JP2001130921A - Method and device for processing brittle substrate - Google Patents

Method and device for processing brittle substrate

Info

Publication number
JP2001130921A
JP2001130921A JP30878799A JP30878799A JP2001130921A JP 2001130921 A JP2001130921 A JP 2001130921A JP 30878799 A JP30878799 A JP 30878799A JP 30878799 A JP30878799 A JP 30878799A JP 2001130921 A JP2001130921 A JP 2001130921A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
brittle substrate
laser irradiation
laser
moving
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30878799A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Ito
明 伊東
Tsutomu Ueno
勉 上野
Masahiro Fujii
昌宏 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority to JP30878799A priority Critical patent/JP2001130921A/en
Publication of JP2001130921A publication Critical patent/JP2001130921A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • C03B33/093Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam using two or more focussed radiation beams
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • B23K26/0736Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B23K26/0861Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane in at least in three axial directions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/03Glass cutting tables; Apparatus for transporting or handling sheet glass during the cutting or breaking operations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To completely break a brittle substrate by generating fine cullet in a breaking process carried out at the last step in a laser processing machine. SOLUTION: In this invention a brittle substrate is completely broken without forcing external stress by irradiating laser after carrying out a usual processing by laser irradiation and coolant spraying.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ照射により
脆性基板を加工する方法及び装置に関する。脆性基板に
は半導体ウエハーおよびガラス基板が含まれる。
The present invention relates to a method and an apparatus for processing a brittle substrate by laser irradiation. Brittle substrates include semiconductor wafers and glass substrates.

【0002】[0002]

【従来の技術】ガラスカッターホイールを用いたガラス
スクライバーでは、脆性基板であるガラス基板にスクラ
イブを行ない、これによりガラス基板表面に生じたクラ
ックが更に促進する向きにガラス基板を撓ませることで
ガラス基板をスクライブしたラインでブレイクしてい
る。
2. Description of the Related Art In a glass scriber using a glass cutter wheel, scribing is performed on a glass substrate which is a brittle substrate, whereby the glass substrate is bent so that cracks generated on the surface of the glass substrate are further accelerated. Is breaking on the scribed line.

【0003】この従来のスクライブ法に替わってレーザ
を用いたスクライブ法が実用化されるようになってい
る。これは図17に示すように、矢印方向に移動してい
るガラス基板101に対してレーザ102よりのレーザビーム
が長円(その長軸が移動方向に合致)のレーザスポット10
3にして照射されており、そのレーザビームの照射で加
熱された領域が次に冷媒ジェット104で冷却されること
により、ガラス基板101に内部歪応力が発生してクラッ
ク(この場合のクラックは目視では確認できないためブ
ラインドクラックと呼んでいる)105が生じる。この後は
従来のスクライブ法と同じようにガラス基板を撓ませる
ことでブラインドクラックのラインに沿ってブレイクし
ている。
[0003] A scribing method using a laser has been put to practical use instead of the conventional scribing method. This is because, as shown in FIG. 17, the laser beam from the laser 102 is applied to the glass substrate 101 moving in the direction of the arrow by the laser spot
The region heated by the laser beam irradiation is then cooled by the coolant jet 104, thereby generating internal strain stress in the glass substrate 101 and causing a crack (in this case, the crack is visually observed). Is called a blind crack because it cannot be confirmed). Thereafter, the glass substrate is bent in the same manner as in the conventional scribing method to break along the blind crack line.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このレーザを用いた加
工では、ブラインドクラックの形成時にカレットは発生
しないが、機械的な外力を与えて行うブレイク工程で微
細なカレットが発生するため、LCD基板の製造ライン
においては、基板のブレイク工程をクリーンルームから
離隔した空間で行わなければならないという課題があっ
た。
In the processing using the laser, no cullet is generated at the time of forming a blind crack, but fine cullet is generated in a breaking step performed by applying a mechanical external force. In the production line, there is a problem that the substrate breaking step must be performed in a space separated from the clean room.

【0005】また、脆性基板の板厚が薄くテーブルの移
動速度が遅い場合、1回のレーザ照射で脆性基板を割断
できるが、加工時間が長くなり、生産効率が悪いという
問題があった。
Further, when the brittle substrate is thin and the moving speed of the table is slow, the brittle substrate can be cut by one laser irradiation, but there is a problem that the processing time is long and the production efficiency is poor.

【0006】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、本願はカレットの発生をなくした
脆性基板の加工方法及び装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method and an apparatus for processing a brittle substrate in which no cullet is generated.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、レーザ照射後
に冷媒を吹き付けることにより、脆性基板の表面にブラ
インドクラックを形成した後に、更にレーザ照射を行う
ことでブラインドクラックの形成を促進させて、脆性基
板を完全にブレイクさせている(以下、フルボディ加工
という)。最初に照射するレーザビームは長円でその長
軸が脆性基板の移動方向に合致するものであるが、2回
目に照射するレーザビームは、初回の場合と同様に長円
であってもよく、あるいは、ブラインドクラックの両側
に一対もしくは複数対のビームスポットを照射してもよ
い。又、あるいは、ブラインドクラックが形成されてい
るラインをはさんで対称に奇数個もしくは偶数個配置し
たビームスポットで照射してもよい。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, a coolant is sprayed after laser irradiation to form a blind crack on the surface of a brittle substrate, and then laser irradiation is further performed to accelerate the formation of the blind crack. The brittle substrate is completely broken (hereinafter referred to as full body processing). The first irradiation laser beam is an ellipse whose major axis coincides with the moving direction of the brittle substrate, but the second irradiation laser beam may be an ellipse as in the first case, Alternatively, one or more pairs of beam spots may be applied to both sides of the blind crack. Alternatively, irradiation may be performed with an odd or even number of symmetrically arranged beam spots across a line in which a blind crack is formed.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】図9は本発明の第1の実施形態を
示したレーザ加工装置BSの正面図である。台座1は、
当紙面と垂直方向のボールネジ2をモータ3により軸回
転させることにより、2列のレール4,5に沿って紙面
に垂直な方向(Y方向)に移動する。その台座1の上面に
は、左右(X)方向にガイド6とモータ7により軸回転す
るボールネジ8が設けられている。そのボールネジ8は
第2の台座9に設けたボールナット10に螺合してお
り、これにより、モータ7が回転すると、台座9はガイ
ド6に沿ってX方向に移動する。台座9上にはθ回転機
構11を介してテーブル12が備えられ、そのテーブル
12上にはガラス基板13が吸引固定される。
FIG. 9 is a front view of a laser processing apparatus BS showing a first embodiment of the present invention. Pedestal 1
By rotating the ball screw 2 in the direction perpendicular to the plane of the drawing by the motor 3, the ball screw 2 moves along the two rows of rails 4 and 5 in the direction perpendicular to the plane of the drawing (Y direction). On the upper surface of the pedestal 1, a guide 6 and a ball screw 8 that is rotated by a motor 7 in the left-right (X) direction are provided. The ball screw 8 is screwed into a ball nut 10 provided on the second pedestal 9, whereby the pedestal 9 moves in the X direction along the guide 6 when the motor 7 rotates. A table 12 is provided on the pedestal 9 via a θ rotation mechanism 11, and a glass substrate 13 is suction-fixed on the table 12.

【0009】14はレーザ発振部であり、ここで発振し
たレーザ光はミラーを介して内部にレンズユニットを備
える鏡筒部15に導かれ、このレンズユニットにより所
望サイズに絞り込まれた長円(その長軸がスクライブ方
向に合致)のビームスポットがガラス基板13に対して
照射される。
Reference numeral 14 denotes a laser oscillating unit. The laser light oscillated here is guided to a lens barrel unit 15 having a lens unit inside via a mirror, and an ellipse (the ellipse) narrowed down to a desired size by the lens unit. The glass substrate 13 is irradiated with a beam spot whose major axis coincides with the scribe direction.

