WO2025154757A1 - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

太陽電池及びその製造方法

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WO2025154757A1
WO2025154757A1 PCT/JP2025/001154 JP2025001154W WO2025154757A1 WO 2025154757 A1 WO2025154757 A1 WO 2025154757A1 JP 2025001154 W JP2025001154 W JP 2025001154W WO 2025154757 A1 WO2025154757 A1 WO 2025154757A1
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buffer layer
solar cell
insulating resin
photoelectric conversion
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寛 山田
善一 金丸
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    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers

Definitions

  • Patent Document 1 discloses a solar cell that uses a film-like substrate. When manufacturing this type of solar cell, it is common to simultaneously form multiple solar cells on a substrate, and then cut the substrate to separate the solar cells into individual solar cells.
  • This disclosure describes a solar cell using a film-like substrate and a manufacturing method thereof that uses a technology to prevent damage to the photoelectric conversion section and other parts during individualization and improve the reliability of the solar cell.
  • This disclosure provides a technology for preventing damage to the photoelectric conversion section and other parts during individualization in solar cells that use a film-like substrate and a method for manufacturing the same, thereby improving the reliability of the solar cells.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing the appearance of a solar cell 100 according to an embodiment of the technology disclosed herein.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view for explaining the method of manufacturing the solar cell 100.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solar cell 100, showing a cross section taken along line BB shown in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solar cell 100, showing a cross section taken along line BB shown in FIG. FIG.
  • the substrate 10 is a flexible film-like member made of an insulating material such as polyethylene naphthalate, and functions as a support for the photoelectric conversion section 20, the insulating resin 30, the buffer layer 40, and the sealing resin 50.
  • an insulating material such as polyethylene naphthalate
  • the buffer layer 40 is made of an insulating material with a lower Young's modulus than the insulating resin 30.
  • the buffer layer 40 can be made of a polyethylene-based resin.
  • the Young's modulus of the polyethylene-based resin is less than 1 GPa, which is sufficiently lower than the Young's modulus of polyimide-based resin, which is approximately 4 GPa.
  • the Young's modulus of the buffer layer 40 is preferably 1 GPa or less, and more preferably in the range of 0.8 GPa to 1 GPa.
  • the buffer layer 40 is not in contact with the photoelectric conversion section 20.
  • the buffer layer 40 may contain a filler to adjust the characteristics.
  • the sealing resin 50 plays a role in protecting the photoelectric conversion unit 20 by covering the region of the light receiving surface 22 of the photoelectric conversion unit 20 surrounded by the insulating resin 30.
  • a transparent thermoplastic resin material can be used as the material of the sealing resin 50.
  • the material of the sealing resin 50 may be the same as the material of the insulating resin 30.
  • the sealing resin 50 may not contain a filler that prevents light from passing through. In the example shown in FIG.
  • a plurality of photoelectric conversion sections 20, a plurality of insulating resins 30, a buffer layer 40, and a sealing resin 50 are formed in this order on the surface 11 of the film-like substrate 10.
  • the transparent sealing resin 50 is not shown in FIG. 3.
  • four photoelectric conversion sections 20 are formed on the surface 11 of the substrate 10. There is no particular limit to the number of photoelectric conversion sections 20 formed on the surface 11 of the substrate 10.
  • insulating resin 30 when forming the insulating resin 30, a plurality of insulating resins 30 are formed on the surface 11 of the substrate 10 so as to cover the outer edge 21 of the photoelectric conversion section 20 and the area of the light receiving surface 22 near the outer edge 21.
  • the buffer layer 40 When forming the buffer layer 40, the buffer layer 40 is formed on the surface 11 of the substrate 10 so as to cover the outer edge 31 of the insulating resin 30.
  • the insulating resin 30 and the buffer layer 40 can be formed by, for example, screen printing or inkjet printing.
  • the sealing resin 50 may be formed over almost the entire surface. In other words, when forming the sealing resin 50, the area of the photoelectric conversion section 20 surrounded by the insulating resin 30, the insulating resin 30, and the buffer layer 40 are covered by the sealing resin 50.
  • the buffer layer 40 is embedded between two adjacent solar cells 100 before singulation.
  • the buffer layer 40 is embedded between the outer edge 31 of the insulating resin 30 contained in one solar cell 100 and the outer edge 31 of the insulating resin 30 contained in the other solar cell 100.
  • the substrate 10 is cut along the dashed line C shown in FIG. 3 to separate the solar cells 100.
  • the dashed line C is located on the buffer layer 40, and therefore the substrate 10 is cut along the buffer layer 40.
  • the substrate 10 can be cut by, for example, pressing the pinnacle blade 60 as shown in FIG. 5. When the pinnacle blade 60 is pressed, not only a force F1 in the direction of the pinnacle blade 60 but also a force F2 in the left-right direction due to the thickness of the pinnacle blade 60 acts on the pressed area.
  • the upper surface 42 of the buffer layer 40 is covered with sealing resin 50, so the sealing resin 50 covering the buffer layer 40 is also cut during singulation.
  • the thickness of the sealing resin 50 located on the upper surface 42 of the buffer layer 40 is sufficiently thin, the sealing resin 50 will not be damaged during singulation.
  • the substrate 10 can be cut along the buffer layer 40 without cutting the sealing resin 50 during singulation. This prevents force from being applied to the sealing resin 50 during singulation.
  • the sealing resin 50 can be formed while avoiding the buffer layer 40.
  • the outer edge 51 of the sealing resin 50 is offset inward from the outer edge 41 of the buffer layer 40. This makes it difficult for external forces applied to the side of the solar cell 100 to be transmitted to the sealing resin 50, thereby further improving the reliability of the solar cell 100.
  • the insulating resin may be made of a thermosetting resin material
  • the buffer layer may be made of a thermoplastic resin material. This makes it possible to provide high flexibility by using the buffer layer made of a thermoplastic resin material while adequately protecting the photoelectric conversion section with the insulating resin made of a thermosetting resin material.
  • the outer edge of the substrate, the outer edge of the buffer layer, and the outer edge of the sealing resin may be flush with each other. This makes it easier to form the sealing resin.
  • the upper surface of the buffer layer parallel to the substrate may be exposed and not covered with the sealing resin. This makes it difficult for external forces acting on the side of the solar cell to be transmitted to the sealing resin.
  • a method for manufacturing a solar cell includes a first step of forming a photoelectric conversion section on the surface of a film-like substrate, a second step of forming an insulating resin on the substrate so as to cover the outer edge of the photoelectric conversion section, a third step of forming a buffer layer having a lower Young's modulus than the insulating resin on the substrate so as to cover the outer edge of the insulating resin, and a fourth step of cutting the substrate along the buffer layer to separate the substrate. This makes it possible to prevent damage to the photoelectric conversion section, etc., because the force applied during separation is absorbed by the buffer layer.
  • the above-mentioned method for manufacturing a solar cell further includes, after the third step and before the fourth step, a step of forming a sealing resin that covers at least the area of the photoelectric conversion section that is surrounded by the insulating resin, without covering the buffer layer, and in the fourth step, the substrate may be cut along the buffer layer without cutting the sealing resin. This makes it less likely that force will be applied to the sealing resin during singulation.
  • Substrate 11 Surface of substrate 12 Outer edge of substrate 20
  • Photoelectric conversion section 21 Outer edge of photoelectric conversion section 22
  • Light receiving surface 30 Insulating resin 31
  • Outer edge of insulating resin 32 Inner edge of insulating resin 33
  • Top surface of insulating resin 40 Buffer layer 41
  • Outer edge of buffer layer 42 Top surface of buffer layer 50
  • Sealing resin 51 Outer edge of sealing resin 60 Pinnacle blade 100

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】フィルム状の基板を用いた太陽電池の製造方法において、個片化時における光電変換部などの破損を防止する。 【解決手段】太陽電池（１００）の製造方法は、フィルム状の基板（１０）の表面（１１）に光電変換部（２０）を形成する第１の工程と、光電変換部（２０）の外縁部（２１）を覆うよう、基板（１０）の表面（１１）上に絶縁樹脂（３０）を形成する第２の工程と、絶縁樹脂（３０）の外縁部（３１）を覆うよう、基板（１０）の表面（１１）上に絶縁樹脂（３０）よりもヤング率の低い緩衝層（４０）を形成する第３の工程と、緩衝層（４０）に沿って基板（１０）を切断することにより個片化する第４の工程と、を備える。

Description

太陽電池及びその製造方法
　本開示は太陽電池及びその製造方法に関し、特に、フィルム状の基板を用いた太陽電池及びその製造方法に関する。
　特許文献１には、フィルム状の基板を用いた太陽電池が開示されている。この種の太陽電池を作製する際には、基板上に複数の太陽電池を同時に形成した後、基板を切断することにより、個々の太陽電池に個片化することが一般的である。
特開２０１８－０８３８７３号公報
　しかしながら、基板を切断する際には切断刃による応力が加わるため、これによって光電変換部などが破損するおそれがあった。
　本開示においては、フィルム状の基板を用いた太陽電池及びその製造方法において、個片化時における光電変換部などの破損を防止し太陽電池の信頼性を高める技術が説明される。
　本開示の一側面による太陽電池は、フィルム状の基板と、基板上に設けられた光電変換部と、基板上に設けられ、光電変換部の外縁部を覆う絶縁樹脂と、基板上に設けられ、絶縁樹脂の外縁部を覆い、絶縁樹脂よりもヤング率の低い緩衝層と、を備え、緩衝層の外縁部が露出している。
　本開示の一側面による太陽電池の製造方法は、フィルム状の基板の表面に光電変換部を形成する第１の工程と、光電変換部の外縁部を覆うよう、基板上に絶縁樹脂を形成する第２の工程と、絶縁樹脂の外縁部を覆うよう、基板上に絶縁樹脂よりもヤング率の低い緩衝層を形成する第３の工程と、緩衝層に沿って基板を切断することにより個片化する第４の工程と、を備える。
　本開示によれば、フィルム状の基板を用いた太陽電池及びその製造方法において、個片化時における光電変換部などの破損を防止し太陽電池の信頼性を高める技術が提供される。
図１は、本開示に係る技術の一実施形態による太陽電池１００の外観を示す略平面図である。 図２は、図１に示すＡ－Ａ線に沿った略断面図である。 図３は、太陽電池１００の製造方法を説明するための略平面図である。 図４は、太陽電池１００の製造方法を説明するための略断面図であり、図３に示すＢ－Ｂ線に沿った断面を示している。 図５は、太陽電池１００の製造方法を説明するための略断面図であり、図３に示すＢ－Ｂ線に沿った断面を示している。 図６は、太陽電池１００の第１の変形例による製造方法を説明するための略断面図であり、図３に示すＢ－Ｂ線に沿った断面を示している。 図７は、第１の変形例による製造方法により得られる太陽電池１００の構造を示す略断面図であり、図１に示すＡ－Ａ線に沿った断面を示している。 図８は、太陽電池１００の第２の変形例による製造方法を説明するための略断面図であり、図３に示すＢ－Ｂ線に沿った断面を示している。 図９は、第２の変形例による製造方法により得られる太陽電池１００の構造を示す略断面図であり、図１に示すＡ－Ａ線に沿った断面を示している。
　以下、添付図面を参照しながら、本開示に係る技術の実施形態について詳細に説明する。
　図１は、本開示に係る技術の一実施形態による太陽電池１００の外観を示す略平面図である。また、図２は、図１に示すＡ－Ａ線に沿った略断面図である。
　図１及び図２に示すように、本実施形態による太陽電池１００は、フィルム状の基板１０と、基板１０の表面１１上に設けられた光電変換部２０と、基板１０の表面１１上に設けられ、光電変換部２０の外縁部２１及び受光面２２のうち外縁部２１近傍の領域を覆う絶縁樹脂３０と、基板１０の表面１１上に設けられ、絶縁樹脂３０の外縁部３１を覆う緩衝層４０と、基板１０の表面１１上に設けられ、光電変換部２０、絶縁樹脂３０、及び緩衝層４０を覆う封止樹脂５０とを備えている。
　基板１０は、ポリエチレンナフタレートなどの絶縁性材料からなるフレキシブルなフィルム状部材であり、光電変換部２０、絶縁樹脂３０、緩衝層４０、及び封止樹脂５０の支持体として機能する。
　光電変換部２０は、受光面２２に入射する入射光を電力に変換する半導体素子であり、基板１０の表面１１の外周部を除くほぼ全面に形成されている。
　絶縁樹脂３０は、光電変換部２０の外縁部２１を保護するための保護部材であり、熱硬化性樹脂材料など、強度の高い材料からなる。一例として、絶縁樹脂３０をポリイミド系樹脂によって構成することが可能である。絶縁樹脂３０には、特性を調整するためのフィラーが含まれていても構わない。
　緩衝層４０は、絶縁樹脂３０よりもヤング率の低い絶縁材料からなる。一例として、緩衝層４０をポリエチレン系樹脂によって構成することが可能である。ポリエチレン系樹脂のヤング率は１ＧＰａ未満であり、ポリイミド系樹脂のヤング率である約４ＧＰａよりも十分に低い。緩衝層４０のヤング率は１ＧＰａ以下であることが好ましいが、０．８Ｇｐａから１Ｇｐａの範囲であることがより好ましい。緩衝層４０は、光電変換部２０とは接していない。緩衝層４０には、特性を調整するためのフィラーが含まれていても構わない。
　封止樹脂５０は、光電変換部２０の受光面２２のうち、絶縁樹脂３０で囲まれた領域を覆うことにより、光電変換部２０を保護する役割を果たす。封止樹脂５０の材料としては、例えば、透明な熱可塑性樹脂材料を用いることができる。封止樹脂５０の材料は、絶縁樹脂３０の材料と同じであっても構わない。封止樹脂５０には、光の透過を妨げるフィラーが含まれていなくても構わない。図２に示す例では、封止樹脂５０は、光電変換部２０の受光面２２のうち絶縁樹脂３０で囲まれた領域だけでなく、絶縁樹脂３０の内縁部３２、基板１０の表面１１と平行な絶縁樹脂３０の上面３３、及び基板１０の表面１１と平行な緩衝層４０の上面４２を覆っている。尚、図１は、透明な封止樹脂５０を透過して見た状態を示している。絶縁樹脂３０及び緩衝層４０については透明である必要はなく、着色されていても構わない。
　図２に示す例では、緩衝層４０の外縁部４１が露出しており、基板１０の外縁部１２、緩衝層４０の外縁部４１、及び封止樹脂５０の外縁部５１が同一平面を構成している。このように、ヤング率の低い緩衝層４０の外縁部４１が太陽電池１００の側面に露出していることから、太陽電池１００の側面に加わる外力が光電変換部２０に伝わりにくく、これにより太陽電池１００の信頼性が高められる。
　図３～図５は、本実施形態による太陽電池１００の製造方法を説明するための模式図である。尚、図４及び図５は、図３に示すＢ－Ｂ線に沿った断面を示している。
　まず、図３に示すように、フィルム状の基板１０の表面１１に複数の光電変換部２０、複数の絶縁樹脂３０、緩衝層４０、及び封止樹脂５０をこの順に形成する。図３には、透明な封止樹脂５０は図示されていない。図３に示す例では、基板１０の表面１１に４つの光電変換部２０が形成されている。基板１０の表面１１に形成する光電変換部２０の数については特に限定されない。
　図４に示すように、絶縁樹脂３０の形成においては、光電変換部２０の外縁部２１及び受光面２２のうち外縁部２１近傍の領域をそれぞれ覆うよう、基板１０の表面１１上に複数の絶縁樹脂３０を形成する。緩衝層４０の形成においては、絶縁樹脂３０の外縁部３１を覆うよう、基板１０の表面１１上に緩衝層４０を形成する。絶縁樹脂３０及び緩衝層４０の形成は、例えば、スクリーン印刷やインクジェット印刷などによって行うことができる。封止樹脂５０は、ほぼ全面に形成しても構わない。つまり、封止樹脂５０の形成においては、光電変換部２０のうち絶縁樹脂３０で囲まれた領域、絶縁樹脂３０、及び緩衝層４０が封止樹脂５０によって覆われる。
　これにより、図４に示すように、個片化前の隣接する２つの太陽電池１００間に緩衝層４０が埋め込まれた状態となる。つまり、一方の太陽電池１００に含まれる絶縁樹脂３０の外縁部３１と、他方の太陽電池１００に含まれる絶縁樹脂３０の外縁部３１の間に、緩衝層４０が埋め込まれる。
　次に、図３に示す破線Ｃに沿って基板１０を切断することにより、複数の太陽電池１００を個片化する。破線Ｃは緩衝層４０に位置しており、したがって、基板１０は緩衝層４０に沿って切断される。基板１０の切断は、図５に示すように、例えばピナクル刃６０を押し当てることによって行うことができる。ピナクル刃６０を押し当てると、押し当てられた領域にはピナクル刃６０の侵入方向に向かう力Ｆ１が働くだけでなく、ピナクル刃６０の厚みに起因する左右方向への力Ｆ２が働く。しかしながら、本実施形態においては、これらの力Ｆ１，Ｆ２の大部分がヤング率の低い緩衝層４０によって吸収されることから、個片化時に光電変換部２０や絶縁樹脂３０に加わる力が大幅に低減される。これにより、個片化時における光電変換部２０や絶縁樹脂３０の破損を防止することが可能となる。
　図５に示す例では、緩衝層４０の上面４２が封止樹脂５０で覆われているため、緩衝層４０を覆う封止樹脂５０も個片化時に切断される。しかしながら、緩衝層４０の上面４２に位置する封止樹脂５０の厚みが十分に薄ければ、個片化時において封止樹脂５０に破損が生じることはない。
　或いは、図６に示す第１の変形例のように、緩衝層４０の上面４２を封止樹脂５０で覆うことなく露出させておけば、個片化時に封止樹脂５０を切断することなく、緩衝層４０に沿って基板１０を切断することができる。これにより、個片化時に封止樹脂５０に力が加わることがなくなる。この場合、封止樹脂５０の形成において、緩衝層４０を避けて封止樹脂５０を形成すればよい。このような方法によって得られる太陽電池１００においては、図７に示すように、封止樹脂５０の外縁部５１が緩衝層４０の外縁部４１よりも内側にオフセットする。これにより、太陽電池１００の側面に加わる外力が封止樹脂５０に伝わりにくくなるため、太陽電池１００の信頼性がより高められる。
　さらに、図８に示す第２の変形例のように、緩衝層４０の上面４２を封止樹脂５０で覆うことなく露出させるだけでなく、絶縁樹脂３０の上面３３の一部を緩衝層４０で覆っても構わない。つまり、絶縁樹脂３０の上面３３の一部が封止樹脂５０で覆われ、絶縁樹脂３０の上面３３の別の一部が緩衝層４０で覆われた状態としても構わない。この場合も、個片化時に封止樹脂５０に力が加わることがなくなる。このような方法によって得られる太陽電池１００においては、図９に示すように、封止樹脂５０の外縁部５１が露出することなく緩衝層４０で覆われる。これにより、太陽電池１００の側面に加わる外力が封止樹脂５０により伝わりにくくなるため、太陽電池１００の信頼性がよりいっそう高められる。
　以上説明したように、本実施形態による太陽電池１００は、個片化時において基板１０がヤング率の低い緩衝層４０に沿って切断されることから、個片化時における破損を防止することが可能となる。しかも、個片化後は、ヤング率の低い緩衝層４０が太陽電池１００の側面に露出することから、太陽電池１００の側面に加わる外力が光電変換部２０に伝わりにくくなり、これにより太陽電池１００の信頼性が高められる。
　以上、本開示に係る技術の実施形態について説明したが、本開示に係る技術は、上記の実施形態に限定されることなく、その主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本開示に係る技術の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
　本開示に係る技術には、以下の構成例が含まれるが、これに限定されるものではない。
　本開示の一側面による太陽電池は、フィルム状の基板と、基板上に設けられた光電変換部と、基板上に設けられ、光電変換部の外縁部を覆う絶縁樹脂と、基板上に設けられ、絶縁樹脂の外縁部を覆い、絶縁樹脂よりもヤング率の低い緩衝層と、を備え、緩衝層の外縁部が露出している。これによれば、太陽電池の側面に露出する緩衝層によって、外力が光電変換部に伝わりにくくなるため、太陽電池の信頼性が高められる。
　上記の太陽電池において、絶縁樹脂は熱硬化性樹脂材料からなり、緩衝層は熱可塑性樹脂材料からなるものであっても構わない。これによれば、熱硬化性樹脂材料からなる絶縁樹脂によって光電変換部を十分に保護しつつ、熱可塑性樹脂材料からなる緩衝層によって高い柔軟性を得ることが可能となる。
　上記の太陽電池は、光電変換部のうち絶縁樹脂で囲まれた領域を少なくとも覆う封止樹脂をさらに備え、基板と平行な絶縁樹脂の上面の少なくとも一部が封止樹脂で覆われていても構わない。これによれば、光電変換部の受光面が封止樹脂によって保護される。
　上記の太陽電池において、基板の外縁部、緩衝層の外縁部、および封止樹脂の外縁部が同一平面を構成しても構わない。これによれば、封止樹脂の形成が容易となる。
　上記の太陽電池において、基板と平行な緩衝層の上面が封止樹脂で覆われることなく露出していても構わない。これによれば、太陽電池の側面に加わる外力が封止樹脂に伝わりにくくなる。
　上記の太陽電池において、絶縁樹脂の上面の別の一部が緩衝層で覆われていても構わない。これによれば、太陽電池の側面に加わる外力が封止樹脂により伝わりにくくなる。
　本開示の一側面による太陽電池の製造方法は、フィルム状の基板の表面に光電変換部を形成する第１の工程と、光電変換部の外縁部を覆うよう、基板上に絶縁樹脂を形成する第２の工程と、絶縁樹脂の外縁部を覆うよう、基板上に絶縁樹脂よりもヤング率の低い緩衝層を形成する第３の工程と、緩衝層に沿って基板を切断することにより個片化する第４の工程と、を備える。これによれば、個片化時に加わる力が緩衝層によって吸収されることから、光電変換部などの破損を防止することが可能となる。
　上記の太陽電池の製造方法は、第３の工程を行った後、第４の工程を行う前に、光電変換部、絶縁樹脂、及び緩衝層を覆う封止樹脂を形成する工程をさらに備え、第４の工程においては、緩衝層に沿って基板及び封止樹脂を切断しても構わない。これによれば、封止樹脂の形成が容易となる。
　上記の太陽電池の製造方法は、第３の工程を行った後、第４の工程を行う前に、緩衝層を覆うことなく、光電変換部のうち絶縁樹脂で囲まれた領域を少なくとも覆う封止樹脂を形成する工程をさらに備え、第４の工程においては、封止樹脂を切断することなく、緩衝層に沿って基板を切断しても構わない。これによれば、個片化時に封止樹脂に力が加わりにくくなる。
　この出願は、２０２４年１月１８日に出願された日本国特許出願第２０２４－００５９２５号の利益を主張し、その全開示は参照により本明細書に組み込まれる。
１０　　基板
１１　　基板の表面
１２　　基板の外縁部
２０　　光電変換部
２１　　光電変換部の外縁部
２２　　受光面
３０　　絶縁樹脂
３１　　絶縁樹脂の外縁部
３２　　絶縁樹脂の内縁部
３３　　絶縁樹脂の上面
４０　　緩衝層
４１　　緩衝層の外縁部
４２　　緩衝層の上面
５０　　封止樹脂
５１　　封止樹脂の外縁部
６０　　ピナクル刃
１００　　太陽電池
Ｆ１，Ｆ２　　太陽電池に加わる力

Claims (9)

  1. 　フィルム状の基板と、
    　前記基板上に設けられた光電変換部と、
    　前記基板上に設けられ、前記光電変換部の外縁部を覆う絶縁樹脂と、
    　前記基板上に設けられ、前記絶縁樹脂の外縁部を覆い、前記絶縁樹脂よりもヤング率の低い緩衝層と、
    を備え、前記緩衝層の外縁部が露出している、
    太陽電池。
  2. 　前記絶縁樹脂は熱硬化性樹脂材料からなり、前記緩衝層は熱可塑性樹脂材料からなる、
    請求項１に記載の太陽電池。
  3. 　前記光電変換部のうち前記絶縁樹脂で囲まれた領域を少なくとも覆う封止樹脂をさらに備え、
    　前記基板と平行な前記絶縁樹脂の上面の少なくとも一部が前記封止樹脂で覆われている、
    請求項１に記載の太陽電池。
  4. 　前記基板の外縁部、前記緩衝層の前記外縁部、および前記封止樹脂の外縁部が同一平面を構成する、
    請求項３に記載の太陽電池。
  5. 　前記基板と平行な前記緩衝層の上面が前記封止樹脂で覆われることなく露出している、
    請求項３に記載の太陽電池。
  6. 　前記絶縁樹脂の前記上面の別の一部が前記緩衝層で覆われている、
    請求項５に記載の太陽電池。
  7. 　フィルム状の基板の表面に光電変換部を形成する第１の工程と、
    　前記光電変換部の外縁部を覆うよう、前記基板上に絶縁樹脂を形成する第２の工程と、
    　前記絶縁樹脂の外縁部を覆うよう、前記基板上に前記絶縁樹脂よりもヤング率の低い緩衝層を形成する第３の工程と、
    　前記緩衝層に沿って前記基板を切断することにより個片化する第４の工程と、
    を備える太陽電池の製造方法。
  8. 　前記第３の工程を行った後、前記第４の工程を行う前に、前記光電変換部、前記絶縁樹脂、及び前記緩衝層を覆う封止樹脂を形成する工程をさらに備え、
    　前記第４の工程においては、前記緩衝層に沿って前記基板及び前記封止樹脂を切断する、
    請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
  9. 　前記第３の工程を行った後、前記第４の工程を行う前に、前記緩衝層を覆うことなく、前記光電変換部のうち前記絶縁樹脂で囲まれた領域を少なくとも覆う封止樹脂を形成する工程をさらに備え、
    　前記第４の工程においては、前記封止樹脂を切断することなく、前記緩衝層に沿って前記基板を切断する、
    請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
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