WO2025254041A1

WO2025254041A1 - 回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物、回路付基板積層体の製造方法及び薄型回路付基板の製造方法

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Publication number: WO2025254041A1
Application number: PCT/JP2025/019786
Authority: WO
Inventors: 伸一石崎; 光夫武藤; 道博菅生
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2024-06-04
Filing date: 2025-06-02
Publication date: 2025-12-11
Anticipated expiration: 2026-12-04
Also published as: JP2025183097A

Abstract

本発明は、（Ａ－１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有し、アリール基を有しないオルガノポリシロキサン、（Ａ－２）１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサン、（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ａ－４）剥離添加剤、（Ａ－５）白金系触媒、を含有し、前記（Ａ－１）及び前記（Ａ－２）成分中のアルケニル基に対する前記（Ａ－３）成分中のＳｉ－Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量を含有する回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物である。これにより、特に回路付基板に適用した場合においても基板／仮接着剤層間、又は仮接着剤層／支持体間で選択的に剥離が可能な仮接着剤組成物が提供される。

Description

回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物、回路付基板積層体の製造方法及び薄型回路付基板の製造方法

　本発明は、回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物、回路付基板積層体の製造方法及び薄型回路付基板の製造方法に関する。

　３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。３次元実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面（「裏面」ともいう。）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。

　そこで、回路付基板としての半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離出来ることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層（又は仮接着剤層）と呼ぶことにする。

　これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着剤に高強度の光を照射し、接着剤層を分解することによって支持体から接着剤層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着剤に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザー等の高価な装置が必要であり、また支持体に光透過性のあるガラス基板が必須となり、これはシリコン基板に対して高価であり、かつ研磨リサイクルができないため、特にコスト面での難点があった。一方、後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、２００℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。

　また、シリコーン粘着剤を仮接着剤層に用いるウェハ加工方法に関する技術が提案されている（特許文献３）。この方法は、基板を支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため、剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難である。

　また、無官能性オルガノポリシロキサンを含む熱硬化型のシリコーン樹脂組成物を用いて基板と支持体を仮接合したウエハから機械的に支持体を剥離する方法が知られている（特許文献４）。しかし回路付基板の種類によっては、基板と仮接着剤層間からの選択的な剥離ができず、一部の仮接着剤が基板上に残ってしまい、その結果残渣洗浄に長時間を要する等の問題があった。また、銅などの金属パッドを有する回路付基板に適用し、積層体を作製後に高温に曝されると、金属パッドが酸化劣化してしまい、特に金属パッド同士を直接接合する次世代型のｗａｆｅｒ　ｔｏ　ｗａｆｅｒ技術であるハイブリッドボンディングにおいて、適用できないという問題があった。

特開２００４－６４０４０号公報特開２００６－３２８１０４号公報米国特許第７５４１２６４号公報国際公開第ＷＯ２０２１／１１２０７０号

　本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、特に回路付基板に適用した場合においても基板／仮接着剤層間、又は仮接着剤層／支持体間で選択的に剥離が可能な仮接着剤組成物とそれを用いた回路付基板積層体の製造方法及び薄型回路付基板の製造方法の提供を目的とする。

　上記課題を解決するために、本発明では、
　（Ａ－１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有し、アリール基を有しないオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－２）１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
　（Ａ－４）剥離添加剤、
　（Ａ－５）白金系触媒、
を含有し、
　前記（Ａ－１）及び前記（Ａ－２）成分中のアルケニル基に対する前記（Ａ－３）成分中のＳｉ－Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量を含有するものであることを特徴とする回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物を提供する。

　このような回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物は、回路付基板加工用仮接着剤として用いることができ、特に回路付基板に適用した場合においても、回路付基板／仮接着剤層間、又は、仮接着剤層／支持体間で選択的に剥離が可能で、後者の場合、続く工程において仮接着剤層を基板から簡便に除去可能であり、それによっていずれの剥離パターンにおいても回路付基板上には仮接着剤層の残渣残りが無いため、続く基板洗浄プロセスを簡便に、かつ低コストで実施が可能となる。また、金属ピラーをその表面に有する回路付基板に適用した場合においても、所定の熱プロセスを経た後であっても、金属ピラーの酸化劣化を抑えることが可能であり、それによって次世代のハイブリッドボンディングへの適用も可能となる。

　また、前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の２５℃における初期粘度が５００ｍＰａ・ｓ～１００，０００ｍＰａ・ｓであり、７日間４０℃で密閉保管した時の２５℃における粘度上昇率が２０％以下であることが好ましい。

　このような初期粘度であれば、塗布性、作業性の観点から好ましく、粘度上昇率が上記のように低ければ、増粘が進行しにくく、初期に設定した膜厚を維持しやすい。

　また、前記（Ａ－４）成分が、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１００～５００，０００ｍＰａ・ｓの熱可塑性ジメチルポリシロキサンであることが好ましい。

　このような粘度の熱可塑性ジメチルポリシロキサンは、剥離添加剤として好ましい。

　また、前記熱硬化性シロキサン重合体組成物が、（Ａ－６）有機溶剤を含有する組成物であり、前記熱硬化性シロキサン重合体組成物は、前記（Ａ－６）成分を、該組成物中の不揮発成分が１０～９０ｗｔ％になる量含有するものであることが好ましい。

　このような有機溶剤を含有することにより、スピンコートしやすいものとなる。

　また、前記熱硬化性シロキサン重合体組成物が、（Ａ－７）反応制御剤を含有する組成物であるものとすることができる。

　このような反応制御剤は、増粘やゲル化を起こさないように適宜加えることができる。

　また、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物は、回路付基板上に成膜し、形成された前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化後における前記回路付基板から剥離させる際の剥離力（Ｒ１）が、２３℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｇｆ／２５ｍｍ以上であり、かつ前記回路付基板を前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化物を介して接合すべき支持体上に形成された前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化後における前記支持体から剥離させる際の剥離力（Ｒ２）が、２３℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｇｆ／２５ｍｍ以上であり、かつ前記回路付基板上に成膜した場合はＲ１／Ｒ２≦１．０となり、前記支持体上に成膜した場合はＲ１／Ｒ２≧１．０となるものであることが好ましい。

　回路付基板側の剥離力（Ｒ１）と支持体側の剥離力（Ｒ２）が上記関係を満たすとき、積層体から低い剥離力で支持体を剥離することが可能であり、かつ剥離界面に選択性を持たせることが可能であるため、回路付基板上に成膜した場合、仮接着剤層の残渣が残りにくく、好ましい。また、支持体上に成膜した場合でも、剥離界面に選択性を持たせることが可能となる。

　また、前記熱硬化性シロキサン重合体組成物において、不揮発成分が５質量％となるように調製した溶液の、波長２６５ｎｍでの光透過率が５０％以下であることが好ましい。

　不揮発成分が５質量％となるように調製した溶液の透過率がこの範囲であれば、回路付基板においては低い剥離力でかつ界面選択的に積層体から支持体を剥離することが可能となり、また金属パッドをその表面に有する回路付基板に適用した場合では、積層体形成後に耐熱プロセスを経た場合であっても、金属パッドの酸化劣化を抑えることが可能となる。

　また、本発明は、
　（ａ）表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板の表面に、上記のいずれかの熱硬化性シロキサン重合体組成物をスピンコート法により成膜しプリベイクすることで、仮接着剤層を形成する工程と、
　（ｂ）支持体と、前記仮接着剤層がある前記回路付基板の回路形成面とを加熱・減圧下で接合し、回路付基板加工体を作製する工程と、
　（ｃ）前記回路付基板加工体を加熱し、前記仮接着剤層を硬化する工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板積層体の製造方法を提供する。

　また、本発明は、
　（ｄ）上記の回路付基板積層体の製造方法によって製造した回路付基板積層体において、前記回路付基板の裏面を研削又は／及び研磨する工程と、
　（ｅ）前記回路付基板の裏面にさらなる加工を施す工程と、
　（ｆ）前記回路付基板積層体を前記回路付基板の表面と前記仮接着剤層の界面から剥離し、前記支持体と前記仮接着剤層を一体で分離し、前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする薄型回路付基板の製造方法を提供する。

　また、本発明は、
　（ｇ）支持体上に、上記のいずれかの熱硬化性シロキサン重合体組成物をスピンコート法により成膜してプリベイクにより、仮接着剤層を形成する工程と、
　（ｈ）表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板を、表面が前記仮接着剤層に接するように加熱・減圧下で接合し、回路付基板加工体を作製する工程と、
　（ｉ）前記回路付基板加工体を加熱し、前記仮接着剤層を硬化する工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板積層体の製造方法を提供する。

　また、本発明は、
　（ｊ）上記の回路付基板積層体の製造方法によって製造した回路付基板積層体において、前記回路付基板の裏面を研削又は／及び研磨する工程と、
　（ｋ）前記回路付基板の裏面にさらなる加工を施す工程と、
　（ｌ）前記回路付基板積層体を前記支持体と前記仮接着剤層の界面から剥離し、前記支持体を分離する工程と、
　（ｍ）前記回路付基板から前記仮接着剤層を除去し、前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする薄型回路付基板の製造方法を提供する。

　本発明の回路付基板積層体の製造方法及び薄型回路付基板の製造方法は、これらのようないずれかの態様とすることができる。すなわち、仮接着剤層の形成面及び剥離面を選択的なものとすることができる。