【0010】前記鏡筒部15の下端にはX方向に延在す
る支持ユニット16が設けられており、鏡筒部15の筒
中心軸より右側には、カッターホイールチップ17を回
転自在に保持するチップホルダー18が昇降自在に設け
られ、又、鏡筒部15の筒中心軸より左側には水ジェッ
ト、Heガス、N2ガスやCO2ガスをガラス基板13に
冷媒として吹き付けるためのノズル19が所定の吹き付
け角で設置されている。
A support unit 16 extending in the X direction is provided at a lower end of the lens barrel 15, and a cutter wheel tip 17 is rotatably held on the right side of the center axis of the lens barrel 15. A tip holder 18 is provided so as to be able to move up and down, and a nozzle 19 for blowing a water jet, He gas, N 2 gas or CO 2 gas as a coolant onto the glass substrate 13 is provided on the left side of the center axis of the lens barrel 15. It is installed at the spray angle.

【0011】ガラス基板13に刻印されたアライメント
マークを撮影するCCDカメラ20、21で撮影された
アライメントマークは画像認識装置により、そのの位置
が認識され、これにより、テーブル12にセットしたガ
ラス基板13の位置ずれを知ることができる。22、2
3はCCDカメラ20、21による撮影像を表示するモ
ニターである。
The positions of the alignment marks photographed by the CCD cameras 20 and 21 for photographing the alignment marks imprinted on the glass substrate 13 are recognized by an image recognition device. Can be known. 22, 2
Reference numeral 3 denotes a monitor for displaying images captured by the CCD cameras 20 and 21.

【0012】このレーザ加工装置BSでの動作を図12
に従って説明する。ステップ(A)にてガラス基板13の
アライメントマークを読み取り、ステップ(B)にてガラ
ス基板13の端部に切り目を付け、ステップ(C)にてレ
ーザ照射と冷媒吹き付けを行い、ステップ(D)ではテー
ブル12を元の位置に戻してから再度テーブル12を左
方向に移動させ、このときはレーザ照射のみを行い、冷
媒の吹き付けは行わない。
FIG. 12 shows the operation of the laser processing apparatus BS.
It will be described according to. In step (A), the alignment mark of the glass substrate 13 is read, in step (B), a notch is formed in the end of the glass substrate 13, and in step (C), laser irradiation and refrigerant spraying are performed. Then, the table 12 is returned to the original position, and then the table 12 is moved to the left again. At this time, only the laser irradiation is performed, and the refrigerant is not sprayed.

【0013】尚、図9のレーザ加工装置BSおよび後述
の図5のレーザ加工装置W3では、2回目のレーザ照射
時に冷媒吹き付けを行うと、一段とブラインドクラック
の形成を促進させる効果がある。
In the laser processing apparatus BS shown in FIG. 9 and a laser processing apparatus W3 shown in FIG. 5 described later, when the coolant is sprayed at the time of the second laser irradiation, there is an effect of further promoting the formation of blind cracks.

【0014】また、このレーザ加工装置BSは、レーザ
発振部の取付位置を変えたり、鏡筒部15ののレンズ系
を変更するなどによりビームの走行方向を90゜変える
ことができ、これにより加工対象の脆性基板の形状寸法
やライン配置により、最適なビームの走行方向を選択で
きる機器構成となっている。
Further, the laser processing apparatus BS can change the traveling direction of the beam by 90 ° by changing the mounting position of the laser oscillating section, changing the lens system of the lens barrel section 15, and the like. The device configuration is such that the optimal beam traveling direction can be selected according to the shape and dimensions of the target brittle substrate and the line arrangement.

【0015】図10はレーザ加工装置BSを用いたシス
テム構成を示し、ガラス基板13が単板の場合は、加工
済みのガラス基板13は搬送ロボット52により、スト
ッカー54へ搬出されるが、ガラス基板13が貼り合わ
せの場合は、前記加工済みのガラス基板13は搬送ロボ
ット52により、中間テーブル53に載置され、そのガ
ラス基板13を持ちかえる(反対面で吸引する)ことによ
り、表裏を反転させた状態でテーブル12に再セット
し、再び図12のステップ(A)〜ステップ(D)を繰返
す。
FIG. 10 shows a system configuration using a laser processing apparatus BS. When the glass substrate 13 is a single plate, the processed glass substrate 13 is carried out to a stocker 54 by a transfer robot 52. In the case where 13 is bonded, the processed glass substrate 13 is placed on the intermediate table 53 by the transfer robot 52, and the glass substrate 13 is reversed (sucked on the opposite surface) to be turned upside down. In this state, the table is reset and the steps (A) to (D) of FIG. 12 are repeated.

【0016】図11は、ガラス基板の両面に対して加工
を行うシステム構成を示し、レーザ加工装置BS1でガ
ラス基板の一方の面にフルボディ加工を行い、次に反転
用の中間テーブル53により反転させたガラス基板に対
して、第2のレーザ加工装置BS2において同様なフル
ボディ加工を行う。
FIG. 11 shows a system configuration for processing both surfaces of a glass substrate. The laser processing device BS1 performs one-body processing on one surface of the glass substrate, and then reverses the surface using a reverse intermediate table 53. The same full body processing is performed on the glass substrate that has been made in the second laser processing apparatus BS2.

【0017】図12ではレーザ照射により1条のブライ
ンドクラックを形成する毎に続けて2回目のレーザ照射
を行う例であったが、複数条のブラインドクラックを形
成してからそれぞれのブラインドクラックに対して2回
目のレーザ照射を行うようにしてもよい。2回目のレー
ザ照射においては、前述の多点スポットとしてもよい。
FIG. 12 shows an example in which the second laser irradiation is performed successively every time one blind crack is formed by laser irradiation. However, after forming a plurality of blind cracks, each blind crack is formed. The second laser irradiation may be performed. In the second laser irradiation, the above-mentioned multi-point spot may be used.

【0018】ブラインドクラックを直交する方向にも加
工を行う時には、テーブル12を90゜回転させ、ま
た、ブラインドクラックの形成前後に、ブラインドクラ
ックを形成予定のストリートの交点にカッターホイール
チップ17により切り目を付けておく。
When the blind crack is to be machined in a direction orthogonal to the direction, the table 12 is rotated by 90 °, and before and after the blind crack is formed, a cut is made by the cutter wheel chip 17 at the intersection of the street where the blind crack is to be formed. I will attach it.

【0019】また、前記ブラインドクラックを形成予定
のストリートの交点に切り目を付けるのにパルスレーザ
を用いてもよい。
In addition, a pulse laser may be used to make a cut at the intersection of the street where the blind crack is to be formed.

【0020】図13は本発明の第2の実施形態を示した
レーザ照射装置Lを示す。この装置Lは図9のレーザ加
工装置BSからチップホルダー18および冷媒吹き付け
ノズル19を取り除いたものと同じである。このレーザ
照射装置Lは単独で使用するのではなく、図14、図1
5のシステム図に示すようにレーザ加工装置BSやBS
1、BS2に併用して使用する。
FIG. 13 shows a laser irradiation apparatus L according to a second embodiment of the present invention. This apparatus L is the same as the laser processing apparatus BS shown in FIG. 9 except that the chip holder 18 and the coolant spray nozzle 19 are removed. This laser irradiation device L is not used alone,
As shown in the system diagram of 5, the laser processing equipment BS and BS
1. Used in combination with BS2.

