WO2025257945A1 - トップエミッション型ｅｌ発光装置、及びその製造方法 - Google Patents

トップエミッション型ｅｌ発光装置、及びその製造方法

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WO2025257945A1
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electrode
particles
light
auxiliary electrode
emitting device
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研太郎 山田
義昭 鬼頭
康孝 西
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Nikon Corp
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    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene

Definitions

  • the present invention relates to a top-emission EL (electroluminescence) light-emitting device and a method for manufacturing the same.
  • This invention proposes a configuration and method for filling the auxiliary electrode via of the auxiliary electrode contact with conductive particles having an uneven shape, thereby establishing electrical continuity between the auxiliary wiring and the upper electrode.
  • One aspect of the present invention is a top-emission type EL light-emitting device having an EL element in which a first electrode, an emissive layer (EML), and a transparent second electrode are stacked, and an auxiliary electrode, wherein the first electrode and the emissive layer (EML) are formed on one side of the second electrode, and the auxiliary electrode is disposed on the one side of the second electrode at a position different from the EL element, and a contact portion is interposed between the auxiliary electrode and the second electrode, and the contact portion contains particles.
  • EML emissive layer
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing a top-emission type EL light-emitting device 1 according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing a top-emission type EL light-emitting device 2 according to the present embodiment.
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing a top-emission type EL light-emitting device 3 according to the present embodiment.
  • 1 is a schematic diagram showing an image of forming an EL layer on particles P in a top-emission type EL light-emitting device 1 according to this embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing an image of electrical continuity between a second electrode 106 and an auxiliary electrode 12 in a top-emission type EL light-emitting device 1 according to this embodiment.
  • 1 is a block diagram showing a method for manufacturing the top-emission type EL light-emitting device 1 according to the present embodiment.
  • 1 is a block diagram showing a method for manufacturing a top-emission type EL light-emitting device 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a method for manufacturing a top-emission type EL light-emitting device 3 according to the present embodiment.
  • FIG. FIG. 10 is a diagram showing the step profile of a bank opening (blank) in which no particles are arranged in Comparative Example 1.
  • 10 is a graph showing current density versus applied voltage to an EL element in which particles of Comparative Example 1 are not arranged.
  • 1 is a graph showing current density versus applied voltage to an EL element in which ITO particles of Example 1 are arranged.
  • 10 is a graph showing current density versus applied voltage to an EL element in which carbon nanohorns of Example 2 are arranged.
  • 10 is a graph showing the current density versus the applied voltage to an EL element in which Ag particles having a total particle thickness of 235 nm are arranged in Example 3.
  • 10 is a graph showing the current density versus the applied voltage to an EL element in which Ag particles having a total particle thickness of 350 nm are arranged in Example 4.
  • 10 is a graph showing the current density versus the applied voltage to an EL element in which Ag particles having a total particle thickness of 430 nm are arranged in Example 5.
  • the present embodiment describes an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as "the present embodiment”).
  • the following embodiment is an example for explaining the present invention, and is not intended to limit the present invention to the following content.
  • the present invention can be implemented with appropriate modifications within the scope of its essence.
  • top-emission EL light-emitting device will be described in detail using Figures 1 to 3. Note that the three reference numerals in parentheses attached to each component correspond to Figures 1, 2, and 3, respectively.
  • the EL layer between the first electrode and the second electrode may include at least the emitting layer EML, and may additionally include either the electron injection layer EIL or the electron transport layer ETL, or either the hole injection layer HIL or the hole transport layer HTL.
  • the first electrode (104, 204, 304) and the EL layer are formed on one side (below) of the second electrode (106, 206, 306). Because EL light-emitting devices 1 to 3 are top-emission types, the second electrode (106, 206, 306) is a transparent electrode.
  • the second electrodes (106, 206, 306) are electrically connected to the auxiliary electrodes (12, 22, 32).
  • the second electrodes (106, 206, 306) which have high electrical resistance, are electrically connected to the auxiliary electrodes (12, 22, 32), thereby reducing the electrical resistance of the second electrodes (106, 206, 306).
  • the first electrode (104, 204, 304) is a reflective electrode, and functions as a cathode in Figures 1 and 2, and as an anode in Figure 3.
  • the material of the first electrode there are no particular restrictions on the material of the first electrode, and any known material can be used. Specific examples include single layers of Mo, W, Al, Cu, Au, Cu-Al alloy, Al-Si alloy, Mo-W alloy, Ni-P alloy, etc., and laminates of these.
  • the thickness of the first electrode (104, 204, 304) is 10 nm or more and 1000 nm or less.
  • the second electrode (106, 206, 306) is a transparent electrode that functions as an anode in Figures 1 and 2 and as a cathode in Figure 3.
  • the material of the second electrode there are no particular restrictions on the material of the second electrode, and any known material can be used. Specific examples include single layers of ITO (indium tin oxide), Mo, W, Al, Cu, Au, Cu-Al alloy, Al-Si alloy, Mo-W alloy, Ni-P alloy, etc., and laminates of these.
  • the thickness of the second electrode (106, 206, 306) is 1 nm or more and 3000 nm or less.
  • the emitting layer EML is an EL layer, and is applied with red, green, and blue inks.
  • the material of the emitting layer EML may be any commonly used material, or a mixture of these materials may be used.
  • the emitting layer EML may contain bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) (Zn(BTZ) 2 ) and tris[1-phenylisoquinoline]iridium(III) (Ir(piq) 3 ).
  • the material forming the emitting layer EML may be a low-molecular-weight compound or a high-molecular-weight compound.
  • a low-molecular-weight material refers to a material that is not a high-molecular-weight material (polymer), and does not necessarily refer to an organic compound with a low molecular weight.
  • the polymeric materials that form the light-emitting layer EML include, for example, polyacetylene compounds such as trans-polyacetylene, cis-polyacetylene, poly(diphenylacetylene) (PDPA), and poly(alkylphenylacetylene) (PAPA); poly(para-phenvinylene) (PPV), poly(2,5-dialkoxy-para-phenylenevinylene) (RO-PPV), and cyano-substituted-poly(para-phenvinylene) (CN-PP polyparaphenylene vinylene compounds such as poly(2-dimethyloctylsilyl-para-phenylene vinylene) (DMOS-PPV) and poly(2-methoxy,5-(2'-ethylhexoxy)-para-phenylene vinylene) (MEH-PPV); polythiophene compounds such as poly(3-alkylthiophene) (PAT) and poly(oxypropylene)
  • Examples of low molecular weight materials for forming the emitting layer EML include three-coordinate iridium complexes having 2,2'-bipyridine-4,4'-dicarboxylic acid as a ligand, such as factotris(2-phenylpyridine)iridium (Ir(ppy) 3 ), fac-tris(3-methyl-2-phenylpyridinato-N,C2'-)iridium(III) (Ir(mppy) 3 ), 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ), tris(4-methyl-8-quinolinolato)aluminum(III) (Almq 3 ), 8-hydroxyquinoline zinc (Znq 2 ), (1,10-phenanthroline)-tris-(4,4,4-trifluoro-1-(2-thienyl)-butane-1,3-dionate)europium(III) (Eu(TTA) 3 ).
  • phen various metal complexes such as 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H,23H-porphine platinum(II); benzene-based compounds such as distyrylbenzene (DSB) and diaminodistyrylbenzene (DADSB); naphthalene-based compounds such as naphthalene and Nile Red; phenanthrene-based compounds such as phenanthrene; chrysene-based compounds such as chrysene and 6-nitrochrysene; perylene such as perylene and N,N'-bis(2,5-di-t-butylphenyl)-3,4,9,10-perylene-di-carboximide (BPPC).
  • BPPC BPPC
  • anthracene-based compounds such as anthracene, bisstyryl anthracene, and anthracene-based compounds such as (9,10-bis(4-(9H-carbazol-9-yl)-2,6-dimethylphenyl))-9,10-diboraanthracene (CzDBA) represented by the formula (31) described below; pyrene-based compounds such as pyrene; pyran-based compounds such as 4-(di-cyanomethylene)-2-methyl-6-(para-dimethylaminostyryl)-4H-pyran (DCM); acridine-based compounds such as acridine; stilbene-based compounds such as stilbene; 2,5-dibenzoxa thiophene-based compounds such as azolethiophene; benzoxazole-based compounds such as benzoxazole; benzimidazole-based compounds such as benzimidazole; benzothiazole-based compounds such as 2,
  • the thickness of the light-emitting layer EML is 1 nm or more and 1000 nm or less.
  • the material of the electron transport layer ETL may be any material that can be commonly used.
  • the material of the electron transport layer ETL may be a phosphine oxide derivative such as phenyl-dipyrenylphosphine oxide (POPy 2 ), a pyridine derivative such as tris-1,3,5-(3′-(pyridin-3′′-yl)phenyl)benzene (TmPhPyB), a quinoline derivative such as (2-(3-(9-carbazolyl)phenyl)quinoline (mCQ)), a pyrimidine derivative such as 2-phenyl-4,6-bis(3,5-dipyridylphenyl)pyrimidine (BPyPPM), a pyrazine derivative, or bathophenanthroline (BPhen).
