WO2025258436A1 - 半導体モジュールの製造方法、および半導体モジュール - Google Patents

Abstract

半導体モジュールの製造方法は、複数の基材を放熱部材に接合する第１工程と、複数の第１半導体素子を前記複数の基材に個別に接合する第２工程と、前記複数の基材、および前記複数の第１半導体素子を覆う封止樹脂を形成する第３工程とを備える。前記第３工程は、前記第１工程および前記第２工程が完了した後に行われる。前記第３工程では、前記封止樹脂を一体に形成する。

Description

半導体モジュールの製造方法、および半導体モジュール

　本開示は、半導体モジュールの製造方法と、当該製造方法により得られる半導体装置とに関する。

　従来、スイッチング機能を有する半導体素子（ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなど）が搭載された半導体モジュールが広く知られており、主に電力変換用に利用されている。特許文献１には、このような半導体モジュールの一例が開示されている。同文献に開示された半導体モジュールは、半導体素子を搭載する基材（特許文献１ではヒートシンク）と、当該基材の一部、および当該半導体素子を覆う封止樹脂（特許文献１では封止体）と、当該基材に対向する放熱部材（特許文献１では放熱フィン）とを具備する。封止樹脂は、ねじを介して放熱部材に取り付けられている。これにより、当該半導体装置の放熱性の向上を図ることができる。

　ここで、特許文献１に開示されている半導体モジュールの他、接合層を介して複数の基材が放熱部材に接合された半導体モジュールが考えられる。当該半導体モジュールにおいては、封止樹脂を放熱部材に取り付けるための作業が不要となる。ただし、封止樹脂を形成した後に複数の基材を放熱部材に接合しようとする場合、接合層を形成する温度が比較的高温であると封止樹脂の形状が崩れるなどの影響が懸念される。

国際公開第２０１９／２３９９９７号

［概要］
　本開示は、従来よりも改良が施された半導体モジュールの製造方法を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記事情に鑑み、複数の基材が放熱部材に接合された半導体モジュールに関し、封止樹脂の形状をより良好に保ちつつ、製造効率の向上を図ることが可能な半導体モジュールの製造方法を提供することを一の課題とする。

　本開示の第１の側面によって提供される半導体モジュールの製造方法は、複数の基材を放熱部材に接合する第１工程と、複数の第１半導体素子を前記複数の基材に個別に接合する第２工程と、前記複数の基材、および前記複数の第１半導体素子を覆う封止樹脂を形成する第３工程とを備える。前記第３工程は、前記第１工程および前記第２工程が完了した後に行われる。前記第３工程では、前記封止樹脂を一体に形成する。

　本開示の第２の側面によって提供される半導体モジュールは、第１方向の一方側を向く基面と、前記第１方向に対して直交する方向を向く端面と、を有する放熱部材と、前記基面に接合された複数の基材と、前記複数の基材に個別に導電接合された複数の第１半導体素子と、前記複数の基材、および前記複数の第１半導体素子を一体で覆う封止樹脂とを備える。前記封止樹脂は、前記基面に接している。前記端面は、前記封止樹脂から露出している。

　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールの斜視図である。 図２は、図１に示す半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの平面図である。 図３は、図２に対応する平面図であり、封止樹脂および放熱部材を透過している。 図４は、図３に対応する平面図であり、第１導通部材および第２導通部材をさらに透過している。 図５は、図１に示す半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの底面図であり、放熱部材および接合層の図示を省略している。 図６は、図４のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図４のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図６の部分拡大図であり、第１半導体素子およびその近傍を示している。 図９は、図６の部分拡大図であり、第２半導体素子およびその近傍を示している。 図１０は、図４のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図４のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、図２の部分拡大図である。 図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図１２のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、図１６の部分拡大図であり、第３電力端子およびその近傍を示している。 図１６は、図１に示す半導体モジュールの平面図である。 図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図１８は、図１に示す半導体モジュールの製造工程を説明する平面図である。 図１９は、図１に示す半導体モジュールの製造工程を説明する断面図である。 図２０は、図１に示す半導体モジュールの製造工程を説明する断面図である。 図２１は、図１に示す半導体モジュールの製造工程を説明する断面図である。 図２２は、図１に示す半導体モジュールの製造工程を説明する断面図である。 図２３は、図１に示す半導体モジュールの製造工程を説明する断面図である。 図２４は、本開示の第２実施形態に係る半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの平面図であり、封止樹脂、放熱部材、第１導通部材および第２導通部材を透過している。 図２５は、図２４に対応する底面図であり、放熱部材および接合層の図示を省略している。 図２６は、図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。 図２７は、本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの部分拡大断面図であり、図１３に対応している。 図２８は、図２７に示す半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの部分拡大断面図であり、図１４に対応している。 図２９は、図２７に示す半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの部分拡大断面図であり、図１５に対応している。 図３０は、本開示の第４実施形態に係る半導体モジュールの平面図である。 図３１は、図３０のＸＸＸＩ－ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。 図３２は、本開示の第５実施形態に係る半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの部分拡大断面図であり、図１３に対応している。 図３３は、図３２に示す半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの部分拡大断面図であり、図１５に対応している。 図３４は、本開示の第６実施形態に係る半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの平面図であり、図３に対応している。 図３５は、図３４に示す半導体モジュールを構成する複数の半導体装置のいずれかの断面図であり、図６に対応している。

［詳細な説明］
　本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。

　第１実施形態：
　図１～図１７に基づき、本開示の第１実施形態に係る半導体モジュールＢ１０について説明する。図１に示すように、半導体モジュールＢ１０は、互いにつながった複数の半導体装置Ａ１０により構成される。

　まず、図１～図１５に基づき、半導体モジュールＢ１０を構成する複数の半導体装置Ａ１０の各々について説明する。半導体装置Ａ１０は、基材１０、第１信号配線２１、第２信号配線２２、複数の第１半導体素子３１、複数の第２半導体素子３２、２つのサーミスタ３３、第１電力端子３４、第２電力端子３５、第３電力端子３６、封止樹脂６０、複数の外部接続部材７１、および放熱部材８０を備える。半導体装置Ａ１０は、複数のスリーブ２９、第１信号端子４１～第４信号端子４４、２つの第５信号端子４５、２つの第６信号端子４６、第７信号端子４７、第８信号端子４８、複数の第１ワイヤ５１～複数の第４ワイヤ５４、第５ワイヤ５５および第６ワイヤ５６をさらに備える。ここで、図３は、理解の便宜上、封止樹脂６０および放熱部材８０を透過している。図４は、理解の便宜上、図３に対して第１導通部材３７および第２導通部材３８をさらに透過している。図３では、透過した封止樹脂６０および放熱部材８０の各々を想像線（二点鎖線）で示している。図４では、透過した第１導通部材３７、第２導通部材３８、封止樹脂６０および放熱部材８０の各々を想像線で示している。

　半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、後述する第１導電層１３の第１搭載面１３Ａの法線方向を「第１方向ｚ」と呼ぶ。第１方向ｚに対して直交する方向を「第２方向ｘ」と呼ぶ。第１方向ｚおよび第２方向ｘの双方に対して直交する方向を「第３方向ｙ」と呼ぶ。さらに半導体装置Ａ１０の説明において「重なっている。」とは、異なる２つの要素に関し、一方の要素の全体が他方の要素に重なっている場合の他、一方の要素の一部が他方の要素に重なっている場合も含む。

　半導体装置Ａ１０は、第１電力端子３４および第２電力端子３５に入力された直流電力を、複数の第１半導体素子３１、および複数の第２半導体素子３２により交流電力に変換する。変換された交流電力は、第３電力端子３６から出力されるとともに、モータなどの電力供給対象に入力される。半導体装置Ａ１０は、インバータなどの電力変換回路の一部を構成する。

　封止樹脂６０は、図６、図１０および図１１に示すように、複数の第１半導体素子３１、および複数の第２半導体素子３２を覆っている。封止樹脂６０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂６０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。図２および図４に示すように、封止樹脂６０は、頂面６１、底面６２、第１面６３１～第４面６３４、複数の第１収容部６３２Ａ、第２収容部６３４Ａ、および複数の台座部６９を有する。

　図６、図７および図１０に示すように、頂面６１は、第１方向ｚにおいて後述する第１導電層１３の第１搭載面１３Ａと同じ側を向く。底面６２は、第１方向ｚにおいて頂面６１とは反対側を向く。

　図２、図６および図７に示すように、第１面６３１～第４面６３４の各々は、第１方向ｚにおいて頂面６１と同じ側を向く。第１面６３１は、頂面６１の第２方向ｘの一方側に位置する。第２面６３２は、第２方向ｘにおいて頂面６１と第１面６３１との間に位置する。第３面６３３は、第２方向ｘにおいて頂面６１を基準として第１面６３１とは反対側に位置する。第４面６３４は、第２方向ｘにおいて頂面６１と第３面６３３との間に位置する。

　図２および図６に示すように、複数の第１収容部６３２Ａの各々は、第２面６３２から開口するとともに、第２面６３２から凹んでいる。複数の第１収容部６３２Ａは、第３方向ｙに沿って配列されている。複数の第２収容部６３４Ａの各々は、第４面６３４から開口するとともに、第４面６３４から凹んでいる。複数の第２収容部６３４Ａは、第３方向ｙに沿って配列されている。

　図２に示すように、第１方向ｚの視て、複数の台座部６９は、封止樹脂６０の四隅に位置する。複数の台座部６９の各々は、座面６９１を有する。座面６９１は、第１方向ｚにおいて頂面６１と同じ側を向く。第１方向ｚにおいて、座面６９１は、頂面６１よりも基材１０から離れている。複数の台座部６９の各々には、座面６９１から凹む開口が設けられている。

　基材１０は、図４～図７に示すように、複数の第１半導体素子３１、および複数の第２半導体素子３２の各々の第１方向ｚの一方側に位置する。基材１０は、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第１導電層１３、第２導電層１４、第３導電層１５、第１放熱層１６および第２放熱層１７を含む。これらのうち、後述する第１導電層１３の第２層１３２と、第２導電層１４の第４層１４２とを除く要素は、たとえば活性金属接合法（ＡＭＢ；Active Metal Brazing）により形成された基板から構成される。

　第１絶縁層１１は、図６および図１０に示すように、第１方向ｚにおいて第１導電層１３を基準として複数の第１半導体素子３１とは反対側に位置する。第１絶縁層１１は、第１導電層１３および第３導電層１５を搭載している。第１絶縁層１１は、たとえば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミックスを含む。第１絶縁層１１は、封止樹脂６０に覆われている。

　第１導電層１３は、図６および図１０に示すように、第１方向ｚにおいて第１絶縁層１１と複数の第１半導体素子３１との間に位置する。第１導電層１３は、複数の第１半導体素子３１、第１信号配線２１および第１電力端子３４を搭載している。第１導電層１３の組成は、銅（Ｃｕ）を含む。第１導電層１３は、封止樹脂６０に覆われている。第１導電層１３は、第１方向ｚにおいて第１絶縁層１１に対向する側とは反対側を向く第１搭載面１３Ａを有する。