【0021】図14は、単板のガラス基板を加工するシ
ステム図を示し、左からストッカー51、レーザ加工装
置BS、レーザ照射装置L、ストッカー54を備え、ス
トッカー51のガラス基板をレーザ加工装置BSのテー
ブルに供給し、そしてそのテーブルからガラス基板を中
間テーブル53に搬送するロボット52aと、その中間
テーブル53のガラス基板をレーザ照射装置Lのテーブ
ルに供給する、その後、そのガラス基板をストッカー5
4に搬出するロボット52bからなる。
FIG. 14 is a system diagram for processing a single glass substrate. The system includes, from the left, a stocker 51, a laser processing device BS, a laser irradiation device L, and a stocker 54. And a robot 52a for transferring the glass substrate from the table to the intermediate table 53, and supplying the glass substrate of the intermediate table 53 to the table of the laser irradiation device L.
4 comprises a robot 52b to be carried out.

【0022】これらの装置BSおよび装置Lの動作を図
16に従って述べる。ステップ(A)ではCCDカメラ2
0、21にてガラス基板13のアライメントマークを読
み取る。ステップ(B)にてガラス基板13の端部に切り
目を付ける。続いてレーザ照射および冷媒吹き付けによ
るブラインドクラック加工が行われる。そのガラス基板
13はロボット52bによりレーザ照射装置Lへ搬送さ
れる。(C)同装置LのCCDカメラ20'、21'によ
ってアライメントマークの読み取りと、それに基づくテ
ーブル12の位置修正が行われた後、ステップ(D)にて
鏡筒部15'によりレーザ照射のみによるフルボディ加
工が行われる。
The operation of these devices BS and L will be described with reference to FIG. In step (A), the CCD camera 2
At 0 and 21, the alignment marks on the glass substrate 13 are read. In step (B), a cut is made at the end of the glass substrate 13. Subsequently, blind cracking is performed by laser irradiation and refrigerant spraying. The glass substrate 13 is transferred to the laser irradiation device L by the robot 52b. (C) After the alignment marks are read by the CCD cameras 20 ′ and 21 ′ of the device L and the position of the table 12 is corrected based on the alignment marks, in step (D), only the laser irradiation is performed by the lens barrel 15 ′. Full body processing is performed.

【0023】図15は両面加工用のシステムを示し、左
からレーザ加工装置BS1、レーザ照射装置L1、レー
ザ加工装置BS2、レーザ照射装置L2が備えられ、レ
ーザ加工装置BS1およびレーザ照射装置L1にて、ガ
ラス基板の一方の面に2回のレーザ照射によるフルボデ
ィ加工がなされ、そのガラス基板は中間テーブル53b
を介して反転され、レーザ加工装置BS2およびレーザ
照射装置L2にて他方の面に同様に2回のレーザ照射に
よるフルボディ加工がなされる。
FIG. 15 shows a system for double-sided processing, which is provided with a laser processing device BS1, a laser irradiation device L1, a laser processing device BS2, and a laser irradiation device L2 from the left. Then, one surface of the glass substrate is subjected to full body processing by laser irradiation twice, and the glass substrate is placed on the intermediate table 53b.
, And the other surface is similarly subjected to full-body processing by laser irradiation twice on the other surface in the laser processing device BS2 and the laser irradiation device L2.

【0024】この場合においては、ブラインドクラック
を形成してからそれぞれのブラインドクラックに対して
2回目のレーザ照射を行う。
In this case, a second laser irradiation is performed on each of the blind cracks after forming the blind cracks.

【0025】図1は本発明の第3の実施形態を示したレ
ーザ加工装置Wの正面図である。構成はレーザー加工装
置BSのレーザ発振部14および鏡筒部15と同等のレ
ーザ発振部31および鏡筒部32を更に備える。その他
の機器構成は図9の第1の実施形態のものと同様である
ので説明を省略する。
FIG. 1 is a front view of a laser processing apparatus W according to a third embodiment of the present invention. The configuration further includes a laser oscillation unit 31 and a lens barrel 32 which are equivalent to the laser oscillation unit 14 and the lens barrel 15 of the laser processing apparatus BS. Other components are the same as those of the first embodiment shown in FIG.

【0026】図2は本レーザ加工装置Wを採用したシス
テム図を示している。未加工のガラス基板がストックさ
れるストッカー51、ガラス基板の搬送を行う搬送ロボ
ット52、ガラス基板を反転させるために用いる中間テ
ーブル53及び加工済みのガラス基板をストックするス
トッカー54を備える。
FIG. 2 shows a system diagram employing the present laser processing apparatus W. The stocker includes a stocker 51 for stocking unprocessed glass substrates, a transfer robot 52 for transferring glass substrates, an intermediate table 53 used for turning over glass substrates, and a stocker 54 for stocking processed glass substrates.

【0027】図4に本レーザ加工装置Wにおける加工手
順を示している。ステップ(A)では、搬送ロボット52
によりストッカー51から供給されたガラス基板13
が、テーブル12の移動によりCCDカメラ20、21
の下方に移動し、ガラス基板13のアライメントマーク
が読み取られることにより、ガラス基板13のセット時
のずれが認識される。そのずれ量を修正すべく、テーブ
ル12のY方向の移動、テーブル12のX方向移動およ
びθ回転機構11によるテーブル12のθ回転が行われ
る。
FIG. 4 shows a processing procedure in the present laser processing apparatus W. In step (A), the transfer robot 52
Substrate 13 supplied from stocker 51 by
However, the movement of the table 12 causes the CCD cameras 20, 21 to move.
, And the alignment mark of the glass substrate 13 is read, whereby the displacement at the time of setting the glass substrate 13 is recognized. In order to correct the shift amount, movement of the table 12 in the Y direction, movement of the table 12 in the X direction, and θ rotation of the table 12 by the θ rotation mechanism 11 are performed.

【0028】ステップ(B)ではチップホルダー18が所
定量降下した状態でテーブル12が所定の速度で図中左
方向に移動する。これにより、カッターホイールチップ
17がガラス基板12を乗り上げる時にガラス基板端部
に切り目がつけられる。この後は直ちにチップホルダー
18は上昇する。
In step (B), the table 12 moves at a predetermined speed to the left in the figure with the chip holder 18 lowered by a predetermined amount. As a result, when the cutter wheel chip 17 rides on the glass substrate 12, a cut is made at the end of the glass substrate. After this, the chip holder 18 immediately rises.

【0029】ステップ(C)ではガラス基板13が鏡筒部
15下を通過する間にレーザ照射および冷媒の吹き付け
によるブラインドクラックの形成が行われる。ステップ
(D)ではガラス基板13が第2の鏡筒部32下を通過す
るときに再びレーザ照射が行われ、先のブラインドクラ
ックの形成が促進されることにより、ガラス基板は完全
にブレイクされる。
In the step (C), while the glass substrate 13 passes below the lens barrel 15, a blind crack is formed by laser irradiation and blowing of a coolant. Steps
In (D), when the glass substrate 13 passes below the second barrel 32, laser irradiation is performed again, and the formation of the blind crack is promoted, whereby the glass substrate is completely broken.

