WO2024190397A1

WO2024190397A1 - 電子装置

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Publication number: WO2024190397A1
Application number: PCT/JP2024/007012
Authority: WO
Inventors: 遼平梅野; 友美佐藤; 登茂平菊地
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2023-03-15
Filing date: 2024-02-27
Publication date: 2024-09-19
Anticipated expiration: 2025-09-15
Also published as: US20260005087A1; JPWO2024190397A1

Abstract

電子装置は、導電支持部材と、前記導電支持部材に配置された電子素子と、前記電子素子および前記導電支持部材を覆う封止樹脂とを備える。前記封止樹脂は、前記導電支持部材の厚さ方向に直交する第１方向を向く第１樹脂側面を有する。前記第１樹脂側面には、第１ゲート痕が形成されている。前記導電支持部材は、前記第１方向において前記第１ゲート痕から最も近くに位置する第１部を含む。前記第１部は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１ゲート痕よりも内方に位置する。前記第１ゲート痕は、前記厚さ方向における長さである第１寸法を有する。前記第１ゲート痕および前記第１部は、前記第１方向において、第１距離だけ離隔している。前記第１寸法に対する第１距離の割合は５００％以下である。

Description

電子装置

　本開示は、電子装置に関する。

　従来、種々の電子装置の一つとして、リードフレームを用いて製造される半導体装置が知られている。そのような半導体装置の一例が、特許文献１に記載されている。同文献に記載された半導体装置は、導電支持部材、半導体素子、および封止樹脂を備える。導電支持部材は、ダイパッドおよび複数の端子を含む。半導体素子は、ダイパッドに搭載されている。複数の端子は、ダイパッドの周囲に配置されている。封止樹脂は、ダイパッド、半導体素子、および複数の端子の一部ずつを一括して封止する。

　封止樹脂は、トランスファモールド成形により形成される。封止樹脂の形成時には、金型にリードフレームを収納し、金型のキャビティに流動化した樹脂を流し込んで充填し、当該樹脂を固化させる。同文献の図１２においては、たとえば紙面上方の左右方向における中央から樹脂を注入する。樹脂注入部付近は、リードフレームの端子（導電支持部材）となる部分が配置されておらず、樹脂の流動を妨げないように構成されている。その一方、封止樹脂の形成時に流動化した樹脂が勢いよく充填されると、当該充填時に空気を巻き込み、樹脂充填後において樹脂注入部付近において前記空気がピンホール（空隙）として残存しやすくなる。これにより、封止樹脂の充填不良を招くおそれがあった。

特開２０２２－５５５９９号公報

　本開示は、従来より改良が施された電子装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、封止樹脂の充填不良を抑制するのに適した電子装置を提供することを一の課題とする。

　本開示の第１の側面によって提供される電子装置は、導電支持部材と、前記導電支持部材の厚さ方向の一方側に配置された少なくとも１つの電子素子と、前記少なくとも１つの電子素子、および前記導電支持部材の一部を覆う封止樹脂と、を備える。前記封止樹脂は、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側を向く第１樹脂側面を有する。前記第１樹脂側面には、当該第１樹脂側面の他の領域よりも表面が粗である第１ゲート痕が形成されている。前記導電支持部材は、前記第１方向において前記第１ゲート痕から最も近くに位置し、且つ前記厚さ方向に見て、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において前記第１ゲート痕よりも内方に位置する第１部を含む。前記第１ゲート痕の前記厚さ方向における長さである第１寸法に対する、前記第１ゲート痕と前記第１部との前記第１方向における距離である第１距離の割合は、０％を超えて５００％以下である。

　本開示の第２の側面によって提供される電子装置は、導電支持部材と、前記導電支持部材の厚さ方向の一方側に配置された少なくとも１つの電子素子と、前記少なくとも１つの電子素子、および前記導電支持部材の一部を覆う封止樹脂と、を備える。前記封止樹脂は、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側を向く第１樹脂側面と、前記第１方向の他方側を向く第２樹脂側面と、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向の一方側を向く第３樹脂側面と、前記第２方向の他方側を向く第４樹脂側面と、を有する。前記第１樹脂側面には、当該第１樹脂側面の他の領域よりも表面が粗である第１ゲート痕が形成されている。前記導電支持部材は、ダイパッド部と、複数の第１リード端子と、を含む。前記複数の第１リード端子の各々は、前記第３樹脂側面から前記第２方向の一方側に突き出ている。前記少なくとも１つの電子素子は、前記ダイパッド部に搭載されている。前記複数の第１リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第１端子を含む。前記一端側第１端子は、第１リード部、第１パッド部、および第１延出部を有する。前記第１リード部は、前記ダイパッド部よりも前記第１方向の一方側に位置し、且つ前記第２方向に延びている。前記第１パッド部は、前記第１リード部の前記第２方向の他方側の端部につながり、且つ前記第１方向の他方側に延びている。前記第１延出部は、前記第１リード部の前記第２方向の他方側の端部につながり、且つ前記第２方向の他方側に延びている。前記第１延出部は、前記厚さ方向に見て、前記第２方向において前記第１ゲート痕よりも内方に位置する部分を含む。

　上記構成によれば、電子装置における封止樹脂の充填不良を抑制することが可能である。

　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態に係る電子装置を示す平面図である。図２は、図１に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。図３は、本開示の第１実施形態に係る電子装置を示す正面図である。図４は、本開示の第１実施形態に係る電子装置を示す左側面図である。図５は、本開示の第１実施形態に係る電子装置を示す背面図である。図６は、本開示の第１実施形態に係る電子装置を示す右側面図である。図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図２の部分拡大図である。図１０は、本開示の第１実施形態に係る電子装置の製造工程を説明する平面図である。図１１は、本開示の第１実施形態に係る電子装置の製造工程を説明する平面図である。図１２は、本開示の第１実施形態に係る電子装置の製造工程を説明する平面図である。図１３は、第１実施形態の第１変形例に係る電子装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過している。図１４は、図１３の部分拡大図である。図１５は、本開示の第２実施形態に係る電子装置を示す平面図である。図１６は、図１５に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。図１７は、本開示の第２実施形態に係る電子装置を示す正面図である。図１８は、本開示の第２実施形態に係る電子装置を示す左側面図である。図１９は、本開示の第２実施形態に係る電子装置を示す背面図である。図２０は、本開示の第２実施形態に係る電子装置を示す右側面図である。図２１は、図１６のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図１６のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図２３は、本開示の第２実施形態に係る電子装置の回路構成図である。図２４は、第２実施形態の第１変形例に係る電子装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過している。

　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。

　第１実施形態：
　図１～図９に基づき、本開示の第１実施形態に係る電子装置について説明する。本実施形態の電子装置Ａ１は、複数の電子素子１、導電支持部材２、複数のワイヤ３１～３４および封止樹脂５を備える。これらのうち導電支持部材２は、ダイパッド部２１、複数の第１リード端子２２、および複数の第２リード端子２３を含む。電子装置Ａ１の具体的な用途等は、何ら限定されないが、たとえば電気自動車またはハイブリッド自動車などのインバータ装置の配線基板に表面実装されるものである。電子装置Ａ１のパッケージ形式は、ＳＯＰ（Small Outline Package）である。電子装置Ａ１のパッケージ形式は、ＳＯＰに限定されない。

　図１および図２は、電子装置Ａ１を示す平面図である。図３は、電子装置Ａ１を示す正面図である。図４は、電子装置Ａ１を示す左側面図である。図５は、電子装置Ａ１を示す背面図である。図６は、電子装置Ａ１を示す右側面図である。図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図２の部分拡大図である。図２は、理解の便宜上、封止樹脂５を透過している。図２においては、透過した封止樹脂５を想像線（二点鎖線）で示している。

　本開示の説明においては、互いに直交する３つの方向を適宜参照する。一例として、電子装置Ａ１の説明においては、ダイパッド部２１（導電支持部材２）の厚さ方向は、「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する１つの方向（図１における左右方向）は、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に直交する方向（図１における上下方向）は、「第２方向ｙ」と呼ぶ。図１および図２に示すように、電子装置Ａ１は、厚さ方向ｚに見て（平面視において）、矩形状（あるいは略矩形状）である。

　図１および図２に示すように、本実施形態において、複数の電子素子１は、第１半導体素子１１、絶縁素子１２および第２半導体素子１３を含む。第１半導体素子１１、第２半導体素子１３および絶縁素子１２は、電子装置Ａ１の機能中枢となる素子である。電子装置Ａ１においては、第１半導体素子１１、第２半導体素子１３および絶縁素子１２の各々は、いずれも個々の素子で構成されている。厚さ方向ｚに見て、第１半導体素子１１、第２半導体素子１３および絶縁素子１２の各々は、第１方向ｘを長辺とする矩形状である。

　第１半導体素子１１は、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を駆動するゲートドライバのコントローラ（制御素子）である。第１半導体素子１１は、ＥＣＵなどから入力された制御信号をＰＷＭ制御信号に変換する回路と、当該ＰＷＭ制御信号を第２半導体素子１３へ伝送するための送信回路と、第２半導体素子１３からの電気信号を受ける受信回路とを有する。第１半導体素子１１は、本開示の「第１電子素子」の一例である。

　第２半導体素子１３は、スイッチング素子を駆動するためのゲートドライバ（駆動素子）である。第２半導体素子１３は、ＰＷＭ制御信号を受信する受信回路と、当該ＰＷＭ制御信号に基づきスイッチング素子を駆動するための回路と、電気信号を第１半導体素子１１へ伝送するための送信回路とを有する。当該電気信号は、たとえばモータ近傍に配置された温度センサからの出力信号が挙げられる。第２半導体素子１３は、本開示の「第２電子素子」の一例である。

　絶縁素子１２は、ＰＷＭ制御信号や他の電気信号を、絶縁状態で伝送するための素子である。電子装置Ａ１においては、絶縁素子１２は、インダクティブ型である。インダクティブ型の絶縁素子１２の一例として、絶縁型トランスが挙げられる。絶縁型トランスは、２つのインダクタ（コイル）を誘導結合させることで、絶縁状態による電気信号の伝送を行う。絶縁素子１２は、シリコンからなる基板を有する。当該基板上に銅からなるインダクタが形成されている。当該インダクタは、送信側インダクタおよび受信側インダクタを含み、これらのインダクタは厚さ方向ｚにおいて積層されている。送信側インダクタと受信側インダクタとの間には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）などからなる誘電体層が介装されている。当該誘電体層により、送信側インダクタと受信側インダクタとは、電気絶縁されている。この他、絶縁素子１２は、キャパシティブ型でもよい。キャパシティブ型の絶縁素子１２の一例として、コンデンサが挙げられる。さらに絶縁素子１２は、フォトカプラでもよい。

　電子装置Ａ１においては、第２半導体素子１３は、第１半導体素子１１に要求される電源電圧よりも高い電源電圧を要する。このため、第１半導体素子１１と第２半導体素子１３との間に著しい電位差が生じる。そこで、電子装置Ａ１においては、第１半導体素子１１を構成要素に含む第１回路と、第２半導体素子１３を構成要素に含む第２回路とが、絶縁素子１２により互いに絶縁されている。第１回路と第２回路とは、相対的に電位が異なる。電子装置Ａ１においては、第２回路の方が第１回路よりも高電位である。その上で絶縁素子１２は、第１回路および第２回路における相互信号を中継する。たとえば、電気自動車やハイブリッド自動車のインバータ装置においては、第１半導体素子１１のグランドに印加させる電圧が０Ｖ程度であることに対し、第２半導体素子１３のグランドに印加される電圧が過渡的に６００Ｖ以上となることがある。

　図２および図７に示すように、第１半導体素子１１の上面（後述するダイパッド部２１の搭載面２１１と同じ方向を向く面）には、複数の電極１１１が設けられている。複数の電極１１１は、第１半導体素子１１に構成された回路に導通する。同様に、第２半導体素子１３の上面（先述の搭載面２１１と同じ方向を向く面）には、複数の電極１３１が設けられている。複数の電極１３１は、第２半導体素子１３に構成された回路に導通する。

