WO2025005103A1

WO2025005103A1 - センサおよび位置検出装置

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Publication number: WO2025005103A1
Application number: PCT/JP2024/023084
Authority: WO
Inventors: 比呂志水橋; 詞貴後藤; ジュフンリ; 隼人倉澤
Original assignee: Wacom Co Ltd
Current assignee: Wacom Co Ltd
Priority date: 2023-06-27
Filing date: 2024-06-26
Publication date: 2025-01-02
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Abstract

位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させる。　オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するための交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）からの交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）と、を含み、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１のオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極によって囲まれ、ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士をジャンパ配線によって結合してＲＸ電極配線が直線状に形成されている。

Description

センサおよび位置検出装置

　本発明は、センサおよび位置検出装置に関する。

　近年、例えば、タブレット型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）等の入力デバイスとして電磁誘導方式による位置入力装置が用いられている。
　この位置入力装置は、ペン形状の位置指示器（ペン型位置指示器）と、このペン型位置指示器を用いて、ポインティング操作や文字及び図等の入力を行う入力面を有する位置検出装置と、から構成されている。

　位置指示器は、コイルとコンデンサとからなる共振回路を備える。
　一方、位置検出装置は、図１８に示すように、アクティブエリアＡＡ内における位置指示器のＸ軸方向の座標を求めるために、
　Ｘ方向に並べられたＸセンサコイルＸ０、・・・、Ｘ４を含むＸセンサコイル群と、
　Ｘセンサコイル群に接続されたスイッチと、
　・送出期間ではＸ軸に並べられたＸセンサコイル群の各々に電流を流すことにより交番磁界（送出磁界、以下同じ）を生成し、
　・送出期間の後の検出期間では、送出期間に共振回路にエネルギーを蓄えた位置指示器からその後も継続的に生成されるペン信号（位置指示器の回路により生成される交番磁界、以下同じ）によりＸセンサコイル群の各々に生じる起電力を電流または電圧により検出するＸ軸ＴＸ／ＲＸ回路と、
　を含み構成される。

　同様に、位置検出装置は位置指示器のＹ軸方向の座標を求めるために、
　Ｙ方向に並べられたＹセンサコイルＹ０、・・・、Ｙ４を含むＹセンサコイル群と、
　Ｙセンサコイル群に接続されたスイッチと、
　・送出期間ではＹ軸に並べられたＸセンサコイル群の各々に電流を流すことで送出磁界を生成し、
　・送出期間の後の検出期間では、送出期間に共振回路にエネルギーを蓄えた位置指示器からその後も継続的に生成されるペン信号によりＹセンサコイル群の各々に生じる起電力を電流または電圧により検出する、Ｙ軸ＴＸ／ＲＸ回路と、
　を含み構成される。

　位置検出装置は、例えば、位置検出センサを構成する複数のセンサコイルから所定の順番で１つのセンサコイルを選択し、この選択したセンサコイルから位置指示器に対して送信信号を送出し、位置指示器内のコンデンサを充電する。
　一方で、位置検出装置は、送信に用いたセンサコイルを受信回路に接続して位置指示器の共振回路から送信される信号を受信する。
　位置検出装置は、センサコイルを順次に切り替えて、このような信号の送受信を行うことによって、位置検出装置上における位置指示器の位置を検出する。

　位置検出装置における位置指示器の位置検出を詳述すると、まず、（１）位置指示器が指示位置検出センサ上のどの辺りにあるかを検出するため、全てのセンサコイルを順次切り替えて位置指示器の指示位置を検出するグローバルスキャンを行って、位置検出センサ上におけるおおよその位置を特定し、（２）特定したおおよその位置近傍の所定数のセンサコイルのみを順番に選択して信号の送受信を行うセクタスキャンを行って、位置指示器による指示位置を正確に特定する。

　ここで、図１８の例では、位置指示器のＹ軸方向の座標は図中ＲＸｄａｔａ（上段）で示すように、ＹセンサコイルＹ０で得られたレベル値３４、ＹセンサコイルＹ１で得られたレベル値１１８、・・・ＹセンサコイルＹ４で得られたレベル値１０７といった一軸方向のレベル値の分布から、Ｙ方向の座標を補間演算などにより導出する。

　同様に、位置指示器のＸ軸方向の座標は図中ＲＸｄａｔａ（下段）で示すように、ＸセンサコイルＸ０で得られたレベル値２５、同Ｘ１で得られたレベル値１００、・・・、同Ｘ４で得られたレベル値９９といった一軸方向のレベル値の分布から、Ｘ方向の座標を補間演算などにより導出する。

　このように、図１８の位置検出装置では、位置指示器の二次元座標を求める上で、２つの各々の軸におけるレベルを別々に取得し、各々の分布（ＲＸｄａｔａ）によりＸ軸とＹ軸各々の軸に対して一次元毎に座標を求め、それら２つを組み合わせて一定の加工処理をした後に２次元座標として出力する。

　また、上記の位置検出装置と、指などを静電容量（自己容量または相互容量）方式により検出するためのタッチセンサと、ディスプレイ装置とを組み合わせる（あるいは組み込む）場合のスタック構成は、図１９に示すように、ディスプレイ３００（ディスプレイフロントパネル層３０１とＴＦＴバックパネル層３０２とを含み構成される）が設けられ、ディスプレイ３００の下側に、接着層（Ｇｌｕｅ）を介してＴＸセンサコイル群１００とＲＸセンサコイル群２００とからなるＥＭＲセンサが設けられた構成となっている。
　さらに、ディスプレイ３００の上側には、タッチセンサが設けられ、タッチセンサの上側にペンが接するカバーガラス（カバーフィルムである場合も含む、以下同じ）が設けられた構成となっていた（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７－１５７１０７号公報

　しかしながら、上述の特許文献１に記載された従来の位置検出装置では、タッチセンサ、ディスプレイ３００、ＥＭＲセンサ（ＴＸセンサコイル群１００とＲＸセンサコイル群２００とを含む）が、夫々別基板（別の層）で構成されていたため、これらを接着層により接合したスタック構造の厚みが厚くなり、デザイン性も損なうという課題があった。

　そこで、本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであって、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型して、デザイン性を向上させるセンサおよびセンサを含む位置検出装置を提供することを目的とする。

　形態１；本発明の１またはそれ以上の実施形態は、オンセル型相互容量方式タッチセンサと、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するための交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層からの前記交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層と、を含み、前記ＲＸ電極層は、前記オンセル型相互容量方式タッチセンサのオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極によって囲まれ、前記ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士をジャンパ配線によって結合してＲＸ電極配線が直線状に形成されているセンサを提案している。

　形態２；本発明の１またはそれ以上の実施形態は、オンセル型相互容量方式タッチセンサと、電磁誘導方式センサと、を備え、前記オンセル型相互容量方式タッチセンサを構成する第１の電極群と前記電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群とが、少なくとも前記第１の電極群の一部と前記第２の電極群の一部とが混在する層を含んで３層以下の層により構成されているセンサを提案している。

　形態３；本発明の１またはそれ以上の実施形態は、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出する位置検出装置であって、交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層と、前記交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層と、オンセル型相互容量方式タッチセンサと、表示画素と前記表示画素の明滅を制御するディスプレイと、前記ペンに対して前記ディスプレイよりも離れた下側に設けられたサポートプレートと、を含み、前記ＲＸ電極層は、前記オンセル型相互容量方式タッチセンサのオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極によって囲まれ、前記ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士をジャンパ配線によって結合して前記ＲＸ電極が直線状に形成されている位置検出装置を提案している。

　本発明の１またはそれ以上の実施形態によれば、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型して、デザイン性を向上させることができるという効果がある。

