JP2000347393A - Image recording material - Google Patents

Image recording material

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JP2000347393A
JP2000347393A JP11157987A JP15798799A JP2000347393A JP 2000347393 A JP2000347393 A JP 2000347393A JP 11157987 A JP11157987 A JP 11157987A JP 15798799 A JP15798799 A JP 15798799A JP 2000347393 A JP2000347393 A JP 2000347393A
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JP
Japan
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group
acid
alkyl
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examples
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JP11157987A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Nakamura
達夫 中村
Kazuto Kunida
一人 國田
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the image recording material high in sensitivity to infrared laser beams and good in development latitude and storage stability. SOLUTION: The image recording material contains at least (a) a compound to be decomposed by light or heat and to generate an acid, (b) a cross-linking agent to be induced to cross-link by an acid, (c) a polymer compound insoluble in water and soluble in an aqueous alkali solution, and (d) an anionic infrared absorber represented by the formula: |Ga-M-Gb|mXm+ in which M is a conjugated chain; Ga is an anionic substituent; Gb is a neutral substituent; Xm+ is an H ion or an m-valent cation; and (m) is an integer of 1-6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ネガ型の画像記録
材料に関し、特に、赤外線レーザ、サーマルヘッド等の
熱により書き込み可能であり、コンピュータ等のディジ
タル信号から直接製版できる、いわゆるダイレクト製版
可能な平版印刷用版材に好適なネガ型の画像記録材料に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a negative type image recording material, and more particularly to a so-called direct plate making which can be written by heat of an infrared laser, a thermal head or the like and can be directly made from a digital signal of a computer or the like. The present invention relates to a negative type image recording material suitable for a lithographic printing plate material.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、近赤外から赤外に発光領域を持つ
固体レーザ・半導体レーザの発達に伴い、コンピュータ
のディジタルデータから直接製版するシステムとして、
これらの赤外線レーザを用いるものが注目されている。
赤外線レーザにて記録可能なネガ型画像記録材料として
は、特開平7−20629号に記載されている、オニウ
ム塩、レゾール樹脂、ノボラック樹脂、及び赤外線吸収
剤よりなる記録材料がある。これは画像記録材料を用い
た平版印刷用版材において、赤外線を放射する固体レー
ザ又は半導体レーザにより付与されたエネルギーが、赤
外線吸収剤によって熱エネルギーに変換され、その熱に
よってオニウム塩が分解することによって画像が形成さ
れるものである。即ち、オニウム塩の分解により生ずる
酸が、酸により架橋する架橋剤とバインダーとの架橋反
応を促進することにより画像記録、即ち記録材料の製版
が行われるものである。しかし、この場合に用いられた
赤外線吸収剤はカチオン性の染料のみであり、露光によ
る発熱量が少ないため、良好な画像が得られない問題
(低感度、現像ラチチュードが狭い)があった。ここで
言う現像ラチチュードとはアルカリ現像液のアルカリ濃
度を変化させたときに良好な画像形成ができる許容範囲
を指す。また、高温高湿環境下における保存前後の感度
変動、即ち保存安定性が悪いという問題があった。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of solid-state lasers and semiconductor lasers having an emission region from near infrared to infrared, as a system for directly making a plate from digital data of a computer,
Attention is paid to those using these infrared lasers.
As a negative-type image recording material recordable with an infrared laser, there is a recording material comprising an onium salt, a resole resin, a novolak resin, and an infrared absorber described in JP-A-7-20629. This is because in a lithographic printing plate using an image recording material, the energy given by a solid-state laser or semiconductor laser that emits infrared light is converted into thermal energy by an infrared absorber, and the onium salt is decomposed by the heat. Thus, an image is formed. That is, image recording, that is, plate-making of a recording material, is performed by promoting the crosslinking reaction between a binder and a crosslinking agent which is crosslinked by the acid, generated by the decomposition of the onium salt. However, the infrared absorber used in this case was a cationic dye alone, and there was a problem that a good image could not be obtained (low sensitivity, narrow development latitude) due to a small amount of heat generated by exposure. Here, the development latitude indicates an allowable range in which a good image can be formed when the alkali concentration of the alkali developer is changed. In addition, there is a problem that sensitivity fluctuation before and after storage in a high temperature and high humidity environment, that is, storage stability is poor.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来に
おける問題を解決し、以下の目的を達成することを課題
とする。即ち、本発明は、赤外線を放射する固体レーザ
及び半導体レーザを用いて、コンピューター等のデジタ
ルデータから記録することにより直接製版が可能であ
り、上記赤外線レーザに対し高感度で、かつ現像ラチチ
ュード及び保存安定性の良好なネガ型の画像記録材料を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and achieve the following objects. That is, the present invention enables direct plate making by recording from digital data of a computer or the like using a solid-state laser and a semiconductor laser that emit infrared light, has high sensitivity to the infrared laser, and has development latitude and storage. An object of the present invention is to provide a negative-type image recording material having good stability.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、画像形成
性(感度及び現像ラチチュード)と保存安定性とを向上
させる目的で鋭意研究を重ねた結果、アニオン性の赤外
線吸収剤を用いることにより、高感度な画像を形成し得
ることを見いだし、本発明を完成するに至った。この理
由としては、アニオン性赤外線吸収剤を用いることによ
り、対カチオン部における、バインダーとの相互作用を
制御することが可能となるためと考えられる。即ち、従
来公知のカチオン性赤外線吸収剤の場合、赤外線領域に
吸収を持たせるためその構造がおのずと限定され、バイ
ンダーとの相互作用をになう構造が赤外線領域の吸収能
を阻害しない範囲に限定され、所望の相互作用を分子構
造上では制御できないのが現状である。本発明の如くア
ニオン性赤外線吸収剤を用いた場合、対カチオンの自由
な選択が可能となり、バインダーとの相互作用も制約な
く自由に変化させることができるため、本発明の効果で
ある所望の画像形成性の向上が可能となったと考えられ
る。また、特に、熱により酸を発生する化合物(以下、
「酸発生剤」と称する。)がカオチン性のものでは、イ
オン結合により膜中でのアニオン性の赤外線吸収剤とカ
オチン性の酸発生剤との距離が近く、効率よく赤外線吸
収剤からの熱を酸発生剤に伝達することができるためと
考えられる。前記課題を解決するための手段は、以下の
通りである。即ち、 <1> 少なくとも、以下の(a)〜(d)を含有する
ことを特徴とする画像記録材料である。 (a)光又は熱により分解して酸を発生する化合物 (b)酸により架橋する架橋剤 (c)水に不溶であり、かつ、アルカリ水溶液に可溶な
高分子化合物 (d)下記一般式(I)で表されるアニオン性赤外線吸
収剤
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies for the purpose of improving image forming properties (sensitivity and development latitude) and storage stability, and as a result, have found that an anionic infrared absorber is used. As a result, a high-sensitivity image can be formed, and the present invention has been completed. This is probably because the use of the anionic infrared absorber makes it possible to control the interaction of the counter cation with the binder. That is, in the case of a conventionally known cationic infrared absorber, its structure is naturally limited in order to have absorption in the infrared region, and the structure that interacts with the binder is limited to a range that does not hinder the absorption capacity in the infrared region. However, at present, the desired interaction cannot be controlled on the molecular structure. When an anionic infrared absorber is used as in the present invention, the counter cation can be freely selected, and the interaction with the binder can be freely changed without any restriction. It is considered that the formability could be improved. In addition, particularly, a compound that generates an acid by heat (hereinafter, referred to as “
It is referred to as "acid generator". In the case of ()), the distance between the anionic infrared absorber and the chaotic acid generator in the membrane is short due to ionic bonding, and the heat from the infrared absorber is efficiently transferred to the acid generator. It is thought that it is possible. The means for solving the above problems are as follows. That is, <1> an image recording material characterized by containing at least the following (a) to (d). (A) a compound that decomposes by light or heat to generate an acid (b) a crosslinking agent that crosslinks with an acid (c) a polymer compound that is insoluble in water and soluble in an aqueous alkaline solution (d) Anionic infrared absorbent represented by (I)

【0005】[0005]

【化2】 Embedded image

【0006】(一般式(I)中、Mは共役鎖を表し、G
a -はアニオン性の置換基を表し、Gbは中性の置換基を
表す。Xm+は、水素イオン又はm価の陽イオンを表し、
mは1〜6の整数を表す。)
(In the general formula (I), M represents a conjugated chain;
a - represents an anionic substituent, G b represents a neutral substituent. X m + represents a hydrogen ion or an m-valent cation,
m represents an integer of 1 to 6. )

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の画像記録材料につ
いて詳細に説明する。本発明の画像記録材料は、少なく
とも、(a)光又は熱により分解して酸を発生する化合
物(酸発生剤)、(b)酸により架橋する架橋剤(以
下、単に「架橋剤」と称する。)、(c)水に不溶であ
り、かつ、アルカリ水溶液に可溶な高分子化合物(以
下、「アルカリ可溶性高分子」と称する。)、(d)前
記一般式(I)で表されるアニオン性赤外線吸収剤を含
有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有してな
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the image recording material of the present invention will be described in detail. The image recording material of the present invention comprises at least (a) a compound capable of decomposing by light or heat to generate an acid (acid generator), and (b) a cross-linking agent capable of being cross-linked by an acid (hereinafter, simply referred to as “cross-linking agent”). ), (C) a polymer compound that is insoluble in water and soluble in an aqueous alkali solution (hereinafter referred to as “alkali-soluble polymer”), and (d) represented by the general formula (I). It contains an anionic infrared absorber and, if necessary, other components.

【0008】[(d)一般式(I)で表されるアニオン
性赤外線吸収剤]本発明の画像記録材料は、下記一般式
(I)で表されるアニオン性赤外線吸収剤を用いること
を特徴とする。
[(D) Anionic infrared absorbent represented by the general formula (I)] The image recording material of the present invention is characterized by using an anionic infrared absorbent represented by the following general formula (I). And

【0009】[0009]

【化3】 Embedded image

【0010】前記一般式(I)中、Mは、共役鎖を表
し、この共役鎖は置換基や環構造を有していてもよい。
共役鎖Mは下記式で表すことができる。
In the general formula (I), M represents a conjugated chain, which may have a substituent or a ring structure.
The conjugated chain M can be represented by the following formula.

【0011】[0011]

【化4】 Embedded image

【0012】式中、Rn+1、Rn+2、及びRn+3は、それ
ぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アル
キル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、カ
ルボニル基、チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、
オキシ基、アミノ基を表し、これらは置換基を有してい
てもよく、また、これらは互いに連結して環構造を形成
してもよい。nは1〜8の整数を表す。
In the formula, R n + 1 , R n + 2 and R n + 3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a carbonyl group. , Thio group, sulfonyl group, sulfinyl group,
Represents an oxy group or an amino group, which may have a substituent, and may be connected to each other to form a ring structure. n represents an integer of 1 to 8.

【0013】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、それぞ
れアルキル基を表す場合、該アルキル基としては、炭素
原子数が1〜20の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキ
ル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オク
タデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチ
ル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、
ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル
基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シ
クロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル
基等が挙げられる。これらの中では、炭素原子数1〜1
2の直鎖状、炭素原子数3〜12の分岐状、及び炭素原
子数5〜10の環状のアルキル基がより好ましい。
When R n + 1 , R n + 2 , and R n + 3 each represent an alkyl group, the alkyl group may be a straight-chain, branched or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. And a cyclic alkyl group. Specifically, a methyl group, an ethyl group,
Propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, hexadecyl, octadecyl, eicosyl, isopropyl, isobutyl, s- Butyl group, t-butyl group, isopentyl group,
Examples include a neopentyl group, a 1-methylbutyl group, an isohexyl group, a 2-ethylhexyl group, a 2-methylhexyl group, a cyclohexyl group, a cyclopentyl group, and a 2-norbornyl group. Among them, those having 1 to 1 carbon atoms
A straight-chain, a branched alkyl group having 3 to 12 carbon atoms, and a cyclic alkyl group having 5 to 10 carbon atoms are more preferable.

【0014】これらのアルキル基は置換基を有していて
もよく、該置換基としては、水素を除く一価の非金属原
子団が挙げられる。好ましい例としては、ハロゲン原子
(−F、−Br、−C1、−I)、ヒドロキシル基、ア
ルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキル
チオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリール
ジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−
ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−
ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミ
ノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−ア
ルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイ
ルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ
基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−ア
ルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキル
スルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、
アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−ア
リールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウ
レイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−
アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド
基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−
アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−
アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−
N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N
−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−
アリールウレイド基、
These alkyl groups may have a substituent, and examples of the substituent include monovalent nonmetallic atomic groups other than hydrogen. Preferred examples include a halogen atom (-F, -Br, -C1, -I), a hydroxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a mercapto group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyldithio group, an aryldithio group, an amino group, N-alkylamino group, N, N-
Dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-
Diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkylcarbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyl An oxy group, an N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, an alkylsulfoxy group, an arylsulfoxy group, an acylthio group,
Acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-
Arylureido group, N ′, N′-diarylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N-
Alkylureido group, N-arylureido group, N'-
Alkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-
N-arylureido group, N ′, N′-dialkyl-N
-Alkylureido group, N ', N'-dialkyl-N-
Arylureido group,

【0015】N’−アリール−N−アルキルウレイド
基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,
N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,
N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−ア
ルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、
N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイ
ド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカ
ルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカル
ボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカル
ボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボ
ニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボ
ニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル
基、及びその共役塩基基(以下、「カルボキシラート」
という。)、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカ
ルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイ
ル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリー
ルカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル
基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アル
キルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキ
ルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−
SO3H)及びその共役塩基基(以下、「スルホナト
基」という。)、アルコキシスルホニル基、アリーロキ
シスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルス
ルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイ
ル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジア
リールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリー
ルスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキ
ルスルファモイル基、
N'-aryl-N-alkylureido groups, N'-aryl-N-arylureido groups, N ',
An N′-diaryl-N-alkylureido group, N ′,
An N′-diaryl-N-arylureido group, an N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group,
An N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, an alkoxycarbonylamino group, an aryloxycarbonylamino group, an N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, an N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, and conjugate base group thereof (hereinafter, “carboxylate”
That. ), Alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl Group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group (-
SO 3 H) and its conjugate base group (hereinafter referred to as “sulfonato group”), alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N-alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, An N-arylsulfinamoyl group, an N, N-diarylsulfinamoyl group, an N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, a sulfamoyl group, an N-alkylsulfamoyl group,

【0016】N,N−ジアルキルスルファモイル基、N
−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスル
ファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモ
イル基、N−アシルスルファモイル基及びその共役塩基
基、N−アルキルスルホニルスルファモイル基(−SO
2NHSO2R、Rはアルキル基を表す。)及びその共役
塩基基、N−アリールスルホニルスルファモイル基(−
SO2NHSO2Ar、Arはアリール基を表す。)及び
その共役塩基基、N−アルキルスルホニルカルバモイル
基(−CONHSO2R、Rはアルキル基を表す。)及
びその共役塩基基、N−アリールスルホニルカルバモイ
ル基(−CONHSO2Ar、Arはアリール基を表
す。)及びその共役塩基基、アルコキシシリル基(−S
i(OR)3、Rはアルキル基を表す。)、アリーロキ
シシリル基(−Si(OAr)3、Arはアリール基を
表す。)、ヒドロキシシリル基(−Si(OH)3)及
びその共役塩基基、ホスホノ基(−PO32)及びその
共役塩基基(以下、「ホスホナト基」という。)、ジア
ルキルホスホノ基(−PO32、Rはアルキル基を表
す。)、ジアリールホスホノ基(−PO3Ar2、Arは
アリール基を表す。)、アルキルアリールホスホノ基
(−PO3(R)(Ar)、Rはアルキル基、Arはア
リール基を表す。)モノアルキルホスホノ基(−PO3
H(R)、Rはアルキル基を表す。)及びその共役塩基
基(以下、「アルキルホスホナト基」という。)、
N, N-dialkylsulfamoyl group, N
-Arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, N-acylsulfamoyl group and its conjugate base group, N-alkylsulfonylsulfamoyl group (-SO
2 NHSO 2 R, R represents an alkyl group. ) And its conjugate base group, N-arylsulfonylsulfamoyl group (-
SO 2 NHSO 2 Ar and Ar represent an aryl group. ) And its conjugated base group, N- alkylsulfonylcarbamoyl group (-CONHSO 2 R, R represents an alkyl group.) And a conjugated base group, N- aryl sulfonyl carbamoyl group (-CONHSO 2 Ar, Ar is an aryl group And its conjugated base group and alkoxysilyl group (-S
i (OR) 3 and R represent an alkyl group. ), An aryloxysilyl group (—Si (OAr) 3 , Ar represents an aryl group), a hydroxysilyl group (—Si (OH) 3 ) and its conjugate base group, a phosphono group (—PO 3 H 2 ) and The conjugate base group (hereinafter, referred to as “phosphonato group”), a dialkylphosphono group (—PO 3 R 2 , R represents an alkyl group), a diarylphosphono group (—PO 3 Ar 2 , Ar represents an aryl group) the represented.), alkyl aryl phosphono group (-PO 3 (R) (Ar ), R is an alkyl group, Ar. represents an aryl group) monoalkyl phosphono group (-PO 3
H (R) and R represent an alkyl group. ) And its conjugated base group (hereinafter referred to as “alkylphosphonate group”),

【0017】モノアリールホスホノ基(−PO3H(A
r)、Arはアリール基を表す。)及びその共役塩基基
(以下、「アリールホスホナト基」という。)、ホスホ
ノオキシ基(−OPO32)及びその共役塩基基(以
下、「ホスホナトオキシ基」という。)、ジアルキルホ
スホノオキシ基(−OPO3(R)2、Rはアルキル基を
表す。)、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO
3(Ar)2、Arはアリール基を表す。)、アルキルア
リールホスホノオキシ基(−OPO3(R)(Ar)、
Rはアルキル基、Arはアリール基を表す。)、モノア
ルキルホスホノオキシ基(−OPO3H(R)、Rはア
ルキル基を表す。)及びその共役塩基基(以下、「アル
キルホスホナトオキシ基」という。)、モノアリールホ
スホノオキシ基(−OPO3H(Ar)Arはアリール
基を表す。)及びその共役塩基基(以下、「アリールホ
スホナトオキシ基」という。)、シアノ基、ニトロ基、
アリール基、アルケニル基、アルキニル基が挙げられ
る。
A monoarylphosphono group (—PO 3 H (A
r) and Ar represent an aryl group. ) And its conjugate base group (hereinafter referred to as “arylphosphonato group”), its phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (hereinafter referred to as “phosphonatooxy group”), its dialkylphosphonooxy group ( —OPO 3 (R) 2 , R represents an alkyl group), a diarylphosphonooxy group (—OPO 3
3 (Ar) 2 and Ar represent an aryl group. ), An alkylarylphosphonooxy group (—OPO 3 (R) (Ar),
R represents an alkyl group and Ar represents an aryl group. ), A monoalkylphosphonooxy group (—OPO 3 H (R), R represents an alkyl group) and its conjugate base group (hereinafter, referred to as “alkylphosphonatooxy group”), a monoarylphosphonooxy group (—OPO 3 H (Ar) Ar represents an aryl group) and its conjugate base group (hereinafter, referred to as “arylphosphonatooxy group”), cyano group, nitro group,
Examples include an aryl group, an alkenyl group, and an alkynyl group.

【0018】これらの置換基における、アルキル基の具
体例としては、前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3で表され
るアルキル基が挙げられ、アリール基の具体例として
は、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル
基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、フルオロフ
ェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロ
ロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシ
フェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル
基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル
基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、
メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、
アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メ
トキシカルボニルフェニル基、エトキシカルボニルフェ
ニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニ
ルカルバモイルフェニル基、ニトロフェニル基、シアノ
フェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル
基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基等が挙
げられる。また、上記の置換基におけるアルケニル基の
具体例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブ
テニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基
等が挙げられ、アルキニル基の具体例としては、エチニ
ル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチル
シリルエチニル基、フェニルエチニル基等が挙げられ
る。また、上記の置換基におけるアシル基(R1CO
−)としては、R1が、水素原子、上記のアルキル基、
アリール基、アルケニル基、又はアルキニル基であるも
のが挙げられる。
Specific examples of the alkyl group in these substituents include the alkyl groups represented by R n + 1 , R n + 2 , and R n + 3. Specific examples of the aryl group include , Phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, chloromethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, Phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group,
Methylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group,
Acetylaminophenyl, carboxyphenyl, methoxycarbonylphenyl, ethoxycarbonylphenyl, phenoxycarbonylphenyl, N-phenylcarbamoylphenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, sulfophenyl, sulfonatophenyl, phosphono Examples include a phenyl group and a phosphonatophenyl group. Specific examples of the alkenyl group in the above substituent include a vinyl group, a 1-propenyl group, a 1-butenyl group, a cinnamyl group, a 2-chloro-1-ethenyl group, and the like. Specific examples of the alkynyl group include Examples thereof include an ethynyl group, a 1-propynyl group, a 1-butynyl group, a trimethylsilylethynyl group, and a phenylethynyl group. In addition, the acyl group (R 1 CO
As-), R 1 represents a hydrogen atom, the above-mentioned alkyl group,
Those which are an aryl group, an alkenyl group, or an alkynyl group are mentioned.

【0019】これらの置換基のうち、より好ましいもの
は、ハロゲン原子(−F、−Br、−C1、−I)、ア
ルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキル
アミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイル
オキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシル
アミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カ
ルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−
ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル
基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スル
ホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキル
スルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル
基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N
−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト
基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モ
ノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノア
リールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオ
キシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル
基等が挙げられる。
Among these substituents, more preferred are a halogen atom (-F, -Br, -C1, -I), an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an N-alkylamino group, , N-dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N- Alkylcarbamoyl group, N, N-
Dialkylcarbamoyl, N-arylcarbamoyl, N-alkyl-N-arylcarbamoyl, sulfo, sulfonato, sulfamoyl, N-alkylsulfamoyl, N, N-dialkylsulfamoyl, N-aryl Sulfamoyl group, N-alkyl-N
-Arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonate group, dialkylphosphono group, diarylphosphono group, monoalkylphosphono group, alkylphosphonate group, monoarylphosphono group, arylphosphonate group, phosphonooxy group, phosphonatoxy group , An aryl group, an alkenyl group and the like.

【0020】一方、置換アルキル基におけるアルキレン
基としては、前述の炭素原子数1〜20のアルキル基上
の水素原子のいずれか1つを除し、2価の有機残基とし
たものが挙げられ、好ましくは、炭素原子数1〜12の
直鎖状、炭素原子数3〜12の分岐状、及び炭素原子数
5〜10の環状のアルキレン基が挙げられる。該置換基
とアルキレン基とを組み合わせることにより得られる置
換アルキル基の好ましい具体例としては、クロロメチル
基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオ
ロメチル基、メトキシメチル基、メトキシエトキシエチ
ル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メ
チルチオメチル基、トリルチオメチル基、エチルアミノ
エチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロ
ピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメ
チル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル
基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチ
ルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピ
ル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、
On the other hand, examples of the alkylene group in the substituted alkyl group include those obtained by removing any one of the aforementioned hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms to obtain a divalent organic residue. Preferably, a linear alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, a branched alkylene group having 3 to 12 carbon atoms, and a cyclic alkylene group having 5 to 10 carbon atoms are exemplified. Preferred specific examples of the substituted alkyl group obtained by combining the substituent and an alkylene group include chloromethyl group, bromomethyl group, 2-chloroethyl group, trifluoromethyl group, methoxymethyl group, methoxyethoxyethyl group, and allyl. Oxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl group, N- Phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group,

【0021】カルボキシプロピル基、メトキシカルボニ
ルエチル基、メトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルブチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、
クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメ
チル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジ
プロピルガルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニ
ル)ガルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホ
フェニル)ガルバモイルメチル基、スルホプロピル基、
スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイル
ブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N
−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルス
ルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスホノ
フェニル)スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル
基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル
基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブ
チル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘ
キシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキ
シプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル
基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル
−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シン
ナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブ
テニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニル
メチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブ
チニル基等が挙げられる。
A carboxypropyl group, a methoxycarbonylethyl group, a methoxycarbonylmethyl group, a methoxycarbonylbutyl group, an allyloxycarbonylbutyl group,
Chlorophenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylgarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) galbamoylethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) galva Moylmethyl group, sulfopropyl group,
Sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N
-Dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphospho Nopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl group, phosphonooxypropyl group, phosphonatooxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl Group, 1-methyl-1-phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallyl group, 2-methylpropenylmethyl group, 2-propynyl Group, 2-butynyl group, 3-butynyl group and the like. .

