WO2026014233A1

WO2026014233A1 - 半導体装置

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Publication number: WO2026014233A1
Application number: PCT/JP2025/022768
Authority: WO
Inventors: 雅由西畑
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2024-07-09
Filing date: 2025-06-25
Publication date: 2026-01-15
Anticipated expiration: 2027-01-09
Also published as: JP2026010601A

Abstract

半導体装置は、第１主端子、第２主端子、信号端子、基板、半導体素子およびスナバ回路を備える。半導体素子は、基板が有する第１配線に電気的に接続されている。スナバ回路は、基板が有する第１配線と第２配線とを電気的に架橋する。スナバ回路は、互いに直列接続されたコンデンサ（１３１）および抵抗（１３２）を含む。スナバ回路の抵抗には、互いに直列接続された第１抵抗および第２抵抗が含まれている。抵抗（Ｒ１１）および抵抗（Ｒ１２）が第１抵抗に相当する。抵抗（Ｒ２１）および抵抗（Ｒ２２）が第２抵抗に相当する。

Description

半導体装置

関連出願の相互参照

　この出願は、２０２４年７月９日に日本に出願された特許出願第２０２４－１１０５７４号を基礎としており、基礎の出願の内容を、全体的に、参照により援用している。

　この明細書における開示は、半導体装置に関する。

　特許文献１は、スナバ回路を内蔵する半導体装置を開示している。このスナバ回路は、互いに直列接続されたコンデンサおよび抵抗を有して構成されている。コンデンサおよび抵抗は、直流電源の電源端子に接続されるＰ配線と、接地端子に接続されるＮ配線とを電気的に架橋する。

特開２０２１－１８２５７５号公報

　しかしながら、スナバ回路に用いられるコンデンサでは、内部欠陥が存在する状態で過電圧が繰り返し印加される等、様々な原因で短絡故障することが懸念される。そして、コンデンサが短絡故障すると、スナバ回路がＰ配線とＮ配線を短絡させてしまい、他の関連部品が故障する懸念が生じる。つまり、コンデンサの故障が関連部品の故障へと拡大していく懸念が生じる。

　開示されるひとつの目的は、コンデンサ故障の拡大抑制を図った半導体装置を提供することにある。

　開示のひとつの態様は、
　電力変換回路を構成する半導体装置であって、
　第１主端子と、
　第２主端子と、
　信号端子と、
　絶縁基材と、絶縁基材の一面に配置され、第１主端子に電気的に接続された第１配線と、一面に配置され、第２主端子に電気的に接続された第２配線と、を有する基板と、
　第１配線に電気的に接続された半導体素子と、
　互いに直列接続されたコンデンサおよび抵抗を含み、第１配線と第２配線とを電気的に架橋するスナバ回路と、を備え、
　抵抗には、互いに直列接続された第１抵抗および第２抵抗が含まれている、半導体装置である。

　上記開示の半導体装置によれば、スナバ回路の抵抗は、互いに直列接続された第１抵抗と第２抵抗によって複数に分けられている。そのため、複数に分けられた各々の抵抗を小さくできる。その結果、コンデンサが短絡故障して抵抗に高電圧が印加された時に、第１抵抗および第２抵抗のいずれかが溶断してオープン故障する可能性を高くできる。よって、コンデンサの短絡故障が関連部品の故障へと拡大していく懸念を低減できる。

　開示のひとつの態様は、
　電力変換回路を構成する半導体装置であって、
　第１主端子と、
　第２主端子と、
　信号端子と、
　絶縁基材と、絶縁基材の一面に配置され、第１主端子に電気的に接続された第１配線と、一面に配置され、第２主端子に電気的に接続された第２配線と、を有する基板と、
　第１配線に電気的に接続された半導体素子と、
　コンデンサを含み、第１配線と第２配線とを電気的に架橋するスナバ回路と、を備え、
　コンデンサは、電極、および電極に接続されるリード端子を有し、
　リード端子には、リード端子を流れる電流の電気抵抗が部分的に大きくなるように設定された細部が設けられ、
　細部は、コンデンサの短絡故障に伴って流れる電流で溶断する電気抵抗に設定されている、半導体装置である。

　上記開示の半導体装置によれば、コンデンサが短絡故障して抵抗に高電圧が印加された時に、リード端子の細部が溶断してオープン故障する可能性を高くできる。よって、コンデンサの短絡故障が関連部品の故障へと拡大していく懸念を低減できる。

　この明細書における開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、および効果は、後続の詳細な説明、および添付の図面を参照することによってより明確になる。

第１実施形態に係る半導体装置が適用される電力変換装置の回路構成を示す図である。第１実施形態に係る半導体装置を備えた半導体モジュールの斜視図である。図２に示す半導体モジュールの平面図である。図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図３に示す半導体モジュールの断面図である。図３に示す半導体モジュールからハウジングを取り除いた状態の平面図である。図１に示すスナバ回路の詳細図である。図７に示すスナバ回路に係る、コンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。第１実施形態の変形例において、スナバ回路のコンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。第１実施形態の変形例において、スナバ回路のコンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。第１実施形態の変形例において、スナバ回路のコンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。第１実施形態の変形例において、スナバ回路のコンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。第１実施形態の変形例において、スナバ回路のコンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。第２実施形態に係る半導体装置を備えた半導体モジュールの平面図である。第２実施形態の変形例に係る半導体モジュールの平面図である。第３実施形態に係る半導体装置が備える、コンデンサの正面図である。図１６に示すコンデンサをＸＶＩＩ矢視方向から見た側面図である。第４実施形態に係る半導体装置が備えるスナバ回路の、コンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う断面図である。図１９をＹ方向から見た断面図である。図１８に示すスナバ回路の電子部品と、第１投影範囲、第２投影範囲、第１範囲および第２範囲との関係を示す平面図である。第４実施形態の変形例において、スナバ回路の電子部品の配置を示す平面図である。第４実施形態の変形例において、スナバ回路の電子部品の配置を示す平面図である。第４実施形態の変形例において、スナバ回路の電子部品の配置を示す平面図である。第４実施形態の変形例において、スナバ回路の電子部品の配置を示す平面図である。第４実施形態の変形例において、スナバ回路の電子部品の配置を示す平面図である。第４実施形態の変形例において、スナバ回路の電子部品の配置を示す平面図である。第４実施形態の変形例において、スナバ回路の電子部品の配置を示す平面図である。第４実施形態の変形例において、スナバ回路の電子部品の配置を示す平面図である。第５実施形態に係る半導体装置が備えるスナバ回路の、コンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。第５実施形態に係るスナバ回路の断面図である。第５実施形態の比較例１に係るスナバ回路の断面図である。第５実施形態の比較例２に係るスナバ回路の断面図である。第６実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。第６実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。第６実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。第７実施形態のスナバ回路に係る、コンデンサおよび抵抗の配置を表した平面図である。図３７のＸＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。

　以下、図面に基づいて複数の実施形態を説明する。なお、各実施形態において対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明を省略する場合がある。各実施形態において構成の一部分のみを説明している場合、当該構成の他の部分については、先行して説明した他の実施形態の構成を適用することができる。また、各実施形態の説明において明示している構成の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示していなくても複数の実施形態の構成同士を部分的に組み合せることができる。

　本実施形態の半導体装置は、たとえば、回転電機を駆動源とする移動体の電力変換装置に適用される。移動体は、たとえば、電気自動車（ＢＥＶ）、ハイブリッド自動車（ＨＥＶ）、プラグインハイブリッド自動車（ＰＨＥＶ）などの電動車両、電動垂直離着陸機やドローンなどの飛行体、船舶、建設機械、農業機械などである。以下では、車両に適用される例について説明する。

　（第１実施形態）
　まず、図１に基づき、車両の駆動システムの概略構成について説明する。

　＜車両の駆動システム＞
　図１に示すように、車両の駆動システム１は、直流電源２、モータジェネレータ３および電力変換装置４を備えている。

　直流電源２は、充放電可能な二次電池で構成された直流電圧源である。二次電池は、たとえばリチウムイオン電池、ニッケル水素電池である。モータジェネレータ３は、三相交流方式の回転電機である。モータジェネレータ３は、車両の走行駆動源、すなわち電動機として機能する。モータジェネレータ３は、回生時に発電機として機能する。電力変換装置４は、直流電源２とモータジェネレータ３との間で電力変換を行う。

　＜電力変換装置＞
　次に、図１に基づき、電力変換装置４の回路構成について説明する。電力変換装置４は、電力変換回路を備えている。本実施形態の電力変換装置４は、平滑コンデンサ５と、電力変換回路であるインバータ６を備えている。

　平滑コンデンサ５は、主として、直流電源２から供給される直流電圧を平滑化する。平滑コンデンサ５は、高電位側の電源ラインであるＰライン７と低電位側の電源ラインであるＮライン８とに接続されている。Ｐライン７は直流電源２の正極に接続され、Ｎライン８は直流電源２の負極に接続されている。平滑コンデンサ５の正極は、直流電源２とインバータ６との間において、Ｐライン７に接続されている。平滑コンデンサ５の負極は、直流電源２とインバータ６との間において、Ｎライン８に接続されている。平滑コンデンサ５は、直流電源２に並列に接続されている。

　インバータ６は、ＤＣ－ＡＣ変換回路である。インバータ６は、図示しない制御回路によるスイッチング制御にしたがって、直流電圧を三相交流電圧に変換し、モータジェネレータ３へ出力する。これにより、モータジェネレータ３は、所定のトルクを発生するように駆動する。インバータ６は、車両の回生制動時、車輪からの回転力を受けてモータジェネレータ３が発電した三相交流電圧を、制御回路によるスイッチング制御にしたがって直流電圧に変換し、Ｐライン７へ出力する。このように、インバータ６は、直流電源２とモータジェネレータ３との間で双方向の電力変換を行う。

　インバータ６は、三相分の上下アーム回路９を備えて構成されている。上下アーム回路９は、レグと称されることがある。上下アーム回路９は、上アーム９Ｈと、下アーム９Ｌをそれぞれ有している。上アーム９Ｈおよび下アーム９Ｌは、上アーム９ＨをＰライン７側として、Ｐライン７とＮライン８との間で直列接続されている。

　上アーム９Ｈと下アーム９Ｌとの接続点は、出力ライン１０を介して、モータジェネレータ３における対応する相の巻線３ａに接続されている。上下アーム回路９のうち、Ｕ相の上下アーム回路９Ｕは、対応する出力ライン１０を介してＵ相の巻線３ａに接続されている。Ｖ相の上下アーム回路９Ｖは、対応する出力ライン１０を介してＶ相の巻線３ａに接続されている。Ｗ相の上下アーム回路９Ｗは、対応する出力ライン１０を介してＷ相の巻線３ａに接続されている。Ｐライン７、Ｎライン８、および出力ライン１０それぞれの少なくとも一部は、たとえばバスバーなどの導電部材により構成される。

　インバータ６は、６つのアームを有している。各アームは、スイッチング素子を備えて構成されている。各アームを構成するスイッチング素子の数は特に限定されない。ひとつでもよいし、複数でもよい。複数の場合、互いに並列接続された複数のスイッチング素子は、共通のゲート駆動信号（駆動電圧）により、互いに同じタイミングでオン駆動、オフ駆動する。

　本実施形態では、各アームを構成するスイッチング素子として、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ１１を採用している。ＭＯＳＦＥＴは、Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorの略称である。上アーム９Ｈにおいて、ＭＯＳＦＥＴ１１のドレインが、Ｐライン７に接続されている。下アーム９Ｌにおいて、ＭＯＳＦＥＴ１１のソースが、Ｎライン８に接続されている。上アーム９ＨにおけるＭＯＳＦＥＴ１１のソースと、下アーム９ＬにおけるＭＯＳＦＥＴ１１のドレインが、相互に接続されている。

　ＭＯＳＦＥＴ１１のそれぞれには、還流用のダイオード１２が逆並列に接続されている。ダイオード１２は、ＭＯＳＦＥＴ１１の寄生ダイオード（ボディダイオード）でもよいし、寄生ダイオードとは別に設けたものでもよい。ダイオード１２のアノードは対応するＭＯＳＦＥＴ１１のソースに接続され、カソードはドレインに接続されている。

　なお、スイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴ１１に限定されない。たとえばＩＧＢＴを採用してもよい。ＩＧＢＴは、Insulated Gate Bipolar Transistorの略称である。ＩＧＢＴの場合にも、還流用のダイオードが逆並列に接続される。

　インバータ６は、上記した上下アーム回路９に加えて、スナバ回路１３を備えている。スナバ回路１３は、スイッチング時に生じる過渡的な高電圧、いわゆるスイッチングサージを吸収する。これにより、高速スイッチングが可能となる。スナバ回路１３は、上下アーム回路９に対して個別に設けられ、対応する上下アーム回路９に対して並列接続されてもよい。スナバ回路１３は、各アーム９Ｈ，９Ｌに対して個別に設けられ、対応するアーム９Ｈ，９Ｌに対して並列接続されてもよい。一例として本実施形態のスナバ回路１３は、上下アーム回路９に対して並列接続されている。

