WO2022160317A1

WO2022160317A1 - 一种数据处理方法、装置及系统

Info

Publication number: WO2022160317A1
Application number: PCT/CN2021/074558
Authority: WO
Inventors: 王金伟; 陈林峰; 金加靖
Original assignee: 华为技术有限公司
Priority date: 2021-01-30
Filing date: 2021-01-30
Publication date: 2022-08-04
Also published as: CN116457885A

Abstract

一种数据处理方法、装置及系统，用以优化QLC闪存阵列的颗粒排布方式。其中方法包括：存储控制器检测QLC闪存阵列的历史数据的热度，根据该热度及QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配，配置为SLC模式的存储单元用于存储热数据，配置为QLC模式的存储单元用于存储冷数据。该方案能在不超过QLC闪存阵列的剩余空间的情况下使空间分配更加匹配当前的业务场景，以优化QLC闪存阵列中的颗粒排布方式，提高QLC闪存阵列对不同业务场景的通用性，保障业务处理效果和QLC闪存阵列的存储性能。

Description

一种数据处理方法、装置及系统

技术领域

本申请涉及计算机技术领域，尤其涉及一种数据处理方法、装置及系统。

背景技术

随着存储技术的不断发展，以快闪记忆体(NAND Flash)为存储介质的固态硬盘(solid state drive，SSD)逐渐成为主流存储形态。通常，SSD会包含多个NAND Flash颗粒。多个NAND Flash颗粒可以配置为单层式存储单元(single-level cell，SLC)模式或四层式存储单元(single-level cell，QLC)模式的单一形态，也可以配置为SLC模式与QLC模式的混合形态。混合形态下的SSD既能兼顾到QLC模式所具有的高存储密度与低成本的优点，又能结合SLC模式所具有的快写入速度与高刷写次数的优点，因此成为目前最常用的SSD配置方式。

现有技术中，在混合形态下的SSD中，SLC模式的NAND Flash颗粒与QLC模式的NAND Flash颗粒会由生产商在出厂SSD之前进行预配置，如将作为SLC模式的NAND Flash颗粒和作为QLC模式的NAND Flash颗粒各配置为50％。在这种情况下，一旦SSD出厂，SSD中作为SLC模式的NAND Flash颗粒与作为QLC模式的NAND Flash颗粒就无法再更改，导致SSD只能使用固定的SLC-QLC分配空间执行数据存储业务。然而，不同的业务场景可能会需要不同的SLC-QLC分配空间，现有技术中的这种固定分配方式显然无法满足不同业务场景的需求，导致SSD的通用性较差。更甚者，使用不合适的SLC-QLC分配空间执行数据存储业务，不仅会影响到数据存储业务的处理效果，还会影响到SSD自身的存储性能。

因此，如何针对SSD内的颗粒排布方式进行优化，以提高SSD的通用性，从而保障业务处理效果和SSD的存储性能，成为目前亟需解决的一个问题。

发明内容

本申请提供一种数据处理方法、装置及系统，通过使用QLC闪存阵列的历史数据的热度和剩余空间自适应地调整QLC闪存阵列中的SLC模式的存储单元与QLC模式的存储单元的空间分配，以便优化SSD内的颗粒排布方式，能提高SSD的通用性，保障业务处理效果和SSD的存储性能。

第一方面，本申请提供一种数据处理方法，该方法可以可由存储控制器实现，该存储控制器例如可以为SSD中的存储控制器。该方法可以包括：存储控制器检测QLC闪存阵列的历史数据的热度，根据历史数据的热度及QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为SLC模式的存储单元的空间分配。其中，QLC闪存阵列中配置为SLC模式的存储单元用于存储热数据，QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元用于存储冷数据。

在上述方案中，QLC闪存阵列的历史数据的热度能表征QLC闪存阵列当前所处的业务场景，而QLC闪存阵列的剩余空间能用于表征QLC闪存阵列的剩余能力，该方案基于QLC闪存阵列的历史数据的热度以及QLC闪存阵列的剩余空间调整SLC模式的存储单元与QLC模式的存储单元的空间分配，能在不超过QLC闪存阵列的剩余能力的情况下使空间分配更加匹配当前的业务场景，以提高QLC闪存阵列对不同业务场景的通用性，保障业务处理效果和QLC闪存阵列的存储性能。更进一步的，通过使用低擦写次数但低成本的QLC模式的存储单元服务于低写入频率的冷数据，使用高擦写次数的SLC模式的存储单元服务于高写入频率的冷数据，还能在充分利用各种模式的存储单元的性能的情况下，兼顾降低QLC闪存阵列的成本。其中，以SSD为例，SSD中的每个NAND Flash存储颗粒可以对应为QLC闪存阵列中的一个存储单元，通过调整配置为QLC模式的NAND Flash存储颗粒的数量与配置为SLC模式的NAND Flash存储颗粒的数量，还能优化SSD中的颗粒排布方式。

在一种可能的设计中，存储控制器可以通过如下任一方式检测QLC闪存阵列的历史数据的热度：

方式一，存储控制器可以将历史数据中具有热数据标签的历史数据作为热数据，之后综合历史数据的写入次数得到历史数据的总写入次数，综合具有热数据标签的历史数据的写入次数得到热数据的总写入次数，然后根据历史数据的总写入次数和热数据的总写入次数，确定历史数据的热度。通过在写入数据时携带数据对应的冷热标签，有助于使存储控制器直接按照历史数据的标签检测热度，而无需再额外识别冷热，有效提高处理效率。

方式二，QLC闪存阵列中的存储单元可以被划分为N个存储单元块，N个存储单元块中的每个存储单元块中包括至少一个存储单元，N为大于或等于2的正整数。在这种情况下，存储控制器可以先统计历史数据写入每个存储单元块的写入次数，然后将N个存储单元块中写入次数大于预设次数的存储单元块作为热数据所写入的目标存储单元块，之后综合历史数据的写入次数得到历史数据的总写入次数，并综合目标存储单元块的写入次数得到热数据的总写入次数，根据历史数据的总写入次数和热数据的总写入次数，确定历史数据的热度。更进一步的，通过在存储单元数量较多的情况下对存储单元进行分块处理，便于存储控制器后续基于较少的存储单元块进行数据处理，有助于减轻存储控制器的工作压力。通过统计历史数据写入存储单元的次数，能在未知数据类型的情况下识别历史数据的冷热，该种识别结果参照真实数据写入情况，从而能更匹配真实的业务场景。

在上述方式二的一种可能的设计中，存储控制器可以先从N个存储单元块中获取写入次数从多到少排序得到的前K个存储单元块，再分别以前K个存储单元块中的每个存储单元块的写入次数为预设次数，计算得到K个历史数据的热度。之后根据K个历史数据的热度和QLC闪存阵列的剩余空间，计算出K个历史数据的热度分别对应的K个备选空间分配，使用K个备选空间分配中使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的目标备选空间分配，调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元和配置为QLC模式的存储单元。如此，通过以不同存储单元块的写入次数为基准划分热数据，并在每个划分依据下计算得到最优配置，最后选择各个划分依据下的最优配置作为最终的目标配置，有助于在未知数据类型的情况下找到性能最好的配置，提高空间分配对当前的业务场景的适应能力。

在一种可能的设计中，空间分配可以包括QLC空间和SLC空间，QLC空间用于指示配置为QLC模式的存储单元的数量，SLC空间用于指示配置为SLC模式的存储单元的数量。在这种情况下，存储控制器根据QLC闪存阵列的历史数据的热度及QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配，包括：存储控制器先使用QLC闪存阵列的历史数据的热度、QLC闪存阵列的剩余空间、QLC空间和SLC空间表征QLC闪存阵列的预设性能，再按照用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，确定出使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC空间的取值和SLC空间的取值，根据QLC空间的取值和SLC空间的取值，调整QLC闪存阵列中的各存储单元的模式。其中，用户容量为用户能看到的QLC闪存阵列的可写入数据量。如此，通过遵循用户容量一致性原则来计算空间分配，能使存储控制器呈现给用户的容量始终保持一致，而不是一个变化的值，有助于提高用户的写入体验。更进一步的，该方案还能根据业务场景设置QLC闪存阵列的预设性能，以计算出最满足当前业务场景的分配比例，因此还有助于提高QLC闪存阵列对各种业务场景的匹配能力。

在一种可能的设计中，QLC空间中可以包括QLC用户空间和QLC冗余空间，SLC空间中可以包括SLC用户空间和SLC冗余空间，其中，QLC用户空间用于指示配置为用户空间的QLC模式的存储单元的数量，QLC冗余空间用于指示配置为冗余空间的QLC模式的存储单元的数量，SLC用户空间用于指示配置为用户空间的SLC模式的存储单元的数量，SLC冗余空间用于指示配置为冗余空间的SLC模式的存储单元的数量。在这种情况下，存储控制器按照用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，确定出使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC空间的取值和SLC空间的取值，包括：存储控制器根据用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，计算得到QLC用户空间、QLC冗余空间、SLC用户空间和SLC冗余空间之间的第一关联关系，再计算出使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC用户空间、QLC冗余空间、SLC用户空间和SLC冗余空间之间的第二关联关系，之后基于第一关联关系和第二关联关系，确定出QLC用户空间的取值、QLC冗余空间的取值、SLC用户空间的取值和SLC冗余空间的取值。该设计还考虑到用于实现用户数据存储的用户空间及为实现用户数据存储所需执行的垃圾回收的冗余空间，有助于从QLC用户空间、QLC冗余空间、SLC用户空间和SLC冗余空间的更细粒度上调整空间分配。

在一种可能的设计中，QLC闪存阵列的预设性能包括QLC闪存阵列的每日全盘写满次数DWPD性能和/或QLC闪存阵列的每秒写入数量IOPS性能，以解决QLC闪存阵列目前存在的DWPD性能瓶颈和IOPS性能瓶颈，尽量提高QLC闪存阵列的存储能力。

在一种可能的设计中，QLC闪存阵列的剩余空间可以包括QLC闪存阵列的剩余可擦写次数、QLC闪存阵列的写放大、QLC闪存阵列的单日可写入数据量、以及QLC闪存阵列的剩余可写入数据量中的一项或多项。通过参照全面的剩余空间参数分配空间，有助于使分配结果更满足QLC闪存阵列的剩余可用存储性能。

在一种可能的设计中，存储控制器自适应地调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配，包括：若空间分配指示配置的SLC模式的存储单元的数量大于QLC闪存阵列中SLC模式的存储单元的当前数量，说明现阶段的SLC模式的存储单元不足以存储热数据，因此存储控制器可以将QLC闪存阵列中的部分或全部QLC模式的存储单元配置为SLC模式，以提高QLC闪存阵列存储热数据的能力。若空间分配中指示配置的SLC模式的存储单元的数量不大于QLC闪存阵中SLC模式的存储单元的当前数量，则存储控制器可以不更改QLC闪存阵列中的各存储单元的当前模式，以避免重配QLC模式的存储单元为SLC模式后已到SLC模式的存储单元的可擦写次数极限所导致的存储单元不可用的现象，提高QLC闪存阵列的可用性。

第二方面，本申请提供一种存储控制器，包括处理器以及耦合至处理器的存储接口，存储接口用于耦合至四层式存储单元QLC闪存阵列。其中，处理器用于：检测QLC闪存阵列的历史数据的热度，根据QLC闪存阵列的历史数据的热度及QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配。其中，QLC闪存阵列中配置为SLC模式的存储单元用于存储热数据，QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元用于存储冷数据。

在一种可能的设计中，处理器可以通过如下任一方式检测QLC闪存阵列的历史数据的热度：

方式一，处理器可以将历史数据中具有热数据标签的历史数据作为热数据，之后综合历史数据的写入次数得到历史数据的总写入次数，综合具有热数据标签的历史数据的写入次数得到热数据的总写入次数，然后根据历史数据的总写入次数和热数据的总写入次数，确定历史数据的热度。

方式二，QLC闪存阵列中的存储单元划分为N个存储单元块，N个存储单元块中的每个存储单元块中包括至少一个存储单元，N为大于或等于2的正整数。在这种情况下，处理器具体用于：先统计历史数据写入每个存储单元块的写入次数，再将N个存储单元块中写入次数大于预设次数的存储单元块作为热数据所写入的目标存储单元块，之后综合历史数据的写入次数得到历史数据的总写入次数，综合目标存储单元块的写入次数得到热数据的总写入次数，根据历史数据的总写入次数和热数据的总写入次数，确定历史数据的热度。

在方式二的一种可能的设计中，处理器还用于：从N个存储单元块中获取写入次数从多到少排序得到的前K个存储单元块，以前K个存储单元块中的每个存储单元块的写入次数为预设次数，计算得到K个历史数据的热度，根据K个历史数据的热度和QLC闪存阵列的剩余空间，计算出K个历史数据的热度分别对应的K个备选空间分配，使用K个备选空间分配中使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的目标备选空间分配，调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元和配置为QLC模式的存储单元。

在一种可能的设计中，空间分配可以包括QLC空间和SLC空间，QLC空间指示配置为QLC模式的存储单元的数量，SLC空间指示配置为SLC模式的存储单元的数量。在这种情况下，处理器具体用于：先使用QLC闪存阵列的历史数据的热度、QLC闪存阵列的剩余空间、QLC空间和SLC空间表征QLC闪存阵列的预设性能，再按照用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，确定出使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC空间的取值和SLC空间的取值，最后根据QLC空间的取值和SLC空间的取值，调整QLC闪存阵列中的各存储单元的模式。其中，用户容量为用户能看到的QLC闪存阵列的可写入数据量。

在一种可能的设计中，QLC空间中包括QLC用户空间和QLC冗余空间，SLC空间中包括SLC用户空间和SLC冗余空间，QLC用户空间指示配置为用户空间的QLC模式的存储单元的数量，QLC冗余空间指示配置为冗余空间的QLC模式的存储单元的数量，SLC用户空间指示配置为用户空间的SLC模式的存储单元的数量，SLC冗余空间指示配置为冗余空间的SLC模式的存储单元的数量。在这种情况下，处理器具体用于：先根据用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，计算得到QLC用户空间、QLC冗余空间、SLC用户空间和SLC冗余空间之间的第一关联关系，再计算出使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC用户空间、QLC冗余空间、SLC用户空间和SLC冗余空间之间的第二关联关系，之后基于第一关联关系和第二关联关系，确定出QLC用户空间的取值、QLC冗余空间的取值、SLC用户空间的取值和SLC冗余空间的取值。

