WO2021015540A1 - 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 csp 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 픽셀 csp - Google Patents

확장형 전극패드를 갖는 픽셀 csp 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 픽셀 csp Download PDF

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민재식
이재엽
박재석
조병구
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(주)라이타이저
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Definitions

  • the present invention relates to a pixel CSP manufacturing method and a pixel CSP, and more particularly, to a pixel CSP manufacturing method having an extended electrode pad and a pixel CSP manufactured according to the manufacturing method.
  • LED Light Emitting Diode
  • LED Light Emitting Diode
  • LED Light Emitting Diode
  • Light-emitting diodes can emit high-efficiency light with a low voltage, so they have an excellent energy saving effect.
  • Recently, the problem of luminance of light emitting diodes has been greatly improved, and thus, it has been applied to various devices such as backlight units of liquid crystal display devices, electric signs, displays, and home appliances.
  • ⁇ -LED micro light emitting diode
  • the micro LED refers to an LED having a size of 30 ⁇ m * 30 ⁇ m to 100 ⁇ m * 100 ⁇ m, and is applied to a backlight light source, a display light source, and a display device.
  • micro LEDs As display pixels, it is necessary to transfer and integrate red, green, and blue micro LED element arrays at high speed to a target substrate for display.
  • transferring a display target substrate using a micro LED requires a high-speed transfer of a large amount of micro LED chips of the order of tens to millions of units, so a corresponding technology is necessary.
  • Korean Patent Registration No. 10-1993863 discloses an'LED integrated module and a method of manufacturing an LED integrated module'.
  • Korean Patent Registration No. 10-1993863 discloses an LED integrated module having an extended electrode pad by introducing the concept of extending the electrode pad of the LED chip as a method for transferring a micro-unit LED chip.
  • Korean Patent Registration No. 10-1993863 has the following problems.
  • the electrode pad was expanded to facilitate the subsequent process, but by forming the electrode pad portion extended to a distance of 3 to 5 times the size of the area where the LED chip was formed, the LED chip in micro units was substantially It has a problem of expanding to size.
  • the micro-unit LED chip is substantially enlarged to the size of the millimeter unit, the pitch between individual LED chips increases when transferred to the display target substrate, resulting in a decrease in resolution.
  • an extended electrode electrode pad portion is formed in a second area separated by a predetermined distance from the first area in which the electrode of the LED chip is formed, so that the LED chip electrode located in the first area and the extended electrode pad portion formed in the second area are electrically Since it is a structure in which 6 wires must be connected for connection, it is not suitable for a micro-unit LED chip, and since 6 wires are added to one LED chip, very many wires are added when tens to millions of microchips are arrayed. Therefore, there is a limit to the structure in which the problems of disconnection or defects can only be exposed.
  • Patent Document 1 Korean Patent Registration 10-1993863
  • the problem to be solved according to the configuration of the present invention is that in the conventional surface mounting process of a chip unit when configuring a display or device, the pad size is smaller than the size of the chip (pad size ⁇ chip size/2), the problem of electrical connection. Caused.
  • the present invention attempts to solve the problem of electrical connection by making the pad size larger than the chip size (pad size> chip size) by performing the surface mounting process in units of pixel CSPs in which pad expansion is possible. In other words, it is intended to scale up the micro LED electrical connection process in a tens um area to a pixel CSP electrical connection process in a hundreds um area.
  • a pixel CSP manufacturing method and a pixel CSP capable of rapidly manufacturing a large-area display device by preventing an open defect between electrodes during a surface mounting process on a display device and securing an alignment margin.
  • a method of manufacturing a pixel CSP having an expandable electrode pad includes a plurality of openings arranged in a matrix form in a frame having a predetermined shape, and including a light emitting element in the plurality of openings. Forming one or more pixel CSPs, forming a pixel CSP array; And an extended metal deposition step of attaching a shadow mask to the frame surface on the electrode pad side of the pixel CSP to deposit metal in an area extending from the electrode pad.
  • the step of forming the pixel CSP array includes: arranging a substrate under the frame to close the lower openings of each of the plurality of openings; A light emitting device forming step of disposing the plurality of light emitting devices on the substrate in the plurality of openings; Filling and curing a protective layer encapsulating the plurality of light emitting devices in the plurality of openings, forming a protective layer; And removing the substrate, removing the substrate.
  • a shadow mask removing step of removing the shadow mask and a frame removing step of removing the frame.
  • a protective film attaching step of attaching a protective film to the frame surface on the opposite side on which the shadow mask is disposed may further include.
  • the extended area may be formed as an area extending from the electrode pad of each of the light emitting elements and not intersecting with the adjacent extended area in one pixel CSP.
  • the spacing between the plurality of openings of the frame is preferably equal to the spacing between the pixel CSP arrays of the target substrate to be transferred.
  • a pixel CSP having an extended electrode pad may be manufactured by the method of manufacturing a pixel CSP having an extended electrode pad described above.
  • the pixel CSP having the expandable electrode pad according to the embodiment of the present invention extends from the electrode pad of each light emitting device in one pixel CSP, and does not cross electrode pads of adjacent light emitting devices of the light emitting device. It may include an expandable electrode pad formed in the region.
  • the pixel CSP may be formed in an opening of a frame having a predetermined shape
  • the extended electrode pad may be formed by attaching a shadow mask to the frame and depositing a metal into an extended area from the electrode pad.
  • the pixel CSP may include a protective layer filling and curing the inside of the opening by encapsulating the light emitting device.
  • the surface mounting process is performed in units of pixel CSPs capable of pad expansion on the display panel, so that the electrical connection process of micro LEDs in several tens of um area is converted to the electrical connection process of pixel CSPs in several hundred ums. By scaling up, defects such as electrical open can be minimized.
