CN106571782A - 互阻抗放大器以及相关的集成电路和光学接收器 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及互阻抗放大器以及相关的集成电路和光学接收器。该互阻抗放大器包括用于接收正的恒定电源电压的第一和第二电源端子以及被适配成连接至电流源的输入端子，其中第二电源端子表示接地。互阻抗放大器还包括包含控制端子和两个另外的端子的晶体管，其中输入端子连接至第一晶体管的控制端子。电感器连接在晶体管的两个另外的端子中的第一端子与第一电源端子之间，并且偏置网络连接在晶体管的两个另外的端子中的第二端子与接地之间。具体地，互阻抗放大器被配置成使得所述第一晶体管的所述两个另外的端子中的所述第一端子与所述第一电源端子之间的电阻足够小，从而使得所述互阻抗放大器作为微分器操作。

Description

互阻抗放大器以及相关的集成电路和光学接收器
技术领域
本公开的实施例涉及互阻抗放大器。
背景技术
互阻抗放大器在现有技术中是众所周知的。通常，互阻抗放大器(TIA)是电流至电压变换器，其通常还执行放大。比如，例如在光学接收器中使用这样的TIA以便将由光电二极管提供的电流变换成对应电压信号。因此，互阻抗放大器应当向光电二极管呈现低的阻抗并且将其与放大器的输出电压隔离。
图1在这一方面示出了典型的光学传输系统，其包括光学发射器电路1和光学接收器电路3。
在所考虑的示例中，发射器电路1包括信号生成器10和用于生成光学波形的光学发射器12，诸如LED(发光二极管)或激光二极管。基本上，信号生成器10在输入处接收数字或模拟数据信号DI并且根据数据信号DI生成光学发射器12的驱动信号，从而经由通过光学发射器12发出的光的调制来传输数据信号DI。
光学接收器电路3包括光传感器30(诸如光电二极管PD)、互阻抗放大器32和处理电路36。
在所考虑的示例中，光学发射器12可以借助于光纤2耦合至光传感器30，并且通常光传感器30被配置成接收光学发射器12生成的光(将由光纤2生成的可能的损失和噪声考虑在内)。
具体地，在所考虑的示例中，互阻抗放大器32将由光电二极管PD提供的电流变换成指示由光电二极管PD接收的光的强度的对应电压信号Vout。
因此，通常可以是模拟和/或数字电路(诸如微处理器，例如DSP(数字信号处理器))的处理电路36可以精心设计电压信号Vout以便检测数据信号DI。
通常，在互阻抗放大器32与处理电路36之间还可以设置另外的模拟和/或数字信号处理级34，诸如一个或多个放大器级和/或滤波器，诸如带通滤波器。
图2在这一点上示出了接收器电路3的光学前端的可能实现。
具体地，在所考虑的示例中，互阻抗放大器32基于具有给定跨导gm的npn双极型晶体管Q1。
具体地，在所考虑的示例中，晶体管Q1的基极连接至光电二极管PD，集电极借助于第一电阻器RC连接至恒定的正的电源电压，诸如VDD(例如在1到5VDC之间的电压，相对于接地GND)，并且发射极借助于第二电阻器RE连接至接地GND。特别地，在所考虑的示例中，光电二极管PD的阴极连接至晶体管Q1的基极。
在典型的应用中，光电二极管PD以某种方式被偏置。例如，在图2中，光电二极管PD的阳极连接至(例如直接)接地GND并且光电二极管PD的阴极经由电阻器或有源阻抗Rbias连接至正的(优选地恒定的)偏置电压Vbias，偏置电压Vbias可以是电源电压VDD。因此，基本上在共发射极配置中使用晶体管Q1，并且输出电压对应于晶体管Q1的集电极处的电压。
特别地，如图3所示，光电二极管PD可以建模为具有并联连接的电容器CPD和电阻器RPD的理想的光电二极管100，即生成电流IS的电流生成器。
因此，由光电二极管100提供的电流在晶体管Q的基极处产生变化，该变化将被晶体管Q1放大。因此，在所考虑的示例中，电压Vout将反映由光电二极管PD提供的电流IS的变化并且因此指示由光电二极管PD接收的光的强度。
