JP2000314963A - 光学処理溶液、反射防止膜形成方法、パターンメッキ方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

光学処理溶液、反射防止膜形成方法、パターンメッキ方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2000314963A JP12312499A JP12312499A JP2000314963A JP 2000314963 A JP2000314963 A JP 2000314963A JP 12312499 A JP12312499 A JP 12312499A JP 12312499 A JP12312499 A JP 12312499A JP 2000314963 A JP2000314963 A JP 2000314963A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトレジストとインターミキシングを生じ
ることがなく、フォトレジスト現像液に溶解する反射防
止膜を形成し得る光学処理溶液及びパターンメッキ方法
を提供する。 【解決手段】 シクロペンタノンを溶媒とし、ポリメチ
ルグルタルイミド及び光吸収染料を含む光学処理溶液
を、傾斜部２００を含む被メッキ物１００の表面に塗布
し、熱処理して反射防止膜３００を形成する。次に、反
射防止膜３００を覆うフォトレジスト４００を塗布す
る。フォトレジスト４００及び反射防止膜３００に対
し、被メッキ物１００の表面にメッキパターンを形成す
るためのフォトリソグラフィ工程を実行する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学処理溶液、そ
れを用いた反射防止膜形成方法、パターンメッキ方法、
及び、このパターンメッキ方法を適用した薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの製造方法において、通
常、上部磁性膜となる第２の磁性膜は、ウエハー上に、
第１の磁性膜（下部磁性膜）、ギャップ膜、及び、コイ
ル膜を支持する絶縁膜を形成した後に形成される。第２
の磁性膜を形成するに当たっては、絶縁膜を含むウエハ
ーの全面に、第２の磁性膜のためのメッキ下地膜を、例
えば、スパッタ等の手段によって形成する。次に、メッ
キ下地膜の表面にフォトレジストを塗布し、塗布された
フォトレジストにフォトリソグラフィ工程を施して、第
２の磁性膜のためのレジストフレームを作成する。次
に、レジストフレームによって囲まれた領域内に、第２
の磁性膜を電気メッキ等の手段によって形成する。レジ
ストフレームの外部にもメッキ膜が析出するが、このメ
ッキ膜は除去される。
【０００３】第２の磁性膜形成工程において生じる問題
点の一つは、レジストフレームを形成するためのフォト
リソグラフィ工程において、露光光が絶縁膜の表面で反
射し、その反射光のために、フォトマスクで画定される
べき領域外まで、フォトレジストが露光されてしまい、
レジストフレームのパターン精度、延ては第２の磁性膜
のパターン精度が低下してしまうことである。
【０００４】この問題は、特に、ポール部において、顕
著になる。ポール部では、第２の磁性膜は、ギャップ膜
を介して、第１の磁性膜に対向している。ポール部の後
方には絶縁膜が位置しており、絶縁膜はギャップ膜の面
からある角度で傾斜しながら立ち上がっている。立ち上
がり開始点がスロートハイト(Throat Hight)零点に対応
し、立ち上がり角度がエイペックス角(Apex Angle)に対
応する。
【０００５】第２の磁性膜は、スロートハイト零点まで
はギャップ膜及び第１の磁性膜と平行なポール部を構成
し、スロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かって、
エイペックス角で傾斜するように形成される。
【０００６】従って、第２の磁性膜のためのレジストフ
レームをフォトリソグラフィによって形成する場合、ス
ロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かってエイペッ
クス角で傾斜する傾斜部分に付着したフォトレジストを
も露光しなければならない。
【０００７】このとき、傾斜部分には、既に、メッキ下
地膜が付着しているから、露光光がメッキ下地膜によっ
て反射される。反射された露光光の一部は、ポール部の
方向に反射される。このため、ポール部の露光パターン
が、フォトマスクによる露光パターンとは異なる結果と
なり、ポール部に対応するレジストフレームに、パター
ン崩れを生じる。
【０００８】ポール部におけるレジストフレームのパタ
ーン崩れは、記録トラック幅を、例えば１．０μｍ以下
まで超狭小化して高密度記録を図ろうとする場合に極め
て大きな障害となる。
【０００９】特開平９ー１８０１２７号公報は、上部磁
性膜用マスクとなるフォトレジストを塗布する前に、反
射防止膜を形成しておき、この反射防止膜上にフォトレ
ジストを塗布し、このフォトレジストを露光、現像する
ことにより、第２の磁性膜用マスクとなるレジストフレ
ームを形成する技術を開示している。
【００１０】ところが、従来用いられていた反射防止膜
は、レジストフレームを除去するために用いられるアル
カリ現像液には溶解しない。従って、アルカリ現像液に
よって現像して、レジストフレームを形成した後、反射
防止膜を、アッシング等の手段によって除去し、次に、
第２の磁性膜をメッキ等の手段によって形成しなければ
ならない。このため、プロセス数が多くなる。
【００１１】しかも、反射防止膜は、レジストフレーム
によって囲まれた内部パターンの全面に存在する。レジ
ストフレームの内部パターンには、上部磁性膜のポール
部に対応するポール部領域と、ヨーク部に対応する第２
のヨーク部とが存在する。従って、反射防止膜は、ポー
ル部領域と、第２のヨーク部との両領域において除去す
る必要がある。
【００１２】ところが、レジストフレームにおいて、ポ
ール部領域と、第２のヨーク部とでは、開口面積が著し
く異なる。しかも、高密度記録に対応するため、ポール
部領域の開口面積は、例えば、１μｍ以下の微小寸法に
狭小化される傾向にある。このため、レジストフレーム
によって囲まれた内部パターンに付着している反射防止
膜を除去する場合、第２のヨーク部と、ポール部領域と
では、エッチングレートが著しく異なり、ポール部領域
では、第２のヨーク部よりも、長時間のエッチング時間
を必要とする。この結果、ポール部領域において、反射
防止膜を除去する間に、レジストフレームが大きくエッ
チングされてしまい、レジストフレーム間隔が広がって
しまう。即ち、ポール幅狭小化のために設けた筈の反射
防止膜が、除去工程を必要とするために、レジストフレ
ーム間隔を拡大させ、ポール幅狭小化の障害となってし
まうのである。
【００１３】説明の具体化のために、薄膜磁気ヘッドの
製造方法を例にとって説明したが、上述した問題点は、
傾斜部を含む被メッキ物の表面にパターンメッキを施す
必要のあるパターンメッキ方法において、一般的に生じ
るものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、フォ
トレジストとインターミキシングを生じることがなく、
フォトレジスト現像液に溶解する反射防止膜を形成し得
る光学処理溶液、反射防止膜形成方法を提供することで
ある。
【００１５】本発明のもう一つの課題は、光学処理溶液
を用いたパターンメッキ方法及びこのパターンメッキ方
法を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
である。
【００１６】本発明の更にもう一つの課題は、絶縁膜の
上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成し得
る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１７】本発明の更にもう一つの課題は、狭小化さ
れた記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造する
のに適した製造方法を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る光学処理溶液は、シクロペンタノンを
