DE102015201437A1 - Prüfvorrichtung und Prüfverfahren - Google Patents

Prüfvorrichtung und Prüfverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102015201437A1
DE102015201437A1 DE102015201437.1A DE102015201437A DE102015201437A1 DE 102015201437 A1 DE102015201437 A1 DE 102015201437A1 DE 102015201437 A DE102015201437 A DE 102015201437A DE 102015201437 A1 DE102015201437 A1 DE 102015201437A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photomask
deviation amount
positional deviation
optical image
measuring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102015201437.1A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobutaka Kikuiri
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Publication of DE102015201437A1 publication Critical patent/DE102015201437A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F18/00Pattern recognition
    • G06F18/20Analysing
    • G06F18/22Matching criteria, e.g. proximity measures
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Evolutionary Biology (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)

Abstract

Eine Prüfvorrichtung enthält eine Optisches-Bild-Akquisitionseinheit zum Akquirieren eines optischen Bildes einer Fotomaske, auf der eine Vielzahl von Figurmustern gebildet ist, eine erste Messeinheit zum Messen eines ersten Positionsabweichungsausmaßes in der Horizontalrichtung bei jeder Position auf der Fotomaske, das eine Durchbiegung der Oberfläche der Fotomaske begleitet, die durch ein Halten der Fotomaske mit Verwendung eines Halteverfahrens erzeugt worden ist, das zum Akquirieren des optischen Bildes verwendet wird, eine zweite Messeinheit zum Messen eines zweiten Positionsabweichungsausmaßes von jedem der Vielzahl von Figurmustern, durch Verwenden des optischen Bildes, und eine Differenzkarte-Erzeugungseinheit zum Erzeugen einer Differenzkarte, in der ein Differenzwert, der erhalten worden ist durch Subtrahieren des ersten Positionsabweichungsausmaßes von dem zweiten Positionsabweichungsausmaß, als ein Kartenwert verwendet wird, bezüglich einer Region auf der Oberfläche der Fotomaske.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
  • Diese Anmeldung basiert auf der früheren japanischen Patentanmeldung Nr. 2014-016203 , die am 30. Januar 2014 in Japan eingereicht worden ist, und beansprucht deren Vorteil der Priorität, wobei deren gesamter Inhalt hierin mittels Verweis aufgenommen ist.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Prüfvorrichtung und ein Prüfverfahren. Genauer genommen betrifft beispielsweise die vorliegende Erfindung eine Prüfvorrichtung, die einen Musterdefekt prüft mittels Akquirieren eines optischen Bildes des Musterbildes auf dem Substrat durch Anwenden einer Laserstrahlung darauf.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • In den vergangenen Jahren ist mit dem Fortschritt der Hochintegration und einer großen Kapazität eines hochintegrierten Schaltkreises (LSI) die für Schaltkreise von Halbleiterelementen erforderliche Linienbreite (kritische Dimension) zunehmend schmaler geworden. Solche Halbleiterelemente werden hergestellt durch Exponieren bzw. Belichten und Transferieren eines Musters auf einen Wafer, um einen Schaltkreis zu bilden mittels einer Reduzierte-Projektionsbelichtung-Vorrichtung, als ein Stepper bekannt, während einer Verwendung eines originalen oder "Master"-Musters (auch eine Maske oder ein Retikel genannt und hier im Nachfolgenden allgemein als eine Maske bezeichnet) mit einem darauf gebildeten Schaltkreismuster. Beim Anfertigen einer Maske, die zum Transferieren (Drucken) solch eines feinen Schaltkreismusters auf einen Wafer verwendet wird, muss dann eine Musterschreibvorrichtung eingesetzt werden, die fähig ist zum Schreiben oder "Zeichnen" feiner Schaltkreismuster mittels Verwendung von Elektronenstrahlen. Musterschaltkreise können direkt auf den Wafer durch die Musterschreibvorrichtung geschrieben werden.
  • Da eine LSI-Herstellung gewaltige Herstellungskosten erfordert, ist es äußerst wichtig, deren Ausbeute zu verbessern. Wie durch ein 10-Gigabit DRAM (Dynamic Random Access Memory) versinnbildlicht, hat sich der Maßstab eines einen LSI ausgestaltenden Musters von der Größenordnung von Submikrons zu Nanometern verändert. Einer der Hauptfaktoren, die die Ausbeute der LSI-Herstellung verringern, ist ein Musterdefekt einer Maske, die verwendet wird, beim Belichten und Transferieren (Drucken), durch die Fotolithografietechnologie, eines feinen Musters auf einen Halbleiterwafer. Mit der Verkleinerung von Dimensionen eines auf einem Halbleiterwafer gebildeten LSI-Musters sind in den vergangenen Jahren die als ein Musterdefekt zu erfassenden Dimensionen extrem klein geworden. Somit muss die Musterprüfvorrichtung, die einen Defekt einer bei der LSI-Herstellung verwendeten Transfermaske prüft, höchst genau sein.
  • Als ein Prüfverfahren ist ein Verfahren bekannt zum Vergleichen eines optischen Bildes eines Musters, das auf einem Zielobjekt oder "Sample" gebildet ist, so wie eine Lithografiemaske, abgebildet mit einer vorbestimmten Vergrößerung durch Verwendung eines optischen Vergrößerungssystems, mit Designdaten oder einem optischen Bild, das erhalten worden ist durch Abbilden desselben Musters auf dem Zielobjekt. Beispielsweise sind die folgenden Musterprüfverfahren bekannt: das "Chip-zu-Chip-Prüfung-"Verfahren, das Daten optischer Bilder identischer Muster bei unterschiedlichen Positionen auf derselben Maske vergleicht; und das "Chip-zu-Datenbank-Prüfung-"Verfahren, das in die Prüfvorrichtung Schreibdaten (Designmusterdaten) eingibt, die erzeugt worden sind durch Umwandeln Musterentworfener CAD-Daten in ein schreibvorrichtungsspezifisches Format, das an die Schreibvorrichtung eingegeben werden soll, wenn ein Muster auf die Maske geschrieben wird, Designbilddaten (Referenzbild) auf Grundlage der eingegebenen Schreibdaten erzeugt und die erzeugten Designbilddaten mit einem durch Abbilden des Musters erhaltenen optischen Bild (als Messdaten dienend) vergleicht. Gemäß dem Prüfverfahren zur Verwendung in der Prüfvorrichtung wird ein Zielobjekt auf dem Objekttisch platziert, so dass ein Lichtstrom das Objekt durch die Bewegung des Objekttisches abtasten kann, um eine Prüfung durchzuführen. Genauer genommen wird das Zielobjekt mit einem Lichtstrom von der Lichtquelle durch das optische Beleuchtungssystem bestrahlt. Ein durch das Zielobjekt transmittiertes oder davon reflektiertes Licht wird auf einem Sensor durch das optische System fokussiert. Ein durch den Sensor erfasstes Bild wird als Messdaten an den Vergleichsschaltkreis übertragen. In dem Vergleichsschaltkreis werden, nach einem Durchführen einer Positionsanpassung von Bildern, Messdaten und Referenzdaten miteinander in Übereinstimmung mit einem zweckgemäßen Algorithmus verglichen. Falls es keine Übereinstimmung zwischen den verglichenen Daten gibt, wird es bestimmt, dass ein Musterdefekt existiert.
  • Bei der Maskenprüfung ist es zusätzlich zu einem Prüfen eines Musterdefekts (Formdefekt) auch erforderlich, eine Musterpositionsabweichung zu messen. Konventionell ist ein Messen einer Musterpositionsabweichung durchgeführt worden mit Verwendung einer dedizierten Messvorrichtung. Falls die Vorrichtung, die eine Musterdefektprüfung durchführt, eine Musterpositionsabweichung gleichzeitig mit der Prüfung eines Musterdefekts messen kann, kann ein signifikanter Vorteil bezüglich der Kosten und der Prüfzeit erzielt werden. Deshalb wird es zunehmend gefordert, dass die Prüfvorrichtung solch eine Messfunktion hat.
  • Hinsichtlich der Musterprüfvorrichtung gibt es einen Fall, wo die musterbildende Oberfläche, wo Muster gebildet werden, sich in der Abwärtsrichtung befindet. Dies dient zum Verhindern, dass beispielsweise eine fallende Fremdsubstanz an der musterbildenden Oberfläche anhaftet. Darüber hinaus ist dies so, weil in der Belichtungsvorrichtung, die ein Muster mit Verwendung einer Maske transferiert (druckt), die musterbildende Oberfläche der Maske in vielen Fällen in der Abwärtsrichtung angeordnet ist. In der Musterprüfvorrichtung ist es erforderlich, darin ein Lichttransmissionsprüfungs-Optiksystem zu montieren, das ein Laserlicht auf die musterbildende Oberfläche emittiert, um eine Erfassung mit Verwendung eines transmittierten Lichts durchzuführen, und deshalb ist es schwierig, die gesamte Maskenoberfläche zu halten, die dicht an einen Objekttisch gedrückt werden soll. Demgemäß hält der Objekttisch die Außenseite der musterbildenden Oberfläche. Mit solch einer Ausgestaltung wird die Maske durch ihr eigenes Gewicht durchgebogen bzw. abgelenkt (gebogen). Deshalb wird die musterbildende Oberfläche durch die Durchbiegung nach außen gebogen, was in einer Positionsabweichung der musterbildenden Position resultiert.
  • Im Gegensatz dazu ist hinsichtlich der Schreibvorrichtung, die ein Muster auf die Maske schreibt, das Maskensubstrat so angeordnet, dass die musterbildende Oberfläche in der Aufwärtsrichtung ist, um ein Muster darauf zu schreiben. Auch in der Schreibvorrichtung wird die gesamte Rückseite der Maske nicht gehalten. Deshalb wird die Maske durch ihr eigenes Gewicht durchgebogen. Jedoch wird in der Schreibvorrichtung die Schreibposition mit Berücksichtigung solch einer Durchbiegung bzw. Ablenkung im Voraus korrigiert. Das Schreiben wird mit anderen Worten so durchgeführt, dass ein Muster bei einer erwünschten Position gebildet wird, wenn die Maske ideal horizontal angeordnet ist.