如图4所示，也可以通过用诸如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)之类的FET(场效应晶体管)Q2取代双极型晶体管Q1、通过用晶体管Q2的漏极和源极处的对应电阻器RD和RS取代电阻器RC和RE并且将光电二极管PD连接至晶体管Q2的栅极来使用基本上类似的示意图。
为了改善光学前端的带宽，提出了不同的技术。
例如，图5示出了所谓的并联电感峰化。
具体地，在本技术中，电感器LP与电阻器RC串联连接，以便减小光学前端的输出电容Cout的影响，即输出Vout与接地GND之间的电容。
因此，这一电感器LP生成与输出电容Cout的谐振，从而减小了电容Cout的低通滤波器效应。
相反，图6示出了所谓的串联电感峰化。
具体地，在本技术中，电感器LS连接在光电二极管PD的阴极与晶体管Q1的基极之间。因此，这一电感器LS可以用于减小互阻抗放大器32的输入处的电容CPD(以及与光电二极管PD并联连接的可能的其他电容器)的影响。
通常，还可以组合先前的技术，即并联电感峰化和串联电感峰化。
发明人已经观察到，以上技术可能是不够的。
具体地，如图7所示，实际上互阻抗放大器32也呈现输入电容CBE，其例如对应于双极型晶体管Q1的基极发射极电容。
因此，电容CPD/CBE和电感器LS实际上形成CLC滤波器结构，其仍然限制光学前端的带宽。
发明内容
根据一个或多个实施例，以上问题中的一个或多个通过具有所附权利要求中具体给出的特征的互阻抗放大器来解决。另外，实施例涉及相关集成电路以及对应的相关光学接收器。
权利要求是本文中提供的本公开的技术教导的整体部分。
如以上所提及的，本公开涉及互阻抗放大器。
在各种实施例中，互阻抗放大器包括用于接收正的恒定电源电压的第一和第二电源端子，其中第二电源端子表示接地。
互阻抗放大器还包括被适配成连接至电流源的输入端子。具体地，在光学前端的情况下，输入端子连接至光电二极管的阴极。在这种情况下，电路还可以包括耦合至输入端子的偏置电路。
在各种实施例中，输入端子连接至晶体管的控制端子，诸如npn双极结型晶体管的基极或者场效应晶体管的栅极。在各种实施例中，电感器连接至晶体管的第一端子(例如npn双极结型晶体管的集电极或者上述场效应晶体管的漏极)与电源端子之间。实际上，晶体管的第二端子(例如npn双极结型晶体管的发射极或者上述场效应晶体管的源极)经由偏置网络连接至接地。
然而，与电感并联峰化技术相反，互阻抗放大器被配置成使得晶体管的第一端子与电源端子之间的电阻保持足够低，从而使得互阻抗放大器作为微分器操作，由此补偿与输入端子相关联的电容的积分器行为。具体地，通常，相关的光学发射器将使用具有给定频谱的信号驱动光学发射装置，例如激光二极管。在这种情况下，这一电阻应当充分小以使得互阻抗放大器在多数信号能量位于其中的频谱区域中作为微分器操作。例如，通常，低于20欧姆的电阻是适当的。可以基于与输入端子相关联的电容的值来选择电感器的电感，例如在500pH(皮亨)到5nH(纳亨)的范围内，例如为1到2nH。
例如，在各种实施例中，第一晶体管的第一端子经由电感器直接连接至电源端子，并且电阻仅对应于电感器的线路损失和寄生电阻。
在各种实施例中，互阻抗放大器可以包括至少一个电子开关以及与电感器串联连接的电阻器。具体地，该电子开关可以用于选择性地短路电阻器，从而防止作为传统的互阻抗放大器(具有电感并联峰化)操作并且互阻抗放大器作为微分器操作。
在各种实施例中，该方案也可以应用于差分互阻抗放大器。在这种情况下，互阻抗放大器包括第二晶体管，其中第二晶体管的控制端子连接至参考信号。
附图说明
现在参考附图描述本公开的实施例，附图仅作为非限制性示例来提供并且在附图中：
图1至7已经在上文中进行了描述；
图8示出了根据本公开的光学接收器的前端的第一实施例；
