WO2025218005A1 - 发光器件及显示面板 - Google Patents

发光器件及显示面板

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WO2025218005A1
WO2025218005A1 PCT/CN2024/099757 CN2024099757W WO2025218005A1 WO 2025218005 A1 WO2025218005 A1 WO 2025218005A1 CN 2024099757 W CN2024099757 W CN 2024099757W WO 2025218005 A1 WO2025218005 A1 WO 2025218005A1
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华正伸
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Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers

Definitions

  • the present application relates to the field of display technology, and in particular to a light-emitting device and a display panel.
  • OLED organic light-emitting diode
  • LCD liquid crystal displays
  • OLEDs offer advantages such as self-luminescence, wide viewing angles, high contrast, fast response times, and low power consumption, making them a new generation of flexible displays.
  • OLEDs can be manufactured into flexible products and their appearance can be customized, their application in flexible displays holds great promise. Due to these advantages, automakers and suppliers are actively developing OLED technology, encompassing applications ranging from traditional instrument clusters and center consoles to head-up displays (HUDs), streaming media rearview mirrors, and lighting.
  • HUDs head-up displays
  • OLED itself also has certain shortcomings, mainly manifested in complex structure, difficult process, high production cost, low efficiency, high power consumption and short life.
  • the present application provides a light-emitting device, comprising: a first electrode, a first electron blocking layer, a first light-emitting layer and a second electrode, which are stacked in sequence; wherein the first light-emitting layer comprises a first light-emitting unit, a second light-emitting unit and a third light-emitting unit having different light-emitting colors, the wavelength of the first light-emitting unit is greater than the wavelength of the second light-emitting unit, and the wavelength of the second light-emitting unit is greater than the wavelength of the third light-emitting unit; wherein the first electron blocking layer comprises a first sub-electron blocking unit corresponding to the first light-emitting unit, a second sub-electron blocking unit corresponding to the second light-emitting unit and a third sub-electron blocking unit corresponding to the third light-emitting unit; wherein the material of the first sub-electron blocking unit and the third sub-electron blocking unit is the same as
  • the present application also provides a display panel, which includes a light-emitting device, which includes: a first electrode, a first electron blocking layer, a first light-emitting layer and a second electrode, which are stacked in sequence; wherein the first light-emitting layer includes a first light-emitting unit, a second light-emitting unit and a third light-emitting unit with different light-emitting colors, the wavelength of the first light-emitting unit is greater than the wavelength of the second light-emitting unit, and the wavelength of the second light-emitting unit is greater than the wavelength of the third light-emitting unit; wherein the first electron blocking layer includes a first sub-electron blocking unit corresponding to the first light-emitting unit, a second sub-electron blocking unit corresponding to the second light-emitting unit and a third sub-electron blocking unit corresponding to the third light-emitting unit; wherein the material of the first sub-electron blocking unit and the third sub-ele
  • FIG1 is a schematic structural diagram of a light-emitting device according to Example 1 of the present application.
  • FIG2 is a schematic structural diagram of a light-emitting device according to Example 2 of the present application.
  • FIG3 is a schematic structural diagram of a light-emitting device according to Example 3 of the present application.
  • FIG4 is a schematic structural diagram of a light-emitting device according to Example 4 of the present application.
  • FIG5 is a schematic structural diagram of a display panel according to an embodiment of the present application.
  • First electrode 2. First electron blocking layer; 3. First light-emitting layer; 4. Second electrode; 5. Second electron blocking layer; 6. Hole injection layer; 7. First hole transport layer; 8. First hole blocking layer; 9. First electron injection layer; 10. Light extraction layer; 11. Third electron blocking layer; 12. Second light-emitting layer; 13. Second hole blocking layer; 14. First charge generation layer; 15. Second charge generation layer; 16. Second hole transport layer; 17. Fourth electron blocking layer;
  • a fourth sub-electron blocking unit 112.
  • a fifth sub-electron blocking unit 113.
  • a sixth sub-electron blocking unit 114.
  • the present application may repeat reference numerals and/or reference letters in different embodiments. This repetition is for the purpose of simplicity and clarity and does not in itself indicate a relationship between the various embodiments and/or settings discussed.
  • the present invention provides a light-emitting device, comprising: a first electrode, a first electron blocking layer, a first light-emitting layer and a second electrode, which are stacked in sequence; wherein the first light-emitting layer comprises a first light-emitting unit, a second light-emitting unit and a third light-emitting unit, which emit light of different colors, the wavelength of the first light-emitting unit is greater than the wavelength of the second light-emitting unit, and the wavelength of the second light-emitting unit is greater than the wavelength of the third light-emitting unit; wherein the first electron blocking layer comprises a first sub-electron blocking unit corresponding to the first light-emitting unit, a second sub-electron blocking unit corresponding to the second light-emitting unit and a third sub-electron blocking unit corresponding to the third light-emitting unit; wherein the material of the first sub-electron blocking unit and the third sub-electron blocking unit is the same as the
  • the third light-emitting unit includes: a first host material and a second host material; the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first host material of the third light-emitting unit and the HOMO energy level of the second sub-electron blocking unit ranges from 0.02 eV to 0.03 eV; or the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the second host material of the third light-emitting unit and the HOMO energy level of the second sub-electron blocking unit ranges from 0.02 eV to 0.03 eV.
  • the first host material includes one of a first N-type material, a first P-type material, and a first PN-type material
  • the second host material includes the other of the first N-type material, the first P-type material, and the first PN-type material; or, the first host material and the second host material are both the first PN-type material; wherein the LUMO energy levels of the first N-type material and the first PN-type material are both in the range of -2.05 eV to 3.32 eV, the HOMO energy levels of the first P-type material and the first PN-type material are both in the range of -5.46 eV to -6.54 eV, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first P-type material and the LUMO energy level of the first N-type material is greater than or equal to 2.6 eV, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first PN-type material and the LUMO energy level of the first LUMO energy level
  • a mass ratio of the sum of the first N-type material in the first body material and the first N-type material in the second body material to the sum of the first P-type material in the first body material and the first P-type material in the second body material is in a range of 5:5-7:3.
  • the light-emitting device further includes: a second electron blocking layer, which is provided corresponding to the first light-emitting unit and is located between the first sub-electron blocking unit and the first light-emitting unit.
  • the light-emitting device further includes: a third electron blocking layer and a second light-emitting layer stacked in sequence; wherein the second light-emitting layer is disposed between the first electron blocking layer and the first electrode or between the first light-emitting layer and the second electrode; wherein the second light-emitting layer includes a fourth light-emitting unit, a fifth light-emitting unit, and a sixth light-emitting unit having different light-emitting colors, and the light-emitting colors of the fourth light-emitting unit, the fifth light-emitting unit, and the sixth light-emitting unit are respectively the same as the light-emitting colors of the first light-emitting unit, the second light-emitting unit, and the third light-emitting unit; wherein the third electron blocking layer includes a fourth sub-electron blocking unit corresponding to the fourth light-emitting unit, a fifth sub-electron blocking unit corresponding to the fifth light-emitting unit, and
  • the material of the fourth sub-electron blocking unit and the sixth sub-electron blocking unit is the same as the material of the fifth sub-electron blocking unit; the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the fifth light-emitting unit and the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit ranges from 0.02 eV to 0.04 eV; the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the sixth light-emitting unit and the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit ranges from 0.02 eV to 0.03 eV.
  • the sixth light-emitting unit includes: a third host material and a fourth host material; the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the third host material of the sixth light-emitting unit and the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit ranges from 0.02 eV to 0.03 eV; or the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the fourth host material of the sixth light-emitting unit and the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit ranges from 0.02 eV to 0.03 eV.
  • the third host material includes one of a second N-type material, a second P-type material, and a second PN-type material
  • the fourth host material includes the other of the second N-type material, the second P-type material, and the second PN-type material; or, the third host material and the fourth host material are both the second PN-type material; wherein the LUMO energy levels of the second N-type material and the second PN-type material are both in the range of -2.05 eV to 3.32 eV, the HOMO energy levels of the second P-type material and the second PN-type material are both in the range of -5.46 eV to -6.54 eV, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the second P-type material and the LUMO energy level of the second N-type material is greater than or equal to 2.6 eV, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the second PN-type material and the LUMO energy level of the second N-type material is
  • the light-emitting device further includes: a fourth electron blocking layer, which is provided corresponding to the fourth light-emitting unit and is located between the fourth sub-electron blocking unit and the fourth light-emitting unit.
  • the materials of the first sub-electron blocking unit and the third sub-electron blocking unit of the present application are the same as the material of the second sub-electron blocking unit, which can simplify the structure of the first electron blocking layer and reduce production costs; the present invention can use an ordinary metal mask plate to simultaneously prepare the first sub-electron blocking unit, the third sub-electron blocking unit and the second sub-electron blocking unit to form the first electron blocking layer.
  • the mask plate cost can be reduced, further reducing production costs.
  • the third light-emitting unit of the present application includes a first main material and a second main material.
  • the first main material and the second main material are used to delay the transmission of electrons in the third light-emitting unit, improve the hole transmission brought to the third light-emitting unit by the first electron blocking layer, and improve the energy transmission from the first main material and the second main material to the first doping material in the third light-emitting unit.
  • the exciton recombination area can be moved toward the inside of the third light-emitting unit, widening the exciton recombination area, delaying the aging of the light-emitting device, extending the service life of the light-emitting device, reducing the operating voltage of the light-emitting device, improving the current efficiency of the light-emitting device, and improving the luminous brightness of the light-emitting device.
  • the materials of the fourth sub-electron blocking unit and the sixth sub-electron blocking unit of the present application are the same as the material of the fifth sub-electron blocking unit, which can simplify the structure of the third electron blocking layer and reduce production costs; the present invention can use an ordinary metal mask plate to simultaneously prepare the fourth sub-electron blocking unit, the sixth sub-electron blocking unit and the fifth sub-electron blocking unit to form a third electron blocking layer.