【0022】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、アリー
ル基を表す場合、該アリール基としては、1〜3個のベ
ンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不
飽和環とが縮合環を形成したものが挙げられ、具体例と
しては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェ
ナントリル基、インデニル基、アセナブテニル基、フル
オレニル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基
及びナフチル基がより好ましい。
When R n + 1 , R n + 2 and R n + 3 represent an aryl group, the aryl group may be a group in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, a benzene ring And a 5-membered unsaturated ring to form a condensed ring. Specific examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenabutenyl group, and a fluorenyl group. Among them, a phenyl group and a naphthyl group are more preferred.

【0023】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、置換ア
リール基を表す場合、該置換アリール基としては、上記
アリール基の環形成炭素原子上に、置換基として水素を
除く一価の非金属原子団を有するものが挙げられる。好
ましい置換基の例としては、上記のアルキル基、置換ア
ルキル基、置換アルキル基における置換基として示した
ものが挙げられる。このような置換アリール基の好まし
い具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル
基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロ
モフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェ
ニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフ
ェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェ
ニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル
基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、フ
ェニルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエ
チルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチ
ルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N
−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−
フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミ
ノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル
基、カルボキシフェニル基、
When R n + 1 , R n + 2 , and R n + 3 represent a substituted aryl group, the substituted aryl group may be a hydrogen atom on the ring-forming carbon atom of the aryl group. And those having a monovalent nonmetallic atomic group other than. Preferred examples of the substituent include the alkyl group, the substituted alkyl group, and the substituents described above for the substituted alkyl group. Preferred specific examples of such a substituted aryl group include biphenyl, tolyl, xylyl, mesityl, cumenyl, chlorophenyl, bromophenyl, fluorophenyl, chloromethylphenyl, trifluoromethylphenyl, Hydroxyphenyl, methoxyphenyl, methoxyethoxyphenyl, allyloxyphenyl, phenoxyphenyl, methylthiophenyl, tolylthiophenyl, phenylthiophenyl, ethylaminophenyl, diethylaminophenyl, morpholinophenyl, acetyl Oxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, N
-Cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-
Phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenyl group, N-methylbenzoylaminophenyl group, carboxyphenyl group,

【0024】メトキシカルボニルフェニル基、アリルオ
キシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニ
ルフェニル基、ガルバモイルフェニル基、N−メチルガ
ルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイ
ルフェニル基、N−(メトキシフェニル)ガルバモイル
フェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カル
バモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフ
ェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスル
ファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモ
イルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル
基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモ
イルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェ
ニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホス
ホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホ
スホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリ
ルホスホナトフェニル基、アリル基、1−プロペニルメ
チル基、2−ブテニル基、2−メチルアリルフェニル
基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニル
フェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフ
ェニル基等が挙げられる。
Methoxycarbonylphenyl, allyloxycarbonylphenyl, chlorophenoxycarbonylphenyl, galbamoylphenyl, N-methylgalbamoylphenyl, N, N-dipropylcarbamoylphenyl, N- (methoxyphenyl) galva Moylphenyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfamoylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoyl Phenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, diethylphosphonophenyl group, diphenylphosphonophenyl group , L-phosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallylphenyl group, 2-methylpropenylphenyl Group, 2-propynylphenyl group, 2-butynylphenyl group, 3-butynylphenyl group and the like.

【0025】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、それぞ
れ、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、
又は置換アルキニル基(−C(R2)=C(R3
(R4)、−C≡C(R5))を表す場合、前記R2
3、R4、及びR5は、それぞれ一価の非金属原子団を
表す。前記R2、R3、R4、及びR5の好ましい例として
は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキ
ル基、アリール基、及び置換アーリル基が挙げられる。
これらの具体例としては、前述の例として示したものが
同様に挙げられる。前記R2、R3、R4、及びR5の特に
好ましい例としては、水素原子、ハロゲン原子、炭素原
子数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基が挙
げられる。
R n + 1 , R n + 2 and R n + 3 each represent an alkenyl group, a substituted alkenyl group, an alkynyl group,
Or a substituted alkynyl group (—C (R 2 ) = C (R 3 )
(R 4 ), —C≡C (R 5 )), R 2 ,
R 3 , R 4 and R 5 each represent a monovalent nonmetallic atomic group. Preferred examples of R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 include a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, and a substituted aryl group.
Specific examples of these are the same as those described above. Particularly preferred examples of R 2 , R 3 , R 4 , and R 5 include a hydrogen atom, a halogen atom, and a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

【0026】前記R2、R3、R4、及びR5の具体例とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニ
ル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシ
ル基、ヘキサデシル基、オタタデシル基、エイコシル
基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t
−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メ
チルブチル基、イソヘキジル基、2−エチルヘキシル
基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル
基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニル基、2
−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基、ベ
ンジル基、フェネチル基、α−メチルヘンジル基、1−
メチル−1−フェネチル基、p−メチルベンジル基、シ
ンナミル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基、
フェノキジエチル基、アリロキシエチル基、メトキシエ
トキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、
Specific examples of the above R 2 , R 3 , R 4 and R 5 include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl and the like. Group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, hexadecyl group, otatadecyl group, eicosyl group, isopropyl group, isobutyl group, s-butyl group, t
-Butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, allyl group, 1-propenylmethyl group, 2-butenyl group, 2-methylallyl group, 2-methylpropenyl group, 2
-Propynyl group, 2-butynyl group, 3-butynyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylhensyl group, 1-
Methyl-1-phenethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, hydroxyethyl group, methoxyethyl group,
Phenoxydiethyl, allyloxyethyl, methoxyethoxyethyl, ethoxyethoxyethyl,

【0027】モルホリノエチル基、モルホリノプロピル
基、スルホプロピル基、スルホナトプロピル基、スルホ
ブチル基、スルホナトブチル基、カルボキジメチル基、
カルボキジエチル基、カルボキシプロピル基、メトキシ
カルボニルエチル基、2−エチルヘキシルオキシカルボ
ニルエチル基、フェノキシカルボニルメチル基、メトキ
シカルボニルプロピル基、N−メチルカルバモイルエチ
ル基、N,N−エチルアミノカルバモイルメチル基、N
−フェニルカルバモイルプロピル基、N−トリルスルフ
ァモイルブチル基、P−トリエンスルホニルアミノプロ
ピル基、ベンゾイルアミノヘキシル基、ホスフォノメチ
ル基、ホスフォノエチル基、ホスフォノプロピル基、p
−ホスフォノベンジルアミノカルボニルエチル基、ホス
フォナトメチル基、ホスフォナトプロピル基、ホスフォ
ナトブチル基、p−ホスフォナトベンジルアミノカルボ
ニルエチル基、ビニル基、エチニル基を挙げることがで
きる。
Morpholinoethyl group, morpholinopropyl group, sulfopropyl group, sulfonatopropyl group, sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, carboxydimethyl group,
Carboxydiethyl, carboxypropyl, methoxycarbonylethyl, 2-ethylhexyloxycarbonylethyl, phenoxycarbonylmethyl, methoxycarbonylpropyl, N-methylcarbamoylethyl, N, N-ethylaminocarbamoylmethyl, N
-Phenylcarbamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylbutyl group, P-trienesulfonylaminopropyl group, benzoylaminohexyl group, phosphonomethyl group, phosphonoethyl group, phosphonopropyl group, p
-Phosphonobenzylaminocarbonylethyl group, phosphonatomethyl group, phosphonatopropyl group, phosphonatobutyl group, p-phosphonatobenzylaminocarbonylethyl group, vinyl group and ethynyl group.

【0028】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、置換カ
ルボニル基(R6CO−)を表す場合、前記R6は、一価
の非金属原子団を表す。置換カルボニル基の好ましい例
としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カ
ルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−
ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル
基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル
−N−アリールカルバモイル基が挙げられる。これらに
おけるアルキル基、アリール基としては、上記のアルキ
ル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール
基として例示したものが挙げられる。これらの中でも、
より好ましい置換カルボニル基としては、ホルミル基、
アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、
アリーロキシカルボニル基、ガルバモイル基、N−アル
キルガルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル
基、N−アリールカルバモイル基が挙げられ、特に好ま
しいものとしては、ホルミル基、アシル基、アルコキシ
カルボニル基、及びアリーロキシカルボニル基が挙げら
れる。好ましい置換カルボニル基の具体例としては、ホ
ルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル
基、メトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル
基、N−メチルカルバモイル基、N−フェニルカルバモ
イル基、N,N−ジエチルカルバモイル基、モルホリノ
カルボニル基等が挙げられる。
When R n + 1 , R n + 2 and R n + 3 represent a substituted carbonyl group (R 6 CO—), R 6 represents a monovalent nonmetallic atomic group. Preferred examples of the substituted carbonyl group include formyl, acyl, carboxyl, alkoxycarbonyl, aryloxycarbonyl, carbamoyl, N-alkylcarbamoyl, N, N-
Examples include a dialkylcarbamoyl group, an N-arylcarbamoyl group, an N, N-diarylcarbamoyl group, and an N-alkyl-N-arylcarbamoyl group. Examples of the alkyl group and the aryl group in these include those exemplified above as the alkyl group, the substituted alkyl group, the aryl group, and the substituted aryl group. Among these,
More preferred substituted carbonyl groups include a formyl group,
Acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group,
Aryloxycarbonyl group, galbamoyl group, N-alkylgalbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, and particularly preferred are formyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, and aryl group. And a roxycarbonyl group. Specific examples of preferred substituted carbonyl groups include formyl group, acetyl group, benzoyl group, carboxyl group, methoxycarbonyl group, allyloxycarbonyl group, N-methylcarbamoyl group, N-phenylcarbamoyl group, N, N-diethylcarbamoyl group And a morpholinocarbonyl group.

【0029】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、置換チ
オ基(R7S−)を表す場合、前記R 7は、水素を除く一
価の非金属原子団を表す。好ましい置換チオ基の例とし
ては、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチ
オ基、アリールジチオ基、及びアシルチオ基が挙げられ
る。これらにおけるアルキル基、アリール基としては、
上記のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び
置換アリール基として例示したものが挙げられ、アシル
チオ基におけるアシル基(R1CO−)のR1は前記のと
おりである。これらの中では、アルキルチオ基及びアリ
ールチオ基がより好ましい。置換チオ基の好ましい具体
例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチ
オ基、エトキシエチルチオ基、カルボキシエチルチオ
基、メトキシカルボニルチオ基等が挙げられる。
The above Rn + 1, Rn + 2, And Rn + 3Is replaced
O group (R7When S-) is represented, R 7Is one except hydrogen
Represents a valent non-metallic atomic group. Examples of preferred substituted thio groups
Alkylthio, arylthio, alkyldithio
Groups, aryldithio groups, and acylthio groups.
You. As the alkyl group and the aryl group in these,
The above alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and
Examples of the substituted aryl group include those exemplified as acyl.
An acyl group (R1R of CO-)1Is as above
It is a cage. Of these, alkylthio groups and ants
A thio group is more preferred. Preferred specific examples of the substituted thio group
Examples include methylthio, ethylthio, phenylthio
O group, ethoxyethylthio group, carboxyethylthio
Group, methoxycarbonylthio group and the like.

【0030】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、置換ス
ルホニル基(R8SO2−)を表す場合、前記R8は、一
価の非金属原子団を表す。より好ましい例としては、ア
ルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基が挙げ
られる。これらにおけるアルキル基、アリール基として
は、上記のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、
及び置換アリール基として例示したものが挙げられる。
置換スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル
基、クロロフェニルスルホニル基等が挙げられる。
When R n + 1 , R n + 2 and R n + 3 represent a substituted sulfonyl group (R 8 SO 2 —), R 8 represents a monovalent nonmetallic atomic group. More preferred examples include an alkylsulfonyl group and an arylsulfonyl group. As the alkyl group and the aryl group in these, the above-mentioned alkyl group, substituted alkyl group, aryl group,
And substituted aryl groups.
Specific examples of the substituted sulfonyl group include a butylsulfonyl group and a chlorophenylsulfonyl group.

【0031】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、置換ス
ルフィニル基(R9SO−)を表す場合、前記R9は、一
価の非金属原子団を表す。好ましい例としては、アルキ
ルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィ
ナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N
−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフ
ィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル
基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基が
挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基と
しては、上記のアルキル基、置換アルキル基、アリール
基、及び置換アリール基として例示したものが挙げられ
る。これらのうち、より好ましい例としては、アルキル
スルフィニル基、及びアリールスルフィニル基が挙げら
れる。このような置換スルフィニル基の具体例として
は、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフイニル
基、トリルスルフィニル基等が挙げられる。
When R n + 1 , R n + 2 and R n + 3 represent a substituted sulfinyl group (R 9 SO—), R 9 represents a monovalent nonmetallic atomic group. Preferred examples include alkylsulfinyl, arylsulfinyl, sulfinamoyl, N-alkylsulfinamoyl, N, N
-Dialkylsulfinamoyl, N-arylsulfinamoyl, N, N-diarylsulfinamoyl and N-alkyl-N-arylsulfinamoyl. Examples of the alkyl group and the aryl group in these include those exemplified above as the alkyl group, the substituted alkyl group, the aryl group, and the substituted aryl group. Among these, more preferred examples include an alkylsulfinyl group and an arylsulfinyl group. Specific examples of such a substituted sulfinyl group include a hexylsulfinyl group, a benzylsulfinyl group, and a tolylsulfinyl group.

【0032】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、置換オ
キシ基(R10O−)を表す場合、前記R10は、水素を除
く一価の非金属原子団を表す。好ましい置換オキシ基と
しては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ
基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイル
オキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N
−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリー
ルカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリール
カルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリー
ルスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ
基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール
基としては、上記のアルキル基、置換アルキル基、アリ
ール基、及び置換アリール基として例示したものが挙げ
られる。
When R n + 1 , R n + 2 and R n + 3 represent a substituted oxy group (R 10 O—), R 10 is a monovalent nonmetallic atomic group except hydrogen. Represent. Preferred substituted oxy groups include alkoxy, aryloxy, acyloxy, carbamoyloxy, N-alkylcarbamoyloxy, N-arylcarbamoyloxy, N, N
-Dialkylcarbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, phosphonooxy group, and phosphonatoxy group. Examples of the alkyl group and the aryl group in these include those exemplified above as the alkyl group, the substituted alkyl group, the aryl group, and the substituted aryl group.

【0033】また、上記のアシルオキシ基におけるアシ
ル基(R1CO−)としては、R1が、上記のアルキル
基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基
として例示したものが挙げられる。これら置換オキシ基
の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキ
シ基、及びアリールスルホキシ基がより好ましい。好ま
しい置換オキシ基の具体例としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブ
チルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、
ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ
基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、
メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニ
ルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエ
トキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエト
キシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプ
ロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェ
ノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチ
ルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキ
シ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキ
シ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホ
ニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ等
が挙げられる。
Examples of the acyl group (R 1 CO—) in the acyloxy group include those in which R 1 has been exemplified as the alkyl group, the substituted alkyl group, the aryl group, and the substituted aryl group. Among these substituted oxy groups, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group, and an arylsulfoxy group are more preferred. Specific examples of preferred substituted oxy groups include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyloxy, butyloxy, pentyloxy, hexyloxy,
Dodecyloxy group, benzyloxy group, allyloxy group, phenethyloxy group, carboxyethyloxy group,
Methoxycarbonylethyloxy group, ethoxycarbonylethyloxy group, methoxyethoxy group, phenoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group, ethoxyethoxyethoxy group, morpholinoethoxy group, morpholinopropyloxy group, allyloxyethoxyethoxy group, phenoxy group, tolyloxy group , Xylyloxy, mesityloxy, cumenyloxy, methoxyphenyloxy, ethoxyphenyloxy, chlorophenyloxy, bromophenyloxy, acetyloxy, benzoyloxy, naphthyloxy, phenylsulfonyloxy, phosphonooxy, phosphonatoxy And the like.

【0034】前記Rn+1、Rn+2、及びRn+3が、置換ア
ミノ基(R11NH−、(R12)(R1 3)N−)を表す場
合、前記R11、R12、及びR13は、それぞれ水素を除く
一価の非金属原子団を表す。置換アミノ基の好ましい例
としては、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキル
アミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリール
アミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシ
ルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリー
ルアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイ
ド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリ
ールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、
N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アル
キルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アル
キル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−
アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−ア
ルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリ
ールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイ
ド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、
N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、
N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、
N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイ
ド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリール
ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロ
キシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキ
シカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキ
シカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシ
カルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシ
カルボニルアミノ基が挙げられる。
[0034] The R n + 1, R n + 2, and R n + 3, a substituted amino group - If (R 11 NH, (R 12 ) (R 1 3) N-) representative of said R 11, R 12 and R 13 each represent a monovalent nonmetallic atomic group other than hydrogen. Preferred examples of the substituted amino group include N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group ,
N'-alkyl-N'-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N'-alkyl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N-
Arylureido group, N ', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'-aryl-N- Arylureido group,
An N ′, N′-diaryl-N-alkylureido group,
An N ′, N′-diaryl-N-arylureido group,
N'-alkyl-N'-aryl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxy A carbonylamino group, an N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, an N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, and an N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group.

【0035】これらにおけるアルキル基、アリール基と
しては、上記のアルキル基、置換アルキル基、アリール
基、及び置換アリール基として例示したものが挙げら
れ、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N
−アリール−アシルアミノ基におけるアシル基(R1
O−)のR1は前記のとおりである。これらのうち、よ
り好ましいものとしては、N−アルキルアミノ基、N,
N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、及び
アシルアミノ基が挙げられる。好ましい置換アミノ基の
具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリ
ジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセ
チルアミノ基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group and the aryl group in these compounds include those exemplified as the alkyl group, the substituted alkyl group, the aryl group, and the substituted aryl group, and include an acylamino group, an N-alkylacylamino group,
An acyl group (R 1 C) in the aryl-acylamino group;
R 1 in O-) is as described above. Of these, more preferred are N-alkylamino group, N,
Examples include an N-dialkylamino group, an N-arylamino group, and an acylamino group. Specific examples of preferred substituted amino groups include a methylamino group, an ethylamino group, a diethylamino group, a morpholino group, a piperidino group, a pyrrolidino group, a phenylamino group, a benzoylamino group, and an acetylamino group.

【0036】前記一般式(I)中、Ga -はアニオン性の
置換基を表し、環構造を有していてもよい。Gbは中性
の置換基を表し、環構造を有していてもよい。これら
は、それぞれ下記の構造で表すことができる。
[0036] In the general formula (I), G a - represents an anionic substituent, may have a ring structure. G b represents a neutral substituent and may have a ring structure. These can be represented by the following structures, respectively.

【0037】[0037]

【化5】 Embedded image

【0038】式中、L1〜L4は、互いに独立に、水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、前述のアルキル基、アリ
ール基、アルケニル基、アルキニル基、カルボニル基、
チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、オキシ基、又
はアミノ基を表し、また、L 1とL2、L3とL4が連結し
て環構造を形成してもよい。好ましい例として、Gb
シアニン色素の酸性核が挙げられ、Ga -は酸性核がアニ
オン化したものが挙げられる。酸性核としては「The
teory of the Photographi
c Process」p,199、テーブル8、2−B
に記載される化合物や以下のものが挙げられる。
Where L1~ LFourAre independent of each other
Atom, halogen atom, cyano group, the aforementioned alkyl group,
Alkenyl group, alkynyl group, carbonyl group,
Thio group, sulfonyl group, sulfinyl group, oxy group, or
Represents an amino group, and L 1And LTwo, LThreeAnd LFourAre linked
To form a ring structure. As a preferred example, GbIs
Acidic nuclei of cyanine dyes;a -Is an acid nucleus
Turned on. As the acidic nucleus, "The
 teory of the Photographi
c Process "p, 199, Table 8, 2-B
And the following compounds.

【0039】1)1,3−ジカルボニル核、例えば、
1,3−インダンジオン、1,3−シクロヘキサンジオ
ン、5,5−ジメチル−1,3−シクロヘキサンジオ
ン、1,3−ジオキサン−4,6−ジオン、 2)ピラゾリノン核、例えば、3−メチル−1−フェニ
ル−2−ピラゾリン−5−オン、1−フェニル−2−ピ
ラゾリン−5−オン、1−フェニル−2−ピラゾリン−
5−オン、1−(2−ベンゾチアゾリル)−3−メチル
−2−ピラゾリン−5−オン、 3)イソオキサゾリノン核、例えば、3−フェニル−2
−イソオキサゾリン−5−オン、3−メチル−2−イソ
オキサゾリン−5−オン等、 4)オキシインドール核、例えば、1−アルキル−2,
3−ジヒドロ−2−オキシインドール、
1) 1,3-dicarbonyl nucleus, for example,
1,3-indandione, 1,3-cyclohexanedione, 5,5-dimethyl-1,3-cyclohexanedione, 1,3-dioxane-4,6-dione, 2) pyrazolinone nucleus, for example, 3-methyl- 1-phenyl-2-pyrazolin-5-one, 1-phenyl-2-pyrazolin-5-one, 1-phenyl-2-pyrazolin-
5-one, 1- (2-benzothiazolyl) -3-methyl-2-pyrazolin-5-one, 3) isoxazolinone nucleus, for example, 3-phenyl-2
-Isoxazolin-5-one, 3-methyl-2-isoxazolin-5-one, etc. 4) Oxindole nucleus, for example, 1-alkyl-2,
3-dihydro-2-oxindole,

【0040】5)2,4,6−トリケトヘキサヒドロピ
リミジン核、例えば、バルビツル酸又は2−チオバルビ
ツル酸及びその誘導体、かかる誘導体としては、1−メ
チル、1−エチル等の1−アルキル体、1,3−ジエチ
ル、1,3−ジブチル等の1,3−ジアルキル体、1,
3一ジフェニル、1,3−ジ(p−クロロフェニル)
−、1,3−ジ(p−エトキシカルボニルフェニル)等
の1,3−ジアリール体、1−エチル−3−フェニル等
の1−アルキル−3−アリール体等が挙げられる。 6)2−チオ−2,4−チアゾリジンジオン核、例え
ば、ローダニン及びその誘導体、かかる誘導体として
は、3−エチルローダニン、3−アリルローダニン等の
3−アルキルローダニン、3−フェニルローダニン等の
3−アリールローダニン等が挙げられる。
5) 2,4,6-triketohexahydropyrimidine nucleus, for example, barbituric acid or 2-thiobarbituric acid and derivatives thereof, such derivatives include 1-alkyl compounds such as 1-methyl and 1-ethyl; 1,3-dialkyl compounds such as 1,3-diethyl and 1,3-dibutyl,
3-diphenyl, 1,3-di (p-chlorophenyl)
And 1,3-diaryl compounds such as 1,3-di (p-ethoxycarbonylphenyl) and 1-alkyl-3-aryl compounds such as 1-ethyl-3-phenyl. 6) 2-thio-2,4-thiazolidinedione nucleus, for example, rhodanine and derivatives thereof, such as 3-ethylrhodanine, 3-allylrhodanine and other 3-alkylrhodanine, 3-phenylrhodanine And the like.