  • POPy 2 phenyl-dipyrenylphosphine oxide
  • TmPhPyB tris-1,3,5-(3′-(pyridin-3′′-yl
  • phenanthroline derivatives such as 2,4-bis(4-biphenyl)-6-(4'-(2-pyridinyl)-4-biphenyl)-[1,3,5]triazine (MPT), triazine derivatives such as 3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole (TAZ), oxazole derivatives such as 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole), oxadiazole derivatives such as (PBD), imidazole derivatives such as 2,2',2''-(1,3,5-benzotriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole) (TPBI), aromatic ring carboxylic acid anhydrides such as naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride and 3,4,9,10-pery
  • the thickness of the electron transport layer ETL there are no particular limitations on the thickness of the electron transport layer ETL, but it is desirable for it to be between 10 nm and 200 nm.
  • the electron injection layer EIL may be made of any commonly used material. Specific examples include inorganic oxide layers. Furthermore, by forming an electron injection layer on top of the inorganic oxide layer, the electron injection properties of the organic EL element can be improved. For example, polyethyleneimine can be used as the material for the electron injection layer.
  • the thickness of the electron injection layer EIL is not particularly limited, but it is preferably 0.5 nm or more and 100 nm or less.
  • the material for the hole transport layer HTL may be an organic material, such as various p-type polymeric materials (organic polymers) and various p-type small molecule materials, which may be used alone or in combination.
  • materials for the hole transport layer HTL include N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine ( ⁇ -NPD), N4,N4'-bis(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)-N4,N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-diamine (DBTPB), N3,N3'''-bis(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)-N3,N3'''-diphenyl-[1,1':2',1'':2'',1''-quaternium-1,1':2',1 ...bis(dibenzo[b
  • hole transport layer materials can also be used as mixtures with other compounds.
  • An example of a mixture containing polythiophene used as a hole transport layer (HTL) material is poly(3,4-ethylenedioxythiophene/styrenesulfonic acid) (PEDOT/PSS).
  • the thickness of the hole transport layer HTL there are no particular limitations on the thickness of the hole transport layer HTL, but it is desirable for it to be between 10 nm and 200 nm.
  • the material of the hole injection layer HIL may be an inorganic material or an organic material.
  • Inorganic materials are more stable than organic materials, and therefore, higher resistance to oxygen and water can be easily obtained compared to when organic materials are used.
  • the inorganic material is not particularly limited, but for example, one or more metal oxides such as vanadium oxide (V 2 O 5 ), molybdenum oxide (MoO 3 ), and ruthenium oxide (RuO 2 ) can be used.
  • organic materials examples include low molecular weight materials such as dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile (HAT-CN), 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane (F4-TCNQ), and fullerene, as well as poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS).
  • low molecular weight materials such as dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile (HAT-CN), 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane (F4-TCNQ), and fullerene, as well as poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/
  • the thickness of the hole injection layer HIL there are no particular limitations on the thickness of the hole injection layer HIL, but it is desirable for it to be between 10 nm and 200 nm.
  • the auxiliary electrodes (12, 22, 32) are located on one side of the second electrodes (106, 206, 306), i.e., below them, and are positioned differently from the EL elements (11, 21, 31).
  • the auxiliary electrodes (12, 22, 32) include auxiliary electrode wiring (101b, 201b, 301b), a first metal layer M1, and a second metal layer M2.
  • the first metal layer M1 and the second metal layer M2 are stacked in two layers, but only one of the metal layers may be provided on the auxiliary electrode wiring.
  • the first metal layer M1 and the second metal layer M2 function as layers that electrically connect the auxiliary electrode wiring (101b, 201b, 301b) and the contact portion (13, 23, 33).
  • the materials for the first metal layer M1 and the second metal layer M2 are not particularly limited, and known materials can be used. Specific examples include single layers of ITO (indium tin oxide), Mo, W, Al, Cu, Au, Cu-Al alloy, Al-Si alloy, Mo-W alloy, Ni-P alloy, etc., as well as laminates of these materials.
  • the thicknesses of the first metal layer M1 and the second metal layer M2 are not particularly limited, but are preferably 10 nm or more and 1000 nm or less.
  • the materials for the first metal layer M1 and the second metal layer M2 may be the same or different. If the first metal layer M1 and the second metal layer M2 are made of the same material, the first metal layer M1 and the second metal layer M2 may be provided as a single layer rather than being stacked.
  • Contact portions (13, 23, 33) are interposed between the auxiliary electrodes (12, 22, 32) and the second electrodes (106, 206, 306), and the contact portions (13, 23, 33) contain particles P.
  • the second electrode (106, 206, 306) has a portion that overlaps with the auxiliary electrode (12, 22, 32) via the particle P and the EL layer (hole transport layer HTL/hole injection layer HIL in Figures 1 and 2, electron transport layer ETL/electron injection layer EIL in Figure 3) on the particle P.
  • This configuration enables the second electrode (106, 206, 306) to be electrically connected to the auxiliary electrode (12, 22, 32).
  • the EL layers (hole transport layer HTL/hole injection layer HIL in Figures 1 and 2, electron transport layer ETL/electron injection layer EIL in Figure 3) interposed between the auxiliary electrodes (12, 22, 32) and the second electrodes (106, 206, 306) are made of insulating materials. Therefore, it was necessary to ensure electrical continuity between the second electrodes and auxiliary electrodes by etching these EL layers at the auxiliary electrode contacts or by devising ways to prevent the EL layer from forming at the auxiliary electrode contacts. However, etching only the EL layer at the auxiliary electrode contacts was technically difficult. Furthermore, preventing the formation of the EL layer at the auxiliary electrode contacts required the installation of a separate structure, complicating the process.
  • Particles P are insulating or conductive particles.
  • particles P are conductive particles, they are preferably one or more of conductive oxide, carbon, and metal. More preferred are ITO particles, carbon nanohorns, Ag particles, etc.
  • carbon nanohorns refer to a structure in which a graphene sheet is rolled into a cone shape, and typically exist as an aggregate in which multiple carbon nanohorns aggregate with their apex facing outward.
  • the insulating HTL/HIL is not formed evenly on the auxiliary electrode 12, resulting in a step in the HTL/HIL.
  • the second electrode 106 can come into contact with the auxiliary electrode 12 by utilizing the area where the HTL/HIL is not formed (the step), enabling electrical continuity between the two.
  • the second electrode 106 and the auxiliary electrode 12 come into contact, electrical continuity between the second electrode 106 and the auxiliary electrode 12 is possible even if the particles P are insulating particles.
  • the particles P are conductive particles, even if the second electrode 106 does not come into direct contact with the auxiliary electrode 12, the second electrode 106 and the particles P will come into contact due to a gap in the HTL/HIL, and the particles P will be present in the conduction path between the second electrode and the auxiliary electrode 12, thereby ensuring electrical conduction between the two.
  • the diameter of the particles P is 1 nm or more and 1000 nm or less.
  • the upper limit of the diameter of the particles P is preferably 500 nm, more preferably 200 nm, and even more preferably 50 nm.
  • the lower limit of the diameter of the particles P is preferably 1 nm, and more preferably 10 nm.
  • the particles P are arranged on the auxiliary electrode (12, 22, 32) to a thickness of 2 nm or more and 2000 nm or less.
  • the lower limit of the thickness at which the particles P are arranged is preferably 10 nm, more preferably 50 nm, and even more preferably 100 nm.
  • the upper limit of the thickness at which the particles P are arranged is preferably 2000 nm, more preferably 1000 nm, and even more preferably 500 nm.
  • the material of the planarization film (102, 202, 302) is not particularly limited, and any known material can be used.
  • a specific example is an organic resin film.
  • the film thickness of the planarization film (102, 202, 302) is 10 nm or more and 5000 nm or less.
  • the inorganic banks (103, 203, 303) improve the adhesion of the organic banks (105, 205, 305) and function as a short-circuit risk reduction layer.
  • the inorganic bank material is an inorganic material, and known materials can be used. Specific examples include SiO2 , SiN, and laminates thereof.
  • the film thickness of the inorganic banks (103, 203, 303) is 10 nm or more and 100 nm or less.
  • the organic bank (105, 205, 305) is a water-repellent bank that functions as a layer that holds ink (e.g., EML material) ejected by inkjet printing at the desired position.
  • the organic bank is made of an organic material, and any known organic material can be used.
  • the film thickness of the organic bank (105, 205, 305) is 1,000 nm or more and 5,000 nm or less.
  • the inorganic film (107, 207, 307) functions as a sealing film.
