JP2000077181A - Electroluminescent element - Google Patents

Electroluminescent element

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JP2000077181A
JP2000077181A JP10247540A JP24754098A JP2000077181A JP 2000077181 A JP2000077181 A JP 2000077181A JP 10247540 A JP10247540 A JP 10247540A JP 24754098 A JP24754098 A JP 24754098A JP 2000077181 A JP2000077181 A JP 2000077181A
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JP
Japan
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light
substrate
electrode
transparent
film
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JP10247540A
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Japanese (ja)
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Harumi Suzuki
晴視 鈴木
Junji Kido
淳二 城戸
Takeshi Ishikawa
岳史 石川
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent light from leaking from the wall face of a ramp in a projecting or recessed part, in an EL element to bring down light below a transparent substrate by disposing a luminescent layer placed between a pair of electrodes on projecting parts among projecting and recessed parts formed on the transparent substrate. SOLUTION: Plural striped and transparent electrodes 3 are formed on projecting parts 2b among plural striped projecting and recessed parts 2 formed on one side 1a of a transparent substrate 1, a luminescent layer 4 is formed on one side of the projecting parts 2b and the transparent electrodes 3, and plural striped counter electrodes 5 are formed on the luminescent layer 4. A light reflecting film 6 of aluminum and gold is formed on the wall side 2c of a ramp in each projecting or recessed part 2, and is electrically connected to each transparent electrode 3, while an adjacent light reflecting film 6 is electrically separated by the recessed part 2a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜型ディスプレ
イや照明器具等に適用されるEL素子(エレクトロルミ
ネッセンス素子)に関し、特に、光の取り出し効率の向
上に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL element (electroluminescence element) applied to a thin-film display, a lighting device, and the like, and more particularly to an improvement in light extraction efficiency.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、EL素子は、無機ELと有機E
Lに分類される。図14(a)に示すように、無機EL
は、一般に、ガラス等の透明基板上に、硫化亜鉛を主材
料とする無機発光層301を酸化シリコンなどの絶縁層
302で挟んだ3層からなる発光層304を有し、更に
発光層304の上下を、透明な下部電極305と金属薄
膜等からなる上部電極306とで挟んだ構造をとってい
る。そして、電極305,306間に200V程度の高
交流電圧を印加すると、電圧印加時に無機発光層301
と絶縁層302界面から放出される電子が加速し、無機
発光層301中のドーパント原子を励起し発光に至る。
2. Description of the Related Art Generally, an EL element is composed of an inorganic EL and an organic EL.
L. As shown in FIG.
Generally has, on a transparent substrate such as glass, a light-emitting layer 304 composed of three layers in which an inorganic light-emitting layer 301 mainly composed of zinc sulfide is sandwiched between insulating layers 302 such as silicon oxide. The upper and lower portions are sandwiched between a transparent lower electrode 305 and an upper electrode 306 made of a metal thin film or the like. When a high AC voltage of about 200 V is applied between the electrodes 305 and 306, the inorganic light emitting layer 301 is applied when the voltage is applied.
The electrons emitted from the interface with the insulating layer 302 are accelerated, and excite the dopant atoms in the inorganic light emitting layer 301 to emit light.

【0003】また、図14(b)に示すように、有機E
Lは、蛍光有機化合物を含む発光層(薄膜)401を、
陽極402と陰極403とで挟んだ構造を有する。そし
て、両極402、403に10V程度の直流電圧を印加
し、前記薄膜401に電子および正孔を注入して再結合
させることにより、励起子を生成し、この励起子の失活
する際の光の放出を利用して発光に至る。
Further, as shown in FIG.
L is a light emitting layer (thin film) 401 containing a fluorescent organic compound,
It has a structure sandwiched between an anode 402 and a cathode 403. Then, a DC voltage of about 10 V is applied to both poles 402 and 403, and electrons and holes are injected into the thin film 401 to be recombined, thereby generating excitons and generating light when the excitons are deactivated. Utilizing the emission of light leads to light emission.

【0004】従来、これら薄膜表示素子において、ガラ
ス等の透明基板の端面からの光の漏洩が大きく、視野方
向である基板下面の表示輝度が低下している。そして、
この時の光の外部取り出し効率は、一般に20%程度で
ある。そのため、必要な輝度を得るためには投入電力が
高くなるなどの問題があり、この高い投入電力はエネル
ギー上の問題のみならず、素子に及ぼす負荷を増大し、
信頼性を低下させる。
Conventionally, in these thin-film display devices, light leakage from the end face of a transparent substrate such as glass has been large, and the display brightness on the lower surface of the substrate, which is the viewing direction, has been reduced. And
At this time, the light extraction efficiency is generally about 20%. Therefore, there is a problem that the input power becomes high in order to obtain the required luminance, and this high input power causes not only an energy problem but also an increase in the load on the element,
Decrease reliability.

【0005】ここで、図5に、無機ELを例にとった場
合の上記光漏洩の様子を示す。平面状の透明基板K1に
おいては、光路102のように基板下面K1aに低角で
入射する光は、空気と基板K1との屈折率の違いから、
基板K1と空気との界面で全反射され、基板K1の側面
から漏洩する(図5中、破線矢印)。この時の全反射の
条件は、屈折率の違いから、臨界角αとして求まる。よ
って、発光層からの光のうち、この角度α以上で入射す
る光は基板の側面に漏洩する。
Here, FIG. 5 shows a state of the light leakage when an inorganic EL is taken as an example. In the flat transparent substrate K1, light incident on the substrate lower surface K1a at a low angle, such as the optical path 102, depends on the difference in refractive index between air and the substrate K1.
The light is totally reflected at the interface between the substrate K1 and the air and leaks from the side surface of the substrate K1 (indicated by a broken arrow in FIG. 5). The condition of total reflection at this time is determined as the critical angle α from the difference in refractive index. Therefore, of the light from the light emitting layer, light incident at an angle equal to or more than this angle α leaks to the side surface of the substrate.

【0006】この光の外部取り出し効率を向上させる目
的で、素子の基板に凹凸を形成したもの(特開平1−1
86587号公報、特開平3−46791号公報)が提
案されている。これらは、無機ELにおいて、屈折率の
大きく異なる発光層と下部絶縁層との間での反射光を効
率良く、基板下方へ取り出すためのものである。
For the purpose of improving the efficiency of extracting light to the outside, a device in which irregularities are formed on the substrate of the device (Japanese Patent Laid-Open No.
86587, JP-A-3-46791). These are for efficiently extracting the reflected light between the light emitting layer having a significantly different refractive index and the lower insulating layer to the lower part of the substrate in the inorganic EL.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等が、上記従来技術に基づいて、凹凸部を形成した基
板を試作し検討した結果、屈折率の大きく異なる発光層
材料と下部絶縁層との間での反射光を効率良く取り出し
て光の漏洩を低減できるものの、基板上の凹凸部の段差
部壁面から、視野方向外への光の漏洩があることがわか
った。その様子を図6に示す。
However, as a result of the present inventors' trial production and examination of a substrate on which uneven portions are formed based on the above-mentioned prior art, a light emitting layer material and a lower insulating layer having greatly different refractive indices were obtained. Although it was possible to efficiently extract the reflected light between the two and reduce the leakage of light, it was found that light leaked out of the viewing direction from the stepped wall surface of the uneven portion on the substrate. FIG. 6 shows this state.

【0008】図6は、本発明者等の試作品であり、基板
1に凹凸部2を設け、その凸部2bに透明な下部電極
(透明電極)3、その上に発光層4、その上に上部電極
(対向電極)5を積層した構成としている。このEL素
子においては、凹凸部2の斜面すなわち段差部壁面2c
への光の入射角γが、臨界角α以上であれば、光路10
3のように、凹凸部2の段差部壁面2cでの全反射が起
こり、視野方向へ光が取り出せる。
FIG. 6 shows a prototype of the present inventors, in which an uneven portion 2 is provided on a substrate 1, a transparent lower electrode (transparent electrode) 3 is provided on the convex portion 2b, and a light emitting layer 4 is provided thereon. And an upper electrode (counter electrode) 5 is laminated thereon. In this EL device, the slope of the uneven portion 2, that is, the step portion wall surface 2c
If the incident angle γ of light to the optical path is equal to or larger than the critical angle α, the optical path 10
As shown in FIG. 3, total reflection occurs on the step wall surface 2c of the uneven portion 2, and light can be extracted in the viewing direction.

