CN116125242A - 对象检测方法及系统 - Google Patents

对象检测方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN116125242A
CN116125242A CN202310177298.2A CN202310177298A CN116125242A CN 116125242 A CN116125242 A CN 116125242A CN 202310177298 A CN202310177298 A CN 202310177298A CN 116125242 A CN116125242 A CN 116125242A
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
electronic element
parameter
power
interval
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310177298.2A
Other languages
English (en)
Inventor
李文刚
郑健
李官友
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jingjiang Antong Electronic Equipment Co ltd
Original Assignee
Jingjiang Antong Electronic Equipment Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jingjiang Antong Electronic Equipment Co ltd filed Critical Jingjiang Antong Electronic Equipment Co ltd
Priority to CN202310177298.2A priority Critical patent/CN116125242A/zh
Publication of CN116125242A publication Critical patent/CN116125242A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/003—Environmental or reliability tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了对象检测方法及系统，涉及电子元件检测技术领域，解决了整体检测精度并不高，并不能使电子元件处于最坏的工作环境下进行测试，也未对电子元件进行温度极限测试，导致整体检测效果不佳的技术问题，通过不同的功率测试区间对电子元件进行自测试处理，并通过分析输出参数，对电子元件是否异常进行判定，后续，再通过波形分析，为了确保数值测试的准确度，采用波形波动较大的一组功率测试区间，再根据所确定的区间，对电子元件再次进行温度测试，在测试过程中，分析预警值出现的次数以及具体时长，不会因某次数值波动，造成误判的情况发生，提升合格产品判定的准确度，同时提升电子元件的整体检测效果。

Description

对象检测方法及系统
技术领域
本发明属于电子元件检测技术领域，具体是对象检测方法及系统。
背景技术
电子元件，是电子电路中的基本元素，通常是个别封装，并具有两个或以上的引线或金属接点，电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路。
专利公开号为CN106409716B的发明提供了一种电子元件的检测系统及检测方法，该检测系统包括载台、红外装置以及X光装置；其中，载台包括承载部以及镂空部，待测电子元件悬设于镂空部上，红外装置用于对待测电子元件进行定位，X光装置用于检测待测电子元件的内部结构特征。相对于现有技术，本发明提供的电子元件的检测系统及检测方法，首先，通过红外装置对待测电子元件进行识别定位，然后利用X光装置检测待测电子元件的内部结构特征，同时通过可见光发生装置对待检测电子元件的表面进行检测；使用可见光、红外光和X光结合的方式，可以对待测电子元件进行有效定位，并进行表面和封装体内部缺陷评估，进而减少加工过程的次品流出，提高产品的良率。
