DE19857094B4 - Method for reducing / locally reducing a resist pattern in a semiconductor device - Google Patents

Method for reducing / locally reducing a resist pattern in a semiconductor device Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Verringern eines Resistmusters in einer Halbleitervorrichtung, mit den Schritten
a) Bilden eines Resistmusters (6, 8, 12) auf einer unterhalb liegenden Halbleiterschicht (2), welche auf einem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist, durch Verwenden eines säurekatalytisch chemisch verstärkten Photoresists (4),
b) Bilden eines organischen Filmes (7), welcher eine säurehaltige Komponente enthält, auf der Oberfläche der unterhalb liegenden Halbleiterschicht (2) einschließlich des Resistmusters (6, 8, 12) ,
c) Wärmebehandeln des organischen Films (7) zum Diffundieren der säurehaltigen Komponente, wodurch die Oberflächenschicht des Resistmusters (6, 8, 12) in einem alkalischen Entwickler löslich gemacht wird, und
d) Entfernen des wärmebehandelten organischen Filmes (7) und der Oberflächenschicht des Resistmusters (6, 8, 12) durch Verwenden des alkalischen Entwicklers, wodurch das Resistmuster (6, 8, 12) verringert wird.A method of reducing a resist pattern in a semiconductor device, comprising the steps
a) forming a resist pattern (6, 8, 12) on an underlying semiconductor layer (2) which is arranged on a semiconductor substrate (1) by using an acid-catalytically chemically amplified photoresist (4),
b) forming an organic film (7), which contains an acidic component, on the surface of the underlying semiconductor layer (2) including the resist pattern (6, 8, 12),
c) heat treating the organic film (7) to diffuse the acidic component, thereby solubilizing the surface layer of the resist pattern (6, 8, 12) in an alkaline developer, and
d) removing the heat-treated organic film (7) and the surface layer of the resist pattern (6, 8, 12) by using the alkaline developer, thereby reducing the resist pattern (6, 8, 12).

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verringern zum lokalen Verringern eines Resistmusters in einer Halbleitervorrichtung mit feinen Mustern.The present invention relates referring to a decrease method to locally decrease one Resist pattern in a semiconductor device with fine patterns.

Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen eines Resistmusters, welches zur Mikrobearbeitung eines LSI-Halbleiterelementes (Großintegrationshalbleiterelementes), einer Flüssigkristallanzeigetafel oder dergleichen benutzt wird. Ferner bezieht sich die vorliegende Erfindung insbesondere auf ein Verfahren zum Bilden eines hochgenauen feinen Resistmusters.In particular, the present invention relates to a method for producing a resist pattern which is used for Micromachining of an LSI semiconductor element (large integration semiconductor element), a liquid crystal display panel or the like is used. Furthermore, the present refers In particular, the invention relates to a method for forming a highly accurate fine resist pattern.

8 zeigt Resistmuster, welche auf einer unterhalb liegenden Schicht 21 gemäß eines der Anmelderin bekannten Verfahrens gebildet sind, durch Aussetzen der Schicht einem Licht bzw. Belichten der Schicht mit einem Licht durch eine Maske, welche an einem optimalen Brennpunkt durch einen Stepper (bzw. Schrittschaltwerk) gehalten wird. In 8 bezeichnet das Bezugszeichen 22 ein Resistmuster mit einer Linienbreite, welche breiter ist als die Wellenlänge des Belichtungslichtes von der Lichtquelle des Steppers, und 23 bezeichnet ein feines Resistmuster mit einer Linienbreite, welche enger (bzw. kleiner) als die Wellenlänge des Belichtungslichtes von der Lichtquelle des Steppers ist. Wie oben erwähnt ermöglicht in einem Fall, in dem die unterhalb liegende Schicht mit Licht belichtet wird durch die Maske, welche an einem optimalen Brennpunkt gehalten wird, sogar das vorhandene Verfahren, daß ein Resistmuster im wesentlichen zuverlässig gebildet wird. 8th shows resist patterns on an underlying layer 21 are formed according to a method known to the applicant, by exposing the layer to light or exposing the layer to light through a mask which is held at an optimal focal point by a stepper (or stepping mechanism). In 8th denotes the reference symbol 22 a resist pattern with a line width that is wider than the wavelength of the exposure light from the light source of the stepper, and 23 denotes a fine resist pattern with a line width which is narrower (or smaller) than the wavelength of the exposure light from the light source of the stepper. As mentioned above, in a case where the underlying layer is exposed to light through the mask which is kept at an optimal focus, even the existing method enables a resist pattern to be formed substantially reliably.

9 zeigt Resistmuster, welche auf der unterhalb liegenden Schicht 21 gemäß des vorhandenen Verfahrens durch Belichten der Schicht mit Licht durch eine Maske, welche außerhalb des Fokus gehalten wird, gebildet sind. In 9 bezeichnet das Bezugszeichen 22 ein Resistmuster mit einer Linienbreite, welche breiter ist als die Wellenlänge des Belichtungslichtes von der Lichtquelle des Steppers, und das Bezugszeichen 23 bezeichnet ein feines Resistmuster mit einer Linienbreite, welche enger ist als die Wellenlänge des Belichtungslichtes von der Lichtquelle des Steppers. In einem Fall, in dem die unterhalb liegende Schicht mit Licht durch die Maske, welche außerhalb des Fokus gehalten wird, belichtet wird, entstehen keine Probleme beim Bilden des Resistmusters 22 mit einer Linienbreite, welche breiter ist als die Wellenlänge des Belichtungslichtes von der Lichtquelle des Steppers. Im Gegensatz dazu ergibt sich in einem Fall, in dem das feine Resistmuster 23 mit einer Linienbreite gebildet wird, welche enger ist als die Wellenlänge des Belichtungslichtes von der Lichtquelle, ein Problem, daß die Linienbreite eines resultierenden Musters enger wird. 9 shows resist patterns on the underlying layer 21 according to the existing method by exposing the layer to light through a mask which is kept out of focus. In 9 denotes the reference symbol 22 a resist pattern with a line width that is wider than the wavelength of the exposure light from the light source of the stepper, and the reference numeral 23 denotes a fine resist pattern with a line width which is narrower than the wavelength of the exposure light from the light source of the stepper. In a case where the underlying layer is exposed to light through the mask which is kept out of focus, there are no problems in forming the resist pattern 22 with a line width that is wider than the wavelength of the exposure light from the light source of the stepper. In contrast, in a case where the fine resist pattern occurs 23 with a line width that is narrower than the wavelength of the exposure light from the light source, a problem that the line width of a resulting pattern becomes narrower.

10 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Abmessung des Resistmusters und der Unschärfe (bzw. dem Defokussieren) zum Zwecke des Erklärens des oben genannten Problems zeigt. Wie durch eine in 10 gezeigte Linie 22a bezeichnet ist, ergeben sich in einem Fall, in dem ein Resistmuster einer großen Größe gebildet wird, keine Abmessungsschwankungen (bzw. Abmessungsveränderungen), sogar falls die Maske des Steppers leicht defokussiert ist. Im Gegensatz dazu ergeben sich, wie durch eine in 10 gezeigte gekrümmte Linie 23a bezeichnet ist, in einem Fall, in dem ein feines Resistmuster kleiner als die Wellenlänge des Belichtungslichtes von der Lichtquelle des Steppers gebildet ist, und falls die Maske des Steppers defokussiert ist, beträchtliche Abmessungsschwankungen, was ein Resistmuster einer unerwünschten Größe zur Folge hat. 10 Fig. 12 is a graph showing the relationship between the dimension of the resist pattern and the blur (or defocusing) for the purpose of explaining the above problem. As in one 10 shown line 22a in a case where a resist pattern of a large size is formed, there are no dimensional fluctuations (or dimensional changes) even if the mask of the stepper is slightly defocused. In contrast, as shown by an in 10 shown curved line 23a in a case where a fine resist pattern smaller than the wavelength of the exposure light is formed by the light source of the stepper, and if the mask of the stepper is defocused, there are considerable dimensional fluctuations, resulting in a resist pattern of an undesirable size.

Wie oben erwähnt wurde, hat zu dem Zeitpunkt des Bildens eines feines Resistmusters die vorhandene Photolithographietechnik den Nachteil, daß sie unfähig ist, ein Resistmuster auf stabile Weise zu bilden.As mentioned above, at the time of forming a fine resist pattern using the existing photolithography technique the disadvantage that they unable is to form a resist pattern in a stable manner.

Aus JP 05-040346 A ist ein Verfahren zum Bilden eines Resistmusters zu entnehmen, bei dem ein Resistmuster auf einer unterhalb liegenden Halbleiterschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, durch Verwenden eines säurekatalytisch-chemisch verstärkten Photoresists gemäß den jeweils im Schritt a) der Ansprüche 1 und 8 aufgeführten Merkmale gebildet wird. Die Oberfläche wird einem Exzimerlaserlicht ausgesetzt. Dann wird eine Wärmebehandlung ausgeführt. Schließlich wird das Resistmuster mit Alkali behandelt.Out JP 05-040346 A A method for forming a resist pattern can be seen in which a resist pattern is formed on an underlying semiconductor layer, which is arranged on a semiconductor substrate, by using an acid-catalytically-chemically amplified photoresist according to the features listed in step a) of claims 1 and 8, respectively becomes. The surface is exposed to an excimer laser light. Then a heat treatment is carried out. Finally, the resist pattern is treated with alkali.