  • Beim Prüfen der Maske, auf die ein Muster wie oben beschrieben geschrieben worden ist, durch eine Musterprüfvorrichtung tritt außerdem eine Durchbiegung (Biegung) in der Prüfvorrichtung auf. Selbst falls die musterbildende Position in der Schreibvorrichtung korrigiert wird, tritt deshalb die Positionsabweichung zu der Zeit einer Prüfung durch die Prüfvorrichtung auf. Bei einer Formdefektprüfung, da eine Bestimmung nach einer Positionsanpassung zwischen einem Bild eines gemessenen Musters und einem Bild eines Designmusters durchgeführt wird, selbst falls eine Positionsabweichung auftritt wegen solch einer Durchbiegung, ist die Abweichung konventionell zugelassen worden. Beim Messen einer Positionsabweichung eines Musters ist jedoch eine durch eine Durchbiegung verursachte Positionsabweichung ein unakzeptables Problem, weil sie selbst von einer Positionsabweichung betroffen ist.
  • Bezüglich einer Messung einer CD-(kritische Dimension) Abweichung, obwohl sie nicht über eine Positionsabweichung eines Musters ist, wird ein Prüfverfahren vorgeschlagen, in dem eine Musterlinienbreite (kritische Dimension) in einem Bild, das für jede voreingestellte Region erhalten worden ist, gemessen wird, eine Differenz von Designdaten berechnet wird, und ein Durchschnitt sämtlicher der CD-Differenzen in jeder Region mit einem Schwellenwert verglichen wird, so dass eine irreguläre Linienbreitenregion als ein CD-Fehler (Dimensionsdefekt) gefunden wird (siehe beispielsweise japanisches Patent Nr. 3824542 ).
  • KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält eine Prüfvorrichtung eine Optisches-Bild-Akquisitionseinheit, die ausgestaltet ist zum Akquirieren eines optischen Bildes einer Fotomaske, auf der eine Vielzahl von Figurmustern gebildet ist, eine erste Messeinheit, die ausgestaltet ist zum Messen eines ersten Positionsabweichungsausmaßes in einer Horizontalrichtung bei jeder Position auf der Fotomaske, das eine Durchbiegung bzw. Ablenkung (Engl.: deflection) einer Oberfläche der Fotomaske begleitet, die durch ein Halten der Fotomaske mit Verwendung eines Halteverfahrens erzeugt worden ist, das zum Akquirieren des optischen Bildes verwendet wird, eine zweite Messeinheit, die ausgestaltet ist zum Messen eines zweiten Positionsabweichungsausmaßes von jedem der Vielzahl von Figurmustern, durch Verwenden des optischen Bildes, und eine Differenzkarte-Erzeugungseinheit, die ausgestaltet ist zum Erzeugen einer Differenzkarte bzw. Differenzzuordnung (Engl.: difference map), in der ein Differenzwert, der erhalten worden ist mittels Subtrahieren des ersten Positionsabweichungsausmaßes von dem zweiten Positionsabweichungsausmaß, als ein Kartenwert verwendet wird, bezüglich einer Region auf der Oberfläche der Fotomaske.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein Prüfverfahren ein Akquirieren eines optischen Bildes einer Fotomaske, auf der eine Vielzahl von Figurmustern gebildet ist, ein Messen eines ersten Positionsabweichungsausmaßes in einer Horizontalrichtung bei jeder Position auf der Fotomaske, das eine Durchbiegung einer Oberfläche der Fotomaske begleitet, die erzeugt worden ist durch ein Halten der Fotomaske mit Verwendung eines Halteverfahrens, das zum Akquirieren des optischen Bildes verwendet wird, ein Messen eines zweiten Positionsabweichungsausmaßes von jedem der Vielzahl von Figurmustern, durch Verwenden des optischen Bildes, und ein Erzeugen einer Differenzkarte, in der ein Differenzwert, der erhalten worden ist durch Subtrahieren des ersten Positionsabweichungsausmaßes von dem zweiten Positionsabweichungsausmaß, als ein Kartenwert verwendet wird, bezüglich einer Region auf der Oberfläche der Fotomaske.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 veranschaulicht eine Ausgestaltung einer Musterprüfvorrichtung, wenn von oben betrachtet, gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 2 zeigt einen Teil einer Ausgestaltung einer Musterprüfvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 3A und 3B sind konzeptuelle Diagramme, die eine Durchbiegung eines Zielobjekts und eine die Durchbiegung begleitende Positionsabweichung gemäß der ersten Ausführungsform beschreiben.
  • 4 ist ein Flussdiagramm, das Hauptschritte eines Prüfverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
  • 5 zeigt ein Beispiel der Innenstruktur einer Messkammer gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 6 ist ein konzeptuelles Diagramm, das eine Prüfregion gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht.
  • 7 zeigt eine interne Ausgestaltung des Vergleichsschaltkreises gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 8 zeigt ein Beispiel eines Prüfstreifens und einer Rahmenregion einer Fotomaske gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 9 veranschaulicht eine Filterverarbeitung gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 10A und 10B zeigen Beispiele von Positionsabweichungsausmaßen gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 11 zeigt ein Beispiel einer Differenzkarte gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 12 ist ein konzeptuelles Diagramm, das ein Messverfahren einer Höhenverteilung gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • In der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen wird eine Prüfvorrichtung beschrieben werden, die eine Positionsabweichung korrigieren kann, die durch eine Durchbiegung (Biegung) einer Maske beim Messen einer Positionsabweichung durch die Prüfvorrichtung verursacht worden ist.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 veranschaulicht eine Ausgestaltung einer Musterprüfvorrichtung, wenn von oben betrachtet, gemäß der ersten Ausführungsform. In 1 enthält eine Prüfvorrichtung 100, die einen Defekt eines Musters prüft, das auf einem Zielobjekt 101 gebildet ist, so wie eine Maske, eine Eingabe-/Ausgabe-Schnittstelle (I/F) 130, eine Ladeschleusenkammer 182, eine Roboterkammer 184, eine Prüfkammer 186, eine Messkammer 188 und einen Steuersystemschaltkreis 160 (Steuereinheit).
  • In der Eingabe-/Ausgabe-Schnittstelle 130 ist ein Transferroboter 181 zum Transferieren des Zielobjekts 101 angeordnet. In der Roboterkammer 184 ist ein Transferroboter 183 zum Transferieren des Zielobjekts 101 angeordnet. Bei den Grenzen von jedem zwischen zwei der Eingabe-/Ausgabe-Schnittstelle 130, der Ladeschleusenkammer 182, der Roboterkammer 184 und der Prüfkammer 186 sind Absperrschieber 132, 134 und 136 angeordnet. Das Zielobjekt 101 ist beispielsweise eine zum Transferieren (Drucken) eines Musters auf den Wafer verwendete Belichtungsfotomaske. Eine Vielzahl zu prüfender Figurmuster ist auf dieser Fotomaske gebildet. Die Transferroboter 181 und 183 können beliebig sein, solange wie sie mechanische Systeme sind, so wie ein Hebewerkmechanismus und ein Drehmechanismus.
  • 2 zeigt einen Teil einer Ausgestaltung einer Musterprüfvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform. In 2 sind hauptsächlich die Struktur der Prüfkammer 186 und die Struktur des Steuersystemschaltkreises 160 (Steuereinheit) gezeigt. Eine Optisches-Bild-Akquisitionseinheit 150 ist in der Prüfkammer 186 angeordnet.
  • Die Optisches-Bild-Akquisitionseinheit 150 enthält eine Lichtquelle 103, ein optisches Beleuchtungssystem 170, einen beweglich angeordneten XYθ-Tisch 102, ein optisches Vergrößerungssystem 104, eine Fotodiodengruppierung 105 (ein Beispiel eines Sensors), einen Sensorschaltkreis 106, einen Streifenmusterspeicher 123, den durch eine Leuchtvorrichtung 125 und einen optischen Empfänger 124 ausgestalteten Fokussensor 126, und ein Lasermesssystems 122. Das Zielobjekt 101, mit seiner musterbildenden Oberfläche nach unten ausgerichtet, ist auf dem XYθ-Tisch 102 platziert. Der Mittelteil des XYθ-Tisches 102 ist offen, so dass die musterbildende Region des Zielobjekts 101 belichtet werden kann, und der XYθ-Tisch 102 hält das Zielobjekt 101 bei der Außenseite der musterbildenden Region. Darüber hinaus ist eine Kamera 171, die die Kantenposition des Zielobjekts 101 misst, auf dem XYθ-Tisch 102 angeordnet.
  • In dem Steuersystemschaltkreis 160 ist ein Steuercomputer 110 durch einen Bus 120 mit einem Positionsschaltkreis 107, einem Vergleichsschaltkreis 108, einem Entwicklungsschaltkreis 111, einem Referenzschaltkreis 112, einem Selbstlader-Steuerschaltkreis 113, einem Tischsteuerschaltkreis 114, Positionsabweichungskarte-(Pos-Karte) Erzeugungsschaltkreisen 140 und 142, einem Differenz-Pos-Karte-Erzeugungsschaltkreis 144, einem Höhenpositionsverteilung-Messschaltkreis 145, einem Positionsabweichung-Berechnungsschaltkreis 146, einem Parametermessschaltkreis 148, einem Transfersteuerschaltkreis 149, einem Magnetplattenlaufwerk 109, einem Magnetbandlaufwerk 115, einer Disketteneinheit (FD, Flexible Disk) 116, einem CRT 117, einem Mustermonitor 118 und einem Drucker 119 verbunden. Darüber hinaus ist der Sensorschaltkreis 106 mit dem Streifenmusterspeicher 123 verbunden, der mit dem Vergleichsschaltkreis 108 verbunden ist. Der XYθ-Tisch 102 wird durch einen X-Achse-Motor, einen Y-Achse-Motor und einen θ-Achse-Motor angetrieben. Der XYθ-Tisch 102 dient als ein Beispiel des Objekttisches.
  • In der Prüfvorrichtung 100 ist ein optisches Prüfsystem einer großen Vergrößerung zusammengesetzt aus der Lichtquelle 103, dem XYθ-Tisch 102, dem optischen Beleuchtungssystem 170, dem optischen Vergrößerungssystem 104, der Fotodiodengruppierung 105 und dem Sensorschaltkreis 106. Der XYθ-Tisch 102 wird durch den Tischsteuerschaltkreis 114 unter der Steuerung des Steuercomputers 110 angetrieben. Der XYθ-Tisch 102 kann durch ein Antriebssystem bewegt werden, so wie ein Dreiachsen-(X, Y und θ)Motor, das in den Richtungen von x, y und θ antreibt. Beispielsweise kann ein Schrittmotor als jeder dieser X-, Y- und θ-Motoren verwendet werden. Der XYθ-Tisch 102 ist in der Horizontalrichtung und einer Drehrichtung durch die X-, Y- und θ-Achse-Motoren bewegbar. Die Bewegungsposition des XYθ-Tisches 102 wird durch das Lasermesssystem 122 gemessen und an den Positionsschaltkreis 107 geliefert.
