JP2000251679A - Image forming device and its manufacture - Google Patents

Image forming device and its manufacture

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JP2000251679A
JP2000251679A JP4897999A JP4897999A JP2000251679A JP 2000251679 A JP2000251679 A JP 2000251679A JP 4897999 A JP4897999 A JP 4897999A JP 4897999 A JP4897999 A JP 4897999A JP 2000251679 A JP2000251679 A JP 2000251679A
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JP
Japan
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cathode substrate
image forming
forming apparatus
cathode
discharge
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JP4897999A
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Japanese (ja)
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Tamaki Kobayashi
玉樹 小林
Satoshi Mogi
聡史 茂木
Keisuke Yamamoto
敬介 山本
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Original Assignee
Canon Inc
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain abnormal discharge during image formation in an image forming device provided with an anode board and a cathode board facing each other. SOLUTION: When high-resistance parts 4 on a cathode board 2 is charged by applying a voltage to a high-voltage power source 5 together with generating ions by a charging device 1, creeping discharge is generated, when there is abnormality in an electrode shape. By performing the charging process until the creeping discharge is terminated, the abnormality of the electrode shape can be corrected without causing damage to conductive parts 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は画像形成装置及びそ
の製造方法に関し、特に、アノード基板とカソード基板
が対向した平板型画像形成装置及びその製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image forming apparatus and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a flat type image forming apparatus having an anode substrate and a cathode substrate facing each other and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、アノードとカソードからなる平板
型画像形成装置は広く研究、開発がなされており、使用
される電子源としては、例えば、電界放出素子や、表面
伝導型電子放出素子などにより構成されたものが挙げら
れる。前者の電界放出素子を用いた一例としては、米国
特許第5142184号が提案されている。また、後者
の表面伝導型電子放出素子を用いた一例としては、米国
特許第5066883号が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, a flat plate type image forming apparatus comprising an anode and a cathode has been widely researched and developed, and as an electron source used, for example, a field emission device or a surface conduction type electron emission device is used. What is constituted is mentioned. US Pat. No. 5,142,184 proposes an example using the former field emission device. U.S. Pat. No. 5,066,883 proposes an example using the latter surface conduction electron-emitting device.

【0003】これらは、電子源の構造ならびに駆動の方
法等に違いは見られるものの、共通して見られる特徴
は、複数の電子放出素子で構成される電子源よりなるカ
ソードと、それに近接したアノードを有する点である。
このカソードとアノードとの距離は、概ね数百μm〜数m
m程度である。通常、画像形成装置の内部は真空に保た
れており、アノードには電子を引きつける為に概ね数キ
ロボルト〜数十キロボルトの高い正電位が印加され、そ
のため、アノードとカソードの両電極間には強電界が加
わる。
[0003] Although the structure of the electron source and the driving method are different, the common features are a cathode composed of an electron source composed of a plurality of electron-emitting devices and an anode close to the cathode. It is a point which has.
The distance between the cathode and the anode is generally several hundred μm to several m.
m. Normally, the inside of the image forming apparatus is kept in a vacuum, and a high positive potential of approximately several kilovolts to several tens of kilovolts is applied to the anode to attract electrons. Therefore, a strong potential is applied between the anode and the cathode. An electric field is applied.

【0004】アノードには通常、蛍光体が形成されてお
り、該蛍光体に電子が衝突する事により発光し、画像が
形成される。そのため、画像の輝度を向上させるために
は、電子のエネルギーを大きくする事が必要であり、そ
のため、アノードに印加される電圧は高い事が好まし
い。尚、以降の説明において、アノードの形成された基
板をアノード基板、該アノード基板と対向して位置する
カソードの形成された基板をカソード基板と称するとす
る。
[0004] Usually, a phosphor is formed on the anode, and light is emitted when electrons collide with the phosphor to form an image. Therefore, in order to improve the brightness of an image, it is necessary to increase the energy of electrons, and therefore, it is preferable that the voltage applied to the anode be high. In the following description, a substrate on which an anode is formed is referred to as an anode substrate, and a substrate on which a cathode is located opposite to the anode substrate is referred to as a cathode substrate.

【0005】さて、上述した従来の平板型画像形成装置
においては、このような強電界の状況下では、アノード
とカソード基板間で異常放電が生ずる場合がある。ここ
でいう異常放電とは、駆動に関わり、電子源から放出さ
れる正規の、或いは予想しうるある意味で定常的な放出
電流とは区別される、アノードとカソードの短絡を生ず
るような大電流を伴う放電を指す。このような異常放電
は、カソードとアノード基板間が不十分な真空であった
り、或いは、カソード基板上の電極形状や高抵抗部分に
異常電場をもたらせるような問題があった場合などに生
じるものと考えられる。
In the above-described conventional flat panel image forming apparatus, an abnormal discharge may occur between the anode and cathode substrates under such a strong electric field. The abnormal discharge referred to here is a large current that is related to driving and is short-circuited between the anode and the cathode, which is distinguished from the normal or predictable steady emission current emitted from the electron source. Refers to discharge accompanied by Such abnormal discharge occurs when there is insufficient vacuum between the cathode and the anode substrate, or when there is a problem that an abnormal electric field can be caused in the electrode shape or the high resistance portion on the cathode substrate. It is considered something.

【0006】このような異常放電が一度生ずると、アノ
ードとカソード基板間の作る静電容量の大きさにもよる
が、電流集中に起因する電極等の損傷や、ひどい場合に
は、異常放電部と配線を介して接続された素子の破壊を
生ずる真空中のアーク放電に至る場合がある。このアー
ク放電は結果的に大電流をもたらし、電流による多量の
ジュール熱により、異常放電部の素子の破壊や、蒸発し
た粒子が他の素子や配線の短絡を引き起こす場合があ
る。また、電流集中により、カソードならびに結線のた
めの配線の電位を不安定化させ、その結果、配線を介し
て接続された素子に損傷を与える場合もある。
[0006] Once such an abnormal discharge occurs, it depends on the magnitude of the capacitance formed between the anode and the cathode substrate. In some cases, an arc discharge in a vacuum that causes destruction of an element connected via the wiring may occur. This arc discharge results in a large current, and a large amount of Joule heat due to the current may cause the destruction of the element in the abnormal discharge part or the short-circuit of other elements or wiring due to evaporated particles. In addition, the current concentration may destabilize the potential of the cathode and the wiring for connection, and as a result, may damage elements connected via the wiring.