　図２および図７示すように、絶縁素子１２は、第２方向ｙにおいて、第１半導体素子１１と第２半導体素子１３との間に位置する。絶縁素子１２の上面（先述の搭載面２１１と同じ方向を向く面）には、複数の第１電極１２１、および複数の第２電極１２２が設けられている。複数の第１電極１２１、および複数の第２電極１２２の各々は、送信側インダクタおよび受信側インダクタのいずれかに導通する。複数の第１電極１２１は、第１方向ｘに沿って配列され、且つ第２方向ｙにおいて第２半導体素子１３よりも第１半導体素子１１の近くに位置する。複数の第２電極１２２は、第１方向ｘに沿って配列され、且つ第２方向ｙにおいて第１半導体素子１１よりも第２半導体素子１３の近くに位置する。

　導電支持部材２は、電子装置Ａ１において、第１半導体素子１１、第２半導体素子１３および絶縁素子１２とインバータ装置の配線基板との導通経路を構成する部材である。導電支持部材２は、たとえば銅（Ｃｕ）を組成に含む合金からなる。導電支持部材２は、後述するリードフレーム８１から形成される。導電支持部材２は、第１半導体素子１１、絶縁素子１２および第２半導体素子１３を搭載する。図１、図２に示すように、導電支持部材２は、ダイパッド部２１、複数の第１リード端子２２、および複数の第２リード端子２３を含む。ダイパッド部２１には、第１半導体素子１１、第２半導体素子１３および絶縁素子１２が搭載される。本実施形態では、ダイパッド部２１は、第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂを有する。第１ダイパッド２１Ａは、第２方向ｙのｙ１側に配置される。第２ダイパッド２１Ｂは、第２方向ｙのｙ２側に配置される。第１ダイパッド２１Ａと第２ダイパッド２１Ｂとは、第２方向ｙにおいて互いに離隔する。このため、第２方向ｙにおいて第１ダイパッド３と第２ダイパッド４との間には、パッド隙間Ｇ２が設けられている。平面視において、パッド隙間Ｇ２は、第１方向ｘに沿って延びている。電子装置Ａ１においては、第１半導体素子１１および絶縁素子１２が第１ダイパッド２１Ａに搭載され、且つ第２半導体素子１３が第２ダイパッド２１Ｂに搭載されている。

　ダイパッド部２１（第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂ）は、封止樹脂５に覆われている。ダイパッド部２１（第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂの各々）は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く搭載面２１１を有する。第１ダイパッド２１Ａの搭載面２１１に、第１半導体素子１１および絶縁素子１２が搭載されている。第２ダイパッド２１Ｂの搭載面２１１に、第２半導体素子１３が搭載されている。第１半導体素子１１、第２半導体素子１３および絶縁素子１２の各々は、図示しない導電性接合材（ハンダ、または金属ペーストなど）を介して、第１ダイパッド２１Ａの搭載面２１１、および第２ダイパッド２１Ｂの搭載面２１１のいずれかに接合されている。第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂ（ダイパッド部２１）の厚さは、たとえば１００μｍ以上３００μｍ以下である。

　図２および図７に示すように、第１ダイパッド２１Ａには、複数の貫通孔２１２が形成されている。複数の貫通孔２１２の各々は、第１ダイパッド２１Ａを厚さ方向ｚに貫通し、且つ第１方向ｘに沿って延びている。厚さ方向ｚに見て、複数の貫通孔２１２の少なくともいずれかは、第１半導体素子１１と絶縁素子１２との間に位置する。複数の貫通孔２１２は、第１方向ｘに沿って配列されている。

　複数の第１リード端子２２は、インバータ装置などの配線基板に接合されることで、電子装置Ａ１と前記配線基板との導電経路を構成する部材である。複数の第１リード端子２２の少なくともいずれかは、第１半導体素子１１に導通している。図１、図２および図４に示すように、複数の第１リード端子２２は、第１方向ｘにおいて互いに間隔を隔てて配列されている。複数の第１リード端子２２は、封止樹脂５（後述の第３樹脂側面５５）からそれぞれ第２方向ｙのｙ１側に延出するように露出している。複数の第１リード端子２２は、一端側第１端子２２Ａ、他端側第１端子２２Ｂおよび複数の中間第１端子２２Ｃを含む。

　一端側第１端子２２Ａは、複数の第１リード端子２２のうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する。一端側第１端子２２Ａは、図２に示すように、第１リード部２２１、第１パッド部２２２および第１延出部２２３を有する。

　第１リード部２２１は、第１ダイパッド２１Ａ（ダイパッド部２１）よりも第１方向ｘのｘ１側に位置し、且つ第２方向ｙに沿って延びた部位である。第１リード部２２１は、封止樹脂５から露出した部分と封止樹脂５に覆われた部分とがある。図３に示すように、第１リード部２２１のうち封止樹脂５から露出した部分は、ガルウィング状に曲げ加工が施されている。第１リード部２２１のうち封止樹脂５から露出した部分には、めっき処理が施されていてもよい。当該めっき処理により形成されるめっき層は、たとえばはんだなどの錫（Ｓｎ）を含む合金からなり、封止樹脂５から露出した部分を覆う。当該めっき層は、はんだ接合によって電子装置Ａ１をインバータ装置の配線基板に表面実装させる際に、当該露出した部分へのはんだの付着を良好なものにしつつ、はんだ接合に起因した当該露出した部分の浸食を防止する。

　第１パッド部２２２は、第１リード部２２１の第２方向ｙのｙ２側の端部につながり、且つ第１方向ｘのｘ２側に延びた部位である。第１パッド部２２２の第１方向ｘのｘ２側の端部は、第１ダイパッド２１Ａにつながっている。第１パッド部２２２の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）には、めっき処理が施されていてもよい。当該めっき処理により形成されるめっき層は、たとえば銀（Ａｇ）を含む金属からなり、第１パッド部２２２の上面を覆う。当該めっき層は、後述のワイヤ３２の接合強度を高めつつ、ワイヤ３２のワイヤボンディング時の衝撃からリードフレーム８１（後述）を保護する。第１パッド部２２２は、全面にわたって封止樹脂５に覆われている。第１パッド部２２２は、平坦（あるいは略平坦）である。

　第１延出部２２３は、第１リード部２２１の第２方向ｙのｙ２側の端部につながり、且つ第２方向ｙのｙ２側に延びた部位である。図示した例では、第１延出部２２３は、第２第２方向ｙを長手方向とする概略長形状である。図２および図９においては、第１延出部２２３にハッチングを付している。第１延出部２２３の詳細については後述する。

　他端側第１端子２２Ｂは、複数の第１リード端子２２のうち第１方向ｘのｘ２側の端に位置する。他端側第１端子２２Ｂは、図２に示ように、リード部２２４よびパッド部２２５を有する。

　リード部２２４は、第１ダイパッド２１Ａ（ダイパッド部２１）よりも第１方向ｘのｘ２側に位置し、且つ第２方向ｙに沿って延びた部位である。リード部２２４は、封止樹脂５から露出した部分と封止樹脂５に覆われた部分とがある。図５に示すように、リード部２２４のうち封止樹脂５から露出した部分は、ガルウィング状に曲げ加工が施されている。リード部２２４のうち封止樹脂５から露出した部分は、第１リード部２２１と同様に、めっき層（たとえばはんだなどのＳｎを含む合金）で覆われていてもよい。

　パッド部２２５は、リード部２２４の第２方向ｙのｙ２側の端部につながり、且つ第１方向ｘのｘ１側に延びた部位である。パッド部２２５の第１方向ｘのｘ１側の端部は、第１ダイパッド２１Ａにつながっている。パッド部２２５の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）は、第１パッド部２２２の上面と同様に、めっき層（たとえばＡｇを含む金属）で覆われていてもよい。パッド部２２５は、全面にわたって封止樹脂５に覆われている。パッド部２２５は、平坦（あるいは略平坦）である。

　複数の中間第１端子２２Ｃは、図２および図４に示すように、一端側第１端子２２Ａおよび他端側第１端子２２Ｂに挟まれて配列されている。複数の中間第１端子２２Ｃはそれぞれ、図２に示すように、リード部２２６およびパッド部２２７を含む。

　リード部２２６は、第２方向ｙに沿って延びた部位である。リード部２２６は、封止樹脂５から露出した部分と封止樹脂５に覆われた部分とがある。図７に示すように、リード部２２６のうち封止樹脂５から露出した部分は、ガルウィング状に曲げ加工が施されている。リード部２２６のうち封止樹脂５から露出した部分は、第１リード部２２１と同様に、めっき層（たとえばはんだなどのＳｎを含む合金）で覆われていてもよい。

　パッド部２２７は、リード部２２６の第２方向ｙのｙ２側の端部につながる。パッド部２２７の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）は、第１パッド部２２２の上面と同様に、めっき層（たとえばＡｇを含む金属）で覆われていてもよい。パッド部２２７は、全面にわたって封止樹脂５に覆われている。パッド部２２７は、平坦（あるいは略平坦）である。

　複数の第２リード端子２３は、インバータ装置などの配線基板に接合されることで、電子装置Ａ１と前記配線基板との導電経路を構成する部材である。複数の第２リード端子２３の少なくともいずれかは、第２半導体素子１３に導通している。図１、図２および図６に示すように、複数の第２リード端子２３は、第１方向ｘにおいて互いに間隔を隔てて配列されている。複数の第２リード端子２３は、封止樹脂５（後述の第４樹脂側面５６）からそれぞれ第２方向ｙのｙ２側に延出するように露出している。複数の第２リード端子２３は、一端側第２端子２３Ａ、他端側第２端子２３Ｂおよび複数の中間第２端子２３Ｃを含む。

　一端側第２端子２３Ａは、複数の第２リード端子２３のうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する。一端側第２端子２３Ａは、図２に示すように、第２リード部２３１、第２パッド部２３２および第２延出部２３３を有する。

　第２リード部２３１は、第２ダイパッド２１Ｂ（ダイパッド部２１）よりも第１方向ｘのｘ１側に位置し、且つ第２方向ｙに沿って延びた部位である。第２リード部２３１は、封止樹脂５から露出した部分と封止樹脂５に覆われた部分とがある。図３に示すように、第２リード部２３１のうち封止樹脂５から露出した部分は、ガルウィング状に曲げ加工が施されている。第２リード部２３１のうち封止樹脂５から露出した部分は、第１リード部２２１と同様に、めっき層（たとえばはんだなどのＳｎを含む合金）で覆われていてもよい。

　第２パッド部２３２は、第２リード部２３１の第２方向ｙのｙ１側の端部につながり、且つ第１方向ｘのｘ２側に延びた部位である。第２パッド部２３２の第１方向ｘのｘ２側の端部は、第２ダイパッド２１Ｂにつながっている。第２パッド部２３２の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）は、第１パッド部２２２の上面と同様に、めっき層（たとえばＡｇを含む金属）で覆われていてもよい。第２パッド部２３２は、全面にわたって封止樹脂５に覆われている。第２パッド部２３２は、平坦（あるいは略平坦）である。

　第２延出部２３３は、第２リード部２３１の第２方向ｙのｙ１側の端部につながり、且つ第２方向ｙのｙ１側に延びた部位である。図示した例では、第２延出部２３３は、第２第２方向ｙを長手方向とする概略長形状である。図２および図９においては、第２延出部２３３にハッチングを付している。第２方向ｙにおいて第１延出部２２３（一端側第１端子２２Ａ）と第２延出部２３３（一端側第２端子２３Ａ）との間には、端子隙間Ｇ１が設けられている。図２および図３に示すように、第１方向ｘに見て、端子隙間Ｇ１はパッド隙間Ｇ２と重なる。第２延出部２３３の詳細については後述する。

　他端側第２端子２３Ｂは、複数の第２リード端子２３のうち第１方向ｘのｘ２側の端に位置する。他端側第２端子２３Ｂは、図２に示ように、リード部２３４よびパッド部２３５を有する。

　リード部２３４は、第２ダイパッド２１Ｂ（ダイパッド部２１）よりも第１方向ｘのｘ２側に位置し、且つ第２方向ｙに沿って延びた部位である。リード部２３４は、封止樹脂５から露出した部分と封止樹脂５に覆われた部分とがある。図５に示すように、リード部２３４のうち封止樹脂５から露出した部分は、ガルウィング状に曲げ加工が施されている。リード部２３４のうち封止樹脂５から露出した部分は、第１リード部２２１と同様に、めっき層（たとえばはんだなどのＳｎを含む合金）で覆われていてもよい。

