WO2021256632A1 - Circuit protection device and method - Google Patents

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WO2021256632A1
WO2021256632A1 PCT/KR2020/016807 KR2020016807W WO2021256632A1 WO 2021256632 A1 WO2021256632 A1 WO 2021256632A1 KR 2020016807 W KR2020016807 W KR 2020016807W WO 2021256632 A1 WO2021256632 A1 WO 2021256632A1
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WO
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fuse
current
power source
circuit protection
control signal
Prior art date
Application number
PCT/KR2020/016807
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Korean (ko)
Inventor
김성민
김동욱
이승호
Original Assignee
한양대학교 에리카산학협력단
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/087Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for dc applications
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/74Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes

Definitions

  • the present invention relates to a circuit protection apparatus and method, and more particularly, to a circuit protection apparatus and method capable of effectively protecting a circuit from overcurrent by rapidly blowing a fuse.
  • DC current does not have a zero point, and due to low impedance, the current may rapidly increase with high di/dt when a short circuit occurs.
  • a DC circuit breaker or fuse In order to protect the DC system from overcurrent, a DC circuit breaker or fuse is generally used.
  • the fuse has the advantage of being able to completely electrically isolate the fault point and the system to be protected, and is the simplest circuit protection method.
  • the fuse has a disadvantage that it takes a long time to completely blow, and in order to blow within a few tens of ms, a current of several tens of times the rated current of the fuse must flow.
  • the semiconductor fuse used in the conventional DC system is a fuse used to prevent burnout of semiconductor elements such as thyristors and diodes, it has a lower thermal limit value than that of thyristors or diodes, and the value is 5- of the rated current of the element. It corresponds to the extent to which 6 times the current flows for 10 ms.
  • semiconductor devices such as IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), which are used for switching in most power converters in recent years, are Since it is easily burned out, it may cause a failure of the power converter.
  • IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
  • a circuit protection device detects a current supplied from a first power source through a fuse, and outputs a control signal when the sensed current exceeds a reference value from the overcurrent detecting unit and the second power source. and a fusing current supply unit that stores the supplied electric charge and supplies an additional current generated by the stored electric charge to the fuse in response to the control signal.
  • the overcurrent detecting unit may be connected between the first power source and the fuse.
  • the overcurrent detecting unit may include a shunt resistor connected between the first power source and the fuse, a differential amplifier outputting a first voltage corresponding to a voltage between both ends of the shunt resistor, and a difference between the first voltage and the reference voltage. It may include a comparator for outputting a second voltage corresponding to the difference voltage, and a gate driver for outputting the control signal according to the second voltage.
  • the fusing current supply unit may include an additional current generator configured to store the charge supplied from the second power source and a current loop through the fuse, the overcurrent detector, and the additional current generator in response to the control signal. It may include a switching unit that generates
  • the additional current generator may include an insulating converter that converts the second power into DC power, and a capacitor that stores the charge supplied from the DC power.
  • the switching unit may include a switching element that connects the fuse to the additional current generating unit in response to the control signal.
  • the switching unit may further include a diode connected between the fuse and the switching element.
  • a circuit protection method of a circuit protection device blocks an overcurrent flowing from a first power source to a load, storing the charge supplied from the second power source, detecting the current supplied from the first power source
  • the method may include generating a control signal when the magnitude of the current exceeds a predetermined value, and supplying the stored charge to a fuse in response to the control signal.
  • the circuit protection apparatus and method according to an embodiment of the present invention can effectively protect a circuit from overcurrent by rapidly blowing a fuse.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram illustrating the overcurrent detection unit shown in FIG. 1 in more detail.
  • FIG. 3 is a circuit diagram illustrating the additional current generator shown in FIG. 1 in more detail.
  • FIG. 4 is a circuit diagram illustrating the switching unit shown in FIG. 1 in more detail.
  • FIG. 5 is a graph showing changes in current and voltage in the circuit protection device shown in FIG. 1 .
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a flowchart for explaining a circuit protection method according to an embodiment of the present invention.
  • first or second may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one element from another element, for example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be called a second element, and similarly The second component may also be referred to as the first component.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a first embodiment of the present invention.
  • the circuit protection device 100 may include a fuse F, an overcurrent detection unit 110 , and a fusing current supply unit 130 .
  • the fuse F and the overcurrent detector 110 may be connected in series between the first power source Vs and the load 200 .
  • the overcurrent detection unit 110 may be connected to the first power source Vs through the first node N1.
  • the overcurrent detection unit 110 and the fuse F may be connected through the second node N2 .
  • the fuse F may be connected to the load 200 through the third node N3 .
  • the overcurrent detection unit 110 detects the current If supplied from the first power source Vs to the load 200 through the fuse F, and the detected current If exceeds a predetermined reference value.
  • the control signal CS may be output to the fusing current supply unit 130 .
  • the overcurrent detection unit 110 may sense the overcurrent and output a control signal to the fusing current supply unit 130 .
  • overcurrent detection unit 110 A specific structure and operation of the overcurrent detection unit 110 will be described in more detail with reference to FIG. 2 .
  • FIG. 2 is a circuit diagram illustrating the overcurrent detection unit shown in FIG. 1 in more detail.
  • the overcurrent detection unit 110 may include a shunt resistor R, a differential amplifier 111 , a comparison amplifier 113 , and a gate driver 115 .
  • the shunt resistor R may be connected between the first node N1 and the second node N2 .
  • the shunt resistor R may be connected between the first power source Vs and the fuse F.
  • Input terminals of the differential amplifier 111 may be connected to both ends of the shunt resistor R, and an output terminal may be connected to any one of input terminals of the comparison amplifier 113 .
  • the differential amplifier 111 may output the first voltage V1 corresponding to the voltage across the shunt resistor R to the comparison amplifier 113 .
  • Any one of the input terminals of the comparison amplifier 113 may be connected to an output terminal of the differential amplifier 111 , the other of the input terminals may be connected to a reference voltage source, and the output terminal may be connected to the gate driver 115 . can be connected to
  • the comparison amplifier 113 may output the second voltage V2 corresponding to the difference voltage between the first voltage V1 and the reference voltage Vref to the gate driver 115 .
  • the gate driver 115 may generate the control signal CS according to the polarity of the second voltage V2 .
  • the gate driver 115 uses the fusing current supply unit (
  • the control signal CS may be output to the fusing current supply unit 130 to operate 130 .
  • the fusing current supply unit 130 may be connected in parallel to the overcurrent sensing unit 110 and the fuse F between the first node N1 and the third node N3 .
  • the fusing current supply unit 130 may supply the additional current Iblow to the fuse F in response to the control signal CS output from the overcurrent detection unit 110 .
  • the additional current Iblow may be generated by the electric charge stored in the fusing current supply unit 130 , and the electric charge may be supplied from the second power source (Va of FIG. 3 ).
  • the fusing current supply unit 130 may store the charge supplied from the second power source Va, and may allow the stored charge to flow to the fuse F in response to the control signal CS.
  • the fusing current supply unit 130 may include an additional current generation unit 131 and a switching unit 133 .
  • the additional current generator 131 and the switching unit 133 may be connected in series between the first node N1 and the third node N4 .
  • the additional current generator 131 may be connected between the first node N1 and the fourth node N4 .
  • the additional current generator 131 is able to store the charge supplied from the second power source Va, the current loop including the first node N1 to the fourth node N4 is generated by the switching unit 133 .
  • an additional current Iblow can be supplied using the stored charge.
  • FIG. 3 is a circuit diagram illustrating the additional current generator shown in FIG. 1 in more detail.