【0007】このような、真空中での放電を抑制する試
みとしては、異常放電を生ずることなく高電界を印加で
きるように、即ち、アノードに印加可能な電圧を上昇さ
せるために、「コンディショニング」と呼ばれる処理を
施す方法が一般的に知られている。このコンディショニ
ングとしては、一般に陽陰極表面の状態を変化させる目
的で、使用に供する前に、予め高真空中で高電界を印加
する、或いは、低圧の水素ガス中でグロー放電を行わせ
る処理を施す方法などが知られている。例えば、「電気
学会大学講座高電圧工学第二次改訂版」(財団法人電気
学会編、オーム社1981年11月10目発行)には、真空放電
に関して、火花放電の開始電圧を上昇させる手段として
記載されている(39ページ11〜12行)。尚、本明細書で
いうところの異常放電とは、上述の火花放電を含む。
[0007] As an attempt to suppress the discharge in a vacuum, a "conditioning" method is required to apply a high electric field without causing abnormal discharge, that is, to increase the voltage that can be applied to the anode. There is generally known a method of performing a process referred to as a process. As this conditioning, generally, in order to change the state of the surface of the positive electrode, a high electric field is applied in advance in a high vacuum, or a process of performing a glow discharge in a low-pressure hydrogen gas is performed before use. Methods are known. For example, "The Institute of Electrical Engineers of Japan, High Voltage Engineering Second Revised Edition" (edited by the Institute of Electrical Engineers of Japan, published by Ohmsha on November 10, 1981) is a means for raising the starting voltage of spark discharge in vacuum discharge. (Page 39, lines 11-12). The abnormal discharge in the present specification includes the above-described spark discharge.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従って、平板型画像形
成装置においては、画素欠陥等を生ずる可能性のある異
常放電を生じない、或いは生じにくくする為の処理を施
す事が要求される。このような、異常放電を生じない、
或いは生じにくくする為の処理としては、例えば、画像
形成装置の製造工程中に予めアノードとカソードの間に
真空中で電界を印加する、或いは低圧の水素ガス中でグ
ロー放電を行わせるコンディショニングの処理が考えら
れる。これにより、とりわけ画像形成時に陰極となるカ
ソード基板に対して、異常放電抑制の効果が期待出来
る。これは、上記のコンデイショニングにより、カソー
ド基板上の電極形状等の異常部分を変化させ、実質的に
修正する事が可能となるためと考えられる。
Therefore, in a flat panel type image forming apparatus, it is required to perform a process for preventing or hardly causing an abnormal discharge which may cause a pixel defect or the like. Such abnormal discharge does not occur,
Alternatively, as a process for reducing the occurrence of such a condition, for example, a conditioning process in which an electric field is applied in advance between the anode and the cathode in a vacuum during the manufacturing process of the image forming apparatus, or a glow discharge is performed in a low-pressure hydrogen gas Can be considered. As a result, an effect of suppressing abnormal discharge can be expected especially for a cathode substrate serving as a cathode during image formation. This is presumably because the above-described conditioning makes it possible to change and substantially correct an abnormal portion such as an electrode shape on the cathode substrate.

【0009】しかしながら、上述のコンディショニング
を実施するためには、製造工程中にアノード基板とカソ
ード基板間を真空排気する、或いはその後にガス置換す
る必要があり、製造工程が複雑になってしまうという問
題がある。
However, in order to perform the above-described conditioning, it is necessary to evacuate the anode substrate and the cathode substrate during the manufacturing process or to perform gas replacement thereafter, which complicates the manufacturing process. There is.

【0010】本発明は上述した問題を解決するためにな
されたものであり、カソード基板とアノード基板を対向
して備えた画像形成装置において、画像形成時における
異常放電を抑制することが可能な画像形成装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem. In an image forming apparatus having a cathode substrate and an anode substrate opposed to each other, an image capable of suppressing abnormal discharge during image formation is provided. An object of the present invention is to provide a forming apparatus and a manufacturing method thereof.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における画像形成装置の製造方法は、例えば
以下の工程を備える。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an image forming apparatus according to the present invention includes, for example, the following steps.

【0012】即ち、カソード基板とアノード基板が対向
して配置された平板型画像形成装置の製造方法であっ
て、前記カソード基板上に形成された導電性部分の電位
を設定する設定工程と、前記カソード基板上に形成され
た高抵抗部分を大気圧中で帯電させる帯電工程と、を有
することを特徴とする。
That is, a method of manufacturing a flat plate type image forming apparatus in which a cathode substrate and an anode substrate are arranged to face each other, wherein a setting step of setting a potential of a conductive portion formed on the cathode substrate; Charging the high resistance portion formed on the cathode substrate at atmospheric pressure.

【0013】また、前記帯電工程において、前記カソー
ド基板の単位面積当たりに注入する電荷量を制御するこ
とを特徴とする。
Further, in the charging step, the amount of charge injected per unit area of the cathode substrate is controlled.

【0014】例えば、前記カソード基板は表面伝導型電
子放出素子により構成されていることを特徴とする。
For example, the cathode substrate is constituted by a surface conduction electron-emitting device.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る一実施形態に
ついて、図面を参照して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0016】<第1実施形態> [製造方法概要]まず、本実施形態を適用する画像形成装
置を製造するための構成について、以下に説明する。図
1は、本実施形態における画像形成装置の構成を模式的
に示す図である。同図において、1は帯電装置、2はカ
ソード基板、3はカソード基板2上に形成された電極な
らびに配線等の導電性部分、4はカソード基板2上の高
抵抗部分、5は高圧電源、6は電流計を各々示す。
First Embodiment [Outline of Manufacturing Method] First, a configuration for manufacturing an image forming apparatus to which the present embodiment is applied will be described below. FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present embodiment. In the figure, 1 is a charging device, 2 is a cathode substrate, 3 is a conductive portion such as an electrode and wiring formed on the cathode substrate 2, 4 is a high resistance portion on the cathode substrate 2, 5 is a high voltage power supply, 6 Indicates an ammeter.