溶媒とし、ポリメチルグルタルイミド（polymethylglut
arimide 以下ＰＭＧＩと称する）及び光吸収染料を含
む。
【００１９】上述した光学処理溶液を用いて、反射防止
膜を形成するには、この光学処理溶液を対象物に塗布
し、次に、熱処理する。これにより、フォトレジストと
インターミキシングを生じることがなく、フォトレジス
ト現像に用いられるアルカリ現像液に溶解する反射防止
膜を形成し得る。熱処理は、好ましくは、１００℃〜２
００℃の温度条件で行う。
【００２０】上述した光学処理溶液を用いてパターンメ
ッキ方法を行う場合、傾斜部を含む被メッキ物の表面に
反射防止膜を形成する。次に、前記反射防止膜を覆うフ
ォトレジストを塗布する。
【００２１】次に、前記フォトレジスト及び前記反射防
止膜に対し、前記被メッキ物の表面にメッキパターンを
形成するためのフォトリソグラフィ工程を実行して、前
記フォトレジスト及び前記反射防止膜より構成されるレ
ジストフレームを形成する。
【００２２】ここで、本発明に係る光学処理溶液によれ
ば、フォトレジストとインターミキシングを生じること
がなく、フォトレジスト現像に用いられるアルカリ現像
液に溶解する反射防止膜が形成されるから、フォトリソ
グラフィ工程を実行して、レジストフレームを得る場
合、フォトレジスト及び反射防止膜を、同一パターンと
なるように、同時にパターンニングできる。反射防止膜
を除去するための別工程は不要である。このため、フォ
トリソグラフィ工程が簡素化される。
【００２３】本発明に係る光学処理溶液及びパターンメ
ッキ方法は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用した場
合、顕著な作用効果を奏する。薄膜磁気ヘッドは、周知
のように、スライダと、薄膜磁気ヘッド素子とを含む。
前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
する。前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コ
イル膜と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜とを
含み、前記スライダによって支持されている。
【００２４】前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、
第１のヨーク部とを含む。前記第１のポール部は、前記
空気ベアリング面側の端部によって構成される。前記第
１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、前記空
気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部の後方
に延びている。
【００２５】前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１の
ポール部の面上に備えられる。前記絶縁膜は、前記コイ
ル膜を支持し、前記第１のヨーク部の上方に備えられ、
前記空気ベアリング面側に立ち上がり傾斜部を有する。
【００２６】前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、
第２のヨーク部とを含む。前記第２のポール部は、前記
ギャップ膜を介して、前記第１のポール部と対向する。
前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、前
記第２のポール部に連続し、後方で前記第１のヨーク部
と結合されている。
【００２７】前記薄膜磁気ヘッドの製造に当たり、前記
第１の磁性膜、前記ギャップ膜、前記コイル膜及び前記
絶縁膜を形成した後、前記第２の磁性膜を形成する前、
前記傾斜部を含む前記絶縁膜の表面に、前記第２の磁性
膜のためのメッキ下地膜を形成し、次に、前記傾斜部を
含む前記絶縁膜の表面上の前記メッキ下地膜の上に反射
防止膜を形成する。前記反射防止膜は、本発明に係る光
学処理溶液、即ち、シクロペンタノンを溶媒とし、ＰＭ
ＧＩ及び光吸収染料を含む光学処理溶液を塗布して形成
する。
【００２８】次に、前記反射防止膜を覆うフォトレジス
トを塗布する。次に、前記フォトレジスト及び前記反射
防止膜に対し、前記第２の磁性膜のためのフォトリソグ
ラフィ工程を実行して、前記フォトレジスト及び前記反
射防止膜より構成されるレジストフレームを形成する。
次に、前記レジストフレームによって囲まれた前記パタ
ーン内に、前記第２の磁性膜を形成する。
【００２９】反射防止膜は、絶縁膜の立ち上がり傾斜部
に備えられているから、第２の磁性膜のためのフォトリ
ソグラフィ工程を実行してレジストフレームを形成する
際、露光光が、絶縁膜の傾斜部分で反射される割合が、
著しく小さくなる。このため、特に、第２の磁性膜にお
いて、第２のポール部を決めるフォトレジストの露光パ
ターンが、フォトマスクによる露光パターンによってほ
ぼ定まるようになり、第２のポール部に対応するレジス
トフレームのパターンを高精度で設定できるようにな
る。従って、本発明によれば、高精度のパターンを有す
る第２のポール部を形成することができる。また、第２
のポール部に対応するレジストフレームのパターンを高
精度で設定できるので、狭小化された記録トラック幅を
有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００３０】しかも、本発明に係る光学処理溶液によれ
ば、フォトレジストとインターミキシングを生じること
がなく、フォトレジスト現像に用いられるアルカリ現像
液に溶解する反射防止膜が形成されるから、フォトリソ
グラフィ工程を実行して、レジストフレームを得る場
合、フォトレジスト及び反射防止膜を、同一パターンと
なるように、同時にパターンニングできる。反射防止膜
を除去するための別工程は不要である。従って、フォト
リソグラフィ工程が簡素化される。
【００３１】さらに、反射防止膜は、現像工程におい
て、フォトレジストと一緒に除去されるから、反射防止
膜のみを除去する工程が存在しない。このため、第２の
ヨーク部と、第２のポール部におけるエッチングレート
の相違に起因するレジストフレームのパターン精度の低
下、及び、レジストフレームの高さ低下等の問題を生じ
る余地がない。従って、第２のポール部及び第２のヨー
ク部を高精度のパターンで形成することができる。
【００３２】本発明は、いわゆるセルフアライメント型
（以下ＳＡ型と称する）薄膜磁気ヘッドにも適用でき
る。ＳＡ型の薄膜磁気ヘッドでは、前記絶縁膜は、第１
の絶縁膜と、第２の絶縁膜とを含む。前記第１の絶縁膜
は、前記コイル膜を支持する。前記第２の絶縁膜は、前
記空気ベアリング面側において前記第１の絶縁膜の基部
に備えられ、スロートハイト零点を決定する。
【００３３】また、前記第２の磁性膜において、前記第
２のヨーク部は、前記第１の絶縁膜の上に備えられ、一
端が前記第２のポール部に結合され、他端が前記第１の
ヨーク部と結合されている。
【００３４】上述したＳＡ型薄膜磁気ヘッドの製造に当
たり、前記第１の磁性膜、前記ギャップ膜を形成した
後、前記コイル膜、前記第１の絶縁膜及び、前記第２の
磁性膜を形成する前、前記ギャップ膜の上に第２の絶縁
膜を形成する。
【００３５】次に、前記第２の絶縁膜を含む前記ギャッ
プ膜の上にメッキ下地膜を形成する。次に、前記第２の
絶縁膜の上の前記メッキ下地膜の上に反射防止膜を形成
する。前記反射防止膜は、本発明に係る光学処理溶液、
即ち、シクロペンタノンを溶媒とし、ＰＭＧＩ及び光吸
収染料を含む光学処理溶液を塗布して形成する。
【００３６】次に、前記反射防止膜を覆うフォトレジス
トを塗布する。次に、前記フォトレジスト及び前記反射
防止膜に対し、前記第２の磁性膜のためのフォトリソグ
ラフィ工程を実行して、前記フォトレジスト及び前記反
射防止膜より構成されるレジストフレームを形成する。
【００３７】次に、前記レジストフレームによって囲ま
れた前記パターン内に、前記第２のポール部を形成す
る。この後、前記第１の絶縁膜、前記コイル膜及び前記
第２のヨーク部を形成する。
【００３８】反射防止膜は、第２の絶縁膜の表面であっ
て、空気ベアリング面側に備えられているから、第２の
磁性膜に含まれる第２のポール部のためのフォトリソグ
ラフィ工程を実行してレジストフレームを形成する際、
露光光が、第２の絶縁膜の傾斜部分で反射される割合