　スナバ回路１３は、少なくともコンデンサ１３１を有する。スナバ回路１３は、たとえばコンデンサ１３１を有するＣスナバ回路でもよいし、図１に示すようにコンデンサ１３１と抵抗１３２を有するＲＣスナバ回路でもよい。コンデンサ１３１、抵抗１３２、およびダイオードを有するＲＣＤスナバ回路でもよい。

　電力変換装置４は、電力変換回路として、コンバータをさらに備えてもよい。コンバータは、直流電圧をたとえば異なる値の直流電圧に変換するＤＣ－ＤＣ変換回路である。コンバータは、直流電源２と平滑コンデンサ５との間に設けられる。コンバータは、たとえばリアクトルと、上記した上下アーム回路９を備えて構成される。この構成によれば、昇降圧が可能である。電力変換装置４は、直流電源２からの電源ノイズを除去するフィルタコンデンサを備えてもよい。フィルタコンデンサは、直流電源２とコンバータとの間に設けられる。

　電力変換装置４は、インバータ６などを構成するスイッチング素子の駆動回路を備えてもよい。駆動回路は、制御回路の駆動指令に基づいて、対応するアームのＭＯＳＦＥＴ１１のゲートに駆動電圧を供給する。駆動回路は、駆動電圧の印加により、対応するＭＯＳＦＥＴ１１を駆動、すなわちオン駆動、オフ駆動させる。駆動回路は、ドライバと称されることがある。

　電力変換装置４は、スイッチング素子の制御回路を備えてもよい。制御回路は、ＭＯＳＦＥＴ１１を動作させるための駆動指令を生成し、駆動回路に出力する。制御回路は、たとえば図示しない上位ＥＣＵから入力されるトルク要求、各種センサにて検出された信号に基づいて、駆動指令を生成する。ＥＣＵは、Electronic Control Unitの略称である。

　各種センサとして、たとえば電流センサ、回転角センサ、電圧センサがある。電流センサは、各相の巻線３ａに流れる相電流を検出する。回転角センサは、モータジェネレータ３の回転子の回転角を検出する。電圧センサは、平滑コンデンサ５の両端電圧を検出する。制御回路は、駆動指令として、たとえばＰＷＭ信号を出力する。制御回路は、たとえばプロセッサおよびメモリを備えて構成されている。ＰＷＭは、Pulse Width Modulationの略称である。

　＜半導体モジュール＞
　図２は、半導体モジュールの一例を示す斜視図である。図３は、図２に示す半導体モジュールの上面視平面図である。図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図４では、半導体モジュールの構造を簡素化して示している。図４では、ハウジングを省略して示している。

　以下では、基板の板厚方向をＺ方向とし、Ｚ方向に直交する一方向をＹ方向とする。Ｚ方向およびＹ方向の両方向に直交する方向をＸ方向とする。特に断わりのない限り、Ｚ方向から平面視した形状、換言すればＸ方向およびＹ方向により規定されるＸＹ面に沿う形状を平面形状とする。また、Ｚ方向からの平面視を、単に平面視と示すことがある。

　図２、図３および図４に示すように、半導体モジュール２０は、半導体装置２１、ハウジング２２、および冷却器２３を備えてもよい。半導体モジュール２０は、平滑コンデンサ５を提供するコンデンサ装置、入力端子台、出力端子台などとともに、電力変換装置４を構成する。半導体モジュール２０は、コンデンサ装置などの他の要素とともに、電力変換装置４のケースに収容されてもよい。

　半導体装置２１は、Ｚ方向において冷却器２３の一面上に配置されている。半導体装置２１は、電力変換回路であるインバータ６のアームの少なくともひとつを提供する。図２に例示する半導体装置２１のそれぞれは、一相分の上下アーム回路９を提供する。半導体モジュール２０は、半導体装置２１を３つ備えてインバータ６を提供する。３つの半導体装置２１は、冷却器２３の同一面上に配置され、Ｘ方向に並んでいる。半導体装置２１のそれぞれは、冷却器２３に固定されている。

　半導体装置２１のひとつである半導体装置２１Ｕは、Ｕ相の上下アーム回路９Ｕを提供する。半導体装置２１の他のひとつである半導体装置２１Ｖは、Ｖ相の上下アーム回路９Ｖを提供する。半導体装置２１の他のひとつである半導体装置２１Ｗは、Ｗ相の上下アーム回路９Ｗを提供する。つまり半導体モジュール２０は、インバータ６を提供する。半導体装置２１の詳細については、後述する。

　ハウジング２２は、樹脂などの電気絶縁材料を用いて形成されている。ハウジング２２は、たとえば樹脂成形体でもよい。ハウジング２２は、半導体装置２１の構成要素の一部を保持してもよい。半導体装置２１の構成要素の一部は、インサート部品としてハウジング２２と一体成形されてもよい。ハウジング２２は、冷却器２３に固定されてもよい。ハウジング２２は、冷却器２３とともに電力変換装置４のケースに固定されてもよい。

　ハウジング２２は、冷却器２３の一面に配置された状態で、冷却器２３とともに半導体装置２１の収容空間２２ｖ（図５参照）を提供してもよい。ハウジング２２および冷却器２３による収容空間２２ｖに封止体９０が配置されてもよい。封止体９０は、ハウジング２２の上端よりも低い所定位置まで充填されている。

　封止体９０は、半導体装置２１の要素を封止している。封止体９０は、半導体素子３０、基板４０、クリップ５０、および外部接続端子６０それぞれの一部を一体的に封止している。封止体９０は、半導体素子３０のパッド３３と信号端子６２とを電気的に接続するワイヤ８０も封止している。図５に示す例では、封止体９０は、ゲル等の流動性を有した材質である。ゲルに代えて、ポッティング樹脂を用いてもよい。封止体９０は、半導体装置２１が備えてもよいし、半導体モジュール２０が備えてもよい。

　図２および図３に例示するように、ハウジング２２は、枠体２２１と、仕切壁２２２を備えてもよい。枠体２２１は、Ｚ方向に所定の高さを有し、Ｚ方向の平面視において半導体装置２１を取り囲むように環状をなしている。枠体２２１は、環状の壁部と称されることがある。枠体２２１は、略矩形の環状をなしてもよい。矩形環状の枠体２２１は、４つの壁部２２１ａ，２２１ｂ，２２１ｃ，２２１ｄを有する。

　壁部２２１ａ，２２１ｂは、Ｘ方向に延びている。壁部２２１ａと壁部２２１ｂとは、Ｙ方向において所定の間隔を有して対向配置されている。壁部２２１ａはＹ方向において半導体装置２１の一端側に配置され、壁部２２１ｂは半導体装置２１の他端側に配置されている。壁部２２１ａ，２２１ｂは、領域を規定する壁と、壁からＹ方向外側に延びる延設部を含む。壁部２２１ｃ，２２１ｄは、Ｙ方向に延びている。壁部２２１ｃは、Ｘ方向における一端側で壁部２２１ａ，２２１ｂに連なっている。壁部２２１ｄは、Ｘ方向における他端側で壁部２２１ａ，２２１ｂに連なっている。

　仕切壁２２２は、Ｚ方向に所定の高さを有し、枠体２２１に連なっている。仕切壁２２２は、枠体２２１により規定される領域を、複数の領域に区画する。仕切壁２２２は、たとえば半導体装置２１の数に応じた領域に区画してもよい。仕切壁２２２は、基板４０の並び方向であるＸ方向において、収容空間２２ｖを基板４０と同数に分割している。仕切壁２２２は、基板４０の並び方向に直交するＹ方向に延び、その両端が枠体２２１の壁部２２１ａ，２２１ｂに連なっている。

　ハウジング２２は、仕切壁２２２として、２つの仕切壁２２２ａ，２２２ｂを有してもよい。仕切壁２２２ａ，２２２ｂおよび壁部２２１ｃ，２２１ｄは、所定の間隔を有してＸ方向に並んでいる。仕切壁２２２は、枠体２２１の対向領域を３つの領域に区画している。区画された３つの領域のそれぞれに、半導体装置２１が収容されている。仕切壁２２２は、基板４０の並び方向において、隣り合う基板４０の間の位置に設けられている。仕切壁２２２ａは、Ｕ相の半導体装置２１を構成する基板４０と、Ｖ相の半導体装置２１を構成する基板４０の間に設けられている。仕切壁２２２ｂは、Ｖ相の半導体装置２１を構成する基板４０と、Ｗ相の半導体装置２１を構成する基板４０との間に設けられている。３つに分割された収容空間２２ｖに対して個別に基板４０、つまり各相の半導体装置２１が配置されている。

　冷却器２３は、半導体装置２１を冷却する。図４に例示するように、内部に流路２３１を有する冷却器２３を採用してもよい。流路２３１は、半導体装置２１を効果的に冷却するように、平面視において半導体装置２１の少なくとも一部と重なるように設けられている。流路２３１は、平面視において半導体装置２１それぞれの大部分を内包するように設けられてもよい。

　冷却器２３は、ベース部材２３３および冷却プレート２３４を有する。ベース部材２３３および冷却プレート２３４は、アルミニウム、銅などの熱伝導性に優れた金属製である。冷却プレート２３４は、ベース部材２３３に取り付けられ、ベース部材２３３の開口部２３３ａを覆う。図３に示す例では、冷却プレート２３４はベース部材２３３にボルトＢＴで締結されている。図２に示すように、冷却プレート２３４には、ボルトＢＴが挿入される複数のボルト挿入穴２３４ａが形成されている。

　流路２３１は、ベース部材２３３および冷却プレート２３４によって囲まれた空間で形成される。本体部には、図示しない導入管および排出管が接続される。流路２３１には、導入管を介して冷媒２３２が供給される。流路２３１を流れた冷媒２３２は、排出管を介して冷却器２３の外に排出される。冷媒２３２としては、水やアンモニアなどの相変化する冷媒や、エチレングリコール系などの相変化しない冷媒を用いることができる。冷却器２３は、上記した流路２３１を有する構成に限定されない。冷却器２３として、たとえばヒートシンクなどの放熱部材を用いてもよい。放熱部材は、放熱フィンを備えてもよい。

　図４に示す例では、半導体装置２１と冷却器２３との間に接合材２４が介在している。具体的には、導体４３と冷却プレート２３４との間に接合材２４が介在している。接合材２４としては、はんだや焼結部材などを採用することができる。

　半導体モジュール２０は、半導体装置２１と冷却器２３との間に配置された接合材２４を備えている。半導体装置２１は、接合によって冷却器２３に固定されている。なお、絶縁が必要な場合には、半導体装置２１と冷却器２３との間に電気絶縁性の部材を配置してもよい。絶縁部材としては、たとえばセラミック板や樹脂シートを採用することができる。熱伝導性を高めるために、シリコンゲルなどのＴＩＭを採用してもよい。ＴＩＭは、Thermal Interface Materialの略称である。

　半導体モジュール２０は、図示しない回路基板を備えてもよい。回路基板には、上記した駆動回路が形成される。回路基板は、Ｚ方向において半導体装置２１の上方に配置される。半導体モジュール２０は、ハウジング２２および冷却器２３とともに筐体を提供するカバーを備えてもよい。カバーは、半導体装置２１に対して冷却器２３とは反対側に配置される。カバーは、３つの半導体装置２１を一体的に覆うように配置されてもよい。

　＜半導体装置＞
　上記したように半導体装置２１は、一相分の上下アーム回路９を提供してもよい。図４、図５および図６に例示するように、半導体装置２１は、半導体素子３０、基板４０、クリップ５０および外部接続端子６０を備えてもよい。

　半導体素子３０は、シリコン（Ｓｉ）、シリコンよりもバンドギャップが広いワイドバンドギャップ半導体などを材料とする半導体基板に、縦型素子が形成されてなる。ワイドバンドギャップ半導体としては、たとえばシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、ダイヤモンドがある。半導体素子３０は、パワー素子、半導体チップなどと称されることがある。

　縦型素子は、半導体素子３０（半導体基板）の板厚方向に主電流を流すように構成されている。半導体素子３０は、その板厚方向がＺ方向に略平行となるように配置される。半導体素子３０は、板厚方向の両面に主電極を有している。本実施形態の半導体素子３０は、ＳｉＣを材料とする半導体基板に、縦型素子としてｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ１１が形成されてなる。図４に示すように半導体素子３０は、主電極として、基板４０と対向する下面にドレイン電極３１を有し、下面とは反対の上面にソース電極３２を有している。

　ＭＯＳＦＥＴ１１がオンすることで、主電極間、つまりドレイン電極３１とソース電極３２との間に、電流（主電流）が流れる。ダイオード１２が寄生ダイオードの場合、ソース電極３２がアノード電極を兼ね、ドレイン電極３１がカソード電極を兼ねる。ダイオード１２は、ＭＯＳＦＥＴ１１とは別チップに構成されてもよい。ドレイン電極３１は高電位側の主電極であり、ソース電極３２は低電位側の主電極である。ドレイン電極３１は、下面のほぼ全域に形成されている。ソース電極３２は、上面の一部分に形成されている。