在一种可能的设计中，QLC闪存阵列的预设性能可以包括QLC闪存阵列的每日全盘写满次数DWPD性能和/或QLC闪存阵列的每秒写入数量IOPS性能。

在一种可能的设计中，QLC闪存阵列的剩余空间可以包括QLC闪存阵列的剩余可擦写次数、QLC闪存阵列的写放大、QLC闪存阵列的单日可写入数据量、以及QLC闪存阵列的剩余可写入数据量中的一项或多项。

在一种可能的设计中，处理器具体用于：若空间分配指示配置的SLC模式的存储单元的数量大于QLC闪存阵列中SLC模式的存储单元的当前数量，则可以将QLC闪存阵列中的部分或全部QLC模式的存储单元配置为SLC模式，若空间分配中指示配置的SLC模式的存储单元的数量不大于QLC闪存阵中SLC模式的存储单元的当前数量，则不更改QLC闪存阵列中的各存储单元的当前模式。

在一种可能的设计中，存储控制器可以为固态存储设备SSD中的存储控制器，存储单元为快闪NAND闪存颗粒。

第三方面，本申请提供一种存储控制器，包括热度感知模块和优化决策模块，热度感知模块和优化决策模块分别连接QLC闪存阵列。热度感知模块用于检测QLC闪存阵列的历史数据的热度，优化决策模块用于根据QLC闪存阵列的历史数据的热度及QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配。其中，QLC闪存阵列中配置为SLC模式的存储单元用于存储热数据，QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元用于存储冷数据。

在一种可能的设计中，热度感知模块可以通过如下任一方式检测QLC闪存阵列的历史数据的热度：

方式一，热度感知模块可以将历史数据中具有热数据标签的历史数据作为热数据，之后综合历史数据的写入次数得到历史数据的总写入次数，综合具有热数据标签的历史数据的写入次数得到热数据的总写入次数，然后根据历史数据的总写入次数和热数据的总写入次数，确定历史数据的热度。

方式二，QLC闪存阵列中的存储单元划分为N个存储单元块，N个存储单元块中的每个存储单元块中包括至少一个存储单元，N为大于或等于2的正整数。在这种情况下，热度感知模块可以先统计历史数据写入每个存储单元块的写入次数，再将N个存储单元块中写入次数大于预设次数的存储单元块作为热数据所写入的目标存储单元块，之后综合历史数据的写入次数得到历史数据的总写入次数，综合目标存储单元块的写入次数得到热数据的总写入次数，根据历史数据的总写入次数和热数据的总写入次数，确定历史数据的热度。

在方式二的一种可能的设计中，热度感知模块还可以从N个存储单元块中获取写入次数从多到少排序得到的前K个存储单元块，以前K个存储单元块中的每个存储单元块的写入次数为预设次数，计算得到K个历史数据的热度。优化决策模块还可以根据K个历史数据的热度和QLC闪存阵列的剩余空间，计算出K个历史数据的热度分别对应的K个备选空间分配，使用K个备选空间分配中使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的目标备选空间分配，调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元和配置为QLC模式的存储单元。

在一种可能的设计中，空间分配可以包括QLC空间和SLC空间，QLC空间指示配置为QLC模式的存储单元的数量，SLC空间指示配置为SLC模式的存储单元的数量。在这种情况下，优化决策模块具体用于：先使用QLC闪存阵列的历史数据的热度、QLC闪存阵列的剩余空间、QLC空间和SLC空间表征QLC闪存阵列的预设性能，再按照用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，确定出使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC空间的取值和SLC空间的取值，最后根据QLC空间的取值和SLC空间的取值，调整QLC闪存阵列中的各存储单元的模式。其中，用户容量为用户能看到的QLC闪存阵列的可写入数据量。

在一种可能的设计中，QLC空间中包括QLC用户空间和QLC冗余空间，SLC空间中包括SLC用户空间和SLC冗余空间，QLC用户空间指示配置为用户空间的QLC模式的存储单元的数量，QLC冗余空间指示配置为冗余空间的QLC模式的存储单元的数量，SLC用户空间指示配置为用户空间的SLC模式的存储单元的数量，SLC冗余空间指示配置为冗余空间的SLC模式的存储单元的数量。在这种情况下，优化决策模块具体用于：先根据用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，计算得到QLC用户空间、QLC冗余空间、SLC用户空间和SLC冗余空间之间的第一关联关系，再计算出使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC用户空间、QLC冗余空间、SLC用户空间和SLC冗余空间之间的第二关联关系，之后基于第一关联关系和第二关联关系，确定出QLC用户空间的取值、QLC冗余空间的取值、SLC用户空间的取值和SLC冗余空间的取值。

在一种可能的设计中，优化决策模块具体用于：若空间分配指示配置的SLC模式的存储单元的数量大于QLC闪存阵列中SLC模式的存储单元的当前数量，则可以将QLC闪存阵列中的部分或全部QLC模式的存储单元配置为SLC模式，若空间分配中指示配置的SLC模式的存储单元的数量不大于QLC闪存阵中SLC模式的存储单元的当前数量，则不更改QLC闪存阵列中的各存储单元的当前模式。

第四方面，本申请提供一种存储器，包括QLC闪存阵列以及如上述第二方面或第三方面中任一项所述的存储控制器，其中，存储控制器用于读写QLC闪存阵列中的数据。

第五方面，本申请提供一种数据处理系统，包括主机以及如上述第四方面任一项所述的存储器，其中，主机用于向存储器发送数据处理请求，存储器被配置为执行存储的指令，存储器通过执行指令来实现如上述第一方面任一项所述的数据处理方法。

第六方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机程序，当计算机程序在计算机上运行时，使得计算机执行如上述第一方面中任一项所述的数据处理方法。

第七方面，本申请提供一种计算机程序产品，当计算机程序产品在计算机上运行时，使得计算机执行如上述第一方面中任一项所述的数据处理方法。

上述第二方面至第七方面中的各项设计所对应的有益效果，具体请参照上述第一方面中的各项设计所对应的有益效果，此处不再一一重复赘述。

附图说明

图1示例性示出本申请实施例适用的一种系统架构示意图；

图2示例性示出一种数据处理方法的执行流程图；

图3示例性示出本申请实施例提供的一种数据处理方法的流程示意图；

图4示例性示出本申请实施例提供的另一种数据处理方法的流程示意图；

图5示例性示出一种重配前后的QLC闪存阵列划分关系图；

图6示例性示出本申请实施例提供的一种优化结果示意图；

图7示例性示出本申请实施例提供的一种QLC闪存阵列的性能变化曲线图；

图8示例性示出本申请实施例提供的又一种数据处理方法的流程示意图；

图9示例性示出本申请实施例提供的一种存储控制器的结构示意图。

具体实施方式

本申请中的数据处理方案可以适用于具有数据存储功能的设备，例如可以适用于只具有数据存储功能的存储设备，如存储器，也可以适用于具有数据存储功能且还具有其它功能的电子设备。在本申请一些实施例中，数据处理装置可以是一个独立的单元，该单元可以嵌入在电子设备中，并能对该电子设备的存储器进行读写控制。在本申请另一些实施例中，数据处理装置也可以是封装在电子设备内部的单元，用于实现该电子设备的存储器的数据存储功能。电子设备可以是包含诸如个人数字助理和/或音乐播放器等功能的便携式电子设备，诸如手机、平板电脑、具备无线通讯功能的可穿戴设备(如智能手表)、或车载设备等。便携式电子设备的示例性实施例包括但不限于搭载

或者其它操作系统的便携式电子设备。上述便携式电子设备也可以是诸如具有触敏表面(例如触控面板)的膝上型计算机(Laptop)等。还应当理解的是，在本申请其他一些实施例中，上述电子设备也可以是具有触敏表面(例如触控面板)的台式计算机。

示例性地，存储器可以是易失性存储器，也可以是非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。还可以是由这些易失性存储器或非易失性存储器所构成的硬盘，如SSD。其中，易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，如静态随机存取存储器(static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double data rate SDRAM，DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(synchlink DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus RAM，DR RAM)。非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，ROM)、可编程只读存储器(programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(electrically EPROM，EEPROM)或闪存。应注意，本申请描述的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。需要说明的是，在本申请的描述中“至少一个”是指一个或多个，其中，多个是指两个或两个以上。鉴于此，本发明实施例中也可以将“多个”理解为“至少两个”。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，字符“/”，如无特殊说明，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

为便于理解，下文将以存储器为SSD为例进行介绍。应理解，下文中所出现的“SSD”也可以替换为与SSD具有相似特性的任一其它存储器，如铁电存储器(ferroelectric memory，FeM)、相变存储器(phase change memory，PCM)、磁性随机存取存储器(magnetic memory，MM)或阻变存储器(resistive memory，ReM)等，本申请对此不做限定。

图1示例性示出本申请实施例适用的一种系统架构示意图，如图1所示，该系统架构中包括主机100和SSD 200，SSD 200可以包括存储控制器210和闪存阵列220。闪存阵列220也可以称为磁盘阵列(redundant arrays of independent disks，RAID)。主机100与存储控制器210之间、以及存储控制器210与闪存阵列220之间可以如图1所示的通过总线连接，也可以通过互连或其它方式连接，以实现通信。其中，闪存阵列220是由多个存储单元(即NAND Flash颗粒)按照行列方式排列而成，如图1中的闪存阵列220共包括按照M行N列排列而成的M×N个存储单元(M、N均为正整数)，从M行上来看：D ₁₁～D _1N这N个存储单元并列于第一行，D ₂₁～D _2N这N个存储单元并列于第二行，……，D _M1～D _MN这N个存储单元并列于第M行。从N列上来看：D ₁₁～D _M1这M个存储单元并排于第一列，D ₁₂～D _M2这M个存储单元并排于第二列，……，D _1N～D _MN这N个存储单元并排于第N列。位于同一行上的N个存储单元还通过同一总线连通至存储控制器210。

在实施中，主机100用于与上层的应用程序(application，APP)进行交互，获取APP下发的输入/输出(input/output，I/O)接口命令，并实时向存储控制器210发送对应的数据处理请求。数据处理请求中携带有待读写的数据。存储控制器210按照内部的预设逻辑为待读写的数据分配目标地址，并译码出该目标地址在闪存阵列220中所在的目标行和目标列，然后通过与各行存储单元之间的总线开启该目标行并关闭其它行，之后在开启的目标行中找到位于目标列处的目标存储单元，以执行读写操作。

需要说明的是，图1中所示出的各部件可以在包括一个或多个信号处理和/或专用集成电路在内的硬件、软件、或硬件和软件的组合中实现，在此不予赘述。

先示例性介绍下本申请的下列实施例所涉及到的部分术语：

(1)冷数据和热数据。

在实际业务场景中，由于对不同的数据的写入频率不同，导致不同的数据还具有不同的“冷热”程度。“冷”和“热”属于一个相对概念，相对于其它数据而言较“热”的数据称为热数据，而相对其它数据而言较“冷”的数据称为冷数据。热数据的写入频率要高于冷数据的写入频率。判断一个数据到底属于冷数据还是热数据，不仅与该数据的写入频率相关，还与实际所处的业务场景相关。例如，针对于同一写入频率的数据，如果在某一业务场景下该写入频率比其它大部分数据的写入频率小，则该数据在该业务场景下可以被划归为冷数据，而如果在另一业务场景下该写入频率比其它大部分数据的写入频率大，则该数据在另一业务场景下则可以被划归为热数据。

(2)、存储单元的模式。

存储单元(cell)为NAND Flash颗粒的最小存储单位。根据存储密度的不同，一个存储单元可以被配置为如下模式的一种：

单层式存储单元(single-level cell，SLC)，具有单层电子结构，存储密度为1bit/cell(其中，bit为数据量单位，即比特)，即每个SLC模式的存储单元中可以存放1bit的数据。SLC模式的存储单元可存储的数据量较少，因此该存储单元在写入数据时所受的电压冲击也较小，存储单元能具有较长的编程和擦除(program and erase，PE)寿命。一般来说，SLC模式的存储单元的理论可擦写次数能达到10万次甚至更多。然而，如果要实现大容量的存储功能，则SSD中势必要配置大量SLC模式的存储单元，导致SSD的成本较高。

双层式存储单元(multi-level cell，MLC)，基于高低电压不同而构建的双层电子结构，存储密度为2bit/cell，即每个MLC模式的存储单元中可以存放2bit的数据。MLC模式的存储单元也具有较长的PE寿命，如理论可擦写次数位于3000-5000次之间，其成本相对较高。

三层式存储单元(trinary-level cell，TLC)，目前主流的闪存颗粒，是基于MLC模式的存储单元延伸而成的三层电子结构，存储密度为3bit/cell，即每个TLC模式的存储单元中可以存放3bit的数据。TLC模式的存储单元容量理论上是MLC模式的存储单元容量的1.5倍，且能具有更低的成本，但PE寿命相对也更低，如理论可擦写次数位于1000-3000次之间。

四层式存储单元(quad-level cell，QLC)，是基于TLC模式的存储单元延伸而成的四层电子结构，存储密度为4bit/cell，即每个QLC模式的存储单元可以存放4bit的数据。QLC模式的存储单元容量比TLC模式的存储单元容量更高，成本也更低，但其PE寿命更短，如理论可擦写次数仅1500次左右。