が、著しく小さくなる。このため、特に、第２のポール
部を覆うフォトレジストの露光パターンが、フォトマス
クによる露光パターンによってほぼ定まるようになり、
第２のポール部に対応するレジストフレームのパターン
を高精度で設定できるようになる。従って、高精度のパ
ターンを有する第２のポール部を形成することができ
る。また、第２のポール部に対応するレジストフレーム
のパターンを高精度で設定できるので、狭小化された記
録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
【００３９】しかも、本発明に係る光学処理溶液によれ
ば、フォトレジストとインターミキシングを生じること
がなく、フォトレジスト現像に用いられるアルカリ現像
液に溶解する反射防止膜が形成されるから、フォトリソ
グラフィ工程を実行して、レジストフレームを得る場
合、フォトレジスト及び反射防止膜を、同一パターンと
なるように、同時にパターンニングできる。反射防止膜
を除去するための別工程は不要である。従って、フォト
リソグラフィ工程が簡素化される。
【００４０】さらに、反射防止膜は、現像工程におい
て、フォトレジストと一緒に除去されるから、反射防止
膜のみを除去する工程が存在しない。このため、第２の
ヨーク部と、第２のポール部におけるエッチングレート
の相違に起因するレジストフレームのパターン精度の低
下、及び、レジストフレームの高さ低下等の問題を生じ
る余地がない。従って、第２のポール部及び第２のヨー
ク部を高精度のパターンで形成することができる。
【００４１】本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００４２】
【発明の実施の形態】＜光学処理溶液＞本発明に係る光
学処理溶液は、シクロペンタノンを溶媒とし、ＰＭＧＩ
及び光吸収染料を含む。
【００４３】この光学処理溶液によれば、フォトレジス
トとインターミキシングを生じることがなく、フォトレ
ジスト現像に用いられるアルカリ現像液に溶解する膜、
特に反射防止膜を形成し得る。適合性のあるアルカリ現
像液の一例としては、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド（以下ＴＭＡＨと称する）の２．３８％水
溶液を挙げることができる。
【００４４】ＰＭＧＩは、次の化学構造式、 で表現される。但し、樹脂の分子量（Ｍｗ）は約１００
０〜３００００、樹脂の組成比（ｍ：ｎ）は約５０：５
０である。
【００４５】本発明において用い得る光吸収染料の一例
は、アゾベンゼン系染料である。具体例として、 で表現されるアゾベンゼン系染料を上げることができ
る。この染料は、ｇ線、ｉ線の何れにも、吸収性を有す
る。
【００４６】本発明において用い得る光吸収染料のもう
一つの例は、クマリン系染料である。具体例として、 で表現されるクマリン系染料を上げることができる。こ
の染料も、ｇ線、ｉ線の何れに対しても、吸収性を示
す。別のクマリン系染料としては、 をあげることができる。
【００４７】本発明において用い得る光吸収染料の更に
もう一つの例は、ベンゾフェノン系染料である。具体例
としては、 で表現されるベンゾフェノン系染料を挙げることができ
る。この染料は、主に、ｉ線に吸収性を示す。
【００４８】＜反射防止膜の形成方法＞上述した光学処
理溶液を用いて反射防止膜を形成するには、この光学処
理溶液を対象物に塗布し、次に、熱処理する。これによ
り、フォトレジストとインターミキシングを生じること
がなく、フォトレジスト現像に用いられるアルカリ現像
液に溶解する反射防止膜を形成し得る。熱処理は、好ま
しくは、１００℃〜２００℃の温度条件で行う。
【００４９】＜パターンメッキ方法＞次に、上述した光
学処理溶液を用いたパターンメッキ方法を説明する。図
１〜図４はその工程を示す図である。
【００５０】上述した光学処理溶液を用いてパターンメ
ッキ方法を行う場合、まず、図１に示すように、傾斜部
２００を含む被メッキ物１００の表面に、メッキ下地膜
６００を形成した後、少なくとも、傾斜部２００上に形
成されたメッキ下地膜６００の上に反射防止膜３００を
形成する。反射防止膜３００は、上述した本発明に係る
光学処理溶液を、例えばスピンコート等の手段によって
塗布し、次に加熱することにより形成する。スピンコー
トの諸条件は、塗布する溶液の濃度等に合わせて、適切
に設定する。
【００５１】次に、図２に示すように、反射防止膜３０
０を覆うフォトレジスト４００を塗布する。そして、フ
ォトレジスト４００及び反射防止膜３００に対し、被メ
ッキ物１００の表面にメッキパターンを形成するための
フォトリソグラフィ工程を実行する。フォトリソグラフ
ィ工程は、周知のように、フォトマスクＰＨＭを通し
て、フォトレジスト４００を、所要のパターンで露光
し、現像することによって行われる。
【００５２】上記フォトリソグラフィ工程を経ることに
より、図３に示すように、フォトレジスト４００及び反
射防止膜３００により、所要のパターンＰ０を有するレ
ジストフレームＦＲが形成される。この後、図４に示す
ように、パターンメッキ５００を行う。パターンメッキ
工程が終了した後、ドライエッチング等の方法により、
パターンメッキ５００の周囲に存在する不要なメッキ下
地膜６００を除去する。これにより、所定のパターンメ
ッキが得られる。
【００５３】ここで、本発明に係る光学処理溶液によれ
ば、フォトレジスト４００とインターミキシングを生じ
ることがなく、フォトレジスト現像に用いられるアルカ
リ現像液に溶解する反射防止膜３００が形成されるか
ら、フォトリソグラフィ工程を実行して、レジストフレ
ームＦＲを得る場合、フォトレジスト４００及び反射防
止膜３００を、同一パターンとなるように、同時にパタ
ーンニングできる（図３参照）。反射防止膜３００を除
去するための別工程は不要である。従って、フォトリソ
グラフィ工程が簡素化される。
【００５４】次に、光学処理溶液の各種成分比につい
て、データを参照して説明する。ＰＭＧＩ濃度（ｗｔ
％）に対する光吸収染料濃度（ｇ／ｑｔ）を、１０、５
０、１００、２００、５００、１５０（ｇ／ｑｔ）のよ
うに変えて、サンプル１〜６を用意した。そして、各サ
ンプル１〜６を用いて、０．１μｍの反射防止膜を形成
し、２００℃の温度条件で、１時間保持した。そして、
各サンプル１〜６について、反射防止効果を調べた。結
果を表１に示してある。
【００５５】表１に示すように、光吸収染料濃度１０
（ｇ／ｑｔ）であるサンプル１では、反射防止効果が得
られない。また、光吸収染料濃度５００（ｇ／ｑｔ）で
あるサンプル５では、ＰＭＧＩのシクロヘキサン３％溶
液に、染料が完全には溶解しなかった。光吸収染料濃度
５０〜２００（ｇ／ｑｔ）のサンプル２〜４、５では、
反射防止効果が得られた。特に、光吸収染料濃度１００
〜２００（ｇ／ｑｔ）のサンプル２、４、６で優れた反
射防止効果が得られた。従って、ＰＭＧＩ濃度３（ｗｔ
％）の場合、光吸収染料濃度は、５０〜２００（ｇ／ｑ
ｔ）の範囲、特に好ましくは、１００〜２００（ｇ／ｑ
ｔ）の範囲に設定する。
【００５６】次に、ＴＭＡＨ系アルカリ現像液を用いた
場合のエッチング速度を調べた。表１にサンプル６とし
て示された光学処理溶液を用い、０．１μｍの反射防止
膜を形成し、マスクを介して、露光した。そして、加熱
温度を１３０、１５０、１８０、２００、２３０℃のよ
うに変えて、温度毎に異なる反射防止膜を形成した。加
熱に当たっては、通常のオーブンを用いた。この反射防
止膜の上に、１．２μｍのフォトレジスト膜を塗布し、
マスクを介して露光した。得られたサンプルを、２．３
８％ＴＭＡＨアルカリ現像液に浸漬し、現像した。アル
カリ現像液の液温は２３℃に保持した。２．３８％ＴＭ
ＡＨアルカリ現像液に対しては、フォトレジスト膜より
も、反射防止膜のほうがエッチング速度が早く、得られ
たレジストレジストパターンを、断面方向（膜厚方向）
からみた時に、反射防止膜に「くびれ」が入る。その幅
を反射防止膜のエッチング量とした。得られた結果を表
２に示してある。
【００５７】表２に示されるように、１３０℃のベーク
温度で１時間処理した場合は、現像時間３０秒で３２０
（ｎｍ）のエッチング量、６０秒で６３０（ｎｍ）のエ
ッチング量、９０秒で９５０（ｎｍ）のエッチング量が
得られる。平均値に換算すると、平均１０．６ｎｍ／秒
のエッチング速度となる。即ち、現像時間にほぼ比例す
るエッチング量が得られる。１５０℃、１８０℃、２０