  • 1 und 2 zeigen eine zum Beschreiben der ersten Ausführungsform erforderliche Ausgestaltung. Es sollte verstanden werden, dass andere, im Allgemeinen für die Prüfvorrichtung 100 erforderliche Ausgestaltungselemente auch darin enthalten sein können.
  • 3A und 3B sind Konzeptdiagramme, die eine Durchbiegung eines Zielobjekts und eine die Durchbiegung begleitende Positionsabweichung gemäß der ersten Ausführungsform beschreiben. Zur Bequemlichkeit ist in 3A und 3B der Fall gezeigt, wo die Außenseite der musterbildenden Oberfläche des Zielobjekts 101 einfach durch ein Haltebauteil 301 gehalten wird. Wie oben beschrieben, ist die musterbildende Oberfläche in der Aufwärtsrichtung in der Musterschreibvorrichtung, und die musterbildende Oberfläche ist in der Abwärtsrichtung in der Prüfvorrichtung 100. Wenn die musterbildende Oberfläche in der Aufwärtsrichtung ist, tritt eine In-Ebene-Biegung aufgrund der durch ihr Gewicht verursachten Durchbiegung auf, und deshalb wird die musterbildende Oberfläche konkav. Als ein Ergebnis verschiebt sich die Musterposition nach innen. Wenn im Gegensatz dazu die musterbildende Oberfläche in der Abwärtsrichtung ist, wie in 3A und 3B gezeigt, tritt eine Aus-Ebene-Biegung aufgrund der durch ihr eigenes Gewicht verursachten Durchbiegung auf, und deshalb wird die musterbildende Oberfläche konvex. Als ein Ergebnis verschiebt sich die Musterposition nach außen. Da das in 3A gezeigte Zielobjekt 101, dessen Dicke dünn ist, einfacher zu biegen ist als das in 3B gezeigte Zielobjekt 101, dessen Dicke dick ist, wird ferner das Ausmaß der Durchbiegung (Biegung) groß, wodurch ein Fehler Δd zwischen den Ausmaßen einer Positionsabweichung sogar desselben Musters 11 erzeugt wird. Jedoch ändert sich das Ausmaß der Durchbiegung des Zielobjektes 101 nicht nur durch diese Bedingungen, sondern auch durch die Dicke, eine Außendurchmesserdimension, eine Halteposition, physikalische Materialeigenschaften (besonders Poisson-Zahl), Longitudinalelastizitätsmodul (Young'sches Modul) und Dichte) und dergleichen des Zielobjekts 101. Falls der durchgebogene Zustand der musterbildenden Oberfläche des Zielobjekts 101 bekannt ist, kann das Ausmaß einer Horizontalabweichung bei jeder Position auf der musterbildenden Oberfläche berechnet werden.
  • Gemäß der ersten Ausführungsform wird das Ausmaß der Horizontalabweichung bei jeder Position auf der musterbildenden Oberfläche beispielsweise berechnet durch Simulation mit Verwendung eines Finite-Elemente-Verfahrens, mit Verwendung der Dicke, der Außendurchmesserdimension, Halteposition und physikalischen Materialeigenschaften des Zielobjektes 101 als Parameter. Wie in der ersten Ausführungsform beschrieben, ist es darüber hinaus auch vorzuziehen, eine Simulation im Voraus unter der Annahme einer Referenzmaske typischer Dimensionen durchzuführen, und einen zweckgemäßen Ausdruck zu erhalten, der ein Fehlerausmaß von jedem oben beschriebenen Parameter als eine unbekannte Quantität behandelt, oder eine Korrekturtabelle zum Durchführen einer Korrektur mit Verwendung eines Fehlerausmaßes jedes Parameters zu erhalten. Dann soll der zweckgemäße Ausdruck oder Koeffizienten des zweckgemäßen Ausdrucks oder die Korrekturtabelle als Korrekturdaten in die Prüfvorrichtung 100 eingegeben werden. Die Korrekturdaten können in einer Speichervorrichtung, so wie die Magnetplattenvorrichtung 109, gespeichert sein. In der Prüfvorrichtung 100 einer tatsächlichen Maschine wird bezüglich des zu prüfenden Zielobjektes 101 jeder oben erwähnte Parameter akquiriert, um ein Ausmaß der Horizontalabweichung aufgrund der aus einem Eigengewicht resultierenden Durchbiegung bei jeder Position auf der musterbildenden Oberfläche des zu prüfenden Zielobjektes 101 zu berechnen. Da die Poisson-Zahl, der Longitudinalelastizitätsmodul (Young'sches Modul) und dergleichen in den Parameter im Voraus bekannt sind, sollten sie im Voraus eingegeben werden. Dann werden die Dicke, die Außendurchmesserdimension, Halteposition und Dichte des Zielobjektes 101 durch eine Messung akquiriert.
  • Während das Beispiel der Berechnung mit Verwendung der Dicke, der Außendurchmesserdimension, der Halteposition, der Poisson-Zahl, des Longitudinalelastizitätsmoduls (Young'sches Modul) und der Dichte des Zielobjektes 101 als sechs Parameter beschrieben worden sind, ist es nicht darauf beschränkt. Obwohl die Genauigkeit abnimmt, kann eine Berechnung mit weniger als sechs Parametern durchgeführt werden, wobei ein akzeptabler Wert einer Messgenauigkeit berücksichtigt wird. Beispielsweise kann die Berechnung mit Verwendung von wenigstens einem von der Dicke, der Außendurchmesserdimension und der Dichte des Zielobjekts 101 durchgeführt werden. Alternativ kann die Berechnung mit Verwendung von mehr Parametern zusätzlich zu den sechs Parametern durchgeführt werden.
  • 4 ist ein Flussdiagramm, das Hauptschritte eines Prüfverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. In 4 führt das Prüfverfahren gemäß der ersten Ausführungsform eine Reihe von Schritten aus: einen Parametermessschritt (S102), einen Objekttischtransfer-(Liefer-)Schritt (S104), einen Positionsabweichungsausmaß-(1)-Berechnungsschritt (S108), einen Positionsabweichung-(Pos)-Karte-(1)-Erzeugungsschritt (S110), einen Optisches-Bild-Akquisitionsschritt (S120), einen Aufteilungsschritt (S122) in Rahmen, einen Referenzbild-Erzeugungsschritt (S202), einen Positionsabweichungsausmaß-(2)-Messschritt (S310), einen Pos-Karte-(2)-Erzeugungsschritt (S312), einen Differenzkarte-Erzeugungsschritt (S314) und einen Musterdefekt-Prüfschritt (S400). Wie es später beschrieben werden wird, ist es darüber hinaus auch vorzuziehen, einen Höhenverteilungsmessschritt (S106) anstelle des Parametermessschrittes (S102) durchzuführen, zwischen dem Objekttisch-Transferschritt (S104) und dem Positionsabweichungsausmaß-(1)-Berechnungsschritt (S108).
  • Zuerst wird unter der Steuerung des Transfersteuerschaltkreises 149, nachdem der Absperrschieber 132 geöffnet wird, das bei der Eingabe-/Ausgabe-Schnittstelle 130 (auf dem Selbstlader) angeordnete Zielobjekt 101 an den Objekttisch in der Ladeschleusenkammer 182 durch den Transferroboter 181 transferiert. Dann wird, nachdem der Absperrschieber 132 geschlossen wird, der Absperrschieber 134 geöffnet, um das Zielobjekt 101 auf den Objekttisch in der Messkammer 188 durch die Roboterkammer 184 durch den Transferroboter 183 zu transferieren.
  • In dem Parametermessschritt (S102) wird wenigstens einer der Parameter einer Außendurchmesserdimension, Dicke, Halteposition und eines Gewichtes des Zielobjektes 101 (Fotomaske) in der Messkammer 188 gemessen. Gemäß der ersten Ausführungsform werden die Außendurchmesserdimension, die Dicke, die Halteposition und das Gewicht gemessen. Ein Messen der Halteposition kann in der Messkammer 188 durchgeführt werden, aber der Fall eines Durchführens davon in der Prüfkammer 186 wird in der ersten Ausführungsform beschrieben.
  • 5 zeigt ein Beispiel der Innenstruktur einer Messkammer gemäß der ersten Ausführungsform. In 5 ist ein in die Messkammer 188 befördertes Zielobjekt 101 temporär auf einem Objekttisch 51 durch den Transferroboter 183 platziert. Der Objekttisch 51 dient auch als eine Gewichtswaage und misst das Gewicht des darauf platzierten Zielobjekts 101. Gemessene Daten werden an den Parametermessschaltkreis 148 ausgegeben. Die gesamte rückseitige Oberfläche des Zielobjekts 101 berührt den Objekttisch in 5, aber es sollte verstanden werden, dass es einen Annäherungsraum für das Handhabungsbauelement des Transferroboters 183 gibt, das das Zielobjekt 101 auf den Objekttisch platziert, um das Zielobjekt 101 an dem Objekttisch 51 anzubringen oder davon zu entfernen.
  • Positionen der vier Seiten (x-Richtung und y-Richtung) des Zielobjekts 101 werden durch eine Laserinterferenzmessvorrichtung oder eine lineare Skala bzw. Linearskala 53 gemessen. Die gemessenen Daten werden an den Parametermessschaltkreis 148 ausgegeben. Der Parametermessschaltkreis 148 berechnet die Außendurchmesserdimension (horizontale Dimension, x- und y-Richtung-Dimensionen) der Oberfläche des Zielobjektes 101 auf Grundlage der Positionen der vier Seiten (x-Richtung und y-Richtung) des Zielobjekts 101. Die Außendurchmesserdimension des Zielobjekts 101 kann durch die oben beschriebene Ausgestaltung gemessen werden.
  • Mit Verwendung eines Laserversatzmessgerätes 61, das durch einen Projektor 55 und einen optischen Empfänger 57 ausgestaltet ist, kann darüber hinaus die Höhenposition der Oberfläche des Zielobjekts 101 gemessen werden durch Emittieren eines Lasers von dem Projektor 55 auf die Oberfläche des Zielobjekts 101 und Empfangen eines katoptrischen Lichts durch den optischen Empfänger 57. Die gemessenen Daten werden an den Parametermessschaltkreis 148 ausgegeben. Der Parametermessschaltkreis 148 berechnet die Dicke des Zielobjektes 101 durch Berechnen einer Differenz zwischen der Referenzhöhenposition, die bei der Rückseite des Zielobjekts 101 gesetzt ist, und der gemessenen Höhenposition. Die Dicke des Zielobjektes 101 kann durch die oben beschriebene Ausgestaltung gemessen werden.
