WO2025244142A1 - マスク、蒸着方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents

マスク、蒸着方法及びデバイスの製造方法

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WO2025244142A1
WO2025244142A1 PCT/JP2025/018976 JP2025018976W WO2025244142A1 WO 2025244142 A1 WO2025244142 A1 WO 2025244142A1 JP 2025018976 W JP2025018976 W JP 2025018976W WO 2025244142 A1 WO2025244142 A1 WO 2025244142A1
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WO
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mask
layer
intermediate layer
region
substrate
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PCT/JP2025/018976
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English (en)
French (fr)
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久実子 穂刈
朱洋 草原
利彦 武田
克美 橋本
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Definitions

  • Embodiments of the present disclosure relate to masks, vapor deposition methods, and device manufacturing methods.
  • Vapor deposition is a known method for forming precise patterns.
  • a mask with multiple openings is combined with a substrate.
  • the evaporation material is then applied to the substrate through the openings in the mask.
  • a vapor deposition layer containing the evaporation material is formed on the substrate in a pattern corresponding to the pattern of the mask openings.
  • Vapor deposition is used, for example, as a method for forming pixels in organic electroluminescent (EL) display devices.
  • Patent Document 1 discloses a deposition mask comprising a silicon-containing substrate and a mask layer in which multiple openings are formed. The combination of the silicon-containing substrate and the mask layer improves the shape and positional accuracy of the through-holes in the mask layer.
  • a mask according to one embodiment of the present disclosure may include a substrate including a first surface, a second surface opposite the first surface, and a plurality of first openings penetrating from the first surface to the second surface; a mask layer including a third surface facing the second surface and a fourth surface opposite the third surface; and an intermediate layer positioned between the second surface of the substrate and the third surface of the mask layer.
  • the substrate may include silicon or a silicon compound.
  • the mask layer may include a plurality of first regions overlapping the first openings in a planar view and a second region positioned between the plurality of first regions and outside the plurality of first regions in a planar view.
  • Each of the plurality of first regions may include an effective area including a plurality of second openings penetrating from the third surface to the fourth surface.
  • the intermediate layer may include a first intermediate layer positioned on the second surface of the substrate and including silicon oxide or silicon nitride, and a second intermediate layer positioned between the first intermediate layer and the mask layer and including a metal.
  • the second intermediate layer may include an exposed surface that overlaps the first opening but does not overlap the first intermediate layer in a plan view.
  • the positional accuracy of the mask layer can be improved.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an organic device.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a vapor deposition apparatus equipped with a mask.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a mask when viewed from the incident surface side.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a mask when viewed from the exit surface side.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the mask taken along line VV of FIG. 3.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of an outer region of a base material and a frame.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a first opening in a substrate and a first region in a mask layer.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the mask of FIG.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of an inner region of a substrate and a mask layer.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of an effective region of a mask layer.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of forming a first intermediate layer.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of forming a second intermediate layer.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of forming a first resist layer.
  • FIG. 10 is a plan view illustrating an example of a step of forming a first resist layer.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of forming a mask layer.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example of a step of polishing a fourth surface of the mask layer.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of removing the first resist layer.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of forming a protective layer and a second resist layer.
  • 1A to 1C are cross-sectional views showing an example of a process for processing a substrate.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of removing a part of the first intermediate layer.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of partially forming a third resist layer on a second intermediate layer.
  • 10A and 10B are cross-sectional views showing an example of a step of removing a part of the second intermediate layer.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing an example of a step of removing the second resist layer, the third resist layer, and the protective layer.
  • 10A and 10B are diagrams illustrating a heating step for heating a portion of a mask.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of light irradiated onto a mask.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of light irradiated onto a mask.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of light irradiated onto a mask.
  • FIG. 10 is a plan view showing an example of a mask before a heating step is performed.
  • FIG. 10 is a plan view showing an example of a mask after a heating step has been performed.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a mask according to a modified example.
  • Parameter B is, for example, A1 or more, and may be A2 or more, or A3 or more.
  • Parameter B is, for example, A4 or less, A5 or less, or A6 or less.”
  • the numerical range of parameter B may be A1 or more and A4 or less, A1 or more and A5 or less, A1 or more and A6 or less, A2 or more and A4 or less, A2 or more and A5 or less, A2 or more and A6 or less, A3 or more and A4 or less, A3 or more and A5 or less, or A3 or more and A6 or less.
  • the state in which the face of element A is "opposing" the face of element B includes not only the case in which the face of element A is in contact with the face of element B, but also the case in which element C is located between the faces of element A and element B.
  • the term "opposing" is a term that describes the orientation of the two faces.
  • the use of the mask is not particularly limited, and this embodiment can be applied to masks used for a variety of purposes.
  • the mask of this embodiment may be used to form electrodes of a device for displaying or projecting images or videos to represent virtual reality (VR) or augmented reality (AR).
  • the mask of this embodiment may also be used to form electrodes of a display device other than an organic EL display device, such as electrodes of a liquid crystal display device.
  • the mask of this embodiment may also be used to form components of devices other than a display device, such as electrodes of a pressure sensor.
  • a first aspect of the present disclosure is a mask comprising: a substrate including a first surface, a second surface opposite the first surface, and a plurality of first openings extending from the first surface to the second surface; a mask layer including a third surface facing the second surface and a fourth surface located on the opposite side of the third surface; an intermediate layer located between the second surface of the substrate and the third surface of the mask layer; the substrate comprises silicon or a silicon compound; the mask layer includes a plurality of first regions overlapping the first openings in a plan view, and a second region positioned between the plurality of first regions and outside the plurality of first regions in a plan view, each of the plurality of first regions includes an effective region including a plurality of second openings penetrating from the third surface to the fourth surface; the intermediate layer includes a first intermediate layer located on the second surface of the substrate and containing silicon oxide or silicon nitride, and a second intermediate layer located between the first intermediate layer and the mask layer and containing a metal;
  • the second intermediate layer
  • a second aspect of the present disclosure may include the following aspect in the mask according to the first aspect described above:
  • Each of the plurality of first regions may include a peripheral region surrounding the effective region in a planar view, and the second intermediate layer may extend so as to overlap the peripheral region and the second region of the first region of the mask layer in a planar view.
  • a third aspect of the present disclosure may include the following aspect in the mask according to the first or second aspect described above:
  • the second intermediate layer may extend so as not to overlap the effective area of the first region of the mask layer in a plan view.
  • a fourth aspect of the present disclosure may include the following aspect in the mask according to the first to third aspects described above:
  • the second intermediate layer may include an inner edge that surrounds the effective area of the first region of the mask layer in a plan view.
  • a fifth aspect of the present disclosure may be a mask according to any one of the first to fourth aspects described above, further comprising the following:
  • the first intermediate layer may have a thickness of 0.5 ⁇ m or more.
  • a sixth aspect of the present disclosure may be a mask according to any one of the first to fifth aspects described above, with the following feature:
  • the thickness of the first intermediate layer may be greater than the thickness of the second intermediate layer.
  • a seventh aspect of the present disclosure may be a mask according to any one of the first to sixth aspects described above, with the following configuration:
  • the second intermediate layer may include at least a layer made of aluminum or an aluminum alloy.
  • An eighth aspect of the present disclosure may be a mask according to any one of the first to seventh aspects described above, with the following configuration:
  • the second intermediate layer may include at least a layer made of titanium or a titanium alloy.
  • a ninth aspect of the present disclosure may be a mask according to any one of the first to eighth aspects described above, with the following configuration:
  • the second intermediate layer may include a first layer made of titanium or a titanium alloy, and a second layer located between the first layer and the mask layer and made of aluminum or an aluminum alloy.
  • a tenth aspect of the present disclosure may be a mask according to any one of the first to ninth aspects described above, which may include the following:
  • the substrate may include an inner region located between the plurality of first openings in a plan view, and an outer region extending along the outer edge of the substrate and surrounding the plurality of first openings and the inner region in a plan view, and the mask may include a frame connected to the outer region.
  • An eleventh aspect of the present disclosure may include the following aspect in the mask according to the tenth aspect described above.
  • the mask may include an adhesive layer located between the first surface of the outer region of the substrate and the frame.
  • a twelfth aspect of the present disclosure is a vapor deposition method for forming a vapor deposition layer on a substrate using a mask, the method comprising:
  • the mask is a substrate including a first surface, a second surface opposite the first surface, and a plurality of first openings extending from the first surface to the second surface; a mask layer including a third surface facing the second surface and a fourth surface located on the opposite side of the third surface; an intermediate layer located between the second surface of the substrate and the third surface of the mask layer;
  • the substrate comprises silicon or a silicon compound;
  • the mask layer includes a plurality of first regions overlapping the first openings in a plan view, and a second region positioned between the plurality of first regions and outside the plurality of first regions in a plan view, each of the plurality of first regions includes an effective region including a plurality of second openings penetrating from the third surface to the fourth surface;
  • the vapor deposition method includes: an alignment step of adjusting the position of the mask
  • a thirteenth aspect of the present disclosure may be the vapor deposition method according to the twelfth aspect described above, with the following features:
  • the heating step may include an irradiation step of irradiating the portion of the mask with light.
  • a fourteenth aspect of the present disclosure may be the vapor deposition method according to the thirteenth aspect described above, which may include the following:
  • the intermediate layer may include a first intermediate layer located on the second surface of the substrate and containing silicon oxide, and a second intermediate layer located between the first intermediate layer and the mask layer and containing metal, the second intermediate layer may include an exposed surface that overlaps the first opening but does not overlap the first intermediate layer in a planar view, and in the irradiation step, light may be irradiated onto a portion of the exposed surface of the second intermediate layer.
  • a fifteenth aspect of the present disclosure may be the vapor deposition method according to the fourteenth aspect described above, with the following features:
  • Each of the plurality of first regions may include a peripheral region surrounding the effective region in a planar view, and the second intermediate layer may extend so as to overlap the peripheral region and the second region of the first region of the mask layer in a planar view.
  • a sixteenth aspect of the present disclosure may be the vapor deposition method according to the fourteenth or fifteenth aspect described above, further comprising the following:
  • the second intermediate layer may extend so as not to overlap the effective area of the first region of the mask layer in a plan view.
  • a seventeenth aspect of the present disclosure may be the vapor deposition method according to any one of the fourteenth to sixteenth aspects described above, further comprising the following:
  • the second intermediate layer may include a first layer made of titanium or a titanium alloy, and a second layer made of aluminum or an aluminum alloy and positioned between the first layer and the mask layer, and in the irradiation step, light may be irradiated onto a portion of the exposed surface of the first layer of the second intermediate layer.
  • An 18th aspect of the present disclosure may be the vapor deposition method according to any one of the 12th to 17th aspects described above, which may include the following:
  • the substrate may include an inner region located between the plurality of first openings in a plan view, and an outer region extending along the outer edge of the substrate and surrounding the plurality of first openings and the inner region in a plan view, and the mask may include a frame connected to the outer region.
  • a nineteenth aspect of the present disclosure may be the vapor deposition method according to the eighteenth aspect described above, with the following features:
  • the mask may include an adhesive layer located between the first surface of the outer region of the substrate and the frame, and a portion of the adhesive layer may deform in accordance with the portion of the mask heated in the heating step.
  • a twentieth aspect of the present disclosure is a method for manufacturing a device, comprising: A method for manufacturing a device, comprising the step of forming the deposition layer on the substrate by the deposition method according to any one of the twelfth to nineteenth aspects.
  • This section describes an organic device 100 that includes an organic layer formed using a mask.
  • the organic device 100 includes an organic layer or electrode formed using a mask.
  • Figure 1 is a cross-sectional view showing an example of an organic device 100.
  • the organic device 100 includes a substrate 110 and a plurality of elements 115 arranged along the in-plane direction of the substrate 110.
  • the substrate 110 includes a first surface 111 and a second surface 112 located on the opposite side of the first surface 111.
  • the elements 115 are located on the first surface 111.
  • the elements 115 are, for example, pixels.
  • the substrate 110 may include two or more types of elements 115.
  • the substrate 110 may include a first element 115A and a second element 115B.
  • the substrate 110 may also include a third element.
  • the first element 115A, the second element 115B, and the third element are, for example, a red pixel, a blue pixel, and a green pixel.
  • the element 115 may include a first electrode 120, an organic layer 130 located on the first electrode 120, and a second electrode 140 located on the organic layer 130.
  • the organic device 100 may include an insulating layer 160 located between two adjacent first electrodes 120 in a planar view.
  • the insulating layer 160 contains, for example, polyimide.
  • the insulating layer 160 may overlap the edge of the first electrode 120.
  • Planar view means viewing an object along the normal direction to the surface of a plate-like member such as the substrate 110.
  • the substrate 110 may be made of an insulating material.
  • Materials that can be used for the substrate 110 include, for example, silicon, quartz glass, Pyrex (registered trademark) glass, synthetic quartz plates, and other less flexible materials, as well as flexible materials such as resin films, optical resin plates, and thin glass.
  • the substrate 110 may have a planar shape similar to that of silicon wafers used in semiconductor manufacturing. In this case, the substrate 110 can be processed using equipment that performs semiconductor manufacturing processes. For example, the first electrode 120, insulating layer 160, and the like can be formed on the substrate 110 using equipment that performs semiconductor manufacturing processes.
  • Element 115 is configured to achieve some function when a voltage is applied between first electrode 120 and second electrode 140, or when a current flows between first electrode 120 and second electrode 140. For example, if element 115 is a pixel of an organic EL display device, element 115 can emit light that forms an image.
  • the first electrode 120 includes a conductive material.
  • the first electrode 120 includes a metal, a conductive metal oxide, or another conductive inorganic material.
  • the first electrode 120 may include a transparent and conductive metal oxide, such as indium tin oxide.
  • the organic layer 130 contains an organic material. When a current is passed through the organic layer 130, the organic layer 130 can perform some function. Passing a current means that a voltage is applied to the organic layer 130, or that a current flows through the organic layer 130.
  • the organic layer 130 can be an emissive layer that emits light when a current is passed through it, or a layer whose light transmittance or refractive index changes when a current is passed through it.
  • the organic layer 130 may contain an organic semiconductor material.
  • the organic layer 130 may include a first organic layer 130A and a second organic layer 130B.
  • the first organic layer 130A is included in the first element 115A.
  • the second organic layer 130B is included in the second element 115B.
  • the organic layer 130 may include a third organic layer included in a third element.
  • the first organic layer 130A, the second organic layer 130B, and the third organic layer are, for example, a red light-emitting layer, a blue light-emitting layer, and a green light-emitting layer.
  • the organic layer 130 located between them is driven. If the organic layer 130 is an emitting layer, light is emitted from the organic layer 130 and extracted to the outside from the second electrode 140 side or the first electrode 120 side.
  • the organic layer 130 may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc.
  • the second electrode 140 may contain a conductive material such as a metal.
  • a conductive material such as a metal. Examples of materials that can be used for the second electrode 140 include platinum, gold, silver, copper, iron, tin, chromium, aluminum, indium, lithium, sodium, potassium, calcium, magnesium, chromium, carbon, and alloys thereof. As shown in FIG. 1, the second electrode 140 may extend so as to overlap two adjacent organic layers 130 in a planar view.
  • FIG. 2 is a diagram showing a vapor deposition device 10.
  • the vapor deposition device 10 performs a vapor deposition process in which a vapor deposition material is deposited on a target object.
  • the vapor deposition device 10 may include an evaporation source 6, a heater 8, and a mask 20 therein.
  • the vapor deposition device 10 may further include an exhaust means for creating a vacuum atmosphere inside the vapor deposition device 10.