０℃のベーク温度でも、同様の傾向が見られる。従っ
て、１３０〜２００℃のベーク温度であれば、現像時間
をコントロールすることにより、反射防止膜の現像エッ
チング量をコントロールすることができる。
【００５８】一方、ベーク温度が１００℃未満になる
と、反射防止膜の硬化が不充分になる。また、２３０℃
のベーク温度で処理した場合は、反射防止膜は、上述し
た組成のアルカリ現像液では、溶解できなくなる。炭化
が進むためと推測される。
【００５９】従って、上述したプロセス条件では、１０
０℃〜２００℃の温度条件で加熱することが好ましいこ
とになる。
【００６０】上記例では、ＰＭＧＩ濃度が３ｗｔ％であ
るシクロペンタノン溶液を用いた場合を例にとって説明
したが、ＰＭＧＩ濃度は０．１〜５０ｗｔ％の範囲で任
意の値を採り得る。
【００６１】本発明に係る光学処理溶液及びパターンメ
ッキ方法は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用した場
合、顕著な作用効果を奏する。この実施例では、２つの
異なる態様の薄膜磁気ヘッドへの適用例を示す。
【００６２】＜第１の態様に係る薄膜磁気ヘッド＞図５
は本発明の第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、
図６は図５に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。これらの図において、寸法は誇張されている。図示
された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少なくとも１
つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む。
【００６３】スライダ１は媒体対向面側にレール部１
１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面が空気
ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）１３、１４として
用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。例
えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レール
部を持たない平面となることもある。また、浮上特性改
善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付さ
れ、種々の形状を持つＡＢＳとされることもある。何れ
のタイプであっても、本発明の適用が可能である。スラ
イダ１は、AlTiC等のセラミック材料によって構成され
る。
【００６４】薄膜磁気変換素子２は、第１の磁性膜２１
と、ギャップ膜２４と、第２の磁性膜２２と、コイル膜
２３と、絶縁膜２５と、保護膜２６とを含み、スライダ
１上に設けられている。第１の磁性膜２１は、第１のポ
ール部２１０、及び、第１のヨーク部２１１を有する。
第１のポール部２１０は、ＡＢＳ１３、１４側の端部に
よって構成されている。第１のヨーク部２１１は、第１
のポール部２１０に連続し、ＡＢＳ１３、１４を基準に
して第１のポール部２１０の後方に延びている。コイル
膜２３は絶縁膜２５によって支持されている。ギャップ
膜２４は、少なくとも第１のポール部２１０の面上に備
えられている。
【００６５】絶縁膜２５は、コイル膜２３を支持し、第
１のヨーク部２１１の上方に備えられ、ＡＢＳ１３、１
４側に、ギャップ膜２４の一面から立ち上がり傾斜部２
５０を有している。傾斜部２５０の表面は、一般には、
絶縁膜２５の層数に応じた円弧形状となる。
【００６６】第２の磁性膜２２は、第２のポール部２２
０と、第２のヨーク部２２１とを含む。第２のポール部
２２０は、ギャップ膜２４を介して、第１のポール部２
１０と対向している。第２のヨーク部２２１は、絶縁膜
２５の上に備えられ、第２のポール部２２０に連続し、
後方で第１のヨーク部２１１と結合されている。
【００６７】第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、第２
の磁性膜２２、コイル膜２３、絶縁膜２５及び保護膜２
６は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有
し、通常の手段に従って製造することができる。その好
ましい具体例を挙げると次の通りである。
【００６８】まず、第１の磁性膜２１はNiFe、CoFe、Co
FeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜
厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法や
スパッタ法等を用いることができる。
【００６９】第２の磁性膜２２はNiFe、CoFe、CoFeNi等
の軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるよ
うに形成する。形成手段としては、フレームメッキ法等
を用いることができる。その詳細については、本発明に
係る製造方法において更に具体的に説明する。
【００７０】コイル膜２３はＣｕ等の導電性材料から構
成される。コイル膜２３の膜厚は２〜５μｍ程度が好ま
しい。コイル膜２３の形成には、フレームメッキ法等を
用いることが好ましい。
【００７１】ギャップ膜２４はAl2O3、SiO2等の非磁性
絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成するこ
とができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成す
る場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性
金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパ
ッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５
μｍ程度が好ましい。
【００７２】絶縁膜２５はフォトレジスト材料を硬化さ
せて形成することが好ましい。絶縁膜２５は、コイル膜
２３の層数、及び、コイル支持構造に応じて、その層数
が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。一般には、３
〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
【００７３】保護膜２６はAl2O3、SiO2等の絶縁材料に
よって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度
が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成す
ることが好ましい。
【００７４】コイル膜２３は、第１の磁性膜２１、第２
の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路
を構成する。コイル膜２３は、絶縁膜２５によって支持
され、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるよう
に形成されている。コイル膜２３の両端は、取り出し電
極２７、２８に導通されている（図５参照）。コイル膜
２３の巻数および層数は任意である。この実施例では、
２層構造を持つコイル膜２３を示してある。
【００７５】図示された薄膜磁気ヘッドにおいて、スラ
イダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄
膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているか
ら、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用い
られる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができ
る。
【００７６】第２の磁性膜２２の第２のヨーク部２２１
は、後方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されてい