  • Da die Außendurchmesserdimension der Oberfläche des Zielobjektes 101 und die Dicke und das Gewicht des Zielobjektes 101 erhalten worden sind, kann darüber hinaus der Parametermessschaltkreis 148 die Dichte des Zielobjektes 101 berechnen.
  • Die Anordnungsposition des Zielobjektes 101, das auf den XYθ-Tisch 102 transferiert worden ist, wird durch die Kamera 171 in der später zu erwähnenden Prüfkammer 186 gemessen, aber ist nicht darauf beschränkt. Es ist außerdem vorzuziehen, eine Kamera 59 oberhalb der Kantenposition des Zielobjektes 101 in der Messkammer 188 festzulegen, um die Kantenposition des Zielobjekts 101 durch die Kamera 59 abzubilden. Deshalb kann die Anordnungsposition des Zielobjekts 101 auf dem Objekttisch 51 gemessen werden. Falls die Anordnungsposition des Zielobjektes 101 auf dem Objekttisch 51 in der Messkammer 188 akquiriert werden kann, kann die Anordnungsposition, wenn sie durch den Transferroboter 183 auf den XYθ-Tisch 102 in der Prüfkammer 186 befördert wird, geschätzt werden.
  • Der Objekttisch 51, die Laserinterferenzmessvorrichtung oder die Linearskala 53, das Laserversatzmessgerät 61 und die oben beschriebene Kamera 59 sind Beispiele einer Messeinheit.
  • In dem Objekttischtransferschritt (S104) wird das Zielobjekt 101, für das eine Parametermessung durchgeführt worden ist, an die Roboterkammer 184 von der Messkammer 188 durch den Transferroboter 183 befördert, und nachdem der Absperrschieber 136 geöffnet wird, wird es auf den XYθ-Tisch 102 in der Prüfkammer 186 befördert, unter der Öffnungssteuerung des Transfersteuerschaltkreises 149.
  • Wenn das Zielobjekt 101 auf den XYθ-Tisch 102 befördert wird, bildet die Kamera 171 in der Prüfkammer 186 die Kantenposition des Zielobjekts 101 ab. Die abgebildeten Daten werden an den Parametermessschaltkreis 148 ausgegeben. Der Parametermessschaltkreis 148 misst die Anordnungsposition (x, y, θ) des Zielobjekts 101 auf dem XYθ-Tisch 102 durch eine Berechnung auf Grundlage der abgebildeten Daten. Da die Struktur des XYθ-Tisches 102 im Voraus bekannt ist, falls die Anordnungsposition des Zielobjekts 101 auf dem XYθ-Tisch 102 bekannt ist, kann die Halteposition des Zielobjektes 101 berechnet werden.
  • In dem Positionsabweichungsausmaß-(1)-Berechnungsschritt (S108) misst der Positionsabweichung-Berechnungsschaltkreis 146 ein Positionsabweichungsausmaß (1) (erstes Positionsabweichungsausmaß) in der Horizontalrichtung bei jeder Position auf dem Zielobjekt 101, das die Durchbiegung der Oberfläche des Zielobjekts 101 begleitet, die erzeugt wird durch Halten des Zielobjekts 101 (Fotomaske) mit Verwendung eines Halteverfahrens, das beim Akquirieren eines optischen Bildes verwendet wird. Der Positionsabweichung-Berechnungsschaltkreis 146 berechnet ein Positionsabweichungsausmaß (1) durch Verwenden des gemessenen Parameters. Der Positionsabweichung-Berechnungsschaltkreis 146 ist ein Beispiel einer ersten Messeinheit. In der ersten Ausführungsform, wie oben beschrieben, wird das Ausmaß einer Horizontalabweichung bei jeder Position auf der musterbildenden Oberfläche berechnet, beispielsweise durch Simulation mit Verwendung eines Finite-Elemente-Verfahrens, mit Verwendung der Dicke, der Außendurchmesserdimension, der Halteposition und physikalischer Materialeigenschaften des Zielobjekts 101 als Parameter. Der Positionsabweichung-Berechnungsschaltkreis 146 berechnet ein Ausmaß einer Horizontalabweichung aufgrund einer Durchbiegung, die aus dem Eigengewicht resultiert, bei jeder Position auf der musterbildenden Oberfläche durch Lesen von Korrekturdaten von dem Magnetplattenlaufwerk 109 und Eingeben jedes gemessenen Parameters. Beispielsweise wird ein Fehler (Differenz) berechnet zwischen jedem gemessenen Parameter, der eingegeben worden ist, und einem entsprechenden Parameter in der Referenzmaske typischer Dimensionen, verwendet wenn eine Simulation im Voraus durchgeführt wurde. Dann wird das Ausmaß der Horizontalabweichung aufgrund der Durchbiegung, die aus dem Eigengewicht resultiert, bei jeder Position auf der musterbildenden Oberfläche berechnet durch Eingeben des Fehlers jedes Parameters in die Korrekturdaten. Da die Poisson-Zahl, der Longitudinalelastizitätsmodul (Young'sches Modul) und dergleichen in den Parametern im Voraus bekannt sind, ist es nur erforderlich, sie zuvor einzugeben. Dann werden die Daten der Dicke, Außendurchmesserdimension, Halteposition und Dichte des Zielobjekts 101 eingegeben, um das Ausmaß der Horizontalabweichung zu berechnen.
  • In dem Positionsabweichung-(Pos)Karte-(1)-Erzeugungsschritt (S110), erzeugt der Positionsabweichungskarte-(Pos-Karte)Erzeugungsschaltkreis 140 eine Positionsabweichung-(Pos)Karte (1) (erste Positionsabweichungsausmaß-Karte) bezüglich der Region auf der Oberfläche des Zielobjekts 101 durch Verwenden des Positionsabweichungsausmaßes (1) (erstes Positionsabweichungsausmaß) bei jeder Position auf dem Zielobjekt 101 (Fotomaske). Der Pos-Karte-Erzeugungsschaltkreis 140 ist ein Beispiel einer ersten Kartenerzeugungseinheit.
  • Die Pos-Karte (1) wird erzeugt durch virtuelles Aufteilen der Prüfregion des Zielobjekts 101 in Maschenregionen einer vorbestimmten Größe und Definieren eines Positionsabweichungsausmaßes (1) entsprechend jeder Maschenregion, als einen Maschenwert (oder einen Kartenwert). Die vorbestimmte Größe wird bevorzugt festgelegt, um beispielsweise die Breitengröße des später zu erwähnenden Prüfstreifens zu sein. Sie wird beispielsweise festgelegt, eine Region äquivalent zu 512×512 Pixel zu sein. Obwohl ein Positionsabweichungsausmaß (1) ausreichend ist für eine Maschenregion, falls eine Vielzahl von Positionsabweichungsausmaßen (1) gemessen wird, ist ein Mittelwert oder ein Medianwert dieser zu verwenden.
  • In dem Optisches-Bild-Akquisitionsschritt (S120) akquiriert die Optisches-Bild-Akquisitionseinheit 150 ein optisches Bild des Zielobjekts 101 (Fotomaske), wo eine Vielzahl von Figurmustern gebildet ist.
  • Wie in 2 gezeigt, wird das auf dem Zielobjekt 101 gebildete Muster durch ein Laserlicht (beispielsweise ein DUV-Licht) von der geeigneten Lichtquelle 103, die als ein Prüflicht verwendet wird, und deren Wellenlänge kürzer als oder gleich zu dieser der Ultraviolettregion ist, durch das optische Beleuchtungssystem 170 gestrahlt. Der Strahl, der das Zielobjekt 101 penetriert hat, wird fokussiert, als ein optisches Bild, auf die Fotodiodengruppierung 105 (ein Beispiel eines Sensors) durch das optische Vergrößerungssystem 104, um darin einzutreten. Es ist vorzuziehen, beispielsweise einen TDI-(Zeitvergrößerungsintegrations- bzw. Time Delay Integration) Sensor etc. als die Fotodiodengruppierung 105 zu verwenden.
  • 6 ist ein konzeptuelles Diagramm, das eine Prüfregion gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht. Wie in 6 gezeigt, ist eine Prüfregion 10 (gesamte Prüfregion) des Zielobjekts 101 virtuell in eine Vielzahl streifenförmiger Prüfstreifen 20 aufgeteilt, die beispielsweise jeweils eine Abtastbreite W in der y-Richtung haben. In der Prüfvorrichtung 100 wird ein Bild (Streifenregionbild) für jeden Prüfstreifen 20 akquiriert. Bezüglich jeder der Prüfstreifen 20 wird dann ein Bild eines Figurmusters, das in einer betroffenen Streifenregion angeordnet ist, mit Verwendung eines Laserlichts erfasst, in der Längsrichtung (die x-Richtung) der betroffenen Streifenregion. Optische Bilder werden durch die Fotodiodengruppierung 105 akquiriert, die sich relativ in der x-Richtung kontinuierlich durch die Bewegung des XYθ-Tisches 102 bewegt. Und zwar erfasst die Fotodiodengruppierung 105 kontinuierlich optische Bilder, die jeweils eine Abtastbreite W haben, wie in 6 gezeigt. Die Fotodiodengruppierung 105, die ein Beispiel eines Sensors ist, erfasst mit anderen Worten optische Bilder von Mustern, die auf dem Zielobjekt 101 gebildet sind, durch Verwenden eines Prüflichts, während einer relativen Bewegung zu dem XYθ-Tisch 102 (Objekttisch). Gemäß der ersten Ausführungsform bewegt sich nach einem Erfassen eines optischen Bildes in einem Prüfstreifen 20 die Fotodiodengruppierung 105 in der y-Richtung zu der Position des nächsten Prüfstreifens 20 und erfasst ähnlich ein anderes optisches Bild mit der Abtastbreite W kontinuierlich während eines Bewegens in der Richtung umgekehrt zu der jüngsten Bilderfassungsrichtung. Dadurch wird das Bilderfassen in der Vorwärts-(FWD) zu Rückwärts-(BWD) Richtung wiederholt, nämlich in der Rückwärtsrichtung ablaufend, beim Voranschreiten und Zurückkehren.
  • Die Richtung der Bilderfassung ist nicht auf das Wiederholen der Vorwärts-(FWD) und Rückwärts-(BWD) Bewegung beschränkt. Es ist auch akzeptabel, ein Bild von einer festen einen Richtung zu erfassen. Beispielsweise kann ein Wiederholen von FWD und FWD ausreichend sein, oder alternativ kann ein BWD und BWD auch ausreichend sein.
