WO2023100293A1 - 光学パルスストレッチャ、レーザ装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

光学パルスストレッチャ、レーザ装置及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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裕基 田丸
泰祐 三浦
亮 安原
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    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Definitions

  • the present disclosure relates to an optical pulse stretcher, a laser device, and a method of manufacturing an electronic device.
  • a KrF excimer laser device that outputs laser light with a wavelength of about 248 nm and an ArF excimer laser device that outputs laser light with a wavelength of about 193 nm are used.
  • the spectral line width of the spontaneous oscillation light of the KrF excimer laser device and the ArF excimer laser device is as wide as 350-400 pm. Therefore, if the projection lens is made of a material that transmits ultraviolet light, such as KrF and ArF laser light, chromatic aberration may occur. As a result, resolution can be reduced. Therefore, it is necessary to narrow the spectral line width of the laser light output from the gas laser device to such an extent that the chromatic aberration can be ignored. Therefore, in the laser resonator of the gas laser device, a line narrowing module (LNM) including a band narrowing element (etalon, grating, etc.) is provided in order to narrow the spectral line width.
  • LNM line narrowing module
  • a gas laser device whose spectral line width is narrowed will be referred to as a band-narrowed gas laser device.
  • An optical pulse stretcher is an optical pulse stretcher that stretches the pulse width of pulsed laser light, and includes a polarizer that separates a component in a specific polarization direction of the incident pulsed laser light, and a polarizer a delay optical system including a plurality of mirrors through which the pulsed laser light reflected or transmitted propagates; a first magnet; and a first Faraday material; a first Faraday rotator for rotating the pulse width of pulsed laser light, and includes a polarizer that separates a component in a specific polarization direction of the incident pulsed laser light, and a polarizer a delay optical system including a plurality of mirrors through which the pulsed laser light reflected or transmitted propagates; a first magnet; and a first Faraday material; a first Faraday rotator for rotating the
  • a laser device includes an oscillator that outputs pulsed laser light, and an optical pulse stretcher that stretches the pulse width of the pulsed laser light, wherein the optical pulse stretcher comprises an incident pulsed laser light a polarizer that separates a specific polarization direction of the polarizer, a delay optical system including a plurality of mirrors through which the pulsed laser light reflected or transmitted through the polarizer propagates, a first magnet and a first Faraday material, and a delay a first Faraday rotator arranged on the optical path of the optical system and rotating the polarization direction of the pulsed laser light.
  • the optical pulse stretcher comprises an incident pulsed laser light a polarizer that separates a specific polarization direction of the polarizer, a delay optical system including a plurality of mirrors through which the pulsed laser light reflected or transmitted through the polarizer propagates, a first magnet and a first Faraday material, and a delay a first Faraday rotator arranged on the optical path of the optical
  • a method for manufacturing an electronic device includes an oscillator that outputs pulsed laser light and an optical pulse stretcher that stretches the pulse width of the pulsed laser light, wherein the optical pulse stretcher includes A delay optical system including a polarizer that separates a specific polarization direction of a pulsed laser beam, a plurality of mirrors through which the pulsed laser beam reflected or transmitted through the polarizer propagates, a first magnet, and a first Faraday material. and a first Faraday rotator arranged on the optical path of the delay optical system to rotate the polarization direction of the pulsed laser light, generating laser light whose pulse width is stretched by the laser device, and exposing the laser light. It involves exposing a photosensitive substrate to laser light in an exposure apparatus for outputting to an apparatus to manufacture an electronic device.
  • FIG. 1 is a graph showing an example of the relationship between the angle between the transmission axis of the polarizer and the polarization direction of incident light and the transmittance.
  • FIG. 2 schematically shows the configuration of a laser device according to a comparative example.
  • 3 schematically shows the configuration of a laser device according to Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing details of the configuration of the Faraday rotator.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view along line 5-5 in FIG. FIG.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of the polarization direction of pulsed laser light entering an optical pulse stretcher (OPS) and the polarization direction of pulsed laser light that has passed through the OPS.
  • 7 is a flowchart showing an example 1 of control processing in the laser device according to the first embodiment.
  • FIG. FIG. 8 is a flowchart showing an example 2 of control processing in the laser device according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a flow chart showing an example of a subroutine applied to step S14 of FIG. 7 or step S24 of FIG. 10 is a flowchart showing a modification of TIS control in the laser device according to Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 11 is a flow chart showing an example of a subroutine of processing applied to step S40 of FIG. FIG.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of a subroutine of processing applied to step S46 of FIG. 13 schematically shows the configuration of a laser device according to Modification 1 of Embodiment 1.
  • FIG. FIG. 14 schematically shows the configuration of a laser device according to Modification 2 of Embodiment 1.
  • FIG. 15 schematically shows the configuration of a laser device according to Embodiment 2.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram showing an example of the polarization direction of the pulsed laser light entering the second Faraday rotator and the polarization direction of the pulsed laser light that has passed through the OPS.
  • 17 is a flowchart illustrating an example of control processing in the laser device according to the second embodiment;
  • FIG. 18 is a flow chart showing an example of a subroutine of processing applied to step S74 of FIG.
  • FIG. 19 schematically shows the configuration of a laser device according to Modification 1 of Embodiment 2.
  • FIG. 20 schematically shows the configuration of a laser device according to Modification 2 of Embodiment 2.
  • FIG. 21 schematically shows a configuration example of an exposure apparatus.
  • Polarizer is an optical element that separates light in a specific polarization direction (transmission axis direction) from light whose polarization direction is orthogonal to that.
  • transmission axis direction transmission axis direction
  • each polarization component is separated by the following ratio.
  • Malus' law Malus' law.
  • FIG. 1 is a graph showing an example of the relationship between the angle between the transmission axis of the polarizer and the polarization direction of incident light and the transmittance.
  • the horizontal axis of FIG. 1 represents the angle ⁇ between the transmission axis of the polarizer and the polarized light, and the vertical axis represents the transmittance.
  • TIS Time-Integral Square
  • I(t) represents the light intensity over time.
  • FIG. 2 schematically shows the configuration of a laser apparatus 2 according to a comparative example.
  • the comparative examples of the present disclosure are forms known by the applicant to be known only by the applicant, and not known examples to which the applicant admits.
  • the laser device 2 includes an oscillator 10 , an optical pulse stretcher (OPS) 50 , a monitor module 60 and a laser controller 70 .
  • OPS optical pulse stretcher
  • OPS 50 and a monitor module 60 are arranged in this order on the optical path of the pulsed laser light output from the oscillator 10 .
  • Oscillator 10 includes chamber 14 , rear mirror 17 and output coupling mirror 18 .
  • the output coupling mirror 18 and the rear mirror 17 are arranged to form an optical resonator.
  • the chamber 14 is arranged on the optical path of the optical resonator and includes a pair of discharge electrodes 15a and 15b and two windows 16a and 16b through which laser light is transmitted.
  • An excimer laser gas is introduced into the chamber 14 .
  • the excimer laser gas may contain, for example, Ar gas or Kr gas as a rare gas, F2 gas as a halogen gas, and Ne gas as a buffer gas.
  • the OPS 50 includes a beam splitter 52 and concave mirrors 54a, 54b, 54c, and 54d, which form a delay optical path.
  • the beam splitter 52 is arranged on the optical path of the laser light, and is coated with a film that transmits part of the pulsed laser light and reflects the other part of the pulsed laser light.
  • the reflectance of beam splitter 52 is preferably about 60%.
  • the beam splitter 52 causes the laser device 2 to output the pulsed laser light that has passed through the beam splitter 52 as described above.
  • the concave mirrors 54a to 54d are all concave mirrors with substantially the same focal length f.
  • the concave mirrors 54a-54d are arranged so as to have the following relationship. That is, the image at the position of the beam splitter 52 of the laser beam reflected by the beam splitter 52 is reversed by the concave mirrors 54a and 54b and formed into an image. Concave mirrors 54a-54d are arranged to return to the splitter 52 and form an image in the normal direction. In this case, the delay optical path length L is 8f.
  • the monitor module 60 includes a beam splitter 62 and an optical sensor 63.
  • Optical sensor 63 may be, for example, a biplanar discharge tube or a photodiode. Data measured using the optical sensor 63 is transmitted to the laser controller 70 .
  • a high voltage pulse is applied between the discharge electrodes 15a and 15b in the chamber 14 from a power source (not shown).
  • a discharge occurs between the discharge electrodes 15a and 15b in the chamber 14, the laser gas is excited, and an optical resonator composed of the output coupling mirror 18 and the rear mirror 17 emits a pulsed laser beam with an ultraviolet wavelength of 150 nm to 380 nm. is output from the out-coupling mirror 18 .
  • the pulsed laser light output from the output coupling mirror 18 is incident on the OPS 50, and a portion of the pulsed laser light passes through the delay optical path within the OPS 50 multiple times, thereby being extended to a predetermined pulse width.
  • a portion of the pulsed laser light that has passed through the OPS 50 is transmitted through the beam splitter 62 and output from the laser device 2 .
  • Another portion of the pulsed laser beam that has passed through the OPS 50 is reflected by the beam splitter 62 and enters the optical sensor 63 .
  • the optical sensor 63 measures the pulse energy E, and the obtained data is transmitted from the monitor module 60 to the laser controller 70 .
  • the laser control unit 70 controls the voltage of the high voltage pulse output from the power source (not shown) so that the difference ⁇ E between the target pulse energy Et and the measured pulse energy E approaches zero.
  • Method 1 requires preparing in advance a plurality of standard OPS housings with different circular optical path lengths. .
  • method 2 it is necessary to prepare in advance a plurality of types of standard products with different reflectances of the beam splitter 52 .
  • both method 1 and method 2 require replacement with a standard product, which requires a great deal of time and effort.
  • only the configuration of the prepared standard product can be changed, and the degree of freedom of change is small, making it difficult to optimize the pulse width or pulse waveform.
  • FIG. 3 schematically shows the configuration of a laser device 2A according to the first embodiment. Regarding the laser device 2A shown in FIG. 3, points different from the configuration shown in FIG. 2 will be described.
  • the window 16b of the chamber 14 may be arranged, for example, at Brewster's angle.
  • the polarization of the pulsed laser light emitted from the chamber 14 may be linear polarization or random polarization.
  • the laser device 2A includes an OPS 51 instead of the OPS 50 in FIG.
  • the OPS 51 has a Faraday rotator 91 arranged on a delay optical path composed of concave mirrors 54a to 54d.
  • the Faraday rotator 91 is arranged, for example, on the optical path between the concave mirrors 54b and 54c.
  • the Faraday rotator 91 may be placed anywhere on the delay optical path.
  • the Faraday rotator 91 is preferably arranged on the optical path of the collimated light.
  • a polarizer 53 is arranged in the OPS 51 instead of the beam splitter 52 in FIG.
  • the polarizer 53 is coated with a film that highly transmits P-polarized light and highly reflects S-polarized light.
  • Faraday rotator 91 includes Faraday material 95 and magnets 96 .
  • the Faraday material 95 may be calcium fluoride ( CaF2 ) crystals or synthetic quartz.
  • Magnet 96 may be a permanent magnet or an electromagnet.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the details of the configuration of the Faraday rotator 91.
  • FIG. FIG. 4 shows a cross section parallel to the optical axis of the pulsed laser beam.
  • a centerline CL in FIG. 4 represents the center of the magnet 96 .
  • FIG. 5 is a cross-sectional view along line 5-5 in FIG.
  • the actuator 120 that controls the amount of rotation of the polarization direction is arranged on the Faraday rotator 91 .
  • the actuator 120 may be, for example, a mechanism that moves the Faraday material 95 with respect to the magnet 96 in the optical axis direction of the pulsed laser beam.
  • the movable amount (maximum amount of movement) of the Faraday material 95 by the actuator 120 is preferably at least half the length of the pulsed laser beam of the Faraday material 95 in the optical axis direction.
  • a minimum unit of movement of the Faraday material 95 by the actuator 120 may be, for example, about 0.2 mm.
  • the actuator 120 may be configured to move the magnet 96 with respect to the Faraday material 95 in the optical axis direction of the pulsed laser beam.
