WO2025256331A1 - 射频功率调节装置及方法 - Google Patents

射频功率调节装置及方法

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WO2025256331A1
WO2025256331A1 PCT/CN2025/094830 CN2025094830W WO2025256331A1 WO 2025256331 A1 WO2025256331 A1 WO 2025256331A1 CN 2025094830 W CN2025094830 W CN 2025094830W WO 2025256331 A1 WO2025256331 A1 WO 2025256331A1
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power
frequency signal
load
phase
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朱志君
王晖
金京俊
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ACM Research Shanghai Inc
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Cleanchip Technologies Ltd
ACM Research Shanghai Inc
Acm Research Korea Co Ltd
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    • H04B1/02—Transmitters
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H04L25/00—Baseband systems
    • H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines

Definitions

  • This invention belongs to the field of semiconductor technology and relates to a radio frequency power adjustment device and method.
  • Multi-station semiconductor processing cavities require the simultaneous processing of multiple substrates within a single cavity, typically necessitating the use of radio frequency (RF) power supplies to provide RF power to multiple loads (e.g., plasma loads).
  • RF radio frequency
  • loads e.g., plasma loads
  • the RF power input to each load must be identical.
  • the cable lengths, connectors, and other components connected to different RF power supplies often vary, resulting in different path losses. This leads to discrepancies in the power signals applied to each load even when the output power of the RF power supplies corresponding to each load is synchronized, due to the varying path losses. If the RF phases at the different load terminals within a processing cavity are not synchronized, voltage differences will exist between the loads, causing severe crosstalk and even discharge, thus affecting process stability.
  • an RF power shunt circuit can be designed to output the same RF signal to multiple loads simultaneously from a single RF power supply.
  • the power distribution to each load is difficult to control independently, resulting in poor process flexibility and reducing the maximum usable power supplied to any single load.
  • the purpose of the present invention is to provide an RF power adjustment device and method to solve the problem that the RF power applied to each load is not the same in the prior art.
  • an radio frequency (RF) power adjustment device includes: a main power supply for providing an RF signal to a first load via a first matching network; a secondary power supply for providing an RF signal to a second load via a second matching network; a first detector for detecting a first RF signal received by the first load and obtaining a first detection value; a second detector for detecting a second RF signal received by the second load and obtaining a second detection value; and a controller configured to adjust the RF signal emitted by the secondary power supply based on the difference between the first detection value and the second detection value, such that the second RF signal is identical to the first RF signal.
  • each second load corresponding to one slave power supply, and each slave power supply configured to supply power to one second load.
  • the first detector and the second detector are used to detect the first phase of the first radio frequency signal and the second phase of the second radio frequency signal, respectively, and the controller is configured to adjust the phase of the power supply according to the phase difference between the first phase and the second phase.
  • the first detector and the second detector are used to detect a first power value of the first radio frequency signal and a second power value of the second radio frequency signal, respectively, and the controller is configured to adjust the power of the power source based on the difference between the first power value and the second power value.
  • a radio frequency (RF) power adjustment method wherein a main power supply sends an RF signal to a first load to supply power to the first load, and a secondary power supply sends an RF signal to a second load to supply power to the second load; a first RF signal and a second RF signal received by the first load and the second load are detected respectively to obtain a first detection value and a second detection value; and the RF signal sent from the secondary power supply is adjusted based on the difference between the first detection value and the second detection value so that the second RF signal is the same as the first RF signal.
  • RF radio frequency
  • the first detection value is the first phase of the first radio frequency signal
  • the second detection value is the second phase of the second radio frequency signal
  • the phase of the radio frequency signal emitted from the power supply is adjusted based on the phase difference between the first phase and the second phase so that the second phase is the same as the first phase.
  • the first radio frequency signal and the second radio frequency signal are acquired again to verify the adjustment result.
  • the process of detecting the first load and the second load respectively, and adjusting the radio frequency signal emitted from the power supply is continuously maintained.