  • the mask plate cost can be reduced, further reducing production costs.
  • the sixth light-emitting unit of the present application includes a third main material and a fourth main material.
  • the third main material and the fourth main material are used to delay the transmission of electrons in the sixth light-emitting unit, improve the hole transmission brought to the sixth light-emitting unit by the third electron blocking layer, and improve the energy transmission from the third main material and the fourth main material to the second doping material in the sixth light-emitting unit.
  • the exciton recombination area can be moved toward the inside of the sixth light-emitting unit, the exciton recombination area can be widened, the aging of the light-emitting device can be delayed, the service life of the light-emitting device can be extended, the operating voltage of the light-emitting device can be reduced, the current efficiency of the light-emitting device can be improved, and the luminous brightness of the light-emitting device can be increased.
  • this embodiment provides a light emitting device 100.
  • the light emitting device 100 includes a first electrode 1, a first electron blocking layer 2, a first light emitting layer 3, and a second electrode 4, which are stacked in sequence.
  • the first electrode 1 may be a single-layer ITO structure or a stacked-layer structure of ITO/Ag/ITO, which is not limited in this application.
  • the first light-emitting layer 3 includes a first light-emitting unit 31, a second light-emitting unit 32, and a third light-emitting unit 33, each emitting light of different colors.
  • the wavelength of the first light-emitting unit 31 is greater than that of the second light-emitting unit 32, and the wavelength of the second light-emitting unit 32 is greater than that of the third light-emitting unit 33.
  • the first light-emitting unit 31, the second light-emitting unit 32, and the third light-emitting unit 33 are red, green, and blue, respectively.
  • the thickness of the first light-emitting layer 3 ranges from 15 nm to 40 nm.
  • the first light-emitting unit 31, the second light-emitting unit 32, and the third light-emitting unit 33 can use the same host-dopant material or different host-dopant materials.
  • the third light-emitting unit 33 can be a fluorescent material, a TADF material, a superfluorescent material, a phosphorescent material, or the like.
  • the first light-emitting unit 31 and the second light-emitting unit 32 can use single host-dopant phosphorescent materials or pre-mixed host-dopant materials.
  • the first electron blocking layer 2 includes a first sub-electron blocking unit 21 corresponding to the first light-emitting unit 31, a second sub-electron blocking unit 22 corresponding to the second light-emitting unit 32, and a third sub-electron blocking unit 23 corresponding to the third light-emitting unit 33.
  • the first sub-electron blocking unit 21, the second sub-electron blocking unit 22, and the third sub-electron blocking unit 23 are respectively a red electron blocking unit, a green electron blocking unit, and a blue electron blocking unit.
  • the thickness of the first electron blocking layer 2 ranges from 5 nm to 50 nm.
  • the first electron blocking layer 2 is made of a material having both hole transport and electron blocking functions, and is not limited to one or more materials.
  • the materials of the first sub-electron blocking unit 21 and the third sub-electron blocking unit 23 are the same as those of the second sub-electron blocking unit 22.
  • the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the second light-emitting unit 32 and the HOMO energy level of the second sub-electron blocking unit 22 ranges from 0.02 eV to 0.04 eV
  • the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the third light-emitting unit 33 and the HOMO energy level of the second sub-electron blocking unit 22 ranges from 0.02 eV to 0.03 eV. This simplifies the structure of the first electron blocking layer 2 and reduces production costs.
  • a common metal mask can be used to simultaneously prepare the first sub-electron blocking unit 21, the third sub-electron blocking unit 23, and the second sub-electron blocking unit 22 to form the first electron blocking layer 2. Compared to using three fine metal masks to prepare the first sub-electron blocking unit 21, the third sub-electron blocking unit 23, and the second sub-electron blocking unit 22, this can reduce mask costs and further reduce production costs.
  • the third light-emitting unit 33 includes a first host material and a second host material.
  • the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first host material of the third light-emitting unit and the HOMO energy level of the second electron blocking unit 22 is in a range of 0.02 eV to 0.03 eV; or the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the second host material of the third light-emitting unit 33 and the HOMO energy level of the second electron blocking unit 22 is in a range of 0.02 eV to 0.03 eV.
  • the first host material includes one of a first N-type material, a first P-type material and a first PN-type material
  • the second host material includes the other of the first N-type material, the first P-type material and the first PN-type material; or, the first host material and the second host material are both the first PN-type material; wherein the LUMO energy level of the first N-type material and the energy level of the first PN-type material are both in the range of -2.05 eV to 3.32 eV, the HOMO energy level of the first P-type material and the energy level of the first PN-type material are both in the range of -5.46 eV to -6.54 eV, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first P-type material and the LUMO energy level of the first N-type material is greater than or equal to 2.6 eV, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the first PN-type material and the LUMO energy level of the
  • the HOMO energy level of the second sub-electron blocking unit 22 is slightly different from the HOMO energy level of the first light-emitting unit 31, setting the material of the first sub-electron blocking unit 21 to be the same as the material of the second sub-electron blocking unit 22 has a relatively small impact on the performance of the first light-emitting unit 31.
  • the HOMO energy level of the second sub-electron blocking unit 22 is significantly different from the HOMO energy level of the third light-emitting unit 33, so setting the material of the third sub-electron blocking unit 23 to be the same as the material of the second sub-electron blocking unit 22 has a relatively large impact on the performance of the third light-emitting unit.
  • the present application utilizes the first main material and the second main material to delay the transmission of electrons in the third light-emitting unit 33, improves the hole transmission brought by the first electron blocking layer 2 to the third light-emitting unit 33, and improves the energy transmission from the first main material and the second main material to the first doping material in the third light-emitting unit 33, so that the exciton recombination area can be moved toward the inside of the third light-emitting unit 33, widening the exciton recombination area, delaying the aging of the light-emitting device 100, extending the service life of the light-emitting device 100, reducing the operating voltage of the light-emitting device 100, and improving the current efficiency of the light-emitting device 100, thereby improving the luminous brightness of the light-emitting device 100.
  • the mass ratio of the sum of the first N-type material in the first host material and the first N-type material in the second host material to the sum of the first P-type material in the first host material and the first P-type material in the second host material is in a range of 5:5-7:3.
  • the mass ratio of the first N-type material and the sum of the first P-type material is appropriately matched, which broadens the exciton recombination region, reduces exciton quenching, and improves the luminous efficiency of the light-emitting device 100.
  • the exciton recombination region can be moved inwardly of the third light-emitting unit 33, thereby improving interface aging and extending the service life of the light-emitting device 100.
  • the second electrode 4 is made of a material including Mg-Ag, Ag, Al, Al-Ca, and other alloys.
  • the first electrode 1 serves as an anode
  • the second electrode 4 serves as a cathode.
  • the first electrode 1 may serve as a cathode
  • the second electrode 4 may serve as an anode.
  • the thickness of the second electrode 4 is in the range of 9 nm to 15 nm.
  • the light-emitting device 100 further includes a second electron blocking layer 5.
  • the second electron blocking layer 5 is provided corresponding to the first light-emitting unit 31 and is located between the first sub-electron blocking unit 21 and the first light-emitting unit 31.
  • the material of the second electron blocking layer 5 can be the same as or different from the material of the first electron blocking layer 2, which is not limited in this application.
  • the thickness of the first electron blocking layer in this embodiment is thinner than the green electron blocking layer and thicker than the blue electron blocking layer.
  • the microcavity lengths of the second and third light-emitting units 32 and 33 are then adjusted by adjusting their thicknesses, respectively.
  • the microcavity lengths of the first light-emitting unit 31 differ significantly from those of the third and second light-emitting units 33 and 32, resulting in a technical problem in that the microcavity length of the first light-emitting unit 31 cannot be adjusted by adjusting its thickness.
  • the present application provides the second electron blocking layer 5 and utilizes the second electron blocking layer 5 to increase the microcavity length of the first light emitting unit 31 .
  • the light emitting device 100 further includes a hole injection layer 6 , a first hole transport layer 7 , a first hole blocking layer 8 , a first electron injection layer 9 and a light extraction layer 10 .
  • the hole injection layer 6 is made of hole injection materials, strong oxidant doping materials, or aromatic hole transport materials.
  • the materials are not limited to one or more, but are all deposited in one deposition chamber.
  • the thickness of the hole injection layer 6 is in the range of 7 nm to 15 nm.
  • the first hole transport layer 7 is made of hole transport materials, not limited to one material or multiple materials.
  • the thickness of the first hole transport layer 7 is in the range of 80 nm to 150 nm.
  • the first hole blocking layer 8 is made of a material capable of blocking holes and transmitting electrons, and is not limited to one material or multiple materials.
  • the thickness of the first hole blocking layer 8 is in the range of 5 nm to 15 nm.
  • the first electron injection layer 9 can be a doped ET material and LiQ, and is not limited to a single material or multiple materials.
  • ET materials contain electron-withdrawing functional groups and groups with high electron transport capacity, such as electron-deficient nitrogen heterocycles and anthracene structures. ET materials enhance electron mobility, reduce device driving voltage, and improve performance.
  • the thickness of the first electron injection layer 9 ranges from 20nm to 35nm.
  • the light extraction layer 10 is disposed on the side of the second electrode 4 away from the first electrode 1.
  • the light extraction layer 10 can be made of a high-refractive-index material with a refractive index ⁇ 2.0, and is not limited to one or a combination of multiple materials.
  • the thickness of the light extraction layer 10 ranges from 50 nm to 90 nm.
  • this embodiment includes most of the technical features of Example 1.
  • the difference between this embodiment and Example 1 is that the light-emitting device 100 in this embodiment further includes a third electron blocking layer 11 and a second light-emitting layer 12 stacked in sequence.