Aus JP 08/076382 A kann ein Verfahren zum Bilden eines Resistmusters entnommen werden, bei dem das Resistmuster auf einer unterhalb liegenden Halbleiterschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, durch Verwenden eines säurekatalytischchemisch verstärkten Photoresists ebenso gemäß den jeweils im Schritt a) der Ansprüche 1 und 8 aufgeführten Merkmale gebildet wird. Als Schutzfilm wird ein Polyacrylat aufgebracht. Dann wird das Resistmuster selektiv durch den Schutzfilm belichtet. Nachdem der Schutzfilm entfernt ist, wird eine Wärmebehandlung und eine Entwicklung zum Erhalten eines gewünschten Resistmusters durchgeführt.Out JP 08/076382 A A method for forming a resist pattern can be extracted, in which the resist pattern is formed on an underlying semiconductor layer, which is arranged on a semiconductor substrate, by using an acid-catalytically reinforced photoresist, likewise in accordance with the features listed in step a) of claims 1 and 8 , A polyacrylate is applied as a protective film. Then the resist pattern is selectively exposed through the protective film. After the protective film is removed, heat treatment and development are carried out to obtain a desired resist pattern.

Aus der EP 0 492 253 A1 kann ein Photostrukturierungsverfahren entnommen werden, bei dem zusätzlich ein säurekatalytischchemisch verstärkter Photoresist, gemäß den dies bezüglichen Merkmalen im Schritt c) des Verfahrens nach dem Anspruch 1 und im Schritt d) des Verfahrens nach dem Anspruch 8 an denjenigen Orten in einem alkalischen Entwickler löslich gemacht wird, an denen es in ihm zu einer Säurebildung kommt. Die Verringerung von Resiststrukturen erfolgt durch einen definierten Dunkelabtrag und bezieht sich auf Gräben bzw. Löcher.From the EP 0 492 253 A1 A photostructuring process can be removed, in which an acid-catalytically reinforced photoresist, in accordance with the relevant features in step c) of the process according to claim 1 and in step d) of the process according to claim 8, is made soluble in an alkaline developer at those locations , at which it forms an acid. Resist structures are reduced by a defined dark erosion and relates to trenches or holes.

Entsprechend kann aus der DE 196 26 003 A1 ein Verfahren zur Herstellung von Resistmustern entnommen werden, bei dem ebenfalls ein säurekatalytisch-chemisch verstärkter Photoresist an Orten in einem alkalischen Entwickler löslich gemacht wird, an denen es zu einer Säurebildung kommt. Die Auflösung der Muster auf dem säurekatalytisch-chemisch verstärkten Photoresist ist in einer Größenordnung von 0,170 μm und wird mit einem ArF-Exzimerlaser-Belichtungssystem erzielt.Accordingly, from the DE 196 26 003 A1 a process for the production of resist patterns can be taken, in which an acid-catalytically chemically amplified photoresist is also made soluble in an alkaline developer at locations where acid formation occurs. The resolution of the patterns on the acid-catalytically chemically amplified photoresist is of the order of 0.170 μm and is achieved with an ArF excimer laser exposure system.

Aus der US 5,677,223 A kann ein Verfahren zum Bilden eines verringerten Resistmusters entnommen werden, bei dem das Resistmuster durch einen Sauerstoffplasmatrockenätzvorgang geätzt wird, so daß sehr feine Muster erzeugt werden. Dieses Muster wird dann zum anisotropen Ätzen benutzt. Das Resistmuster verbleibt als Steg mit einer Größe, die kleiner als die ist, die durch Photolithographie erzeugbar ist.From the US 5,677,223 A For example, a method for forming a reduced resist pattern can be found in which the resist pattern is etched by an oxygen plasma dry etching process, so that very fine patterns are produced. This pattern is then used for anisotropic etching. The resist pattern remains as a web with a size that is smaller than that which can be produced by photolithography.

Aus der DE 197 06 495 A1 ist ein Verfahren zum Bilden eines Resistmusters zu entnehmen, bei dem das Resistmuster auf einem Halbleitersubstrat gebildet wird. Darauf wird ein organischer Film gebildet, der in Anwesenheit einer Säure in der Lage ist, eine Vernetzungsreaktion durchzuführen. Durch einen chemischen Mechanismus wird das Resistmuster erweitert, so daß die Zwischenräume zwischen dem Resistmuster sehr fein werden.From the DE 197 06 495 A1 A method for forming a resist pattern can be found in which the resist pattern is formed on a semiconductor substrate. An organic film is formed thereon which is capable of carrying out a crosslinking reaction in the presence of an acid. The resist pattern is expanded by a chemical mechanism, so that the gaps between the resist pattern become very fine.

Demgemäß ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Verfahren zum Verringern eines Resistmusters in einer Halbleitervorrichtung anzugeben, mit dem ein feines Resistmuster kleiner als die Grenze der Wellenlänge des Belichtungslichtes auf stabile Weiser durch Bearbeiten eines Photoresists durch einen chemischen Mechanismus und ggf. lokal begrenzt gebildet werden kann.Accordingly, it is the object of the present Invention, an improved method for reducing a resist pattern specify in a semiconductor device with which a fine resist pattern smaller than the limit of the wavelength the exposure light in a stable manner by editing a Photoresists by a chemical mechanism and possibly locally limited can be formed.

Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 8.This task is solved by a method according to claim 1 or 8.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.Developments of the invention are in the subclaims specified.

Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung anhand der beiliegenden Figuren. Von diesen zeigen:The following is a description of exemplary embodiments the invention with reference to the accompanying figures. Of these show:

1(a) u. 1(b) schematische Darstellungen zum Erklären eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, insbesondere eines Verfahrens zum Bilden eines feinen Resistmusters im Vergleich zu einem vorhandenen Verfahren; 1 (a) u. 1 (b) schematic representations for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, in particular a method for forming a fine resist pattern in comparison with an existing method;

2(a) u. 2(b) Diagramm-Darstellungen, welche eine Verbindung zwischen einem Basisharz und einer schützenden Gruppe eines chemisch verstärkten Positivresists (bzw. Positivlack) zum Benutzen mit einem Excimer-Laserstrahl zeigen, wie auch eine Unterbrechung der Verbindung; 2 (a) u. 2 B) Diagrams showing a connection between a base resin and a protective group of a chemically amplified positive resist (or positive varnish) for use with an excimer laser beam, as well as an interruption of the connection;

3 eine Diagramm-Darstellung zum Erklären eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, insbesondere eine fragmentarische Querschnittsansicht zum Erklären von Schritten eines Verfahrens zum Bilden eines Resistmusters; 3 a diagram for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, in particular a fragmentary cross-sectional view for explaining steps of a method for forming a resist pattern;

4 eine Diagramm-Darstellung zum Erklären eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, insbesondere eine fragmentarische Querschnittsansicht zum Erklären von Schritten eines Verfahrens zum Bilden eines feinen Resistmusters; 4 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention, particularly a fragmentary cross-sectional view for explaining steps of a method for forming a fine resist pattern;

5(a) u. 5(b) schematische Darstellungen, welche ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen; 5 (a) u. 5 (b) schematic diagrams showing a method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiments of the present invention;

6(a) u. 6(b) schematische Darstellungen, die ein anderes Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen; 6 (a) u. 6 (b) schematic diagrams showing another method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiments of the present invention;

7(a) bis 7(c) schematische Darstellungen, welche ein weiteres anderes Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen; 7 (a) to 7 (c) schematic diagrams showing another method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiments of the present invention;

8 eine schematische Darstellung, welche Resistmuster (bzw. Photolackmuster) zeigen, die gemäß eines der Anmelderin bekannten Verfahrens durch Belichten einer unterhalb liegenden Schicht mit Licht gebildet werden, während eine Maske eines Steppers in einem optimalen Brennpunkt gehalten wird; 8th is a schematic diagram showing resist patterns (or photoresist patterns) which are formed according to a method known to the applicant by exposing an underlying layer to light while holding a mask of a stepper in an optimal focal point;

9 eine schematische Darstellung, welche Resistmuster zeigen, welche gemäß eines der Anmelderin bekannten Verfahrens durch Belichten der unterhalb liegenden Schicht mit Licht gebildet werden, während die Maske des Steppers außerhalb des Brennpunktes gehalten wird; und 9 is a schematic diagram showing resist patterns which are formed according to a method known to the applicant by exposing the underlying layer to light while the mask of the stepper is kept out of focus; and

10 ein Diagramm, welches die Beziehung zwischen der Abmessung des Resistmusters und der Unschärfe des Steppers zeigt. 10 a diagram showing the relationship between the dimension of the resist pattern and the blur of the stepper.

Erste AusführungsformFirst embodiment

1(a) und 1(b) sind schematische Darstellungen zum Erklären eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, insbesondere eines Verfahrens zum Bilden eines feinen Resistmusters im Vergleich zu einem vorhandenen Verfahren. 1 (a) and 1 (b) 14 are schematic diagrams for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, particularly a method of forming a fine resist pattern compared to an existing method.

