WO2025150433A1 - 基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理システム及び基板処理方法

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WO2025150433A1
WO2025150433A1 PCT/JP2024/045947 JP2024045947W WO2025150433A1 WO 2025150433 A1 WO2025150433 A1 WO 2025150433A1 JP 2024045947 W JP2024045947 W JP 2024045947W WO 2025150433 A1 WO2025150433 A1 WO 2025150433A1
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WO
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ring member
module
substrate processing
substrate
processing system
Prior art date
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PCT/JP2024/045947
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元気 長田
正知 北
樹 岡村
暁之 眞壁
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping

Definitions

  • a substrate processing system includes a vacuum transfer module, a control unit, a plurality of process modules, an aligner, a memory unit, and an identification unit.
  • the vacuum transfer module has a transfer chamber and a transfer robot.
  • the transfer chamber is depressurizable.
  • the transfer robot is configured to transfer the substrate through the transfer chamber.
  • the control unit is configured to control the transfer robot.
  • the plurality of process modules each have a processing chamber and a substrate support.
  • the processing chamber is connected to the transfer chamber.
  • the substrate support is disposed within the processing chamber.
  • the plurality of process modules each are configured to perform substrate processing on the substrate on the substrate support.
  • the aligner has a stage and an optical sensor.
  • the stage is configured to have a ring member placed thereon.
  • the optical sensor is configured to detect a shape of the ring member placed on the stage.
  • the memory unit includes a table in which characteristic information is stored in association with each identifier of the plurality of process modules.
  • the characteristic information indicates the characteristics of each of the plurality of ring members.
  • the identification unit extracts characteristic information of the ring member from the shape of the ring member detected by the optical sensor, and refers to a table in the storage unit to identify the process module to which the ring member should be transported from an identifier stored in association with the characteristic information.
  • a process module corresponding to the ring member is identified.
  • FIG. 1 illustrates a substrate processing system according to an exemplary embodiment.
  • 1 is a schematic diagram illustrating a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment
  • 2 is a partial enlarged cross-sectional view of a substrate support of a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment
  • FIG. 2 is a perspective view showing a stocker module according to an embodiment
  • FIG. 2 is an end view of a stocker module according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of an edge ring and an aligner according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of a cover ring and an aligner according to one embodiment.
  • 1 is a flow diagram illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a substrate processing system according to an exemplary embodiment.
  • the substrate processing system PS includes a vacuum transfer module VTM, a controller MC, a plurality of process modules PM1 to PM6, an aligner RAN, a memory unit MU, and an identification unit IU.
  • the substrate processing system PS may further include a stocker module RSM, a loader module LM, and at least one load lock module.
  • the substrate processing system PS includes two load lock modules LL1 and LL2 as the at least one load lock module.
  • the substrate processing system PS may further include at least one load port, a substrate inspection module CM, an aligner AN, and a storage SR.
  • the substrate processing system PS includes four load ports LP1 to LP4 as the at least one load port.
  • the loader module LM is an example of an atmospheric transfer module.
  • the loader module LM includes a transfer chamber ACH.
  • the transfer chamber ACH is an example of another transfer chamber.
  • the pressure in the transfer chamber ACH of the loader module LM can be set to atmospheric pressure.
  • the loader module LM may have a fan filter unit (FFU).
  • the loader module LM is, for example, an equipment front end module (EFEM).
  • the loader module LM is disposed between each of the load ports LP1 to LP4 and each of the load lock modules LL1 and LL2.
  • the load ports LP1 to LP4 are arranged along one of a pair of edges along the longitudinal direction of the loader module LM.
  • the load lock modules LL1 and LL2 are arranged along the other of a pair of edges along the longitudinal direction of the loader module LM.
  • Each of the load ports LP1 to LP4 is configured to support a cassette CST placed thereon.
  • the cassette CST is a container that contains multiple substrates W.
  • the cassette CST is, for example, a Front-Opening Unified Pod (FOUP).
  • the loader module LM includes a transport robot TR3.
  • the transport robot TR3 is an example of another transport robot.
  • the transport robot TR3 is provided in the transport chamber ACH of the loader module LM.
  • the transport robot TR3 may include a multi-joint arm AR31 and an end effector FK31.
  • the end effector FK31 is attached to the tip of the multi-joint arm AR31 and is configured to support the substrate W placed thereon.
  • the transport robot TR3 is configured to transport the substrate W via the transport chamber ACH.
  • the transport robot TR3 transports the substrate W based on an operation instruction output by the control unit MC, which will be described later.
  • the transport robot TR3 transports the substrate W between any two of the cassette CST, the load lock modules LL1 and LL2, the aligner AN, and the storage SR, which are placed on at least one of the load ports LP1 to LP4.
  • the aligner AN is arranged along one of a pair of edges along the short side of the loader module LM.
  • the aligner AN may be arranged along an edge along the long side of the loader module LM.
  • the aligner AN may also be arranged in the transport chamber ACH of the loader module LM.
  • the aligner AN has a stage, an optical sensor, etc.
  • the stage of the aligner AN is rotatable and supports the substrate W placed thereon.
  • the aligner AN detects the angular position of a marker (e.g., a notch) of the substrate W on the stage and the center position of the substrate W on the stage using an optical sensor.
  • the control unit MC controls the rotation of the stage of the aligner AN to correct the angular position of the marker (e.g., a notch) of the substrate W on the stage to a reference angular position so as to correct the amount of deviation in the angular position of the substrate W.
  • the controller MC controls the position of the end effector FK31 when receiving the substrate W from the aligner AN onto the end effector FK31 in order to position the center of the substrate W on a predetermined position of the end effector FK31.
  • the vacuum transfer module VTM has at least one transfer chamber and at least one transfer robot.
  • the vacuum transfer module VTM has a transfer chamber VCH and a transfer robot TR as the at least one transfer chamber and at least one transfer robot.
  • the transfer chamber VCH is configured to be depressurized.
  • the transfer robot TR is configured to transfer a substrate W via the transfer chamber VCH.
  • the aligner RAN is connected to the transfer chamber VCH of the vacuum transfer module VTM.
  • Each of the multiple process modules PM1 to PM6 has a processing chamber 10 and a substrate support 16 (see FIG. 2).
  • the processing chamber 10 is connected to a vacuum transfer module VTM.
  • the process modules PM1 to PM6 are connected to the vacuum transfer module VTM via a gate valve G1.
  • the transport robot TR may include articulated arms AR11, AR12 and end effectors FK11, FK12.
  • the end effector FK11 is attached to the tip of the articulated arm AR11 and configured to support the substrate W placed thereon.
  • the end effector FK12 is attached to the tip of the articulated arm AR12 and configured to support the substrate W placed thereon.
  • the transport robot TR transports the substrate W based on an operation instruction output by the control unit MC described later.
  • the transport robot TR holds the substrate W by the end effectors FK11, FK12.
  • the transport robot TR is configured to transport the substrate W or the ring member R between the paths of the load lock modules LL1, LL2, the process modules PM1 to PM6, and the stocker module RSM.
  • the ring member R is an edge ring ER (focus ring) or a cover ring CR.
  • the edge ring ER is used to surround the substrate W on the substrate support 16.
  • the cover ring CR is used to surround the edge ring ER. Details of the edge ring ER and the cover ring CR will be described later.
  • the stocker module RSM is connected to the transport chamber VCH of the vacuum transport module VTM. In one example, the stocker module RSM is connected to the transport chamber VCH via a gate valve G1. The stocker module RSM is configured to accommodate a ring member R therein. The stocker module RSM is also referred to as a ring stocker. In the example shown in FIG. 1, the aligner RAN is disposed within the stocker module RSM. Details of the stocker module RSM and the aligner RAN are described below.
  • each of the process modules PM1 to PM6 is configured to perform a dedicated process on the substrate W.
  • At least one of the process modules PM1 to PM6 is a substrate processing apparatus such as the plasma processing apparatus 1 described below.
  • the control unit MC is configured to control each part of the substrate processing system PS.
  • the control unit MC may be a computer equipped with a processor, a storage device, an input device, a display device, etc.
  • the control unit MC executes a control program stored in the storage device, and controls each part of the substrate processing system PS based on recipe data stored in the storage device.
  • the transfer methods according to various exemplary embodiments described below are executed in the substrate processing system PS by the control unit MC controlling each part of the substrate processing system PS.
  • the control unit MC is configured to control the transfer robots TR, TR3.
  • the control unit MC may also function as the storage unit MU and the identification unit IU. Details of the storage unit MU and the identification unit IU will be described below.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment.
  • the plasma processing apparatus 1 shown in FIG. 2 is employed as at least one of the process modules PM1 to PM6.
  • the plasma processing apparatus 1 is an example of a substrate processing apparatus.
  • the plasma processing apparatus 1 is a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • the plasma processing apparatus 1 includes a processing chamber 10.
  • the processing chamber 10 provides an internal space 10s therein.
  • the central axis of the internal space 10s is an axis AX that extends in the vertical direction.
  • the processing chamber 10 includes a chamber body 12.
  • the chamber body 12 has a generally cylindrical shape.
  • An internal space 10s is provided within the chamber body 12.
  • the chamber body 12 is made of, for example, aluminum.
  • the chamber body 12 is electrically grounded.
  • a plasma-resistant film is formed on the inner wall surface of the chamber body 12, i.e., the wall surface that defines the internal space 10s.
  • This film may be a ceramic film, such as a film formed by anodization or a film formed from yttrium oxide.
  • a passage 12p is formed in the sidewall of the chamber body 12.
  • the substrate W or ring member R passes through the passage 12p when being transferred between the processing chamber 10 and the transfer chamber VCH.
  • a gate valve G1 is provided along the sidewall of the chamber body 12 to open and close this passage 12p.
  • the plasma processing apparatus 1 further includes a substrate support 16.
  • the substrate support 16 is provided within the processing chamber 10.
  • the substrate support 16 is configured to support a substrate W placed thereon.
  • the substrate W has a substantially disk-like shape. Details of the substrate support 16 will be described later.
  • the plasma processing apparatus 1 may further include an upper electrode 30.