　半導体素子３０は、平面略矩形状をなしている。半導体素子３０は、上面に、信号用の電極であるパッド３３（図５参照）を有している。パッド３３は、上面においてソース電極３２とは異なる位置に形成されている。パッド３３は、少なくともゲートパッドを含む。

　図３に示すように、複数の半導体素子３０は、上アーム９Ｈを構成する半導体素子３０Ｈと、下アーム９Ｌを構成する半導体素子３０Ｌを含む。半導体素子３０Ｈは、上アーム素子と称されることがある。半導体素子３０Ｌは、下アーム素子と称されることがある。たとえば半導体素子３０Ｈ，３０Ｌの構成は、互いに共通でもよい。半導体素子３０Ｈ，３０Ｌは、Ｙ方向に並んでいる。

　半導体素子３０Ｈ，３０Ｌそれぞれの数は特に限定されない。ひとつずつでもよいし、それぞれ複数でもよい。図２および図３に示す例では、半導体素子３０が、半導体素子３０Ｈ，３０Ｌをそれぞれ４つ含む。４つの半導体素子３０Ｈが並列接続されて、ひとつの相の上アーム９ＨのＭＯＳＦＥＴ１１を提供する。４つの半導体素子３０Ｌが並列接続されて、ひとつの相の下アーム９ＬのＭＯＳＦＥＴ１１を提供する。４つの半導体素子３０Ｈは、Ｘ方向に並んでいる。４つの半導体素子３０Ｌは、Ｘ方向に並んでいる。

　基板４０は、平面視において複数の半導体素子３０（３０Ｈ，３０Ｌ）のすべてを内包している。基板４０は、半導体素子３０に対して、ドレイン電極３１側に配置されている。基板４０は、後述するようにドレイン電極３１に電気的に接続され、配線機能を提供する。基板４０は、配線基板、プリント基板などと称されることがある。

　基板４０は、絶縁基材４１と、絶縁基材４１に配置された導体を有している。絶縁基材４１は、セラミックや樹脂などの電気絶縁材料を用いて形成されている。図４に示すように絶縁基材４１は、半導体素子３０と対向する側の面である一面４１ａと、Ｚ方向において一面４１ａとは反対の面である裏面４１ｂを有している。基板４０は、半導体装置２１単位で分けてもよいし、半導体モジュール２０単位でひとつにまとめてもよい。

　導体は、ＣｕやＡｌなどの導電性、熱伝導性が良好な金属を材料として形成されている。導体は、その表面に、Ｎｉ系やＡｕなどのめっき膜を備えてもよい。導体は、絶縁基材４１の一面４１ａのみに配置されてもよいし、一面４１ａおよび裏面４１ｂの両方に配置されてもよい。導体は、絶縁基材４１の内部に配置されてもよい。つまり基板４０は、片面基板でもよいし、両面基板でもよいし、３層以上の導体を備えた多層基板でもよい。導体は、ビア導体を含んでもよい。ビア導体は、絶縁基材４１を構成する絶縁層に形成された貫通孔（ビア）に、めっきなどの導体が配置されてなる。ビア導体は、異なる層に配置された導体を電気的に接続する。

　基板４０は、一面４１ａに配置された導体４２を有している。導体４２は、パターニングされている。パターニングされた導体４２は、配線、つまり回路を提供する。導体４２は、Ｐ配線４２１、Ｎ配線４２２、およびＯ配線４２３を含む。各配線は、所定の間隔（ギャップ）により、電気的に分離されている。基板４０は、裏面４１ｂに配置された導体４３を有している。

　Ｐ配線４２１は、半導体素子３０Ｈのドレイン電極３１に接続されている。Ｐ配線４２１は、後述するＰ端子６１１に接続されている。Ｐ配線４２１は、半導体素子３０Ｈのドレイン電極３１とＰ端子６１１とを電気的に接続する。Ｐ配線４２１は、正極配線、高電位電源配線などと称されることがある。

　Ｎ配線４２２は、Ｎ端子６１２に接続されている。Ｎ配線４２２には、クリップ５０Ｌを介して半導体素子３０Ｌのソース電極３２が電気的に接続されている。Ｎ配線４２２は、半導体素子３０Ｌのソース電極３２とＮ端子６１２とを電気的に接続する。Ｎ配線４２２は、負極配線、低電位電源配線などと称されることがある。

　Ｏ配線４２３は、半導体素子３０Ｌのドレイン電極３１に接続されている。Ｏ配線４２３は、後述のＯ端子６１３に接続されている。Ｏ配線４２３には、クリップ５０Ｈを介して半導体素子３０Ｈのソース電極３２が電気的に接続されている。Ｏ配線４２３は、半導体素子３０Ｈのソース電極３２、半導体素子３０Ｌのドレイン電極３１、およびＯ端子６１３を電気的に接続する。Ｏ配線４２３は、出力配線などと称されることがある。

　クリップ５０は、架橋部材、中継部材、金属ブリッジなどと称されることがある。クリップ５０は、たとえばＣｕ、Ｃｕ合金などの導電性が良好な金属を母材とする金属板材である。クリップ５０は、所定厚の金属板を打ち抜き、プレス加工することで形成されてもよい。

　クリップ５０は、半導体素子３０Ｈに接続されたクリップ５０Ｈと、半導体素子３０Ｌに接続されたクリップ５０Ｌを含む。クリップ５０Ｈは、半導体素子３０Ｈのソース電極３２とＯ配線４２３とを電気的に接続している。クリップ５０Ｈは、Ｙ方向に延びている。クリップ５０Ｈは、半導体素子３０Ｈに対して個別に設けられてもよいし、複数の半導体素子３０Ｈに対してまとめて設けられてもよい。図３などに示すように、２つの半導体素子３０Ｈに対してひとつのクリップ５０Ｈを設けてもよい。半導体装置２１は、２つのクリップ５０Ｈを備えている。クリップ５０Ｈのそれぞれは、平面略Ｙ字状をなしている。

　クリップ５０Ｌは、半導体素子３０Ｌのソース電極３２とＮ配線４２２とを電気的に接続している。クリップ５０Ｌは、Ｙ方向に延びている。クリップ５０Ｌは、半導体素子３０Ｌに対して個別に設けられてもよいし、複数の半導体素子３０Ｌに対してまとめて設けられてもよい。図３などに示す例では、クリップ５０Ｌが半導体素子３０Ｌに対して個別に設けられている。半導体装置２１は、４つのクリップ５０Ｌを備えている。

　はんだ８１は、ソース電極３２とクリップ５０Ｈとを接合している。はんだ８１は、Ｏ配線４２３とクリップ５０Ｈとを接合している。焼結部材８２は、ドレイン電極３１とＯ配線４２３とを接合している。さらに焼結部材８２は、ドレイン電極３１とＰ配線４２１とを接合している。焼結部材８２は、ＡｇまたはＣｕを材料とし、はんだに較べて低温での接合が可能である。

　外部接続端子６０は、半導体装置２１を外部機器と電気的に接続するための端子である。外部接続端子６０は、銅などの導電性が良好な金属材料を用いて形成されている。外部接続端子６０は、たとえば板材である。外部接続端子６０は、主端子６１と、信号端子６２を備えている。主端子６１は、半導体素子３０の主電極に電気的に接続される端子である。信号端子６２は、半導体素子３０のパッド３３（図５参照）に電気的に接続される端子である。主端子６１は、電源端子であるＰ端子６１１およびＮ端子６１２と、Ｏ端子６１３を含んでいる。Ｐ端子６１１は第１主端子に相当し、Ｎ端子６１２は第２主端子に相当する。

　Ｐ端子６１１は、上記したＰライン７に電気的に接続される外部接続端子６０である。Ｐ端子６１１は、平滑コンデンサ５の正極端子に電気的に接続される。Ｐ端子６１１は、正極端子、高電位電源端子などと称されることがある。Ｐ端子６１１は、Ｐ配線４２１の端子接続部に接続されている。Ｐ端子６１１は、Ｐ配線４２１を介して、上アーム９Ｈを構成する半導体素子３０Ｈのドレイン電極３１に電気的に接続されている。

　Ｐ端子６１１は、図２および図３に示すように、外部機器との接続部６１１ａと、基板４０との接続部６１１ｂを有している。Ｐ端子６１１は、概してＹ方向に延びている。Ｐ端子６１１においてＹ方向の端部のひとつが接続部６１１ａをなし、端部の他のひとつが接続部６１１ｂをなしている。図２などに示す例では、Ｐ端子６１１の一部分がハウジング２２の枠体２２１に保持されている。Ｐ端子６１１の接続部６１１ａは、枠体２２１の壁部２２１ａから外側に突出し、接続部６１１ｂは壁部２２１ａから内側、つまり区画領域側に突出している。接続部６１１ｂはＰ配線４２１に接続されている。接続部６１１ａには、例えばバスバーなどを介して平滑コンデンサ５が接続される。

　Ｎ端子６１２は、上記したＮライン８に電気的に接続される外部接続端子６０である。Ｎ端子６１２は、平滑コンデンサ５の負極端子に電気的に接続される。Ｎ端子６１２は、負極端子、低電位電源端子などと称されることがある。Ｎ端子６１２は、Ｎ配線４２２の端子接続部に接続されている。Ｎ端子６１２は、Ｎ配線４２２およびクリップ５０Ｌを介して、下アーム９Ｌを構成する半導体素子３０Ｌのソース電極３２に電気的に接続されている。

　Ｎ端子６１２は、外部機器との接続部６１２ａと、基板４０との接続部６１２ｂを有している。Ｎ端子６１２は、概してＹ方向に延びている。Ｎ端子６１２においてＹ方向の端部のひとつが接続部６１２ａをなし、端部の他のひとつが接続部６１２ｂをなしている。一例として本実施形態では、Ｎ端子６１２の一部分がハウジング２２の枠体２２１に保持されている。Ｎ端子６１２の接続部６１２ａは、枠体２２１の壁部２２１ａから外側に突出し、接続部６１２ｂは壁部２２１ａから内側に突出している。接続部６１２ｂはＮ配線４２２に接続されている。接続部６１２ａには、例えばバスバーなどを介して平滑コンデンサ５が接続される。

　Ｏ端子６１３は、上記した出力ライン１０に電気的に接続される外部接続端子６０である。Ｏ端子６１３は、モータジェネレータ３の対向する相の巻線３ａに電気的に接続される。Ｏ端子６１３は、出力端子、交流端子などと称されることがある。半導体モジュール２０は、Ｏ端子６１３として、Ｕ相のＯ端子６１３Ｕ、Ｖ相のＯ端子６１３Ｖ、およびＷ相のＯ端子６１３Ｗを備えている。

　Ｏ端子６１３はＯ配線４２３に接続されている。Ｏ端子６１３は、Ｏ配線４２３を介して、下アーム９Ｌを構成する半導体素子３０Ｌのドレイン電極３１に電気的に接続されている。Ｏ端子６１３は、Ｏ配線４２３およびクリップ５０Ｈを介して、上アーム９Ｈを構成する半導体素子３０Ｈのソース電極３２に電気的に接続されている。

　Ｏ端子６１３は、外部機器との接続部６１３ａと、基板４０との接続部６１３ｂを有している。Ｏ端子６１３は、概してＹ方向に延びている。Ｏ端子６１３においてＹ方向の端部のひとつが接続部６１３ａをなし、端部の他のひとつが接続部６１３ｂをなしている。一例として本実施形態では、Ｏ端子６１３の一部分がハウジング２２の枠体２２１に保持されている。Ｏ端子６１３の接続部６１３ａは、枠体２２１の壁部２２１ｂから外側に突出し、接続部６１３ｂは壁部２２１ｂから内側に突出している。接続部６１３ｂはＯ配線４２３に接続されている。接続部６１３ａには、例えばバスバーなどを介して、モータジェネレータ３が接続される。

　信号端子６２は、半導体素子３０と、図示しない回路基板とを電気的に接続する。信号端子６２は、ワイヤ８０（図５参照）などの接続部材を介して、半導体素子３０のパッド３３に電気的に接続されている。信号端子６２の本数は特に限定されるものではない。信号端子６２は、少なくとも半導体素子３０のゲート電極に駆動電圧を印加するための端子を含めばよい。信号端子６２は、半導体素子３０のソース電位を検出するための端子を含んでもよい。信号端子６２は、半導体素子３０のドレイン電位を検出するための端子を含んでもよい。信号端子６２は、半導体素子３０の温度を検出するための端子を含んでもよい。

