WO2026009689A1 - 検出装置及び検出装置の製造方法 - Google Patents

検出装置及び検出装置の製造方法

Info

Publication number
WO2026009689A1
WO2026009689A1 PCT/JP2025/021665 JP2025021665W WO2026009689A1 WO 2026009689 A1 WO2026009689 A1 WO 2026009689A1 JP 2025021665 W JP2025021665 W JP 2025021665W WO 2026009689 A1 WO2026009689 A1 WO 2026009689A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
terminals
terminal
substrate
wiring
substrate pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2025/021665
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
敦則 大山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Publication of WO2026009689A1 publication Critical patent/WO2026009689A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/89—Terminals, e.g. bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates

Definitions

  • the present invention relates to a detection device and a method for manufacturing a detection device.
  • Optical sensors capable of detecting fingerprint patterns and vein patterns are known (see, for example, Patent Document 1).
  • OPDs organic photodiodes
  • a configuration is sometimes adopted in which a flexible substrate on which the organic photodiode is formed and a substrate on which a circuit connected to the organic photodiode is mounted are provided separately, and the terminals on each of these substrates are crimped together.
  • the pressure applied during crimping can cause wiring cracks near the boundary between the terminals on the flexible substrate and the wiring connected to those terminals.
  • the object of the present invention is to provide a detection device and a method for manufacturing a detection device that can suppress wiring cracks.
  • a detection device comprises a first substrate having a plurality of first terminals arranged in a first direction, an organic photodiode, a plurality of second terminals, and a second substrate that is a flexible substrate having a plurality of wirings connecting the organic photodiode and the plurality of second terminals, wherein the plurality of first terminals and the plurality of second terminals are pressure-bonded together with an anisotropic conductive film including conductive balls sandwiched therebetween, and the wirings connected to the plurality of first terminals and the plurality of second terminals that are pressure-bonded together are connected to one end of the second terminal, and the plurality of first terminals are At least one of the terminals protrudes toward the second substrate relative to the periphery of the first terminal, and the crimping marks of the conductive balls overlapping with each of the plurality of first terminals are within a crimping range away from a reference end in a second direction, the second direction being perpendicular to the first
  • a method for manufacturing a detection device includes a first substrate having a plurality of first terminals arranged in a first direction, and a second substrate that is a flexible substrate having an organic photodiode, a plurality of second terminals, and a plurality of wirings connecting the organic photodiode and the plurality of second terminals.
  • the method includes a step of crimping the plurality of first terminals and the plurality of second terminals from the second substrate side with a crimping head while sandwiching an anisotropic conductive film containing conductive balls therebetween, and the wirings connected to the plurality of second terminals are connected to one end of the second terminals, and at least one of the plurality of first terminals is connected to the second substrate side.
  • the other protrudes from the peripheral portion of the first terminal toward the side where the second substrate is crimped to the first substrate, and the crimping range of the multiple first terminals and the multiple second terminals by the crimping head is located away from the reference end of the first terminal protruding from the peripheral portion in a second direction, the second direction being perpendicular to the first direction and extending along the plate surface of the first substrate, the reference end being the end of the first terminal protruding from the peripheral portion in the second direction that is on the one end side of the second terminal that is crimped to the first terminal, and the crimping range is located on the other end side of the second terminal with respect to the reference end.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the appearance of a detection device according to an embodiment when a finger is placed inside the detection device, as viewed from the side of a housing.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II of FIG.
  • FIG. 3 is a development view showing an example of development of the optical sensor of the detection device shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic stacked structure on the base portion 610 side and the terminal portion 620 side of the second substrate 21.
  • FIG. 5 is a plan view showing the second substrate 21 on a larger scale.
  • FIG. 6A and 6B are a plan view and a cross-sectional view showing the configuration of the vicinity of the pressure-bonded portion between the film substrate pad 550 and the substrate pad 720.
  • FIG. FIG. 7 is a diagram showing the positional relationship between the reference lines 621, 622, and 626 according to a comparative example.
  • FIG. 8 is a diagram comparing the changes in the configuration of the film substrate pad 550 and the vicinity of the film substrate pad 550 before and after the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 are pressed together in a plan view between the embodiment and the comparative example.
  • FIG. 9 is a diagram showing a pressing process for pressing the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 together by the pressing head 900. As shown in FIG.
  • FIGS. 10A and 10B are a plan view and a cross-sectional view showing the configuration of the vicinity of the pressure-bonded portion between the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 in the first modification.
  • FIG. 11 is a plan view and a cross-sectional view showing the configuration of the vicinity of the pressure-bonded portion between the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 in the second modification.
  • FIG. 12 is a plan view showing the configuration of the vicinity of the pressure-bonded portion between the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 in the second modification, and shows a state that is partially different from the "plan view" of FIG.
  • the term "on top” is used, unless otherwise specified, to include both a case in which another structure is placed directly on top of a structure so as to be in contact with the structure, and a case in which another structure is placed above a structure via yet another structure.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the appearance of a detection device according to an embodiment when a finger is placed inside the detection device as viewed from the side of the housing.
  • Fig. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II shown in Fig. 1.
  • Fig. 3 is a development view showing an example of the development of the optical sensor of the detection device shown in Fig. 1.
  • the detection device 1 shown in FIG. 1 is a ring-shaped device that can be attached to and detached from the human body, and is worn on a finger Fg of the human body. Fingers Fg include the thumb, index finger, middle finger, ring finger, little finger, etc.
  • the detection device 1 can detect biometric information about a living organism from the finger Fg on which it is worn.
  • the finger Fg is an example of a measurement target.
  • a measurement target is a living organism or part of a living organism, and is a measurement target.
  • the detection device 1 is made into a ring or wristband, making it easy for the user to carry. In the following description, it is assumed that the detection device 1 is used as a ring.
  • the detection device 1 includes a housing 200, a light source 60, a first optical sensor 10A, and a second optical sensor 10B.
  • the detection device 1 includes a battery (not shown) inside the housing 200 and operates on battery power.
  • the housing 200 includes a sealing film 210 and an exterior part 220.
  • the housing 200 is formed in a ring shape (annular) that can be worn on the finger Fg.
  • the sealing film 210 and the exterior part 220 are integrated into a ring shape.
  • the sealing film 210 houses the light source 60, the first optical sensor 10A, the second optical sensor 10B, etc.
  • the sealing film 210 is formed in a ring shape from a housing material such as a transparent synthetic resin or silicone.
  • the exterior part 220 has a surface of the housing 200 that covers the outer surface 210A of the sealing film 210.
  • the exterior part 220 is formed in a ring shape from a material such as a metal or a non-transparent synthetic resin.
  • the housing 200 houses the first substrate 70, on which the light source 60, the first optical sensor 10A, the second optical sensor 10B, etc. are mounted, inside the sealing film 210.
  • the first substrate 70 is housed inside the housing 200 by, for example, forming it into a ring shape in a mold and filling the surrounding area with a filler material to form the housing 200.
  • the first substrate 70 is formed in a deformable band shape, and is formed into a ring shape by bringing one end 71 and the other end 72 close to or overlapping each other.
  • the first substrate 70 has a first mounting area 73 and a second mounting area 74.
  • the first mounting area 73 is an area where the light source 60 and other components are mounted.
  • the second mounting area 74 is an area where the control circuit 122, power supply circuit 123, and other components are mounted.
  • the second substrate 21 is mounted on the first substrate 70 so as to straddle the vicinity of the light source 60 in the first mounting area 73.
  • the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B are arranged so as to sandwich the light source 60 in the circumferential direction 200C. That is, the detection device 1 is arranged in the circumferential direction 200C with the first optical sensor 10A, the light source 60, and the second optical sensor 10B lined up in that order.
  • the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B so as to sandwich the light source 60 in the circumferential direction 200C, the light emitted by the light source 60 can be detected over a wide range of the housing 200.
  • the second substrate 21 is an insulating substrate formed in a strip shape from, for example, PET (Poly Ethylene Terephthalate), a film-like synthetic resin.
  • the second substrate 21 is a deformable substrate on which the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B are mounted.
  • the second substrate 21 can be bent in the third direction Dz.
  • the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B are positioned on both sides of the light source 60 in the circumferential direction 200C of the housing 200.
  • the second substrate 21 has a first region 21A on which the first optical sensor 10A is mounted and a second region 21B on which the second optical sensor 10B is mounted.
  • the second substrate 21 is formed as a single substrate having the first region 21A and the second region 21B.
  • the first substrate 70 is housed inside the housing 200 so that the surface on which the first optical sensor 10A, the second optical sensor 10B, and the light source 60 are mounted faces the inner surface 200B of the housing 200. If the first substrate 70 is translucent, the first optical sensor 10A, the second optical sensor 10B, and the light source 60 may be mounted on the back surface opposite the front surface. In this case, the light source 60 is positioned so that it emits light toward the first substrate 70, and the light that has passed through the first substrate 70 is emitted toward the outside of the housing 200.
  • the light source 60 is provided inside the sealing film 210 of the housing 200 and is configured to be able to emit light toward a detection object, such as a finger Fg, attached to the ring-shaped housing 200.
  • the light source 60 may be, for example, an inorganic LED (Light Emitting Diode) or an organic EL (OLED: Organic Light Emitting Diode).
  • the light source 60 emits light of a predetermined wavelength.
  • the light source 60 has multiple light sources capable of emitting near-infrared light, red light, and green light.
  • Light emitted from the light source 60 is reflected by the surface of the object to be detected, such as a finger Fg, and enters the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B.
  • the light emitted from the light source 60 may be reflected inside the finger Fg or pass through the finger Fg before entering the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B.
  • the detection device 1 may be configured as a fingerprint detection device that detects fingerprints, or a vein detection device that detects vascular patterns such as veins.
  • Each of the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B detects light emitted by the light source 60 and reflected by a finger Fg or the like, as well as directly incident light.
  • the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B are organic photodiodes.
  • the first optical sensor 10A is provided on the housing 200 so as to be adjacent to one end 61 of the light source 60 in the circumferential direction 200C of the housing 200.
  • the second optical sensor 10B is provided on the housing 200 so as to be adjacent to the other end 62 of the light source 60 in the circumferential direction 200C of the housing 200.
  • the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B have an organic photodiode OPD (see FIG. 4).
  • Each of the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B has two electrodes 11 aligned in the circumferential direction 200C.
  • the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B are mounted on a single second substrate 21 and are electrically connected to the first substrate 70 via the second substrate 21.
  • the second substrate 21 has a cutout portion 22 (see FIG. 4) between the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B in the circumferential direction 200C of the housing 200.
  • the detection device 1 is a detection device that detects light using an organic photodiode OPD.
  • the first direction Dx is a direction in a plane parallel to the second substrate 21.
  • the second direction Dy is a direction in a plane parallel to the second substrate 21 and is the same direction as the circumferential direction 200C.
  • the first direction Dx and the second direction Dy are perpendicular to each other, but the intersection angle between the first direction Dx and the second direction Dy does not necessarily have to be strictly perpendicular, and they may intersect without being perpendicular.
  • the third direction Dz is a direction perpendicular to the second direction Dy and the first direction Dx.
  • the third direction Dz is the normal direction of the second substrate 21.
  • plane view refers to the positional relationship when viewed from a direction perpendicular to the second substrate 21.
  • the term “lateral” refers to a direction (first direction Dx, second direction Dy, etc.) that intersects with the third direction Dz.
  • the second substrate 21 will be described by distinguishing between the base 610 side and the terminal 620 side.
  • the base 610 side is the side on which organic photodiodes OPD (see Figure 4) such as the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B are formed.
  • the terminal 620 side is the side on which terminals 500 of the wiring connected to the organic photodiodes OPD are formed.
  • boundary line 600 The boundary between the part of the second substrate 21 on the base 610 side and the part of the second substrate 21 on the terminal 620 side is shown as boundary line 600.
  • FIG. 4 is a diagram showing the schematic layered structure on the base 610 side and the terminal 620 side of the second substrate 21. Note that FIG. 4 is merely a schematic diagram for explaining the layered structure specifically, and the layout, shape, size, and other aspects of each component from a planar perspective are more accurately shown in FIG. 5, which will be described later.
  • a layered structure constituting the organic photodiode OPD is formed on the base 610 side.
  • the organic photodiode OPD includes an active layer 301, a hole injection layer 302, and an electron injection layer 303. More specifically, the organic photodiode OPD has a layered structure in which the hole injection layer 302 and the electron injection layer 303 sandwich the active layer 301 in the third direction Dz.
  • the characteristics (for example, voltage-current characteristics and resistance value) of the active layer 301 change depending on the light irradiated onto it.
  • An organic material is used as the material for the active layer 301.
  • the hole injection layer 302 is what is known as a hole injection layer (HIL).
  • the electron injection layer 303 is what is known as an electron injection layer (EIL).
  • the active layer 301 has a bulk heterostructure in which a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor, an n-type fullerene derivative (PCBM), are mixed.
  • PCBM n-type fullerene derivative
  • low-molecular-weight organic materials such as C60 (fullerene), PCBM (phenyl C61-butylic acid methyl ester), CuPc (copper phthalocyanine), F16CuPc (fluorinated copper phthalocyanine), rubrene (rubrene: 5,6,11,12-tetraphenyltetracene), and PDI (perylene derivative) can be used as the active layer 301.
  • the active layer 301 can be formed using a vapor deposition (dry process) with these low-molecular-weight organic materials.
  • the active layer 301 may be, for example, a laminated film of CuPc and F16CuPc, or a laminated film of rubrene and C60.
  • the active layer 301 can also be formed using a coating (wet process).
