DE102011088617A1 - Electrically tunable impedance matching network of an RF power transistor - Google Patents

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Holger Maune
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk innerhalb des Gehäuses eines HF-Leistungstransistors. Die Anwendung der Erfindung erfolgt vorrangig für HF-Leistungstransistoren in Basisstationen von Mobilfunknetzen; sie kann auch in Verstärkern für mobile Teilnehmer (z. B. in Mobiltelefonen) und in HF-Verstärkern für andere Anwendungen angewendet werden. Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, eine dynamische Abstimmbarkeit der Last- und Quellimpedanz zu ermöglichen und den Transistor leichter anpassbar zu machen. Weiterhin soll eine Multiband/Breitband-Arbeitsweise und eine dynamische Lastmodulation für eine erhöhte BackOff-Effizienz ermöglicht werden. Die Lösung der Aufgabe erfolgt entsprechend den Merkmalen des Anspruchs 1. Die weiteren Ansprüche stellen zweckmäßige Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Lösung dar.The invention relates to an electrically tunable impedance matching network within the housing of an RF power transistor. The application of the invention takes place primarily for RF power transistors in base stations of mobile networks; it can also be used in amplifiers for mobile subscribers (eg in mobile phones) and in RF amplifiers for other applications. The invention was based on the object of enabling a dynamic tuning of the load and source impedance and making the transistor easier to adapt. Furthermore, a multi-band / broadband operation and a dynamic load modulation for increased back-off efficiency is to be made possible. The object is achieved according to the features of claim 1. The other claims represent expedient embodiments of the inventive solution.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk innerhalb des Gehäuses eines HF-Leistungstransistors.The invention relates to an electrically tunable impedance matching network within the housing of an RF power transistor.

Die Anwendung der Erfindung erfolgt vorrangig für HF-Leistungstransistoren in Basisstationen von Mobilfunknetzen; sie kann auch in Verstärkern für mobile Teilnehmer (z. B. in Mobiltelefonen) und in HF-Verstärkern für andere Anwendungen angewendet werden.The application of the invention takes place primarily for RF power transistors in base stations of mobile networks; it can also be used in amplifiers for mobile subscribers (eg in mobile phones) and in RF amplifiers for other applications.

Den Anmeldern sind derzeit keine Lösungen für ein elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk innerhalb des Gehäuses eines HF-Leistungstransistors oder eines monolithischen Mikrowellenschaltkreises (MMIC) bekannt.Applicants are currently aware of no solutions for an electrically tunable impedance matching network within the housing of an RF power transistor or microwave monolithic circuit (MMIC).

Die bekannten Einrichtungen, die bereits einen Vorabgleich innerhalb ihres Gehäuses besitzen, z. B. LDMOS-Transistoren, nutzen nicht-abstimmbare Chip-Kapazitäten [1], [2]. Auch wurde eine Abstimmung der Anpassung durch Bond-Draht-Optimierung und durch dielektrische Einlagen [4] vorgeschlagen, jedoch liefern diese nur eine Festabstimmung [3]. Bekannt ist es, einen zusätzlichen Gehäuseanschluss für den Zugang zum Chip zwecks Abstimmung vorzusehen, jedoch enthält diese Lösung keine steuerbaren Komponenten innerhalb des Gehäuses, sondern nur den Zugriff auf den Transistor [5]. Für integrierte Mikrowellenschaltungen wurden bereits integrierte Impedanzanpassnetzwerke vorgeschlagen [6]; diese sind jedoch nur einmalig und nicht elektrisch abstimmbar. Elektrisch abstimmbare Netzwerke sind bislang hauptsächlich für Hybrid-Anordnungen mit Abstimmung außerhalb des Gehäuses bekannt [7]. Die Schrift [8] schlägt die Verwendung einer Vielzahl von MEMS-Schaltern vor, welche auch innerhalb des Transistorgehäuses platziert sein können. Dieses System ist, u. a. durch die Verwendung eines Übertragers, sehr komplex und daher für den der Erfindung zugrunde liegenden Zweck ungeeignet. In der Schrift [9] wurde die spezielle Verwendung von ferroelektrischen Komponenten für abstimmbare Ausgangs-Anpassungsnetzwerke vorgeschlagen. In der Schrift [10] wird ein MMIC-Leistungsverstärker mit einem integrierten Anpassungsnetzwerk beschrieben, jedoch ohne Angaben dazu, wie das Gehäuse konzipiert ist.The known devices that already have a pre-adjustment within their housing, z. As LDMOS transistors, use non-tunable chip capacitances [1], [2]. Also, adjustment of matching by bond wire optimization and by dielectric inserts [4] has been proposed, but these provide only a fixed tuning [3]. It is known to provide an additional housing connection for access to the chip for the purpose of tuning, but this solution contains no controllable components within the housing, but only access to the transistor [5]. For integrated microwave circuits, integrated impedance matching networks have already been proposed [6]; However, these are only unique and not electrically tunable. Electrically tunable networks have hitherto been known mainly for hybrid arrangements with tuning outside the housing [7]. Scripture [8] suggests the use of a plurality of MEMS switches, which may also be placed inside the transistor package. This system is, u. a. by the use of a transformer, very complex and therefore unsuitable for the purpose underlying the invention. Document [9] has proposed the specific use of ferroelectric components for tunable output matching networks. Document [10] describes an MMIC power amplifier with an integrated matching network, but without specifying how the housing is designed.