　本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物は、回路付基板加工用仮接着剤として用いることができ、特に回路付基板に適用した場合においても、回路付基板／仮接着剤層間、又は、仮接着剤層／支持体間で選択的に剥離が可能で、後者の場合、続く工程において仮接着剤層を基板から簡便に除去可能であり、それによっていずれの剥離パターンにおいても回路付基板上には仮接着剤層の残渣残りが無いため、続く基板洗浄プロセスを簡便に、かつ低コストで実施が可能となる。また、金属ピラーをその表面に有する回路付基板に適用した場合においても、所定の熱プロセスを経た後であっても、金属ピラーの酸化劣化を抑えることが可能であり、それによって次世代のハイブリッドボンディングへの適用も可能となる。

　本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意検討した結果、１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサンを含む、熱硬化性シロキサン重合体組成物を回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物として仮接着剤層に使用することで前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。

　したがって本発明では、下記回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物、回路付基板積層体の製造方法及び薄型回路付基板の製造方法を提供する。

　本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物は、
　（Ａ－１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有し、アリール基を有しないオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－２）１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
　（Ａ－４）剥離添加剤、
　（Ａ－５）白金系触媒、
を含有し、
　前記（Ａ－１）及び前記（Ａ－２）成分中のアルケニル基に対する前記（Ａ－３）成分中のＳｉ－Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量を含有するものであることを特徴とする回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物である。

　以下、本発明をより詳細に説明する。

　本発明における仮接着剤としての回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物は熱硬化性であり、積層体を形成し仮接着剤層を硬化させた後、この積層体を剥離することによって回路付基板のみを取り出すことができる。剥離は回路付基板側又は支持体側のいずれかの界面から選択的に実施することが可能で、後者の場合、仮接着剤層が厚膜で回路付基板上に残るが、続く工程で仮接着剤層を基板上から簡便に除去可能であるため、いずれの剥離パターンにおいても回路付基板上には仮接着剤層は残らない。また仮接着剤を熱硬化性とすることで、回路付基板の裏面を研削して薄型化したり、ＣＶＤ等の加熱を伴うプロセスに投入された場合でも十分な耐熱性を得ることが出来るため、薄型回路付基板を簡易に製造することが可能となる。

　表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板は、表面が回路形成面であり、裏面が回路非形成面である回路付基板である。本発明に使用される回路付基板は、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム－ヒ素ウエハ、ガリウム－リンウエハ、ガリウム－ヒ素－アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、典型的には６００～８００μｍ、より典型的には６２５～７７５μｍである。

　支持体は、上記のように、回路付基板を本発明の熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化物を介して接合すべきものである。支持体としては、シリコンウエハやガラス板、石英ウエハ、各種金属板等の基板が使用可能であり、プロセス適合性が必要であること以外はなんら制約はない。

　回路付基板がウエハである場合、支持体はそのウエハと直径が同じ円形板であることが好ましく、仮接着剤層を積層する場合には、液状物の仮接着剤をスピンコート法により成膜することが好ましい。この方法であれば、仮接着剤層を均一な膜厚を持つ層として成膜する事が容易であり、また回路付基板の表面に凹凸がある場合でも容易にこの凹凸を埋め込み、均一な膜を成膜する事が可能となる。これにより、仮接着剤層を介して支持体と回路付基板を一体の積層体として形成する際、仮接着剤層と支持体ないし回路付基板の表面との接着界面に空隙等が生じにくく、更に一体に形成された積層体の厚み均一性をより均一に形成することが可能となる。回路付基板がウエハではない場合でも、その形状によってスピンコート法やスリットコート法、スプレーコート法、フィルムラミネート法等既存の方法によって成膜する事が可能であり、その際支持体形状は回路付基板と同形状で、厚み以外は同サイズであることが好ましい。

　本発明において、仮接着剤層は、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物を硬化させた硬化物とする。以下、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物における熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）とも称し、熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）及びその硬化物について詳細を述べる。

－熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）－
　本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物は、回路付基板加工体の構成要素である熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物であり、以下の成分を含むものである。
　（Ａ－１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有し、アリール基を有しないオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－２）１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
　（Ａ－４）剥離添加剤、
　（Ａ－５）白金系触媒。

　さらに、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物は、（Ａ－１）及び（Ａ－２）成分中のアルケニル基に対する（Ａ－３）成分中のＳｉ－Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量を含有するものである。

　また、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物は、任意成分として、（Ａ－６）有機溶剤、（Ａ－７）反応制御剤、のいずれかを１つ以上含んでも良い。

　以下（Ａ－１）～（Ａ－７）成分について説明する。

（Ａ－１）成分
　（Ａ－１）成分は、１分子中に２個以上のアルケニル基を有し、アリール基を有しないオルガノポリシロキサンであり、例えば、１分子中に２個以上のアルケニル基を含有し、かつ分子中にＲ^１３Ｒ^１３ＳｉＯ_２／２単位で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）、Ｒ^１３ＳｉＯ_３／２単位で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）又はＳｉＯ_４／２単位で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）のうちいずれか１つ以上を持つオルガノポリシロキサンである。特に、１分子中のアルケニル基含有率が０．０００１～３．０ｍｏｌ／１００ｇである、Ｄ単位を含むジオルガノポリシロキサン、Ｔ単位を含むモノオルガノポリシロキサン、又はＱ単位を含むレジン構造のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。

　このようなオルガノポリシロキサンとして、具体的には下記式（１）、（２）、（３）で示されるものを挙げることができる。これらは１種単独でも、２種以上を混合して用いても良い。
Ｒ^１３ _{（３－ａ１）}Ｘ_ａ１ＳｉＯ－（Ｒ^１３ＸＳｉＯ）_ｍ１－（Ｒ^１３ _２ＳｉＯ）_ｎ１－ＳｉＲ^１３ _{（３－ａ１）}Ｘ_ａ１　（１）
Ｒ^１３ _２（ＨＯ）ＳｉＯ－（Ｒ^１３ＸＳｉＯ）_ｐ１＋２－（Ｒ^１３ _２ＳｉＯ）_ｑ１－ＳｉＲ^１３ _２（ＯＨ）　（２）
（ＳｉＯ_４／２）_ｂ１（Ｒ^１３ _３ＳｉＯ_１／２）_ｃ１（Ｒ^１３ _{（３－ｅ１）}Ｘ_ｅ１ＳｉＯ_１／２）_ｄ１　（３）
（式中、Ｒ^１３は夫々独立して脂肪族不飽和結合を有さない１価炭化水素基、Ｘは夫々独立してアルケニル基含有１価有機基、ａ１は０～３の整数、ｍ１、ｎ１は、２ａ１＋ｍ１が１分子中のアルケニル基含有率が０．０００１～３．０ｍｏｌ／１００ｇとなる数である。ｐ１、ｑ１は、ｐ１＋２が１分子中のアルケニル基含有率が０．０００１～３．０ｍｏｌ／１００ｇとなる数である。ｅ１は夫々独立に１～３の整数で、ｂ１、ｃ１、ｄ１が、（ｃ１＋ｄ１）／ｂ１が０．３～３．０、ｄ１／（ｂ１＋ｃ１＋ｄ１）が０．０１～０．６となるような数である。）

　上記式中、Ｒ^１３としては、炭素原子数１～１０の１価炭化水素基が好ましく、例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基；シクロヘキシル基などのシクロアルキル基などであり、特にメチル基等のアルキル基が好ましい。

　Ｘのアルケニル基含有１価有機基としては、炭素原子数２～１０の有機基が好ましく、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；アクリロイルプロピル基、アクリロイルメチル基、メタクリロイルプロピル基等の（メタ）アクリロイルアルキル基；アクリロキシプロピル基、アクリロキシメチル基、メタクリロキシプロピル基、メタクリロキシメチル基等の（メタ）アクリロキシアルキル基；シクロヘキセニルエチル基、ビニルオキシプロピル基などのアルケニル基含有１価炭化水素基が挙げられ、特に、工業的にはビニル基が好ましい。

　上記一般式（１）中、ａ１は０～３の整数であるが、ａ１が１～３であれば、分子鎖末端がアルケニル基で封鎖されるため、反応性のよいこの分子鎖末端アルケニル基により、短時間で反応を完結することができ好ましい。さらには、コスト面において、ａ１＝１が工業的に好ましい。このアルケニル基含有ジオルガノポリシロキサンの性状はオイル状又は生ゴム状であることが好ましい。このアルケニル基含有ジオルガノポリシロキサンは直鎖状であっても分岐状であってもよい。

　上記一般式（３）はＳｉＯ_４／２単位を持つレジン構造のオルガノポリシロキサンであり、式中ｅ１は夫々独立に１～３の整数であるが、コスト面において、ｅ１＝１が工業的に好ましい。また、ｅ１の平均値とアルケニル基含有率の積が０.００１～７．０ｍｏｌ／１００gであることが好ましく、０.００１～２．３ｍｏｌ／１００ｇであることがより好ましい。このレジン構造のオルガノポリシロキサンは、有機溶剤に溶解させた溶液として使用しても良い。

　なお、（Ａ－１）成分は、アリール基を有しないことで、（Ａ－２）成分と区別される。

（Ａ－２）成分
　（Ａ－２）成分は、１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサンである。（Ａ－２）成分は、例えば、１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を含有し、かつ分子中に
　Ｒ^３Ｒ^３ＳｉＯ_２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）（ここで、Ｒ^３は、それぞれ独立に、非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、
　Ｒ^３ＳｉＯ_３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）（ここで、Ｒ^３は、それぞれ独立に非置換又は置換の１価炭化水素基を示す。）、
　ＳｉＯ_４／２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）
　のうち、いずれか１つ以上を有し、前記Ｒ^３のうち、１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するものである。

　このうち、特に、１分子中のアルケニル基含有率が０．０００１～３．０ｍｏｌ／１００ｇ、アリール基含有率が０．０００１～１．５ｍｏｌ／１００ｇである、Ｄ単位を含むジオルガノポリシロキサン、Ｔ単位を含むモノオルガノポリシロキサン、又はＱ単位を含むレジン構造のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。