  • the additional current generator 131 may include a second power source Va, an insulating converter 135 and a capacitor C. Referring to FIG. 3 , the additional current generator 131 may include a second power source Va, an insulating converter 135 and a capacitor C. Referring to FIG. 3
  • the second power source Va may be an AC power source or a DC power source.
  • the second power source Va may be the same power source as the first power source Vs.
  • the isolation converter 135 may be configured as an AC to DC converter.
  • the isolation converter 135 may be configured as a DC to DC converter.
  • the second power source Va may be implemented as an external power source or a battery.
  • the isolation converter 135 may convert the second power Va to be supplied to the capacitor C. In other words, the isolation converter 135 may charge the capacitor C by converting the second power Va to DC power.
  • the capacitor C may store the charge supplied from the isolation converter 135 .
  • the capacitor C stores the charge supplied by the DC power converted by the insulating converter 135 to generate a potential difference Vc between the first node N1 and the fourth node N4 .
  • FIG. 4 is a circuit diagram illustrating the switching unit shown in FIG. 1 in more detail.
  • the switching unit 133 may include a diode D and a switching element SE.
  • the diode D is illustrated in the switching unit 133 in FIG. 4 , the diode D is not essential in the switching unit 133 . That is, the diode D may be selectively included in the switching unit 133 for more improved performance.
  • the diode D may be connected between the third node N3 and the switching element SE.
  • the diode D may pass only a current flowing from the third node N3 to the fourth node N4 and block a current in the opposite direction.
  • the diode D allows the additional current Iblow generated by the fusing current supply unit 130 to be supplied to the first node N1 .
  • the switching element SE may connect the third node N3 and the third node N4 in response to the control signal CS.
  • the switching element SE may connect the fuse F and the additional current generator 131 in response to the control signal CS.
  • the gate terminal of the switching element SE is connected to the overcurrent detector 110 and may receive the control signal CS.
  • a source terminal of the switching element SE may be connected to the third node N3 , and a drain terminal may be connected to the fourth node N4 .
  • the switching device SE may include a semiconductor switching device such as an insulated gate bipolar transistor (IGBT) and a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).
  • IGBT insulated gate bipolar transistor
  • MOSFET metal oxide semiconductor field effect transistor
  • switching element SE is illustrated in FIG. 4 , this is only an exemplary embodiment for convenience of description and does not limit the technical spirit of the present invention.
  • a plurality of IGBTs and/or a plurality of MOSFETs may be connected in series and/or in parallel.
  • FIG. 5 is a graph showing changes in current and voltage in the circuit protection device shown in FIG. 1 .
  • Figure 5 (a) shows a change in the current (If) flowing through the fuse
  • Figure 5 (b) shows the current (Is) supplied from the first power source (Vs)
  • Figure 5 (c) is an additional current generation It represents the voltage Vc across the capacitor C of the part 131 .
  • the current Is supplied from the first power source (Vs) may increase.
  • the current Is is illustrated as a gradual increase in order to explain the operation of the circuit protection device 100 , but this is only for convenience of description, and does not simulate a current change in an actual short circuit accident.
  • the overcurrent detection unit 110 may detect the overcurrent and output the control signal CS to the fusing current supply unit 130 .
  • the fusing current supply unit 130 may supply the additional current Iblow generated by the charge stored in the capacitor C to the fuse F in response to the control signal CS.
  • the current If supplied to the fuse F is the sum of the current Is supplied from the first power source and the current Iblow supplied from the circuit protection device 100 and is greatly increased in a short time to ) can accelerate the melting rate.
  • the fuse F is blown and the current Is supplied from the first power source Vs is cut off.
  • the additional current Iblow supplied from the supply unit 130 may also be extinguished.
  • the diode D may block a current that may flow from the first power source Vs to the load 200 through the circuit protection device 100 .
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a second embodiment of the present invention.
  • a plurality of circuit protection devices 100 - 1 and 100 - 2 may be implemented together in one system.
  • a plurality of first power sources Vs-1 and Vs-2 exist, and in order to effectively protect the circuit, a plurality of circuit protection devices 100-1 and 100- 2) may be preferably provided.
  • the fuse F is shared by the plurality of circuit protection devices 100-1 and 100-2, when the fuse F is blown by any one of the plurality of circuit protection devices 100-1 and 100-2, the entire The system can be protected.
  • the first circuit protection device 100-1 mainly detects a current flowing from left to right in the entire system to protect the circuit
  • the second circuit protection device 100-2 mainly detects a current flowing from right to left in the entire system. can be detected to protect the circuit.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a third embodiment of the present invention.
  • a plurality of circuit protection devices 100 - 1 and 100 - 2 may be implemented in one system in a method different from that illustrated in FIG. 6 .
  • a plurality of circuit protection devices 100 - 1 and 100 - 2 may be completely separately provided in the bidirectional DC system.
  • Each of the plurality of circuit protection devices 100-1 and 100-2 detects a current flowing through each of the fuses F-1 and F-2, and when an overcurrent is detected, an additional current is applied to each of the fuses F-1 and F-2. -2) to blow each fuse (F-1, F-2) by fusion.
  • FIG. 8 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • circuit protection device 100 ′ of FIG. 8 and the circuit protection device 100 of FIG. 1 are substantially the same except for the connection structure of the fuse F and the overcurrent detecting units 110 and 110 ′, the overlapping description will be omitted. do.
  • the fuse F and the overcurrent detecting unit 110 ′ may be connected in series between the first power source Vs and the load 200 .
  • the fuse F may be connected between the first node N1 connected to the first power source Vs and the overcurrent detection unit 110', and the overcurrent detection unit 110' is the load 200. It may be connected between the third node N3 connected to and the fuse F.
  • the overcurrent detection unit 110 ′ can detect the current If flowing through the fuse F, thereby protecting the circuit. (100') may operate normally.
  • the overcurrent detecting unit 110 ′ is electrically connected to the third node N3 , and the third node N3 and the third node N3
  • the potential difference between the four nodes N4 may correspond to the magnitude of the first power source Vs.
  • the unit cost of the device increases, so that the manufacturing cost of the circuit protection device 100 ′ may increase.
  • the overcurrent detecting unit 110 is electrically connected to the first node N1, and the first node N1 and the fourth node N4 ) may correspond to the potential difference Vc charged in the capacitor C.
  • the common mode voltage of the differential amplifier of the overcurrent sensing unit 110 may be low.
  • the manufacturing cost of the circuit protection device 100 illustrated in FIG. 1 may be low.
  • FIG. 9 is a flowchart for explaining a circuit protection method according to an embodiment of the present invention.
  • the circuit protection device 100 may store the charge supplied from the second power source Va in the capacitor C ( S100 ).
  • the circuit protection device 100 may detect the current If flowing through the fuse F (S200).
  • the circuit protection device 100 may compare the magnitude of the current If flowing through the fuse F with a predetermined value Iref ( S300 ).
  • the circuit protection device 100 determines that the system is normal and continues the fuse F ) can sense the current (If) flowing through the
  • the circuit protection device 100 When the magnitude of the current If flowing through the fuse F exceeds the predetermined value Iref, the circuit protection device 100 , specifically, the overcurrent detection unit 110 may generate the control signal CS ( S400).
  • the circuit protection device 100 specifically, the fusing current supply unit 130 may supply an additional current Iblow generated by the charge stored in the capacitor C to the fuse F in response to the control signal CS. (S500).

