JP2001055490A - Phenylene group-bearing (co)polymer composition - Google Patents

Phenylene group-bearing (co)polymer composition

Info

Publication number
JP2001055490A
JP2001055490A JP11230404A JP23040499A JP2001055490A JP 2001055490 A JP2001055490 A JP 2001055490A JP 11230404 A JP11230404 A JP 11230404A JP 23040499 A JP23040499 A JP 23040499A JP 2001055490 A JP2001055490 A JP 2001055490A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
bis
mol
surfactant
polymer composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11230404A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Akiike
利之 秋池
Masayuki Takahashi
昌之 高橋
Kohei Goto
幸平 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP11230404A priority Critical patent/JP2001055490A/en
Publication of JP2001055490A publication Critical patent/JP2001055490A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/31Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/312Non-condensed aromatic systems, e.g. benzene

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject phenylene group-bearing polymer composition that can form coating layer of high uniformity and is suitable as a raw material for protecting film or insulating film in liquid crystal display by using a specific (co)polymer and a surfactant. SOLUTION: The objective (co)polymer composition includes (A) 100 pts.wt. of a phenylene group-bearing (co)polymer of the formula X is -CQQ'- [Q and Q' are each a (halogenated) alkyl, H, a halogen, an aryl], fluorenylene; R1-R20 are each H, a halogen, a monovalent organic group; l is 5-100 (mole) %; m and n are each 0-95 mole % where l+m+n=100%}, (B) 0.001-1 pt.wt. per 100 pts.wt. of the component A, of a surfactant and, when necessary (C) a solvent. As a component A, are cited a silicone surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, a nonionic surfactant, an amphoteric surfactant, but the silicone surfactant is preferred.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フェニレン基含有
(共)重合体組成物に関する。さらに詳しくは、LS
I、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRA
M、D−RDRAM等の半導体素子用低誘電性層間絶縁
膜;半導体素子の表面コート膜等の保護膜;多層配線基
板の低誘電性層間絶縁膜;液晶表示素子用の保護膜や絶
縁防止膜等の原材料として好適な、塗膜にしたときの均
一性に優れたフェニレン基含有(共)重合体組成物に関
する。
[0001] The present invention relates to a phenylene group-containing (co) polymer composition. More specifically, LS
I, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRA
Low dielectric interlayer insulating films for semiconductor devices such as M and D-RDRAMs; protective films such as surface coat films for semiconductor devices; low dielectric interlayer insulating films for multilayer wiring substrates; protective films and insulating films for liquid crystal display devices. The present invention relates to a phenylene group-containing (co) polymer composition having excellent uniformity when formed into a coating film, which is suitable as a raw material such as.

【0002】[0002]

【従来の技術】大規模集積回路(LSI)は、微細加工
技術の進歩を反映して、高集積化、多機能化、高性能化
をたどっている。その結果、回路抵抗や配線間のコンデ
ンサー容量(以下、それぞれ、「寄生抵抗」、「寄生容
量」ということがある)の増大を招来し、消費電力を増
加させるだけでなく、遅延時間も増大させるため、デバ
イスの信号スピードが低下する大きな要因となってい
る。そのため、寄生抵抗や寄生容量を下げることが求め
られており、その解決策の一つとして、配線の周辺を層
間絶縁膜で被うことにより、寄生容量を下げてデバイス
の高速化に対応しようとしている。
2. Description of the Related Art Large-scale integrated circuits (LSIs) have become highly integrated, multifunctional, and high-performance, reflecting the progress of fine processing technology. As a result, circuit resistance and capacitance between wirings (hereinafter, sometimes referred to as “parasitic resistance” and “parasitic capacitance”, respectively) are increased, which not only increases power consumption but also increases delay time. This is a major factor in reducing the signal speed of the device. Therefore, it is required to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance. One of the solutions is to cover the periphery of the wiring with an interlayer insulating film to reduce the parasitic capacitance and respond to the speeding up of the device. I have.

【0003】しかしながら、層間絶縁膜には、実装基板
製造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付け等の後工
程に耐えられる優れた耐熱性を有することが必要であ
る。この高耐熱性の有機材料として、ポリイミドが広く
知られているが、極性の高いイミド基を含むため、低誘
電性、低吸水性の面では、満足なものは得られていな
い。
However, the interlayer insulating film needs to have excellent heat resistance that can withstand post-processes such as a thin film forming process, chip connection, and pinning at the time of manufacturing a mounting substrate. Polyimide is widely known as the organic material having high heat resistance, however, since it contains a highly polar imide group, no satisfactory material is obtained in terms of low dielectric property and low water absorption.

【0004】一方、極性基を含まない高耐熱性の有機材
料としては、ポリフェニレンが知られている。ポリフェ
ニレンは耐熱性に優れるが、有機溶媒可溶性に劣るた
め、一般に側鎖を導入することが行われているが、側鎖
を導入することにより、耐熱性が低下したり、原料の製
造が煩雑になる等の問題があった。
On the other hand, polyphenylene is known as a high heat-resistant organic material containing no polar group. Polyphenylene is excellent in heat resistance, but is poor in organic solvent solubility.In general, side chains are generally introduced.However, by introducing side chains, heat resistance is reduced or production of raw materials is complicated. There were problems such as becoming.

【0005】従来のポリフェニレンとしては、例えば米
国特許第5214044号公報、国際出願WO96/2
8491号、ヨーロッパ特許公開第629217号等に
記載されるポリマーを挙げることができる。これらのポ
リマーは、基本的にポリパラフェニレン構造を主として
なり、一部屈曲性モノマーを共重合する等している。
Conventional polyphenylenes include, for example, US Pat. No. 5,214,044 and International Application WO 96/2.
No. 8441, EP-A-629217 and the like. These polymers basically have a polyparaphenylene structure and partially copolymerize a flexible monomer.

【0006】しかし、これらのポリマーは特定の有機溶
媒にしか溶けず、加工性の悪いものであった。また、そ
の多くの側鎖は極性基やアルキル基であるため耐熱性、
低誘電性を十分満たしていなかったり(米国特許第52
14044号公報、ヨーロッパ特許公開第629217
号公報)、原料合成に多くの工程を要していた(国際出
願WO96/28491号は、耐熱、低誘電の構造であ
るがモノマーの合成が煩雑であった)。
However, these polymers are soluble only in specific organic solvents and have poor processability. In addition, since many of the side chains are polar groups or alkyl groups, heat resistance,
Insufficient low dielectric properties (US Pat. No. 52
No. 14044, EP-A-629217.
), And many steps were required for the synthesis of raw materials (International application WO96 / 28491 has a heat-resistant and low-dielectric structure, but the synthesis of monomers was complicated).

【0007】また、これらのポリマーはパラジクロロベ
ンゼン等の芳香族ジクロロ化合物を原料として製造する
ものが主であるが、このような芳香族ジクロロ化合物は
合成が煩雑で、モノマーを安定的に確保できないという
点において好ましくなかった。
[0007] Further, these polymers are mainly produced from aromatic dichloro compounds such as paradichlorobenzene as raw materials, but such aromatic dichloro compounds are complicated to synthesize and cannot stably secure monomers. It was not favorable in point.

【0008】さらに、従来のポリパラフェニレンは透明
性も十分ではなく、光学的用途には使用できなかった。
Furthermore, conventional polyparaphenylenes have insufficient transparency and cannot be used for optical applications.

【0009】本発明者等は、このような従来のポリフェ
ニレンの有する問題に対し、種々検討をした結果、耐熱
性、低誘電性、加工性を十分に満たし、さらに、安価な
プロセスで製造できるポリフェニレンの製造方法を提案
している(例えば、特願平10−29068号、特願平
10−29070号、特願平10−273522号)。
The present inventors have conducted various studies on such problems of the conventional polyphenylene, and as a result, have found that polyphenylene which can sufficiently satisfy heat resistance, low dielectric properties and workability, and which can be manufactured by an inexpensive process. (For example, Japanese Patent Application Nos. 10-29068, 10-29070 and 10-273522).

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
に鑑み、上述の提案に加えてなされたものであり、LS
I、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRA
M、D−RDRAM等の半導体素子用低誘電性層間絶縁
膜;半導体素子の表面コート膜等の保護膜;多層配線基
板の低誘電性層間絶縁膜;液晶表示素子用の保護膜や絶
縁防止膜等の原材料として好適な、塗膜にしたときの均
一性に優れたフェニレン基含有(共)重合体組成物を提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has been made in addition to the above proposals.
I, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRA
Low dielectric interlayer insulating films for semiconductor devices such as M and D-RDRAMs; protective films such as surface coat films for semiconductor devices; low dielectric interlayer insulating films for multilayer wiring substrates; protective films and insulating films for liquid crystal display devices. It is an object of the present invention to provide a phenylene group-containing (co) polymer composition having excellent uniformity when formed into a coating film, which is suitable as a raw material such as.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の課題
を解決するべく鋭意研究した結果、特定のフェニレン基
含有(共)重合体及び界面活性剤を含有する組成物とす
ることにより、上記目的を達成することができることを
知見し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、以
下のフェニレン基含有(共)重合体組成物を提供するも
のである。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, by forming a composition containing a specific phenylene group-containing (co) polymer and a surfactant, The inventors have found that the above object can be achieved and completed the present invention. That is, the present invention provides the following phenylene group-containing (co) polymer composition.

【0012】[1]下記式(1)に示すフェニレン基含
有(共)重合体及び界面活性剤を含有することを特徴と
するフェニレン基含有(共)重合体組成物。
[1] A phenylene group-containing (co) polymer composition comprising a phenylene group-containing (co) polymer represented by the following formula (1) and a surfactant.

【0013】[0013]

【化1】 Embedded image

【0014】[式(1)中、Xは、−CQQ′−(ここ
で、Q、Q’は同一でも異なっていてもよく、ハロゲン
化アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子又
はアリール基を示す)に示す基、及びフルオレニレン基
からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、R
20は同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロ
ゲン原子、又は1価の有機基を示し、lは5〜100モ
ル%、mは0〜95モル%、nは0〜95モル%(l+
m+n=100モル%)である。]
[In the formula (1), X is -CQQ'- (where Q and Q 'may be the same or different and each represents a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group. group shown in the illustrated), and is at least one selected from the group consisting of fluorenylene group, R 1 ~
R 20 may be the same or different and represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group, 1 is 5 to 100 mol%, m is 0 to 95 mol%, and n is 0 to 95 mol% ( l +
m + n = 100 mol%). ]

【0015】[2]前記式(1)におけるlが50〜9
5モル%、mが5〜50モル%である前記[1]に記載
のフェニレン基含有(共)重合体組成物。
[2] l in the above formula (1) is 50 to 9
The phenylene group-containing (co) polymer composition according to the above [1], wherein 5 mol% and m are 5 to 50 mol%.