(3)SSD的存储空间与SSD的存储容量。

本申请实施例中的SSD具有先擦除才能再写入的特性。与该特性相对应的，SSD的存储空间可以划分为用户空间和冗余空间，SSD的存储容量可以划分为用户容量和冗余容量。其中，用户空间是指用于存储用户数据的空间，冗余空间是指为实现该用户空间的写入操作而额外开辟出来的空间。用户容量是指SSD对外呈现给用户的全盘写满数据量，而冗余容量则是指为实现用户容量所对应的全盘写满操作而额外开辟出来的冗余空间所对应的数据量。举例来说，当用户容量为10兆(MByte，MB)时，用户理论上可以一次向SSD中写入10MB数据，然而，如果SSD中当前已经有1MB的用户容量中写了其它数据，则要实现该次全盘写满的操作，控制器还需要先将用户空间中已经写入的1MB的垃圾数据迁移到冗余空间，在执行完该垃圾回收(garbage collection，GC)操作以清空用户空间之后，再将用户本次写入的10MB数据写入用户空间。SSD的这种先擦除才能再写入的特性会带来额外的数据拷贝，称为写放大(write amplification，WA)。WA可以基于冗余空间与用户空间的比值以及其它一些参数计算得到。当WA越大时，SSD中的额外数据拷贝操作就越多，导致SSD中的各存储单元的可用擦写次数就越少，SSD的寿命缩短。因此，SSD中需要尽量降低WA。

(4)衡量SSD性能的指标。

本申请实施例中，衡量SSD的存储性能好坏的指标可以包括但不限于：

总写入字节数(total byte write，TBW)，是指在SSD的寿命期间内SSD可支持的最大写入数据量；

PE次数，是指存储单元(或SSD)的可擦写次数，每编程(即写入)一次或擦除一次存储单元，则该存储单元(或SSD)的PE次数就减少一次；

每日全盘写满次数(disk write per day，DWPD)，是指在SSD的寿命期间内用户每天可以把SDD的用户空间写满的次数；

每秒写入次数(input operations per second，IOPS)，是指在写入固定数据量的文件时每秒可写入的文件数量；

IOPS _{rand_4K}，是指在写入随机4KB的文件时每秒可写入的文件数量。

其中，SSD的各性能指标之间还会具有一定的关联，例如PE次数可以由TBW除以用户容量所得到的值(即寿命期间内总共可写满的次数)来进行表征，DWPD可以由TBW除以用户容量所得到的值再除以寿命期间所对应的总天数来进行表征，也可以由PE次数除以寿命期间所对应的总天数来进行表征。

需要说明的是，上述只是简单地列出常用的几种SSD性能衡量指标，SSD还可以具有其它性能衡量指标，本申请对此不作具体限定。

现阶段，由于QLC模式的存储单元支持以较低成本设置较高TBW的存储空间，因此目前已逐渐取代SLC模式的存储单元或磁盘驱动器(hard disk drive，HDD)等来设置闪存阵列，即闪存阵列中的全部存储单元均配置为QLC模式，闪存阵列也称为QLC闪存阵列。然而，相比于SLC模式的存储单元来说，QLC模式的存储单元会具有更低的PE次数(QLC模式的存储单元约1500次，而SLC模式的存储单元可达到50000次)、更低的DWPD(QLC模式的存储单元约为200次，而TLC模式的存储单元可达到1000次)和更低的IOPS(尤其是4KB IOPS，QLC模式的存储单元的4KB IOPS约为18K～35K，而TLC模式的存储单元可达到125K，QLC模式的存储单元的4KB IOPS仅为SLC模式的存储单元的1/7，已成为QLC闪存阵列设置中的一个性能瓶颈)。因此，纯QLC模式的QLC闪存阵列的配置方式显然也会降低到SSD自身的DWPD性能和IOPS性能。基于此，考虑到SSD的TBW需求、QLC模式的存储单元的低成本以及SLC模式的存储单元的高PE、高DWPD和高IOPS，还可以将QLC闪存阵列中的部分QLC模式的存储单元切换为SLC模式。如此，虽然SLC模式的存储单元的存储密度只为QLC模式的存储单元的存储密度的3/4，但是SLC模式的存储单元的PE却为QLC模式的存储单元的PE的50000/1500，这使得切换之后的QLC闪存阵列实际上比切换之前的QLC闪存阵列容纳更多的数据量，从而切换之后的SSD的TBW实际比切换之前的SSD的TBW更高。且，切换之后的SSD还能利用SLC模式的存储单元在读操作典型时延(time of read，tR)与写操作典型时延(time of program，tProg)等方面的优势，进一步提高SSD自身的DWPD性能和IOPS性能，在一定程度上解决纯QLC闪存阵列配置方式所存在的DWPD较低和IOPS _{rand_4K}较低的技术问题。

为了实现切换之后的SSD的数据处理，业内提出了两种解决方案，如图2所示：

方案一：

如图2中的(a)图所示，在该方案中，SSD不对外呈现用户容量，且SSD中的SLC区域(即配置为SLC模式的存储单元所在的区域)设置为缓存(cache)区域。SSD中的存储控制器会先将待写入数据写入到SLC区域，然后再从SLC区域下刷到QLC区域(即配置为QLC模式的存储单元所在的区域)。且，在下刷数据时，QLC区域会先利用自己的冗余空间进行垃圾回收，再将下刷数据写入自己的用户空间。采用该方案，由于SLC模式的存储单元具有较快的写入速度，因此SSD能在短时间内实现大带宽和高IOPS。然而，随着写入时间的变长，SLC区域中写入的数据量相应增多，如果大量数据被积压在SLC区域中未来得及下刷到QLC区域中，则会导致SSD的对外容量和TBW直线下降。在SLC 区域写满时，如果继续写入数据，甚至会引发断崖式的性能跌落。

方案二：

如图2中的(b)图所示，在该方案中，SSD中的SLC区域设置为闪存(disk)区域。SSD中的存储控制器会先按照冷热识别机制确定出待写入数据的冷热类型，然后将冷数据写入QLC区域，将热数据写入SLC区域。且，在写入数据时，SLC区域会先利用自己的冗余空间进行垃圾回收，再将待写入的热数据写入自己的用户空间。相应地，QLC区域也会先利用自己的冗余空间进行垃圾回收，再将待写入的冷数据写入自己的用户空间。SLC区域与QLC区域各自的数据不流通。相比于方案一来说，方案二中使用互不流通的SLC区域和QLC区域分别存储热数据和冷数据，能为用户提高较为稳定的带宽和IOPS，虽然该性能不如方案一中刚开始写入SLC区域时的性能高，但却比方案一中经过长时间写入后的性能要高，从而更加符合大容量SSD的稳定性需求。

本申请的下列实施例基于方案二中的数据处理方法进行介绍。

现阶段，生产商通常会根据自己对SSD未来所应用的业务场景的理解，自行为QLC闪存阵列中的SLC模式的存储单元与QLC模式的存储单元分配空间，以使SSD出厂后该QLC闪存阵列中的该空间分配能够适应于所对应的业务场景。但是，用户在实际操作中不可能只使用SSD来处理一种业务。当SSD切换到另一业务场景时，其内部配置的这种固定空间分配的方式不仅无法在新的业务场景下实现提升SSD相关存储性能的目的，甚至还可能会不如采用纯QLC模式的QLC闪存阵列进行数据存储时的性能好。

为使SSD能适应更多的业务场景，在一种可选地实施方式中，存储控制器可以实时监控SLC区域和QLC区域中的每个区域的数据写入次数，并根据每个区域的数据写入次数和每个区域的理论可擦写次数确定出每个区域的已写入程度。当这两个区域的已写入程度基本相同时，说明这两个区域的剩余写入能力也较为均衡，因此存储控制器可以不调节这两个区域的分配比例。当这两个区域的已写入程度相差较大时，说明存在某一区域的剩余写入能力非常差，该区域磨损较为严重，因此，存储控制器可以增加当前磨损较为严重的区域所占的比例，并降低磨损较轻的另一区域所占的比例，以尽量均衡各个区域的剩余写入能力。然而，这种方式是在两个区域的剩余写入能力出现偏差以后才开始调节分配比例，实际上属于一种后反馈方式，即使后续为剩余写入能力较差的区域分配了新的存储单元，该区域中之前所存在的各存储单元的性能也已经产生了不可逆的伤害。在后反馈延时较长的情况下，已经磨损的这些存储单元甚至还会出现不可用的现象(如理论可擦写次数都已用完)，降低SSD的整体性能。且，该实施方式只基于两个区域的剩余写入能力来调整分配比例，而并没有考虑到用户容量是否一致的问题，因此调整后的SSD中的用户容量很可能与调整之前的SSD中的用户容量不同，导致SSD对外呈现的用户容量不断变化，影响用户的写入体验。此外，该实施方式只要出现剩余写入能力不均衡的现象就会调节空间分配，而没有考虑到任何与所处理的业务相关的因素，随着空间分配的调整，每个区域中的WA也会相应发生变化，导致SSD在处理同一业务时的性能表现差异较大。

有鉴于此，本申请提出一种数据处理方法，用以根据历史数据的热度和QLC闪存阵列的剩余空间自适应地调整QLC闪存阵列中的QLC模式的存储单元和SLC模式的存储单元的分配空间，以在避免磨损的情况下提高QLC闪存阵列与业务场景的匹配程度，在同一业务场景下尽量表现出相同的性能，并进而实现对外呈现的用户容量的一致性。

下面通过具体的实施例来介绍本申请中的数据处理方法的具体实现过程。

【实施例一】

图3示例性示出本申请实施例提供的一种数据处理方法的流程示意图，该方法适用于控制器，如图1所示意的存储控制器210。如图3所示，该方法包括：

步骤301，存储控制器检测QLC闪存阵列的历史数据的热度。

在一种可选地实施方式中，存储控制器可以根据一段时间内写入QLC闪存阵列的历史数据，确定其历史数据的热度。其中，一段时间可以是指如下任一时段：

当存储控制器按照周期方式执行数据处理时，一段时间可以是指一个周期的周期时段。在这种情况下，存储控制器每隔一个固定的时间间隔就可以根据当前的数据写入情况以及QLC闪存阵列的剩余空间重配QLC闪存阵列中的各存储单元的分区，以避免QLC闪存阵列出现性能极度恶化的现象；

当存储控制器按照不同的业务类型执行数据处理时，一段时间可以是指自一个业务的开始执行时刻至结束执行时刻之间的整个时段。在这种情况下，存储控制器在每开始执行一个新的业务之前，都可以先根据待执行业务的特性和QLC闪存阵列的剩余空间重配QLC闪存阵列中的各存储单元的分区，以提高QLC闪存阵列适应待执行业务的能力；

当存储控制器根据已写入次数执行数据处理时，一段时间可以是指自开始统计写入次数的时刻至所统计的写入次数大于预设写入次数的时刻之间的时段。其中，预设写入次数可以是本领域技术人员根据经验设置的固定值，也可以是与QLC闪存阵列的剩余可擦写次数具有相关关系的某个值，如剩余可擦写次数的1/6。如此，存储控制器能在QLC闪存阵列的剩余可擦写次数每达到一个明显的变化程度时就重配一次存储单元，如通过配置更多的存储单元为SLC模式以提高QLC闪存阵列的可擦写次数，尽量延缓QLC闪存阵列的剩余可擦写次数恶化的倾向；

当存储控制器根据已写入数据量执行数据处理时，一段时间可以是指自开始统计写入数据量的时刻至所统计的写入数据量大于预设写入数据量的时刻之间的时段。其中，预设写入数据量可以是本领域技术人员根据经验设置的固定值，也可以是与QLC闪存阵列的剩余可写入数据量具有相关关系的某个值，如剩余可写入数据量的1/3。如此，存储控制器能在QLC闪存阵列的剩余可写入数据量每达到一个明显的变化程度时就重配一次存储单元，如通过配置更多的存储单元为SLC模式来增加可擦写次数的方式提高QLC闪存阵列的可写入数据量，尽量延缓QLC闪存阵列的剩余可写入数据量恶化的倾向。

应理解，上述只是示例性地给出几种重配空间的判决条件。在其它示例中，还可以使用其它判决条件来决定何时重配空间，本申请对此不作具体限定。

本申请实施例中，历史数据的热度用于表征历史数据中的热数据的写入活跃程度。历史数据的热度越大，说明热数据的写入活跃程度越高，热数据越频繁地写入存储单元。历史数据的热度越小，说明热数据的写入活跃程度越低，热数据越不频繁地写入存储单元。在一种可选地实施方式中，历史数据的热度可以根据历史数据的总写入次数和历史数据中的热数据的总写入次数来确定，例如可以直接将历史数据中的热数据的总写入次数与历史数据的总写入次数的比值作为历史数据的热度，也可以将历史数据中的热数据的总写入次数与历史数据中的冷数据的总写入次数的差值和历史数据的总写入次数的比值作为历史数据的热度等。其中，历史数据的总写入次数和历史数据中的热数据的总写入次数可以由存储控制器在每次执行写入时进行实时统计，也可以由存储控制器在判决出要重配空间时基于一段时间内的全部历史数据进行集中统计，具体不作限定。

关于存储控制器如何识别一个历史数据为热数据还是冷数据的具体实现方式，请参照下列实施例二和实施例三，此次先不作介绍。

步骤302，存储控制器根据QLC闪存阵列的历史数据的热度及剩余空间，自适应地调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为SLC模式的存储单元的空间分配。

在上述步骤302中，存储控制器可以先根据QLC闪存阵列的历史数据的热度及剩余空间，确定出QLC闪存阵列中的SLC区域与QLC区域的目标分配，再按照该目标分配调整各存储单元的模式。其中，SLC区域是指被配置为SLC模式的存储单元所占的区域，QLC闪存阵列中被配置为SLC模式的存储单元用于存储热数据。QLC区域是指被配置为QLC模式的存储单元所占的区域，QLC闪存阵列中被配置为QLC模式的存储单元用于存储冷数据。

本申请实施例中，存储控制器可以通过多种方式确定SLC区域与QLC区域的目标分配，示例性介绍两种可能的实现方式：

在一种可能的实现方式中，历史数据的热度越高，说明热数据在前一段时间内写入QLC闪存阵列的次数越频繁，意味着热数据在未来一段时间内也很可能会频繁地写入QLC闪存阵列。在这种情况下，如果QLC闪存阵列中现有的SLC区域的剩余空间(如剩余可写入次数、或剩余可写入数据容量)越弱，说明QLC闪存阵列中现有的SLC模式的存储单元很可能无法承担后续频繁的热数据写入业务。因此，存储控制器可以将部分QLC模式的存储单元配置为SLC模式，以提供更多的存储单元来存储热数据，提高QLC闪存阵列对未来业务的支撑能力。对应的，历史数据的热度越低，说明热数据在前一段时间内写入QLC闪存阵列的次数越不频繁。在这种情况下，如果QLC闪存阵列中现有的SLC区域的剩余空间(如剩余可写入次数、或剩余可写入数据容量)越强，说明QLC闪存阵列中现有的SLC模式的存储单元可能还比较空闲，现有的SLC区域足够支持后续的业务。因此，存储控制器可以维持当前配置，或者将部分SLC模式的存储单元配置为QLC模式，以提供更多的存储单元来存储冷数据。