Hochleistungstransistoren weisen grundsätzlich eine Vielzahl von parallelen Fingern auf. Mit der steigenden Anzahl der Finger wird die Impedanz, die angepasst werden muss, kleiner und die Anpassung erfordert eine hohe Güte des Anpassnetzwerkes. Um dies zu vermeiden, werden statische Voranpassungs-Netzwerke (pre-matching) innerhalb des Gehäuses verwendet. Da diese Anpassnetzwerke unveränderlich sind, bieten sie nur für eine bestimmte Frequenz eine Anpassung unabhängig von der Signalleistung. Der Betrieb in unterschiedlichen Frequenzbändern benötigt jedoch eine unterschiedliche Anpassung, d. h. eine andere Voranpassung. Auch der große Unterschied zwischen der Transistor-Impedanz und der äußeren Lastimpedanz (in der Regel 50 Ω) macht eine energieeffiziente Abstimmung schwierig.High-power transistors basically have a plurality of parallel fingers. With the increasing number of fingers, the impedance that needs to be adjusted becomes smaller and the matching requires a high quality of the matching network. To avoid this, static pre-matching networks are used within the enclosure. Because these matching networks are immutable, they only provide adaptation for a particular frequency regardless of the signal power. However, the operation in different frequency bands requires a different adaptation, d. H. another preadjustment. Also, the large difference between the transistor impedance and the external load impedance (typically 50 Ω) makes energy efficient tuning difficult.

Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, eine dynamische Abstimmbarkeit der Last- und Quellimpedanz zu ermöglichen und den Transistor leichter anpassbar zu machen. Weiterhin soll eine Multiband/Breitband-Arbeitsweise und eine dynamische Lastmodulation für eine erhöhte BackOff-Effizienz ermöglicht werden.The invention was based on the object of enabling a dynamic tuning of the load and source impedance and making the transistor easier to adapt. Furthermore, a multi-band / broadband operation and a dynamic load modulation for increased back-off efficiency is to be made possible.

Die Lösung der Aufgabe erfolgt entsprechend den Merkmalen des Anspruchs 1. Die weiteren Ansprüche stellen zweckmäßige Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Lösung dar. Erfindungsgemäß ist ein elektrisch abstimmbares Anpassungsnetzwerk mit einer Voranpassung innerhalb der Transistor-Baugruppe, beide für den Eingang und für den Ausgang wirksam, im Gehäuse des HF-Leistungstransistors kombiniert.The object is achieved according to the features of claim 1. The other claims represent expedient embodiments of the inventive solution. According to the invention, an electrically tunable matching network with a pre-match within the transistor assembly, both effective for the input and for the output, in the housing of the RF power transistor combined.