【0041】7)2−チオ−2,4−オキサゾリジンジ
オン(2−チオ−2,4−(3H,5H)−オキサゾー
ルジオン)核、例えば、2−エチル−2−チオ−2,4
−オキサゾリジンジオン、 8)チアナフテノン核、例えば、3(2H)−チアナフ
テノン及び3(2H)−チアナフテノン−1,1−ジオ
キサイド、 9)2−チオ−2,5−チアゾリジンジオン核、例え
ば、3−エチル−2−チオ−2,5−チアゾリジンジオ
ン、 10)2,4−チアゾリジンジオン核、例えば、2,4
−チアゾリジンジオン、3−エチル−2,4−チアゾリ
ジンジオン、3−フェニル−2,4−チアゾリジンジオ
ン、 11)チアゾリジノン核、例えば、4−チアゾリジノ
ン、3−エチル−4−チアゾリジノン、
7) 2-thio-2,4-oxazolidinedione (2-thio-2,4- (3H, 5H) -oxazoledione) nucleus, for example, 2-ethyl-2-thio-2,4
8) thianaphthenone nucleus, such as 3 (2H) -thianaphthenone and 3 (2H) -thianaphthenone-1,1-dioxide; 9) 2-thio-2,5-thiazolidinedione nucleus, such as 3- Ethyl-2-thio-2,5-thiazolidinedione, 10) 2,4-thiazolidinedione nucleus, for example, 2,4
-Thiazolidinedione, 3-ethyl-2,4-thiazolidinedione, 3-phenyl-2,4-thiazolidinedione, 11) thiazolidinone nucleus, for example, 4-thiazolidinone, 3-ethyl-4-thiazolidinone,

【0042】12)4−チアゾリノン核、例えば、2−
エチルメルカプト−5−チアゾリン−4−オン、2−ア
ルキルフェニルアミノ−5−チアゾリン−4−オン、 13)2−イミノ−2−オキソゾリン−4−オン(凝ヒ
ダントイン)核、 14)2,4−イミダゾリジンジオン(ヒダントイン)
核、例えば、2,4−イミダゾリジンジオン、3−エチ
ル−2,4−イミダゾリジンジオン、 15)2−チオ−2,4−イミダゾリジンジオン(2−
チオヒダントイン)核、例えば、2−チオ−2,4−イ
ミダゾリジンジオン、3−エチル−2−チオ−2,4−
イミダゾリジンジオン、 16)2−イミダゾリン−5−オン核、例えば、2−n
−プロピル−メルカプト−2−イミダゾリン−5−オ
ン、
12) 4-thiazolinone nucleus, for example, 2-
Ethyl mercapto-5-thiazolin-4-one, 2-alkylphenylamino-5-thiazolin-4-one, 13) 2-imino-2-oxozolin-4-one (coagulation hydantoin) nucleus, 14) 2,4- Imidazolidinedione (hydantoin)
A nucleus, for example, 2,4-imidazolidinedione, 3-ethyl-2,4-imidazolidinedione, 15) 2-thio-2,4-imidazolidinedione (2-
Thiohydantoin) nucleus, for example, 2-thio-2,4-imidazolidinedione, 3-ethyl-2-thio-2,4-
16) 2-imidazolin-5-one nucleus, for example 2-n
-Propyl-mercapto-2-imidazolin-5-one,

【0043】17)フラン−5−オン、 18)4−ヒドロキシ−2(1H)−キノリノン核もし
くは4−ヒドロキシ−2(1H)−ピリジノン核、例え
ば、N−メチル−4−ヒドロキシ−2(1H)−キノリ
ノン、N−n−ブチル−4−ヒドロキシ−2(1H)−
キノリノン、N−メチル−4−ヒドロキシ−2(1H)
−ピリジノン、 19)置換もしくは非置換の4−ヒドロキシ−2H−ピ
ラン−2−オン、4−ヒドロキシクマリン、 20)置換もしくは非置換のチオインドキシル、例え
ば、5−メチルチオインドキシル。
17) Furan-5-one, 18) 4-hydroxy-2 (1H) -quinolinone nucleus or 4-hydroxy-2 (1H) -pyridinone nucleus, for example, N-methyl-4-hydroxy-2 (1H) ) -Quinolinone, Nn-butyl-4-hydroxy-2 (1H)-
Quinolinone, N-methyl-4-hydroxy-2 (1H)
-Pyridinone, 19) substituted or unsubstituted 4-hydroxy-2H-pyran-2-one, 4-hydroxycoumarin, 20) substituted or unsubstituted thioindoxyl, for example, 5-methylthioindoxyl.

【0044】また、前記式中、Zは、カルコゲン原子、
又は−C(Y1)(Y2)基を表す。ここで、Y1及びY
2 は、同一でも異っていてもよく、それぞれ、−CN、
−CO2R’、又は−SO2R''を表す。R’及びR''
は、前記と同様のアルキル基、又はアリール基を表す。
In the above formula, Z is a chalcogen atom,
Or -C (Y 1) representative of the (Y 2) group. Where Y 1 and Y
2 may be the same or different and each is -CN,
Represents —CO 2 R ′ or —SO 2 R ″. R 'and R''
Represents the same alkyl group or aryl group as described above.

【0045】前記一般式(I)中、Xm+(以下、「対カ
チオン」と呼ぶことがある。)は、水素イオン又はm価
の陽イオンを表す。ここで、mは1〜6の整数を表す。
前記アニオン性赤外線吸収剤において好ましい態様は、
対カチオンがバインダーと相互作用を持つものであり、
そのような対カチオンとしては、オニウム塩構造を有す
るものが挙げられる。ここで、オニウム塩としては、ア
ンモニウム塩、ジアゾニウム塩、オキソニウム塩、スル
ホニウム塩、セレニウム塩、ホスホニウム塩、カルボニ
ウム塩、ヨードニウム塩等が挙げられる。
In the general formula (I), X m + (hereinafter sometimes referred to as “counter cation”) represents a hydrogen ion or an m-valent cation. Here, m represents an integer of 1 to 6.
Preferred embodiments of the anionic infrared absorber,
The counter cation interacts with the binder,
Examples of such a counter cation include those having an onium salt structure. Here, examples of the onium salt include ammonium salts, diazonium salts, oxonium salts, sulfonium salts, selenium salts, phosphonium salts, carbonium salts, iodonium salts and the like.

【0046】前記オニウム塩として好適なものは、例え
ば、S.I.Schlesinger,Photog
r.Sci.Eng.,18,387(1974)、
T.S.Bal et al,Polymer,21,
423(1980)、特開平5−158230号公報に
記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号、特開平3−140140
号公報に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker
et al,Macromolecules,17,
2468(1984)、C.S.Wen et al,
Teh,Proc.Conf.Rad.Curing
ASIA,p478 Tokyo,Oct(198
8)、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号に記載のホスホニウム塩、J.V.Cri
vello et al,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、Chem.&
Eng.News,Nov.28,p31(198
8)、欧州特許第104,143号、米国特許第33
9,049号、同第410,201号、特開平2−15
0848号、特開平2−296514号に記載のヨード
ニウム塩、J.V.Crivello et al,P
olymer J.17,73(1985)、J.V.
Crivello et al.J.Org.Che
m.,43,3055(1978)、W.R.Watt
et al,J.Polymer Sci.,Pol
ymer Chem.Ed.,22,1789(198
4)、J.V.Crivello et al,Pol
ymer Bull.,14,279(1985)、
J.V.Crivello et al,Macrom
orecules,14(5),1141(198
1)、J.V.Crivello et al,J.P
olymer Sci.,Polymer Chem.
Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第37
0,693号、同233,567号、同297,443
号、同297,442号、米国特許第4,933,37
7号、同3,902,114号、同410,201号、
同339,049 号、同4,760,013号、同
4,734,444号、同2,833,827号、独国
特許第2,904,626号、同3,604,580
号、同3,604,581号に記載のスルホニウム塩、
J.V.Crivello et al,Macrom
orecules,10(6),1307(197
7)、J.V.Crivello et al,J.P
olymer Sci.,Polymer Chem.
Ed.,17,1047(1979)に記載のセレノニ
ウム塩、C.S.Wen et al,Teh,Pro
c.Conf.Rad.Curing ASIA,p4
78 Tokyo,Oct(1988)に記載のアルソ
ニウム塩等が挙げられる。
Suitable onium salts include, for example, S. I. Schlesinger, Photog
r. Sci. Eng. , 18, 387 (1974),
T. S. Bal et al, Polymer, 21,
423 (1980), JP-A-5-158230, diazonium salts described in U.S. Pat. No. 4,069,055.
No. 4,069,056, JP-A-3-140140
Ammonium salts described in JP-A No. C. Necker
et al, Macromolecules, 17,
2468 (1984), C.I. S. Wen et al,
Teh, Proc. Conf. Rad. Curing
ASIA, p478 Tokyo, Oct (198
8) U.S. Pat. Nos. 4,069,055 and 4,06
9,056, the phosphonium salt described in J. V. Cri
vello et al, Macromorecule
s, 10 (6), 1307 (1977), Chem. &
Eng. News, Nov .; 28, p31 (198
8), EP 104,143, US Patent 33
No. 9,049, No. 410,201, JP-A-2-15
No. 0848 and JP-A-2-296514. V. Crivello et al, P
polymer J .; 17, 73 (1985); V.
Crivello et al. J. Org. Che
m. 43, 3055 (1978); R. Watt
et al, J.A. Polymer Sci. , Pol
ymer Chem. Ed. , 22, 1789 (198
4). V. Crivello et al, Pol
ymer Bull. , 14, 279 (1985),
J. V. Crivello et al, Macrom
orecules, 14 (5), 1141 (198
1). V. Crivello et al, J. Mol. P
polymer Sci. , Polymer Chem.
Ed. , 17, 2877 (1979), EP 37
No. 0,693, No. 233,567, No. 297,443
No. 297,442, U.S. Pat. No. 4,933,37.
7, 3,902,114, 410,201,
No. 339,049, No. 4,760,013, No. 4,734,444, No. 2,833,827, German Patent No. 2,904,626, No. 3,604,580
No. 3,604,581, the sulfonium salt described in
J. V. Crivello et al, Macrom
orecules, 10 (6), 1307 (197
7). V. Crivello et al, J. Mol. P
polymer Sci. , Polymer Chem.
Ed. , 17, 1047 (1979); S. Wen et al, Teh, Pro
c. Conf. Rad. Curing ASIA, p4
78 Tokyo, Oct (1988).

【0047】また、特開平9−134009号に記載の
アンモニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨ
ードニウム塩等も本発明に好ましく用いることができ
る。
Further, ammonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts and the like described in JP-A-9-134909 can be preferably used in the present invention.

【0048】前記オキソニウム塩は、下記一般式(A)
又は一般式(B)で表される。
The oxonium salt has the following general formula (A)
Or, it is represented by the general formula (B).

【0049】[0049]

【化6】 Embedded image

【0050】式中、Ra〜Rdは、それぞれ独立にアルキ
ル基、又はアリール基を表し、Reは、アルキレン基、
又はアリーレン基を表す。また、隣接するRa〜Rc、あ
るいはRdとReは、互いに結合して環構造を形成しても
よい。
In the formula, R a to R d each independently represent an alkyl group or an aryl group, R e represents an alkylene group,
Or an arylene group. Adjacent R a to R c or R d and R e may be bonded to each other to form a ring structure.

【0051】前記セレニウム塩は、下記一般式(C)又
は一般式(D)で表される。
The selenium salt is represented by the following general formula (C) or (D).

【0052】[0052]

【化7】 Embedded image

【0053】式中、Rf〜Riは、それぞれ独立にアルキ
ル基、又はアリール基を表し、Rjは、アルキレン基、
又はアリーレン基を表す。また、隣接するRf〜Rg、あ
るいはRiとRjは、互いに結合して環構造を形成しても
よい。
In the formula, R f to R i each independently represent an alkyl group or an aryl group, R j represents an alkylene group,
Or an arylene group. Further, adjacent R f to R g , or R i and R j may be bonded to each other to form a ring structure.

【0054】前記ジアゾニウム塩は、下記一般式(E)
で表される。
The diazonium salt has the following general formula (E)
It is represented by

【0055】[0055]

【化8】 Embedded image

【0056】式中、Rkは、アルキル基、又はアリール
基を表す。
In the formula, R k represents an alkyl group or an aryl group.

【0057】前記カルボニウム塩は、下記一般式(F)
又は一般式(G)で表される。
The carbonium salt is represented by the following general formula (F)
Or it is represented by general formula (G).

【0058】[0058]

【化9】 Embedded image

【0059】式中、Rl〜Roは、それぞれ独立にアルキ
ル基、又はアリール基を表し、Rpは、アルキレン基、
又はアリーレン基を表す。また、隣接するRl〜Rm、あ
るいはRoとRpは、互いに結合して環構造を形成しても
よい。
[0059] In the formula, R l to R o are each independently an alkyl group or an aryl group, R p is an alkylene group,
Or an arylene group. Adjacent R 1 to R m , or R o and R p may be bonded to each other to form a ring structure.

【0060】また、他の好ましいオニウム塩として、下
記一般式(H)〜一般式(K)で表されるものが挙げら
れる。
Other preferred onium salts include those represented by the following general formulas (H) to (K).

【0061】[0061]

【化10】 Embedded image

【0062】前記式中、RA、RB、RC、RD、RJ
K、RL及びRMは、それぞれ独立にアルキル基、アリ
ール基、又はアラルキル基を表し、RA、RB、RC及び
Dは、互いに結合して環を形成してもよく、RJ
K、RL及びRMは、互いに結合して環を形成してもよ
い。RE、RF及びRGは、それぞれ独立にアルキル基、
又はアリール基を表し、RE、RF及びRGは、互いに結
合して環を形成してもよい。RH及びRIは、それぞれ独
立にアルキル基を表す。
In the above formula, R A , R B , R C , R D , R J ,
R K , R L, and R M each independently represent an alkyl group, an aryl group, or an aralkyl group; R A , R B , R C, and R D may be bonded to each other to form a ring; R J ,
R K , R L and R M may combine with each other to form a ring. R E , R F and R G are each independently an alkyl group,
Or an aryl group, and R E , R F and R G may be bonded to each other to form a ring. R H and R I each independently represent an alkyl group.

【0063】更に好ましい例として、対カチオンが熱分
解性のオニウム塩である態様が挙げられる。前記熱分解
性のオニウム塩とは、示差熱/熱重量分析あるいは融点
測定器を用いて測定した場合に、分解が10mol%生
ずる温度が200℃以下のオニウム塩を指すものとす
る。このような熱分解性オニウム塩は、オニウム塩の置
換基を変化させることで容易に得ることができる。ここ
で用いられる熱分解性オニウム塩としては、熱分解性の
上記要件を満たすものであれば、アンモニウム塩、ジア
ゾニウム塩、オキソニウム塩、スルホニウム塩、セレニ
ウム塩、ホスホニウム塩、カルボニウム塩、ヨードニウ
ム塩等のいずれであってもよい。
A more preferred example is an embodiment in which the counter cation is a thermally decomposable onium salt. The term "thermally decomposable onium salt" means an onium salt having a temperature at which decomposition occurs at 10 mol% and a temperature of 200 ° C. or lower as measured by a differential thermal / thermogravimetric analysis or a melting point measuring device. Such a thermally decomposable onium salt can be easily obtained by changing the substituent of the onium salt. As the thermally decomposable onium salt used here, as long as it satisfies the above requirements for thermal decomposability, ammonium salts, diazonium salts, oxonium salts, sulfonium salts, selenium salts, phosphonium salts, carbonium salts, iodonium salts, etc. Any of them may be used.

【0064】前記一般式(I)中、アニオン性色素骨格
は、下記一般式(II)で表すことができる。
In the general formula (I), the anionic dye skeleton can be represented by the following general formula (II).

【0065】[0065]

【化11】 Embedded image

【0066】ここでθ、α、及びφは、それぞれ変数で
あり、それぞれの部分構造Gaθ、Mαφ、Gbθの組み
合わせにより、アニオン性色素骨格の具体的な構造を表
すことができる。例えば、部分構造Ga1、Mf3、G
b2が、それぞれ下記のような場合、
Here, θ, α, and φ are variables, and a specific structure of the anionic dye skeleton can be represented by a combination of the respective partial structures G a θ, Mα φ, and G b θ. For example, the partial structures G a1 , M f3 , G
When b2 is as follows ,

【0067】[0067]

【化12】 Embedded image

【0068】これらを組み合わせたアニオン性色素骨格
は、下記のような構造をとる。
The anionic dye skeleton obtained by combining these has the following structure.

【0069】[0069]

【化13】 Embedded image

【0070】以下に、アニオン性色素骨格の部分構造の
例、アニオン性色素骨格の例、及び対カチオンとして好
ましいオニウム塩の具体例を表すが、本発明はこれらの
具体例に制限されるものではない。部分構造Gaθの例
としては、以下のものが挙げられる。
Hereinafter, examples of the partial structure of the anionic dye skeleton, examples of the anionic dye skeleton, and specific examples of onium salts that are preferable as counter cations are shown. However, the present invention is not limited to these specific examples. Absent. Examples of the partial structure G a θ include the following.

【0071】[0071]

【化14】 Embedded image

【0072】[0072]

【化15】 Embedded image

【0073】部分構造Gbθの例としては、以下のもの
が挙げられる。
The following are examples of the partial structure G b θ.

【0074】[0074]

【化16】 Embedded image

【0075】[0075]

【化17】 Embedded image

【0076】メチン鎖Mαφの例としては、以下のもの
が挙げられる。
Examples of the methine chain Mαφ include the following.

【0077】[0077]

【化18】 Embedded image

【0078】[0078]

【化19】 Embedded image

【0079】メチン鎖Mαφが置換基を有する場合の置
換基Yの例としては、以下のものが挙げられる。
Examples of the substituent Y when the methine chain Mαφ has a substituent include the following.

【0080】[0080]

【化20】 Embedded image

【0081】[0081]

【化21】 Embedded image

【0082】アニオン性色素骨格の例としては、以下の
ものが挙げられる。
The following are examples of the anionic dye skeleton.

【0083】[0083]

【化22】 Embedded image

【0084】[0084]

【化23】 Embedded image

【0085】[0085]

【化24】 Embedded image

【0086】[0086]

【化25】 Embedded image

【0087】[0087]

【化26】 Embedded image

【0088】[0088]

【化27】 Embedded image

【0089】[0089]

【化28】 Embedded image

【0090】[0090]

【化29】 Embedded image

【0091】[0091]

【化30】 Embedded image

【0092】[0092]

【化31】 Embedded image

【0093】[0093]

【化32】 Embedded image

【0094】[0094]

【化33】 Embedded image

【0095】[0095]

【化34】 Embedded image

【0096】[0096]

【化35】 Embedded image

【0097】[0097]

【化36】 Embedded image

【0098】前記一般式(A)〜一般式(G)で表され
る好適な対カチオン部分構造の例としては、以下のもの
が挙げられる。
Examples of suitable counter cation partial structures represented by the general formulas (A) to (G) include the following.

【0099】[0099]

【化37】 Embedded image

【0100】前記一般式(H)で表される好適な対カチ
オン部分構造の例としては、以下のものが挙げられる。
Examples of suitable counter cation partial structures represented by formula (H) include the following.

【0101】[0101]

【化38】 Embedded image

【0102】前記一般式(I)で表される好適な対カチ
オン部分構造の例としては、以下のものが挙げられる。
Examples of suitable counter cation partial structures represented by the above general formula (I) include the following.

【0103】[0103]

【化39】 Embedded image

【0104】[0104]

【化40】 Embedded image

【0105】前記一般式(J)で表される好適な対カチ
オン部分構造の例としては、以下のものが挙げられる。
Examples of suitable counter cation partial structures represented by the general formula (J) include the following.

【0106】[0106]

【化41】 Embedded image

【0107】前記一般式(K)で表される好適な対カチ
オン部分構造の例としては、以下のものが挙げられる。
Examples of suitable counter cation partial structures represented by the general formula (K) include the following.

【0108】[0108]

【化42】 Embedded image

【0109】[0109]

【化43】 Embedded image

【0110】本発明に用いられるアニオン性赤外線吸収
剤の合成は、活性メチレンを有する化合物とメチレン鎖
供与体とを塩基の存在下で縮合させることにより行うこ
とができる。この合成方法は、色素の一般的な合成法、
例えば、「染料と薬品」(1991年)第274〜28
9頁に記載されたオキソノール色素の合成法に準じて行
うことができる。
The synthesis of the anionic infrared absorbent used in the present invention can be carried out by condensing a compound having active methylene with a methylene chain donor in the presence of a base. This synthesis method is a general synthesis method of a dye,
For example, "Dyes and Chemicals" (1991) 274-28
It can be carried out according to the method for synthesizing oxonol dyes described on page 9.

【0111】本発明においては、前記一般式(I)で表さ
れるオキソノール系色素が吸光度等の点で好ましい。こ
のような色素としては、EP444,786号、EP3
97,435号に記載のものや、好ましくは特願平10
−79912号、特願平10−237634号、及び特
願平10−270097号に記載のものが挙げられる。
また、特開平10−297103号に記載のものも用い
ることができる。
In the present invention, oxonol-based dyes represented by the above general formula (I) are preferred in terms of absorbance and the like. Examples of such dyes include EP 444,786 and EP 3
No. 97,435, and preferably Japanese Patent Application No.
-79912, Japanese Patent Application No. 10-237634, and Japanese Patent Application No. 10-270097.
Further, those described in JP-A-10-297103 can also be used.

【0112】本発明においては、これらのアニオン性赤
外線吸収剤は、画像記録材料の全固形分に対して0.0
1〜50重量%、好ましくは0.1〜20重量%、より
好ましくは0.5〜15重量%の割合で添加することが
できる。該添加量が0.01重量%より少ないと、この
画像記録材料によって画像を形成することができず、5
0重量%を超えて添加すると、平版印刷版用原版の感光
層として用いた場合に、非画像部に汚れを生じることが
ある。
In the present invention, these anionic infrared absorbents are used in an amount of 0.04% to the total solid content of the image recording material.
It can be added at a rate of 1 to 50% by weight, preferably 0.1 to 20% by weight, more preferably 0.5 to 15% by weight. If the amount is less than 0.01% by weight, an image cannot be formed with this image recording material, and
When added in excess of 0% by weight, when used as a photosensitive layer of a lithographic printing plate precursor, stains may occur on non-image areas.

【0113】本発明の画像記録材料には、本発明の効果
を損なわない限り、この赤外線吸収剤に加えて、他の赤
外線吸収性を有する顔料あるいは染料を添加することが
できる。前記顔料としては、市販の顔料及びカラーイン
デックス(C.I.)便覧、「最新顔料便覧」(日本顔
料技術協会編、1977年刊)、「最新顔料応用技術」
(CMC出版、1986年刊)、「印刷インキ技術」C
MC出版、1984年刊)に記載されている顔料が利用
できる。
To the image recording material of the present invention, other pigments or dyes having an infrared absorbing property can be added in addition to the infrared absorbing agent as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of the pigment include commercially available pigment and color index (CI) handbook, "Latest Pigment Handbook" (edited by Japan Pigment Technical Association, 1977), "Latest Pigment Application Technology"
(CMC Publishing, 1986), "Printing ink technology" C
MC Publishing, 1984) can be used.

【0114】前記顔料の種類としては、黒色顔料、黄色
顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、赤色顔料、紫色顔
料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、金属粉顔料、その
他、ポリマー結合色素が挙げられる。具体的には、不溶
性アゾ顔料、アゾレーキ顔料、縮合アゾ顔料、キレート
アゾ顔料、フタロシアニン系顔料、アントラキノン系顔
料、ペリレン及びペリノン系顔料、チオインジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料、ジオキサジン系顔料、イソイ
ンドリノン系顔料、キノフタロン系顔料、染付けレーキ
顔料、アジン顔料、ニトロソ顔料、ニトロ顔料、天然顔
料、蛍光顔料、無機顔料、カーボンブラック等が挙げら
れる。
Examples of the pigments include black pigments, yellow pigments, orange pigments, brown pigments, red pigments, purple pigments, blue pigments, green pigments, fluorescent pigments, metal powder pigments, and polymer-bound pigments. . Specifically, insoluble azo pigments, azo lake pigments, condensed azo pigments, chelated azo pigments, phthalocyanine pigments, anthraquinone pigments, perylene and perinone pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, dioxazine pigments, isoindolinone pigments And quinophthalone pigments, dyed lake pigments, azine pigments, nitroso pigments, nitro pigments, natural pigments, fluorescent pigments, inorganic pigments, carbon black and the like.

【0115】これら顔料は表面処理をせずに用いてもよ
く、表面処理を施して用いてもよい。表面処理の方法に
は、樹脂やワックスを表面コートする方法、界面活性剤
を付着させる方法、反応性物質(例えば、シランカップ
リング剤やエポキシ化合物、ポリイソシアネート等)を
顔料表面に結合させる方法等が考えられる。上記の表面
処理方法は、「金属石鹸の性質と応用」(幸書房)、
「印刷インキ技術」(CMC出版、1984年刊)及び
「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)に
記載されている。
These pigments may be used without surface treatment, or may be used after surface treatment. Examples of the surface treatment include a method of surface-coating a resin or wax, a method of attaching a surfactant, and a method of binding a reactive substance (for example, a silane coupling agent, an epoxy compound, or a polyisocyanate) to the pigment surface. Can be considered. The above surface treatment methods are described in "Properties and Applications of Metallic Soap" (Koshobo),
It is described in "Printing Ink Technology" (CMC Publishing, 1984) and "Latest Pigment Application Technology" (CMC Publishing, 1986).

