WO2022264941A1

WO2022264941A1 - レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Info

Publication number: WO2022264941A1
Application number: PCT/JP2022/023477
Authority: WO
Inventors: 秀一石井; 広樹加藤; カンティングエン; 卓也池田; 行志大西; 凜小田島; 哲郎藤波; 星児轟; 諒川谷
Original assignee: 東京応化工業株式会社
Priority date: 2021-06-15
Filing date: 2022-06-10
Publication date: 2022-12-22
Also published as: KR20240019770A; TW202319382A

Abstract

式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０１）を有する樹脂成分（Ａ１）と、式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を含む酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物。Ｒａ０１、Ｒａ０２は互いに結合して脂環式基を形成してもよい飽和脂肪族炭化水素基。Ｒａ０３～Ｒａ０５はその２つ以上が互いに結合して脂環式基を形成してもよい脂肪族炭化水素基等。Ｘ０はヨウ素原子等。Ｒｍはヒドロキシ基等。ｎｂ１は１～５の整数。ｎｂ２は０～４の整数。１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５。Ｙｂ０は２価の連結基等。Ｖｂ０はアルキレン基等。Ｒ０は炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基等。Ｍｍ＋はｍ価の有機カチオン。

Description

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

　本発明は、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関する。
　本願は、２０２１年６月１５日に、日本に出願された特願２０２１－０９９６５８号、特願２０２１－０９９６６３号、及び特願２０２１－０９９６６９号、並びに２０２２年６月９日に、日本に出願された特願２０２２－０９３９２０に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。

　レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
　このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。

　化学増幅型レジスト組成物においては、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、複数の構成単位を有する樹脂が用いられている。
　また、レジストパターンの形成においては、露光により酸発生剤成分から発生する酸の挙動もリソグラフィー特性に大きな影響を与える一要素とされる。
　化学増幅型レジスト組成物において使用される酸発生剤としては、これまで多種多様なものが提案されている。例えば、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤などが知られている。

　例えば、特許文献１には、脂環式基及びビニル基を含む第３級アルキルエステル型酸解離性基を有する樹脂成分と、オニウム塩系酸発生剤とを含むレジスト組成物が開示されている。

　例えば、特許文献２には、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基が発生する構造部位とアルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位とを含む繰り返し単位を有する樹脂成分と、オニウム塩系酸発生剤とを含むレジスト組成物が開示されている。

　例えば、特許文献３には、脂環式基及び芳香族炭化水素基を含む第３級アルキルエステル型酸解離性基を有する樹脂成分と、オニウム塩系酸発生剤とを含むレジスト組成物が開示されている。

特開２０１７－３９２０号公報特開２０１２－１３８３５号公報特開２０１６－１３３５４７号公報

　リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。レジストパターン寸法が小さくなるほど、高い感度有し、且つラフネスが低減されたレジスト組成物が求められる。
　しかしながら、従来のレジスト組成物では、感度とラフネスとはトレードオフの関係にあり、感度の向上を図るとラフネスが増大し、ラフネスの低減を図ると感度が低下するという問題があった。また、微細なパターンを安定的に形成することができることから、レジスト組成物には、広い露光マージンを有することも求められる。また、レジスト組成物には、解像性、パターン形状等の向上も求められる。

　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度及びラフネスがいずれも良好なレジスト組成物及び前記レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。
　また、本発明は、感度、ラフネス、及び露光マージンがいずれも良好なレジスト組成物及び前記レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題の１つとする。
　また、本発明は、感度、ラフネス、及び解像性がいずれも良好なレジスト組成物及び前記レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題の１つとする。
　また、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度、ラフネス、及びパターン形状がいずれも良好なレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題の１つとする。

　上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
　すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０１）を有し、前記酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を含む、レジスト組成物である。

［式中、Ｒａ^０１及びＲａ^０２は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基であり、Ｒａ^０１及びＲａ^０２は互いに結合して脂環式基を形成してもよく、前記脂環式基は、環骨格中に酸素原子又は硫黄原子を含んでもよく、前記脂環式基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されてもよい。Ｒａ^０３～Ｒａ^０５は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基であり、Ｒａ^０３～Ｒａ^０５の２つ以上が互いに結合して脂環式基を形成してもよく、前記脂環式基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されてもよい。＊は結合手を表す。］

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｙｂ^０は、２価の連結基又は単結合である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。］

　本発明の第２の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基、酸解離性基を含む－ＳＯ_２－含有環式基、又は酸解離性基を含むカーボネート含有環式基を含む構成単位（ａ０２）を有し、前記酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を含む、レジスト組成物である。

　本発明の第３の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０３１）と、下記一般式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０３２）と、を有し、前記酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を含む、レジスト組成物である。

［式（ａ０３－ｒ１）中、Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基であり、Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３は互いに結合して環を形成してもよい。
　式（ａ０３－ｒ２）中、Ｒａ^０２１は、置換基を有してもよい、芳香環を含む炭化水素基であり、Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基であり、Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は互いに結合して環を形成してもよい。
　＊は結合手を表す。］

　本発明の第４の態様は、支持体上に、前記第１～３の態様のいずれかに係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有するレジストパターン形成方法である。

　本発明によれば、感度及びラフネスがいずれも良好なレジスト組成物及び前記レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することができる。
　また、本発明の第１の態様によれば、感度、ラフネス、及び露光マージンがいずれも良好なレジスト組成物を提供することができる。
　また、本発明の第２の態様によれば、感度、ラフネス、及び解像性がいずれも良好なレジスト組成物を提供することができる。
　また、本発明の第３の態様によれば、感度、ラフネス、及びパターン形状がいずれも良好なレジスト組成物を提供することができる。
　また、本発明の第４の態様によれば、第１～第３の態様のいずれかにかかるレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することができる。

　本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
　「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
　「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
　「ハロゲン原子」は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
　「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（－Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（－ＣＨ_２－）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
　「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

　「酸分解性基」は、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
　酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、例えば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
　極性基としては、例えばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）等が挙げられる。
　酸分解性基としてより具体的には、前記極性基が酸解離性基で保護された基（例えばＯＨ含有極性基の水素原子を、酸解離性基で保護した基）が挙げられる。

　「酸解離性基」とは、（ｉ）酸の作用により、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基、又は、（ｉｉ）酸の作用により一部の結合が開裂した後、さらに脱炭酸反応が生じることにより、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る基、の双方をいう。
　酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、（Ａ１）成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、現像液が有機系現像液の場合には溶解性が減少する。

　「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物である。基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が５００以上４０００未満の化合物（以下、「低分子化合物」という）が用いられる。重合体としては、通常、分子量が１０００以上のものが用いられる。以下「樹脂」、「高分子化合物」又は「ポリマー」という場合は、分子量が１０００以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量を用いるものとする。

　「誘導される構成単位」とは、炭素原子間の多重結合、例えば、エチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
　「アクリル酸エステル」は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基（Ｒ^αｘ）は、水素原子以外の原子又は基である。また、置換基（Ｒ^αｘ）がエステル結合を含む置換基で置換されたイタコン酸ジエステルや、置換基（Ｒ^αｘ）がヒドロキシアルキル基やその水酸基を修飾した基で置換されたαヒドロキシアクリルエステルも含むものとする。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、アクリル酸のカルボニル基が結合している炭素原子のことである。
　以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルを、α置換アクリル酸エステルということがある。

　「誘導体」とは、対象化合物のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよい対象化合物の水酸基の水素原子を有機基で置換したもの；α位の水素原子が置換基に置換されていてもよい対象化合物に、水酸基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。なお、α位とは、特に断りがない限り、官能基と隣接した1番目の炭素原子のことをいう。
　ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、Ｒ^αｘと同様のものが挙げられる。

　本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては、不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがある。その場合は一つの化学式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。

　（レジスト組成物）
　本実施形態のレジスト組成物は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するものである。
　かかるレジスト組成物は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）（以下「（Ａ）成分」ともいう）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（以下「（Ｂ）成分」ともいう）とを含有する。

　本実施形態のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、該レジスト膜の露光部では（Ｂ）成分から酸が発生し、該酸の作用により（Ａ）成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、該レジスト膜の未露光部では（Ａ）成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、該レジスト膜を現像すると、該レジスト組成物がポジ型の場合はレジスト膜露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、該レジスト組成物がネガ型の場合はレジスト膜未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。

　本明細書においては、レジスト膜露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、レジスト膜未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本実施形態のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本実施形態のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液（有機系現像液）を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ａ）成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）（以下「（Ａ１）成分」ともいう）を含む。（Ａ１）成分を用いることにより、露光前後で基材成分の極性が変化するため、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても、良好な現像コントラストを得ることができる。
　（Ａ）成分としては、該（Ａ１）成分とともに他の高分子化合物及び／又は低分子化合物を併用してもよい。

　アルカリ現像プロセスを適用する場合、該（Ａ１）成分を含む基材成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、例えば露光により（Ｂ）成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、レジスト膜未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成される。

　一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、該（Ａ１）成分を含む基材成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光により（Ｂ）成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなり、有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、レジスト膜未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成される。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ａ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

［第１態様のレジスト組成物］
＜（Ａ）成分＞
　・（Ａ１）成分について
　第１の態様のレジスト組成物において、（Ａ１）成分は、上記一般式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０１）を有する。

　＜構成単位（ａ０１）＞
　構成単位（ａ０１）は、下記一般式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基を含む構成単位である。

　前記一般式（ａ０１－ｒ）中、Ｒａ^０１及びＲａ^０２は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基である。Ｒａ^０１及びＲａ^０２は、互いに結合して脂環式基を形成してもよい。前記脂環式基は、環骨格中に酸素原子又は硫黄原子を含んでもよい。前記脂環式基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されてもよい。

　Ｒａ^０１及びＲａ^０２における飽和脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基が挙げられる。
　前記直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数１～１５の直鎖状のアルキル基が挙げられる。前記直鎖状のアルキル基は、炭素原子数１～１２が好ましく、炭素原子数１～１０がより好ましく、炭素原子数１～６がさらに好ましく、炭素原子数１～３が特に好ましい。直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。
　前記分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数３～１５の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。前記分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数３～１２が好ましく、炭素原子数３～１０がより好ましく、炭素原子数３～６がさらに好ましく、炭素原子数３～５が特に好ましい。分岐鎖状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられる。

　Ｒａ^０１及びＲａ^０２における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基等が挙げられる。Ｒａ^０１及びＲａ^０２における直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基は、アルキル鎖を構成するメチレン基の一部が、ヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。前記ヘテロ原子含有基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。

　前記環状のアルキル基（シクロアルキル基）は、単環式基でもよく、多環式基でもよい。前記環状のアルキル基としては、炭素原子数３～１５の環状のアルキル基が挙げられる。前記環状のアルキル基は、炭素原子数３～１２が好ましく、炭素原子数３～１０がより好ましく、炭素原子数３～６がさらに好ましく、炭素原子数５又は６が特に好ましい。
　単環式のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等が挙げられる。
　多環式のシクロアルキル基としては、ビシクロ［２．２．２］オクタニル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカニル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカニル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。

　Ｒａ^０１及びＲａ^０２における環状のアルキル基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基等が挙げられる。前記置換基としての直鎖状のアルキル基若しくはアルコキシ基は、炭素原子数１～５が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１又は２がさらに好ましい。前記置換基としての分岐鎖状のアルキル基若しくはアルコキシ基は、炭素原子数３～６が好ましく、炭素原子数３～５がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましい。

　Ｒａ^０１及びＲａ^０２は互いに結合して脂環式基を形成してもよい。Ｒａ^０１及びＲａ^０２が互いに結合して形成される脂環式基としては、炭素原子数３～２０の脂環式基が挙げられる。前記脂環式基は、単環式基でもよく、多環式基でもよい。
　単環の脂環式基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が挙げられる。前記モノシクロアルカンは、炭素原子数３～１０が好ましく、炭素原子数４～８がより好ましく、炭素原子数５～６がさらに好ましい。モノシクロアルカンの具体例としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等が挙げられる。中でも、シクロペンタン又はシクロヘキサンが好ましく、シクロペンタンがより好ましい。
　多環の脂環式基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が挙げられる。前記ポリシクロアルカンは、炭素原子数７～１５が好ましく、炭素原子数７～１２がより好ましく、７～１０がさらに好ましい。前記ポリシクロアルカンの具体的としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でも、ノルボルナンが好ましい。

　Ｒａ^０１及びＲａ^０２が互いに結合して形成される脂環式基は、環骨格中に酸素原子又は硫黄原子を含んでもよい。すなわち、脂環式基の環骨格中の炭素原子の一部が酸素原子又は硫黄原子を含む置換基で置換されてもよい。酸素原子又は硫黄原子を含む置換基としては、例えば、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。なかでも、酸素原子又は硫黄原子を含む置換基としては、－Ｏ－又は－Ｓ－が好ましく、－Ｏ－がより好ましい。環骨格中に酸素原子を含む脂環式基としては、例えば、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。環骨格中に硫黄原子を含む脂環式基としては、例えば、テトラヒドロチオフェニル基、テトラヒドロチオピラニル基等が挙げられる。

　Ｒａ^０１及びＲａ^０２が互いに結合して形成される脂環式基は、水素原子の一部又は全部が置換基で置換されてもよい。前記置換基としては、例えば、－Ｒ^Ｐ０１、－Ｒ^Ｐ０２－Ｏ－Ｒ^Ｐ０１、－Ｒ^Ｐ０２－ＣＯ－Ｒ^Ｐ０１、－Ｒ^Ｐ０２－ＣＯ－ＯＲ^Ｐ０１、－Ｒ^Ｐ０２－Ｏ－ＣＯ－Ｒ^Ｐ０１、－Ｒ^Ｐ０２－ＯＨ、－Ｒ^Ｐ０２－ＣＮ、又は－Ｒ^Ｐ０２－ＣＯＯＨ（以下これらの置換基をまとめて「Ｒａ^ｘ０５」ともいう。）等が挙げられる。Ｒ^Ｐ０１は、炭素原子数１～１０の１価の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基である。Ｒ^Ｐ０２は、単結合、又は炭素原子数１～１０の２価の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基である。但し、Ｒ^Ｐ０１及びＲ^Ｐ０２の鎖状飽和脂肪族炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。Ｒａ^０１及びＲａ^０２が互いに結合して形成される脂環式基は、前記置換基を１種単独で１つ以上有していてもよいし、前記置換基の２種以上を各１つ以上有してもよい。
　Ｒ^Ｐ０１における炭素原子数１～１０の１価の直鎖状の飽和脂肪族炭化水素基は、炭素原子数１～６が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１又は２がさらに好ましい。Ｒ^Ｐ０１における炭素原子数１～１０の１価の分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基は、炭素原子数３～６が好ましく、炭素原子数３～４がより好ましく、炭素原子数３がさらに好ましい。Ｒ^Ｐ０１の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。
　Ｒ^Ｐ０２における炭素原子数１～１０の２価の直鎖状の飽和脂肪族炭化水素基は、炭素原子数１～６が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１又は２がさらに好ましい。Ｒ^Ｐ０２における炭素原子数１～１０の１価の分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基は、炭素原子数２～６が好ましく、炭素原子数２～４がより好ましく、炭素原子数２又は３がさらに好ましい。Ｒ^Ｐ０２の具体例としては、例えば、単結合、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、デシレン基等が挙げられる。

　Ｒａ^０１及びＲａ^０２は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であるか、又は互いに結合して脂環式基を形成することが好ましく、互いに結合して脂環式基を形成することがより好ましい。

　前記式（ａ０１－ｒ）中、Ｒａ^０３～Ｒａ^０５は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基である。Ｒａ^０３～Ｒａ^０５の２つ以上が互いに結合して脂環式基を形成してもよい。前記脂環式基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されてもよい。

　Ｒａ^０３～Ｒａ^０５における脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよいが、飽和であることが好ましい。
　Ｒａ^０３～Ｒａ^０５における飽和脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基が挙げられる。Ｒａ^０３～Ｒａ^０５における飽和脂肪族炭化水素基としては、前記Ｒａ^０１及びＲａ^０２における飽和脂肪族炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。

　Ｒａ^０３～Ｒａ^０５は、それらの２つ以上が互いに結合して脂環式基を形成してもよい。

　Ｒａ^０３とＲａ^０４及び／又はＲａ^０５が互いに結合して脂環式基を形成する場合、前記脂環式基は、環構造中に、前記式（ａ０１－ｒ）に示される炭素－炭素二重結合を含む。前記環構造中に炭素－炭素二重結合を含む脂環式基としては、炭素原子数３～２０の脂環式基が挙げられる。前記環構造中に炭素－炭素二重結合を含む脂環式基は、炭素原子数４～１２が好ましく、炭素原子数５～１０がより好ましく、炭素原子数５～８がさらに好ましく、炭素原子数５又は６が特に好ましい。前記脂環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよいが、単環式基が好ましい。前記脂環式基としては、例えば、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、メチルシクロペンテニル基、メチルシクロヘキセニル基、シクロペンチリデンエテニル基、シクロへキシリデンエテニル基等が挙げられる。中でも、合成容易性の観点から、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチリデンエテニル基が好ましい。

　Ｒａ^０４及びＲａ^０５が互いに結合して脂環式基を形成する場合、前記脂環式としては、炭素原子数３～２０の脂環式基が挙げられる。前記脂環式基は、単環式基でもよく、多環式基でもよい。Ｒａ^０４及びＲａ^０５が互いに結合して形成される脂環式基としては、Ｒａ^０１及びＲａ^０２は互いに結合して形成する脂環式基と同様のものが挙げられる。

　Ｒａ^０３～Ｒａ^０５の２つ以上が互いに結合して形成される脂環式基は、前記脂環式基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換さえてもよい。前記置換基としては、例えば、前記Ｒａ^ｘ０５が挙げられる。

　Ｒａ^０３は、水素原子であるか、Ｒａ^０４及び／又はＲａ^０５と結合して脂環式基を形成することが好ましい。
　Ｒａ^０４及びＲａ^０５は、水素原子、又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であるか、Ｒａ^０３と結合して脂環式基を形成することが好ましい。前記直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基は、直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基がさらに好ましく、メチル基がより好ましい。
　前記Ｒａ^０３～Ｒａ^０５の２つ以上が互いに結合して形成される脂環式基は、シクロペンテニル基又はシクロヘキセニル基が好ましく、シクロペンテニル基がより好ましい。

　前記式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基の具体例を以下に挙げる。

　構成単位（ａ０１）としては、下記一般式（ａ０１－１）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｗ^０は重合性基含有基である。Ｒａ^０は、前記一般式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基である。］

　前記式（ａ０１－１）中、Ｗ^０は、重合性基含有基である。
　「重合性基」とは、重合性基を有する化合物がラジカル重合等により重合することを可能とする基であり、例えばエチレン性二重結合などの炭素原子間の多重結合を含む基をいう。構成単位（ａ０１）おいては、重合性基における多重結合が開裂して主鎖を形成している。

　重合性基としては、例えば、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、フルオロビニル基、ジフルオロビニル基、トリフルオロビニル基、ジフルオロトリフルオロメチルビニル基、トリフルオロアリル基、パーフルオロアリル基、トリフルオロメチルアクリロイル基、ノニルフルオロブチルアクリロイル基、ビニルエーテル基、含フッ素ビニルエーテル基、アリルエーテル基、含フッ素アリルエーテル基、スチリル基、ビニルナフチル基、含フッ素スチリル基、含フッ素ビニルナフチル基、ノルボルニル基、含フッ素ノルボルニル基、シリル基等が挙げられる。

　「重合性基含有基」は、重合性基を含む基である。重合性基含有基は、重合性基のみから構成される基でもよく、重合性基と重合性基以外の他の基とから構成される基でもよい。重合性基以外の他の基としては、置換基を有してもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が挙げられる。

　・置換基を有してもよい２価の炭化水素基：
　重合性基以外の他の基が、置換基を有してもよい２価の炭化水素基である場合、前記炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。

　・・重合性基以外の他の基における脂肪族炭化水素基
　脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
　前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

　・・・直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基
　直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４がさらに好ましく、炭素原子数１～３が最も好ましい。
　直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ_２－］、エチレン基［－（ＣＨ_２）_２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ_２）_３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ_２）_４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ_２）_５－］等が挙げられる。
　分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が２～１０であることが好ましく、炭素原子数３～６がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましく、炭素原子数３が最も好ましい。
　分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

　前記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。

　・・・構造中に環を含む脂肪族炭化水素基
　構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子２個を除いた基）、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
　環状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、炭素原子数３～１２であることがより好ましい。
　環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

　環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
　前記置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
　前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
　前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
　前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
　環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－が好ましい。

　・・重合性基以外の他の基における芳香族炭化水素基
　芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
　この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０であることが好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。ただし、該炭素原子数には、置換基における炭素原子数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子２つを除いた基（アリーレン基又はヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子２つを除いた基；前記芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子１つを除いた基（アリール基又はヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）等が挙げられる。前記のアリール基又はヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２であることがより好ましく、炭素原子数１であることが特に好ましい。

　前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば、当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
　前記置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
　前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子及びハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。

　・ヘテロ原子を含む２価の連結基：
　該重合性基以外の他の基が、ヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有してもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０～３の整数である。］等が挙げられる。
　前記のへテロ原子を含む２価の連結基が－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－の場合、そのＨはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、１～８であることがさらに好ましく、１～５であることが特に好ましい。
　一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－中、Ｙ^２１およびＹ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有してもよい２価の炭化水素基である。該２価の炭化水素基としては、前記２価の連結基としての説明で挙げた（置換基を有してもよい２価の炭化水素基）と同様のものが挙げられる。
　Ｙ^２１としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基又はエチレン基が特に好ましい。
　Ｙ^２２としては、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基又はアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
　式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基において、ｍ”は０～３の整数であり、０～２の整数であることが好ましく、０又は１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基としては、式－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基が特に好ましい。中でも、式－（ＣＨ_２）_ａ’－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｂ’－で表される基が好ましい。該式中、ａ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が最も好ましい。

　Ｗ^０の重合性基含有基としては、例えば、化学式：Ｃ（Ｒ^Ｘ１１）（Ｒ^Ｘ１２）＝Ｃ（Ｒ^Ｘ１３）－Ｙａ^ｘ０－で表される基が好適に挙げられる。

　前記化学式中、Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２及びＲ^Ｘ１３は、それぞれ、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基であり、Ｙａ^ｘ０は、単結合または２価の連結基である。

　Ｒ^Ｘ１１、Ｒ^Ｘ１２及びＲ^Ｘ１３における炭素原子数１～５のアルキル基は、炭素原子数１～５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素原子数１～５のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、特にフッ素原子が好ましい。
　これらの中でも、Ｒ^Ｘ１１及びＲ^Ｘ１２としては、それぞれ、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子、メチル基がより好ましい。
　また、Ｒ^Ｘ１３としては、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子、メチル基がより好ましい。

　Ｙａ^ｘ０における２価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有してもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が好適なものとして挙げられ、それぞれ上記と同様である。

　上記の中でも、Ｙａ^ｘ０としては、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］、エーテル結合（－Ｏ－）、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、芳香族炭化水素基又はこれらの組合せ、あるいは単結合であることが好ましい。これらの中でも、Ｙａ^ｘ０としては、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］と直鎖状のアルキレン基との組み合わせから構成させる基、又は単結合であることがより好ましい。エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］と直鎖状のアルキレン基との組み合わせから構成させる基として具体的には、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－ＣＨ_２－等が挙げられる。

　前記式（ａ０１－ｒ）中、Ｒａ^０は、前記一般式（ａ０１－１）で表される酸解離性基である。

　構成単位（ａ０１）は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。構成単位（ａ０１）は、下記一般式（ａ０１－１－１）で表される構成単位が好ましい。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｖａ^０は、エーテル結合を有していてもよい２価の炭化水素基である。ｎ_ａ０は、０～２の整数である。Ｒａ^０は、前記一般式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基である。］

　前記式（ａ０１－１－１）中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。
　Ｒにおける炭素原子数１～５のアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素原子数１～５のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
　Ｒとしては、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が好ましい。

　前記式（ａ０１－１－１）中、Ｖａ^０における２価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
　前記脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
　前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基であってもよく、分岐鎖状の脂肪族炭化水素基であってもよく、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基であってもよい。

　前記直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数１～１０が好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４がさらに好ましく、炭素原子数１～３が特に好ましい。
　前記直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましい。具体例としては、メチレン基［－ＣＨ_２－］、エチレン基［－（ＣＨ_２）_２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ_２）_３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ_２）_４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ_２）_５－］等が挙げられる。

　前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数２～１０が好ましく、炭素原子数３～６がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましく、炭素原子数３が特に好ましい。
　前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体例としては、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

　前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、前記直鎖状の脂肪族炭化水素基または前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
　前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数３～２０が好ましく、炭素原子数３～１２がより好ましい。
　前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。前記モノシクロアルカンは、炭素原子数３～６が好ましい。具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素原子数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

　Ｖａ^０における２価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。
　前記芳香族炭化水素基は、炭素原子数３～３０が好ましく、炭素原子数５～３０がより好ましく、炭素原子数５～２０がさらに好ましく、炭素原子数６～１５が特に好ましく、炭素原子数６～１２が最も好ましい。ただし、前記炭素原子数には、置換基における炭素原子数を含まないものとする。
　芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
　前記芳香族炭化水素基としては、前記芳香族炭化水素環から水素原子を２つ除いた基（アリーレン基）；前記芳香族炭化水素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）等が挙げられる。前記アルキレン基（アリールアルキル基中のアルキル鎖）は、炭素原子数１～４が好ましく、炭素原子数１～２がより好ましく、炭素原子数１がさらに好ましい。

　前記式（ａ０１－１－１）中、ｎ_ａ０は、０～２の整数である。ｎ_ａ０は、０又は１が好ましく、０がより好ましい。

　前記式（ａ０１－１－１）中、Ｒａ^０は、前記式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基である。

　以下に構成単位（ａ０１）の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

　構成単位（ａ０１）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０１）の割合は、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～８０モル％が好ましく、２０～７５モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ０１）の割合が前記の好ましい範囲の下限値以上であると、感度が向上しやすく、ラフネスが低減されやすい。一方、構成単位（ａ０１）の割合が前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　≪その他構成単位≫
　（Ａ１）成分は、上述した構成単位（ａ０１）に加え、必要に応じてその他構成単位を有してもよい。
　その他構成単位としては、例えば、前記式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基以外の酸解離性基を含む構成単位（ａ１）；ラクトン含有環式基、－ＳＯ_２－含有環式基又はカーボネート含有環式基を含む構成単位（ａ２）；極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位（ａ３）；酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位（ａ４）；後述の一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）；スチレン若しくはスチレン誘導体から誘導される構成単位（ｓｔ）などが挙げられる。