  • the active layer 301 is made of a material that combines the low-molecular-weight organic material described above with a high-molecular-weight organic material. Examples of high-molecular-weight organic materials that can be used include P3HT (poly(3-hexylthiophene)) and F8BT (F8-alt-benzothiadiazole).
  • the active layer 301 can be a film made of a mixture of P3HT and PCBM, or a film made of a mixture of F8BT and PDI.
  • the hole injection layer 302 is made of a conductive polymer such as a composite (PEDOT:PSS) made of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrene sulfonic acid (PSS).
  • the electron injection layer 303 is made of an alkali metal with a low work function, such as lithium (Li).
  • a hole transport layer may be further formed between the hole injection layer 302 and the active layer 301.
  • an electron transport layer may be further formed between the active layer 301 and the electron injection layer 303.
  • a metal oxide layer is used as the material for the hole transport layer. Examples of such metal oxide layers include tungsten oxide (WO3) and molybdenum oxide.
  • An example of a material for the electron transport layer is ethoxylated polyethyleneimine (PEIE).
  • the hole transport layer and the electron transport layer are not limited to single-layer films, and may be formed as a laminated film including an electron blocking layer or a hole blocking layer.
  • the hole injection layer 302 abuts against the electrode 312, which functions as an anode.
  • the hole injection layer 302 includes a connection portion 3021.
  • the connection portion 3021 is part of the hole injection layer 302 and is formed to extend from the active layer 301 in the third direction Dz to the side of the active layer 301 and the electron injection layer 303.
  • the hole injection layer 302 abuts against the electrode 312 when the connection portion 3021 abuts against the electrode 312.
  • the electron injection layer 303 abuts the electrode 11, which functions as a cathode.
  • the electrode 11 is disposed opposite the active layer 301 in the third direction Dz, with the electron injection layer 303 sandwiched between them.
  • the electrode 11 and the hole injection layer 302 are each connected to a conductive material layer that functions as wiring. Specifically, the electrode 11 is connected to the wiring 331.
  • the hole injection layer 302 is connected to the wiring base 3300.
  • the wiring 331 and the wiring base 3300 are the same conductive material layer.
  • This conductive material layer is formed of a translucent conductive material such as indium tin oxide (ITO), but is not limited to this and may be formed of other conductive materials.
  • the wiring 331 and the wiring base 3300 are separated by an insulating layer 320. More specifically, the insulating layer 320 is interposed between the electrode layer including the electrode 11 and the electrode 312 and the conductive material layer including the wiring 331 and the wiring base 3300.
  • This electrode layer is formed of a translucent conductive material such as ITO.
  • the insulating layer 320 has a through-hole 391 formed therein for electrically connecting the electrode 11 to the wiring 331.
  • the insulating layer 320 also has a through-hole 392 formed therein for electrically connecting the electrode 312 to the wiring base 3300.
  • the wiring 331 extends to both the base 610 side and the terminal 620 side across the boundary line 600, connecting the base 610 side and the terminal 620 side. Furthermore, the insulating layer 320 extends to both the base 610 side and the terminal 620 side.
  • Terminal 500 is a conductive terminal connected to wiring 331.
  • terminal 500 is formed on one end side in the second direction Dy of wiring 110, which is connected to wiring 331 extending toward the terminal portion 620 side.
  • Wiring 110 is in the same layer as the electrode layer including electrode 11 and electrode 312.
  • An insulating layer 320 is interposed between wiring 110 and wiring 331, and a through hole 393 is provided to electrically connect wiring 110 and wiring 331.
  • wiring section 33 refers to the laminated structure included in the second substrate 21, as shown in Figure 4, which is formed from a conductive material layer including wiring 331 and wiring base 3300, insulating layer 320, and an electrode layer including electrode 11, electrode 312, and wiring 110.
  • a film substrate pad 550 is provided on one end of the wiring 110 in the second direction Dy.
  • the film substrate pad 550 is laminated on one side of the wiring section 33, on the terminal section 620 side of the second substrate 21.
  • the film substrate pad 550 functions as the terminal 500 of the second substrate 21.
  • the portion of the wiring 110 included in the wiring section 33 where the film substrate pad 550 is not formed functions as the wiring connected to the terminal 500.
  • the reference line 621 indicates the end position of the film substrate pad 550 on the wiring section 33 side in the second direction Dy. In other words, the reference line 621 can be said to indicate the boundary in the second direction Dy between the area where the film substrate pad 550 is provided and the area where the film substrate pad 550 is not provided. Therefore, the reference line 621 can be said to indicate the boundary between the terminal 500 and the wiring connected to the terminal 500.
  • the wiring 331 shown in Figure 4 is connected to the electrode 11 via a through hole 391, but multiple components that function as wiring, such as the wiring 331, are provided on the second substrate 21.
  • FIG. 5 is a more enlarged plan view of the second substrate 21. As shown in FIGS. 3 and 5, four electrodes 11 are provided on the second substrate 21. Specifically, two electrodes 11 are provided on each of the first optical sensor 10A and the second optical sensor 10B.
  • one of the four electrodes 11 is connected to wiring portion 3311 via through hole 391. Another of the four electrodes 11 is connected to wiring portion 3312 via through hole 391. Another of the four electrodes 11 is connected to wiring portion 3313 via through hole 391. Another of the four electrodes 11 is connected to wiring portion 3314 via through hole 391.
  • Wiring portions 3311, 3312, 3313, and 3314 are each individual wiring 331.
  • Wiring portion 3311 is connected to through hole 391 on the base 610 side and to terminal 504 on the terminal portion 620 side.
  • Wiring portion 3312 is connected to through hole 391 on the base 610 side and to terminal 503 on the terminal portion 620 side.
  • the wiring portion 3313 is connected to the through hole 391 on the base portion 610 side and to the terminal 509 on the terminal portion 620 side.
  • the wiring portion 3314 is connected to the through hole 391 on the base portion 610 side and to the terminal 510 on the terminal portion 620 side.
  • the terminals 503, 504, 509, and 510 are each individual terminals 500.
  • the wiring base 3300 of the first optical sensor 10A is connected to the wiring portion 3310. Further, the wiring base 3300 of the second optical sensor 10B is connected to the wiring portion 3315.
  • the wiring portions 3310 and 3315 are each individual wirings 331.
  • the wiring portion 3310 is connected to the wiring base 3300 on the base portion 610 side, and is connected to the terminals 505 and 507 on the terminal portion 620 side.
  • the wiring portion 3315 is connected to the wiring base 3300 on the base portion 610 side, and is connected to the terminal 511 on the terminal portion 620 side.
  • the terminals 505, 507, and 511 are each individual terminals 500.
  • the electrode 312 abuts the wiring base 3300. Therefore, like the electrode 11, the electrode 312 is also connected to the terminal 500 via the wiring 331.
  • the wiring 331, wiring base 3300, and insulating layer 320 abut one side of the insulating layer 340.
  • the other side of the insulating layer 340 abuts the adhesive layer 350.
  • the adhesive layer 350 is interposed between the insulating layer 340 and the structure-maintaining layer 360.
  • a main layer structure including the organic photodiode OPD and terminal 500 electrically connected to the organic photodiode OPD is formed.
  • the second substrate 21 includes a structure that structurally protects and reinforces the organic photodiode OPD.
  • the second substrate 21 includes an adhesive layer 410 and an additional structural support portion 450.
  • the adhesive layer 410 is provided at the base 610 to cover the organic photodiode OPD from the hole injection layer 302 side.
  • the additional structural support portion 450 has a structure in which an adhesive layer 430 and an insulating layer 420 are stacked on the structural support layer 440.
  • the adhesive layer 430 is interposed between the structural support layer 440 and the insulating layer 420.
  • the insulating layer 420 side of the additional structural support portion 450 abuts the adhesive layer 410.
  • the structure that structurally protects and reinforces the organic photodiode OPD is formed by forming an adhesive layer 410 to cover the organic photodiode OPD after the main laminate structure described above is formed, and then adhering the additional structure maintaining portion 450 to the adhesive layer 410 with the insulating layer 420 facing the adhesive layer 410 side.
  • intermediate portion 400 refers to the laminated structure formed by the organic photodiode OPD and the adhesive layer 410. Therefore, when viewed from the additional structural support portion 450 side, the second substrate 21 can be said to have a structure in which the additional structural support portion 450, intermediate portion 400, wiring portion 33, insulating layer 340, adhesive layer 350, and structural support layer 360 are laminated in this order.
  • Insulating layer 340 and insulating layer 420 are insulating layers, and are formed using, for example, colorless and transparent polyimide (CPI: Colorless Polyimide).
  • Adhesive layer 350 is an adhesive layer that bonds insulating layer 340 and structural maintenance layer 360 together.
  • Adhesive layer 430 is an adhesive layer that bonds insulating layer 420 and structural maintenance layer 440 together.
  • Adhesive layers 350 and 430 are formed using, for example, a translucent adhesive film (OCA: Optically Clear Adhesive).
  • Structural maintenance layer 360 and structural maintenance layer 440 are structural maintenance members, and are formed using, for example, polyethylene terephthalate (PET: Poly Ethylene Terephthalate).
  • the adhesive layer 410 is formed using, for example, an encapsulated adhesive.
  • unwired terminals 501, 502, and 512 shown in Figure 5 have the same configuration as terminal 500, except that they are not connected to the configuration corresponding to wiring 331 shown in Figure 4.
  • the organic photodiode OPD is electrically connected to the control circuit 122 and power supply circuit 123 provided on the first substrate 70 by pressure-bonding the terminal 500 of the second substrate 21 to the substrate pad 720 (see Figure 6, etc.) formed on the first substrate 70.
  • the configuration related to this pressure-bonding will be explained below with reference to Figures 6 to 8.
  • FIG. 6 shows a plan view and a cross-sectional view illustrating the configuration near the bonding point between film substrate pad 550 and substrate pad 720.
  • the cross-sectional views of FIG. 6 and the later-described FIGS. 7, 9, 10, and 11 are cross-sectional views taken along the line A-A' in the plan views included in the respective figures.
  • references to FIG. 6, etc. refer to FIGS. 6, 7, 9, 10, and 11.
  • the plan view omits illustrations of the more detailed configuration of second substrate 21 from a plan view, such as the intermediate portion 400, in order to focus on the explanation of the configuration included in second substrate 21, particularly the configuration related to terminal 500, and particularly film substrate pad 550.
  • a more detailed plan view of second substrate 21 is shown in FIG. 5.
  • terminals 500a, 500b, 500c, 500d, 500e, and 500f are used to individually assign reference numerals to each of the multiple terminals 500.
  • Terminals 500a, 500b, 500c, 500d, 500e, and 500f are six terminals 500 lined up in the first direction Dx, and are six of the terminals 503, 504, 505, 506, 507, 508, 509, 510, and 511 shown in Figure 5.
  • Figure 6 and other figures illustrate the relationship between these six terminals 500 and the board pads 720 that are crimped onto these six terminals 500, but other terminals 500 beyond the six are also crimped onto board pads 720 that are provided corresponding to these other terminals 500 in the same manner as these six terminals 500.
  • the second substrate 21 has a structure in which, when viewed from the additional structural support portion 450 side, the additional structural support portion 450, intermediate portion 400, wiring portion 33, insulating layer 340, adhesive layer 350, and structural support layer 360 are layered in this order.
  • This is shown in cross-sectional views such as Figure 6.
  • each of the multiple terminals 500 such as terminals 500a, 500b, 500c, 500d, 500e, and 500f, is provided with a film substrate pad 550, as described with reference to Figure 4.
  • the film substrate pad 550 is formed on one side of the wiring portion 33, on the terminal portion 620 side of the second substrate 21.
  • the substrate pad 720 has a laminated structure of a wiring section 719, a terminal surface layer 721, and an intervening layer 730.
  • the wiring section 719 is a wiring formed on the first substrate 70 and is made of, for example, copper.
  • the terminal surface layer 721 is a thin-film conductor applied to the wiring section 719 and is made of, for example, copper or gold.
  • the intervening layer 730 is an anisotropic conductive film applied to the terminal surface layer 721 and is made of, for example, an anisotropic conductive film (ACF).
  • the intervening layer 730 includes a plurality of conductive balls 731.
  • the conductive balls 731 are minute, particulate-like spheres that are conductive.
  • the diameter of the conductive balls 731 is, for example, in the range of 3 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • First substrate 70 has a structure in which multiple wiring layers and multiple insulating layers are alternately stacked. Specifically, as shown in the cross-sectional view of Figure 6 and other figures, between coverlay 701 and coverlay 702, in order from the coverlay 701 side, conductive layer 703, insulating layer 707, conductive layer 704, insulating layer 708, conductive layer 705, insulating layer 709, and conductive layer 706 are stacked. Conductive layers 703, 704, 705, and 706 have the same configuration as wiring section 719 and are conductive, and are formed using, for example, copper foil. Coverlays 701 and 702 and insulating layers 707, 708, and 709 are insulating, and are formed using, for example, polyimide.
  • a structure-maintaining layer 711 is provided between the wiring portion 719 of the substrate pad 720 and the coverlay 701.
  • the structure-maintaining layer 711 is a thin-film layer-like substrate, and is formed using, for example, FR4 (Flame Retardant Type 4).
  • the substrate pad 720 is surrounded by a peripheral portion 800 from a planar perspective.
  • the peripheral portion 800 is a notch (opening) formed by removing a portion of the conductive layer 710 and resist 712 around the substrate pad 720.
  • the conductive layer 710 is wiring formed on the opposite side of the coverlay 701 with the structure-maintaining layer 711 sandwiched between them.