るから、コイル膜２３に書き込み電流を流すことによっ
て発生した磁界を、第２のヨーク部２２１によって、第
１のポール部２１０及び第２のポール部２２０に効率良
く伝送することができる。
【００７７】図５及び図６に示した薄膜磁気ヘッドは、
誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用
としてＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換
素子２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の
媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方
向ａ１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一
致する。スライダ１の媒体移動方向ａ１の端面には、薄
膜磁気変換素子２に接続された取り出し電極２７、２８
及び薄膜磁気変換素子３に接続された取り出し電極３
３、３４が設けられている。
【００７８】ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造の
ものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロ
イ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大
磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの、強磁性トンネ
ル接合効果素子（ＴＭＲ）を用いたもの等がある。本発
明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３
は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ね
ている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の
内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によっ
て構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図
６参照）により、取り出し電極３３、３４に接続されて
いる（図５参照）。
【００７９】＜第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法＞次に、図５、６に示した第１の態様に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明する。図７〜図２４は第１の
態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に含まれる工程を
示す図である。図７〜図２４において、図５、６に示さ
れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照
符号を付してある。本発明に係る製造方法はウエハー上
で実行されるが、図はウエハー上の一素子のみを示して
ある。
【００８０】まず、図７〜９を参照して説明する。図７
はある工程における薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分
の正面断面図、図８は図７の８ー８線に沿った断面図、
図９は図７、８に示した磁気変換素子部分の平面図であ
る。図７〜９は図示上の都合から寸法は必ずしも一致し
ていない。また、寸法は誇張されている。
【００８１】図示するように、スライダとなる基体１上
に第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、及び、コイル膜
２３を支持する絶縁膜２５がすでに形成されている。絶
縁膜２５を含む全面には、第２の磁性膜をメッキによっ
て形成するためのメッキ下地膜（シード膜）が形成され
ている。ＭＲ素子３、第１のシールド膜３１、絶縁膜３
２及びリード導体３５等も既に形成されている。これら
の構成部分は当業者に周知のプロセスに従って形成す
る。
【００８２】絶縁膜２５はギャップ膜２４の面から、あ
る角度θで傾斜しながら膜厚方向に立ち上がる傾斜部２
５０を有する。傾斜部２５０の立ち上がり開始点がスロ
ートハイト零点ＴＨ０に対応し、立ち上がり角度θがエ
イペックス角に対応する。角度θは、１０°〜６０°の
間、特に、３０°〜４５°程度が好ましい。
【００８３】次に、図１０〜１２に示すように、反射防
止膜４を形成する。反射防止膜４は、既に説明した光学
処理溶液を用い、スピンコート等の手段によって、絶縁
膜２５の全面、第１の磁性膜２１の露出面及びギャップ
膜２４の露出面に形成する。反射防止膜４は、既に述べ
た条件（組成分、ベーク温度等）によって処理する。
【００８４】次に、図１３〜１５に示すように、反射防
止膜４及び絶縁膜２５を覆うフォトレジスト６を塗布す
る。フォトレジスト６はスピンコート法によって塗布す
ることができる。このフォトレジスト６に対してフォト
マスクＰＨＭを当て、第２の磁性膜のためのフォトリソ
グラフィ工程を実行する。これにより、図１６〜図１８
に示すように、所要のパターン６１を有するレジストフ
レーム６０が形成される。
【００８５】ここで、ポール部に連なる傾斜部２５０に
反射防止膜４が存在するので、フォトレジスト６に対し
て第２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行
する際、露光光が、絶縁膜２５の傾斜部２５０に形成さ
れたメッキ下地膜で反射される割合が、著しく小さくな
る。このため、特に、第２のポール部領域Ｐ０の露光パ
ターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンによ
ってほぼ定まるようになり、レジストフレーム６０によ
って囲まれた内側のパターン６１のうち、ポール部領域
Ｐ０のパターンを、フォトリソグラフィ工程精度によっ
て定まる高精度の形状に設定できるようになる。
【００８６】図３６は反射防止膜を持たない従来例を示
す。反射防止膜を持たない場合、傾斜部２５０に、既に
形成されているメッキ下地膜によって、露光光ＤＰ１が
反射される。反射された露光光ＤＰ１の一部は、ポール
部の方向にも反射される。このため、ポール部の露光パ
ターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンとは
異なる結果となり、ポール部に対応するレジストフレー
ム６０にパターン崩れを生じる。
【００８７】しかも、本発明に係る光学処理溶液によれ
ば、フォトレジストとインターミキシングを生じること
がなく、フォトレジスト現像に用いられるアルカリ現像
液に溶解する反射防止膜４が形成されるから、フォトリ
ソグラフィ工程を実行して、レジストフレーム６０を得
る場合、フォトレジスト６及び反射防止膜４を、同一パ
ターンとなるように、同時にパターンニングできる。こ
のため、フォトリソグラフィ工程が簡素化される。
【００８８】さらに、反射防止膜４は、現像工程におい
て、フォトレジスト６と一緒に除去されるから、反射防
止膜４のみを除去する工程が存在しない。このため、第
２のヨーク部と、第２のポール部におけるエッチングレ
ートの相違に起因するレジストフレームのパターン精度
の低下、及び、レジストフレームの高さ低下等の問題を
生じる余地がない。従って、第２のポール部及び第２の
ヨーク部を高精度のパターンで形成することができる。
【００８９】次に、図１９〜２１に示すように、レジス
トフレーム６０によって囲まれたパターン６１の内部
に、第２の磁性膜２２を形成する。第２の磁性膜２２
は、スロートハイト零点ＴＨ０まではギャップ膜２４及
び第１の磁性膜２１と平行な第２のポール部２２０を構
成し、スロートハイト零点ＴＨ０から絶縁膜２５の上面
に向かって、エイペックス角θで傾斜するように形成さ
れる。
【００９０】ここで、第２のポール部２２０のを画定す
るレジストフレーム６０のパターン（ポール領域Ｐ０）
が、フォトマスクの露光パターンによってほぼ定まる高
精度の寸法、形状に設定されているから、高精度のパタ
ーンを有する第２のポール部２２０を形成することがで
きる。また、第２のポール部２２０に対応するレジスト