  • the second light-emitting layer 12 is disposed between the first electron blocking layer 2 and the first electrode 1 or between the first light-emitting layer 3 and the second electrode 4. In this embodiment, the second light-emitting layer 12 is disposed between the first light-emitting layer 3 and the second electrode 4.
  • the second light-emitting layer 12 includes a fourth light-emitting unit 121, a fifth light-emitting unit 122, and a sixth light-emitting unit 123, each emitting different colors.
  • the colors emitted by the fourth light-emitting unit 121, the fifth light-emitting unit 122, and the sixth light-emitting unit 123 are the same as the colors emitted by the first light-emitting unit 31, the second light-emitting unit 32, and the third light-emitting unit 33, respectively. That is, in this embodiment, the fourth light-emitting unit 121, the fifth light-emitting unit 122, and the sixth light-emitting unit 123 are also red, green, and blue light-emitting units, respectively.
  • Providing the second light-emitting layer 12 can increase the brightness of the light-emitting device 100.
  • the third electron blocking layer 11 includes a fourth sub-electron blocking unit 111 corresponding to the fourth light-emitting unit 121, a fifth sub-electron blocking unit 112 corresponding to the fifth light-emitting unit 122, and a sixth sub-electron blocking unit 113 corresponding to the sixth light-emitting unit 123.
  • the third electron blocking layer 11 in this embodiment differs from the first electron blocking layer 2 in that the fourth sub-electron blocking unit 111, the fifth sub-electron blocking unit 112, and the sixth sub-electron blocking unit 113 are each formed using three fine metal masks, rather than a single common metal mask.
  • the light emitting device 100 further includes: a second hole blocking layer 13 , a first charge generating layer 14 , a second charge generating layer 15 , and a second hole transporting layer 16 .
  • the second hole-blocking layer 13 is disposed between the first light-emitting layer 3 and the third electron-blocking layer 11.
  • the second hole-blocking layer 13 is made of a material capable of blocking holes and transmitting electrons, and is not limited to a single material or multiple materials.
  • the thickness of the second hole-blocking layer 13 ranges from 5 nm to 15 nm.
  • the first charge generation layer 14 is disposed between the second hole blocking layer 13 and the third electron blocking layer 11.
  • the first charge generation layer 14 is an N-type charge generation layer, and can be a compound of an electron transport material doped with a metal ion (e.g., Yb, Li, Na, CS).
  • the thickness of the first charge generation layer 14 ranges from 7 nm to 18 nm.
  • the second charge generation layer 15 is disposed between the first charge generation layer 14 and the third electron blocking layer 11.
  • the second charge generation layer 15 is a P-type charge generation layer, and can be made of a P-type doped strong oxidant and a hole transport material, but is not limited to one or more materials.
  • the thickness of the second charge generation layer 15 ranges from 7 nm to 15 nm.
  • the second hole transport layer 16 is disposed between the second charge generation layer 15 and the third electron blocking layer 11.
  • the second hole transport layer 16 is made of a hole transport material, not limited to one or more materials.
  • the thickness of the second hole transport layer 16 is in the range of 80 nm to 150 nm.
  • this embodiment includes most of the technical features of Example 1.
  • the difference between this embodiment and Example 1 is that the light-emitting device 100 in this embodiment further includes a third electron blocking layer 11 and a second light-emitting layer 12 stacked in sequence.
  • the second light-emitting layer 12 is disposed between the first electron blocking layer 2 and the first electrode 1 or between the first light-emitting layer 3 and the second electrode 4. In this embodiment, the second light-emitting layer 12 is disposed between the first electron blocking layer 2 and the first electrode 1.
  • the second light-emitting layer 12 includes a fourth light-emitting unit 121, a fifth light-emitting unit 122, and a sixth light-emitting unit 123, each emitting different colors.
  • the colors emitted by the fourth light-emitting unit 121, the fifth light-emitting unit 122, and the sixth light-emitting unit 123 are the same as the colors emitted by the first light-emitting unit 31, the second light-emitting unit 32, and the third light-emitting unit 33, respectively. That is, in this embodiment, the fourth light-emitting unit 121, the fifth light-emitting unit 122, and the sixth light-emitting unit 123 are also red, green, and blue light-emitting units, respectively.
  • Providing the second light-emitting layer 12 can increase the brightness of the light-emitting device 100.
  • the third electron blocking layer 11 includes a fourth sub-electron blocking unit 111 corresponding to the fourth light-emitting unit 121, a fifth sub-electron blocking unit 112 corresponding to the fifth light-emitting unit 122, and a sixth sub-electron blocking unit 113 corresponding to the sixth light-emitting unit 123.
  • the third electron blocking layer 11 in this embodiment differs from the first electron blocking layer 2 in that the fourth sub-electron blocking unit 111, the fifth sub-electron blocking unit 112, and the sixth sub-electron blocking unit 113 are each formed using three fine metal masks, rather than a single common metal mask.
  • the light emitting device 100 further includes: a second hole blocking layer 13 , a first charge generating layer 14 , a second charge generating layer 15 , and a second hole transporting layer 16 .
  • the second hole-blocking layer 13 is disposed between the second light-emitting layer 12 and the first electron-blocking layer 2.
  • the second hole-blocking layer 13 is made of a material capable of blocking holes and transmitting electrons, and is not limited to a single material or multiple materials.
  • the thickness of the second hole-blocking layer 13 ranges from 5 nm to 15 nm.
  • the first charge generation layer 14 is disposed between the second hole blocking layer 13 and the first electron blocking layer 2.
  • the first charge generation layer 14 is an N-type charge generation layer, and can be a compound of an electron transport material doped with a metal ion (e.g., Yb, Li, Na, CS).
  • the thickness of the first charge generation layer 14 ranges from 7 nm to 18 nm.
  • the second charge generation layer 15 is disposed between the first charge generation layer 14 and the first electron blocking layer 2.
  • the second charge generation layer 15 is a P-type charge generation layer, and can be made of, but not limited to, a P-type doped strong oxidant and a hole transport material.
  • the thickness of the second charge generation layer 15 ranges from 7 nm to 15 nm.
  • the second hole transport layer 16 is disposed between the second charge generation layer 15 and the first electron blocking layer 2.
  • the second hole transport layer 16 is made of a hole transport material, not limited to one or more materials.
  • the thickness of the second hole transport layer 16 is in the range of 80 nm to 150 nm.
  • this embodiment includes most of the technical features of Example 1.
  • the difference between this embodiment and Example 1 is that the light-emitting device 100 in this embodiment further includes a third electron blocking layer 11 and a second light-emitting layer 12 stacked in sequence.
  • the second light-emitting layer 12 is disposed between the first electron blocking layer 2 and the first electrode 1 or between the first light-emitting layer 3 and the second electrode 4. In this embodiment, the second light-emitting layer 12 is disposed between the first light-emitting layer 3 and the second electrode 4.
  • the second light-emitting layer 12 includes a fourth light-emitting unit 121, a fifth light-emitting unit 122, and a sixth light-emitting unit 123, each emitting different colors.
  • the colors emitted by the fourth light-emitting unit 121, the fifth light-emitting unit 122, and the sixth light-emitting unit 123 are the same as the colors emitted by the first light-emitting unit 31, the second light-emitting unit 32, and the third light-emitting unit 33, respectively. That is, in this embodiment, the fourth light-emitting unit 121, the fifth light-emitting unit 122, and the sixth light-emitting unit 123 are also red, green, and blue light-emitting units, respectively.
  • Providing the second light-emitting layer 12 can increase the brightness of the light-emitting device 100.
  • the third electron blocking layer 11 includes a fourth sub-electron blocking unit 111 corresponding to the fourth light-emitting unit 121, a fifth sub-electron blocking unit 112 corresponding to the fifth light-emitting unit 122, and a sixth sub-electron blocking unit 113 corresponding to the sixth light-emitting unit 123.
  • the fourth sub-electron blocking unit 111, the fifth sub-electron blocking unit 112, and the sixth sub-electron blocking unit 113 are red, green, and blue electron blocking units, respectively.
  • the thickness of the third electron blocking layer 11 ranges from 5 nm to 50 nm.
  • the third electron blocking layer 11 is made of a material having both hole transport and electron blocking properties, and is not limited to one or more materials.
  • the fourth sub-electron blocking unit 111 and the sixth sub-electron blocking unit 113 are made of the same material as the fifth sub-electron blocking unit 112.
  • the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the fifth light-emitting unit 122 and the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit 112 ranges from 0.02 eV to 0.04 eV.
  • the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the sixth light-emitting unit 123 and the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit 112 ranges from 0.02 eV to 0.03 eV. This simplifies the structure of the third electron blocking layer 11 and reduces production costs.
  • a common metal mask can be used to simultaneously form the fourth sub-electron blocking unit 111, the fifth sub-electron blocking unit 112, and the sixth sub-electron blocking unit 113 to form the third electron blocking layer 11.
  • this can reduce mask costs and further reduce production costs.
  • the sixth light-emitting unit 123 includes: a third host material and a fourth host material; the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the third host material of the sixth light-emitting unit 123 and the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit 112 is in the range of 0.02 eV to 0.03 eV; or the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the fourth host material of the sixth light-emitting unit 123 and the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit 112 is in the range of 0.02 eV to 0.03 eV.
  • the third main material includes one of a second N-type material, a second P-type material and a second PN-type material
  • the fourth main material includes the other of the second N-type material, the second P-type material and the second PN-type material; or, the third main material and the fourth main material are both the second PN-type material; wherein the LUMO energy levels of the second N-type material and the second PN-type material are both in the range of -2.05eV to 3.32eV, the HOMO energy level of the second P-type material and the second PN-type material are both in the range of -5.46eV to -6.54eV, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the second P-type material and the LUMO energy level of the second N-type material is greater than or equal to 2.6 eV, the absolute value of the difference between the HOMO energy level of the second PN-type material and the LUMO energy level of the second PN-type material is greater than or
  • the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit 112 is slightly different from the HOMO energy level of the fourth light-emitting unit 121, setting the material of the fourth sub-electron blocking unit 111 to be the same as the material of the fifth sub-electron blocking unit 112 has a minor impact on the performance of the fourth light-emitting unit 121.
