WO2025249256A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法

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WO2025249256A1
WO2025249256A1 PCT/JP2025/018295 JP2025018295W WO2025249256A1 WO 2025249256 A1 WO2025249256 A1 WO 2025249256A1 JP 2025018295 W JP2025018295 W JP 2025018295W WO 2025249256 A1 WO2025249256 A1 WO 2025249256A1
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WO
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substrate
substrate processing
base
processing apparatus
mounting table
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Pending
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PCT/JP2025/018295
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English (en)
French (fr)
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洋平 中込
健 中込
涼介 矢野
寿樹 日向
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • Patent Document 1 discloses an etching apparatus for etching a silicon-containing film on a wafer, which controls the in-plane distribution of the amount of etching of the silicon-containing film by controlling the flow rate of the etching gas supplied to the silicon-containing film.
  • the technology disclosed herein improves the in-plane uniformity of the amount of etching on a substrate in a substrate processing apparatus.
  • One aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus for processing substrates, comprising: a chamber having a processing space for accommodating the substrate; and a mounting table for supporting the substrate within the chamber.
  • the mounting table comprises a dielectric member having a mounting surface on which the substrate is placed; a first heater for heating the dielectric member; a base provided below the dielectric member and having a flow path through which a coolant circulates; and a covering member for covering at least a portion of the side surface of the base so that the portion is not exposed to the processing space.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an outline of the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing an outline of the configuration of a partition wall according to the present embodiment.
  • 1 is a longitudinal sectional view showing an outline of the configuration of a mounting table according to the present embodiment.
  • FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing the outline of the configuration of a mounting table according to a modified example of the present embodiment.
  • 1 is a flowchart showing an outline of the configuration of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
  • 10A and 10B are schematic diagrams illustrating an outline of the etching amount distribution of a substrate placed on a placing table according to an example and a comparative example.
  • FIG. 10 is a vertical cross-sectional view showing the outline of the configuration of a mounting table according to a comparative example.
  • FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing an outline of the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to this embodiment.
  • the substrate processing apparatus 1 is described as a COR processing apparatus that performs COR processing on, for example, substrates W.
  • the substrate processing apparatus 1 includes an airtight chamber 10 configured to accommodate a substrate W, one or more mounting tables 11, 11 in this embodiment on which the substrate W is placed within the chamber 10, a gas supply unit 12 that supplies processing gas from above each mounting table 11 toward the mounting table, a partition wall 13 that surrounds the outside of each mounting table 11, 11 and is configured to be freely raised and lowered, an elevating mechanism 14 fixed to the bottom surface of the chamber 10 and raises and lowers the partition wall 13, and an exhaust unit 15 that exhausts air from within the chamber 10.
  • an airtight chamber 10 configured to accommodate a substrate W
  • a gas supply unit 12 that supplies processing gas from above each mounting table 11 toward the mounting table
  • a partition wall 13 that surrounds the outside of each mounting table 11, 11 and is configured to be freely raised and lowered
  • an elevating mechanism 14 fixed to the bottom surface of the chamber 10 and raises and lowers the partition wall 13, and an exhaust unit 15 that exhausts air from within the chamber 10.
  • the chamber 10 is a container made of a metal such as aluminum or stainless steel, and has, for example, a substantially rectangular parallelepiped shape overall.
  • the chamber 10 has, for example, a substantially rectangular shape in plan view, a cylindrical side wall 20 with open top and bottom surfaces, a ceiling plate 21 that airtightly covers the top surface of the side wall 20, and a bottom plate 22 that covers the bottom surface of the side wall 20.
  • a sealing member (not shown) that keeps the interior of the chamber 10 airtight is provided between the upper end surface of the side wall 20 and the ceiling plate 21.
  • a heater (not shown) is also provided in the chamber 10, and a heat insulating material (not shown) is provided on the bottom plate 22.
  • the mounting table 11 is formed in a roughly cylindrical shape and includes an upper table 30 with a mounting surface 11a on which the substrate W is placed, and a lower table 31 fixed to the bottom plate 22 and supporting the upper table 30.
  • the upper table 30 is equipped with an electrostatic chuck 32.
  • the electrostatic chuck 32 includes a dielectric member 33 with a mounting surface 11a, and a base 34 provided below the dielectric member 33.
  • the upper table 30 also includes a covering member 35 that covers at least a portion of the side surface of the dielectric member 33 so that it is not exposed to the processing space S. An example configuration of the mounting table 11 will be described in detail later.
  • a support pin unit (not shown) is provided below the mounting table 11 on the bottom plate 22, and the substrate W on the mounting table 11 can be transferred between the support pins (not shown) driven up and down by this support pin unit and a transport mechanism (not shown) provided outside the substrate processing apparatus 1.
  • the gas supply unit 12 has a shower head 40 that supplies processing gas to the substrate W placed on the mounting table 11.
  • the shower heads 40 are individually provided on the underside of the ceiling plate 21 of the chamber 10, facing each mounting table 11.
  • Each shower head 40 has, for example, a substantially cylindrical frame 41 with an open bottom supported on the underside of the ceiling plate 21, and a substantially disk-shaped shower plate 42 fitted into the inner surface of the frame 41.
  • the shower plate 42 preferably has a diameter at least larger than the diameter of the substrate W to uniformly supply processing gas to the entire surface of the substrate W placed on the mounting table 11.
  • the shower plate 42 is also provided with a predetermined distance from the ceiling of the frame 41. This forms a space 43 between the ceiling of the frame 41 and the upper surface of the shower plate 42.
  • the shower plate 42 also has multiple openings 44 that penetrate the shower plate 42 in the thickness direction.
  • a gas supply source 46 is connected to a space 43 between the ceiling of the frame 41 and the shower plate 42 via a gas supply pipe 45.
  • the gas supply source 46 is configured to supply a process gas such as fluorine (F 2 ) gas, hydrogen fluoride (HF) gas, or ammonia (NH 3 ) gas, or a dilution gas or purge gas such as argon (Ar) gas.
  • the gas supplied from the gas supply source 46 is uniformly supplied to the substrates W placed on each of the mounting tables 11, 11 through the space 43 and the shower plate 42.
  • the gas supply pipe 45 is also provided with a flow rate adjustment mechanism 47 that adjusts the amount of process gas supplied, allowing the amount of process gas supplied to each substrate W to be individually controlled.
  • the shower head 40 may be, for example, a post-mix type that can individually supply multiple types of process gas without mixing them.