　図２などに示す例では、信号端子６２の一部分が枠体２２１の壁部２２１ｂ，２２１ｃと仕切壁２２２ａ，２２２ｂに保持されている。上アーム９Ｈ側の信号端子６２は、枠体２２１および仕切壁２２２に保持されている。たとえばＵ相の信号端子６２は、枠体２２１の壁部２２１ｃに保持されている。Ｖ相の信号端子６２は仕切壁２２２ａに保持され、Ｗ相の信号端子６２は仕切壁２２２ｂに保持されている。下アーム９Ｌの信号端子６２は、枠体２２１の壁部２２１ｂに保持されている。

　＜スナバ回路＞
　図１および図７に示すように、スナバ回路１３は、Ｐ配線４２１とＮ配線４２２とを電気的に架橋する。Ｐ配線４２１は第１配線に相当し、Ｎ配線４２２は第２配線に相当する。スナバ回路１３は、互いに直列接続されたコンデンサ１３１および抵抗１３２を有する。図１の等価回路である図７に示すように、コンデンサ１３１は、互いに並列接続された複数のコンデンサＣ１、Ｃ２であってもよい。コンデンサＣ１は第１コンデンサに相当し、コンデンサＣ２は第２コンデンサに相当する。

　コンデンサ１３１はチップコンデンサであり、基板４０に表面実装されている。コンデンサ１３１は本体部および端子を有する。本体部は、電極および誘電体を樹脂内部に封止して構成されている。これらの電極および誘電体は機能素子に相当する。誘電体にはセラミックが用いられており、複数の誘電体が積層されている。端子は、本体部の電極に電気的に接続されている。端子のうち本体部から露出する部分は、基板４０の導体４２（配線）に半田で接続されている。チップ型のコンデンサ１３１は立方体形状である。なお、コンデンサ１３１は、端子がリード線である挿入実装タイプであってもよい。

　抵抗１３２は、互いに接続された複数の抵抗Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ１２、Ｒ２２であってもよい。抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ２１は互いに直列接続され、抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ２２は互いに直列接続されている。抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２は互いに並列接続され、抵抗Ｒ２１と抵抗Ｒ２２は互いに並列接続されている。抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２は第１抵抗に相当し、抵抗Ｒ２１と抵抗Ｒ２２は第２抵抗に相当する。要するに、第１抵抗と第２抵抗が互いに直列接続されている。

　抵抗１３２はチップ抵抗であり、基板４０に表面実装されている。抵抗１３２は本体部および一対の端子を有する。本体部は、抵抗素子（機能素子）を樹脂内部に封止して構成されている。一対の端子は、本体部の抵抗素子に電気的に接続されている。一対の端子のうち本体部から露出する部分は、基板４０の導体４２に半田で接続されている。チップ型の抵抗１３２は立方体形状である。なお、抵抗１３２は、端子がリード線である挿入実装タイプであってもよい。

　図６および図８に示すように、絶縁基材４１のうちＰ配線４２１とＮ配線４２２に挟まれた部分には、中継配線４２４、４２５が設けられている。１つの中継配線４２４には、コンデンサ１３１および抵抗Ｒ１１、Ｒ１２が接続されている。１つの中継配線４２５には、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２および抵抗Ｒ２１、Ｒ２２が接続されている。中継配線４２４は、Ｐ配線４２１（第１配線）およびＮ配線４２２（第２配線）とは別の第３配線に相当する。

　＜第１実施形態のまとめ＞
　本実施形態に係る半導体装置２１では、スナバ回路１３の抵抗１３２には、互いに直列接続された第１抵抗（抵抗Ｒ１１、Ｒ１２）および第２抵抗（抵抗Ｒ２１、Ｒ２２）が含まれている。以下、この構成による作用効果について説明する。

　スナバ回路１３のコンデンサ１３１では、内部欠陥が存在する状態で過電圧が繰り返し印加される等、様々な原因で短絡故障することが懸念される。そして、コンデンサ１３１が短絡故障すると、スナバ回路１３がＰ配線４２１とＮ配線４２２を短絡させてしまい、他の関連部品が故障する懸念が生じる。つまり、コンデンサ１３１の故障が関連部品の故障へと拡大していく懸念が生じる。

　この懸念に対し本実施形態では、スナバ回路１３の抵抗１３２を、複数の抵抗Ｒ１１～Ｒ２２に分けている。そして、分けられた第１抵抗Ｒ１１、Ｒ１２と第２抵抗Ｒ２１、Ｒ２２を直列接続させている。そのため、複数に分けられた各々の抵抗を小さくできる。その結果、コンデンサ１３１が短絡故障して抵抗１３２に高電圧が印加された時に、１つの抵抗が溶断してオープン故障する可能性を高くできる。しかも、コンデンサ１３１が短絡故障してから抵抗１３２がオープン故障するまでの時間を短くできる。つまり、コンデンサ１３１が短絡故障しても、複数の抵抗Ｒ１１～Ｒ２２のいずれかが瞬時にオープン故障する。よって、コンデンサ１３１の短絡故障が関連部品の故障へと拡大していく懸念を低減できる。

　さらに本実施形態では、抵抗１３２を複数の抵抗Ｒ１１～Ｒ２２に分けているので、コンデンサ１３１が故障していない通常運転時において、通電に伴い抵抗１３２で生じる発熱量が複数の抵抗Ｒ１１～Ｒ２２に分散される。よって、通常運転時に抵抗Ｒ１１～Ｒ２２が熱損傷する懸念も低減できる。

　さらに本実施形態では、第１抵抗には、互いに並列接続された複数の抵抗Ｒ１１、Ｒ１２が含まれている。第２抵抗には、互いに並列接続された複数の抵抗Ｒ２１、Ｒ２２が含まれている。そのため、先述した通常運転時における発熱量の分散を、第１抵抗および第２抵抗が１つである場合に比べて促進できる。よって、通常運転時に抵抗Ｒ１１～Ｒ２２が熱損傷する懸念をより一層低減できる。さらに本実施形態では、第１抵抗の数と第２抵抗の数は同じである。そのため、複数の抵抗Ｒ１１～Ｒ２２の部品共通化を図りやすくできる。なお、本実施形態では、第１抵抗に含まれる複数のＲ１１、Ｒ１２の全てがオープン故障するまでは、スナバ回路１３はオープン故障した状態にならない。同様にして、第２抵抗に含まれる複数のＲ２１、Ｒ２２の全てがオープン故障するまでは、スナバ回路１３はオープン故障した状態にならない。

　さらに本実施形態では、コンデンサ１３１には、互いに並列接続された第１コンデンサＣ１および第２コンデンサＣ２が含まれている。抵抗１３２には、第１コンデンサＣ１に直列接続された第１抵抗および第２抵抗と、第２コンデンサＣ２に直列接続された第１抵抗および第２抵抗が含まれている。これによれば、第１コンデンサＣ１および第２コンデンサＣ２の一方が短絡故障した場合であっても、他方がスナバ回路１３として機能するので、スナバ回路１３の冗長性を実現できる。また、複数の抵抗の数が増える分、先述した通常運転時における発熱量の分散を促進でき、通常運転時に抵抗Ｒ１１～Ｒ２２が熱損傷する懸念をより一層低減できる。

　＜第１実施形態の変形例＞
　図９に示すように、第１抵抗を抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３の３つとし、第２抵抗を抵抗Ｒ２１の１つとしてもよい。つまり、第１抵抗および第２抵抗の一方には、互いに並列接続された複数の抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３が含まれている。第１抵抗および第２抵抗の他方には、互いに並列接続された抵抗は含まれない。この場合、第１抵抗および第２抵抗のうち数が少ない方の抵抗について、コンデンサ１３１の短絡故障時に迅速なオープン故障を促進できる。図９の場合、点線で囲まれた抵抗Ｒ２１を迅速にオープン故障させることができる。なお、図９に示す全ての抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ２１は、互いに同じ大きさである。

　図１０に示すように、第１抵抗を抵抗Ｒ１１、Ｒ１２の２つとし、第２抵抗である２つの抵抗Ｒ２１、Ｒ２２を、別々の電流経路に配置してもよい。つまり、第１抵抗と第２抵抗の数は同じであっても、第１抵抗および第２抵抗の一方では並列接続させ、他方では並列接続させていない。この場合、並列接続の数が少ない方の抵抗について、コンデンサ１３１の短絡故障時に迅速なオープン故障を促進できる。図１０の場合、点線で囲まれた抵抗Ｒ２１、Ｒ２２を迅速にオープン故障させることができる。なお、図１０に示す全ての抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２は、互いに同じ大きさである。

　図１１に示すように、第１コンデンサＣ１を２つ設けてもよい。この場合、一方の第１コンデンサＣ１が短絡故障して抵抗Ｒ１１、Ｒ２１がオープン故障したとしても、他方の第１コンデンサＣ１および抵抗Ｒ１２、Ｒ２２については通常通り機能する。よって、基板４０上における電流経路の対象性が損なわれることを軽減させるように、スナバ回路１３の冗長性を向上できる。なお、図１１に示す全ての抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２は、互いに同じ大きさである。

　図１２に示すように、スナバ回路１３には、第１抵抗Ｒ１１、Ｒ１２および第２抵抗Ｒ２１、Ｒ２２の他にワイヤＷが含まれていてもよい。ワイヤＷは、第１抵抗Ｒ１１、Ｒ１２および第２抵抗Ｒ２１、Ｒ２２に直列接続されている。ワイヤＷは複数設けられており、複数のワイヤＷは並列接続されている。第１抵抗Ｒ１１、Ｒ１２および第２抵抗Ｒ２１、Ｒ２２はチップ抵抗である。１つのワイヤＷの電気抵抗は、第１抵抗Ｒ１１、Ｒ１２および第２抵抗Ｒ２１、Ｒ２２に含まれる１つのチップ抵抗の電気抵抗よりも大きい。これによれば、コンデンサ１３１の短絡故障時に、ワイヤＷが溶断してオープンになることを期待できる。

　図１３に示す例では、第２抵抗にワイヤＲ２Ｗが用いられている。換言すれば、図８に示す抵抗Ｒ２１、Ｒ２２をワイヤＲ２Ｗに置き換えている。ワイヤＲ２Ｗは複数設けられており、複数のワイヤＲ２Ｗは並列接続されている。１つのワイヤＲ２Ｗの電気抵抗は、第１抵抗Ｒ１１、Ｒ１２に含まれる１つのチップ抵抗の電気抵抗よりも大きい。これによれば、コンデンサ１３１の短絡故障時に、ワイヤＲ２Ｗが溶断してオープンになることを期待できる。

　並列接続された複数の抵抗が第１抵抗および第２抵抗の各々に含まれている場合において、第１抵抗に含まれる抵抗の数と第２抵抗に含まれる抵抗の数は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

　（第２実施形態）
　本実施形態に係る半導体装置は、上記第１実施形態に係る半導体装置２１をベースに、以下に説明する構成を追加している。

　図１４に示すように、半導体装置はモニタ端子６３を備えていてもよい。モニタ端子６３は、中継配線４２４に接続されている。中継配線４２４は第３配線に相当する。モニタ端子６３は、コンデンサ１３１および抵抗１３２の間の電位を検出する。モニタ端子６３は外部機器に接続され、検出した電位の信号を出力する。モニタ端子６３は、Ｐ端子６１１およびＮ端子６１２とともに一列に並べて配置されている。外部機器は、例えばコンピュータである。コンピュータは、モニタ端子６３から出力された信号に基づき、コンデンサ１３１の短絡故障に伴い抵抗１３２がオープン故障した状態であるか否かを判別する。

　図１５に示すように、モニタ端子６３は、中継配線４２４との接続箇所から、絶縁基材４１の一面４１ａに対して垂直に延びる形状であってもよい。モニタ端子６３からの信号を取得する上述のコンピュータは、図示しない制御基板に実装されている。この制御基板は、基板４０に対向する位置に配置されている。モニタ端子６３は、基板４０および制御基板に対して垂直に延びる形状である。モニタ端子６３の一端は基板４０に接続され、モニタ端子６３の他端は制御基板に接続される。

　以上に説明した通り、モニタ端子６３を備える本実施形態によれば、抵抗１３２がオープン故障した状態であるか否かを判別可能にできる。

　（第３実施形態）
　本実施形態に係る半導体装置は、上記第１実施形態に係る半導体装置２１をベースに、以下に説明する構成を追加している。

　図１６および図１７に示すように、コンデンサ１３１は、本体部１３１４およびリード端子１３１３を有する。本体部１３１４は、誘電体１３１１（機能素子）および電極１３１２（機能素子）を封止樹脂の内部に封止して構成されている。誘電体１３１１は、１対の電極１３１２の間に配置されている。１対の電極１３１２の各々には、リード端子１３１３が接続されている。誘電体１３１１および電極１３１２は、封止樹脂によって封止されている。リード端子１３１３の一部は、封止樹脂から露出している。１対のリード端子１３１３の一方は、Ｐ配線４２１またはＮ配線４２２に接続されている。１対のリード端子１３１３の他方は、中継配線４２４に接続されている。なお、電極１３１２および誘電体１３１１は機能素子に相当する。

