CN113131879B - 用于开关管体偏置的放大器以及跟随器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了用于开关管体偏置的放大器以及跟随器。该放大器包括：电流源，用于提供恒定电流；电流镜，与所述电流源相连接，所述电流镜具有彼此耦合的第一电流支路和第二电流支路；同相输入端和反相输入端，分别用于控制所述第一电流支路的第一电流和所述第二电流支路的第二电流；限制晶体管，所述限制晶体管位于所述第二电流支路上，所述限制晶体管为第一类型且接收固定偏置电压，其中，所述限制晶体管用于限制所述第二电流，使得在输入电压接近零电压时下将输出电压维持为小于等于输入电压，或者在输入电压接近电源电压时将输出电压维持为大于等于输入电压。该放大器可以获得符合体偏置条件的转移特性。

Description

用于开关管体偏置的放大器以及跟随器

技术领域

本发明涉及电子器件技术领域，更具体地，涉及用于开关管体偏置的放大器以及跟随器。

背景技术

开关管的体效应(body effect)是源极与体区之间的电压差导致的开关管阈值电压(Vth)的变化。在开关管中采用体偏置可以抑制体效应。体偏置电路例如连接至开关管的体区以提供体偏置电压(body bias)，从而抑制体区的电位对开关管阈值电压的影响，因而可以减小导通电阻的数值以及减小导通电阻随源端电压的波动。体偏置电压需要选择为合适的幅值，以避免寄生PN结导通而产生漏电流。例如，对于N型场效应开关管而言，体偏置电压小于等于源端电压才能避免寄生PN结导通。

体偏置电路例如是连接在开关管的源区和体区之间的放大器。该放大器的输入端连接至开关管的源区以获得源端电压，输出端连接至开关管的体区以提供体偏置电压。在理想的情形下，如果将放大器的放大倍数置1，则开关管的体偏置电压大致与源端电压相等，可以符合开关管的体偏置条件。然而，由于放大器的转移特性并非在整个电压范围都是线性的，在输入电压接近0时，放大器的输出电压大于输入电压，因而，在开关管的源端电压接近0时，体偏置电路提供的体偏置电压大于开关管的源端电压，仍然可能导致寄生PN结导通。

因此，期望开发可以用于开关管体偏置的放大器，在开关管的源端电压的低电压范围不仅提供体偏置电压，而且可以避免寄生PN结导通，以改善开关管的性能。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种用于开关管体偏置的放大器，该放大器在反相输入端的电流支路上串联恒定偏置的晶体管以获得符合体偏置条件的转移特性。

根据本发明的一方面，提供一种用于开关管体偏置的放大器，包括: 电流源，用于提供恒定电流；电流镜，与所述电流源相连接，所述电流镜具有彼此耦合的第一电流支路和第二电流支路；同相输入端和反相输入端，分别用于控制所述第一电流支路的第一电流和所述第二电流支路的第二电流；限制晶体管，所述限制晶体管位于所述第二电流支路上，所述限制晶体管为第一类型且接收固定偏置电压，其中，所述限制晶体管用于限制所述第二电流，使得在输入电压接近零电压时下将输出电压维持为小于等于输入电压，或者在输入电压接近电源电压时将输出电压维持为大于等于输入电压。

优选地，还包括：第一类型的第一晶体管和第二晶体管，分别位于所述第一电流支路和所述第二电流支路上，其中，所述第一晶体管的控制端作为所述同相输入端以接收同相输入信号，所述第二晶体管的控制端作为所述反相输入端以接收反相输入信号。

优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述限制晶体管具有近似的阈值电压。

优选地，所述电流镜包括第二类型的第三晶体管和第四晶体管，所述第一类型和所述第二类型相反，其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管串联连接在所述第一电流支路上，所述第二晶体管、所述限制晶体管和所述第四晶体管串联连接在所述第二电流支路上，所述限制晶体管和所述第四晶体管的中间节点作为输出端以提供所述输出电压。

