DE102015207533A1 - Shielding as Silikonvergusshalter - Google Patents

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Roland Burghardt
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Karl-Friedrich Becker
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Harald Pötter
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors (14), der eingerichtet ist, eine physikalische Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld zu messen, umfassend: – Verschalten einer Sensorschaltung (42) zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals (16) auf einem Verdrahtungsträger (32), – Anordnen eines die Sensorschaltung (42) einhüllenden Gehäuses (44) auf dem Verdrahtungsträger (32), und – Füllen des Gehäuses (44) mit einer mechanischen Entkopplungsmasse (36).The invention relates to a method for producing a sensor (14), which is set up to measure a physical quantity based on a physical size dependent encoder field, comprising: - interconnecting a sensor circuit (42) for detecting the encoder field and outputting a from the Encoder field dependent sensor signal (16) on a wiring support (32), - Arranging a housing (44) enveloping the sensor circuit (42) on the wiring support (32), and - Filling the housing (44) with a mechanical decoupling compound (36).

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors und den Sensor.The invention relates to a method for producing a sensor and the sensor.

Aus der DE 10 2007 060 931 A1 ist ein Sensor mit einer verkapselten Sensorschaltung bekannt, die auf einem Substrat in Form einer Leiterplatte mit einer elektrischen Beschaltung gehalten und über Bond-Drähte mit der elektrischen Beschaltung verschalten ist.From the DE 10 2007 060 931 A1 is a sensor with an encapsulated sensor circuit is known, which is held on a substrate in the form of a printed circuit board with an electrical circuit and connected via bond wires to the electrical circuit.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung die bekannte elektronische Baugruppe zu verbessern.It is an object of the present invention to improve the known electronic assembly.

Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.The object is solved by the features of the independent claims. Preferred developments are the subject of the dependent claims.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors, der eingerichtet ist, eine physikalische Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld zu messen, die Schritte Verschalten einer Sensorschaltung zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals auf einem Verdrahtungsträger, Anordnen eines die Sensorschaltung einhüllenden Gehäuses auf dem Verdrahtungsträger, und Füllen des Gehäuses mit einer mechanischen Entkopplungsmasse.According to one aspect of the invention, a method of manufacturing a sensor configured to measure a physical quantity based on a physical size dependent encoder field comprises the steps of interconnecting a sensor circuit to detect the encoder field and outputting a sensor field dependent sensor signal a wiring substrate, arranging a housing enclosing the sensor circuit on the wiring substrate, and filling the housing with a mechanical decoupling material.

Dem angegebenen Verfahren liegt die Überlegung zugrunde, dass die Sensorschaltung zum Ausgeben des vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals keinerlei anderen physikalischen Feldern ausgesetzt werden sollte, die die Messung verfälschen könnten. Derartige die Messung verfälschende physikalische Felder können beispielsweise Kraftfelder sein, die zu mechanischen Spannungen an den Messaufnehmern der Sensorschaltung führen. Daher sollte zumindest der Teil der Sensorschaltung, der die Messaufnehmer enthält, vor derartigen, die Messung verfälschenden Kraftfeldern geschützt werden. Gegebenenfalls können auch nur die Messaufnehmer als Sensorschaltung angesehen werden.The specified method is based on the consideration that the sensor circuit for outputting the sensor field-dependent sensor signal should not be exposed to any other physical fields which could falsify the measurement. Such physical fields distorting the measurement can be force fields, for example, which lead to mechanical stresses on the sensors of the sensor circuit. Therefore, at least the part of the sensor circuit containing the sensors should be protected from such force fields distorting the measurement. Optionally, only the sensor can be considered as a sensor circuit.

Um diesen zuvor genannten Schutz vor den die Messung verfälschenden Kraftfeldern zu erreichen, könnte die Sensorschaltung in einer mechanischen Entkopplungsmasse verkapselt werden, die dann die Kraftfelder aufnimmt und vermeidet, dass diese die Sensorschaltung erreichen. Daher sollte die mechanische Entkopplungsmasse so weich wie möglich sein, um die Kraftfelder optimal aufnehmen zu können. Anderseits muss die mechanische Entkopplungsmasse jedoch eine bestimmte Festigkeit besitzen, um beim Verarbeiten beziehungsweise Auftragen auf den Verdrahtungsträger nicht wegzufließen. Die Vereinigung dieser beiden Eigenschaften in einer mechanischen Entkopplungsmasse erhöht deren Kosten, da gängige mechanische Entkopplungsmassen, wie beispielsweise Silikonvergüsse rheologisch modifiziert sein müssen, um die ausreichende Festigkeit beim Verarbeiten auf dem Verfrahtungsträger bereitstellen zu können.In order to achieve this aforementioned protection against the force fields distorting the measurement, the sensor circuit could be encapsulated in a mechanical decoupling mass, which then absorbs the force fields and prevents them from reaching the sensor circuit. Therefore, the mechanical decoupling mass should be as soft as possible in order to optimally absorb the force fields. On the other hand, however, the mechanical decoupling mass must have a certain strength so as not to flow away during processing or application to the wiring carrier. The combination of these two properties in a mechanical decoupling mass increases their cost, since common mechanical decoupling compounds, such as silicone encapsulants must be rheologically modified in order to provide the sufficient strength during processing on the wiring substrate can.