  • FIGS. 1A to 1C are diagrams for explaining a transfer frame used in a method of manufacturing a pixel CSP having an extended electrode pad according to an embodiment of the present invention.
  • 2 to 7 are diagrams for explaining in detail a step of forming a pixel CSP array in a transfer frame.
  • FIGS. 8 to 11 are diagrams for explaining in detail a step of extending an electrode pad in each pixel CSP in a pixel CSP array formed on a transfer frame.
  • FIG. 12 is a side view and a plan view of a pixel CSP including an extended electrode pad.
  • top (top) or bottom (bottom) of each component in the case of being described as being formed on the “top (top) or bottom (bottom)” of each component, the top (top) or bottom (bottom) of the two components directly contact each other Or one or more other components are disposed between the two components.
  • upper (upper) or lower (lower) when expressed as "upper (upper) or lower (lower)", the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one component may be included.
  • each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not fully reflect the actual size.
  • the display device includes the steps of forming a pixel CSP array on a transfer frame, primary transfer of the pixel CSP array formed on the transfer frame to a carrier substrate, and a pixel CSP transferred to the carrier substrate. It may consist of a step of secondary transfer of the array to the display panel.
  • the electrode pads of the pixel CSP are extended to form the expandable electrode pad portion, and the CSP is manufactured and transferred to the display panel. It provides a pixel CSP having an extended electrode pad that can manufacture large-area display devices by preventing open defects and increasing alignment margins.
  • FIG. 1A to 1C are views for explaining a transfer frame used in a method of manufacturing a pixel CSP having an extended electrode pad according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1A is a transfer frame ( 200) is a perspective view
  • FIG. 1(b) is a partially enlarged plan view in FIG. 1(a)
  • FIG. 1(c) is a cross-sectional view of FIG. 1(b).
  • the transfer frame 100 has a plate shape and includes an upper surface and a lower surface, and a plurality of side surfaces.
  • the transfer frame 100 may have a flat plate shape, but is not limited thereto, and may have a plate shape having a predetermined curvature.
  • the transfer frame 100 When the transfer frame 100 has a flat plate shape, the transfer frame 100 may be referred to as a horizontal frame.
  • the transfer frame 100 has a plurality of openings 110.
  • Each of the openings 110 is formed to penetrate the upper and lower surfaces of the transfer frame 100, and the plurality of openings 110 may be arranged in an array form in the transfer frame 100 in a plurality of row and column directions.
  • the picth between the plurality of openings 110 may be the same as the spacing of the pixel CSP array formed on the display panel according to manufacturing of the display device in the future.
  • the size of the opening 110 of the transfer frame 100 may correspond to the size of the pixel CSP.
  • the width (W) * length (h) * thickness (t) of the opening 110 of the transfer frame 100 may be 30 * 30 * 10 ( ⁇ m) ⁇ 1000 * 1000 * 500 ( ⁇ m). .
  • the upper opening and the lower opening of the opening 110 of the transfer frame 100 may have a rectangular shape, but are not limited thereto and may be a circle, an ellipse, or a polygon.
  • the shapes of the upper opening and the lower opening may be different, and the sizes may be different from each other.
  • the three-dimensional structure of the opening 110 of the transfer frame 100 may be a hexahedral empty space, but is not limited thereto, and the shape of the opening 110 may be a cylindrical empty space or an oval-cylindrical empty space. It may be a space, an empty space in the shape of a polygonal cylinder, or an empty space in the shape of a polyhedron.
  • the material of the transfer frame 100 is a hard material, and may be, for example, any one of metal, ceramic, resin, plastic, or a combination thereof.
  • the thickness t of the transfer frame 100 may be 10 ( ⁇ m) to 500 ( ⁇ m).
  • 2 to 7 are diagrams for explaining in detail a step of forming a pixel CSP array in a transfer frame.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of any one of a plurality of openings 110 of the transfer frame 100 shown in FIG. 1.
  • a substrate 200 is formed on one of the upper and lower surfaces of the transfer frame 100 (lower surface in FIG. 2 ).
  • the lower opening of the opening 110 is blocked by the substrate 200.
  • a space in which the pixel CSP can be formed may be provided by the opening 110 and the substrate 200.
  • a plurality of light emitting devices 300R, 300G, and 300B are disposed on the substrate 200 inside the opening 110.
  • the electrode pads of each of the plurality of light emitting devices 300R, 300G, and 300B may be disposed to contact the upper surface of the substrate 200.
  • the plurality of light-emitting devices 300R, 300G, and 300B may include a first light-emitting device 300R, a second light-emitting device 300G, and a third light-emitting device 300B.
  • the first light emitting device 300R may be a red light emitting chip that emits red light
  • the second light emitting device 300G may be a green light emitting chip that emits green light
  • the third light emitting device 300B emits blue light It may be a blue light emitting chip.
  • Each light-emitting device may have a flip-chip structure that does not require a wire, and each light-emitting device (300R, 300G, 300B) may emit light of a specific wavelength, or the fluorescent light contained therein Light of a specific wavelength may be emitted by a material or quantum dot.
  • each of the light emitting devices 300R, 300G, and 300B may be a Chip Scale Package (CSP).
  • CSP Chip Scale Package
  • CSP Chip Scale Package
  • each of the light-emitting elements 300R, 300G, and 300B is a CSP, it may be composed of a flip chip emitting light of a specific wavelength and a phosphor covering the flip chip.
  • Light emitted from the flip chip excites the phosphor, so that light of a specific wavelength may be emitted.
  • a plurality of light emitting devices 300R, 300G, and 300B disposed in the opening 110 may be included in one pixel CSP 300.
  • One pixel CSP 300 may function as one pixel that emits various colors from the display panel.
  • the protective layer 400 is filled in the opening 110 and the protective layer 400 is cured.
  • the protective layer 400 may be an electrically insulating material.
  • it may be a transparent material such as silicone, epoxy, resin, or polymer.