　図６および図１０に示すように、第１導電層１３は、第１層１３１および第２層１３２を含む。第１層１３１は、第１絶縁層１１に接合されている。第１層１３１は、第１電力端子３４を搭載している。第２層１３２は、第１方向ｚにおいて第１層１３１を基準として第１絶縁層１１とは反対側に位置する。第２層１３２は、第１搭載面１３Ａを含む。第２層１３２は、複数の第１半導体素子３１、および第１信号配線２１を搭載している。第２層１３２は、接合層３９を介して第１層１３１に導電接合されている。第２層１３２の第１方向ｚの寸法は、第１層１３１の第１方向ｚの寸法より大きい。ここで、接合層３９は、たとえばハンダである。この他、接合層３９は、金属粒子の焼結体でもよい。この場合、当該金属粒子は、たとえば銀（Ａｇ）を含む。

　第３導電層１５は、図１４に示すように、第１方向ｚにおいて第１絶縁層１１と第２電力端子３５との間に位置する。図４に示すように、第３導電層１５は、第１方向ｚに対して直交する方向において第１導電層１３から離れている。第３導電層１５は、第２電力端子３５を搭載している。第３導電層１５の組成は、銅を含む。第３導電層１５は、封止樹脂６０に覆われている。

　第１放熱層１６は、図６、図７および図１０に示すように、第１方向ｚにおいて第１絶縁層１１を基準として第１導電層１３とは反対側に位置する。第１放熱層１６は、第１絶縁層１１に接合されている。図５に示すように、第１放熱層１６は、封止樹脂６０の底面６２から露出している。第１放熱層１６の組成は、銅を含む。第１方向ｚに視て、第１放熱層１６は、第１導電層１３に重なっている。

　第２絶縁層１２は、図６および図１１に示すように、第１方向ｚにおいて第２導電層１４を基準として複数の第２半導体素子３２とは反対側に位置する。図４に示すように、第２絶縁層１２は、第２方向ｘにおいて第１絶縁層１１から離れている。第２絶縁層１２は、第２導電層１４を搭載している。第２絶縁層１２は、たとえば窒化アルミニウムなどのセラミックスを含む。第２絶縁層１２は、封止樹脂６０に覆われている。

　第２導電層１４は、図６および図１１に示すように、第１方向ｚにおいて第２絶縁層１２と複数の第２半導体素子３２との間に位置する。図４に示すように、第２導電層１４は、第２方向ｘにおいて第１導電層１３から離れている。第３導電層１５は、複数の第２半導体素子３２、第２信号配線２２および第３電力端子３６を搭載している。第２導電層１４の組成は、銅を含む。第２導電層１４は、封止樹脂６０に覆われている。第２導電層１４は、第１方向ｚにおいて第２絶縁層１２に対向する側とは反対側を向く第２搭載面１４Ａを有する。

　図６および図１１に示すように、第２導電層１４は、第３層１４１および第４層１４２を含む。第３層１４１は、第２絶縁層１２に接合されている。第３層１４１は、第３電力端子３６を搭載している。第４層１４２は、第１方向ｚにおいて第３層１４１を基準として第２絶縁層１２とは反対側に位置する。第４層１４２は、第２搭載面１４Ａを含む。第４層１４２は、複数の第２半導体素子３２、および第２信号配線２２を搭載している。第４層１４２は、接合層３９を介して第３層１４１に導電接合されている。第４層１４２の第１方向ｚの寸法は、第３層１４１の第１方向ｚの寸法より大きい。

　第２放熱層１７は、図６、図７および図１１に示すように、第１方向ｚにおいて第２絶縁層１２を基準として第２導電層１４とは反対側に位置する。第２放熱層１７は、第２絶縁層１２に接合されている。図５に示すように、第２放熱層１７は、第２方向ｘにおいて第１放熱層１６から離れている。第２放熱層１７は、封止樹脂６０の底面６２から露出している。第２放熱層１７の組成は、銅を含む。第１方向ｚに視て、第２放熱層１７は、第２導電層１４に重なっている。

　複数の第１半導体素子３１は、図６および図１０に示すように、第１導電層１３（第２層１３２）の第１搭載面１３Ａに接合されている。複数の第１半導体素子３１の各々は、いずれも同一の素子である。ここで、複数の第１半導体素子３１は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この他、複数の第１半導体素子３１は、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor）を含む電界効果トランジスタや、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のようなバイポーラトランジスタを含む。半導体装置Ａ１０の説明においては、複数の第１半導体素子３１は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。複数の第１半導体素子３１は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。複数の第１半導体素子３１は、第３方向ｙに沿って配列されている。

　図４および図８に示すように、複数の第１半導体素子３１の各々は、第１電極３１１、第２電極３１２、第１ゲート電極３１３、および２つの第１検出電極３１４を有する。

　図８に示すように、第１電極３１１は、第１方向ｚにおいて第１導電層１３の第１搭載面１３Ａに対向している。半導体装置Ａ１０においては、第１電極３１１には、第１半導体素子３１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極３１１は、第１半導体素子３１のドレインに相当する。第１電極３１１は、接合層３９を介して第１搭載面１３Ａに導電接合されている。これにより、複数の第１半導体素子３１の各々の第１電極３１１は、第１導電層１３に導通している。

　図８に示すように、第２電極３１２は、第１方向ｚにおいて第１電極３１１とは反対側に位置する。半導体装置Ａ１０においては、第２電極３１２には、第１半導体素子３１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２電極３１２は、第１半導体素子３１のソースに相当する。

　図８に示すように、第１ゲート電極３１３は、第１方向ｚにおいて第２電極３１２と同じ側に位置する。第１ゲート電極３１３には、第１半導体素子３１を駆動するためのゲート電圧が印加される。図４に示すように、第１方向ｚに視て、第１ゲート電極３１３の面積は、第２電極３１２の面積より小さい。

　図４に示すように、２つの第１検出電極３１４は、第１方向ｚにおいて第２電極３１２および第１ゲート電極３１３と同じ側に位置する。第１検出電極３１４は、第３方向ｙにおいて第１ゲート電極３１３を間に挟んで互いに反対側に位置する。２つの第１検出電極３１４の各々には、第２電極３１２に印加される電圧と等価な電圧が印加される。第１方向ｚに視て、２つの第１検出電極３１４の各々の面積は、第１ゲート電極３１３の面積と略等しい。

　複数の第２半導体素子３２は、図６および図１１に示すように、第２導電層１４（第４層１４２）の第２搭載面１４Ａに接合されている。複数の第２半導体素子３２の各々は、図８に示す複数の第１半導体素子３１の各々と同一の素子である。したがって、複数の第２半導体素子３２は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴである。複数の第２半導体素子３２は、第３方向ｙに沿って配列されている。

　図４および図９に示すように、複数の第２半導体素子３２の各々は、第３電極３２１、第４電極３２２、第２ゲート電極３２３、および２つの第２検出電極３２４を有する。

　図９に示すように、第３電極３２１は、第２導電層１４の第２搭載面１４Ａに対向している。半導体装置Ａ１０においては、第３電極３２１には、第２半導体素子３２により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第３電極３２１は、第２半導体素子３２のドレインに相当する。第３電極３２１は、接合層３９を介して第２搭載面１４Ａに導電接合されている。これにより、複数の第２半導体素子３２の各々の第３電極３２１は、第２導電層１４に導通している。

　図９に示すように、第４電極３２２は、第１方向ｚにおいて第３電極３２１とは反対側に位置する。半導体装置Ａ１０においては、第４電極３２２には、第２半導体素子３２により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第４電極３２２は、第２半導体素子３２のソースに相当する。

　図９に示すように、第２ゲート電極３２３は、第１方向ｚにおいて第４電極３２２と同じ側に位置する。第２ゲート電極３２３には、第２半導体素子３２を駆動するためのゲート電圧が印加される。図４に示すように、第１方向ｚに視て、第２ゲート電極３２３の面積は、第４電極３２２の面積より小さい。

　図４に示すように、２つの第２検出電極３２４は、第１方向ｚにおいて第４電極３２２および第２ゲート電極３２３と同じ側に位置する。第２検出電極３２４は、第３方向ｙにおいて第２ゲート電極３２３を間に挟んで互いに反対側に位置する。２つの第２検出電極３２４の各々には、第４電極３２２に印加される電圧と等価な電圧が印加される。第１方向ｚに視て、２つの第２検出電極３２４の各々の面積は、第２ゲート電極３２３の面積と略等しい。

　第１信号配線２１は、図６に示すように、第１方向ｚにおいて第１導電層１３を基準として第１絶縁層１１とは反対側に位置する。図４に示すように、第１信号配線２１は、第２方向ｘにおいて、複数の第１半導体素子３１と、第１電力端子３４および第２電力端子３５との間に位置する。第１信号配線２１は、封止樹脂６０に覆われている。第１信号配線２１は、第１基層２１１、第１金属層２１２、第１配線層２１３、第３配線層２１４、２つの第５配線層２１５、および第７配線層２１６を有する。

　図４および図１３に示すように、第１基層２１１は、第１配線層２１３、第３配線層２１４、２つの第５配線層２１５、および第７配線層２１６を搭載している。第１基層２１１は、たとえばセラミックスからなる。この他、第１基層２１１は、樹脂シートからなる場合でもよい。

　図１３に示すように、第１金属層２１２は、第１方向ｚにおいて第１導電層１３（第２層１３２）の第１搭載面１３Ａと、第１基層２１１との間に位置する。第１金属層２１２は、第１基層２１１に接合されている。第１金属層２１２の組成は、銅を含む。第１金属層２１２は、接合層３９を介して第１搭載面１３Ａに接合されている。

　図１３に示すように、第１配線層２１３は、第１方向ｚにおいて第１基層２１１を基準として第１金属層２１２とは反対側に位置する。第１配線層２１３は、第１基層２１１に接合されている。第１配線層２１３の組成は、銅を含む。第１配線層２１３は、第３方向ｙに延びる部分を含む。

　図１３に示すように、第３配線層２１４は、第１方向ｚにおいて第１基層２１１を基準として第１金属層２１２とは反対側に位置する。第３配線層２１４は、第１基層２１１に接合されている。第３配線層２１４の組成は、銅を含む。第３配線層２１４は、第３方向ｙに延びる部分を含む。当該延びる部分は、第２方向ｘにおいて第１配線層２１３の隣に位置する。

　図１３に示すように、２つの第５配線層２１５は、第１方向ｚにおいて第１基層２１１を基準として第１金属層２１２とは反対側に位置する。２つの第５配線層２１５は、第１基層２１１に接合されている。図４に示すように、２つの第５配線層２１５は、第３方向ｙにおいて互いに隣り合っている。２つの第５配線層２１５の組成は、銅を含む。

　図４に示すように、第７配線層２１６は、２つの第５配線層２１５の第３方向ｙの一方側に位置する。第７配線層２１６は、第１方向ｚにおいて第１基層２１１を基準として第１金属層２１２とは反対側に位置する。第７配線層２１６は、第１基層２１１に接合されている。第７配線層２１６の組成は、銅を含む。

