WO2024100743A1 - ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Definitions

  • the present disclosure relates to a chamber for a gas laser device, a gas laser device, and a method for manufacturing an electronic device.
  • gas laser devices used for exposure include KrF excimer laser devices that output laser light with a wavelength of approximately 248 nm, and ArF excimer laser devices that output laser light with a wavelength of approximately 193 nm.
  • the spectral linewidth of the natural oscillation light of KrF excimer laser devices and ArF excimer laser devices is wide, ranging from 350 pm to 400 pm. Therefore, if a projection lens is made of a material that transmits ultraviolet light, such as KrF and ArF laser light, chromatic aberration may occur. As a result, the resolution may decrease. Therefore, it is necessary to narrow the spectral linewidth of the laser light output from the gas laser device to a level where chromatic aberration can be ignored. For this reason, a line narrowing module (LNM) containing a narrowing element (such as an etalon or grating) may be provided in the laser resonator of the gas laser device to narrow the spectral linewidth.
  • LNM line narrowing module
  • a narrowing element such as an etalon or grating
  • the chamber of the gas laser device is a chamber of the gas laser device that seals laser gas in an internal space, and may include an anode arranged in the internal space and with its longitudinal direction along a predetermined direction, a cathode arranged in the internal space and facing the anode and with its longitudinal direction along the predetermined direction, the cathode cover arranged in the internal space and spaced apart from a part of the base and the discharge part, and covering the base, and a cathode side sound absorbing member provided in the gap between the part of the base and the cathode side cover.
  • a gas laser device is a gas laser device including a chamber for sealing laser gas in an internal space
  • the chamber may include an anode disposed in the internal space and with its longitudinal direction aligned along a predetermined direction, a cathode disposed in the internal space and including a discharge portion protruding from the base toward the base and the anode, and with its longitudinal direction aligned along the predetermined direction and facing the anode at a distance, a cathode-side cover disposed in the internal space and spaced apart from a part of the base and the discharge portion, covering the base, and a cathode-side sound-absorbing member provided in the gap between the part of the base and the cathode-side cover.
  • a method for manufacturing an electronic device may include generating laser light using a gas laser device having a chamber in which a laser gas is sealed in an internal space, the chamber including an anode arranged in the internal space and with a longitudinal direction along a predetermined direction, a cathode arranged in the internal space and including a discharge portion protruding from the base toward the base and the anode, and with a longitudinal direction along the predetermined direction and spaced apart from the anode, a cathode-side cover arranged in the internal space and spaced apart from a part of the base and the discharge portion and covering the base, and a cathode-side sound absorbing member provided in a gap between the part of the base and the cathode-side cover, the gas laser device may generate laser light, output the laser light to an exposure device, and expose the laser light onto a photosensitive substrate in the exposure device to manufacture an electronic device.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of an electronic device manufacturing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of a gas laser device of a comparative example.
  • FIG. 3 is a VH cross-sectional view of the chamber of the comparative example.
  • FIG. 4 is a VH cross-sectional view of the periphery of the cathode shown in FIG.
  • FIG. 5 is a VH cross-sectional view of the periphery of the cathode shown in FIG.
  • FIG. 6 is a VH cross-sectional view of the periphery of the cathode shown in FIG.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of an electronic device manufacturing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of a gas laser device of a comparative example.
  • FIG. 3 is a VH cross-sectional view of the chamber of the comparative example.
  • FIG. 4 is
  • FIG. 7 is a VH cross-sectional view of the periphery of the cathode in the first embodiment.
  • FIG. 8 is a VH cross-sectional view of the periphery of a cathode in the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 9 is a VH cross-sectional view of the periphery of a cathode in the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 10 is a VH cross-sectional view of the periphery of a cathode in the third modification of the first embodiment.
  • FIG. 11 is a VH cross-sectional view of the periphery of a cathode in the fourth modification of the first embodiment.
  • FIG. 12 is a side view of the cathode and the cathode-side sound absorbing member in the second embodiment, viewed from the upstream side along the H direction.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the periphery of the cathode taken along line AA shown in FIG.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the periphery of the cathode taken along line BB shown in FIG.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the periphery of the cathode taken along line CC shown in FIG.
  • FIG. 16 is a VH cross-sectional view of the periphery of the anode in the third embodiment.
  • FIG. 17 is a VH cross-sectional view of the periphery of the anode in the fourth embodiment.
  • FIG. 18 is a perspective view of an outer electrode of the preionization electrode of the fourth embodiment.
  • FIG. 19 is a VZ cross-sectional view of a groove according to the first modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of the periphery of the groove taken along line EE shown in FIG. 21 is a cross-sectional view of the periphery of the groove taken along line FF shown in FIG.
  • FIG. 22 is a VZ cross-sectional view of a groove according to the second modification of the fourth embodiment.
  • FIG. 23 is a top view of the periphery of the anode in the fifth embodiment.
  • FIG. 24 is a top view of the periphery of an anode in a modified example of the fifth embodiment.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view of the periphery of the groove taken along line GG shown in FIG.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of the periphery of the groove taken along line HH shown in FIG.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view of the periphery of the groove taken along line II shown in FIG.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the overall schematic configuration of an electronic device manufacturing apparatus used in an exposure process of an electronic device.
  • the manufacturing apparatus used in the exposure process includes a gas laser device 100 and an exposure device 200.
  • the exposure device 200 includes an illumination optical system 210 including a plurality of mirrors 211, 212, and 213, and a projection optical system 220.
  • the illumination optical system 210 illuminates a reticle pattern of a reticle (not shown) arranged on a reticle stage RT with a laser beam incident from the gas laser device 100.
  • the projection optical system 220 reduces and projects the laser beam transmitted through the reticle to form an image on a workpiece (not shown) arranged on a workpiece table WT.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer on which a photoresist is applied.
  • the exposure device 200 exposes the workpiece to laser beam reflecting the reticle pattern by synchronously moving the reticle stage RT and the workpiece table WT in parallel. By transferring a device pattern onto a semiconductor wafer through the above-described exposure process, a semiconductor device, which is an electronic device, can be manufactured.
  • Comparative Gas Laser Device 2.1 Configuration A comparative gas laser device 100 will be described. Note that the comparative examples in the present disclosure are configurations that the applicant recognizes as being known only by the applicant, and are not publicly known examples that the applicant acknowledges.
  • the gas laser device 100 is, for example, an ArF excimer laser device that uses a mixed gas containing argon (Ar), fluorine (F 2 ), and neon (Ne). This gas laser device 100 outputs a laser beam with a central wavelength of about 193 nm.
  • the gas laser device 100 may be a gas laser device other than an ArF excimer laser device, for example, a KrF excimer laser device that uses a mixed gas containing krypton (Kr), F 2 , and Ne. In this case, the gas laser device 100 emits a laser beam with a central wavelength of about 248 nm.
  • a mixed gas containing Ar, F 2 , and Ne as a laser medium, or a mixed gas containing Kr, F 2 , and Ne as a laser medium, may be called a laser gas.
  • the gas laser device 100 mainly comprises a housing 110, a laser oscillator 130 arranged in the internal space of the housing 110, a monitor module 160, a shutter 170, and a laser processor 190.
  • the laser oscillator 130 includes a chamber 131, a charger 141, a pulse power module 143, a line narrowing module 145, and an output coupling mirror 147.
  • Figure 2 shows the internal configuration of the chamber 131 when viewed from a direction approximately perpendicular to the traveling direction of the laser light.
  • the material of the chamber 131 may be, for example, a metal such as nickel-plated aluminum or nickel-plated stainless steel.
  • the chamber 131 contains the above-mentioned laser gas and includes an internal space in which light is generated by excitation of the laser medium in the laser gas. The light travels to windows 139a and 139b, which will be described later.
  • the laser gas is supplied to the internal space of the chamber 131 from a laser gas supply source (not shown) through a pipe (not shown).
  • the laser gas in the chamber 131 is subjected to a process such as removing F2 gas by a halogen filter, and is exhausted to the outside of the housing 110 through a pipe (not shown) by an exhaust pump (not shown).
  • the cathode 400 which is a first main electrode
  • the anode 500 which is a second main electrode
  • the cathode 400 and the anode 500 are spaced apart and face each other, with their respective longitudinal directions aligned with the direction of travel of the laser light.
  • the longitudinal direction of the cathode 400 and the anode 500 is referred to as the Z direction
  • the direction in which the cathode 400 and the anode 500 are spaced apart and perpendicular to the Z direction is referred to as the V direction
  • the direction perpendicular to the V direction and the Z direction is referred to as the H direction.
  • the cathode 400 and the anode 500 are discharge electrodes for exciting the laser medium by glow discharge.
  • the cathode 400 is fixed to the surface of the plate-shaped electrical insulation part 135 facing the internal space of the chamber 131 by a conductive member 157, for example a bolt.
  • the conductive member 157 is electrically connected to the pulse power module 143 and applies a high voltage from the pulse power module 143 to the cathode 400.
  • the anode 500 is supported by and electrically connected to the ground plate 137.
  • the electrical insulating part 135 includes an insulator.
  • the material of the electrical insulating part 135 may be alumina ceramics that has low reactivity with F2 gas.
  • the electrical insulating part 135 may be electrically insulating, and may be made of resin such as phenol resin or fluororesin, or quartz or glass.
  • the electrical insulating part 135 closes an opening provided in the chamber 131 and is fixed to the chamber 131.
  • the charger 141 is a DC power supply device that charges a charging capacitor (not shown) in the pulse power module 143 with a predetermined voltage.
  • the pulse power module 143 includes a switch 143a that is controlled by the laser processor 190. When the switch 143a is turned from OFF to ON, the pulse power module 143 generates a pulsed high voltage from the electrical energy stored in the charging capacitor and applies this high voltage between the cathode 400 and the anode 500.
  • a pair of windows 139a, 139b are provided on the wall of the chamber 131.
  • the window 139a is located on one side of the traveling direction of the laser light in the chamber 131, and the window 139b is located on the other side of the traveling direction, and the windows 139a, 139b sandwich a discharge space between the cathode 400 and the anode 500.
  • the windows 139a, 139b are inclined to form a Brewster angle with respect to the traveling direction of the laser light so that reflection of the P-polarized laser light is suppressed.
  • the oscillating laser light is emitted to the outside of the chamber 131 via the windows 139a, 139b.
  • a pulsed high voltage is applied between the cathode 400 and the anode 500 by the pulse power module 143, so this laser light is a pulsed laser light.
  • the line-narrowing module 145 includes a housing 145a, a prism 145b arranged in the internal space of the housing 145a, a grating 145c, and a rotating stage (not shown). An opening is formed in the housing 145a, and the housing 145a is connected to the rear side of the chamber 131 via the opening.
  • Prism 145b expands the beam width of the light emitted from window 139a and makes the light enter grating 145c. Prism 145b also reduces the beam width of the light reflected from grating 145c and returns the light to the internal space of chamber 131 via window 139a. Prism 145b is supported by a rotating stage and rotates by the rotating stage. The angle of incidence of the light with respect to grating 145c is changed by the rotation of prism 145b. Therefore, the wavelength of the light returning from grating 145c to chamber 131 via prism 145b can be selected by rotating prism 145b.
  • Figure 2 shows an example in which one prism 145b is arranged, but it is sufficient that at least one prism is arranged.
  • the surface of grating 145c is made of a highly reflective material, and has numerous grooves at regular intervals on the surface.
  • the cross-sectional shape of each groove is, for example, a right-angled triangle.
  • Grating 145c is arranged in a Littrow arrangement so that the angle of incidence of light entering grating 145c from prism 145b matches the angle of diffraction of diffracted light of the desired wavelength. This allows light near the desired wavelength to be returned to chamber 131 via prism 145b.
  • the output coupling mirror 147 is disposed in the internal space of the optical path tube 147a connected to the front side of the chamber 131, and faces the window 139b.
  • the output coupling mirror 147 transmits part of the laser light emitted from the window 139b towards the monitor module 160, and reflects the other part back into the internal space of the chamber 131 via the window 139b.
  • the grating 145c and the output coupling mirror 147 form a Fabry-Perot type laser resonator, and the chamber 131 is disposed on the optical path of the laser resonator. The light from the chamber 131 travels to the monitor module 160.
  • the monitor module 160 is disposed on the optical path of the laser light emitted from the output coupling mirror 147.
  • the monitor module 160 includes a housing 161, and a beam splitter 163 and an optical sensor 165 disposed in the internal space of the housing 161.
  • An opening is formed in the housing 161, and the internal space of the housing 161 communicates with the internal space of the optical path tube 147a through this opening.
  • the beam splitter 163 transmits a portion of the laser light emitted from the output coupling mirror 147 toward the shutter 170, and reflects the other portion of the laser light toward the light receiving surface of the optical sensor 165.
  • the optical sensor 165 measures the energy E of the laser light incident on the light receiving surface, and outputs a signal indicating the measured energy E to the laser processor 190.
  • the laser processor 190 of the present disclosure is a processing device including a storage device 190a in which a control program is stored, and a CPU (Central Processing Unit) 190b that executes the control program.
  • the laser processor 190 is specially configured or programmed to execute the various processes included in the present disclosure.
  • the laser processor 190 controls the entire gas laser device 100.
  • the laser processor 190 transmits and receives various signals to and from the exposure processor 230 of the exposure device 200.
  • the laser processor 190 receives signals indicating the light emission trigger Tr and the target energy Et, which will be described later, from the exposure processor 230.
  • the target energy Et is a target value of the energy of the laser light used in the exposure process.
  • the laser processor 190 controls the charging voltage of the charger 141 based on the energy E and the target energy Et received from the optical sensor 165 and the exposure processor 230. The energy of the laser light is controlled by controlling this charging voltage.
  • the laser processor 190 also transmits a command signal to the pulse power module 143 to turn the switch 143a ON or OFF.
  • the laser processor 190 is also electrically connected to the shutter 170, and controls the opening and closing of the shutter 170.
  • the laser processor 190 closes the shutter 170 until the difference ⁇ E between the energy E received from the monitor module 160 and the target energy Et received from the exposure processor 230 falls within an allowable range.
  • the laser processor 190 transmits a reception preparation completion signal to the exposure processor 230 to notify that the light emission trigger Tr is ready to receive.
  • the exposure processor 230 receives the reception preparation completion signal, it transmits a signal indicating the light emission trigger Tr to the laser processor 190, and when the laser processor 190 receives the signal indicating the light emission trigger Tr, it opens the shutter 170.
  • the light emission trigger Tr is specified by a predetermined repetition frequency f of the laser light and a predetermined number of pulses P, and is a timing signal with which the exposure processor 230 causes the laser oscillator 130 to oscillate, and is an external trigger.
  • the repetition frequency f of the laser light is, for example, 100 Hz or more and 10 kHz or less.
  • the shutter 170 is disposed in the optical path of the laser light in the internal space of the optical path pipe 171 that communicates with an opening formed on the side opposite to the side to which the optical path pipe 147a is connected in the housing 161 of the monitor module 160.
  • the internal spaces of the optical path pipes 171 and 147a and the internal spaces of the housings 161 and 145a are supplied with and filled with purge gas.
  • the purge gas includes an inert gas such as nitrogen (N 2 ).
  • the purge gas is supplied from a purge gas supply source (not shown) through a pipe (not shown).
  • the optical path pipe 171 also communicates with the exposure device 200 through an opening of the housing 110 and an optical path pipe 300 that connects the housing 110 and the exposure device 200.
  • the laser light that has passed through the shutter 170 enters the exposure device 200.
  • the exposure processor 230 of the present disclosure is a processing device including a storage device 230a in which a control program is stored, and a CPU 230b that executes the control program.
  • the exposure processor 230 is specially configured or programmed to execute the various processes included in the present disclosure.