  • the resist 712 is an insulating layer formed on the opposite side of the conductive layer 710 from the structure-maintaining layer 711 with the conductive layer 710 sandwiched between them.
  • the substrate pad 720 is formed by removing the conductive layer 710 and resist 712 to form the peripheral portion 800 on one side of the first substrate 70 where the conductive layer 710 is exposed.
  • the wiring portion 719 of the substrate pad 720 can be said to be a wiring portion physically separated from the conductive layer 710 by the formation of the peripheral portion 800.
  • the arrangement of the multiple board pads 720 on the first substrate 70 corresponds to the arrangement of the multiple terminals 500 on the second substrate 21.
  • the pitch of the multiple terminals 500 lined up in one direction on the second substrate 21 corresponds to the pitch of the multiple board pads 720 lined up in one direction on the first substrate 70.
  • the one direction here refers to, for example, the first direction Dx in Figure 6, etc.
  • the wiring portions 719 of each of the multiple substrate pads 720 may be electrically connected to the conductive layer 710.
  • the wiring portions 719 of the substrate pads 720 arranged to overlap terminals 500c and 500e are electrically connected to the conductive layer 710. More specifically, the wiring portions of the substrate pads 720 arranged to overlap terminals 500c and 500e are formed in a state of continuity with the conductive layer 710 because the wiring portions at positions corresponding to the connection portions 718 shown in the cross-sectional views of Figure 6 and other figures are not removed when forming the peripheral portion 800.
  • the wiring portions 719 of the substrate pads 720 arranged to overlap terminals 500a, 500b, 500d, and 500f in Figure 6 and other figures are not electrically connected to the conductive layer 710.
  • the wiring portion 719 of the substrate pads 720 arranged to overlap the terminals 500a, 500b, 500d, and 500f is electrically connected to at least one of the conductive layers 703, 704, 705, and 706 via through holes.
  • the through holes 751, 752, 753, 754, and 755 shown in cross-sectional views such as Figure 6 are examples of such through holes, but the specific form of the through holes is not limited to that shown in Figure 6, etc. It is arbitrary to connect the wiring portion 719 of each of the multiple substrate pads 720 to any of the multiple wirings included in the multiple wiring layers of the first substrate 70.
  • the first substrate 70 may also have a laminated structure of wiring layers and insulating layers formed on the coverlay 702 side, similar to that on the coverlay 701 side.
  • a structure-maintaining layer 711, a conductive layer 741, and a resist 743 are further laminated on the coverlay 702 side.
  • the structure-maintaining layer 711 has the same configuration as the structure-maintaining layer 711.
  • the conductive layer 741 has the same configuration as the conductive layer 710.
  • the resist 743 has the same configuration as the resist 712.
  • the laminated structure formed on the coverlay 702 side of the first substrate 70 by laminating the structure-maintaining layer 711, the conductive layer 741, and the resist 743 does not have a notch like the peripheral portion 800.
  • the conductive ball 731 can be seen after the film substrate pad 550 and substrate pad 720 are pressed together.
  • reference lines 611, 621, 622, 623, 624, 625, 626, and 627 along the first direction Dx are shown to indicate the positional relationship in the second direction Dy between the configuration of the second substrate 21 and the configuration of the first substrate 70.
  • Reference line 611 indicates the end position on the base portion 610 side of the second substrate 21.
  • reference line 621 indicates the end position on the wiring portion 33 side of the end positions of the film substrate pad 550 in the second direction Dy.
  • reference line 621 also indicates the boundary between the terminal 500 and the wiring connected to the terminal 500.
  • this refers to the side where the wiring is connected to the terminal 500, i.e., the reference line 621 of the film substrate pad 550.
  • the boundary line 600 and the position of the end of the board pad 720 in the second direction Dy that is closest to the boundary line 600 coincide with each other.
  • Reference line 622 indicates the end position of one end closer to the base 610 among the end positions in the second direction Dy of the range in which the conductive ball 731 can be seen after the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 are pressed together.
  • Reference line 623 indicates the end position of the other end farther from the base 610 among the end positions in the second direction Dy of the range in which the conductive ball 731 can be seen after the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 are pressed together.
  • the conductive ball 731 can be seen in the range between reference line 622 and reference line 623 within the range in which the substrate pad 720 is located.
  • the width in the second direction Dy between reference line 622 and reference line 623 is smaller than the width in the second direction Dy of the substrate pad 720.
  • the width in the second direction Dy of the film substrate pad 550 is smaller than the width in the second direction Dy of the substrate pad 720.
  • the width in the second direction Dy between the reference lines 622 and 623 is greater than the width in the second direction Dy of the film substrate pad 550, but this is not essential.
  • the width in the second direction Dy between the reference lines 622 and 623 may be less than or equal to the width in the second direction Dy of the film substrate pad 550.
  • the distance between the reference lines 622 and 623 can be said to indicate the distance between both ends in the second direction Dy of the conductive portion between the film substrate pad 550 and the substrate pad 720.
  • Reference line 624 indicates the end position of the terminal portion 620 side of the second substrate 21.
  • terminal 500 is located between reference lines 621 and 624.
  • Reference line 621 is also considered to be the end on one end of terminal 500.
  • Reference line 628 is also considered to be the end on the other end of terminal 500.
  • the side of film substrate pad 550 closer to reference line 624 can be said to be the reference line 628 side (the other end side of terminal 500).
  • Reference line 625 indicates the end position of the peripheral portion 800 in the second direction Dy that is closer to the end position on the terminal portion 620 side of second substrate 21 indicated by reference line 624.
  • the reference line 621 and the reference line 626 overlap. That is, in the embodiment, the end position of the film substrate pad 550 in the second direction Dy, which is on the wiring portion 33 side, and one of the ends of the substrate pad 720 in the second direction Dy overlap in a plan view.
  • the range indicated by reference lines 622 and 623 i.e., the range in which conductive ball 731 can be seen after film substrate pad 550 and substrate pad 720 are pressed together, is closer to reference line 624 than reference line 626.
  • the range in which conductive ball 731 can be seen after film substrate pad 550 and substrate pad 720 are pressed together corresponds to the range that receives the pressing force due to the pressing of film substrate pad 550 and substrate pad 720 together. More specifically, the range that receives such pressing force is indicated by pressing range 890.
  • reference line 626 indicates the position of the reference end. Therefore, in the embodiment, pressing range 890 is spaced apart from the reference end in the second direction Dy.
  • pressing range 890 is closer to reference line 624 than reference line 626.
  • the side of the film substrate pad 550 closest to the reference line 624 is the reference line 628 side (the other end side of the terminal 500). Therefore, it can be said that the crimping range 890 is located on the other end side (reference line 628 side) of the terminal 500 that is crimped to the substrate pad 720 having the reference end (reference line 626) relative to the reference end.
  • Figure 7 is a diagram showing the positional relationship between reference lines 621, 622, and 626 in a comparative example.
  • reference lines 626, 622, and 626 are at the same position in the second direction Dy.
  • the boundary line hereinafter referred to as the pressure force boundary line
  • the pressure force boundary line between the area where the pressure force to press-bond film substrate pad 550 and substrate pad 720 is applied to second substrate 21 and the area where the pressure force is not applied to second substrate 21 overlaps with reference lines 621 and 626.
  • the pressure for bonding the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 together acts as a force that bends the wiring portion 33 in the portion where the film substrate pad 550 is not provided toward the peripheral portion 800.
  • the width in the second direction Dy between the reference line 622 and the reference line 623 is the same as in the embodiment shown in FIG. 6. Therefore, in the comparative example, the position of the reference line 623 is also closer to the boundary line 600 than in the embodiment.
  • the comparative example is similar to the embodiment except that the positions of the reference lines 622 and 623 differ from those of the embodiment.
  • the wiring 110 (see Figure 4) of the wiring portion 33 may break near the boundary between the film substrate pad 550 and the wiring portion 33 that overlaps the crack.
  • FIG. 8 is a diagram comparing the changes in the configuration of the film substrate pad 550 and its vicinity before and after the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 are pressed together in a plan view between the embodiment and the comparative example.
  • "Before pressing" in FIG. 8 shows the film substrate pad 550 and its vicinity as viewed from the second substrate 21 side in a plan view before the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 are pressed together.
  • “Before pressing” is common to the embodiment and the comparative example.
  • “After pressing (comparative example)” in FIG. 8 shows the film substrate pad 550 and its vicinity as viewed from the second substrate 21 side of the comparative example described with reference to FIG. 7 after the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 are pressed together.
  • “After pressing (embodiment)” in FIG. 8 shows the film substrate pad 550 and its vicinity as viewed from the second substrate 21 side of the embodiment described with reference to FIG. 6 after the film substrate pad 550 and the substrate pad 720
  • crack 901 is one such crack.
  • crack 901 includes a crack that crosses the wiring portion 33 in the first direction Dx near the boundary between the film substrate pad 550 and the wiring portion 33, and this crack can cause the wiring 110 of the wiring portion 33 (see Figure 4) to break.
  • crack 901 does not occur as a crack caused by the pressure of the pressure bonding between film substrate pad 550 and substrate pad 720. Therefore, in the embodiment, such a crack does not cause wiring 110 to break.
  • a pressure bonding mark 902 occurs as a crack.
  • the pressure bonding mark 902 is a pressure bonding mark on the terminal surface layer 721 that occurs along the overlapping area between film substrate pad 550 and substrate pad 720.
  • the pressure bonding mark 902 does not include a crack that crosses wiring portion 33 in the first direction Dx.
  • the crack will not cause wiring 110 to break.
  • the range indicated by reference lines 622 and 623 i.e., the range in which conductive ball 731 can be seen after film substrate pad 550 and substrate pad 720 are pressed together, is closer to the other end of film substrate pad 550 than reference line 626.
  • the position of pressure mark end 9021 on the boundary line 600 side of pressure mark 902 is closer to reference line 624 than reference line 626.
  • the range that receives the pressure due to the pressure caused by the pressure between film substrate pad 550 and substrate pad 720 is closer to reference line 624 than reference line 621.
  • a crimp mark 902 rather than a crack 901, occurs in the substrate pad 720 arranged to overlap terminals 500c and 500e. This is because the presence of the connection portion 718 suppresses the occurrence of cracks that cross the wiring portion 33 in the first direction Dx.
  • a crack that crosses the wiring portion 33 in the first direction Dx occurs near the boundary between the wiring portion 33 and a film substrate pad 550 that overlaps with a substrate pad 720 that does not have a connection portion 718 and has a wiring portion 719 that is not continuous with the conductive layer 710, and this may cause the wiring 110 of the wiring portion 33 (see FIG. 4) to break.
  • a crack 901 that occurs near the film substrate pad 550 arranged to overlap terminals 500a, 500b, 500d, and 500f in FIG. 7 may cause the wiring 110 of the wiring portion 33 (see FIG. 4) that is connected to these film substrate pads 550 to break.
  • crack 901 is a groove-like compression mark that appears around film substrate pad 550, and such a groove may break wiring 110. Such a groove is formed in substrate pad 720.
  • crack 901 is schematically illustrated as surrounding film substrate pad 550 for the purpose of clearly showing the relative positional relationship with film substrate pad 550, but in reality, crack 901 occurs as shown in “After Compression Bonding (Comparative Example)" in Figure 8.
  • the alignment of the crimping head 900 is alignment that satisfies both the first and second conditions.
  • the first condition is that the position of the crimping head 900 in the second direction Dy is closer to the reference line 624 than the reference line 626.
  • the second condition is that the crimping head 900 is positioned so that it overlaps with all of the multiple terminals 500 in a plan view.
  • the crimping head 900 is a component in which the width in the second direction Dy of one surface of the crimping head 900 facing the second substrate 21 when the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 are crimped together is the same as the width between the reference lines 622 and 623, and the length in the first direction Dx of that surface is long enough to cover all of the multiple terminals 500 that are to be crimped to the substrate pad 720. While the crimping head 900 shown in Figure 9 is rectangular, the specific shape of the crimping head 900 is not limited to this and only needs to satisfy the noted requirements for that surface.
  • the width in the second direction Dy of one surface of the crimping head 900 facing the second substrate 21 when the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 are crimped together determines the width between the reference lines 622 and 623 shown in Figure 6, etc. Therefore, the width of this surface of the crimping head 900 in the second direction Dy is predetermined to correspond to the width between the reference lines 622 and 623 required when crimping the film substrate pad 550 and the substrate pad 720.
  • the crimping head 900 is shown as a white rectangle in order to illustrate the configuration that overlaps with the crimping head 900 during crimping, but the crimping head 900 does not need to be translucent.
  • the material of the crimping head 900 is not particularly limited as long as it is a hard member suitable for crimping the film substrate pad 550 and the substrate pad 720, and it may also be light-blocking.
  • the position and shape of the crimping head 900 from a planar perspective during crimping is shown as a crimping range 890. Therefore, after crimping, the conductive ball 731 can be seen within the crimping range 890 from a planar perspective, and within the range where the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 overlap.
  • the wiring connected to the plurality of first terminals and the plurality of second terminals pressure-bonded together is connected to one end side (reference line 621 side) of the second terminal. At least one of the plurality of first terminals protrudes toward the second substrate relative to the peripheral portion (peripheral portion 800) of the first terminal.
  • the crimping marks of the conductive ball that overlap each of the multiple first terminals are located within a crimping range (crimping range 890) that is spaced from the reference end position (the position indicated by reference line 626) in the second direction (second direction Dy).
  • the second direction is perpendicular to the first direction and runs along the surface of the first substrate.
  • the reference end is the end of the first terminal that protrudes from the peripheral portion in the second direction, which is located on the one end side of the second terminal that is crimped to the first terminal.