【0009】よって、視野方向外となるように基板1下
面1bに入射する光が減少し、基板12の側面から漏洩
しにくくなる。しかしながら、この構造においても、段
差部壁面2cへの光の入射角γが臨界角α以下の光路
(図6中、破線矢印に示す光路102)の光は、あるた
め、この光は段差部壁面2cから漏洩し、やはり表示輝
度の低下が問題となる。
Therefore, the amount of light incident on the lower surface 1b of the substrate 1 so as to be out of the viewing direction is reduced, and it is difficult for the light to leak from the side surface of the substrate 12. However, even in this structure, since there is light in the optical path (the optical path 102 shown by a broken arrow in FIG. 6) in which the incident angle γ of the light on the step wall 2c is equal to or smaller than the critical angle α, this light is 2c, which also causes a problem of a decrease in display luminance.

【0010】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて、透
明基板上に形成された凹凸部の凸部に一対の電極で挟ま
れた発光層を配置し、透明基板下方に光の取出しを行な
うEL素子において、凹凸部の段差部壁面からの光の漏
洩を防止することを目的とする。
In view of the above problems, the present invention arranges a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes on a convex portion of a concave and convex portion formed on a transparent substrate, and extracts light below the transparent substrate. In an EL element, an object is to prevent light from leaking from a step portion wall surface of an uneven portion.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明では、透明基板(1)一面(1
a)上に透明な第1電極(3)、発光層(4)、第2電
極(5)を順次積層してなり、発光層(4)からの光を
透明基板(1)他面(1b)側に取り出すようにしたE
L素子において、透明基板(1)の一面(1a)に凹凸
部(2)を形成し、その凸部(2b)上に第1電極
(3)を形成し、少なくとも凹凸部(2)の段差部壁面
(2c)に光反射膜(6)を形成したことを特徴として
いる。
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the transparent substrate (1) covers one surface (1).
a) A transparent first electrode (3), a light-emitting layer (4), and a second electrode (5) are sequentially stacked on top of each other, and light from the light-emitting layer (4) is applied to the other surface (1b) of the transparent substrate (1). E) to take out to the side
In the L element, an uneven portion (2) is formed on one surface (1a) of the transparent substrate (1), a first electrode (3) is formed on the convex portion (2b), and at least a step of the uneven portion (2) is formed. The light reflecting film (6) is formed on the wall surface (2c).

【0012】それによって、発光層(4)から第1電極
(3)の下方へ向かう光は、凹凸部(2)の段差部壁面
(2c)に形成された光反射膜(6)によって全反射す
る。そのため、エレクトロルミネッセンスによる発光
を、光取出し側である透明基板(1)の他面(1b)側
から視野方向に効率よく取出すことができ、段差部壁面
(2c)からの光の漏洩を防止できる。
As a result, the light traveling downward from the light emitting layer (4) to below the first electrode (3) is totally reflected by the light reflecting film (6) formed on the step wall surface (2c) of the uneven portion (2). I do. Therefore, light emitted by electroluminescence can be efficiently extracted in the viewing direction from the other surface (1b) of the transparent substrate (1) on the light extraction side, and leakage of light from the step wall surface (2c) can be prevented. .

【0013】よって、基板下面への光の取り出し効率を
向上させることができ、結果的に、輝度の高いEL素子
または同一の輝度を得るための投入電力の低下が実現で
きる。ここで、発光層(4)は、少なくとも1層の有機
化合物からなる発光層を有するもの(有機EL)、ある
いは、無機物からなる発光層を有するもの(無機EL)
のどちらでもよい。
Therefore, the efficiency of extracting light to the lower surface of the substrate can be improved, and as a result, a high luminance EL element or a reduction in input power for obtaining the same luminance can be realized. Here, the light emitting layer (4) has at least one light emitting layer composed of an organic compound (organic EL) or has a light emitting layer composed of an inorganic substance (inorganic EL).
Either may be used.

【0014】しかし、特に、本発明は、発光層(4)下
部の第1電極(3)を透過してきた光の取り出し効率の
向上を実現できるため、無機ELに比べて、第1電極
(3)と発光層(4)の屈折率が近い有機ELにおける
光の取り出し効率の向上効果が高い。また、光反射膜
(6)は、可視光を反射するものとして、請求項2記載
の発明のように、金属材料から構成されていることが好
ましい。具体的には、アルミニウム、金、銀、銅、マグ
ネシウムなどの金属材料を採用できる。
However, in particular, the present invention can improve the efficiency of extracting the light transmitted through the first electrode (3) below the light emitting layer (4), and therefore the first electrode (3 ) And the light emitting layer (4) have a high effect of improving the light extraction efficiency in the organic EL having a similar refractive index. Further, the light reflecting film (6) is preferably made of a metal material so as to reflect visible light. Specifically, a metal material such as aluminum, gold, silver, copper, and magnesium can be employed.

【0015】また、請求項3及び請求項4記載の発明
は、複数個形成された各々の凹凸部(2)において、第
1電極(3)を凸部(2b)上に形成し且つ金属製の光
反射膜(6)を段差部壁面(2c)に形成したEL素子
に関するものである。このような複数電極型のEL素子
において、請求項3記載の発明では、隣接する第1電極
(3)と光反射膜(6)とを電気的に導通するととも
に、隣接する光反射膜(6)を凹部(2a)にて電気的
に分断させたことを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, in each of the plurality of concave and convex portions (2), the first electrode (3) is formed on the convex portion (2b) and is made of metal. In which the light reflection film (6) is formed on the step wall surface (2c). In such a multi-electrode EL device, in the invention according to claim 3, the adjacent first electrode (3) and the light reflecting film (6) are electrically connected and the adjacent light reflecting film (6) is electrically connected. ) Is electrically separated by the concave portion (2a).

【0016】光反射膜(6)を凹部(2a)にて電気的
に分断させるとは、具体的には、光反射膜(6)を段差
部壁面(2c)のみに形成し、凹部(2a)底面には形
成しないことで達成される。それによって、請求項1の
発明の効果に加えて、隣接する第1電極(3)同士の絶
縁が確保される。よって、例えば、第1及び第2電極
(3、5)とがマトリクスを構成するマトリクス型EL
素子等に代表される部分表示可能なEL素子を提供でき
る。また、第1電極(3)は、金属製の光反射膜(6)
と電気的に導通しているから、光反射膜(6)を補助電
極として第1電極(3)の低抵抗化が図れる。
To electrically divide the light reflecting film (6) at the concave portion (2a) means, specifically, to form the light reflecting film (6) only on the step portion wall surface (2c) and to form the concave portion (2a). This is achieved by not forming on the bottom surface. Thereby, in addition to the effect of the first aspect, insulation between the adjacent first electrodes (3) is ensured. Therefore, for example, a matrix-type EL in which the first and second electrodes (3, 5) form a matrix
An EL element which can be partially displayed, such as an element, can be provided. Further, the first electrode (3) is a light reflection film (6) made of metal.
And the first electrode (3) can be reduced in resistance by using the light reflecting film (6) as an auxiliary electrode.

【0017】また、請求項4記載の発明では、上記複数
電極型のEL素子において、金属製の光反射膜(6)を
段差部壁面(2c)を含む凹部(2a)の全面に形成
し、隣接する第1電極(3)と光反射膜(6)とを電気
的に導通したことを特徴としており、光反射膜(6)を
介して隣接する第1電極(3)同士を全て導通させるこ
とができ、請求項3記載の発明とは逆に全面表示型のE
L素子を提供できる。
Further, in the invention described in claim 4, in the multi-electrode type EL device, a metal light reflecting film (6) is formed on the entire surface of the concave portion (2a) including the step portion wall surface (2c), It is characterized in that the adjacent first electrode (3) and the light reflecting film (6) are electrically connected, and all the adjacent first electrodes (3) are connected to each other via the light reflecting film (6). In contrast to the third aspect of the present invention, a full-display E
An L element can be provided.