本発明の第１の実施形態に係るセンサにおけるタッチセンサの配置を概略的に示す図である。本発明の第１の実施形態に係るセンサにおけるタッチセンサの透明基板上のメッシュ電極層の配置パターンを示す図である。本発明の第１の実施形態に係るセンサにおけるタッチセンサの透明基板裏面のジャンパ配線を示す図である。本発明の第１の実施形態に係るセンサにおける図２のメッシュ電極層と図３のジャンパ配線とを重畳させて示した図である。本発明の第１の実施形態に係るセンサを用いて、静電容量検出方式による静電容量（指タッチ）検出時の動作モードを示す図である。本発明の第１の実施形態に係るセンサを用いた位置検出装置におけるＴＸセンサコイル群の構成例を示す図である。本発明の第１の実施形態に係るセンサを用いて、電磁誘導方式によるペン検出を行う動作モード処理を示す図である。本発明の第２の実施形態に係るセンサにおいて、位置検出センサと、指などを静電容量（自己容量または相互容量）方式により検出するためのタッチセンサと、ディスプレイ装置とを組み合わせる（あるいは組み込む）場合のスタック構成の一例を示した図である。本発明の第２の実施形態に係るセンサの構成を示した図である。本発明の第２の実施形態に係るセンサを用いて、電磁誘導方式によるペン検出位置検出時の動作モード処理を示す図である。本発明の第２の実施形態に係る位置検出装置の座標導出動作を示す概念図である。本発明の第２の実施形態に係るセンサの変形例おける配線態様を示す図である。本発明の第２の実施形態に係るセンサの変形例おける配線態様を示す図である。本発明の第３の実施形態に係る位置検出装置の変形例における座標導出動作を示す概念図である。本発明の第３の実施形態に係る位置検出装置と、指などを静電容量（自己容量または相互容量）方式により検出するためのタッチセンサと、ディスプレイ装置とを組み合わせる（あるいは組み込む）場合のスタック構成の一例を示した図である。本発明の第３の実施形態に係る位置検出装置と、指などを静電容量（自己容量または相互容量）方式により検出するためのタッチセンサと、ディスプレイ装置とを組み合わせる（あるいは組み込む）場合のスタック構成の一例を示した図である。本発明の第４の実施形態に係る位置検出装置と、指などを静電容量（自己容量または相互容量）方式により検出するためのタッチセンサと、ディスプレイ装置とを組み合わせる（あるいは組み込む）場合のスタック構成の一例を示した図である。本発明の第４の実施形態に係る位置検出装置におけるＴＸセンサコイル群の構成例を示す図である。本発明の第５の実施形態に係る位置検出装置と、指などを静電容量（自己容量または相互容量）方式により検出するためのタッチセンサと、ディスプレイ装置とを組み合わせる（あるいは組み込む）場合のスタック構成の一例を示した図である。本発明の第５の実施形態に係る位置検出装置と、指などを静電容量（自己容量または相互容量）方式により検出するためのタッチセンサと、ディスプレイ装置とを組み合わせる（あるいは組み込む）場合のスタック構成の一例を示した図である。本発明の第５の実施形態に係る位置検出装置におけるＴＸセンサコイル群の構成例を示す図である。従来例に係る位置検出装置の座標導出動作を示す概念図である。従来例に係る位置検出装置と、指などを静電容量（自己容量または相互容量）方式により検出するためのタッチセンサと、ディスプレイ装置とを組み合わせる（あるいは組み込む）場合の従来のスタック構成を示した図である。

　以下、本発明の実施形態について、図１から図１９を用いて説明する。

＜第１の実施形態＞
　図１から図７を用いて、本実施形態に係るセンサ１について説明する。

＜センサ１の構成＞
　本実施形態に係るセンサ１は、図１～図４に示すように、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するためのＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）と、を含んで構成されている。

　オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１は、図１に示すように、ＴＦＴバックパネル層３０２とディスプレイフロントパネル層３０１とが積層された上部に設けられた統合センサ（Integrated/Universal Sensor Module）である。
　オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１は、例えば、ディスプレイフロントパネル層３０１の上部に設けられる図示しない偏光板とカラーフィルタとを設けたガラス基板とディスプレイフロントパネル層３０１との間に設けられている。
　オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１は、例えば、相互容量方式のタッチセンサである。

　ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するための交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層からの交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するセンサであり、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）には、ＲＸ電極が複数配設されている。
　なお、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するためのＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）の詳細な構成については、後述する。

　本実施形態に係るセンサ１は、例えば、図４に示すように、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１のオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンに電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するためのＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合されて形成されている。

＜オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の構成＞
　図２に示すように、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１を上部から見た場合、透明基板の一面に設けられたメッシュ電極層のメッシュパターンとして形成されている。
　オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１は、複数の第１センサ電極（タッチパネル用ＴＸ電極）２１０と複数の第２センサ電極２２０（タッチパネル用ＲＸ電極層）を含む。
　複数の第１センサ電極（タッチパネル用ＴＸ電極）２１０および複数の第２センサ電極２２０（タッチパネル用ＲＸ電極層）は、図示しない表示領域に重畳されている。

　第１センサ電極２１０は、図２に示すＤ１方向に複数配置されている。
　第１センサ電極２１０は、図２に示すように、例えば、フローティングパターン６１１と、フローティングパターン６１１の周囲を取り囲む周辺部６１２とからなるダイヤモンド形状となっている。
　第１センサ電極２１０の周辺部６１２は、Ｄ１方向において隣接する第１センサ電極２１０の周辺部６１２とメッシュ接続部６１３により接続されて第１タッチセンサ配線（Ｔ０～Ｔ４）を形成している。
　メッシュ接続部６１３は、第１センサ電極２１０と同様の素材で形成されている。
　第１センサ電極２１０は、第１タッチセンサ配線を形成しないメッシュパターン（例えば、フローティングパターン６１１、第２センサ電極２２０）とメッシュ電極層においては絶縁されている。
　図２に示すように、Ｄ１方向とＤ２方向とは交差している。
　第１センサ電極２１０は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１における送信電極である。

　第２センサ電極２２０は、図２に示すＤ２方向に複数配置されている。
　第２センサ電極２２０は、図２に示すように、例えば、フローティングパターン６１１と、フローティングパターン６１１の周囲を取り囲む周辺部６１２とからなるダイヤモンド形状となっている。
　図４に示すように、第２センサ電極２２０の周辺部６１２は、Ｄ２方向において隣接する第２センサ電極２２０の周辺部６１２とジャンパ配線７０３により、透明基板の裏面側で接続され、第２タッチセンサ配線（ＴＲ０～ＴＲ５）を形成している。
　ジャンパ配線７０３は、透明基板の裏面側での接続のために設けられているものであるため、メッシュ接続部６１３とジャンパ配線７０３とは、絶縁されており、第２センサ電極２２０と同様の素材である必要はない。
　第２センサ電極２２０はオンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１における受信電極であり、第２タッチセンサ配線（ＴＲ０～ＴＲ５）の一端部は、図示しないタッチセンサ信号受信回路に接続されている。

＜ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）の構成＞
　本実施形態に係るセンサ１におけるＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、図３、図４に示すように、第１センサ電極２１０の周辺部６１２がＤ２方向において隣接する第１センサ電極２１０の周辺部６１２とジャンパ配線７０１により接続されて形成されるＥＭＲセンサ配線（ＥＲ０～ＥＲ５）の一方の端部がジャンパ配線７０２によって相互に接続されることにより形成されている。
　ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、ＥＭＲセンサにおける受信電極であり、ＥＭＲセンサ配線の他方の端部は、図示しないＲＸ信号受信回路に接続されている。

　ジャンパ配線７０１、７０２は、透明基板の裏面側での接続のために設けられているものであるため、ジャンパ配線７０１、７０２は、第２センサ電極２２０と同様の素材である必要はない。

＜静電容量検出方式による静電容量（指タッチ）検出時の動作モード＞
　図５を用いて、本実施形態に係るセンサ１における静電容量検出方式による静電容量（指タッチ）検出時の動作モードについて説明する。

　本実施形態に係るセンサ１は、静電容量検出動作時において、複数の第１センサ電極（タッチパネル用ＴＸ電極）２１０からなる第１タッチセンサ配線Ｔ０～Ｔ４と複数の第２センサ電極（タッチパネル用ＲＸ電極）２２０からなる第２タッチセンサ配線ＴＲ０～ＴＲ５とを用いて、静電容量検出動作を実行する。

　具体的には、図中左側のＴＸ回路１０は、第１タッチセンサ配線Ｔ０～Ｔ４のうち、スイッチ１１により選択された第１タッチセンサ配線Ｔ１の一端を正相タッチ信号により駆動する。
　一方で、図中右側のＴＸ回路１０は、第１タッチセンサ配線Ｔ０～Ｔ４のうち、スイッチ１１により選択された第１タッチセンサ配線Ｔ１の他端を正相タッチ信号により駆動する。
　これにより第１タッチセンサ配線Ｔ１に所望の電位（タッチセンサ用ＴＸ信号）を供給することが可能となる。

　ＲＸ回路２０は、選択された第２タッチセンサ配線ＴＲ２により、クロスポイント（Ｔ１とＴＲ２との交点）における基準値からの相互容量の変化を検出する。
　ＲＸ回路２０は、静電容量のクロスポイント毎の変化を２次元ヒートマップとして取得し、重心演算など静電容量検出で用いられる演算を用いて指タッチの位置を導出する。