【0030】複数条でブレイク加工を行う場合は、テー
ブル12をX又はYの一方向に移動させる毎に上述した
一連の動作を繰返すか、あるいは最初に複数条のブライ
ンドクラックを形成してから、各ブラインドクラックに
対して2回目のレーザ照射を行う。又、これらのブライ
ンドクラックと直交する方向にも加工を行うときは、テ
ーブル12を90°回転させ、ブラインドクラックの形
成前後に、ブラインドクラックを形成するストリートの
交点にカッターホイールチップ17により切り目をつけ
る。
In the case of performing a plurality of breaks, the above-described series of operations is repeated each time the table 12 is moved in one direction of X or Y, or a plurality of blind cracks are formed first. A second laser irradiation is performed on each blind crack. When processing is also performed in a direction orthogonal to the blind cracks, the table 12 is rotated by 90 °, and before and after the blind cracks are formed, the intersection of the streets forming the blind cracks is cut by the cutter wheel chip 17. .

【0031】また、前記ブラインドクラックを形成する
ストリートの交点に切り目をつけるのにパルスレーザを
用いてもよい。
In addition, a pulse laser may be used to make a cut at the intersection of the street where the blind crack is formed.

【0032】ガラス基板13が単板の場合は、加工済み
のガラス基板13は搬送ロボット52により、ストッカ
ー54へ搬出されるが、ガラス基板13が貼り合わせの
場合は、前記加工済みのガラス基板13は搬送ロボット
52により、中間テーブル53に載置され、そのガラス
基板13を持ちかえる(反対面で吸引する)ことにより、
表裏を反転させた状態でテーブル12に再セットし、再
び図4のステップ(A)〜ステップ(D)を繰返す。
When the glass substrate 13 is a single plate, the processed glass substrate 13 is carried out to the stocker 54 by the transfer robot 52. When the glass substrate 13 is bonded, the processed glass substrate 13 is used. Is placed on the intermediate table 53 by the transfer robot 52, and the glass substrate 13 is replaced (sucked on the opposite surface),
The table 12 is set again with the front and back reversed, and the steps (A) to (D) of FIG. 4 are repeated again.

【0033】図3は第2のシステム構成を示しており、
図2で示したレーザ加工装置WをW1、W2のごとく2
台設置し、両機の間に中間テーブル53を設置し、装置
W1に対してはストッカー51および搬送ロボット52
aを設置し、装置W2に対してはストッカー54および
搬送ロボット52bを設置している。これらの搬送ロボ
ット52a、52bは図2の搬送ロボット52と同じもの
である。
FIG. 3 shows a second system configuration.
The laser processing apparatus W shown in FIG.
A table is installed, an intermediate table 53 is installed between both machines, and a stocker 51 and a transfer robot 52 are installed for the apparatus W1.
a, and a stocker 54 and a transfer robot 52b are provided for the apparatus W2. These transfer robots 52a and 52b are the same as the transfer robot 52 of FIG.

【0034】レーザ加工装置Wでは、複数のレーザ発振
部が搭載可能で、レーザ発振部の取付位置を変えたり、
鏡筒部のレンズ系を変更することで、レーザビームの走
行方向を90゜変えることが可能であり、2台のレーザ
発振部を搭載した場合、ビームの走行速度が遅いときに
は、2本ずつフルボディ加工を実行することが可能であ
る。また、ブラインドクラックを2本ずつ複数本形成し
た後、2本ずつ順次2回目のレーザ照射を行い、フルボ
ディ加工することも可能である。または、90゜ビーム
の走行方向を変えることで、1回のテーブル移動時に2
箇所でレーザ照射を同期して行うことが可能な装置構成
となっている。
In the laser processing apparatus W, a plurality of laser oscillators can be mounted, and the mounting position of the laser oscillator can be changed,
By changing the lens system of the lens barrel, it is possible to change the running direction of the laser beam by 90 °. When two laser oscillating units are mounted and the running speed of the beam is slow, two laser beams are full. It is possible to perform body machining. In addition, after forming a plurality of blind cracks two by two, a second laser irradiation may be sequentially performed two by two to perform full body processing. Alternatively, by changing the traveling direction of the 90 ° beam, 2
The apparatus is configured so that laser irradiation can be performed synchronously at a location.

【0035】図1のレーザ加工装置Wでは鏡筒15と第
2の鏡筒部32とをスクライブ(X)方向に配列したが鏡
筒部をスクライブ方向と直交する(Y)方向に配列しても
よい。その場合は、鏡筒部15によるレーザ照射の後、
同一個所を第2の鏡筒部32によってレーザ照射できる
ようにテーブル12をY方向に移動する。
In the laser processing apparatus W of FIG. 1, the lens barrel 15 and the second lens barrel 32 are arranged in the scribe (X) direction, but the lens barrels are arranged in the (Y) direction orthogonal to the scribe direction. Is also good. In that case, after laser irradiation by the lens barrel 15,
The table 12 is moved in the Y direction so that the same location can be irradiated with the laser beam by the second lens barrel 32.

【0036】図5のレーザ加工装置W3は、第2の鏡筒
部32に、支持ユニット16と同一の支持ユニット33
を設けたものであり、但し、チップホルダー34および
カッターホイールチップ35は、支持ユニット16にお
けるものと左右反対に設けている。
The laser processing apparatus W3 shown in FIG. 5 has the same support unit 33 as the support unit 16
However, the tip holder 34 and the cutter wheel tip 35 are provided left and right opposite to those in the support unit 16.

【0037】このレーザ加工装置W3ではテーブル12
を左方向に移動させるときは、図1の装置と同じ動作
(第2の鏡筒部32でレーザ照射のみを行う)をなすが、
そのテーブルが右方向に移動するとき、第2の鏡筒部3
2でレーザ照射および冷媒吹き付けを行い、鏡筒部15
ではレーザ照射のみを行うことで、テーブル12がいず
れの方向に移動するときでも2回のレーザ照射によるフ
ルボディ加工を行うことができる。
In the laser processing apparatus W3, the table 12
When moving to the left, the same operation as the device in FIG.
(Only laser irradiation is performed in the second lens barrel 32).
When the table moves rightward, the second lens barrel 3
Laser irradiation and refrigerant spraying are performed in 2
By performing only laser irradiation, full-body processing can be performed by laser irradiation twice even when the table 12 moves in any direction.

【0038】図5のレーザ加工装置W3では、鏡筒15
と第2の鏡筒部32とを紙面に平行な(X)方向に配列
したが、それらの取付け位置の配列を変えずに鏡筒部1
5、32のレンズ系を変えるなりしてそれらから照射さ
れるビームの長円方向を90゜回転させる。そうするこ
とにより、同一加工装置で、別のレーザ加工方法のモー
ドを選択することが可能となる。すなわち、図1の当初
の配列では1本のBLを形成するのに続いて、同一BL
に対して第2のレーザ照射が行われるのに対して、レン
ズ系を90゜回転させた後の加工装置では、第1回目の
レーザ照射が2箇所(2列)で並行して同時に行われ2
本のBLが同時に並行して形成されていき、次の第2回
目のレーザ照射が2箇所(2列)で並行して同時に行わ
れ2箇所で同時に並行して分断が実行されていきます。
In the laser processing apparatus W3 shown in FIG.
The second lens barrel 32 and the second lens barrel 32 are arranged in the (X) direction parallel to the paper surface.
By changing the lens systems 5 and 32, the oblong direction of the beam emitted from them is rotated by 90 °. By doing so, it becomes possible to select a mode of another laser processing method with the same processing apparatus. That is, in the initial arrangement of FIG. 1, after forming one BL, the same BL
In the processing apparatus after rotating the lens system by 90 °, the first laser irradiation is performed simultaneously in two places (two rows) at the same time. 2
The BLs of the book are formed in parallel at the same time, and the next second laser irradiation is performed simultaneously in two places (two rows) at the same time, and the cutting is performed simultaneously in two places.