  • Ein auf die Fotodiodengruppierung 105 fokussiertes Musterbild wird fotoelektrisch durch jedes Lichtempfangselement der Fotodiodengruppierung 105 umgewandelt und wird weiter durch den Sensorschaltkreis 106 analog-zu-digital (A/D) umgewandelt. Dann werden Pixeldaten für jeden Prüfstreifen 20 in dem Streifenmusterspeicher 123 gespeichert. Beim Erfassen eines Bildes von Pixeldaten (Streifenregionbild) wird ein Dynamikbereich, dessen maximale Grauwertstufe der Fall von 100% einer einfallenden Beleuchtungslichtquantität ist, beispielsweise als der Dynamikbereich der Fotodiodengruppierung 105 verwendet. Dann wird das Streifenregionbild an den Vergleichsschaltkreis 108 mit Daten gesendet, die die Position der Fotomaske 101 auf dem XYθ-Tisch 102 angeben, ausgegeben vom dem Positionsschaltkreis 107. Messdaten (Pixeldaten) sind beispielsweise vorzeichenlose 8-Bit-Daten und geben eine Grauwertstufe (Lichtintensität) einer Helligkeit jedes Pixels an.
  • 7 zeigt eine interne Ausgestaltung des Vergleichsschaltkreises gemäß der ersten Ausführungsform. In 7 sind in dem Vergleichsschaltkreis 108 Speicher 50, 52, 60 und 66, eine Aufteilungseinheit 58 in Rahmen, eine Positionsanpassungseinheit 62 und eine Vergleichseinheit 64 angeordnet. Funktionen, so wie die Aufteilungseinheit 58 in Rahmen, die Positionsanpassungseinheit 62 und die Vergleichseinheit 64, können durch Software ausgestaltet sein, so wie ein Programm, das einen Computer zum Implementieren dieser Funktionen veranlasst, oder durch eine Hardware, so wie ein elektronischer Schaltkreis. Alternativ können sie durch eine Kombination von Hardware und Software ausgestaltet sein. In dem Vergleichsschaltkreis 108 erforderliche Eingangsdaten oder ein berechnetes Ergebnis werden jedes Mal in einem Speicher (nicht gezeigt) gespeichert. Das in den Vergleichsschaltkreis 108 ausgegebene Streifenregionbild wird in dem Speicher 52 gespeichert.
  • In dem Aufteilungsschritt (S122) in Rahmen teilt für jeden Prüfstreifen 20 die Aufteilungseinheit 58 in Rahmen, in der x-Richtung, ein Streifenregionbild (ein optisches Bild) in eine Vielzahl von Rahmenbildern (optische Bilder) durch eine vorbestimmte Größe (beispielsweise durch dieselbe Breite wie die Abtastbreite W) auf. Beispielsweise wird es in Rahmenregionen aufgeteilt, die jeweils 512×512 Pixel haben. Das Streifenregionbild jedes Prüfstreifens 20 wird mit anderen Worten in eine Vielzahl von Rahmenbildern (optische Bilder) aufgeteilt durch die Breite, die dieselbe ist wie die des Prüfstreifens 20, beispielsweise durch die Abtastbreite W.
  • 8 zeigt ein Beispiel eines Prüfstreifens und einer Rahmenregion einer Fotomaske gemäß der ersten Ausführungsform. Wie oben beschrieben, wird ein Streifenregionbild (ein optisches Bild) für jeden von einer Vielzahl von Prüfstreifen 20 (Streifenregionen) akquiriert, die erhalten werden durch virtuelles Aufteilen der Prüfregion 10 der Fotomaske, die das Zielobjekt 101 ist, in eine Vielzahl streifenförmiger Streifen. Ein Streifenregionbild wird in der x-Richtung in eine Vielzahl von Rahmenbildern durch die Breite aufgeteilt, die dieselbe ist wie des Prüfstreifens 20, beispielsweise eine Abtastbreite W. Somit wird die Prüfregion 10 virtuell in eine Vielzahl von Rahmenregionen 30 aufgeteilt, die jeweils die Rahmenbildgröße sind. Die Prüfregion 10 der Fotomaske wird mit anderen Worten virtuell in eine Vielzahl streifenförmiger Prüfstreifen 20 durch die Größe einer Seite (Größe in der y-Richtung) der Rahmenregion 30 aufgeteilt, und jeder der Prüfstreifen 20 wird virtuell in eine Vielzahl von Rahmenregionen 30 durch die Größe der anderen Seite (Größe in der x-Richtung) der Rahmenregion 30 aufgeteilt. Durch die oben beschriebene Verarbeitung wird eine Vielzahl von Rahmenbildern (optische Bilder) entsprechend einer Vielzahl von Rahmenregionen 30 akquiriert. Eine Vielzahl von Rahmenbildern wird in dem Speicher 60 gespeichert.
  • In dem Referenzbild-Erzeugungsschritt (S202) wird ein Referenzbild auf Grundlage von Designdaten entsprechend jedem oben erwähnten Rahmenbild erzeugt. Zuerst liest der Entwicklungsschaltkreis 111 Designdaten von dem Magnetplattenlaufwerk 109 durch den Steuercomputer 110. Jedes Figurmuster in jeder Rahmenregion, definiert in den Designdaten, die gelesen worden sind, wird in Bilddaten von Binärwerten oder Mehrfachwerten umgewandelt, und die Bilddaten werden an den Referenzschaltkreis 112 übertragen.
  • In den Designdaten definierte Figuren sind beispielsweise Rechtecke oder Dreiecke als Grundfiguren. Beispielsweise sind Figurdaten, die die Größe, Form, Position und dergleichen jeder Musterfigur definieren, als eine Information gespeichert, so wie Koordinaten (x, y) bei einer Referenzposition einer Figur, die Länge einer Seite, wobei der Figurcode ein Identifizierer zum Identifizieren eines Figurtyps ist, so wie ein Rechteck oder ein Dreieck.
  • Wenn eine Information über das als Figurdaten verwendete Referenzdesignmuster an den Entwicklungsschaltkreis 111 eingegeben wird, werden die Daten in Daten jeder Figur entwickelt. Dann werden ein Figurcode, Figurdimensionen und dergleichen, die die Figurform der Figurdaten angeben, interpretiert. Dann werden Referenzdesignbilddaten von Binärwerten oder Mehrfachwerten entwickelt und als ein Muster ausgegeben, das in einem Raster angeordnet ist, das eine Einheit eines vorbestimmten Quantisierungsgrößenrasters ist. Es werden mit anderen Worten Referenzdesigndaten geladen, und es wird ein Belegungsgrad einer Figur in einem Referenzdesignmuster berechnet für jedes Raster, das erhalten worden ist durch virtuelles Aufteilen einer Prüfregion in Raster vorbestimmter Dimensionen. Dann werden Belegungsgraddaten von n Bits ausgegeben. Beispielsweise ist es vorzuziehen, dass ein Raster als ein Pixel festgelegt ist. Wenn eine Auflösung von 1/28 (= 1/256) einem Pixel gegeben wird, wird eine kleine Region von 1/256 an die Region einer Figur zugeteilt, die in einem Pixel angeordnet ist, um einen Belegungsgrad in dem Pixel zu berechnen. Dann wird er als Belegungsgraddaten von 8 Bits an den Referenzschaltkreis 112 ausgegeben.
  • Als Nächstes führt der Referenzschaltkreis 112 eine zweckgemäße Filterverarbeitung auf Designbilddaten durch, die die gesendeten Bilddaten einer Figur sind.
  • 9 zeigt eine Filterverarbeitung gemäß der ersten Ausführungsform. Da Messdaten als ein von dem Sensorschaltkreis 106 erhaltenes optisches Bild in einem Zustand sind, wo ein Filter aktiviert wird durch eine Auflösungscharakteristik des optischen Vergrößerungssystems 104, einen Blendeneffekt der Fotodiodengruppierung 105 oder dergleichen, mit anderen Worten in einem Analogzustand, wo Daten sich kontinuierlich ändern, ist es möglich, mit Messdaten übereinzustimmen, indem auch eine Filterverarbeitung auf Designentwurfsdaten durchgeführt wird, die designseitige Bilddaten sind, deren Bildintensität (Grauwert) ein digitaler Wert ist. Auf diese Weise wird ein mit einem Rahmenbild (optisches Bild) zu vergleichendes Designbild (Referenzbild) erzeugt. Das erzeugte Referenzbild wird an den Vergleichsschaltkreis 108 ausgegeben, um in dem Speicher 50 gespeichert zu werden.
  • Wie oben beschrieben, wird eine Vielzahl von Referenzbildern einer Vielzahl von Figurmustern entsprechend einer Vielzahl von Rahmenregionen 30 erzeugt, deren Positionen voneinander unterschiedlich sind. Obwohl der Fall, in dem eine Formdefektprüfung eines Musters durchgeführt wird, hier gezeigt ist, kann der in 9 gezeigte Filterungsprozess weggelassen werden, falls es nur beabsichtigt wird, eine Positionsabweichungskarte zu erzeugen.
  • In dem Positionsabweichungsausmaß-(2)-Messschritt (S310) misst die Positionsanpassungseinheit 62 ein Positionsabweichungsausmaß (2) (zweites Positionsabweichungsausmaß) einer Vielzahl von Figurmustern mit Verwendung eines optischen Bildes. Die Positionsanpassungseinheit 62 ist ein Beispiel einer zweiten Messeinheit. Genauer genommen arbeitet sie wie folgt: Die Positionsanpassungseinheit 62 führt eine Positionsanpassung zwischen jedem Rahmenbild in einer Vielzahl von Rahmenbildern und einem entsprechenden Referenzbild in einer Vielzahl von Referenzbildern durch und berechnet ein Positionsabweichungsausmaß (2) (zweites Positionsabweichungsausmaß) zwischen einem betroffenen Rahmenbild und einem entsprechenden Referenzbild, für jedes Rahmenbild (Rahmenregion). Die Positionsanpassung wird während eines Bewegens der gesamten Rahmenregion durchgeführt. Beispielsweise ist es vorzuziehen, eine Positionsanpassung pro Subpixel durchzuführen, mit Verwendung eines Verfahrens der kleinsten Quadrate etc.. Dadurch kann ein Positionsabweichungsfehler in dem Fall eines Erzeugens des Zielobjekts 101 (Fotomaske) aus Designdaten erhalten werden. Das berechnete Positionsabweichungsausmaß (2) (zweites Positionsabweichungsausmaß) für jede Rahmenregion wird in dem Speicher 66 gespeichert.
