JP2000357871A - Method and apparatus for repairing electronic circuit component - Google Patents

Method and apparatus for repairing electronic circuit component

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JP2000357871A
JP2000357871A JP11167041A JP16704199A JP2000357871A JP 2000357871 A JP2000357871 A JP 2000357871A JP 11167041 A JP11167041 A JP 11167041A JP 16704199 A JP16704199 A JP 16704199A JP 2000357871 A JP2000357871 A JP 2000357871A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of repairing an electronic circuit component whereby the component to be repaired is heated to uniformly melt solder in a short time by suppressing heating nonuniformity of the component and the component can be surely removed in a short time. SOLUTION: The repairing method comprises irradiating an electronic circuit component 4 connected with solder 3 on a board 2 with infrared rays from infrared irradiating means 5 to melt the solder 3, and sucking the electronic circuit component 6 at the top with a negative pressure from a sucking means 7 having a negative pressure source 6 and a suction passage 70 communicating with the pressure source 6, thereby removing the electronic circuit component 4 from the board 2. At least, a part of the suction means 7 involved in the infrared irradiation range of the irradiating means 5 on the electronic circuit component 4 is made of an infrared ray permeable material, thereby irradiating approximately the entire top face of the electronic circuit component 4 with infrared rays.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にはんだ接
続されたIC、LSIチップなどの電子回路部品、特
に、基板上にはんだバンプ接続された電子回路部品のリ
ペアに用いて好適な、電子回路部品のリペア装置及び方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic circuit component such as an IC or an LSI chip soldered on a substrate, and more particularly to an electronic circuit component suitable for repairing an electronic circuit component soldered on a substrate. The present invention relates to an apparatus and a method for repairing circuit components.

【0002】[0002]

【従来の技術】汎用コンピュータに搭載される高密度モ
ジュールには、近年その高性能化に対応するように、L
SIの大型化、多数個実装のより一層の高密度化が要求
されている。斯かる高密度モジュールにおいては、基板
上への電子回路部品の高密度実装は、主として、フラッ
トパッケージ、ボールグリッドアレー(BGA)等の表
面実装によって行われている。このような高密度に実装
されたモジュールにおいて、LSIチップ等の電子回路
部品に不良又は実装不良が生じた場合には、当該電子回
路部品をモジュール基板から取りはずし、再度実装する
いわゆるリペア作業が必要となる。
2. Description of the Related Art In recent years, high-density modules mounted on general-purpose computers have been developed to meet the demand for higher performance.
There is a demand for larger SIs and higher densities for multiple mounting. In such a high-density module, high-density mounting of electronic circuit components on a substrate is mainly performed by surface mounting such as a flat package and a ball grid array (BGA). In such a high-density mounted module, when a defect or a mounting defect occurs in an electronic circuit component such as an LSI chip, a so-called repair work for removing the electronic circuit component from the module substrate and mounting the component again is necessary. Become.

【0003】斯かるLSIチップ等の電子回路部品のリ
ペアに関する従来技術としては、例えば、BGA実装の
ものとして、特開平11−026929号公報に開示さ
れたものが知られている。この技術は、BGA素子と基
板との間に熱風を吹き付けてはんだを溶融し、BGA素
子を負圧吸引して上方に引き上げて、基板から分離する
ものである。
As a conventional technique relating to such repair of an electronic circuit component such as an LSI chip, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-0226929 is known as a BGA mounting. In this technique, hot air is blown between a BGA element and a substrate to melt the solder, the BGA element is suctioned at a negative pressure, pulled up, and separated from the substrate.