【0039】図6は、図1のレーザ加工装置Wにおける
ビームスポットの位置関係を示している。B1およびC
が鏡筒部15によるビームスポットおよび冷媒吹き付け
による冷却スポットであり、B2が第2の鏡筒部32に
よるビームスポットであり、いずれもブラインドクラッ
クBL上に位置する。又、ビームスポットはこの場合は
長円である。
FIG. 6 shows a positional relationship between beam spots in the laser processing apparatus W of FIG. B1 and C
Is a beam spot by the lens barrel 15 and a cooling spot by blowing the coolant, B2 is a beam spot by the second lens barrel 32, and both are located on the blind crack BL. The beam spot is an ellipse in this case.

【0040】図7は、図6のビームスポットB2に替え
て多点スポットB3としたものである。この多点スポッ
トB3では各スポットはブラインドクラックBL上には
なく、その両側に2対のスポットを照射している。この
ような多点スポットB3を用いると、よりよいスクライ
ブ結果が得られることがある。上記の多点スポットは、
B3'のごとくブラインドクラックBLに対称に奇数個
配置してもよい。
FIG. 7 shows a multipoint spot B3 instead of the beam spot B2 in FIG. In the multipoint spot B3, each spot is not on the blind crack BL, and two pairs of spots are irradiated on both sides thereof. When such a multipoint spot B3 is used, a better scribe result may be obtained. The above multi-point spot,
As in B3 ', an odd number may be arranged symmetrically in the blind crack BL.

【0041】多点スポットを得るには、図8のレーザス
クライブ装置に示すように、第2の鏡筒部32の下端に
ビームスプリッタ38を装着すればよい。このビームス
プリッタ38は複数のハーフミラーを用いて1本のレー
ザビームを複数本に分けている。各ハーフミラーの位置
および角度を替えることで、冷却スポットCからの距離
a、各スポット間の間隔b,cを調整できるようになっ
ている。
In order to obtain a multi-point spot, a beam splitter 38 may be attached to the lower end of the second lens barrel 32 as shown in the laser scribe device of FIG. The beam splitter 38 divides one laser beam into a plurality of beams using a plurality of half mirrors. By changing the position and angle of each half mirror, the distance a from the cooling spot C and the intervals b and c between the spots can be adjusted.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、レーザ
照射および冷媒吹き付けによる通常のブラインドクラッ
ク加工を行った後に更にレーザ照射を行ない、ブライン
ドクラックの形成を更に促進させることにより、脆性基
板を機械的な外部応力を加えることなく完全にブレイク
するものであり、機械的なブレイク工程を伴なわないた
めにカレットは生じず、クリーンな環境でブレイクを行
える。また2回のレーザ照射により脆性基板を完全分断
させることで効率よく分断させることができ、加工時間
を短縮できる。
As described above, according to the present invention, the brittle substrate is formed by further performing laser irradiation after performing ordinary blind crack processing by laser irradiation and refrigerant spraying to further promote the formation of blind cracks. Since the break is completely performed without applying a mechanical external stress, no cullet is generated because no mechanical break process is involved, and the break can be performed in a clean environment. Further, the brittle substrate can be cut efficiently by completely cutting the brittle substrate by two laser irradiations, and the processing time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の1実施形態を示したレーザ加工装置
の正面図
FIG. 1 is a front view of a laser processing apparatus showing one embodiment of the present invention.

【図2】 図1の装置のシステム構成図FIG. 2 is a system configuration diagram of the apparatus of FIG. 1;

【図3】 図1の装置の別のシステム構成図FIG. 3 is another system configuration diagram of the apparatus of FIG. 1;

【図4】 図1の装置における動作の流れを示した図FIG. 4 is a diagram showing a flow of an operation in the apparatus of FIG. 1;

【図5】 図1の装置の別の形態を示したレーザ加工装
置の正面図
FIG. 5 is a front view of a laser processing apparatus showing another embodiment of the apparatus shown in FIG. 1;

【図6】 図1の装置におけるビームスポットの位置関
係を示した図
FIG. 6 is a diagram showing a positional relationship between beam spots in the apparatus shown in FIG. 1;

【図7】 図8の装置におけるビームスポットの位置関
係を示した図
FIG. 7 is a diagram showing a positional relationship between beam spots in the apparatus shown in FIG. 8;

【図8】 図1の装置の別の形態を示したレーザ加工装
置の正面図
FIG. 8 is a front view of a laser processing apparatus showing another embodiment of the apparatus shown in FIG. 1;

【図9】 本発明の第2の実施形態を示したレーザ加工
装置の正面図
FIG. 9 is a front view of a laser processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図10】 図9の装置のシステム構成図FIG. 10 is a system configuration diagram of the apparatus of FIG. 9;

【図11】 図9の装置の別のシステム構成図11 is another system configuration diagram of the apparatus of FIG. 9;

【図12】 図9の装置における動作の流れを示した図FIG. 12 is a diagram showing a flow of an operation in the apparatus of FIG. 9;

【図13】 本発明の第3の実施形態を示したレーザ照
射装置の正面図
FIG. 13 is a front view of a laser irradiation apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図14】 図13の装置のシステム構成図14 is a system configuration diagram of the apparatus of FIG.

【図15】 図13の装置の別のシステム構成図FIG. 15 is another system configuration diagram of the apparatus of FIG.

【図16】 図13の装置における動作の流れを示した
FIG. 16 is a diagram showing a flow of an operation in the apparatus of FIG. 13;

【図17】 レーザを用いたスクライブ法を示した図FIG. 17 shows a scribe method using a laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 台座 11 θ回転機構 12 テーブル 13 ガラス基板 14、31 レーザ発振部 15、32 鏡筒部 17 カッターホィールチップ 18 チップホルダー 19 ノズル 20、21 CCDカメラ 22、23 モニター 38 ビームスプリッタ Reference Signs List 1 pedestal 11 θ rotation mechanism 12 table 13 glass substrate 14, 31 laser oscillation unit 15, 32 lens barrel unit 17 cutter wheel tip 18 chip holder 19 nozzle 20, 21 CCD camera 22, 23 monitor 38 beam splitter

フロントページの続き (72)発明者 藤井 昌宏 大阪府吹田市江坂町2丁目6番5号 三星 ダイヤモンド工業株式会社内 Fターム(参考) 4E068 AD00 CB06 CD04 CE01 CE11 CH08 DA10 DB13 4G015 FA06 FB02 FC10 FC11 FC14Continuation of the front page (72) Inventor Masahiro Fujii 2-6-5 Esakacho, Suita-shi, Osaka F-term (reference) in Samsung Diamond Industrial Co., Ltd. 4E068 AD00 CB06 CD04 CE01 CE11 CH08 DA10 DB13 4G015 FA06 FB02 FC10 FC11 FC14