Hier greift das angegebene Verfahren mit der Überlegung an, die Entkopplungsmasse nicht frei auf dem Verdrahtungsträger, sondern in einem Gehäuse zu verarbeiten, das die Sensorschaltung einhaust. Wird die Entkopplungsmasse in dieses Gehäuse eingebracht, halten seine Wände die Entkopplungsmasse fest und hindern sie daran wegzufließen. In diesem Fall muss die mechanische Entkopplungsmasse dann nicht rheologisch modifiziert werden, so dass als mechanische Entkopplungsmasse auch günstigere Materialien verwendet werden können. Auf diese Weise können die Herstellungskosten des mit dem angegebenen Verfahren hergestellten Sensors reduziert werden.Here, the specified method attacks with the consideration of not processing the decoupling compound freely on the wiring carrier, but in a housing that houses the sensor circuit. When the decoupling mass is introduced into this housing, its walls hold the decoupling mass and prevent it from flowing away. In this case, the mechanical decoupling mass then does not have to be rheologically modified so that cheaper materials can also be used as the mechanical decoupling mass. In this way, the manufacturing cost of the sensor produced by the specified method can be reduced.

In einer Weiterbildung des angegebenen Verfahrens ist das Gehäuse aus einem Metall gefertigt. Dieser Weiterbildung liegt die Überlegung zugrunde, das Gehäuse nicht nur bei der Herstellung zum Halten der mechanischen Entkopplungsmasse, sondern auch im normalen Betrieb des Sensors als Schirmelement zum Abschirmen elektromagnetischer Störstrahlen zu verwenden und so die elektromagnetische Verträglichkeit, EMV genannt und die Robustheit gegenüber elektrostatischer Entladung, ESD genannt, zu erhöhen.In a development of the specified method, the housing is made of a metal. This development is based on the idea not only to use the housing in the production of holding the mechanical decoupling compound, but also in normal operation of the sensor as a shielding element for shielding electromagnetic interference rays and so the electromagnetic compatibility, called EMC and the robustness to electrostatic discharge, ESD called to increase.

Dazu wird das Gehäuse zweckmäßigerweise in einer besonderen Weiterbildung des angegebenen Verfahrens mit einer Leiterbahn des Verdrahtungsträgers kontaktiert, die so gewählt werden sollte, dass durch die oben genannten elektromagnetischen Strahlen entstehende Störsignale an der Sensorschaltung vorbeigeleitet werden.For this purpose, the housing is expediently contacted in a particular development of the specified method with a conductor track of the wiring substrate, which should be selected so that interference signals arising from the abovementioned electromagnetic radiation are conducted past the sensor circuit.

Dazu kann die Leiterbahn in einer bevorzugten Weiterbildung des angegebenen Verfahrens auf ein Bezugspotential gelegt werden. Dieses Bezugspotential könnte beispielsweise Masse oder die Erdung sein, da diese in gängigen Schaltungen ohnehin vorgegeben werden muss.For this purpose, the conductor can be placed in a preferred embodiment of the specified method to a reference potential. This reference potential could be ground or ground, for example, since these must be specified in common circuits anyway.

Das Gehäuse kann prinzipiell beliebig aufgebaut sein und sollte an das Herstellungsverfahren angepasst werden. Vorzugsweise kann das Gehäuse zunächst auf den Verdrahtungsträger aufgebracht und danach mit der mechanischen Entkopplungsmasse ausgegossen werden. Dazu sollte das Gehäuse eine Öffnung aufweisen, die für eine besonders einfache Durchführung des angegebenen Herstellungsverfahrens auf der dem Verdrahtungsträger gegenüberliegenden Seite des Gehäuses angeordnet sein sollte. Über diese Öffnung kann die mechanische Entkopplungsmasse nach dem Aufbringen des Gehäuses auf den Verdrahtungsträger in einfacher Weise in das Gehäuse eingebracht werden.The housing can in principle be of any design and should be adapted to the manufacturing process. Preferably, the housing can first be applied to the wiring carrier and then be filled with the mechanical decoupling compound. For this purpose, the housing should have an opening which, for a particularly simple implementation of the specified production method on the opposite side of the wiring substrate of the housing should be arranged. About this opening, the mechanical decoupling material can be introduced after the application of the housing to the wiring carrier in a simple manner in the housing.