【0116】前記顔料の粒径は、0.01〜10μmが
好ましく、0.05〜1μmがより好ましく、0.1〜
1μmが特に好ましい。前記顔料の粒径が0.01μm
未満のときは、分散物の感光層塗布液中での安定性の点
で好ましくなく、また、10μmを超えると、感光層の
均一性の点で好ましくない。前記顔料を分散する方法と
しては、インク製造やトナー製造等に用いられる公知の
分散技術が使用できる。分散機としては、超音波分散
器、サンドミル、アトライター、パールミル、スーパー
ミル、ボールミル、インペラー、デスパーザー、KDミ
ル、コロイドミル、ダイナトロン、3本ロールミル、加
圧ニーダー等が挙げられる。詳細は、「最新顔料応用技
術」(CMC出版、1986年刊)に記載がある。
The particle size of the pigment is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.05 to 1 μm, and 0.1 to 10 μm.
1 μm is particularly preferred. The particle size of the pigment is 0.01 μm
When it is less than 10 μm, it is not preferable in terms of stability of the dispersion in the coating solution of the photosensitive layer, and when it exceeds 10 μm, it is not preferable in terms of uniformity of the photosensitive layer. As a method for dispersing the pigment, a known dispersion technique used in the production of ink or toner can be used. Examples of the disperser include an ultrasonic disperser, a sand mill, an attritor, a pearl mill, a super mill, a ball mill, an impeller, a disperser, a KD mill, a colloid mill, a dynatron, a three-roll mill, and a pressure kneader. Details are described in "Latest Pigment Application Technology" (CMC Publishing, 1986).

【0117】前記染料としては、市販の染料及び文献
(例えば「染料便覧」有機合成化学協会編集、昭和45
年刊)に記載されている公知のものが利用できる。具体
的には、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、ピラゾロンアゾ
染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、カル
ボニウム染料、キノンイミン染料、メチン染料、シアニ
ン染料等が挙げられる。本発明において、これらの顔
料、もしくは染料のうち赤外光、もしくは近赤外光を吸
収するものが、赤外光もしくは近赤外光を発光するレー
ザでの利用に適する点で特に好ましい。
Examples of the dye include commercially available dyes and literatures (eg, “Dye Handbook” edited by The Society of Synthetic Organic Chemistry, Showa 45)
Known publications described in the annual publication can be used. Specific examples include azo dyes, metal complex salt azo dyes, pyrazolone azo dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinone imine dyes, methine dyes, and cyanine dyes. In the present invention, among these pigments or dyes, those that absorb infrared light or near-infrared light are particularly preferable because they are suitable for use in lasers that emit infrared light or near-infrared light.

【0118】そのような赤外光、もしくは近赤外光を吸
収する顔料としては、カーボンブラックが好適に用いら
れる。また、赤外光、もしくは近赤外光を吸収する染料
としては、例えば、特開昭58−125246号、特開
昭59−84356号、特開昭59−202829号、
特開昭60−78787号等に記載されているシアニン
染料、特開昭58−173696号、特開昭58−18
1690号、特開昭58−194595号等に記載され
ているメチン染料、特開昭58−112793号、特開
昭58−224793号、特開昭59−48187号、
特開昭59−73996号、特開昭60−52940
号、特開昭60−63744号等に記載されているナフ
トキノン染料、特開昭58−112792号等に記載さ
れているスクワリリウム色素、英国特許434,875
号記載のシアニン染料、米国特許5,380,635号
に記載のジヒドロペリミジンスクアリリウム染料等を挙
げることができる。
As such a pigment absorbing infrared light or near infrared light, carbon black is preferably used. Further, examples of dyes that absorb infrared light or near infrared light include, for example, JP-A-58-125246, JP-A-59-84356, JP-A-59-202829,
Cyanine dyes described in JP-A-60-78787, JP-A-58-173696, JP-A-58-18
1690, methine dyes described in JP-A-58-194595, JP-A-58-112793, JP-A-58-224793, JP-A-59-48187,
JP-A-59-73996, JP-A-60-52940
Naphthoquinone dyes described in JP-A-60-63744, squarylium dyes described in JP-A-58-112792, etc., British Patent 434,875
And the dihydroperimidine squarylium dye described in U.S. Pat. No. 5,380,635.

【0119】また、前記染料として米国特許第5,15
6,938号記載の近赤外吸収増感剤も好適に用いら
れ、また、米国特許第3,881,924号記載の置換
されたアリールベンゾ(チオ)ピリリウム塩、特開昭5
7−142645号(米国特許第4,327,169
号)記載のトリメチンチアピリリウム塩、特開昭58−
181051号、同58−220143号、同59−4
1363号、同59−84248号、同59−8424
9号、同59−146063号、同59−146061
号に記載されているピリリウム系化合物、特開昭59−
216146号記載のシアニン色素、米国特許第4,2
83,475号に記載のペンタメチンチオピリリウム塩
等や特公平5−13514号、同5−19702号公報
に開示されているピリリウム化合物、Epolight
III−178、Epolight III−130、Ep
olight III−125、Epolight IV−
62A等は特に好ましく用いられる。また、前記染料と
して特に好ましい別の例として、米国特許第4,75
6,993号明細書中に式(I)、(II)として記載され
ている近赤外吸収染料を挙げることができる。
Further, US Pat.
The near-infrared absorption sensitizer described in US Pat. No. 6,938,938 is also preferably used, and substituted arylbenzo (thio) pyrylium salts described in U.S. Pat. No. 3,881,924;
No. 7-142645 (U.S. Pat. No. 4,327,169)
No. 3) described in JP-A-58-1983.
No. 181051, No. 58-220143, No. 59-4
Nos. 1363, 59-84248, 59-8424
No. 9, No. 59-146063, No. 59-146061
Pyrylium compounds described in JP-A-59-
No. 216146, US Pat.
Pentamethine thiopyrylium salt described in JP-A-83,475, pyrylium compounds disclosed in JP-B-5-13514 and JP-A-5-19702, and Epollight.
III-178, Epollight III-130, Ep
light III-125, Epolight IV-
62A and the like are particularly preferably used. Another particularly preferred example of the dye is disclosed in U.S. Pat.
No. 6,993, near-infrared absorbing dyes described as formulas (I) and (II).

【0120】これらの染料もしくは顔料は、本発明の画
像記録材料に添加して、他の成分とともに感光層に添加
してもよいし、平版印刷版用原版の作製にあたり、感光
層以外の別の層を設けそこへ添加してもよい。これらの
染料もしくは顔料は一種のみを添加してもよく、二種以
上を混合して使用してもよい。
These dyes or pigments may be added to the image-recording material of the present invention and added to the photosensitive layer together with other components. A layer may be provided and added thereto. These dyes or pigments may be used alone or in combination of two or more.

【0121】[(a)酸発生剤]本発明において、光又
は熱により分解して酸を発生する化合物は、200〜5
00nmの波長の光照射又は100℃以上の加熱により
酸を発生する化合物を意味する。本発明において好適に
用いられる酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始
剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光
変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている
公知の酸発生剤等、公知の熱分解して酸を発生する化合
物、及びそれらの混合物等が挙げられるが、カチオン性
の酸発生剤が特に好ましく挙げられる。その理由は、本
発明で用いる赤外線吸収剤はアニオン性であるため、イ
オン結合により膜中でのアニオン性の赤外線吸収剤とカ
チオン性の酸発生剤との距離が近く、効率よく赤外線吸
収剤からの熱を酸発生剤に伝達することができるためと
考えられる。
[(A) Acid Generator] In the present invention, the compound capable of decomposing by light or heat to generate an acid is 200 to 5
It means a compound that generates an acid upon irradiation with light having a wavelength of 00 nm or heating at 100 ° C. or higher. As the acid generator suitably used in the present invention, a photoinitiator for photocationic polymerization, a photoinitiator for photoradical polymerization, a photodecolorant for dyes, a photochromic agent, or a microresist is used. Known acid generators and the like, known compounds that generate an acid upon thermal decomposition, and mixtures thereof, and the like, and cationic acid generators are particularly preferred. The reason is that since the infrared absorber used in the present invention is anionic, the distance between the anionic infrared absorber and the cationic acid generator in the membrane is short due to ionic bonding, and the infrared absorber is efficiently separated from the infrared absorber. It is considered that this heat can be transferred to the acid generator.

【0122】例えば、S.I.Schlesinge
r,Photogr.Sci.Eng.,18,387
(1974)、T.S.Bal et al,Poly
mer,21,423(1980)に記載のジアゾニウ
ム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同Re27,992号の各明細書、特開
平4−365049号公報に記載のアンモニウム塩、
D.C.Necker etal,Macromole
cules,17,2468(1984)、C.S.W
en et al,Teh,Proc.Conf.Ra
d,CuringASIA,p478 Tokyo,O
ct(1988)、米国特許第4,069,055号、
同4,069,056号の各明細書に記載のホスホニウ
ム塩、J.V.Crivello et al,Mac
romolecules,10(6),1307(19
77)、Chem.& Eng.News,Nov.2
8,p31(1988)、欧州特許第104、143
号、米国特許第339,049号、同第410,201
号の各明細書、特開平2−150848号、特開平2−
296514号の各公報に記載のヨードニウム塩、J.
V.Crivelloet al,Polymer
J.17,73(1985)、J.V.Crivell
o et al.J.Org.Chem.,43,30
55(1978)、W.R.Watt et al,
J.Polymer Sci.,Polymer Ch
em.Ed.,22,1789(1984)、J.V.
Crivello et al,Polymer
For example, S.I. I. Schlesinge
r, Photogr. Sci. Eng. , 18,387
(1974); S. Bal et al, Poly
mer, 21,423 (1980), U.S. Pat. Nos. 4,069,055 and 4,062.
9,056 and Re27,992, and ammonium salts described in JP-A-4-365049;
D. C. Necker etal, Macromole
cules, 17, 2468 (1984), C.I. S. W
en et al, Teh, Proc. Conf. Ra
d, CuringASIA, p478 Tokyo, O
ct (1988), U.S. Pat. No. 4,069,055,
The phosphonium salts described in each specification of JP-A-4,069,056; V. Crivello et al, Mac
romolecules, 10 (6), 1307 (19
77), Chem. & Eng. News, Nov .; 2
8, p31 (1988), EP 104,143.
Nos. 339,049 and 410,201.
No., JP-A-2-150848, JP-A-2-150848
Iodonium salts described in each publication of J.
V. Crivello et al, Polymer
J. 17, 73 (1985); V. Crivell
o et al. J. Org. Chem. , 43,30
55 (1978); R. Watt et al,
J. Polymer Sci. , Polymer Ch
em. Ed. , 22, 1789 (1984); V.
Crivello et al, Polymer

【0123】Bull.,14,279(1985)、
J.V.Crivello et al,Macrom
olecules,14(5),1141(198
1)、J.V.Crivello et al,J.P
olymer Sci.,Polymer Chem.
Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第37
0,693号、同390,214号、同233,567
号、同297,443号、同297,442号、米国特
許第4,933,377号、同161,811号、同4
10,201号、同339,049号、同4,760,
013号、同4,734,444号、同2,833,8
27号、独国特許第2,904,626号、同3,60
4,580号、同3,604,581号の各明細書に記
載のスルホニウム塩、
Bull. , 14, 279 (1985),
J. V. Crivello et al, Macrom
olecules, 14 (5), 1141 (198
1). V. Crivello et al, J. Mol. P
polymer Sci. , Polymer Chem.
Ed. , 17, 2877 (1979), EP 37
Nos. 0,693, 390,214, 233,567
Nos. 297,443 and 297,442; U.S. Pat. Nos. 4,933,377; 161,811;
No. 10,201, No. 339,049, No. 4,760,
No. 013, No. 4,734,444, No. 2,833,8
No. 27, German Patent Nos. 2,904,626 and 3,60
4,580, 3,604,581, the sulfonium salt described in each specification,

【0124】J.V.Crivello et al,
Macromolecules,10(6),1307
(1977)、J.V.Crivello et a
l,J.Polymer Sci.,Polymer
Chem.Ed.,17,1047(1979)に記載
のセレノニウム塩、C.S.Wen et al,Te
h,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)に記
載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,9
05,815号明細書、特公昭46−4605、特開昭
48−36281、特開昭55−32070、特開昭6
0−239736、特開昭61−169835、特開昭
61−169837、特開昭62−58241、特開昭
62−212401、特開昭63−70243、特開昭
63−298339の各公報に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meier et al,J.Rad.Cur
ing,13(4),26(1986),T.P.Gi
ll et al,Inorg.Chem.,19,3
007(1980)、D.Astruc,Acc.Ch
em.Res.,19(12),377(1896)、
特開平2−161445号公報に記載の有機金属/有機
ハロゲン化物、S.Hayase et al,J.P
olymer Sci.,25,753(1987)、
E.Reichmanis et al,J.Poly
mer Sci.,Polymer Chem.E
d.,23,1(1985)、Q.Q.Zhu et
al,J Photochem.,36,85,39,
317(1987)、B.Amit et al,Te
trahedron Lett.,(24)2205
(1973),
J. V. Crivello et al,
Macromolecules, 10 (6), 1307
(1977); V. Crivello et a
1, J .; Polymer Sci. , Polymer
Chem. Ed. , 17, 1047 (1979); S. Wen et al, Te
h, Proc. Conf. Rad. Curing AS
Onium salts such as arsonium salts described in IA, p478 Tokyo, Oct (1988), US Pat.
No. 05,815, JP-B-46-4605, JP-A-48-36281, JP-A-55-32070, JP-A-55-32070.
0-239736, JP-A-61-169835, JP-A-61-169837, JP-A-62-58241, JP-A-62-212401, JP-A-63-70243, and JP-A-63-298339. Organic halogen compounds, K. Meier et al, J. Mol. Rad. Cur
ing, 13 (4), 26 (1986); P. Gi
ll et al, Inorg. Chem. , 19,3
007 (1980); Astruc, Acc. Ch
em. Res. , 19 (12), 377 (1896),
Organometallic / organic halides described in JP-A-2-161445; Hayase et al, J. Mol. P
polymer Sci. , 25, 753 (1987),
E. FIG. Reichmanis et al. Poly
mer Sci. , Polymer Chem. E
d. , 23, 1 (1985); Q. Zhu et
al, J Photochem. , 36, 85, 39,
317 (1987); Amit et al, Te
trahedron Lett. , (24) 2205
(1973),

【0125】D.H.R.Barton et al,
J.Chem.Soc.3571(1965)、P.
M.Collins et al,J.Chem.So
c.,Perkin I,1695(1975)、M.
Rudinstein et al,Tetrahed
ron Lett.,(17),1445(197
5)、J.W.Walker et al,J.Am.
Chem.Soc.,110,7170(1988)、
S.C.Busman et al,J.Imagin
g Technol.,11(4),191(198
5)、H.M.Houlihan et al,Mac
romolecules,21,2001(198
8)、P.M.Collins et al,J.Ch
em.Soc.,Chem.Commun.,532
(1972)、S.Hayase et al,Mac
romolecules,18,1799(198
5)、E.Reichmanis et al,J.E
lectrochem.Soc.,SolidStat
e Sci.Technol.,130(6)、F.
M.Houlihan et al,Macromol
ecules,21,2001(1988)、欧州特許
第0290,750号、同046,083号、同15
6,535号、同271,851号、同0,388,3
43号、米国特許第3,901,710号、同4,18
1,531号の各明細書、特開昭60−198538
号、特開昭53−133022号の各公報に記載のo−
ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.Tu
nooka et al,Polymer Prepr
ints Japan,38(8)、G.Berner
et al,J.Rad.Curing,13
(4)、W.J.Mijs et al,Coatin
gTechnol.,55(697),45(198
3)、Akzo,H.Adachi et al,Po
lymer Preprints,Japan,37
(3)、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同199,672号、同044,115号、同01
01,122号、米国特許第4,618,564号、同
4,371,605号、同4,431,774号の各明
細書、特開昭64−18143号、特開平2−2457
56号、特願平3−140109号の各公報に記載のイ
ミノスルフォネート等に代表される、光分解してスルホ
ン酸を発生する化合物、特開昭61−166544号公
報に記載のジスルホン化合物が挙げられる。
D. H. R. Barton et al,
J. Chem. Soc. 3571 (1965);
M. Collins et al, J. Mol. Chem. So
c. , Perkin I, 1695 (1975);
Rudinstein et al, Tetrahed
ron Lett. , (17), 1445 (197
5). W. Walker et al, J.A. Am.
Chem. Soc. , 110, 7170 (1988),
S. C. Busman et al, J. M .; Imagin
gTechnol. , 11 (4), 191 (198
5), H. M. Houlihan et al, Mac
romolecules, 21, 2001 (198
8), p. M. Collins et al, J. Mol. Ch
em. Soc. Chem. Commun. , 532
(1972); Hayase et al, Mac
romolecules, 18, 1799 (198
5), E. Reichmanis et al. E
electrochem. Soc. , SolidStat
e Sci. Technol. , 130 (6);
M. Houlihan et al, Macromol
ecules, 21, 2001 (1988), European Patent Nos. 0290,750, 046,083 and 15
6,535, 271 and 851, 0,388,3
No. 43, U.S. Pat. Nos. 3,901,710 and 4,18
1,531, JP-A-60-198538
Described in each gazette of JP-A-53-133022.
A photoacid generator having a nitrobenzyl-type protecting group; Tu
nooka et al, Polymer Prepr
ints Japan, 38 (8); Berner
et al, J.A. Rad. Curing, 13
(4); J. Mijs et al, Coatin
gTechnol. , 55 (697), 45 (198
3), Akzo, H .; Adachi et al, Po
lymer Preprints, Japan, 37
(3), European Patent Nos. 0199,672 and 84515
Nos. 199,672, 044,115, 01
No. 01,122, U.S. Pat. Nos. 4,618,564, 4,371,605 and 4,431,774, JP-A-64-18143, JP-A-2-2457.
No. 56, compounds disclosed in Japanese Patent Application Nos. 3-140109 and the like, compounds which generate sulfonic acid by photolysis, such as iminosulfonates, and disulfone compounds described in JP-A-61-166544. Is mentioned.

【0126】また、これらの酸を発生する基、あるいは
化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例
えば、M.E.Woodhouse et al,J.
Am.Chem.Soc.,104,5586(198
2)、S.P.Pappaset al,J.Imag
ing Sci.,30(5),218(1986)、
S.Kondo et al.Makromol.Ch
em.,RapidCommun.,9,625(19
88)、Y.Yamada et al,Makrom
ol.Chem.,152,153,163(197
2)、J.V.Crivello et al.J.P
olymer Sci.,Polymer Chem.
Ed.,17,3845(1979)、米国特許第3,
849,137号、独国特許第3,914,407号の
各明細書、特開昭63−26653号、特開昭55−1
64824号、特開昭62−69263号、特開昭63
−146037号、特開昭63−163452号、特開
昭62−153853号、特開昭63−146029号
の各公報に記載の化合物を用いることができる。
Compounds in which these acid-generating groups or compounds are introduced into the main chain or side chain of the polymer, for example, M.P. E. FIG. Woodhouse et al, J. Mol.
Am. Chem. Soc. , 104, 5586 (198
2), S.M. P. Pappaset al, J .; Imag
ing Sci. , 30 (5), 218 (1986),
S. Kondo et al. Makromol. Ch
em. , RapidCommun. , 9, 625 (19
88), Y. Yamada et al, Makrom
ol. Chem. , 152, 153, 163 (197
2). V. Crivello et al. J. P
polymer Sci. , Polymer Chem.
Ed. , 17, 3845 (1979); U.S. Pat.
849,137, German Patent No. 3,914,407, JP-A-63-26653, JP-A-55-1.
No. 64824, JP-A-62-69263, JP-A-63-69263
Compounds described in JP-A-146037, JP-A-63-163452, JP-A-62-153853, and JP-A-63-146029 can be used.

【0127】更に、V.N.R.Pillai,Syn
thesis,(1),1(1980)、A.Abad
et al,Tetrahedron Lett.,
(47)4555(1971)、D.H.R.Bart
on et al,J.Chem,Soc,.(C),
329(1970)、米国特許第3,779,778
号、欧州特許第126,712号の各明細書等に記載の
光により酸を発生する化合物も使用することができる。
これらのうち本発明で特に好ましく用いられる酸発生剤
としては、下記一般式(I)〜(V)で表される化合物
が挙げられる。
Further, V.I. N. R. Pilai, Syn
thesis, (1), 1 (1980); Abad
et al, Tetrahedron Lett. ,
(47) 4555 (1971); H. R. Bart
on et al, J.A. Chem, Soc,. (C),
329 (1970); U.S. Pat. No. 3,779,778.
And compounds capable of generating an acid by light described in the specifications of European Patent No. 126,712 and the like can also be used.
Among these, examples of the acid generator particularly preferably used in the present invention include compounds represented by the following general formulas (I) to (V).

【0128】[0128]

【化44】 Embedded image

【0129】前記一般式(I)〜(V)中、R1、R2
4及びR5は、同じでも異なっていてもよく、置換基を
有していてもよい炭素数20個以下の炭化水素基を表
す。R 3は、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい
炭素数10個以下の炭化水素基、叉は炭素数10個以下
のアルコキシ基を表す。Ar1、Ar2は、同じでも異な
っていてもよく、置換基を有していてもよい炭素数20
個以下のアリール基を表す。R6は、置換基を有してい
てもよい炭素数20個以下の2価の炭化水素基を表す。
nは0〜4の整数を表す。
In the general formulas (I) to (V), R1, RTwo,
RFourAnd RFiveMay be the same or different, and the substituent
The hydrocarbon groups having 20 or less carbon atoms that may be
You. R ThreeMay have a halogen atom or a substituent
Hydrocarbon group having 10 or less carbon atoms or 10 or less carbon atoms
Represents an alkoxy group. Ar1, ArTwoAre the same but different
Having 20 carbon atoms which may have a substituent
Represents up to two aryl groups. R6Has a substituent
Represents a divalent hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms.
n represents the integer of 0-4.

【0130】前記一般式(I)〜(V)において、
1、R2、R4及びR5は、それぞれ独立に、置換基を有
していてもよい炭素数20個以下の炭化水素基を表し、
好ましくは炭素数1〜14の炭化水素基を表す。前記炭
化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル
基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ウンデシル
基、ドデシル基等のアルキル基、アリル基、ビニル基、
1−メチルビニル基、2−フェニルビニル基等のアルケ
ニル基、ベンジル基等のアラルキル基、フェニル基、ト
リル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ドデシ
ルフェニル基、フェニルフェニル基、ナフチル基、アン
トラセニル基等のアリール基が挙げられる。これらの炭
化水素基は、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、ニ
トロ基、シアノ基、カルボキシ基等の置換基を有してい
てもよい。置換基を有する炭化水素基の具体例として
は、トリフルオロメチル基、クロロエチル基、2−メト
キシエチル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル
基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキシフ
ェニル基、フェノキシフェニル基、メトキシフェニルビ
ニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、カルボ
キシフェニル基、9,10−ジメトキシアントラセニル
基等が挙げられる。
In the above general formulas (I) to (V),
R 1 , R 2 , R 4 and R 5 each independently represent a hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms which may have a substituent,
It preferably represents a hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. Specific examples of the hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, and n-
Propyl group, i-propyl group, n-butyl group, sec-
Butyl group, t-butyl group, hexyl group, cyclohexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, undecyl group, alkyl group such as dodecyl group, allyl group, vinyl group,
Alkenyl groups such as 1-methylvinyl group and 2-phenylvinyl group, aralkyl groups such as benzyl group, phenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, dodecylphenyl group, phenylphenyl group, naphthyl group, anthracenyl And an aryl group such as a group. These hydrocarbon groups may have a substituent such as a halogen atom, an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, and a carboxy group. Specific examples of the hydrocarbon group having a substituent include a trifluoromethyl group, a chloroethyl group, a 2-methoxyethyl group, a fluorophenyl group, a chlorophenyl group, a bromophenyl group, an iodophenyl group, a methoxyphenyl group, a phenoxyphenyl group, Examples include a methoxyphenylvinyl group, a nitrophenyl group, a cyanophenyl group, a carboxyphenyl group, and a 9,10-dimethoxyanthracenyl group.

