WO2022141398A1 - 像素驱动电路及驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种像素驱动电路及驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法。该电路包括子像素驱动电路和侦测电路：子像素驱动电路包括驱动薄膜晶体管；侦测电路用于侦测驱动薄膜晶体管的阈值电压，驱动薄膜晶体管的阈值电压的侦测步骤包括：初始化、升压、感测和采样阶段。本发明通过对侦测电路进行优化，提高了侦测结果的精度。
Description
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路及驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法。
有机发光器件 （Organic Light Emitting Diode，简称OLED）相对于液晶显示器（Liquid Crystal
Display，简称LCD），具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被广泛应用于手机、电脑等电子设备中。
现有的OLED的亮度通常由流经OLED的电流决定。由于制作条件的差异和使用过程中的老化，在相同的驱动电压下，流经各个OLED的电流是不同的，因此需要侦测OLED的阈值电压，并进行老化补偿来抵消亮度不均的问题。
图1为现有的OLED显示装置的像素驱动电路。如图1所示，该电路包括：驱动电路P、控制电路SU和第二电容LCa。驱动电路P包括：第一薄膜晶体管ST1、第二薄膜晶体管ST2、驱动薄膜晶体管DT、第一电容Cst。控制电路SU包括第一开关SW1和第二开关SW2。第一薄膜晶体管ST1的栅极接入扫描脉冲信号SCAN，源极接入数据信号Vdata，漏极连接第一节点Ng。驱动薄膜晶体管DT的栅极电性连接第一节点Ng，源极电性连接于高电位EVDD，漏极电性连接于第二节点Ns；第二薄膜晶体管ST2的栅极接入侦测脉冲信号SEN，源极通过第一开关SW1接入预设电压Vpre及通过第二开关SW2接入采样保持电路S/H的输入端，漏极电性连接第二节点Ns。采样保持电路S/H的输出端接入模数转换器ADC。第一电容Cst的一端电性连接第一节点Ng，另一端电性连接第二节点Ns；有机发光二极管的阳极电性连接于第二节点Ns，阴极电性连接于低电位Evss。图2为图1所示的侦测电路的侦测时序图。如图2所示，使用时，将感测数据电压施加至驱动薄膜晶体管DT的栅极节点，并将预设电压施加至驱动薄膜晶体管DT的源极节点以导通驱动薄膜晶体管DT；使驱动薄膜晶体管DT的栅极节点和源极节点浮置，并将驱动薄膜晶体管DT的漏-源电流施加至有机发光二极管以导通有机发光二极管；将预设电压施加至驱动薄膜晶体管DT的源极节点，依照有机发光二极管的退化程度设置驱动薄膜晶体管DT的栅-源电压，并在第二电容LCa中存储由设定的栅-源电压确定的驱动薄膜晶体管DT的漏-源电流；输出第二电容LCa中存储的电压作为感测电压。参见图2现有的侦测电路存在侦测时序复杂的问题。现有的侦测电路通常需要对第二薄膜晶体管ST2进行单独控制，存在电路结构复杂的问题。现有的侦测方法第一节点Ng和第二节点Ns之间的电压差不稳定，侦测结果的准确性较差。
因此，如何提高OLED电压侦测精度，优化电路结构和侦测时序成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种像素驱动电路及侦测方法，以解决现有技术中像素驱动电路结构复杂、侦测时序复杂、侦测方法精度低的问题。
为此，本发明实施例提供了如下技术方案：
本发明第一方面提供了一种像素驱动电路，包括子像素驱动电路和侦测电路：
所述子像素驱动电路包括：扫描模块、驱动薄膜晶体管和有机发光二极管；
所述侦测电路包括：第一电容、侦测模块和采集模块；
所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接所述扫描模块，源极接入电源高电位，所述侦测模块的一端与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接，所述侦测模块的另一端与所述采集模块的输入端连接，所述第一电容的一端与所述采集模块的输入端连接，所述第一电容的另一端接地；