　パッド部２３５は、リード部２３４の第２方向ｙのｙ１側の端部につながり、且つ第１方向ｘのｘ１側に延びた部位である。パッド部２３５の第１方向ｘのｘ１側の端部は、第２ダイパッド２１Ｂにつながっている。パッド部２３５の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）は、第１パッド部２２２の上面と同様に、めっき層（たとえばＡｇを含む金属）で覆われていてもよい。パッド部２３５は、全面にわたって封止樹脂５に覆われている。パッド部２３５は、平坦（あるいは略平坦）である。

　複数の中間第２端子２３Ｃは、図２および図６に示すように、一端側第２端子２３Ａおよび他端側第２端子２３Ｂに挟まれて配列されている。複数の中間第２端子２３Ｃはそれぞれ、図２に示すように、リード部２３６およびパッド部２３７を含む。

　リード部２３６は、第２方向ｙに沿って延びた部位である。リード部２３６は、封止樹脂５から露出した部分と封止樹脂５に覆われた部分とがある。図７に示すように、リード部２３６のうち封止樹脂５から露出した部分は、ガルウィング状に曲げ加工が施されている。リード部２３６のうち封止樹脂５から露出した部分は、第１リード部２２１と同様に、めっき層（たとえばはんだなどのＳｎを含む合金）で覆われていてもよい。

　パッド部２３７は、リード部２３６の第２方向ｙのｙ１側の端部につながる。パッド部２３７の上面（厚さ方向ｚのｚ１側を向く面）は、第１パッド部２２２の上面と同様に、めっき層（たとえばＡｇを含む金属）で覆われていてもよい。パッド部２３７は、全面にわたって封止樹脂５に覆われている。パッド部２３７は、平坦（あるいは略平坦）である。

　複数のワイヤ３１～３４はそれぞれ、ダイパッド部２１（第１ダイパッド２１Ａ及び第２ダイパッド２１Ｂ）、複数の第１リード端子２２および複数の第２リード端子２３とともに、第１半導体素子１１、第２半導体素子１３および絶縁素子１２が所定の機能を果たすための導通経路を構成している。複数のワイヤ３１～３４の組成は、たとえば金（Ａｕ）を含む。この他、これらのワイヤの組成は、銅を含む場合や、アルミニウム（Ａｌ）を含む場合でもよい。

　複数のワイヤ３１の各々は、図２および図７に示すように、絶縁素子１２の複数の第１電極１２１のいずれかと、第１半導体素子１１の複数の電極１１１のいずれかとに接続されている。これにより、第１半導体素子１１と絶縁素子１２とが相互に導通している。複数のワイヤ３１は、第１方向ｘに沿って配列されている。

　複数のワイヤ３２の各々は、図２および図７に示すように、第１半導体素子１１の複数の電極１１１のいずれかと、一端側第１端子２２Ａの第１パッド部２２２、他端側第１端子２２Ｂのパッド部２２５、および複数の中間第１端子２２Ｃのパッド部２２７のいずれかとに接続されている。これにより、一端側第１端子２２Ａ、他端側第１端子２２Ｂおよび複数の中間第１端子２２Ｃの少なくともいずれかは、第１半導体素子１１に導通している。

　複数のワイヤ３３の各々は、図２および図７に示すように、絶縁素子１２の複数の第２電極１２２のいずれかと、第２半導体素子１３の複数の電極１３１のいずれかとに接続されている。これにより、第２半導体素子１３と絶縁素子１２とが相互に導通している。複数のワイヤ３３は、第１方向ｘに沿って配列されている。電子装置Ａ１においては、複数のワイヤ３３は、第１ダイパッド２１Ａと第２ダイパッド２１Ｂとの間を跨いでいる。

　複数のワイヤ３４の各々は、図２および図７に示すように、第２半導体素子１３の複数の電極１３１のいずれかと、他端側第２端子２３Ｂのパッド部２３５、および複数の中間第２端子２３Ｃのパッド部２３７のいずれかとに接続されている。これにより、他端側第２端子２３Ｂおよび複数の中間第２端子２３Ｃの少なくともいずれかは、第２半導体素子１３に導通している。

　封止樹脂５は、図１、図２に示すように、第１半導体素子１１、第２半導体素子１３および絶縁素子１２と、ダイパッド部２１（第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂ）と、複数の第１リード端子２２および複数の第２リード端子２３の各々の一部ずつとを覆っている。さらに封止樹脂５は、図７に示すように、複数のワイヤ３１～３４を覆っている。封止樹脂５は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５は、第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂを互いに絶縁している。封止樹脂５は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。厚さ方向ｚに見て、封止樹脂５は、矩形状である。

　図３～図６に示すように、封止樹脂５は、樹脂主面５１、樹脂裏面５２、第１樹脂側面５３、第２樹脂側面５４、第３樹脂側面５５および第４樹脂側面５６を有する。

　図３～図６に示すように、樹脂主面５１および樹脂裏面５２は、厚さ方向ｚにおいて互いに離れて位置する。樹脂主面５１および樹脂裏面５２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。樹脂主面５１は厚さ方向ｚのｚ１側を向き、樹脂裏面５２は厚さ方向ｚのｚ２側を向く。樹脂主面５１および樹脂裏面５２の各々は、平坦（あるいは略平坦）である。

　図３～図６に示すように、第１樹脂側面５３、第２樹脂側面５４、第３樹脂側面５５および第４樹脂側面５６の各々は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面５１と樹脂裏面５２とに挟まれている。図１、図４および図６に示すように、第１樹脂側面５３は、第１方向ｘのｘ１側に位置し、第１方向ｘのｘ１側を向く。第２樹脂側面５４は、第１方向ｘのｘ２側に位置し、第１方向ｘのｘ２側を向く。第３樹脂側面５５および第４樹脂側面５６は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置し、且つ第１樹脂側面５３および第２樹脂側面５４につながっている。図１、図３および図５に示すように、第３樹脂側面５５は、第２方向ｙのｙ１側に位置し、第２方向ｙのｙ１側を向く。第３樹脂側面５５から、複数の第１リード端子２２の各々の一部が突出している。第４樹脂側面５６は、第２方向ｙのｙ２側に位置し、第２方向ｙのｙ２側を向く。第４樹脂側面５６から、複数の第２リード端子２３の各々の一部が突出している。

　図３、図４および図６に示すように、第１樹脂側面５３は、第１上部５３１、第１下部５３２および第１中間部５３３を含む。第１上部５３１は、厚さ方向ｚのｚ１側が樹脂主面５１につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ２側が第１中間部５３３につながっている。第１上部５３１は、樹脂主面５１に対して傾斜している。第１下部５３２は、厚さ方向ｚのｚ２側が樹脂裏面５２につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ１側が第１中間部５３３につながっている。第１下部５３２は、樹脂裏面５２に対して傾斜している。第１中間部５３３は、厚さ方向ｚのｚ１側が第１上部５３１につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ２側が第１下部５３２につながっている。第１中間部５３３の面内方向は、厚さ方向ｚおよび第２方向ｙである。厚さ方向ｚに見て、第１中間部５３３は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２よりも外方に位置する。

　図３に示すように、第１樹脂側面５３には、第１ゲート痕５９１が形成されている。第１ゲート痕５９１は、当該第１ゲート痕５９１を除く第１樹脂側面５３の他の領域よりも表面が粗である。第１ゲート痕５９１は、後述する電子装置Ａ１の製造工程のうち封止樹脂５を形成する工程において、第１ゲート８９１において封止樹脂５を切断することにより現れる。電子装置Ａ１においては、第１ゲート痕５９１は、第１下部５３２に位置する領域と、第１中間部５３３に位置する領域とを含む。第１ゲート痕５９１は、第１樹脂側面５３の第２方向ｙにおける中央に位置する。

　図２および図９に示すように、一端側第１端子２２Ａの第１延出部２２３は、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分を含む。一端側第２端子２３Ａの第２延出部２３３は、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分を含む。第１延出部２２３および第２延出部２３３は、導電支持部材２のうち第１方向ｘにおいて第１ゲート痕５９１から最も近くに位置する。第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分は、本開示の「第１部」の一例に相当する。図３においては、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）にハッチングを付している。

　図３に示すように、本実施形態では、第１方向ｘに見て、第１延出部２２３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分は、第１ゲート痕５９１と重なる。第１方向ｘに見て、第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分は、第１ゲート痕５９１と重なる。図示した例では、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分の全体が、第１方向ｘに見て第１ゲート痕５９１と重なっている。

　本実施形態においては、第１ゲート痕５９１と、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）とは、以下の関係を満たしている。本実施形態では、第１ゲート痕５９１と、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分との第１方向ｘにおける距離（第１距離Ｄ１）、および第１ゲート痕５９１の厚さ方向ｚにおける長さ（第１寸法Ｌ１）の関係について（図３、図９参照）、前記第１寸法Ｌ１に対する第１距離Ｄ１の割合は、たとえば０％を超えて５００％以下の範囲であり、好ましくは４０～２００％の範囲である。前記第１距離Ｄ１の具体的な値は、たとえば０ｍｍを超えて２．４ｍｍ以下であり、好ましくは、０．２１～１．０ｍｍである。本実施形態において図示した例では、前記第１距離Ｄ１は、０．３５ｍｍ程度である。図示した例では、前記第１寸法Ｌ１は、０．５ｍｍ程度である。

　第１ゲート痕５９１の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）、および前記第１距離Ｄ１は、一方が相対的に大きくなると、他方が相対的に小さくなる関係とされている（図３参照）。前記第２寸法Ｌ２は、たとえば１．０～５．０ｍｍであり、前記第２寸法Ｌ２と前記第１距離Ｄ１との積が、０．２１～５．０ｍｍ²である。本実施形態において図示した例では、前記第２寸法Ｌ２は、３．０ｍｍ程度である。

　第１方向ｘに見て、第１ゲート痕５９１の面積（面積Ｓ１）に対する、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）の第１ゲート痕５９１と重なる部分の面積（面積Ｓ２）の割合は、０％を超えて５０％以下である（図３参照）。本実施形態において図示した例では、第１ゲート痕５９１の面積Ｓ１に対する、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）の第１ゲート痕５９１と重なる部分の面積Ｓ２の割合は、３０％程度である。

　前記第２寸法Ｌ２に対する、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）の第２方向ｙの長さ（第３寸法Ｌ３）の割合は、５０～１００％である（図３参照）。前記第２寸法Ｌ２に対する前記第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて５０％以下である（図３、図９参照）。本実施形態において図示した例では、前記第３寸法Ｌ３は、２．５ｍｍ程度である。

　本実施形態において、樹脂主面５１と樹脂裏面５２との厚さ方向ｚの寸法（第４寸法Ｌ４）に対する前記第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて７０％以下である（図３、図９参照）。

　図４～図６に示すように、第２樹脂側面５４は、第２上部５４１、第２下部５４２および第２中間部５４３を含む。第２上部５４１は、厚さ方向ｚのｚ１側が樹脂主面５１につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ２側が第２中間部５４３につながっている。第２上部５４１は、樹脂主面５１に対して傾斜している。第２下部５４２は、厚さ方向ｚのｚ２側が樹脂裏面５２につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ１側が第２中間部５４３につながっている。第２下部５４２は、樹脂裏面５２に対して傾斜している。第２中間部５４３は、厚さ方向ｚのｚ１側が第２上部５４１につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ２側が第２下部５４２につながっている。第２中間部５４３の面内方向は、厚さ方向ｚおよび第２方向ｙである。厚さ方向ｚに見て、第２中間部５４３は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２よりも外方に位置する。

　図５に示すように、第２樹脂側面５４には、第２ゲート痕５９２が形成されている。第２ゲート痕５９２は、当該第２ゲート痕５９２を除く第２樹脂側面５４の他の領域よりも表面が粗である。第２ゲート痕５９２は、後述する電子装置Ａ１の製造工程のうち封止樹脂５を形成する工程において、第２ゲート８９２において封止樹脂５を切断することにより現れる。電子装置Ａ１においては、第２ゲート痕５９２は、第２下部５４２に位置する領域と、第２中間部５４３に位置する領域とを含む。第２ゲート痕５９２は、第２樹脂側面５４の第２方向ｙにおける中央に位置する。