  • the evaporation source 6 is, for example, a crucible.
  • the evaporation source 6 contains an evaporation material 7, such as an organic material or a metallic material.
  • the heater 8 heats the evaporation source 6 to evaporate the evaporation material 7 in a vacuum atmosphere.
  • the mask 20 includes an incident surface 201, an exit surface 202, a plurality of first openings 31, and a plurality of second openings 41.
  • the incident surface 201 faces the deposition source 6.
  • the exit surface 202 is located opposite the incident surface 201.
  • the exit surface 202 faces the first surface 111 of the substrate 110.
  • the first opening 31 is located on the incident surface 201.
  • the second opening 41 is located on the exit surface 202.
  • the first opening 31 and the second opening 41 are connected in the thickness direction of the mask 20.
  • the plurality of second openings 41 overlap one first opening 31 in a planar view.
  • a portion of the deposition material 7 that enters the mask 20 from the exit surface 202 passes through the first openings 31 and the second openings 41 and exits from the exit surface 202.
  • the deposition material 7 that exits from the exit surface 202 adheres to the first surface 111 of the substrate 110.
  • the exit surface 202 of the mask 20 may be in contact with the first surface 111 of the
  • the deposition apparatus 10 may include a magnet 5 disposed on the second surface 112 side of the substrate 110. If the mask 20 contains a magnetic material, the magnet 5 can attract the mask 20 toward the substrate 110 by magnetic force. As a result, the gap between the mask 20 and the substrate 110 can be reduced or eliminated. As a result, the occurrence of shadows during the deposition process can be suppressed.
  • a shadow refers to a phenomenon in which the thickness of the organic layer 130 formed near the wall surface of the second opening 41 is smaller than the thickness of the organic layer 130 formed in the center of the second opening 41. Shadows occur due to the deposition material 7 adhering to the wall surface of the mask 20, the deposition material 7 entering the gap between the mask 20 and the substrate 110, etc.
  • the mask 20 may be supported by a frame 60.
  • the frame 60 may be located at the incident surface 201 of the mask 20.
  • the frame 60 includes a first frame surface 601 and a second frame surface 602. A portion of the second frame surface 602 faces the incident surface 201 of the mask 20.
  • the first frame surface 601 is located on the opposite side of the second frame surface 602.
  • the frame 60 has one third opening 61 formed therein, penetrating from the first frame surface 601 to the second frame surface 602.
  • the one third opening 61 overlaps with multiple first openings 31 in a plan view.
  • An apparatus including the mask 20 and frame 60 is also referred to as a mask apparatus 15.
  • Figure 3 is a plan view showing an example of the mask 20 and mask device 15 when viewed from the incident surface 201 side.
  • Figure 4 is a plan view showing an example of the mask 20 and mask device 15 when viewed from the exit surface 202 side.
  • Figure 5 is a cross-sectional view of the mask 20 and mask device 15 taken along line V-V in Figure 3.
  • the mask 20 comprises a substrate 30, a mask layer 40, and an intermediate layer 50.
  • the substrate 30 includes a first surface 301, a second surface 302, a plurality of first openings 31, and a plurality of first wall surfaces 32.
  • the first surface 301 may constitute the incident surface 201.
  • the second surface 302 is located on the opposite side of the first surface 301.
  • the first wall surface 32 is located between the first surface 301 and the second surface 302.
  • the first opening 31 penetrates the substrate 30 from the first surface 301 to the second surface 302.
  • the substrate 30 may include a plurality of first openings 31.
  • the plurality of first openings 31 may be aligned in a first direction D1 and a second direction D2.
  • the second direction D2 may be perpendicular to the first direction D1.
  • the first direction D1 and the second direction D2 are parallel to the first surface 301.
  • One first opening 31 may correspond to one device.
  • one first opening 31 may correspond to one screen of an organic EL display device.
  • a mask 20 including multiple first openings 31 can simultaneously form organic layer patterns corresponding to multiple screens on the substrate 110.
  • the first opening 31 may have a rectangular outline in a plan view.
  • the first wall surface 32 faces the first opening 31.
  • the first wall surface 32 extends along the normal direction of the first surface 301.
  • the area of the substrate 30 other than the first openings 31 may be divided into an outer area 35 and an inner area 36.
  • the inner area 36 is the area of the substrate 30 located between two adjacent first openings 31 in a planar view.
  • the outer area 35 is the area of the substrate 30 located between the outer edge 303 of the substrate 30 and the first openings 31 in a planar view.
  • the inner area 36 may extend in the first direction D1 and the second direction D2.
  • the substrate 30 may include an alignment mark 39.
  • the alignment mark 39 is formed, for example, on the second surface 302.
  • the alignment mark 39 may also be formed on the first surface 301.
  • the alignment mark 39 is used, for example, to adjust the relative position of the substrate 110 with respect to the mask 20. If the substrate 110 has the property of transmitting visible light, the alignment mark 39 can be seen through the substrate 110.
  • the alignment mark 39 may have a circular outline in a plan view. Although not shown, the alignment mark 39 may have an outline other than a circle, such as a rectangle or a cross. The alignment mark 39 may be located in the outer region 35 or the inner region 36.
  • the shape of the alignment mark 39 in the cross-sectional view is arbitrary.
  • the alignment mark 39 may include a recess located on the first surface 301 or the second surface 302.
  • the alignment mark 39 may include a hole penetrating from the first surface 301 to the second surface 302.
  • the recess and hole may be formed by etching the first surface 301 or the second surface 302.
  • the recess and hole may be formed by irradiating the first surface 301 or the second surface 302 with a laser.
  • the alignment mark 39 may include a layer located on the first surface 301 or the second surface 302. The layer is formed from a material different from the substrate 30.
  • the alignment mark 39 may be formed in a layer other than the substrate 30.
  • the substrate 30 includes silicon or a silicon compound.
  • the substrate 30 is produced, for example, by processing a silicon wafer.
  • the outer edge 303 of the substrate 30 may include a straight portion.
  • the straight portion is also called an orientation flat.
  • the outer edge 303 may have a notch formed therein.
  • the notch is also called a notch.
  • the orientation flat and notch represent the crystal orientation of the silicon wafer.
  • the substrate 30 may have the property of transmitting light used in the heating process described below.
  • the silicon compound is, for example, glass such as quartz glass.
  • the maximum dimension S1 of the substrate 30 in a plan view is, for example, 100 mm or more, or may be 150 mm or more, or 200 mm or more.
  • Dimension S1 is, for example, 500 mm or less, or may be 400 mm or less, or may be 300 mm or less.
  • the dimension S2 of the first openings 31 in the direction in which the first openings 31 are aligned is, for example, 5 mm or more, or may be 10 mm or more, or 20 mm or more.
  • the dimension S2 is, for example, 100 mm or less, or may be 50 mm or less, or may be 30 mm or less.
  • the distance S3 between two first openings 31 in the direction in which the first openings 31 are aligned is, for example, 0.1 mm or more, or may be 0.5 mm or more, or 1.0 mm or more.
  • the distance S3 is, for example, 20 mm or less, or may be 15 mm or less, or may be 10 mm or less.
  • the thickness of the substrate 30 is defined as the maximum thickness T1 of the outer region 35.
  • Thickness T1 is, for example, 50 ⁇ m or more, and may be 100 ⁇ m or more, or 200 ⁇ m or more.
  • Thickness T1 is, for example, 1000 ⁇ m or less, and may be 800 ⁇ m or less, or 600 ⁇ m or less.
  • the mask layer 40 includes a third surface 401, a fourth surface 402, and a plurality of second openings 41.
  • the third surface 401 faces the second surface 302 or the first opening 31 of the substrate 30.
  • the fourth surface 402 is located on the opposite side of the third surface 401 in the thickness direction of the substrate 30.
  • the fourth surface 402 may constitute the exit surface 202 of the mask 20.
  • the second openings 41 penetrate from the third surface 401 to the fourth surface 402.
  • One second opening 41 corresponds to one vapor deposition layer.
  • the vapor deposition layer is, for example, the organic layer 130.
  • a group of multiple regularly arranged second openings 41 corresponds to one screen of the organic EL display device. As shown in Figures 3 and 4, a group of multiple regularly arranged second openings 41 may overlap one first opening 31 in a planar view.
  • the mask layer 40 may include a plurality of first regions 43 and second regions 44 in a planar view.
  • the mask layer 40 may be partitioned into a plurality of first regions 43 and second regions 44 in a planar view.
  • the first region 43 is a region of the mask layer 40 that overlaps the first opening 31 in a planar view.
  • the second region 44 is a region located between and outside the multiple first regions 43 in a planar view.
  • the “outside” is the side away from the center point of the mask 20 in a planar view.
  • the “inside” is the side closer to the center point of the mask 20 in a planar view.
  • the intermediate layer 50 is a layer located between the second surface 302 of the substrate 30 and the third surface 401 of the mask layer 40 in the thickness direction of the mask 20.
  • the intermediate layer 50 is arranged at least in a position overlapping the inner region 36 of the substrate 30 in a plan view. A portion of the intermediate layer 50 may be arranged in a position overlapping the first opening 31 of the substrate 30.
  • the frame 60 is a member that is connected to the mask 20 so that it can be grasped when handling the mask 20, for example, when moving the mask 20. Connecting the frame 60 to the mask 20 makes it easier to handle the mask 20.
  • the frame 60 is connected to the outer region 35 of the substrate 30.
  • the second frame surface 602 of the frame 60 may be connected to the first surface 301 of the outer region 35 of the substrate 30.
  • An adhesive layer 70 may be disposed between the first surface 301 of the outer region 35 and the second frame surface 602 of the frame 60.
  • the frame 60 may be connected to the substrate 30 via the adhesive layer 70.
  • the frame 60 does not overlap the first opening 31 of the substrate 30. Furthermore, in a plan view, at least a portion of the frame 60 extends to the outside of the outer edge 303 of the substrate 30. This allows the frame 60 to expand the area for gripping when handling the mask 20.
  • the frame 60 may include an area that extends circumferentially outside the outer edge 303 of the substrate 30 in a plan view.
  • the frame 60 may include an outer edge 603 that surrounds the outer edge 303 of the substrate 30 in a plan view.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the outer region 35 of the base material 30 and the frame 60 .
  • the distance S9 between the outer edge 603 of the frame 60 and the outer edge 303 of the base material 30 in the planar direction of the first surface 301 of the base material 30 is, for example, 5 mm or more, or may be 10 mm or more, or may be 15 mm or more.
  • the distance S9 is, for example, 100 mm or less, or may be 60 mm or less, or may be 30 mm or less.
  • the frame 60 may contain a glass material or a metal material.
  • Glass materials include quartz glass, borosilicate glass, alkali-free glass, soda glass, etc.
  • Metal materials include invar materials and stainless steels such as SUS430 and SUS304. By including these materials in the frame 60, the rigidity of the frame 60 can be made higher than the rigidity of the substrate 30.
  • the material of the frame 60 may be determined so that the frame 60 has the required rigidity, taking into account the gripping strength of the operator or robot hand handling the mask device 15.
  • the linear thermal expansion coefficient of the frame 60 is approximately the same as the linear thermal expansion coefficient of the substrate 30. This prevents a difference in the elongation rates of the frame 60 and the substrate 30 from occurring when the mask device 15 is heated.
  • the absolute value of the difference between the linear thermal expansion coefficient of the frame 60 and the linear thermal expansion coefficient of the substrate 30 is, for example, 15 ppm/°C or less, or may be 10 ppm/°C or less, or 5.0 ppm/°C or less.
  • the thickness T5 of the frame 60 is, for example, 500 ⁇ m or more, and may be 1 mm or more, or 5 mm or more.
  • the thickness T5 is, for example, 30 mm or less, and may be 20 mm or less, or 10 mm or less.
  • the adhesive layer 70 secures the frame 60 to the substrate 30.
  • the adhesive layer 70 may include a surface that contacts the first surface 301 and a surface that contacts the frame second surface 602.
  • the mask device 15 may include a layer located between the frame second surface 602 of the frame 60 and the adhesive layer 70.
  • the mask device 15 may include a layer located between the first surface 301 of the substrate 30 and the adhesive layer 70.
  • the adhesive layer 70 may contain a glass material, an inorganic material, a metal material, or a resin material.
  • the adhesive layer 70 may be formed from glass frit, glass paste, solder paste, conductive paste, epoxy resin, polyimide, acrylic resin, or the like.
  • materials such as Aremcobond 526N, a high-heat-resistant epoxy adhesive manufactured by Aremco Products, or WORLDROCK® 5910 (product number) or WORLDROCK® 8723K9B (product number) UV-curable adhesives manufactured by Kyoritsu Chemical Industries Co., Ltd. can be used to form the adhesive layer 70.
  • Using a highly solvent-resistant material for the adhesive layer 70 can prevent deformation of the adhesive layer 70 upon contact with cleaning fluids, which could result in the frame 60 unintentionally separating from the mask 20 when the mask device 15 used in the vapor deposition process is cleaned to remove the vapor deposition material.
  • a highly solvent-resistant material for the adhesive layer 70 can prevent deformation of the adhesive layer 70 upon contact with cleaning fluids, which could result in the frame 60 unintentionally separating from the mask 20 when the mask device 15 used in the vapor deposition process is cleaned to remove the vapor deposition material.
  • ThreeBond Co., Ltd.'s ultraviolet-curing adhesive "ThreeBond (registered trademark) 3026E (product name)" can be used as the material for forming the adhesive layer 70.
  • the thickness T6 of the adhesive layer 70 is, for example, 0.05 ⁇ m or more, and may be 5 ⁇ m or more, or 10 ⁇ m or more.
  • the thickness T6 of the adhesive layer 70 is, for example, 100 ⁇ m or less, and may be 50 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or less.
  • the dimension S10 of the adhesive layer 70 in the direction from the inner edge 604 toward the outer edge 603 of the frame 60 is, for example, 5 mm or more, or may be 10 mm or more, or 15 mm or more.
  • the dimension S10 is, for example, 100 mm or less, or may be 60 mm or less, or may be 30 mm or less.
  • the inner edge 604 of the frame 60 faces the third opening 61.
  • a heating step is performed in which a portion of the mask 20 is heated during the alignment step of adjusting the position of the mask 20 relative to the substrate 110.
  • the portion of the adhesive layer 70 may deform in response to the movement of the heated portion of the mask 20.
  • the portion of the adhesive layer 70 may deform in response to the thermal expansion of the heated portion of the mask 20.
  • the frame 60 may remain stationary.
  • the thickness T6 and dimension S10 of the adhesive layer 70 may be set to cause such deformation. The greater the thickness T6, the more likely the portion of the adhesive layer 70 will deform in response to the movement of the heated portion of the mask 20.
  • the smaller the dimension S10 the more likely the portion of the adhesive layer 70 will deform in response to the movement of the heated portion of the mask 20.
  • Figure 7 is a plan view showing an example of the first opening 31 in the substrate 30 and the first region 43 in the mask layer 40.
  • Figure 8 is a cross-sectional view of the mask 20 in Figure 7 taken along line VIII-VIII.
  • the inner region 36 of the base material 30 may include, in a plan view, a plurality of first bar regions 361 and a plurality of second bar regions 362.
  • the first bar region 361 is a portion of the inner region 36 extending in the first direction D1.
  • the second bar region 362 is a portion of the inner region 36 extending in the second direction D2.
  • each of the plurality of first openings 31 is surrounded by two first bar regions 361 and two second bar regions 362.
  • the region where the first bar region 361 and the second bar region 362 intersect is also referred to as the intersection region 363.