  • the material of the inorganic film is not particularly limited, and known materials can be used. Specific examples include SiO2 , SiN, and laminates thereof.
  • the thickness of the inorganic film (107, 207, 307) is 50 nm or more and 2000 nm or less.
  • the material of the sealing film (108, 208, 308) is not particularly limited, and any known material can be used.
  • the film thickness of the sealing film (108, 208, 308) is 20 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • top-emission type EL light-emitting device 1 ⁇ Method for manufacturing top-emission type EL light-emitting device 1>
  • the top-emission type EL light-emitting device (inverted structure) 1 according to this embodiment can be manufactured, for example, by the steps shown in Table 1 below and FIG.
  • a backplane BP is fabricated, which is an active matrix substrate including BP wiring 101a, a planarization film 102, and auxiliary electrode wiring 101b.
  • the BP wiring 101a is connected to the transistors of the active matrix substrate, connecting the transistors to the EL elements 11.
  • the auxiliary electrode wiring 101b is part of the auxiliary electrode 12, and is wiring that connects the first and second metal layers M1 and M2 to an auxiliary electrode power supply portion (not shown) formed on the backplane BP.
  • Process 2 A first metal film and a second metal film are sequentially formed on the auxiliary electrode wiring 101b by sputtering, followed by resist application, exposure, development, etching of the second metal film, and resist removal to form the second metal layer M2, and similarly by resist application, exposure, development, etching of the first metal film, and resist removal to form the first metal layer M1.
  • Step 2 forms the auxiliary electrode 12, which is composed of the auxiliary electrode wiring 101b, the first metal layer M1, and the second metal layer M2.
  • the first metal layer M1 and the second metal layer M2 are formed by etching using separate resists, but the first metal layer M1 and the second metal layer M2 may also be formed in a single etching step using the same resist.
  • Process 3 A conductive film to be the first electrode 104 (cathode) is formed on the BP wiring 101a by sputtering, and then processes of resist application, exposure, development, cathode etching, and resist removal are performed to form the first electrode 104. Thereafter, EIL/ETL are sequentially formed on the first electrode 104 by sputtering, and processes of resist application, exposure, development, EIL/ETL etching, and resist removal are performed to pattern the EIL/ETL into a desired shape.
  • Process 4 An inorganic insulating film is formed by CVD (chemical vapor deposition) over the entire surface of the substrate, including the ETL of the EL element 11 and the auxiliary electrode 12, and then the inorganic bank 103 is formed by applying a resist, exposing it to light, developing it, etching the inorganic bank, and removing the resist. An organic insulating film is then applied to the inorganic bank 103, and the organic bank 105 is formed by exposing it to light and developing it. A plurality of openings are provided in the inorganic bank 103 and the organic bank 105. One of the openings is where the emitting layer EML of the EL element 11 is to be formed, and the other opening is an auxiliary electrode via where the contact portion 13 of the auxiliary electrode contact 10 is to be formed.
  • CVD chemical vapor deposition
  • Process 5 Particles P are placed in the auxiliary electrode vias located on the second metal layer M2 of the auxiliary electrode contact 10 and allowed to dry.
  • the particles P are arranged using a dispenser or by printing.
  • Printing may be inkjet printing, screen printing, gravure printing, or the like, with inkjet printing being preferred.
  • Process 6 Any one of red, blue, and green inks is applied onto the EIL/ETL of the EL element 11 to form an emitting layer EML, which is then dried.
  • Ink is applied using a dispenser or by printing.
  • Printing can be inkjet printing, screen printing, gravure printing, etc., with inkjet printing being preferred.
  • the HTL/HIL is sequentially evaporated onto the entire surface of the substrate, including the emitting layer EML of the EL element 11 and the second metal layer M2 on which the particles P of the auxiliary electrode contact 10 are arranged, and then the second electrode 106 (anode) is formed on the HTL/HIL by sputtering.
  • the contact portion 13 is formed by the steps of placing particles P on the auxiliary electrode 12 as shown in process 6, and forming an EL layer (HTL/HIL) on the auxiliary electrode 12 on which the particles P are placed as shown in process 7.
  • HTL/HIL an EL layer
  • HTL/HIL ETL/EIL in the case of Figure 3, which will be described later
  • the molecules flying from the vapor deposition source to the substrate have high linearity and are unlikely to form under the eaves of the particles P ( Figure 4A).
  • HTL/HIL is not formed uniformly, and a step occurs under the eaves of the particles P.
  • the second electrode 106 is formed by sputtering, and since the molecules are incident from various directions, they wrap around to the under the eaves of the particles P and come into contact with the upper part of the auxiliary electrode 12 ( Figure 4B).
  • an inorganic film 107 is formed on the second electrode 106 by CVD, and finally, a sealing film 108 is formed on the inorganic film 107, thereby completing the top-emission EL light-emitting device 1 according to this embodiment.
  • top-emission type EL light-emitting device 2 ⁇ Method for manufacturing top-emission type EL light-emitting device 2>
  • the top-emission type EL light-emitting device (inverted structure) 2 according to this embodiment can be manufactured, for example, by the procedure shown in Table 2 below and FIG.
  • a backplane BP is fabricated as an active matrix substrate including BP wiring 201a, a planarizing film 202, and auxiliary electrode wiring 201b. Descriptions of the same steps and configurations as those of the top emission type EL light emitting device 1 will be omitted.
  • a first metal layer M1 and a second metal layer M2 are formed in this order on the auxiliary electrode wiring 201b to form the auxiliary electrode 22.
  • a first electrode 204 (cathode) is formed on the BP wiring 201a.
  • Process 4 An inorganic bank 203 and an organic bank 205 having a plurality of openings are formed on the entire surface of the substrate including the first electrode 204 of the EL element 21 and the auxiliary electrode 22 .
  • Process 5 Particles P are placed in the auxiliary electrode vias located on the second metal layer M2 of the auxiliary electrode contact 20 and allowed to dry.
  • the particles P are arranged using a dispenser or by printing.
  • Printing may be inkjet printing, screen printing, gravure printing, or the like, with inkjet printing being preferred.
  • EIL/ETL is applied in this order onto the first electrode 204 (cathode) of the EL element 21, and then any one of red, blue, and green inks is applied thereon to form the emitting layer EML, which is then dried.
  • Ink is applied using a dispenser or by printing.
  • Printing can be inkjet printing, screen printing, gravure printing, etc., with inkjet printing being preferred.
  • the HTL/HIL is sequentially evaporated onto the entire surface of the substrate, including the emitting layer EML of the EL element 21 and the second metal layer M2 on which the particles P of the auxiliary electrode contact 20 are arranged, and then the second electrode 206 (anode) is formed on the HTL/HIL by sputtering.
  • the contact portion 23 is formed by the steps of placing particles P on the auxiliary electrode 22 as shown in process 6, and forming an EL layer (HTL/HIL) on the auxiliary electrode 22 on which the particles P are placed as shown in process 7.
  • HTL/HIL an EL layer
  • an inorganic film 207 is formed on the second electrode 206 by CVD, and finally, a sealing film 208 is formed on the inorganic film 207, thereby completing the top-emission EL light-emitting device 2 according to this embodiment.
  • top-emission type EL light-emitting device (forward structure) 3 can be manufactured, for example, by the procedure shown in Table 3 below and FIG.
  • a backplane BP is fabricated as an active matrix substrate including BP wiring 301a, a planarizing film 302, and auxiliary electrode wiring 301b.
  • a first metal film and a second metal film are sequentially formed by sputtering on the BP wiring 301a, the planarization film 302, and the auxiliary electrode wiring 301b. Then, a resist is applied to the second metal film, exposed to light, and developed to form a second metal layer M2. Similarly, the first metal film is etched using the second metal layer M2 as a mask to form a first metal layer M1. This forms the auxiliary electrode 32.
  • a conductive layer to be the first electrode 304 is formed on the BP wiring 301a by sputtering, and then the first electrode 304 is formed by patterning.
  • Process 4 An inorganic bank 303 and an organic bank 305 are formed on the entire surface of the substrate including the first electrode 304 of the EL element 31 and the auxiliary electrode 32, and an opening is formed above the first electrode 304 and an auxiliary electrode via is formed above the second metal layer M2.
  • Process 5 Particles P are placed in the auxiliary electrode vias located on the second metal layer M2 and allowed to dry.
  • the particles P are arranged using a dispenser or by printing.
  • Printing may be inkjet printing, screen printing, gravure printing, or the like, with inkjet printing being preferred.
  • HIL/HTL is applied in order onto the first electrode 304 (anode) of the EL element 31, and then any one of red, blue, and green inks is applied thereon to form the light-emitting layer EML, which is then dried.
  • Ink is applied using a dispenser or by printing.
  • Printing can be inkjet printing, screen printing, gravure printing, etc., with inkjet printing being preferred.