　図３～図５に示すように、第３樹脂側面５５は、第３上部５５１、第３下部５５２および第３中間部５５３を含む。第３上部５５１は、厚さ方向ｚのｚ１側が樹脂主面５１につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ２側が第３中間部５５３につながっている。第３上部５５１は、樹脂主面５１に対して傾斜している。第３下部５５２は、厚さ方向ｚのｚ２側が樹脂裏面５２につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ１側が第３中間部５５３につながっている。第３下部５５２は、樹脂裏面５２に対して傾斜している。第３中間部５５３は、厚さ方向ｚのｚ１側が第３上部５５１につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ２側が第３下部５５２につながっている。第３中間部５５３の面内方向は、厚さ方向ｚおよび第１方向ｘである。厚さ方向ｚに見て、第３中間部５５３は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２よりも外方に位置する。第３中間部５５３から、複数の第１リード端子２２の各々の一部が露出している。

　図３、図５および図６に示すように、第４樹脂側面５６は、第４上部５６１、第４下部５６２および第４中間部５６３を含む。第４上部５６１は、厚さ方向ｚのｚ１側が樹脂主面５１につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ２側が第４中間部５６３につながっている。第４上部５６１は、樹脂主面５１に対して傾斜している。第４下部５６２は、厚さ方向ｚのｚ２側が樹脂裏面５２につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ１側が第４中間部５６３につながっている。第４下部５６２は、樹脂裏面５２に対して傾斜している。第４中間部５６３は、厚さ方向ｚのｚ１側が第４上部５６１につながり、且つ厚さ方向ｚのｚ２側が第４下部５６２につながっている。第４中間部５６３の面内方向は、厚さ方向ｚおよび第１方向ｘである。厚さ方向ｚに見て、第４中間部５６３は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２よりも外方に位置する。第４中間部５６３から、複数の第２リード端子２３の各々の一部が露出している。

　インバータ装置におけるモータドライバ回路においては、ローサイド（低電位側）スイッチング素子と、ハイサイド（高電位側）スイッチング素子とを含むハーフブリッジ回路が構成されることが一般的である。以下の説明においては、これらのスイッチング素子がＭＯＳＦＥＴである場合を対象とする。ここで、ローサイドスイッチング素子においては、当該スイッチング素子のソースと、当該スイッチング素子を駆動するゲートドライバとの基準電位は、ともにグランドとなっている。一方、ハイサイドスイッチング素子においては、当該スイッチング素子のソースと、当該スイッチング素子を駆動するゲートドライバとの基準電位は、ともにハーフブリッジ回路の出力ノードにおける電位に相当する。ハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子の駆動に応じて出力ノードにおける電位は変化するため、ハイサイドスイッチング素子を駆動するゲートドライバの基準電位は変化する。ハイサイドスイッチング素子がオンの場合は、当該基準電位は、ハイサイドスイッチング素子のドレインに印加される電圧と等価（たとえば６００Ｖ以上）となる。電子装置Ａ１においては、第１半導体素子１１のグランドと、第２半導体素子１３のグランドとは、分離された構成となっている。したがって、ハイサイドスイッチング素子を駆動するためのゲートドライバとして電子装置Ａ１が使用される場合、第２半導体素子１３のグランドには、ハイサイドスイッチング素子のドレインに印加される電圧と等価な電圧が過渡的に印加される。

　次に、電子装置Ａ１の製造方法の一例について、図１０～図１２を参照して以下に説明する。図１０～図１２は、電子装置Ａ１の製造方法の一工程を示す平面図である。

　まず、図１０に示すように、リードフレーム８１を準備する。リードフレーム８１は、板状の材料である。本実施形態においては、リードフレーム８１の母材は、銅からなる。リードフレーム８１は、金属板にエッチング処理等を施すことにより形成されてもよいし、金属板に打ち抜き加工を施すことにより形成されてもよい。リードフレーム８１は、厚さ方向ｚに離隔する主面８１Ａおよび裏面８１Ｂを有する。リードフレーム８１は、外枠８１１、第１ダイパッド８１２Ａ、第２ダイパッド８１２Ｂ、複数の第１リード８１３、複数の第２リード８１４、複数の支持リード８１５、ダムバー８１６、および複数の延出部８１７を備えている。このうち、外枠８１１およびダムバー８１６は、電子装置Ａ１を構成しない。第１ダイパッド８１２Ａは、後に第１ダイパッド２１Ａとなる部位である。第２ダイパッド８１２Ｂは、後に第２ダイパッド２１Ｂとなる部位である。複数の第１リード８１３は、後に複数の第１リード端子２２となる部位である。複数の第２リード８１４は、後に複数の第２リード端子２３となる部位である。複数の支持リード８１５は、後に一端側第１端子２２Ａの第１リード部２２１、一端側第２端子２３Ａの第２リード部２３１、他端側第１端子２２Ｂのリード部２２４、および他端側第２端子２３Ｂのリード部２３４となる部位である。複数の８１７延出部は、一端側第１端子２２Ａの第１延出部２２３、および一端側第２端子２３Ａの第２延出部２３３となる部位である。

　次いで、図１１に示すように、第１半導体素子１１および絶縁素子１２をダイボンディングにより第１ダイパッド８１２Ａに接合し、第２半導体素子１３をダイボンディングにより第２ダイパッド８１２Ｂに接合する。これらの工程を経た後、複数のワイヤ３１～３４の各々をワイヤボンディングにより形成する。

　次いで、封止樹脂５を形成する。封止樹脂５は、トランスファモールド成形により形成される。本工程においては、複数のキャビティを有する金型にリードフレーム８１を収納する。この際、リードフレーム８１のうち、電子装置Ａ１において封止樹脂５に覆われた導電支持部材２の部分が、複数のキャビティのいずれかに収容されるようにする。その後、ポットからランナーを介して複数のキャビティの各々に流動化した樹脂を流し込む。図１２に示すように、リードフレーム８１には、第１ゲート８９１および第２ゲート８９２が設けられている。各キャビティ８８において、第１ゲート８９１は、流動化した樹脂の流入口である。各キャビティ８８において、第２ゲート８９２は、流動化した樹脂の流出口である。複数のキャビティ８８の中において流動化した封止樹脂５を固化させた後、複数のキャビティ８８の各々に対して外方に位置する樹脂バリを高圧水などで除去する。この際、第１ゲート８９１に位置する樹脂バリを除去すると、封止樹脂５に第１ゲート痕５９１が形成される。同様に第２ゲート８９２に位置する樹脂バリを除去すると封止樹脂５に第２ゲート痕５９２が形成される。以上により封止樹脂５の形成が完了する。

　その後、ダイシングを行い、個片化することで、外枠８１１やダムバー８１６によって互いにつながっていた第１ダイパッド８１２Ａ、第２ダイパッド８１２Ｂ、複数の第１リード８１３、複数の第２リード８１４、および複数の支持リード８１５が、適宜分離される。以上に示した工程を経ることで、電子装置Ａ１が製造される。

　次に、電子装置Ａ１の作用効果について説明する。

　電子装置Ａ１は、導電支持部材２と、導電支持部材２の厚さ方向ｚのｚ１側に配置された複数の電子素子１と、封止樹脂５と、を備える。封止樹脂５は、複数の電子素子１、および導電支持部材２の一部を覆う。封止樹脂５は、第１方向ｘのｘ１側を向く第１樹脂側面５３を有し、第１樹脂側面５３には、当該第１樹脂側面５３の他の領域よりも表面が粗である第１ゲート痕５９１が形成されている。一端側第１端子２２Ａ（導電支持部材２を構成する複数の第１リード端子２２の１つ）は第１延出部２２３を有し、一端側第２端子２３Ａ（導電支持部材２を構成する複数の第２リード端子２３の１つ）は第２延出部２３３を有する。第１延出部２２３および第２延出部２３３は、導電支持部材２のうち第１方向ｘにおいて第１ゲート痕５９１から最も近くに位置する。第１延出部２２３および第２延出部２３３は、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）を含む。第１ゲート痕５９１と、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）との第１方向ｘにおける距離（第１距離Ｄ１）、および第１ゲート痕５９１の厚さ方向ｚにおける長さ（第１寸法Ｌ１）の関係について、前記第１寸法Ｌ１に対する第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて５００％以下である。

　このような構成によれば、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）は、第１ゲート痕５９１から比較的近接した位置にある。封止樹脂５を形成する工程においては、第１ゲート痕５９１に対応するゲートから流動化した樹脂が勢いよく流れ込むと、当該流動化した樹脂は空気を巻き込みながらキャビティ内に充填される。本実施形態においては、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）が、上記のように第１ゲート痕５９１から比較的近接して配置される。これにより、第１延出部２２３および第２延出部２３３の当該部分（第１部）に樹脂が衝突することで流動化した樹脂の流速が減じられ、空気を巻き込み難くなる。したがって、空気の巻き込みによるピンホール（空隙）の発生を抑制し、封止樹脂５の充填不良を抑制することができる。封止樹脂５の形成時にゲートから流入する流動化した樹脂が空気を巻き込んだ場合でも、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）が第１ゲート痕５９１から比較的近接する構成によれば、第１延出部２２３および第２延出部２３３の当該部分（第１部）に樹脂が衝突することで当該樹脂に巻き込まれた空気が微細化され、ピンホールの発生が抑制される。

　第１ゲート痕５９１と、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）との第１方向ｘにおける距離（第１距離Ｄ１）は、０ｍｍを超えて２．４ｍｍ以下である。このような構成によれば、封止樹脂５の形成時におけるピンホールの発生を有意に抑制することができる。

　第１ゲート痕５９１の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）、および前記第１距離Ｄ１は、一方が相対的に大きくなると、他方が相対的に小さくなる関係とされている。第１ゲート痕５９１の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）と、前記第１距離Ｄ１との積が、０．２１～５．０ｍｍ²である。このような構成によれば、封止樹脂５の形成時において、樹脂の充填速度（単位時間あたりの樹脂の充填量）を適度に維持しつつ、ピンホールの発生を抑制することができる。

　第１方向ｘに見て、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）は、第１ゲート痕５９１と重なる。第１方向ｘに見て、第１ゲート痕５９１の面積（面積Ｓ１）に対する、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）の第１ゲート痕５９１と重なる部分の面積（面積Ｓ２）の割合は、０％を超えて５０％以下である。このような構成によれば、封止樹脂５の形成時において、第１延出部２２３および第２延出部２３３の当該部分（第１部）に樹脂をより的確に衝突させことができる。このことは、封止樹脂５におけるピンホールの発生を抑制する上で好ましく、封止樹脂５の充填不良をより抑制することができる。

　第１ゲート痕５９１の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）に対する、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）の第２方向ｙの長さ（第３寸法Ｌ３）の割合は、５０～１００％である。前記第２寸法Ｌ２に対する前記第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて５０％以下である。樹脂主面５１と樹脂裏面５２との厚さ方向ｚの寸法（第４寸法Ｌ４）に対する前記第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて７０％以下である。このような構成によれば、電子装置Ａ１のサイズに応じて前記第２寸法Ｌ２、第３寸法Ｌ３、第４寸法Ｌ４等の大きさが変化しても、封止樹脂５の形成時におけるピンホールの発生を有意に抑制することができる。

　複数の電子素子１は、第１半導体素子１１（第１電子素子）、第２半導体素子１３（第２電子素子）、および絶縁素子１２を含む。第１半導体素子１１は、第１ダイパッド２１Ａとともに第１回路を構成し、第２半導体素子１３は、第２ダイパッド２１Ｂとともに第２回路を構成する。絶縁素子１２は、第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂのいずれかに搭載されるとともに、第１回路と第２回路との信号の送受信を中継し、且つ第１回路および第２回路を互いに絶縁する。このような構成の電子装置Ａ１によれば、上述のように封止樹脂５においてピンホールの発生が抑制されており、導電支持部材２の分離した各部の絶縁耐圧の低下を防止することができる。

　第１実施形態の第１変形例：
　図１３および図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る電子装置を示している。図１３は、本変形例の電子装置Ａ１１を示す平面図である。図１４は、図１３の部分拡大図である。図１３において、理解の便宜上、封止樹脂５を透過している。図１３においては、透過した封止樹脂５を想像線で示している。図１３以降の図面において、上記実施形態の電子装置Ａ１と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。