【0131】前記一般式(I)〜(V)において、R3
は、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1
0個以下の炭化水素基(例えば、アルキル基、アルケニ
ル基、アラルキル基、アリール基)叉は炭素数10個以
下のアルコキシ基を表す。具体的には、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、i−プロピル基、アリル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、
シクロヘキシル基、ベンジル基、フェニル基、トリル基
等の炭化水素基、2−メトキシエチル基、フルオロフェ
ニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨード
フェニル基、メトキシフェニル基等の置換基を有する炭
化水素基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基が
挙げられる。また、nが2以上の場合、隣接する2個の
3で互いに結合し、縮環していてもよい。
In the general formulas (I) to (V), R 3
Is a halogen atom, an optionally substituted 1 carbon atom
It represents a hydrocarbon group having 0 or less (for example, an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, or an aryl group) or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms. Specifically, fluorine, chlorine,
Halogen atom such as bromine and iodine, methyl group, ethyl group,
n-propyl group, i-propyl group, allyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, hexyl group,
Hydrocarbon groups such as cyclohexyl group, benzyl group, phenyl group and tolyl group, and hydrocarbon groups having substituents such as 2-methoxyethyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, iodophenyl group and methoxyphenyl group And methoxy and ethoxy groups. When n is 2 or more, two adjacent R 3 may be bonded to each other to form a condensed ring.

【0132】前記一般式(I)〜(V)において、Ar
1及びAr2は、同じであっても異なっていてもよく、置
換基を有していてもよい炭素数20個以下のアリール
基、好ましくは炭素数6〜14のアリール基を表す。具
体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニ
ル基、メシチル基、ドデシルフェニル基、フェニルフェ
ニル基、ナフチル基、フルオロフェニル基、クロロフェ
ニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、クロロ
ナフチル基、メトキシフェニル基、フェノキシフェニル
基、エトキシナフチル基、ニトロフェニル基、シアノフ
ェニル基、カルボキシフェニル基、ニトロナフチル基、
アントラセニル基等が挙げられる。
In the general formulas (I) to (V), Ar
1 and Ar 2 may be the same or different and represent an optionally substituted aryl group having 20 or less carbon atoms, preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms. Specifically, phenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, dodecylphenyl, phenylphenyl, naphthyl, fluorophenyl, chlorophenyl, bromophenyl, iodophenyl, chloronaphthyl, Methoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, ethoxynaphthyl group, nitrophenyl group, cyanophenyl group, carboxyphenyl group, nitronaphthyl group,
And an anthracenyl group.

【0133】前記一般式(I)〜(V)において、R6
は、置換基を有していてもよい炭素数20個以下の2価
の炭化水素基(例えば、アルキレン基、アルケニレン
基、アラルキレン基、アリーレン基)を表す。具体的に
は、エチニレン基、1,2−シクロヘキセニレン基、
1,2−フェニレン基、4−クロロ−1,2−フェニレ
ン基、4−ニトロ−1,2−フェニレン基、4−メチル
−1,2−フェニレン基、4−メトキシ−1,2−フェ
ニレン基、4−カルボキシ−1,2−フェニレン基、
1,8−ナフタレニレン基等が挙げられる。nは0〜4
の整数を表す。ここで、nが0の場合は、R3がないこ
と、即ち、水素原子であることを表す。
In the general formulas (I) to (V), R 6
Represents a divalent hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms which may have a substituent (for example, an alkylene group, an alkenylene group, an aralkylene group, and an arylene group). Specifically, an ethynylene group, a 1,2-cyclohexenylene group,
1,2-phenylene group, 4-chloro-1,2-phenylene group, 4-nitro-1,2-phenylene group, 4-methyl-1,2-phenylene group, 4-methoxy-1,2-phenylene group A 4-carboxy-1,2-phenylene group,
Examples include a 1,8-naphthalenylene group. n is 0 to 4
Represents an integer. Here, when n is 0, it means that there is no R 3 , that is, it is a hydrogen atom.

【0134】前記一般式(I)〜(V)で表される化合
物の内、好ましいものを以下に挙げる。尚、これらの化
合物は、例えば、特開平2−100054号公報及び特
開平2−100055号公報に記載の方法にて合成する
ことができる。
Preferred compounds among the compounds represented by formulas (I) to (V) are described below. These compounds can be synthesized, for example, by the methods described in JP-A Nos. 2-100054 and 2-100055.

【0135】[0135]

【化45】 Embedded image

【0136】[0136]

【化46】 Embedded image

【0137】[0137]

【化47】 Embedded image

【0138】[0138]

【化48】 Embedded image

【0139】[0139]

【化49】 Embedded image

【0140】[0140]

【化50】 Embedded image

【0141】[0141]

【化51】 Embedded image

【0142】[0142]

【化52】 Embedded image

【0143】[0143]

【化53】 Embedded image

【0144】[0144]

【化54】 Embedded image

【0145】[0145]

【化55】 Embedded image

【0146】また、(a)酸発生剤として、ハロゲン化
物やスルホン酸等を対イオンとするオニウム塩、好まし
くは下記一般式(VI)〜(VIII)で示されるヨード
ニウム塩、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩のいずれか
の構造式を有するものも、好ましく挙げられる。
(A) As an acid generator, an onium salt having a counter ion of a halide or sulfonic acid, preferably an iodonium salt, a sulfonium salt or a diazonium salt represented by the following general formulas (VI) to (VIII): Those having any of the structural formulas are also preferably mentioned.

【0147】[0147]

【化56】 Embedded image

【0148】前記一般式(VI)〜(VIII)中、X
-は、ハロゲン化物イオン、ClO4 -、PF6 -、SbF6
-、BF4 -、又はR7−SO3 -が挙げられ、ここで、R7
は、置換基を有していてもよい炭素数20以下の炭化水
素基を表す。Ar3及びAr4は、それぞれ、置換基を有
していてもよい炭素数20以下のアリール基を表す。R
8、R9、及びR10は、それぞれ置換基を有していてもよ
い炭素数18以下の炭化水素基を表す。
In the above general formulas (VI) to (VIII), X
- is a halide ion, ClO 4 -, PF 6 - , SbF 6
-, BF 4 -, or R 7 -SO 3 - and the like, wherein, R 7
Represents a hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms which may have a substituent. Ar 3 and Ar 4 each represent an aryl group having 20 or less carbon atoms which may have a substituent. R
8 , R 9 and R 10 each represent a hydrocarbon group having 18 or less carbon atoms which may have a substituent.

【0149】前記一般式(VI)〜(VIII)におい
て、X-としては、R7−SO3 -が特に好ましく用いら
れ、ここで、R7としては、置換基を有していてもよい
炭素数20以下の炭化水素基を表す。R7で表される炭
化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、i−プロピル基、アリル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シ
クロヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、
ドデシル基等のアルキル基、ビニル基、1−メチルビニ
ル基、2−フェニルビニル基等のアルケニル基、ベンジ
ル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ト
リル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ドデシ
ルフェニル基、フェニルフェニル基、ナフチル基、アン
トラセニル基等のアリール基が挙げられる。これらの炭
化水素基は、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ア
ルコキシ基、アリルオキシ基、ニトロ基、シアノ基、カ
ルボニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル
基、アニリノ基、アセトアミド基等の置換基を有してい
てもよい。置換基を有する炭化水素基の具体例として
は、トリフルオロメチル基、2−メトキシエチル基、1
0−カンファーニル基、フルオロフェニル基、クロロフ
ェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メト
キシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、フェノキシフ
ェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、カル
ボキシフェニル基、メトキシナフチル基、ジメトキシア
ントラセニル基、ジエトキシアントラセニル基、アント
ラキノニル基等が挙げられる。
In the general formulas (VI) to (VIII), R 7 —SO 3 is particularly preferably used as X , wherein R 7 is a carbon atom which may have a substituent. Represents a hydrocarbon group having a number of 20 or less. Specific examples of the hydrocarbon group represented by R 7 include a methyl group, an ethyl group, and n-
Propyl, i-propyl, allyl, n-butyl, sec-butyl, t-butyl, hexyl, cyclohexyl, octyl, 2-ethylhexyl,
Alkyl groups such as dodecyl group, alkenyl groups such as vinyl group, 1-methylvinyl group and 2-phenylvinyl group, aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group, phenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group and mesityl group And aryl groups such as dodecylphenyl group, phenylphenyl group, naphthyl group and anthracenyl group. These hydrocarbon groups have, for example, substituents such as a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group, an allyloxy group, a nitro group, a cyano group, a carbonyl group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an anilino group, and an acetamido group. You may. Specific examples of the hydrocarbon group having a substituent include a trifluoromethyl group, a 2-methoxyethyl group,
0-campanyl, fluorophenyl, chlorophenyl, bromophenyl, iodophenyl, methoxyphenyl, hydroxyphenyl, phenoxyphenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, carboxyphenyl, methoxynaphthyl, dimethoxy Examples include an anthracenyl group, a diethoxyanthracenyl group, and an anthraquinonyl group.

【0150】前記一般式(VI)〜(VIII)におい
て、Ar3及びAr4は、それぞれ、置換基を有していて
もよい炭素数20以下のアリール基を表し、具体的に
は、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、
メシチル基、ドデシルフェニル基、フェニルフェニル
基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオロフェニル
基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェ
ニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、
フェノキシフェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェ
ニル基、カルボキシフェニル基、アニリノフェニル基、
アニリノカルボニルフェニル基、モルホリノフェニル
基、フェニルアゾフェニル基、メトキシナフチル基、ヒ
ドロキシナフチル基、ニトロナフチル基、アントラキノ
ニル基等が挙げられる。
In the above general formulas (VI) to (VIII), Ar 3 and Ar 4 each represent an aryl group having 20 or less carbon atoms which may have a substituent, and specifically, a phenyl group , Tolyl group, xylyl group, cumenyl group,
Mesityl group, dodecylphenyl group, phenylphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, iodophenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group,
Phenoxyphenyl group, nitrophenyl group, cyanophenyl group, carboxyphenyl group, anilinophenyl group,
Examples include anilinocarbonylphenyl group, morpholinophenyl group, phenylazophenyl group, methoxynaphthyl group, hydroxynaphthyl group, nitronaphthyl group, anthraquinonyl group and the like.

【0151】前記一般式(VI)〜(VIII)におい
て、R8、R9、及びR10は、それぞれ独立に、置換基を
有していてもよい炭素数18以下の炭化水素基を表し、
具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、アリル基、n−ブチル基、sec−ブチ
ル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、
ベンジル基、フェニル基、トリル基、t−ブチルフェニ
ル基、ナフチル基、アントラセニル基等の炭化水素基、
2−メトキシエチル基、フルオロフェニル基、クロロフ
ェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、メト
キシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、フェニルチオ
フェニル基、ヒドロキシナフチル基、メトキシナフチル
基、ベンゾイルメチル基、ナフトイルメチル基等の置換
基を有する炭化水素基が挙げられる。また、R8とR9
が互いに結合し、環を形成していてもよい。
In the general formulas (VI) to (VIII), R 8 , R 9 and R 10 each independently represent a hydrocarbon group having 18 or less carbon atoms which may have a substituent,
Specifically, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, i
-Propyl group, allyl group, n-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, hexyl group, cyclohexyl group,
Benzyl group, phenyl group, tolyl group, t-butylphenyl group, naphthyl group, hydrocarbon group such as anthracenyl group,
2-methoxyethyl group, fluorophenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, iodophenyl group, methoxyphenyl group, hydroxyphenyl group, phenylthiophenyl group, hydroxynaphthyl group, methoxynaphthyl group, benzoylmethyl group, naphthoylmethyl group And the like. Further, R 8 and R 9 may be bonded to each other to form a ring.

【0152】前記一般式(VI)〜(VIII)で表され
るオニウム塩のカチオン部としては、ヨードニウムイオ
ン、スルホニウムイオン、ジアゾニウムイオンが挙げら
れる。これらのオニウム塩のカチオン部について、以下
に具体的な構造を表すが、これらに限定されるものでは
ない。
Examples of the cation part of the onium salt represented by the general formulas (VI) to (VIII) include an iodonium ion, a sulfonium ion and a diazonium ion. Specific structures of the cation portion of these onium salts are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0153】[0153]

【化57】 Embedded image

【0154】[0154]

【化58】 Embedded image

【0155】[0155]

【化59】 Embedded image

【0156】[0156]

【化60】 Embedded image

【0157】[0157]

【化61】 Embedded image

【0158】一方、これらのオニウム塩のカウンターア
ニオンのうち、特に良好に用いられるスルホネートイオ
ンの例としては、 1)メタンスルホネート、 2)エタンスルホネート、 3)1−プロパンスルホネート、 4)2−プロパンスルホネート、 5)n−ブタンスルホネート、 6)アリルスルホネート、 7)10−カンファースルホネート、 8)トリフルオロメタンスルホネート、 9)ペンタフルオロエタンスルホネート、 10)ベンゼンスルホネート、 11)p−トルエンスルホネート、 12)3−メトキシベンゼンスルホネート、 13)4−メトキシベンゼンスルホネート、 14)4−ヒドロキシベンゼンスルホネート、 15)4−クロロベンゼンスルホネート、 16)3−ニトロベンゼンスルホネート、 17)4−ニトロベンゼンスルホネート、 18)4−アセチルベンゼンスルホネート、 19)ペンタフルオロベンゼンスルホネート、 20)4−ドデシルベンゼンスルホネート、 21)メシチレンスルホネート、 22)2、4、6−トリイソプロピルベンゼンスルホネ
ート、 23)2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−
5−スルホネート、 24)イソフタル酸ジメチル−5−スルホネート、 25)ジフェニルアミン−4−スルホネート、 26)1−ナフタレンスルホネート、 27)2−ナフタレンスルホネート、 28)2−ナフトール−6−スルホネート、 29)2−ナフトール−7−スルホネート、 30)アントラキノン−1−スルホネート、 31)アントラキノン−2−スルホネート、 32)9、10−ジメトキシアントラセン−2−スルホ
ネート、 33)9、10−ジエトキシアントラセン−2−スルホ
ネート、 34)キノリン−8−スルホネート、 35)8−ヒドロキシキノリン−5−スルホネート、 36)8−アニリノ−ナフタレン−1−スルホネート等
が挙げられる。
On the other hand, among the counter anions of these onium salts, particularly preferred examples of the sulfonate ion include: 1) methanesulfonate, 2) ethanesulfonate, 3) 1-propanesulfonate, 4) 2-propanesulfonate. 5) n-butanesulfonate, 6) allylsulfonate, 7) 10-camphorsulfonate, 8) trifluoromethanesulfonate, 9) pentafluoroethanesulfonate, 10) benzenesulfonate, 11) p-toluenesulfonate, 12) 3-methoxy Benzenesulfonate, 13) 4-methoxybenzenesulfonate, 14) 4-hydroxybenzenesulfonate, 15) 4-chlorobenzenesulfonate, 16) 3-nitrobenzenesulfonate, 17) 4-d Lobenzenesulfonate, 18) 4-acetylbenzenesulfonate, 19) pentafluorobenzenesulfonate, 20) 4-dodecylbenzenesulfonate, 21) mesitylenesulfonate, 22) 2,4,6-triisopropylbenzenesulfonate, 23) 2-hydroxy -4-methoxybenzophenone-
5-sulfonate, 24) dimethyl-5-sulfonate isophthalate, 25) diphenylamine-4-sulfonate, 26) 1-naphthalene sulfonate, 27) 2-naphthalene sulfonate, 28) 2-naphthol-6-sulfonate, 29) 2- Naphthol-7-sulfonate, 30) anthraquinone-1-sulfonate, 31) anthraquinone-2-sulfonate, 32) 9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonate, 33) 9,10-diethoxyanthracene-2-sulfonate, 34 ) Quinoline-8-sulfonate, 35) 8-hydroxyquinoline-5-sulfonate, 36) 8-anilino-naphthalene-1-sulfonate and the like.

【0159】また、 41)m−ベンゼンジスルホネート、 42)ベンズアルデヒド−2、4−ジスルホネート、 43)1、5−ナフタレンジスルホネート、 44)2、6−ナフタレンジスルホネート、 45)2、7−ナフタレンジスルホネート、 46)アントラキノン−1、5−ジスルホネート、 47)アントラキノン−1、8−ジスルホネート、 48)アントラキノン−2、6−ジスルホネート、 49)9、10−ジメトキシアントラセン−2、6−ジ
スルホネート、 50)9、10−ジエトキシアントラセン−2、6−ジ
スルホネート、等のジスルホネート類とオニウム塩カチ
オン2当量との塩も用いることができる。
Also, 41) m-benzenedisulfonate, 42) benzaldehyde-2,4-disulfonate, 43) 1,5-naphthalenedisulfonate, 44) 2,6-naphthalenedisulfonate, 45) 2, 7- Naphthalenedisulfonate, 46) anthraquinone-1,5-disulfonate, 47) anthraquinone-1,8-disulfonate, 48) anthraquinone-2,6-disulfonate, 49) 9,10-dimethoxyanthracene-2,6- Salts of disulfonates such as disulfonate, 50) 9,10-diethoxyanthracene-2,6-disulfonate, and 2 equivalents of onium salt cation can also be used.

【0160】本発明で好ましく用いられるオニウム塩ス
ルホネートは、対応するCl-塩等を、スルホン酸又は
スルホン酸ナトリウム又はカリウム塩と水中、あるいは
アルコール等の親水性溶媒と水との混合溶媒中で混ぜあ
わせて塩交換を行うことにより、得ることができる。オ
ニウム化合物の合成は、既知の方法で行うことができ、
例えば、丸善・新実験化学講座14−I巻の2・3章
(p.448)、14−III 巻の8・16章(p.18
38)、同7・14章(p.1564)、J.W.Kn
apczyk他、ジャーナル オブ アメリカン ケミ
カルソサエティ(J.Am.Chem.Soc.)91
巻、145(1969)、A.L.Maycok他、ジ
ャーナルオブ オーガニック ケミストリィ(J.Or
g.Chem.)35巻、2532(1970)、J.
V.Crivello他、ポリマー ケミストリィ エ
ディション(Polym.Chem.Ed.)18巻、
2677(1980)、米国特許第2,807,648
号、同4,247,473号の各明細書、特開昭53−
101331号、特公平5−53166号の各公報等に
記載の方法で合成することができる。本発明で酸発生剤
として良好に使用されるオニウム塩スルホネートの好ま
しい例を以下に表す。
The onium salt sulfonate preferably used in the present invention is obtained by mixing the corresponding Cl - salt or the like in a mixed solvent of sulfonic acid or sodium or potassium sulfonate and water, or a mixed solvent of a hydrophilic solvent such as alcohol and water. It can be obtained by performing salt exchange together. The onium compound can be synthesized by a known method,
For example, Maruzen / New Experimental Chemistry Course 14-I, Chapter 2.3 (p.448), and Volume 14-III, Chapter 8.16 (p.18)
38), Chapter 7-14 (p. 1564); W. Kn
apczyk et al., Journal of American Chemical Society (J. Am. Chem. Soc.) 91
Vol., 145 (1969); L. Maycok et al., Journal of Organic Chemistry (J. Or
g. Chem. 35, 2532 (1970);
V. Crivello et al., Polymer Chemistry Edition (Polym. Chem. Ed.), Vol. 18,
2677 (1980); U.S. Pat. No. 2,807,648.
Nos. 4,247,473 and JP-A-53-473.
Compounds can be synthesized by the methods described in JP-B Nos. 101331 and 5-53166. Preferred examples of the onium salt sulfonate which is favorably used as an acid generator in the present invention are shown below.

【0161】[0161]

【化62】 Embedded image

【0162】[0162]

【化63】 Embedded image

【0163】[0163]

【化64】 Embedded image

【0164】[0164]

【化65】 Embedded image

【0165】[0165]

【化66】 Embedded image

【0166】[0166]

【化67】 Embedded image

【0167】[0167]

【化68】 Embedded image

【0168】[0168]

【化69】 Embedded image

【0169】[0169]

【化70】 Embedded image

【0170】[0170]

【化71】 Embedded image

【0171】[0171]

【化72】 Embedded image

【0172】[0172]

【化73】 Embedded image

【0173】本発明において、これらの酸発生剤は、画
像記録材料の全固形分に対し0.01〜50重量%、好
ましくは0.1〜25重量%、より好ましくは0.5〜
20重量%の割合で、本発明の画像記録材料中に添加さ
れる。該添加量が0.01重量%未満の場合は、画像が
得られず、また、該添加量が50重量%を超える場合
は、印刷時に非画像部に汚れが発生するため、いずれも
好ましくない。これらの化合物は単独で使用してもよ
く、また2種以上を組み合わせて使用してもよい。
In the present invention, these acid generators are used in an amount of 0.01 to 50% by weight, preferably 0.1 to 25% by weight, more preferably 0.5 to 25% by weight, based on the total solid content of the image recording material.
It is added to the image recording material of the present invention at a ratio of 20% by weight. When the amount is less than 0.01% by weight, no image is obtained, and when the amount is more than 50% by weight, non-image areas are stained at the time of printing. . These compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0174】[(b)架橋剤]本発明に用いることので
きる架橋剤について説明する。本発明に好ましく用いら
れる架橋剤としては、以下のものが挙げられる。 (i)アルコキシメチル基もしくはヒドロキシメチル基
で置換された芳香族化合物 (ii)N−ヒドロキシメチル基、N−アルコキシメチ
ル基もしくはN−アシルオキシメチル基を有する化合物 (iii)エポキシ化合物 これらについて詳細に説明する。 (i)アルコキシメチル基もしくはヒドロキシメチル基
で置換された芳香族化合物としては、例えば、ヒドロキ
シメチル基、アセトキシメチル基、もしくはアルコキシ
メチル基でポリ置換されている芳香族化合物及び複素環
化合物が挙げられる。但し、レゾール樹脂として知られ
るフェノール類とアルデヒド類とを塩基性条件下で重縮
合させた樹脂状の化合物は含まない。レゾール樹脂は架
橋性に優れるものの、熱安定性が充分でなく、特に感光
性の材料に含有させて高温下に長期間保存した場合、均
一な現像が困難となり好ましくない。
[(B) Crosslinking Agent] The crosslinking agent that can be used in the present invention will be described. Examples of the crosslinking agent preferably used in the present invention include the following. (I) an aromatic compound substituted with an alkoxymethyl group or a hydroxymethyl group (ii) a compound having an N-hydroxymethyl group, an N-alkoxymethyl group or an N-acyloxymethyl group (iii) an epoxy compound These will be described in detail. I do. (I) Examples of the aromatic compound substituted with an alkoxymethyl group or a hydroxymethyl group include an aromatic compound and a heterocyclic compound poly-substituted with a hydroxymethyl group, an acetoxymethyl group, or an alkoxymethyl group. . However, it does not include resinous compounds obtained by polycondensing phenols and aldehydes known as resol resins under basic conditions. Although the resole resin is excellent in crosslinkability, it does not have sufficient thermal stability. In particular, when the resol resin is contained in a photosensitive material and stored at a high temperature for a long period of time, uniform development becomes difficult, which is not preferable.

【0175】ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル
基でポリ置換された芳香族化合物及び複素環化合物のな
かでは、ヒドロキシ基に隣接する位置にヒドロキシメチ
ル基又はアルコキシメチル基を有する化合物を好ましい
例として挙げることができる。アルコキシメチル基の場
合はアルコキシメチル基が炭素数18以下の化合物であ
ることが好ましい。特に好ましい例として下記一般式
(1)〜(4)で表される化合物を挙げることができ
る。
Among aromatic compounds and heterocyclic compounds poly-substituted with a hydroxymethyl group or an alkoxymethyl group, a compound having a hydroxymethyl group or an alkoxymethyl group at a position adjacent to the hydroxy group may be mentioned as a preferred example. it can. In the case of an alkoxymethyl group, the alkoxymethyl group is preferably a compound having 18 or less carbon atoms. Particularly preferred examples include compounds represented by the following general formulas (1) to (4).