电子元件在具体检测过程中，一般向电子元件内输入最佳的输入参数，然后再对输出参数进行记录，并根据所记录的输出参数对电子元件是否符合规格进行判定，但此种检测方式，其整体检测精度并不高，并不能使电子元件处于最坏的工作环境下进行测试，也未对电子元件进行温度极限测试，导致整体检测效果不佳。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一；为此，本发明提出了对象检测方法及系统，用于解决整体检测精度并不高，并不能使电子元件处于最坏的工作环境下进行测试，也未对电子元件进行温度极限测试，导致整体检测效果不佳的技术问题。
为实现上述目的，根据本发明的第一方面的实施例提出对象检测系统，包括图像获取端、参数获取端、检测中心以及显示终端；
所述检测中心包括图像分析单元、预设数据库、功率区间参数分析单元、数值分析单元、温度调控单元以及极限数值确定单元；
所述图像获取端，用于对需要进行测试的电子元件外表面的图像进行获取，并将所获取的电子元件外表面图像传输至检测中心内；
所述图像分析单元，对电子元件外表面图像进行接收，并从预设数据库内提取预设的图像模板，将电子元件外表面图像与图像模板进行比对分析，通过分析结果，对电子元件是否异常进行判定；
所述功率区间参数分析单元，对测试信号进行接收，从预设数据库提取功率测试区间参数，根据所提取的功率测试区间参数，再通过功率测试区间对电子元件进行自测试处理，启动参数获取端，对电子元件的输出功率参数进行获取，并将所获取的输出功率参数传输至功率区间参数分析单元内，根据分析结果，确定单组功率测试区间；
所述数值分析单元，对功率测试区间进行接收，并生成温度调控信号，传输至温度调控单元内，采用此功率测试区间对电子元件进行再测试，并在测试过程中，通过温度调控单元对测试温度进行调控，并对测试参数进行分析，判定此电子元件是否合格；
所述极限数值确定单元，对合格产品进行温度极限测试处理，将合格产品分类为标佳产品以及次佳产品，并传输至显示终端内进行显示。
优选的，所述图像分析单元，将电子元件外表面图像与图像模板进行比对分析的具体方式为：
将所接收的电子元件外表面图像与图像模板进行重合度比对分析，得到重合参数，并将重合参数标记为CHi，其中i代表不同的电子元件；
将重合参数CHi与预设参数Y1进行比对，其中Y1为预设值，当CHi＜Y1时，将电子元件标记为异常品，并传输至显示终端内进行显示，反之，将对应的电子元件进行下一步处理，生成测试信号，并将测试信号传输至功率区间参数分析单元内。
优选的，所述功率区间参数分析单元，通过功率测试区间对电子元件进行自测试处理的具体方式为：
S1、将所提取的功率测试区间参数依次标记为(0，X1】，(X1，X2】以及(X2，X3】，其中X1、X2以及X3均为预设的边界参数；
S2、确定第一组功率测试区间(0，X1】，对电子元件进行测试，将电子元件的输入参数限制在第一组功率测试区间内，并将输入参数逐渐调节，将输入参数标记为SRi，通过参数获取端，获取电子元件的输出参数，并将其标记为SCi，并通过时刻改变的输入参数以及输出参数建立第一组波形图，采用
Figure BDA0004101317080000031
得到若干个导向因子Ki，并将若干个导向因子Ki进行捆绑，得到第一组待分析捆绑包；
S3、再确定第二组功率测试区间(X1，X2】，采用步骤S2同样的测试方式，建立第二组波形图，以及得到第二组待分析捆绑包；
S4、确定第三组功率测试区间(X2，X3】，采用步骤S2同样的测试方式，建立第三组波形图，并得到第三组待分析捆绑包；
S5、从预设数据库内提取预设比对区间，其中预设比对区间为预设值，将三组待分析捆绑包与预设比对区间进行比对，当三组待分析捆绑包内部的导向因子均属于此预设比对区间时，进行下一步处理，反之，将此电子元件标记为异常品，并传输至显示终端内进行显示；
S6、将三组波形图进行提取，并进行波动分析，获取波动幅度最大的一组波形图，并提取对应的功率测试区间，将所提取的功率测试区间传输至数值分析单元内。
优选的，所述数值分析单元，对测试参数进行分析的具体方式为：
