JP2000137002A - Inspection method for via hole of printed circuit board - Google Patents

Inspection method for via hole of printed circuit board

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JP2000137002A
JP2000137002A JP30981898A JP30981898A JP2000137002A JP 2000137002 A JP2000137002 A JP 2000137002A JP 30981898 A JP30981898 A JP 30981898A JP 30981898 A JP30981898 A JP 30981898A JP 2000137002 A JP2000137002 A JP 2000137002A
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JP
Japan
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laser beam
via hole
inspection
insulating layer
light
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JP30981898A
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Japanese (ja)
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Kenichiro Tanaka
健一郎 田中
Yuichi Uchida
雄一 内田
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To inspect a via hole while processing it. SOLUTION: An insulating layer 2 covering the surface of a conductor is irradiated with a laser beam L, thereby a via hole 3 is processed so as to expose the conductor 1 at its bottom. At this time, the remaining state of the insulating layer 2 at the bottom of the via hole 3 is detected by measuring a change in the optical signal generated during the irradiation of the laser beam L. As a result, the via hole 3 can be inspected while processing it by applying the laser beam L thereto.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザビームの照
射によってバイアホールが加工されるプリント基板のバ
イアホール検査方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a via hole inspection method for a printed circuit board in which a via hole is formed by laser beam irradiation.

【0002】[0002]

【従来の技術】多層プリント基板において、下層の回路
を形成する導体と、上層の回路を形成する導体との間に
は樹脂による絶縁層が設けられている。そしてこの上下
の導体の導通をとるために、下層の導体を被覆する絶縁
層の一部を除去し、底面にこの導体が露出されるバイア
ホールを加工することが行なわれている。このようなバ
イアホールを加工するにあたって、絶縁層の除去が不十
分でバイアホールの底部に樹脂が残存していると、導通
不良が発生するおそれがある。
2. Description of the Related Art In a multilayer printed circuit board, an insulating layer made of a resin is provided between a conductor forming a lower layer circuit and a conductor forming an upper layer circuit. In order to establish conduction between the upper and lower conductors, a part of the insulating layer covering the lower conductor is removed, and a via hole in which the conductor is exposed is formed on the bottom surface. In processing such a via hole, if the insulating layer is not sufficiently removed and the resin remains at the bottom of the via hole, poor conduction may occur.

【0003】このために、従来はバイアホールを加工し
た後に、顕微鏡観察をしてバイアホールの底部に樹脂が
残存しているか否かの良否検査を行っている。しかし、
この検査方法は検査者に熟練度が要求されるばかりでな
く、検査箇所が非常に多いために不良個所を見落として
しまうおそれがある。
[0003] For this purpose, conventionally, after processing a via hole, a microscopic observation is performed to check whether or not resin remains at the bottom of the via hole. But,
This inspection method requires not only the skill of the inspector but also the possibility of overlooking a defective part due to the large number of inspection points.

【0004】そこで、特開平4−248448号公報に
おいて、バイアホールの検査を自動的に行なうことがで
きるようにした図13に示すような技術が提供されてい
る。すなわち、図13において1はプリント基板8の回
路を形成する導体、2はこの導体の表面を被覆する絶縁
層、3はこの絶縁層2に加工されたバイアホールであ
り、光源15から光を絞り16とレンズ17を通してバ
イアホール3の底面に照射し、バイアホール3の底面で
反射した光を受光器18で受光して測定するようにして
ある。そしてバイアホール3の加工が良好で底部に樹脂
が残っていなければ、図13(a)のように光は銅箔な
どの金属で形成される導体1の表面で反射率高く反射す
るが、バイアホール3の加工が不良で底部に残存樹脂1
9があれば、図13(b)のように光は残存樹脂19の
表面で反射率低く反射する。従って、光源15から照射
される照射光量と、受光器18で受光される反射光量の
比率によってバイアホール3の加工の良否を判定するこ
とができるものである。
To solve this problem, Japanese Patent Laid-Open No. 4-248448 discloses a technique as shown in FIG. 13 in which via hole inspection can be performed automatically. That is, in FIG. 13, 1 is a conductor forming a circuit of the printed circuit board 8, 2 is an insulating layer covering the surface of the conductor, 3 is a via hole formed in the insulating layer 2, and a light from the light source 15 is stopped. The light is irradiated on the bottom surface of the via hole 3 through the lens 16 and the lens 17, and the light reflected on the bottom surface of the via hole 3 is received by the light receiver 18 for measurement. If the processing of the via hole 3 is good and no resin remains at the bottom, light is reflected at a high reflectance on the surface of the conductor 1 formed of metal such as copper foil as shown in FIG. Poor processing of hole 3 and residual resin 1 at bottom
With 9, the light is reflected on the surface of the residual resin 19 with low reflectance as shown in FIG. Therefore, the quality of the processing of the via hole 3 can be determined based on the ratio between the amount of light emitted from the light source 15 and the amount of reflected light received by the light receiver 18.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし上記の特開平4
−248448号公報て提供されている方法では、バイ
アホール3を加工した後に、バイアホール3の検査を行
なうようにしているものであり、検査工程がバイアホー
ル3の加工工程と別工程になり、生産性に問題が生じる
ものであった。
However, the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No.
In the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 248448/1990, inspection of the via hole 3 is performed after the via hole 3 is processed, and the inspection step is a separate step from the processing step of the via hole 3. There was a problem with productivity.

【0006】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、バイアホールの加工と同時にバイアホールの検査
を行なうことができるプリント基板のバイアホール検査
方法を提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a via hole inspection method for a printed circuit board, which can perform via hole inspection simultaneously with via hole processing. is there.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
プリント基板のバイアホール検査方法は、導体1の表面
を被覆する絶縁層2にレーザビームLを照射することに
よって、導体1を底面に露出させるバイアホール3を絶
縁層2に加工するにあたって、レーザビームLの照射中
に発生する光信号の変化を測定することによって、バイ
アホール3の底部の絶縁層2の残存状態を検出すること
を特徴とするものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for inspecting a via hole in a printed circuit board, wherein an insulating layer covering the surface of the conductor is irradiated with a laser beam so that the bottom of the conductor is exposed. In processing the via hole 3 to be exposed into the insulating layer 2, the remaining state of the insulating layer 2 at the bottom of the via hole 3 is detected by measuring a change in an optical signal generated during the irradiation of the laser beam L. It is characterized by the following.

【0008】また請求項2の発明は、バイアホール3を
加工するレーザビームLの照射と並行して、500〜7
00nmの波長の検査用光RTをバイアホール3に照射
し、その反射光を測定することを特徴とするものであ
る。
Further, the invention according to claim 2 is characterized in that the irradiation of the laser beam L for processing the via hole 3
The inspection light R T having a wavelength of 00 nm is irradiated to the via hole 3, and the reflected light is measured.

【0009】また請求項3の発明は、絶縁層2へのレー
ザビームLの照射によって発生するプルーム4から発せ
られる光RPを測定することを特徴とするものである。
[0009] According to another embodiment of the present invention 3 is characterized in that to measure the laser beam L optical R P emitted from the plume 4 generated by irradiation of the insulating layer 2.

【0010】また請求項4の発明は、バイアホール3を
加工するレーザビームLの反射光R Lを測定することを
特徴とするものである。
The invention according to claim 4 is that the via hole 3 is formed.
Reflected light R of laser beam L to be processed LTo measure
It is a feature.

【0011】また請求項5の発明は、レーザビームLを
ハーフミラー5に反射させて絶縁層2に照射してバイア
ホール3を加工すると共に、絶縁層2へのレーザビーム
Lの照射によって発生する光信号のうちハーフミラー5
を透過するものを測定することを特徴とするものであ
る。
According to a fifth aspect of the present invention, the laser beam L is reflected by the half mirror 5 and is radiated to the insulating layer 2 to process the via hole 3 and is generated by irradiating the insulating layer 2 with the laser beam L. Half mirror 5 of the optical signal
Is characterized by measuring what transmits light.

【0012】また請求項6の発明は、レーザビームLを
ピンホールミラー6に反射させて絶縁層2に照射してバ
イアホール3を加工すると共に、絶縁層2へのレーザビ
ームLの照射によって発生する光信号のうちピンホール
ミラー6のピンホール7を透過するものを測定すること
を特徴とするものである。
According to a sixth aspect of the present invention, the laser beam L is reflected by the pinhole mirror 6 and is radiated to the insulating layer 2 to process the via hole 3 and is generated by irradiating the insulating layer 2 with the laser beam L. It is characterized in that the optical signal transmitted through the pinhole 7 of the pinhole mirror 6 is measured.