优选地，所述第一类型为P型，所述第二类型为N型，所述电流源连接在供电端和公共节点之间，所述第一晶体管和所述第三晶体管依次串联连接在所述公共节点和地之间，所述第二晶体管、所述限制晶体管和所述第四晶体管依次串联连接在所述公共节点和地之间。

优选地，所述限制晶体管在输入电压小于偏置电压时限制所述第二电流，所述限制晶体管的偏置电压大于所述第四晶体管的过驱动电压。

优选地，所述第一类型为N型，所述第二类型为P型，所述电流源连接在公共节点和地之间，所述第三晶体管和所述第一晶体管依次串联连接在供电端和所述公共节点之间，所述第四晶体管、所述限制晶体管和所述第二晶体管依次串联连接在供电端和所述公共节点之间。

优选地，所述限制晶体管在输入电压大于偏置电压时限制所述第二电流，所述电源电压与所述限制晶体管的偏置电压的差值小于所述第四晶体管的过驱动电压。

优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述限制晶体管均为场效应晶体管。

优选地，所述限制晶体管的偏置电压大于所述第四晶体管的过驱动电压。

根据本发明的另一方面，提供一种用于开关管体偏置的跟随器，包括：上述的放大器；以及电容，连接在放大器的输出端和地之间，其中，所述放大器的同相输入端作为所述跟随器的输入端接收输入信号，所述放大器的输出端作为所述跟随器的输出端提供输出信号，并且，所述放大器的反相输入端与输出端连接。

优选地，所述开关管为场效应晶体管，所述跟随器的输入端连接至所述开关管的源端以获取所述输入信号，所述跟随器的输出端连接至所述开关管的体区以提供所述输出信号。

优选地，所述开关管为N型场效应晶体管，所述跟随器在所述跟随器的输入电压接近零电压时下将所述跟随器的输出电压维持为小于等于输入电压。

优选地，所述开关管为P型场效应晶体管，所述跟随器在所述跟随器的输入电压接近电源电压时下将所述跟随器的输出电压维持为大于等于输入电压。

根据本发明实施例的放大器，包括经由电流镜耦合的同相输入端和反相输入端，在反相输入端的电流支路上串联连接固定偏置的限制晶体管，该限制晶体管用于限制所述第二电流，使得在输入电压接近零电压时下将输出电压维持为小于等于输入电压，或者在输入电压接近电源电压时将输出电压维持为大于等于输入电压，以符合开关管的体偏置条件。该放大器作为开关管的体偏置电路可以避免寄生PN结导通，从而改善开关管的性能。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。

图1示出根据本发明第一实施例的放大器的电路图。

图2示出根据本发明第二实施例的放大器的电路图。

图3示出根据现有技术的跟随器的电路图。

图4示出根据现有技术的跟随器的输入输出信号波形图。

图5a和5b分别示出根据本发明第三实施例和第四实施例的跟随器的电路图。

图6a和6b分别示出根据本发明第三实施例和第四实施例的跟随器的输入输出信号波形图。

图7示出根据本发明第五实施例的传输门的电路图，其中，放大器用于开关开关管的体偏置电路。

图8a和8b分别示出根据现有技术和根据本发明第五实施例的传输门的导通电阻与输入信号之间关系的曲线图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以通过不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反的，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

下面，参照附图对本发明进行详细说明。

图1示出根据本发明第一实施例的放大器的电路图。该放大器100包括经由电流镜耦合的同相输入端和反相输入端。

如图所示，放大器100包括晶体管M1至M5、以及电流源Is。晶体管 M1、M2和M5分别为P型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，晶体管M3和M4分别为N型MOSFET。

电流源Is连接在供电端和公共节点Vx之间。晶体管M1和M3依次串联连接在公共节点Vx和接地端之间，形成第一电流支路。在供电端提供电源电压Vdd。晶体管M2、M5和M4依次串联连接在公共节点Vx和接地端之间，形成第二电流支路。晶体管M3和M4的控制端彼此连接，并且连接至晶体管M1和M3的中间节点，使得晶体管M3和M4组成电流镜。晶体管M1的控制端作为同相输入端以接收同相输入信号Vip，晶体管M2 的控制端作为反相输入端以接收反相输入信号Vin。晶体管M5和M4之间的中间节点作为输出端以提供输出信号Vo。