In zweckmäßiger Weise gelangen als steuerbare Komponenten, welche in das Transistorgehäuse integriert sind, folgende nach beliebigen bekannten Technologien hergestellte Elemente zum Einsatz: Kontinuierlich abstimmbare ferroelektrische Komponenten, kontinuierlich abstimmbare bzw. schaltbare RF-MEMS oder Halbleiter-Komponenten, welche elektronisch abstimmbar sind. Die abstimmbaren Komponenten können Einzelelemente sein oder sie können auf einem Trägersubstrat angeordnet sein, welches im Transistorgehäuse eingebaut ist. Die abstimmbaren Komponenten können durch feste Elemente vervollständigt sein, welche entweder außerhalb des Transistor-Chips oder direkt auf dem Substrat angeordnet sind, das auch die abstimmbaren Schaltkreise trägt. Durch die Anordnung von abstimmbaren Komponenten für das integrierte Impedanzanpassnetzwerk innerhalb des Gehäuses des HF-Leistungstransistors können folgende Verbesserungen erreicht werden:

  • 1. Die Anpassung kann adaptiv über mehrere Frequenzen erfolgen und ermöglicht damit den Betrieb in verschiedenen Frequenzbändern. Das bedeutet, dass nur eine Komponente unabhängig von der beabsichtigten Anwendung erzeugt werden muss.
  • 2. Die Anpassung kann im Betrieb hinsichtlich der anzupassenden Frequenz geändert werden, was einen Multi-Band-Betrieb oder eine adaptive Rekonfigurierbarkeit ermöglicht.
  • 3. Die Anpassung kann zur Effizienzerhöhung mit der Signalleistung adaptiv angepasst werden, was eine energieeffiziente Lastmodulation ermöglicht.
  • 4. Die Abstimmung kann adaptiv an die äußeren Parameter angepasst werden, wie zum Beispiel, wenn bei einer Basisstation von Mobilfunknetzen ein Hindernis vor der mit dem Leistungsverstärker verbundenen Antenne vorhanden ist.
  • 5. Die abstimmbaren Komponenten können in das Gehäuse unter Nutzung heutiger Herstellungstechnologien integriert werden.
  • 6. Unter Voraussetzung der Verwendung geeigneter Technologien, z. B. der BST Dickfilmtechnologie, sind auch Hochleistungsanwendungen möglich ohne Verschlechterung der Linearität oder Einflüsse der Selbstaktuierung der abstimmbaren Komponenten. Zusätzlich zu diesen Aspekten kann die Adaption der Lastimpedanz, zum Beispiel einer durch die Umgebung variablen Antennenfußimpedanz, in den Transistor integriert werden.
Conveniently, as controllable components, which are integrated into the transistor housing, the following produced by any known technology elements are used: Continuously tunable ferroelectric components, continuously tunable or switchable RF MEMS or semiconductor components that are electronically tunable. The tunable components may be single elements or they may be disposed on a carrier substrate which is installed in the transistor package. The tunable components may be completed by solid elements located either outside the transistor chip or directly on the substrate that also carries the tunable circuits. By arranging tunable components for the integrated impedance matching network within the housing of the RF power transistor, the following improvements can be achieved:
  • 1. Adaptation can be adaptive over multiple frequencies, allowing operation in different frequency bands. This means that only one component needs to be created, regardless of the intended application.
  • 2. The adaptation can be changed in operation with regard to the frequency to be adjusted, which enables a multi-band operation or an adaptive reconfigurability.
  • 3. Adaptation can be adaptively adjusted to increase efficiency with signal power, allowing for energy efficient load modulation.
  • 4. The tuning can be adaptively adapted to the external parameters, such as when an obstacle is present in front of the antenna connected to the power amplifier at a base station of mobile networks.
  • 5. The tunable components can be integrated into the housing using today's manufacturing technologies.
  • 6. Subject to the use of appropriate technologies, eg. As the BST thick film technology, high performance applications are possible without deterioration of the linearity or influences of Selbstaktuierung the tunable components. In addition to these aspects, the adaptation of the load impedance, for example, an environmentally variable antenna foot impedance, may be integrated into the transistor.

Die Anwendbarkeit des anmeldungsgemäßen Impedanzanpassnetzwerkes kann als ziemlich vielseitig angesehen werden. Sie ist nicht auf HF-Leistungstransistoren für Basisstationen-Anwendung begrenzt, sondern kann auch in Verstärkern für mobile Teilnehmer (z. B. in Mobiltelefonen) angewendet werden. Auch ist der Frequenzbereich nicht durch die erfindungsgemäße Lösung begrenzt. Eine Begrenzung ergibt sich nur durch die angewendete Technologie (Transistor und Abstimmelemente). Durch Integration eines Regelkreises (Steuerung, Messwertaufnehmer) in das Gehäuse kann der Transistor als intelligent gelten, weil er sich an verschiedene Betriebsbedingungen (Frequenzen, Leistungsstufen usw.) selbst anpassen kann. In dieser Hinsicht ist die Erfindung auch ein Beitrag für kognitive Funkanwendungen.The applicability of the impedance matching network according to the application can be regarded as quite versatile. It is not limited to RF power transistors for base station applications but can also be used in amplifiers for mobile subscribers (eg in mobile phones). Also, the frequency range is not limited by the solution according to the invention. A limitation arises only by the technology used (transistor and tuning elements). By integrating a control loop (controller, transducer) into the housing, the transistor can be considered intelligent because it can adapt itself to different operating conditions (frequencies, power levels, etc.). In this regard, the invention is also a contribution to cognitive radio applications.