　リード端子１３１３には細部１３１３ａが設けられている。細部１３１３ａは、リード端子１３１３を流れる電流の電気抵抗が部分的に大きくなるように、断面積を部分的に小さくした形状である。コンデンサ１３１の短絡故障に伴って流れる電流で細部１３１３ａが溶断することとなるよう、細部１３１３ａの電気抵抗（つまり断面積）は設定されている。なお、細部１３１３ａの電気抵抗は、第１抵抗Ｒ１１、Ｒ１２および第２抵抗Ｒ２１、Ｒ２２に含まれる１つのチップ抵抗の電気抵抗よりも大きく設定されている。

　以上により、本実施形態に係るコンデンサ１３１は、リード端子１３１３に溶断用の細部１３１３ａが設けられている。これによれば、コンデンサ１３１の短絡故障時に、細部１３１３ａが溶断してオープンになることを期待できる。なお、本実施形態に係る細部１３１３ａがコンデンサ１３１に設けられていれば、第１抵抗および第２抵抗のいずれか一方は廃止されていてもよい。

　本実施形態では、リード端子１３１３に細部１３１３ａを設ける構成と、スナバ回路１３の抵抗１３２に第１抵抗および第２抵抗を含ませる構成とが組み合わされている。これに対し、リード端子１３１３に細部１３１３ａを設ける構成が採用されていれば、スナバ回路１３の抵抗１３２に第１抵抗および第２抵抗を含ませる構成は採用されていなくてもよい。

　（第４実施形態）
　本実施形態に係る半導体装置２１では、第１実施形態に係る半導体装置２１の構成を前提としつつ、図８に示す抵抗１３２の配置が図１８に示す配置に変更されている。以下、第１実施形態に対する本実施形態の変更箇所を説明し、特に説明のない構成については第１実施形態と同じである。

　抵抗１３２に含まれる４つの抵抗Ｒ１１、抵抗Ｒ２１、抵抗Ｒ１２および抵抗Ｒ２２は、Ｙ方向に順番に並べられている。抵抗Ｒ１１が第１電子部品に相当し、抵抗Ｒ２１が第２電子部品に相当し、抵抗Ｒ１２が第３電子部品に相当し、Ｒ２２が第４電子部品に相当する。

　抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２のＸ方向位置は同じであり、抵抗Ｒ２１と抵抗Ｒ２２のＸ方向位置は同じである。抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ２１は、互いにＸ方向にずれた位置にある。抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ２２も、互いにＸ方向にずれた位置にある。要するに、４つの抵抗１３２は、互い違いにＸ方向位置をずらしながら、Ｙ方向に並べられている。

　図１９および図２０に示すように、抵抗１３２と基板４０との間にはトンネル状の空間であるトンネル部Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４が存在する。これらのトンネル部は一方向に貫通した形状である。図１８に示す例では、トンネル部の貫通方向はＹ方向である。封止体９０の一部は、これらのトンネル部に充填されている。図１８および図１９中に示す矢印は、上記充填の際に、封止体９０がトンネル部へ流入する方向の一例を示す。

　抵抗１３２がチップ抵抗であり、基板４０に表面実装されていることは、第１実施形態にて先述した通りである。抵抗１３２は、本体部１３２１および一対の端子１３２３を有する。本体部は、抵抗素子１３２２（機能素子）を樹脂内部に封止して構成されている。一対の端子１３２３は、本体部１３２１の抵抗素子１３２２に電気的に接続されている。一対の端子１３２３のうち本体部１３２１から露出する部分は、基板４０の導体４２に半田で接続されている。

　トンネル部Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４は、一対の端子１３２３、本体部１３２１および基板４０で囲まれた空間である。基板４０のうちトンネル部を形成する部分は、端子１３２３が接続されている導体４２、および絶縁基材４１である。抵抗Ｒ２１および抵抗Ｒ２２は、Ｎ配線４２２（第２配線）および中継配線４２４（第３配線）に跨って接続されている。抵抗Ｒ１１および抵抗Ｒ１２は、２つの中継配線４２４（第３配線）に跨って接続されている。Ｎ配線４２２および中継配線４２４のうち抵抗１３２が接続される部分は、Ｙ方向に直線状に延びる形状である。

　例えば、端子１３２３の厚さ寸法に中継配線４２４の厚さ寸法を加えたＺ方向寸法が、トンネル部のＺ方向長さ（高さ）である。換言すれば、本体部１３２１の底面と絶縁基材４１の一面４１ａとの間のＺ方向距離が、トンネル部の高さに相当する。抵抗１３２のＹ方向長さ、つまり本体部１３２１のＹ方向長さが、トンネル部のＹ方向長さに相当する。

　抵抗Ｒ１１によるトンネル部Ｔ１は第１トンネル部に相当し、抵抗Ｒ２１によるトンネル部Ｔ２は第１トンネル部に相当し、抵抗Ｒ１２によるトンネル部Ｔ３は第３トンネル部に相当し、抵抗Ｒ２２によるトンネル部Ｔ４は第４トンネル部に相当する。

　抵抗Ｒ２１は、複数の抵抗１３２のうち、トンネル部Ｔ１の貫通出口Ｔｏｕｔの最も近くに位置する。抵抗Ｒ１２は、トンネル部Ｔ２の貫通出口Ｔｏｕｔの最も近くに位置する。抵抗Ｒ２２は、トンネル部Ｔ３の貫通出口Ｔｏｕｔの最も近くに位置する。封止体９０の流動が図１８に示す矢印と逆向きになった場合には、抵抗Ｒ２１は、トンネル部Ｔ１の貫通入口Ｔｉｎの最も近くに位置すると言える。抵抗Ｒ１２は、トンネル部Ｔ２の貫通入口Ｔｉｎの最も近くに位置すると言える。抵抗Ｒ２２は、トンネル部Ｔ３の貫通入口Ｔｉｎの最も近くに位置すると言える。

　図２１に示すように、トンネル部Ｔ１の貫通方向へトンネル部Ｔ１を投影した範囲は第１投影範囲Ａ１に相当する。トンネル部Ｔ２の貫通方向へトンネル部Ｔ２を投影した範囲は第２投影範囲Ａ２に相当する。抵抗Ｒ１１を貫通方向へ投影した範囲は第１範囲Ｂ１に相当し、抵抗Ｒ２１を貫通方向へ投影した範囲は第２範囲Ｂ２に相当する。

　抵抗Ｒ２１の全体および抵抗Ｒ２２の全体が、第１投影範囲Ａ１の外に位置している。抵抗Ｒ１１の全体および抵抗Ｒ１２の全体が、第２投影範囲Ａ２の外に位置している。トンネル部Ｔ３はトンネル部Ｔ１に対して平行に延びる。トンネル部Ｔ３の少なくとも一部は、第１投影範囲Ａ１に位置している。例えば、図２１の例では、トンネル部Ｔ３の全体が第１投影範囲Ａ１に位置している。トンネル部Ｔ４はトンネル部Ｔ２に対して平行に延びる。トンネル部Ｔ４の少なくとも一部は、第２投影範囲Ａ２に位置している。例えば、図２１の例では、トンネル部Ｔ４の全体が第２投影範囲Ａ２に位置している。抵抗Ｒ２１の一部および抵抗Ｒ２２の一部が第１範囲Ｂ１に位置する。抵抗Ｒ１１の一部および抵抗Ｒ１２の一部が第２範囲Ｂ２に位置する。

　なお、Ｐ配線４２１またはＮ配線４２２には、ＤＥＳＡＴ端子が接続されていてもよい。ＤＥＳＡＴ端子は過電流保護のための端子である。ＤＥＳＡＴ端子の電圧値または電流値が過大になった場合に、半導体装置２１からの出力を制限する等によって、過電流保護が図られる。ＤＥＳＡＴ端子は、高電圧が印加される点で信号端子６２とは異なる。ＤＥＳＡＴ端子にはワイヤの一端が接続され、ワイヤの他端は導体４２に接続されている。このワイヤの他端が接続される導体４２の部分はＤＥＳＡＴワイヤ取出エリアと呼ばれる。ＤＥＳＡＴ取出エリアは、Ｙ方向において、抵抗１３２と半導体素子３０との間に配置されている。

　＜第４実施形態のまとめ＞
　本実施形態に係る半導体装置２１では、抵抗Ｒ１１（第１電子部品）の最も近くに位置する抵抗Ｒ２１（第２電子部品）は、第１投影範囲Ａ１の外に位置している。仮に、本実施形態に反して抵抗Ｒ２１が第１投影範囲Ａ１に位置し、トンネル部Ｔ２も第１投影範囲Ａ１に位置している場合、トンネル部Ｔ１の出口の直ぐ隣にトンネル部Ｔ２の入口が位置することとなる。その場合、封止体９０がトンネル部Ｔ１、Ｔ２に充填される際の流動抵抗は、トンネル長さ２つ分となる。そのため、封止体９０の充填されていない空隙がトンネル部Ｔ１、Ｔ２に形成される懸念が生じる。その場合、抵抗Ｒ１１のうち封止されていない部分が、空気によって酸化して劣化することが懸念される。

　この懸念に対し、本実施形態では抵抗Ｒ２１が第１投影範囲Ａ１の外に位置する。そのため、トンネル部Ｔ１の出口の直ぐ隣に抵抗Ｒ２１が位置することを回避できる。よって、抵抗Ｒ２１が、トンネル部Ｔ１内への封止体９０のスムーズな流動の妨げになることを抑制できる。よって、トンネル部Ｔ１に上記空隙が形成される懸念を抑制できる。

　ここで、図１８に示す４つの抵抗１３２を１つの抵抗に置換した場合、置換後の１つの抵抗は、抵抗１３２よりも大型化する。その場合、抵抗は通電に伴い生じる熱が１つの抵抗に集中するため、放熱面で不利となる。これに対し、複数の抵抗１３２でスナバ回路１３の抵抗を構成する本実施形態によれば、熱が分散されるため放熱面で有利となる。但し、複数の抵抗１３２で構成した場合、本実施形態に反してトンネル部が連続して繋がるように抵抗１３２を配置すると、封止体９０の流動抵抗増大が懸念される。そこで、本実施形態では、複数のトンネル部が連続して繋がらないように複数の抵抗１３２を配置しているので、上述の流動抵抗増大の懸念を抑制できる。しかも、複数のトンネル部が連続して繋がらないように配置した結果、第１電子部品と第２電子部品との距離が離れることになるので、熱分散が促進されることにもなる。

　さらに本実施形態では、抵抗Ｒ２１（第２電子部品）の一部は、抵抗Ｒ１１（第１電子部品）を貫通方向へ投影した第１範囲Ｂ１に位置している。換言すれば、抵抗Ｒ２１の搭載スペースの一部が、抵抗Ｒ１１の搭載スペースとＸ方向において重複している。そのため、２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ２１の搭載スペースをＸ方向に小さくできる。つまり、半導体装置２１のＸ方向への小型化を図りつつ、封止体９０の充填の確実性を向上できる。

　さらに本実施形態では、抵抗Ｒ１２（第３電子部品）のトンネル部Ｔ３が、第１投影範囲Ａ１に位置する。ここで、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２の間には抵抗Ｒ２１が位置する。そのため、トンネル部Ｔ３が第１投影範囲Ａ１に位置していても、トンネル部Ｔ１の出口とトンネル部Ｔ３の入口の離間距離Ｌ１（図１８参照）は、十分に長くなる。よって、封止体９０がトンネル部Ｔ１に充填される際の流動抵抗は、トンネル長さ２つ分にはならない。つまり、抵抗Ｒ１２のトンネル部Ｔ３が、トンネル部Ｔ１内への封止体９０のスムーズな流動の妨げにはならない。それでいて、抵抗Ｒ１１の搭載スペースが、抵抗Ｒ１２の搭載スペースとＸ方向において重複することになる。これにより、半導体装置２１のＸ方向への小型化を図りつつ、封止体９０の充填の確実性を向上できる。

　さらに本実施形態では、抵抗Ｒ２２（第４電子部品）のトンネル部Ｔ４が、第２投影範囲Ａ２に位置する。ここで、抵抗Ｒ２１と抵抗Ｒ２２の間には抵抗Ｒ１２が位置する。そのため、トンネル部Ｔ４が第２投影範囲Ａ２に位置していても、トンネル部Ｔ２の出口とトンネル部Ｔ４の入口の離間距離Ｌ２（図１８参照）は、十分に長くなる。よって、封止体９０がトンネル部Ｔ２に充填される際の流動抵抗は、トンネル長さ２つ分にはならない。つまり、抵抗Ｒ２２のトンネル部Ｔ４が、トンネル部Ｔ２内への封止体９０のスムーズな流動の妨げにはならない。それでいて、抵抗Ｒ２１の搭載スペースが、抵抗Ｒ２２の搭載スペースとＸ方向において重複することになる。これにより、半導体装置２１のＸ方向への小型化を図りつつ、封止体９０の充填の確実性を向上できる。