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  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

Disclosed are a circuit protection device and method capable of effectively protecting a circuit from an overcurrent by rapidly blowing a fuse. The circuit protection device, according to one embodiment of the present invention, may comprise: an overcurrent detection unit which detects a current supplied via a fuse from a first electric power, and outputs a control signal when the magnitude of the detected current exceeds a reference value; and a blowing current supply unit which stores electric charge supplied from a second electric power, and, as a response to the control signal, supplies an additional current, generated by the stored electric charge, to the fuse.

Description

회로 보호 장치 및 방법Circuit protection devices and methods
본 발명은 회로 보호 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히, 퓨즈를 빠르게 용단하여 과전류로부터 회로를 효과적으로 보호할 수 있는 회로 보호 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a circuit protection apparatus and method, and more particularly, to a circuit protection apparatus and method capable of effectively protecting a circuit from overcurrent by rapidly blowing a fuse.
직류 시스템에서 단락사고에 의해 발생한 과전류는 직류 시스템의 고장원인이 된다.In DC system, overcurrent caused by a short circuit accident can cause failure of the DC system.
직류 전류는 영점이 존재하지 않고, 낮은 임피던스로 인하여 단락사고 발생 시 높은 di/dt로 전류가 급격하게 증가할 수 있다.DC current does not have a zero point, and due to low impedance, the current may rapidly increase with high di/dt when a short circuit occurs.
따라서 직류 시스템에서 단락사고가 발생하였을 때 회로를 보호하기 위해서 수ms 이내에 회로를 차단할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to break the circuit within a few milliseconds to protect the circuit when a short circuit accident occurs in the DC system.
과전류로부터 직류 시스템을 보호하기 위하여 일반적으로 직류 차단기 또는 퓨즈를 사용한다.In order to protect the DC system from overcurrent, a DC circuit breaker or fuse is generally used.
퓨즈는 사고 지점과 보호하고자 하는 시스템을 전기적으로 완벽하게 분리할 수 있다는 장점을 가지고 있으며 가장 간단한 회로 보호 방법이다.The fuse has the advantage of being able to completely electrically isolate the fault point and the system to be protected, and is the simplest circuit protection method.
하지만 퓨즈는 완전히 용단되기 위해 필요한 시간이 길다는 단점이 있으며, 수십 ms 내에 용단되기 위해서는 퓨즈 정격 전류의 수십 배 이상의 전류가 흘러야 한다.However, the fuse has a disadvantage that it takes a long time to completely blow, and in order to blow within a few tens of ms, a current of several tens of times the rated current of the fuse must flow.
이에 퓨즈가 용단되는 시점에는 이미 부하에 감당할 수 없을 정도의 과전류가 흐르게 된다.Accordingly, at the time when the fuse is blown, an excessive current that cannot handle the load already flows.
종래의 퓨즈들은 단독으로 사용되었으며 보호하고자 하는 대상에 따라 용단시간이 다르다. 직류 시스템의 경우 빠른 용단을 위하여 열적 한계(Thermal limit)가 낮고 동작 시간이 짧은 반도체 퓨즈(Semiconductor Fuse)를 사용한다. 하지만 반도체 퓨즈 역시 수십 ms의 동작 시간이 걸리게 된다.Conventional fuses are used alone, and the melting time is different depending on the object to be protected. In the case of a DC system, a semiconductor fuse having a low thermal limit and a short operating time is used for fast fusing. However, the semiconductor fuse also takes several tens of ms to operate.
종래의 직류 시스템에 사용되었던 반도체 퓨즈는 싸이리스터, 다이오드 등의 반도체 소자들의 소손을 방지하기 위하여 사용되는 퓨즈이기 때문에 싸이리스터나 다이오드보다 낮은 열적 한계 값을 가지며, 그 값은 소자 정격 전류의 5-6배의 전류가 10ms 동안 흐르는 정도에 해당한다.Since the semiconductor fuse used in the conventional DC system is a fuse used to prevent burnout of semiconductor elements such as thyristors and diodes, it has a lower thermal limit value than that of thyristors or diodes, and the value is 5- of the rated current of the element. It corresponds to the extent to which 6 times the current flows for 10 ms.
반면 근래 대다수의 전력변환장치에 스위칭을 위하여 사용되는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)와 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 등의 반도체 소자들은 소자 정격 전류의 5-6배의 전류가 10ms동안 흐르게 되면 쉽게 소손되기 때문에 전력변환장치의 고장을 초래할 수 있다.On the other hand, semiconductor devices such as IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), which are used for switching in most power converters in recent years, are Since it is easily burned out, it may cause a failure of the power converter.
따라서 IGBT나 MOSFET을 이용하는 직류 시스템에서 퓨즈를 단독으로 사용하는 경우 용단 속도가 빠른 반도체 퓨즈일지라도 전력변환장치의 반도체 소자들을 소손시킬 수 있어 더욱 큰 사고로 이어지게 되며 추가적인 경제적 손실을 발생시키게 된다. Therefore, when a fuse is used alone in a DC system using an IGBT or MOSFET, even a semiconductor fuse with a fast fusing rate can damage the semiconductor elements of the power converter, leading to a bigger accident and additional economic loss.
퓨즈의 긴 용단 시간에 의한 직류 시스템의 손상을 줄이기 위하여, 퓨즈의 용단 시간을 단축시켜야 할 필요가 있다.In order to reduce the damage to the DC system due to the long fusing time of the fuse, it is necessary to shorten the fusing time of the fuse.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 퓨즈를 빠르게 용단하여 과전류로부터 회로를 효과적으로 보호할 수 있는 회로 보호 장치 및 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a circuit protection device and method capable of effectively protecting a circuit from overcurrent by rapidly blowing a fuse.
본 발명의 실시 예에 따른 회로 보호 장치는 제1 전원으로부터 퓨즈를 통해 공급되는 전류를 감지하고, 감지된 전류의 크기가 기준 값을 초과할 때 제어 신호를 출력하는 과전류 감지부 및 제2 전원으로부터 공급되는 전하를 저장하며 상기 제어 신호에 응답하여 상기 저장된 전하에 의해 발생하는 추가 전류를 상기 퓨즈로 공급하는 용단 전류 공급부를 포함할 수 있다.A circuit protection device according to an embodiment of the present invention detects a current supplied from a first power source through a fuse, and outputs a control signal when the sensed current exceeds a reference value from the overcurrent detecting unit and the second power source. and a fusing current supply unit that stores the supplied electric charge and supplies an additional current generated by the stored electric charge to the fuse in response to the control signal.
실시 예에 따라, 상기 과전류 감지부는 상기 제1 전원과 상기 퓨즈 사이에 접속될 수 있다.According to an embodiment, the overcurrent detecting unit may be connected between the first power source and the fuse.
실시 예에 따라, 상기 과전류 감지부는, 상기 제1 전원과 상기 퓨즈 사이에 접속되는 션트 레지스터, 상기 션트 레지스터의 양단 전압에 대응하는 제1 전압을 출력하는 차동 증폭기, 상기 제1 전압과 기준 전압의 차전압에 대응하는 제2 전압을 출력하는 비교 증폭기 및 상기 제2 전압에 따라 상기 제어 신호를 출력하는 게이트 드라이버를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the overcurrent detecting unit may include a shunt resistor connected between the first power source and the fuse, a differential amplifier outputting a first voltage corresponding to a voltage between both ends of the shunt resistor, and a difference between the first voltage and the reference voltage. It may include a comparator for outputting a second voltage corresponding to the difference voltage, and a gate driver for outputting the control signal according to the second voltage.