【0016】[3]前記界面活性剤の配合割合が、前記
フェニレン基含有(共)重合体100重量部に対して、
0.001〜1重量部である前記[1]又は[2]に記
載のフェニレン基含有(共)重合体組成物。
[3] The mixing ratio of the surfactant is 100 parts by weight of the phenylene group-containing (co) polymer.
The phenylene group-containing (co) polymer composition according to the above [1] or [2], which is 0.001 to 1 part by weight.

【0017】[4]前記界面活性剤が、シリコーン系界
面活性剤である前記[1]〜[3]のいずれかに記載の
フェニレン基含有(共)重合体組成物。
[4] The phenylene group-containing (co) polymer composition according to any one of [1] to [3], wherein the surfactant is a silicone-based surfactant.

【0018】[5]さらに、溶媒を含有する前記[1]〜
[4]のいずれかに記載のフェニレン基含有(共)重合体
組成物。
[5] The above [1] to [10] further containing a solvent.
The phenylene group-containing (co) polymer composition according to any one of [4].

【0019】本発明のフェニレン基含有(共)重合体組
成物は、上記のように、特定のフェニレン基含有共重合
体及び界面活性剤を含有した組成物とすることにより塗
膜にしたときの均一性を改善することができる。
As described above, the phenylene group-containing (co) polymer composition of the present invention can be used as a coating composition by forming a composition containing a specific phenylene group-containing copolymer and a surfactant. Uniformity can be improved.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。本発明のフェニレン基含有(共)重合体
組成物は、前記式(1)に示すフェニレン基含有(共)
重合体及び界面活性剤を含有ことを特徴とする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below. The phenylene group-containing (co) polymer composition of the present invention comprises the phenylene group-containing (co)
It is characterized by containing a polymer and a surfactant.

【0021】以下、本発明のフェニレン基含有(共)重
合体組成物を、各構成要素ごとにさらに具体的に説明す
る。 1.フェニレン基含有(共)重合体 本発明に用いられるフェニレン基含有(共)重合体は、
前記式(1)に示すものであるが、説明の便宜上、式
(1)を再び下記に示す。
Hereinafter, the phenylene group-containing (co) polymer composition of the present invention will be described more specifically for each component. 1. Phenylene group-containing (co) polymer The phenylene group-containing (co) polymer used in the present invention is:
Although shown in the above equation (1), the equation (1) is shown below again for convenience of explanation.

【0022】[0022]

【化2】 Embedded image

【0023】[式(1)中、Xは、−CQQ′−(ここ
で、Q、Q’は同一でも異なっていてもよく、ハロゲン
化アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子又
はアリール基を示す)に示す基、及びフルオレニレン基
からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、R
20は同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロ
ゲン原子、又は1価の有機基を示し、lは5〜100モ
ル%、好ましくは、50〜95モル%、mは0〜95モ
ル%、好ましくは、5〜50モル%、nは0〜95モル
%、好ましくは、0〜50モル%、(l+m+n=10
0モル%)である。]
In the formula (1), X is -CQQ'- (where Q and Q 'may be the same or different and each represents a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group. group shown in the illustrated), and is at least one selected from the group consisting of fluorenylene group, R 1 ~
R 20 may be the same or different and represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group, 1 is 5 to 100 mol%, preferably 50 to 95 mol%, and m is 0 to 95 mol% , Preferably 5 to 50 mol%, n is 0 to 95 mol%, preferably 0 to 50 mol%, (l + m + n = 10
0 mol%). ]

【0024】なお、繰り返し単位は、X及びOに対して
パラ位で連結されているのが好ましい。
The repeating unit is preferably connected to X and O at the para position.

【0025】このようなフェニレン基含有(共)重合体
は、例えば、下記式(2)に示す化合物を含むモノマー
を遷移金属化合物を含む触媒系の存在下に重合すること
によって製造することができる。
Such a phenylene group-containing (co) polymer can be produced, for example, by polymerizing a monomer containing a compound represented by the following formula (2) in the presence of a catalyst system containing a transition metal compound. .

【0026】[0026]

【化3】 Embedded image

【0027】[式(2)中、Xは、−CQQ′−(ここ
で、Q、Q’は同一でも異なっていてもよく、ハロゲン
化アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子又
はアリール基を示す)に示す基、及びフルオレニレン基
からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、R
は同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、又は1価の有機基を示し、Zはアルキル基、ハ
ロゲン化アルキル基又はアリール基を示す。]
In the formula (2), X is -CQQ'- (where Q and Q 'may be the same or different and each represents a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group. group shown in the illustrated), and is at least one selected from the group consisting of fluorenylene group, R 1 ~
R 8 may be the same or different and represents a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, and Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group. ]

【0028】前記式(2)中のXを構成するQ、Q′の
うち、ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメ
チル基、ペンタフルオロエチル基等、アルキル基として
は、メチル基、エチル基等、ハロゲン原子としては、フ
ッ素原子等、またアリール基としては、フェニル基、ビ
フェニル基、トリル基、ペンタフルオロフェニル基等を
挙げることができる。
In Q and Q 'constituting X in the above formula (2), the halogenated alkyl group is a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group or the like, and the alkyl group is a methyl group, an ethyl group or the like. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, and examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a tolyl group, and a pentafluorophenyl group.

【0029】また、前記式(2)中のR〜Rのう
ち、ハロゲン原子としては、フッ素原子等、1価の有機
基としては、アルキル基として、メチル基、エチル基
等、ハロゲン化アルキル基として、トリフルオロメチル
基、ペンタフルオロエチル基等、アリル基として、プロ
ペニル基等、アリール基として、フェニル基、ペンタフ
ルオロフェニル基等を挙げることができる。
In R 1 to R 8 in the formula (2), a halogen atom is a fluorine atom, a monovalent organic group is an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, etc. Examples of the alkyl group include a trifluoromethyl group and a pentafluoroethyl group, examples of the allyl group include a propenyl group, and examples of the aryl group include a phenyl group and a pentafluorophenyl group.

【0030】また、前記式(2)中の、−OSOZを
構成するZとしては、アルキル基として、メチル基、エ
チル基等、ハロゲン化アルキル基として、トリフルオロ
メチル基等、アリール基として、フェニル基、p−トリ
ル基、p−フルオロフェニル基等を挙げることができ
る。
In the formula (2), Z constituting —OSO 2 Z is a methyl group, an ethyl group, or the like as an alkyl group, a halogenated alkyl group, a trifluoromethyl group, or an aryl group as a halogenated alkyl group. Phenyl group, p-tolyl group, p-fluorophenyl group and the like.

【0031】前記式(2)中のXとしては、下記に示す
2価の基が好ましい。
X in the above formula (2) is preferably a divalent group shown below.

【0032】[0032]

【化4】 Embedded image

【0033】[0033]

【化5】 Embedded image

【0034】[0034]

【化6】 Embedded image

【0035】[0035]

【化7】 Embedded image

【0036】これらのうちでは、フルオレニレン基がさ
らに好ましい。
Of these, a fluorenylene group is more preferred.

【0037】前記式(2)に示す化合物(モノマー)の
具体例としては、2,2−ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−
メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−
メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチ
ルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メチ
ルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフ
ォニロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−メ
チルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−
プロペニルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−メ
チルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プ
ロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−
3−フルオロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−
メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロ
ペニルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−フェニ
ルスルフォニロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニ
ロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチ
ルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−フェニルス
ルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメ
タン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロ
キシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロ
キシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフ
ェニル)プロパン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ
−3−フルオロフェニル)プロパン、ビス(p−トリル
スルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)プロ
パン9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビ
ス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フェ
ニルフェニル)フルオレン、ビス(4−メチルスルフォ
ニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビ
ス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォ
ニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロ
フェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフ
ォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニル
メタン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−
3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4
−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニ
ル)フルオレン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−
3−メチルフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフ
ォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス
(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(4−メ
チルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタン、2,
2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−トリフル
オロメチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)
ジフェニルメタン、2,2−ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−トリフルオ
ロメチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、9,
9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−
3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−
トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチ
ルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフル
オロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレ
ン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−
3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチル
フェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロ
メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジ
フェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−
3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,
9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−
3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4
−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジフ
ルオロフェニル)フルオレン、ビス(4−トリフルオロ
メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−
トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェ
ニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォ
ニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロ
ペニルフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェ
ニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシフェニル)、2,2−ビス(4−フェニルスルフ
ォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス
(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビ
ス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニ
ルメタン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキ
シ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プ
ロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチ
ルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス
(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3
−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フ
ェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)
フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロ
キシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、9,9−
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フェニルフ
ェニル)フルオレン、ビス(4−フェニルスルフォニロ
キシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フルオ
ロフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニルス
ルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェ
ニルメタン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロ
キシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビ
ス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオ
ロフェニル)フルオレン、ビス(4−フェニルスルフォ
ニロキシフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフ
ォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビス(4−
フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニ
ル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3
−プロペニルフェニル)メタン、ビス(4−フェニルス
ルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニル
メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニ
ル)フェニルメタン2,2−ビス(p−トリルスルフォ
ニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(p
−トリルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(p
−トリルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタ
ン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−
メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(p−ト
リルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン、9,9−ビス(p−トリルスル
フォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p
−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フル
オレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス(p
−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフ
ェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロ
キシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフ
ェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(p−トリル
スルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,
5−ジフルオロフェニル)フルオレン、ビス(p−トリ
ルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(p−トリ
ルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビ
ス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−プロペニルフェニル)メタン、ビス(p−トリルス
ルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニル
メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)
フェニルメタン等を挙げることができる。
Specific examples of the compound (monomer) represented by the formula (2) include 2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane and bis (4-
Methylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-
Methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis ( 4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-methyl) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-
Propenylphenyl) propane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-
3-fluorophenyl) propane, 2,2-bis (4-
Methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) propane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenyl) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-phenylsulfur Phonyloxy-3-propenylphenyl) propane, 2,2-
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy) Phenyl) propane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane, 2,2-bis ( p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) propane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) propane 9 , 9-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3, 5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethyl) Phenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-difluoro) Phenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-
3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4
-Methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-methylsulfonyloxy-
3-methylphenyl) methane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) ) Trifluoromethylphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane, 2,
2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl)
Diphenylmethane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,
9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-
3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-
Trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfone) Phonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy)
3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (4-triphenylmethane) Fluoromethylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy)
3,5-difluorophenyl) diphenylmethane, 9,
9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-
3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4
-Trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-
Trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) Methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl), 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane Bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3)
-Methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl)
Fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene, 9,9-
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane, Bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene, bis (4-phenylsulfonyloxy) Phenyl) Tan, bis (4-phenylsulfonyl b carboxymethyl-3-methylphenyl) methane, bis (4-
Phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3)
-Propenylphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) hexafluoro Propane, screw (p
-Tolylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (p
-Tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-)
Methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexa Fluoropropane, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (p
-Tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-
3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (P
-Tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy)
3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy) 3,5-difluorophenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,
5-difluorophenyl) fluorene, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) ) Methane, bis (p-tolylsulfonyloxy-)
3-propenylphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl)
Phenylmethane and the like can be mentioned.