  • One pixel CSP 300 may include a passivation layer 400.
  • one pixel CSP 300 may include a plurality of light-emitting elements 300R, 300G, and 300B and a protective layer 400 encapsulating the plurality of light-emitting elements 300R, 300G, and 300B.
  • the shape of the cured protective layer 400 or the shape of one pixel CSP 300 corresponds to the shape of the opening 110 of the transfer frame 100.
  • the shape of the protective layer 400 or the shape of one pixel CSP 300 may vary according to the shape of the opening 110 of the transfer frame 100.
  • the shape of the opening 110 of the transfer frame 100 can be understood from the shape of the protective layer 400 or the shape of one pixel CSP 300, and through this, a pixel having an expandable electrode pad according to an embodiment of the present invention
  • the manufacturing method of CSP can be estimated.
  • the substrate 200 is separated from the transfer frame 100 and the protective layer 400.
  • a plurality of electrode pads 310R, 310G, and 310B of the pixel CSP 300 may be exposed to the outside.
  • the plurality of electrode pads 310R, 310G, 310B may vary depending on the number of light emitting elements included in one pixel CSP 300, for example, the number of light emitting elements included in one pixel CSP 300 If is 3, since 2 electrode pads are required for each light emitting element, a total of 6 electrode pads can be formed, or when the (+) electrode is a common electrode, a total of 4 electrode pads can be formed.
  • a pixel CSP array including a plurality of pixel CSPs 300 may be formed.
  • FIG. 7 is a part of the transfer frame 100 and three pixel CSPs 300P1, 300P2, 300P3 including the protective layers 400P1, 400P2, and 400P3 encapsulating the three light-emitting elements shown in FIG. This is a cross-sectional view.
  • a first pixel CSP 300P1 is encapsulated in a first opening of the transfer frame 100 by a first protective layer 400P1
  • a second pixel CSP 300P2 is a second protection layer.
  • the layer 400P2 is encapsulated in the second opening of the transfer frame 100
  • the third pixel CSP 300P3 is inserted into the third opening of the transfer frame 100 by the third protective layer 400P3. It is encapsulated.
  • Encapsulation exposes the electrode pad of each pixel CSP, firmly supports the LED light source module, can have a high Young's Modulus, and contains a material having high thermal conductivity to effectively dissipate heat from the LED cells. can do.
  • the encapsulation may be an epoxy resin or a silicone resin, and may include light reflective particles for reflecting light.
  • FIGS. 8 to 11 are diagrams for explaining in detail a step of extending an electrode pad in each pixel CSP in a pixel CSP array formed on a transfer frame.
  • the protective film on the opposite side where the electrode pads 310R, 310G, 310B are formed in a state in which the electrode pads 310R, 310G, and 301B are exposed as shown in FIG. 5 based on one pixel CSP 300, the protective film on the opposite side where the electrode pads 310R, 310G, 310B are formed. Form 500.
  • the protective film 500 is disposed on the opposite side of the electrode pads 310R, 310G, and 310B of the transfer frame 100 shown in FIG. 6, and may be attached to protect the pixel CSP during a metal deposition process using a shadow mask. .
  • the protective film 500 is made of a resin film, and is not particularly limited, and the range of the adhesive force of the protective film 500 may vary depending on the characteristics of the substrate to be protected or the thickness of the substrate, so that the range of the adhesive force is varied. And can be variable.
  • the shadow mask 600 may have an exposed pattern shape in a portion A requiring metal deposition to form an extended electrode pad.
  • Metal deposition may be deposited by electron beam evaporation or sputtering, but is not limited thereto.
  • the used metal may be composed of one or more thin film layers.
  • gold Au, Gold
  • silver Ag, Silver
  • copper Cu, Copper
  • chromium Cr, Chromium
  • nichrome NiCr, Nickel Chromium
  • titanium Ti, Titanium
  • palladium Pd, Palladium
  • aluminum Al, Aluminum
  • the extended electrode pads 320R, 320G, and 320B may be formed as upper surfaces of each of the electrode pads 310R, 310G, and 310B by metal deposition through the opened portion of the shadow mask 600.
  • the extended electrode pads 320R, 320G, and 320B having an extended area from the electrode pads 310R, 310G, and 310B respectively formed in the RGB of the existing pixel CSP. ) Can be formed.
  • the extended area refers to a restricted area that can be extended within one pixel CSP, and is an area extending from the electrode pads 310R, 310G, 310B of each of the light-emitting elements 300R, 300G, and 300B. It means an area that does not intersect with each other.
  • the array of pixel CSPs 300 having the extended electrode pads 320R, 320G, and 320B and each of the pixel CSPs 300 may be transferred to a display panel to implement a large display device.
  • FIG. 12 is a side view and a plan view of a pixel CSP including an extended electrode pad.
  • FIG. 12A is a side cross-sectional view
  • (B) is a view showing a plan view as an example.
  • the electrode pads 310R, 310G, and 310B of the light-emitting elements 300R, 300G, and 300B are extended to the extended electrode pads 320R, 320G, and 320B from the side or plane It means that the surface area is expanded by that amount, and that the connection cross-sectional area between electrodes can be increased as the electrode surface area is increased.
  • the electrode pads 310R, 301G, and 310B and the extended electrode pads 320R, 320G, and 320B refer to the first electrode, and the electrode pads 310R'. 301G'. 310B' and the extended electrode pads 320R'. 320G' , 320B') means a second electrode.
  • the extended electrode pads 320R, 320G, and 320B are electrode pads 310R, 310G, and 310B formed on the light-emitting elements 300R, 300G, and 300B by utilizing an existing redundant area that has not been used within one pixel CSP 300 area. ), the cross-sectional area can be enlarged.