  • the partition wall 13 has two cylindrical portions 50, 50 that individually surround the two mounting tables 11, 11, an upper flange portion 51 provided at the upper ends of the cylindrical portions 50, 50, and a lower flange portion 52 provided at the lower ends of the cylindrical portions 50, 50.
  • the inner diameter of the cylindrical portion 50 is set larger than the outer surface of the mounting table 11, so that a gap is formed between the cylindrical portion 50, 50 and the mounting table 11.
  • a sealing member 53 such as an O-ring, is provided on the upper surface of the upper flange portion 51.
  • the sealing member 53 airtightly seals the gap between them.
  • a sealing member 53 is provided on each of the mounting tables 11, 11.
  • a processing space S is formed surrounded by the mounting table 11, partition wall 13, and shower head 40.
  • a heater (not shown) is provided in the exhaust section of the cylindrical portion 50 of the partition wall 13, and the cylindrical portion 50 is heated to, for example, 100°C to 150°C. This heating prevents foreign matter contained in the processing gas from adhering to the partition wall 13.
  • the partition wall 13 when the partition wall 13 is lowered to the substrate transfer position by the lifting mechanism 14, the upper surface of the upper flange portion 51 reaches a height that is approximately flush with the upper surface of the mounting table 11, for example.
  • the substrate W that has been lifted from the upper surface of the mounting table 11 by the support pin unit described above can be accessed from outside the chamber 10.
  • the lifting mechanism 14 that raises and lowers the partition wall 13 includes an actuator 60 located outside the chamber 10, a drive shaft 61 connected to the actuator 60 that penetrates the bottom plate 22 of the chamber 10 and extends vertically upward within the chamber 10, and multiple guide shafts 62 whose tips are connected to the partition wall 13 and whose other ends extend to the outside of the chamber 10.
  • the guide shafts 62 prevent the partition wall 13 from tilting when it is raised and lowered by the drive shafts 61.
  • an expandable bellows 63 is airtightly connected to the drive shaft 61.
  • the upper end of the bellows 63 is airtightly connected to the underside of the bottom plate 22. Therefore, when the drive shaft 61 moves up and down, the bellows 63 expands and contracts vertically, maintaining the inside of the chamber 10 airtight.
  • a sleeve (not shown), for example, fixed to the bottom plate 22, is provided between the drive shaft 61 and the bellows 63 to function as a guide during the lifting and lowering operation.
  • a bellows 64 which is expandable and contractible like the drive shaft 61, is connected to the guide shaft 62.
  • the upper end of the bellows 64 straddles the bottom plate 22 and the side wall 20 and is airtightly connected to both. Therefore, when the guide shaft 62 moves up and down in conjunction with the drive shaft 61 moving the partition wall 13 up and down, the bellows 64 expands and contracts vertically, thereby maintaining an airtight seal inside the chamber 10.
  • a sleeve (not shown) is provided between the guide shaft 62 and bellows 64 to function as a guide during the lifting and lowering operation.
  • the protrusion 71 may be part of the inner wall (as shown in the example), or may be the mounting base 11 (not shown).
  • the upper end of the protrusion 71 is in airtight contact with the underside of the mounting table 11 via the sealing member 55.
  • a seal between the protrusion 71 and the partition wall 13 can be reliably secured. This prevents the processing gas from being discharged from the gap between the outer periphery of the mounting table 11 and the partition wall 13 when the processing gas in the processing space S is exhausted, and stabilizes the flow of processing gas near the outer periphery of the mounting table 11.
  • the exhaust unit 15 has an exhaust mechanism 90 that exhausts the inside of the chamber 10.
  • the exhaust unit 15 has an exhaust port 91 provided on the bottom plate 22 of the chamber 10, outside the partition wall 13.
  • the exhaust port 91 is provided on the bottom plate 22 outside the partition wall 13, at a position that does not overlap with the partition wall 13 in a plan view.
  • the exhaust port 91 is connected to an exhaust pipe 92.
  • the exhaust mechanism 90, exhaust port 91, and exhaust pipe 92 are shared by the two processing spaces S formed by the two partition walls 13. That is, the two processing spaces S are connected to a common exhaust space V formed below the chamber 10, and processing gas that flows into this exhaust space V is exhausted by the exhaust mechanism 90 via the common exhaust pipe 92.
  • the exhaust pipe 92 is provided with a control valve 93 that adjusts the amount of gas exhausted by the exhaust mechanism 90.
  • the ceiling panel 21 is provided with a pressure measurement mechanism (not shown) for measuring the pressure in each processing space S of the mounting tables 11, 11. The opening degree of the control valve 93 is controlled, for example, based on the value measured by this pressure measurement mechanism.
  • the substrate processing apparatus 1 is provided with at least one control unit 100.
  • the control unit 100 processes computer-executable instructions that cause the substrate processing apparatus 1 to perform the various processes described in this disclosure.
  • the control unit 100 may be configured to control each element of the substrate processing apparatus 1 to perform the various processes described herein. In one embodiment, part or all of the control unit 100 may be included in the substrate processing apparatus 1.
  • the control unit 100 may include a processing unit, a memory unit, and a communication interface.
  • the control unit 100 is realized, for example, by a computer.
  • the processing unit may be configured to read from the memory unit a program that provides logic or routines that enable various control operations to be performed, and to execute the read program to perform various control operations.
  • This program may be stored in the memory unit in advance, or may be acquired via a medium when needed.
  • the acquired program is stored in the memory unit and read from the memory unit by the processing unit for execution.
  • the medium may be various computer-readable storage media, or may be a communication line connected to the communication interface.
  • the storage medium may be temporary or non-temporary.
  • the processing unit may be a CPU (Central Processing Unit) or one or more circuits.
  • the storage unit may include RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), HDD (Hard Disk Drive), SSD (Solid State Drive), or a combination thereof.
  • the communication interface may communicate with the substrate processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • the dielectric member 33 is made of, for example, ceramic.
  • a heater electrode 36 serving as a first heater according to this embodiment is provided inside the dielectric member 33.
  • the heater electrode 36 heats the dielectric member 33 when power is supplied from a power supply unit (not shown).
  • a chucking electrode (not shown) is provided inside the dielectric member 33, and chucking the substrate W when power is supplied from a power supply unit (not shown).
  • the base 34 is made of, for example, aluminum. Inside the base 34, a flow path 38 is formed through which a refrigerant supplied from a chiller 37 circulates. The refrigerant is set to a desired temperature by the chiller 37, and is supplied to the flow path 38 of the base 34 to cool the base 34.
  • the covering member 35 is made of, for example, aluminum or aluminum with a coating (for example, Ni plating).