  • 10A und 10B zeigen Beispiele von Positionsabweichungsausmaßen gemäß der ersten Ausführungsform. 10A zeigt ein Beispiel eines Positionsabweichungsausmaßes ΔPos, das beispielsweise erzeugt worden ist beim Durchführen einer Positionsanpassung in der x-Richtung zwischen einem Muster 12 in einem Rahmenbild, das aus dem Zielobjekt 101 erhalten worden ist, das als eine tatsächliche Maske dient, und einem Muster 14 in einem Referenzbild. 10B zeigt ein Beispiel eines Positionsabweichungsausmaßes ΔPos, das beispielsweise erzeugt worden ist beim Durchführen einer Positionsanpassung in der y-Richtung zwischen dem Muster 12 in einem Rahmenbild, das aus dem Zielobjekt 101 erhalten worden ist, das als eine tatsächliche Maske dient, und einem Muster 15 in einem Referenzbild. Obwohl nur eine Figur in jedem der Beispiele von 10A und 10B gezeigt ist, wird eine Positionsanpassung einheitlich mit einer Bewegung der gesamten Rahmenregion durchgeführt, mit Verwendung eines Rahmenbildes, das von dem Zielobjekt 101 erhalten worden ist, das eine tatsächliche Maske ist, und einem Referenzbild. Es ist beispielsweise vorzuziehen, dass die Positionsanpassung pro Subpixel durchgeführt wird, mit Verwendung eines Verfahrens der kleinsten Quadrate. Dadurch kann ein einem Positionsverschiebungsausmaß entsprechendes Positionsabweichungsausmaß erhalten werden.
  • In dem Pos-Karte-(2)-Erzeugungsschritt (S312) erzeugt der Pos-Karte-Erzeugungsschaltkreis 142 eine Positionsabweichung-(Pos)Karte (2) (zweite Positionsabweichungsausmaß-Karte) bezüglich der Region auf der Oberfläche des Zielobjekts 101, mit Verwendung eines Positionsabweichungsausmaßes (2) (zweites Positionsabweichungsausmaß) einer Vielzahl von Figurmustern. Der Pos-Karte-Erzeugungsschaltkreis 142 ist ein Beispiel einer zweiten Kartenerzeugungseinheit.
  • Die Pos-Karte (2) wird erzeugt durch Definieren des Positionsabweichungsausmaßes (2) entsprechend jeder Rahmenregion, als ein Maschenwert (oder ein Kartenwert). Beispielsweise wird sie für die Region äquivalent zu 512×512 Pixel gesetzt. Ein Positionsabweichungsausmaß (2) wird in einer Maschenregion gemessen.
  • Durch die oben beschriebene Verarbeitung können die Pos-Karte (1) in der Horizontalrichtung aufgrund der Durchbiegung, die aus dem Eigengewicht durch das Obige resultiert, und die Pos-Karte (2) in der Horizontalrichtung, die von einem optischen Bild (Rahmenbild) des tatsächlichen Zielobjekts 101 erhalten worden ist, erzeugt werden. Die Pos-Karte (2) enthält zusätzlich zu einem Horizontalabweichungsausmaß, das erzeugt worden ist, wenn ein Muster geschrieben wird, ein Horizontalabweichungsausmaß, das aus der Durchbiegung durch das Eigengewicht resultiert. Gemäß der ersten Ausführungsform wird deshalb das Horizontalabweichungsausmaß, das erzeugt worden ist, wenn ein Muster geschrieben wird, berechnet durch Ausschließen des Horizontalabweichungsausmaßes, das aus der Durchbiegung durch das Eigengewicht resultiert.
  • In dem Differenzkarte-Erzeugungsschritt (S314) erzeugt der Differenz-Pos-Karte-Erzeugungsschaltkreis 144 eine Differenzkarte, in der ein Kartenwert ein Differenzwert ist, der erhalten worden ist durch Subtrahieren eines Positionsabweichungsausmaßes (1) (erstes Positionsabweichungsausmaß) von dem Positionsabweichungsausmaß (2) (zweites Positionsabweichungsausmaß), bezüglich einer Region auf der Oberfläche des Zielobjekts 101 (Fotomaske). Der Differenz-Pos-Karte-Erzeugungsschaltkreis 144 ist ein Beispiel einer Differenzkarte-Erzeugungseinheit.
  • 11 zeigt ein Beispiel einer Differenzkarte gemäß der ersten Ausführungsform. Wie in 11 gezeigt, wird die Differenzkarte erzeugt, in der ein Maschenwert definiert ist für jede Rahmenregion 30 in der Prüfregion 10 des Zielobjekts 101. Die Differenzkarte wird mit anderen Worten erzeugt durch Definieren eines Differenzwertes für jede von einer Vielzahl von Maschenregionen, die erhalten worden sind durch virtuelles Aufteilen der Prüfregion 10 des Zielobjekts 101 durch die Größe der Rahmenregion 30 in Maschen. Da die Pos-Karte (1) und die Pos-Karte (2) beide durch dieselbe Maschengröße definiert sind, wird eine Differenzkarte erzeugt mittels Subtraktion zwischen der Pos-Karte (2) und der Pos-Karte (1). Die erzeugte Positionsabweichungsdifferenz-Karte wird beispielsweise an das Magnetplattenlaufwerk 109, Magnetbandlaufwerk 115, FD 116, CRT 117, Mustermonitor 118 oder Drucker 119 ausgegeben. Alternativ kann sie außen ausgegeben werden.
  • Wie oben beschrieben, ist es gemäß der ersten Ausführungsform möglich, eine Positionsabweichung aufgrund einer Durchbiegung der Maske beim Durchführen einer Positionsabweichungsmessung durch die Prüfvorrichtung 100 durchzuführen. Deshalb wird es möglich, die ursprüngliche Positionsabweichung des Musters selbst zu evaluieren.
  • In dem Musterdefektprüfschritt (S400) vergleicht die Vergleichseinheit 64 für jedes Pixel ein Rahmenbild und ein Referenzbild, für die eine Positionsanpassung durchgeführt worden ist, in Übereinstimmung mit einem vorbestimmten Algorithmus, um die Existenz oder Nichtexistenz eines Defekts zu ermitteln bzw. bestimmen. Ein Bestimmungsergebnis wird beispielsweise an das Magnetplattenlaufwerk 109, Magnetbandlaufwerk 115, FD 116, CRT 117, Mustermonitor 118 oder Drucker 119 ausgegeben. Alternativ kann es außen ausgegeben werden.
  • Nachdem das Zielobjekt 101 geprüft worden ist, wird der Absperrschieber 136 geöffnet, um das Zielobjekt 101 von der Prüfkammer 186 an die Roboterkammer 184 durch den Transferroboter 183 zu transferieren, und nachdem der Absperrschieber 136 geschlossen wird, wird der Absperrschieber 134 geöffnet, um das Zielobjekt 101 von der Roboterkammer 184 an die Ladeschleusenkammer 182 zu transferieren. Dann, nachdem der Absperrschieber 134 geschlossen wird, wird der Absperrschieber 132 geöffnet, um das Zielobjekt 101 von der Ladeschleusenkammer 182 an die Eingabe-/Ausgabe-Schnittstelle 130 durch den Transferroboter 181 zu transferieren.
  • In den oben beschriebenen Beispielen wird jeder Parameter gemessen, bevor das Zielobjekt 101 an die Prüfkammer 186 befördert wird, aber es ist nicht darauf beschränkt. Jeder Parameter kann in der Messkammer 188 gemessen werden, nachdem die Defektprüfung vollendet worden ist, und das Zielobjekt 101 aus der Prüfkammer 186 heraustransferiert worden ist. Obwohl in diesem Fall die Reihenfolge einer Abfolge von Schritten von dem Parametermessschritt (S102) bis zu dem Pos-Karte-(1)-Erzeugungsschritt (S110) und eine Abfolge von Schritten von dem Optisches-Bild-Akquisitionsschritt (S120) bis zu dem Pos-Karte-(2)-Erzeugungsschritt (S312) umgekehrt wird, tritt kein Problem auf.
  • Zweite Ausführungsform
  • In der ersten Ausführungsform wird ein Abweichungsausmaß (1) in der Horizontalrichtung berechnet durch Messen jedes Parameters in der Messkammer 188 und Eingeben jedes Parameterwertes in Korrekturdaten, ohne darauf beschränkt zu sein. In der zweiten Ausführungsform wird eine Konfiguration beschrieben werden, wo das Ausmaß einer Durchbiegung, die aus dem Eigengewicht resultiert, direkt durch ein Messen der Höhenposition der musterbildenden Oberfläche des Zielobjekts 101 gemessen wird.
  • Die Ausgestaltung der Prüfvorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform ist dieselbe wie die von 1 und 2. Das Prüfverfahren ist dasselbe wie das in 4 gezeigte mit der Ausnahme davon, dass anstelle des Parametermessschrittes (S102) der mit den Klammern gezeigte Höhenverteilungsmessschritt (S106) hinzugefügt ist zwischen dem Objekttischtransferschritt (S104) und dem Positionsabweichungsausmaß-(1)-Berechnungsschritt (S108). Gemäß der zweiten Ausführungsform können, da jeder in der ersten Ausführungsform beschriebene Parameter nicht gemessen wird, die in 1 gezeigte Messkammer 188 und die in 2 gezeigte Kamera 171 weggelassen werden. Die Inhalte des Objekttischtransferschrittes (S104) sind dieselben wie die der ersten Ausführungsform.
  • In dem Höhenverteilungsmessschritt (S106) misst der Höhenpositionsverteilungs-Messschaltkreis 145 (ein Beispiel der ersten Messeinheit) das Ausmaß einer Durchbiegung in dem Zustand, wo das Zielobjekt 101 auf den XYθ-Tisch 102 (Objekttisch) gelegt wird und durch den XYθ-Tisch 102 gehalten wird, und berechnet ein Positionsabweichungsausmaß (1) (erstes Positionsabweichungsausmaß) mit Verwendung des Ausmaßes der Durchbiegung.
  • 12 ist ein konzeptuelles Diagramm, das ein Messverfahren einer Höhenverteilung gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt. Während eines Bewegens des XYθ-Tisches 102 (Objekttisch) in der Horizontalrichtung in dem Zustand, wo das Zielobjekt 101 (Fotomaske) durch den XYθ-Tisch 102 gehalten wird, werden genauer genommen Fokallagen bei einer Vielzahl von Positionen auf der Oberfläche des Zielobjekts 101 durch den Fokussensor 126 gemessen. Der Fokussensor 126 misst eine Höhenposition mittels Emittieren eines Lichtes von der Leuchtvorrichtung 125 an jede Position auf der Oberfläche des Zielobjekts 101 und Empfangen eines katoptrischen Lichtes durch den optischen Empfänger 124. Die gemessenen Höhenpositionsdaten bei jeder Position werden an den Höhenpositionsverteilungs-Messschaltkreis 145 ausgegeben. In dem Höhenpositionsverteilungs-Messschaltkreis 145 wird eine Höhenverteilung der Oberfläche des Zielobjekts 101 aus der Höhenpositionsinformation über jede Position berechnet, und das Ausmaß der Durchbiegung wird aus der Höhenverteilung berechnet. Gemäß der zweiten Ausführungsform kann, da die musterbildende Oberfläche nach unten zeigt, das Ausmaß der Durchbiegung berechnet werden durch Bestrahlen der musterbildenden Oberfläche mit einem Laser von der unteren Seite und Messen einer Höhenposition mit Verwendung des katoptrischen Lichtes.