1(a) umfaßt bruchstückhafte bzw. fragmentarische Querschnittsansichten, welche eine Reihe von Schritten zum Bilden eines Resistmusters gemäß der ersten Ausführungsform zeigen, und 1(b) umfaßt bruchstückhafte Querschnittsansichten, welche eine Reihe von Schritten zum Bilden eines Resistmusters durch eine der Anmelderin bekannte Photolithographie zeigen. 1 (a) Fig. 14 includes fragmentary cross-sectional views showing a series of steps for forming a resist pattern according to the first embodiment, and 1 (b) includes fragmentary cross-sectional views showing a series of steps for forming a resist pattern by a photolithography known to the applicant.

Zuerst wird, wie in Schritt 1 gezeigt ist, ein Halbleitersubstrat 2 mit einer darauf gebildeten Stufe 3 als ein Wafer 1 benutzt. Ein chemisch verstärkter Positivresist (Positivlack) 4 zum Verwenden mit einem Excimer-Laserstrahl wird auf das Halbleitersubstrat 2 einschließlich der Stufe 3 in (bzw. bis zu) einer Dicke von 3000 × 10–10 bis 20000 × 10–10m aufgebracht.First, as shown in step 1, one Semiconductor substrate 2 with a level formed on it 3 as a wafer 1 used. A chemically amplified positive resist (positive varnish) 4 is used on the semiconductor substrate for use with an excimer laser beam 2 including the level 3 applied in (or up to) a thickness of 3000 × 10 -10 to 20000 × 10 -10 m.

Bevor der Positivresist 4 auf dem Wafer 1 aufgebracht wird, kann die Oberfläche des Wafers 1 mit Hexamethyldisilazan oder dergleichen behandelt werden, wodurch auf diese Weise die Haftung zwischen dem Resist 4 und dem Wafer 1 gestärkt wird. Ferner kann ein Oberschichtmaterial auf dem Resist 4 aufgebracht werden. Ferner kann der auf diese Weise bedeckte Resist 4 einer Wärmebehandlung unterzogen werden.Before the positive resist 4 on the wafer 1 is applied, the surface of the wafer 1 treated with hexamethyldisilazane or the like, thereby causing the adhesion between the resist 4 and the wafer 1 is strengthened. Furthermore, a top layer material can be on the resist 4 be applied. Furthermore, the resist covered in this way 4 be subjected to a heat treatment.

In Schritt 2 gemäß der in 1(a) gezeigten ersten Ausführungsform wird der Positivresist 4 selektiv mit einem Licht durch eine Maske 5a belichtet (bzw. einem Licht ausgesetzt), welche derart eingestellt bzw. justiert ist, daß eine Linienbreite von 0,25μm erzeugt wird (oder eine Linienbreite von 1,25μm in einem Fall, in dem ein Muster auf den Resist in einem Maßstab von 1:5 abgebildet wird).In step 2 according to the in 1 (a) shown first embodiment, the positive resist 4 selectively with a light through a mask 5a exposed (or exposed to light) which is adjusted to produce a line width of 0.25 μm (or a line width of 1.25 μm in a case where a pattern is applied to the resist on a scale of 1 : 5 is shown).

Im Gegensatz dazu wird gemäß des der Anmelderin bekannten, in 1(b) gezeigten Verfahrens der Positivresist 4 selektiv mit einem Licht durch eine Maske 5b belichtet, welche derart eingestellt ist, daß eine Linienbreite von 0,15μm erzeugt wird (oder eine Linienbreite von 0,75μm in einem Fall, in dem ein Muster auf dem Resist in einem Maßstab von 1:5 abgebildet wird).In contrast, according to the applicant's known, in 1 (b) shown method of positive resist 4 selectively with a light through a mask 5b which is set to produce a line width of 0.15 µm (or a line width of 0.75 µm in a case where a pattern is imaged on the resist on a scale of 1: 5).

In Schritt 3 werden die auf diese Weise belichteten Resistmuster entwickelt. Es wird angenommen, daß der Positivresist mit einem Licht in Schritt 2 belichtet wird, während der Stepper auf einen unteren Abschnitt der Stufe 3 auf dem Halbleitersubstrat 1 fokussiert ist. Gemäß der in 1(a) gezeigten ersten Ausführungsform werden, da das Resistmuster eine beträchtliche Größe hat, Resistmuster mit einer Größe von 0,25μm auf der Stufe 3 bzw. auf dem Halbleitersubstrat 2 unterhalb der Stufe 3 gebildet.In step 3, the resist patterns exposed in this way are developed. It is assumed that the positive resist is exposed to light in step 2 while the stepper is on a lower portion of the step 3 on the semiconductor substrate 1 is focused. According to the in 1 (a) First Embodiment shown, since the resist pattern has a considerable size, resist patterns with a size of 0.25 µm on the step 3 or on the semiconductor substrate 2 below the level 3 educated.

Im Gegensatz dazu wird in dem in 1(b) gezeigten der Anmelderin bekannten Verfahren ein Resistmuster mit einer Größe von 0,15μm unterhalb der Stufe 3 oder auf dem Halbleitersubstrat 2 gebildet, und ein Resistmuster mit einer Größe von 0,10μm wird auf der Stufe 3 gebildet. Daher entstehen Schwankungen bzw. Veränderungen in der Linienbreite der Resistmuster.In contrast, in the 1 (b) showed a known resist pattern with a size of 0.15 μm below the step 3 or on the semiconductor substrate 2 is formed, and a resist pattern with a size of 0.10 µm is made on the step 3 educated. Therefore, fluctuations or changes occur in the line width of the resist patterns.

In Schritt 4 wird gemäß der ersten Ausführungsform ein Harz aus einer Polyacrylsäure auf dem Wafer 1 als ein organischer Film (bzw. Schicht) 7 aufgebracht, welcher eine säurehaltige bzw. saure Komponente enthält.In step 4, according to the first embodiment, a resin made of a polyacrylic acid is placed on the wafer 1 as an organic film (or layer) 7 applied, which contains an acidic or acidic component.

In Schritt 5 wird der oberhalb des Wafers gebildete organische Film 7 einer Wärmebehandlung bei 120°C für 60 Sekunden unterzogen, während der Wafer 1 auf einer heißen Platte (nicht gezeigt) geladen ist. Damit wird beabsichtigt, die Säure über die Oberflächenschicht des Resistmusters 6 durch Erwärmen der organischen Filmes 7 zu diffundieren, wodurch auf diese Weise die Oberflächenschicht des Resistmusters 6 in einem alkalischen Entwickler löslich gemacht wird. Demgemäß wird eine Schicht 11 entlang der Oberfläche des Resistmusters 6 gebildet, welche löslich gemacht wurde (im folgenden einfach bezeichnet als löslich gemachte Schicht).In step 5, the organic film formed above the wafer 7 subjected to heat treatment at 120 ° C for 60 seconds while the wafer 1 is loaded on a hot plate (not shown). This is intended to pass the acid over the surface layer of the resist pattern 6 by heating the organic film 7 to diffuse, thus causing the surface layer of the resist pattern 6 is solubilized in an alkaline developer. Accordingly, one layer 11 along the surface of the resist pattern 6 formed which has been solubilized (hereinafter simply referred to as solubilized layer).

Wie in Schritt 6 gezeigt ist, wird, wenn das Resistmuster mit dem alkalischen Entwickler entwickelt wird, die Oberflächenschicht des Resistmuster 6 gelöst und das Resistmuster schrumpft 0,10μm in der Linienbreite. Als eine Folge wird ein Resistmuster 8 mit einer Linienbreite von 0,15μm erzeugt.As shown in step 6, when the resist pattern is developed with the alkaline developer, the surface layer of the resist pattern becomes 6 solved and the resist pattern shrinks 0.10μm in the line width. As a result, a resist pattern becomes 8th generated with a line width of 0.15μm.

In Schritt 5 steigt, falls die Temperatur der Wärmebehandlung oder die Zeit, welche für eine Wärmebehandlung erforderlich ist, vergrößert wird, die Menge des Resistmusters an, welches durch Entwickeln in Schritt 6 aufgelöst wird, was einen Anstieg in der Menge bzw. im Ausmaß des Schrumpfens der Linienbreite zur Folge hat.In step 5 the temperature rises the heat treatment or the time which for a heat treatment is required, which is enlarged Amount of the resist pattern obtained by developing in step 6 resolved becomes what an increase in the amount or extent of shrinkage the line width results.

Gemäß der ersten Ausführungsform kann ein säurehaltiges bzw. saures Polymer als der organische Film 7 benutzt werden, welcher eine säurehaltige bzw. saure Komponente enthält. Insbesondere wird ein Basispolymer, welches in sich säurehaltig ist, als der organische Film 7 benutzt.According to the first embodiment, an acidic polymer may be used as the organic film 7 can be used, which contains an acidic or acidic component. In particular, a base polymer which is inherently acidic is used as the organic film 7 used.

Vorzugsweise kann beispielsweise eine Polyacrylsäure oder eine Polyvinylschwefelsäure als das säurehaltige Polymer benutzt werden.Preferably, for example a polyacrylic acid or a polyvinylsulfuric acid than the acidic Polymer can be used.