  • Each of the multiple first regions 43 may include an effective region 431 and a peripheral region 432.
  • the effective region 431 is a portion of the first region 43 that includes the multiple second openings 41.
  • the multiple second openings 41 located in the effective region 431 are regularly arranged in a planar view.
  • the multiple second openings 41 located in the effective region 431 are regularly arranged along the first direction D1 and the second direction D2.
  • the peripheral region 432 is a portion of the first region 43 that surrounds the effective region 431 in a planar view.
  • the effective region 431 and the peripheral region 432 are bounded by an envelope 433 that surrounds the regularly arranged multiple second openings 41 in a planar view.
  • the intermediate layer 50 includes at least a first intermediate layer 51 and a second intermediate layer 52.
  • the first intermediate layer 51 is located on the second surface 302 of the inner region 36 of the substrate 30.
  • the first intermediate layer 51 does not have to overlap the first opening 31 in a planar view.
  • the first intermediate layer 51 may include an inner edge 511 that coincides with the first wall surface 32 of the inner region 36 of the substrate 30. "Coinciding" means that the difference in the position between the first wall surface 32 of the inner region 36 and the position of the inner edge 511 of the first intermediate layer 51 in the planar direction of the second surface 302 of the substrate 30 is 1.0 ⁇ m or less.
  • the inner edge 511 of the first intermediate layer 51 located in the inner region 36 may extend continuously to surround the effective region 431 in a planar view.
  • the inner edge 511 of the first intermediate layer 51 located in the inner region 36 may extend continuously to surround the peripheral region 432 in a planar view.
  • the inner edge 511 of the first intermediate layer 51 located in the inner region 36 may extend continuously to surround the inner edge 521 (described later) of the second intermediate layer 52 in a planar view, and the inner edge 521 of the second intermediate layer 52 may extend continuously to surround the effective region 431 in a planar view.
  • the first intermediate layer 51 may also be located on the second surface 302 of the outer region 35 of the substrate 30.
  • the first intermediate layer 51 may extend to overlap the outer region 35 and the inner region 36 of the substrate 30.
  • the first intermediate layer 51 may be made of an insulating material.
  • the first intermediate layer 51 may contain an inorganic compound such as silicon oxide or silicon nitride.
  • the first intermediate layer 51 has a lower thermal conductivity than the second intermediate layer 52. Therefore, heat conduction in the thickness direction of the first intermediate layer 51 is less likely to occur than heat conduction in the surface direction of the second intermediate layer 52.
  • the first intermediate layer 51 may have the property of transmitting light used in the heating process described below.
  • the second intermediate layer 52 is located between the first intermediate layer 51 and the mask layer 40.
  • the second intermediate layer 52 includes an exposed surface 522.
  • the exposed surface 522 is a surface of the second intermediate layer 52 that overlaps the first opening 31 but does not overlap the first intermediate layer 51 in a plan view.
  • the exposed surface 522 faces the first opening 31.
  • the second intermediate layer 52 may be made of a conductive material.
  • the second intermediate layer 52 may contain a metal.
  • the second intermediate layer 52 has a higher thermal conductivity than the first intermediate layer 51.
  • the metal of the second intermediate layer 52 is, for example, nickel, copper, titanium, aluminum, iron, etc., or an alloy thereof.
  • the second intermediate layer 52 may include at least a layer made of aluminum or an aluminum alloy.
  • the second intermediate layer 52 may include at least a layer made of titanium or a titanium alloy.
  • the second intermediate layer 52 may include at least a layer made of an iron alloy containing nickel.
  • An example of an iron alloy containing nickel is permalloy. Permalloy is an iron alloy containing 35% to 80% nickel by weight.
  • the second intermediate layer 52 may extend to overlap the peripheral region 432 of the first region 43 and the second region 44 of the mask layer 40 in a planar view.
  • the light energy received by the exposed surface 522 of the second intermediate layer 52 is transferred as heat to the portion of the second intermediate layer 52 that overlaps the second region 44 and the inner region 36 in a planar view.
  • a single second intermediate layer 52 may extend so as to overlap the peripheral regions 432 of multiple first regions 43.
  • a single second intermediate layer 52 may extend so as to overlap the peripheral regions 432 of four or more first regions 43.
  • multiple first crossbar regions 361 and multiple second crossbar regions 362 can be heated uniformly.
  • the second intermediate layer 52 may be divided so that it is not continuous across the entire area of the mask 20.
  • the second intermediate layer 52 may be divided into at least four or more pieces. By dividing the second intermediate layer 52, the range through which heat is conducted by the second intermediate layer 52 is limited. This makes it possible to cause thermal expansion preferentially only in a portion of the multiple first crosspiece regions 361 and the multiple second crosspiece regions 362.
  • the second intermediate layer 52 may extend so as not to overlap the effective area 431 of the first region 43 of the mask layer 40 in a planar view.
  • the second intermediate layer 52 may include an inner edge 521 that surrounds the effective area 431 in a planar view.
  • Figure 9 is a cross-sectional view showing an example of the inner region 36 of the substrate 30 and the mask layer 40.
  • Figure 10 is a cross-sectional view showing the effective area 431 of the first region 43 of the mask layer 40.
  • the mask layer 40 includes a second wall surface 42 facing the second opening 41.
  • Symbol S6 represents the distance in the surface direction of the substrate 30 between the second wall surface 42 of the mask layer 40 and the first wall surface 32 of the substrate 30.
  • Distance S6 is, for example, 1.0 ⁇ m or more, and may be 2.0 ⁇ m or more, or 3.0 ⁇ m or more.
  • Distance S6 is, for example, 10.0 ⁇ m or less, or may be 7.0 ⁇ m or less, or may be 5.0 ⁇ m or less.
  • the symbol S7 represents the distance in the surface direction of the substrate 30 between the inner edge 521 of the second intermediate layer 52 and the first wall surface 32 of the substrate 30.
  • the distance S7 may be smaller than the distance S6.
  • the distance S7 is, for example, 1.0 ⁇ m or more, or may be 2.0 ⁇ m or more, or may be 3.0 ⁇ m or more.
  • the distance S6 is, for example, 10.0 ⁇ m or less, or may be 7.0 ⁇ m or less, or may be 5.0 ⁇ m or less.
  • the first intermediate layer 51 has a thickness T3.
  • the thickness T3 is, for example, 0.1 ⁇ m or more, and may be 0.3 ⁇ m or more, or 0.5 ⁇ m or more. The greater the thickness T3, the more heat conduction in the thickness direction from the second intermediate layer 52 to the substrate 30 via the first intermediate layer 51 is suppressed.
  • the thickness T3 is, for example, 5.0 ⁇ m or less, and may be 3.0 ⁇ m or less, or 1.0 ⁇ m or less.
  • the second intermediate layer 52 has a thickness T4.
  • Thickness T4 is, for example, 0.01 ⁇ m or more, and may be 0.03 ⁇ m or more, or 0.05 ⁇ m or more. The greater the thickness T4, the more the thermal conduction in the surface direction of the second intermediate layer 52 is promoted. Thickness T4 is, for example, 10.0 ⁇ m or less, and may be 1.0 ⁇ m or less, or 0.10 ⁇ m or less.
  • the thickness T3 of the first intermediate layer 51 may be greater than the thickness T4 of the second intermediate layer 52. This can improve the temperature uniformity in one first crosspiece region 361 or one second crosspiece region 362.
  • T3/T4, which is the ratio of thickness T3 to thickness T4 is, for example, 1.10 or more, or may be 1.50 or more, or may be 2.00 or more.
  • T3/T4 is, for example, 5.00 or less, or may be 4.00 or less, or may be 3.00 or less.
  • the thickness T3 of the first intermediate layer 51 may be equal to or smaller than the thickness T4 of the second intermediate layer 52.
  • T3/T4 is, for example, less than 1.10, and may be 1.00 or less, or 0.80 or less.
  • thermal expansion may occur in the mask layer 40. If the thermal expansion occurring in the mask layer 40 differs from the thermal expansion occurring in the substrate 30, stress will occur between the mask layer 40 and the substrate 30 in the surface direction of the substrate 30.
  • An intermediate layer 50 is disposed between the mask 20 and the substrate 30.
  • the intermediate layer 50 can function to relieve stress caused by the difference in thermal expansion occurring in the mask layer 40 and the thermal expansion occurring in the substrate 30.
  • the intermediate layer 50 includes a first intermediate layer 51 and a second intermediate layer 52. Therefore, stress can be relieved more effectively than when the intermediate layer 50 consists of a single layer.
  • the second intermediate layer 52 may include a first layer 53 and a second layer 54.
  • the portion of the first layer 53 that overlaps the first opening 31 in a planar view may constitute an exposed surface 522.
  • the portion of the first layer 53 that does not overlap the first opening 31 in a planar view may be in contact with the first intermediate layer 51.
  • the second layer 54 is located between the first layer 53 and the mask layer 40.
  • the second layer 54 may be in contact with the first layer 53.
  • the second layer 54 may be in contact with the mask layer 40.
  • the first layer 53 may be made of titanium or a titanium alloy. Titanium and titanium alloys have the property of absorbing light. By having the first layer 53 made of titanium or a titanium alloy form the exposed surface 522, the energy of light irradiated onto the mask 20 can be efficiently converted into heat.
  • the second layer 54 may be made of aluminum or an aluminum alloy.
  • the aluminum alloy contains, for example, aluminum and neodymium.
  • Aluminum or an aluminum alloy has a higher thermal conductivity than titanium or a titanium alloy. Heat generated in the first layer 53 is efficiently transferred in the plane direction of the substrate 30 by the second layer 54.
  • Figure 10 is a cross-sectional view showing an example of the effective area 431 of the first region 43 of the mask layer 40.
  • the effective area 431 includes the second wall surface 42 facing the second opening 41.
  • the effective area 431 may include a metal layer.
  • the effective area 431 may also be composed of only a metal layer.
  • the layer structure of the surrounding area 432 and the second region 44 may be the same as the layer structure of the effective area 431.
  • the symbol R1 represents the dimension of the second opening 41 on the third surface 401.
  • the symbol R2 represents the dimension of the second opening 41 on the fourth surface 402.
  • the dimension R1 is also referred to as the first dimension.
  • the dimension R2 is also referred to as the second dimension.
  • the dimension of the deposition layer formed on the substrate 110 by the deposition process using the mask 20 is determined according to the second dimension R2.
  • the first dimension R1 may be greater than the second dimension R2.
  • the second dimension R2 may be smaller than the first dimension R1.
  • the first dimension R1 and the second dimension R2 are determined in the direction in which the second openings 41 are aligned.
  • the second wall surface 42 may include a tapered surface 42a that widens away from the center of the second opening 41 as it moves from the fourth surface 402 toward the third surface 401.
  • the dimension R1 can be made larger than the dimension R2.
  • symbol S8 represents the width of the tapered surface 42a in the direction in which the second openings 41 are aligned.
  • Width S8 is, for example, 0.2 ⁇ m or more, and may be 0.5 ⁇ m or more, or 1.0 ⁇ m or more.
  • Width S8 is, for example, 25 ⁇ m or less, and may be 20 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or less.
  • the symbol ⁇ 1 represents the angle formed between the second wall surface 42 and the fourth surface 402.
  • the angle ⁇ 1 is, for example, 50° or greater, and may be 55° or greater, or 60° or greater.
  • the angle ⁇ 1 is, for example, less than 90°, and may be 85° or less, or 80° or less.
  • the thickness T2 of the mask layer 40 in the effective region 431 is smaller than the thickness T1 of the substrate 30.
  • the thickness T2 is, for example, 25.0 ⁇ m or less, and may be 10.0 ⁇ m or less, or 5.0 ⁇ m or less. As a result, the occurrence of shadows can be suppressed.
  • the thickness T2 is, for example, 0.5 ⁇ m or more, and may be 1.0 ⁇ m or more, or 2.0 ⁇ m or more. Therefore, defects such as pinholes and deformations can be suppressed from occurring in the effective region 431.
  • the distance S5 between the two second wall surfaces 42 in the direction in which the second openings 41 are aligned is, for example, 1.0 ⁇ m or more, and may be 2.0 ⁇ m or more, or 3.0 ⁇ m or more.
  • the distance S5 is, for example, 25.0 ⁇ m or less, and may be 10.0 ⁇ m or less, or 5.0 ⁇ m or less.
  • the metal layer of the mask layer 40 may include a magnetic material or a non-magnetic material.
  • Magnetic materials include, for example, nickel, iron, cobalt, and alloys thereof.
  • Non-magnetic materials include, for example, copper, aluminum, titanium, chromium, and alloys thereof.
  • the mask layer 40 may include a seed layer.
  • the seed layer is a layer that carries charge to the plating solution when a metal layer is formed by electrolytic plating.
  • the seed layer may include a metal. Examples of metals include nickel, gold, copper, titanium, aluminum, iron, etc., and alloys thereof.
  • the seed layer may include at least a layer made of an iron alloy containing nickel. An example of an iron alloy containing nickel is permalloy.
  • the seed layer may be composed of a single layer or multiple layers.
  • the thickness of the seed layer is, for example, 2.0 nm or more, and may be 10.0 nm or more, or 30.0 nm or more.
  • the thickness of the seed layer is, for example, 5.0 ⁇ m or less, and may be 1.0 ⁇ m or less, or 150 nm or less.
  • each layer The thickness of each layer, the dimensions of each component, the spacing, etc. are measured by observing an image of the cross section of the mask 20 using a scanning electron microscope.
  • a substrate 30 is prepared.
  • a silicon wafer may be used as the substrate 30.
  • the first surface 301 and the second surface 302 of the substrate 30 may be polished to a mirror finish.
  • the arithmetic mean roughness Ra of the first surface 301 and the second surface 302 may be 1.5 nm or less, or 1.0 nm or less.
  • the surface orientation of the first surface 301 and the second surface 302 may be (100), (110), etc.
  • a first intermediate layer 51 is formed on the second surface 302 of the substrate 30.
  • the first intermediate layer 51 may be formed over the entire second surface 302.
  • the first intermediate layer 51 may be formed by chemical vapor deposition.
  • the first intermediate layer 51 may be formed by chemical vapor deposition using tetraethyl silicate Si(OC 2 H 5 ) 4 as a raw material. Tetraethyl silicate is also called TEOS.
  • Examples of chemical vapor deposition include low-pressure chemical vapor deposition (LCVD) and plasma-enhanced CVD.
  • the first intermediate layer 51 may be formed by a physical film formation method.
  • physical film formation methods include sputtering, vapor deposition, and ion plating.
  • the first intermediate layer 51 may be formed by performing a thermal oxidation treatment or the like on the surface of the substrate 30.
  • a second intermediate layer 52 is formed on the first intermediate layer 51.
  • the second intermediate layer 52 may be formed on the entire surface of the first intermediate layer 51.
  • the second intermediate layer 52 may be formed by a physical film formation method such as sputtering, vapor deposition, or ion plating.
  • a step of forming a first resist layer 55 on the second intermediate layer 52 is carried out.
  • a dry film resist may be attached to the second intermediate layer 52.
  • a solution containing a resist material may be applied to the second intermediate layer 52.
  • the first resist layer 55 may contain a positive resist material or a negative resist material. If the first resist layer 55 contains an inorganic compound such as silicon oxide, the first resist layer 55 may be formed by a vapor deposition method such as CVD.
  • Figures 13A and 13B are a cross-sectional view and a plan view showing the processed first resist layer 55.
  • the first resist layer 55 includes a resist first surface 551 facing the second surface 302 of the substrate 30, and a resist second surface 552 located on the opposite side of the resist first surface 551.