  • the HOMO energy level of the fifth sub-electron blocking unit 112 is significantly different from the HOMO energy level of the sixth light-emitting unit 123. Therefore, setting the material of the sixth sub-electron blocking unit 113 to be the same as the material of the fifth sub-electron blocking unit 112 has a significant impact on the performance of the sixth light-emitting unit 123.
  • the present application utilizes the first host material and the second host material to delay the transmission of electrons in the sixth light-emitting unit 123, improves the hole transmission brought by the third electron blocking layer 11 to the sixth light-emitting unit 123, and improves the energy transmission from the first host material and the second host material to the first doping material in the sixth light-emitting unit 123, so that the exciton recombination area can be moved toward the inside of the sixth light-emitting unit 123, widening the exciton recombination area, delaying the aging of the light-emitting device 100, extending the service life of the light-emitting device 100, reducing the operating voltage of the light-emitting device 100, and improving the current efficiency of the light-emitting device 100, thereby improving the luminous brightness of the light-emitting device 100.
  • the light emitting device 100 further includes: a second hole blocking layer 13 , a first charge generating layer 14 , a second charge generating layer 15 , and a second hole transporting layer 16 .
  • the second hole-blocking layer 13 is disposed between the first light-emitting layer 3 and the third electron-blocking layer 11.
  • the second hole-blocking layer 13 is made of a material capable of blocking holes and transmitting electrons, and is not limited to a single material or multiple materials.
  • the thickness of the second hole-blocking layer 13 ranges from 5 nm to 15 nm.
  • the first charge generation layer 14 is disposed between the second hole blocking layer 13 and the third electron blocking layer 11.
  • the first charge generation layer 14 is an N-type charge generation layer, and can be a compound of an electron transport material doped with a metal ion (e.g., Yb, Li, Na, CS).
  • the thickness of the first charge generation layer 14 ranges from 7 nm to 18 nm.
  • the second charge generation layer 15 is disposed between the first charge generation layer 14 and the third electron blocking layer 11.
  • the second charge generation layer 15 is a P-type charge generation layer, and can be made of a P-type doped strong oxidant and a hole transport material, but is not limited to one or more materials.
  • the thickness of the second charge generation layer 15 ranges from 7 nm to 15 nm.
  • the second hole transport layer 16 is disposed between the second charge generation layer 15 and the third electron blocking layer 11.
  • the second hole transport layer 16 is made of a hole transport material, not limited to one or more materials.
  • the thickness of the second hole transport layer 16 is in the range of 80 nm to 150 nm.
  • the light-emitting device 100 further includes a fourth electron blocking layer 17.
  • the fourth electron blocking layer 17 is provided corresponding to the fourth light-emitting unit 121 and is located between the fourth sub-electron blocking unit 111 and the fourth light-emitting unit 121.
  • the material of the fourth electron blocking layer 17 can be the same as or different from the material of the third electron blocking layer 11, and this is not limited in this application.
  • the thickness of the third electron blocking layer in this embodiment is thinner than the thickness of the green electron blocking layer and thicker than the thickness of the blue electron blocking layer.
  • the microcavity lengths of the fifth and sixth light-emitting units 122 and 123 are then adjusted by adjusting the thicknesses of the fifth and sixth light-emitting units 122 and 123, respectively.
  • the microcavity lengths of the fourth light-emitting unit 121 differ significantly from those of the sixth and fifth light-emitting units 123 and 122, resulting in a technical problem in that the microcavity length of the fourth light-emitting unit 121 cannot be adjusted by adjusting the thickness of the fourth light-emitting unit 121.
  • the present application provides the fourth electron blocking layer 17 and utilizes the fourth electron blocking layer 17 to increase the microcavity length of the fourth light-emitting unit 121 .
  • Example 2 Vop (V) 100% 99% 99% 98% C.E. (Cd/A) 100% 103% 104% 105% Lifespan (hrs) @ 25°C 100% 102% 102% 102% Lifespan (hrs) @80°C 100% 105% 104% 109% Lifespan (hrs) @-20°C 100% 112% 114% 120%
  • the comparative example in Table 1 is a design scheme in which three fine metal masks are used to respectively prepare the first sub-electron blocking unit, the second sub-electron blocking unit and the third sub-electron blocking unit to form the first electron blocking layer, and three fine metal masks are used to respectively prepare the fourth sub-electron blocking unit, the fifth sub-electron blocking unit and the sixth sub-electron blocking unit to form the third electron blocking layer.
  • the operating voltages (Vop) of Examples 1, 2, and 3 are all lower than the operating voltage (Vop) of the comparative example.
  • Lower operating voltages mean lower power consumption.
  • Example 1 As shown in Table 1, the current efficiency (C.E.) of Example 1, Example 2, and Example 3 is improved relative to the current efficiency (C.E.) of the comparative example. This shows that the design of the present application can improve the working efficiency of the light-emitting device.
  • the lifetime (hrs) @ 25°C refers to the service life of the light-emitting device at room temperature of 25°C.
  • the lifetime (hrs) @ 25°C of Examples 1, 2, and 3 are all improved compared to the lifetime (hrs) @ 25°C of the comparative example. This shows that the design of the present application can extend the service life of the light-emitting device.