Im Folgenden soll die Erfindung an Ausführungsbeispielen und anhand der angefügten Figuren näher erläutert werden. Es zeigen:In the following, the invention will be explained in more detail with reference to exemplary embodiments and with reference to the appended figures. Show it:

1: die Realisierung eines elektrisch abstimmbaren Impedanzanpassnetzwerks mit zwei abstimmbaren Serien-Kondensatoren, schematisch als 4-Anschluss-Transistor-Baugruppe (a) und als entsprechendes Schaltbild (b), 1 : the realization of an electrically tunable impedance matching network with two tunable series capacitors, schematically as a 4-terminal transistor assembly (a) and as a corresponding circuit diagram (b),

2: eine zweite Ausführung eines elektrisch abstimmbaren Impedanzanpassnetzwerkes mit einer festen und einer abstimmbaren Chip-Kapazität, schematisch als 4-Anschluss-Transistor-Baugruppe (a) und als entsprechendes Schaltbild (b), 2 FIG. 2: a second embodiment of an electrically tunable impedance matching network with a fixed and a tunable chip capacitance, schematically as a 4-terminal transistor assembly (a) and as a corresponding circuit diagram (b), FIG.

3: eine weiter generalisierte schematische Abbildung eines Transistors mit einem abstimmbaren Abgleichnetzwerk in einer Standard-4pin-Baugruppe, 3 Figure 4 is a further generalized schematic of a transistor with a tunable balancing network in a standard 4-pin package,

4: eine generalisierte schematische Abbildung eines Transistors mit einem abstimmbaren Abgleichnetzwerk, wobei der Regelkreis für die Anpassung ebenfalls in das Gehäuse integriert ist. 4 : A generalized schematic diagram of a transistor with a tuneable balancing network, with the adjustment loop also integrated into the housing.

1 zeigt ein elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk 1 mit zwei abstimmbaren Serien-Kondensatoren 2, 3, als Voranpassung eines Transistors 12. Der in 1(b) dargestellte Schaltkreis 4 stellt die externe Gleichstromversorgung dar. Die zwei Varaktoren werden durch die gleiche Steuerspannung Vbias 5 gesteuert. In Abhängigkeit von den Erfordernissen kann die Spannung auf Masse 6 (gestrichelt gezeichnet) oder auf Vdd 7 oder ein anderes Potential bezogen sein. Diese Ausführung benötigt keine Chip-Komponenten innerhalb der Baugruppe, jedoch kann wegen der Serien-Anordnung von zwei abstimmbaren Kapazitäten 2, 3 ein gewisser Betrag der Abstimmbarkeit der Varaktoren verloren gehen. Dieser Effekt kann durch die Verwendung von großen Abstimmspannungen (Vbias >> Vdd) gemildert werden. Für die HF-Entkopplung können Widerstandselektroden, die auf dem BST-Chip integriert sind, oder zusätzlich Chip-Komponenten eingesetzt werden. 1 shows an electrically tunable impedance matching network 1 with two tunable series capacitors 2 . 3 , as a pre-adaptation of a transistor 12 , The in 1 (b) illustrated circuit 4 represents the external DC power supply. The two varactors are powered by the same control voltage Vbias 5 controlled. Depending on the requirements, the voltage may be on ground 6 (dashed line) or on Vdd 7 or another potential. This design does not require any chip components within the assembly, however, because of the series arrangement of two tunable capacitors 2 . 3 a certain amount of tunability of the varactors will be lost. This effect can be alleviated by using large tuning voltages (Vbias >> Vdd). For RF decoupling, resistance electrodes integrated on the BST chip or additional chip components can be used.