  • the first resist layer 55 includes a plurality of island portions 573.
  • the second openings 41 described above in the mask 20 are formed at the positions of the island portions 573.
  • the method for processing the first resist layer 55 is not particularly limited.
  • the first resist layer 55 may be processed by exposing and developing the first resist layer 55.
  • the first resist layer 55 may be processed by dry etching using an etching gas. The dry etching may be reactive ion etching.
  • a step of forming a mask layer 40 is carried out.
  • the mask layer 40 is formed in the gaps 574 between the multiple island portions 573.
  • the mask layer 40 is also formed outside the multiple island portions 573.
  • Figure 14 is a cross-sectional view showing the mask layer 40.
  • the mask layer 40 may be formed by a plating process.
  • a plating solution containing ions of the metal that constitutes the mask layer 40 is supplied to the gaps 574 in the first resist layer 55.
  • the plating process may be an electrolytic plating process or an electroless plating process.
  • a seed layer may be formed on the second intermediate layer 52.
  • the second intermediate layer 52 may function as a seed layer.
  • the mask layer 40 may protrude above the second resist surface 552 of the first resist layer 55 in the thickness direction of the substrate 30. In other words, the upper surface of the mask layer 40 may be located above the second resist surface 552.
  • a polishing process may be carried out.
  • the portion of the mask layer 40 that protrudes above the second resist surface 552 of the first resist layer 55 is polished.
  • Figure 15 is a cross-sectional view showing the polished mask layer 40.
  • the mask layer 40 may be polished by chemical mechanical polishing.
  • an insulating layer removal process is carried out to remove the first resist layer 55.
  • a substrate processing process is carried out to form a first opening 31 in the substrate 30.
  • a second resist layer 38 may be formed partially on the first surface 301.
  • a resist opening 381 is formed in the portion of the second resist layer 38 corresponding to the first opening 31.
  • a protective layer 72 may be formed to cover the mask layer 40.
  • the second resist layer 38 may be a photoresist.
  • the second resist layer 38 is formed on the first surface 301 by first coating the first surface 301 with a liquid resist material. After coating, a step of heating the second resist layer 38 may be performed. Next, a photolithography process is performed in which the second resist layer 38 is exposed and developed. As a result, resist openings 381 can be formed in the second resist layer 38.
  • the second resist layer 38 may be a silicon oxide film partially formed on the first surface 301.
  • the silicon oxide film is formed, for example, by partially performing a thermal oxidation process on the first surface 301.
  • the silicon oxide film may be formed on the substrate 30 before the intermediate layer 50 is laminated on the substrate 30.
  • the substrate 30 is etched from the first surface 301 side to form a first opening 31 in the substrate 30.
  • the etching may be dry etching using an etching gas. If the intermediate layer 50 is resistant to the etchant, the etching is prevented from progressing to the mask layer 40, as shown in Fig. 18.
  • the etching gas is, for example, SF6 gas.
  • a first intermediate layer removal process is carried out to remove a portion of the first intermediate layer 51.
  • the first intermediate layer removal process is carried out by supplying an etchant for the first intermediate layer 51 to the first opening 31.
  • the first intermediate layer 51 that overlaps the first opening 31 in plan view is removed.
  • the first intermediate layer 51 may be removed by dry etching using an etching gas.
  • the dry etching may be reactive ion etching.
  • a third resist layer 58 is formed on a portion of the second intermediate layer 52 that overlaps the first opening 31 in a planar view.
  • the third resist layer 58 is formed, for example, on a portion of the second intermediate layer 52 that overlaps the peripheral region 432 of the mask layer 40 in a planar view.
  • a second intermediate layer removal process is carried out to remove a portion of the second intermediate layer 52.
  • the second intermediate layer removal process is carried out by supplying an etchant for the second intermediate layer 52 to the first opening 31.
  • the second intermediate layer 52 may be removed by dry etching using a fluorine-based gas or the like, or by wet etching using an acidic etching solution.
  • Figure 22 is a cross-sectional view showing the mask 20 after the second resist layer 38, the third resist layer 58, and the protective layer 72 have been removed.
  • the frame 60 is connected to the mask 20.
  • the frame 60 is connected to the mask 20 by an adhesive layer 70.
  • the mask device 15 is obtained.
  • the mask device 15 is placed inside the chamber of the vapor deposition device 10.
  • the frame 60 of the mask device 15 may be supported by a holder (not shown).
  • the substrate 110 is placed inside the chamber.
  • an alignment process is performed to adjust the position of the mask 20 relative to the substrate 110.
  • the position of the mask 20 relative to the substrate 110 may be calculated based on multiple alignment marks 39 on the mask 20.
  • the alignment step may include a heating step in which a portion of the mask 20 is heated.
  • the heating step is performed when the position of a portion of the mask 20 relative to the substrate 110 is deviated from its ideal position.
  • the portion of the mask that is deviated from its ideal position is also referred to as a misalignment portion.
  • the portion of the mask 20 that is heated may or may not include a misalignment portion.
  • the heating step may include an irradiation step in which an irradiation device 80 irradiates a portion of the mask 20 with light L1, as shown in FIG. 23.
  • the irradiation device 80 emits light toward the incident surface 201 of the mask 20.
  • a portion of the mask 20 absorbs the energy of light L1
  • that portion of the mask 20 is heated.
  • the second intermediate layer 52 absorbs the light energy.
  • the energy of light L1 absorbed by the second intermediate layer 52 is conducted through the second intermediate layer 52 as heat.
  • the temperature of the portion of the second intermediate layer 52 irradiated with the light and the surrounding portion of the second intermediate layer 52 increases.
  • the heat of the second intermediate layer 52 is also conducted in the thickness direction of the mask 20. As a result, the temperatures of the first intermediate layer 51 and the substrate 30 also increase partially.
  • the amount and direction of movement of the misalignment portion of the mask 20 changes depending on the irradiation position, irradiation range, irradiation intensity, etc. of the light L1.
  • the position of the misalignment portion of the mask 20 can be brought closer to the ideal position.
  • the light irradiated onto the mask 20 may be infrared light.
  • the wavelength of the light L1 is, for example, 1000 nm or more, and may be 1050 nm or more.
  • the wavelength of the light L1 is, for example, 1200 nm or less, and may be 1150 nm or less.
  • FIG. 24A is a plan view showing an example of light irradiated onto the mask 20.
  • the symbol L2 represents a spot on the surface of the mask 20 of the light irradiated onto the mask 20. As shown in FIG. 24A, the spot L2 may be located in a portion of the inner region 36.
  • the substrate 30 and the first intermediate layer 51 have the property of transmitting light, the light can reach the second intermediate layer 52.
  • the second intermediate layer 52 absorbs the light energy, heating the portion of the mask 20 surrounding the spot L2.
  • FIG. 24B is a plan view showing an example of light irradiated onto the mask 20.
  • the spot L2 may be located in a portion of the inner region 36 and a portion of the first opening 31.
  • One spot L2 may overlap multiple first openings 31.
  • the spot L2 within the first opening 31 may be formed on the exposed surface 522 of the second intermediate layer 52.
  • Figure 24C is a plan view showing an example of light irradiated onto the mask 20.
  • Spot L2 may be located in a portion of one of the first openings 31.
  • Spot L2 within the first opening 31 may be formed on the exposed surface 522 of the second intermediate layer 52.
  • light may be irradiated onto a portion of the exposed surface 522 of the second intermediate layer 52.
  • Figure 25 is a plan view showing an example of the mask 20 before the heating process is performed.
  • the coordinates of multiple reference points on the mask 20 may be calculated.
  • the multiple reference points may be located in the inner region 36.
  • the coordinates of eight reference points P1 to P8 are calculated.
  • the coordinates of the reference points P1 to P8 may be calculated based on the positions of multiple alignment marks 39, the position of the orientation flat, etc.
  • alignment marks may be formed at each of the reference points P1 to P8.
  • the positions of reference points P2, P3, and P4 are shifted inward from their ideal positions.
  • light may be irradiated onto a portion of the area formed by connecting reference points P2, P3, and P4 with center point C1 of the mask 20.