【0038】本発明においては、前記式(2)に示す化
合物を2種以上共重合することもできる。
In the present invention, two or more compounds represented by the above formula (2) may be copolymerized.

【0039】前記式(2)に示す化合物は、例えば、下
記の製法によって合成することができる。すなわち、ビ
スフェノール化合物(例えば、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン)及びビスフ
ェノール化合物の2当量以上の塩基を溶媒に溶かす。こ
のとき、ピリジン等を溶媒として用いて、溶媒と塩基と
の両方の役割を兼用させてもよい。また、必要に応じて
4−ジメチルアミノピリジン等の触媒を加えてもよい。
The compound represented by the formula (2) can be synthesized, for example, by the following production method. That is, a bisphenol compound (for example, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane) and a base of 2 equivalents or more of the bisphenol compound are dissolved in a solvent. At this time, pyridine or the like may be used as a solvent so that both the solvent and the base may be used. If necessary, a catalyst such as 4-dimethylaminopyridine may be added.

【0040】そして、スルフォン酸クロライド(無水
物)(例えば、メタンスルフォン酸クロライド)を15
℃以下に保持しながら5〜60分かけて乾燥窒素気流下
に滴下する。それから、その温度でO〜60分攪拌した
後、室温に戻し、0〜24時間攪拌し、懸濁液を作成す
る。得られた懸濁液を3〜20倍量の氷水に再沈殿さ
せ、その沈殿を回収し、再結晶等の操作を繰り返して結
晶としてビススルフォネート化合物を得ることができ
る。
Then, sulfonic acid chloride (anhydride) (for example, methanesulfonic acid chloride) is added to 15
The solution is added dropwise over 5 to 60 minutes under a stream of dry nitrogen while maintaining the temperature at not more than 0 ° C. Then, after stirring at that temperature for 0 to 60 minutes, the mixture is returned to room temperature and stirred for 0 to 24 hours to form a suspension. The obtained suspension is reprecipitated in 3 to 20 times the volume of ice water, the precipitate is recovered, and the operation such as recrystallization is repeated to obtain a bissulfonate compound as crystals.

【0041】あるいは、まず、ビスフェノール化合物
(例えば2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン)を水酸化ナトリウム水溶液等の2
当量のアルカリ水溶液に溶かす。その一方、スルフォン
酸クロライド(無水物)(例えば、メタンスルフォン酸
クロライド)をトルエン、クロロホルム等の有機溶媒に
溶かす。そして、これらに必要に応じてアセチルトリメ
チルアンモニウムクロライド等の相間移動触媒を加えた
後、激しく攪拌する。そして、反応して得られた有機層
を精製することによっても目的のビススルフォネート化
合物を得ることができる。
Alternatively, first, a bisphenol compound (for example, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane) is added to an aqueous solution of sodium hydroxide or the like.
Dissolve in an equivalent amount of an alkaline aqueous solution. On the other hand, sulfonic acid chloride (anhydride) (for example, methanesulfonic acid chloride) is dissolved in an organic solvent such as toluene and chloroform. Then, if necessary, a phase transfer catalyst such as acetyltrimethylammonium chloride is added thereto, followed by vigorous stirring. The desired bissulfonate compound can also be obtained by purifying the organic layer obtained by the reaction.

【0042】本発明においては、前記式(2)に示す化
合物の少なくとも1種と、下記式(3)〜(6)に示す
化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種とを共重
合させてもよい。
In the present invention, at least one compound represented by the formula (2) may be copolymerized with at least one compound selected from the group consisting of the compounds represented by the following formulas (3) to (6). Good.

【0043】[0043]

【化8】 Embedded image

【0044】〔式(3)中、R〜R16は同一でも異
なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は1価の有機
基を示し、R31は、−OSOZ(ここで、Zはアル
キル基、ハロゲン化アルキル基又はアリール基を示
す)、塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示す。〕
[In the formula (3), R 9 to R 16 may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, and R 31 represents —OSO 2 Z (here, Z Represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. ]

【0045】R〜R16のうち、ハロゲン原子として
は、フッ素原子等、1価の有機基としては、アルキル基
として、メチル基、エチル基等、ハロゲン化アルキル基
として、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル
基等、アリル基として、プロペニル基等、アリール基と
して、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基等を挙げ
ることができる。また、−OSOZを構成するZとし
ては、アルキル基として、メチル基、エチル基等、ハロ
ゲン化アルキル基として、トリフルオロメチル基等、ア
リール基として、フェニル基、p−トリル基、p−フル
オロフェニル基等を挙げることができる。
Of R 9 to R 16 , a halogen atom is a fluorine atom, a monovalent organic group is an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, a halogenated alkyl group is a trifluoromethyl group, Examples of an allyl group such as a pentafluoroethyl group include a propenyl group and the like, and examples of an aryl group include a phenyl group and a pentafluorophenyl group. As the Z constituting a -OSO 2 Z, examples of the alkyl group, methyl group, ethyl group and the like, halogenated alkyl group, a trifluoromethyl group, aryl group, a phenyl group, p- tolyl group, p- Examples thereof include a fluorophenyl group.

【0046】前記式(3)に示す化合物としては、例え
ば、4,4’−ジクロロジフェニルエーテル、4,4’
−ジブロモジフェニルエーテル、4,4’−ジヨードジ
フェニルエーテル、3,3’−ジクロロジフェニルエー
テル、3,3’−ジブロモジフェニルエーテル、3,
3’−ジヨードジフェニルエーテル、3,4’−ジクロ
ロジフェニルエーテル、3,4’−ジブロモジフェニル
エーテル、3,4’−ジヨードジフェニルエーテル、
4,4’−ジメチルスルフォニロキシフェニルエーテ
ル、4,4’−ジトリフルオロメチルスルフォニロキシ
フェニルエーテル等を挙げることができる。
The compound represented by the formula (3) includes, for example, 4,4'-dichlorodiphenyl ether, 4,4 '
-Dibromodiphenyl ether, 4,4'-diiododiphenyl ether, 3,3'-dichlorodiphenyl ether, 3,3'-dibromodiphenyl ether, 3,
3′-diiododiphenyl ether, 3,4′-dichlorodiphenyl ether, 3,4′-dibromodiphenyl ether, 3,4′-diiododiphenyl ether,
4,4'-dimethylsulfonyloxyphenyl ether, 4,4'-ditrifluoromethylsulfonyloxyphenyl ether and the like can be mentioned.

【0047】前記式(3)に示す化合物は、1種単独で
又は2種以上を組合わせて用いることができる。
The compounds represented by the formula (3) can be used alone or in combination of two or more.

【0048】[0048]

【化9】 Embedded image

【0049】[式(4)中、R17〜R20は同一でも
異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は1価の有
機基を示し、R32は、−OSOZ(ここで、Zはア
ルキル基、ハロゲン化アルキル基又はアリール基を示
す)、塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示す。]
[In the formula (4), R 17 to R 20 may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, and R 32 represents —OSO 2 Z (here, Z Represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. ]

【0050】前記式(4)中のR17〜R20を構成す
るハロゲン原子としては、フッ素原子、1価の有機基と
しては、水酸基、カルボキシル基、アリル基、アルコキ
シカルボニロキシ基等を挙げることができる。R17
20のうちの少なくとも1つの基は、反応性基又はそ
の前駆体であることが、得られるポリマーの密着性をよ
りよくさせる点から好ましい。
In the above formula (4), halogen atoms constituting R 17 to R 20 include a fluorine atom, and monovalent organic groups include a hydroxyl group, a carboxyl group, an allyl group, and an alkoxycarbonyloxy group. be able to. R 17 ~
At least one group of R 20 is preferably a reactive group or a precursor thereof, from the viewpoint of improving the adhesion of the obtained polymer.

【0051】また、R17〜R20のうち隣接する2つ
がカルボキシル基である場合、2つのカルボキシル基同
士が反応して酸無水物を形成していてもよい。
When two adjacent groups out of R 17 to R 20 are carboxyl groups, the two carboxyl groups may react with each other to form an acid anhydride.

【0052】本発明において、反応性基の前駆体とは、
反応性基を保護基で保護したもので、後に保護基を解離
し反応性基に戻すことことが可能な基を意味する。
In the present invention, the precursor of the reactive group is
A group in which a reactive group is protected with a protecting group, which means that the protecting group can be dissociated and returned to the reactive group later.

【0053】反応性基の保護の方法としては、水酸基の
場合、二炭酸−t−ブチルをトリエチルアミンのような
塩基存在下で反応させて保護する方法や、酢酸や塩化ア
セチル等のカルボン酸有機体を常法によりアセチル化し
て保護基とする方法がある。また、カルボキシル基の場
合、アルコール中で酸を反応させることによりエステル
化して保護する方法等がある。
As a method for protecting the reactive group, in the case of a hydroxyl group, a method for protecting by reacting tert-butyl dicarbonate in the presence of a base such as triethylamine, or a method for protecting a carboxylic acid organic compound such as acetic acid or acetyl chloride. May be acetylated by a conventional method to form a protecting group. In the case of a carboxyl group, there is a method in which an acid is reacted in an alcohol to esterify and protect the carboxyl group.