图9示出了图8的光学前端的小信号模型的电路示意图；
图10示出了根据本公开的光学接收器的前端的第二实施例；
图11示出了根据本公开的光学接收器的实施例；以及
图12至16示出了根据本公开的光学接收器的另外的实施例。
具体实施方式
在以下描述中，给出大量具体细节以提供对实施例的透彻理解。实施例可以在没有一个或若干具体细节的情况下或者使用其他方法、部件、材料等来实施。在其他情况下，没有示出或描述众所周知的结构、材料或操作以免模糊实施例的各个方面。
遍及本说明书对“一个实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定的特征、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，短语“在一个实施例中”或“在实施例中”在本说明书的各个地方的出现不一定全部指代相同实施例。另外，在一个或多个实施例中，可以用任意合适的方式来组合特定的特征、结构或特性。
本文中提供的标记仅为了方便，而非解释实施例的范围或含义。
在以下图8至15中，已经参考图1至7描述的部分、元件或部件用先前在这样的附图中使用的相同的附图标记来表示；在下面将不再重复对这样的先前描述的元件的描述，以免增加本详细描述的负担。
如以上所提及的，本公开提供了一种新颖的互阻抗放大器，其可以用于将输入电流变换成输出电压，并且其适合用于高速应用，诸如在25GHz以上。因此，本公开的互阻抗放大器可以用在高速光学接收器中。
图8在这一点上示出了根据本公开的实施例的光学接收器的前端的基本架构。
具体地，在这种情况下，光电二极管PD也连接至互阻抗放大器32a。
例如，在所考虑的实施例中，光电二极管PD如图2中那样被偏置，即借助于连接在光电二极管PD的阴极与正的恒定的偏置电压+Vbias之间的电阻或有源阻抗Rbias。例如，可以使用电阻在1和20k欧姆之间(例如3到5k欧姆)的电阻器Rbias用于这一目的。然而，也可以使用其他电路来偏置光电二极管PD。
因此，在本光学前端(其基于互阻抗放大器32a)中，寄生电容CPD与光电二极管相关联。类似地，互阻抗放大器32a还呈现输入电容CBE，其不利地影响系统的带宽。
在这一点上，发明人已经观察到，电容CPD和CBE构成低通滤波器，其表示模拟积分器I。
然而，取代尝试通过互阻抗放大器32a的输入处的合适的滤波器结构(例如图6和7图示的串联电感峰化)来补偿这一低通滤波器的影响，本公开提出了使用互阻抗放大器放大级，其作为模拟微分器D。
具体地，在图8所示的实施例中，微分器D用npn双极型晶体管Q3和加感电感器LC来实现。在所考虑的实施例中，晶体管Q3的基极连接至(例如直接)光电二极管PD的阴极，集电极借助于电感器LC连接至(例如直接)电源电压VDD，并且发射极借助于偏置网络BN连接至(例如直接)接地GND。
例如，在所考虑的单端配置中，偏置网络BN可以用并联连接在晶体管Q3的发射极与接地GND之间的电阻器RE和光学电容器CPN来实现。例如，可以从5到50pF(皮法)、例如10到20pF的范围内选择电容器CPN的电容。
因此，在所考虑的实施例中，仅电感器LC连接在电源电压VDD与晶体管Q3的集电极C之间。通常，电源电压VDD可以是任何恒定的正的电压，诸如相对于接地GND在1和5VDC之间选择的电压。例如，这样的电源电压VDD可以通过电压调节器来获得，电压调节器可以在高频处呈现相当低的输出阻抗。
因此，通常，图8所示的实施例还包括连接至晶体管的集电极的电感器。然而，与图5所示的电感并联峰化技术相反，这一电感器LC未被用于补偿输出电容Cout，而是实现微分器D，其因此允许补偿输入处的电容的积分器行为(CPD和CBE)。
图9在这一点上示出了图8所示的电路的可能的小信号模型。
具体地，如以上所提及的，光电二极管PD可以用电流生成器100来建模。例如，典型的光电二极管提供在10和150μA(微安培)、例如20到50μA的范围内的电流变化。