　＜構成単位（ａ１）＞
　構成単位（ａ１）は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（但し、構成単位（ａ０１）に該当するものを除く）である。

　酸解離性基としては、これまで、化学増幅型レジスト組成物用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものが挙げられる。
　化学増幅型レジスト組成物用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものとして具体的には、以下に説明する「アセタール型酸解離性基」、「第３級アルキルエステル型酸解離性基」、「第３級アルキルオキシカルボニル酸解離性基」が挙げられる。

　アセタール型酸解離性基：
　前記極性基のうちカルボキシ基または水酸基を保護する酸解離性基としては、例えば、下記一般式（ａ１－ｒ－１）で表される酸解離性基（以下「アセタール型酸解離性基」ということがある。）が挙げられる。

［式中、Ｒａ’^１、Ｒａ’^２は水素原子またはアルキル基である。Ｒａ’^３は炭化水素基であって、Ｒａ’^３は、Ｒａ’^１、Ｒａ’^２のいずれかと結合して環を形成してもよい。］

　式（ａ１－ｒ－１）中、Ｒａ’^１及びＲａ’^２のうち、少なくとも一方が水素原子であることが好ましく、両方が水素原子であることがより好ましい。
　Ｒａ’^１又はＲａ’^２がアルキル基である場合、該アルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましい。具体的には、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく挙げられる。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、メチル基またはエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。

　式（ａ１－ｒ－１）中、Ｒａ’^３の炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。
　該直鎖状のアルキル基は、炭素原子数が１～５であることが好ましく、炭素原子数が１～４がより好ましく、炭素原子数１または２がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはｎ－ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。

　該分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数が３～１０であることが好ましく、炭素原子数３～５がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが好ましい。

　Ｒａ’^３が環状の炭化水素基となる場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。
　単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
　多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

　Ｒａ’^３の環状の炭化水素基が芳香族炭化水素基となる場合、該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
　この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０であることが好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。
　芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　Ｒａ’^３における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２であることがより好ましく、炭素原子数１であることが特に好ましい。

　Ｒａ’^３における環状の炭化水素基は、置換基を有してもよい。この置換基としては、例えば、－Ｒ^Ｐ１、－Ｒ^Ｐ２－Ｏ－Ｒ^Ｐ１、－Ｒ^Ｐ２－ＣＯ－Ｒ^Ｐ１、－Ｒ^Ｐ２－ＣＯ－ＯＲ^Ｐ１、－Ｒ^Ｐ２－Ｏ－ＣＯ－Ｒ^Ｐ１、－Ｒ^Ｐ２－ＯＨ、－Ｒ^Ｐ２－ＣＮ又は－Ｒ^Ｐ２－ＣＯＯＨ（以下これらの置換基をまとめて「Ｒａ^ｘ５」ともいう。）等が挙げられる。
　ここで、Ｒ^Ｐ１は、炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基、炭素原子数３～２０の１価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素原子数６～３０の１価の芳香族炭化水素基である。また、Ｒ^Ｐ２は、単結合、炭素原子数１～１０の２価の鎖状飽和炭化水素基、炭素原子数３～２０の２価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素原子数６～３０の２価の芳香族炭化水素基である。但し、Ｒ^Ｐ１及びＲ^Ｐ２の鎖状飽和炭化水素基、脂肪族環状飽和炭化水素基及び芳香族炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。上記脂肪族環状炭化水素基は、上記置換基を１種単独で１つ以上有していてもよいし、上記置換基のうち複数種を各１つ以上有していてもよい。
　炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。
　炭素原子数３～２０の１価の脂肪族環状飽和炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式脂肪族飽和炭化水素基；ビシクロ［２．２．２］オクタニル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカニル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカニル基、アダマンチル基等の多環式脂肪族飽和炭化水素基が挙げられる。
　炭素原子数６～３０の１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環から水素原子１個を除いた基が挙げられる。

　Ｒａ’^３が、Ｒａ’^１、Ｒａ’^２のいずれかと結合して環を形成する場合、該環式基としては、４～７員環が好ましく、４～６員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。

　第３級アルキルエステル型酸解離性基：
　上記極性基のうち、カルボキシ基を保護する酸解離性基としては、例えば、下記一般式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基（前記式（ａ０１－ｒ）で表されるものを除く）が挙げられる。
　下記式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基のうち、アルキル基により構成されるものを、以下、便宜上「第３級アルキルエステル型酸解離性基」ということがある。

［式中、Ｒａ’^４～Ｒａ’^６は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基であり、Ｒａ’^５及びＲａ’^６は互いに結合して環を形成してもよい。＊は結合手である。］

　Ｒａ’^４の炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、鎖状もしくは環状のアルケニル基、又は、環状の炭化水素基が挙げられる。
　Ｒａ’^４における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、環状の炭化水素基（単環式基である脂肪族炭化水素基、多環式基である脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基）は、前記Ｒａ’^３と同様のものが挙げられる。
　Ｒａ’^４における鎖状もしくは環状のアルケニル基は、炭素原子数２～１０のアルケニル基が好ましい。
　Ｒａ’^５、Ｒａ’^６の炭化水素基としては、前記Ｒａ’^３と同様のものが挙げられる。

　Ｒａ’^５とＲａ’^６とが互いに結合して環を形成する場合、下記一般式（ａ１－ｒ２－１）で表される基、下記一般式（ａ１－ｒ２－３）で表される基が好適に挙げられる。
　一方、Ｒａ’^４～Ｒａ’^６が互いに結合せず、独立した炭化水素基である場合、下記一般式（ａ１－ｒ２－４）で表される基が好適に挙げられる。

［式（ａ１－ｒ２－１）中、Ｒａ’^１０は、一部がハロゲン原子又はヘテロ原子含有基で置換されていてもよい直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１～１２のアルキル基を示す。Ｒａ’^１１はＲａ’^１０が結合した炭素原子と共に脂肪族環式基を形成する基を示す。式（ａ１－ｒ２－３）中、Ｙａａは炭素原子である。Ｘａａは、Ｙａａと共に脂肪族環式基を形成する基である。Ｒａ^１０４は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。式（ａ１－ｒ２－４）中、Ｒａ’^１２及びＲａ’^１３は、それぞれ独立に、炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ｒａ’^１４は、置換基を有してもよい炭化水素基である。＊は結合手を示す。］

　上記の式（ａ１－ｒ２－１）中、Ｒａ’^１０は、一部がハロゲン原子もしくはヘテロ原子含有基で置換されていてもよい直鎖状もしくは分岐鎖状の炭素原子数１～１２のアルキル基である。

　Ｒａ’^１０における、直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数１～１２であり、炭素原子数１～１０が好ましく、炭素原子数１～５が特に好ましい。
　Ｒａ’^１０における、分岐鎖状のアルキル基としては、前記Ｒａ’^３と同様のものが挙げられる。

　Ｒａ’^１０におけるアルキル基は、一部がハロゲン原子もしくはヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。例えば、アルキル基を構成する水素原子の一部が、ハロゲン原子又はヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。また、アルキル基を構成する炭素原子（メチレン基など）の一部が、ヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。
　ここでいうヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。ヘテロ原子含有基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。

　式（ａ１－ｒ２－１）中、Ｒａ’^１１がＲａ’^１０が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族環式基は、式（ａ１－ｒ－１）におけるＲａ’^３の単環式基又は多環式基である脂肪族炭化水素基（脂環式炭化水素基）として挙げた基が好ましい。その中でも、単環式の脂環式炭化水素基が好ましく、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基がより好ましく、シクロペンチル基がさらに好ましい。

　式（ａ１－ｒ２－３）中、ＸａａがＹａａと共に形成する脂肪族環式基は、式（ａ１－ｒ－１）におけるＲａ’^３の単環式基又は多環式基である脂肪族炭化水素基として挙げた基が好ましい。
　式（ａ１－ｒ２－３）中、Ｒａ^１０４における芳香族炭化水素基としては、炭素原子数５～３０の芳香族炭化水素環から水素原子１個以上を除いた基が挙げられる。中でも、Ｒａ^１０４は、炭素原子数６～１５の芳香族炭化水素環から水素原子１個以上を除いた基が好ましく、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン又はフェナントレンから水素原子１個以上を除いた基がより好ましく、ベンゼン、ナフタレン又はアントラセンから水素原子１個以上を除いた基がさらに好ましく、ベンゼン又はナフタレンから水素原子１個以上を除いた基が特に好ましく、ベンゼンから水素原子１個以上を除いた基が最も好ましい。

　式（ａ１－ｒ２－３）中のＲａ^１０４が有していてもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。

　式（ａ１－ｒ２－４）中、Ｒａ’^１２及びＲａ’^１３は、それぞれ独立に、炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基である。Ｒａ’^１２及びＲａ’^１３における、炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基としては、上記のＲａ^１０１～Ｒａ^１０３における、炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。この鎖状飽和炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。
　Ｒａ’^１２及びＲａ’^１３は、中でも、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
　上記Ｒａ’^１２及びＲａ’^１３で表される鎖状飽和炭化水素基が置換されている場合、その置換基としては、例えば、上述のＲａ^ｘ５と同様の基が挙げられる。

　式（ａ１－ｒ２－４）中、Ｒａ’^１４は、置換基を有してもよい炭化水素基である。Ｒａ’^１４における炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。

　Ｒａ’^１４における直鎖状のアルキル基は、炭素原子数が１～５であることが好ましく、１～４がより好ましく、１又は２がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基又はｎ－ブチル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。

　Ｒａ’^１４における分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数が３～１０であることが好ましく、３～５がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが好ましい。

　Ｒａ’^１４が環状の炭化水素基となる場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

　Ｒａ’^１４における芳香族炭化水素基としては、Ｒａ^１０４における芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。中でも、Ｒａ’^１４は、炭素原子数６～１５の芳香族炭化水素環から水素原子１個以上を除いた基が好ましく、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン又はフェナントレンから水素原子１個以上を除いた基がより好ましく、ベンゼン、ナフタレン又はアントラセンから水素原子１個以上を除いた基がさらに好ましく、ナフタレン又はアントラセンから水素原子１個以上を除いた基が特に好ましく、ナフタレンから水素原子１個以上を除いた基が最も好ましい。
　Ｒａ’^１４が有していてもよい置換基としては、Ｒａ^１０４が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。

　式（ａ１－ｒ２－４）中のＲａ’^１４がナフチル基である場合、前記式（ａ１－ｒ２－４）における第３級炭素原子と結合する位置は、ナフチル基の１位又は２位のいずれであってもよい。
　式（ａ１－ｒ２－４）中のＲａ’^１４がアントリル基である場合、前記式（ａ１－ｒ２－４）における第３級炭素原子と結合する位置は、アントリル基の１位、２位又は９位のいずれであってもよい。

　前記式（ａ１－ｒ２－１）で表される基の具体例を以下に挙げる。

　前記式（ａ１－ｒ２－３）で表される基の具体例を以下に挙げる。

　前記式（ａ１－ｒ２－４）で表される基の具体例を以下に挙げる。

　第３級アルキルオキシカルボニル酸解離性基：
　前記極性基のうち水酸基を保護する酸解離性基としては、例えば、下記一般式（ａ１－ｒ－３）で表される酸解離性基（以下便宜上「第３級アルキルオキシカルボニル酸解離性基」ということがある）が挙げられる。

［式中、Ｒａ’^７～Ｒａ’^９はそれぞれアルキル基である。］

　式（ａ１－ｒ－３）中、Ｒａ’^７～Ｒａ’^９は、それぞれ炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３のアルキル基がより好ましい。
　また、各アルキル基の合計の炭素原子数は、３～７であることが好ましく、炭素原子数３～５であることがより好ましく、炭素原子数３～４であることが最も好ましい。

　構成単位（ａ１）としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、アクリルアミドから誘導される構成単位、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨにおける水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位等が挙げられる。

　構成単位（ａ１）としては、上記のなかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
　かかる構成単位（ａ１）の好ましい具体例としては、下記一般式（ａ１－１）又は（ａ１－２）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｖａ^１は、エーテル結合を有していてもよい２価の炭化水素基である。ｎ_ａ１は、０～２の整数である。Ｒａ^１は、前記式（ａ１－ｒ－１）又は（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基である。Ｗａ^１はｎ_ａ２＋１価の炭化水素基であり、ｎ_ａ２は１～３の整数であり、Ｒａ^２は前記式（ａ１－ｒ－１）又は（ａ１－ｒ－３）で表される酸解離性基である。］

　前記式（ａ１－１）中、Ｒは、前記式（ａ０１－１－１）中のＲと同様である。

　前記式（ａ１－１）中、Ｖａ^１における２価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。Ｖａ^１は、前記式（ａ０１－１－１）中のＶａ^０と同様である。

　前記式（ａ１－１）中、ｎ_ａ１は、０～２の整数である。ｎ_ａ１は、０又は１が好ましい。

　前記式（ａ１－１）中、Ｒａ^１は、前記式（ａ１－ｒ－１）又は（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基である。

　前記式（ａ１－２）中、Ｗａ^１におけるｎ_ａ２＋１価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。該脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味し、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、或いは直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基と構造中に環を含む脂肪族炭化水素基とを組み合わせた基が挙げられる。
　前記ｎ_ａ２＋１価は、２～４価が好ましく、２又は３価がより好ましい。

　前記式（ａ１－２）中、Ｒａ^２は、前記式（ａ１－ｒ－１）又は（ａ１－ｒ－３）で表される酸解離性基である。

　以下に前記式（ａ１－１）で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ１）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　構成単位（ａ１）としては、電子線やＥＵＶによるリソグラフィーでの特性（感度、形状等）をより高められやすいことから、前記式（ａ１－１）で表される構成単位がより好ましい。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ１）の割合は、該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、０～５０モル％が好ましく、０～４０モル％がより好ましく、０～３０モル％がさらに好ましく、０～２０モル％が特に好ましい。
　（Ａ１）成分は、構成単位（ａ１）を有しないことが好ましい。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０１）及び構成単位（ａ１）の合計の割合は、前記（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、１０～８０モル％が好ましく、２０～７５モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。

　構成単位（ａ２）について：
　（Ａ１）成分は、さらに、ラクトン含有環式基、－ＳＯ_２－含有環式基又はカーボネート含有環式基を含む構成単位（ａ２）（但し、構成単位（ａ１）に該当するものを除く）を有してもよい。
　構成単位（ａ２）のラクトン含有環式基、－ＳＯ_２－含有環式基又はカーボネート含有環式基は、（Ａ１）成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高める上で有効なものである。また、構成単位（ａ２）を有することで、例えば酸拡散長を適切に調整する、レジスト膜の基板への密着性を高める、現像時の溶解性を適切に調整する等の効果により、リソグラフィー特性等が良好となる。

　「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－を含む環（ラクトン環）を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
　構成単位（ａ２）におけるラクトン含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表される基が挙げられる。

　　
［式中、Ｒａ’^２１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり；Ｒ”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基であり；Ａ”は酸素原子（－Ｏ－）もしくは硫黄原子（－Ｓ－）を含んでいてもよい炭素原子数１～５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ｎ’は０～２の整数であり、ｍ’は０または１である。］

　前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）中、Ｒａ’^２１におけるアルキル基としては、炭素原子数１～６のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
　Ｒａ’^２１におけるアルコキシ基としては、炭素原子数１～６のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記Ｒａ’^２１におけるアルキル基として挙げたアルキル基と酸素原子（－Ｏ－）とが連結した基が挙げられる。
　Ｒａ’^２１におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
　Ｒａ’^２１におけるハロゲン化アルキル基としては、前記Ｒａ’^２１におけるアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。

　Ｒａ’^２１における－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”において、Ｒ”はいずれも水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。
　Ｒ”におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、炭素原子数は１～１５が好ましい。
　Ｒ”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素原子数１～１０であることが好ましく、炭素原子数１～５であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
　Ｒ”が環状のアルキル基の場合は、炭素原子数３～１５であることが好ましく、炭素原子数４～１２であることがさらに好ましく、炭素原子数５～１０が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
　Ｒ”におけるラクトン含有環式基としては、前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表される基と同様のものが挙げられる。
　Ｒ”におけるカーボネート含有環式基としては、後述のカーボネート含有環式基と同様であり、具体的には一般式（ａｘ３－ｒ－１）～（ａｘ３－ｒ－３）でそれぞれ表される基が挙げられる。
　Ｒ”における－ＳＯ_２－含有環式基としては、後述の－ＳＯ_２－含有環式基と同様であり、具体的には一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される基が挙げられる。
　Ｒａ’^２１におけるヒドロキシアルキル基としては、炭素原子数が１～６であるものが好ましく、具体的には、前記Ｒａ’^２１におけるアルキル基の水素原子の少なくとも１つが水酸基で置換された基が挙げられる。

　Ｒａ’^２１としては、上記の中でも、それぞれ独立に水素原子又はシアノ基であることが好ましい。

　前記一般式（ａ２－ｒ－２）、（ａ２－ｒ－３）、（ａ２－ｒ－５）中、Ａ”における炭素原子数１～５のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に－Ｏ－または－Ｓ－が介在する基が挙げられ、例えば－Ｏ－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－、－Ｓ－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｓ－ＣＨ_２－等が挙げられる。Ａ”としては、炭素原子数１～５のアルキレン基または－Ｏ－が好ましく、炭素原子数１～５のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。

　下記に一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。

　「－ＳＯ_２－含有環式基」とは、その環骨格中に－ＳＯ_２－を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、－ＳＯ_２－における硫黄原子（Ｓ）が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に－ＳＯ_２－を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。－ＳＯ_２－含有環式基は、単環式基であってもよく多環式基であってもよい。
　－ＳＯ_２－含有環式基は、特に、その環骨格中に－Ｏ－ＳＯ_２－を含む環式基、すなわち－Ｏ－ＳＯ_２－中の－Ｏ－Ｓ－が環骨格の一部を形成するスルトン（ｓｕｌｔｏｎｅ）環を含有する環式基であることが好ましい。
　－ＳＯ_２－含有環式基として、より具体的には、下記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される基が挙げられる。

［式中、Ｒａ’^５１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり；Ｒ”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基であり；Ａ”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数１～５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ｎ’は０～２の整数である。］

　前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－２）中、Ａ”は、前記一般式（ａ２－ｒ－２）、（ａ２－ｒ－３）、（ａ２－ｒ－５）中のＡ”と同様である。
　Ｒａ’^５１におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）中のＲａ’^２１についての説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
　下記に一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。式中の「Ａｃ」は、アセチル基を示す。

　「カーボネート含有環式基」とは、その環骨格中に－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－を含む環（カーボネート環）を含有する環式基を示す。カーボネート環をひとつ目の環として数え、カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。カーボネート含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
　カーボネート含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式（ａｘ３－ｒ－１）～（ａｘ３－ｒ－３）でそれぞれ表される基が挙げられる。

［式中、Ｒａ’^ｘ３１はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり；Ｒ”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基であり；Ａ”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数１～５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、ｐ’は０～３の整数であり、ｑ’は０または１である。］

　前記一般式（ａｘ３－ｒ－２）～（ａｘ３－ｒ－３）中、Ａ”は、前記一般式（ａ２－ｒ－２）、（ａ２－ｒ－３）、（ａ２－ｒ－５）中のＡ”と同様である。
　Ｒａ’^３１におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）中のＲａ’^２１についての説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。
　下記に一般式（ａｘ３－ｒ－１）～（ａｘ３－ｒ－３）でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。

　構成単位（ａ２）としては、なかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
　かかる構成単位（ａ２）は、下記一般式（ａ２－１）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒは水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^２１は単結合または２価の連結基である。Ｌａ^２１は－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮ（Ｒ’）－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨＣＯ－又は－ＣＯＮＨＣＳ－であり、Ｒ’は水素原子またはメチル基を示す。ただしＬａ^２１が－Ｏ－の場合、Ｙａ^２１は－ＣＯ－にはならない。Ｒａ^２１はラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。］

　前記式（ａ２－１）中、Ｒは前記と同じである。Ｒとしては、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が特に好ましい。

　前記式（ａ２－１）中、Ｙａ^２１における２価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有してもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が好適に挙げられる。

　・置換基を有してもよい２価の炭化水素基：
　Ｙａ^２１が置換基を有してもよい２価の炭化水素基である場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。

　・・Ｙａ^２１における脂肪族炭化水素基
　脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
　前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

　・・・直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基
　該直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４がさらに好ましく、炭素原子数１～３が最も好ましい。
　直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ_２－］、エチレン基［－（ＣＨ_２）_２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ_２）_３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ_２）_４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ_２）_５－］等が挙げられる。
　該分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が２～１０であることが好ましく、炭素原子数３～６がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましく、炭素原子数３が最も好ましい。
　分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

　前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。

　・・・構造中に環を含む脂肪族炭化水素基
　該構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を２個除いた基）、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
　環状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、炭素原子数３～１２であることがより好ましい。
　環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

　環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
　前記置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることがより好ましい。
　前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
　前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
　前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
　環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－が好ましい。

　・・Ｙａ^２１における芳香族炭化水素基
　該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
　この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でもよいし、多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０であることが好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。ただし、該炭素原子数には、置換基における炭素原子数を含まないものとする。
　芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を２つ除いた基（アリーレン基またはヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を２つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２であることがより好ましく、炭素原子数１であることが特に好ましい。

　前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
　前記置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることがより好ましい。
　前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。

　・ヘテロ原子を含む２価の連結基：
　Ｙａ^２１がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとしては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有してもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０～３の整数である。］等が挙げられる。
　前記へテロ原子を含む２価の連結基が－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－の場合、そのＨはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、１～８であることがさらに好ましく、１～５であることが特に好ましい。
　一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－中、Ｙ^２１およびＹ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有してもよい２価の炭化水素基である。該２価の炭化水素基としては、前記Ｙａ^２１における２価の連結基としての説明で挙げた（置換基を有してもよい２価の炭化水素基）と同様のものが挙げられる。
　Ｙ^２１としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
　Ｙ^２２としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
　式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基において、ｍ”は０～３の整数であり、０～２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基としては、式－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基が特に好ましい。なかでも、式－（ＣＨ_２）_ａ’－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｂ’－で表される基が好ましい。該式中、ａ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。

　上記の中でも、Ｙａ^２１としては、単結合、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－］、エーテル結合（－Ｏ－）、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましい。

　前記式（ａ２－１）中、Ｒａ^２１はラクトン含有環式基、－ＳＯ_２－含有環式基またはカーボネート含有環式基である。
　Ｒａ^２１におけるラクトン含有環式基、－ＳＯ_２－含有環式基、カーボネート含有環式基としてはそれぞれ、前述した一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表される基、一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される基、一般式（ａｘ３－ｒ－１）～（ａｘ３－ｒ－３）でそれぞれ表される基が好適に挙げられる。
　中でも、ラクトン含有環式基または－ＳＯ_２－含有環式基が好ましく、前記一般式（ａ２－ｒ－１）、（ａ２－ｒ－２）、（ａ２－ｒ－６）または（ａ５－ｒ－１）でそれぞれ表される基がより好ましく、前記一般式（ａ２－ｒ－２）または（ａ５－ｒ－１）でそれぞれ表される基がさらに好ましい。具体的には、前記化学式（ｒ－ｌｃ－１－１）～（ｒ－ｌｃ－１－７）、（ｒ－ｌｃ－２－１）～（ｒ－ｌｃ－２－１８）、（ｒ－ｌｃ－６－１）、（ｒ－ｓｌ－１－１）、（ｒ－ｓｌ－１－１８）でそれぞれ表される、いずれかの基が好ましく、前記化学式（ｒ－ｌｃ－２－１）～（ｒ－ｌｃ－２－１８）、（ｒ－ｓｌ－１－１）でそれぞれ表される、いずれかの基がより好ましく、前記化学式（ｒ－ｌｃ－２－１）、（ｒ－ｌｃ－２－１２）、（ｒ－ｓｌ－１－１）でそれぞれ表される、いずれかの基がさらに好ましい。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ２）を有する場合、構成単位（ａ２）の割合は、当該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、５～６０モル％であることが好ましく、１０～６０モル％であることがより好ましく、２０～６０モル％であることがさらに好ましく、３０～６０モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ２）の割合を好ましい下限値以上とすると、前述した効果によって、構成単位（ａ２）を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　構成単位（ａ３）について：
　（Ａ１）成分は、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位（ａ３）（但し、構成単位（ａ１）又は構成単位（ａ２）に該当するものを除く）を有するものでもよい。（Ａ１）成分が構成単位（ａ３）を有することにより、（Ａ）成分の親水性が高まり、解像性の向上に寄与する。また、酸拡散長を適切に調整することができる。

　極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
　脂肪族炭化水素基としては、炭素原子数１～１０の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基（好ましくはアルキレン基）や、環状の脂肪族炭化水素基（環式基）が挙げられる。該環式基としては、単環式基でも多環式基でもよく、例えばＡｒＦエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。

　該環式基が単環式基である場合、炭素原子数は３～１０であることがより好ましい。その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族単環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該単環式基としては、モノシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタンなどのモノシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの単環式基の中でも、シクロペンタンから２個以上の水素原子を除いた基、シクロヘキサンから２個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。

　該環式基が多環式基である場合、該多環式基の炭素原子数は７～３０であることがより好ましい。その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから２個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから２個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから２個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから２個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから２個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。

　構成単位（ａ３）としては、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むものであれば特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
　構成単位（ａ３）としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位が好ましい。
　構成単位（ａ３）としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素原子数１～１０の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましい。
　また、構成単位（ａ３）としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における該炭化水素基が多環式基のときは、下記の式（ａ３－１）で表される構成単位、式（ａ３－２）で表される構成単位、式（ａ３－３）で表される構成単位が好ましいものとして挙げられ；単環式基のときは、式（ａ３－４）で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。