＜電磁誘導方式によるペン検出＞
　本実施形態に係るセンサ１を用いた電磁誘導方式によるペン検出を行うためには、センサ１よりも下方のレイアに設けられたＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とセンサ１に設けられたＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）を用いる。
　以下、図６を用いてＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の構成を例示して、電磁誘導方式によるペン検出の動作について説明する。

＜ＴＸ電極層の構成（ＴＸセンサコイル群１００）＞
　図６は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の構成例を示した図である。
　同図のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の構成は、特に、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設け、かつ単一層とした場合に特に有効である。

　ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、基板の一方の面側に形成されている。
　図６に示すように、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、ＴＸセンサコイルＴ０、Ｔ１、・・・Ｔ１５を各々構成するＴＸ電極１２０・・・ＴＸ電極１３５と、ＴＸ電極１２０～ＴＸ電極１３５を互いに接続する接続部としての接続導体１３０と、を含み櫛形（ＳＡＷ形状）の形状に構成されている。

　本実施形態に係るセンサ１とＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とを備えた位置検出装置は、スイッチ１１を制御して、例えば、ＴＸ電極１２５とＴＸ電極１２６を束にしてＴＸ回路１０のＴＸ端子に接続しつつ、ＴＸ電極１２８とＴＸ電極１２９とを束にしてＴＸ回路１０のＴＸ＿ｉｎｖ端子に接続する。
　ＴＸ回路１０は、ＴＸ端子とＴＸ＿ｉｎｖ端子とを互いに電流の変化量が逆相になるように制御することにより、ＴＸ電極１２５とＴＸ電極１２６の束と、ＴＸ電極１２８とＴＸ電極１２９の束との間（ＴＸ電極１２７付近）に、束にしない場合に比して、また、ＴＸ＿ｉｎｖを固定電位とする場合に比して強い送出磁界を形成する。
　なお、スイッチ１１とＴＸ回路１０とは別個の集積回路上に実装するとしてもよいし、同一の集積回路に集約されていてもよい。

＜電磁誘導方式によるペン検出時の動作モード＞
　図７を用いて、本実施形態に係るセンサ１における電磁誘導方式によるペン検出時の動作モードについて説明する。
　なお、図７では、電磁誘導方式によるペン検出時に、静電容量検出方式による静電容量（指タッチ）検出に関する構成要素は、機能しないため、表示を省略している。

　図６の左下に示すＴＸ回路１０は、送出期間において、ＴＸ端子を介して送出センサコイル群（ＴＸセンサコイル群１００）の送出センサコイル（ＴＸセンサコイル）Ｔ０～Ｔ４のうちスイッチ１１により選択されたセンサコイル（図ではＴ５、Ｔ６）の一端を正相信号で駆動する。

　次いで、ＴＸ＿ｉｎｖ端子を介してスイッチ１１により選択されたセンサコイル（図ではＴ８、Ｔ９）の一端を正相信号の電流の変化とは逆相の電流の変化を生じる逆相信号で駆動する。
　これにより、ペン位置の付近に強い送出磁界を形成することができる。

　送出期間の後の検出期間において、図７に示すＲＸ回路２０はスイッチ２１を介して、論理的に１つのループコイルを形成しているＲＸセンサコイルＥＲ２とＲＸセンサコイルＥＲ３とを差動増幅回路に入力端に接続し、このループコイルを貫通するペン信号の信号レベルを検出する。
　この後、２次元ヒートマップ（ＲＸｄａｔａ）を取得し、この２次元ヒートマップに基づいてペンの座標、傾き、傾きの方角などを導出する。

＜作用・効果＞
　以上、説明したように、本実施形態に係るセンサ１は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するための交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）からの交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）と、を含み、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１のオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極によって囲まれ、ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士をジャンパ配線によって結合してＲＸ電極配線が直線状に形成されている。
　つまり、本実施形態に係るセンサ１は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１に少なくとも、電磁誘導方式によるペン検出を行うためのＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合されている。
　また、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１のオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極によって囲まれ、ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士を結合して形成されている。
　そのため、本実施形態に係るセンサ１を用いた位置検出装置においては、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。
　また、本実施形態に係るセンサ１では、ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士がジャンパ配線によって結合されている。
　つまり、ＲＸ電極に流れる電流は小電流であるため、ジャンパ配線は、細い径のものを用いることができる。
　しかも、メッシュ電極パターンにより形成されるオンセルタッチ層の裏面側に配線される。
　そのため、ディスプレイの視認性を害することなく、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係るセンサ１は、直線状に形成されたＥＭＲセンサ配線（ＥＲ０～ＥＲ５）の一端は、応答交番磁界であるペン信号を受信し、ペン信号のレベルを取得する回路部に接続され、ＥＭＲセンサ配線（ＥＲ０～ＥＲ５）の一方の端部がジャンパ配線７０２によって相互に接続されている。
　そのため、電磁誘導方式によるペンの位置検出に用いられるＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、コストを抑えながらディスプレイの視認性を損なうことのなく、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。

＜第２の実施形態＞
　図８から図１３を用いて、本実施形態に係るセンサ１Ａについて説明する。

＜センサ１Ａの構成＞
　本実施形態に係るセンサ１Ａは、図８、図９に示すように、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するための交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）と、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）からの交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）と、を含んで構成されている。
　なお、上記構成要素については、第１の実施形態とその機能等は同様であるため、その詳細な説明は省略する。

＜センサ１Ａが用いられるディスプレイのスタック構成＞
　図８は、本実施形態に係るセンサ１Ａが用いられるディスプレイのスタック構成の一例を示すものであり、所謂オンセルタッチと言われるディスプレイ構成を基にしている。
　ディスプレイ３００Ｄには、ディスプレイフロントパネル層３０１を制御するＴＦＴバックパネル層３０２と、ディスプレイフロントパネル層３０１とが設けられている。
　図８は、ディスプレイフロントパネル層３０１の上側の層であってディスプレイ３００Ｄのモジュール内に、静電容量式のタッチセンサＴＳ１が設けられた所謂オンセルタッチパネル構成を示している。
　センサ１Ａは、例えば、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と、電磁誘導方式センサと、を備え、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１を構成する第１の電極群と電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群とが、少なくとも第１の電極群の一部と第２の電極群の一部とが混在して設けられた層を含んで３層以下の層により構成されている。
　つまり、センサ１Ａは、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１を構成する第１の電極群と電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群とが、少なくとも第１の電極群の一部と第２の電極群の一部とが混在する層（以下、適宜、「混在層」と記載する）を含んで３層以下の層により構成されている。
　より具体的には、センサ１Ａは、例えば、少なくとも、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１を構成する第１の電極群が設けられた第１の層と、第１の電極群の一部の電極群の間を接続する補助配線と電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群の一部の電極群とが設けられた第２の層（混在層）と、電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群の他の一部の電極群が設けられた第３の層と、により構成されていてもよい。
　なお、上記では、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１が形成された第１の層、混在層、電磁誘導方式センサの一部が形成された層を例示したが、混在層は、３層構成の中間層であることは、必ずしも必要ではない。
　つまり、性能等に支障がなければ、混在層が介在していれば、どのような組み合わせであってもよい。
　また、センサ１Ａは、例えば、図２、図３、図９に示すように、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向に延在する電極群と、電磁誘導方式センサにおいて、ペンの位置を検出するための交番磁界を生成する第２の電極群の一部の電極群とを共用化する共用層と、第２の電極群の一部の電極群からの交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出する第２の電極群の他の一部の電極群と、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する電極群とが、それぞれ補助配線を介して接続されている混在層と、からなる２層構造としてもよい。
　ここで、補助配線は、例えば、ジャンパ配線もしくはブリッジ配線等を含む。
　補助配線（ジャンパ線もしくはブリッジ配線等）は、補助配線により電気的に接続される配線が形成される層上に設けられる導体であり、他の層で形成されている導体と補完してタッチセンサまたは電磁誘導方式のセンサを形成するものである。
　図１２に示すように、第１の方向に隣接する第１センサ電極２１０の周辺部同士が複数の配線または、幅の広い配線で構成された接続部によって接続され、第２の電極群のうち他の一部の電極群は、延在方向に隣接する第２センサ電極２２０のフローティングパターン６１１同士が複数の補助配線によって接続されている。
　図９等とは、第２センサ電極２２０および第１センサ電極２１０の形状は異なるが、概念を示す図１３のように、第１センサ電極２１０あるいは第２センサ電極２２０におけるフローティングパターン６１１あるいはフローティングパターン６２１の周辺部６２２には、複数の配線が付加されている。

　ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とは、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１に統合されて構成されている。
　具体的には、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１は、オンセル型相互容量方式のオンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１であり、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、第１の実施形態において示した構成を有しており、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００Ａ）は、図９に示すように、例えば、オンセル型相互容量方式のタッチセンサＴＳ１における複数の第１センサ電極（タッチパネル用ＴＸ電極）２１０のＴ０をＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００Ａ）のＥＴ０とするように兼用する方式となっている。
　図３に示すように、第２の電極群のうち他の一部の電極群を補助配線により接続したコイル群の形状が櫛形である。
　図９に示すように、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１のセンサ電極２１０、２２０がフローティングパターン６１１、６２１と該フローティングパターン６１１、６２１を外側から囲む周辺部とを含み、櫛形をなすコイル群の開放端側から終端側に向かうフローティングパターン６２１と補助配線７０２とを含む直線状のコイル群が、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する周辺部６２２と補助配線７０３とを含む直線状のコイル群と平面視で重ならないように配設されている。
　ここで、櫛形とは、以下の第１の配線と複数の第２の配線とがなす形状を指す。
　第１の配線は、第１の方向に延在する配線であり、第２の配線は、第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の配線であって、複数の第２の配線同士は所定の間隔で第１の方向に並んで配設されている。
　さらに、第１の配線と複数の第２の配線は電気的に接続されている。
　ここで、便宜上、複数の第２の配線において、第１の配線に接続されている側を終端、他端を開放端とすると、複数の第２の配線の一端はともに第１の配線に接続され、他端は開放されており、その形状は櫛形となっている。
　複数の第２の配線の他端である開放端は集積回路に接続され、例えば、駆動信号の供出あるいは受信信号の検出に用いられる。

＜電磁誘導方式によるペン検出＞
　以下、図１０を用いて、本実施形態に係るセンサ１Ａにおける電磁誘導方式によるペン検出時の動作モードについて説明する。
　なお、静電容量検出方式による静電容量（指タッチ）検出時の動作モードについては、第１の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
　また、図１０では、電磁誘導方式によるペン検出時に、静電容量検出方式による静電容量（指タッチ）検出に関する構成要素は、機能しないため、表示を省略している。

　図１０の左に示すＴＸ回路１０は、送出期間において、ＴＸ端子を介して送出センサコイル群（ＴＸセンサコイル群１００Ａ）の送出センサコイル（ＴＸセンサコイル）Ｔ０～Ｔ４のうちスイッチ１１で選択されたセンサコイル（図ではＴ１）の一端を正相信号で駆動する。

　一方で、ＴＸ＿ｉｎｖ端子を介してスイッチ１１で選択されたセンサコイル（ＴＸセンサコイル、図ではＴ３）の一端を正相信号の電流の変化とは逆相の電流の変化を生じる逆相信号で駆動する。

　同時に図中右側に位置するＴＸ回路１０は、ＴＸ＿ｉｎｖ端子を介してスイッチ１１で選択されたセンサコイル（ＴＸセンサコイル、図ではＴ３）の他端を正相信号の電流の変化とは逆相の電流の変化を生じる逆相信号で駆動する。

　一方で、ＴＸ端子を介して送出センサコイル（ＴＸセンサコイル１００Ａ）群の送出センサコイルＴ０～Ｔ４のうちスイッチ１１で選択されたセンサコイル（ＴＸセンサコイル、図ではＴ１）の他端を正相信号で駆動する。
　これにより、ペン位置の付近（図中Ｔ２の付近）に前述の強い送出磁界を形成することができる。

　送出期間の後の検出期間において、ＲＸ回路２０はスイッチ２１を介して、論理的に１つのループコイルを形成しているＲＸセンサコイルＥＲ２とＲＸセンサコイルＥＲ３とを差動増幅回路の入力端に接続し、このループコイルを貫通するペン信号の信号レベルを検出する。
　その後、２次元ヒートマップ（ＲＸｄａｔａ）を取得し、この２次元ヒートマップに基づいてペンの座標、傾き、傾きの方角などを導出する。

＜作用・効果＞
　以上、説明したように、本実施形態に係るセンサ１Ａは、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するための交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）と、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）からの交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）と、を含んで構成されている。
　つまり、本実施形態に係るセンサ１Ａは、第１の実施形態に係るセンサ１において、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１における第１センサ電極（タッチパネル用ＴＸ電極）２１０を電磁誘導方式によるペン検出を行う時には、電磁誘導方式によるペン検出を行うためのＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００Ａ）として利用することによって、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１とＥＭＲセンサとを統合させている。
　そのため、本実施形態に係るセンサ１Ａを用いた位置検出装置においては、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。
　また、ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士は、ジャンパ配線によって結合される。
　つまり、ＲＸ電極に流れる電流は小電流であるため、ジャンパ配線は、細い径のものを用いることができ、メッシュ電極パターンにより形成されるオンセルタッチ層の裏面側に配線される。
　そのため、ディスプレイの視認性を害することなく、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。
　また、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００Ａ）は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１のオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極からなる第１センサ電極（タッチパネル用ＴＸ電極）２１０からなる。
　そのため、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１にＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）およびＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００Ａ）を統合しても、ディスプレイの視認性を害することなく、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係るセンサ１Ａは、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と、電磁誘導方式センサと、を備え、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１を構成する第１の電極群と電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群とが、少なくとも第１の電極群の一部と第２の電極群の一部とが混在して設けられた層を含んで３層以下の層により構成されている。
　つまり、センサ１Ａは、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１を構成する第１の電極群と電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群とが、少なくとも第１の電極群の一部と第２の電極群の一部とが混在する層（以下、適宜、「混在層」と記載する）を含んで３層以下の層により構成されている。
　そのため、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型することができる。
　また、上記のスタック構成を実現することにより、ディスプレイ装置の光学特性を向上させ、併せて、ディスプレイ装置のデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係るセンサ１Ａは、少なくとも、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１を構成する第１の電極群が設けられた第１の層と、第１の電極群の一部の電極群の間を接続する補助配線と電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群の一部の電極群とが設けられた第２の層（混在層）と、電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群の他の一部の電極群が設けられた第３の層と、により構成されている。
　そのため、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型することができる。
　また、上記のスタック構成を実現することにより、ディスプレイ装置の光学特性を向上させ、併せて、ディスプレイ装置のデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係るセンサ１Ａにおいては、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向に延在する電極群と、電磁誘導方式センサにおいて、ペンの位置を検出するための交番磁界を生成する第２の電極群の一部の電極群とを共用化する共用層と、第２の電極群の一部の電極群からの交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出する第２の電極群の他の一部の電極群と、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する電極群とが、それぞれ補助配線を介して接続されている統合層と、からなる２層構造となっている。
　そのため、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を更に薄型することができる。
　また、上記のスタック構成を実現することにより、ディスプレイ装置の光学特性を更に向上させ、併せて、ディスプレイ装置のデザイン性を更に向上させることができる。