根据所接收的功率测试区间，使电子元件的输入功率维持在功率测试区间内，温度调控单元从预设数据库内提取对应的温度区间，根据此温度区间，对正常测试过程中的电子元件进行升温处理；
对测试过程中所产生的输出功率参数进行记录，并将不同的输出功率参数标记为GLk，其中k代表不同的输出功率，将输出功率参数GLk与预设参数Y2进行比对，其中Y2为预设值，当GLk＜Y2时，不进行任何处理，反之，将对应的输出功率参数标记为预警参数；
限定监测周期T，T为预设值，获取此监测周期T内预警参数所存在的次数以及具体总时长，并将次数标记为CS，并将具体的总时长标记为SC；
采用HD＝CS×C1+SC×C2得到核对参数HD，其中C1以及C2均为预设的固定系数因子，将核对参数HD与预设参数Y3进行比对，其中Y3为预设值，当HD≤Y3时，代表此电子产品为合格产品，反之，将电子产品标记为不合格产品，并将不合格产品传输至显示终端内进行显示。
优选的，所述极限数值确定单元，对合格产品进行温度极限测试处理的具体方式为：
通过温度调控单元，将合格产品的工作测试温度调节至预设的最大值，并对合格产品的输入功率参数调节至最佳参数，对合格产品的输出参数进行记录；
将输出参数与预设参数Y4进行比对，其中Y4为预设值，当输出参数＜Y4时，将对应的合格产品标记为次佳产品，反之，将对应的合格产品标记为标佳产品；
将标记完毕后的次佳产品以及标佳产品均传输至显示终端内进行显示。
优选的，对象检测系统的检测方法，包括以下步骤：
步骤一、预先获取电子元件外表面的图像，再将电子元件外表面图像与图像模板进行比对分析，通过分析结果，对电子元件是否异常进行判定；
步骤二、从预设数据库提取功率测试区间参数，根据所提取的功率测试区间参数，再通过功率测试区间对电子元件进行自测试处理，通过测试结果，判定电子元件是否异常，并对正常的电子元件进行温度测试处理；
步骤三、再根据功率测试区间对电子元件进行再测试，并在测试过程中，通过温度调控单元对测试温度进行调控，并对测试参数进行分析，判定此电子元件是否合格；
步骤四、对合格产品进行温度极限测试处理，将合格产品分类为标佳产品以及次佳产品，并传输至显示终端内进行显示。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过不同的功率测试区间对电子元件进行自测试处理，并通过分析输出参数，对电子元件是否异常进行判定，后续，再通过波形分析，为了确保数值测试的准确度，采用波形波动较大的一组功率测试区间，再根据所确定的区间，对电子元件再次进行温度测试，在测试过程中，分析预警值出现的次数以及具体时长，不会因某次数值波动，造成误判的情况发生，提升合格产品判定的准确度，同时提升电子元件的整体检测效果；
再通过极限数值确定单元，对合格产品进行温度极限测试处理，将合格产品分类为标佳产品以及次佳产品，并传输至显示终端内进行显示，采用此种测试方式，会使整体的检测结果更加全面，使外部操作人员更加了解对应的电子元件，提升整体的检测效果。
附图说明
图1为本发明框架原理示意图。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本申请提供了对象检测系统，包括图像获取端、参数获取端、检测中心以及显示终端；
所述图像获取端、参数获取端均与检测中心输入端电性连接，所述检测中心与显示终端输入端电性连接；
所述检测中心包括图像分析单元、预设数据库、功率区间参数分析单元、数值分析单元、温度调控单元以及极限数值确定单元，所述图像分析单元与功率区间参数分析单元输入端电性连接，所述功率区间参数分析单元与数值分析单元输入端电性连接，所述数值分析单元与极限数值确定单元输入端电性连接，所述预设数据库与功率区间参数分析单元之间双向连接，所述温度调控单元分别与数值分析单元和极限数值确定单元之间双向连接；
所述图像获取端，用于对需要进行测试的电子元件外表面的图像进行获取，并将所获取的电子元件外表面图像传输至检测中心内；
所述检测中心内部的图像分析单元，对电子元件外表面图像进行接收，并从预设数据库内提取预设的图像模板，将电子元件外表面图像与图像模板进行比对分析，通过分析结果，对电子元件是否异常进行判定，其中进行比对分析的具体方式为：
将所接收的电子元件外表面图像与图像模板进行重合度比对分析，得到重合参数，并将重合参数标记为CHi，其中i代表不同的电子元件；