  • the lifetime (hrs) @ 80°C refers to the service life of the light-emitting device at a high temperature of 80°C.
  • the lifetime (hrs) @ 80°C of Examples 1, 2, and 3 are all improved compared to the lifetime (hrs) @ 80°C of the comparative example. This shows that the design of the present application can extend the service life of the light-emitting device.
  • the lifetime (hrs) @ -20°C refers to the service life of the light-emitting device at a low temperature of -20°C.
  • the lifetime (hrs) @ -20°C of Examples 1, 2, and 3 are all improved compared to the lifetime (hrs) @ -20°C of the comparative example. This shows that the design of the present application can extend the service life of the light-emitting device.
  • An embodiment of the present application also provides a display panel, as shown in Figure 5, which is a structural schematic diagram of the display panel provided by an embodiment of the present application.
  • the display panel 200 includes a light-emitting device 100, which can be the light-emitting device 100 provided by any of the above embodiments.
  • the light-emitting device 100 can achieve the same technical effects as the above embodiments in the display panel 200.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请涉及一种发光器件及显示面板，发光器件包括依次层叠设置的第一电极、第一电子阻挡层、第一发光层以及第二电极，第一子电子阻挡单元和第三子电子阻挡单元的材质均与第二子电子阻挡单元的材质相同，第三发光单元包括第一主体材料以及第二主体材料。

Description

发光器件及显示面板
本申请要求于2024年4月18日提交的申请号为202410473149.5的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及显示面板。
 背景技术
随着显示技术的发展，有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）技术已广泛应用于显示行业，比如近年来已在车载显示器、电脑显示器、电视机屏幕、手机屏幕、商业显示等领域得到了越来越广泛的应用，具有广阔的应用前景。OLED相对于液晶显示（Liquid Crystal Display，LCD）具有自发光，广视角，高对比度，响应时间短，低功耗等优点，是新一代的可柔性显示。由于OLED可制成柔性产品，可自定义其外观形态，应用于柔性显示具有很广泛的前景。因OLED自身的各种优点，所以汽车厂和供应商也纷纷研发OLED技术，从传统的仪表、中控到平视显示（Head Up Display，HUD）、流媒体后视镜、照明等均有涉及。
 发明概述
OLED本身也存在一定的缺点，主要表现在结构复杂、工艺难度大、生产成本高、效率低、功耗高以及寿命短等方面。
本申请提供一种发光器件，其包括：依次层叠设置的第一电极、第一电子阻挡层、第一发光层以及第二电极；其中，所述第一发光层包括发光颜色互不相同的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述第一发光单元的波长大于所述第二发光单元的波长，所述第二发光单元的波长大于所述第三发光单元的波长；其中，所述第一电子阻挡层包括对应于所述第一发光单元的第一子电子阻挡单元、对应于所述第二发光单元的第二子电子阻挡单元和对应于所述第三发光单元的第三子电子阻挡单元；其中，所述第一子电子阻挡单元和所述第三子电子阻挡单元的材质均与所述第二子电子阻挡单元的材质相同；所述第二发光单元的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV，所述第三发光单元的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括发光器件，所述发光器件包括：依次层叠设置的第一电极、第一电子阻挡层、第一发光层以及第二电极；其中，所述第一发光层包括发光颜色互不相同的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述第一发光单元的波长大于所述第二发光单元的波长，所述第二发光单元的波长大于所述第三发光单元的波长；其中，所述第一电子阻挡层包括对应于所述第一发光单元的第一子电子阻挡单元、对应于所述第二发光单元的第二子电子阻挡单元和对应于所述第三发光单元的第三子电子阻挡单元；其中，所述第一子电子阻挡单元和所述第三子电子阻挡单元的材质均与所述第二子电子阻挡单元的材质相同；所述第二发光单元的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV，所述第三发光单元的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例1的发光器件的结构示意图；
图2是本申请实施例2的发光器件的结构示意图；
图3是本申请实施例3的发光器件的结构示意图；
图4是本申请实施例4的发光器件的结构示意图；
图5是本申请的实施例的显示面板的结构示意图。
附图标记说明：
100、发光器件；200、显示面板；
1、第一电极；2、第一电子阻挡层；3、第一发光层；4、第二电极；5、第二电子阻挡层；6、空穴注入层；7、第一空穴传输层；8、第一空穴阻挡层；9、第一电子注入层；10、光取出层；11、第三电子阻挡层；12、第二发光层；13、第二空穴阻挡层；14、第一电荷产生层；15、第二电荷产生层；16、第二空穴传输层；17、第四电子阻挡层；
31、第一发光单元；32、第二发光单元；33、第三发光单元；
21、第一子电子阻挡单元；22、第二子电子阻挡单元；23、第三子电子阻挡单元；
121、第四发光单元；122、第五发光单元；123、第六发光单元；
111、第四子电子阻挡单元；112、第五子电子阻挡单元；113、第六子电子阻挡单元。
 本发明的实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体地限定。
本申请可以在不同实施中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
本发明提供一种发光器件，其包括：依次层叠设置的第一电极、第一电子阻挡层、第一发光层以及第二电极；其中，所述第一发光层包括发光颜色互不相同的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述第一发光单元的波长大于所述第二发光单元的波长，所述第二发光单元的波长大于所述第三发光单元的波长；其中，所述第一电子阻挡层包括对应于所述第一发光单元的第一子电子阻挡单元、对应于所述第二发光单元的第二子电子阻挡单元和对应于所述第三发光单元的第三子电子阻挡单元；其中，所述第一子电子阻挡单元和所述第三子电子阻挡单元的材质均与所述第二子电子阻挡单元的材质相同；所述第二发光单元的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV，所述第三发光单元的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
在一些实施例中，所述第三发光单元包括：第一主体材料以及第二主体材料；所述第三发光单元的所述第一主体材料的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV；或者所述第三发光单元的所述第二主体材料的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
在一些实施例中，所述第一主体材料包括第一N型材料、第一P型材料以及第一PN型材料中的一者，所述第二主体材料包括所述第一N型材料、所述第一P型材料以及所述第一PN型材料中的另一者；或者，所述第一主体材料和所述第二主体材料均为所述第一PN型材料；其中，所述第一N型材料和所述第一PN型材料的LUMO能级范围均为-2.05eV至3.32eV，所述第一P型材料和所述第一PN型材料的HOMO 能级范围均为-5.46eV至-6.54eV，所述第一P型材料的HOMO 能级与所述第一N型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第一PN型材料的HOMO 能级与所述第一PN型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6eV，所述第一主体材料的LUMO能级和所述第二主体材料的LUMO能级的差值的绝对值范围为0.2eV至0.4 eV。
在一些实施例中，所述第一主体材料中的所述第一N型材料和所述第二主体材料中的所述第一N型材料之和与所述第一主体材料中的所述第一P型材料和所述第二主体材料中的所述第一P型材料之和的质量比的范围为5:5-7:3。
在一些实施例中，所述发光器件还包括：第二电子阻挡层，与所述第一发光单元对应设置，且位于所述第一子电子阻挡单元与所述第一发光单元之间。
在一些实施例中，所述发光器件还包括：依次层叠设置的第三电子阻挡层和第二发光层；其中，所述第二发光层设置于所述第一电子阻挡层与所述第一电极之间或者设置于所述第一发光层与所述第二电极之间；其中，所述第二发光层包括发光颜色互不相同的第四发光单元、第五发光单元和第六发光单元，所述第四发光单元、所述第五发光单元、和所述第六发光单元的发光颜色分别与所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元的发光颜色相同；其中，所述第三电子阻挡层包括对应于所述第四发光单元的第四子电子阻挡单元、对应于所述第五发光单元的第五子电子阻挡单元和对应于所述第六发光单元的第六子电子阻挡单元。
在一些实施例中，所述第四子电子阻挡单元和所述第六子电子阻挡单元的材质均与所述第五子电子阻挡单元的材质相同；所述第五发光单元的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV；所述第六发光单元的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
在一些实施例中，所述第六发光单元包括：第三主体材料以及第四主体材料；所述第六发光单元的所述第三主体材料的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV；或者所述第六发光单元的所述第四主体材料的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
在一些实施例中，所述第三主体材料包括第二N型材料、第二P型材料以及第二PN型材料中的一者，所述第四主体材料包括所述第二N型材料、所述第二P型材料以及所述第二PN型材料中的另一者；或者，所述第三主体材料和所述第四主体材料均为所述第二PN型材料；其中，所述第二N型材料和所述第二PN型材料的LUMO能级范围均为-2.05eV至3.32eV，所述第二P型材料和所述第二PN型材料的HOMO 能级范围均为-5.46eV至-6.54eV，所述第二P型材料的HOMO 能级与所述第二N型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第二PN型材料的HOMO 能级与所述第二PN型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6eV，所述第三主体材料的LUMO能级和所述第四主体材料的LUMO能级的差值的绝对值范围为0.2eV至0.4 eV。
在一些实施例中，所述发光器件还包括：第四电子阻挡层，与所述第四发光单元对应设置，且位于所述第四子电子阻挡单元与所述第四发光单元之间。
本申请的第一子电子阻挡单元和所述第三子电子阻挡单元的材质均与所述第二子电子阻挡单元的材质相同，可以简化第一电子阻挡层的结构，缩减生产成本；本发明可以采用一道普通金属掩膜板同时制备第一子电子阻挡单元、第三子电子阻挡单元以及第二子电子阻挡单元形成第一电子阻挡层，相较于采用三道精细金属掩膜板制备第一子电子阻挡单元、第三子电子阻挡单元以及第二子电子阻挡单元，可以降低掩膜板成本，进一步缩减生产成本。