　このようなオルガノポリシロキサンとして、具体的には下記式（４）、（５）、（６）、（７）、（８）で示されるものを挙げることができる。これらは１種単独でも、２種以上を混合して用いても良い。
Ｒ^２３ _{（３－ａ－ｂ）}Ｘ_ａＹ_ｂＳｉＯ－（Ｒ^２３ＸＳｉＯ）_ｌ－（Ｙ_２ＳｉＯ）_ｍ－（Ｒ^２３ _２ＳｉＯ）_ｎ－ＳｉＲ^２３ _{（３－ａ－ｂ）}Ｘ_ａＹ_ｂ（４）
Ｒ^２３ _２（ＨＯ）ＳｉＯ－（Ｒ^２３ＸＳｉＯ）_ｐ－（Ｙ_２ＳｉＯ）_ｑ－（Ｒ^２３ _２ＳｉＯ）_ｒ－ＳｉＲ^２３ _２（ＯＨ）　（５）
（ＳｉＯ_４／２）_ｃ（Ｒ^２３ _３ＳｉＯ_１／２）_ｄ（Ｒ^２３ _{（３－ｆ）}Ｘ_ｆＳｉＯ_１／２）_ｅ（Ｒ^２３ _{（３－ｇ）}Ｙ_ｇＳｉＯ_１／２）_ｈ　（６）
（ＳｉＯ_４／２）_ｃ（Ｒ^２３ _３ＳｉＯ_１／２）_ｄ（Ｒ^２３ _{（３－ｊ－ｋ）}Ｘ_ｋＹ_ｊＳｉＯ_１／２）_ｉ　（７）
（ＳｉＯ_４／２）_ｃ（Ｒ^２３ _３ＳｉＯ_１／２）_ｄ（Ｒ^２３ _{（３－ｌ）}Ｘ_ｌＳｉＯ_１／２）_ｍ（Ｒ^２３ _{（３－ｎ）}Ｙ_ｎＳｉＯ_１／２）_о（Ｒ^２３ _{（３－ｓ－ｔ）}Ｘ_ｓＹ_ｔＳｉＯ_１／２）_ｕ　（８）
（式中、Ｒ^２３は夫々独立して脂肪族不飽和結合を有さない１価炭化水素基、Ｘは夫々独立してアルケニル基含有１価有機基、Ｙは夫々独立してアリール基又はアリール基含有１価の有機基、
ａ、ｂは０～３の整数、ｌ、ｍ、ｎは、２ａ＋ｌが１分子中にアルケニル基含有率が０．０００１～３．０ｍｏｌ／１００ｇ、かつ２ｂ＋２ｍが１分子中にアリール基含有率が０．０００１～１．５ｍｏｌ／１００ｇとなる数である。
ｐ、ｑ、ｒは、ｐが１分子中にアルケニル基含有率が０．０００１～１．０ｍｏｌ／１００ｇとなる数、ｑが１分子中にアリール基含有率が０．０００１～１．０ｍｏｌ／１００ｇとなる数である。
ｆ、ｇは夫々独立に１～３の整数であり、ｅｆ／（ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｈ）が１分子中にアルケニル基含有率が０．００１～２．３ｍｏｌ／１００ｇ、ｇｈ／（ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｈ）が１分子中にアリール基含有率が０．００１～１．５ｍｏｌ／１００ｇとなる数である。
ｋ、ｊは夫々独立に１以上の整数かつ２≦ｋ＋ｊ≦３、ｋｉ／（ｃ＋ｄ＋ｉ）が１分子中にアルケニル基含有率が０．００１～２．３ｍｏｌ／１００ｇ、ｊｉ／（ｃ＋ｄ＋ｉ）が１分子中にアリール基含有率が０．００１～１．５ｍｏｌ／１００ｇとなる数である。
ｌ、ｓは夫々独立して０～３の整数であり、かつ１≦ｌ＋ｓ≦６、ただしｌ＋ｓが６の時は、ｎ≧１、かつ（ｌｍ＋ｓｕ）／（ｃ＋ｄ＋ｍ＋о＋ｕ）が１分子中にアルケニル基含有率が０．００１～２．３ｍｏｌ／１００ｇとなる数である。
ｎ、ｔは夫々独立して０～３の整数であり、かつ１≦ｎ＋ｔ≦６、ただしｎ＋ｔが６の時は、ｌ≧１、かつ（ｎо＋ｔｕ）／（ｃ＋ｄ＋ｍ＋о＋ｕ）が１分子中にアリール基含有率が０．００１～１．５ｍｏｌ／１００ｇとなる数である。）

　上記式中、Ｒ^２３としては、炭素原子数１～１０の１価炭化水素基が好ましく、例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基；シクロヘキシル基などのシクロアルキル基などであり、特にメチル基等のアルキル基が好ましい。

　Ｙのアリール基又はアリール基含有１価の有機基としては、炭素原子数６以上の有機基が好ましく、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラセニル基、ベンジル基、フェネチル基、などが挙げられるが、工業的にはフェニル基が好ましい。

　上記一般式（４）中、ａは０～３の整数であるが、ａが１～３であれば、分子鎖末端がアルケニル基で封鎖されるため、反応性の良いこの分子鎖末端アルケニル基により、短時間で反応を完結することができ好ましい。さらには、コスト面において、ａ＝１が工業的に好ましい。このアルケニル基とアリール基を含有するジ（モノ）オルガノポリシロキサンの性状はオイル状又は生ゴム状であることが好ましい。このアルケニル基含有ジ（モノ）オルガノポリシロキサンはＤ単位のみから成っても、Ｔ単位を含んでいてもよい。

　上記一般式（６）はＳｉＯ_４／２単位を持つレジン構造のオルガノポリシロキサンであり、式中ｆ、ｇは夫々独立に０～３の整数、ｋ、ｊは夫々独立に１～２かつ２≦ｋ＋ｊ≦３を満たす整数であるが、コスト面において、ｆ＝ｇ＝０、ｋ＝ｊ＝１が工業的に好ましい。このレジン構造のオルガノポリシロキサンは、有機溶剤に溶解させた溶液として使用しても良い。

　（Ａ－２）成分の添加量は、同じく分子中にアルケニル基を有する（Ａ－１）成分と任意の割合で使用することができ、また（Ａ－２）成分中にアリール基がどの程度含まれるかによっても有効量は変わってくるため、一概に適正量の規定はできないが、例えば（Ａ－１）成分１００質量部に対して０．１～１００質量部、好ましくは１～５０質量部で添加される。この添加量が０．１質量部以上であれば、アリール基含有によるデボンドフォースの低減、剥離界面の選択性、金属パッドの酸化劣化抑制効果が得られやすく好ましい。１００質量部以下であれば、他の成分と分離することなく、均質な硬化膜が得られやすく好ましい。

（Ａ－３）成分
　（Ａ－３）成分は架橋剤であり、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）を少なくとも２個、好ましくは３個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。直鎖状、分岐状、又は環状のものを使用できる。

　（Ａ－３）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの２５℃における粘度は、１～５，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、５～５００ｍＰａ・ｓであるのがさらに好ましい。なお、ここでの粘度は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３に従い２５℃にて測定を行った。使用する粘度計は、粘度によって適宜選択すればよいが、例えばＥ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）が好適に使用できる。

　このオルガノハイドロジェンポリシロキサンは２種以上の混合物でもよい。（Ａ－３）成分の量は、（Ａ－１）及び（Ａ－２）成分中のアルケニル基量に対する（Ａ－３）成分中のＳｉＨ基のモル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）が０．３～１０となるように配合する。この配合比は、特に１．０～８．０の範囲となるように配合することが好ましい。このＳｉＨ基とアルケニル基とのモル比が０．３以上であれば、架橋密度が低くなることもなく、粘着剤層が硬化しないといった問題も起こらない。１０以下であれば、架橋密度が高くなりすぎることもなく、十分な粘着力及びタックが得られる。また、モル比が１０以下であれば、処理液の使用可能時間を長くすることができる。

　なお、モル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）の計算は、１００ｇあたりのＳｉＨの測定値（ｍｏｌ／１００ｇ）、１００ｇあたりのアルケニル基の測定値（ｍｏｌ／１００ｇ）より算出した。調製例におけるモル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）の値は、下記式より算出される。
〔（ＰＯＨＳのＳｉＨ基含有率／１００）×ＰＯＨＳの添加量〕／
｛〔（ＰＤＭＳのアルケニル基含有率／１００）×ＰＤＭＳの添加量〕＋〔（ＰＶＭＳのアルケニル基含有率／１００）×ＰＶＭＳの添加量〕｝
（上記式中、ＰＯＨＳ：オルガノハイドロジェンポリシロキサン、ＰＤＭＳ：ジメチルポリシロキサン、ＰＶＭＳ：レジン構造のビニルメチルポリシロキサン）

（Ａ－４）成分
　（Ａ－４）成分は剥離添加剤であり、積層体（回路付基板積層体）から支持体ないし回路付基板を剥離させる際の剥離力調整と、剥離界面の安定化に効果が得られる。その結果剥離後の残渣発生の抑制にも繋がる。

　（Ａ－４）成分としては、特に離型性に優れた物質が選択され、具体例として、ジアルキルポリシロキサン、フェニル変性アルキルポリシロキサン、フッ素変性アルキルポリシロキサンなどの熱可塑性アルキルポリシロキサンが挙げられ、特に好ましいのはジメチルポリシロキサンである。

　前記剥離添加剤（Ａ－４）は、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１００～５００，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。特に、そのような粘度を有する熱可塑性ジメチルポリシロキサンであることが好ましい。なお、ここでの粘度は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３に従い２５℃にて測定を行った。使用する粘度計は、粘度によって適宜選択すればよいが、例えばＥ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）が好適に使用できる。