这一电流生成器100连接在具有晶体管Q3的增益gm的(理想的)npn双极结型晶体管Q4的基极与接地之间。
在晶体管Q4的基极与接地GND之间连接有电容Cin，其对光电二极管PD的电容CPD以及双极型晶体管Q3的电容CBE建模。例如，对于典型的光电二极管和BJT晶体管，Cin的值可以在10到100fF(毫微微法)、例如20到50fF的范围内。
类似地，电容Cμ连接在晶体管Q4的基极与集电极之间。这一电容Cμ建模晶体管Q3的基极集电极电容。最终，电感器LC连接在晶体管Q4的集电极与电源电压VDD之间。
因此，通过求解相关电路等式，可以将输出电压近似表示为：
其中运算符“//”表示这些分量并联(其中A//B＝(AB)/(A+B))。因此，基于以上分量的典型值，可以忽略项“gm(Cin/Cμ)”。
根据以上等式可以观察到，输出阻抗完全补偿输入阻抗。实际上，仅互阻抗放大器32a的增益随着输入电容值的增加而减小。
在所考虑的实施例中，电路在没有反馈电阻器的情况下(即在开环配置中)操作，这明显快于闭环方法。本领域技术人员应当理解，反馈电阻器的缺乏也去除了相关联的噪声。在高频处，其中电感是高阻抗，仍然可以通过晶体管Q3的基极与集电极之间的寄生电容Cμ的反馈耦合来获得另外的小降低效果。因此，根据本公开的电路与具有反馈电阻器的通常的闭环配置相比具有明显的优点，尤其是关于操作速度。
图10示出了根据本描述的互阻抗放大器32b的差分实现的实施例。
在所考虑的实施例中，互阻抗放大器32a也耦合至光电二极管PD，PD以某种方式被偏置。例如，在所考虑的实施例中，光电二极管PD经由连接在光电二极管的阴极与正的偏置电压Vbias之间的电阻器Rbias来被偏置。
类似地，对于在图8所示的单端配置，光电二极管PD连接至(例如直接)npn双极结型晶体管Q31的基极，Q31对应于图8的晶体管。因此，在本配置中，晶体管Q31的集电极也经由电感器LC1连接至(例如直接)恒定的正的电源电压，例如VDD，并且晶体管Q31的发射极经由偏置网络BN连接至(例如直接)接地。
例如，在差分配置中，偏置网络BN可以用并联连接的电流生成器102和光学电容器CPN来实现。例如，在所考虑的实施例中，电流生成器102可以提供在100μA(微安培)和10mA(毫安培)之间、例如在400μA和4mA之间选择的电流。
电容器CPN的电容也可以从5到50pF(皮法)、例如10到20pF的范围来选择。
因此，在所考虑的实施例中，晶体管Q31的发射极经由电流生成器102连接至接地GND。
为了实现差分配置，互阻抗放大器32b包括互补支路。具体地，在所考虑的实施例中，互阻抗放大器32b包括第二npn双极结型晶体管Q32，其中晶体管Q32的集电极经由第二电感器LC2连接至(例如直接)恒定的正的电源电压、例如VDD，并且晶体管Q32的发射极经由偏置网络BN连接至(例如直接)接地GND。电感器LC1和LC2可以具有相同的电感和/或电感可以基于输入电容Cin的值来选择，例如在500pH(皮亨)到5nH(纳亨)、例如1nH到2nH的范围内。
可以使用不同的方案来在晶体管Q32的基极处获得参考信号REF。例如，在所考虑的实施例中，晶体管Q32的基极经由电阻器RSet连接至恒定的正的电压、诸如VDD。
然而，也可以使用更复杂的方案，诸如第二光电二极管(具有相关联的偏置电路)。在这种情况下，第二光电二极管未被照亮并且仅提供用于晶体管Q32的基极的参考信号REF。
在各种实施例中，互阻抗放大器32a和32b还可以包括与电感器LC并联连接(例如直接)的负载电阻器RL或者分别与电感器LC1和LC2并联连接的两个负载电阻器RL1和RL2。这些电阻器可以适合抑制由电感器给出的谐振峰值以及负载电容Cout。
例如，这些负载电阻器的电阻可以从50欧姆和500欧姆之间的范围(例如100到300欧姆)选择。