　本実施形態に係るセンサ１Ａにおいては、補助配線は、ジャンパ配線もしくはブリッジ配線等を含む。
　そのため、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型することができる。
　また、上記のスタック構成を実現することにより、ディスプレイ装置の光学特性を向上させ、併せて、ディスプレイ装置のデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係るセンサ１Ａにおいては、第２の電極群のうち他の一部の電極群を補助配線により接続したコイル群の形状が櫛形である。
　つまり、第２の電極群のうち他の一部の電極群を補助配線により接続したコイル群２００が、櫛形に形成されることにより、隣り合うコイル同士が互いに重なり合わず間にギャップを有し、１ターン巻き（複数ターン巻かれない）となっている。
　そのため、ディスプレイ装置の光学特性を向上させることができる。
　また、位置検出装置としての性能を維持しつつ、第２の電極群のうち他の一部の電極群を補助配線により接続したコイル群２００が、櫛形に形成されることにより、スタック構造の薄型化を実現し、ディスプレイ装置のデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係るセンサ１Ａにおいては、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１のセンサ電極２１０、２２０がフローティングパターン６１１、６２１と該フローティングパターン６１１、６２１を外側から囲む周辺部とを含み、櫛形をなすコイル群の開放端側から終端側に向かうフローティングパターン６２１と補助配線７０２とを含む直線状のコイル群が、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する周辺部６２２と補助配線７０３とを含む直線状のコイル群と平面視で重ならないように配設されている。
　つまり、図９に示すように、平面視で、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する周辺部６２２と補助配線７０３とを含む直線状のコイル群が、櫛形をなすコイル群の開放端側から終端側に向かうフローティングパターン６２１と補助配線７０２とを含む直線状のコイル群の間に配設されている。
　オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する周辺部６２２と補助配線７０３とを含む直線状のコイル群と櫛形をなすコイル群の開放端側から終端側に向かうフローティングパターン６２１と補助配線７０２とを含む直線状のコイル群とが平面視で重なるようになってしまうと、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する周辺部６２２と補助配線７０３とを含む直線状のコイル群と櫛形をなすコイル群の開放端側から終端側に向かうフローティングパターン６２１と補助配線７０２とを含む直線状のコイル群との間で大きな値の寄生容量が発生してしまい性能を損なることになる。
　本実施形態に係るセンサ１Ａにおいては、平面視で、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１の第１の方向と交差する第２の方向に延在する周辺部６２２と補助配線７０３とを含む直線状のコイル群が、櫛形をなすコイル群の開放端側から終端側に向かうフローティングパターン６２１と補助配線７０２とを含む直線状のコイル群の間に配設されるようにすることによって、大きな値の寄生容量の発生を防止するとともに、物理的な重なりが生じないことからディスプレイ装置の光学特性を向上させることができる。
　また、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造の薄型化を実現し、ディスプレイ装置のデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係るセンサ１Ａにおいては、第１の方向に隣接する第１センサ電極２１０の周辺部同士が複数の配線または、幅の広い配線で構成された接続部によって接続され、第２の電極群のうち他の一部の電極群は、延在方向に隣接する第２センサ電極２２０のフローティングパターン６１１同士が複数の補助配線によって接続されている。
　つまり、図１２に示すように、第１の方向に隣接する第１センサ電極２１０の周辺部同士が複数の配線または、幅の広い配線で構成された接続部によって接続されている。
　また、第２の電極群のうち他の一部の電極群は、延在方向に隣接する第２センサ電極２２０のフローティングパターン６１１同士が複数の補助配線によって接続されている。
　このような接続形態を採用することにより、電極間の接続インピーダンスを低減させることができる。
　さらに、複数の配線とすることにより、視認性の低減を抑制することができる。

　本実施形態に係るセンサ１Ａにおいては、第１センサ電極２１０あるいは第２センサ電極２２０におけるフローティングパターン６１１あるいはフローティングパターン６２１の周辺部６２２には、複数の配線が付加されている。
　このような形態を採用することにより、第１センサ電極２１０あるいは第２センサ電極２２０におけるフローティングパターン６１１あるいはフローティングパターン６２１の周辺部６２２のインピーダンスを低減させることができる。

＜第３の実施形態＞
　以下、図１４から図１５を用いて、本実施形態に係る位置検出装置２について説明する。

＜位置検出装置２の構成＞
　位置検出装置２は、図１３に示すように、ＴＸ回路１０と、スイッチ１１と、ＴＸセンサコイル群１００と、ＲＸセンサコイル群２００と、ＲＸ回路２０と、及び増幅器などの周辺回路により構成されている。
　なお、本実施形態に係る位置検出装置２は、第１の実施形態に係るセンサ１を用いた位置検出装置であるため、ＲＸセンサコイル群２００等の詳細な説明は省略する。

　ＴＸセンサコイル群１００は、センサの第１の方向（Ｘ軸方向）に並設された複数の電極を有する複数の導線である。
　ＴＸセンサコイル群１００を構成するＴＸセンサコイルは、例えば、矩形のループコイルからなっている。
　ＴＸセンサコイル群１００を構成するＴＸセンサコイルは、例えば、等間隔に並んで配置されている。

　ＴＸ回路１０は、ＴＸセンサコイル群１００に対して、スイッチ１１を介して、信号を送信し、ＴＸセンサコイル群１００から交番磁界を生成させる交番磁界生成部として機能する。
　つまり、本実施形態に係る位置検出装置２では、ＴＸセンサコイルＴ０、Ｔ１、・・・、Ｔ４は、ＴＸ回路１０に接続され交番磁界を生成するために用いられるが、ペン信号の検出には、用いられない。

　ＲＸ回路２０は、ＲＸセンサコイル群２００の複数の電極を用いて、交番磁界によって蓄えられた位置指示器からの応答交番磁界であるペン信号を受信し、ペン信号のレベルを取得するペン信号レベル取得部として機能する。
　具体的には、ＲＸ回路２０は、例えば、センサの第１の方向（Ｘ軸方向）に並設された複数の電極（ＴＸ電極）と、例えば、第１の方向（Ｘ軸方向）と交差する第２の方向（Ｙ軸方向）に並設された複数の電極（ＲＸ電極）とが交わるクロスポイントにおいてペンの座標等を導出する。
　つまり、ＲＸセンサコイルＲ０、Ｒ１、・・・、Ｒ４は、ＲＸ回路２０に接続されペン信号を検出するために用いられるが、送出磁界の生成には用いられない。
　ＲＸ回路２０は、ＴＸセンサコイル群１００の複数の導線とＲＸセンサコイル群２００の複数の電極との各々の交点におけるペン信号のレベルの二次元分布を用いて、位置指示器の位置に関する情報を導出する情報導出部として機能する。
　ここで、ペン（位置指示器）の位置に関する情報には、センサ平面（Ｘ軸とＹ軸とからなるＸＹ平面）の法線に対するペンの傾きあるいは、センサ平面に対するペンの傾きの方向のいずれかを含む。

　ＲＸ回路２０の情報導出部は、二次元分布の非対称性に基づいて、センサ平面の法線に対するペンの傾きまたはセンサ平面に対するペンの傾きの方向のいずれかを導出する。

　ＲＸ回路２０の情報導出部は、ペンのペン先の指示位置である第１の参照位置を取得し、上に凸あるいは下に凸となる第２の参照位置を取得して、第１の参照位置に対する第２の参照位置の方向に基づいて、センサ平面に対するペンの傾きの方向を導出する。

　ＲＸ回路２０の情報導出部は、第１の参照位置におけるペン信号のレベル強度と、第２の参照位置におけるペン信号のレベル強度と、に基づいて、センサ平面の法線に対するペンの傾きを導出する。

＜位置検出装置２の処理＞
　位置検出装置２は、ＴＸ回路１０により送出磁界を生成するＴＸセンサコイル群１００のうち１のＴＸセンサコイルを、スイッチ１１により切り替えて選択し、選択されたＴＸセンサコイルをＴＸ回路１０により駆動し送出磁界を送出する。
　図１１においては、ＴＸセンサコイルＴ１が選択された状態が示されている。

　位置検出装置２は、一定の送出期間後、つまり、ＴＸセンサコイル近傍にペンがあれば所定のエネルギーが蓄積されるだろう期間の後、すべてのＲＸセンサコイルの位置におけるペン信号のレベルを得る。
　位置検出装置２は、ＴＸセンサコイルＴ１とＲＸセンサコイルＲ１、Ｒ２・・・Ｒ４とがクロスする領域（以下、コイルクロスポイント領域）におけるペン信号のレベル値（図中３３、１０５、１１８、１２１、１１０）を検出する。
　位置検出装置２は、各々のコイルクロスポイントでの信号レベルを、順次ＴＸセンサコイルの選択を切り替えることによって、２次元ヒートマップデータＲＸｄａｔａを得る。

　位置検出装置２は、２次元ヒートマップデータＲＸｄａｔａの取得後、座標処理におけるプロセスを実行し２次元ヒートマップデータＲＸｄａｔａに基づいてペンの座標、ペンの傾き（センサ面に対する法線からの角度）またはペンのオリエンテーション（傾いている方角）を得る。

＜位置検出装置２のスタック構成＞
　図１５Ａおよび図１５Ｂを用いて、本実施形態に係る位置検出装置２のスタック構成について説明する。
　なお、以下、説明するスタック構成は、本実施形態に係る位置検出装置２に限らず、図１４に示す位置検出装置２Ａあるいは図２０等に示す従来例に係る位置検出装置においても適用可能である。

＜位置検出装置２のスタック構成１＞
　図１５Ａに示す位置検出装置２のスタック構成１は、交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）と、表示画素と表示画素の明滅を制御するディスプレイ３００Ｅと、ディスプレイ３００Ｅを中心にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）が設けられた側とは反対側に、交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）と、備えた構成となっている。
　つまり、図１５Ａに示す位置検出装置２のスタック構成１は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。

　図１５Ａに示すように、位置検出装置２のスタック構成１では、ＴＦＴバックパネル層３０２にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）が設けられて構成され、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１が設けられるディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層にＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が設けられてディスプレイ３００Ｅが構成されている。
　ディスプレイ３００Ｅの上部には、カバーガラスが接着剤等によって接着されている。