【0018】ここで、請求項5または請求項6記載の発
明のように、凹凸部(2)は、透明基板(1)そのもの
に形成されたものでもよいし、透明基板(1)の一面
(1a)上に突出して形成された膜部材(8)を凸部
(2b)とし、透明基板(1)の一面(1a)のうち膜
部材(8)の非形成部を凹部(2a)として構成された
ものでもよい。
Here, as in the invention described in claim 5 or claim 6, the uneven portion (2) may be formed on the transparent substrate (1) itself, or may be formed on one surface of the transparent substrate (1). 1a) The film member (8) formed so as to protrude upward is formed as a convex portion (2b), and the non-formed portion of the film member (8) on one surface (1a) of the transparent substrate (1) is formed as a concave portion (2a). It may be done.

【0019】なお、上記した括弧内の符号は、後述する
実施形態記載の具体的手段との対応関係を示す一例であ
る。
The symbols in parentheses above are examples showing the correspondence with specific means described in the embodiments described later.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】(第1実施形態)本発明の第1実
施形態に係るEL素子100を図1の説明図に示す。本
実施形態ではマトリクス型の表示画素を持つEL素子と
している。図1において、(a)はEL素子100の一
部切欠平面、(b)は(a)のA−A断面、(c)は
(b)におけるB部分の拡大構成を示す。なお、図1
(a)を含め、以下、各図において平面構成を示す図に
も、ハッチングが施してあるが、便宜上施したものであ
り、断面ではない。
(First Embodiment) An EL device 100 according to a first embodiment of the present invention is shown in an explanatory view of FIG. In this embodiment, an EL element having matrix display pixels is used. 1A shows a partially cutaway plane of the EL element 100, FIG. 1B shows an AA cross section of FIG. 1A, and FIG. 1C shows an enlarged configuration of a portion B in FIG. FIG.
In the drawings including (a) below, the drawings showing the planar configuration are also hatched, but are shown for convenience and are not cross-sections.

【0021】基板(透明基板)1は、ガラス等の透明絶
縁性材料からなる透明な基板であり、一面1aに複数個
の凹凸部2が形成されている。本例では凹凸部2は基板
1の一面1aを削ることにより凹部2aを形成し、削ら
ない部分を凸部2bとして形成したものである。図1
(a)及び(b)に示す様に、凹部2aと凸部2bとは
平面ストライプ状に形成されている。
The substrate (transparent substrate) 1 is a transparent substrate made of a transparent insulating material such as glass, and has a plurality of uneven portions 2 on one surface 1a. In the present example, the concave and convex portion 2 is formed by forming a concave portion 2a by shaving one surface 1a of the substrate 1, and forming a non-sharpened portion as a convex portion 2b. FIG.
As shown in (a) and (b), the concave portion 2a and the convex portion 2b are formed in a plane stripe shape.

【0022】これら複数個の凹凸部2が形成された一面
1aにおいて各凸部2b上には、透明電極材料であるイ
ンジウム−錫の酸化物(ITO)等からなる複数の透明
電極(第1電極)3が、凸部2bに対応して平面ストラ
イプ状に形成されている。そして、各凹部2a及び各透
明電極3の上には、上記したような無機ELまたは有機
ELに用いられる材料にて発光層4が一面に渡って形成
されている。
A plurality of transparent electrodes (first electrode) made of indium-tin oxide (ITO) or the like, which is a transparent electrode material, are formed on each convex portion 2b on the surface 1a on which the plurality of uneven portions 2 are formed. 3) are formed in a plane stripe shape corresponding to the projections 2b. The light emitting layer 4 is formed over the entire surface of each of the recesses 2a and each of the transparent electrodes 3 using the material used for the inorganic EL or the organic EL as described above.

【0023】ここで、本発明における発光層4は、無機
ELタイプにおいては、上記図14(a)にて述べたよ
うに、硫化亜鉛等を主材料とする無機発光層を酸化シリ
コンなどの絶縁層で挟んだ3層からなり、一方、有機E
Lタイプにおいては、上記図14(b)にて述べたよう
に、蛍光有機化合物を含む発光層を複数(例えば2〜5
層)積層した積層膜からなる。
Here, in the case of the inorganic EL type, as described in FIG. 14A, the light emitting layer 4 of the present invention is formed by insulating the inorganic light emitting layer mainly composed of zinc sulfide or the like with silicon oxide or the like. It consists of three layers sandwiched between layers, while organic E
In the L type, as described in FIG. 14B, a plurality of light emitting layers containing a fluorescent organic compound (for example, 2 to 5) are used.
Layer) It consists of a laminated film laminated.

【0024】ここで、蛍光有機化合物としては、例え
ば、公知のα−NPD(α−ナフチルフェニルベンゼ
ン)、TPD(テトラフェニルジアミン)、ALQ(キ
ノリノールアルミ錯体)、BALQ(ビス(2−メチル
−8−キノリノラート)(2、3−ジメチルフェノラー
ト)アルミニウム)、PVK(ポリビニルカルバゾー
ル)等が採用できる。
Here, as the fluorescent organic compound, for example, known α-NPD (α-naphthylphenylbenzene), TPD (tetraphenyldiamine), ALQ (quinolinol aluminum complex), BALQ (bis (2-methyl-8) -Quinolinolate) (2,3-dimethylphenolate) aluminum), PVK (polyvinyl carbazole), and the like.

【0025】そして、この発光層4の上には、複数の対
向電極(第2電極)5が形成されている。対向電極5は
平面ストライプ状をなし、このストライプが透明電極3
のストライプと直交するように対向配置されている(図
1(a)参照)。これら対向電極5は透明でもよいが、
通常、光を透過しない電極材料が用いられ、無機ELに
おいては、例えばアルミニウム等、有機ELにおいて
は、例えばフッ化リチウム、アルミニウム、及びマグネ
シウムと銀との合金等が採用できる。
A plurality of counter electrodes (second electrodes) 5 are formed on the light emitting layer 4. The counter electrode 5 has a planar stripe shape, and the stripe is a transparent electrode 3.
(See FIG. 1 (a)). These counter electrodes 5 may be transparent,
Usually, an electrode material that does not transmit light is used, and for the inorganic EL, for example, aluminum or the like, and for the organic EL, for example, lithium fluoride, aluminum, or an alloy of magnesium and silver can be used.

【0026】ここで、各々の凹凸部2において、透明電
極3が形成された凸部2bと隣接する凹部2aとによっ
て構成される段差部壁面2cには、アルミニウム、銀、
金などの金属材料からなる光反射膜6が形成されてい
る。そして、この光反射膜6によって、発光層4から第
1電極3の下方へ向かう光を全反射するようになってい
る。
Here, in each of the concavo-convex portions 2, a step portion wall surface 2c constituted by a convex portion 2b on which the transparent electrode 3 is formed and an adjacent concave portion 2a has aluminum, silver,
A light reflection film 6 made of a metal material such as gold is formed. The light reflecting film 6 totally reflects light traveling from the light emitting layer 4 to below the first electrode 3.

【0027】また、この光反射膜6は、ほぼ段差部壁面
2cにのみ形成されており、凹部2aには形成されず、
隣接する光反射膜6同士は電気的導通を分断されてい
る。そして、図1(c)に示す様に、各々の凹凸部2に
おいて、隣接する透明電極3と電気的に接続され導通し
ている。従って、各透明電極3は互いに絶縁されるた
め、両電極3、5の直交部分を画素としたマトリクス型
のEL素子が構成される。
The light reflecting film 6 is formed almost only on the stepped wall surface 2c, not on the concave portion 2a.
Adjacent light reflection films 6 are electrically disconnected from each other. Then, as shown in FIG. 1C, each of the concavo-convex portions 2 is electrically connected to the adjacent transparent electrode 3 so as to be conductive. Therefore, since the transparent electrodes 3 are insulated from each other, a matrix type EL element having pixels orthogonal to the electrodes 3 and 5 is formed.

【0028】かかる構成を有するEL素子100におい
ては、図示しない駆動回路によって各電極3、5に電圧
を印加することで、両電極3、5の直交部分(画素)に
て発光層4を発光させる。この光は透明電極3及び基板
1から、基板1の他面1b、即ち基板下面に取出され
る。ここで、光反射膜6は金属製であるため、補助電極
として機能し、導通する透明電極3の低抵抗化に貢献し
ている。
In the EL element 100 having such a configuration, a voltage is applied to each of the electrodes 3 and 5 by a driving circuit (not shown), so that the light emitting layer 4 emits light at a portion (pixel) orthogonal to the electrodes 3 and 5. . This light is extracted from the transparent electrode 3 and the substrate 1 to the other surface 1b of the substrate 1, that is, the lower surface of the substrate. Here, since the light reflection film 6 is made of metal, it functions as an auxiliary electrode and contributes to lowering the resistance of the conductive transparent electrode 3.