【0004】一方、上述した汎用コンピューターに搭載
されている高密度モジュールにあっては、LSIチップ
の実装密度が高いため、赤外線等を熱源とする加熱装置
でLSIチップの表面を局所的に加熱し、はんだを溶融
して吸引ヘットで当該LSIチップを負圧吸引し、この
状態で吸引ヘットを上方に移動させることで当該LSI
チップをモジュール基板から分離した後、再度接続を行
う方法が採用されている。具体的には、熱源とLSIチ
ップの間に、上下動自在に設けられた金属製の吸引ヘッ
トを配設し、この吸引ヘットの内部に負圧源に通じる吸
引路を設けるとともに、LSIチップに接触する吸引口
と略同軸上に前記熱源からの赤外線を透過させる窓を設
けておき、当該窓を通じてLSIチップ表面に赤外線を
照射して加熱し、はんだが十分溶融した時点でLSIチ
ップを負圧吸引し、モジュール基板から分離している。
On the other hand, in the above-mentioned high-density module mounted on a general-purpose computer, since the mounting density of the LSI chip is high, the surface of the LSI chip is locally heated by a heating device using infrared rays or the like as a heat source. Then, the LSI chip is melted, and the LSI chip is suctioned at a negative pressure by a suction head.
After the chip is separated from the module substrate, a method of connecting again is adopted. Specifically, a metal suction head is provided between the heat source and the LSI chip so as to be movable up and down, and a suction path communicating with a negative pressure source is provided inside the suction head. A window for transmitting infrared rays from the heat source is provided substantially coaxially with the contacting suction port, and the surface of the LSI chip is irradiated with infrared rays and heated through the window. When the solder is sufficiently melted, a negative pressure is applied to the LSI chip. Aspirated and separated from module substrate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな高密度モジュールにおけるLSIチップのリペア作
業は、LSIチップを直接負圧吸引してモジュール基板
から分離しなければならないため、吸引ヘットの吸引口
の面積をLSIチップのパッケージ表面の面積より狭く
しなければならなかった。従って、赤外線の照射域が吸
引口の面積に限られてしまい、LSIチップのパッケー
ジの中央部近辺のみが加熱されることとなり、パッケー
ジの中央部と周縁部とで加熱むらが生じ、はんだが均一
に溶融せずに、吸引に支障を来す場合や、はんだが均一
に溶融するまで加熱時間を長くとる必要があった。ま
た、吸引ヘット自体が金属製であるため、当該吸引ヘッ
トでLSIチップを直接吸引する際に、当該吸引ヘット
が直接LSIチップに接触し、これに損傷を与えるおそ
れがあった。
In the repair operation of the LSI chip in the high-density module as described above, since the LSI chip must be separated from the module substrate by directly performing negative pressure suction, the suction port of the suction head is required. Must be made smaller than the area of the package surface of the LSI chip. Therefore, the irradiation area of infrared rays is limited to the area of the suction port, and only the vicinity of the center of the package of the LSI chip is heated, and uneven heating occurs between the center and the periphery of the package, and the solder becomes uniform. In such a case, it is necessary to increase the heating time until the solder is melted evenly without disturbing the suction, or until the solder is uniformly melted. In addition, since the suction head itself is made of metal, when the LSI chip is directly suctioned by the suction head, the suction head may directly contact the LSI chip and damage the LSI chip.

【0006】従って、本発明の目的は、リペアを行う電
子回路部品の加熱むらをおさえてはんだを均一に溶融
し、電子回路部品の取り外しを短時間で確実に行うこと
が可能な、電子回路部品のリペア方法を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an electronic circuit component capable of suppressing uneven heating of an electronic circuit component to be repaired, uniformly melting the solder, and reliably removing the electronic circuit component in a short time. To provide a repair method.

【0007】また、本発明は、電子回路部品の損傷を防
いで確実に電子回路部品を取り外すことが可能な、電子
回路部品のリペア方法を提供することにあることにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a method for repairing an electronic circuit component, which can reliably remove the electronic circuit component while preventing damage to the electronic circuit component.

【0008】また、本発明は、リペアを行う電子回路部
品の加熱むらをおさえてはんだを均一に溶融し、電子回
路部品の取り外しを短時間で確実に行うことが可能な、
電子回路部品のリペア装置を提供することにある。
Further, the present invention makes it possible to suppress uneven heating of an electronic circuit component to be repaired, uniformly melt the solder, and reliably remove the electronic circuit component in a short time.
An object of the present invention is to provide a repair device for electronic circuit components.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、基板上にはんだで接続された電子回路部品に
赤外線照射手段で赤外線を照射して前記はんだを溶融
し、負圧源及び該負圧源に通じる吸引路を備えた吸引手
段で前記電子回路部品をその上方より負圧吸引して該電
子回路部品を前記基板から取り外す、電子回路部品のリ
ペア方法において、前記吸引手段における、少なくとも
前記赤外線照射手段による前記電子回路部品への赤外線
照射域に含まれる部位を、赤外線透過性材料で形成して
おき、前記電子回路部品の上面の略全域に赤外線を照射
することを第1の特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides an electronic circuit component connected to a substrate with solder by irradiating infrared rays by infrared irradiating means to melt the solder, thereby providing a negative pressure source and A method for repairing an electronic circuit component, wherein the electronic circuit component is removed from the substrate by suctioning the electronic circuit component from above with a suction unit having a suction path communicating with the negative pressure source, A first step is to form at least a part included in an infrared irradiation area on the electronic circuit component by the infrared irradiation means with an infrared transmitting material, and to irradiate substantially the entire upper surface of the electronic circuit component with the infrared ray. Features.

【0010】また、本発明は、前記第1の特徴を有する
電子回路部品のリペア方法において、前記電子回路部品
を負圧吸引するに際し、前記吸引路の吸引口と前記電子
回路部品との間に赤外線透過性の緩衝治具を介装してお
き、該緩衝治具を前記電子回路部品とともに前記吸引手
段で負圧吸引することを第2の特徴としている。
According to the present invention, in the method for repairing an electronic circuit component having the first feature, when the electronic circuit component is suctioned at a negative pressure, a space between the suction port of the suction path and the electronic circuit component is provided. A second feature is that a buffer jig that transmits infrared light is interposed therebetween, and the buffer jig is suctioned together with the electronic circuit component by the suction unit under a negative pressure.