【0054】また、−OSOZを構成するZとして
は、アルキル基として、メチル基、エチル基等、ハロゲ
ン化アルキル基として、トリフルオロメチル基等、アリ
ール基として、フェニル基、p−トリル基、p−フルオ
ロフェニル基等を挙げることができる。
Z constituting --OSO 2 Z is, for example, a methyl group or an ethyl group as an alkyl group, a trifluoromethyl group or the like as a halogenated alkyl group, a phenyl group or a p-tolyl group as an aryl group. , P-fluorophenyl group and the like.

【0055】前記式(4)に示す化合物の具体例として
は、例えば、p−ジクロロベンゼン、p−ジブロモベン
ゼン、p−ジヨードベンゼン、p−ジメチルスルフォニ
ロキシベンゼン、2,5−ジクロロトルエン、2,5−
ジブロモトルエン、2,5−ジヨードトルエン、2,5
−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、2,5−ジクロ
ロ−p−キシレン、2,5−ジブロモ−p−キシレン、
2,5−ジヨード−p−キシレン、2,5−ジクロロベ
ンゾトリフルオライド、2,5−ジブロモベンゾトリフ
ルオライド、2,5−ジヨードベンゾトリフルオライ
ド、1,4−ジクロロ−2,3,5,6−テトラフルオ
ロベンゼン、1,4−ジブロモ−2,3,5,6−テト
ラフルオロベンゼン、1,4−ジヨード−2,3,5,
6−テトラフルオロベンゼン、2,5−ジクロロ安息香
酸、2,5−ジブロモ安息香酸、2,5−ジクロロ安息
香酸メチル、2,5−ジブロモ安息香酸メチル、2,5
−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、2,5−ジブロモ安
息香酸−t−ブチル、3,6−ジクロロフタル酸無水物
等を挙げることができ、好ましくはp−ジクロロベンゼ
ン、p−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、2,5−
ジクロロトルエン、2,5−ジクロロベンゾトリフルオ
ライド、2,5−ジクロロベンゾフェノン、2,5−ジ
クロロフェノキシベンゼン等である。
Specific examples of the compound represented by the formula (4) include, for example, p-dichlorobenzene, p-dibromobenzene, p-diiodobenzene, p-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,5-dichlorotoluene, 2,5-
Dibromotoluene, 2,5-diiodotoluene, 2,5
-Dimethylsulfonyloxybenzene, 2,5-dichloro-p-xylene, 2,5-dibromo-p-xylene,
2,5-diiodo-p-xylene, 2,5-dichlorobenzotrifluoride, 2,5-dibromobenzotrifluoride, 2,5-diiodobenzotrifluoride, 1,4-dichloro-2,3,5 6-tetrafluorobenzene, 1,4-dibromo-2,3,5,6-tetrafluorobenzene, 1,4-diiodo-2,3,5
6-tetrafluorobenzene, 2,5-dichlorobenzoic acid, 2,5-dibromobenzoic acid, methyl 2,5-dichlorobenzoate, methyl 2,5-dibromobenzoate, 2,5
-T-butyl-dichlorobenzoate, t-butyl 2,5-dibromobenzoate, 3,6-dichlorophthalic anhydride and the like, and preferably p-dichlorobenzene and p-dimethylsulfonyloxy. Benzene, 2,5-
Dichlorotoluene, 2,5-dichlorobenzotrifluoride, 2,5-dichlorobenzophenone, 2,5-dichlorophenoxybenzene and the like.

【0056】前記式(4)に示す化合物は、1種単独で
又は2種以上を組合わせて用いることができる。
The compounds represented by the above formula (4) can be used alone or in combination of two or more.

【0057】[0057]

【化10】 Embedded image

【0058】[式(5)中、R17〜R20は同一でも
異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は1価の有
機基を示し、R33は、−OSOZ(ここで、Zはア
ルキル基、ハロゲン化アルキル基又はアリール基を示
す)、塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示す。]
[In the formula (5), R 17 to R 20 may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, and R 33 represents —OSO 2 Z (here, Z Represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. ]

【0059】前記式(5)中のR17〜R20 のう
ち、ハロゲン原子としては、フッ素原子、1価の有機基
としては、水酸基、カルボキシル基、アリル基、アルコ
キシカルボニロキシ基等を挙げることができる。R17
〜R20のうちの少なくとも1つの基は、反応性基又は
その前駆体であることが、得られるポリマーの密着性を
よりよくさせる点から好ましい。
In R 17 to R 20 in the formula (5), the halogen atom includes a fluorine atom, and the monovalent organic group includes a hydroxyl group, a carboxyl group, an allyl group, and an alkoxycarbonyloxy group. be able to. R 17
At least one of the radicals to R 20, it is a reactive group or a precursor thereof are preferred from the viewpoint for better adhesion of the resulting polymer.

【0060】また、R17〜R20のうち隣接する2つ
がカルボキシル基である場合、2つのカルボキシル基同
士が反応して酸無水物を形成していてもよい。
When two adjacent groups out of R 17 to R 20 are carboxyl groups, the two carboxyl groups may react with each other to form an acid anhydride.

【0061】また、−OSOZ中のZとしては、アル
キル基として、メチル基、エチル基等、ハロゲン化アル
キル基として、トリフルオロメチル基等、アリール基と
して、フェニル基、p−トリル基、p−フルオロフェニ
ル基等を挙げることができる。
Z in -OSO 2 Z is a methyl group or an ethyl group as an alkyl group, a trifluoromethyl group or the like as a halogenated alkyl group, a phenyl group, a p-tolyl group as an aryl group, Examples thereof include a p-fluorophenyl group.

【0062】前記式(5)に示す化合物としては、例え
ば、m−ジクロロベンゼン、m−ジブロモベンゼン、m
−ジヨードベンゼン、m−ジメチルスルフォニロキシベ
ンゼン、2,4−ジクロロトルエン、2,4−ジブロモ
トルエン、2,4−ジヨードトルエン、3,5−ジクロ
ロトルエン、3,5−ジブロモトルエン、3,5−ジヨ
ードトルエン、2,6−ジクロロトルエン、2,6−ジ
ブロモトルエン、2,6−ジヨードトルエン、3,5−
ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,6−ジメチル
スルフォニロキシトルエン、2,4−ジクロロベンゾト
リフルオライド、2,4−ジブロモベンゾトリフルオラ
イド、2,4−ジヨードベンゾトリフルオライド、3,
5−ジクロロベンゾトリフルオライド、3,5−ジブロ
モトリフルオライド、3,5−ジヨードベンゾトリフル
オライド、1,3−ジブロモ−2,4,5,6−テトラ
フルオロベンゼン、2,4−ジクロロベンジルアルコー
ル、3,5−ジクロロベンジルアルコール、2,4−ジ
ブロモベンジルアルコール、3,5−ジブロモベンジル
アルコール、3,5−ジクロロフェノール、3,5−ジ
ブロモフェノール、3,5−ジクロロ−t−ブトキシカ
ルボニロキシフェニル、3,5−ジブロモ−t−ブトキ
シカルボニロキシフェニル、2,4−ジクロロ安息香
酸、3,5−ジクロロ安息香酸、2,4−ジブロモ安息
香酸、3,5−ジブロモ安息香酸、2,4−ジクロロ安
息香酸メチル、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、3,
5−ジブロモ安息香酸メチル、2,4−ジブロモ安息香
酸メチル、2,4−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、
3,5−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、2,4−ジブ
ロモ安息香酸−t−ブチル、3,5−ジブロモ安息香酸
−t−ブチル等を挙げることができ、好ましくはm−ジ
クロロベンゼン、2,4−ジクロロトルエン、3,5−
ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,4−ジクロロ
ベンゾトリフルオライド、2,4−ジクロロベンゾフェ
ノン、2,4−ジクロロフェノキシベンゼン等である。
Examples of the compound represented by the formula (5) include m-dichlorobenzene, m-dibromobenzene,
-Diiodobenzene, m-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,4-dichlorotoluene, 2,4-dibromotoluene, 2,4-diiodotoluene, 3,5-dichlorotoluene, 3,5-dibromotoluene, 3 , 5-diiodotoluene, 2,6-dichlorotoluene, 2,6-dibromotoluene, 2,6-diiodotoluene, 3,5-
Dimethylsulfonyloxytoluene, 2,6-dimethylsulfonyloxytoluene, 2,4-dichlorobenzotrifluoride, 2,4-dibromobenzotrifluoride, 2,4-diiodobenzotrifluoride, 3,
5-dichlorobenzotrifluoride, 3,5-dibromotrifluoride, 3,5-diiodobenzotrifluoride, 1,3-dibromo-2,4,5,6-tetrafluorobenzene, 2,4-dichlorobenzyl alcohol , 3,5-dichlorobenzyl alcohol, 2,4-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dichlorophenol, 3,5-dibromophenol, 3,5-dichloro-t-butoxycarbonyl Loxyphenyl, 3,5-dibromo-t-butoxycarbonyloxyphenyl, 2,4-dichlorobenzoic acid, 3,5-dichlorobenzoic acid, 2,4-dibromobenzoic acid, 3,5-dibromobenzoic acid, 2 Methyl 4,4-dichlorobenzoate, methyl 3,5-dichlorobenzoate, 3,
Methyl 5-dibromobenzoate, methyl 2,4-dibromobenzoate, t-butyl 2,4-dichlorobenzoate,
T-butyl 3,5-dichlorobenzoate, t-butyl 2,4-dibromobenzoate, t-butyl 3,5-dibromobenzoate and the like, preferably m-dichlorobenzene, , 4-dichlorotoluene, 3,5-
Dimethylsulfonyloxytoluene, 2,4-dichlorobenzotrifluoride, 2,4-dichlorobenzophenone, 2,4-dichlorophenoxybenzene and the like.

【0063】前記式(5)に示す化合物は、1種単独で
又は2種以上を組合わせて用いることができる。
The compounds represented by the formula (5) can be used alone or in combination of two or more.

【0064】[0064]

【化11】 Embedded image

【0065】[式(6)中、R17〜R20は同一でも
異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は1価の有
機基を示し、R34は、−OSOZ(ここで、Zはア
ルキル基、ハロゲン化アルキル基又はアリール基を示
す)、塩素原子、臭素原子又は沃素原子を示す。]
[In the formula (6), R 17 to R 20 may be the same or different and each represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, and R 34 represents —OSO 2 Z (here, Z Represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. ]

【0066】前記式(6)中のR17〜R20を構成す
るハロゲン原子としては、フッ素原子、1価の有機基と
しては、水酸基、カルボキシル基、アリル基、アルコキ
シカルボニロキシ基等を挙げることができる。R17
20のうちの少なくとも1つの基は、反応性基又はそ
の前駆体であることが、得られるポリマーの密着性をよ
りよくさせる点から好ましい。
In the formula (6), the halogen atom constituting R 17 to R 20 is a fluorine atom, and the monovalent organic group is a hydroxyl group, a carboxyl group, an allyl group, an alkoxycarbonyloxy group or the like. be able to. R 17 ~
At least one group of R 20 is preferably a reactive group or a precursor thereof, from the viewpoint of improving the adhesion of the obtained polymer.