【0029】次に、本実施形態のEL素子100の製造
方法について述べる。製造方法の一例を図2(a)〜
(f)及び図3(a)及び(b)に示す。最初に、ガラ
ス等からなる透明な平面基板K1を用意し(図2
(a))、機械加工などによる物理的方法あるいは薬液
による化学的方法により、平面基板K1の一面に凹凸を
形成し、凹凸部2を有する基板1を作製する(図2
(b))。
Next, a method for manufacturing the EL element 100 of the present embodiment will be described. One example of the manufacturing method is shown in FIGS.
(F) and FIGS. 3 (a) and 3 (b). First, a transparent flat substrate K1 made of glass or the like is prepared (FIG. 2).
(A)), the unevenness is formed on one surface of the planar substrate K1 by a physical method such as machining or a chemical method using a chemical solution, and the substrate 1 having the unevenness portion 2 is manufactured (FIG. 2).
(B)).

【0030】凹凸形成の物理的方法としては、まず、平
面基板K1上に感光性樹脂を全面塗布後、フォトマスク
を用いたフォトプロセスにより、凸部2bを形成する部
分の感光性樹脂を残す。その後に、サンドブラストまた
は、イオン照射により基板K1を削って凹部2aを得た
後、感光性樹脂を剥がすことで、凹凸部2を有した基板
1を得る。
As a physical method of forming the concavities and convexities, first, a photosensitive resin is applied on the entire surface of the flat substrate K1, and then the photosensitive resin in a portion where the convex portion 2b is to be formed is left by a photo process using a photomask. Thereafter, the substrate K1 is shaved by sandblasting or ion irradiation to obtain the concave portion 2a, and then the photosensitive resin is peeled off to obtain the substrate 1 having the uneven portion 2.

【0031】また、感光性樹脂を用いなくとも、凹部2
aに対応した開口部を有した金属マスクを平面基板K1
の直上に配置し、サンドブラストまたは、イオン照射を
上面から実施することで、凹凸部2を有した基板1を得
ることが可能である。さらに、凹凸形成の化学的方法と
しては、まず、平面基板K1上に感光性樹脂を全面塗布
後、フォトマスクを用いたフォトプロセスにより、凸部
2bを形成する部分の感光性樹脂を残す。その後に、基
板K1に応じた薬液、例えばガラス基板であればフッ酸
を用いて、基板K1をエッチングする。凹部2aを得た
後、感光性樹脂を剥がすことで、凹凸部2を有した基板
1を得る。
Also, without using a photosensitive resin, the recess 2
a metal mask having an opening corresponding to a.
The substrate 1 having the concave-convex portions 2 can be obtained by arranging it immediately above and performing sandblasting or ion irradiation from above. Further, as a chemical method of forming the unevenness, first, a photosensitive resin is applied on the entire surface of the planar substrate K1, and then a photosensitive process using a photomask leaves a portion of the photosensitive resin in which the convex portion 2b is to be formed. Thereafter, the substrate K1 is etched using a chemical corresponding to the substrate K1, for example, hydrofluoric acid in the case of a glass substrate. After obtaining the concave portion 2a, the photosensitive resin is peeled off to obtain the substrate 1 having the concave and convex portion 2.

【0032】次に、図2(c)に示すように、基板1上
に、光反射膜6をスパッタ法や蒸着法等により全面成膜
する。続いて、その上に、感光性樹脂を全面塗布後、フ
ォトプロセスにより凹凸部2の段差部壁面2c部分の感
光性樹脂を残す。その後、エッチング液を用いて光反射
膜6をエッチングする(図2(d))。例えば、光反射
膜6にアルミニウムを用いた場合、エッチング液として
水酸化カリウムや熱リン酸などを用いる。
Next, as shown in FIG. 2C, a light reflecting film 6 is formed on the entire surface of the substrate 1 by a sputtering method, a vapor deposition method or the like. Then, the photosensitive resin is applied on the entire surface, and then the photosensitive resin is left on the step wall surface 2c of the uneven portion 2 by a photo process. Thereafter, the light reflecting film 6 is etched using an etching solution (FIG. 2D). For example, when aluminum is used for the light reflection film 6, potassium hydroxide, hot phosphoric acid, or the like is used as an etchant.

【0033】そして、感光性樹脂を取り除き、段差部壁
面2cに光反射膜6が形成された基板1を得る。次に、
その上に、図2(e)に示すように、透明電極3をスパ
ッタ法や蒸着法等により全面成膜する。その後、図2
(f)に示すように、透明電極3をパターニングし、凸
部2b上の透明電極3と段差部壁面2c上の光反射膜6
とが電気的に導通された基板1を得る。
Then, the photosensitive resin is removed to obtain the substrate 1 on which the light reflecting film 6 is formed on the step surface 2c. next,
Then, as shown in FIG. 2E, a transparent electrode 3 is formed over the entire surface by a sputtering method, an evaporation method, or the like. Then, FIG.
As shown in (f), the transparent electrode 3 is patterned, and the transparent electrode 3 on the protrusion 2b and the light reflection film 6 on the step wall 2c are formed.
Is obtained.

【0034】続いて、図3(a)に示すように、その上
に発光層4を全面形成する。無機ELの場合は、スパッ
タ法や蒸着法等により、酸化シリコンなどの絶縁層、硫
化亜鉛等を主材料とする無機発光層、酸化シリコンなど
の絶縁層と順次、3層を積層成膜する。有機ELの場合
は、真空蒸着法やスピンコート法等により、成膜を行な
う。
Subsequently, as shown in FIG. 3A, a light emitting layer 4 is formed on the entire surface. In the case of an inorganic EL, three layers are sequentially formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like on an insulating layer such as silicon oxide, an inorganic light emitting layer mainly containing zinc sulfide or the like, and an insulating layer such as silicon oxide. In the case of an organic EL, a film is formed by a vacuum evaporation method, a spin coating method, or the like.

【0035】その後、その上に、スパッタ法や蒸着法等
による成膜及びフォトプロセスによるパターニングを行
なうことにより、対向電極5を形成する(図3
(b))。こうして、図1に示すEL素子100が完成
する。また、EL素子100は、以下に述べるような方
法によっても製造できる。図4(a)〜(e)は、EL
素子100の製造方法の他の例を示す図である。
Thereafter, a counter electrode 5 is formed thereon by forming a film by a sputtering method, a vapor deposition method or the like and patterning by a photo process (FIG. 3).
(B)). Thus, the EL element 100 shown in FIG. 1 is completed. Further, the EL element 100 can also be manufactured by the method described below. FIGS. 4A to 4E show EL.
FIG. 9 is a diagram illustrating another example of the method for manufacturing the element 100.

【0036】まず、平面基板K1上に、透明電極3を全
面成膜し(図4(a))、その上に感光性樹脂を全面塗
布後、フォトマスクK2を用いたフォトプロセスにより
凸部2bを形成する部分の感光性樹脂を残す(図4
(b))。その後、サンドブラストまたはイオン照射に
より、基板K1及び透明電極3を削って凹部2aを得た
後、感光性樹脂を剥がすことで、凹凸部2及び凸部2b
上に形成された透明電極3を有する基板1を得る(図4
(c))。
First, a transparent electrode 3 is formed on the entire surface of the flat substrate K1 (FIG. 4A), and a photosensitive resin is applied on the entire surface, and then the projections 2b are formed by a photo process using a photomask K2. The photosensitive resin is left in the portion for forming
(B)). Thereafter, the substrate K1 and the transparent electrode 3 are shaved by sand blasting or ion irradiation to obtain the concave portion 2a, and then the photosensitive resin is peeled off to form the concave and convex portion 2 and the convex portion 2b.
A substrate 1 having a transparent electrode 3 formed thereon is obtained (FIG. 4).
(C)).