  • the pixel unit is 30 ⁇ m * 30 ⁇ m to 100 ⁇ m * 100 ⁇ m, the width and length of the electrode pads are also very fine. Occurs and the defective rate is very high.
  • the electrical connection process of micro LEDs in tens of um area is scaled up to the electrical connection process of pixel CSPs in several hundreds of um area. It can minimize the defects of the back.

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Abstract

본 발명은 픽셀 CSP 제조방법 및 픽셀 CSP에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 픽셀 CSP에 관한 것이다. 본 발명의 실시 형태에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조방법은, 소정 형상의 프레임에 행렬 형태로 배열된 다수의 개구가 형성되고, 상기 다수의 개구에 발광 소자를 포함하는 하나 이상의 픽셀 CSP를 형성하는, 픽셀 CSP 어레이 형성 단계; 및 상기 픽셀 CSP의 전극패드 측의 상기 프레임 면에 섀도우 마스크를 부착하여 상기 전극패드로부터 확장된 영역으로 금속을 증착하는, 확장 금속증착 단계;를 포함하여 이루어진다.

Description

확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 픽셀 CSP
본 발명은 픽셀 CSP 제조방법 및 픽셀 CSP에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 픽셀 CSP에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저 전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. 최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.
마이크로 발광 다이오드(μ-LED)의 크기는 1 ~ 100μm 수준으로 매우 작고, 40 인치(inch)의 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 대략 2,500만개 이상의 픽셀이 요구된다.
따라서, 40 인치의 디스플레이 장치를 하나 만드는데 단순한 픽앤플레이스(Pick & Place) 방법으로는 시간적으로 장시간이 소요되는 문제가 있기 때문에 대량으로 짧은 시간 내에 다수의 발광 다이오드를 전사하는 방식들이 개발되고 있는 실정이다.
일반적으로 마이크로 LED는 그 크기가 30㎛ * 30㎛ 내지 100㎛ * 100㎛인 LED를 의미하며, 백라이트 광원, 표시 광원, 디스플레이 장치 등에 응용된다.
마이크로 LED를 디스플레이 화소로 적용하기 위해서는 적색, 녹색, 청색 마이크로 LED 소자 어레이를 디스플레이용 타겟기판으로 고속으로 대량 전사하여 집적하는 기술이 필요하다.
크기가 상대적으로 큰 기존 밀리미터 단위의 LED 패키지는 SMT 장비나 다이 본더(die bonder)로 LED 패키지를 이송하는 것이 가능하나, 이러한 기존의 전사 장비 및 기술은 크기가 작은 마이크로 LED 칩을 타겟 기판에 정확하게 전사 또는 픽앤플레이스 할 수 있을 만큼의 정확도가 높지 않다.
또한, 마이크로 LED를 이용하여 디스플레이 타겟 기판에 전사하는 것은 수십~수백만개 수준의 대량의 마이크로 LED chip을 고속으로 전사할 필요가 있으므로 이에 대한 대응 기술이 반드시 필요하다.
이에 대해 대한민국 등록특허 10-1993863에는 'LED 집적 모듈 및 LED 집적 모듈의 제조방법'이 개시된다.
대한민국 등록특허 10-1993863는 마이크로 단위의 LED 칩을 전사하기 위한 방법으로 LED 칩의 전극패드를 확장시키는 개념을 도입하여 확장 형성된 전극패드를 갖는 LED 집적 모듈을 개시하고 있다.
하지만, 대한민국 등록특허 10-1993863는 다음과 같은 문제점을 내포하고 있다.
우선, 전극패드를 확장시켜 후속 공정의 용이성을 도모하였지만, LED 칩이 형성된 영역의 크기에 대해 3배~5배의 거리까지 확장 형성된 전극패드부를 형성시킴으로써 실질적으로 마이크로 단위의 LED 칩이 밀리미터 단위의 크기로 확대되는 문제를 가지고 있다.
또한, 마이크로 단위의 LED 칩이 밀리미터 단위의 크기로 실질적으로 확대됨으로써, 디스플레이 타겟 기판에 전사될 때 개별 LED 칩간 피치가 증가되어 오히려 Resolution의 저하를 가져오는 문제점이 있다.
또한, LED 칩의 전극이 형성된 제1 영역으로부터 일정거리 이격된 제2 영역에 확장된 전극전극패드부가 형성됨으로써, 제1 영역에 위치한 LED 칩 전극과 제2 영역에 위치한 확장 형성된 전극패드부의 전기적인 연결을 위해 6개의 도선들이 각각 연결되어야 하는 구조이므로, 마이크로 단위의 LED 칩에 적합하지 않으며 하나의 LED 칩에 6개의 도선이 추가되므로 수십~수백만개의 마이크로 칩이 어레이되는 경우는 매우 많은 도선이 추가되므로 단선이나 불량의 문제들이 그대로 노출될 수 밖에 없는 구조라는 데 한계가 있다.
[선행기술문헌]
(특허문헌 1) 대한민국 등록특허 10-1993863
본 발명의 구성에 따라 해결하고자 하는 과제는, 디스플레이 혹은 장치를 구성할 때 기존의 칩 단위의 표면실장 공정에서, 패드 사이즈가 칩의 크기(패드크기 < 칩 크기/2)보다 작아 전기적 연결의 문제를 야기했다. 반면에 본 발명은 패드 확장이 가능한 픽셀 CSP 단위로 표면실장 공정을 진행함으로써, 패드 사이즈를 칩의 크기(패드크기 > 칩 크기)보다 크게 하여 전기적 연결의 문제를 해결하고자 한다. 즉, 수십 um영역의 마이크로 LED 전기적 연결 공정을 수백 um영역의 픽셀 CSP 전기적 연결 공정으로 스케일 업(Scale up)하고자 하는 데 있다.