  • the covering member 35 comprises a first side wall portion 35a that covers the side surface 34a of the base 34, a bottom wall portion 35b that covers the underside 34b of the base 34, and a second side wall portion 35c that contacts the lower platform 31.
  • the first side wall portion 35a, bottom wall portion 35b, and second side wall portion 35c of the covering member 35 have a ring shape that extends circumferentially around the base 34 or lower platform 31.
  • Sealing members 110 such as O-rings are provided between the dielectric member 33 and the base 34, between the dielectric member 33 and the covering member 35, and between the base 34 and the covering member 35.
  • the gap G between the covering member 35 and the base 34 is airtightly sealed by the sealing members 110 from the processing space S.
  • portions of the base 34, including the side surface 34a and bottom surface 34b, are not exposed to the processing space S and do not come into contact with the gas supplied to the processing space S.
  • the gap G between the base 34 and the covering member 35 acts as a heat shield.
  • the gap G separates the base 34 and the covering member 35 except for the area where they contact via the sealing member 110, reducing heat conduction between the base 34 and the covering member 35.
  • the heat shield is not limited to the gap G; any member made of a desired material that reduces heat conduction between the base 34 and the covering member 35 can be used as the heat shield.
  • the covering member 35 is provided with an annular heater 120 as a second heater. It is provided inside the covering member 35, i.e., on the side facing the base 34.
  • the annular heater 120 is provided extending circumferentially along the covering member 35. Note that in this embodiment, the annular heater 120 is provided on the second side wall portion 35c inside the covering member 35, facing the lower base 31, but the heater position is not limited to this.
  • the annular heater 120 heats the covering member 35 by receiving power from a power supply unit (not shown).
  • the heater electrode 36, chiller, and annular heater 120 are set to a desired temperature by, for example, the control unit 100, and are controlled to regulate the temperature of the target components based on the set temperature.
  • the heater electrode 36 and chiller 37 can be controlled so that the temperature of the substrate W on the mounting table 11 is, for example, between -20°C and 140°C.
  • the mounting table 200 includes a dielectric member 33 and a base 34, similar to the mounting table 11 described above, and also includes a covering member 210.
  • the covering member 210 includes a first sidewall portion 210a that covers a portion of the side surface 34a of the base 34, a bottom wall portion 35b that covers the lower surface 210b of the base 34, and a second sidewall portion 210c that contacts the lower table 31.
  • the mounting table 200 does not include the annular heater 120 provided on the mounting table 11.
  • ⁇ Substrate processing method> An example of a substrate processing method that can be performed using the substrate processing apparatus 1 configured as described above will be described. As the substrate processing method according to this embodiment, a breakthrough process for removing a native oxide film formed on a substrate W will be described. Note that the following description will be given using an example of a substrate processing apparatus 1 that includes a mounting table 11.
  • step ST11 With the gate valve open, a substrate W is loaded into the chamber 10 and placed on the mounting table 11. Once the substrate W is placed on the mounting table 11, the gate valve is closed to seal the chamber 10 and form an etching processing space S within the chamber 10.
  • the heater electrode 36 and chiller are used to adjust the temperature of the dielectric member 33 and base 34.
  • the heater electrode 36 and chiller 37 are controlled to different set temperatures.
  • the heater electrode 36 and chiller 37 are controlled so that the first temperature difference, which is the temperature difference between the set temperature of the heater electrode 36 and the set temperature of the chiller 37, is, for example, 40°C.
  • the first temperature difference is not limited to the above temperature, and the technology disclosed herein is applicable when the set temperature of the heater electrode 36 is higher than the set temperature of the chiller 37.
  • the temperature of the covering member 35 is adjusted using the annular heater 120.
  • the set temperature of the annular heater 120 is controlled so that the second temperature difference, which is the temperature difference between the set temperature of the heater electrode 36 and the set temperature of the annular heater 120, is smaller than the first temperature difference.
  • the second temperature difference is, for example, 5°C, which is smaller than the first temperature difference of 40°C.
  • step ST13 NH 3 gas and HF gas are supplied into the chamber 10 while adjusting the pressure inside the chamber 10, to remove the native oxide film formed on the substrate W.
  • Ar gas may be supplied as a dilution gas. It is also preferable to first supply NH 3 gas into the chamber 10 and stabilize the pressure before introducing HF gas.
  • step ST14 the chamber 10 is evacuated while Ar gas is supplied as a purge gas into the chamber 10, thereby purging the chamber 10.
  • Ar gas is supplied as a purge gas into the chamber 10, thereby purging the chamber 10.
  • an etching gas such as F gas
  • Ar gas may be added as a dilution gas.
  • the silicon-containing film, such as a SiGe film, on the substrate W is etched by the etching gas.
  • Figure 7 is a cross-sectional view showing the outline of the configuration of the comparative example of a mounting table 1000.
  • the mounting table 1000 of the comparative example does not have a covering member 35, and the base 34 is not covered by the covering member 35.
  • portions of the base 34, including the side surface 34a and bottom surface 34b, are exposed to the processing space S and come into contact with gas supplied to the processing space S when processing the substrate W.
  • the heater electrode 36 and chiller are used to adjust the temperature of the dielectric member 33 and base 34 while the substrate W is placed on the mounting table 1000.
  • the heater electrode 36 and chiller 37 may be controlled to different set temperatures.
  • the heater electrode 36 and chiller 37 may be controlled so that the first temperature difference, which is the temperature difference between the set temperature of the heater electrode 36 and the set temperature of the chiller 37, is, for example, 40°C.
  • Figure 6 is a schematic diagram showing an outline of the distribution of etching amounts on a substrate W when etching is performed on the substrate W using temperature control performed on the mounting tables 11, 200 (Examples 1 and 2) according to this embodiment and the mounting table 1000 according to the comparative example. Note that in Figure 7, areas with smaller etching amounts are shown in dark shades, and areas with larger etching amounts are shown in light shades. The etching amounts shown are relative amounts, and hatched areas of the same darkness between the mounting tables 11 and 1000 do not necessarily indicate that the etching amounts are the same.
  • the amount of etching near the outer periphery of the mounting surface 1000a is significantly smaller than near the center.
  • the mounting table 11 of this embodiment there is no significant difference in the amount of etching near the outer periphery and near the center of the mounting surface 11a.
  • Figure 6 shows the uniformity of the etching amount distribution (Unif. is the variation in the amount of etching within the surface of the substrate W). Therefore, as shown in Figure 6, the mounting table 11 of this embodiment has better uniformity in the amount of etching of the substrate W placed on it than the mounting table 1000 of the comparative example.