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ照射後に冷媒を吹き付け脆性基板
の表面にブラインドクラックを形成した後で更にレーザ
照射を行なうことによって前記ブラインドクラックの形
成を促進させて脆性基板を完全にブレイクすることを特
徴とする脆性基板の加工方法。
1. A method in which a coolant is sprayed after laser irradiation to form a blind crack on the surface of a brittle substrate, and further laser irradiation is performed to promote the formation of the blind crack and completely break the brittle substrate. Processing method for brittle substrates.
【請求項2】 脆性基板がセットされるテーブルと、前
記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、前記テー
ブルの移動方向に沿ってレーザ照射手段および冷媒吹き
付け手段を備えてなる脆性基板の加工装置(BS)におい
て、 前記テーブルを一方向に移動させる間に、前記レーザ照
射手段および冷媒吹き付け手段により、レーザ照射およ
び冷媒吹き付けを行なった後、テーブルを元の位置に復
帰させ、再度、テーブルを移動させるときにレーザ照射
のみを行うよう制御することを特徴とする脆性基板の加
工装置。
2. A brittle substrate processing apparatus (BS) comprising a table on which a brittle substrate is set, a table moving mechanism for moving the table, and a laser irradiating means and a coolant spraying means along a moving direction of the table. In), while moving the table in one direction, after performing laser irradiation and coolant spraying by the laser irradiation means and coolant spraying means, return the table to its original position, when moving the table again An apparatus for processing a brittle substrate, wherein the apparatus is controlled to perform only laser irradiation.
【請求項3】 脆性基板がセットされるテーブルと、前
記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、前記テー
ブルの移動方向に沿ってレーザ照射手段および冷媒吹き
付け手段を備えてなる脆性基板の加工装置(BS)に付加
して用いるレーザ照射装置(L)であって、 脆性基板がセットされるテーブルと、前記テーブルを移
動させるテーブル移動機構と、移動する前記テーブル上
の脆性基板に対してレーザを照射するレーザ照射手段を
備えたことを特徴とするレーザ照射装置。
3. A brittle substrate processing apparatus (BS) comprising a table on which a brittle substrate is set, a table moving mechanism for moving the table, and a laser irradiation unit and a coolant spraying unit along a moving direction of the table. A laser irradiation device (L) used in addition to the above, comprising: a table on which a brittle substrate is set; a table moving mechanism for moving the table; and a laser irradiation for the brittle substrate on the moving table. A laser irradiation device comprising a laser irradiation unit.
【請求項4】 上記レーザ照射手段によるレーザをビー
ムスプリッタにより多点ビームにして照射する請求項3
記載の脆性基板の加工装置。
4. A laser beam emitted by said laser irradiating means is radiated as a multipoint beam by a beam splitter.
An apparatus for processing a brittle substrate as described in the above.
【請求項5】 脆性基板がセットされるテーブルと、前
記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、第1のレ
ーザ照射手段、冷媒吹き付け手段、第2のレーザ照射手
段を備え、前記テーブルの移動により、脆性基板に対
し、 第1のレーザ照射手段によるレーザ照射と冷媒吹き付け
を行った後に第2のレーザ照射手段によるレーザ照射を
行うことを特徴とする脆性基板の加工装置(W)。
5. A table on which a brittle substrate is set, a table moving mechanism for moving the table, a first laser irradiating unit, a coolant spraying unit, and a second laser irradiating unit. An apparatus (W) for processing a brittle substrate, wherein the brittle substrate is subjected to laser irradiation by a first laser irradiating unit and sprayed with a refrigerant, and then to laser irradiation by a second laser irradiating unit.
【請求項6】 第2のレーザ照射手段によるレーザをビ
ームスプリッタにより多点ビームにして照射する請求項
5記載の脆性基板の加工装置。
6. An apparatus for processing a brittle substrate according to claim 5, wherein the laser beam emitted from the second laser irradiating means is irradiated as a multipoint beam by a beam splitter.
【請求項7】 脆性基板がセットされるテーブルと、前
記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、第1のレ
ーザ照射手段、冷媒吹き付け手段、第2のレーザ照射手
段を備え、前記テーブルの移動により、脆性基板に対
し、第1のレーザ照射手段によるレーザ照射と冷媒吹き
付けを行った後に第2のレーザ照射手段によるレーザ照
射を行う脆性基板の加工装置(W)と、 脆性基板反転用の中間テーブル(53)と、 未加工の脆性基板を前記テーブルにセットし、一方の面
が加工された脆性基板を中間テーブル(53)にて反転さ
せてから前記テーブルに脆性基板をセットし、他方の面
が加工された脆性基板を次工程に排出するロボット(5
2)とを備えることを特徴とする加工ライン。
7. A table on which a brittle substrate is set, a table moving mechanism for moving the table, a first laser irradiating unit, a coolant spraying unit, and a second laser irradiating unit. A brittle substrate processing apparatus (W) for performing laser irradiation by a first laser irradiation unit and spraying a coolant on a brittle substrate, and then performing laser irradiation by a second laser irradiation unit; and an intermediate table for brittle substrate inversion ( 53), setting an unprocessed brittle substrate on the table, turning the brittle substrate having one surface processed on an intermediate table (53), setting the brittle substrate on the table, and setting the other surface Robot (5) to discharge the processed brittle substrate to the next process
2) A processing line comprising:
【請求項8】 脆性基板がセットされるテーブルと、前
記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、第1のレ
ーザ照射手段、冷媒吹き付け手段、第2のレーザ照射手
段を備え、前記テーブルの移動により、脆性基板に対
し、第1のレーザ照射手段によるレーザ照射と冷媒吹き
付けを行った後に第2のレーザ照射手段によるレーザ照
射を行う2機の加工装置(W1、W2)と、 脆性基板反転用の中間テーブル(53)と、未加工の脆性
基板を加工装置(W1)のテーブルにセットし、一方の面
が加工された脆性基板を中間テーブル(53)に載置する
ロボット(52a)と、 中間テーブル(53)にある脆性基板を反転させた状態で
加工装置(W2)のテーブルにセットし、他方の面が加工
された脆性基板を次工程に排出するロボット(52b)と
を備えることを特徴とする加工ライン。
8. A table on which a brittle substrate is set, a table moving mechanism for moving the table, a first laser irradiating unit, a coolant spraying unit, and a second laser irradiating unit. Two processing apparatuses (W1 and W2) for performing laser irradiation by the first laser irradiation unit and refrigerant spraying on the brittle substrate and then performing laser irradiation by the second laser irradiation unit; A table (53), a robot (52a) for setting an unprocessed brittle substrate on the table of the processing device (W1), and placing the brittle substrate having one surface processed on the intermediate table (53); A robot (52b) for setting the brittle substrate in (53) in an inverted state on a table of the processing apparatus (W2) and discharging the brittle substrate having the other surface processed to the next step. Processing line
【請求項9】 脆性基板がセットされるテーブルと、前
記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、前記テー
ブルの移動方向に沿ってレーザ照射手段および冷媒吹き
付け手段を備え、前記テーブルを一方向に移動させる間
に、前記レーザ照射手段および冷媒吹き付け手段によ
り、レーザ照射および冷媒吹き付けを行なった後、テー
ブルを元の位置に復帰させ、再度、テーブルを一方向に
移動させるときにレーザ照射のみを行う脆性基板の加工
装置(BS)と、 脆性基板反転用の中間テーブル(53)と、 未加工の脆性基板を前記テーブルにセットし、一方の面
が加工された脆性基板を中間テーブル(53)にて反転さ
せてから前記テーブルに脆性基板をセットし、他方の面
が加工された脆性基板を次工程に排出するロボット(5
2)とを備えることを特徴とする加工ライン。