  • the Faraday rotator 91 is an example of the "first Faraday rotator” in the present disclosure.
  • Faraday material 95 and magnet 96 are examples of “first Faraday material” and “first magnet” in this disclosure.
  • Actuator 120 is an example of a "first actuator” in the present disclosure.
  • the actuator 120 is not limited to a moving mechanism for relatively moving the Faraday material 95 and the magnet 96.
  • the magnet 96 may be an electromagnet and a mechanism for controlling the current flowing through the electromagnet, or a heater or the like. may be a mechanism for controlling the temperature of the magnet 96 using
  • the term "actuator” is not limited to a device that performs a mechanical operation, and refers to a mechanism (mechanism) capable of changing the amount of rotation of the polarization direction by the Faraday rotator 91 by changing current, temperature, etc. It is used as a term for the concept that also includes
  • the cross-sectional shape of the Faraday material 95 may also be a vertically long rectangle.
  • the cross-sectional shape of the magnetic field generating portion 97 of the magnet 96 where the Faraday material 95 is arranged may be a vertically long rectangle oriented in the same direction as the cross-sectional shape of the Faraday material 95 .
  • the Faraday material 95 is placed in the magnetic field generating portion 97 of the magnet 96 while being held by the Faraday material holder 100 .
  • the cross-sectional shape of the Faraday material holder 100 perpendicular to the optical axis of the pulsed laser beam may be a vertically long rectangle like the Faraday material 95 .
  • a through hole 101 is formed at one end of the Faraday material holder 100 in the longitudinal direction of the oblong rectangle, and a female screw hole 102 is formed at the other end.
  • a guide shaft 124 is inserted into the through hole 101, and a rod-shaped male screw 126 is screwed into the hole 102 of the female screw.
  • the Faraday material holder 100 is held by the plates 121a and 121b via the guide shaft 124 and the male screw 126.
  • Male screw 126 is rotatably held and connected to actuator 120 .
  • Magnets 96 are also held between plates 121a and 121b.
  • Actuator 120 is an example of the "first movement mechanism" in the present disclosure.
  • the laser device 2A includes an OPS control section 72 that receives the measurement result of the optical sensor 63 and controls the actuator 120.
  • the OPS controller 72 is connected to the laser controller 70 .
  • the OPS controller 72 can receive the measurement result of the optical sensor 63 via the laser controller 70 .
  • Each of the laser control unit 70 and the OPS control unit 72 is configured using a processor.
  • a processor of the present disclosure is a processing device that includes a storage device that stores a control program and a CPU (Central Processing Unit) that executes the control program.
  • the processor is specially configured or programmed to perform the various processes contained in this disclosure.
  • the processor may include an integrated circuit typified by FPGA (Field Programmable Gate Array) and ASIC (Application Specific Integrated Circuit).
  • the processing functions of the OPS controller 72 may be incorporated within the laser controller 70 .
  • the functions of laser controller 70 and OPS controller 72 may be implemented by one or more processors.
  • the strength of the magnetic field of the magnetic field generator 97 of the magnet 96 changes depending on the position in the optical axis direction. Therefore, by changing the position of the Faraday material 95 in the optical axis direction of the pulsed laser light with respect to the magnet 96 with the actuator 120, the amount of rotation of the polarization of the pulsed laser light by the Faraday rotator 91 can be controlled.
  • the pulsed laser light output from the oscillator 10 and polarized in a specific direction is transmitted through the polarizer 53 in the component parallel to the transmission axis of the polarizer 53 and passes through the OPS 51 .
  • a component orthogonal to the transmission axis of the polarizer 53 is reflected by the polarizer 53 and propagates through the delay optical path within the OPS 51 .
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of the polarization direction of the pulsed laser light incident on the OPS 51 and the polarization direction of the pulsed laser light that has passed through the OPS 51 .
  • a double-headed arrow shown in a circle in FIG. 6 represents the polarization direction of the pulsed laser beam.
  • FIG. 6 shows the polarization direction of the pulsed laser beam when viewed in the propagation direction of the pulsed laser beam.
  • the pulsed laser beam component transmitted through the polarizer 53 passes through the OPS 51 , and the pulsed laser beam component reflected by the polarizer 53 propagates through the delay optical path in the OPS 51 .
  • a pulsed laser beam component reflected by the polarizer 53 may pass through the OPS 51 .
  • a Faraday rotator 91 rotates the polarization direction of the pulsed laser light reflected by the polarizer 53, concave mirror 54a, and concave mirror 54b.
  • the pulsed laser light whose polarization direction has been rotated returns to the polarizer 53, and the component parallel to the transmission axis of the polarizer 53 is transmitted and propagates through the delay optical path within the OPS 2 again.
  • Components orthogonal to the transmission axis of polarizer 53 are reflected and pass through OPS 51 .
  • perpendicular or “perpendicular” in this specification is not limited to being strictly perpendicular or perpendicular unless otherwise specified, unless otherwise clear from the context. It includes the concept of substantially perpendicular or substantially perpendicular, including a range of practically acceptable angular differences that are not equal to each other.
  • parallel in this specification is not limited to being strictly parallel unless otherwise specified, except where it is clear from the context. It includes the concept of near-parallel, which includes the range of angular differences between
  • the OPS control unit 72 can control the actuator 120 of the Faraday rotator 91 to change the amount of rotation of the polarization direction.
  • the OPS control unit 72 controls the actuator 120 to move the Faraday material 95 in the optical axis direction by a predetermined movement amount to change the polarization direction, and based on the measurement result of the optical sensor 63 for each position of the Faraday material 95. , may determine the amount of rotation of the Faraday rotator 91 .
  • the concave mirrors 54a, 54b, 54c, and 54d forming the delay optical path of the OPS 51 are an example of the "delay optical system" in the present disclosure.
  • the concave mirrors 54a, 54b, 54c, and 54d are examples of "a plurality of mirrors" in the present disclosure.
  • FIG. 7 is a flowchart showing an example 1 of control processing in the laser device 2A according to the first embodiment.
  • FIG. 7 shows a flow in which the OPS control unit 72 obtains the pulse waveform from the optical sensor 63, calculates the pulse width (TIS), and controls the Faraday rotator 91 so that the TIS satisfies the target. .
  • TIS pulse width
  • the OPS control unit 72 receives the target TIS.
  • the target TIS may be received from, for example, a processing device or exposure device (not shown).
  • step S12 the OPS control unit 72 issues an oscillation request for setting the target TIS.
  • step S13 the OPS control unit 72 determines whether or not the TIS setting oscillation is permitted. When the determination result of step S13 is No determination, the OPS control unit 72 repeats step S13.
  • step S14 the OPS control unit 72 performs first TIS control.
  • the first TIS control is denoted as "TIS control 1".
  • the first TIS control subroutine applied to step S14 will be described later with reference to FIG.
  • step S15 after step S14, the OPS control unit 72 transmits a signal indicating the end of setting the target TIS.
  • step S15 the OPS control unit 72 terminates the flowchart of FIG.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example 2 of control processing in the laser device 2A according to the first embodiment.
  • the flowchart shown in FIG. 8 may be executed, for example, after the flowchart in FIG. 7 is completed.
  • step S20 the laser control unit 70 starts operating the laser device 2A.
  • step S21 the OPS control unit 72 determines whether or not the target TIS has been received.
  • the OPS control unit 72 proceeds to step S22.
  • Each step from step S22 to step S25 may be the same as the corresponding step from step S12 to step S15 in FIG. 7, and redundant description will be omitted.
  • step S26 after step S25, the laser control unit 70 determines whether or not to end the operation of the laser device 2A. When the determination result of step S26 is No determination, it returns to step S21.
  • step S21 determines whether the OPS control unit 72 is a correct OPS control unit 72 is a correct OPS control unit 72 . If the determination result of step S21 is No, the OPS control unit 72 proceeds to step S26.
  • step S26 If the determination result in step S26 is Yes, the laser control unit 70 stops the laser device 2A and terminates the flowchart of FIG.
  • FIG. 9 is a flow chart showing an example of a subroutine applied to step S14 of FIG. 7 or step S24 of FIG.
  • step S30 the OPS control unit 72 moves the position of the Faraday material 95 with respect to the magnet 96 in the optical axis direction to the initial position.
  • the position of the Faraday material 95 in the optical axis direction is defined by the central position of the Faraday material 95, for example.
  • the initial position of Faraday material 95 may be, for example, the center position of magnet 96 .
  • step S32 the OPS control unit 72 causes the oscillator 10 to output pulsed laser light.
  • step S33 the OPS control unit 72 measures the pulse waveform with the optical sensor 63.
  • step S34 the OPS control unit 72 calculates the TIS from the measured pulse waveform, and stores the calculated TIS value in association with the position of the Faraday material 95.
  • step S36 the OPS control unit 72 determines whether the position of the Faraday material 95 is the final movement position. If the determination result in step S36 is No, the OPS controller 72 proceeds to step S37 and moves the Faraday material 95 in the optical axis direction. The amount of movement at this time may be a predetermined amount of movement, such as 0.5 mm. After step S37, the process returns to step S33.
  • step S36 If the determination result of step S36 is Yes, the OPS control unit 72 proceeds to step S38.
  • step S38 the OPS control unit 72 stops outputting the pulsed laser beam.
  • step S39 the OPS control unit 72 moves the Faraday material 95 to a position that satisfies the target value of TIS (target TIS).
  • target TIS target TIS
  • the OPS controller 72 may move the Faraday material 95 to the position where the TIS is the longest.
  • the OPS control unit 72 controls the actuator 120 so that the TIS becomes equal to or greater than the target value.
  • step S39 the OPS control unit 72 ends the flowchart in FIG. 9 and returns to the flowchart in FIG. 7 or 8.
  • FIG. 10 is a flow chart showing a modification of TIS control in the laser device 2A according to the first embodiment.
  • the flowchart of FIG. 10 is an example of a method of preparing table data describing the relationship between the TIS and the position of the Faraday material 95 in advance and controlling the Faraday rotator 91 based on this table data.
  • step S40 the OPS control unit 72 creates and stores table data. A subroutine of the processing applied to step S40 will be described later using FIG.
  • step S41 the OPS control unit 72 transmits an oscillation preparation completion signal.
  • step S42 the laser control unit 70 starts operating the laser device 2A.
  • steps S43 to S48 may be the same as the corresponding steps of steps S21 to S26 in FIG. However, instead of step S24 in FIG. 8, step S46 is included in FIG.
  • step S46 the OPS control unit 72 performs the second TIS control.
  • the second TIS control subroutine applied to step S46 will be described later with reference to FIG.
  • FIG. 11 is a flowchart showing an example of a subroutine of processing applied to step S40 of FIG.
  • step S50 the OPS control unit 72 moves the position of the Faraday material 95 with respect to the magnet 96 in the optical axis direction to the initial position.
  • step S50 to step S54 may be the same as the corresponding step from step S30 to step S34 in FIG.
  • step S55 after step S54, the OPS control unit 72 records the position of the Faraday material 95 and the data of the TIS in table data.
  • step S56 the OPS control unit 72 determines whether the position of the Faraday material 95 is the final movement position.
  • step S56 to step S58 may be the same as the corresponding step from step S36 to step S38 in FIG.
  • table data indicating the relationship between the position of the Faraday material 95 and the TIS is obtained. Since the position of the Faraday material 95 corresponds to the control amount of the actuator 120 , the table data may define the relationship between the TIS and the control amount of the actuator 120 .
  • step S58 the OPS control unit 72 ends the flowchart of FIG. 11 and returns to the flowchart of FIG.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of a subroutine of processing applied to step S46 of FIG.
  • the OPS control unit 72 reads the target position of the Faraday material 95 capable of achieving the target TIS from the table data.
  • step S61 the OPS control unit 72 drives the actuator 120 so as to move the Faraday material 95 to the target position.
  • step S61 the OPS control unit 72 ends the flowchart in FIG. 12 and returns to the flowchart in FIG.
  • the pulse width (TIS) can be changed to an arbitrary pulse width without changing the constituent elements of the optical system, such as changing the circuit optical path length or changing the optical parts. Further, according to the OPS 51 according to the first embodiment, it is possible to satisfy the target value of the pulse width (TIS) without changing the components of the optical system.