또한, 디스플레이 장치에 표면실장 공정 시 전극간 Open 불량을 방지하고, Alignment 마진 확보를 높여 대면적의 디스플레이 장치를 신속하게 제조할 수 있는 픽셀 CSP 제조 방법 및 픽셀 CSP를 제공하는 데 있다.
또한, 디스플레이 패널 위에 패드 확장이 가능한 픽셀 CSP 단위로 표면실장 공정을 진행함으로써, 수십 um영역의 마이크로 LED 전기적 연결 공정을 수백 um영역의 픽셀 CSP 전기적 연결 공정으로 스케일 업(Scale up)하고자 하는 데 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
실시 형태에 따른 본 발명의 실시 형태에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조방법은, 소정 형상의 프레임에 행렬 형태로 배열된 다수의 개구가 형성되고, 상기 다수의 개구에 발광 소자를 포함하는 하나 이상의 픽셀 CSP를 형성하는, 픽셀 CSP 어레이 형성 단계; 및 상기 픽셀 CSP의 전극패드 측의 상기 프레임 면에 섀도우 마스크를 부착하여 상기 전극패드로부터 확장된 영역으로 금속을 증착하는, 확장 금속증착 단계;를 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 픽셀 CSP 어레이 형성 단계는, 상기 프레임 아래에 상기 다수의 개구 각각의 하부 개구를 막도록 기판을 배치하는, 기판 배치 단계; 상기 다수의 개구 내부의 상기 기판 상에 상기 다수의 발광 소자를 배치하는, 발광 소자 형성 단계; 상기 다수의 발광 소자를 인캡슐레이션하는 보호층을 상기 다수의 개구 내부에 충진 및 경화시키는, 보호층 형성 단계; 및 상기 기판을 제거하는, 기판 제거 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 섀도우 마스크를 제거하는, 섀도우 마스크 제거 단계; 및 상기 프레임을 제거하는, 프레임 제거 단계;를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 확장 금속증착 단계 전에 상기 섀도우 마스크가 배치되는 반대측의 상기 프레임 면에 보호필름을 부착하는, 보호필름 부착단계;를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 확장된 영역은, 하나의 상기 픽셀 CSP 내에서, 발광 소자 각각의 전극패드로부터 연장되고, 인접 확장된 영역과 교차되지 않는 영역인 것을 특징으로 하여 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 프레임의 다수의 개구 간 간격은, 전사될 대상 기판의 픽셀 CSP 어레이 간 간격과 동일한 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP는, 상술한 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법에 의해 제작될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP는, 하나의 상기 픽셀 CSP 내에서, 발광 소자 각각의 전극패드로부터 연장되고, 상기 발광 소자의 인접 발광 소자의 전극패드와 교차되지 않는 영역에 형성된 확장형 전극패드를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 픽셀 CSP는 소정 형상의 프레임의 개구에 형성되고, 상기 확장형 전극패드는 상기 프레임에 섀도우 마스크를 부착하여 상기 전극패드로부터 확장된 영역으로 금속을 증착하여 형성될 수 있다.
여기서, 상기 픽셀 CSP는 발광 소자를 인캡슐레이션하여 상기 개구 내부를 충진 및 경화시키는 보호층을 포함할 수 있다.
실시 형태에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 사용하면, 디스플레이 패널 위에 패드 확장이 가능한 픽셀 CSP 단위로 표면실장 공정을 진행함으로써, 수십 um영역의 마이크로 LED 전기적 연결 공정을 수백 um영역의 픽셀 CSP 전기적 연결 공정으로 스케일 업(Scale up)함으로써 전기적 open 등의 불량을 최소화 할 수 있다.
또한 디스플레이 장치에 표면실장 공정 시 픽셀 CSP 패드와 디스플레이 패널 패드 간의 Alignment 마진 확보를 높여 전기적 불량을 최소화하고, 대면적의 디스플레이 장치를 신속하게 제조할 수 있는 픽셀 CSP 제조 방법 및 픽셀 CSP를 제공하는 데 있다.
도 1의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 실시 형태에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조 방법에 사용되는 전사 프레임을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 7은 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 8 내지 도 11은 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이에서 각 픽셀 CSP에서의 전극패드를 확장시키는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 12는 확장 전극패드를 포함한 픽셀 CSP의 측면도와 평면도를 도시한 것이다.
실시 형태의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 "상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한, "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이 장치는 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이(Pixel CSP Array)를 형성하는 단계, 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이를 캐리어 기판으로 1차 전사하는 단계 및 캐리어 기판에 전사된 픽셀 CSP 어레이를 디스플레이 패널로 2차 전사하는 단계로 이루어질 수 있다.
여기서, 픽셀 CSP 어레이를 캐리어 기판으로 1차 전사하기 전에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는 단계에서, 픽셀 CSP의 전극패드를 확장하여 확장형 전극패드부를 형성한 CSP를 제조하여 디스플레이 패널로 전사하는 공정시 전극간 Open 불량을 방지하고, Alignment 마진 확보를 높여 대면적의 디스플레이 장치를 제조할 수 있는 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP를 제공한다.
도 1의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 실시 형태에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조 방법에 사용되는 전사 프레임을 설명하기 위한 도면으로서, 도 1의 (a)는 전사 프레임(200)의 사시도이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)에서 일부를 확대한 평면도이고, 도 1의 (c)는 도 1의 (b)의 단면도이다.
도 1의 (a) 내지 (c)를 참조하면, 전사 프레임(100)은 판 형상을 가지며, 상면과 하면 및 다수의 측면들을 포함한다.
전사 프레임(100)은 평평한 판 형상일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 소정의 곡률을 갖는 판 형상일 수도 있다.
전사 프레임(100)이 평평한 판 형상을 가질 경우, 전사 프레임(100)을 수평 프레임이라 명명될 수 있다.
전사 프레임(100)은 다수의 개구(110)를 갖는다.