  • the exposure processor 230 also controls the entire exposure apparatus 200.
  • FIG. 3 is a VH cross-sectional view of the chamber 131 of the comparative example.
  • a cross-flow fan 149 and a heat exchanger 151 are further disposed in the internal space of the chamber 131.
  • the cross-flow fan 149 and the heat exchanger 151 are arranged on the opposite side of the anode 500 with respect to the ground plate 137.
  • the space in which the cross-flow fan 149 and the heat exchanger 151 are arranged is connected to the discharge space between the cathode 400 and the anode 500.
  • the heat exchanger 151 is a radiator arranged beside the cross-flow fan 149 and connected to a pipe (not shown) through which a liquid or gas cooling medium flows.
  • the cross-flow fan 149 is connected to a motor 149a arranged outside the chamber 131 and rotates by the rotation of the motor 149a.
  • the laser gas sealed in the internal space of the chamber 131 circulates as shown by the thick arrow in FIG. 3.
  • the laser gas circulates in the order of the cross-flow fan 149, the discharge space between the cathode 400 and the anode 500, the heat exchanger 151, and the cross-flow fan 149.
  • At least a portion of the circulating laser gas passes through the heat exchanger 151, which adjusts the temperature of the laser gas.
  • the laser processor 190 can adjust the circulation speed of the laser gas circulating in the internal space of the chamber 131 by controlling the motor 149a.
  • the ground plate 137 is electrically connected to the chamber 131 via the wiring 137a.
  • the anode 500 supported by the ground plate 137 is connected to the ground potential via the ground plate 137, the wiring 137a, and the chamber 131.
  • An anode-side cover 550 that covers the side of the anode 500 is disposed on the ground plate 137.
  • the anode-side cover 550 includes cover members 551, 553, and 555, which are arranged in this order from the upstream to the downstream of the flow of the laser gas.
  • the cover member 551 is fixed to the ground plate 137 with a bolt (not shown)
  • the preionization electrode 10 is provided between the cover member 551 and the cover member 553, and the cover member 553 and the cover member 555 sandwich the anode 500.
  • the anode 500 is fixed to the ground plate 137 with a bolt (not shown), and the cover member 553 and the cover member 555 are fixed to the anode 500 with a bolt (not shown).
  • each of the cover members 551, 553, and 555 for example, a porous nickel metal that has low reactivity with F2 gas can be mentioned.
  • Cover members 551 , 553 , 555 guide the laser gas so that the laser gas flows from cross flow fan 149 via the discharge space between cathode 400 and anode 500 to heat exchanger 151 by the blowing of cross flow fan 149 .
  • the preionization electrode 10 is provided on the ground plate 137 to the side of the anode 500 in the H direction. In this example, the preionization electrode 10 is provided upstream of the anode 500.
  • the preionization electrode 10 includes a dielectric pipe 11, a preionization inner electrode, and a preionization outer electrode.
  • the preionization inner electrode and the preionization outer electrode may be referred to as the inner electrode 13 and the outer electrode 15, respectively.
  • the dielectric pipe 11 is, for example, a cylindrical member and extends along the Z direction.
  • Examples of materials for the dielectric pipe 11 include alumina ceramics and sapphire.
  • the inner electrode 13 is rod-shaped and is disposed inside the dielectric pipe 11, extending along the longitudinal direction of the dielectric pipe 11.
  • Examples of materials for the inner electrode 13 include copper and brass.
  • the outer electrode 15 is disposed between the dielectric pipe 11 and the cover member 553, and extends along the longitudinal direction of the dielectric pipe 11.
  • the outer electrode 15 includes an end 15a that faces a portion of the outer peripheral surface of the dielectric pipe 11. This end 15a is provided from one end of the outer electrode 15 to the other end in the longitudinal direction of the outer electrode 15.
  • the outer electrode 15 is bent in an in-plane direction perpendicular to the longitudinal direction of the dielectric pipe 11, and due to the bending, the end 15a contacts the outer peripheral surface of the dielectric pipe 11 so as to press the outer peripheral surface of the dielectric pipe 11.
  • a portion of the outer peripheral surface of the dielectric pipe 11 that is roughly opposite to the contact portion with which the end 15a of the outer electrode 15 contacts is in contact with the cover member 551.
  • the outer electrode 15 has a screw hole (not shown) at the end opposite the end 15a, and the outer electrode 15 is fixed to the cover member 553 by a screw (not shown) that is screwed into the screw hole. Therefore, it can be understood that the outer electrode 15 is fixed to the anode 500 via the cover member 553.
  • materials for the outer electrode 15 include copper and brass.
  • a pair of cathode side covers 450 are arranged on the surface of the electrical insulation section 135 facing the internal space of the chamber 131.
  • the cathode side covers 450 are arranged on the upstream and downstream sides of the cathode 400, respectively, and extend in the Z direction along the cathode 400, and are separate from each other.
  • Each cathode side cover 450 is fixed to the electrical insulation section 135 with a bolt (not shown).
  • the cross-sectional shape of the cathode side cover 450 is roughly a right triangle, and the cathode side cover 450 gradually becomes higher in the V direction as it approaches the cathode 400 in the H direction.
  • Such a cathode side cover 450 guides the laser gas, similar to the anode side cover 550.
  • the cathode 400 includes a base 401 fixed to the electrical insulation section 135, and a discharge section 403 protruding from the base 401 toward the anode 500.
  • the cross-sectional shape of the base 401 is a rectangle elongated in the H direction
  • the cross-sectional shape of the discharge section 403 is a rectangle elongated in the V direction.
  • the base 401 and the discharge section 403 extend along the Z direction, and are approximately the same length as the cathode 400 in the Z direction.
  • the discharge section 403 is provided on the surface of the base 401 opposite the electrical insulation section 135.
  • the base 401 is wider in the H direction than the discharge section 403, and the left and right sides of the discharge section 403 in the H direction are provided with surfaces 401a included in the above-mentioned opposite surface. 3 and 4, for ease of viewing, only the left side surface 401a is labeled.
  • the side surface of the base 401 provided on the VZ plane abuts a part of the side surface 451 of the cathode side cover 450, and the side surface of the discharge portion 403 does not abut the side surface 451.
  • the discharge portion 403 extends toward the anode 500 beyond the protrusion portion 453 (described later) of the cathode side cover 450. Note that the cathode 400 is illustrated simply in FIG. 2.
  • the protrusion 453 of the cathode side cover 450 protrudes in the H direction from the side surface 451 of the cathode side cover 450 toward the side surface of the discharge unit 403.
  • the protrusion 453 is separated from the discharge unit 403 in the H direction, and is separated from the surface 401a, which is a part of the base 401, in the V direction. When viewed from the V direction, the protrusion 453 overlaps the surface 401a.
  • the protrusion 453 also extends in the Z direction and has approximately the same length as the cathode 400 in the Z direction.
  • Such a protrusion 453 covers the base 401, and a gap 40 is provided between the protrusion 453 and the base 401.
  • the gap 40 is an approximately L-shaped space surrounded by the entrance 41 of the gap 40 provided between the side surface of the discharge unit 403 and the protrusion 453, the protrusion 453, the side surface 451, the surface 401a, and the side surface of the discharge unit 403.
  • Such a gap 40 is provided to prevent the cathode 400 and the cathode side cover 450 from being unable to be assembled due to interference caused by manufacturing dimensional errors between the cathode 400 and the cathode side cover 450.
  • the cathode side cover 450 that forms the gap 40 covers the cathode 400 from the side.
  • the gap 40 is provided separately on the upstream side and downstream side of the cathode 400, since the cathode side cover 450 is provided on each of the upstream side and downstream side of the cathode 400.
  • the gap 40 and the cathode side cover 450 are provided symmetrically on the left and right sides of FIG. 3, which is the H direction, based on the discharge part 403.
  • FIG. 3 and FIG. 4 for ease of viewing, only the gap 40 and the inlet 41 on the left side are labeled.
  • the acoustic wave 61a shown in FIG. 4 will be described later.
  • the internal space of the optical path tubes 147a, 171, and 300 and the internal space of the housings 145a and 161 are filled with purge gas from a purge gas supply source (not shown).
  • Laser gas is supplied to the internal space of the chamber 131 from a laser gas supply source (not shown).
  • the laser processor 190 controls the motor 149a to rotate the cross-flow fan 149.
  • the rotation of the cross-flow fan 149 circulates the laser gas in the internal space of the chamber 131.
  • the laser gas is guided from the cross-flow fan 149 toward the discharge space between the cathode 400 and the anode 500 by the upstream cathode side cover 450 and cover members 551 and 553.
  • the laser gas is also guided from the discharge space between the cathode 400 and the anode 500 toward the heat exchanger 151 by the downstream cathode side cover 450 and cover member 555.
  • the laser processor 190 receives a signal indicating the target energy Et and a signal indicating the light emission trigger Tr from the exposure processor 230.
  • the laser processor 190 also turns on the switch 143a of the pulse power module 143. This causes the pulse power module 143 to apply a pulsed high voltage between the cathode 400 and the anode 500 and between the inner electrode 13 and the outer electrode 15 from the electrical energy stored in a charging capacitor (not shown).
  • a corona discharge occurs near the dielectric pipe 11 and the end 15a, and ultraviolet light is emitted.
  • the ultraviolet light irradiates the laser gas between the cathode 400 and the anode 500
  • the laser gas between the cathode 400 and the anode 500 is pre-ionized.
  • the voltage between the cathode 400 and the anode 500 reaches the breakdown voltage
  • a main discharge occurs between the cathode 400 and the anode 500.
  • excimers are generated from the laser medium contained in the laser gas between the cathode 400 and the anode 500, and emit light when dissociated.
  • This light travels back and forth between the grating 145c and the output coupling mirror 147, and is amplified each time it passes through the discharge space in the internal space of the chamber 131, causing laser oscillation.
  • a portion of the laser light passes through the output coupling mirror 147 as pulsed laser light and proceeds to the beam splitter 163.
  • a portion of the laser light that reaches the beam splitter 163 is reflected by the beam splitter 163 and received by the optical sensor 165.
  • the optical sensor 165 measures the energy E of the received laser light and outputs a signal indicating the energy E to the laser processor 190.
  • the laser processor 190 controls the charging voltage so that the difference ⁇ E between the energy E and the target energy Et is within an acceptable range.
  • Another portion of the laser light that reaches the beam splitter 163 passes through the beam splitter 163 and the shutter 170, and proceeds to the exposure device 200.
  • a high temperature and high pressure state is generated in the discharge space between the cathode 400 and the anode 500 in an extremely short time by the main discharge between the cathode 400 and the anode 500.
  • an acoustic wave 61a which is shown in a pseudo manner by a solid curve in Figure 4, is generated in the discharge space.
  • the acoustic wave 61a is a compression wave of the laser gas in the chamber 131, and propagates within the chamber 131 while spreading out from the discharge space.
  • the propagation speed is approximately 500 m/s.
  • FIGS. 5 and 6 are VH cross-sectional views of the periphery of the cathode 400, similar to FIG. 4.
  • the acoustic wave 61a may propagate from the entrance 41 of the gap 40 through the gap 40, away from the discharge space.
  • the acoustic wave 61a propagated into the gap 40 may be reflected by the cathode 400 and the cathode side cover 450 around the gap 40, and may return to the discharge space as a reflected wave 61b shown by a solid curved line.
  • the directions of travel of the acoustic wave 61a and the reflected wave 61b are indicated by thin arrows.
  • the reflected wave 61b may change the density distribution of the laser gas in the discharge space, making the main discharge unstable and reducing the stability of the energy of the laser light emitted from the gas laser device 100. In this way, the reflected wave 61b may affect the performance of the laser light. This effect tends to be greater when the repetition frequency of the laser light is 2 kHz or higher. This gives rise to concerns that the exposure device 200 will not emit laser light that satisfies the performance required, and the reliability of the gas laser device 100 will decrease.
  • a chamber 131 of a gas laser device 100 in which a decrease in reliability can be suppressed is exemplified.
  • the configuration of the base 401 is different from the configuration of the base 401 of the comparative example.
  • the chamber 131 differs from the chamber 131 of the comparative example in that the chamber 131 further includes cathode-side sound absorbing members 470 provided in the gaps 40 on the upstream side and downstream side of the cathode 400.
  • the base 401 of this embodiment includes a first base 405 and a second base 407.
  • the second base 407 is provided on the surface of the first base 405 opposite the electrical insulation portion 135.
  • the second base 407 protrudes from the first base 405 toward the anode 500.
  • the first base 405 is wider in the H direction than the second base 407, and faces 405a are provided on the left and right sides of the second base 407 in the H direction, which are included in the above-mentioned opposite surface of the first base 405.
  • the discharge portion 403 is provided on the surface of the second base 407 opposite the first base 405. The discharge portion 403 protrudes from the second base 407 toward the anode 500.
  • the second base 407 is wider in the H direction than the discharge portion 403, and faces 407a are provided on the left and right sides of the discharge portion 403 in the H direction, which are included in the above-mentioned opposite surface of the second base 407.
  • the faces 407a face the inlet 41.
  • FIG. 7 for ease of viewing, only the left faces 405a and 407a are labeled.
  • the first base 405 abuts against a portion of the side face 451 of the cathode side cover 450, and the second base 407 does not abut against the side face 451.
  • the cathode side cover 450 is spaced apart from the second base 407, which is a portion of the base 401.
  • the first base 405 and the second base 407 are disposed closer to the electrical insulation section 135 than the inlet 41.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 of this embodiment is disposed on the base 401, specifically on the surface 405a of the first base 405, and is screwed to the first base 405.
  • This cathode-side sound-absorbing member 470 is disposed in the gap 40 between the second base 407, which is a part of the base 401, and the side surface 451 of the cathode-side cover 450, and abuts against the side surface of the second base 407 and faces the protrusion 453 and a part of the entrance 41 of the gap 40.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 also abuts against the side surface 451 of the cathode-side cover 450, it can be understood that it is also disposed at the position farthest from the discharge space in the gap 40.
  • the area of the gap 40 through which the acoustic wave 61a propagates is the space surrounded by the entrance 41, the protrusion 453, the side surface 451, the surface 405a, the side surface of the second base 407, the surface 407a, and the side surface of the discharge portion 403.
  • Such a gap 40 is composed of an entrance 41, a rectangular first space connected to the entrance 41 and longer in the H direction than in the V direction, and a rectangular second space connected to the first space, located deeper than the first space, longer in the H direction than the V direction, and narrower in the H direction than the first space.
  • the cathode side sound absorbing member 470 extends along the Z direction and is roughly the same length as the cathode 400, but may be shorter than the cathode 400.
  • the cathode side sound absorbing member 470 is made of, for example, a porous material.
  • materials for the cathode side sound absorbing member 470 include metals such as nickel, copper, iron, stainless steel, and brass.
  • the cathode side sound absorbing member 470 may be an electrical insulator if it is made of a porous material, and examples of materials for such cathode side sound absorbing member 470 include alumina ceramics.
  • the acoustic wave 61a propagated to the gap 40 is absorbed by the cathode side sound absorbing member 470 provided in the gap 40.
  • the absorbed acoustic wave 61a propagates while repeatedly being reflected inside the cathode side sound absorbing member 470, is converted into energy such as heat, and gradually attenuates.
  • the acoustic wave 61a that passes through the cathode side sound absorbing member 470 is reflected by the base 401 and the cathode side cover 450 around the cathode side sound absorbing member 470 and is absorbed again by the cathode side sound absorbing member 470.