　本変形例の電子装置Ａ１１においては、一端側第１端子２２Ａおよび一端側第２端子２３Ａの構成が上記実施形態の電子装置Ａ１と異なっている。一端側第１端子２２Ａにおいて、第１延出部２２３は、第１リード部２２１よりも第１方向ｘのｘ１側に位置する。第２延出部２３３は、一端側第２端子２３Ａにおいて、第２延出部２３３は、第２リード部２３１よりも第１方向ｘのｘ１側に位置する。第１延出部２２３および第２延出部２３３は、上記実施形態の電子装置Ａ１よりも、第１方向ｘのｘ１側に位置する。これにより、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）について、第１ゲート痕５９１と当該部分との第１方向ｘにおける第１距離Ｄ１は、電子装置Ａ１における前記第１距離Ｄ１よりも小さくなる。

　本変形例の電子装置Ａ１１において、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）は、第１ゲート痕５９１から比較的近接した位置にある。封止樹脂５を形成する工程においては、第１ゲート痕５９１に対応するゲートから流動化した樹脂が勢いよく流れ込むと、当該流動化した樹脂は空気を巻き込みながらキャビティ内に充填される。本実施形態においては、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）が、上記のように第１ゲート痕５９１から比較的近接して配置される。これにより、第１延出部２２３および第２延出部２３３の当該部分（第１部）に樹脂が衝突することで流動化した樹脂の流速が減じられ、空気を巻き込み難くなる。したがって、空気の巻き込みによるピンホール（空隙）の発生を抑制し、封止樹脂５の充填不良を抑制することができる。封止樹脂５の形成時にゲートから流入する流動化した樹脂が空気を巻き込んだ場合でも、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）が第１ゲート痕５９１から比較的近接して配置された構成によれば、第１延出部２２３および第２延出部２３３の当該部分（第１部）に樹脂が衝突することで当該樹脂に巻き込まれた空気が微細化され、ピンホールの発生が抑制される。

　本変形例の電子装置Ａ１１では、一端側第１端子２２Ａにおいて、第１延出部２２３は、第１リード部２２１よりも第１方向ｘのｘ１側に位置する。第２延出部２３３は、一端側第２端子２３Ａにおいて、第２延出部２３３は、第２リード部２３１よりも第１方向ｘのｘ１側に位置する。これにより、第１延出部２２３および第２延出部２３３のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分（第１部）について、第１ゲート痕５９１と当該部分との第１方向ｘにおける第１距離Ｄ１をより小さくすることができる。このような構成は、封止樹脂５におけるピンホールの発生を抑制する上で好ましく、封止樹脂５の充填不良をより抑制することができる。その他にも、電子装置Ａ１１は、上記実施形態の電子装置Ａ１と同様の作用効果を奏する。

　第２実施形態：
　図１５～図２３に基づき、本開示の第２実施形態に係る電子装置について説明する。本実施形態の電子装置Ａ２は、複数の電子素子１、導電支持部材２、複数のワイヤ４１～４６および封止樹脂５を備える。電子装置Ａ２の具体的な用途等は、何ら限定されないが、たとえば電気自動車のバッテリ電圧を検出するためのものである。電子装置Ａ２は、電気自動車のバッテリ電圧を検出するものではなく、電気自動車の他の電圧を検出してもよいし、電気自動車ではなく、産業機器、家電機器、あるいは、電源装置などで使用される電圧を検出してもよい。電子装置Ａ１は、表面実装型の半導体パッケージであって、本実施形態では、図１～図８に示すように、パッケージ形式はＳＯＰ（Small Outline Package）である。

　図１５および図１６は、本実施形態の電子装置Ａ２を示す平面図である。図１７は、電子装置Ａ２を示す正面図である。図１８は、電子装置Ａ２を示す左側面図である。図１９は、電子装置Ａ２を示す背面図である。図２０は、電子装置Ａ２を示す右側面図である。図２１は、図１６のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。図２２は、図１６のＸＸＩＩ－ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図２３は、電子装置Ａ２の回路構成図である。図１６は、理解の便宜上、封止樹脂５を透過している。図１６においては、透過した封止樹脂５を想像線で示している。

　電子装置Ａ２の説明においても、互いに直交する３つの方向、すなわち、厚さ方向ｚ、第１方向ｘ、および第２方向ｙを適宜参照する。図１５および図１６に示すように、電子装置Ａ２は、厚さ方向ｚに見て（平面視において）、矩形状（あるいは略矩形状）である。

　導電支持部材２は、電子装置Ａ２において、複数の電子素子１と電気自動車などの回路基板との導通経路を構成する部材である。導電支持部材２は、たとえば銅、ニッケル、鉄（Ｆｅ）などの金属を含む。図１５、図１６に示すように、導電支持部材２は、ダイパッド部２１、複数の第１リード端子２５、および複数の第２リード端子２６を含む。導電支持部材２は、同一のリードフレームから得られる。導電支持部材２は、たとえば、金属板材料に、打ち抜き、折り曲げ、あるいはエッチング等から選択された加工が施されることによって、形成される。導電支持部材２（ダイパッド部２１、複数の第１リード端子２５、および複数の第２リード端子２６）の各々の適所には、必要に応じて、銀、ニッケル、金などからなるめっき層を設けてもよい。

　ダイパッド部２１は、複数の電子素子１を支持する。本実施形態では、ダイパッド部２１は、第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂを有する。第１ダイパッド２１Ａは、第２方向ｙのｙ１側に配置される。第２ダイパッド２１Ｂは、第２方向ｙのｙ２側に配置される。第１ダイパッド２１Ａと第２ダイパッド２１Ｂとは、第２方向ｙにおいて互いに離隔する。ダイパッド部２１（第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂの各々）は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く搭載面２１１を有する。第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂの各平面視形状は何ら限定されないが、図示された例では、矩形状である。

　複数の第１リード端子２５は、電気自動車などの回路基板に接合されることで、電子装置Ａ１と前記回路基板との導電経路を構成する部材である。図１５、図１６および図１８に示すように、複数の第１リード端子２５は、第１方向ｘにおいて互いに間隔を隔てて配列されている。複数の第１リード端子２５は、封止樹脂５（後述の第３樹脂側面５５）からそれぞれ第２方向ｙのｙ１側に延出するように露出している。複数の第１リード端子２５は、一端側第１端子２５Ａ、他端側第１端子２５Ｂおよび複数の中間第１端子２６Ｃを含む。

　一端側第１端子２５Ａは、複数の第１リード端子２５のうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する。一端側第１端子２５Ａは、図１６に示すように、端子部２５１およびリード部２５２を有する。

　端子部２５１は、一端側第１端子２５Ａのうち封止樹脂５から露出する部位である。端子部２５１は、封止樹脂５から第２方向ｙのｙ１側に突き出る。端子部２５１は、平面視において、第２方向ｙを長手方向とする矩形状である。図１７に示すように、端子部２５１は、第１方向ｘに見て、ガルウィング状に屈曲する。端子部２５１の先端部分は、電子装置Ａ２を電気自動車などの回路基板に実装する際に、当該回路基板に接合される部位である。

　リード部２５２は、一端側第１端子２５Ａのうち封止樹脂５に覆われた部位である。リード部２５２は、端子部２５１につながり、端子部２５１から封止樹脂５の内方に延びる。リード部２５２は、平面視において適宜屈曲しており、第２方向ｙに延びる部分と、第１方向ｘに延びる部分と、当該２つの部分につながり、第２方向ｙおよび第１方向ｘに対して傾斜する方向に延びる部分と、を含む。リード部２５２の端子部２５１とは反対側の端部は、第１ダイパッド２１Ａにつながっている。

　他端側第１端子２５Ｂは、複数の第１リード端子２５のうち第１方向ｘのｘ２側の端に位置する。他端側第１端子２５Ｂは、図１６に示ように、端子部２５４よびリード部２５５を有する。

　端子部２５４は、他端側第１端子２５Ｂのうち封止樹脂５から露出する部位である。端子部２５４は、封止樹脂５から第２方向ｙのｙ１側に突き出る。端子部２５４は、平面視において、第２方向ｙを長手方向とする矩形状である。図１９に示すように、端子部２５４は、第１方向ｘに見て、ガルウィング状に屈曲する。端子部２５４の先端部分は、電子装置Ａ２を電気自動車などの回路基板に実装する際に、当該回路基板に接合される部位である。

　リード部２５５は、他端側第１端子２５Ｂのうち封止樹脂５に覆われた部位である。リード部２５５は、端子部２５４につながり、端子部２５４から封止樹脂５の内方に延びる。リード部２５５の端子部２５４とは反対側の端部は、第１ダイパッド２１Ａにつながっている。

　複数の中間第１端子２５Ｃは、図１６および図１８に示すように、一端側第１端子２５Ａおよび他端側第１端子２５Ｂに挟まれて配列されている。複数の中間第１端子２５Ｃはそれぞれ、図１６に示すように、端子部２５６およびリード部２５７を含む。よって、電子装置Ａ２は、複数の端子部２５６および複数のリード部２５７を備える。以下で説明する端子部２５６およびリード部２５７は、特段の断りがない限り、各中間第１端子２５Ｃにおいて共通する。

　端子部２５６は、各中間第１端子２５Ｃのうち封止樹脂５から露出する部位である。各端子部２５４は、封止樹脂５から第２方向ｙのｙ１側に突き出る。各端子部２５６は、平面視において、第２方向ｙを長手方向とする帯状である。複数の端子部２５６は、第１方向ｘに沿って等間隔に配置される。図２１等に示すように、各端子部２５６は、第１方向ｘに見て、ガルウィング状に屈曲する。複数の端子部２５６は、第１方向ｘに見て、互いに重なる。各端子部２５６の先端部分は、電子装置Ａ２を電気自動車などの回路基板に実装する際に、当該回路基板に接合される部位である。

　リード部２５７は、各中間第１端子２５Ｃのうち封止樹脂５に覆われた部位である。リード部２５７は、端子部２５６につながり、端子部２５６から封止樹脂５の内方に延びる。

　複数の第２リード端子２６は、電気自動車などの回路基板に接合されることで、電子装置Ａ１と前記回路基板との導電経路を構成する部材である。図１５、図１６および図２０に示すように、複数の第２リード端子２６は、第１方向ｘにおいて間隔を隔てて配置されている。複数の第２リード端子２６は、封止樹脂５（後述の第４樹脂側面５６）からそれぞれ第２方向ｙのｙ２側に延出するように露出している。複数の第２リード端子２６は、一端側第２端子２６Ａおよび他端側第２端子２６Ｂを含む。

　一端側第２端子２６Ａは、複数の第２リード端子２６のうち第１方向ｘのｘ１側の端に位置する。一端側第２端子２６Ａは、図１６に示すように、端子部２６１およびリード部２６２を有する。

　端子部２６１は、一端側第２端子２６Ａのうち封止樹脂５から露出する部位である。端子部２６１は、封止樹脂５から第２方向ｙのｙ２側に突き出る。端子部２６１は、平面視において、第２方向ｙを長手方向とする矩形状である。図１７に示すように、端子部２６１は、第１方向ｘに見て、ガルウィング状に屈曲する。端子部２６１の先端部分は、電子装置Ａ２を電気自動車などの回路基板に実装する際に、当該回路基板に接合される部位である。

　リード部２６２は、一端側第２端子２６Ａのうち封止樹脂５に覆われた部位である。リード部２６２は、端子部２６１につながり、端子部２６１から封止樹脂５の内方に延びる。リード部２６２は、平面視において適宜屈曲しており、第２方向ｙに延びる部分と、第１方向ｘに延びる部分と、を含む。

　他端側第２端子２６Ｂは、複数の第２リード端子２６のうち第１方向ｘのｘ２側の端に位置する。他端側第２端子２６Ｂは、図１６に示ように、端子部２６４よびリード部２６５を有する。

　端子部２６４は、他端側第２端子２６Ｂのうち封止樹脂５から露出する部位である。端子部２６４は、封止樹脂５から第２方向ｙのｙ２側に突き出る。端子部２６４は、平面視において、第２方向ｙを長手方向とする矩形状である。図１９に示すように、端子部２６４は、第１方向ｘに見て、ガルウィング状に屈曲する。端子部２６４の先端部分は、電子装置Ａ２を電気自動車などの回路基板に実装する際に、当該回路基板に接合される部位である。

　リード部２６５は、他端側第２端子２６Ｂのうち封止樹脂５に覆われた部位である。リード部２６５は、端子部２６４につながり、端子部２６４から封止樹脂５の内方に延びる。リード部２６５の端子部２６４とは反対側の端部は、第２ダイパッド２１Ｂにつながっている。

