WO2023190384A1 - 接合装置および接合方法 - Google Patents

接合装置および接合方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2023190384A1
WO2023190384A1 PCT/JP2023/012288 JP2023012288W WO2023190384A1 WO 2023190384 A1 WO2023190384 A1 WO 2023190384A1 JP 2023012288 W JP2023012288 W JP 2023012288W WO 2023190384 A1 WO2023190384 A1 WO 2023190384A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bonding
bonding surface
joining
chip
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2023/012288
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
達弥 岡田
浩一 風間
敏行 陣田
義之 新井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Engineering Co Ltd
Original Assignee
Toray Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Engineering Co Ltd filed Critical Toray Engineering Co Ltd
Priority to KR1020247030199A priority Critical patent/KR20240167641A/ko
Publication of WO2023190384A1 publication Critical patent/WO2023190384A1/ja
Priority to US18/892,975 priority patent/US20250015039A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/011—Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0446—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W80/00—Direct bonding of chips, wafers or substrates
    • H10W80/301—Bonding techniques, e.g. hybrid bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07125—Means for controlling the bonding environment, e.g. valves or vacuum pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07173—Means for moving chips, wafers or other parts, e.g. conveyor belts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W80/00—Direct bonding of chips, wafers or substrates
    • H10W80/102—Controlling the environment during the bonding, e.g. the temperature or pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W80/00—Direct bonding of chips, wafers or substrates
    • H10W80/301—Bonding techniques, e.g. hybrid bonding
    • H10W80/331—Bonding techniques, e.g. hybrid bonding characterised by the application of energy for connecting
    • H10W80/333—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W80/00—Direct bonding of chips, wafers or substrates
    • H10W80/301—Bonding techniques, e.g. hybrid bonding
    • H10W80/331—Bonding techniques, e.g. hybrid bonding characterised by the application of energy for connecting
    • H10W80/338—Bonding techniques, e.g. hybrid bonding characterised by the application of energy for connecting using EM radiation or electron beams, e.g. using lasers