  • the reason why the temperature uniformity is improved in the mounting table 11 of this embodiment can be considered as follows, for example. First, when the side surface 34a of the base 34 is exposed to the processing space S, as in the mounting table 1000 of the comparative example, the side surface 34a comes into contact with the gas supplied to the processing space S when the substrate W is processed. When the heater electrode 36 is set to a higher temperature and the chiller 37 is set to a lower temperature, the dielectric member 33 is adjusted to a higher temperature and the base 34 is adjusted to a lower temperature.
  • the mounting surface 1000a is adjusted to the desired temperature by the temperatures of the dielectric member 33 and the base 34, but the side surface 34a of the base 34 exposed to the processing space S is at the temperature of the base 34 itself, which is lower than the temperature of the mounting surface 1000a and the substrate W placed thereon.
  • the etching gas condenses on the side surface 34a of the base 34, which is at a relatively low temperature near the outer periphery of the mounting surface 1000a.
  • the etching gas that should be supplied to the surface of the substrate W moves to the side surface 34a of the base 34, and the concentration of the etching gas near the outer periphery of the mounting surface 1000a decreases. This is thought to be why the amount of etching near the outer periphery of the mounting surface 1000a is smaller than near the center.
  • the portion of the base 34 including the side surface 34a is covered by the covering member 35, and the portion of the base 34 including the side surface 34a is not exposed to the processing space S and does not come into contact with the gas supplied to the processing space S. Furthermore, the covering member 35 is heated by the annular heater 120, and the second temperature difference is controlled to be smaller than the first temperature difference. This is thought to reduce the concentration of etching gas on the side surface 34a of the base 34, and to prevent differences in the amount of etching between the periphery and the center of the mounting surface 11a.
  • the mounting table 200 a portion of the side surface 34a of the base 34 is exposed to the processing space S, but the remaining majority is covered by the covering member 210. Furthermore, no heater is provided to heat the covering member 210, but the covering member 210 has a heat-shielding portion that reduces heat conduction from the base 34.
  • the covering member 210 also makes the second temperature difference smaller than the first temperature difference. This is thought to reduce the concentration of etching gas on the side surface 34a of the base 34, thereby preventing differences in the amount of etching between the periphery and the center of the mounting surface 200a.
  • the covering members 35, 210 can be configured to cover not only the base 34 but also at least a portion of the side surface of the dielectric member 33. This makes it possible to make the temperature more uniform in the portion of the mounting surface 11a, 200a near the outer periphery that faces the processing space S, thereby improving the uniformity of the etching amount distribution.
  • the covering members 35, 210 may be formed integrally with the base 34 by coating or spraying the base 34, as long as an appropriate heat shield can be provided. If an appropriate heat shield is provided, even if the covering member is formed as a coating layer, it is possible to make the second temperature difference smaller than the first temperature difference.