Dabei kann die Öffnung mit einem Gitter verschlossen sein, so dass einerseits die mechanische Entkopplungsmasse, wenn sie viskos genug ist, in einfacher Weise in das Gehäuse eingebracht werden kann, andererseits jedoch eine gute Abschirmwirkung gegenüber elektromagnetischer Störstrahlung während des Betriebs des mit dem angegebenen Verfahren hergestellten Sensors erreicht wird. Dazu sollte das Gitter zweckmäßigerweise ebenfalls aus einem Metall ausgebildet werden und kann dabei einstückig mit dem Gehäuse ausgebildet sein.In this case, the opening may be closed with a grid, so that on the one hand the mechanical decoupling compound, if it is viscous enough, can be easily introduced into the housing, on the other hand, however, a good shielding against electromagnetic interference during operation of the produced by the specified method Sensors is achieved. For this purpose, the grid should expediently also be formed of a metal and may be formed integrally with the housing.

In einer besonderen Weiterbildung des angegebenen Verfahrens wird das Gehäuse mit dem mechanischen Enkopplungsmaterial derart befüllt, dass das Gitter vom mechanischen Entkopplungsmaterial freigelegt bleibt. Alternativ könnte das Gehäuse mit dem mechanischen Enkopplungsmaterial auch solange befüllt werden, bis das Gitter vom mechanischen Enkopplungsmaterial eingeschlossen ist. Da als mechanisches Entkopplungsmaterial prinzipbedingt ein Material verwendet werden soll, dass bei der Verarbeitung möglichst fließfähig ist, ist der Einschluss des Gitters durch das mechanische Entkopplungsmaterial besonders günstig, da hier ein einfacher Materialfluss gegeben ist.In a particular development of the specified method, the housing is filled with the mechanical decoupling material in such a way that the grid remains exposed by the mechanical decoupling material. Alternatively, the housing could be filled with the mechanical decoupling material until the grid is enclosed by the mechanical decoupling material. Since, as a matter of principle, a material is to be used as the mechanical decoupling material that is as free-flowing as possible during processing, the inclusion of the grating by the mechanical decoupling material is particularly favorable since there is a simple flow of material.

Abschließend kann der Verdrahtungsträgers und das mit dem mechanischen Entkopplungsmaterial befüllte Gehäuse in einer Schutzmasse verkapselt werden, um eine dauerhafte Beständigkeit gegenüber Umwelteinflüssen zu erreichen. Diese Schutzmasse kann aufgrund der mechanischen Entkopplungsmasse optimal auf ihre Schutzfunktion hin ausgewählt werden, weil die mechanische Entkopplungsmasse sämtliche mechanischen Beanspruchungen, beispielsweise aufgrund von Wärmebewegungen von der Sensorschaltung fernhält.Finally, the wiring substrate and the housing filled with the mechanical decoupling material can be encapsulated in a protective compound to achieve a lasting resistance to environmental influences. Due to the mechanical decoupling mass, this protective compound can be optimally selected for its protective function because the mechanical decoupling mass keeps all mechanical stresses, for example due to thermal movements, away from the sensor circuit.

Mit dem angegebenen Verfahren wird auch eine besonders platzsparender Sensor hergestellt, weil das Gehäuse vermeidet, dass sich die mechanische Entkopplungsmasse aufgrund ihrer Fließfähigkeit auf dem Verdrahtungsträger ausbreitet. Diese platzsparende Wirkung kann noch weiter gesteigert werden, wenn der Sensor im Rahmen eines sogenannten Area Array Package ausgeführt wird, im Rahmen dessen eine Schnittstelle zur Ausgabe des Sensorsignals am Verdrahtungsträger nicht seitlich sondern an einer dem Gehäuse gegenüberliegenden Seite angeordnet wird. Hier können die elektrischen Anbindungsmöglichkeiten zu einer übergeordneten Schaltungsebene beispielsweise durch Lötkugeln oder Lötflächen realisiert werden.The method described also produces a particularly space-saving sensor because the housing prevents the mechanical decoupling compound from spreading on the wiring carrier due to its fluidity. This space-saving effect can be increased still further if the sensor is designed as part of a so-called area array package, in which an interface for outputting the sensor signal is not arranged laterally on the wiring carrier but on a side opposite the housing. Here, the electrical connection possibilities can be realized to a parent circuit level, for example by solder balls or solder pads.

Um den Bauraum weiter zu reduzieren könnten beispielsweise auch elektronische Komponenten, auch Peripheriebeschaltung genannt, aus der übergeordneten Schaltungsebene in den angegebenen Sensor mit auf den Verdrahtungsträger integriert werden.In order to further reduce the installation space, it would also be possible, for example, to also integrate electronic components, also called peripheral circuits, from the higher-order circuit level into the specified sensor with the wiring support.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst ein Sensor zum Messen einer physikalischen Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld eine Sensorschaltung zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals, einen Verdrahtungsträger, auf dem die Sensorschaltung verschaltet ist, ein die Sensorschaltung einhausendes Gehäuse, und eine in dem Gehäuse aufgenommene und die Sensorschaltung verkapselnde mechanische Entkopplungsmasse.According to a further aspect of the invention, a sensor for measuring a physical quantity based on a physical quantity-dependent encoder field comprises a sensor circuit for detecting the encoder field and for outputting a sensor field-dependent sensor signal, a wiring carrier, on which the sensor circuit is connected, one Sensor housing einhausendes housing, and housed in the housing and the sensor circuit encapsulating mechanical decoupling mass.