　なお、本構成の場合、ディスプレイフロントパネル層３０１の上側に、第１の実施形態に示す静電容量式のタッチセンサ並びに、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合されたセンサ１が設けられている。
　なお、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の下側に磁気シールド板を設けるようにしてもよい。

＜位置検出装置２のスタック構成２＞
　図１５Ｂに示すように、位置検出装置２のスタック構成２では、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）はＴＦＴバックパネル層３０２には設けられずに、ディスプレイ３００Ｆより下側に設けられ、オンセル型相互容量方式タッチセンサ（静電容量センサ）ＴＳ１が設けられるディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層にオンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と共にＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が設けられ、その上側にカバーガラスが設けられて構成されている。
　つまり、図１５Ｂに示す位置検出装置２のスタック構成２は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。

　なお、本構成の場合、ディスプレイフロントパネル層３０１の上側に、第１の実施形態に示すオンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１並びに、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合されたセンサ１が設けられている。
　なお、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の下側に磁気シールド板を設けるようにしてもよい。

＜作用・効果＞
　本実施形態に係る位置検出装置２は、電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出する位置検出装置であって、交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）と、交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）と、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と、表示画素と前記表示画素の明滅を制御するディスプレイ３００Ｅ、３００Ｆと、を含み、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、オンセル型相互容量方式タッチセンサのオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極によって囲まれ、ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士をジャンパ配線によって結合してＲＸ電極が直線状に形成され、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、ディスプレイ３００Ｅ、３００Ｆよりも下側の層に形成されている。
　つまり、本実施形態に係る位置検出装置２においては、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。
　また、本実施形態に係る位置検出装置２において、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）は、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１に統合されている。
　そのため、図１３Ａに示すように、オンセル型相互容量方式タッチセンサ（静電容量センサ）ＴＳ１が設けられるディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層に、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）よりも小電流で動作するＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合され、ディスプレイフロントパネル層３０１より下側のＴＦＴバックパネル層３０２にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）が統合されて設けられることにより、ディスプレイ３００Ｅの視認性を害することのなく、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係る位置検出装置２は、図１５Ｂに示すように、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）はＴＦＴバックパネル層３０２には設けられずに、ディスプレイ３００Ｆより下側のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）に設けられ、オンセル型相互容量方式タッチセンサ（静電容量センサ）ＴＳ１が設けられるディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層にオンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１と共にＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が設けられ、その上側にカバーガラスが設けられて構成されている。
　つまり、本実施形態に係る位置検出装置２においては、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。
　そのため、図１５Ｂに示すように、オンセル型相互容量方式タッチセンサ（静電容量センサ）ＴＳ１が設けられるディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層に、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）よりも小電流で動作するＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合され、ディスプレイ３００Ｆより下側にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）を設けることにより、ディスプレイ３００Ｆの視認性を害することのなく、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。

　本実施形態に係る位置検出装置２において、ＴＸセンサコイルＴ０、Ｔ１、・・・Ｔ１５を各々構成するＴＸ電極１２０・・・ＴＸ電極１３５と、ＴＸ電極１２０～ＴＸ電極１３５を互いに接続する第２の接続部としての接続導体１３０と、を含み櫛形（ＳＡＷ形状）の形状に構成されている。
　つまり、本実施形態に係る位置検出装置２においては、スイッチ１１を制御することにより、例えば、ＴＸ電極１２５とＴＸ電極１２６を束にしてＴＸ回路１０のＴＸ端子に接続しつつ、ＴＸ電極１２８とＴＸ電極１２９とを束にしてＴＸ回路１０のＴＸ＿ｉｎｖ端子に接続する。
　また、ＴＸ回路１０は、ＴＸ端子とＴＸ＿ｉｎｖ端子とを互いに電流の変化量が逆相になるように制御することにより、ＴＸ電極１２５とＴＸ電極１２６の束と、ＴＸ電極１２８とＴＸ電極１２９の束との間（ＴＸ電極１２７付近）に、束にしない場合に比して、また、ＴＸ＿ｉｎｖを固定電位とする場合に比して強い送出磁界を形成することができる。
　換言すれば、複数のＴＸ電極を束にすることにより、本来線幅が細くインピーダンスが大きなＴＸ電極によって、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）を形成しても、所望の強さの送出磁界を形成することができる。

＜第４の実施形態＞
　図１６、図１７を用いて、本実施形態に係る位置検出装置３について説明する。
　なお、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）の構成については、第１の実施形態から第３の実施形態と同様であるため、詳細な説明は、省略する。

＜位置検出装置３のスタック構成＞
　図１６は、カバーフィルムの上側面同士が近づく方向（谷折り方向）に図中一点鎖線で示す折曲軸を中心に折り曲げることができるフレキシブルディスプレイを含むスタック構成を示している。
　図１６に示すように、位置検出装置３のスタック構成１は、ディスプレイ３００Ｇが第１の実施形態において示した所謂オンセル型相互容量方式ＴＳ１であり、ディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層にオンセル型相互容量方式ＴＳ１が設けられるとともに、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合されて設けられている。
　つまり、図１６に示す位置検出装置３のスタック構成は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。
　また、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、実装されるサポートプレート４００のペンに対して下面の一方の面側に形成されている。

　図１６に示すように、サポートプレート４００の下側面の一面にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）が直接設けられている。
　好ましくは、サポートプレート４００は、電磁誘導に影響を与えない導電性の低い材料で構成され、かつガラスエポキシ基板（ＦＲ４等）等の剛性を有するリジッド基板であり、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、サポートプレート４００の一面（図１６では上側の面）に銅、銀、カッパーなどの導電性材料がプリントにより実装されて設けられている。
　ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）のパッド群には、ＦＰＣ側のコネクタ端子を圧着しＦＰＣを介してコントローラが接続されている。
　また、図１６のように、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の下側に磁気シールド板を設けるようにしてもよい。

＜ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の構成＞
　図１７は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の構成例を示した図である。
　図１７に示すＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の構成は、特に図１６の構成例のように折り曲げることができるフレキシブルディスプレイを用いた場合に有効である。

　図１７に示す構成は、例えば、図１６では、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、ペンに対して、サポートプレート４００の下面側にプリントにより実装されている。

　図１７に示すように、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、ＴＸセンサコイルＴ０、Ｔ１、・・・Ｔ１５を各々構成するＴＸ電極１２０・・・ＴＸ電極１３５と、ＴＸ電極１２０～ＴＸ電極１３５を互いに接続する接続導体１３０と、を含み櫛形（ＳＡＷ形状）の形状に構成されている。

　図１７に示すように、ＴＸ電極１２０～１３５はパッド群１４０に接続されている。
　ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）のパッド群１４０は、図示しないＦＰＣのコネクタ端子に圧着されＦＰＣを介して各々の端子に対応するコントローラのピンが接続され、コントローラによりＴＸセンサコイルとして駆動される。

＜作用・効果＞
　以上、説明したように、本実施形態に係る位置検出装置３は、折り曲げることができるフレキシブルディスプレイを含むスタック構成であって、ディスプレイ３００Ｇは所謂オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１であり、ディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層にオンセル型相互容量方式ＴＳ１が設けられるとともに、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合されて設けられている。
　つまり、本実施形態に係る位置検出装置３は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。
　また、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、実装されるサポートプレート４００のペンに対して下面側に形成されている。
　そのため、ディスプレイ３００Ｇの視認性を損なうことのなく、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。
　また、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、実装されるサポートプレート４００のペンに対して下面側に形成されおり、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）に対して、ＦＰＣ側のコネクタ端子を圧着しＦＰＣを介してコントローラが接続されている構造となっている。
　換言すると、サポートプレート４００のペンに対して上面は、フラットなままになっていることから、サポートプレート４００の上部にディスプレイ３００Ｇを接着剤等で接着されたとしても、ディスプレイ３００Ｇの平面度や傾きに影響を与えない構造となっている。

＜第５の実施形態＞
　図１８、図１９を用いて、本実施形態に係る位置検出装置４について説明する。
　なお、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）の構成については、第１の実施形態から第４の実施形態と同様であるため、詳細な説明は、省略する。

＜位置検出装置４のスタック構成１＞
　図１８Ａは、サポートプレートが分割されたフレキシブルディスプレイを含むスタック構成を示している。
　第４の実施形態と同様に、ディスプレイ３００Ｇは所謂オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１であり、ディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層にオンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１が設けられるとともに、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合されて設けられている。
　つまり、図１８Ａに示す位置検出装置４のスタック構成１は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。
　ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、実装されるサポートプレート４００－１、４００－２のペンに対して下面側に形成されている。