　（Ａ－４）成分の配合量は、通常（Ａ－１）、（Ａ－２）及び（Ａ－３）成分の合計１００質量部に対して１～２００質量部の範囲であればよく、好ましくは５～１００質量部、特に１０～７０質量部であるのが好ましい。２００質量部以下であれば硬化物の機械的強度や基板（回路付基板）と支持体の密着性を低下させすぎる事が無いため、回路付基板の裏面加工時や熱プロセス中に安定して支持体上に回路付基板を保持することができる。１質量部以上であれば、剥離力の調節と剥離界面の選択性をより確実にすることが可能で、その結果仮接着剤層を剥離した後の基板上の残渣発生を抑制することが可能となる。

（Ａ－５）成分
　（Ａ－５）成分は（Ａ－１）、（Ａ－２）成分と（Ａ－３）成分との付加反応を促進させる白金系触媒（即ち、白金族金属触媒）であり、例えば、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とアルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン化合物との反応物、塩化白金酸とビニル基含有シロキサンとの反応物などが挙げられる。

　（Ａ－５）成分の添加量は有効量であり、通常（Ａ－１）、（Ａ－２）及び（Ａ－３）成分の合計に対し、白金族金属分（質量換算）として１～５００ｐｐｍであり、２～１００ｐｐｍであることが好ましい。１ｐｐｍ以上であればシリコーン仮接着材組成物の硬化性が低下することもなく、架橋密度が低くなることも、保持力が低下することもない。また５００ｐｐｍ未満であれば、硬化前組成物のポットライフやシェルフライフを長く得られるようにコントロールしやすい。また加熱硬化時や硬化物への耐熱プロセス中における発泡抑制にも繋がるため好ましい。

（Ａ－６）成分
　（Ａ－６）成分は有機溶剤である。熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）は、その硬化前組成物溶液（すなわち、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物の溶液）をスピンコートなどの方法によって支持体上に形成する。スピンコートなどの方法によって支持体上に重合体層（Ａ）を形成する場合には、樹脂を溶液としてコートすることが好ましい。このとき使用される有機溶剤としては、（Ａ－１）～（Ａ－５）及び（Ａ－７）成分を溶解可能な溶剤であれば特に制限はないが、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、メシチレン、イソオクタン、ノナン、デカン、ｐ－メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネン等の炭化水素系溶剤、又はシリコーン系溶剤が好適に使用される。溶剤の含有量は、樹脂１００質量部に対して１０～９００質量部、好ましくは２５～４００質量部、更に好ましくは４０～３００質量部である。特に、組成物中の不揮発成分が１０～９０ｗｔ％になる量含有するものとすることができる。

（Ａ－７）成分
　（Ａ－７）成分は反応制御剤であり、シリコーン仮接着材組成物を調合ないし基材に塗工する際に、硬化前組成物溶液が増粘やゲル化を起こさないようにするために必要に応じて任意に添加するものである。

　具体例としては、３－メチル－１－ブチン－３－オール、３－メチル－１－ペンチン－３－オール、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール、１－エチニルシクロヘキサノール、３－メチル－３－トリメチルシロキシ－１－ブチン、３－メチル－３－トリメチルシロキシ－１－ペンチン、３，５－ジメチル－３－トリメチルシロキシ－１－ヘキシン、１－エチニル－１－トリメチルシロキシシクロヘキサン、ビス（２，２－ジメチル－３－ブチノキシ）ジメチルシラン、１，３，５，７－テトラメチル－１，３，５，７－テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，１，３，３－テトラメチル－１，３－ジビニルジシロキサンなどが挙げられ、好ましいのは１－エチニルシクロヘキサノール、及び３－メチル－１－ブチン－３－オールである。

　（Ａ－７）成分の配合量は、通常（Ａ－５）成分の白金系触媒の金属原子に対して０．１～１，０００ｍｏｌ当量、好ましくは１～５００ｍｏｌ当量である。添加量がこの範囲内であれば、硬化性に影響を与えることなく、ポットライフやシェルフライフ等の保存安定性を向上する効果が得られるため好ましい。

　また、この重合体（Ａ）の組成物（本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物）には、フェノール系、キノン系、アミン系などの公知の酸化防止材を耐熱性向上のために添加することができる。更に物理的硬度や機械的強度を更に高めるため、シリカ等のフィラーを添加することもできる。

　熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）は、膜厚が１０～１５０μｍの間で形成されて使用されることが好ましい。膜厚が１０μｍ以上であれば、支持体と回路付基板を一体の積層体として形成する際、重合体（Ａ）層と支持体及び回路付基板の表面との接着界面に空隙等が生じにくく、更に一体に形成された積層体の厚み均一性をより均一に形成することが可能となるため、回路付基板の薄型化の研削工程に十分耐えることができる。また高段差を有する回路付基板への適用も可能となるため好ましい。また、該重合体（Ａ）層の膜厚が１５０μｍ以下であれば、ＴＳＶ形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じるおそれがなく、実用に耐えることができるため好ましい。

　本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物（熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物）は、その２５℃における初期粘度が、塗布性の観点から、５００～１００，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１，０００～１０，０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。１００ｍＰａ・ｓ以上であれば、前記膜厚を得ることが容易であるため好ましく、１００，０００ｍＰａ・ｓ以下であれば、ディスペンス装置が適用可能となり、作業性の観点から好ましい。

　また、前記組成物を４０℃で７日間、密閉保管した後の２５℃粘度の上昇率が２０％以下であることが好ましく、２０％以下であれば十分保存安定性を有するとみなすことができる。この粘度上昇率が２０％以下であれば、例えば室温中で使用しているうちに増粘が進行しにくく、初期に設定した膜厚を維持しやすく好ましい。なお、ここでの２５℃初期粘度及び４０℃／７日間密閉保管後の２５℃粘度は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３に従い測定し、Ｅ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）で２５℃において測定したものである。

　また、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物（熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物）を仮接着剤層として使用した場合に以下の特性を有することが好ましい。特に、これらを全て満たすものであることが好ましい。

　まず、回路付基板（特にシリコン基板）上に成膜し、形成された熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化後における回路付基板から剥離させる際の剥離力（Ｒ１）が、２３℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｇｆ／２５ｍｍ以上でありことが好ましい。

　また、支持体（すなわち、回路付基板を熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化物を介して接合すべき支持体）上に形成された熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化後における支持体から剥離させる際の剥離力（Ｒ２）が、２３℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｇｆ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。

　さらに、熱硬化性シロキサン重合体組成物を回路付基板上に成膜した場合はＲ１／Ｒ２≦１．０となることが好ましい。また、熱硬化性シロキサン重合体組成物を支持体上に成膜した場合はＲ１／Ｒ２≧１．０となるものであることが好ましい。

　また、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物（熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物）は、不揮発成分が５質量％となるように調製した溶液の、波長２６５ｎｍでの光透過率が５０％以下であることが好ましい。この溶液は、必要に応じてアリール基を含まない溶剤で希釈を行って調製することができる。

　本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物（熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物）の透過率がこの範囲であれば、本発明の効果が得られ易く好ましい。つまり、回路付基板においては低い剥離力でかつ界面選択的に積層体から支持体を剥離することが可能となる。また金属パッドをその表面に有する回路付基板に適用した場合では、積層体形成後に耐熱プロセスを経た場合であっても、金属パッドの酸化劣化を抑えることが可能となる。

－任意成分－
　本発明に用いられる仮接着材層には、目的に応じて任意成分を添加することができる。例えば、トリアゾール系、ベンゾフェノン系などの光安定剤；ハロゲン系、アンチモン系などの難燃剤；カチオン活性剤、アニオン活性剤、非イオン系活性剤などの帯電防止剤などが使用される。

＜回路付基板積層体及び薄型回路付基板の製造方法＞
　本発明の回路付基板積層体の製造方法及び薄型回路付基板の製造方法は、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物（熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物）を仮接着剤層に用いて、回路付基板、仮接着剤層、支持体の積層体を製造する方法であり、支持体上に固定された回路付基板に基板の薄型化をはじめとする各種加工を施し、加工終了後に薄型化された回路付基板のみを取り出すことで薄型回路付基板を製造する方法である。本発明の回路付基板加工方法により得られる薄型化された回路付基板の厚さは、典型的には５～３００μｍ、より典型的には１０～１００μｍである。

　本発明の回路付基板積層体の製造方法は、
　（ａ）表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板の表面に、本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物をスピンコート法により成膜しプリベイクすることで、仮接着剤層を形成する工程と、
　（ｂ）支持体と、前記仮接着剤層がある前記回路付基板の回路形成面とを加熱・減圧下で接合し、回路付基板加工体を作製する工程と、
　（ｃ）前記回路付基板加工体を加熱し、前記仮接着剤層を硬化する工程と、
を含むプロセス、
　又は別の態様として、
　（ｇ）支持体上に、本発明の回路付基板加工熱硬化性シロキサン重合体組成物をスピンコート法により成膜してプリベイクにより、仮接着剤層を形成する工程と、
　（ｈ）表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板を、表面が前記仮接着剤層に接するように加熱・減圧下で接合し、回路付基板加工体を作製する工程と、
　（ｉ）前記回路付基板加工体を加熱し、前記仮接着剤層を硬化する工程と、
を含むプロセスのいずれかの態様より得られる。