【0013】また請求項7の発明は、バイアホール3を
加工するレーザビームLの反射光R Lを、レーザビーム
Lの光路外で測定することを特徴とするものである。
Further, according to a seventh aspect of the present invention, a via hole 3 is formed.
Reflected light R of laser beam L to be processed LThe laser beam
The measurement is performed outside the optical path of L.

【0014】また請求項8の発明は、絶縁層2へのレー
ザビームLの照射によって発生するプルーム4の形状を
測定することを特徴とするものである。
The invention of claim 8 is characterized in that the shape of the plume 4 generated by irradiating the insulating layer 2 with the laser beam L is measured.

【0015】また請求項9の発明は、絶縁層2へのレー
ザビームLの照射によって発生するプルーム4に検査用
レーザビームLTを照射し、プルーム4を透過した検査
用レーザビームLTを測定することを特徴とするもので
ある。
[0015] According to a ninth aspect of the invention, measuring the laser beam irradiates the inspection laser beam L T plume 4 generated by irradiation of the L, inspection laser beam L T transmitted through the plume 4 in the insulating layer 2 It is characterized by doing.

【0016】また請求項10の発明は、絶縁層2へのレ
ーザビームLの照射によって発生するプルーム4に検査
用レーザビームLTを照射し、検査用レーザビームLT
照射により励起されたプルーム4中の粒子の発光強度を
測定することを特徴とするものである。
[0016] According to another embodiment of the present invention 10, the inspection laser beam L T irradiating the plume 4 generated by the irradiation of the laser beam L to the insulating layer 2, which is excited by irradiation of inspection laser beam L T plume 4 is characterized in that the emission intensity of the particles in 4 is measured.

【0017】また請求項11の発明は、2カ所以上から
光の信号を測定することを特徴とするものである。
The invention according to claim 11 is characterized in that optical signals are measured from two or more places.

【0018】また請求項12の発明は、上記の請求項2
乃至10の方法から選ばれる複数の方法を組み合わせて
測定を行なうことを特徴とするものである。
The invention of claim 12 provides the above-mentioned claim 2.
The method is characterized in that the measurement is performed by combining a plurality of methods selected from the above-described 10 methods.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0020】プリント基板8は、回路を形成する導体1
を絶縁層2を介して複数層積層することによって作製さ
れているものであり、導体1を被覆する絶縁層2の一部
にレーザビームLを照射することによって、絶縁層2の
一部を除去してバイアホール3を加工し、バイアホール
3の底面にこの導体1を露出させるようにしてある。図
2はバイアホール3を加工する装置の一例を示すもので
あり、レーザ発振器21から発振されたCO2レーザな
どのレーザビームLをマスク24に通し、ガルバノミラ
ー22,23で反射させると共にf−θレンズなどのレ
ンズ25を通してプリント基板8の表面の絶縁層2に照
射するようにしてある。ガルバノミラー22はX軸回動
装置26でX軸方向に、ガルバノミラー23はY軸回動
装置27でY軸方向にそれぞれ回動されるようになって
おり、プリント基板8の表面に沿ってレーザビームLを
走査させて高速加工ができるようにしてある。またプリ
ント基板8はY軸方向に移動されるY軸テーブル28a
とX軸方向に移動されるX軸テーブル28bからなるX
−Yテーブル28の上にセットされているものであり、
プリント基板8をX−Y方向に移動させながらレーザビ
ームLによる加工が行なえるようにしてある。
The printed circuit board 8 is made of a conductor 1 forming a circuit.
Is formed by laminating a plurality of layers through the insulating layer 2, and a part of the insulating layer 2 covering the conductor 1 is irradiated with a laser beam L to remove a part of the insulating layer 2. Then, the via hole 3 is processed to expose the conductor 1 on the bottom surface of the via hole 3. FIG. 2 shows an example of an apparatus for processing the via hole 3. A laser beam L such as a CO 2 laser oscillated from a laser oscillator 21 passes through a mask 24, is reflected by galvanometer mirrors 22 and 23, and f− Irradiation is performed on the insulating layer 2 on the surface of the printed circuit board 8 through a lens 25 such as a θ lens. The galvanometer mirror 22 is rotated in the X-axis direction by an X-axis rotation device 26, and the galvanometer mirror 23 is rotated in the Y-axis direction by a Y-axis rotation device 27, along the surface of the printed circuit board 8. The laser beam L is scanned to perform high-speed processing. The printed circuit board 8 has a Y-axis table 28a which is moved in the Y-axis direction.
Consisting of an X-axis table 28b moved in the X-axis direction
-Set on the Y table 28,
Processing by the laser beam L can be performed while moving the printed board 8 in the XY directions.

【0021】そして本発明では、このようにレーザビー
ムLをプリント基板1の絶縁層2に照射してバイアホー
ル3を加工しながら、このレーザビームLの照射中に発
生する光信号の変化を測定することによって、バイアホ
ール3の底部の絶縁層2の残存状態を検出するようにし
たものである。
According to the present invention, while processing the via hole 3 by irradiating the insulating layer 2 of the printed circuit board 1 with the laser beam L, the change of the optical signal generated during the irradiation of the laser beam L is measured. By doing so, the remaining state of the insulating layer 2 at the bottom of the via hole 3 is detected.

【0022】図1はその一例を示すものであり、レーザ
ビームLを絶縁層2に照射してバイアホール3を加工し
ながら、これと並行して検査用光源30から検査用光R
Tをバイアホール3の底部に照射し、バイアホール3の
底部で反射した光RLを受光器31で光信号として受光
するようにしてある。受光器31としては検査用光源3
0から照射される波長の光を検出できるフォトセンサな
どを用いることができる。そして穴加工が良好で底部に
樹脂が残っていないバイアホール3に検査用光源30か
ら検査用光RTを照射した際に、受光器31で受光され
る反射光RLの光信号を予め測定しておき、バイアホー
ル3が良品であるときの光信号値の範囲を設定しておけ
ば、バイアホール3を加工する際に受光器31で受光し
て測定した光信号値をこの設定された範囲と比較するこ
とによって、バイアホール3の良否判断をすることがで
きるものである。このとき、バイアホール3の周囲から
の光信号が測定されないように絞りを設け、光信号を集
光するようにすれば、測定の精度を高めることができる
ものである。またレーザビームLによる加工に対して同
等またはそれ以上の応答性をもつ受光器31を用いるこ
とによって、インライン検査が行なえるものである。
FIG. 1 shows an example of this, in which a laser beam L is applied to an insulating layer 2 to process a via hole 3 and, at the same time, a test light source 30
T is applied to the bottom of the via hole 3, and the light RL reflected at the bottom of the via hole 3 is received by the light receiver 31 as an optical signal. Inspection light source 3 as light receiver 31
A photosensor or the like which can detect light having a wavelength emitted from 0 can be used. Then, when the inspection light source 30 irradiates the inspection light RT from the inspection light source 30 to the via hole 3 where the hole processing is good and the resin does not remain at the bottom, the optical signal of the reflected light RL received by the light receiver 31 is measured in advance. If the range of the optical signal value when the via hole 3 is good is set in advance, the optical signal value received and measured by the light receiver 31 when the via hole 3 is processed is set to this set value. By comparing with the range, the quality of the via hole 3 can be determined. At this time, if a stop is provided so that an optical signal from around the via hole 3 is not measured and the optical signal is condensed, the accuracy of the measurement can be improved. In addition, the in-line inspection can be performed by using the light receiver 31 having the same or higher responsiveness to the processing by the laser beam L.

【0023】上記のようにして、レーザビームLを照射
してバイアホール3を加工しながら、バイアホール3の
検査を行なうことができるものであり、バイアホール3
の加工工程と別工程の検査工程が不要になり、生産性を
高めることができるものである。しかもバイアホール3
の加工の進行と同時にバイアホール3の検査を行なうこ
とができるので、不良が検出されたときに追加パルスを
与えてレーザビームLによるバイアホール3の再加工を
行うようにすることができるものである。
As described above, the inspection of the via hole 3 can be performed while processing the via hole 3 by irradiating the laser beam L.
This eliminates the need for an inspection step that is separate from the processing step described above, thereby improving productivity. And via hole 3
The inspection of the via hole 3 can be performed simultaneously with the progress of the processing, so that when a defect is detected, an additional pulse can be given to rework the via hole 3 with the laser beam L. is there.