  • the substrate processing apparatus 1 is more suitable for use in an apparatus that performs a process that does not include plasma processing, such as the substrate processing method according to this embodiment. That is, in a plasma processing apparatus that performs a process that includes plasma processing, a cover ring is sometimes provided near the outer periphery of the electrostatic chuck to protect the dielectric member, base, etc. from the plasma that is incident on the mounting table. However, in an apparatus that performs a gas etching process that does not include plasma processing, protection from plasma is not considered, and therefore the provision of a configuration such as the covering members 35, 210 according to this embodiment has not been considered. In other words, the covering ring in a plasma processing apparatus and the covering members 35, 210 according to this embodiment have different technical significance.

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Abstract

基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を収容する処理空間を有するチャンバと、前記チャンバ内で前記基板を支持する載置台と、を有し、前記載置台は、前記基板が載置される載置面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材を加温する第１ヒータと、前記誘電体部材の下方に設けられ、内部において冷媒が循環する流路を有する基台と、少なくとも前記基台の側面の一部を、当該一部が前記処理空間に露出しないように覆う被覆部材と、を有する、基板処理装置。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　特許文献１には、ウェハ上のシリコン含有膜をエッチングするエッチング装置であって、シリコン含有膜に対して供給されるエッチングガスの流速を制御することで、当該シリコン含有膜のエッチング量の面内分布を制御することが開示されている。
日本国特開２０１７－２３８３５５号公報
　本開示にかかる技術は、基板処理装置において、基板のエッチング量の面内均一性を向上する。
　本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を収容する処理空間を有するチャンバと、前記チャンバ内で前記基板を支持する載置台と、を有し、前記載置台は、前記基板が載置される載置面を有する誘電体部材と、前記誘電体部材を加温する第１ヒータと、前記誘電体部材の下方に設けられ、内部において冷媒が循環する流路を有する基台と、少なくとも前記基台の側面の一部を、当該一部が前記処理空間に露出しないように覆う被覆部材と、を有する。
　本開示によれば、基板処理装置において、基板のエッチング量の面内均一性を向上することができる。
本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかる隔壁の構成の概略を示す斜視図である。 本実施形態にかかる載置台の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態の変形例にかかる載置台の構成の概略を示す縦断面図である。 本実施形態にかかる基板処理方法の構成の概略を示すフローチャートである。 実施例及び比較例にかかる載置台に載置された基板のエッチング量分布の概略を示す模式図である。 比較例にかかる載置台の構成の概略を示す縦断面図である。
　先ず、本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。なお、本実施形態では、基板処理装置１が、例えば基板Ｗに対してＣＯＲ処理を行うＣＯＲ処理装置である場合について説明する。
　図１に示すように、基板処理装置１は、基板Ｗを収容するように気密に構成されたチャンバ１０と、チャンバ１０内で基板Ｗを載置する１台以上の、本実施形態では２台の載置台１１、１１と、各載置台１１の上方から載置台に向けて処理ガスを供給するガス供給部１２と、各載置台１１、１１の外方を囲み、昇降自在に構成された隔壁１３と、チャンバ１０の底面に固定され、前記隔壁１３を昇降させる昇降機構１４と、チャンバ１０内を排気する排気部１５と、を有している。
　チャンバ１０は、例えばアルミニウム、ステンレス等の金属により形成された、全体として例えば略直方体状の容器である。チャンバ１０は、平面視の形状が例えば略矩形であり、上面及び下面が開口した筒状の側壁２０と、側壁２０の上面を気密に覆う天井板２１と、側壁２０の下面を覆う底板２２を有している。また、側壁２０の上端面と天井板２１との間には、チャンバ１０内を気密に保つシール部材（図示せず）が設けられている。また、チャンバ１０にはヒータ（図示せず）が設けられ、底板２２には断熱材（図示せず）が設けられている。
　載置台１１は略円筒形状に形成されており、基板Ｗを載置する載置面１１ａを備えた上部台３０と、底板２２に固定され、上部台３０を支持する下部台３１を有している。上部台３０は、静電チャック３２を備える。静電チャック３２は、載置面１１ａを備える誘電体部材３３と、誘電体部材３３の下方に設けられる基台３４と、を備える。また、上部台３０は、誘電体部材３３の少なくとも側面の一部が処理空間Ｓに露出しないように覆う、被覆部材３５を備える。なお、載置台１１の構成例の詳細については後述する。
　底板２２における載置台１１の下方の位置には、支持ピンユニット（図示せず）が設けられており、この支持ピンユニットによって上下駆動される支持ピン（図示せず）と、基板処理装置１の外部に設けられた搬送機構（図示せず）との間で載置台１１の基板Ｗは受渡し可能である。
　ガス供給部１２は、載置台１１に載置された基板Ｗに処理ガスを供給するシャワーヘッド４０を有している。シャワーヘッド４０は、チャンバ１０の天井板２１の下面において、各載置台１１、１１に対向して個別に設けられている。各シャワーヘッド４０は、例えば下面が開口し、天井板２１の下面に支持された略円筒形の枠体４１と、当該枠体４１の内側面に嵌め込まれた略円板状のシャワープレート４２を有している。なお、当該シャワープレート４２は、載置台１１に載置された基板Ｗの表面全体に均一に処理ガスを供給するため、少なくとも基板Ｗの径よりも大きい径を有していることが好ましい。また、シャワープレート４２は、枠体４１の天井部と所定の距離を離して設けられている。これにより、枠体４１の天井部とシャワープレート４２の上面との間には空間４３が形成されている。また、シャワープレート４２には、当該シャワープレート４２を厚み方向に貫通する開口４４が複数設けられている。
　枠体４１の天井部とシャワープレート４２との間の空間４３には、ガス供給管４５を介してガス供給源４６が接続されている。ガス供給源４６は、処理ガスとして例えばフッ素（Ｆ２）ガス、フッ化水素（ＨＦ）ガス、若しくはアンモニア（ＮＨ３）ガス、又は、希釈ガス若しくはパージガスとして例えばアルゴン（Ａｒ）ガスなどを供給可能に構成されている。ガス供給源４６から供給されたガスは、空間４３、シャワープレート４２を介して、各載置台１１、１１上に載置された基板Ｗに向かって均一に供給される。また、ガス供給管４５には処理ガスの供給量を調節する流量調節機構４７が設けられており、各基板Ｗに供給する処理ガスの量を個別に制御できるように構成されている。なお、シャワーヘッド４０は、例えば複数種類の処理ガスを混合することなく個別に供給可能なポストミックスタイプであってもよい。
