子ホーン39によって超音
波を貯留水46に照射してもよい。この場合、振動子ホ
ーン39によって超音波を貯留水46に照射しつつ、保
持盤10を矢印の方向に回転し、水噴射ノズル48から
水をウェーハ20の外周縁とガイドリング14の内周縁
との間隙に向けて噴射する。この水噴射ノズル48に
は、振動子ホーンが内装されていなくてもよい。水噴射
ノズル48から貯留槽44内に噴射された水は、振動子
ホーン39によって直ちに超音波の照射を受けることが
できるからである。この様に、保持部材12とウェーハ
20とを貯留水46中に浸漬する場合であっても、保持
盤10を回転することを要する。ウェーハ20の外周縁
とガイドリング14の内周縁との間隙幅は変化し易い。
このため、保持盤10を停止した状態では、ウェーハ2
0の外周縁とガイドリング14の内周縁とが当接してい
る個所や極めて狭くなっている個所のみに水噴射ノズル
48から水が噴射されるとき、ウェーハ20の外周縁と
ガイドリング14の内周縁との間隙に水が充分に噴射さ
れず、ウェーハ20の剥離時間が長くなる。尚、貯留水
46及び水噴射ノズル48から噴射する水としては、純
水を用いることが好ましい。
The ultrasonic irradiating means in the wafer polishing apparatus shown in FIGS. 1 and 6 irradiates the jet water with ultrasonic waves by vibrator horn 38 provided in case 36 of water jet nozzle 30. However, as shown in FIG. 7, the holding member 12 mounted on the holding plate 10 and the wafer 20 are immersed in the storage water 46 stored in the storage tank 44, and the vibration provided at the bottom of the storage tank 44 is provided. Ultrasonic waves may be applied to the stored water 46 by the child horn 39. In this case, the holding plate 10 is rotated in the direction of the arrow while irradiating the stored water 46 with ultrasonic waves by the vibrator horn 39, and water is sprayed from the water injection nozzle 48 to the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14. Injects toward the gap. A vibrator horn need not be provided in the water injection nozzle 48. This is because the water injected from the water injection nozzle 48 into the storage tank 44 can be immediately irradiated with ultrasonic waves by the vibrator horn 39. As described above, even when the holding member 12 and the wafer 20 are immersed in the stored water 46, the holding plate 10 needs to be rotated. The gap width between the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner peripheral edge of the guide ring 14 tends to change.
Therefore, when the holding plate 10 is stopped, the wafer 2
When water is jetted from the water jet nozzle 48 only at a point where the outer peripheral edge of the zero and the inner peripheral edge of the guide ring 14 are in contact with or extremely narrow, the outer peripheral edge of the wafer 20 and the inner part of the guide ring 14 Water is not sufficiently injected into the gap with the peripheral edge, and the peeling time of the wafer 20 becomes longer. In addition, it is preferable to use pure water as the water injected from the stored water 46 and the water injection nozzle 48.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明によれば、鏡面研磨が終了したウ
ェーハに損傷を与えることなく容易に剥離でき、且つ剥
離時間のバラツキを可及的に少なくできる。このため、
複数段のウェーハの研磨工程における各研磨工程のタク
トタイムの調整を容易に行うことができ、ウェーハの研
磨を容易に行うことができる。
According to the present invention, it is possible to easily peel off a mirror-polished wafer without damaging the wafer, and to minimize variations in the peeling time. For this reason,
The tact time of each polishing step in the polishing step of a plurality of wafers can be easily adjusted, and the wafer can be easily polished.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るウェーハの研磨装置の一例を説明
する概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a wafer polishing apparatus according to the present invention.

【図2】図1に用いる水噴射ノズルを説明する断面図で
ある。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a water injection nozzle used in FIG.

【図3】水噴射ノズルが装着された図1に示すウェーハ
の研磨装置を説明する部分断面正面図である。
3 is a partial cross-sectional front view illustrating the wafer polishing apparatus shown in FIG. 1 equipped with a water injection nozzle.

【図4】保持盤に装着されたウェーハとガイドリングと
を説明する正面図である。
FIG. 4 is a front view illustrating a wafer and a guide ring mounted on a holding board.

【図5】ウェーハのオリエンテーデョンフラット又はノ
ッチの端面の状態を説明する部分断面図である。
FIG. 5 is a partial sectional view illustrating a state of an end face of an orientation flat or a notch of a wafer.

【図6】本発明に係るウェーハの研磨装置の他の例を説
明する概略図である。
FIG. 6 is a schematic view illustrating another example of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

【図7】本発明に係るウェーハの研磨装置の他の例を説
明する概略図である。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating another example of the wafer polishing apparatus according to the present invention.

【図8】一般的なウェーハの研磨装置の概略を説明する
概略図である。
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an outline of a general wafer polishing apparatus.

【図9】保持盤に真空吸着したウェーハの状態を説明す
る部分断面図である。
FIG. 9 is a partial cross-sectional view illustrating a state of a wafer vacuum-adsorbed to a holding board.