【0024】一般的な多層のプリント基板8では、導体
1として銅箔などの金属箔が、絶縁層2としてエポキシ
系の樹脂が使用されている。このエポキシ系樹脂の光の
吸収率は波長によって異なり、また樹脂厚みによっても
異なる。例えば、導体1として銅箔、絶縁層2としてエ
ポキシ系樹脂を用いた場合の、樹脂厚みを変化させた3
種類のサンプルで光の反射率を測定した結果を図3のグ
ラフに示す。イは樹脂厚が薄いときの反射率を、ロは樹
脂厚が中のときの反射率を、ハは樹脂厚が厚いときの反
射率をそれぞれ示すものであり、図3にみられるように
光の波長が500〜700nmの範囲では、他の波長域
の光よりも樹脂厚みの変化に対する反射光の強度変化が
大きい。
In a general multilayer printed circuit board 8, a metal foil such as a copper foil is used as the conductor 1 and an epoxy resin is used as the insulating layer 2. The light absorptivity of the epoxy resin differs depending on the wavelength and also depends on the thickness of the resin. For example, when the copper foil is used as the conductor 1 and the epoxy resin is used as the insulating layer 2, the resin thickness is changed.
FIG. 3 is a graph showing the results of measuring the light reflectance of each type of sample. A indicates the reflectance when the resin thickness is small, B indicates the reflectance when the resin thickness is medium, and C indicates the reflectance when the resin thickness is large. As shown in FIG. When the wavelength is in the range of 500 to 700 nm, the change in the intensity of the reflected light with respect to the change in the resin thickness is greater than the light in other wavelength ranges.

【0025】そこで請求項2の発明では、上記の図1の
ように、検査用光源30から検査用光RTをバイアホー
ル3の底部に照射し、その反射光RLの強度を受光器3
1で測定してバイアホール3の検査を行なうにあたっ
て、検査用光RTとして波長が500〜700nmの範
囲のものを用いるようにしているものであり、受光器3
1で受光される反射光の強度からバイアホール3の底部
に残留する残留樹脂19の厚みを精度高く検出すること
ができるようにし、バイアホール3の底部の残留樹脂1
9の残存量を正確に判定して、バイアホール3の検査を
精度高く行なうことができるようにしたものである。例
えば、波長633nmのHe−Neレーザや、波長53
2nmのSHG−YAGレーザなどは、波長500〜7
00nmの範囲に入るので、検査用光RTとして有効で
ある。また、波長500〜700nmの光を含む検査用
光RTを用い、バイアホール3の底部で反射する光をフ
ィルターに通して、波長500〜700nmの光のみを
受光器31で受光するようにしても、同様に精度の高い
検査を行なうことができる。
Therefore, according to the second aspect of the present invention, as shown in FIG. 1, the inspection light source 30 irradiates the bottom of the via hole 3 with the inspection light R T, and the intensity of the reflected light R L is detected by the light receiver 3.
In the inspection of the via hole 3 by the measurement in step 1, the inspection light RT having a wavelength in the range of 500 to 700 nm is used.
1, the thickness of the residual resin 19 remaining at the bottom of the via hole 3 can be detected with high accuracy from the intensity of the reflected light received at the bottom of the via hole 3.
9 is accurately determined so that the inspection of the via hole 3 can be performed with high accuracy. For example, a He-Ne laser with a wavelength of 633 nm, a wavelength of 53
A 2 nm SHG-YAG laser or the like has a wavelength of 500 to 7
Since it falls within the range of 00 nm, it is effective as inspection light RT . Further, using the inspection light R T including light of wavelength 500 to 700 nm, through a light reflected at the bottom of the via hole 3 to the filter, and only light of wavelength 500 to 700 nm to be received by the photodetector 31 Can also perform a highly accurate inspection.

【0026】また既述のように、一般的な多層のプリン
ト基板8では、導体1として銅箔などの金属箔が、絶縁
層2としてエポキシ系などの樹脂が使用されている。そ
してCO2レーザなどの赤外線領域の波長のレーザビー
ムLを絶縁層2に照射して樹脂を除去する場合、レーザ
ビームLからエネルギーを受けた絶縁層2の樹脂はその
表面側から徐々に除去されてバイアホール3が加工され
るものであり、バイアホール3の底部の樹脂の厚みが厚
いときにはレーザビームLは樹脂に吸収されるが、バイ
アホール3の底部の樹脂の厚みが薄くなるとレーザビー
ムLの樹脂に対する透過率が上昇し、レーザビームLは
導体1に達して反射される。
As described above, in the general multilayer printed circuit board 8, a metal foil such as a copper foil is used as the conductor 1 and an epoxy resin or the like is used as the insulating layer 2. When the resin is removed by irradiating the insulating layer 2 with a laser beam L having a wavelength in the infrared region such as a CO 2 laser, the resin of the insulating layer 2 which has received energy from the laser beam L is gradually removed from the surface side. When the thickness of the resin at the bottom of the via hole 3 is large, the laser beam L is absorbed by the resin, but when the thickness of the resin at the bottom of the via hole 3 is small, the laser beam L Is increased, and the laser beam L reaches the conductor 1 and is reflected.

【0027】そこで請求項4の発明は、図4に示すよう
に、絶縁層2に照射してバイアホール3を加工するレー
ザビームLの反射光RLを受光器31で受光し、その反
射率や強度を測定することによって、バイアホール3の
底部の残存樹脂19の厚みを検出し、バイアホール3の
検査を行なうようにしたものである。このようにバイア
ホール3を加工するレーザビームLそのものを利用し
て、バイアホール3の底部で反射する光信号を測定する
ことによって、検査用の光源を特に必要とすることな
く、加工と同時にバイアホール3の精度の良い検査を行
なうことができるものである。
[0027] Therefore the invention of claim 4 is, as shown in FIG. 4, the reflected light R L of the laser beam L for processing the via hole 3 is irradiated to the insulating layer 2 and received by the photodetector 31, the reflectance The thickness of the residual resin 19 at the bottom of the via hole 3 is detected by measuring the thickness of the via hole 3 and the via hole 3 is inspected. By measuring the optical signal reflected at the bottom of the via hole 3 using the laser beam L itself for processing the via hole 3 in this way, the via hole can be formed at the same time as the processing without any need for a light source for inspection. The inspection of the hole 3 can be performed with high accuracy.

【0028】図5は請求項5の発明の実施の形態の一例
を示すものである。上記のようにバイアホール3を加工
するレーザビームLの反射光RLを用いてバイアホール
3の検査を行なう場合、反射光RLはレーザ発振器21
に向かってレーザビームLの光路を逆行して進むため、
レーザビームLの光路に反射光RLを取り出す光学系を
配置することによって、検査を容易に行なうことができ
る。すなわち図5に示すように、レーザビームLの光路
上にハーフミラー5を配置し、レーザビームLをこのハ
ーフミラー5で反射させると共にF−θレンズ25で集
光して絶縁層2に照射させるようにしてある。そしてバ
イアホール3を加工するレーザビームLの反射光RL
一部はハーフミラー5を透過して直進するので、レーザ
ビームLの光路外においてハーフミラー5の背方に配置
された受光器31でこの反射光R Lを受光し、その反射
率や強度(光量)を測定することによって、バイアホー
ル3の検査を行なうことができるものである。このよう
にしてレーザビームLの光路外において反射光RLを光
信号として受光して測定することができるものであり、
バイアホール3を加工するレーザビームLの反射光RL
を利用した検査が容易になるものである。またハーフミ
ラー5を用いるだけでレーザビームLの光路外において
受光器31などの検査用機器を容易に設置することがで
き、後でこの検査用機器をシステムに組み込むことも容
易になるものである。尚、図5の実施の形態では、レー
ザビームLの反射光RLのうちハーフミラー5を透過す
るものを光信号として測定するようにしているが、後述
の図8、図10、図11のように、樹脂層2にレーザビ
ームLを照射することによって生じるプルーム4から発
生される光のうち、ハーフミラー5を透過するものを光
信号として受光器31で受光して測定することもできる
ものである。
FIG. 5 shows an embodiment of the fifth aspect of the present invention.
It is shown. Fabricate via hole 3 as above
Of reflected laser beam LLVia holes using
When the inspection of No. 3 is performed, the reflected light RLIs the laser oscillator 21
To travel backward in the optical path of the laser beam L toward
Reflected light R on the optical path of laser beam LLTo take out the optical system
Inspection can be performed easily by placing
You. That is, as shown in FIG. 5, the optical path of the laser beam L
The half mirror 5 is arranged on the upper side, and the laser beam L is
Reflected by the mirror 5 and collected by the F-θ lens 25.
The insulating layer 2 is irradiated with light. And ba
Reflected light R of laser beam L for processing earhole 3Lof
Since a part goes straight through the half mirror 5, the laser
Arranged behind the half mirror 5 outside the optical path of the beam L
The reflected light R LAnd its reflection
By measuring the rate and intensity (light intensity),
3 can be inspected. like this
And the reflected light R outside the optical path of the laser beam LLThe light
It can be measured by receiving it as a signal,
Reflected light R of laser beam L for processing via hole 3L
Inspection using the method becomes easy. Also half-mi
Outside the optical path of the laser beam L only by using the
Inspection equipment such as the light receiver 31 can be easily installed.
Later, it is possible to incorporate this test equipment into the system.
It will be easier. In the embodiment of FIG.
Reflected light R of the beam LLThrough the half mirror 5
Is measured as an optical signal.
As shown in FIGS. 8, 10 and 11, the laser
From the plume 4 generated by irradiating the beam L
Of the generated light, the light transmitted through the half mirror 5
It can also be measured by receiving light as a signal with the light receiver 31.
Things.