【0176】[0176]

【化74】 Embedded image

【0177】[0177]

【化75】 Embedded image

【0178】前記一般式(1)〜(4)中、L1〜L
8は、それぞれ独立にメトキシメチル、エトキシメチル
等のように炭素数18以下のアルコキシ基で置換された
ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を表す。こ
れらは架橋効率が高く、耐刷性を向上させることができ
る点で好ましい。上記に例示された架橋性化合物は、単
独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用して
もよい。
In the general formulas (1) to (4), L 1 to L
8 independently represents a hydroxymethyl group or an alkoxymethyl group substituted with an alkoxy group having 18 or less carbon atoms, such as methoxymethyl and ethoxymethyl. These are preferred because they have high crosslinking efficiency and can improve printing durability. The crosslinking compounds exemplified above may be used alone or in combination of two or more.

【0179】(ii)N−ヒドロキシメチル基、N−ア
ルコキシメチル基もしくはN−アシルオキシメチル基を
有する化合物としては、欧州特許公開(以下、EP−A
と記載する)第0,133,216号、西独特許第3,
634,671号、同第3,711,264号に開示さ
れた単量体及びオリゴマー−メラミン−ホルムアルデヒ
ド縮合物並びに尿素−ホルムアルデヒド縮合物、EP−
A第0,212,482号明細書に開示されたアルコキ
シ置換化合物等が挙げられる。更に好ましい例として
は、例えば、少なくとも2個の遊離N−ヒドロキシメチ
ル基、N−アルコキシメチル基もしくはN−アシルオキ
シメチル基を有するメラミン−ホルムアルデヒド誘導体
が挙げられ、中でもN−アルコキシメチル誘導体が特に
好ましい。
(Ii) Compounds having an N-hydroxymethyl group, an N-alkoxymethyl group or an N-acyloxymethyl group are disclosed in European Patent Publication (hereinafter referred to as EP-A
No. 0,133,216, West German Patent No. 3,
Nos. 634,671 and 3,711,264, monomer and oligomer-melamine-formaldehyde condensate and urea-formaldehyde condensate, EP-
A, No. 0,212,482, and the like. More preferred examples include, for example, melamine-formaldehyde derivatives having at least two free N-hydroxymethyl groups, N-alkoxymethyl groups or N-acyloxymethyl groups, among which N-alkoxymethyl derivatives are particularly preferred.

【0180】(iii)エポキシ化合物としては、一つ以
上のエポキシ基を含む、モノマー、ダイマー、オリゴマ
ー、ポリマー状のエポキシ化合物を挙げることができ
る。例えば、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンと
の反応生成物、低分子量フェノール−ホルムアルデヒド
樹脂とエピクロルヒドリンとの反応生成物等が挙げられ
る。その他、米国特許第4,026,705号、英国特
許第1,539,192号の各明細書に記載され、使用
されているエポキシ樹脂を挙げることができる。
(Iii) Examples of the epoxy compound include monomer, dimer, oligomer, and polymer epoxy compounds containing one or more epoxy groups. For example, a reaction product of bisphenol A with epichlorohydrin, a reaction product of a low molecular weight phenol-formaldehyde resin with epichlorohydrin and the like can be mentioned. Other examples include epoxy resins described and used in U.S. Pat. No. 4,026,705 and British Patent No. 1,539,192.

【0181】以上の(i)〜(iii)の本発明に用いる
ことのできる架橋剤は、画像記録材料の全固形分に対
し、5〜80重量%、好ましくは10〜75重量%、よ
り好ましくは20〜70重量%の範囲である。架橋剤の
添加量が5重量%未満であると、得られる平版印刷版用
原版の感光層の耐久性が悪化し、また、80重量%を超
えると、保存時の安定性の観点から好ましくない。
The crosslinking agents (i) to (iii) which can be used in the present invention are 5 to 80% by weight, preferably 10 to 75% by weight, more preferably 10 to 75% by weight, based on the total solids of the image recording material. Ranges from 20 to 70% by weight. If the amount of the crosslinking agent is less than 5% by weight, the durability of the photosensitive layer of the resulting lithographic printing plate precursor will be deteriorated. If it exceeds 80% by weight, it is not preferable from the viewpoint of storage stability. .

【0182】(iv)本発明では、架橋剤として、下記
一般式(5)で表されるフェノール誘導体を使用するこ
とも好ましい。
(Iv) In the present invention, it is also preferable to use a phenol derivative represented by the following general formula (5) as a crosslinking agent.

【0183】[0183]

【化76】 Embedded image

【0184】前記一般式(5)中、Ar1は、置換基を
有していてもよい芳香族炭化水素環を表す。原料の入手
性から、芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフ
タレン環又はアントラセン環が好ましい。また、好まし
い置換基としては、ハロゲン原子、炭素数12個以下の
炭化水素基、炭素数12個以下のアルコキシ基、炭素数
12個以下のアルキルチオ基、シアノ基、ニトロ基、ト
リフルオロメチル基等が挙げられる。感度が高いという
理由で、Ar1としては、置換基を有していないベンゼ
ン環及びナフタレン環、又は、ハロゲン原子、炭素数6
個以下の炭化水素基、炭素数6個以下のアルコキシ基、
炭素数6個以下のアルキルチオ基、ニトロ基等を置換基
として有するベンゼン環及びナフタレン環が特に好まし
い。前記一般式(5)において、R1及びR2は、それぞ
れ同じでも異なっていてもよく、水素原子又は炭素数1
2個以下の炭化水素基を表す。合成が容易であるという
理由から、R1及びR2は、水素原子又はメチル基である
ことが特に好ましい。R3は、水素原子又は炭素数12
個以下の炭化水素基を表す。感度が高いという理由で、
3は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基等の炭素数7個以下の炭化水
素基であることが特に好ましい。mは、2〜4の整数を
表す。nは、1〜3の整数を表す。
In the general formula (5), Ar 1 represents an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent. From the viewpoint of availability of raw materials, the aromatic hydrocarbon ring is preferably a benzene ring, a naphthalene ring or an anthracene ring. Preferred examples of the substituent include a halogen atom, a hydrocarbon group having 12 or less carbon atoms, an alkoxy group having 12 or less carbon atoms, an alkylthio group having 12 or less carbon atoms, a cyano group, a nitro group, and a trifluoromethyl group. Is mentioned. Because of high sensitivity, Ar 1 includes an unsubstituted benzene ring and a naphthalene ring, or a halogen atom,
Hydrocarbon groups or less, alkoxy groups having 6 or less carbon atoms,
A benzene ring and a naphthalene ring each having, as a substituent, an alkylthio group or a nitro group having 6 or less carbon atoms are particularly preferable. In the general formula (5), R 1 and R 2 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom or a carbon atom.
Represents two or less hydrocarbon groups. It is particularly preferred that R 1 and R 2 are a hydrogen atom or a methyl group because of easy synthesis. R 3 is a hydrogen atom or a carbon atom
Or less hydrocarbon groups. Because of the high sensitivity,
R 3 is particularly preferably a hydrocarbon group having 7 or less carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a cyclohexyl group, and a benzyl group. m represents an integer of 2 to 4. n represents an integer of 1 to 3.

【0185】本発明において好適に用いられる前記一般
式(5)で表されるフェノール誘導体の具体例を以下に
表す(架橋剤[KZ−1]〜[KZ−8])が、本発明
はこれに制限されるものではない。
Specific examples of the phenol derivative represented by the general formula (5) preferably used in the present invention are shown below (crosslinking agents [KZ-1] to [KZ-8]). It is not limited to.

【0186】[0186]

【化77】 Embedded image

【0187】[0187]

【化78】 Embedded image

【0188】これらのフェノール誘導体は、従来公知の
方法により合成できる。例えば[KZ−1]は、フェノ
ール、ホルムアルデヒド及び、ジメチルアミンやモルホ
リン等の2級アミンを反応させ、トリ(ジアルキルアミ
ノメチル)フェノールとし、次に無水酢酸と反応させ、
更に炭酸カリウム等の弱アルカリ存在下、エタノールと
反応させることにより、下記反応式[1]に表す如き経
路で合成することができる。
These phenol derivatives can be synthesized by a conventionally known method. For example, [KZ-1] reacts phenol, formaldehyde, and a secondary amine such as dimethylamine and morpholine to form tri (dialkylaminomethyl) phenol, and then reacts with acetic anhydride.
Further, by reacting with ethanol in the presence of a weak alkali such as potassium carbonate, the compound can be synthesized by a route represented by the following reaction formula [1].

【0189】[0189]

【化79】 Embedded image

【0190】更に、別の方法によっても合成できる。例
えば[KZ−1]は、フェノールとホルムアルデヒド又
はパラホルムアルデヒドを、KOH等のアルカリ存在下
反応させ、2,4,6−トリヒドロキシメチルフェノー
ルとし、引き続き硫酸等の酸存在下、エタノールと反応
させることにより、下記反応式[2]に示す如き経路で
も合成することができる。
Further, it can be synthesized by another method. For example, [KZ-1] is obtained by reacting phenol with formaldehyde or paraformaldehyde in the presence of an alkali such as KOH to give 2,4,6-trihydroxymethylphenol, and then reacting with ethanol in the presence of an acid such as sulfuric acid. Thus, the compound can also be synthesized by the route shown in the following reaction formula [2].

【0191】[0191]

【化80】 Embedded image

【0192】これらのフェノール誘導体は単独で使用し
てもよく、また2種類以上を組み合わせて使用してもよ
い。また、これらのフェノール誘導体を合成する際、フ
ェノール誘導体同士が縮合して2量体や3量体等の不純
物が副生成する場合があるが、これらの不純物を含有し
たまま用いてもよい。尚、この場合でも、不純物は30
%以下であることが好ましく、20%以下であることが
更に好ましい。
These phenol derivatives may be used alone or in combination of two or more. In addition, when synthesizing these phenol derivatives, the phenol derivatives may be condensed with each other to produce by-products such as dimers and trimers. However, these phenol derivatives may be used while containing these impurities. Incidentally, even in this case, the impurity is 30%.
% Or less, and more preferably 20% or less.

【0193】本発明において、フェノール誘導体は、画
像記録材料の固形分中、5〜70重量%、好ましくは1
0〜50重量%の添加量で用いられる。ここで、架橋剤
としてのフェノール誘導体の添加量が5重量%未満であ
ると、画像記録した際の画像部の膜強度が悪化し、ま
た、70重量%を超えると、保存時の安定性の点で好ま
しくない。
In the present invention, the phenol derivative accounts for 5 to 70% by weight, preferably 1% by weight, based on the solid content of the image recording material.
It is used in an amount of 0 to 50% by weight. Here, if the addition amount of the phenol derivative as a cross-linking agent is less than 5% by weight, the film strength of the image portion at the time of image recording is deteriorated, and if it exceeds 70% by weight, the stability during storage is reduced. It is not preferable in respect of the point.

【0194】[(c)アルカリ可溶性高分子]本発明に
使用される(c)アルカリ可溶性高分子とは、高分子化
合物の主鎖又は側鎖に、以下のような酸基構造を有する
ものを指す。フェノール性水酸基(−Ar−OH)、カ
ルボン酸基(−CO3 H)、スルホン酸基(−SO
3 H)、リン酸基(−OPO3 H)、スルホンアミド基
(−SO 2 NH−R)、置換スルホンアミド系酸基(活
性イミド基)(−SO2 NHCOR、−SO2 NHSO
2 R、−CONHSO2 R)。ここで、Arは置換基を
有していてもよい2価のアリール基を表し、Rは置換基
を有していてもよい炭化水素基を表す。なかでも、好ま
しい酸基として、(b−1)フェノール性水酸基、(b
−2)スルホンアミド基、(b−3)活性イミド基が挙
げられ、特に(b−1)フェノール性水酸基を有する高
分子化合物が、好ましく用いられる。
[(C) Alkali-soluble polymer] In the present invention
The (c) alkali-soluble polymer used is a polymer
Has the following acid group structure in the main chain or side chain of the compound
Points to something. Phenolic hydroxyl group (-Ar-OH),
Rubonic acid group (-COThreeH), sulfonic acid group (-SO
ThreeH), phosphate group (-OPOThreeH), sulfonamide group
(-SO TwoNH-R), substituted sulfonamide-based acid groups (active
Imide group) (-SOTwoNHCOR, -SOTwoNHSO
TwoR, -CONHSOTwoR). Here, Ar represents a substituent
Represents a divalent aryl group which may be possessed, wherein R is a substituent
Represents a hydrocarbon group which may have Above all, preferred
(B-1) a phenolic hydroxyl group, (b)
-2) sulfonamide group and (b-3) active imide group.
Especially (b-1) having a phenolic hydroxyl group.
Molecular compounds are preferably used.

【0195】(b−1)フェノール性水酸基を有する高
分子化合物としては、例えば、フェノールとホルムアル
デヒドとの縮重合体(以下、「フェノールホルムアルデ
ヒド樹脂」という。)、m−クレゾールとホルムアルデ
ヒドとの縮重合体(以下、「m−クレゾールホルムアル
デヒド樹脂」という。)、p−クレゾールとホルムアル
デヒドとの縮重合体、m−/p−混合クレゾールとホル
ムアルデヒドとの縮重合体、フェノールとクレゾール
(m−、p−、又はm−/p−混合のいずれでもよい)
とホルムアルデヒドとの縮重合体等のノボラック樹脂、
及び、ピロガロールとアセトンとの縮重合体を挙げるこ
とができる。あるいは、フェノール基を側鎖に有するモ
ノマーを共重合させた共重合体を用いることもできる。
用いるフェノール基を有するモノマーとしては、フェノ
ール基を有するアクリルアミド、メタクリルアミド、ア
クリル酸エステル、メタクリル酸エステル、又はヒドロ
キシスチレン等が挙げられる。具体的には、N−(2−
ヒドロキシフェニル)アクリルアミド、N−(3−ヒド
ロキシフェニル)アクリルアミド、N−(4−ヒドロキ
シフェニル)アクリルアミド、N−(2−ヒドロキシフ
ェニル)メタクリルアミド、N−(3−ヒドロキシフェ
ニル)メタクリルアミド、N−(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタクリルアミド、o−ヒドロキシフェニルアクリ
レート、m−ヒドロキシフェニルアクリレート、p−ヒ
ドロキシフェニルアクリレート、o−ヒドロキシフェニ
ルメタクリレート、m−ヒドロキシフェニルメタクリレ
ート、p−ヒドロキシフェニルメタクリレート、o−ヒ
ドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒド
ロキシスチレン、2−(2−ヒドロキシフェニル)エチ
ルアクリレート、2−(3−ヒドロキシフェニル)エチ
ルアクリレート、2−(4−ヒドロキシフェニル)エチ
ルアクリレート、2−(2−ヒドロキシフェニル)エチ
ルメタクリレート、2−(3−ヒドロキシフェニル)エ
チルメタクリレート、2−(4−ヒドロキシフェニル)
エチルメタクリレート等を好適に使用することができ
る。高分子の重量平均分子量が5.0×102 〜2.0
×104、数平均分子量が2.0×102 〜1.0×1
4 のものが、画像形成性の点で好ましい。また、これ
らの樹脂を単独で用いるのみならず、2種類以上を組み
合わせて使用してもよい。組み合わせる場合には、米国
特許第4123279号明細書に記載されているよう
な、t−ブチルフェノールとホルムアルデヒドとの縮重
合体や、オクチルフェノールとホルムアルデヒドとの縮
重合体のような、炭素数3〜8のアルキル基を置換基と
して有するフェノールとホルムアルデヒドとの縮重合体
を併用してもよい。
(B-1) Examples of the high molecular compound having a phenolic hydroxyl group include a condensation polymer of phenol and formaldehyde (hereinafter referred to as "phenol formaldehyde resin") and a degeneration of m-cresol and formaldehyde. (Hereinafter referred to as "m-cresol formaldehyde resin"), a condensation polymer of p-cresol and formaldehyde, a condensation polymer of m- / p-mixed cresol and formaldehyde, phenol and cresol (m-, p- , Or m- / p-mixture)
Novolak resins such as polycondensates of formaldehyde and
And a condensation polymer of pyrogallol and acetone. Alternatively, a copolymer obtained by copolymerizing a monomer having a phenol group in a side chain can be used.
Examples of the monomer having a phenol group include acrylamide, methacrylamide, acrylate, methacrylate, and hydroxystyrene having a phenol group. Specifically, N- (2-
(Hydroxyphenyl) acrylamide, N- (3-hydroxyphenyl) acrylamide, N- (4-hydroxyphenyl) acrylamide, N- (2-hydroxyphenyl) methacrylamide, N- (3-hydroxyphenyl) methacrylamide, N- ( 4-hydroxyphenyl) methacrylamide, o-hydroxyphenyl acrylate, m-hydroxyphenyl acrylate, p-hydroxyphenyl acrylate, o-hydroxyphenyl methacrylate, m-hydroxyphenyl methacrylate, p-hydroxyphenyl methacrylate, o-hydroxystyrene, m -Hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, 2- (2-hydroxyphenyl) ethyl acrylate, 2- (3-hydroxyphenyl) ethyl acrylate, - (4-hydroxyphenyl) ethyl acrylate, 2- (2-hydroxyphenyl) ethyl methacrylate, 2- (3-hydroxyphenyl) ethyl methacrylate, 2- (4-hydroxyphenyl)
Ethyl methacrylate and the like can be suitably used. The weight average molecular weight of the polymer is 5.0 × 10 2 to 2.0
× 10 4 , number average molecular weight 2.0 × 10 2 to 1.0 × 1
0 4 ones are preferred in view of image forming properties. These resins may be used alone or in combination of two or more. When they are combined, they have 3 to 8 carbon atoms, such as a condensation polymer of t-butylphenol and formaldehyde or a condensation polymer of octylphenol and formaldehyde as described in U.S. Pat. No. 4,123,279. A condensation polymer of phenol and formaldehyde having an alkyl group as a substituent may be used in combination.

【0196】これらのフェノール性水酸基を有する高分
子化合物は、重量平均分子量が500〜20000、数
平均分子量が200〜10000のものが好ましい。更
に、米国特許第4123279号明細書に記載されてい
るように、t−ブチルフェノールホルムアルデヒド樹
脂、オクチルフェノールホルムアルデヒド樹脂のよう
な、炭素数3〜8のアルキル基を置換基として有するフ
ェノールとホルムアルデヒドとの縮合物を併用してもよ
い。かかるフェノール性水酸基を有する高分子化合物
は、1種類あるいは2種類以上を組み合わせて使用して
もよい。
The high molecular compound having a phenolic hydroxyl group preferably has a weight average molecular weight of 500 to 20,000 and a number average molecular weight of 200 to 10,000. Further, as described in U.S. Pat. No. 4,123,279, a condensate of phenol having a C3-8 alkyl group as a substituent and formaldehyde, such as t-butylphenol formaldehyde resin and octylphenol formaldehyde resin. May be used in combination. These polymer compounds having a phenolic hydroxyl group may be used alone or in combination of two or more.

【0197】(b−2)スルホンアミド基を有する高分
子化合物は、スルホンアミド基を有するモノマーを主た
る構成成分とする。該スルホンアミド基を有するモノマ
ーとしては、1分子中に、窒素原子上に少なくとも一つ
の水素原子が結合したスルホンアミド基と、重合可能な
不飽和結合をそれぞれ一つ以上有する低分子化合物から
なるモノマーが挙げられる。その中でも、アクリロイル
基、アリル基、又はビニロキシ基と、置換あるいはモノ
置換アミノスルホニル基又は置換スルホニルイミノ基と
を有する低分子化合物が好ましい。このような化合物と
しては、例えば、下記一般式(1)〜(5)で示される
化合物が挙げられる。
(B-2) The polymer compound having a sulfonamide group has a monomer having a sulfonamide group as a main component. Examples of the monomer having a sulfonamide group include a monomer comprising a sulfonamide group in which at least one hydrogen atom is bonded to a nitrogen atom in one molecule and a low-molecular compound having at least one polymerizable unsaturated bond. Is mentioned. Among them, a low molecular compound having an acryloyl group, an allyl group, or a vinyloxy group and a substituted or monosubstituted aminosulfonyl group or a substituted sulfonylimino group is preferable. Examples of such compounds include compounds represented by the following general formulas (1) to (5).

【0198】[0198]

【化81】 Embedded image

【0199】式中、X1 及びX2 は、それぞれ独立に−
O−又は−NR27−を表す。R21及びR24は、それぞれ
独立に水素原子又は−CH3 を表す。R22、R25
29、R 32及びR36は、それぞれ独立に置換基を有して
いてもよい炭素数1〜12のアルキレン基、シクロアル
キレン基、アリーレン基又はアラルキレン基を表す。R
23、R27及びR33は、それぞれ独立に水素原子、置換基
を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。ま
た、R26及びR37は、それぞれ独立に置換基を有してい
てもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、又はアラルキル基を表す。R28、R30
及びR34は、それぞれ独立に水素原子又は−CH3 を表
す。R31及びR35は、それぞれ独立に単結合、又は置換
基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキレン基、
シクロアルキレン基、アリーレン基又はアラルキレン基
を表す。Y3 及びY4 は、それぞれ独立に単結合、又は
−CO−を表す。
In the formula, X1And XTwoAre independently-
O- or -NR27Represents-. Rtwenty oneAnd Rtwenty fourRespectively
Independently a hydrogen atom or -CHThreeRepresents Rtwenty two, Rtwenty five,
R29, R 32And R36Are each independently having a substituent
An alkylene group having 1 to 12 carbon atoms which may be
Represents a kylene group, an arylene group or an aralkylene group. R
twenty three, R27And R33Are each independently a hydrogen atom, a substituent
An alkyl group having 1 to 12 carbon atoms which may have
Represents a loalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. Ma
R26And R37Each independently has a substituent
An alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl
Represents an aryl group or an aralkyl group. R28, R30
And R34Are each independently a hydrogen atom or -CHThreeThe table
You. R31And R35Is independently a single bond or substituted
An alkylene group having 1 to 12 carbon atoms which may have a group,
Cycloalkylene group, arylene group or aralkylene group
Represents YThreeAnd YFourAre each independently a single bond, or
Represents -CO-.

【0200】具体的には、m−アミノスルホニルフェニ
ルメタクリレート、N−(p−アミノスルホニルフェニ
ル)メタクリルアミド、N−(p−アミノスルホニルフ
ェニル)アクリルアミド等を好適に使用することができ
る。
Specifically, m-aminosulfonylphenyl methacrylate, N- (p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide, N- (p-aminosulfonylphenyl) acrylamide and the like can be suitably used.

【0201】(b−3)活性イミド基を有する高分子化
合物は、下記式で表される活性イミド基を分子内に有す
るものであり、この高分子化合物を構成する主たるモノ
マーである、活性イミド基を有するモノマーとしては、
1分子中に、下記式で表される活性イミド基と、重合可
能な不飽和結合をそれぞれ一つ以上有する低分子化合物
からなるモノマーが挙げられる。
(B-3) The polymer compound having an active imide group has an active imide group represented by the following formula in the molecule, and the main monomer constituting the polymer compound, the active imide, As the monomer having a group,
In one molecule, a monomer composed of a low molecular compound having at least one active imide group represented by the following formula and at least one polymerizable unsaturated bond is exemplified.

【0202】[0202]

【化82】 Embedded image

【0203】このような化合物としては、具体的には、
N−(p−トルエンスルホニル)メタクリルアミド、N
−(p−トルエンスルホニル)アクリルアミド等を好適
に使用することができる。
As such a compound, specifically,
N- (p-toluenesulfonyl) methacrylamide, N
-(P-Toluenesulfonyl) acrylamide and the like can be suitably used.

【0204】本発明に用いるアルカリ可溶性高分子は、
前記(b−1)から(b−3)の酸性基を含むモノマー
から選ばれる1種からなる必要はなく、同一の酸性基を
有するモノマーを2種以上、又は、異なる酸性基を有す
るモノマーを2種以上共重合させたものも用いることも
できる。共重合の方法としては、従来知られている、グ
ラフト共重合法、ブロック共重合法、ランダム共重合法
等を用いることができる。
The alkali-soluble polymer used in the present invention is
It is not necessary to consist of one kind selected from monomers having an acidic group of (b-1) to (b-3), and two or more kinds of monomers having the same acidic group or monomers having different acidic groups may be used. Those obtained by copolymerizing two or more kinds can also be used. As a copolymerization method, a conventionally known graft copolymerization method, block copolymerization method, random copolymerization method, or the like can be used.

