WO2022028052A1 - 一种实现电流快速响应的芯片控制方法 - Google Patents

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    • G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/569—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
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    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit

Definitions

  • the invention relates to a chip control method for realizing fast current response, and belongs to the technical field of chip design.
  • COT Constant-On-Time
  • PWM Pulse Width Modulation
  • the loop control part is built into the chip, and the peripheral design is simple, and the stable output of the voltage can be guaranteed without designing a complex loop.
  • the turn-on time of the on-cycle remains the same, the on-cycle time will be relatively small when the voltage difference between the output and input is too large.
  • the overshoot will be relatively large, and the output voltage will drop and rise significantly, which does not meet the working requirements of some load equipment.
  • the purpose of the present invention is to propose a chip control method that realizes rapid current response, effectively solves the load extraction requirement when the back end changes dynamically, and keeps the voltage stable.
  • a chip control method for realizing rapid current response comprising the following steps: step 1, connecting the valley value current change signal of the chip inductance to the controller; step 2, detecting the valley value The change of the current, calculate the change slope K 1 of the valley current; step 3, determine the preset value K 0 , the preset value K 0 is determined by the control mode and inductance of the chip; step 4, compare and determine the change slope K 1 and The preset value K 0 determines the chip control mode; in step 5, continuous loop detection is performed in the next cycle, and the above judgment is repeated.
  • the step of determining the chip control mode by comparing and judging the change slope K 1 and the preset value K 0 includes: if K 1 ⁇ K 0 , judging that the control mode of the chip can meet the requirements at this time, and there is no need to switch; 1 >K 0 , at the same time (I 1 I 2 ) ⁇ I ocp *0.6, where I ocp is the overcurrent protection current, then the control of the chip reaches the limit at this time, and the control mode is switched to the preset control mode.
  • the preset control mode is: when K 1 is positive, increase the turn-on time of the upper MOS (Metal Oxide Semiconductor, metal-oxide semiconductor field effect transistor), and transmit enough energy in a short time, Meet the pull load requirements of the backend.
  • MOS Metal Oxide Semiconductor, metal-oxide semiconductor field effect transistor
  • the turn-on time is set as follows: when it is detected that the control mode needs to be switched for the first time, the turn-on time of the upper MOS is changed from t to 2t, and the turn-on time of the lower MOS is changed to the original minimum value.
  • each cycle of the control mode is continuously detected.
  • the on-time of the upper MOS is changed from 2t to 3t. After that, the on-time is fixed at 3t until the regulation process is completed.
  • the upper MOS is controlled to be turned on, the lower MOS is turned off, and the signals at the feedback terminal are compared at the same time.
  • the present invention has the following advantages compared with the prior art:
  • the present invention provides a chip control method for realizing rapid current response.
  • the valley current change signal of the inductor is connected to the controller, and the control mode is switched on and on by detecting the change of the current.
  • the output voltage can be quickly adjusted to keep the output voltage stable and avoid triggering the over-current protection of the chip. Cost of production.
  • FIG. 1 is a flowchart of an embodiment of a chip control method for realizing rapid current response according to the present invention.
  • K 1 ⁇ K 0 it is judged that the control mode of the chip can meet the requirements at this time, and there is no need to switch; if K 1 >K 0 , and (I 1 I 2 ) ⁇ I ocp *0.6, I ocp is the overcurrent protection current, and When the control of the chip reaches the limit, it is necessary to switch the control mode and switch the control mode to the preset control mode.
  • the control mode of the control mode is as follows: when K 1 is positive, the turn-on time of the upper MOS is increased, so that it can transmit enough energy in a short period of time to ensure that it can meet the pulling demand of the back end.
  • the setting method of the turn-on time is as follows: when it is detected that the control mode needs to be switched for the first time, the turn-on time of the upper MOS is changed from t to 2t, and the turn-on time of the lower MOS is changed to the original minimum value; Each cycle of the mode is continuously detected. When 2 cycles have passed, it is detected that the output voltage is not smaller than the previous cycle, and the on-time of the upper MOS is changed from 2t to 3t. After that, the on-time is fixed at 3t, until the control process is completed.
  • the invention provides a chip control method for realizing fast current response.
  • the valley current change signal of the inductor is connected to the controller, and the opening and conduction of the control mode are adjusted by detecting the change of the current.
  • the output voltage can be quickly adjusted to keep the output voltage stable and avoid triggering the overcurrent protection of the chip. cost.

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Abstract

一种实现电流快速响应的芯片控制方法，包括如下步骤，步骤一，将芯片电感的谷值电流变化信号接入控制器中；步骤二，检测谷值电流的变化，计算谷值电流的变化斜率K 1；步骤三，确定预设值K 0，所述预设值K 0由芯片的控制模式及电感确定；步骤四，比较判断变化斜率K 1与预设值K 0大小，确定芯片控制模式；步骤五，进行下一周期持续循环检测，重复上述判断；本发明在进行电流动态响应时，将电感的谷值电流变化信号接入控制器中，通过检测电流的变化来切换控制模式的开启与导通，实现电流动态变化时，对输出电压的迅速调整，避免触发芯片的过流保护，有效解决后端动态变化时的抽载需求，保持电压稳定；无需额外的设计电路，降低生产成本。

Description

一种实现电流快速响应的芯片控制方法
本申请要求于2020年08月06日提交中国专利局、申请号为202010783888.6、发明名称为“一种实现电流快速响应的芯片控制方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种实现电流快速响应的芯片控制方法，属于芯片设计技术领域。
背景技术
伴随云计算应用的发展，对存储、网络传输等性能要求逐步增高，因此，针对这些部件的要求也越来越高。各个芯片厂商一般是通过提高芯片的电流大小来提高其性能。但，为了降低芯片的功耗，一般是通过提高芯片制程、降低输入电压等的方式实现。因此，对供电设计及电源完整性带来了很高的挑战。
对于POL(Power On Load，电力负荷)供电芯片的设计，目前主流厂商(如：德州仪器、MPS(Monolithic Power Systems，芯源系统)等)一般采用COT的架构来设计。所谓COT，即Constant-On-Time(恒定时间)，控制PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制)波中开启时间不变，通过调节关闭时间，从而来实现输出电压的控制。
COT控制模式主要有如下优点：
(1)将环路控制部分做到芯片内部，外围采用设计简单，无需设计复杂的环路即可保证电压的稳定输出。
(2)无比例积分(控制)环节，减少了运放的放置，因此无比例积分(控制)延迟及运放延迟，使系统的响应速度极快，在电压存在波动时可以迅速反应，使输出电压保持一个相对稳定的范围。
但，因为导通周期的开启时间保持不变，在输出与输入的压 差过大时，导通周期的时间会比较小。在输出做动态拉载时，过冲的会比较大，输出电压有明显的跌落与上升，不满足部分负载设备的工作要求。
发明内容
针对上述存在的技术问题，本发明的目的是：提出了一种实现电流快速响应的芯片控制方法，有效解决后端动态变化时的抽载需求，保持电压稳定。
本发明的技术解决方案是这样实现的：一种实现电流快速响应的芯片控制方法，包括如下步骤，步骤一，将芯片电感的谷值电流变化信号接入控制器中；步骤二，检测谷值电流的变化，计算谷值电流的变化斜率K 1；步骤三，确定预设值K 0，所述预设值K 0由芯片的控制模式及电感确定；步骤四，比较判断变化斜率K 1与预设值K 0大小，确定芯片控制模式；步骤五，进行下一周期持续循环检测，重复上述判断。
优选的，所述谷值电流的变化斜率K 1的计算公式为：K 1＝(I 2-I 1)/T，T＝T 2-T 1，其中，I 1为T 1时刻的谷值电流，I 2为T 2时刻的谷值电流，T为PWM控制的周期。
优选的，比较判断所述变化斜率K 1与预设值K 0大小，确定芯片控制模式的步骤包括：若K 1≤K 0，判断此时芯片的控制模式可以满足需求，无需切换；若K 1>K 0，同时(I 1I 2)<I ocp*0.6，其中，I ocp为过流保护电流，则此时芯片的控制达到极限，将控制模式切换至预设的控制模式。
优选的，所述预设的控制模式为：当K 1为正时，加大上MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)的开启时间，在短时间内传输足够的能量，满足后端的拉载需求。
优选的，所述开启时间的设置方式为：第一次检测到需要切换控制模式时，将上MOS的导通时间由t改为2t，同时下MOS的开启时间变为原来的最小值。
优选的，对所述控制模式的每个周期持续进行检测，当经过2个周期时，检测到输出电压还没有比上一周期的小时，将上MOS的导通时间由2t改为3t，其后，导通时间固定在3t，直到完成此次调控过程。
优选的，当电流的变化量低于设置的过流保护电流I ocp的60％时，判断此时后端抽载需求的动态变化结束，控制上MOS开启，下MOS关闭，同时比较反馈端的信号。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
本发明的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，在进行电流动态响应时，将电感的谷值电流变化信号接入控制器中，通过检测电流的变化来切换控制模式的开启与导通，实现电流动态变化时，对输出电压的迅速调整，保持输出电压稳定，避免触发芯片的过流保护，可有效解决后端动态变化时的抽载需求，保持电压稳定；无需额外的设计电路，降低生产成本。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
附图1为本发明的一种实现电流快速响应的芯片控制方法的实施例流程图。
具体实施方式
下面结合附图来说明本发明。
如附图1所示为本发明所述的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，包括如下步骤，步骤一，将芯片电感的谷值电流变化信号接入控制器中；步骤二，检测谷值电流的变化，计算谷值电流的变化斜率K 1；步骤三，确定预设值K 0，所述预设值K 0由芯片的控制模式及电感确定；步骤四，比较判断变化斜率K 1与预设值 K 0大小，确定芯片控制模式；步骤五，进行下一周期持续循环检测，重复上述判断；所述谷值电流通过侦测方法进行监控；当有电流流过下MOS(金属-氧化物半导体场效应晶体管)时，选取T 1与T 2时间检测谷值电流，分别为I 1与I 2，计算电流的变化斜率K 1＝(I 2-I 1)/T，T＝T 2-T 1，其中，I 1为T 1时刻的谷值电流，I 2为T 2时刻的谷值电流，T为PWM控制的周期，判断与K 1预设值K 0的大小，判断其是否处于过流:
若K 1≤K 0，判断此时芯片的控制模式可以满足需求，无需切换；若K 1>K 0，同时(I 1I 2)<I ocp*0.6，I ocp为过流保护电流，此时芯片的控制达到极限，需要切换控制模式，将控制模式切换至预设的控制模式。
所述控制模式的控制方式为：当K 1为正时，加大上MOS的开启时间，让其能够在短时间内传输足够的能量，保证其可以满足后端的拉载需求。
所述开启时间的设置方式为：第一次检测到需要切换控制模式时，将上MOS的导通时间由t改为2t，同时下MOS的开启时间变为原来的最小值；对所述控制模式的每个周期持续进行检测，当经过2个周期时，检测到输出电压还没有比上一周期的小时，将上MOS的导通时间由2t改为3t，其后，导通时间固定在3t，直到完成此次调控过程。
当电流的变化率K 1低于设置过流保护电流的60％时，判断此时后端在正常工作，控制上MOS开启，下MOS关闭，同时比较反馈端的信号；若反馈端的信号大于等于正常值或电流达到设置过流保护电流的60％时，此时后端抽载需求的动态变化结束，切换至正常的工作模式。
本发明的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，在进行电流动态响应时，将电感的谷值电流变化信号接入控制器中，通过检测电流的变化来调整控制模式的开启与导通，实现电流动态变化时，对输出电压的迅速调整，保持输出电压稳定，避免触发芯 片的过流保护，可有效解决后端动态变化时的抽载需求，保持电压稳定；无需额外的设计，降低生产成本。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (8)

  1. 一种实现电流快速响应的芯片控制方法，其特征在于：包括如下步骤，步骤一，将芯片电感的谷值电流变化信号接入控制器中；步骤二，检测谷值电流的变化，计算谷值电流的变化斜率K 1；步骤三，确定预设值K 0，所述预设值K 0由芯片的控制模式及电感确定；步骤四，比较判断变化斜率K 1与预设值K 0大小，确定芯片控制模式；步骤五，进行下一周期持续循环检测，重复上述判断。
  2. 如权利要求1所述的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，其特征在于：所述谷值电流的变化斜率K 1的计算公式为：K 1＝(I 2-I 1)/T，T＝T 2-T 1，其中，I 1为T 1时刻的谷值电流，I 2为T 2时刻的谷值电流，T为PWM控制的周期。
  3. 如权利要求2所述的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，其特征在于：比较判断所述变化斜率K 1与预设值K 0大小，确定芯片控制模式的步骤包括：若K 1≤K 0，判断此时芯片的控制模式可以满足需求，无需切换；若K 1＞K 0，同时(I 1I 2)＜I ocp*0.6，其中，I ocp为过流保护电流，则此时芯片的控制达到极限，将控制模式切换至预设的控制模式。
  4. 如权利要求3所述的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，其特征在于：所述预设的控制模式为：当K 1为正时，加大上MOS的开启时间，在短时间内传输足够的能量，满足后端的拉载需求。
  5. 如权利要求4所述的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，其特征在于：所述开启时间的设置方式为：第一次检测到需要切换控制模式时，将上MOS的导通时间由t改为2t，同时下MOS的开启时间变为原来的最小值。
  6. 如权利要求5所述的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，其特征在于：对所述控制模式的每个周期持续进行检测，当经过2个周期时，检测到输出电压还没有比上一周期的小时，将上MOS的导通时间由2t改为3t，其后，导通时间固定在3t，直到完成此次调控过程。
  7. 如权利要求3所述的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，其特征在于：当电流的变化量低于设置的过流保护电流I ocp的60％时，判断此时后端正常工作，控制上MOS开启，下MOS关闭，同时比较反馈端的信号。
  8. 如权利要求7所述的一种实现电流快速响应的芯片控制方法，其特征在于：若反馈端的信号大于等于正常值或电流达到设置的过流保护电流I ocp的60％时，此时后端抽载需求的动态变化结束，切换至正常的工作模式。
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