  • the radio frequency power adjustment method is applied to a chemical vapor deposition process in a multi-station semiconductor processing cavity, wherein the first radio frequency signal and the second radio frequency signal are acquired by the first detector and the second detector at the spray head position, respectively.
  • the main power supply of the present invention supplies power to a first load and utilizes one or more secondary power supplies to supply power to one or more second loads, thereby delivering the radio frequency (RF) power of each power supply to a single load, and the output power of each RF power supply is individually controllable.
  • the RF signal emitted from the secondary power supply is adjusted based on the difference between the RF signals received by the first and second loads to ensure that the RF power input to each load is the same, while avoiding reducing the maximum usable power of each load.
  • Figure 1 is a schematic diagram of the structure of a radio frequency power adjustment device in one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of another radio frequency power adjustment device in one embodiment of the present invention.
  • Figure 3 is a schematic diagram of the structure of multiple power sources in one embodiment of the present invention.
  • Figure 4 is a schematic diagram of the structure of multiple matching networks in one embodiment of the present invention.
  • Figure 5 is a schematic diagram of the structure of multiple detectors in one embodiment of the present invention.

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Abstract

本发明提供一种射频功率调节装置，包括：主电源，用于通过第一匹配网络向第一负载提供射频信号；从电源，用于通过第二匹配网络向第二负载提供射频信号；第一检测器，用于检测所述第一负载接收到的第一射频信号，获得第一检测值；第二检测器，用于检测所述第二负载接收到的第二射频信号，获得第二检测值；控制器，配置成基于所述第一检测器检测得到的第一射频信号与所述第二检测器检测得到的第二射频信号所述第一检测值和所述第二检测值之间的差值调节所述从电源发出的射频信号，使所述第二负载接收到的第二射频信号与所述第一负载接收到的第一射频信号相同。