【0037】なお、感光性樹脂を用いなくとも、凹部2
aに対応した開口部を有する金属マスクを平面基板K1
の直上に配置し、サンドブラストまたはイオン照射を上
面から実施することでも、同様の基板1を得ることが可
能である。次に、光反射膜6を全面成膜し(図4
(d))、その上に、感光性樹脂を全面塗布後、フォト
プロセスにより凹凸部2の段差部壁面2c部分の感光性
樹脂を残す。
It is to be noted that the concave portion 2 can be formed without using a photosensitive resin.
a metal mask having an opening corresponding to a
It is also possible to obtain the same substrate 1 by arranging it immediately above and performing sandblasting or ion irradiation from above. Next, a light reflecting film 6 is formed on the entire surface (FIG. 4).
(D)) After the entire surface of the photosensitive resin is coated thereon, the photosensitive resin is left on the step wall surface 2c of the uneven portion 2 by a photo process.

【0038】その後、エッチング液を用いて光反射膜6
をエッチングする(図4(e))。そして、感光性樹脂
を取り除くと、段差部壁面2cに形成されて、凸部2b
の透明電極3と電気的に導通した光反射膜6を有する基
板1が得られる。続いて、その上に、図3同様に、発光
層4及び対向電極5を形成することにより、図1に示す
EL素子100が得られる。
Thereafter, the light reflecting film 6 is etched using an etching solution.
Is etched (FIG. 4E). When the photosensitive resin is removed, the photosensitive resin is formed on the stepped wall surface 2c, and the convex portion 2b is formed.
The substrate 1 having the light reflection film 6 electrically connected to the transparent electrode 3 is obtained. Subsequently, the light emitting layer 4 and the counter electrode 5 are formed thereon similarly to FIG. 3, whereby the EL element 100 shown in FIG. 1 is obtained.

【0039】この図4に示す他の例においては、上記図
2及び図3に示す例に比べて、基板の凹凸加工と透明電
極のパターニングとを同時にできるという利点がある。
つまり、プロセスが簡略化可能で、低コスト化できる。
次に、本実施形態における光取り出し効率の向上作用に
ついて、上記図5及び図6、及び、本実施形態の光取り
出し作用の説明図である図7を参照して述べる。なお、
上述のように、図5は上記図14(a)に示した従来無
機ELを例にとったものである。また、図6は本発明者
等の試作品であり、図6中、図1のEL素子100と同
一部分には同一符号を付してある。
The other example shown in FIG. 4 has an advantage over the examples shown in FIGS. 2 and 3 in that the unevenness of the substrate and the patterning of the transparent electrode can be simultaneously performed.
That is, the process can be simplified and the cost can be reduced.
Next, the operation of improving the light extraction efficiency in the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6 and FIG. 7 which is an explanatory diagram of the light extraction operation of the present embodiment. In addition,
As described above, FIG. 5 shows an example of the conventional inorganic EL shown in FIG. 14A. FIG. 6 shows a prototype of the present inventors. In FIG. 6, the same portions as those of the EL element 100 of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0040】図5に示すような従来の平面基板(通常ガ
ラス製)K1においては、光路102のように、基板K
1下面K1aに低角で入射する光は、空気(屈折率:
1)とガラス(屈折率:1.5〜1.65)の屈折率の
違いから、基板K1と空気の界面で全反射され、破線矢
印で示す様に、基板K1の側面から漏洩する(光路10
2)。
In a conventional flat substrate (usually made of glass) K1 as shown in FIG.
Light incident on the lower surface K1a at a low angle is air (refractive index:
Due to the difference in the refractive index between 1) and glass (refractive index: 1.5 to 1.65), the light is totally reflected at the interface between the substrate K1 and the air and leaks from the side surface of the substrate K1 as indicated by the dashed arrow (light path). 10
2).

【0041】この時の全反射の条件は、屈折率の違いか
ら、臨界角αとして求まる。ここにおいて、sinα=
(出射側の材料の屈折率/入射側の材料の屈折率)の関
係があり、基板K1に屈折率:1.5のガラスを用いた
場合、臨界角αは42°となる。よって、発光層304
からの光のうち、この角度以上で入射する光は基板K1
の側面に漏洩する。
The condition for total reflection at this time is determined as a critical angle α from the difference in refractive index. Here, sinα =
There is a relationship of (refractive index of the material on the output side / refractive index of the material on the incident side). When glass having a refractive index of 1.5 is used for the substrate K1, the critical angle α is 42 °. Therefore, the light emitting layer 304
Out of the light from the substrate K1
Leaks to the sides.

【0042】これに対して、図6に示すような基板1に
凹凸部2を設けた構造のEL素子においては、凹凸部2
の段差部壁面2cへの光の入射γが、臨界角α以上であ
れば、光路103のように、段差部壁面2cで全反射が
起こり、視野方向への光が取り出せる。よって、図5の
光路102のように、視野方向外となるように基板1下
面1bに入射する光が減少し、基板1の側面から漏洩し
にくくなる。しかしながら、この構造においても、段差
部壁面2cへの光の入射角γが、臨界角α以下の光路の
光、すなわち、図6に示す様に、凹凸部2の段差部壁面
2cから漏洩する光路102のような光はある。
On the other hand, in the EL device having the structure in which the unevenness 2 is provided on the substrate 1 as shown in FIG.
If the light incidence γ on the stepped portion wall surface 2c is equal to or larger than the critical angle α, total reflection occurs on the stepped portion wall surface 2c as in the optical path 103, and light can be extracted in the viewing direction. Therefore, as shown in the optical path 102 in FIG. 5, the amount of light incident on the lower surface 1b of the substrate 1 outside the viewing direction is reduced, and it is difficult for the light to leak from the side surface of the substrate 1. However, also in this structure, the incident angle γ of the light on the stepped portion wall surface 2c is the light in the optical path whose angle is equal to or less than the critical angle α, that is, as shown in FIG. There is light like 102.

【0043】これらに対して、本実施形態のEL素子1
00は、漏洩経路である凹凸部2の段差部壁面2cに光
反射膜6を形成することで、段差部壁面2cへの入射角
によらず、全ての光が光反射膜6によって全反射され
る。そのため、図6に示した様な段差部壁面2cから漏
洩する光路102の光は無く、図7に示す様に、段差部
壁面2cでの反射光路103になる。
On the other hand, the EL element 1 of the present embodiment
No. 00, the light reflecting film 6 is formed on the step wall surface 2c of the uneven portion 2 which is a leakage path, so that all light is totally reflected by the light reflecting film 6 irrespective of the angle of incidence on the step wall surface 2c. You. Therefore, there is no light in the optical path 102 leaking from the stepped wall surface 2c as shown in FIG. 6, and it becomes a reflected light path 103 on the stepped wall surface 2c as shown in FIG.

【0044】こうして、本実施形態では、エレクトロル
ミネッセンスによる発光を、光取出し側である基板1の
他面(基板下面)1b側から視野方向に効率よく取出す
ことができ、段差部壁面2cからの光の漏洩を防止でき
る。ちなみに、本発明者らの検討によれば、EL素子1
00において、基板下面への光の取り出し効率は、従来
のものより向上させることができた。
As described above, in the present embodiment, light emission by electroluminescence can be efficiently extracted in the viewing direction from the other surface (substrate lower surface) 1b of the substrate 1, which is the light extraction side, and the light from the stepped portion wall surface 2c can be obtained. Leakage can be prevented. Incidentally, according to the study by the present inventors, the EL element 1
In No. 00, the light extraction efficiency to the lower surface of the substrate could be improved as compared with the conventional one.

【0045】ここで、凸部2bの突出高さ即ち段差の大
きさは、特に限定するものではないが、0.1μmから
1mm程度が好ましい。また、図8は凹凸部2の段差部
形状の各例を示す図であるが、段差部は直線的な形状
(図8(a))でなくとも、図8(b)及び(c)に示
す様な形状でもよい。また、段差の角度βは、30°か
ら90°程度が好ましい。ここで、段差角度βは、テー
パのついたダイシングソーで段差部を削ったり、また
は、小さな溝加工を施した後に、エッチング又はイオン
照射により溝を広げて、凹部2aを形成することで、上
記範囲の段差角度βが得られる。
Here, the height of the projection 2b, that is, the size of the step is not particularly limited, but is preferably about 0.1 μm to 1 mm. FIG. 8 is a diagram showing each example of the shape of the step portion of the uneven portion 2. The step portion is not limited to a linear shape (FIG. 8A), but may be formed as shown in FIGS. 8B and 8C. The shape as shown may be sufficient. The angle β of the step is preferably about 30 ° to 90 °. Here, the step angle β is obtained by shaping the step with a dicing saw with a taper, or performing small groove processing, and then expanding the groove by etching or ion irradiation to form the concave portion 2a. A range step angle β is obtained.