［式中、Ｒは前記と同じであり、ｊは１～３の整数であり、ｋは１～３の整数であり、ｔ’は１～３の整数であり、ｌは０～５の整数であり、ｓは１～３の整数である。］

　式（ａ３－１）中、ｊは、１又は２であることが好ましく、１であることがさらに好ましい。ｊが２の場合、水酸基が、アダマンチル基の３位と５位に結合しているものが好ましい。ｊが１の場合、水酸基が、アダマンチル基の３位に結合しているものが好ましい。
　ｊは１であることが好ましく、水酸基が、アダマンチル基の３位に結合しているものが特に好ましい。

　式（ａ３－２）中、ｋは１であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の５位または６位に結合していることが好ましい。

　式（ａ３－３）中、ｔ’は１であることが好ましい。ｌは１であることが好ましい。ｓは１であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、２－ノルボルニル基または３－ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の５又は６位に結合していることが好ましい。

　式（ａ３－４）中、ｔ’は１又は２であることが好ましい。ｌは０又は１であることが好ましい。ｓは１であることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、シクロヘキシル基の３又は５位に結合していることが好ましい。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ３）は、１種でも２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ３）を有する場合、構成単位（ａ３）の割合は、当該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して１～３０モル％であることが好ましく、２～２５モル％がより好ましく、５～２０モル％がさらに好ましい。
　構成単位（ａ３）の割合を好ましい下限値以上とすることにより、前述した効果によって、構成単位（ａ３）を含有させることによる効果が充分に得られ、好ましい上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　構成単位（ａ４）について：
　（Ａ１）成分は、さらに、酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位（ａ４）を有してもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ４）を有することにより、形成されるレジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。また、（Ａ）成分の疎水性が高まる。疎水性の向上は、特に溶剤現像プロセスの場合に、解像性、レジストパターン形状等の向上に寄与する。
　構成単位（ａ４）における「酸非解離性環式基」は、露光により当該レジスト組成物中に酸が発生した際（例えば、露光により酸を発生する構成単位又は（Ｂ）成分から酸が発生した際）に、該酸が作用しても解離することなくそのまま当該構成単位中に残る環式基である。

　構成単位（ａ４）としては、例えば酸非解離性の脂肪族環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位等が好ましい。該環式基は、ＡｒＦエキシマレーザー用、ＫｒＦエキシマレーザー用（好ましくはＡｒＦエキシマレーザー用）等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
　該環式基は、工業上入手し易いなどの点から、特にトリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。これらの多環式基は、炭素原子数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
　構成単位（ａ４）として、具体的には、下記一般式（ａ４－１）～（ａ４－７）でそれぞれ表される構成単位を例示することができる。

［式中、Ｒ^αは前記と同じである。］

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ４）は、１種でも２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ４）を有する場合、構成単位（ａ４）の割合は、該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１～４０モル％であることが好ましく、５～２０モル％であることがより好ましい。
構成単位（ａ４）の割合を、好ましい下限値以上とすることにより、構成単位（ａ４）を含有させることによる効果が充分に得られ、一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

　構成単位（ａ１０）について：
　構成単位（ａ１０）は、下記一般式（ａ１０－１）で表される構成単位である。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。Ｗａ^ｘ１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。ｎ_ａｘ１は、１以上の整数である。］

　前記式（ａ１０－１）中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｒは、前記式（ａ０１－１－１）中のＲと同様である。

　前記式（ａ１０－１）中、Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。
　前記の化学式中、Ｙａ^ｘ１における２価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有してもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が好適なものとして挙げられる。Ｙａ^ｘ１における２価の連結基としては、前記式（ａ２－１）中のＹａ^２１における２価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
　中でも、Ｙａ^ｘ１としては、単結合、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］、エーテル結合（－Ｏ－）、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましく、単結合、又はエステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］がより好ましい。

　前記式（ａ１０－１）中、Ｗａ^ｘ１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
　Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよい芳香環から（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基が挙げられる。前記芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０であることが好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。該芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基としては、２以上の置換基を有していてもよい芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基も挙げられる。
　中でも、Ｗａ^ｘ１としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセンまたはビフェニルから（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基が好ましく、ベンゼン又はナフタレンから（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基がより好ましく、ベンゼンから（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基がさらに好ましい。

　Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基としては、Ｙａ^ｘ１における環状の脂肪族炭化水素基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記置換基は、炭素原子数１～５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、エチル基又はメチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基は、置換基を有していないことが好ましい。

　前記式（ａ１０－１）中、ｎ_ａｘ１は、１以上の整数であり、１～１０の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１、２又は３がさらに好ましく、１又は２が特に好ましい。

　以下に、前記式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）の具体例を示す。
　以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ１０）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ１０）を有する場合、（Ａ１）成分中の構成単位（ａ１０）の割合は、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、５～８０モル％であることが好ましく、５～７０モル％がより好ましく、１０～６０モル％がさらに好ましく、２０～５０モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ１０）の割合を前記好ましい下限値以上であると、感度がより高められやすくなる。構成単位（ａ１０）の割合を前記好ましい上限値以下であると、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

　構成単位（ｓｔ）について：
　構成単位（ｓｔ）は、スチレン又はスチレン誘導体から誘導される構成単位である。「スチレンから誘導される構成単位」とは、スチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。

　「スチレン誘導体」とは、スチレンの少なくとも一部の水素原子が置換基で置換された化合物を意味する。スチレン誘導体としては、例えば、スチレンのα位の水素原子が置換基で置換されたもの、スチレンのベンゼン環の１個以上の水素原子が置換基で置換されたもの、スチレンのα位の水素原子及びベンゼン環の１個以上の水素原子が置換基で置換されたもの等が挙げられる。

　スチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、炭素原子数１～５のアルキル基、又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基が挙げられる。
　前記炭素原子数１～５のアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
　前記炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素原子数１～５のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、特にフッ素原子が好ましい。
　スチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基が好ましく、炭素原子数１～３のアルキル基又は炭素原子数１～３のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、メチル基がさらに好ましい。

　スチレンのベンゼン環の水素原子を置換する置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。
　前記置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることがより好ましい。
　前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
　前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
　前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
　スチレンのベンゼン環の水素原子を置換する置換基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。

　構成単位（ｓｔ）としては、スチレンから誘導される構成単位、又はスチレンのα位の水素原子が炭素原子数１～５のアルキル基若しくは炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基で置換されたスチレン誘導体から誘導される構成単位が好ましく、スチレンから誘導される構成単位、又はスチレンのα位の水素原子がメチル基で置換されたスチレン誘導体から誘導される構成単位がより好ましく、スチレンから誘導される構成単位がさらに好ましい。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ｓｔ）は、１種でも２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ｓｔ）を有する場合、構成単位（ｓｔ）の割合は、該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１～３０モル％であることが好ましく、３～２０モル％であることがより好ましい。

　（Ａ１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　（Ａ１）成分としては、構成単位（ａ０１）の繰り返し構造を有する高分子化合物が挙げられ、（Ａ１）成分は、構成単位（ａ０１）、及び構成単位（ａ１０）の繰り返し構造を有する高分子化合物が好ましい。
　中でも、（Ａ１）成分としては、構成単位（ａ０１）の繰り返し構造からなる高分子化合物；構成単位（ａ０１）と構成単位（ａ１０）との繰り返し構造からなる高分子化合物がより好ましい。

　構成単位（ａ０１）と構成単位（ａ１０）との繰り返し構造を有する高分子化合物において、構成単位（ａ０１）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～７０モル％が特に好ましい。
　前記高分子化合物中の構成単位（ａ１０）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～８０モル％が好ましく、２０～７０モル％がより好ましく、３０～６０モル％がさらに好ましく、３０～５０モル％が特に好ましい。

　（Ａ１）成分は、各構成単位を誘導するモノマーを重合溶媒に溶解し、ここに、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスイソ酪酸ジメチル（例えばＶ－６０１など）等のラジカル重合開始剤を加えて重合し、その後、脱保護反応を行うことにより製造することができる。
　重合の際に、例えば、ＨＳ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＦ_３）_２－ＯＨのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に－Ｃ（ＣＦ_３）_２－ＯＨ基を導入してもよい。アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やＬＥＲ（ラインエッジラフネス：ライン側壁の不均一な凹凸）の低減に有効である。

　（Ａ１）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではないが、１０００～５００００が好ましく、２０００～３００００がより好ましく、３０００～２００００がさらに好ましい。（Ａ１）成分のＭｗは、４０００～１５０００がさらに好ましく、５０００～１００００が特に好ましい。
　（Ａ１）成分のＭｗが、前記好ましい上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性が得られやすい。（Ａ１）成分のＭｗが、前記好ましい下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
　（Ａ１）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されないが、１．０～４．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましく、１．０～２．０が特に好ましい。Ｍｎは数平均分子量を示す。

　・（Ａ２）成分について
　本実施形態のレジスト組成物は、（Ａ）成分として、前記（Ａ１）成分に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（以下「（Ａ２）成分」という。）を併用してもよい。
　（Ａ２）成分としては、特に限定されず、化学増幅型レジスト組成物用の基材成分として従来から知られている多数のものから任意に選択して用いればよい。
　（Ａ２）成分は、高分子化合物又は低分子化合物の１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ａ）成分中の（Ａ１）成分の割合は、（Ａ）成分の総質量に対し、２５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。（Ａ１）成分の割合が２５質量％以上であると、高感度化、解像性、ラフネス改善などの種々のリソグラフィー特性に優れたレジストパターンが形成されやすくなる。

　本実施形態のレジスト組成物中、（Ａ）成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。

　＜酸発生剤成分（Ｂ）＞
　本実施形態のレジスト組成物における（Ｂ）成分は、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）（以下「（Ｂ０）成分」ともいう）を含む。

　≪化合物（Ｂ０）≫
　（Ｂ０）成分は、下記一般式（ｂ０）で表される化合物である。

　｛（Ｂ０）成分のアニオン部｝
　上記一般式（ｂ０）中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子であり、ヨウ素原子であることが好ましい。

　上記一般式（ｂ０）中、Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。Ｒ^ｍにおけるアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。

　上記一般式（ｂ０）中、ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。
　ｎｂ１は、１～３の整数であることが好ましく、２又は３であることがより好ましく、３であることがさらに好ましい。
　ｎｂ２は、０～３の整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることがさらに好ましい。

　上記一般式（ｂ０）中、Ｙｂ^０は、２価の連結基又は単結合である。Ｙｂ^０における２価の連結基としては、酸素原子を含む２価の連結基が好適に挙げられる。
　Ｙｂ^０が酸素原子を含む２価の連結基である場合、該Ｙｂ^０は、酸素原子以外の原子を含んでもよい。酸素原子以外の原子としては、例えば、炭素原子、水素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
　酸素原子を含む２価の連結基としては、例えば、酸素原子（エーテル結合：－Ｏ－）、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）、オキシカルボニル基（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、アミド結合（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－）、カルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）、カーボネート結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基；該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。この組み合わせに、さらにスルホニル基（－ＳＯ_２－）が連結されていてもよい。

　上記一般式（ｂ０）中、Ｖｂ^０は、アルキレン基、フッ素化アルキレン基又は単結合を表す。
　Ｖｂ^０におけるアルキレン基、及びフッ素化アルキレン基は、それぞれ、炭素原子数１～４であることが好ましく、炭素原子数１～３であることがより好ましい。Ｖｂ^０におけるフッ素化アルキレン基としては、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。なかでも、Ｖｂ^０は、炭素原子数１～４のアルキレン基、炭素原子数１～４のフッ素化アルキレン基、又は単結合であることが好ましく、炭素原子数１～３のアルキレン基の水素原子の一部がフッ素原子で置換された基又は単結合であることがより好ましく、－ＣＨ（ＣＦ_３）－又は単結合がさらに好ましい。

　前記式（ｂ０）中、Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｒ^０は、フッ素原子又は炭素原子数１～５のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子がより好ましい。

　本実施形態において、（Ｂ０）成分のアニオン部は、下記一般式（ｂ０－ａｎ０）で表されるアニオンが好ましい。

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｌ^０１及びＬ^０２は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｎ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ））－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－である。Ｒ^ａは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。ｚは、０～１０の整数である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。］

　上記一般式（ｂ０－ａｎ０）中のＸ^０、Ｒ^ｍ、ｎｂ１、ｎｂ２、Ｖｂ^０、及び、Ｒ^０は、それぞれ上述した一般式（ｂ０）中のＸ^０、Ｒ^ｍ、ｎｂ１、ｎｂ２、Ｖｂ^０、及び、Ｒ^０とそれぞれ同一である。

　上記一般式（ｂ０－ａｎ０）中、Ｌ^０１及びＬ^０２は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｎ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ））－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－である。Ｒ^ａは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。
　Ｌ^０１及びＬ^０２におけるアルキレン基、及び、Ｒ^ａにおけるアルキル基は、それぞれ、炭素原子数１～４であることが好ましく、炭素原子数１～３であることがより好ましい。

　上記一般式（ｂ０－ａｎ０）中、Ｌ^０１及びＬ^０２は、上記の中でも、少なくとも一方が、－ＯＣＯ－、又は、－ＣＯＯ－であることが好ましく、Ｌ^０１が、－ＯＣＯ－、又は、－ＣＯＯ－であり、Ｌ^０２が、単結合、－ＯＣＯ－、又は、－ＣＯＯ－であることがより好ましい。

　より具体的に、上記一般式（ｂ０－ａｎ０）中、－Ｌ^０１－（ＣＨ_２）ｚ－Ｌ^０２－Ｖｂ^０－は、－ＣＯＯ－Ｖｂ^０－、－ＯＣＯ－Ｖｂ^０－、又は、－ＣＯＯ－（ＣＨ_２）_ｚ－ＣＯＯ－Ｖｂ^０－であることが好ましい。

　上記一般式（ｂ０－ａｎ０）中、ｚは、０～１０の整数であり、０～５の整数であることが好ましく、０～３の整数であることがより好ましい。

　以下に、（Ｂ０）成分のアニオン部の具体例を示す。

　｛（Ｂ０）成分のカチオン部｝
　上記一般式（ｂ０）中、Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。この中でも、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好ましい。
　ｍは、１以上の整数である。

　好ましいカチオン部（（Ｍ^ｍ＋）_１／ｍ）としては、下記の一般式（ｃａ－１）～（ｃａ－５）でそれぞれ表される有機カチオンが挙げられる。

［式中、Ｒ^２０１～Ｒ^２０７、およびＲ^２１１～Ｒ^２１２は、それぞれ独立に置換基を有してもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表す。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３、Ｒ^２０６～Ｒ^２０７、Ｒ^２１１～Ｒ^２１２は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。Ｒ^２０８～Ｒ^２０９は、それぞれ独立に水素原子または炭素原子数１～５のアルキル基を表す。Ｒ^２１０は、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、又は置換基を有してもよいＳＯ_２－含有環式基である。Ｌ^２０１は、－Ｃ（＝Ｏ）－または－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－を表す。Ｙ^２０１は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。ｘは１または２である。Ｗ^２０１は（ｘ＋１）価の連結基を表す。］

　上記の一般式（ｃａ－１）～（ｃａ－５）中、Ｒ^２０１～Ｒ^２０７、およびＲ^２１１～Ｒ^２１２におけるアリール基としては、炭素原子数６～２０の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
　Ｒ^２０１～Ｒ^２０７、およびＲ^２１１～Ｒ^２１２におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素原子数１～３０のものが好ましい。
　Ｒ^２０１～Ｒ^２０７、およびＲ^２１１～Ｒ^２１２におけるアルケニル基としては、炭素原子数が２～１０であることが好ましい。
　Ｒ^２０１～Ｒ^２０７、およびＲ^２１０～Ｒ^２１２が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、アリール基、下記の一般式（ｃａ－ｒ－１）～（ｃａ－ｒ－７）でそれぞれ表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ’^２０１は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基である。］

　置換基を有してもよい環式基：
　該環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。

　Ｒ’^２０１における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素原子数は３～３０であることが好ましく、炭素原子数５～３０がより好ましく、炭素原子数５～２０がさらに好ましく、炭素原子数６～１５が特に好ましく、炭素原子数６～１０が最も好ましい。ただし、該炭素原子数には、置換基における炭素原子数を含まないものとする。
　Ｒ’^２０１における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、又はこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環などが挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
　Ｒ’^２０１における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子を１つ除いた基（アリール基：例えばフェニル基、ナフチル基など）、前記芳香環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えばベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記アルキレン基（アリールアルキル基中のアルキル鎖）の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２がより好ましく、炭素原子数１が特に好ましい。

　Ｒ’^２０１における環状の脂肪族炭化水素基は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
　この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を１個除いた基）、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
　前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、３～１２であることがより好ましい。
　前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～３０のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。

　なかでも、Ｒ’^２０１における環状の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を１つ以上除いた基が好ましく、ポリシクロアルカンから水素原子を１つ除いた基がより好ましく、アダマンチル基、ノルボルニル基が特に好ましく、アダマンチル基が最も好ましい。

　脂環式炭化水素基に結合してもよい、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４がさらに好ましく、炭素原子数１～３が特に好ましい。
　直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ_２－］、エチレン基［－（ＣＨ_２）_２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ_２）_３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ_２）_４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ_２）_５－］等が挙げられる。
　分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

　また、Ｒ’^２０１における環状の炭化水素基は、複素環等のようにヘテロ原子を含んでもよい。具体的には、前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ_２－含有環式基、その他上記の化学式（ｒ－ｈｒ－１）～（ｒ－ｈｒ－１６）でそれぞれ表される複素環式基が挙げられる。

　Ｒ’^２０１の環式基における置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
　置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が最も好ましい。
　置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
　置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
　置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
　置換基としてのカルボニル基は、環状の炭化水素基を構成するメチレン基（－ＣＨ_２－）を置換する基である。

　置換基を有してもよい鎖状のアルキル基：
　Ｒ’^２０１の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
　直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が１～２０であることが好ましく、炭素原子数１～１５であることがより好ましく、炭素原子数１～１０が最も好ましい。
　分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、炭素原子数３～１５であることがより好ましく、炭素原子数３～１０が最も好ましい。具体的には、例えば、１－メチルエチル基、１－メチルプロピル基、２－メチルプロピル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基などが挙げられる。

　置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基：
　Ｒ’^２０１の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素原子数が２～１０であることが好ましく、炭素原子数２～５がより好ましく、炭素原子数２～４がさらに好ましく、炭素原子数３が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、１－メチルビニル基、２－メチルビニル基、１－メチルプロペニル基、２－メチルプロペニル基などが挙げられる。
　鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。

　Ｒ’^２０１の鎖状のアルキル基またはアルケニル基における置換基としては、たとえば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、上記Ｒ’^２０１における環式基等が挙げられる。

　Ｒ’^２０１の置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基は、上述したものの他、置換基を有してもよい環式基又は置換基を有してもよい鎖状のアルキル基として、上述の式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基と同様のものも挙げられる。

　なかでも、Ｒ’^２０１は、置換基を有してもよい環式基が好ましく、置換基を有してもよい環状の炭化水素基であることがより好ましい。より具体的には、例えば、フェニル基、ナフチル基、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基；前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ_２－含有環式基などが好ましい。

　上記の一般式（ｃａ－１）～（ｃａ－５）中、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３、Ｒ^２０６～Ｒ^２０７、Ｒ^２１１～Ｒ^２１２は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子や、カルボニル基、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－、－ＳＯ_３－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－または－Ｎ（Ｒ_Ｎ）－（該Ｒ_Ｎは炭素原子数１～５のアルキル基である。）等の官能基を介して結合してもよい。形成される環としては、式中のイオウ原子をその環骨格に含む１つの環が、イオウ原子を含めて、３～１０員環であることが好ましく、５～７員環であることが特に好ましい。形成される環の具体例としては、例えばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、９Ｈ－チオキサンテン環、チオキサントン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、テトラヒドロチオフェニウム環、テトラヒドロチオピラニウム環等が挙げられる。

　Ｒ^２０８～Ｒ^２０９は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数１～５のアルキル基を表し、水素原子又は炭素原子数１～３のアルキル基が好ましく、アルキル基となる場合、相互に結合して環を形成してもよい。

　Ｒ^２１０は、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、又は置換基を有してもよい－ＳＯ_２－含有環式基である。
　Ｒ^２１０におけるアリール基としては、炭素原子数６～２０の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
　Ｒ^２１０におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素原子数１～３０のものが好ましい。
　Ｒ^２１０におけるアルケニル基としては、炭素原子数が２～１０であることが好ましい。
　Ｒ^２１０における、置換基を有してもよい－ＳＯ_２－含有環式基としては、「－ＳＯ_２－含有多環式基」が好ましく、上記一般式（ａ５－ｒ－１）で表される基がより好ましい。

　Ｙ^２０１は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基又はアルケニレン基を表す。
　Ｙ^２０１におけるアリーレン基は、上述の式（ｂ－１）中のＲ^１０１における芳香族炭化水素基として例示したアリール基から水素原子を１つ除いた基が挙げられる。
　Ｙ^２０１におけるアルキレン基、アルケニレン基は、上述の式（ｂ－１）中のＲ^１０１における鎖状のアルキル基、鎖状のアルケニル基として例示した基から水素原子１つを除いた基が挙げられる。

　前記式（ｃａ－４）中、ｘは、１または２である。
　Ｗ^２０１は、（ｘ＋１）価、すなわち２価または３価の連結基である。
　Ｗ^２０１における２価の連結基としては、置換基を有してもよい２価の炭化水素基が好ましく、上述の一般式（ａ２－１）中のＹａ^２１と同様の、置換基を有してもよい２価の炭化水素基が例示できる。Ｗ^２０１における２価の連結基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に２個のカルボニル基が組み合わされた基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。
　Ｗ^２０１における３価の連結基としては、前記Ｗ^２０１における２価の連結基から水素原子を１個除いた基、前記２価の連結基にさらに前記２価の連結基が結合した基などが挙げられる。Ｗ^２０１における３価の連結基としては、アリーレン基に２個のカルボニル基が結合した基が好ましい。

　前記式（ｃａ－１）で表される好適なカチオンとして具体的には、下記の化学式（ｃａ－１－１）～（ｃａ－１－７２）でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。

［式中、ｇ１、ｇ２、ｇ３は繰返し数を示し、ｇ１は１～５の整数であり、ｇ２は０～２０の整数であり、ｇ３は０～２０の整数である。］

［式中、Ｒ”^２０１は水素原子又は置換基であって、該置換基としては前記Ｒ^２０１～Ｒ^２０７、およびＲ^２１０～Ｒ^２１２が有していてもよい置換基として挙げたものと同様である。］

　前記式（ｃａ－２）で表される好適なカチオンとして具体的には、ジフェニルヨードニウムカチオン、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムカチオン等が挙げられる。

　前記式（ｃａ－３）で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式（ｃａ－３－１）～（ｃａ－３－６）でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。

　前記式（ｃａ－４）で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式（ｃａ－４－１）～（ｃａ－４－２）でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。

　前記式（ｃａ－５）で表される好適なカチオンとして具体的には、下記一般式（ｃａ－５－１）～（ｃａ－５－３）でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。

　上記の中でも、カチオン部（（Ｍ^ｍ＋）_１／ｍ）は、一般式（ｃａ－１）又は（ｃａ－２）で表されるカチオンが好ましく、一般式（ｃａ－１）で表されるカチオンがより好ましい。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｂ０）成分は、上記の中でも、下記一般式（ｂ０－１）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｌ^０１及びＬ^０２は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｎ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ））－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－である。Ｒ^ａは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。ｚは、０～１０の整数である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。］

　上記一般式（ｂ０－１）で表される化合物のアニオン部は、上記一般式（ｂ０－ａｎ０）で表されるアニオンと同一である。
　上記一般式（ｂ０－１）で表される化合物のカチオン部は、上記一般式（ｂ０）で表される化合物のカチオン部と同一である。

　（Ｂ０）成分の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されない。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｂ０）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。
　本実施形態のレジスト組成物中、（Ｂ０）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、５～４０質量部であることが好ましく、１０～４０質量部であることがより好ましく、１５～４０質量部であることがさらに好ましく、２０～３５質量部であることが特に好ましい。
　（Ｂ０）成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、レジストパターン形成において、感度、ＬＷＲ（ラインワイズラフネス）低減、露光マージン等のリソグラフィー特性がより向上する。一方、好ましい範囲の上限値以下であると、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られやすく、レジスト組成物としての保存安定性がより高まる。

　本実施形態のレジスト組成物における、（Ｂ）成分全体のうち、（Ｂ０）成分の割合は、例えば、５０質量％以上であり、好ましくは７０質量％以上であり、さらに好ましくは９５質量％以上である。（Ｂ）成分全体のうちの（Ｂ０）成分の割合は、１００質量％であってもよい。

　本実施形態のレジスト組成物における（Ｂ）成分は、上述した（Ｂ０）成分以外の酸発生剤成分（Ｂ１）（以下、「（Ｂ１）成分」ともいう）を含有してもよい。

　≪（Ｂ１）成分≫
　（Ｂ１）成分としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤；オキシムスルホネート系酸発生剤；ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ（ビススルホニル）ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤；ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが挙げられる。

　オニウム塩系酸発生剤としては、例えば、下記の一般式（ｂ－１）で表される化合物（以下「（ｂ－１）成分」ともいう）、一般式（ｂ－２）で表される化合物（以下「（ｂ－２）成分」ともいう）又は一般式（ｂ－３）で表される化合物（以下「（ｂ－３）成分」ともいう）が挙げられる。

［式中、Ｒ^１０１及びＲ^１０４～Ｒ^１０８は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。Ｒ^１０４とＲ^１０５とは相互に結合して環構造を形成していてもよい。Ｒ^１０２は、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｙ^１０１は、酸素原子を含む２価の連結基又は単結合である。Ｖ^１０１～Ｖ^１０３は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｌ^１０１～Ｌ^１０２は、それぞれ独立に、単結合又は酸素原子である。Ｌ^１０３～Ｌ^１０５は、それぞれ独立に、単結合、－ＣＯ－又は－ＳＯ_２－である。ｍは１以上の整数であって、Ｍ’^ｍ＋はｍ価のオニウムカチオンである。］

　｛アニオン部｝
　・（ｂ－１）成分におけるアニオン
　式（ｂ－１）中、Ｒ^１０１は、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基である。

　Ｒ^１０１における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素原子数は３～３０であることが好ましく、５～３０であることがより好ましく、５～２０がさらに好ましく、６～１５が特に好ましく、６～１０が最も好ましい。但し、該炭素原子数には、置換基における炭素原子数を含まないものとする。
　Ｒ^１０１における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、又はこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環などが挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
　Ｒ^１０１における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子を１つ除いた基（アリール基：例えば、フェニル基、ナフチル基など）、前記芳香環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記アルキレン基（アリールアルキル基中のアルキル鎖）の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