Der angegebene Sensor kann dabei vorzugsweise mit einem angegebenen Verfahren hergestellt werden.The specified sensor can preferably be produced by a specified method.

Der angegebene Sensor kann beispielsweise ein Raddrehzahlsensor, ein Inertialsensor, ein Airbagbeschleunigungsensor sein. Derartige Sensoren werden beispielsweise zur Erfassung der Rückführgrößen in Fahrzeugregelsystemen, wie beispielsweise im Airbag, in der Fahrwerksregelung, im elektronischen Stabilitätsprogramm, ESP genannt, in der Roll-Over Erkennung, in der Front- und Seitenaufprallerkennung, eingesetzt.The indicated sensor may be for example a wheel speed sensor, an inertial sensor, an airbag acceleration sensor. Such sensors are used, for example, to detect the feedback variables in vehicle control systems, such as in the airbag, in the chassis control, in the electronic stability program, ESP, in roll-over detection, in front and side impact detection.

Zudem kann der angegebene Sensor als internes elektronisches Bauteil beispielsweise in Form einer SMD-Komponente (SMD = Surface-mounted device) oder als Satellitenkomponente ausgeführt werden, die an einer beliebigen Stelle in ihrer Endapplikation verbaut und beispielsweise über ein Datenkabel an die höhere Verdrahtungsebene angeschlossen wird. Diese Endapplikation kann beispielsweise ein Fahrzeug sein, wobei die höhere Verdrahtungsebene in dem Fahrzeug beispielsweise eine Steuereinrichtung, wie beispielsweise eine Motorsteuerung sein kann.In addition, the specified sensor can be designed as an internal electronic component, for example in the form of an SMD component (SMD = surface-mounted device) or as a satellite component, which is installed anywhere in its end application and connected, for example via a data cable to the higher wiring level , This end application may be, for example, a vehicle, wherein the higher wiring level in the vehicle may be, for example, a control device, such as a motor control.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst ein Fahrzeug einen angegebenen Sensor, insbesondere zur Erfassung von Fahrdynamikdaten, wie die Querbeschleunigung und die Gierrate des Fahrzeuges.According to a further aspect of the invention, a vehicle comprises a specified sensor, in particular for detecting vehicle dynamics data, such as the lateral acceleration and the yaw rate of the vehicle.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei:The above-described characteristics, features and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the exemplary embodiments, which are explained in more detail in conjunction with the drawings, in which:

1 eine schematische Ansicht eines Fahrzeuges mit einer Fahrdynamikregelung, 1 a schematic view of a vehicle with a vehicle dynamics control,

2 eine schematische Ansicht eines Inertialsensors aus 1, 2 a schematic view of an inertial sensor 1 .

3 eine schematische Ansicht eines alternativen Inertialsensors aus 1, und 3 a schematic view of an alternative inertial sensor 1 , and

4 eine schematische Ansicht eines weiter alternativen Inertialsensors aus 1 zeigen. 4 a schematic view of a further alternative inertial sensor 1 demonstrate.

In den Figuren werden gleiche technische Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen und nur einmal beschrieben.In the figures, the same technical elements are provided with the same reference numerals and described only once.

Es wird auf 1 Bezug genommen, die eine schematische Ansicht eines Fahrzeuges 2 mit einer an sich bekannten Fahrdynamikregelung zeigt. Details zu dieser Fahrdynamikregelung können beispielsweise der DE 10 2011 080 789 A1 entnommen werden.It will open 1 Reference is made to a schematic view of a vehicle 2 with a known vehicle dynamics control shows. Details of this driving dynamics control, for example, the DE 10 2011 080 789 A1 be removed.

Das Fahrzeug 2 umfasst ein Chassis 4 und vier Räder 6. Jedes Rad 6 kann über eine ortsfest am Chassis 4 befestigte Bremse 8 gegenüber dem Chassis 4 verlangsamt werden, um eine Bewegung des Fahrzeuges 2 auf einer nicht weiter dargestellten Straße zu verlangsamen.The vehicle 2 includes a chassis 4 and four wheels 6 , Every bike 6 Can be fixed on the chassis 4 fixed brake 8th opposite the chassis 4 slowed down to a movement of the vehicle 2 to slow down on a road, not shown.

Dabei kann es in einer dem Fachmann bekannten Weise passieren, dass das die Räder 6 des Fahrzeugs 2 ihre Bodenhaftung verlieren und sich das Fahrzeug 2 sogar von einer beispielsweise über ein nicht weiter gezeigtes Lenkrad vorgegebenen Trajektorie durch Untersteuern oder Übersteuern wegbewegt. Dies wird durch an sich bekannte Regelkreise wie ABS (Antiblockiersystem) und ESP (elektronisches Stabilitätsprogramm) vermieden.It may happen in a manner known to those skilled in the art that the wheels 6 of the vehicle 2 lose their grip and get the vehicle 2 even moved away from a given example by a steering wheel not shown steering trajectory by understeer or oversteer. This is avoided by known control circuits such as ABS (antilock braking system) and ESP (electronic stability program).