9. A table on which a brittle substrate is set, a table moving mechanism for moving the table, a laser irradiating unit and a refrigerant spraying unit along a moving direction of the table, and the table is moved in one direction. In the meantime, after the laser irradiation and the coolant spraying means perform the laser irradiation and the coolant spraying, the table is returned to the original position, and again, the brittle substrate which performs only the laser irradiation when the table is moved in one direction. A processing device (BS), an intermediate table (53) for brittle substrate inversion, and an unprocessed brittle substrate are set on the table, and the brittle substrate with one surface processed is inverted on the intermediate table (53). After that, the brittle substrate is set on the table, and the other surface of the processed brittle substrate is discharged to the next step by the robot (5).
2) A processing line comprising:
【請求項10】 脆性基板がセットされるテーブルと、
前記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、前記テ
ーブルの移動方向に沿ってレーザ照射手段および冷媒吹
き付け手段を備え、前記テーブルを一方向に移動させる
間に、前記レーザ照射手段および冷媒吹き付け手段によ
り、レーザ照射および冷媒吹き付けを行なった後、テー
ブルを元の位置に復帰させ、再度、テーブルを一方向に
移動させるときにレーザ照射のみを行う2機の加工装置
(BS1、BS2)と、 脆性基板反転用の中間テーブル(53)と、 未加工の脆
性基板を加工装置(BS1)のテーブルにセットし、一方
の面が加工された脆性基板を中間テーブル(53)に載置
するロボット(52a)と、中間テーブル(53)にある脆
性基板を反転させた状態で加工装置(BS2)のテーブル
にセットし、他方の面が加工された脆性基板を次工程に
排出するロボット(52b)とを備えることを特徴とする
加工ライン。
10. A table on which a brittle substrate is set,
A table moving mechanism for moving the table, a laser irradiating means and a refrigerant spraying means along a moving direction of the table, and a laser irradiating means and a refrigerant spraying means while moving the table in one direction; After the irradiation and the spraying of the refrigerant, the table is returned to the original position, and again, when the table is moved in one direction, the two processing apparatuses that perform only the laser irradiation
(BS1, BS2), an intermediate table (53) for brittle substrate reversal, and an unprocessed brittle substrate are set on the table of the processing apparatus (BS1), and the brittle substrate having one surface processed is placed on the intermediate table (53). ) And the brittle substrate on the intermediate table (53) are set on the table of the processing device (BS2) in a state where the brittle substrate is turned upside down. A processing line comprising a robot (52b) for discharging.
【請求項11】 脆性基板がセットされるテーブルと、
前記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、前記テ
ーブルの移動方向に沿ってレーザ照射手段および冷媒吹
き付け手段を備えてなる脆性基板の加工装置(BS)と、 脆性基板がセットされるテーブルと、前記テーブルを一
方向に移動させるテーブル移動機構と、レーザ照射手段
を備えたレーザ照射装置(L)と、 脆性基板反転用の中間テーブル(53)と、 未加工の脆性基板を加工装置(BS)のテーブルにセット
し、一方の面が加工された脆性基板を中間テーブル(5
3)に載置するロボット(52a)と、 前記中間テーブル(53)にある脆性基板をレーザ照射装
置(L)のテーブルにセットし、前記一方の面に対して再
度レーザ照射された脆性基板を次工程に排出するロボッ
ト(52b)とを備えることを特徴とする加工ライン。
11. A table on which a brittle substrate is set,
A table moving mechanism for moving the table, a brittle substrate processing apparatus (BS) including a laser irradiation unit and a coolant spraying unit along a moving direction of the table, a table on which the brittle substrate is set, and the table Table moving mechanism for moving the substrate in one direction, a laser irradiation device (L) having laser irradiation means, an intermediate table (53) for reversing the brittle substrate, and a table of a processing device (BS) for processing the unprocessed brittle substrate. To the intermediate table (5)
3) a robot (52a) placed on the intermediate table (53), and a brittle substrate on the intermediate table (53) are set on a table of a laser irradiation device (L); A processing line comprising a robot (52b) for discharging to a next step.
【請求項12】 脆性基板がセットされるテーブルと、
前記テーブルを移動させるテーブル移動機構と、前記テ
ーブルの移動方向に沿ってレーザ照射手段および冷媒吹
き付け手段を備えてなる2機の加工装置(BS1、BS
2)と、 脆性基板がセットされるテーブルと、前記テーブルを一
方向に移動させるテーブル移動機構と、レーザ照射手段
を備えた2機のレーザ照射装置(L1、L2)と、 脆性基板反の受け渡し用の中間テーブル(53a、53
c)と、 脆性基板反転用の中間テーブル(53b)と、 未加工の脆性基板を加工装置(BS1)のテーブルにセッ
トし、一方の面が加工された脆性基板を中間テーブル
(53a)に載置するロボット(52a)と、前記中間テー
ブル(53a)にある脆性基板をレーザ照射装置(L1)の
テーブルにセットし、前記一方の面に対して再度レーザ
照射された脆性基板を中間テーブル(53b)に載置する
ロボット(52b)と、 前記中間テーブル(53b)にある脆性基板を反転状態で
加工装置(BS2)のテーブルにセットし、他方の面が加
工された脆性基板を中間テーブル(53c)に載置するロ
ボット(52c)と、 前記中間テーブル(53c)にある脆性基板をレーザ照射
装置(L2)のテーブルにセットし、前記他方の面に対し
て再度レーザ照射された脆性基板を次工程に排出するロ
ボット(52d)とを備えることを特徴とする加工ライ
ン。
12. A table on which a brittle substrate is set,
Two processing apparatuses (BS1, BS1) each including a table moving mechanism for moving the table, and a laser irradiation unit and a refrigerant spraying unit along a moving direction of the table.
2), a table on which the brittle substrate is set, a table moving mechanism for moving the table in one direction, and two laser irradiation devices (L1, L2) each provided with a laser irradiation unit; Intermediate table (53a, 53
c), an intermediate table for inverting the brittle substrate (53b), and setting the unprocessed brittle substrate on the table of the processing apparatus (BS1),
The robot (52a) placed on the (53a) and the brittle substrate on the intermediate table (53a) are set on the table of the laser irradiation device (L1), and the brittle substrate irradiated with the laser again on the one surface is set. A robot (52b) for placing the substrate on the intermediate table (53b), and setting the brittle substrate on the intermediate table (53b) in a reversed state on the table of the processing device (BS2), and processing the brittle substrate on the other surface A robot (52c) for placing the laser beam on the intermediate table (53c), and setting the brittle substrate on the intermediate table (53c) on the table of the laser irradiation device (L2), and the other surface is again irradiated with the laser. A robot (52d) for discharging the brittle substrate to the next step.
JP30878799A 1999-10-29 1999-10-29 Method and device for processing brittle substrate Pending JP2001130921A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30878799A JP2001130921A (en) 1999-10-29 1999-10-29 Method and device for processing brittle substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30878799A JP2001130921A (en) 1999-10-29 1999-10-29 Method and device for processing brittle substrate