【0046】ところで、本実施形態によれば、基板1下
面1bへの光の取り出し効率を向上させることができる
から、結果的に、輝度の高いEL素子または同一の輝度
を得るための投入電力の低下が実現できる。特に、本実
施形態は、発光層4下部の透明電極3を透過してきた光
の取り出し効率の向上を実現できるため、無機ELに比
べて、透明電極3と発光層4の屈折率が近い有機EL
(例えば有機層の屈折率は1.6程度でITOやガラス
に近い)における光の取り出し効率の向上効果が高い。
By the way, according to the present embodiment, the efficiency of extracting light to the lower surface 1b of the substrate 1 can be improved, and as a result, an EL element having a high luminance or an applied power for obtaining the same luminance can be obtained. A reduction can be realized. In particular, according to the present embodiment, the efficiency of extracting light transmitted through the transparent electrode 3 below the light emitting layer 4 can be improved, so that the organic EL having a refractive index closer to the transparent electrode 3 and the light emitting layer 4 than the inorganic EL.
(For example, the refractive index of the organic layer is about 1.6 and is close to that of ITO or glass.) The effect of improving the light extraction efficiency is high.

【0047】また、本実施形態によれば、光反射膜6を
ほぼ段差部壁面2cのみに形成し、凹部2a底面には形
成しないことで、光反射膜6を凹部2aにて電気的に分
断させているから、隣接する透明電極3同士の絶縁が確
保される。よって、本実施形態のように、マトリクス型
EL素子において部分表示可能なEL素子を提供でき
る。また、透明電極3は、金属製の光反射膜6と電気的
に導通しているから、光反射膜6を補助電極として低抵
抗化が図れる。
Further, according to the present embodiment, the light reflecting film 6 is formed almost only on the step portion wall surface 2c and not formed on the bottom surface of the concave portion 2a, so that the light reflecting film 6 is electrically divided by the concave portion 2a. Therefore, insulation between adjacent transparent electrodes 3 is ensured. Therefore, as in the present embodiment, an EL element that can partially display a matrix EL element can be provided. Further, since the transparent electrode 3 is electrically connected to the light reflecting film 6 made of metal, the resistance can be reduced by using the light reflecting film 6 as an auxiliary electrode.

【0048】さらに、この光反射膜6を補助電極とする
ことにより、透明電極3の導電性の低さによる電圧効果
に起因する輝度むらの低減につながる。例えば、有機E
L素子の場合、補助電極を使用しないと、輝度むらが目
立たないディスプレイの最大サイズは、対角数インチと
いわれている。本発明者等の検討によれば、金属製の光
反射膜6を補助電極として使用すると、10インチ以上
の大画面化が実現可能である。
Further, by using the light reflecting film 6 as an auxiliary electrode, it is possible to reduce luminance unevenness due to a voltage effect due to the low conductivity of the transparent electrode 3. For example, organic E
In the case of the L element, the maximum size of a display in which luminance unevenness is not noticeable without using an auxiliary electrode is said to be a few inches on a diagonal. According to the study by the present inventors, it is possible to realize a large screen of 10 inches or more when the metal light reflection film 6 is used as an auxiliary electrode.

【0049】さらに、光反射膜6は、ガラスや透明電極
に比べ熱伝導性の高い金属膜を用いるため、EL素子の
発光の際の発熱を高率よく伝搬させることが可能であ
り、熱的な素子劣化を防止することが可能である。結果
として、素子の長寿命化が達成できる。(第2実施形
態)本実施形態は、全面表示型のEL素子に関するもの
で、上記第1実施形態を変形したものである。図9に本
実施形態に係るEL素子を示す。図9において、(a)
は本実施形態の第1例としてのEL素子200の平面構
成図、(b)は本実施形態の第2例としてのEL素子3
00の平面構成図、(c)は(a)及び(b)のA−A
断面図、(d)は(c)のA−A断面の変形例である。
なお、図9(a)及び(c)の各平面図は、発光層4と
対向電極5は省略してある。
Further, since the light reflecting film 6 is made of a metal film having higher heat conductivity than glass or a transparent electrode, it is possible to efficiently transmit heat generated at the time of light emission of the EL element. It is possible to prevent excessive element deterioration. As a result, a longer life of the element can be achieved. (Second Embodiment) The present embodiment relates to a full-display EL element, and is a modification of the first embodiment. FIG. 9 shows an EL element according to this embodiment. In FIG. 9, (a)
Is a plan view of an EL element 200 as a first example of the present embodiment, and (b) is an EL element 3 as a second example of the present embodiment.
00C, (c) is AA of (a) and (b)
Sectional drawing, (d) is a modification of the AA section of (c).
9A and 9C, the light emitting layer 4 and the counter electrode 5 are omitted.

【0050】図9(a)及び(b)に示す様に、EL素
子200は、上記図1に示すEL素子100に比べて、
金属製の光反射膜6を段差部壁面2cを含む凹部2aの
全面に形成し、隣接する透明電極3と光反射膜6とを電
気的に導通したことが、異なるところである。これは、
光反射膜6のパターニング形状を変えることで製造でき
る。
As shown in FIGS. 9A and 9B, the EL element 200 is different from the EL element 100 shown in FIG.
The difference is that the metal light reflecting film 6 is formed on the entire surface of the concave portion 2a including the step portion wall surface 2c, and the adjacent transparent electrode 3 and the light reflecting film 6 are electrically connected. this is,
It can be manufactured by changing the patterning shape of the light reflection film 6.

【0051】また、図9(c)及び(d)に示すEL素
子300は、図9(a)及び(b)に示すEL素子20
0において、透明電極3の形状と配置を変えたものであ
る。EL素子300では、凸部2b及び透明電極3を平
面円形とし略千鳥状に配列させているため、各透明電極
3の円形周辺が全て光反射膜6で覆われている。そのた
め、全ての方向において、上記図6に示したような段差
部壁面2cから漏洩する光路102が無く、最も光の取
り出し効率が向上する。
The EL element 300 shown in FIGS. 9C and 9D is the same as the EL element 20 shown in FIGS. 9A and 9B.
0, the shape and arrangement of the transparent electrode 3 were changed. In the EL element 300, since the projections 2 b and the transparent electrodes 3 are arranged in a substantially circular shape in a plane and in a zigzag pattern, the entire periphery of each transparent electrode 3 is covered with the light reflection film 6. Therefore, in all directions, there is no optical path 102 leaking from the stepped portion wall surface 2c as shown in FIG. 6, and the light extraction efficiency is improved most.

【0052】また、凸部2b及び透明電極3が平面円形
であるため、図示例のように略千鳥状の配列によって、
透明電極3を、基板1平面内で最も細密な配置(最密充
填)とすることが可能となる。従って、基板1の単位面
積当たりの透明電極3の割合を多くとることが可能であ
り、開口率が高く、面全体で高輝度なEL素子が実現可
能である。
Further, since the projections 2b and the transparent electrodes 3 are circular in a plane, they are arranged in a substantially zigzag pattern as shown in FIG.
The transparent electrodes 3 can be arranged in the finest arrangement (closest filling) in the plane of the substrate 1. Therefore, the ratio of the transparent electrode 3 per unit area of the substrate 1 can be increased, and an EL element having a high aperture ratio and high luminance over the entire surface can be realized.

【0053】ここで、両EL素子200、300におい
ては、そのA−A断面は、図9(c)のように、単に凹
部2a全体が光反射膜6で埋まっているものでなくと
も、図9(d)に示すようなものでもよい。図9(d)
は光反射膜6上部の凹部を埋めるように絶縁層7を配置
した構造である。ここで、光反射膜6の凹部2aへの形
成は、通常の成膜方法で行なわれる。
Here, in the both EL elements 200 and 300, the AA cross section is not limited to the case where the entire concave portion 2a is simply filled with the light reflecting film 6 as shown in FIG. 9 (d). FIG. 9D
Has a structure in which an insulating layer 7 is arranged so as to fill a concave portion above the light reflection film 6. Here, the formation of the light reflecting film 6 in the concave portion 2a is performed by a normal film forming method.