Description

射频功率调节装置及方法 技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种射频功率调节装置及方法。
背景技术
多站式半导体处理腔体需要在一个腔体中对多片基板同时进行半导体处理工艺，通常需要使用射频电源向多个负载(例如等离子体负载)提供射频功率。根据工艺需求，输入至各个负载的射频功率需要相同。但是不同的射频电源所连接的线缆长度、连接头等器件往往存在差异，从而存在不同路径损耗。这导致在使用多个射频电源单独控制多个负载时，即使将各个负载所对应的射频电源的输出功率调整至同步，经过不同路径损耗后，加载至各个负载中的功率信号的功率仍然会有偏差。一个处理腔内的各个负载端的射频相位如果不同步，负载之间就会有电压差，产生严重的串扰，甚至会产生放电，影响了工艺的稳定性。
为了保证输入至各个负载的功率相同，可以设计射频电源分流电路将一个射频电源同时向多个负载输出相同功率的射频信号。但是各个负载的功率分配很难独自控制，工艺灵活性较差，同时也降低了提供给任意单个负载的最大可用功率。
因此，提供一种新的射频功率调节装置及方法，实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种射频功率调节装置及方法，用于解决现有技术中加载至各个负载的射频功率不相同的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，一种射频功率调节装置，包括：主电源，用于通过第一匹配网络向第一负载提供射频信号；从电源，用于通过第二匹配网络向第二负载提供射频信号；第一检测器，用于检测所述第一负载接收到的第一射频信号，获得第一检测值；第二检测器，用于检测所述第二负载接收到的第二射频信号，获得第二检测值；控制器，配置成基于所述第一检测值和所述第二检测值之间的差值调节所述从电源发出的射频信号，使所述第二射频信号与所述第一射频信号相同。
可选地，所述第一射频信号和第二射频信号分别为经由所述第一匹配网络和所述第二匹配网络频率匹配后的射频信号。
可选地，所述从电源和所述第二负载为多个，每个第二负载对应一个从电源，每个从电源被配置为向一个第二负载供电。
可选地，所述第一检测器与第二检测器分别用于检测所述第一射频信号的第一相位和所述第二射频信号的第二相位，所述控制器配置成根据所述第一相位和所述第二相位之间的相位差调节所述从电源的相位。
可选地，所述第一检测器与第二检测器分别用于检测所述第一射频信号的第一功率值和所述第二射频信号的第二功率值，所述控制器配置成根据所述第一功率值和所述第二功率值之间的差值调节所述从电源的功率。
为实现上述目的及其他相关目的，一种射频功率调节方法，主电源向第一负载发出射频信号以向所述第一负载供电，从电源向第二负载发出射频信号以向所述第二负载供电；分别检测所述第一负载和所述第二负载分别接收到的第一射频信号和第二射频信号，得到第一检测值与第二检测值；基于所述第一检测值与所述第二检测值之间的差值调节所述从电源发出的射频信号，使所述第二射频信号和所述第一射频信号相同。
可选地，所述第一检测值为所述第一射频信号的第一相位，所述第二检测值为所述第二射频信号的第二相位，基于所述第一相位与所述第二相位之间的相位差调节所述从电源发出射频信号的相位，使所述第二相位与所述第一相位相同。
可选地，所述第一检测值为所述第一射频信号的第一相位和第一功率值，所述第二检测值为所述第二射频信号的第二相位和第二功率值，基于所述第一相位与所述第二相位之间的相位差调节所述从电源发出的射频信号的相位，使所述第一相位与所述第二相位相同后，基于所述第一功率值与所述第二功率值之间的功率差值调节所述从电源发出的射频信号的功率值，使所述第二相位与所述第一相位、所述第二功率值与所述第一功率值均相同。
可选地，基于所述第一检测值与所述第二检测值之间的差值调节所述从电源发出的射频信号后，再次获取所述第一射频信号和所述第二射频信号，对调节结果进行验证。
可选地，分别检测所述第一负载和所述第二负载，以及调节所述从电源发出的射频信号的过程是持续保持的。
可选地，所述射频功率调节方法应用于多站式半导体处理腔体进行化学气相沉积工艺，所述第一射频信号和所述第二射频信号由所述第一检测器和所述第二检测器分别在喷淋头位置获取。