【0017】帯電装置1としては、大気中の窒素等をイ
オン化して所望の極性、即ち陰イオン或いは陽イオンを
カソード基板2上に照射可能な装置が使用できる。例え
ば、このような装置としてはコロナ放電を利用したもの
などがあり、所望の極性を選択的に照射するため、カソ
ード基板2との間に電界を印加するようになっている。
この電界を発生するために、5の高圧電源が用いられ
る。尚、該電界の大きさは画像形成時にカソード基板2
に加わる電界よりもはるかに小さくなっている。
As the charging device 1, a device capable of ionizing nitrogen or the like in the atmosphere and irradiating the cathode substrate 2 with a desired polarity, that is, an anion or a cation can be used. For example, there is an apparatus using corona discharge as such an apparatus, and an electric field is applied between the apparatus and the cathode substrate 2 in order to selectively irradiate a desired polarity.
To generate this electric field, five high voltage power supplies are used. Note that the magnitude of the electric field depends on the cathode substrate 2 during image formation.
Is much smaller than the electric field applied to

【0018】また、所望の極性のイオンが移動した結果
流れる電流は、電流計6により観測されるが、その値は
1平方センチメートルあたり数十nA〜数十μA程度と小
さなものである。そのため、帯電させる行為そのものに
よってカソード基板2にダメージを与えることはない。
カソード基板2としては、電子源ならびに結線のための
配線等が形成されたもの、あるいはその製造途中のもの
が使用可能である。また、カソード基板2は、図示され
ているように、電極や配線等の導電性部分3が高抵抗部
分4により隔てられた構造を有していれば、どのような
ものであってもよい。
The current flowing as a result of the movement of ions of the desired polarity is observed by the ammeter 6, and its value is as small as several tens nA to several tens μA per square centimeter. Therefore, the act of charging itself does not damage the cathode substrate 2.
As the cathode substrate 2, a substrate on which an electron source and wiring for connection are formed, or a substrate in the process of manufacturing can be used. Further, as shown in the figure, the cathode substrate 2 may be of any type as long as it has a structure in which conductive portions 3 such as electrodes and wires are separated by high-resistance portions 4.

【0019】次に、本実施形態の画像形成装置の製造方
法について、その概要を説明する。本実施形態において
は、画像形成装置の製造工程におけるコンディショニン
グを大気圧中で実施可能な点を特徴とする。尚、ここで
いうコンディショニングとは、カソード基板の電極形状
等を修正して、アノード基板と対向させたときに高電界
を印加可能な状態にする処理を指す。以下、大気圧中、
大気下でコンディショニングを実施する例について説明
するが、大気の代えて窒素等のガスをフローした状態で
本実施形態の製造工程を実施しても構わない。
Next, an outline of a method of manufacturing the image forming apparatus according to the present embodiment will be described. The present embodiment is characterized in that conditioning in the manufacturing process of the image forming apparatus can be performed at atmospheric pressure. Here, conditioning refers to a process of correcting the electrode shape and the like of the cathode substrate so that a high electric field can be applied when facing the anode substrate. Below, at atmospheric pressure,
An example in which conditioning is performed in the atmosphere will be described. However, the manufacturing process of the present embodiment may be performed in a state in which a gas such as nitrogen flows instead of the air.

【0020】まず、カソード基板2を導電性部分3の電
位を規定できるように設置する。該電位は、図1におい
てはグランド電位である。続いて帯電装置1をカソード
基板2と対抗させて配置する。その際に、導電性部分3
に対して電圧を印加できるように、帯電装置1は高圧電
源5を結線して設置する。また、必要に応じてイオン電
流を観測できるように電流計6をその間に設置する。
First, the cathode substrate 2 is set so that the potential of the conductive portion 3 can be defined. This potential is the ground potential in FIG. Subsequently, the charging device 1 is arranged to face the cathode substrate 2. At that time, the conductive portion 3
The charging device 1 is connected to a high-voltage power supply 5 so that a voltage can be applied to the charging device 1. In addition, an ammeter 6 is provided between them so that an ion current can be observed as needed.

【0021】続いて帯電処理を施す。即ち、帯電装置1
によりイオンを発生し、同時に高圧電源5に電圧を印加
する。たとえば高圧電源5に正の電圧を印加した場合に
は、カソード基板2には陽イオンが照射されることにな
る。このようにイオンを照射することにより、導電性部
分3および高抵抗部分4に電荷が移動するが、導電性部
分3に移動した電荷は速やかに結線を通じて流れ、規定
の電位、上述の場合にはグランド電位になる。しかしな
がら高抵抗部分4に移動した電荷は、そのインピーダン
スにもよるが直ちには導電性部分3を通して移動するこ
とができず、結果的に高抵抗部分4に蓄積される。その
ため高抵抗部分4の電位が上昇し、即ち帯電することに
なる。この帯電量は、高抵抗部分4に移動した電荷と導
電性部分3を通じて移動した電荷との差分により決定さ
れる。
Subsequently, a charging process is performed. That is, the charging device 1
To generate ions, and simultaneously apply a voltage to the high-voltage power supply 5. For example, when a positive voltage is applied to the high voltage power supply 5, the cathode substrate 2 is irradiated with positive ions. By irradiating the ions in this manner, the charges move to the conductive portion 3 and the high-resistance portion 4, but the charges moved to the conductive portion 3 quickly flow through the connection, and have a specified potential, in the above case, It becomes the ground potential. However, the charge that has moved to the high-resistance portion 4 cannot immediately move through the conductive portion 3 depending on its impedance, and is eventually accumulated in the high-resistance portion 4. Therefore, the potential of the high resistance portion 4 rises, that is, it is charged. This charge amount is determined by the difference between the charge moved to the high resistance portion 4 and the charge moved through the conductive portion 3.

【0022】このように高抵抗部分4に帯電させていく
と、その近傍に電極形状等の異常があった場合には、そ
の部分で沿面放電を生ずる場合がある。この沿面放電
は、電極形状等の異常の結果生ずる異常電場によっても
たらされ、該沿面放電時には、帯電により高抵抗部分4
に蓄積されていた電荷が放電電流として主に流れること
になる。この放電電流は、先述した画像形成時等の真空
中で生ずる異常放電と比較してかなり小さなものであ
り、カソード基板2に形成された導電性部分3に致命的
なダメージを与えることなく、電極形状等の異常を修正
することが可能である。この修正に関しては、再度上述
の帯電の操作を行った場合に沿面放電の有無を調べるこ
とで可能となる。
When the high-resistance portion 4 is charged as described above, if there is an abnormality such as an electrode shape near the portion, creeping discharge may occur in the portion. This creeping discharge is caused by an abnormal electric field generated as a result of an abnormality such as an electrode shape and the like.
The electric charge accumulated in the main flow mainly flows as a discharge current. This discharge current is considerably smaller than the above-described abnormal discharge that occurs in a vacuum at the time of image formation or the like, and does not cause catastrophic damage to the conductive portion 3 formed on the cathode substrate 2 without causing fatal damage. It is possible to correct abnormalities such as shapes. This correction can be made by checking the presence or absence of creeping discharge when the above-described charging operation is performed again.