【0205】前記共重合体は、共重合させる(b−1)
〜(b−3)の酸性基を有するモノマーを共重合成分と
して10モル%以上含んでいることが好ましく、20モ
ル%以上含むものがより好ましい。前記(b−1)〜
(b−3)の酸性基を含むモノマーが10モル%より少
ないと、現像ラチチュードの向上効果が不充分となる。
The copolymer is copolymerized (b-1)
It is preferable that the monomer having the acidic group of (b-3) is contained as a copolymer component in an amount of 10 mol% or more, more preferably 20 mol% or more. (B-1)
If the amount of the monomer (b-3) containing an acidic group is less than 10 mol%, the effect of improving the development latitude will be insufficient.

【0206】また、この共重合体には、前記(b−1)
〜(b−3)の酸性基を含むモノマー以外の他のモノマ
ーを共重合成分として含んでいてもよい。共重合体成分
として用いることができる他のモノマーの例としては、
下記(1)〜(12)に挙げるモノマーが挙げられる。
The copolymer (b-1)
A monomer other than the monomer having an acidic group of (b-3) may be contained as a copolymerization component. Examples of other monomers that can be used as a copolymer component include:
The following monomers (1) to (12) are exemplified.

【0207】(1)例えば、2−ヒドロキシエチルアク
リレート又は2−ヒドロキシエチルメタクリレート等の
脂肪族水酸基を有するアクリル酸エステル類、及びメタ
クリル酸エステル類。 (2)アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル
酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、ア
クリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ベ
ンジル、アクリル酸−2−クロロエチル、グリシジルア
クリレート、N−ジメチルアミノエチルアクリレート等
のアルキルアクリレート。 (3)メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタ
クリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸
アミル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸シクロヘ
キシル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸−2−ク
ロロエチル、グリシジルメタクリレート、N−ジメチル
アミノエチルメタクリレート等のアルキルメタクリレー
ト。 (4)アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチロ
ールアクリルアミド、N−エチルアクリルアミド、N−
ヘキシルメタクリルアミド、N−シクロヘキシルアクリ
ルアミド、N−ヒドロキシエチルアクリルアミド、N−
フェニルアクリルアミド、N−ニトロフェニルアクリル
アミド、N−エチル−N−フェニルアクリルアミド等の
アクリルアミドもしくはメタクリルアミド。 (5)エチルビニルエーテル、2−クロロエチルビニル
エーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、プロピル
ビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、オクチルビニ
ルエーテル、フェニルビニルエーテル等のビニルエーテ
ル類。 (6)ビニルアセテート、ビニルクロロアセテート、ビ
ニルブチレート、安息香酸ビニル等のビニルエステル
類。 (7)スチレン、α−メチルスチレン、メチルスチレ
ン、クロロメチルスチレン等のスチレン類。 (8)メチルビニルケトン、エチルビニルケトン、プロ
ピルビニルケトン、フェニルビニルケトン等のビニルケ
トン類。 (9)エチレン、プロピレン、イソブチレン、ブタジエ
ン、イソプレン等のオレフィン類。 (10)N−ビニルピロリドン、N−ビニルカルバゾー
ル、4−ビニルピリジン、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル等。 (11)マレイミド、N−アクリロイルアクリルアミ
ド、N−アセチルメタクリルアミド、N−プロピオニル
メタクリルアミド、N−(p−クロロベンゾイル)メタ
クリルアミド等の不飽和イミド。 (12)アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、
イタコン酸等の不飽和カルボン酸。
(1) Acrylic esters having an aliphatic hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxyethyl methacrylate, and methacrylic esters. (2) Methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, hexyl acrylate, octyl acrylate, benzyl acrylate, 2-chloroethyl acrylate, glycidyl acrylate, N-dimethylaminoethyl Alkyl acrylates such as acrylates; (3) Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, 2-chloroethyl methacrylate, glycidyl methacrylate, N-dimethylaminoethyl Alkyl methacrylates such as methacrylate. (4) acrylamide, methacrylamide, N-methylolacrylamide, N-ethylacrylamide, N-
Hexyl methacrylamide, N-cyclohexyl acrylamide, N-hydroxyethyl acrylamide, N-
Acrylamide or methacrylamide such as phenylacrylamide, N-nitrophenylacrylamide, and N-ethyl-N-phenylacrylamide. (5) Vinyl ethers such as ethyl vinyl ether, 2-chloroethyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, butyl vinyl ether, octyl vinyl ether, and phenyl vinyl ether. (6) Vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl chloroacetate, vinyl butyrate, and vinyl benzoate. (7) Styrenes such as styrene, α-methylstyrene, methylstyrene, and chloromethylstyrene. (8) Vinyl ketones such as methyl vinyl ketone, ethyl vinyl ketone, propyl vinyl ketone, and phenyl vinyl ketone. (9) Olefins such as ethylene, propylene, isobutylene, butadiene and isoprene. (10) N-vinylpyrrolidone, N-vinylcarbazole, 4-vinylpyridine, acrylonitrile, methacrylonitrile and the like. (11) Unsaturated imides such as maleimide, N-acryloylacrylamide, N-acetylmethacrylamide, N-propionylmethacrylamide, and N- (p-chlorobenzoyl) methacrylamide. (12) acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride,
Unsaturated carboxylic acids such as itaconic acid;

【0208】本発明においてアルカリ可溶性高分子とし
ては、単独重合体、共重合体にかかわらず、重量平均分
子量が2000以上、数平均分子量が500以上のもの
が膜強度の点で好ましい。更に好ましくは、重量平均分
子量が5000〜300000、数平均分子量が800
〜250000であり、分散度(重量平均分子量/数平
均分子量)が1.1〜10のものである。
In the present invention, as the alkali-soluble polymer, those having a weight average molecular weight of 2,000 or more and a number average molecular weight of 500 or more are preferable irrespective of a homopolymer or a copolymer in view of film strength. More preferably, the weight average molecular weight is 5,000 to 300,000, and the number average molecular weight is 800
250250,000 and a degree of dispersion (weight average molecular weight / number average molecular weight) of 1.1 to 10.

【0209】前記共重合体において、(b−1)〜(b
−3)の酸性基を有するモノマーと、他のモノマーとの
配合重量比が、現像ラチチュードの点から50:50か
ら5:95の範囲にあるものが好ましく、40:60か
ら10:90の範囲にあるものがより好ましい。
In the above copolymer, (b-1) to (b)
The compounding weight ratio of the monomer having an acidic group of (3) to another monomer is preferably in the range of 50:50 to 5:95 from the viewpoint of development latitude, and is preferably in the range of 40:60 to 10:90. Are more preferable.

【0210】これらアルカリ可溶性高分子は、それぞれ
1種類あるいは2種類以上を組み合わせて使用してもよ
く、画像記録材料の全固形分中、30〜99重量%、好
ましくは40〜95重量%、特に好ましくは50〜90
重量%の添加量で用いられる。該アルカリ可溶性高分子
の添加量が30重量%未満であると、感光層の耐久性が
悪化し、また、99重量%を超えると、感度及び耐久性
の両面で好ましくない。
Each of these alkali-soluble polymers may be used alone or in combination of two or more kinds. The total solid content of the image recording material is 30 to 99% by weight, preferably 40 to 95% by weight, and particularly preferably 40 to 95% by weight. Preferably 50 to 90
It is used in a weight% addition amount. If the amount of the alkali-soluble polymer is less than 30% by weight, the durability of the photosensitive layer deteriorates, and if it exceeds 99% by weight, both sensitivity and durability are not preferred.

【0211】[その他の成分]本発明では、前記4つの
成分が必須であるが、必要に応じてこれら以外に種々の
化合物を添加してもよい。例えば、可視光域に大きな吸
収を持つ染料を画像の着色剤として使用することができ
る。具体的には、オイルイエロー#101、オイルイエ
ロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーン
BG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、オ
イルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラッ
クT−505(以上オリエント化学工業(株)製)、ビ
クトリアピュアブルー、クリスタルバイオレット(CI
42555)、メチルバイオレット(CI4253
5)、エチルバイオレット、ローダミンB(CI145
170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、
メチレンブルー(CI52015)等、あるいは特開昭
62−293247号公報に記載されている染料が挙げ
られる。これらの染料は、画像形成後、画像部と非画像
部の区別がつきやすいので、添加する方が好ましい。
尚、添加量は、画像記録材料の全固形分に対し、0.0
1〜10重量%の割合である。
[Other Components] In the present invention, the above-mentioned four components are essential, but if necessary, various compounds may be added in addition to these. For example, a dye having a large absorption in the visible light region can be used as a colorant for an image. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 103, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 603, Oil Black BY, Oil Black BS, Oil Black T-505 (orient Chemical Industrial Co., Ltd.), Victoria Pure Blue, Crystal Violet (CI
42555), methyl violet (CI4253)
5), ethyl violet, rhodamine B (CI145
170B), malachite green (CI42000),
Methylene blue (CI52015) and the dyes described in JP-A-62-293247 are exemplified. These dyes are preferably added because the image area and the non-image area can be easily distinguished after image formation.
Incidentally, the addition amount is 0.0% with respect to the total solid content of the image recording material.
It is a ratio of 1 to 10% by weight.

【0212】また、本発明のネガ型画像記録材料中に
は、現像条件に対する処理の安定性を広げるため、特開
昭62−251740号公報や特開平3−208514
号公報に記載されているような非イオン界面活性剤、特
開昭59−121044号、特開平4−13149号の
各公報に記載されているような両性界面活性剤を添加す
ることができる。前記非イオン界面活性剤の具体例とし
ては、ソルビタントリステアレート、ソルビタンモノパ
ルミテート、ソルビタントリオレート、ステアリン酸モ
ノグリセリド、ポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テル等が挙げられる。前記両性界面活性剤の具体例とし
ては、アルキルジ(アミノエチル)グリシン、アルキル
ポリアミノエチルグリシン塩酸塩、2−アルキル−N−
カルボキシエチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニ
ウムベタインやN−テトラデシル−N,N−ベタイン型
(例えば、商品名アモーゲンK、第一工業(株)製)等
が挙げられる。前記非イオン界面活性剤及び両性界面活
性剤の画像記録材料中に占める割合は、0.05〜15
重量%が好ましく、0.1〜5重量%がより好ましい。
Further, in the negative type image recording material of the present invention, JP-A-62-251740 and JP-A-3-208514 are used in order to widen the stability of processing under development conditions.
Non-ionic surfactants described in JP-A-59-121044, and amphoteric surfactants described in JP-A-4-13149 can be added. Specific examples of the nonionic surfactant include sorbitan tristearate, sorbitan monopalmitate, sorbitan triolate, stearic acid monoglyceride, and polyoxyethylene nonyl phenyl ether. Specific examples of the amphoteric surfactant include alkyl di (aminoethyl) glycine, alkyl polyaminoethyl glycine hydrochloride, 2-alkyl-N-
Examples thereof include carboxyethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine and N-tetradecyl-N, N-betaine type (for example, trade name Amogen K, manufactured by Daiichi Kogyo Co., Ltd.). The ratio of the nonionic surfactant and the amphoteric surfactant in the image recording material is 0.05 to 15%.
% By weight, more preferably 0.1 to 5% by weight.

【0213】更に、本発明の画像記録材料中には必要に
応じ、塗膜の柔軟性等を付与するために可塑剤が加えら
れる。例えば、ポリエチレングリコール、クエン酸トリ
ブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、リン酸トリクレジ
ル、リン酸トリブチル、リン酸トリオクチル、オレイン
酸テトラヒドロフルフリル、アクリル酸又はメタクリル
酸のオリゴマー及びポリマー等が挙げられる。これら以
外にも、エポキシ化合物、ビニルエーテル類等を添加し
てもよい。
Further, a plasticizer may be added to the image recording material of the present invention, if necessary, for imparting flexibility to the coating film. For example, polyethylene glycol, tributyl citrate, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, dihexyl phthalate, dioctyl phthalate, tricresyl phosphate, tributyl phosphate, trioctyl phosphate, tetrahydrofurfuryl oleate, oligomers of acrylic acid or methacrylic acid And polymers. In addition to these, epoxy compounds, vinyl ethers and the like may be added.

【0214】以上の如き構成の本発明の画像記録材料
は、平版印刷版用原版に好適に用いることができる。以
下、本発明の画像記録材料を用いた平版印刷版用原版に
ついて説明する。尚、本明細書中、平版印刷版用原版と
は、インク受容部と非インク受容部の画像形成パターン
が形成されていない状態の版材を示し、平版印刷版と
は、インク受容部と非インク受容部の画像パターンが形
成され、そのまま印刷にかけられる状態の版材を示す。
The image recording material of the present invention having the above constitution can be suitably used for a lithographic printing plate precursor. Hereinafter, a lithographic printing plate precursor using the image recording material of the present invention will be described. In this specification, a lithographic printing plate precursor refers to a plate material in which an image forming pattern of an ink receiving portion and a non-ink receiving portion is not formed, and a lithographic printing plate is a non-ink receiving portion and a non-ink receiving portion. FIG. 4 shows a plate material in a state where an image pattern of an ink receiving portion is formed and is ready for printing.

【0215】前記平版印刷版用原版は、支持体上に、前
記本発明の画像記録材料を含有する感光層を有し、更に
必要に応じて、その他の層を有してなる。前記感光層
は、通常、上記各成分を溶媒に溶かして、適当な支持体
上に塗布することにより製造することができる。ここで
使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロ
ヘキサノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、1−メトキシ−2−プロパノール、2−メトキ
シエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロピルアセ
テート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、
N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホル
ムアミド、テトラメチルウレア、N−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチルラ
クトン、トルエン、水等が挙げられるが、これに限定さ
れるものではない。これらの溶媒は、単独あるいは混合
して使用される。溶媒中の上記成分(添加剤を含む全固
形分)の濃度は、好ましくは1〜50重量%である。ま
た塗布、乾燥後に得られる支持体上の塗布量(固形分)
は、用途によって異なるが、平版印刷用版材についてい
えば一般的に0.5〜5.0g/m2 が好ましい。塗布
する方法としては、種々の方法を用いることができる
が、例えば、バーコーター塗布、回転塗布、スプレー塗
布、カーテン塗布、ディップ塗布、エアーナイフ塗布、
ブレード塗布、ロール塗布等が挙げられる。塗布量が少
なくなるにつれて、見かけの感度は大になるが、前記感
光層の皮膜特性は低下する。
The lithographic printing plate precursor has, on a support, a photosensitive layer containing the image recording material of the present invention and, if necessary, other layers. The photosensitive layer can be usually produced by dissolving each of the above components in a solvent and coating the solution on a suitable support. As the solvent used herein, ethylene dichloride, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol monomethyl ether, 1-methoxy-2-propanol, 2-methoxyethyl acetate, 1-methoxy-2-propyl acetate, dimethoxy Ethane, methyl lactate, ethyl lactate,
N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, tetramethylurea, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, sulfolane, γ-butyllactone, toluene, water and the like, but are not limited thereto. . These solvents are used alone or as a mixture. The concentration of the above components (total solids including additives) in the solvent is preferably 1 to 50% by weight. The amount of coating on the support obtained after coating and drying (solid content)
Although it depends on the intended use, the lithographic printing plate material is generally preferably from 0.5 to 5.0 g / m 2 . As a method of applying, various methods can be used. For example, bar coater application, spin coating, spray application, curtain application, dip application, air knife application,
Examples include blade coating and roll coating. As the coating amount decreases, the apparent sensitivity increases, but the film characteristics of the photosensitive layer deteriorate.

【0216】前記感光層中には、塗布性を良化するため
の界面活性剤、例えば、特開昭62−170950号公
報に記載されているようなフッ素系界面活性剤を添加す
ることができる。好ましい添加量は、前記感光層の全固
形分中0.01〜1重量%、より好ましくは0.05〜
0.5重量%である。
In the photosensitive layer, a surfactant for improving coating properties, for example, a fluorine-based surfactant as described in JP-A-62-170950 can be added. . The preferable addition amount is 0.01 to 1% by weight, more preferably 0.05 to 1% by weight based on the total solid content of the photosensitive layer.
0.5% by weight.

【0217】本発明に使用される支持体としては、寸度
的に安定な板状物であり、例えば、紙、プラスチック
(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン等)がラミネートされた紙、金属板(例えば、アルミ
ニウム、亜鉛、銅等)、プラスチックフィルム(例え
ば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン
酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、
硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアセタール等)、上記のごとき金属が
ラミネート、もしくは蒸着された紙、もしくはプラスチ
ックフィルム等が挙げられる。
The support used in the present invention is a dimensionally stable plate-like material, such as paper, plastic (eg, polyethylene, polypropylene, polystyrene, etc.) laminated paper, metal plate ( For example, aluminum, zinc, copper, etc.), plastic film (for example, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose acetate butyrate,
Cellulose nitrate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl acetal, etc.), the above-mentioned metal-laminated or vapor-deposited paper, or plastic film.

【0218】本発明に使用される支持体としては、ポリ
エステルフィルム又はアルミニウム板が好ましく、その
中でも寸法安定性がよく、比較的安価であるアルミニウ
ム板は特に好ましい。好適なアルミニウム板は、純アル
ミニウム板及びアルミニウムを主成分とし、微量の異元
素を含む合金板であり、更にアルミニウムがラミネート
もしくは蒸着されたプラスチックフィルムでもよい。ア
ルミニウム合金に含まれる異元素には、ケイ素、鉄、マ
ンガン、銅、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、
ニッケル、チタン等がある。合金中の異元素の含有量は
高々10重量%以下である。特に好適なアルミニウム
は、純アルミニウムであるが、完全に純粋なアルミニウ
ムは精錬技術上製造が困難であるので、僅かに異元素を
含有するものでもよい。このように前記アルミニウム板
は、その組成が特定されるものではなく、従来より公知
公用の素材のアルミニウム板を適宜に利用することがで
きる。前記アルミニウム板の厚みは、およそ0.1〜
0.6mm程度、好ましくは0.15〜0.4mm、よ
り好ましくは0.2〜0.3mmである。
As the support used in the present invention, a polyester film or an aluminum plate is preferable. Among them, an aluminum plate which has good dimensional stability and is relatively inexpensive is particularly preferable. Suitable aluminum plates are a pure aluminum plate and an alloy plate containing aluminum as a main component and containing a trace amount of a different element, and may be a plastic film on which aluminum is laminated or vapor-deposited. The different elements contained in aluminum alloys include silicon, iron, manganese, copper, magnesium, chromium, zinc, bismuth,
There are nickel, titanium, and the like. The content of the foreign element in the alloy is at most 10% by weight or less. Particularly preferred aluminum is pure aluminum, but completely pure aluminum is difficult to produce due to refining technology, and therefore may contain a slightly different element. As described above, the composition of the aluminum plate is not specified, and an aluminum plate of a conventionally known and used material can be appropriately used. The thickness of the aluminum plate is approximately 0.1 to
It is about 0.6 mm, preferably 0.15 to 0.4 mm, more preferably 0.2 to 0.3 mm.

【0219】アルミニウム板を粗面化するに先立ち、所
望により、表面の圧延油を除去するための、例えば界面
活性剤、有機溶剤、アルカリ性水溶液等による脱脂処理
が行われる。アルミニウム板の表面の粗面化処理は、種
々の方法により行われるが、例えば、機械的に粗面化す
る方法、電気化学的に表面を溶解粗面化する方法、又は
化学的に表面を選択溶解させる方法により行われる。前
記機械的方法としては、ボール研磨法、ブラシ研磨法、
ブラスト研磨法、バフ研磨法等の公知の方法を用いるこ
とができる。また、電気化学的な粗面化法としては塩酸
又は硝酸電解液中で交流又は直流により行う方法があ
る。また、特開昭54−63902号公報に開示されて
いるように両者を組み合わせた方法も利用することがで
きる。この様に粗面化されたアルミニウム板は、必要に
応じてアルカリエッチング処理及び中和処理された後、
所望により表面の保水性や耐摩耗性を高めるために陽極
酸化処理が施される。アルミニウム板の陽極酸化処理に
用いられる電解質としては、多孔質酸化皮膜を形成する
種々の電解質の使用が可能で、一般的には硫酸、リン
酸、蓚酸、クロム酸あるいはそれらの混酸が用いられ
る。それらの電解質の濃度は、電解質の種類によって適
宜決められる。
Prior to roughening the aluminum plate, if necessary, a degreasing treatment with a surfactant, an organic solvent, an alkaline aqueous solution, or the like is performed to remove rolling oil on the surface. The surface roughening treatment of the aluminum plate is performed by various methods. For example, a method of mechanically roughening, a method of electrochemically dissolving and roughening the surface, or a method of chemically selecting the surface It is performed by a method of dissolving. As the mechanical method, a ball polishing method, a brush polishing method,
Known methods such as a blast polishing method and a buff polishing method can be used. Further, as an electrochemical surface roughening method, there is a method of performing an alternating or direct current in a hydrochloric acid or nitric acid electrolyte. Further, as disclosed in JP-A-54-63902, a method in which both are combined can be used. The aluminum plate thus roughened is subjected to an alkali etching treatment and a neutralization treatment as necessary,
If desired, anodizing treatment is performed to increase the water retention and abrasion resistance of the surface. As the electrolyte used for the anodic oxidation treatment of the aluminum plate, various electrolytes for forming a porous oxide film can be used, and generally, sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, chromic acid or a mixed acid thereof is used. The concentration of these electrolytes is appropriately determined depending on the type of the electrolyte.

【0220】陽極酸化の処理条件は、用いる電解質によ
り種々変わるので一概に特定し得ないが、一般的には、
電解質の濃度が1〜80重量%溶液、液温は5〜70
℃、電流密度5〜60A/dm2、電圧1〜100V、
電解時間10秒〜5分の範囲であれば適当である。陽極
酸化皮膜の量は1.0g/m2 より少ないと耐刷性が不
十分であったり、平版印刷版の非画像部に傷が付き易く
なって、印刷時に傷の部分にインキが付着するいわゆる
「傷汚れ」が生じ易くなる。陽極酸化処理を施された
後、アルミニウム表面は必要により親水化処理が施され
る。前記親水化処理としては、米国特許第2,714,
066号、同第3,181,461号、第3,280,
734号、第3,902,734号の各明細書に開示さ
れているようなアルカリ金属シリケート(例えばケイ酸
ナトリウム水溶液)法がある。この方法においては、支
持体がケイ酸ナトリウム水溶液で浸漬処理されるか又は
電解処理される。他に特公昭36−22063号公報に
開示されているフッ化ジルコン酸カリウム及び米国特許
第3,276,868号、同第4,153,461号、
同第4,689,272号の各明細書に開示されている
ようなポリビニルホスホン酸で処理する方法等が用いら
れる。
The anodizing treatment conditions cannot be specified without fail because they vary depending on the electrolyte used.
A solution having an electrolyte concentration of 1 to 80% by weight and a liquid temperature of 5 to 70%
° C, current density 5-60 A / dm 2 , voltage 1-100 V,
An electrolysis time of 10 seconds to 5 minutes is appropriate. If the amount of the anodic oxide film is less than 1.0 g / m 2 , the printing durability is insufficient or the non-image area of the lithographic printing plate is easily damaged, and the ink adheres to the damaged area during printing. So-called "scratch dirt" tends to occur. After the anodizing treatment, the aluminum surface is subjected to a hydrophilic treatment as necessary. As the hydrophilization treatment, US Pat.
No. 066, No. 3,181,461, No. 3,280,
There is an alkali metal silicate (for example, an aqueous solution of sodium silicate) as disclosed in the specifications of Nos. 734 and 3,902,734. In this method, the support is immersed or electrolytically treated with an aqueous solution of sodium silicate. In addition, potassium fluoride zirconate disclosed in JP-B-36-22063 and U.S. Pat. Nos. 3,276,868 and 4,153,461,
For example, a method of treating with polyvinyl phosphonic acid as disclosed in each specification of JP-A-4,689,272 is used.