【図10】従来のウェーハの研磨装置を説明する概略図
である。
FIG. 10 is a schematic view illustrating a conventional wafer polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 保持盤 12 保持部材 14 ガイドリング 20 ウェーハ 22 オリエンテーションフラット 24 ノッチ 26 圧空流路 30,48 水噴射ノズル 34 超音波発生装置 36 ケース 38,39 振動子ホーン 44 貯留槽 46 貯留水 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Holding board 12 Holding member 14 Guide ring 20 Wafer 22 Orientation flat 24 Notch 26 Compressed air flow path 30, 48 Water injection nozzle 34 Ultrasonic generator 36 Case 38, 39 Transducer horn 44 Storage tank 46 Storage water

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 毅 長野県長野市松代町清野1650番地 不二越 機械工業株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AB03 AB04 AC01 CB02 CB03 CB04 DA17  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Takeshi Hasegawa 1650 Kiyono, Matsushiro-machi, Nagano-shi, Nagano F-term in Fujikoshi Machinery Co., Ltd. F-term (reference)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転装置によって回転可能に設けられた
保持盤と、前記保持盤に貼着され、表面にウェーハを水
等の液体の表面張力によって保持するポリウレタン等の
軟質材料から成る保持部材と、前記ウェーハの周囲を取
り囲むように、前記保持部材の表面に装着され、ウェー
ハの滑り移動を防止するガイドリングとを具備し、前記
保持部材の表面に保持されたウェーハの表面を定盤の研
磨面に所定の荷重で押し付けると共に、前記保持盤と定
盤とを相対的に運動させてウェーハの表面を鏡面研磨す
るウェーハの研磨装置において、 該保持部材の表面から鏡面研磨されたウェーハを剥離す
る際に、前記回転装置によって回転されている保持盤に
装着されたウェーハの外周縁とガイドリングの内周縁と
の間隙に向けて水等の液体を噴射する液体噴射ノズル
と、 前記液体に超音波を照射する超音波照射手段とが設けら
れていることを特徴とするウェーハの研磨装置。
1. A holding plate rotatably provided by a rotating device, and a holding member made of a soft material such as polyurethane adhered to the holding plate and holding a wafer on a surface thereof by a surface tension of a liquid such as water. A guide ring mounted on the surface of the holding member so as to surround the periphery of the wafer and preventing sliding movement of the wafer, and polishing the surface of the wafer held on the surface of the holding member to a surface plate. A wafer polishing apparatus for pressing a predetermined load against a surface and mirror-polishing the surface of a wafer by relatively moving the holding plate and the surface plate, wherein the mirror-polished wafer is separated from the surface of the holding member. At this time, a liquid such as water is jetted toward a gap between the outer peripheral edge of the wafer mounted on the holding plate being rotated by the rotating device and the inner peripheral edge of the guide ring. An injection nozzle, the polishing apparatus of the wafer, characterized in that the ultrasonic irradiation means for irradiating ultrasonic waves to the liquid is provided.
【請求項2】 ウェーハの外周縁とガイドリングの内周
縁との間隙に向けて、複数個所から液体が噴射されるよ
うに、前記ガイドリングに沿って複数個の液体噴射ノズ
ルが配設されている請求項1記載のウェーハの研磨装
置。
2. A plurality of liquid ejecting nozzles are arranged along the guide ring so that liquid is ejected from a plurality of places toward a gap between an outer peripheral edge of the wafer and an inner peripheral edge of the guide ring. The wafer polishing apparatus according to claim 1.
【請求項3】 ウェーハの外周縁とガイドリングの内周
縁との間隙に向けて噴射される液体に超音波が照射され
るように、超音波を発生する振動子ホーンが液体噴射ノ
ズル内に設けられている請求項1又は請求項2記載のウ
ェーハの研磨装置。
3. A vibrator horn for generating ultrasonic waves is provided in a liquid ejecting nozzle so that ultrasonic waves are applied to a liquid ejected toward a gap between an outer peripheral edge of a wafer and an inner peripheral edge of a guide ring. The wafer polishing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
【請求項4】 回転装置によって回転されている保持盤
に装着された保持部材とウェーハとが浸漬されている液
体に超音波が照射されるように、超音波を発生する振動
子ホーンが前記液体の貯留槽内に設けられている請求項
1又は請求項2記載のウェーハの研磨装置。
4. A vibrator horn for generating ultrasonic waves, wherein ultrasonic waves are applied to a liquid in which a holding member mounted on a holding plate rotated by a rotating device and a wafer are immersed in the liquid. 3. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is provided in a storage tank.
【請求項5】 保持部材の表面からウェーハを剥離する
際に、前記保持部材の一部が保持盤から剥離されるよう
に、前記保持盤と保持部材との間隙に流体を注入し得る
流路が形成されている請求項1〜4のいずれか一項記載
のウェーハの研磨装置。
5. A flow path capable of injecting a fluid into a gap between the holding plate and the holding member such that a part of the holding member is separated from the holding plate when the wafer is separated from the surface of the holding member. The wafer polishing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein:
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