  • the absorbed acoustic wave 61a is further attenuated by repeatedly reflecting inside the cathode side sound absorbing member 470 as described above. This reduces the magnitude of the reflected wave 61b, which is the acoustic wave 61a that is reflected inside the cathode side sound absorbing member 470 and returns to the discharge space, and the change in the density distribution of the laser gas in the discharge space due to the reflected wave 61b can be suppressed, and an unstable main discharge can be suppressed. In FIG. 7, the reflected wave 61b is omitted for ease of viewing. In addition, by covering the base 401 with the cathode side cover 450, unnecessary discharge from the base 401 during the main discharge can be suppressed.
  • exposure device 200 can emit laser light that satisfies the required performance, and deterioration of the reliability of gas laser device 100 can be suppressed.
  • the cathode-side sound absorbing member 470 is also positioned in the gap 40 at a position furthest from the discharge space between the cathode 400 and the anode 500.
  • the acoustic wave 61a tends to be attenuated as it propagates to the position farthest from the discharge space while being absorbed by the cathode side sound absorbing member 470. Therefore, with this configuration, the acoustic wave 61a propagating to the position farthest from the discharge space and the reflected wave 61b returning to the discharge space from the cathode side sound absorbing member 470 can be attenuated. This can suppress changes in the density distribution of the laser gas in the discharge space caused by the reflected wave 61b, and can suppress unstable main discharge.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 is disposed on the surface 405a of the first base 405, but may be disposed on at least one of the surface 405a and the surface 407a of the second base 407, or may be disposed so as to fill the entire gap 40.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 is disposed in each of the gaps 40 on the upstream and downstream sides of the cathode 400, but may be disposed in at least one of the respective gaps 40. Alternatively, it may be disposed so as to surround the entire circumference of the cathode 400, such as the first base 405 or the second base 407.
  • the position of the cathode-side sound-absorbing member 470 does not need to be limited to the above, and other examples will be described using modified examples.
  • the chamber 131 of this modified example differs from this embodiment in that the cathode-side sound absorbing member 470 is spaced apart from the side surface 451 of the cathode-side cover 450.
  • the region of the gap 40 in this modified example through which the acoustic wave 61a propagates is a space surrounded by the entrance 41, the protrusion 453, the side surface 451, the surface 455 facing the protrusion 453 of the cathode-side cover 450, the surface 405a, the side surface of the second base 407, the surface 407a, and the side surface of the discharge portion 403.
  • Such a gap 40 is crank-shaped and is made up of the entrance 41, a rectangular first space connected to the entrance 41 and longer in the H direction than in the V direction, and a rectangular second space connected to the first space, located deeper than the first space, longer in the V direction than the H direction, and narrower in the H direction than the first space.
  • FIG. 9 is a VH cross-sectional view of the periphery of the cathode 400 in the second modified example of this embodiment.
  • the base 401 of this modified example has the same configuration as the base 401 of the comparative example.
  • the chamber 131 of this modified example differs from this embodiment in that the cathode-side sound-absorbing member 470 is arranged on the cathode-side cover 450. Specifically, the cathode-side sound-absorbing member 470 is arranged on the surface of the protrusion 453 that faces the surface 401a of the base 401.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 is provided in the gap between the surface 401a, which is a part of the base 401, and the protrusion 453 of the cathode-side cover 450.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 is screwed to the protrusion 453, abuts against the side surface 451 of the cathode-side cover 450, and faces the surface 401a at a distance.
  • Figure 10 is a VH cross-sectional view of the periphery of the cathode 400 in variant 3 of this embodiment.
  • the chamber 131 of this variant differs from variant 2 in that the cathode side sound absorbing member 470 is arranged on the side 451 of the cathode side cover 450.
  • the cathode side sound absorbing member 470 is screwed to the side 451.
  • the cathode side sound absorbing member 470 is spaced from the side of the base 401 and abuts against part of the surface 455 and part of the protrusion 453 of the cathode side cover 450.
  • the cathode side sound absorbing member 470 also abuts against the corner between the side 451 and the surface 455, it can be understood that it is arranged at the position in the gap 40 farthest from the discharge space.
  • the region of the gap 40 through which the acoustic wave 61a propagates is a space surrounded by the entrance 41 of the gap 40, the protrusion 453, the side 451, the face 455, the side of the base 401, the face 401a of the base 401, and the side of the discharge portion 403.
  • this gap 40 is made up of the entrance 41, a first space, and a second space, and is crank-shaped.
  • the side 451 of the cathode cover 450 is separated from a part of the side of the base 401 and abuts against another part of the side of the base 401.
  • the acoustic wave 61a propagating to the gap 40 is absorbed by the cathode-side sound-absorbing member 470. Therefore, the magnitude of the reflected wave 61b is reduced, and the decrease in the stability of the energy of the laser light emitted from the gas laser device 100 can be suppressed.
  • the base 401 includes a first base 405 and a second base 407, just like the base 401 of this embodiment, and modified examples 1 to 3 are combined, and a cathode-side sound-absorbing member 470 is also arranged on the surface 407a of the second base 407. That is, in the chamber 131 of this modified example, the cathode-side sound-absorbing member 470 is arranged on each of the surfaces 405a, 407a, the protrusion 453, and the side surface 451.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 arranged on the surface 407a extends in the H direction and is also arranged on the cathode-side sound-absorbing member 470 arranged on the surface 405a.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 arranged on the protrusion 453 faces the cathode-side sound-absorbing member 470 arranged on the surface 407a of the second base 407, but is spaced apart from it.
  • the cathode side sound absorbing member 470 arranged on the side 451 of the cathode side cover 450 faces and is spaced apart from the cathode side sound absorbing members 470 arranged on each of the surface 405a of the first base 405 and the surface 407a of the second base 407.
  • the acoustic waves 61a can be absorbed and attenuated more by the cathode-side sound-absorbing member 470 than when the cathode-side sound-absorbing member 470 is disposed only on either the base 401 or the cathode-side cover 450. Therefore, the magnitude of the reflected waves 61b is further reduced, and the decrease in the stability of the energy of the laser light emitted from the gas laser device 100 can be further suppressed.
  • Fig. 12 is a side view of the cathode 400 and the cathode-side sound absorbing member 470 in this embodiment, viewed from the upstream side along direction H.
  • Fig. 13 is a cross-sectional view of the periphery of the cathode 400 taken along line A-A shown in Fig. 12
  • Fig. 14 is a cross-sectional view of the periphery of the cathode 400 taken along line B-B shown in Fig. 12
  • Fig. 15 is a cross-sectional view of the periphery of the cathode 400 taken along line CC shown in Fig. 12.
  • the cathode-side sound absorbing member 470 of this embodiment is disposed on the surface 405a of the first base 405 and is spaced apart from the side surface 451 of the cathode-side cover 450, as in Variation 1 of Embodiment 1.
  • the configurations of the surface 405a, the surface 455 of the cathode-side cover 450 that contacts the gap 40, and the cathode-side sound absorbing member 470 are different from those in Variation 1 of Embodiment 1.
  • the surface 405a of the first base 405 and the surface 455 of the cathode side cover 450 are gradually inclined from one side to the other in the Z direction so as to move away from the anode 500 and the protrusion 453.
  • One side in the Z direction is located on the monitor module 160 side, and the other side is located on the line narrowing module 145 side. Therefore, the region of the gap 40 between the side of the second base 407 and the side 451 of the cathode side cover 450 gradually becomes deeper in the V direction from one side to the other in the Z direction.
  • the cathode side sound absorbing member 470 is disposed on the inclined surface 405a as described above.
  • the height of the cathode side sound absorbing member 470 in the V direction gradually increases from one side to the other side in the Z direction.
  • the surface of the cathode side sound absorbing member 470 facing the protrusion 453 is located at the same height position from one side to the other side in the Z direction, and is located at the same height position as the surface 407a of the second base 407. Therefore, the side surface of the second base 407 is covered by the cathode side sound absorbing member 470.
  • the surface 455 in contact with the gap 40 in the cathode side cover 450 is perpendicular to the V direction from the anode 500 toward the cathode 400, extends in the Z direction which is a predetermined direction, and is inclined so as to move away from the anode 500 from one side to the other side in the Z direction.
  • the distance from the other side of surface 455 in the Z direction to the discharge space is longer than the distance from one side of surface 455 in the Z direction to the discharge space.
  • acoustic wave 61a propagated into gap 40 is reflected by surface 455, there is a phase shift between reflected wave 61b returning to the discharge space from the other side of surface 455 in the Z direction and reflected wave 61b returning to the discharge space from one side of surface 455 in the Z direction.
  • the reflected waves 61b can be prevented from returning to the discharge space all at once, compared to when there is no phase shift. Therefore, changes in the density distribution of the laser gas in the discharge space caused by reflected wave 61b can be suppressed, and unstable main discharge can be suppressed.
  • the cathode-side sound-absorbing member 470 of this embodiment extends in the Z direction and is disposed on the base 401.
  • the height of the cathode-side sound-absorbing member 470 in the V direction from the anode 500 toward the cathode 400 increases from one side to the other in the Z direction.
  • the acoustic waves 61a absorbed by the cathode-side sound-absorbing member 470 are attenuated by being repeatedly reflected inside the cathode-side sound-absorbing member 470 on the other side in the Z direction more than on one side. Therefore, the reflected waves 61b returning to the discharge space from the other side in the Z direction are reduced more than the reflected waves 61b returning to the discharge space from one side in the Z direction, and compared to the case where they are not reduced, changes in the density distribution of the laser gas in the discharge space due to the reflected waves 61b can be suppressed, and unstable main discharge can be suppressed.
  • the cathode side sound absorbing member 470 may be arranged on a surface perpendicular to the V direction from the anode 500 toward the cathode 400.
  • this surface include the surface 405a of the first embodiment, the surface of the protrusion 453 on the surface 401a side of the base 401 in the second modification, and the surface 455 of the cathode side cover 450 in the third modification. These surfaces may be inclined from one side to the other in the Z direction so as to move away from the anode 500.
  • the chamber 131 is described with one side in the Z direction as the monitor module 160 side and the other side as the narrowband module 145 side, but this may be reversed.
  • one side in the Z direction may be the narrowband module 145 side and the other side may be the monitor module 160 side.
  • the cathode side sound absorbing member 470 does not need to gradually become higher in the V direction from one side to the other side in the Z direction.
  • the cathode side sound absorbing member 470 may become higher in a stepped manner from one side to the other side in the Z direction.
  • the anode 500 includes a base 501 extending in the Z direction and a discharge part 503, and the anode side cover 550 is separated from the anode 500 on the side of the anode 500 and covers the anode 500, which is different from the first embodiment.
  • the base 501 is fixed to the ground plate 137, and the discharge portion 503 protrudes from the base 501 toward the discharge portion 403 of the cathode 400. Unlike the cathode 400, the base 501 is narrower in width in the H direction than the discharge portion 503, and the side of the base 501 is located inside the side of the discharge portion 503.
  • the cover member 553 and the cover member 555 are spaced apart from the anode 500, so that a gap 50 is provided between the anode 500 and the cover member 553, and between the anode 500 and the cover member 555.
  • the chamber 131 of this embodiment differs from the first embodiment in that the chamber 131 further includes an anode-side sound absorbing member 570 provided in the gap 50 between the anode-side cover 550 and the anode 500.
  • the anode-side sound absorbing member 570 is disposed on the side of each of the cover members 553 and 555 facing the anode 500, and is screwed to the side.
  • the anode-side sound absorbing member 570 is also disposed on each of the upstream side and downstream side of the base 501 of the anode 500, and is screwed to each side of the base 501.
  • four anode-side sound absorbing members 570 are disposed on each of the anode-side cover 550 and the anode 500.
  • the anode-side sound-absorbing member 570 extends along the Z direction and has roughly the same length as the anode 500, but may be shorter than the anode 500.
  • the configuration and material of the anode-side sound-absorbing member 570 are the same as the configuration and material of the cathode-side sound-absorbing member 470.
  • the acoustic wave 61a also propagates from the discharge space between the cathode 400 and the anode 500 to the gap 50 between the anode 500 and the anode-side cover 550.
  • the anode-side sound-absorbing member 570 is also disposed in the gap 50, so that the acoustic wave 61a propagated to the gap 50 can be absorbed by the anode-side sound-absorbing member 570 provided in the gap 50 and gradually attenuated.
  • the magnitude of the reflected wave 61b reflected inside the anode-side sound-absorbing member 570 and returning to the discharge space is reduced, and the change in the density distribution of the laser gas in the discharge space due to the reflected wave 61b can be suppressed, and the main discharge can be suppressed from becoming unstable. This can suppress the decrease in the stability of the energy of the laser light emitted from the gas laser device 100.
  • the reflected wave 61b is omitted for ease of viewing.
  • the anode side sound absorbing member 570 is disposed on both the anode side cover 550 and the anode 500.
  • the acoustic waves 61a can be absorbed and attenuated more by the anode-side sound-absorbing member 570 than when the anode-side sound-absorbing member 570 is disposed only on either the anode 500 or the anode-side cover 550. Therefore, the magnitude of the reflected waves 61b is further reduced, and the decrease in the stability of the energy of the laser light emitted from the gas laser device 100 can be further suppressed.
  • the anode side sound absorbing member 570 is disposed on each of the anode side cover 550 and the anode 500, but may be disposed on either the anode side cover 550 or the anode 500. Also, the side of the base 501 is not disposed inside the side of the discharge section 503 but is disposed on the same plane, that is, the anode 500 may have the same configuration as the anode 500 of the comparative example, and the anode side sound absorbing member 570 may be disposed on the side of this anode 500.
  • FIG. 17 is a VH cross-sectional view of the periphery of the anode 500 in this embodiment.
  • the chamber 131 in this embodiment differs from the first embodiment in that a groove 137b is provided in the ground plate 137 and an anode side sound absorbing member 570 is disposed in the groove 137b.
  • the groove 137b is provided on the upstream side of the anode 500, specifically, between the cover member 551 and the cover member 553, and below the dielectric pipe 11 and the outer electrode 15.
  • the groove 137b extends in the Z direction, and the depth of the groove 137b in the V direction is constant in the Z direction.
  • the height in the V direction of the anode-side sound-absorbing member 570 placed in the above-mentioned groove 137b is constant in the Z direction, and the anode-side sound-absorbing member 570 faces the dielectric pipe 11 and the outer electrode 15.
  • the anode-side sound-absorbing member 570 does not protrude from the main surface of the ground plate 137, and the surface 570a of the anode-side sound-absorbing member 570 facing the dielectric pipe 11 and the outer electrode 15 is located at the same height as the main surface of the ground plate 137.
  • FIG 18 is a perspective view of the outer electrode 15 of the preionization electrode 10 of this embodiment.
  • the outer electrode 15 includes an end 15a that extends along the longitudinal direction of the dielectric pipe 11, which is the Z direction, and contacts the outer peripheral surface of the dielectric pipe 11, and a ladder portion 15c consisting of a plurality of bar members 15b arranged in parallel along the longitudinal direction of the end 15a, one end of which is connected to the end 15a. Due to the gaps 15e between the plurality of bar members 15b, the outer electrode 15 does not separate the discharge space and the anode side sound absorbing member 570, and as shown in Figure 17, the acoustic wave 61a propagates from the discharge space to the anode side sound absorbing member 570 via the gaps 15e.
  • the acoustic wave 61a also propagates from the discharge space between the cathode 400 and the anode 500 to the ground plate 137 through the gap 15e between the bar members 15b.
  • the anode-side sound absorbing member 570 is disposed in the groove 137b of the ground plate 137, so that the acoustic wave 61a can be absorbed by the anode-side sound absorbing member 570.
  • the magnitude of the reflected wave 61b returning to the discharge space from the anode-side sound absorbing member 570 and the groove 137b is reduced, and changes in the density distribution of the laser gas in the discharge space due to the reflected wave 61b can be suppressed, and the main discharge can be prevented from becoming unstable. This can prevent a decrease in the stability of the energy of the laser light emitted from the gas laser device 100. Furthermore, since the anode side sound absorbing member 570 is positioned in the groove 137b, the anode side sound absorbing member 570 is less likely to impede the flow of laser gas within the chamber 131 than when the anode side sound absorbing member 570 is positioned on the main surface of the ground plate 137.