  • An ETL/EIL is sequentially evaporated onto the entire surface of the substrate, including the emitting layer EML of the EL element 31 and the second metal layer M2 on which the particles P of the auxiliary electrode contact 30 are arranged, and then a second electrode 306 (cathode) is formed on the ETL/EIL by sputtering.
  • the contact portion 33 is formed by the steps of placing particles P on the auxiliary electrode 32 as shown in step 6, and forming an EL layer (ETL/EIL) on the auxiliary electrode 32 on which the particles P are placed as shown in step 7.
  • ETL/EIL EL layer
  • the presence of particles P causes a discontinuity in the EL layer (ETL/EIL), thereby enabling electrical continuity between the auxiliary electrode 32 and the second electrode 306 at the auxiliary electrode contact 30.
  • an inorganic film 307 is formed on the second electrode 306 by CVD, and finally, a sealing film 308 is formed on the inorganic film 307, thereby completing the top-emission EL light-emitting device 3 according to this embodiment.
  • top-emission type EL light-emitting device will be specifically described with reference to the following examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples and comparative examples.
  • the notation aEn represents a ⁇ 10 n .
  • 2.E+03 2.0 ⁇ 10 3 .
  • a first electrode made of ITO was formed on a substrate, and a bank made of an organic material was formed on the first electrode. Multiple openings were made in the organic bank, and the openings were filled with the particles described in Examples 1 to 5. The step profile, surface roughness, and total particle film thickness were measured. For Comparative Example 1, the bank openings were not filled with particles (blank), and the step profile and surface roughness were measured. The step profiles for Comparative Example 1 and Examples 1 to 5 are shown in Figures 8 to 13, respectively.
  • the step profile was measured using a stylus profiler (KLA-Tenchore Corporation: P-16).
  • the total particle thickness was measured using a stylus profiler (KLA-Tenchore Corporation: P-16).
  • Figure 9 shows the step profile when the bank opening is filled with ITO particles to a thickness of 200 nm
  • Figure 10 shows the step profile when the opening is filled with carbon nanohorns to a thickness of 150 nm
  • Figures 11 to 13 show the step profiles when Ag particles are filled to thicknesses of 235 nm, 350 nm, and 430 nm. Comparing Figures 9 to 13 with Figure 8, unevenness is observed near the bottom of the opening, and the surface roughness (Ra) within the opening was 70 nm or less in Example 1, 25 nm or less in Example 2, and 70 nm or less in Examples 3 to 5. In other words, it was found that filling the bank opening with particles increases the surface roughness within the bank opening.
  • Figure 14 shows the current density between the first electrode and the second electrode in Comparative Example 1.
  • the current density at a voltage of 10 V was 361 mA/ cm2 .
  • Figures 15 to 19 for Examples 1 to 5 show that the current density at a voltage of 10 V was approximately 2 to 3 times higher than in Comparative Example 1. This example shows that by filling the electrode vias in the bank openings with particles, the presence of the particles reduces the electrical resistance between the electrodes sandwiching the contact portion, even if an EL layer is provided in the auxiliary electrode contact portion.
  • Top-emission EL light-emitting device inverted structure, EIL/ETL sputtered film
  • Top-emission EL light-emitting device inverted structure, EIL/ETL coating film
  • Top-emission EL light-emitting device inverted structure, EIL/ETL coating film
  • Top-emission EL light-emitting device forward structure, HIL/HTL coating film

Landscapes

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Abstract

第１電極、発光層（ＥＭＬ）、及び透明な第２電極が積層されたＥＬ素子と、補助電極と、を有するトップエミッション型ＥＬ発光装置である。第１電極と発光層（ＥＭＬ）とは、第２電極の一側に形成されている。補助電極は、第２電極の前記一側であって、ＥＬ素子とは異なる位置に配置されている。補助電極と第２電極との間にコンタクト部が介在し、コンタクト部は粒子を含む。

Description

トップエミッション型ＥＬ発光装置、及びその製造方法
　本発明は、トップエミッション型ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光装置、及びその製造方法に関する。
　トップエミッション型ＥＬ発光装置では、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）に代表される酸化物系透明導電膜や１０ｎｍ以下の極めて薄い金属膜透明電極が上部電極として配置される。これらの透明電極は一般的な配線材料と比較して電気抵抗が高く、給電用の周辺電源線からの距離に応じた電圧降下と、それに伴う輝度傾斜が生じる。一般に、これを解消するため透明電極には画素を避けるように補助配線が積層される。
特表２０２３-５４０３１７号公報
　本発明では、補助電極コンタクトの補助電極ビアに凹凸形状を有する導電性粒子を充填し、補助配線と上部電極を導通させる構成および方法を提案する。
　本発明に係る一の態様は、第１電極、発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｖｅ　ｌａｙｅｒ）、及び透明な第２電極が積層されたＥＬ素子と、補助電極と、を有するトップエミッション型ＥＬ発光装置であって、前記第１電極と前記発光層（ＥＭＬ）とは、前記第２電極の一側に形成され、前記補助電極は、前記第２電極の前記一側であって、前記ＥＬ素子とは異なる位置に配置され、前記補助電極と前記第２電極との間にコンタクト部が介在し、前記コンタクト部は粒子を含む、トップエミッション型ＥＬ発光装置である。
　本発明に係る他の態様は、上記のトップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法であって、補助電極と第２電極とが導通する補助電極コンタクトを有し、前記補助電極コンタクトの形成工程は、補助電極を形成するステップと、前記補助電極上に、粒子を配置するステップと、前記粒子を配置した前記補助電極上にＥＬ層を形成するステップと、前記ＥＬ層上に前記第２電極を形成するステップと、を有する、トップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法である。