　電子装置Ａ２において、導電支持部材２（第１ダイパッド２１Ａ、第２ダイパッド２１Ｂ、複数の第１リード端子２５および複数の第２リード端子２６）の各形状および位置関係は、図示された例に限定されず、電子装置Ａ２の仕様に応じて、適宜変更可能である。

　複数の電子素子１は、電子装置Ａ２における電気的機能を発揮する要素である。複数の電子素子１の具体的機能は何ら限定されないが、本実施形態では、複数の電子素子１は、電圧を検出する機能を有する。図示された例では、複数の電子素子１は、互いに分離した第１電子素子１４および第２電子素子１５を含む。

　第２電子素子１５は、第２ダイパッド２１Ｂの搭載面２１１に搭載される。本実施形態では、第２電子素子１５は、他端側第２端子２６Ｂの電位に応じた第１信号と、一端側第２端子２６Ａの電位に応じた第２信号とを第１電子素子１４に出力する。第２電子素子１５は、厚さ方向ｚの上面に複数の電極１５１，１５２，１５３が配置されている。

　第１電子素子１４は、第１ダイパッド２１Ａに搭載される。本実施形態では、第１電子素子１４は、第２電子素子１５から第１信号および第２信号が入力され、他端側第２端子２６Ｂと一端側第２端子２６Ａとの電位差に応じた第３信号を出力する。つまり、第１電子素子１４は、他端側第２端子２６Ｂと一端側第２端子２６Ａとの間に印加される電圧の検出信号（第３信号）を出力する。第１電子素子１４は、厚さ方向ｚの上面に複数の電極１４１，１４２が配置されている。

　電子装置Ａ２では、複数の電子素子１（第１電子素子１４および第２電子素子１５）は、たとえば図２３に示す回路構成となる。図２３に示すように、第２電子素子１５は、複数の抵抗素子Ｒ１～Ｒ４を含み、第１電子素子１４は、オペアンプＯＰおよび抵抗素子Ｒ５を含む。複数の電子素子１の回路構成は、図２３に示す例に限定されない。

　２つの抵抗素子Ｒ１，Ｒ２は、互いに直列に接続される。２つの抵抗素子Ｒ１，Ｒ２は、端子Ｔ１の電圧（端子Ｔ１の電位とグランドＧＮＤの基準電位との電位差）を、分圧する。本実施形態では、端子Ｔ１は、各電極１５２に相当する。２つの抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の接続点は、オペアンプＯＰの非反転入力端子に接続される。２つの抵抗素子Ｒ３，Ｒ４は、互いに直列に接続される。２つ抵抗素子Ｒ３，Ｒ４は、端子Ｔ２の電圧（端子Ｔ２の電位とグランドＧＮＤの基準電位との電位差）を、分圧する。本実施形態では、端子Ｔ２は、各電極１５１に相当する。２つの抵抗素子Ｒ３，Ｒ４の接続点は、オペアンプＯＰの反転入力端子に接続される。電子装置Ａ２が、電気自動車に搭載されたバッテリの電圧を検出する際、端子Ｔ１と端子Ｔ２との一方が、バッテリの高電位側の端子に電気的に接続され、他方が低電位側の端子に電気的に接続される。

　オペアンプＯＰは、端子Ｔ１の電位に応じた第１信号（本実施形態では、端子Ｔ１の電圧を分圧した信号）と、端子Ｔ２の電位に応じた第２信号（本実施形態では、端子Ｔ２の電圧を分圧した信号）とが入力され、端子Ｔ１と端子Ｔ２との電位差に応じた第３信号を出力する。抵抗素子Ｒ５は、オペアンプＯＰの増幅ゲインを決定するための素子（帰還抵抗）で、抵抗素子Ｒ５の一端はオペアンプＯＰの反転入力端子に接続され、他端はオペアンプＯＰの出力端子に接続されている。第１電子素子１４は、抵抗素子Ｒ５を含んでいなくてもよい。

　複数のワイヤ４１～４６はそれぞれ、互いに離間する部位間を電気的に接続する。複数のワイヤ４１～４６はそれぞれ、ボンディングワイヤである。複数のワイヤ４１～４６はそれぞれ、たとえば金、アルミニウム、銅のいずれかを含む。

　ワイヤ４１は、図１６に示すように、第２電子素子１５の電極１５１とリード部２６５とに接合され、第２電子素子１５と他端側第２端子２６Ｂとを電気的に接続する。つまり、他端側第２端子２６Ｂの端子部２６４は、ワイヤ４１を介して、第２電子素子１５に導通する。

　ワイヤ４２は、図１６に示すように、第２電子素子１５の電極１５２とリード部２６２とに接合され、第２電子素子１５と一端側第２端子２６Ａとを電気的に接続する。つまり、一端側第２端子２６Ａの端子部２６１は、ワイヤ４２を介して、第２電子素子１５に導通する。

　複数のワイヤ４３はそれぞれ、図１６に示すように、第１電子素子１４の電極１４１と複数のリード部２５７のいずれかとに接合され、第１電子素子１４と複数の中間第１端子２５Ｃのいずれかとを電気的に接続する。つまり、複数の中間第１端子２５Ｃの各端子部２５６は、複数のワイヤ４３のいずれかを介して、第１電子素子１４に導通する。

　ワイヤ４４は、図１６に示すように、第１電子素子１４の電極１４１とリード部２５５とに接合され、第１電子素子１４と他端側第１端子２５Ｂとを電気的に接続する。つまり、他端側第１端子２５Ｂの端子部２５４は、ワイヤ４４を介して、第１電子素子１４に導通する。

　ワイヤ４５は、図１６に示すように、第１電子素子１４の電極１４１とリード部２５２とに接合され、第１電子素子１４と一端側第１端子２５Ａとを電気的に接続する。つまり、一端側第１端子２５Ａの端子部２５１は、ワイヤ４５を介して、第１電子素子１４に導通する。

　複数のワイヤ４６は、図１６に示すように、第２電子素子１５の電極１５３と第１電子素子１４の電極１４２とに接合され、第２電子素子１５と第１電子素子１４とを電気的に接続する。よって、複数のワイヤ４６は、上記第１信号および上記第２信号の伝送路である。

　封止樹脂５は、ダイパッド部２１（第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂ）と、複数の第１リード端子２２および複数の第２リード端子２３の各々の一部ずつと、複数の電子素子１（第１電子素子１４および第２電子素子１５）と、複数のワイヤ４１～４６とを覆う。封止樹脂５は、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁性材料を含む。好ましくは、封止樹脂５は、ＣＴＩ（Comparative Tracking Index：比較トラッキング指数）が６００Ｖ以上の樹脂材料により構成される。封止樹脂５は、たとえば直方体形状である。封止樹脂５は、第１方向ｘに沿う寸法がたとえば５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であり、第２方向ｙに沿う寸法がたとえば３ｍｍ以上１３ｍｍ以下である。

　図１７～図２０に示すように、封止樹脂５は、樹脂主面５１、樹脂裏面５２、第１樹脂側面５３、第２樹脂側面５４、第３樹脂側面５５および第４樹脂側面５６を有する。

　図１７～図２０に示すように、樹脂主面５１および樹脂裏面５２は、厚さ方向ｚにおいて互いに離れて位置する。樹脂主面５１および樹脂裏面５２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。樹脂主面５１は厚さ方向ｚのｚ１側を向き、樹脂裏面５２は厚さ方向ｚのｚ２側を向く。樹脂主面５１および樹脂裏面５２の各々は、平坦（あるいは略平坦）である。

　図１７～図２０に示すように、第１樹脂側面５３、第２樹脂側面５４、第３樹脂側面５５および第４樹脂側面５６の各々は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面５１と樹脂裏面５２とに挟まれている。図１５、図１８および図２０に示すように、第１樹脂側面５３は、第１方向ｘのｘ１側に位置し、第１方向ｘのｘ１側を向く。第２樹脂側面５４は、第１方向ｘのｘ２側に位置し、第１方向ｘのｘ２側を向く。第３樹脂側面５５および第４樹脂側面５６は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置し、且つ第１樹脂側面５３および第２樹脂側面５４につながっている。図１５、図１７および図１９に示すように、第３樹脂側面５５は、第２方向ｙのｙ１側に位置し、第２方向ｙのｙ１側を向く。第３樹脂側面５５から、複数の第１リード端子２２の各々の一部が突出している。第４樹脂側面５６は、第２方向ｙのｙ２側に位置し、第２方向ｙのｙ２側を向く。第４樹脂側面５６から、複数の第２リード端子２３の各々の一部が突出している。

　図１７に示すように、第１樹脂側面５３には、第１ゲート痕５９１が形成されている。第１ゲート痕５９１は、当該第１ゲート痕５９１を除く第１樹脂側面５３の他の領域よりも表面が粗である。第１ゲート痕５９１は、先述の電子装置Ａ１の製造工程のうち封止樹脂５を形成する工程（図１２参照）と同様に、第１ゲート８９１において封止樹脂５を切断することにより現れる。第１ゲート痕５９１は、第１樹脂側面５３の第２方向ｙにおける中央よりも第２方向ｙのｙ２側に少しずれた位置にある。

　図１６に示すように、一端側第２端子２６Ａのリード部２６２は、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分である内方部２６２ａを含む。内方部２６２ａは、導電支持部材２のうち第１方向ｘにおいて第１ゲート痕５９１から最も近くに位置する。この内方部２６２ａは、本開示の「第１部」の一例に相当する。図１６および図１７においては、内方部２６２ａにハッチングを付している。

　図１７に示すように、本実施形態では、第１方向ｘに見て、内方部２６２ａ（第１部）は、第１ゲート痕５９１と重なる。図示した例では、内方部２６２ａの全体が、第１方向ｘに見て第１ゲート痕５９１と重なっている。

　本実施形態においては、第１ゲート痕５９１と、内方部２６２ａ（第１部）とは、以下の関係を満たしている。本実施形態では、第１ゲート痕５９１と、内方部２６２ａとの第１方向ｘにおける距離（第１距離Ｄ１）、および第１ゲート痕５９１の厚さ方向ｚにおける長さ（第１寸法Ｌ１）の関係について（図１６、図１７参照）、前記第１寸法Ｌ１に対する第１距離Ｄ１の割合は、たとえば０％を超えて５００％以下の範囲であり、好ましくは４０～２００％の範囲である。前記第１距離Ｄ１の具体的な値は、たとえば０ｍｍを超えて２．４ｍｍ以下であり、好ましくは、０．２１～１．０ｍｍである。本実施形態において図示した例では、前記第１距離Ｄ１は、０．３５ｍｍ程度である。図示した例では、前記第１寸法Ｌ１は、０．５ｍｍ程度である。

　第１ゲート痕５９１の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）、および前記第１距離Ｄ１は、一方が相対的に大きくなると、他方が相対的に小さくなる関係とされている（図１７参照）。前記第２寸法Ｌ２は、たとえば１．０～５．０ｍｍ程度であり、前記第２寸法Ｌ２と前記第１距離Ｄ１との積が、０．２１～５．０ｍｍ²である。本実施形態において図示した例では、前記第２寸法Ｌ２は、３．０ｍｍ程度である。

　第１方向ｘに見て、第１ゲート痕５９１の面積（面積Ｓ１）に対する、内方部２６２ａ（第１部）の第１ゲート痕５９１と重なる部分の面積（面積Ｓ２）の割合は、０％を超えて５０％以下である（図１７参照）。本実施形態において図示した例では、第１ゲート痕５９１の面積Ｓ１に対する内方部２６２ａの第１ゲート痕５９１と重なる部分の面積Ｓ２の割合は、１５％程度である。

　前記第２寸法Ｌ２に対する、内方部２６２ａ（第１部）の第２方向ｙの長さ（第３寸法Ｌ３）の割合は、５０～１００％である（図１７参照）。前記第２寸法Ｌ２に対する前記第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて５０％以下である（図１６、図１７参照）。本実施形態において図示した例では、前記第３寸法Ｌ３は、１．５ｍｍ程度である。

　本実施形態において、樹脂主面５１と樹脂裏面５２との厚さ方向ｚの寸法（第４寸法Ｌ４）に対する前記第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて７０％以下である（図１６、図１７参照）。