【0011】また、本発明は、基板上にはんだで接続さ
れた電子回路部品に赤外線を照射する赤外線照射手段
と、負圧源及び該負圧源に通じる吸引路を備え前記電子
回路部品を上方より負圧吸引する吸引手段とを具備した
電子回路部品のリペア装置において、前記吸引手段にお
ける、少なくとも前記赤外線照射手段による前記電子回
路部品への赤外線照射域に含まれる部位を、赤外線透過
性材料で形成したを特徴としている。
Further, the present invention provides an infrared irradiation means for irradiating an infrared ray to an electronic circuit component connected to a substrate by soldering, a negative pressure source, and a suction passage communicating with the negative pressure source, and the electronic circuit component is mounted on the substrate. In a repair device for an electronic circuit component having a suction unit for more negative pressure suction, at least a part of the suction unit included in an infrared irradiation area on the electronic circuit component by the infrared irradiation unit is formed of an infrared transmitting material. It is characterized by being formed.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を添付
図面に基づいて説明する。なお、本発明は、本実施形態
に限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Note that the present invention is not limited to the present embodiment.

【0013】図1は、本発明に係る電子回路部品のリペ
ア装置の一実施形態を示したものである。同図におい
て、符号1はリペア装置を示している。
FIG. 1 shows an embodiment of a repair apparatus for electronic circuit components according to the present invention. In the figure, reference numeral 1 indicates a repair device.

【0014】同図に示したように、リペア装置1は、モ
ジュール基板(基板)2上にはんだ3で接続されたLI
Sチップ(電子回路部品)4に赤外線を照射する赤外線
発振器(赤外線照射手段)5と、吸引ポンプ(負圧源)
6及びこの吸引ポンプ6に通じる吸引路70を備えた吸
引手段7とを具備している。
As shown in FIG. 1, a repair apparatus 1 includes an LI connected to a module substrate (substrate) 2 by solder 3.
Infrared oscillator (infrared irradiation means) 5 for irradiating infrared rays to S chip (electronic circuit component) 4 and suction pump (negative pressure source)
6 and a suction means 7 having a suction path 70 leading to the suction pump 6.

【0015】また、リペア装置1は、密閉可能なチャン
バー8を備えており、LSIチップ4のリペア作業はこ
のチャンバー8内にて行えるようになっている。
The repair device 1 has a chamber 8 that can be closed, and the repair work of the LSI chip 4 can be performed in the chamber 8.

【0016】前記赤外線発振器5は、チャンバー8の上
方に配設されており、チャンバー8の上面に設けた赤外
線透過用の窓80を通じて当該チャンバー8内に略垂直
に赤外線を照射できるようになっている。赤外線発振器
5は、本実施形態では、加熱対象であるLSIチップ4
の上方に約100mm離れた位置から直径約30mmの
照射スポットでLSIチップ4の表面を200℃以上に
加熱可能なものを使用する。なお前記窓80の寸法は、
リペアに供するLSIチップ4のパッケージ40の外形
よりも大きく設定している。
The infrared oscillator 5 is disposed above the chamber 8, and can irradiate the chamber 8 with a substantially vertical infrared ray through an infrared transmission window 80 provided on the upper surface of the chamber 8. I have. In the present embodiment, the infrared oscillator 5 is an LSI chip 4 to be heated.
A device that can heat the surface of the LSI chip 4 to 200 ° C. or higher with an irradiation spot having a diameter of about 30 mm from a position about 100 mm away from the top of the chip. The size of the window 80 is
It is set larger than the outer shape of the package 40 of the LSI chip 4 to be repaired.

【0017】前記吸引手段7は、チャンバー8の奥部に
配設されたモーター駆動の昇降機81で上下動する吸引
アーム71を備えており、この吸引アーム71の先端部
下面側には、後述する吸引ヘット10が取り付けられて
いる。また、吸引アーム71の先端部上面側には、石英
製の窓72が設けられており、赤外線発振器5から照射
される赤外線を、この窓72を通じて下方に照射できる
ようになっている。なお、この窓72の寸法は、LSI
チップ4のパッケージ40の外形よりも大きく設定され
ている。また、吸引アーム71の内部には、吸引ポンプ
6に通じる吸引路70を形成する管路73が設けられて
いる(図4(a)参照)。吸引手段7をこのように構成
することにより、吸引路70を通じて、LSIチップ4
を負圧吸引できるようになしてある。
The suction means 7 is provided with a suction arm 71 which is moved up and down by a motor-driven elevator 81 disposed at the back of the chamber 8. A suction head 10 is attached. In addition, a window 72 made of quartz is provided on the upper surface side of the distal end portion of the suction arm 71, and infrared rays emitted from the infrared oscillator 5 can be irradiated downward through the window 72. The dimensions of this window 72 are
It is set larger than the outer shape of the package 40 of the chip 4. Further, inside the suction arm 71, a pipe 73 forming a suction path 70 leading to the suction pump 6 is provided (see FIG. 4A). With the suction means 7 configured as described above, the LSI chip 4
Can be suctioned at a negative pressure.