本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置１を示す概略断面図である。 本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置２を示す概略断面図である。 本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置３を示す概略断面図である。 本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置１において、粒子Ｐ上にＥＬ層を成膜するイメージを表す概略図である。 本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置１において、第２電極１０６と、補助電極１２とが導通するイメージを表す概略図である。 本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置１の製造方法を示すブロック図である。 本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置２の製造方法を示すブロック図である。 本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置３の製造方法を示すブロック図である。 比較例１の粒子が配置されていないバンク開口（ブランク）の段差プロファイルを表す図である。 実施例１のＩＴＯ粒子が配置されたバンク開口の段差プロファイルを表す図である。 実施例２のカーボンナノホーンが配置されたバンク開口の段差プロファイルを表す図である。 実施例３の総粒子膜厚が２３５ｎｍのＡｇ粒子が配置されたバンク開口の段差プロファイルを表す図である。 実施例４の総粒子膜厚が３５０ｎｍのＡｇ粒子が配置されたバンク開口の段差プロファイルを表す図である。 実施例５の総粒子膜厚が４３０ｎｍのＡｇ粒子が配置されたバンク開口の段差プロファイルを表す図である。 比較例１の粒子が配置されていないＥＬ素子への印加電圧に対する電流密度を示すグラフである。 実施例１のＩＴＯ粒子が配置されたＥＬ素子への印加電圧に対する電流密度を示すグラフである。 実施例２のカーボンナノホーンが配置されたＥＬ素子への印加電圧に対する電流密度を示すグラフである。 実施例３の総粒子膜厚が２３５ｎｍのＡｇ粒子が配置されたＥＬ素子への印加電圧に対する電流密度を示すグラフである。 実施例４の総粒子膜厚が３５０ｎｍのＡｇ粒子が配置されたＥＬ素子への印加電圧に対する電流密度を示すグラフである。 実施例５の総粒子膜厚が４３０ｎｍのＡｇ粒子が配置されたＥＬ素子への印加電圧に対する電流密度を示すグラフである。
　以下、本発明に係る実施形態（以下、「本実施形態」という。）について説明する。以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定する趣旨ではない。本発明は、その要旨の範囲内で適宜に変形して実施できる。
＜トップエミッション型ＥＬ発光装置＞
　図１～３に本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置を示す。図１～３ではＥＬ素子（１１、２１、３１）と補助電極コンタクト（１０、２０、３０）を示す。ＢＰ配線（１０１ａ、２０１ａ、３０１ａ）、平坦化膜（１０２、２０２、３０２）、及び補助電極配線（１０１ｂ、２０１ｂ、３０１ｂ）の下方には、アクティブマトリクス基板が設けられているが、図１～３では省略している。本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置は、例えば図１～３のような構造をとることができる。図１のトップエミッション型ＥＬ発光装置１は、逆構造で電子注入層ＥＩＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　iｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ）／電子輸送層ＥＴＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｌａｙｅｒ）をスパッタ法により成膜したものである。また図２のトップエミッション型ＥＬ発光装置２は、図１と同様に逆構造であり、電子注入層ＥＩＬ／電子輸送層ＥＴＬを塗布で成膜したものである。さらに図３のトップエミッション型ＥＬ発光装置３は、図１、２とは異なり順構造であり、正孔注入層ＨＩＬ（ｈｏｌｅ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ）／正孔輸送層ＨＴＬ（ｈｏｌｅ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｌａｙｅｒ）を塗布により成膜したものである。また図には示していないが、本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置は、順構造で正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬをスパッタ法により成膜してもよい。
　本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置について、図１～３を用いて具体的に説明する。尚、各構成部分に付した括弧内の３つの符号は、それぞれ順番に図１、図２、図３に対応する。
　本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置１～３は、ＥＬ素子（１１、２１、３１）と補助電極コンタクト（１０、２０、３０）とを有する。ＥＬ素子（１１、２１、３１）は、互いに重なる第１電極（１０４、２０４、３０４）、電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、発光層ＥＭＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬ及び透明な第２電極（１０６、２０６、３０６）を有する。電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、発光層ＥＭＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入ＨＩＬを総称してＥＬ層と呼ぶ。第１電極と第２電極の間のＥＬ層としては、少なくとも発光層ＥＭＬを含み、加えて電子注入層ＥＩＬ若しくは電子輸送層ＥＴＬのどちらか一方、又は正孔注入層ＨＩＬ若しくは正孔輸送層ＨＴＬのどちらか一方を含んでいればよい。第１電極（１０４、２０４、３０４）とＥＬ層とは、第２電極（１０６、２０６、３０６）の一側（下方）に形成される。ＥＬ発光装置１～３はトップエミッション型であるため、第２電極（１０６、２０６、３０６）は透明電極である。
　補助電極コンタクト（１０、２０、３０）では、第２電極（１０６、２０６、３０６）が補助電極（１２、２２、３２）と導通する。補助電極コンタクト（１０、２０、３０）において、電気抵抗が高い第２電極（１０６、２０６、３０６）を補助電極（１２、２２、３２）と導通させることで、第２電極（１０６、２０６、３０６）の電気抵抗を小さくする。
　第１電極（１０４、２０４、３０４）は反射電極であり、図１、図２ではカソードとして、図３ではアノードとして機能する。第１電極の材料は、特に限定されず、公知のものを採用することができる。具体例としては、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｕ－Ａｌ合金、Ａｌ－Ｓｉ合金、Ｍｏ－Ｗ合金、Ｎｉ－Ｐ合金等の単層、これらの積層体等が挙げられる。また第１電極（１０４、２０４、３０４）の厚さは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　第２電極（１０６、２０６、３０６）は透明電極であり、図１、図２ではアノードとして、図３ではカソードとして機能する。第２電極の材料は特に限定されず、公知のものを採用することができる。具体例としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｕ－Ａｌ合金、Ａｌ－Ｓｉ合金、Ｍｏ－Ｗ合金、Ｎｉ－Ｐ合金等の単層、これらの積層体等が挙げられる。また第２電極（１０６、２０６、３０６）の厚さは、１ｎｍ以上３０００ｎｍ以下である。
　発光層ＥＭＬは、ＥＬ層であり、赤色、緑色、青色のインクにより塗り分けられる。発光層ＥＭＬの材料は、通常用いることのできるいずれの材料を用いてもよく、これらを混合して用いてもよい。具体的には、例えば、発光層ＥＭＬとして、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）と、トリス［１－フェニルイソキノリン］イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）とを含むものとすることができる。また、発光層ＥＭＬを形成する材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。なお、本発明において低分子材料とは、高分子材料（重合体）ではない材料を意味し、分子量が低い有機化合物を必ずしも意味するものではない。
　発光層ＥＭＬを形成する高分子材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ－フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキルフェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物；ポリ（パラ－フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５－ジアルコキシ－パラ－フェニレンビニレン）（ＲＯ－ＰＰＶ）、シアノ－置換－ポリ（パラ－フェンビニレン）（ＣＮ－ＰＰＶ）、ポリ（２－ジメチルオクチルシリル－パラ－フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ－ＰＰＶ）、ポリ（２－メトキシ，５－（２’－エチルヘキソキシ）－パラ－フェニレンビニレン）（ＭＥＨ－ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物；ポリ（３－アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物；ポリ（９，９－ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリ（ジオクチルフルオレン－アルト－ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）、α，ω－ビス［Ｎ，Ｎ’－ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］－ポリ［９，９－ビス（２－エチルヘキシル）フルオレン－２，７－ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９－ジオクチル－２，７－ジビニレンフルオレニル－オルト－コ（アントラセン－９，１０－ジイル）のようなポリフルオレン系化合物；ポリ（パラ－フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５－ジアルコキシ－パラ－フェニレン）（ＲＯ－ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物；ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物；ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物；ホウ素化合物系高分子材料等が挙げられる。