【0054】しかし、通常、成膜速度は成膜面内で一定
であり、従って膜厚も均一であるために、成膜面である
基板1の一面1a上に凹凸があると、この凹凸を継承し
た形で光反射膜6が成膜される。そこで、凹部2aで
は、光反射膜6上部に凹部が形成されやすい。このよう
な場合、図9(d)の構造をとることで、透明電極形成
時の基板の平滑性を向上でき、安定して透明電極が形成
できる。
However, usually, the film forming rate is constant in the film forming surface, and therefore the film thickness is also uniform. Therefore, if there is unevenness on one surface 1a of the substrate 1 which is the film forming surface, the unevenness is reduced. The light reflection film 6 is formed in the inherited form. Therefore, in the concave portion 2a, a concave portion is easily formed above the light reflection film 6. In such a case, by adopting the structure of FIG. 9D, the smoothness of the substrate at the time of forming the transparent electrode can be improved, and the transparent electrode can be formed stably.

【0055】以上、本実施形態について、主として上記
第1実施形態とことなる部分について述べてきたが、本
実施形態によれば、金属製の光反射膜6を段差部壁面2
cを含む凹部2aの全面に形成し、隣接する第1電極3
と光反射膜6とを電気的に導通し、結果的に全ての透明
電極3を導通させているため、上記第1実施形態とは逆
に全面表示型のEL素子を提供できる。また、それ以外
については、上記第1実施形態同様の作用効果を奏す
る。
As described above, the present embodiment has mainly been described with respect to portions different from the first embodiment. According to the present embodiment, the metal light reflection film 6 is provided on the step portion wall surface 2.
c formed on the entire surface of the concave portion 2a including the first electrode 3
And the light reflection film 6 are electrically connected, and as a result, all the transparent electrodes 3 are electrically connected. Therefore, contrary to the first embodiment, a full-display EL device can be provided. In other respects, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained.

【0056】(第3実施形態)本第3実施形態を図10
に示す。図10に示す様に、本実施形態のEL素子40
0は上記第1実施形態を変形したものであり、基板1の
凹凸部2を、基板そのものを削るのではなく、基板1の
一面1a上に突出して形成された膜部材8を凸部2bと
し、基板1一面1aのうち膜部材8の非形成部を凹部2
aとして構成したことが、上記第1実施形態と異なると
ころである。
(Third Embodiment) This third embodiment is shown in FIG.
Shown in As shown in FIG. 10, the EL element 40 of the present embodiment
Reference numeral 0 denotes a modification of the first embodiment, in which the uneven portion 2 of the substrate 1 is formed by projecting on one surface 1a of the substrate 1 instead of shaving the substrate itself, and the film member 8 is formed as a convex portion 2b. The non-formed portion of the film member 8 in the surface 1a of the substrate 1 is
What is different from the first embodiment is that it is configured as a.

【0057】ここで、図10では、EL素子400にお
いて、凹部2a及び透明電極3の上に形成されている発
光層4及び対向電極5は省略してある。凸部2bを形成
する膜部材8は基板1とは別材質の絶縁物等からなる透
明部材であり、単層でも多層でもよく、カラーフィルタ
とSiO2 などのオーバコート層からなる積層構造でも
良い。つまり、この構造をとることで、マルチカラー化
などに適用可能となる。
Here, in FIG. 10, the light emitting layer 4 and the counter electrode 5 formed on the concave portion 2a and the transparent electrode 3 in the EL element 400 are omitted. The film member 8 forming the convex portion 2b is a transparent member made of an insulator or the like made of a different material from the substrate 1, and may be a single layer or a multi-layer, or may have a laminated structure composed of a color filter and an overcoat layer such as SiO 2. . That is, by adopting this structure, it becomes possible to apply to multi-coloring or the like.

【0058】次に、本実施形態の製造方法について、図
11(a)〜(c)を参照して述べる。まず、基板1の
一面1a上に、スパッタ法、蒸着法、スピンコート法
等、公知の成膜方法を用いて、膜部材8を全面成膜する
(図11(a))。次に、その上に、凹部2a形成部分
に開口部を有するマスクK3を、レジスト等により形成
する(図11(b))。
Next, the manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIGS. First, the film member 8 is formed on the entire surface 1a of the substrate 1 by a known film forming method such as a sputtering method, an evaporation method, and a spin coating method (FIG. 11A). Next, a mask K3 having an opening at a portion where the concave portion 2a is formed is formed thereon using a resist or the like (FIG. 11B).

【0059】そして、サンドブラスト若しくはイオン照
射等、またはエッチング液を用いたエッチング等の、物
理的又は化学的方法により、マスクK3の開口部の膜部
材8を除去し、マスクK3を剥離する(図11
(c))。こうして、残った膜部材8を凸部2bとし除
去部分を凹部2aとした凹凸部2が、基板1の一面1a
に形成される。
Then, the film member 8 at the opening of the mask K3 is removed by a physical or chemical method such as sandblasting or ion irradiation, or etching using an etching solution, and the mask K3 is peeled off (FIG. 11).
(C)). Thus, the uneven portion 2 having the remaining film member 8 as the convex portion 2b and the removed portion as the concave portion 2a is formed on the one surface 1a of the substrate 1.
Formed.

【0060】その後、上記第1実施形態同様に、透明電
極3をパターニング形成し、その上に、発光層4及び対
向電極5を形成することにより、EL素子400が作製
される。そして、本実施形態では、膜部材8の側面が、
段差部壁面2cとなるが、この部分に光反射膜6が形成
されており、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏す
る。
After that, similarly to the first embodiment, the transparent electrode 3 is formed by patterning, and the light emitting layer 4 and the counter electrode 5 are formed thereon, whereby the EL element 400 is manufactured. And in this embodiment, the side surface of the membrane member 8 is
The light reflecting film 6 is formed on the stepped portion wall surface 2c, and the same effect as that of the first embodiment is obtained.

【0061】(第4実施形態)本実施形態を図12に示
す。本実施形態のEL素子500は、上記第1実施形態
を変形したものであり、図1に示すEL素子100にお
いて、各凹部2aに、絶縁物9を配置した構造である。
ここで、図12では、EL素子500において、透明電
極3及び絶縁物9の上に形成されている発光層4及び対
向電極5は省略してある。
(Fourth Embodiment) This embodiment is shown in FIG. The EL element 500 of the present embodiment is a modification of the above-described first embodiment, and has a structure in which an insulator 9 is arranged in each recess 2a in the EL element 100 shown in FIG.
Here, in FIG. 12, the light emitting layer 4 and the counter electrode 5 formed on the transparent electrode 3 and the insulator 9 in the EL element 500 are omitted.

【0062】このような構造をとることで、上記第1実
施形態と同様の作用効果を奏するとともに、透明電極3
端部の鋭利な形状による電荷集中点を無くすことによ
り、EL素子を長時間駆動した際の透明電極3端部の電
気的リークを防止することが可能である。(第5実施形
態)本実施形態を図13に示す。本実施形態のEL素子
600は、上記第2実施形態を変形したものであり、図
9(c)に示すEL素子200又は300において、反
射防止膜10、11を付与したものである。ここで、図
13においても、光反射膜6及び透明電極3の上に形成
されている発光層4及び対向電極5は省略してある。
With such a structure, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained, and the transparent electrode 3 can be formed.
By eliminating the charge concentration points due to the sharp shape of the end, it is possible to prevent electrical leakage at the end of the transparent electrode 3 when the EL element is driven for a long time. (Fifth Embodiment) This embodiment is shown in FIG. The EL element 600 of the present embodiment is a modification of the above-described second embodiment, and is obtained by adding antireflection films 10 and 11 to the EL element 200 or 300 shown in FIG. 9C. Here, also in FIG. 13, the light emitting layer 4 and the counter electrode 5 formed on the light reflection film 6 and the transparent electrode 3 are omitted.