【0018】チャンバー8内には、モジュール基板2を
位置決めするXYテーブル82が配設されている。この
XYテーブル82は、モーター(図示せず)で送りねじ
を駆動させてテーブル83,84をガイドレール85,
86に沿って水平面内の2方向に移動させる周知の移動
テーブルである。このXYテーブル82のテーブル83
上には、モジュール基板2を下方より加熱するプリヒー
ター87が配設されており、このプリヒータ87によっ
て、必要に応じてモジュール基板2を下方から予備加熱
できるようになしてある。
An XY table 82 for positioning the module substrate 2 is provided in the chamber 8. The XY table 82 drives a feed screw by a motor (not shown) to move the tables 83 and 84 to guide rails 85 and 84.
It is a well-known moving table that moves in two directions in a horizontal plane along 86. The table 83 of the XY table 82
On the upper side, a pre-heater 87 for heating the module substrate 2 from below is provided, so that the pre-heater 87 can pre-heat the module substrate 2 from below if necessary.

【0019】また、チャンバー8の上方には、CCDカ
メラ88及び非接触温度計89が配設されており、この
CCDカメラ88の映像を、図示しないディスプレイ装
置上でモニタすることによって、オペレータがリペアに
供されるLSIチップ4及びその位置の確認、並びにプ
リヒーター87による加熱温度の確認ができるようにな
してある。
Above the chamber 8, a CCD camera 88 and a non-contact thermometer 89 are provided. By monitoring the image of the CCD camera 88 on a display device (not shown), the operator can repair the image. It is possible to check the LSI chip 4 and the position thereof, and the heating temperature by the pre-heater 87.

【0020】さらに、リペア装置1は、リペア作業中に
おけるはんだ3の酸化を防止するために、チャンバー8
内を窒素雰囲気に維持できるように窒素ボンベ90及び
この窒素ボンベ90からチャンバー8内に窒素ガスを導
く配管91を備えている。
Further, the repair apparatus 1 includes a chamber 8 for preventing the solder 3 from being oxidized during the repair operation.
A nitrogen cylinder 90 and a pipe 91 for introducing nitrogen gas into the chamber 8 from the nitrogen cylinder 90 are provided so that the inside can be maintained in a nitrogen atmosphere.

【0021】図2に示したように、吸引ヘット10は、
その内部に前記管路72に連通して前記吸引路70を形
成する管路10aを備えた筒状の部材であり、その上端
部にはLSIチップ4のパッケージ40の外形よりも大
きな外形を有するフランジ部10bが設けられている。
このフランジ部10bには、複数のねじ孔10cが設け
られており、当該吸引ヘット10を前記吸引アーム71
にねじ締結できるようになしてある。また、吸引ヘット
10の下端部には、LSIチップ4のパッケージ40の
外形より小さい口径の吸引口10dが設けられており、
この吸引口10dにより、LSIチップ4を確実に吸引
できるようになしてある。なお、この吸引ヘット10の
形成材料は、石英を使用することが好ましいが、所望の
耐熱強度を有する赤外線透過性材料であれば、他の材料
で作製してもよい。
As shown in FIG. 2, the suction head 10 is
It is a cylindrical member provided with a conduit 10a that communicates with the conduit 72 and forms the suction passage 70, and has an outer shape larger than the outer shape of the package 40 of the LSI chip 4 at its upper end. A flange portion 10b is provided.
The flange portion 10b is provided with a plurality of screw holes 10c, and the suction head 10 is connected to the suction arm 71.
The screw can be fastened to. At the lower end of the suction head 10, a suction port 10d having a diameter smaller than the outer shape of the package 40 of the LSI chip 4 is provided.
The suction port 10d allows the LSI chip 4 to be reliably sucked. It is preferable that quartz is used as a material for forming the suction head 10, but other materials may be used as long as they are infrared-transmissive materials having desired heat resistance.

【0022】上述のように赤外線発振器5からLSIチ
ップ4への赤外線照射域に含まれる部位、すなわち、本
実施形態では、吸引ヘット10自体及び吸引アーム71
の先端部上端側に設けた窓、吸引ヘット10を、赤外線
透過性材料である石英によって形成することにより、当
該吸引ヘット10の吸引口10dの大きさにかかわら
ず、LSIチップ4のパッケージ上面の略全域に赤外線
を照射できるようになしてある。
As described above, the part included in the infrared irradiation area from the infrared oscillator 5 to the LSI chip 4, that is, in this embodiment, the suction head 10 itself and the suction arm 71
By forming the window and the suction head 10 provided on the upper end side of the front end portion of quartz, which is an infrared transmitting material, regardless of the size of the suction port 10d of the suction head 10, the upper surface of the package of the LSI chip 4 can be formed. Almost all areas can be irradiated with infrared rays.