如上所述，本发明的主电源向第一负载供电并且利用一个或多个从电源来向一个或多个第二负载供电，从而将每个电源的射频功率输送至单个负载，每个射频电源的输出功率单独可控。基于第一负载与第二负载接收射频信号的差值调节从电源发出的射频信号，以使输入至各个负载的射频功率相同，同时避免降低各个负载的最大可用功率。
附图概述
图1为本发明一实施例中射频功率调节装置的结构示意图。
图2为本发明一实施例中另一射频功率调节装置的结构示意图。
图3为本发明一实施例中多个电源的结构示意图。
图4为本发明一实施例中多个匹配网络的结构示意图。
图5为本发明一实施例中多个检测器的结构示意图。
图6为本发明一实施例中多个负载的结构示意图。
图7为本发明一实施例中射频功率调节方法。
本发明的较佳实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“下部”、“低于”、“下面”、“上方”、“上部”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。
本实施例提供一种射频功率调节装置包括多个射频模块。如图1所示，每个射频模块包括电源1、匹配网络2和检测器3。射频模块的数量与负载数量相同，每个负载设置一个对应的射频模块。电源1经由匹配网络2向负载5施加射频功率。匹配网络2基于电源1的输出射频信号选择对应频率，并传输至负载5。为了获取实际加载至负载5的射频功率，在匹配网络2与负载5之间设置检测器3，检测经由匹配网络2频率匹配后传输至负载5的射频功率。由于将电源1的射频功率单独输送至负载5，实现了负载5可独立调节功率，工艺灵活性高。
如图3至图6所示，电源1包括主电源11与至少一个从电源12，匹配网络2包括第一匹配网络21与至少一个第二匹配网络22，检测器3包括第一检测器31与至少一个第二检测器32。为了保证加载至多个负载的射频功率相同，以多个射频模块中任意一个模块为主模块，其他模块为从模块；将主模块中的射频电源定义为主电源11，从模块中的射频电源定义为从电源12；将主模块中的匹配网络定义为第一匹配网络21，从模块中的匹配网络定义为第二匹配网络22；将主模块中的检测器定义为第一检测器31，从模块中的检测器定义为第二检测器32；并且相应的，由主模块施加射频功率的负载定义为第一负载51，由从模块施加射频功率的负载定义为第二负载52。
如图2所示，主电源11向第一负载51供电，同时，至少一个从电源12向至少一个第二负载52供电，从而将每个电源11、12的射频功率输送至对应的单个负载51、52。具体的，在主模块中，主电源11经由第一匹配网络21向第一负载51提供射频信号。第一检测器31检测经由第一匹配网络21完成频率匹配后并传输至第一负载51的第一射频信号，得到第一检测值。在每一个从模块中，从电源12经由第二匹配网络22向第二负载52提供射频信号。第二检测器32检测经由第二匹配网络22完成频率匹配传输至第二负载52的第二射频信号。
检测器3检测经由匹配网络2传输至负载5的射频信号，即负载5接收到的射频信号。并且控制器4基于检测的射频信号调节从模块中从电源输出的射频信号，使得各负载的接收到的射频功率相同，避免由于受到与负载5连接线缆长度、连接头或其他器件(如匹配网络)所产生阻抗值等不同路径损耗造成各个负载接收到的射频功率不同。以下实施例会对具体调节过程做详细描述。
控制器4配置为接收分别由第一检测器31、第二检测器32获取的第一检测值与第二检测值，并根据第一检测值与第二检测值调节从电源12发出的射频信号，以使第二负载52接收到的第二射频信号与第一负载52接收到的第一射频信号相同。本发明中的射频信号(也称作射频功率信号或射频功率)相同包括但不限于相位相同和/或射频功率值相同。可以理解的是，检测器3可检测射频信号的相位和/或功率值参数，但不限于此。在一些实施例中，第一检测器31与第二检测器32用于分别检测第一负载51所接收到的第一射频信号的第一相位和第二负载52所接收到的第二射频信号的第二相位，作为第一检测值和第二检测值，并发送至控制器4。控制器4接收第一相位与第二相位，并且基于第一相位与第二相位的相位差调节从电源12所发出的射频信号的相位。优选的，在本发明的一些实施例中，相位检测与基于相位差调节从电源12所发出的射频信号的相位是一个持续往复的过程，以保证第一负载与第二负载分别接收到的射频信号保持同相位。在另一些实施例中，第一检测器31与第二检测器32还可以用于检测第一负载51、第二负载52所接收的第一射频信号的第一功率值与第二射频信号的第一功率值，基于第一功率值与第二功率值的差值调节从电源52发出射频信号的功率值。