【0029】図6は請求項6の発明の実施の形態の一例
を示すものである。上記のようにバイアホール3を加工
するレーザビームLの反射光RLを用いてバイアホール
3の検査を行なう場合、反射光RLはレーザ発振器21
に向かってレーザビームLの光路を逆行して進むため、
反射光RLの波長域を透過させる光学系をレーザビーム
Lの光路に配置することによって、検査を容易に行なう
ことができる。すなわち図6に示すようにレーザビーム
Lの光路上にピンホールミラー6を配置し、レーザビー
ムLをこのピンホールミラー6で反射させると共にF−
θレンズ25で集光して絶縁層2に照射させるようにし
てある。そしてバイアホール3を加工するレーザビーム
Lの反射光RLの一部はピンホールミラー6の中央部に
微小な貫通穴として設けたピンホール7を透過して直進
し、レーザビームLの光路外においてハーフミラー5の
背方に配置された受光器31でこの反射光RLを受光し
て、その反射率や強度(光量)を測定することによっ
て、バイアホール3の検査を行なうことができるもので
ある。このようにしてレーザビームLの光路外において
反射光RLを光信号として受光して測定することができ
るものであり、バイアホール3を加工するレーザビーム
Lの反射光を利用した検査が容易になるものである。ま
たピンホールミラー6を用いるだけでレーザビームLの
光路外において受光器31などの検査用機器を容易に設
置することができ、後でこの検査用機器をシステムに組
み込むことも容易になるものである。尚、図6の実施の
形態では、レーザビームLの反射光RLのうちピンホー
ルミラー6を透過するものを光信号として測定するよう
にしているが、後述の図8や図11のように、樹脂層2
にレーザビームLを照射することによって生じるプルー
ム4から発生される光のうち、ピンホールミラー6を透
過するものを光信号として受光器31で受光して測定す
ることもできるものである。
FIG. 6 shows an embodiment of the invention according to claim 6. When performing the test of the via hole 3 with the reflected light R L of the laser beam L for processing the via hole 3 as described above, the reflected light R L is the laser oscillator 21
To travel backward in the optical path of the laser beam L toward
By arranging the optical system in the optical path of the laser beam L which transmits the wavelength range of the reflected light R L, it is possible to easily perform the inspection. That is, as shown in FIG. 6, the pinhole mirror 6 is arranged on the optical path of the laser beam L, and the laser beam L is reflected by the pinhole mirror 6 and F-
The light is condensed by the θ lens 25 and irradiated on the insulating layer 2. And part of the reflected light R L of the laser beam L for processing the via hole 3 to go straight through the pinhole 7 provided as minute through hole in the center portion of the pinhole mirror 6, the optical path outside of the laser beam L In this method, the via hole 3 can be inspected by receiving the reflected light RL with a light receiver 31 arranged behind the half mirror 5 and measuring the reflectance and intensity (light quantity) thereof. It is. In this way, the reflected light RL can be received as an optical signal and measured outside the optical path of the laser beam L, and the inspection using the reflected light of the laser beam L for processing the via hole 3 can be easily performed. It becomes. In addition, the inspection equipment such as the light receiver 31 can be easily installed outside the optical path of the laser beam L only by using the pinhole mirror 6, and the inspection equipment can be easily incorporated into the system later. is there. In the embodiment of Figure 6, but the one that passes through the pinhole mirror 6 of the reflected light R L of the laser beam L is to be measured as an optical signal, as shown in FIGS. 8 and 11 below , Resin layer 2
Of the light generated from the plume 4 generated by irradiating the laser beam L onto the light source, the light transmitted through the pinhole mirror 6 can be received by the light receiver 31 as an optical signal and measured.

【0030】また、上記のようにバイアホール3を加工
するレーザビームLの反射光RLを用いてバイアホール
3の検査を行なうにあたって、レーザビームLの反射光
Lはバイアホール3の底部で一部がレーザビームLの
光路外へ乱反射する。そこで請求項7の発明では、図7
に示すように、レーザビームLの光路外(光軸外)に受
光器31を配置し、バイアホール3の底部でレーザビー
ムLの光路外へ反射した反射光RLを受光器31で光信
号として受光し、その強度(光量)を測定することによ
って、バイアホール3の検査を行なうようにしてある。
図7において33は全反射ミラーである。このようにバ
イアホール3を加工するレーザビームLの反射光RL
レーザビームLの光路外で測定するようにすれば、レー
ザビームLの加工エネルギーのロスなしに検査が可能に
なるものである。すなわち、図5のようにハーフミラー
5を用いたり、図6のようにピンホールミラー6を用い
たりして、レーザビームLの反射光RLをレーザビーム
Lの光路外に取り出す場合には、バイアホール3を加工
するレーザビームLの一部もハーフミラー5やピンホー
ルミラー6を透過して逃げてしまうおそれがあり、加工
に必要なレーザビームLの一部がロスされてしまうこと
になるが、図7のものでは全反射ミラー33で加工用の
レーザビームLを反射させるので、レーザビームLにロ
スが生じず、レーザビームLを加工に有効に用いること
ができるものである。このとき、受光器31の前にフィ
ルターを配置することによって、検出する反射光RL
波長を選択することができ、検査の自由度が大きくなっ
て加工対象に合った精度の高いバイアホール3の検査を
行なうことが可能になるものである。
When inspecting the via hole 3 using the reflected light RL of the laser beam L for processing the via hole 3 as described above, the reflected light RL of the laser beam L is applied to the bottom of the via hole 3. A part is irregularly reflected out of the optical path of the laser beam L. Therefore, in the invention of claim 7, FIG.
As shown in (2), a light receiver 31 is arranged outside the optical path (off the optical axis) of the laser beam L, and the reflected light RL reflected out of the optical path of the laser beam L at the bottom of the via hole 3 is reflected by the light receiver 31 as an optical signal The via hole 3 is inspected by measuring the intensity (light amount).
In FIG. 7, reference numeral 33 denotes a total reflection mirror. If the reflected light R L of the laser beam L for processing in this manner the via hole 3 as measured by the outside of the optical path of the laser beam L, the inspection in which is possible without loss of working energy of the laser beam L . That is, when the reflected light RL of the laser beam L is taken out of the optical path of the laser beam L by using the half mirror 5 as shown in FIG. 5 or using the pinhole mirror 6 as shown in FIG. A part of the laser beam L for processing the via hole 3 may also pass through the half mirror 5 and the pinhole mirror 6 and escape, and a part of the laser beam L required for the processing will be lost. However, in the configuration shown in FIG. 7, the laser beam L for processing is reflected by the total reflection mirror 33, so that no loss occurs in the laser beam L and the laser beam L can be used effectively for processing. At this time, by arranging a filter in front of the light receiver 31, the wavelength of the reflected light RL to be detected can be selected, the degree of freedom of inspection is increased, and the via hole 3 with high accuracy suitable for the processing object is provided. Can be inspected.