Ferner kann ein Polymer mit einer dazu hinzugefügten säurehaltigen bzs. sauren Komponente als der organische Film, welcher eine säurehaltige bzw. saure Komponente enthält, benutzt werden. Insbesondere wird ein Basispolymer, welches neutral ist und eine dazu hinzugefügte säurehaltige bzw. saure Komponente aufweist, als der organische Film benutzt.Furthermore, a polymer with a added to this acidic bzs. acidic component than the organic film, which has an acidic or contains acidic component, to be used. In particular, a base polymer that is neutral is and an added one acidic or acidic component used as the organic film.

Vorzugsweise kann das Polymer beispielsweise aus der Gruppe ausgewählt werden, welche aus Polyvinylalkohol, einer Polyacrylsäure, Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylamin und Polyvinylacetal besteht.The polymer can preferably, for example selected from the group which are made of polyvinyl alcohol, a polyacrylic acid, polyvinyl pyrrolidone, There is polyvinylamine and polyvinyl acetal.

Weiter vorzugsweise kann eine säurehaltige bzw. saure Komponente, welche zu einem derartigen Polymer hinzugefügt wird, aus der Gruppe ausgewählt werden, welche aus einer Alkylcarbonsäure, einer Alkylschwefelsäure und einer Salicylsäure besteht.More preferably, an acidic or acidic component which is added to such a polymer, selected from the group be, which from an alkyl carboxylic acid, an alkyl sulfuric acid and a salicylic acid consists.

Vorzugsweise kann eine Lösung, welche zum Bilden des organischen Filmes 7 benutzt wird, reines Wasser oder eine gemischte Lösung sein, welche aus reinem Wasser und einem organischen Lösungsmittel in einem derartigen Ausmaß zusammengesetzt ist, daß sie nicht das Resistmuster auflöst.Preferably, a solution used to form the organic film 7 used is pure water or a mixed solution composed of pure water and an organic solvent to such an extent that it does not dissolve the resist pattern.

Die Filmbildungseigenschaften des organischen Filmes 7 können verbessert werden, oder die Diffusionslänge einer Säure in dem organischen Film 7 kann verzögert bzw. verkürzt werden durch Hinzufügen einer organischen Basenkomponente, wie beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid, Ethanolamin oder Ammonium zu dem organischen Film 7.The film formation properties of the organic film 7 can be improved, or the diffusion length of an acid in the organic film 7 can be delayed or shortened by adding an organic base component, as in for example, tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine or ammonium to the organic film 7 ,

Vorzugsweise kann die organische Basenkomponente aus der Gruppe ausgewählt werden, welche aus Tetramethylammoniumhydroxid, Ethanolamin und Ammonium besteht.Preferably the organic Base component are selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, There is ethanolamine and ammonium.

Die Bedeckungseigenschaften des organischen Films 7 kann durch Hinzufügen einer grenzflächenaktiven Substanz zu dem organischen Film 7 verbessert werden.The covering properties of the organic film 7 can by adding a surfactant to the organic film 7 be improved.

Vorzugsweise wird eine alkalische Lösung, welche 1 bis 5 Gew.-% von Tetramethylammoniumhydroxid oder diese alkalische Lösung mit 10 Gew.-% oder weniger hinzugefügtem Alkohol als der alkalische Entwickler benutzt werden.An alkaline is preferred Solution which 1 to 5% by weight of tetramethylammonium hydroxide or this alkaline solution with 10% by weight or less alcohol added than the alkaline Developers.

Als nächstes wird im folgenden der Mechanismus des Löslichmachens der Oberflächenschicht des Resistmusters 6 in dem alkalischen Entwickler durch thermisches Behandeln des organischen Films beschrieben.Next, the following is the mechanism of solubilizing the surface layer of the resist pattern 6 described in the alkaline developer by thermally treating the organic film.

Wie in einem Schaubild in 2(a) gezeigt ist, ist in einem chemisch verstärkten Positivresist zum Verwenden mit einem Excimer-Laserstrahl ein Basisharz 4a mit einer Schutzgruppe 4b verbunden (bzw. an die Schutzgruppe 4b gebunden), wobei auf diese Weise der Resist in einer alkalischen Lösung unlöslich gemacht wird. Wie in 2(b) gezeigt ist, wird, wenn die durch die thermische Behandlung des organischen Films erzeugte Säure auf den Resist einwirkt, die Verbindung (bzw. die Bindung) zwischen dem Basisharz 4a und der Schutzgruppe 4b getrennt, wobei auf diese Weise der Resist in einer alkalischen Lösung löslich gemacht wird. Demgemäß wird nur die Oberflächenschicht des sauer bearbeiteten Resistmusters löslich in einer alkalischen Lösung. Die Oberflächenschicht des Resistmusters wird durch Behandeln des Resistmusters mit einem alkalischen Entwickler gelöst, wobei es den Resistmustern (d.h. den restlichen Resistabschnitten) möglich wird, zu schrumpfen.Like in a graph in 2 (a) is a base resin in a chemically amplified positive resist for use with an excimer laser beam 4a with a protecting group 4b connected (or to the protective group 4b bound), thereby making the resist insoluble in an alkaline solution. As in 2 B) is shown, when the acid generated by the thermal treatment of the organic film acts on the resist, the connection (or bond) between the base resin 4a and the protecting group 4b separated, thereby making the resist soluble in an alkaline solution. Accordingly, only the surface layer of the acid-processed resist pattern becomes soluble in an alkaline solution. The surface layer of the resist pattern is released by treating the resist pattern with an alkaline developer, whereby the resist patterns (ie, the remaining resist portions) are allowed to shrink.

Wie oben erwähnt wurde, wird gemäß der ersten Ausführungsform ein Resistmuster auf einem Halbleitersubstrat durch Bearbeiten eines säurekatalytisch chemisch verstärkten Positivresistes durch gewöhnliche Photolithographie gebildet. Als nächstes wird ein organischer Film, welcher eine säurehaltige Komponente enthält, auf das Muster aufgebracht, und eine daraus folgend erzeugte Säure wird in das Resistmuster diffundiert. Die Oberflächenschicht des Resistmusters (d.h. der restliche Resistabschnitt) wird in einem alkalischen Entwickler löslich gemacht durch die katalytische Wirkung der Säure. Nachfolgend werden der organische Film und die löslich gemachte Schicht durch den alkalischen Entwickler entfernt, wobei auf diese Weise die ursprünglich gebildeten Resistmuster (d.h. die restlichen Resistabschnitte) schrumpfen. Als eine Folge können enge bzw. schmale Resistmuster gebildet werden.As mentioned above, according to the first embodiment a resist pattern on a semiconductor substrate by processing a acid catalysis chemically reinforced Positive resist through ordinary Photolithography formed. Next is an organic one Film which is an acidic Component contains applied to the pattern and an acid generated therefrom is converted into the resist pattern diffuses. The surface layer of the resist pattern (i.e. the remaining resist section) is in an alkaline developer solubilized due to the catalytic effect of the acid. Below are the organic film and the soluble made layer removed by the alkaline developer, whereby this way the originally formed resist pattern (i.e. the remaining resist sections) shrink. As a result, tight or narrow resist patterns are formed.

Insbesondere kann ein feines Muster, welches enger ist als die Wellenlänge des Belichtungslichtes auf stabile Weise gebildet werden.In particular, a fine pattern, which is narrower than the wavelength of the exposure light be formed in a stable manner.

Obwohl die oben gegebene Erklärung einen Fall beschrieb, in dem das Resistmuster auf dem Halbleitersubstrat 2 gebildet wird, wird ein Resistmuster, welches während der Herstellung einer Halbleitervorrichtung benutzt wird, nicht nur auf einem Halbleitersubstrat, sondern auch auf einem dielektrischen Film (bzw. Schicht) gebildet, wie beispielsweise ein Siliziumoxidfilm oder verschiedene Arten von leitenden Filmen, wie beispielsweise ein Polysiliziumfilm oder ein metallischer Film. Die erste Ausführungsform kann auf die Bildung eines Resistfilmes auf allen Arten von unterhalb liegenden Filmen wie beispielsweise die vorher erwähnten angewendet werden. Der Ausdruck "auf einem Halbleitersubstrat", welcher hier benutzt wurde, impliziert, daß ein Re sistfilm auf all diesen Arten von Filmen oder Substraten vorgesehen werden kann.Although the explanation given above described a case where the resist pattern on the semiconductor substrate 2 a resist pattern used during the manufacture of a semiconductor device is formed not only on a semiconductor substrate but also on a dielectric film such as a silicon oxide film or various types of conductive films such as a polysilicon film or a metallic film. The first embodiment can be applied to the formation of a resist film on all types of underlying films such as those mentioned above. The term "on a semiconductor substrate" as used herein implies that a resist film can be provided on all of these types of films or substrates.

Zweite AusführungsformSecond embodiment

3 zeigt ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Insbesondere umfaßt 3 fragmentarische Querschnittsansichten zum Erklären von Schritten eines Verfahrens zum Bilden eines feinen Resistmusters. 3 10 shows a method of manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. In particular includes 3 fragmentary cross-sectional views for explaining steps of a method of forming a fine resist pattern.