　また、本発明の薄型回路付基板の製造方法は、
　（ｄ）前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の工程を経た回路付基板積層体の製造方法によって製造した回路付基板積層体において、前記回路付基板の裏面を研削又は／及び研磨する工程と、
　（ｅ）前記回路付基板の裏面にさらなる加工を施す工程と、
　（ｆ）前記回路付基板積層体を前記回路付基板の表面と前記仮接着剤層の界面から剥離し、前記支持体と前記仮接着剤層を一体で分離し、前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含む工程より得られる。又は別の態様として、
　（ｊ）前記（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）の工程を経た回路付基板積層体の製造方法によって製造した回路付基板積層体において、前記回路付基板の裏面を研削又は／及び研磨する工程と、
　（ｋ）前記回路付基板の裏面にさらなる加工を施す工程と、
　（ｌ）前記回路付基板積層体を前記支持体と前記仮接着剤層の界面から剥離し、前記支持体を分離する工程と、
　（ｍ）前記回路付基板から前記仮接着剤層を除去し、前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むプロセスのいずれかの態様より得られる。

　また、本発明は、これらの製造方法によって得られた回路付基板積層体及び薄型回路付基板をも提供する。

［工程（ａ）］
　工程（ａ）は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有する回路付基板の回路形成面に、本発明の回路付基板加工熱硬化性シロキサン重合体組成物（熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物）をスピンコート法により成膜し、仮接着剤層を積層する工程である。回路付基板加工熱硬化性シロキサン重合体組成物が（Ａ－６）有機溶剤成分を含有する場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じ、５０～２００℃の温度で、予めプリベイクを行っても良い。この時、プリベイクはオーブン、ホットプレートいずれを用いて行ってもよく、ホットプレートの場合は、回路付基板側をホットプレートに接する向きで置いて加熱しても、支持体側をホットプレートに接する向きで置いて加熱しても構わない。また、用いるホットプレートは、積層体を載せる側の片側のみにヒーターが設置してあるタイプでも、積層体を挟む形で両側にヒーターが設置してあるタイプでも、いずれの加熱仕様タイプを使用しても構わない。両側にヒーターが設置してあるタイプのホットプレートを用いる場合、その２つのヒーター間で温度差を設けても設けなくてもよい。

［工程（ｂ）］
　工程（ｂ）は、工程（ａ）にて回路付基板の表面に成膜された重合体（Ａ）層上に支持体を積層させ、支持体と回路付基板を重合体（Ａ）層を介して接合する工程であり、１０～２００℃、好ましくは４０～１５０℃の温度領域で、減圧下（特に、真空下）にて、仮接着剤層が積層された回路付基板と支持体とを均一に圧着することで、支持体と回路付基板が仮接着剤層を介して接合した回路付基板加工体が形成される。このとき、回路付基板加工体を形成するためのウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＣ３００、東京エレクトロン社のＳｙｎａｐｓｅＶ等が挙げられる。この一連の貼合工程において、回路付基板、支持体、及び貼合後の積層体は、減圧チャンバー内で均一に加熱処理に供される。

［工程（ｃ）］
　工程（ｃ）は、重合体（Ａ）を熱硬化させる工程である。回路付基板加工体が形成された後、６０～２５０℃、好ましくは８０～２００℃で２分～４時間、好ましくは３分～１時間加熱することによって、前記重合体層（Ａ）の硬化を行う。この際、常温の回路付基板加工体を直接１５０℃を超える温度で加熱すると、加工体に反りが発生してそのまま固定化されてしまう可能性があるため、反りを抑制するため、例えば６０～１５０℃で１～３０分加熱した後、１７０～２５０℃で５分～４時間加熱するなどの２段階の加熱を行っても良い。この硬化プロセスにおいて、加熱はオーブン、ホットプレートいずれを用いて行ってもよく、ホットプレートの場合は、回路付基板側をホットプレートに接する向きで置いて加熱しても、支持体側をホットプレートに接する向きで置いて加熱しても構わない。本発明の熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物は、ここで回路付基板側から加熱しようと、支持体側から加熱しようと、剥離界面が影響を受けることはないためである。よってホットプレートを用いる場合、積層体を載せる側の片側のみにヒーターが設置してあるタイプでも、積層体を挟む形で両側にヒーターが設置してあるタイプでも、いずれの加熱仕様タイプを使用しても構わない。両側にヒーターが設置してあるタイプのホットプレートを用いる場合、その２つのヒーター間で温度差を設けても設けなくてもよい。

　工程（ａ）～工程（ｃ）により、回路付基板積層体を製造することができる。

［工程（ｄ）］
　工程（ｄ）は、支持体と接合した回路付基板の裏面（回路非形成面）を研削又は研磨する工程、即ち、工程（ａ）～工程（ｃ）までで作製した回路付基板積層体の回路付基板裏面側を研削又は研磨して、該回路付基板の厚みを薄くする工程である。回路付基板裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、回路付基板と砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。回路付基板裏面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ－８１０、（株）岡本工作機械製作所製ＴＳＶ３００（商品名）等が挙げられる。また、研削後の回路付基板裏面側をＣＭＰ研磨してもよい。

［工程（ｅ）］
　工程（ｅ）は、回路非形成面を研削した回路付基板加工体、即ち、裏面研削又は裏面研磨によって薄型化された回路付基板加工体の裏面（回路非形成面）にさらなる加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。またこれ以外に、ダイシング等の方法により裏面研削され薄型化したウエハをチップサイズに切断することも出来る。

［工程（ｆ）］
　工程（ｆ）は、工程（ｅ）で加工を施した回路付基板加工体から支持体を分離する工程、即ち、薄型化した回路付基板に様々な加工を施した後、回路付基板加工体から支持体を分離する工程である。この工程は、一般に１０℃から１００℃程度の条件で実施され、回路付基板加工体の回路付基板又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された回路付基板の研削面に保護フィルムを貼り、回路付基板、重合体（Ａ）層、保護フィルムを一体にピール方式で回路付基板加工体から剥離する方法等が挙げられる。

　本発明には、これらの剥離方法のいずれにも適用可能であるが、回路付基板加工体の回路付基板を水平に固定しておき、支持体を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。
　また、加工を施した回路付基板加工体から支持体を分離する工程（ｆ）は、
（ｆ－１）加工を施した回路付基板の加工面にダイシングテープを接着する工程
（ｆ－２）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
（ｆ－３）吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記回路付基板加工体からピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施した回路付基板加工体から容易に剥離することが出来、また、後のダイシング工程を容易に行うことが出来る。

［工程（ｇ）］
　前記工程（ａ）では回路付基板上に本発明の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物（熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物）を成膜したが、工程（ｇ）ではそれを支持体上に変更した工程である。すなわち被膜形成面が異なるだけで、それ以外は工程（ａ）と同様にして実施することができる。

［工程（ｈ）］
　工程（ｈ）は、工程（ｇ）で支持体上に成膜された重合体（Ａ）層上に、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有する回路付基板の回路形成面を積層させ、支持体と回路付基板を重合体（Ａ）層を介して接合する工程であり、１０～２００℃、好ましくは４０～１５０℃の温度領域で、減圧下（特に、真空下）にて、仮接着剤層が積層された回路付基板と支持体とを均一に圧着することで、支持体と回路付基板が仮接着剤層を介して接合した回路付基板加工体が形成される。このとき、回路付基板加工体を形成するためのウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＣ３００、東京エレクトロン社のＳｙｎａｐｓｅＶ等が挙げられる。この一連の貼合工程において、回路付基板、支持体、及び貼合後の積層体は、減圧チャンバー内で均一に加熱処理に供される。

［工程（ｉ）］
　工程（ｉ）は、重合体（Ａ）を熱硬化させる工程であり、工程（ｃ）と同様にして行うことができる。

　工程（ｇ）～工程（ｉ）により、回路付基板積層体を製造することができる。

［工程（ｊ）］
　工程（ｊ）は、支持体と接合した回路付基板の裏面（回路非形成面）を研削又は研磨する工程、即ち、工程（ｇ）～（ｉ）までで作製した回路付基板積層体の回路付基板裏面側を研削又は研磨して、該回路付基板の厚みを薄くする工程である。この工程（ｊ）は、工程（ｄ）と同様にして行うことができる。

［工程（ｋ）］
　工程（ｋ）は、回路非形成面を研削した回路付基板加工体、即ち、裏面研削又は裏面研磨によって薄型化された回路付基板加工体の裏面（回路非形成面）にさらなる加工を施す工程である。この工程（ｋ）は、工程（ｅ）と同様にして行うことができる。

［工程（ｌ）］
　工程（ｌ）は、工程（ｋ）で加工を施した回路付基板加工体から支持体を分離する工程、即ち、薄型化した回路付基板に様々な加工を施した後、回路付基板加工体から支持体を分離する工程である。この工程は、一般に１０℃から１００℃程度の条件で実施され、回路付基板加工体の回路付基板又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削された回路付基板の研削面に保護フィルムを貼り、回路付基板、重合体（Ａ）層、保護フィルムを一体にピール方式で回路付基板加工体から剥離する方法等が挙げられる。

　本発明には、これらの剥離方法のいずれにも適用可能であるが、回路付基板加工体の回路付基板を水平に固定しておき、支持体を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。
　また、加工を施した回路付基板加工体から支持体を分離する工程（ｌ）は、
（ｌ－１）加工を施した回路付基板の加工面にダイシングテープを接着する工程
（ｌ－２）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
（ｌ－３）吸着面の温度が１０℃から１００℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記回路付基板加工体からピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施した回路付基板加工体から容易に剥離することが出来、また、後のダイシング工程を容易に行うことが出来る。

［工程（ｍ）］
　工程（ｍ）は、支持体が分離された回路付基板加工体から、重合体（Ａ）層の硬化膜を分離し回路付基板のみを取り出す工程である。重合体（Ａ）層の硬化膜を分離する方法としては、例えばテープピールする方法、硬化膜を溶剤浸漬させて膨潤させた後に溶剤と共に吸引除去する方法、硬化膜を分解洗浄可能な洗浄液で洗い落とす方法などが挙げられ、これら方法を組み合わせて実施しても良い。