【0023】このように、たとえば所望の帯電量に対し
て、沿面放電がなくなるまで帯電処理を続けることによ
り、画像形成時における異常放電を抑制することが可能
となる。尚、帯電装置1において一度に照射可能な面積
がカソード基板2の面積と比べて小さな場合には、帯電
処理をカソード基板2の場所ごとに複数回に分けたり、
或いは帯電装置1のカソード基板2に対する相対位置を
徐々に移動させるようにしてもよい。さらに、上述の帯
電処理を終えた際には、必要に応じて除電の操作を行っ
てもよい。
As described above, for example, by continuing the charging process until the creeping discharge stops for a desired charge amount, abnormal discharge during image formation can be suppressed. When the area that can be irradiated at a time in the charging device 1 is smaller than the area of the cathode substrate 2, the charging process is divided into a plurality of times for each location of the cathode substrate 2,
Alternatively, the relative position of the charging device 1 with respect to the cathode substrate 2 may be gradually moved. Further, when the above-described charging process is completed, an operation of removing electricity may be performed as needed.

【0024】上述の説明から理解されるように、本実施
形態におけるコンディショニングは、真空を要すること
なく、きわめて簡便に実施することが可能である。ま
た、カソード基板2上で生ずる沿面放電を利用する事に
より、カソード基板2に形成された導電性部分3に致命
的なダメージを与えることなく電極形状等の異常を修正
する事が可能となり、ひいては異常放電を抑制した画像
形成装置を提供することが可能となる。
As will be understood from the above description, the conditioning in the present embodiment can be performed extremely easily without requiring a vacuum. Further, by utilizing the creeping discharge generated on the cathode substrate 2, it is possible to correct an abnormality such as an electrode shape without causing a fatal damage to the conductive portion 3 formed on the cathode substrate 2. It is possible to provide an image forming apparatus in which abnormal discharge is suppressed.

【0025】[製造方法詳細]以下、本実施形態における
画像形成装置の製造方法について、より具体的に説明す
る。
[Details of Manufacturing Method] Hereinafter, a method of manufacturing the image forming apparatus according to the present embodiment will be described more specifically.

【0026】本実施形態においては、上述したように図
1に示した構成による帯電処理を行う。処理対象のカソ
ード基板2として、表面伝導型電子放出素子がマトリク
ス配置された電子源により構成されているものを使用し
た。この電子源の形成されたカソード基板2の外観を図
3に示す。同図において、12はx方向配線、13はy
方向配線、15は表面伝導型電子放出素子である。図1
における導電性部分3は、x方向配線12、y方向配線
13、表面伝導型電子放出素子15の導電性部分等に対
応し、高抵抗部分4は基板上においてこれらの形成され
ていない領域や、x、y方向配線12,13が交差する
部位などで、電気的に絶縁を保つように形成される層間
絶縁部(不図示)に対応する。
In the present embodiment, as described above, the charging process according to the configuration shown in FIG. 1 is performed. As the cathode substrate 2 to be processed, a cathode substrate composed of electron sources in which surface conduction electron-emitting devices are arranged in a matrix was used. FIG. 3 shows the appearance of the cathode substrate 2 on which the electron source is formed. In the same figure, 12 is an x-direction wiring, 13 is y
The direction wiring 15 is a surface conduction electron-emitting device. FIG.
Corresponds to the x-direction wiring 12, the y-direction wiring 13, the conductive part of the surface conduction electron-emitting device 15, and the like, and the high resistance portion 4 is a region where these are not formed on the substrate, It corresponds to an interlayer insulating portion (not shown) formed so as to keep electrical insulation at a portion where the x and y direction wirings 12 and 13 intersect.

【0027】本実施形態におけるカソード基板2上の電
子源は、y方向に120個(n=120)、x方向に4
0個(m=40)の表面伝導型電子放出素子15からな
り、その面積が約33平方センチメートルであるものを
使用した。尚、表面伝導型電子放出素子15には対向す
る素子電極が設けられており、該素子電極間には導電性
薄膜が形成されている。また、帯電装置1は、一度に約
50平方センチメートルの領域を帯電させる能力のある
ものを使用した。即ち、帯電装置1により、カソード基
板2上の電子源部分の全領域を一度に帯電させることが
できる。
In the present embodiment, the number of electron sources on the cathode substrate 2 is 120 in the y direction (n = 120) and 4 in the x direction.
A device composed of zero (m = 40) surface conduction electron-emitting devices 15 having an area of about 33 square centimeters was used. The surface conduction electron-emitting device 15 is provided with opposing device electrodes, and a conductive thin film is formed between the device electrodes. As the charging device 1, a device capable of charging an area of about 50 square centimeters at a time was used. That is, the charging device 1 can charge the entire region of the electron source portion on the cathode substrate 2 at a time.

【0028】以下、本実施形態による製造方法に基づい
て、画像形成装置を実際に製造した際の各工程につい
て、順次説明する。まず、図3に示されるカソード基板
2のx方向配線12およびy方向配線13をグランド電
位に設置し、更に、該電位を基準電位とする高圧電源5
を介して帯電装置1と接続する。尚、処理時の雰囲気は
大気であるため、雰囲気および圧力の制御は特に行なわ
なかった。また、イオン電流を観測するために、電流計
6を高圧電源5と帯電装置1の間に設置した。
Hereinafter, the respective steps when the image forming apparatus is actually manufactured based on the manufacturing method according to the present embodiment will be sequentially described. First, the x-direction wiring 12 and the y-direction wiring 13 of the cathode substrate 2 shown in FIG. 3 are set at the ground potential, and the high-voltage power supply 5 using the potential as a reference potential.
Is connected to the charging device 1. Since the atmosphere during the treatment was the atmosphere, the atmosphere and pressure were not particularly controlled. Further, an ammeter 6 was installed between the high-voltage power supply 5 and the charging device 1 to observe the ion current.

【0029】そして、帯電装置1によりイオンを発生
し、同時に高圧電源5により4kVの正電位を帯電装置
1のイオン発生部に印加した。これにより、電流計6は
概ね10μAの値を示した。この状態で約10秒保持し
たところ、微弱な発光が数回見られた。この発光は、沿
面放電により生じたものと考えられる。そこで、一旦除
電ブロアー(不図示)を用いてカソード基板2を除電し
た後に、再度上述の条件で10秒間の帯電処理を行った
ところ、今度は一度も発光が見られなかった。
Then, ions were generated by the charging device 1, and at the same time, a positive potential of 4 kV was applied to the ion generator of the charging device 1 by the high voltage power supply 5. Thereby, the ammeter 6 showed a value of approximately 10 μA. When this state was maintained for about 10 seconds, weak light emission was observed several times. This light emission is considered to have been caused by creeping discharge. Therefore, once the cathode substrate 2 was neutralized by using a neutralization blower (not shown), and the charging process was performed again for 10 seconds under the above-described conditions, no light emission was observed.

【0030】そして、以上の処理によりカソード基板2
における電極構造の異常部分の修正が完了したものと判
断し、次いでカソード基板2上の電子源を完成させるた
めの工程を実施することによって、最終的に図4に示す
画像表示部が製造される。図4において、図1及び図3
と同様の部位には同一番号を付し、説明を省略する。1
6はカソード基板2を支えるリアプレート、17はガラ
ス基体、18は蛍光体、19はメタルバック、20はア
ノード基板1とカソード基板2を固定する支持枠であ
る。尚、表面伝導型電子放出素子15には対向する素子
電極が設けられており、該素子電極間に15V程度の電
圧を印加する事により、該電極間に素子電流Ifが流
れ、同時に電子放出が行われる。
Then, the cathode substrate 2
It is determined that the correction of the abnormal portion of the electrode structure in the above has been completed, and then a process for completing the electron source on the cathode substrate 2 is performed, whereby the image display unit shown in FIG. 4 is finally manufactured. . 4, FIG. 1 and FIG.
The same reference numerals are given to the same parts as those described above, and the description is omitted. 1
6 is a rear plate for supporting the cathode substrate 2, 17 is a glass substrate, 18 is a phosphor, 19 is a metal back, and 20 is a support frame for fixing the anode substrate 1 and the cathode substrate 2. The surface conduction electron-emitting device 15 is provided with opposing device electrodes. When a voltage of about 15 V is applied between the device electrodes, a device current If flows between the electrodes, and at the same time, electron emission occurs. Done.

【0031】[評価実験]ここで、本実施形態によって製
造された、図4に示す画像表示部の特性の理解を容易と
するために、該画像表示部とは別に、上述した帯電処理
を実施せず、即ち本実施形態による製造方法を適用する
ことなく、画像表示部を製造した。以下、本実施形態に
よって製造した画像表示部を「実施例」、本実施形態に
よらずに製造した画像表示部を「比較例」と称する。即
ち、実施例と比較例とは、カソード基板に対して帯電処
理を実施したか否かが相違するのみである。
[Evaluation Experiment] Here, in order to facilitate understanding of the characteristics of the image display unit shown in FIG. 4 manufactured according to the present embodiment, the above-described charging process was performed separately from the image display unit. The image display unit was manufactured without using the manufacturing method according to the present embodiment. Hereinafter, an image display unit manufactured according to the present embodiment is referred to as “Example”, and an image display unit manufactured without using the present embodiment is referred to as “Comparative Example”. That is, the only difference between the embodiment and the comparative example is whether or not the charging process is performed on the cathode substrate.

【0032】以下、実施例と比較例の特性をそれぞれ評
価するために行なった評価実験について説明する。
Hereinafter, evaluation experiments performed to evaluate the characteristics of the example and the comparative example will be described.

【0033】まず、実施例の画像表示部の特性を評価す
るために、カソード基板2のx方向配線12(具体的に
はDox1,Dox2,…Dox(m-1),Doxm)及び、y方向配
線13(具体的にはDoy1,Doy2,…Doy(n-1),Doy
n)をグランドに接続した状態で、アノードに印加する
電圧を10kVから毎秒20Vのレートで15kVまで
昇圧した後、1時間保持して異常放電の有無を測定し
た。その結果、一度も異常放電が生ずる事が無かった。
続いて、アノードに12kVの高電圧を印加し、カソー
ド基板2のx方向配線12及びy方向配線13に接続さ
れた不図示のドライバーユニットを駆動する事により、
画像を表示させた。その結果、異常放電を生ずることな
く、良好な画像が表示された。
First, in order to evaluate the characteristics of the image display section of the embodiment, the wirings 12 in the x direction (specifically, Dox1, Dox2,... Dox (m-1), Doxm) and the y direction Wiring 13 (specifically, Doy1, Doy2,... Doy (n-1), Doy
While n) was connected to the ground, the voltage applied to the anode was increased from 10 kV to 15 kV at a rate of 20 V per second, and then held for one hour to determine the presence or absence of abnormal discharge. As a result, abnormal discharge never occurred.
Subsequently, a high voltage of 12 kV is applied to the anode to drive a driver unit (not shown) connected to the x-direction wiring 12 and the y-direction wiring 13 of the cathode substrate 2.
The image was displayed. As a result, a good image was displayed without causing abnormal discharge.