In einem in 3 gezeigten Schritt 1 wird ein Resistmuster 6 auf dem Halbleitersubstrat 2 bis zu einer Linienbreite von 0,25μm von einem säurekatalytisch chemisch verstärkten Positivresist zum Verwenden mit einem KrF-Laserstrahl durch gewöhnliche Photolithographie gebildet.In one in 3 Step 1 shown becomes a resist pattern 6 on the semiconductor substrate 2 Formed up to a line width of 0.25 µm by an acid-catalytically chemically amplified positive resist for use with a KrF laser beam by ordinary photolithography.

In Schritt 2 wird ein organischer Film 9, welcher eine Säure beim Belichten mit Licht bildet, auf dem Halbleitersubstrat 2 gebildet. In anderen Worten wird ein Polymer, welches einen photosensitiven Säuregenerator (bzw. Säureerzeuger) enthält, auf dem Halbleitersubstrat 2 in der Form eines Filmes gebildet. Zum Beispiel wird der organische Film 9 durch Schleuderbeschichten einer wäßrigen Lösung gebildet, welche ungefähr 1% von Naphthochinondiazido-4-Sulfonatester-Derivaten und Polyvinylpyrrolidon enthält, welches als ein Basispolymer dient.In step 2, an organic film 9 , which forms an acid on exposure to light, on the semiconductor substrate 2 educated. In other words, a polymer containing a photosensitive acid generator (or acid generator) is on the semiconductor substrate 2 formed in the form of a film. For example, the organic film 9 formed by spin coating an aqueous solution containing about 1% of naphthoquinonediazido-4-sulfonate ester derivatives and polyvinylpyrrolidone, which serves as a base polymer.

In Schritt 3 wird der organische Film 9 mit i-Linien einer Hg-Lampe belichtet, bei einer Dosis von 200 bis 1000mJ/cm2 durch Verwenden einer Photomaske 10, welche ein erwünschtes Muster und Aperturen (bzw. Öffnungen) 10a aufweist, so daß sie nur den Resistmustern 6 entspricht, welche unter den Resistmustern 6 mit einer Linienbreite von 0,25μm geschrumpft werden sollen. Als eine Folge des Belichtens erzeugen nur die belichteten Abschnitte des organischen Films 9 selektiv eine säurehaltige Komponente.In step 3 the organic film 9 exposed with i-lines of a mercury lamp at a dose of 200 to 1000 mJ / cm 2 by using a photomask 10 which have a desired pattern and apertures (or openings) 10a has so that they only the resist patterns 6 corresponds to which of the resist patterns 6 should be shrunk with a line width of 0.25μm. As a result of the exposure, only the exposed portions of the organic film produce 9 selectively an acidic component.

In Schritt 4 wird der Wafer 1 einer Wärmebehandlung bei 60 bis 140°C für ungefähr 1 bis 3 Minuten durch eine heiße Platte unterzogen. Als eine Folge wird die auf diese Weise erzeugte säurehaltige Komponente in die säurekatalytisch chemisch verstärkten Positivresistmuster 6 zum Benutzen mit einem KrF-Laserstrahl (d.h. restliche Resistmuster) diffundiert, und die Oberflächenschicht der Resistmuster 6 wird in einem alkalischen Entwickler durch die Wirkung eines Säurekatalysators löslich gemacht, wobei auf diese Weise die löslich gemachte Schicht 11 gebildet wird.In step 4 the wafer 1 subjected to heat treatment at 60 to 140 ° C for about 1 to 3 minutes through a hot plate. As a result, the acidic component produced in this way is chemically converted into the acid catalytic converter strengthened positive resist pattern 6 diffused for use with a KrF laser beam (ie, remaining resist patterns), and the surface layer of the resist patterns 6 is solubilized in an alkaline developer by the action of an acid catalyst, thereby solubilizing the layer 11 is formed.

In Schritt 5 werden der organische Film 9 und die löslich gemachte Schicht 11 durch einen alkalischen Entwickler entfernt. Insbesondere werden sie von dem Wafer durch Verwenden von 2,38 Gew.-% von Tetramethylammoniumhydroxid entfernt. Um Feuchtigkeit von den Resistmustern nach dem Entfernen des organischen Filmes und der löslich gemachten Schicht zu eliminieren, wird der Wafer einer Wärmebehandlung bei 100 bis 130°C für ungefähr 1 bis 3 Minuten unterzogen.In step 5 the organic film 9 and the solubilized layer 11 removed by an alkaline developer. In particular, they are removed from the wafer by using 2.38% by weight of tetramethylammonium hydroxide. In order to eliminate moisture from the resist patterns after removing the organic film and the solubilized layer, the wafer is subjected to a heat treatment at 100 to 130 ° C for about 1 to 3 minutes.

Als eine Folge werden nur die Resistmuster 6, welche mit den belichteten Abschnitten des organischen Filmes 9 in Kontakt stehen, um 0,1μm geschrumpft. Auf diese Weise kann ein Resistlinienmuster 8 von 0,15μm L/0,35μm S, welches durch das Verwenden eines KrF-Excimer-Laserstrahls durch Photolithographie nicht gebildet werden kann, auf selektive Weise gebildet werden.As a result, only the resist patterns 6 which with the exposed sections of the organic film 9 in contact, shrunk by 0.1μm. In this way, a resist line pattern can be created 8th of 0.15 µm L / 0.35 µm S, which cannot be formed by using a KrF excimer laser beam by photolithography, can be selectively formed.

In der zweiten Ausführungsform kann das Polymer des organischen Filmes 9 vornehmlich in einem Polymer gebildet werden, welches in reinem Wasser oder in einer gemischten Lösung löslich ist, welche nicht wesentlich das Resistmuster auflöst und aus reinem Wasser und einem organischen Lösungsmittel besteht.In the second embodiment, the polymer of the organic film 9 are primarily formed in a polymer which is soluble in pure water or in a mixed solution which does not substantially dissolve the resist pattern and consists of pure water and an organic solvent.

Insbesondere kann ein Polymer, welches eine dazu hinzugefügte säurehaltige Komponente aufweist und in der ersten Ausführungsform benutzt wird, oder ein dazu analoges Polymer als das Polymer des organischen Filmes 9 benutzt werden. Kurz gesagt hat das Basispolymer selbst Neutralität (d.h. ist neutral). Vorzugsweise kann beispielsweise das Polymer aus der Gruppe ausgewählt werden, welche aus Polyvinylalkohol, einer Polyacrylsäure, Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylamin und Polyvinylacetal besteht.In particular, a polymer having an acidic component added thereto and used in the first embodiment may be used, or a polymer analogous thereto as the polymer of the organic film 9 to be used. In short, the base polymer itself is neutral (ie is neutral). For example, the polymer can preferably be selected from the group consisting of polyvinyl alcohol, a polyacrylic acid, polyvinyl pyrrolidone, polyvinylamine and polyvinyl acetal.

Vorzugsweise wird ein photosensitiver Säureerzeuger, welcher in der Photosensitivitäts-Wellenlänge (bzw. Lichtempfindlichkeitswellenlänge) von derjenigen eines unterhalb liegenden Resistmusters verschieden ist, verwendet werden.Preferably a photosensitive Acid generator, which in the photosensitivity wavelength (or Sensitivity to light wavelength) different from that of an underlying resist pattern is used.

Insbesondere kann beispielsweise der photosensitive Säureerzeuger aus der Gruppe ausgewählt werden, welche aus auf Oniumsalz basierenden Substanzen, auf Diazobenzensulfonsäure basierenden Substanzen, auf Diazobenzencarbonsäure basierenden Substanzen, auf Chloromethyltriazin basierenden Substanzen und auf 2,1-naphthochinondiazido-4-sulfonatester basierenden Substanzen besteht.In particular, for example the photosensitive acid generator selected from the group be made of onium salt-based substances, based on diazobenzenesulfonic acid Substances based on diazobenzenecarboxylic acid, based on chloromethyltriazine and on 2,1-naphthoquinonediazido-4-sulfonate esters based substances.

Weiter vorzugsweise umfassen besondere Beispiele des photosensitiven Säureerzeugers 4-Hydroxy-naphthyl-dimethyl-sulfoniumtriphlat (auch Trifluoro-methan-sulfonat genannt), 4,8-Dihydoxynaphthyl-dimethyl-sulfonium-triphlat (auch Trifluoro-methan-Sulfonat genannt), 4,7-Dihydroxy-naphthyl-dimethyl-sulfoniumtriphlat (auch Trifluoro-methan-sulfonat genannt), 1,8-Naphthylimidyl-triphlat (auch Trifluoro-methan-sulfonat genannt), 1,8-Naphthyl-imidyl-tosylat (auch Triensulfonat genannt), 1,8-Naphyl-imidyl-mesylat (auch Methan-sulfonat genannt), Bis(phenylsulfonyl)diazomethan, Bis(4-chlorophenylsulfonyl)diazomethan, Bis(2,4-dimethylphenylsulfonyl)diazomethan, 4-Methoxy-α-tosyloxy-iminophenyl-acetonitril, 2,1-Naphthochinondiazido-4-sulfonat-ester-Verbindungen wie beispielsweise Pyrogallolester oder Gallatester, oder dergleichen.More preferably include specific examples of the photosensitive acid generator 4-hydroxy-naphthyl-dimethyl-sulfonium triphlate (also trifluoromethane sulfonate called), 4,8-Dihydoxynaphthyl-dimethyl-sulfonium triphlat (also Trifluoro-methane-sulfonate called), 4,7-dihydroxy-naphthyl-dimethyl-sulfonium triphlate (also Trifluoromethane sulfonate), 1,8-naphthylimidyl triphlate (also Called trifluoromethane sulfonate), 1,8-naphthyl imidyl tosylate (also triensulfonate 1,8-Naphyl-imidyl-mesylate (also called methane sulfonate), Bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (4-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, Bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, 4-methoxy-α-tosyloxy-iminophenyl acetonitrile, 2,1-naphthoquinonediazido-4-sulfonate ester compounds such as pyrogallol esters or gallate esters, or the like.