　重合体（Ａ）層の硬化膜を分離する方法のうち、テープピールによる方法が最も簡便で、コスト面からも好ましい。このテープピール工程は、一般に１０℃から１００℃程度の条件で実施され、回路付基板加工体を水平に固定しておき、露出している重合体（Ａ）層に剥離用のテープ材を貼り合わせ、このテープ材をピール方式により引き剥がすことで、重合体層（Ａ）の硬化膜を加工を施した回路付基板から剥離することが出来る。テープ材としては剥離可能であればどのようなテープ材でも使用可能であるが、特にシリコーン粘着材を使用したテープが好ましく、例えば（株）寺岡製作所製ポリエステルフィルム粘着テープＮｏ．６４６Ｓ、Ｎｏ．６４８などが好適に用いられる。

　また重合体（Ａ）層の硬化膜を分解洗浄して除去する方法においては、用いる洗浄液としては、例えばＳＰＩＳ－ＴＡ－ＣＬＥＡＮＥＲシリーズ（信越化学工業（株）製）などが好適に使用できる。

［工程（ｎ）］
　また、工程（ｆ）又は工程（ｍ）を実施し回路付基板加工体から回路付基板のみを分離した後、（ｎ）回路付基板表面の洗浄工程、を行うことが出来る。洗浄処理は、有機溶剤、アルカリ溶液、酸溶液等によるウェットプロセス、又はドライエッチング等のドライプロセス等で実施することが出来る。

　前記工程（ｎ）は、例えば有機溶剤が使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソノナン、ｐ－メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系有機溶剤、ジメチルスルホキシド、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトン、テトラヒドロフラン等の極性溶剤、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤が挙げられるが、洗浄処理が可能な溶剤であればこれに限定されるものではない。これらの溶剤は、１種単独でも２種以上組み合わせて用いても良い。また、より洗浄性を上げるために、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加しても良い。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類、前記アンモニウム塩類のフッ酸塩等が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１～４０質量％、好ましくは０．１～１５質量％である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加しても良い。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法等が可能である。洗浄温度は１０～８０℃、好ましくは１５～６５℃が好適であり、必要があれば、これら洗浄液で洗浄を行った後、最終的に純水又はアルコールによるリンスを行い、乾燥処理させて、薄型ウエハを得ることも可能である。

　以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。

［調製例１］
　フェニル基含有率が０．１２５ｍｏｌ／１００ｇでアルケニル基含有率が０．０２５５ｍｏｌ／１００ｇの数平均分子量（Ｍｎ）が３０万の両末端ビニルポリジメチルシロキサン（（Ａ－２）成分）１０質量部及びキシレン２０質量部からなる溶液と、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）２モル％からなるアルケニル基含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７,０００のレジン構造のメチルビニルシロキサン（（Ａ－１）成分）９０質量部及びキシレン１８０質量部からなる溶液と、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１０，０００ｍＰａ・ｓのジメチルポリシロキサン（（Ａ－４）成分）２０質量部及びキシレン４０質量部からなる溶液と、（ＣＨ_３）ＨＳｉＯ_２／２単位（Ｄ^Ｈ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２０９ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（（Ａ－３）成分）を２０質量部、エチニルシクロヘキサノールを０．５質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（信越化学工業（株）製）（（Ａ－５）成分）を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ１）を得た。なお、不揮発分は５４．０％となり、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ－Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、１．５となった。

［調製例２］
　フェニル基含有率が０．０２６５ｍｏｌ／１００ｇでアルケニル基含有率が０．０２７１ｍｏｌ／１００ｇの数平均分子量（Ｍｎ）が３０万の両末端ビニルポリジメチルシロキサン（（Ａ－２）成分）２０質量部及びキシレン４０質量部からなる溶液と、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）２モル％からなるアルケニル基含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７,０００のレジン構造のメチルビニルシロキサン（（Ａ－１）成分）８０質量部及びキシレン１６０質量部からなる溶液と、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１，０００ｍＰａ・ｓのジメチルポリシロキサン（（Ａ－４）成分）１０質量部及びキシレン２０質量部からなる溶液と、（ＣＨ_３）ＨＳｉＯ_２／２単位（Ｄ^Ｈ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２０９ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（（Ａ－４）成分）を２０質量部、エチニルシクロヘキサノール（（Ａ－７）成分）を０．５質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（信越化学工業（株）製）（（Ａ－５）成分）を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ２）を得た。なお、不揮発分は５４．３％となり、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ－Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、１．５となった。

［調製例３］
　フェニル基含有率が０．１２５ｍｏｌ／１００ｇでアルケニル基含有率が０．０２５５ｍｏｌ／１００ｇの数平均分子量（Ｍｎ）が３０万の両末端ビニルポリジメチルシロキサン（（Ａ－２）成分）５質量部及びキシレン１０質量部からなる溶液と、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）２モル％からなるアルケニル基含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７,０００のレジン構造のメチルビニルシロキサン（（Ａ－１）成分）９０質量部及びキシレン１８０質量部からなる溶液と、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４０モル％、（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）５モル％及び（Ｃ_６Ｈ_５）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｐｈ単位）５モル％からなるフェニル基含有率が０．０６７３ｍｏｌ／１００ｇでアルケニル基含有率が０．０６７３ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７,０００のレジン構造のメチルフェニルビニルシロキサン（（Ａ－２）成分）５質量部及びキシレン１０質量部からなる溶液と、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１０，０００ｍＰａ・ｓのジメチルポリシロキサン（（Ａ－４）成分）２５質量部及びキシレン５０質量部からなる溶液と、（ＣＨ_３）ＨＳｉＯ_２／２単位（Ｄ^Ｈ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２０９ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（（Ａ－３）成分）を２５質量部、エチニルシクロヘキサノールを０．５質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（信越化学工業（株）製）（（Ａ－５）成分）を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ３）を得た。なお、不揮発分は５４．７％となり、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ－Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、１．７となった。

［調製例４］
　フェニル基含有率が０．０２６５ｍｏｌ／１００ｇでアルケニル基含有率が０．０２７１ｍｏｌ／１００ｇの数平均分子量（Ｍｎ）が３０万の両末端ビニルポリジメチルシロキサン（（Ａ－２）成分）２０質量部及びキシレン４０質量部からなる溶液と、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）２モル％からなるアルケニル基含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７,０００のレジン構造のメチルビニルシロキサン（（Ａ－１）成分）６５質量部及びキシレン１３０質量部からなる溶液と、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）２５モル％、（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）５モル％及び（Ｃ_６Ｈ_５）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｐｈ単位）２０モル％からなるフェニル基含有率が０．２３９ｍｏｌ／１００ｇでアルケニル基含有率が０．０５９８ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが８,０００のレジン構造のメチルフェニルビニルシロキサン（（Ａ－２）成分）１５質量部及びキシレン３０質量部からなる溶液と、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１，０００ｍＰａ・ｓのジメチルポリシロキサン（（Ａ－４）成分）１０質量部及びキシレン２０質量部からなる溶液と、（ＣＨ_３）ＨＳｉＯ_２／２単位（Ｄ^Ｈ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２０９ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（（Ａ－３）成分）を１５質量部、エチニルシクロヘキサノール（（Ａ－７）成分）を０．５質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（信越化学工業（株）製）（（Ａ－５）成分）を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ４）を得た。なお、不揮発分は５３．３％となり、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ－Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、０．９６となった。

［比較調製例１］
　分子側鎖のアルケニル基含有率が０．００３３７ｍｏｌ／１００ｇで数平均分子量（Ｍｎ）が３０万の両末端ビニルポリジメチルシロキサン（（Ａ－１）成分）１５質量部及びキシレン３０質量部からなる溶液と、ＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ_３）_３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２単位（Ｖｉ単位）２モル％からなるアルケニル基含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７,０００のレジン構造のメチルビニルシロキサン（（Ａ－１）成分）８５質量部及びキシレン１７０質量部からなる溶液と、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１０，０００ｍＰａ・ｓのジメチルポリシロキサン（（Ａ－４）成分）２０質量部及びキシレン４０質量部からなる溶液と、（ＣＨ_３）ＨＳｉＯ_２／２単位（Ｄ^Ｈ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２０９ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（（Ａ－３）成分）を２０質量部、エチニルシクロヘキサノール（（Ａ－７）成分）を０．５質量部添加し混合した。さらに白金触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（信越化学工業（株）製）（（Ａ－５）成分）を０．２質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン重合体溶液（ＣＡ１）を得た。なお、不揮発分は５４．０％となり、樹脂溶液中、アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン中のアルケニル基に対する、Ｓｉ－Ｈ基を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンのモル比は、１．７となった。

（実施例１～４、参考例１、比較例１、２）
－粘度測定試験－
　Ｅ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）で２５℃における樹脂の初期粘度及び４０℃／７日間密閉保管後の２５℃粘度を測定した。

－透過率測定試験－
　組成物の不揮発性分が５質量％となるよう調製し、紫外分光光度計（島津製作所製ＵＶ－３６００ｉ　Ｐｌｕｓ）で２５℃での２６５ｎｍ透過率を測定した。

－金属パッドウエハでの耐熱性試験－
　表面に高さ９μｍ、直径１０μｍの銅ピラーが全面に形成された直径３００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）上に上記調製例１～４から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ１）～（Ａ４）、比較調製例１から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（ＣＡ１）をそれぞれスピンコートし、１００℃のオーブンで２分間加熱することにより、銅ピラーを有するウエハ上に（Ａ）層に対応する材料を表１、表２に示す膜厚で形成した。これを、１２０℃のオーブンで２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃のオーブンで１０分間加熱することで、（Ａ）層の硬化を実施した。その後、２２０℃のオーブンで１０分間加熱した後、室温まで冷却し、樹脂硬化層を洗浄液で洗浄した後、光学顕微鏡にて銅ピラーを観察し、初期からの外観変化を評価した。初期から変化しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、銅ピラーが酸化劣化により変色した場合を不良と評価して「×」で示した。