本申请的第三发光单元包括第一主体材料以及第二主体材料，利用第一主体材料和第二主体材料延缓电子在第三发光单元的传输，改善第一电子阻挡层给第三发光单元带来的空穴传输，改善第一主体材料以及第二主体材料到第三发光单元中的第一掺杂材料的能量传输，可以使激子复合区域向第三发光单元内侧移动，拓宽激子复合区域，延缓发光器件的老化，延长发光器件的使用寿命，使发光器件工作电压降低，并且提升发光器件的电流效率，提高发光器件的发光亮度。
本申请的第四子电子阻挡单元和所述第六子电子阻挡单元的材质均与所述第五子电子阻挡单元的材质相同，可以简化第三电子阻挡层的结构，缩减生产成本；本发明可以采用一道普通金属掩膜板同时制备第四子电子阻挡单元、第六子电子阻挡单元以及第五子电子阻挡单元形成第三电子阻挡层，相较于采用三道精细金属掩膜板制备第四子电子阻挡单元、第六子电子阻挡单元以及第五子电子阻挡单元，可以降低掩膜板成本，进一步缩减生产成本。
本申请的第六发光单元包括第三主体材料以及第四主体材料，利用第三主体材料和第四主体材料延缓电子在第六发光单元的传输，改善第三电子阻挡层给第六发光单元带来的空穴传输，改善第三主体材料以及第四主体材料到第六发光单元中的第二掺杂材料的能量传输，可以使激子复合区域向第六发光单元内侧移动，拓宽激子复合区域，延缓发光器件的老化，延长发光器件的使用寿命，使发光器件工作电压降低，并且提升发光器件的电流效率，提高发光器件的发光亮度。
实施例1
如图1所示，本实施例提供本申请提供一种发光器件100。发光器件100包括：依次层叠设置的第一电极1、第一电子阻挡层2、第一发光层3以及第二电极4。
其中，第一电极1可以是单层ITO结构，也可以是ITO/Ag/ITO的叠层结构，本申请对此不作限定。
其中，第一发光层3包括发光颜色互不相同的第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33，所述第一发光单元31的波长大于所述第二发光单元32的波长，所述第二发光单元32的波长大于所述第三发光单元33的波长。本实施例中，第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33分别为红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元。其中，第一发光层3的厚度范围为15nm-40nm。第一发光单元31、第二发光单元32和第三发光单元33可以采用相同的主体-掺杂（Host-Dopant）材料或者采用不同的Host-Dopant材料。第三发光单元33可以是荧光材料、TADF材料、超荧光材料、磷光材料等，第一发光单元31、第二发光单元32可以采用单一型主体-掺杂（Single Host-Dopant）磷光类型材料，也可以采用混合型主体-掺杂（Pre-mix Host-Dopant）材料。
其中，第一电子阻挡层2包括对应于所述第一发光单元31的第一子电子阻挡单元21、对应于所述第二发光单元32的第二子电子阻挡单元22和对应于所述第三发光单元33的第三子电子阻挡单元23。本实施例中，第一子电子阻挡单元21、第二子电子阻挡单元22以及第三子电子阻挡单元23分别为红色电子阻挡单元、绿色电子阻挡单元以及蓝色电子阻挡单元。其中，第一电子阻挡层2的厚度范围为5nm-50nm。第一电子阻挡层2采用具有空穴传输与电子阻挡作用的材料，不局限于1种材料或多种。
其中，第一子电子阻挡单元21和所述第三子电子阻挡单元23的材质均与所述第二子电子阻挡单元22的材质相同，所述第二发光单元32的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元22的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV，所述第三发光单元33的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元22的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。由此可以简化第一电子阻挡层2的结构，缩减生产成本；可以采用一道普通金属掩膜板同时制备第一子电子阻挡单元21、第三子电子阻挡单元23以及第二子电子阻挡单元22形成第一电子阻挡层2，相较于采用三道精细金属掩膜板制备第一子电子阻挡单元21、第三子电子阻挡单元23以及第二子电子阻挡单元22，可以降低掩膜板成本，进一步缩减生产成本。
其中，第三发光单元33包括：第一主体材料以及第二主体材料。所述第三发光单元的所述第一主体材料的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元22的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV；或者所述第三发光单元33的所述第二主体材料的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元22的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
其中，第一主体材料包括第一N型材料、第一P型材料以及第一PN型材料中的一者，所述第二主体材料包括所述第一N型材料、所述第一P型材料以及所述第一PN型材料中的另一者；或者，所述第一主体材料和所述第二主体材料均为所述第一PN型材料；其中，所述第一N型材料的LUMO和所述第一PN型材料能级范围均为-2.05eV至3.32eV，所述第一P型材料的HOMO和所述第一PN型材料能级范围均为-5.46eV至-6.54eV，所述第一P型材料的HOMO 能级与所述第一N型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第一PN型材料的HOMO 能级与所述第一PN型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第一主体材料的LUMO能级和所述第二主体材料的LUMO能级的差值的绝对值范围为0.2eV至0.4 eV。
由于第二子电子阻挡单元22的HOMO能级与第一发光单元31的HOMO能级差别较小，因此将第一子电子阻挡单元21的材料设置成与第二子电子阻挡单元22的材料相同，对第一发光单元31的性能影响较小。但是，第二子电子阻挡单元22的HOMO能级与第三发光单元33的HOMO能级差别较大，因此将第三子电子阻挡单元23的材料设置成与第二子电子阻挡单元22的材料相同，对第三发光单元的性能影响较大。
本申请利用第一主体材料和第二主体材料延缓电子在第三发光单元33的传输，改善第一电子阻挡层2给第三发光单元33带来的空穴传输，改善第一主体材料以及第二主体材料到第三发光单元33中的第一掺杂材料的能量传输，可以使激子复合区域向第三发光单元33内侧移动，拓宽激子复合区域，延缓发光器件100的老化，延长发光器件100的使用寿命，使发光器件100的工作电压降低，并且提升发光器件100的电流效率，提高发光器件100的发光亮度。
其中，第一主体材料中的所述第一N型材料和所述第二主体材料中的所述第一N型材料之和与所述第一主体材料中的所述第一P型材料和所述第二主体材料中的所述第一P型材料之和的质量比的范围为5:5-7:3。通过调整第一N型材料之和与第一P型材料之和的质量比，使得第一N型材料和第一P型材料的质量配比合适，拓宽了激子复合区域，可以降低激子淬灭，提高发光器件100的发光效率，同时可以使激子复合区域向第三发光单元33内侧移动，从而改善界面老化，延长发光器件100的使用寿命。
其中，第二电极4 的材质包括Mg-Ag、Ag、Al、Al-Ca等合金。本实施例中，第一电极1为阳极，第二电极4为阴极，在其他实施例中也可以，第一电极1为阴极，第二电极4为阳极。其中，第二电极4的厚度范围为9nm-15nm。
其中，发光器件100还包括第二电子阻挡层5。第二电子阻挡层5与所述第一发光单元31对应设置，且位于所述第一子电子阻挡单元21与所述第一发光单元31之间。其中，第二电子阻挡层5的材质可以与第一电子阻挡层2的材质相同，也可以与第一电子阻挡层2的材质不同，本申请对此不进行限定。
由于第二发光单元32的微腔长度与第三发光单元33的微腔长度差异较小，因此，本实施例中的第一电子阻挡层的厚度相较于绿色电子阻挡层的厚度较薄，相较于蓝色电子阻挡层的厚度较厚，然后通过分别调整第二发光单元32的厚度和第三发光单元33的厚度以调整第二发光单元32的微腔长度和第三发光单元的微腔长度。但是，第一发光单元31的微腔长度与第三发光单元33和第二发光单元32的微腔长度差异较大，存在无法通过调整第一发光单元31的厚度以调整第一发光单元31的微腔长度的技术问题。
因此，本申请通过设置第二电子阻挡层5，利用第二电子阻挡层5增加第一发光单元31的微腔长度。
如图1所示，发光器件100还包括：空穴注入层6、第一空穴传输层7、第一空穴阻挡层8、第一电子注入层9以及光取出层10。
其中，空穴注入层6采用空穴注入类、强氧化剂的掺杂、芳香类空穴传输的材料，不局限于1中或多种材料，但均使用1个蒸镀腔室蒸镀。其中，空穴注入层6的厚度范围为7nm-15nm。
其中，第一空穴传输层7采用空穴传输类的材料，不局限于1种材料或多种。其中，第一空穴传输层7的厚度范围为80nm-150nm。
其中，第一空穴阻挡层8采用具有阻挡空穴和传输电子的材料，不局限于1种材料或多种。其中，第一空穴阻挡层8的厚度范围为5nm-15nm。
其中，第一电子注入层9可以是ET类材料与LiQ的掺杂，不局限于1种材料或多种。ET类材料是含有吸电子官能团和高电子传输能力基团，如缺电子氮杂环、蒽类结构；ET类材料的作用是增强电子迁移率，降低器件驱动电压和提升性能。其中，第一电子注入层9的厚度范围为20nm-35nm。
其中，光取出层10设置于第二电极4远离第一电极1的一侧。光取出层10可以采用折射率≥2.0的高折射率的材料，不局限于1种或多种组合材料。其中，光取出层10的厚度范围为50nm-90nm。
实施例2
如图2所示，本实施例包括了实施例1的大部分技术特征，本实施例与实施例1的区别在于：本实施例中的发光器件100还包括：依次层叠设置的第三电子阻挡层11和第二发光层12。
其中，第二发光层12设置于所述第一电子阻挡层2与所述第一电极1之间或者设置于所述第一发光层3与所述第二电极4之间。本实施例中，第二发光层12设置于所述第一发光层3与所述第二电极4之间。
其中，第二发光层12包括发光颜色互不相同的第四发光单元121、第五发光单元122和第六发光单元123，所述第四发光单元121、所述第五发光单元122、和所述第六发光单元123的发光颜色分别与所述第一发光单元31、所述第二发光单元32和所述第三发光单元33的发光颜色相同。即，本实施例中，第四发光单元121、第五发光单元122和第六发光单元123同样分别为红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元。通过设置第二发光层12，可以增加发光器件100的亮度。
其中，第三电子阻挡层11包括对应于所述第四发光单元121的第四子电子阻挡单元111、对应于所述第五发光单元122的第五子电子阻挡单元112、和对应于所述第六发光单元123的第六子电子阻挡单元113。本实施例中的第三电子阻挡层11与第一电子阻挡层2的区别在于，第四子电子阻挡单元111、第五子电子阻挡单元112以及第六子电子阻挡单元113分别采用三道精细金属掩膜板（Fine Metal Mask）制备形成，并非采用一道普通金属掩膜板（Common Metal Mask）制备形成。
其中，发光器件100还包括：第二空穴阻挡层13、第一电荷产生层14、第二电荷产生层15、第二空穴传输层16。
其中，第二空穴阻挡层13设置于第一发光层3与第三电子阻挡层11之间。第二空穴阻挡层13采用具有阻挡空穴和传输电子的材料，不局限于1种材料或多种。其中，第二空穴阻挡层13的厚度范围为5nm-15nm。
其中，第一电荷产生层14设置于第二空穴阻挡层13与第三电子阻挡层11之间。本实施例中，第一电荷产生层14为N型电荷产生层，可以采用电子传输类材料与金属离子掺杂（Yb、Li、Na、CS等）的化合物。其中，第一电荷产生层14的厚度范围为7nm-18nm。
其中，第二电荷产生层15设置于第一电荷产生层14与第三电子阻挡层11之间。本实施例中，第二电荷产生层15为P型电荷产生层，可以采用P型掺杂的强氧化剂与空穴传输类材料，不限于1中与多种材料。其中，第二电荷产生层15的厚度范围为7nm-15nm。
其中，第二空穴传输层16设置于第二电荷产生层15与第三电子阻挡层11之间。第二空穴传输层16采用空穴传输类的材料，不局限于1种材料或多种。其中，第二空穴传输层16的厚度范围为80nm-150nm。
实施例3
如图3所示，本实施例包括了实施例1的大部分技术特征，本实施例与实施例1的区别在于：本实施例中的发光器件100还包括：依次层叠设置的第三电子阻挡层11和第二发光层12。
其中，第二发光层12设置于所述第一电子阻挡层2与所述第一电极1之间或者设置于所述第一发光层3与所述第二电极4之间。本实施例中，第二发光层12设置于所述第一电子阻挡层2与所述第一电极1之间。
其中，第二发光层12包括发光颜色互不相同的第四发光单元121、第五发光单元122和第六发光单元123，所述第四发光单元121、所述第五发光单元122、和所述第六发光单元123的发光颜色分别与所述第一发光单元31、所述第二发光单元32和所述第三发光单元33的发光颜色相同。即，本实施例中，第四发光单元121、第五发光单元122和第六发光单元123同样分别为红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元。通过设置第二发光层12，可以增加发光器件100的亮度。