Vorzugsweise können g-Linien oder i-Linien der Hg-Lampe oder ein KrF-Excimer-Laserstrahl zum Belichten mit Licht benutzt werden.Preferably g-lines or i-lines of the Mercury lamp or a KrF excimer laser beam for exposure to light to be used.

Vorzugsweise kann eine Lösung, welche zum Bilden des organischen Filmes 9 benutzt wird, aus reinem Wasser oder aus einer gemischten Lösung gebildet werden, welche aus reinem Wasser und einem organischen Lösungsmittel in einem derartigen Ausmaß besteht, daß das Resistmuster nicht aufgelöst wird, wie in dem Fall der ersten Ausführungsform.Preferably, a solution used to form the organic film 9 is used, can be formed from pure water or from a mixed solution consisting of pure water and an organic solvent to such an extent that the resist pattern is not resolved as in the case of the first embodiment.

Die Bedeckungseigenschaften des organischen Filmes 9 können verbessert werden, oder die Diffusionslänge einer Säure in dem organischen Film 9 kann verzögert bzw. verkürzt werden, durch Hinzufügen einer organischen Basenkomponente, wie beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid, Ethanolamin oder Ammonium zu dem organischen Film, wie in dem Falle der ersten Ausführungsform.The covering properties of the organic film 9 can be improved, or the diffusion length of an acid in the organic film 9 can be delayed by adding an organic base component such as tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine or ammonium to the organic film, as in the case of the first embodiment.

Vorzugsweise kann die organische Basenkomponente aus der Gruppe ausgewählt sein, welche aus Tetramethylammoniumhydroxid, Ethanolamin und Ammonium besteht.Preferably the organic Base component selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, There is ethanolamine and ammonium.

Die Bedeckungseigenschaften des organischen Films 9 können durch Hinzufügen einer grenzflächenaktiven Substanz zu dem organischen Film 9 verbessert werden.The covering properties of the organic film 9 can by adding a surfactant to the organic film 9 be improved.

Vorzugsweise wird eine alkalische Lösung, welche 1 bis 5 Gew.-% von Tetramethylammoniumhydroxid oder diese alkalische Lösung mit 10 Gew.-% oder weniger dazu hinzugefügten Alkohol enthält, als der alkalische Entwickler benutzt werden, wie in dem Falle der ersten Ausführungsform.An alkaline is preferred Solution which 1 to 5% by weight of tetramethylammonium hydroxide or this alkaline solution containing 10% by weight or less of alcohol added thereto than that alkaline developers are used, as in the case of the first Embodiment.

Als nächstes ist der Mechanismus des Löslichmachens der Oberflächenschicht des Resistmusters 6 mit dem alkalischen Entwickler durch thermisches Behandeln des organischen Filmes 9 derselbe wie derjenige, der in der ersten Ausführungsform erklärt wurde, und daher wird seine wiederholte Erklärung hier unterlassen.Next is the mechanism of solubilizing the surface layer of the resist pattern 6 with the alkaline developer by thermally treating the organic film 9 the same as that explained in the first embodiment, and therefore its repeated explanation is omitted here.

Wie vorher erwähnt wurde, wird gemäß der zweiten Ausführungsform ein Resistmuster auf einem Halbleitersubstrat durch Bearbeiten eines säurekatalytisch chemisch verstärkten Positivresists durch gewöhnliche Photolithographie gebildet. Als nächstes wird ein organischer Film, welcher eine Säure beim Belichten mit Licht erzeugt, d.h. ein organischer Film, welcher einen photosensitiven Säureerzeuger enthält, auf das Muster aufgebracht und eine Säure wird durch Belichten des organischen Filmes mit Licht erzeugt. Die durch Belichtung erzeugte Säure wird in das Resistmuster diffundiert. Der Wafer wird einer Wärmebehandlung in einer derartigen Weise unterzogen, daß die Oberflächenschicht des Resistmusters (d.h. ein restlicher Resistabschnitt) in einem alkalischen Entwickler durch eine säurekatalytische Wirkung der auf diese Weise erzeugten Säure löslich gemacht wird. Nachfolgend werden der organische Film und die löslich gemachte Schicht durch den alkalischen Entwickler entfernt, wobei auf diese Weise die ursprünglich gebildeten Resistmuster (d.h. die restlichen Resistabschnitte) geschrumpft werden.As mentioned above, according to the second embodiment, a resist pattern is formed on a semiconductor substrate by processing an acid-catalytically chemically amplified positive resist by ordinary photolithography. Next is an organic film, which is a Acid is generated when exposed to light, that is, an organic film containing a photosensitive acid generator is applied to the pattern, and an acid is generated by exposing the organic film to light. The acid generated by exposure is diffused into the resist pattern. The wafer is subjected to heat treatment in such a manner that the surface layer of the resist pattern (ie, a remaining resist portion) is solubilized in an alkaline developer by an acid catalytic effect of the acid thus generated. Subsequently, the organic film and the solubilized layer are removed by the alkaline developer, thereby shrinking the resist patterns originally formed (ie, the remaining resist portions).

Ferner können Resistmuster (d.h. restliche Resistabschnitte) durch selektives Belichten der Resistmuster mit Licht durch eine Photomaske selektiv geschrumpft werden.Furthermore, resist patterns (i.e. remaining resist sections) by selectively exposing the resist patterns to light through a Photo mask can be selectively shrunk.

Dritte AusführungsformThird embodiment

4 zeigt ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Insbesondere umfaßt 4 fragmentarische Querschnittsansichten zum Erklären von Schritten eines Verfahrens zum Bilden eines feinen Resistmusters. 4 12 shows a method of manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention. In particular includes 4 fragmentary cross-sectional views for explaining steps of a method of forming a fine resist pattern.

Es wird auf 4 Bezug genommen; die Schritte 1 und 2 sind dieselben wie diejenigen, die für die Ausführungsform beschrieben wurden, so daß ihre wiederholte Erklärung unterlassen wird.It's going on 4 Referred; steps 1 and 2 are the same as those described for the embodiment, so their repeated explanation is omitted.

In Schritt 3 wird der organische Film 9 mit i-Linien der Hg-Lampe bei einer Dosis von 200 bis 1000mJ/cm2 belichtet durch Verwenden einer Photomaske 10, welche ein erwünschtes Muster und Aperturen 10a aufweist, so daß sie nur den Resistmustern 6 entspricht, welche unter (bzw. aus) den Resistmustern 6 mit einer Linienbreite von 0,25μm geschrumpft werden sollen.In step 3 the organic film 9 exposed to i-lines of the mercury lamp at a dose of 200 to 1000 mJ / cm 2 by using a photomask 10 which have a desired pattern and apertures 10a has so that they only the resist patterns 6 which corresponds to (or off) the resist patterns 6 should be shrunk with a line width of 0.25μm.

In der dritten Ausführungsform werden streifenförmige Abschnitte 10a, welche waagerecht in dem Zentrum der Photomaske 10 gebildet sind, mit Licht in dem Schritt 3 belichtet, und die anderen streifenförmigen Abschnitte der Photomaske 10 schirmen Licht ab. Als eine Folge der Belichtung wird eine säurehaltige Komponente selektiv nur in den belichteten Abschnitten des organischen Films 9 erzeugt.In the third embodiment, strip-shaped sections 10a which are horizontal in the center of the photomask 10 are formed, exposed to light in step 3, and the other stripe-shaped portions of the photomask 10 shield light. As a result of the exposure, an acidic component becomes selective only in the exposed portions of the organic film 9 generated.

In Schritt 4 wird der Wafer einer Wärmebehandlung in derselben Weise wie in der zweiten Ausführungsform unterzogen, wobei auf diese Weise die löslich gemachte Schicht 11 entlang der Oberfläche der Resistmuster 6 gebildet werden.In step 4, the wafer is subjected to a heat treatment in the same manner as in the second embodiment, whereby the solubilized layer 11 along the surface of the resist pattern 6 be formed.

In Schritt 5 werden der organische Film 9 und die löslich gemachte Schicht 11 durch Verwenden des alkalischen Entwicklers entfernt, wie in dem Falle der zweiten Ausführungsform.In step 5 the organic film 9 and the solubilized layer 11 removed by using the alkaline developer as in the case of the second embodiment.

Als eine Folge wird die Linienbreite des Resistmusters 6 (linker oberer Abschnitt) um 0,1μm an der Stelle verringert, welche mit dem belichteten Abschnitt des organischen Filmes 9 in Kontakt steht. Auf diese Weise wird ein Resistmuster 12 mit einem verringerten Breitenabschnitt 12a gebildet.As a result, the line width of the resist pattern 6 (left upper section) reduced by 0.1 μm at the point which corresponds to the exposed section of the organic film 9 is in contact. This will make a resist pattern 12 with a reduced width section 12a educated.