【0067】また、R17〜R20のうち隣接する2つ
がカルボキシル基である場合、2つのカルボキシル基同
士が反応して酸無水物を形成していてもよい。
When two adjacent groups out of R 17 to R 20 are carboxyl groups, the two carboxyl groups may react with each other to form an acid anhydride.

【0068】また、−OSOZ中のZとしては、アル
キル基として、メチル基、エチル基等、ハロゲン化アル
キル基として、トリフルオロメチル基等、アリール基と
して、フェニル基、p−トリル基、p−フルオロフェニ
ル基等を挙げることができる。
Z in -OSO 2 Z is, for example, a methyl group or an ethyl group as an alkyl group; a trifluoromethyl group or the like as a halogenated alkyl group; a phenyl group, a p-tolyl group as an aryl group; Examples thereof include a p-fluorophenyl group.

【0069】前記式(6)に示す化合物としては、例え
ば、o−ジクロロベンゼン、o−ジブロモベンゼン、o
−ジヨードベンゼン、o−ジメチルスルフォニロキシベ
ンゼン、2,3−ジクロロトルエン、2,3−ジブロモ
トルエン、2,3−ジヨードトルエン、3,4−ジクロ
ロトルエン、3,4−ジブロモトルエン、3,4−ジヨ
ードトルエン、2,3−ジメチルスルフォニロキシベン
ゼン、3,4−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、
3,4−ジクロロベンゾトリフルオライド、3,4−ジ
ブロモベンゾトリフルオライド、3,4−ジヨードベン
ゾトリフルオライド、1,2−ジブロモ−3,4,5,
6−テトラフルオロベンゼン、4,5−ジクロロフタル
酸無水物等を挙げることができる。
Examples of the compound represented by the formula (6) include, for example, o-dichlorobenzene, o-dibromobenzene, o-dibromobenzene,
-Diiodobenzene, o-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,3-dichlorotoluene, 2,3-dibromotoluene, 2,3-diiodotoluene, 3,4-dichlorotoluene, 3,4-dibromotoluene, 3 2,4-diiodotoluene, 2,3-dimethylsulfonyloxybenzene, 3,4-dimethylsulfonyloxybenzene,
3,4-dichlorobenzotrifluoride, 3,4-dibromobenzotrifluoride, 3,4-diiodobenzotrifluoride, 1,2-dibromo-3,4,5
6-tetrafluorobenzene, 4,5-dichlorophthalic anhydride and the like can be mentioned.

【0070】前記式(6)に示す化合物は、1種単独で
又は2種以上を組合わせて用いることができる。
The compounds represented by the above formula (6) can be used alone or in combination of two or more.

【0071】本発明において、前記式(2)に示す化合
物と前記式(3)に示す化合物とを共重合させる場合の
配合割合は、通常、前記式(2)に示す化合物5〜99
モル%、好ましくは50〜95モル%、前記式(3)に
示す化合物1〜95モル%、好ましくは5〜50モル%
である。
In the present invention, when the compound represented by the above formula (2) and the compound represented by the above formula (3) are copolymerized, the compounding ratio is usually from 5 to 99 of the compound represented by the above formula (2).
Mol%, preferably 50 to 95 mol%, 1 to 95 mol% of the compound represented by the formula (3), preferably 5 to 50 mol%
It is.

【0072】本発明において、前記式(2)に示す化合
物と前記式(4)に示す化合物とを共重合させる場合の
配合割合は、通常、前記式(2)に示す化合物5〜99
モル%、好ましくは、50〜95モル%、前記式(4)
に示す化合物1〜95モル%、好ましくは5〜50モル
%である。
In the present invention, when the compound represented by the formula (2) and the compound represented by the formula (4) are copolymerized, the compounding ratio is usually from 5 to 99 of the compound represented by the formula (2).
Mol%, preferably 50 to 95 mol%, of the above formula (4)
Is 1 to 95 mol%, preferably 5 to 50 mol%.

【0073】本発明において、前記式(2)に示す化合
物と前記式(5)に示す化合物とを共重合させる場合の
配合割合は、通常、前記式(2)に示す化合物5〜99
モル%、好ましくは、50〜95モル%、前記式(5)
に示す化合物1〜95モル%、好ましくは、5〜50モ
ル%である。
In the present invention, when the compound represented by the above formula (2) and the compound represented by the above formula (5) are copolymerized, the compounding ratio is usually from 5 to 99 of the compound represented by the above formula (2).
Mol%, preferably 50 to 95 mol%, of the above formula (5)
Is 1 to 95 mol%, preferably 5 to 50 mol%.

【0074】本発明において、前記式(2)に示す化合
物と前記式(6)に示す化合物とを共重合させる場合の
配合割合は、通常、前記式(2)に示す化合物5〜99
モル%、好ましくは、50〜95モル%、前記式(6)
に示す化合物1〜95モル%、好ましくは、5〜50モ
ル%である。
In the present invention, when the compound represented by the formula (2) and the compound represented by the formula (6) are copolymerized, the compounding ratio is usually from 5 to 99 of the compound represented by the formula (2).
Mol%, preferably 50 to 95 mol%, of the above formula (6)
Is 1 to 95 mol%, preferably 5 to 50 mol%.

【0075】本発明に用いられるフェニレン基含有重合
体を製造する際に用いられる触媒としては、遷移金属化
合物を含む触媒系が好ましい。この触媒系としては、例
えば、下記の触媒系を挙げることができる。 1)遷移金属塩及び配位子からなる触媒系、 2)配位子が配位された遷移金属(塩)からなる触媒
系、 3)1)又は2)の触媒系に還元剤を添加し、さらに必
要に応じて、重合速度を上げるために、「塩」を添加し
た触媒系。
The catalyst used for producing the phenylene group-containing polymer used in the present invention is preferably a catalyst system containing a transition metal compound. Examples of the catalyst system include the following catalyst systems. 1) a catalyst system comprising a transition metal salt and a ligand; 2) a catalyst system comprising a transition metal (salt) to which a ligand is coordinated; 3) a reducing agent is added to the catalyst system of 1) or 2). And a catalyst system to which a "salt" is added, if necessary, to increase the polymerization rate.

【0076】ここで、遷移金属塩としては、塩化ニッケ
ル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル、ニッケルアセチル
アセトナート等のニッケル化合物、塩化パラジウム、臭
化パラジウム、ヨウ化パラジウム等のパラジウム化合
物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄等の鉄化合物、塩化コバ
ルト、臭化コバルト、ヨウ化コバルト等のコバルト化合
物等を挙げることができ、中でも、塩化ニッケル、臭化
ニッケル等が好ましい。
Here, the transition metal salt includes nickel compounds such as nickel chloride, nickel bromide, nickel iodide and nickel acetylacetonate; palladium compounds such as palladium chloride, palladium bromide and palladium iodide; Examples thereof include iron compounds such as iron bromide and iron iodide, and cobalt compounds such as cobalt chloride, cobalt bromide and cobalt iodide. Among them, nickel chloride and nickel bromide are preferable.

【0077】また、配位子としては、トリフェニルホス
フィン、2,2′−ビピリジン、1,5−シクロオクタ
ジエン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ン等を挙げることができるが、トリフェニルホスフィ
ン、2,2′−ビピリジンが好ましい。配位子は、1種
単独で又は2種以上を組合わせて用いることができる。
Examples of the ligand include triphenylphosphine, 2,2'-bipyridine, 1,5-cyclooctadiene, 1,3-bis (diphenylphosphino) propane and the like. Phenylphosphine and 2,2'-bipyridine are preferred. The ligands can be used alone or in combination of two or more.

【0078】さらに、あらかじめ配位子が配位された遷
移金属(塩)としては、例えば、塩化ニッケル2トリフ
ェニルホスフィン、臭化ニッケル2トリフェニルホスフ
ィン、ヨウ化ニッケル2トリフェニルホスフィン、硝酸
ニッケル2−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル
2,2′ビピリジン、臭化ニッケル2,2′ビピリジ
ン、ヨウ化ニッケル2,2′ビピリジン、硝酸ニッケル
2,2′ビピリジン、ビス(1,5−シクロオクタジエ
ン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)
ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニ
ッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウム等を挙げることができ、中でも、塩化ニッケル2ト
リフェニルホスフィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジ
ンが好ましい。
Further, as the transition metal (salt) to which a ligand has been previously coordinated, for example, nickel chloride 2 triphenylphosphine, nickel bromide 2 triphenylphosphine, nickel iodide 2 triphenylphosphine, nickel nitrate 2 -Triphenylphosphine, nickel chloride 2,2 'bipyridine, nickel bromide 2,2' bipyridine, nickel iodide 2,2 'bipyridine, nickel nitrate 2,2' bipyridine, bis (1,5-cyclooctadiene) nickel , Tetrakis (triphenylphosphine)
Nickel, tetrakis (triphenylphosphite) nickel, tetrakis (triphenylphosphine) palladium and the like can be mentioned, and among them, nickel chloride 2 triphenylphosphine and nickel chloride 2,2 ′ bipyridine are preferable.

【0079】このような触媒系において添加することが
できる還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガン、
アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシウム
等を挙げることでき、中でも、亜鉛、マンガンが好まし
い。これらの還元剤は、酸や有機酸に接触させることに
より、より活性化して用いることができる。
The reducing agent that can be added in such a catalyst system includes, for example, iron, zinc, manganese,
Aluminum, magnesium, sodium, calcium and the like can be mentioned, and among them, zinc and manganese are preferable. These reducing agents can be used after being activated by contact with an acid or an organic acid.