  • Alternativ ist es auch vorzuziehen, eine Höhenverteilung durch Anordnen eines in 1 gezeigten Fizeau-Interferometers 128 in der Prüfkammer 186 zu messen. In diesem Fall wird der XYθ-Tisch 102 zu der Position bewegt, wo die Oberfläche des Zielobjekts 101 mit dem Fizeau-Interferometer 128 überlappt. Dann wird die Höhenpositionsverteilung der Oberfläche des Zielobjekts 101 durch das Fizeau-Interferometer 128 in dem Zustand gemessen, wo das Zielobjekt 101 (Fotomaske) durch den XYθ-Tisch 102 gehalten wird, und der XYθ-Tisch 102 nicht bewegt wird. Die Messergebnisdaten durch das Fizeau-Interferometer 128 werden an den Höhenpositionsverteilungs-Messschaltkreis 145 ausgegeben. In dem Höhenpositionsverteilungs-Messschaltkreis 145 wird das Ausmaß der Durchbiegung der Oberfläche des Zielobjekts 101 aus der durch das Fizeau-Interferometer 128 erhaltenen Höhenverteilung berechnet.
  • In dem Positionsabweichungsausmaß-(1)-Berechnungsschritt (S108) berechnet (misst), durch Verwenden einer Höhenverteilung der musterbildenden Oberfläche, der Positionsabweichung-Berechnungsschaltkreis 146 mit Verwendung einer vorbestimmten Gleichung ein Positionsabweichungsausmaß (1) (erstes Positionsabweichungsausmaß) in der Horizontalrichtung bei jeder Position auf dem Zielobjekt 101, das eine Durchbiegung der Oberfläche des Zielobjekts 101 begleitet, die aus dem Halten des Zielobjekts 101 (Fotomaske) durch den XYθ-Tisch 102 resultiert.
  • Wie oben beschrieben, ist es auch vorzuziehen, direkt die Höhenposition der musterbildenden Oberfläche des Zielobjektes 101 zu messen, das Ausmaß der Durchbiegung, die aus dem eigenen Gewicht resultiert, zu berechnen, und ein Positionsabweichungsausmaß (1) (erstes Positionsabweichungsausmaß) in der Horizontalrichtung bei jeder Position auf dem Zielobjekt 101 zu erhalten, das die Durchbiegung begleitet. Die Inhalte von jedem Schritt nach dem Pos-Karte-(1)-Erzeugungsschritt (S110) sind dieselben wie diese in der ersten Ausführungsform.
  • In der obigen Beschreibung kann das, was als "Schaltkreis" oder "Schritt" beschrieben wird, durch Hardware, so wie ein elektronischer Schaltkreis, oder durch Software, so wie Programme, die auf dem Computer betriebsfähig sind, ausgestaltet sein. Alternativ können sie durch eine Kombination von Hardware und Software oder eine Kombination mit einer Firmware implementiert sein. Wenn durch Programme ausgestaltet, können die Programme in einem Aufzeichnungsmedium gespeichert sein, so wie ein Magnetplattenlaufwerk, Magnetbandlaufwerk, FD oder ROM (Read Only Memory). Beispielsweise können Funktionen, so wie der Tischsteuerschaltkreis 114, der Entwicklungsschaltkreis 111, der Referenzschaltkreis 112, der Vergleichsschaltkreis 108, die Positionsabweichungskarte-(Pos-Karte) Erzeugungsschaltkreise 140 und 142, der Differenz-Pos-Karte-Erzeugungsschaltkreis 144, der Höhenverteilung-Messschaltkreis 145, der Positionsabweichung-Berechnungsschaltkreis 146 und der Parametermessschaltkreis 148, die die Berechnungssteuereinheit ausgestalten, durch elektrische Schaltkreise ausgestaltet sein. Alternativ können sie als durch den Steuercomputer 110 zu verarbeitende Software implementiert sein oder durch eine Kombination elektrischer Schaltkreise und Software implementiert sein.
  • Ausführungsformen sind mit Verweis auf spezifische Beispiele oben beschrieben worden. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt. Beispielsweise wird das optische Transmissionsbeleuchtungssystem, das ein transmittiertes Licht verwendet, als das optische Beleuchtungssystem 170 in den Ausführungsformen beschrieben, aber es ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann es ein optisches Reflexionsbeleuchtungssystem sein, das ein reflektiertes Licht verwendet. Alternativ ist es auch vorzuziehen, gleichzeitig ein transmittiertes Licht und ein reflektiertes Licht mittels Kombinieren des optischen Transmissionsbeleuchtungssystems und des optischen Reflexionsbeleuchtungssystems zu verwenden.
  • Während die Vorrichtungsausgestaltung, das Steuerverfahren und dergleichen, die nicht direkt erforderlich sind zum Erläutern der vorliegenden Erfindung, nicht beschrieben werden, können einige oder alle von diesen geeignet ausgewählt und verwendet werden, wenn benötigt. Obwohl die Beschreibung der Ausgestaltung einer Steuereinheit zum Steuern der Prüfvorrichtung 100 weggelassen wird, sollte es beispielsweise verstanden werden, dass manches oder alles der Ausgestaltung der Steuereinheit zweckgemäß ausgewählt und verwendet werden soll, wenn erforderlich.
  • Außerdem sind irgendeine andere Musterprüfvorrichtung, Musterprüfverfahren und Prüfempfindlichkeitsevaluierungsverfahren, die Elemente der vorliegenden Erfindung enthalten, und die zweckgemäß durch den Fachmann in dem Fachgebiet modifiziert werden können, in dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung enthalten.
  • Zusätzliche Vorteile und Modifizierungen werden dem Fachmann leichtfertig einfallen. Deshalb ist die Erfindung in ihren breiteren Aspekten nicht auf die spezifischen Details und repräsentativen Ausführungsformen beschränkt, die hier gezeigt und beschrieben worden sind. Demgemäß können vielfältige Modifizierungen gemacht werden, ohne von dem Schutzbereich des allgemeinen erfinderischen Konzepts abzuweichen, wie es durch die beigefügten Ansprüche und ihre Äquivalente definiert ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2014-016203 [0001]
    • JP 3824542 [0010]

Claims (11)

  1. Prüfvorrichtung (100) mit: einer Optisches-Bild-Akquisitionseinheit (150), die ausgestaltet ist zum Akquirieren eines optischen Bildes einer Fotomaske, auf der eine Vielzahl von Figurmustern gebildet ist; einer ersten Messeinheit (146), die ausgestaltet ist zum Messen eines ersten Positionsabweichungsausmaßes in einer Horizontalrichtung bei jeder Position auf der Fotomaske, das eine Durchbiegung einer Oberfläche der Fotomaske begleitet, die durch ein Halten der Fotomaske mit Verwendung eines Halteverfahrens erzeugt worden ist, das zum Akquirieren des optischen Bildes verwendet wird; einer zweiten Messeinheit (62), die ausgestaltet ist zum Messen eines zweiten Positionsabweichungsausmaßes von jedem der Vielzahl von Figurmustern, durch Verwenden des optischen Bildes; und einer Differenzkarte-Erzeugungseinheit (144), die ausgestaltet ist zum Erzeugen einer Differenzkarte, in der ein Differenzwert, der erhalten worden ist mittels Subtrahieren des ersten Positionsabweichungsausmaßes von dem zweiten Positionsabweichungsausmaß, als ein Kartenwert verwendet wird, bezüglich einer Region auf der Oberfläche der Fotomaske.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1 mit ferner: einer Messeinheit (59), die ausgestaltet ist zum Messen von wenigstens einem von Parametern einer Außendurchmesserdimension, einer Dicke und eines Gewichtes der Fotomaske; einer ersten Kartenerzeugungseinheit (140), die ausgestaltet ist zum Erzeugen einer ersten Positionsabweichungsausmaß-Karte, bezüglich der Region auf der Oberfläche der Fotomaske, mit Verwendung des ersten Positionsabweichungsausmaßes bei jeder Position auf der Fotomaske; und einer zweiten Kartenerzeugungseinheit (142), die ausgestaltet ist zum Erzeugen einer zweiten Positionsabweichungsausmaß-Karte, bezüglich der Region auf der Oberfläche der Fotomaske, mit Verwendung des zweiten Positionsabweichungsausmaßes von jedem der Vielzahl von Figurmustern, wobei die erste Messeinheit das erste Positionsabweichungsausmaß durch Verwenden eines gemessenen Parameters berechnet, und die Differenzkarte-Erzeugungseinheit die Differenzkarte durch Subtraktion zwischen der zweiten Positionsabweichungsausmaß-Karte und der ersten Positionsabweichungsausmaß-Karte erzeugt.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Optisches-Bild-Akquisitionseinheit einen Objekttisch zum Halten der Fotomaske hat, und die erste Messeinheit ein Durchbiegungsausmaß in einem Zustand misst, wo die Fotomaske durch den Objekttisch gehalten wird, und das erste Positionsabweichungsausmaß durch Verwenden des Durchbiegungsausmaßes berechnet.
  4. Vorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei die erste Messeinheit einen Fokussensor hat, der Fokuslagen bei einer Vielzahl von Positionen auf der Oberfläche der Fotomaske misst während eines Bewegens des Objekttisches in der Horizontalrichtung in dem Zustand, wo die Fotomaske durch den Objekttisch gehalten wird.
  5. Vorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei die erste Messeinheit ein Fizeau-Interferometer hat, das eine Höhenpositionsverteilung der Oberfläche der Fotomaske in dem Zustand misst, wo die Fotomaske durch den Objekttisch gehalten wird, und der Objekttisch nicht bewegt wird.
  6. Vorrichtung gemäß Anspruch 1 mit ferner: einer Messkammer (188), die ausgestaltet ist zum temporären Anordnen der Fotomaske darin, wobei wenigstens einer von Parametern einer Außendurchmesserdimension, einer Dicke und eines Gewichtes der Fotomaske in der Messkammer gemessen wird.