在另一种可能的实现方式中，存储控制器还可以使用QLC闪存阵列的历史数据的热度、QLC闪存阵列的剩余空间、以及SLC区域与QLC区域的分配比例来表征当前业务场景所关心的预设性能指标，进而通过枚举或其它计算方式找到能使当前业务场景所关心的预设性能指标达到较好效果的SLC区域与QLC区域的目标分配比例，以提高QLC闪存阵列满足不同业务需求的能力。其中，存储控制器在计算时还可以遵循某些原则，如用户容量一致性原则或存储单元数量一致性原则等。

在一种可选地实施方式中，考虑到SLC模式的存储单元的理论可擦写次数远大于QLC模式的存储单元的理论可擦写次数，因此存储控制器可以按照如下方式重配存储单元：

当目标分配比例指示要配置的SLC区域大于SLC的当前区域时，说明现阶段的SLC模式的存储单元不够，还要将部分或全部QLC模式的存储单元配置为SLC模式。在这种情况下，存储控制器可以从QLC的当前区域中找到已擦写次数较多的QLC模式的存储单元以重配为SLC模式。如此，已擦写次数较多的QLC模式的存储单元重配为SLC模式后所对应的剩余可擦写次数相应变大，而留下的已擦写次数较少的QLC模式的存储单元也能具有较多的剩余可擦写次数，无论是QLC区域的寿命还是SLC区域的寿命，都能得到较好地维持；

当目标分配比例指示要配置的SLC区域小于SLC的当前区域时，说明现阶段的QLC模式的存储单元不够，还要将部分或全部SLC模式的存储单元配置为QLC模式。然而，SLC模式的存储单元的理论可擦写次数远大于QLC模式的存储单元的理论可擦写次数，因此，如果待重配的SLC模式的存储单元本身已经擦写的次数就超过了QLC模式的理论可擦写次数，则该重配操作显然会使重配后所得到的QLC模式的存储单元的擦写次数已达寿命导致该存储单元不可用，降低QLC闪存阵列的整体存储性能。在这种情况下，存储控制器可以先从SLC的当前区域中找到已擦写次数少于QLC模式的存储单元的理论可擦写次数的全部SLC模式的存储单元，然后从这些存储单元中选择满足目标分配比例所指示的重配数量的存储单元进行重配操作，若这些存储单元的数量小于目标分配比例所指示的重配数量，则存储控制器可以将这些全部的存储单元都重配为QLC模式。或者，考虑到即使将未超过QLC模式的存储单元的理论可擦写次数的SLC模式的存储单元重配为QLC模式，重配后的QLC模式的存储单元也可以只具有较少的剩余可擦写次数，导致QLC闪存阵列的存储能力降低，因此存储控制器也可以直接不再重配SLC模式的存储单元。

步骤303，存储控制器确定待写入数据的类型：

当待写入数据为热数据时，执行步骤304；

当待写入数据为冷数据时，执行步骤305。

在上述步骤303中，存储控制器可以通过如下任一方式确定待写入数据的类型：

方式一，存储控制器根据待写入数据所具有的数据标签确定待写入数据的类型。其中，待写入数据所具有的数据标签由上层APP或主机指定并通过数据处理请求发送给存储控制器，用于指示待写入数据为热数据或冷数据。

方式二，存储控制器使用本地存储的预设分类模型预测待写入数据的类型。其中，预设分类模型由存储控制器预先基于已知数据类型的大量的训练数据训练得到，预设分类模型中包含热数据所具有的特征信息以及冷数据所具有的特征信息。在获取待写入数据后，存储控制器先提取待写入数据的特征信息，基于待写入数据的特征信息与热数据所具有的特征信息的匹配程度对待写入数据属于热数据类型的分类进行评分，基于待写入数据的特征信息与冷数据所具有的特征信息的匹配程度对待写入数据属于冷数据类型的分类进行评分，然后将两种分类中评分更高的分类作为待写入数据的类型。其中，预设分类模型可以为二分类模型、机器学习模型或神经网络模型等，具体不作限定。

方式三，存储控制器先识别待写入数据所属的业务场景，再使用该业务场景所对应的业务模型识别待写入数据的类型。此处的业务模型可以是指上述预设分类模型，也可以是指能划分冷热数据的其它模型。举例来说，在待写入数据所属的业务场景下，若业务模型基于预设的写入频率阈值划分冷数据和热数据，则：如果待写入数据的写入频率大于或等于预设的写入频率阈，则存储控制器可以判定该待写入数据为热数据，否则判定该待写入数据为冷数据。

方式四，存储控制器判断待写入数据是否是对历史数据中的热数据的更新，若是，则确定待写入数据为热数据，否则确定待写入数据为冷数据。

应理解，除这几种识别冷热数据的方式之外，存储控制器还可以通过其它方式识别冷热数据，如聚类算法等，本申请对此不再一一赘述。

步骤304，存储控制器将待写入数据写入至QLC闪存阵列中配置为SLC模式的存储单元。

在上述步骤304中，存储控制器可以从SLC区域所包含的各存储单元中找到一个剩余可擦写次数较多的存储单元，并将待写入数据写入该存储单元。由于SLC模式的存储单元的理论可擦写次数约为50000次，远远大于QLC模式的存储单元的1500次，因此使用SLC模式的存储单元来存储热数据，能充分利用SLC模式的存储单元的高可擦写次数服务于高写入活跃程度的热数据。

步骤305，存储控制器将待写入数据写入至QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元。

在上述步骤305中，存储控制器可以从QLC区域所包含的各存储单元中找到一个剩余可擦写次数较多的存储单元，并将待写入数据写入该存储单元。如此，不仅能利用QLC模式的存储单元满足低写入活跃程度的冷数据的擦写次数需求，还能尽量减少SSD的成本，提高QLC闪存阵列的资源利用率。

在上述实施例一中，通过使用QLC闪存阵列的历史数据的热度以及剩余空间自适应地调整SLC模式的存储单元与QLC模式的存储单元的空间分配，能在不超过QLC闪存阵列的可用能力的情况下使空间分配更加匹配当前的业务场景，以避免存储单元的磨损，优化QLC闪存阵列中的颗粒排布方式，提高QLC闪存阵列对不同业务场景的通用性，保障业务处理效果和QLC闪存阵列的存储性能。更进一步的，通过配置与业务场景相匹配的空间分配，还能在同一业务场景下尽量表现出相同的性能，有效提高用户的使用体验。

下面基于实施例二和实施例三，介绍实施例一中分配空间的两种具体实现方式。

【实施例二】

图4示例性示出本申请实施例提供的另一种数据处理方法的流程示意图，该方法适用于存储控制器，如图1所示意的存储控制器210。在该示例中，存储控制器可以按照周期方式执行数据处理，下面以其中一个周期为例进行介绍。如图4所示，该方法包括：

步骤401，存储控制器根据写入QLC闪存阵列的历史数据的数据标签，从历史数据中确定出热数据。

示例来说，上层APP或主机提前将数据划分为元数据和用户数据两种，元数据属于热数据，而用户数据属于冷数据。在一个周期内，主机同时将数据和对应的数据标签下发给存储控制器。如此，存储控制器若查询到数据对应的数据标签为元数据，则可确定该数据为热数据，若查询到数据对应的数据标签为用户数据，则可确定该数据为冷数据。存储控制器通过查询该周期内的全部数据对应的数据标签，可将具有元数据标签的数据作为该周期内写入QLC闪存阵列的热数据。

步骤402，存储控制器统计热数据的总写入次数和历史数据的总写入次数，将热数据的总写入次数与历史数据的总写入次数的比值作为历史数据的热度。

步骤403，存储控制器使用历史数据的热度、QLC闪存阵列的剩余空间以及SLC区域与QLC区域的分配比例表征QLC闪存阵列的预设性能，按照用户容量一致性原则和存储单元数量一致性原则，计算得到使该预设性能达到最大的SLC区域与QLC区域的目标分配比例。

在一种可选地实施方式中，SSD的整个存储空间被划分为用户空间和冗余空间，在这种情况下：

SLC区域也可以由SLC用户空间和SLC冗余空间构成，SLC用户空间是指被配置为 SLC模式的存储单元中用于存储用户数据的存储单元，SLC冗余空间是被配置为SLC模式的存储单元中用于在SLC用户空间的用户数据存储过程中实现垃圾回收功能的存储单元；

QLC区域也可以由QLC用户空间和QLC冗余空间构成，QLC用户空间是指被配置为QLC模式的存储单元中用于存储用户数据的存储单元，QLC冗余空间是被配置为QLC模式的存储单元中用于在QLC用户空间的用户数据存储过程中实现垃圾回收功能的存储单元。

如此，SLC用户空间和QLC用户空间统一构成了SSD中的用户空间，这两部分用户空间共同用于存储写入SSD中的用户数据，因此SSD对外呈现的用户容量为SLC用户空间所对应的SLC用户容量和QLC用户空间所对应的SLC用户容量之和。例如，当SLC用户空间包括4个存储单元、QLC用户空间包括3个存储单元时，SLC用户空间所对应的SLC用户容量为4bit，而QLC用户空间所对应的QLC用户容量为(4×3)bit，因此SSD对外呈现的用户容量为16bit。对应的，SLC冗余空间和QLC冗余空间统一构成了SSD中的冗余空间，这两部分冗余空间共同用于在向SSD中的用户空间写入用户数据时执行垃圾收集，因此SSD中的冗余容量为SLC冗余空间所对应的SLC冗余容量和QLC冗余空间所对应的SLC冗余容量之和。例如，当SLC冗余空间包括2个存储单元、QLC冗余空间包括1个存储单元时，SLC冗余空间所对应的SLC冗余容量为2bit，而QLC冗余空间所对应的QLC冗余容量为(4×1)bit，因此SSD中的冗余容量为6bit。

在这种情况下，SLC区域与QLC区域的分配比例包括SLC用户空间所对应的存储单元数量、SLC冗余空间所对应的存储单元数量、QLC用户空间所对应的存储单元数量、以及QLC冗余空间所对应的存储单元数量。在实施中，存储控制器可以先根据用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，计算得到SLC用户空间所对应的存储单元数量、SLC冗余空间所对应的存储单元数量、QLC用户空间所对应的存储单元数量、以及QLC冗余空间所对应的存储单元数量之间的第一关联关系，再使用历史数据的热度、QLC闪存阵列的剩余空间、SLC用户空间所对应的存储单元数量、SLC冗余空间所对应的存储单元数量、QLC用户空间所对应的存储单元数量、以及QLC冗余空间所对应的存储单元数量表征QLC闪存阵列的预设性能，并计算出使QLC闪存阵列的预设性能达到最大的SLC用户空间所对应的存储单元数量、SLC冗余空间所对应的存储单元数量、QLC用户空间所对应的存储单元数量、以及QLC冗余空间所对应的存储单元数量之间的第二关联关系，之后基于第一关联关系和第二关联关系，解析出SLC用户空间所对应的目标存储单元数量、SLC冗余空间所对应的目标存储单元数量、QLC用户空间所对应的目标存储单元数量、以及QLC冗余空间所对应的目标存储单元数量。

下面具体介绍存储控制器如何根据用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，计算得到使预设性能指标达到最大的目标分配比例。在下文中，假设QLC闪存阵列在初始状态下内部的各存储单元都配置为QLC，且用户空间和冗余空间均以存储单元为单位。应理解，用户空间和冗余空间还可以以其它指标为单位，如存储单元块。关于存储单元块的相关内容，请参照实施例三，此处先不做介绍。

在一种可选地实施方式中，存储控制器中还可以设置有一个双模配置表，双模配置表用于记录QLC闪存阵列的基本配置信息以及重配前后的分配比例配置信息。其中，QLC闪存阵列的基本配置信息可以包括：QLC闪存阵列的初始QLC用户空间、QLC闪存阵列的初始QLC冗余空间、QLC闪存阵列的初始DWPD、QLC闪存阵列的理论可擦写次数及寿命等。重配前的分配比例配置信息包括：重配前的QLC用户空间、重配前的QLC冗余空间、重配前的QLC空间冗余比、重配前的QLC空间的写放大、重配前的SLC用户空间、重配前的SLC冗余空间、重配前的SLC空间冗余比和重配前的SLC空间的写放大等。重配后的分配比例配置信息包括：重配后的QLC用户空间、重配后的QLC冗余空间、重配后的QLC空间冗余比、重配后的QLC空间的写放大、重配后的SLC用户空间、重配后的SLC冗余空间、重配后的SLC空间冗余比和重配后的SLC空间的写放大等。

表1示例性示出本申请实施例提供的一种双模配置表的示意：

表1

先对表1中的各个术语进行介绍：

DWPD是指按照SSD所呈现的用户容量，用户每天可写满全盘的次数；

PE _QLC是指QLC模式的存储单元的理论可擦写次数，一般为1500次左右；

PE _SLC是指SLC模式的存储单元的理论可擦写次数，一般为50000次左右；

寿命是指按照用户每天可写满全盘的次数DWPD ₀，QLC闪存阵列的可使用年限；

QLC ₀是指QLC闪存阵列重配之前所包含的QLC区域，包括QLC用户空间和QLC冗余空间；

QLC ₁是指QLC闪存阵列重配之后所包含的QLC区域，包括QLC用户空间和QLC冗余空间；

SLC ₁是指QLC闪存阵列重配之后所包含的SLC区域，包括SLC用户空间和SLC冗余空间；

空间冗余比OP是指作为冗余空间的存储单元数量和作为用户空间的存储单元数量的比值；

写放大WA(OP)是指SSD按照先擦除才能再写入的特性所带来的额外的数据拷贝，写放大WA(OP)与空间冗余比OP具有关联关系，该关联关系可以由本领域技术人员根据经验进行设置，也可以根据实验验证得到。示例性地，本申请设置写放大WA(OP)与空间冗余比OP之间的关联关系可以满足如下公式(1.1)或如下公式(1.2)：

其中，W为朗伯W函数，又称为欧米加函数或乘积对数函数。

应理解，写放大WA(OP)与空间冗余比OP之间的关联关系还可以满足其它公式，本申请对此不作限定。

按照表1所示意的双模配置表，QLC闪存阵列中共存在M+N个存储单元：

在重配之前：M+N个存储单元都配置为QLC模式，其中的M个存储单元作为QLC用户空间，剩余的N个存储单元作为QLC冗余空间，空间冗余比为OP ₁，对应的写放大为WA(OP ₁)。

在重配之后：M+N个存储单元中的A+B个存储单元被配置为QLC模式，A+B个QLC模式的存储单元中存在A个存储单元作为用户空间，剩余的B个存储单元作为冗余空间，QLC区域的空间冗余比为OP ₂，对应的写放大为WA(OP ₂)；M+N个存储单元中的S+Q个存储单元被配置为SLC模式，S+Q个SLC模式的存储单元中存在S个存储单元作为用户空间，剩余的Q个存储单元作为冗余空间，SLC区域的空间冗余比为OP ₃，对应的写放大为WA(OP ₃)。

图5示例性示出一种重配前后的QLC闪存阵列划分关系图，其中，图5中的(a)图示意出重配前的QLC闪存阵列中各存储空间的划分关系，图5中的(b)图示意出重配前后的QLC闪存阵列中各存储容量的划分关系：

参照图5中的(a)图所示，按照存储单元数量一致性原则，无论是在重配之前还是在重配之后，QLC闪存阵列所包含的存储单元的数量都相同。重配之前共存在M+N个存储单元，而重配之后共存在A+B+S+Q个存储单元，因此重配后的QLC用户空间A、重配后的QLC冗余空间B、重配后的SLC用户空间S、以及重配后的SLC冗余空间Q满足如下公式(2.1)：

A+B+S+Q＝M+N.................(2.1)

参照图5中的(b)图所示，按照用户容量一致性原则，重配之前存在M个QLC模式的存储单元作为用户空间，由于每个QLC模式的存储单元可以存储4bit数据，因此重配之前的用户容量为4Mbit；重配之后存在A个QLC模式的存储单元和S个SLC模式的存储单元共同作为用户空间，由于每个QLC模式的存储单元可以存储4bit数据、每个SLC模式的存储单元可以存储1bit数据，因此重配之后的用户容量为(4A+S)bit。基于此，重配后的QLC用户空间A、重配后的QLC冗余空间B、重配后的SLC用户空间S、以及重配后的SLC冗余空间Q还满足如下公式(2.2)：

4A+S＝4M.................(2.2)

更进一步的，QLC闪存阵列的预设性能指标可以包括上述内容所介绍的任意一种或任意多种衡量性能的指标，如TBW指标、PE次数指标、DWPD指标、IOPS指标或IOPS _{rand_4K}指标等。考虑到QLC闪存阵列的DWPD性能和IOPS _{rand_4K}性能是目前影响QLC闪存阵列写入能力的两个瓶颈性能，因此下面从DWPD指标最优和IOPS _{rand_4K}指标最优这两个方面分别介绍确定目标分配比例的具体实现过程。

DWPD指标最优

在一种可选地实施方式中，存储控制器中还可以设置有一个写入数据量配置表，写入数据量配置表用于记录每个存储区域(QLC区域或SLC区域)的每日实际可写入数据量和物理可写入数据量。

表2示例性示出本申请实施例提供的一种写入数据量配置表的示意：

表2

先对表2中的各个术语进行介绍：

K ₀是指按照重配之前的用户容量，用户每天可写满全盘的次数；

K ₁是指按照重配之后的用户容量，用户每天可写满全盘的次数；

PE _QLC0是指重配之前的QLC模式的存储单元的剩余可擦写次数；

PE _QLC1是指重配之后的QLC模式的存储单元的剩余可擦写次数；

PE _SLC1是指重配之后的SLC模式的存储单元的剩余可擦写次数；

X是指历史数据的热度。

按照表2所示意的写入数据量配置表，在重配之前：

QLC闪存阵列中存在M个QLC模式的存储单元作为用户空间，由于每个QLC模式的存储单元可以存储4bit数据，因此QLC闪存阵列所呈现的用户容量为4M bit；用户按照该用户容量每天写满全盘的次数为K ₀，因此用户每天会向QLC闪存阵列中写入的数据量为K ₀*4M bit；在写放大WA(OP ₁)的作用下，QLC闪存阵列每日实际可写入的数据量为K ₀*4M*WA(OP ₁)bit；按照QLC闪存阵列的剩余寿命(假设为Y年，每年有365天)，则QLC闪存阵列在剩余寿命期间内实际可写入的总数据量为K ₀*4M*WA(OP ₁)*Y*365bit；

QLC闪存阵列中共存在M+N个QLC模式的存储单元，由于每个QLC模式的存储单元可以存储4bit数据，因此QLC闪存阵列理论上擦写一次可写入的数据量为4(M+N)bit；重配之前的QLC模式的存储单元的剩余可擦写次数PE _QLC0，因此QLC闪存阵列物理可写入的数据量为4(M+N)*PE _QLC0bit；

QLC闪存阵列在重配之前的剩余寿命期间内实际可写入的总数据量与QLC闪存阵列物理可写入的数据量应该相同，因此重配之前的QLC模式的存储单元的每日全盘写满次数K ₀满足如下公式(2.3)：

K ₀*4M*WA(OP ₁)*Y*365＝4(M+N)*PE _QLC0.................(2.3)

按照表2所示意的写入数据量配置表，针对于重配之后的QLC区域：

按照用户容量一致性原则，QLC闪存阵列所呈现的用户容量仍为4M bit；用户按照该用户容量每天写满全盘的次数为K ₁，因此用户每天会向QLC闪存阵列中写入的数据量为K ₁*4M bit；重配之后的QLC区域只用于存储冷数据，而按照历史数据计算出来的热度为X，则历史数据的冷度(如历史数据中的冷数据的写入频率)为1-X，因此用户每天向QLC区域中写入的数据量为K ₁*4M*(1-X)bit；在写放大WA(OP ₂)的作用下，QLC区域中每日实际可写入的数据量为K ₁*4M*(1-X)*WA(OP ₂)bit；按照QLC闪存阵列的剩余寿命(假设为Y年，每年有365天)，则QLC区域在剩余寿命期间内实际可写入的总数据量为K ₁*4M*(1-X)*WA(OP ₂)*Y*365bit；

QLC闪存阵列中共存在A+B个QLC模式的存储单元，由于每个QLC模式的存储单元可以存储4bit数据，因此QLC区域理论上擦写一次可写入的数据量为4(A+B)bit；重配之后的QLC模式的存储单元的剩余可擦写次数为PE _QLC1(类型未变，仍与重配之前的QLC类型的存储单元的剩余可擦写次数PE _QLC0相同)，因此QLC区域物理可写入的数据量为4(A+B)*PE _QLC1bit；

QLC区域在重配之后的剩余寿命期间内实际可写入的总数据量需要小于QLC区域物理剩余可写入的数据量，即K ₁*4M*(1-X)*WA(OP ₂)*Y*365≤4(A+B)*PE _QLC1，因此按照重配之后的QLC区域计算得到的每日全盘写满次数K ₁满足如下公式(2.4)：

按照表2所示意的写入数据量配置表，针对于重配之后的SLC区域：

按照用户容量一致性原则，QLC闪存阵列所呈现的用户容量仍为4M bit；用户按照该用户容量每天写满全盘的次数为K ₁，因此用户每天会向QLC闪存阵列中写入的数据量为K ₁*4M bit；重配之后的SLC区域只用于存储热数据，而按照历史数据计算出来的热度为X，因此用户每天向SLC区域中写入的数据量为K ₁*4M*X bit；在写放大WA(OP ₃)的作用下，SLC区域中每日实际可写入的数据量为K ₁*4M*X*WA(OP ₃)bit；按照QLC闪存阵列的剩余寿命(假设为Y年，每年有365天)，则SLC区域在剩余寿命期间内实际可写入的总数据量为K ₁*4M*X*WA(OP ₃)*Y*365bit；

QLC闪存阵列中共存在S+Q个SLC模式的存储单元，由于每个SLC模式的存储单元可以存储1bit数据，因此SLC区域理论上擦写一次可写入的数据量为(S+Q)bit；重配之后的SLC类型的存储单元的剩余可擦写次数为PE _SLC1(类型变化，可在重配之前的QLC类型的存储单元的剩余可擦写次数PE _QLC0的基础上计算得到)，因此SLC区域物理可写入的数据量为(S+Q)*PE _SLC1bit；

SLC区域在重配之后的剩余寿命期间内实际可写入的总数据量需要小于SLC区域物理剩余可写入的数据量，即K ₁*4M*X*WA(OP ₃)*Y*365≤(S+Q)*PE _SLC1，因此按照重配之后的SLC区域计算得到的每日全盘写满次数K ₁满足如下公式(2.5)：

根据上述公式(2.4)和(2.5)，如果要使重配之后的每日全盘写满次数K ₁最大，则重配之后的每日全盘写满次数K ₁应该取值为重配之后的QLC区域计算得到的每日全盘写满次数K ₁和重配之后的SLC区域计算得到的每日全盘写满次数K ₁之中的最大值，即重配之后的每日全盘写满次数K ₁满足如下公式(2.6)：

因此，存储控制器根据上述公式(1.1)或(1.2)可以计算得到写放大WA(OP ₂)和写放大WA(OP ₃)，根据上述公式(2.1)可以计算得到重配后的QLC用户空间A、重配后的QLC冗余空间B、重配后的SLC用户空间S、以及重配后的SLC冗余空间Q之间的第一关联关系，根据上述公式(2.2)可以计算得到重配后的QLC用户空间A和重配后的SLC用户空间S之间的第二关联关系，将计算得到的写放大WA(OP ₂)、写放大WA(OP ₃)、第一关联关系、第二关联关系、以及上述步骤402所计算出的历史数据的热度X代入上述公式(2.6)之后，存储控制器能找到使重配后的DWPD(即K ₁)达到最大的A、B、S和Q的取值，作为SLC区域和QLC区域的目标分配比例。

IOPS _{rand_4K}指标最优

本申请实施例中，随机4K下的IOPS与历史数据的热度、QLC闪存阵列的拓扑结构、存储单元的tR、存储单元的tProg以及QLC闪存阵列的通道并发数等信息相关。示例来说，在一种可选地实施方式中，IOPS _{rand_4K}可以满足如下公式(3.1)：

其中，X为历史数据的热度；SLC _perf用于表征SLC区域的性能，可以由与SLC区域的性能相关的各项参数计算得到，如可以满足如下公式(3.2)：

其中，DieNum是指QLC闪存阵列的通道并发数；le6是指10 ⁶；a ₁为小于1的一个常数，称为SLC区域对应的打折率，是考虑到SLC区域的性能可能由于损耗导致无法完全发挥而给出的一个折扣比例；GC _Sr是指对SLC区域中的垃圾回收操作搬移数据所需的平均读时延的一个估计值；WA(OP ₃)是指SLC区域的写放大；ratio是指由于有限的系统带宽影响导致数据下刷所占去的比例；le3是指10 ³。

对应的，QLC _perf用于表征QLC区域的性能，可以由与QLC区域的性能相关的各项参数计算得到，如可以满足如下公式(3.3)：

其中，a ₂为小于1的一个常数，称为QLC区域对应的打折率，是考虑到QLC区域的性能可能由于损耗导致无法完全发挥而给出的一个折扣比例；WA(OP ₂)是指QLC区域的写放大，GC _Qr是指对QLC区域中的垃圾回收操作搬移数据所需的平均读时延的一个估计值。

存储控制器根据上述公式(1.1)或(1.2)可以计算得到写放大WA(OP ₂)和写放大WA(OP ₃)，根据上述公式(2.1)可以计算得到重配后的QLC用户空间A、重配后的QLC冗余空间B、重配后的SLC用户空间S、以及重配后的SLC冗余空间Q之间的第一关联关系，根据上述公式(2.2)可以计算得到重配后的QLC用户空间A和重配后的SLC用户空间S之间的第二关联关系，将计算得到的写放大WA(OP ₂)、写放大WA(OP ₃)、第一关联关系、第二关联关系、以及上述步骤402所计算出的历史数据的热度X代入上述公式(3.2)之后，存储控制器能计算出SLC区域的性能SLC _perf，将计算得到的写放大WA(OP ₂)、写放大WA(OP ₃)、第一关联关系、第二关联关系、以及上述步骤402所计算出的历史数据的热度X代入上述公式(3.3)之后，存储控制器能计算出QLC区域的性能QLC _perf，将计算得到的SLC _perf和QLC _perf代入上述公式(3.1)之后，存储控制器可以计算得到使随机4K下的每秒写入数量IOPS _{rand_4K}(单位为千)最大的取值。

需要说明的是，上述实际上是以实现一种性能指标最大为例介绍分配比例的计算过程。当同时关心至少两个性能指标时，存储控制器还可以综合两个性能指标选择出一个能使这两个性能指标都较好的目标分配比例。

步骤404，存储控制器判断SLC区域与QLC区域的目标分配比例中所指出的SLC区域是否大于当前SLC区域，若是，则执行步骤405，若否，则执行步骤406。

步骤405，存储控制器按照SLC区域与QLC区域的目标分配比例，将QLC闪存阵列中的部分QLC模式的存储单元重配为SLC模式。

在一种可选地实施方式中，考虑到同一数据在存储单元配置为不同模式时会对应不同的电平状态(例如，“0”在QLC模式的存储单元中对应第一电压差，而在SLC模式的存储单元中对应第二电压差)，因此，如果直接在存储单元中存储有大量数据的情况下重配存储单元的模式，则存储控制器还需要在短时间内同时调整所存储的大量数据的电压差，增大了存储单元丢失数据的概率。为避免该问题，存储控制器在确定要将某一QLC模式的存储单元重配为SLC类型之前，还可以先判断该QLC模式的存储单元中是否存储有数据，若存储有数据或存储的数据量很多，则存储控制器可以先不执行重配，而是等待该QLC类型的存储单元内部所存储的数据被清理(如清空或清理部分)之后，再将该QLC模式的存储单元重配为SLC模式，以在重配存储单元的类型时兼顾数据存储的准确性。

步骤406，存储控制器保持QLC闪存阵列中的SLC区域与QLC区域的当前分配比例。

下面以一个具体的场景示例性介绍实施例二中的数据处理方法的应用。在如下示例中，假设空间单位为存储单元，容量单位为4bit，在这种情况下，“空间为2”是指“包括2个存储单元”，“容量为4”是指“容量为16bit”。应理解，在其它示例中，空间单位和容量单元也可以使用其它数据度量值，如空间单位还可以为50个存储单元或100个存储单元等，容量单位还可以为4MB或8MB等，具体不作限定。

在该场景中，QLC闪存阵列中共存在3610个存储单元，每个QLC模式的存储单元的可擦写次数均为1500次，每个SLC模式的存储单元的可擦写次数均为50000次。假设主机在一个周期内向QLC闪存阵列中写入55％的元数据(热数据)和45％的用户数据(冷数据)，则图6示例性示出本申请实施例提供的一种优化结果示意图，其中，图6中的(a)图示出按照DWPD指标最优方案优化SLC区域和QLC区域的分配比例后的优化结果，图6中的(b)图示出在保证DWPD不变的情况下，按照IDPS _{rand_4K}指标最优方案优化SLC区域和QLC区域的分配比例后的优化结果。参照图6中的(a)图所示：

在重配之前：全部的存储单元都为QLC模式，QLC用户空间为3207，QLC冗余空间为403，空间总数量为3610，且QLC区域的冗余比为403/3207，将该冗余比代入上述公式(1.1)后，计算得到QLC区域的写放大WA为4.46；由于全部的存储单元都为QLC模式，因此写入QLC区域的热数据占历史数据的100％，各区域的平均写放大即为QLC区域的写放大4.46；每个QLC模式的存储单元的可擦写次数PE均为1500次，擦写一次理论上可写入的数据量为用户容量3207(因为一个QLC类型的存储单元存储4bit数据，恰好符合容量单位4bit)与冗余容量403的和，即3207+403，因此理论可写入数据量为可擦写次数PE与擦写一次理论上可写入的数据量的乘积，即1500*(3207+403)＝5415000，实际可写入据量为理论可写入数据量与写放大的比值，即5415000/4.46＝1214126，QLC闪存阵列的可写入数据量TWB也为1214126。

在重配之后：全部的存储单元分为QLC模式和SLC模式，每个QLC模式的存储单元的可擦写次数均为1500次，用于存储冷数据，冷数据占历史数据的45％，而每个SLC模式的存储单元的可擦写次数均为50000次，用于存储热数据，热数据占历史数据的55％；基于上述公式(1.1)、(1.2)、(2.1)、(2.2)、和(2.6)，计算出使DWPD达到最大的分配比例为：QLC用户空间为3175，QLC冗余空间为265，SLC用户空间为128，SLC冗余空间为42。在这种分配比例下，QLC用户空间3175、QLC冗余空间265、SLC用户空间128和SLC冗余空间42的空间总和为3610，符合存储单元数量一致性原则；QLC用户容量为3175，而SLC用户容量为128/4(因为一个SLC模式的存储单元只存储1bit数据，需要除以4才能转化为容量单位4bit)，因此QLC用户容量和SLC用户容量的和仍能保持为3207，符合用户容量一致性原则。根据QLC用户容量3175和QLC冗余容量295计算得到QLC区域的写放大为6.66，根据SLC用户容量128/4和SLC冗余容量42/4计算得到SLC区域的写放大为2.22，由于QLC区域所存储的冷数据占历史数据的45％，SLC区域所存储的热数据占历史数据的55％，因此重配后的各区域的平均写放大为QLC区域的写放大6.66和SLC区域的写放大2.22的加权平均值6.66*45％+2.22*55％(即4.22)；按照该分配比例，每个QLC模式的存储单元的可擦写次数PE均为1500次，QLC区域擦写一次理论上可写入的数据量为用户容量与冗余容量的和，即3175+295，因此QLC区域理论可写入数据量为可擦写次数PE与QLC区域擦写一次理论上可写入的数据量的乘积，即1500*(3175+295)＝5205000，QLC区域实际可写入据量为理论可写入数据量与写放大的比值，即5205000/6.66＝781530；每个SLC模式的存储单元的可擦写次数PE均为50000次，SLC区域擦写一次理论上可写入的数据量为用户容量与冗余容量的和，即128/4+42/4，因此SLC区域理论可写入数据量为可擦写次数PE与SLC区域擦写一次理论上可写入的数据量的乘积，即50000*(128/4+42/4)＝2125000，SLC区域实际可写入据量为理论可写入数据量与写放大的比值，即2125000/2.22＝957207；

综上所述，重配后的QLC闪存阵列的总写入量为QLC区域理论可写入量5205000与SLC区域理论可写入量2125000的和值，即7330000，相比于重配前的总写入量5415000提升了(7330000-5415000)/5415000＝35.36％。重配后的可写入量TWB为QLC区域可写入量781530与SLC区域可写入量957207的和值，即1736737，相比于重配前的可写入量1214126提升了(1736737-1214126)/1214126＝43.04％，即DWPD性能提升了43.04％。

参照图6中的(b)图所示：

基于上述公式(1.1)、(1.2)、(2.1)、(2.2)、(3.1)至(3.3)，计算出使IOPS _{rand_4K}达到最大的分配比例为：QLC用户空间为3175，QLC冗余空间为279，SLC用户空间为128，SLC冗余空间为28。在这种分配比例下，QLC用户空间3175、QLC冗余空间279、SLC用户空间128和SLC冗余空间28的空间总和为3610，符合存储单元数量一致性原则；QLC用户容量为3175，而SLC用户容量为128/4，因此QLC用户容量和SLC用户容量的和仍能保持为3207，符合用户容量一致性原则。根据QLC用户容量3175和QLC冗余容量279计算得到QLC区域的写放大为6.36，根据SLC用户容量128/4和SLC冗余容量28/4计算得到SLC区域的写放大为2.97。按照该分配比例下的QLC相关的各项性能参数和SLC相关的各项性能参数，最大的IOPS _{rand_4K}取值为39.04，相比于重配前的IOPS _{rand_4K}取值25.70来说，性能提升了51.91％。

图7示例性示出该场景下QLC闪存阵列的性能变化曲线图，其中：

图7中的(a)图示意出DWPD性能随SLC冗余空间变化而变化的曲线，其中纵坐标对应为DWPD性能，单位为千次，横坐标对应为SLC冗余空间所占的存储单元数量。在图7中的(a)图中，节点线对应为重配前的DWPD性能线，由于重配之前只存在QLC区域且配置不变，因此DWPD性能始终保持一致，大约为200次左右。实线对应为重配后的DWPD性能线，由该性能线可知，当SLC冗余空间逐渐变大时，DWPD性能会先变大再变小，且DWPD性能的峰值点V ₁₁对应为SLC冗余空间配置被为42的情况，DWPD性能的峰值大约为300次。

图7中的(b)图示意出IOPS _{rand_4K}性能随SLC冗余空间变化而变化的曲线，其中纵坐标对应为IOPS _{rand_4K}性能，单位为千，横坐标对应为SLC冗余空间所占的存储单元数量。由图7中的(b)图的性能线可知，当SLC冗余空间逐渐变大时，IOPS _{rand_4K}性能也会先变大再变小，且IOPS _{rand_4K}性能的峰值点V ₁₂对应为SLC冗余空间配置被为28的情况，IOPS _{rand_4K}性能的峰值大约为390400。

当业务场景更关注DWPD性能时，存储控制器可以从图7中的(a)图中找到使DWPD性能达到峰值V ₁₁的SLC冗余空间取值。当业务场景更关注IOPS _{rand_4K}性能时，存储控制器可以从图7中的(b)图中找到使IOPS _{rand_4K}性能达到峰值V ₁₂的SLC冗余空间取值。当业务场景既关心DWPD性能又关心IOPS _{rand_4K}性能时，存储控制器可以从图7中的(a)图和图7中的(b)图中找到一个既能使DWPD性能较好又能使IOPS _{rand_4K}性能较好的SLC冗余空间取值，如区间R中的一个值。可知，按照上述实施例二中的数据处理方法优化SLC和QLC的分配比例，DWPD性能和IOPS _{rand_4K}性能基本能保持一致，当DWPD性能较好时，IOPS _{rand_4K}性能也较好。

在上述实施例二中，通过遵循用户容量一致性原则计算分配比例，能使存储控制器呈现给用户的容量始终保持一致，而不是一个变化的值，从而有助于提高用户的写入体验。更进一步的，该方案还能根据业务场景设置QLC闪存阵列的预设性能，以计算出最满足当前业务场景的分配比例，因此还有助于提高QLC闪存阵列对各种业务场景的匹配能力。

【实施例三】

图8示例性示出本申请实施例提供的又一种数据处理方法的流程示意图，该方法适用于存储控制器，如图1所示意的存储控制器210。如图8所示，该方法包括：

步骤801，存储控制器检测QLC闪存阵列中包含的存储单元的数量：

若存储单元的数量大于或等于预设的数量阈值，则执行步骤802；

若存储单元的数量小于预设的数量阈值，则执行步骤803。

步骤802，存储控制器将QLC闪存阵列中包含的存储单元划分为至少两个存储单元块，至少两个存储单元块中的每个存储单元块包含至少两个存储单元。

在上述步骤801和步骤802中，存储控制器可以在存储单元数量较多的情况下对存储单元进行分块处理，通过将大量的存储单元划分为少量的存储单元块，能便于存储控制器后续基于较少的存储单元块进行数据处理，而无需基于大量的存储单元进行数据处理，从而有助于减轻存储控制器的工作压力。

本申请实施例中，存储控制器可以按照多种方式划分存储单元，例如可以按照随机算法将任意位置和任意数量的存储单元划分为一个存储单元块，也可以将固定数量的相邻的存储单元划分为一个存储单元块等，具体不作限定。示例性地，为便于维护QLC闪存阵列的行列结构，可以将每行存储单元划分为一个存储单元块。例如，继续参照图1所示，假设M为10、N为100，则QLC闪存阵列中共存在1000个存储单元，存储控制器可以将这1000个存储单元划分为存储单元块1至存储单元块10这10个存储单元块，其中存储单元块1包括位于第一行中的100个存储单元D ₁₁～D ₁₁₀₀，存储单元块2包括位于第二行中的100个存储单元D ₂₁～D ₂₁₀₀，……，存储单元块10包括位于第10行中的100个存储单元D ₁₀₁～D ₁₀₁₀₀。采用该示例，存储控制器能直接以每一行存储单元所连接的总线消息为依据，统计该行存储单元所在的存储单元块的写入次数，提高次数统计的灵活性和便捷性。

步骤803，存储控制器将每个存储单元作为一个存储单元块。

在上述步骤801和步骤803中，当存储单元的数量较少时，存储控制器可以直接以存储单元为基准进行数据处理，而无需再进行分块操作。在这种情况下，“将存储单元作为一个存储单元块”只是为了便于在下文中以“存储单元块”为例介绍数据处理方案，存储控制器实际上并没有进行分块操作。也就是说，当存储单元的数量不大于预设的数量阈值时，存储控制器可以按照下文所介绍的方式对各个存储单元进行处理，且下文中的“存储单元块”可以直接被替换为“存储单元”。

步骤804，存储控制器实时统计数据写入QLC闪存阵列的总写入次数和每个存储单元块的写入次数。

在一种可选地实施方式中，存储控制器中还可以维护有一个双模统计表，双模统计表中包括QLC闪存阵列的总写入次数和每个存储单元块的写入次数等参数和这些参数所对应的取值。存储控制器每根据主机发送的数据处理请求向QLC闪存阵列中写入数据后，都可以根据本次写入操作更新QLC闪存阵列的总写入次数所对应的取值，并根据这一个或多个数据所写入的存储单元块更新本次写入的存储单元块的写入次数所对应的取值，以实现对上述各项数据的实时统计。

表3示例性示出一种双模统计表的示意，如表3所示，假设一共存在如上述步骤802中所介绍的存储单元块1至存储单元块10这10个存储单元块，并向这10个存储单元块中写入如下五次数据：第一次写入向存储单元块1中的存储单元D ₁₁～D ₁₁₀₀、以及存储单元块6中的存储单元D ₆₁～D ₆₁₀₀分别写入“1”，第二次写入向存储单元块1中的存储单元D ₁₁～D ₁₁₀₀、以及存储单元块2中的存储单元D ₂₁～D ₂₁₀₀分别写入“0”，第三次写入向存储单元块1中的存储单元D ₁₁～D ₁₁₀₀分别写入“1”，第四次写入向存储单元块1中的存储单元D ₁₁～D ₁₁₀₀、以及存储单元块6中的存储单元D ₆₁～D ₆₁₀₀中的每个存储单元分别写入“0”，第五次写操作向存储单元块2中的存储单元D ₂₁～D ₂₁₀₀、以及存储单元块6中的存储单元D ₆₁～D ₆₁₀₀分别写入“1”。则这五次写入操作中的总写入次数为900，存储单元D ₁₁～D ₁₁₀₀所在的存储单元块1的写入次数为400，存储单元D ₂₁～D ₂₁₀₀所在的存储单元块2的写入次数为300，而存储单元D ₆₁～D ₆₁₀₀所在的存储单元块6的写入次数为200，其它存储单元的写入次数为0。

表3

如表3所示，经过上述五次操作后，在双模统计表的记录中，QLC闪存阵列的总写入次数更新为900，存储单元1的总写入次数更新为400，存储单元2的总写入次数更新为200，存储单元6的总写入次数更新为300，其它存储单元的总写入次数仍为0。

步骤805，存储控制器判断当前是否满足重配条件，若满足，则执行步骤806，若不满足，则继续执行步骤804。

在上述步骤805中，重配条件可以包括QLC闪存阵列的总写入次数大于预设写入次数、总写入时长大于预设写入时长或总写入数据量大于预设写入数据量等，还可以包括其它条件，具体不作限定。以重配条件为QLC闪存阵列的总写入次数大于或等于3/5PE为例，如果重配之前QLC闪存阵列全部为QLC区域，且QLC区域的PE为1500，则900刚好等于3/5PE，说明当前满足重配存储区域的条件，存储控制器可以启动重配流程。

步骤806，存储控制器从至少两个存储单元块获取写入次数从多到少排序得到的前K个存储单元块，分别以前K个存储单元块中的每个存储单元块的写入次数作为划分热数据的预设次数，计算得到K个预设次数分别对应的K个热度。其中，K为大于或等于2的正整数。

在上述步骤806中，K可以为本领域技术人员根据经验设置的固定值，也可以是与存储单元块的总数量具有相关关系的一个可变值，如存储单元块总数量的20％。当K与存储单元块的总数量具有相关关系时，存储控制器还能基于不同的业务场景选择不同数量的存储单元块执行热数据的划分操作，有助于使热度划分结果更匹配当前的业务场景。

本申请实施例中，存储控制器可以按照多种方式从至少两个存储单元块中获取写入次数最多的前K个存储单元块。示例来说：

在一种可选地实施方式中，存储控制器可以先按照不排序的TOP_K算法，从至少两个存储单元块中找到写入次数最多的前K个存储单元块，然后再按照写入次数从多到少(或从少到多)的顺序对找到的这K个存储单元块进行排序，排序得到的序列中位于前面的存储单元块的写入次数多于位于后面的存储单元块的写入次数，之后存储控制器可以按照从前到后的顺序依次将该序列中的每个存储单元块的写入次数作为划分热数据的预设次数，执行后续的分配比例计算过程。该方式先粗略地找到前K个存储单元块再进行精确排序，能基于更少的数据量完成排序，有助于节省存储控制器的处理资源；

在另一种可选地实施方式中，存储控制器可以先使用排序算法，按照写入次数从多到少对全部的存储单元块进行排序，再在排好序的全部存储单元块中选取按照从多到少排序得到的前K个存储单元块或从少到多排序得到的后K个存储单元块，之后存储控制器可以依次按照这K个存储单元块的写入次数从多到少的顺序将每个存储单元块的写入次数作为划分热数据的预设次数，执行后续的分配比例计算过程。该方式能通过一次排序算法直接得到排好序的K个存储单元块，能有效节省存储控制器的处理步骤。

需要说明的是，本申请实施例中，排序算法可以为TOP_K算法，也可以为冒泡算法或其它算法等，本申请对此不作限定。

继续以上述表3中的示例进行介绍。在该示例中，假设K为写入次数占前50％的存储单元块，则存储控制器会先按照排序算法从存储单元块1至存储单元块10中找到符合条件的存储单元块1和存储单元块2，存储单元块1的写入次数为400，存储单元块2的写入次数为300。之后，存储控制器会依次对存储单元1和存储单元2进行分析：

针对于存储单元1，存储控制器会将存储单元块1的写入次数400作为划分热数据的预设次数，即将写入次数大于或等于400的存储单元块中写入的数据作为热数据，将写入次数小于400的存储单元块中写入的数据作为冷数据。这种情况下，只有存储单元块1的写入次数大于或等于400，因此只有存储单元块1的写入次数400属于热数据的写入次数，历史数据的热度为400/900＝4/9；

针对于存储单元2，存储控制器会将存储单元块2的写入次数300作为划分热数据的预设次数，即将写入次数大于或等于300的存储单元块中写入的数据作为热数据，将写入次数小于300的存储单元块中写入的数据作为冷数据。这种情况下，存储单元块1的写入次数400和存储单元2的写入次数300都大于或等于300，因此只有存储单元块1的写入次数400和存储单元2的写入次数300都属于热数据的写入次数，历史数据的热度为(400+300)/900＝7/9。

步骤807，存储控制器分别使用K个热度、QLC闪存阵列的剩余空间以及SLC区域与QLC区域的分配比例表征QLC闪存阵列的预设性能，按照用户容量一致性原则和存储单元数量一致性原则，计算得到K个使该预设性能达到最大的SLC区域与QLC区域的分配比例，将K个SLC区域与QLC区域的分配比例中的预设性能最大的分配比例作为SLC区域与QLC区域的目标分配比例。

在上述步骤807中，每个热度所对应的SLC区域与QLC区域的分配比例的计算过程，请具体参照上述步骤403，本申请对此不再一一重复赘述。

步骤808，存储控制器判断目标分配比例所指出的SLC区域是否大于当前SLC区域，若是，则执行步骤809，若否，则执行步骤810。

步骤809，存储控制器按照SLC区域与QLC区域的目标分配比例，将QLC闪存阵列中的部分QLC模式的存储单元重配为SLC模式。

步骤810，存储控制器保持QLC闪存阵列中的SLC区域与QLC区域的当前分配比例。

下面以CEPH典型场景为例示例性介绍实施例三中的数据处理方法的应用。在如下示例中，假设空间单位为存储单元块，容量单位为SLC模式的存储单元块所占的bit。在这种情况下，“空间为2”是指“包括2个存储单元块”，“容量为4”是指“容量为4个SLC模式的存储单元块所占的bit”。应理解，在其它示例中，空间单位和容量单元也可以使用其它数据度量值，如空间单位还可以为存储单元等，容量单位还可以为4MB或8MB等，具体不作限定。存储控制器基于逻辑地址(logical block address，LBA)划分存储单元块，在一个数据处理请求所包括的命令信息中，可以包括针对一个LBA的命令信息，也可以包括针对多个LBA的命令信息，对此也不作具体限定。

在该场景中，QLC闪存阵列中共存在3801个存储单元，每个QLC模式的存储单元的可擦写次数均为1500次，每个SLC模式的存储单元的可擦写次数均为50000次，QLC闪存阵列的寿命为5年。假设LBA默认设置SLC用户空间占全部用户空间的1％，历史数据的热度为68％，则表4示例性示出按照上述实施例三中的方法进行数据处理所得到的优化结果示意表，参照表4所示：

表4

在重配之前：全部的存储单元都为QLC模式，QLC用户空间为3397，QLC冗余空间为404，空间总数量为3801，用户容量为QLC用户容量3397*4(即13588)，冗余容量为QLC冗余容量404*4(即2828)，且QLC区域的冗余比约为11.89％(即404/3397)，将该冗余比代入上述公式(1.1)后，计算得到QLC区域的写放大WA约为5.55，将该写放大WA代入上述公式(2.3)后，计算得到QLC区域的DWPD ₀约为0.166。

在重配之后：全部的存储单元划分为QLC模式和SLC模式，每个QLC模式的存储单元的可擦写次数均为1500次，用于存储冷数据，冷数据占据历史数据的32％，而每个SLC模式的存储单元的可擦写次数均为50000次，用于存储热数据，热数据占据历史数据的68％；基于上述公式(1.1)、(1.2)、(2.1)、(2.2)、和(2.6)，计算出使DWPD达到最大的分配比例为：QLC用户空间为3363，QLC冗余空间为235，SLC用户空间为136，SLC冗余空间为67。在这种分配比例下，QLC用户空间3363、QLC冗余空间235、SLC用户空间136和SLC冗余空间67的空间总和为3801，符合存储单元数量一致性原则；QLC用户容量为3363*4，而SLC用户容量为136，QLC用户容量和SLC用户容量的和3363*4+136仍保持为13588，符合用户容量一致性原则。根据QLC用户空间3363和QLC冗余空间235计算得到QLC区域的冗余比约为6.99％(即235/3363)，将该冗余比代入上述公式(1.1)后，计算得到QLC区域的写放大WA约为8.74。根据SLC用户空间136和SLC冗余空间67计算得到SLC区域的冗余比约为49.26％，将该冗余比代入上述公式(1.1)后，计算得到SLC区域的写放大WA约为1.93。按照该分配比例，将计算出的QLC区域的写放大和SLC区域的写放大代入上述公式(2.3)后，计算得到重配后的DWPD ₁约为0.311，相比于重配前的DWPD ₀(0.184)提升了约87.3％。

此外，每个QLC模式的存储单元的可擦写次数PE均为1500次，QLC区域擦写一次理论上可写入的数据量为用户容量3363*4与冗余容量235*4的和，因此QLC用户空间理论可写入数据量为可擦写次数PE与QLC区域擦写一次理论上可写入的数据量的乘积，即1500*(3363*4+235*4)＝21588000，分配到5年的寿命中，QLC区域每日理论可写入数据量为21588000/(5*365)＝11829.0。QLC区域每日实际可写入据量为每日可擦写次数DWPD ₁(约为0.311)、QLC闪存阵列的用户容量(3397*4)、冷数据占据历史数据的比例(32％)和QLC区域的写放大(约为8.74)的乘积，按照公式计算为11829.0(按照各项估算出来的值计算约为0.311*3397*4*32％*8.74＝11818.9)。每个SLC模式的存储单元的可擦写次数PE均为50000次，SLC区域擦写一次理论上可写入的数据量为用户容量136与冗余容量67的和，因此SLC用户空间理论可写入数据量为可擦写次数PE与SLC区域擦写一次理论上可写入的数据量的乘积，即50000*(136+67)＝10150000，分配到5年的寿命中，SLC区域每日理论可写入数据量为10150000/(5*365)＝5564.6。SLC区域每日实际可写入据量为每日可擦写次数DWPD ₁(约为0.311)、QLC闪存阵列的用户容量(3397*4)、热数据占据历史数据的比例(68％)和SLC区域的写放大(约为1.93)的乘积，按照公式计算为5553.7(按照各项估算出来的值计算约为0.311*3397*4*68％*1.93＝5546.0)。可见，在实施例三中的数据处理方式中，各个区域的每日实际可写入数据量基本等同于各自的每日理论可写入数据量，QLC闪存阵列的性能得到极大提升。

表5示例性示出按照固定配置方式进行数据处理所得到的配置结果示意表，假设该固定配置设置SLC用户空间占全部用户空间的1％，而SLC冗余空间占全部冗余空间的20％，则参照表5所示：

表5

QLC闪存阵列具有如下固定配置：QLC区域包括3363个QLC模式的存储单元块作为用户空间、以及274个QLC模式的存储单元块作为冗余空间，因此QLC区域的冗余比约为8.15％(即274/3363)，将该冗余比代入上述公式(1.1)后，计算得到QLC区域的写放大WA约为7.65；SLC区域包括136个SLC模式的存储单元块作为用户空间、以及28个SLC模式的存储单元块作为冗余空间，因此SLC区域的冗余比为约为20.59％(即28/136)，将该冗余比代入上述公式(1.1)后，计算得到SLC区域的写放大WA约为3.57；将QLC区域的写放大(约为7.65)和SLC区域的写放大(约为3.57)代入上述公式(2.3)后，计算得到固定配置的DWPD ₂约为0.136，按照公式计算相比于重配前的DWPD ₀(约0.166)提升了-17.8％(按照各项估算出来的值计算约为(0.136-0.166)/0.166＝-18.1％)。显然，这种固定配置的方式不但不能提升QLC闪存阵列的DWPD性能，反而还会降低DWPD性能。

此外，按照固定配置方式，每个QLC模式的存储单元的可擦写次数PE均为1500次，QLC区域擦写一次理论上可写入的数据量为用户容量3363*4与冗余容量274*4的和，因此QLC用户空间理论可写入数据量为可擦写次数PE与QLC区域擦写一次理论上可写入的数据量的乘积，即1500*(3363*4+274*4)＝21822000，分配到5年的寿命中，QLC区域每日理论可写入数据量为21822000/(5*365)＝11957.26。QLC区域每日实际可写入据量为每日可擦写次数DWPD ₂(约为0.136)、QLC闪存阵列的用户容量(3397*4)、冷数据占据历史数据的比例(32％)和QLC区域的写放大(约为7.65)的乘积，按照公式计算为4532.44(按照各项估算出来的值计算约为0.136*3397*4*32％*7.65＝4523.83)。每个SLC模式的存储单元的可擦写次数PE均为50000次，SLC区域擦写一次理论上可写入的数据量为用户容量136与冗余容量28的和，因此SLC用户空间理论可写入数据量为可擦写次数PE与SLC区域擦写一次理论上可写入的数据量的乘积，即50000*(136+28)＝8200000，分配到5年的寿命中，SLC区域每日理论可写入数据量为8200000/(5*365)＝4493.15。SLC区域每日实际可写入据量为每日可擦写次数DWPD ₂(约为0.136)、QLC闪存阵列的用户容量(3397*4)、热数据占据历史数据的比例(68％)和SLC区域的写放大(约为3.57)的乘积，按照公式计算为4493.15(按照各项估算出来的值计算约为0.136*3397*4*68％*3.57＝4486.13)。

综上所述，重配后的DWPD性能(约为0.311)相比于固定配置的DWPD性能(约为0.136)至少好2.3倍。

在上述实施例三中，通过在存储单元的数量较多时划分存储单元块以简化优化流程，能有效减少计算工作量，提高优化的效率。更进一步的，通过以不同存储单元块的写入次数为基准划分热数据，并在每个划分依据下计算得到最优配置，最后选择各个划分依据下的最优配置作为最终的目标配置，不仅能在未知数据类型的情况下找到性能最好的配置，还能较好地适用于当前的业务场景。

在一种可选地实施方式中，继续参照图1所示，存储控制器210中可以包括热度感应模块211和优化决策模块212，热度感应模块211分别连接主机100和优化决策模块212，优化决策模块212还连接QLC闪存阵列220。在这种情况下，上述实施例一至实施例三中关于识别冷热数据及计算历史数据的热度的操作步骤具体可以由热度感应模块211执行，如上述实施例一中的步骤301、上述实施例二中的步骤401和步骤402、以及上述实施例三中的步骤804至步骤806。热度感应模块211识别出热度数据及热度后，可以将该热度通知给优化决策模块212，以使优化决策模块212基于该热度决策出最优分配比例，并便存储控制器210按照该分配比例配置QLC闪存阵列220中的各存储单元。也就是说，上述实施例一至实施例三中关于决策目标分配比例的操作步骤具体可以由优化决策模块212执行，如上述实施例一中的步骤302、上述实施例二中的步骤403和步骤404、以及上述实施例三中的步骤807至步骤808。

需要说明的是，存储控制器210中的各个部件是指功能部件，这些部件可以作为单独的器件分别进行设置，也可以在一个器件中实现，还可以按照任意组合的方式设置在至少两个器件中，本申请对此不作具体限定。

需要说明的是，本申请的上述实施例只是以QLC模式和SLC模式混合配置为例介绍确定分配比例的方式。该方案也可以适用于其它任意两个或两个以上的颗粒混合配置方式，如QLC模式和TLC模式混合，或QLC模式与MLC模式混合，或QLC模式、TLC模式和SLC模式混合等，本申请对此不作具体限定。

可以理解的是，随着存储技术的不断发展，存储系统中的QLC闪存阵列的介质可以为SSD颗粒，也可以为后续发展时的任何其它存储介质，本申请对此不做限定。

根据前述方法，图9为本申请实施例提供的一种存储控制器的结构示意图，该存储控制器可以为芯片或电路，比如可设置于存储器中的芯片或电路。如图9所示，该存储控制器900可以包括处理器901以及耦合至处理器901的存储接口902，处理器901和存储接口902具体可通过总线系统实现耦合。存储接口902还用于耦合至QLC闪存阵列。处理器901可通过存储接口902实现上述实施例一至实施例三中任一实施例或上述图1至图8中任一方案中存储控制器所执行的方法。

在执行实施例一时，处理器901可以通过存储接口902检测QLC闪存阵列的历史数据的热度，根据QLC闪存阵列的历史数据的热度及QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为SLC模式的存储单元的空间分配。其中，QLC闪存阵列中配置为SLC模式的存储单元用于存储热数据，QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元用于存储冷数据。

应理解，上述处理器901可以是一个芯片。例如，该处理器901可以是现场可编程门阵列(field programmable gate array，FPGA)，可以是专用集成芯片(application specific integrated circuit，ASIC)，还可以是系统芯片(system on chip，SoC)，还可以是中央处理器(central processor unit，CPU)，还可以是网络处理器(network processor，NP)，还可以是数字信号处理电路(digital signal processor，DSP)，还可以是微控制器(micro controller unit，MCU)，还可以是可编程控制器(programmable logic device，PLD)或其他集成芯片。

在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器901中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器901中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于QLC闪存阵列，处理器901读取QLC闪存阵列中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。

应注意，本申请实施例中的处理器901可以是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法实施例的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。

可以理解，本申请实施例中的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(read-only memory，ROM)、可编程只读存储器(programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(random access memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(double data rate SDRAM，DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(synchlink DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(direct rambus RAM，DR RAM)。应注意，本文描述的系统和方法的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

该存储控制器所涉及的与本申请实施例提供的技术方案相关的概念，解释和详细说明及其他步骤请参见前述方法或其他实施例中关于这些内容的描述，此处不做赘述。

根据本申请实施例提供的方法，本申请还提供一种计算机程序产品，该计算机程序产品包括：计算机程序代码，当该计算机程序代码在计算机上运行时，使得该计算机执行图1至图8所示实施例中任意一个实施例的方法。

根据本申请实施例提供的方法，本申请还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读介质存储有程序代码，当该程序代码在计算机上运行时，使得该计算机执行图1至图8所示实施例中任意一个实施例的方法。其中，存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质，例如SSD、PCM等。

根据本申请实施例提供的方法，本申请还提供一种数据处理系统，该数据处理系统包括上述内容任一所述的主机、存储控制器和QLC闪存阵列。

本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本申请是参照根据本申请的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的保护范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

一种数据处理方法，其特征在于，包括：

检测四层式存储单元QLC闪存阵列的历史数据的热度；

根据所述QLC闪存阵列的历史数据的热度及所述QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整所述QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配；

其中，所述QLC闪存阵列中配置为SLC模式的存储单元用于存储热数据，所述QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元用于存储冷数据。
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测四层式存储单元QLC闪存阵列的历史数据的热度，包括：

将所述历史数据中具有热数据标签的历史数据作为热数据；

综合所述历史数据的写入次数得到所述历史数据的总写入次数，综合所述具有热数据标签的历史数据的写入次数得到所述热数据的总写入次数；

根据所述历史数据的总写入次数和所述热数据的总写入次数，确定所述历史数据的热度。
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述QLC闪存阵列中的存储单元划分为N个存储单元块，所述N个存储单元块中的每个存储单元块中包括至少一个存储单元，N为大于或等于2的正整数；

所述检测四层式存储单元QLC闪存阵列的历史数据的热度，包括：

统计所述历史数据写入所述每个存储单元块的写入次数；

将所述N个存储单元块中写入次数大于预设次数的存储单元块作为热数据所写入的目标存储单元块；

综合所述历史数据的写入次数得到所述历史数据的总写入次数，综合所述目标存储单元块的写入次数得到热数据的总写入次数；

根据所述历史数据的总写入次数和所述热数据的总写入次数，确定所述历史数据的热度。
如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

从所述N个存储单元块中获取写入次数从多到少排序得到的前K个存储单元块；

以所述前K个存储单元块中的每个存储单元块的写入次数为所述预设次数，计算得到K个历史数据的热度；

根据所述K个历史数据的热度和所述QLC闪存阵列的剩余空间，计算出所述K个历史数据的热度分别对应的K个备选空间分配；

使用所述K个备选空间分配中使所述QLC闪存阵列的预设性能达到最大的目标备选空间分配，调整所述QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元和配置为QLC模式的存储单元。
如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述空间分配包括QLC空间和SLC空间，所述QLC空间指示配置为QLC模式的存储单元的数量，所述SLC空间指示配置为SLC模式的存储单元的数量；

所述根据所述QLC闪存阵列的历史数据的热度及所述QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整所述QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配，包括：

使用所述QLC闪存阵列的历史数据的热度、所述QLC闪存阵列的剩余空间、所述QLC空间和所述SLC空间表征所述QLC闪存阵列的预设性能；

按照用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，确定出使所述QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC空间的取值和SLC空间的取值；其中，所述用户容量为用户能看到的所述QLC闪存阵列的可写入数据量；

根据所述QLC空间的取值和所述SLC空间的取值，调整所述QLC闪存阵列中的各存储单元的模式。
如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述QLC空间中包括QLC用户空间和QLC冗余空间，所述SLC空间中包括SLC用户空间和SLC冗余空间；所述QLC用户空间指示配置为用户空间的QLC模式的存储单元的数量，所述QLC冗余空间指示配置为冗余空间的QLC模式的存储单元的数量，所述SLC用户空间指示配置为用户空间的SLC模式的存储单元的数量，所述SLC冗余空间指示配置为冗余空间的SLC模式的存储单元的数量；

所述按照用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，确定出使所述QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC空间的取值和SLC空间的取值，包括：

根据用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，计算得到所述QLC用户空间、所述QLC冗余空间、所述SLC用户空间和所述SLC冗余空间之间的第一关联关系；

计算出使所述QLC闪存阵列的预设性能达到最大的所述QLC用户空间、所述QLC冗余空间、所述SLC用户空间和所述SLC冗余空间之间的第二关联关系；

基于所述第一关联关系和所述第二关联关系，确定出所述QLC用户空间的取值、所述QLC冗余空间的取值、所述SLC用户空间的取值和所述SLC冗余空间的取值。
如权利要求4至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述QLC闪存阵列的预设性能包括所述QLC闪存阵列的每日全盘写满次数DWPD性能和/或所述QLC闪存阵列的每秒写入数量IOPS性能。
如权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述QLC闪存阵列的剩余空间包括所述QLC闪存阵列的剩余可擦写次数、所述QLC闪存阵列的写放大、所述QLC闪存阵列的单日可写入数据量、以及所述QLC闪存阵列的剩余可写入数据量中的一项或多项。
如权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述自适应地调整所述QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配，包括：

若所述空间分配指示配置的SLC模式的存储单元的数量大于所述QLC闪存阵列中SLC模式的存储单元的当前数量，则将所述QLC闪存阵列中的部分或全部QLC模式的存储单元配置为SLC模式；

若所述空间分配中指示配置的SLC模式的存储单元的数量不大于所述QLC闪存阵中SLC模式的存储单元的当前数量，则不更改所述QLC闪存阵列中的各存储单元的当前模式。
一种存储控制器，其特征在于，包括：

处理器以及耦合至所述处理器的存储接口；

所述存储接口用于耦合至四层式存储单元QLC闪存阵列；

所述处理器用于：

检测所述QLC闪存阵列的历史数据的热度；

根据所述QLC闪存阵列的历史数据的热度及所述QLC闪存阵列的剩余空间，自适应地调整所述QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元与配置为单层式存储单元SLC模式的存储单元的空间分配；

其中，所述QLC闪存阵列中配置为SLC模式的存储单元用于存储热数据，所述QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元用于存储冷数据。
如权利要求10所述的存储控制器，其特征在于，所述处理器具体用于：

将所述历史数据中具有热数据标签的历史数据作为热数据；

综合所述历史数据的写入次数得到所述历史数据的总写入次数，综合所述具有热数据标签的历史数据的写入次数得到所述热数据的总写入次数；

根据所述历史数据的总写入次数和所述热数据的总写入次数，确定所述历史数据的热度。
如权利要求10所述的存储控制器，其特征在于，所述QLC闪存阵列中的存储单元划分为N个存储单元块，所述N个存储单元块中的每个存储单元块中包括至少一个存储单元，N为大于或等于2的正整数；

所述处理器具体用于：

统计所述历史数据写入所述每个存储单元块的写入次数；

将所述N个存储单元块中写入次数大于预设次数的存储单元块作为热数据所写入的目标存储单元块；

综合所述历史数据的写入次数得到所述历史数据的总写入次数，综合所述目标存储单元块的写入次数得到热数据的总写入次数；

根据所述历史数据的总写入次数和所述热数据的总写入次数，确定所述历史数据的热度。
如权利要求12所述的存储控制器，其特征在于，所述处理器还用于：

从所述N个存储单元块中获取写入次数从多到少排序得到的前K个存储单元块；

以所述前K个存储单元块中的每个存储单元块的写入次数为所述预设次数，计算得到K个历史数据的热度；

根据所述K个历史数据的热度和所述QLC闪存阵列的剩余空间，计算出所述K个历史数据的热度分别对应的K个备选空间分配；

使用所述K个备选空间分配中使所述QLC闪存阵列的预设性能达到最大的目标备选空间分配，调整所述QLC闪存阵列中配置为QLC模式的存储单元和配置为QLC模式的存储单元。
如权利要求10至13中任一项所述的存储控制器，其特征在于，所述空间分配包括QLC空间和SLC空间，所述QLC空间指示配置为QLC模式的存储单元的数量，所述SLC空间指示配置为SLC模式的存储单元的数量；

所述处理器具体用于：

使用所述QLC闪存阵列的历史数据的热度、所述QLC闪存阵列的剩余空间、所述QLC 空间和所述SLC空间表征所述QLC闪存阵列的预设性能；

按照用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，确定出使所述QLC闪存阵列的预设性能达到最大的QLC空间的取值和SLC空间的取值；其中，所述用户容量为用户能看到的所述QLC闪存阵列的可写入数据量；

根据所述QLC空间的取值和所述SLC空间的取值，调整所述QLC闪存阵列中的各存储单元的模式。
如权利要求14所述的存储控制器，其特征在于，所述QLC空间中包括QLC用户空间和QLC冗余空间，所述SLC空间中包括SLC用户空间和SLC冗余空间；所述QLC用户空间指示配置为用户空间的QLC模式的存储单元的数量，所述QLC冗余空间指示配置为冗余空间的QLC模式的存储单元的数量，所述SLC用户空间指示配置为用户空间的SLC模式的存储单元的数量，所述SLC冗余空间指示配置为冗余空间的SLC模式的存储单元的数量；

所述处理器具体用于：

根据用户容量一致性原则及存储单元数量一致性原则，计算得到所述QLC用户空间、所述QLC冗余空间、所述SLC用户空间和所述SLC冗余空间之间的第一关联关系；

计算出使所述QLC闪存阵列的预设性能达到最大的所述QLC用户空间、所述QLC冗余空间、所述SLC用户空间和所述SLC冗余空间之间的第二关联关系；

基于所述第一关联关系和所述第二关联关系，确定出所述QLC用户空间的取值、所述QLC冗余空间的取值、所述SLC用户空间的取值和所述SLC冗余空间的取值。
如权利要求13至15中任一项所述的存储控制器，其特征在于，所述QLC闪存阵列的预设性能包括所述QLC闪存阵列的每日全盘写满次数DWPD性能和/或所述QLC闪存阵列的每秒写入数量IOPS性能。
如权利要求10至16中任一项所述的存储控制器，其特征在于，所述QLC闪存阵列的剩余空间包括所述QLC闪存阵列的剩余可擦写次数、所述QLC闪存阵列的写放大、所述QLC闪存阵列的单日可写入数据量、以及所述QLC闪存阵列的剩余可写入数据量中的一项或多项。
如权利要求10至17中任一项所述的存储控制器，其特征在于，所述处理器具体用于：

若所述空间分配指示配置的SLC模式的存储单元的数量大于所述QLC闪存阵列中SLC模式的存储单元的当前数量，则将所述QLC闪存阵列中的部分或全部QLC模式的存储单元配置为SLC模式；

若所述空间分配中指示配置的SLC模式的存储单元的数量不大于所述QLC闪存阵中SLC模式的存储单元的当前数量，则不更改所述QLC闪存阵列中的各存储单元的当前模式。
根据权利要求10-18中任一项所述的存储控制器，其特征在于，所述存储控制器为固态存储设备SSD中的存储控制器，所述存储单元为快闪NAND闪存颗粒。
一种存储器，其特征在于，包括QLC闪存阵列以及如上述权利要求10-19中任一项所述的存储控制器，其中，所述存储控制器用于读写所述QLC闪存阵列中的数据。
一种数据处理系统，其特征在于，包括主机以及如权利要求20所述的存储器，其中，所述主机用于向所述存储器发送数据处理请求，所述存储器被配置为执行存储的指令，所述存储器通过执行指令来实现如权利要求1-9中任一项所述的数据处理方法。
一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得计算机执行权利要求1-9中任一项所述的方法。
一种计算机程序产品，其特征在于，当所述计算机程序产品在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1-9中任一项所述的方法。