将重合参数CHi与预设参数Y1进行比对，其中Y1为预设值，其具体取值由操作人员自行拟定，且Y1一般取值98％，当CHi＜Y1时，将电子元件标记为异常品，并传输至显示终端内进行显示，由操作人员介入操作，反之，将对应的电子元件进行下一步处理，生成测试信号，并将测试信号传输至功率区间参数分析单元内。
所述功率区间参数分析单元，对测试信号进行接收，从预设数据库提取功率测试区间参数，根据所提取的功率测试区间参数，再通过功率测试区间对电子元件进行自测试处理，启动参数获取端，对电子元件的输出功率参数进行获取，并将所获取的输出功率参数传输至功率区间参数分析单元内，其中，进行自测试处理的具体方式为：
S1、将所提取的功率测试区间参数依次标记为(0，X1】，(X1，X2】以及(X2，X3】，其中X1、X2以及X3均为预设的边界参数，其具体取值由操作人员根据经验拟定；
S2、确定第一组功率测试区间(0，X1】，对电子元件进行测试，将电子元件的输入参数限制在第一组功率测试区间内，并将输入参数逐渐调节，将输入参数标记为SRi，通过参数获取端，获取电子元件的输出参数，并将其标记为SCi，并通过时刻改变的输入参数以及输出参数建立第一组波形图，采用
Figure BDA0004101317080000071
得到若干个导向因子Ki，并将若干个导向因子Ki进行捆绑，得到第一组待分析捆绑包；
S3、再确定第二组功率测试区间(X1，X2】，采用步骤S2同样的测试方式，建立第二组波形图，以及得到第二组待分析捆绑包；
S4、确定第三组功率测试区间(X2，X3】，采用步骤S2同样的测试方式，建立第三组波形图，并得到第三组待分析捆绑包；
S5、从预设数据库内提取预设比对区间，其中预设比对区间由操作人员自行拟定，且为预设值，将三组待分析捆绑包与预设比对区间进行比对，当三组待分析捆绑包内部的导向因子均属于此预设比对区间时，进行下一步处理，反之，将此电子元件标记为异常品，并传输至显示终端内进行显示；
S6、将三组波形图进行提取，并进行波动分析，获取波动幅度最大的一组波形图，并提取对应的功率测试区间，将所提取的功率测试区间传输至数值分析单元内。
所述数值分析单元，对功率测试区间进行接收，并生成温度调控信号，传输至温度调控单元内，采用此功率测试区间对电子元件进行再测试，并在测试过程中，通过温度调控单元对测试温度进行调控，并对测试参数进行分析，判定此电子元件是否合格，其中进行分析的具体方式为：
根据所接收的功率测试区间，使电子元件的输入功率维持在功率测试区间内，温度调控单元从预设数据库内提取对应的温度区间，根据此温度区间，对正常测试过程中的电子元件进行升温处理；
对测试过程中所产生的输出功率参数进行记录，并将不同的输出功率参数标记为GLk，其中k代表不同的输出功率，将输出功率参数GLk与预设参数Y2进行比对，其中Y2为预设值，其具体取值由操作人员根据经验拟定，当GLk＜Y2时，不进行任何处理，反之，将对应的输出功率参数标记为预警参数；
限定监测周期T，T为预设值，一般取值5min，获取此监测周期T内预警参数所存在的次数以及具体总时长，并将次数标记为CS，并将具体的总时长标记为SC；
采用HD＝CS×C1+SC×C2得到核对参数HD，其中C1以及C2均为预设的固定系数因子，其具体取值由操作人员自行拟定，将核对参数HD与预设参数Y3进行比对，其中Y3为预设值，当HD≤Y3时，代表此电子产品为合格产品，反之，将电子产品标记为不合格产品，并将不合格产品传输至显示终端内进行显示。
所述极限数值确定单元，对合格产品进行温度极限测试处理，将合格产品分类为标佳产品以及次佳产品，并传输至显示终端内进行显示，其中进行极限测试处理的具体方式为：
通过温度调控单元，将合格产品的工作测试温度调节至预设的最大值，并对合格产品的输入功率参数调节至最佳参数，对合格产品的输出参数进行记录；
将输出参数与预设参数Y4进行比对，其中Y4为预设值，其具体取值由操作人员根据经验拟定，当输出参数＜Y4时，将对应的合格产品标记为次佳产品，反之，将对应的合格产品标记为标佳产品；
将标记完毕后的次佳产品以及标佳产品均传输至显示终端内进行显示。
对象检测方法，包括以下步骤：
步骤一、预先获取电子元件外表面的图像，再将电子元件外表面图像与图像模板进行比对分析，通过分析结果，对电子元件是否异常进行判定；