　第２信号配線２２は、図６に示すように、第１方向ｚにおいて第２導電層１４を基準として第２絶縁層１２とは反対側に位置する。図４に示すように、第２信号配線２２は、第２方向ｘにおいて、複数の第２半導体素子３２と、第３電力端子３６との間に位置する。第２信号配線２２は、封止樹脂６０に覆われている。第２信号配線２２は、第２基層２２１、第２金属層２２２、第２配線層２２３、第４配線層２２４、２つの第６配線層２２５、および第８配線層２２６を有する。

　図４および図１５に示すように、第２基層２２１は、第２配線層２２３、第４配線層２２４、２つの第６配線層２２５、および第８配線層２２６を搭載している。第２基層２２１は、たとえばセラミックスからなる。この他、第２基層２２１は、樹脂シートからなる場合でもよい。

　図１５に示すように、第２金属層２２２は、第１方向ｚにおいて第２導電層１４（第４層１４２）の第２搭載面１４Ａと、第２基層２２１との間に位置する。第２金属層２２２は、第２基層２２１に接合されている。第２金属層２２２の組成は、銅を含む。第２金属層２２２は、接合層３９を介して第２搭載面１４Ａに接合されている。

　図１５に示すように、第２配線層２２３は、第１方向ｚにおいて第２基層２２１を基準として第２金属層２２２とは反対側に位置する。第２配線層２２３は、第２基層２２１に接合されている。第２配線層２２３の組成は、銅を含む。第２配線層２２３は、第３方向ｙに延びる部分を含む。

　図１５に示すように、第４配線層２２４は、第１方向ｚにおいて第２基層２２１を基準として第２金属層２２２とは反対側に位置する。第４配線層２２４は、第２基層２２１に接合されている。第４配線層２２４の組成は、銅を含む。第４配線層２２４は、第３方向ｙに延びる部分を含む。当該延びる部分は、第２方向ｘにおいて第２配線層２２３の隣に位置する。

　図１５に示すように、２つの第６配線層２２５は、第１方向ｚにおいて第２基層２２１を基準として第２金属層２２２とは反対側に位置する。２つの第６配線層２２５は、第２基層２２１に接合されている。図４に示すように、２つの第６配線層２２５は、第３方向ｙにおいて互いに隣り合っている。２つの第６配線層２２５の組成は、銅を含む。

　図４に示すように、第８配線層２２６は、２つの第６配線層２２５の第３方向ｙの一方側に位置する。第８配線層２２６は、第１方向ｚにおいて第２基層２２１を基準として第２金属層２２２とは反対側に位置する。第８配線層２２６は、第２基層２２１に接合されている。第８配線層２２６の組成は、銅を含む。

　複数のスリーブ２９は、図４および図１３に示すように、接合層３９を介して、第１信号配線２１の第１配線層２１３、第３配線層２１４、２つの第５配線層２１５、および第７配線層２１６に個別に導電接合されている。あわせて、複数のスリーブ２９は、接合層３９を介して、第２信号配線２２の第２配線層２２３、第４配線層２２４、２つの第６配線層２２５、および第８配線層２２６に個別に導電接合されている。複数のスリーブ２９の各々は、第１方向ｚに延びる円筒状である。複数のスリーブ２９は、金属などの導体を含む材料からなる。

　２つのサーミスタ３３のうち一方のサーミスタ３３は、図４に示すように、第１信号配線２１の２つの第５配線層２１５に導電接合されている。２つのサーミスタ３３のうち他方のサーミスタ３３は、第２信号配線２２の２つの第６配線層２２５に導電接合されている。２つのサーミスタ３３は、半導体装置Ａ１０の温度検出用センサとして用いられる。

　第１電力端子３４は、図４に示すように、第２方向ｘにおいて第１信号配線２１を基準として複数の第１半導体素子３１とは反対側に位置する。図６に示すように、第１電力端子３４は、第１導電層１３の第１層１３１に導電接合されている。これにより、第１電力端子３４は、複数の第１半導体素子３１の各々の第１電極３１１に導通している。図２に示すように、第１電力端子３４は、封止樹脂６０に囲まれている。第１電力端子３４は、封止樹脂６０の第１面６３１から露出している。半導体装置Ａ１０においては、第１電力端子３４は、電力変換対象となる直流電力が入力されるＰ端子（正極）である。第１電力端子３４の組成は、銅を含む。図１３および図１４に示すように、第１電力端子３４は、第１端面３４Ａ、第１周面３４Ｂ、第２周面３４Ｃ、第１係合部３４１および第１張出部３４２を有する。

　図１３および図１４に示すように、第１端面３４Ａは、第１方向ｚにおいて封止樹脂６０の第１面６３１と同じ側を向く。第１端面３４Ａは、第１面６３１から露出している。第１係合部３４１は、第１面６３１から露出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第１係合部３４１は、第１端面３４Ａに囲まれている。第１方向ｚに視て、第１端面３４Ａの面積は、第１係合部３４１の面積より大きい。第１係合部３４１は、第１端面３４Ａから開口している。第１係合部３４１は、第１方向ｚに延びている。第１係合部３４１は、第１方向ｚに貫通している。

　図１３および図１４に示すように、第１周面３４Ｂは、第１方向ｚに対して直交する方向を向く。第１周面３４Ｂは、第１係合部３４１を規定している。第１周面３４Ｂには、ねじが形成されている。当該ねじは、たとえば雌ねじである。第２周面３４Ｃは、第１方向ｚに対して直交する方向において第１周面３４Ｂとは反対側を向く。第２周面３４Ｃは、封止樹脂６０に接している。図１２および図１４に示すように、第１張出部３４２は、第２周面３４Ｃから突出している。第１張出部３４２は、第１導電層１３の第１層１３１に導電接合されている。第１張出部３４２は、第３方向ｙにおいて互いに離れた２つの部分を含む。

　第２電力端子３５は、図４に示すように、第２方向ｘにおいて第１信号配線２１を基準として複数の第１半導体素子３１とは反対側に位置する。第２電力端子３５は、第３方向ｙにおいて第１電力端子３４から離れている。図７に示すように、第２電力端子３５は、第３導電層１５に導電接合されている。図２に示すように、第２電力端子３５は、封止樹脂６０に囲まれている。第２電力端子３５は、封止樹脂６０の第１面６３１から露出している。半導体装置Ａ１０においては、第２電力端子３５は、電力変換対象となる直流電力が入力されるＮ端子（負極）である。第２電力端子３５の組成は、銅を含む。図１４に示すように、第２電力端子３５は、第２端面３５Ａおよび第２係合部３５１を有する。

　図１４に示すように、第２端面３５Ａは、第１方向ｚにおいて封止樹脂６０の第１面６３１と同じ側を向く。第２端面３５Ａは、第１面６３１から露出している。第２係合部３５１は、第１面６３１から露出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第２係合部３５１は、第２端面３５Ａに囲まれている。第１方向ｚに視て、第２端面３５Ａの面積は、第２係合部３５１の面積より大きい。第２係合部３５１は、第２端面３５Ａから開口している。第２係合部３５１は、第１方向ｚに延びている。第２係合部３５１は、第１方向ｚに貫通している。

　第３電力端子３６は、図４に示すように、第２方向ｘにおいて第２信号配線２２を基準として複数の第２半導体素子３２とは反対側に位置する。図６および図７に示すように、第３電力端子３６は、第２導電層１４の第３層１４１に導電接合されている。これにより、第３電力端子３６は、複数の第２半導体素子３２の各々の第３電極３２１に導通している。図２に示すように、第３電力端子３６は、封止樹脂６０に囲まれている。第３電力端子３６は、封止樹脂６０の第３面６３３から露出している。複数の第１半導体素子３１、および複数の第２半導体素子３２により変換された交流電力は、第３電力端子３６から出力される。第３電力端子３６の組成は、銅を含む。図１５に示すように、第３電力端子３６は、第３端面３６Ａおよび第３係合部３６１を有する。

　図１５に示すように、第３端面３６Ａは、第１方向ｚにおいて封止樹脂６０の第３面６３３と同じ側を向く。第３端面３６Ａは、第３面６３３から露出している。第３係合部３６１は、第３面６３３から露出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第３係合部３６１は、第３端面３６Ａに囲まれている。第１方向ｚに視て、第３端面３６Ａの面積は、第３係合部３６１の面積より大きい。第３係合部３６１は、第３端面３６Ａから開口している。第３係合部３６１は、第１方向ｚに延びている。第３係合部３６１は、第１方向ｚに貫通している。

　第１導通部材３７は、図６に示すように、複数の第１半導体素子３１を基準として第１導電層１３とは反対側に位置する。第１導通部材３７は、第１導電層１３から離れている。第１導通部材３７は、金属クリップである。第１導通部材３７の組成は、銅を含む。第１導通部材３７は、封止樹脂６０に覆われている。図３および図８に示すように、第１導通部材３７の第２方向ｘの一方側は、接合層３９を介して複数の第１半導体素子３１の各々の第２電極３１２に導電接合されている。これにより、第１導通部材３７は、複数の第１半導体素子３１の各々の第２電極３１２に導通している。第１導通部材３７の他方側は、接合層３９を介して第２導電層１４（第４層１４２）の第２搭載面１４Ａに導電接合されている。これにより、第１導通部材３７は、複数の第２半導体素子３２の各々の第３電極３２１に導通している。したがって、複数の第１半導体素子３１の各々の第２電極３１２は、複数の第２半導体素子３２の各々の第３電極３２１に導通している。

　第２導通部材３８は、図７に示すように、複数の第２半導体素子３２を基準として第２導電層１４とは反対側に位置する。第２導通部材３８は、第１導電層１３および第１導通部材３７から離れている。第２導通部材３８は、金属クリップである。第２導通部材３８の組成は、銅を含む。第２導通部材３８は、封止樹脂６０に覆われている。図３および図９に示すように、第２導通部材３８の第２方向ｘの一方側は、接合層３９を介して複数の第２半導体素子３２の各々の第４電極３２２に導電接合されている。これにより、第２導通部材３８は、複数の第２半導体素子３２の各々の第４電極３２２に導通している。第２導通部材３８の他方側は、接合層３９を介して第３導電層１５に導電接合されている。これにより、第２導通部材３８は、第３電力端子３６に導通している。したがって、第３電力端子３６は、複数の第２半導体素子３２の各々の第４電極３２２に導通している。

　第１信号端子４１は、図４に示すように、複数のスリーブ２９のうち、第１信号配線２１の第１配線層２１３に導電接合されたスリーブ２９に圧入されている。これにより、第１信号端子４１は、第１配線層２１３に導通している。第１信号端子４１には、複数の第１半導体素子３１が駆動するためのゲート電圧が印加される。第１信号端子４１は、第１方向ｚに延びる金属ピンである。図１０に示すように、第１信号端子４１の一部は、封止樹脂６０の第２面６３２から突出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第１信号端子４１は、封止樹脂６０の複数の第１収容部６３２Ａのいずれかに重なっている。