　図１９に示すように、第２樹脂側面５４には、第２ゲート痕５９２が形成されている。第２ゲート痕５９２は、当該第２ゲート痕５９２を除く第２樹脂側面５４の他の領域よりも表面が粗である。第２ゲート痕５９２は、先述の電子装置Ａ１の製造工程のうち封止樹脂５を形成する工程（図１２参照）において、第２ゲート８９２において封止樹脂５を切断することにより現れる。第２ゲート痕５９２は、第２樹脂側面５４の第２方向ｙにおける中央よりも第２方向ｙのｙ２側に少しずれた位置にある。

　次に、電子装置Ａ２の作用効果について説明する。

　電子装置Ａ２は、導電支持部材２と、導電支持部材２の厚さ方向ｚのｚ１側に配置された複数の電子素子１と、封止樹脂５と、を備える。封止樹脂５は、複数の電子素子１、および導電支持部材２の一部を覆う。封止樹脂５は、第１方向ｘのｘ１側を向く第１樹脂側面５３を有し、第１樹脂側面５３には、当該第１樹脂側面５３の他の領域よりも表面が粗である第１ゲート痕５９１が形成されている。一端側第２端子２６Ａ（導電支持部材２を構成する複数の第２リード端子２６の１つ）はリード部２６２を有する。リード部２６２は、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分である内方部２６２ａ（第１部）を含む。内方部２６２ａは、導電支持部材２のうち第１方向ｘにおいて第１ゲート痕５９１から最も近くに位置する。第１ゲート痕５９１と、内方部２６２ａ（第１部）との第１方向ｘにおける距離（第１距離Ｄ１）、および第１ゲート痕５９１の厚さ方向ｚにおける長さ（第１寸法Ｌ１）の関係について、前記第１寸法Ｌ１に対する第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて５００％以下である。

　このような構成によれば、リード部２６２のうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分である内方部２６２ａ（第１部）は、第１ゲート痕５９１から比較的近接した位置にある。封止樹脂５を形成する工程においては、第１ゲート痕５９１に対応するゲートから流動化した樹脂が勢いよく流れ込むと、当該流動化した樹脂は空気を巻き込みながらキャビティ内に充填される。本実施形態においては、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する内方部２６２ａ（第１部）が、上記のように第１ゲート痕５９１から比較的近接して配置される。これにより、当該内方部２６２ａ（第１部）に樹脂が衝突することで流動化した樹脂の流速が減じられ、空気を巻き込み難くなる。したがって、空気の巻き込みによるピンホール（空隙）の発生を抑制し、封止樹脂５の充填不良を抑制することができる。封止樹脂５の形成時にゲートから流入する流動化した樹脂が空気を巻き込んだ場合でも、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する内方部２６２ａ（第１部）が第１ゲート痕５９１から比較的近接する構成によれば、当該内方部２６２ａ（第１部）に樹脂が衝突することで当該樹脂に巻き込まれた空気が微細化され、ピンホールの発生が抑制される。

　第１ゲート痕５９１と、内方部２６２ａ（第１部）との第１方向ｘにおける距離（第１距離Ｄ１）は、０ｍｍを超えて２．４ｍｍ以下である。このような構成によれば、封止樹脂５の形成時におけるピンホールの発生を有意に抑制することができる。

　第１方向ｘに見て、内方部２６２ａ（第１部）は、第１ゲート痕５９１と重なる。第１方向ｘに見て、第１ゲート痕５９１の面積（面積Ｓ１）に対する、内方部２６２ａ（第１部）の第１ゲート痕５９１と重なる部分の面積（面積Ｓ２）の割合は、０％を超えて５０％以下である。このような構成によれば、封止樹脂５の形成時において、内方部２６２ａ（第１部）（第１部）に樹脂をより的確に衝突させことができる。このことは、封止樹脂５におけるピンホールの発生を抑制する上で好ましく、封止樹脂５の充填不良をより抑制することができる。

　第１ゲート痕５９１の第２方向ｙにおける長さ（第２寸法Ｌ２）に対する、内方部２６２ａ（第１部）の第２方向ｙの長さ（第３寸法Ｌ３）の割合は、５０～１００％である。前記第２寸法Ｌ２に対する前記第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて５０％以下である。樹脂主面５１と樹脂裏面５２との厚さ方向ｚの寸法（第４寸法Ｌ４）に対する前記第１距離Ｄ１の割合は、０％を超えて７０％以下である。このような構成によれば、電子装置Ａ２のサイズに応じて前記第２寸法Ｌ２、第３寸法Ｌ３、第４寸法Ｌ４等の大きさが変化しても、封止樹脂５の形成時におけるピンホールの発生を有意に抑制することができる。

　第２実施形態の第１変形例：
　図２４は、第１実施形態の第１変形例に係る電子装置を示している。図２４は、本変形例の電子装置Ａ２１を示す平面図である。図２４において、理解の便宜上、封止樹脂５を透過している。図２４においては、透過した封止樹脂５を想像線で示している。図２４において、上記実施形態の電子装置Ａ２と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。

　本変形例の電子装置Ａ２１においては、ダイパッド部２１（第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂ）、複数の第１リード端子２５、および複数の第２リード端子２６の配置や具体的な形状が上記実施形態の電子装置Ａ２と異なっている。

　図２４に示すように、電子装置Ａ２１においては、ダイパッド部２１（第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂ）が、先述の電子装置Ａ２と比べて第１方向ｘのｘ１側に位置する。第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂそれぞれの第１方向ｘのｘ１側の端部は、導電支持部材２のうち導電支持部材２のうち第１方向ｘにおいて第１ゲート痕５９１から最も近くに位置する。

　一端側第１端子２５Ａにおいて、リード部２５２は、第２方向ｙに延びている。リード部２５２は、平面視において、第２方向ｙを長手方向とする矩形状である。リード部２５２の端子部２５１とは反対側の端部は、第１ダイパッド２１Ａにつながっている。一端側第２端子２６Ａにおいて、リード部２６２は、第２方向ｙに延びている。リード部２６２は、平面視において、第２方向ｙを長手方向とする矩形状である。リード部２６２の端子部２６１とは反対側の端部は、第２ダイパッド２１Ｂにつながっている。

　図２４に示すように、第１ダイパッド２１Ａは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分である内方部２１３を含む。第２ダイパッド２１Ｂは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分である内方部２１４を含む。内方部２１３および内方部２１４は、導電支持部材２のうち第１方向ｘにおいて第１ゲート痕５９１から最も近くに位置する。当該内方部２１３，２１４は、本開示の「第１部」の一例に相当する。図２４においては、内方部２１３，２１４にハッチングを付している。

　本変形例の電子装置Ａ１１において、第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂのうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する部分である内方部２１３，２１４（第１部）は、第１ゲート痕５９１から比較的近接した位置にある。封止樹脂５を形成する工程においては、第１ゲート痕５９１に対応するゲートから流動化した樹脂が勢いよく流れ込むと、当該流動化した樹脂は空気を巻き込みながらキャビティ内に充填される。本実施形態においては、第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂのうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する内方部２１３，２１４（第１部）が、上記のように第１ゲート痕５９１から比較的近接して配置される。これにより、当該内方部２１３，２１４（第１部）に樹脂が衝突することで流動化した樹脂の流速が減じられ、空気を巻き込み難くなる。したがって、空気の巻き込みによるピンホール（空隙）の発生を抑制し、封止樹脂５の充填不良を抑制することができる。封止樹脂５の形成時にゲートから流入する流動化した樹脂が空気を巻き込んだ場合でも、第１ダイパッド２１Ａおよび第２ダイパッド２１Ｂのうち第２方向ｙにおいて第１ゲート痕５９１よりも内方に位置する内方部２１３，２１４（第１部）が第１ゲート痕５９１から比較的近接して配置された構成によれば、当該内方部２１３，２１４（第１部）に樹脂が衝突することで当該樹脂に巻き込まれた空気が微細化され、ピンホールの発生が抑制される。その他にも、電子装置Ａ２１は、上記実施形態の電子装置Ａ２と同様の作用効果を奏する。

　本開示に係る電子装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る電子装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

　本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　導電支持部材と、
　前記導電支持部材の厚さ方向の一方側に配置された少なくとも１つの電子素子と、
　前記少なくとも１つの電子素子、および前記導電支持部材の一部を覆う封止樹脂と、を備え、
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側を向く第１樹脂側面を有し、
　前記第１樹脂側面には、当該第１樹脂側面の他の領域よりも表面が粗である第１ゲート痕が形成されており、
　前記導電支持部材は、前記第１方向において前記第１ゲート痕から最も近くに位置し、且つ前記厚さ方向に見て、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において前記第１ゲート痕よりも内方に位置する第１部を含み、
　前記第１ゲート痕の前記厚さ方向における長さである第１寸法に対する、前記第１ゲート痕と前記第１部との前記第１方向における距離である第１距離の割合は、０％を超えて５００％以下である、電子装置。
　付記２．
　前記第１距離は、０ｍｍを超えて２．４ｍｍ以下である、付記１に記載の電子装置。
　付記３．
　前記第１ゲート痕の前記第２方向における長さである第２寸法と、前記第１距離との積が、０．２１～５．０ｍｍ²である、付記２に記載の電子装置。
　付記４．
　前記第１方向に見て、前記第１部は前記第１ゲート痕と重なる、付記１ないし３のいずれかに記載の電子装置。
　付記５．
　前記第１方向に見て、前記第１ゲート痕の面積に対する前記第１部の前記第１ゲート痕と重なる部分の面積の割合は、０％を超えて５０％以下である、付記４に記載の電子装置。
　付記６．
　前記第１ゲート痕の前記第２方向における長さである第２寸法に対する、前記第１部の前記第２方向の長さである第３寸法の割合は、５０～１００％である、付記１ないし５のいずれかに記載の電子装置。
　付記７．
　前記第１ゲート痕の前記第２方向における長さである第２寸法に対する前記第１距離の割合は、０％を超えて５０％以下である、付記１または２に記載の電子装置。
　付記８．
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方側を向く樹脂主面と、前記厚さ方向の他方側を向く樹脂裏面と、を有し、
　前記樹脂主面と前記樹脂裏面との前記厚さ方向の寸法である第４寸法に対する前記第１距離の割合は、０％を超えて７０％以下である、付記１ないし７のいずれかに記載の電子装置。
　付記９．
　前記導電支持部材は、ダイパッド部と、複数の第１リード端子と、複数の第２リード端子と、を含み、
　前記封止樹脂は、前記第１方向の他方側を向く第２樹脂側面と、前記第２方向の一方側を向く第３樹脂側面と、前記第２方向の他方側を向く第４樹脂側面と、を有し、
　前記複数の第１リード端子の各々は、前記第３樹脂側面から前記第２方向の一方側に突き出ており、
　前記複数の第２リード端子の各々は、前記第４樹脂側面から前記第２方向の他方側に突き出ており、
　前記少なくとも１つの電子素子は、前記ダイパッド部に搭載される、付記１ないし８のいずれかに記載の電子装置。
　付記１０．
　前記ダイパッド部は、前記第２方向の一方側に配置された第１ダイパッドと、前記第２方向の他方側に配置され、且つ前記第２方向において前記第１ダイパッドと離隔する第２ダイパッドと、を有し、
　前記少なくとも１つの電子素子は、前記第１ダイパッドに搭載された第１電子素子と、前記第２ダイパッドに搭載された第２電子素子と、を含む、付記９に記載の電子装置。
　付記１１．
　前記複数の第１リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第１端子を含み、
　前記複数の第２リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第２端子を含み、
　前記第１部は、前記一端側第１端子および前記一端側第２端子の少なくともいずれかに含まれる、付記１０に記載の電子装置。
　付記１２．
　前記第１方向に見て、前記第２方向において前記一端側第１端子と前記一端側第２端子との間に設けられた端子隙間が、前記第２方向において前記第１ダイパッドと前記第２ダイパッドとの間に設けられたパッド隙間と重なる、付記１１に記載の電子装置。
　付記１３．
　前記第１部は、前記第１ダイパッドおよび前記第２ダイパッドに含まれる、付記１０に記載の電子装置。
　付記１４．
　導電支持部材と、
　前記導電支持部材の厚さ方向の一方側に配置された少なくとも１つの電子素子と、
　前記少なくとも１つの電子素子、および前記導電支持部材の一部を覆う封止樹脂と、を備え、
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側を向く第１樹脂側面と、前記第１方向の他方側を向く第２樹脂側面と、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向の一方側を向く第３樹脂側面と、前記第２方向の他方側を向く第４樹脂側面と、を有し、
　前記第１樹脂側面には、当該第１樹脂側面の他の領域よりも表面が粗である第１ゲート痕が形成されており、
　前記導電支持部材は、ダイパッド部と、複数の第１リード端子と、を含み、
　前記複数の第１リード端子の各々は、前記第３樹脂側面から前記第２方向の一方側に突き出ており、
　前記少なくとも１つの電子素子は、前記ダイパッド部に搭載されており、
　前記複数の第１リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第１端子を含み、
　前記一端側第１端子は、第１リード部、第１パッド部、および第１延出部を有し、
　前記第１リード部は、前記ダイパッド部よりも前記第１方向の一方側に位置し、且つ前記第２方向に延びており、
　前記第１パッド部は、前記第１リード部の前記第２方向の他方側の端部につながり、且つ前記第１方向の他方側に延び、
　前記第１延出部は、前記第１リード部の前記第２方向の他方側の端部につながり、且つ前記第２方向の他方側に延びており、
　前記第１延出部は、前記厚さ方向に見て、前記第２方向において前記第１ゲート痕よりも内方に位置する部分を含む、電子装置。
　付記１５．
　前記第１延出部は、前記第１リード部よりも前記第１方向の一方側に位置する部分を含む、付記１４に記載の電子装置。
　付記１６．
　前記導電支持部材は、各々が前記第４樹脂側面から前記第２方向の他方側に突き出る複数の第２リード端子を含み、
　前記複数の第２リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第２端子を含み、
　前記一端側第２端子は、第２リード部、第２パッド部、および第２延出部を有し、
　前記第２リード部は、前記ダイパッド部よりも前記第１方向の一方側に位置し、且つ前記第２方向に延びており、
　前記第２パッド部は、前記第２リード部の前記第２方向の一方側の端部につながり、且つ前記第１方向の他方側に延び、
　前記第２延出部は、前記第２リード部の前記第２方向の一方側の端部につながり、且つ前記第２方向の一方側に延びており、
　前記第２延出部は、前記厚さ方向に見て、前記第２方向において前記第１ゲート痕よりも内方に位置する部分を含み、且つ前記第１延出部から前記第２方向の他方側に離隔する位置にある、付記１４または１５に記載の電子装置。
　付記１７．
　前記第２延出部は、前記第２リード部よりも前記第１方向の一方側に位置する部分を含む、付記１６に記載の電子装置。

Ａ１，Ａ１１，Ａ２，Ａ２１：電子装置　　　　１：電子素子
１１：第１半導体素子（第１電子素子）　　　　１１１：電極
１２：絶縁素子　　　　１２１：第１電極
１２２：第２電極　　　　１３：第２半導体素子（第２電子素子）
１３１：電極　　　　１４：第１電子素子
１４１，１４２：電極　　　　１５：第２電子素子
１５１，１５２，１５３：電極　　　　２：導電支持部材
２：半導体素子　　　　２１：ダイパッド部
２１Ａ：第１ダイパッド　　　　２１Ｂ：第２ダイパッド
２１１：搭載面　　　　２１２：貫通孔
２１３，２１４：内方部（第１部）　　　　２２：第１リード端子
２２Ａ：一端側第１端子　　　　２２Ｂ：他端側第１端子
２２Ｃ：中間第１端子　　　　２２１：第１リード部
２２２：第１パッド部　　　　２２３：第１延出部
２２４，２２６：リード部　　　　２２５，２２７：パッド部
２３：第２リード端子　　　　２３Ａ：一端側第２端子
２３Ｂ：他端側第２端子　　　　２３Ｃ：中間第２端子
２３１：第２リード部　　　　２３２：第２パッド部
２３３：第２延出部　　　　２３４，２３６：リード部
２３５，２３７：パッド部　　　　２５：第１リード端子
２５Ａ：一端側第１端子　　　　２５Ｂ：他端側第１端子
２５Ｃ：中間第１端子　　　　２５１，２５４，２５６：端子部
２５２，２５５，２５７：リード部　　　　２６：第２リード端子
２６Ａ：一端側第２端子　　　　２６Ｂ：他端側第２端子
２６１，２６４：端子部　　　　２６２，２６５：リード部
２６２ａ：内方部２（第１部）　　　　３１～３４：ワイヤ
４１～４６：ワイヤ　　　　５：封止樹脂
５１：樹脂主面　　　　５２：樹脂裏面
５３：第１樹脂側面　　　　５３１：第１上部
５３２：第１下部　　　　５３３：第１中間部
５４：第２樹脂側面　　　　５４１：第２上部
５４２：第２下部　　　　５４３：第２中間部
５５：第３樹脂側面　　　　５５１：第３上部
５５２：第３下部　　　　５５３：第３中間部
５６：第４樹脂側面　　　　５６１：第４上部
５６２：第４下部　　　　５６３：第４中間部
５９１：第１ゲート痕　　　　５９２：第２ゲート痕
８１：リードフレーム　　　　８１Ａ：主面
８１Ｂ：裏面　　　　８１１：外枠
８１２Ａ：第１ダイパッド　　　　８１２Ｂ：第２ダイパッド
８１３：第１リード　　　　８１４：第２リード
８１５：支持リード　　　　８１６：ダムバー
８１７：延出部　　　　８９１：第１ゲート
８９２：第２ゲート　　　　Ｄ１：第１距離
Ｌ１：第１寸法　　　　Ｌ２：第２寸法
Ｌ３：第３寸法　　　　Ｌ４：第４寸法
Ｓ１，Ｓ２：面積　　　　ＯＰ：オペアンプ
Ｒ１～Ｒ５：抵抗素子　　　　Ｔ１，Ｔ２：端子

Claims

　導電支持部材と、
　前記導電支持部材の厚さ方向の一方側に配置された少なくとも１つの電子素子と、
　前記少なくとも１つの電子素子、および前記導電支持部材の一部を覆う封止樹脂と、を備え、
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側を向く第１樹脂側面を有し、
　前記第１樹脂側面には、当該第１樹脂側面の他の領域よりも表面が粗である第１ゲート痕が形成されており、
　前記導電支持部材は、前記第１方向において前記第１ゲート痕から最も近くに位置し、且つ前記厚さ方向に見て、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において前記第１ゲート痕よりも内方に位置する第１部を含み、
　前記第１ゲート痕の前記厚さ方向における長さである第１寸法に対する、前記第１ゲート痕と前記第１部との前記第１方向における距離である第１距離の割合は、０％を超えて５００％以下である、電子装置。
　前記第１距離は、０ｍｍを超えて２．４ｍｍ以下である、請求項１に記載の電子装置。
　前記第１ゲート痕の前記第２方向における長さである第２寸法と、前記第１距離との積が、０．２１～５．０ｍｍ²である、請求項２に記載の電子装置。
　前記第１方向に見て、前記第１部は前記第１ゲート痕と重なる、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子装置。
　前記第１方向に見て、前記第１ゲート痕の面積に対する前記第１部の前記第１ゲート痕と重なる部分の面積の割合は、０％を超えて５０％以下である、請求項４に記載の電子装置。
　前記第１ゲート痕の前記第２方向における長さである第２寸法に対する、前記第１部の前記第２方向の長さである第３寸法の割合は、５０～１００％である、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子装置。
　前記第１ゲート痕の前記第２方向における長さである第２寸法に対する前記第１距離の割合は、０％を超えて５０％以下である、請求項１または２に記載の電子装置。
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方側を向く樹脂主面と、前記厚さ方向の他方側を向く樹脂裏面と、を有し、
　前記樹脂主面と前記樹脂裏面との前記厚さ方向の寸法である第４寸法に対する前記第１距離の割合は、０％を超えて７０％以下である、請求項１ないし７のいずれかに記載の電子装置。
　前記導電支持部材は、ダイパッド部と、複数の第１リード端子と、複数の第２リード端子と、を含み、
　前記封止樹脂は、前記第１方向の他方側を向く第２樹脂側面と、前記第２方向の一方側を向く第３樹脂側面と、前記第２方向の他方側を向く第４樹脂側面と、を有し、
　前記複数の第１リード端子の各々は、前記第３樹脂側面から前記第２方向の一方側に突き出ており、
　前記複数の第２リード端子の各々は、前記第４樹脂側面から前記第２方向の他方側に突き出ており、
　前記少なくとも１つの電子素子は、前記ダイパッド部に搭載される、請求項１ないし８のいずれかに記載の電子装置。
　前記ダイパッド部は、前記第２方向の一方側に配置された第１ダイパッドと、前記第２方向の他方側に配置され、且つ前記第２方向において前記第１ダイパッドと離隔する第２ダイパッドと、を有し、
　前記少なくとも１つの電子素子は、前記第１ダイパッドに搭載された第１電子素子と、前記第２ダイパッドに搭載された第２電子素子と、を含む、請求項９に記載の電子装置。
　前記複数の第１リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第１端子を含み、
　前記複数の第２リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第２端子を含み、
　前記第１部は、前記一端側第１端子および前記一端側第２端子の少なくともいずれかに含まれる、請求項１０に記載の電子装置。
　前記第１方向に見て、前記第２方向において前記一端側第１端子と前記一端側第２端子との間に設けられた端子隙間が、前記第２方向において前記第１ダイパッドと前記第２ダイパッドとの間に設けられたパッド隙間と重なる、請求項１１に記載の電子装置。
　前記第１部は、前記第１ダイパッドおよび前記第２ダイパッドに含まれる、請求項１０に記載の電子装置。
　導電支持部材と、
　前記導電支持部材の厚さ方向の一方側に配置された少なくとも１つの電子素子と、
　前記少なくとも１つの電子素子、および前記導電支持部材の一部を覆う封止樹脂と、を備え、
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側を向く第１樹脂側面と、前記第１方向の他方側を向く第２樹脂側面と、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向の一方側を向く第３樹脂側面と、前記第２方向の他方側を向く第４樹脂側面と、を有し、
　前記第１樹脂側面には、当該第１樹脂側面の他の領域よりも表面が粗である第１ゲート痕が形成されており、
　前記導電支持部材は、ダイパッド部と、複数の第１リード端子と、を含み、
　前記複数の第１リード端子の各々は、前記第３樹脂側面から前記第２方向の一方側に突き出ており、
　前記少なくとも１つの電子素子は、前記ダイパッド部に搭載されており、
　前記複数の第１リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第１端子を含み、
　前記一端側第１端子は、第１リード部、第１パッド部、および第１延出部を有し、
　前記第１リード部は、前記ダイパッド部よりも前記第１方向の一方側に位置し、且つ前記第２方向に延びており、
　前記第１パッド部は、前記第１リード部の前記第２方向の他方側の端部につながり、且つ前記第１方向の他方側に延び、
　前記第１延出部は、前記第１リード部の前記第２方向の他方側の端部につながり、且つ前記第２方向の他方側に延びており、
　前記第１延出部は、前記厚さ方向に見て、前記第２方向において前記第１ゲート痕よりも内方に位置する部分を含む、電子装置。
　前記第１延出部は、前記第１リード部よりも前記第１方向の一方側に位置する部分を含む、請求項１４に記載の電子装置。
　前記導電支持部材は、各々が前記第４樹脂側面から前記第２方向の他方側に突き出る複数の第２リード端子を含み、
　前記複数の第２リード端子は、前記第１方向に間隔を隔てて配置されるとともに、前記第１方向の一方側の端に位置する一端側第２端子を含み、
　前記一端側第２端子は、第２リード部、第２パッド部、および第２延出部を有し、
　前記第２リード部は、前記ダイパッド部よりも前記第１方向の一方側に位置し、且つ前記第２方向に延びており、
　前記第２パッド部は、前記第２リード部の前記第２方向の一方側の端部につながり、且つ前記第１方向の他方側に延び、
　前記第２延出部は、前記第２リード部の前記第２方向の一方側の端部につながり、且つ前記第２方向の一方側に延びており、
　前記第２延出部は、前記厚さ方向に見て、前記第２方向において前記第１ゲート痕よりも内方に位置する部分を含み、且つ前記第１延出部から前記第２方向の他方側に離隔する位置にある、請求項１４または１５に記載の電子装置。
　前記第２延出部は、前記第２リード部よりも前記第１方向の一方側に位置する部分を含む、請求項１６に記載の電子装置。