  • the first bar region 361 and second bar region 362 of the inner area 36 thermally expand in the area formed by connecting reference points P2, P3, and P4 with center point C1 of the mask 20.
  • Figure 26 is a plan view showing an example of the mask 20 after the heating process has been performed. Thermal expansion of a portion of the first bar region 361 and the second bar region 362 allows the reference points P2, P3, and P4 to approach their ideal positions.
  • the deposition process may be carried out while the temperature of a portion of the mask 20 is elevated.
  • material that has passed through the first opening 31 and the second opening 41 adheres to the substrate 110, forming a deposition layer on the substrate 110. Since the deposition process is carried out while the reference points P2, P3, and P4 are close to their ideal positions or while they are in their ideal positions, the positional accuracy of the deposition layer is improved.
  • the mask layer 40 overlaps the entire inner region 36 of the substrate 30 in a planar view.
  • the mask layer 40 does not have to overlap the entire inner region 36 of the substrate 30 in a planar view.
  • the first resist layer 55 may remain in part of the inner region 36.
  • Figure 27 is a cross-sectional view showing a mask 20 according to one modified example.
  • the second intermediate layer 52 does not have to include an exposed surface 522.
  • the second intermediate layer 52 does not have to include a portion that overlaps the first opening 31 in a plan view.
  • the inner edge 521 of the second intermediate layer 52 may coincide with the inner edge 511 of the first intermediate layer 51.
  • the inner edge 521 of the second intermediate layer 52 may overlap the inner region 36 in a plan view.
  • the substrate 30 and the first intermediate layer 51 have the property of transmitting light
  • the light irradiated onto the inner region 36 can reach the second intermediate layer 52.
  • the second intermediate layer 52 absorbs the light energy, heating the portion of the mask 20 surrounding the spot L2.
  • the temperature of some of the first bar regions 361 and some of the second bar regions 362 of the substrate 30 rises, causing some of the first bar regions 361 and some of the second bar regions 362 to thermally expand.
  • This thermal expansion causes the misalignment portions of the mask 20 to move in the plane direction of the mask 20.
  • the position of the misalignment portions of the mask 20 can be brought closer to the ideal position.

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Abstract

マスクは、第１面と、第２面と、第１面から第２面へ貫通する複数の第１開口と、を含む基材と、第２面に対向する第３面と、第４面と、を含むマスク層と、基材の第２面とマスク層の第３面との間に位置する中間層と、を備えてもよい。基材は、シリコン又はシリコン化合物を含んでもよい。マスク層は、平面視において第１開口に重なる複数の第１領域と、第２領域と、を含んでもよい。複数の第１領域はそれぞれ、第３面から第４面へ貫通する複数の第２開口を含む有効領域を含んでもよい。中間層は、基材の第２面に位置し、酸化珪素又は窒化珪素を含む第１中間層と、第１中間層とマスク層との間に位置し、金属を含む第２中間層と、を含んでもよい。第２中間層は、平面視において第１開口に重なるが第１中間層に重ならない面である露出面を含んでもよい。

Description

マスク、蒸着方法及びデバイスの製造方法
　本開示の実施形態は、マスク、蒸着方法及びデバイスの製造方法に関する。
　精密なパターンを形成するための方法として、蒸着法が知られている。蒸着法においては、複数の開口が形成されたマスクが基板に組み合わされる。続いて、マスクの開口を介して蒸着材料が基板に付着される。この結果、マスクの開口のパターンに対応したパターンで、蒸着材料を含む蒸着層が基板上に形成される。蒸着法は、例えば、有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として用いられている。
　例えば特許文献１は、シリコンを含む基材と、複数の開口が形成されたマスク層と、を備える蒸着マスクを開示している。シリコンを含む基材とマスク層とが組み合わされているので、マスク層の貫通孔の形状精度及び位置精度が高められる。
国際公開２０２３／１４５９５１号
　基材に歪みなどの変形が生じると、マスク層の複数の開口の位置が全体的に理想的な位置からずれる。
　本開示の一実施形態によるマスクは、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する複数の第１開口と、を含む基材と、前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、を含むマスク層と、前記基材の前記第２面と前記マスク層の前記第３面との間に位置する中間層と、を備えてもよい。前記基材は、シリコン又はシリコン化合物を含んでもよい。前記マスク層は、平面視において前記第１開口に重なる複数の第１領域と、平面視において前記複数の第１領域の間及び前記複数の第１領域の外側に位置する第２領域と、を含んでもよい。前記複数の第１領域はそれぞれ、前記第３面から前記第４面へ貫通する複数の第２開口を含む有効領域を含んでもよい。前記中間層は、前記基材の前記第２面に位置し、酸化珪素又は窒化珪素を含む第１中間層と、前記第１中間層と前記マスク層との間に位置し、金属を含む第２中間層と、を含んでもよい。前記第２中間層は、平面視において前記第１開口に重なるが前記第１中間層に重ならない面である露出面を含んでもよい。
　本開示の実施形態によれば、マスク層の位置精度を高めることができる。
有機デバイスの一例を示す断面図である。 マスクを備えた蒸着装置の一例を示す図である。 入射面の側から見た場合のマスクの一例を示す平面図である。 出射面の側から見た場合のマスクの一例を示す平面図である。 図３のマスクのV－V線に沿った断面図である。 基材の外側領域及びフレームの一例を示す断面図である。 基材の第１開口及びマスク層の第１領域の一例を示す平面図である。 図７のマスクのVIII－VIII線に沿った断面図である。 基材の内側領域及びマスク層の一例を示す断面図である。 マスク層の有効領域の一例を示す断面図である。 第１中間層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２中間層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第１レジスト層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第１レジスト層を形成する工程の一例を示す平面図である。 マスク層を形成する工程の一例を示す断面図である。 マスク層の第４面を研磨する工程の一例を示す断面図である。 第１レジスト層を除去する工程の一例を示す断面図である。 保護層及び第２レジスト層を形成する工程の一例を示す断面図である。 基材を加工する工程の一例を示す断面図である。 第１中間層の一部を除去する工程の一例を示す断面図である。 第２中間層上に部分的に第３レジスト層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２中間層の一部を除去する工程の一例を示す断面図である。 第２レジスト層、第３レジスト層及び保護層を除去する工程の一例を示す断面図である。 マスクの一部分を加熱する加熱工程を示す図である。 マスクに照射される光の一例を示す平面図である。 マスクに照射される光の一例を示す平面図である。 マスクに照射される光の一例を示す平面図である。 加熱工程が実施される前のマスクの一例を示す平面図である。 加熱工程が実施された後のマスクの一例を示す平面図である。 一変形例によるマスクを示す断面図である。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」、「シート」、「フィルム」などの、ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
　本明細書において、あるパラメータに関して複数の上限値の候補及び複数の下限値の候補が挙げられている場合、そのパラメータの数値範囲は、任意の１つの上限値の候補と任意の１つの下限値の候補とを組み合わせることによって構成されてもよい。例えば、「パラメータＢは、例えばＡ１以上であり、Ａ２以上であってもよく、Ａ３以上であってもよい。パラメータＢは、例えばＡ４以下であり、Ａ５以下であってもよく、Ａ６以下であってもよい。」と記載されている場合を考える。この場合、パラメータＢの数値範囲は、Ａ１以上Ａ４以下であってもよく、Ａ１以上Ａ５以下であってもよく、Ａ１以上Ａ６以下であってもよく、Ａ２以上Ａ４以下であってもよく、Ａ２以上Ａ５以下であってもよく、Ａ２以上Ａ６以下であってもよく、Ａ３以上Ａ４以下であってもよく、Ａ３以上Ａ５以下であってもよく、Ａ３以上Ａ６以下であってもよい。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、要素Ａの面が要素Ｂの面に「対向する」という状態は、要素Ａの面が要素Ｂの面に接している場合だけでなく、要素Ａの面と要素Ｂの面の間に要素Ｃが位置している場合も含む。すなわち、「対向する」という用語は、２つの面の向きを表す用語である。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の例と組み合わせられ得る。また、その他の例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して２つ以上のステップ又はプロセスを開示する場合に、開示されているステップ又はプロセスの間に、開示されていないその他のステップ又はプロセスが実施されてもよい。また、開示されているステップ又はプロセスの順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
　本明細書の一実施形態においては、マスクが、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機層又は電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスクの用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスクに対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外のデバイスの構成要素を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。
　本開示の第１の態様は、マスクであって、
　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する複数の第１開口と、を含む基材と、
　前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、を含むマスク層と、
　前記基材の前記第２面と前記マスク層の前記第３面との間に位置する中間層と、を備え、
　前記基材は、シリコン又はシリコン化合物を含み、
　前記マスク層は、平面視において前記第１開口に重なる複数の第１領域と、平面視において前記複数の第１領域の間及び前記複数の第１領域の外側に位置する第２領域と、を含み、
　前記複数の第１領域はそれぞれ、前記第３面から前記第４面へ貫通する複数の第２開口を含む有効領域を含み、
　前記中間層は、前記基材の前記第２面に位置し、酸化珪素又は窒化珪素を含む第１中間層と、前記第１中間層と前記マスク層との間に位置し、金属を含む第２中間層と、を含み、
　前記第２中間層は、平面視において前記第１開口に重なるが前記第１中間層に重ならない面である露出面を含む、マスクである。
　本開示の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記複数の第１領域はそれぞれ、平面視において前記有効領域を囲む周囲領域を含んでもよく、前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記周囲領域及び前記第２領域に重なるように広がっていてもよい。
　本開示の第３の態様は、上述した第１の態様又は第２の態様によるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記有効領域に重ならないよう広がっていてもよい。
　本開示の第４の態様は、上述した第１の態様～第３の態様によるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記有効領域を囲う内縁を含んでもよい。
　本開示の第５の態様は、上述した第１の態様～第４の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記第１中間層は、０．５μｍ以上の厚みを有してもよい。
　本開示の第６の態様は、上述した第１の態様～第５の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記第１中間層の厚みは、前記第２中間層の厚みよりも大きくてもよい。
　本開示の第７の態様は、上述した第１の態様～第６の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記第２中間層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる層を少なくとも含んでもよい。
　本開示の第８の態様は、上述した第１の態様～第７の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記第２中間層は、チタン又はチタン合金からなる層を少なくとも含んでもよい。
　本開示の第９の態様は、上述した第１の態様～第８の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記第２中間層は、チタン又はチタン合金からなる第１層と、前記第１層と前記マスク層との間に位置し、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２層と、を含んでもよい。
　本開示の第１０の態様は、上述した第１の態様～第９の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。前記基材は、平面視において前記複数の第１開口の間に位置する内側領域と、前記基材の外縁に沿って広がり、平面視において前記複数の第１開口及び前記内側領域を囲む外側領域と、を含んでもよく、前記マスクは、前記外側領域に接続されたフレームを備えてもよい。
　本開示の第１１の態様は、上述した第１０の態様によるマスクにおいて、下記の態様を備えてもよい。マスクは、前記基材の前記外側領域の前記第１面と前記フレームとの間に位置する接着剤層を備えてもよい。
　本開示の第１２の態様は、マスクを用いて基板上に蒸着層を形成する蒸着方法であって、
　前記マスクは、
　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する複数の第１開口と、を含む基材と、
　前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、を含むマスク層と、
　前記基材の前記第２面と前記マスク層の前記第３面との間に位置する中間層と、を備え、
　前記基材は、シリコン又はシリコン化合物を含み、
　前記マスク層は、平面視において前記第１開口に重なる複数の第１領域と、平面視において前記複数の第１領域の間及び前記複数の第１領域の外側に位置する第２領域と、を含み、
　前記複数の第１領域はそれぞれ、前記第３面から前記第４面へ貫通する複数の第２開口を含む有効領域を含み、
　前記蒸着方法は、
　前記基板に対する前記マスクの位置を調整するアライメント工程と、
　前記第１開口及び前記第２開口を通過した材料が前記基板に付着することによって前記蒸着層が形成される蒸着工程と、を備え、
　前記アライメント工程は、前記マスクの一部分を加熱する加熱工程を含む、蒸着方法である。
　本開示の第１３の態様は、上述した第１２の態様による蒸着方法において、下記の態様を備えてもよい。前記加熱工程は、前記マスクの前記一部分に光を照射する照射工程を含んでもよい。
　本開示の第１４の態様は、上述した第１３の態様による蒸着方法において、下記の態様を備えてもよい。前記中間層は、前記基材の前記第２面に位置し、酸化珪素を含む第１中間層と、前記第１中間層と前記マスク層との間に位置し、金属を含む第２中間層と、を含んでもよく、前記第２中間層は、平面視において前記第１開口に重なるが前記第１中間層に重ならない面である露出面を含んでもよく、照射工程において、前記第２中間層の前記露出面の一部分に光が照射されてもよい。
　本開示の第１５の態様は、上述した第１４の態様による蒸着方法において、下記の態様を備えてもよい。前記複数の第１領域はそれぞれ、平面視において前記有効領域を囲む周囲領域を含んでもよく、前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記周囲領域及び前記第２領域に重なるように広がっていてもよい。
　本開示の第１６の態様は、上述した第１４の態様又は第１５の態様による蒸着方法において、下記の態様を備えてもよい。前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記有効領域に重ならないよう広がっていてもよい。
　本開示の第１７の態様は、上述した第１４の態様～第１６の態様のいずれか１つによる蒸着方法において、下記の態様を備えてもよい。前記第２中間層は、チタン又はチタン合金からなる第１層と、前記第１層と前記マスク層との間に位置し、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２層と、を含んでもよく、照射工程において、前記第２中間層の前記第１層の前記露出面の一部分に光が照射されてもよい。