　複数の第１ワイヤ５１の各々は、図４および図８に示すように、複数の第１半導体素子３１の各々の第１ゲート電極３１３と、第１信号配線２１の第１配線層２１３とに導電接合されている。これにより、第１信号端子４１は、複数の第１半導体素子３１の各々の第１ゲート電極３１３に導通している。図６に示すように、複数の第１ワイヤ５１は、封止樹脂６０に覆われている。複数の第１ワイヤ５１の組成は、金（Ａｕ）を含む。この他、複数の第１ワイヤ５１の組成は、アルミニウム（Ａｌ）および銅のいずれかを含む場合でもよい。

　第２信号端子４２は、図４に示すように、複数のスリーブ２９のうち、第２信号配線２２の第２配線層２２３に導電接合されたスリーブ２９に圧入されている。これにより、第２信号端子４２は、第２配線層２２３に導通している。第２信号端子４２には、複数の第２半導体素子３２が駆動するためのゲート電圧が印加される。第２信号端子４２は、第１方向ｚに延びる金属ピンである。図１１に示すように、第２信号端子４２の一部は、封止樹脂６０の第４面６３４から突出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第２信号端子４２は、封止樹脂６０の複数の第２収容部６３４Ａのいずれかに重なっている。

　複数の第２ワイヤ５２の各々は、図４および図９に示すように、複数の第２半導体素子３２の各々の第２ゲート電極３２３と、第２信号配線２２の第２配線層２２３とに導電接合されている。これにより、第２信号端子４２は、複数の第２半導体素子３２の各々の第２ゲート電極３２３に導通している。図６に示すように、複数の第２ワイヤ５２は、封止樹脂６０に覆われている。複数の第２ワイヤ５２の組成は、金を含む。この他、複数の第２ワイヤ５２の組成は、アルミニウムおよび銅のいずれかを含む場合でもよい。

　第３信号端子４３は、図４に示すように、複数のスリーブ２９のうち、第１信号配線２１の第３配線層２１４に導電接合されたスリーブ２９に圧入されている。これにより、第３信号端子４３は、第３配線層２１４に導通している。第３信号端子４３には、複数の第１半導体素子３１の各々の２つの第１検出電極３１４に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。第３信号端子４３は、第１方向ｚに延びる金属ピンである。図１０に示すように、第３信号端子４３の一部は、封止樹脂６０の第２面６３２から突出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第３信号端子４３は、封止樹脂６０の複数の第１収容部６３２Ａのいずれかに重なっている。

　複数の第３ワイヤ５３の各々は、図４に示すように、複数の第１半導体素子３１の各々の２つの第１検出電極３１４のいずれかと、第１信号配線２１の第３配線層２１４とに導電接合されている。これにより、第３信号端子４３は、複数の第１半導体素子３１の各々の２つの第１検出電極３１４のいずれかに導通している。複数の第３ワイヤ５３は、封止樹脂６０に覆われている。複数の第３ワイヤ５３の組成は、金を含む。この他、複数の第３ワイヤ５３の組成は、アルミニウムおよび銅のいずれかを含む場合でもよい。

　第４信号端子４４は、図４に示すように、複数のスリーブ２９のうち、第２信号配線２２の第４配線層２２４に導電接合されたスリーブ２９に圧入されている。これにより、第４信号端子４４は、第４配線層２２４に導通している。第４信号端子４４には、複数の第２半導体素子３２の各々の２つの第２検出電極３２４に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。第４信号端子４４は、第１方向ｚに延びる金属ピンである。図１１に示すように、第４信号端子４４の一部は、封止樹脂６０の第４面６３４から突出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第４信号端子４４は、封止樹脂６０の複数の第２収容部６３４Ａのいずれかに重なっている。

　複数の第４ワイヤ５４の各々は、図４に示すように、複数の第２半導体素子３２の各々の２つの第２検出電極３２４のいずれかと、第２信号配線２２の第４配線層２２４とに導電接合されている。これにより、第４信号端子４４は、複数の第２半導体素子３２の各々の２つの第２検出電極３２４のいずれかに導通している。複数の第４ワイヤ５４は、封止樹脂６０に覆われている。複数の第４ワイヤ５４の組成は、金を含む。この他、複数の第４ワイヤ５４の組成は、アルミニウムおよび銅のいずれかを含む場合でもよい。

　２つの第５信号端子４５は、図４および図１３に示すように、複数のスリーブ２９のうち、第１信号配線２１の２つの第５配線層２１５に導電接合された２つのスリーブ２９に個別に圧入されている。これにより、２つの第５信号端子４５は、２つの第５配線層２１５に個別に導通している。半導体装置Ａ１０の温度上昇に伴い、２つのサーミスタ３３のうち２つの第５配線層２１５に導電接合されたサーミスタ３３が導通状態になると、２つの第５信号端子４５は相互導通する。図１０に示すように、２つの第５信号端子４５の各々の一部は、封止樹脂６０の第２面６３２から突出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、２つの第５信号端子４５は、封止樹脂６０の複数の第１収容部６３２Ａのうち、２つの第１収容部６３２Ａに個別に重なっている。

　２つの第６信号端子４６は、図４および図１５に示すように、複数のスリーブ２９のうち、第２信号配線２２の２つの第６配線層２２５に導電接合された２つのスリーブ２９に個別に圧入されている。これにより、２つの第６信号端子４６は、２つの第６配線層２２５に個別に導通している。半導体装置Ａ１０の温度上昇に伴い、２つのサーミスタ３３のうち２つの第６配線層２２５に導電接合されたサーミスタ３３が導通状態になると、２つの第６信号端子４６は相互導通する。図１１に示すように、２つの第６信号端子４６の各々の一部は、封止樹脂６０の第４面６３４から突出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、２つの第６信号端子４６は、封止樹脂６０の複数の第２収容部６３４Ａのうち、２つの第２収容部６３４Ａに個別に重なっている。

　第７信号端子４７は、図４に示すように、複数のスリーブ２９のうち、第１信号配線２１の第７配線層２１６に導電接合されたスリーブ２９に圧入されている。これにより、第７信号端子４７は、第７配線層２１６に導通している。第７信号端子４７には、第１導電層１３に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。第７信号端子４７は、第１方向ｚに延びる金属ピンである。図１０に示すように、第７信号端子４７の一部は、封止樹脂６０の第２面６３２から突出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第７信号端子４７は、封止樹脂６０の複数の第１収容部６３２Ａのいずれかに重なっている。

　第５ワイヤ５５は、図４に示すように、第１信号配線２１の第７配線層２１６と、第１導電層１３（第２層１３２）の第１搭載面１３Ａとに導電接合されている。これにより、第７信号端子４７は、第１導電層１３に導通している。第５ワイヤ５５は、封止樹脂６０に覆われている。第５ワイヤ５５の組成は、金を含む。この他、第５ワイヤ５５の組成は、アルミニウムおよび銅のいずれかを含む場合でもよい。

　第８信号端子４８は、図４に示すように、複数のスリーブ２９のうち、第２信号配線２２の第８配線層２２６に導電接合されたスリーブ２９に圧入されている。これにより、第８信号端子４８は、第８配線層２２６に導通している。第８信号端子４８には、第２導電層１４に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。第８信号端子４８は、第１方向ｚに延びる金属ピンである。図１１に示すように、第８信号端子４８の一部は、封止樹脂６０の第４面６３４から突出している。図２に示すように、第１方向ｚに視て、第８信号端子４８は、封止樹脂６０の複数の第２収容部６３４Ａのいずれかに重なっている。

　第６ワイヤ５６は、図４に示すように、第２信号配線２２の第８配線層２２６と、第２導電層１４（第４層１４２）の第２搭載面１４Ａとに導電接合されている。これにより、第８信号端子４８は、第２導電層１４に導通している。第６ワイヤ５６は、封止樹脂６０に覆われている。第６ワイヤ５６の組成は、金を含む。この他、第６ワイヤ５６の組成は、アルミニウムおよび銅のいずれかを含む場合でもよい。

　図２および図１２に示すように、封止樹脂６０は、第１規制面６４１、第２規制面６４２、第３規制面６４３、第４規制面６４４、第１凹部６５１、第２凹部６５２および第３凹部６５３を有する。

　図１２および図１３に示すように、第１規制面６４１は、封止樹脂６０の第１面６３１から立ち上がっている。第１規制面６４１は、第２方向ｘにおいて複数の第１半導体素子３１を基準として第１電力端子３４が位置する側を向く。封止樹脂６０の第２面６３２は、第２方向ｘにおいて第１規制面６４１を基準として第１面６３１とは反対側に位置する。第１規制面６４１は、第１方向ｚおいて第２面６３２を基準として第１面６３１とは反対側に位置する部分を含む。

　図１２および図１４に示すように、第２規制面６４２は、封止樹脂６０の第１面６３１から立ち上がっている。第２規制面６４２は、第３方向ｙにおいて第２電力端子３５を基準として第１電力端子３４が位置する側を向く。第２規制面６４２は、第３方向ｙにおいて第１電力端子３４と第２電力端子３５との間に位置する。

　図２および図１５に示すように、第３規制面６４３は、封止樹脂６０の第３面６３３から立ち上がっている。第３規制面６４３は、第２方向ｘにおいて複数の第２半導体素子３２を基準として第３電力端子３６が位置する側を向く。封止樹脂６０の第４面６３４は、第２方向ｘにおいて第３規制面６４３を基準として第３面６３３とは反対側に位置する。第３規制面６４３は、第１方向ｚおいて第４面６３４を基準として第３面６３３とは反対側に位置する部分を含む。

　図１２および図１４に示すように、第４規制面６４４は、封止樹脂６０の第１面６３１から立ち上がっている。第４規制面６４４は、第３方向ｙにおいて第１電力端子３４を基準として第２電力端子３５が位置する側を向く。第４規制面６４４は、第３方向ｙにおいて第２規制面６４２と第２電力端子３５との間に位置する。

　図１３に示すように、第１凹部６５１は、封止樹脂６０の第２面６３２から凹んでいる。図１２に示すように、第１凹部６５１は、第２方向ｘにおいて第１信号端子４１と、第１電力端子３４および第２電力端子３５との間に位置する。第１凹部６５１は、第３方向ｙに延びている。

　図１４に示すように、第２凹部６５２は、第１方向ｚにおいて封止樹脂６０の第１面６３１が位置する側から第１方向ｚに凹んでいる。図１２に示すように、第２凹部６５２は、第３方向ｙにおいて第２規制面６４２と第２電力端子３５との間に位置する。第２凹部６５２は、第２方向ｘに延びている。第２凹部６５２は、第１凹部６５１につながっている。

　図１５に示すように、第３凹部６５３は、封止樹脂６０の第４面６３４から凹んでいる。図２に示すように、第３凹部６５３は、第２方向ｘにおいて第２信号端子４２と第３電力端子３６との間に位置する。第３凹部６５３は、第３方向ｙに延びている。