通常，如已经关于图4所提及的，也可以使用诸如n沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)之类的FET(场效应晶体管)来取代互阻抗放大器32a/32b的npn双极结型晶体管Q3、Q31和Q32。
因此，如图11所示，根据本公开的光学接收器电路3a包括光电二极管PD、互阻抗放大器32a/32b和处理电路36。
例如，光学接收器电路3a可以集成在集成电路中，集成电路集成在半导体芯片中。通常，光电二极管PD和/或处理电路36可以与互阻抗放大器32a和32b集成或者设置在单独的芯片上。
光学接收器电路3a还可以包括被配置成生成用于互阻抗放大器32a或32b的电压VDD和Vbias的一个或多个电压调节器38a和38b。如以上所提及的，用于生成电压VDD的电压调节器32a应当在高频处呈现相当低的输出阻抗。
最后，在互阻抗放大器32a/32b与处理电路36之间还可以设置另外的模拟和/或数字信号处理级34a，诸如一个或多个放大器级和/或滤波器，诸如带通滤波器。
例如，图12示出了实施例，其中差分互阻抗放大器32b的输出被馈送给一个或多个另外的放大器CH1、CH2。例如，这些放大器CH1、CH2可以实现Cherry-Hooper链。
在各种级之间还可以设置滤波器，诸如包括电阻器RCH和电容器CCH的低通RC滤波器。
图14示出了如下实施例，其中信号处理块34a包括至少一个信号整形电路342。
具体地，如图13所示，实际上，电感器Lc将呈现等效串联寄生电阻Rpar。
然而，与例如图5所示的传统的电阻器RC相比，这一电阻Rpar通常小于20欧姆，例如小于10欧姆，并且仅表示电感器LC的寄生电阻和可能的线路损失。
然而，在非常低的频率处，放大器的互阻抗增益受到这一寄生电阻Rpar的影响。具体地，在低频处，互阻抗放大器的增益ZDC可以用以下等式近似：
ZDC＝RingmRpar
其中Rin表示输入电阻，其例如在光电二极管PD如图2中所示的那样被偏置的情况下对应于偏置电阻Rbias和光电二极管电阻RPD。
因此，如图14所示，放大器32a/32b的低频增益通常小于高频增益(上至放大器的截止频率)。因此，可以增加整形电路342、诸如零极点均衡器，以便使得频率增益使其再次平坦。
最后，为了处理不同值范围的光学功率，即由光电二极管PD提供的不同范围的电流，光学前端可以包括多个互阻抗放大器，多个互阻抗放大器可以被选择性地启用。
例如，图15示出了如下实施例，其中光学接收器除了以上描述的互阻抗放大器32a或32b还包括第二互阻抗放大器32c。例如，光学接收器3a可以被配置成针对小电流IS(例如低于50μA)启用(例如借助于电子开关S1)互阻抗放大器32a/32b，并且针对较高电流IS(例如在50μA以上)启用(例如借助于电子开关S2)互阻抗放大器32c。在这种情况下，互阻抗放大器32c也可以使用传统的互阻抗放大器(诸如闭环TIA)来实现，因为信噪比在这种情况下明显很高。
在各种实施例中，互阻抗放大器32a或32b的增益可以是可变的。
例如，如图16所示，放大器32a(并且类似地放大器32b)可以包括电阻器RC和电子开关S3。具体地，电子开关S3可以用于短路电阻器RC或者将电阻器RC与电感器LC串联连接，从而将本公开的互阻抗放大器32a或32b变换成如图5所示的具有电感并联峰化的传统互阻抗放大器。
具体地，当开关S3闭合时，晶体管Q3的集电极与电源电压VDD之间的电阻再次很小，使得互阻抗放大器作为多数信号能量位于其中的频谱区域中的微分器操作。
当然，在不偏离本公开的原理的情况下，构造和实施例的细节可以关于本文中仅作为示例描述和说明的内容极大地变化，而没有偏离本公开的范围。