In der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform und dritten Ausführungsform ist der Prozeß gemeinsam, obwohl die Maskenmuster zum Belichten mit Licht und die daraus folgenden Resistmuster verschieden sind. Deshalb wird eine verdoppelnde Erklärung hier nicht gegeben.In the second described above embodiment and third embodiment the process is common although the mask pattern for exposure to light and the resulting ones Resist patterns are different. Therefore, a doubling explanation is here not given.

Nun wird eine Erklärung der Schritte zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gegeben, in denen das Resistmuster, das durch die in einer der ersten bis dritten Ausführungsform beschriebenen Verfahren hergestellt ist, verwendet wird.Now an explanation of the Given steps to manufacture a semiconductor device in which the resist pattern formed by one of the first to third embodiment described method is used is used.

5(a) und 5(b) zeigen ein erstes Beispiel der Schritte zum Herstellen der Halbleitervorrichtung. Wie in 5(a) gezeigt ist, weist die Halbleitervorrichtung in dem Prozeß einen dielektrischen Film 13, welcher auf dem Halbleitersubstrat 2 gebildet ist, und einen leitenden Film 14, wie beispielsweise einen Polysiliziumfilm oder einen Aluminiumfilm, welcher auf dem dielektrischen Film 13 gebildet ist, auf. Ferner weist die Vorrichtung Resistmuster 8, welche auf dem leitenden Film 14 durch das für die erste Ausführungsform beschriebene Verfahren gebildet sind, auf. 5 (a) and 5 (b) show a first example of the steps for manufacturing the semiconductor device. As in 5 (a) is shown, the semiconductor device in the process has a dielectric film 13 which is on the semiconductor substrate 2 is formed, and a conductive film 14 , such as a polysilicon film or an aluminum film, which is on the dielectric film 13 is formed on. The device also has resist patterns 8th which is on the leading film 14 are formed by the method described for the first embodiment.

Wie in 5(b) gezeigt ist, kann ein enges leitendes Leitungsmuster 14a, welches enger ist als die Wellenlänge des Belichtungslichtes, durch Ätzen des auf dem Wafer 1 gebildeten leitenden Filmes 14 über die bzw. mittels der Resistmuster 8 gebildet werden. Beispielsweise kann ein leitendes Leitungsmuster mit einer Linienbreite von 0,15μm auf stabile Weise gebildet werden.As in 5 (b) is shown, a narrow conductive line pattern 14a , which is narrower than the wavelength of the exposure light, by etching the on the wafer 1 formed conductive film 14 via or by means of the resist pattern 8th be formed. For example, a conductive line pattern with a line width of 0.15 μm can be formed in a stable manner.

6(a) und 6(b) zeigen ein zweites Beispiel der Schritte zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Wie in 6(a) gezeigt ist, weist die Vorrichtung in dem Prozeß den dielektrischen Film 13, welcher auf dem Halbleitersubstrat 1 gebildet ist, und den leitenden Film 14, wie beispielsweise ein Polysiliziumfilm oder ein Aluminiumfilm, welcher auf dem dielektrischen Film 13 gebildet ist, auf. Ferner weist die Vorrichtung die Resistmuster 6 und 8, welche auf dem leitenden Film 14 durch das für die zweite Ausführungsform beschriebene Verfahren gebildet sind, auf. 6 (a) and 6 (b) Figure 11 shows a second example of the steps for manufacturing a semiconductor device. As in 6 (a) is shown, the device in the process comprises the dielectric film 13 which is on the semiconductor substrate 1 is formed, and the conductive film 14 , such as a polysilicon film or an aluminum film, which is on the dielectric film 13 is formed on. The device also has the resist patterns 6 and 8th which is on the leading film 14 are formed by the method described for the second embodiment.

Wie in 6(b) gezeigt ist, kann beispielsweise das enge leitende Leitungsmuster 14a, dessen Linienbreite so eng wie 0,15μm ist, und ein enges leitendes Leitungsmuster 14b mit einer gewöhnlichen Linienbreite von 0,25μm durch Ätzen des auf den Wafer 1 gebildeten leitenden Films 14 über die Resistmuster 6 und 8 gebildet werden.As in 6 (b) is shown, for example, the narrow conductive line pattern 14a , whose line width is as narrow as 0.15μm, and a narrow conductive line pattern 14b with an ordinary line width of 0.25 μm by etching the on the wafer 1 formed conductive film 14 about the resist pattern 6 and 8th be formed.

7(a) und 7(b) zeigen ein drittes Beispiel der Schritte zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Wie in 7(a) gezeigt ist, weist die Vorrichtung in dem Prozeß den auf dem Halbleitersubstrat 1 gebildeten dielektrischen Film 13 und den leitenden Film 14, wie beispielsweise einen Polysiliziumfilm oder einen Aluminiumfilm, welcher auf dem dielektrischen Film 13 gebildet ist, auf. Ferner weist die Vorrichtung Resistmuster 12a, welche auf dem leitenden Film 14 durch das für die dritte Ausführungsform beschriebene Verfahren gebildet sind, auf. 7 (a) and 7 (b) Figure 3 shows a third example of the steps for manufacturing a semiconductor device. As in 7 (a) is shown, the device has in the process that on the semiconductor substrate 1 formed dielectric film 13 and the leading film 14 such as a polysilicon film or an aluminum film which is on the dielectric film 13 is formed on. The device also has resist patterns 12a which is on the leading film 14 are formed by the method described for the third embodiment.

Wie in 7(b) gezeigt ist, können leitende Leitungsmuster 14a, welche jeweils einen teilweise geschrumpften Abschnitt aufweisen, durch Ätzen des leitenden Films 14 über die bzw. mittels der Resistmuster 12a gebildet werden. Nachfolgend wird, wie in 7(c) gezeigt ist, ein Zwischenschicht-Dielektrizitätsfilm 15 gebildet, und ein leitender Stoff 16a wird senkrecht zwischen zwei engen leitenden Leitungsmustern 14a gebildet und mit einer leitenden Leitung 16b verbunden, welche auf dem Zwischenschicht-Dielektrizitätsfilm 15 gebildet ist. Falls dieses Beispiel auf einen Halbleiterspeicher angewendet wird, arbeitet die leitende Leitung 14a als eine Wortleitung und die leitende Leitung 16b arbeitet als eine Bitleitung.As in 7 (b) is shown, conductive line patterns 14a each having a partially shrunk portion by etching the conductive film 14 via or by means of the resist pattern 12a be formed. Below, as in 7 (c) an interlayer dielectric film is shown 15 formed, and a conductive substance 16a becomes perpendicular between two narrow conductive line patterns 14a formed and with a conductive line 16b connected, which on the interlayer dielectric film 15 is formed. If this example is applied to a semiconductor memory, the conductive line works 14a as a word line and the lead line 16b works as a bit line.

Auf die Schritte, wie sie oben in 5(a) bis 7(b) beschrieben wurden, folgend schreiten die Halbleiterherstellungsschritte voran. Jedoch, da diese Schritte bekannt sind, werden ihre Erklärungen hier unterlassen.On the steps as in above 5 (a) to 7 (b) The semiconductor manufacturing steps proceed as follows. However, since these steps are known, their explanations are omitted here.

Auf diese Weise kann eine Halbleitervorrichtung mit einem feinen Muster, welches enger ist als die Grenze der Wellenlänge des Belichtungslichtes durch das oben beschriebene Verfahren hergestellt werden.In this way, a semiconductor device with a fine pattern that is narrower than the wavelength limit of the Exposure light can be produced by the method described above.

Die Effekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden wie folgt zusammengefaßt.The effects and advantages of the present Invention are summarized as follows.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein feines Resistmuster, welches enger als die Grenze der Wellenlänge des Belichtungslichtes ist, auf stabile Weise durch Bearbeiten eines Resists gebildet werden durch den chemischen Mechanismus der Diffusion einer Säure oder der Zersetzung eines Resists.According to the present invention can be a fine resist pattern which is narrower than the wavelength limit of the Exposure light is, in a stable manner, by editing one Resists are formed by the chemical mechanism of diffusion an acid or the decomposition of a resist.

Ferner kann durch Verwenden der auf diese Weise gebildeten Resistmuster ein feines Muster, welches enger als die Grenze der Wellenlänge des Belichtungslichtes ist, auf stabile Weise gebildet werden, ob das Muster ein leitender Film oder ein dielektrischer Film ist oder nicht, wobei die Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem derartigen feinen Muster ermöglicht wird.Furthermore, by using the on this way, resist pattern formed a fine pattern which is more narrow than the limit of the wavelength of the exposure light is formed in a stable manner whether the pattern is a conductive film or a dielectric film, or not, the manufacture of a semiconductor device with a allows such fine patterns becomes.

Ferner kann ein feines Muster auf selektive Weise durch Belichten eines Wafers mit Licht durch eine erwünschte Photomaske gebildet werden.Furthermore, a fine pattern can be seen selective way by exposing a wafer to light through a desirable Photo mask are formed.