在放大器100的差分放大工作模式中，电流源Is产生的电流分成流经晶体管M1的第一电流i1和流经晶体管M2的第二电流i2。晶体管M1的控制端接收同相输入信号Vip，第一电流i1的大小对应于同相输入信号Vip 的电平。晶体管M2的控制端接收反相输入信号Vin，第二电流i2的大小对应于反相输入信号Vin的电平。第一电流i1流经第一支路的晶体管M1和M3，在电流镜为1：1的情形下，在晶体管M4上产生的镜像电流同样为i1。因此，在输出端产生的输出信号Vout对应于i1-i2，也即，对应于同相输入信号Vip与反相输入信号Vin的差值。

晶体管M5的控制端接收固定偏置电压Vb，该固定偏置电压Vb设定了放大器的输出转换点，当同相输入电压Vip大于Vb时，可以认为晶体管M5处于导通状态。例如，晶体管M5的固定偏置电压Vb为0.3V，晶体管M1和M2以及M5具有近似相同的阈值电压。在同相输入信号Vip小于等于固定偏置电压Vb时，公共节点Vx电压随之降低，晶体管M5截止，从而对第二电流i2进行限流，在电流源晶体管M4的输出电流作用下，输出电压Vo会小于输入电压Vip。在同相输入信号Vip大于固定偏置电压Vb 时，晶体管M5导通，从而不再对第二电流i2进行限流。

根据该实施例的放大器，包括经由电流镜耦合的同相输入端和反相输入端，在反相输入端的电流支路上串联连接固定偏置的限制晶体管，使得在输入电压小于偏置电压Vb的情形下将输出电压维持为小于等于输入电压，以符合开关管的体偏置条件。该放大器作为开关管的体偏置电路可以避免寄生PN结导通，从而改善开关管的性能。

图2示出根据本发明第二实施例的放大器的电路图。该放大器200包括经由电流镜耦合的同相输入端和反相输入端。

如图所示，放大器100包括晶体管M1至M5、以及电流源Is。晶体管 M1M2，和M5分别为N型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，晶体管M3、M4分别为P型MOSFET。

电流源Is连接在公共节点Vx和地之间。晶体管M3和M1依次串联连接在供电端和公共节点Vx之间，形成第一电流支路。在供电端提供电源电压Vdd。晶体管M4、M5和M2依次串联连接在供电端和公共节点Vx之间，形成第二电流支路。晶体管M3和M4的控制端彼此连接，并且连接至晶体管M1和M3的中间节点，使得晶体管M3和M4组成电流镜。晶体管M1的控制端作为同相输入端以接收同相输入信号Vip，晶体管M2的控制端作为反相输入端以接收反相输入信号Vin。晶体管M5和M4之间的中间节点作为输出端以提供输出信号Vo。

在放大器200的差分放大工作模式中，电流源Is产生的电流分成流经晶体管M1的第一电流i1和流经晶体管M2的第二电流i2。晶体管M1的控制端接收同相输入信号Vip，第一电流i1的大小对应于同相输入信号Vip 的电平。晶体管M2的控制端接收反相输入信号Vin，第二电流i2的大小对应于反相输入信号Vin的电平。第一电流i1流经第一支路的晶体管M1和M3，在电流镜为1：1的情形下，在晶体管M4上产生的镜像电流同样为i1。因此，在输出端产生的输出信号Vout对应于i1-i2，也即，对应于同相输入信号Vip与反相输入信号Vin的差值。