－接着性試験－
　回路付基板として表面に高さ９μｍ、直径１０μｍの銅ポストが全面に形成された直径３００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）又は直径３００ｍｍベアシリコンウエハ上に上記調製例１～４から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ１）～（Ａ４）、比較調製例１から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（ＣＡ１）をそれぞれスピンコート後、１００℃のオーブンで２分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表１、表２に示す膜厚で形成した。これに対し、支持体として３００ｍｍガラス基板（厚さ：７００μｍ）を（Ａ）層成膜面に対向する様に、東京エレクトロン社のＳｙｎａｐｓｅＶを用いて真空中にて接合し、回路付基板加工体（積層体）を作製した。接合温度は７０℃、接合時のチャンバー内圧力は１０－３ｍｂａｒ以下、荷重は１０ｋＮで実施した。接合後、１２０℃のオーブンで２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃のオーブンで１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却した。また参考例では、１２０℃に加熱したホットプレート上に（Ａ）層を塗付しなかった側のウエハを乗せて２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃に加熱したホットプレート上に同じく塗布しなかった側のウエハを乗せて１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却した。その後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

－裏面研削耐性試験－
　接着性試験後の回路付基板加工体に対して、グラインダー（（株）岡本工作機械製作所製ＴＳＶ３００（商品名））でダイヤモンド砥石を用いて回路付基板の裏面研削を行った。最終基板厚５０μｍまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

－耐熱性試験－
　裏面研削性試験後の回路付基板加工体に対して、２６０℃のオーブンで１０分加熱した後の外観異常の有無を目視で確認した。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、回路付基板にわずかなゆがみが見られるものの、ボイド発生や膨れ、あるいは破損等の異常が無かった場合を概ね良好と評価して「△」、ボイド発生や膨れ、あるいは破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

－剥離性試験－
　耐熱性試験後の回路付基板加工体に対して、５０μｍまで薄型化した回路付基板の研削面（回路非形成面）側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼った。その後、デボンダー（東京エレクトロン社のＳｙｎａｐｓｅ）で、支持体であるガラス基板を持ち上げることで、ガラス基板と（Ａ）層を一体で剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく、また（Ａ）層が千切れる事無く界面選択的に剥離出来た場合を「○」で示し、ウエハ割れや（Ａ）層千切れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

－　ピール剥離力（Ｒ１）試験－（基板－仮接着剤層間の密着性評価）
　直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）上に上記調製例１～４から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ１）～（Ａ４）、比較調製例１から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（ＣＡ１）をスピンコート後、１００℃のオーブンで２分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表１、表２に示す膜厚で形成した。これに対し、支持体として予めＬＲＬ層が塗工された２００ｍｍガラス基板（厚さ：７００μｍ）を（Ａ）層成膜面に対向する様に、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて真空中にて接合し、シリコン基板積層体を作製した。接合温度は７０℃、接合時のチャンバー内圧力は１０－３ｍｂａｒ以下、荷重は１０ｋＮで実施した。接合後、１２０℃のオーブンで２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃のオーブンで１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却した。また参考例（ＲＡ３）では、１２０℃に加熱したホットプレート上に（Ａ３）層を塗付しなかった側のウエハを乗せて２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃に加熱したホットプレート上に同じく塗布しなかった側のウエハを乗せて１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却した。その後、支持体側からＵＶレーザーを照射してガラス基板を剥離させ、シリコン基板上に仮接着剤層が積層された剥離サンプルを得た。次いで、シリコン基板上の仮接着剤層に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが貼られていない部分の仮接着剤層を除去した。（株）島津製作所のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ　（ＡＧ－１）を用いて２５℃、３００ｍｍ／分の速度でテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、シリコン基板と仮接着剤層間の剥離力（Ｒ１）とした。

－　ピール剥離力（Ｒ２）試験－（仮接着剤層－支持体間の密着性評価）
　直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）上に上記調製例１～４から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ１）～（Ａ４）、比較調製例１から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（ＣＡ１）をスピンコート後、１００℃のオーブンで２分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表１に示す膜厚で形成した。これに対し、支持体として直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）を（Ａ）層成膜面に対向する様に、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて真空中にて接合し、シリコン基板積層体を作製した。接合温度は７０℃、接合時のチャンバー内圧力は１０－３ｍｂａｒ以下、荷重は１０ｋＮで実施した。接合後、１２０℃のオーブンで２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃のオーブンで１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却した。また参考例（ＲＡ３）では、１２０℃に加熱したホットプレート上に（Ａ３）層を塗付しなかった側のウエハを乗せて２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃に加熱したホットプレート上に同じく塗布しなかった側のウエハを乗せて１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却した。その後、室温にて、支持体であるシリコン基板の１点をピンセットにて持ち上げることで、シリコン基板支持体と（Ａ）層を一体で剥離し、シリコン基板支持体上に仮接着剤層が積層された剥離試験用サンプルを得た。次いで、シリコン基板支持体上の仮接着剤層に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが貼られていない部分の仮接着剤層を除去した。（株）島津製作所のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ　（ＡＧ－１）を用いて２５℃、３００ｍｍ／分の速度でテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、シリコン基板支持体と仮接着剤層間の剥離力（Ｒ２）とした。

　上記試験方法にて得られたピール剥離力Ｒ１、Ｒ２とＲ１／Ｒ２の結果を表１、表２に示す。

　表１では、直径３００ｍｍシリコンウエハを使用して接着性・裏面研削性・耐熱性・デボンドフォースを評価した。

　表２では、表面に高さ９μｍ、直径１０μｍの銅ポストが全面に形成された直径３００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）を使用して接着性・裏面研削性・耐熱性・デボンドフォースを評価した。

　表１、表２に示されるように、実施例１、２、３、４及び参考例１では回路付基板の接着性、回路付基板の裏面研削性、回路付基板加工体の耐熱性、剥離性が問題無く実施出来る事が示され、また剥離面も加熱面に関係なく回路付基板面と（Ａ）層の界面で選択的に剥離することが分かった。さらに、銅ピラーウエハでの耐熱試験時の酸化劣化に伴う変色も抑えられることが確認された。
　一方比較例１、２では、銅ピラーウエハにおける耐熱試験で酸化劣化が進行し、試験後に銅ピラーの変色が確認された。また、デボンドフォースも高値を示し、本実施例におけるデボンドフォースの低減効果が確認された。また、基板側と支持体側の剥離力比較の結果から、本実施例と比較して剥離選択性に劣る結果であった。

（実施例５）
　支持体上に熱硬化性シロキサン重合体（Ａ）組成物をスピンコートした場合の評価を実施した。

－接着性試験－
　支持体として３００ｍｍガラス基板（厚さ：７００μｍ）上に上記調製例３から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ３）をそれぞれスピンコート後、１００℃のオーブンで２分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表３に示す膜厚で形成した。これに対し、回路付基板として表面に高さ９μｍ、直径１０μｍの銅ポストが全面に形成された直径３００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）を（Ａ）層成膜面に対向する様に、東京エレクトロン社のＳｙｎａｐｓｅＶを用いて真空中にて接合し、回路付基板加工体（積層体）を作製した。接合温度は７０℃、接合時のチャンバー内圧力は１０－３ｍｂａｒ以下、荷重は１０ｋＮで実施した。接合後、１２０℃のオーブンで２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃のオーブンで１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

　裏面研削耐性及び耐熱性試験は上記実施例と同様な条件で行った。

－剥離性試験－
　耐熱性試験後の回路付基板加工体に対して、５０μｍまで薄型化した回路付基板の研削面（回路非形成面）側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼った。その後、デボンダー（東京エレクトロン社のＳｙｎａｐｓｅ）で、支持体であるガラス基板を持ち上げることで、ガラス基板のみ剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく、また（Ａ）層が千切れる事無く回路付基板に残って界面選択的に剥離出来た場合を「○」で示し、ウエハ割れや（Ａ）層千切れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

－　ピール剥離力（Ｒ１）試験－（基板－仮接着剤層間の密着性評価）
　支持体として直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）上に上記調製例３から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ３）をスピンコート後、１００℃のオーブンで２分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表３に示す膜厚で形成した。これに対し、直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）を（Ａ）層成膜面に対向する様に、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて真空中にて接合し、シリコン基板積層体を作製した。接合温度は７０℃、接合時のチャンバー内圧力は１０－３ｍｂａｒ以下、荷重は１０ｋＮで実施した。接合後、１２０℃のオーブンで２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃のオーブンで１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却した。その後、室温にて、支持体であるシリコン基板の１点をピンセットにて持ち上げることで、シリコン基板上に仮接着剤層が積層された剥離サンプルを得た。次いで、シリコン基板上の仮接着剤層に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが貼られていない部分の仮接着剤層を除去した。（株）島津製作所のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ　（ＡＧ－１）を用いて２５℃、３００ｍｍ／分の速度でテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、シリコン基板と仮接着剤層間の剥離力（Ｒ１）とした。