所述侦测电路用于侦测所述驱动薄膜晶体管的阈值电压，所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的侦测步骤包括：初始化阶段、升压阶段、感测阶段和采样阶段；
在所述初始化阶段，所述扫描模块和所述侦测模块用于驱动所述驱动薄膜晶体管导通；
在所述升压阶段，所述驱动薄膜晶体管用于向所述有机发光二极管充电；
在所述感测阶段，所述驱动薄膜晶体管用于向所述第一电容充电；
在所述采样阶段，所述采集模块采集用于采集所述第一电容的电压，并根据所述第一电容（C1）的电压确定所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
进一步地，所述扫描模块包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一节点；
所述侦测模块包括第二薄膜晶体管和第一开关，所述第二薄膜晶体管的栅极接入侦测信号，所述第一开关的一端接入预设电压，所述第一开关的另一端接入第三节点，所述第二薄膜晶体管的源极连接所述第三节点，所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接第二节点，所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接所述第一节点，所述驱动薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二节点；
所述采集模块的输入端通过第二开关和所述第三节点连接。
进一步地，在所述初始化阶段，所述第一开关导通，所述第二开关断开，所述扫描信号和所述侦测信号同时提供高电位，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管同时导通，所述数据信号向所述驱动薄膜晶体管的栅极写入第一数据电压，所述驱动薄膜晶体管导通；
在所述升压阶段，所述侦测信号断开，所述驱动薄膜晶体管向所述有机发光二极管充电，所述第二节点电压上升；
在所述感测阶段，所述侦测信号导通，扫描信号断开，将所述预设电压写入所述第二节点；所述第一开关断开，所述驱动薄膜晶体管向所述第一电容充电；
在所述采样阶段，所述侦测信号断开，所述第二开关导通，所述采集模块采集所述第一电容的电压，根据所述第一电容的电压和所述第一数据电压确定所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
进一步地，所述像素驱动电路还包括第二电容，所述第二电容的一端电性连接所述第一节点，另一端电性连接所述第二节点。
进一步地，所述第一数据电压为10V。
进一步地，所述预设电压为0.5V。
本发明第二方面提供了一种驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，所述阈值电压的侦测方法包括：
初始化阶段，将第一数据信号施加至驱动薄膜晶体管的栅极，将预设电压施加至所述驱动薄膜晶体管的源极以导通所述驱动薄膜晶体管；
升压阶段，将所述驱动薄膜晶体管的源极浮置，将所述驱动薄膜晶体管的漏源电流施加至与所述驱动薄膜晶体管源极连接的有机发光二极管；
感测阶段，将所述驱动薄膜晶体管的栅极浮置，将所述驱动薄膜晶体管的漏源电流施加至与所述驱动薄膜晶体管的源极连接的第一电容；
采样阶段，获取所述第一电容的电压，根据所述第一电容的电压和所述第一数据电压确定所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
进一步地，将所述驱动薄膜晶体管的栅极浮置之后还包括将预设电压施加至所述驱动薄膜晶体管的源极，释放掉所述驱动薄膜晶体管源极多余的电荷。
进一步地，将所述驱动薄膜晶体管的漏源电流施加至与所述驱动薄膜晶体管源极连接的第一电容之后还包括等待设定时长。
进一步地，将所述驱动薄膜晶体管的栅极浮置前还包括等待所述驱动薄膜晶体管的源极电压稳定。
本发明实施例提供了一种像素驱动电路及驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法。现有的驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法存在精度低、电路结构复杂、侦测时序复杂的问题。本发明通过对像素驱动电路结构进行优化，提高了侦测结果的精度。通过优化电路结构提高了OLED显示面板设计的自由度。
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的OLED显示装置的像素驱动电路图。
图2为现有的驱动薄膜晶体管的阈值电压的侦测时序图。
图3为本发明实施例的像素驱动电路图。
图4为本发明实施例的驱动薄膜晶体管的阈值电压的侦测时序图。
图5为本发明实施例的驱动薄膜晶体管和有机发光二极管的电压电流曲线图。
图6为本发明实施例的驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法流程图。
图7为本发明实施例的驱动薄膜晶体管初始化示意图。
图8为本发明实施例的驱动薄膜晶体管向有机发光二极管充电示意图。
图9为本发明实施例的驱动薄膜晶体管和有机发光二极管的电压电流曲线图。
图10为本发明实施例的驱动薄膜晶体管向第一电容充电示意图。
图11为本发明实施例的获取第一电容的电压的示意图。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
图3为本发明实施例的像素驱动电路图。如图3所示，本发明公开了一种像素驱动电路，包括子像素驱动电路和侦测电路。
子像素驱动电路包括：扫描模块301、驱动薄膜晶体管DT和有机发光二极管。侦测电路包括：第一电容C1、侦测模块302和采集模块303；扫描模块301包括第一薄膜晶体管ST1。侦测模块302包括第二薄膜晶体管ST2和第一开关S1。
第一薄膜晶体管ST1的栅极接入扫描信号SCAN，源极接入数据信号DATA，漏极电性连接第一节点；驱动薄膜晶体管DT的栅极电性连接第一节点，源极接入电源高电位OVDD，漏极电性连接第二节点；第二薄膜晶体管ST2的栅极接入侦测信号SEN，源极电性连接第三节点，漏极电性连接第二节点；有机发光二极管的阳极电性连接第二节点，阴极接入电源低电位OVSS；第一开关S1的一端接入预设电压Vpre，另一端电性连接第三节点；第二开关S2的一端接入采集模块303，另一端电性连接第三节点；第一电容C1的一端电性连接第三节点，另一端接地。本实施例中，第一薄膜晶体管ST1、第二薄膜晶体管ST2和驱动薄膜晶体管DT均为氧化物半导体薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。采集模块303优选包括模数转换模块。
侦测电路用于侦测驱动薄膜晶体管DT的阈值电压，图4为本发明实施例的驱动薄膜晶体管的阈值电压的侦测时序图。如图4所示，驱动薄膜晶体管DT的阈值电压的侦测步骤包括：初始化阶段、升压阶段、感测阶段和采样阶段。在初始化阶段，第一开关S1导通，第二开关S2断开，扫描信号SCAN和侦测信号SEN同时提供高电位，第一薄膜晶体管ST1和第二薄膜晶体ST2管同时导通，数据信号向驱动薄膜晶体管DT的栅极写入第一数据电压，驱动薄膜晶体管DT导通。本实施例中，数据信号和扫描信号用于初始化驱动薄膜晶体管DT。
在升压阶段，侦测信号SEN断开，本实施例中，侦测信号SEN断开优选包括延迟设定时长。前驱动薄膜晶体管DT向有机发光二极管充电，第二节点电压上升。本实施例中，有机发光二极管充电过程中，流过有机发光二极管的电流增大，第一节点和第二节点之间电压的差值减小，流过驱动薄膜晶体管DT的电流减小，直至饱和状态。此时的电流为提取了有机发光二极管特征的电流。
在感测阶段，侦测信号SEN导通，扫描信号SCAN断开，将预设电压Vpre写入第二节点。本实施例中，第一节点和第二节点的电压差不变，通过第一开关S1释放掉第二节点多余的电荷。
第一开关S1断开，驱动薄膜晶体管DT向第一电容C1充电。本实施例中，第一电容C1充电过程中，第二节点的电位逐步抬升，采样时需保证第二节点的电压小于有机发光二极管的起亮电压。
在采样阶段，侦测信号SEN断开，本实施例中，侦测信号断开前优选包括延时设定时长。第二开关S2导通，通过采集模块303采集第一电容C1的电压，根据第一电容C1的电压和第一数据电压确定驱动薄膜晶体管DT的阈值电压。图5为本发明实施例的驱动薄膜晶体管和有机发光二极管的电压电流曲线图。如图5所示，图5中通过0点的线代表驱动薄膜晶体管在不同的栅源电压下的源漏电压和电流的关系，从右下方向左上方延伸的线条代表有机发光二极管的电压和电流的关系。Voled+Vgs=Vg-OVSS,loled=lds,其中，Voled为有机发光二极管电压，Vgs为驱动薄膜晶体管栅源电压，Vg为第一节点电压，OVSS为电源低电位电压，loled为有机发光二极管电流，lds为驱动薄膜晶体管源漏电流。进而可以得出当前有机发光二极管的电压和电流，通过有机发光二极管老化模型分析目前有机发光二极管的老化水平，进而进行有机发光二极管老化补偿。本发明通过对侦测电路结构进行优化，提高了侦测结果的精度。通过优化电路结构提高了OLED显示面板设计的自由度。
图6为本发明实施例的驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法流程图。如图6所示，本发明公开了一种驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，包括如下步骤：
S1：初始化阶段，将第一数据信号施加至驱动薄膜晶体管的栅极，将预设电压施加至所述驱动薄膜晶体管的源极以导通所述驱动薄膜晶体管。图7为本发明实施例的驱动薄膜晶体管初始化示意图。如图7所示，将数据信号和扫描信号用于初始化驱动薄膜晶体管。
S2：升压阶段，将所述驱动薄膜晶体管的源极浮置，将所述驱动薄膜晶体管的漏源电流施加至与所述驱动薄膜晶体管源极连接的有机发光二极管。图8为本发明实施例的驱动薄膜晶体管向有机发光二极管充电示意图。图9为本发明实施例的驱动薄膜晶体管和有机发光二极管的电压电流曲线图。如图8、9所示，有机发光二极管充电过程中，流过有机发光二极管的电流增大，第一节点和第二节点之间电压的差值减小，流过驱动薄膜晶体管DT的电流减小，直至饱和状态。此时的电流为提取了有机发光二极管特征的电流。
S3：感测阶段，将所述驱动薄膜晶体管的栅极浮置，将所述驱动薄膜晶体管的漏源电流施加至与所述驱动薄膜晶体管的源极连接的第一电容。图10为本发明实施例的驱动薄膜晶体管向第一电容充电示意图。如图10所示，第一电容C1充电过程中，第二节点的电位逐步抬升，采样时需保证第二节点的电压小于有机发光二极管的起亮电压。
S4：采样阶段，如图11所示，获取所述第一电容的电压，根据所述第一电容的电压和所述第一数据电压确定所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
与现有技术相比，本发明将第二节点的差异转化为驱动薄膜晶体管DT电流的差异并存储在第一电容C1中，进而可以得出当前OLED的电压和电流，通过OLED老化模型分析目前OLED的老化水平，进而进行OLED老化补偿。本发明通过对侦测时序进行优化，提高了侦测结果的精度。通过优化电路结构提高了OLED显示面板设计的自由度。
在一个具体的实施方式中，侦测信号SEN导通，扫描信号SCAN断开前还包括，等待第二节点的电压处于稳定状态。本实施例中，优选通过判断模块判断第二节点电压是否处于稳定状态。优选地，第二节点电压在预设时长内不变则第二节点电压处于稳定状态。
与现有技术相比，本发明通过判断第二节点电压是否处于稳定状态能够显著提高侦测结果的精确度。
虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
本发明实施例提供了一种像素驱动电路及侦测方法，现有的驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法存在精度低、电路结构复杂、侦测时序复杂的问题。本发明通过对像素驱动电路结构进行优化，提高了侦测结果的精度。通过优化电路结构提高了OLED显示面板设计的自由度。
Claims (10)
- 一种像素驱动电路，其中，包括子像素驱动电路和侦测电路：所述子像素驱动电路包括：扫描模块（301）、驱动薄膜晶体管（DT）和有机发光二极管；所述侦测电路包括：第一电容（C1）、侦测模块（302）和采集模块（303）；所述驱动薄膜晶体管（DT）的栅极电性连接所述扫描模块（301），源极接入电源高电位，所述侦测模块（302）的一端与所述驱动薄膜晶体管（DT）的漏极连接，所述侦测模块（302）的另一端与所述采集模块（303）的输入端连接，所述第一电容（C1）的一端与所述采集模块（303）的输入端连接，所述第一电容（C1）的另一端接地；所述侦测电路用于侦测所述驱动薄膜晶体管（DT）的阈值电压，所述驱动薄膜晶体管（DT）的阈值电压的侦测步骤包括：初始化阶段、升压阶段、感测阶段和采样阶段；在所述初始化阶段，所述扫描模块（301）和所述侦测模块（302）用于驱动所述驱动薄膜晶体管（DT）导通；在所述升压阶段，所述驱动薄膜晶体管（DT）用于向所述有机发光二极管充电；在所述感测阶段，所述驱动薄膜晶体管（DT）用于向所述第一电容（C1）充电；在所述采样阶段，所述采集模块（303）用于采集所述第一电容（C1）的电压，并根据所述第一电容（C1）的电压确定所述驱动薄膜晶体管（DT）的阈值电压。
- 根据权利要求1所述的像素驱动电路，所述扫描模块（301）包括第一薄膜晶体管（ST1），所述第一薄膜晶体管（ST1）的栅极接入扫描信号（SCAN），源极接入数据信号（DATA），漏极电性连接第一节点；所述侦测模块（302）包括第二薄膜晶体管（ST2）和第一开关（S1），所述第二薄膜晶体管（ST2）的栅极接入侦测信号（SEN），所述第一开关（S1）的一端接入预设电压（Vpre），所述第一开关（S1）的另一端接入第三节点，所述第二薄膜晶体管（ST2）的源极连接所述第三节点，所述第二薄膜晶体管（ST2）的漏极电性连接第二节点，所述驱动薄膜晶体管（DT）的栅极电性连接所述第一节点，所述驱动薄膜晶体管（DT）的漏极电性连接所述第二节点；所述采集模块（303）的输入端通过第二开关（S2）和所述第三节点连接。
- 根据权利要求2所述的像素驱动电路，在所述初始化阶段，所述第一开关（S1）导通，所述第二开关（S2）断开，所述扫描信号（SCAN）和所述侦测信号（SEN）同时提供高电位，所述第一薄膜晶体管（ST1）和所述第二薄膜晶体（ST2）管同时导通，所述数据信号向所述驱动薄膜晶体管（DT）的栅极写入第一数据电压，所述驱动薄膜晶体管（DT）导通；在所述升压阶段，所述侦测信号（SEN）断开，所述驱动薄膜晶体管（DT）向所述有机发光二极管充电，所述第二节点电压上升；在所述感测阶段，所述侦测信号（SEN）导通，扫描信号（SCAN）断开，将所述预设电压（Vpre）写入所述第二节点；所述第一开关（S1）断开，所述驱动薄膜晶体管（DT）向所述第一电容（C1）充电；在所述采样阶段，所述侦测信号（SEN）断开，所述第二开关（S2）导通，所述采集模块（303）采集所述第一电容（C1）的电压，根据所述第一电容（C1）的电压和所述第一数据电压确定所述驱动薄膜晶体管（DT）的阈值电压。
- 根据权利要求1所述的像素驱动电路，所述像素驱动电路还包括第二电容，所述第二电容的一端电性连接所述第一节点，另一端电性连接所述第二节点。
- 根据权利要求1所述的像素驱动电路，所述第一数据电压为10V。
- 根据权利要求1所述的像素驱动电路，所述预设电压（Vpre）为0.5V。
- 一种驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，其中，所述阈值电压的侦测方法包括：初始化阶段，将数据信号施加至驱动薄膜晶体管的栅极，将预设电压施加至所述驱动薄膜晶体管的源极以导通所述驱动薄膜晶体管；升压阶段，将所述驱动薄膜晶体管的源极浮置，将所述驱动薄膜晶体管的漏源电流施加至与所述驱动薄膜晶体管源极连接的有机发光二极管；感测阶段，将所述驱动薄膜晶体管的栅极浮置，将所述驱动薄膜晶体管的漏源电流施加至与所述驱动薄膜晶体管的源极连接的第一电容；采样阶段，获取所述第一电容的电压，根据所述第一电容的电压和所述第一数据电压确定所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
- 根据权利要求7所述的驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，将所述驱动薄膜晶体管的栅极浮置之后还包括将预设电压施加至所述驱动薄膜晶体管的源极，释放掉所述驱动薄膜晶体管源极多余的电荷。
- 根据权利要求7所述的驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，获取所述第一电容的电压前还包括延迟设定时长。
- 根据权利要求7所述的驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，将所述驱动薄膜晶体管的栅极浮置前还包括等待所述驱动薄膜晶体管的源极电压稳定。
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