  • the configuration of the groove 137b and the anode side sound absorbing member 570 does not need to be limited to the above, and other examples will be described using modified examples.
  • FIG. 19 is a VZ cross-sectional view of groove 137b in modified example 1 of this embodiment. For ease of viewing, FIG. 19 omits illustration of anything other than the ground plate 137, groove 137b, and anode side sound absorbing member 570.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of the periphery of groove 137b taken along line E-E shown in FIG. 19, and
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of the periphery of groove 137b taken along line F-F shown in FIG. 19. Note that the cross-sectional view of the periphery of groove 137b taken along line D-D shown in FIG. 19 is the same as FIG. 17.
  • the groove 137b of this modified example differs from the embodiment in that the depth of the groove 137b in the V direction perpendicular to the main surface of the ground plate 137 perpendicular to the Z direction gradually increases from one side to the other side in the Z direction. Therefore, the bottom surface of the groove 137b is inclined from one side to the other side in the Z direction.
  • One side in the Z direction is located on the monitor module 160 side, and the other side is located on the band-narrowing module 145 side.
  • the anode-side sound-absorbing member 570 of this modified example is disposed on the bottom surface of the inclined groove 137b as described above, and the height of the anode-side sound-absorbing member 570 in the V direction is constant from one side to the other side in the Z direction, as in the fourth embodiment. Therefore, at the position along line D-D, as in the fourth embodiment, the anode-side sound-absorbing member 570 does not protrude from the main surface of the ground plate 137, and the surface 570a of the anode-side sound-absorbing member 570 is located at the same height as the main surface of the ground plate 137. Furthermore, at the position along line E-E, the surface 570a is located at a lower position than the main surface of the ground plate 137, and at the position along line F-F, it is located at an even lower position than the main surface of the ground plate 137.
  • the depth of the groove 137b in the V direction perpendicular to the main surface of the ground plate 137, which is perpendicular to the Z direction, which is a specified direction, increases from one side to the other side in the specified direction.
  • the distance from the other side of the bottom surface of groove 137b in the specified direction to the discharge space is longer than the distance from one side of the bottom surface in the specified direction to the discharge space.
  • This causes a phase shift between the reflected wave 61b returning to the discharge space from the other side of the bottom surface in the specified direction and the reflected wave 61b returning to the discharge space from one side of the bottom surface in the specified direction.
  • the reflected waves 61b can be prevented from returning to the discharge space all at once, compared to when there is no phase shift. Therefore, changes in the density distribution of the laser gas in the discharge space caused by the reflected waves 61b can be suppressed, and unstable main discharges can be suppressed.
  • FIG. 22 is a VZ cross-sectional view of the groove 137b in the second modified example of this embodiment. For ease of viewing, FIG. 22 omits illustrations other than the ground plate 137, the groove 137b, and the anode-side sound-absorbing member 570.
  • the anode-side sound-absorbing member 570 of this modified example differs from modified example 1 in that the height of the anode-side sound-absorbing member 570 in the V direction gradually increases from one side to the other side in the Z direction.
  • the surface 570a of the anode-side sound-absorbing member 570 is located at the same height position from one side to the other side in the Z direction, and is located at the same height position as the main surface of the ground plate 137.
  • the acoustic waves 61a absorbed by the anode-side sound-absorbing member 570 are attenuated by being repeatedly reflected inside the anode-side sound-absorbing member 570 on the other side in the Z direction more than on one side. Therefore, the reflected waves 61b returning to the discharge space from the other side in the specified direction are reduced more than the reflected waves 61b returning to the discharge space from one side in the specified direction, and compared to the case where they are not reduced, changes in the density distribution of the laser gas in the discharge space due to the reflected waves 61b can be suppressed, and unstable main discharge can be suppressed.
  • one side in the Z direction is described as the monitor module 160 side and the other side is the line narrowing module 145 side, but this may be reversed.
  • the anode side sound absorbing member 570 does not need to gradually become higher in the V direction from one side to the other side in the Z direction.
  • the anode side sound absorbing member 570 may become higher in a stepped manner from one side to the other side in the Z direction.
  • the anode side sound absorbing member 570 in this embodiment and each modification may be disposed on the main surface of the ground plate 137, rather than being disposed in the groove 137b of the ground plate 137.
  • FIG. 23 is a top view of the periphery of the anode 500 in this embodiment.
  • the longitudinal directions of the dielectric pipe 11 and the outer electrode 15 are inclined with respect to a virtual axis 70 described later, which is different from the first embodiment.
  • the central axis 11a of the dielectric pipe 11 inclined with respect to the virtual axis 70 is illustrated as an example.
  • the virtual axis 70 is an axis extending in the Z direction between the cathode 400 and the anode 500.
  • the virtual axis 70 is located midway between the cathode 400 and the anode 500, and overlaps with the central axis of the anode 500 when viewed along the V direction. Due to the above inclination, the distance from the virtual axis 70 to the dielectric pipe 11 becomes shorter from one side to the other side in the Z direction. One side in the Z direction is located on the monitor module 160 side, and the other side is located on the line narrowing module 145 side.
  • the dielectric pipe 11 has been described, but the same applies to the inner electrode 13, the outer electrode 15, the end portion 15a, the portion of the cover member 551 that comes into contact with the dielectric pipe 11, and the cover member 553.
  • the ground plate 137 of this embodiment may be provided with the groove 137b and the anode-side sound absorbing member 570 described in the fourth embodiment and its modified examples.
  • Figure 24 is a top view of the periphery of the anode 500 in this modified example.
  • the longitudinal directions of the dielectric pipe 11, the outer electrode 15, the portion of the cover member 551 that contacts the dielectric pipe 11, and the cover member 553 in this modified example are inclined with respect to the imaginary axis 70, as in the fifth embodiment.
  • the ground plate 137 in this modified example is provided with the groove 137b and the anode side sound absorbing member 570 described in the fourth embodiment.
  • the groove 137b and the anode side sound absorbing member 570 in this modified example will be described later.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view of the area around groove 137b taken along line G-G in FIG. 24,
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of the area around groove 137b taken along line H-H in FIG. 24, and
  • FIG. 27 is a cross-sectional view of the area around groove 137b taken along line I-I in FIG. 24.
  • the groove 137b and the anode-side sound absorbing member 570 of this modified example differ from those of the fourth embodiment in that the longitudinal direction of the groove 137b and the anode-side sound absorbing member 570 is inclined with respect to the virtual axis 70, similar to the dielectric pipe 11. Therefore, the anode-side sound absorbing member 570 and the groove 137b are aligned along the dielectric pipe 11, and the distance from the virtual axis 70 to the anode-side sound absorbing member 570 decreases from one side to the other side in the Z direction.
  • the portion of the anode-side sound absorbing member 570 that overlaps with the dielectric pipe 11 is shown by a dashed line.
  • FIG. 26 for comparison with FIG.
  • FIG. 25 the dielectric pipe 11, the inner electrode 13, and the anode-side sound absorbing member 570 shown in FIG. 25 are shown by a dashed line.