　＜第４実施形態の変形例＞
　上記第４実施形態では、トンネル部Ｔ１の貫通方向とトンネル部Ｔ２の貫通方向は互いに平行である。これに対し、図２２に示すように、トンネル部Ｔ１の貫通方向とトンネル部Ｔ２の貫通方向が、互いに非平行であってもよい。図２２の例では、互いの貫通方向が垂直となるように、隣り合う２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ２１が配置されている。

　上記第４実施形態では、隣り合う２つの抵抗Ｒ１１、Ｒ２１と、隣り合う２つの抵抗Ｒ１２、Ｒ２２とで、接続される中継配線４２４が共通である。これに対し、図２３に示すように、抵抗Ｒ１１、Ｒ２１と抵抗Ｒ１２、Ｒ２２とで、接続される中継配線４２４が別々の配線であってもよい。

　上記第４実施形態では、１方向に並ぶ４つの抵抗Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ１２、Ｒ２２が、図１８に示すように、Ｘ方向位置を互い違いにずらして配置されている。つまり、隣り合う抵抗１３２の全てについて、Ｘ方向位置が互いにずれている。これに対し、図２４に示すように、隣り合う抵抗１３２の少なくとも２つについて、Ｘ方向位置が互いにずれていればよい。図２４の例では、トンネル部Ｔ２とトンネル部Ｔ３のＸ方向位置が互いにずれている。この場合、トンネル部Ｔ１とトンネル部Ｔ２のＸ方向位置が同じであってもよい。また、トンネル部Ｔ３とトンネル部Ｔ４のＸ方向位置が同じであってもよい。なお、図２４に示す例では、トンネル部Ｔ２およびトンネル部Ｔ３のいずれか一方が第１トンネル部に相当し、他方が第２トンネル部に相当する。つまり、抵抗Ｒ２１および抵抗Ｒ１２のいずれか一方が第１電子部品に相当し、他方が第２電子部品に相当する。

　図２５に示す例では、トンネル部Ｔ１とトンネル部Ｔ２のＸ方向位置が互いにずれている。また、トンネル部Ｔ３とトンネル部Ｔ４のＸ方向位置が互いにずれている。この場合、トンネル部Ｔ２とトンネル部Ｔ３のＸ方向位置が同じであってもよい。なお、図２５に示す例では、隣り合う２つのトンネル部Ｔ１、Ｔ２のいずれか一方が第１トンネル部に相当し、他方が第２トンネル部に相当する。また、隣り合う２つのトンネル部Ｔ３、Ｔ４のいずれか一方が第１トンネル部に相当し、他方が第２トンネル部に相当する。

　図２６に示す例では、１方向（Ｙ方向）に並ぶ全ての抵抗Ｒ１１、Ｒ２１、Ｒ１２、Ｒ２２について、隣合う抵抗のＸ方向位置がずれている。但し、Ｘ方向位置をずらす向きが、全ての抵抗で同じである。

　上記第４実施形態では、１つの抵抗に対してＹ方向の一方側に隣合う抵抗の数は１つである。これに対し、図２７に示す例では、１つの抵抗に対してＹ方向の一方側に隣合う抵抗の数は２つである。具体的には、抵抗Ｒ１１に対してＹ方向の一方側の隣に、２つの抵抗Ｒ１２、Ｒ２１が配置されている。また、抵抗Ｒ２２に対してＹ方向の他方側の隣に、２つの抵抗Ｒ１２、Ｒ２１が配置されている。

　図２８に示す例では、１つの抵抗Ｒ１１のＸ方向位置と、３つの抵抗Ｒ２１、Ｒ１２、Ｒ２２のＸ方向位置とが異なっている。それら３つの抵抗Ｒ２１、Ｒ１２、Ｒ２２のＸ方向位置は同じになっている。図２９に示す例では、１つの抵抗Ｒ２１のＸ方向位置と、３つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２２のＸ方向位置とが異なっている。それら３つの抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２２のＸ方向位置は同じになっている。

　上記第４実施形態では、トンネル部を形成する第１電子部品に、スナバ回路１３の抵抗１３２が用いられている。これに対し、コンデンサ１３１がトンネル部を形成する第１電子部品であってもよい。また、コンデンサ１３１が第２電子部品であってもよい。

　上記第４実施形態では、第２電子部品の一部が第１範囲Ｂ１に位置している。これに対し、第２電子部品の全体が第１範囲Ｂ１に位置していてもよい。

　上記第４実施形態では、第３トンネル部の全体が第１投影範囲Ａ１に位置している。これに対し、第３トンネル部の一部が第１投影範囲Ａ１に位置していてもよい。また、上記第４実施形態では、第４トンネル部の全体が第２投影範囲Ａ２に位置している。これに対し、第４トンネル部の一部が第２投影範囲Ａ２に位置していてもよい。

　（第５実施形態）
　本実施形態に係る基板４０の導体４２には、以下に説明するレーザー粗化が施されている。例えば図３０に示すように、導体４２のうち中継配線４２４の部分に、レーザー粗化が施された粗化部４２Ｌが形成されていてもよい。図２８中の点線に示す部分が粗化部４２Ｌである。粗化部４２Ｌは、中継配線４２４のうち、抵抗Ｒ１１（第１電子部品）と抵抗Ｒ２１（第２電子部品）の間の部分に形成されている。

　図３１に示すように、中継配線４２４は、第１接続部４２Ｌ１および第２接続部４２Ｌ２を有する。第１接続部４２Ｌ１は、中継配線４２４のうち第１電子部品の端子１３２３が半田８３で接続される部分である。第２接続部４２Ｌ２は、中継配線４２４のうち第２電子部品の端子１３２３が半田８３で接続される部分である。粗化部４２Ｌは、第１接続部４２Ｌ１および第２接続部４２Ｌ２の間の部分に形成されている。粗化部４２Ｌの表面粗さは、第１接続部４２Ｌ１および第２接続部４２Ｌ２の表面粗さよりも粗い。粗化部４２Ｌは、レーザー光線を照射することで粗化されていてもよいし、薬品で酸化させる等によって粗化されていてもよいし、研磨材で粗化されていてもよい。

　粗化部４２Ｌは、複数の抵抗１３２の間の部分に形成されていてもよい。粗化部４２Ｌは、抵抗１３２とコンデンサ１３１の間の部分に形成されていてもよい。粗化部４２Ｌは、複数のコンデンサ１３１の間の部分に形成されていてもよい。

　粗化部４２Ｌによって、第１接続部４２Ｌ１の半田８３と第２接続部４２Ｌ２の半田８３が分離され、分離された各々の半田８３がフィレットを形成した状態になっている。図３２および図３３は、本実施形態に反して粗化部４２Ｌが形成されていない比較例１および比較例２を示す。これらの比較例１、２では、第１接続部４２Ｌ１の半田８３と第２接続部４２Ｌ２の半田８３が分離されておらず、結合して一体となっている。その結果、比較例１、２では半田８３がフィレットを形成していない。

　そして、比較例１では、第１接続部４２Ｌ１および第２接続部４２Ｌ２の両方とも、十分な量の半田８３が設けられている。そのため、半田８３の損傷による断線を招く可能性は十分に低くなっている。しかし、比較例２では、図３３中の一点鎖線に示すように、第２接続部４２Ｌ２に設けられている半田８３の量が少ない。そのため、半田８３の損傷による断線を招く懸念があり、接続不良の状態と言える。比較例１、２のいずれにおいても、先述した通り両接続部の半田８３が結合して一体となっているため、比較例１のように問題ない状態であるのか、比較例２のように接続不良の状態であるのか、Ｚ方向から見た概観検査では判別できない。

　この点を鑑み、本実施形態では、中継配線４２４のうち第１接続部４２Ｌ１および第２接続部４２Ｌ２の間の部分に、粗化部４２Ｌが形成されている。そのため、第１接続部４２Ｌ１の半田８３と第２接続部４２Ｌ２の半田８３が分離され、分離された各々の半田８３がフィレットを形成した状態になっている。半田８３の量が十分でなければフィレットは形成されないので、フィレットの有無をＺ方向から見て概観検査することで、接続不良の有無を判別できる。

　（第６実施形態）
　本実施形態に係る半導体装置２１では、第１実施形態に係る半導体装置２１の構成を前提としつつ、図３４および図３５に示す構成が採用されている。以下、特に説明のない本実施形態の構成については、第１実施形態と同じ構成である。

　第１実施形態にて先述した通り、半導体素子３０はパッド３３を有する。パッド３３は、中継配線４２５およびワイヤ８０を介して信号端子６２に接続される。このワイヤ８０には、以下のワイヤ８０１、８０２、８０ａ、８０ｂが含まれる。例えば、パッド３３と中継配線４２５はワイヤ８０１、８０２によって接続されている。複数の中継配線４２５どうしはワイヤ８０ａによって接続されている。中継配線４２５と信号端子６２はワイヤ８０ｂによって接続されている。信号端子６２は、枠体２２１の壁部２２１ｃに取り付けられている。中継配線４２５は導体４２に含まれる。中継配線４２５は、コンデンサ１３１または抵抗１３２と半導体素子３０との間に配置されている。

　上アーム素子である半導体素子３０Ｈは、複数並べて配置されている。図３５に示す例では、４つの半導体素子３０Ｈが短手方向に一列に並べられている。ワイヤ８０２は、短手方向の両端に位置する半導体素子３０Ｈに接続されるワイヤである。ワイヤ８０１は、短手方向の中央側に位置する半導体素子３０Ｈに接続されるワイヤである。

　なお、中継配線４２５に替えて、図示しない中継基板を採用してもよい。中継基板は、絶縁基材４１の一面４１ａに載置される基板である。中継基板は、絶縁基材および導体を有する。中継基板を採用した場合、電子部品を中継基板に実装することができる点で、中継配線４２５より有利である。

　ここで、枠体２２１の上面視における形状は、基板４０を取り囲む矩形である。図３５に示す例では、矩形の対辺のうち短辺がＸ方向に延びる。矩形の対辺のうち長辺がＹ方向に延びる。以下、一対の対辺が向かい合う方向は対辺方向と記載される。そして、一対の短辺が向かい合う方向はＹ方向に相当し、長手方向とも記載される。一対の長辺が向かい合う方向はＸ方向に相当し、短手方向とも記載される。

　枠体２２１に充填された封止体９０は、車両の振動等によって枠体２２１内で振動する。その振動の主な方向は、短手方向および長手方向である。封止体９０は、短手方向より長手方向の方が振動しやすい。つまり、封止体９０が長手方向へ振動する際の振動エネルギーは、短手方向へ振動する際の振動エネルギーより大きい。

　コンデンサ１３１は矩形の立方体形状である。図３４に示す例では、コンデンサ１３１の高さ寸法は、短手方向寸法および長手方向寸法より大きい。但し、コンデンサ１３１の高さ寸法は、短手方向寸法および長手方向寸法より小さくてもよい。また、図３４に示す例では、コンデンサ１３１の短手方向寸法は長手方向寸法より大きいが、長手方向寸法が短手方向寸法より大きくてもよい。なお、高さ寸法とは、電力変換装置４が車両に搭載された状態における上下方向長さのことである。つまり、封止体９０の液面に対して垂直な方向への長さのことである。

　図３４に示すように、コンデンサ１３１の上端１３１５は、パッド３３より高い位置にある。つまり、上端１３１５は、ワイヤ８０１、８０２のパッド３３への接続部分より高い位置にある。上端１３１５は、クリップ５０の上端より高い位置にある。上端１３１５は、ワイヤ８０のうち最も高い位置の部分である頂点部８０ｐより高い位置にある。上端１３１５は、収容空間２２ｖに位置する基板４０への搭載部品の中で、最も高い位置にある。また、上端１３１５は、封止体９０の液面よりも低い位置にある。つまり、コンデンサ１３１の全体が封止体９０によって封止されている。例えば「高い」とは、Ｚ方向において、基板４０の一面を基準位置とし、２つの部材のうち一面に対して遠いほうが高い、という意味である。

　以下、コンデンサ１３１を対辺方向へ投影した範囲は投影範囲Ｃ１、Ｃ２と記載される。投影範囲Ｃ１は長辺方向への投影範囲であり、投影範囲Ｃ２は短辺方向への投影範囲である。ワイヤ８０の少なくとも一部は投影範囲Ｃ１、Ｃ２に位置する。図３５に示す例では、ワイヤ８０１の全体が投影範囲Ｃ１に位置する。ワイヤ８０ａの一部が投影範囲Ｃ１に位置する。ワイヤ８０ａが延びる方向は、投影範囲Ｃ１に係る投影方向（長手方向）に対して垂直な方向である。ワイヤ８０１が延びる方向は、投影範囲Ｃ１に係る投影方向（長手方向）に対して、鋭角に交わる方向である。