晶体管M5的控制端接收固定偏置电压Vb，该固定偏置电压Vb设定了放大器的输出转换点，当同相输入电压Vip小于等于固定偏置电压Vb 时，可以认为晶体管M5处于导通状态。例如，放大器200的电源电压Vdd 为3V，晶体管M5的固定偏置电压Vb为2.7V，晶体管M1和M2以及M5具有近似相同的阈值电压。在同相输入信号Vip大于固定偏置电压Vb时，公共节点Vx电压随之升高，晶体管M5截止，从而对第二电流i2进行限流，在电流源晶体管M4的输出电流作用下，输出电压Vo会大于输入电压Vip。在同相输入信号Vip小于等于固定偏置电压Vb时，晶体管M5导通，从而不再对第二电流i2进行限流。

根据该实施例的放大器，包括经由电流镜耦合的同相输入端和反相输入端，在反相输入端的电流支路上串联连接固定偏置的限制晶体管，使得在输入电压大于固定偏置电压Vb的情形下将输出电压维持为大于等于输入电压。该放大器可以用于要求输出电压始终大于等于输入电压的应用电路。

图3示出根据现有技术的跟随器的电路图。图4出根据现有技术的跟随器的输入输出信号波形图。

如图3所示，根据现有技术的跟随器300包括放大器以及连接在输出端Vo和地之间的电容Co。放大器包括经由电流镜耦合的同相输入端和反相输入端。在电流镜的任一电流支路上均未设置固定偏置的限制晶体管。进一步地，将放大器的同相输入端作为输入端，以接收输入信号Vi，将放大器的反相输入端与输出端连接，以提供输出信号Vo。在电容Co的两端获得与输入端Vi相对应的输出电压Vo。在输入信号Vi小于晶体管M4 的过驱动电压Vov时,尤其在输入信号Vi接近0时，由于电流镜的第二电流支路仍然存在着流向输出端的电流，因此输出信号Vo大于输入信号Vi。如图4所示，在输入信号Vi为0V时，输出信号Vo为50mV左右，随着输入信号Vi从0增加到晶体管M4的过驱动电压Vov，输出信号Vo逐渐增加至与输入信号Vi相同。在输入信号Vi从0V至晶体管M4的过驱动电压Vov的电压范围内，输出信号Vo大于输入信号Vi。在输入信号Vi大于晶体管M4 的过驱动电压Vov的电压范围内，输出信号Vo等于输入信号Vi。

图5a和5b分别示出根据本发明第三实施例和第四实施例的跟随器的电路图。图6a和6b分别示出根据本发明第三实施例和第四实施例的跟随器的输入输出信号波形图。

如图5a所示，根据本发明第三实施例的跟随器400包括如图1所示的放大器100以及连接在输出端Vo和地之间的电容Co。放大器包括经由电流镜耦合的同相输入端和反相输入端，其中，同相输入端与电流镜的第一电流支路耦合，反相输入端与电流镜的第二电流支路耦合。在第二电流支路上设置固定偏置的限制晶体管M5。进一步地，将放大器的同相输入端作为输入端，以接收输入信号Vi，将放大器的反相输入端与输出端连接，以提供输出信号Vo。在电容Co的两端获得与输入端Vi相对应的输出电压Vo。在输入信号Vi小于晶体管M5的偏置电压Vb时，尤其在输入信号Vi接近0时，晶体管M5截止，在电流镜M4的下拉作用下，输出会降低。如图6a所示，在输入信号Vi的整个电压范围内，输出信号Vo始终维持为小于等于输入信号Vi。在输入信号Vi为0时，输出信号Vo大致为0V。随着输入信号Vi从0增加至晶体管M5的偏置电压Vb，输出信号Vo逐渐增加至与输入信号Vi相同。

以上电路的工作需要晶体管M5的偏置电压Vb大于M4的过驱动电压，让输出小于输入的效应早于输出大于输入的效应发生。

根据本发明第三实施例的跟随器，包括经由电流镜耦合的输入端和输出端，在输出端的电流支路上串联连接固定偏置的限制晶体管，使得在输入电压小于偏置电压的情形下将输出电压维持为小于等于输入电压，以符合开关管的体偏置条件。该跟随器作为开关管的体偏置电路可以避免寄生PN结导通，从而改善开关管的性能。