　図１８Ａの構成では、第１のサポートプレート４００－１の上側面にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）が、第２のサポートプレート４００―２の上側面にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）が、直接設けられている。
　好ましくは、サポートプレート４００－１、４００－２は、ガラスエポキシ基板（ＦＲ４等）等の剛性を有するリジッド基板であり、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）およびＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）は、サポートプレート４００の一面（図１６Ａでは上側の面）に銅、銀、カッパーなどの導電性材料がプリントにより実装されて設けられている。
　また、第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２の下面側には、第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２の上面側に形成されたＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１、ＴＸセンサコイル群１００－２）とビアを介して接続されるパッド群あるいは一部のＴＸセンサコイル配線がプリント実装され、フレキシブル基板と接続するコネクタ端子に圧着されている。
　なお、図１６Ａに示すように、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）あるいはＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）を実装した第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２の下側に磁気シールド板を設けるようにしてもよい。

＜位置検出装置４のスタック構成２＞
　図１８Ｂの構成では、図１８Ａの構成とは異なり、分離した第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２の下側面の一面にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）あるいはＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）が直接設けられている。
　つまり、図１８Ｂに示す位置検出装置４のスタック構成２は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。
　ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）およびＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）には、ＦＰＣ側のコネクタ端子に圧着しＦＰＣを介してコントローラが接続されている。
　なお、図１８Ｂのように、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）およびＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）の下側に磁気シールド板を設けるようにしてもよい。

＜ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）の構成＞
　図１９は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１、１００－２）の構成例を示した図である。
　図１９に示すＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００、１００－２）の構成は、特に図１８Ａ、図１８Ｂの構成例のように折り曲げることができるフレキシブルディスプレイを用いた場合に有効である。

　図１９に示す構成は、例えば、図１８Ａあるいは図１８Ｂでは、サポートプレート４００が分離され、ＴＸ電極層がペンに対して、分離したサポートプレート４００－１、４００－２の上面側あるいは下面側に形成されている。
　具体的には、図１９の構成では、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、図１８Ａあるいは図１８Ｂのサポートプレート４００－１にプリントにより実装された第１のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）と、サポートプレート４００－２にプリントにより実装された第２のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）とを含み構成されている。
　また、例えば、図１８Ｂに示すように、サポートプレート４００－２の下面側には、パッド群１４０－１、１４０－２がプリント実装され、フレキシブル基板と接続するコネクタ端子に圧着されている。
　なお、サポートプレート４００－１とサポートプレート４００－２との間については、可撓性を有する部材あるいは構造である折り曲げ部４００－３を設け、その部分は、他の第１の接続部としての接続導体１３０に比して曲げ操作に対して断線しにくいような材質、構造で構成された折り曲げ腰部接続導体１３１を設けるようにしてもよい。

　図１９に示すように、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、ＴＸセンサコイルＴ０、Ｔ１、・・・Ｔ１５を各々構成するＴＸ電極１２０・・・ＴＸ電極１３５と、ＴＸ電極１２０～ＴＸ電極１３５を互いに接続する接続導体１３０と、を含み櫛形（ＳＡＷ形状）の形状に構成されている。

　図１９に示すように、ＴＸ電極１２０～１２７は第１のパッド群１４０－１に接続され、ＴＸ電極１２８～１３５は第２のパッド群１４０－２に接続されている。
　ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）のパッド群１４０は、図示しないＦＰＣのコネクタ端子に圧着されＦＰＣを介して各々の端子に対応するコントローラのピンが接続され、コントローラによりＴＸセンサコイルとして駆動される。

＜作用・効果＞
　本実施形態に係る位置検出装置４は、折り曲げることができるフレキシブルディスプレイを含むスタック構成であって、ディスプレイ３００Ｇは所謂オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１であり、ディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層にオンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１が設けられるとともに、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が統合されて設けられている。
　一方で、分離した第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２の下側面の一面にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）あるいはＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）が直接設けられている。
　つまり、位置検出装置４のスタック構成２は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。
　そのため、ディスプレイ３００Ｇの視認性を損なうことのなく、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。
　また、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１、１００－２）は、実装される第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２のペンに対して下面側に形成されている。
　また、サポートプレート４００－２の下面側には、パッド群１４０－１、１４０－２がプリント実装され、フレキシブル基板と接続するコネクタ端子に圧着されている。
　そのため、第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２の上面は、平面度を極力維持する構造となっており、第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２の上部にディスプレイ３００Ｇを接着剤等で接着しても、ディスプレイ３００Ｇの平面度や傾きに影響を与えにくい構造となっている。

　本実施形態に係る位置検出装置３は、折り曲げることができるフレキシブルディスプレイを含むスタック構成であって、折り曲げることができるフレキシブルディスプレイを含むスタック構成であって、ディスプレイ３００Ｊは所謂オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１であり、ディスプレイフロントパネル層３０１より上側の層にオンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１が設けられるとともに、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）が設けられている。
　一方で、分離した第１のサポートプレート４００―１および第２のサポートプレート４００―２の下側面の一面にＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）あるいはＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）が直接設けられている。
　つまり、位置検出装置３のスタック構成３は、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）とＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）とを離れた別々の層に設ける構成となっている。
　また、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）およびＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）には、ＦＰＣ側のコネクタ端子を圧着しＦＰＣを介してコントローラが接続されている。
　そのため、ディスプレイ３００Ｊの視認性を損なうことのなく、位置検出装置としての性能を維持しつつ、スタック構造を薄型してデザイン性を向上させることができる。
　また、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１、ＴＸセンサコイル群１００－２）は、実装される第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２のペンに対して下面側に形成されており、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１、ＴＸセンサコイル群１００－２）に対して、ＦＰＣ側のコネクタ端子を圧着しＦＰＣを介してコントローラが接続されている構造となっている。
　換言すると、第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２のペンに対して上面は、フラットなままになっていることから、第１のサポートプレート４００－１および第２のサポートプレート４００－２の上部にディスプレイ３００Ｊを接着剤等で接着しても、ディスプレイ３００Ｊの平面度や傾きに影響を与えない構造となっている。

　本実施形態に係る位置検出装置３のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、サポートプレート４００が分離され、ＴＸ電極層がペンに対して、分離したサポートプレート４００－１、４００－２の上面側あるいは下面側に形成されている。
　具体的には、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、図１９の構成を有し、図１８Ａ及び図１８Ｂのサポートプレート４００－１にプリントにより実装された第１のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－１）と、サポートプレート４００－２にプリントにより実装された第２のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００－２）とを含み構成されている。
　また、本実施形態に係る位置検出装置３のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）は、ＴＸセンサコイルＴ０、Ｔ１、・・・Ｔ１５を各々構成するＴＸ電極１２０・・・ＴＸ電極１３５と、ＴＸ電極１２０～ＴＸ電極１３５を互いに接続する第２の接続部としての接続導体１３０と、を含み櫛形（ＳＡＷ形状）の形状に構成されている。
　つまり、本実施形態に係る位置検出装置３のＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）においては、スイッチ１１を制御することにより、例えば、ＴＸ電極１２５とＴＸ電極１２６を束にしてＴＸ回路１０のＴＸ端子に接続しつつ、ＴＸ電極１２８とＴＸ電極１２９とを束にしてＴＸ回路１０のＴＸ＿ｉｎｖ端子に接続する。
　また、ＴＸ回路１０は、ＴＸ端子とＴＸ＿ｉｎｖ端子とを互いに電流の変化量が逆相になるように制御することにより、ＴＸ電極１２５とＴＸ電極１２６の束と、ＴＸ電極１２８とＴＸ電極１２９の束との間（ＴＸ電極１２７付近）に、束にしない場合に比して、また、ＴＸ＿ｉｎｖを固定電位とする場合に比して強い送出磁界を形成することができる。
　換言すれば、複数のＴＸ電極を束にすることにより、線幅が細くインピーダンスが大きなＴＸ電極によって、ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）を形成しても、所望の強さの送出磁界を形成することができる。

＜変形例１＞
　第１の実施形態においては、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１にＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）を統合したセンサ１を示したが、第１センサ電極（タッチパネル用ＴＸ電極）２１０を電磁誘導方式によるペン検出を行う時には、電磁誘導方式によるペン検出を行うためのＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群１００）として利用することにより、実質的に、オンセル型相互容量方式タッチセンサＴＳ１にＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）を統合したセンサとし、ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群２００）を別の層に形成するようにしてもよい。