【0034】続いて、比較例の画像表示部に対しても、
上述した実施例と同等の評価実験を行った。即ち、実施
例と同様に、カソード基板2のx方向配線12(具体的
にはDox1,Dox2,…Dox(m-1),Doxm)及び、y方向
配線13(具体的にはDoy1,Doy2,…Doy(n-1),Do
yn)をグランドに接続した状態で、アノードに印加する
電圧を10kVから毎秒20Vのレートで昇圧していっ
たところ、10.8kVで異常放電が生じた。その後も
昇圧を続けたところ、11.7kVで再度異常放電が生
じたため、昇圧を中止した。次に、アノードに12kV
の高電圧を印加し、カソード基板2のx方向配線12及
びy方向配線13に接続された不図示のドライバーユニ
ットを駆動することにより画像を表示させたところ、上
述の異常放電に基づく画素欠陥が見られた。また、画像
を評価している間にも異常放電が観測された。これらの
結果より比較例においては、異常放電を開始するアノー
ドの電圧が12kVよりも低く、従ってアノードの電圧
が12kVの条件下において異常放電を生ずることなく
駆動することは困難である事が分かる。
Subsequently, also for the image display section of the comparative example,
An evaluation experiment equivalent to the above-described embodiment was performed. That is, similarly to the embodiment, the x-direction wiring 12 (specifically Dox1, Dox2,... Dox (m-1), Doxm) and the y-direction wiring 13 (specifically Doy1, Doy2, … Doy (n-1), Do
With yn) connected to ground, the voltage applied to the anode was increased from 10 kV at a rate of 20 V per second, and abnormal discharge occurred at 10.8 kV. After that, when the voltage was continuously increased, abnormal discharge occurred again at 11.7 kV, and the voltage increase was stopped. Next, apply 12 kV to the anode.
Is applied, and a driver unit (not shown) connected to the x-direction wiring 12 and the y-direction wiring 13 of the cathode substrate 2 is driven to display an image. Was seen. Abnormal discharge was also observed during evaluation of the image. From these results, it can be seen that in the comparative example, the voltage of the anode at which abnormal discharge starts is lower than 12 kV, and it is therefore difficult to drive without generating abnormal discharge under the condition of the anode voltage of 12 kV.

【0035】以上説明した評価実験結果に基づき、実施
例の画像表示部においては異常放電が生じなかったこと
から、本実施形態の製造工程における帯電処理は、異常
放電の抑制に効果的である事が理解される。これは、実
施例のカソード基板2に対して帯電処理を実施したこと
により、電極形状等の異常部分を修正し、結果的に異常
放電を生ずることなくアノードに印加可能な電圧を向上
させる事ができたためである。
Based on the results of the evaluation experiments described above, no abnormal discharge occurred in the image display section of the example. Therefore, the charging process in the manufacturing process of this embodiment is effective in suppressing abnormal discharge. Is understood. This is because by performing the charging process on the cathode substrate 2 of the embodiment, it is possible to correct an abnormal portion such as an electrode shape and the like, thereby improving the voltage that can be applied to the anode without causing abnormal discharge. Because it was done.

【0036】以上説明した様に本実施形態によれば、大
気圧中においてカソード基板の高抵抗部分に帯電処理を
施す事により、該帯電部分近傍で沿面放電を発生させて
カソード基板の電極形状等を修正するコンディショニン
グを施すことができる。その結果、カソード基板で生ず
る沿面放電の開始電圧、即ち沿面耐圧を向上させ、結果
的にアノードとカソード間で生ずる異常放電の開始電圧
を向上させ、画像形成時の異常放電を抑制することがで
きる。
As described above, according to the present embodiment, the charging process is performed on the high resistance portion of the cathode substrate under the atmospheric pressure, so that a creeping discharge is generated in the vicinity of the charged portion and the shape of the electrode on the cathode substrate is reduced. Can be applied to correct the condition. As a result, the starting voltage of the creeping discharge generated on the cathode substrate, that is, the creepage withstand voltage is improved, and as a result, the starting voltage of the abnormal discharge generated between the anode and the cathode is improved, and the abnormal discharge during image formation can be suppressed. .

【0037】<第2実施形態>以下、本発明に係る第2
実施形態について説明する。
<Second Embodiment> Hereinafter, a second embodiment according to the present invention will be described.
An embodiment will be described.

【0038】[製造方法詳細]第2実施形態においては、
上述した第1実施形態で図1を参照して説明した帯電処
理を、図2に示す構成によって実施することを特徴とす
る。
[Details of Manufacturing Method] In the second embodiment,
The charging process described in the first embodiment with reference to FIG. 1 is performed by the configuration shown in FIG.

【0039】図2において、図1と同様の構成には同一
番号を付し、説明を省略する。図2において、9はイオ
ン電流を観測するための電流計であり、第1実施形態に
おける電流計6に相当する。電流計9は、高圧電源5お
よび帯電装置1へのフィードバック回路(不図示)を備
え、高圧電源5の出力電圧および帯電装置1で発生させ
るイオン量を制御することにより、イオン電流値を設定
値へ制御可能なように構成されている。従って、帯電を
行う時間等を制御することにより、カソード基板2の単
位面積当たりに注入する電荷量を制御することが可能で
ある。また、7は第2の電流計であり、8は放電検知手
段である。放電検知手段8は、第2の電流計7からの電
流変化の信号を検出するものであり、具体的には、沿面
放電発生時に流れる電流を検知するものである。尚、カ
ソード基板2および帯電装置1については、上述した第
1実施形態と同様のものを用いることができる。
In FIG. 2, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In FIG. 2, reference numeral 9 denotes an ammeter for observing an ion current, which corresponds to the ammeter 6 in the first embodiment. The ammeter 9 includes a feedback circuit (not shown) to the high-voltage power supply 5 and the charging device 1, and controls the output voltage of the high-voltage power supply 5 and the amount of ions generated by the charging device 1 to set the ion current value to a set value. It is configured to be controllable. Therefore, by controlling the charging time and the like, the amount of charge injected per unit area of the cathode substrate 2 can be controlled. Reference numeral 7 denotes a second ammeter, and reference numeral 8 denotes discharge detection means. The discharge detection means 8 detects a current change signal from the second ammeter 7, and specifically detects a current flowing when creeping discharge occurs. Note that the same cathode substrate 2 and charging device 1 as those in the above-described first embodiment can be used.

【0040】以下、第2実施形態における画像形成装置
の製造方法について、具体的に説明する。第2実施形態
においては、図2に示す構成による帯電処理を行うこと
により、図3に示すカソード基板を製造する。同図にお
ける各構成についての説明は、上述した第1実施形態で
行なったためここでは省略する。
Hereinafter, a method of manufacturing the image forming apparatus according to the second embodiment will be specifically described. In the second embodiment, the cathode substrate shown in FIG. 3 is manufactured by performing a charging process using the configuration shown in FIG. The description of each configuration in the figure has been made in the above-described first embodiment, and will not be repeated here.

【0041】まず、図3に模式的に示されるカソード基
板2のx方向配線12およびy方向配線13を第2の電
流計7を介してグランド電位に設置する。続いて、グラ
ンド電位を基準電位とする高圧電源5を電流計9を介し
て帯電装置1と接続する。尚、処理時の雰囲気は大気で
あるため、雰囲気および圧力の制御は特に行なわなかっ
た。
First, the x-directional wiring 12 and the y-directional wiring 13 of the cathode substrate 2 schematically shown in FIG. 3 are set at the ground potential via the second ammeter 7. Subsequently, a high voltage power supply 5 having a ground potential as a reference potential is connected to the charging device 1 via an ammeter 9. Since the atmosphere during the treatment was the atmosphere, the atmosphere and pressure were not particularly controlled.

【0042】そして、帯電装置1によりイオンを発生
し、同時に帯電装置1のイオン発生部に対して正電位を
印加するように、高圧電源5を制御する。このとき、電
流計9においては、不図示のフィードバック回路を介し
て帯電装置1及び高圧電源5を制御することにより、そ
の電流値が20μAとなるようにする。この状態で約5
秒保持したところ、放電観測手段8において6回の放電
が観測された。この放電は即ち、沿面放電により生じた
ものと考えられる。そこで、一旦除電ブロアー(不図
示)を用いて除電した後に、再度上述の条件で20秒間
の帯電処理を行ったところ、今度は一度も放電が見られ
なかった。
Then, the high voltage power supply 5 is controlled so that the charging device 1 generates ions and simultaneously applies a positive potential to the ion generating section of the charging device 1. At this time, the ammeter 9 controls the charging device 1 and the high-voltage power supply 5 via a feedback circuit (not shown) so that the current value becomes 20 μA. About 5 in this state
After holding for 2 seconds, six discharges were observed in the discharge observation means 8. This discharge is considered to have been caused by creeping discharge. Then, after the charge was once removed by using a charge removing blower (not shown), the charging process was performed again for 20 seconds under the above-mentioned conditions, and no discharge was observed.

【0043】そして、以上の処理によりカソード基板2
における電極構造の異常部分の修正が完了したものと判
断し、次いでカソード基板2上の電子源を完成させるた
めの工程を実施することによって、最終的に図4に示す
画像表示部が製造される。図4に示す各構成についての
説明は、上述した第1実施形態において既に行なったた
め、ここでは省略する。
Then, the cathode substrate 2
It is determined that the correction of the abnormal portion of the electrode structure in the above has been completed, and then a process for completing the electron source on the cathode substrate 2 is performed, whereby the image display unit shown in FIG. 4 is finally manufactured. . The description of each configuration shown in FIG. 4 has already been made in the above-described first embodiment, and will not be repeated here.

【0044】[評価実験]ここで、第2実施形態によって
製造された図4に示す画像表示部の特性を評価するため
に行なった評価実験について説明する。
[Evaluation Experiment] Here, an evaluation experiment performed to evaluate the characteristics of the image display unit shown in FIG. 4 manufactured according to the second embodiment will be described.

【0045】まず、アノードに12kVの高電圧を印加
し、カソード基板2のx方向配線12(具体的にはDox
1,Dox2,…Dox(m-1),Doxm)及び、y方向配線13
(具体的にはDoy1,Doy2,…Doy(n-1),Doyn)に接
続された不図示のドライバーユニットを駆動する事によ
り、画像を表示させた。その結果、良好な画像が表示さ
れた。続いてこの状態で、様々な画像を表示させなが
ら、300時間の耐久試験を行った。その結果、異常放
電を一度も生ずる事なく、良好な画像が保持された。
First, a high voltage of 12 kV is applied to the anode, and the x-direction wiring 12 (specifically, Dox
1, Dox2,... Dox (m-1), Doxm) and y-direction wiring 13
(Specifically, an image is displayed by driving a driver unit (not shown) connected to Doy1, Doy2,... Doy (n-1), Doyn). As a result, a good image was displayed. Subsequently, in this state, a 300-hour durability test was performed while displaying various images. As a result, a good image was maintained without any abnormal discharge.

【0046】この実験結果によれば即ち、第2実施形態
における製造方法により製造された画像形成装置が、異
常放電の抑制に有効である事が示された。
According to the experimental results, it was shown that the image forming apparatus manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment is effective for suppressing abnormal discharge.

【0047】以上説明したように第2実施形態によれ
ば、第1実施形態に加えて、カソード基板の単位面積当
たりに注入する電荷量を制御し、帯電部分の蓄積電荷量
を制御することが可能となる。従って、よりきめ細かい
帯電制御が可能となる。
As described above, according to the second embodiment, in addition to the first embodiment, it is possible to control the amount of electric charge injected per unit area of the cathode substrate and to control the amount of electric charge accumulated in the charged portion. It becomes possible. Therefore, finer charging control is possible.

【0048】また、放電を観測する手段を設けることに
より、カソード基板における電極形状の異常の発生数等
を測定すること等が可能となる。
Further, by providing a means for observing discharge, it is possible to measure the number of occurrences of abnormalities in the electrode shape on the cathode substrate, and the like.

【0049】尚、第2実施形態においてはカソード基板
2の単位面積当たりに注入する電荷量を制御する例につ
いて説明したが、これに加えて、注入する電荷量の時間
変化、即ちイオン電流値を同時に制御することも可能で
ある。例えば、該イオン電流値を段階的に設定すること
により、帯電処理に要する時間を短縮したり、或いはよ
り高精度に帯電量を制御することができる。
In the second embodiment, an example in which the amount of charge injected per unit area of the cathode substrate 2 is controlled has been described. In addition to this, the time change of the amount of injected charge, that is, the ion current value is controlled. It is also possible to control at the same time. For example, by setting the ion current value stepwise, the time required for the charging process can be reduced, or the charge amount can be controlled with higher precision.

【0050】また、第2実施形態においては、放電観測
手段8として、導電性部分に流れる電流変化を観測する
例について説明したが、このほかにも放電により生ずる
発光を検出するものであってもよい。例えば、放電観測
手段8として光電子増倍管(フォトマルチプライヤ)を
用いることも可能である。
In the second embodiment, an example has been described in which the discharge observing means 8 observes a change in the current flowing through the conductive portion. Good. For example, a photomultiplier tube (photomultiplier) can be used as the discharge observation means 8.