可以组合以上描述的各种实施例以提供另外的实施例。可以鉴于以上详述的描述对实施例做出这些以及其他变化。总之，在以下权利要求中，所使用的术语不应当被理解为将权利要求限于说明书和权利要求中公开的具体实施例，而是应当被理解为包括所有可能的实施例连同这样的权利要求被赋予的等同方案的整个范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (21)

1.一种互阻抗放大器，包括：
第一电源端子和第二电源端子，用于接收正的恒定电源电压，其中所述第二电源端子表示接地；
输入端子，被配置成电耦合至电流源；
第一晶体管，包括控制端子以及第一传导端子和第二传导端子，其中所述输入端子电耦合至所述第一晶体管的所述控制端子；
第一电感器，电耦合在所述第一晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间；以及
偏置网络，电耦合在所述第一晶体管的所述第二传导端子与所述第二电源端子之间；
其中所述互阻抗放大器具有在所述第一晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间的电阻，所述电阻足够小以使得所述互阻抗放大器作为微分器来操作。
2.根据权利要求1所述的互阻抗放大器，包括耦合至所述第一晶体管的所述控制端子的偏置电路。
3.根据权利要求1所述的互阻抗放大器，其中：
所述第一晶体管是npn双极结型晶体管，其中所述第一晶体管的所述控制端子是所述npn双极结型晶体管的基极，所述第一晶体管的所述第一传导端子是所述npn双极结型晶体管的集电极，并且所述第一晶体管的所述第二传导端子是所述npn双极结型晶体管的发射极；或者
所述第一晶体管是n沟道场效应晶体管，其中所述第一晶体管的所述控制端子是所述场效应晶体管的栅极，所述第一晶体管的所述第一传导端子是所述场效应晶体管的漏极，并且所述第一晶体管的所述第二传导端子是所述场效应晶体管的源极。
4.根据权利要求1所述的互阻抗放大器，其中所述第一晶体管的所述第一传导端子经由所述第一电感器直接连接至所述第一电源端子。
5.根据权利要求1所述的互阻抗放大器，包括电阻器和被配置成将所述电阻器与所述第一电感器选择性地串联耦合的电子开关，使得能够选择性地增加所述晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间的所述电阻。
6.根据权利要求1所述的互阻抗放大器，包括：
第二电感器；以及
第二晶体管，具有控制端子以及第一传导端子和第二传导端子，其中所述第二晶体管的所述控制端子被配置成接收参考信号，其中所述第二晶体管的所述第一传导端子经由所述第二电感器电耦合至所述第一电源端子，并且其中所述第二晶体管的所述第二传导端子经由所述偏振网络电耦合至所述第二电源端子。
7.一种集成电路，包括：
半导体芯片；以及
互阻抗放大器，集成在所述半导体芯片中并且包括：
第一电源端子和第二电源端子，用于接收正的恒定电源电压，其中所述第二电源端子表示接地；
输入端子，被配置成电耦合至电流源；
第一晶体管，包括控制端子以及第一传导端子和第二传导端子，其中所述输入端子电耦合至所述第一晶体管的所述控制端子；
第一电感器，电耦合在所述第一晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间；以及
偏置网络，电耦合在所述第一晶体管的所述第二传导端子与所述第二电源端子之间；
其中所述互阻抗放大器具有在所述第一晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间的电阻，所述电阻足够小以使得所述互阻抗放大器作为微分器来操作。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述电流源是具有电耦合至所述第一晶体管的所述控制端子的阴极的光电二极管。
9.根据权利要求7所述的集成电路，包括：
电压调节器，被配置成生成用于所述互阻抗放大器的所述正的恒定电源电压。