　隔壁１３は、例えば図２に示すように、２つの載置台１１、１１をそれぞれ個別に囲む２つの円筒部５０、５０と、円筒部５０、５０の上端に設けられた上フランジ部５１と、円筒部５０、５０の下端に設けられた下フランジ部５２を有している。円筒部５０の内径は、載置台１１の外側面よりも大きく設定されており、円筒部５０、５０と載置台１１との間に隙間が形成されるようになっている。
　上フランジ部５１の上面には、図１に示すように、例えばＯリングなどのシール部材５３が設けられる。シール部材５３は、昇降機構１４により隔壁１３を上昇させることにより当該上フランジ部５１と枠体４１とが当接した際に、枠体４１との間を気密に塞ぐ。シール部材５３は、各載置台１１、１１のそれぞれに設けられている。そして、隔壁１３を上昇させて、枠体４１とシール部材５３とを当接させることで、載置台１１、隔壁１３、及びシャワーヘッド４０で囲まれた処理空間Ｓが形成される。一実施形態において、隔壁１３の円筒部５０には図示しない排気部にはヒータ（図示せず）が設けられ、例えば１００℃～１５０℃に加熱される。この加熱により、処理ガス中に含まれる異物が隔壁１３に付着しないようにすることができる。
　また、昇降機構１４により隔壁１３が基板搬送位置まで降下すると、上フランジ部５１の上面が例えば載置台１１の上面と一致する程度の高さとなる。これにより、隔壁１３を降下させることで、既述した支持ピンユニットによって載置台１１上面から持ち上げられた基板Ｗに対して、チャンバ１０の外部からアクセス可能となる。
　隔壁１３を昇降させる昇降機構１４は、チャンバ１０の外部に配置されたアクチュエータ６０と、アクチュエータ６０に接続され、チャンバ１０の底板２２を貫通してチャンバ１０内を鉛直上方に延伸する駆動軸６１と、先端が隔壁１３に接続され、他方の端部がチャンバ１０の外部まで延伸する複数のガイド軸６２を有している。ガイド軸６２は、駆動軸６１により隔壁１３を昇降させる際に隔壁１３が傾いたりすることを防止するものである。
　駆動軸６１には、伸縮可能なベローズ６３の下端部が気密に接続されている。ベローズ６３の上端部は、底板２２の下面と気密に接続されている。そのため、駆動軸６１が昇降した際に、ベローズ６３が鉛直方向に沿って伸縮することで、チャンバ１０内が気密に維持されるようになっている。なお、駆動軸６１とベローズ６３の間には、昇降動作の際のガイドとして機能する、例えば底板２２に固定されたスリーブ（図示せず）が設けられている。
　ガイド軸６２には、駆動軸６１と同様に伸縮可能なベローズ６４が接続されている。また、ベローズ６４の上端部は、底板２２と側壁２０を跨いで、双方に気密に接続されている。そのため、駆動軸６１による隔壁１３の昇降動作に伴いガイド軸６２が昇降した際に、ベローズ６４が鉛直方向に沿って伸縮することで、チャンバ１０内が気密に維持されるようになっている。なお、ガイド軸６２とベローズ６４との間にも、駆動軸６１の場合と同様に、昇降動作の際のガイドとして機能するスリーブ（図示せず）が設けられている。
　また、ベローズ６４の上端部は固定側の端部であり、ガイド軸６２と接続されたベローズ６４の下端部は自由側の端部となっているため、チャンバ１０内が負圧になると、ベローズ６４の内外の圧力差によりベローズ６４を鉛直方向に圧縮する力が作用する。そのため、ベローズ６４の自由側の端部に接続されたガイド軸６２は、ベローズ６４が縮むことにより鉛直上方に上昇する。これにより、隔壁１３を均等に上昇させて、シール部材５３と枠体４１を適切に接触させることで、隔壁１３と枠体４１との間のシール性を確保することができる。同様にシール部材５４と突出部７１を適切に接触させることで、隔壁１３と突出部７１との間のシール性を確保することができる。なお、ガイド軸６２には、弾性部材としてのベローズ６４からの反力や、ガイド軸６２そのものの自重などにより当該ガイド軸６２を下方に押し下げる力が作用するが、ベローズ６４の径を適宜設定することによりガイド軸６２に作用する差圧が調整される。また、突出部７１は、インナーウォールの一部であってもよいし（図示の例）、載置台１１であってもよい（図示せず）。
　また、突出部７１の上端はシール部材５５を介して載置台１１の下側面と気密に当接している。隔壁１３が上昇することによりシール部材５４を介して隔壁１３と突出部７１が当接した際に、突出部７１と隔壁１３との間のシール性を確実に確保することができる。これにより、処理空間Ｓ内の処理ガスを排気する際に載置台１１外周と隔壁１３との間の隙間から処理ガスが排出されることがなく、載置台１１外周付近における処理ガスの流れを安定化させることができる。
　排気部１５は、チャンバ１０内を排気する排気機構９０を有している。排気部１５は、チャンバ１０の底板２２において隔壁１３の外方に設けられた排気ポート９１を有している。すなわち、排気ポート９１は平面視において隔壁１３と重ならない位置において、隔壁１３の外側の底板２２に設けられている。排気ポート９１は排気管９２に連通している。
　これら排気機構９０及び排気ポート９１、排気管９２は、２つの隔壁１３で構成される２つの処理空間Ｓで共用している。すなわち、２つの処理空間Ｓは、チャンバ１０内の下方に形成された共通の排気空間Ｖに連通しており、この排気空間Ｖに流出した処理ガスは、共通の排気管９２を介して排気機構９０により排出される。排気管９２には、排気機構９０による排気量を調節する調節弁９３が設けられている。また、天井板２１には、載置台１１、１１のそれぞれの処理空間Ｓの圧力を計測するための、圧力測定機構（図示せず）が設けられている。調節弁９３の開度は、例えばこの圧力測定機構による測定値に基づいて制御される。
　以上の基板処理装置１には、図１に示すように少なくとも１つの制御部１００が設けられている。制御部１００は、本開示において述べられる種々の工程を基板処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部１００は、ここで述べられる種々の工程を実行するように基板処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部１００の一部又は全てが基板処理装置１に含まれてもよい。制御部１００は、処理部、記憶部及び通信インターフェースを含んでもよい。制御部１００は、例えばコンピュータにより実現される。処理部は、記憶部から種々の制御動作を行うことを可能にするロジック又はルーチンを提供するプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部に格納され、処理部によって記憶部から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェースに接続されている通信回線であってもよい。記憶媒体は、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。処理部は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）であってもよく、１つ又は複数の回路であってもよい。記憶部は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェースは、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介して基板処理装置１との間で通信してもよい。
＜載置台＞
　本実施形態にかかる載置台１１の構成例の詳細について、図１及び図２を用いて説明する。誘電体部材３３は、例えばセラミックから構成される。誘電体部材３３の内部には本実施形態にかかる第１ヒータとしてのヒータ電極３６が設けられる。ヒータ電極３６は、図示しない給電部から電力が供給されることで誘電体部材３３を加温する。また、誘電体部材３３の内部には図示しない吸着電極が設けられ、図示しない給電部から電力が供給されることで基板Ｗを吸着する。
　基台３４は、例えばアルミニウムから構成される。基台３４の内部には、チラー３７から供給される冷媒が循環する流路３８が形成されている。冷媒はチラー３７によって所望の温度に設定され、基台３４の流路３８に供給されることで基台３４を冷却する。