【0023】図3は、本発明の方法において使用する緩
衝治具11の一実施形態を示したものである。同図に示
したように、緩衝治具11は、内部に管路11aを備え
た筒状の石英製の治具であり、その上端部に平面視して
矩形のフランジ部11bが形成されている。緩衝治具1
1の筒状壁部11cの外側には耐熱性を有するシリコー
ンゴム製のパッキン11dが配設されており、このパッ
キン11dは、その下端面が、前記筒状壁部11cの下
端面よりも下方に位置するサイズのものが使用されてい
る。筒状壁部11cの上端開口寸法は、吸引ヘット10
の吸引口10dの口径よりも小さく設定されており、吸
引ヘット10による上方からの吸引によって、当該緩衝
治具11とともに、その下方に位置するLSIチップ4
を確実に吸引できるようになしてある。この緩衝治具1
1も、所望の耐熱強度を有する赤外線透過性の材料であ
れば、石英以外の他の物で作製してもよい。
FIG. 3 shows an embodiment of the buffer jig 11 used in the method of the present invention. As shown in the figure, the buffer jig 11 is a cylindrical quartz jig provided with a conduit 11a therein, and has a rectangular flange portion 11b formed at its upper end in a plan view. I have. Buffer jig 1
A heat-resistant silicone rubber packing 11d is provided outside the first cylindrical wall 11c, and the lower end of the packing 11d is lower than the lower end of the cylindrical wall 11c. Is used. The opening size at the upper end of the cylindrical wall portion 11c is
The suction port 10d is set smaller than the diameter of the suction port 10d.
Can be surely sucked. This buffer jig 1
1 may be made of any material other than quartz as long as it is an infrared-permeable material having a desired heat resistance.

【0024】次に、前記構成の電子回路部品のリペア装
置1及び緩衝治具11を使用した電子回路部品のリペア
方法の手順について説明する。
Next, a description will be given of a procedure of a method of repairing an electronic circuit component using the electronic circuit component repair apparatus 1 and the buffer jig 11 configured as described above.

【0025】まず、図4(a)に示したように、リペア
作業に供する不良LSIチップ4を搭載したモジュール
基板2を、プリヒーター87上に載置固定する。そし
て、該当するLSIチップ4上に緩衝治具11を載置
し、チャンバー8内を密閉する。
First, as shown in FIG. 4A, the module substrate 2 on which the defective LSI chip 4 to be subjected to the repair work is mounted and fixed on the pre-heater 87. Then, the buffer jig 11 is placed on the corresponding LSI chip 4, and the inside of the chamber 8 is sealed.

【0026】次に、モニターでCCDカメラ88(図1
参照)の映像を確認し、XYテーブル82を移動させ、
LSIチップ4が吸引ヘット10の下方の所定位置に位
置するよう当該XYテーブル82を位置決めする。
Next, a CCD camera 88 (FIG.
Check the video), move the XY table 82,
The XY table 82 is positioned so that the LSI chip 4 is located at a predetermined position below the suction head 10.

【0027】次に、チャンバー8内に窒素ガスボンベ9
0から配管91を通じて窒素ガスを導入し、チャンバー
8内を窒素雰囲気とする。
Next, a nitrogen gas cylinder 9 is placed in the chamber 8.
A nitrogen gas is introduced from 0 through a pipe 91 to make the inside of the chamber 8 a nitrogen atmosphere.

【0028】次に、局所加熱によるモジュール基板2の
熱応力の発生を低減するため、予めプリヒーター87で
当該モジュール基板2をその下方より所定温度に加熱す
る。
Next, in order to reduce the generation of thermal stress in the module substrate 2 due to local heating, the module substrate 2 is preliminarily heated by a preheater 87 to a predetermined temperature from below.

【0029】次に、吸引アーム71を作動させて吸引ヘ
ット10を緩衝治具11に接触させない程度に降下させ
る。そして、赤外線発振器5から赤外線を照射してLS
Iチップ4表面の加熱を行う。この際吸引ヘット10自
体及び当該吸引ヘット10とLSIチップ4との間に介
装させた緩衝治具11が、赤外線透過性の石英製である
ので、照射される赤外線がこれらに妨げられることな
く、LSIチップ4のパッケージ40上面の略全域にわ
たる広範囲に照射される。吸引取外しが可能な吸引ヘッ
ト10と当該LSIチップ4とのクリアランスは、例え
ば、吸引量200リットル/分の吸引力で、約50gの
LSIチップを取外すのに必要なクリアランスは0.5
mm以下である。
Next, the suction arm 71 is operated to lower the suction head 10 so as not to contact the buffer jig 11. Then, by irradiating infrared rays from the infrared oscillator 5, LS
The surface of the I chip 4 is heated. At this time, since the suction head 10 itself and the buffer jig 11 interposed between the suction head 10 and the LSI chip 4 are made of infrared-transmitting quartz, the irradiated infrared rays are not obstructed by these. Irradiation is performed over a wide area over substantially the entire upper surface of the package 40 of the LSI chip 4. The clearance between the suction head 10 that can be removed by suction and the LSI chip 4 is, for example, a suction force of 200 liters / minute, and the clearance required to remove about 50 g of the LSI chip is 0.5.
mm or less.