　複数の外部接続部材７１は、図２に示すように、第１電力端子３４、第２電力端子３５および第３電力端子３６に個別に導電接合されている。複数の外部接続部材７１は、たとえばバスバーを含む。複数の外部接続部材７１の各々は、締結部材７２を介して第１電力端子３４、第２電力端子３５および第３電力端子３６のいずれかに導電接合されている。締結部材７２は、たとえばボルトである。図１３に示すように、複数の外部接続部材７１のうち第１電力端子３４に導電接合される外部接続部材７１において、締結部材７２は、第１電力端子３４の第１係合部３４１に螺合している。当該外部接続部材７１は、第１電力端子３４の第１端面３４Ａに接している。

　放熱部材８０は、図６および図７に示すように、接合層８９を介して第１放熱層１６および第２放熱層１７に接合されている。放熱部材８０は、半導体装置Ａ１０の冷却に供される。放熱部材８０は、金属を含有する。放熱部材８０は、たとえばアルミニウムを含む材料からなる。接合層８９は、金属粒子の焼結体を含む。当該金属粒子は、銀を含む。この他、当該金属粒子は、銅を含む場合でもよい。封止樹脂６０の底面６２は、放熱部材８０に接している。

　次に、図１６および図１７に基づき、半導体モジュールＢ１０について説明する。

　図１６および図１７に示すように、半導体モジュールＢ１０においては、複数の半導体装置Ａ１０は、第３方向ｙに配列された状態で互いにつながっている。複数の半導体装置Ａ１０の各々の放熱部材８０は、一体となっている。あわせて、複数の半導体装置Ａ１０の各々の封止樹脂６０も一体となっている。半導体モジュールＢ１０の説明においては、一体となった複数の半導体装置Ａ１０の各々の放熱部材８０を、単に「放熱部材８０」と呼ぶ。同様に、一体となった複数の半導体装置Ａ１０の各々の封止樹脂６０を、単に「封止樹脂６０」と呼ぶ。

　図１７に示すように、放熱部材８０は、基面８１、裏面８２および端面８３を有する。基面８１は、第１方向ｚの一方側を向く。基面８１は、封止樹脂６０に対向している。複数の半導体装置Ａ１０の各々の基材１０は、接合層８９を介して基面８１に接合されている。封止樹脂６０の底面６２は、基面８１に接している。裏面８２は、第１方向ｚにおいて基面８１とは反対側を向く。端面８３は、第１方向ｚに対して直交する方向を向く。端面８３は、互いに異なる向きを向く複数の領域を含む。裏面８２および端面８３の各々は、封止樹脂６０から露出している。

　図１６に示すように、第１方向ｚに視て、封止樹脂６０は、基面８１の周縁よりも内方に位置する。基面８１の周縁は、２つの第１縁８１１、第２縁８１２および第３縁８１３を含む。２つの第１縁８１１の各々は、第２方向ｘに延びている。２つの第１縁８１１は、第３方向ｙにおいて互いに離れている。第２縁８１２および第３縁８１３の各々は、第３方向ｙに延びている。第２縁８１２および第３縁８１３は、第２方向ｘにおいて２つの第１縁８１１を基準として互いに反対側に位置する。第２縁８１２および第３縁８１３の各々は、２つの第１縁８１１の各々より長い。

　図１６に示すように、基面８１は、２つの第１領域８１Ａ、第２領域８１Ｂおよび第３領域８１Ｃを含む。２つの第１領域８１Ａ、第２領域８１Ｂおよび第３領域８１Ｃの各々は、封止樹脂６０から露出している。２つの第１領域８１Ａの各々は、第３方向ｙにおいて２つの第１縁８１１のいずれかと封止樹脂６０との間に位置する。第２領域８１Ｂは、第２方向ｘにおいて第２縁８１２と封止樹脂６０との間に位置する。第３領域８１Ｃは、第２方向ｘにおいて第３縁８１３と封止樹脂６０との間に位置する。２つの第１領域８１Ａの各々の第３方向ｙの最大寸法ｄ１は、第２縁８１２の第２方向ｘの最大寸法ｄ２と、第３縁８１３の第２方向ｘの最大寸法ｄ３とより大きい。

　図１６に示すように、封止樹脂６０は、２つの第１開口部６６、２つの第２開口部６７、および２つの第３開口部６８を有する。第１方向ｚに視て、２つの第１開口部６６の各々は、複数の半導体装置Ａ１０の各々の基材１０のうち、隣り合う２つの基材１０の間に位置する。図１７に示すように、２つの第１開口部６６の各々は、第１方向ｚにおいて放熱部材８０の基面８１に対向する側とは反対側から開口しており、かつ第１方向ｚに貫通している。２つの第１開口部６６の各々から、基面８１が露出している。

　図１６に示すように、２つの第２開口部６７は、２つの第１開口部６６の第２方向ｘの一方側に位置する。２つの第２開口部６７の各々は、第２方向ｘの一方側から開口するとともに、第１方向ｚに貫通している。２つの第２開口部６７の各々から、基面８１の第２領域８１Ｂが露出している。２つの第２開口部６７の各々の第２方向ｘの寸法は、２つの第１開口部６６の各々の第２方向ｘの寸法より小さい。

　図１６に示すように、２つの第３開口部６８は、第２方向ｘにおいて２つの第１開口部６６を基準として、２つの第２開口部６７とは反対側に位置する。２つの第３開口部６８の各々は、第２方向ｘにおいて２つの第２開口部６７が位置する側とは反対側から開口するとともに、第１方向ｚに貫通している。２つの第３開口部６８の各々から、基面８１の第３領域８１Ｃが露出している。２つの第３開口部６８の各々の第２方向ｘの寸法は、２つの第１開口部６６の各々の第２方向ｘの寸法より小さい。

　次に、図１８～図２３に基づき、半導体モジュールＢ１０の製造方法の一例について説明する。ここで、図１９～図２３は、半導体モジュールＢ１０を構成する複数の半導体装置Ａ１０のいずれかを示す図６に対応している。

　まず、図１８および図１９に示すように、複数の基材１０を放熱部材８０に接合する第１工程Ｐ１を行う。第１工程Ｐ１では、複数の基材１０を、接合層８９を介して放熱部材８０の基面８１に接合する。第１工程Ｐ１では、複数の基材１０は、基面８１に対して第３方向ｙに沿って配列される。

　次いで、図２０に示すように、複数の基材１０の各々に複数の第１半導体素子３１を接合する第２工程Ｐ２を行う。第２工程Ｐ２では、複数の基材１０の各々の第１導電層１３（第２層１３２）の第１搭載面１３Ａに、接合層３９を介して複数の第１半導体素子３１を導電接合する。第２工程Ｐ２では、複数の基材１０の各々に複数の第２半導体素子３２も接合する。第２工程Ｐ２では、複数の基材１０の各々の第２導電層１４（第４層１４２）の第２搭載面１４Ａに、接合層３９を介して複数の第２半導体素子３２を導電接合する。半導体モジュールＢ１０の製造方法においては、第２工程Ｐ２を第１工程Ｐ１と同時に行ってもよい。

　次いで、図２１に示すように、複数の基材１０の各々において、第１電力端子３４、第２電力端子３５および第３電力端子３６を配置する。第１電力端子３４は、第１導電層１３（第１層１３１）に導電接合される。第２電力端子３５は、第２導電層１４（第３層１４１）に導電接合される。第３電力端子３６は、第３導電層１５に導電接合される。

　次いで、図２１に示すように、複数の基材１０の各々に、接合層３９を介して第１信号配線２１および第２信号配線２２を接合する。この際、第１信号配線２１および第２信号配線２２の各々には、サーミスタ３３が導電接合されるとともに、接合層３９を介して複数のスリーブ２９が導電接合される。

　次いで、図２１に示すように、複数の基材１０の各々において、第１導通部材３７および第２導通部材３８を導電接合する。第１導通部材３７は、複数の第１半導体素子３１と、第２導電層１４（第４層１４２）の第２搭載面１４Ａとに導電接合される。第２導通部材３８は、複数の第２半導体素子３２と、第３導電層１５とに導電接合される。その後、複数の基材１０の各々において、複数の第１ワイヤ５１、複数の第２ワイヤ５２、複数の第３ワイヤ５３、複数の第４ワイヤ５４、第５ワイヤ５５および第６ワイヤ５６の各々を導電接合する。

　次いで、図２２に示すように、複数の基材１０、複数の第１半導体素子３１、および複数の第２半導体素子３２を覆う封止樹脂６０を形成する第３工程Ｐ３を行う。封止樹脂６０は、トランスファモールド成形により形成される。本成形にあたっては、放熱部材８０は、封止樹脂６０を形成するための下金型として利用される。この場合、上金型は、放熱部材８０の基面８１に突き当てられる。第３工程Ｐ３は、第１工程Ｐ１および第２工程Ｐ２が完了した後に行われる。第３工程Ｐ３では、封止樹脂６０を一体に形成する。さらに第３工程Ｐ３では、封止樹脂６０が放熱部材８０の基面８１に接するとともに、封止樹脂６０から放熱部材８０の裏面８２および端面８３の各々を露出させる。

　第３工程Ｐ３では、図１６に示す２つの第１開口部６６、２つの第２開口部６７、および２つの第３開口部６８を封止樹脂６０に設ける。さらに第３工程Ｐ３では、複数の基材１０の各々において配置された第１電力端子３４、第２電力端子３５および第３電力端子３６の各々が、第１方向ｚに視て封止樹脂６０に囲まれるようにする。この際、第１電力端子３４の第１端面３４Ａ、および第２電力端子３５の第２端面３５Ａを、封止樹脂６０の第１面６３１から露出させる。あわせて、第３電力端子３６の第３端面３６Ａを、封止樹脂６０の第３面６３３から露出させる。

　最後に、図２３に示すように、複数の基材１０の各々において、第１信号端子４１、第２信号端子４２、第３信号端子４３、第４信号端子４４、２つの第５信号端子４５、２つの第６信号端子４６、第７信号端子４７および第８信号端子４８を、複数のスリーブ２９に圧入させる。この際、これらの信号端子の各々の一部を、封止樹脂６０の第１方向ｚにおいて第１面６３１および第３面６３３の各々が向く側から突出させる。本工程は、第３工程Ｐ３が完了した後に行われる。以上の工程を経ることにより、半導体モジュールＢ１０が得られる。

　次に、半導体モジュールＢ１０の製造方法の作用効果について説明する。

　半導体モジュールＢ１０の製造方法は、第１工程Ｐ１、第２工程Ｐ２および第３工程Ｐ３を備える。第１工程Ｐ１では、複数の基材１０を放熱部材８０に接合する。第２工程Ｐ２では、複数の第１半導体素子３１を複数の基材１０に個別に接合する。第３工程Ｐ３では、複数の基材１０、および複数の第１半導体素子３１を覆う封止樹脂６０を形成する。第３工程Ｐ３は、第１工程Ｐ１および第２工程Ｐ２が完了した後に行われる。第３工程Ｐ３では、封止樹脂６０を一体に形成する。本構成をとることにより、第３工程Ｐ３を経た時点で第１工程Ｐ１および第２工程Ｐ２が完了しているため、第３工程Ｐ３よりも後工程において製造途中の半導体モジュールＢ１０が、封止樹脂６０を形成する温度よりも高温環境下に置かれることはない。さらに、封止樹脂６０を一体に形成するため、封止樹脂６０を形成するための金型の構造をより簡略にできる。したがって、本構成によれば、半導体モジュールＢ１０の製造方法においては、複数の基材１０が放熱部材８０に接合された半導体モジュールＢ１０に関し、封止樹脂６０の形状をより良好に保ちつつ、半導体モジュールＢ１０の製造効率の向上を図ることが可能となる。

　放熱部材８０は、基面８１および端面８３を有する。第３工程Ｐ３では、封止樹脂６０が基面８１に接するようにする。あわせて、端面８３を封止樹脂６０から露出させる。さらに、第１方向ｚに視て、封止樹脂６０が基面８１の周縁よりも内方に位置するようにする。本構成をとることにより、第３工程Ｐ３において封止樹脂６０を形成する際、放熱部材８０に対して上金型を隙間なく突き当てることができる。これにより、封止樹脂６０の成形状態がより良好になる。

　第３工程Ｐ３では、第１開口部６６が封止樹脂６０に設けられる。第１開口部６６は、第１方向ｚにおいて放熱部材８０の基面８１に対向する側とは反対側から開口している。第１方向ｚに視て、第１開口部６６は、複数の基材１０のうち隣り合う２つの基材１０の間に位置する。本構成をとることにより、複数の基材１０が封止樹脂６０に覆われた状態を保持しつつ、第３工程Ｐ３において封止樹脂６０を形成する際、封止樹脂６０の硬化収縮に起因した封止樹脂６０の亀裂の発生を抑制できる。この場合において、第１開口部６６が第１方向ｚに貫通することによって、封止樹脂６０の亀裂の発生をより効果的に抑制できる。あわせて、上金型から封止樹脂６０を脱型する際に、封止樹脂６０の欠損を防止できる。

　放熱部材８０の基面８１は、第１領域８１Ａおよび第２領域８１Ｂを含む。第１領域８１Ａは、第３方向ｙにおいて第１縁８１１と封止樹脂６０との間に位置する。第２領域８１Ｂは、第２方向ｘにおいて第２縁８１２と封止樹脂６０との間に位置する。第１領域８１Ａの第３方向ｙの最大寸法ｄ１は、第２領域８１Ｂの第２方向ｘの最大寸法ｄ２より大きい。ここで、第３工程Ｐ３において封止樹脂６０を形成する際、上金型の突き当てに伴って放熱部材８０の基面８１には圧縮力が作用する。そこで、本構成をとることにより、第１領域８１Ａが分担する圧縮力の割合を、第２領域８１Ｂが分担する圧縮力の割合よりも高くできる。これにより、放熱部材８０の支持部を第１領域８１Ａに設定することにより、当該圧縮力に起因した放熱部材８０の変形を効果的に抑制できる。

　第３工程Ｐ３では、第２開口部６７が封止樹脂６０に設けられる。第２開口部６７は、第２方向ｘの一方側から開口するとともに、第１方向ｚに貫通している。第３工程Ｐ３では、第２開口部６７から基面８１の第２領域８１Ｂを露出させる。本構成をとることにより、第３工程Ｐ３において封止樹脂６０を形成する際、上金型の突き当てに伴って放熱部材８０の基面８１に作用する圧縮力のうち、第２領域８１Ｂが分担する割合をより高く設定できる。本構成をとることにより、基面８１の第１領域８１Ａに作用する圧縮応力の集中を効果的に抑制できる。

　半導体モジュールＢ１０の製造方法においては、複数の第１半導体素子３１の各々に個別に導通する複数の第１電力端子３４を配置する工程をさらに備える。当該工程は、第３工程Ｐ３の前に行われる。第３工程Ｐ３では、第１方向ｚに視て複数の第１電力端子３４の各々を囲むように封止樹脂６０が形成される。さらに、第３工程Ｐ３では、封止樹脂６０の第１面６３１から複数の第１電力端子３４の各々を露出させる。本構成をとることにより、複数の第１電力端子３４の各々から放熱部材８０に至る封止樹脂６０の沿面距離（封止樹脂６０の表面に沿った距離）をより長く確保できる。これにより、半導体モジュールＢ１０の絶縁耐圧を、より向上させることができる。

　第２実施形態：
　図２４～図２６に基づき、本開示の第２実施形態に係る半導体モジュールＢ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体モジュールＢ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２４は、理解の便宜上、第１導通部材３７、第２導通部材３８、封止樹脂６０および放熱部材８０を透過している。図２４では、透過した第１導通部材３７、第２導通部材３８、封止樹脂６０および放熱部材８０の各々を想像線で示している。

　半導体モジュールＢ２０は、第３方向ｙにおいて互いにつながった複数の半導体装置Ａ２０により構成される。複数の半導体装置Ａ２０の各々においては、基材１０の構成が、半導体モジュールＢ１０の構成要素である複数の半導体装置Ａ１０の各々の当該構成と異なる。

　図２４および図２６に示すように、第２絶縁層１２は、第１絶縁層１１の第２方向ｘの一方側につながっている。図２５および図２６に示すように、第２放熱層１７は、第１放熱層１６の第２方向ｘの一方側につながっている。

　次に、半導体モジュールＢ２０の作用効果について説明する。

　半導体モジュールＢ２０を構成する複数の半導体装置Ａ２０各々においては、第２絶縁層１２は、第１絶縁層１１につながっている。第２放熱層１７は、第１放熱層１６につながっている。本構成をとることにより、第１半導体素子３１および第２半導体素子３２の各々から発生して第１放熱層１６および第２放熱層１７の各々に伝導した熱の分布が、より均一となる。これにより、半導体モジュールＢ２０の放熱性の向上を図ることができる。

　第３実施形態：
　図２７～図２９に基づき、本開示の第３実施形態に係る半導体モジュールＢ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体モジュールＢ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２７、図２８および図２９はそれぞれ、半導体モジュールＢ１０を構成する複数の半導体装置Ａ１０のいずれかを示す図１３、図１４および図１５に対応している。

　半導体モジュールＢ３０は、第３方向ｙにおいて互いにつながった複数の半導体装置Ａ３０により構成される。複数の半導体装置Ａ３０の各々においては、第１電力端子３４、第２電力端子３５および第３電力端子３６の構成が、半導体モジュールＢ１０の構成要素である複数の半導体装置Ａ１０の各々の当該構成と異なる。

　図２７および図２８に示すように、第１電力端子３４および第２電力端子３５の各々の一部は、封止樹脂６０の第１面６３１から第１方向ｚに突出している。図２９に示すように、第３電力端子３６の一部は、封止樹脂６０の第３面６３３から第１方向ｚに突出している。したがって、半導体モジュールＢ３０の製造にあたっては、図２２に示す第３工程Ｐ３では、第１電力端子３４および第２電力端子３５の各々の一部を第１面６３１から突出させ、かつ第３電力端子３６の一部を第３面６３３から突出させる。

　次に、半導体モジュールＢ３０の作用効果について説明する。

　半導体モジュールＢ３０を構成する複数の半導体装置Ａ３０の各々においては、第１電力端子３４の一部は、封止樹脂６０の第１面６３１から突出している。本構成をとることにより、第１電力端子３４に外部接続部材７１を導電接合する際、外部接続部材７１を第１電力端子３４の第１端面３４Ａにより確実に接触させることができる。これにより、外部接続部材７１から第１電力端子３４に流れる電流の減少を防止できる。

　第４実施形態：
　図３０および図３１に基づき、本開示の第４実施形態に係る半導体モジュールＢ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体モジュールＢ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。

　半導体モジュールＢ４０は、第３方向ｙにおいて互いにつながった複数の半導体装置Ａ４０により構成される。複数の半導体装置Ａ４０の各々の構成は、半導体モジュールＢ１０の構成要素である複数の半導体装置Ａ１０の各々の構成と同様である。半導体モジュールＢ４０においては、放熱部材８０の構成が半導体モジュールＢ１０の当該構成と異なる。

　図３０および図３１に示すように、放熱部材８０は、基部８４および放熱部８５を有する。基部８４は、基面８１、裏面８２および端面８３を含む。放熱部８５は、第１方向ｚにおいて基面８１が向く側とは反対側に位置するとともに、裏面８２につながっている。第１方向ｚに視て、複数の半導体装置Ａ４０の各々の基材１０は、放熱部８５に重なっている。したがって、半導体モジュールＢ４０の製造にあたっては、図１８および図１９に示す第１工程Ｐ１では、第１方向ｚに視て、複数の基材１０の各々を放熱部８５に重なるように基面８１に接合する。

　図３０に示すように、第１方向ｚに視て、基面８１の２つの第１領域８１Ａの各々は、放熱部８５から離れている。

　半導体モジュールＢ４０においては、放熱部８５は、その内部において冷媒が流れるウォータージャケットである。その他、放熱部８５は、複数のフィンで構成される場合でもよい。

　次に、半導体モジュールＢ４０の作用効果について説明する。

　半導体モジュールＢ４０においては、放熱部材８０は、基面８１および端面８３を含む基部８４と、基部８４につながる放熱部８５とを有する。放熱部８５は、第１方向ｚにおいて基面８１が向く側とは反対側に位置する。第１工程Ｐ１では、複数の基材１０の各々は、放熱部８５に重なるように基面８１に接合される。本構成をとることにより、放熱部材８０の放熱効率を向上できる。

　半導体モジュールＢ４０の放熱部材８０においては、第１方向ｚに視て、基面８１の第１領域８１Ａは、放熱部８５から離れている。本構成をとることにより、図２２に示す第３工程Ｐ３において封止樹脂６０を形成する際、上金型の突き当てに伴って第１領域８１Ａにより大きな圧縮力が作用する場合であっても、放熱部８５に変形が発生することを効果的に防止できる。

　第５実施形態：
　図３２および図３３に基づき、本開示の第５実施形態に係る半導体モジュールＢ５０について説明する。これらの図において、先述した半導体モジュールＢ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３２および図３３はそれぞれ、半導体モジュールＢ１０を構成する複数の半導体装置Ａ１０のいずれかを示す図１３および図１５に対応している。

　半導体モジュールＢ５０は、第３方向ｙにおいて互いにつながった複数の半導体装置Ａ５０により構成される。複数の半導体装置Ａ５０の各々の構成は、半導体モジュールＢ１０の構成要素である複数の半導体装置Ａ１０の各々の構成と同様である。半導体モジュールＢ５０においては、放熱部材８０の構成が半導体モジュールＢ１０の当該構成と異なる。

　図３２および図３３に示すように、放熱部材８０には、基面８１から凹む２つの係合部８６が設けられている。２つの係合部８６は、複数の半導体装置Ａ５０の各々に対応している。２つの係合部８６は、第２方向ｘにおいて互いに離れている。２つの係合部８６の各々は、第３方向ｙに延びている。封止樹脂６０の一部は、２つの係合部８６の各々に陥入している。したがって、半導体モジュールＢ５０の製造にあたっては、図２２に示す第３工程Ｐ３では、封止樹脂６０を２つの係合部８６の各々に陥入させる。

　次に、半導体モジュールＢ５０の作用効果について説明する。

　半導体モジュールＢ５０においては、放熱部材８０には、基面８１から凹む係合部８６が設けられている。第３工程Ｐ３では、封止樹脂６０を係合部８６に陥入させる。本構成をとることにより、封止樹脂６０には、放熱部材８０に対して投錨効果（アンカー効果）が発現する。これにより、放熱部材８０に対する封止樹脂６０の剥離を効果的に抑制できる。

　第６実施形態：
　図３４および図３５に基づき、本開示の第６実施形態に係る半導体モジュールＢ６０について説明する。これらの図において、先述した半導体モジュールＢ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３４および図３５はそれぞれ、半導体モジュールＢ１０を構成する複数の半導体装置Ａ１０のいずれかを示す図３および図６に対応している。

　半導体モジュールＢ６０は、第３方向ｙにおいて互いにつながった複数の半導体装置Ａ６０により構成される。複数の半導体装置Ａ６０の各々の構成のうち基材１０の構成が、複数の半導体装置Ａ１０の各々の当該構成と異なる。

　図３４および図３５に示すように、複数の半導体装置Ａ６０の各々の基材１０においては、第１導電層１３は、第１層１３１のみを具備する単一の部材である。第１層１３１は、第１搭載面１３Ａを含む。第１信号配線２１、複数の第１半導体素子３１、および第１電力端子３４は、いずれも第１搭載面１３Ａに搭載されている。あわせて、複数の第１半導体素子３１の各々と、第１電力端子３４とは、第１搭載面１３Ａに導電接合されている。

　図３４および図３５に示すように、複数の半導体装置Ａ６０の各々の基材１０においては、第２導電層１４は、第３層１４１のみを具備する単一の部材である。第３層１４１は、第２搭載面１４Ａを含む。第２信号配線２２、複数の第２半導体素子３２、および第３電力端子３６は、いずれも第２搭載面１４Ａに搭載されている。あわせて、複数の第２半導体素子３２の各々と、第３電力端子３６とは、第１搭載面１３Ａに導電接合されている。

　したがって、半導体モジュールＢ６０においても、半導体モジュールＢ１０と同等の作用効果を奏する。

　本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

　本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　複数の基材（１０）を放熱部材（８０）に接合する第１工程（Ｐ１）と、
　複数の第１半導体素子（３１）を前記複数の基材に個別に接合する第２工程（Ｐ２）と、
　前記複数の基材、および前記複数の第１半導体素子を覆う封止樹脂（６０）を形成する第３工程（Ｐ３）と、を備え、
　前記第３工程は、前記第１工程および前記第２工程が完了した後に行われ、
　前記第３工程では、前記封止樹脂を一体に形成する、半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記２．
　前記放熱部材（８０）は、第１方向（ｚ）の一方側を向く基面（８１）と、前記第１方向に対して直交する方向を向く端面（８３）と、を有し、
　前記第１工程（Ｐ１）では、前記複数の基材（１０）が前記基面に接合され、
　前記第３工程（Ｐ３）では、前記封止樹脂（６０）が前記基面に接するとともに、前記封止樹脂から前記端面を露出させる、付記１に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記３．
　前記第３工程（Ｐ３）では、前記第１方向（ｚ）に視て前記封止樹脂（６０）が前記基面（８１）の周縁よりも内方に位置するようにする、付記２に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記４．
　前記第３工程（Ｐ３）では、第１開口部（６６）が前記封止樹脂（６０）に設けられ、
　前記第１開口部は、前記第１方向（ｚ）において前記基面（８１）に対向する側とは反対側から開口しており、
　前記第１方向に視て、前記第１開口部は、前記複数の基材（１０）のうち隣り合う２つの基材の間に位置する、付記３に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記５．
　前記第３工程（Ｐ３）では、前記第１開口部（６６）を前記第１方向（ｚ）に貫通させ、かつ前記第１開口部から前記基面（８１）を露出させる、付記４に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記６．
　前記基面（８１）の周縁は、前記第１方向（ｚ）に対して直交する第２方向（ｘ）に延びる第１縁（８１１）と、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向（ｙ）に延びる第２縁（８１２）と、を含み、
　前記第２縁は、前記第１縁よりも長く、
　前記第１工程（Ｐ１）では、前記複数の基材（１０）は、前記基面に対して前記第３方向に沿って配列される、付記５に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記７．
　前記第３工程（Ｐ３）では、前記第１開口部（６６）は、前記第２方向（ｘ）に延びるように設けられる、付記６に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記８．
　前記基面（８１）は、各々が前記封止樹脂（６０）から露出する第１領域（８１Ａ）および第２領域（８１Ｂ）を含み、
　前記第１領域は、前記第３方向（ｙ）において前記第１縁（８１１）と前記封止樹脂との間に位置しており、
　前記第２領域は、前記第２方向（ｘ）において前記第２縁（８１２）と前記封止樹脂との間に位置しており、
　前記第１領域の前記第３方向の最大寸法は、前記第２領域の前記第２方向の最大寸法より大きい、付記７に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記９．
　前記第３工程（Ｐ３）では、第２開口部（６７）が前記封止樹脂（６０）に設けられ、
　前記第２開口部は、前記第２方向（ｘ）の一方側から開口するとともに、前記第１方向（ｚ）に貫通しており、
　前記第３工程では、前記第２開口部から前記第２領域（８１Ｂ）を露出させる、付記８に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記１０．
　前記第２開口部（６７）は、前記第１開口部（６６）の前記第２方向（ｘ）の一方側に位置する、付記９に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記１１．
　前記第２開口部（６７）の前記第２方向（ｘ）の寸法は、前記第１開口部（６６）の前記第２方向の寸法より小さい、付記１０に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記１２．
　前記放熱部材（８０）は、前記基面（８１）および前記端面（８３）を含む基部（８４）と、前記基部につながる放熱部（８５）と、を有し、
　前記放熱部は、前記第１方向（ｚ）において前記基面が向く側とは反対側に位置しており、
　前記第１工程（Ｐ１）では、前記複数の基材（１０）の各々は、前記第１方向に視て前記放熱部に重なるように前記基面に接合される、付記８に記載の半導体モジュール（Ｂ４０）の製造方法。
　付記１３．
　前記第１方向（ｚ）に視て、前記第２領域（８１Ｂ）は、前記放熱部（８５）から離れている、付記１２に記載の半導体モジュール（Ｂ４０）の製造方法。
　付記１４．
　前記複数の基材（１０）の各々は、第１絶縁層（１１）と、前記第１絶縁層の前記第１方向（ｚ）の一方側に位置する第１導電層（１３）と、前記第１絶縁層を基準として前記第１導電層とは反対側に位置する第１放熱層（１６）と、を含み、
　前記第１導電層および前記第１放熱層は、前記第１絶縁層に接合されており、
　前記第１工程（Ｐ１）では、前記複数の基材の各々の前記第１放熱層を前記基面（８１）に接合し、
　前記第２工程（Ｐ２）では、前記複数の第１半導体素子（３１）を、前記複数の基材の各々の前記第１導電層に個別に導電接合する、付記６ないし１３のいずれかに記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記１５．
　前記複数の基材（１０）の各々の前記第１導電層（１３）に個別に導通する複数の第１電力端子（３４）を配置する工程をさらに備え、
　前記複数の第１電力端子を配置する工程は、前記第３工程（Ｐ３）の前に行われ、
　前記第３工程では、前記第１方向（ｚ）に視て前記複数の第１電力端子の各々を囲むように前記封止樹脂（６０）が形成され、
　前記封止樹脂は、前記第１方向において前記基面（８１）と同じ側を向く第１面（６３１）を有し、
　前記第３工程では、前記第１面から前記複数の第１電力端子の各々を露出させる、付記１４に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記１６．
　前記第３工程（Ｐ３）では、前記第１面（６３１）から前記複数の第１電力端子（３４）の各々の一部を突出させる、付記１５に記載の半導体モジュール（Ｂ３０）の製造方法。
　付記１７．
　前記第２工程（Ｐ２）は、前記第１工程（Ｐ１）と同時に行われる、付記６ないし１３のいずれかに記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記１８．
　第１方向（ｚ）の一方側を向く基面（８１）と、前記第１方向に対して直交する方向を向く端面（８３）と、を有する放熱部材（８０）と、
　前記基面に接合された複数の基材（１０）と、
　前記複数の基材に個別に導電接合された複数の第１半導体素子（３１）と、
　前記複数の基材、および前記複数の第１半導体素子を一体で覆う封止樹脂（６０）と、を備え、
　前記封止樹脂は、前記基面に接しており、
　前記端面は、前記封止樹脂から露出している、半導体モジュール（Ｂ１０）。
　付記１９．
　前記封止樹脂（６０）は、第１開口部（６６）を有し、
　前記第１開口部は、前記第１方向（ｚ）において前記基面（８１）に対向する側とは反対側から開口しており、
　前記第１方向に視て、前記第１開口部は、前記複数の基材（１０）のうち隣り合う２つの基材の間に位置する、付記１８に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）。
　付記２０．
　前記第１開口部（６６）は、前記第１方向（ｚ）に貫通しており、
　前記第１開口部から前記基面（８１）が露出している、付記１９に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）。
　付記２１．
　前記基面（８１）の周縁は、前記第３方向（ｙ）に延びる第３縁（８１３）を含み、
　前記第３縁は、前記第１縁（８１１）を基準として前記第２縁（８１２）とは反対側に位置しており、
　前記第３縁は、前記第１縁よりも長い、付記１１に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記２２．
　前記基面（８１）は、前記封止樹脂（６０）から露出する第３領域（８１Ｃ）を含み、
　前記第３領域は、前記第２方向（ｘ）において前記第３縁（８１３）と前記封止樹脂（６０）との間に位置しており、
　前記第１領域（８１Ａ）の前記第３方向（ｙ）の最大寸法は、前記第３領域の前記第２方向の最大寸法より大きい、付記２１に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記２３．
　前記第３工程（Ｐ３）では、第３開口部（６８）が前記封止樹脂（６０）に設けられ、
　前記第３開口部は、前記第２方向（ｘ）において前記第２開口部（６７）が位置する側とは反対側から開口するとともに、前記第１方向（ｚ）に貫通しており、
　前記第３工程では、前記第３開口部から前記第３領域（８１Ｃ）を露出させる、付記２２に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記２４．
　前記第３開口部（６８）は、前記第１開口部（６６）を基準として前記第２開口部（６７）とは反対側に位置する、付記２３に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記２５．
　前記放熱部材（８０）には、前記基面（８１）から凹む係合部（８６）が設けられており、
　前記第３工程（Ｐ３）では、前記封止樹脂（６０）を前記係合部に陥入させる、付記６ないし１３のいずれかに記載の半導体モジュール（Ｂ５０）の製造方法。
　付記２６．
　前記複数の第１半導体素子（３１）のいずれかに導通する第１信号端子（４１）を配置する工程をさらに備え、
　前記第１信号端子を配置する工程は、前記第３工程（Ｐ３）よりも後に行われ、
　前記第１信号端子を配置する工程では、前記封止樹脂（６０）の前記第１方向（ｚ）において前記第１面（６３１）が向く側から前記第１信号端子の一部を突出させる、付記１５に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）の製造方法。
　付記２７．
　前記第１方向（ｚ）に視て、前記封止樹脂（６０）は、前記基面（８１）の周縁よりも内方に位置する、付記１８に記載の半導体モジュール（Ｂ１０）。
　付記２８．
　前記複数の基材（１０）に個別に導電接合された複数の第１電力端子（３４）をさらに備え、
　前記複数の基材の各々は、第１絶縁層（１１）と、前記第１絶縁層の前記第１方向（ｚ）の一方側に位置する第１導電層（１３）と、前記第１絶縁層を基準として前記第１導電層とは反対側に位置する第１放熱層（１６）と、を含み、
　前記第１導電層は、単一の部材であり、
　前記複数の第１半導体素子（３１）、および前記複数の第１電力端子は、前記複数の基材の各々の前記第１導電層に個別に導電接合されている、付記１８に記載の半導体モジュール（Ｂ６０）。
　付記２９．
　複数の第２半導体素子（３２）、および複数の第３電力端子（３６）をさらに備え、
　複数の第２半導体素子、および複数の第３電力端子は、前記複数の基材（１０）に個別に導電接合されており、
　前記複数の基材の各々は、前記第１方向（ｚ）に対して直交する第２方向（ｘ）において前記第１絶縁層（１１）から離れた第２絶縁層（１２）と、前記第２絶縁層の前記第１方向の一方側に位置する第２導電層（１４）と、前記第２絶縁層を基準として前記第２導電層とは反対側に位置する第２放熱層（１７）と、を含み、
　前記第２導電層は、単一の部材であり、
　前記複数の第２半導体素子、および前記複数の第３電力端子は、前記複数の基材の各々の前記第２導電層に個別に導電接合されている、付記２８に記載の半導体モジュール（Ｂ６０）。