【0080】また、このような触媒系において必要に応
じて添加することのできる「塩」としては、フッ化ナト
リウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナト
リウム、硫酸ナトリウム等のナトリウム化合物、フッ化
カリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウ
ム、硫酸カリウム等のカリウム化合物、フッ化テトラエ
チルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、臭
化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアン
モニウム、硫酸テトラエチルアンモニウム等のアンモニ
ウム化合物等を挙げることができ、中でも、臭化ナトリ
ウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、臭化テトラエ
チルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウムが
好ましい。
The "salt" which can be added as required in such a catalyst system includes sodium compounds such as sodium fluoride, sodium chloride, sodium bromide, sodium iodide, sodium sulfate and the like. Potassium compounds such as potassium, potassium chloride, potassium bromide, potassium iodide, and potassium sulfate; ammonium compounds such as tetraethylammonium fluoride, tetraethylammonium chloride, tetraethylammonium bromide, tetraethylammonium iodide, and tetraethylammonium sulfate; Among them, sodium bromide, sodium iodide, potassium bromide, tetraethylammonium bromide, and tetraethylammonium iodide are preferable.

【0081】このような触媒系における各成分の使用割
合は、下記の通りである。前記1)及び前記2)に示す
触媒系の場合、遷移金属塩又は配位子が配位された遷移
金属(塩)の使用割合は、化合物(A)、化合物(B)
及び化合物(C)の総量1モルに対し、通常、0.00
01〜10モル、好ましくは0.01〜0.5モルであ
る。0.0001モル未満であると、重合反応が十分に
進行せず、一方、10モルを超えると、分子量が低下す
ることがある。
The use ratio of each component in such a catalyst system is as follows. In the case of the catalyst systems shown in the above 1) and 2), the transition metal salt or the transition metal (salt) to which the ligand is coordinated is used in the ratio of the compound (A) or the compound (B).
And usually 1 mol per 1 mol of the compound (C).
The amount is from 01 to 10 mol, preferably from 0.01 to 0.5 mol. If the amount is less than 0.0001 mol, the polymerization reaction does not proceed sufficiently, while if it exceeds 10 mol, the molecular weight may be reduced.

【0082】前記1)及び前記2)に示す触媒系の場
合、配位子の使用割合は、遷移金属塩1モルに対し、通
常、0.1〜100モル、好ましくは1〜10モルであ
る。0.1モル未満では、触媒活性が不十分となり、一
方、100モルを超えると、分子量が低下するという問
題がある。
In the case of the catalyst systems described in 1) and 2) above, the ligand is used in an amount of usually 0.1 to 100 mol, preferably 1 to 10 mol, per 1 mol of the transition metal salt. . If it is less than 0.1 mol, the catalytic activity becomes insufficient, while if it exceeds 100 mol, there is a problem that the molecular weight decreases.

【0083】また、前記3)に示す触媒系の場合、還元
剤の使用割合は、化合物(A)、化合物(B)及び化合
物(C)の総量1モルに対し、通常、0.1〜100モ
ル、好ましくは1〜10モルである。0.1モル未満で
あると、重合が十分進行せず、100モルを超えると、
得られる重合体の精製が困難になることがある。
In the case of the catalyst system shown in 3), the reducing agent is used in an amount of usually 0.1 to 100 with respect to 1 mol of the total amount of the compound (A), the compound (B) and the compound (C). Mol, preferably 1 to 10 mol. If it is less than 0.1 mol, the polymerization does not proceed sufficiently, and if it exceeds 100 mol,
Purification of the resulting polymer may be difficult.

【0084】さらに、前記3)に示す触媒系の場合であ
って、この触媒系にさらに「塩」を添加する場合、その
使用割合は、化合物(A)、化合物(B)及び化合物
(C)の総量1モルに対し、通常、0.001〜100
モル、好ましくは0.01〜1モルである。0.001
モル未満であると、重合速度を上げる効果が不十分であ
り、100モルを超えると、得られる重合体の精製が困
難となることがある。
Further, in the case of the catalyst system shown in the above 3), when a “salt” is further added to this catalyst system, the proportion of the compound (A), compound (B) and compound (C) Is usually from 0.001 to 100 per mol of the total amount of
Mole, preferably 0.01 to 1 mole. 0.001
When the amount is less than mol, the effect of increasing the polymerization rate is insufficient, and when it exceeds 100 mol, purification of the obtained polymer may be difficult.

【0085】本発明で用いられる重合溶媒としては特に
制限はないが、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘ
キサノン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチ
ル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロ
ラクタム等を挙げることができ、テトラヒドロフラン、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、1−メチル−2−ピロリドンが好ましい。こ
れらの重合溶媒は、十分に乾燥してから用いることが好
ましい。
The polymerization solvent used in the present invention is not particularly restricted but includes, for example, tetrahydrofuran, cyclohexanone, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone, γ -Butyrolactone, γ-butyrolactam and the like, and tetrahydrofuran,
N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone are preferred. These polymerization solvents are preferably used after being sufficiently dried.

【0086】重合溶媒中における前記式(2)又は前記
式(2)に示す化合物と前記式(3)〜(6)に示す化
合物との総量の濃度は、通常、1〜100重量%、好ま
しくは5〜40重量%である。
The concentration of the compound of the formula (2) or the compound of the formula (2) and the compound of the formulas (3) to (6) in the polymerization solvent is usually 1 to 100% by weight, preferably Is 5 to 40% by weight.

【0087】また、本発明に用いられる(共)重合体を
重合する際の重合温度は、通常、0〜200℃、好まし
くは50〜80℃である。また、重合時間は、通常、
0.5〜100時間、好ましくは1〜40時間である。
The polymerization temperature for polymerizing the (co) polymer used in the present invention is usually 0 to 200 ° C., preferably 50 to 80 ° C. The polymerization time is usually
It is 0.5 to 100 hours, preferably 1 to 40 hours.

【0088】2.界面活性剤 本発明に用いられる界面活性剤としては特に制限はない
が、例えば、シリコーン系界面活性剤、カチオン系界面
活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性
剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤等を挙げるこ
とができる。
2. Surfactant The surfactant used in the present invention is not particularly limited. For example, a silicone surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, a nonionic surfactant, an amphoteric surfactant, Fluorinated surfactants and the like can be mentioned.

【0089】シリコーン系界面活性剤としては特に制限
はないが、例えば、下記式(7)に示すジメチルポリシ
ロキサン−ポリオキシアルキレン共重合体を挙げること
ができる。
The silicone-based surfactant is not particularly limited, and examples thereof include a dimethylpolysiloxane-polyoxyalkylene copolymer represented by the following formula (7).

【0090】[0090]

【化12】 Embedded image

【0091】[式(7)中、R35は水素原子又は炭素
数1〜5のアルキル基であり、uは1〜20の整数であ
り、v及びwはそれぞれ独立に5〜50の整数であ
る。]
[In the formula (7), R 35 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, u is an integer of 1 to 20, and v and w are each independently an integer of 5 to 50. is there. ]

【0092】ノニオン系界面活性剤としては特に制限は
ないが、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンア
ルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニ
ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオ
キシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステ
アレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル
類;ソルビタン脂肪酸エステル類;脂肪酸変性ポリオキ
シエチレン類;ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピ
レンブロック共重合体等を挙げることができる。
The nonionic surfactant is not particularly restricted but includes, for example, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octyl phenyl ether Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene nonylphenyl ether; polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; sorbitan fatty acid esters; fatty acid-modified polyoxyethylenes; Examples thereof include an ethylene-polyoxypropylene block copolymer.

【0093】フッ素系界面活性剤としては特に制限はな
いが、例えば、1,1,2,2−テトラフロロオクチル
(1,1,2,2−テトラフロロプロピル)エーテル、
1,1,2,2−テトラフロロオクチルヘキシルエーテ
ル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テ
トラフロロブチル)エーテル、ヘキサエチレングリコー
ル(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)
エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,
2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサプロピ
レングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフ
ロロペンチル)エーテル、パーフロロドデシルスルホン
酸ナトリウム、1,1,2,2,8,8,9,9,1
0,10−デカフロロドデカン、1,1,2,2,3,
3−ヘキサフロロデカン等の末端、主鎖及び側鎖の少な
くとも何れかの部位にフルオロアルキル又はフルオロア
ルキレン基を有する化合物からなるものを挙げることが
できる。中でも、成膜性に優れ、金属腐食性ガスを発生
しない点から、シリコーン系界面活性剤が好ましい。
The fluorosurfactant is not particularly restricted but includes, for example, 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether,
1,1,2,2-tetrafluorooctylhexyl ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexa) Fluoropentyl)
Ether, octapropylene glycol di (1,1,
2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, sodium perfluorododecylsulfonate, 1,1,2,2,8, 8, 9, 9, 1
0,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3
Examples thereof include compounds made of a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at at least one of terminal, main chain and side chain sites such as 3-hexafluorodecane. Among them, silicone surfactants are preferable because they have excellent film-forming properties and do not generate metal corrosive gas.

【0094】また、シリコーン系界面活性剤の市販品と
しては、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越
化学工業(株)製)、SH7PA、SH21PA、SH
28PA、SH30PA、ST94PA(いずれも東レ
・ダウコーニング・シリコーン製)等を挙げることがで
き、ノニオン系界面活性剤の市販品としては、(メタ)
アクリル酸系共重合体ポリフローNo.57、95(共
栄社油脂化学工業(株)製)等を挙げることができ、フ
ッ素系界面活性剤の市販品としては、BM−1000、
BM−1100(以上、BM Chemie社製)、メ
ガファックF142D、同F172、同F173、同F
183(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、エフ
トップEF301、同303、同352(新秋田化成
(株)製)、フロラードFC−430、同FC−431
(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−
102、同SC−103、同SC−104、同SC−1
05、同SC−106(旭硝子(株)製)、DISPE
RBYK(ビックケミージャパン(株)製)、ソルスパ
ース(ゼネカ(株)製)等を挙げることができる。これ
らの界面活性剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わ
せて用いることができる。
Commercially available silicone surfactants include organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SH7PA, SH21PA, and SH21PA.
28PA, SH30PA, ST94PA (all manufactured by Dow Corning Toray Silicone) and the like. Commercially available nonionic surfactants include (meth)
Acrylic acid copolymer polyflow No. 57, 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Kagaku Kogyo KK) and the like. Commercially available fluorine-based surfactants include BM-1000,
BM-1100 (above, manufactured by BM Chemie), MegaFac F142D, F172, F173, F
183 (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), F-Top EF301, 303, and 352 (manufactured by Shin-Akita Chemical Co., Ltd.), Florado FC-430, and FC-431
(Manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC-101, SC-
102, SC-103, SC-104, SC-1
05, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), DISPE
RBYK (manufactured by BYK Japan KK), Solsperse (manufactured by Zeneca Corporation) and the like can be mentioned. These surfactants can be used alone or in combination of two or more.