  • the crimping range is located on the other end side (reference line 628 side) of the reference end.
  • the crimping marks of the conductive ball (conductive ball 731) are within a crimping range (crimping range 890) that is spaced in the second direction (second direction Dy) from the position (position indicated by reference line 626) of the reference end of the first terminal (substrate pad 720) that protrudes relative to the peripheral portion (peripheral portion 800), and are located between both ends of the first terminal (substrate pad 720) in the second direction (second direction Dy) (between reference line 622 and reference line 623).
  • the position of the reference end (position indicated by reference line 626) and the position of the boundary between the second terminal (terminal 500 provided with film substrate pad 550) and the wiring (wiring 110 included in wiring section 33) (position indicated by reference line 621) overlap in a plan view. This makes it possible to suppress wiring cracks.
  • a manufacturing method of the detection device 1 is a manufacturing method of a detection device (detection device 1) including a first substrate (first substrate 70) having a plurality of first terminals (substrate pads 720) arranged in a first direction (first direction Dx), an organic photodiode (organic photodiode OPD), a plurality of second terminals (terminals 500 provided with film substrate pads 550), and a plurality of wirings (wirings 110 included in wiring section 33) connecting the organic photodiode and the plurality of second terminals, the manufacturing method including a step of crimping the plurality of first terminals and the plurality of second terminals from the second substrate side with a crimping head (crimping head 900) with an anisotropic conductive film (intervening layer 730) including conductive balls (conductive balls 731) sandwiched therebetween, and the wirings connected to the plurality of second terminals are aligned with one end side (reference line 621) of the second
  • the reference end is the end of the first terminal protruding from the peripheral portion in the second direction that is on the one end side of the second terminal that is crimped to the first terminal, and the crimping range is located on the other end side (reference line 628 side) of the reference end.
  • the position of the reference end (position indicated by reference line 626) and the position of the boundary (position indicated by reference line 621) between the second terminal (terminal 500 provided with film substrate pad 550) that is crimped to the first terminal (substrate pad 720) that protrudes from the peripheral portion, and the wiring (wiring 110 included in wiring section 33) overlap in a plan view. This makes it possible to suppress wiring cracks.
  • the position of the opposite end of the second direction (second direction Dy) of the crimping head (crimping head 900) (position indicated by reference line 623) is located closer to the reference end than the position of the end of the first terminal (substrate pad 720) protruding from the peripheral portion (peripheral portion 800) that is located on the opposite side of the reference end in the second direction (position indicated by reference line 627). This makes it possible to suppress wiring cracks.
  • 10A and 10B are a plan view and a cross-sectional view showing the configuration of the vicinity of the pressure-bonded portion between the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 in the first modification.
  • reference line 621 is located closer to reference lines 624, 625, and 627 than reference line 626.
  • variant 1 is the same as the embodiment, except for the points noted otherwise.
  • crimping marks 902 may occur, but as described above, such crimping marks 902 do not break the wiring 110 of wiring portion 33 (see Figure 4).
  • (Variation 2) 11 is a plan view and a cross-sectional view showing the configuration of the vicinity of the crimped portion between the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 in Modification 2.
  • Modification 2 differs from the embodiment and Modification 1 in that the reference line 627 and the reference line 623 overlap in a plan view.
  • Figure 12 is a plan view showing the configuration near the bonding point between the film substrate pad 550 and the substrate pad 720 in variant 2, and is a view that differs in some respects from the "plan view" in Figure 11.
  • crimping marks 902 and 903 may occur, but these do not break the wiring 110 of the wiring portion 33 (see Figure 4).
  • the crimping marks 903 are crimping marks on the terminal surface layer 721 that occur at the end of the substrate pad 720 in the second direction Dy, on the end side of the reference line 624.
  • variant 2 is the same as variant 1, except for the points noted above.
  • the boundary position (position indicated by reference line 621) between the second terminal (terminal 500 provided with film substrate pad 550) and the wiring (wiring 110 included in wiring section 33) is located on the opposite side (reference line 624 side) of the reference end position (position indicated by reference line 626).
  • Second substrate First substrate 500 Terminal 550 Film substrate pad 720 Substrate pad 730 Intervening layer 731 Conductive ball 800 Periphery OPD Organic photodiode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

検出装置は、第１方向に並ぶ複数の第１端子を有する第１基板と、有機フォトダイオードと、複数の第２端子と、有機フォトダイオードと複数の第２端子とを接続する複数の配線と、を有するフレキシブル基板である第２基板と、を備え、複数の第１端子と複数の第２端子とは、導電球を含む異方性導電膜を間に挟んで圧着され、複数の第１端子と圧着された複数の第２端子と接続されている配線は、第２端子の一端側に接続されており、複数の第１端子のうち少なくとも１つは、当該第１端子の周辺部に対して第２基板側に突出し、複数の第１端子の各々と重なる導電球の圧着痕は、基準端から第２方向に離れた圧着範囲内にあり、第２方向は、第１方向に直交し、第１基板の板面に沿う方向であり、基準端は、周辺部に対して突出した第１端子の第２方向の端部のうち、第１端子と圧着された第２端子の一端側の端部であり、圧着範囲は、基準端に対して第２端子の他端側に位置する。

Description

検出装置及び検出装置の製造方法
　本発明は、検出装置及び検出装置の製造方法に関する。
　指紋パターンや静脈パターンを検出可能な光センサが知られている（例えば、特許文献１）。このような光センサでは、活性層として有機半導体材料が用いられた有機フォトダイオード（ＯＰＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）を有するセンサが知られている。
特開２０２２－１２１２９７号公報
　有機フォトダイオードに可撓性を持たせることを目的として、有機フォトダイオードが形成されたフレキシブル基板と、当該有機フォトダイオードに接続される回路が実装された基板と、を別体で設け、これらの基板の各々に設けられた端子同士を圧着する構成が採用されることがある。係る構成では、圧着のための押圧力によってフレキシブル基板の端子と当該端子に接続されている配線との境界線付近で配線クラックが生じる可能性がある。
　本発明の目的は、配線クラックを抑制できる検出装置及び検出装置の製造方法を提供することにある。
　本発明の一態様の検出装置は、第１方向に並ぶ複数の第１端子を有する第１基板と、有機フォトダイオードと、複数の第２端子と、前記有機フォトダイオードと前記複数の第２端子とを接続する複数の配線と、を有するフレキシブル基板である第２基板と、を備え、前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とは、導電球を含む異方性導電膜を間に挟んで圧着され、前記複数の第１端子と圧着された前記複数の第２端子と接続されている前記配線は、前記第２端子の一端側に接続されており、前記複数の第１端子のうち少なくとも１つは、当該第１端子の周辺部に対して前記第２基板側に突出し、前記複数の第１端子の各々と重なる前記導電球の圧着痕は、基準端から第２方向に離れた圧着範囲内にあり、前記第２方向は、前記第１方向に直交し、前記第１基板の板面に沿う方向であり、前記基準端は、前記周辺部に対して突出した前記第１端子の前記第２方向の端部のうち、前記第１端子と圧着された前記第２端子の前記一端側の端部であり、前記圧着範囲は、前記基準端に対して、前記第２端子の他端側に位置する。
　本発明の一態様の検出装置の製造方法は、第１方向に並ぶ複数の第１端子を有する第１基板と、有機フォトダイオードと、複数の第２端子と、前記有機フォトダイオードと前記複数の第２端子とを接続する複数の配線と、を有するフレキシブル基板である第２基板と、を備える検出装置の製造方法であって、前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とを、導電球を含む異方性導電膜を間に挟んだ状態で前記第２基板側から圧着ヘッドで圧着する工程を含み、前記複数の第２端子と接続されている前記配線は、前記第２端子の一端側に接続されており、前記複数の第１端子のうち少なくとも１つは、当該第１端子の周辺部に対して、前記第１基板に対して前記第２基板が圧着される側に突出し、前記圧着ヘッドによる前記複数の第１端子と前記複数の第２端子との圧着範囲は、前記周辺部に対して突出した前記第１端子の基準端から第２方向に離れた位置にあり、前記第２方向は、前記第１方向に直交し、前記第１基板の板面に沿う方向であり、前記基準端は、前記周辺部に対して突出した前記第１端子の前記第２方向の端部のうち、前記第１端子と圧着される前記第２端子の前記一端側の端部であり、前記圧着範囲は、前記基準端に対して、前記第２端子の他端側に位置する。
図１は、実施形態に係る検出装置の内側に指を収めた状態を筐体の側方から見た場合の外観例を示す模式図である。 図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ断面における断面模式図である。 図３は、図１に示す検出装置の光センサの展開例を示す展開図である。 図４は、第２基板２１の基部６１０側と端子部６２０側の各々の概略的な積層構造を示す図である。 図５は、第２基板２１をより拡大して示す平面図である。 図６は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着個所付近の構成を示す平面図と断面図を示す図である。 図７は、比較例による基準線６２１と基準線６２２と基準線６２６との位置関係を示す図である。 図８は、平面視点におけるフィルム基板パッド５５０及びフィルム基板パッド５５０付近の構成について、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着前後での変化を実施形態と比較例とで比較した図である。 図９は、圧着ヘッド９００による、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着のための押圧工程を示す図である。 図１０は、変形例１におけるフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着個所付近の構成を示す平面図と断面図を示す図である。 図１１は、変形例２におけるフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着個所付近の構成を示す平面図と断面図を示す図である。 図１２は、変形例２におけるフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着個所付近の構成を示す平面図であって、図１１の「平面図」とは一部が異なる状態であるものを示す図である。