　発光層ＥＭＬを形成する低分子材料としては、例えば、配位子に２，２’－ビピリジン－４，４’－ジカルボン酸を持つ、３配位のイリジウム錯体、ファクトリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ｆａｃ－トリス（３－メチル－２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’－）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３）、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４－メチル－８キノリノレート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｍｑ３）、８－ヒドロキシキノリン亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０－フェナントロリン）－トリス－（４，４，４－トリフルオロ－１－（２－チエニル）－ブタン－１，３－ジオネート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィンプラチナム（ＩＩ）のような各種金属錯体；ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物；ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物；フェナントレンのようなフェナントレン系化合物；クリセン、６－ニトロクリセンのようなクリセン系化合物；ペリレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（２，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－３，４，９，１０－ペリレン－ジ－カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物；コロネンのようなコロネン系化合物；アントラセン、ビススチリルアントラセン、後述する式（３１）で示される（９，１０－ビス（４－（９Ｈカルバゾール－９－イル）－２，６－ジメチルフェニル））－９，１０－ジボラアントラセン（ＣｚＤＢＡ）のようなアントラセン系化合物；ピレンのようなピレン系化合物；４－（ジ－シアノメチレン）－２－メチル－６－（パラ－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物；アクリジンのようなアクリジン系化合物；スチルベンのようなスチルベン系化合物；２，５－ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物；ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物；ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物；２，２’－（パラ－フェニレンジビニレン）－ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物；ビスチリル（１，４－ジフェニル－１，３－ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物；ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物；クマリンのようなクマリン系化合物；ペリノンのようなペリノン系化合物；オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物；アルダジン系化合物；１，２，３，４，５－ペンタフェニル－１，３－シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物；キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物；ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物；２，４－ジフェニル－６－ビス（（１２－フェニルインドロ）［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（ＤＩＣ－ＴＲＺ）のようなトリアジン系化合物；２，２’，７，７’－テトラフェニル－９，９’－スピロビフルオレンのようなスピロ化合物；フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物；ホウ素化合物材料等が挙げられる。また、発光層のホスト材料として４，４’－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＰＢ）のようなカルバゾール化合物；ケイ素化合物；フェナントロリン化合物；トリフェニレン化合物等が挙げられる。
　発光層ＥＭＬの厚さは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
　電子輸送層ＥＴＬの材料は、通常用いることができるいずれの材料を用いてもよい。具体的には、電子輸送層ＥＴＬの材料として、フェニル－ディピレニルホスフィンオキサイド（ＰＯＰｙ２）のようなホスフィンオキサイド誘導体、トリス－１，３，５－（３’－（ピリジン－３’’－イル）フェニル）ベンゼン（ＴｍＰｈＰｙＢ）のようなピリジン誘導体、（２－（３－（９－カルバゾリル）フェニル）キノリン（ｍＣＱ））のようなキノリン誘導体、２－フェニル－４，６－ビス（３，５－ジピリジルフェニル）ピリミジン（ＢＰｙＰＰＭ）のようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）のようなフェナントロリン誘導体、２，４－ビス（４－ビフェニル）－６－（４’－（２－ピリジニル）－４－ビフェニル）－［１，３，５］トリアジン（ＭＰＴ）のようなトリアジン誘導体、３－フェニル－４－（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－１，３，４－オキサジアゾール）（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、２，２’，２’’－（１，３，５－ベントリイル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン－１，４，５，８－テトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物等の芳香環カルボン酸無水物、Ｎ，Ｎ’－ジメチル－３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボンサンジイミドのような芳香環イミド化合物、イソインジゴ誘導体や２，５－ジヒドロピロロ［３，４－ｃ］ピロール－１，４－ジオン誘導体（ジケトピロロピロール）、トルキセノンのようなカルボニル基を有する化合物、ナフト［１，２－ｃ：５，６－ｃ’］ビス［１，２，５］チアジアゾール、ベンゾ［ｃ］［１，２，５］チアジアゾールのような１，２，５－チアジアゾール誘導体、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）、トリス（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などに代表される各種金属錯体、２，５－ビス（６’－（２’，２’’－ビピリジル））－１，１－ジメチル－３，４－ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体、トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）やホウ素含有化合物等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの電子輸送層の材料の中でも、特に、ＰＯＰｙ２のようなホスフィンオキサイド誘導体、Ａｌｑ３のような金属錯体、ＴｍＰｈＰｙＢのようなピリジン誘導体を用いることが好ましい。
　電子輸送層ＥＴＬの厚さは特に限定されないが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。
　電子注入層ＥＩＬの材料は、通常用いることができるいずれの材料を用いてもよい。具体的には、無機の酸化物層が挙げられる。また、無機の酸化物層の上に、さらに電子注入層を成膜することにより、有機ＥＬ素子の電子注入性を改善することができる。例えば、ポリエチレンイミンを電子注入層の材料に用いることができる。
　電子注入層ＥＩＬの厚さは特に限定されないが、０．５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが望ましい。
　正孔輸送層ＨＴＬの材料は、有機材料からなるものであってよく、例えば各種ｐ型の高分子材料（有機ポリマー）、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。具体的には、正孔輸送層ＨＴＬの材料として、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（α－ＮＰＤ）、Ｎ４，Ｎ４’－ビス（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－４－イル）－Ｎ４，Ｎ４’－ジフェニルビフェニルー４，４’－ジアミン（ＤＢＴＰＢ）、Ｎ３，Ｎ３'''－ビス（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－４－イル）－Ｎ３，Ｎ３'''－ジフェニル－［１，１'：２'，１''：２''，１'''－クアテルフェニル］－３，３'''－ジアミン（４ＤＢＴＰ３Ｑ）、ポリアリールアミン、フルオレン－アリールアミン共重合体、フルオレン－ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられる。これらの正孔輸送層ＨＴＬの材料は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、正孔輸送層ＨＴＬの材料として用いられるポリチオフェンを含有する混合物として、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
　正孔輸送層ＨＴＬの厚さは特に限定されないが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。
　正孔注入層ＨＩＬの材料は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。無機材料は、有機材料と比較して安定であるため、有機材料を用いた場合と比較して、酸素や水に対する高い耐性が得られやすい。無機材料としては、特に制限されないが、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブテン（ＭｏＯ３）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）等の金属酸化物を１種又は２種以上を用いることができる。有機材料としては、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）や２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、フラーレン等の低分子材料や、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）等を用いることができる。
　正孔注入層ＨＩＬの厚さは特に限定されないが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。
　補助電極（１２、２２、３２）は、第２電極（１０６、２０６、３０６）の一側、つまり下側に位置し、ＥＬ素子（１１、２１、３１）とは異なる位置に配置される。補助電極（１２、２２、３２）は、補助電極配線（１０１ｂ、２０１ｂ、３０１ｂ）と、第１の金属層Ｍ１と、第２の金属層Ｍ２とを含む。図１～図３では、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２は２層積層しているが、どちらか一方の金属層だけを補助電極配線上に設けても良い。
　補助電極（１２、２２、３２）において、第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２は、補助電極配線（１０１ｂ、２０１ｂ、３０１ｂ）とコンタクト部（１３、２３、３３）を電気的に接続する層として機能する。第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２の材料は、特に限定されず、公知のものを採用することができる。具体例としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｕ－Ａｌ合金、Ａｌ－Ｓｉ合金、Ｍｏ－Ｗ合金、Ｎｉ－Ｐ合金等の単層、これらの積層体等が挙げられる。第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２の厚さは特に限定されないが、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが望ましい。第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２の材料は同一材料であっても良いし、異なる材料であっても良い。第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２が同一材料である場合は、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とを積層せずに一層として設けても良い。