Definitions

  • the present invention relates to a bonding device and a bonding method for bonding a semiconductor chip and a wiring board in a conductive manner.
  • Hybrid bonding is one of the technologies for joining materials.
  • Hybrid bonding is a technique for bonding surfaces in which electrode patterns and insulating layers are mixed on the same surface.
  • Patent Document 1 by bringing the surfaces to be joined into contact with each other under a state in which the surfaces are activated by plasma, for example, the electron trajectories of both surfaces overlap and the joining is established.
  • the bonding surface and then bonding it is possible to perform the bonding at room temperature and thermal deformation can be ignored, making it suitable for bonding materials with narrow pitch electrode patterns. This method is suitable.
  • the bonding surfaces of both are activated, when holding the bonding surface side of the semiconductor chip, the bonding surface must not come into contact with the transfer hand, so the transfer hand is equipped with a Bernoulli chuck or other special I had to use something. Further, when the chip is poked with a needle from the carrier board side when removing the chip from the carrier board, there is a possibility that the chip may be broken.
  • the present invention aims to provide a bonding device and a bonding method that can easily perform bonding accompanied by activation of bonding surfaces.
  • the bonding apparatus of the present invention is a bonding apparatus for bonding a first element and a second element, and includes a first bonding surface that is a bonding surface of the first element, and a bonding surface that is a bonding surface of the first element; an activation part that activates a second bonding surface that is a bonding surface of a second element, and a state in which the first bonding surface and the second bonding surface are opposed to each other with a predetermined interval therebetween; It is characterized by having a joining portion in which the first joining surface and the second joining surface are brought close to each other and joined together by irradiation with active energy rays.
  • any first element from a set of first elements is once removed. There is no need for a transportation process. Therefore, the first element can be brought close to the second element without causing physical contact with the first bonding surface of the first element, thereby breaking the activated state of the bonding surface. The first element and the second element can be bonded together without any trouble.
  • the first holding substrate holding the first element is provided with a blistering layer in which blistering occurs when irradiated with active energy rays, and the first element is held in the blisterring layer by the blisterring. It is preferable to approach the second element in this state.
  • the first element can be reliably brought close to the second element.
  • a first holding substrate that holds the first element is provided with an adhesive layer that is ablated by irradiation with active energy rays, and the first holding substrate is energized by the ablation while the first holding substrate is energized by the ablation. It may be peeled off from the substrate and brought close to the second element.
  • the first element can be reliably brought close to the second element.
  • the first bonding surface and the second bonding surface are brought close to each other by irradiation with active energy rays, and the first bonding surface and the second bonding surface are brought into contact with each other by a predetermined pressure. It is best to press it.
  • the activation section preferably activates the first bonding surface and the second bonding surface by exposing them to a plasma atmosphere.
  • the bonding method of the present invention is a bonding method for bonding a first element and a second element, wherein a first bonding surface that is a bonding surface of the first element is bonded. and an activation step of activating a second bonding surface that is a bonding surface of the second element, and a state in which the first bonding surface and the second bonding surface are opposed to each other with a predetermined interval therebetween.
  • the present invention is characterized by comprising a bonding step of bringing the first bonding surface and the second bonding surface close to each other and bonding them by irradiation with active energy rays.
  • the first bonding surface and the second bonding surface are brought close to each other by irradiation with active energy rays, so any first element from a set of first elements is once removed. There is no need for a transportation process. Therefore, the first element can be brought close to the second element without causing physical contact with the first bonding surface of the first element, thereby breaking the activated state of the bonding surface. The first element and the second element can be bonded together without any trouble.
  • bonding apparatus and bonding method of the present invention bonding accompanied by activation of the bonding surface can be easily performed.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a joining device in an embodiment of the present invention. It is a figure explaining the joint part in this embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a bonding form of elements by bonding according to the present embodiment. It is a figure explaining the junction form of the element in other embodiments of the present invention.
  • a bonding device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.
  • the bonding device 100 has an activation section 30 and a bonding section 10, and the bonding section 10 bonds elements whose bonding surfaces have been activated by the activation section 30.
  • the element having the bonding surface may be in the form of a chip such as a semiconductor chip, or may be in the form of a substrate such as a circuit board.
  • a plurality of chip-shaped elements are held in a plurality of arrays on a transfer substrate, and the elements are transported between the activation section 30 and the bonding section 10 in the form of a substrate, and are transported by a transport robot 40.
  • the activation unit 30 is a plasma processing device, and has a chamber that accommodates a first element and a second element, and creates a plasma atmosphere in the chamber so as to improve the first bonding surface of the first element and the second element.
  • the second bonding surface of the second element can be exposed to a plasma atmosphere.
  • activation refers to bringing the surface of a substance into a state where a chemical reaction is likely to occur. Further, the process of activating the first bonding surface and the second bonding surface in this manner will be referred to as an activation step in this description.