如图5b所示，根据本发明第四实施例的跟随器500包括如图2所示的放大器100以及连接在输出端Vo和地之间的电容Co。放大器包括经由电流镜耦合的同相输入端和反相输入端，其中，同相输入端与电流镜的第一电流支路耦合，反相输入端与电流镜的第二电流支路耦合。在第二电流支路上设置固定偏置的限制晶体管M5。进一步地，将放大器的同相输入端作为输入端，以接收输入信号Vi，将放大器的反相输入端与输出端连接，以提供输出信号Vo。在电容Co的两端获得与输入端Vi相对应的输出电压Vo。在输入信号Vi大于晶体管M5的偏置电压Vb时，尤其在输入信号Vi接近电源电压Vdd时，晶体管M5截止，在电流镜M4的下拉作用下，输出会升高。如图6b所示，在输入信号Vi的整个电压范围内，输出信号 Vo始终维持为大于等于输入信号Vi。在输入信号Vi小于等于晶体管M5 的偏置电压Vb时，输出信号Vo与输入信号Vi相同。在输入信号Vi大于晶体管M5的偏置电压Vb时，输出信号Vo大于输入信号Vi。在输入信号Vi 为电源电压Vdd时，输出信号Vo为电源电压Vdd。

以上电路的工作需要晶体管M5的偏置电压Vb满足Vdd-Vb大于M4 的过驱动电压，让输出大于输入的效应早于输出小于输入的效应发生。

根据本发明第四实施例的跟随器，包括经由电流镜耦合的输入端和输出端，在输出端的电流支路上串联连接固定偏置的限制晶体管，使得在输入电压小于偏置电压的情形下将输出电压维持为小于等于输入电压，以符合开关管的体偏置条件。该跟随器作为开关管的体偏置电路可以避免寄生PN结导通，从而改善开关管的性能。

图7示出根据本发明第五实施例的传输门的电路图，其中，放大器用于开关开关管的体偏置电路。

如图7所示，根据本发明第五实施例的传输门600包括彼此并联的开关管M11和M12、跟随器A1和A2、开关S1至S4。在该实施例中，开关管 M11为N型MOSFET，开关管M12为P型MOSFET，开关管M11和M12构成传输门，用于获得输入从地到电源整个区间的导通特性。开关管M11 和M12的漏端彼此连接且连接至高电位端V1，源端彼此连接且连接至低电位端V2。开关S1和S2串联连接在开关管M11的体区和地之间，开关S3 和S4串联连接在开关管M12的体区和供电端之间。跟随器A1和A2分别为图5a和图5b所示的电路结构，二者均工作在单位增益模式。跟随器A1的输入端连接至低电位端V2以获取输入信号Vi，输出端连接至开关S1和S2 的中间节点以提供输出信号Vo。跟随器A2的输入端连接至低电位端V2 以获取输入信号Vi，输出端连接至开关S3和S4的中间节点以提供输出信号Vo。

在如图7所示的传输门600中，通过控制开关S1至S4的开关状态，以实现不同的体偏置方案。在根据现有技术的体偏置方案中，开关S1和S2 闭合从而将开关管M11的体区接地，开关S3和S4闭合从而将开关管M12 的体区连接至供电端，以获得图8a所示的曲线图。在根据本发明实施例的体偏置方案中，开关S1闭合且开关S2断开从而采用跟随器A1的输出信号Vo作为开关管M11的体偏置电压，开关S3闭合且开关S4断开从而采用跟随器A4的输出信号Vo作为开关管M12的体偏置电压。

进一步地，如图8a和8b所示，根据本发明实施例的体偏置方案，采用跟随器提供体偏置电压，不仅可以将导通电阻减小了一个数量级，而且导通电阻随输入信号Vi(对应于开关管的源端电压)的变化曲线平坦，因而可以减小导通电阻随开关管的源端电压的波动。传输门600中的跟随器A1即使在输入电压Vi小于偏置电压Vb的情形下也可以将输出电压Vo维持为小于等于输入电压Vi，传输门600中的跟随器A2即使在输入电压 Vi大于偏置电压Vb的情形下也可以将输出电压Vo维持为大于等于输入电压Vi，从而符合开关管的体偏置条件。该跟随器作为开关管的体偏置电路可以避免寄生PN结导通，减小从输入节点引入的CVF电流，提高负载阻抗，从而改善开关管的性能。