  • FIG. 13 schematically shows the configuration of a laser device 2B according to Modification 1 of Embodiment 1. As shown in FIG. Regarding the configuration shown in FIG. 13, points different from FIG. 3 will be described.
  • the oscillator 10A of the laser device 2B includes a band narrowing module (LNM) 11 instead of the rear mirror 17 of FIG.
  • LNM 11 includes a prism beam expander 12 for narrowing the spectral linewidth and a grating 13 .
  • the prism beam expander 12 and the grating 13 are arranged in a Littrow arrangement in which the incident angle and the diffraction angle match.
  • the LNM 11 is an example of a "band-narrowing optical system" in the present disclosure.
  • the output coupling mirror 18 is a reflecting mirror with a reflectance of 40% to 60%. Output coupling mirror 18 and LNM 11 are arranged to form an optical resonator.
  • a high voltage pulse is applied to the discharge electrodes 15a and 15b in the chamber 14 from a power source (not shown).
  • a discharge is generated between the discharge electrodes 15a and 15b in the chamber 14, the laser gas is excited, and an ultraviolet wavelength of 150 nm to 380 nm narrowed by the optical resonator composed of the output coupling mirror 18 and the LNM 11. of pulsed laser light is output from the output coupling mirror 18 .
  • Other operations are the same as those of the laser device 2A according to the first embodiment described with reference to FIG.
  • the pulsed laser light of the narrowed ultraviolet wavelength can be changed to an arbitrary pulse width and pulse waveform without changing the components of the optical system.
  • FIG. 14 schematically shows the configuration of a laser device 2C according to Modification 2 of Embodiment 1. As shown in FIG. Regarding the configuration shown in FIG. 14, points different from FIG. 3 will be described.
  • the laser device 2C is composed of a MOPO (Master Oscillator Power Oscillator) system in which the oscillator 10 portion of FIG.
  • An MO beam steering unit 20 is arranged between the oscillation stage laser 10 A and the amplification stage laser 30
  • a PO beam steering unit 40 is arranged between the amplification stage laser 30 and the OPS 51 .
  • the oscillation stage laser 10A includes an LNM 11, a chamber 14, and an output coupling mirror 18.
  • the configuration of the oscillation stage laser 10A may be the same as that of the oscillator 10 described with reference to FIG.
  • the MO beam steering unit 20 includes a high reflection mirror 21 and a high reflection mirror 22 and is arranged so that the pulsed laser light output from the oscillation stage laser 10A is incident on the amplification stage laser 30 .
  • the amplification stage laser 30 includes a chamber 34 , a rear mirror 37 and an output coupling mirror 38 .
  • the output coupling mirror 38 and the rear mirror 37 constitute an optical resonator, and the chamber 34 is arranged on the optical path of this optical resonator.
  • Amplification stage laser 30 is an example of an "amplifier" in this disclosure.
  • the configuration of the chamber 34 may be similar to that of the chamber 14.
  • the chamber 34 includes a pair of discharge electrodes 35a, 35b and two windows 36a, 36b, and an excimer laser gas is introduced into the chamber 34. As shown in FIG.
  • the rear mirror 37 may be a partially reflective mirror with a reflectance of 50% to 90%.
  • Out-coupling mirror 38 may be a partially reflective mirror with a reflectivity of 10% to 30%.
  • the PO beam steering unit 40 includes a high reflection mirror 43 and a high reflection mirror 44 and is arranged so that the pulsed laser light output from the amplification stage laser 30 is incident on the OPS 51 .
  • a high voltage pulse is applied between the discharge electrodes 15a and 15b in the chamber 14 from a power source (not shown).
  • a discharge is generated between the discharge electrodes 15a and 15b in the chamber 14, the laser gas is excited, and an ultraviolet wavelength of 150 nm to 380 nm narrowed by the optical resonator composed of the output coupling mirror 18 and the LNM 11. of pulsed laser light is output from the output coupling mirror 18 .
  • the pulsed laser light output from the output coupling mirror 18 passes through the MO beam steering unit 20 and enters the rear mirror 37 of the amplification stage laser 30 as seed light.
  • the pulsed laser beam output from the output coupling mirror 18 is an example of the "first pulsed laser beam" in the present disclosure.
  • a high voltage pulse is applied between the discharge electrodes 35 a and 35 b in the chamber 34 from a power source (not shown) at the timing when the seed light transmitted through the rear mirror 37 enters the chamber 34 .
  • a discharge is generated between the discharge electrodes 35a and 35b in the chamber 34, the laser gas is excited, the seed light is amplified by the Fabry-Perot optical resonator composed of the output coupling mirror 38 and the rear mirror 37, and the output coupling mirror
  • the amplified pulsed laser light is output from 38 .
  • the pulsed laser light output from the amplification stage laser 30 enters the OPS 51 via the PO beam steering unit 40 .
  • the operation of the OPS 51 is the same as in the first embodiment.
  • the high-energy pulsed laser light with a narrowed ultraviolet wavelength can be changed to an arbitrary pulse width and pulse waveform without changing the components of the optical system.
  • FIG. 15 schematically shows the configuration of a laser device 2D according to the second embodiment. Regarding the configuration shown in FIG. 15, points different from FIG. 3 will be described.
  • a Faraday rotator 202 is arranged upstream of the OPS 51 in the laser device 2D.
  • Faraday rotator 202 includes Faraday material 205 and magnets 206 .
  • the structure of the Faraday rotator 202 may be similar to the structure of the Faraday rotator 91 described in FIGS.
  • the Faraday rotator 202 is provided with an actuator (not shown) that moves the Faraday material 205 with respect to the magnet 206 in the optical axis direction of the pulsed laser beam.
  • the Faraday rotator 91 disposed in the delay optical path of the OPS 51 is referred to as the first Faraday rotator 91
  • the Faraday rotator 202 disposed upstream of the OPS 51 is referred to as the second Faraday rotator 202. and described.
  • the Faraday material 95, the magnet 96, and the actuator 120 of the first Faraday rotator 91 are referred to as the first Faraday material 95, the first magnet 96, and the first actuator 120, and the second Faraday rotation
  • the Faraday material 205, magnet 206 and actuator of child 202 are referred to as second Faraday material 205, second magnet 206 and second actuator.
  • the maximum amount of movement of the second Faraday material 205 by the second actuator is preferably at least half the length of the second Faraday material 205 in the optical axis direction of the pulsed laser beam.
  • the minimum movement unit of the second actuator may be approximately 0.2 mm, for example.
  • the second actuator may move the second magnet 206 with respect to the second Faraday material 205 in the optical axis direction of the pulsed laser beam.
  • a second actuator is an example of a "second moving mechanism" in the present disclosure.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram showing an example of the polarization direction of the pulsed laser light entering the second Faraday rotator 202 and the polarization direction of the pulsed laser light that has passed through the OPS 51 .
  • the second Faraday rotator 202 rotates the polarization direction of the pulsed laser light polarized in a specific direction output from the amplification stage laser 30 .
  • FIG. 16 shows an example in which the polarization direction rotates clockwise.
  • the pulsed laser beam whose polarization direction has been rotated passes through the OPS 51 through the polarizer 53 , which transmits the component parallel to the transmission axis of the polarizer 53 .
  • a component orthogonal to the transmission axis of the polarizer 53 is reflected by the polarizer 53 and propagates through the delay optical path within the OPS 51 .
  • the pulsed laser beam component transmitted through the polarizer 53 passes through the OPS 51 , and the pulsed laser beam component reflected by the polarizer 53 propagates through the delay optical path in the OPS 51 .
  • the reflected pulsed laser beam component may propagate through the delay optical path in the OPS 51 , and the reflected pulsed laser beam component may pass through the OPS 51 .
  • the pulsed laser beam reflected by the polarizer 53 is rotated in the polarization direction by the first Faraday rotator 91 on the delay optical path in the OPS 51 .
  • the pulsed laser light whose polarization direction has been rotated by the first Faraday rotator 91 returns to the polarizer 53 , and the component parallel to the transmission axis of the polarizer 53 is transmitted and propagates through the delay optical path in the OPS 51 again.
  • the component orthogonal to the transmission axis of the polarizer 53 is reflected and passes through the OPS 51 .
  • the OPS control unit 72 may control the first actuator 120 of the first Faraday rotator 91 to change the amount of rotation of the polarization direction.
  • the OPS controller 72 may control the second actuator of the second Faraday rotator 202 to change the amount of rotation of the polarization direction.
  • the OPS control unit 72 may determine the amount of rotation of the first Faraday rotator 91 based on the measurement result of the optical sensor 63 .
  • the OPS controller 72 may determine the amount of rotation of the second Faraday rotator 202 based on the measurement result of the optical sensor 63 .
  • the OPS control unit 72 may control the amount of rotation of the second Faraday rotator 202 in order to change the waveform of the first half of the pulse waveform of the pulse laser light output from the laser device 2D.
  • the OPS control unit 72 may control the amount of rotation of the first Faraday rotator 91 in order to change the waveform of the latter half of the pulse waveform of the pulse laser light output from the laser device 2D.
  • FIG. 17 is a flowchart showing an example of control processing in the laser device 2D according to the second embodiment. Regarding the flow chart of FIG. 17, points different from FIG. 7 will be described.
  • Steps S71 to S73 of FIG. 17 are the same as the corresponding steps of steps S11 to S13 of FIG.
  • the flowchart of FIG. 17 includes step S74 instead of step S14 of FIG.
  • step S73 the OPS control unit 72 proceeds to step S74.
  • step S74 the OPS control unit 72 performs third TIS control. The third TIS control subroutine applied to step S74 will be described later with reference to FIG.
  • Step S75 after step S74 is the same as step S15 in FIG. After step S75, the OPS control unit 72 terminates the flowchart of FIG.
  • FIG. 18 is a flowchart showing an example of the third TIS control.
  • the flowchart of FIG. 18 is an example of a subroutine of processing applied to step S74 of FIG.
  • the first Faraday material 95 is referred to as "Faraday material 1”
  • the first magnet 96 as “Magnet 1”
  • the second Faraday material 205 as “Faraday material 2”
  • the second magnet 206 is denoted as "magnet 2”.
  • step S80 the OPS control unit 72 moves the position of the first Faraday material 95 with respect to the first magnet 96 in the optical axis direction to the initial position.
  • Step S80 may be similar to step S30 of FIG.
  • step S81 the OPS control unit 72 moves the position of the second Faraday material 205 with respect to the second magnet 206 in the optical axis direction to the initial position.
  • the position of the second Faraday material 205 in the optical axis direction is defined by the central position of the second Faraday material 205, for example.
  • the initial position of the second Faraday material 205 may be, for example, the central position of the second magnet 206 .
  • step S82 the OPS control unit 72 causes the oscillator 10 to output pulsed laser light.
  • step S83 the OPS control unit 72 measures the pulse waveform with the optical sensor 63. Then, in step S84, the OPS controller 72 calculates TIS from the measured pulse waveform and stores the value in association with the positions of the first Faraday material 95 and the second Faraday material 205. FIG.
  • step S86 the OPS control unit 72 determines whether or not the position of the first Faraday material 95 is the final movement position. If the determination result in step S86 is No, the OPS controller 72 proceeds to step S87 and moves the first Faraday material 95 in the optical axis direction. Steps S86 and S87 are the same as steps S36 and S37 in FIG. After step S87, the process returns to step S83.
  • step S86 the OPS control unit 72 proceeds to step S90.
  • step S90 the OPS controller 72 determines whether the position of the second Faraday material 205 is the final movement position. If the determination result in step S90 is No, the OPS controller 72 proceeds to step S91 and moves the first Faraday material 95 to the initial position.
  • step S92 the OPS controller 72 moves the second Faraday material 205 in the optical axis direction.
  • the amount of movement at this time may be a predetermined amount of movement, such as 0.5 mm.
  • step S90 the OPS control unit 72 proceeds to step S94.
  • step S94 the OPS controller 72 stops outputting the pulsed laser beam.
  • step S96 the OPS control unit 72 moves the first Faraday material 95 and the second Faraday material 205 to a position that satisfies the target value of TIS (target TIS).