In der vorliegenden Ausführung weist das Fahrzeug 2 dafür Drehzahlsensoren 10 an den Rädern 6 auf, die eine Dreh-zahl 12 der Räder 6 erfassen. Ferner weist das Fahrzeug 2 einen Inertialsensor 14 auf, der Fahrdynamidaten 16 des Fahrzeuges 2 erfasst aus denen beispielsweise eine Nickrate, eine Wankrate, eine Gierrate, eine Querbeschleunigung, eine Längsbeschleunigung und/oder eine Vertikalbeschleunigung in einer dem Fachmann an sich bekannten Weise ausgegeben werden kann.In the present embodiment, the vehicle 2 for speed sensors 10 at the wheels 6 on that a turn number 12 the wheels 6 to capture. Further, the vehicle points 2 an inertial sensor 14 on, the driving dynamics data 16 of the vehicle 2 from which, for example, a pitch rate, a roll rate, a yaw rate, a lateral acceleration, a longitudinal acceleration and / or a vertical acceleration can be output in a manner known to a person skilled in the art.

Basierend auf den erfassten Drehzahlen 12 und Fahrdynamikdaten 16 kann ein Regler 18 in einer dem Fachmann bekannten Weise bestimmen, ob das Fahrzeug 2 auf der Fahrbahn rutscht oder sogar von der oben genannten vorgegebenen Trajektorie abweicht und entsprechen mit einem an sich bekannten Reglerausgangssignal 20 darauf reagieren. Das Reglerausgangssignal 20 kann dann von einer Stelleinrichtung 22 verwendet werden, um mittels Stellsignalen 24 Stellglieder, wie die Bremsen 8 anzusteuern, die auf das Rutschen und die Abweichung von der vorgegebenen Trajektorie in an sich bekannter Weise reagieren.Based on the recorded speeds 12 and vehicle dynamics data 16 can be a regulator 18 in a manner known to those skilled determine whether the vehicle 2 slips on the road or even deviates from the above-mentioned predetermined trajectory and correspond with a known controller output signal 20 to react to that. The regulator output signal 20 can then be from a control device 22 to be used by means of actuating signals 24 Actuators, like the brakes 8th to drive, which respond to the slippage and the deviation from the given trajectory in a conventional manner.

Der Regler 18 kann beispielsweise in eine an sich bekannte Motorsteuerung des Fahrzeuges 2 integriert sein. Auch können der Regler 18 und die Stelleinrichtung 22 als eine gemeinsame Regeleinrichtung ausgebildet und optional in die zuvor genannte Motorsteuerung integriert sein.The regulator 18 For example, in a known motor control of the vehicle 2 be integrated. Also, the controller can 18 and the actuator 22 formed as a common control device and optionally be integrated in the aforementioned engine control.

In 1 ist der Inertialsensor 14 als externe Einrichtung außerhalb des Reglers 18 gezeigt. In einem solchen Fall spricht man von einem als Satelliten ausgebildeten Inertialsensor 14, der im Rahmen der 4 an späterer Stelle näher erläutert werden soll. Im Rahmen der 2 ist der Inertialsensor 14 jedoch als SMD-Bauteil ausgeführtes elektronisches Bauteil ausgeführt, das beispielsweise in ein Gehäuse des Reglers 18 mit integriert werden kann.In 1 is the inertial sensor 14 as an external device outside the controller 18 shown. In such a case one speaks of a trained as a satellite inertial sensor 14 who in the context of 4 will be explained in more detail later. As part of the 2 is the inertial sensor 14 however, designed as an SMD component electronic component executed, for example, in a housing of the controller 18 can be integrated with.

Der Inertialsensor 14 umfasst mindestens ein mikroelektromechanisches System 26, MEMS 26 genannt, als Messaufnehmer, hier zwei MEMS 26, die in an sich bekannter Weise ein von den Fahrdynamikdaten 16 abhängiges, nicht weiter dargestelltes Signal über Bonddrähte 28 an eine Signalauswerteschaltungen 30 in Form einer anwendungsspezifischen integrierten Schaltung 30, ASIC 30 (engl: application-specific integrated circuit) genannt ausgeben. Die ASIC 30 kann dann basierend auf dem empfangenen, von den Fahrdynamikdaten 16 abhängigen Signal die Fahrdynamikdaten 16 erzeugen.The inertial sensor 14 comprises at least one microelectromechanical system 26 , MEMS 26 called, as a sensor, here two MEMS 26 , which in a known manner one of the vehicle dynamics data 16 dependent, not further illustrated signal via bonding wires 28 to a signal evaluation circuits 30 in the form of an application-specific integrated circuit 30 , ASIC 30 (engl.: application-specific integrated circuit) called output. The ASIC 30 can then be based on the received, from the vehicle dynamics data 16 dependent signal the vehicle dynamics data 16 produce.