【0063】図13(a)では、EL素子200又は3
00において、基板1他面1b全面に、反射防止膜10
を設け、図13(b)では、凸部2bと透明電極3との
間に反射防止膜11を設けている。ここで、反射防止膜
10、11は、所定の可視光を吸収するフィルタ効果を
有する材料で構成された薄膜であり、反射防止膜10、
11に対して、逆に外からすなわち視野方向から入射し
た光が、反射防止膜で反射するのを防止する。
In FIG. 13A, the EL element 200 or 3
00, an anti-reflection film 10
In FIG. 13B, an antireflection film 11 is provided between the projection 2 b and the transparent electrode 3. Here, the anti-reflection films 10 and 11 are thin films made of a material having a filter effect of absorbing a predetermined visible light.
Conversely, light incident from the outside, that is, from the viewing direction, is prevented from being reflected by the antireflection film.

【0064】(他の実施形態)なお、凹凸部の断面形状
及び平面形状は上記実施形態に限定されるものではな
く、適宜設計変更可能である。また、上記各実施形態
は、可能であるならば上記以外に組み合わせて用いても
よい。
(Other Embodiments) The cross-sectional shape and planar shape of the concave and convex portions are not limited to those in the above-described embodiment, and the design can be changed as appropriate. Further, the above embodiments may be used in combination other than the above, if possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態に係るEL素子を示す説
明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an EL device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】上記第1実施形態に係るEL素子の製造工程の
一例を示す図である。
FIG. 2 is a view illustrating an example of a manufacturing process of the EL element according to the first embodiment.

【図3】図2に続く製造工程を示す図である。FIG. 3 is a view showing a manufacturing process following FIG. 2;

【図4】上記第1実施形態に係るEL素子の製造工程の
他の例を示す図である。
FIG. 4 is a view showing another example of the manufacturing process of the EL element according to the first embodiment.

【図5】従来のEL素子における光取り出し作用の説明
図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a light extraction function in a conventional EL element.

【図6】本発明者らの試作品における光取り出し作用の
説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a light extraction effect in a prototype of the present inventors.

【図7】本発明の光取り出し作用の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a light extraction action of the present invention.

【図8】本発明の凹凸部における段差部形状の各例を示
す図である。
FIG. 8 is a diagram showing each example of the shape of a step portion in the uneven portion of the present invention.

【図9】本発明の第2実施形態に係るEL素子を示す説
明図である。
FIG. 9 is an explanatory view showing an EL element according to a second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第3実施形態に係るEL素子を示す
説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an EL element according to a third embodiment of the present invention.

【図11】上記第3実施形態に係るEL素子の製造工程
を示す図である。
FIG. 11 is a view showing a manufacturing process of the EL element according to the third embodiment.

【図12】本発明の第4実施形態に係るEL素子を示す
説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing an EL device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第5実施形態に係るEL素子を示す
説明図である。
FIG. 13 is an explanatory view showing an EL element according to a fifth embodiment of the present invention.

【図14】従来のEL素子構造を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a conventional EL element structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、1a…基板の一面、1b…基板の他面、2…
凹凸部、2a…凹部、2b…凸部、2c…段差部壁面、
3…透明電極、4…発光層、5…対向電極、6…光反射
膜、8…膜部材。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... board | substrate, 1a ... one surface of a board, 1b ... other surface of a board, 2 ...
Uneven portion, 2a ... concave portion, 2b ... convex portion, 2c ... step portion wall surface,
Reference numeral 3 represents a transparent electrode, 4 represents a light-emitting layer, 5 represents a counter electrode, 6 represents a light reflection film, and 8 represents a film member.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城戸 淳二 奈良県北葛城郡広陵町馬見北9丁目4番地 3 (72)発明者 石川 岳史 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 株式会 社デンソー内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB02 AB03 AB05 BA06 BB06 CA00 CA01 CB01 DA00 DA02 DA05 DB02 EB00 EB01 FA00 FA01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Junji Kido 9-4, Mami-Kita, Koryo-cho, Kitakatsuragi-gun, Nara 3 (72) Inventor Takeshi Ishikawa 1-1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi F F within DENSO Corporation Terms (reference) 3K007 AB00 AB02 AB03 AB05 BA06 BB06 CA00 CA01 CB01 DA00 DA02 DA05 DB02 EB00 EB01 FA00 FA01

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板(1)と、この透明基板(1)
の一面(1a)上に形成された透明な第1電極(3)
と、この第1電極(3)上に形成された発光層(4)
と、この発光層(4)上に形成された第2電極(5)と
を備え、前記発光層(4)からの光を前記透明基板
(1)の他面(1b)側に取り出すようにしたEL素子
において、 前記透明基板(1)の前記一面(1a)には凹凸部
(2)が形成され、 前記第1電極(3)は前記凹凸部(2)のうち凸部(2
b)上に形成され、 少なくとも前記凹凸部(2)の段差部壁面(2c)に、
光反射膜(6)が形成されていることを特徴とするEL
素子。
A transparent substrate (1) and the transparent substrate (1)
Transparent first electrode (3) formed on one surface (1a)
And a light emitting layer (4) formed on the first electrode (3)
And a second electrode (5) formed on the light emitting layer (4), so that light from the light emitting layer (4) is extracted to the other surface (1b) of the transparent substrate (1). In the EL device, the concave and convex portions (2) are formed on the one surface (1a) of the transparent substrate (1), and the first electrode (3) is a convex portion (2) of the concave and convex portions (2).
b) formed on at least a step wall surface (2c) of the uneven portion (2);
EL having a light reflecting film (6) formed thereon
element.
【請求項2】 前記光反射膜(6)は、金属材料から構
成されていることを特徴とする請求項1に記載のEL素
子。
2. The EL device according to claim 1, wherein the light reflection film is made of a metal material.
【請求項3】 前記凹凸部(2)は複数個形成され、 前記複数個の凹凸部(2)の各々において、前記第1電
極(3)は前記凸部(2)上に形成され、かつ、前記光
反射膜(6)は前記段差部壁面(2c)に形成されてお
り、 隣接する前記第1電極(3)と前記光反射膜(6)とは
電気的に導通されるとともに、隣接する前記光反射膜
(6)は前記凹部(2a)にて電気的に分断されている
ことを特徴とする請求項2に記載のEL素子。
3. A plurality of uneven portions (2) are formed, and in each of the plurality of uneven portions (2), the first electrode (3) is formed on the convex portion (2); The light reflecting film (6) is formed on the step wall surface (2c), and the adjacent first electrode (3) and the light reflecting film (6) are electrically connected to each other and are adjacent to each other. The EL device according to claim 2, wherein the light reflecting film (6) is electrically separated by the concave portion (2a).
【請求項4】 前記凹凸部(2)は複数個形成され、 前記複数個の凹凸部(2)の各々において、前記第1電
極(3)が前記凸部(2b)上に形成され、かつ、前記
光反射膜(6)は、前記段差部壁面(2c)を含む前記
凹部(2a)の全面に形成されており、 隣接する前記第1電極(3)と前記光反射膜(6)とは
電気的に導通されていることを特徴とする請求項2に記
載のEL素子。
4. A plurality of uneven portions (2) are formed, and in each of the plurality of uneven portions (2), the first electrode (3) is formed on the convex portion (2b); The light reflecting film (6) is formed on the entire surface of the concave portion (2a) including the step portion wall surface (2c), and the adjacent first electrode (3) and light reflecting film (6) 3. The EL element according to claim 2, wherein the element is electrically conducted.
【請求項5】 前記凹凸部(2)は前記透明基板(1)
そのものに形成されていることを特徴とする請求項1な
いし4のいずれか1つに記載のEL素子。
5. The transparent substrate (1) wherein the uneven portion (2) is provided on the transparent substrate (1).
The EL device according to claim 1, wherein the EL device is formed on itself.
【請求項6】 前記凹凸部(2)は、前記透明基板
(1)の前記一面(1a)上に突出して形成された膜部
材(8)を前記凸部(2b)とし、前記透明基板(1)
の前記一面(1a)のうち前記膜部材(8)の非形成部
を前記凹部(2a)として構成されていることを特徴と
する請求項1ないし5のいずれか1つに記載のEL素
子。
6. The transparent substrate (1) wherein the film member (8) formed on the one surface (1a) of the transparent substrate (1) is formed as the projection (2b). 1)
6. The EL device according to claim 1, wherein a non-formed portion of the film member (8) in the one surface (1a) is configured as the concave portion (2a).
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