DE102009026526A1 - laser device - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Lasereinrichtung (100) mit mindestens zwei schichtartig übereinander angeordneten und als Kantenemitter ausgebildeten monolithisch integrierten und optisch miteinander gekoppelten Halbleiterlasern (110, 120). Erfindungsgemäß ist mindestens ein weiterer Halbleiterlaser (130) vorgesehen, der nicht mit einem benachbarten Halbleiterlaser (120) optisch gekoppelt ist.The invention relates to a laser device (100) having at least two monolithically integrated semiconductor lasers (110, 120) stacked one above the other and designed as edge emitters. According to the invention, at least one further semiconductor laser (130) is provided, which is not optically coupled to an adjacent semiconductor laser (120).
Description
Stand der TechnikState of the art
Die Erfindung betrifft eine Lasereinrichtung mit mindestens zwei schichtartig übereinander angeordneten und als Kantenemitter ausgebildeten monolithisch integrierten und optisch miteinander gekoppelten Halbleiterlasern.The The invention relates to a laser device with at least two layers one above the other arranged and designed as an edge emitter monolithic integrated and optically coupled semiconductor lasers.
Eine
derartige Lasereinrichtung ist bereits aus der
Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention
Demgemäß ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Lasereinrichtung der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, dass die mit dem sich während des Betriebs einstellenden unsymmetrischen Temperaturprofil einhergehenden Nachteile vermieden werden.Accordingly It is an object of the present invention to provide a laser device of The above-mentioned type to improve that with the during operation adjusting unbalanced Temperature profile associated disadvantages are avoided.
Diese Aufgabe wird bei der Lasereinrichtung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass mindestens ein weiterer Halbleiterlaser vorgesehen ist, der nicht mit einem benachbarten Halbleiterlaser optisch gekoppelt ist.These Task is in the laser device of the type mentioned solved according to the invention that at least one further semiconductor laser is provided, which is not is optically coupled to an adjacent semiconductor laser.
Dies ergibt den Vorteil, dass auch trotz verhältnismäßig starker Unsymmetrien eines Temperaturprofils mindestens ein weiterer Hableiterlaser in der Lasereinrichtung im Sinne einer Leistungssteigerung bezüglich der optischen Ausgangsleistung vorgesehen werden kann, der aufgrund der Unsymmetrien jedoch nur unzureichend mit einem benachbarten Halbleiterlaser gekoppelt werden könnte. Die erfindungsgemäß vorgesehenen nicht gekoppelten Halbleiterlaser weisen vorteilhaft eine günstige Intensitätsverteilung im Fernfeld auf, weil sie nicht der temperaturbedingt suboptimalen optischen Kopplung unterliegen.This gives the advantage that even despite being proportionate strong asymmetries of one temperature profile at least one more Habeiterlaser in the laser device in the sense of an increase in performance be provided with respect to the optical output power However, the insufficient due to the asymmetries with could be coupled to a neighboring semiconductor laser. The inventively provided non-coupled semiconductor laser advantageously have a favorable intensity distribution in the far field because they are not suboptimal due to temperature subject to optical coupling.
Durch die erfindungsgemäße Kombination von mehreren optisch miteinander gekoppelten und mindestens einem nicht optisch gekoppelten Halbleiterlaser kann somit eine Lasereinrichtung mit großer optischer Ausgangsleistung bei gleichzeitig günstiger Intensitätsverteilung im Fernfeld realisiert werden. Im Gegensatz zu herkömmlichen Lasereinrichtungen ist dieser Vorteil insbesondere auch dann noch gegeben, wenn sich eine ungleichmäßige Temperaturverteilung in der Lasereinrichtung ergibt.By the inventive combination of several optically coupled with each other and at least one non-optical Coupled semiconductor laser can thus with a laser device great optical output power at the same time favorable intensity distribution be realized in the far field. Unlike traditional ones Laser equipment is this advantage in particular even then given when there is an uneven temperature distribution in the laser device results.
Dadurch ist es vorteilhaft möglich, Lasereinrichtungen herzustellen, die im Gegensatz zu den bekannten Systemen auch bei Pulsdauern der erzeugten Laserstrahlung im Mikrosekundenbereich oder sogar im Millisekundenbereich und der damit einhergehenden Eigenerwärmung effizient arbeiten.Thereby it is advantageously possible to produce laser devices, in contrast to the known systems even at pulse durations of generated laser radiation in the microsecond range or even in the millisecond range and the associated self-heating work efficiently.
Die Anordnung der optisch nicht miteinander gekoppelten Halbleiterlaser in dem Stapelaufbau der Lasereinrichtung wird erfindungsgemäß vorteilhaft so gewählt, dass sie in Schichtdickenbereichen angeordnet sind, in denen bei Betrieb verhältnismäßig hohe Temperaturgradienten über der Schichtdicke auftreten.The Arrangement of the optically non-coupled semiconductor laser in the stack construction of the laser device is advantageous according to the invention chosen so that they are arranged in layer thickness ranges are in those in operation relatively high Temperature gradients over the layer thickness occur.
Eine weitere, besonders einfache Ausführungsform der erfindungsgemäßen Lasereinrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Schichtaufbau der Lasereinrichtung in zwei aneinander angrenzende Schichtdickenbereiche unterteilt ist, wobei ein erster Schichtdickenbereich Halbleiterlaser aufweist, die jeweils mit benachbarten Halbleiterlasern desselben Schichtdickenbereichs optisch gekoppelt sind, und wobei ein zweiter Schichtdickenbereich Halbleiterlaser aufweist, die nicht mit benachbarten Halbleiterlasern, insbesondere desselben Schichtdickenbereichs, optisch gekoppelt sind. Besonders bevorzugt erfolgt die Unterteilung der Schichtdickenbereiche in Abhängigkeit von einem für einen Betrieb der Lasereinrichtung erwarteten Temperaturverlauf über der Schichtdickenkoordinate. Die erfindungsgemäße Einteilung in die unterschiedlichen Schichtdickenbereiche ermöglicht eine besonders einfache Fertigung der Lasereinrichtung, bei der die eine optische Kopplung benachbarter Halbleiterlaser bestimmenden Fertigungsparameter nur einmal, nämlich in dem Übergangsbereich zwischen den beiden Schichtdickenbereichen, verändert werden müssen.A another, particularly simple embodiment of the invention Laser device is characterized in that a layer structure of Laser device in two adjoining layer thickness ranges is divided, wherein a first layer thickness range semiconductor laser each having adjacent semiconductor lasers of the same layer thickness range are optically coupled, and wherein a second layer thickness range Semiconductor laser not with adjacent semiconductor lasers, in particular the same layer thickness range, optically coupled are. Particularly preferably, the subdivision of the layer thickness ranges takes place depending on one for operation of the Laser device expected temperature profile over the layer thickness coordinate. The inventive division into the different Layer thickness ranges enable a particularly simple Production of the laser device, in which the one optical coupling adjacent semiconductor laser-defining manufacturing parameters only once, namely in the transition area between the two layer thickness ranges, must be changed.
Eine bezogen auf die Schichtickenkoordinate abwechselnde Vorsehung von optisch miteinander gekoppelten und nicht optisch miteinander gekoppelten Halbleiterlasern ist ebenfalls denkbar.A referring to the layered coordinate alternate providence of optically coupled with each other and not optically coupled together Semiconductor lasers is also conceivable.
Bei einer weiteren sehr vorteilhaften Erfindungsvariante ist vorgesehen, dass ein erster Brechungsindexverlauf eines ersten Halbleiterlasers über einer Schichtdickenkoordinate und bezogen auf eine Referenztemperatur verschieden ist von einem entsprechenden zweiten Brechungsindexverlauf eines zweiten Halbleiterlasers. Die erfindungsgemäße, hinsichtlich des Brechungsindexverlaufes unterschiedliche, Auslegung verschiedener Halbleiterlaser bezogen auf die Referenztemperatur ermöglicht vorteilhaft eine Kompensation der störenden Effekte eines unsymmetrischen bzw. nichtkonstanten Temperaturprofils über die gesamte Lasereinrichtung.In another very advantageous inventions variant is provided that a first refractive index profile of a first semiconductor laser over a layer thickness coordinate and relative to a reference temperature is different from a corresponding second refractive index profile of a second semiconductor laser. The inventive, with respect to the refractive index variation different design of different semiconductor laser relative to the reference temperature advantageously allows compensation of the disturbing effects of a single-ended or non-constant temperature profile over the entire laser device.
Besonders bevorzugt wird unter Anwendung des erfindungsgemäßen Prinzips der Brechungsindexverlauf unterschiedlicher Halbleiterlaser der Lasereinrichtung – bezogen auf die Referenztemperatur, beispielsweise Raumtemperatur – so voneinander verschieden gewählt, dass sich während eines Betriebs der Lasereinrichtung und einer sich hierbei einstellenden nichtkonstanten Temperaturverteilung über der Schichtdickenkoordinate effektiv möglichst geringe Variationen bzw. Unsymmetrien bezüglich des Brechungsindex der einzelnen Halbleiterlaser ergeben. D. h., eine temperaturbedingte Variation des Brechungsindex entlang der Schichtdickenkoordinate in der Lasereinrichtung kann unter Anwendung des erfindungsgemäßen Prinzips durch geeignete „Vorhaltung” des Brechungsindex in ausgewählten Bereichen der Lasereinrichtung zumindest teilweise und zumindest für einen gewissen Temperaturbereich kompensiert werden. Auf diese Weise kann ein Betrieb insbesondere der optisch miteinander gekoppelten Halbleiterlaser optimiert werden.Especially is preferred using the inventive Principle of the refractive index profile of different semiconductor lasers the laser device - based on the reference temperature, for example, room temperature - so different from each other chosen that during operation of the Laser device and thereby adjusting non-constant temperature distribution via the layer thickness coordinate effectively as small as possible Variations or asymmetries with respect to the refractive index of the individual semiconductor laser. That is, a temperature-related Variation of the refractive index along the layer thickness coordinate in the laser device, using the inventive Principle by suitable "provision" of the refractive index in selected areas of the laser device at least partially compensated and at least for a certain temperature range become. In this way, an operation in particular the optical be optimized coupled semiconductor laser.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Lasereinrichtung ist vorgesehen, dass ein über eine Schichtdicke eines ersten Halbleiterlasers gemittelter Brechungsindex bezogen auf die Referenztemperatur von einem über eine Schichtdicke eines zweiten Halbleiterlasers gemittelten Brechungsindex bezogen auf die Referenztemperatur verschieden ist. Erfindungsgemäß ist erkannt worden, dass eine die optische Kopplung benachbarter Halbleiterlaser beeinträchtigende Deformation der entsprechenden Lasermoden im Wesentlichen von einem über die Schichtdicke des betreffenden Halbleiterlasers gemittelten Brechungsindex abhängt und somit entsprechend beeinflusst werden kann. Dadurch ergibt sich eine vereinfachte Herstellung der erfindungsgemäßen Lasereinrichtung, weil vorwiegend auf die Einhaltung eines vorgegebenen gemittelten Brechungsindex zu achten ist und dementsprechend z. B. schichtintern lokale Variationen des Brechungsindex in gewissen Grenzen zugelassen werden können.at a preferred embodiment of the invention Laser device is provided that one over a layer thickness averaged refractive index of a first semiconductor laser based on the reference temperature of one over a layer thickness averaged refractive index of a second semiconductor laser to the reference temperature is different. According to the invention has been recognized that an optical coupling of adjacent semiconductor laser impairing deformation of the corresponding laser modes essentially of one over the layer thickness of the respective one Semiconductor laser averaged refractive index depends and thus can be influenced accordingly. This results in a simplified Production of the laser device according to the invention, because mainly due to the observance of a predetermined averaged Refractive index is respected and accordingly z. B. layer internally local variations of the refractive index allowed within certain limits can be.
Bei einer weiteren sehr vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen Lasereinrichtung ist vorgesehen, dass ein über die Schichtdicke des Halbleiterlasers gemittelter Brechungsindex in Abhängigkeit der Anordnung des betreffenden Halbleiterlasers innerhalb der Lasereinrichtung, insbesondere in Abhängigkeit einer räumlichen Entfernung zu einem Substrat und/oder einer Wärmesenke, gewählt ist, wodurch eine entsprechend präzise Kompensation von thermisch bedingten Variationen des Brechungsindex in unterschiedlichen Halbleiterlasern der Lasereinrichtung erzielt werden kann.at a further very advantageous embodiment of the invention Laser device is provided that an over the layer thickness of the semiconductor laser averaged refractive index depending the arrangement of the relevant semiconductor laser within the laser device, in particular depending on a spatial Distance to a substrate and / or a heat sink, is chosen, whereby a correspondingly precise Compensation of thermally induced variations of the refractive index achieved in different semiconductor lasers of the laser device can be.
Eine besonders präzise Kompensation ist einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zufolge ferner dann gegeben, wenn der Brechungsindex der Lasereinrichtung, insbesondere von die Halbleiterlaser bildenden Komponenten, sich zumindest abschnittsweise kontinuierlich über der Schichtdickenkoordinate ändert, um einem sich während des Betriebs der Lasereinrichtung einstellenden nichtkonstanten Temperaturprofil Rechnung zu tragen.A Particularly precise compensation is another embodiment According to the invention further given when the refractive index the laser device, in particular of the semiconductor laser forming Components, at least partially continuously over the layer thickness coordinate changes to one during the operation of the laser device adjusting non-constant Temperature profile account.
Bei einer Ausbildung eines Substrats der Lasereinrichtung aus Galliumarsenid kann beispielsweise durch eine Einstellung eines Aluminiumgehalts entsprechender Schichten der Lasereinrichtung – beispielsweise im Rahmen eines Epitaxie-Fertigungsprozesses – der Brechungsindex der betreffenden Schichten beeinflusst werden. Der Aluminiumgehalt in den die Lasereinrichtung bildenden Schichten kann vorteilhaft während der Fertigung so eingestellt werden, dass sich bei der angestrebten Betriebstemperatur der Lasereinrichtung, die i. d. R. von den vorgesehenen Pulsdauern und dem Kühlsystem abhängt, das für den Betrieb, insbesondere die optische Kopplung, optimale Brechungsindexprofil ergibt. Dies führt u. a. dazu, dass die erfindungsgemäße Lasereinrichtung bei der Referenztemperatur, die üblicherweise geringer ist als die Betriebstemperatur, ein nichtkonstantes Brechungsindexprofil aufweist, welches mit dem nichtkonstanten Temperaturprofil während des Betriebs der Lasereinrichtung korrespondiert. D. h., die Lasereinrichtung wird erfindungsgemäß – z. B. bezogen auf Raumtemperatur – bewusst unsymmetrisch hinsichtlich ihres Brechungsindexverlaufs ausgelegt, damit sie bei der von der Raumtemperatur abweichenden Betriebstemperatur bzw. einem entsprechenden nichtkonstanten Temperaturprofil den gewünschten, vorzugsweise symmetrischen bzw. konstanten Brechungsindexverlauf aufweist.at a formation of a substrate of the laser device of gallium arsenide For example, by adjusting an aluminum content accordingly Layers of the laser device - for example in the frame an epitaxy manufacturing process - the refractive index affected by the relevant layers. The aluminum content in the layers forming the laser device may be advantageous be set up during manufacture so that at the desired operating temperature of the laser device, the i. d. R. of the scheduled pulse durations and the cooling system depends on the operation, especially the optical coupling, optimal refractive index profile results. this leads to u. a. in that the laser device according to the invention at the reference temperature, which is usually lower is the operating temperature, a non-constant refractive index profile which, with the non-constant temperature profile during the operation of the laser device corresponds. That is, the laser device is inventively -. B. related to room temperature - deliberately unbalanced in terms of their refractive index curve designed so that they at the of the Room temperature deviating operating temperature or a corresponding non-constant temperature profile the desired, preferably having symmetrical or constant refractive index profile.
Eine besonders einfach realisierbare Erfindungsvariante ist dadurch gekennzeichnet, dass der Brechungsindex einer Schicht eines ersten Halbleiterlasers zumindest abschnittsweise um einen vorgebbaren, vorzugsweise konstanten, Wert von dem Brechungsindex einer korrespondierenden Schicht eines weiteren Halbleiterlasers abweicht.A particularly easy to implement variant of the invention is characterized in that in that the refractive index of a layer of a first semiconductor laser at least in sections by a predeterminable, preferably constant, Value of the refractive index of a corresponding layer of a deviates further semiconductor laser.
Eine weitere sehr vorteilhafte Variante der erfindungsgemäßen Lasereinrichtung sieht vor, dass die Halbleiterlaser eine unterschiedliche Anzahl von Quantenfilmen aufweisen, wodurch ebenfalls eine Beeinflussung eines über den jeweiligen Halbleiterlaser gemittelten Brechungsindex möglich ist.Another very advantageous variant of the laser device according to the invention provides that the semiconductor lasers have a different number of quantum films, which likewise makes it possible to influence a refractive index averaged over the respective semiconductor laser.
Aufgrund ihrer hohen Effizienz auch bei der Erzeugung von Laserpulsen mit Pulsdauern im Mikro- oder sogar Millisekundenbereich eignet sich die erfindungsgemäße Lasereinrichtung ganz besonders zur Erzeugung von Pumpstrahlung zum optischen Pumpen von weiteren Lasersystemen, insbesondere von Festkörperlasern mit passiver Güteschaltung.by virtue of Their high efficiency also in the generation of laser pulses Pulse durations in the micro or even milliseconds range is suitable the laser device according to the invention especially for Generation of pump radiation for optical pumping of further laser systems, in particular of solid state lasers with passive Q-switching.
Besonders bevorzugt wird die erfindungsgemäße Lasereinrichtung dazu eingesetzt, in einem Pulsbetrieb Laserimpulse mit Pulsdauern von mindestens etwa zwei Mikrosekunden, vorzugsweise mindestens etwa zehn Mikrosekunden, zu erzeugen.Especially the laser device according to the invention is preferred used in a pulse mode laser pulses with pulse durations at least about two microseconds, preferably at least about ten microseconds to produce.
Weitere Merkmale, Anwendungsmöglichkeiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, die in den Figuren der Zeichnung dargestellt sind. Dabei bilden alle beschriebenen oder dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Patentansprüchen oder deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in der Zeichnung.Further Features, applications and advantages of the invention result from the following description of exemplary embodiments of the invention, which are illustrated in the figures of the drawing. All described or illustrated features form for itself or in any combination the subject of the invention, independently from its summary in the claims or their relationship and regardless of theirs Formulation or representation in the description or in the drawing.
In der Zeichnung zeigt:In the drawing shows:
Der
Brechungsindexverlauf n ist aufgetragen über einer Schichtdickenkoordinate
x, die einer Wachstumsrichtung eines epitaktischen Fertigungsprozesses
entspricht, bei dem einzelne Komponenten
Bei
der in
Zusätzlich
zu dem Brechungsindexverlauf n zeigt
Wie
aus
Ein
sich bei einem Pulsbetrieb der Lasereinrichtung einstellendes Temperaturprofil,
d. h. der Temperaturverlauf in der Lasereinrichtung aufgetragen über
der Schichtdickenkoordinate x, ist in
Aufgrund
des nunmehr nichtkonstanten Temperaturprofils T gemäß
Dementsprechend
erhöht sich auch der Winkelbereich Δθ (
Erfindungsgemäß ist
daher vorgesehen, dass anstelle von jeweils miteinander optisch
gekoppelten Halbleiterlasern mindestens ein Halbleiterlaser
Das
nachstehend beschriebene erfindungsgemäße Prinzip
kann generell auf Lasereinrichtungen mit einer beliebigen Anzahl
gestapelter Kantenemitter angewandt werden, ist der Übersichtlichkeit halber
nachfolgend jedoch anhand einer Lasereinrichtung
Die
ebenfalls in
Die
Lasereinrichtung
Die
Halbleiterlaser
In
dem in
Eine
Brechungsindexprofil n der erfindungsgemäßen Lasereinrichtung
D.
h., die Barriereschicht
Infolge
der erfindungsgemäßen gezielten Entkopplung des
Halbleiterlasers
Durch
die erfindungsgemäße Kombination optisch gekoppelter
Halbleiterlaser
Die
Durch
die im Vergleich zu der Schichtgrenze
Möglich
ist auch, die Struktur so auszulegen, dass nur die in
Eine
weitere vorteilhafte Erfindungsvariante sieht vor, dass ein erster
Brechungsindexverlauf eines ersten Halbleiterlasers
Neben
dem Verlauf des Brechungsindex n der Lasereinrichtung
Jeder
Halbleiterlaser
Außenseitig
des Wellenleiterbereichs
Mittig
zu den Halbleiterlasern
Die
Barriereschichten
Erfindungsgemäß ist
der Brechungsindexverlauf n der Halbleiterlaser
Dadurch
wird vorteilhaft dem nichtkonstanten Temperaturprofil T (
Durch
die erfindungsgemäße Auswahl des Brechungsindexverlaufs
n werden vorteilhaft Temperatureinflüsse auf den Brechungsindexverlauf
derart kompensiert, dass ein jeweils über die Schichtdicken x1,
x2 (
Die
erfindungsgemäße Modifikation des Brechungsindexverlaufs
der Halbleiterlaser
Hierdurch
wird der in dem Bereich des Halbleiterlasers
Dadurch
kann vorteilhaft die optische Kopplung zwischen den Halbleiterlasern
Obwohl
durch die erfindungsgemäße Konfiguration der Halbleiterlaser
Die
erfindungsgemäße Lasereinrichtung
Es
ist ferner vorteilhaft, den Brechungsindex der die Tunneldioden
Die
vorstehend beschriebenen Maßnahmen ermöglichen
eine weitgehende Kompensation der unsymmetrischen temperaturbedingten
Beeinflussung des Brechungsindexprofils n über die optisch miteinander
gekoppelten Halbleiterlaser
Der
erfindungsgemäß optisch nicht gekoppelte Halbleiterlaser
Weitere
Maßnahmen zur erfindungsgemäßen Beeinflussung
des Brechungsindexverlaufs n im Sinne einer Kompensation von Temperatureffekten können
umfassen: Vorsehung unterschiedlicher Schichtdicken für
die Wellenleiterbereiche
Die
vorstehenden erfindungsgemäßen Maßnahmen
lassen sich auch miteinander kombinieren und sind generell auch
auf Lasereinrichtungen mit mehr als drei Halbleiterlasern
Eine
bezogen auf die Schichtickenkoordinate x abwechselnde Vorsehung
von optisch miteinander gekoppelten Halbleiterlasern
Neben
einer kontinuierlichen Veränderung des Brechungsindex n über
der Schichtdickenkoordinate x, die eine sehr präzise Einstellung
des Aluminium- oder sonstigen den Brechungsindex n beeinflussenden
Fremdstoffgehalts, erfordert, kann z. B. ein bestimmter Abschnitt
Eine
weitere, besonders einfache Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Lasereinrichtung
Optisch
von ihren Nachbarn entkoppelte Halbleiterlaser
Aufgrund
ihrer hohen Effizienz auch bei der Erzeugung von Laserpulsen mit
Pulsdauern im Mikro- oder sogar Millisekundenbereich eignet sich
die erfindungsgemäße Lasereinrichtung
Besonders
bevorzugt wird die erfindungsgemäße Lasereinrichtung
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