【0030】次に、はんだ3が十分に溶融した後、吸引
ポンプ6を動作させ、LSIチップ4の負圧吸引を行
う。そして、図4(b)に示したように、昇降機81を
作動させて吸引アーム71を上方に移動させる。このよ
うにしてモジュール基板2からLSIチップ4の取り外
しを終える。そして、モジュール基板2上に残存するは
んだ3を周知の方法により除去する。
Next, after the solder 3 is sufficiently melted, the suction pump 6 is operated to perform negative pressure suction of the LSI chip 4. Then, as shown in FIG. 4B, the lift 81 is operated to move the suction arm 71 upward. Thus, the removal of the LSI chip 4 from the module substrate 2 is completed. Then, the solder 3 remaining on the module substrate 2 is removed by a known method.

【0031】次に、新たなLSIチップの再接続につい
て説明する。
Next, reconnection of a new LSI chip will be described.

【0032】不良LSIチップ4の取り外しを終えた
後、新たなLSIチップを、取り外したLSIチップ4
の搭載箇所に載置する。この新たなLSIチップの載置
は、チャンバー8内の窒素雰囲気を開放した後、別途、
搭載機等で搭載する。そして、再びチャンバー8内を窒
素雰囲気にし、所定箇所に搭載した新たなLSIチップ
の上方から、赤外線発振器5による赤外線照射を行い、
はんだを溶融させて接続を完了する。このはんだの溶融
の際にも、吸引ヘット10が赤外線を遮ることなく透過
するので、LSIチップのパッケージ表面の略全域に赤
外線を照射することができ、従来に比べてはんだの溶融
を短時間で均一に行うことができる。
After the removal of the defective LSI chip 4 is completed, a new LSI chip is replaced with the removed LSI chip 4.
Place on the mounting location. This new LSI chip is mounted by releasing the nitrogen atmosphere in the chamber 8 and then separately
Mounted on a mounted machine. Then, the inside of the chamber 8 is again set to a nitrogen atmosphere, and infrared irradiation is performed by the infrared oscillator 5 from above a new LSI chip mounted at a predetermined position.
The connection is completed by melting the solder. Even when the solder is melted, the suction head 10 transmits the infrared rays without blocking the infrared rays, so that almost the entire surface of the package surface of the LSI chip can be irradiated with the infrared rays. It can be performed uniformly.

【0033】このように、本実施形態の電子回路部品の
リペア装置1及びこれを用いたリペア方法によれば、吸
引ヘット10及び緩衝治具11をともに赤外線透過性材
料である石英で作製しているので、リペアを行うLSI
チップ4の上面の略全面に赤外線を照射できる。従っ
て、赤外線照射によるLSIチップ4の加熱むらをおさ
えることができ、はんだを短時間で均一に溶融できるた
め、LSIチップ4の負圧吸引による取り外しを短時間
で確実に行える。また、吸引ヘット10によるLSIチ
ップ4の吸引の際に、緩衝治具11を介装させているの
で、従来のように、LSIチップ4に直接吸引ヘット1
0の吸引口10dが接触することがない。従って、その
損傷を確実に防ぐことができる。
As described above, according to the electronic circuit component repair apparatus 1 and the repair method using the same according to the present embodiment, the suction head 10 and the buffer jig 11 are both made of quartz which is an infrared transmitting material. LSI that performs repair
Nearly the entire upper surface of the chip 4 can be irradiated with infrared light. Therefore, uneven heating of the LSI chip 4 due to infrared irradiation can be suppressed, and the solder can be uniformly melted in a short time, so that the removal of the LSI chip 4 by negative pressure suction can be performed reliably in a short time. Since the buffer jig 11 is interposed when the LSI chip 4 is suctioned by the suction head 10, the suction head 1 is directly attached to the LSI chip 4 as in the related art.
The zero suction port 10d does not contact. Therefore, the damage can be surely prevented.

【0034】なお、前記実施形態では、図3に示したよ
うな、緩衝治具11を使用したが、この緩衝治具11に
代えて、例えば、図5に示したような他の緩衝治具12
を使用することもできる。この緩衝治具12は、平面視
矩形の水平面部12aの略中央に開口部12bを有しそ
の下面側周縁に垂下する周壁部12cを備えた石英製の
緩衝治具である。水平面部12aの面積は、LSIチッ
プ4のパッケージ40の外形より広く設定されており、
周壁部12の下端面には、パッケージ40に対応した段
部12dが形成されている。これにより、周壁部12c
がLSI4のパッケージ40の上面周縁部に確実に当接
し、負圧吸引が確実に行えるようになしてあるととも
に、中央部に形成される空間Sによって、パッケージ4
0の表面形状が平坦でない場合等に対応できるようにな
してある。また、開口部12bの口径は、上記吸引ヘッ
ト10の吸引口10dの口径よりも小さく設定されてお
り、吸引ヘット10によるLSIチップ4の負圧吸引の
際に、LSIチップ4とともに当該緩衝治具12も吸引
できるようになしてある。この緩衝治具12を使用した
場合にも、緩衝治具11の場合と同様に、加熱用の赤外
線の照射を妨げることなくLSIチップを確実に負圧吸
引することができる。
In the above embodiment, the buffer jig 11 as shown in FIG. 3 was used. However, instead of the buffer jig 11, for example, another buffer jig as shown in FIG. 12
Can also be used. The buffering jig 12 is a quartz buffering jig having an opening 12b substantially at the center of a horizontal plane portion 12a having a rectangular shape in a plan view and having a peripheral wall portion 12c hanging down from a lower peripheral edge thereof. The area of the horizontal surface portion 12a is set wider than the outer shape of the package 40 of the LSI chip 4,
On the lower end surface of the peripheral wall portion 12, a step portion 12d corresponding to the package 40 is formed. Thereby, the peripheral wall portion 12c
Are securely brought into contact with the peripheral edge of the upper surface of the package 40 of the LSI 4 so that the negative pressure suction can be surely performed.
It is designed to cope with a case where the surface shape of 0 is not flat. The diameter of the opening 12b is set smaller than the diameter of the suction port 10d of the suction head 10, and when the suction head 10 sucks the LSI chip 4 under a negative pressure, the buffer jig and the LSI chip 4 are used. 12 can also be sucked. Even in the case of using the buffer jig 12, similarly to the case of the buffer jig 11, the LSI chip can be reliably sucked at the negative pressure without interrupting the irradiation of the heating infrared ray.