フレーム６０のパターン６１を高精度で設定できるの
で、例えば、１．０μｍ以下の狭小化された記録トラッ
ク幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００９１】次に、図２２〜２４に示すように、レジス
トフレーム６０を除去する。レジストフレーム６０は、
有機溶剤による溶解法、もしくは、アッシング等のドラ
イエッチング法の適用によって除去することができる。
【００９２】第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４及び第
２の磁性膜２２によって構成されるポール部は、例え
ば、高密度記録を達成する等のために、種々の構造、態
様を取ることがある。本発明は、ポール部の構造または
態様が変化した場合にも、幅広く対応できる。
【００９３】また、実施例は、誘導型磁気変換素子２を
書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有す
る複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示しているので、
ＭＲ素子３を形成する工程も含んでいる。ＭＲ素子３
は、誘導型磁気変換素子２よりも前に形成される。
【００９４】更に、図示は省略するが、図７〜２４に図
示された工程の後も、図５、６に図示された薄膜磁気ヘ
ッドを得るために必要な工程が実行されることは言うま
でもない。これらの工程には、従来より周知の工程を採
用することができる。
【００９５】＜第２の態様に係るＳＡ型薄膜磁気ヘッド
＞図２５は第２の態様に係るＳＡ型薄膜磁気ヘッドの断
面図、図２６は図２５に示したＳＡ型薄膜磁気ヘッドの
ポール部分の拡大斜視図である。図において、図５、６
に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の
参照符号を付してある。ＳＡ型薄膜磁気ヘッドでは、絶
縁膜は、第１の絶縁膜２５と、第２の絶縁膜２７とを含
む。第１の絶縁膜２５は、コイル膜２３を支持する。第
２の絶縁膜２７は、ＡＢＳ１３、１４側において、第１
の絶縁膜２５の基部に備えられ、スロートハイトＴＨ０
を決定する。
【００９６】また、第２の磁性膜２２において、第２の
ヨーク部２２１は、第１の絶縁膜２５の上に備えられ、
一端が第２のポール部２２０に結合され、他端が、後方
結合部２２３により、第１のヨーク部２１１と結合され
ている。第１のポール部２１０の両側には、凹部２８、
２９が設けられており、これによってトラック幅の狭小
化が図られている。
【００９７】＜第２の態様にかかるＳＡ型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法＞次に、第２の態様にかかるＳＡ型薄膜磁
気ヘッドの製造方法について、図２７〜３５を参照して
説明する。まず、図２７に示すように、第１の磁性膜２
１及びギャップ膜２４を形成した後、図２８に示すよう
に、ギャップ膜２４の上に第２の絶縁膜２７を、例えば
半球状等適当な形状に形成する。第２の絶縁膜２７はス
ロートハイト零点ＴＨ０の位置を勘案して形成される。
第２の絶縁膜２７を形成する時点では、第１の絶縁膜２
５、及び、第２の磁性膜２２は、未だ形成されていな
い。
【００９８】次に、図２９に示すように、第２の絶縁膜
２７を覆う反射防止膜４を形成する。反射防止膜４は、
本発明に係る光学処理溶液を用い、既に説明した好まし
いプロセス条件に従って形成される。
【００９９】次に、図３０に示すように、反射防止膜４
を覆うフォトレジスト６を塗布し、このフォトレジスト
６に対して、フォトマスクＰＨＭを用いて露光し、第２
のポール部２２０のためのフォトリソグラフィ工程を実
行し、図３１に示すように、レジストフレーム６０を形
成する。
【０１００】露光工程では、スロートハイト零点ＴＨ０
を決める第２の絶縁膜２７の上に、反射防止膜４が存在
するので、フォトレジスト６に対して第２のポール部の
ためのフォトリソグラフィ工程を実行する際、露光光
が、第２の絶縁膜２７で反射される割合が、著しく小さ
くなる。このため、特に、第２のポール部領域Ｐ０の露
光パターンが、フォトマスクＰＨＭによる露光パターン
によってほぼ定まるようになる。このため、ポール部領
域Ｐ０のパターンを、フォトリソグラフィ工程精度によ
って定まる高精度の形状に設定できるようになる。
【０１０１】しかも、本発明に係る光学処理溶液によれ
ば、フォトレジストとインターミキシングを生じること
がなく、フォトレジスト現像に用いられるアルカリ現像
液に溶解する反射防止膜４が形成されるから、フォトリ
ソグラフィ工程を実行して、レジストフレーム６０を得
る場合、フォトレジスト６及び反射防止膜４を、同一パ
ターンとなるように、同時にパターンニングできる。こ
のため、フォトリソグラフィ工程が簡素化される。
【０１０２】次に、図３２に示すように、レジストフレ
ーム６０によって囲まれたパターン内に、第２のポール
部２２０を形成する。後方接続部２２３を同時に形成し
てもよい。この後、図３３に示すように、第２のポール
部２２０及び後方接続部２２３の表面を、絶縁膜３６の
成膜と、ＣＭＰ等の手段によって平坦化する。
【０１０３】ここで、反射防止膜４は、現像工程におい
て、フォトレジスト６と一緒に除去されるから、反射防
止膜４のみを除去する工程が存在しない。このため、第
２のポール部２２０におけるエッチングレートの相違に
起因するレジストフレームのパターン精度の低下、及
び、レジストフレームの高さ低下等の問題を生じる余地
がない。従って、第２のポール部２２０を高精度のパタ
ーンで形成することができる。
【０１０４】次に、図３４に示すように、コイル膜２
３、第１の絶縁膜２５及び第２のヨーク部２２１を形成
し、さらに、図３５に示すように、保護膜２６を形成す
る。
【０１０５】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【０１０６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）フォトレジストとインターミキシングを生じるこ
とがなく、フォトレジスト現像液に溶解する反射防止膜
を形成し得る光学処理溶液及び反射防止膜形成方法を提
供することができる。 （ｂ）前記光学処理溶液を用いたパターンメッキ方法及
びこのパターンメッキ方法を適用した薄膜磁気ヘッドの
製造方法を提供することができる。 （ｃ）絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパタ
ーンで形成し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことができる。 （ｄ）狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘ
ッドを製造するのに適した製造方法を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光学処理溶液を用いたパターンメ
ッキ方法を説明する図である。
【図２】図１に図示された工程の後の工程を示す図であ
る。
【図３】図２に図示された工程の後の工程を示す図であ
る。
【図４】図３に図示された工程の後の工程を示す図であ
る。
【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図６】図５に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図であ
る。
【図７】図５、６に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程の
一つを示す断面図である。
【図８】図７の８ー８線に沿って切断したときの端面図
である。
【図９】図７、８に示した薄膜磁気ヘッド部分の平面図
である。
【図１０】図７〜９に示した製造工程の後の工程を示す
断面図である。
【図１１】図１０の１１ー１１線に沿って切断したとき
の端面図である。
【図１２】図１０、１１に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
【図１３】図１０〜１２に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図１４】図１３の１４ー１４線に沿って切断したとき