由于连接在从电源12与第二负载52之间的线缆长度、连接头或其他器件带来阻抗值影响加载至第二负载52的第二射频信号，射频功率无法全部施加到第二负载52，从电源12输出的射频功率与第二负载52接收的射频功率会有差异。因此，在第一负载51与第二负载52所接收的射频信号的相位检测结果同步的基础上，或者对第一负载51与第二负载52所接收的射频信号的相位进行同步修正操作后，需要进一步检测第一负载51与第二负载52所接收的射频信号的功率值，控制器4根据功率值的差值调节从电源52所发出的射频信号的功率，以保证第一负载51与第二负载52所接收的射频信号的功率值持续保持一致。优选的，在本发明的一些实施例中，功率值检测与基于功率值的差值调节从电源所发出的射频信号的功率值是一个持续保持的过程，以保证第一负载与第二负载所接收的射频信号的功率值保持相同。在一些实施例中，主电源11与从电源12均各自包括高频RF(射频)电源与低频RF电源，主电源11与第一负载51耦合，从电源12与第二负载52耦合。以主电源11为例，高频RF电源通过第一匹配网络21与第一负载51耦合，低频RF电源通过第一匹配网络21与第一负载51耦合。这种RF电源的设置方式，可根据工艺需求，高频RF电源和低频RF电源经过对应频率的匹配网络对第一负载5施加功率。高频RF电源施加频率高于低频RF电源，在操作期间优选高频电源和低频电源的频率范围没有交集。也就是说，低频RF电源总是以低于所述高频RF电源的频率工作，例如常用的高频RF电源的频率为13.56MHZ和27.12MHZ，低频RF电源的频率为370KHZ和400KHZ。从电源12的高频RF电源与低频RF电源通过第二匹配网络22与第二负载52的耦合方式与主电源11相同，在此不再赘述。
本装置实施例的更多细节可参考下文对射频功率调节方法的描述，在此不再展开。
图7中为本发明的另一实施例，提供了一种射频功率调节方法，该方法可以由前文所述的射频功率调节装置来实施，但不限于此。该射频功率调节方法包括以下步骤：
S1：主电源向第一负载发出射频信号以向第一负载供电，从电源向第二负载发出射频信号以向第二负载供电；
S2：分别检测第一负载和第二负载分别接收到的第一射频信号和第二射频信号，得到第一检测值与第二检测值；
在本步骤中，第一检测器31检测经由第一匹配网络21频率匹配完成后并传输至第一负载51的第一射频信号，得到第一检测值。同样的，第二检测器32检测经由第二匹配网络22频率匹配完成后并传输至第二负载52的第二射频信号，得到第二检测值。需要说明的是，第一检测器31与第二检测器32向控制器4分别发出第一检测值与第二检测值，控制器4获取第一检测值和第二检测值。
S3：基于第一检测值与第二检测值之间差值调节从电源发出的射频信号，使所述第二射频信号和所述第一射频信号相同。
在本步骤中的一些实施例中，基于第一检测值与第二检测值之间的差值调节从电源发出的射频信号后，再次获取第一负载和第二负载接收到的射频信号，对调节结果进行验证。
在本步骤中，若第一检测器31与第二检测器32检测的是射频信号的相位，那么控制器4基于第一检测器31发出的射频信号与第二检测器32发出的射频信号之间的相位差调节从电源12发出射频信号的相位，以补偿路径损耗造成的相位不同步。若第一检测器31与第二检测器32检测的是射频信号的功率值，那么控制器4基于第一检测器31发出的射频信号与第二检测器32发出射频信号的功率差值调节从电源12发出射频信号的功率值，以补偿路径损耗造成的功率衰减。在优选的实施例中，第一检测器31与第二检测器32均可以用于检测相位与射频功率值。在这些实施例中，在第一负载51与第二负载52接收射频信号的相位检测结果同步的基础上或对第一负载51与第二负载52接收射频信号的相位进行同步修正操作后，相位虽然一致，但是由于路径损耗，可能功率值也发生了衰减，需要进一步检测第一负载51与第二负载52接收的射频信号的功率值。控制器4根据功率差值调节从电源52发出的射频信号的功率，以保证第一负载51与第二负载52接收的射频信号的功率值持续保持一致。功率检测与相位检测可同时进行，也可以在相位同步修正后再进行功率检测，本发明对此不做限制。在这些优选的实施例中，通过闭环控制从电源发出的射频信号的相位、功率值，保证第一负载与第二负载接收到的射频功率一致。
本方法实施例的更多细节可参考上文对射频功率调节装置的描述，在此不再展开。