　被覆部材３５は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム＋コーティング(例えばＮｉめっき処理)から構成される。本実施形態において、被覆部材３５は、基台３４の側面３４ａを覆う第１側壁部３５ａと、基台３４の下面３４ｂを覆う底壁部３５ｂと、下部台３１に接触する第２側壁部３５ｃと、を備えている。被覆部材３５の第１側壁部３５ａ、底壁部３５ｂ及び第２側壁部３５ｃは、基台３４又は下部台３１の周方向に延在するリング形状を有している。
　誘電体部材３３と基台３４との間、誘電体部材３３と被覆部材３５との間、及び、基台３４と被覆部材３５との間には、Ｏリングなどのシール部材１１０が設けられる。被覆部材３５と基台３４との間の間隙Ｇは、処理空間Ｓに対してシール部材１１０により気密に塞がれる。これにより、基台３４の側面３４ａ及び下面３４ｂを含む部分は、処理空間Ｓに対して露出せず、処理空間Ｓに供給されるガスに接触しない。
　本実施形態において、基台３４と被覆部材３５との間の間隙Ｇは、遮熱部としての作用を有する。間隙Ｇは基台３４と被覆部材３５とを、上記のシール部材１１０を介して接する部分を除いて離隔し、基台３４と被覆部材３５との間の熱伝導を減らす。なお、遮熱部は間隙Ｇに限定されず、基台３４と被覆部材３５との間の熱伝導を減らすような所望の材質の部材を遮熱部として設けることができる。
　本実施形態にかかる被覆部材３５には、第２ヒータとしての環状ヒータ１２０が設けられる。被覆部材３５の内側、すなわち基台３４に面する側に設けられる。また環状ヒータ１２０は、被覆部材３５に沿って周方向に延在して設けられる。なお、本実施形態にかかる環状ヒータ１２０は、被覆部材３５の内側における第２側壁部３５ｃにおいて、下部台３１に面して設けられているが、ヒータの位置はこれに限定されない。環状ヒータ１２０は、図示しない給電部から電力が供給されることにより、被覆部材３５を加温する。
　上記のヒータ電極３６、チラー及び環状ヒータ１２０は、例えば制御部１００によって所望の設定温度に設定され、当該設定温度に基づいてそれぞれ対象の部材を温調するように制御される。ヒータ電極３６及びチラー３７は、載置台１１上の基板Ｗの温度が例えば－２０℃～１４０℃となるように制御され得る。
＜載置台の変形例＞
　以下、本実施形態の変形例にかかる載置台２００について、図４を用いて説明する。図４で、載置台２００は、上述した載置台１１と同様に誘電体部材３３及び基台３４を備えるほか、被覆部材２１０を備える。被覆部材２１０は、基台３４の側面３４ａの一部を覆う第１側壁部２１０ａと、基台３４の下面２１０ｂを覆う底壁部３５ｂと、下部台３１に接触する第２側壁部２１０ｃと、を備えている。載置台２００においては、載置台１１に設けられるような環状ヒータ１２０は設けられていない。
＜基板処理方法＞
　以上のように構成された基板処理装置１を用いて実行することができる基板処理方法の一例について説明する。本実施形態にかかる基板処理方法として、基板Ｗ上に形成された自然酸化膜を除去するブレークスルー処理について説明する。なお以下においては、載置台１１を備える基板処理装置１の例を用いて説明する。
　先ず、工程ＳＴ１１で、ゲートバルブを開放した状態で、チャンバ１０内に基板Ｗを搬入し、載置台１１に載置する。また、基板Ｗが載置台１１に載置されると、ゲートバルブを閉じてチャンバ１０内を密閉状態にし、当該チャンバ１０内にエッチングの処理空間Ｓを形成する。
　次に、工程ＳＴ１２で、載置台１１に基板Ｗが載置された状態で、ヒータ電極３６及びチラーを用いて、誘電体部材３３及び基台３４の温度調節を行う。この際、ヒータ電極３６とチラー３７とを、異なる設定温度に制御する。本実施形態において、ヒータ電極３６の設定温度とチラー３７との設定温度の温度差である第１温度差が、例えば４０°Ｃとなるように、ヒータ電極３６及びチラー３７を制御する。なお、上記の第１温度差は、上記温度に限定されず、ヒータ電極３６の設定温度がチラー３７の設定温度よりも高い場合に、本開示の技術が適用可能である。
　さらに工程ＳＴ１２では、環状ヒータ１２０を用いて、被覆部材３５の温度調節を行う。本実施形態において、上記の第１温度差よりも、ヒータ電極３６の設定温度と環状ヒータ１２０との設定温度の温度差である第２温度差の方が小さくなるように、環状ヒータ１２０の設定温度を制御する。本実施形態において、第２温度差は、例えば第１温度差の４０°Ｃよりも小さい、５°Ｃである。
　次に、工程ＳＴ１３で、チャンバ１０内の圧力を調整しつつ、ＮＨ３ガス及びＨＦガスをチャンバ１０内へ供給し、基板Ｗに形成された自然酸化膜を除去する。このとき、ＮＨ３ガス及びＨＦガスの他、希釈ガスとしてＡｒガスを供給してもよい。また、ＮＨ３ガスを先にチャンバ１０内に供給して圧力を安定させた後にＨＦガスを導入することが好ましい。
　次に、工程ＳＴ１４で、チャンバ１０内にパージガスとしてＡｒガスを供給しつつ真空排気してチャンバ１０内のパージを行う。上記の工程ＳＴ１１～ＳＴ１４により、ブレークスルー処理を完了する。
　一実施形態において、工程ＳＴ１４の実行後に、続けてチャンバ１０内にエッチングガスとして例えばＦ２ガスを供給する。このとき、希釈ガスとしてＡｒガスを加えてもよい。そして、エッチングガスによって、基板Ｗ上のシリコン含有膜、例えばＳｉＧｅ膜がエッチングされる。
　以下、上記の本実施形態にかかる基板処理装置１及び基板処理方法の技術的意義について、比較例にかかる載置台１０００も用いて説明する。図７は、比較例にかかる載置台１０００の構成の概略を示す断面図である。
　比較例にかかる載置台１０００は、本実施形態にかかる載置台１１と異なり被覆部材３５を有さず、基台３４が被覆部材３５によって覆われていない。比較例にかかる載置台１０００においては、基台３４の側面３４ａ及び下面３４ｂを含む部分は、処理空間Ｓに対して露出しており、基板Ｗの処理時に処理空間Ｓに供給されるガスに接触する。
　比較例にかかる載置台１０００を用いて基板処理を行う際、載置台１０００に基板Ｗが載置された状態で、ヒータ電極３６及びチラーを用いて、誘電体部材３３及び基台３４の温度調節を行う。この際、ヒータ電極３６とチラー３７とを、異なる設定温度に制御することがある。比較例において、ヒータ電極３６の設定温度とチラー３７との設定温度の温度差である第１温度差が、例えば４０°Ｃとなるように、ヒータ電極３６及びチラー３７を制御することがある。
　図６は、本実施形態にかかる載置台１１、２００（実施例１、２）と、比較例にかかる載置台１０００と、を用いて温度制御を行い、基板Ｗに対してエッチングを行った場合の、基板Ｗのエッチング量分布の概略を示す模式図である。なお図７では、エッチング量がより小さい部分を濃色、より大きい部分を淡色の網掛けで示している。エッチング量はそれぞれにおける相対量について示しており、載置台１１と載置台１０００との間で同じ濃さの網掛け部分が同じエッチング量であることを示しているわけではない。
　図６に示すように、比較例にかかる載置台１０００においては、載置面１０００ａの外周端部近傍が、中央部近傍よりも顕著にエッチング量が小さい。一方で、本実施形態にかかる載置台１１においては、載置面１１ａの外周部近傍と、中央部近傍とでエッチング量についての大きな差が見られない。図６において、エッチング量分布の均一性（Ｕｎｉf.は、基板Ｗの面内のエッチング量のばらつき）を示している。したがって、図６に示すように、本実施形態にかかる載置台１１は比較例にかかる載置台１０００と比較して、載置された基板Ｗのエッチング量の均一性に優れている。
　本実施形態にかかる載置台１１において温度の均一性が向上する理由は、一例として以下のように考えられる。まず、比較例にかかる載置台１０００のように、基台３４の側面３４ａが処理空間Ｓに対して露出している場合、側面３４ａは基板Ｗの処理時に処理空間Ｓに供給されるガスに接触する。ヒータ電極３６がより高い温度に、チラー３７がより低い温度に設定されている場合、誘電体部材３３がより高い温度に、基台３４がより低い温度に調節される。この際、載置面１０００ａは誘電体部材３３及び基台３４の温度によって所望の温度に調節されるが、処理空間Ｓに露出する基台３４の側面３４ａは、基台３４そのものの温度であり、載置面１０００ａ及びこれに載置される基板Ｗよりも低い温度となる。この状態で、載置面１０００ａに載置された基板Ｗにエッチングガスが供給されると、載置面１０００ａの外周端部近傍では、相対的に低い温度である基台３４の側面３４ａにエッチングガスが凝集する。これにより、基板Ｗの表面に供給されるべきエッチングガスが、基台３４の側面３４ａに移動することとなり、載置面１０００ａの外周部近傍のエッチングガスの濃度が低下する。そのため、載置面１０００ａの外周端部近傍が、中央部近傍よりもエッチング量が小さくなったと考えられる。