【0035】上記実施形態では、吸引ヘットと緩衝治具
とを別部材として設けたが、例えば、吸引ヘットを、図
6に示した吸引ヘット13のように、吸引口13dのま
わりにシリコーンゴム製のパッキン13eを配設した構
成としてもよい。この吸引ヘット13は、吸引口13d
まわりにパッキン13eを配設した以外は、上記実施形
態の吸引ヘット10と同様に構成している。この場合吸
引口13dの下端面よりもパッキン13eをその下端が
下方に位置するように配設する。このような吸引ヘット
を用いることによって、赤外線の照射は妨げず、吸引の
際におけるLSIチップの損傷を防止するようにしても
よい。
In the above-described embodiment, the suction head and the buffer jig are provided as separate members. For example, the suction head may be made of silicone rubber around the suction port 13d like the suction head 13 shown in FIG. May be provided with the packing 13e. This suction head 13 is provided with a suction port 13d.
It has the same configuration as the suction head 10 of the above-described embodiment, except that a packing 13e is provided therearound. In this case, the packing 13e is disposed so that the lower end thereof is located lower than the lower end surface of the suction port 13d. By using such a suction head, irradiation of infrared rays may not be hindered, and damage to the LSI chip during suction may be prevented.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。According to the present invention, the following effects can be obtained.

【0037】前記第1の特徴を有する電子回路部品のリ
ペア方法によれば、リペアを行う電子回路部品の加熱む
らをおさえ、はんだを短時間で略均一に溶融することが
できる。従って、電子回路部品の取り外しを短時間で確
実に行うことが可能である。
According to the method for repairing an electronic circuit component having the first feature, unevenness in heating of the electronic circuit component to be repaired can be suppressed, and the solder can be substantially uniformly melted in a short time. Accordingly, it is possible to reliably remove the electronic circuit component in a short time.

【0038】また、前記第2の特徴を有する電子回路部
品のリペア方法によれば、前記効果に加えて、吸引手段
による電子回路部品の吸引の際に、電子回路部品と吸引
口とが直接接触することがないため、その損傷を防ぐこ
とができる。
According to the method for repairing an electronic circuit component having the second feature, in addition to the above-described effects, when the electronic circuit component is suctioned by the suction means, the electronic circuit component directly contacts the suction port. Since it does not, the damage can be prevented.

【0039】また、前記特徴を有する電子回路部品のリ
ペア装置によれば、リペアを行う電子回路部品の加熱む
らをおさえ、はんだを短時間で略均一に溶融することが
できる。従って、電子回路部品の取り外しを短時間で確
実に行うことが可能である。
Further, according to the electronic circuit component repair apparatus having the above characteristics, unevenness in heating of the electronic circuit component to be repaired can be suppressed, and the solder can be substantially uniformly melted in a short time. Accordingly, it is possible to reliably remove the electronic circuit component in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るリペア装置の一実施形態を示す概
略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing one embodiment of a repair device according to the present invention.

【図2】同リペア装置における吸引ヘットを示す図であ
り、(a)は側面図、(b)は底面図である。
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a suction head in the repair device, wherein FIG. 2A is a side view and FIG. 2B is a bottom view.

【図3】本発明に係る電子回路部品のリペア方法に使用
する緩衝治具の一実施形態を示す図であり、(a)は部
分側断面図、(b)は底面図である。
FIGS. 3A and 3B are views showing one embodiment of a buffer jig used for a method of repairing an electronic circuit component according to the present invention, wherein FIG. 3A is a partial sectional side view and FIG. 3B is a bottom view.