【0031】図8は請求項3の発明の実施の形態の一例
を示すものである。CO2レーザなどのレーザビームL
をエポキシ系樹脂などで形成される絶縁層2に照射して
バイアホール3を加工するにあたって、レーザビームL
で絶縁層2の樹脂を除去する際に、レーザビームLから
エネルギーを受けた樹脂は励起されて気化し、この気化
した樹脂の分子は電離してプラズマ状態になっている。
そしてレーザビームLでバイアホール3を加工している
ときにはバイアホール3の上部でプルーム4と呼ばれる
高輝度のプラズマが発生する。プルーム4の発光強度は
バイアホール3を加工する際の除去すべき樹脂の量が減
少するに従って小さくなり、除去すべき樹脂がなくなる
とプルーム4も消滅して発光がなくなる。
FIG. 8 shows an embodiment of the third aspect of the present invention. Laser beam L such as CO 2 laser
Irradiates the insulating layer 2 formed of an epoxy-based resin or the like with the laser beam L
When the resin of the insulating layer 2 is removed by the above, the resin that has received the energy from the laser beam L is excited and vaporized, and the molecules of the vaporized resin are ionized to be in a plasma state.
When the via hole 3 is processed by the laser beam L, high-luminance plasma called a plume 4 is generated above the via hole 3. The emission intensity of the plume 4 decreases as the amount of resin to be removed when processing the via hole 3 decreases, and when the resin to be removed runs out, the plume 4 also disappears and emits no light.

【0032】そこで図8に示すように、このプルーム4
から発生する光RPを受光器31で光信号として受光し
て測定し、その強度を検出することによって、バイアホ
ール3の底部の残存樹脂19の厚みを検知し、バイアホ
ール3の検査を精度良く行なうことができるものであ
る。このようにバイアホール3を加工するレーザビーム
Lの照射によって発生するプルーム4を利用してバイア
ホール3の検査を行なうことができるので、検査用の光
源を特に必要とすることなく、加工と同時にバイアホー
ル3の精度の良い検査を行なうことができるものであ
る。
Therefore, as shown in FIG.
The light R P generated from the light is received as an optical signal by the light receiver 31 and measured, and the intensity thereof is detected to detect the thickness of the residual resin 19 at the bottom of the via hole 3 and to accurately inspect the via hole 3. It can be done well. As described above, the inspection of the via hole 3 can be performed by using the plume 4 generated by the irradiation of the laser beam L for processing the via hole 3, so that the inspection light source is not particularly required, and the inspection can be performed simultaneously. The inspection of the via hole 3 can be performed with high accuracy.

【0033】また上記のように、レーザビームLでバイ
アホール3を加工する際にバイアホール3の上部で高輝
度のプルーム4が発生するが、このプルーム4の形状は
レーザビームLのエネルギーの投入状態や絶縁層2の樹
脂の状態に応じて変わり、レーザビームLのエネルギー
の投入状態などに異常があってバイアホール3の加工不
良が発生すると、プルーム4の形状も変形する。
As described above, when processing the via hole 3 with the laser beam L, a plume 4 of high brightness is generated above the via hole 3. The shape of the plume 4 depends on the energy input of the laser beam L. Depending on the state and the state of the resin of the insulating layer 2, if there is an abnormality in the input state of the energy of the laser beam L or the like and processing failure of the via hole 3 occurs, the shape of the plume 4 is also deformed.

【0034】そこで請求項8の発明では、図9に示すよ
うに、プルーム4から発生する光(光信号)RPに基づ
いてCCDカメラなどのカメラ34でプルーム4の形状
を撮影するようにしてある。このとき、良品のバイアホ
ール3の加工の際に発生するプルーム4の形状を予めカ
メラ34で撮影して画像処理しておき、実際の加工時の
プルーム4の形状と比較することによって、バイアホー
ル3の加工の良否を判断することができるものである。
このようにして、検査用の光源を特に必要とすることな
く、加工と同時にバイアホール3の精度の良い検査を行
なうことができるものである。
[0034] Therefore, in the invention of claim 8, as shown in FIG. 9, so as to shoot the shape of the plume 4 camera 34 such as a CCD camera based on the light (optical signal) R P generated from the plume 4 is there. At this time, the shape of the plume 4 generated at the time of processing the non-defective via hole 3 is photographed by the camera 34 in advance, image-processed, and compared with the actual shape of the plume 4 at the time of processing. The quality of the processing of No. 3 can be determined.
In this manner, the inspection of the via hole 3 can be performed with high accuracy at the same time as the processing, without particularly requiring the inspection light source.

【0035】また、上記のように、レーザビームLでバ
イアホール3を加工する際にバイアホール3の上部で高
輝度のプルーム4が発生し、プルーム4の強度はバイア
ホール3を加工する際の除去すべき樹脂の量が減少する
に従って小さくなり、除去すべき樹脂がなくなるとプル
ーム4も消滅する。そしてこのプルーム4に検査用のレ
ーザビームLTを照射すると、プルーム4中の粒子によ
ってレーザビームLTは吸収・拡散され、プルーム4を
透過するレーザビームLTは減少するが、バイアホール
3を加工する際の除去すべき樹脂の量が減少するに従っ
てプルーム4中の粒子が少なくなると、プルーム4を透
過するレーザビームLTの減少量は小さくなって透過率
が高くなり、除去すべき樹脂がなくなってプルーム4が
消滅すると、レーザビームLTの減少もなくなって透過
率はさらに高くなる。
As described above, when processing the via hole 3 with the laser beam L, a high-luminance plume 4 is generated above the via hole 3, and the intensity of the plume 4 is reduced when the via hole 3 is processed. As the amount of resin to be removed decreases, the size becomes smaller. When there is no more resin to be removed, the plume 4 also disappears. When the irradiation with the laser beam L T for inspection to the plume 4, the laser beam L T by the particles in the plume 4 is absorbed and diffused, although the laser beam L T that transmits plume 4 decreases, the via hole 3 When the amount of processing to when the resin to be removed is reduced particles in the plume 4 with decreasing, reduction of the laser beam L T that passes through the plume 4 transmittance is high is reduced, to be removed resin When the plume 4 disappears gone transmittance gone also decrease of the laser beam L T becomes higher.

【0036】そこで請求項9の発明は、図10に示すよ
うに、検査用レーザ発振器35から検査用レーザビーム
Tをプルーム4に照射し、プルーム4を透過した検査
用レーザビームLTを光信号として受光器31で受光し
て測定し、その透過強度を計測して透過率を検出するこ
とによって、バイアホール3の底部に残存する残存樹脂
19の量を検知することができ、バイアホール3の検査
を精度良く行なうことができるものである。この検査用
レーザビームLTとして、色素レーザ、波長633nm
のHe−Neレーザ、波長532nmのSHG−YAG
レーザなどを用いることによって、より精度の高い検査
が可能になるものである。このようにバイアホール3を
加工するレーザビームLの照射によって発生するプルー
ム4を利用してバイアホール3の検査を行なうことがで
きるので、加工と同時にバイアホール3の信頼性の高い
検査を行なうことができるものである。
[0036] Therefore the invention of claim 9, as shown in FIG. 10, the inspection laser beam L T from inspection laser oscillator 35 irradiates the plume 4, optical inspection laser beam L T passing through the plume 4 The amount of the residual resin 19 remaining at the bottom of the via hole 3 can be detected by measuring the transmission intensity by receiving the signal as a signal with the light receiver 31 and measuring the transmission intensity thereof. Can be performed with high accuracy. As the inspection laser beam L T, a dye laser, a wavelength of 633nm
He-Ne laser, 532 nm wavelength SHG-YAG
By using a laser or the like, a more accurate inspection can be performed. As described above, the inspection of the via hole 3 can be performed by using the plume 4 generated by the irradiation of the laser beam L for processing the via hole 3, so that the inspection of the via hole 3 with high reliability can be performed simultaneously with the processing. Can be done.

【0037】さらに、上記のように、レーザビームLで
バイアホール3を加工する際にバイアホール3の上部で
高輝度のプルーム4が発生し、プルーム4の強度はバイ
アホール3を加工する際の除去すべき樹脂の量が減少す
るに従って小さくなり、除去すべき樹脂がなくなるとプ
ルーム4も消滅する。そしてこのプルーム4に検査用の
レーザビームLTを照射すると、プルーム4中の粒子は
レーザビームLTによって共鳴励起され、この励起によ
って発光する。ここで、バイアホール3を加工する際の
除去すべき樹脂の量が減少するに従ってプルーム4中の
粒子も少なくなるので、レーザビームLTで励起されて
発光する強度が小さくなり、除去すべき樹脂がなくなっ
てプルーム4が消滅すると、励起による発光もなくな
る。
Further, as described above, when processing the via hole 3 with the laser beam L, a plume 4 of high luminance is generated above the via hole 3, and the intensity of the plume 4 is reduced when processing the via hole 3. As the amount of resin to be removed decreases, the size becomes smaller. When there is no more resin to be removed, the plume 4 also disappears. When the irradiation with the laser beam L T for inspection plume 4, the particles in the plume 4 is resonantly excited by the laser beam L T, emits light by excitation. Since the particles in the plume 4 is also reduced according to the amount of resin to be removed during processing of the via hole 3 is decreased, the laser beam L T by excited light emitting intensity decreases, the resin to be removed When the plume 4 disappears due to the disappearance, the light emission due to the excitation also disappears.

【0038】そこで請求項10の発明は、図11に示す
ように、検査用レーザ発振器35から検査用レーザビー
ムLTをプルーム4に照射し、プルーム4中の粒子がレ
ーザビームLTの照射によって励起されて発光した光RE
を光信号として受光器31で受光して測定し、その発光
強度を計測することによって、プルーム4中の粒子密度
を検出するようにしてある。従ってこの検出結果に基づ
いてバイアホール3の底部に残存する残存樹脂19の量
を検知することができ、バイアホール3の検査を精度良
く行なうことができるものである。この方法では、図8
や図9の場合のような検査用光源を用いない方法と異な
り、プルーム4中の粒子を励起・発光させるため、光信
号強度が大きくなり、ノイズ成分と比べてプルーム4の
情報を強く検出することができ、検出感度が高くなって
精度の良い検査を行なうことができるものである。この
検査用レーザビームLTとして、色素レーザ、波長63
3nmのHe−Neレーザ、波長532nmのSHG−
YAGレーザなどを用いることによって、より精度の高
い検査が可能になるものである。このようにバイアホー
ル3を加工するレーザビームLの照射によって発生する
プルーム4を利用してバイアホール3の検査を行なうこ
とができるので、加工と同時にバイアホール3の信頼性
の高い検査を行なうことができるものである。
[0038] Therefore the invention of claim 10 is, as shown in FIG. 11, the inspection laser beam L T from inspection laser oscillator 35 irradiates the plume 4, the particles in the plume 4 by irradiation of the laser beam L T Excited light R E
Is received by the light receiver 31 as an optical signal and measured, and the emission intensity is measured to detect the particle density in the plume 4. Therefore, the amount of the residual resin 19 remaining at the bottom of the via hole 3 can be detected based on the detection result, and the inspection of the via hole 3 can be performed with high accuracy. In this method, FIG.
Unlike the method using no inspection light source as shown in FIG. 9 and FIG. 9, since the particles in the plume 4 are excited and emitted, the intensity of the optical signal increases, and the information of the plume 4 is detected more strongly than the noise component. As a result, the detection sensitivity is increased, and a highly accurate inspection can be performed. As the inspection laser beam L T, a dye laser, wavelength 63
3nm He-Ne laser, 532nm wavelength SHG-
By using a YAG laser or the like, a more accurate inspection can be performed. As described above, the inspection of the via hole 3 can be performed by using the plume 4 generated by the irradiation of the laser beam L for processing the via hole 3, so that the inspection of the via hole 3 with high reliability can be performed simultaneously with the processing. Can be done.

【0039】上記の各実施形態では、光信号を受信する
測定は1カ所で行なうようにしているが、請求項11の
発明では、2カ所以上から光の信号を測定するようにし
てある。このように測定個所を位置を変えて複数箇所に
すると、一方向からだけでは検出できない情報を得るこ
とが可能になり、検査の精度を高めて、バイアホール3
の検査の信頼性を高めることができるものである。
In each of the above embodiments, the measurement for receiving the optical signal is performed at one location, but in the invention of claim 11, the optical signal is measured from two or more locations. By changing the measurement location to a plurality of locations as described above, it is possible to obtain information that cannot be detected from only one direction.
Can improve the reliability of the inspection.

【0040】図12(a)は請求項11の発明の実施の
形態の一例を示すものであり、図7のように、レーザビ
ームLでバイアホール3を加工する際に、バイアホール
3の底部でレーザビームLの光路外へ反射した反射光R
Lを受光器31で受光してバイアホール3の検査を行な
うにあたって、レーザビームLの光路外において複数箇
所に受光器31を配置するようにしてある。従ってこの
場合には複数箇所で反射光RLの強度(光量)を測定す
ることができ、測定精度を高く得ることができるもので
あり、また複数の各受光器31でそれぞれ異なる波長の
反射光RLを受光することもできるものである。
FIG. 12 (a) shows an example of the embodiment of the present invention according to the eleventh aspect. As shown in FIG. 7, when processing the via hole 3 with the laser beam L, the bottom of the via hole 3 is formed. The reflected light R reflected out of the optical path of the laser beam L
When light is received by the light receiver 31 and the via hole 3 is inspected, the light receivers 31 are arranged at a plurality of positions outside the optical path of the laser beam L. Therefore, in this case, the intensity (light amount) of the reflected light RL can be measured at a plurality of locations, and high measurement accuracy can be obtained. RL can also be received.

【0041】図12(b)は請求項11の発明の実施の
形態の他の一例を示すものであり、図11のように、検
査用レーザ発振器35から検査用レーザビームLTをプ
ルーム4に照射し、プルーム4中の粒子がレーザビーム
Tの照射によって励起されて発光した光REを受光器3
1で受光するにあたって、複数箇所に配置した複数の検
査用レーザ発振器35からそれぞれ波長の異なる検査用
レーザビームLTをプルーム4に照射し、各レーザビー
ムLTの照射によって励起されて発光した各光REを複数
箇所に配置した複数の受光器31でそれぞれ受光するよ
うにしてある。波長の異なる検査用レーザビームLT
プルーム4に照射することによって、波長の異なる光R
Eが発光されるが、これらの波長の異なる光REは複数の
各個別の受光器31で受光することができるものであ
る。
[0041] FIG. 12 (b) show another example of embodiment of the invention of claim 11, as shown in FIG. 11, the inspection laser beam L T from inspection laser oscillator 35 to the plume 4 irradiated, light R E the light receiver 3 particles in the plume 4 emits light by being excited by the irradiation of the laser beam L T
When received by 1, irradiates the inspection laser beam L T respectively from a plurality of inspection laser oscillator 35 arranged different wavelengths at a plurality of locations in the plume 4, each emitted light by being excited by the irradiation of the laser beam L T a plurality of light receivers 31 where the light R E are arranged in a plurality of locations are to be respectively received. By irradiating the inspection laser beam L T of different wavelengths in the plume 4, different light R of the wavelength
Although E is emitted, different light R E of these wavelengths are those capable of receiving a plurality of each individual photodetector 31.

【0042】尚、請求項11の発明は上記の図12
(a)(b)の実施の形態に限定されるものではなく、
図1、図4、図5、図6、図8、図10の受光器31を
複数箇所に配置して測定を行なったり、図9のカメラ3
4を複数箇所に配置して測定を行なったりすることがで
きるのはいうまでもない。
Incidentally, the invention of claim 11 is the same as that of FIG.
(A) It is not limited to the embodiment of (b),
The measurement is performed by disposing the light receivers 31 shown in FIGS. 1, 4, 5, 6, 8, and 10 at a plurality of positions, and the camera 3 shown in FIG.
Needless to say, the measurement can be performed by arranging the four at a plurality of locations.

【0043】また請求項12の発明は、上記の各実施の
形態の方法を複数組み合わせてバイアホール3の検査を
行なうようにしたものであり、例えば、図1、図4〜図
7、図12(a)のように反射光の測定だけではバイア
ホール3の残存樹脂19の検出結果がばらついている場
合には、この方法に図8〜図11、図12(b)のよう
なプルーム4を利用した測定を組み合わせることによっ
て、多くの情報に基づいてバイアホール3の検査を行な
うことができ、検査精度を向上させることができて検査
の信頼性を高めることができるものである。
According to a twelfth aspect of the present invention, the inspection of the via hole 3 is performed by combining a plurality of the methods of the above-described embodiments. For example, FIG. 1, FIGS. If the detection result of the residual resin 19 in the via hole 3 varies only by measuring the reflected light as shown in (a), the plume 4 shown in FIGS. 8 to 11 and FIG. By combining the used measurements, the inspection of the via hole 3 can be performed based on a lot of information, the inspection accuracy can be improved, and the reliability of the inspection can be increased.

【0044】[0044]

【発明の効果】上記のように本発明の請求項1に係るプ
リント基板のバイアホールの検査方法は、導体の表面を
被覆する絶縁層にレーザビームを照射することによっ
て、導体を底面に露出させるバイアホールを絶縁層に加
工するにあたって、レーザビームの照射中に発生する光
信号の変化を測定することによって、バイアホールの底
部の絶縁層の残存状態を検出するようにしたので、レー
ザビームを照射してバイアホールを加工しながら、バイ
アホールの検査を行なうことができるものであり、バイ
アホールの加工工程と別工程の検査工程が不要になり、
生産性を高めることができるものである。
As described above, the method for inspecting via holes in a printed circuit board according to the first aspect of the present invention exposes the conductor to the bottom surface by irradiating the insulating layer covering the surface of the conductor with a laser beam. In processing the via hole into an insulating layer, the residual state of the insulating layer at the bottom of the via hole is detected by measuring the change in the optical signal generated during laser beam irradiation. While processing the via hole, the inspection of the via hole can be performed, eliminating the need for the inspection process of the via hole processing process and another process.
It can increase productivity.

【0045】また請求項2の発明は、バイアホールを加
工するレーザビームの照射と並行して、500〜700
nmの波長の検査用光をバイアホールに照射し、その反
射光を測定するようにしたので、波長が500〜700
nmの光は樹脂厚みの変化に対する反射光の強度変化が
大きいものであり、反射光の強度からバイアホールの底
部の絶縁層の残存状態を精度高く検出することができる
ものである。
The invention according to claim 2 is characterized in that the irradiation of the laser beam for processing the via hole is performed in a range of 500 to 700.
The inspection light having a wavelength of 500 nm is applied to the via hole, and the reflected light is measured.
The light of nm has a large change in the intensity of the reflected light with respect to the change in the thickness of the resin, and can accurately detect the remaining state of the insulating layer at the bottom of the via hole from the intensity of the reflected light.

【0046】また請求項3の発明は、絶縁層へのレーザ
ビームの照射によって発生するプルームから発せられる
光を測定するようにしたので、レーザビームでバイアホ
ールを加工する際に発生するプルームを利用してバイア
ホールの検査を行なうことができるものであり、検査用
の光源を特に必要とすることなく、加工と同時にバイア
ホールの検査を行なうことができるものである。
According to the third aspect of the present invention, since the light emitted from the plume generated by irradiating the insulating layer with the laser beam is measured, the plume generated when processing the via hole with the laser beam is used. In this way, the inspection of the via hole can be performed, and the inspection of the via hole can be performed at the same time as the processing without specially requiring a light source for inspection.

【0047】また請求項4の発明は、バイアホールを加
工するレーザビームの反射光を測定するようにしたの
で、このレーザビームの反射光の強度でバイアホールの
底部の絶縁層の残存状態を検出してバイアホールの検査
を行なうことができ、検査用の光源を用いる必要なくバ
イアホールの検査を行なうことができるものである。
According to the fourth aspect of the present invention, since the reflected light of the laser beam for processing the via hole is measured, the remaining state of the insulating layer at the bottom of the via hole is detected based on the intensity of the reflected light of the laser beam. Thus, the inspection of the via hole can be performed, and the inspection of the via hole can be performed without using a light source for inspection.

【0048】また請求項5の発明は、レーザビームをハ
ーフミラーに反射させて絶縁層に照射してバイアホール
を加工すると共に、絶縁層へのレーザビームの照射によ
って発生する光信号のうちハーフミラーを透過するもの
を測定するようにしたので、レーザビームの照射によっ
て発生する光信号をレーザビームの光路外において測定
することができるものであり、バイアホールを加工する
レーザビームを利用した検査が容易になるものである。
According to a fifth aspect of the present invention, a laser beam is reflected by a half mirror to irradiate an insulating layer to form a via hole, and a half mirror of an optical signal generated by irradiating the insulating layer with a laser beam. Since the laser beam that transmits the laser beam is measured, the optical signal generated by the laser beam irradiation can be measured outside the optical path of the laser beam, and the inspection using the laser beam for processing the via hole is easy. It becomes something.

【0049】また請求項6の発明は、レーザビームをピ
ンホールミラーに反射させて絶縁層に照射してバイアホ
ールを加工すると共に、絶縁層へのレーザビームの照射
によって発生する光信号のうちピンホールミラーのピン
ホールを透過するものを測定するようにしたので、レー
ザビームの照射によって発生する光信号をレーザビーム
の光路外において測定することができるものであり、バ
イアホールを加工するレーザビームを利用した検査が容
易になるものである。
According to a sixth aspect of the present invention, a laser beam is reflected by a pinhole mirror to irradiate an insulating layer to form a via hole, and a pin signal out of an optical signal generated by irradiating the insulating layer with the laser beam. Since the laser beam transmitted through the pinhole of the hole mirror is measured, an optical signal generated by laser beam irradiation can be measured outside the optical path of the laser beam. This facilitates the inspection that was used.

【0050】また請求項7の発明は、バイアホールを加
工するレーザビームの反射光を、レーザビームの光路外
で測定するようにしたので、レーザビームの光路外にお
いて反射光を測定することができるものであり、バイア
ホールを加工するレーザビームの反射光を利用した検査
が容易になるものである。
According to the seventh aspect of the present invention, since the reflected light of the laser beam for processing the via hole is measured outside the optical path of the laser beam, the reflected light can be measured outside the optical path of the laser beam. This facilitates inspection using reflected light of a laser beam for processing a via hole.

【0051】また請求項8の発明は、絶縁層へのレーザ
ビームの照射によって発生するプルームの形状を測定す
るようにしたので、レーザビームでバイアホールを加工
する際に発生するプルームを利用してバイアホールの検
査を行なうことができるものであり、検査用の光源を特
に必要とすることなく、加工と同時にバイアホールの検
査を行なうことができるものである。
According to the invention of claim 8, since the shape of the plume generated by irradiating the insulating layer with the laser beam is measured, the plume generated when processing the via hole with the laser beam is utilized. The inspection of the via hole can be performed, and the inspection of the via hole can be performed at the same time as the processing without specially requiring a light source for inspection.

【0052】また請求項9の発明は、絶縁層へのレーザ
ビームの照射によって発生するプルームに検査用レーザ
ビームを照射し、プルームを透過した検査用レーザビー
ムを測定するようにしたので、レーザビームでバイアホ
ールを加工する際に発生するプルームを利用してバイア
ホールの検査を行なうことができるものであり、検査用
の光源を特に必要とすることなく、加工と同時にバイア
ホールの検査を行なうことができるものである。
According to the ninth aspect of the present invention, the inspection laser beam is irradiated on the plume generated by irradiating the insulating layer with the laser beam, and the inspection laser beam transmitted through the plume is measured. Inspection of via holes can be performed using plumes generated when processing via holes at the same time. Via holes can be inspected at the same time as processing without specially requiring a light source for inspection. Can be done.

【0053】また請求項10の発明は、絶縁層へのレー
ザビームの照射によって発生するプルームに検査用レー
ザビームを照射し、検査用レーザビームの照射により励
起されたプルーム中の粒子の発光強度を測定するように
したので、レーザビームでバイアホールを加工する際に
発生するプルームを利用してバイアホールの検査を行な
うことができるものであり、加工と同時にバイアホール
の検査を行なうことができるものである。
According to a tenth aspect of the present invention, a plume generated by irradiating the insulating layer with a laser beam is irradiated with an inspection laser beam, and the emission intensity of particles in the plume excited by the inspection laser beam irradiation is reduced. Since the measurement is performed, the via hole can be inspected by using the plume generated when processing the via hole with the laser beam, and the via hole can be inspected simultaneously with the processing. It is.

【0054】また請求項11の発明は、2カ所以上から
光の信号を測定するようにしたので、一方向からだけで
は測定できない情報を得ることが可能になり、検査の精
度を高めて、バイアホールの検査の信頼性を高めること
ができるものである。
According to the eleventh aspect of the present invention, since optical signals are measured from two or more locations, it is possible to obtain information that cannot be measured from only one direction, to improve the accuracy of inspection, and to increase the accuracy of inspection. The reliability of the inspection of the hole can be improved.