【0095】本発明に用いられる界面活性剤の配合割合
は、前記フェニレン基含有(共)重合体100重量部に
対して、0.001〜1重量部が好ましく、0.01〜
0.1重量部がさらに好ましい。0.001〜1重量部
であると塗装性がさらに改善される。
The mixing ratio of the surfactant used in the present invention is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.01 to 1 part by weight, based on 100 parts by weight of the phenylene group-containing (co) polymer.
0.1 parts by weight is more preferred. When the amount is 0.001 to 1 part by weight, the coatability is further improved.

【0096】本発明に用いられるフェニレン基含有
(共)重合体組成物には、必要に応じて添加剤を添加す
ることができる。この添加剤としては、例えば、シラン
カップリング剤、メチロール化メラミン、トリアゼン化
合物等の架橋剤等を挙げることができる。
An additive can be added to the phenylene group-containing (co) polymer composition used in the present invention, if necessary. Examples of the additive include a silane coupling agent, a cross-linking agent such as a methylolated melamine, and a triazene compound.

【0097】3.フェニレン基含有(共)重合体組成物
の成膜 本発明のフェニレン基含有(共)重合体組成物は、LS
I、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRA
M、D−RDRAM等の半導体素子用低誘電性層間絶縁
膜;半導体素子の表面コート膜等の保護膜;多層配線基
板の低誘電性層間絶縁膜;液晶表示素子用の保護膜や絶
縁防止膜等の原材料として好適に用いられる。この場合
において上記フェニレン基含有(共)重合体組成物を成
膜する方法としては特に制限はないが、例えば、フェニ
レン基含有(共)重合体組成物を溶媒に溶解させ、基板
に流延、又はスピンコートにより塗布したのち、焼成に
より溶媒を除去する方法等を挙げることができる。
3. Film formation of phenylene group-containing (co) polymer composition The phenylene group-containing (co) polymer composition of the present invention has a LS
I, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRA
Low dielectric interlayer insulating films for semiconductor devices such as M and D-RDRAMs; protective films such as surface coat films for semiconductor devices; low dielectric interlayer insulating films for multilayer wiring substrates; protective films and insulating films for liquid crystal display devices. It is suitably used as a raw material for the above. In this case, a method for forming the phenylene group-containing (co) polymer composition into a film is not particularly limited. For example, a phenylene group-containing (co) polymer composition is dissolved in a solvent and cast on a substrate. Alternatively, there may be mentioned a method of removing the solvent by firing after applying by spin coating.

【0098】ここで、フェニレン基含有(共)重合体組
成物膜の厚さは通常、0.1〜10μmである。
The thickness of the phenylene group-containing (co) polymer composition film is usually 0.1 to 10 μm.

【0099】また、上記フェニレン基含有(共)重合体
組成物を溶解させる溶媒としては、例えば、テトラヒド
ロフラン、シクロヘキサノン、ジメチルスルホキシド、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、1−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラ
クトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールジメチルエーテル、エチレングリコール
メチルエチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソ
ルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、トル
エン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルアミルケ
トン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、
2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−
2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−
メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒド
ロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルブタン
酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メト
キシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メ
チル、3−メトキシプロピオン酸エチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、クロロホルム、
塩化メチレン等を挙げることができるが、好ましくはシ
クロヘキサノン、N,N−ジメチルアセトアミド、1−
メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、3−エ
トキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、メチルアミルケ
トンである。
The solvent for dissolving the phenylene group-containing (co) polymer composition includes, for example, tetrahydrofuran, cyclohexanone, dimethyl sulfoxide, and the like.
N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate , Ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol methyl ether acetate,
Propylene glycol ethyl ether acetate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone,
Ethyl 2-hydroxypropionate, 2-hydroxy-
Methyl 2-methylpropionate, 2-hydroxy-2-
Ethyl methyl propionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-2-methylbutanoate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate ,Ethyl acetate,
Butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, chloroform,
Methylene chloride and the like can be mentioned, and preferably, cyclohexanone, N, N-dimethylacetamide, 1-
Methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and methyl amyl ketone.

【0100】上記フェニレン基含有(共)重合体組成物
を上記溶媒に溶解させる濃度としては、1〜60重量
%、好ましくは5〜40重量%である。1重量%未満で
あると、十分な厚さの塗膜が得られず、60重量%を超
えると、十分に流延せず、均一な塗膜が得られないこと
がある。
The concentration of the phenylene group-containing (co) polymer composition dissolved in the solvent is 1 to 60% by weight, preferably 5 to 40% by weight. When the amount is less than 1% by weight, a coating film having a sufficient thickness cannot be obtained, and when it exceeds 60% by weight, the film does not flow sufficiently and a uniform coating film may not be obtained.

【0101】本発明のフェニレン基含有(共)重合体組
成物を成膜して得られる膜(塗膜)の用途としては、例
えば、層間絶縁材料、保護膜、低屈折材料、高屈折材
料、光導波路材料、反射防止膜、封止材料、液晶配向
膜、プリント基板材料、気体透過膜等を挙げることがで
きるが、得られる塗膜が均一性に優れることから、特に
絶縁材料、光学材料に好適である。
Examples of applications of the film (coating film) obtained by forming the phenylene group-containing (co) polymer composition of the present invention include an interlayer insulating material, a protective film, a low refractive material, a high refractive material, Examples include an optical waveguide material, an antireflection film, a sealing material, a liquid crystal alignment film, a printed circuit board material, a gas permeable film, and the like. It is suitable.

【0102】[0102]

【実施例】以下、本発明を実施例によって、さらに具体
的に説明するが、本発明は、これらの実施例によって何
等制限を受けるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited by these examples.

【0103】フェニレン基含有共重合体の合成 (合成例1)アルゴンガス導入管及び温度計を備えた内
容積500mlの三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム
7.5g、無水塩化ニッケル1.3g、トリフェニルホ
スフィン15.7g、酢酸により活性化させた亜鉛粉末
45.8g、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキ
シフェニル)フルオレン30.4g、ビス(4−メチル
スルフォニロキシフェニル)エーテル13.7gを加
え、24時間、真空下で乾燥した後、三つ口フラスコ内
をアルゴンガスで充填した。引き続き、乾燥N,N−ジ
メチルアセトアミド150mlを添加し、70℃でアル
ゴン気流下に攪拌したところ、反応液が褐色となった。
そのまま、70℃で20時間反応させた後、反応液を3
6%塩酸500ml及びメタノール200ml混合液中
に注ぎ、沈殿物を回収した。得られた沈殿物をクロロホ
ルム中に加えて懸濁させ、2規定塩酸水溶液で抽出を行
った後、クロロホルム層をメタノールに注ぎ、沈殿を回
収、乾燥し白色粉末重合体(P1)を得た。得られた共
重合体(P1)の分子量は7500であった。
Synthesis of phenylene group-containing copolymer (Synthesis Example 1) 7.5 g of sodium iodide, 1.3 g of anhydrous nickel chloride, and 500 g of a three-necked flask equipped with an argon gas inlet tube and a thermometer were used. 15.7 g of triphenylphosphine, 45.8 g of zinc powder activated with acetic acid, 30.4 g of 9,9-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) fluorene, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) ether 13 After adding 0.7 g and drying under vacuum for 24 hours, the inside of the three-necked flask was filled with argon gas. Subsequently, 150 ml of dry N, N-dimethylacetamide was added, and the mixture was stirred at 70 ° C. under a stream of argon, whereby the reaction solution turned brown.
After allowing the reaction to proceed at 70 ° C. for 20 hours,
The mixture was poured into a mixed solution of 500 ml of 6% hydrochloric acid and 200 ml of methanol to collect a precipitate. The obtained precipitate was added to and suspended in chloroform, and extracted with a 2N aqueous hydrochloric acid solution. Then, the chloroform layer was poured into methanol, and the precipitate was collected and dried to obtain a white powder polymer (P1). The molecular weight of the obtained copolymer (P1) was 7,500.

【0104】(合成例2)合成例1において、9,9−
ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フルオレ
ン及びビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)エ
ーテルの仕込み量を、それぞれ35.5g及び10.3
gに変えたこと以外は合成例1と同様にして、共重合体
(P2)を得た。得られた共重合体(P2)の分子量は
7900であった。
(Synthesis Example 2) In the synthesis example 1, the 9,9-
The charged amounts of bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) fluorene and bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) ether were 35.5 g and 10.3, respectively.
A copolymer (P2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that g was changed to g. The molecular weight of the obtained copolymer (P2) was 7,900.

【0105】(合成例3)合成例1において、9,9−
ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フルオレ
ン及びビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)エ
ーテルの仕込み量を、それぞれ40.5g及び6.80
gに変えたこと以外は合成例1と同様にして、共重合体
(P3)を得た。得られた共重合体(P3)の分子量は
8800であった。
(Synthesis Example 3) In Synthesis Example 1, the 9,9-
The charged amounts of bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) fluorene and bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) ether were 40.5 g and 6.80, respectively.
A copolymer (P3) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that g was changed to g. The molecular weight of the obtained copolymer (P3) was 8,800.

【0106】以上の合成例をまとめて表1に示す。な
お、分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー(GPC)測定により、ポリスチレン換算での重量平
均分子量(Mw)を測定した。
Table 1 summarizes the above synthesis examples. In addition, the molecular weight measured the weight average molecular weight (Mw) in polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC) measurement.

【0107】[0107]

【表1】 [Table 1]

【0108】組成物の調製及び成膜 (実施例1)合成例1で得られた共重合体(P1)10
0部に対し、オルガノシロキサンポリマー(信越化学工
業(株)製 商品名:KP341)を0.02部シクロ
ヘキサノンに溶解させ固形分濃度12重量%のワニスと
し、8インチのシリコンウェハーにスピンコート法にて
塗布し、80℃で2分、200℃で2分間焼成し厚さ
1.0ミクロンの塗膜を得た。得られた塗膜の誘電率、
弾性率及び塗膜均一性についての評価を表2に示す。
Preparation of Composition and Film Formation (Example 1) Copolymer (P1) 10 obtained in Synthesis Example 1
To 0 part, 0.02 part of an organosiloxane polymer (trade name: KP341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is dissolved in cyclohexanone to form a varnish having a solid content of 12% by weight, and spin-coated on an 8-inch silicon wafer by spin coating. And baked at 80 ° C. for 2 minutes and 200 ° C. for 2 minutes to obtain a coating film having a thickness of 1.0 μm. Dielectric constant of the obtained coating film,
Table 2 shows the evaluation of the elastic modulus and the uniformity of the coating film.