　　Ｂ１０～Ｂ６０：半導体モジュール　　Ａ１０～Ａ６０：半導体装置
　　１０：基材　　１１，１２：第１絶縁層，第２絶縁層
　　１３：第１導電層　　１３Ａ：第１搭載面
　　１３１，１３２：第１層，第２層
　　１４：第２導電層　　１４Ａ：第２搭載面
　　１４１，１４２：第３層，第４層
　　１５：第３導電層　１６，１７：第１放熱層，第２放熱層
　　２１：第１信号配線　　２１１：第１基層　　２１２：第１金属層
　　２１３～２１６：第１配線層，第３配線層，第５配線層，第７配線層
　　２２：第２信号配線　　２２１：第２基層　　２２２：第２金属層
　　２２３～２２６：第２配線層，第４配線層，第６配線層，第８配線層
　　２９：スリーブ
　　３１：第１半導体素子　　３１１，３１２：第１電極，第２電極
　　３１３：第１ゲート電極　　３１４：第１検出電極
　　３２：第２半導体素子　　３２１，３２２：第３電極，第４電極
　　３２３：第２ゲート電極　　３２４：第２検出電極
　　３３：サーミスタ　　３４：第１電力端子　　３４Ａ：第１端面
　　３４Ｂ，３４Ｃ：第１周面，第２周面
　　３４１：第１係合部　　３４２，３４３：第１張出部，第２張出部
　　３５：第２電力端子　　３５Ａ：第２端面　　３５１：第２係合部
　　３６：第３電力端子　　３６Ａ：第３端面　　３６１：第３係合部
　　３７，３８：第１導通部材，第２導通部材　　３９：接合層
　　４１～４８：第１信号端子～第８信号端子
　　５１～５６：第１ワイヤ～第６ワイヤ
　　６０：封止樹脂　　６１：頂面　　６２：底面
　　６３１～６３４：第１面～第４面
　　６３２Ａ，６３４Ａ：第１収容部，第２収容部
　　６４１～６４４：第１規制面～第４規制面
　　６５１，６５２，６５３：第１凹部，第２凹部，第３凹部
　　６６，６７，６８：第１開口部，第２開口部，第３開口部
　　６９：台座部　　６９１：座面
　　７１：外部接続部材　　７２：締結部材
　　８０：放熱部材　　８１：基面
　　８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ：第１領域，第２領域，第３領域
　　８１１，８１２，８１３：第１縁，第２縁，第３縁
　　８２：裏面　　８３：端面
　　８４：基部　　８５：放熱部　　８６：係合部　　８９：接合層
　　Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３：第１工程，第２工程，第３工程
　　ｚ，ｘ，ｙ：第１方向，第２方向，第３方向

Claims (20)

1. 　複数の基材を放熱部材に接合する第１工程と、
   　複数の第１半導体素子を前記複数の基材に個別に接合する第２工程と、
   　前記複数の基材、および前記複数の第１半導体素子を覆う封止樹脂を形成する第３工程と、を備え、
   　前記第３工程は、前記第１工程および前記第２工程が完了した後に行われ、
   　前記第３工程では、前記封止樹脂を一体に形成する、半導体モジュールの製造方法。
2. 　前記放熱部材は、第１方向の一方側を向く基面と、前記第１方向に対して直交する方向を向く端面と、を有し、
   　前記第１工程では、前記複数の基材が前記基面に接合され、
   　前記第３工程では、前記封止樹脂が前記基面に接するとともに、前記封止樹脂から前記端面を露出させる、請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
3. 　前記第３工程では、前記第１方向に視て前記封止樹脂が前記基面の周縁よりも内方に位置するようにする、請求項２に記載の半導体モジュールの製造方法。
4. 　前記第３工程では、第１開口部が前記封止樹脂に設けられ、
   　前記第１開口部は、前記第１方向において前記基面に対向する側とは反対側から開口しており、
   　前記第１方向に視て、前記第１開口部は、前記複数の基材のうち隣り合う２つの基材の間に位置する、請求項３に記載の半導体モジュールの製造方法。
5. 　前記第３工程では、前記第１開口部を前記第１方向に貫通させ、かつ前記第１開口部から前記基面を露出させる、請求項４に記載の半導体モジュールの製造方法。
6. 　前記基面の周縁は、前記第１方向に対して直交する第２方向に延びる第１縁と、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向に延びる第２縁と、を含み、
   　前記第２縁は、前記第１縁よりも長く、
   　前記第１工程では、前記複数の基材は、前記基面に対して前記第３方向に沿って配列される、請求項５に記載の半導体モジュールの製造方法。
7. 　前記第３工程では、前記第１開口部は、前記第２方向に延びるように設けられる、請求項６に記載の半導体モジュールの製造方法。
8. 　前記基面は、各々が前記封止樹脂から露出する第１領域および第２領域を含み、
   　前記第１領域は、前記第３方向において前記第１縁と前記封止樹脂との間に位置しており、
   　前記第２領域は、前記第２方向において前記第２縁と前記封止樹脂との間に位置しており、
   　前記第１領域の前記第３方向の最大寸法は、前記第２領域の前記第２方向の最大寸法より大きい、請求項７に記載の半導体モジュールの製造方法。
9. 　前記第３工程では、第２開口部が前記封止樹脂に設けられ、
   　前記第２開口部は、前記第２方向の一方側から開口するとともに、前記第１方向に貫通しており、
   　前記第３工程では、前記第２開口部から前記第２領域を露出させる、請求項８に記載の半導体モジュールの製造方法。
10. 　前記第２開口部は、前記第１開口部の前記第２方向の一方側に位置する、請求項９に記載の半導体モジュールの製造方法。
11. 　前記第２開口部の前記第２方向の寸法は、前記第１開口部の前記第２方向の寸法より小さい、請求項１０に記載の半導体モジュールの製造方法。
12. 　前記放熱部材は、前記基面および前記端面を含む基部と、前記基部につながる放熱部と、を有し、
    　前記放熱部は、前記第１方向において前記基面が向く側とは反対側に位置しており、
    　前記第１工程では、前記複数の基材の各々は、前記第１方向に視て前記放熱部に重なるように前記基面に接合される、請求項８に記載の半導体モジュールの製造方法。
13. 　前記第１方向に視て、前記第１領域は、前記放熱部から離れている、請求項１２に記載の半導体モジュールの製造方法。
14. 　前記複数の基材の各々は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記第１方向の一方側に位置する第１導電層と、前記第１絶縁層を基準として前記第１導電層とは反対側に位置する第１放熱層と、を含み、
    　前記第１導電層および前記第１放熱層は、前記第１絶縁層に接合されており、
    　前記第１工程では、前記複数の基材の各々の前記第１放熱層を前記基面に接合し、
    　前記第２工程では、前記複数の第１半導体素子を、前記複数の基材の各々の前記第１導電層に個別に導電接合する、請求項６ないし１３のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法。
15. 　前記複数の基材の各々の前記第１導電層に個別に導通する複数の第１電力端子を配置する工程をさらに備え、
    　前記複数の第１電力端子を配置する工程は、前記第３工程の前に行われ、
    　前記第３工程では、前記第１方向に視て前記複数の第１電力端子の各々を囲むように前記封止樹脂が形成され、
    　前記封止樹脂は、前記第１方向において前記基面と同じ側を向く第１面を有し、
    　前記第３工程では、前記第１面から前記複数の第１電力端子の各々を露出させる、請求項１４に記載の半導体モジュールの製造方法。
16. 　前記第３工程では、前記第１面から前記複数の第１電力端子の各々の一部を突出させる、請求項１５に記載の半導体モジュールの製造方法。
17. 　前記第２工程は、前記第１工程と同時に行われる、請求項６ないし１３のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法。
18. 　第１方向の一方側を向く基面と、前記第１方向に対して直交する方向を向く端面と、を有する放熱部材と、
    　前記基面に接合された複数の基材と、
    　前記複数の基材に個別に導電接合された複数の第１半導体素子と、
    　前記複数の基材、および前記複数の第１半導体素子を一体で覆う封止樹脂と、を備え、
    　前記封止樹脂は、前記基面に接しており、
    　前記端面は、前記封止樹脂から露出している、半導体モジュール。
19. 　前記封止樹脂は、第１開口部を有し、
    　前記第１開口部は、前記第１方向において前記基面に対向する側とは反対側から開口しており、
    　前記第１方向に視て、前記第１開口部は、前記複数の基材のうち隣り合う２つの基材の間に位置する、請求項１８に記載の半導体モジュール。
20. 　前記第１開口部は、前記第１方向に貫通しており、
    　前記第１開口部から前記基面が露出している、請求項１９に記載の半導体モジュール。