【図4】同リペア装置を使用した電子回路部品のリペア
方法の工程を示す図であり、(a)は電子回路部品に緩
衝治具を載置し、赤外線を照射している状態を示す概略
図、(b)は電子回路部品を緩衝治具とともに負圧吸引
している状態を示す概略図である。
FIG. 4 is a view showing steps of a method of repairing an electronic circuit component using the repair device, and FIG. 4 (a) is a schematic diagram showing a state in which a buffer jig is placed on the electronic circuit component and infrared rays are irradiated. FIG. 1B is a schematic view showing a state in which the electronic circuit component is sucked under a negative pressure together with a buffer jig.

【図5】同リペア方法に使用する緩衝治具の他の実施形
態を示す図であり、(a)は部分側断面図、(b)は底
面図である。
5A and 5B are diagrams showing another embodiment of the buffer jig used in the repair method, wherein FIG. 5A is a partial side sectional view and FIG. 5B is a bottom view.

【図6】吸引ヘットの他の実施形態を示す図であり
(a)部分側断面図、(b)は底面図である。
6A and 6B are diagrams showing another embodiment of the suction head, and FIG. 6A is a partial side sectional view, and FIG. 6B is a bottom view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:リペア装置、2:モジュール基板(基板)、3:は
んだ、4:LSIチップ(電子回路部品)、5:赤外線
発振器(赤外線照射手段)、6:吸引ポンプ(負圧
源)、7:吸引手段、70:吸引路、71:吸引口、1
1,12:緩衝治具。
1: repair device, 2: module substrate (substrate), 3: solder, 4: LSI chip (electronic circuit component), 5: infrared oscillator (infrared irradiation means), 6: suction pump (negative pressure source), 7: suction Means, 70: suction path, 71: suction port, 1
1,12: buffer jig.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桐生 栄一 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所エンタープライズサーバ事業部内 (72)発明者 黒田 武志 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立インフォメーションテクノロジー内 Fターム(参考) 5E319 CC45 CD57 GG15  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Eiichi Kiryu 1st Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa Prefecture, in the Enterprise Server Division of Hitachi Ltd. (72) Takeshi Kuroda 1st Horiyamashita, Hadano-shi, Kanagawa, Hitachi F term in information technology (reference) 5E319 CC45 CD57 GG15

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上にはんだで接続された電子回路部
品に赤外線照射手段で赤外線を照射して前記はんだを溶
融し、負圧源及び該負圧源に通じる吸引路を備えた吸引
手段で前記電子回路部品をその上方より負圧吸引して該
電子回路部品を前記基板から取り外す、電子回路部品の
リペア方法において、前記吸引手段における、少なくと
も前記赤外線照射手段から前記電子回路部品への赤外線
照射域に含まれる部位を、赤外線透過性材料で形成して
おき、前記電子回路部品の上面の略全域に赤外線を照射
することを特徴とする電子回路部品のリペア方法。
An electronic circuit component connected to a circuit board by solder is irradiated with infrared rays by an infrared ray irradiating means to melt the solder, and is suctioned by a suction means provided with a negative pressure source and a suction path leading to the negative pressure source. A method of repairing an electronic circuit component, wherein the electronic circuit component is removed from the substrate by suctioning the electronic circuit component from above the negative pressure, wherein at least the infrared irradiation means irradiates the electronic circuit component with the infrared light in the suction means. A method for repairing an electronic circuit component, wherein a portion included in the region is formed of an infrared transmitting material, and substantially the entire upper surface of the electronic circuit component is irradiated with infrared rays.
【請求項2】 請求項1に記載の電子回路部品のリペア
方法において、前記電子回路部品を負圧吸引するに際
し、前記吸引路の吸引口と前記電子回路部品との間に赤
外線透過性の緩衝治具を介装しておき、該緩衝治具を前
記電子回路部品とともに前記吸引手段で負圧吸引するこ
とを特徴とする電子回路部品のリペア方法。
2. The method for repairing an electronic circuit component according to claim 1, wherein when the electronic circuit component is suctioned under a negative pressure, an infrared-transmissive buffer is provided between the suction port of the suction path and the electronic circuit component. A method of repairing an electronic circuit component, wherein a jig is interposed, and the buffer jig is suctioned together with the electronic circuit component by the suction means under a negative pressure.
【請求項3】 基板上にはんだで接続された電子回路部
品に赤外線を照射する赤外線照射手段と、負圧源及び該
負圧源に通じる吸引路を備え前記電子回路部品を上方よ
り負圧吸引する吸引手段とを具備した電子回路部品のリ
ペア装置において、前記吸引手段における、少なくとも
前記赤外線照射手段から前記電子回路部品への赤外線照
射域に含まれる部位を、赤外線透過性材料で形成したこ
とを特徴とする電子回路部品のリペア装置。
3. An infrared irradiating means for irradiating infrared rays to an electronic circuit component connected to the substrate by soldering, a negative pressure source, and a suction passage communicating with the negative pressure source, the electronic circuit component being suctioned from above by a negative pressure. And an electronic circuit component repair device comprising: a suction unit that performs at least a part of the suction unit included in an infrared irradiation region from the infrared irradiation unit to the electronic circuit component, by using an infrared transmitting material. A repair device for electronic circuit components.
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