　これに対して、本実施形態にかかる載置台１１においては、基台３４の側面３４ａを含む部分が被覆部材３５によって覆われており、基台３４の側面３４ａを含む部分は、処理空間Ｓに対して露出せず、処理空間Ｓに供給されるガスに接触しない。また、被覆部材３５は、環状ヒータ１２０によって加温され、上記した第２温度差が、第１温度差よりも小さくなるように制御されている。このため基台３４の側面３４ａにエッチングガスが凝集することを軽減することができ、載置面１１ａの外周部近傍と、中央部近傍とでエッチング量に差が生じることを抑制することができたと考えられる。
　また、本実施形態にかかる載置台２００においては、基台３４の側面３４ａの一部が処理空間Ｓに対して露出しているが、他の大部分は被覆部材２１０に覆われている。また、被覆部材２１０を加温するようなヒータは設けられないが、被覆部材２１０は遮熱部によって基台３４から熱伝導が軽減されている。かかる被覆部材２１０によっても、上記した第２温度差が、第１温度差よりも小さくなる。このため基台３４の側面３４ａにエッチングガスが凝集することを軽減することができ、載置面２００ａの外周部近傍と、中央部近傍とでエッチング量に差が生じることを抑制することができたと考えられる。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
　一実施形態において、本実施形態にかかる被覆部材３５、２１０は、基台３４のみならず、誘電体部材３３の側面の少なくとも一部を覆うように構成され得る。これにより、載置面１１ａ、２００ａの外周端部近傍における処理空間Ｓに面する部分における温度をより均一にすることができ、エッチング量分布の均一性を向上することができる。
　また被覆部材３５、２１０は、適切な遮熱部を設けることが可能な限りにおいて、基台３４に対するコーティングや溶射により基台３４と一体に設けられていてもよい。適切な遮熱部が設けられれば、コーティング層などとして設けられる被覆部材であっても、上記した第２温度差を、第１温度差よりも小さくすることが可能である。
　なお、本実施形態にかかる基板処理装置１は、本実施形態にかかる基板処理方法のような、プラズマ処理を含まない工程を実行する装置において、より好適に用いられる。すなわち、プラズマ処理を含む工程を実行するプラズマ処理装置では、載置台に入射するプラズマから誘電体部材や基台などを保護する目的で、静電チャックの外周端部近傍にカバーリングが設けられることがある。しかしながら、プラズマ処理を含まないガスエッチングの工程を実行する装置においては、プラズマからの保護が観念されないため、本実施形態にかかる被覆部材３５、２１０のような構成を設けることは考えられていなかったのである。換言すれば、プラズマ処理装置における上記カバーリングと、本実施形態にかかる被覆部材３５、２１０は、技術的意義が異なるといえる。
　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的又は例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示にかかる技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
　　１　　　基板処理装置
　　１０　　チャンバ
　　１１、２００　　載置台
　　３３　　誘電体部材
　　３４　　基台
　　３５　　被覆部材
　　３６　　ヒータ電極
　　３７　　チラー
　　３８　　流路
　　Ｗ　　　基板

Claims (12)

  1. 　基板を処理する基板処理装置であって、
    　前記基板を収容する処理空間を有するチャンバと、
    　前記チャンバ内で前記基板を支持する載置台と、を有し、
    　前記載置台は、
    　前記基板が載置される載置面を有する誘電体部材と、
    　前記誘電体部材を加温する第１ヒータと、
    　前記誘電体部材の下方に設けられる基台と、
    　前記基台を冷却するチラーと、
    　少なくとも前記基台の側面の一部を、当該一部が前記処理空間に露出しないように覆う被覆部材と、を有する、
    　基板処理装置。
  2. 　前記被覆部材はさらに、前記基台の下面の一部を、当該一部が前記処理空間に露出しないように覆う、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記被覆部材は、前記基台の側面及び下面の全部を覆う、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記基台と前記被覆部材との間には、前記基台と前記被覆部材との間の熱伝導を減らす遮熱部が設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 　前記処理空間に対してエッチングガスを供給するガス供給部をさらに有し、
    　前記基板に対する前記処理は、前記ガス供給部から供給される前記エッチングガスによる前記基板上の膜のエッチング処理を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 　前記エッチング処理は、前記エッチングガスによって前記基板上の自然酸化膜をエッチングするブレークスルー処理を含む、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 　前記エッチング処理を含む前記処理を実行するように前記基板処理装置を制御する制御部をさらに有し、
    　前記制御部は、
    　前記エッチング処理を実行する際に、前記第１ヒータと前記チラーとを、異なる設定温度に制御する、請求項５又は６に記載の基板処理装置。
  8. 　前記載置台は、前記基台と前記被覆部材との間において、前記被覆部材を温調する第２ヒータを有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 　前記載置台は、前記基台と前記被覆部材との間において、前記被覆部材を温調する第２ヒータを有し、
    　前記制御部は、
    　前記エッチング処理を実行する際に、前記第１ヒータと前記チラーとの温度差よりも、前記第１ヒータと前記第２ヒータとの温度差の方が小さくなるように、前記第２ヒータの設定温度を制御する、請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 　基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
    　前記基板処理装置は、
    　前記基板を収容する処理空間を有するチャンバと、
    　前記チャンバ内で前記基板を支持する載置台と、を有し、
    　前記載置台は、
    　前記基板が載置される載置面を有する誘電体部材と、
    　前記誘電体部材を加温する第１ヒータと、
    　前記誘電体部材の下方に設けられる基台と、
    　前記基台を冷却するチラーと、
    　少なくとも前記基台の側面の一部を、当該一部が前記処理空間に露出しないように覆う被覆部材と、を有し、
    　前記基板処理方法は、前記第１ヒータと前記チラーとを、異なる設定温度に制御することを含む、
    　基板処理方法。
  11. 　前記基板処理装置は、
    　前記処理空間に対してエッチングガスを供給するガス供給部をさらに有し、
    　前記基板処理方法は、
    　前記ガス供給部から供給される前記エッチングガスによる前記基板上の膜のエッチング処理を含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 　前記エッチング処理は、前記エッチングガスによって前記基板上の自然酸化膜をエッチングするブレークスルー処理を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
     
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