步骤二、从预设数据库提取功率测试区间参数，根据所提取的功率测试区间参数，再通过功率测试区间对电子元件进行自测试处理，通过测试结果，判定电子元件是否异常，并对正常的电子元件进行温度测试处理；
步骤三、再根据功率测试区间对电子元件进行再测试，并在测试过程中，通过温度调控单元对测试温度进行调控，并对测试参数进行分析，判定此电子元件是否合格；
步骤四、对合格产品进行温度极限测试处理，将合格产品分类为标佳产品以及次佳产品，并传输至显示终端内进行显示。
上述公式中的部分数据均是去除量纲取其数值计算，公式是由采集的大量数据经过软件模拟得到最接近真实情况的一个公式；公式中的预设参数和预设阈值由本领域的技术人员根据实际情况设定或者通过大量数据模拟获得。
本发明的工作原理：通过不同的功率测试区间对电子元件进行自测试处理，并通过分析输出参数，对电子元件是否异常进行判定，后续，再通过波形分析，为了确保数值测试的准确度，采用波形波动较大的一组功率测试区间，再根据所确定的区间，对电子元件再次进行温度测试，在测试过程中，分析预警值出现的次数以及具体时长，不会因某次数值波动，造成误判的情况发生，提升合格产品判定的准确度，同时提升电子元件的整体检测效果；
再通过极限数值确定单元，对合格产品进行温度极限测试处理，将合格产品分类为标佳产品以及次佳产品，并传输至显示终端内进行显示，采用此种测试方式，会使整体的检测结果更加全面，使外部操作人员更加了解对应的电子元件，提升整体的检测效果。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方法而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方法进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方法的精神和范围。

Claims (6)

1.对象检测系统，其特征在于，包括图像获取端、参数获取端、检测中心以及显示终端；
所述检测中心包括图像分析单元、预设数据库、功率区间参数分析单元、数值分析单元、温度调控单元以及极限数值确定单元；
所述图像获取端，用于对需要进行测试的电子元件外表面的图像进行获取，并将所获取的电子元件外表面图像传输至检测中心内；
所述图像分析单元，对电子元件外表面图像进行接收，并从预设数据库内提取预设的图像模板，将电子元件外表面图像与图像模板进行比对分析，通过分析结果，对电子元件是否异常进行判定；
所述功率区间参数分析单元，对测试信号进行接收，从预设数据库提取功率测试区间参数，根据所提取的功率测试区间参数，再通过功率测试区间对电子元件进行自测试处理，启动参数获取端，对电子元件的输出功率参数进行获取，并将所获取的输出功率参数传输至功率区间参数分析单元内，根据分析结果，确定单组功率测试区间；
所述数值分析单元，对功率测试区间进行接收，并生成温度调控信号，传输至温度调控单元内，采用此功率测试区间对电子元件进行再测试，并在测试过程中，通过温度调控单元对测试温度进行调控，并对测试参数进行分析，判定此电子元件是否合格；
所述极限数值确定单元，对合格产品进行温度极限测试处理，将合格产品分类为标佳产品以及次佳产品，并传输至显示终端内进行显示。
2.根据权利要求1所述的对象检测系统，其特征在于，所述图像分析单元，将电子元件外表面图像与图像模板进行比对分析的具体方式为：
将所接收的电子元件外表面图像与图像模板进行重合度比对分析，得到重合参数，并将重合参数标记为CHi，其中i代表不同的电子元件；
将重合参数CHi与预设参数Y1进行比对，其中Y1为预设值，当CHi＜Y1时，将电子元件标记为异常品，并传输至显示终端内进行显示，反之，将对应的电子元件进行下一步处理，生成测试信号，并将测试信号传输至功率区间参数分析单元内。
3.根据权利要求2所述的对象检测系统，其特征在于，所述功率区间参数分析单元，通过功率测试区间对电子元件进行自测试处理的具体方式为：
S1、将所提取的功率测试区间参数依次标记为(0，X1】，(X1，X2】以及(X2，X3】，其中X1、X2以及X3均为预设的边界参数；