실시 예에 따라, 상기 용단 전류 공급부는, 상기 제2 전원으로부터 공급되는 상기 전하를 저장하는 추가 전류 생성부 및 상기 제어 신호에 응답하여 상기 퓨즈, 상기 과전류 감지부 및 상기 추가 전류 생성부를 통하는 전류 루프를 생성하는 스위칭부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the fusing current supply unit may include an additional current generator configured to store the charge supplied from the second power source and a current loop through the fuse, the overcurrent detector, and the additional current generator in response to the control signal. It may include a switching unit that generates
실시 예에 따라, 상기 추가 전류 생성부는, 상기 제2 전원을 직류 전원으로 변환하는 절연 컨버터 및 상기 직류 전원으로부터 공급되는 상기 전하를 저장하는 커패시터를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the additional current generator may include an insulating converter that converts the second power into DC power, and a capacitor that stores the charge supplied from the DC power.
실시 예에 따라, 상기 스위칭부는, 상기 제어 신호에 응답하여 상기 퓨즈와 상기 추가 전류 생성부를 접속시키는 스위칭 소자를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the switching unit may include a switching element that connects the fuse to the additional current generating unit in response to the control signal.
실시 예에 따라, 상기 스위칭부는, 상기 퓨즈와 상기 스위칭 소자 사이에 접속되는 다이오드를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the switching unit may further include a diode connected between the fuse and the switching element.
본 발명의 실시 예에 따른 회로 보호 장치의 회로 보호 방법은 제1 전원으로부터 부하로 흐르는 과전류를 차단하며, 제2 전원으로부터 공급되는 전하를 저장하는 단계, 상기 제1 전원으로부터 공급되는 전류를 감지하는 단계, 상기 전류의 크기가 소정의 값을 초과할 때 제어 신호를 생성하는 단계 및 상기 제어 신호에 응답하여 상기 저장된 전하를 퓨즈로 공급하는 단계를 포함할 수 있다.A circuit protection method of a circuit protection device according to an embodiment of the present invention blocks an overcurrent flowing from a first power source to a load, storing the charge supplied from the second power source, detecting the current supplied from the first power source The method may include generating a control signal when the magnitude of the current exceeds a predetermined value, and supplying the stored charge to a fuse in response to the control signal.
본 발명의 실시 예에 따른 회로 보호 장치 및 방법은 퓨즈를 빠르게 용단하여 과전류로부터 회로를 효과적으로 보호할 수 있다.The circuit protection apparatus and method according to an embodiment of the present invention can effectively protect a circuit from overcurrent by rapidly blowing a fuse.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 상세한 설명이 제공된다.In order to more fully understand the drawings recited in the Detailed Description, a detailed description of each drawing is provided.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 회로 보호 장치를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 과전류 감지부를 보다 상세하게 나타내는 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating the overcurrent detection unit shown in FIG. 1 in more detail.
도 3는 도 1에 도시된 추가 전류 생성부를 보다 상세하게 나타내는 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating the additional current generator shown in FIG. 1 in more detail.
도 4은 도 1에 도시된 스위칭부를 보다 상세하게 나타내는 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating the switching unit shown in FIG. 1 in more detail.
도 5는 도 1에 도시된 회로 보호 장치에서 전류 및 전압 변화를 나타내는 그래프들이다.5 is a graph showing changes in current and voltage in the circuit protection device shown in FIG. 1 .
도 6는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 회로 보호 장치를 나타내는 블록도이다.6 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a second embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 회로 보호 장치를 나타내는 블록도이다.7 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a third embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 회로 보호 장치를 나타내는 블록도이다.8 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a fourth embodiment of the present invention.
도 9은 본 발명의 실시 예에 따른 회로 보호 방법을 설명하기 위한 플로우 차트(flow chart)이다.9 is a flowchart for explaining a circuit protection method according to an embodiment of the present invention.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments according to the concept of the present invention disclosed in this specification are only exemplified for the purpose of explaining the embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention are It may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Since the embodiments according to the concept of the present invention may have various changes and may have various forms, the embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail herein. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to specific disclosed forms, and includes all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로도 명명될 수 있다.Terms such as first or second may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one element from another element, for example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be called a second element, and similarly The second component may also be referred to as the first component.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When an element is referred to as being “connected” or “connected” to another element, it is understood that it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle. Other expressions describing the relationship between elements, such as "between" and "immediately between" or "neighboring to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used herein are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that the described feature, number, step, operation, component, part, or a combination thereof exists, and includes one or more other features or numbers. , it is to be understood that it does not preclude the possibility of the existence or addition of steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present specification. does not
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by describing preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 회로 보호 장치를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a first embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 회로 보호 장치(100)는 퓨즈(F), 과전류 감지부(110) 및 용단 전류 공급부(130)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the circuit protection device 100 may include a fuse F, an overcurrent detection unit 110 , and a fusing current supply unit 130 .
퓨즈(F)와 과전류 감지부(110)는 제1 전원(Vs)과 부하(200) 사이에 직렬로 접속될 수 있다.The fuse F and the overcurrent detector 110 may be connected in series between the first power source Vs and the load 200 .
구체적으로, 과전류 감지부(110)는 제1 노드(N1)를 통해 제1 전원(Vs)에 접속될 수 있다. 과전류 감지부(110)와 퓨즈(F)는 제2 노드(N2)를 통해 접속될 수 있다. 퓨즈(F)는 제3 노드(N3)를 통해 부하(200)에 접속될 수 있다.Specifically, the overcurrent detection unit 110 may be connected to the first power source Vs through the first node N1. The overcurrent detection unit 110 and the fuse F may be connected through the second node N2 . The fuse F may be connected to the load 200 through the third node N3 .
과전류 감지부(110)는 제1 전원(Vs)으로부터 퓨즈(F)를 통해 부하(200)로 공급되는 전류(If)를 감지하고 감지된 전류(If)의 크기가 소정의 기준 값을 초과할 때 제어 신호(CS)를 용단 전류 공급부(130)로 출력할 수 있다.The overcurrent detection unit 110 detects the current If supplied from the first power source Vs to the load 200 through the fuse F, and the detected current If exceeds a predetermined reference value. When the control signal CS may be output to the fusing current supply unit 130 .
다시 말해, 과전류 감지부(110)는 퓨즈(F)로 과전류가 공급될 때 과전류를 감지하여 제어 신호를 용단 전류 공급부(130)로 출력할 수 있다.In other words, when the overcurrent is supplied to the fuse F, the overcurrent detection unit 110 may sense the overcurrent and output a control signal to the fusing current supply unit 130 .
과전류 감지부(110)의 구체적인 구조 및 동작은 도 2를 통해 보다 상세하게 설명될 것이다.A specific structure and operation of the overcurrent detection unit 110 will be described in more detail with reference to FIG. 2 .
도 2는 도 1에 도시된 과전류 감지부를 보다 상세하게 나타내는 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating the overcurrent detection unit shown in FIG. 1 in more detail.
도 2를 참조하면, 과전류 감지부(110)는 션트 레지스터(R), 차동 증폭기(111), 비교 증폭기(113) 및 게이트 드라이버(115)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the overcurrent detection unit 110 may include a shunt resistor R, a differential amplifier 111 , a comparison amplifier 113 , and a gate driver 115 .
션트 레지스터(R)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속될 수 있다.The shunt resistor R may be connected between the first node N1 and the second node N2 .
다시 말해, 션트 레지스터(R)는 제1 전원(Vs)과 퓨즈(F) 사이에 접속될 수 있다.In other words, the shunt resistor R may be connected between the first power source Vs and the fuse F.
차동 증폭기(111)의 입력 단자들은 션트 레지스터(R)의 양단에 접속될 수 있으며, 출력 단자는 비교 증폭기(113)의 입력 단자들 중 어느 하나에 접속될 수 있다.Input terminals of the differential amplifier 111 may be connected to both ends of the shunt resistor R, and an output terminal may be connected to any one of input terminals of the comparison amplifier 113 .
차동 증폭기(111)는 션트 레지스터(R)의 양단 전압에 대응하는 제1 전압(V1)을 비교 증폭기(113)로 출력할 수 있다.The differential amplifier 111 may output the first voltage V1 corresponding to the voltage across the shunt resistor R to the comparison amplifier 113 .
비교 증폭기(113)의 입력 단자들 중 어느 하나는 차동 증폭기(111)의 출력 단자에 접속될 수 있고, 입력 단자들 중 다른 하나는 기준 전압원에 접속될 수 있으며, 출력 단자는 게이트 드라이버(115)에 접속될 수 있다.Any one of the input terminals of the comparison amplifier 113 may be connected to an output terminal of the differential amplifier 111 , the other of the input terminals may be connected to a reference voltage source, and the output terminal may be connected to the gate driver 115 . can be connected to
비교 증폭기(113)는 제1 전압(V1)과 기준 전압(Vref)의 차전압에 대응하는 제2 전압(V2)을 게이트 드라이버(115)로 출력할 수 있다.The comparison amplifier 113 may output the second voltage V2 corresponding to the difference voltage between the first voltage V1 and the reference voltage Vref to the gate driver 115 .
게이트 드라이버(115)는 제2 전압(V2)의 극성에 따라 제어 신호(CS)를 생성할 수 있다.The gate driver 115 may generate the control signal CS according to the polarity of the second voltage V2 .
다시 말해, 게이트 드라이버(115)는 제1 전압(V1)이 기준 전압(Vref) 보다 커서 제2 전압(V2)이 낮은 전압 값, 예를 들어, 0[V]을 가질 때, 용단 전류 공급부(130)가 동작하도록 제어 신호(CS)를 용단 전류 공급부(130)로 출력할 수 있다.In other words, when the first voltage (V1) is greater than the reference voltage (Vref) and the second voltage (V2) has a low voltage value, for example, 0 [V], the gate driver 115 uses the fusing current supply unit ( The control signal CS may be output to the fusing current supply unit 130 to operate 130 .
다시 도 1을 참조하면, 용단 전류 공급부(130)는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이에 과전류 감지부(110)와 퓨즈(F)에 병렬로 접속될 수 있다.Referring back to FIG. 1 , the fusing current supply unit 130 may be connected in parallel to the overcurrent sensing unit 110 and the fuse F between the first node N1 and the third node N3 .
용단 전류 공급부(130)는 과전류 감지부(110)로부터 출력되는 제어 신호(CS)에 응답하여 추가 전류(Iblow)를 퓨즈(F)로 공급할 수 있다.The fusing current supply unit 130 may supply the additional current Iblow to the fuse F in response to the control signal CS output from the overcurrent detection unit 110 .
여기서, 추가 전류(Iblow)는 용단 전류 공급부(130)에 저장된 전하에 의해 발생할 수 있으며, 상기 전하는 제2 전원(도 3의 Va)으로부터 공급될 수 있다.Here, the additional current Iblow may be generated by the electric charge stored in the fusing current supply unit 130 , and the electric charge may be supplied from the second power source (Va of FIG. 3 ).
다시 말해, 용단 전류 공급부(130)는 제2 전원(Va)으로부터 공급되는 전하를 저장할 수 있으며, 제어 신호(CS)에 응답하여 저장된 전하를 퓨즈(F)로 흐르게 할 수 있다.In other words, the fusing current supply unit 130 may store the charge supplied from the second power source Va, and may allow the stored charge to flow to the fuse F in response to the control signal CS.
용단 전류 공급부(130)는 추가 전류 생성부(131)와 스위칭부(133)를 포함할 수 있다.The fusing current supply unit 130 may include an additional current generation unit 131 and a switching unit 133 .
추가 전류 생성부(131)와 스위칭부(133)는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N4) 사이에 직렬로 접속될 수 있다.The additional current generator 131 and the switching unit 133 may be connected in series between the first node N1 and the third node N4 .
추가 전류 생성부(131)는 제1 노드(N1)와 제4 노드(N4) 사이에 접속될 수 있다.The additional current generator 131 may be connected between the first node N1 and the fourth node N4 .
추가 전류 생성부(131)는 제2 전원(Va)으로부터 공급되는 전하를 저장할 수 있으면, 스위칭부(133)에 의해 제1 노드(N1) 내지 제4 노드(N4)를 포함하는 전류 루프(current loop) 형태의 전류 패스(current path)가 생성될 때 저장된 전하를 이용해 추가 전류(Iblow)를 공급할 수 있다.If the additional current generator 131 is able to store the charge supplied from the second power source Va, the current loop including the first node N1 to the fourth node N4 is generated by the switching unit 133 . When a current path in the form of a loop is created, an additional current (Iblow) can be supplied using the stored charge.
추가 전류 생성부(131)의 구체적인 구조 및 동작은 도 3에서 보다 상세하게 설명되며, 스위칭부(133)의 구체적인 구조 및 동작은 도 4에서 보다 상세하게 설명될 것이다.A specific structure and operation of the additional current generating unit 131 will be described in more detail with reference to FIG. 3 , and a specific structure and operation of the switching unit 133 will be described in more detail with reference to FIG. 4 .
도 3는 도 1에 도시된 추가 전류 생성부를 보다 상세하게 나타내는 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating the additional current generator shown in FIG. 1 in more detail.
도 3을 참조하면, 추가 전류 생성부(131)는 제2 전원(Va), 절연 컨버터(135) 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the additional current generator 131 may include a second power source Va, an insulating converter 135 and a capacitor C. Referring to FIG.
실시 예에 따라, 제2 전원(Va)은 교류 전원 또는 직류 전원일 수 있다.According to an embodiment, the second power source Va may be an AC power source or a DC power source.
다른 실시 예에 따라, 제2 전원(Va)은 제1 전원(Vs)과 동일한 전원일 수 있다.According to another embodiment, the second power source Va may be the same power source as the first power source Vs.
제2 전원(Va)이 교류 전원일 때, 절연 컨버터(135)는 AC-DC 컨버터(AC to DC converter)로 구성될 수 있다.When the second power source Va is an AC power source, the isolation converter 135 may be configured as an AC to DC converter.
반대로, 제2 전원(Va)이 직류 전원일 때, 절연 컨버터(135)는 DC-DC 컨버터(DC to DC converter)로 구성될 수 있다.Conversely, when the second power source Va is a DC power source, the isolation converter 135 may be configured as a DC to DC converter.
제2 전원(Va)은 외부 전원 또는 배터리로 구현될 수 있다.The second power source Va may be implemented as an external power source or a battery.
절연 컨버터(135)는 제2 전원(Va)을 변환하여 커패시터(C)로 공급할 수 있다. 다시 말해, 절연 컨버터(135)는 제2 전원(Va)을 직류 전원으로 변환하여 커패시터(C)를 충전시킬 수 있다.The isolation converter 135 may convert the second power Va to be supplied to the capacitor C. In other words, the isolation converter 135 may charge the capacitor C by converting the second power Va to DC power.
커패시터(C)는 절연 컨버터(135)로부터 공급되는 전하를 저장할 수 있다.The capacitor C may store the charge supplied from the isolation converter 135 .
다시 말해, 커패시터(C)는 절연 컨버터(135)에 의해 변환된 직류 전원에 의해 공급되는 전하를 저장하여 제1 노드(N1)와 제4 노드(N4) 사이의 전위차(Vc)를 발생시킨다.In other words, the capacitor C stores the charge supplied by the DC power converted by the insulating converter 135 to generate a potential difference Vc between the first node N1 and the fourth node N4 .
도 4은 도 1에 도시된 스위칭부를 보다 상세하게 나타내는 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating the switching unit shown in FIG. 1 in more detail.
도 4를 참조하면, 스위칭부(133)는 다이오드(D)와 스위칭 소자(SE)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the switching unit 133 may include a diode D and a switching element SE.
도 4에서 스위칭부(133)에 다이오드(D)를 도시하였으나, 스위칭부(133)에서 다이오드(D)가 필수적이지는 않다. 즉, 다이오드(D)는 보다 향상된 성능을 위해 선택적으로 스위칭부(133)에 포함될 수 있다.Although the diode D is illustrated in the switching unit 133 in FIG. 4 , the diode D is not essential in the switching unit 133 . That is, the diode D may be selectively included in the switching unit 133 for more improved performance.
다이오드(D)는 제3 노드(N3)와 스위칭 소자(SE) 사이에 접속될 수 있다.The diode D may be connected between the third node N3 and the switching element SE.
다이오드(D)는 제3 노드(N3)로부터 제4 노드(N4)로 흐르는 전류만 통과시키며, 반대 방향의 전류는 차단시킬 수 있다.The diode D may pass only a current flowing from the third node N3 to the fourth node N4 and block a current in the opposite direction.
다시 말해, 다이오드(D)는 용단 전류 공급부(130)에 의해 생성되는 추가 전류(Iblow)가 제1 노드(N1)로 공급될 수 있도록 만든다.In other words, the diode D allows the additional current Iblow generated by the fusing current supply unit 130 to be supplied to the first node N1 .
스위칭 소자(SE)는 제어 신호(CS)에 응답하여 제3 노드(N3)와 제 노드(N4)를 접속시킬 수 있다.The switching element SE may connect the third node N3 and the third node N4 in response to the control signal CS.
다시 말해, 스위칭 소자(SE)는 제어 신호(CS)에 응답하여 퓨즈(F)와 추가 전류 생성부(131)를 접속시킬 수 잇다.In other words, the switching element SE may connect the fuse F and the additional current generator 131 in response to the control signal CS.
스위칭 소자(SE)의 게이트 단자는 과전류 검출부(110)에 접속되며, 제어 신호(CS)를 공급받을 수 있다.The gate terminal of the switching element SE is connected to the overcurrent detector 110 and may receive the control signal CS.
스위칭 소자(SE)의 소스 단자는 제3 노드(N3)에 접속될 수 있으며, 드레인 단자는 제4 노드(N4)에 접속될 수 있다.A source terminal of the switching element SE may be connected to the third node N3 , and a drain terminal may be connected to the fourth node N4 .
스위칭 소자(SE)는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 및 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 등과 같은 반도체 스위칭 소자로 구성될 수 있다.The switching device SE may include a semiconductor switching device such as an insulated gate bipolar transistor (IGBT) and a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).
도 4에서는 스위칭 소자(SE)가 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 일 실시 예일뿐 본 발명의 기술적 사상을 제한하지 않는다. 예를 들어, 하나의 스위칭 소자(SE) 대신 복수의 IGBT들 및/또는 복수의 MOSFET들이 직렬 및/또는 병렬로 연결되어 구성될 수 있다.Although the switching element SE is illustrated in FIG. 4 , this is only an exemplary embodiment for convenience of description and does not limit the technical spirit of the present invention. For example, instead of one switching element SE, a plurality of IGBTs and/or a plurality of MOSFETs may be connected in series and/or in parallel.
도 5는 도 1에 도시된 회로 보호 장치에서 전류 및 전압 변화를 나타내는 그래프들이다.5 is a graph showing changes in current and voltage in the circuit protection device shown in FIG. 1 .
도 5(a)는 퓨즈를 통해 흐르는 전류(If)의 변화를 나타내고, 도 5(b)는 제1 전원(Vs)으로부터 공급되는 전류(Is)를 나타내며, 도 5(c)는 추가 전류 생성부(131)의 커패시터(C)의 양단 전압(Vc)을 나타낸다.Figure 5 (a) shows a change in the current (If) flowing through the fuse, Figure 5 (b) shows the current (Is) supplied from the first power source (Vs), Figure 5 (c) is an additional current generation It represents the voltage Vc across the capacitor C of the part 131 .
정상구간(a)에서는, 즉, 과전류가 흐르지 않을 때에는 커패시터(C)의 양단 전압(Vc)이 충전 상태를 유지할 수 있다.In the normal period (a), that is, when no overcurrent flows, the voltage Vc across the capacitor C may maintain a charged state.
이후, 단락사고 구간(b)에서는 제1 전원(Vs)으로부터 공급되는 전류(Is)가 증가할 수 있다. 도 5에서는 회로 보호 장치(100)의 동작을 설명하기 위해 전류(Is)가 점진적으로 증가하는 것으로 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐이며, 실제 단락사고에서의 전류 변화를 모사하는 것은 아니다.Thereafter, in the short circuit fault section (b), the current Is supplied from the first power source (Vs) may increase. In FIG. 5 , the current Is is illustrated as a gradual increase in order to explain the operation of the circuit protection device 100 , but this is only for convenience of description, and does not simulate a current change in an actual short circuit accident.
전류(Is)가 증가하여 기준 전류(Iref)를 초과하면, 과전류 감지부(110)에서 과전류를 감지하고 제어 신호(CS)를 용단 전류 공급부(130)로 출력할 수 있다.When the current Is increases to exceed the reference current Iref, the overcurrent detection unit 110 may detect the overcurrent and output the control signal CS to the fusing current supply unit 130 .
용단 전류 공급부(130)는 제어 신호(CS)에 응답하여 커패시터(C)에 저장된 전하에 의해 발생되는 추가 전류(Iblow)를 퓨즈(F)로 공급할 수 있다.The fusing current supply unit 130 may supply the additional current Iblow generated by the charge stored in the capacitor C to the fuse F in response to the control signal CS.
이에 따라, 퓨즈(F)로 공급되는 전류(If)는 제1 전원으로부터 공급되는 전류(Is)와 회로 보호 장치(100)로부터 공급되는 전류(Iblow)가 합한 것으로서 단시간에 크게 증가함으로써 퓨즈(F)의 용단 속도를 가속시킬 수 있다.Accordingly, the current If supplied to the fuse F is the sum of the current Is supplied from the first power source and the current Iblow supplied from the circuit protection device 100 and is greatly increased in a short time to ) can accelerate the melting rate.
퓨즈용단 후(C)에는 퓨즈(F)가 용단되어 제1 전원(Vs)으로부터 공급되는 전류(Is)가 차단되며 이에 따라 과전류 감지부(110)도 제어 신호(CS)를 출력하지 않으므로 용단 전류 공급부(130)로부터 공급되는 추가 전류(Iblow)도 소멸될 수 있다.After the fuse is blown (C), the fuse F is blown and the current Is supplied from the first power source Vs is cut off. The additional current Iblow supplied from the supply unit 130 may also be extinguished.
이때, 다이오드(D)가 회로 보호 장치(100)를 통해 제1 전원(Vs)으로부터 부하(200)로 흐를 수 있는 전류를 차단할 수 있다.In this case, the diode D may block a current that may flow from the first power source Vs to the load 200 through the circuit protection device 100 .
도 6는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 회로 보호 장치를 나타내는 블록도이다.6 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a second embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 복수의 회로 보호 장치(100-1, 100-2)가 하나의 시스템에 함께 구현될 수 있다.Referring to FIG. 6 , a plurality of circuit protection devices 100 - 1 and 100 - 2 may be implemented together in one system.
도 6에 도시된 바와 같이, 양방향 직류 시스템에서는 복수의 제1 전원들(Vs-1, Vs-2)이 존재하며, 효과적으로 회로를 보호하기 위해서는 복수의 회로 보호 장치들(100-1, 100-2)이 구비되는 것이 바람직할 수 있다.As shown in FIG. 6 , in the bidirectional DC system, a plurality of first power sources Vs-1 and Vs-2 exist, and in order to effectively protect the circuit, a plurality of circuit protection devices 100-1 and 100- 2) may be preferably provided.
퓨즈(F)는 복수의 회로 보호 장치들(100-1, 100-2)이 공유함으로써 복수의 회로 보호 장치(100-1, 100-2) 중에서 어느 하나에 의해 퓨즈(F)가 용단되면 전체 시스템이 보호될 수 있다.Since the fuse F is shared by the plurality of circuit protection devices 100-1 and 100-2, when the fuse F is blown by any one of the plurality of circuit protection devices 100-1 and 100-2, the entire The system can be protected.
제1 회로 보호 장치(100-1)는 주로 시스템 전체에서 좌측에서 우측으로 흐르는 전류를 감지하여 회로를 보호하며, 제2 회로 보호 장치(100-2)는 주로 시스템 전체에서 우측에서 좌측으로 흐르는 전류를 감지하여 회로를 보호할 수 있다.The first circuit protection device 100-1 mainly detects a current flowing from left to right in the entire system to protect the circuit, and the second circuit protection device 100-2 mainly detects a current flowing from right to left in the entire system. can be detected to protect the circuit.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 회로 보호 장치를 나타내는 블록도이다.7 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a third embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 복수의 회로 보호 장치들(100-1, 100-2)이 도 6에 도시된 방식과 다른 방식으로 하나의 시스템에 구현될 수 있다.Referring to FIG. 7 , a plurality of circuit protection devices 100 - 1 and 100 - 2 may be implemented in one system in a method different from that illustrated in FIG. 6 .
도 7에 도시된 바와 같이, 양방향 직류 시스템에서 복수의 회로 보호 장치들(100-1, 100-2)이 완전히 별개로 구비될 수 있다.As shown in FIG. 7 , a plurality of circuit protection devices 100 - 1 and 100 - 2 may be completely separately provided in the bidirectional DC system.
복수의 회로 보호 장치들(100-1, 100-2) 각각은 각 퓨즈(F-1, F-2)를 통해 흐르는 전류를 감지하고 과전류가 감지되면 추가 전류를 각 퓨즈(F-1, F-2)로 공하여 각 퓨즈(F-1, F-2)를 용단시킬 수 있다.Each of the plurality of circuit protection devices 100-1 and 100-2 detects a current flowing through each of the fuses F-1 and F-2, and when an overcurrent is detected, an additional current is applied to each of the fuses F-1 and F-2. -2) to blow each fuse (F-1, F-2) by fusion.
도 6과 도 7에서 복수의 회로 보호 장치들(100-1, 100-2)의 기능, 구조 및 동작은 도 1에 도시된 회로 보호 장치(100)와 크게 다르지 않으므로, 구체적인 설명은 생략한다.Since the functions, structures, and operations of the plurality of circuit protection devices 100 - 1 and 100 - 2 in FIGS. 6 and 7 are not significantly different from those of the circuit protection device 100 shown in FIG. 1 , a detailed description thereof will be omitted.
도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 회로 보호 장치를 나타내는 블록도이다.8 is a block diagram illustrating a circuit protection device according to a fourth embodiment of the present invention.
도 8의 회로 보호 장치(100')와 도 1의 회로 보호 장치(100)는 퓨즈(F)와 과전류 감지부(110, 110')의 연결 구조를 제외하면 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.Since the circuit protection device 100 ′ of FIG. 8 and the circuit protection device 100 of FIG. 1 are substantially the same except for the connection structure of the fuse F and the overcurrent detecting units 110 and 110 ′, the overlapping description will be omitted. do.
도 8을 참조하면, 퓨즈(F)와 과전류 감지부(110')는 제1 전원(Vs)과 부하(200) 사이에 직렬로 접속될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the fuse F and the overcurrent detecting unit 110 ′ may be connected in series between the first power source Vs and the load 200 .
구체적으로, 퓨즈(F)는 제1 전원(Vs)과 접속되는 제1 노드(N1)와 과전류 감지부(110') 사이에 접속될 수 있으며, 과전류 감지부(110')는 부하(200)와 접속되는 제3 노드(N3)와 퓨즈(F) 사이에 접속될 수 있다.Specifically, the fuse F may be connected between the first node N1 connected to the first power source Vs and the overcurrent detection unit 110', and the overcurrent detection unit 110' is the load 200. It may be connected between the third node N3 connected to and the fuse F.
도 8에 도시된 바와 같이, 퓨즈(F)와 과전류 감지부(110')가 배열되어도 과전류 감지부(110')가 퓨즈(F)를 통해 흐르는 전류(If)를 감지할 수 있어 회로 보호 장치(100')가 정상적으로 동작할 수 있다.As shown in FIG. 8 , even when the fuse F and the overcurrent detection unit 110 ′ are arranged, the overcurrent detection unit 110 ′ can detect the current If flowing through the fuse F, thereby protecting the circuit. (100') may operate normally.
다만, 도 8에 도시된 회로 보호 장치(100')에서는 퓨즈(F)가 용단된 이후 과전류 감지부(110')가 제3 노드(N3)에 전기적으로 접속되며 제3 노드(N3)와 제4 노드(N4) 사이의 전위차는 제1 전원(Vs)의 크기에 대응할 수 있다.However, in the circuit protection device 100 ′ shown in FIG. 8 , after the fuse F is blown, the overcurrent detecting unit 110 ′ is electrically connected to the third node N3 , and the third node N3 and the third node N3 The potential difference between the four nodes N4 may correspond to the magnitude of the first power source Vs.
이에 따라, 제3 노드(N3)에 접속되어 있는 과전류 감지부(110')의 차동 증폭기의 공통 모드 전압(Common-Mode Voltage)이 제1 전원(Vs)보다 커야 한다는 제한 조건이 발생할 수 있다.Accordingly, a restriction condition that the common-mode voltage of the differential amplifier of the overcurrent detecting unit 110 ′ connected to the third node N3 must be greater than the first power Vs may occur.
공통 모드 전압이 높을수록 소자의 단가가 높아지기 때문에 회로 보호 장치(100')의 제조 단가가 높아질 수 있다.As the common mode voltage increases, the unit cost of the device increases, so that the manufacturing cost of the circuit protection device 100 ′ may increase.
도 1에 도시된 회로 보호 장치(100)에서는 퓨즈(F)가 용단된 이후 과전류 감지부(110)가 제1 노드(N1)에 전기적으로 접속되며 제1 노드(N1)와 제4 노드(N4)의 전위차는 커패시터(C)에 충전된 전위차(Vc)에 대응할 수 있다.In the circuit protection device 100 shown in FIG. 1 , after the fuse F is blown, the overcurrent detecting unit 110 is electrically connected to the first node N1, and the first node N1 and the fourth node N4 ) may correspond to the potential difference Vc charged in the capacitor C.
커패시터(C)에 충전된 전위차(Vc)는 제1 전원(Vs)에 비해 매우 낮기 때문에 과전류 감지부(110)의 차동 증폭기의 공통 모드 전압이 낮아도 된다.Since the potential difference Vc charged in the capacitor C is very low compared to the first power source Vs, the common mode voltage of the differential amplifier of the overcurrent sensing unit 110 may be low.
즉, 도 1에 도시된 회로 보호 장치(100)의 제조 단가가 낮을 수 있다.That is, the manufacturing cost of the circuit protection device 100 illustrated in FIG. 1 may be low.
도 9은 본 발명의 실시 예에 따른 회로 보호 방법을 설명하기 위한 플로우 차트(flow chart)이다.9 is a flowchart for explaining a circuit protection method according to an embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 회로 보호 장치(100)는 제2 전원(Va)으로부터 공급되는 전하를 커패시터(C)에 저장할 수 있다(S100).Referring to FIG. 9 , the circuit protection device 100 may store the charge supplied from the second power source Va in the capacitor C ( S100 ).
회로 보호 장치(100)는 퓨즈(F)로 흐르는 전류(If)를 감지할 수 있다(S200).The circuit protection device 100 may detect the current If flowing through the fuse F (S200).
회로 보호 장치(100)는 퓨즈(F)로 흐르는 전류(If)의 크기와 소정의 값(Iref)을 비교할 수 있다(S300).The circuit protection device 100 may compare the magnitude of the current If flowing through the fuse F with a predetermined value Iref ( S300 ).
퓨즈(F)로 흐르는 전류(If)의 크기가 소정의 값(Iref)을 초과하지 않으면(S300의 '아니오' 브랜치), 회로 보호 장치(100)는 시스템을 정상적이라고 판단하고 계속하여 퓨즈(F)로 흐르는 전류(If)를 감지할 수 있다.If the magnitude of the current If flowing to the fuse F does not exceed the predetermined value Iref ('No' branch of S300), the circuit protection device 100 determines that the system is normal and continues the fuse F ) can sense the current (If) flowing through the
퓨즈(F)로 흐르는 전류(If)의 크기가 소정의 값(Iref)을 초과하면 회로 보호 장치(100), 구체적으로, 과전류 감지부(110)는 제어 신호(CS)를 생성할 수 있다(S400).When the magnitude of the current If flowing through the fuse F exceeds the predetermined value Iref, the circuit protection device 100 , specifically, the overcurrent detection unit 110 may generate the control signal CS ( S400).
회로 보호 장치(100), 구체적으로, 용단 전류 공급부(130)는 제어 신호(CS)에 응답하여 커패시터(C)에 저장된 전하에 의해 생성되는 추가 전류(Iblow)를 퓨즈(F)로 공급할 수 있다(S500).The circuit protection device 100 , specifically, the fusing current supply unit 130 may supply an additional current Iblow generated by the charge stored in the capacitor C to the fuse F in response to the control signal CS. (S500).
본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to an embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary, and those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (8)

  1. 제1 전원으로부터 퓨즈를 통해 공급되는 전류를 감지하고, 감지된 전류의 크기가 기준 값을 초과할 때 제어 신호를 출력하는 과전류 감지부; 및an overcurrent detecting unit detecting a current supplied from the first power source through the fuse and outputting a control signal when the sensed current exceeds a reference value; and
    제2 전원으로부터 공급되는 전하를 저장하며 상기 제어 신호에 응답하여 상기 저장된 전하에 의해 발생하는 추가 전류를 상기 퓨즈로 공급하는 용단 전류 공급부를 포함하는 회로 보호 장치.and a fusing current supply unit storing an electric charge supplied from a second power source and supplying an additional current generated by the stored electric charge to the fuse in response to the control signal.
  2. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 과전류 감지부는 상기 제1 전원과 상기 퓨즈 사이에 접속되는 회로 보호 장치.The overcurrent detection unit is a circuit protection device connected between the first power source and the fuse.
  3. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2,
    상기 과전류 감지부는,The overcurrent detection unit,
    상기 제1 전원과 상기 퓨즈 사이에 접속되는 션트 레지스터;a shunt resistor connected between the first power source and the fuse;
    상기 션트 레지스터의 양단 전압에 대응하는 제1 전압을 출력하는 차동 증폭기;a differential amplifier outputting a first voltage corresponding to the voltage across the shunt resistor;
    상기 제1 전압과 기준 전압의 차전압에 대응하는 제2 전압을 출력하는 비교 증폭기; 및a comparison amplifier outputting a second voltage corresponding to a difference voltage between the first voltage and a reference voltage; and
    상기 제2 전압에 따라 상기 제어 신호를 출력하는 게이트 드라이버를 포함하는 회로 보호 장치.and a gate driver outputting the control signal according to the second voltage.
  4. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 용단 전류 공급부는,The fusing current supply unit,
    상기 제2 전원으로부터 공급되는 상기 전하를 저장하는 추가 전류 생성부; 및an additional current generator configured to store the charge supplied from the second power source; and
    상기 제어 신호에 응답하여 상기 퓨즈, 상기 과전류 감지부 및 상기 추가 전류 생성부를 통하는 전류 루프를 생성하는 스위칭부를 포함하는 회로 보호 장치.and a switching unit configured to generate a current loop passing through the fuse, the overcurrent detecting unit, and the additional current generating unit in response to the control signal.
  5. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4,
    상기 추가 전류 생성부는,The additional current generator,
    상기 제2 전원을 직류 전원으로 변환하는 절연 컨버터; 및an isolation converter converting the second power into DC power; and
    상기 직류 전원으로부터 공급되는 상기 전하를 저장하는 커패시터를 포함하는 회로 보호 장치.and a capacitor configured to store the electric charge supplied from the DC power supply.
  6. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4,
    상기 스위칭부는,The switching unit,
    상기 제어 신호에 응답하여 상기 퓨즈와 상기 추가 전류 생성부를 접속시키는 스위칭 소자를 포함하는 회로 보호 장치.and a switching element configured to connect the fuse and the additional current generator in response to the control signal.
  7. 제6항에 있어서,7. The method of claim 6,
    상기 스위칭부는,The switching unit,
    상기 퓨즈와 상기 스위칭 소자 사이에 접속되는 다이오드를 더 포함하는 회로 보호 장치.The circuit protection device further comprising a diode connected between the fuse and the switching element.
  8. 제1 전원으로부터 부하로 흐르는 과전류를 차단하기 위한 회로 보호 장치의 회로 보호 방법에 있어서,In the circuit protection method of the circuit protection device for blocking the overcurrent flowing from the first power source to the load,
    제2 전원으로부터 공급되는 전하를 저장하는 단계;storing electric charges supplied from a second power source;
    상기 제1 전원으로부터 공급되는 전류를 감지하는 단계;detecting a current supplied from the first power source;
    상기 전류의 크기가 소정의 값을 초과할 때 제어 신호를 생성하는 단계; 및generating a control signal when the magnitude of the current exceeds a predetermined value; and
    상기 제어 신호에 응답하여 상기 저장된 전하를 퓨즈로 공급하는 단계를 포함하는 회로 보호 방법.and supplying the stored charge to a fuse in response to the control signal.
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