　発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
　本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
（実施形態）
　図１は、実施形態に係る検出装置の内側に指を収めた状態を筐体の側方から見た場合の外観例を示す模式図である。図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ断面における断面模式図である。図３は、図１に示す検出装置の光センサの展開例を示す展開図である。
　図１に示す検出装置１は、人体に着脱自在な指輪型のデバイスであり、人体の指Ｆｇに装着される。指Ｆｇは、拇指、示指、中指、薬指、小指等を含む。検出装置１は、装着された指Ｆｇから生体に関する生体情報を検出できる。指Ｆｇは、測定対象の一例である。測定対象は、生体または生体の一部であり、測定対象物である。検出装置１は、指輪又はリストバンドとすることで、ユーザが携帯しやすくしている。以下の説明では、検出装置１は、指輪として使用されることを想定している。
　検出装置１は、図２に示すように、筐体２００と、光源６０と、第１光センサ１０Ａと、第２光センサ１０Ｂと、を備える。検出装置１は、図示しないバッテリーを筐体２００の内部に備え、バッテリーの電力によって動作する装置である。
　筐体２００は、指Ｆｇに装着可能なリング状（環状）に形成されており、生体に装着される装着部材である。図２に示す一例では、筐体２００は、封止膜２１０と、外装部２２０とを備える。筐体２００は、封止膜２１０と外装部２２０とが一体となってリング状に形成されている。封止膜２１０は、光源６０、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂ等を内部に収容している。封止膜２１０は、例えば、透過性の合成樹脂、シリコン等の筐体材料によってリング状に形成されている。外装部２２０は、封止膜２１０の外周面２１０Ａを覆う筐体２００の表面を有している。外装部２２０は、例えば、金属、非透過性の合成樹脂等の部材によってリング状に形成されている。筐体２００は、光源６０、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂ等が実装された第１基板７０を、封止膜２１０の内部に収容している。第１基板７０は、例えば、金型において、リング状に形成された状態で周囲に充填部材を充填して筐体２００を形成することで、筐体２００の内部に収容される。
　図３に示すように、第１基板７０は、変形可能な帯状に形成されており、一端７１と他端７２とを近接又はオーバーラップさせることで、リング状に形成される。第１基板７０は、第１実装領域７３と第２実装領域７４とを有する。第１実装領域７３は、光源６０等が実装される領域である。第２実装領域７４は、制御回路１２２、電源回路１２３等が実装される領域である。第１基板７０は、第１実装領域７３の光源６０の近傍を跨ぐように、第２基板２１が実装されている。
　本実施形態では、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂの各々は、円周方向２００Ｃで、光源６０を挟むように設けている。すなわち、検出装置１は、円周方向２００Ｃで、第１光センサ１０Ａ、光源６０、第２光センサ１０Ｂの順に並んで配置されている。第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂは、円周方向２００Ｃで光源６０を挟むように配置されることで、光源６０が照射した光を筐体２００の広範囲で検出可能になっている。
　第２基板２１は、絶縁性基板であり、例えば、フィルム状の合成樹脂である、ＰＥＴ（Poly　Ethylene　Terephthalate）等によって帯状に形成されている。第２基板２１は、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂが実装されており、変形可能な基板になっている。第２基板２１は、第３方向Ｄｚに対して湾曲させることができる。第２基板２１は、第１基板７０に装着されることで、筐体２００の円周方向２００Ｃにおいて、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂを光源６０の両側に位置付ける。第２基板２１は、第１光センサ１０Ａが実装される第１領域２１Ａと、第２光センサ１０Ｂが実装される第２領域２１Ｂとを有する。第２基板２１は、第１領域２１Ａと第２領域２１Ｂとを有する１枚の基板として形成されている。
　本実施形態では、第１基板７０は、図２に示すように、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂ及び光源６０を実装した表面が筐体２００の内周面２００Ｂと対向するように、筐体２００の内部に収容されている。なお、第１基板７０は、透光性を有する場合、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂ及び光源６０を表面とは反対の裏面に実装してもよい。この場合、光源６０は、第１基板７０に向けて光を出射し、第１基板７０を透過した光が筐体２００の外部に向けて出射するように配置すればよい。
　光源６０は、図２に示すように、筐体２００の封止膜２１０の内部に設けられ、リング状の筐体２００に装着された指Ｆｇ等の被検出体に向けて光を照射可能な構成になっている。光源６０は、例えば、無機ＬＥＤ（Light　Emitting　Diode）や、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Organic　Light　Emitting　Diode）等が用いられる。光源６０は、所定の波長の光を照射する。本実施形態では、光源６０は、近赤外光、赤色光及び緑光を照射可能なように複数の光源を有している。
　光源６０から出射された光は、指Ｆｇ等の被検出体の表面で反射されて第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂに入射する。これにより、検出装置１は、指Ｆｇ等の表面の凹凸の形状を検出することで指紋を検出することができる。あるいは、光源６０から出射された光は、指Ｆｇ等の内部で反射し又は指Ｆｇ等を透過して第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂに入射してもよい。これにより、検出装置１は、指Ｆｇ等の内部の生体に関する情報を検出できる。生体に関する情報とは、例えば、指や掌の脈波、脈拍、血管像等である。すなわち、検出装置１は、指紋を検出する指紋検出装置や、静脈などの血管パターンを検出する静脈検出装置として構成されてもよい。
　第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂの各々は、光源６０によって照射した光が指Ｆｇ等で反射した光、直接入射する光等を検出する。第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂは、有機フォトダイオードである。第１光センサ１０Ａは、筐体２００の円周方向２００Ｃにおける光源６０の一方の端部６１に隣接するように、筐体２００に設けられている。第２光センサ１０Ｂは、筐体２００の円周方向２００Ｃにおける光源６０の他方の端部６２に隣接するように、筐体２００に設けられている。
　図３に示すように、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂは、有機フォトダイオードＯＰＤ（図４参照）を有する。第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂの各々は、円周方向２００Ｃに沿って並ぶ２つの電極１１を有する構成になっている。第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂは、１枚の第２基板２１に実装されており、第２基板２１を介して第１基板７０に電気的に接続されている。第２基板２１は、筐体２００の円周方向２００Ｃで、第１光センサ１０Ａと第２光センサ１０Ｂとの間に切り欠き部２２（図４参照）を有する。すなわち、検出装置１は、有機フォトダイオードＯＰＤで光を検出する検出装置である。
　なお、以下の説明において、第１方向Ｄｘは、第２基板２１と平行な面内の一方向である。また、第２方向Ｄｙは、第２基板２１と平行な面内の一方向であり、円周方向２００Ｃと同一の方向である。実施形態では第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとは直交するが、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとの交差角度は厳密な直交であることが必須でなく、直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第２方向Ｄｙ及び第１方向Ｄｘと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、第２基板２１の法線方向である。また、「平面視」とは、第２基板２１と垂直な方向から見た場合の位置関係をいう。また、「側方」と記載した場合、第３方向Ｄｚに対して交差する方向（第１方向Ｄｘ、第２方向Ｄｙ等）をさす。
　以下の説明では、第２基板２１を、基部６１０側と端子部６２０側とで区別した説明を行う。基部６１０側は、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂのような有機フォトダイオードＯＰＤ（図４参照）が形成される側である。端子部６２０側は、係る有機フォトダイオードＯＰＤに接続されている配線の端子５００が形成されている側である。また、基部６１０側とされる第２基板２１の部分と端子部６２０側とされる第２基板２１の部分との境界を境界線６００として示している。
　図４は、第２基板２１の基部６１０側と端子部６２０側の各々の概略的な積層構造を示す図である。なお、図４は、あくまで積層構造に特化した説明を行うための概略図であり、平面視点での各構成の配置、形状、大きさ等の態様は、後述する図５に示すものがより正確である。基部６１０側には、有機フォトダイオードＯＰＤを構成する積層構造が形成されている。具体的には、有機フォトダイオードＯＰＤは、活性層３０１、正孔注入層３０２及び電子注入層３０３を含む。より具体的には、有機フォトダイオードＯＰＤは、正孔注入層３０２と電子注入層３０３とが活性層３０１を第３方向Ｄｚに挟む積層構造を有する。
　活性層３０１は、照射される光に応じて特性（例えば、電圧電流特性や抵抗値）が変化する。活性層３０１の材料として、有機材料が用いられる。正孔注入層３０２は、いわゆるＨＩＬ（Ｈｏｌｅ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ）である。電子注入層３０３は、いわゆるＥＩＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ）である。
　なお、より具体的には、活性層３０１は、ｐ型有機半導体と、ｎ型有機半導体であるｎ型フラーレン誘導体（ＰＣＢＭ）とが混在するバルクヘテロ構造である。活性層３０１として、例えば、低分子有機材料であるＣ６０（フラーレン）、ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１酪酸メチルエステル：Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ６１－ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン：Ｃｏｐｐｅｒ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｆ１６ＣｕＰｃ（フッ素化銅フタロシアニン）、ｒｕｂｒｅｎｅ（ルブレン：５，６，１１，１２－ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ＰＤＩ（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ（ペリレン）の誘導体）等を用いることができる。
　活性層３０１は、これらの低分子有機材料を用いて蒸着型（Ｄｒｙ　Ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成することができる。この場合、活性層３０１は、例えば、ＣｕＰｃとＦ１６ＣｕＰｃとの積層膜、又はｒｕｂｒｅｎｅとＣ６０との積層膜であってもよい。活性層３０１は、塗布型（Ｗｅｔ　Ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成することもできる。この場合、活性層３０１は、上述した低分子有機材料と高分子有機材料とを組み合わせた材料が用いられる。高分子有機材料として、例えばＰ３ＨＴ（ｐｏｌｙ（３－ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））、Ｆ８ＢＴ（Ｆ８－ａｌｔ－ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ）等を用いることができる。活性層３０１は、Ｐ３ＨＴとＰＣＢＭとが混合した状態の膜、又はＦ８ＢＴとＰＤＩとが混合した状態の膜とすることができる。
　また、正孔注入層３０２の材料として、例えばポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）から成る複合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）のような導電性ポリマーが用いられる。また、電子注入層３０３の材料として、例えばリチウム（Ｌｉ）等、仕事関数の小さいアルカリ金属が用いられる。
　なお、図４では図示を省略しているが、正孔注入層３０２と活性層３０１との間にさらに正孔輸送層が形成されていてもよい。また、活性層３０１と電子注入層３０３との間にさらに電子輸送層が形成されていてもよい。正孔輸送層の材料として、酸化金属層が用いられる。係る酸化金属層として、例えば酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化モリブデン等が挙げられる。電子輸送層の材料として、例えばエトキシ化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）が用いられる。また、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ単層膜に限定されず、電子ブロック層や、正孔ブロック層を含んで積層膜として形成されていてもよい。
　正孔注入層３０２は、陽極として機能する電極３１２と当接する。具体的には、正孔注入層３０２は、接続部３０２１を含む。接続部３０２１は、正孔注入層３０２の一部であり、活性層３０１及び電子注入層３０３の側方で活性層３０１から第３方向Ｄｚに延出するよう形成されている。正孔注入層３０２は、接続部３０２１が電極３１２と当接することで、電極３１２と当接する。
　電子注入層３０３は、陰極として機能する電極１１と当接する。電極１１は、電子注入層３０３を挟んで活性層３０１と第３方向Ｄｚに対向するよう配置されている。
　電極１１及び正孔注入層３０２は、それぞれ配線として機能する導電材料層と接続されている。具体的には、電極１１は、配線３３１と接続されている。正孔注入層３０２は、配線基部３３００と接続されている。配線３３１と配線基部３３００とは同層の導電材料層である。係る導電材料層は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電材料で形成されるが、これに限られるものでなく、他の導電性材料で形成されてもよい。配線３３１と配線基部３３００とは絶縁層３２０を介して離隔されている。より具体的には、電極１１及び電極３１２を含む電極層と、配線３３１及び配線基部３３００を含む導電材料層との間には、絶縁層３２０が介在している。係る電極層は、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電材料で形成される。絶縁層３２０には、電極１１と配線３３１とを電気的に接続するためのスルーホール３９１が形成されている。また、絶縁層３２０には、電極３１２と配線基部３３００とを電気的に接続するためのスルーホール３９２が形成されている。
　図４に示すように、配線３３１は、基部６１０側と端子部６２０側とを接続するように、境界線６００を挟んで基部６１０側及び端子部６２０側の両方に延出する。また、絶縁層３２０は、基部６１０側と端子部６２０側の両方に延在している。
　端子部６２０側には、端子５００を設けるための積層構造が形成されている。端子５００は、配線３３１に接続される導電性の端子である。具体的には、端子５００は、端子部６２０側に延出している配線３３１と接続された配線１１０の第２方向Ｄｙの一端側に形成されている。配線１１０は、電極１１及び電極３１２を含む電極層と同層である。配線１１０と配線３３１との間には、絶縁層３２０が介在しているが、配線１１０と配線３３１とを電気的に接続するためのスルーホール３９３が設けられている。
　なお、配線部３３と記載した場合、図４に示すように、第２基板２１に含まれる積層構造のうち、配線３３１及び配線基部３３００を含む導電材料層と、絶縁層３２０と、電極１１、電極３１２及び配線１１０を含む電極層と、で形成される積層構造をさす。