S2、确定第一组功率测试区间(0，X1】，对电子元件进行测试，将电子元件的输入参数限制在第一组功率测试区间内，并将输入参数逐渐调节，将输入参数标记为SRi，通过参数获取端，获取电子元件的输出参数，并将其标记为SCi，并通过时刻改变的输入参数以及输出参数建立第一组波形图，采用
Figure FDA0004101317070000021
得到若干个导向因子Ki，并将若干个导向因子Ki进行捆绑，得到第一组待分析捆绑包；
S3、再确定第二组功率测试区间(X1，X2】，采用步骤S2同样的测试方式，建立第二组波形图，以及得到第二组待分析捆绑包；
S4、确定第三组功率测试区间(X2，X3】，采用步骤S2同样的测试方式，建立第三组波形图，并得到第三组待分析捆绑包；
S5、从预设数据库内提取预设比对区间，其中预设比对区间为预设值，将三组待分析捆绑包与预设比对区间进行比对，当三组待分析捆绑包内部的导向因子均属于此预设比对区间时，进行下一步处理，反之，将此电子元件标记为异常品，并传输至显示终端内进行显示；
S6、将三组波形图进行提取，并进行波动分析，获取波动幅度最大的一组波形图，并提取对应的功率测试区间，将所提取的功率测试区间传输至数值分析单元内。
4.根据权利要求3所述的对象检测系统，其特征在于，所述数值分析单元，对测试参数进行分析的具体方式为：
根据所接收的功率测试区间，使电子元件的输入功率维持在功率测试区间内，温度调控单元从预设数据库内提取对应的温度区间，根据此温度区间，对正常测试过程中的电子元件进行升温处理；
对测试过程中所产生的输出功率参数进行记录，并将不同的输出功率参数标记为GLk，其中k代表不同的输出功率，将输出功率参数GLk与预设参数Y2进行比对，其中Y2为预设值，当GLk＜Y2时，不进行任何处理，反之，将对应的输出功率参数标记为预警参数；
限定监测周期T，T为预设值，获取此监测周期T内预警参数所存在的次数以及具体总时长，并将次数标记为CS，并将具体的总时长标记为SC；
采用HD＝CS×C1+SC×C2得到核对参数HD，其中C1以及C2均为预设的固定系数因子，将核对参数HD与预设参数Y3进行比对，其中Y3为预设值，当HD≤Y3时，代表此电子产品为合格产品，反之，将电子产品标记为不合格产品，并将不合格产品传输至显示终端内进行显示。
5.根据权利要求4所述的对象检测系统，其特征在于，所述极限数值确定单元，对合格产品进行温度极限测试处理的具体方式为：
通过温度调控单元，将合格产品的工作测试温度调节至预设的最大值，并对合格产品的输入功率参数调节至最佳参数，对合格产品的输出参数进行记录；
将输出参数与预设参数Y4进行比对，其中Y4为预设值，当输出参数＜Y4时，将对应的合格产品标记为次佳产品，反之，将对应的合格产品标记为标佳产品；
将标记完毕后的次佳产品以及标佳产品均传输至显示终端内进行显示。
6.根据权利要求1-5任一项所述的对象检测系统的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、预先获取电子元件外表面的图像，再将电子元件外表面图像与图像模板进行比对分析，通过分析结果，对电子元件是否异常进行判定；
步骤二、从预设数据库提取功率测试区间参数，根据所提取的功率测试区间参数，再通过功率测试区间对电子元件进行自测试处理，通过测试结果，判定电子元件是否异常，并对正常的电子元件进行温度测试处理；
步骤三、再根据功率测试区间对电子元件进行再测试，并在测试过程中，通过温度调控单元对测试温度进行调控，并对测试参数进行分析，判定此电子元件是否合格；
步骤四、对合格产品进行温度极限测试处理，将合格产品分类为标佳产品以及次佳产品，并传输至显示终端内进行显示。
CN202310177298.2A 2023-02-28 2023-02-28 对象检测方法及系统 Pending CN116125242A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310177298.2A CN116125242A (zh) 2023-02-28 2023-02-28 对象检测方法及系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310177298.2A CN116125242A (zh) 2023-02-28 2023-02-28 对象检测方法及系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116125242A true CN116125242A (zh) 2023-05-16