각 개구(110)는 전사 프레임(100)의 상면과 하면을 관통하도록 형성되며, 다수의 개구(110)는 다수의 행과 열 방향으로 전사 프레임(100)에 어레이 형태로 배열될 수 있다.
다수의 개구(110) 사이의 간격(picth)은, 향후 디스플레이 장치 제조에 따라 디스플레이 패널 상에 형성된 픽셀 CSP 어레이의 간격과 동일할 수 있다.
전사 프레임(100)의 개구(110)의 크기는, 픽셀 CSP 크기와 대응될 수 있다.
예를 들어, 전사 프레임(100)의 개구(110)의 가로(W)*세로(h)*두께(t)는 30*30*10 (μm) ~ 1000*1000*500 (μm)일 수 있다.
전사 프레임(100)의 개구(110)의 상부 개구와 하부 개구의 형상은 사각형일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며 원, 타원, 다각형일 수 있다.
또한, 상부 개구와 하부 개구의 형상이 서로 다를 수도 있으며, 크기도 서로 다를 수 있다.
전사 프레임(100)의 개구(110)의 입체 구조는 육면체 형상의 빈 공간일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 개구(110)의 형상이 원통 형상의 빈 공간일 수도 있고, 타원통 형상의 빈 공간일 수도 있으며, 다각통 형상의 빈 공간일 수 있고, 다면체 형상의 빈 공간일 수도 있다.
전사 프레임(100)의 재질은 단단한 재질로서, 예를 들어, 금속(Metal), 세라믹(Ceramic), 레진(resin), 플라스틱(Plastic) 중 어느 하나 또는 이들의 조합일 수 있다.
전사 프레임(100)의 두께(t)는 10 (μm) ~ 500 (μm) 일 수 있다.
도 2 내지 도 7은 전사 프레임에 픽셀 CSP 어레이를 형성하는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 2는 도 1에 도시된 전사 프레임(100)의 다수의 개구(110) 중 어느 하나의 단면도를 개략적으로 그린 것이다.
도 2를 참조하면, 전사 프레임(100)의 상면과 하면 중 어느 일 면(도 2에서는 하면)에 기판(200)을 형성한다.
전사 프레임(100) 아래에 기판(200)이 형성됨에 따라, 개구(110)의 하부 개구가 기판(200)에 의해 막히게 된다.
개구(110)와 기판(200)에 의해 픽셀 CSP가 형성될 수 있는 공간이 마련될 수 있다.
다음으로, 도 3을 참조하면, 개구(110) 내부의 기판(200) 상에 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)를 배치한다.
여기서, 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B) 각각의 전극패드가 기판(200)의 상면에 접촉되도록 배치될 수 있다.
다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 제1 발광 소자(300R), 제2 발광 소자(300G) 및 제3 발광 소자(300B)를 포함할 수 있다.
제1 발광 소자(300R)은 적색 광을 방출하는 적색 발광 칩일 수 있고, 제2 발광 소자(300G)는 녹색 광을 방출하는 녹색 발광 칩일 수 있으며, 제3 발광 소자(300B)는 청색 광을 방출하는 청색 발광 칩일 수 있다.
각 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 와이어가 불필요한 플립 칩 구조를 가질 수 있으며, 각 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 각자가 특정 파장의 광을 방출할 수도 있고, 내부에 포함된 형광물질 또는 퀀텀닷에 의해 특정 파장의 광이 방출될 수도 있다.
또한, 각 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 CSP(Chip Scale Package)일 수 있다. CSP(Chip Scale Package)는 칩 크기에 가까운 소형 패키지를 총칭하는 것으로서, 칩 외형을 보호하는 리드프레임과 전기적 연결을 위한 와이어가 존재하지 않는 베어 칩에 가까운 크기의 패키지이다.
또한 칩의 면적이 패키지 면적의 80% 이상일 때 CSP라 한다. 각 발광 소자(300R, 300G, 300B)가 CSP일 경우, 특정 파장의 광을 방출하는 플립 칩과 플립 칩을 덮는 형광체로 구성될 수도 있다.
플립 칩에서 방출되는 광이 형광체를 여기시켜 특정 파장의 광이 방출될 수 있다.
개구(110) 내부에 배치된 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)는 하나의 픽셀 CSP(300)에 포함될 수 있다.
하나의 픽셀 CSP(300)는 디스플레이 패널에서 다양한 색상을 방출하는 하나의 픽셀로 기능할 수 있다.
다음으로, 도 4를 참조하면, 개구(110) 내부에 보호층(400)을 충진하고, 보호층(400)을 경화시킨다.
보호층(400)은 전기적으로 절연성을 갖는 물질일 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 에폭시, 레진, 폴리머 등의 투명한 물질일 수 있다.
하나의 픽셀 CSP(300)는 보호층(400)을 포함할 수 있다.
즉, 하나의 픽셀 CSP(300)는 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)와 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B)를 인캡슐레이션하는 보호층(400)을 포함할 수 있다.
경화된 보호층(400)의 형상 또는 하나의 픽셀 CSP(300)의 형상은 전사 프레임(100)의 개구(110)의 형상에 대응된다.
따라서, 보호층(400)의 형상 또는 하나의 픽셀 CSP(300)의 형상은 전사 프레임(100)의 개구(110)의 형상에 따라 달라질 수 있다.
보호층(400)의 형상 또는 하나의 픽셀 CSP(300)의 형상으로부터 전사 프레임(100)의 개구(110)의 형상을 이해할 수 있고, 이를 통해 본 발명의 실시 형태에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP의 제조 방법을 추정할 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 보호층(400)이 경화되면, 기판(200)을 전사 프레임(100)과 보호층(400)으로부터 분리한다.
기판(200)이 분리되면, 픽셀 CSP(300)의 다수의 전극패드(310R, 310G, 310B)가 외부로 노출될 수 있다.
다수의 전극패드(310R, 310G, 310B)는 하나의 픽셀 CSP(300)에 포함된 발광 소자의 개수에 따라 달라질 수 있는데, 예를 들어, 하나의 픽셀 CSP(300)에 포함된 발광 소자의 개수가 3개이면, 각 발광 소자 당 2개의 전극패드가 요구되므로, 총 6개의 전극패드가 형성될 수 있거나 (+)전극이 공통전극일 경우 총 4개의 전극패드가 형성될 수 있다.
전사 프레임(100)의 다수의 개구(110) 각각에 픽셀 CSP(300)를 형성하고, 다수의 개구(110) 별로 보호층(400)을 충진 및 경화시킨 후, 도 5에 도시된 바와 같이 기판(200)을 전사 프레임(100), 다수의 발광 소자(300R, 300G, 300B) 및 보호층(400)으로부터 제거하면, 도 6에 도시된 바와 같이 전사 프레임(100)의 다수의 개구(110)에 다수의 픽셀 CSP(300)을 포함하는 픽셀 CSP 어레이가 형성될 수 있다.
도 7은 도 6에 도시된 3개의 발광 소자를 인캡슐레이션하는 보호층(400P1, 400P2, 400P3)을 포함하는 3개의 픽셀 CSP(300P1, 300P2, 300P3)과 전사 프레임(100)의 일 부분에 대한 단면도이다.
도 7를 참조하면, 제1 픽셀 CSP(300P1)는 제1 보호층(400P1)에 의해 전사 프레임(100)의 제1 개구에 인캡슐레이션되어 있고, 제2 픽셀 CSP(300P2)는 제2 보호층(400P2)에 의해 전사 프레임(100)의 제2 개구에 인캡슐레이션되어 있으며, 제3 픽셀 CSP(300P3)는 제3 보호층(400P3)에 의해 전사 프레임(100)의 제3 개구에 인캡슐레이션된다.
인캡슐레이션은 각 픽셀 CSP의 전극패드를 노출시키고, LED 광원 모듈을 견고하게 지지하며 높은 영률(Young's Modulus)을 가질 수 있으며, LED 셀들로부터 열을 효과적으로 방출하기 위하여 높은 열 전도도를 갖는 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 인캡슐레이션은 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone) 수지일 수 있고, 빛을 반사시키기 위한 광반사성 입자를 포함할 수 있다.
도 8 내지 도 11은 전사 프레임에 형성된 픽셀 CSP 어레이에서 각 픽셀 CSP에서의 전극패드를 확장시키는 단계를 상세하게 설명하기 위한 도면들이다.
도 8를 참조하면, 하나의 픽셀 CSP(300)를 기준으로 도 5와 같이 전극패드(310R, 310G, 301B)가 노출된 상태에서, 전극패드(310R, 310G, 310B)가 형성된 반대측으로 보호필름(500)을 형성한다.
보호필름(500)은 도 6에 도시된 전사 프레임(100)의 전극패드(310R, 310G, 310B)의 반대측에 배치되고, 섀도우 마스크에 의한 금속 증착 공정 중에 픽셀 CSP를 보호하기 위해서 부착될 수 있다.
보호필름(500)은 수지제 필름으로 이루어지고, 특히 한정되지 않으며, 보호필름(500)의 점착력의 범위는 보호하여야 할 기재의 특성이나 기재의 두께에 따라 달라질 수 있으므로, 점착력의 범위가 다양한 범위이며, 가변적일 수 있다.
도 9를 참조하면, 도 8과 같이 보호필름(500)이 형성된 상태에서, 전극패드(310R, 310G, 310B)의 확장을 위한 금속 증착을 위해 노출된 전극패드(310R, 310G, 310B) 상에 섀도우 마스크(600, Shadow Mask)을 위치시킨다.
섀도우 마스크(600)는 확장된 전극패드를 형성하기 위해 금속증착이 필요한 부분(A)에는 노출된 패턴 형상을 갖을 수 있다.
도 10을 참조하면, 섀도우 마스크(600)를 얼라인시킨 상태에서 금속증착이 이루어진 상태를 나타낸다.
금속증착은 전자선 증착(Electron beam evaporation) 또는 스퍼터링 공정으로 증착할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
이때, 사용하는 금속(전극 금속)은 한층 이상의 박막 층으로 구성 될 수 있다. 한 층의 경우, 금(Au, Gold), 은(Ag, Silver), 구리(Cu, Copper), 크롬(Cr, Chromium), 니크롬(NiCr, Nickel Chromium) 또는 티타늄(Ti, Titanium), 파라듐(Pd, Palladium), 알루미늄(Al, Aluminum) 등 일 수 있다.
두 층의 경우, Cr/Au, Ti/Au, Ti/Al 등의 다양한 조합으로 구성해도 좋다. 세 층의 경우, Ti/Cr/Au, Ti/Al/Au 등의 다양한 조합으로 구성해도 좋다.
섀도우 마스크(600)의 개구된 부분을 통해 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)가 금속증착에 의해 전극패드(310R, 310G, 310B) 각각의 상면으로 형성될 수 있다.
이러한 상태에서, 도 11과 같이, 섀도우 마스크(600)를 제거하면 기존의 픽셀 CSP의 RGB에 각각 형성된 전극패드(310R, 310G, 310B)로부터 확장된 영역을 갖는 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)가 형성될 수 있다.
확장된 영역은 하나의 픽셀 CSP 내에서 확장될 수 있는 제한 영역을 의미하고, 발광 소자(300R, 300G, 300B) 각각의 전극패드(310R, 310G, 310B)로부터 연장되는 영역으로서, 인접된 확장된 영역과 서로 교차되지 않는 영역인 것을 의미한다.