－　ピール剥離力（Ｒ２）試験－（仮接着剤層－支持体間の密着性評価）
　支持体として２００ｍｍガラス基板（厚さ：７００μｍ）上に上記調製例３から得られた熱硬化性シリコーン重合体溶液（Ａ３）をスピンコート後、１００℃のオーブンで２分間加熱することにより、（Ａ）層に対応する材料を表３に示す膜厚で形成した。これに対し、予めＬＲＬ層が塗工された２００ｍｍガラス基板（厚さ：７００μｍ）を（Ａ）層成膜面に対向する様に、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて真空中にて接合し、ガラス基板積層体を作製した。接合温度は７０℃、接合時のチャンバー内圧力は１０－３ｍｂａｒ以下、荷重は１０ｋＮで実施した。接合後、１２０℃のオーブンで２分間積層体を予備加熱し、更に２００℃のオーブンで１０分間加熱し、（Ａ）層の硬化を実施した後、室温まで冷却した。ＬＲＬ層が塗工されたガラスウエハ側からＵＶレーザーを照射してガラス基板を剥離させ、ガラス基板上に仮接着剤層が積層された剥離サンプルを得た。次いで、ガラス基板支持上の仮接着剤層に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが貼られていない部分の仮接着剤層を除去した。（株）島津製作所のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ　（ＡＧ－１）を用いて２５℃、３００ｍｍ／分の速度でテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、ガラス基板支持体と仮接着剤層間の剥離力（Ｒ２）とした。

　上記試験方法にて得られたピール剥離力Ｒ１、Ｒ２とＲ１／Ｒ２の結果を表３に示す。

　表３に示されるように、実施例５では回路付基板の接着性、回路付基板の裏面研削性、回路付基板加工体の耐熱性、剥離性が問題無く実施出来る事が示され、また剥離面も支持基板と（Ａ）層の界面で選択的に剥離することが分かった。

　本明細書は、以下の態様を包含する。
［１］：　（Ａ－１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有し、アリール基を有しないオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－２）１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
　（Ａ－４）剥離添加剤、
　（Ａ－５）白金系触媒、
を含有し、
　前記（Ａ－１）及び前記（Ａ－２）成分中のアルケニル基に対する前記（Ａ－３）成分中のＳｉ－Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量を含有するものであることを特徴とする回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
［２］：　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の初期粘度が５００ｍＰａ・ｓ～１００，０００ｍＰａ・ｓであり、７日間４０℃で密閉保管した時の粘度上昇率が２０％以下である上記［１］の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
［３］：　前記（Ａ－４）成分が、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１００～５００，０００ｍＰａ・ｓの熱可塑性ジメチルポリシロキサンである上記［１］又は上記［２］の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
［４］：　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物が、（Ａ－６）有機溶剤を含有する組成物であり、
　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物は、前記（Ａ－６）成分を、該組成物中の不揮発成分が１０～９０ｗｔ％になる量含有するものである上記［１］から上記［３］のいずれかの回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
［５］：　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物が、（Ａ－７）反応制御剤を含有する組成物である上記［１］から上記［４］のいずれかの回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
［６］：　回路付基板上に成膜し、形成された前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化後における前記回路付基板から剥離させる際の剥離力（Ｒ１）が、２３℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｇｆ／２５ｍｍ以上であり、かつ
　前記回路付基板を前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化物を介して接合すべき支持体上に形成された前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化後における前記支持体から剥離させる際の剥離力（Ｒ２）が、２３℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｇｆ／２５ｍｍ以上であり、かつ
　前記回路付基板上に成膜した場合はＲ１／Ｒ２≦１．０となり、
　前記支持体上に成膜した場合はＲ１／Ｒ２≧１．０となるものである上記［１］から上記［５］のいずれかの回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
［７］：　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物において、不揮発成分が５質量％となるように調製した溶液の、波長２６５ｎｍでの光透過率が５０％以下である上記［１］から上記［６］のいずれかの回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
［８］：　（ａ）表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板の表面に、上記［１］から上記［７］のいずれかの熱硬化性シロキサン重合体組成物をスピンコート法により成膜しプリベイクすることで、仮接着剤層を形成する工程と、
　（ｂ）支持体と、前記仮接着剤層がある前記回路付基板の回路形成面とを加熱・減圧下で接合し、回路付基板加工体を作製する工程と、
　（ｃ）前記回路付基板加工体を加熱し、前記仮接着剤層を硬化する工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板積層体の製造方法。
［９］：　（ｄ）上記［８］の回路付基板積層体の製造方法によって製造した回路付基板積層体において、前記回路付基板の裏面を研削又は／及び研磨する工程と、
　（ｅ）前記回路付基板の裏面にさらなる加工を施す工程と、
　（ｆ）前記回路付基板積層体を前記回路付基板の表面と前記仮接着剤層の界面から剥離し、前記支持体と前記仮接着剤層を一体で分離し、前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする薄型回路付基板の製造方法。
［１０］：　（ｇ）支持体上に、上記［１］から上記［７］のいずれかの熱硬化性シロキサン重合体組成物をスピンコート法により成膜してプリベイクにより、仮接着剤層を形成する工程と、
　（ｈ）表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板を、表面が前記仮接着剤層に接するように加熱・減圧下で接合し、回路付基板加工体を作製する工程と、
　（ｉ）前記回路付基板加工体を加熱し、前記仮接着剤層を硬化する工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板積層体の製造方法。
［１１］：　（ｊ）上記［１０］の回路付基板積層体の製造方法によって製造した回路付基板積層体において、前記回路付基板の裏面を研削又は／及び研磨する工程と、
　（ｋ）前記回路付基板の裏面にさらなる加工を施す工程と、
　（ｌ）前記回路付基板積層体を前記支持体と前記仮接着剤層の界面から剥離し、前記支持体を分離する工程と、
　（ｍ）前記回路付基板から前記仮接着剤層を除去し、前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする薄型回路付基板の製造方法。

　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims

　（Ａ－１）１分子中に２個以上のアルケニル基を有し、アリール基を有しないオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－２）１分子中に２個以上のアルケニル基と１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサン、
　（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
　（Ａ－４）剥離添加剤、
　（Ａ－５）白金系触媒、
を含有し、
　前記（Ａ－１）及び前記（Ａ－２）成分中のアルケニル基に対する前記（Ａ－３）成分中のＳｉ－Ｈ基のモル比が０．３から１０となる量を含有するものであることを特徴とする回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の２５℃における初期粘度が５００ｍＰａ・ｓ～１００，０００ｍＰａ・ｓであり、７日間４０℃で密閉保管した時の２５℃における粘度上昇率が２０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
　前記（Ａ－４）成分が、３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が１００～５００，０００ｍＰａ・ｓの熱可塑性ジメチルポリシロキサンであることを特徴とする請求項１に記載の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物が、（Ａ－６）有機溶剤を含有する組成物であり、
　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物は、前記（Ａ－６）成分を、該組成物中の不揮発成分が１０～９０ｗｔ％になる量含有するものであることを特徴とする請求項１に記載の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物が、（Ａ－７）反応制御剤を含有する組成物であることを特徴とする請求項１に記載の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
　回路付基板上に成膜し、形成された前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化後における前記回路付基板から剥離させる際の剥離力（Ｒ１）が、２３℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｇｆ／２５ｍｍ以上であり、かつ
　前記回路付基板を前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化物を介して接合すべき支持体上に形成された前記熱硬化性シロキサン重合体組成物の硬化後における前記支持体から剥離させる際の剥離力（Ｒ２）が、２３℃における１８０°方向への剥離試験において１０ｇｆ／２５ｍｍ以上であり、かつ
　前記回路付基板上に成膜した場合はＲ１／Ｒ２≦１．０となり、
　前記支持体上に成膜した場合はＲ１／Ｒ２≧１．０となるものであることを特徴とする請求項１に記載の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
　前記熱硬化性シロキサン重合体組成物において、不揮発成分が５質量％となるように調製した溶液の、波長２６５ｎｍでの光透過率が５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の回路付基板加工用熱硬化性シロキサン重合体組成物。
　（ａ）表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板の表面に、請求項１～７のいずれかに記載の熱硬化性シロキサン重合体組成物をスピンコート法により成膜しプリベイクすることで、仮接着剤層を形成する工程と、
　（ｂ）支持体と、前記仮接着剤層がある前記回路付基板の回路形成面とを加熱・減圧下で接合し、回路付基板加工体を作製する工程と、
　（ｃ）前記回路付基板加工体を加熱し、前記仮接着剤層を硬化する工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板積層体の製造方法。
　（ｄ）請求項８に記載の回路付基板積層体の製造方法によって製造した回路付基板積層体において、前記回路付基板の裏面を研削又は／及び研磨する工程と、
　（ｅ）前記回路付基板の裏面にさらなる加工を施す工程と、
　（ｆ）前記回路付基板積層体を前記回路付基板の表面と前記仮接着剤層の界面から剥離し、前記支持体と前記仮接着剤層を一体で分離し、前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする薄型回路付基板の製造方法。
　（ｇ）支持体上に、請求項１～７のいずれかに記載の熱硬化性シロキサン重合体組成物をスピンコート法により成膜してプリベイクにより、仮接着剤層を形成する工程と、
　（ｈ）表面に回路面を有し裏面を加工すべき回路付基板を、表面が前記仮接着剤層に接するように加熱・減圧下で接合し、回路付基板加工体を作製する工程と、
　（ｉ）前記回路付基板加工体を加熱し、前記仮接着剤層を硬化する工程と、
を含むことを特徴とする回路付基板積層体の製造方法。
　（ｊ）請求項１０に記載の回路付基板積層体の製造方法によって製造した回路付基板積層体において、前記回路付基板の裏面を研削又は／及び研磨する工程と、
　（ｋ）前記回路付基板の裏面にさらなる加工を施す工程と、
　（ｌ）前記回路付基板積層体を前記支持体と前記仮接着剤層の界面から剥離し、前記支持体を分離する工程と、
　（ｍ）前記回路付基板から前記仮接着剤層を除去し、前記回路付基板のみを取り出す工程と、
を含むことを特徴とする薄型回路付基板の製造方法。