　本開示の第１８の態様は、上述した第１２の態様～第１７の態様のいずれか１つによる蒸着方法において、下記の態様を備えてもよい。前記基材は、平面視において前記複数の第１開口の間に位置する内側領域と、前記基材の外縁に沿って広がり、平面視において前記複数の第１開口及び前記内側領域を囲む外側領域と、を含んでもよく、前記マスクは、前記外側領域に接続されたフレームを備えてもよい。
　本開示の第１９の態様は、上述した第１８の態様による蒸着方法において、下記の態様を備えてもよい。前記マスクは、前記基材の前記外側領域の前記第１面と前記フレームとの間に位置する接着剤層を備えてもよく、前記接着剤層の一部分は、前記加熱工程において加熱された前記マスクの前記一部分に追従して変形してもよい。
　本開示の第２０の態様は、デバイスの製造方法であって、
　上述した第１２の態様～第１９の態様のいずれか１つによる蒸着方法によって前記基板上に前記蒸着層を形成する工程を備える、デバイスの製造方法である。
　本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
　マスクを用いることにより形成される有機層を備える有機デバイス１００について説明する。有機デバイス１００は、マスクを用いることにより形成される有機層又は電極を備える。図１は、有機デバイス１００の一例を示す断面図である。
　有機デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。基板１１０は、第１面１１１及び第１面１１１の反対側に位置する第２面１１２を含む。素子１１５は、第１面１１１に位置している。素子１１５は、例えば画素である。基板１１０は、２以上の種類の素子１１５を含んでもよい。例えば、基板１１０は、第１素子１１５Ａ及び第２素子１１５Ｂを含んでもよい。図示はしないが、基板１１０は、第３素子を含んでもよい。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子は、例えば、赤色画素、青色画素及び緑色画素である。
　素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を含んでもよい。
　有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。「平面視」とは、基板１１０などの板状の部材の面の法線方向に沿って対象を見ることを意味する。
　基板１１０は、絶縁性を有する部材であってもよい。基板１１０の材料としては、例えば、シリコン、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の、可撓性に乏しい部材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の、可撓性を有する部材を用いることができる。基板１１０は、半導体製造で用いられるシリコンウエハと同様の平面形状を有していてもよい。この場合、半導体製造工程を実施する装置を用いて基板１１０を処理できる。例えば、半導体製造工程を実施する装置を用いて基板１１０に第１電極１２０、絶縁層１６０などを形成できる。
　素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現するよう構成されている。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出できる。
　第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。
　有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０が通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮できる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。
　図１に示すように、有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ及び第２有機層１３０Ｂを含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａは、第１素子１１５Ａに含まれる。第２有機層１３０Ｂは、第２素子１１５Ｂに含まれる。図示はしないが、有機層１３０は、第３素子に含まれる第３有機層を含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層は、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。
　第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。
　有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。
　第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含んでいてもよい。第２電極１４０の材料としては、例えば、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等及びこれらの合金を用いることができる。図１に示すように、第２電極１４０は、平面視において隣り合う２つの有機層１３０に重なるように広がっていてもよい。
　次に、有機層１３０を蒸着法によって基板１１０に形成する方法について説明する。図２は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。
　図２に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク２０を備えていてもよい。蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼである。蒸着源６は、有機材料、金属材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。
　マスク２０は、入射面２０１、出射面２０２、複数の第１開口３１及び複数の第２開口４１を含む。入射面２０１は、蒸着源６と対向している。出射面２０２は、入射面２０１の反対側に位置する。出射面２０２は、基板１１０の第１面１１１と対向している。第１開口３１は、入射面２０１に位置する。第２開口４１は、出射面２０２に位置する。第１開口３１と第２開口４１とは、マスク２０の厚み方向において接続されている。複数の第２開口４１が、平面視において１つの第１開口３１に重なっている。出射面２０２からマスク２０に入った蒸着材料７の一部は、第１開口３１及び第２開口４１を通過して出射面２０２から出る。出射面２０２から出た蒸着材料７は、基板１１０の第１面１１１に付着する。マスク２０の出射面２０２は、基板１１０の第１面１１１に接していてもよい。
　図２に示すように、蒸着装置１０は、基板１１０の第２面１１２側に配置されている磁石５を備えてもよい。マスク２０が磁性材料を含む場合、磁石５は、磁力によってマスク２０を基板１１０に向けて引き寄せることができる。この結果、マスク２０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりできる。この結果、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。本願において、シャドウとは、第２開口４１の壁面の近傍に形成される有機層１３０の厚みが、第２開口４１の中心に形成される有機層１３０の厚みよりも小さくなる現象である。シャドウは、蒸着材料７がマスク２０の壁面に付着すること、蒸着材料７がマスク２０と基板１１０との間の隙間に入り込むこと、などに起因して生じる。
　マスク２０は、フレーム６０によって支持されていてもよい。フレーム６０は、マスク２０の入射面２０１に位置していてもよい。フレーム６０は、フレーム第１面６０１及びフレーム第２面６０２を含む。フレーム第２面６０２の一部分は、マスク２０の入射面２０１に面している。フレーム第１面６０１は、フレーム第２面６０２の反対側に位置する。
　フレーム６０には、フレーム第１面６０１からフレーム第２面６０２へ貫通する１つの第３開口６１が形成されている。１つの第３開口６１は、平面視において複数の第１開口３１に重なる。マスク２０及びフレーム６０を備える装置は、マスク装置１５とも称される。
　次に、マスク２０及びマスク装置１５について詳細に説明する。図３は、入射面２０１の側から見た場合のマスク２０及びマスク装置１５の一例を示す平面図である。図４は、出射面２０２の側から見た場合のマスク２０及びマスク装置１５の一例を示す平面図である。図５は、図３のマスク２０及びマスク装置１５のV－V線に沿った断面図である。
　図５に示すように、マスク２０は、基材３０、マスク層４０及び中間層５０を備える。
　基材３０は、第１面３０１、第２面３０２、複数の第１開口３１及び複数の第１壁面３２を含む。第１面３０１は、入射面２０１を構成していてもよい。第２面３０２は、第１面３０１の反対側に位置している。第１壁面３２は、第１面３０１と第２面３０２との間に位置する。
　第１開口３１は、第１面３０１から第２面３０２へ基材３０を貫通している。図３に示すように、基材３０は、複数の第１開口３１を含んでもよい。複数の第１開口３１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に直交していてもよい。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は、第１面３０１に平行な方向である。
　１つの第１開口３１は、１つのデバイスに対応していてもよい。例えば、１つの第１開口３１は、有機ＥＬ表示装置の１つの画面に対応していてもよい。複数の第１開口３１を含むマスク２０は、複数の画面に対応する有機層のパターンを同時に基板１１０に形成できる。図３に示すように、第１開口３１は、平面視において矩形の輪郭を有していてもよい。
　第１壁面３２は、第１開口３１に面する。図５に示す例において、第１壁面３２は、第１面３０１の法線方向に沿って広がっている。
　図３及び図５に示すように、第１開口３１以外の基材３０の領域は、外側領域３５及び内側領域３６に区画されてもよい。内側領域３６は、平面視において隣り合う２つの第１開口３１の間に位置する基材３０の領域である。外側領域３５は、平面視において、基材３０の外縁３０３と第１開口３１との間に位置する基材３０の領域である。図３に示すように、内側領域３６は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に延びていてもよい。
　図３及び図４に示すように、基材３０は、アライメントマーク３９を含んでいてもよい。アライメントマーク３９は、例えば第２面３０２に形成されている。アライメントマーク３９は、第１面３０１に形成されていてもよい。アライメントマーク３９は、例えば、マスク２０に対する基板１１０の相対的な位置を調整するために利用される。基板１１０が可視光を透過させる性質を有する場合、基板１１０を介しアライメントマーク３９が視認される。
　図３及び図４に示すように、アライメントマーク３９は、平面視において円形の輪郭を有していてもよい。図示はしないが、アライメントマーク３９は、矩形や十字形など、円形以外の輪郭を有していてもよい。アライメントマーク３９は、外側領域３５に位置していてもよく、内側領域３６に位置していてもよい。
　断面図におけるアライメントマーク３９の形状は任意である。例えば、アライメントマーク３９は、第１面３０１又は第２面３０２に位置する凹部を含んでいてもよい。アライメントマーク３９は、第１面３０１から第２面３０２に貫通する孔を含んでいてもよい。凹部及び孔は、第１面３０１又は第２面３０２をエッチングすることによって形成されてもよい。凹部及び孔は、第１面３０１又は第２面３０２にレーザを照射することによって形成されてもよい。例えば、アライメントマーク３９は、第１面３０１又は第２面３０２の上に位置する層を含んでいてもよい。層は、基材３０とは異なる材料によって形成されている。アライメントマーク３９は、基材３０以外の層に形成されていてもよい。
　基材３０は、シリコン又はシリコン化合物を含む。基材３０は、例えば、シリコンウエハを加工することによって作製される。図３に示すように、基材３０の外縁３０３は、直線状の部分を含んでもよい。直線状の部分は、オリエンテーションフラットとも称される。図示はしないが、外縁３０３には切り欠きが形成されていてもよい。切り欠きは、ノッチとも称される。オリエンテーションフラット及びノッチは、シリコンウエハの結晶方位を表す。基材３０は、後述する加熱工程において用いられる光を透過させる性質を有していてもよい。シリコン化合物は、例えば、石英ガラスなどのガラスである。
　平面視における基材３０の最大の寸法Ｓ１は、例えば１００ｍｍ以上であり、１５０ｍｍ以上であってもよく、２００ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｓ１は、例えば５００ｍｍ以下であり、４００ｍｍ以下であってもよく、３００ｍｍ以下であってもよい。
　第１開口３１が並ぶ方向における第１開口３１の寸法Ｓ２は、例えば５ｍｍ以上であり、１０ｍｍ以上であってもよく、２０ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｓ２は、例えば１００ｍｍ以下であり、５０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以下であってもよい。
　第１開口３１が並ぶ方向における２つの第１開口３１の間の間隔Ｓ３は、例えば０．１ｍｍ以上であり、０．５ｍｍ以上であってもよく、１．０ｍｍ以上であってもよい。間隔Ｓ３は、例えば２０ｍｍ以下であり、１５ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以下であってもよい。
　基材３０の厚みは、外側領域３５の最大の厚みＴ１として定義される。厚みＴ１は、例えば５０μｍ以上であり、１００μｍ以上であってもよく、２００μｍ以上であってもよい。厚みＴ１は、例えば１０００μｍ以下であり、８００μｍ以下であってもよく、６００μｍ以下であってもよい。
　次に、マスク層４０について説明する。図５に示すように、マスク層４０は、第３面４０１、第４面４０２、及び複数の第２開口４１を含む。第３面４０１は、基材３０の第２面３０２又は第１開口３１に面している。第４面４０２は、基材３０の厚み方向において第３面４０１の反対側に位置する。第４面４０２は、マスク２０の出射面２０２を構成してもよい。
　第２開口４１は、第３面４０１から第４面４０２へ貫通している。１つの第２開口４１が、１つの蒸着層に対応している。蒸着層は、例えば有機層１３０である。規則的に並ぶ複数の第２開口４１の一群が、有機ＥＬ表示装置の１つの画面に対応している。図３及び図４に示すように、規則的に並ぶ複数の第２開口４１の一群が、平面視において１つの第１開口３１に重なっていてもよい。
　図４及び図５に示すように、マスク層４０は、平面視において、複数の第１領域４３及び第２領域４４を含んでもよい。言い換えると、マスク層４０は、平面視において、複数の第１領域４３及び第２領域４４に区画されてもよい。第１領域４３は、平面視において第１開口３１に重なるマスク層４０の領域である。
　第２領域４４は、平面視において、複数の第１領域４３の間、及び複数の第１領域４３の外側に位置する領域である。「外側」は、平面視においてマスク２０の中心点から遠ざかる側である。「内側」は、平面視においてマスク２０の中心点へ近づく側である。
　中間層５０について説明する。中間層５０は、マスク２０の厚み方向において、基材３０の第２面３０２とマスク層４０の第３面４０１との間に位置する層である。中間層５０は、平面視において、基材３０の内側領域３６に重なる位置に少なくとも配置されている。中間層５０の一部の層は、基材３０の第１開口３１に重なる位置に配置されていてもよい。
　フレーム６０について説明する。フレーム６０は、マスク２０を取り扱う際、例えばマスク２０を移動させる際、把持されることを目的として、マスク２０に接続される部材である。フレーム６０をマスク２０に接続することにより、マスク２０の取り扱いが容易になる。
　図５に示すように、フレーム６０は、基材３０の外側領域３５に接続されている。例えば、フレーム６０のフレーム第２面６０２が、基材３０の外側領域３５の第１面３０１に接続されていてもよい。外側領域３５の第１面３０１とフレーム６０のフレーム第２面６０２との間に接着剤層７０が配置されていてもよい。すなわち、フレーム６０は、接着剤層７０を介して基材３０に接続されていてもよい。
　平面視において、フレーム６０は、基材３０の第１開口３１と重なっていない。また、平面視において、フレーム６０の少なくとも一部は、基材３０の外縁３０３の外側まで広がっている。これにより、フレーム６０によって、マスク２０を取り扱う際に把持するための領域が拡張される。フレーム６０は、平面視において基材３０の外縁３０３の外側を周状に延びる領域を含んでいてもよい。フレーム６０は、平面視において基材３０の外縁３０３を囲う外縁６０３を含んでいてもよい。
　図６は、基材３０の外側領域３５及びフレーム６０の一例を示す断面図である。
フレーム６０の外縁６０３と基材３０の外縁３０３との間の、基材３０の第１面３０１の面方向における距離Ｓ９は、例えば５ｍｍ以上であり、１０ｍｍ以上であってもよく、１５ｍｍ以上であってもよい。距離Ｓ９は、例えば１００ｍｍ以下であり、６０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以下であってもよい。
　フレーム６０は、ガラス材料または金属材料を含んでよい。ガラス材料は、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス等である。また、金属材料は、インバー材やＳＵＳ４３０、ＳＵＳ３０４等のステンレスである。フレーム６０がこれらの材料を含むことにより、フレーム６０の剛性を基材３０の剛性よりも高くできる。フレーム６０の材料は、マスク装置１５を取り扱う作業者やロボットハンドの把持力を考慮して、フレーム６０が必要な剛性を有するように決定されてよい。
　フレーム６０の線熱膨張係数は、基材３０の線熱膨張係数と同程度であることが好ましい。これにより、マスク装置１５が加熱された際に、フレーム６０及び基材３０の伸び率に差が生じることを抑制できる。フレーム６０の線熱膨張係数と基材３０の線熱膨張係数の差の絶対値は、例えば１５ｐｐｍ／℃以下であり、１０ｐｐｍ／℃以下であってもよく、５．０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。
　フレーム６０の厚みＴ５は、例えば５００μｍ以上であり、１ｍｍ以上であってもよく、５ｍｍ以上であってもよい。厚みＴ５は、例えば３０ｍｍ以下であり、２０ｍｍ以下であってもよく、１０ｍｍ以下であってもよい。
　接着剤層７０は、フレーム６０を基材３０に対して固定する。接着剤層７０は、第１面３０１に接する面と、フレーム第２面６０２に接する面とを含んでいてもよい。図示はしないが、マスク装置１５は、フレーム６０のフレーム第２面６０２と接着剤層７０との間に位置する層を含んでいてもよい。図示はしないが、マスク装置１５は、基材３０の第１面３０１と接着剤層７０との間に位置する層を含んでいてもよい。
　接着剤層７０は、ガラス材料、無機材料、金属材料又は樹脂材料を含んでよい。接着剤層７０は、ガラスフリット、ガラスペースト、半田ペースト、導電性ペースト、エポキシ樹脂、ポリイミド、アクリル樹脂等により形成されてよい。蒸着装置１０内で蒸着処理中に接着剤層７０からのアウトガスの発生を抑制する目的で、例えば、アレムコプロダクツ社製の高耐熱性エポキシ接着剤「アレムコボンド５２６Ｎ」や、協立化学産業株式会社製のＵＶ硬化型接着剤「ＷＯＲＬＤＲＯＣＫ（登録商標）５９１０（品番）」又は「ＷＯＲＬＤＲＯＣＫ（登録商標）８７２３Ｋ９Ｂ（品番）」を、接着剤層７０を形成する材料として採用可能である。接着剤層７０を形成する材料として耐溶剤性の高い材料を使用することにより、蒸着処理に使用したマスク装置１５を洗浄して蒸着材料を除去する際に、洗浄液に接触した接着剤層７０が変形してフレーム６０がマスク２０から意図せず分離する、という虞を抑制できる。例えば、スリーボンド社製の紫外線硬化型接着剤「ＴｈｒｅｅＢｏｎｄ（登録商標）３０２６Ｅ（製品名）」を、接着剤層７０を形成する材料として採用可能である。
　接着剤層７０の厚みＴ６は、例えば０．０５μｍ以上であり、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。接着剤層７０の厚みＴ６は、例えば１００μｍ以下であり、５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。
　フレーム６０の内縁６０４から外縁６０３に向かう方向における接着剤層７０の寸法Ｓ１０は、例えば５ｍｍ以上であり、１０ｍｍ以上であってもよく、１５ｍｍ以上であってもよい。寸法Ｓ１０は、例えば１００ｍｍ以下であり、６０ｍｍ以下であってもよく、３０ｍｍ以下であってもよい。フレーム６０の内縁６０４は、第３開口６１に面している。