Claims (17)

Verfahren zum Verringern eines Resistmusters in einer Halbleitervorrichtung, mit den Schritten a) Bilden eines Resistmusters (6, 8, 12) auf einer unterhalb liegenden Halbleiterschicht (2), welche auf einem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist, durch Verwenden eines säurekatalytisch chemisch verstärkten Photoresists (4), b) Bilden eines organischen Filmes (7), welcher eine säurehaltige Komponente enthält, auf der Oberfläche der unterhalb liegenden Halbleiterschicht (2) einschließlich des Resistmusters (6, 8, 12) , c) Wärmebehandeln des organischen Films (7) zum Diffundieren der säurehaltigen Komponente, wodurch die Oberflächenschicht des Resistmusters (6, 8, 12) in einem alkalischen Entwickler löslich gemacht wird, und d) Entfernen des wärmebehandelten organischen Filmes (7) und der Oberflächenschicht des Resistmusters (6, 8, 12) durch Verwenden des alkalischen Entwicklers, wodurch das Resistmuster (6, 8, 12) verringert wird.A method for reducing a resist pattern in a semiconductor device, comprising the steps a) forming a resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) on an underlying semiconductor layer ( 2 ), which on a semiconductor substrate ( 1 ) is arranged by using an acid-catalytically chemically amplified photoresist ( 4 ), b) forming an organic film ( 7 ), which contains an acidic component, on the surface of the underlying semiconductor layer ( 2 ) including the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ), c) heat treating the organic film ( 7 ) for diffusing the acidic component, whereby the surface layer of the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) solubilized in an alkaline developer, and d) removing the heat-treated organic film ( 7 ) and the surface layer of the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) by using the alkaline developer, whereby the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) is reduced. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein säurehaltiges Polymer benutzt wird zum Bilden des organischen Filmes (7), welcher die säurehaltige Komponente enthält.The method of claim 1, wherein an acidic polymer is used to form the organic film ( 7 ), which contains the acidic component. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem eine Polyacrylsäure oder eine Polyvinylschwefelsäure als das säurehaltige Polymer benutzt wird.The method of claim 2, wherein a polyacrylic acid or a polyvinyl sulfuric acid than the acidic Polymer is used. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein Polymer mit einer dazu hinzugefügten säurehaltigen Komponente als der organische Film (7) benutzt wird, welcher die säurehaltige Komponente enthält.The method according to claim 1, wherein a polymer with an acidic component added thereto as the organic film ( 7 ) is used, which contains the acidic component. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Polymer aus der Gruppe ausgewählt wird, welche Polyvinylalkohol, eine Polyacrylsäure, Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylamin und Polyvinylacetal aufweist.The method of claim 4, wherein the polymer is made of selected in the group which is polyvinyl alcohol, a polyacrylic acid, polyvinyl pyrrolidone, polyvinylamine and has polyvinyl acetal. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, bei dem die säurehaltige Komponente aus der Gruppe ausgewählt wird, welche eine Alkylcarbonsäure, eine Alkylschwefelsäure und eine Salicylsäure aufweist.A method according to claim 4 or 5, wherein the acidic Component selected from the group which is an alkyl carboxylic acid, an alkyl sulfuric acid and a salicylic acid having. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem in Schritt b) ein organischer Film (7) gebildet wird, der beim Belichten mit Licht eine Säure erzeugt, und bei dem nach dem Schritt b) und vor dem Schritt c) ein Belichten des organischen Films (7) mit Licht durchgeführt wird, um darin die Säure zu erzeugen.Method according to one of claims 1 to 6, in which in step b) an organic film ( 7 ) is formed, which generates an acid when exposed to light, and in which an exposure of the organic film (after step b) and before step c) ( 7 ) is carried out with light in order to generate the acid therein. Verfahren zum lokalen Verringern eines Resistmusters in einer Halbleitervorrichtung mit den Schritten a) Bilden eines Resistmusters (6, 8, 12) auf einer unterhalb liegenden Halbleiterschicht (2), welche auf einem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist, durch Verwenden eines säurekatalytisch chemisch verstärkten Photoresists (4), b) Bilden eines organischen Films (7) auf der Oberfläche der unterhalb liegenden Halbleiterschicht (2) einschließlich des Resistmusters (6, 8, 12), wobei der organische Film (7) einen optischen Säureerzeuger enthält, der eine Säure beim Belichten mit Licht erzeugt, und der optische Säureerzeuger eine Photosensitivitäts-Wellenlänge aufweist, die von derjenigen des Resistmusters (6, 8, 12) verschieden ist, c) lokales Belichten des organischen Films (7) mit Licht durch eine Photomaske, um darin die Säure zu erzeugen, d) Wärmebehandeln des organischen Films (7), um die Säure zu diffundieren, wodurch die Oberflächenschicht des Resistmu sters (6, 8, 12) in einem alkalischen Entwickler löslich gemacht wird, und e) Entfernen des wärmebehandelten organischen Films (7) und der Oberflächenschicht des Resistmusters (6, 8, 12) durch Verwenden des alkalischen Entwicklers, wodurch das Resistmuster (6, 8, 12) lokal verringert wird.Method for locally reducing a resist pattern in a semiconductor device with the steps a) forming a resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) on an underlying semiconductor layer ( 2 ), which on a semiconductor substrate ( 1 ) is arranged by using an acid-catalytically chemically amplified photoresist ( 4 ), b) forming an organic film ( 7 ) on the surface of the underlying semiconductor layer ( 2 ) including the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ), the organic film ( 7 ) contains an optical acid generator that generates an acid upon exposure to light, and the optical acid generator has a photosensitivity wavelength different from that resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) is different, c) local exposure of the organic film ( 7 ) with light through a photomask to generate the acid therein, d) heat treating the organic film ( 7 ) to diffuse the acid, causing the surface layer of the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) solubilized in an alkaline developer, and e) removing the heat-treated organic film ( 7 ) and the surface layer of the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) by using the alkaline developer, whereby the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) is reduced locally. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem der organische Film (7), welcher eine Säure beim Belichten mit Licht erzeugt, durch Hinzufügen eines optischen Säureerzeugers zu einem Polymer gebildet wird.The method of claim 8, wherein the organic film ( 7 ), which generates an acid upon exposure to light, by adding an optical acid generator to a polymer. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das Polymer, welches in dem organischen Film (7) enthalten ist, aus der Gruppe ausgewählt wird, welche Polyvinylalkohol, eine Polyacrylsäure, Polyvinylpyrrolidon, Polyvinalamin und Polyvinylacetal aufweist.The method of claim 9, wherein the polymer contained in the organic film ( 7 ) is included, is selected from the group consisting of polyvinyl alcohol, a polyacrylic acid, polyvinyl pyrrolidone, polyvinylamine and polyvinyl acetal. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, bei dem der photosensitive Säureerzeuger aus der Gruppe ausgewählt wird, welche auf Oniumsalz basierende Substanzen, auf Diazobenzenschwefelsäure basierende Substanzen, auf Diazobenzencarbonsäure basierende Substanzen, auf Chloromethyltriazin basierende Substanzen und auf 2,1-Naphthochinondiazido-4-sulfonatester basierende Substanzen aufweist.Method according to one of claims 8 to 10, wherein the photosensitive acid generator selected from the group which is based on onium salt, based on diazobenzenesulfuric acid Substances based on diazobenzenecarboxylic acid, substances based on chloromethyltriazine and on 2,1-naphthoquinonediazido-4-sulfonate esters has based substances. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, bei dem eine g-Linie oder eine i-Linie einer Hg-Lampe oder eines KrF-Excimer-Laserstrahls zum Belichten mit Licht benutzt wird.Method according to one of claims 8 to 11, in which a g-line or an i-line of an Hg lamp or a KrF excimer laser beam for exposure is used with light. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem eine organische Basenkomponente zu dem organischen Film (7) hinzugefügt wird.Method according to one of claims 1 to 12, in which an organic base component to the organic film ( 7 ) will be added. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die organische Basenkomponente aus der Gruppe ausgewählt wird, welche Tetramethylammoniumhydroxid, Ethanolamin und Ammonium aufweist.The method of claim 13, wherein the organic Base component is selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine and has ammonium. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem eine grenzflächenaktive Substanz zu dem organischen Film (7) hinzugefügt wird.Method according to one of claims 1 to 14, in which a surface-active substance to the organic film ( 7 ) will be added. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, bei dem eine alkalische Lösung, welche 1 bis 5 Gew.-% von Tetramethylammoniumhydroxid oder diese alkalische Lösung mit 10 Gew.-% oder weniger von dazu hinzugefügten Alkohol aufweist, als der alkalische Entwickler benutzt wird.Method according to one of claims 1 to 15, in which a alkaline solution, which is 1 to 5% by weight of tetramethylammonium hydroxide or these alkaline solution with 10% by weight or less of alcohol added thereto than the alkaline developer is used. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, bei dem der organische Film (7) im wesentlichen aus einem Polymer gebildet wird, welches in reinem Wasser oder in einer gemischten Lösung löslich ist, welche das Resistmuster (6, 8, 12) nicht wesentlich auflöst und reines Wasser oder ein organisches Lösungsmittel aufweist .Method according to one of Claims 1 to 16, in which the organic film ( 7 ) is essentially formed from a polymer which is soluble in pure water or in a mixed solution which comprises the resist pattern ( 6 . 8th . 12 ) does not dissolve significantly and contains pure water or an organic solvent.
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