本发明中射频功率调节方法应用于多站式半导体处理腔体进行化学气相沉积(CVD)工艺，第一负载和第二负载接收到的射频信号由检测器在喷淋头位置获取。
本发明中主电源11向第一负载51供电，至少一个从电源12向至少一个第二负载52供电，每个负载设置单独的电源，从而将每个电源11、12的射频功率输送至单个负载51、52，每个射频电源的输出功率单独可控，以使输入至各个负载51、52的射频功率相同，同时避免降低各个负载51、52的最大可用功率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (11)

  1. 一种射频功率调节装置，其特征在于，包括：
    主电源，用于通过第一匹配网络向第一负载提供射频信号；
    从电源，用于通过第二匹配网络向第二负载提供射频信号；
    第一检测器，用于检测所述第一负载接收到的第一射频信号，获得第一检测值；
    第二检测器，用于检测所述第二负载接收到的第二射频信号，获得第二检测值；
    控制器，配置成基于所述第一检测值和所述第二检测值之间的差值调节所述从电源发出的射频信号，使所述第二射频信号与所述第一射频信号相同。
  2. 根据权利要求1所述的射频功率调节装置，其特征在于，所述第一射频信号和第二射频信号分别为经由所述第一匹配网络和所述第二匹配网络频率匹配后的射频信号。
  3. 根据权利要求1所述的射频功率调节装置，其特征在于，所述从电源和所述第二负载为多个，每个第二负载对应一个从电源，每个从电源被配置为向一个第二负载供电。
  4. 根据权利要求1所述的射频功率调节装置，其特征在于，所述第一检测器与第二检测器分别用于检测所述第一射频信号的第一相位和所述第二射频信号的第二相位，所述控制器配置成根据所述第一相位和所述第二相位之间的相位差调节所述从电源的相位。
  5. 根据权利要求1所述的射频功率调节装置，其特征在于，所述第一检测器与第二检测器分别用于检测所述第一射频信号的第一功率值和所述第二射频信号的第二功率值，所述控制器配置成根据所述第一功率值和所述第二功率值之间的差值调节所述从电源的功率。
  6. 一种射频功率调节方法，其特征在于，
    主电源向第一负载发出射频信号以向所述第一负载供电，从电源向第二负载发出射频信号以向所述第二负载供电；
    分别检测所述第一负载和所述第二负载分别接收到的第一射频信号和第二射频信号，得到第一检测值与第二检测值；
    基于所述第一检测值与所述第二检测值之间的差值调节所述从电源发出的射频信号，使所述第二射频信号和所述第一射频信号相同。
  7. 根据权利要求6所述的射频功率调节方法，其特征在于，所述第一检测值为所述第一射频信号的第一相位，所述第二检测值为所述第二射频信号的第二相位，基于所述第一相位与所述第二相位之间的相位差调节所述从电源发出射频信号的相位，使所述第二相位与所述第一相位相同。
  8. 根据权利要求6所述的射频功率调节方法，其特征在于，所述第一检测值为所述第一射频信号的第一相位和第一功率值，所述第二检测值为所述第二射频信号的第二相位和第二功率值，基于所述第一相位与所述第二相位之间的相位差调节所述从电源发出的射频信号的相位，使所述第一相位与所述第二相位相同后，基于所述第一功率值与所述第二功率值之间的功率差值调节所述从电源发出的射频信号的功率值，使所述第二相位与所述第一相位、所述第二功率值与所述第一功率值均相同。
  9. 根据权利要求6所述的射频功率调节方法，其特征在于，基于所述第一检测值与所述第二检测值之间的差值调节所述从电源发出的射频信号后，再次获取所述第一射频信号和所述第二射频信号，对调节结果进行验证。
  10. 根据权利要求6所述的射频功率调节方法，其特征在于，分别检测所述第一负载和所述第二负载，以及调节所述从电源发出的射频信号的过程是持续保持的。
  11. 根据权利要求6-10任一项所述的射频功率调节方法，其特征在于，所述射频功率调节方法应用于多站式半导体处理腔体进行化学气相沉积工艺，所述第一射频信号和所述第二射频信号由所述第一检测器和所述第二检测器分别在喷淋头位置获取。
PCT/CN2025/094830 2024-06-12 2025-05-14 射频功率调节装置及方法 Pending WO2025256331A1 (zh)

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