  • the transfer robot 40 moves the second element and the first element to the bonding area in this order. transported to.
  • the first element is a semiconductor chip, and a plurality of them are arranged and held on the transfer substrate, and the second element is a circuit board.
  • the transfer robot 40 has a substantially U-shaped robot hand and a movement mechanism for moving the robot hand, and has a surface opposite to the surface holding the first element of the transfer substrate, and a surface of the transfer substrate opposite to the surface holding the first element.
  • the transfer substrate and the second element are transported from the activation section 30 to the bonding section 10 while holding the surface opposite to the bonding surface of the transfer substrate 2 by suction.
  • the robot hand may have a reversing function.
  • the second element is first conveyed to the bonding section 10, and then the transfer substrate is sucked and held, and the transfer substrate is transferred to the bonding section 10 while being reversed, so that the robot hand can move the transfer substrate to the bonding section 10 while holding the transfer substrate by suction.
  • the first bonding surface and the second bonding surface may be opposed to each other.
  • the joint portion 10 in this embodiment is shown in FIG. 2.
  • the joining section 10 is a transfer device, and includes a laser irradiation section 12 that irradiates a laser beam 11, a transfer substrate gripping section 13 that holds the transfer substrate 22 and is movable in at least the X-axis direction and the Y-axis direction, and a transfer substrate gripping section.
  • a transfer substrate holding section 14 is provided below the transfer substrate 13 and holds the transfer substrate 23 so as to face the transfer substrate 22 with a gap therebetween, and a control section (not shown) is provided.
  • 11 causes ablation on the transfer substrate, and the element 21 is transferred from the transfer substrate 22 to the transferred substrate 23.
  • the laser irradiation unit 12 is a device that irradiates laser light 11 such as an excimer laser that is an active energy ray, and is fixedly provided on the transfer device 10.
  • the laser irradiation unit 12 irradiates a spot-shaped laser beam 11, and the laser beam 11 is transmitted in the X-axis direction and the Y-axis direction through a galvanometer mirror 15 and an f ⁇ lens 16 whose angle is adjusted by a control unit.
  • the irradiation position in the direction is controlled, and a plurality of elements 21 arranged on the transfer substrate 22 held by the transfer substrate holding part 13 are selectively irradiated.
  • the element 21 is a semiconductor chip such as a logic device or a memory, and will also be referred to as the chip 21 hereinafter. Furthermore, as shown in FIG. 3, one surface of the chip 21 is provided with a bonding surface 21a, which is a smooth surface on which wiring is formed to establish electrical continuity with the wiring board.
  • the transfer substrate gripping section 13 has an opening and grips the vicinity of the outer circumference of the transfer substrate 22 by suction.
  • the laser beam 11 emitted from the laser irradiation section 12 can be applied to the transfer substrate 22 held by the transfer substrate holding section 13 through this opening.
  • the transfer robot hand that transfers the substrate S between the activation section 30 and the bonding section 10 may also serve as the transfer substrate gripping section 13.
  • the transfer substrate 22 is a substrate made of glass or the like that can transmit the laser beam 11, and holds a plurality of chips 21 on the lower surface side. Further, as shown in FIG. 2(a), an adhesive layer 24 is formed on the surface of the transfer substrate 22 that holds the chip 21, and the surface of this adhesive layer 24 has adhesive properties. The adhesive force on the surface of the adhesive layer 24 serves as a holding force for the chip 21 and holds the chip 21 adhesively. Note that in this description, a substrate that holds an element (chip 21), such as the transfer substrate 22, is also referred to as a first holding substrate.
  • the transfer substrate gripping section 13 is moved relative to the transferred substrate gripping section 14 in at least the X-axis direction and the Y-axis direction by a moving mechanism (not shown).
  • a control section controls this moving mechanism and adjusts the position of the transfer substrate gripping section 13, thereby adjusting the relative position of the chip 1 held on the transfer substrate 22 with respect to the transfer target substrate 23.
  • the transferred substrate holding part 14 has a flat surface on the upper surface, and during the transfer process of the chip 21, the adhesive layer 24 of the transfer substrate 22 and the transferred surfaces of the transferred substrate 23 and the adhesive layer 24 held by the adhesive layer 24 are held in a predetermined position.
  • the transfer target substrate 23 is held so as to face each other with an interval of .
  • a plurality of suction holes are provided on the upper surface of the transfer substrate gripping section 14, and the back surface (the surface to which the chip 1 is not transferred) of the transfer substrate 23 is gripped by suction force.
  • the transfer target substrate 23 in this embodiment is a substrate to which a semiconductor chip is bonded, and is a circuit board provided with wiring for establishing electrical conduction with the chip 21, to which at least the chip 21 is bonded.
  • the surface is provided with wiring and is a smooth surface.
  • the transfer substrate gripping section 14 also has a moving mechanism in the X-axis direction and the Y-axis direction. It may be provided.
  • the adhesive layer 24 is formed on the surface of the transfer substrate 22 that holds the chip 21.
  • This adhesive layer 24 has adhesiveness on its surface, and blistering occurs within the adhesive layer 24 or between the glass surface 22a of the transfer substrate 22 and the adhesive layer 24 when irradiated with the laser beam 11. It has properties.
  • the surface of the chip 21 opposite to the bonding surface is adhesively held on this adhesive layer 24 .
  • the laser beam 11 is irradiated toward the chip 21 through the transfer substrate 22, and the chip 21 is adhesively held in the adhesive layer 24.
  • the portion that is, the vicinity of the chip 21
  • gas is generated.
  • blisters (bubbles) 24a are generated inside the adhesive layer 24 or between the glass surface 22a of the transfer substrate 22 and the adhesive layer 24.