其中，第三电子阻挡层11包括分别对应于所述第四发光单元121的第四子电子阻挡单元111、对应于所述第五发光单元122的第五子电子阻挡单元112、和对应于所述第六发光单元123的第六子电子阻挡单元113。本实施例中的第三电子阻挡层11与第一电子阻挡层2的区别在于，第四子电子阻挡单元111、第五子电子阻挡单元112以及第六子电子阻挡单元113分别采用三道精细金属掩膜板（Fine Metal Mask）制备形成，并非采用一道普通金属掩膜板（Common Metal Mask）制备形成。
其中，发光器件100还包括：第二空穴阻挡层13、第一电荷产生层14、第二电荷产生层15、第二空穴传输层16。
其中，第二空穴阻挡层13设置于第二发光层12与第一电子阻挡层2之间。第二空穴阻挡层13采用具有阻挡空穴和传输电子的材料，不局限于1种材料或多种。其中，第二空穴阻挡层13的厚度范围为5nm-15nm。
其中，第一电荷产生层14设置于第二空穴阻挡层13与第一电子阻挡层2之间。本实施例中，第一电荷产生层14为N型电荷产生层，可以采用电子传输类材料与金属离子掺杂（Yb、Li、Na、CS等）的化合物。其中，第一电荷产生层14的厚度范围为7nm-18nm。
其中，第二电荷产生层15设置于第一电荷产生层14与第一电子阻挡层2之间。本实施例中，第二电荷产生层15为P型电荷产生层，可以采用P型掺杂的强氧化剂与空穴传输类材料，不限于1中与多种材料。其中，第二电荷产生层15的厚度范围为7nm-15nm。
其中，第二空穴传输层16设置于第二电荷产生层15与第一电子阻挡层2之间。第二空穴传输层16采用空穴传输类的材料，不局限于1种材料或多种。其中，第二空穴传输层16的厚度范围为80nm-150nm。
实施例4
如图4所示，本实施例包括了实施例1的大部分技术特征，本实施例与实施例1的区别在于：本实施例中的发光器件100还包括：依次层叠设置的第三电子阻挡层11和第二发光层12。
其中，第二发光层12设置于所述第一电子阻挡层2与所述第一电极1之间或者设置于所述第一发光层3与所述第二电极4之间。本实施例中，第二发光层12设置于所述第一发光层3与所述第二电极4之间。
其中，第二发光层12包括发光颜色互不相同的第四发光单元121、第五发光单元122和第六发光单元123，所述第四发光单元121、所述第五发光单元122、和所述第六发光单元123的发光颜色分别与所述第一发光单元31、所述第二发光单元32和所述第三发光单元33的发光颜色相同。即，本实施例中，第四发光单元121、第五发光单元122和第六发光单元123同样分别为红色发光单元、绿色发光单元以及蓝色发光单元。通过设置第二发光层12，可以增加发光器件100的亮度。
其中，第三电子阻挡层11包括对应于所述第四发光单元121的第四子电子阻挡单元111、对应于所述第五发光单元122的第五子电子阻挡单元112、和对应于所述第六发光单元123的第六子电子阻挡单元113。本实施例中，第四子电子阻挡单元111、第五子电子阻挡单元112以及第六子电子阻挡单元113分别为红色电子阻挡单元、绿色电子阻挡单元以及蓝色电子阻挡单元。其中，第三电子阻挡层11的厚度范围为5nm-50nm。第三电子阻挡层11采用具有空穴传输与电子阻挡作用的材料，不局限于1种材料或多种。
其中，第四子电子阻挡单元111和所述第六子电子阻挡单元113的材质均与所述第五子电子阻挡单元112的材质相同；所述第五发光单元122的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元112的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV；所述第六发光单元123的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元112的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。由此可以简化第三电子阻挡层11的结构，缩减生产成本；可以采用一道普通金属掩膜板同时制备第四子电子阻挡单元111、第五子电子阻挡单元112以及第六子电子阻挡单元113形成第三电子阻挡层11，相较于采用三道精细金属掩膜板制备第四子电子阻挡单元111、第五子电子阻挡单元112以及第六子电子阻挡单元113，可以降低掩膜板成本，进一步缩减生产成本。
其中，第六发光单元123包括：第三主体材料以及第四主体材料；所述第六发光单元123的所述第三主体材料的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元112的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV；或者所述第六发光单元123的所述第四主体材料的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元112的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
其中，所述第三主体材料包括第二N型材料、第二P型材料以及第二PN型材料中的一者，所述第四主体材料包括所述第二N型材料、所述第二P型材料以及所述第二PN型材料中的另一者；或者，所述第三主体材料和所述第四主体材料均为所述第二PN型材料；其中，所述第二N型材料和所述第二PN型材料的LUMO能级范围均为-2.05eV至3.32eV，所述第二P型材料的HOMO 能级和所述第二PN型材料范围均为-5.46eV至-6.54eV，所述第二P型材料的HOMO 能级与所述第二N型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第二PN型材料的HOMO 能级与所述第二PN型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第三主体材料的LUMO能级和所述第四主体材料的LUMO能级的差值的绝对值范围为0.2eV至0.4 eV。
由于第五子电子阻挡单元112的HOMO能级与第四发光单元121的HOMO能级差别较小，因此将第四子电子阻挡单元111的材料设置成与第五子电子阻挡单元112的材料相同，对第四发光单元121的性能影响较小。但是，第五子电子阻挡单元112的HOMO能级与第六发光单元123的HOMO能级差别较大，因此将第六子电子阻挡单元113的材料设置成与第五子电子阻挡单元112的材料相同，对第六发光单元123的性能影响较大。
本申请利用第一主体材料和第二主体材料延缓电子在第六发光单元123的传输，改善第三电子阻挡层11给第六发光单元123带来的空穴传输，改善第一主体材料以及第二主体材料到第六发光单元123中的第一掺杂材料的能量传输，可以使激子复合区域向第六发光单元123内侧移动，拓宽激子复合区域，延缓发光器件100的老化，延长发光器件100的使用寿命，使发光器件100的工作电压降低，并且提升发光器件100的电流效率，提高发光器件100的发光亮度。
其中，发光器件100还包括：第二空穴阻挡层13、第一电荷产生层14、第二电荷产生层15、第二空穴传输层16。
其中，第二空穴阻挡层13设置于第一发光层3与第三电子阻挡层11之间。第二空穴阻挡层13采用具有阻挡空穴和传输电子的材料，不局限于1种材料或多种。其中，第二空穴阻挡层13的厚度范围为5nm-15nm。
其中，第一电荷产生层14设置于第二空穴阻挡层13与第三电子阻挡层11之间。本实施例中，第一电荷产生层14为N型电荷产生层，可以采用电子传输类材料与金属离子掺杂（Yb、Li、Na、CS等）的化合物。其中，第一电荷产生层14的厚度范围为7nm-18nm。
其中，第二电荷产生层15设置于第一电荷产生层14与第三电子阻挡层11之间。本实施例中，第二电荷产生层15为P型电荷产生层，可以采用P型掺杂的强氧化剂与空穴传输类材料，不限于1中与多种材料。其中，第二电荷产生层15的厚度范围为7nm-15nm。
其中，第二空穴传输层16设置于第二电荷产生层15与第三电子阻挡层11之间。第二空穴传输层16采用空穴传输类的材料，不局限于1种材料或多种。其中，第二空穴传输层16的厚度范围为80nm-150nm。
其中，发光器件100还包括第四电子阻挡层17。第四电子阻挡层17与所述第四发光单元121对应设置，且位于所述第四子电子阻挡单元111与所述第四发光单元121之间。其中，第四电子阻挡层17的材质可以与第三电子阻挡层11的材质相同，也可以与第三电子阻挡层11的材质不同，本申请对此不进行限定。
由于第五发光单元122的微腔长度与第六发光单元123的微腔长度差异较小，因此，本实施例中的第三电子阻挡层的厚度相较于绿色电子阻挡层的厚度较薄，相较于蓝色电子阻挡层的厚度较厚，然后通过分别调整第五发光单元122的厚度和第六发光单元123的厚度以调整第五发光单元122的微腔长度和第六发光单元123的微腔长度。但是，第四发光单元121的微腔长度与第六发光单元123和第五发光单元122的微腔长度差异较大，存在无法通过调整第四发光单元121的厚度以调整第四发光单元121的微腔长度的技术问题。
因此，本申请通过设置第四电子阻挡层17，利用第四电子阻挡层17增加第四发光单元121的微腔长度。
表一
参数 对比例 实施例1 实施例2 实施例3
Vop（V） 100% 99% 99% 98%
C.E.（Cd/A） 100% 103% 104% 105%
寿命（hrs）@25℃ 100% 102% 102% 102%
寿命（hrs）@80℃ 100% 105% 104% 109%
寿命（hrs）@-20℃ 100% 112% 114% 120%
其中，表一中对比例为采用三道精细金属掩膜板分别制备第一子电子阻挡单元、第二子电子阻挡单元以及第三子电子阻挡单元形成第一电子阻挡层，采用三道精细金属掩膜板分别制备第四子电子阻挡单元、第五子电子阻挡单元以及第六子电子阻挡单元形成第三电子阻挡层的设计方案。
如表一所示，实施例1、实施例2及实施例3的工作电压（Vop）相对于对比例的工作电压（Vop）均降低了，工作电压降低即意味着可以降低功耗。
如表一所示，实施例1、实施例2及实施例3的电流效率（Current Efficiency，C.E.）相对于对比例的电流效率（C.E.）均提升了，由此可见，本申请的设计方案可以提升发光器件的工作效率。
如表一所示，寿命（hrs）@25℃指的是发光器件在25℃的常温状态下的使用寿命。实施例1、实施例2及实施例3的寿命（hrs）@25℃相对于对比例的寿命（hrs）@25℃均提升了，由此可见，本申请的设计方案可以提升发光器件的使用寿命。
如表一所示，寿命（hrs）@80℃指的是发光器件在80℃的高温状态下的使用寿命。实施例1、实施例2及实施例3的寿命（hrs）@80℃相对于对比例的寿命（hrs）@80℃均提升了，由此可见，本申请的设计方案可以提升发光器件的使用寿命。
如表一所示，寿命（hrs）@-20℃指的是发光器件在-20℃的低温状态下的使用寿命。实施例1、实施例2及实施例3的寿命（hrs）@-20℃相对于对比例的寿命（hrs）@-20℃均提升了，由此可见，本申请的设计方案可以提升发光器件的使用寿命。
本申请的实施例还提供了一种显示面板，如图5所示，图5为本申请的实施例提供的显示面板的结构示意图，显示面板200包括发光器件100，发光器件100可以为上述任意一个实施例提供的发光器件100，发光器件100可以在显示面板200中实现与上述实施例相同的技术效果。
以上对本申请所提供的一种发光器件进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (20)

  1. 一种发光器件，包括：依次层叠设置的第一电极（1）、第一电子阻挡层（2）、第一发光层（3）以及第二电极（4）；
    其中，所述第一发光层（3）包括发光颜色互不相同的第一发光单元（31）、第二发光单元（32）和第三发光单元（33），所述第一发光单元（31）的波长大于所述第二发光单元（32）的波长，所述第二发光单元（32）的波长大于所述第三发光单元（33）的波长；
    其中，所述第一电子阻挡层（2）包括对应于所述第一发光单元（31）的第一子电子阻挡单元（21）、对应于所述第二发光单元（32）的第二子电子阻挡单元（22）和对应于所述第三发光单元（33）的第三子电子阻挡单元（23）；
    其中，所述第一子电子阻挡单元（21）和所述第三子电子阻挡单元（23）的材质均与所述第二子电子阻挡单元（22）的材质相同；
    所述第二发光单元（32）的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元（22）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV，所述第三发光单元（33）的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元（22）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
  2. 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第三发光单元（33）包括：第一主体材料以及第二主体材料；
    所述第三发光单元（33）的所述第一主体材料的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元（22）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV；或者
    所述第三发光单元（33）的所述第二主体材料的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元（22）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