Family

ID=86294086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310177298.2A Pending CN116125242A (zh) 2023-02-28 2023-02-28 对象检测方法及系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116125242A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116660269A (zh) * 2023-05-24 2023-08-29 昆山祺力达电子材料有限公司 一种pe薄膜褶皱检测系统
CN116754881A (zh) * 2023-08-18 2023-09-15 山东盈动智能科技有限公司 一种电子元件温度测试系统

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116660269A (zh) * 2023-05-24 2023-08-29 昆山祺力达电子材料有限公司 一种pe薄膜褶皱检测系统
CN116660269B (zh) * 2023-05-24 2023-12-26 昆山祺力达电子材料有限公司 一种pe薄膜褶皱检测系统
CN116754881A (zh) * 2023-08-18 2023-09-15 山东盈动智能科技有限公司 一种电子元件温度测试系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN116125242A (zh) 对象检测方法及系统
CN114430199B (zh) 一种基于大数据的开关柜运行监管系统
US20180232294A1 (en) Control device, monitoring system, and recording medium
CN116360367A (zh) 一种工业设备物联网数据采集方法及系统
CN114255784A (zh) 一种基于声纹识别的变电站设备故障诊断方法及相关装置
CN114460439A (zh) 一种数字集成电路测试系统
CN116678489B (zh) 力传感器的质量控制方法、系统、设备及介质
CN116008701A (zh) 用于智能高压开关柜的电动机构运行诊断系统及方法
CN116665748A (zh) 一种用于闪存芯片的自动化测试设备及其测试方法
CN117310239A (zh) 测试系统的高压电源控制方法
CN116225264A (zh) 基于触摸屏传感器的信号干扰噪声去除系统
CN116679139A (zh) 电缆更换监测系统及方法
CN115658982A (zh) 一种dram老化测试数据分析系统
CN115616374A (zh) 一种基于机器学习的半导体芯片的测试系统
CN109297582A (zh) 风扇异音的检测装置及检测方法
CN101846588A (zh) 基于模式搜索的阀门粘滞跳跃特性检测方法
CN112560289A (zh) 加速可靠性试验方法及装置
CN111090037A (zh) 一种仪控卡件的可靠性检测方法
CN116482519B (zh) 一种微集成电路的自测试管理系统
CN117828499B (zh) Pcba异常件确定方法、系统、存储介质及电子设备
CN116916550B (zh) 一种印刷电路板制造控制系统
CN116302763B (zh) Micro LED显示屏的触控检测方法及系统
JP7276489B2 (ja) 分析装置、制御方法、及びプログラム
CN117406048B (zh) 一种变压器放电故障诊断方法及装置
CN115793516B (zh) 一种智能桥梁移动检测的控制系统和方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination