WO2022001498A1 - 计算装置、集成电路芯片、板卡、电子设备和计算方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种计算装置、集成电路芯片、板卡和使用计算装置来执行运算操作的方法。计算装置（1210）包括在组合处理装置中，组合处理装置还包括通用互联接口和其他处理装置（1206）。计算装置（1210）与其他处理装置（1206）进行交互，共同完成用户指定的计算操作。组合处理装置还包括存储装置（1208），存储装置（1208）分别与设备和其他处理装置（1206）连接，用于存储设备和其他处理装置（1206）的数据。

Description

计算装置、集成电路芯片、板卡、电子设备和计算方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年6月30日申请的，申请号为2020106194580，名称为“计算装置、集成电路芯片、板卡、电子设备和计算方法”的中国专利申请的优先权，在此将其全文引入作为参考。

技术领域

本披露一般地涉及计算领域。更具体地，本披露涉及一种计算装置、集成电路芯片、板卡、电子设备和计算方法。

背景技术

在计算系统中，指令集是用于执行计算和对计算系统进行控制的一套指令的集合，并且在提高计算系统中计算芯片(例如处理器)的性能方面发挥着关键性的作用。当前的各类计算芯片(特别是人工智能领域的芯片)利用相关联的指令集，可以完成各类通用或特定的控制操作和数据处理操作。然而，当前的指令集还存在诸多方面的缺陷。例如，现有的指令集受限于硬件架构而在灵活性方面表现较差。进一步，许多指令仅能完成单一的操作，而多个操作的执行则通常需要多条指令，这潜在地导致片内I/O数据吞吐量增大。另外，当前的指令在执行速度、执行效率和对芯片造成的功耗方面还有改进之处。

另外，传统的处理器CPU的运算指令被设计为能够执行基本的单数据标量运算操作。这里，单数据操作指的是指令的每一个操作数都是一个标量数据。然而，在图像处理和模式识别等任务里，面向的操作数往往是多维向量(即，张量数据)的数据类型，仅仅使用标量操作无法使硬件高效地完成运算任务。因此，如何高效地执行多维的张量运算也是当前计算领域亟需解决的问题。

发明内容

为了至少解决上述现有技术中存在的问题，本披露提供一种具有处理电路阵列的硬件架构。通过利用该硬件架构来执行计算指令，本披露的方案可以在包括增强硬件的处理性能、减小功耗、提高计算操作的执行效率和避免计算开销等多个方面获得技术优势。进一步，本披露的方案在前述硬件架构的基础上支持对张量数据的高效访存和处理，从而在计算指令中包括多维向量操作数的情况下，加速张量运算并且减小张量运算所带来的计算开销。

在第一方面中，本披露提供一种计算装置，包括：处理电路阵列，其由多个处理电路以一维或多维阵列的结构连接而成，其中所述处理电路阵列配置成多个处理电路子阵列，并且响应于接收到多个运算指令来执行多线程运算，其中所述多个运算指令由对所述计算装置接收到的计算指令进行解析而获得，并且其中所述计算指令的操作数包括用于指示张量的形状的描述符，所述描述符用于确定所述操作数对应数据的存储地址，所述至少一个处理电路子阵列配置成根据所述存储地址来执行所述多个运算指令中的至少一个运算指令。

在第二方面中，本披露提供一种集成电路芯片，其包括如上所述并且将在下面多 个实施例中描述的计算装置。

在第三方面中，本披露提供一种板卡，其包括如上所述并且将在下面多个实施例中描述的集成电路芯片。

在第四方面中，本披露提供一种电子设备，其包括如上所述并且将在下面多个实施例中描述的集成电路芯片。

在第五方面中，本披露提供一种使用前述计算装置来执行计算的方法，其中所述计算装置包括处理电路阵列，该处理电路阵列由多个处理电路以一维或多维阵列的结构连接而成，并且所述处理电路阵列配置成多个处理电路子阵列，所述方法包括：在所述计算装置处接收计算指令，并且对其进行解析而获得多个运算指令，其中所述计算指令的操作数包括用于指示张量的形状的描述符，所述描述符用于确定所述操作数对应数据的存储地址；响应于接收到所述多个运算指令，利用所述多个处理电路子阵列来执行多线程运算，其中所述多个处理电路子阵列中的至少一个处理电路子阵列配置成根据所述存储地址来执行多个运算指令中的至少一个运算指令。

通过使用本披露上述的计算装置、集成电路芯片、板卡、电子设备和方法，可以根据计算要求来构建适当的处理电路阵列，从而可以高效地执行计算指令、减小计算开销并减少I/O数据的吞吐量。另外，由于本披露的处理电路可以根据运算要求而配置成支持相应的运算，因此本披露计算指令的操作数的数目可以根据运算要求增加或减少，并且操作码的类型也可以在处理电路矩阵所支持的操作类型中任意选择和组合，从而扩展了硬件架构的应用场景和适配性。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分其中：

图1a是示出根据本披露一个实施例的计算装置的框图；

图1b是示出根据本披露一个实施例的数据存储空间的示意图；

图2a是示出根据本披露另一个实施例的计算装置的框图；

图2b是示出根据本披露又一个实施例的计算装置的框图；

图3是示出根据本披露又一个实施例的计算装置的框图；

图4是示出根据本披露实施例的计算装置的多种类型处理电路阵列的示例结构图；

图5a，5b，5c和5d是示出根据本披露实施例的多个处理电路的多种连接关系的示意图；

图6a，6b，6c和6d是示出根据本披露实施例的多个处理电路的另外多种连接关系的示意图；

图7a，7b、7c和7d是示出根据本披露实施例的处理电路的多种成环结构的示意图；

图8a，8b和8c是示出根据本披露实施例的处理电路的另外多种成环结构的示意图；

图9a，9b，9c和9d是示出根据本披露实施例的前操作电路所执行的数据拼接操作示意图；

图10a，10b和10c是示出根据本披露实施例的后操作电路所执行的数据压缩操作示意图；

图11是示出根据本披露实施例的使用计算装置来执行运算操作的方法的简化流程图；

图12是示出根据本披露实施例的一种组合处理装置的结构图；以及

图13是示出根据本披露实施例的一种板卡的结构示意图。

具体实施方式

本披露的方案提供一种支持多线程运算的硬件架构。当该硬件架构实现于计算装置中时，该计算装置至少包括多个处理电路，其中多个处理电路根据不同的配置来进行连接，以形成一维或多维阵列的结构。根据实现方式的不同，处理电路阵列可以配置成多个处理电路子阵列，并且每个处理电路子阵列可以配置成执行多个运算指令中的至少一个运算指令。当涉及张量运算时，本披露的计算指令的操作数可以包括用于指示张量的形状的描述符，该描述符可以用于确定操作数对应数据(例如张量)的存储地址，从而处理电路子阵列可以根据该存储地址来读取和保存张量数据，以执行与张量相关的张量操作。借助于本披露的硬件架构和运算指令，可以高效地执行包括张量运算的计算操作，扩展了计算的应用场景并且减小了计算开销。

下面将结合本披露实施例中的附图，对本披露实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本披露中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本披露保护的范围。

图1a是示出根据本披露一个实施例的计算装置80的框图。如图1a中所示，该计算装置80包括由多个处理电路104所形成的处理电路阵列。具体地，该多个处理电路以二维阵列的结构连接以形成处理电路阵列，并且包括多个处理电路子阵列，例如图中所示出的多个一维处理电路子阵列M1、M2、……Mn。需要理解的是这里二维结构的处理电路阵列及其包括的多个一维处理电路子阵列仅仅是示例性地而非限制性地，本披露的处理电路阵列根据不同的运算场景，可以配置成具有不同维度的阵列结构，并且在处理电路子阵列内或多个处理电路子阵列之间可以形成一个或多个闭合的环路，如稍后将描述的图5-图8中所示出的示例性连接。

在一个实施例中，响应于接收到多个运算指令，本披露的处理电路阵列可以配置成执行多线程运算，例如执行单指令多线程(“SIMT”)指令。进一步，每个处理电路子阵列可以配置成执行前述多个运算指令中的至少一个运算指令。在本披露的上下文中，前述的多个运算指令可以是在计算装置(或处理电路、处理器)内部运行的微指令或控制信号，其可以包括(或者说指示)一个或多个需计算装置执行的运算操作。根据不同的运算场景，运算操作可以包括但不限于加法操作、乘法操作、卷积运算操作、池化操作等各种操作，并且这些运算操作也可以涉及张量运算。为此，本披露的计算指令的操作数可以包括用于指示张量的形状的描述符。通过利用该描述符所确定的存储地址，执行运算指令的一个或多个处理电路子阵列可以快速地访问到待用于运算操作的一个或多个张量(或称张量数据)。

在一个实施例中，上述的多个运算指令可以包括至少一条多级流水运算。在一个 场景中，前述的一条多级流水运算可以包括至少两个运算指令。根据不同的执行要求，本披露的运算指令可以包括谓词，并且每个所述处理电路根据谓词来判断是否执行与其关联的运算指令。本披露的处理电路根据配置可以灵活地执行各类运算操作，包括但不限于算术运算、逻辑运算、比较运算和查表运算。

以图1a所示出的处理电路矩阵以及包括的M1～Mn个处理电路子矩阵执行一条n级流水运算为例，其中处理电路子矩阵M1可以充当该流水运算中的第一级流水运算单元，而处理电路子矩阵M2可以充当该流水运算中的第二级流水运算单元。以此类推，处理电路子矩阵Mn可以充当该流水运算中的第n级流水运算单元。在执行n级流水运算过程中，可以从第一级流水运算单元开始执行自上而下的各级运算，直至完成该n级流水运算。

通过上面对于处理电路子阵列的示例性描述，可以理解的是本披露的所述处理电路阵列在一些场景中可以是一维阵列，并且所述处理电路阵列中的一个或多个处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。在另一些场景中，本披露的所述处理电路阵列是二维阵列，并且其中所述处理电路阵列中的一行或多行处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者所述处理电路阵列中的一列或多列处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者所述处理电路阵列中沿对角线方向上的一排或多排处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。

为了实现多级的流水运算，本披露还可以提供相应的计算指令，并且基于该计算指令来配置和构建处理电路阵列，以实现多级流水运算。根据运算场景的不同，本披露的计算指令可以包括多个操作码，该操作码可以表示由处理电路阵列执行的多个操作。例如，当图1a中的n＝4(即执行4级流水运算时)，根据本披露方案的计算指令可以如下式(1)表示：

Result＝convert((((scr0 op0 scr1)op1 src2)op2 src3)op3 src4)    (1)

其中，scr0～src4是源操作数(在一些计算场景中，其可以例如是本披露的描述符所表示的张量)、op0～op3为操作码，而convert表示对执行操作码op4后所获得的数据执行数据转换操作。根据不同的实施方式，前述数据转换操作可以由处理电路阵列中的处理电路来完成，或者由另外的操作电路来执行，例如由稍后结合图3详细描述的后操作电路来执行。根据本披露的方案，由于处理电路可以根据运算要求而配置成支持相应的运算，因此本披露计算指令的操作数的数目可以根据运算要求增加或减少，并且操作码的类型也可以在处理电路矩阵所支持的操作类型中任意选择和组合。

根据不同的应用场景，本披露的多个处理电路之间的连接既可以是基于硬件的配置连接(或称“硬连接”)，也可以是在特定的硬件连接基础上，通过软件配置(例如通过配置指令)来进行逻辑配置连接(或称“软连接”)。在一个实施例中，所述处理电路阵列可以在一维或多维方向的至少一个维度方向上形成闭合的环路，即本披露上下文中的“成环结构”。

如前所述，本披露的运算操作还包括利用描述符来获取关于张量形状相关的信息，以便确定张量数据的存储地址，从而通过前述的存储地址来获取和保存张量数据。

在一种可能的实现方式中，可以用描述符指示N维的张量数据的形状，N为正整数，例如N＝1、2或3，或者为零。其中，张量可以包含多种形式的数据组成方式，张量可以是不同维度的，比如标量可以看作是0维张量，向量可以看作1维张量，而 矩阵可以是2维或2维以上的张量。张量的形状包括张量的维度、张量各个维度的尺寸等信息。举例而言，对于张量：

该张量的形状可以被描述符描述为(2，4)，也即通过两个参数表示该张量为二维张量，且该张量的第一维度(列)的尺寸为2、第二维度(行)的尺寸为4。需要说明的是，本申请对于描述符指示张量形状的方式并不做限定。

在一种可能的实现方式中，N的取值可根据张量数据的维数(阶数)来确定，也可以根据张量数据的使用需要进行设定。例如，在N的取值为3时，张量数据为三维的张量数据，描述符可用来指示该三维的张量数据在三个维度方向上的形状(例如偏移量、尺寸等)。应当理解，本领域技术人员可以根据实际需要对N的取值进行设置，本披露对此不作限制。

在一种可能的实现方式中，所述描述符可包括描述符的标识和/或描述符的内容。其中，描述符的标识用于对描述符进行区分，例如描述符的标识可以为其编号；描述符的内容可以包括表示张量数据的形状的至少一个形状参数。例如，张量数据为3维数据，在该张量数据的三个维度中，其中两个维度的形状参数固定不变，其描述符的内容可包括表示该张量数据的另一个维度的形状参数。

在一种可能的实现方式中，描述符的标识和/或内容可存储在描述符存储空间(内部存储器)，例如寄存器、片上的SRAM或其他介质缓存等。描述符所指示的张量数据可存储在数据存储空间(内部存储器或外部存储器)，例如片上缓存或片下存储器等。本披露对描述符存储空间及数据存储空间的具体位置不作限制。

在一种可能的实现方式中，描述符的标识、内容以及描述符所指示的张量数据可以存储在内部存储器的同一块区域，例如，可使用片上缓存的一块连续区域来存储描述符的相关内容，其地址为ADDR0-ADDR1023。其中，可将地址ADDR0-ADDR63作为描述符存储空间，存储描述符的标识和内容，地址ADDR64-ADDR1023作为数据存储空间，存储描述符所指示的张量数据。在描述符存储空间中，可用地址ADDR0-ADDR31存储描述符的标识，地址ADDR32-ADDR63存储描述符的内容。应当理解，地址ADDR并不限于1位或一个字节，此处用来表示一个地址，是一个地址单位。本领域技术人员可以实际情况确定描述符存储空间、数据存储空间以及其具体地址，本披露对此不作限制。

在一种可能的实现方式中，描述符的标识、内容以及描述符所指示的张量数据可以存储在内部存储器的不同区域。例如，可以将寄存器作为描述符存储空间，在寄存器中存储描述符的标识及内容，将片上缓存作为数据存储空间，存储描述符所指示的张量数据。

在一种可能的实现方式中，在使用寄存器存储描述符的标识和内容时，可以使用寄存器的编号来表示描述符的标识。例如，寄存器的编号为0时，其存储的描述符的标识设置为0。当寄存器中的描述符有效时，可根据描述符所指示的张量数据的大小在缓存空间中分配一块区域用于存储该张量数据。

在一种可能的实现方式中，描述符的标识及内容可存储在内部存储器，描述符所指示的张量数据可存储在外部存储器。例如，可以采用在片上存储描述符的标识及内容、在片下存储描述符所指示的张量数据的方式。

在一种可能的实现方式中，与各描述符对应的数据存储空间的数据地址可以是固定地址。例如，可以为张量数据划分单独的数据存储空间，每个张量数据在数据存储空间的起始地址与描述符一一对应。在这种情况下，负责对计算指令进行解析的电路或模块(例如本披露计算装置外部的实体或例如图2-图3中所示的控制电路102)可以根据描述符来确定与操作数对应的数据在数据存储空间中的数据地址。

在一种可能的实现方式中，在与描述符对应的数据存储空间的数据地址为可变地址时，所述描述符还可用于指示N维的张量数据的地址，其中，所述描述符的内容还可包括表示张量数据的地址的至少一个地址参数。例如，张量数据为3维数据，在描述符指向该张量数据的地址时，描述符的内容可包括表示该张量数据的地址的一个地址参数，例如张量数据的起始物理地址，也可以包括该张量数据的地址的多个地址参数，例如张量数据的起始地址+地址偏移量，或张量数据基于各维度的地址参数。本领域技术人员可以根据实际需要对地址参数进行设置，本披露对此不作限制。

在一种可能的实现方式中，所述张量数据的地址参数可以包括所述描述符的数据基准点在所述张量数据的数据存储空间中的基准地址。其中，基准地址可根据数据基准点的变化而不同。本披露对数据基准点的选取不作限制。

在一种可能的实现方式中，所述基准地址可包括所述数据存储空间的起始地址。在描述符的数据基准点是数据存储空间的第一个数据块时，描述符的基准地址即为数据存储空间的起始地址。在描述符的数据基准点是数据存储空间中第一个数据块以外的其他数据时，描述符的基准地址即为该数据块在数据存储空间中的地址。

在一种可能的实现方式中，所述张量数据的形状参数包括以下至少一种：所述数据存储空间在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的偏移量、处于N个维度方向的对角位置的至少两个顶点相对于所述数据基准点的位置、所述描述符所指示的张量数据的数据描述位置与数据地址之间的映射关系。其中，数据描述位置是描述符所指示的张量数据中的点或区域的映射位置，例如，张量数据为3维数据时，描述符可使用三维空间坐标(x，y，z)来表示该张量数据的形状，该张量数据的数据描述位置可以是使用三维空间坐标(x，y，z)表示的、该张量数据映射在三维空间中的点或区域的位置。

应当理解，本领域技术人员可以根据实际情况选择表示张量数据的形状参数，本披露对此不作限制。通过在数据存取过程中使用描述符，可建立数据之间的关联，从而降低数据存取的复杂度，提高指令处理效率。

在一种可能的实现方式中，可根据所述描述符的数据基准点在所述张量数据的数据存储空间中的基准地址、所述数据存储空间的N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸和/或所述存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的偏移量，确定所述张量数据的描述符的内容。

图1b示出根据本披露实施例的数据存储空间的示意图。如图1b所示，数据存储空间21采用行优先的方式存储了一个二维数据，可通过(x，y)来表示(其中，X轴水平向右，Y轴垂直向下)，X轴方向上的尺寸(每行的尺寸)为ori_x(图中未示出)，Y轴方向上的尺寸(总行数)为ori_y(图中未示出)，数据存储空间21的起始地址PA_start(基准地址)为第一个数据块22的物理地址。数据块23是数据存储 空间21中的部分数据，其在X轴方向上的偏移量25表示为offset_x，在Y轴方向上的偏移量24表示为offset_y，在X轴方向上的尺寸表示为size_x，在Y轴方向上的尺寸表示为size_y。

在一种可能的实现方式中，使用描述符来定义数据块23时，描述符的数据基准点可使用数据存储空间21的第一个数据块，可以约定描述符的基准地址为数据存储空间21的起始地址PA_start。然后可以结合数据存储空间21在X轴的尺寸ori_x、在Y轴上的尺寸ori_y，以及数据块23在Y轴方向的偏移量offset_y、X轴方向上的偏移量offset_x、X轴方向上的尺寸size_x以及Y轴方向上的尺寸size_y来确定数据块23的描述符的内容。

在一种可能的实现方式中，可以使用下述公式(2)来表示描述符的内容：

应当理解，虽然上述示例中，描述符的内容表示的是二维空间，但本领域技术人员可以根据实际情况对描述符的内容表示的具体维度进行设置，本披露对此不作限制。

在一种可能的实现方式中，可约定所述描述符的数据基准点在所述数据存储空间中的基准地址，在基准地址的基础上，根据处于N个维度方向的对角位置的至少两个顶点相对于所述数据基准点的位置，确定所述张量数据的描述符的内容。

举例来说，可以约定描述符的数据基准点在数据存储空间中的基准地址PA_base。例如，可以在数据存储空间21中选取一个数据(例如，位置为(2，2)的数据)作为数据基准点，将该数据在数据存储空间中的物理地址作为基准地址PA_base。可以根据对角位置的两个顶点相对于数据基准点的位置，确定出图1b中数据块23的描述符的内容。首先，确定数据块23的对角位置的至少两个顶点相对于数据基准点的位置，例如，使用左上至右下方向的对角位置顶点相对于数据基准点的位置，其中，左上角顶点的相对位置为(x_min，y_min)，右下角顶点的相对位置为(x_max，y_max)，然后可以根据基准地址PA_base、左上角顶点的相对位置(x_min，y_min)以及右下角顶点的相对位置(x_max，y_max)确定出数据块23的描述符的内容。

在一种可能的实现方式中，可以使用下述公式(3)来表示描述符的内容(基准地址为PA_base)：

应当理解，虽然上述示例中使用左上角和右下角两个对角位置的顶点来确定描述符的内容，但本领域技术人员可以根据实际需要对对角位置的至少两个顶点的具体顶点进行设置，本披露对此不作限制。

在一种可能的实现方式中，可根据所述描述符的数据基准点在所述数据存储空间中的基准地址，以及所述描述符所指示的张量数据的数据描述位置与数据地址之间的映射关系，确定所述张量数据的描述符的内容。其中，数据描述位置与数据地址之间的映射关系可以根据实际需要进行设定，例如，描述符所指示的张量数据为三维空间 数据时，可以使用函数f(x，y，z)来定义数据描述位置与数据地址之间的映射关系。

在一种可能的实现方式中，可以使用下述公式(4)来表示描述符的内容：

在一种可能的实现方式中，所述描述符还用于指示N维的张量数据的地址，其中，所述描述符的内容还包括表示张量数据的地址的至少一个地址参数，例如描述符的内容可以是：

D:

其中PA为地址参数。地址参数可以是逻辑地址，也可以是物理地址。描述符解析电路可以以PA为向量形状的顶点、中间点或预设点中的任意一个，结合X方向和Y方向的形状参数得到对应的数据地址。

在一种可能的实现方式中，所述张量数据的地址参数包括所述描述符的数据基准点在所述张量数据的数据存储空间中的基准地址，所述基准地址包括所述数据存储空间的起始地址。

在一种可能的实现方式中，描述符还可以包括表示张量数据的地址的至少一个地址参数，例如描述符的内容可以是：

D:

其中PA_start为基准地址参数，不再赘述。

应当理解，本领域技术人员可以根据实际情况对数据描述位置与数据地址之间的映射关系进行设定，本披露对此不作限制。

在一种可能的实现方式中，可以在一个任务中设定约定的基准地址，此任务下指令中的描述符均使用此基准地址，描述符内容中可以包括基于此基准地址的形状参数。可以通过设定此任务的环境参数的方式确定此基准地址。基准地址的相关描述和使用方式可参见上述实施例。此种实现方式下，描述符的内容可以更快速的被映射为数据地址。

在一种可能的实现方式中，可以在各描述符的内容中包含基准地址，则各描述符的基准地址可不同。相对于利用环境参数设定共同的基准地址的方式，此种方式中的各描述符可以更加灵活的描述数据，并使用更大的数据地址空间。

在一种可能的实现方式中，可根据描述符的内容，确定与处理指令的操作数对应的数据在数据存储空间中的数据地址。其中，数据地址的计算由硬件自动完成，且描述符的内容的表示方式不同时，数据地址的计算方法也会不同。本披露对数据地址的具体计算方法不作限制。

例如，操作数中描述符的内容是使用公式(1)表示的，描述符所指示的张量数据在数据存储空间中的偏移量分别为offset_x和offset_y，尺寸为size_x*size_y，那么，该描述符所指示的张量数据在数据存储空间中的起始数据地址PA1 _(x,y)可以使用下述公式(5)来确定：

PA1 _(x,y)＝PA_start+(offset_y-1)*ori_x+offset_x    (5)

根据上述公式(5)确定的数据起始地址PA1 _(x,y)，结合偏移量offset_x和offset_y，以及存储区域的尺寸size_x和size_y，可确定出描述符所指示的张量数据在数据存储空间中的存储区域。

在一种可能的实现方式中，当操作数还包括针对描述符的数据描述位置时，可根据描述符的内容以及数据描述位置，确定操作数对应的数据在数据存储空间中的数据地址。通过这种方式，可以对描述符所指示的张量数据中的部分数据(例如一个或多个数据)进行处理。

例如，操作数中描述符的内容是使用公式(2)表示的，描述符所指示的张量数据在数据存储空间中偏移量分别为offset_x和offset_y，尺寸为size_x*size_y，操作数中包括的针对描述符的数据描述位置为(x _q，y _q)，那么，该描述符所指示的张量数据在数据存储空间中的数据地址PA2 _(x,y)可以使用下述公式(6)来确定：

PA2 _(x,y)＝PA_start+(offset_y+y _q-1)*ori_x+(offset_x+x _q)    (6)

以上结合图1a和图1b对本披露的计算装置进行了描述，通过利用计算装置中的一个或多个处理电路阵列并且基于该处理电路的操作功能，本披露的计算指令得以在计算装置上高效地执行，以完成多线程操作，从而提升了并行运算的执行效率并减小计算的开销。另外，通过利用描述符来执行针对张量的操作，本披露的方案也显著提升了对张量数据的存取和处理效率，减小了针对于张量运算的开销。

图2a是示出根据本披露另一个实施例的计算装置100的框图。从图中可以看出，除了具有与计算装置80相同的处理电路104，计算装置100还包括控制电路102。在一个实施例中，控制电路102可以配置成获取上文所述的计算指令并且对计算指令进行解析，以得到与所述操作码表示的多个操作相对应的所述多个运算指令，例如式(1)所表示的。在另一个实施例中，所述控制电路根据所述多个运算指令配置所述处理电路阵列，以得到所述多个处理电路子阵列，例如图1a中所示的处理电路子阵列M1、M2……Mn。

在一个应用场景中，所述控制电路可以包括用于存储配置信息的寄存器，并且控制电路可以根据所述多个运算指令提取对应的配置信息，并根据所述配置信息来配置所述处理电路阵列以得到所述多个处理电路子阵列。在另一个应用场景中，前述的寄存器或控制电路的其他寄存器可以配置成存储关于本披露的描述符的信息，例如描述符的标识和/或描述符的内容，以便可以利用描述符来确定张量数据的存储地址。

在一个实施例中，所述控制电路可以包括一个或多个寄存器，其存储有关于所述处理电路阵列的配置信息，所述控制电路配置成根据所述配置指令从所述寄存器读取所述配置信息并向所述处理电路发送，以便所述处理电路以所述配置信息进行连接。在一个应用场景中，所述配置信息可以包括预设的、组成所述一个或多个处理电路阵列的处理电路的位置信息，该位置信息例如可以包括处理电路的坐标信息或标号信息。

当所述处理电路阵列配置形成闭合环路时，所述配置信息还可以包括关于所述处理电路阵列形成闭合环路的成环配置信息。替代地，在一个实施例中，上述的配置信息也可以通过配置指令来直接携带而非从所述寄存器中读取。在该情况下，处理电路可以根据接收到的配置指令中的位置信息来直接进行配置，以便与其他处理电路形成无闭合环路的阵列或是进一步构成具有闭合环路的阵列。

在通过配置指令或通过从寄存器获得的配置信息来配置连接以形成二维阵列时，位于所述二维阵列中的所述处理电路配置成在其行方向、列方向或对角线方向的至少一个上以预定的二维间隔模式与同行、同列或同对角线的其余一个或多个所述处理电路连接，以便形成一个或多个闭合环路。这里，前述预定的二维间隔模式与所述连接中间隔的处理电路的数目相关联。

进一步，根据前述配置指令或配置信息来配置连接以形成三维阵列时，所述处理电路阵列以由多个层构成的三维阵列的成环方式进行连接，其中每个层包括沿行方向、列方向和对角线方向排列的多个所述处理电路的二维阵列，并且其中：位于所述三维阵列中的所述处理电路配置成在其行方向、列方向、对角线方向和层方向的至少一个上以预定的三维间隔模式与同行、同列、同对角线或不同层上的其余一个或多个处理电路连接，以便形成一个或多个闭合环路。这里，预定的三维间隔模式与待连接的处理电路之间的间隔数目和间隔层数相关联。

图2b是示出根据本披露另一个实施例的计算装置200的框图。从图中可以看出，除了包括与计算装置100相同的控制电路102和多个处理电路104以外，图2中的计算装置200还包括存储电路106。

在一个应用场景中，上述的存储电路可以在多个方向上配置有用于数据传输的接口，以便与多个处理电路104连接，从而可以对处理电路待运算的数据、执行运算过程中获得的中间结果以及执行运算过程后获得的运算结果进行相应地存储。鉴于前述情形，在一个应用场景中，本披露的存储电路可以包括主存储模块和/或主缓存模块，其中所述主存储模块配置成存储用于处理电路阵列中执行运算的数据与执行运算后的运算结果，并且所述主缓存模块配置成缓存所述处理电路阵列中执行运算后的中间运算结果。在一个应用场景中，前述的运算结果和中间运算结果可以是张量，其可以根据本披露的描述符所确定的存储地址来存储于存储电路中。进一步，存储电路还可以具有用于与片外存储介质进行数据传输的接口，从而可以实现片上与片外系统之间的数据搬运。

图3是示出根据本披露又一个实施例的计算装置300的框图。从图中可以看出，除了包括与计算装置200相同的控制电路102、多个处理电路104和存储电路106以外，图3中的计算装置300还包括数据操作电路108，其包括前操作电路110和后操作电路112。基于这样的硬件架构，所述前操作电路110配置成执行至少一个所述运算指令的输入数据(例如张量类型的数据)的预处理，而所述后操作电路112配置成执行至少一个运算指令的输出数据(例如张量类型的数据)的后处理。在一个实施例中，前操作电路执行的预处理可以包括数据摆放和/或查表操作，而后操作电路执行的后处理可以包括数据类型转换和/或压缩操作。

在一个应用场景中，在执行查表操作中，所述前操作电路配置成通过索引值来查找一个或多个表，以从所述一个或多个表中获得与所述操作数关联的一个或多个常数项。附加地或替代地，所述前操作电路配置成通过所述操作数来确定关联的索引值，并且通过所述索引值来查找一个或多个表，以从所述一个或多个表中获得与所述操作数关联的一个或多个常数项。

在一个应用场景中，所述前操作电路可以根据运算数据的类型和各个处理电路的逻辑地址，将所述运算数据进行相应的拆分并将拆分后获得的多个子数据分别传递至 阵列中对应的各个处理电路中以便运算。在另一应用场景中，所述前操作电路可以根据解析后的指令从多种数据拼接模式中选择一种数据拼接模式，以对输入的两个数据执行拼接操作。在一个应用场景中，所述后操作电路可以配置成对数据执行压缩操作，所述压缩操作包括利用掩码对数据进行筛选或通过给定阈值与数据大小的比较来进行筛选，从而实现数据的压缩。

基于上述图3的硬件架构，本披露的计算装置可以执行包括前述预处理和后处理的计算指令。基于此，如前式(1)中表达的计算指令的数据转换操作就可以由上述的后操作电路来执行。下面将给出根据本披露方案的计算指令的两个示例性例子：

例1：TMUADCO＝MULT+ADD+RELU(N)+CONVERTFP2FIX  (7)

在上式(7)中表达的指令是输入一个3元操作数，输出一个1元操作数的计算指令，并且其可以由根据本披露的一个包括三级流水运算(即，乘+加+激活)的处理电路矩阵来完成。具体来说，三元操作是A*B+C，其中MULT的微指令完成操作数A和B之间的乘法操作以获得乘积值，即第一级流水运算。接着，执行ADD的微指令来完成前述乘积值与C的加法操作，以获得求和结果“N”，即第二级流水运算。然后，对该结果执行激活操作RELU，即第三级流水运算。通过该三级流水运算后，最后可以通过上文的后操作电路来执行微指令CONVERTFP2FIX，从而将激活操作后的结果数据的类型从浮点数转换成定点数，以便作为最终的结果输出或作为中间结果输入到定点运算器以进行进一步的计算操作。

例2：TSEADMUAD＝SEARCHADD+MULT+ADD   (8)

在上式(8)中表达的指令是输入一个3元操作数，输出一个1元操作数的计算指令，并且其包括可以由根据本披露的一个包括二级流水运算(即，乘+加)的处理电路矩阵来完成的微指令。具体来说，三元操作是A*B+C，其中SEARCHADD的微指令可以由前操作电路来完成，以得到查表结果A。接着，由第一级流水运算来完成操作数A和B之间的乘法操作以获得乘积值。这里，操作数A、B和乘积值可以是根据本披露的描述符所读取和保存的张量。然后，执行ADD的微指令来完成前述乘积值与C的加法操作，以获得求和结果“N”，即第二级流水运算。同样地，当前述的求和结果是张量时，其也可以根据本披露的描述符所确定的存储地址来保存。

如前所述，本披露的计算指令可以根据计算的要求来灵活地设计和确定，从而本披露的包括多个处理电路子矩阵的硬件架构可以依据计算指令及其具体完成的操作来设计和连接，从而提升指令的执行效率并减小计算开销。

图4是示出根据本披露实施例的计算装置400的多种类型处理电路阵列的示例结构图。从图中所示可知，图4所示出的计算装置400具有与图3所示出的计算装置300相类似的架构，因此关于图3中计算装置300的描述同样也适用于图4中示出的相同细节，因此下文不再赘述。

从图4中可以看出，多个处理电路可以包括例如多个第一类型处理电路104-1和多个第二类型处理电路104-2(在图中以不同背景颜色来区分)。所述多个处理电路可以通过物理连接进行排布以形成二维阵列。例如，如图中所示，所述二维阵列中有M行N列(表示为M*N)个第一类型处理电路，其中M和N是大于0的正整数。所述第一类型处理电路可以用于执行算术运算和逻辑运算，例如可以包括加法、减法和乘法等线性运算、比较运算和与或非等非线性运算，或者前述各类运算的任意多种 组合。进一步，在M*N个第一类型处理电路阵列的外围的左、右两侧各有两列、共(M*2+M*2)个第二类型处理电路，并且在其外围的下侧有两行、共(N*2+8)个第二类型处理电路，即该处理电路阵列共有(M*2+M*2+N*2+8)个第二类型处理电路。在一个实施例中，所述第二类型处理电路可以用于对接收到的数据执行例如比较运算、查表运算或移位操作等非线性运算。在一个或多个实施例中，第一类型处理电路可以形成本披露的第一处理电路子阵列，而第二类型处理电路可以形成本披露的第二处理电路子阵列，以便执行多线程运算。在一个场景中，当多线程运算涉及多个运算指令并且多个运算指令构成一条多级流水运算时，该第一处理电路子阵列可以执行多级流水运算中的若干级流水运算，而第二处理子阵列可以执行另外若干级流水运算。在另一个场景中，当多线程运算涉及多个运算指令并且多个运算指令构成两条多级流水运算时，该第一处理电路子阵列可以执行第一多级流水运算，而第二处理电路子阵列可以执行第二多级流水运算。

在一些应用场景中，第一类型处理电路与第二类型处理电路二者所应用的存储电路可以具有不同的存储规模和存储方式。例如，第一类型处理电路中的谓词存储电路可以利用多个经过编号的寄存器存储谓词信息。进一步，第一类型处理电路可以根据接收到的解析后的指令中指定的寄存器编号来存取对应编号的寄存器中的谓词信息。又例如，第二类型处理电路可以采用静态随机存取存储器(“SRAM”)的方式对谓词信息进行存储。具体来说，所述第二类型处理电路可以根据接收到的解析后的指令中指定的该谓词信息所在位置的偏移量来确定所述谓词信息在SRAM中的存储地址，并且可以对该存储地址中的谓词信息进行预定的读出或写入操作。