　配線１１０の第２方向Ｄｙの一端側には、フィルム基板パッド５５０が設けられている。フィルム基板パッド５５０は、第２基板２１の端子部６２０側において、配線部３３の一面側に積層されている。フィルム基板パッド５５０が、第２基板２１の端子５００として機能する。また、配線部３３に含まれる配線１１０のうち、フィルム基板パッド５５０が形成されていない部分が、端子５００に接続されている配線として機能する。基準線６２１は、フィルム基板パッド５５０の第２方向Ｄｙの端部位置のうち、配線部３３側の端部位置を示す。すなわち、基準線６２１は、第２方向Ｄｙにおいて、フィルム基板パッド５５０が設けられた範囲とフィルム基板パッド５５０が設けられていない範囲との境界を示しているともいえる。従って、基準線６２１が、端子５００と、端子５００に接続された配線と、の境界を示しているともいえる。
　なお、図４に示す配線３３１は、スルーホール３９１を介して電極１１と接続されているが、配線３３１のように配線として機能する構成は第２基板２１に複数設けられる。
　図５は、第２基板２１をより拡大して示す平面図である。図３及び図５に示すように、第２基板２１には、４つの電極１１が設けられている。具体的には、第１光センサ１０Ａと第２光センサ１０Ｂとにそれぞれ２つずつ電極１１が設けられている。
　図５に示すように、４つの電極１１のうち１つは、スルーホール３９１を介して配線部３３１１と接続されている。また、４つの電極１１のうち他の１つは、スルーホール３９１を介して配線部３３１２と接続されている。また、４つの電極１１のうち他の１つは、スルーホール３９１を介して配線部３３１３と接続されている。また、４つの電極１１のうち残りの１つは、スルーホール３９１を介して配線部３３１４と接続されている。配線部３３１１，３３１２，３３１３，３３１４は、それぞれ個別の配線３３１である。配線部３３１１は、基部６１０側でスルーホール３９１と接続され、端子部６２０側で端子５０４と接続されている。配線部３３１２は、基部６１０側でスルーホール３９１と接続され、端子部６２０側で端子５０３と接続されている。配線部３３１３は、基部６１０側でスルーホール３９１と接続され、端子部６２０側で端子５０９と接続されている。配線部３３１４は、基部６１０側でスルーホール３９１と接続され、端子部６２０側で端子５１０と接続されている。端子５０３，５０４，５０９，５１０は、それぞれ個別の端子５００である。
　また、第１光センサ１０Ａの配線基部３３００は、配線部３３１０と接続されている。また、第２光センサ１０Ｂの配線基部３３００は、配線部３３１５と接続されている。配線部３３１０，３３１５はそれぞれ個別の配線３３１である。配線部３３１０は、基部６１０側で配線基部３３００と接続され、端子部６２０側で端子５０５及び端子５０７と接続されている。配線部３３１５は、基部６１０側で配線基部３３００と接続され、端子部６２０側で端子５１１と接続されている。端子５０５，５０７，５１１は、それぞれ個別の端子５００である。図４を参照して説明したように、電極３１２は、配線基部３３００と当接している。従って、電極３１２も、電極１１と同様、配線３３１を介して端子５００と接続されている。
　なお、図４に示すように、配線３３１、配線基部３３００及び絶縁層３２０は、絶縁層３４０の一面側と当接している。また、絶縁層３４０は、他面側で接着層３５０と当接している。接着層３５０は、絶縁層３４０と構造維持層３６０との間に介在する。
　構造維持層３６０の一面側に対して、接着層３５０、絶縁層３４０、配線３３１及び配線基部３３００を含む導電材料層、絶縁層３２０、電極１１、電極３１２及び配線１１０を含む電極層、電子注入層３０３、活性層３０１、正孔注入層３０２の順に積層を重ねることで、有機フォトダイオードＯＰＤ及び有機フォトダイオードＯＰＤと電気的に接続された端子５００を含む主要な積層構造が形成される。
　さらに、第２基板２１は、有機フォトダイオードＯＰＤを構造的に保護、補強する構成を含む。具体的には、第２基板２１は、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０を含む。接着剤層４１０は、基部６１０で有機フォトダイオードＯＰＤを正孔注入層３０２側から覆うように設けられる。付加的構造維持部４５０は、構造維持層４４０に接着層４３０と絶縁層４２０とが積層された構造である。接着層４３０は、構造維持層４４０と絶縁層４２０との間に介在する。付加的構造維持部４５０の絶縁層４２０側は、接着剤層４１０と当接する。有機フォトダイオードＯＰＤを構造的に保護、補強する構成は、上述した主要な積層構造の形成後、有機フォトダイオードＯＰＤを覆うように接着剤層４１０が形成され、その後に付加的構造維持部４５０が絶縁層４２０を接着剤層４１０側に向けて接着剤層４１０に接着されることで形成される。
　なお、中間部４００と記載した場合、有機フォトダイオードＯＰＤと、接着剤層４１０とで形成される積層構造をさす。従って、第２基板２１は、付加的構造維持部４５０側からみて、付加的構造維持部４５０、中間部４００、配線部３３、絶縁層３４０、接着層３５０、構造維持層３６０の順にこれらの構成が積層された構造を有するといえる。
　絶縁層３４０及び絶縁層４２０は、絶縁層であり、例えば無色透明のポリイミド（ＣＰＩ：Ｃｏｌｏｒｌｅｓｓ　ＰｏｌｙＩｍｉｄｅ)を用いて形成される。接着層３５０は、絶縁層３４０と構造維持層３６０とを接着する接着層である。接着層４３０は、絶縁層４２０と構造維持層４４０とを接着する接着層である。接着層３５０及び接着層４３０は、例えば透光性を有する粘着性のフィルム（ＯＣＡ：Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｌｅａｒ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いて形成される。構造維持層３６０及び構造維持層４４０は、構造維持用の部材であり、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）を用いて形成される。接着剤層４１０は、例えばカプセル化された接着剤（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いて形成される。
　また、図５に示す未配線端子５０１，５０２，５１２は、図４に示す配線３３１に対応する構成と接続されていない点を除いて、端子５００と同様の構成である。
　有機フォトダイオードＯＰＤは、第２基板２１の端子５００と、第１基板７０に形成された基板パッド７２０（図６等参照）とが圧着されることで、第１基板７０に設けられた制御回路１２２、電源回路１２３と電気的に接続される。以下、係る圧着に関わる構成について、図６から図８を参照して説明する。
　図６は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着個所付近の構成を示す平面図と断面図を示す図である。なお、図６ならびに後述する図７、図９、図１０及び図１１の断面図は、それぞれの図に含まれる平面図におけるＡ－Ａ´断面図である。以下、図６等と記載した場合、特筆しない限り、図６、図７、図９、図１０及び図１１をさす。なお、図６等では、第２基板２１に含まれる構成のうち、端子５００、特にフィルム基板パッド５５０に関わる構成に関する説明に特筆する目的で、平面図では中間部４００の図示等、より詳細な第２基板２１の平面視点での構成の図示を省略している。より詳細な第２基板２１の平面視点での構成は、図５に示す通りである。
　なお、図６等では、複数の端子５００の各々に個別に付された符号として、端子５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄ，５００ｅ，５００ｆを付している。端子５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄ，５００ｅ，５００ｆは、第１方向Ｄｘに並ぶ６つの端子５００であって、図５に示す端子５０３，５０４，５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，５１０，５１１のうち６つである。図６等では、係る６つの端子５００と、当該６つの端子５００と圧着される基板パッド７２０と、の関係を図示しているが、６つを超える他の端子５００についてもこれら６つの端子５００同様に当該他の端子５００に対応して設けられた基板パッド７２０と圧着される。
　上述したように、第２基板２１は、付加的構造維持部４５０側からみて、付加的構造維持部４５０、中間部４００、配線部３３、絶縁層３４０、接着層３５０、構造維持層３６０の順にこれらの構成が積層された構造を有する。このことが図６等の断面図で示されている。さらに、図６等の平面図で示すように、端子５００ａ，５００ｂ，５００ｃ，５００ｄ，５００ｅ，５００ｆのような複数の端子５００には、それぞれ、図４を参照して説明したフィルム基板パッド５５０が設けられている。フィルム基板パッド５５０は、第２基板２１の端子部６２０側において、配線部３３の一面側に形成されている。
　基板パッド７２０は、図６等の断面図で示すように、配線部７１９、端子表層７２１、介在層７３０が積層された構造を有する。配線部７１９は、第１基板７０に形成された配線であり、例えば銅を用いて形成される。端子表層７２１は、配線部７１９に施された薄膜状の導体であり、例えば銅又は金を用いて形成される。介在層７３０は、端子表層７２１に施された異方性導電膜であり、例えば異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　Ｆｉｌｍ）からなる。介在層７３０は、複数の導電球７３１を含む。導電球７３１は、導電性を有する微小な粒子状の球体である。導電球７３１の径は、例えば３μｍから１０μｍの範囲に収まる。
　第１基板７０は、複数の配線層と複数の絶縁層とが交互に積層された構造を有する。具体的には、図６等の断面図で示すように、カバーレイ７０１とカバーレイ７０２との間に、カバーレイ７０１側から順に、導電層７０３、絶縁層７０７、導電層７０４、絶縁層７０８、導電層７０５、絶縁層７０９、導電層７０６が積層されている。導電層７０３，７０４，７０５，７０６は、配線部７１９と同様の構成であり、導電性を示し、例えば銅箔を用いて形成される。カバーレイ７０１，７０２及び絶縁層７０７，７０８，７０９は絶縁性を示し、例えばポリイミド等を用いて形成される。
　基板パッド７２０の配線部７１９と、カバーレイ７０１と、の間には構造維持層７１１が設けられている。構造維持層７１１は、薄膜層状の基材であり、例えばＦＲ４（Ｆｌａｍｅ　Ｒｅｔａｒｄａｎｔ　Ｔｙｐｅ　４）を用いて形成される。
　図６等の平面図及び断面図で示すように、基板パッド７２０は、平面視点で周囲を周辺部８００で取り囲まれている。周辺部８００は、導電層７１０及びレジスト７１２のうち基板パッド７２０の周囲の一部分を取り除くことで形成された切欠き（開口部）である。導電層７１０は、構造維持層７１１を挟んでカバーレイ７０１の反対側に形成された配線である。レジスト７１２は、導電層７１０を挟んで構造維持層７１１と反対側に形成された絶縁層である。基板パッド７２０は、導電層７１０が露出する第１基板７０の一面側で、周辺部８００を形成するように導電層７１０及びレジスト７１２を取り除くことで形成されている。すなわち、基板パッド７２０の配線部７１９は、周辺部８００が形成されることで導電層７１０から物理的に切り離された配線部であるといえる。
　図６等の平面図で示すように、第１基板７０における複数の基板パッド７２０の配置は、第２基板２１における複数の端子５００の配置に対応する。すなわち、第２基板２１で一方向に沿って並ぶ複数の端子５００のピッチと、第１基板７０で一方向に沿って並ぶ複数の基板パッド７２０のピッチと、は対応する。ここでいう一方向は、例えば、図６等における第１方向Ｄｘである。
　なお、複数の基板パッド７２０の各々が有する配線部７１９のうち、一部の配線部７１９は、導電層７１０と電気的に接続されていてもよい。図６等では、端子５００ｃ及び端子５００ｅと重なる配置の基板パッド７２０は、配線部７１９と導電層７１０とが導通している。より具体的には、端子５００ｃ及び端子５００ｅと重なる配置の基板パッド７２０は、図６等の断面図で示す接続部７１８に対応する位置の配線部が周辺部８００の形成に際して取り除かれないことで、導電層７１０との連続性を有した状態で形成される。言い換えれば、図６等において端子５００ａ，５００ｂ，５００ｄ，５００ｆと重なる配置の基板パッド７２０が有する配線部７１９は、導電層７１０と電気的に接続されていない。
　端子５００ａ，５００ｂ，５００ｄ，５００ｆと重なる配置の基板パッド７２０が有する配線部７１９は、スルーホールを介して導電層７０３，７０４，７０５，７０６の少なくとも１つ以上と電気的に接続されている。図６等の断面図に示すスルーホール７５１，７５２，７５３，７５４，７５５は、係るスルーホールの一例であるが、スルーホールの具体的形態は図６等に示すものに限られない。複数の基板パッド７２０の各々が有する配線部７１９を、第１基板７０が有する複数の配線層に含まれる複数の配線のいずれに接続するかは任意である。
　なお、第１基板７０は、カバーレイ７０２側にもカバーレイ７０１側と同様の配線層及び絶縁層の積層構造が形成されてよい。図６等の断面図では、構造維持層７１１、導電層７４１、レジスト７４３がカバーレイ７０２側にさらに積層されている。構造維持層７１１は、構造維持層７１１と同様の構成である。導電層７４１は、導電層７１０と同様の構成である。レジスト７４３は、レジスト７１２と同様の構成である。なお、実施形態では、構造維持層７１１、導電層７４１、レジスト７４３が積層されることで第１基板７０のカバーレイ７０２側に形成される積層構造には、周辺部８００のような切欠きは形成されない。
　導電球７３１は、平面視点で第２基板２１側からフィルム基板パッド５５０を見た場合、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に視認できる。
　フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０とが圧着される第２基板２１と第１基板７０との位置関係が成立している状態では、周辺部８００は、端子部６２０側に位置する。なお、図６等では、第２基板２１が有する構成と第１基板７０が有する構成との第２方向Ｄｙの位置関係を示すことを目的として、第１方向Ｄｘに沿う基準線６１１，６２１，６２２，６２３，６２４，６２５，６２６，６２７を図示している。基準線６１１は、第２基板２１の基部６１０側の端部位置を示す。図４を参照し手説明したように、基準線６２１は、フィルム基板パッド５５０の第２方向Ｄｙの端部位置のうち、配線部３３側の端部位置を示す。上述したように、基準線６２１は、端子５００と、端子５００に接続された配線と、の境界も示している。以下、端子５００の一端側と記載した場合、端子５００に配線が接続されている側、すなわち、フィルム基板パッド５５０の基準線６２１をさすものとする。
　実施形態では、図６に示すように、境界線６００と、基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの端部のうち境界線６００側の端部の位置と、が一致している。
　基準線６２２は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に導電球７３１を視認できる範囲の第２方向Ｄｙの端部位置のうち、基部６１０側により近い一端側の端部位置を示す。基準線６２３は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に導電球７３１を視認できる範囲の第２方向Ｄｙの端部位置のうち、基部６１０側からより遠い他端側の端部位置を示す。すなわち、導電球７３１は、基板パッド７２０が位置する範囲のうち、基準線６２２と基準線６２３との間の範囲で視認できる。基準線６２２と基準線６２３との間の第２方向Ｄｙの幅は、基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの幅よりも小さい。また、フィルム基板パッド５５０の第２方向Ｄｙの幅は、基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの幅よりも小さい。なお、実施形態では、基準線６２２と基準線６２３との間の第２方向Ｄｙの幅は、フィルム基板パッド５５０の第２方向Ｄｙの幅よりも大きいが、これは必須ではない。基準線６２２と基準線６２３との間の第２方向Ｄｙの幅は、フィルム基板パッド５５０の第２方向Ｄｙの幅以下であってもよい。なお、基準線６２２と基準線６２３との間は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との導通部の第２方向Ｄｙの両端間を示しているといえる。
　基準線６２４は、第２基板２１の端子部６２０側の端部位置を示す。ここで、端子５００は、基準線６２１と基準線６２４の間にある。また、基準線６２１は、端子５００の一端側の端部とされている。また、基準線６２８は、端子５００の他端側の端部とされている。フィルム基板パッド５５０のうち基準線６２４側に近い側は、基準線６２８側（端子５００の他端側）であるといえる。基準線６２５は、周辺部８００の第２方向Ｄｙの端部位置のうち、基準線６２４で示される第２基板２１の端子部６２０側の端部位置により近い側の端部位置を示す。
　基準線６２６は、基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの端部の一方の位置を示す。基準線６２７は、基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの端部の一方の位置を示す。ここで、基板パッド７２０の端部の一方、すなわち、基準線６２６で位置が示される基板パッド７２０の端部を、基準端とする。基準端は、基板パッド７２０と圧着されるフィルム基板パッド５５０に対して配線部３３が位置する側、すなわち、基準線６２１で示される端子５００の一端側にある。従って、基準端は、周辺部８００において第２基板２１側に突出した基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの端部のうち、基板パッド７２０と圧着される端子５００の一端側の端部である、といえる。