【0109】(実施例2)実施例1において、合成例1
で得られた共重合体(P1)の代わりに合成例2で得ら
れた共重合体(P2)を用いたこと以外は実施例1と同
様にした。得られた塗膜の誘電率、弾性率及び塗膜均一
性についての評価を表2に示す。
(Example 2) In Example 1, Synthesis Example 1
In the same manner as in Example 1 except that the copolymer (P2) obtained in Synthesis Example 2 was used instead of the copolymer (P1) obtained in Step 1. Table 2 shows the evaluation of the obtained coating film for the dielectric constant, elastic modulus, and coating film uniformity.

【0110】(実施例3)実施例1において、合成例1
で得られた共重合体(P1)の代わりに合成例3で得ら
れた共重合体(P2)を用いたこと以外は実施例1と同
様にした。得られた塗膜の誘電率、弾性率及び塗膜均一
性についての評価を表2に示す。
(Example 3) In Example 1, Synthesis Example 1
In the same manner as in Example 1 except that the copolymer (P2) obtained in Synthesis Example 3 was used instead of the copolymer (P1) obtained in Step 1. Table 2 shows the evaluation of the obtained coating film for the dielectric constant, elastic modulus, and coating film uniformity.

【0111】(比較例1)実施例1において、オルガノ
シロキサンポリマー(信越化学工業(株)製 商品名:
KP341)を添加しなかったこと以外は実施例1と同
様にした。得られた塗膜の誘電率、弾性率及び塗膜均一
性についての評価を表2に示す。
(Comparative Example 1) In Example 1, the organosiloxane polymer (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used.
Same as Example 1 except that KP341) was not added. Table 2 shows the evaluation of the obtained coating film for the dielectric constant, elastic modulus, and coating film uniformity.

【0112】なお、評価は、以下の測定方法により測定
した。 (1)誘電率 得られた塗膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パ
ターンを形成させ誘電率測定用サンプルを調製した。こ
のサンプルを周波数100kHzの周波数、室温の条件
下で、横河・ヒューレットパッカード(株)製、HP1
6451B電極及びHP4284AプレシジョンLCR
メータを用いてCV法により調製した塗膜の誘電率を測
定した。 (2)弾性率 得られた塗膜を、ナノインデンターXP(ナノインスツ
ルメント社製)を用いて、連続剛性測定法により測定し
た。 (3)塗膜均一性 塗膜均一性(膜厚の面内均一性)を評価するため、得ら
れた膜を光学式膜厚計(Rudolph Techno
logies社製、SpectraLaser200)
を用いて塗膜面内で50点測定した。得られた膜厚の3
σを計算し、下記基準で評価した。 ○:塗膜の3σが100nm未満 ×:塗膜の3σが100nm以上
The evaluation was performed by the following measuring method. (1) Dielectric constant An aluminum electrode pattern was formed on the obtained coating film by a vapor deposition method to prepare a dielectric constant measurement sample. This sample was manufactured under the conditions of a frequency of 100 kHz and a room temperature, HP1 manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Co., Ltd.
6451B electrode and HP4284A precision LCR
The dielectric constant of the coating film prepared by the CV method was measured using a meter. (2) Elastic Modulus The obtained coating film was measured by a continuous stiffness measuring method using a nano indenter XP (manufactured by Nano Instruments). (3) Uniformity of coating film To evaluate the uniformity of coating film (in-plane uniformity of film thickness), the obtained film was measured by using an optical film thickness meter (Rudolph Techno).
Logies, SpectraLaser200)
Was used to measure 50 points in the coating film plane. 3 of the obtained film thickness
σ was calculated and evaluated according to the following criteria. :: 3σ of coating film is less than 100 nm ×: 3σ of coating film is 100 nm or more

【0113】[0113]

【表2】 [Table 2]

【0114】[0114]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によっ
て、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、
RDRAM、D−RDRAM等の半導体素子用低誘電性
層間絶縁膜;半導体素子の表面コート膜等の保護膜;多
層配線基板の低誘電性層間絶縁膜;液晶表示素子用の保
護膜や絶縁防止膜等の原材料として好適な、塗膜にした
ときの均一性に優れたフェニレン基含有(共)重合体組
成物を提供することができる。
As described above, according to the present invention, an LSI, a system LSI, a DRAM, an SDRAM,
Low dielectric interlayer insulating films for semiconductor devices such as RDRAMs and D-RDRAMs; protective films such as surface coat films for semiconductor devices; low dielectric interlayer insulating films for multilayer wiring boards; protective films and insulating prevention films for liquid crystal display devices. It is possible to provide a phenylene group-containing (co) polymer composition which is suitable as a raw material and has excellent uniformity when formed into a coating film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 幸平 東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエ スアール株式会社 Fターム(参考) 4J002 CE001 CH022 CH052 CP182 EB066 ED046 EH046 EV256 FD312 FD316 GQ01 GQ05 HA05  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kohei Goto 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JSR Corporation F-term (reference) 4J002 CE001 CH022 CH052 CP182 EB066 ED046 EH046 EV256 FD312 FD316 GQ01 GQ05 HA05

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記式(1)に示すフェニレン基含有
(共)重合体及び界面活性剤を含有することを特徴とす
るフェニレン基含有(共)重合体組成物。 【化1】 [式(1)中、Xは、−CQQ′−(ここで、Q、Q’
は同一でも異なっていてもよく、ハロゲン化アルキル
基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子又はアリール
基を示す)に示す基、及びフルオレニレン基からなる群
から選ばれる少なくとも1種であり、R〜R20は同
一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、
又は1価の有機基を示し、lは5〜100モル%、mは
0〜95モル%、nは0〜95モル%(l+m+n=1
00モル%)である。]
1. A phenylene group-containing (co) polymer composition comprising a phenylene group-containing (co) polymer represented by the following formula (1) and a surfactant. Embedded image [In the formula (1), X represents -CQQ '-(where Q, Q'
Is at least one selected from the group consisting of even or different, halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a group shown in a halogen atom or an aryl group) and a fluorenylene group, in the same, R 1 ~ R 20 may be the same or different and include a hydrogen atom, a halogen atom,
Or a monovalent organic group, 1 is 5 to 100 mol%, m is 0 to 95 mol%, n is 0 to 95 mol% (l + m + n = 1
00 mol%). ]
【請求項2】前記式(1)におけるlが50〜95モル
%、mが5〜50モル%である請求項1に記載のフェニ
レン基含有(共)重合体組成物。
2. The phenylene group-containing (co) polymer composition according to claim 1, wherein 1 in the formula (1) is 50 to 95 mol% and m is 5 to 50 mol%.
【請求項3】前記界面活性剤の配合割合が、前記フェニ
レン基含有(共)重合体100重量部に対して、0.0
01〜1重量部である請求項1又は2に記載のフェニレ
ン基含有(共)重合体組成物。
3. The mixing ratio of the surfactant is 0.0 to 100 parts by weight of the phenylene group-containing (co) polymer.
The phenylene group-containing (co) polymer composition according to claim 1, wherein the amount is from 0.01 to 1 part by weight.
【請求項4】前記界面活性剤が、シリコーン系界面活性
剤である請求項1〜3のいずれかに記載のフェニレン基
含有(共)重合体組成物。
4. The phenylene group-containing (co) polymer composition according to claim 1, wherein said surfactant is a silicone surfactant.
【請求項5】さらに、溶媒を含有する請求項1〜4のい
ずれかに記載のフェニレン基含有(共)重合体組成物。
5. The phenylene group-containing (co) polymer composition according to claim 1, further comprising a solvent.
JP11230404A 1999-08-17 1999-08-17 Phenylene group-bearing (co)polymer composition Pending JP2001055490A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11230404A JP2001055490A (en) 1999-08-17 1999-08-17 Phenylene group-bearing (co)polymer composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11230404A JP2001055490A (en) 1999-08-17 1999-08-17 Phenylene group-bearing (co)polymer composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001055490A true JP2001055490A (en) 2001-02-27

Family

ID=16907363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11230404A Pending JP2001055490A (en) 1999-08-17 1999-08-17 Phenylene group-bearing (co)polymer composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001055490A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7368336B2 (en) 2004-12-20 2008-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic insulator, organic thin film transistor array panel including organic insulator, and manufacturing method therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7368336B2 (en) 2004-12-20 2008-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic insulator, organic thin film transistor array panel including organic insulator, and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200933301A (en) Resist underlayer coating forming composition, method for manufacturing semiconductor device by use of the composition, and additive for resist underlayer coating forming composition
JP5458884B2 (en) Insulating film forming polymer, insulating film forming composition, insulating film and electronic device having the same
JPWO2007034902A1 (en) Resin composition, varnish, resin film and semiconductor device
KR20140123368A (en) Resist underlayer composition, method of forming patterns and semiconductor integrated circuit device including the patterns
JP2006291160A (en) Film-forming composition, insulating film and electronic device using the same
CN102713756B (en) Light-sensitive polymer composition, method for producing pattern, and electronic component
JP2006227063A (en) Positive photosensitive resin composition, method for manufacturing pattern, and electronic component
JP4935196B2 (en) Benzoxazole precursor, resin composition, coating varnish, resin film and semiconductor device using the same
JP5267415B2 (en) Resin composition and use thereof
KR20000070191A (en) Process for Producing Phenylene-Containing Polymer and Film-Forming Material
JP2007031480A (en) Polymer of acetylenic triple bond-containing monomer, film-forming composition using the same, insulating film, and electronic device
JP2001055490A (en) Phenylene group-bearing (co)polymer composition
JP4465288B2 (en) Film-forming composition, insulating film and electronic device using the same
JP2006257212A (en) Film-forming composition, insulation film using it and electronic device
JP4945858B2 (en) Organic insulating film material and organic insulating film
JP2006253573A (en) Insulating film and its production method, and electronic device employing it
JP4542927B2 (en) Film forming composition, insulating film obtained from the composition, and electronic device having the same
JP4069553B2 (en) Method for producing phenylene group-containing copolymer, film forming material, insulating material, optical material, processing method, and phenylene group-containing copolymer film
JP2001002901A (en) Phenylene group-containing (co)polymer composition
JPH0558446B2 (en)
JP2006249256A (en) Film-forming composition, insulation film using the same, and electronic device
TWI836565B (en) Hardmask composition, hardmask layer, and method of forming patterns
JP2001278958A (en) Method for refining polyarylene based polymer
JP2000351835A (en) Process for treating phenylene-containg copolymer and treated film
JP2002285080A (en) Composition for forming film and material for forming insulating film