  • FIG. 27 for comparison with FIG. 26, the dielectric pipe 11, the inner electrode 13, and the anode-side sound absorbing member 570 shown in FIG. 26 are shown by a dashed line. Comparing Figures 25, 26, and 27, it can be seen that the dielectric pipe 11, the inner electrode 13, and the anode-side sound-absorbing member 570 each move closer to the virtual axis 70 from one side to the other in the Z direction.
  • the length of the propagation path of the reflected wave 61b returning from the anode side sound absorbing member 570 to the discharge space varies depending on the position in a predetermined direction. This causes a phase shift in the reflected wave 61b returning to the discharge space, and compared to a case where there is no phase shift, the reflected wave 61b can be prevented from returning to the discharge space all at once. This makes it possible to prevent changes in the density distribution of the laser gas in the discharge space caused by the reflected wave 61b, and to prevent an unstable main discharge.
  • the groove 137b with a constant depth in the V direction in the Z direction and the anode side sound absorbing member 570 with a constant height in the V direction in the Z direction as described in the fourth embodiment are used.
  • the groove 137b and the anode side sound absorbing member 570 of this modification only need to be inclined with respect to the virtual axis 70 as described above, and the groove 137b and the anode side sound absorbing member 570 described in the first and second modifications of the fourth embodiment may be used.
  • the anode side sound absorbing member 570 of this modification may be disposed on the main surface of the ground plate 137, not in the groove 137b of the ground plate 137.
  • the preionization electrode 10 of this modification does not need to be inclined with respect to the virtual axis 70 as in this embodiment.
  • one side in the Z direction is the monitor module 160 side and the other side is the line narrowing module 145 side, but the opposite may be used.

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Abstract

ガスレーザ装置のチャンバは、レーザガスを内部空間に封入するガスレーザ装置のチャンバであって、内部空間に配置され、長手方向が所定方向に沿うアノードと、内部空間に配置され、ベース及びアノードに向かってベースから突出する放電部を含み、長手方向が所定方向に沿って、アノードと離間して対向するカソードと、内部空間に配置され、ベースの一部及び放電部と離間し、ベースを覆うカソード側カバーと、ベースの一部とカソード側カバーとの隙間に設けられるカソード側吸音部材と、を備える。

Description

ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、ガスレーザ装置のチャンバ、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化及び高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。例えば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
　ＫｒＦエキシマレーザ装置及びＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０ｐｍ～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（Line Narrowing Module：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
米国特許第６６３９９２９号明細書 特開平６－８５３５０号公報 特許第４５７９００２号明細書 特許第４９１８６９９号明細書 米国特許出願公開第２０２２／００９１５１５号明細書
概要
　本開示の一態様によるガスレーザ装置のチャンバは、レーザガスを内部空間に封入するガスレーザ装置のチャンバであって、内部空間に配置され、長手方向が所定方向に沿うアノードと、ベース及びアノードに向かってベースから突出する放電部を含み、内部空間に配置され、長手方向が所定方向に沿って、アノードと離間して対向するカソードと、内部空間に配置され、ベースの一部及び放電部と離間し、ベースを覆うカソード側カバーと、ベースの一部とカソード側カバーとの隙間に設けられるカソード側吸音部材と、を備えてもよい。
　本開示の一態様によるガスレーザ装置は、レーザガスを内部空間に封入するチャンバを備えるガスレーザ装置であって、チャンバは、内部空間に配置され、長手方向が所定方向に沿うアノードと、内部空間に配置され、ベース及びアノードに向かってベースから突出する放電部を含み、長手方向が所定方向に沿って、アノードと離間して対向するカソードと、内部空間に配置され、ベースの一部及び放電部と離間し、ベースを覆うカソード側カバーと、ベースの一部とカソード側カバーとの隙間に設けられるカソード側吸音部材と、を備えてもよい。
　本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザガスを内部空間に封入するガスレーザ装置のチャンバであって、内部空間に配置され、長手方向が所定方向に沿うアノードと、内部空間に配置され、ベース及びアノードに向かってベースから突出する放電部を含み、長手方向が所定方向に沿って、アノードと離間して対向するカソードと、内部空間に配置され、ベースの一部及び放電部と離間し、ベースを覆うカソード側カバーと、ベースの一部とカソード側カバーとの隙間に設けられるカソード側吸音部材と、を備えるチャンバを備えるガスレーザ装置によってレーザ光を生成し、レーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にレーザ光を露光してもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、比較例のガスレーザ装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、比較例のチャンバのＶＨ断面図である。 図４は、図３に示すカソードの周辺のＶＨ断面図である。 図５は、図３に示すカソードの周辺のＶＨ断面図である。 図６は、図３に示すカソードの周辺のＶＨ断面図である。 図７は、実施形態１におけるカソードの周辺のＶＨ断面図である。 図８は、実施形態１の変形例１におけるカソードの周辺のＶＨ断面図である。 図９は、実施形態１の変形例２におけるカソードの周辺のＶＨ断面図である。 図１０は、実施形態１の変形例３におけるカソードの周辺のＶＨ断面図である。 図１１は、実施形態１の変形例４におけるカソードの周辺のＶＨ断面図である。 図１２は、実施形態２におけるカソード及びカソード側吸音部材をＨ方向に沿って上流側から視る側面図である。 図１３は、図１２に示すＡ－Ａ線におけるカソードの周辺の断面図である。 図１４は、図１２に示すＢ－Ｂ線におけるカソードの周辺の断面図である。 図１５は、図１２に示すＣ－Ｃ線におけるカソードの周辺の断面図である。 図１６は、実施形態３におけるアノードの周辺のＶＨ断面図である。 図１７は、実施形態４におけるアノードの周辺のＶＨ断面図である。 図１８は、実施形態４の予備電離電極の外電極の斜視図である。 図１９は、実施形態４の変形例１の溝におけるＶＺ断面図である。 図２０は、図１９に示すＥ－Ｅ線における溝の周辺の断面図である。 図２１は、図１９に示すＦ－Ｆ線における溝の周辺の断面図である。 図２２は、実施形態４の変形例２の溝におけるＶＺ断面図である。 図２３は、実施形態５におけるアノードの周辺の上面図である。 図２４は、実施形態５の変形例におけるアノードの周辺の上面図である。 図２５は、図２４に示すＧ－Ｇ線における溝の周辺の断面図である。 図２６は、図２４に示すＨ－Ｈ線における溝の周辺の断面図である。 図２７は、図２４に示すＩ－Ｉ線における溝の周辺の断面図である。
実施形態
１．電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の説明
２．比較例のガスレーザ装置の説明
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　課題
３．実施形態１のチャンバの説明
　３．１　構成
　３．２　作用・効果
４．実施形態２のチャンバの説明
　４．１　構成
　４．２　作用・効果
５．実施形態３のチャンバの説明
　５．１　構成
　５．２　作用・効果
６．実施形態４のチャンバの説明
　６．１　構成
　６．２　作用・効果
７．実施形態５のチャンバの説明
　７．１　構成
　７．２　作用・効果
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の説明
　図１は、電子デバイスの露光工程で使用される電子デバイスの製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示すように、露光工程で使用される製造装置は、ガスレーザ装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２，２１３を含む照明光学系２１０と、投影光学系２２０とを含む。照明光学系２１０は、ガスレーザ装置１００から入射するレーザ光によって、レチクルステージＲＴ上に配置された不図示のレクチルのレチクルパターンを照明する。投影光学系２２０は、レチクルを透過したレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置される不図示のワークピースに結像させる。ワークピースは、フォトレジストが塗布される半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映するレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスである半導体デバイスを製造することができる。
２．比較例のガスレーザ装置の説明
　２．１　構成
　比較例のガスレーザ装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
　図２は、比較例のガスレーザ装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。ガスレーザ装置１００は、例えば、アルゴン（Ａｒ）、フッ素（Ｆ２）、及びネオン（Ｎｅ）を含む混合ガスを使用するＡｒＦエキシマレーザ装置である。このガスレーザ装置１００は、中心波長が約１９３ｎｍのレーザ光を出力する。なお、ガスレーザ装置１００は、ＡｒＦエキシマレーザ装置以外のガスレーザ装置であってもよく、例えば、クリプトン（Ｋｒ）、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスを使用するＫｒＦエキシマレーザ装置であってもよい。この場合、ガスレーザ装置１００は、中心波長が約２４８ｎｍのレーザ光を出射する。レーザ媒質であるＡｒ、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスやレーザ媒質であるＫｒ、Ｆ２、及びＮｅを含む混合ガスは、レーザガスと呼ばれる場合がある。
　ガスレーザ装置１００は、筐体１１０と、筐体１１０の内部空間に配置されるレーザ発振器１３０、モニタモジュール１６０、シャッタ１７０、及びレーザプロセッサ１９０とを主な構成として含む。
　レーザ発振器１３０は、チャンバ１３１と、充電器１４１と、パルスパワーモジュール１４３と、狭帯域化モジュール１４５と、出力結合ミラー１４７とを含む。図２では、レーザ光の進行方向に略垂直な方向から視た際のチャンバ１３１の内部構成が示されている。
　チャンバ１３１の材料としては、例えば、ニッケルめっきが施されたアルミニウム、或いはニッケルめっきが施されたステンレスといった金属を挙げることができる。チャンバ１３１は、上記レーザガスを封入し、レーザガス中のレーザ媒質の励起によって光が発生する内部空間を含む。当該光は、後述するウインドウ１３９ａ，１３９ｂに進行する。レーザガスは、不図示のレーザガス供給源から不図示の配管を通じてチャンバ１３１の内部空間に供給される。また、チャンバ１３１内のレーザガスは、ハロゲンフィルタによってＦ２ガスを除去する処理等をされ、不図示の排気ポンプによって不図示の配管を通じて筐体１１０外に排気される。
　チャンバ１３１の内部空間において、第１主電極であるカソード４００及び第２主電極であるアノード５００が互いに離間すると共に対向し、それぞれの長手方向がレーザ光の進行方向に沿っている。以下では、カソード４００及びアノード５００の長手方向をＺ方向、カソード４００及びアノード５００が離間する方向でＺ方向に直交する方向をＶ方向、Ｖ方向及びＺ方向に直交する方向をＨ方向として説明することがある。カソード４００及びアノード５００は、グロー放電によりレーザ媒質を励起するための放電電極である。
　カソード４００は、例えばボルトから成る導電部材１５７によって板状の電気絶縁部１３５のうちのチャンバ１３１の内部空間側の面に固定されている。導電部材１５７は、パルスパワーモジュール１４３に電気的に接続されており、パルスパワーモジュール１４３からの高電圧をカソード４００に印加する。アノード５００は、グランドプレート１３７に支持されると共に電気的に接続されている。
　電気絶縁部１３５は、絶縁体を含む。電気絶縁部１３５の材料には、例えば、Ｆ２ガスとの反応性が低いアルミナセラミックスを挙げることができる。なお、電気絶縁部１３５は電気絶縁性があればよく、このような電気絶縁部１３５の材料として、フェノール樹脂やフッ素樹脂などの樹脂、或いは石英やガラス等が挙げられる。電気絶縁部１３５は、チャンバ１３１に設けられる開口を塞ぎ、チャンバ１３１に固定されている。
　充電器１４１は、パルスパワーモジュール１４３の中の不図示の充電コンデンサを所定の電圧で充電する直流電源装置である。パルスパワーモジュール１４３は、レーザプロセッサ１９０によって制御されるスイッチ１４３ａを含む。スイッチ１４３ａがＯＦＦからＯＮになると、パルスパワーモジュール１４３は、充電コンデンサに充電されていた電気エネルギーからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧をカソード４００とアノード５００との間に印加する。
　カソード４００とアノード５００との間に高電圧が印加されると放電が起こる。この放電のエネルギーによりチャンバ１３１内のレーザ媒質が励起され、励起されたレーザ媒質は基底状態に移行するときに光を放出する。
　チャンバ１３１の壁面には、一対のウインドウ１３９ａ，１３９ｂが設けられている。ウインドウ１３９ａはチャンバ１３１におけるレーザ光の進行方向における一方側に位置し、ウインドウ１３９ｂは当該進行方向における他方側に位置し、ウインドウ１３９ａ，１３９ｂはカソード４００とアノード５００との間の放電空間を挟み込む。ウインドウ１３９ａ，１３９ｂは、レーザ光のＰ偏光の反射が抑制されるように、レーザ光の進行方向に対してブリュースター角をなすように傾斜している。後述のように発振するレーザ光は、ウインドウ１３９ａ，１３９ｂを経由してチャンバ１３１の外部に出射する。上記のようにパルスパワーモジュール１４３によりパルス状の高電圧がカソード４００とアノード５００との間に印加されるため、このレーザ光はパルスレーザ光である。
　狭帯域化モジュール１４５は、筐体１４５ａと、筐体１４５ａの内部空間に配置されるプリズム１４５ｂ、グレーティング１４５ｃ、及び不図示の回転ステージとを含む。筐体１４５ａには開口が形成されており、筐体１４５ａは開口を介してチャンバ１３１のリア側に接続されている。
　プリズム１４５ｂは、ウインドウ１３９ａから出射する光のビーム幅を拡大させて、当該光をグレーティング１４５ｃに入射させる。また、プリズム１４５ｂは、グレーティング１４５ｃからの反射光のビーム幅を縮小させると共に、その光を、ウインドウ１３９ａを介して、チャンバ１３１の内部空間に戻す。プリズム１４５ｂは、回転ステージに支持されており、回転ステージによって回転する。プリズム１４５ｂの回転により、グレーティング１４５ｃに対する光の入射角が変更される。従って、プリズム１４５ｂの回転によって、グレーティング１４５ｃからプリズム１４５ｂを経由してチャンバ１３１に戻る光の波長を選択することができる。図２では、１つのプリズム１４５ｂが配置されている例を示しているが、プリズムは少なくとも１つ配置されていればよい。
　グレーティング１４５ｃの表面は高反射率の材料によって構成され、表面に多数の溝が所定間隔で設けられている。各溝の断面形状は、例えば、直角三角形である。プリズム１４５ｂからグレーティング１４５ｃに入射する光は、これらの溝によって反射される際、光の波長に応じた方向に回折される。グレーティング１４５ｃは、プリズム１４５ｂからグレーティング１４５ｃに入射する光の入射角と、所望波長の回折光の回折角とが一致するようにリトロー配置されている。これにより、所望の波長付近の光がプリズム１４５ｂを経由してチャンバ１３１に戻される。
　出力結合ミラー１４７は、チャンバ１３１のフロント側に接続されている光路管１４７ａの内部空間に配置され、ウインドウ１３９ｂと向かい合う。出力結合ミラー１４７は、ウインドウ１３９ｂから出射するレーザ光の一部をモニタモジュール１６０に向けて透過させて、他の一部を反射させてウインドウ１３９ｂを経由してチャンバ１３１の内部空間に戻す。こうしてグレーティング１４５ｃと出力結合ミラー１４７とでファブリペロー型のレーザ共振器が構成され、チャンバ１３１はレーザ共振器の光路上に配置される。チャンバ１３１からの光は、モニタモジュール１６０に進行する。