Die MEMSs 26 und die ASIC 30 sind auf einem Verdrahtungsträger in Form einer Leiterplatte 32 getragen und mit verschiedenen, auf der Leiterplatte 32 ausgeformten elektrischen Leitungen 34 elektrisch kontaktiert. Alternativ kann die Leiterplatte 32 auch als Leadframe ausgebildet sein, worauf aber der Kürze halber nicht weiter eingegangen werden soll. Von den Leitungen 34 ist in 2 lediglich eine einzige Leitung 34 im Schnitt zu sehen. Die Kontaktierung kann dabei direkt, beispielsweise über eine an sich bekannte FlipChip-Verbindung oder, wie in 2 gezeigt, über einen Bonddraht 28 erfolgen.The MEMSs 26 and the ASIC 30 are on a wiring carrier in the form of a printed circuit board 32 worn and with different, on the circuit board 32 molded electrical lines 34 electrically contacted. Alternatively, the circuit board 32 be designed as a leadframe, but what the sake of brevity should not be discussed further. From the wires 34 is in 2 only a single line 34 to see in section. The contacting can be directly, for example via a known flip-chip connection or, as in 2 shown via a bonding wire 28 respectively.

Die MEMSs 26 und die ASIC 30 können ferner von einem mechanischen Entkopplungsmaterial 36, umhüllt sein, das beispielsweise als Silikonverguss ausgeführt sein kann. Das mechanische Entkopplungsmaterial kann wiederum gemeinsam mit den MEMSs 26 und der ASIC 30 in einer Schutzmasse in Form eines Spritzpressmaterials 38, wie beispielsweise einem Epoxidharz 38 verkapselt sein. Das Spritzpressmaterial 38 könnte damit allein bereits als Gehäuse des Inertialsensors 14 dienen und die darin aufgenommenen Schaltungskomponenten schützen.The MEMSs 26 and the ASIC 30 may also be of a mechanical decoupling material 36 , Enveloped, which may for example be designed as a silicone potting. The mechanical decoupling material, in turn, together with the MEMSs 26 and the ASIC 30 in a protective composition in the form of a Spritzpressmaterials 38 such as an epoxy resin 38 be encapsulated. The injection molding material 38 could thus already alone as a housing of the inertial sensor 14 serve and protect the circuit components incorporated therein.

Schließlich sind an dem als SMD-Bauteil ausgebildeten Inertialsensor 14 entsprechende Kontaktmöglichkeiten, wie in 2 gezeigte Lotkugeln 40 zur elektrischen Kontaktierung mit einem Schaltkreis des Reglers 18 vorgesehen und somit als Schnittstelle 41 dienen. Alternativ könnten die Kontaktmöglichkeiten des als SMD-Bauteil ausgebildeten Inertialsensors 14 aber als an sich bekannte Gull-Wing-Lötanschlüsse oder J-Lead-Lötanschlüsse ausgebildet sein, wenn die Leiterplatte 32 beispielsweise als Leadframe ausgebildet ist. Finally, on the formed as an SMD component inertial sensor 14 appropriate contact options, as in 2 shown solder balls 40 for making electrical contact with a circuit of the regulator 18 provided and thus as an interface 41 serve. Alternatively, the contact possibilities of the formed as an SMD component inertial sensor 14 but as known per se Gull-Wing solder connections or J-lead solder connections be formed when the circuit board 32 For example, is designed as a leadframe.

Zur Herstellung des Intertialsensors 14 wird zunächst die Sensorschaltung 42 aus den MEMSs 26 und den ASIC 30 über die Bonddrähte 28 auf der Leiterplatte 32 verschaltet. Danach wird auf die Leiterplatte 32 ein Gehäuse 44 aus Metall aufgesetzt und mit einer der Leiterbahnen 34 beispielsweise durch Verlöten, Verschweißen oder Verkleben elektrisch kontaktiert. Das Gehäuse 44 weißt eine erste Öffnung 46 auf, die über die Sensorschaltung 42 gestülpt wird. Eine zweite Öffnung 48 ist bodenseitig auf der der Sensorschaltung 42 gegenüberliegenden Seite angeordnet und als Gitter 48 ausgebildet. Über dieses Gitter 48 wird dann das mechanische Entkopplungsmaterial 36 in den Innenraum des Gehäuses 44 eingefüllt, das dann wiederrum verhindert, dass das mechanische Entkopplungsmaterial 36 wegfließt. Im Rahmen der 2 wird das mechanische Entkopplungsmaterial 36 von der Sensorschaltung 42 aus gesehen bis unterhalb des Gitters 48 in das Gehäuse eingefüllt. Abschließend wird das Gehäuse 44 auf der Leiterplatte 32 in dem Spritzpressmaterial 38 eingehaust, dass dann ebenfalls durch das Gitter 48 in den Innenraum des Gehäuses 44 eindringen muss.For the production of the Intertialsensors 14 First, the sensor circuit 42 from the MEMSs 26 and the ASIC 30 over the bonding wires 28 on the circuit board 32 connected. After that, on the circuit board 32 a housing 44 made of metal and with one of the tracks 34 for example, by soldering, welding or gluing electrically contacted. The housing 44 know a first opening 46 on that via the sensor circuit 42 is put over. A second opening 48 is on the bottom side of the sensor circuit 42 arranged opposite side and as a grid 48 educated. About this grid 48 then becomes the mechanical decoupling material 36 in the interior of the case 44 filled, which in turn prevents the mechanical decoupling material 36 flow away. As part of the 2 becomes the mechanical decoupling material 36 from the sensor circuit 42 Seen from below to the grid 48 filled in the housing. Finally, the case 44 on the circuit board 32 in the transfer molding material 38 housed that then also through the grid 48 in the interior of the case 44 must penetrate.