　後述するように、本実施の形態においては、基板１１０に対するマスク２０の位置を調整するアライメント工程において、マスク２０の一部分が加熱される加熱工程が実施される。マスク２０が接着剤層７０によってフレーム６０に接続された状態で加熱工程が実施される場合、接着剤層７０の一部分は、加熱されたマスク２０の一部分の移動に追従して変形してもよい。例えば、接着剤層７０の一部分は、加熱されたマスク２０の一部分の熱膨張に追従して変形してもよい。フレーム６０は静止したままであってもよい。接着剤層７０の厚みＴ６及び寸法Ｓ１０は、そのような変形が生じるように設定されていてもよい。厚みＴ６が大きいほど、接着剤層７０の一部分が、加熱されたマスク２０の一部分の移動に追従して変形しやすい。寸法Ｓ１０が小さいほど、接着剤層７０の一部分が、加熱されたマスク２０の一部分の移動に追従して変形しやすい。
　マスク２０について詳細に説明する。図７は、基材３０の第１開口３１及びマスク層４０の第１領域４３の一例を示す平面図である。図８は、図７のマスク２０のVIII－VIII線に沿った断面図である。
　基材３０の内側領域３６は、平面視において、複数の第１桟領域３６１及び複数の第２桟領域３６２を含んでもよい。第１桟領域３６１は、第１方向Ｄ１に延びる内側領域３６の部分である。第２桟領域３６２は、第２方向Ｄ２に延びる内側領域３６の部分である。複数の第１開口３１はそれぞれ、平面視において、２本の第１桟領域３６１及び２本の第２桟領域３６２によって囲まれている。第１桟領域３６１と第２桟領域３６２とが交差する領域は、交差領域３６３とも称される。
　複数の第１領域４３はそれぞれ、有効領域４３１及び周囲領域４３２を含んでもよい。有効領域４３１は、複数の第２開口４１を含む第１領域４３の部分である。有効領域４３１に位置する複数の第２開口４１は、平面視において規則的に並んでいる。例えば、有効領域４３１に位置する複数の第２開口４１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って規則的に並んでいる。周囲領域４３２は、平面視において有効領域４３１を囲む第１領域４３の部分である。有効領域４３１と周囲領域４３２との間は、規則的に並ぶ複数の第２開口４１を平面視において囲う包絡線４３３によって境界付けられる。
　図８に示すように、中間層５０は、第１中間層５１及び第２中間層５２を少なくとも含む。第１中間層５１は、基材３０の内側領域３６の第２面３０２に位置する。第１中間層５１は、平面視において第１開口３１に重なっていなくてもよい。例えば、第１中間層５１は、基材３０の内側領域３６の第１壁面３２に一致する内縁５１１を含んでもよい。「一致する」とは、基材３０の第２面３０２の面方向における、内側領域３６の第１壁面３２の位置と第１中間層５１の内縁５１１の位置との差が、１．０μｍ以下であることを意味する。
　図７に示すように、内側領域３６に位置する第１中間層５１の内縁５１１は、平面視において有効領域４３１を囲うよう連続的に延びていてもよい。内側領域３６に位置する第１中間層５１の内縁５１１は、平面視において周囲領域４３２を囲うよう連続的に延びていてもよい。内側領域３６に位置する第１中間層５１の内縁５１１は、第２中間層５２の後述する内縁５２１を平面視において囲うよう連続的に延び、第２中間層５２の内縁５２１は、平面視において有効領域４３１を囲うよう連続的に延びていてもよい。
　第１中間層５１は、基材３０の外側領域３５の第２面３０２にも位置してもよい。例えば、第１中間層５１は、基材３０の外側領域３５及び内側領域３６に重なるように広がっていてもよい。
　第１中間層５１は、絶縁性を有する材料によって構成されていてもよい。例えば、第１中間層５１は、酸化珪素、窒化珪素などの無機化合物を含んでもよい。第１中間層５１は、第２中間層５２に比べて低い熱伝導率を有する。従って、第１中間層５１の厚み方向における熱伝導は、第２中間層５２の面方向における熱伝導よりも生じにくい。第１中間層５１は、後述する加熱工程において用いられる光を透過させる性質を有していてもよい。
　第２中間層５２は、第１中間層５１とマスク層４０との間に位置する。第２中間層５２は、露出面５２２を含む。露出面５２２は、平面視において第１開口３１に重なるが第１中間層５１に重ならない第２中間層５２の面である。露出面５２２は、第１開口３１に面している。
　第２中間層５２は、導電性を有する材料によって構成されていてもよい。例えば、第２中間層５２は、金属を含んでもよい。第２中間層５２は、第１中間層５１に比べて高い熱伝導率を有する。後述する加熱工程において光がマスク２０へ照射されると、露出面５２２において光のエネルギーが熱に変換される。熱が第２中間層５２において面方向に沿って伝達されることにより、光が照射されたマスク２０の一部分の周囲の第１桟領域３６１及び第２桟領域３６２が加熱される。加熱に起因する熱膨張が内側領域３６の一部の第１桟領域３６１及び第２桟領域３６２に生じることにより、基板１１０に対するマスク２０の位置が部分的に調整される。例えば、基板１１０に対するマスク２０の一部の第１開口３１の位置が調整される。
　第２中間層５２の金属は、例えば、ニッケル、銅、チタン、アルミニウム、鉄等及びこれらの合金である。例えば、第２中間層５２は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる層を少なくとも含んでもよい。例えば、第２中間層５２は、チタン又はチタン合金からなる層を少なくとも含んでもよい。例えば、第２中間層５２は、ニッケルを含む鉄合金からなる層を少なくとも含んでもよい。ニッケルを含む鉄合金は、例えばパーマロイである。パーマロイは、３５重量％以上８０重量％以下のニッケルを含む鉄合金である。
　図７及び図８に示すように、第２中間層５２は、平面視においてマスク層４０の第１領域４３の周囲領域４３２及び第２領域４４に重なるように広がっていてもよい。第２中間層５２の露出面５２２が受けた光のエネルギーは、平面視で第２領域４４及び内側領域３６に重なる第２中間層５２の部分まで、熱として伝達される。
　１つの第２中間層５２が、複数の第１領域４３の周囲領域４３２に重なるように広がっていてもよい。例えば、１つの第２中間層５２が、４つ以上の第１領域４３の周囲領域４３２に重なるように広がっていてもよい。１つの第２中間層５２が複数の周囲領域４３２に重なることにより、複数の第１桟領域３６１及び複数の第２桟領域３６２が均一に加熱され得る。
　図示はしないが、第２中間層５２がマスク２０の全域にわたって連続しないよう、第２中間層５２が分断されていてもよい。例えば、１つのマスク２０において、第２中間層５２が少なくとも４つ以上に分断されていてもよい。第２中間層５２が分断されることにより、第２中間層５２によって熱が伝導する範囲が限定される。これにより、複数の第１桟領域３６１及び複数の第２桟領域３６２のうちの一部にのみ優先的に熱膨張を生じさせることができる。
　図７及び図８に示すように、第２中間層５２は、平面視においてマスク層４０の第１領域４３の有効領域４３１に重ならないよう広がっていてもよい。例えば、第２中間層５２は、平面視において有効領域４３１を囲う内縁５２１を含んでもよい。第２中間層５２が有効領域４３１に重ならないことにより、後述する加熱工程において有効領域４３１の温度が上昇することを抑制できる。
　図９は、基材３０の内側領域３６及びマスク層４０の一例を示す断面図である。図１０は、マスク層４０の第１領域４３の有効領域４３１を示す断面図である。マスク層４０は、第２開口４１に面する第２壁面４２を含む。符号Ｓ６は、マスク層４０の第２壁面４２と基材３０の第１壁面３２との間の、基材３０の面方向における距離を表す。距離Ｓ６は、例えば１．０μｍ以上であり、２．０μｍ以上であってもよく、３．０μｍ以上であってもよい。距離Ｓ６は、例えば１０．０μｍ以下であり、７．０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以下であってもよい。
　符号Ｓ７は、第２中間層５２の内縁５２１と基材３０の第１壁面３２との間の、基材３０の面方向における距離を表す。距離Ｓ７は、距離Ｓ６よりも小さくてもよい。距離Ｓ７は、例えば１．０μｍ以上であり、２．０μｍ以上であってもよく、３．０μｍ以上であってもよい。距離Ｓ６は、例えば１０．０μｍ以下であり、７．０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以下であってもよい。
　第１中間層５１は、厚みＴ３を有する。厚みＴ３は、例えば０．１μｍ以上であり、０．３μｍ以上であってもよく、０．５μｍ以上であってもよい。厚みＴ３が大きいほど、第２中間層５２から基材３０への、第１中間層５１を介する厚み方向における熱伝導が抑制される。厚みＴ３は、例えば５．０μｍ以下であり、３．０μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以下であってもよい。
　第２中間層５２は、厚みＴ４を有する。厚みＴ４は、例えば０．０１μｍ以上であり、０．０３μｍ以上であってもよく、０．０５μｍ以上であってもよい。厚みＴ４が大きいほど、第２中間層５２の面方向における熱伝導が促進される。厚みＴ４は、例えば１０．０μｍ以下であり、１．０μｍ以下であってもよく、０．１０μｍ以下であってもよい。
　第１中間層５１を介する厚み方向における熱伝導を抑制し、第２中間層５２の面方向における熱伝導を促進することにより、平面視において第１中間層５１及び第２中間層５２に重なる内側領域３６の温度が局所的に上昇することを抑制できる。例えば、１つの第１桟領域３６１の一部分の温度のみが上昇することを抑制できる。例えば、１つの第１桟領域３６１の温度を全体的に上昇させることができる。従って、後述する加熱工程において、例えば、第１桟領域３６１の熱膨張を利用してマスク２０の一部分の位置を調整できる。
　第１中間層５１の厚みＴ３は、第２中間層５２の厚みＴ４よりも大きくてもよい。これにより、１つの第１桟領域３６１又は１つの第２桟領域３６２における温度の均一性を高めることができる。基材３０の最大の寸法Ｓ１が大きいほど、厚みＴ４に対する厚みＴ３の比率であるＴ３／Ｔ４が大きくなりやすい。厚みＴ４に対する厚みＴ３の比率であるＴ３／Ｔ４は、例えば１．１０以上であり、１．５０以上であってもよく、２．００以上であってもよい。Ｔ３／Ｔ４は、例えば５．００以下であり、４．００以下であってもよく、３．００以下であってもよい。
　第１中間層５１の厚みＴ３は、第２中間層５２の厚みＴ４と同等であってもよく、第２中間層５２の厚みＴ４よりも小さくてもよい。基材３０の最大の寸法Ｓ１が大きいほど、厚みＴ４に対する厚みＴ３の比率であるＴ３／Ｔ４が小さくなりやすい。Ｔ３／Ｔ４は、例えば１．１０未満であり、１．００以下であってもよく、０．８０以下であってもよい。
　後述する加熱工程においては、マスク層４０に熱膨張が生じる可能性がある。マスク層４０に生じる熱膨張と基材３０に生じる熱膨張とが異なる場合、マスク層４０と基材３０との間に、基材３０の面方向における応力が生じる。マスク２０と基材３０との間には中間層５０が配置されている。中間層５０は、マスク層４０に生じる熱膨張と基材３０に生じる熱膨張とが異なることに起因して生じる応力を緩和するよう機能できる。本実施の形態においては、中間層５０が、第１中間層５１及び第２中間層５２を含む。従って、中間層５０が１つの層からなる場合に比べて、効果的に応力が緩和され得る。
　図９に示すように、第２中間層５２は、第１層５３及び第２層５４を含んでもよい。平面視において第１開口３１に重なる第１層５３の部分は、露出面５２２を構成していてもよい。平面視において第１開口３１に重ならない第１層５３の部分は、第１中間層５１に接していてもよい。第２層５４は、第１層５３とマスク層４０との間に位置する。第２層５４は、第１層５３に接していてもよい。第２層５４は、マスク層４０に接していてもよい。
　第１層５３は、チタン又はチタン合金からなっていてもよい。チタン又はチタン合金は、光を吸収する性質を有する。チタン又はチタン合金からなる第１層５３が露出面５２２を構成することにより、マスク２０に照射される光のエネルギーを効率的に熱に変換できる。
　第２層５４は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなっていてもよい。アルミニウム合金は、例えばアルミニウム及びネオジウムを含む。アルミニウム又はアルミニウム合金は、チタン又はチタン合金に比べて、高い熱伝導率を有する。第１層５３に生じた熱が、第２層５４によって基材３０の面方向に効率的に伝達される。
　図１０は、マスク層４０の第１領域４３の有効領域４３１の一例を示す断面図である。有効領域４３１は、第２開口４１に面する第２壁面４２を含む。有効領域４３１は、金属層を含んでもよい。有効領域４３１は、金属層のみによって構成されてもよい。周囲領域４３２及び第２領域４４の層構成は、有効領域４３１の層構成と同一であってもよい。
　符号Ｒ１は、第３面４０１における第２開口４１の寸法を表す。符号Ｒ２は、第４面４０２における第２開口４１の寸法を表す。寸法Ｒ１を、第１寸法とも称する。寸法Ｒ２を、第２寸法とも称する。マスク２０を用いる蒸着工程によって基板１１０に形成される蒸着層の寸法は、第２寸法Ｒ２に応じて定まる。
　第１寸法Ｒ１は、第２寸法Ｒ２よりも大きくてもよい。言い換えると、第２寸法Ｒ２は、第１寸法Ｒ１よりも小さくてもよい。この結果、第２壁面４２の近傍においてシャドウが生じることを抑制できる。第１寸法Ｒ１及び第２寸法Ｒ２は、第２開口４１が並ぶ方向において特定される。
　図１０に示すように、第２壁面４２は、第４面４０２から第３面４０１に向かうにつれて第２開口４１の中心から離れるように広がるテーパ面４２ａを含んでもよい。第２壁面４２がテーパ面４２ａを含むことにより、寸法Ｒ１を寸法Ｒ２よりも大きくできる。
　図１０において、符号Ｓ８は、第２開口４１が並ぶ方向におけるテーパ面４２ａの幅を表す。幅Ｓ８は、例えば０．２μｍ以上であり、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよい。幅Ｓ８は、例えば２５μｍ以下であり、２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよい。
　図１０において、符号θ１は、第２壁面４２と第４面４０２とが成す角度を表す。角度θ１は、例えば５０°以上であり、５５°以上であってもよく、６０°以上であってもよい。角度θ１は、例えば９０°未満であり、８５°以下であってもよく、８０°以下であってもよい。
　有効領域４３１におけるマスク層４０の厚みＴ２は、基材３０の厚みＴ１よりも小さい。厚みＴ２は、例えば２５．０μｍ以下であり、１０．０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以下であってもよい。この結果、シャドウの発生を抑制できる。厚みＴ２は、例えば０．５μｍ以上であり、１．０μｍ以上であってもよく、２．０μｍ以上であってもよい。従って、ピンホール等の欠陥や変形等が有効領域４３１に生じることを抑制できる。
　第２開口４１が並ぶ方向における２つの第２壁面４２の間の間隔Ｓ５は、例えば１．０μｍ以上であり、２．０μｍ以上であってもよく、３．０μｍ以上であってもよい。間隔Ｓ５は、例えば２５．０μｍ以下であり、１０．０μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以下であってもよい。
　マスク層４０の金属層は、磁性材料を含んでもよく、非磁性材料を含んでもよい。磁性材料は、例えば、ニッケル、鉄、コバルト及びこれらの合金である。非磁性材料は、例えば、銅、アルミニウム、チタン、クロム及びこれらの合金である。
　マスク層４０は、シード層を含んでもよい。シード層は、電解めっきによって金属層を形成する場合に、めっき液に電荷を運ぶ層である。シード層は、金属を含んでもよい。金属は、例えば、ニッケル、金、銅、チタン、アルミニウム、鉄等及びこれらの合金である。例えば、シード層は、ニッケルを含む鉄合金からなる層を少なくとも含んでもよい。ニッケルを含む鉄合金は、例えばパーマロイである。シード層は、１つの層によって構成されていてもよく、複数の層によって構成されていてもよい。
　シード層の厚みは、例えば２．０ｎｍ以上であり、１０．０ｎｍ以上であってもよく、３０．０ｎｍ以上であってもよい。シード層の厚みは、例えば５．０μｍ以下であり、１．０μｍ以下であってもよく、１５０ｎｍ以下であってもよい。
　各層の厚み、各構成要素の寸法、間隔などは、走査型電子顕微鏡を用いてマスク２０の断面の画像を観察することによって測定される。
　次に、マスク２０の製造方法を説明する。まず、基材３０が準備される。基材３０として、シリコンウエハを用いてもよい。基材３０の第１面３０１及び第２面３０２は、鏡面状に研磨されていてもよい。第１面３０１及び第２面３０２の算術平均粗さＲａは、１．５ｎｍ以下であってもよく、１．０ｎｍ以下であってもよい。第１面３０１及び第２面３０２の面方位は、（１００）、（１１０）などであってもよい。
　続いて、図１１に示すように、基材３０の第２面３０２上に第１中間層５１が形成される。第１中間層５１は、第２面３０２の全体に形成されてもよい。
　第１中間層５１は、化学気相蒸着法によって形成されてもよい。例えば、第１中間層５１が酸化珪素を含む場合、第１中間層５１は、ケイ酸テトラエチルＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４を原料として用いる化学気相蒸着法によって形成されてもよい。ケイ酸テトラエチルは、ＴＥＯＳとも称される。化学気相蒸着法の例は、減圧化学気相成長法（Ｌｏｗ－ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ＣＶＤ法）、プラズマ化学気相成長法（Ｐｌａｓｍａ－Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ法）などである。
　第１中間層５１は、物理成膜法によって形成されてもよい。物理成膜法の例は、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等である。
　基材３０がシリコンからなる場合、第１中間層５１は、基材３０の表面に熱酸化処理などを実施することによって形成されてもよい。
　続いて、図１２に示すように、第１中間層５１上に第２中間層５２が形成される。第２中間層５２は、第１中間層５１の面の全体に形成されてもよい。第２中間層５２は、例えば、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法などの物理成膜法によって形成されてもよい。
　続いて、第２中間層５２上に第１レジスト層５５を形成する工程が実施される。例えば、ドライフィルムレジストが第２中間層５２に貼り付けられてもよい。例えば、レジスト材料を含む溶液が第２中間層５２上に塗布されてもよい。第１レジスト層５５は、ポジ型のレジスト材料を含んでもよく、ネガ型のレジスト材料を含んでもよい。第１レジスト層５５が、酸化珪素などの無機化合物を含む場合、第１レジスト層５５は、ＣＶＤなどの気相成長法によって形成されてもよい。
　続いて、第１レジスト層５５を加工する工程が実施される。図１３Ａ及び図１３Ｂは、加工された第１レジスト層５５を示す断面図及び平面図である。第１レジスト層５５は、基材３０の第２面３０２に対向するレジスト第１面５５１と、レジスト第１面５５１の反対側に位置するレジスト第２面５５２と、を含む。
　第１レジスト層５５は、複数の島部分５７３を含む。マスク２０の上述の第２開口４１は、島部分５７３の位置に形成される。
　第１レジスト層５５を加工する方法は、特には限られない。例えば、第１レジスト層５５が感光性を有する場合、第１レジスト層５５を露光及び現像することによって第１レジスト層５５が加工されてもよい。例えば、第１レジスト層５５が珪素化合物を含む場合、第１レジスト層５５は、エッチングガスを用いたドライエッチングによって加工されてもよい。ドライエッチングは、反応性イオンエッチングであってもよい。
　続いて、マスク層４０を形成する工程が実施される。マスク層４０は、複数の島部分５７３の間の隙間５７４に形成される。マスク層４０は、複数の島部分５７３の外側にも形成される。
　図１４は、マスク層４０を示す断面図である。マスク層４０は、めっき工程によって形成されてもよい。めっき工程においては、マスク層４０を構成する金属のイオンを含むめっき液が、第１レジスト層５５の隙間５７４に供給される。めっき工程は、電解めっき工程であってもよく、無電解めっき工程であってもよい。電解めっき工程が実施される場合、第２中間層５２上にシード層が形成されていてもよい。若しくは、第２中間層５２がシード層として機能してもよい。
　マスク層４０は、基材３０の厚み方向において、第１レジスト層５５のレジスト第２面５５２よりも上方に突出していてもよい。すなわち、マスク層４０の上面が、レジスト第２面５５２よりも上方に位置してもよい。
　続いて、研磨工程が実施されてもよい。研磨工程においては、第１レジスト層５５のレジスト第２面５５２よりも上方に突出しているマスク層４０の部分が研磨される。図１５は、研磨されたマスク層４０を示す断面図である。研磨工程は、化学機械研磨によってマスク層４０を研磨してもよい。
　続いて、図１６に示すように、第１レジスト層５５を除去する絶縁層除去工程が実施される。続いて、第１開口３１を基材３０に形成する基材加工工程が実施される。基材加工工程においては、図１７に示すように、第１面３０１上に部分的に第２レジスト層３８が形成されてもよい。第２レジスト層３８のうち第１開口３１に対応する部分には、レジスト開口３８１が形成されている。図１７に示すように、マスク層４０を覆う保護層７２が形成されてもよい。