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009278260A Division JP5123923B2 (en) 2009-12-08 2009-12-08 Method and apparatus for processing brittle substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001130921A true JP2001130921A (en) 2001-05-15

Family

ID=17985311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30878799A Pending JP2001130921A (en) 1999-10-29 1999-10-29 Method and device for processing brittle substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001130921A (en)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003026861A1 (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method for scribing substrate of brittle material and scriber
WO2003038880A1 (en) 2001-10-31 2003-05-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method of forming scribe line on semiconductor wafer, and scribe line forming device
WO2004002705A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. Device and method for scribing substrate of brittle material
WO2004062868A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-29 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Brittle material substrate scribing device and scribing method, and automatic analysis line
JP2007099587A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Kyoto Seisakusho Co Ltd Method of cutting brittle material
WO2007049668A1 (en) 2005-10-28 2007-05-03 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method of forming scribe line on substrate of brittle material and scribe line forming apparatus
JP2008246808A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Japan Steel Works Ltd:The Processing method for workpiece made of high brittle non-metal material and device thereof
CN100431108C (en) * 2002-06-11 2008-11-05 三星钻石工业股份有限公司 Marking method and marking apparatus
WO2009128316A1 (en) * 2008-04-15 2009-10-22 三星ダイヤモンド工業株式会社 Method for processing fragile material substrate
EP2147899A1 (en) * 2008-07-18 2010-01-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method for processing terminal in bonded substrate
US7726532B2 (en) 2004-10-25 2010-06-01 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for forming cracks
EP2460614A1 (en) * 2009-07-29 2012-06-06 Seishin Trading Co., Ltd. Laser scribe processing method
WO2018081031A1 (en) * 2016-10-24 2018-05-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
WO2018116932A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 三菱電機株式会社 Laser machining device, laseer machining method, and semiconductor device manufacturing method
US10233112B2 (en) 2013-12-17 2019-03-19 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US11130701B2 (en) 2016-09-30 2021-09-28 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
US11148225B2 (en) 2013-12-17 2021-10-19 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11186060B2 (en) 2015-07-10 2021-11-30 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
US11345625B2 (en) 2013-01-15 2022-05-31 Corning Laser Technologies GmbH Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US11648623B2 (en) 2014-07-14 2023-05-16 Corning Incorporated Systems and methods for processing transparent materials using adjustable laser beam focal lines
US11697178B2 (en) 2014-07-08 2023-07-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
US11713271B2 (en) 2013-03-21 2023-08-01 Corning Laser Technologies GmbH Device and method for cutting out contours from planar substrates by means of laser
US11773004B2 (en) 2015-03-24 2023-10-03 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003026861A1 (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method for scribing substrate of brittle material and scriber
US7772522B2 (en) 2001-09-21 2010-08-10 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method for scribing substrate of brittle material and scriber
EP1428640A4 (en) * 2001-09-21 2009-03-18 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method for scribing substrate of brittle material and scriber
EP1428640A1 (en) * 2001-09-21 2004-06-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method for scribing substrate of brittle material and scriber
EP1441385A1 (en) * 2001-10-31 2004-07-28 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method of forming scribe line on semiconductor wafer, and scribe line forming device
EP1441385A4 (en) * 2001-10-31 2009-11-18 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method of forming scribe line on semiconductor wafer, and scribe line forming device
WO2003038880A1 (en) 2001-10-31 2003-05-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method of forming scribe line on semiconductor wafer, and scribe line forming device
CN100431108C (en) * 2002-06-11 2008-11-05 三星钻石工业股份有限公司 Marking method and marking apparatus
WO2004002705A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. Device and method for scribing substrate of brittle material
WO2004062868A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-29 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Brittle material substrate scribing device and scribing method, and automatic analysis line
EP1595668A1 (en) * 2003-01-10 2005-11-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Brittle material substrate scribing device and scribing method, and automatic analysis line
JPWO2004062868A1 (en) * 2003-01-10 2006-05-18 三星ダイヤモンド工業株式会社 Scribing device, scribing method and automatic cutting line for brittle material substrate
US7723641B2 (en) 2003-01-10 2010-05-25 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Brittle material substrate scribing device and scribing method, and automatic analysis line
US7726532B2 (en) 2004-10-25 2010-06-01 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for forming cracks
JP2007099587A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Kyoto Seisakusho Co Ltd Method of cutting brittle material
WO2007049668A1 (en) 2005-10-28 2007-05-03 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method of forming scribe line on substrate of brittle material and scribe line forming apparatus
JP4890462B2 (en) * 2005-10-28 2012-03-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 Scribing line forming method and scribing line forming apparatus for brittle material substrate
JP2008246808A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Japan Steel Works Ltd:The Processing method for workpiece made of high brittle non-metal material and device thereof
WO2009128316A1 (en) * 2008-04-15 2009-10-22 三星ダイヤモンド工業株式会社 Method for processing fragile material substrate
KR101165977B1 (en) 2008-04-15 2012-07-18 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 Method for processing fragile material substrate
EP2147899A1 (en) * 2008-07-18 2010-01-27 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Method for processing terminal in bonded substrate
EP2460614A1 (en) * 2009-07-29 2012-06-06 Seishin Trading Co., Ltd. Laser scribe processing method
US8779327B2 (en) 2009-07-29 2014-07-15 Seishin Trading Co., Ltd. Laser scribe processing method
EP2460614A4 (en) * 2009-07-29 2013-01-23 Seishin Trading Co Ltd Laser scribe processing method
US11345625B2 (en) 2013-01-15 2022-05-31 Corning Laser Technologies GmbH Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates
US11713271B2 (en) 2013-03-21 2023-08-01 Corning Laser Technologies GmbH Device and method for cutting out contours from planar substrates by means of laser
US10233112B2 (en) 2013-12-17 2019-03-19 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US11148225B2 (en) 2013-12-17 2021-10-19 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US11697178B2 (en) 2014-07-08 2023-07-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
US11648623B2 (en) 2014-07-14 2023-05-16 Corning Incorporated Systems and methods for processing transparent materials using adjustable laser beam focal lines
US11773004B2 (en) 2015-03-24 2023-10-03 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
US11186060B2 (en) 2015-07-10 2021-11-30 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
US11130701B2 (en) 2016-09-30 2021-09-28 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
US11542190B2 (en) 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
WO2018081031A1 (en) * 2016-10-24 2018-05-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US11389898B2 (en) 2016-12-22 2022-07-19 Mitsubishi Electric Corporation Laser processing apparatus, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor apparatus
CN110087820B (en) * 2016-12-22 2021-12-24 三菱电机株式会社 Laser processing apparatus, laser processing method, and method for manufacturing semiconductor device
CN110087820A (en) * 2016-12-22 2019-08-02 三菱电机株式会社 The manufacturing method of laser processing device, laser processing and semiconductor device
WO2018116932A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 三菱電機株式会社 Laser machining device, laseer machining method, and semiconductor device manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001130921A (en) Method and device for processing brittle substrate
JP4156513B2 (en) Scribing method and scribing apparatus for brittle material substrate
TWI413563B (en) Laser processing device
US7015118B2 (en) Method for forming a scribe line on a semiconductor device and an apparatus for forming the scribe line
JP2004515365A (en) Laser processing of semiconductor materials
JP4390937B2 (en) Glass plate dividing method and apparatus
JP4133812B2 (en) Scribing apparatus and scribing method for brittle material substrate
JPWO2007094348A1 (en) Laser scribing method, laser scribing apparatus, and cleaved substrate cleaved using this method or apparatus
KR100647454B1 (en) Device and method for scribing substrate of brittle material
JP5123923B2 (en) Method and apparatus for processing brittle substrate
JP2011230940A (en) Cutting method for brittle material substrate
TWI292352B (en)
JP4615231B2 (en) Scribing apparatus and scribing method using the apparatus
JP6721439B2 (en) Laser processing equipment
CN100411825C (en) Scribing device and method for fragile material substrate
JPWO2004014625A1 (en) Scribing method and scribing apparatus for brittle material substrate
KR100551527B1 (en) Method and device for scribing brittle material substrate
JP2000263261A (en) Laser beam machining device and method of laser beam machining using same device
JPH08174242A (en) Method and device for laser beam machining
KR20080093321A (en) Laser beam machining system and method for cutting of substrate using the same
TWI744460B (en) Laser processing device
JP2006248075A (en) Method and apparatus for working substrate using laser beam
JP3524855B2 (en) Laser irradiation apparatus and laser processing method
JP2007021556A (en) Laser beam irradiation apparatus and laser beam scribing method
US20220336282A1 (en) Method of processing wafer and processing apparatus for wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060921

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090512

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090710

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090908