  7. Vorrichtung gemäß Anspruch 6, wobei das erste Positionsabweichungsausmaß berechnet wird mittels Simulation durch ein Finite-Elemente-Verfahren, mit Verwendung des wenigstens einen der Parameter.
  8. Vorrichtung gemäß Anspruch 1 mit ferner: einer Aufteilungseinheit (58) in Rahmen, ausgestaltet zum Aufteilen des optischen Bildes in eine Vielzahl von Rahmenbildern, wobei das zweite Positionsabweichungsausmaß mit Verwendung der Vielzahl von Rahmenbildern gemessen wird.
  9. Vorrichtung gemäß Anspruch 8, wobei die zweite Messeinheit das zweite Positionsabweichungsausmaß zwischen einem in der Vielzahl von Rahmenbildern betroffenen Rahmenbild und einem entsprechenden Referenzbild in einer Vielzahl von Referenzbildern berechnet, für jedes der Vielzahl von Rahmenbildern, durch Durchführen einer Positionsanpassung zwischen dem jeweiligen der Vielzahl von Rahmenbildern und dem entsprechenden Referenzbild in der Vielzahl von Referenzbildern.
  10. Prüfverfahren mit: Akquirieren eines optischen Bildes einer Fotomaske, auf der eine Vielzahl von Figurmustern gebildet ist; Messen eines ersten Positionsabweichungsausmaßes in einer Horizontalrichtung bei jeder Position auf der Fotomaske, das eine Durchbiegung einer Oberfläche der Fotomaske begleitet, die erzeugt worden ist durch ein Halten der Fotomaske mit Verwendung eines Halteverfahrens, das zum Akquirieren des optischen Bildes verwendet wird; Messen eines zweiten Positionsabweichungsausmaßes von jedem der Vielzahl von Figurmustern, durch Verwenden des optischen Bildes; und Erzeugen einer Differenzkarte, in der ein Differenzwert, der erhalten worden ist durch Subtrahieren des ersten Positionsabweichungsausmaßes von dem zweiten Positionsabweichungsausmaß, als ein Kartenwert verwendet wird, bezüglich einer Region auf der Oberfläche der Fotomaske.
  11. Prüfvorrichtung (100) mit: einer Optisches-Bild-Akquisitionseinrichtung (150) zum Akquirieren eines optischen Bildes einer Fotomaske, auf der eine Vielzahl von Figurmustern gebildet ist; einer ersten Messeinrichtung (146) zum Messen eines ersten Positionsabweichungsausmaßes in einer Horizontalrichtung bei jeder Position auf der Fotomaske, das eine Durchbiegung einer Oberfläche der Fotomaske begleitet, die durch ein Halten der Fotomaske mit Verwendung eines Halteverfahrens erzeugt worden ist, das zum Akquirieren des optischen Bildes verwendet wird; einer zweiten Messeinrichtung (62) zum Messen eines zweiten Positionsabweichungsausmaßes von jedem der Vielzahl von Figurmustern, durch Verwenden des optischen Bildes; und einer Differenzkarte-Erzeugungseinrichtung (144) zum Erzeugen einer Differenzkarte, in der ein Differenzwert, der erhalten worden ist durch Subtrahieren des ersten Positionsabweichungsausmaßes von dem zweiten Positionsabweichungsausmaß, als ein Kartenwert verwendet wird, bezüglich einer Region auf der Oberfläche der Fotomaske.
DE102015201437.1A 2014-01-30 2015-01-28 Prüfvorrichtung und Prüfverfahren Pending DE102015201437A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014016203A JP6310263B2 (ja) 2014-01-30 2014-01-30 検査装置
JP2014-016203 2014-01-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015201437A1 true DE102015201437A1 (de) 2015-07-30

Family

ID=53523170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015201437.1A Pending DE102015201437A1 (de) 2014-01-30 2015-01-28 Prüfvorrichtung und Prüfverfahren

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9530202B2 (de)
JP (1) JP6310263B2 (de)
KR (1) KR101616021B1 (de)
DE (1) DE102015201437A1 (de)
TW (1) TWI598682B (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6394544B2 (ja) 2015-09-04 2018-09-26 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの欠陥検査方法、選別方法及び製造方法
JP2018060141A (ja) * 2016-10-07 2018-04-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 参照画像確認方法、マスク検査方法およびマスク検査装置
JP2020173296A (ja) * 2019-04-08 2020-10-22 株式会社ニューフレアテクノロジー Euvマスクのパターン検査装置及びeuvマスクのパターン検査方法
CN110426913A (zh) * 2019-06-27 2019-11-08 北海惠科光电技术有限公司 掩膜板的制备方法、掩膜板及阵列基板
JP7310472B2 (ja) * 2019-09-13 2023-07-19 信越化学工業株式会社 反射型マスクブランクの製造方法
WO2024101902A1 (ko) * 2022-11-10 2024-05-16 윤중호 다중 파장 레이저를 이용한 반도체용 쿼츠 투과율 분석 장치
CN117455867A (zh) * 2023-10-30 2024-01-26 无锡市凯丰新材料有限公司 基于神经网络的磁芯性能优化管理系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014016203A (ja) 2012-07-06 2014-01-30 Sharp Corp 携帯型測定装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0814484B2 (ja) * 1985-04-09 1996-02-14 株式会社ニコン パタ−ン位置測定装置
JP2712772B2 (ja) * 1990-07-05 1998-02-16 株式会社ニコン パターン位置測定方法及び装置
JPH0587544A (ja) * 1991-09-27 1993-04-06 Toshiba Corp 欠陥検査装置
JPH05346306A (ja) * 1992-06-15 1993-12-27 Nikon Corp パターン位置測定装置
US5502564A (en) * 1994-09-13 1996-03-26 Hughes Aircraft Company Substrate thickness measurement using oblique incidence multispectral interferometry
JP3393947B2 (ja) * 1995-03-13 2003-04-07 株式会社東芝 半導体回路パターンの評価方法と評価システム及び描画方法及び描画システム
JP3824542B2 (ja) 2002-01-25 2006-09-20 株式会社東芝 線幅検査方法とその装置
JP4235392B2 (ja) 2002-03-08 2009-03-11 キヤノン株式会社 位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
US6982793B1 (en) * 2002-04-04 2006-01-03 Nanometrics Incorporated Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset
JP3828552B2 (ja) * 2003-06-23 2006-10-04 株式会社東芝 寸法測定方法と寸法測定システム及び寸法測定プログラム
JP4556169B2 (ja) 2004-10-29 2010-10-06 富士フイルム株式会社 保持歪み測定方法および装置
JP2006284183A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Toshiba Corp 検査装置及び撮像装置
JP4336672B2 (ja) * 2005-09-26 2009-09-30 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム
TW200746259A (en) * 2006-04-27 2007-12-16 Nikon Corp Measuring and/or inspecting method, measuring and/or inspecting apparatus, exposure method, device manufacturing method, and device manufacturing apparatus
JP4968720B2 (ja) * 2006-09-21 2012-07-04 Hoya株式会社 電子デバイス用基板形状検査装置及び電子デバイス用基板形状検査方法、並びにマスクブランク用ガラス基板の製造方法
DE102007033814B4 (de) 2007-04-04 2014-08-28 Carl Zeiss Sms Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Messen der Position von Marken auf einer Maske
DE102007035519B4 (de) 2007-07-26 2011-12-08 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Korrektur der aufgrund der Durchbiegung eines Substrats bedingten Messwerte
JP2009137776A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Sumitomo Electric Ind Ltd GaAs半導体基板およびその製造方法、ならびにIII−V族化合物半導体デバイスおよびその製造方法
JP5254270B2 (ja) * 2010-04-09 2013-08-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査方法および検査装置
JP5591675B2 (ja) 2010-12-06 2014-09-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
JP5753461B2 (ja) 2011-08-18 2015-07-22 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
JP5793093B2 (ja) 2012-02-17 2015-10-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
JP5832345B2 (ja) 2012-03-22 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
JP6025419B2 (ja) 2012-06-27 2016-11-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査方法および検査装置
JP2014055789A (ja) 2012-09-11 2014-03-27 Nuflare Technology Inc パターン評価方法およびパターン評価装置
JP6025489B2 (ja) 2012-10-11 2016-11-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査装置システム
JP6132658B2 (ja) 2013-05-22 2017-05-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査感度評価方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014016203A (ja) 2012-07-06 2014-01-30 Sharp Corp 携帯型測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI598682B (zh) 2017-09-11
US9530202B2 (en) 2016-12-27
TW201531797A (zh) 2015-08-16
JP2015141411A (ja) 2015-08-03
JP6310263B2 (ja) 2018-04-11
KR20150091005A (ko) 2015-08-07
KR101616021B1 (ko) 2016-04-27
US20150213587A1 (en) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016004904B4 (de) Überprüfungsmethode und Überprüfungsvorrichtung
DE102015201437A1 (de) Prüfvorrichtung und Prüfverfahren
DE102014204876A1 (de) Inspektionsverfahren und Inspektionsvorrichtung
US8983113B2 (en) Defect estimation device and method and inspection system and method
DE102010030758B4 (de) Steuerung kritischer Abmessungen in optischen Abbildungsprozessen für die Halbleiterherstellung durch Extraktion von Abbildungsfehlern auf der Grundlage abbildungsanlagenspezifischer Intensitätsmessungen und Simulationen
US7664308B2 (en) Photomask inspection apparatus comparing optical proximity correction patterns to minimum and maximum limits
US8861832B2 (en) Inspection system and method
US9196033B2 (en) Inspection sensitivity evaluation method
DE102017200628B4 (de) Musterprüfvorrichtung
DE112016004012T5 (de) Techniken und systeme für modellbasierte messungen der kritischen dimension
DE112017007551T5 (de) Vorrichtung und verfahren zur inspektion von retikeln
US20170069111A1 (en) Method for measuring pattern width deviation, and pattern inspection apparatus
DE102017220872B4 (de) Verfahren und System zur Qualifizierung einer Maske für die Mikrolithographie
DE102016218977A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung eines OPC-Modells
US11983867B2 (en) Mask inspection of a semiconductor specimen
KR102013287B1 (ko) 계측 장치 및 계측 방법
KR102146943B1 (ko) 계측 장치 및 계측 방법
JP6255191B2 (ja) 検査装置および検査方法
DE10360536B4 (de) Verfahren zur Inspektion von Masken eines Maskensatzes für eine Mehrfachbelichtung
DE102021204223A1 (de) Musterinspektionseinrichtung und Musterinspektionsverfahren
JP2023119903A (ja) パターン検査方法、及びパターン検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication