WO2023218524A1 - 発光素子および表示装置 - Google Patents

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light emitting
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真伸 水崎
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting element and a display device.
  • Patent Document 1 discloses an organic EL element using a microcavity method.
  • a light emitting element using a microcavity method has a problem of poor viewing angle characteristics.
  • a light-emitting element includes a light-reflecting layer, a first electrode disposed above the light-reflecting layer, a second electrode disposed above the first electrode, and a second electrode disposed above the first electrode. and a light-emitting layer disposed between the second electrodes, and an optical functional layer disposed between the light-reflecting layer and the first electrode and having a light reflectance smaller than that of the light-reflecting layer and larger than that of the first electrode.
  • the configuration includes the following.
  • viewing angle characteristics of a light emitting element can be improved.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of a light emitting element according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of a light emitting element according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of a light emitting element of a comparative example. The wavelength-intensity characteristics of light emitted to the outside from the light emitting element of the comparative example shown in FIG. The wavelength-intensity characteristics of emitted light are shown.
  • 3 shows wavelength-intensity characteristics of light emitted from the light emitting element shown in FIG. 2 to the outside in parallel to the normal line of the second electrode.
  • FIG. 3 shows wavelength-intensity characteristics of light emitted from the light emitting element shown in FIG. 2 to the outside in a direction forming an acute angle with respect to the normal to the second electrode.
  • 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of a light emitting element according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of a light emitting element according to an embodiment of the present disclosure.
  • 8 is a schematic diagram showing an example of a schematic configuration of the light reflector shown in FIG. 7.
  • FIG. The angle-intensity characteristics of light optically interfered by each of the cavities according to an embodiment of the present disclosure and the angle-intensity characteristics of light that is the sum of those lights are shown.
  • 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of a light emitting element according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of a light emitting element according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration example of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a light emitting element 2 according to this embodiment.
  • the light emitting element 2 includes a light reflective layer Rf, a first electrode Ed1 disposed above the light reflective layer Rf, a second electrode Ed2 disposed above the first electrode Ed1,
  • the light emitting layer Em1 is disposed between the first electrode Ed1 and the second electrode Ed2, and the first electrode Ed1 is disposed between the light reflection layer Rf and the first electrode Ed1, and the light reflectance is smaller than that of the light reflection layer Rf.
  • the optical functional layer PF is larger than the optical function layer PF.
  • the light L1 in the front direction is adjusted according to the distance between the upper surfaces of the light-emitting layer Em1 and the light-reflecting layer Rf.
  • a plurality of optical path lengths are formed, including an optical path length Ka and an optical path length Kb depending on the distance between the upper surfaces of the light emitting layer Em1 and the optical functional layer PF. Therefore, the resonance condition for the optical path length of the light L2 in the oblique direction approaches the resonance condition for any of the plurality of optical path lengths of the light in the front direction, and the viewing angle characteristics are enhanced (when viewed from the front direction). (reduces color shift when viewed from an angle).
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the light emitting element 2 according to this embodiment.
  • the light emitting element 2 includes a light reflection layer Rf, an optical function layer PF, a first electrode Ed1, a charge function layer CF1, a light emitting layer Em1, a charge function layer CF2, and a second electrode Ed2 in this order.
  • the light-reflecting layer Rf contains a light-reflecting substance.
  • the light reflective layer Rf may contain, for example, a reflective metal such as silver (Ag), aluminum (Al), and magnesium (Mg), and may also contain a reflective inorganic oxide such as titanium oxide (TiO). It is preferable that the light reflecting layer Rf has electrical conductivity.
  • the first electrode Ed1 is a transparent electrode.
  • the transparent electrode may include, for example, a conductive transparent material such as indium tin oxide (InSnO), indium gallium zinc oxide (InGaZnO), and indium zinc oxide (InZnO).
  • the second electrode Ed2 is a semi-transparent electrode.
  • the translucent electrode may be composed of a metal thin film containing, for example, silver (Ag) and magnesium (Mg). Either one of the first electrode Ed1 and the second electrode Ed2 works as an anode, and the other works as a cathode.
  • the light emitting layer Em1 may be an organic light emitting layer containing an organic material that emits fluorescence or phosphorescence, or a quantum dot light emitting layer containing quantum dots that emit fluorescence or phosphorescence.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of a light emitting element 102 of a comparative example.
  • the light emitting element 102 of the comparative example includes a light reflective layer 30, a first electrode 31 disposed directly on the light reflective layer 30, a second electrode 35 disposed above the first electrode 31, and a first electrode 35 disposed above the first electrode 31.
  • a light emitting layer 33 is provided between the electrode 31 and the second electrode 35.
  • the light emitting element 102 of the comparative example has a cavity C formed between the upper surface position of the light reflective layer 30 and the lower surface position of the second electrode 35.
  • the optical path length for the light L2 emitted in a direction forming an acute angle with respect to the normal to the second electrode 35 is longer than the optical path length for the light L1 emitted in parallel to the normal to the second electrode 35. long.
  • FIG. 3B shows the distribution characteristics of the intensity with respect to the wavelength of the light L1 (hereinafter referred to as "wavelength-intensity characteristics") and the wavelength--of the light L2 emitted from the light emitting element 102 of the comparative example shown in FIG. 3A. strength characteristics.
  • FIG. 3B shows wavelength-intensity characteristics normalized so that the brightness of the light L1 and the light L2 are equal. Specifically, the wavelength-intensity characteristics are shown when the intensity of light emitted by the light-emitting layer 33 is constant regardless of the wavelength.
  • the wavelength-intensity characteristic of the light L2 is shifted to the longer wavelength side with respect to the wavelength-intensity characteristic of the light L1.
  • One maximum value is seen in the wavelength-intensity characteristic of the light L1, and the wavelength corresponding to the maximum value (so-called "peak wavelength") is defined as x.
  • Another maximum value is found in the wavelength-intensity characteristic of the light L2, and the peak wavelength corresponding to the maximum value is x+ ⁇ x. ⁇ x>0.
  • the intensity of light emitted by the light emitting layer 33 usually differs depending on the wavelength. Therefore, the brightness of the light L1 and the light L2 in the light emitting element 102 of the comparative example is different, and the difference in brightness becomes larger as the wavelength shift amount ⁇ x is larger, that is, the brightness of the light L2 is different from the normal to the second electrode Ed2.
  • the larger the angle formed by the emission direction the greater the value.
  • the viewing angle characteristics of the light emitting element 102 of the comparative example were narrow.
  • light reflection occurs at a plurality of positions among the upper surface position of the light reflection layer Rf, the upper surface position of the optical functional layer PF, and the intermediate position in the optical functional layer PF.
  • FIG. 2 a case where light reflection occurs at the upper surface position of the light reflecting layer Rf, the upper surface position of the optical functional layer PF, and an intermediate position between the two in the optical functional layer PF will be described below.
  • the light emitting element 2 is formed between (1) a cavity C1 formed between the upper surface position of the light reflecting layer Rf and the lower surface position of the second electrode Ed2; a cavity C2 formed between the lower surface position of the second electrode Ed2; and (3) cavities C3 and C4 formed between the intermediate position in the optical functional layer PF and the lower surface position of the second electrode Ed2.
  • the optical path length of each of these cavities C1 to C4 is longer than the optical path length for the parallel light L1.
  • FIG. 4 shows the wavelength-intensity characteristics of the light L1 that is emitted from the light emitting element 2 shown in FIG. 2 to the outside in parallel to the normal line of the second electrode Ed2.
  • FIG. 5 shows the wavelength-intensity characteristics of the light L2 that is emitted from the light emitting element 2 shown in FIG. 2 to the outside in a direction forming an acute angle with respect to the normal to the second electrode Ed2. Note that FIGS. 4 and 5 also show normalized wavelength-intensity characteristics. As shown in FIG.
  • the wavelength-intensity characteristics of the light L1 are a wavelength-intensity characteristic P1 due to the cavity C1, a wavelength-intensity characteristic P2 due to the cavity C2, a wavelength-intensity characteristic P3 due to the cavity C3, and a wavelength-intensity characteristic due to the cavity C4.
  • the wavelength-intensity characteristics of the light L2 are a wavelength-intensity characteristic P11 due to the cavity C1, a wavelength-intensity characteristic P12 due to the cavity C2, a wavelength-intensity characteristic P13 due to the cavity C3, and a wavelength-intensity characteristic due to the cavity C4. This is a synthesis with P14.
  • the peak wavelength corresponding to the maximum value of the wavelength-intensity characteristic P1 is x
  • the peak wavelength corresponding to the maximum value of the wavelength-intensity characteristic P2 is x- ⁇
  • the peak wavelength corresponding to the maximum value of the wavelength-intensity characteristic P3 is Let x- ⁇ be x- ⁇ , and the peak wavelength corresponding to the maximum value of the wavelength-intensity characteristic P2 be x- ⁇ . x> ⁇ > ⁇ > ⁇ >0.
  • x+ ⁇ x be the peak wavelength corresponding to the maximum value of the wavelength-intensity characteristic P11
  • x- ⁇ + ⁇ (x- ⁇ ) be the peak wavelength corresponding to the maximum value of the wavelength-intensity characteristic P12
  • the maximum value of the wavelength-intensity characteristic P11 be Let the corresponding peak wavelength be x- ⁇ + ⁇ (x- ⁇ ), and let the peak wavelength corresponding to the maximum value of the wavelength-intensity characteristic P12 be x- ⁇ + ⁇ (x- ⁇ ).
  • the viewing angle characteristics of the light emitting element 2 according to the present embodiment are wider than the light emitting element 102 of the comparative example. Note that similarly, when the light emitting element 2 according to the present embodiment has two or three cavities, and when it has five or more cavities, the light emitting element 2 according to the present embodiment is compared with the light emitting element 102 of the comparative example. The viewing angle characteristic of the light emitting element 2 is wide.
  • the peak wavelength corresponding to each of the plurality of maximum values found in the wavelength-intensity characteristic of the light L2 is included in the wavelength range of one primary color.
  • the wavelength range of the primary colors is, for example, a blue wavelength range of 440 nm to 490 nm, a green wavelength range of 500 nm to 570 nm, or a red wavelength range of 620 nm to 790 nm.
  • the total thickness of the optical functional layer PF is preferably 10 nm to 300 nm.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of the light emitting element 2 according to the present embodiment.
  • the light emitting element 2 according to the present embodiment is placed on the backplane BP such that the first electrode Ed1 is located on the backplane BP side and the second electrode Ed2 is located on the display surface side. It is provided.
  • the backplane BP may be provided with circuit elements and wiring for driving and controlling the light emitting elements 2.
  • the light emitting element 2 has the following points, except that the optical functional layer PF includes a transparent film TF made of a transparent material and one or more pairs of semi-reflective films HR located on the corresponding transparent film TF. This is the same as the light emitting element 2 according to the first embodiment described above.
  • the configuration example shown in FIG. 6 is an example in which the optical functional layer PF according to the present embodiment includes three pairs of transparent films TF and semi-reflective films HR.
  • the transparent film TF located on the light reflective layer Rf will be referred to as "first transparent film TF1”
  • the light semi-reflective film HR located on first transparent film TF1 will be referred to as "first semi-reflective film”.
  • the transparent film TF located on the first semi-reflective film HR1 is called “second transparent film TF2”
  • the optical semi-reflective film HR located on the second transparent film TF2 is called "second semi-reflective film HR2".
  • the transparent film TF located on the second semi-reflective film HR2 is referred to as the "third transparent film TF3"
  • the optical semi-reflective film HR located on the third transparent film TF3 is referred to as the "third semi-reflective film HR3”.
  • light reflection occurs at the upper surface position of the light reflecting layer Rf, the upper surface position of the optical functional layer PF, and an intermediate position in the optical functional layer PF.
  • the upper surface position of the optical functional layer PF includes the upper surface position of the third semi-reflective film HR3.
  • the intermediate position in the optical functional layer PF includes the upper surface position of the first semi-reflective film HR1 and the upper surface position of the second semi-reflective film HR2.
  • the semi-reflective film HR is formed thinly so that a part of the light emitted by the light-emitting layer Em1 passes through the optical functional layer PF and reaches the light-reflecting layer Rf. Therefore, the transparent film TF may be formed thicker than the corresponding semi-reflective film HR.
  • the first transparent film TF1 is thicker than the first semi-reflective film HR1.
  • the thickness of the semi-reflective film HR may be, for example, 1 nm or more and 10 nm or less.
  • the thickness of each semi-reflective film HR may be the same or different.
  • the thickness of each transparent film TF may be the same or different.
  • the semi-reflective film HR includes a light reflective material.
  • the semi-reflective film HR may, for example, contain reflective metals such as Ag, Al and Mg, or may contain reflective inorganic oxides such as TiO. It is preferable that the semi-reflective film HR has conductivity.
  • the transparent substance constituting the transparent film TF may include an inorganic substance or an organic substance.
  • transparent inorganic substances include InSnO, InGaZnO, InZnO, silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO), and silicon nitride oxide (SiNO).
  • transparent organic materials include acrylic resins, methacrylic resins, epoxy resins, polyimide resins, and polyamide resins. It is preferable that the transparent substance constituting the transparent film TF has electrical conductivity.
  • transparent conductive inorganic materials include InTiO, InGaZnO, and InZnO.
  • Transparent conductive organic materials include, for example, polyphenylene, poly(p-phenylene vinylene), polythiophene, polyfluorene, and polycarbazole.
  • the charge functional layer CF1 and the charge functional layer CF2 each include a hole injection layer HJ, a hole transport layer HT, a hole transporting electron blocking layer EB, an electron injection layer EJ, an electron transporting layer ET, and an electron transporting positive layer.
  • One or more of the hole blocking layers HB etc. may be included as appropriate.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of the light emitting element 2 according to the present embodiment.
  • the optical functional layer PF includes one or more sets of a transparent film TF and a plurality of light reflectors NS disposed above the corresponding transparent film TF. Except for this point, it is the same as the light emitting element 2 according to the first and second embodiments described above.
  • Each of the light reflectors NS is a particle containing a light reflective substance.
  • the configuration example shown in FIG. 7 is an example in which the optical functional layer PF according to the present embodiment includes three pairs of transparent films TF and a group of light reflectors NS.
  • the transparent film TF located on the light reflective layer Rf will be referred to as “first transparent film TF1”
  • the light reflector NS located on first transparent film TF1 will be referred to as “first light reflector NS1”.
  • the optical semi-reflective film HR located on the first light reflector NS1 is referred to as the "first semi-reflective film HR1”
  • the transparent film TF located on the first semi-reflective film HR1 is referred to as the "second transparent film TF2”.
  • the light reflector NS located on the second transparent film TF2 is referred to as the "second light reflector NS2"
  • the transparent film TF located on the second light reflector NS2 is referred to as the "third transparent film TF3”.
  • the light reflector NS located on the third transparent film TF3 is referred to as a "third light reflector NS3".
  • light reflection occurs at the upper surface position of the light reflecting layer Rf, the upper surface position of the optical functional layer PF, and an intermediate position in the optical functional layer PF.
  • the top surface position of the optical functional layer PF includes the top surface position of the third light reflector NS3.
  • the intermediate position in the optical functional layer PF includes the upper surface position of the first light reflector NS1 and the upper surface position of the second light reflector NS2.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing a schematic configuration example of the light reflector NS shown in FIG. 7.
  • Each of the light reflectors NS may be a light-reflecting nanoparticle or a light-reflecting sheet.
  • the light reflector NS may be a so-called "nanosheet particle" as shown in FIG. Nanosheet particles, for example, have a thickness of about 1 nm and a diameter of several tens of nanometers to several hundred nanometers.
  • a 50 nm thick Ag layer was formed on the backplane BP by vapor deposition.
  • an InZnO film with a thickness of 60 nm was formed on the light reflection layer Rf by sputtering.
  • an alcohol solution containing a 1 nm thick sheet of titanium oxide was prepared, and the alcohol solution was applied onto the first transparent film TF1 and dried in the solvent. As a result, the sheet of titanium oxide was placed on the first transparent film TF1 as the first light reflector NS1.
  • a 15 nm thick InZnO film was formed on the first light reflector NS1 by sputtering.
  • the second light reflector NS2 the above-mentioned sheet body of titanium oxide was arranged in the same way as the first light reflector NS1. The process was performed again to form a third transparent film TF3, and a third light reflector NS3 was disposed.
  • the first electrode Ed1 a 20 nm thick InSnO film was formed on the third light reflector NS3 by sputtering.
  • the charge functional layer CF1 a hole injection layer HJ, a hole transport layer HT, and a hole transporting electron block layer EB were formed in this order.
  • an organic light-emitting layer that emits blue fluorescence was formed as the light-emitting layer Em1.
  • an electron injection layer EJ, an electron transport layer ET, and an electron transport hole blocking layer HB were formed in this order.
  • the second electrode Ed2 a thin film of an alloy containing magnesium (Mg) and silver (Ag) was formed by sputtering. The thickness of the MgAg alloy thin film was 10 nm.
  • the first electrode Ed1 was the anode
  • the second electrode Ed2 was the cathode
  • the film forming conditions for the InZnO film in this example are such that the oxygen doping amount is 6.3% in any of the first transparent film TF1, second transparent film TF2, and third transparent film TF3, and the film forming temperature is The temperature was 250 degrees Celsius, and the sputtering voltage was 330V.
  • the front luminance ratio of the light emitting element 2 in the 50° direction was approximately 65%. Therefore, the viewing angle characteristics were wide. Further, the external quantum efficiency (EQE) was 13.8%, and the chromaticity was (0.137, 0.048) in the CIE1976 color system. Under the conditions of 25 degrees Celsius and 50 mA/cm 2 , the lifetime until the front brightness of the light emitting element 2 became 95% of the initial front brightness was 240 hours.
  • the "front brightness ratio in the 50° direction” is the ratio of the 50° brightness to the front brightness
  • the "front brightness” is the brightness when the light emitting element 2 is viewed from a direction parallel to the normal line of the second electrode Ed2.
  • the "50° brightness” is the brightness when the light emitting element 2 is viewed from a direction that forms an acute angle of 50° with respect to the normal line of the second electrode Ed2.
  • the light-emitting element 2 is arranged such that the maximum brightness angles due to the optical interference effect of the cavities C1, C2, C3, and C4 of the light emitted by the light-emitting layer Em1 are 0°, 50°, 10°, and 30°, respectively. , was designed.
  • the emission peak wavelength of the light emitting layer Em1 was 456 nm, and the half width of the emission spectrum was 26 nm.
  • the refractive index of the optical functional layer PF was 1.74, and the total thickness of the optical functional layer PF was 93 nm.
  • the light-emitting element 102 of the comparative example was designed so that the maximum brightness angle due to the optical interference effect of the cavity C of the light emitted by the light-emitting layer Em1 was 0°.
  • the "maximum brightness angle” is the angle with respect to the normal line of the second electrode Ed2 at which the intensity of light emitted from the light emitting element 2 to the outside becomes maximum.
  • FIG. 9 shows the angle-intensity characteristics of the light optically interfered by each of the cavities C1, C2, C3, and C4 according to this embodiment, and the angle-intensity characteristics of the light that is the sum of those lights.
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C1 is indicated by a broken line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C2 is indicated by a dashed line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C3 is indicated by a dotted line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C4 is indicated by a thin solid line.
  • the summed angle-intensity characteristics are shown by thick solid lines.
  • the front luminance ratio in the 50° direction was about 70%. In this way, the light emitting element 2 according to this embodiment has wide viewing angle characteristics.
  • FIG. 10 shows the angle-intensity characteristics of the light-emitting element 2 according to this example and the angle-intensity characteristics of the light-emitting element 102 of the comparative example.
  • the angle-intensity characteristics according to this embodiment shown in FIG. 10 are the same as the summed angle-intensity characteristics shown in FIG.
  • the light emitting element 2 according to the present example has clearly improved brightness characteristics in the oblique direction compared to the light emitting element 102 of the comparative example.
  • the light reflection layer Rf was formed in the same manner as in Example 1, and then, as the first transparent film TF1, a 40 nm thick acrylic polymer resin film was formed on the light reflection layer Rf by a coating method.
  • the first light reflector NS1 15 nm-thick silver nanosheet particles whose surfaces were modified with alkyl groups were placed on the first transparent film TF1.
  • the second transparent film TF2 was formed in the same manner as the first transparent film TF1, and the second light reflector NS2 was arranged in the same manner as the first light reflector NS1. The process was performed again to form a third transparent film TF3, and a third light reflector NS3 was disposed.
  • Example 1 the first electrode Ed1 and charge functional layer CF1 were formed in the same manner as in Example 1. Next, an organic light-emitting layer that emits green phosphorescence was formed as the light-emitting layer Em1. Next, a charge functional layer CF2 and a second electrode Ed2 were formed in the same manner as in Example 1.
  • the first electrode Ed1 was the anode
  • the second electrode Ed2 was the cathode.
  • the front luminance ratio of the light emitting element 2 in the 50° direction was approximately 80%. Therefore, the viewing angle characteristics were wide.
  • the external quantum efficiency (EQE) is 34.5%
  • the chromaticity is (0.254, 0.710) in the CIE1976 color system
  • the light emission is achieved under the conditions of 25 degrees Celsius and 30 mA/ cm2 .
  • the lifetime until the front brightness of element 2 reached 95% of the initial front brightness was 180 hours.
  • the light-emitting element 2 is arranged such that the maximum brightness angles due to the optical interference effect of the cavities C1, C2, C3, and C4 of the light emitted by the light-emitting layer Em1 are 0°, 50°, 20°, and 40°, respectively. , was designed.
  • the emission peak wavelength of the light emitting layer Em1 was 532 nm, and the half width of the emission spectrum was 56 nm.
  • the refractive index of the optical functional layer PF was 1.74, and the total thickness of the optical functional layer PF was approximately 185 nm.
  • FIG. 11 shows the angle-intensity characteristics of the light optically interfered by each of the cavities C1, C2, C3, and C4 according to this embodiment, and the angle-intensity characteristics of the light that is the sum of those lights.
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C1 is indicated by a broken line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C2 is indicated by a dashed line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C3 is indicated by a dotted line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C4 is indicated by a thin solid line.
  • the summed angle-intensity characteristics are shown by thick solid lines.
  • the front luminance ratio in the 50° direction was about 80%. In this way, the light emitting element 2 according to this embodiment has wide viewing angle characteristics.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of the light emitting element 2 according to the present embodiment.
  • the light emitting element 2 according to the present embodiment has the following exceptions: the optical functional layer PF includes a transparent medium TM made of a transparent material and a plurality of light reflectors NS disposed in the transparent medium TM. , is the same as the light emitting device 2 according to the first to third embodiments described above.
  • the light reflectors NS may be randomly scattered in the transparent medium TM or may be aligned.
  • light reflection occurs at the upper surface position of the light reflection layer Rf and at an intermediate position in the optical functional layer PF.
  • the intermediate position in the optical functional layer PF includes the upper surface position of the light reflector NS.
  • the transparent substance constituting the transparent medium TM may contain an inorganic substance or an organic substance, similarly to the transparent substance constituting the transparent film TF. Moreover, it is preferable to have conductivity.
  • the light reflector NS is a sheet body, the light reflector NS may be oriented so that the widest surface of the light reflector NS generally faces the normal direction of the second electrode Ed2 (vertical direction in FIG. 12). .
  • the mass ratio of the light reflector NS to the transparent medium TM may be 10% to 95%.
  • a light reflection layer Rf was formed in the same manner as in Example 1, and then, as an optical functional layer PF, a mixture of InSnO and titanium oxide nanosheets was formed on the light reflection layer Rf by sputtering.
  • the total thickness of the optical functional layer PF was 18 nm
  • InSnO constituted the transparent medium TM
  • titanium oxide nanosheet constituted the light reflector NS.
  • the thickness of the titanium oxide nanosheets was 1 nm, and the diameter ranged from several tens of nm to several ⁇ m. Due to its shape, the titanium oxide nanosheets were oriented so that the widest surface faced the normal direction of the second electrode Ed2.
  • Example 1 the first electrode Ed1 and charge functional layer CF1 were formed in the same manner as in Example 1. Next, an organic light-emitting layer that emits blue fluorescence was formed as the light-emitting layer Em1. Next, a charge functional layer CF2 and a second electrode Ed2 were formed in the same manner as in Example 1.
  • the first electrode Ed1 was the anode
  • the second electrode Ed2 was the cathode.
  • the conditions for forming the InSnO film in this example were that the oxygen doping amount was 17.3%, the film forming temperature was 250 degrees Celsius, and the sputtering voltage was 250V.
  • the front luminance ratio of the light emitting element 2 in the 50° direction was approximately 62%. Therefore, the viewing angle characteristics were wide.
  • the external quantum efficiency (EQE) is 12.2%
  • the chromaticity is (0.136, 0.047) in the CIE1976 color system
  • the light emission is achieved under the conditions of 25 degrees Celsius and 50 mA/ cm2 .
  • the lifetime until the front brightness of element 2 reached 95% of the initial front brightness was 265 hours.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a schematic configuration example of the light emitting element 2 according to the present embodiment.
  • the light emitting element 2 according to the present embodiment has a light emitting layer between the first electrode Ed1 and the second electrode Ed2.
  • Another light-emitting layer Em2 that emits light of the same color as Em1 is arranged.
  • the light emitting layer Em2 may be an organic light emitting layer containing an organic material that emits fluorescence or phosphorescence, or a quantum dot light emitting layer containing quantum dots that emit fluorescence or phosphorescence.
  • the light emitting element 2 may further include a charge functional layer CF3 between the two light emitting layers Em1 and Em2.
  • the charge functional layer CF3 may appropriately contain any one or more of a hole blocking layer HB, an electron transporting layer ET, a charge generation layer CG, a hole transporting layer HT, and an electron blocking layer EB having hole transporting properties. .
  • a light reflecting layer Rf was formed in the same manner as in Example 1.
  • the optical functional layer PF was formed in the same manner as in Example 1 except that the total thickness of the optical functional layer PF was 36 nm.
  • the first electrode Ed1 and charge functional layer CF1 were formed in the same manner as in Example 1.
  • an organic light-emitting layer that emits red phosphorescence was formed as the light-emitting layer Em1.
  • an electron transporting hole blocking layer HB, an electron transporting layer ET, a charge generation layer CG, a hole transporting layer HT, and a hole transporting electron blocking layer EB were formed in this order.
  • an organic light-emitting layer that emits red phosphorescence was formed as the light-emitting layer Em2.
  • a charge functional layer CF2 and a second electrode Ed2 were formed in the same manner as in Example 1.
  • the first electrode Ed1 was the anode
  • the second electrode Ed2 was the cathode.
  • the front luminance ratio of the light emitting element 2 in the 50° direction was approximately 80%. Therefore, the viewing angle characteristics were wide.
  • the external quantum efficiency (EQE) is 65.7%
  • the chromaticity is (0.692, 0.307) in the CIE1976 color system
  • the light emission is achieved under the conditions of 25 degrees Celsius and 50 mA/ cm2 .
  • the lifetime until the front brightness of element 2 reached 95% of the initial front brightness was 1740 hours.
  • the light-emitting element 2 is arranged such that the luminance maximum angles due to the optical interference effects of the cavities C1, C2, C3, and C4 of the light emitted by the light-emitting layers Em1 and Em2 are 0°, 50°, 10°, and 40°, respectively. It was designed to be.
  • the emission peak wavelength of the light emitting layers Em1 and Em2 was set to 626 nm, and the half width of the emission spectrum was set to 59 nm.
  • the refractive index of the optical functional layer PF was set to 1.74, and the total thickness of the optical functional layer PF was set to about 36 nm.
  • FIG. 14 shows the angle-intensity characteristics of the light optically interfered by each of the cavities C1, C2, C3, and C4 according to this embodiment, and the angle-intensity characteristics of the light that is the sum of those lights.
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C1 is indicated by a broken line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C2 is indicated by a dashed line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C3 is indicated by a dotted line
  • the angle-intensity characteristic due to cavity C4 is indicated by a thin solid line.
  • the summed angle-intensity characteristics are shown by thick solid lines.
  • the front luminance ratio in the 50° direction was about 80%. In this way, the light emitting element 2 according to this embodiment has wide viewing angle characteristics.
  • FIG. 15 is a plan view showing a schematic configuration example of a display device according to this embodiment.
  • the display device 20 includes a display section 25 including a plurality of sub-pixels SB, SG, and SR, and a driver 22 that drives the plurality of sub-pixels SB, SG, and SR.
  • the sub-pixel SB includes a light emitting element ED and a pixel circuit PC connected to the light emitting element ED.
  • the sub-pixel SB may be a blue sub-pixel including the light-emitting element 2 that emits blue light.
  • the sub-pixel SG may be a green sub-pixel including the light-emitting element 2 that emits green light
  • the sub-pixel SR may be a red sub-pixel including the light-emitting element 2 that emits red light.
  • the viewing angle characteristics of the light emitting element 102 of the comparative example are narrow.
  • the viewing angle characteristics of blue light emitting devices, green light emitting devices and red light emitting devices are usually different.
  • a display device including the light-emitting elements 102 of the comparative example as a blue light-emitting element, a green light-emitting element, and a red light-emitting element there was a problem that when a white display screen was viewed from an oblique direction, the screen appeared colored. Furthermore, there is also the problem that the brightness of the display screen of the display device 4 is lower when viewed from an angle than when viewed from the front.
  • the light emitting element 2 according to the present disclosure has wide viewing angle characteristics. Therefore, in a display device including the light-emitting element 2 according to the present disclosure as a blue light-emitting element, a green light-emitting element, and a red light-emitting element, even when a screen displaying white is viewed from an oblique direction, the screen is hardly colored.
  • the front luminance ratio in the 50° direction is about 60% or more or about 80% or more
  • the brightness ratio is 50% or more compared to when viewed from the front. Even when the display screen is viewed from a direction that forms an acute angle of °, the screen does not become very colored or dark.

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Abstract

光反射層（Ｒｆ）と、光反射層（Ｒｆ）の上方の第１電極（Ｅｄ１）と、第１電極（Ｅｄ１）の上方の第２電極（Ｅｄ２）と、第１電極（Ｅｄ１）および第２電極（Ｅｄ２）の間の発光層（Ｅｍ１）と、光反射層（Ｒｆ）および第１電極（Ｅｄ１）の間に配され、光反射率が光反射層（Ｒｆ）よりも小さく第１電極（Ｅｄ１）よりも大きい光学機能層（ＰＦ）と、を備える発光素子（２）

Description

発光素子および表示装置
　本発明は、発光素子および表示装置に関する。
　特許文献１には、マイクロキャビティ方式を用いた有機ＥＬ素子が開示されている。
日本国公開特許公報「２０１３／１５７２２６」
　マイクロキャビティ方式を用いた発光素子は視野角特性が低いという問題がある。
　本開示の一態様に係る発光素子は、光反射層と、前記光反射層の上方に配された第１電極と、前記第１電極の上方に配された第２電極と、前記第１電極および第２電極間に配された発光層と、前記光反射層および前記第１電極の間に配され、光反射率が前記光反射層よりも小さく前記第１電極よりも大きい光学機能層と、を備える構成である。
　本開示の一態様によれば、発光素子の視野角特性を向上させることができる。
本開示の一実施形態に係る発光素子の概略構成例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光素子の概略構成例を示す断面図である。 比較例の発光素子の概略構成例を示す断面図である。 図３Ａに示した比較例の発光素子から外部へ出射される、第２電極の法線に平行に出射する光の波長－強度特性と、第２電極の法線に対して鋭角を成す方向に出射する光の波長－強度特性と、を示す。 図２に示した発光素子から外部へ出射される、第２電極の法線に平行に出射する光の波長－強度特性を示す。 図２に示した発光素子から外部へ出射される、第２電極の法線に対して鋭角を成す方向に出射する光の波長－強度特性を示す。 本開示の一実施形態に係る発光素子の概略構成例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光素子の概略構成例を示す断面図である。 図７に示した光反射体の概略構成例を示す模式図である。 本開示の一実施例に係るキャビティのそれぞれによって光学干渉した光の角度－強度特性と、それらの光を総和した光の角度－強度特性と、を示す。 本開示の一実施例に係る発光素子の角度－強度特性と、比較例の発光素子の角度－強度特性とを示す。 本開示の一実施例に係るキャビティのそれぞれによって光学干渉した光の角度－強度特性と、それらの光を総和した光の角度－強度特性と、を示す。 本開示の一実施形態に係る発光素子の概略構成例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光素子の概略構成例を示す断面図である。 本開示の一実施例に係るキャビティのそれぞれによって光学干渉した光の角度－強度特性と、それらの光を総和した光の角度－強度特性と、を示す。 本開示の一実施形態に係る表示装置の概略構成例を示す平面図である。
　〔実施形態１〕
　（発光素子の断面構成）
　図１は、本実施形態に係る発光素子２の構成例を示す断面図である。図１に示すように、発光素子２は、光反射層Ｒｆと、光反射層Ｒｆの上方に配された第１電極Ｅｄ１と、第１電極Ｅｄ１の上方に配された第２電極Ｅｄ２と、第１電極Ｅｄ１および第２電極Ｅｄ２の間に配された発光層Ｅｍ１と、光反射層Ｒｆおよび第１電極Ｅｄ１の間に配され、光反射率が光反射層Ｒｆよりも小さく第１電極Ｅｄ１よりも大きい光学機能層ＰＦとを備えている。
　発光素子２においては、少なくとも光学機能層ＰＦの上面および光反射層Ｒｆの上面で光反射が生じるため、正面方向の光Ｌ１について、発光層Ｅｍ１および光反射層Ｒｆの上面間の距離に応じた光路長Ｋａと、発光層Ｅｍ１および光学機能層ＰＦの上面間の距離に応じた光路長Ｋｂとを含む、複数の光路長が形成される。このため、斜め方向の光Ｌ２の光路長に対する共振条件が、正面方向の光の複数の光路長のいずれかに対する共振条件に近づくことになり、視野角特性が高められる（正面方向から視た場合と斜め方向から視た場合の色ずれが低減する）。
　図２は、本実施形態に係る発光素子２の一例を示す断面図である。発光素子２は、光反射層Ｒｆ、光学機能層ＰＦ、第１電極Ｅｄ１、電荷機能層ＣＦ１、発光層Ｅｍ１、電荷機能層ＣＦ２、および第２電極Ｅｄ２をこの順に備える。
　光反射層Ｒｆは、光反射性物質を含む。光反射層Ｒｆは例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）およびマグネシウム（Ｍｇ）などの反射性金属を含んでよく、酸化チタン（ＴｉＯ）などの反射性無機酸化物を含んでもよい。光反射層Ｒｆは、導電性を有することが好ましい。
　第１電極Ｅｄ１は透明電極である。透明電極は例えば、インジウムスズ酸化物（ＩｎＳｎＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩｎＧａＺｎＯ）およびインジウム亜鉛酸化物（ＩｎＺｎＯ）などの導電性を有する透明物質を含んでよい。第２電極Ｅｄ２は半透明電極である。半透明電極は例えば、銀（Ａｇ）およびマグネシウム（Ｍｇ）などを含む金属薄膜から構成されてもよい。第１電極Ｅｄ１および第２電極Ｅｄ２の何れか一方が、陽極（アノード）として働き、他方が陰極（カソード）として働く。
　発光層Ｅｍ１は、蛍光または燐光を発する有機材料を含む有機発光層であっても、蛍光または燐光を発する量子ドットを含む量子ドット発光層であってもよい。
　（比較例との比較）
　図３Ａは、比較例の発光素子１０２の概略構成例を示す断面図である。比較例の発光素子１０２は、光反射層３０と、光反射層３０の上に直に配された第１電極３１と、第１電極３１の上方に配された第２電極３５と、第１電極３１および第２電極３５の間に配された発光層３３とを備える。
　比較例の発光素子１０２において、発光層３３から放射された光は、光反射層３０の上面位置と第２電極３５の下面位置とで反射され、当該上面位置と当該下面位置との間を往復することがある。換言すると、比較例の発光素子１０２は、光反射層３０の上面位置と第２電極３５の下面位置との間に形成されたキャビティＣを有する。キャビティＣにおいては、第２電極３５の法線に対して鋭角を成す方向に出射する光Ｌ２にとっての光路長が、第２電極３５の法線に平行に出射する光Ｌ１にとっての光路長よりも長い。
　図３Ｂは、図３Ａに示した比較例の発光素子１０２から外部へ出射される、光Ｌ１の波長に対する強度の分布特性（以降、「波長－強度特性」と称する）と、光Ｌ２の波長－強度特性とを示す。なお、キャビティＣによる影響を示すために、図３Ｂは、光Ｌ１と光Ｌ２との輝度が同等になるように規格化した波長－強度特性を示す。具体的には、発光層３３が放射する光の強度が波長によらず一定である場合の波長－強度特性を示す。
　図３Ｂに示すように、光Ｌ１の波長－強度特性に対して、光Ｌ２の波長－強度特性は、長波長側にシフトする。光Ｌ１の波長－強度特性には１つの極大値が見られ、当該極大値に対応する波長（いわゆる「ピーク波長」）をｘとする。光Ｌ２の波長－強度特性には別の極大値が見られ、当該極大値に対応するピーク波長をｘ＋Δｘとする。Δｘ＞０である。
　ところで現実には、発光層３３が放射する光の強度は通常、波長に応じて異なる。このため、比較例の発光素子１０２における光Ｌ１と光Ｌ２との輝度が異なり、その輝度の差は、波長シフト量Δｘが大きいほど、すなわち、第２電極Ｅｄ２の法線に対して光Ｌ２の出射方向が成す角度が大きいほど、大きい。この結果、比較例の発光素子１０２の視野角特性が狭いいという問題があった。
　一方、図２の発光素子２においては、光反射層Ｒｆの上面位置、光学機能層ＰＦの上面位置、および光学機能層ＰＦ中の中間位置のうちの複数の位置で光反射が生じる。図２を参照して、光反射層Ｒｆの上面位置、光学機能層ＰＦの上面位置、および光学機能層ＰＦ中の２つの中間位置で光反射が生じる場合について、以下に説明する。具体的には、発光素子２が（１）光反射層Ｒｆの上面位置と第２電極Ｅｄ２の下面位置との間に形成されたキャビティＣ１と、（２）光学機能層ＰＦの上面位置と第２電極Ｅｄ２の下面位置との間に形成されたキャビティＣ２と、（３）光学機能層ＰＦ中の中間位置と第２電極Ｅｄ２の下面位置との間に形成されたキャビティＣ３，Ｃ４と、有する場合について以下に説明する。これらキャビティＣ１～Ｃ４のそれぞれの光路長について、平行な光Ｌ１にとっての光路長よりも、鋭角な光Ｌ２にとっての光路長は長い。
　図４は、図２に示した発光素子２から外部へ出射される、第２電極Ｅｄ２の法線に平行に出射する光Ｌ１の波長－強度特性を示す。図５は、図２に示した発光素子２から外部へ出射される、第２電極Ｅｄ２の法線に対して鋭角を成す方向に出射する光Ｌ２の波長－強度特性を示す。なお、図４および図５も、規格化した波長－強度特性を示す。図４に示すように、光Ｌ１の波長－強度特性は、キャビティＣ１による波長－強度特性Ｐ１とキャビティＣ２による波長－強度特性Ｐ２とキャビティＣ３による波長－強度特性Ｐ３とキャビティＣ４による波長－強度特性Ｐ４との合成である。図５に示すように、光Ｌ２の波長－強度特性は、キャビティＣ１による波長－強度特性Ｐ１１とキャビティＣ２による波長－強度特性Ｐ１２とキャビティＣ３による波長－強度特性Ｐ１３とキャビティＣ４による波長－強度特性Ｐ１４との合成である。
　このため、光Ｌ１および光Ｌ２の波長－強度特性には複数の極大値がそれぞれ見られる。波長－強度特性Ｐ１の極大値に対応するピーク波長をｘとし、波長－強度特性Ｐ２の極大値に対応するピーク波長をｘ－αとし、波長－強度特性Ｐ３の極大値に対応するピーク波長をｘ－βとし、波長－強度特性Ｐ２の極大値に対応するピーク波長をｘ－γとする。ｘ＞α＞γ＞β＞０である。波長－強度特性Ｐ１１の極大値に対応するピーク波長をｘ＋Δｘとし、波長－強度特性Ｐ１２の極大値に対応するピーク波長をｘ－α＋Δ（ｘ―α）とし、波長－強度特性Ｐ１１の極大値に対応するピーク波長をｘ－β＋Δ（ｘ－β）とし、波長－強度特性Ｐ１２の極大値に対応するピーク波長をｘ－γ＋Δ（ｘ－γ）とする。Δｘ＞０、Δ（ｘ－α）＞０、Δ（ｘ－β）＞０、かつΔ（ｘ－γ）＞０である。Δ（ｘ－α）＝αのとき、波長－強度特性Ｐ１と波長－強度特性Ｐ１２とのピーク波長が一致する。さらに、Δ（ｘ－β）＝βのときに波長－強度特性Ｐ１と波長－強度特性Ｐ１３とのピーク波長が一致し、Δ（ｘ－γ）＝γのときに波長－強度特性Ｐ１と波長－強度特性Ｐ１４とのピーク波長が一致する。
　したがって、比較例の発光素子１０２と比較して、本実施形態に係る発光素子２の視野角特性が広い。なお、本実施形態に係る発光素子２が２つまたは３つのキャビティを有する場合、および５つ以上のキャビティを有する場合も同様に、比較例の発光素子１０２と比較して、本実施形態に係る発光素子２の視野角特性が広い。
　光Ｌ２の波長－強度特性に見られる複数の極大値のそれぞれに対応するピーク波長が１つの原色の波長域に含まれることが好ましい。原色の波長域は例えば、青色の波長域４４０ｎｍ～４９０ｎｍ、緑色の波長域５００ｎｍ～５７０ｎｍ、または赤色の波長域６２０ｎｍ～７９０ｎｍである。また、光学機能層ＰＦの総厚さは、１０ｎｍ～３００ｎｍが好ましい。
　〔実施形態２〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図６は、本実施形態に係る発光素子２の概略構成例を示す断面図である。図６に示すように、本実施形態に係る発光素子２は、第１電極Ｅｄ１がバックプレーンＢＰ側に位置し、第２電極Ｅｄ２が表示面側に位置するように、バックプレーンＢＰの上に設けられている。バックプレーンＢＰには、発光素子２を駆動および制御するための回路素子および配線が設けられてよい。
　本実施形態に係る発光素子２は、光学機能層ＰＦが、透明物質から成る透明膜ＴＦおよび対応する透明膜ＴＦの上に位置する半反射膜ＨＲを１対または複数対含む点を除いて、前述の実施形態１に係る発光素子２と同一である。
　図６に示す構成例は、本実施形態に係る光学機能層ＰＦが、３対の透明膜ＴＦおよび半反射膜ＨＲを含む例である。説明の便宜のために、光反射層Ｒｆ上に位置する透明膜ＴＦを「第１透明膜ＴＦ１」とし、第１透明膜ＴＦ１の上に位置する光半反射膜ＨＲを「第１半反射膜ＨＲ１」とし、第１半反射膜ＨＲ１上に位置する透明膜ＴＦを「第２透明膜ＴＦ２」とし、第２透明膜ＴＦ２の上に位置する光半反射膜ＨＲを「第２半反射膜ＨＲ２」とし、第２半反射膜ＨＲ２上に位置する透明膜ＴＦを「第３透明膜ＴＦ３」とし、第３透明膜ＴＦ３の上に位置する光半反射膜ＨＲを「第３半反射膜ＨＲ３」とする。この例において、光反射層Ｒｆの上面位置、光学機能層ＰＦの上面位置、および光学機能層ＰＦ中の中間位置で光反射が生じる。光学機能層ＰＦの上面位置は、第３半反射膜ＨＲ３の上面位置を含む。また、光学機能層ＰＦ中の中間位置は、第１半反射膜ＨＲ１の上面位置、および第２半反射膜ＨＲ２の上面位置を含む。
　半反射膜ＨＲは、発光層Ｅｍ１が発光した光の一部が光学機能層ＰＦを通って光反射層Ｒｆに到達するように、薄く形成される。このため、透明膜ＴＦは、対応する半反射膜ＨＲより厚く形成されてよい。例えば、第１透明膜ＴＦ１が第１半反射膜ＨＲ１よりも厚い。半反射膜ＨＲの厚さは例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下でよい。光学機能層ＰＦが複数対の透明膜ＴＦおよび半反射膜ＨＲを含む場合、各半反射膜ＨＲの厚さは、互いに同一であっても、互いに異なってもよい。同様に、各透明膜ＴＦの厚さは、互いに同一であっても、互いに異なってもよい。
　半反射膜ＨＲは、光反射性物質を含む。半反射膜ＨＲは例えば、Ａｇ、ＡｌおよびＭｇなどの反射性金属を含んでよく、ＴｉＯなどの反射性無機酸化物を含んでもよい。半反射膜ＨＲは導電性を有することが好ましい。
　透明膜ＴＦを構成する透明物質は、無機物質を含んでも、有機物質を含んでもよい。透明な無機物質は例えば、ＩｎＳｎＯ，ＩｎＧａＺｎＯ，ＩｎＺｎＯ，窒化シリコン（ＳｉＮ），酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒酸化シリコン（ＳｉＮＯ）が挙げられる。透明な有機物質は例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、およびポリアミド樹脂が挙げられる。透明膜ＴＦを構成する透明物質は、導電性を有することが好ましい。透明な導電性無機物質は例えば、ＩｎＴｉＯ，ＩｎＧａＺｎＯおよびＩｎＺｎＯが挙げられる。透明な導電性有機物質は例えば、ポリフェニレン、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）、ポリチオフェン、ポリフルオレン、およびポリカルバゾールが挙げられる。
　電荷機能層ＣＦ１および電荷機能層ＣＦ２はそれぞれ、正孔注入層ＨＪ、正孔輸送層ＨＴ、正孔輸送性の電子ブロック層ＥＢ、電子注入層ＥＪ、電子輸送層ＥＴ、および電子輸送性の正孔ブロック層ＨＢなどの何れか１つ以上を適宜含んでよい。
　〔実施形態３〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図７は、本実施形態に係る発光素子２の概略構成例を示す断面図である。図７に示すように、本実施形態に係る発光素子２は、光学機能層ＰＦが透明膜ＴＦおよび対応する透明膜ＴＦの上方に配された複数の光反射体ＮＳを１組または複数組含む点を除いて、前述の実施形態１，２に係る発光素子２と同一である。光反射体ＮＳは各々、光反射性物質を含む粒子である。図７に示す構成例は、本実施形態に係る光学機能層ＰＦが、３対の透明膜ＴＦおよび光反射体ＮＳの群を含む例である。説明の便宜のために、光反射層Ｒｆ上に位置する透明膜ＴＦを「第１透明膜ＴＦ１」とし、第１透明膜ＴＦ１の上に位置する光反射体ＮＳを「第１光反射体ＮＳ１」とし、第１光反射体ＮＳ１の上に位置する光半反射膜ＨＲを「第１半反射膜ＨＲ１」とし、第１半反射膜ＨＲ１上に位置する透明膜ＴＦを「第２透明膜ＴＦ２」とし、第２透明膜ＴＦ２の上に位置する光反射体ＮＳを「第２光反射体ＮＳ２」とし、第２光反射体ＮＳ２上に位置する透明膜ＴＦを「第３透明膜ＴＦ３」とし、第３透明膜ＴＦ３の上に位置する光反射体ＮＳを「第３光反射体ＮＳ３」とする。この例において、光反射層Ｒｆの上面位置、光学機能層ＰＦの上面位置、および光学機能層ＰＦ中の中間位置で光反射が生じる。光学機能層ＰＦの上面位置は、第３光反射体ＮＳ３の上面位置を含む。また、光学機能層ＰＦ中の中間位置は、第１光反射体ＮＳ１の上面位置、および第２光反射体ＮＳ２の上面位置を含む。
　図８は、図７に示した光反射体ＮＳの概略構成例を示す模式図である。光反射体ＮＳは各々、光反射性のナノ粒子であってよく、光反射性のシート体であってよい。光反射体ＮＳは図８に示すように、いわゆる「ナノシート粒子」であってよい。ナノシート粒子は例えば、厚さが約１ｎｍであり、直径が数１０ｎｍ～数１００ｎｍである。
　本開示の一実施例について以下に説明する。
　まず、光反射層Ｒｆとして、バックプレーンＢＰ上に５０ｎｍ厚さのＡｇ層を蒸着法により形成した。次に、第１透明膜ＴＦ１として、光反射層Ｒｆの上に６０ｎｍ厚さのＩｎＺｎＯ膜をスパッタリング法により形成した。次に、酸化チタンの１ｎｍ厚さのシート体を含むアルコール溶液を用意し、当該アルコール溶液を第１透明膜ＴＦ１の上に塗布し、溶媒乾燥した。これによって、第１光反射体ＮＳ１として、第１透明膜ＴＦ１の上に酸化チタンの上記シート体を配置した。
　続いて、第２透明膜ＴＦ２として、第１光反射体ＮＳ１の上に１５ｎｍ厚さのＩｎＺｎＯ膜をスパッタリング法により形成した。次いで、第２光反射体ＮＳ２として、第１光反射体ＮＳ１と同様に、酸化チタンの上記シート体を配置した。当該プロセスを再度行って、第３透明膜ＴＦ３を形成し、第３光反射体ＮＳ３を配置した。
　続いて、第１電極Ｅｄ１として、第３光反射体ＮＳ３の上に２０ｎｍ厚さのＩｎＳｎＯ膜をスパッタリング法により、形成した。次に、電荷機能層ＣＦ１として、正孔注入層ＨＪ、正孔輸送層ＨＴ、正孔輸送性の電子ブロック層ＥＢを順に形成した。次に、発光層Ｅｍ１として、青色に蛍光発光する有機発光層を形成した。次に、電荷機能層ＣＦ２として、電子注入層ＥＪ、電子輸送層ＥＴ、および電子輸送性の正孔ブロック層ＨＢを順に形成した。次に、第２電極Ｅｄ２として、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）とを含む合金の薄膜をスパッタリング法により形成した。ＭｇＡｇ合金薄膜の厚さは１０ｎｍであった。
　本実施例において、第１電極Ｅｄ１が陽極であり、第２電極Ｅｄ２が陰極であった。また、本実施例におけるＩｎＺｎＯ膜の成膜条件は、第１透明膜ＴＦ１，第２透明膜ＴＦ２，第３透明膜ＴＦ３の何れにおいても、酸素ドープ量が６．３％であり、成膜温度が摂氏２５０度であり、スパッタ電圧が３３０Ｖであった。
　発光素子２の５０°方向の正面輝度比が約６５％であった。したがって、視野角特性が広かった。また、外部量子効率（ＥＱＥ）が１３．８％であり、色度がＣＩＥ１９７６表色系で（０．１３７，０．０４８）であった。摂氏２５度、５０ｍＡ／ｃｍ２の条件下で、発光素子２の正面輝度が初期の正面輝度に対して９５％になるまでの寿命は２４０時間であった。ここで、「５０°方向の正面輝度比」は正面輝度に対する５０°輝度の比率であり、「正面輝度」は、第２電極Ｅｄ２の法線に平行な方向から発光素子２を見たときの輝度であり、「５０°輝度」は、第２電極Ｅｄ２の法線に対して５０°だけ鋭角を成す方向から発光素子２を見たときの輝度である。
　本開示の一実施例について以下に説明する。
　本実施例に係る発光素子２を、発光層Ｅｍ１が発光する光のキャビティＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の光学干渉効果による輝度最大角が０°、５０°、１０°、３０°にそれぞれなるように、を設計した。発光層Ｅｍ１の発光ピーク波長を４５６ｎｍとし、発光スペクトルの半値幅を２６ｎｍとした。光学機能層ＰＦの屈折率を１．７４とし、光学機能層ＰＦの総厚さを９３ｎｍとした。また、比較例の発光素子１０２を、発光層Ｅｍ１が発光する光のキャビティＣの光学干渉効果による輝度最大角が０°になるように、を設計した。ここで「輝度最大角」は、発光素子２から外部へ出射される光の強度が最大になる、第２電極Ｅｄ２の法線に対する角度である。
　図９は、本実施例に係るキャビティＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４のそれぞれによって光学干渉した光の角度－強度特性と、それらの光を総和した光の角度－強度特性と、を示す。図９において、キャビティＣ１による角度－強度特性を破線で、キャビティＣ２による角度－強度特性を一点鎖線で、キャビティＣ３による角度－強度特性を点線で、キャビティＣ４による角度－強度特性を細い実線で、総和した角度－強度特性を太い実線で示す。図９に示した総和した角度－強度特性が示すように、本実施例に係る発光素子２において、５０°方向の正面輝度比が約７０％であった。このように、本実施例に係る発光素子２は視野角特性が広い。
　図１０は、本実施例に係る発光素子２の角度－強度特性と、比較例の発光素子１０２の角度－強度特性とを示す。図１０に示した本実施例に係る角度－強度特性は、図９に示した総和した角度－強度特性と同一である。図１０に示すように、本実施例に係る発光素子２は、比較例の発光素子１０２と比較して、斜め方向の輝度特性が明確に向上している。
　本開示の一実施例について以下に説明する。
　まず、光反射層Ｒｆを実施例１と同様に形成し、次に、第１透明膜ＴＦ１として、光反射層Ｒｆの上に４０ｎｍ厚さのアクリルポリマー樹脂膜を塗布法により形成した。次に、第１光反射体ＮＳ１として、表面をアルキル基で修飾した銀の１５ｎｍ厚さのナノシート粒子を第１透明膜ＴＦ１の上に配置した。次に、第２透明膜ＴＦ２を第１透明膜ＴＦ１と同様に形成し、第２光反射体ＮＳ２を第１光反射体ＮＳ１と同様に配置した。当該プロセスを再度行って、第３透明膜ＴＦ３を形成し、第３光反射体ＮＳ３を配置した。
　続いて、第１電極Ｅｄ１および電荷機能層ＣＦ１を実施例１と同様に形成した。次に、発光層Ｅｍ１として、緑色に燐光発光する有機発光層を形成した。次に、電荷機能層ＣＦ２および第２電極Ｅｄ２を実施例１と同様に形成した。
　本実施例において、第１電極Ｅｄ１が陽極であり、第２電極Ｅｄ２が陰極であった。発光素子２の５０°方向の正面輝度比が約８０％であった。したがって、視野角特性が広かった。また、外部量子効率（ＥＱＥ）が３４．５％であり、色度がＣＩＥ１９７６表色系で（０．２５４，０．７１０）であり、摂氏２５度、３０ｍＡ／ｃｍ２の条件下で、発光素子２の正面輝度が初期の正面輝度に対して９５％になるまでの寿命は１８０時間であった。
　本開示の一実施例について以下に説明する。
　本実施例に係る発光素子２を、発光層Ｅｍ１が発光する光のキャビティＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の光学干渉効果による輝度最大角が０°、５０°、２０°、４０°にそれぞれなるように、を設計した。発光層Ｅｍ１の発光ピーク波長を５３２ｎｍとし、発光スペクトルの半値幅を５６ｎｍとした。光学機能層ＰＦの屈折率を１．７４とし、光学機能層ＰＦの総厚さを約１８５ｎｍとした。
　図１１は、本実施例に係るキャビティＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４のそれぞれによって光学干渉した光の角度－強度特性と、それらの光を総和した光の角度－強度特性と、を示す。図１１において、キャビティＣ１による角度－強度特性を破線で、キャビティＣ２による角度－強度特性を一点鎖線で、キャビティＣ３による角度－強度特性を点線で、キャビティＣ４による角度－強度特性を細い実線で、総和した角度－強度特性を太い実線で示す。図１１に示した総和した角度－強度特性が示すように、本実施例に係る発光素子２において、５０°方向の正面輝度比が約８０％であった。このように、本実施例に係る発光素子２は視野角特性が広い。
　〔実施形態４〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図１２は、本実施形態に係る発光素子２の概略構成例を示す断面図である。図１２に示すように、本実施形態に係る発光素子２は、光学機能層ＰＦが透明物質から成る透明媒体ＴＭおよび透明媒体ＴＭ中に配された複数の光反射体ＮＳを含む点を除いて、前述の実施形態１～３に係る発光素子２と同一である。光反射体ＮＳは、透明媒体ＴＭ中にランダムに散在していても、整列していてもよい。本実施形態に係る発光素子２においては、光反射層Ｒｆの上面位置、および光学機能層ＰＦ中の中間位置で光反射が生じる。光学機能層ＰＦ中の中間位置は、光反射体ＮＳの上面位置を含む。
　透明媒体ＴＭを構成する透明物質は、透明膜ＴＦを構成する透明物質と同様に、無機物質を含んでも、有機物質を含んでもよい。また、導電性を有することが好ましい。光反射体ＮＳがシート体である場合、光反射体ＮＳの最も広い面が第２電極Ｅｄ２の法線方向（図１２の上下方向）に概ね向くように、光反射体ＮＳが配向してよい。透明媒体ＴＭに対する光反射体ＮＳの質量割合は、１０％～９５％でよい。
　本開示の一実施例について以下に説明する。
　まず、光反射層Ｒｆを実施例１と同様に形成し、次に、光学機能層ＰＦとして、光反射層Ｒｆの上にＩｎＳｎＯと酸化チタンナノシートとをスパッタリング法で混合成膜した。光学機能層ＰＦの総厚さが１８ｎｍであり、ＩｎＳｎＯが透明媒体ＴＭを構成し、酸化チタンナノシートが光反射体ＮＳを構成した。酸化チタンナノシートの厚さは１ｎｍであり、直径が数１０ｎｍから数μｍに及んだ。酸化チタンナノシートは、自身の形状によって、最も広い面が第２電極Ｅｄ２の法線方向を向くように配向した。ＩｎＳｎＯに対する酸化チタンナノシートの質量割合は、ＩｎＳｎＯ／ＴｉＯ＝５０／５０であった。
　続いて、第１電極Ｅｄ１および電荷機能層ＣＦ１を実施例１と同様に形成した。次に、発光層Ｅｍ１として、青色に蛍光発光する有機発光層を形成した。次に、電荷機能層ＣＦ２および第２電極Ｅｄ２を実施例１と同様に形成した。
　本実施例において、第１電極Ｅｄ１が陽極であり、第２電極Ｅｄ２が陰極であった。また、本実施例におけるＩｎＳｎＯの成膜条件は、酸素ドープ量が１７．３％であり、成膜温度が摂氏２５０度であり、スパッタ電圧が２５０Ｖであった。
　発光素子２の５０°方向の正面輝度比が約６２％であった。したがって、視野角特性が広かった。また、外部量子効率（ＥＱＥ）が１２．２％であり、色度がＣＩＥ１９７６表色系で（０．１３６，０．０４７）であり、摂氏２５度、５０ｍＡ／ｃｍ２の条件下で、発光素子２の正面輝度が初期の正面輝度に対して９５％になるまでの寿命は２６５時間であった。
　〔実施形態５〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図１３は、本実施形態に係る発光素子２の概略構成例を示す断面図である。図１３に示すように、本実施形態に係る発光素子２は、前述の実施形態１～４に係る発光素子２の構成に加えて、第１電極Ｅｄ１および第２電極Ｅｄ２の間に、発光層Ｅｍ１と同色発光する別の発光層Ｅｍ２が配されている。発光層Ｅｍ２は、蛍光または燐光を発する有機材料を含む有機発光層であっても、蛍光または燐光を発する量子ドットを含む量子ドット発光層であってもよい。
　発光素子２はさらに、２つの発光層Ｅｍ１と発光層Ｅｍ２との間に、電荷機能層ＣＦ３を備えてよい。電荷機能層ＣＦ３は、正孔ブロック層ＨＢ、電子輸送層ＥＴ、電荷発生層ＣＧ、正孔輸送層ＨＴ、および正孔輸送性の電子ブロック層ＥＢなどの何れか１つ以上を適宜含んでよい。
　本開示の一実施例について以下に説明する。
　まず、光反射層Ｒｆを実施例１と同様に形成した。次に、光学機能層ＰＦを、光学機能層ＰＦの総厚さが３６ｎｍである点を除いて、実施例１と同様に形成した。続いて、第１電極Ｅｄ１および電荷機能層ＣＦ１を実施例１と同様に形成した。次に、発光層Ｅｍ１として、赤色に燐光発光する有機発光層を形成した。次に、電荷機能層ＣＦ２として、電子輸送性の正孔ブロック層ＨＢ、電子輸送層ＥＴ、電荷発生層ＣＧ、正孔輸送層ＨＴ、および正孔輸送性の電子ブロック層ＥＢを順に形成した。次に、発光層Ｅｍ２として、赤色に燐光発光する有機発光層を形成した。次に、電荷機能層ＣＦ２および第２電極Ｅｄ２を実施例１と同様に形成した。
　本実施例において、第１電極Ｅｄ１が陽極であり、第２電極Ｅｄ２が陰極であった。発光素子２の５０°方向の正面輝度比が約８０％であった。したがって、視野角特性が広かった。また、外部量子効率（ＥＱＥ）が６５．７％であり、色度がＣＩＥ１９７６表色系で（０．６９２，０．３０７）であり、摂氏２５度、５０ｍＡ／ｃｍ２の条件下で、発光素子２の正面輝度が初期の正面輝度に対して９５％になるまでの寿命は１７４０時間であった。
　本開示の一実施例について以下に説明する。
　本実施例に係る発光素子２を、発光層Ｅｍ１，Ｅｍ２が発光する光のキャビティＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の光学干渉効果による輝度最大角が０°、５０°、１０°、４０°にそれぞれなるように、を設計した。発光層Ｅｍ１，Ｅｍ２の発光ピーク波長を６２６ｎｍとし、発光スペクトルの半値幅を５９ｎｍとした。光学機能層ＰＦの屈折率を１．７４とし、光学機能層ＰＦの総厚さを約３６ｎｍとした。
　図１４は、本実施例に係るキャビティＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４のそれぞれによって光学干渉した光の角度－強度特性と、それらの光を総和した光の角度－強度特性と、を示す。図１４において、キャビティＣ１による角度－強度特性を破線で、キャビティＣ２による角度－強度特性を一点鎖線で、キャビティＣ３による角度－強度特性を点線で、キャビティＣ４による角度－強度特性を細い実線で、総和した角度－強度特性を太い実線で示す。図１４に示した総和した角度－強度特性が示すように、本実施例に係る発光素子２において、５０°方向の正面輝度比が約８０％であった。このように、本実施例に係る発光素子２は視野角特性が広い。