　Ｒ^１０１における環状の脂肪族炭化水素基は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
　この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子を１個除いた基）、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
　前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、３～１２であることがより好ましい。
　前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～３０のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。

　なかでも、Ｒ^１０１における環状の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を１つ以上除いた基が好ましく、ポリシクロアルカンから水素原子を１つ除いた基がより好ましく、アダマンチル基、ノルボルニル基がさらに好ましく、アダマンチル基が特に好ましい。

　脂環式炭化水素基に結合してもよい、直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、１～６がより好ましく、１～４がさらに好ましく、１～３が最も好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ_２－］、エチレン基［－（ＣＨ_２）_２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ_２）_３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ_２）_４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ_２）_５－］等が挙げられる。
　脂環式炭化水素基に結合してもよい、分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が２～１０であることが好ましく、３～６がより好ましく、３又は４がさらに好ましく、３が最も好ましい。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

　また、Ｒ^１０１における環状の炭化水素基は、複素環等のようにヘテロ原子を含んでもよい。具体的には、前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ_２－含有環式基、その他下記化学式（ｒ－ｈｒ－１）～（ｒ－ｈｒ－１６）でそれぞれ表される複素環式基が挙げられる。式中＊は、式（ｂ－１）中のＹ^１０１に結合する結合手を表す。

　Ｒ^１０１の環式基における置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
　置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が最も好ましい。
　置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
　置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
　置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素原子数１～５のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
　置換基としてのカルボニル基は、環状の炭化水素基を構成するメチレン基（－ＣＨ_２－）を置換する基である。

　Ｒ^１０１における環状の炭化水素基は、脂肪族炭化水素環と芳香環とが縮合した縮合環を含む縮合環式基であってもよい。前記縮合環としては、例えば、架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンに、１個以上の芳香環が縮合したもの等が挙げられる。前記架橋環系ポリシクロアルカンの具体例としては、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン（ノルボルナン）、ビシクロ［２．２．２］オクタン等のビシクロアルカンが挙げられる。前記縮合環式としては、ビシクロアルカンに２個又は３個の芳香環が縮合した縮合環を含む基が好ましく、ビシクロ［２．２．２］オクタンに２個又は３個の芳香環が縮合した縮合環を含む基がより好ましい。Ｒ^１０１における縮合環式基の具体例としては、下記式（ｒ－ｂｒ－１）～（ｒ－ｂｒ－２）で表されるが挙げられる。式中＊は、式（ｂ－１）中のＹ^１０１に結合する結合手を表す。

　Ｒ^１０１における縮合環式基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基等が挙げられる。
　前記縮合環式基の置換基としてのアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基は、上記Ｒ^１０１における環式基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
　前記縮合環式基の置換基としての芳香族炭化水素基としては、芳香環から水素原子を１つ除いた基（アリール基：例えば、フェニル基、ナフチル基など）、前記芳香環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）、上記式（ｒ－ｈｒ－１）～（ｒ－ｈｒ－６）でそれぞれ表される複素環式基等が挙げられる。
　前記縮合環式基の置換基としての脂環式炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基；アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基；前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基；前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ_２－含有環式基；前記式（ｒ－ｈｒ－７）～（ｒ－ｈｒ－１６）でそれぞれ表される複素環式基等が挙げられる。

　置換基を有してもよい鎖状のアルキル基：
　Ｒ^１０１の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が１～２０であることが好ましく、１～１５であることがより好ましく、１～１０が最も好ましい。
　分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が３～２０であることが好ましく、３～１５であることがより好ましく、３～１０が最も好ましい。具体的には、例えば、１－メチルエチル基、１－メチルプロピル基、２－メチルプロピル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基などが挙げられる。

　置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基：
　Ｒ^１０１の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素原子数が２～１０であることが好ましく、２～５がより好ましく、２～４がさらに好ましく、３が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、１－メチルビニル基、２－メチルビニル基、１－メチルプロペニル基、２－メチルプロペニル基などが挙げられる。
　鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。

　Ｒ^１０１の鎖状のアルキル基またはアルケニル基における置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、上記Ｒ^１０１における環式基等が挙げられる。

　上記の中でも、Ｒ^１０１は、置換基を有してもよい環式基が好ましく、置換基を有してもよい環状の炭化水素基であることがより好ましい。環状の炭化水素基として、より具体的には、フェニル基、ナフチル基、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；前記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基；前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ_２－含有環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基又は前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ_２－含有環式基がより好ましく、アダマンチル基又は前記一般式（ａ５－ｒ－１）で表される－ＳＯ_２－含有環式基がさらに好ましい。

　該環状の炭化水素基が置換基を有する場合、該置換基は、水酸基であることが好ましい。

　式（ｂ－１）中、Ｙ^１０１は、単結合または酸素原子を含む２価の連結基である。
　Ｙ^１０１が酸素原子を含む２価の連結基である場合、該Ｙ^１０１は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、例えば炭素原子、水素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
　酸素原子を含む２価の連結基としては、例えば、酸素原子（エーテル結合：－Ｏ－）、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）、オキシカルボニル基（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、アミド結合（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－）、カルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）、カーボネート結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基；該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。この組み合わせに、さらにスルホニル基（－ＳＯ_２－）が連結されていてもよい。かかる酸素原子を含む２価の連結基としては、例えば下記一般式（ｙ－ａｌ－１）～（ｙ－ａｌ－７）でそれぞれ表される連結基が挙げられる。なお、下記一般式（ｙ－ａｌ－１）～（ｙ－ａｌ－７）において、上記式（ｂ－１）中のＲ^１０１と結合するのが、下記一般式（ｙ－ａｌ－１）～（ｙ－ａｌ－７）中のＶ’^１０１である。

［式中、Ｖ’^１０１は単結合または炭素原子数１～５のアルキレン基であり、Ｖ’^１０２は炭素原子数１～３０の２価の飽和炭化水素基である。］

　Ｖ’^１０２における２価の飽和炭化水素基は、炭素原子数１～３０のアルキレン基であることが好ましく、炭素原子数１～１０のアルキレン基であることがより好ましく、炭素原子数１～５のアルキレン基であることがさらに好ましい。

　Ｖ’^１０１およびＶ’^１０２におけるアルキレン基としては、直鎖状のアルキレン基でもよく分岐鎖状のアルキレン基でもよく、直鎖状のアルキレン基が好ましい。
　Ｖ’^１０１およびＶ’^１０２におけるアルキレン基として、具体的には、メチレン基［－ＣＨ_２－］；－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；エチレン基［－ＣＨ_２ＣＨ_２－］；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；トリメチレン基（ｎ－プロピレン基）［－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－］；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；テトラメチレン基［－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－］；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基；ペンタメチレン基［－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－］等が挙げられる。
　また、Ｖ’^１０１又はＶ’^１０２における前記アルキレン基における一部のメチレン基が、炭素原子数５～１０の２価の脂肪族環式基で置換されていてもよい。当該脂肪族環式基は、前記式（ａ１－ｒ－１）中のＲａ’^３の環状の脂肪族炭化水素基（単環式の脂肪族炭化水素基、多環式の脂肪族炭化水素基）から水素原子をさらに１つ除いた２価の基が好ましく、シクロへキシレン基、１，５－アダマンチレン基または２，６－アダマンチレン基がより好ましい。

　Ｙ^１０１としては、エステル結合を含む２価の連結基、またはエーテル結合を含む２価の連結基が好ましく、上記式（ｙ－ａｌ－１）～（ｙ－ａｌ－５）でそれぞれ表される連結基がより好ましい。

　式（ｂ－１）中、Ｖ^１０１は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｖ^１０１におけるアルキレン基、フッ素化アルキレン基は、炭素原子数１～４であることが好ましい。Ｖ^１０１におけるフッ素化アルキレン基としては、Ｖ^１０１におけるアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。なかでも、Ｖ^１０１は、単結合、又は炭素原子数１～４のフッ素化アルキレン基であることが好ましい。

　式（ｂ－１）中、Ｒ^１０２は、フッ素原子又は炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基である。Ｒ^１０２は、フッ素原子または炭素原子数１～５のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。

　前記式（ｂ－１）で表されるアニオン部の具体例としては、例えば、Ｙ^１０１が単結合となる場合、トリフルオロメタンスルホネートアニオンやパーフルオロブタンスルホネートアニオン等のフッ素化アルキルスルホネートアニオンが挙げられ；Ｙ^１０１が酸素原子を含む２価の連結基である場合、下記式（ａｎ－１）～（ａｎ－３）のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。

［式中、Ｒ”^１０１は、置換基を有してもよい脂肪族環式基、上記の化学式（ｒ－ｈｒ－１）～（ｒ－ｈｒ－６）でそれぞれ表される１価の複素環式基、前記式（ｒ－ｂｒ－１）又（ｒ－ｂｒ－２）で表される縮合環式基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルキル基である。Ｒ”^１０２は、置換基を有してもよい脂肪族環式基、前記式（ｒ－ｂｒ－１）又（ｒ－ｂｒ－２）で表される縮合環式基、前記一般式（ａ２－ｒ－１）、（ａ２－ｒ－３）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、又は前記一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される－ＳＯ_２－含有環式基である。Ｒ”^１０３は、置換基を有してもよい芳香族環式基、置換基を有してもよい脂肪族環式基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基である。Ｖ”^１０１は、単結合、炭素原子数１～４のアルキレン基、又は炭素原子数１～４のフッ素化アルキレン基である。Ｒ^１０２は、フッ素原子又は炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基である。ｖ”はそれぞれ独立に０～３の整数であり、ｑ”はそれぞれ独立に０～２０の整数であり、ｎ”は０または１である。］

　Ｒ”^１０１、Ｒ”^１０２およびＲ”^１０３の置換基を有してもよい脂肪族環式基は、前記式（ｂ－１）中のＲ^１０１における環状の脂肪族炭化水素基として例示した基であることが好ましい。前記置換基としては、前記式（ｂ－１）中のＲ^１０１における環状の脂肪族炭化水素基を置換してもよい置換基と同様のものが挙げられる。

　Ｒ”^１０３における置換基を有してもよい芳香族環式基は、前記式（ｂ－１）中のＲ^１０１における環状の炭化水素基における芳香族炭化水素基として例示した基であることが好ましい。前記置換基としては、前記式（ｂ－１）中のＲ^１０１における該芳香族炭化水素基を置換してもよい置換基と同様のものが挙げられる。

　Ｒ”^１０１における置換基を有してもよい鎖状のアルキル基は、前記式（ｂ－１）中のＲ^１０１における鎖状のアルキル基として例示した基であることが好ましい。
　Ｒ”^１０３における置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基は、前記式（ｂ－１）中のＲ^１０１における鎖状のアルケニル基として例示した基であることが好ましい。

　・（ｂ－２）成分におけるアニオン
　式（ｂ－２）中、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式（ｂ－１）中のＲ^１０１と同様のものが挙げられる。ただし、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５は、相互に結合して環を形成していてもよい。
　Ｒ^１０４、Ｒ^１０５は、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は直鎖状若しくは分岐鎖状のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
　該鎖状のアルキル基の炭素原子数は、１～１０であることが好ましく、より好ましくは炭素原子数１～７、さらに好ましくは炭素原子数１～３である。Ｒ^１０４、Ｒ^１０５の鎖状のアルキル基の炭素原子数は、上記炭素原子数の範囲内において、レジスト用溶剤への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５の鎖状のアルキル基においては、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また、２５０ｎｍ以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するため好ましい。前記鎖状のアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは７０～１００％、さらに好ましくは９０～１００％であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基である。
　式（ｂ－２）中、Ｖ^１０２、Ｖ^１０３は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、またはフッ素化アルキレン基であり、それぞれ、式（ｂ－１）中のＶ^１０１と同様のものが挙げられる。
　式（ｂ－２）中、Ｌ^１０１、Ｌ^１０２は、それぞれ独立に単結合又は酸素原子である。

　・（ｂ－３）成分におけるアニオン
　式（ｂ－３）中、Ｒ^１０６～Ｒ^１０８は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式（ｂ－１）中のＲ^１０１と同様のものが挙げられる。
　式（ｂ－３）中、Ｌ^１０３～Ｌ^１０５は、それぞれ独立に、単結合、－ＣＯ－又は－ＳＯ_２－である。

　上記の中でも、（Ｂ）成分のアニオン部としては、（ｂ－１）成分におけるアニオンが好ましい。この中でも、上記の一般式（ａｎ－１）～（ａｎ－３）のいずれかで表されるアニオンがより好ましく、一般式（ａｎ－１）又は（ａｎ－２）のいずれかで表されるアニオンがさらに好ましく、一般式（ａｎ－２）で表されるアニオンが特に好ましい。

　｛カチオン部｝
　前記の式（ｂ－１）、式（ｂ－２）、式（ｂ－３）中、Ｍ’^ｍ＋は、ｍ価のオニウムカチオンを表す。この中でも、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好ましい。
　ｍは、１以上の整数である。

　好ましいカチオン部（（Ｍ’^ｍ＋）_１／ｍ）としては、前記一般式（ｃａ－１）～（ｃａ－５）でそれぞれ表される有機カチオンが挙げられる。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｂ１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　レジスト組成物が（Ｂ１）成分を含有する場合、レジスト組成物中、（Ｂ１）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、４０質量部未満が好ましく、１～３０質量部がより好ましく、１～２０質量部がさらに好ましい。
　（Ｂ１）成分の含有量を、前記の好ましい範囲とすることで、パターン形成が十分に行われる。また、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られやすく、レジスト組成物としての保存安定性が良好となるため好ましい。
　本実施形態のレジスト組成物は、（Ｂ１）成分を含有しないことが好ましい。

　＜その他成分＞
　本実施形態のレジスト組成物は、上述した（Ａ）成分、及び（Ｂ）成分に加え、その他成分をさらに含有してもよい。その他成分としては、例えば以下に示す（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、（Ｓ）成分などが挙げられる。

　≪塩基成分（Ｄ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて、さらに、露光により発生する酸をトラップ（すなわち、酸の拡散を制御）する塩基成分（（Ｄ）成分）を含有することが好ましい。（Ｄ）成分は、レジスト組成物において露光により発生する酸をトラップするクエンチャー（酸拡散制御剤）として作用するものである。
　（Ｄ）成分としては、例えば、露光により分解して酸拡散制御性を失う光崩壊性塩基（Ｄ１）（以下「（Ｄ１）成分」という。）、該（Ｄ１）成分に該当しない含窒素有機化合物（Ｄ２）（以下「（Ｄ２）成分」という。）等が挙げられる。これらの中でも、ラフネス低減性を高められやすいことから、光崩壊性塩基（（Ｄ１）成分）が好ましい。また、（Ｄ１）成分を含有させることで、高感度化、塗布欠陥の発生の抑制の特性をいずれも高めやすくなる。

　・（Ｄ１）成分について
　（Ｄ１）成分を含有するレジスト組成物とすることで、レジストパターンを形成する際に、レジスト膜の露光部と未露光部とのコントラストをより向上させることができる。
　（Ｄ１）成分としては、露光により分解して酸拡散制御性を失うものであれば特に限定されず、下記一般式（ｄ１－１）で表される化合物（以下「（ｄ１－１）成分」という。）、下記一般式（ｄ１－２）で表される化合物（以下「（ｄ１－２）成分」という。）及び下記一般式（ｄ１－３）で表される化合物（以下「（ｄ１－３）成分」という。）からなる群より選ばれる１種以上の化合物が好ましい。
　（ｄ１－１）～（ｄ１－３）成分は、レジスト膜の露光部においては分解して酸拡散制御性（塩基性）を失うためクエンチャーとして作用せず、レジスト膜の未露光部においてクエンチャーとして作用する。

［式中、Ｒｄ^１～Ｒｄ^４は置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基である。但し、式（ｄ１－２）中のＲｄ^２における、Ｓ原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していないものとする。Ｙｄ^１は単結合又は２価の連結基である。ｍは１以上の整数であって、Ｍ^ｍ＋はそれぞれ独立にｍ価の有機カチオンである。］

　｛（ｄ１－１）成分｝
　・・アニオン部
　式（ｄ１－１）中、Ｒｄ^１は、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ前記Ｒ’^２０１と同様のものが挙げられる。
　これらのなかでも、Ｒｄ^１としては、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい脂肪族環式基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルキル基が好ましい。これらの基が有していてもよい置換基としては、水酸基、オキソ基、アルキル基、アリール基、フッ素原子、フッ素化アルキル基、上記一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、エーテル結合、エステル結合、またはこれらの組み合わせが挙げられる。エーテル結合やエステル結合を置換基として含む場合、アルキレン基を介していてもよく、この場合の置換基としては、上記式（ｙ－ａｌ－１）～（ｙ－ａｌ－５）でそれぞれ表される連結基が好ましい。なお、Ｒｄ^１における芳香族炭化水素基、脂肪族環式基、又は鎖状のアルキル基が、置換基として、上記一般式（ｙ－ａｌ－１）～（ｙ－ａｌ－７）でそれぞれ表される連結基を有する場合、上記一般式（ｙ－ａｌ－１）～（ｙ－ａｌ－７）において、式（ｄ３－１）中のＲｄ^１における芳香族炭化水素基、脂肪族環式基、又は鎖状のアルキル基を構成する炭素原子に結合するのが、上記一般式（ｙ－ａｌ－１）～（ｙ－ａｌ－７）中のＶ’^１０１である。
　前記芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビシクロオクタン骨格を含む多環構造（ビシクロオクタン骨格とこれ以外の環構造とからなる多環構造）が好適に挙げられる。
　前記脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
　前記鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基；１－メチルエチル基、１－メチルプロピル基、２－メチルプロピル基、１－メチルブチル基、２－メチルブチル基、３－メチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。

　前記鎖状のアルキル基が置換基としてフッ素原子又はフッ素化アルキル基を有するフッ素化アルキル基である場合、フッ素化アルキル基の炭素原子数は、１～１１が好ましく、１～８がより好ましく、１～４がさらに好ましい。該フッ素化アルキル基は、フッ素原子以外の原子を含有してもよい。フッ素原子以外の原子としては、例えば酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。

　式（ｄ１－１）中、Ｒｄ^１は、上記の中でも、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基が好ましく、少なくとも置換基としてフッ素原子を有する鎖状のアルキル基がより好ましく、置換基としてフッ素原子及びヒドロキシ基を有する鎖状のアルキル基がさらに好ましい。

　以下に（ｄ１－１）成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。

　・・カチオン部
　式（ｄ１－１）中、Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンである。
　Ｍ^ｍ＋の有機カチオンとしては、前記一般式（ｃａ－１）～（ｃａ－５）でそれぞれ表されるカチオンと同様のものが好適に挙げられ、前記一般式（ｃａ－１）で表されるカチオンがより好ましく、前記式（ｃａ－１－１）～（ｃａ－１－７８）でそれぞれ表されるカチオンがさらに好ましい。
　（ｄ１－１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　｛（ｄ１－２）成分｝
　・・アニオン部
　式（ｄ１－２）中、Ｒｄ^２は、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基であり、前記Ｒ’^２０１と同様のものが挙げられる。
　但し、Ｒｄ^２における、Ｓ原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していない（フッ素置換されていない）ものとする。これにより、（ｄ１－２）成分のアニオンが適度な弱酸アニオンとなり、（Ｄ）成分としてのクエンチング能が向上する。
　Ｒｄ^２としては、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい脂肪族環式基であることが好ましく、置換基を有してもよい脂肪族環式基であることがより好ましい。

　該鎖状のアルキル基としては、炭素原子数１～１０であることが好ましく、３～１０であることがより好ましい。
　該脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等から１個以上の水素原子を除いた基（置換基を有してもよい）；カンファーから１個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。

　Ｒｄ^２の炭化水素基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記式（ｄ１－１）のＲｄ^１における炭化水素基（芳香族炭化水素基、脂肪族環式基、鎖状のアルキル基）が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。

　（ｄ１－２）成分のアニオン部としては、上記の中でも、カンファースルホン酸アニオンであることが好ましい。

　以下に（ｄ１－２）成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。

　・・カチオン部
　式（ｄ１－２）中、Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンであり、前記式（ｄ１－１）中のＭ^ｍ＋と同様である。
　（ｄ１－２）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　｛（ｄ１－３）成分｝
　・・アニオン部
　式（ｄ１－３）中、Ｒｄ^３は置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基であり、前記Ｒ’^２０１と同様のものが挙げられ、フッ素原子を含む環式基、鎖状のアルキル基、又は鎖状のアルケニル基であることが好ましい。中でも、フッ素化アルキル基が好ましく、前記Ｒｄ^１のフッ素化アルキル基と同様のものがより好ましい。

　式（ｄ１－３）中、Ｒｄ^４は、置換基を有してもよい環式基、置換基を有してもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有してもよい鎖状のアルケニル基であり、前記Ｒ’^２０１と同様のものが挙げられる。
　なかでも、置換基を有してもよいアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、環式基であることが好ましい。
　Ｒｄ^４におけるアルキル基は、炭素原子数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Ｒｄ^４のアルキル基の水素原子の一部が水酸基、シアノ基等で置換されていてもよい。
　Ｒｄ^４におけるアルコキシ基は、炭素原子数１～５のアルコキシ基が好ましく、炭素原子数１～５のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基が挙げられる。なかでも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。

　Ｒｄ^４におけるアルケニル基は、前記Ｒ’^２０１におけるアルケニル基と同様のものが挙げられ、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、１－メチルプロペニル基、２－メチルプロペニル基が好ましい。これらの基はさらに置換基として、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を有していてもよい。

　Ｒｄ^４における環式基は、前記Ｒ’^２０１における環式基と同様のものが挙げられ、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた脂環式基、又は、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基が好ましい。Ｒｄ^４が脂環式基である場合、レジスト組成物が有機溶剤に良好に溶解することにより、リソグラフィー特性が良好となる。また、Ｒｄ^４が芳香族基である場合、ＥＵＶ等を露光光源とするリソグラフィーにおいて、該レジスト組成物が光吸収効率に優れ、感度やリソグラフィー特性が良好となる。

　式（ｄ１－３）中、Ｙｄ^１は、単結合または２価の連結基である。
　Ｙｄ^１における２価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有してもよい２価の炭化水素基（脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基）、ヘテロ原子を含む２価の連結基等が挙げられる。これらはそれぞれ、上記式（ａ２－１）中のＹａ^２１における２価の連結基についての説明のなかで挙げた、置換基を有してもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基と同様のものが挙げられる。
　Ｙｄ^１としては、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、アルキレン基又はこれらの組み合わせであることが好ましい。アルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、メチレン基又はエチレン基であることがさらに好ましい。

　以下に（ｄ１－３）成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。

　・・カチオン部
　式（ｄ１－３）中、Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンであり、前記式（ｄ１－１）中のＭ^ｍ＋と同様である。
　（ｄ１－３）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ｄ１）成分は、上記（ｄ１－１）～（ｄ１－３）成分のいずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　レジスト組成物が（Ｄ１）成分を含有する場合、レジスト組成物中、（Ｄ１）成分の含有量は、（Ａ１）成分１００質量部に対して、０．５～２０質量部が好ましく、１～１５質量部がより好ましく、３～１０質量部がさらに好ましい。
　（Ｄ１）成分の含有量が好ましい下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られやすい。一方、上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｄ１）成分は、上記（ｄ１－１）成分を含むことが好ましい。
　本実施形態のレジスト組成物が含有する（Ｄ）成分全体のうち、（ｄ１－１）成分の含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがさらに好ましく、（Ｄ）成分は化合物（ｄ１－１）成分のみからなるものであってもよい。

　（Ｄ１）成分の製造方法：
　前記の（ｄ１－１）成分、（ｄ１－２）成分の製造方法は、特に限定されず、公知の方法により製造することができる。
　また、（ｄ１－３）成分の製造方法は、特に限定されず、例えば、ＵＳ２０１２－０１４９９１６号公報に記載の方法と同様にして製造される。

　・（Ｄ２）成分について
　（Ｄ）成分としては、上記の（Ｄ１）成分に該当しない含窒素有機化合物成分（以下「（Ｄ２）成分」という。）を含有してもよい。
　（Ｄ２）成分としては、酸拡散制御剤として作用するもので、かつ、（Ｄ１）成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。なかでも、脂肪族アミンが好ましく、この中でも特に第２級脂肪族アミンや第３級脂肪族アミンがより好ましい。
　脂肪族アミンとは、１つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素原子数が１～１２であることが好ましい。
　脂肪族アミンとしては、アンモニアＮＨ_３の水素原子の少なくとも１つを、炭素原子数１２以下のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基で置換したアミン（アルキルアミンもしくはアルキルアルコールアミン）又は環式アミンが挙げられる。
　アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、ｎ－ヘキシルアミン、ｎ－ヘプチルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ノニルアミン、ｎ－デシルアミン等のモノアルキルアミン；ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、ジ－ｎ－ヘプチルアミン、ジ－ｎ－オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ－ｎ－プロピルアミン、トリ－ｎ－ブチルアミン、トリ－ｎ－ペンチルアミン、トリ－ｎ－ヘキシルアミン、トリ－ｎ－ヘプチルアミン、トリ－ｎ－オクチルアミン、トリ－ｎ－ノニルアミン、トリ－ｎ－デシルアミン、トリ－ｎ－ドデシルアミン等のトリアルキルアミン；ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ－ｎ－オクタノールアミン、トリ－ｎ－オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素原子数５～１０のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ－ｎ－ペンチルアミン又はトリ－ｎ－オクチルアミンが特に好ましい。

　環式アミンとしては、例えば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの（脂肪族単環式アミン）であっても多環式のもの（脂肪族多環式アミン）であってもよい。
　脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
　脂肪族多環式アミンとしては、炭素原子数が６～１０のものが好ましく、具体的には、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］－５－ノネン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等が挙げられる。

　その他の脂肪族アミンとしては、トリス（２－メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２－（２－メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（２－メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２－（１－エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２－｛２－（２－ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。

　また、（Ｄ２）成分としては、芳香族アミンを用いてもよい。
　芳香族アミンとしては、４－ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、トリベンジルアミン、２，６－ジイソプロピルアニリン、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。

　上記の中でも、（Ｄ２）成分は、アルキルアミンであることが好ましく、炭素原子数５～１０のトリアルキルアミンがより好ましい。

　（Ｄ２）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　レジスト組成物が（Ｄ２）成分を含有する場合、レジスト組成物中、（Ｄ２）成分の含有量は、（Ａ１）成分１００質量部に対して、０．０１～５質量部が好ましく、０．１～５質量部がより好ましく、０．５～５質量部がさらに好ましい。
　（Ｄ２）成分の含有量が好ましい下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られやすい。一方、上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。

　≪有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ｅ）≫
　本実施形態のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ｅ）（以下「（Ｅ）成分」という）を含有させることができる。
　有機カルボン酸として、具体的には、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が挙げられ、その中でも、サリチル酸が好ましい。
　リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
　リンのオキソ酸の誘導体としては、例えば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数６～１５のアリール基等が挙げられる。
　リン酸の誘導体としては、リン酸ジ－ｎ－ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
　ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸－ジ－ｎ－ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
　ホスフィン酸の誘導体としては、ホスフィン酸エステルやフェニルホスフィン酸などが挙げられる。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｅ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　レジスト組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１～５質量部が好ましく、０．０５～３質量部がより好ましい。上記範囲とすることにより、リソグラフィー特性がより向上する。

　≪フッ素添加剤成分（Ｆ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は、レジスト膜に撥水性を付与するため、又はリソグラフィー特性を向上させるために、フッ素添加剤成分（以下「（Ｆ）成分」という）を含有してもよい。
　（Ｆ）成分としては、例えば、特開２０１０－００２８７０号公報、特開２０１０－０３２９９４号公報、特開２０１０－２７７０４３号公報、特開２０１１－１３５６９号公報、特開２０１１－１２８２２６号公報に記載の含フッ素高分子化合物を用いることができる。
　（Ｆ）成分としてより具体的には、下記一般式（ｆ１－１）で表される構成単位（ｆ１）を有する重合体が挙げられる。この重合体としては、下記式（ｆ１－１）で表される構成単位（ｆ１）のみからなる重合体（ホモポリマー）；該構成単位（ｆ１）と前記構成単位（ａ１）との共重合体；該構成単位（ｆ１）とアクリル酸又はメタクリル酸から誘導される構成単位と前記構成単位（ａ１）との共重合体であることが好ましく、該構成単位（ｆ１）と前記構成単位（ａ１）との共重合体であることがより好ましい。ここで、該構成単位（ｆ１）と共重合される前記構成単位（ａ１）としては、１－エチル－１－シクロオクチル（メタ）アクリレートから誘導される構成単位、１－メチル－１－アダマンチル（メタ）アクリレートから誘導される構成単位が好ましく、１－エチル－１－シクロオクチル（メタ）アクリレートから誘導される構成単位がより好ましい。

［式中、Ｒは前記と同様であり、Ｒｆ^１０２およびＲｆ^１０３はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し、Ｒｆ^１０２およびＲｆ^１０３は同じであっても異なっていてもよい。ｎｆ^１は０～５の整数であり、Ｒｆ^１０１はフッ素原子を含む有機基である。］

　式（ｆ１－１）中、α位の炭素原子に結合したＲは、前記と同様である。Ｒとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。
　式（ｆ１－１）中、Ｒｆ^１０２およびＲｆ^１０３のハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。Ｒｆ^１０２およびＲｆ^１０３の炭素原子数１～５のアルキル基としては、上記Ｒの炭素原子数１～５のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましい。Ｒｆ^１０２およびＲｆ^１０３の炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基として、具体的には、炭素原子数１～５のアルキル基の水素原子の一部または全部が、ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。なかでもＲｆ^１０２およびＲｆ^１０３としては、水素原子、フッ素原子、又は炭素原子数１～５のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、またはエチル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
　式（ｆ１－１）中、ｎｆ^１は０～５の整数であり、０～３の整数が好ましく、１又は２であることがより好ましい。

　式（ｆ１－１）中、Ｒｆ^１０１は、フッ素原子を含む有機基であり、フッ素原子を含む炭化水素基であることが好ましい。
　フッ素原子を含む炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよく、炭素原子数は１～２０であることが好ましく、炭素原子数１～１５であることがより好ましく、炭素原子数１～１０が特に好ましい。
　また、フッ素原子を含む炭化水素基は、当該炭化水素基における水素原子の２５％以上がフッ素化されていることが好ましく、５０％以上がフッ素化されていることがより好ましく、６０％以上がフッ素化されていることが、浸漬露光時のレジスト膜の疎水性が高まることから特に好ましい。
　なかでも、Ｒｆ^１０１としては、炭素原子数１～６のフッ素化炭化水素基がより好ましく、トリフルオロメチル基、－ＣＨ_２－ＣＦ_３、－ＣＨ_２－ＣＦ_２－ＣＦ_３、－ＣＨ（ＣＦ_３）_２、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＦ_３、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＦ_２－ＣＦ_２－ＣＦ_２－ＣＦ_３が特に好ましい。

　（Ｆ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準）は、１０００～５００００が好ましく、５０００～４００００がより好ましく、１００００～３００００が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのにレジスト用溶剤への充分な溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、レジスト膜の撥水性が良好である。
　（Ｆ）成分の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０～５．０が好ましく、１．０～３．０がより好ましく、１．０～２．５が最も好ましい。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｆ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　レジスト組成物が（Ｆ）成分を含有する場合、（Ｆ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．５～１０質量部であることが好ましく、１～１０質量部であることがより好ましい。

　≪有機溶剤成分（Ｓ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤成分（以下「（Ｓ）成分」という）に溶解させて製造することができる。
　（Ｓ）成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジスト組成物の溶剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
　（Ｓ）成分としては、例えば、γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物；前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等が挙げられる。
　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｓ）成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤として用いてもよい。なかでも、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、γ－ブチロラクトン、ＥＬ、シクロヘキサノンが好ましい。

　また、（Ｓ）成分としては、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶剤も好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２の範囲内とすることが好ましい。
　より具体的には、極性溶剤としてＥＬ又はシクロヘキサノンを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬ又はシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２、さらに好ましくは３：７～７：３である。さらに、ＰＧＭＥＡとＰＧＭＥとシクロヘキサノンとの混合溶剤も好ましい。
　また、（Ｓ）成分として、その他には、ＰＧＭＥＡ及びＥＬの中から選ばれる少なくとも１種とγ－ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者との質量比が、好ましくは７０：３０～９５：５とされる。
　（Ｓ）成分の使用量は、特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が０．１～２０質量％、好ましくは０．２～１５質量％の範囲内となるように（Ｓ）成分は用いられる。

　本実施形態のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。

　本実施形態のレジスト組成物は、上記レジスト材料を（Ｓ）成分に溶解させた後、ポリイミド多孔質膜、ポリアミドイミド多孔質膜等を用いて、不純物等の除去を行ってもよい。例えば、ポリイミド多孔質膜からなるフィルター、ポリアミドイミド多孔質膜からなるフィルター、ポリイミド多孔質膜及びポリアミドイミド多孔質膜からなるフィルター等を用いて、レジスト組成物の濾過を行ってもよい。前記ポリイミド多孔質膜及び前記ポリアミドイミド多孔質膜としては、例えば、特開２０１６－１５５１２１号公報に記載のもの等が例示される。

　以上説明した本実施形態のレジスト組成物は、構成単位（ａ０１）を有する樹脂成分（Ａ１）と、化合物（Ｂ０）（（Ｂ０）成分）とを含有する。従来のレジスト組成物では、感度、及びラフネスは、トレードオフの関係にあり、一方が改善すると、他方が劣化するという傾向があった。しかしながら、本実施形態のレジスト組成物では、前記トレードオフの関係を脱却し、感度、及びラフネスのいずれも良好に維持することができる。さらに、露光マージンも向上する。本実施形態のレジスト組成物において、広い露光マージンを確保しつつ、感度、及びラフネスがいずれも良好に維持される理由は、以下のように推測される。
　（Ｂ０）成分は、アニオン部にヨウ素原子を含むことで、ＥＵＶ及びＥＢ等に対する感度が向上する。
　構成単位（ａ０１）は、酸解離性基に炭素－炭素二重結合を導入することにより、脱保護速度が向上し、感度が向上する。また、酸解離性基に導入した炭素－炭素二重結合によりレジスト組成物の親水性及び疎水性のバランスが改善し、ラフネスが低減する。
　さらに、構成単位（ａ０１）を有する（Ａ１）成分と（Ｂ０）成分との相乗効果により、広い露光マージンを確保することができる。その結果、広い露光マージンを確保しつつ、高感度化と低ラフネス化を達成することができる、と考えられる。

［第２の態様のレジスト組成物］
　＜（Ａ）成分＞
　・（Ａ１）成分について
　第２の態様のレジスト組成物において、（Ａ１）成分は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基、酸解離性基を含む－ＳＯ_２－含有環式基、又は酸解離性基を含むカーボネート含有環式基を含む構成単位（ａ０２）を有する。

　＜構成単位（ａ０２）＞
　構成単位（ａ０２）は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基、酸解離性基を含む－ＳＯ_２－含有環式基、又は酸解離性基を含むカーボネート含有環式基を含む構成単位である。

　ラクトン含有環式基の説明は、上記第１の態様と同様である。
　構成単位（ａ０２）におけるラクトン含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式（ａ０２－ｒ１－１）～（ａ０２－ｒ１－７）でそれぞれ表される基が挙げられる。

［式中、Ｘａ^０は、それぞれ独立に、酸解離性基を含む基である。Ｙａ^０１は、単結合、又は炭素原子数ｎ^０１個の直鎖状のアルキレン基であり、ｎ^０１は１又は２である。Ｒｙ^０１は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Ｒ^０”は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。Ａ^０１は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、又は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでもよい炭素原子数１～５のアルキレン基である。ｍ^０１は０または１である。ｐ^０１１は１～（３＋２ｎ^０１）の整数であり、ｑ^０１１は０～（２＋２ｎ^０１）の整数であり、ｐ^０１１＋ｑ^０１１≦３＋２ｎ^０１（Ｙａ^０１が単結合のときｎ^０１＝０とする）である。ｐ^０１２は１～７の整数であり、ｑ^０１２は０～６の整数であり、ｐ^０１２＋ｑ^０１２≦７である。ｐ^０１３は１～７の整数であり、ｑ^０１３は０～６の整数であり、ｐ^０１３＋ｑ^０１３≦７である。ｐ^０１４は１～８の整数であり、ｑ^０１４は０～７の整数であり、ｐ^０１４＋ｑ^０１４≦８である。ｐ^０１５は１～１０の整数であり、ｑ^０１５は０～９の整数であり、ｐ^０１５＋ｑ^０１５≦１０である。ｐ^０１６は１～８の整数であり、ｑ^０１６は０～７の整数であり、ｐ^０１６＋ｑ^０１６≦８である。ｐ^０１７は１～４の整数であり、ｑ^０１７は０～３の整数であり、ｐ^０１７＋ｑ^０１７≦４である。＊は結合手である。］

　前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）～（ａ０２－ｒ１－７）中、Ｒｙ^０１は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基である。Ｒ^０”は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。

　Ｒｙ^０１におけるアルキル基は、炭素原子数１～６のアルキル基が好ましい。前記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
　Ｒｙ^０１におけるアルコキシ基は、炭素原子数１～６のアルコキシ基が好ましい。前記アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。具体例としては、前記Ｒｙ^０１におけるアルキル基として挙げたアルキル基と酸素原子（－Ｏ－）とが連結した基が挙げられる。
　Ｒｙ^０１におけるハロゲン原子は、フッ素原子が好ましい。
　Ｒｙ^０１におけるハロゲン化アルキル基としては、前記Ｒｙ^０１におけるアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。前記ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基が好ましく、パーフルオロアルキル基がより好ましい。

　前記－ＣＯＯＲ^０”、及び－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”において、Ｒ^０”は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。
　Ｒ^０”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれでもよい。Ｒ^０”におけるアルキル基は、炭素原子数は１～１５が好ましい。
　Ｒ^０”が直鎖状のアルキル基である場合は、前記直鎖状のアルキル基は炭素原子数１～１０が好ましく、炭素原子数１～５がより好ましく、メチル基またはエチル基がさらに好ましい。Ｒ^０”が分岐鎖状のアルキル基である場合は、前記分岐鎖状のアルキル基は炭素原子数３～１０が好ましく、炭素原子数３～５がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましい。
　Ｒ^０”が環状のアルキル基である場合、炭素原子数３～１５が好ましく、炭素原子数４～１２がより好ましく、炭素原子数５～１０がさらに好ましい。具体例としては、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基；アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
　Ｒ^０”におけるラクトン含有環式基としては、後述の一般式（ａ２－ｒ－１）～（ａ２－ｒ－７）でそれぞれ表される基が挙げられる。
　Ｒ^０”におけるカーボネート含有環式基としては、後述の一般式（ａｘ３－ｒ－１）～（ａｘ３－ｒ－３）でそれぞれ表される基が挙げられる。
　Ｒ^０”における－ＳＯ_２－含有環式基としては、後述の一般式（ａ５－ｒ－１）～（ａ５－ｒ－４）でそれぞれ表される基が挙げられる。
　Ｒｙ^０１におけるヒドロキシアルキル基は、炭素原子数１～６が好ましい。具体例としては、前記Ｒｙ^０１におけるアルキル基の水素原子の少なくとも１つが水酸基で置換された基が挙げられる。

　中でも、Ｒｙ^０１は、水素原子又はシアノ基が好ましい。

　前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）中、Ｙａ^０１は、単結合、又は炭素原子数ｎ^０１個の直鎖状のアルキレン基である。ｎ^０１は１又は２である。Ｙａ^０１は、炭素原子数ｎ^０１個の直鎖状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１個の直鎖状のアルキレン基（メチレン基）がより好ましい。

　前記一般式（ａ０２－ｒ１－２）、（ａ０２－ｒ１－３）、及び（ａ０２－ｒ１－５）中、Ａ^０１は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、又は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでもよい炭素原子数１～５のアルキレン基である。
　Ａ^０１における炭素原子数１～５のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。Ａ^０１におけるアルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、例えば、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に－Ｏ－または－Ｓ－が介在する基が挙げられる。具体例としては、－Ｏ－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－、－Ｓ－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｓ－ＣＨ_２－等が挙げられる。Ａ^０１としては、炭素原子数１～５のアルキレン基または酸素原子（－Ｏ－）が好ましく、炭素原子数１～５のアルキレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。

　前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）～（ａ０２－ｒ１－７）中、Ｘａ^０は、それぞれ独立に、酸解離性基を含む基である。Ｘａ^０については、後述する。

　一般式（ａ０２－ｒ１－４）中、ｍ^０１は、０又は１である。ｍ^０１は０が好ましい。

　一般式（ａ０２－ｒ１－４）において、Ｒａ^０１及びＸａ^０１は、γ－ブチロラクトン環に結合するポリシクロアルカン環のいずれの位置に結合してもよい。一般式（ａ０２－ｒ１－５）において、Ｒａ^０１及びＸａ^０１は、γ－ブチロラクトン環に縮合するポリシクロアルカン環のいずれの位置に結合してもよい。

　前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）中、ｐ^０１１は１～（３＋２ｎ^０１）の整数であり、ｑ^０１１は０～（２＋２ｎ^０１）の整数であり、ｐ^０１１＋ｑ^０１１≦３＋２ｎ^０１（Ｙａが単結合のときｎ^０１＝０とする）である。ｐ^０１１は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０１１は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ１－２）中、ｐ^０１２は１～７の整数であり、ｑ^０１２は０～６の整数であり、ｐ^０１２＋ｑ^０１２≦７である。ｐ^０１２は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０１２は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ１－３）中、ｐ^０１３は１～７の整数であり、ｑ^０１３は０～６の整数であり、ｐ^０１３＋ｑ^０１３≦７である。ｐ^０１３は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０１３は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ１－４）中、ｐ^０１４は１～８の整数であり、ｑ^０１４は０～７の整数であり、ｐ^０１４＋ｑ^０１４≦８である。ｐ^０１４は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０１４は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ１－５）中、ｐ^０１５は１～１０の整数であり、ｑ^０１５は０～９の整数であり、ｐ^０１５＋ｑ^０１５≦１０である。ｐ^０１５は１～８の整数であり、ｑ^０１５は０～７の整数であり、ｐ^０１６＋ｑ^０１５≦８である。ｐ^０１５は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０１５は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ１－６）中、ｐ^０１６は１～８の整数であり、ｑ^０１６は０～７の整数であり、ｐ^０１６＋ｑ^０１６≦８である。ｐ^０１６は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０１６は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ１－７）中、ｐ^０１７は１～４の整数であり、ｑ^０１３は０～３の整数であり、ｐ^０１３＋ｑ^０１３≦４である。ｐ^０１７は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０１７は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。

　下記に一般式（ａ０２－ｒ１－１）～（ａ０２－ｒ１－７）でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。下記式中、Ｘａ^０は、酸解離性基を含む基である。＊は結合手である。

　－ＳＯ_２－含有環式基の説明は、上記第１の態様と同様である。
　構成単位（ａ０２）における－ＳＯ_２－含有環式基としては、下記一般式（ａ０２－ｒ５－１）～（ａ０２－ｒ５－４）でそれぞれ表される基が挙げられる。

［式中、Ｘａ^０は、それぞれ独立に、酸解離性基を含む基である。Ｒｙ^０５は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基、又はシアノ基であり、Ｒ^０”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。Ａ^０５は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数１～５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。Ｙａ^０５は単結合、又は炭素原子数ｎ^０５個の直鎖状のアルキレン基であり、ｎ^０１は１又は２である。ｐ^０５１は１～７の整数であり、ｑ^０５１は０～６の整数であり、ｐ^０５１＋ｑ^０５１≦７である。ｐ^０５２は１～７の整数であり、ｑ^０５２は０～６の整数であり、ｐ^０５２＋ｑ^０５２≦７である。ｐ^０５３は１～（３＋２ｎ^０１）の整数であり、ｑ^０５３は０～（２＋２ｎ^０１）の整数であり、ｐ^０５３＋ｑ^０５３≦３＋２ｎ^０１（Ｙａ^０５が単結合のときｎ^０１＝０とする）である。ｐ^０５４は１～（５＋２ｎ^０１）の整数であり、ｑ^０５４は０～（４＋２ｎ^０１）の整数であり、ｐ^０５４＋ｑ^０５４≦５＋２ｎ^０１（Ｙａ^０５が単結合のときｎ^０１＝０とする）である。］

　前記一般式（ａ０２－ｒ５－１）～（ａ０２－ｒ５－２）中、Ａ^０５は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数１～５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。Ａ^０５は、前記一般式（ａ０２－ｒ１－２）、（ａ０２－ｒ１－３）、（ａ０２－ｒ１－５）中のＡ^０１と同様である。

　前記一般式（ａ０２－ｒ５－１）～（ａ０２－ｒ５－２）中、Ｒｙ^０５は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基、又はシアノ基である。Ｒ^０”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。Ｒｙ^０５におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）～（ａ０２－ｒ１－７）中のＲｙ^０１についての説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。

　前記一般式（ａ０２－ｒ５－３）及び（ａ０２－ｒ５－４）中、Ｙａ^０５は、単結合、又は炭素原子数ｎ^０１個の直鎖状のアルキレン基である。ｎ^０１は１又は２である。Ｙａ^０５は、は炭素原子数ｎ^０１個の直鎖状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１個の直鎖状のアルキレン基（メチレン基）がより好ましい。

　前記一般式（ａ０２－ｒ５－１）～（ａ０２－ｒ５－４）中、Ｘａ^０は、それぞれ独立に、酸解離性基を含む基である。Ｘａ^０については、後述する。

　前記一般式（ａ０２－ｒ５－１）中、ｐ^０５１は１～７の整数であり、ｑ^０５１は０～６の整数であり、ｐ^０５１＋ｑ^０５１≦７である。ｐ^０５１は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０５１は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ５－２）中、ｐ^０５２は１～７の整数であり、ｑ^０５２は０～６の整数であり、ｐ^０５２＋ｑ^０５２≦７である。ｐ^０５２は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０５２は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ５－３）中、ｐ^０５３は１～（３＋２ｎ^０１）の整数であり、ｑ^０５３は０～（２＋２ｎ^０１）の整数であり、ｐ^０５３＋ｑ^０５３≦３＋２ｎ^０１（Ｙａ^０５が単結合のときｎ^０１＝０とする）である。ｐ^０５３は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０５３は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒ５－４）中、ｐ^０５４は１～（５＋２ｎ^０１）の整数であり、ｑ^０５４は０～（４＋２ｎ^０１）の整数であり、ｐ^０５４＋ｑ^０５４≦５＋２ｎ^０１（Ｙａ^０５が単結合のときｎ^０１＝０とする）である。ｐ^０５４は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０５４は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。

　下記に一般式（ａ０２－ｒ５－１）～（ａ０２－ｒ５－４）でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。下記式中、「Ａｃ」は、アセチル基を示す。Ｘａ^０は、酸解離性基を含む基である。＊は結合手である。

　カーボネート含有環式基の説明は、上記第１の態様と同様である。
　構成単位（ａ０２）におけるカーボネート含有環式基としては、下記一般式（ａ０２－ｒｘ３－１）～（ａ０２－ｒｘ３－３）でそれぞれ表される基が挙げられる。

［式中、Ｘａ^０は、それぞれ独立に、酸解離性基を含む基である。Ｙａ^０３は、単結合、又は炭素原子数ｎ^０３個の直鎖状のアルキレン基であり、ｎ^０３は１～３の整数である。Ｒｙ^０３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Ｒ^０”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。Ａ^０３は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数１～５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。ｋ^０３は０または１である。ｐ^０３１は１～（１＋２ｎ^０３）の整数であり、ｑ^０３１は０～２ｎ^０３の整数であり、ｐ^０３１＋ｑ^０３１≦１＋２ｎ^０３である。ｐ^０３２は１～７の整数であり、ｑ^０３２は０～６の整数であり、ｐ^０３２＋ｑ^０３２≦７である。ｐ^０３３は１～１１の整数であり、ｑ^０３３は０～１０の整数であり、ｐ^０３３＋ｑ^０３３≦１１である。＊は結合手である。］

　前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－２）～（ａ０２－ｒｘ３－３）中、Ａ^０３は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数１～５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。Ａ^０３は、前記一般式（ａ０２－ｒ１－２）及び（ａ０２－ｒ１－３）中のＡ^０１と同様である。

　前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－１）～（ａ０２－ｒｘ３－３）中、Ｒｙ^０３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基である。Ｒ^０”は水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。Ｒｙ^０３におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）～（ａ０２－ｒ１－７）中のＲｙ^０１についての説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。

　前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－１）中、Ｙａ^０３は、単結合、又は炭素原子数ｎ^０３個の直鎖状のアルキレン基である。ｎ^０３は１～３の整数である。ｎ^０３は１又は２が好ましく、１がより好ましい。Ｙａ^０３は、は炭素原子数ｎ^０３個の直鎖状のアルキレン基が好ましく、炭素原子数１個の直鎖状のアルキレン基（メチレン基）がより好ましい。

　前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－１）～（ａ０２－ｒｘ３－３）中、Ｘａ^０は、それぞれ独立に、酸解離性基を含む基である。Ｘａ^０については、後述する。

　前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－１）～（ａ０２－ｒｘ３－３）中、ｋ^０３は０または１である。ｋ^０３は０が好ましい。

　前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－１）中、ｐ^０３１は１～（１＋２ｎ^０３）の整数であり、ｑ^０３１は０～２ｎ^０３の整数であり、ｐ^０３１＋ｑ^０３１≦１＋２ｎ^０３である。ｐ^０３１は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０３１は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－２）中、ｐ^０３２は１～７の整数であり、ｑ^０３２は０～６の整数であり、ｐ^０３２＋ｑ^０３２≦７である。ｐ^０３２は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０３２は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
　前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－３）中、ｐ^０３３は１～１１の整数であり、ｑ^０３３は０～１０の整数であり、ｐ^０３３＋ｑ^０３３≦１１である。ｐ^０３３は１～３が好ましく、１又は２がより好ましく、１がさらに好ましい。ｑ^０３３は０～３が好ましく、０～２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。

　下記に一般式（ａ０２－ｒｘ３－１）～（ａ０２－ｒｘ３－３）でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。式中、Ｘａ^０は、酸解離性基を含む基である。＊は結合手である。

≪酸解離性基を含む基：Ｘａ^０≫
　前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）～（ａ０２－ｒ１－７）、前記一般式（ａ０２－ｒ５－１）～（ａ０２－ｒ５－４）、及び前記一般式（ａ０２－ｒｘ３－１）～（ａ０２－ｒｘ３－３）中、Ｘａ^０は、それぞれ独立に、酸解離性基を含む基である。

　酸解離性基としては、これまで、化学増幅型レジスト組成物用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものが挙げられる。例えば、第１の態様において説明した「アセタール型酸解離性基」、「第３級アルキルエステル型酸解離性基」、「第３級アルキルオキシカルボニル酸解離性基」が挙げられる。

　アセタール型酸解離性基：
　アセタール型酸解離性基としては、例えば、前記一般式（ａ１－ｒ－１）で表される酸解離性基が挙げられる。

　第３級アルキルエステル型酸解離性基：
　第３級アルキルエステル型酸解離性基としては、例えば、前記一般式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基が挙げられる。

　前記一般式（ａ１－ｒ－２）中、Ｒａ’^５とＲａ’^６とが互いに結合して環を形成する場合、前記一般式（ａ１－ｒ２－１）で表される基、前記一般式（ａ１－ｒ２－３）で表される基、及び下記一般式（ａ１－ｒ２－２）で表される基が好適に挙げられる。
　一方、Ｒａ’^４～Ｒａ’^６が互いに結合せず、独立した炭化水素基である場合、前記一般式（ａ１－ｒ２－４）で表される基が好適に挙げられる。

［式（ａ１－ｒ２－２）中、Ｙａは炭素原子である。Ｘａは、Ｙａと共に環状の炭化水素基を形成する基である。この環状の炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ｒａ^１０１～Ｒａ^１０３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基又は炭素原子数３～２０の１価の脂肪族環状飽和炭化水素基である。この鎖状飽和炭化水素基及び脂肪族環状飽和炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Ｒａ^１０１～Ｒａ^１０３の２つ以上が互いに結合して環状構造を形成していてもよい。＊は結合手を示す。］

　前記式（ａ１－ｒ２－１）中のＲａ’^１０における直鎖状のアルキル基は、炭素原子数１～１２が好ましく、炭素原子数１～１０がより好ましく、炭素原子数１～５がさらに好ましく、炭素原子数１～３が特に好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基またはｎ－ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
　Ｒａ’^１０における分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数３～１２が好ましく、炭素原子数３～１０がより好ましく、炭素原子数３～５がさらに好ましく、炭素原子数３が特に好ましい。具体例としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられる。中でも、イソプロピル基が好ましい。

　Ｒａ’^１０におけるアルキル基は、一部がハロゲン原子又はヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。例えば、アルキル基を構成する水素原子の一部が、ハロゲン原子又はヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。あるいは、アルキル基を構成する炭素原子（メチレン基など）の一部が、ヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。
　前記ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。ヘテロ原子含有基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。

　Ｒａ’^１０は、炭素原子数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、又はイソプロピル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。

　前記式（ａ１－ｒ２－１）中、Ｒａ’^１１は、Ｒａ’^１０が結合した炭素原子と共に脂肪族環式基を形成する基である。前記脂肪族環式基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。
　単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
　多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
　中でも、前記脂肪族環式基は、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はアダマンチル基が好ましく、シクロペンチル基又はアダマンチル基がより好ましい。

　前記式（ａ１－ｒ２－２）中、ＸａがＹａと共に形成する環状の炭化水素基としては、前記式（ａ１－ｒ－１）中のＲａ’^３における環状の１価の炭化水素基（脂肪族炭化水素基）から水素原子１個以上をさらに除いた基が挙げられる。
　ＸａがＹａと共に形成する環状の炭化水素基は、置換基を有してもよい。この置換基としては、上記Ｒａ’^３における環状の炭化水素基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
　式（ａ１－ｒ２－２）中、Ｒａ^１０１～Ｒａ^１０３における、炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。
　Ｒａ^１０１～Ｒａ^１０３における、炭素原子数３～２０の１価の脂肪族環状飽和炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式脂肪族飽和炭化水素基；ビシクロ［２．２．２］オクタニル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカニル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカニル基、アダマンチル基等の多環式脂肪族飽和炭化水素基等が挙げられる。
　Ｒａ^１０１～Ｒａ^１０３は、中でも、合成容易性の観点から、水素原子、炭素原子数１～１０の１価の鎖状飽和炭化水素基が好ましく、その中でも、水素原子、メチル基、エチル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。

　上記Ｒａ^１０１～Ｒａ^１０３で表される鎖状飽和炭化水素基、又は脂肪族環状飽和炭化水素基が有する置換基としては、例えば、上述のＲａ^ｘ５と同様の基が挙げられる。

　Ｒａ^１０１～Ｒａ^１０３の２つ以上が互いに結合して環状構造を形成することにより生じる炭素－炭素二重結合を含む基としては、例えば、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、メチルシクロペンテニル基、メチルシクロヘキセニル基、シクロペンチリデンエテニル基、シクロへキシリデンエテニル基等が挙げられる。これらの中でも、合成容易性の観点から、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチリデンエテニル基が好ましい。

　前記式（ａ１－ｒ２－１）で表される基の具体例としては、前記式（ｒ－ｐｒ－ｍ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍ１７）、前記式（ｒ－ｐｒ－ｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓ２１）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｓｐ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓｐ６）のいずれかで表される酸解離性基が挙げられる。

　前記式（ａ１－ｒ２－２）で表される基の具体例としては、前記式（ｒ－ｐｒ－ｓｖ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓｖ１２）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｍｖ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍｖ２１）のいずれかで表される酸解離性基が挙げられる。

　前記式（ａ１－ｒ２－３）で表される基の具体例としては、前記式（ｒ－ｐｒ－ｓａ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓａ９）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｍａ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍａ２）のいずれかで表される酸解離性基が挙げられる。

　前記式（ａ１－ｒ２－４）で表される基の具体例としては、前記式（ｒ－ｐｒ－ｃｍ１）～（ｒ－ｐｒ－ｃｍ８）、前記式（ｒ－ｐｒ－ｃｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｃｓ５）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｃ１）～（ｒ－ｐｒ－ｃ３）のいずれかで表される酸解離性基が挙げられる。

　第３級アルキルオキシカルボニル酸解離性基：
　第３級アルキルオキシカルボニル酸解離性基としては、例えば、前記一般式（ａ１－ｒ－３）で表される酸解離性基が挙げられる。

　Ｘａ^０が含む酸解離性基としては、第３級アルキルエステル型酸解離性基が好ましく、前記一般式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基がより好ましく、前記一般式（ａ１－ｒ２－１）又は（ａ１－ｒ２－４）で表される酸解離性基がさらに好ましく、前記一般式（ａ１－ｒ２－１）で表される酸解離性基が特に好ましい。中でも、前記式（ｒ－ｐｒ－ｍ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍ１７）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓ２０）で表される酸解離性基が好ましく、前記式（ｒ－ｐｒ－ｍ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍ５）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓ２０）で表される酸解離性基がより好ましい。

　Ｘａ^０は、酸解離性基のみから構成される基でもよく、酸解離性基と該酸解離性基以外の他の基とから構成される基でもよい。該酸解離性基以外の他の基としては、例えば、置換基を有してもよい２価の炭化水素基、及びヘテロ原子を含む２価の連結基等が挙げられる。

　・置換基を有してもよい２価の炭化水素基：
　前記酸解離性基以外の他の基が置換基を有してもよい２価の炭化水素基である場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。

　・・脂肪族炭化水素基
　脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
　前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

　・・芳香族炭化水素基
　該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
　この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でもよいし、多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０であることが好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。ただし、該炭素原子数には、置換基における炭素原子数を含まないものとする。
　芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を２つ除いた基（アリーレン基またはヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を２つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２であることがより好ましく、炭素原子数１であることが特に好ましい。

　・ヘテロ原子を含む２価の連結基：
　酸解離性基以外の他の基がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとしては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有してもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０～３の整数である。］等が挙げられる。
　前記へテロ原子を含む２価の連結基が－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－の場合、そのＨはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素原子数が１～１０であることが好ましく、１～８であることがさらに好ましく、１～５であることが特に好ましい。
　一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－中、Ｙ^２１およびＹ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有してもよい２価の炭化水素基である。該２価の炭化水素基としては、前記Ｙａ^２１における２価の連結基としての説明で挙げた（置換基を有してもよい２価の炭化水素基）と同様のものが挙げられる。
　Ｙ^２１としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
　Ｙ^２２としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素原子数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
　式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基において、ｍ”は０～３の整数であり、０～２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基としては、式－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基が特に好ましい。なかでも、式－（ＣＨ_２）_ａ’－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｂ’－で表される基が好ましい。該式中、ａ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。

　上記の中でも、酸解離性基以外の他の基としては、単結合、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－］、エーテル結合（－Ｏ－）、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましい。

　Ｘａ^０としては、下記一般式（Ｘａ０－１）で表される基が好ましい。

［式中、Ｙａ^０は、ヘテロ原子を含む２価の連結基であり、Ｘａ^００は、酸解離性基である。＊は結合手である。］

　前記一般式（Ｘａ０－１）中、Ｙａ^０は、ヘテロ原子を含む２価の連結基である。ヘテロ原子を含む２価の連結基としては、上記で挙げたものが挙げられる。中でも、Ｙａ^０は、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－］、エーテル結合（－Ｏ－）、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましい。

　前記一般式（Ｘａ０－１）中、Ｘａ^００は、酸解離性基である。酸解離性基としては、前記一般式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基が好ましく、前記一般式（ａ１－ｒ２－１）又は（ａ１－ｒ２－４）で表される酸解離性基がより好ましく、前記一般式（ａ１－ｒ２－１）で表される酸解離性基がさらに好ましい。中でも、前記式（ｒ－ｐｒ－ｍ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍ１７）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓ２０）で表される酸解離性基が好ましく、前記式（ｒ－ｐｒ－ｍ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍ５）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓ２０）で表される酸解離性基がより好ましい。

　Ｘａ^０としては、下記一般式（Ｘａ０－１－１）で表される基がより好ましい。

［式中、ｎａ^００は、０又は１であり、Ｘａ^００は、酸解離性基である。＊は結合手である。］

　構成単位（ａ０２）は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基を含むことが好ましく、前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）～（ａ０２－ｒ１－７）のいずれかで表されるラクトン含有環式基を含むことがより好ましく、前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）又は（ａ０２－ｒ１－２）で表されるラクトン含有環式基を含むことがさらに好ましい。

　前記一般式（ａ０２－ｒ１－１）又は（ａ０２－ｒ１－２）で表されるラクトン含有環式基の具体例を以下に示す。＊は結合手を示す。

　構成単位（ａ０２）としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
　構成単位（ａ０２）は、下記一般式（ａ０２－１）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒは水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｖａ^００は、エーテル結合を有していてもよい２価の炭化水素基である。ｎ_ａ００は、０～２の整数である。Ｒａ^００は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基、酸解離性基を含む－ＳＯ_２－含有環式基、又は酸解離性基を含むカーボネート含有環式基である。］

　前記式（ａ０２－１）中、Ｒは、前記式（ａ０１－１－１）中のＲと同じである。

　前記式（ａ０２－１）中、Ｖａ^００における２価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。前記式（ａ０２－１）中、Ｖａ^００としては、前記式（ａ０１－１－１）中のＶａ^０と同様のものが挙げられる。

　Ｖａ^００は、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数１～４の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基又はエチレン基がより好ましい。

　前記一般式（ａ０２－１）中、ｎ_ａ００は、０～２の整数である。、ｎ_ａ００は、０又は１が好ましく、０がより好ましい。

　前記一般式（ａ０２－１）中、Ｒａ^００は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基、酸解離性基を含む－ＳＯ_２－含有環式基、又は酸解離性基を含むカーボネート含有環式基である。Ｒａ^００は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基が好ましく、前記一般式（ａ０２－ｒ－１）～（ａ０２－ｒ１－７）のいずれかで表されるラクトン含有環式基がより好ましく、前記一般式（ａ０２－ｒ－１）又は（ａ０２－ｒ－２）で表されるラクトン含有環式基がさらに好ましい。

　構成単位（ａ０２）の具体例を以下に示す。Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ０２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０２）の割合は、該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、５～８０モル％が好ましく、１０～７５モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ０２）の割合を、前記の好ましい範囲の下限値以上とすることによって、感度、解像性、ラフネス改善等のリソグラフィー特性が向上する。一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　≪その他構成単位≫
　（Ａ１）成分は、上述した構成単位（ａ０２）に加え、必要に応じてその他構成単位を有してもよい。
　その他構成単位としては、例えば、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）（但し、構成単位（ａ０２）に該当するものを除く）、上述の構成単位（ａ２）（但し、構成単位（ａ０２）に該当するものを除く）；上述の構成単位（ａ３）；上述の構成単位（ａ４）；上述の一般式（ａ１０－１）で表される構成単位（ａ１０）；上述の構成単位（ｓｔ）などが挙げられる。

　＜構成単位（ａ１）＞
　構成単位（ａ１）は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（但し、構成単位（ａ０２）に該当するものを除く）である。

　酸解離性基としては、これまで、化学増幅型レジスト組成物用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものが挙げられる。例えば、第１の態様で説明した「アセタール型酸解離性基」、「第３級アルキルエステル型酸解離性基」、「第３級アルキルオキシカルボニル酸解離性基」が挙げられる。

　構成単位（ａ１）の好ましい具体例としては、前記一般式（ａ１－１）又は（ａ１－２）で表される構成単位が挙げられる。

　前記式（ａ１－１）中、Ｒａ^１における前記式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基としては、前記一般式（ａ１－ｒ２－１）で表される基、前記一般式（ａ１－ｒ２－２）で表される基、前記一般式（ａ１－ｒ２－３）で表される基、及び前記一般式（ａ１－ｒ２－４）で表される基が好適に挙げられる。

　前記式（ａ１－１）で表される構成単位の具体例としては、第１の態様において挙げたものと同様のものが挙げられる。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０２）及び構成単位（ａ１）の合計の割合は、前記（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、１０～８０モル％が好ましく、２０～７５モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。

　構成単位（ａ２）について：
　（Ａ１）成分は、さらに、ラクトン含有環式基、－ＳＯ_２－含有環式基又はカーボネート含有環式基を含む構成単位（ａ２）（但し、構成単位（ａ０２）及び（ａ１）に該当するものを除く）を有してもよい。
　構成単位（ａ２）についての説明は、第１の態様における構成単位（ａ２）についての説明と同じである。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ２）を有する場合、構成単位（ａ２）の割合は、当該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１～５０モル％であることが好ましく、３～４０モル％であることがより好ましく、５～３０モル％であることがさらに好ましく、５～２５モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ２）の割合を好ましい下限値以上とすると、前述した効果によって、構成単位（ａ２）を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　構成単位（ａ３）について：
　（Ａ１）成分は、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位（ａ３）（但し、構成単位（ａ０２）、構成単位（ａ１）及び構成単位（ａ２）に該当するものを除く）を有してもよい。
　構成単位（ａ３）についての説明は、第１の態様における構成単位（ａ３）についての説明と同じである。

　構成単位（ａ４）について：
　（Ａ１）成分は、さらに、酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位（ａ４）を有してもよい。
　構成単位（ａ４）についての説明は、第１の態様における構成単位（ａ４）についての説明と同じである。

　構成単位（ａ１０）について：
　構成単位（ａ１０）は、前記一般式（ａ１０－１）で表される構成単位である。
　構成単位（ａ１０）についての説明は、第１の態様における構成単位（ａ１０）についての説明と同じである。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ１０）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ１０）を有する場合、（Ａ１）成分中の構成単位（ａ１０）の割合は、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～８０モル％であることが好ましく、２０～７０モル％がより好ましく、３０～６０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ１０）の割合を前記好ましい下限値以上であると、感度がより高められやすくなる。構成単位（ａ１０）の割合を前記好ましい上限値以下であると、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

　構成単位（ｓｔ）について：
　構成単位（ｓｔ）は、スチレン又はスチレン誘導体から誘導される構成単位である。
　構成単位（ｓｔ）についての説明は、第１の態様における構成単位（ｓｔ）についての説明と同じである。

　（Ａ１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　（Ａ１）成分としては、構成単位（ａ０２）の繰り返し構造を有する高分子化合物が挙げられ、（Ａ１）成分は、構成単位（ａ０２）、及び構成単位（ａ１０）の繰り返し構造を有する高分子化合物が好ましい。
　中でも、（Ａ１）成分としては、構成単位（ａ０２）の繰り返し構造からなる高分子化合物；構成単位（ａ０２）と構成単位（ａ１０）との繰り返し構造からなる高分子化合物；構成単位（ａ０２）と構成単位（ａ１０）と構成単位（ａ３）との繰り返し構造からなる高分子化合物；構成単位（ａ０２）と構成単位（ａ１０）と構成単位（ａ２）との繰り返し構造からなる高分子化合物がより好ましい。

　構成単位（ａ０２）と構成単位（ａ１０）との繰り返し構造を有する高分子化合物において、構成単位（ａ０２）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。
　前記高分子化合物中の構成単位（ａ１０）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。

　構成単位（ａ０２）と構成単位（ａ１０）と構成単位（ａ３）との繰り返し構造を有する高分子化合物において、構成単位（ａ０２）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。
　また、該高分子化合物中の構成単位（１０）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。
　また、該高分子化合物中の構成単位（ａ３）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１～３０モル％であることが好ましく、５～２５モル％であることがより好ましく、５～２０モル％であることがさらに好ましく、５～１５モル％が特に好ましい。

　構成単位（ａ０２）と構成単位（ａ１０）と構成単位（ａ２）との繰り返し構造を有する高分子化合物において、構成単位（ａ０２）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。
　また、該高分子化合物中の構成単位（１０）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。
　また、該高分子化合物中の構成単位（ａ３）の割合は、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１～３０モル％であることが好ましく、３～２５モル％であることがより好ましく、３～２０モル％であることがさらに好ましく、５～２０モル％が特に好ましい。

　該高分子化合物における構成単位（ａ０２）と構成単位（ａ１０）とのモル比（構成単位（ａ０２）：構成単位（ａ１０））は、２：８～８：２が好ましく、３：７～７：３がより好ましく、４：６～６：４がさらに好ましい。

　（Ａ１）成分は、第１の態様で説明した（Ａ１）成分の製造方法と同様の方法で製造することができる。

　＜酸発生剤成分（Ｂ）＞
　本実施形態のレジスト組成物における（Ｂ）成分は、前記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）（（Ｂ０）成分）を含む。
　（Ｂ０）成分についての説明は、第１の態様における（Ｂ０）成分についての説明と同じである。

　本実施形態のレジスト組成物における（Ｂ）成分は、上述した（Ｂ０）成分以外の酸発生剤成分（Ｂ１）（（Ｂ１）成分）を含有してもよい。（Ｂ１）成分についての説明は、第１の態様における（Ｂ１）成分についての説明と同じである。

　本実施形態のレジスト組成物は、（Ｂ１）成分を含有しないことが好ましい。

　＜その他成分＞
　本実施形態のレジスト組成物は、上述した（Ａ）成分、及び（Ｂ）成分に加え、その他成分をさらに含有してもよい。その他成分としては、例えば上述の（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、（Ｓ）成分などが挙げられる。

　≪塩基成分（Ｄ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて、さらに、露光により発生する酸をトラップ（すなわち、酸の拡散を制御）する塩基成分（（Ｄ）成分）を含有することが好ましい。
　（Ｄ）成分についての説明は、第１の態様における（Ｄ）成分についての説明と同じである。

　≪有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ｅ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は、上述の化合物（Ｅ）（（Ｅ）成分）を含有してもよい。
　（Ｅ）成分についての説明は、第１の態様における（Ｅ）成分についての説明と同じである。

　≪フッ素添加剤成分（Ｆ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は、フッ素添加剤成分（（Ｆ）成分）を含有してもよい。
　（Ｆ）成分についての説明は、第１の態様における（Ｆ）成分についての説明と同じである。

　≪有機溶剤成分（Ｓ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤成分（（Ｓ）成分）に溶解させて製造することができる。
　（Ｓ）成分についての説明は、第１の態様における（Ｓ）成分についての説明と同じである。

　以上説明した本実施形態のレジスト組成物は、構成単位（ａ０２）を有する樹脂成分（Ａ１）と、化合物（Ｂ０）（（Ｂ０）成分）とを含有する。従来のレジスト組成物では、感度、及びラフネスは、トレードオフの関係にあり、一方が改善すると、他方が劣化するという傾向があった。しかしながら、本実施形態のレジスト組成物では、前記トレードオフの関係を脱却し、感度、及びラフネスのいずれも良好に維持することができる。さらに、解像性も向上する。本実施形態のレジスト組成物において、高い感度を維持しつつ、ラフネスが及び解像性がいずれも良好に維持される理由は、以下のように推測される。
　（Ｂ０）成分は、アニオン部にヨウ素原子を含むことで、ＥＵＶ及びＥＢ等に対する感度が向上する。
　構成単位（ａ０２）は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基、酸解離性基を含む－ＳＯ_２－含有環式基、又は酸解離性基を含むカーボネート含有環式基を含むことで、脱保護後のレジスト膜の親水性が向上する。その結果、現像液に対する親和性が向上し、ラフネスが低減する。また、（Ｂ０）成分がアニオン部にヨウ素原子を含むことで、露光による酸発生量が増加し、構成単位（ａ０２）が含む酸解離性基の脱保護率が上昇する。その結果、溶解コントラストが向上し、解像性が向上する。
　その結果、高い感度を維持しつつ、低ラフネス化と解像性の向上を達成することができる、と考えられる。

［第３の態様のレジスト組成物］
　＜（Ａ）成分＞
　・（Ａ１）成分について
　第３の態様のレジスト組成物において、（Ａ１）成分は、上記一般式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０３１）と、上記一般式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０３２）とを有する。

　＜構成単位（ａ０３１）＞
　構成単位（ａ０３１）は、下記一般式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基を含む構成単位である。

［式（ａ０３－ｒ１）中、Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基であり、Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３は互いに結合して環を形成してもよい。＊は結合手を表す。］

　上記一般式（ａ０３－ｒ１）中、Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基である。Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３は互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における飽和脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基が挙げられる。
　前記直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数１～１５の直鎖状のアルキル基が挙げられる。前記直鎖状のアルキル基は、炭素原子数１～１２が好ましく、炭素原子数１～１０がより好ましく、炭素原子数１～６がさらに好ましく、炭素原子数１～３が特に好ましい。直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。
　前記分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数３～１５の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。前記分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数３～１２が好ましく、炭素原子数３～１０がより好ましく、炭素原子数３～６がさらに好ましく、炭素原子数３～５が特に好ましい。分岐鎖状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられる。

　Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基等が挙げられる。Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基は、アルキル鎖を構成するメチレン基の一部が、ヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。前記ヘテロ原子含有基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。

　Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における環状のアルキル基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基等が挙げられる。前記置換基としての直鎖状のアルキル基若しくはアルコキシ基は、炭素原子数１～５が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１又は２がさらに好ましい。前記置換基としての分岐鎖状のアルキル基若しくはアルコキシ基は、炭素原子数３～６が好ましく、炭素原子数３～５がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましい。

　Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３が互いに結合して形成する環としては、炭素原子数３～１５の脂肪族飽和炭化水素基が挙げられる。具体的には、前記環状のアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３が互いに結合して形成する環としては、単環式脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。

　Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３が互いに結合して環を形成する場合、一般式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基としては、下記一般式（ａ０３－ｒ１－１）で表される酸解離性基が挙げられる。
　Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３が互いに結合せず、独立した飽和脂肪族炭化水素基である場合、一般式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基としては、下記一般式（ａ０３－ｒ１－２）で表される酸解離性基が挙げられる。

［式（ａ０３－ｒ１－１）中、Ｙａａ^０１は炭素原子である。Ｘａａ^０１は、Ｙａａ^０１と共に脂肪族環式基を形成する基である。Ｒａ^０１４は、置換基を有してもよい、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基である。
　式（ａ０３－ｒ１－２）中、Ｒａ^０１５及びＲａ^０１６は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。Ｒａ^０１７は、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基である。
　＊は結合手を表す。］

　前記式（ａ０３－ｒ１－１）中、Ｙａａ^０１は炭素原子である。

　前記式（ａ０３－ｒ１－１）中、Ｘａａ^０１は、Ｙａａ^０１と共に脂肪族環式基を形成する基である。前記脂肪族環式基としては、炭素原子数３～１５の脂肪族環式基が挙げられる。前記脂肪族環式基は、単環式でもよく、多環式でもよい。前記脂肪族環式基は、炭素原子数３～１２が好ましく、炭素原子数３～１０がより好ましく、炭素原子数３～６がさらに好ましく、炭素原子数５又は６が特に好ましい。具体的には、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における環状のアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Ｘａａ^０１がＹａａ^０１と共に形成する脂肪族環式基としては、単環式のモノシクロアルキル基が好ましい。中でも、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基が好ましく、シクロペンチル基がより好ましい。
　前記脂肪族環式基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における環状のアルキル基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。中でも、前記置換基としては、炭素原子数１～５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基がさらに好ましい。

　前記式（ａ０３－ｒ１－１）中、Ｒａ^０１４は、置換基を有してもよい、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基である。Ｒａ^０１４における直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基と同様のものが挙げられる。中でも、Ｒａ^０１４としては、メチル基、エチル基、プロピル基、又はイソプロピル基が好ましい。
　Ｒａ^０１４における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
　Ｒａ^０１４における直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基は、アルキル鎖を構成するメチレン基の一部が、ヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。前記ヘテロ原子含有基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。
　Ｒａ^０１４における環状のアルキル基が有してもよい置換基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における環状のアルキル基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
　Ｒａ^０１４における直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有しないことが好ましい。

　前記式（ａ０３－ｒ１－２）中、Ｒａ^０１５及びＲａ^０１６は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。
　Ｒａ^０１５及びＲａ^０１６における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられる。
　Ｒａ^０１５及びＲａ^０１６における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
　Ｒａ^０１５及びＲａ^０１６としては、炭素原子数１～５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、エチル基又はメチル基がさらに好ましい。

　Ｒａ^０１７は、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基である。Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における飽和脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基が挙げられる。
　Ｒａ^０１７における直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基と同様のものが挙げられる。中でも、Ｒａ^０１７としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、又はイソプロピル基がより好ましく、メチル基、エチル基、又はプロピル基がさらに好ましく、エチル基が特に好ましい。
　Ｒａ^０１４における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
　Ｒａ^０１４における環状のアルキル基が有してもよい置換基としては、前記Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３における環状のアルキル基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
　Ｒａ^０１４における直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有しないことが好ましい。

　前記式（ａ０３－ｒ１－１）で表される酸解離性基の具体例としては、前記式（ｒ－ｐｒ－ｍ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍ１７）、前記式（ｒ－ｐｒ－ｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓ２１）、前記式（ｒ－ｐｒ－ｓｐ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓｐ６）、及び下記式（ｒ－ｐｒ－ｓｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓｓ５）のいずれかで表される酸解離性基が挙げられる。

　前記式（ａ０３－ｒ１－２）で表される酸解離性基の具体例としては、前記式（ｒ－ｐｒ－ｃｍ１）～（ｒ－ｐｒ－ｃｍ４）、前記式（ｒ－ｐｒ－ｃｓ１）～（ｒ－ｐｒ－ｃｓ３）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｃ１）～（ｒ－ｐｒ－ｃ３）のいずれかで表される酸解離性基が挙げられる。

　構成単位（ａ０３１）としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、アクリルアミドから誘導される構成単位、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨにおける水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位等が挙げられる。

　構成単位（ａ０３１）としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
　構成単位（ａ０３１）としては、下記一般式（ａ０３１－１）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｖａ^０１は、エーテル結合を有していてもよい２価の炭化水素基である。ｎ_ａ０１は、０～２の整数である。Ｒｚ^０１は、前記一般式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基である。］

　前記式（ａ０３１－１）中、Ｒは、前記式（ａ０１－１－１）中のＲと同じである。

　前記式（ａ０３１－１）中、Ｖａ^０１における２価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。前記式（ａ０３１－１）中、Ｖａ^０１としては、前記式（ａ０１－１－１）中のＶａ^０と同様のものが挙げられる。

　Ｖａ^０１は、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数１～４の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基又はエチレン基がより好ましい。

　前記式（ａ０３１－１）中、ｎ_ａ０１は、０～２の整数である。ｎ_ａ０１は、０又は１が好ましく、０がより好ましい。

　前記式（ａ０３１－１）中、Ｒｚ^０１は、前記式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基である。

　以下に前記式（ａ０３１－１）で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

　構成単位（ａ０３１）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０３１）の割合は、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、５～８０モル％が好ましく、１０～７０モル％がより好ましく、２０～６０モル％がさらに好ましく、２０～５０モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ０３１）の割合が前記の好ましい範囲の下限値以上であると、ラフネス、パターン形状等のリソグラフィー特性が向上する。一方、構成単位（ａ０３１）の割合が前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　＜構成単位（ａ０３２）＞
　構成単位（ａ０３２）は、下記一般式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０３２）である。

［式（ａ０３－ｒ２）中、Ｒａ^０２１は、置換基を有してもよい、芳香環を含む炭化水素基であり、Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基であり、Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は互いに結合して環を形成してもよい。＊は結合手を表す。］

　前記式（ａ０３－ｒ２）中、Ｒａ^０２１は、置換基を有してもよい、芳香環を含む炭化水素基である。
　Ｒａ^０２１における芳香環を含む炭化水素基は、炭素原子数５～３０が好ましく、炭素原子数６～１５がより好ましく、炭素原子数６～１０がさらに好ましい。
　芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。前記芳香環は、炭素原子数５～３０が好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。前記芳香環は、芳香族炭化水素環であってもよく、芳香族複素環であってもよい。前記芳香族炭化水素環としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環が挙げられる。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　Ｒａ^０２１における芳香環を含む炭化水素基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基等が挙げられる。前記置換基としての直鎖状のアルキル基若しくはアルコキシ基は、炭素原子数１～５が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１又は２がさらに好ましい。前記置換基としての分岐鎖状のアルキル基若しくはアルコキシ基は、炭素原子数３～６が好ましく、炭素原子数３～５がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましい。
　Ｒａ^０２１の具体例としては、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素原子数は、１～４であることが好ましく、炭素原子数１～２であることがより好ましく、炭素原子数１であることが特に好ましい。
　Ｒａ^０２１は、炭素原子数６～１５の芳香族炭化水素環から水素原子１個を除いた基が好ましく、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン又はフェナントレンから水素原子１個を除いた基がより好ましく、ベンゼン、ナフタレン又はアントラセンから水素原子１個を除いた基がさらに好ましく、ベンゼン又はナフタレンから水素原子１個を除いた基（フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等）が特に好ましく、ベンゼンから水素原子１個を除いた基（フェニル基）が最も好ましい。

　Ｒａ^０２１における芳香環を含む炭化水素基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。

　前記式（ａ０３－ｒ２）中、Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基であり、Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は互いに結合して環を形成してもよい。

　Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３における炭化水素基としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基、分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、環状の炭化水素基が挙げられる。

　前記直鎖の脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよいが、飽和であることが好ましい。前記直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキル基が挙げられる。前記直鎖状のアルキル基は、炭素原子数が１～５が好ましく、炭素原子数１～４がより好ましく、炭素原子数１又は２がさらに好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基またはｎ－ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。

　前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよいが、飽和であることが好ましい。前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。前記分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数３～１０が好ましく、炭素原子数３～５がより好ましい。具体例としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられる。中でも、イソプロピル基が好ましい。

　Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３における直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基等が挙げられる。Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３における直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、脂肪族炭化水素鎖を構成するメチレン基の一部が、ヘテロ原子含有基で置換されていてもよい。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が挙げられる。前記ヘテロ原子含有基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。

　Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３における環状の炭化水素基は、環状の脂肪族炭化水素基でもよく、芳香族炭化水素基でもよい。Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３における環状の炭化水素基は、多環式基でもよく、単環式基でもよい。

　環状の脂肪族炭化水素基としては、環状のアルキル基（シクロアルキル基）が挙げられる。前記環状のアルキル基は、単環式基でもよく、多環式基でもよい。前記環状のアルキル基としては、炭素原子数３～１５の環状のアルキル基が挙げられる。前記環状のアルキル基は、炭素原子数３～１２が好ましく、炭素原子数３～１０がより好ましく、炭素原子数３～６がさらに好ましく、炭素原子数５又は６が特に好ましい。
　単環式のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等が挙げられる。
　多環式のシクロアルキル基としては、ビシクロ［２．２．２］オクタニル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、トリシクロ［３．３．１．１３，７］デカニル基、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカニル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。

　Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。前記芳香環は、炭素原子数５～３０が好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。
　芳香環として、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
　前記芳香族炭化水素基としては、前記Ｒａ^０２１における芳香環を含む炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。

　Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３における環状の炭化水素基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。

　Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３が互いに結合して形成する環としては、前記環状の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は互いに結合して環としては、単環式又は多環式の脂肪族炭化水素基が好ましく、単環式の脂肪族炭化水素基がより好ましい。

　Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３が互いに結合して環を形成する場合、一般式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基としては、下記一般式（ａ０３－ｒ２－１）で表される酸解離性基が挙げられる。
　Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３が互いに結合せず、独立した炭化水素基である場合、一般式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基としては、下記一般式（ａ０３－ｒ２－２）で表される酸解離性基が挙げられる。

［式（ａ０３－ｒ２－１）中、Ｙａａ^０２は炭素原子である。Ｘａａ^０２は、Ｙａａ^０２と共に脂肪族環式基を形成する基である。Ｒａ^０２４は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
　式（ａ０３－ｒ２－２）中、Ｒａ^０２５及びＲａ^０２６は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であり、Ｒａ^０２７は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
　＊は結合手を表す。］

　前記式（ａ０３－ｒ２－１）中、Ｙａａ^０２は炭素原子である。

　前記式（ａ０３－ｒ２－１）中、Ｘａａ^０２は、Ｙａａ^０２と共に脂肪族環式基を形成する基である。Ｘａａ^０２がＹａａ^０２と共に形成する脂肪族環式基としては、前記式（ａ０３－ｒ１－１）におけるＸａａ^０１がＹａａ^０１と共に脂肪族環式基を形成する基として挙げたものと同様のものが挙げられる。中でも、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基が好ましい。

　前記式（ａ０３－ｒ２－１）中、Ｒａ^０２４は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。前記芳香族炭化水素基としては、炭素原子数５～３０の芳香族炭化水素環から水素原子１個を除いた基が挙げられる。中でも、Ｒａ^０２４は、炭素原子数６～１５の芳香族炭化水素環から水素原子１個を除いた基が好ましく、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン又はフェナントレンから水素原子１個を除いた基がより好ましく、ベンゼン、ナフタレン又はアントラセンから水素原子１個を除いた基がさらに好ましく、ベンゼン又はナフタレンから水素原子１個を除いた基（フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基）が特に好ましく、ベンゼンから水素原子１個を除いた基（フェニル基）が最も好ましい。
　Ｒａ^０２４がナフチル基である場合、Ｙａａ^０２と結合する位置は、ナフチル基の１位又は２位のいずれであってもよい。Ｒａ^０２４がアントリル基である場合、Ｙａａ^０２と結合する位置は、アントリル基の１位、２位又は９位のいずれであってもよい。

　Ｒａ^０２４における芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。

　前記式（ａ０３－ｒ２－２）中、Ｒａ^０２5及びＲａ^０２6は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。Ｒａ^０２5及びＲａ^０２6としては、前記式（ａ０３－ｒ１－２）中のＲａ^０１５及びＲａ^０１６と同様のものが挙げられる。
　Ｒａ^０２5及びＲａ^０２6としては、炭素原子数１～５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数１～３の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、エチル基又はメチル基がさらに好ましい。

　前記式（ａ０３－ｒ２－２）中、Ｒａ^０２7は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。Ｒａ^０２7としては、Ｒａ^０２４と同様のものが挙げられる。中でも、Ｒａ^０２7は、炭素原子数６～１５の芳香族炭化水素環から水素原子１個を除いた基が好ましく、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン又はフェナントレンから水素原子１個を除いた基がより好ましく、ベンゼン、ナフタレン又はアントラセンから水素原子１個を除いた基がさらに好ましく、ベンゼン又はナフタレンから水素原子１個を除いた基（フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基）が特に好ましい。

　Ｒａ^０２7がナフチル基である場合、前記式（ａ０３－ｒ２－２）中の第３級炭素原子と結合する位置は、ナフチル基の１位又は２位のいずれであってもよい。
　Ｒａ^０２7がアントリル基である場合、前記式（ａ０３－ｒ２－２）中の第３級炭素原子と結合する位置は、アントリル基の１位、２位又は９位のいずれであってもよい。

　前記式（ａ０３－ｒ２－１）で表される酸解離性基の具体例としては、前記式（ｒ－ｐｒ－ｓａ１）～（ｒ－ｐｒ－ｓａ９）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｍａ１）～（ｒ－ｐｒ－ｍａ２）のいずれかで表される酸解離性基が挙げられる。

　前記式（ａ０３－ｒ２－２）で表される酸解離性基の具体例としては、前記式（ｒ－ｐｒ－ｃｍ５）～（ｒ－ｐｒ－ｃｍ８）、及び前記式（ｒ－ｐｒ－ｃｓ４）～（ｒ－ｐｒ－ｃｓ５）のいずれかで表される酸解離性基が挙げられる。

　構成単位（ａ０３２）としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、アクリルアミドから誘導される構成単位、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＨにおける水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位等が挙げられる。

　構成単位（ａ０３２）としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
　構成単位（ａ０３２）としては、下記一般式（ａ０３２－１）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｖａ^０２は、エーテル結合を有していてもよい２価の炭化水素基である。ｎ_ａ０２は、０～２の整数である。Ｒｚ^０２は、前記一般式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基である。］

　前記式（ａ０３２－１）中、Ｒは、前記式（ａ０１－１－１）中のＲと同様である。

　前記式（ａ０３２－１）中、Ｖａ^０２における２価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。Ｖａ^０２は、前記式（ａ０３１－１）中のＶａ^０１と同様である。

　前記式（ａ０３２－１）中、ｎ_ａ０２は、０～２の整数である。ｎ_ａ０２は、０又は１が好ましく、０がより好ましい。

　前記式（ａ０３２－１）中、Ｒｚ^０２は、前記式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基である。

　以下に前記式（ａ０３２－１）で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。

　構成単位（ａ０３２）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０３２）の割合は、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、５～７０モル％が好ましく、１０～６０モル％がより好ましく、１５～５０モル％がさらに好ましく、１５～４０モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ０３２）の割合が前記の好ましい範囲の下限値以上であると、感度が向上する。一方、構成単位（ａ０３２）の割合が前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　構成単位（ａ０３１）と構成単位（ａ０３２）とのモル比（構成単位（ａ０３１）：構成単位（ａ０３２））は、２０：８０～８０：２０が好ましく、３０：７０～７０：３０がより好ましく、４０：６０～６０：４０がさらに好ましく、５０：５０～６０：４０が特に好ましい。
　構成単位（ａ０３１）と構成単位（ａ０３２）とのモル比が前記好ましい範囲内であると、感度、ラフネス、及びパターン形状のいずれも良好となりやすい。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０３１）及び構成単位（ａ０３２）の合計の割合は、前記（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。

　≪その他構成単位≫
　（Ａ１）成分は、上述した構成単位（ａ０３１）及び構成単位（ａ０３２）に加え、必要に応じてその他構成単位を有してもよい。
　その他構成単位としては、例えば、前記式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基及び前記式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基以外の酸解離性基を含む構成単位（ａ１）；上述の構成単位（ａ２）；上述の構成単位（ａ３）；上述の構成単位（ａ４）；上述の構成単位（ａ１０）；上述の構成単位（ｓｔ）などが挙げられる。

　＜構成単位（ａ１）＞
　構成単位（ａ１）は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（但し、構成単位（ａ０３１）及び構成単位（ａ０３２）に該当するものを除く）である。

　第３級アルキルエステル型酸解離性基としては、例えば、前記一般式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基（前記式（ａ０３－ｒ１）又は（ａ０３－ｒ２）で表されるものを除く）が挙げられる。

　前記式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基としては、前記一般式（ａ１－ｒ２－２）で表される基が挙げられる。

　構成単位（ａ１）の好ましい具体例としては、前記一般式（ａ１－１）又は（ａ１－２）で表される構成単位が挙げられる。
　前記式（ａ１－１）中、Ｒａ^１における前記式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基としては、前記一般式（ａ１－ｒ２－４）で表される基が好適に挙げられる。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ１）の割合は、該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、０～５０モル％が好ましく、０～４０モル％がより好ましく、０～３０モル％がさらに好ましく、０～６０モル％が特に好ましい。
　（Ａ１）成分は、構成単位（ａ１）を有しないことが好ましい。

　（Ａ１）成分中の構成単位（ａ０３１）、構成単位（ａ０３２）、及び構成単位（ａ１）の合計の割合は、前記（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。

　構成単位（ａ２）について：
　（Ａ１）成分は、さらに、ラクトン含有環式基、－ＳＯ_２－含有環式基又はカーボネート含有環式基を含む構成単位（ａ２）（但し、構成単位（ａ１）に該当するものを除く）を有してもよい。
　構成単位（ａ２）についての説明は、第１の態様における構成単位（ａ２）についての説明と同じである。
　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ２）を有する場合、構成単位（ａ２）の割合は、当該（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、５～６０モル％であることが好ましく、１０～６０モル％であることがより好ましく、２０～６０モル％であることがさらに好ましく、３０～６０モル％が特に好ましい。
　構成単位（ａ２）の割合を好ましい下限値以上とすると、前述した効果によって、構成単位（ａ２）を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下であると、他の構成単位とのバランスを取ることができ、種々のリソグラフィー特性が良好となる。

　構成単位（ａ３）について：
　（Ａ１）成分は、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位（ａ３）（但し、構成単位（ａ１）又は構成単位（ａ２）に該当するものを除く）を有してもよい。
　　構成単位（ａ３）についての説明は、第１の態様における構成単位（ａ３）についての説明と同じである。

　（Ａ１）成分が有する構成単位（ａ１０）は、１種でもよく２種以上でもよい。
　（Ａ１）成分が構成単位（ａ１０）を有する場合、（Ａ１）成分中の構成単位（ａ１０）の割合は、（Ａ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、５～８０モル％であることが好ましく、５～７０モル％がより好ましく、１０～６０モル％がさらに好ましい。
　構成単位（ａ１０）の割合を前記好ましい下限値以上であると、感度がより高められやすくなる。構成単位（ａ１０）の割合を前記好ましい上限値以下であると、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

　（Ａ１）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　（Ａ１）成分としては、構成単位（ａ０３１）及び構成単位（ａ０３２）の繰り返し構造を有する高分子化合物が挙げられ、（Ａ１）成分は、構成単位（ａ０３１）、構成単位（ａ０３２）、及び構成単位（ａ１０）の繰り返し構造を有する高分子化合物が好ましい。
　中でも、（Ａ１）成分としては、構成単位（ａ０３１）と構成単位（ａ０３２）との繰り返し構造からなる高分子化合物；構成単位（ａ０３１）と構成単位（ａ０３２）と構成単位（ａ１０）との繰り返し構造からなる高分子化合物がより好ましい。

　構成単位（ａ０３１）と構成単位（ａ０３２）との繰り返し構造を有する高分子化合物において、構成単位（ａ０３１）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、４０～７０モル％が特に好ましい。
　前記高分子化合物中の構成単位（ａ０３２）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％がさらに好ましく、３０～６０モル％が特に好ましい。

　構成単位（ａ０３１）と構成単位（ａ０３２）と構成単位（ａ１０）との繰り返し構造を有する高分子化合物において、構成単位（ａ０３１）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～７０モル％が好ましく、１５～６０モル％がより好ましく、２０～５０モル％がさらに好ましく、２５～４５モル％が特に好ましい。
　前記高分子化合物中の構成単位（ａ０３２）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、５～６０モル％が好ましく、１０～５０モル％がより好ましく、１５～４０モル％がさらに好ましく、１５～３０モル％が特に好ましい。
　前記高分子化合物中の構成単位（ａ１０）の割合は、前記高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～８５モル％であることが好ましく、２０～８０モル％であることがより好ましく、３０～７０モル％であることがさらに好ましく、４０～６０モル％が特に好ましい。

　（Ａ１）成分は、構成単位（ａ０３１）と、構成単位（ａ０３２）と、構成単位（ａ１０）との繰り返し構造を有する高分子化合物であって、
　構成単位（ａ０３１）の割合が、好ましくは１０～７０モル％であり、より好ましくは１５～６０モル％であり、さらに好ましくは２０～５０モル％であり、特に好ましくは２５～４０モル％であり、
　構成単位（ａ０３２）の割合が、好ましくは５～６０モル％であり、より好ましくは１０～５０モル％であり、さらに好ましくは１５～４０モル％であり、特に好ましくは１５～３０モル％であり、
　構成単位（ａ１０）の割合が、好ましくは１０～８５モル％であり、より好ましくは２０～８０モル％であり、さらに好ましくは３０～７０モル％であり、特に好ましくは４０～６０モル％であり、かつ、
　構成単位（ａ０３１）と、構成単位（ａ０３２）とのモル比（構成単位（ａ０３１）：構成単位（ａ０３２））が、好ましくは２０：８０～８０：２０であり、より好ましくは３０：７０～７０：３０であり、さらに好ましくは４０：６０～６０：４０であり、特に好ましくは５０：５０～６０：４０であることが好ましい。

　（Ａ１）成分は、構成単位（ａ０３１）と、構成単位（ａ０３２）と、構成単位（ａ１０）との繰り返し構造からなる共重合体であって、
　構成単位（ａ０３１）の割合が、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、２５～４０モル％であり、
　構成単位（ａ０３２）の割合が、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１５～３０モル％であり、
　構成単位（ａ１０）の割合が、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、４０～６０モル％であり、
　構成単位（ａ０３１）及び（ａ０３２）の合計の割合が、該高分子化合物を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、４０～６０モル％であり、
　構成単位（ａ０３１）と、構成単位（ａ０３２）とのモル比（構成単位（ａ０３１）：構成単位（ａ０３２））が、５０：５０～６０：４０であることがより好ましい。

　本実施形態のレジスト組成物において、（Ｂ０）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。
　本実施形態のレジスト組成物中、（Ｂ０）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、５～４０質量部であることが好ましく、１０～４０質量部であることがより好ましく、１５～４０質量部であることがさらに好ましく、２０～３５質量部であることが特に好ましい。
　（Ｂ０）成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、レジストパターン形成において、感度、ＬＷＲ（ラインワイズラフネス）低減、パターン形状等のリソグラフィー特性がより向上する。一方、好ましい範囲の上限値以下であると、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られやすく、レジスト組成物としての保存安定性がより高まる。

　本実施形態のレジスト組成物における（Ｂ）成分は、上述した（Ｂ０）成分以外の酸発生剤成分（Ｂ１）（（Ｂ１）成分）を含有してもよい。（Ｂ１）成分についての説明は、第１の態様における（Ｂ１）成分についての説明と同じである。
　本実施形態のレジスト組成物は、（Ｂ１）成分を含有しないことが好ましい。

　≪有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種の化合物（Ｅ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は上述の化合物（Ｅ）（（Ｅ）成分）を含有してもよい。
　（Ｅ）成分についての説明は、第１の態様における（Ｅ）成分についての説明と同じである。

　≪有機溶剤成分（Ｓ）≫
　本実施形態のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤成分（Ｓ）成分）に溶解させて製造することができる。
　（Ｓ）成分についての説明は、第１の態様における（Ｓ）成分についての説明と同じである。

　以上説明した本実施形態のレジスト組成物は、構成単位（ａ０３１）と構成単位（ａ０３２）とを有する樹脂成分（Ａ１）と、化合物（Ｂ０）（（Ｂ０）成分）とを含有する。従来のレジスト組成物では、感度、ラフネス、及びパターン形状は、トレードオフの関係にあり、いずれかの特性が改善すると、他の特性が劣化するという傾向があった。しかしながら、本実施形態のレジスト組成物では、前記トレードオフの関係を脱却し、感度、ラフネス、及びパターン形状のいずれも良好に維持することができる。本実施形態のレジスト組成物において、感度、ラフネス、及びパターン形状がいずれも良好に維持される理由は、以下のように推測される。
　（Ｂ０）成分は、アニオン部にヨウ素原子を含むことで、ＥＵＶ及びＥＢ等に対する感度が向上する。また、現像液に対する溶解性が適度に調整され、ラフネスの劣化が抑制される。
　構成単位（ａ０３２）は、芳香環を含む酸解離性基を有することで脱保護速度が速くなる。そのため、樹脂成分（Ａ１）が構成単位（ａ０３２）を有することで、感度が向上する。
　さらに、樹脂成分（Ａ１）が、構成単位（ａ０３１）を有することで、レジスト組成物にの均一性が改善し、樹脂成分（Ａ１）及び（Ｂ０）成分の溶媒に対する親和性が向上する。その結果、（Ｂ０）成分及び構成単位（ａ０３２）による感度の向上を維持しつつ、ラフネス及びパターン形状の劣化を抑制できる、と考えられる。

　（レジストパターン形成方法）
　本発明の第４の態様に係るレジストパターン形成方法は、支持体上に、上述した第１～第３の態様のいずれかに係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する方法である。
　かかるレジストパターン形成方法の一実施形態としては、例えば以下のようにして行うレジストパターン形成方法が挙げられる。

　まず、上述した実施形態のレジスト組成物を、支持体上にスピンナー等で塗布し、ベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））処理を、例えば８０～１５０℃の温度条件にて４０～１２０秒間、好ましくは６０～９０秒間施してレジスト膜を形成する。
　次に、該レジスト膜に対し、例えば電子線描画装置、ＡｒＦ露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスク（マスクパターン）を介した露光またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベーク（ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ））処理を、例えば８０～１５０℃の温度条件にて４０～１２０秒間、好ましくは６０～９０秒間施す。
　次に、前記レジスト膜を現像処理する。現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液（有機系現像液）を用いて行う。

　現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
　溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を、超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
　現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。
　このようにして、レジストパターンを形成することができる。

　支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等が挙げられる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
　また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および／または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）や、多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
　ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜（下層有機膜）と、少なくとも一層のレジスト膜（上層レジスト膜）とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
　多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法（２層レジスト法）と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層（金属薄膜等）を設けた三層以上の多層構造とする方法（３層レジスト法）と、に分けられる。

　露光に用いる波長は、特に限定されず、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極端紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、Ｘ線、軟Ｘ線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢまたはＥＵＶ用としての有用性が高く、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢまたはＥＵＶ用としての有用性がより高く、ＥＢまたはＥＵＶ用としての有用性が特に高い。すなわち、本実施形態のレジストパターン形成方法は、レジスト膜を露光する工程が、前記レジスト膜に、ＥＵＶ（極端紫外線）又はＥＢ（電子線）を露光する操作を含む場合に特に有用な方法である。

　レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光（ドライ露光）であってもよく、液浸露光（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）であってもよいが、液浸露光であることが好ましい。
　液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒（液浸媒体）で満たし、その状態で露光（浸漬露光）を行う露光方法である。
　液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ、露光されるレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
　空気の屈折率よりも大きく、かつ、前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
　フッ素系不活性液体の具体例としては、Ｃ_３ＨＣｌ_２Ｆ_５、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５、Ｃ_５Ｈ_３Ｆ_７等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が７０～１８０℃のものが好ましく、８０～１６０℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
　フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル化合物が好ましい。パーフルオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物、パーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
　さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ（２－ブチル－テトラヒドロフラン）（沸点１０２℃）を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン（沸点１７４℃）を挙げることができる。
　液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。

　アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば０．１～１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液が挙げられる。
　溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、（Ａ）成分（露光前の（Ａ）成分）を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤の中から適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、ニトリル系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
　ケトン系溶剤は、構造中にＣ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃを含む有機溶剤である。エステル系溶剤は、構造中にＣ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｃを含む有機溶剤である。アルコール系溶剤は、構造中にアルコール性水酸基を含む有機溶剤である。「アルコール性水酸基」は、脂肪族炭化水素基の炭素原子に結合した水酸基を意味する。ニトリル系溶剤は、構造中にニトリル基を含む有機溶剤である。アミド系溶剤は、構造中にアミド基を含む有機溶剤である。エーテル系溶剤は、構造中にＣ－Ｏ－Ｃを含む有機溶剤である。
　有機溶剤の中には、構造中に上記各溶剤を特徴づける官能基を複数種含む有機溶剤も存在するが、その場合は、当該有機溶剤が有する官能基を含むいずれの溶剤種にも該当するものとする。例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルは、上記分類中のアルコール系溶剤、エーテル系溶剤のいずれにも該当するものとする。
　炭化水素系溶剤は、ハロゲン化されていてもよい炭化水素からなり、ハロゲン原子以外の置換基を有さない炭化水素溶剤である。ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
　有機系現像液が含有する有機溶剤としては、上記の中でも、極性溶剤が好ましく、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、ニトリル系溶剤等が好ましい。

　ケトン系溶剤としては、例えば、１－オクタノン、２－オクタノン、１－ノナノン、２－ノナノン、アセトン、４－ヘプタノン、１－ヘキサノン、２－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカルビノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート、γ－ブチロラクトン、メチルアミルケトン（２－ヘプタノン）等が挙げられる。これらの中でも、ケトン系溶剤としては、メチルアミルケトン（２－ヘプタノン）が好ましい。

　エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、２－メトキシブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、４－メトキシブチルアセテート、３－メチル－３－メトキシブチルアセテート、３－エチル－３－メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、２－エトキシブチルアセテート、４－エトキシブチルアセテート、４－プロポキシブチルアセテート、２－メトキシペンチルアセテート、３－メトキシペンチルアセテート、４－メトキシペンチルアセテート、２－メチル－３－メトキシペンチルアセテート、３－メチル－３－メトキシペンチルアセテート、３－メチル－４－メトキシペンチルアセテート、４－メチル－４－メトキシペンチルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、２－ヒドロキシプロピオン酸メチル、２－ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル－３－メトキシプロピオネート、エチル－３－メトキシプロピオネート、エチル－３－エトキシプロピオネート、プロピル－３－メトキシプロピオネート等が挙げられる。これらの中でも、エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。

　ニトリル系溶剤としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、バレロニトリル、ブチロニトリル等が挙げられる。

　有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、例えばイオン性や非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤としては、非イオン性の界面活性剤が好ましく、非イオン性のフッ素系界面活性剤、又は非イオン性のシリコン系界面活性剤がより好ましい。
　界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常０．００１～５質量％であり、０．００５～２質量％が好ましく、０．０１～０．５質量％がより好ましい。

　現像処理は、公知の現像方法により実施することが可能であり、例えば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法（パドル法）、支持体表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法（ダイナミックディスペンス法）等が挙げられる。

　溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、例えば前記有機系現像液に用いる有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも１種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも１種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。
　リンス液に用いるアルコール系溶剤は、炭素原子数６～８の１価アルコールが好ましく、該１価アルコールは直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。具体的には、１－ヘキサノール、１－ヘプタノール、１－オクタノール、２－ヘキサノール、２－ヘプタノール、２－オクタノール、３－ヘキサノール、３－ヘプタノール、３－オクタノール、４－オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのなかでも、１－ヘキサノール、２－ヘプタノール、２－ヘキサノールが好ましく、１－ヘキサノール、２－ヘキサノールがより好ましい。
　これらの有機溶剤は、いずれか１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、上記以外の有機溶剤や水と混合して用いてもよい。但し、現像特性を考慮すると、リンス液中の水の配合量は、リンス液の全量に対し、３０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましく、３質量％以下が特に好ましい。
　リンス液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は、前記と同様のものが挙げられ、非イオン性の界面活性剤が好ましく、非イオン性のフッ素系界面活性剤、又は非イオン性のシリコン系界面活性剤がより好ましい。
　界面活性剤を配合する場合、その配合量は、リンス液の全量に対して、通常０．００１～５質量％であり、０．００５～２質量％が好ましく、０．０１～０．５質量％がより好ましい。

　リンス液を用いたリンス処理（洗浄処理）は、公知のリンス方法により実施できる。該リンス処理の方法としては、例えば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法（回転塗布法）、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、支持体表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。

　以上説明した本実施形態のレジストパターン形成方法によれば、上述したレジスト組成物が用いられているため、感度が良好で、且つラフネス及び露光マージン等のリソグラフィー特性が良好なレジストパターンを形成することができる。

　上述した実施形態のレジスト組成物、及び、上述した実施形態のレジストパターン形成方法において使用される各種材料（例えば、レジスト溶剤、現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、トップコート形成用組成物など）は、金属、ハロゲンを含む金属塩、酸、アルカリ、硫黄原子又はリン原子を含む成分等の不純物を含まないことが好ましい。
　ここで、金属原子を含む不純物としては、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｌｉ、またはこれらの塩などを挙げることができる。これら材料に含まれる不純物の含有量としては、２００ｐｐｂ以下が好ましく、１ｐｐｂ以下がより好ましく、１００ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｔｒｉｌｌｉｏｎ）以下がさらに好ましく、１０ｐｐｔ以下が特に好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が最も好ましい。

　以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

（第１態様のレジスト組成物）
　＜高分子化合物の製造＞
　高分子化合物（Ａ１－１１）～（Ａ１－１６）、及び（Ａ２－１１）～（Ａ２－１３）は、それぞれ、各高分子化合物を構成する構成単位を誘導するモノマーを、所定のモル比で用いて、ラジカル重合し、その後、脱保護反応を行うことにより得た。
　得られた各高分子化合物について、それぞれ、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を、ＧＰＣ測定（標準ポリスチレン換算）により求めた。
　得られた各高分子化合物について、共重合組成比（構造式中の各構成単位の割合（モル比））を、カーボン１３核磁気共鳴スペクトル（６００ＭＨｚ＿^１３Ｃ－ＮＭＲ）により求めた。

　高分子化合物（Ａ１－１１）：重量平均分子量（Ｍｗ）７０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ｌ／ｍ＝６０／４０。
　高分子化合物（Ａ１－１２）：重量平均分子量（Ｍｗ）６９００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６８、ｌ／ｍ＝６０／４０。
　高分子化合物（Ａ１－１３）：重量平均分子量（Ｍｗ）７２００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６９、ｌ／ｍ＝６０／４０。
　高分子化合物（Ａ１－１４）：重量平均分子量（Ｍｗ）６７００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７２、ｌ／ｍ＝６０／４０。
　高分子化合物（Ａ１－１５）：重量平均分子量（Ｍｗ）６８００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７１、ｌ／ｍ＝６０／４０。
　高分子化合物（Ａ１－１６）：重量平均分子量（Ｍｗ）７１００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６１、ｌ／ｍ＝６０／４０。

　高分子化合物（Ａ２－１１）：重量平均分子量（Ｍｗ）７５００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６８、ｌ／ｍ＝６０／４０。
　高分子化合物（Ａ２－１２）：重量平均分子量（Ｍｗ）６７００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７１、ｌ／ｍ＝６０／４０。
　高分子化合物（Ａ２－１３）：重量平均分子量（Ｍｗ）７０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６１、ｌ／ｍ＝６０／４０。

　＜レジスト組成物の調製＞
　（実施例１－１～１－１６、比較例１－１～１－５）
　表１及び表２に示す各成分を混合して溶解し、各例のレジスト組成物をそれぞれ調製した。

　表１及び表２中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［　］内の数値は配合量（質量部）である。
　（Ａ１）－１１～（Ａ１）－１６：上記の高分子化合物（Ａ１－１１）～（Ａ１－１６）。
　（Ａ２）－１１～（Ａ２）－１３：上記の高分子化合物（Ａ２－１１）～（Ａ２－１３）。
　（Ｂ０）－１１～（Ｂ０）－１１１：下記化学式（Ｂ０－１１）～（Ｂ０－１１１）でそれぞれ表される化合物からなる酸発生剤。

　（Ｂ１）－１１～（Ｂ１）－１２：下記化学式（Ｂ１－１１）～（Ｂ１－１２）でそれぞれ表される化合物からなる酸発生剤。
　（Ｄ）－１：下記化学式（Ｄ－１）で表される化合物からなる酸拡散制御剤。
　（Ｓ）－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノメチルエーテル＝６０／４０（質量比）の混合溶剤。

　＜レジストパターンの形成＞
　ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した８インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、温度１１０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、乾燥することにより、膜厚３０ｎｍのレジスト膜を形成した。
　次に、前記レジスト膜に対し、電子線描画装置ＪＥＯＬ　ＪＢＸ－９３００ＦＳ（日本電子株式会社製）を用い、加速電圧１００ｋＶにて、ターゲットサイズをライン幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターン（以下「ＬＳパターン」）とする描画（露光）を行った。その後、１１０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行った。
　次いで、２３℃にて、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ－３」（商品名、東京応化工業株式会社製）を用いて、６０秒間のアルカリ現像を行った。
　その後、純水を用いて１５秒間水リンスを行った。
　その結果、ライン幅５０ｎｍの１：１のＬＳパターンが形成された。

　［最適露光量（Ｅｏｐ）の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞によってターゲットサイズのＬＳパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ^２）を求めた。これを「Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ^２）」として表３及び表４に示した。

　［ＬＷＲ（ラインワイズラフネス）の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞で形成したＬＳパターンについて、ＬＷＲを示す尺度である３σを求めた。これを「ＬＷＲ（ｎｍ）」として表３及び表４に示した。
　「３σ」は、走査型電子顕微鏡（加速電圧８００Ｖ、商品名：Ｓ－９３８０、日立ハイテクノロジーズ社製）により、ラインの長手方向にラインポジションを４００箇所測定し、その測定結果から求めた標準偏差（σ）の３倍値（３σ）（単位：ｎｍ）を示す。
　該３σの値が小さいほど、ライン側壁のラフネスが小さく、より均一な幅のＬＳパターンが得られたことを意味する。

　［露光マージンの評価］
　上記の方法で求めた最適露光量Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ^２）より照射量を減らしていき、スペース寸法が小さくなるようにした際に、スカムやブリッジ等の不良が発生せずパターンを形成することができる最小露光量をＥ０とした。一方で、上記最適露光量Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ^２）より照射量を増やしていき、スペース寸法が大きくなるようにした際に、倒れや断線等の不良が発生せずパターンを形成することができる最大露光量をＥ１とした。最小露光量Ｅ０と最大露光量Ｅ１との比（Ｅ１／Ｅ０）を「露光マージン」として、表３及び表４に示した。この露光マージンの値が大きいほど照射量が変動してもパターンを形成することができる性能が高いことを意味する。

　表３及び表４に示す通り、実施例１－１～１－１６のレジスト組成物は、感度が高く、ＬＷＲ及び露光マージンのいずれも良好なレジストパターンを形成できるが確認できた。一方、比較例１－１～１－５のレジスト組成物は、感度、ＬＷＲ，および露光マージンのいずれか１以上の特性が悪化した。

（第２態様のレジスト組成物）
　＜高分子化合物の製造＞
　高分子化合物（Ａ１－２１）～（Ａ１－２１４）、及び（Ａ２－２１）～（Ａ２－２２）は、それぞれ、各高分子化合物を構成する構成単位を誘導するモノマーを、所定のモル比で用いて、ラジカル重合し、その後、脱保護反応を行うことにより得た。
　得られた各高分子化合物について、それぞれ、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を、ＧＰＣ測定（標準ポリスチレン換算）により求めた。
　得られた各高分子化合物について、共重合組成比（構造式中の各構成単位の割合（モル比））を、カーボン１３核磁気共鳴スペクトル（６００ＭＨｚ＿^１３Ｃ－ＮＭＲ）により求めた。

　高分子化合物（Ａ１－２１）：重量平均分子量（Ｍｗ）４９００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７１、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ１－２２）：重量平均分子量（Ｍｗ）４９００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６９、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ１－２３）：重量平均分子量（Ｍｗ）５０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ１－２４）：重量平均分子量（Ｍｗ）５０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７１、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ１－２５）：重量平均分子量（Ｍｗ）４８００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６９、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ１－２６）：重量平均分子量（Ｍｗ）４９００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ｌ／ｍ＝７０／３０。
　高分子化合物（Ａ１－２７）：重量平均分子量（Ｍｗ）４９００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６９、ｌ／ｍ＝３０／７０。
　高分子化合物（Ａ１－２８）：重量平均分子量（Ｍｗ）５０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ｌ／ｍ＝６０／４０。
　高分子化合物（Ａ１－２９）：重量平均分子量（Ｍｗ）４９００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７１、ｌ／ｍ＝４０／６０。
　高分子化合物（Ａ１－２１０）：重量平均分子量（Ｍｗ）３０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６９、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ１－２１１）：重量平均分子量（Ｍｗ）８０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７１、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ１－２１２）：重量平均分子量（Ｍｗ）５１００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ１－２１３）：重量平均分子量（Ｍｗ）５１００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７３、ｌ／ｍ／ｎ＝４０／５０／１０。
　高分子化合物（Ａ１－２１４）：重量平均分子量（Ｍｗ）５１００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７２、ｌ／ｍ／ｎ＝４０／４０／２０。

　高分子化合物（Ａ２－２１）：重量平均分子量（Ｍｗ）５０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６８、ｌ／ｍ＝５０／５０。
　高分子化合物（Ａ２－２２）：重量平均分子量（Ｍｗ）５０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７２、ｌ／ｍ／ｎ＝４０／２０／４０。

　＜レジスト組成物の調製＞
　（実施例２－１～２－２２、比較例２－１～２－３）
　表５～表７に示す各成分を混合して溶解し、各例のレジスト組成物をそれぞれ調製した。

　表５～７中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［　］内の数値は配合量（質量部）である。
　（Ａ１）－２１～（Ａ１）－２１４：上記の高分子化合物（Ａ１－２１）～（Ａ１－２１４）。
　（Ａ２）－２１～（Ａ２）－２２：上記の高分子化合物（Ａ２－２１）～（Ａ２－２２）。
　（Ｂ０）－２１～（Ｂ０）－２９：下記化学式（Ｂ０－２１）～（Ｂ０－２９）でそれぞれ表される化合物からなる酸発生剤。

　（Ｂ１）－２１：下記化学式（Ｂ１－２１）で表される化合物からなる酸発生剤。
　（Ｄ）－１：下記化学式（Ｄ－１）で表される化合物からなる酸拡散制御剤。
　（Ｓ）－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノメチルエーテル＝６０／４０（質量比）の混合溶剤。

　＜レジストパターンの形成＞
　ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した８インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、温度１１０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、乾燥することにより、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
　次に、前記レジスト膜に対し、電子線描画装置ＪＥＯＬ　ＪＢＸ－９３００ＦＳ（日本電子株式会社製）を用い、加速電圧１００ｋＶにて、ターゲットサイズをライン幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターン（以下「ＬＳパターン」）とする描画（露光）を行った。その後、１００℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行った。
　次いで、２３℃にて、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ－３」（商品名、東京応化工業株式会社製）を用いて、６０秒間のアルカリ現像を行った。
　その後、純水を用いて１５秒間水リンスを行った。
　その結果、ライン幅５０ｎｍの１：１のＬＳパターンが形成された。

　［最適露光量（Ｅｏｐ）の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞によってターゲットサイズのＬＳパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ^２）を求めた。これを「Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ^２）」として表８～表１０に示した。

　［ＬＷＲ（ラインワイズラフネス）の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞で形成したＬＳパターンについて、上記（第１の態様のレジスト組成物の実施例）と同様の方法で、ＬＷＲを示す尺度である３σを求めた。これを「ＬＷＲ（ｎｍ）」として表８～１０に示した。

　［解像性の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞によってターゲットサイズのＬＳパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐから露光量を少しずつ増大させてＬＳパターンを形成していく際に、倒れずに解像するパターンの最小寸法を、走査型電子顕微鏡Ｓ－９３８０（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて求めた。これを「解像性（ｎｍ）」として表８～１０に示す。

　表８～表１０に示す通り、実施例２－１～２－２２のレジスト組成物は、比較例１～３のレジスト組成物と比較して、感度が高く、ＬＷＲ及び解像度のいずれも良好なレジストパターンを形成できるが確認できた。

（第３態様のレジスト組成物の実施例）
　＜高分子化合物の製造＞
　高分子化合物（Ａ１－３１）～（Ａ１－３７）、及び（Ａ２－３１）～（Ａ２－３６）は、それぞれ、各高分子化合物を構成する構成単位を誘導するモノマーを、所定のモル比で用いて、ラジカル重合し、その後、脱保護反応を行うことにより得た。
　得られた各高分子化合物について、それぞれ、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を、ＧＰＣ測定（標準ポリスチレン換算）により求めた。
　得られた各高分子化合物について、共重合組成比（構造式中の各構成単位の割合（モル比））を、カーボン１３核磁気共鳴スペクトル（６００ＭＨｚ＿^１３Ｃ－ＮＭＲ）により求めた。

　高分子化合物（Ａ１－３１）：重量平均分子量（Ｍｗ）７０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７１、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ１－３２）：重量平均分子量（Ｍｗ）７０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６６、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ１－３３）：重量平均分子量（Ｍｗ）６７００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６９、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ１－３４）：重量平均分子量（Ｍｗ）６８００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６８、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ１－３５）：重量平均分子量（Ｍｗ）７１００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ１－３６）：重量平均分子量（Ｍｗ）７２００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ１－３７）：重量平均分子量（Ｍｗ）７５００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６２、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。

　高分子化合物（Ａ２－３１）：重量平均分子量（Ｍｗ）６７００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６８、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ２－３２）：重量平均分子量（Ｍｗ）７３００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７２、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ２－３３）：重量平均分子量（Ｍｗ）７２００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７３、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ２－３４）：重量平均分子量（Ｍｗ）６８００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６８、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ２－３５）：重量平均分子量（Ｍｗ）７０００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７２、ｌ／ｍ／ｎ＝５０／３０／２０。
　高分子化合物（Ａ２－３６）：重量平均分子量（Ｍｗ）６４００、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７７、ｌ／ｍ＝５０／５０。

　＜レジスト組成物の調製＞
　（実施例３－１～３－１６、比較例３－１～３－８）
　表１１及び表１２に示す各成分を混合して溶解し、各例のレジスト組成物をそれぞれ調製した。

　表１１及び表１２中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［　］内の数値は配合量（質量部）である。
　（Ａ１）－３１～（Ａ１）－３７：上記の高分子化合物（Ａ１－３１）～（Ａ１－３７）。
　（Ａ２）－３１～（Ａ２）－３５：上記の高分子化合物（Ａ２－３１）～（Ａ２－３５）。
　（Ｂ０）－３１～（Ｂ０）－３６：下記化学式（Ｂ０－３１）～（Ｂ０－３６）でそれぞれ表される化合物からなる酸発生剤。

　（Ｂ１）－３１：下記化学式（Ｂ１－３１）で表される化合物からなる酸発生剤。
　（Ｄ）－１：下記化学式（Ｄ－１）で表される化合物からなる酸拡散制御剤。
　（Ｓ）－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／プロピレングリコールモノメチルエーテル＝６０／４０（質量比）の混合溶剤。

　＜レジストパターンの形成＞
　ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理を施した８インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、温度１１０℃で６０秒間のプレベーク（ＰＡＢ）処理を行い、乾燥することにより、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
　次に、前記レジスト膜に対し、電子線描画装置ＪＥＯＬ　ＪＢＸ－９３００ＦＳ（日本電子株式会社製）を用い、加速電圧１００ｋＶにて、ターゲットサイズをライン幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターン（以下「ＬＳパターン」）とする描画（露光）を行った。その後、１１０℃で６０秒間の露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行った。
　次いで、２３℃にて、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液「ＮＭＤ－３」（商品名、東京応化工業株式会社製）を用いて、６０秒間のアルカリ現像を行った。
　その後、純水を用いて１５秒間水リンスを行った。
　その結果、ライン幅５０ｎｍの１：１のＬＳパターンが形成された。

　［最適露光量（Ｅｏｐ）の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞によってターゲットサイズのＬＳパターンが形成される最適露光量Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ^２）を求めた。これを「Ｅｏｐ（μＣ／ｃｍ^２）」として表１３及び表１４に示した。

　［ＬＷＲ（ラインワイズラフネス）の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞で形成したＬＳパターンについて、上記（第１の態様のレジスト組成物の実施例）と同様の方法で、ＬＷＲを示す尺度である３σを求めた。これを「ＬＷＲ（ｎｍ）」として表１３及び表１４に示した。

　［パターン形状の評価］
　上記＜レジストパターンの形成＞によって形成されたＬＳパターンの形状を、測長ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡、加速電圧８００Ｖ、商品名：ＳＵ－８０００、日立ハイテクノロジー社製）により観察し、その結果を「形状」として表１３及び１４に示した。

　表１３及び表１４に示す通り、実施例３－１～３－１６のレジスト組成物は、感度、ＬＷＲ、及びパターン形状のいずれも良好なレジストパターンを形成できるが確認できた。一方、比較例３－１～３－８では、感度、ＬＷＲ、及びパターン形状のいずれかが劣っていた。

　より具体的には、実施例３－１～３－６、３－１６のレジスト組成物と、比較例３－１～３－５、３－８のレジスト組成物とを比較すると、構成単位（ａ０３１）を有しない高分子化合物（Ａ２－３１）及び（Ａ２－３３）を用いた比較例３－１及び比較例３－３のレジスト組成物では、ＬＷＲ及びパターン形状が悪化した。構成単位（ａ０３２）を有しない高分子化合物（Ａ２－３２）、（Ａ２－３４）～（Ａ２－３６）をそれぞれ用いた比較例３－２、３－４、３－５、及び３－８のレジスト組成物では、感度が悪化した。
　実施例３－４、３－６、３－７～３－１５のレジスト組成物と、比較例６、７のレジスト組成物とを比較すると、化合物（Ｂ０）に該当しない化合物（Ｂ１－３１）からなる酸発生剤を含有する比較例３－６、３－７のレジスト組成物では、感度が悪化した。

　以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれら実施例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。本発明は前述した説明によって限定されることはなく、添付のクレームの範囲によってのみ限定される。

Claims

　露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
　酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）と、
　露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、を含有し、
　前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０１）を有し、
　前記酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を含む、
　レジスト組成物。

［式中、Ｒａ^０１及びＲａ^０２は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基であり、Ｒａ^０１及びＲａ^０２は互いに結合して脂環式基を形成してもよく、前記脂環式基は、環骨格中に酸素原子又は硫黄原子を含んでもよく、前記脂環式基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されてもよい。Ｒａ^０３～Ｒａ^０５は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基であり、Ｒａ^０３～Ｒａ^０５の２つ以上が互いに結合して脂環式基を形成してもよく、前記脂環式基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されてもよい。＊は結合手を表す。］

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｙｂ^０は、２価の連結基又は単結合である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。］
　前記化合物（Ｂ０）は、下記一般式（ｂ０－１）で表される化合物（Ｂ０１）を含む、請求項１に記載のレジスト組成物。

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｌ^０１及びＬ^０２は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｎ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ））－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－である。Ｒ^ａは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。ｚは、０～１０の整数である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。］
　前記構成単位（ａ０１）が、下記一般式（ａ０１－１）で表される化合物から誘導される構成単位である、請求項１に記載のレジスト組成物。

［式中、Ｗ^０は重合性基含有基である。Ｒａ^０は、前記一般式（ａ０１－ｒ）で表される酸解離性基である。］
　露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
　酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）と、
　露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、を含有し、
　前記樹脂成分（Ａ１）は、酸解離性基を含むラクトン含有環式基、酸解離性基を含む－ＳＯ_２－含有環式基、又は酸解離性基を含むカーボネート含有環式基を含む構成単位（ａ０２）を有し、
　前記酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を含む、
　レジスト組成物。

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｙｂ^０は、２価の連結基又は単結合である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。］
　前記化合物（Ｂ０）は、下記一般式（ｂ０－１）で表される化合物（Ｂ０１）を含む、請求項４に記載のレジスト組成物。

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｌ^０１及びＬ^０２は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｎ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ））－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－である。Ｒ^ａは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。ｚは、０～１０の整数である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。］
　前記構成単位（ａ０２）が、下記一般式（ａ０２－ｒ１－１）又は（ａ０２－ｒ１－２）で表されるラクトン含有環式基を含む、請求項４に記載のレジスト組成物。

［式中、Ｘａ^０は、それぞれ独立に、酸解離性基を含む基である。Ｙａ^０１は、単結合、又は炭素原子数ｎ^０１個の直鎖状のアルキレン基であり、ｎ^０１は１又は２である。Ｒｙ^０１は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、－ＣＯＯＲ^０”、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ^０”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Ｒ^０”は、水素原子、アルキル基、ラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は－ＳＯ_２－含有環式基である。Ａ^０１は、酸素原子、硫黄原子、又は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでもよい炭素原子数１～５のアルキレン基である。ｐ^０１１は１～（３＋２ｎ^０１）の整数であり、ｑ^０１１は０～（２＋２ｎ^０１）の整数であり、ｐ^０１１＋ｑ^０１１≦３＋２ｎ^０１（Ｙａ^０１が単結合のときｎ^０１＝０とする）である。ｐ^０１２は１～７の整数であり、ｑ^０１２は０～６の整数であり、ｐ^０１２＋ｑ^０１２≦７である。＊は結合手である。］
　前記酸解離性基が、下記一般式（ａ１－ｒ－２）で表される酸解離性基である、請求項４に記載のレジスト組成物。

［式中、Ｒａ’^４～Ｒａ’^６は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基であり、Ｒａ’^５及びＲａ’^６は互いに結合して環を形成してもよい。＊は結合手である。］
　露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
　酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）と、
　露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、を含有し、
　前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０３１）と、下記一般式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基を含む構成単位（ａ０３２）と、を有し、
　前記酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ０）を含む、
　レジスト組成物。

［式（ａ０３－ｒ１）中、Ｒａ^０１１～Ｒａ^０１３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基であり、Ｒａ^０１２及びＲａ^０１３は互いに結合して環を形成してもよい。
　式（ａ０３－ｒ２）中、Ｒａ^０２１は、置換基を有してもよい、芳香環を含む炭化水素基であり、Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基であり、Ｒａ^０２２及びＲａ^０２３は互いに結合して環を形成してもよい。
　＊は結合手を表す。］

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｙｂ^０は、２価の連結基又は単結合である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。］
　前記化合物（Ｂ０）は、下記一般式（ｂ０－１）で表される化合物（Ｂ０１）を含む、請求項８に記載のレジスト組成物。

［式中、Ｘ^０は、臭素原子又はヨウ素原子である。Ｒ^ｍは、ヒドロキシ基、アルキル基、フッ素原子、又は、塩素原子である。ｎｂ１は、１～５の整数であり、ｎｂ２は、０～４の整数であり、１≦ｎｂ１＋ｎｂ２≦５である。Ｌ^０１及びＬ^０２は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＳＯ_２－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－、－Ｃ（Ｒ^ａ）（Ｎ（Ｒ^ａ）（Ｒ^ａ））－、又は－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ^ａ）－である。Ｒ^ａは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基である。ｚは、０～１０の整数である。Ｖｂ^０は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。Ｒ^０は、水素原子、炭素原子数１～５のフッ素化アルキル基又はフッ素原子である。Ｍ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオンを表す。ｍは１以上の整数である。］
　前記一般式（ａ０３－ｒ１）で表される酸解離性基が、下記一般式（ａ０３－ｒ１－１）又は下記一般式（ａ０３－ｒ１－２）で表される酸解離性基である、請求項８に記載のレジスト組成物。

［式（ａ０３－ｒ１－１）中、Ｙａａ^０１は炭素原子である。Ｘａａ^０１は、Ｙａａ^０１と共に脂肪族環式基を形成する基である。Ｒａ^０１４は、置換基を有してもよい、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基である。
　式（ａ０３－ｒ１－２）中、Ｒａ^０１５及びＲａ^０１６は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基である。Ｒａ^０１７は、置換基を有してもよい飽和脂肪族炭化水素基である。
　＊は結合手を表す。］
　前記一般式（ａ０３－ｒ２）で表される酸解離性基が、下記一般式（ａ０３－ｒ２－１）又は下記一般式（ａ０３－ｒ２－２）で表される酸解離性基である、請求項８に記載のレジスト組成物。

［式（ａ０３－ｒ２－１）中、Ｙａａ^０２は炭素原子である。Ｘａａ^０２は、Ｙａａ^０２と共に脂肪族環式基を形成する基である。Ｒａ^０２４は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
　式（ａ０３－ｒ２－２）中、Ｒａ^０２５及びＲａ^０２６は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であり、Ｒａ^０２７は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
　＊は結合手を表す。］
　支持体上に、請求項１～１１のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。