  • the phenomenon in which the blisters 24a occur in this manner is referred to as blistering.
  • a layer in which blistering occurs when energy is applied, such as the adhesive layer 24 of this embodiment is also referred to as a blistering layer in this description.
  • the distance D2 of the surface of the adhesive layer 24 from the glass surface 22a in the portion where blistering has occurred in this manner is larger than the distance D1 of the surface of the adhesive layer 24 from the glass surface 22a in the portion before blistering. Therefore, when blistering occurs on the adhesive layer 24 at the position where the chip 21 is held, the chip 21 is separated from the glass surface 22a of the transfer substrate 22 while being held on the surface portion of the adhesive layer 24.
  • the transfer substrate 23 is provided in the vicinity of the chip 21 so as to face it with a predetermined distance therebetween, the chip 21 is attached to the surface portion of the adhesive layer 24 due to the occurrence of blistering.
  • the transfer target substrate 23 is approached while being held.
  • the chip 21 will be moved to the transferred substrate 23 due to the occurrence of blistering. , and can be further pressed.
  • proximity refers to the closeness of the target surfaces to such a distance that their electron trajectories overlap, and as the activated bonding surfaces come close to each other, the bonding surfaces become close to each other regardless of the presence or absence of external force. Joining begins.
  • the bonding surface 21a of the chip 21 and the bonding surface 23a of the transfer substrate 23 are bonded by the bonding section 10 under the condition that the bonding surfaces of the chip 21 and the transfer target substrate 23 are activated in advance by the activation section 30. be able to.
  • blistering is caused in the adhesive layer 24 and the chip 21 approaches the transfer substrate 23 while being held on the surface of the adhesive layer 24, so that for a predetermined period of time until the blister 24a deflates.
  • the kinetic energy accompanying the blistering presses the chip 21 against the transfer target substrate 23, thereby promoting bonding between the activated bonding surfaces.
  • the pressing force associated with this blistering is smaller than the pressing force due to ablation, which will be described later, and can press the chip 21 against the transfer substrate 23 weakly and for a long time compared to bonding by ablation.
  • the bonding force between the chip 21 and the transfer substrate 23 when the blister 24a deflates is greater than the adhesion force of the chip 21 due to the adhesive layer 24, even if the blister 24a deflates, the chip 21 and the transfer substrate 23 will be bonded to each other. The joined state is maintained.
  • the size of the blister 24a can be adjusted, and the pressing force of the chip 21 against the transfer target substrate 23 can be adjusted.
  • the first bonding surface and the second bonding surface are brought close to each other by irradiation with active energy rays.
  • the process of bonding by bonding is also referred to as a bonding step.
  • the transfer substrate 23 can be bonded to the transfer substrate 23.
  • the transfer substrate 22 and the transfer substrate 23 are separated by, for example, being raised by the operation of the transfer substrate gripping part 13, and the adhesive is removed from the chip 21. Layer 24 may also be removed.
  • FIG. 4 shows a bonding form of elements in another embodiment of the present invention.
  • blistering is caused in the adhesive layer 24 by irradiation with the laser beam 11 to bring the chip 21 close to the transfer target substrate 23, but in the bonding mode of this embodiment, the adhesive layer 24 The chip 21 is brought close to the transfer target substrate 23 by causing ablation.
  • the laser beam 11 is irradiated toward the chip 21 through the transfer substrate 22, and the chip 21 is adhesively held in the ablation layer 24.
  • the material of the adhesive layer 24 decomposes due to application of active energy (light energy), melts and disappears, and gas is generated. do. Due to the generation of gas as the adhesive layer 24 disappears, the chip 21 is peeled off from the transfer substrate 22 and is urged to move in a direction away from the transfer substrate 22. That is, laser lift-off is performed.
  • ablation layer in this description.
  • the transfer target substrate 23 is provided near the chip 21 so as to face it with a predetermined interval therebetween, so the chip 21 energized by the laser lift-off moves toward the transfer target substrate 23.
  • the transfer target 23 flies close to the transfer target substrate 23. Then, under the condition that the bonding surfaces of the chip 21 and the transfer target substrate 23 are activated in advance by the activation unit 30, the bonding surface 21a of the adjacent chip 21 and the bonding surface 23a of the transfer target substrate 23 are the same as in the previous embodiment. Start joining in the same way.
  • the chip 21 when the chip 21 approaches the transferred substrate 23, it is completely separated from the transfer substrate 22, so although it is difficult to obtain continuous pressing force during bonding, the chip 21 The chip 21 is momentarily pressed against the transfer target substrate 23 by the kinetic energy generated when it collides with the transfer target substrate 23, thereby promoting the bonding between the activated bonding surfaces.
  • the bonding apparatus and bonding method of the present invention are not limited to the embodiments described above, but may have other embodiments within the scope of the present invention.
  • the first element is pressed against the second element by kinetic energy accompanying blistering or ablation of the adhesive layer of the transfer substrate, and the bonding between the first bonding surface and the second bonding surface is promoted.
  • the present invention is not limited to this, and a separate crimping process may be provided.
  • the activation part and the joint part are separate devices, but the present invention is not limited thereto, and one device may serve as the activation part and the joint part. Then, with the transfer substrate gripping section gripping the back side of the transfer substrate and the transfer substrate gripping section gripping the back side of the transfer substrate, the bonding surface is activated by plasma or the like, and then the transfer substrate gripping section grips the back side of the transfer substrate.
  • the chip may be transferred to the transfer substrate by irradiation with active energy rays while the transfer substrate gripping section holds the transfer substrate and the transfer substrate.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