10.根据权利要求7所述的集成电路，包括：
一个或多个放大器，与所述互阻抗放大器级联电耦合。
11.根据权利要求7所述的集成电路，包括：
信号整形电路，被配置成在频谱中补偿所述第一晶体管的所述第一传导端子和所述第二传导端子中的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间的所述电阻。
12.根据权利要求7所述的集成电路，包括：
另外的互阻抗放大器；以及
电子开关，被配置成选择性地启用所述互阻抗放大器或者所述另外的互阻抗放大器。
13.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述互阻抗放大器包括电阻器和被配置成将所述电阻器与所述第一电感器选择性地串联耦合的电子开关，使得能够选择性地增加所述晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间的所述电阻。
14.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述互阻抗放大器包括：
第二电感器；以及
第二晶体管，具有控制端子以及第一传导端子和第二传导端子，其中所述第二晶体管的所述控制端子被配置成接收参考信号，其中所述第二晶体管的所述第一传导端子经由所述第二电感器电耦合至所述第一电源端子，并且其中所述第二晶体管的所述第二传导端子经由所述偏振网络电耦合至所述第二电源端子。
15.一种光学接收器，包括：
光电二极管；以及
互阻抗放大器；包括：
第一电源端子和第二电源端子，用于接收正的恒定电源电压，其中所述第二电源端子表示接地；
第一晶体管，包括控制端子以及第一传导端子和第二传导端子，其中所述控制端子电耦合至所述光电二极管的阴极；
第一电感器，电耦合在所述第一晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间；以及
偏置网络，电耦合在所述第一晶体管的所述第二传导端子与所述第二电源端子之间；
其中所述互阻抗放大器具有在所述第一晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间的电阻，所述电阻足够小以使得所述互阻抗放大器作为微分器来操作。
16.根据权利要求15所述的光学接收器，包括：
电压调节器，被配置成生成用于所述互阻抗放大器的所述正的恒定电源电压。
17.根据权利要求15所述的光学接收器，包括：
一个或多个放大器，与所述互阻抗放大器级联电耦合。
18.根据权利要求15所述的光学接收器，包括：
信号整形电路，被配置成在频谱中补偿所述第一晶体管的所述第一传导端子和所述第二传导端子中的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间的所述电阻。
19.根据权利要求15所述的光学接收器，包括：
另外的互阻抗放大器；以及
电子开关，被配置成选择性地启用所述互阻抗放大器或者所述另外的互阻抗放大器。
20.根据权利要求15所述的光学接收器，其中所述互阻抗放大器包括电阻器和被配置成将所述电阻器与所述第一电感器选择性地串联耦合的电子开关，使得能够选择性地增加所述晶体管的所述第一传导端子与所述第一电源端子之间的所述电阻。
21.根据权利要求15所述的光学接收器，其中所述互阻抗放大器包括：
第二电感器；以及
第二晶体管，具有控制端子以及第一传导端子和第二传导端子，其中所述第二晶体管的所述控制端子被配置成接收参考信号，其中所述第二晶体管的所述第一传导端子经由所述第二电感器电耦合至所述第一电源端子，并且其中所述第二晶体管的所述第二传导端子经由所述偏振网络电耦合至所述第二电源端子。
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