の端面図である。
【図１５】図１３、１４に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
【図１６】図１３〜１５に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図１７】図１６の１７ー１７線に沿って切断したとき
の端面図である。
【図１８】図１６、１７に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
【図１９】図１６〜１８に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図２０】図１９の２０ー２０線に沿って切断したとき
の端面図である。
【図２１】図１９、２０に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
【図２２】図１９〜２１に示した製造工程の後の工程を
示す断面図である。
【図２３】図２２の２３ー２３線に沿って切断したとき
の端面図である。
【図２４】図２２、２３に示した薄膜磁気ヘッド部分の
平面図である。
【図２５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を
示す断面図である。
【図２６】図２５に示した薄膜磁気ヘッドのポール部分
の拡大斜視図である。
【図２７】図２５、２６に示した薄膜磁気ヘッドの製造
工程の一つを示す断面図である。
【図２８】図２７に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図２９】図２８に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図３０】図２９に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図３１】図３０に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図３２】図３１に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図３３】図３２に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図３４】図３３に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図３５】図３４に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
【図３６】従来製造方法の問題点を説明する断面図であ
る。
【符号の説明】
２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 第１の磁性膜 ２２ 第２の磁性膜 ２１０ 第１のポール部 ２２０ 第２のポール部 ２３ コイル膜 ２４ ギャップ膜 ２５ 絶縁膜 ２５０ 傾斜部 ４ 反射防止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AA06 AB14 AB20 CB25 CC03 CC13 DA34 EA10 FA28 4F071 AA36 AA36X AA76X AA81 AA81X AC07 AC12 AC19 AE09 AE22 AF29 AF30 AG28 AH03 AH19 BA03 BB02 BC01 BC02 4J100 AJ02P BA28H CA01 CA31 HA45 JA25 JA32 5D033 BA07 BA12 DA04 DA07 5F046 PA07 PA09

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シクロペンタノンを溶媒とし、ポリメチ
    ルグルタルイミド及び光吸収染料を含む光学処理溶液。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載された光学処理溶液であ
    って、 前記ポリメチルグルタルイミドは、 但し、樹脂の分子量（Ｍｗ）は約１０００〜３００００ 樹脂の組成比（ｍ：ｎ）は約５０：５０ で表現される光学処理溶液。
  3. 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
    光学処理溶液であって、 前記光吸収染料は、アゾベンゼン系染料である光学処理
    溶液。
  4. 【請求項４】 請求項１または２の何れかに記載された
    光学処理溶液であって、 前記光吸収染料は、クマリン系染料である光学処理溶
    液。
  5. 【請求項５】 請求項１または２の何れかに記載された
    光学処理溶液であって、 前記光吸収染料は、ベンゾフェノン系染料である光学処
    理溶液。
  6. 【請求項６】 対象物に反射防止膜を形成する方法であ
    って、 シクロペンタノンを溶媒とし、ポリメチルグルタルイミ
    ド及び光吸収染料を含む光学処理溶液を、前記対象物に
    塗布し、 次に、熱処理する工程を含む方法。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載された方法であって、 前記熱処理は、１００℃〜２００℃の温度条件で行う方
    法。
  8. 【請求項８】 請求項６または７の何れかに記載された
    方法であって、 前記ポリメチルグルタルイミドは、 但し、樹脂の分子量（Ｍｗ）は約１０００〜３００００ 樹脂の組成比（ｍ：ｎ）は約５０：５０ で表現される方法。
  9. 【請求項９】 請求項６または７の何れかに記載された
    方法であって、 前記光吸収染料は、アゾベンゼン系染料である方法。
  10. 【請求項１０】 請求項６または７の何れかに記載され
    た方法であって、 前記光吸収染料は、クマリン系染料である方法。
  11. 【請求項１１】 請求項６または７の何れかに記載され
    た方法であって、 前記光吸収染料は、ベンゾフェノン系染料である方法。
  12. 【請求項１２】 パターンメッキ方法であって、 傾斜部を含む被メッキ物の表面に反射防止膜を形成し、
    前記反射防止膜は、シクロペンタノンを溶媒とし、ポリ
    メチルグルタルイミド及び光吸収染料を含む光学処理溶
    液を塗布して形成し、 前記反射防止膜を覆うフォトレジストを塗布し、 前記フォトレジスト及び前記反射防止膜に対し、前記被
    メッキ物の表面にメッキパターンを形成するためのフォ
    トリソグラフィ工程を実行して、前記フォトレジスト及
    び前記反射防止膜より構成されるレジストフレームを形
    成し、 前記レジストフレームによって囲まれた前記パターン内
    に、メッキをする工程を含むパターンメッキ方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載されたパターンメッ
    キ方法であって、 前記反射防止膜は、前記光学処理溶液を塗布し、かつ、
    １００℃〜２００℃の温度条件で加熱することにより形
    成するパターンメッキ方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２または１３の何れかに記載
    されたパターンメッキ方法であって、 前記ポリメチルグルタルイミドは、 但し、樹脂の分子量（Ｍｗ）は約１０００〜３００００ 樹脂の組成比（ｍ：ｎ）は約５０：５０ で表現されるパターンメッキ方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１２または１３の何れかに記載
    されたパターンメッキ方法であって、 前記光吸収染料は、アゾベンゼン系染料であるパターン
    メッキ方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１２または１３の何れかに記載
    されたパターンメッキ方法であって、 前記光吸収染料は、クマリン系染料であるパターンメッ
    キ方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１２または１３の何れかに記載
    されたパターンメッキ方法であって、 前記光吸収染料は、ベンゾフェノン系染料であるパター
    ンメッキ方法。