2 zeigt eine zweite Ausführung eines in das Transistorgehäuse eingebauten elektrisch abstimmbaren Impedanzanpassnetzwerkes 8 mit einer festen Chip-Kapazität 9 und nur einem abstimmbaren BST-Chip 10 (BST: Barium-Strontium-Titanat). Eine mögliche Verbesserung bei dieser Ausführung ist, dass der volle Abstimmungsumfang des Varaktors genutzt werden kann, wenn die Kapazität des Festkondensators 9 wesentlich größer ist als die des Abstimmungskondensators 10. Der Bezug von Vbias auf Vdd ist vielversprechender, weil dann alle Spannungswerte von Null bis zur maximal möglichen/benötigten Steuerspannung Vbias verwendet werden können. Die Ausführung als innerhalb der Baugruppe vorgesehene Abstimmung gemäß 2 kann auch für die Eingangsseite der Baugruppe angewendet werden, d. h. für die adaptive Quellimpedanzanpassung, unter Berücksichtigung der gleichen Überlegungen wie sie für die Ausgangsseite gelten. Die Induktivität für die HF-Entkopplung von Vbias sollte so dicht wie möglich am Gehäuse angeordnet sein. Es ist vorstellbar, eine derartige Spule auch in das Gehäuse zu integrieren, wenn genügend Platz zur Verfügung steht. Die Verbindung der einzelnen Komponenten wird durch Bond-Drähte 13 hergestellt. 2 shows a second embodiment of a built-in transistor housing electrically tunable impedance matching network 8th with a fixed chip capacity nine and only one tunable BST chip 10 (BST: barium strontium titanate). A possible improvement in this embodiment is that the full range of tuning of the varactor can be used when the capacity of the fixed capacitor nine is much larger than that of the tuning capacitor 10 , The reference of Vbias to Vdd is more promising, because then all voltage values from zero to the maximum possible / required control voltage Vbias can be used. The execution as provided within the assembly vote according to 2 can also be applied to the input side of the module, ie for adaptive source impedance matching, taking into account the same considerations as they apply to the output side. The inductance for the RF decoupling of Vbias should be as close to the housing as possible. It is conceivable to integrate such a coil in the housing, if enough space is available. The connection of the individual components is made by bond wires 13 produced.

3 zeigt eine weiter generalisierte schematische Abbildung eines Transistors mit einem abstimmbaren Abgleichnetzwerk in einer Baugruppe. Durch Anwendung einer Standard-4pin-Baugruppe kann das abstimmbare Abgleichnetzwerk zwei Freiheitsgrade bereitstellen. Die Erzeugung der Abstimmspannungen, wie sie von Varaktoren basierend auf Barium-Strontium-Titanat oder MEMS benötigt werden, als auch der Regelkreis für die adaptive Anpassung werden in der Regel außerhalb des Transistorgehäuses vorgesehen. 3 Figure 12 shows a further generalized schematic of a transistor with a tunable balancing network in an assembly. By using a standard 4-pin assembly, the tunable balancing network can provide two degrees of freedom. Generation of the tuning voltages, as required by barium strontium titanate or MEMS based varactors, as well as the adaptive adjustment loop are typically provided outside the transistor package.

Wenn mehr Freiheitsstufen in Betracht gezogen werden sollen (z. B. ein zusätzliches Eingangs-Impedanzanpassnetzwerk), kann der Regelkreis (Control Circuit: DC/DC-Wandler, Lookup-Tabellen und Steueralgorithmen als auch Sensoren) für die Anpassung, wie 4 zeigt, ebenfalls in das Gehäuse integriert sein. Der Steuerkreis wird mit einer Spannung gespeist und alle erforderlichen Steuerspannungen werden direkt im Transistor-Gehäuse erzeugt. Dies ermöglicht auch höhere Abstimmspannungen wegen des Berührungsschutzes. Für den Datenaustausch mit dem Sende-/Empfangsgerät kann zusätzlich auch eine Steuerleitung (z. B. eine Eindraht-Leitung) hinzugefügt werden.If more degrees of freedom are to be considered (eg, an additional input impedance matching network), the control loop (control circuit: DC / DC converters, lookup tables and control algorithms as well as sensors) may be used for the adaptation, such as 4 shows, also be integrated into the housing. The control circuit is supplied with a voltage and all required control voltages are generated directly in the transistor housing. This also allows higher tuning voltages because of the contact protection. In addition, a control line (eg a single-wire line) can be added for data exchange with the transceiver.