应当说明的是，在本发明的描述中，所含术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (13)

1.一种用于开关管体偏置的放大器，包括:

电流源，用于提供恒定电流；

电流镜，与所述电流源相连接，所述电流镜具有彼此耦合的第一电流支路和第二电流支路；

同相输入端和反相输入端，分别用于控制所述第一电流支路的第一电流和所述第二电流支路的第二电流；

限制晶体管，所述限制晶体管位于所述第二电流支路上，所述限制晶体管为第一类型且接收固定偏置电压，

其中，所述限制晶体管用于限制所述第二电流，使得在输入电压接近零电压时下将输出电压维持为小于等于输入电压，或者在输入电压接近电源电压时将输出电压维持为大于等于输入电压。

2.根据权利要求1所述的放大器，还包括：第一类型的第一晶体管和第二晶体管，分别位于所述第一电流支路和所述第二电流支路上，

其中，所述第一晶体管的控制端作为所述同相输入端以接收同相输入信号，所述第二晶体管的控制端作为所述反相输入端以接收反相输入信号。

3.根据权利要求2所述的放大器，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述限制晶体管具有近似的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的放大器，其中，所述电流镜包括第二类型的第三晶体管和第四晶体管，所述第一类型和所述第二类型相反，

其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管串联连接在所述第一电流支路上，所述第二晶体管、所述限制晶体管和所述第四晶体管串联连接在所述第二电流支路上，

所述限制晶体管和所述第四晶体管的中间节点作为输出端以提供所述输出电压。

5.根据权利要求4所述的放大器，其中，所述第一类型为P型，所述第二类型为N型，所述电流源连接在供电端和公共节点之间，

所述第一晶体管和所述第三晶体管依次串联连接在所述公共节点和地之间，

所述第二晶体管、所述限制晶体管和所述第四晶体管依次串联连接在所述公共节点和地之间。

6.根据权利要求5所述的放大器，其中，所述限制晶体管在输入电压小于偏置电压时限制所述第二电流，所述限制晶体管的偏置电压大于所述第四晶体管的过驱动电压。

7.根据权利要求4所述的放大器，其中，所述第一类型为N型，所述第二类型为P型，所述电流源连接在公共节点和地之间，

所述第三晶体管和所述第一晶体管依次串联连接在供电端和所述公共节点之间，

所述第四晶体管、所述限制晶体管和所述第二晶体管依次串联连接在供电端和所述公共节点之间。

8.根据权利要求7所述的放大器，其中，所述限制晶体管在输入电压大于偏置电压时限制所述第二电流，所述电源电压与所述限制晶体管的偏置电压的差值小于所述第四晶体管的过驱动电压。

9.根据权利要求4所述的放大器，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述限制晶体管均为场效应晶体管。

10.一种用于开关管体偏置的跟随器，包括：

根据权利要求1至9中任一项所述的放大器；以及

电容，连接在放大器的输出端和地之间，

其中，所述放大器的同相输入端作为所述跟随器的输入端接收输入信号，所述放大器的输出端作为所述跟随器的输出端提供输出信号，并且，所述放大器的反相输入端与输出端连接。

11.根据权利要求10所述的跟随器，其中，所述开关管为场效应晶体管，所述跟随器的输入端连接至所述开关管的源端以获取所述输入信号，所述跟随器的输出端连接至所述开关管的体区以提供所述输出信号。

12.根据权利要求11所述的跟随器，其中，所述开关管为N型场效应晶体管，所述跟随器在所述跟随器的输入电压接近零电压时下将所述跟随器的输出电压维持为小于等于输入电压。

13.根据权利要求11所述的跟随器，其中，所述开关管为P型场效应晶体管，所述跟随器在所述跟随器的输入电压接近电源电压时下将所述跟随器的输出电压维持为大于等于输入电压。

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