Alternativ kann das Gehäuse mit der mechanischen Entkopplungsmasse 36 wie in 3 gezeigt aber auch soweit aufgefüllt werden, dass das Gitter 48 mit eingehüllt wird. Dann muss das Spritzpressmaterial 38 nicht durch das Gitter 48 gedrückt werden.Alternatively, the housing with the mechanical decoupling mass 36 as in 3 but also be filled to the extent that the grid 48 is shrouded in. Then the injection molding material has to 38 not through the grid 48 be pressed.

In 4 ist der Inertialsensor 14 als Satellit ausgeführt und kann unabhängig vom Regler 18 in dem Fahrzeug 2 an einer beliebigen Stelle angeordnet werden.In 4 is the inertial sensor 14 run as a satellite and can be independent of the controller 18 in the vehicle 2 be placed anywhere.

Im Rahmen der 4 ist die Schnittstelle 41 als Steckverbinder 50 ausgeführt und in einem Steckergehäuse 52 eingehaust. In diesem Steckergehäuse 52 kann formschlüssig ein nicht gezeigter Stecker eines nicht gezeigten Datenkabels aufgenommen werden, das die erfassten Fahrdynamikdaten 16 zu nächsthöheren Verarbeitungsebene, in diesem Fall den Regler 18 leitet.As part of the 4 is the interface 41 as a connector 50 executed and in a connector housing 52 enclosed. In this connector housing 52 can positively a not shown plug of a data cable, not shown, are recorded, the captured vehicle dynamics data 16 to the next higher processing level, in this case the controller 18 passes.

Im Rahmen der Ausführung des Inertialsensor 14 als Satellit wird das Gehäuse 44 in besonders günstiger Weise zusätzlich als Abschirmblech verwendet und hält elektromagnetische Störstrahlungen, die nicht durch ein anderweitiges Gehäuse gedämpft werden können, von der Sensorschaltung 42 fern.As part of the execution of the inertial sensor 14 as a satellite, the housing becomes 44 in a particularly favorable manner additionally used as a shielding plate and holds electromagnetic interference radiation that can not be attenuated by another housing, from the sensor circuit 42 remote.

Zudem ist der Inertialsensor 14 noch in einer zusätzlichen Schutzmasse 53 eingehaust, die den Inertialsensor 14 vor Umwelteinflüssen, wie Verwitterung schützt.In addition, the inertial sensor 14 still in an additional protective mass 53 housed the inertial sensor 14 from environmental influences, such as weathering protects.

Auf der Leiterplatte 32 können nun ferner noch zusätzliche Bauelemente 54 angeordnet werden, die angefangen von passiven Bauelementen zur Filterung der Signale innerhalb des Inertialsensors 14 bis hin zur signalverarbeitenden Einrichtungen, im Rahmen derer sogar Regelungsaufgaben übernommen werden können, alle möglichen elektronischen Bauelemente umfassen können. Damit ist insbesondere der als Satellit ausgebildete Inertialsensor 14 in kostengünstiger Weise beliebig an spezielle Kundenwünsche anpassbar, weil nach der Bestückung der Leiterplatte 32 alle restlichen Fertigungsschritte wieder standartisiert durchgeführt werden können.On the circuit board 32 can now also further additional components 54 ranging from passive devices to filtering the signals within the inertial sensor 14 up to the signal-processing facilities, in the context of which even regulatory tasks can be taken over, can include all sorts of electronic components. In particular, this is the inertial sensor designed as a satellite 14 in a cost-effective manner customizable to specific customer requirements, because after the assembly of the circuit board 32 all remaining production steps can be carried out standardized again.

Je nach Bedarf können diese zusätzlichen Bauelemente 54 jedoch mit dem gleichen Vorteil auch in dem als elektronisches Bauelement ausgeführten Inertialsensor 14 der 2 verbaut werden.Depending on your needs, these additional components 54 however, with the same advantage also in the inertial sensor designed as an electronic component 14 of the 2 be installed.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102007060931 A1 [0002] DE 102007060931 A1 [0002]
  • DE 102011080789 A1 [0029] DE 102011080789 A1 [0029]

Claims (10)