　〔実施形態６〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図１５は、本実施形態に係る表示装置の概略構成例を示す平面図である。図１５に示すように、表示装置２０は、複数のサブ画素ＳＢ・ＳＧ・ＳＲを含む表示部２５と、複数のサブ画素ＳＢ・ＳＧ・ＳＲを駆動するドライバ２２とを備える。例えば、サブ画素ＳＢは、発光素子ＥＤと発光素子ＥＤに接続される画素回路ＰＣとを含む。サブ画素ＳＢが、青色発光の発光素子２を含む青のサブ画素でもよい。サブ画素ＳＧが緑色発光の発光素子２を含む緑のサブ画素、サブ画素ＳＲが赤色発光の発光素子２を含む赤のサブ画素であってもよい。
　図３Ａおよび図３Ｂを参照して前述したように、比較例の発光素子１０２の視野角特性は狭い。青色発光素子、緑色発光素子および赤色発光素子の視野角特性は通常、異なる。これらのため、比較例の発光素子１０２を青色発光素子、緑色発光素子および赤色発光素子として備える表示装置においては、白色表示した画面を斜め方向から見ると、画面が色付いて見える問題があった。さらに、表示装置４の表示画面に対して正面から表示画面を見たときと比較して、斜めから見ると表示画面の輝度が低い問題もあった。
　一方、前述したように、本開示に係る発光素子２の視野角特性が広い。このため、本開示に係る発光素子２を青色発光素子、緑色発光素子および赤色発光素子として備える表示装置においては、白色表示した画面を斜め方向から見ても、画面が色付き難い。例えば、青色発光素子、緑色発光素子および赤色発光素子の何れについても、５０°方向の正面輝度比が約６０％以上または約８０%以上である場合、正面から見たときと比較して、５０°だけ鋭角を成す方向から表示画面を見ても、画面があまり色付かず、画面があまり暗くならない。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　２　発光素子
　２０　表示装置
　Ｒｆ　光反射層
　Ｅｄ１　第１電極
　Ｅｄ２　第２電極
　ＰＦ　光学機能層
　ＴＦ　透明膜
　ＴＦ１　第１透明膜
　ＴＦ２　第２透明膜
　ＨＲ　半反射膜
　ＨＲ１　第１半反射膜
　ＨＲ２　第２半反射膜
　ＮＳ　光反射体
　ＴＭ　透明媒体

 

Claims (23)

  1. 　光反射層と、
    　前記光反射層の上方に配された第１電極と、
    　前記第１電極の上方に配された第２電極と、
    　前記第１電極および第２電極間に配された発光層と、
    　前記光反射層および前記第１電極の間に配され、光反射率が前記光反射層よりも小さく前記第１電極よりも大きい光学機能層と、を備える発光素子。
  2. 　前記光学機能層の上面位置、前記光反射層の上面位置、前記光学機能層中の中間位置のうちの複数の位置で光反射が生じる、請求項１に記載の発光素子。
  3. 　前記第２電極から、前記第２電極の法線に対して鋭角をなす方向に出射する光の波長－強度特性に複数の極大値が見られ、
    　前記複数の極大値それぞれに対応する波長が１つの原色の波長域に含まれる、請求項２に記載の発光素子。
  4. 　前記光学機能層の厚さは、１０ｎｍ～３００ｎｍである、請求項１～３のいずれか１項に記載の発光素子。
  5. 　前記光学機能層は、前記光反射層上に位置し、透明物質からなる第１透明膜を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の発光素子。
  6. 　前記光学機能層は、前記第１透明膜上に位置する第１半反射膜を含む、請求項５に記載の発光素子。
  7. 　前記光学機能層は、前記第１半反射膜上に位置する第２透明膜と、前記第２透明膜上に位置する第２半反射膜とを含む、請求項６に記載の発光素子。
  8. 　前記第１透明膜は前記第１半反射膜よりも厚い、請求項６に記載の発光素子。
  9. 　前記第１半反射膜の厚さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ未満である、請求項６～８のいずれか１項に記載の発光素子。
  10. 　前記第１半反射膜は、Ａｇ、Ａｌ、ＴｉおよびＭｇの少なくとも１つを含む、請求項６～９のいずれか１項に記載の発光素子。
  11. 　前記光学機能層は、前記第１透明膜の上方に配された複数の光反射体を含む、請求項５に記載の発光素子。
  12. 　前記光学機能層は、透明物質からなる透明媒体と、前記透明媒体中に配された複数の光反射体とを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の発光素子。
  13. 　前記透明媒体に対する前記複数の光反射体の質量割合が１０～９５％である、請求項１２に記載の発光素子。
  14. 　前記複数の光反射体それぞれが光反射性のナノ粒子である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の発光素子。
  15. 　前記複数の光反射体それぞれが光反射性のシート体である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の発光素子。
  16. 　前記透明物質は、無機物質である、請求項５～１５のいずれか１項に記載の発光素子。
  17. 　前記無機物質は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンの少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の発光素子。
  18. 　前記透明物質は、有機物質である、請求項５～１５のいずれか１項に記載の発光素子。
  19. 　前記有機物質は、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂の少なくとも１つを含む、請求項１８に記載の発光素子。
  20. 　前記有機物質は、導電性を有する、請求項１８に記載の発光素子。
  21. 　前記有機物質は、ポリフェニレン、ポリ(ｐ－フェニレンビニレン)、ポリチオフェン、ポリフルオレン、およびポリカルバゾールの少なくとも１つを含む、請求項２０に記載の発光素子。
  22. 　前記第１電極および第２電極間に、前記発光層と同色発光する別の発光層が配されている、請求項１～２１のいずれか１項に記載の発光素子。
  23. 　請求項１～２２のいずれか１項に記載の発光素子を含む表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2026070481A1 (ja) * 2024-09-30 2026-04-02 ソニーグループ株式会社 表示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008538155A (ja) * 2005-02-24 2008-10-09 イーストマン コダック カンパニー 光出力が改善されたｏｌｅｄデバイス
WO2013042745A1 (ja) * 2011-09-21 2013-03-28 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013235233A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Samsung Display Co Ltd 光学シートの製造方法、有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法
KR20170115655A (ko) * 2016-04-07 2017-10-18 한국전자통신연구원 이중모드 디스플레이
US20210217825A1 (en) * 2018-12-05 2021-07-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting diode and fabrication method thereof, display substrate and display panel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008538155A (ja) * 2005-02-24 2008-10-09 イーストマン コダック カンパニー 光出力が改善されたｏｌｅｄデバイス
WO2013042745A1 (ja) * 2011-09-21 2013-03-28 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013235233A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Samsung Display Co Ltd 光学シートの製造方法、有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法
KR20170115655A (ko) * 2016-04-07 2017-10-18 한국전자통신연구원 이중모드 디스플레이
US20210217825A1 (en) * 2018-12-05 2021-07-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting diode and fabrication method thereof, display substrate and display panel

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2026070481A1 (ja) * 2024-09-30 2026-04-02 ソニーグループ株式会社 表示装置

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