　なお、実施形態では、基準線６２１と基準線６２６とが重なっている。すなわち、実施形態では、フィルム基板パッド５５０の第２方向Ｄｙの端部位置のうち、配線部３３側の端部位置と、基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの端部の一方の位置とが平面視点で重なっている。
　図６に示すように、実施形態では、基準線６２２と基準線６２３で示される範囲、すなわち、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に導電球７３１を視認できる範囲が、基準線６２６よりも基準線６２４側に寄っている。フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に導電球７３１を視認できる範囲は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着による押圧力を受ける範囲に対応する。より具体的には、係る押圧力を受ける範囲は、圧着範囲８９０で示されている。また、上述したように、基準線６２６は、基準端の位置を示している。従って、実施形態では、圧着範囲８９０が、基準端に対して第２方向Ｄｙに離れている。より具体的には、実施形態では、圧着範囲８９０が、基準線６２６に対して基準線６２４側に寄っている。上述したように、フィルム基板パッド５５０のうち基準線６２４側に近い側は、基準線６２８側（端子５００の他端側）である。従って、圧着範囲８９０が、基準端（基準線６２６）に対して、当該基準端を有する基板パッド７２０と圧着される端子５００の他端側（基準線６２８側）に位置するといえる。
　これによって、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着による押圧力によってフィルム基板パッド５５０が設けられた範囲とフィルム基板パッド５５０が設けられていない範囲との境界付近で配線１１０が破断することを抑制できる。なお、基準線６２２と基準線６２６との間隔、すなわち、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に導電球７３１を視認できる範囲の第２方向Ｄｙの端部位置のうち、基部６１０側により近い一端側の端部位置と、基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの端部の一方の位置と、の間隔は、例えば１００μｍとすることができる。当該間隔は、配線クラックによる破断を抑制できる範囲内で適宜変更可能である。係る破断の抑制についてより詳細に説明するための比較例について、図７を参照して説明する。
　図７は、比較例による基準線６２１と基準線６２２と基準線６２６との位置関係を示す図である。図７に示すように、比較例では、基準線６２６と基準線６２２と基準線６２６とが第２方向Ｄｙの同じ位置にある。すなわち、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０とを圧着させるための押圧力が第２基板２１に加えられる領域と、当該押圧力が第２基板２１に加えられない領域と、の境界線（以下、押圧力境界線と記載）が基準線６２１及び基準線６２６と重なっている。このように、押圧力境界線と基準線６２６とが重なると、クラック９０１のように、フィルム基板パッド５５０と配線部３３との境界線付近で配線部３３を第１方向Ｄｘに横切るクラックが生じる。これは、基板パッド７２０と周辺部８００とが隣接していることによる第３方向Ｄｚの段差によって、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０とを圧着させるための押圧力が、フィルム基板パッド５５０が設けられていない部分の配線部３３を周辺部８００側に折り曲げる力として働くことによる。なお、図７に示す比較例は、基準線６２２と基準線６２３と間の第２方向Ｄｙの幅が図６に示す実施形態と同様である。従って、比較例では、基準線６２３の位置も実施形態に比して境界線６００寄りになっている。比較例は、基準線６２２と基準線６２３の位置が実施形態と異なる点を除いて、実施形態と同様である。
　クラック９０１のように、フィルム基板パッド５５０と配線部３３との境界線付近で配線部３３を第１方向Ｄｘに横切るクラックが生じると、当該クラックと重なるフィルム基板パッド５５０と配線部３３との境界線付近で配線部３３の配線１１０（図４参照）が破断することがある。
　図８は、平面視点におけるフィルム基板パッド５５０及びフィルム基板パッド５５０付近の構成について、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着前後での変化を実施形態と比較例とで比較した図である。図８の「圧着前」は、平面視点で第２基板２１側からフィルム基板パッド５５０及びフィルム基板パッド５５０付近をフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着前に見た場合を示す。「圧着前」は、実施形態と比較例とで共通である。図８の「圧着後（比較例）」は、図７を参照して説明した比較例の第２基板２１側からフィルム基板パッド５５０及びフィルム基板パッド５５０付近をフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に見た場合を示す。図８の「圧着後（実施形態）」は、図６を参照して説明した実施形態の第２基板２１側からフィルム基板パッド５５０及びフィルム基板パッド５５０付近をフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に見た場合を示す。
　図８の「圧着前」で示すように、平面視点で第２基板２１側からフィルム基板パッド５５０及びフィルム基板パッド５５０付近をフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着前に見た場合、フィルム基板パッド５５０越しに導電球７３１が見えることはない。
　一方、図８の「圧着後（比較例）」及び「圧着後（実施形態）」で示すように、平面視点で第２基板２１側からフィルム基板パッド５５０及びフィルム基板パッド５５０付近をフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に見た場合、フィルム基板パッド５５０越しに導電球７３１が見える。これは、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着によってフィルム基板パッド５５０と介在層７３０とが当接し、さらに導電球７３１を含む介在層７３０が圧着の押圧力によって押しつぶされて導電球７３１がフィルム基板パッド５５０に食い込むことによる。
　さらに、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着の押圧力は、平面視点でフィルム基板パッド５５０の周囲にクラックを生じさせることがある。図８の「圧着後（比較例）」では、係るクラックとしてクラック９０１が生じている。このため、クラック９０１に含まれる、フィルム基板パッド５５０と配線部３３との境界線付近で配線部３３を第１方向Ｄｘに横切るクラックによって配線部３３の配線１１０（図４参照）が破断することがある。
　一方、図８の「圧着後（実施形態）」では、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着の押圧力によって生じるクラックとしてのクラック９０１は発生していない。従って、実施形態では、係るクラックによって配線１１０が破断ことはない。なお、「圧着後（実施形態）」でも、係るクラックとしての圧着痕９０２は発生している。圧着痕９０２は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との重複範囲に沿って生じる端子表層７２１の圧着痕である。圧着痕９０２は、配線部３３を第１方向Ｄｘに横切るクラックを含まない。従って、係るクラックとして圧着痕９０２が発生しても、クラックが配線１１０を破断させることはない。また、上述したように、実施形態では、基準線６２２と基準線６２３で示される範囲、すなわち、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後に導電球７３１を視認できる範囲が、基準線６２６よりもフィルム基板パッド５５０の他端側に寄っている。これによって、圧着痕９０２の境界線６００側の圧着痕端９０２１の位置が基準線６２６よりも基準線６２４側になる。なお、実施形態では、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着による押圧力を受ける範囲が、基準線６２１よりも基準線６２４側に寄っているという関係も同時に成立している。
　また、図７の比較例において、端子５００ｃ及び端子５００ｅと重なる配置の基板パッド７２０では、クラック９０１ではなく、圧着痕９０２が生じている。これは、接続部７１８があることで、配線部３３を第１方向Ｄｘに横切るクラックの発生が抑制されることによる。しかしながら、比較例では、接続部７１８がなく、導電層７１０と連続していない配線部７１９を有する基板パッド７２０と重なるフィルム基板パッド５５０と配線部３３との境界線付近で配線部３３を第１方向Ｄｘに横切るクラックが生じることで、配線部３３の配線１１０（図４参照）が破断することがある。具体的には、図７における端子５００ａ，５００ｂ，５００ｄ，５００ｆと重なる配置のフィルム基板パッド５５０付近に生じるクラック９０１によって、これらのフィルム基板パッド５５０と接続されている配線部３３の配線１１０（図４参照）が破断することがある。
　なお、図８の「圧着後（比較例）」で示すように、クラック９０１は、フィルム基板パッド５５０の周囲に生じる圧着痕が溝のようになったものであり、係る溝によって配線１１０を破断することがある。係る溝は、基板パッド７２０に形成される。図７では、フィルム基板パッド５５０との相対位置関係を分かりやすく示す目的でフィルム基板パッド５５０の周囲を取り巻くようなクラック９０１が概略的に図示されているが、実際には図８の「圧着後（比較例）」で示すようにクラック９０１が発生する。なお、圧着痕９０２についても、同様に、実際には「圧着後（実施形態）」で示すように、基板パッド７２０に形成されるものであり、後述する図１０等で示されている圧着痕９０２，９０３は、フィルム基板パッド５５０との相対位置関係を分かりやすく示す目的でフィルム基板パッド５５０の周囲を取り巻くように概略的に図示されているに過ぎない。
　以上、実施形態では、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着による押圧力を受ける範囲が、配線部３３にてフィルム基板パッド５５０が設けられた範囲とフィルム基板パッド５５０が設けられていない範囲との境界（基準線６２２）よりもフィルム基板パッド５５０の他端側に寄っていることで、圧着による押圧が生じさせることがあるクラックによる配線１１０の破断を抑制できる。係る圧着方法について、図９を参照して説明する。
　図９は、圧着ヘッド９００による、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着のための押圧工程を示す図である。フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着方法は、図９の「断面図」で示すように、第２基板２１を挟んで第１基板７０の反対側から圧着ヘッド９００によってフィルム基板パッド５５０を基板パッド７２０に押し付ける押圧力９１０を加えるものである。すなわち、圧着ヘッド９００は、検出装置１の製造工程に含まれるフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着のための押圧工程において、第２基板２１側からフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０とを圧着させる押圧力９１０を与えるものである。なお、実施形態では、押圧力９１０が加えられる際、圧着ヘッドは２４０℃程度に加熱されている。
　なお、押圧力９１０が加えられる時点で、図９の「平面図」で示すように、平面視点でフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との位置合わせがなされているものとする。ここでいうフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との位置合わせは、第２基板２１が有する複数の端子５００の各々に対して検出装置１の設計上接続されるべき第１基板７０の配線が接続されるようにするための、第２基板２１のフィルム基板パッド５５０と第１基板７０の基板パッド７２０との位置合わせである。
　また、押圧力９１０が加えられる時点で、図９の「断面図」及び「平面図」で示すように、圧着ヘッド９００の位置合わせがなされているものとする。ここでいう圧着ヘッド９００の位置合わせは、第１条件と第２条件の両方を満たす位置合わせである。第１条件は、圧着ヘッド９００の第２方向Ｄｙの位置を、基準線６２６よりも基準線６２４側にすることである。第２条件は、圧着ヘッド９００を平面視点で複数の端子５００の全てと重なる位置にすることである。
　フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との位置合わせ及び圧着ヘッド９００の位置合わせが行われた状態で図９の「断面図」で示すように、第２基板２１を挟んで第１基板７０の反対側から圧着ヘッド９００によってフィルム基板パッド５５０を基板パッド７２０に押し付ける押圧力９１０を加えることで、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着が行われる。フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着が行われた後、図８の「圧着後（実施形態）」を参照して説明したように、平面視点で第２基板２１側からフィルム基板パッド５５０及びフィルム基板パッド５５０付近を見た場合、フィルム基板パッド５５０越しに導電球７３１が見えるようになる。従って、図６等の平面図がフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着後を示しており、図６等の断面図がフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着前を示している、といえる。
　なお、圧着ヘッド９００は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着時に第２基板２１と対向する側の圧着ヘッド９００の一面の第２方向Ｄｙの幅が基準線６２２と基準線６２３との間の幅と同一であり、かつ、当該一面の第１方向Ｄｘ方向の長さが複数の端子５００のうち基板パッド７２０と圧着されるべき全ての端子５００をカバーできる長さを有する部材である。なお、図９で示す圧着ヘッド９００は、直方体状であるが、圧着ヘッド９００の具体的な形状はこれに限られるものでなく、当該一面について特筆した事項を満たせばよい。言い換えれば、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着時に第２基板２１と対向する側の圧着ヘッド９００の一面の第２方向Ｄｙの幅が、図６等で示す基準線６２２と基準線６２３との間の幅を決定している。従って、圧着ヘッド９００の当該一面の第２方向Ｄｙの幅は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着に際して要求される基準線６２２と基準線６２３との間の幅に対応するよう予め定められている。
　また、図９で示すように、基準線６２３（圧着ヘッド９００の第２方向Ｄｙの端部のうち基準線６２４側の端部の位置）は、基準線６２６と基準線６２７の間であり、基準線６２７を乗り越えていない。
　また、図９の「平面図」では、圧着時に圧着ヘッド９００と重なる構成を図示する目的で圧着ヘッド９００を白抜きの矩形で示しているが、圧着ヘッド９００は透光性を示す必要はない。圧着ヘッド９００は、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着に適した硬質の部材であればその素材は特に限定されるものでなく、遮光性を示してもよい。
　なお、図６等のうち図９を除く各図では、圧着時における平面視点での圧着ヘッド９００の位置及び形状を圧着範囲８９０で示している。従って、圧着後に導電球７３１が視認できるのは、平面視点で圧着範囲８９０内の範囲内であって、かつ、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０とが重なっている範囲である。
　実施形態において、第１基板７０に設けられた基板パッド７２０は、第１端子として機能する。また、実施形態において、第２基板２１においてフィルム基板パッド５５０が設けられた端子５００は、第２端子として機能する。また、フィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着が、第１端子と第２端子との圧着に相当する。
　以上、実施形態によれば、検出装置１は、第１方向（第１方向Ｄｘ）に並ぶ複数の第１端子（基板パッド７２０）を有する第１基板（第１基板７０）と、有機フォトダイオード（有機フォトダイオードＯＰＤ）と、複数の第２端子（フィルム基板パッド５５０が設けられた端子５００）と、当該有機フォトダイオードと当該複数の第２端子とを接続する複数の配線（配線部３３に含まれる配線１１０）と、を有する第２基板と、を備える。当該複数の第１端子と当該複数の第２端子とは、導電球（導電球７３１）を含む異方性導電膜（介在層７３０）を間に挟んで圧着される。当該複数の第１端子と圧着された当該複数の第２端子と接続されている当該配線は、当該第２端子の一端側（基準線６２１側）に接続されている。当該複数の第１端子のうち少なくとも１つは、当該第１端子の周辺部（周辺部８００）に対して当該第２基板側に突出する。当該複数の第１端子の各々と重なる当該導電球の圧着痕は、基準端の位置（基準線６２６で示す位置）から第２方向（第２方向Ｄｙ）に離れた圧着範囲（圧着範囲８９０）内にある。当該第２方向は、当該第１方向に直交し、当該第１基板の板面に沿う方向である。当該基準端は、当該周辺部に対して突出した当該第１端子の当該第２方向の端部のうち、当該第１端子と圧着された当該第２端子の当該一端側の端部である。当該圧着範囲は、当該基準端に対して、他端側（基準線６２８側）に位置する。