Verfahren zum Herstellen eines Sensors (14), der eingerichtet ist, eine physikalische Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld zu messen, umfassend: – Verschalten einer Sensorschaltung (42) zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals (16) auf einem Verdrahtungsträger (32), – Anordnen eines die Sensorschaltung (42) einhüllenden Gehäuses (44) auf dem Verdrahtungsträger (32), und – Füllen des Gehäuses (44) mit einer mechanischen Entkopplungsmasse (36).Method for producing a sensor ( 14 ) configured to measure a physical quantity based on a physical quantity dependent donor field, comprising: - interconnecting a sensor circuit ( 42 ) for detecting the encoder field and for outputting a sensor signal dependent on the encoder field ( 16 ) on a wiring carrier ( 32 ), - arranging a sensor circuit ( 42 ) enveloping housing ( 44 ) on the wiring carrier ( 32 ), and - filling the housing ( 44 ) with a mechanical decoupling compound ( 36 ). Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Gehäuse (44) aus einem Metall gefertigt wird.The method of claim 1, wherein the housing ( 44 ) is made of a metal. Verfahren nach Anspruch 2, umfassend: – Kontaktieren des Gehäuses (44) mit einer Leiterbahn (34) des Verdrahtungsträgers (32).Method according to claim 2, comprising: - contacting the housing ( 44 ) with a conductor track ( 34 ) of the wiring substrate ( 32 ). Verfahren nach Anspruch 3, umfassend: – Kontaktieren der Leiterbahn (32) mit einem Bezugspotential.Method according to claim 3, comprising: - contacting the conductor track ( 32 ) with a reference potential. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (44), vorzugsweise auf seiner dem Verdrahtungsträger (32) gegenüberliegenden Seite, eine Öffnung (48) aufweist.Method according to one of the preceding claims, wherein the housing ( 44 ), preferably on its the wiring carrier ( 32 ) opposite side, an opening ( 48 ) having. Verfahren nach Anspruch 5, umfassend Befüllen des Gehäuses (44) mit der mechanischen Entkopplungsmasse (36) über die Öffnung (48).Method according to claim 5, comprising filling the housing ( 44 ) with the mechanical decoupling compound ( 36 ) over the opening ( 48 ). Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Öffnung (48) als Gitter (48) ausgebildet ist.Method according to claim 5, wherein the opening ( 48 ) as a grid ( 48 ) is trained. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei das Gehäuse (44) mit der mechanischen Entkopplungsmasse (36) solange befüllt wird, bis das Gitter (48) von der mechanischen Entkopplungsmasse (36) eingeschlossen ist.Method according to claim 5 or 6, wherein the housing ( 44 ) with the mechanical decoupling compound ( 36 ) is filled until the grid ( 48 ) of the mechanical decoupling mass ( 36 ) is included. Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Gehäuse (44) mit der mechanischen Entkopplungsmasse (36) derart befüllt wird, dass das Gitter (48) von der mechanischen Entkopplungsmasse (36) freigelegt bleibt.Method according to claim 5, wherein the housing ( 44 ) with the mechanical decoupling compound ( 36 ) is filled in such a way that the grid ( 48 ) of the mechanical decoupling mass ( 36 ) remains exposed. Sensor (14) zum Messen einer physikalischen Größe basierend auf einem von der physikalischen Größe abhängigen Geberfeld, umfassend: – eine Sensorschaltung (42) zum Erfassen des Geberfeldes und zum Ausgeben eines vom Geberfeld abhängigen Sensorsignals (16), – einen Verdrahtungsträger (32), auf dem die Sensorschaltung (42) verschaltet ist, – ein die Sensorschaltung einhausendes Gehäuse (44), und – eine in dem Gehäuse (44) aufgenommene und die Sensorschaltung (42) verkapselnde mechanische Entkopplungsmasse (36).Sensor ( 14 ) for measuring a physical quantity based on a physical quantity dependent encoder field, comprising: - a sensor circuit ( 42 ) for detecting the encoder field and for outputting a sensor signal dependent on the encoder field ( 16 ), - a wiring carrier ( 32 ) on which the sensor circuit ( 42 ), - a housing housing the sensor circuit ( 44 ), and - one in the housing ( 44 ) and the sensor circuit ( 42 ) encapsulating mechanical decoupling compound ( 36 ).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018122572A1 (en) * 2018-09-14 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A LAYER FROM A MATERIAL PROVIDED IN A FLOWABLE CONDITION ON AN OPTOELECTRONIC LIGHTING DEVICE

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007060931A1 (en) 2006-12-21 2008-08-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Encapsulation module producing and/or micromechanical arrangement encapsulating method, involves forming insulated material mound on base of semiconductor material by structuring and/or etching process
DE102011080789A1 (en) 2010-08-10 2012-02-16 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method and system for controlling driving stability

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007060931A1 (en) 2006-12-21 2008-08-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Encapsulation module producing and/or micromechanical arrangement encapsulating method, involves forming insulated material mound on base of semiconductor material by structuring and/or etching process
DE102011080789A1 (en) 2010-08-10 2012-02-16 Continental Teves Ag & Co. Ohg Method and system for controlling driving stability

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018122572A1 (en) * 2018-09-14 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A LAYER FROM A MATERIAL PROVIDED IN A FLOWABLE CONDITION ON AN OPTOELECTRONIC LIGHTING DEVICE

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