  • the upper electrode 30 is provided above the substrate support portion 16.
  • the upper electrode 30 closes the upper opening of the chamber body 12 together with a member 32.
  • the member 32 has insulating properties.
  • the upper electrode 30 is supported on the upper part of the chamber body 12 via this member 32.
  • the upper electrode 30 includes a top plate 34 and a support 36.
  • the bottom surface of the top plate 34 defines an internal space 10s.
  • the top plate 34 is provided with a plurality of gas holes 34a. Each of the plurality of gas holes 34a penetrates the top plate 34 in the plate thickness direction (vertical direction) and opens toward the internal space 10s.
  • the top plate 34 is formed from silicon, for example.
  • the top plate 34 may have a structure in which a plasma-resistant film is provided on the surface of an aluminum member. This film may be a ceramic film, such as a film formed by anodizing or a film formed from yttrium oxide.
  • the support 36 supports the top plate 34 in a removable manner.
  • the support 36 is formed from a conductive material such as aluminum.
  • the support 36 provides a gas diffusion chamber 36a and a plurality of gas holes 36b therein.
  • the plurality of gas holes 36b extend downward from the gas diffusion chamber 36a and are each connected to the plurality of gas holes 34a.
  • the support 36 has a gas introduction port 36c.
  • the gas introduction port 36c is connected to the gas diffusion chamber 36a.
  • a gas supply pipe 38 is connected to the gas introduction port 36c.
  • the gas source group 40 is connected to the gas supply pipe 38 via the valve group 41, the flow rate controller group 42, and the valve group 43.
  • the gas source group 40, the valve group 41, the flow rate controller group 42, and the valve group 43 constitute a gas supply section GS.
  • the gas source group 40 includes a plurality of gas sources.
  • the valve group 41 and the valve group 43 each include a plurality of valves (e.g., on-off valves).
  • the flow rate controller group 42 includes a plurality of flow rate controllers. Each of the plurality of flow rate controllers of the flow rate controller group 42 is a mass flow controller or a pressure-controlled flow rate controller.
  • Each of the plurality of gas sources of the gas source group 40 is connected to the gas supply pipe 38 via a corresponding valve of the valve group 41, a corresponding flow rate controller of the flow rate controller group 42, and a corresponding valve of the valve group 43.
  • the plasma processing apparatus 1 is capable of supplying gas from one or more selected gas sources of the plurality of gas sources of the gas source group 40 to the internal space 10s at individually adjusted flow rates.
  • the plasma processing apparatus 1 further includes a bias power supply 62.
  • the bias power supply 62 is electrically coupled to the substrate support 16 (e.g., a lower electrode such as the base 18) and supplies an electrical bias to the substrate support 16 for attracting ions from the plasma to the substrate W.
  • the electrical bias has a bias frequency.
  • the bias frequency may be lower than the source frequency.
  • the bias frequency is, for example, a frequency in the range of 100 kHz to 13.56 MHz.
  • the plasma processing apparatus 1 further includes a lifter 70.
  • the lifter 70 includes a lifter 71 and a lifter 72.
  • the lifter 71 includes a plurality of lift pins 711 and an actuator 712.
  • the plurality of lift pins 711 are inserted into a plurality of through holes 161 formed in the base 18 and the electrostatic chuck 20, respectively.
  • the actuator 712 raises and lowers the plurality of lift pins 711. The lifting and lowering by the actuator 712 allows the plurality of lift pins 711 to protrude upward from the substrate support surface 20a and to retreat downward from the substrate support surface 20a.
  • the actuator 712 for example, a motor such as a DC motor, a stepping motor, or a linear motor, an air drive mechanism such as an air cylinder, or a piezoelectric actuator can be used.
  • the lifter 71 raises and lowers the plurality of lift pins 711 when transferring the substrate W between the transport robot TR and the substrate support unit 16.
  • Each of the multiple lift pins 721 can be positioned at a standby position, a first support position, and a second support position.
  • the standby position is a position where the upper end surface 724t of the upper portion 724 is lower than the lower surface of the edge ring ER.
  • the first support position is a position above the standby position.
  • the upper end surface 724t of the upper portion 724 is located above the upper surface of the cover ring CR, and the upper end surface 723t of the lower portion 723 is located below the lower surface of the cover ring CR.
  • the upper end surface 724t of the upper portion 724 abuts against a surface that defines a recess ERr formed in the lower surface of the edge ring ER. In this way, the multiple lift pins 721 support the edge ring ER.
  • the second support position is a position higher than the first support position.
  • the upper end surface 723t of the lower portion 723 is positioned higher than the upper surface of the insulator 27.
  • the upper end surface 723t of the lower portion 723 abuts against the lower surface of the covering ring CR. In this way, the multiple lift pins 721 support the covering ring CR.
  • the edge ring ER when the edge ring ER is positioned on the inner periphery of the covering ring CR, the upper end surface 724t of the upper portion 724 abuts against the surface that defines the recess ERr, and the multiple lift pins 721 support both the covering ring CR and the edge ring ER.
  • the lifter 72 moves the multiple lift pins 721 to the first support position.
  • the lifter 72 moves the multiple lift pins 721 to the second support position.
  • Figure 4 is a perspective view showing a stocker module according to one embodiment.
  • Figure 4 is a partially cutaway perspective view showing the inside of the stocker module RSM.
  • Figure 5 is an end view of the stocker module according to one embodiment.
  • the stocker module RSM includes a chamber RC.
  • the chamber RC is configured so that its internal space can be depressurized.
  • FIG. 4 illustrates the chamber RC with a portion cut away to show the internal space.
  • An aligner RAN and a cassette module CTM are disposed within the chamber RC.
  • the aligner RAN is disposed above the cassette module CTM.
  • the cassette module CTM includes a plurality of cassettes CT. Each of the plurality of cassettes CT is configured to accommodate a ring member R therein.
  • the cassette module CTM houses multiple ring members R.
  • the multiple ring members R may include edge rings ER and cover rings CR. As shown in FIG. 5, in the cassette module CTM, the edge rings ER and cover rings CR are arranged alternately.
  • the aligner RAN and the cassette module CTM may be configured to be movable in the vertical direction. For example, a ring member R is unloaded from a cassette CT that is placed at a transfer position in the chamber RC. The cassette module CTM may move in the vertical direction so that the unloaded ring member R is placed at the transfer position in the chamber RC. In the cassette module CTM, the multiple ring members R may be unloaded in order starting from the ring member R that is placed at the bottom.
  • the aligner RAN has a stage ST and an optical sensor S1.
  • the stage ST is configured so that the ring member R can be placed thereon.
  • the optical sensor S1 is configured so as to detect the shape of the ring member R placed on the stage ST.
  • the stage ST is configured to be rotatable together with the ring member R placed thereon.
  • the stage ST may include a support part RST configured to be rotatable and to support the ring member R.
  • the support part RST is formed of a material that is transmissive to visible light.
  • the support part RST is formed of glass.
  • the support part RST may include a plurality of pads PD.
  • the plurality of pads may include a pad for the edge ring ER and a pad for the covering ring CR.
  • the pad for the edge ring ER is disposed inside the pad for the covering ring CR.
  • the aligner RAN may move in the vertical direction so that the support part RST of the stage ST is disposed at a transfer position in the chamber RC.
  • the optical sensor S1 includes a line sensor LS and a light source L.
  • the line sensor LS is arranged so as to be able to detect the outer edge and inner edge of the ring member R.
  • the light source L emits light toward the line sensor LS.
  • the light source L may emit laser light.
  • the line sensor LS and the light source L are arranged so as to face each other in the vertical direction so that the stage ST is located therebetween.
  • the line sensor LS may be arranged under the support part RST so as to intersect with the inner edge and the outer edge of the ring member R as seen from the light source L.
  • the light source L when the stage ST and the ring member R placed on the stage are rotating together, the light source L emits light toward the line sensor LS.
  • the line sensor LS detects the light projected by the inner edge and the outer edge of the ring member R.
  • the optical sensor S1 detects the shape of the ring member R from the light detected by the line sensor LS.
  • the aligner RAN may be configured to adjust (align) the position of the ring member R placed on the stage ST.
  • the optical sensor S1 may be configured to optically detect the position of the ring member on the support part RST.
  • the aligner RAN may be configured to adjust the position of the ring member R depending on the position detected by the optical sensor S1.
  • the aligner RAN is configured to enable detection of the edge ring ER and the covering ring CR, and alignment of each of them.
  • the aligner RAN may be configured to be able to align the edge ring ER with an inner portion of the line sensor LS, and align the covering ring CR with an outer portion of the line sensor.
  • the stocker module RSM may further include an optical sensor S2.
  • the optical sensor S2 is configured to detect the thickness of the ring member R.
  • the optical sensor S2 is a mapping sensor.
  • the optical sensor S2 may include a light source that emits laser light in a horizontal direction, and an optical sensor that receives the laser light emitted from the light source.
  • the cassette CT may include a side surface having a notch formed therein. The notch is positioned so that the laser light is irradiated onto the ring member R contained in the cassette CT.
  • Figure 6 is a plan view of an edge ring and an aligner according to one embodiment.
  • Figure 6 shows an edge ring ER placed on a support part RST of the aligner RAN.
  • Figure 7 is a plan view of a cover ring and an aligner according to one embodiment.
  • Figure 7 shows a cover ring CR placed on a support part RST of the aligner RAN.
  • the identification unit IU acquires characteristic information indicating the characteristics of the ring member R from the shape of the ring member R acquired by the optical sensor S1.
  • the characteristics of the ring member R may include at least one of the inner diameter, outer diameter, and thickness of the ring member. "May include at least one" means that the ring member R may include one or more of the inner diameter, outer diameter, and thickness as its characteristics.
  • the inner and outer diameters of the ring member may be determined from the curvature of the inner and outer edges of the ring member.
  • a first notch NT1 and a second notch NT2 are formed in the ring member R.
  • the characteristics of the ring member include the first notch NT1 and the second notch NT2 as at least one notch.
  • the first notch NT1 and the second notch NT2 are formed on its outer edge.
  • the identification unit IU may acquire the thickness of the ring member R detected by the optical sensor S2 as characteristic information indicating the characteristics of the ring member R.
  • the characteristics of the ring member R may include the number of notches formed in the ring member R. In the example of FIG. 6 and FIG. 7, the number of the at least one notch is two. If no notch is formed in the ring member R, the number of notches is set to zero.
  • the characteristics of the ring member R may include the relative positional relationship between the first notch NT1 and the second notch NT2.
  • the relative positional relationship between the first notch NT1 and the second notch NT2 is, for example, the angle between the first notch NT1 and the second notch NT2 with respect to the center of the ring member R.
  • the relative positional relationship between the first notch NT1 and the second notch NT2 may be the distance between the first notch NT1 and the second notch NT2.
  • Each of the multiple ring members R is a ring member R for a corresponding one of the multiple process modules PM1 to PM6.
  • the memory unit MU includes a table in which characteristic information indicating the characteristics of each of the multiple ring members R is stored in association with the identifiers of each of the multiple process modules PM1 to PM6.
  • the table stores characteristic information indicating the characteristics of a specific ring member R and the identifier of a specific process module corresponding to the specific ring member R in correspondence with each other.
  • control unit MC transports the ring member R onto the stage ST of the aligner RAN after unloading the ring member R from the process module.
  • the control unit MC obtains the identifier of the process module to which the ring member R transported onto the stage ST should be transported among the multiple process modules PM1 to PM6, and the identifier of the process module is identified by referencing a table in the identification unit IU using characteristic information of the ring member R transported onto the stage ST.
  • the control unit MC determines whether the identifier of the process module from which the ring member R was unloaded matches the identifier of the process module to which it should be transported.
  • step ST2 is performed.
  • the shape of the ring member R transported to the aligner RAN is detected.
  • the shapes of the inner and outer edges of the ring member R are detected by an optical sensor S1.
  • the shape of the ring member R may be the thickness of the ring member R.
  • the thickness of the ring member R may be detected by an optical sensor S2 disposed in the stocker module RSM before step ST2.
  • the table of the memory unit MU stores an identifier for the process module PM1 and characteristic information of the ring member R corresponding to the process module PM1 in an associated manner.
  • the table of the memory unit MU may store an identifier for the process module PM1 and an identifier for the ring member R corresponding to the process module PM1 in an associated manner, and may also store an identifier for the ring member R and characteristic information of the ring member R in an associated manner.
  • the method MT may include a step ST4.
  • the step ST4 is performed after the step ST3.
  • the substrate processing system PS may notify the operator that the identifier of the designated process module does not match the identifier of the process module to which the ring member R is to be transported. If it is determined that they match in the step ST4 (if the result of the determination in the step ST4 in FIG. 8 is "YES"), the step ST5 may be executed.
  • the method MT may include steps ST5 and ST6.
  • step ST5 the ring member R is transported to a designated process module among the multiple process modules PM1 to PM6.
  • the cover ring CR is transported via a lifter 70 onto the insulator 27 of the substrate support 16 in the process chamber 10 of the designated process module.
  • the edge ring ER is transported via a lifter 70 onto the ring support surface 20b of the substrate support 16 in the process chamber 10 of the designated process module.
  • the substrate W can be transported to a specified process module (not shown).
  • the substrate W is transported onto the substrate support surface 20a so that it is surrounded by the edge ring ER transported in step ST5.
  • the aligner RAN may be connected to the transport chamber ACH of the loader module LM.
  • the stocker module RSM may be connected to the transport chamber ACH.

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

開示される基板処理システムは、真空搬送モジュール、制御部、複数のプロセスモジュール、アライナ、記憶部、及び特定部を備える。アライナは、ステージ及び光学センサを有する。ステージは、その上にリング部材が載置されるように構成されている。光学センサは、ステージ上に載置されたリング部材の形状を検出するように構成されている。記憶部は、複数のプロセスモジュールの各々の識別子に関連付けられて特徴情報が格納されたテーブルを含む。特徴情報は、複数のリング部材の各々の特徴を示している。特定部は、光学センサによって検出されたリング部材の形状からリング部材の特徴情報を抽出し、記憶部のテーブルを参照して特徴情報に関連付けられて格納された識別子から複数のプロセスモジュールのうちリング部材が搬送されるべきプロセスモジュールを特定する。

Description

基板処理システム及び基板処理方法
　本開示の例示的実施形態は、基板処理システム及び基板処理方法に関するものである。
　基板にプラズマ処理等の各種処理を施すことが可能な基板処理システムが知られている。基板処理システムは、処理チャンバ及び基板支持部を有するプロセスモジュールを備える。基板支持部は、処理チャンバ内に設けられており、その上に配置されるリング部材を支持する。下記の特許文献１は、基板支持部上に配置されたリング部材を交換する技術を開示している。
特開２０２２－０２２５５号公報
　本開示は、リング部材に対応するプロセスモジュールを特定する技術を提供する。
　一つの例示的実施形態において、基板処理システムが提供される。基板処理システムは、真空搬送モジュール、制御部、複数のプロセスモジュール、アライナ、記憶部、及び特定部を備える。真空搬送モジュールは、搬送チャンバ及び搬送ロボットを有する。搬送チャンバは、減圧可能である。搬送ロボットは、搬送チャンバを介して基板の搬送を行うように構成されている。制御部は、搬送ロボットを制御するように構成されている。複数のプロセスモジュールは、各々が、処理チャンバ及び基板支持部を有している。処理チャンバは、搬送チャンバに接続されている。基板支持部は、処理チャンバ内に配置されている。複数のプロセスモジュールは、各々が、基板支持部上の基板に対する基板処理を行うように構成されている。アライナは、ステージ及び光学センサを有する。ステージは、その上にリング部材が載置されるように構成されている。光学センサは、ステージ上に載置されたリング部材の形状を検出するように構成されている。記憶部は、複数のプロセスモジュールの各々の識別子に関連付けられて特徴情報が格納されたテーブルを含む。特徴情報は、複数のリング部材の各々の特徴を示している。特定部は、光学センサによって検出されたリング部材の形状から該リング部材の特徴情報を抽出し、記憶部のテーブルを参照して該特徴情報に関連付けられて格納された識別子から複数のプロセスモジュールのうち該リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールを特定する。
　一つの例示的実施形態によれば、リング部材に対応するプロセスモジュールが特定される。
一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。 一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の基板支持部の部分拡大断面図である。 一実施形態に係るストッカモジュールを示す斜視図である。 一実施形態に係るストッカモジュールの端面図である。 一実施形態に係るエッジリング及びアライナの平面図である。 一実施形態に係るカバーリング及びアライナの平面図である。 一つの例示的実施形態に係る基板処理方法を示す流れ図である。
　以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理システムを示す図である。図１に示すように、基板処理システムＰＳは、真空搬送モジュールＶＴＭ、制御部ＭＣ、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６、アライナＲＡＮ、記憶部ＭＵ、及び特定部ＩＵを備える。一実施形態において、基板処理システムＰＳは、ストッカモジュールＲＳＭ、ローダモジュールＬＭ、及び少なくとも一つのロードロックモジュールを更に備えてもよい。基板処理システムＰＳは、少なくとも一つのロードロックモジュールとして、二つのロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２を備えている。基板処理システムＰＳは、少なくとも一つのロードポート、基板検査モジュールＣＭ、アライナＡＮ、及びストレージＳＲを更に備えてもよい。基板処理システムＰＳは、少なくとも一つのロードポートとして、四つのロードポートＬＰ１～ＬＰ４を備えている。
　ローダモジュールＬＭは、大気搬送モジュールの一例である。一実施形態において、ローダモジュールＬＭは、搬送チャンバＡＣＨを含んでいる。搬送チャンバＡＣＨは、別の搬送チャンバの一例である。ローダモジュールＬＭの搬送チャンバＡＣＨ内の圧力は、大気圧に設定され得る。ローダモジュールＬＭは、ＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ）を有していてもよい。ローダモジュールＬＭは、例えばＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）である。ローダモジュールＬＭは、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の各々とロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々との間に配置されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４は、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った一対の縁部のうち一方に沿って配列されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った一対の縁部のうち他方に沿って配列されている。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の各々は、その上に載置されるカセットＣＳＴを支持するように構成されている。カセットＣＳＴは、その中に複数の基板Ｗを収容する容器である。カセットＣＳＴは、例えばＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ－Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）である。
　一実施形態において、ローダモジュールＬＭは、搬送ロボットＴＲ３を含んでいる。搬送ロボットＴＲ３は、別の搬送ロボットの一例である。搬送ロボットＴＲ３は、ローダモジュールＬＭの搬送チャンバＡＣＨの中に設けられている。搬送ロボットＴＲ３は、多関節アームＡＲ３１及びエンドエフェクタＦＫ３１を含んでいてもよい。エンドエフェクタＦＫ３１は、多関節アームＡＲ３１の先端に取り付けられており、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。搬送ロボットＴＲ３は、搬送チャンバＡＣＨを介して基板Ｗを搬送するように構成されている。例えば、搬送ロボットＴＲ３は、後述する制御部ＭＣが出力する動作指示に基づいて基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４のうち少なくとも一つの上に載置されるカセットＣＳＴ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、アライナＡＮ、及びストレージＳＲのうち何れか二つの間で基板Ｗを搬送する。
　アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの短手方向に沿った一対の縁部のうち一方に沿って配置されている。アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った縁部に沿って配置されていてもよい。また、アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭの搬送チャンバＡＣＨの中に配置されていてもよい。アライナＡＮは、ステージ、光学センサ等を有する。アライナＡＮのステージは、回転可能であり、その上に載置される基板Ｗを支持する。アライナＡＮは、ステージ上での基板Ｗのマーカー（例えばノッチ）の角度位置及びステージ上での基板Ｗの中心位置を、光学センサを用いて検出する。制御部ＭＣは、基板Ｗの角度位置のずれ量を補正するように、ステージ上での基板Ｗのマーカー（例えばノッチ）の角度位置を基準角度位置に補正するよう、アライナＡＮのステージの回転を制御する。また、制御部ＭＣは、エンドエフェクタＦＫ３１の所定位置上に基板Ｗの中心を位置させるために、アライナＡＮから基板ＷをエンドエフェクタＦＫ３１上に受け取る際のエンドエフェクタＦＫ３１の位置を制御する。
　ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの長手方向に沿った縁部に沿って配置されている。ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの短手方向に沿った縁部に沿って配置されていてもよい。また、ストレージＳＲは、ローダモジュールＬＭの内部に設けられていてもよい。ストレージＳＲは、基板Ｗをその中に収容するように構成されている。
　基板検査モジュールＣＭは、ローダモジュールＬＭ又は真空搬送モジュールＶＴＭの内部に設けられていてもよい。基板検査モジュールＣＭは、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４の下方において、ローダモジュールＬＭに接続されていてもよい。基板検査モジュールＣＭは、上記の場所に限定されず、任意の場所に設置され得る。基板検査モジュールＣＭは、基板Ｗの画像を取得するように構成されている。
　一実施形態において、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２は、ローダモジュールＬＭに接続される。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々とローダモジュールＬＭは、ゲートバルブＧ３を介して接続されていてもよい。図１に示す例では、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々と真空搬送モジュールＶＴＭは、ゲートバルブＧ２を介して接続されている。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々は、真空搬送モジュールＶＴＭとローダモジュールＬＭとの間に配置されていてもよい。ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。
　真空搬送モジュールＶＴＭは、少なくとも一つの搬送チャンバ及び少なくとも一つの搬送ロボットを有している。図１に示す例では、真空搬送モジュールＶＴＭは、少なくとも一つの搬送チャンバ及び少なくとも一つの搬送ロボットとして、搬送チャンバＶＣＨ及び搬送ロボットＴＲを有している。搬送チャンバＶＣＨは、減圧可能に構成される。搬送ロボットＴＲは、搬送チャンバＶＣＨを介して基板Ｗを搬送するように構成されている。一実施形態において、アライナＲＡＮは、真空搬送モジュールＶＴＭの搬送チャンバＶＣＨに接続される。
　複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６は、各々が、処理チャンバ１０及び基板支持部１６を有している（図２参照）。処理チャンバ１０は、真空搬送モジュールＶＴＭに接続されている。図１に示す例では、真空搬送モジュールＶＴＭには、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６がゲートバルブＧ１を介して接続されている。
　搬送ロボットＴＲは、多関節アームＡＲ１１，ＡＲ１２及びエンドエフェクタＦＫ１１,ＦＫ１２を含んでいてもよい。エンドエフェクタＦＫ１１は、多関節アームＡＲ１１の先端に取り付けられており、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。エンドエフェクタＦＫ１２は、多関節アームＡＲ１２の先端に取り付けられており、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。例えば、搬送ロボットＴＲは、後述する制御部ＭＣが出力する動作指示に基づいて基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＴＲは、エンドエフェクタＦＫ１１，ＦＫ１２によって基板Ｗを保持する。搬送ロボットＴＲは、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６、及びストッカモジュールＲＳＭとのパスの間で、基板Ｗ又はリング部材Ｒを搬送するように構成されている。一実施形態において、リング部材Ｒは、エッジリングＥＲ（フォーカスリング）又はカバーリングＣＲである。エッジリングＥＲは、基板支持部１６上で基板Ｗを囲むように用いられる。カバーリングＣＲは、エッジリングＥＲを囲むように用いられる。エッジリングＥＲ及びカバーリングＣＲの詳細については、後述する。
　一実施形態において、ストッカモジュールＲＳＭは、真空搬送モジュールＶＴＭの搬送チャンバＶＣＨに接続されている。一例において、ストッカモジュールＲＳＭは、ゲートバルブＧ１を介して搬送チャンバＶＣＨに接続される。ストッカモジュールＲＳＭは、リング部材Ｒをその内部に収容するように構成されている。ストッカモジュールＲＳＭは、リングストッカとも称される。図１に示す例では、アライナＲＡＮは、ストッカモジュールＲＳＭ内に配置されている。ストッカモジュールＲＳＭ及びアライナＲＡＮの詳細については、後述する。
　一実施形態において、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、基板Ｗに対して専用の処理を行うように構成されている。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち少なくとも一つは、後述するプラズマ処理装置１のような基板処理装置である。
　制御部ＭＣは、基板処理システムＰＳの各部を制御するように構成されている。制御部ＭＣは、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり得る。制御部ＭＣは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいて基板処理システムＰＳの各部を制御する。後述する種々の例示的実施形態に係る搬送方法は、制御部ＭＣによる基板処理システムＰＳの各部の制御により、基板処理システムＰＳにおいて実行される。制御部ＭＣは、搬送ロボットＴＲ，ＴＲ３を制御するように構成されている。制御部ＭＣは、記憶部ＭＵ、及び特定部ＩＵを兼ねていてもよい。記憶部ＭＵ、及び特定部ＩＵの詳細については、後述する。
　以下、図２を参照する。図２は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図２に示すプラズマ処理装置１は、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち少なくとも一つのプロセスモジュールとして採用される。プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。
　プラズマ処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１０を備えている。処理チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供している。内部空間１０ｓの中心軸線は、鉛直方向に延びる軸線ＡＸである。
　一実施形態において、処理チャンバ１０は、チャンバ本体１２を含んでいる。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。内部空間１０ｓは、チャンバ本体１２の中に提供されている。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから構成されている。チャンバ本体１２は電気的に接地されている。チャンバ本体１２の内壁面、即ち内部空間１０ｓを画成する壁面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。
　チャンバ本体１２の側壁には通路１２ｐが形成されている。基板Ｗ又はリング部材Ｒは、処理チャンバ１０と搬送チャンバＶＣＨとの間で搬送されるときに、通路１２ｐを通過する。この通路１２ｐの開閉のために、ゲートバルブＧ１がチャンバ本体１２の側壁に沿って設けられている。
　プラズマ処理装置１は、基板支持部１６を更に備える。基板支持部１６は、処理チャンバ１０内に設けられている。基板支持部１６は、その上に載置された基板Ｗを支持するように構成されている。基板Ｗは、略円盤形状を有する。基板支持部１６の詳細については、後述する。
　プラズマ処理装置１は、上部電極３０を更に備えていてもよい。上部電極３０は、基板支持部１６の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２と共にチャンバ本体１２の上部開口を閉じている。部材３２は、絶縁性を有している。上部電極３０は、この部材３２を介してチャンバ本体１２の上部に支持されている。
　上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含んでいる。天板３４の下面は、内部空間１０ｓを画成している。天板３４は、複数のガス孔３４ａが提供している。複数のガス孔３４ａの各々は、天板３４を板厚方向（鉛直方向）に貫通しており、内部空間１０ｓに向けて開口している。天板３４は、例えばシリコンから形成されている。或いは、天板３４は、アルミニウム製の部材の表面に耐プラズマ性の膜を設けた構造を有し得る。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。
　支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持している。支持体３６は、例えばアルミニウムといった導電性材料から形成されている。支持体３６は、その中にガス拡散室３６ａ及び複数のガス孔３６ｂを提供している。複数のガス孔３６ｂは、ガス拡散室３６ａから下方に延びており、複数のガス孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６は、ガス導入ポート３６ｃを有する。ガス導入ポート３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入ポート３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
　ガス供給管３８には、ガスソース群４０が、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３を介して接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３は、ガス供給部ＧＳを構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４１及びバルブ群４３の各々は、複数のバルブ（例えば開閉バルブ）を含んでいる。流量制御器群４２は、複数の流量制御器を含んでいる。流量制御器群４２の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４１の対応のバルブ、流量制御器群４２の対応の流量制御器、及びバルブ群４３の対応のバルブを介して、ガス供給管３８に接続されている。プラズマ処理装置１は、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスを、個別に調整された流量で、内部空間１０ｓに供給することが可能である。
　処理チャンバ１０は、基板支持部１６の周囲に排気路を提供している。排気路の下方において処理チャンバ１０の底部には、排気管５２が接続されている。排気管５２には、排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、自動圧力制御弁といった圧力制御器、及び、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、内部空間１０ｓの圧力を減圧することができる。
　プラズマ処理装置１は、高周波電源６１を更に備えている。高周波電源６１は、ソース高周波電力を発生する電源である。ソース高周波電力は、処理チャンバ１０内のガスからプラズマを生成するために用いられる。ソース高周波電力の周波数（ソース周波数）は、２７～１００ＭＨｚの範囲内の周波数である。高周波電源６１は、整合回路６１ｍを介して上部電極３０に接続されている。整合回路６１ｍは、高周波電源６１の負荷側（上部電極３０側）のインピーダンスを、高周波電源６１の出力インピーダンスに整合させるように構成されている。なお、高周波電源６１は、上部電極３０ではなく、整合回路６１ｍを介して基板支持部１６（例えば、基台１８のような下部電極）に接続されていてもよい。
　プラズマ処理装置１は、バイアス電源６２を更に備えている。バイアス電源６２は、基板支持部１６（例えば、基台１８のような下部電極）に電気的に結合されており、プラズマから基板Ｗにイオンを引き込むための電気バイアスを基板支持部１６に供給する。電気バイアスは、バイアス周波数を有する。バイアス周波数は、ソース周波数よりも低くてもよい。バイアス周波数は、例えば１００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数である。
　電気バイアスは、バイアス周波数を有するバイアス高周波電力であってもよい。この場合には、バイアス電源６２は、整合回路６２ｍを介して基板支持部１６（例えば、基台１８又は基板支持部１６の他の電極のような下部電極）に接続される。整合回路６２ｍは、バイアス電源６２の負荷側のインピーダンスを、バイアス電源６２の出力インピーダンスに整合させるよう構成されている。或いは、電気バイアスは、電圧パルスのシーケンスであってもよい。電圧パルスは、直流電圧のパルスであってもよい。この場合には、プラズマ処理装置１は、整合回路６２ｍを備えない。
　基板支持部１６は、基台１８及び静電チャック２０を含んでいる。基台１８は、略円盤形状を含んでいる。基板支持部１６は、ベース１７及び絶縁体２７を更に含んでいてもよい。基台１８は、アルミニウムのような金属から形成されていてもよく、下部電極を構成していてもよい。ベース１７は、処理チャンバ１０の底部上に設けられている。絶縁体２７は、ベース１７上に設けられている。絶縁体２７は、石英のような絶縁体材料から形成されており、基台１８の外周を囲むように延在している。静電チャック２０は、基台１８上に設けられている。
　以下、図２と共に、図３を参照する。図３は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の基板支持部の部分拡大断面図である。静電チャック２０の上面は、基板支持面２０ａ及びリング支持面２０ｂを含んでいる。基板支持面２０ａは、略円形の面であり、その中心軸線は、軸線ＡＸである。静電チャック２０は、基板支持面２０ａ上に載置される基板Ｗを支持する。
　リング支持面２０ｂは、基板支持面２０ａの外側で、軸線ＡＸの周りで延びる環状の面である。静電チャック２０は、リング支持面２０ｂ上に載置されるエッジリングＥＲを支持する。エッジリングＥＲは、環形状を有する。基板Ｗは、エッジリングＥＲによって囲まれた領域内に配置される。エッジリングＥＲは、例えば、シリコン、炭化ケイ素のような導電性材料から形成される。エッジリングＥＲは、石英のような絶縁材料から形成されていてもよい。
　静電チャック２０は、誘電体部２０ｃ、第１チャック電極２０ｄ、及び第２チャック電極２０ｅを有する。誘電体部２０ｃは、酸化アルミニウムのようなセラミックから形成されている。誘電体部２０ｃは、略円盤形状を有しており、基板支持面２０ａ及びリング支持面２０ｂを提供している。
　第１チャック電極２０ｄ及び第２チャック電極２０ｅは、誘電体部２０ｃの中、且つ、基板支持面２０ａの下方に配置されている。第１チャック電極２０ｄに電圧が印加されると、静電チャック２０は、静電引力を発生して、基板Ｗを基板支持面２０ａに引き付けて保持する。第２チャック電極２０ｅは、誘電体部２０ｃの中、且つ、リング支持面２０ｂの下方に配置されている。第２チャック電極２０ｅに電圧が印加されると、静電チャック２０は、静電引力を発生して、エッジリングＥＲをリング支持面２０ｂに引き付けて保持する。なお、図示された例では、静電チャック２０は、基板Ｗを保持する単極型静電チャックと、エッジリングＥＲを保持する双極型静電チャックを含んでいる。ただし、単極型静電チャックに代えて双極型静電チャックを用いてもよく、双極型静電チャックに代えて単極型静電チャックを用いてもよい。
　エッジリングＥＲの外側には、エッジリングＥＲを囲むように、カバーリングＣＲが配置される。カバーリングＣＲは、環形状を有する。カバーリングＣＲは、絶縁体２７の上面を覆っている。カバーリングＣＲは、例えば石英等の絶縁材料から形成される。カバーリングＣＲは、シリコン、炭化ケイ素のような導電性材料から形成されていてもよい。エッジリングＥＲの外周部は、その上方から視た場合に、カバーリングＣＲの内周部と重なるように配置されている。また、カバーリングＣＲの外周部は、エッジリングＥＲの外周部の外側に配置されており、エッジリングＥＲの外周部を囲んでいる。
　プラズマ処理装置１は、リフタ７０を更に含んでいる。リフタ７０は、リフタ７１及びリフタ７２を含んでいる。リフタ７１は、複数のリフトピン７１１及びアクチュエータ７１２を含んでいる。複数のリフトピン７１１はそれぞれ、基台１８及び静電チャック２０に形成された複数の貫通孔１６１に挿入されている。アクチュエータ７１２は、複数のリフトピン７１１を、昇降させる。アクチュエータ７１２による昇降により、複数のリフトピン７１１は、基板支持面２０ａから上方に突き出すことと、基板支持面２０ａに対して下方に退避することが可能である。アクチュエータ７１２としては、例えばＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構等、ピエゾアクチュエータを利用することができる。リフタ７１は、搬送ロボットＴＲと基板支持部１６との間で基板Ｗを受け渡すときに、複数のリフトピン７１１を昇降させる。
　リフタ７２は、複数のリフトピン７２１及びアクチュエータ７２２を含んでいる。複数のリフトピン７２１はそれぞれ、絶縁体２７に形成された複数の貫通孔１６２及びカバーリングＣＲに形成された複数の貫通孔ＣＲｈに挿入されている。アクチュエータ７２２は、複数のリフトピン７２１を、昇降させる。アクチュエータ７２２としては、例えばアクチュエータ７１２と同様のものを利用することができる。
　複数のリフトピン７２１の各々は、下側部分７２３及び上側部分７２４を含んでいる。下側部分７２３及び上側部分７２４の各々は、棒状をなしている。下側部分７２３の直径は、上側部分７２４の直径よりも大きい。上側部分７２４は、下側部分７２３から上方に延びている。
　複数の貫通孔１６２の各々の直径は、複数のリフトピン７２１の各々の下側部分７２３の直径よりも僅かに大きい。複数の貫通孔ＣＲｈの各々の直径は、複数のリフトピン７２１の各々の上側部分７２４の直径よりも僅かに大きく、複数のリフトピン７２１の各々の下側部分７２３の直径よりも小さい。
　複数のリフトピン７２１の各々は、待機位置、第１支持位置、及び第２支持位置のそれぞれに位置することが可能である。待機位置は、上側部分７２４の上端面７２４ｔがエッジリングＥＲの下面よりも下方にある位置である。複数のリフトピン７２１が待機位置にある状態では、エッジリングＥＲ及びカバーリングＣＲは、複数のリフトピン７２１によって持ち上げられることなく、静電チャック２０及び絶縁体２７によってそれぞれ支持される。
　第１支持位置は、待機位置よりも上方の位置である。複数のリフトピン７２１の各々が第１支持位置に配置されている状態では、上側部分７２４の上端面７２４ｔは、カバーリングＣＲの上面よりも上方に位置し、下側部分７２３の上端面７２３ｔは、カバーリングＣＲの下面よりも下方に位置する。複数のリフトピン７２１が第１支持位置に配置されている状態では、上側部分７２４の上端面７２４ｔが、エッジリングＥＲの下面に形成された凹部ＥＲｒを画成する面に当接する。これにより、複数のリフトピン７２１は、エッジリングＥＲを支持する。
　第２支持位置は、第１支持位置よりも上方の位置である。複数のリフトピン７２１の各々が第２支持位置に配置されている状態では、下側部分７２３の上端面７２３ｔは、絶縁体２７の上面よりも上方に位置する。複数のリフトピン７２１が第２支持位置に配置されている状態では、下側部分７２３の上端面７２３ｔがカバーリングＣＲの下面に当接する。これにより、複数のリフトピン７２１は、カバーリングＣＲを支持する。なお、カバーリングＣＲの内周部上にエッジリングＥＲが位置していた場合には、上側部分７２４の上端面７２４ｔが凹部ＥＲｒを画成する面に当接して、複数のリフトピン７２１がカバーリングＣＲとエッジリングＥＲの双方を支持する。
　リフタ７２は、搬送ロボットＴＲと基板支持部１６との間でエッジリングＥＲのみを受け渡すときには、複数のリフトピン７２１を第１支持位置に移動させる。リフタ７２は、搬送ロボットＴＲと基板支持部１６との間でエッジリングＥＲ及びカバーリングＣＲの双方又はカバーリングＣＲのみを受け渡すときには、複数のリフトピン７２１を第２支持位置に移動させる。
　以下、図４及び図５を参照して、アライナＲＡＮ及びストッカモジュールＲＳＭの詳細について説明する。図４は、一実施形態に係るストッカモジュールを示す斜視図である。図４は、ストッカモジュールＲＳＭの内部を図示する一部切り欠き斜視図である。図５は、一実施形態に係るストッカモジュールの端面図である。
　ストッカモジュールＲＳＭは、チャンバＲＣを含む。チャンバＲＣは、その内部空間を減圧可能に構成されている。図４は、該内部空間を図示するためにその一部が切り欠かれた状態のチャンバＲＣを図示している。チャンバＲＣ内には、アライナＲＡＮ及びカセットモジュールＣＴＭが配置されている。アライナＲＡＮは、カセットモジュールＣＴＭの上方に配置されている。カセットモジュールＣＴＭは、複数のカセットＣＴを含んでいる。複数のカセットＣＴの各々は、リング部材Ｒをその中に収容するように構成されている。
　カセットモジュールＣＴＭには、複数のリング部材Ｒが収容されている。複数のリング部材Ｒは、エッジリングＥＲ及びカバーリングＣＲを含んでいてもよい。図５に示すようにカセットモジュールＣＴＭでは、エッジリングＥＲとカバーリングＣＲとが交互に配列されている。アライナＲＡＮ及びカセットモジュールＣＴＭは、上下方向に移動可能に構成されていてもよい。例えば、チャンバＲＣ内の搬送位置に配置されたカセットＣＴからリング部材Ｒが搬出される。カセットモジュールＣＴＭは、搬出されるリング部材ＲがチャンバＲＣ内の搬送位置に配置されるよう、上下方向に移動し得る。カセットモジュールＣＴＭでは、複数のリング部材Ｒのうち一番下に配置されたリング部材Ｒから順番に搬出されてもよい。
　アライナＲＡＮは、ステージＳＴ及び光学センサＳ１を有している。ステージＳＴは、その上にリング部材Ｒが載置されるように構成されている。光学センサＳ１は、ステージＳＴ上に載置されたリング部材Ｒの形状を検出するように構成されている。
　一実施形態において、ステージＳＴは、その上に載置されたリング部材Ｒと共に回転可能に構成される。例えば、ステージＳＴは、回転可能に構成され、リング部材Ｒを支持するように構成された支持部ＲＳＴを含んでいてもよい。支持部ＲＳＴは、可視光が透過可能な材料から形成される。一例において、支持部ＲＳＴは、ガラスから形成される。支持部ＲＳＴは、複数のパッドＰＤを含んでいてもよい。複数のパッドは、エッジリングＥＲ用のパッド、及びカバーリングＣＲ用のパッドを含み得る。エッジリングＥＲ用のパッドは、カバーリングＣＲ用のパッドの内側に配置される。アライナＲＡＮは、ステージＳＴの支持部ＲＳＴがチャンバＲＣ内の搬送位置に配置されるよう、上下方向に移動し得る。
　一実施形態において、光学センサＳ１は、ラインセンサＬＳ及び光源Ｌを含んでいる。ラインセンサＬＳは、リング部材Ｒの外縁及び内縁を検出可能に配置されている。光源Ｌは、ラインセンサＬＳに向けて光を出射する。一例において、光源Ｌは、レーザ光を出射してもよい。例えば、ラインセンサＬＳ及び光源Ｌは、ステージＳＴがその間に位置するよう上下方向で互いに対向するように配置されている。ラインセンサＬＳは、光源Ｌから見て、リング部材Ｒの内縁及びリング部材Ｒの外縁と交差するように、支持部ＲＳＴの下に配置されてもよい。一例において、ステージＳＴと該ステージ上に載置されたリング部材Ｒとが共に回転している際に、光源Ｌは、ラインセンサＬＳに向けて光を出射する。ラインセンサＬＳは、リング部材Ｒの内縁及びリング部材Ｒの外縁が投影された光を検出する。光学センサＳ１は、ラインセンサＬＳが検出した該光から、リング部材Ｒの形状を検出する。
　アライナＲＡＮは、ステージＳＴ上に配置されるリング部材Ｒの位置の調整（アライメント）を行うように構成されてもよい。光学センサＳ１は、支持部ＲＳＴ上でのリング部材の位置を光学的に検出するように構成され得る。アライナＲＡＮは、光学センサＳ１によって検出された位置に応じて、リング部材Ｒの位置の調整を行うように構成されていてもよい。一実施形態において、アライナＲＡＮは、エッジリングＥＲ及びカバーリングＣＲの検出、並びに、それらの各々についての位置合わせを可能とするように構成されている。一例において、アライナＲＡＮは、ラインセンサＬＳの内側部分でエッジリングＥＲの位置合わせを行い、ラインセンサの外側部分でカバーリングＣＲの位置合わせを行うことが可能であるように構成されてもよい。
　一実施形態において、ストッカモジュールＲＳＭは、光学センサＳ２を更に含んでいてもよい。光学センサＳ２は、リング部材Ｒの厚さを検出するように構成される。一例において、光学センサＳ２は、マッピングセンサである。光学センサＳ２は、水平方向にレーザ光を出射する光源、及び光源から出射されたレーザ光を受光する光センサを含みうる。カセットＣＴは、切り欠きが形成された側面を含んでいてもよい。該切り欠きは、カセットＣＴ内に収容されたリング部材Ｒにレーザ光が照射されるよう位置している。
　以下、図６及び図７を参照して、リング部材Ｒの形状、及びリング部材Ｒの形状から抽出されるリング部材Ｒの特徴情報について説明する。図６は、一実施形態に係るエッジリング及びアライナの平面図である。図６は、アライナＲＡＮの支持部ＲＳＴ上に載置されたエッジリングＥＲを示している。図７は、一実施形態に係るカバーリング及びアライナの平面図である。図７は、アライナＲＡＮの支持部ＲＳＴ上に載置されたカバーリングＣＲを示している。
　特定部ＩＵは、光学センサＳ１によって取得されたリング部材Ｒの形状から、リング部材Ｒの特徴を示す特徴情報を取得する。一実施形態において、リング部材Ｒの特徴は、リング部材の内径、外径、及び厚さのうち少なくとも一つを含んでいてもよい。少なくとも一つを含んでいてもよいとは、リング部材Ｒは、その特徴として内径、外径、又は厚さのうち一つを含んでもよく、複数を含んでもよいことを意味する。リング部材の内径及び外径は、リング部材の内縁及び外縁の曲率から求められてもよい。
　図６及び図７の例では、リング部材Ｒには、第１のノッチＮＴ１及び第２のノッチＮＴ２が形成されている。該リング部材の特徴は、少なくとも一つのノッチとして、第１のノッチＮＴ１及び第２のノッチＮＴ２を含んでいる。図６に示すように、エッジリングＥＲでは、第１のノッチＮＴ１及び第２のノッチＮＴ２は、その外縁に形成されている。図７に示すように、カバーリングＣＲでは、第１のノッチＮＴ１及び第２のノッチＮＴ２は、その内縁に形成されている。一実施形態において、特定部ＩＵは、光学センサＳ２が検出したリング部材Ｒの厚さを、リング部材Ｒの特徴を示す特徴情報として取得してもよい。
　一実施形態において、リング部材Ｒの特徴は、リング部材Ｒに形成されたノッチの数を含んでいてもよい。図６及び図７の例では、少なくとも一つのノッチの数は、二つである。リング部材Ｒにノッチが形成されていない場合には、ノッチの数は、０とされる。一実施形態において、リング部材Ｒの特徴は、第１のノッチＮＴ１と第２のノッチＮＴ２との間の相対的な位置関係を含んでいてもよい。第１のノッチＮＴ１と第２のノッチＮＴ２との間の相対的な位置関係とは、例えば、リング部材Ｒの中心に対する第１のノッチＮＴ１と第２のノッチＮＴ２との間の角度である。第１のノッチＮＴ１と第２のノッチＮＴ２との間の相対的な位置関係とは、第１のノッチＮＴ１と第２のノッチＮＴ２との間の距離であってもよい。
　複数のリング部材Ｒの各々は、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち対応するプロセスモジュール用のリング部材Ｒである。基板処理システムＰＳでは、複数のリング部材Ｒの各々は、対応するプロセスモジュールに搬送される。記憶部ＭＵは、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々の識別子に関連付けられて複数のリング部材Ｒの各々の特徴を示す特徴情報が格納されたテーブルを含んでいる。例えば、該テーブルでは、特定のリング部材Ｒの特徴を示す特徴情報と、特定のリング部材Ｒに対応する特定のプロセスモジュールの識別子とが対応するように格納されている。
　特定部ＩＵは、記憶部ＭＵのテーブルを参照して、リング部材Ｒの特徴を示す特徴情報に関連付けられて格納された識別子から、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうちリング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールを特定する。リング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールとは、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうちリング部材Ｒに対応するプロセスモジュールである。
　リング部材Ｒの特徴を示す特徴情報は、該リング部材Ｒに対応するプロセスモジュールの識別子に関連付けられ、記憶部ＭＵのテーブルに格納されている。基板処理システムＰＳによれば、記憶部ＭＵのテーブルが参照されることによって、リング部材のＲの形状から抽出されたリング部材Ｒの特徴を示す特徴情報からリング部材Ｒに対応するプロセスモジュールが特定される。
　制御部ＭＣは、搬送ロボットＴＲを制御する。制御部ＭＣは、ストッカモジュールＲＳＭにおいて、カセットモジュールＣＴＭとアライナＲＡＮとのパスの間でリング部材Ｒを搬送するよう搬送ロボットＴＲを制御してもよい。制御部ＭＣは、リング部材Ｒを複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち指定されたプロセスモジュールに搬送するよう搬送ロボットＴＲを制御してもよい。
　一実施形態において、制御部ＭＣは、リング部材Ｒを複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち指定されたプロセスモジュールに搬送する前に、該リング部材ＲをアライナＲＡＮのステージＳＴ上に搬送する。制御部ＭＣは、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうちステージＳＴ上に搬送されたリング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールの識別子であって、特定部ＩＵにおいてステージＳＴ上に搬送されたリング部材Ｒの特徴情報を用いてテーブルを参照することにより特定される該プロセスモジュールの該識別子を所得する。制御部ＭＣは、指定されたプロセスモジュールの識別子と、搬送されるべきプロセスモジュールの識別子とが一致するかを判定する。
　一実施形態において、制御部ＭＣは、リング部材Ｒをプロセスモジュールから搬出した後に、該リング部材ＲをアライナＲＡＮのステージＳＴ上に搬送する。制御部ＭＣは、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうちステージＳＴ上に搬送されたリング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールの識別子であって、特定部ＩＵにおいてステージＳＴ上に搬送されたリング部材Ｒの特徴情報を用いてテーブルを参照することにより特定される該プロセスモジュールの該識別子を所得する。制御部ＭＣは、リング部材Ｒが搬出されたプロセスモジュールの識別子と、搬送されるべきプロセスモジュールの識別子とが一致するかを判定する。
　図８は、一つの例示的実施形態に係る基板処理方法を示す流れ図である。以下、図８を参照して、基板処理方法（以下、「方法ＭＴ」という）を実行する一例について説明する。方法ＭＴは、基板処理システムＰＳを用いて実行される。以下、方法ＭＴにおける基板処理システムＰＳの各構成及び各部の制御についても説明する。なお、方法ＭＴは、基板処理システムＰＳ以外の基板処理システムを用いて行われてもよい。
　方法ＭＴは、工程ＳＴ１で開始する。工程ＳＴ１では、アライナＲＡＮにリング部材Ｒが搬送される。一例において、リング部材Ｒは、カセットモジュールＣＴＭのうち最も下に配置されたカセットＣＴから、アライナＲＡＮのステージＳＴ上に、搬送ロボットＴＲによって搬送される。一実施形態において、工程ＳＴ１は、リング部材Ｒを複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち指定されたプロセスモジュールに搬送する前に行われてもよい。図８の例では、指定されたプロセスモジュールに搬送する工程ＳＴ５の前に、工程ＳＴ１は行われる。
　工程ＳＴ１の後、工程ＳＴ２が行われる。工程ＳＴ２では、アライナＲＡＮに搬送されたリング部材Ｒの形状が検出される。例えば、リング部材Ｒの内縁及び外縁の各々の形状が、光学センサＳ１によって検出される。一実施形態において、リング部材Ｒの形状は、リング部材Ｒの厚さであってもよい。リング部材Ｒの厚さは、工程ＳＴ２の前に、ストッカモジュールＲＳＭに配置された、光学センサＳ２によって検出されてもよい。
　工程ＳＴ２の後、工程ＳＴ３が行われる。工程ＳＴ３では、リング部材Ｒの形状から、リング部材Ｒの特徴を示す特徴情報が抽出される。特徴情報が抽出された後に記憶部ＭＵのテーブルが参照され、該特徴情報に関連付けられて記憶部ＭＵのテーブルに格納されたプロセスモジュールの識別子から、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち該リング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールが特定される。
　例えば、記憶部ＭＵのテーブルには、プロセスモジュールＰＭ１の識別子と、プロセスモジュールＰＭ１に対応するリング部材Ｒの特徴情報とが関連付けられて格納されている。記憶部ＭＵのテーブルには、プロセスモジュールＰＭ１の識別子と、プロセスモジュールＰＭ１に対応するリング部材Ｒの識別子とが関連付けられて格納され、且つ、リング部材Ｒの識別子と該リング部材Ｒの特徴情報とが関連付けられて格納されていてもよい。
　一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴ４を含んでいてもよい。工程ＳＴ４は、工程ＳＴ３の後に行われる。工程ＳＴ４では、リング部材Ｒが搬送される指定されたプロセスモジュールの識別子と、工程ＳＴ３において特定されたリング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールの識別子とが、一致するかが判定される。工程ＳＴ４において一致すると判定されなかった場合（図８の工程ＳＴ４における判定の結果が「ＮＯ」である場合）には、方法ＭＴは終了してもよい。この場合、例えば、方法ＭＴは、異常終了する。方法ＭＴが異常終了する前に、基板処理システムＰＳは、指定されたプロセスモジュールの識別子とリング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールの識別子とが一致しないことを、作業者に報知してもよい。工程ＳＴ４において一致すると判断された場合（図８の工程ＳＴ４における判定の結果が「ＹＥＳ」である場合）には、工程ＳＴ５が実行され得る。
　一例において、方法ＭＴは、工程ＳＴ５及び工程ＳＴ６を含んでいてもよい。工程ＳＴ５では、リング部材Ｒは、複数のプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち指定されたプロセスモジュールに搬送される。例えば、カバーリングＣＲは、指定されたプロセスモジュールの処理チャンバ１０における基板支持部１６の絶縁体２７上にリフタ７０を経由して搬送される。例えば、エッジリングＥＲは、指定されたプロセスモジュールの処理チャンバ１０における基板支持部１６のリング支持面２０ｂ上にリフタ７０を経由して搬送される。
　工程ＳＴ５の後に、指定されたプロセスモジュールに基板Ｗが搬送され得る（不図示）。例えば、基板Ｗは、工程ＳＴ５で搬送されたエッジリングＥＲに囲まれるように、基板支持面２０ａ上に搬送される。
　工程ＳＴ６は、工程ＳＴ５の後に行われる。工程ＳＴ６では、基板支持部１６上の基板Ｗに対して基板処理が行われる。基板処理は、プラズマ処理であってもよい。基板処理は、エッチング処理及び成膜処理を含み得る。
　工程ＳＴ６の後に、指定されたプロセスモジュールから基板Ｗが搬出され得る（不図示）。例えば、基板Ｗは、搬送チャンバＶＣＨを介して搬送チャンバＡＣＨに搬送される。
　一実施形態において、方法ＭＴは、工程ＳＴ７、工程ＳＴ８、工程ＳＴ９、及び工程ＳＴ１０を含んでいてもよい。工程ＳＴ７は、工程ＳＴ６の後に行われる。工程ＳＴ７では、指定されたプロセスモジュールからリング部材Ｒが搬出された後に、アライナＲＡＮにリング部材Ｒが搬送される。一例において、リング部材Ｒは、指定されたプロセスモジュールの処理チャンバ１０における基板支持部１６上から、アライナＲＡＮのステージＳＴ上に、搬送ロボットＴＲによって搬送される。
　工程ＳＴ８は、工程ＳＴ７の後に行われる。工程ＳＴ８では、工程ＳＴ２と同様に、アライナＲＡＮに搬送されたリング部材Ｒの形状が検出される。工程ＳＴ９は、工程ＳＴ８の後に行われる。工程ＳＴ９では、工程ＳＴ３と同様に、リング部材Ｒの形状から、リング部材Ｒの特徴を示す特徴情報が抽出され、リング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールが特定される。
　工程ＳＴ１０は、工程ＳＴ９の後に行われる。工程ＳＴ１０では、リング部材Ｒが搬出されたプロセスモジュールの識別子と、工程ＳＴ９において特定されたリング部材Ｒが搬送されるべきプロセスモジュールの識別子とが、一致するかが判定される。工程ＳＴ１０において一致すると判定されなかった場合（図８の工程ＳＴ４における判定の結果が「ＮＯ」である場合）には、方法ＭＴは終了し得る。この場合、一例において、方法ＭＴは、異常終了する。方法ＭＴが異常終了する前に、基板処理システムＰＳは、指定されたプロセスモジュールの識別子とリング部材Ｒが搬出されたプロセスモジュールの識別子とが一致しないことを、作業者に報知してもよい。工程ＳＴ１０において一致すると判断された場合（図８の工程ＳＴ４における判定の結果が「ＹＥＳ」である場合）には、方法ＭＴは終了し得る。この場合、一例において、方法ＭＴは、正常終了する。
　以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
　基板処理システムＰＳは、必ずしも図１に示されるものに限定されない。例えば、基板処理システムにおけるプロセスモジュールの数及び／又は搬送モジュールの数は、図１に示されるものとは異なっていてもよい。例えば、ロードポートの数は、５以上であってもよく、ロードポートの数は任意の数であり得る。また、基板処理システムは、各々がプロセスモジュールとロードロックモジュールを含む複数のモジュール群をローダモジュールに連結させたシステム（所謂ローダー型システム）であってもよい。また、基板処理システムは、搬送モジュールの周囲に二つ以上のプロセスモジュールを、該搬送モジュールを取り囲むように並べて連結したシステム（所謂クラスタ型システム）であってもよい。
　一実施形態において、アライナＲＡＮは、ローダモジュールＬＭの搬送チャンバＡＣＨに接続されていてもよい。この場合、ストッカモジュールＲＳＭは、搬送チャンバＡＣＨに接続され得る。
　方法ＭＴは、工程ＳＴ５～工程ＳＴ１０を含まなくてもよい。方法ＭＴは、工程ＳＴ１～ＳＴ６を含まなくてもよい。方法ＭＴが工程ＳＴ１～ＳＴ６を含まない場合には、方法ＭＴは、工程ＳＴ７で開始する。
　ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１４］に記載する。
［Ｅ１］
　減圧可能な搬送チャンバと、該搬送チャンバを介して基板の搬送を行うように構成された搬送ロボットと、を有する真空搬送モジュールと、
　前記搬送ロボットを制御するように構成された制御部と、
　各々が、前記搬送チャンバに接続された処理チャンバと、該処理チャンバ内に配置された基板支持部と、を有し、該基板支持部上の基板に対する基板処理を行うように構成された複数のプロセスモジュールと、
　その上にリング部材が載置されるように構成されたステージと、該ステージ上に載置された該リング部材の形状を検出するように構成された光学センサと、を有するアライナと、
　前記複数のプロセスモジュールの各々の識別子に関連付けられて複数のリング部材の各々の特徴を示す特徴情報が格納されたテーブルを含む記憶部と、
　前記光学センサによって検出された前記リング部材の前記形状から該リング部材の前記特徴情報を抽出し、前記記憶部の前記テーブルを参照して該特徴情報に関連付けられて格納された前記識別子から前記複数のプロセスモジュールのうち該リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールを特定する特定部と、を備える、基板処理システム。
［Ｅ２］
　前記特徴は、前記リング部材の内径、外径、又は厚さのうち少なくとも一つを含む、
Ｅ１に記載の基板処理システム。
［Ｅ３］
　前記特徴は、前記リング部材に形成されたノッチの数を含む、
Ｅ１又はＥ２に記載の基板処理システム。
［Ｅ４］
　前記リング部材には、第１のノッチ及び第２のノッチが形成され、
　前記特徴は、前記第１のノッチと前記第２のノッチとの間の相対的な位置関係を含む、
Ｅ１～Ｅ３の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ５］
　前記リング部材は、前記基板支持部上で基板を囲むように用いられるエッジリング又は該エッジリングを囲むように用いられるカバーリングである、
Ｅ１～Ｅ４の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ６］
　前記ステージは、その上に載置された前記リング部材と共に回転可能に構成され、
　前記光学センサは、
　　前記リング部材の外縁及び内縁を検出可能に配置されたラインセンサと、
　　前記ラインセンサに向けて光を出射するように構成された光源と、を含む、
Ｅ１～Ｅ５の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ７］
　該基板処理システムは、
　　前記真空搬送モジュールの前記搬送チャンバに接続されたロードロックモジュールと、
　　前記ロードロックモジュールに接続された別の搬送チャンバと、該別の搬送チャンバを介して前記基板の搬送を行うように構成された別の搬送ロボットと、を有する大気搬送モジュールと、を更に備え、
　前記アライナは、前記大気搬送モジュールの前記別の搬送チャンバに接続されている、
Ｅ１～Ｅ６の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ８］
　前記アライナは、前記真空搬送モジュールの前記搬送チャンバに接続されている、
Ｅ１～Ｅ６の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ９］
　該基板処理システムは、前記真空搬送モジュールの前記搬送チャンバに接続され前記リング部材をその内部に収容するように構成されたストッカモジュールを更に備え、
　前記アライナは、前記ストッカモジュール内に配置されている、
Ｅ８に記載の基板処理システム。
［Ｅ１０］
　前記特徴は、前記リング部材の厚さを含み、
　前記ストッカモジュールは、前記厚さを検出するように構成された別の光学センサを含む、
Ｅ９に記載の基板処理システム。
［Ｅ１１］
　前記制御部は、
　　前記リング部材を前記複数のプロセスモジュールのうち指定されたプロセスモジュールに搬送する前に、該リング部材を前記アライナの前記ステージ上に搬送するよう前記搬送ロボットを制御し、
　　前記複数のプロセスモジュールのうち前記ステージ上に搬送された前記リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールの識別子であって、前記特定部において該ステージ上に搬送された該リング部材の前記特徴情報を用いて前記テーブルを参照することにより特定される該プロセスモジュールの該識別子を取得し、
　　前記指定された前記プロセスモジュールの識別子と前記搬送されるべき前記プロセスモジュールの前記識別子とが一致するかを判定する、
　ように構成されている、
Ｅ１～Ｅ１０の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１２］
　前記制御部は、
　　前記リング部材をプロセスモジュールから搬出した後に、該リング部材を前記アライナの前記ステージ上に搬送するよう前記搬送ロボットを制御し、
　　前記複数のプロセスモジュールのうち前記ステージ上に搬送された前記リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールの識別子を、前記ステージ上に搬送された前記リング部材の前記特徴情報を抽出して前記記憶部の前記テーブルを参照した前記特定部から取得し、
　　前記リング部材が搬出された前記プロセスモジュールの識別子と前記搬送されるべき前記プロセスモジュールの前記識別子とが一致するかを判定する、
　ように構成されている、
Ｅ１～Ｅ１１の何れか一項に記載の基板処理システム。
［Ｅ１３］
　基板処理システムにおいて実行される基板処理方法であって、
　前記基板処理システムは、
　　各々が、基板処理を行うように構成された複数のプロセスモジュールと、
　　リング部材の特徴を検出するように構成されたアライナと、
　　前記複数のプロセスモジュールの各々の識別子に関連付けられて複数のリング部材の各々の特徴を示す特徴情報が格納されたテーブルを含む記憶部と、
を備え、該基板処理方法は、
　（ａ）前記アライナにリング部材を搬送する工程と、
　（ｂ）前記（ａ）の工程の後、前記アライナに搬送された前記リング部材の形状を検出する工程と、
　（ｃ）前記（ｂ）の工程の後、検出された前記リング部材の前記形状から該リング部材の前記特徴情報を抽出し、前記記憶部の前記テーブルを参照して該特徴情報に関連付けられて格納された前記識別子から該リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールを特定する工程と、
を含む、基板処理方法。
［Ｅ１４］
　前記（ａ）は、前記リング部材を指定されたプロセスモジュールに搬送する前に行われ、
　（ｄ）前記（ｃ）の後、前記指定された前記プロセスモジュールの識別子と前記搬送されるべき前記プロセスモジュールの前記識別子とが一致するかが判定される工程を更に含む、
Ｅ１３に記載の基板処理方法。
［Ｅ１５］
　前記（ａ）は、前記リング部材をプロセスモジュールから搬出した後に行われ、
　（ｅ）前記（ｃ）の後、前記リング部材が搬出された前記プロセスモジュールの識別子と前記搬送されるべき前記プロセスモジュールの前記識別子とが一致するかが判定される工程を更に含む、
Ｅ１３又はＥ１４に記載の基板処理方法。
　Ｅ１３～Ｅ１５に記載の処理方法は、Ｅ１～Ｅ１２に記載の基板処理システムにおいて実行されてもよい。
　以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
　１０…処理チャンバ、１６…基板支持部、ＡＣＨ，ＶＣＨ…搬送チャンバ、ＣＲ…カバーリング、ＥＲ…エッジリング、ＩＵ…特定部、Ｌ…光源、ＬＬ１，ＬＬ２…ロードロックモジュール、ＬＭ…ローダモジュール、ＬＳ…ラインセンサ、ＭＣ…制御部、ＭＵ…記憶部、ＮＴ１…第１のノッチ、ＮＴ２…第２のノッチ、ＰＭ１～ＰＭ６…複数のプロセスモジュール、ＰＳ…基板処理システム、Ｒ…リング部材、ＲＡＮ…アライナ、ＲＳＭ…ストッカモジュール、Ｓ１，Ｓ２…光学センサ、ＳＴ…ステージ、ＴＲ…搬送ロボット、ＶＴＭ…真空搬送モジュール、Ｗ…基板。

Claims (15)

  1. 　減圧可能な搬送チャンバと、該搬送チャンバを介して基板の搬送を行うように構成された搬送ロボットと、を有する真空搬送モジュールと、
    　前記搬送ロボットを制御するように構成された制御部と、
    　各々が、前記搬送チャンバに接続された処理チャンバと、該処理チャンバ内に配置された基板支持部と、を有し、該基板支持部上の基板に対する基板処理を行うように構成された複数のプロセスモジュールと、
    　その上にリング部材が載置されるように構成されたステージと、該ステージ上に載置された該リング部材の形状を検出するように構成された光学センサと、を有するアライナと、
    　前記複数のプロセスモジュールの各々の識別子に関連付けられて複数のリング部材の各々の特徴を示す特徴情報が格納されたテーブルを含む記憶部と、
    　前記光学センサによって検出された前記リング部材の前記形状から該リング部材の前記特徴情報を抽出し、前記記憶部の前記テーブルを参照して該特徴情報に関連付けられて格納された前記識別子から前記複数のプロセスモジュールのうち該リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールを特定する特定部と、
    を備える、基板処理システム。
  2. 　前記特徴は、前記リング部材の内径、外径、及び厚さのうち少なくとも一つを含む、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 　前記特徴は、前記リング部材に形成されたノッチの数を含む、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  4. 　前記リング部材には、第１のノッチ及び第２のノッチが形成され、
    　前記特徴は、前記第１のノッチと前記第２のノッチとの間の相対的な位置関係を含む、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  5. 　前記リング部材は、前記基板支持部上で基板を囲むように用いられるエッジリング又は該エッジリングを囲むように用いられるカバーリングである、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  6. 　前記ステージは、その上に載置された前記リング部材と共に回転可能に構成され、
    　前記光学センサは、
    　　前記リング部材の外縁及び内縁を検出可能に配置されたラインセンサと、
    　　前記ラインセンサに向けて光を出射するように構成された光源と、を含む、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  7. 　該基板処理システムは、
    　　前記真空搬送モジュールの前記搬送チャンバに接続されたロードロックモジュールと、
    　　前記ロードロックモジュールに接続された別の搬送チャンバと、該別の搬送チャンバを介して前記基板の搬送を行うように構成された別の搬送ロボットと、を有する大気搬送モジュールと、を更に備え、
    　前記アライナは、前記大気搬送モジュールの前記別の搬送チャンバに接続されている、
    請求項１～６の何れか一項に記載の基板処理システム。
  8. 　前記アライナは、前記真空搬送モジュールの前記搬送チャンバに接続されている、
    請求項１～６の何れか一項に記載の基板処理システム。
  9. 　該基板処理システムは、前記真空搬送モジュールの前記搬送チャンバに接続され前記リング部材をその内部に収容するように構成されたストッカモジュールを更に備え、
    　前記アライナは、前記ストッカモジュール内に配置されている、
    請求項８に記載の基板処理システム。
  10. 　前記特徴は、前記リング部材の厚さを含み、
    　前記ストッカモジュールは、前記厚さを検出するように構成された別の光学センサを含む、
    請求項９に記載の基板処理システム。
  11. 　前記制御部は、
    　　前記リング部材を前記複数のプロセスモジュールのうち指定されたプロセスモジュールに搬送する前に、該リング部材を前記アライナの前記ステージ上に搬送するよう前記搬送ロボットを制御し、
    　　前記複数のプロセスモジュールのうち前記ステージ上に搬送された前記リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールの識別子であって、前記特定部において該ステージ上に搬送された該リング部材の前記特徴情報を用いて前記テーブルを参照することにより特定される該プロセスモジュールの該識別子を取得し、
    　　前記指定された前記プロセスモジュールの識別子と前記搬送されるべき前記プロセスモジュールの前記識別子とが一致するかを判定する、
    　ように構成されている、
    請求項１～６の何れか一項に記載の基板処理システム。
  12. 　前記制御部は、
    　　前記リング部材をプロセスモジュールから搬出した後に、該リング部材を前記アライナの前記ステージ上に搬送するよう前記搬送ロボットを制御し、
    　　前記複数のプロセスモジュールのうち前記ステージ上に搬送された前記リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールの識別子であって、前記特定部において該ステージ上に搬送された該リング部材の前記特徴情報を用いて前記テーブルを参照することにより特定される該プロセスモジュールの該識別子を取得し、
    　　前記リング部材が搬出された前記プロセスモジュールの識別子と前記搬送されるべき前記プロセスモジュールの前記識別子とが一致するかを判定する、
    　ように構成されている、
    請求項１～６の何れか一項に記載の基板処理システム。
  13. 　基板処理システムにおいて実行される基板処理方法であって、
    　前記基板処理システムは、
    　　各々が、基板処理を行うように構成された複数のプロセスモジュールと、
    　　リング部材の特徴を検出するように構成されたアライナと、
    　　前記複数のプロセスモジュールの各々の識別子に関連付けられて複数のリング部材の各々の特徴を示す特徴情報が格納されたテーブルを含む記憶部と、
    を備え、該基板処理方法は、
    　（ａ）前記アライナにリング部材を搬送する工程と、
    　（ｂ）前記（ａ）の工程の後、前記アライナに搬送された前記リング部材の形状を検出する工程と、
    　（ｃ）前記（ｂ）の工程の後、検出された前記リング部材の前記形状から該リング部材の前記特徴情報を抽出し、前記記憶部の前記テーブルを参照して該特徴情報に関連付けられて格納された前記識別子から該リング部材が搬送されるべきプロセスモジュールを特定する工程と、
    を含む、基板処理方法。
  14. 　前記（ａ）は、前記リング部材を指定されたプロセスモジュールに搬送する前に行われ、
    　（ｄ）前記（ｃ）の後、前記指定された前記プロセスモジュールの識別子と前記搬送されるべき前記プロセスモジュールの前記識別子とが一致するかが判定される工程を更に含む、
    請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 　前記（ａ）は、前記リング部材をプロセスモジュールから搬出した後に行われ、
    　（ｅ）前記（ｃ）の後、前記リング部材が搬出された前記プロセスモジュールの識別子と前記搬送されるべき前記プロセスモジュールの前記識別子とが一致するかが判定される工程を更に含む、
    請求項１３又は１４に記載の基板処理方法。
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