　補助電極（１２、２２、３２）と、第２電極（１０６、２０６、３０６）との間に、コンタクト部（１３、２３、３３）が介在し、コンタクト部（１３、２３、３３）は粒子Ｐを含む。
　補助電極コンタクト（１０、２０、３０）において、第２電極（１０６、２０６、３０６）は、粒子Ｐと、粒子Ｐ上のＥＬ層（図１、２では正孔輸送層ＨＴＬ／正孔注入層ＨＩＬ、図３では電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬ）とを介して、補助電極（１２、２２、３２）と重なる部分を有する。この構成により、第２電極（１０６、２０６、３０６）は、補助電極（１２、２２、３２）との導通が可能になる。
　補助電極（１２、２２、３２）と第２電極（１０６、２０６、３０６）との間に介在するＥＬ層（図１、２では正孔輸送層ＨＴＬ／正孔注入層ＨＩＬ、図３では電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬ）は、絶縁材料である。そのため、補助電極コンタクトではこれらＥＬ層をエッチングしたり、補助電極コンタクトにＥＬ層が形成されないように工夫したりして、第２電極と補助電極との導通をとる必要があった。しかし、補助電極コンタクトのＥＬ層のみをエッチングすることは技術的に難しかった。また、補助電極コンタクトへのＥＬ層形成を阻害することも、別途構造物を設けなければならず、工程が煩雑化していた。
　以上のような背景のもと、出願人は補助電極コンタクト（１０、２０、３０）に粒子Ｐを設けることで、第２電極（１０６、２０６、３０６）と補助電極（１２、２２、３２）の導通をとることを見出した。
　粒子Ｐは、絶縁性粒子または導電性粒子である。粒子Ｐが導電性粒子の場合は、好ましくは導電性酸化物、カーボン、金属のいずれか一種以上である。より好ましくはＩＴＯ粒子、カーボンナノホーン、Ａｇ粒子等である。尚、カーボンナノホーンとは、グラフェンシートを円錐状に丸めた構造を指し、通常、複数のカーボンナノホーンが頂点を外側に向けて凝集した集合体として存在する。
　補助電極１２上に粒子Ｐを設けることで、図４Ａに示すように、絶縁性のＨＴＬ／ＨＩＬが補助電極１２上に一様に成膜されず、ＨＴＬ／ＨＩＬの段切れが生じる。ＨＴＬ／ＨＩＬの段切れにより、図４Ｂに示すように、ＨＴＬ／ＨＩＬが成膜されない部分（段切れ部分）を利用して、第２電極１０６が補助電極１２と接触する箇所ができ、両者が導通することが可能となる。第２電極１０６と補助電極１２が接触する場合は、粒子Ｐが絶縁性粒子であっても第２電極１０６と補助電極１２の導通をとることが可能である。
　一方、粒子Ｐが導電性粒子である場合は、第２電極１０６が補助電極１２と直接接触しなくても、ＨＴＬ／ＨＩＬの段切れにより、第２電極１０６と粒子Ｐが接触し、第２電極と補助電極１２との導通経路に粒子Ｐが介在することで、両者の導通をとることができる。
　粒子Ｐの直径は、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。粒子Ｐの直径の上限は、好ましくは５００ｎｍ、より好ましくは２００ｎｍ、更に好ましくは５０ｎｍである。粒子Ｐの直径の下限は、好ましくは１ｎｍ、より好ましくは１０ｎｍである。
　粒子Ｐは、補助電極（１２、２２、３２）上に２ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚さで配置される。粒子Ｐが配置される厚さの下限は、好ましくは１０ｎｍ、より好ましくは５０ｎｍ、更に好ましくは１００ｎｍである。粒子Ｐが配置される厚さの上限は、好ましくは２０００ｎｍ、より好ましくは１０００ｎｍ、更に好ましくは５００ｎｍである。
　平坦化膜（１０２、２０２，３０２）の材料は、特に限定されず、公知のものを採用することができる。具体例としては、有機樹脂膜が挙げられる。平坦化膜（１０２、２０２，３０２）の膜厚は、１０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。
　無機バンク（１０３、２０３、３０３）は、有機バンク（１０５、２０５、３０５）の密着性を高めたり、ショートリスク低減層として機能する。無機バンク材料は、無機材料であり、公知のものを採用することができる。具体例としては、ＳｉＯ２やＳｉＮ、これらの積層体が挙げられる。無機バンク（１０３、２０３、３０３）の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
　有機バンク（１０５、２０５、３０５）は、撥水性のバンクであり、インクジェット吐出したインク（例えばＥＭＬ材料）を所望の位置に収める層として機能する。有機バンクの材料は、有機材料であり、公知のものを採用することができる。有機バンク（１０５、２０５、３０５）の膜厚は、１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である。
　無機膜（１０７、２０７、３０７）は、封止膜として機能する。無機膜の材料は、特に限定されず、公知のものを採用することができる。具体例としては、ＳｉＯ２やＳｉＮ、これらの積層体が挙げられる。無機膜（１０７、２０７、３０７）の膜厚は、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。
　封止フィルム（１０８、２０８、３０８）の材料は、特に限定されず、公知のものを採用することができる。封止フィルム（１０８、２０８、３０８）の膜厚は、２０μｍ以上５００μｍ以下である。
＜トップエミッション型ＥＬ発光装置１の製造方法＞
　本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置（逆構造）１は、例えば以下の表１及び図５に示す工程で製造することができる。
　工程１
　ＢＰ配線１０１ａと、平坦化膜１０２と、補助電極配線１０１ｂとを含むアクティブマトリクス基板であるバックプレーンＢＰを作製する。ＢＰ配線１０１ａとは、アクティブマトリクス基板のトランジスタと接続され、トランジスタとＥＬ素子１１とを接続させる配線である。補助電極配線１０１ｂは補助電極１２の一部であり、第1及び第２の金属層Ｍ１及びＭ２と、バックプレーンＢＰに形成した補助電極給電部（図示しない）とを接続させる配線である。
　工程２
　補助電極配線１０１ｂ上に、順次第１の金属膜、第２の金属膜をスパッタにより成膜し、レジスト塗布、露光、現像、第２の金属膜エッチング、レジスト除去をして第２の金属層Ｍ２を形成し、同様にレジスト塗布、露光、現像、第１の金属膜エッチング、レジスト除去をして第１の金属層Ｍ１を形成する。工程２により、補助電極配線１０１ｂ、第1の金属層Ｍ１、及び第２の金属層Ｍ２で構成される補助電極１２が形成される。図５の工程では、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２は、それぞれ別のレジストを用いてエッチング形成するが、同一のレジストを用いて第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２を一度のエッチング工程で形成してもよい。
　工程３
　ＢＰ配線１０１ａ上に第１電極１０４（カソード）となる導電膜をスパッタにより成膜し、レジスト塗布、露光、現像、カソードエッチング、レジスト除去の処理を施して、第１電極１０４を形成する。その後、第１電極１０４上に順次ＥＩＬ／ＥＴＬをスパッタにより成膜し、レジスト塗布、露光、現像、ＥＩＬ／ＥＴＬエッチング、レジスト除去の処理を施して、ＥＩＬ／ＥＴＬを所望の形状にパターニングする。
　工程４
　ＥＬ素子１１のＥＴＬと補助電極１２とを含む基板全面に無機絶縁膜をＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜し、レジスト塗布、露光、現像、無機バンクエッチング、レジスト除去の処理を施して、無機バンク１０３を形成する。その後、無機バンク１０３上に、有機絶縁膜を塗布し、露光、現像の処理を施して有機バンク１０５を形成する。無機バンク１０３と有機バンク１０５には複数の開口が設けられる。開口の一つはＥＬ素子１１の発光層ＥＭＬが形成される箇所であり、開口の一つは補助電極コンタクト１０のコンタクト部１３が形成される補助電極ビアである。
　工程５
　補助電極コンタクト１０の第２の金属層Ｍ２上に位置する補助電極ビアに粒子Ｐを配置し、乾燥させる。
　粒子Ｐは、ディスペンサ又は印刷により配置される。印刷は、インクジェット印刷、スクリーン印刷、又はグラビア印刷等であり、好ましくはインクジェット印刷である。
　工程６
　ＥＬ素子１１のＥＩＬ／ＥＴＬ上に、赤色、青色、緑色のいずれかのインクを塗布し、発光層ＥＭＬを成膜し、乾燥させる。
　インクの塗布は、ディスペンサ又は印刷による。印刷は、インクジェット印刷、スクリーン印刷、又はグラビア印刷等であり、好ましくはインクジェット印刷である。
　工程７
　ＥＬ素子１１の発光層ＥＭＬ、及び補助電極コンタクト１０の粒子Ｐを配置した第２の金属層Ｍ２を含む基板全面に、順次ＨＴＬ／ＨＩＬを蒸着させ、その後ＨＴＬ／ＨＩＬ上に第２電極１０６（アノード）をスパッタにより形成する。
　コンタクト部１３は、工程６に示すように補助電極１２上に、粒子Ｐを配置するステップと、工程７に示すように粒子Ｐを配置した補助電極１２上にＥＬ層（ＨＴＬ／ＨＩＬ）を形成するステップと、により形成される。
　ＨＴＬ／ＨＩＬ（後述する図３の場合はＥＴＬ／ＥＩＬ）は蒸着で成膜されるため、蒸着源から基板へ飛ぶ分子の直線性が高く粒子Ｐの“軒下”には形成されにくい（図４Ａ）。つまり、ＨＴＬ／ＨＩＬは一様に成膜されず、粒子Ｐの軒下にて段切れが生じる。一方、スパッタにより成膜される第２電極１０６は、分子がいろいろな方向から入射するので、粒子Ｐの“軒下”まで回り込んで補助電極１２の上部と接触する（図４Ｂ）。第２電極１０６が補助電極１２と接触することで、補助電極コンタクト１０において第２電極１０６と補助電極１２の導通をとることができる。もしくは、図示はしないが、第２電極１０６が補助電極１２と接触しなくても、導電性の粒子Ｐを介して第２電極１０６と補助電極１２の導通をとることができる。
　その後第２電極１０６の上に、無機膜１０７をＣＶＤ法により成膜し、最後に無機膜１０７の上に封止フィルム１０８を成膜することによって、本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置１が完成する。
＜トップエミッション型ＥＬ発光装置２の製造方法＞
　本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置（逆構造）２は、例えば以下の表２及び図６に示す手順で製造することができる。
　工程１
　ＢＰ配線２０１ａと、平坦化膜２０２と、補助電極配線２０１ｂとを含むアクティブマトリクス基板であるバックプレーンＢＰを作製する。トップエミッション型ＥＬ発光装置１と同じ工程及び同じ構成である箇所は、説明を省略する。
　工程２
　補助電極配線２０１ｂ上に、順次第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２を形成して、補助電極２２を形成する。
　工程３
　ＢＰ配線２０１ａ上に第１電極２０４（カソード）を形成する。
　工程４
　ＥＬ素子２１の第1電極２０４と、補助電極２２とを含む基板全面に、複数の開口を有する無機バンク２０３と有機バンク２０５とを形成する。
　工程５
　補助電極コンタクト２０の第２の金属層Ｍ２上に位置する補助電極ビアに粒子Ｐを配置し、乾燥させる。
　粒子Ｐは、ディスペンサ又は印刷により配置される。印刷は、インクジェット印刷、スクリーン印刷、又はグラビア印刷等であり、好ましくはインクジェット印刷である。
　工程６
　ＥＬ素子２１の第１電極２０４（カソード）上に順次ＥＩＬ／ＥＴＬを塗布し、その上に赤色、青色、緑色のいずれかのインクを塗布し、発光層ＥＭＬを成膜し、乾燥させる。
　インクの塗布は、ディスペンサ又は印刷による。印刷は、インクジェット印刷、スクリーン印刷、又はグラビア印刷等であり、好ましくはインクジェット印刷である。
　工程７
　ＥＬ素子２１の発光層ＥＭＬ、及び補助電極コンタクト２０の粒子Ｐを配置した第２の金属層Ｍ２を含む基板全面に、順次ＨＴＬ／ＨＩＬを蒸着させ、その後ＨＴＬ／ＨＩＬ上に第２電極２０６（アノード）をスパッタにより成膜する。