　モニタモジュール１６０は、出力結合ミラー１４７から出射するレーザ光の光路上に配置されている。モニタモジュール１６０は、筐体１６１と、筐体１６１の内部空間に配置されるビームスプリッタ１６３及び光センサ１６５とを含む。筐体１６１には開口が形成されており、この開口を通じて筐体１６１の内部空間は光路管１４７ａの内部空間と連通している。
　ビームスプリッタ１６３は、出力結合ミラー１４７から出射したレーザ光の一部をシャッタ１７０に向けて透過させ、レーザ光の他の一部を光センサ１６５の受光面に向けて反射する。光センサ１６５は、受光面に入射したレーザ光のエネルギーＥを計測し、計測したエネルギーＥを示す信号をレーザプロセッサ１９０に出力する。
　本開示のレーザプロセッサ１９０は、制御プログラムが記憶された記憶装置１９０ａと、制御プログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）１９０ｂとを含む処理装置である。レーザプロセッサ１９０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成またはプログラムされている。また、レーザプロセッサ１９０は、ガスレーザ装置１００全体を制御する。
　レーザプロセッサ１９０は、露光装置２００の露光プロセッサ２３０との間で各種信号を送受信する。例えば、レーザプロセッサ１９０は、露光プロセッサ２３０から、後述する発光トリガＴｒ及び目標エネルギーＥｔ等を示す信号を受信する。目標エネルギーＥｔは、露光工程で使用されるレーザ光のエネルギーの目標値である。レーザプロセッサ１９０は、光センサ１６５及び露光プロセッサ２３０から受信したエネルギーＥ及び目標エネルギーＥｔを基に充電器１４１の充電電圧を制御する。この充電電圧を制御することにより、レーザ光のエネルギーが制御される。また、レーザプロセッサ１９０は、パルスパワーモジュール１４３にスイッチ１４３ａのＯＮまたはＯＦＦの指令信号を送信する。また、レーザプロセッサ１９０は、シャッタ１７０に電気的に接続され、シャッタ１７０の開閉を制御する。
　レーザプロセッサ１９０は、モニタモジュール１６０から受信するエネルギーＥと露光プロセッサ２３０から受信する目標エネルギーＥｔとの差ΔＥが許容範囲内となるまではシャッタ１７０を閉じる。レーザプロセッサ１９０は、差ΔＥが許容範囲内となったら、発光トリガＴｒの受信準備が完了したことを知らせる受信準備完了信号を露光プロセッサ２３０に送信する。露光プロセッサ２３０は受信準備完了信号を受信すると発光トリガＴｒを示す信号をレーザプロセッサ１９０に送信し、レーザプロセッサ１９０は発光トリガＴｒを示す信号を受信するとシャッタ１７０を開ける。発光トリガＴｒは、レーザ光の所定の繰り返し周波数ｆと所定のパルス数Ｐで規定され、露光プロセッサ２３０がレーザ発振器１３０をレーザ発振させるタイミング信号であり、外部トリガである。レーザ光の繰り返し周波数ｆは、例えば、１００Ｈｚ以上１０ｋＨｚ以下である。
　シャッタ１７０は、モニタモジュール１６０の筐体１６１のうちの光路管１４７ａが接続される側とは反対側に形成されている開口と連通する光路管１７１の内部空間のレーザ光の光路に配置される。光路管１７１，１４７ａの内部空間や、筐体１６１，１４５ａの内部空間には、パージガスが供給及び充填されている。パージガスには、窒素（Ｎ2）等の不活性ガスが含まれる。パージガスは、不図示のパージガス供給源から不図示の配管を通じて供給される。また、光路管１７１は、筐体１１０の開口及び筐体１１０と露光装置２００とを接続している光路管３００を通じて露光装置２００に連通している。シャッタ１７０を通過したレーザ光は、露光装置２００に入射する。
　本開示の露光プロセッサ２３０は、制御プログラムが記憶された記憶装置２３０ａと、制御プログラムを実行するＣＰＵ２３０ｂとを含む処理装置である。露光プロセッサ２３０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成またはプログラムされている。また、露光プロセッサ２３０は、露光装置２００全体を制御する。
　図３は、比較例のチャンバ１３１のＶＨ断面図である。チャンバ１３１の内部空間には、クロスフローファン１４９及び熱交換器１５１がさらに配置されている。
　クロスフローファン１４９及び熱交換器１５１は、グランドプレート１３７を基準としてアノード５００側とは反対側に配置されている。チャンバ１３１の内部空間において、クロスフローファン１４９及び熱交換器１５１が配置される空間は、カソード４００とアノード５００との間の放電空間と連通している。熱交換器１５１は、クロスフローファン１４９の脇に配置され、液体または気体である冷却媒体が流れる不図示の配管に接続されるラジエタである。図２に示すように、クロスフローファン１４９はチャンバ１３１の外部に配置されているモータ１４９ａに接続され、モータ１４９ａの回転によって回転する。クロスフローファン１４９が回転することで、チャンバ１３１の内部空間に封入されるレーザガスは、図３において太線の矢印で示すように循環する。つまり、レーザガスは、クロスフローファン１４９、カソード４００とアノード５００との間の放電空間、熱交換器１５１、及びクロスフローファン１４９の順に循環する。循環するレーザガスの少なくとも一部は熱交換器１５１を通過し、熱交換器１５１によりレーザガスの温度が調節される。レーザガスの循環によって、カソード４００とアノード５００との間の主放電で生成されたレーザガスの不純物は下流側に移動し、次の放電には新鮮なレーザガスがカソード４００とアノード５００との間の放電空間に供給される。また、レーザガスが熱交換器１５１を通過する際、主放電に伴う熱が除去され、レーザガスの温度上昇が抑制される。モータ１４９ａのＯＮ、ＯＦＦや回転数は、レーザプロセッサ１９０による制御によって調節される。従って、レーザプロセッサ１９０は、モータ１４９ａを制御することで、チャンバ１３１の内部空間を循環するレーザガスの循環速度を調節することができる。
　グランドプレート１３７は、配線１３７ａを経由してチャンバ１３１に電気的に接続されている。グランドプレート１３７に支持されるアノード５００は、グランドプレート１３７、配線１３７ａ、及びチャンバ１３１を介してグランド電位に接続される。
　グランドプレート１３７上には、アノード５００の側方を覆うアノード側カバー５５０が配置されている。アノード側カバー５５０はカバー部材５５１，５５３，５５５を含み、カバー部材５５１，５５３，５５５は、レーザガスの流れの上流から下流に向かって、この順で並んでいる。カバー部材５５１はグランドプレート１３７に不図示のボルトで固定され、カバー部材５５１とカバー部材５５３との間には予備電離電極１０が設けられ、カバー部材５５３及びカバー部材５５５はアノード５００を挟み込んでいる。アノード５００はグランドプレート１３７上に不図示のボルトで固定され、カバー部材５５３及びカバー部材５５５はアノード５００に不図示のボルトで固定されている。カバー部材５５１，５５３，５５５のそれぞれの材料としては、例えば、Ｆ２ガスとの反応性が低い多孔質のニッケル金属を挙げることができる。カバー部材５５１，５５３，５５５は、レーザガスがクロスフローファン１４９の送風によってクロスフローファン１４９からカソード４００とアノード５００との間の放電空間を経由して熱交換器１５１に流れるように、レーザガスをガイドする。
　予備電離電極１０は、グランドプレート１３７上において、Ｈ方向におけるアノード５００の側方に設けられている。本例では、予備電離電極１０がアノード５００の上流に設けられている例を示している。予備電離電極１０は、誘電体パイプ１１、予備電離内電極、及び予備電離外電極を備える。以下では、予備電離内電極及び予備電離外電極のそれぞれを、内電極１３及び外電極１５と呼ぶ場合がある。
　誘電体パイプ１１は、例えば円筒部材であり、Ｚ方向に沿って延在している。誘電体パイプ１１の材料としては、例えば、アルミナセラミックスやサファイアが挙げられる。
　内電極１３は、棒状であり、誘電体パイプ１１の内部に配置され、誘電体パイプ１１の長手方向に沿って延在している。内電極１３の材料としては、例えば、銅や黄銅が挙げられる。
　外電極１５は、誘電体パイプ１１とカバー部材５５３との間に配置され、誘電体パイプ１１の長手方向に沿って延在している。外電極１５は、誘電体パイプ１１の外周面の一部に対向する端部１５ａを含む。この端部１５ａは、外電極１５の長手方向における外電極１５の一端から他端にわたって設けられている。外電極１５は誘電体パイプ１１の長手方向に垂直な面内方向において屈曲しており、屈曲により、端部１５ａは誘電体パイプ１１の外周面を押すように誘電体パイプ１１の外周面に接触している。誘電体パイプ１１の外周面のうちの外電極１５の端部１５ａが接触する接触部位と概ね反対側の部位は、カバー部材５５１に接している。従って、外電極１５が誘電体パイプ１１を押圧しても、誘電体パイプ１１はカバー部材５５１により支えられている。外電極１５の端部１５ａとは反対側の端部には不図示のねじ孔が設けられており、外電極１５はねじ孔に螺入される不図示のねじによってカバー部材５５３に固定されている。従って、外電極１５は、カバー部材５５３を介してアノード５００に固定されていると理解できる。外電極１５の材料としては、例えば、銅や黄銅が挙げられる。
　電気絶縁部１３５のうちのチャンバ１３１の内部空間側の面には、一対のカソード側カバー４５０が配置されている。カソード側カバー４５０は、カソード４００の上流側と下流側とのそれぞれに配置されており、カソード４００に沿ってＺ方向に延在しており、互いに別体である。それぞれのカソード側カバー４５０は、電気絶縁部１３５に不図示のボルトで固定されている。カソード側カバー４５０の断面形状は概ね直角三角形であり、カソード側カバー４５０はＨ方向においてカソード４００に近づくにつれてＶ方向において徐々に高くなる。このようなカソード側カバー４５０は、アノード側カバー５５０と同様に、レーザガスをガイドする。
　図４は、図３に示すカソード４００の周辺のＶＨ断面図である。図４では、カソード４００とアノード５００との間の放電空間を流れるレーザガスを太線の矢印で示している。カソード４００は、電気絶縁部１３５に固定されるベース４０１と、ベース４０１からアノード５００に向かって突出する放電部４０３とを含む。ベース４０１の断面形状はＨ方向に長い矩形状であり、放電部４０３の断面形状はＶ方向に長い矩形状である。ベース４０１及び放電部４０３は、Ｚ方向に沿って延在しており、Ｚ方向においてカソード４００と概ね同じ長さである。ベース４０１のうちの電気絶縁部１３５とは反対側の面には、放電部４０３が設けられている。ベース４０１は放電部４０３よりもＨ方向における幅が広く、Ｈ方向における放電部４０３の左右のそれぞれには、上記の反対側の面に含まれる面４０１ａが設けられている。図３及び図４では、見易さのため、左側の面４０１ａにのみ符号を付している。ＶＺ平面に設けられるベース４０１の側面はカソード側カバー４５０の側面４５１の一部に当接し、放電部４０３の側面は側面４５１に非当接である。また、放電部４０３は、カソード側カバー４５０の後述する突起部４５３よりもアノード５００に向かって延在している。なお、図２では、カソード４００の図示を簡略化している。
　カソード側カバー４５０の突起部４５３は、カソード側カバー４５０の側面４５１から放電部４０３の側面に向かってＨ方向に突出している。突起部４５３は、Ｈ方向にて放電部４０３と離間し、Ｖ方向にてベース４０１の一部である面４０１ａと離間している。突起部４５３は、Ｖ方向から視る場合に、面４０１ａに重なる。また、突起部４５３は、Ｚ方向に延在しており、Ｚ方向においてカソード４００と概ね同じ長さである。このような、突起部４５３は、ベース４０１を覆い、突起部４５３とベース４０１との間には隙間４０が設けられる。隙間４０は、放電部４０３の側面と突起部４５３との間に設けられる隙間４０の入口４１、突起部４５３、側面４５１、面４０１ａ、及び放電部４０３の側面によって囲まれる概ねＬ字形状の空間である。このような隙間４０は、カソード４００とカソード側カバー４５０との製造上の寸法誤差による干渉によってカソード４００とカソード側カバー４５０とが組み立てられなくなることを避けるために、設けられる。隙間４０を形成するカソード側カバー４５０は、カソード４００を側方から覆う。なお、隙間４０は、カソード側カバー４５０がカソード４００の上流側と下流側とのそれぞれに設けられているため、カソード４００の上流側と下流側とのそれぞれに個別に設けられる。隙間４０及びカソード側カバー４５０は、放電部４０３を基準にＨ方向である図３の左右に対称に設けられる。図３及び図４では、見易さのため、左側の隙間４０及び入口４１にのみ符号を付している。図４に示す音響波６１ａについては、後述する。
　　２．２　動作
　次に、比較例のガスレーザ装置１００の動作について説明する。
　ガスレーザ装置１００がレーザ光を出射する前の状態で、光路管１４７ａ，１７１，３００の内部空間や、筐体１４５ａ，１６１の内部空間には、不図示のパージガス供給源からパージガスが充填される。また、チャンバ１３１の内部空間には、不図示のレーザガス供給源からレーザガスが供給される。レーザガスが供給されると、レーザプロセッサ１９０はモータ１４９ａを制御してクロスフローファン１４９を回転させる。クロスフローファン１４９の回転によって、レーザガスはチャンバ１３１の内部空間を循環する。このときレーザガスは、上流側のカソード側カバー４５０及びカバー部材５５１，５５３によってクロスフローファン１４９からカソード４００とアノード５００との間の放電空間に向かってガイドされる。また、レーザガスは、カソード４００とアノード５００との間の放電空間から熱交換器１５１に向かって下流側のカソード側カバー４５０及びカバー部材５５５によってガイドされる。
　ガスレーザ装置１００がレーザ光を出射する際には、レーザプロセッサ１９０は、露光プロセッサ２３０から目標エネルギーＥｔを示す信号及び発光トリガＴｒを示す信号を受信する。また、レーザプロセッサ１９０は、パルスパワーモジュール１４３のスイッチ１４３ａをＯＮする。これにより、パルスパワーモジュール１４３は、不図示の充電コンデンサに充電されている電気エネルギーからカソード４００とアノード５００との間及び内電極１３と外電極１５との間にパルス状の高電圧を印加する。内電極１３と外電極１５との間に高電圧が印加されると、誘電体パイプ１１及び端部１５ａの近傍にコロナ放電が生じ、紫外光が放射される。紫外光がカソード４００とアノード５００との間のレーザガスを照射すると、カソード４００とアノード５００との間のレーザガスが予備電離される。予備電離後において、カソード４００とアノード５００との間の電圧が絶縁破壊電圧に達すると、カソード４００とアノード５００との間の主放電が起こる。これにより、カソード４００とアノード５００との間のレーザガスに含まれるレーザ媒質からエキシマが生成されて、解離する際に光を放出する。この光がグレーティング１４５ｃと出力結合ミラー１４７との間を往復しチャンバ１３１の内部空間における放電空間を通過するたびに増幅されることにより、レーザ発振が起こる。そして、レーザ光の一部は、パルスレーザ光として出力結合ミラー１４７を透過して、ビームスプリッタ１６３に進行する。
　ビームスプリッタ１６３に進行したレーザ光のうちの一部は、ビームスプリッタ１６３で反射され、光センサ１６５で受光される。光センサ１６５は、受光したレーザ光のエネルギーＥを計測し、エネルギーＥを示す信号をレーザプロセッサ１９０に出力する。レーザプロセッサ１９０は、エネルギーＥと目標エネルギーＥｔとの差ΔＥが許容範囲になるように充電電圧を制御する。また、ビームスプリッタ１６３に進行したレーザ光のうちの別の一部は、ビームスプリッタ１６３を透過し及びシャッタ１７０を通過して、露光装置２００に進行する。
　２．３　課題
　比較例のガスレーザ装置１００では、カソード４００とアノード５００との間の主放電によって、カソード４００とアノード５００との間の放電空間に高温高圧の状態が極めて短時間に発生する。これにより図４にて実線の曲線で疑似的に示す音響波６１ａが放電空間に発生する。音響波６１ａは、チャンバ１３１内のレーザガスの粗密波であり、放電空間から広がりながらチャンバ１３１内を伝搬する。伝搬速度は、概ね５００ｍ／ｓである。
　図５及び図６は、図４と同様に、カソード４００の周辺のＶＨ断面図である。音響波６１ａは、図５に示すように隙間４０の入口４１から隙間４０を放電空間から離れるように伝搬することがある。また、隙間４０に伝搬した音響波６１ａは、図６に示すように隙間４０の周囲のカソード４００及びカソード側カバー４５０で反射し、実線の曲線で示す反射波６１ｂとして放電空間に戻ることがある。図５及び図６では、音響波６１ａ及び反射波６１ｂの進行方向を細線の矢印で示している。
　主放電が起こるタイミングで反射波６１ｂが放電空間に戻ると、反射波６１ｂが放電空間におけるレーザガスの密度分布を変化させ、主放電が不安定になり、ガスレーザ装置１００から出射するレーザ光のエネルギーの安定性が低下することがある。このように、反射波６１ｂは、レーザ光の性能に影響を及ぼすことがある。この影響は、レーザ光の繰り返し周波数が２ｋＨｚ以上で、大きくなる傾向にある。これにより、露光装置２００から要求される性能を満たすレーザ光が出射されず、ガスレーザ装置１００の信頼性が低下するという懸念が生じる。
　そこで、以下の実施形態では、信頼性の低下が抑制され得るガスレーザ装置１００のチャンバ１３１が例示される。
３．実施形態１のチャンバの説明
　次に、実施形態１のチャンバ１３１について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。また、一部の図面では、見易さのため、部材の一部を省略または簡略して記載している場合があり、同様の構成要素については一部にのみ参照符号が付され、一部参照符号が省略されている場合がある。
　３．１　構成
　図７は、本実施形態におけるカソード４００の周辺のＶＨ断面図である。本実施形態のチャンバ１３１では、ベース４０１の構成が比較例のベース４０１の構成と異なる。また、チャンバ１３１がカソード４００の上流側と下流側とのそれぞれの隙間４０に設けられるカソード側吸音部材４７０をさらに備える点が比較例のチャンバ１３１とは異なる。
　本実施形態のベース４０１は、第１ベース４０５及び第２ベース４０７を含む。第１ベース４０５のうちの電気絶縁部１３５とは反対側の面には、第２ベース４０７が設けられている。第２ベース４０７は、アノード５００に向かって第１ベース４０５から突出している。第１ベース４０５は第２ベース４０７よりもＨ方向における幅が広く、Ｈ方向における第２ベース４０７の左右のそれぞれには、第１ベース４０５において上記の反対側の面に含まれる面４０５ａが設けられている。第２ベース４０７のうちの第１ベース４０５とは反対側の面には、放電部４０３が設けられている。放電部４０３は、アノード５００に向かって第２ベース４０７から突出している。第２ベース４０７は放電部４０３よりもＨ方向における幅が広く、Ｈ方向における放電部４０３の左右のそれぞれには、第２ベース４０７において上記の反対側の面に含まれる面４０７ａが設けられている。面４０７ａは、入口４１に向かい合う。図７では、見易さのため、左側の面４０５ａ，４０７ａにのみ符号を付している。第１ベース４０５はカソード側カバー４５０の側面４５１の一部に当接し、第２ベース４０７は側面４５１に非当接である。つまり、カソード側カバー４５０は、ベース４０１の一部である第２ベース４０７と離間している。第１ベース４０５及び第２ベース４０７は、入口４１よりも電気絶縁部１３５側に配置されている。