【0055】また請求項12の発明は、上記の請求項2
乃至10の方法から選ばれる複数の方法を組み合わせて
測定を行なうようにしたので、異なる方法から得られた
多くの情報に基づいてバイアホールの検査を行なうこと
が可能になり、検査精度を向上させることができて検査
の信頼性を高めることができるものである。
The twelfth aspect of the present invention is the second aspect of the present invention.
Since the measurement is performed by combining a plurality of methods selected from among the above methods, it is possible to inspect the via hole based on a lot of information obtained from different methods, thereby improving the inspection accuracy. This can improve the reliability of the inspection.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】請求項1の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the first embodiment.

【図2】バイアホールの加工を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing processing of a via hole.

【図3】光の波長と反射率の関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the wavelength of light and the reflectance.

【図4】請求項4の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。
FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of an embodiment according to claim 4;

【図5】請求項5の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the embodiment of claim 5;

【図6】請求項6の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。
FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of the embodiment of claim 6;

【図7】請求項7の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。
FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of the embodiment of claim 7;

【図8】請求項3の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。
FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of the third embodiment.

【図9】請求項8の実施の形態の一例を示す概略図であ
る。
FIG. 9 is a schematic diagram showing an example of the embodiment of claim 8;

【図10】請求項9の実施の形態の一例を示す概略図で
ある。
FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of the embodiment of claim 9;

【図11】請求項10の実施の形態の一例を示す概略図
である。
FIG. 11 is a schematic view showing an example of the tenth embodiment.

【図12】請求項11の実施の形態の一例を示すもので
あり、(a),(b)はそれぞれ概略図である。
FIGS. 12A and 12B show an example of the embodiment of claim 11, wherein FIGS. 12A and 12B are schematic diagrams.

【図13】従来例を示すものであり、(a),(b)は
それぞれ概略図である。
FIG. 13 shows a conventional example, and (a) and (b) are schematic diagrams, respectively.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 導体 2 絶縁層 3 バイアホール 4 プルーム 5 ハーフミラー 6 ピンホールミラー 7 ピンホール 8 プリント基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductor 2 Insulating layer 3 Via hole 4 Plume 5 Half mirror 6 Pinhole mirror 7 Pinhole 8 Printed circuit board

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成10年12月28日(1998.12.
28)
[Submission date] December 28, 1998 (1998.12.
28)

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】図7[Correction target item name] Fig. 7

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図7】 FIG. 7

フロントページの続き Fターム(参考) 2G051 AA61 AA65 AB14 AB20 BA10 CA02 CA03 CA04 CB01 CC07 DA07 EB01 EB02 5E346 AA43 BB01 GG15 GG33 HH33Continued on the front page F term (reference) 2G051 AA61 AA65 AB14 AB20 BA10 CA02 CA03 CA04 CB01 CC07 DA07 EB01 EB02 5E346 AA43 BB01 GG15 GG33 HH33

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体の表面を被覆する絶縁層にレーザビ
ームを照射することによって、導体を底面に露出させる
バイアホールを絶縁層に加工するにあたって、レーザビ
ームの照射中に発生する光信号の変化を測定することに
よって、バイアホールの底部の絶縁層の残存状態を検出
することを特徴とするプリント基板のバイアホールの検
査方法。
1. A laser beam is irradiated onto an insulating layer covering the surface of a conductor, whereby a via hole exposing the conductor on the bottom surface is processed into the insulating layer to change an optical signal generated during the laser beam irradiation. A method for inspecting a via hole in a printed circuit board, wherein the state of the insulating layer at the bottom of the via hole is detected by measuring the residual state of the via hole.
【請求項2】 バイアホールを加工するレーザビームの
照射と並行して、500〜700nmの波長の検査用光
をバイアホールに照射し、その反射光を測定することを
特徴とする請求項1に記載のプリント基板のバイアホー
ルの検査方法。
2. The method according to claim 1, wherein the inspection light having a wavelength of 500 to 700 nm is applied to the via hole in parallel with the irradiation of the laser beam for processing the via hole, and the reflected light is measured. Inspection method of via hole of printed circuit board as described.
【請求項3】 絶縁層へのレーザビームの照射によって
発生するプルームから発せられる光を測定することを特
徴とする請求項1に記載のプリント基板のバイアホール
の検査方法。
3. The method according to claim 1, wherein light emitted from a plume generated by irradiating the insulating layer with a laser beam is measured.
【請求項4】 バイアホールを加工するレーザビームの
反射光を測定することを特徴とする請求項1に記載のプ
リント基板のバイアホールの検査方法。
4. The method for inspecting a via hole in a printed circuit board according to claim 1, wherein reflected light of a laser beam for processing the via hole is measured.
【請求項5】 レーザビームをハーフミラーに反射させ
て絶縁層に照射してバイアホールを加工すると共に、絶
縁層へのレーザビームの照射によって発生する光信号の
うちハーフミラーを透過するものを測定することを特徴
とする請求項2乃至4のいずれかに記載のプリント基板
のバイアホールの検査方法。
5. A via hole is formed by reflecting a laser beam on a half mirror and irradiating the insulating layer, and measuring an optical signal generated by irradiating the insulating layer with the laser beam that passes through the half mirror. 5. The method for inspecting a via hole in a printed circuit board according to claim 2, wherein:
【請求項6】 レーザビームをピンホールミラーに反射
させて絶縁層に照射してバイアホールを加工すると共
に、絶縁層へのレーザビームの照射によって発生する光
信号のうちピンホールミラーのピンホールを透過するも
のを測定することを特徴とする請求項2乃至4のいずれ
かに記載のプリント基板のバイアホールの検査方法。
6. A method of manufacturing a via hole by reflecting a laser beam to a pinhole mirror and irradiating the insulating layer with a laser beam, and extracting a pinhole of the pinhole mirror among optical signals generated by irradiating the insulating layer with the laser beam. 5. The method for inspecting a via hole in a printed circuit board according to claim 2, wherein the transmitted light is measured.
【請求項7】 バイアホールを加工するレーザビームの
反射光を、レーザビームの光路外で測定することを特徴
とする請求項4に記載のプリント基板のバイアホールの
検査方法。
7. The method according to claim 4, wherein the reflected light of the laser beam for processing the via hole is measured outside the optical path of the laser beam.
【請求項8】 絶縁層へのレーザビームの照射によって
発生するプルームの形状を測定することを特徴とする請
求項1,5,6のいずれかに記載のプリント基板のバイ
アホールの検査方法。
8. The method according to claim 1, wherein a shape of a plume generated by irradiating the insulating layer with a laser beam is measured.
【請求項9】 絶縁層へのレーザビームの照射によって
発生するプルームに検査用レーザビームを照射し、プル
ームを透過した検査用レーザビームを測定することを特
徴とする請求項1,5,6のいずれかに記載のプリント
基板のバイアホールの検査方法。
9. The inspection laser beam according to claim 1, wherein the inspection laser beam is irradiated on a plume generated by irradiating the insulating layer with the laser beam, and the inspection laser beam transmitted through the plume is measured. A method for inspecting a via hole in a printed circuit board according to any one of the above.
【請求項10】 絶縁層へのレーザビームの照射によっ
て発生するプルームに検査用レーザビームを照射し、検
査用レーザビームの照射により励起されたプルーム中の
粒子の発光強度を測定することを特徴とする請求項1,
5,6のいずれかに記載のプリント基板のバイアホール
の検査方法。
10. A method for irradiating an inspection laser beam to a plume generated by irradiating an insulating layer with a laser beam, and measuring emission intensity of particles in the plume excited by the irradiation of the inspection laser beam. Claim 1,
The method for inspecting a via hole in a printed circuit board according to any one of claims 5 and 6.
【請求項11】 2カ所以上から光信号を測定すること
を特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載のプリ
ント基板のバイアホールの検査方法。
11. The method according to claim 1, wherein optical signals are measured from two or more locations.
【請求項12】 請求項2乃至10の方法から選ばれる
複数の方法を組み合わせて測定を行なうことを特徴とす
るプリント基板のバイアホールの検査方法。
12. A method of inspecting a via hole in a printed circuit board, wherein the measurement is performed by combining a plurality of methods selected from the methods of claim 2 to 10.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002176240A (en) * 2000-12-07 2002-06-21 Shibuya Kogyo Co Ltd Method and system for boring via hole
JP2008519439A (en) * 2004-10-28 2008-06-05 インテル・コーポレーション Evaluation of micro via formation in PCB board manufacturing process

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