  3. 根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一主体材料包括第一N型材料、第一P型材料以及第一PN型材料中的一者，所述第二主体材料包括所述第一N型材料、所述第一P型材料以及所述第一PN型材料中的另一者；或者，所述第一主体材料和所述第二主体材料均为所述第一PN型材料；
    其中，所述第一N型材料和所述第一PN型材料的LUMO能级范围均为-2.05eV至3.32eV，所述第一P型材料和所述第一PN型材料的HOMO 能级范围均为-5.46eV至-6.54eV，所述第一P型材料的HOMO 能级与所述第一N型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第一PN型材料的HOMO 能级与所述第一PN型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第一主体材料的LUMO能级和所述第二主体材料的LUMO能级的差值的绝对值范围为0.2eV至0.4 eV。
  4. 根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一主体材料中的所述第一N型材料和所述第二主体材料中的所述第一N型材料之和与所述第一主体材料中的所述第一P型材料和所述第二主体材料中的所述第一P型材料之和的质量比的范围为5:5-7:3。
  5. 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括：
    第二电子阻挡层（5），与所述第一发光单元（31）对应设置，且位于所述第一子电子阻挡单元（21）与所述第一发光单元（31）之间。
  6. 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括：依次层叠设置的第三电子阻挡层（11）和第二发光层（12）；
    其中，所述第二发光层（12）设置于所述第一电子阻挡层（2）与所述第一电极（1）之间或者设置于所述第一发光层（3）与所述第二电极（4）之间；
    其中，所述第二发光层（12）包括发光颜色互不相同的第四发光单元（121）、第五发光单元（122）和第六发光单元（123），所述第四发光单元（121）、所述第五发光单元（122）和所述第六发光单元（123）的发光颜色分别与所述第一发光单元（31）、所述第二发光单元（32）和所述第三发光单元（33）的发光颜色相同；
    其中，所述第三电子阻挡层（11）包括对应于所述第四发光单元（121）的第四子电子阻挡单元（111）、对应于所述第五发光单元（122）的第五子电子阻挡单元（112）和对应于所述第六发光单元（123）的第六子电子阻挡单元（113）。
  7. 根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第四子电子阻挡单元（111）和所述第六子电子阻挡单元（113）的材质均与所述第五子电子阻挡单元（112）的材质相同；
    所述第五发光单元（122）的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元（112）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV；所述第六发光单元（123）的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元（112）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
  8. 根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第六发光单元（123）包括：第三主体材料以及第四主体材料；
    所述第六发光单元（123）的所述第三主体材料的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元（112）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV；或者
    所述第六发光单元（123）的所述第四主体材料的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元（112）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
  9. 根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述第三主体材料包括第二N型材料、第二P型材料以及第二PN型材料中的一者，所述第四主体材料包括所述第二N型材料、所述第二P型材料以及所述第二PN型材料中的另一者；或者，所述第三主体材料和所述第四主体材料均为所述第二PN型材料；
    其中，所述第二N型材料和所述第二PN型材料的LUMO能级范围均为-2.05eV至3.32eV，所述第二P型材料和所述第二PN型材料的HOMO 能级范围均为-5.46eV至-6.54eV，所述第二P型材料的HOMO 能级与所述第二N型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第二PN型材料的HOMO 能级与所述第二PN型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第三主体材料的LUMO能级和所述第四主体材料的LUMO能级的差值的绝对值范围为0.2eV至0.4 eV。
  10. 根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括：
    第四电子阻挡层（17），与所述第四发光单元（121）对应设置，且位于所述第四子电子阻挡单元（111）与所述第四发光单元（121）之间。
  11. 一种显示面板，所述显示面板（200）包括发光器件（100），所述发光器件包括：依次层叠设置的第一电极（1）、第一电子阻挡层（2）、第一发光层（3）以及第二电极（4）；
    其中，所述第一发光层（3）包括发光颜色互不相同的第一发光单元（31）、第二发光单元（32）和第三发光单元（33），所述第一发光单元（31）的波长大于所述第二发光单元（32）的波长，所述第二发光单元（32）的波长大于所述第三发光单元（33）的波长；
    其中，所述第一电子阻挡层（2）包括对应于所述第一发光单元（31）的第一子电子阻挡单元（21）、对应于所述第二发光单元（32）的第二子电子阻挡单元（22）和对应于所述第三发光单元（33）的第三子电子阻挡单元（23）；
    其中，所述第一子电子阻挡单元（21）和所述第三子电子阻挡单元（23）的材质均与所述第二子电子阻挡单元（22）的材质相同；
    所述第二发光单元（32）的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元（22）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV，所述第三发光单元（33）的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元（22）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
  12. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第三发光单元（33）包括：第一主体材料以及第二主体材料；
    所述第三发光单元（33）的所述第一主体材料的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元（22）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV；或者
    所述第三发光单元（33）的所述第二主体材料的HOMO能级与所述第二子电子阻挡单元（22）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
  13. 根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述第一主体材料包括第一N型材料、第一P型材料以及第一PN型材料中的一者，所述第二主体材料包括所述第一N型材料、所述第一P型材料以及所述第一PN型材料中的另一者；或者，所述第一主体材料和所述第二主体材料均为所述第一PN型材料；
    其中，所述第一N型材料和所述第一PN型材料的LUMO能级范围均为-2.05eV至3.32eV，所述第一P型材料和所述第一PN型材料的HOMO 能级范围均为-5.46eV至-6.54eV，所述第一P型材料的HOMO 能级与所述第一N型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第一PN型材料的HOMO 能级与所述第一PN型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第一主体材料的LUMO能级和所述第二主体材料的LUMO能级的差值的绝对值范围为0.2eV至0.4 eV。
  14. 根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述第一主体材料中的所述第一N型材料和所述第二主体材料中的所述第一N型材料之和与所述第一主体材料中的所述第一P型材料和所述第二主体材料中的所述第一P型材料之和的质量比的范围为5:5-7:3。
  15. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述发光器件还包括：
    第二电子阻挡层（5），与所述第一发光单元（31）对应设置，且位于所述第一子电子阻挡单元（21）与所述第一发光单元（31）之间。
  16. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述发光器件还包括：依次层叠设置的第三电子阻挡层（11）和第二发光层（12）；
    其中，所述第二发光层（12）设置于所述第一电子阻挡层（2）与所述第一电极（1）之间或者设置于所述第一发光层（3）与所述第二电极（4）之间；
    其中，所述第二发光层（12）包括发光颜色互不相同的第四发光单元（121）、第五发光单元（122）和第六发光单元（123），所述第四发光单元（121）、所述第五发光单元（122）和所述第六发光单元（123）的发光颜色分别与所述第一发光单元（31）、所述第二发光单元（32）和所述第三发光单元（33）的发光颜色相同；
    其中，所述第三电子阻挡层（11）包括对应于所述第四发光单元（121）的第四子电子阻挡单元（111）、对应于所述第五发光单元（122）的第五子电子阻挡单元（112）和对应于所述第六发光单元（123）的第六子电子阻挡单元（113）。
  17. 根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述第四子电子阻挡单元（111）和所述第六子电子阻挡单元（113）的材质均与所述第五子电子阻挡单元（112）的材质相同；
    所述第五发光单元（122）的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元（112）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.04 eV；所述第六发光单元（123）的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元（112）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
  18. 根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述第六发光单元（123）包括：第三主体材料以及第四主体材料；
    所述第六发光单元（123）的所述第三主体材料的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元（112）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV；或者
    所述第六发光单元（123）的所述第四主体材料的HOMO能级与所述第五子电子阻挡单元（112）的HOMO能级的差值的绝对值范围为0.02eV至0.03 eV。
  19. 根据权利要求18所述的显示面板，其中，所述第三主体材料包括第二N型材料、第二P型材料以及第二PN型材料中的一者，所述第四主体材料包括所述第二N型材料、所述第二P型材料以及所述第二PN型材料中的另一者；或者，所述第三主体材料和所述第四主体材料均为所述第二PN型材料；
    其中，所述第二N型材料和所述第二PN型材料的LUMO能级范围均为-2.05eV至3.32eV，所述第二P型材料和所述第二PN型材料的HOMO 能级范围均为-5.46eV至-6.54eV，所述第二P型材料的HOMO 能级与所述第二N型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第二PN型材料的HOMO 能级与所述第二PN型材料的LUMO能级的差值的绝对值大于或等于2.6 eV，所述第三主体材料的LUMO能级和所述第四主体材料的LUMO能级的差值的绝对值范围为0.2eV至0.4 eV。
  20. 根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述发光器件还包括：
    第四电子阻挡层（17），与所述第四发光单元（121）对应设置，且位于所述第四子电子阻挡单元（111）与所述第四发光单元（121）之间。
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