　第２レジスト層３８は、フォトレジストであってもよい。この場合、まず、第１面３０１上に液状のレジスト材をコーティングすることによって、第１面３０１上に第２レジスト層３８を形成する。コーティングの後、第２レジスト層３８を加熱する工程を実施してもよい。続いて、第２レジスト層３８を露光及び現像するフォトリソグラフィ処理を実施する。この結果、第２レジスト層３８にレジスト開口３８１を形成できる。
　図示はしないが、第２レジスト層３８は、第１面３０１に部分的に形成されたシリコン酸化膜であってもよい。シリコン酸化膜は、例えば、第１面３０１に部分的に熱酸化処理などを実施することによって形成される。シリコン酸化膜は、中間層５０を基材３０に積層する前に基材３０に形成されていてもよい。
　続いて、基材加工工程においては、図１８に示すように、第１面３０１側から基材３０をエッチングすることによって、基材３０に第１開口３１が形成される。エッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングであってもよい。中間層５０がエッチャントに対する耐性を有する場合、図１８に示すように、エッチングがマスク層４０まで進行することが抑制される。エッチングガスは、例えばＳＦ６ガスである。
　続いて、図１９に示すように、第１中間層５１の一部を除去する第１中間層除去工程が実施される。第１中間層除去工程は、第１中間層５１用のエッチャントを第１開口３１に供給することによって実施される。この結果、平面視において第１開口３１に重なる第１中間層５１が除去される。第１中間層５１の除去は、エッチングガスを用いたドライエッチングによって実施されてもよい。ドライエッチングは、反応性イオンエッチングであってもよい。
　続いて、図２０に示すように、平面視において第１開口３１に重なる第２中間層５２の一部分上に第３レジスト層５８が形成される。第３レジスト層５８は、例えば、平面視においてマスク層４０の周囲領域４３２に重なる第２中間層５２の部分に形成される。
　続いて、図２１に示すように、第２中間層５２の一部を除去する第２中間層除去工程が実施される。第２中間層除去工程は、第２中間層５２用のエッチャントを第１開口３１に供給することによって実施される。この結果、平面視において第１開口３１に重なり、且つ第３レジスト層５８によって覆われていない第２中間層５２の部分が除去される。第２中間層５２の除去は、フッ素系ガスなどを用いるドライエッチングによって実施されてもよく、酸性のエッチング液を用いるウェットエッチングによって実施されてもよい。
　また、第２レジスト層３８、第３レジスト層５８及び保護層７２を除去する工程が実施される。この結果、マスク２０が得られる。これらの工程の順序は特には限定されない。図２２は、第２レジスト層３８、第３レジスト層５８及び保護層７２が除去された状態のマスク２０を示す断面図である。
　続いて、フレーム６０がマスク２０に接続される。例えば、接着剤層７０によってフレーム６０がマスク２０に接続される。この結果、マスク装置１５が得られる。
　続いて、マスク装置１５を用いて基板１１０上に蒸着層を形成する蒸着方法を説明する。
　図２３に示すように、マスク装置１５を蒸着装置１０のチャンバーの内部に配置する。マスク装置１５のフレーム６０は、図示しないホルダによって支持されていてもよい。続いて、基板１１０をチャンバーの内部に配置する。続いて、基板１１０に対するマスク２０の位置を調整するアライメント工程を実施する。基板１１０に対するマスク２０の位置は、マスク２０の複数のアライメントマーク３９に基づいて算出されてもよい。
　アライメント工程は、マスク２０の一部分を加熱する加熱工程を含んでもよい。加熱工程は、基板１１０に対するマスク２０のある部分の位置が理想位置からずれている場合に実施される。理想位置からずれているマスクの部分は、不整合部分とも称される。加熱されるマスク２０の一部分は、不整合部分を含んでいてもよく、不整合部分を含んでいなくてもよい。加熱工程は、図２３に示すように、照射装置８０がマスク２０の一部分に光Ｌ１を照射する照射工程を含んでもよい。照射装置８０は、マスク２０の入射面２０１に向けて光を放射する。
　マスク２０の一部分が光Ｌ１のエネルギーを吸収することにより、マスク２０の一部分が加熱される。例えば、光Ｌ１が、一部の第１開口３１に位置する第２中間層５２の露出面に照射されることにより、第２中間層５２が光のエネルギーを吸収する。第２中間層５２によって吸収された光Ｌ１のエネルギーは、熱として第２中間層５２を伝導する。この結果、光が照射された第２中間層５２の部分及びその周辺の第２中間層５２の部分の温度が上昇する。第２中間層５２の熱は、マスク２０の厚み方向にも伝導する。この結果、第１中間層５１及び基材３０の温度も部分的に上昇する。基材３０の一部の第１桟領域３６１及び一部の第２桟領域３６２の温度が上昇することにより、一部の第１桟領域３６１及び一部の第２桟領域３６２が熱膨張する。熱膨張により、マスク２０の不整合部分がマスク２０の面方向において移動する。
　光Ｌ１の照射位置、照射範囲、照射強度などに応じて、マスク２０の不整合部分の移動量及び移動方向が変化する。光Ｌ１の照射位置、照射範囲、照射強度などを適切に調整することにより、マスク２０の不整合部分の位置を理想位置へ近づけることができる。
　マスク２０に照射される光は、赤外線であってもよい。光Ｌ１の波長は、例えば１０００ｎｍ以上であり、１０５０ｎｍ以上であってもよい。光Ｌ１の波長は、例えば１２００ｎｍ以下であり、１１５０ｎｍ以下であってもよい。
　図２４Ａは、マスク２０に照射される光の一例を示す平面図である。符号Ｌ２は、マスク２０に照射された光のマスク２０の表面におけるスポットを表す。図２４Ａに示すように、スポットＬ２は、内側領域３６の一部分に位置してもよい。
　基材３０及び第１中間層５１が光を透過させる性質を有する場合、光は第２中間層５２に到達できる。第２中間層５２が光のエネルギーを吸収することにより、スポットＬ２の周囲のマスク２０の部分が加熱される。
　図２４Ｂは、マスク２０に照射される光の一例を示す平面図である。スポットＬ２は、内側領域３６の一部分及び第１開口３１の一部分に位置してもよい。１つのスポットＬ２が、複数の第１開口３１に重なっていてもよい。第１開口３１内のスポットＬ２は、第２中間層５２の露出面５２２に形成されてもよい。
　図２４Ｃは、マスク２０に照射される光の一例を示す平面図である。スポットＬ２は、１つの第１開口３１の一部分に位置してもよい。第１開口３１内のスポットＬ２は、第２中間層５２の露出面５２２に形成されてもよい。すなわち、光が第２中間層５２の露出面５２２の一部分に照射されてもよい。
　アライメント工程の一例を説明する。図２５は、加熱工程が実施される前のマスク２０の一例を示す平面図である。アライメント工程においては、マスク２０の複数の基準点の座標が算出されてもよい。複数の基準点は、内側領域３６に位置してもよい。図２５に示す例においては、８個の基準点Ｐ１～Ｐ８の座標が算出される。基準点Ｐ１～Ｐ８の座標は、複数のアライメントマーク３９の位置、オリエンテーションフラットの位置などに基づいて算出されてもよい。図示はしないが、基準点Ｐ１～Ｐ８のそれぞれにアライメントマークが形成されていてもよい。
　図２５に示す例においては、基準点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４の位置が、理想位置よりも内側にずれている。この場合、図２５に示すように、基準点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４とマスク２０の中心点Ｃ１とを結ぶことによって形成される領域の一部分に光が照射されてもよい。この結果、基準点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４とマスク２０の中心点Ｃ１とを結ぶことによって形成される領域において、内側領域３６の第１桟領域３６１及び第２桟領域３６２が熱膨張する。
　図２６は、加熱工程が実施された後のマスク２０の一例を示す平面図である。一部の第１桟領域３６１及び第２桟領域３６２が熱膨張することにより、基準点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４が理想位置へ近づくことができる。
　マスク２０の一部分の温度が上昇している状態で、蒸着工程が実施されてもよい。蒸着工程においては、第１開口３１及び第２開口４１を通過した材料が基板１１０に付着することにより、基板１１０に蒸着層が形成される。基準点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４が理想位置へ近づいた状態、又は基準点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４が理想位置にある状態で蒸着工程が実施されるので、蒸着層の位置精度が高められる。
　上述した一実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。
　上述の実施の形態においては、平面視において、基材３０の内側領域３６の全域にマスク層４０が重なる例を示した。図示はしないが、平面視において、基材３０の内側領域３６の全域にマスク層４０が重なっていなくてもよい。例えば、内側領域３６の一部に第１レジスト層５５が残っていてもよい。
　図２７は、一変形例によるマスク２０を示す断面図である。第２中間層５２は、露出面５２２を含まなくてもよい。すなわち、第２中間層５２は、平面視において第１開口３１に重なる部分を含まなくてもよい。
　第２中間層５２の内縁５２１は、第１中間層５１の内縁５１１に一致していてもよい。第２中間層５２の内縁５２１は、平面視において内側領域３６に重なっていてもよい。
　基材３０及び第１中間層５１が光を透過させる性質を有する場合、内側領域３６に照射された光は、第２中間層５２に到達できる。第２中間層５２が光のエネルギーを吸収することにより、スポットＬ２の周囲のマスク２０の部分が加熱される。基材３０の一部の第１桟領域３６１及び一部の第２桟領域３６２の温度が上昇することにより、一部の第１桟領域３６１及び一部の第２桟領域３６２が熱膨張する。熱膨張により、マスク２０の不整合部分がマスク２０の面方向において移動する。本変形例においても、マスク２０の不整合部分の位置を理想位置へ近づけることができる。

Claims (20)

  1. 　マスクであって、
    　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する複数の第１開口と、を含む基材と、
    　前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、を含むマスク層と、
    　前記基材の前記第２面と前記マスク層の前記第３面との間に位置する中間層と、を備え、
    　前記基材は、シリコン又はシリコン化合物を含み、
    　前記マスク層は、平面視において前記第１開口に重なる複数の第１領域と、平面視において前記複数の第１領域の間及び前記複数の第１領域の外側に位置する第２領域と、を含み、
    　前記複数の第１領域はそれぞれ、前記第３面から前記第４面へ貫通する複数の第２開口を含む有効領域を含み、
    　前記中間層は、前記基材の前記第２面に位置し、酸化珪素又は窒化珪素を含む第１中間層と、前記第１中間層と前記マスク層との間に位置し、金属を含む第２中間層と、を含み、
    　前記第２中間層は、平面視において前記第１開口に重なるが前記第１中間層に重ならない面である露出面を含む、マスク。
  2. 　前記複数の第１領域はそれぞれ、平面視において前記有効領域を囲む周囲領域を含み、
    　前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記周囲領域及び前記第２領域に重なるように広がっている、請求項１に記載のマスク。
  3. 　前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記有効領域に重ならないよう広がっている、請求項２に記載のマスク。
  4. 　前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記有効領域を囲う内縁を含む、請求項２に記載のマスク。
  5. 　前記第１中間層は、０．１μｍ以上の厚みを有する、請求項１～４のいずれか一項に記載のマスク。
  6. 　前記第１中間層の厚みは、前記第２中間層の厚みよりも大きい、請求項１～４のいずれか一項に記載のマスク。
  7. 　前記第２中間層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる層を少なくとも含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のマスク。
  8. 　前記第２中間層は、チタン又はチタン合金からなる層を少なくとも含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のマスク。
  9. 　前記第２中間層は、チタン又はチタン合金からなる第１層と、前記第１層と前記マスク層との間に位置し、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２層と、を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のマスク。
  10. 　前記基材は、平面視において前記複数の第１開口の間に位置する内側領域と、前記基材の外縁に沿って広がり、平面視において前記複数の第１開口及び前記内側領域を囲む外側領域と、を含み、
    　前記マスクは、前記外側領域に接続されたフレームを備える、請求項１～４のいずれか一項に記載のマスク。
  11. 　前記基材の前記外側領域の前記第１面と前記フレームとの間に位置する接着剤層を備える、請求項１０に記載のマスク。
  12. 　マスクを用いて基板上に蒸着層を形成する蒸着方法であって、
    　前記マスクは、
    　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する複数の第１開口と、を含む基材と、
    　前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、を含むマスク層と、
    　前記基材の前記第２面と前記マスク層の前記第３面との間に位置する中間層と、を備え、
    　前記基材は、シリコン又はシリコン化合物を含み、
    　前記マスク層は、平面視において前記第１開口に重なる複数の第１領域と、平面視において前記複数の第１領域の間及び前記複数の第１領域の外側に位置する第２領域と、を含み、
    　前記複数の第１領域はそれぞれ、前記第３面から前記第４面へ貫通する複数の第２開口を含む有効領域を含み、
    　前記蒸着方法は、
    　前記基板に対する前記マスクの位置を調整するアライメント工程と、
    　前記第１開口及び前記第２開口を通過した材料が前記基板に付着することによって前記蒸着層が形成される蒸着工程と、を備え、
    　前記アライメント工程は、前記マスクの一部分を加熱する加熱工程を含む、蒸着方法。
  13. 　前記加熱工程は、前記マスクの前記一部分に光を照射する照射工程を含む、請求項１２に記載の蒸着方法。
  14. 　前記中間層は、前記基材の前記第２面に位置し、酸化珪素を含む第１中間層と、前記第１中間層と前記マスク層との間に位置し、金属を含む第２中間層と、を含み、
    　前記第２中間層は、平面視において前記第１開口に重なるが前記第１中間層に重ならない面である露出面を含み、
    　照射工程において、前記第２中間層の前記露出面の一部分に光が照射される、請求項１３に記載の蒸着方法。
  15. 　前記複数の第１領域はそれぞれ、平面視において前記有効領域を囲む周囲領域を含み、
    　前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記周囲領域及び前記第２領域に重なるように広がっている、請求項１４に記載の蒸着方法。
  16. 　前記第２中間層は、平面視において前記マスク層の前記第１領域の前記有効領域に重ならないよう広がっている、請求項１５に記載の蒸着方法。
  17. 　前記第２中間層は、チタン又はチタン合金からなる第１層と、前記第１層と前記マスク層との間に位置し、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２層と、を含み、
    　照射工程において、前記第２中間層の前記第１層の前記露出面の一部分に光が照射される、請求項１４～１６のいずれか一項に記載の蒸着方法。
  18. 　前記基材は、平面視において前記複数の第１開口の間に位置する内側領域と、前記基材の外縁に沿って広がり、平面視において前記複数の第１開口及び前記内側領域を囲む外側領域と、を含み、
    　前記マスクは、前記外側領域に接続されたフレームを備える、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の蒸着方法。
  19. 　前記マスクは、前記基材の前記外側領域の前記第１面と前記フレームとの間に位置する接着剤層を備え、
    　前記接着剤層の一部分は、前記加熱工程において加熱された前記マスクの前記一部分に追従して変形する、請求項１８に記載の蒸着方法。
  20. 　デバイスの製造方法であって、
    　請求項１２～１６のいずれか一項に記載の蒸着方法によって前記基板上に前記蒸着層を形成する工程を備える、デバイスの製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008024956A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Ulvac Japan Ltd アライメント装置及びアライメント方法
JP2022175925A (ja) * 2021-05-14 2022-11-25 キヤノン株式会社 蒸着マスク、及び、有機電子デバイスの製造方法
JP2022175724A (ja) * 2021-05-14 2022-11-25 キヤノン株式会社 蒸着マスク、及び、有機電子デバイスの製造方法
WO2023145951A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機デバイスの製造方法及びフレーム付き蒸着マスクの製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4608874B2 (ja) * 2003-12-02 2011-01-12 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびその製造方法
KR101820020B1 (ko) * 2011-04-25 2018-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
JP6086305B2 (ja) * 2013-01-11 2017-03-01 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
KR102375261B1 (ko) * 2016-04-01 2022-03-17 엘지이노텍 주식회사 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
WO2019180846A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 シャープ株式会社 成膜用マスクおよびそれを用いた表示装置の製造方法
TWI757041B (zh) * 2021-01-08 2022-03-01 達運精密工業股份有限公司 遮罩
CN114107897A (zh) * 2021-11-29 2022-03-01 合肥维信诺科技有限公司 掩膜板及掩膜组件
TW202341543A (zh) * 2022-01-31 2023-10-16 日商大日本印刷股份有限公司 遮罩及遮罩之製造方法
JP2024014701A (ja) * 2022-07-22 2024-02-01 オラム マテリアル コーポレーション マスクと支持部との連結体及びその製造方法
JP2024055260A (ja) * 2022-10-07 2024-04-18 大日本印刷株式会社 メタルマスク及びその製造方法
JPWO2024128133A1 (ja) * 2022-12-16 2024-06-20

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008024956A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Ulvac Japan Ltd アライメント装置及びアライメント方法
JP2022175925A (ja) * 2021-05-14 2022-11-25 キヤノン株式会社 蒸着マスク、及び、有機電子デバイスの製造方法
JP2022175724A (ja) * 2021-05-14 2022-11-25 キヤノン株式会社 蒸着マスク、及び、有機電子デバイスの製造方法
WO2023145951A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機デバイスの製造方法及びフレーム付き蒸着マスクの製造方法

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