도 11의 공정에서 보호필름(500)을 픽셀 CSP(300)으로부터 제거하면, 행렬로 배열된 다수의 픽셀 CSP(300) 특히 다수의 발광소자(300R, 300G, 300B)의 전극패드(310R, 310G, 310B)로부터 그 크기가 확대된 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)를 갖는 픽셀 CSP(300) 어레리 및 각각의 하나의 픽셀 CSP(300)를 얻을 수 있다.
확장 전극패드(320R, 320G, 320B)를 갖는 픽셀 CSP(300) 어레이 및 각각의 하나의 픽셀 CSP(300)은 디스플레이 패널에 전사되어 대형 표시장치를 구현할 수 있다.
도 12는 확장 전극패드를 포함한 픽셀 CSP의 측면도와 평면도를 도시한 것이다.
도 12의 (A)는 측단면도이고, (B)는 평면도를 예시로서 보인 도면이다.
도시된 바와 같이, 측면이나 평면 기준에서 발광 소자(300R, 300G, 300B)의 전극패드(310R, 310G, 310B)는 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)로 확장된 것을 확인할 수 있으며, 이는 전극 표면적이 그 만큼 확장된 것을 의미하고, 전극 표면적이 넓어진 만큼 전극간 연결 단면적이 넓어질 수 있다는 것을 의미한다.
전극패드(310R, 301G, 310B)와 확장 전극패드(320R, 320G, 320B)는 제1 전극을 의미하고, 전극패드(310R'. 301G'. 310B')와 확장 전극패드(320R'. 320G', 320B')는 제2 전극을 의미한다.
확장 전극패드(320R, 320G, 320B)는 하나의 픽셀 CSP(300) 영역 내에서 사용되지 않은 기존의 잉여 영역을 활용하여 발광 소자(300R, 300G, 300B)에 형성된 전극패드(310R, 310G, 310B)로부터 확대되어 그 단면적이 넓혀진 형태를 갖을 수 있다.
특히, 마이크로 단위의 LED 칩의 경우 그 픽셀단위가 30㎛ * 30㎛ 내지 100㎛ * 100㎛이므로 전극패드의 폭이나 길이 또한 매우 미세하고, 이들을 디스플레이 패널의 기판으로 표면실장 공정 시 전기적 open 등이 발생하여 불량률이 매우 높다.
반면에, 디스플레이 패널 위에 패드 확장이 가능한 픽셀 CSP 단위로 표면실장 공정을 진행함으로써, 수십 um영역의 마이크로 LED 전기적 연결 공정을 수백 um영역의 픽셀 CSP 전기적 연결 공정으로 스케일 업(Scale up)함으로써 전기적 open 등의 불량을 최소화 할 수 있다.
또한 디스플레이 장치에 표면실장 공정 시 픽셀 CSP 패드와 디스플레이 패널 패드 간의 Alignment 마진 확보를 높여 전기적 불량을 최소화하고, 대면적의 디스플레이 장치를 신속하게 제조하는 것이 가능하다.
이상에서 실시 형태들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 형태에 포함되며, 반드시 하나의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 형태에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 형태들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 형태들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 형태를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 형태의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 형태에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
[부호의 설명]
100: 전사 프레임
200: 기판
300: 픽셀 CSP
400: 보호층
500: 보호필름
600: 섀도우 마스크

Claims (10)

  1. 소정 형상의 프레임에 행렬 형태로 배열된 다수의 개구가 형성되고, 상기 다수의 개구에 발광 소자를 포함하는 하나 이상의 픽셀 CSP를 형성하는, 픽셀 CSP 어레이 형성 단계; 및
    상기 픽셀 CSP의 전극패드 측의 상기 프레임 면에 섀도우 마스크를 부착하여 상기 전극패드로부터 확장된 영역으로 금속을 증착하는, 확장 금속증착 단계;를 포함하는, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 픽셀 CSP 어레이 형성 단계는,
    상기 프레임 아래에 상기 다수의 개구 각각의 하부 개구를 막도록 기판을 배치하는, 기판 배치 단계;
    상기 다수의 개구 내부의 상기 기판 상에 상기 다수의 발광 소자를 배치하는, 발광 소자 형성 단계;
    상기 다수의 발광 소자를 인캡슐레이션하는 보호층을 상기 다수의 개구 내부에 충진 및 경화시키는, 보호층 형성 단계; 및
    상기 기판을 제거하는, 기판 제거 단계;를 포함하는, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 섀도우 마스크를 제거하는, 섀도우 마스크 제거 단계; 및
    상기 프레임을 제거하는, 프레임 제거 단계;를 더 포함하는, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 확장 금속증착 단계 전에 상기 섀도우 마스크가 배치되는 반대측의 상기 프레임 면에 보호필름을 부착하는, 보호필름 부착단계;를 더 포함하는, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 확장된 영역은, 하나의 상기 픽셀 CSP 내에서, 발광 소자 각각의 전극패드로부터 연장되고, 인접 확장된 영역과 교차되지 않는 영역인, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 프레임의 다수의 개구 간 간격은, 전사될 대상 기판의 픽셀 CSP 어레이 간 간격과 동일한, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP 제조방법에 의해 제조된, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP.
  8. 하나의 픽셀 CSP 내에서, 발광 소자 각각의 전극패드로부터 연장되고, 상기 발광 소자의 인접 발광 소자의 전극패드와 교차되지 않는 영역에 형성된 확장형 전극패드를 포함하는, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 픽셀 CSP는 소정 형상의 프레임의 개구에 형성되고,
    상기 확장형 전극패드는 상기 프레임에 섀도우 마스크를 부착하여 상기 전극패드로부터 확장된 영역으로 금속을 증착하여 형성되는, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 픽셀 CSP는 발광 소자를 인캡슐레이션하여 상기 개구 내부를 충진 및 경화시키는 보호층을 포함하는, 확장형 전극패드를 갖는 픽셀 CSP.
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