　本実施形態のカソード側吸音部材４７０は、ベース４０１に、具体的には第１ベース４０５の面４０５ａに配置され、第１ベース４０５にねじ止めされている。このカソード側吸音部材４７０は、ベース４０１の一部である第２ベース４０７とカソード側カバー４５０の側面４５１との隙間４０に設けられ、第２ベース４０７の側面に当接し、突起部４５３及び隙間４０の入口４１の一部に向かい合う。また、カソード側吸音部材４７０は、カソード側カバー４５０の側面４５１にも当接するため、隙間４０のうちの放電空間から最も離れた位置にも配置されていると理解できる。本実施形態の隙間４０のうちの音響波６１ａが伝搬する領域は、入口４１、突起部４５３、側面４５１、面４０５ａ、第２ベース４０７の側面、面４０７ａ、及び放電部４０３の側面によって囲まれる空間である。このような隙間４０は、入口４１と、入口４１に連結しＶ方向よりもＨ方向に長い矩形形状の第１空間と、第１空間に連結し、第１空間よりも奥に位置し、Ｖ方向よりもＨ方向に長く第１空間よりもＨ方向に幅が狭い矩形形状の第２空間とからなる。カソード側吸音部材４７０は、Ｚ方向に沿って延在しており、カソード４００と概ね同じ長さであるが、カソード４００よりも短くてもよい。
　カソード側吸音部材４７０は、例えば、多孔質部材で構成される。カソード側吸音部材４７０の材料としては、例えば、ニッケル、銅、鉄、ステンレス、真鍮等といった金属が挙げられる。なお、カソード側吸音部材４７０は多孔質部材で構成されるのであれば電気絶縁体であってもよく、このようなカソード側吸音部材４７０の材料としては、例えば、アルミナセラミックスが挙げられる。
　３．２　作用・効果
　電圧がカソード４００及びアノード５００に印加され、カソード４００とアノード５００との間で主放電が発生すると、レーザガスから光が放出され、この光はウインドウ１３９ｂを透過してチャンバ１３１から出射する。本実施形態のチャンバ１３１においても、主放電によって、カソード４００とアノード５００との間の放電空間にて音響波６１ａが発生し、この音響波６１ａはベース４０１とカソード側カバー４５０との隙間４０に伝搬することがある。隙間４０に伝搬した音響波６１ａは、隙間４０に設けられるカソード側吸音部材４７０に吸収される。吸収された音響波６１ａは、カソード側吸音部材４７０の内部で反射を繰り返しながら伝搬して熱等のエネルギーに変換され、次第に減衰する。また、カソード側吸音部材４７０を通過した音響波６１ａは、カソード側吸音部材４７０の周囲のベース４０１とカソード側カバー４５０とで反射されてカソード側吸音部材４７０に再度吸収される。吸収された音響波６１ａは、上記のようにカソード側吸音部材４７０の内部で反射を繰り返しさらに減衰する。これにより、カソード側吸音部材４７０の内部で反射されて放電空間に戻ってくる音響波６１ａである反射波６１ｂの大きさが低減し、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、不安定な主放電が抑制され得る。図７では、見易さのため、反射波６１ｂの図示を省略している。また、カソード側カバー４５０がベース４０１を覆うことによって、主放電の際にベース４０１からの不要な放電が抑制され得る。これにより、ガスレーザ装置１００から出射するレーザ光のエネルギーの安定性の低下が抑制され得る。従って、露光装置２００から要求される性能を満たすレーザ光が出射され得、ガスレーザ装置１００の信頼性の低下が抑制され得る。
　また、本実施形態のチャンバ１３１では、カソード側吸音部材４７０は、隙間４０のうちのカソード４００とアノード５００との間の放電空間から最も離れた位置にも配置される。
　音響波６１ａは、カソード側吸音部材４７０に吸収されながら放電空間から最も離れた位置に伝搬するため減衰する傾向にある。従って、この構成によれば、放電空間から最も離れた位置に伝搬する音響波６１ａ及びカソード側吸音部材４７０から放電空間に戻る反射波６１ｂが減衰し得る。これにより、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、不安定な主放電が抑制され得る。
　本実施形態のカソード側吸音部材４７０は、第１ベース４０５の面４０５ａに配置されているが、面４０５ａと第２ベース４０７の面４０７ａとの少なくとも一方に配置されてもよいし、隙間４０全体を埋めるように配置されてもよい。また、カソード側吸音部材４７０は、カソード４００の上流側と下流側とのそれぞれの隙間４０に配置されているが、それぞれの隙間４０の少なくとも一方に配置されてもよい。あるいは、第１ベース４０５や第２ベース４０７といったカソード４００の全周を囲うように配置されてもよい。
　また、カソード側吸音部材４７０の配置位置は、上記に限定される必要はなく、他の例について変形例を用いて説明する。
　図８は、本実施形態の変形例１におけるカソード４００の周辺のＶＨ断面図である。本変形例のチャンバ１３１では、カソード側吸音部材４７０がカソード側カバー４５０の側面４５１と離間している点が本実施形態とは異なる。本変形例の隙間４０のうちの音響波６１ａが伝搬する領域は、入口４１、突起部４５３、側面４５１、カソード側カバー４５０のうちの突起部４５３に向かい合う面４５５、面４０５ａ、第２ベース４０７の側面、面４０７ａ、及び放電部４０３の側面によって囲まれる空間である。このような隙間４０は、入口４１と、入口４１に連結しＶ方向よりもＨ方向に長い矩形形状の第１空間と、第１空間に連結し、第１空間よりも奥に位置し、Ｈ方向よりもＶ方向に長く第１空間よりもＨ方向に幅が狭い矩形形状の第２空間とからなり、クランク形状である。
　図９は、本実施形態の変形例２におけるカソード４００の周辺のＶＨ断面図である。本変形例のベース４０１は、比較例のベース４０１と同じ構成である。本変形例のチャンバ１３１では、カソード側吸音部材４７０がカソード側カバー４５０に配置されている点が本実施形態とは異なる。具体的には、カソード側吸音部材４７０は、突起部４５３のうちのベース４０１の面４０１ａ側の面に配置されている。つまり、カソード側吸音部材４７０は、ベース４０１の一部である面４０１ａとカソード側カバー４５０の突起部４５３との隙間に設けられている。カソード側吸音部材４７０は、突起部４５３にねじ止めされ、カソード側カバー４５０の側面４５１に当接し、面４０１ａに離間して向かい合う。
　図１０は、本実施形態の変形例３におけるカソード４００の周辺のＶＨ断面図である。本変形例のチャンバ１３１では、カソード側吸音部材４７０がカソード側カバー４５０の側面４５１に配置されている点が変形例２とは異なる。カソード側吸音部材４７０は、側面４５１にねじ止めされている。カソード側吸音部材４７０は、ベース４０１の側面と離間し、カソード側カバー４５０の面４５５の一部及び突起部４５３の一部に当接している。カソード側吸音部材４７０は、側面４５１と面４５５とのなす角にも当接するため、隙間４０のうちの放電空間から最も離れた位置に配置されていると理解できる。本変形例の隙間４０のうちの音響波６１ａが伝搬する領域は、隙間４０の入口４１、突起部４５３、側面４５１、面４５５、ベース４０１の側面、ベース４０１の面４０１ａ、及び放電部４０３の側面によって囲まれる空間である。このような隙間４０は、変形例１と同様に、入口４１と、第１空間と、第２空間とからなり、クランク形状である。なお、カソード側カバー４５０の側面４５１は、ベース４０１の側面の一部と離間し、ベース４０１の側面の別の一部と当接している。
　変形例１，２，３のいずれにおいても、隙間４０に伝搬した音響波６１ａは、カソード側吸音部材４７０に吸収される。従って、反射波６１ｂの大きさが低減し、ガスレーザ装置１００から出射するレーザ光のエネルギーの安定性の低下が抑制され得る。
　図１１は、本実施形態の変形例４におけるカソード４００の周辺のＶＨ断面図である。本変形例のチャンバ１３１では、ベース４０１が本実施形態のベース４０１と同じように第１ベース４０５及び第２ベース４０７を含み、変形例１～３が組み合わさるとともに、第２ベース４０７の面４０７ａにもカソード側吸音部材４７０が配置される構成である。つまり、本変形例のチャンバ１３１では、カソード側吸音部材４７０は、面４０５ａ、面４０７ａ、突起部４５３、側面４５１のそれぞれに配置されている。面４０７ａに配置されるカソード側吸音部材４７０は、Ｈ方向に延在しており、面４０５ａに配置されるカソード側吸音部材４７０にも配置される。突起部４５３に配置されるカソード側吸音部材４７０は、第２ベース４０７の面４０７ａに配置されるカソード側吸音部材４７０と向かい合うとともに離間する。カソード側カバー４５０の側面４５１に配置されるカソード側吸音部材４７０は、第１ベース４０５の面４０５ａ及び第２ベース４０７の面４０７ａのそれぞれに配置されるカソード側吸音部材４７０と向かい合うとともに離間する。
　この構成によれば、カソード側吸音部材４７０がベース４０１及びカソード側カバー４５０のいずれかのみに配置される場合に比べて、音響波６１ａは、カソード側吸音部材４７０により吸収され、より減衰し得る。従って、反射波６１ｂの大きさがより低減し、ガスレーザ装置１００から出射するレーザ光のエネルギーの安定性の低下がより抑制され得る。
４．実施形態２のチャンバの説明
　次に、実施形態２のチャンバ１３１について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。また、一部の図面では、見易さのため、部材の一部を省略または簡略して記載している場合があり、同様の構成要素については一部にのみ参照符号が付され、一部参照符号が省略されている場合がある。
　４．１　構成
　図１２は、本実施形態におけるカソード４００及びカソード側吸音部材４７０をＨ方向に沿って上流側から視る側面図である。図１３は図１２に示すＡ－Ａ線におけるカソード４００の周辺の断面図、図１４は図１２に示すＢ－Ｂ線におけるカソード４００の周辺の断面図、図１５は図１２に示すＣ－Ｃ線におけるカソード４００の周辺の断面図である。
　本実施形態のカソード側吸音部材４７０は、実施形態１の変形例１のように、第１ベース４０５の面４０５ａに配置され、カソード側カバー４５０の側面４５１と離間している。しかし、本実施形態のチャンバ１３１では、面４０５ａ、隙間４０に接するカソード側カバー４５０の面４５５、及びカソード側吸音部材４７０の構成が、実施形態１の変形例１とは異なる。
　第１ベース４０５の面４０５ａ及びカソード側カバー４５０の面４５５は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かってアノード５００や突起部４５３から離れるように徐々に傾斜している。Ｚ方向における一方側はモニタモジュール１６０側に、他方側は狭帯域化モジュール１４５側に位置する。従って、隙間４０のうちの第２ベース４０７の側面とカソード側カバー４５０の側面４５１との間の領域は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かってＶ方向に徐々に深くなる。
　カソード側吸音部材４７０は、上記のように傾斜する面４０５ａに配置されている。本実施形態のカソード側吸音部材４７０では、Ｖ方向におけるカソード側吸音部材４７０の高さはＺ方向における一方側から他方側に向かって徐々に増加している。また、カソード側吸音部材４７０のうちの突起部４５３に向かい合う面は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かって同じ高さ位置に位置し、第２ベース４０７の面４０７ａと同じ高さ位置に位置する。従って、第２ベース４０７の側面は、カソード側吸音部材４７０によって覆われている。
　４．２　作用・効果
　本実施形態のチャンバ１３１では、カソード側カバー４５０における隙間４０に接する面４５５は、アノード５００からカソード４００に向かうＶ方向に垂直で、所定方向であるＺ方向に延在し、Ｚ方向における一方側から他方側に向かってアノード５００から離れるように傾斜している。
　この構成によれば、面４５５のうちのＺ方向における他方側から放電空間までの距離は面４５５のうちのＺ方向における一方側から放電空間までの距離よりも長くなる。これにより、隙間４０に伝搬した音響波６１ａが面４５５で反射する際に、面４５５のうちのＺ方向における他方側から放電空間に戻る反射波６１ｂと面４５５のうちのＺ方向における一方側から放電空間に戻る反射波６１ｂとで位相がずれる。位相がずれると、位相がずれない場合に比べて、反射波６１ｂが一斉に放電空間に戻ることが抑制され得る。従って、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、不安定な主放電が抑制され得る。
　また、本実施形態のカソード側吸音部材４７０は、Ｚ方向に延在し、ベース４０１に配置される。アノード５００からカソード４００に向かうＶ方向におけるカソード側吸音部材４７０の高さは、Ｚ方向における一方側から他方側に向かって増加している。
　この構成によれば、カソード側吸音部材４７０に吸収された音響波６１ａは、Ｚ方向における一方側よりも他方側でカソード側吸音部材４７０の内部で反射を多く繰り返して減衰する。従って、Ｚ方向における他方側から放電空間に戻る反射波６１ｂはＺ方向における一方側から放電空間に戻る反射波６１ｂよりも低減し、低減しない場合に比べ、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、不安定な主放電が抑制され得る。
　本実施形態のチャンバ１３１では、実施形態１の変形例１を用いて説明したが、これに限定される必要はなく、実施形態１や実施形態１の他の変形例に用いられてもよい。すなわち、カソード側吸音部材４７０は、アノード５００からカソード４００に向かうＶ方向に垂直な面に配置されればよい。この面としては、例えば、実施形態１の面４０５ａ、変形例２における突起部４５３のうちのベース４０１の面４０１ａ側の面、変形例３におけるカソード側カバー４５０の面４５５が挙げられる。これらの面は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かってアノード５００から離れるように傾斜していればよい。
　本実施形態のチャンバ１３１では、Ｚ方向における一方側をモニタモジュール１６０側に、他方側を狭帯域化モジュール１４５側として説明しているが、逆であってもよい。つまり、Ｚ方向における一方側を狭帯域化モジュール１４５側に、他方側をモニタモジュール１６０側としてもよい。
　また、カソード側吸音部材４７０は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かってＶ方向に徐々に高くなる必要はない。カソード側吸音部材４７０は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かって階段状に高くなってもよい。
５．実施形態３のチャンバの説明
　次に、実施形態３のチャンバ１３１について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。また、一部の図面では、見易さのため、部材の一部を省略または簡略して記載している場合があり、同様の構成要素については一部にのみ参照符号が付され、一部参照符号が省略されている場合がある。
　なお、実施形態３以降の各実施形態及びその変形例のチャンバ１３１では主にアノード５００側の構成を説明するが、カソード４００側の構成は実施形態１，２及びその変形例のいずれかのカソード４００側の構成のであればよい。
　５．１　構成
　図１６は、本実施形態におけるアノード５００の周辺のＶＨ断面図である。本実施形態のチャンバ１３１では、アノード５００がＺ方向に延在するベース５０１及び放電部５０３を含み、アノード側カバー５５０がアノード５００の側方でアノード５００と離間してアノード５００を覆う点が実施形態１とは異なる。
　ベース５０１はグランドプレート１３７に固定され、放電部５０３はベース５０１からカソード４００の放電部４０３に向かって突出している。カソード４００とは異なり、ベース５０１は放電部５０３よりもＨ方向における幅が狭く、ベース５０１の側面は放電部５０３の側面よりも内側に設けられている。
　アノード側カバー５５０では、カバー部材５５３及びカバー部材５５５がアノード５００と離間しているため、アノード５００とカバー部材５５３との間と、アノード５００とカバー部材５５５との間とのそれぞれに隙間５０が設けられている。
　また、本実施形態のチャンバ１３１では、チャンバ１３１がアノード側カバー５５０とアノード５００との隙間５０に設けられるアノード側吸音部材５７０をさらに備える点が実施形態１とは異なる。アノード側吸音部材５７０は、カバー部材５５３及びカバー部材５５５のそれぞれのうちのアノード５００に向かい合う側面に配置され、側面にねじ止めされている。また、アノード側吸音部材５７０は、アノード５００のベース５０１の上流側の側面及び下流側の側面のそれぞれに配置されており、ベース５０１のそれぞれの側面にねじ止めされている。従って、４つのアノード側吸音部材５７０がアノード側カバー５５０及びアノード５００のそれぞれに配置される。カバー部材５５３とベース５０１の上流側の側面とのそれぞれに配置されるアノード側吸音部材５７０は互いに向かい合い、ベース５０１の下流側の側面とカバー部材５５５とのそれぞれに配置されるアノード側吸音部材５７０は互いに向かい合う。アノード側吸音部材５７０は、Ｚ方向に沿って延在しており、アノード５００と概ね同じ長さであるが、アノード５００よりも短くてもよい。アノード側吸音部材５７０の構成及び材料は、カソード側吸音部材４７０の構成及び材料と同じである。
　５．２　作用・効果
　音響波６１ａは、カソード４００とアノード５００との放電空間からアノード５００とアノード側カバー５５０との隙間５０にも伝搬する。この構成では、この隙間５０にもアノード側吸音部材５７０が配置されるため、隙間５０に伝搬した音響波６１ａは隙間５０に設けられるアノード側吸音部材５７０に吸収されて次第に減衰し得る。従って、アノード側吸音部材５７０の内部で反射されて放電空間に戻ってくる反射波６１ｂの大きさが低減し、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、主放電が不安定になることが抑制され得る。これにより、ガスレーザ装置１００から出射するレーザ光のエネルギーの安定性の低下が抑制され得る。図１６では、見易さのため、反射波６１ｂの図示を省略している。
　また、本実施形態のチャンバ１３１では、アノード側吸音部材５７０は、アノード側カバー５５０及びアノード５００のそれぞれに配置される。
　この構成によれば、アノード側吸音部材５７０がアノード５００及びアノード側カバー５５０のいずれかのみに配置される場合に比べて、音響波６１ａは、アノード側吸音部材５７０により吸収され、より減衰し得る。従って、反射波６１ｂの大きさがより低減し、ガスレーザ装置１００から出射するレーザ光のエネルギーの安定性の低下がより抑制され得る。
　本実施形態のチャンバ１３１では、アノード側吸音部材５７０は、アノード側カバー５５０及びアノード５００のそれぞれに配置されるが、アノード側カバー５５０またはアノード５００に配置されていてもよい。また、ベース５０１の側面は放電部５０３の側面よりも内側に設けられておらず同じ平面に設けられ、つまりアノード５００は比較例のアノード５００と同じ構成あってもよく、アノード側吸音部材５７０はこのアノード５００の側面に配置されてもよい。
６．実施形態４のチャンバの説明
　次に、実施形態４のチャンバ１３１について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。また、一部の図面では、見易さのため、部材の一部を省略または簡略して記載している場合があり、同様の構成要素については一部にのみ参照符号が付され、一部参照符号が省略されている場合がある。
　６．１　構成
　図１７は、本実施形態におけるアノード５００の周辺のＶＨ断面図である。本実施形態のチャンバ１３１では、グランドプレート１３７に溝１３７ｂが設けられ、アノード側吸音部材５７０が溝１３７ｂに配置されている点が実施形態１とは異なる。
　溝１３７ｂは、アノード５００の上流側の側方、具体的には、カバー部材５５１とカバー部材５５３との間、且つ誘電体パイプ１１及び外電極１５の下方に設けられている。溝１３７ｂはＺ方向に延在しており、Ｖ方向における溝１３７ｂの深さはＺ方向において一定である。
　上記の溝１３７ｂに配置されるアノード側吸音部材５７０のＶ方向における高さはＺ方向において一定であり、アノード側吸音部材５７０は誘電体パイプ１１及び外電極１５に向かい合う。アノード側吸音部材５７０はグランドプレート１３７の主面から突出せず、アノード側吸音部材５７０のうちの誘電体パイプ１１及び外電極１５に向かい合う面５７０ａはグランドプレート１３７の主面と同じ高さ位置に位置する。