【0051】また第2実施形態においては、放電観測手
段8を設けることにより、異常放電を招く電極形状の異
状等の発生数を測定することが可能であるため、例えば
複数のカソード間でこの発生数を比較することにより、
ばらつき等を監視することもできる。
Also, in the second embodiment, the number of occurrences of abnormalities in the electrode shape or the like that cause abnormal discharge can be measured by providing the discharge observing means 8, so that the number of occurrences can be measured between a plurality of cathodes, for example. By comparing the numbers,
Variations and the like can also be monitored.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、カ
ソード基板とアノード基板を対向して備えた画像形成装
置において、画像形成時における異常放電を抑制するこ
とが極めて容易に可能となる。
As described above, according to the present invention, in an image forming apparatus having a cathode substrate and an anode substrate opposed to each other, abnormal discharge during image formation can be suppressed very easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る一実施形態における画像形成装置
を製造する際の構成を示す図、
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration when an image forming apparatus according to an embodiment of the invention is manufactured.

【図2】第2実施形態における画像形成装置を製造する
際の構成を示す図、
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration when manufacturing an image forming apparatus according to a second embodiment;

【図3】本発明によって製造されたカソード基板の構成
を示す図、
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a cathode substrate manufactured according to the present invention;

【図4】本発明によって製造された画像形成装置の構成
を示す図、である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus manufactured according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 帯電装置 2 カソード基板 3 カソード基板上の導電性部分 4 カソード基板上の高抵抗部分 5 高圧電源 6,7,9 電流計 8 放電観測手段 12 x方向配線 13 y方向配線 15 表面伝導型電子放出素子 16 リアプレート 17 ガラス基体 18 蛍光体 19 メタルバック 20 支持枠 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Charging device 2 Cathode substrate 3 Conductive part on cathode substrate 4 High resistance part on cathode substrate 5 High voltage power supply 6, 7, 9 Ammeter 8 Discharge observation means 12 X direction wiring 13 Y direction wiring 15 Surface conduction type electron emission Element 16 Rear plate 17 Glass substrate 18 Phosphor 19 Metal back 20 Support frame

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 敬介 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 5C094 AA00 AA42 AA43 AA53 BA32 BA34 CA19 DA13 DB04 EA04 EA07 FA01 FB20 GB10 5G435 AA16 AA17 BB02 KK05 KK10 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Keisuke Yamamoto, Inventor 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 5C094 AA00 AA42 AA43 AA53 BA32 BA34 CA19 DA13 DB04 EA04 EA07 FA01 FB20 GB10 5G435 AA16 AA17 BB02 KK05 KK10

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カソード基板とアノード基板が対向して
配置された平板型画像形成装置の製造方法であって、 前記カソード基板上に形成された導電性部分の電位を設
定する設定工程と、 前記カソード基板上に形成された高抵抗部分を大気圧中
で帯電させる帯電工程と、を有することを特徴とする画
像形成装置の製造方法。
1. A method for manufacturing a flat plate type image forming apparatus in which a cathode substrate and an anode substrate are arranged to face each other, wherein: a setting step of setting a potential of a conductive portion formed on the cathode substrate; A charging step of charging a high resistance portion formed on the cathode substrate at atmospheric pressure, the method comprising:
【請求項2】 前記カソード基板は、冷陰極を含むこと
を特徴とする請求項1記載の画像形成装置の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the cathode substrate includes a cold cathode.
【請求項3】 前記カソード基板は、前記導電性部分が
高抵抗部分によって隔てられた構造を有することを特徴
とする請求項1記載の画像形成装置の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the cathode substrate has a structure in which the conductive portion is separated by a high-resistance portion.
【請求項4】 前記設定工程においては、前記導電性部
分の電位をグランド電位に設定することを特徴とする請
求項1記載の画像形成装置の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein in the setting step, the potential of the conductive portion is set to a ground potential.
【請求項5】 前記帯電工程を、窒素ガスフロー状態に
おいて行なうことを特徴とする請求項1記載の画像形成
装置の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein said charging step is performed in a nitrogen gas flow state.
【請求項6】 前記帯電工程において、前記カソード基
板の単位面積当たりに注入する電荷量を制御することを
特徴とする請求項1記載の画像形成装置の製造方法。
6. The method according to claim 1, wherein in the charging step, an amount of charge injected per unit area of the cathode substrate is controlled.
【請求項7】 前記帯電工程において、前記カソード基
板の単位面積当たりに注入する電荷量とその時間微分量
を制御することを特徴とする請求項1記載の画像形成装
置の製造方法。
7. The method according to claim 1, wherein in the charging step, an amount of electric charge injected per unit area of the cathode substrate and an amount of time derivative thereof are controlled.
【請求項8】 更に、前記帯電工程において発生する放
電を観測する観測工程を有することを特徴とする請求項
1記載の画像形成装置の製造方法。
8. The method for manufacturing an image forming apparatus according to claim 1, further comprising an observation step of observing a discharge generated in the charging step.
【請求項9】 前記観測工程においては、前記カソード
基板上の高抵抗部分近傍で発生する沿面放電を観測する
ことを特徴とする請求項8記載の画像形成装置の製造方
法。
9. The method for manufacturing an image forming apparatus according to claim 8, wherein in the observation step, a creeping discharge generated near a high resistance portion on the cathode substrate is observed.
【請求項10】 前記帯電工程は、前記観測工程におい
て放電が観測されなくなるまで続けられることを特徴と
する請求項8記載の画像形成装置の製造方法。
10. The method according to claim 8, wherein the charging step is continued until no discharge is observed in the observation step.
【請求項11】 前記観測工程においては、前記導電性
部分に流れる電流変化を検出することにより前記沿面放
電を観測することを特徴とする請求項9記載の画像形成
装置の製造方法。
11. The method according to claim 9, wherein in the observing step, the creeping discharge is observed by detecting a change in a current flowing through the conductive portion.
【請求項12】 前記観測工程においては、前記カソー
ド基板上の発光を検出することにより前記沿面放電を観
測することを特徴とする請求項9記載の画像形成装置の
製造方法。
12. The method according to claim 9, wherein in the observation step, the creeping discharge is observed by detecting light emission on the cathode substrate.
【請求項13】 請求項1乃至12のいずれかに記載の
方法によって製造された画像形成装置。
13. An image forming apparatus manufactured by the method according to claim 1.
【請求項14】 前記カソード基板は、表面伝導型電子
放出素子により構成されていることを特徴とする請求項
13記載の画像形成装置。
14. The image forming apparatus according to claim 13, wherein said cathode substrate is constituted by a surface conduction electron-emitting device.
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