＜変形例２＞
　上述の実施形態においては、説明内容を理解容易とするために、ＴＸ電極は磁界を送出するための電極、ＲＸ電極はペン信号を検出するための電極として、機能を一意に定めて説明したが、ＴＸ電極は、時分割で磁界を送出するためのＴＸ電極として動作した後、ペン信号を検出するためのＲＸ電極の配列軸（例えば、Ｘ軸）とは異なる他の軸（例えば、Ｙ軸）のペン信号を検出するためのＲＸ電極として動作するとしてもよい。
　また、上述の実施形態におけるＴＸ電極を第１の方向に併設された第１電極と、ＲＸ電極を第２方向に併設された第２電極と読み替えてもよい。

　なお、ＴＸ回路１０等の処理をコンピュータシステムが読み取り可能な記録媒体に記録し、この記録媒体に記録されたプログラムをＴＸ回路１０等に読み込ませ、実行することによって本発明のセンサ１、センサ１Ａおよび位置検出装置２～４を実現することができる。ここでいうコンピュータシステムとは、ＯＳや周辺装置等のハードウェアを含む。

　また、「コンピュータシステム」は、ＷＷＷ（Ｗｏｒｌｄ　Ｗｉｄｅ　Ｗｅｂ）システムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。また、上記プログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピュータシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。

　また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組合せで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。

　以上、この発明の実施形態につき、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。

　１；センサ
　１Ａ；センサ
　２；位置検出器
　３；位置検出器
　４；位置検出器
　１０；ＴＸ回路
　１１；スイッチ
　１２；スイッチ
　２０；ＲＸ回路
　１００；ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群）
　１００Ａ；ＴＸ電極層（ＴＸセンサコイル群）
　１００－１；第１のＴＸ電極層
　１００－２；第２のＴＸ電極層
　１２０；ＴＸ電極
　１２１；ＴＸ電極
　１２５；ＴＸ電極
　１２６；ＴＸ電極
　１２７；ＴＸ電極
　１２８；ＴＸ電極
　１２９；ＴＸ電極
　１３０；接続導体
　１３５；ＴＸ電極
　１４０；パッド群
　１４０－１；第１のパッド群
　１４０－２；第２のパッド群
　２００；ＲＸ電極層（ＲＸセンサコイル群）
　３００；ディスプレイ
　３００Ｂ；ディスプレイ
　３００Ｃ；ディスプレイ
　３００Ｄ；ディスプレイ
　３００Ｅ；ディスプレイ
　３００Ｆ；ディスプレイ
　３００Ｇ；ディスプレイ
　３００Ｊ；ディスプレイ
　３００Ｋ；ディスプレイ
　３００Ｌ；ディスプレイ
　ＡＡ；アクティブエリア

Claims

　オンセル型相互容量方式タッチセンサと、
　電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出するための交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層からの前記交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層と、
　を含み、
　前記ＲＸ電極層は、前記オンセル型相互容量方式タッチセンサのオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極によって囲まれ、前記ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士をジャンパ配線によって結合してＲＸ電極配線が直線状に形成されているセンサ。
　前記直線状に形成された前記ＲＸ電極配線の一端は、応答交番磁界であるペン信号を受信し、ペン信号のレベルを取得する回路部に接続され、前記ＲＸ電極配線の終端は、ジャンパ線に接続されている請求項１に記載のセンサ。
　前記オンセル型相互容量方式タッチセンサは、タッチセンサ用送出電界生成部を含み、
　前記ＴＸ電極層は、前記タッチセンサ用送出電界生成部を共用する請求項１に記載のセンサ。
　オンセル型相互容量方式タッチセンサと、
　電磁誘導方式センサと、
　を備え、
　前記オンセル型相互容量方式タッチセンサを構成する第１の電極群と前記電磁誘導方式センサを構成する第２の電極群とが、少なくとも前記第１の電極群の一部と前記第２の電極群の一部とが混在して配設される層を含んで３層以下の層により構成されているセンサ。
　少なくとも、前記オンセル型相互容量方式タッチセンサを構成する前記第１の電極群が配設された第１の層と、
　前記第１の電極群の一部の電極群の間を接続する補助配線と前記電磁誘導方式センサを構成する前記第２の電極群の一部の電極群とが設けられた第２の層と、
　前記電磁誘導方式センサを構成する前記第２の電極群の他の一部の電極群が設けられた第３の層と、
　により構成されている請求項４に記載のセンサ。
　前記補助配線は、ジャンパ配線もしくはブリッジ配線を含む請求項５に記載のセンサ。
　前記オンセル型相互容量方式タッチセンサの第１の方向に延在する電極群と、前記電磁誘導方式センサにおいて、ペンの位置を検出するための交番磁界を生成する前記第２の電極群の一部の電極群とを共用化する共用層と、
　前記第２の電極群の一部の電極群からの前記交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出する前記第２の電極群の他の一部の電極群と、前記オンセル型相互容量方式タッチセンサの前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する電極群とが、それぞれ補助配線を介して接続されている混在層と、
　により構成されている請求項４に記載のセンサ。
　前記補助配線は、ジャンパ配線もしくはブリッジ配線を含む請求項７に記載のセンサ。
　前記第２の電極群のうち他の一部の電極群を前記補助配線により接続したコイル群の形状が櫛形である請求項８に記載のセンサ。
　前記オンセル型相互容量方式タッチセンサのセンサ電極がフローティングパターンと該フローティングパターンを外側から囲む周辺部とを含み、
　前記櫛形をなす前記コイル群の開放端側から終端側に向かう前記フローティングパターンと前記補助配線とを含む直線状のコイル群が、前記オンセル型相互容量方式タッチセンサの前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する前記周辺部と前記補助配線とを含む直線状のコイル群と平面視で重ならないように配設されている請求項９に記載のセンサ。
　前記第１の方向に隣接する前記センサ電極の周辺部同士が複数の配線または、幅の広い配線で構成された接続部によって接続され、前記第２の電極群のうち他の一部の電極群は、延在方向に隣接する前記センサ電極のフローティングパターン同士が複数の前記補助配線によって接続されている請求項１０に記載のセンサ。
　前記センサ電極における前記フローティングパターンあるいは前記フローティングパターンの周辺部には、複数の配線が付加されている請求項１１に記載のセンサ。
　電磁誘導作用を用いてペンの位置を検出する位置検出装置であって、
　交番磁界を生成するＴＸ電極が設けられたＴＸ電極層と、
　前記交番磁界によりエネルギーを蓄積したペンが生成するペン交番磁界を検出するＲＸ電極が複数配設されたＲＸ電極層と、
　オンセル型相互容量方式タッチセンサと、
　表示画素と前記表示画素の明滅を制御するディスプレイと、
　を含み、
　前記ＲＸ電極層は、前記オンセル型相互容量方式タッチセンサのオンセルタッチ層に設けられたメッシュ電極パターンにより形成されたタッチ電極によって囲まれ、前記ＲＸ電極の延在方向に隣接するフローティングパターン同士をジャンパ配線によって結合して前記ＲＸ電極が直線状に形成されている位置検出装置。
　前記ペンに対して前記ディスプレイよりも離れた下側に設けられたサポートプレートを含み、前記ＴＸ電極層は、前記サポートプレートの少なくともいずれか片面に形成されている請求項１３に記載の位置検出装置。
　前記ＴＸ電極層は、櫛形に形成されている請求項１４に記載の位置検出装置。
　前記ＴＸ電極層のＴＸ電極の一端を接続する接続部を含む請求項１５に記載の位置検出装置。
　前記ＴＸ電極層が前記ペンに対して、前記サポートプレートの下面側に形成されている請求項１４または１６に記載の位置検出装置。
　パッド群あるいは一部のＴＸセンサコイル配線が前記サポートプレートの下面側に形成されるとともに、フレキシブル基板と接続するコネクタ端子に圧着されている請求項１７に記載の位置検出装置。
　前記サポートプレートが分離され、前記ＴＸ電極層が前記ペンに対して、分離した前記サポートプレートの上面側に形成され、パッド群あるいは一部のＴＸセンサコイル配線が分離した前記サポートプレートの下面側に形成されている請求項１４または１６に記載の位置検出装置。
　前記パッド群は、分離した前記サポートプレートの上面側に形成された前記ＴＸ電極層とビアを介して、前記サポートプレートの下面側で接続されるとともに、フレキシブル基板と接続するコネクタ端子に圧着されている請求項１９に記載の位置検出装置。
　前記サポートプレートが分離され、前記ＴＸ電極層が前記ペンに対して、分離した前記サポートプレートの下面側に形成されている請求項１４または１６に記載の位置検出装置。
　アクティブエリアの外側に、前記直線状に形成された前記ＲＸ電極の一端を接続するメッシュ構造ではない接続部を含む請求項１３に記載の位置検出装置。