　＜第６実施形態のまとめ＞
　本実施形態に係る半導体装置２１では、コンデンサ１３１の上端１３１５がパッド３３より高い位置にある。そのため、振動する封止体９０の波がワイヤ８０に衝突することを、コンデンサ１３１が抑制する。つまり、コンデンサ１３１は、封止体９０の振動波からワイヤ８０を保護する防波堤として機能する。そのため、封止体９０の振動波からワイヤ８０が受ける力を低減でき、ワイヤ８０が損傷するおそれを低減できる。特に、パッド３３に接続されているワイヤ８０１、８０２については、パッド３３との接続部分がコンデンサ１３１によって十分に保護される。よって、ワイヤ８０１、８０２とパッド３３との接続が損傷することを、抑制できる。しかも、上述の如くワイヤ８０が保護されるので、ワイヤ８０の線径を細くすることもできる。その結果、パッド３３を最小化でき、ひいては半導体装置２１の小型化を図ることもできる。

　さらに本実施形態では、コンデンサ１３１の上端１３１５は、ワイヤ８０の頂点部８０ｐより高い位置にある。そのため、封止体９０の振動波による力をワイヤ８０が受ける度合を、より一層低減できる。

　さらに本実施形態では、ハウジング２２の枠体２２１は、基板４０を取り囲む矩形の形状である。そして、ワイヤ８０の少なくとも一部は、矩形の対辺方向へコンデンサ１３１を投影した投影範囲Ｃ１、Ｃ２に位置する。例えば、ワイヤ８０１の全体が投影範囲Ｃ１に位置し、ワイヤ８０ａの一部が投影範囲Ｃ１に位置する。そのため、コンデンサ１３１の防波堤としての機能が促進され、ワイヤ８０の損傷低減の効果を促進できる。

　さらに本実施形態では、封止体９０の振動エネルギーが、短手方向より長手方向の方が大きいことを鑑み、ワイヤ８０１、８０ａは、コンデンサ１３１の長手方向への投影範囲Ｃ１に配置されている。そのため、コンデンサ１３１による防波堤の機能が効果的に発揮される。

　さらに本実施形態では、ワイヤ８０のうち最も高い位置の部分である頂点部８０ｐが投影範囲Ｃ１、Ｃ２に位置する。例えば、ワイヤ８０１の頂点部８０ｐが投影範囲Ｃ１に位置する。そのため、ワイヤ８０へ提供されるコンデンサ１３１による防波堤の機能が、より一層効果的に発揮される。

　さらに本実施形態では、投影範囲Ｃ１に位置するワイヤ８０が延びる方向は、その投影の方向に対して垂直な方向である。ここで、投影の方向に対して垂直な方向（Ｘ方向、Ｚ方向）については、コンデンサ１３１による防波堤の機能が低くなっている。そこで本実施形態では、ワイヤ８０がＸ方向、Ｚ方向に延びる。より詳細には、ワイヤ８０が延びる方向は、投影の方向（Ｙ方向）に対して完全に平行にはなっておらず、垂直な方向（Ｘ方向、Ｚ方向）にも少なからず延びている。そのため、防波堤の機能が低くなる方向（Ｘ方向、Ｚ方向）について、ワイヤ８０は、封止体９０の振動波を受け難くなっていると言える。つまり、Ｙ方向についてはコンデンサ１３１による防波堤で対策し、Ｘ方向、Ｚ方向についてはワイヤ８０が延びる方向で対策できる。

　さらに本実施形態では、コンデンサ１３１の上端１３１５は封止体９０の液面よりも低い位置にあり、コンデンサ１３１の全体が封止体９０によって封止されている。そのため、コンデンサ１３１の全体が防波堤としての機能を発揮することになり、ワイヤ８０の損傷低減の効果を促進できる。

　＜第６実施形態の変形例＞
　上記第６実施形態では、コンデンサ１３１の上端１３１５は封止体９０の液面よりも低い位置にある。これに対し、図３６に示すように、上端１３１５は封止体９０の液面よりも高い位置にあってもよい。つまり、コンデンサ１３１の一部（上端１３１５）が、封止体９０から露出していてもよい。上端１３１５は、封止されていなくても劣化しにくいので、露出していても問題ない。また、リード端子１３１３の全体を封止させつつ、本体部１３１４の一部を露出させるようにしてもよい。また、導体４２とリード端子１３１３との接続部分を封止させつつ、リード端子１３１３の一部が露出していてもよい。

　以下の説明では、ワイヤ８０１、８０２の両端の最短距離は、ワイヤ長８０Ｌと記載される。また、ループ状に延びるワイヤ８０１、８０２のループの沿面長さは、沿面長さと記載される。ワイヤ８０１、８０２の線径に対する沿面長さは、線径比と記載される。ワイヤ８０をボンディングする製造工程において、ワイヤを射出するノズルは振動する。このノズルの振動とワイヤが共振しないように、ワイヤ長８０Ｌおよび線径比は設定されている。

　上記第６実施形態では、コンデンサ１３１の上端１３１５は、ワイヤ８０の頂点部８０ｐより高い位置にある。これに対し、上端１３１５がパッド３３より高い位置にあれば、上端１３１５は頂点部８０ｐより低い位置であってもよい。

　上記第６実施形態では、ワイヤ８０の少なくとも一部が投影範囲Ｃ１、Ｃ２に位置する。これに対し、上端１３１５がパッド３３より高い位置にあれば、ワイヤ８０は投影範囲Ｃ１、Ｃ２に位置していなくてもよい。

　上記第６実施形態では、ワイヤ８０は長手方向への投影範囲Ｃ１に配置されている。これに対し、ワイヤ８０は短手方向への投影範囲Ｃ２に配置されていてもよい。

　上記第６実施形態では、ワイヤ８０の頂点部８０ｐが投影範囲Ｃ１、Ｃ２に位置する。これに対し、上端１３１５がパッド３３より高い位置にあれば、頂点部８０ｐが投影範囲Ｃ１、Ｃ２に位置していなくてもよい。

　（第７実施形態）
　本実施形態に係る半導体装置２１では、第１実施形態に係る半導体装置２１の構成を前提としつつ、図３７および図３８に示す構成が採用されている。以下、特に説明のない本実施形態の構成については、第１実施形態と同じ構成である。

　スナバ回路１３が有する抵抗には、抵抗Ｒ３１、Ｒ３２が含まれている。抵抗Ｒ３１、Ｒ３２は、半田によって導体４２に接続されている。コンデンサ１３１は、抵抗Ｒ３１、Ｒ３２を介して導体４２に接続されている。つまり、コンデンサ１３１は、導体４２に半田で接続されるのではなく、抵抗Ｒ３１、Ｒ３２の端子１３２３に半田で接続されている。換言すれば、導体４２とコンデンサ１３１の間に抵抗Ｒ３１、Ｒ３２が配置されており、抵抗Ｒ３１、Ｒ３２の上にコンデンサ１３１が積層して配置されている。

　図示される例では、中継配線４２４に接続された抵抗Ｒ３１と、Ｐ配線４２１に接続された抵抗Ｒ３２とを電気的に架橋するように、１つのコンデンサ１３１は２つの抵抗Ｒ３１、Ｒ３２に接続されている。つまり、コンデンサ１３１、抵抗Ｒ３１、Ｒ３２、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２および抵抗Ｒ２１、Ｒ２２は、互いに直列接続されている。

　コンデンサ１３１と基板４０との間にはトンネル状の空間であるトンネル部Ｔ１０が存在する。このトンネル部Ｔ１０は一方向に貫通した形状である。図３７に示す例では、トンネル部の貫通方向はＹ方向である。封止体９０の一部は、トンネル部Ｔ１０に充填されている。

　トンネル部Ｔ１０は、一対の抵抗Ｒ３１、Ｒ３２、コンデンサ１３１および基板４０で囲まれた空間である。基板４０のうちトンネル部Ｔ１０を形成する部分は、端子１３２３が接続されている導体４２、および絶縁基材４１である。コンデンサ１３１は、抵抗Ｒ３１、Ｒ３２を介して、Ｐ配線４２１（第１配線）および中継配線４２４（第３配線）に跨って接続されている。

　上記第１実施形態で説明した通り、スナバ回路１３の抵抗１３２には、互いに直列接続された第１抵抗（抵抗Ｒ１１、Ｒ１２）および第２抵抗（抵抗Ｒ２１、Ｒ２２）が含まれている。この第１抵抗に、本実施形態に係る抵抗Ｒ３１、Ｒ３２が含まれていてもよいし、第２抵抗に抵抗Ｒ３１、Ｒ３２が含まれていてもよい。

　上記第４実施形態で説明した通り、抵抗Ｒ１１（第１電子部品）のトンネル部Ｔ１（第１トンネル部）の貫通出口または貫通入口の最も近くに位置する抵抗Ｒ２１（第２電子部品）は、第１投影範囲Ａ１の外に位置している。この第１電子部品は、本実施形態に係るコンデンサ１３１でもよい。この場合、トンネル部Ｔ１０が第１トンネル部に相当し、第１投影範囲Ａ１はトンネル部Ｔ１０の投影範囲に相当する。

　上記第６実施形態で説明した通り、コンデンサ１３１の上端１３１５がパッド３３より高い位置にある。本実施形態でも同様にして、抵抗Ｒ３１、Ｒ３２に積層配置された状態におけるコンデンサ１３１について、上端１３１５がパッド３３より高い位置にある。なお、コンデンサの１３１の下端１３１６（図３８参照）は、パッド３３より低い位置にあることが望ましい。但し、下端１３１６は、パッド３３より高い位置にあってもよい。

　（他の実施形態）
　この明細書および図面等における開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。例えば、開示は、実施形態において示された部品および／または要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示は、実施形態に追加可能な追加的な部分をもつことができる。開示は、実施形態の部品および／または要素が省略されたものを包含する。開示は、ひとつの実施形態と他の実施形態との間における部品および／または要素の置き換え、または組み合わせを包含する。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。

　上記各実施形態では、電力変換装置４が、電力変換部としてインバータ６を備える例を示したが、これに限定されない。たとえば、複数のインバータを備える構成としてもよい。少なくともひとつのインバータと、コンバータを備える構成としてもよい。コンバータのみを備えてもよい。また、以下に説明する複数の技術的思想を、任意に組み合わせた半導体装置であってもよい。

　（技術的思想の開示）
　この明細書は、以下に列挙する複数の項に記載された複数の技術的思想を開示している。いくつかの項は、後続の項において先行する項を択一的に引用する多項従属形式（a multiple dependent form）により記載されている場合がある。さらに、いくつかの項は、他の多項従属形式の項を引用する多項従属形式（a multiple dependent form referring to another multiple dependent form）により記載されている場合がある。これらの多項従属形式で記載された項は、複数の技術的思想を定義している。

　（技術的思想Ａ１）
　電力変換回路（６）を構成する半導体装置であって、
　第１主端子（６１１）と、
　第２主端子（６１２）と、
　信号端子（６２）と、
　絶縁基材（４１）と、前記絶縁基材の一面に配置され、前記第１主端子に電気的に接続された第１配線（４２１）と、前記一面に配置され、前記第２主端子に電気的に接続された第２配線（４２２）と、を有する基板（４０）と、
　前記第１配線に電気的に接続された半導体素子（３０，３０Ｈ）と、
　互いに直列接続されたコンデンサ（１３１）および抵抗（１３２）を含み、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に架橋するスナバ回路（１３）と、
を備え、
　前記抵抗には、互いに直列接続された第１抵抗（Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３）および第２抵抗（Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２Ｗ）が含まれている、半導体装置。