【0221】前記平版印刷版用原版は、必要に応じて前
記支持体上に下塗層を設けることができる。前記下塗層
成分としては、種々の有機化合物が用いられ、例えば、
カルボキシメチルセルロース、デキストリン、アラビア
ガム、2−アミノエチルホスホン酸等のアミノ基を有す
るホスホン酸類、置換基を有してもよいフェニルホスホ
ン酸、ナフチルホスホン酸、アルキルホスホン酸、グリ
セロホスホン酸、メチレンジホスホン酸及びエチレンジ
ホスホン酸等の有機ホスホン酸、置換基を有してもよい
フェニルリン酸、ナフチルリン酸、アルキルリン酸及び
グリセロリン酸等の有機リン酸、置換基を有してもよい
フェニルホスフィン酸、ナフチルホスフィン酸、アルキ
ルホスフィン酸及びグリセロホスフィン酸等の有機ホス
フィン酸、グリシンやβ−アラニン等のアミノ酸類、及
びトリエタノールアミンの塩酸塩等のヒドロキシ基を有
するアミンの塩酸塩等から選ばれるが、2種以上混合し
て用いてもよい。前記下塗層の被覆量は、2〜200m
g/m2 が適当である。以上のようにして、本発明の画
像記録材料を用いた平版印刷版用原版を製造することが
できる。
In the lithographic printing plate precursor, an undercoat layer can be provided on the support, if necessary. As the undercoat layer component, various organic compounds are used, for example,
Carboxymethyl cellulose, dextrin, gum arabic, phosphonic acids having an amino group such as 2-aminoethylphosphonic acid, phenylphosphonic acid, naphthylphosphonic acid, alkylphosphonic acid, glycerophosphonic acid, and methylene diphosphonic which may have a substituent Acids and organic phosphonic acids such as ethylene diphosphonic acid, optionally substituted phenylphosphoric acid, naphthyl phosphoric acid, organic phosphoric acids such as alkyl phosphoric acid and glycerophosphoric acid, optionally substituted phenylphosphinic acid Organic phosphinic acids such as naphthylphosphinic acid, alkylphosphinic acid and glycerophosphinic acid, amino acids such as glycine and β-alanine, and hydrochlorides of amines having a hydroxy group such as hydrochloride of triethanolamine. And two or more kinds may be used in combination. The coating amount of the undercoat layer is 2 to 200 m
g / m 2 is appropriate. As described above, a lithographic printing plate precursor using the image recording material of the present invention can be manufactured.

【0222】以下、露光、現像処理について説明する。
得られた平版印刷版用原版は、波長760〜1200n
mの赤外線を放射する固体レーザ及び半導体レーザによ
り画像露光される。本発明においては、レーザ照射後す
ぐに現像処理を行ってもよいが、レーザ照射工程と現像
工程の間に加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理の
条件は、80〜150℃の範囲内で10秒〜5分間行う
ことが好ましい。この加熱処理により、レーザ照射時、
記録に必要なレーザエネルギーを減少させることができ
る。
Hereinafter, the exposure and development processes will be described.
The obtained lithographic printing plate precursor has a wavelength of 760 to 1200 n.
The image is exposed by a solid-state laser and a semiconductor laser that emit m infrared rays. In the present invention, the development treatment may be performed immediately after the laser irradiation, but it is preferable to perform the heat treatment between the laser irradiation step and the development step. The heat treatment is preferably performed at a temperature of 80 to 150 ° C. for 10 seconds to 5 minutes. By this heat treatment, at the time of laser irradiation,
The laser energy required for recording can be reduced.

【0223】必要に応じて加熱処理を行った後、前記平
版印刷版用原版は、アルカリ性水溶液にて現像される。
前記平版印刷版用原版に用いられる現像液及び補充液と
しては、従来より知られているアルカリ水溶液が使用で
きる。例えば、ケイ酸ナトリウム、同カリウム、第3リ
ン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、第2リ
ン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナ
トリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナト
リウム、同カリウム、同アンモニウム、ほう酸ナトリウ
ム、同カリウム、同アンモニウム、水酸化ナトリウム、
同アンモニウム、同カリウム及び同リチウム等の無機ア
ルカリ塩が挙げられる。また、モノメチルアミン、ジメ
チルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジ
エチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルア
ミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミ
ン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパ
ノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイ
ミン、エチレンジアミン、ピリジン等の有機アルカリ剤
も用いられる。これらのアルカリ剤は1種単独使用して
もよいし、2種以上を併用してもよい。これらのアルカ
リ剤の中で特に好ましい現像液は、ケイ酸ナトリウム、
ケイ酸カリウム等のケイ酸塩水溶液である。その理由
は、ケイ酸塩の成分である酸化珪素SiO2とアルカリ
金属酸化物M2Oの比率と濃度によって現像性の調節が
可能となるためであり、例えば、特開昭54−6200
4号、特公昭57−7427の各公報に記載されている
ようなアルカリ金属ケイ酸塩が有効に用いられる。
After performing a heat treatment as required, the lithographic printing plate precursor is developed with an alkaline aqueous solution.
As the developer and replenisher used for the lithographic printing plate precursor, conventionally known aqueous alkali solutions can be used. For example, sodium silicate, potassium, tribasic sodium, potassium, ammonium, dibasic sodium, potassium, ammonium, sodium carbonate, potassium, ammonium, sodium bicarbonate, potassium, potassium Ammonium, sodium borate, potassium, ammonium, sodium hydroxide,
And inorganic alkali salts such as ammonium, potassium and lithium. Also, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, Organic alkali agents such as ethyleneimine, ethylenediamine, and pyridine are also used. These alkali agents may be used alone or in combination of two or more. Particularly preferred developers among these alkaline agents are sodium silicate,
It is an aqueous solution of a silicate such as potassium silicate. The reason is that the developability can be adjusted by the ratio and the concentration of the silicon oxide SiO 2 and the alkali metal oxide M 2 O which are the components of the silicate.
No. 4 and JP-B-57-7427 are effectively used.

【0224】更に自動現像機を用いて現像する場合に
は、現像液よりもアルカリ強度の高い水溶液(補充液)
を現像液に加えることによって、長時間現像タンク中の
現像液を交換することなく、多量の平版印刷版用原版を
処理できることが知られている。本発明においてもこの
補充方式が好ましく適用される。現像液及び補充液に
は、現像性の促進や抑制、現像カスの分散及び印刷版画
像部の親インキ性を高める目的で、必要に応じて種々の
界面活性剤や有機溶剤を添加できる。好ましい界面活性
剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び
両性界面活性剤が挙げられる。更に、現像液及び補充液
には、必要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜
硫酸、亜硫酸水素酸等の無機酸のナトリウム塩、カリウ
ム塩等の還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟
化剤を加えることもできる。上記現像液及び補充液を用
いて現像処理された平版印刷版は、水洗水、界面活性剤
等を含有するリンス液、アラビアガムや澱粉誘導体を含
む不感脂化液で後処理される。本発明の画像記録材料を
印刷用版材として使用する場合の後処理としては、これ
らの処理を種々組み合わせて用いることができる。
In the case of further developing using an automatic developing machine, an aqueous solution having a higher alkali strength than the developing solution (replenisher)
It is known that a large amount of lithographic printing plate precursors can be processed without replacing the developing solution in the developing tank for a long period of time by adding to the developing solution. This replenishment system is also preferably applied in the present invention. Various surfactants and organic solvents can be added to the developing solution and the replenishing solution as needed for the purpose of promoting or suppressing the developing property, dispersing the developing residue and increasing the ink affinity of the printing plate image area. Preferred surfactants include anionic, cationic, nonionic and amphoteric surfactants. Further, the developing solution and the replenisher may contain, if necessary, a reducing agent such as a sodium salt or a potassium salt of an inorganic acid such as hydroquinone, resorcinol, sulfurous acid, and hydrogen sulfite; an organic carboxylic acid; an antifoaming agent; Agents can also be added. The lithographic printing plate developed using the above developer and replenisher is post-treated with washing water, a rinsing solution containing a surfactant and the like, and a desensitizing solution containing gum arabic and a starch derivative. As the post-processing when the image recording material of the present invention is used as a printing plate material, these processings can be used in various combinations.

【0225】近年、製版・印刷業界では製版作業の合理
化及び標準化のため、印刷用版材用の自動現像機が広く
用いられている。この自動現像機は、一般に現像部と後
処理部からなり、印刷用版材を搬送する装置と各処理液
槽及びスプレー装置からなり、露光済みの印刷版を水平
に搬送しながら、ポンプで汲み上げた各処理液をスプレ
ーノズルから吹き付けて現像処理するものである。ま
た、最近は処理液が満たされた処理液槽中に液中ガイド
ロール等によって印刷用版材を浸漬搬送させて処理する
方法も知られている。このような自動処理においては、
各処理液に処理量や稼働時間等に応じて補充液を補充し
ながら処理することができる。また、実質的に未使用の
処理液で処理するいわゆる使い捨て処理方式も適用でき
る。
In recent years, in the plate making / printing industry, automatic developing machines for printing plate materials have been widely used in order to rationalize and standardize plate making operations. This automatic developing machine generally consists of a developing section and a post-processing section, and consists of a device for transporting a printing plate material, each processing solution tank, and a spray device. Each developing solution is sprayed from a spray nozzle to perform a developing process. Recently, a method is also known in which a printing plate material is immersed and conveyed by a submerged guide roll or the like into a processing liquid tank filled with a processing liquid to perform processing. In such automatic processing,
Processing can be performed while replenishing each processing solution with a replenisher according to the processing amount, operating time, and the like. Further, a so-called disposable processing method in which processing is performed with a substantially unused processing liquid can also be applied.

【0226】以上のようにして得られた平版印刷版は、
所望により不感脂化ガムを塗布したのち、印刷工程に供
することができるが、より一層の高耐刷力の平版印刷版
としたい場合にはバーニング処理が施される。平版印刷
版をバーニングする場合には、バーニング前に、特公昭
61−2518、同55−28062、特開昭62−3
1859号、同61−159655号の各公報に記載さ
れているような整面液で処理することが好ましい。その
方法としては、該整面液を浸み込ませたスポンジや脱脂
綿にて、平版印刷版上に塗布するか、整面液を満たした
バット中に印刷版を浸漬して塗布する方法や、自動コー
ターによる塗布等が適用される。また、塗布した後でス
キージ、あるいは、スキージローラーで、その塗布量を
均一にすることは、より好ましい結果を与える。整面液
の塗布量は一般に0.03〜0.8g/m2 (乾燥重
量)が適当である。
The planographic printing plate obtained as described above is
After applying the desensitized gum as desired, it can be subjected to a printing process. However, when a lithographic printing plate having a higher printing durability is desired, a burning treatment is performed. In the case of burning a lithographic printing plate, prior to burning, the lithographic printing plate may be burned prior to burning.
It is preferable to treat with a surface-regulating liquid as described in JP-A Nos. 1859 and 61-159655. As the method, a method of applying the printing solution on a lithographic printing plate with a sponge or absorbent cotton impregnated with the surface conditioning solution, or immersing the printing plate in a vat filled with the surface conditioning solution, Application by an automatic coater or the like is applied. Further, it is more preferable to make the application amount uniform with a squeegee or a squeegee roller after the application. In general, it is appropriate that the application amount of the surface conditioning liquid is 0.03 to 0.8 g / m 2 (dry weight).

【0227】整面液が塗布された平版印刷版は、必要で
あれば乾燥された後、バーニングプロセッサー(例え
ば、富士写真フイルム(株)より販売されているバーニ
ングプロセッサー:BP−1300)等で高温に加熱さ
れる。この場合の加熱温度及び時間は、画像を形成して
いる成分の種類にもよるが、100〜300℃の範囲で
1〜20分の範囲が好ましい。バーニング処理された平
版印刷版は、必要に応じて適宜、水洗、ガム引き等の従
来より行なわれている処理を施すことができるが、水溶
性高分子化合物等を含有する整面液が使用された場合に
は、ガム引き等のいわゆる不感脂化処理を省略すること
ができる。この様な処理によって得られた平版印刷版
は、オフセット印刷機等にかけられ、多数枚の印刷に用
いられる。
The lithographic printing plate to which the surface conditioning liquid has been applied is dried if necessary, and then heated at a high temperature using a burning processor (eg, a burning processor: BP-1300 sold by Fuji Photo Film Co., Ltd.). Heated. The heating temperature and time in this case depend on the type of the component forming the image, but are preferably in the range of 100 to 300 ° C. and 1 to 20 minutes. The burning-processed lithographic printing plate can be subjected to a conventional treatment such as washing with water and gumming if necessary, but a surface-regulating solution containing a water-soluble polymer compound or the like is used. In such a case, the so-called desensitization treatment such as gumming can be omitted. The lithographic printing plate obtained by such a process is applied to an offset printing machine or the like and used for printing a large number of sheets.

【0228】[0228]

【実施例】以下に、本発明の実施例を説明するが、本発
明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。 (実施例1) [基板の作製]厚み0.3mmのアルミニウム板(材質
1050)をトリクロロエチレンで洗浄して脱脂した
後、ナイロンブラシと400メッシュのパミス−水懸濁
液を用いこの表面を砂目立てし、水でよく洗浄した。こ
のアルミニウム板を45℃の25%水酸化ナトリウム水
溶液に9秒間浸漬してエッチングを行い、水洗後、更に
20%硝酸に20秒間浸漬し、水洗した。この時の砂目
立て表面のエッチング量は約3g/m2 であった。次
に、このアルミニウム板を7%硫酸を電解液として電流
密度15A/dm2で3g/m2の直流陽極酸化被膜を設
けた後、水洗、乾燥し、更に、下記下塗り液を塗布し、
塗膜を90℃で1分乾燥した。乾燥後の塗膜の塗布量
は、10mg/m2であった。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples. (Example 1) [Preparation of substrate] An aluminum plate (material 1050) having a thickness of 0.3 mm was washed with trichlorethylene and degreased. And washed well with water. This aluminum plate was etched by immersing it in a 25% aqueous solution of sodium hydroxide at 45 ° C. for 9 seconds, washed with water, further immersed in 20% nitric acid for 20 seconds, and washed with water. At this time, the etching amount of the grained surface was about 3 g / m 2 . Next, a 3 g / m 2 direct current anodic oxide film was formed on the aluminum plate at a current density of 15 A / dm 2 using 7% sulfuric acid as an electrolytic solution, followed by washing with water and drying.
The coating was dried at 90 ° C. for 1 minute. The coating amount of the dried coating film was 10 mg / m 2 .

【0229】−下塗り液の組成− β−アラニン ・・・・・・・・・・・ 0.5g メタノール ・・・・・・・・・・・・・ 95g 水 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 5g-Composition of undercoat liquid-β-alanine ... 0.5 g methanol ... 95 g water ...・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 5g

【0230】 [平版印刷版用原版の作製] −感光液の組成− 酸発生剤X−1(下記構造式)・・・・・・・・・・・・・・・ 0.15g 下記表1のアニオン性赤外線吸収剤 ・・・・・・・・・・・・ 0.10g フェノールとホルムアルデヒドから得られるノボラック樹脂・・・ 1.5g (重量平均分子量10000) 架橋剤MM−1(下記構造式) ・・・・・・・・・・・・・・ 0.50g フッ素系界面活性剤 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 0.03g (メガファックF−177、大日本インキ化学工業(株)製) メチルエチルケトン ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 15g 1−メトキシ−2−プロパノール ・・・・・・・・・・・・・・・ 10g メチルアルコール ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 5g[Preparation of Lithographic Printing Plate Precursor]-Composition of photosensitive solution-Acid generator X-1 (the following structural formula) 0.15 g Table 1 below 0.10 g Novolak resin obtained from phenol and formaldehyde 1.5 g (weight average molecular weight 10,000) Crosslinking agent MM-1 (the following structural formula) 0.50 g Fluorosurfactant 0.03 g (MegaFac F- 177, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) Methyl ethyl ketone 15 g 1-methoxy-2-propanol・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 10g Methyl alcohol ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 5g

【0231】[0231]

【化83】 Embedded image

【0232】この感光液を、支持体である上記基板に塗
布し、100℃で1分間乾燥して実施例1の平版印刷版
用原版を得た。乾燥後の被覆重量は1.3g/m2であ
った。
This photosensitive solution was applied to the above substrate as a support and dried at 100 ° C. for 1 minute to obtain a lithographic printing plate precursor of Example 1. The coating weight after drying was 1.3 g / m 2 .

【0233】(実施例2〜15)実施例1において、感
光液に用いたアニオン性赤外線吸収剤を、表1〜2に示
すアニオン性赤外線吸収剤に代えた外は、実施例1と同
様にして、実施例2〜15の平版印刷版用原版を得た。
(Examples 2 to 15) The procedure of Example 1 was repeated, except that the anionic infrared absorber used in the photosensitive solution was changed to the anionic infrared absorbers shown in Tables 1 and 2. Thus, planographic printing plate precursors of Examples 2 to 15 were obtained.

【0234】(比較例1、2)実施例1において、感光
液に用いたアニオン性赤外線吸収剤を、下記構造式で表
される赤外線吸収剤B−1、B−2に代えた外は、実施
例1と同様にして、比較例1、2の平版印刷版用原版を
得た。
Comparative Examples 1 and 2 In Example 1, except that the anionic infrared absorbent used in the photosensitive solution was replaced by infrared absorbents B-1 and B-2 represented by the following structural formulas, In the same manner as in Example 1, lithographic printing plate precursors of Comparative Examples 1 and 2 were obtained.

【0235】[0235]

【化84】 Embedded image

【0236】<感度及び現像ラチチュードの評価>実施
例1〜15及び比較例1、2の平版印刷版用原版を、下
記表1、2に示すように、波長840nmの半導体レー
ザ、又は波長1064nmのYAGレーザを用いて露光
した。どちらのレーザを用いるかについては、含まれる
赤外線吸収染料の吸収波長に応じて適宜選択した。露光
後、140℃のオーブンで1分間加熱処理した後、富士
写真フイルム(株)製現像液DP−4、リンス液FR−
3(1:7)を仕込んだ自動現像機(「PSプロセッサ
ー900VR」,富士写真フイルム(株)製)を用いて
現像した。現像液DP−4は、1:6で希釈したものと
1:12で希釈したものの二水準を用意した。上記DP
−4の1:6で希釈した現像液にて得られた非画像部の
線幅を測定し、その線幅に相当するレーザーの照射エネ
ルギーを求め、感度の指標(mJ/cm2)とした。こ
の測定値(mJ/cm2)が小さいほど、平版印刷版の
感度が高いことを示す。
<Evaluation of Sensitivity and Development Latitude> As shown in Tables 1 and 2 below, the lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 and 2 were used as semiconductor lasers having a wavelength of 840 nm or 1064 nm. Exposure was performed using a YAG laser. Which laser is used was appropriately selected according to the absorption wavelength of the infrared absorbing dye contained therein. After the exposure, a heat treatment was performed for 1 minute in an oven at 140 ° C., followed by a developer DP-4 and a rinse FR- manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.
3 (1: 7) was developed using an automatic processor ("PS Processor 900VR", manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.). Two levels of developer DP-4 were prepared, one diluted 1: 6 and one diluted 1:12. DP above
The line width of the non-image part obtained with the developer diluted 1: 6 of -4 was measured, and the irradiation energy of the laser corresponding to the line width was determined and used as an index of sensitivity (mJ / cm 2 ). . The smaller the measured value (mJ / cm 2 ), the higher the sensitivity of the lithographic printing plate.

【0237】次に、標準である1:6で希釈した現像液
と、より希薄な1:12で希釈した現像液にて得られた
非画像部の線幅を測定し、その線幅に相当するレーザー
の照射エネルギーを求め、両者の感度の差を現像ラチチ
ュードの指標とした。その差が小さいほど現像ラチチュ
ードが良好であり、20mJ/cm2以下であれば、実
用可能なレベルである。
Next, the line width of the non-image portion obtained with the standard developer diluted 1: 6 and the diluted developer diluted 1:12 was measured, and the line width corresponding to the line width was measured. The irradiation energy of the laser to be used was determined, and the difference between the two sensitivities was used as an index of the development latitude. The smaller the difference is, the better the development latitude is, and if it is 20 mJ / cm 2 or less, it is at a practical level.

【0238】<保存安定性の評価>実施例1〜15及び
比較例1、2の平版印刷版用原版を、温度45℃、湿度
75%RHの高温多湿環境下で3日間保存し、その後、
前記と同様の方法でレーザ露光及び現像を行い、同様に
感度を求め、前記の結果と比較しその差を求め、保存安
定性の指標とした。感度の変動は、20mJ/cm2
下であれば、保存安定性は良好であり、実用可能なレベ
ルである。表1〜2に評価結果を示す。
<Evaluation of Storage Stability> The lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 and 2 were stored for 3 days in a high-temperature and high-humidity environment at a temperature of 45 ° C. and a humidity of 75% RH.
Laser exposure and development were carried out in the same manner as described above, the sensitivity was determined in the same manner, the difference was compared with the above results, and the difference was determined, which was used as an index of storage stability. If the fluctuation of the sensitivity is 20 mJ / cm 2 or less, the storage stability is good and is at a practical level. Tables 1 and 2 show the evaluation results.

【0239】[0239]

【表1】 [Table 1]

【0240】[0240]

【表2】 [Table 2]

【0241】上記結果から、実施例1〜15の平版印刷
版用原版は、比較例1、2の平版印刷版用原版に比べ、
赤外線レーザに対する感度が高く、また、前記二水準の
現像液を用いたときのそれぞれの感度の差が格段に小さ
く、十分に実用可能な現像ラチチュードを有することが
わかる。更に、実施例1〜15の平版印刷版用原版は総
てにおいて、比較例1、2の平版印刷版用原版に比べ、
保存前後における感度変動が極めて小さく、保存安定性
に優れ、十分に実用可能なレベルを満足している。
From the above results, the lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 15 were compared with the lithographic printing plate precursors of Comparative Examples 1 and 2.
It can be seen that the sensitivity to infrared laser is high, and the difference between the sensitivities when the above two levels of developer is used is extremely small, and that the developer has a sufficiently practical development latitude. Further, the lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 15 were all compared with the lithographic printing plate precursors of Comparative Examples 1 and 2.
The sensitivity fluctuation before and after storage is extremely small, the storage stability is excellent, and it satisfies a sufficiently practical level.

【0242】[0242]

【発明の効果】本発明によれば、赤外線を放射する固体
レーザ及び半導体レーザを用いて、コンピューター等の
デジタルデータから記録することにより直接製版が可能
であり、上記赤外線レーザに対し高感度で、かつ現像ラ
チチュード及び保存安定性の良好な画像記録材料を提供
することができる。
According to the present invention, it is possible to directly make a plate by recording from digital data of a computer or the like using a solid-state laser and a semiconductor laser that emit infrared light. In addition, it is possible to provide an image recording material having good development latitude and storage stability.

フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA01 AA04 AA11 AC08 AD01 CB42 CC11 CC17 2H096 AA06 BA06 EA04 2H114 AA04 AA24 BA01 BA05 BA10 DA03 DA22 DA23 DA24 DA31 DA34 DA39 DA49 DA52 EA02 EA10 GA03 GA04 GA08 GA09Continued on front page F term (reference) 2H025 AA01 AA04 AA11 AC08 AD01 CB42 CC11 CC17 2H096 AA06 BA06 EA04 2H114 AA04 AA24 BA01 BA05 BA10 DA03 DA22 DA23 DA24 DA31 DA34 DA39 DA49 DA52 EA02 EA10 GA03 GA04 GA08 GA09

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも、以下の(a)〜(d)を含
有することを特徴とする画像記録材料。 (a)光又は熱により分解して酸を発生する化合物 (b)酸により架橋する架橋剤 (c)水に不溶であり、かつ、アルカリ水溶液に可溶な
高分子化合物 (d)下記一般式(I)で表されるアニオン性赤外線吸
収剤 【化1】 (一般式(I)中、Mは共役鎖を表し、Ga -はアニオン
性の置換基を表し、Gbは中性の置換基を表す。X
m+は、水素イオン又はm価の陽イオンを表し、mは1〜
6の整数を表す。)
1. An image recording material comprising at least the following (a) to (d): (A) a compound that decomposes by light or heat to generate an acid (b) a crosslinking agent that crosslinks with an acid (c) a polymer compound that is insoluble in water and soluble in an aqueous alkaline solution (d) Anionic infrared absorbent represented by (I) (In the general formula (I), M represents a conjugated chain, G a - represents an anionic substituent, G b represents a neutral substituent .X
m + represents a hydrogen ion or an m-valent cation;
Represents an integer of 6. )
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160131A (en) * 1998-09-24 2000-06-13 Fuji Photo Film Co Ltd Anionic infrared absorbent, photosensitive composition and lithographic original plate using the same

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