图5a，5b，5c和5d是示出根据本披露实施例的多个处理电路的多种连接关系的示意图。如前所述，本披露的多个处理电路可以硬线连接的方式或根据配置指令的逻辑连接方式来连接，从而形成连接的一维或多维阵列的拓扑结构。当多个处理电路之间以多维阵列进行连接时，所述多维阵列可以是二维阵列，并且位于所述二维阵列中的所述处理电路可以在其行方向、列方向或对角线方向的至少一个方向上，以预定的二维间隔模式与同行、同列或同对角线上的其余一个或多个所述处理电路连接。其中所述预定的二维间隔模式可以与所述连接中间隔的处理电路的数目相关联。图5a至图5c示例性示出多个处理电路之间的多种形式的二维阵列的拓扑结构。

如图5a所示，五个处理电路(每个以方框表示)连接形成一个简单的二维阵列。具体来说，以一个处理电路作为二维阵列的中心，向相对于该处理电路的水平和垂直的四个方向上各连接一个处理电路，从而形成一个具有三行和三列大小的二维阵列。进一步，由于位于二维阵列中心的处理电路分别与同行的前一列和后一列相邻的处理电路、与同列的上一行和下一行相邻的处理电路直接连接，从而间隔的处理电路的数目(简称“间隔数目”)为0。

如图5b所示，四行四列的处理电路可以连接形成一个二维Torus阵列，其中每个处理电路分别与其相邻的前一行和后一行、前一列和后一列的处理电路进行连接，即相邻处理电路连接的间隔数目均为0。进一步，位于该二维Torus阵列中每行或每列的第一个处理电路还与该行或该列的最后一个处理电路相连，每行或每列首尾相连的处理电路之间的间隔数目均为2。

如图5c所示，四行四列的处理电路还可以连接形成一个相邻处理电路之间的间 隔数目为0、不相邻处理电路之间的间隔数目为1的二维阵列。具体地，该二维阵列中同行或同列相邻的处理电路直接连接，即间隔数目为0，而同行或同列不相邻的处理电路与间隔数目为1的处理电路进行连接。可以看出，当多个处理电路连接形成二维阵列时，图5b和图5c示出的同行或同列的处理电路之间可以有不同的间隔数目。类似地，在一些场景中，也可以不同的间隔数目与对角线方向上的处理电路进行连接。

如图5d所示，利用四个如图5b示出的二维Torus阵列，可以按照预定的间隔排列成四层二维Torus阵列进行连接，以形成一个三维Torus阵列。该三维Torus阵列在二维Torus阵列的基础上，利用与行间、列间类似的间隔模式进行层间连接。例如，首先将相邻层同行同列的处理电路直接相连，即间隔数目为0。接着，将第一层和最后一层同行同列的处理电路进行连接，即间隔数目为2。最终可以形成四层四行四列的三维Torus阵列。

通过上面这些示例，本领域技术人员可以理解处理电路的其他多维阵列的连接关系可以在二维阵列的基础上，通过增加新的维度和增加处理电路的数目来形成。在一些应用场景中，本披露的方案也可以通过使用配置指令来对处理电路配置逻辑连接。换句话说，尽管处理电路之间可能存在硬线连接，但本披露的方案也可以通过配置指令来选择性地令一些处理电路连接，或者选择性地旁路一些处理电路，以形成一个或多个逻辑连接。在一些实施例中，还可以根据实际运算的需求(例如数据类型的转换)来调整前述的逻辑连接。进一步，针对于不同的计算场景，本披露的方案可以对处理电路的连接进行配置，包括例如配置成矩阵或者配置成一个或多个闭合的计算环路。

图6a，6b，6c和6d是示出根据本披露实施例的多个处理电路的另外多种连接关系的示意图。从图中可以看出，图6a至图6d是在图5a至图5d示出的多个处理电路形成的多维阵列的又一种示例性连接关系。鉴于此，结合图5a至图5d所描述的技术细节也同样适用于图6a至图6d所示出的内容。

如图6a所示，二维阵列的处理电路包括位于二维阵列中心的中心处理电路和与该中心处理电路同行和同列的四个方向上分别连接的三个处理电路。因此，该中心处理电路与其余处理电路之间连接的间隔数目分别是0、1和2。如图6b所示，二维阵列的处理电路包括位于二维阵列中心的中心处理电路、和与该处理电路同行的两个相对方向上的三个处理电路，以及与该处理电路同列的两个相对方向上的一个处理电路。因此，中心处理电路与同行的处理电路之间连接的间隔数目分别为0和2，与同列的处理电路之间连接的间隔数目均为0。

正如前文结合图5d所示出的，多个处理电路形成的多维阵列可以由多个层构成的三维阵列。其中所述三维阵列的每个层可以包括沿其行方向和列方向排列的多个所述处理电路的二维阵列。进一步，位于所述三维阵列中的所述处理电路可以在其行方向、列方向、对角线方向和层方向的至少一个方向上以预定的三维间隔模式与同行、同列、同对角线或不同层上的其余一个或多个处理电路连接。进一步，所述预定的三维间隔模式与所述连接中相互间隔的处理电路的数目可以和间隔的层数目相关。下面将结合图6c与图6d对三维阵列的连接方式做出进一步描述。

图6c示出多个处理电路连接形成的多层多行多列的三维阵列。以位于第l层、第r行、第c列(表示为(l，r，c))的处理电路为例，其位于阵列中心位置，并且分别与同层同行的前一列(l，r，c-1)处的处理电路和后一列(l，r，c+1)处的处理 电路、同层同列的前一行(l，r-1，c)处的处理电路和后一行(l，r+1，c)处的处理电路，以及同行同列不同层的前一层(l-1，r，c)处的处理电路和后一层(l+1，r，c)处的处理电路进行连接。进一步，(l，r，c)处的处理电路与其他处理电路在行方向、列方向和层方向上连接的间隔数目均为0。

图6d示出当多个处理电路之间在行方向、列方向和层方向上连接的间隔数目均为1时的三维阵列。以位于阵列中心位置(l，r，c)的处理电路为例，其分别与同层同行不同列的前后各间隔一列的(l，r，c-2)和(l，r，c+2)处的处理电路、同层同列不同行的前后各间隔一行的(l，r-2，c)和(l，r+2，c)处的处理电路进行连接。进一步，其与同行同列不同层的前后各间隔一层的(l-2，r，c)和(l+2，r，c)处的处理电路进行连接。类似地，其余的同层同行间隔一列的(l，r，c-3)与(l，r，c-1)处的处理电路彼此进行连接，而(l，r，c+1)与(l，r，c+3)处的处理电路彼此进行连接。接着，同层同列间隔一行的(l，r-3，c)与(l，r-1，c)处的处理电路彼此进行连接、(l，r+1，c)与(l，r+3，c)处的处理电路彼此进行连接。另外，同行同列间隔一层的(l-3，r，c)与(l-1，r，c)处的处理电路彼此进行连接、而(l+1，r，c)与(l+3，r，c)处的处理电路彼此进行连接。

上文对多个处理电路形成的多维阵列的连接关系进行了示例性描述，下文将结合图7-图8对多个处理电路形成的不同环路结构做出进一步示例性说明。

图7a，7b、7c和7d是分别示出根据本披露实施例的处理电路的多种环路结构的示意图。根据不同的应用场景，多个处理电路不仅可以物理连接关系来进行连接，也可以根据接收到的解析后的指令配置成以逻辑关系来进行连接。所述多个处理电路可以配置成利用所述逻辑连接关系进行连接以形成闭合的环路。

如图7a所示，四个相邻的处理电路顺序编号为“0、1、2和3”。接着，从处理电路0开始按照顺时针方向将该四个处理电路顺序相连，并且处理电路3与处理电路0进行连接，以使四个处理电路串联形成一个闭合的环路(简称“成环”)。在该环路中，处理电路的间隔数目为0或2，例如处理电路0与1之间间隔数目为0，而处理电路3与0之间间隔数目为2。进一步，所示环路中的四个处理电路的物理地址(在本披露的上下文中也可以称为物理坐标)可以表示为0-1-2-3，而其逻辑地址(在本披露的上下文中也可以称为逻辑坐标)同样可以表示为0-1-2-3。需要注意的是，图7a所示出的连接顺序仅仅是示例性的而非限制性的，本领域技术人员根据实际计算需要，也可以以逆时针方向对四个处理电路进行串联连接以形成闭合的环路。

在一些实际场景中，当一个处理电路支持的数据位宽不能满足运算数据的位宽要求时，可以利用多个处理电路组合成一个处理电路组以表示一个数据。例如，假设一个处理电路可以处理8位数据。当需要处理32位的数据时，则可以将4个处理电路进行组合成为一个处理电路组，以便对4个8位数据进行连接以形成一个32位数据。进一步，前述4个8位处理电路形成的一个处理电路组可以充当图7b中示出的一个处理电路104，从而可以支持更高位宽的运算操作。

从图7b中可以看出，其所示出的处理电路的布局与图7a示出的类似，但图7b中处理电路之间连接的间隔数目与图7a不同。图7b示出以0、1、2和3顺序编号的四个处理电路按顺时针方向从处理电路0开始，顺序连接处理电路1、处理电路3和处理电路2，并且处理电路2连接至处理电路0，从而串联形成一个闭合的环路。从 该环路中可以看出，图7b中示出的处理电路的间隔数目为0或1，例如处理电路0与1之间间隔为0，而处理电路1与3之间间隔为1。进一步，所示闭合环路中的四个处理电路的物理地址可以为0-1-2-3，而逻辑地址依所示的成环方式可以表示为0-1-3-2。因此，当需要对高比特位宽的数据进行拆分以分配给不同的处理电路时，可以根据处理电路的逻辑地址对数据顺序进行重新排列和分配。

上述的拆分和重新排列的操作可以由结合图3描述的前操作电路来执行。特别地，该前操作电路可以根据多个处理电路的物理地址和逻辑地址来对输入数据进行重新排列，以用于满足数据运算的要求。假设四个顺序排列的处理电路0至处理电路3如图7a中所示出的连接，由于连接的物理地址和逻辑地址都为0-1-2-3，因此前操作电路可以将输入数据(例如像素数据)aa0、aa1、aa2和aa3依次传送到对应的处理电路中。然而，当前述的四个处理电路按图7b所示出的连接时，其物理地址保持0-1-2-3不变，而逻辑地址变为0-1-3-2，此时前操作电路需要将输入数据aa0、aa1、aa2和aa3重新排列为aa0-aa1-aa3-aa2，以传送到对应的处理电路中。基于上述的输入数据重排列，本披露的方案可以保证数据运算顺序的正确性。类似地，如果前述获得的四个运算输出结果(例如是像素数据)的顺序是bb0-bb1-bb3-bb2，可以利用结合图2描述的后操作电路将运算输出结果的顺序还原调整为bb0-bb1-bb2-bb3，以用于保证输入数据和输出结果数据之间的排列一致性。

图7c和图7d示出更多的处理电路分别以不同方式进行排列和连接，以形成闭合的环路。如图7c所示，以0,1…15顺序编号的16个处理电路104从处理电路0开始，顺序地每两个处理电路进行连接和组合，以形成一个处理电路组(也即本披露的处理电路子阵列)。例如，如图中所示，处理电路0与处理电路1连接形成一个处理电路组……。以此类推，处理电路14与处理电路15连接以形成一个处理电路组，最终形成八个处理电路组。进一步，该八个处理电路组也可以类似于前述的处理电路的连接方式进行连接，包括按照例如预定的逻辑地址来进行连接，以形成一个处理电路组的闭合的环路。

如图7d所示，多个处理电路104以不规则或者说不统一的方式来连接，以形成具有闭合环路的处理电路矩阵。具体来说，在图7d中示出处理电路之间可以间隔数目为0或3来形成闭合的环路，例如处理电路0可以分别与处理电路1(间隔数目为0)和处理电路4(间隔数目为3)相连。

由上述结合图7a、7b、7c和7d的描述可知，本披露的处理电路可以间隔有不同数目的处理电路，以便连接成闭合的环路。当处理电路总数变化时，也可以选择任意的中间间隔数目进行动态配置，从而连接成闭合的环路。还可以将多个处理电路组合成为处理电路组，并连接成处理电路组的闭合的环路。另外，多个处理电路的连接可以是硬件构成的硬连接方式，或者可以是软件配置的软连接方式。

图8a，8b和8c是示出根据本披露实施例的处理电路的另外多种环路结构的示意图。正如结合图6所示出的多个处理电路可以形成一个闭合的环路，并且所述闭合的环路中的每个处理电路可以配置有各自的逻辑地址。进一步，由结合图2描述的前操作电路可以配置成根据运算数据的类型(例如32bit数据，16bit数据或8bit数据)和逻辑地址，将所述运算数据进行相应的拆分并将拆分后获得的多个子数据分别传递至环路中对应的各个处理电路中以用于后续运算。

图8a上图示出四个处理电路连接形成一个闭合环路，并且该四个处理电路按从右到左顺序的物理地址可以表示为0-1-2-3。图8a下图示出前述所述环路中的四个处理电路从右到左顺序的逻辑地址表示为0-3-1-2。例如，图8a下图所示出的逻辑地址为“3”的处理电路具有图8a上图示出的物理地址“1”。

在一些应用场景中，假设操作数据的粒度是输入数据的低128bit，例如图中的原始序列“15，14，……2，1，0”(每个数字对应8bit数据)，并且设定该16个8bit数据的逻辑地址从低到高编号依次是0～15。进一步，按照如图8a下图所示出的逻辑地址，所述前操作电路可以根据不同的数据类型，对数据采用不同的逻辑地址进行编码或排列。

当处理电路操作的数据位宽为32bit时，逻辑地址分别为(3,2,1,0)，(7,6,5,4)，(11,10,9,8)和(15,14,13,12)的4个数可以分别表示第0～3个32bit数据。所述前操作电路可以将第0个32bit数据传送至逻辑地址为“0”的处理电路中(对应的物理地址为“0”)，可以将第1个32bit数据传送至逻辑地址为“1”的处理电路中(对应的物理地址为“2”)，可以将第2个32bit数据传送至逻辑地址为“2”的处理电路中(对应的物理地址为“3”)，可以将第3个32bit数据传送至逻辑地址为“3”的处理电路中(对应的物理地址为“1”)。通过数据的重新排列，以用于满足处理电路的后续运算需求。因此最终数据的逻辑地址与物理地址之间的映射关系为(15,14,13,12,11,10,9,8,7,6,5,4,3,2,1,0)->(11,10,9,8,7,6,5,4,15,14,13,12,3,2,1,0)。

当处理电路操作的数据位宽为16bit时，逻辑地址分别为(1,0),(3,2),(5,4),(7,6)，(9,8),(11,10),(13,12)和(15,14)的8个数可以分别表示第0～7个16bit数据。所述前操作电路可以将第0个和第4个16bit数据传送至逻辑地址为“0”的处理电路中(对应的物理地址为“0”)，可以将第1个和第5个16bit数据传送至逻辑地址为“1”的处理电路中(对应的物理地址为“2”)，可以将第2个和第6个16bit数据传送至逻辑地址为“2”的处理电路中(对应的物理地址为“3”)，可以将第3个和第7个16bit数据传送至逻辑地址为“3”的处理电路中(对应的物理地址为“1”)。因此最终数据的逻辑地址与物理地址之间的映射关系为：(15,14,13,12,11,10,9,8,7,6,5,4,3,2,1,0)->(13,12,5,4,11,10,3,2,15,14,7,6,9,8,1,0)。

当处理电路操作的数据位宽为8bit时，逻辑地址为0～15的16个数可以分别表示第0～15个8bit数据。根据图8a所示出的连接，所述前操作电路可以将第0个、第4个、第8个和第12个8bit数据传送至逻辑地址为“0”的处理电路中(对应的物理地址为“0”)；可以将第1个、第5个、第9个和第13个8bit数据传送至逻辑地址为“1”的处理电路中(对应的物理地址为“2”)；可以将第2个、第6个、第10个和第14个8bit数据传送至逻辑地址为“2”的处理电路中(对应的物理地址为“3”)；可以将第3个、第7个、第11个和第15个8bit数据传送至逻辑地址为“3”的处理电路中(对应的物理地址为“1”)。因此最终数据的逻辑地址与物理地址之间的映射关系为：

(15,14,13,12,11,10,9,8,7,6,5,4,3,2,1,0)->(14,19,6,2,13,9,5,1,15,11,7,3,12,8,4,0)。

图8b上图示出八个顺序编号的处理电路0至处理电路7连接形成一个闭合的环路，并且该八个处理电路的物理地址为0-1-2-3-4-5-6-7。图8b下图示出前述八个处理电路的逻辑地址为0-7-1-6-2-5-3-4。例如，图8b上图示出物理地址为“6”的处理电 路对应于图8b下图示出的逻辑地址为“3”。

图8b所示出的针对不同数据类型，所述前操作电路对数据进行重新排列后传送至对应的处理电路的操作与图8a类似，因此结合图8a所描述的技术方案也同样适用于图8b，此处不再对上述的数据重新排列操作过程进行赘述。进一步，图8b所示出的处理电路的连接关系与图8a所示出的类似，但图8b示出八个处理电路为图8a所示出的处理电路个数的两倍。由此，在根据不同数据类型进行操作的应用场景中，结合图8b所描述操作数据的粒度可以为结合图8a所描述操作数据的粒度的两倍。因此，相对于前面例子中输入数据的粒度为低128bit，本例中操作数据的粒度可以为输入数据的低256bit，例如图中示出的原始数据序列“31，30，……，2，1，0”，每个数字对应于8比特(“bit”)长度。

针对于上述原始数据序列，当处理电路操作的数据位宽分别是32bit、16bit和8bit时，图中还分别示出成环的处理电路中的数据的排列结果。例如，当操作的数据位宽是32bit时，逻辑地址为“1”的处理电路中的1个32bit数据为(7,6,5,4)，该处理电路对应的物理地址为“2”。而当操作的数据位宽是16bit时，逻辑地址为“3”的处理电路中的2个16bit数据为(23,22,7,6)，该处理电路对应的物理地址为“6”。当操作的数据位宽是8bit时，逻辑地址为“6”的处理电路中的4个8bit数据为(30,22,14,6)，该处理电路对应的物理地址为“3”。

上文结合图8a和图8b所示出的多个单个类型处理电路(如图3示出的第一类型处理电路)连接形成闭合环路的情形，针对不同数据类型的数据操作进行了描述。下文将结合图8c所示出的多个不同类型处理电路(如图4示出的第一类型处理电路和第二类型处理电路)进行连接形成闭合环路的情形，针对不同数据类型的数据操作做出进一步描述。

图8c上图示出，以0,1……19顺序编号的二十个多类型处理电路进行连接，以形成一个闭合的环路(图中示出的编号为处理电路的物理地址)。编号从0至15的十六个处理电路为第一类型处理电路(也即形成本披露的处理电路子阵列)，编号从16至19的四个处理电路为第二类型处理电路(也即形成本披露的处理电路子阵列)。类似地，该二十个处理电路中每个的物理地址，与图8c下图示出的对应处理电路的逻辑地址具有映射关系。

进一步，在对不同数据类型进行操作时，例如对于图中示出的80个8bit的原始序列，图8c还示出针对于处理电路支持的不同数据类型，对前述原始数据进行操作后的结果。例如，当操作的数据位宽是32bit时，逻辑地址为“1”的处理电路中的1个32bit数据为(7,6,5,4)，该处理电路对应的物理地址为“2”。而当操作的数据位宽是16bit时，逻辑地址为“11”的处理电路中的2个16bit数据为(63,62,23,22)，该处理电路对应的物理地址为“9”。而当操作的数据位宽是8bit时，逻辑地址为“17”的处理电路中的4个8bit数据为(77,57,37,17)，该处理电路对应的物理地址为“18”。

图9a，9b，9c和9d是示出根据本披露实施例的前处置电路所执行的数据拼接操作示意图。如前所述，本披露结合图2所描述的前处置电路还可以配置成根据解析后的指令从多种数据拼接模式中选择一种数据拼接模式，以对输入的两个数据执行拼接操作。关于多种数据拼接模式，在一个实施例中，本披露的方案通过对待拼接的两个数据按最小数据单元划分和编号，然后基于指定的规则来抽取数据的不同最小数据单 元以形成不同的数据拼接模式。例如，可以基于编号的奇偶性或编号是否是指定数字的整数倍来进行例如交替式地抽取和摆放，从而形成不同的数据拼接模式。根据不同的计算场景(例如数据位宽的不同)，这里的最小数据单元可以简单的就是1位或1比特数据，或者是2位、4位、8位、16位或32位或比特的长度。进一步，在抽取两个数据的不同编号部分时，本披露的方案既可以以最小数据单元来交替地抽取，也可以以最小数据单元的倍数来抽取，例如从两个数据中交替地一次抽取两个或三个最小数据单元的部分数据作为一组来按组进行拼接。

基于上述数据拼接模式的描述，下面将结合图9a至图9c来以具体的例子示例性阐述本披露的数据拼接模式。在所示的图中，输入数据为In1和In2，当图中的每个方格代表一个最小数据单元时，两个输入数据都具有8个最小数据单元的位宽长度。如前所述，对于不同位宽长度的数据，该最小数据单元可以代表不同的位数(或比特数)。例如，对于位宽为8位的数据，最小数据单元代表1位数据，而对于位宽为16位的数据，最小数据单元代表2位数据。又例如，对于位宽为32位的数据，最小数据单元代表4位数据。

如图9a所示，待拼接的两个输入数据In1和In2各由从右至左顺序编号为1,2，……，8的八个最小数据单元构成。按照编号由小到大、先In1后In2、先奇数编号后偶数编号的奇偶交错原则进行数据拼接。具体而言，当操作的数据位宽为8bit时，数据In1和In2各表示一个8位数据，而每个最小数据单元代表1位数据(即一个方格代表1比特数据)。根据数据的位宽和前述的拼接原则，首先抽取数据In1编号为1、3、5和7的最小数据单元顺序布置于低位。接着，顺序布置数据In2的四个奇数编号的最小数据单元。类似地，顺序布置数据In1编号为2、4、6和8的最小数据单元和数据In2的四个偶数编号的最小数据单元。最终，由16个最小数据单元拼接形成1个16位或2个8位的新数据，如图9a中第二行方格所示出的。

如图9b所示，在数据位宽为16bit时，数据In1和In2各表示一个16位数据，此时每个最小数据单元代表2位数据(即一个方格代表一个2比特数据)。根据数据的位宽和前述的交错拼接原则，可以先抽取数据In1编号为1、2、5和6的最小数据单元顺序布置于低位。然后，顺序布置数据In2编号为1、2、5和6的最小数据单元。类似地，顺序布置数据In1编号为3、4、7和8和数据In2相同编号的最小数据单元，以拼接形成最终的16个最小数据单元组成的1个32位或2个16位的新数据，如图9b中第二行方格所示出的。

如图9c所示，在数据位宽为32bit时，数据In1和In2各表示一个32位数据，而每个最小数据单元代表4位数据(即一个方格代表一个4比特数据)。根据数据的位宽和前述的交错拼接原则，可以先抽取数据In1编号为1、2、3和4和数据In2相同编号的最小数据单元顺序布置于低位。然后，抽取数据In1编号为5、6、7和8与数据In2相同编号的最小数据单元顺序布置，从而拼接形成最终的16个最小数据单元组成的1个64位或2个32位的新数据。

上面结合图9a-图9c描述了本披露的示例性数据拼接方式。然而，可以理解的是在一些计算场景中，数据拼接并不涉及上述的交错排放，而仅仅是两个数据在保持各自原有数据位置不变情况下的简单排布，例如图9d中所示出的。从图9d中可看出，两个数据In1和In2并不执行如图9a-图9c中示出的交错排布，而仅仅是将数据In1 的最后一个最小数据单元和In2的第一个最小数据单元进行串联，从而获得位宽增大(例如加倍)的新数据类型。在一些场景中，本披露的方案还可以基于数据属性进行成组的拼接。例如，可以将具有同一特征图的神经元数据或权值数据形成一组，然后进行排布，以构成拼接后数据的连续部分。

图10a，10b和10c是示出根据本披露实施例的后处置电路所执行的数据压缩操作示意图。所述压缩操作可以包括利用掩码对数据进行筛选或通过给定阈值与数据大小的比较来进行压缩。关于数据压缩操作，可以对其按如前所述的最小数据单元进行划分和编号。与结合图9a-图9d所述的类似，最小数据单元可以例如是1位或1比特数据，或者是2位、4位、8位、16位或32位或比特的长度。下面将结合图10a至图10c针对不同的数据压缩模式做出示例性描述。

如图10a所示，原始数据由从右至左顺序编号为1，2……，8的八个方格(即八个最小数据单元)依次排列组成，假设每个最小数据单元可以表示1比特数据。当根据掩码进行数据压缩操作时，所述后处置电路可以利用掩码对原始数据进行筛选以执行数据压缩操作。在一个实施例中，掩码的位宽与原始数据的最小数据单元的个数对应。例如，前述的原始数据具有8个最小数据单元，则掩码位宽为8位，并且编号为1的最小数据单元对应于掩码的最低位，编号为2的最小数据单元对应于掩码的次低位。以此类推，编号为8的最小数据单元对应于掩码的最高位。在一个应用场景中，当8位掩码为“10010011”时，压缩原则可以设置为抽取与该掩码为“1”的数据位对应的原始数据中的最小数据单元。例如，对应掩码数值为“1”的最小数据单元的编号为1、2、5和8。由此，可以抽取编号为1、2、5和8的最小数据单元，并且按照编号从低到高的顺序依次排列，以形成压缩后的新数据，如图10a第二行所示。

图10b示出与图10a类似的原始数据，并且从图10b的第二行中可以看出，经过后处置电路的数据序列维持原有的数据排列顺序和内容。由此可以理解，本披露的数据压缩也可以包括禁用模式或非压缩模式，以便在数据经过后处置电路时不执行压缩操作。

如图10c所示，原始数据由八个方格依次排列组成，每个方格上方的数字表示其编号，从右至左顺序编号为1,2……8，并且假设每个最小数据单元可以为8比特数据。进一步，每个方格中的数字表示该最小数据单元的十进制数值。以编号为1的最小数据单元为例，其十进制数值为“8”，对应的8比特数据为“00001111”。当根据阈值进行数据压缩操作时，假设阈值为十进制数据“8”，压缩原则可以设置为抽取原始数据中所有大于或等于该阈值“8”的最小数据单元。由此，可以抽取编号为1、4、7和8的最小数据单元。然后，将抽取得到的所有最小数据单元按照编号从低到高的顺序进行排列，以获得最终的数据结果，如图10c中的第二行所示。图11是示出根据本披露实施例的使用计算装置来执行运算操作的方法1100的简化流程图。根据前文的描述，可以理解这里的计算装置可以是结合图1(包括图1a和图1b)-图4所描述的计算装置，其具有如图5-图10所示出的处理电路连接关系并且支持附加的各类操作。

如图11所示，在步骤1110处，方法1100在所述计算装置处接收计算指令，并且对其进行解析而获得多个运算指令。在一个实施例中，所述计算指令的操作数包括用于指示张量的形状的描述符，所述描述符用于确定所述操作数对应数据的存储地址。 接着，在步骤1120，方法1100响应于接收到所述多个运算指令，利用所述多个处理电路子阵列来执行多线程运算，其中所述多个处理电路子阵列中的至少一个处理电路子阵列配置成根据所述存储地址来执行多个运算指令中的至少一个运算指令。

以上为了简明的目的，仅结合图11描述了本披露的计算方法。本领域技术人员根据本披露的公开内容也可以想到本方法可以包括更多的步骤，并且这些步骤的执行可以实现前文结合图1-图10所描述的本披露的各类操作，此处不再赘述。

图12是示出根据本披露实施例的一种组合处理装置1200的结构图。如图12中所示，该组合处理装置1200包括计算处理装置1202、接口装置1204、其他处理装置1206和存储装置1208。根据不同的应用场景，计算处理装置中可以包括一个或多个计算装置1210，该计算装置可以配置用于执行本文结合图1-图11所描述的操作。

在不同的实施例中，本披露的计算处理装置可以配置成执行用户指定的操作。在示例性的应用中，该计算处理装置可以实现为单核人工智能处理器或者多核人工智能处理器。类似地，包括在计算处理装置内的一个或多个计算装置可以实现为人工智能处理器核或者人工智能处理器核的部分硬件结构。当多个计算装置实现为人工智能处理器核或人工智能处理器核的部分硬件结构时，就本披露的计算处理装置而言，其可以视为具有单核结构或者同构多核结构。

在示例性的操作中，本披露的计算处理装置可以通过接口装置与其他处理装置进行交互，以共同完成用户指定的操作。根据实现方式的不同，本披露的其他处理装置可以包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、图形处理器(Graphics Processing Unit,GPU)、人工智能处理器等通用和/或专用处理器中的一种或多种类型的处理器。这些处理器可以包括但不限于数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等，并且其数目可以根据实际需要来确定。如前所述，仅就本披露的计算处理装置而言，其可以视为具有单核结构或者同构多核结构。然而，当将计算处理装置和其他处理装置共同考虑时，二者可以视为形成异构多核结构。

在一个或多个实施例中，该其他处理装置可以作为本披露的计算处理装置(其可以具体化为人工智能例如神经网络运算的相关运算装置)与外部数据和控制的接口，执行包括但不限于数据搬运、对计算装置的开启和/或停止等基本控制。在另外的实施例中，其他处理装置也可以和该计算处理装置协作以共同完成运算任务。

在一个或多个实施例中，该接口装置可以用于在计算处理装置与其他处理装置间传输数据和控制指令。例如，该计算处理装置可以经由所述接口装置从其他处理装置中获取输入数据，写入该计算处理装置片上的存储装置(或称存储器)。进一步，该计算处理装置可以经由所述接口装置从其他处理装置中获取控制指令，写入计算处理装置片上的控制缓存中。替代地或可选地，接口装置也可以读取计算处理装置的存储装置中的数据并传输给其他处理装置。

附加地或可选地，本披露的组合处理装置还可以包括存储装置。如图中所示，该存储装置分别与所述计算处理装置和所述其他处理装置连接。在一个或多个实施例中，存储装置可以用于保存所述计算处理装置和/或所述其他处理装置的数据。例如， 该数据可以是在计算处理装置或其他处理装置的内部或片上存储装置中无法全部保存的数据。

在一些实施例里，本披露还公开了一种芯片(例如图13中示出的芯片1302)。在一种实现中，该芯片是一种系统级芯片(System on Chip，SoC)，并且集成有一个或多个如图12中所示的组合处理装置。该芯片可以通过对外接口装置(如图13中示出的对外接口装置1306)与其他相关部件相连接。该相关部件可以例如是摄像头、显示器、鼠标、键盘、网卡或wifi接口。在一些应用场景中，该芯片上可以集成有其他处理单元(例如视频编解码器)和/或接口模块(例如DRAM接口)等。在一些实施例中，本披露还公开了一种芯片封装结构，其包括了上述芯片。在一些实施例里，本披露还公开了一种板卡，其包括上述的芯片封装结构。下面将结合图13对该板卡进行详细地描述。

图13是示出根据本披露实施例的一种板卡1300的结构示意图。如图13中所示，该板卡包括用于存储数据的存储器件1304，其包括一个或多个存储单元1310。该存储器件可以通过例如总线等方式与控制器件1308和上文所述的芯片1302进行连接和数据传输。进一步，该板卡还包括对外接口装置1306，其配置用于芯片(或芯片封装结构中的芯片)与外部设备1312(例如服务器或计算机等)之间的数据中继或转接功能。例如，待处理的数据可以由外部设备通过对外接口装置传递至芯片。又例如，所述芯片的计算结果可以经由所述对外接口装置传送回外部设备。根据不同的应用场景，所述对外接口装置可以具有不同的接口形式，例如其可以采用标准PCIE接口等。

在一个或多个实施例中，本披露板卡中的控制器件可以配置用于对所述芯片的状态进行调控。为此，在一个应用场景中，该控制器件可以包括单片机(Micro Controller Unit，MCU)，以用于对所述芯片的工作状态进行调控。

根据上述结合图12和图13的描述，本领域技术人员可以理解本披露也公开了一种电子设备或装置，其可以包括一个或多个上述板卡、一个或多个上述芯片和/或一个或多个上述组合处理装置。

根据不同的应用场景，本披露的电子设备或装置可以包括服务器、云端服务器、服务器集群、数据处理装置、机器人、电脑、打印机、扫描仪、平板电脑、智能终端、PC设备、物联网终端、移动终端、手机、行车记录仪、导航仪、传感器、摄像头、相机、摄像机、投影仪、手表、耳机、移动存储、可穿戴设备、视觉终端、自动驾驶终端、交通工具、家用电器、和/或医疗设备。所述交通工具包括飞机、轮船和/或车辆；所述家用电器包括电视、空调、微波炉、冰箱、电饭煲、加湿器、洗衣机、电灯、燃气灶、油烟机；所述医疗设备包括核磁共振仪、B超仪和/或心电图仪。本披露的电子设备或装置还可以被应用于互联网、物联网、数据中心、能源、交通、公共管理、制造、教育、电网、电信、金融、零售、工地、医疗等领域。进一步，本披露的电子设备或装置还可以用于云端、边缘端、终端等与人工智能、大数据和/或云计算相关的应用场景中。在一个或多个实施例中，根据本披露方案的算力高的电子设备或装置可以应用于云端设备(例如云端服务器)，而功耗小的电子设备或装置可以应用于终端设备和/或边缘端设备(例如智能手机或摄像头)。在一个或多个实施例中，云端设备的硬件信息和终端设备和/或边缘端设备的硬件信息相互兼容，从而可以根据终端设备和/或边缘端设备的硬件信息，从云端设备的硬件资源中匹配出合适的硬件资源来模拟 终端设备和/或边缘端设备的硬件资源，以便完成端云一体或云边端一体的统一管理、调度和协同工作。

需要说明的是，为了简明的目的，本披露将一些方法及其实施例表述为一系列的动作及其组合，但是本领域技术人员可以理解本披露的方案并不受所描述的动作的顺序限制。因此，依据本披露的公开或教导，本领域技术人员可以理解其中的某些步骤可以采用其他顺序来执行或者同时执行。进一步，本领域技术人员可以理解本披露所描述的实施例可以视为可选实施例，即其中所涉及的动作或模块对于本披露某个或某些方案的实现并不一定是必需的。另外，根据方案的不同，本披露对一些实施例的描述也各有侧重。鉴于此，本领域技术人员可以理解本披露某个实施例中没有详述的部分，也可以参见其他实施例的相关描述。

在具体实现方面，基于本披露的公开和教导，本领域技术人员可以理解本披露所公开的若干实施例也可以通过本文未公开的其他方式来实现。例如，就前文所述的电子设备或装置实施例中的各个单元来说，本文在考虑了逻辑功能的基础上对其进行划分，而实际实现时也可以有另外的划分方式。又例如，可以将多个单元或组件结合或者集成到另一个系统，或者对单元或组件中的一些特征或功能进行选择性地禁用。就不同单元或组件之间的连接关系而言，前文结合附图所讨论的连接可以是单元或组件之间的直接或间接耦合。在一些场景中，前述的直接或间接耦合涉及利用接口的通信连接，其中通信接口可以支持电性、光学、声学、磁性或其它形式的信号传输。

在本披露中，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元示出的部件可以是或者也可以不是物理单元。前述部件或单元可以位于同一位置或者分布到多个网络单元上。另外，根据实际的需要，可以选择其中的部分或者全部单元来实现本披露实施例所述方案的目的。另外，在一些场景中，本披露实施例中的多个单元可以集成于一个单元中或者各个单元物理上单独存在。

在一些实现场景中，上述集成的单元可以采用软件程序模块的形式来实现。如果以软件程序模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，所述集成的单元可以存储在计算机可读取存储器中。基于此，当本披露的方案以软件产品(例如计算机可读存储介质)的形式体现时，该软件产品可以存储在存储器中，其可以包括若干指令用以使得计算机设备(例如个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本披露实施例所述方法的部分或全部步骤。前述的存储器可以包括但不限于U盘、闪存盘、只读存储器(Read Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在另外一些实现场景中，上述集成的单元也可以采用硬件的形式实现，即为具体的硬件电路，其可以包括数字电路和/或模拟电路等。电路的硬件结构的物理实现可以包括但不限于物理器件，而物理器件可以包括但不限于晶体管或忆阻器等器件。鉴于此，本文所述的各类装置(例如计算装置或其他处理装置)可以通过适当的硬件处理器来实现，例如CPU、GPU、FPGA、DSP和ASIC等。进一步，前述的所述存储单元或存储装置可以是任意适当的存储介质(包括磁存储介质或磁光存储介质等)，其例如可以是可变电阻式存储器(Resistive Random Access Memory，RRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)、静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)、增强动态随机存取存储器(Enhanced  Dynamic Random Access Memory，EDRAM)、高带宽存储器(High Bandwidth Memory，HBM)、混合存储器立方体(Hybrid Memory Cube，HMC)、ROM和RAM等。

依据以下条款可更好地理解前述内容：

条款1、一种计算装置，包括：

处理电路阵列，其由多个处理电路以一维或多维阵列的结构连接而成，其中所述处理电路阵列配置成多个处理电路子阵列，并且响应于接收到多个运算指令来执行多线程运算，

其中所述多个运算指令由对所述计算装置接收到的计算指令进行解析而获得，并且其中所述计算指令的操作数包括用于指示张量的形状的描述符，所述描述符用于确定所述操作数对应数据的存储地址，

所述至少一个处理电路子阵列配置成根据所述存储地址来执行所述多个运算指令中的至少一个运算指令。

条款2、根据条款1所述的计算装置，其中所述计算指令包括描述符的标识和/或描述符的内容，所述描述符的内容包括表示张量数据的形状的至少一个形状参数。

条款3、根据条款2所述的计算装置，其中所述描述符的内容还包括表示张量数据的地址的至少一个地址参数。

条款4、根据条款3所述的计算装置，其中所述张量数据的地址参数包括所述描述符的数据基准点在所述张量数据的数据存储空间中的基准地址。

条款5、根据条款4所述的计算装置，其中所述张量数据的形状参数包括以下至少一种：

所述数据存储空间在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述张量数据的存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的偏移量、处于N个维度方向的对角位置的至少两个顶点相对于所述数据基准点的位置、所述描述符所指示的张量数据的数据描述位置与数据地址之间的映射关系，其中N为大于或等于零的整数。

条款6、根据条款1所述的计算装置，所述计算指令的操作码表示由所述处理电路阵列执行的多个操作，所述计算装置还包括控制电路，其配置成获取所述计算指令并对所述计算指令进行解析，以得到与所述操作码表示的多个操作相对应的所述多个运算指令，并且在所述计算指令的操作数包括所述描述符时，所述控制电路配置成根据所述描述符来确定所述操作数对应数据的存储地址。

条款7、根据条款6所述的计算装置，其中所述控制电路根据所述多个运算指令配置所述处理电路阵列，以得到所述多个处理电路子阵列。

条款8、根据条款7所述的计算装置，其中所述控制电路包括用于存储配置信息的寄存器，并且控制电路根据所述多个运算指令提取对应的配置信息，并根据所述配置信息来配置所述处理电路阵列以得到所述多个处理电路子阵列。

条款9、根据条款1所述的计算装置，所述多个运算指令包括至少一条多级流水运算，所述一条多级流水运算中包括至少两个运算指令。

条款10、根据条款1所述的计算装置，其中所述运算指令包括谓词，并且每个所述处理电路根据所述谓词判断是否执行与其关联的所述运算指令。

条款11、根据条款1所述的计算装置，其中所述处理电路阵列是一维阵列，并 且所述处理电路阵列中的一个或多个处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。

条款12、根据条款1所述的计算装置，其中所述处理电路阵列是二维阵列，并且其中：所述处理电路阵列中的一行或多行处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者所述处理电路阵列中的一列或多列处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者所述处理电路阵列中沿对角线方向上的一排或多排处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。

条款13、根据条款12所述的计算装置，其中位于所述二维阵列中的所述多个处理电路配置成在其行方向、列方向或对角线方向的至少一个上以预定的二维间隔模式与同行、同列或同对角线的其余一个或多个所述处理电路连接。

条款14、根据条款13所述的计算装置，其中所述预定的二维间隔模式与所述连接中间隔的处理电路的数目相关联。

条款15、根据条款1所述的计算装置，其中所述处理电路阵列是三维阵列，并且所述处理电路阵列中的三维子阵列或多个三维子阵列配置成作为一个所述处理电路子阵列。

条款16、根据条款15所述的计算装置，其中所述三维阵列由多个层构成的三维阵列，其中每个层包括沿行方向、列方向和对角线方向排列的多个所述处理电路的二维阵列，其中：位于所述三维阵列中的所述处理电路配置成在其行方向、列方向、对角线方向和层方向的至少一个上以预定的三维间隔模式与同行、同列、同对角线或不同层上的其余一个或多个处理电路连接。

条款17、根据条款16所述的计算装置，其中所述预定的三维间隔模式与待连接的处理电路之间的间隔数目和间隔层数相关联。

条款18、根据条款11-17的任意一项所述的计算装置，其中所述处理电路子阵列中的多个处理电路形成一个或多个闭合的环路。

条款19、根据条款1所述的计算装置，其中各所述处理电路子阵列适于执行以下运算中的至少一种：算术运算、逻辑运算、比较运算和查表运算。

条款20、根据条款1所述的计算装置，还包括数据操作电路，该数据操作电路包括前操作电路和/或后操作电路，其中所述前操作电路配置成执行至少一个所述运算指令的输入数据的预处理，而所述后操作电路配置成执行至少一个运算指令的输出数据的后处理。

条款21、根据条款20所述的计算装置，其中所述预处理包括数据摆放和/或查表操作，所述后处理包括数据类型转换和/或压缩操作。

条款22、根据条款21所述的计算装置，其中所述数据摆放包括根据所述运算指令的输入数据和/或输出数据的数据类型，将所述输入数据和/或输出数据进行相应的拆分或合并后，传递至对应的处理电路中以便运算。

条款23、一种集成电路芯片，包括根据条款1-22的任意一项所述的计算装置。

条款24、一种板卡，包括根据条款23所述的集成电路芯片。

条款25、一种电子设备，包括根据条款23所述的集成电路芯片。

条款26、一种使用计算装置来执行计算的方法，其中所述计算装置包括处理电路阵列，该处理电路阵列由多个处理电路以一维或多维阵列的结构连接而成，并且所述处理电路阵列配置成多个处理电路子阵列，所述方法包括：在所述计算装置处接收 计算指令，并且对其进行解析而获得多个运算指令，其中所述计算指令的操作数包括用于指示张量的形状的描述符，所述描述符用于确定所述操作数对应数据的存储地址；

响应于接收到所述多个运算指令，利用所述多个处理电路子阵列来执行多线程运算，其中所述多个处理电路子阵列中的至少一个处理电路子阵列配置成根据所述存储地址来执行多个运算指令中的至少一个运算指令。

条款27、根据条款26所述的方法，其中所述计算指令包括描述符的标识和/或描述符的内容，所述描述符的内容包括表示张量数据的形状的至少一个形状参数。

条款28、根据条款27所述的方法，其中所述描述符的内容还包括表示张量数据的地址的至少一个地址参数。

条款29、根据条款28所述的方法，其中所述张量数据的地址参数包括所述描述符的数据基准点在所述张量数据的数据存储空间中的基准地址。

条款30、根据条款29所述的方法，其中所述张量数据的形状参数包括以下至少一种：所述数据存储空间在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述张量数据的存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的偏移量、处于N个维度方向的对角位置的至少两个顶点相对于所述数据基准点的位置、所述描述符所指示的张量数据的数据描述位置与数据地址之间的映射关系，其中N为大于或等于零的整数。

条款31、根据条款26所述的方法，其中所述计算指令的操作码表示由所述处理电路阵列执行的多个操作，所述计算装置还包括控制电路，所述方法包括利用所述控制电路来获取所述计算指令并对所述计算指令进行解析，以得到与所述操作码表示的多个操作相对应的所述多个运算指令。

条款32、根据条款31所述的方法，其中利用所述控制电路来根据所述多个运算指令配置所述处理电路阵列，以得到所述多个处理电路子阵列。

条款33、根据条款32所述的方法，其中所述控制电路包括用于存储配置信息的寄存器，并且所述方法包括利用控制电路来根据所述多个运算指令提取对应的配置信息，并根据所述配置信息来配置所述处理电路阵列，以得到所述多个处理电路子阵列。

条款34、根据条款26所述的方法，其中所述多个运算指令包括至少一条多级流水运算，所述一条多级流水运算中包括至少两个运算指令。

条款35、根据条款26所述的方法，其中所述运算指令包括谓词，并且所述方法还包括利用每个所述处理电路来根据所述谓词判断是否执行与其关联的所述运算指令。

条款36、根据条款26所述的方法，其中所述处理电路阵列是一维阵列，并且所述方法包括将所述处理电路阵列中的一个或多个处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。

条款37、根据条款26所述的方法，其中所述处理电路阵列是二维阵列，并且所述方法还包括：将所述处理电路阵列中的一行或多行处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者将所述处理电路阵列中的一列或多列处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者将所述处理电路阵列中沿对角线方向上的一排或多排处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。

条款38、根据条款37所述的方法，其中将位于所述二维阵列中的所述多个处理 电路配置成在其行方向、列方向或对角线方向的至少一个上以预定的二维间隔模式与同行、同列或同对角线的其余一个或多个所述处理电路连接。

条款39、根据条款38所述的方法，其中所述预定的二维间隔模式与所述连接中间隔的处理电路的数目相关联。

条款40、根据条款26所述的方法，其中所述处理电路阵列是三维阵列，并且所述方法包括将所述处理电路阵列中的三维子阵列或多个三维子阵列配置成作为一个所述处理电路子阵列。

条款41、根据条款40所述的方法，其中所述三维阵列由多个层构成的三维阵列，其中每个层包括沿行方向、列方向和对角线方向排列的多个所述处理电路的二维阵列，所述方法包括：将位于所述三维阵列中的所述处理电路配置成在其行方向、列方向、对角线方向和层方向的至少一个上以预定的三维间隔模式与同行、同列、同对角线或不同层上的其余一个或多个处理电路连接。

条款42、根据条款41所述的方法，其中所述预定的三维间隔模式与待连接的处理电路之间的间隔数目和间隔层数相关联。

条款43、根据条款36-42的任意一项所述的方法，其中所述处理电路子阵列中的多个处理电路形成一个或多个闭合的环路。

条款44、根据条款26所述的方法，其中各所述处理电路子阵列适于执行以下运算中的至少一种：算术运算、逻辑运算、比较运算和查表运算。

条款45、根据条款26所述的方法，还包括数据操作电路，该数据操作电路包括前操作电路和/或后操作电路，所述方法包括利用所述前操作电路来执行至少一个所述运算指令的输入数据的预处理和/或利用所述后操作电路来执行至少一个运算指令的输出数据的后处理。

条款46、根据条款45所述的方法，其中所述预处理包括针对于数据摆放和/或查表操作，所述后处理包括数据类型转换和/或压缩操作。

条款47、根据条款46所述的方法，其中所述数据摆放包括根据所述运算指令的输入数据和/或输出数据的数据类型，将所述输入数据和/或输出数据进行相应的拆分或合并后，传递至对应的处理电路中以便运算。。

虽然本文已经示出和描述了本披露的多个实施例，但对于本领域技术人员显而易见的是，这样的实施例只是以示例的方式来提供。本领域技术人员可以在不偏离本披露思想和精神的情况下想到许多更改、改变和替代的方式。应当理解的是在实践本披露的过程中，可以采用对本文所描述的本披露实施例的各种替代方案。所附权利要求书旨在限定本披露的保护范围，并因此覆盖这些权利要求范围内的等同或替代方案。

Claims (47)

1. 一种计算装置，包括：

   处理电路阵列，其由多个处理电路以一维或多维阵列的结构连接而成，其中所述处理电路阵列配置成多个处理电路子阵列，并且响应于接收到多个运算指令来执行多线程运算，

   其中所述多个运算指令由对所述计算装置接收到的计算指令进行解析而获得，并且其中所述计算指令的操作数包括用于指示张量的形状的描述符，所述描述符用于确定所述操作数对应数据的存储地址，

   所述至少一个处理电路子阵列配置成根据所述存储地址来执行所述多个运算指令中的至少一个运算指令。
2. 根据权利要求1所述的计算装置，其中所述计算指令包括描述符的标识和/或描述符的内容，所述描述符的内容包括表示张量数据的形状的至少一个形状参数。
3. 根据权利要求2所述的计算装置，其中所述描述符的内容还包括表示张量数据的地址的至少一个地址参数。
4. 根据权利要求3所述的计算装置，其中所述张量数据的地址参数包括所述描述符的数据基准点在所述张量数据的数据存储空间中的基准地址。
5. 根据权利要求4所述的计算装置，其中所述张量数据的形状参数包括以下至少一种：

   所述数据存储空间在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述张量数据的存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的偏移量、处于N个维度方向的对角位置的至少两个顶点相对于所述数据基准点的位置、所述描述符所指示的张量数据的数据描述位置与数据地址之间的映射关系，其中N为大于或等于零的整数。
6. 根据权利要求1所述的计算装置，所述计算指令的操作码表示由所述处理电路阵列执行的多个操作，所述计算装置还包括控制电路，其配置成获取所述计算指令并对所述计算指令进行解析，以得到与所述操作码表示的多个操作相对应的所述多个运算指令，并且在所述计算指令的操作数包括所述描述符时，所述控制电路配置成根据所述描述符来确定所述操作数对应数据的存储地址。
7. 根据权利要求6所述的计算装置，其中所述控制电路根据所述多个运算指令配置所述处理电路阵列，以得到所述多个处理电路子阵列。
8. 根据权利要求7所述的计算装置，其中所述控制电路包括用于存储配置信息的寄存器，并且控制电路根据所述多个运算指令提取对应的配置信息，并根据所述配置信息来配置所述处理电路阵列以得到所述多个处理电路子阵列。
9. 根据权利要求1所述的计算装置，所述多个运算指令包括至少一条多级流水运算，所述一条多级流水运算中包括至少两个运算指令。
10. 根据权利要求1所述的计算装置，其中所述运算指令包括谓词，并且每个所述处理电路根据所述谓词判断是否执行与其关联的所述运算指令。
11. 根据权利要求1所述的计算装置，其中所述处理电路阵列是一维阵列，并且所述处理电路阵列中的一个或多个处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。
12. 根据权利要求1所述的计算装置，其中所述处理电路阵列是二维阵列，并且其中：

    所述处理电路阵列中的一行或多行处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者

    所述处理电路阵列中的一列或多列处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者

    所述处理电路阵列中沿对角线方向上的一排或多排处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。
13. 根据权利要求12所述的计算装置，其中位于所述二维阵列中的所述多个处理电路配置成在其行方向、列方向或对角线方向的至少一个上以预定的二维间隔模式与同行、同列或同对角线的其余一个或多个所述处理电路连接。
14. 根据权利要求13所述的计算装置，其中所述预定的二维间隔模式与所述连接中间隔的处理电路的数目相关联。
15. 根据权利要求1所述的计算装置，其中所述处理电路阵列是三维阵列，并且所述处理电路阵列中的三维子阵列或多个三维子阵列配置成作为一个所述处理电路子阵列。
16. 根据权利要求15所述的计算装置，其中所述三维阵列由多个层构成的三维阵列，其中每个层包括沿行方向、列方向和对角线方向排列的多个所述处理电路的二维阵列，其中：

    位于所述三维阵列中的所述处理电路配置成在其行方向、列方向、对角线方向和层方向的至少一个上以预定的三维间隔模式与同行、同列、同对角线或不同层上的其余一个或多个处理电路连接。
17. 根据权利要求16所述的计算装置，其中所述预定的三维间隔模式与待连接的处理电路之间的间隔数目和间隔层数相关联。
18. 根据权利要求11-17的任意一项所述的计算装置，其中所述处理电路子阵列中的多个处理电路形成一个或多个闭合的环路。
19. 根据权利要求1所述的计算装置，其中各所述处理电路子阵列适于执行以下运算中的至少一种：算术运算、逻辑运算、比较运算和查表运算。
20. 根据权利要求1所述的计算装置，还包括数据操作电路，该数据操作电路包括前操作电路和/或后操作电路，其中所述前操作电路配置成执行至少一个所述运算指令的输入数据的预处理，而所述后操作电路配置成执行至少一个运算指令的输出数据的后处理。
21. 根据权利要求20所述的计算装置，其中所述预处理包括数据摆放和/或查表操作，所述后处理包括数据类型转换和/或压缩操作。
22. 根据权利要求21所述的计算装置，其中所述数据摆放包括根据所述运算指令的输入数据和/或输出数据的数据类型，将所述输入数据和/或输出数据进行相应的拆分或合并后，传递至对应的处理电路中以便运算。
23. 一种集成电路芯片，包括根据权利要求1-22的任意一项所述的计算装置。
24. 一种板卡，包括根据权利要求23所述的集成电路芯片。
25. 一种电子设备，包括根据权利要求23所述的集成电路芯片。
26. 一种使用计算装置来执行计算的方法，其中所述计算装置包括处理电路阵列，该处理电路阵列由多个处理电路以一维或多维阵列的结构连接而成，并且所述处理电路阵列配置成多个处理电路子阵列，所述方法包括：

    在所述计算装置处接收计算指令，并且对其进行解析而获得多个运算指令，其中所 述计算指令的操作数包括用于指示张量的形状的描述符，所述描述符用于确定所述操作数对应数据的存储地址；

    响应于接收到所述多个运算指令，利用所述多个处理电路子阵列来执行多线程运算，其中所述多个处理电路子阵列中的至少一个处理电路子阵列配置成根据所述存储地址来执行多个运算指令中的至少一个运算指令。
27. 根据权利要求26所述的方法，其中所述计算指令包括描述符的标识和/或描述符的内容，所述描述符的内容包括表示张量数据的形状的至少一个形状参数。
28. 根据权利要求27所述的方法，其中所述描述符的内容还包括表示张量数据的地址的至少一个地址参数。
29. 根据权利要求28所述的方法，其中所述张量数据的地址参数包括所述描述符的数据基准点在所述张量数据的数据存储空间中的基准地址。
30. 根据权利要求29所述的方法，其中所述张量数据的形状参数包括以下至少一种：

    所述数据存储空间在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述张量数据的存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的尺寸、所述存储区域在N个维度方向的至少一个方向上的偏移量、处于N个维度方向的对角位置的至少两个顶点相对于所述数据基准点的位置、所述描述符所指示的张量数据的数据描述位置与数据地址之间的映射关系，其中N为大于或等于零的整数。
31. 根据权利要求26所述的方法，其中所述计算指令的操作码表示由所述处理电路阵列执行的多个操作，所述计算装置还包括控制电路，所述方法包括利用所述控制电路来获取所述计算指令并对所述计算指令进行解析，以得到与所述操作码表示的多个操作相对应的所述多个运算指令。
32. 根据权利要求31所述的方法，其中利用所述控制电路来根据所述多个运算指令配置所述处理电路阵列，以得到所述多个处理电路子阵列。
33. 根据权利要求32所述的方法，其中所述控制电路包括用于存储配置信息的寄存器，并且所述方法包括利用控制电路来根据所述多个运算指令提取对应的配置信息，并根据所述配置信息来配置所述处理电路阵列，以得到所述多个处理电路子阵列。
34. 根据权利要求26所述的方法，其中所述多个运算指令包括至少一条多级流水运算，所述一条多级流水运算中包括至少两个运算指令。
35. 根据权利要求26所述的方法，其中所述运算指令包括谓词，并且所述方法还包括利用每个所述处理电路来根据所述谓词判断是否执行与其关联的所述运算指令。
36. 根据权利要求26所述的方法，其中所述处理电路阵列是一维阵列，并且所述方法包括将所述处理电路阵列中的一个或多个处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列。
37. 根据权利要求26所述的方法，其中所述处理电路阵列是二维阵列，并且所述方法还包括：

    将所述处理电路阵列中的一行或多行处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者

    将所述处理电路阵列中的一列或多列处理电路配置成作为一个所述处理电路子阵列；或者

    将所述处理电路阵列中沿对角线方向上的一排或多排处理电路配置成作为一个所述 处理电路子阵列。
38. 根据权利要求37所述的方法，其中将位于所述二维阵列中的所述多个处理电路配置成在其行方向、列方向或对角线方向的至少一个上以预定的二维间隔模式与同行、同列或同对角线的其余一个或多个所述处理电路连接。
39. 根据权利要求38所述的方法，其中所述预定的二维间隔模式与所述连接中间隔的处理电路的数目相关联。
40. 根据权利要求26所述的方法，其中所述处理电路阵列是三维阵列，并且所述方法包括将所述处理电路阵列中的三维子阵列或多个三维子阵列配置成作为一个所述处理电路子阵列。
41. 根据权利要求40所述的方法，其中所述三维阵列由多个层构成的三维阵列，其中每个层包括沿行方向、列方向和对角线方向排列的多个所述处理电路的二维阵列，所述方法包括：

    将位于所述三维阵列中的所述处理电路配置成在其行方向、列方向、对角线方向和层方向的至少一个上以预定的三维间隔模式与同行、同列、同对角线或不同层上的其余一个或多个处理电路连接。
42. 根据权利要求41所述的方法，其中所述预定的三维间隔模式与待连接的处理电路之间的间隔数目和间隔层数相关联。
43. 根据权利要求36-42的任意一项所述的方法，其中所述处理电路子阵列中的多个处理电路形成一个或多个闭合的环路。
44. 根据权利要求26所述的方法，其中各所述处理电路子阵列适于执行以下运算中的至少一种：算术运算、逻辑运算、比较运算和查表运算。
45. 根据权利要求26所述的方法，还包括数据操作电路，该数据操作电路包括前操作电路和/或后操作电路，所述方法包括利用所述前操作电路来执行至少一个所述运算指令的输入数据的预处理和/或利用所述后操作电路来执行至少一个运算指令的输出数据的后处理。
46. 根据权利要求45所述的方法，其中所述预处理包括针对于数据摆放和/或查表操作，所述后处理包括数据类型转换和/或压缩操作。
47. 根据权利要求46所述的方法，其中所述数据摆放包括根据所述运算指令的输入数据和/或输出数据的数据类型，将所述输入数据和/或输出数据进行相应的拆分或合并后，传递至对应的处理电路中以便运算。

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