  • target TIS target TIS
  • the OPS controller 72 may move the first Faraday material 95 and the second Faraday material 205 to the position where the TIS is the longest.
  • step S96 the OPS control unit 72 ends the flowchart in FIG. 18 and returns to the flowchart in FIG.
  • the relationship between the TIS, the position of the first Faraday material 95, and the position of the second Faraday material 205 is similar to the examples described with reference to FIGS. may be prepared in advance, and the first Faraday rotator 91 and the second Faraday rotator 202 may be controlled based on this table data.
  • the pulse width and change the pulse waveform of the pulsed laser light without changing the components of the optical system, such as changing the optical path length or changing the optical components. can.
  • the target value of the pulse width (TIS) can be satisfied without changing the components of the optical system.
  • the pulsed laser light incident on the OPS 51 and the transmission axis of the polarizer 53 are orthogonal to each other, all components of the pulsed laser light are reflected by the polarizer 53 and propagate through the delay optical path. Then, only the pulsed laser light component orthogonal to the transmission axis of the polarizer 53 is reflected by the polarizer 53 and passes through the OPS 51 . Therefore, the pulsed laser light that has passed through the OPS 51 has only components perpendicular to the transmission axis of the polarizer 53 (high polarization purity).
  • the configuration of the second embodiment can be applied to applications requiring high polarization purity, such as light sources for exposure apparatuses.
  • FIG. 19 schematically shows the configuration of a laser device 2E according to Modification 1 of Embodiment 2. As shown in FIG. Regarding the configuration shown in FIG. 19, the differences from FIG. 15 will be described.
  • the oscillator 10A of the laser device 2E includes an LNM11 instead of the rear mirror 17 in FIG.
  • the configuration of LNM 11 may be similar to that of FIG.
  • the pulsed laser light of the narrowed ultraviolet wavelength can be changed to an arbitrary pulse width and pulse waveform without changing the components of the optical system.
  • FIG. 20 schematically shows the configuration of a laser device 2F according to Modification 2 of Embodiment 2. As shown in FIG. Regarding the configuration shown in FIG. 20, points different from FIG. 15 will be described.
  • the laser device 2F is composed of a MOPO (Master Oscillator Power Oscillator) system in which the oscillator 10A portion in FIG.
  • An MO beam steering unit 20 is arranged between the oscillation stage laser 10 A and the amplification stage laser 30
  • a PO beam steering unit 40 is arranged between the amplification stage laser 30 and the OPS 51 .
  • the configurations of the oscillation stage laser 10A, the MO beam steering unit 20, the amplification stage laser 30 and the PO beam steering unit 40 may be the same as in FIG.
  • the high-energy pulsed laser light of the narrowed ultraviolet wavelength can be changed to an arbitrary pulse width and pulse waveform without changing the components of the optical system.
  • the configuration of the oscillation stage laser 10A shown in FIGS. 14 and 19 is not limiting, and a solid-state laser system including a semiconductor laser and a wavelength conversion system, for example, may be employed.
  • a wavelength conversion system may be constructed using a nonlinear optical crystal. That is, the oscillation stage laser is not limited to a gas laser, and may be an ultraviolet solid-state laser that outputs pulsed laser light with an ultraviolet wavelength.
  • the oscillation stage laser may be a solid-state laser that oscillates at a wavelength of approximately 193.4 nm, or an ultraviolet solid-state laser that outputs fourth harmonic light of a titanium sapphire laser (wavelength of approximately 774 nm).
  • the amplifier is not limited to a configuration having a Fabry-Perot resonator such as the amplification-stage laser 30 shown in FIG. 14, and may have a configuration having a ring resonator. Further, the amplifier is not limited to a configuration having an optical resonator, and may be a simple amplifier such as an excimer amplifier.
  • the amplifier may be a multi-pass amplifier such as a 3-pass amplifier that amplifies the seed light by reflecting it off a cylindrical mirror and passing it through the discharge space three times.
  • FIG. 21 schematically shows a configuration example of an exposure apparatus 80 .
  • Exposure apparatus 80 includes illumination optical system 804 and projection optical system 806 .
  • the laser device 2 ⁇ /b>A generates laser light and outputs the laser light to the exposure device 80 .
  • the illumination optical system 804 illuminates a reticle pattern of a reticle (not shown) placed on the reticle stage RT with the laser light incident from the laser device 2A.
  • the projection optical system 806 reduces and projects the laser light transmitted through the reticle to form an image on a workpiece (not shown) placed on the workpiece table WT.
  • the workpiece is a photosensitive substrate, such as a semiconductor wafer, coated with photoresist.
  • the exposure apparatus 80 synchronously translates the reticle stage RT and the workpiece table WT, thereby exposing the workpiece to laser light reflecting the reticle pattern.
  • a semiconductor device can be manufactured through a plurality of processes.
  • a semiconductor device is an example of an "electronic device" in this disclosure.
  • Laser devices 2B to 2F may be used instead of the laser device 2A.

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Abstract

パルスレーザ光のパルス幅を伸長する光学パルスストレッチャは、入射したパルスレーザ光の特定の偏光方向の成分を分離する偏光子と、偏光子を反射又は透過したパルスレーザ光が伝搬する複数のミラーを含む遅延光学系と、第１の磁石と第１のファラデー材料とを含み、遅延光学系の光路上に配置されパルスレーザ光の偏光方向を回転させる第１のファラデー回転子と、を備える。

Description

光学パルスストレッチャ、レーザ装置及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、光学パルスストレッチャ、レーザ装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化及び高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。例えば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、並びに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
　ＫｒＦエキシマレーザ装置及びＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（Line Narrowing Module：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
米国特許第６０６７３１１号 特開２００６－１８６０４６号公報
概要
　本開示の１つの観点に係る光学パルスストレッチャは、パルスレーザ光のパルス幅を伸長する光学パルスストレッチャであって、入射したパルスレーザ光の特定の偏光方向の成分を分離する偏光子と、偏光子を反射又は透過したパルスレーザ光が伝搬する複数のミラーを含む遅延光学系と、第１の磁石と第１のファラデー材料とを含み、遅延光学系の光路上に配置されパルスレーザ光の偏光方向を回転させる第１のファラデー回転子と、を備える。
　本開示の他の１つの観点に係るレーザ装置は、パルスレーザ光を出力する発振器と、パルスレーザ光のパルス幅を伸長する光学パルスストレッチャと、を備え、光学パルスストレッチャは、入射したパルスレーザ光の特定の偏光方向を分離する偏光子と、偏光子を反射又は透過したパルスレーザ光が伝搬する複数のミラーを含む遅延光学系と、第１の磁石と第１のファラデー材料とを含み、遅延光学系の光路上に配置されパルスレーザ光の偏光方向を回転させる第１のファラデー回転子と、を備える。
　本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、パルスレーザ光を出力する発振器と、パルスレーザ光のパルス幅を伸長する光学パルスストレッチャと、を備え、光学パルスストレッチャは、入射したパルスレーザ光の特定の偏光方向を分離する偏光子と、偏光子を反射又は透過したパルスレーザ光が伝搬する複数のミラーを含む遅延光学系と、第１の磁石と第１のファラデー材料とを含み、遅延光学系の光路上に配置されパルスレーザ光の偏光方向を回転させる第１のファラデー回転子と、を備える、レーザ装置によってパルス幅が伸長されたレーザ光を生成し、レーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板にレーザ光を露光することを含む。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、偏光子の透過軸と入射光の偏光方向とのなす角と、透過率との関係の例を示すグラフである。 図２は、比較例に係るレーザ装置の構成を概略的に示す。 図３は、実施形態１に係るレーザ装置の構成を概略的に示す。 図４は、ファラデー回転子の構成の詳細を示す断面図である。 図５は、図４中の５－５線における断面図である。 図６は、光学パルスストレッチャ（ＯＰＳ）に入射するパルスレーザ光の偏光方向と、ＯＰＳを通過したパルスレーザ光の偏光方向との例を示す説明図である。 図７は、実施形態１に係るレーザ装置における制御処理の例１を示すフローチャートである。 図８は、実施形態１に係るレーザ装置における制御処理の例２を示すフローチャートである。 図９は、図７のステップＳ１４又は図８のステップＳ２４に適用されるサブルーチンの例を示すフローチャートである。 図１０は、実施形態１に係るレーザ装置におけるＴＩＳ制御の変形例を示すフローチャートである。 図１１は、図１０のステップＳ４０に適用される処理のサブルーチンの例を示すフローチャートである。 図１２は、図１０のステップＳ４６に適用される処理のサブルーチンの例を示すフローチャートである。 図１３は、実施形態１の変形例１に係るレーザ装置の構成を概略的に示す。 図１４は、実施形態１の変形例２に係るレーザ装置の構成を概略的に示す。 図１５は、実施形態２に係るレーザ装置の構成を概略的に示す。 図１６は、第２のファラデー回転子に入射するパルスレーザ光の偏光方向と、ＯＰＳを通過したパルスレーザ光の偏光方向との例を示す説明図である。 図１７は、実施形態２に係るレーザ装置における制御処理の例を示すフローチャートである。 図１８は、図１７のステップＳ７４に適用される処理のサブルーチンの例を示すフローチャートである。 図１９は、実施形態２の変形例１に係るレーザ装置の構成を概略的に示す。 図２０は、実施形態２の変形例２に係るレーザ装置の構成を概略的に示す。 図２１は、露光装置の構成例を概略的に示す。
実施形態
　－目次－
１．用語の説明
　１．１　偏光子
　１．２　ＴＩＳ（Time-Integral Square）
２．比較例に係るレーザ装置の概要
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　課題
３．実施形態１
　３．１　構成
　３．２　動作
　３．３　制御フローの例１
　３．４　制御フローの例２
　３．５　効果
　３．６　変形例１
　　３．６．１　構成
　　３．６．２　動作
　　３．６．３　効果
　３．７　変形例２
　　３．７．１　構成
　　３．７．２　動作
　　３．７．３　効果
４．実施形態２
　４．１　構成
　４．２　動作
　４．３　制御フローの例
　４．４　効果
　４．５　変形例１
　　４．５．１　構成
　　４．５．２　動作
　　４．５．３　効果
　４．６　変形例２
　　４．６．１　構成
　　４．６．２　動作
　　４．６．３　効果
５．レーザ装置の変形例
６．電子デバイスの製造方法について
７．その他
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．用語の説明
　１．１　偏光子
　偏光子とは、特定の偏光方向（透過軸方向）の光とそれと偏光方向が直交する光を分離する光学素子をいう。偏光子の透過軸に対して光の偏光方向がθ度傾いている場合、各偏光成分は下式の割合で分離される。下式の関係をマリュー（Malus）の法則という。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　図１は、偏光子の透過軸と入射光の偏光方向とのなす角と、透過率との関係の例を示すグラフである。図１の横軸は偏光子の透過軸と偏光とのなす角θを表し、縦軸は透過率を表す。
　１．２　ＴＩＳ（Time-Integral Square）
　ＴＩＳは、レーザ光のパルス幅の長さを表す指標であり、下式より計算される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　ここで、Ｉ(t)は時間ごとの光強度を表す。
　２．比較例に係るレーザ装置の概要
　２．１　構成
　図２は、比較例に係るレーザ装置２の構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。レーザ装置２は、発振器１０と、光学パルスストレッチャ（Optical Pulse Stretcher：ＯＰＳ）５０と、モニタモジュール６０と、レーザ制御部７０と、を含む。
　発振器１０から出力されるパルスレーザ光の光路上に、ＯＰＳ５０と、モニタモジュール６０と、がこの順序で配置される。発振器１０はチャンバ１４と、リアミラー１７と、出力結合ミラー１８と、を含む。出力結合ミラー１８とリアミラー１７とで光共振器を構成するように配置される。
　チャンバ１４は、光共振器の光路上に配置され、１対の放電電極１５ａ、１５ｂと、レーザ光が透過する２枚のウィンドウ１６ａ、１６ｂと、を含む。チャンバ１４内にはエキシマレーザガスが導入される。エキシマレーザガスは、例えば、レアガスとしてＡｒガス又はＫｒガス、ハロゲンガスとしてＦ２ガス、バッファガスとしてＮｅガスを含んでいてもよい。
　ＯＰＳ５０は、ビームスプリッタ５２と、凹面ミラー５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄとを含み、これらにより遅延光路を形成する。ビームスプリッタ５２は、レーザ光の光路上に配置され、入射したパルスレーザ光のうちの一部のパルスレーザ光を透過させ、他の一部のパルスレーザ光を反射させる膜がコートされている。ビームスプリッタ５２の反射率は約６０％が好ましい。ビームスプリッタ５２は、上記のようにビームスプリッタ５２を透過したパルスレーザ光をレーザ装置２から出力させる。
　凹面ミラー５４ａ～５４ｄは、焦点距離が全て略同じｆの凹面ミラーである。凹面ミラー５４ａ～５４ｄは、以下の関係となるように配置される。すなわち、ビームスプリッタ５２で反射されたレーザ光のビームスプリッタ５２の位置での像が凹面ミラー５４ａと凹面ミラー５４ｂとによって反転して結像し、凹面ミラー５４ｃと凹面ミラー５４ｄとによって、再び、ビームスプリッタ５２に戻り、正転して結像するように、凹面ミラー５４ａ～５４ｄが配置される。この場合は、遅延光路長Ｌは８ｆとなる。
　モニタモジュール６０は、ビームスプリッタ６２と、光センサ６３と、を含む。光センサ６３は、例えばバイプラナ放電管やフォトダイオードでもよい。光センサ６３を用いて計測されたデータは、レーザ制御部７０に送信される。
　２．２　動作
　レーザ制御部７０の制御に基づき、不図示の電源より高電圧パルスがチャンバ１４内の放電電極１５ａ、１５ｂ間に印加される。チャンバ１４内の放電電極１５ａ、１５ｂ間で放電が発生すると、レーザガスが励起され、出力結合ミラー１８とリアミラー１７とで構成される光共振器によって、波長が１５０ｎｍから３８０ｎｍの紫外線波長のパルスレーザ光が出力結合ミラー１８から出力される。
　出力結合ミラー１８から出力されたパルスレーザ光は、ＯＰＳ５０に入射し、一部のパルスレーザ光がＯＰＳ５０内の遅延光路を複数回通過することによって所定のパルス幅まで伸長される。
　ＯＰＳ５０を通過したパルスレーザ光の一部は、ビームスプリッタ６２を透過してレーザ装置２から出力される。ＯＰＳ５０を通過したパルスレーザ光の他の一部は、ビームスプリッタ６２によって反射され、光センサ６３に入射する。光センサ６３によってパルスエネルギＥが計測され、得られたデータがモニタモジュール６０からレーザ制御部７０に送信される。
　レーザ制御部７０は、目標パルスエネルギＥｔと、計測されたパルスエネルギＥとの差ΔＥが０に近づくように、不図示の電源より出力される高電圧パルスの電圧を制御する。
　２．３　課題
　ＯＰＳ５０で伸長されるパルス幅又はパルス波形を変更する方法には例えば以下の２つがある。
　［方法１］周回光路長の変更
　［方法２］ビームスプリッタ５２の反射率の変更
　方法１は、周回光路長が異なる複数種類のＯＰＳの筐体の水準品を事前に用意しておく必要がある。方法２は、ビームスプリッタ５２の反射率が異なる複数種類の水準品を事前に用意しておく必要がある。さらに、方法１及び方法２のどちらの方法も水準品への交換が必要で交換作業の手間が大きくかかる。また、変更できるのは、用意した水準品の構成のみであり、変更の自由度も小さく、パルス幅又はパルス波形の最適化が困難である。
　３．実施形態１
　３．１　構成
　図３は、実施形態１に係るレーザ装置２Ａの構成を概略的に示す。図３に示すレーザ装置２Ａについて、図２に示す構成と異なる点を説明する。
　チャンバ１４のウィンドウ１６ｂは、例えばブリュースタ角に配置されていてもよい。チャンバ１４から出射されるパルスレーザ光の偏光は直線偏光やランダム偏光でもよい。
　レーザ装置２Ａは、図２のＯＰＳ５０の代わりに、ＯＰＳ５１を含む。ＯＰＳ５１は、凹面ミラー５４ａ～５４ｄにより構成される遅延光路上にファラデー回転子９１が配置される。ファラデー回転子９１は、例えば、凹面ミラー５４ｂと凹面ミラー５４ｃとの間の光路上に配置される。ファラデー回転子９１は、遅延光路上であればどこに配置されてもよい。ファラデー回転子９１は、コリメート光の光路上に配置されることが好ましい。
　また、図２のビームスプリッタ５２の代わりに、ＯＰＳ５１内には偏光子５３が配置される。偏光子５３は、Ｐ偏光を高透過し、Ｓ偏光を高反射する膜がコートされている。
　ファラデー回転子９１は、ファラデー材料９５と、磁石９６とを含む。ファラデー材料９５は、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）結晶又は合成石英であってもよい。磁石９６は永久磁石であってもよいし、電磁石であってもよい。
　図４は、ファラデー回転子９１の構成の詳細を示す断面図である。図４は、パルスレーザ光の光軸と平行な断面を示す。図４中の中心線ＣＬは磁石９６の中央を表す。図５は、図４中の５－５線における断面図である。
　ファラデー回転子９１に偏光方向の回転量を制御するアクチュエータ１２０が配置される。アクチュエータ１２０は、例えば、磁石９６に対してファラデー材料９５をパルスレーザ光の光軸方向に移動させる機構であってよい。アクチュエータ１２０によるファラデー材料９５の移動可能量（最大移動量）は、ファラデー材料９５のパルスレーザ光の光軸方向の長さの半量以上が望ましい。アクチュエータ１２０によるファラデー材料９５の最小移動単位は、例えば０．２ｍｍ程度でもよい。なお、アクチュエータ１２０は、ファラデー材料９５に対して磁石９６をパルスレーザ光の光軸方向に移動させる構成であってもよい。
　ファラデー回転子９１は本開示における「第１のファラデー回転子」の一例である。ファラデー材料９５及び磁石９６は本開示における「第１のファラデー材料」及び「第１の磁石」の一例である。アクチュエータ１２０は本開示における「第１のアクチュエータ」の一例である。
　アクチュエータ１２０は、ファラデー材料９５と磁石９６とを相対的に移動させる移動機構に限らず、例えば、磁石９６を電磁石とし、電磁石に流す電流を制御する機構であってもよいし、または、ヒータなどを用いて磁石９６の温度を制御する機構であってもよい。本明細書において「アクチュエータ」という用語は、機械的な動作を行う装置に限らず、電流や温度などを変更することによってファラデー回転子９１による偏光方向の回転量を変更可能な仕組み（機構）をも含む概念の用語として用いる。
　パルスレーザ光の光軸に垂直な断面の形状は縦長の長方形であるので、ファラデー材料９５の断面形状も縦長の長方形にしてもよい。ファラデー材料９５が配置される磁石９６の磁場発生部９７の断面形状は、ファラデー材料９５の断面形状と同じ向きの縦長の長方形でもよい。
　ファラデー材料９５は、ファラデー材料ホルダ１００に保持された状態で磁石９６の磁場発生部９７に配置される。ファラデー材料ホルダ１００のパルスレーザ光の光軸に垂直な断面の形状は、ファラデー材料９５と同様に縦長の長方形でもよい。ファラデー材料ホルダ１００の縦長の長方形の長手方向の一端には貫通穴１０１が形成され、他端にはメスネジの穴１０２が形成されている。
　貫通穴１０１にはガイドシャフト１２４が挿入され、メスネジの穴１０２には棒状のオスネジ１２６がねじ込まれている。ファラデー材料ホルダ１００は、ガイドシャフト１２４とオスネジ１２６とを介してプレート１２１ａとプレート１２１ｂとに保持されている。なお、オスネジ１２６は回転可能に保持され、アクチュエータ１２０に接続されている。また、プレート１２１ａとプレート１２１ｂとは磁石９６も保持している。アクチュエータ１２０は本開示における「第１の移動機構」の一例である。
　また、図３に示すように、レーザ装置２Ａは、光センサ６３の計測結果を受けて、アクチュエータ１２０を制御するＯＰＳ制御部７２を含む。ＯＰＳ制御部７２は、レーザ制御部７０と接続される。ＯＰＳ制御部７２は、レーザ制御部７０を介して光センサ６３の計測結果を受信し得る。
　レーザ制御部７０及びＯＰＳ制御部７２のそれぞれは、プロセッサを用いて構成される。本開示のプロセッサとは、制御プログラムが記憶された記憶装置と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）とを含む処理装置である。プロセッサは、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。プロセッサは、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）に代表される集積回路を含んでもよい。ＯＰＳ制御部７２の処理機能はレーザ制御部７０の中に組み込まれていてもよい。レーザ制御部７０及びＯＰＳ制御部７２の機能は、１つ以上のプロセッサにより実現し得る。
　３．２　動作
　特定の方向に偏光したパルスレーザ光が、磁場が印加されたファラデー材料９５を透過するとき、偏光方向が回転する。ファラデー回転子９１でのパルスレーザ光の偏光方向の回転量は、磁場の強さ、ファラデー材料９５が持つ屈折率などの物理量及びファラデー材料９５の長さで決まる。
　磁石９６の磁場発生部９７の磁場の強さは、光軸方向の位置により変わる。このため、磁石９６に対するファラデー材料９５のパルスレーザ光の光軸方向の位置をアクチュエータ１２０で変えることにより、ファラデー回転子９１でのパルスレーザ光の偏光の回転量を制御できる。
　発振器１０から出力された特定の方向に偏光したパルスレーザ光は、偏光子５３によって、偏光子５３の透過軸に平行な成分は透過し、ＯＰＳ５１を通過する。また、偏光子５３の透過軸に直交する成分は、偏光子５３によって反射され、ＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬する。
　図６は、ＯＰＳ５１に入射するパルスレーザ光の偏光方向と、ＯＰＳ５１を通過したパルスレーザ光の偏光方向との例を示す説明図である。図６中の円内に示す両向き矢印はパルスレーザ光の偏光方向を表している。図６では、パルスレーザ光の伝搬方向を向いて見たときのパルスレーザ光の偏光方向を表している。
　図６に示すように、発振器１０から出力されたパルスレーザ光の偏光方向と、偏光子５３の透過軸が直交する場合は、パルスレーザ光は全成分が反射され、ＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬する。なお、発振器１０から出力されたパルスレーザ光の偏光方向と、偏光子５３の透過軸とが平行な場合は、パルスレーザ光は全成分が透過し、ＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬しないのでパルス幅の伸長及びパルス波形の変更はできない。
　図６では、偏光子５３を透過したパルスレーザ光の成分はＯＰＳ５１を通過し、偏光子５３で反射したパルスレーザ光の成分はＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬しているが、偏光子５３を透過したパルスレーザ光の成分はＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬し、偏光子５３で反射したパルスレーザ光の成分はＯＰＳ５１を通過してもよい。
　偏光子５３と、凹面ミラー５４ａと、凹面ミラー５４ｂとで反射されたパルスレーザ光はファラデー回転子９１により偏光方向が回転する。偏光方向が回転したパルスレーザ光は偏光子５３に戻り、偏光子５３の透過軸に平行な成分は透過し、再びＯＰＳ２内の遅延光路を伝搬する。偏光子５３の透過軸に直交する成分は反射され、ＯＰＳ５１を通過する。
　なお、本明細書における「直交」又は「垂直」という用語は、文脈から明らかな場合を除き、明記がない限り、厳密に直交又は垂直である場合に限らず、技術的意義が失われることのない実用上許容される角度差の範囲を含む略直交又は略垂直の概念が含まれる。また、本明細書において「平行」という用語についても、文脈から明らかな場合を除き、明記がない限り、厳密に平行である場合に限らず、技術的意義が失われることのない実用上許容される角度差の範囲を含む略平行の概念が含まれる。
　ＯＰＳ制御部７２は、ファラデー回転子９１のアクチュエータ１２０を制御して偏光方向の回転量を変更し得る。ＯＰＳ制御部７２は、ファラデー材料９５を光軸方向に所定の移動量により移動させて偏光方向を変えるようにアクチュエータ１２０を制御し、ファラデー材料９５の位置ごとの光センサ６３の計測結果を基に、ファラデー回転子９１の回転量を決定してもよい。
　ＯＰＳ５１の遅延光路を形成する凹面ミラー５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄは、本開示における「遅延光学系」の一例である。凹面ミラー５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄは、本開示における「複数のミラー」の一例である。
　３．３　制御フローの例１
　図７は、実施形態１に係るレーザ装置２Ａにおける制御処理の例１を示すフローチャートである。図７には、ＯＰＳ制御部７２が光センサ６３よりパルス波形を取得してパルス幅（ＴＩＳ）を計算し、ＴＩＳが目標を満たすように、ファラデー回転子９１を制御するフローが示されている。
　ステップＳ１１において、ＯＰＳ制御部７２は、目標ＴＩＳを受信する。目標ＴＩＳは、例えば、不図示の加工装置又は露光装置から受信してもよい。
　その後、ステップＳ１２において、ＯＰＳ制御部７２は、目標ＴＩＳの設定の発振の要求を出す。
　ステップＳ１３において、ＯＰＳ制御部７２は、ＴＩＳ設定の発振は許可されたか否かを判定する。ステップＳ１３の判定結果がＮｏ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ１３を繰り返す。
　ステップＳ１３の判定結果がＹｅｓ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ１４に進む。ステップＳ１４において、ＯＰＳ制御部７２は、第１のＴＩＳ制御を行う。なお、図面において、例えば第１のＴＩＳ制御を「ＴＩＳ制御１」と表記する。ステップＳ１４に適用される第１のＴＩＳ制御のサブルーチンについては図８を用いて後述する。
　ステップＳ１４の後のステップＳ１５において、ＯＰＳ制御部７２は、目標ＴＩＳの設定の終了を示す信号を送信する。
　ステップＳ１５の後にＯＰＳ制御部７２は、図７のフローチャートを終了する。
　図８は、実施形態１に係るレーザ装置２Ａにおける制御処理の例２を示すフローチャートである。図８に示すフローチャートは、例えば、図７のフローチャートが終了した後に実行されてよい。
　ステップＳ２０において、レーザ制御部７０は、レーザ装置２Ａの稼働を開始する。
　ステップＳ２１において、ＯＰＳ制御部７２は、目標ＴＩＳを受信したか否かを判定する。ステップＳ２１の判定結果がＹｅｓ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ２２に進む。ステップＳ２２からステップＳ２５の各ステップは、図７におけるステップＳ１２からステップＳ１５の対応するステップと同様であってよく、重複する説明を省略する。
　ステップＳ２５の後のステップＳ２６において、レーザ制御部７０は、レーザ装置２Ａの稼働を終了するか否かを判定する。ステップＳ２６の判定結果がＮｏ判定である場合、ステップＳ２１に戻る。
　また、ステップＳ２１の判定結果がＮｏ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ２６に進む。
　ステップＳ２６の判定結果がＹｅｓ判定である場合、レーザ制御部７０はレーザ装置２Ａを停止させ、図８のフローチャートを終了する。
　図９は、図７のステップＳ１４又は図８のステップＳ２４に適用されるサブルーチンの例を示すフローチャートである。
　図９のフローチャートが開始されると、ステップＳ３０において、ＯＰＳ制御部７２は、磁石９６に対するファラデー材料９５の光軸方向の位置を初期位置に移動させる。ファラデー材料９５の光軸方向の位置は、例えば、ファラデー材料９５の中央位置で規定される。ファラデー材料９５の初期位置は、例えば、磁石９６の中央位置であってよい。
　次に、ステップＳ３２において、ＯＰＳ制御部７２は、発振器１０からパルスレーザ光を出力させる。
　ステップＳ３３において、ＯＰＳ制御部７２は、光センサ６３でパルス波形を計測する。
　そして、ステップＳ３４において、ＯＰＳ制御部７２は、計測されたパルス波形からＴＩＳを計算し、算出されたＴＩＳの値をファラデー材料９５の位置と関連付けて記憶する。
　その後、ステップＳ３６において、ＯＰＳ制御部７２は、ファラデー材料９５の位置は移動最終位置か否かを判定する。ステップＳ３６の判定結果がＮｏ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ３７に進み、ファラデー材料９５を光軸方向に移動させる。この時の移動量は例えば、０．５ｍｍなど、予め定められた移動量であってよい。ステップＳ３７の後、ステップＳ３３に戻る。
　ステップＳ３６の判定結果がＹｅｓ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ３８に進む。
　ステップＳ３８において、ＯＰＳ制御部７２は、パルスレーザ光の出力を停止させる。
　その後、ステップＳ３９において、ＯＰＳ制御部７２は、ＴＩＳの目標値（目標ＴＩＳ）を満たす位置へファラデー材料９５を移動させる。なお、ステップＳ３９の代わりに、ＯＰＳ制御部７２は、ＴＩＳが最も長くなる位置にファラデー材料９５を移動させてもよい。ＯＰＳ制御部７２は、ＴＩＳが目標値以上になるようにアクチュエータ１２０を制御する。
　ステップＳ３９の後、ＯＰＳ制御部７２は、図９のフローチャートを終了し、図７又は図８のフローチャートに復帰する。
　３．４　制御フローの例２
　図１０は、実施形態１に係るレーザ装置２ＡにおけるＴＩＳ制御の変形例を示すフローチャートである。図１０のフローチャートは、予めＴＩＳとファラデー材料９５の位置との関係を記述したテーブルデータを作成しておき、このテーブルデータに基づいてファラデー回転子９１を制御する方法の例である。
　ステップＳ４０において、ＯＰＳ制御部７２はテーブルデータの作成及び記憶の処理を行う。ステップＳ４０に適用される処理のサブルーチンについては図１１を用いて後述する。
　ステップＳ４０の後、ステップＳ４１において、ＯＰＳ制御部７２は発振準備完了の信号を送信する。
　ステップＳ４２において、レーザ制御部７０はレーザ装置２Ａの稼働を開始する。ステップＳ４３～Ｓ４８の各ステップは、図８におけるステップＳ２１からステップＳ２６の対応するステップと同様であってよい。ただし、図８のステップＳ２４の代わりに、図１０ではステップＳ４６を含む。
　ステップＳ４６において、ＯＰＳ制御部７２は、第２のＴＩＳ制御を行う。ステップＳ４６に適用される第２のＴＩＳ制御のサブルーチンについては図１２を用いて後述する。
　図１１は、図１０のステップＳ４０に適用される処理のサブルーチンの例を示すフローチャートである。
　図１１のフローチャートがスタートすると、ステップＳ５０において、ＯＰＳ制御部７２は、磁石９６に対するファラデー材料９５の光軸方向の位置を初期位置に移動させる。このステップＳ５０からステップＳ５４の各ステップは、図９のステップＳ３０からステップＳ３４の対応するステップと同様であってよい。
　ステップＳ５４の後のステップＳ５５において、ＯＰＳ制御部７２は、ファラデー材料９５の位置とＴＩＳのデータとをテーブルデータに記録する。
　その後、ステップＳ５６において、ＯＰＳ制御部７２は、ファラデー材料９５の位置は移動最終位置か否かを判定する。ステップＳ５６からステップＳ５８の各ステップは、図９のステップＳ３６からステップＳ３８の対応するステップと同様であってよい。
　ステップＳ５３からステップＳ５７のループを繰り返すことにより、ファラデー材料９５の位置とＴＩＳとの関係を示すテーブルデータが取得される。なお、ファラデー材料９５の位置はアクチュエータ１２０の制御量と対応しているため、テーブルデータは、ＴＩＳとアクチュエータ１２０の制御量との関係を規定したものであってもよい。
　ステップＳ５８の後、ＯＰＳ制御部７２は、図１１のフローチャートを終了し、図１０のフローチャートに復帰する。
　図１２は、図１０のステップＳ４６に適用される処理のサブルーチンの例を示すフローチャートである。図１２のフローチャートがスタートすると、ステップＳ６０において、ＯＰＳ制御部７２は、テーブルデータより目標ＴＩＳを達成可能なファラデー材料９５の目標位置を読み出す。
　そして、ステップＳ６１において、ＯＰＳ制御部７２は、目標位置へファラデー材料９５を移動させるように、アクチュエータ１２０を駆動する。
　ステップＳ６１の後、ＯＰＳ制御部７２は図１２のフローチャートを終了し、図１０のフローチャートに復帰する。
　３．５　効果
　実施形態１に係るＯＰＳ５１によれば、周回光路長の変更や光学部品の変更といった光学系の構成要素の変更を行うことなく、任意のパルス幅（ＴＩＳ）に変更できる。また、実施形態１に係るＯＰＳ５１によれば、光学系の構成要素を変更せずに、パルス幅（ＴＩＳ）の目標値を満たすことができる。
　３．６　変形例１
　３．６．１　構成
　図１３は、実施形態１の変形例１に係るレーザ装置２Ｂの構成を概略的に示す。図１３に示す構成について、図３と異なる点を説明する。
　レーザ装置２Ｂの発振器１０Ａは、図３のリアミラー１７の代わりに、狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）１１を含む。ＬＮＭ１１は、スペクトル線幅を狭帯域化するためのプリズムビームエキスパンダ１２と、グレーティング１３とを含む。プリズムビームエキスパンダ１２とグレーティング１３とは、入射角度と回折角度とが一致するリトロー配置とされる。ＬＮＭ１１は本開示における「狭帯域化光学系」の一例である。
　出力結合ミラー１８は、反射率が４０％～６０％の反射ミラーである。出力結合ミラー１８とＬＮＭ１１とは、光共振器を構成するように配置される。
　３．６．２　動作
　レーザ制御部７０の制御に基づき、不図示の電源より高電圧パルスがチャンバ１４内の放電電極１５ａ、１５ｂに印加される。チャンバ１４内の放電電極１５ａ、１５ｂ間で放電が発生すると、レーザガスが励起され、出力結合ミラー１８とＬＮＭ１１とで構成される光共振器によって、狭帯域化された波長が１５０ｎｍから３８０ｎｍの紫外線波長のパルスレーザ光が出力結合ミラー１８から出力される。その他の動作は、図３で説明した実施形態１に係るレーザ装置２Ａの動作と同様である。
　３．６．３　効果
　実施形態１の変形例１に係るレーザ装置２Ｂによれば、狭帯域化された紫外線波長のパルスレーザ光のパルス幅を伸長及びパルス波形を変更することができる。
　また、レーザ装置２Ｂによれば、光学系の構成要素を変更せずに、狭帯域化された紫外線波長のパルスレーザ光を任意のパルス幅及びパルス波形に変更することができる。
　３．７　変形例２
　３．７．１　構成
　図１４は、実施形態１の変形例２に係るレーザ装置２Ｃの構成を概略的に示す。図１４に示す構成について、図３と異なる点を説明する。
　レーザ装置２Ｃは、図３の発振器１０の部分が、発振段レーザ１０Ａと増幅段レーザ３０とを含むＭＯＰＯ（Master Oscillator Power Oscillator）方式のシステムで構成される。発振段レーザ１０Ａと増幅段レーザ３０との間にはＭＯビームステアリングユニット２０が配置され、増幅段レーザ３０とＯＰＳ５１との間にはＰＯビームステアリングユニット４０が配置されている。
　発振段レーザ１０Ａは、ＬＮＭ１１と、チャンバ１４と、出力結合ミラー１８と、を含む。発振段レーザ１０Ａの構成は、図１３で説明した発振器１０と同様であってよい。
　ＭＯビームステアリングユニット２０は、高反射ミラー２１と、高反射ミラー２２と、を含み、発振段レーザ１０Ａから出力されたパルスレーザ光が増幅段レーザ３０に入射するように配置される。
　増幅段レーザ３０は、チャンバ３４と、リアミラー３７と、出力結合ミラー３８と、を含む。出力結合ミラー３８とリアミラー３７とは光共振器を構成し、この光共振器の光路上にチャンバ３４が配置される。増幅段レーザ３０は本開示における「増幅器」の一例である。
　チャンバ３４の構成は、チャンバ１４と同様の構成であってもよい。チャンバ３４は、１対の放電電極３５ａ、３５ｂと、２枚のウィンドウ３６ａ、３６ｂと、を含み、チャンバ３４内にはエキシマレーザガスが導入される。
　リアミラー３７は、反射率５０％～９０％の部分反射ミラーであってよい。出力結合ミラー３８は、反射率１０％～３０％の部分反射ミラーであってよい。
　ＰＯビームステアリングユニット４０は、高反射ミラー４３と、高反射ミラー４４と、を含み、増幅段レーザ３０から出力されたパルスレーザ光がＯＰＳ５１に入射するように配置される。
　３．７．２　動作
　レーザ制御部７０の制御に基づき、不図示の電源より高電圧パルスがチャンバ１４内の放電電極１５ａ、１５ｂ間に印加される。チャンバ１４内の放電電極１５ａ、１５ｂ間で放電が発生すると、レーザガスが励起され、出力結合ミラー１８とＬＮＭ１１とで構成される光共振器によって、狭帯域化された波長が１５０ｎｍから３８０ｎｍの紫外線波長のパルスレーザ光が出力結合ミラー１８から出力される。
　出力結合ミラー１８から出力されたパルスレーザ光は、ＭＯビームステアリングユニット２０を介して、増幅段レーザ３０のリアミラー３７にシード光として入射する。出力結合ミラー１８から出力されるパルスレーザ光は本開示における「第１のパルスレーザ光」の一例である。
　リアミラー３７を透過したシード光がチャンバ３４に入射するタイミングで、不図示の電源より高電圧パルスがチャンバ３４内の放電電極３５ａ、３５ｂ間に印加される。チャンバ３４内の放電電極３５ａ、３５ｂ間で放電が発生すると、レーザガスが励起され、出力結合ミラー３８とリアミラー３７とで構成されるファブリペロー型の光共振器によってシード光が増幅され、出力結合ミラー３８から増幅されたパルスレーザ光が出力される。
　増幅段レーザ３０から出力されたパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット４０を介してＯＰＳ５１に入射する。ＯＰＳ５１の動作については、実施形態１と同様である。
　３．７．３　効果
　実施形態１の変形例２に係るレーザ装置２Ｃによれば、狭帯域化された紫外線波長の高エネルギのパルスレーザ光のパルス幅を伸長及びパルス波形を変更することができる。
　また、レーザ装置２Ｃによれば、光学系の構成要素を変更せずに、狭帯域化された紫外線波長の高エネルギのパルスレーザ光を任意のパルス幅及びパルス波形に変更することができる。
　４．実施形態２
　４．１　構成
　図１５は、実施形態２に係るレーザ装置２Ｄの構成を概略的に示す。図１５に示す構成について、図３と異なる点を説明する。
　レーザ装置２Ｄは、ＯＰＳ５１の上流にファラデー回転子２０２が配置される。ファラデー回転子２０２は、ファラデー材料２０５と、磁石２０６とを含む。ファラデー回転子２０２の構造は、図４及び図５で説明したファラデー回転子９１の構造と同様であってよい。
　ファラデー回転子２０２は、磁石２０６に対してファラデー材料２０５をパルスレーザ光の光軸方向に移動させる不図示のアクチュエータが配置される。以後、表記の便宜上、ＯＰＳ５１の遅延光路内に配置されるファラデー回転子９１を第１のファラデー回転子９１と記載し、ＯＰＳ５１の上流に配置されるファラデー回転子２０２を第２のファラデー回転子２０２と記載する。また、第１のファラデー回転子９１のファラデー材料９５、磁石９６、及びアクチュエータ１２０を、第１のファラデー材料９５、第１の磁石９６、及び第１のアクチュエータ１２０と記載し、第２のファラデー回転子２０２のファラデー材料２０５、磁石２０６、及びアクチュエータを、第２のファラデー材料２０５、第２の磁石２０６、及び第２のアクチュエータと記載する。
　第２のアクチュエータによる第２のファラデー材料２０５の最大移動量は、第２のファラデー材料２０５のパルスレーザ光の光軸方向の長さの半量以上が望ましい。第２のアクチュエータの最小移動単位は、例えば０．２ｍｍ程度でもよい。なお、第２のアクチュエータは、第２のファラデー材料２０５に対して第２の磁石２０６をパルスレーザ光の光軸方向に移動させてもよい。第２のアクチュエータは本開示における「第２の移動機構」の一例である。
　４．２　動作
　図１６は、第２のファラデー回転子２０２に入射するパルスレーザ光の偏光方向と、ＯＰＳ５１を通過したパルスレーザ光の偏光方向との例を示す説明図である。
　増幅段レーザ３０から出力された特定の方向に偏光したパルスレーザ光は、第２のファラデー回転子２０２により偏光方向が回転する。図１６では、偏光方向が時計回りに回転している例が示されている。
　偏光方向が回転したパルスレーザ光は偏光子５３によって、偏光子５３の透過軸に平行な成分は透過し、ＯＰＳ５１を通過する。偏光子５３の透過軸に直交する成分は、偏光子５３で反射し、ＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬する。
　図１６では、偏光子５３を透過したパルスレーザ光の成分はＯＰＳ５１を通過し、偏光子５３を反射したパルスレーザ光の成分はＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬しているが、偏光子５３を透過したパルスレーザ光の成分はＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬し、反射したパルスレーザ光の成分はＯＰＳ５１を通過してもよい。
　偏光子５３によって反射されたパルスレーザ光はＯＰＳ５１内の遅延光路上の第１のファラデー回転子９１で偏光方向が回転する。第１のファラデー回転子９１で偏光方向が回転したパルスレーザ光は偏光子５３に戻り、偏光子５３の透過軸に平行な成分は透過し、再びＯＰＳ５１内の遅延光路を伝搬する。遅延光路を伝搬して偏光子５３に戻ったパルスレーザ光のうち偏光子５３の透過軸に直交する成分は反射され、ＯＰＳ５１を通過する。
　図１６の構成によれば、ＯＰＳ５１の遅延光路を周回せずに、偏光子５３を透過してＯＰＳ５１から出力される０周回光の偏光方向と、遅延光路を１周回以上周回した後にＯＰＳ５１から出力される１周回以降の周回光の偏光方向とが異なり、偏光の回転量の調整を２箇所で行うことができるため、実施形態１の構成に比べて、パルス幅等の変更の自由度がさらに大きい。
　ＯＰＳ制御部７２は、第１のファラデー回転子９１の第１のアクチュエータ１２０を制御して、偏光方向の回転量を変更してもよい。ＯＰＳ制御部７２は、第２のファラデー回転子２０２の第２のアクチュエータを制御して、偏光方向の回転量を変更してもよい。
　ＯＰＳ制御部７２は、光センサ６３の計測結果を基に第１のファラデー回転子９１の回転量を決定してもよい。ＯＰＳ制御部７２は、光センサ６３の計測結果を基に第２のファラデー回転子２０２の回転量を決定してもよい。ＯＰＳ制御部７２は、レーザ装置２Ｄから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の前半部分の波形を変えるために第２のファラデー回転子２０２の回転量を制御してもよい。ＯＰＳ制御部７２は、レーザ装置２Ｄから出力されるパルスレーザ光のパルス波形の後半部分の波形を変えるために第１のファラデー回転子９１の回転量を制御してもよい。
　４．３　制御フローの例
　図１７は、実施形態２に係るレーザ装置２Ｄにおける制御処理の例を示すフローチャートである。図１７のフローチャートについて、図７と異なる点を説明する。
　図１７のステップＳ７１からステップＳ７３は図７のステップＳ１１からステップＳ１３の対応するステップと同様である。図１７のフローチャートは、図７のステップＳ１４に代えて、ステップＳ７４を含む。
　ステップＳ７３の判定結果がＹｅｓ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ７４に進む。ステップＳ７４において、ＯＰＳ制御部７２は、第３のＴＩＳ制御を行う。ステップＳ７４に適用される第３のＴＩＳ制御のサブルーチンについては図１８を用いて後述する。
　ステップＳ７４の後のステップＳ７５は、図７のステップＳ１５と同様である。ステップＳ７５の後にＯＰＳ制御部７２は、図１７のフローチャートを終了する。
　図１８は、第３のＴＩＳ制御の例を示すフローチャートである。図１８のフローチャートは、図１７のステップＳ７４に適用される処理のサブルーチンの例である。図１８において、図示の便宜上、第１のファラデー材料９５を「ファラデー材料１」、第１の磁石９６を「磁石１」、第２のファラデー材料２０５を「ファラデー材料２」、第２の磁石２０６を「磁石２」と表記する。
　図１８のフローチャートが開始されると、ステップＳ８０において、ＯＰＳ制御部７２は、第１の磁石９６に対する第１のファラデー材料９５の光軸方向の位置を初期位置に移動させる。ステップＳ８０は、図９のステップＳ３０と同様であってよい。
　次に、ステップＳ８１において、ＯＰＳ制御部７２は、第２の磁石２０６に対する第２のファラデー材料２０５の光軸方向の位置を初期位置に移動させる。第２のファラデー材料２０５の光軸方向の位置は、例えば、第２のファラデー材料２０５の中央位置で規定される。第２のファラデー材料２０５の初期位置は、例えば、第２の磁石２０６の中央位置であってよい。ステップＳ８１の後、ＯＰＳ制御部７２はステップＳ８２に進む。
　次に、ステップＳ８２において、ＯＰＳ制御部７２は、発振器１０からパルスレーザ光を出力させる。
　ステップＳ８３において、ＯＰＳ制御部７２は、光センサ６３でパルス波形を計測する。そして、ステップＳ８４において、ＯＰＳ制御部７２は、計測されたパルス波形からＴＩＳを計算し、その値を第１のファラデー材料９５の位置及び第２のファラデー材料２０５の位置と関連付けて記憶する。
　その後、ステップＳ８６において、ＯＰＳ制御部７２は、第１のファラデー材料９５の位置は移動最終位置か否かを判定する。ステップＳ８６の判定結果がＮｏ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ８７に進み、第１のファラデー材料９５を光軸方向に移動させる。ステップＳ８６及びステップＳ８７は、図９のステップＳ３６及びステップＳ３７と同様である。ステップＳ８７の後、ステップＳ８３に戻る。
　ステップＳ８６の判定結果がＹｅｓ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ９０に進む。ステップＳ９０において、ＯＰＳ制御部７２は、第２のファラデー材料２０５の位置は移動最終位置か否かを判定する。ステップＳ９０の判定結果がＮｏ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ９１に進み、第１のファラデー材料９５を初期位置に移動させる。
　その後、ステップＳ９２において、ＯＰＳ制御部７２は、第２のファラデー材料２０５を光軸方向に移動させる。この時の移動量は例えば、０．５ｍｍなど、予め定められた移動量であってよい。ステップＳ９２の後、ステップＳ８３に戻る。
　ステップＳ９０の判定結果がＹｅｓ判定である場合、ＯＰＳ制御部７２は、ステップＳ９４に進む。ステップＳ９４において、ＯＰＳ制御部７２は、パルスレーザ光の出力を停止させる。
　その後、ステップＳ９６において、ＯＰＳ制御部７２は、ＴＩＳの目標値（目標ＴＩＳ）を満たす位置へ第１のファラデー材料９５と第２のファラデー材料２０５とを移動させる。ステップＳ９６の代わりに、ＯＰＳ制御部７２は、ＴＩＳが最も長くなる位置に第１のファラデー材料９５と第２のファラデー材料２０５とを移動させてもよい。
　ステップＳ９６の後、ＯＰＳ制御部７２は、図１８のフローチャートを終了し、図１７のフローチャートに復帰する。
　なお、図１７及び図１８で説明したフローチャートに限らず、図１０及び図１１で説明した例と同様に、ＴＩＳと第１のファラデー材料９５の位置と第２のファラデー材料２０５の位置との関係を記述したテーブルデータを作成しておき、このテーブルデータに基づいて第１のファラデー回転子９１及び第２のファラデー回転子２０２を制御してもよい。
　４．４　効果
　実施形態２によれば、周回光路長の変更や光学部品の変更といった光学系の構成要素の変更を行うことなく、パルスレーザ光のパルス幅を伸長及びパルス波形を変更することができる。また、実施形態２によれば、光学系の構成要素を変更せずに、パルス幅（ＴＩＳ）の目標値を満たすことができる。
　ＯＰＳ５１に入射するパルスレーザ光の偏光方向と偏光子５３の透過軸とを直交させた場合、パルスレーザ光は、偏光子５３で全成分が反射され遅延光路を伝搬する。そして、偏光子５３の透過軸に直交するパルスレーザ光の成分のみが偏光子５３で反射され、ＯＰＳ５１を通過する。このため、ＯＰＳ５１を透過したパルスレーザ光は偏光子５３の透過軸に直交する成分のみ（偏光純度が高い）になる。実施形態２の構成は、露光装置用光源等、高い偏光純度が要求される用途に適用できる。
　４．５　変形例１
　４．５．１　構成
　図１９は、実施形態２の変形例１に係るレーザ装置２Ｅの構成を概略的に示す。図１９に示す構成について、図１５と異なる点を説明する。
　レーザ装置２Ｅの発振器１０Ａは、図１５のリアミラー１７の代わりに、ＬＮＭ１１を含む。ＬＮＭ１１の構成は、図１３と同様であってよい。
　４．５．２　動作
　レーザ装置２Ｅの発振器１０Ａの動作は、図１３の発振器１０Ａと同様である。その他の動作は、図１５で説明した実施形態２に係るレーザ装置２Ｄの動作と同様である。
　４．５．３　効果
　実施形態２の変形例１に係るレーザ装置２Ｅによれば、狭帯域化された紫外線波長のパルスレーザ光のパルス幅を伸長及びパルス波形を変更することができる。
　また、レーザ装置２Ｅによれば、光学系の構成要素を変更せずに、狭帯域化された紫外線波長のパルスレーザ光を任意のパルス幅及びパルス波形に変更することができる。
　４．６　変形例２
　４．６．１　構成
　図２０は、実施形態２の変形例２に係るレーザ装置２Ｆの構成を概略的に示す。図２０に示す構成について、図１５と異なる点を説明する。
　レーザ装置２Ｆは、図１９の発振器１０Ａの部分が、発振段レーザ１０Ａと増幅段レーザ３０とを含むＭＯＰＯ（Master Oscillator Power Oscillator）方式のシステムで構成される。発振段レーザ１０Ａと増幅段レーザ３０との間にはＭＯビームステアリングユニット２０が配置され、増幅段レーザ３０とＯＰＳ５１との間にはＰＯビームステアリングユニット４０が配置されている。
　発振段レーザ１０Ａ、ＭＯビームステアリングユニット２０、増幅段レーザ３０及びＰＯビームステアリングユニット４０の構成は、図１４と同様であってよい。
　４．６．２　動作
　レーザ装置２Ｆの動作は、レーザ装置２Ｃの動作と同様である。
　４．６．３　効果
　実施形態２の変形例２に係るレーザ装置２Ｆによれば、狭帯域化された紫外線波長の高エネルギのパルスレーザ光のパルス幅を伸長及びパルス波形を変更することができる。
　また、レーザ装置２Ｆによれば、光学系の構成要素を変更せずに、狭帯域化された紫外線波長の高エネルギのパルスレーザ光を任意のパルス幅及びパルス波形に変更することができる。
　５．レーザ装置の変形例
　図１４及び図１９に示す発振段レーザ１０Ａの構成に限らず、例えば、半導体レーザと、波長変換システムとを含む固体レーザシステムを採用してもよい。波長変換システムは非線形光学結晶を用いて構成し得る。すなわち、発振段レーザは、ガスレーザに限らず、紫外線波長のパルスレーザ光を出力する紫外線固体レーザであってもよい。例えば、発振段レーザは、波長約１９３．４ｎｍを発振する固体レーザ、あるいは、チタンサファイヤレーザ（波長約７７４ｎｍ）の第４高調波光を出力する紫外線固体レーザでもよい。
　増幅器は、図１４に示す増幅段レーザ３０のようなファブリペロー型の共振器を有する構成に限らず、リング共振器を有する構成であってもよい。また、増幅器は、光共振器を有する構成に限らず、単なる増幅器、例えば、エキシマ増幅器であってもよい。増幅器は、シード光をシリンドリカルミラーで反射して放電空間を３回通過させることにより増幅を行う３パス増幅器などのマルチパス増幅器であってもよい。
　６．電子デバイスの製造方法について
　図２１は、露光装置８０の構成例を概略的に示す。露光装置８０は、照明光学系８０４と投影光学系８０６とを含む。レーザ装置２Ａはレーザ光を生成し、レーザ光を露光装置８０に出力する。照明光学系８０４は、レーザ装置２Ａから入射したレーザ光によって、レチクルステージＲＴ上に配置された不図示のレチクルのレチクルパターンを照明する。投影光学系８０６は、レチクルを透過したレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。
　露光装置８０は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにレチクルパターンを転写後、複数の工程を経ることで半導体デバイスを製造できる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。レーザ装置２Ａに限らず、レーザ装置２Ｂ～２Ｆなどを用いてもよい。
　７．その他
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
　本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　パルスレーザ光のパルス幅を伸長する光学パルスストレッチャであって、
    　入射した前記パルスレーザ光の特定の偏光方向の成分を分離する偏光子と、
    　前記偏光子を反射又は透過した前記パルスレーザ光が伝搬する複数のミラーを含む遅延光学系と、
    　第１の磁石と第１のファラデー材料とを含み、前記遅延光学系の光路上に配置され前記パルスレーザ光の偏光方向を回転させる第１のファラデー回転子と、
    　を備える、
    　光学パルスストレッチャ。
  2. 　請求項１に記載の光学パルスストレッチャであって、
    　前記第１のファラデー回転子における前記パルスレーザ光の偏光方向の回転量を変更可能な第１のアクチュエータと、
    　前記第１のアクチュエータを制御するプロセッサと、をさらに備える、
    　光学パルスストレッチャ。
  3. 　請求項２に記載の光学パルスストレッチャであって、
    　前記第１のアクチュエータは、前記第１の磁石に対する前記第１のファラデー材料の前記パルスレーザ光の光軸方向の位置を変える第１の移動機構である、
    　光学パルスストレッチャ。
  4. 　請求項１に記載の光学パルスストレッチャであって、
    　第２の磁石と第２のファラデー材料とを含み、前記偏光子に入射する前記パルスレーザ光の偏光方向を回転させる第２のファラデー回転子を
    　さらに備える、光学パルスストレッチャ。
  5. 　請求項４に記載の光学パルスストレッチャであって、
    　前記第１のファラデー回転子における前記パルスレーザ光の偏光方向の回転量を変更可能な第１のアクチュエータと、
    　前記第２のファラデー回転子における前記パルスレーザ光の偏光方向の回転量を変更可能な第２のアクチュエータと、
    　前記第１のアクチュエータ及び前記第２のアクチュエータを制御するプロセッサと、
    　をさらに備える、光学パルスストレッチャ。
  6. 　請求項５に記載の光学パルスストレッチャであって、
    　前記第１のアクチュエータは、前記第１の磁石に対する前記第１のファラデー材料の前記パルスレーザ光の光軸方向の位置を変える第１の移動機構であり、
    　前記第２のアクチュエータは、前記第２の磁石に対する前記第２のファラデー材料の前記パルスレーザ光の光軸方向の位置を変える第２の移動機構である、
    　光学パルスストレッチャ。
  7. 　請求項１に記載の光学パルスストレッチャであって、
    　前記光学パルスストレッチャに入射する前記パルスレーザ光の偏光方向と前記偏光子の透過軸とが直交する、
    　光学パルスストレッチャ。
  8. 　請求項１に記載の光学パルスストレッチャであって、
    　前記複数のミラーは、４枚の凹面ミラーを含む、
    　光学パルスストレッチャ。
  9. 　請求項４に記載の光学パルスストレッチャであって、
    　前記第１のファラデー材料及び前記第２のファラデー材料のそれぞれは、フッ化カルシウム又は合成石英である、
    　光学パルスストレッチャ。
  10. 　パルスレーザ光を出力する発振器と、
    　前記パルスレーザ光のパルス幅を伸長する光学パルスストレッチャと、を備え、
    　前記光学パルスストレッチャは、
    　入射した前記パルスレーザ光の特定の偏光方向を分離する偏光子と、
    　前記偏光子を反射又は透過した前記パルスレーザ光が伝搬する複数のミラーを含む遅延光学系と、
    　第１の磁石と第１のファラデー材料とを含み、前記遅延光学系の光路上に配置され前記パルスレーザ光の偏光方向を回転させる第１のファラデー回転子と、
    　を備える、レーザ装置。
  11. 　請求項１０に記載のレーザ装置であって、
    　前記パルスレーザ光の偏光方向の回転量を変更可能な第１のアクチュエータと、
    　前記第１のアクチュエータを制御するプロセッサと、
    　をさらに備える、レーザ装置。
  12. 　請求項１１に記載のレーザ装置であって、
    　前記第１のアクチュエータは、前記第１の磁石に対する前記第１のファラデー材料の前記パルスレーザ光の光軸方向の位置を変える第１の移動機構である、
    　レーザ装置。
  13. 　請求項１１に記載のレーザ装置であって、
    　前記光学パルスストレッチャを通過した前記パルスレーザ光のパルス波形を計測する光センサをさらに備え、
    　前記プロセッサは、前記パルス波形からパルス幅を算出し、前記パルス幅が目標値以上になるように前記第１のアクチュエータを制御する、
    　レーザ装置。
  14. 　請求項１１に記載のレーザ装置であって、
    　前記プロセッサは、前記光学パルスストレッチャを通過した前記パルスレーザ光のパルス幅と、前記第１のアクチュエータの制御量との関係を示すテーブルデータを用いて、前記パルス幅が目標値以上になるように前記第１のアクチュエータを制御する、
    　レーザ装置。
  15. 　請求項１０に記載のレーザ装置であって、
    　前記光学パルスストレッチャに入射する前記パルスレーザ光の偏光方向と前記偏光子の透過軸とが直交する、
    　レーザ装置。
  16. 　請求項１０に記載のレーザ装置であって、
    　前記発振器は、紫外線波長の前記パルスレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する狭帯域化光学系を含む、
    　レーザ装置。
  17. 　請求項１０に記載のレーザ装置であって、
    　前記発振器は、
    　紫外線波長の第１のパルスレーザ光を出力する発振段レーザと、
    　前記発振段レーザから出力された前記第１のパルスレーザ光を増幅して出力する増幅器と、を含む、
    　レーザ装置。
  18. 　請求項１０に記載のレーザ装置であって、
    　第２の磁石と第２のファラデー材料とを含み、前記光学パルスストレッチャに入射する前記パルスレーザ光の偏光方向を回転させる第２のファラデー回転子を
    　さらに備える、レーザ装置。
  19. 　請求項１８に記載のレーザ装置であって、
    　前記第１のファラデー回転子における前記パルスレーザ光の偏光方向の回転量を変更可能な第１のアクチュエータと、
    　前記第２のファラデー回転子における前記パルスレーザ光の偏光方向の回転量を変更可能な第２のアクチュエータと、
    　前記第１のアクチュエータ及び前記第２のアクチュエータを制御するプロセッサと、
    　をさらに備える、レーザ装置。
  20. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　パルスレーザ光を出力する発振器と、
    　前記パルスレーザ光のパルス幅を伸長する光学パルスストレッチャと、を備え、
    　前記光学パルスストレッチャは、
    　入射した前記パルスレーザ光の特定の偏光方向を分離する偏光子と、
    　前記偏光子を反射又は透過した前記パルスレーザ光が伝搬する複数のミラーを含む遅延光学系と、
    　第１の磁石と第１のファラデー材料とを含み、前記遅延光学系の光路上に配置され前記パルスレーザ光の偏光方向を回転させる第１のファラデー回転子と、
    　を備える、レーザ装置によって前記パルス幅が伸長されたレーザ光を生成し、
    　前記レーザ光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板に前記レーザ光を露光することを含む電子デバイスの製造方法。
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