Eine weitere Alternative ist, die Speisung der Abstimmspannung vollständig von den HF-Signalen zu entkoppeln und somit zusätzliche Komponenten zur Steuerspannungszuführung (DC-Feed-Block) zu vermeiden. Die abstimmbaren Impedanzanpassnetzwerke können in beliebiger Technologie, d. h. auf dem Substrat integriert oder mit zusätzlichen Chip-Komponenten (z. B. als LTCC-Module) ausgeführt sein.A further alternative is to completely decouple the supply of the tuning voltage from the RF signals and thus to avoid additional components for the control voltage supply (DC feed block). The tunable impedance matching networks may be implemented in any technology, i. H. integrated on the substrate or with additional chip components (eg as LTCC modules).

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Claims (11)

Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk eines HF-Leistungstransistors, dadurch gekennzeichnet, dass ein elektrisch abstimmbares Anpassungsnetzwerk (2, 3, 10) mit einer Voranpassung (12) innerhalb der Baugruppe im Gehäuse des HF-Leistungstransistors kombiniert ist.An electrically tunable impedance matching network of an RF power transistor, characterized in that an electrically tunable matching network ( 2 . 3 . 10 ) with a pre-adaptation ( 12 ) is combined within the assembly in the housing of the RF power transistor. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die in das Transistorgehäuse integrierten steuerbaren Komponenten (2, 3, 10) nach einer beliebigen bekannten Technologie hergestellt sind.An electrically tunable impedance matching network according to claim 1, characterized in that the controllable components integrated into the transistor housing ( 2 . 3 . 10 ) are made by any known technology. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbaren Komponenten (2, 3, 10) kontinuierlich abstimmbare ferroelektrische Komponenten sind.An electrically tunable impedance matching network according to claim 2, characterized in that the controllable components ( 2 . 3 . 10 ) are continuously tunable ferroelectric components. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbaren Komponenten (2, 3, 10) kontinuierlich abstimmbare bzw. schaltbare RF-MEMS sind.An electrically tunable impedance matching network according to claim 2, characterized in that the controllable components ( 2 . 3 . 10 ) are continuously tunable or switchable RF MEMS. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbaren Komponenten (2, 3, 10) elektronisch abstimmbare Halbleiter-Komponenten sind.An electrically tunable impedance matching network according to claim 2, characterized in that the controllable components ( 2 . 3 . 10 ) are electronically tunable semiconductor components. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbaren Komponenten (2, 3, 10) Einzelelemente sind.An electrically tunable impedance matching network according to any one of claims 2 to 5, characterized in that the controllable components ( 2 . 3 . 10 ) Are individual elements. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbaren Komponenten (2, 3, 10) auf einem Trägersubstrat angeordnet sind, welches im Transistorgehäuse eingebaut ist.An electrically tunable impedance matching network according to any one of claims 2 to 5, characterized in that the controllable components ( 2 . 3 . 10 ) are arranged on a carrier substrate, which is installed in the transistor housing. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbaren Komponenten (2, 3, 10) durch feste Elemente vervollständigt sind, die außerhalb des Transistor-Chips angeordnet sind.Electrically tunable impedance matching network according to one of the preceding claims, characterized in that the controllable components ( 2 . 3 . 10 ) are completed by solid elements disposed outside the transistor chip. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die steuerbaren Komponenten (2, 3, 10) durch feste Elemente vervollständigt sind, die direkt auf dem Substrat angeordnet sind, das auch die steuerbaren Komponenten trägt.Electrically tunable impedance matching network according to one of the preceding claims, characterized in that the controllable components ( 2 . 3 . 10 ) are completed by solid elements disposed directly on the substrate which also carries the controllable components. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Voranpassung durch einen GaN Chip realisiert ist. Electrically tunable impedance matching network according to one of the preceding claims, characterized in that the pre-adaptation is realized by a GaN chip. Elektrisch abstimmbares Impedanzanpassnetzwerk nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im gleichen Transistorgehäuse eine mikroelektronische Schaltung (Mikrokontroller mit Schnittstellen) eingebaut ist, welcher zur Steuerung/Regelung des Impedanzanpassnetzwerk (mit) genutzt wird.Electrically tunable impedance matching network according to one of the preceding claims, characterized in that a microelectronic circuit (microcontroller with interfaces) is installed in the same transistor housing, which is used to control the impedance matching network (with).
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