接合面の活性化をともなう接合を容易に実施することができる接合装置および接合方法を提供する。具体的には、第１の素子２１と第２の素子２３とを接合する接合装置１００であって、第１の素子２１の接合面である第１の接合面および第２の素子２３の接合面である第２の接合面を活性化させる活性化部３０と、第１の接合面と第２の接合面とを所定の間隔を介して対向させた状態から、活性エネルギー線の照射によって第１の接合面と第２の接合面とを近接させて接合させる接合部１０と、を有する。

Description

接合装置および接合方法
　本発明は、半導体チップと配線基板とを導通可能に接合する、接合装置および接合方法に関する。
　材料同士を接合する技術の一つとして、ハイブリッドボンディングがある。ハイブリッドボンディングとは、電極パターンおよび絶縁層が同一面に混在した面間を接合する技術である。このとき、特許文献１に示されているように、接合する面同士がたとえばプラズマによって活性化した状態下で面同士を接触させることによって、両面の電子軌道が重なって接合が成立する。このように接合面を活性化させてから接合することにより、常温下で接合を実施することが可能であって熱変形が無視できるため、狭ピッチの電極パターンを有する材料の接合を行う場合にこの方法が適している。
特許第６４４８６５６号公報
　しかし、上記の通り接合する面同士を活性化した状態下で接触させるためには、従来の接合装置では困難をともなっていた。具体的には、接合する材料が半導体チップと配線基板の場合、キャリア基板に多数配列された半導体チップの一部を配線基板に実装するにあたり、従来技術だとキャリア基板から対象の半導体チップをピックアップして、半導体チップの表裏面を持ち替えてから半導体チップを配線基板に向けて搬送することにより、両者の接合面を対向させる。一方、両者の接合面を活性化させている場合には、半導体チップの接合面側を保持する際には、その接合面が搬送ハンドと接触してはいけないため、搬送ハンドはベルヌーイチャックなど特殊なものを使用する必要があった。また、チップをキャリア基板から外す際にキャリア基板側からチップをニードルで突く場合、チップが割れる可能性もあった。
　本願発明は、上記問題点を鑑み、接合面の活性化をともなう接合を容易に実施することができる接合装置および接合方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために本発明の接合装置は、第１の素子と第２の素子とを接合する接合装置であって、前記第１の素子の接合面である第１の接合面および前記第２の素子の接合面である第２の接合面を活性化させる活性化部と、前記第１の接合面と前記第２の接合面とを所定の間隔を介して対向させた状態から、活性エネルギー線の照射によって前記第１の接合面と前記第２の接合面とを近接させて接合させる接合部と、を有することを特徴としている。
　この接合装置により、接合部では活性エネルギー線の照射によって第１の接合面と第２の接合面とを近接させるため、第１の素子の集合の中から任意の第１の素子を一度取り外して搬送する工程が不要となる。そのため、第１の素子の第１の接合面に物理的な接触が途中で生じることなく第１の素子を第２の素子へ近接させることができるため、接合面が活性化された状態を壊すことなく第１の素子と第２の素子とを接合させることができる。
　また、前記第１の素子を保持する第１の保持基板には活性エネルギー線の照射によりブリスタリングが生じるブリスタリング層が設けられ、前記ブリスタリングにより前記第１の素子が前記ブリスタリング層に保持された状態で前記第２の素子に近接すると良い。
　こうすることにより、確実に第１の素子を第２の素子に近接させることができる。
　また、前記第１の素子を保持する第１の保持基板には活性エネルギー線の照射によりアブレーションが生じる粘着層が設けられ、前記アブレーションにより前記第１の素子が付勢されつつ前記第１の保持基板から剥離し、前記第２の素子に近接しても良い。
　こうすることにより、確実に第１の素子を第２の素子に近接させることができる。
　また、前記接合部は、活性エネルギー線の照射により前記第１の接合面と前記第２の接合面とを近接させるとともに所定の圧力で前記第１の接合面と前記第２の接合面とを押圧させると良い。
　こうすることにより、第１の接合面と第２の接合面の接合を促進させることができる。
　また、前記活性化部は、前記第１の接合面および前記第２の接合面をプラズマ雰囲気に曝すことにより、それぞれを活性化させると良い。
　また、上記課題を解決するために本発明の接合方法は、第１の素子と第２の素子とを接合する接合方法であって、前記第１の素子の接合面である第１の接合面および前記第２の素子の接合面である第２の接合面を活性化させる活性化工程と、前記第１の接合面と前記第２の接合面とを所定の間隔を介して対向させた状態から、活性エネルギー線の照射によって前記第１の接合面と前記第２の接合面とを近接させて接合させる接合工程と、を有することを特徴としている。
　この接合方法により、接合工程では活性エネルギー線の照射によって第１の接合面と第２の接合面とを近接させるため、第１の素子の集合の中から任意の第１の素子を一度取り外して搬送する工程が不要となる。そのため、第１の素子の第１の接合面に物理的な接触が途中で生じることなく第１の素子を第２の素子へ近接させることができるため、接合面が活性化された状態を壊すことなく第１の素子と第２の素子とを接合させることができる。
　本発明の接合装置および接合方法により、接合面の活性化をともなう接合を容易に実施することができる。
本発明の一実施形態における接合装置を説明する図である。 本実施形態における接合部を説明する図である。 本実施形態の接合による素子の接合形態を説明する図である。 本発明の他の実施形態における素子の接合形態を説明する図である。
　本発明の一実施形態における接合装置について、図１を参照して説明する。
　接合装置１００は活性化部３０および接合部１０を有し、活性化部３０により接合面が活性化された素子同士を接合部１０で接合する。ここで、接合面を有する素子は、半導体チップのようなチップ状でも良く、回路基板のような基板状でも良い。チップ状の素子は、転写基板に複数配列するように保持されており、活性化部３０と接合部１０の間の素子の搬送は、基板の形態で行われ、搬送ロボット４０により搬送される。
　活性化部３０は、プラズマ処理装置であり、第１の素子および第２の素子を収容するチャンバを有し、チャンバ内をプラズマ雰囲気にすることにより第１の素子が有する第１の接合面および第２の素子が有する第２の接合面をプラズマ雰囲気に曝すことができる。このように第１の接合面および第２の接合面をプラズマ雰囲気に曝すことにより、それぞれを活性化させる。なお、活性化とは、物質の表面を化学反応が起こりやすい状態にすることを指す。また、このように第１の接合面および第２の接合面を活性化させるプロセスを、本説明では活性化工程と呼ぶ。
　活性化部３０による第１の素子の第１の接合面および第２の素子の第２の接合面の活性化が完了すると、第２の素子、第１の素子の順に搬送ロボット４０によって接合部へと搬送される。ここで、本実施形態では、後述する通り、第１の素子は半導体チップであって転写基板に複数個配列されて保持された状態であり、第２の素子は回路基板であるとする。
　搬送ロボット４０は、略Ｕ字状のロボットハンドと当該ロボットハンドを移動させる移動機構を有し、転写基板の第１の素子を保持している面と反対側の面、第２の素子の第２の接合面と反対側の面をそれぞれ吸着保持し、転写基板および第２の素子を活性化部３０から接合部１０へ搬送する。
　また、ロボットハンドは反転機能を有していても良い。この場合、第２の素子を先に接合部１０へ搬送させてから転写基板を吸着保持し、反転しながら接合部１０へ搬送することによって、ロボットハンドが転写基板を吸着保持したまま接合部１０内で第１の接合面と第２の接合面とが対向する形態をとっても良い。
　本実施形態における接合部１０を図２に示す。
　接合部１０は、転写装置であり、レーザ光１１を照射するレーザ照射部１２、転写基板２２を保持して少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能な転写基板把持部１３、転写基板把持部１３の下側にあって転写基板２２と隙間を有して対向するように被転写基板２３を保持する被転写基板把持部１４、および図示しない制御部を備えており、転写基板２２にレーザ光１１を照射することによって転写基板でアブレーションを生じさせ、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１を転写する。
　なお、接合部１０では素子の接合面が活性化された状態を維持する必要があるため、装置内に減圧された環境が形成されていることが好ましい。
　レーザ照射部１２は、活性エネルギー線であるエキシマレーザなどのレーザ光１１を照射する装置であり、転写装置１０に固定して設けられる。本実施形態においては、レーザ照射部１２はスポット状のレーザ光１１を照射し、レーザ光１１は、制御部により角度が調節されるガルバノミラー１５およびｆθレンズ１６を介してＸ軸方向およびＹ軸方向の照射位置が制御され、転写基板把持部１３に保持された転写基板２２に複数配置されている素子２１に選択的に照射する。レーザ光１１が転写基板２２を通して素子２１近傍に入射することによって、転写基板２２と素子２１との間で活性エネルギー（光エネルギー）の付与によるブリスタリングが生じ、このブリスタリングによって素子２１は被転写基板２３へ向かって移動し、素子２１と被転写基板２３の接合面同士が近接する。
　なお、本説明では素子２１はロジックデバイスやメモリなどの半導体チップであり、以降、チップ２１とも呼ぶ。また、チップ２１の一方の面には、図３に示すように配線基板との導通を得るための配線が形成された平滑面である接合面２１ａが設けられている。
　転写基板把持部１３は開口を有し、転写基板２２の外周部近傍を吸着把持する。転写基板把持部１３に保持された転写基板２２へこの開口を介してレーザ照射部１２から発せられたレーザ光１１を当てることができる。なお、上記の通り活性化部３０と接合部１０の間で基板Ｓを搬送する搬送ロボットハンドが、この転写基板把持部１３を兼ねても良い。
　転写基板２２は、ガラスなどを材料としてレーザ光１１を透過することが可能な基板であり、下面側で複数のチップ２１を保持する。また、この転写基板２２のチップ２１を保持する面には図２（ａ）に示すように粘着層２４が形成されており、この粘着層２４の表面は粘着性を有する。この粘着層２４の表面の粘着力がチップ２１の保持力となり、チップ２１を粘着保持する。なお、本説明では転写基板２２のように素子（チップ２１）を保持する基板を第１の保持基板とも呼ぶ。
　また、転写基板把持部１３は図示しない移動機構により、少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に関して被転写基板把持部１４に対して相対移動する。図示しない制御部がこの移動機構を制御し、転写基板把持部１３の位置を調節することにより、転写基板２２に保持されたチップ１の被転写基板２３に対する相対位置を調節することができる。
　被転写基板把持部１４は、上面に平坦面を有し、チップ２１の転写工程中、転写基板２２の粘着層２４および粘着層２４が保持するチップ２１と被転写基板２３の被転写面が所定の間隔を介して対向するように被転写基板２３を把持する。この被転写基板把持部１４の上面には複数の吸引孔が設けられており、吸引力により被転写基板２３の裏面（チップ１が転写されない方の面）を把持する。
　ここで、本実施形態における被転写基板２３は、半導体チップが接合される基板であり、チップ２１との導通をとるための配線が設けられた回路基板であって、少なくともチップ２１が接合される面は配線が設けられ、かつ平滑面となっている。
　なお、本実施形態では、転写基板把持部１３のみがＸ軸方向およびＹ軸方向に移動することにより転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とが相対移動する形態をとっているが、被転写基板２３の寸法が大きく、レーザ光１１の照射範囲の直下に被転写基板２３の全面が位置できない場合には、被転写基板把持部１４にもＸ軸方向およびＹ軸方向の移動機構が設けられていても良い。
　本実施形態の転写装置１０による本発明にかかるチップ２１の接合形態を図３で説明する。
　転写基板２２のチップ２１を保持する面には、上述の通り粘着層２４が形成されている。この粘着層２４は、表面に粘着性を有しているとともに、レーザ光１１が照射されることにより粘着層２４内もしくは転写基板２２のガラス面２２ａと粘着層２４との間でブリスタリングが生じる性質を有している。この粘着層２４に、チップ２１は接合面と反対側の面が粘着保持されている。
　ここで、チップ２１を挟んで転写基板２２と被転写基板２３とが対向した状態において転写基板２２を通してチップ２１に向けてレーザ光１１が照射され、粘着層２４におけるチップ２１を粘着保持している部分（すなわち、チップ２１の近傍）にレーザ光１１が照射されることによって、レーザ光１１のエネルギーによって粘着層２４の材料の一部が分解され、ガスが発生する。この粘着層２４の材料の分解およびガスの発生により、粘着層２４の内部もしくは転写基板２２のガラス面２２ａと粘着層２４との間でブリスター（気泡）２４ａが発生する。このようにブリスター２４ａが発生する現象を本説明ではブリスタリングと呼ぶ。また、本実施形態の粘着層２４のようにエネルギーの付与によりブリスタリングが生じる層を、本説明ではブリスタリング層とも呼ぶ。
　このようにブリスタリングが生じた部分における粘着層２４の表面のガラス面２２ａからの距離Ｄ２は、ブリスタリングする前の部分における粘着層２４の表面のガラス面２２ａからの距離Ｄ１より大きくなる。そのため、チップ２１が保持されている位置において粘着層２４にブリスタリングが生じると、チップ２１は粘着層２４の表面部分に保持されたまま転写基板２２のガラス面２２ａから離間する。
　ここで、本実施形態では、チップ２１の近傍には所定の間隔を介して対向するように被転写基板２３が設けられているため、ブリスタリングの発生によりチップ２１は粘着層２４の表面部分に保持されたまま被転写基板２３に接近する。
　そして、ブリスタリング前におけるチップ２１と被転写基板２３との距離がブリスタリングの発生により生じうる粘着層２４の表面の位置変動量よりも小さければ、ブリスタリングの発生によってチップ２１は被転写基板２３に近接し、さらに押圧されうる。
　なお、本説明における近接とは、対象面同士が電子軌道を重ねる程度の距離まで接近することを指し、活性化された接合面同士が近接することにより、外力の有無に関係無く接合面同士の接合が開始する。
　したがって、活性化部３０によってあらかじめチップ２１と被転写基板２３の接合面同士が活性化された条件下において接合部１０によってチップ２１の接合面２１ａと被転写基板２３の接合面２３ａとを接合させることができる。
　また、本実施形態では粘着層２４にてブリスタリングを生じさせてチップ２１が粘着層２４の表面部分に保持されたまま被転写基板２３に近接するため、ブリスター２４ａがしぼむまでの所定の時間においてブリスタリングにともなう運動エネルギーによってチップ２１を被転写基板２３へ押圧し、それにより、活性化された接合面同士の接合を促進させることができる。
　また、このブリスタリングにともなう押圧力は、後述のアブレーションによる押圧力より小さく、アブレーションによる接合と比較してチップ２１を被転写基板２３へ弱く長く押圧することができる。
　そして、ブリスター２４ａがしぼむ際のチップ２１と被転写基板２３との接合力が粘着層２４によるチップ２１の粘着力よりも大きくなっていれば、ブリスター２４ａがしぼんでもチップ２１と被転写基板２３とが接合された状態は維持される。
　また、レーザ光１１の強度を調節することによりブリスター２４ａの大きさを調節することが可能であり、チップ２１の被転写基板２３への押圧力を調節することができる。
　また、上記の通り第１の接合面と第２の接合面とを所定の間隔を介して対向させた状態から、活性エネルギー線の照射によって第１の接合面と第２の接合面とを近接させて接合させるプロセスを、本説明では接合工程とも呼ぶ。
　このような接合工程により、チップの集合の中から任意のチップ２１を一度取り外して搬送する工程を要することなく被転写基板２３へ近接させることができる。そのため、チップ２１の接合面２１ａに物理的な接触が途中で生じることなくチップ２１を被転写基板２３へ近接させることができるため、接合面が活性化された状態を壊すことなくチップ２１と被転写基板２３とを接合させることができる。
　なお、チップ２１と被転写基板２３とが接合された後、たとえば転写基板把持部１３の動作により転写基板２２を上昇させることによって転写基板２２と被転写基板２３とを離間させ、チップ２１から粘着層２４を取り外すようにしても良い。
　次に、本発明の他の実施形態における素子の接合形態を図４に示す。
　先述の実施形態の接合形態では、レーザ光１１の照射により粘着層２４においてブリスタリングを発生させてチップ２１を被転写基板２３に近接させているが、本実施形態の接合形態では、粘着層２４でアブレーションを生じさせることによりチップ２１を被転写基板２３に近接させる。
　具体的には、チップ２１を挟んで転写基板２２と被転写基板２３とが対向した状態において転写基板２２を通してチップ２１に向けてレーザ光１１が照射され、アブレーション層２４におけるチップ２１を粘着保持している部分（すなわち、チップ２１の近傍）にレーザ光１１が照射されることによって、活性エネルギー（光エネルギー）の付与による粘着層２４の材料の分解が生じ、溶融、消失するとともに、ガスが発生する。この粘着層２４の消失にともなうガスの発生により、チップ２１は転写基板２２から剥離するとともに付勢され、転写基板２２から離れる方向へ移動する。すなわち、レーザリフトオフが実施される。
　なお、本実施形態の粘着層２４のようにエネルギーの付与によりアブレーションが生じる層を、本説明ではアブレーション層とも呼ぶ。
　ここで、本実施形態ではチップ２１の近傍には所定の間隔を介して対向するように被転写基板２３が設けられているため、レーザリフトオフにより付勢されたチップ２１は被転写基板２３に向かって飛行し、被転写基板２３に近接する。そして、活性化部３０によってあらかじめチップ２１と被転写基板２３の接合面同士が活性化された条件下において、近接したチップ２１の接合面２１ａと被転写基板２３の接合面２３ａは先の実施形態と同様に接合を開始する。
　また、本実施形態ではチップ２１が被転写基板２３に近接する際には転写基板２２から完全に分離しているため、接合の際に継続的な押圧力を得ることは難しいものの、チップ２１が被転写基板２３に衝突した際の運動エネルギーによってチップ２１を被転写基板２３へ瞬間的に押圧し、それにより、活性化された接合面同士の接合を促進させることができる。
　以上の接合装置および接合方法により、接合面の活性化をともなう接合を容易に実施することが可能である。
　ここで、本発明の接合装置および接合方法は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、上記の説明では転写基板の粘着層のブリスタリングもしくはアブレーションにともなう運動エネルギーにより第１の素子を第２の素子に押圧し、第１の接合面と第２の接合面の接合を促進しているが、それに限らず別途圧着工程を設けても良い。
　また、上記の説明では、活性化部と接合部とが別々の装置となっているが、それに限らず、一つの装置が活性化部と接合部を兼ねても良い。そして、転写基板把持部が転写基板の裏面側を把持し、被転写基板把持部が被転写基板の裏面側を把持した状態でプラズマなどによる接合面の活性化を行い、次に転写基板把持部および被転写基板把持部が転写基板および被転写基板を把持した状態を維持したまま活性エネルギー線照射による被転写基板へのチップの転写を行っても良い。
　１０　接合部（転写装置）
　１１　レーザ光（活性エネルギー線）
　１２　レーザ光源
　１３　転写基板把持部
　１４　被転写基板把持部
　１５　ガルバノミラー
　１６　Ｆθレンズ
　２１　チップ（素子）
　２１ａ　接合面
　２２　転写基板
　２２ａ　ガラス面
　２３　被転写基板（回路基板）
　２３ａ　接合面
　２４　粘着層
　２４ａ　ブリスター
　３０　活性化部
　４０　ロボットハンド
　１００　接合装置
　Ｓ　基板

Claims (6)

  1. 　第１の素子と第２の素子とを接合する接合装置であって、
    　前記第１の素子の接合面である第１の接合面および前記第２の素子の接合面である第２の接合面を活性化させる活性化部と、
    　前記第１の接合面と前記第２の接合面とを所定の間隔を介して対向させた状態から、活性エネルギー線の照射によって前記第１の接合面と前記第２の接合面とを近接させて接合させる接合部と、
    を有することを特徴とする、接合装置。
  2. 　前記第１の素子を保持する第１の保持基板には活性エネルギー線の照射によりブリスタリングが生じるブリスタリング層が設けられ、前記ブリスタリングにより前記第１の素子が前記ブリスタリング層に保持された状態で前記第２の素子に近接することを特徴とする、請求項１に記載の接合装置。
  3. 　前記第１の素子を保持する第１の保持基板には活性エネルギー線の照射によりアブレーションが生じる粘着層が設けられ、前記アブレーションにより前記第１の素子が付勢されつつ前記第１の保持基板から剥離し、前記第２の素子に近接することを特徴とする、請求項１に記載の接合装置。
  4. 　前記接合部は、活性エネルギー線の照射により前記第１の接合面と前記第２の接合面とを近接させるとともに所定の圧力で前記第１の接合面と前記第２の接合面とを押圧させることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の接合装置。
  5. 　前記活性化部は、前記第１の接合面および前記第２の接合面をプラズマ雰囲気に曝すことにより、それぞれを活性化させることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の接合装置。
  6. 　第１の素子と第２の素子とを接合する接合方法であって、
    　前記第１の素子の接合面である第１の接合面および前記第２の素子の接合面である第２の接合面を活性化させる活性化工程と、
    　前記第１の接合面と前記第２の接合面とを所定の間隔を介して対向させた状態から、活性エネルギー線の照射によって前記第１の接合面と前記第２の接合面とを近接させて接合させる接合工程と、
    を有することを特徴とする、接合方法。
PCT/JP2023/012288 2022-03-28 2023-03-27 接合装置および接合方法 Ceased WO2023190384A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020247030199A KR20240167641A (ko) 2022-03-28 2023-03-27 접합 장치 및 접합 방법
US18/892,975 US20250015039A1 (en) 2022-03-28 2024-09-23 Bonding device and bonding method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-051064 2022-03-28
JP2022051064A JP2023144203A (ja) 2022-03-28 2022-03-28 接合装置および接合方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/892,975 Continuation US20250015039A1 (en) 2022-03-28 2024-09-23 Bonding device and bonding method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023190384A1 true WO2023190384A1 (ja) 2023-10-05

Family

ID=88202300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/012288 Ceased WO2023190384A1 (ja) 2022-03-28 2023-03-27 接合装置および接合方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20250015039A1 (ja)
JP (1) JP2023144203A (ja)
KR (1) KR20240167641A (ja)
TW (1) TW202406655A (ja)
WO (1) WO2023190384A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025204883A1 (ja) * 2024-03-26 2025-10-02 東レエンジニアリング株式会社 デバイス製造システムおよびデバイス製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019503081A (ja) * 2016-01-15 2019-01-31 ユニカルタ・インコーポレイテッド 超小型又は超薄型ディスクリート部品の配置
JP2019527465A (ja) * 2017-06-12 2019-09-26 ユニカルタ・インコーポレイテッド 基板上に個別部品を並列に組み立てる方法
US20210375620A1 (en) * 2020-06-02 2021-12-02 Intel Corporation Iii-n multichip modules and methods of fabrication

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6448656U (ja) 1987-09-18 1989-03-27

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019503081A (ja) * 2016-01-15 2019-01-31 ユニカルタ・インコーポレイテッド 超小型又は超薄型ディスクリート部品の配置
JP2019527465A (ja) * 2017-06-12 2019-09-26 ユニカルタ・インコーポレイテッド 基板上に個別部品を並列に組み立てる方法
US20210375620A1 (en) * 2020-06-02 2021-12-02 Intel Corporation Iii-n multichip modules and methods of fabrication

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025204883A1 (ja) * 2024-03-26 2025-10-02 東レエンジニアリング株式会社 デバイス製造システムおよびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202406655A (zh) 2024-02-16
JP2023144203A (ja) 2023-10-11
KR20240167641A (ko) 2024-11-27
US20250015039A1 (en) 2025-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112166495A (zh) 工件分离装置及工件分离方法
CN103962728A (zh) 激光加工方法
WO2023190384A1 (ja) 接合装置および接合方法
TW202409718A (zh) 轉印裝置及轉印方法
CN108346597B (zh) 一种真空加热系统、晶片剥离装置及方法
WO2023190389A1 (ja) 転写装置および転写方法
JP7503886B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW202105487A (zh) 晶圓的加工方法
JP4114196B2 (ja) 電子部品の剥離方法及びその実装方法
JP2016058542A (ja) チップと基板との接合方法、チップと基板との仮接合装置、チップ実装システム
JP7824210B2 (ja) 転写装置
JP2020064989A (ja) ウェーハの加工方法
JP2025148673A (ja) 転写方法、及び転写装置
TWI876690B (zh) 晶片接合設備以及晶片接合方法
TW201936307A (zh) 輪對輪的滾動焊接設備
JP2024099423A (ja) 転写方法
CN120089608A (zh) 芯片接合设备以及芯片接合方法
WO2024122552A1 (ja) 転写方法
JP2020064986A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020077706A (ja) ウェーハの加工方法
JP5667320B1 (ja) 部材貼付け装置
JP2020064988A (ja) ウェーハの加工方法
KR20210004848A (ko) 광 디바이스의 이설 방법
JP2020064959A (ja) ウェーハの加工方法
JPH01149978A (ja) 薄膜の加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23780393

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 23780393

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1