　コンタクト部２３は、工程６に示すように補助電極２２上に粒子Ｐを配置するステップと、工程７に示すように粒子Ｐを配置した補助電極２２上にＥＬ層（ＨＴＬ／ＨIＬ）を形成するステップと、により形成される。
　その後第２電極２０６の上に、無機膜２０７をＣＶＤ法により成膜し、最後に無機膜２０７上に封止フィルム２０８を成膜することによって、本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置２が完成する。
＜トップエミッション型ＥＬ発光装置３の製造方法＞
　本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置（順構造）３は、例えば以下の表３及び図７に示す手順で製造することができる。
　工程１
　ＢＰ配線３０１ａと、平坦化膜３０２と、補助電極配線３０１ｂとを含むアクティブマトリクス基板であるバックプレーンＢＰを作製する。
　工程２
　ＢＰ配線３０１ａ、平坦化膜３０２、及び補助電極配線３０１ｂ上に、順次第1の金属膜、第２の金属膜をスパッタにより成膜する。その後、第２の金属膜上にレジストを塗布、露光、現像をして、第２の金属層Ｍ２を形成する。同様に、第２の金属層Ｍ２をマスクとして第１の金属膜をエッチングし第１の金属層Ｍ１を形成する。これにより補助電極３２を形成する。
　工程３
　ＢＰ配線３０１ａ上に第１電極３０４（アノード）となる導電層をスパッタにより成膜した後、パターニングにより第１電極３０４を形成する。
　工程４
　ＥＬ素子３１の第１電極３０４と、補助電極３２とを含む基板全面に無機バンク３０３と有機バンク３０５を形成し、第１電極３０４上の開口と、第２の金属層Ｍ２上に補助電極ビアを形成する。
　工程５
　第２の金属層Ｍ２上に位置する補助電極ビアに粒子Ｐを配置し、乾燥させる。
　粒子Ｐは、ディスペンサ又は印刷により配置される。印刷は、インクジェット印刷、スクリーン印刷、又はグラビア印刷等であり、好ましくはインクジェット印刷である。
　工程６
　ＥＬ素子３１の第１電極３０４（アノード）上に順次ＨＩＬ／ＨＴＬを塗布し、その上に赤色、青色、緑色のいずれかのインクを塗布し、発光層ＥＭＬを成膜し、乾燥させる。
　インクの塗布は、ディスペンサ又は印刷による。印刷は、インクジェット印刷、スクリーン印刷、又はグラビア印刷等であり、好ましくはインクジェット印刷である。
　工程７
　ＥＬ素子３１の発光層ＥＭＬ、及び補助電極コンタクト３０の粒子Ｐを配置した第２の金属層Ｍ２を含む基板全面に、順次ＥＴＬ／ＥＩＬを蒸着させ、その後、ＥＴＬ／ＥＩＬ上に第２電極３０６（カソード）をスパッタにより成膜する。
　コンタクト部３３は、工程６に示すように補助電極３２上に、粒子Ｐを配置するステップと、工程７に示すように粒子Ｐを配置した補助電極３２上にＥＬ層（ＥＴＬ／ＥＩＬ）を形成するステップと、により形成される。
　トップエミッション型ＥＬ発光装置３においても、トップエミッション型ＥＬ発光装置１及び２と同様に、粒子Ｐの存在によりＥＬ層（ＥＴＬ／ＥＩＬ）には段切れが生じることで、補助電極コンタクト３０において、補助電極３２と第２電極３０６の導通をとることができる。
　その後第２電極３０６の上に、無機膜３０７をＣＶＤ法により成膜し、最後に無機膜３０７上に封止フィルム３０８を成膜することによって、本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置３が完成する。
　以下の実施例及び比較例により本実施形態に係るトップエミッション型ＥＬ発光装置について具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例及び比較例に限定されない。尚、本明細書の図１４乃至図１９において、ａＥｎという表記は、ａ×１０ｎを表すものとする。例えば、２．Ｅ＋０３＝２．０×１０３である。
　基板上にＩＴＯでなる第１の電極を形成し、第１の電極上に有機材料でなるバンクを形成し、有機バンクに複数の開口を設け、開口内に実施例１～５に記載の粒子を充填した。このときの段差プロファイル、表面粗さ、総粒子膜厚を測定した。比較例１は、バンクの開口に粒子を充填していない（ブランク）段差プロファイルと表面粗さを測定した。比較例１及び実施例１～５の段差プロファイルはそれぞれ図８～１３に示す。
　次に、実施例１～５に記載の粒子を充填後、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬを順次成膜し、正孔注入層ＨＩＬの上にＩＴＯでなる第２の電極を形成した。この段階において、第１の電極と第２の電極との電流密度を測定した。比較例１はバンクの開口に粒子を充填しない状態で、第１の電極と第２の電極との電流密度を測定した。比較例及び各実施例の電流密度はそれぞれ表４と図１４～１９に示す。
　段差プロファイルは、触針式プロファイラ（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｈｏｒｅ社製：Ｐ－１６）により測定した。
　表面粗さは、触針式プロファイラ（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｈｏｒｅ社製：Ｐ－１６）により測定した。
　総粒子膜厚は、触針式プロファイラ（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｈｏｒｅ社製：Ｐ－１６）により測定した。
　電流密度は、エーディーシー社製　６２４４型直流電圧・電流発生器により測定した。
　バンクの開口に粒子が設けられない図８においては、バンク開口内は平坦である。
　図９はバンク開口内にＩＴＯ粒子を２００ｎｍの厚さで充填した場合の段差プロファイルであり、図１０は開口内にカーボンナノホーンを１５０ｎｍの厚さで充填した場合の段差プロファイルである。図１１～１３は、Ａｇ粒子を厚さ２３５ｎｍ、３５０ｎｍ、４３０ｎｍで充填した場合の段差プロファイルである。図９～図１３を、図８と比べると、開口内の底辺付近に凹凸ができており、開口内の表面粗さ（Ｒａ）は、実施例１では７０ｎｍ以下、実施例２では２５ｎｍ以下、実施例３～５では７０ｎｍ以下であった。つまり、バンク開口内に粒子を充填することで、バンク開口内の表面粗さが大きくなることが分かった。
　図１４に比較例１における第１の電極と第２電極の間の電流密度を示す。電圧１０Ｖのときの電流密度は３６１ｍＡ／ｃｍ２であった。対して実施例１～５の図１５～１９では、比較例１よりも電圧１０Ｖにおける電流密度が約２～３倍大きくなっていることが分かった。本実施例より、バンク開口内の電極ビアに粒子を充填させることで、補助電極コンタクト部にＥＬ層が設けられていても、粒子の存在によりコンタクト部を挟む電極間の電気抵抗が下がることが分かった。
　補助電極ビアに粒子を充填した図１５～１６ではいずれも電流密度が図１４よりも大きく、電極間の電気抵抗が低抵抗であることが分かる。Ａｇ粒子を充填した図１７～１９においても、電流密度が図１４よりも大きく、電極間の電気抵抗が低抵抗であることが分かる。Ａｇ粒子を充填した図１７～１９では、Ａｇ粒子膜厚に関わらず電流密度が同程度であり、これはＡｇ粒子膜の表面粗さが粒子膜厚に関わらず同程度であることを反映している。
１・・・トップエミッション型ＥＬ発光装置（逆構造、ＥＩＬ／ＥＴＬスパッタ膜）
２・・・トップエミッション型ＥＬ発光装置（逆構造、ＥＩＬ／ＥＴＬ塗布膜）
３・・・トップエミッション型ＥＬ発光装置（順構造、ＨＩＬ／ＨＴＬ塗布膜）
１０、２０、３０・・・補助電極コンタクト
１１、２１、３１・・・ＥＬ素子
１２、２２、３２・・・補助電極
１３、２３、３３・・・コンタクト部
１０１ａ、２０１ａ、３０１ａ・・・ＢＰ配線
１０１ｂ、２０１ｂ、３０１ｂ・・・補助電極配線
１０２、２０２、３０２・・・平坦化膜
１０３、２０３、３０３・・・無機バンク
１０４、２０４、３０４・・・第１電極
１０５、２０５、３０５・・・有機バンク
１０６、２０６、３０６・・・第２電極
１０７、２０７、３０７・・・無機膜
１０８、２０８、３０８・・・封止フィルム
ＥＭＬ・・・発光層
ＥＴＬ・・・電子輸送層
ＥＩＬ・・・電子注入層
ＨＴＬ・・・正孔輸送層
ＨＩＬ・・・正孔注入層
Ｐ・・・粒子
Ｍ１・・・第１の金属層
Ｍ２・・・第２の金属層

Claims (13)

  1. 　第１電極、発光層、及び透明な第２電極が積層されたＥＬ素子と、補助電極と、を有するトップエミッション型ＥＬ発光装置であって、
    　前記第１電極と前記発光層とは、前記第２電極の一側に形成され、
    　前記補助電極は、前記第２電極の前記一側であって、前記ＥＬ素子とは異なる位置に配置され、
    　前記補助電極と前記第２電極との間にコンタクト部が介在し、
    　前記コンタクト部は粒子を含む、トップエミッション型ＥＬ発光装置。
  2. 　前記粒子は導電性である、請求項１に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置。
  3. 　前記粒子の直径は、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置。
  4. 　前記粒子は、導電性酸化物、カーボン、金属のいずれか一種以上である、請求項１～３のいずれか一項に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置。
  5. 　前記粒子は、前記補助電極上に２ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚さで配置される、請求項１～４のいずれか一項に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置。
  6. 　前記第２電極は、前記粒子と前記粒子上のＥＬ層とを介して、前記補助電極と重なる部分を有する、請求項１～５のいずれか一項に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置。
  7. 　第１電極、発光層、及び透明な第２電極が積層されたＥＬ素子と、補助電極と、を有するトップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法であって、
    　前記トップエミッション型ＥＬ発光装置は、前記補助電極と前記第２電極とが導通する補助電極コンタクトを有し、
    　前記補助電極コンタクトの形成工程は、
    　前記補助電極を形成するステップと、
    　前記補助電極上に、粒子を配置するステップと、
    　前記粒子を配置した前記補助電極上にＥＬ層を形成するステップと、
    　前記ＥＬ層上に前記第２電極を形成するステップと、を有する、トップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法。
  8. 　前記粒子は導電性である、請求項７に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法。
  9. 　前記粒子の直径は、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項７または８に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法。
  10. 　前記粒子は、導電性酸化物、カーボン、金属のいずれか一種以上である、請求項７～９のいずれか一項に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法。
  11. 　前記粒子は、前記補助電極上に２ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚さで配置される、請求項７～１０のいずれか一項に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法。
  12. 　前記粒子は、ディスペンサ又は印刷により配置される、請求項７～１１のいずれか一項に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法。
  13. 　前記印刷は、インクジェット印刷、スクリーン印刷、又はグラビア印刷である、請求項１２に記載のトップエミッション型ＥＬ発光装置の製造方法。
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