　図１８は、本実施形態の予備電離電極１０の外電極１５の斜視図である。外電極１５は、Ｚ方向である誘電体パイプ１１の長手方向に沿って延在し誘電体パイプ１１の外周面に接触する端部１５ａ、及び、端部１５ａに一端が接続され端部１５ａの長手方向に沿って並設される複数のバー部材１５ｂから成るラダー部１５ｃを含む。複数のバー部材１５ｂの間の隙間１５ｅによって、外電極１５は放電空間とアノード側吸音部材５７０との間を仕切るものではなく、図１７に示すように音響波６１ａは放電空間から隙間１５ｅを経由してアノード側吸音部材５７０に伝搬する。
　６．２　作用・効果
　音響波６１ａは、カソード４００とアノード５００との放電空間から複数のバー部材１５ｂの間の隙間１５ｅを介してグランドプレート１３７にも伝搬する。この構成では、グランドプレート１３７の溝１３７ｂにアノード側吸音部材５７０が配置されるため、音響波６１ａはアノード側吸音部材５７０に吸収され得る。従って、アノード側吸音部材５７０や溝１３７ｂから放電空間に戻ってくる反射波６１ｂの大きさが低減し、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、主放電が不安定になることが抑制され得る。これにより、ガスレーザ装置１００から出射するレーザ光のエネルギーの安定性の低下が抑制され得る。また、アノード側吸音部材５７０が溝１３７ｂに配置されるため、アノード側吸音部材５７０がグランドプレート１３７の主面に配置される場合に比べて、チャンバ１３１内におけるレーザガスの流れをアノード側吸音部材５７０が阻害することが抑制され得る。
　なお、溝１３７ｂやアノード側吸音部材５７０の構成は、上記に限定される必要はなく、他の例について変形例を用いて説明する。
　図１９は、本実施形態の変形例１の溝１３７ｂにおけるＶＺ断面図である。図１９では、見易さのため、グランドプレート１３７、溝１３７ｂ、及びアノード側吸音部材５７０以外の図示を省略している。図２０は図１９に示すＥ－Ｅ線における溝１３７ｂの周辺の断面図、図２１は図１９に示すＦ－Ｆ線における溝１３７ｂの周辺の断面図である。なお、図１９に示すＤ－Ｄ線における溝１３７ｂの周辺の断面図は、図１７と同じである。
　本変形例の溝１３７ｂでは、Ｚ方向に直交するグランドプレート１３７の主面に垂直なＶ方向における溝１３７ｂの深さがＺ方向における一方側から他方側に向かって徐々に増加している点が実施形態とは異なる。従って、溝１３７ｂの底面は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かって傾斜している。Ｚ方向における一方側はモニタモジュール１６０側に、他方側は狭帯域化モジュール１４５側に位置する。
　また、本変形例のアノード側吸音部材５７０は上記のように傾斜する溝１３７ｂの底面に配置されており、Ｖ方向におけるアノード側吸音部材５７０の高さは実施形態４と同様にＺ方向における一方側から他方側に向かって一定である。従って、Ｄ－Ｄ線における位置では、実施形態４と同様に、アノード側吸音部材５７０はグランドプレート１３７の主面から突出せず、アノード側吸音部材５７０の面５７０ａはグランドプレート１３７の主面と同じ高さ位置に位置する。また、面５７０ａは、Ｅ－Ｅ線における位置ではグランドプレート１３７の主面よりも低い位置に位置し、Ｆ－Ｆ線における位置ではグランドプレート１３７の主面よりもさらに低い位置に位置する。
　本変形例の溝１３７ｂでは、所定方向であるＺ方向に直交するグランドプレート１３７の主面に垂直なＶ方向における溝１３７ｂの深さは、所定方向における一方側から他方側に向かって増加している。
　この構成によれば、溝１３７ｂの底面のうちの所定方向における他方側から放電空間までの距離は底面のうちの所定方向における一方側から放電空間までの距離よりも長くなる。これにより、底面のうちの所定方向における他方側から放電空間に戻る反射波６１ｂと底面のうちの所定方向における一方側から放電空間に戻る反射波６１ｂとで位相がずれる。位相がずれると、位相がずれない場合に比べて、反射波６１ｂが一斉に放電空間に戻ることが抑制され得る。従って、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、不安定な主放電が抑制され得る。
　図２２は、本実施形態の変形例２の溝１３７ｂにおけるＶＺ断面図である。図２２では、見易さのため、グランドプレート１３７、溝１３７ｂ、及びアノード側吸音部材５７０以外の図示を省略している。
　本変形例のアノード側吸音部材５７０では、Ｖ方向におけるアノード側吸音部材５７０の高さがＺ方向における一方側から他方側に向かって徐々に増加している点が変形例１とは異なる。アノード側吸音部材５７０の面５７０ａは、Ｚ方向における一方側から他方側に向かって同じ高さ位置に位置し、グランドプレート１３７の主面と同じ高さ位置に位置する。
　この構成によれば、アノード側吸音部材５７０に吸収された音響波６１ａは、Ｚ方向における一方側よりも他方側でアノード側吸音部材５７０の内部で反射を多く繰り返して減衰する。従って、所定方向における他方側から放電空間に戻る反射波６１ｂは所定方向における一方側から放電空間に戻る反射波６１ｂよりも低減し、低減しない場合に比べ、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、不安定な主放電が抑制され得る。
　本実施形態の各変形例のチャンバ１３１では、Ｚ方向における一方側をモニタモジュール１６０側に、他方側を狭帯域化モジュール１４５側として説明しているが、逆であってもよい。
　また、変形例２では、アノード側吸音部材５７０は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かってＶ方向に徐々に高くなる必要はない。アノード側吸音部材５７０は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かって階段状に高くなってもよい。また、本実施形態及び各変形例のアノード側吸音部材５７０は、グランドプレート１３７の溝１３７ｂに配置されずに、グランドプレート１３７の主面に配置されてもよい。
７．実施形態５のチャンバの説明
　次に、実施形態５のチャンバ１３１について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。また、一部の図面では、見易さのため、部材の一部を省略または簡略して記載している場合があり、同様の構成要素については一部にのみ参照符号が付され、一部参照符号が省略されている場合がある。
　７．１　構成
　図２３は、本実施形態におけるアノード５００の周辺の上面図である。本実施形態のチャンバ１３１では、音響波６１ａによるレーザ光の性能への影響を抑制するために、Ｖ方向に沿って視る場合、誘電体パイプ１１及び外電極１５のそれぞれの長手方向が後述する仮想軸７０に対して傾いている点が、実施形態１とは異なる。図２３では、この傾きの理解を促進するために、一例として仮想軸７０に対して傾く誘電体パイプ１１の中心軸１１ａを図示している。仮想軸７０は、カソード４００とアノード５００との間においてＺ方向に延在する軸である。また、仮想軸７０は、カソード４００とアノード５００との中間に位置し、Ｖ方向に沿って視る場合にアノード５００の中心軸に重なる。上記の傾きによって、仮想軸７０から誘電体パイプ１１までの距離は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かって短くなる。Ｚ方向における一方側はモニタモジュール１６０側に、他方側は狭帯域化モジュール１４５側に位置する。上記において、誘電体パイプ１１を用いて説明したが、内電極１３、外電極１５、端部１５ａ、カバー部材５５１のうちの誘電体パイプ１１が接触する部位、及びカバー部材５５３についても同じである。
　７．２　作用・効果
　上記のように距離が短くなることによって、誘電体パイプ１１からの反射波６１ｂにおいて、誘電体パイプ１１から放電空間に戻る反射波６１ｂの伝搬路の長さが、所定方向における位置によって変わる。このため、放電空間に戻る反射波６１ｂの位相がずれ、位相がずれない場合に比べて、反射波６１ｂが一斉に放電空間に戻ることが抑制され得る。従って、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、不安定な主放電が抑制され得る。
　なお、本実施形態のグランドプレート１３７には、実施形態４及びその変形例で説明した溝１３７ｂやアノード側吸音部材５７０が設けられていてもよい。
　次に、本実施形態の変形例について説明する。図２４は、本変形例におけるアノード５００の周辺の上面図である。本変形例の誘電体パイプ１１、外電極１５、カバー部材５５１のうちの誘電体パイプ１１が接触する部位、及びカバー部材５５３のそれぞれの長手方向は、実施形態５と同様に、仮想軸７０に対して傾いている。本変形例のグランドプレート１３７には、実施形態４で説明した溝１３７ｂ及びアノード側吸音部材５７０が設けられている。本変形例の溝１３７ｂ及びアノード側吸音部材５７０については、後述する。
　図２５は図２４に示すＧ－Ｇ線における溝１３７ｂの周辺の断面図、図２６は図２４に示すＨ－Ｈ線における溝１３７ｂの周辺の断面図、図２７は図２４に示すＩ－Ｉ線における溝１３７ｂの周辺の断面図である。
　本変形例の溝１３７ｂ及びアノード側吸音部材５７０では、溝１３７ｂ及びアノード側吸音部材５７０のそれぞれの長手方向が誘電体パイプ１１と同様に仮想軸７０に対して傾いている点が実施形態４とは異なる。従って、アノード側吸音部材５７０及び溝１３７ｂは誘電体パイプ１１に沿っており、仮想軸７０からアノード側吸音部材５７０までの距離は、Ｚ方向における一方側から他方側に向かって短くなる。図２４では、アノード側吸音部材５７０のうちの誘電体パイプ１１に重なる部分を破線で示している。図２６では、図２５との比較のため、図２５に示す誘電体パイプ１１、内電極１３、及びアノード側吸音部材５７０を破線で示している。また、図２７では、図２６との比較のため、図２６に示す誘電体パイプ１１、内電極１３、及びアノード側吸音部材５７０を破線で示している。図２５、図２６、及び図２７をそれぞれ比較すると、誘電体パイプ１１、内電極１３、及びアノード側吸音部材５７０のそれぞれがＺ方向における一方側から他方側に向かって仮想軸７０に近づくこと理解できる。
　この構成によれば、アノード側吸音部材５７０からの反射波６１ｂにおいて、アノード側吸音部材５７０から放電空間に戻る反射波６１ｂの伝搬路の長さが、所定方向における位置によって変わる。このため、放電空間に戻る反射波６１ｂの位相がずれ、位相がずれない場合に比べて、反射波６１ｂが一斉に放電空間に戻ることが抑制され得る。従って、反射波６１ｂによる放電空間におけるレーザガスの密度分布の変化が抑制され得、不安定な主放電が抑制され得る。
　本変形例のチャンバ１３１では、実施形態４で説明したＶ方向における深さがＺ方向において一定の溝１３７ｂ及びＶ方向における高さがＺ方向において一定のアノード側吸音部材５７０を用いて説明した。しかし、本変形例の溝１３７ｂ及びアノード側吸音部材５７０は、上記のように仮想軸７０に対して傾いていればよく、実施形態４の変形例１，２で説明した溝１３７ｂやアノード側吸音部材５７０が用いられてもよい。また、本変形例のアノード側吸音部材５７０は、グランドプレート１３７の溝１３７ｂに配置されずに、グランドプレート１３７の主面に配置されてもよい。また、本変形例の予備電離電極１０は、本実施形態のように仮想軸７０に対して傾いていなくてもよい。また、本実施形態及び本変形例のチャンバ１３１では、Ｚ方向における一方側をモニタモジュール１６０側に、他方側を狭帯域化モジュール１４５側として説明しているが、逆であってもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。本明細書及び請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　レーザガスを内部空間に封入するガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記内部空間に配置され、長手方向が所定方向に沿うアノードと、
    　前記内部空間に配置され、ベース及び前記アノードに向かって前記ベースから突出する放電部を含み、長手方向が前記所定方向に沿って、前記アノードと離間して対向するカソードと、
    　前記内部空間に配置され、前記ベースの一部及び前記放電部と離間し、前記ベースを覆うカソード側カバーと、
    　前記ベースの一部と前記カソード側カバーとの隙間に設けられるカソード側吸音部材と、
    を備える
    ガスレーザ装置のチャンバ。
  2. 　請求項１に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記カソード側吸音部材は、前記ベースに配置される。
  3. 　請求項１に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記カソード側吸音部材は、前記カソード側カバーに配置される。
  4. 　請求項１に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記カソード側吸音部材は、前記ベース及び前記カソード側カバーのそれぞれに配置される。
  5. 　請求項４に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記ベースに配置される前記カソード側吸音部材は、前記カソード側カバーに配置される前記カソード側吸音部材に向かい合う。
  6. 　請求項１に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記カソード側吸音部材は、前記隙間のうちの前記カソードと前記アノードとの間の放電空間から最も離れた位置にも配置される。
  7. 　請求項１に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記カソード側カバーにおける前記隙間に接する面は、前記アノードから前記カソードに向かう方向に垂直で、前記所定方向に延在し、前記所定方向における一方側から他方側に向かって前記アノードから離れるように傾斜している。
  8. 　請求項７に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記カソード側吸音部材は、前記所定方向に延在し、前記ベースに配置され、
    　前記アノードから前記カソードに向かう方向における前記カソード側吸音部材の高さは、前記所定方向における一方側から他方側に向かって増加している。
  9. 　請求項１に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記内部空間に配置され、前記アノードが配置されるグランドプレートと、
    　前記グランドプレートに配置され、前記アノードの側方で前記アノードと離間して前記アノードを覆うアノード側カバーと、
    　前記アノード側カバーと前記アノードとの隙間に設けられるアノード側吸音部材と、
    をさらに備える。
  10. 　請求項９に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記アノード側吸音部材は、前記アノード側カバーに配置される。
  11. 　請求項９に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記アノード側吸音部材は、前記アノードに配置される。
  12. 　請求項９に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記アノード側吸音部材は、前記アノード側カバー及び前記アノードのそれぞれに配置される。
  13. 　請求項１に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記内部空間に配置され、前記アノードが配置されるグランドプレートと、
    　前記グランドプレートに配置され、前記アノードの側方に設けられる溝に配置されるアノード側吸音部材と、
    をさらに備える。
  14. 　請求項１３に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記溝は、前記所定方向に延在し、
    　前記所定方向に直交する前記グランドプレートの主面に垂直な方向における前記溝の深さは、前記所定方向における一方側から他方側に向かって増加している。
  15. 　請求項１４に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記アノード側吸音部材は、前記所定方向に延在し、
    　前記垂直な方向における前記アノード側吸音部材の高さは、前記所定方向における一方側から他方側に向かって一定である。
  16. 　請求項１４に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記アノード側吸音部材は、前記所定方向に延在し、
    　前記垂直な方向における前記アノード側吸音部材の高さは、前記所定方向における一方側から他方側に向かって増加している。
  17. 　請求項１に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記アノードの側方に設けられる予備電離電極をさらに備え、
    　前記予備電離電極は、誘電体パイプ、前記誘電体パイプの内部に配置され前記誘電体パイプの長手方向に沿って延在する予備電離内電極、及び前記誘電体パイプの長手方向に沿って延在し、前記誘電体パイプに対向する端部を含む予備電離外電極を備え、
    　前記カソード及び前記アノードの間で前記所定方向に沿って延在する仮想軸から前記誘電体パイプまでの距離は、前記所定方向における一方側から他方側に向かって短くなる。
  18. 　請求項１７に記載のガスレーザ装置のチャンバであって、
    　前記内部空間に配置され、前記アノードが配置されるグランドプレートと、
    　前記グランドプレートのうちの前記アノードの前記側方に配置されるアノード側吸音部材と、
    　をさらに備え、
    　前記仮想軸から前記アノード側吸音部材までの距離は、前記所定方向における一方側から他方側に向かって短くなる。
  19. 　レーザガスを内部空間に封入するチャンバを備えるガスレーザ装置であって、
    前記チャンバは、
    　前記内部空間に配置され、長手方向が所定方向に沿うアノードと、
    　前記内部空間に配置され、ベース及び前記アノードに向かって前記ベースから突出する放電部を含み、長手方向が前記所定方向に沿って、前記アノードと離間して対向するカソードと、
    　前記内部空間に配置され、前記ベースの一部及び前記放電部と離間し、前記ベースを覆うカソード側カバーと、
    　前記ベースの一部と前記カソード側カバーとの隙間に設けられるカソード側吸音部材と、
    を備える
    ガスレーザ装置。
  20. 　レーザガスを内部空間に封入するチャンバであって、
    　前記内部空間に配置され、長手方向が所定方向に沿うアノードと、
    　前記内部空間に配置され、ベース及び前記アノードに向かって前記ベースから突出する放電部を含み、長手方向が前記所定方向に沿って、前記アノードと離間して対向するカソードと、
    　前記内部空間に配置され、前記ベースの一部及び前記放電部と離間し、前記ベースを覆うカソード側カバーと、
    　前記ベースの一部と前記カソード側カバーとの隙間に設けられるカソード側吸音部材と、
    を備えるチャンバを備えるガスレーザ装置によってレーザ光を生成し、
    　前記レーザ光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記レーザ光を露光すること
    　を含む電子デバイスの製造方法。
     

     
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