　これによって、第１端子（基板パッド７２０）と第２端子（フィルム基板パッド５５０が設けられた端子５００）が圧着される検出装置１の構成において、当該第２端子に接続されている配線（配線部３３に含まれる配線１１０）に配線クラックが生じることを抑制できる。
　また、導電球（導電球７３１）の圧着痕は、周辺部（周辺部８００）に対して突出した第１端子（基板パッド７２０）の基準端の位置（基準線６２６で示す位置）から第２方向（第２方向Ｄｙ）に離れた圧着範囲（圧着範囲８９０）内であって、かつ、第１端子（基板パッド７２０）の第２方向（第２方向Ｄｙ）の両端間（基準線６２２と基準線６２３との間）にある。これによって、配線クラックを抑制できる。
　また、基準端の位置（基準線６２６で示す位置）と、第２端子（フィルム基板パッド５５０が設けられた端子５００）と配線（配線部３３に含まれる配線１１０）との境界の位置（基準線６２１で示す位置）とは、平面視点で重なる。これによって、配線クラックを抑制できる。
　また、検出装置１の製造方法は、第１方向（第１方向Ｄｘ）に並ぶ複数の第１端子（基板パッド７２０）を有する第１基板（第１基板７０）と、有機フォトダイオード（有機フォトダイオードＯＰＤ）と、複数の第２端子（フィルム基板パッド５５０が設けられた端子５００）と、当該有機フォトダイオードと当該複数の第２端子とを接続する複数の配線（配線部３３に含まれる配線１１０）と、を有する第２基板と、を備える検出装置（検出装置１）の製造方法であって、当該複数の第１端子と当該複数の第２端子とを、導電球（導電球７３１）を含む異方性導電膜（介在層７３０）を間に挟んだ状態で当該第２基板側から圧着ヘッド（圧着ヘッド９００）で圧着する工程を含み、当該複数の第２端子と接続されている当該配線は、当該第２端子の一端側（基準線６２１側）に接続されており、当該複数の第１端子のうち少なくとも１つは、当該第１端子の周辺部（周辺部８００）に対して、当該第１基板に対して当該第２基板が圧着される側に突出し、当該圧着ヘッドによる当該複数の第１端子と当該複数の第２端子との圧着範囲（圧着ヘッド９００に対応する圧着範囲８９０）は、当該周辺部に対して突出した当該第１端子の基準端の位置（基準線６２６で示す位置）から第２方向（第１方向Ｄｘ）に離れた位置にあり、当該第２方向は、当該第１方向に直交し、当該第１基板の板面に沿う方向であり、当該基準端は、当該周辺部に対して突出した当該第１端子の当該第２方向の端部のうち、当該第１端子と圧着される当該第２端子の当該一端側の端部であり、当該圧着範囲は、当該基準端に対して、他端側（基準線６２８側）に位置する。
　これによって、第１端子（基板パッド７２０）と第２端子（フィルム基板パッド５５０が設けられた端子５００）とを圧着しても、当該第２端子に接続されている配線（配線部３３に含まれる配線１１０）に配線クラックが生じることを抑制できる。
　また、検出装置１の製造方法では、基準端の位置（基準線６２６で示す位置）と、当該周辺部に対して突出した第１端子（基板パッド７２０）と圧着される第２端子（フィルム基板パッド５５０が設けられた端子５００）と配線（配線部３３に含まれる配線１１０）との境界の位置（基準線６２１で示す位置）とは、平面視点で重なる。これによって、配線クラックを抑制できる。
　また、検出装置１の製造方法では、圧着ヘッド（圧着ヘッド９００）の第２方向（第２方向Ｄｙ）の端部のうち反対側の端部の位置（基準線６２３で示す位置）は、周辺部（周辺部８００）に対して突出した第１端子（基板パッド７２０）の端部であって基準端に対して当該第２方向の反対側に位置する端部の位置（基準線６２７で示す位置）よりも基準端側に位置する。これによって、配線クラックを抑制できる。
（変形例）
　以上、実施形態について、図１から図９を参照して説明した。以下、実施形態と一部が異なる変形例について、図１０から図１２を参照して説明する。変形例に係る説明では、実施形態と同様の構成については同じ符号を付して説明を省略する。
（変形例１）
　図１０は、変形例１におけるフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着個所付近の構成を示す平面図と断面図を示す図である。
　図１０で示すように、変形例１では、基準線６２１が、基準線６２６に対して基準線６２４，６２５，６２７側に位置する。以上、特筆した事項を除いて、変形例１は、実施形態と同様である。変形例１では、圧着痕９０２が生じることがあるが、係る圧着痕９０２は上述したように配線部３３の配線１１０（図４参照）を破断させることはない。
（変形例２）
　図１１は、変形例２におけるフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着個所付近の構成を示す平面図と断面図を示す図である。変形例２では、基準線６２７と、基準線６２３と、が平面視点で重なる点で、実施形態及び変形例１とは異なる。従って、変形例２による検出装置の製造方法では、周辺部（周辺部８００）に対して突出した第１端子（基板パッド７２０）の端部であって基準端（基準線６２６で位置を示す基板パッド７２０の端部）に対して、第２方向（第２方向Ｄｙ）の反対側（基準線６２４，６２５側）に位置する端部の位置（基準線６２７で示す位置）と、圧着ヘッド（圧着ヘッド９００）の当該第２方向の端部のうち反対側の端部の位置（基準線６２３で示す位置）と、は平面視点で重なることになる。
　図１２は、変形例２におけるフィルム基板パッド５５０と基板パッド７２０との圧着個所付近の構成を示す平面図であって、図１１の「平面図」とは一部が異なる状態であるものを示す図である。変形例２では、図１２に示すように、圧着痕９０２や圧着痕９０３が生じることがあるが、これらは配線部３３の配線１１０（図４参照）を破断させることはない。圧着痕９０３は、基板パッド７２０の第２方向Ｄｙの端部のうち、基準線６２４側の端部で生じる端子表層７２１の圧着痕である。以上、特筆した事項を除いて、変形例２は、変形例１と同様である。
　変形例１及び変形例２によれば、第２端子（フィルム基板パッド５５０が設けられた端子５００）と配線（配線部３３に含まれる配線１１０）との境界の位置（基準線６２１で示す位置）は、基準端の位置（基準線６２６で示す位置）に対して、反対側（基準線６２４側）に位置する。
　なお、上述した実施形態では、第１基板７０が可撓性を有するフレキシブル基板であるが、第１基板７０は、可撓性を有さないリジッド基板であってもよい。また、検出装置１の形態は図１及び図２を参照して説明した指輪型に限定されるものでなく、有機フォトダイオードＯＰＤによる光の検出が想定されるあらゆる装置の形態のいずれかが適用されてよい。
　また、上述した実施形態では、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂが設けられていたが、検出装置が備える有機フォトダイオードＯＰＤの数は実施形態で例示された数に限られるものでなく、１つ以上であればよい。
　上述した各実施形態は、各構成要素を適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
　１　検出装置
　２１　第２基板
　７０　第１基板
　５００　端子
　５５０　フィルム基板パッド
　７２０　基板パッド
　７３０　介在層
　７３１　導電球
　８００　周辺部
　ＯＰＤ　有機フォトダイオード

Claims (9)

  1. 　第１方向に並ぶ複数の第１端子を有する第１基板と、
    　有機フォトダイオードと、複数の第２端子と、前記有機フォトダイオードと前記複数の第２端子とを接続する複数の配線と、を有するフレキシブル基板である第２基板と、を備え、
    　前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とは、導電球を含む異方性導電膜を間に挟んで圧着され、
    　前記複数の第１端子と圧着された前記複数の第２端子と接続されている前記配線は、前記第２端子の一端側に接続されており、
    　前記複数の第１端子のうち少なくとも１つは、当該第１端子の周辺部に対して前記第２基板側に突出し、
    　前記複数の第１端子の各々と重なる前記導電球の圧着痕は、基準端から第２方向に離れた圧着範囲内にあり、
    　前記第２方向は、前記第１方向に直交し、前記第１基板の板面に沿う方向であり、
    　前記基準端は、前記周辺部に対して突出した前記第１端子の前記第２方向の端部のうち、前記第１端子と圧着された前記第２端子の前記一端側の端部であり、
    　前記圧着範囲は、前記基準端に対して、前記第２端子の他端側に位置する、
    　検出装置。
  2. 　前記圧着痕は、前記第１端子の前記第２方向の両端間にある、
    　請求項１に記載の検出装置。
  3. 　前記基準端の位置と、前記第２端子と前記配線との境界の位置とは、前記第１方向及び前記第２方向が沿う平面を正面視する視点で重なる、
    　請求項１又は２に記載の検出装置。
  4. 　前記第２端子と前記配線との境界は、前記基準端に対して前記他端側に位置する、
    　請求項１又は２に記載の検出装置。
  5. 　第１方向に並ぶ複数の第１端子を有する第１基板と、
    　有機フォトダイオードと、複数の第２端子と、前記有機フォトダイオードと前記複数の第２端子とを接続する複数の配線と、を有するフレキシブル基板である第２基板と、
    　を備える検出装置の製造方法であって、
    　前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とを、導電球を含む異方性導電膜を間に挟んだ状態で前記第２基板側から圧着ヘッドで圧着する工程を含み、
    　前記複数の第２端子と接続されている前記配線は、前記第２端子の一端側に接続されており、
    　前記複数の第１端子のうち少なくとも１つは、当該第１端子の周辺部に対して、前記第１基板に対して前記第２基板が圧着される側に突出し、
    　前記圧着ヘッドによる前記複数の第１端子と前記複数の第２端子との圧着範囲は、前記周辺部に対して突出した前記第１端子の基準端から第２方向に離れた位置にあり、
    　前記第２方向は、前記第１方向に直交し、前記第１基板の板面に沿う方向であり、
    　前記基準端は、前記周辺部に対して突出した前記第１端子の前記第２方向の端部のうち、前記第１端子と圧着される前記第２端子の前記一端側の端部であり、
    　前記圧着範囲は、前記基準端に対して、前記第２端子の他端側に位置する、
    　検出装置の製造方法。
  6. 　前記基準端の位置と、前記周辺部に対して突出した第１端子と圧着される前記第２端子と前記配線との境界の位置とは、前記第１方向及び前記第２方向が沿う平面を正面視する視点で重なる、
    　請求項５に記載の検出装置の製造方法。
  7. 　前記圧着ヘッドの前記第２方向の端部のうち当該圧着ヘッドによって圧着される前記第２端子の前記一端側にある端部の位置と、前記第２端子と前記配線との境界の位置とは、前記第１方向及び前記第２方向が沿う平面を正面視する視点で重なる、
    　請求項５に記載の検出装置の製造方法。
  8. 　前記周辺部に対して突出した前記第１端子の端部であって前記基準端に対して前記第２方向の反対側に位置する端部の位置と、前記圧着ヘッドの前記第２方向の端部のうち前記反対側の端部の位置と、は前記第１方向及び前記第２方向が沿う平面を正面視する視点で重なる、
    　請求項５又は７に記載の検出装置の製造方法。
  9. 　前記周辺部に対して突出した前記第１端子の端部であって前記基準端に対して前記第２方向の反対側に位置する端部の位置に対して、前記圧着ヘッドの前記第２方向の端部のうち前記反対側の端部の位置が、前記基準端側に位置する、
    　請求項５又は６に記載の検出装置の製造方法。
PCT/JP2025/021665 2024-07-03 2025-06-16 検出装置及び検出装置の製造方法 Pending WO2026009689A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024107703 2024-07-03
JP2024-107703 2024-07-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2026009689A1 true WO2026009689A1 (ja) 2026-01-08

Family

ID=98318344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2025/021665 Pending WO2026009689A1 (ja) 2024-07-03 2025-06-16 検出装置及び検出装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2026009689A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62126665A (ja) * 1985-11-27 1987-06-08 Canon Inc センサ装置
JP2022092708A (ja) * 2020-12-11 2022-06-23 キヤノン株式会社 放射線撮像装置の製造方法および放射線撮像装置
JP2023011287A (ja) * 2021-07-12 2023-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置
US20230189588A1 (en) * 2021-12-15 2023-06-15 Lg Display Co., Ltd. Display device
WO2024214583A1 (ja) * 2023-04-14 2024-10-17 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62126665A (ja) * 1985-11-27 1987-06-08 Canon Inc センサ装置
JP2022092708A (ja) * 2020-12-11 2022-06-23 キヤノン株式会社 放射線撮像装置の製造方法および放射線撮像装置
JP2023011287A (ja) * 2021-07-12 2023-01-24 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置
US20230189588A1 (en) * 2021-12-15 2023-06-15 Lg Display Co., Ltd. Display device
WO2024214583A1 (ja) * 2023-04-14 2024-10-17 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102780788B1 (ko) 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 이의 제조 방법
US10734365B2 (en) Light-emitting device
KR102694326B1 (ko) 디스플레이 모듈 및 이의 제조 방법
US12560982B2 (en) Detection device
US20170221981A1 (en) Display device and method of manufacturing display device
KR20170137260A (ko) 디스플레이 장치
CN113053923A (zh) 显示面板和显示装置
US8823184B2 (en) Optoelectronic device and method for the production thereof
TWM546601U (zh) 有機發光二極體顯示裝置
KR20110118661A (ko) 오리가미 센서
JP6430341B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR102251827B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20260040754A1 (en) Detection device
US20200127075A1 (en) Display device
WO2026009689A1 (ja) 検出装置及び検出装置の製造方法
WO2026023347A1 (ja) 検出装置
WO2026009704A1 (ja) 検出装置及び検出装置の製造方法
US20210026496A1 (en) Display device
KR102725592B1 (ko) 표시 장치 제조 방법
US10862077B2 (en) Method of producing display device using imprint layer forming step
US20260038301A1 (en) Detection device
WO2025253946A1 (ja) 検出装置の製造方法
US20260076085A1 (en) Sensor and detection device
US20260038299A1 (en) Detection device
US8921845B2 (en) OLED unit, method for making the same, and OLED illuminating device comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 25832770

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1