  18. 【請求項１８】 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素
    子とを含み、 前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
    しており、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜
    と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜とを含み、
    前記スライダによって支持されており、 前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク
    部とを含み、 前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部
    によって構成され、 前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、
    前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部
    の後方に延びており、 前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１のポール部の面
    上に備えられており、 前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨー
    ク部の上方に備えられ、前記空気ベアリング面側に立ち
    上がり傾斜部を有しており、 前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク
    部とを含み、 前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記
    第１のポール部と対向しており、 前記第２のヨーク部は、前記絶縁膜の上に備えられ、前
    記第２のポール部に連続し、後方で前記第１のヨーク部
    と結合されており、 前記薄膜磁気ヘッドの製造に当たり、前記第１の磁性
    膜、前記ギャップ膜、前記コイル膜及び前記絶縁膜を形
    成した後、前記第２の磁性膜を形成する前、前記傾斜部
    を含む前記絶縁膜の表面に、前記第２の磁性膜のための
    メッキ下地膜を形成し、 次に、前記傾斜部を含む前記絶縁膜の表面上の前記メッ
    キ下地膜の上に反射防止膜を形成し、前記反射防止膜
    は、シクロペンタノンを溶媒とし、ポリメチルグルタル
    イミド及び光吸収染料を含む光学処理溶液を塗布して形
    成し、 前記反射防止膜を覆うフォトレジストを塗布し、 前記フォトレジスト及び前記反射防止膜に対し、前記第
    ２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行し
    て、前記フォトレジスト及び前記反射防止膜より構成さ
    れるレジストフレームを形成し、 前記レジストフレームによって囲まれた前記パターン内
    に、前記第２の磁性膜を形成する工程を含む薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素
    子とを含み、 前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
    しており、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜
    と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜とを含み、
    前記スライダによって支持されており、 前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク
    部とを含み、 前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部
    によって構成され、 前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、
    前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部
    の後方に延びており、 前記ギャップ膜は、少なくとも前記第１のポール部の面
    上に備えられており、 前記絶縁膜は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜とを含
    み、前記第１の絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記
    第２の絶縁膜は、前記空気ベアリング面側において前記
    第１の絶縁膜の基部に備えられ、スロートハイト零点を
    決定し、 前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク
    部とを含み、 前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記
    第１のポール部と対向しており、 前記第２のヨーク部は、前記第１の絶縁膜の上に備えら
    れ、一端が前記第２のポール部に結合され、他端が前記
    第１のヨーク部と結合されており、 前記薄膜磁気ヘッドの製造に当たり、前記第１の磁性
    膜、前記ギャップ膜を形成した後、前記コイル膜、前記
    第１の絶縁膜及び、前記第２の磁性膜を形成する前、前
    記ギャップ膜の上に第２の絶縁膜を形成し、 前記第２の絶縁膜を含む前記ギャップ膜の上にメッキ下
    地膜を形成し、 前記第２の絶縁膜の上の前記メッキ下地膜を覆う反射防
    止膜を形成し、前記反射防止膜は、シクロペンタノンを
    溶媒とし、ポリメチルグルタルイミド及び光吸収染料を
    含む光学処理溶液を塗布して形成し、 前記反射防止膜を覆うフォトレジストを塗布し、 前記フォトレジスト及び前記反射防止膜に対し、前記第
    ２の磁性膜のためのフォトリソグラフィ工程を実行し
    て、前記フォトレジスト及び前記反射防止膜より構成さ
    れるレジストフレームを形成し、 前記レジストフレームによって囲まれた前記パターン内
    に、前記第２のポール部を形成し、 この後、前記第１の絶縁膜、前記コイル膜及び前記第２
    のヨーク部を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１８または１９の何れかに記載
    された製造方法であって、 前記反射防止膜は、前記光学処理溶液を塗布し、かつ、
    １００℃〜２００℃の温度条件で加熱することにより形
    成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１８乃至２０の何れかに記載さ
    れた製造方法であって、 前記ポリメチルグルタルイミドは、 但し、樹脂の分子量（Ｍｗ）は約１０００〜３００００ 樹脂の組成比（ｍ：ｎ）は約５０：５０ で表現される薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１８乃至２０の何れかに記載さ
    れた製造方法であって、 前記光吸収染料は、アゾベンゼン系染料である薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１８乃至２０の何れかに記載さ
    れた製造方法であって、 前記光吸収染料は、クマリン系染料である薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項１８乃至２０の何れかに記載さ
    れた製造方法であって、 前記光吸収染料は、ベンゾフェノン系染料である薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  25. 【請求項２５】 請求項１８乃至２４の何れかに記載さ
    れた製造方法であって、 磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
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