　（技術的思想Ａ２）
　前記第１抵抗および前記第２抵抗の一方には、互いに並列接続された複数の抵抗が含まれており、
　前記第１抵抗および前記第２抵抗の他方には、互いに並列接続された抵抗は含まれていない、技術的思想Ａ１に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ａ３）
　前記第１抵抗には、互いに並列接続された複数の抵抗が含まれており、
　前記第２抵抗には、互いに並列接続された複数の抵抗が含まれており、
　前記第１抵抗の並列接続の数と前記第２抵抗の並列接続の数は同じである、技術的思想Ａ１に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ａ４）
　前記コンデンサには、互いに並列接続された第１コンデンサ（Ｃ１）および第２コンデンサ（Ｃ２）が含まれており、
　前記抵抗には、前記第１コンデンサに直列接続された前記第１抵抗および前記第２抵抗と、前記第２コンデンサに直列接続された前記第１抵抗および前記第２抵抗が含まれている、技術的思想Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ａ５）
　前記抵抗はチップ抵抗であり、
　前記スナバ回路には、前記チップ抵抗に直列接続されたワイヤ（Ｗ）が含まれている、技術的思想Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ａ６）
　前記第１抵抗および前記第２抵抗の少なくとも一方には、ワイヤ（Ｒ２Ｗ）で形成された抵抗が含まれている、技術的思想Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ａ７）
　前記コンデンサおよび前記抵抗の間の電位をモニタするモニタ端子（６３）を備える、技術的思想Ａ１～Ａ６のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ａ８）
　前記基板は、前記第１配線および前記第２配線とは別の第３配線（４２４）を有し、
　前記コンデンサおよび前記抵抗は、前記第３配線を介して互いに直列接続され、
　前記モニタ端子は、前記第３配線に接続され、前記第３配線との接続箇所から前記一面に対して垂直に延びる形状である、技術的思想Ａ７に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ａ９）
　前記半導体素子とともに前記抵抗を封止する、流動性を有した封止体（９０）を備え、
　前記抵抗は、抵抗素子（１３２２）が内部に封止された本体部（１３２１）と、前記抵抗素子に電気的に接続されるとともに前記本体部から延出する部分を有する一対の端子（１３２３）と、を有し、
　前記封止体の一部は、前記一対の端子、前記本体部および前記基板で囲まれたトンネル状の空間であるトンネル部（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ１０）に充填されており、
　前記第１抵抗の前記トンネル部を第１トンネル部（Ｔ１）、前記第１トンネル部の貫通方向へ前記第１トンネル部を投影した範囲を第１投影範囲（Ａ１）とし、
　前記第２抵抗は前記第１投影範囲の外に位置している、技術的思想Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ａ１０）
　電力変換回路（６）を構成する半導体装置であって、
　第１主端子（６１１）と、
　第２主端子（６１２）と、
　信号端子（６２）と、
　絶縁基材（４１）と、前記絶縁基材の一面に配置され、前記第１主端子に電気的に接続された第１配線（４２１）と、前記一面に配置され、前記第２主端子に電気的に接続された第２配線（４２２）と、を有する基板（４０）と、
　前記第１配線に電気的に接続された半導体素子（３０，３０Ｈ）と、
　コンデンサ（１３１）を含み、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に架橋するスナバ回路（１３）と、
を備え、
　前記コンデンサは、電極（１３１２）、および前記電極に接続されるリード端子（１３１３）を有し、
　前記リード端子には、前記リード端子を流れる電流の電気抵抗が部分的に大きくなるように設定された細部（１３１３ａ）が設けられ、
　前記細部は、前記コンデンサの短絡故障に伴って流れる電流で溶断する電気抵抗に設定されている、半導体装置。

　（技術的思想Ｂ１）
　電力変換回路（６）を構成する半導体装置であって、
　第１主端子（６１１）と、
　第２主端子（６１２）と、
　信号端子（６２）と、
　絶縁基材（４１）と、前記絶縁基材の一面に配置され、前記第１主端子に電気的に接続された第１配線（４２１）と、前記一面に配置され、前記第２主端子に電気的に接続された第２配線（４２２）と、を有する基板（４０）と、
　前記第１配線に電気的に接続された半導体素子（３０，３０Ｈ）と、
　複数の電子部品（１３１、１３２）を含み、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に架橋するスナバ回路（１３）と、
　前記半導体素子とともに前記電子部品の少なくとも一部を封止する、流動性を有した封止体（９０）と、
を備え、
　前記電子部品は、機能素子（１３２２、１３１１、１３１２）が内部に封止された本体部（１３２１、１３１４）と、前記機能素子に電気的に接続されるとともに前記本体部から延出する部分を有する一対の端子（１３２３、１３１３）と、を有し、
　前記封止体の一部は、前記一対の端子、前記本体部および前記基板で囲まれたトンネル状の空間であるトンネル部（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ１０）に充填されており、
　複数の前記電子部品の１つを第１電子部品（Ｒ１１）、前記第１電子部品の前記トンネル部を第１トンネル部（Ｔ１）、前記第１トンネル部の貫通方向へ前記第１トンネル部を投影した範囲を第１投影範囲（Ａ１）とし、
　複数の前記電子部品には、前記第１トンネル部の貫通出口（Ｔｏｕｔ）または貫通入口（Ｔｉｎ）の最も近くに位置する第２電子部品（Ｒ２１）が含まれており、
　前記第２電子部品は前記第１投影範囲の外に位置している、半導体装置。

　（技術的思想Ｂ２）
　前記第１電子部品を前記貫通方向へ投影した範囲を第１範囲（Ｂ１）とし、
　前記第２電子部品の少なくとも一部は、前記第１範囲に位置している、技術的思想Ｂ１に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｂ３）
　複数の前記電子部品には、前記第１電子部品とは別に前記第２電子部品の最も近くに位置する第３電子部品（Ｒ１２）が含まれており、
　前記第３電子部品の前記トンネル部を第３トンネル部（Ｔ３）とし、
　前記第３トンネル部は前記第１トンネル部に対して平行に延び、
　前記第３トンネル部の少なくとも一部は前記第１投影範囲に位置している、技術的思想Ｂ１またはＢ２に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｂ４）
　複数の前記電子部品には、前記第２電子部品とは別に前記第２電子部品の最も近くに位置する第４電子部品（Ｒ２２）が含まれており、
　前記第２電子部品の前記トンネル部を第２トンネル部（Ｔ２）、前記第２トンネル部の貫通方向へ前記第２トンネル部を投影した範囲を第２投影範囲（Ａ２）、前記第４電子部品の前記トンネル部を第４トンネル部（Ｔ４）とし、
　前記第４トンネル部は、前記第２トンネル部に対して平行に延び、
　前記第４トンネル部の少なくとも一部は前記第２投影範囲に位置している、技術的思想Ｂ３に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｂ５）
　複数の前記電子部品には、互いに直列接続されたコンデンサ（１３１）および抵抗（１３２）が含まれており、
　前記第１電子部品および前記第２電子部品は前記抵抗である、技術的思想Ｂ１～Ｂ４のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｂ６）
　前記基板は、前記第１電子部品および前記第２電子部品の両方に半田で接続される中継配線（４２４）を有し、
　前記中継配線は、前記第１電子部品に接続される第１接続部（４２Ｌ１）と、前記第２電子部品に接続される第２接続部（４２Ｌ２）と、前記第１接続部および前記第２接続部の間の部分である粗化部（４２Ｌ）と、を有し、
　前記粗化部の表面粗さは、前記第１接続部および前記第２接続部の表面粗さよりも粗い、技術的思想Ｂ１～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｃ１）
　電力変換回路（６）を構成する半導体装置であって、
　第１主端子（６１１）と、
　第２主端子（６１２）と、
　信号端子（６２）と、
　絶縁基材（４１）と、前記絶縁基材の一面に配置され、前記第１主端子に電気的に接続された第１配線（４２１）と、前記一面に配置され、前記第２主端子に電気的に接続された第２配線（４２２）と、を有する基板（４０）と、
　前記第１配線に電気的に接続された主電極（３１、３２）と、信号端子（６２）と電気的に接続されるパッド（３３）と、を有する半導体素子（３０，３０Ｈ）と、
　前記信号端子および前記パッドを繋ぐ通信線の少なくとも一部を形成するワイヤ（８０、８０１、８０２、８０ａ）と、
　コンデンサ（１３１）を含み、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に架橋するスナバ回路（１３）と、
　前記半導体素子および前記ワイヤとともに前記コンデンサの少なくとも一部を封止する、流動性を有した封止体（９０）と、
を備え、
　前記コンデンサの上端（１３１５）が前記パッドより高い位置にある、半導体装置。

　（技術的思想Ｃ２）
　前記上端は、前記ワイヤのうち最も高い位置の部分である頂点部（８０ｐ）より高い位置にある、技術的思想Ｃ１に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｃ３）
　前記封止体は、前記基板を取り囲む矩形のハウジング（２２）の内側に充填されており、
　前記矩形の一対の対辺が向かい合う方向を対辺方向とし、
　前記ワイヤの少なくとも一部は、前記コンデンサを前記対辺方向へ投影した投影範囲（Ｃ１、Ｃ２）に位置する、技術的思想Ｃ１またはＣ２に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｃ４）
　前記対辺方向のうち、前記矩形の短辺が向かい合う方向を長手方向とし、
　前記投影範囲は、前記コンデンサを前記長手方向へ投影した範囲である、技術的思想Ｃ３に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｃ５）
　前記ワイヤのうち最も高い位置の部分である頂点部（８０ｐ）が前記投影範囲に位置する、技術的思想Ｃ３またはＣ４に記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｃ６）
　前記ワイヤが延びる方向は、前記投影の方向に対して垂直な方向である、技術的思想Ｃ３～Ｃ５のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｃ７）
　前記上端が前記封止体から露出している、技術的思想Ｃ１～Ｃ６のいずれか１つに記載の半導体装置。

　（技術的思想Ｃ８）
　前記コンデンサの全体が前記封止体によって封止されている、技術的思想Ｃ１～Ｃ６のいずれか１つに記載の半導体装置。

Claims

　電力変換回路（６）を構成する半導体装置であって、
　第１主端子（６１１）と、
　第２主端子（６１２）と、
　信号端子（６２）と、
　絶縁基材（４１）と、前記絶縁基材の一面に配置され、前記第１主端子に電気的に接続された第１配線（４２１）と、前記一面に配置され、前記第２主端子に電気的に接続された第２配線（４２２）と、を有する基板（４０）と、
　前記第１配線に電気的に接続された半導体素子（３０，３０Ｈ）と、
　互いに直列接続されたコンデンサ（１３１）および抵抗（１３２）を含み、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に架橋するスナバ回路（１３）と、
を備え、
　前記抵抗には、互いに直列接続された第１抵抗（Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３）および第２抵抗（Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２Ｗ）が含まれている、半導体装置。
　前記第１抵抗および前記第２抵抗の一方には、互いに並列接続された複数の抵抗が含まれており、
　前記第１抵抗および前記第２抵抗の他方には、互いに並列接続された抵抗は含まれていない、請求項１に記載の半導体装置。
　前記第１抵抗には、互いに並列接続された複数の抵抗が含まれており、
　前記第２抵抗には、互いに並列接続された複数の抵抗が含まれており、
　前記第１抵抗の並列接続の数と前記第２抵抗の並列接続の数は同じである、請求項１に記載の半導体装置。
　前記コンデンサには、互いに並列接続された第１コンデンサ（Ｃ１）および第２コンデンサ（Ｃ２）が含まれており、
　前記抵抗には、前記第１コンデンサに直列接続された前記第１抵抗および前記第２抵抗と、前記第２コンデンサに直列接続された前記第１抵抗および前記第２抵抗が含まれている、請求項１に記載の半導体装置。
　前記抵抗はチップ抵抗であり、
　前記スナバ回路には、前記チップ抵抗に直列接続されたワイヤ（Ｗ）が含まれている、請求項１に記載の半導体装置。
　前記第１抵抗および前記第２抵抗の少なくとも一方には、ワイヤ（Ｒ２Ｗ）で形成された抵抗が含まれている、請求項１に記載の半導体装置。
　前記コンデンサおよび前記抵抗の間の電位をモニタするモニタ端子（６３）を備える、請求項１に記載の半導体装置。
　前記基板は、前記第１配線および前記第２配線とは別の第３配線（４２４）を有し、
　前記コンデンサおよび前記抵抗は、前記第３配線を介して互いに直列接続され、
　前記モニタ端子は、前記第３配線に接続され、前記第３配線との接続箇所から前記一面に対して垂直に延びる形状である、請求項７に記載の半導体装置。
　前記半導体素子とともに前記抵抗を封止する、流動性を有した封止体（９０）を備え、
　前記抵抗は、抵抗素子（１３２２）が内部に封止された本体部（１３２１）と、前記抵抗素子に電気的に接続されるとともに前記本体部から延出する部分を有する一対の端子（１３２３）と、を有し、
　前記封止体の一部は、前記一対の端子、前記本体部および前記基板で囲まれたトンネル状の空間であるトンネル部（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ１０）に充填されており、
　前記第１抵抗の前記トンネル部を第１トンネル部（Ｔ１）、前記第１トンネル部の貫通方向へ前記第１トンネル部を投影した範囲を第１投影範囲（Ａ１）とし、
　前記第２抵抗は前記第１投影範囲の外に位置している、請求項１～８のいずれか１つに記載の半導体装置。
　電力変換回路（６）を構成する半導体装置であって、
　第１主端子（６１１）と、
　第２主端子（６１２）と、
　信号端子（６２）と、
　絶縁基材（４１）と、前記絶縁基材の一面に配置され、前記第１主端子に電気的に接続された第１配線（４２１）と、前記一面に配置され、前記第２主端子に電気的に接続された第２配線（４２２）と、を有する基板（４０）と、
　前記第１配線に電気的に接続された半導体素子（３０，３０Ｈ）と、
　コンデンサ（１３１）を含み、前記第１配線と前記第２配線とを電気的に架橋するスナバ回路（１３）と、
を備え、
　前記コンデンサは、電極（１３１２）、および前記電極に接続されるリード端子（１３１３）を有し、
　前記リード端子には、前記リード端子を流れる電流の電気抵抗が部分的に大きくなるように設定された細部（１３１３ａ）が設けられ、
　前記細部は、前記コンデンサの短絡故障に伴って流れる電流で溶断する電気抵抗に設定されている、半導体装置。