WO2020189803A1 - Damping device and epitaxial reactor including same - Google Patents

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Abstract

An embodiment provides a damping device comprising: a body including a coupling groove; and a damper member disposed in the coupling groove, wherein the damper member reduces the impact occurring when a wafer is brought into contact with a lift pin.

Description

완충장치 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기Buffer and epitaxial reactor comprising the same
실시예는 완충장치 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기에 관한 것이다.The embodiment relates to a shock absorber and an epitaxial reactor comprising the same.
경면 가공된 반도체 웨이퍼에 단결정의 얇은 에피텍셜 막을 성장시킨 것을 에피텍셜 웨이퍼라고 한다. 단결정의 에피텍셜 막을 성장시키는 장치로서 에피텍셜 반응기가 알려져 있다.A single crystal thin epitaxial film grown on a mirror-finished semiconductor wafer is called an epitaxial wafer. An epitaxial reactor is known as an apparatus for growing a single crystal epitaxial film.
웨이퍼에 에피텍셜 막을 성장시키는 공정은 다음과 같다. 웨이퍼를 반송용 블레이드 위에 놓은 뒤, 고온으로 가열된 반응기 내에 상기 웨이퍼가 놓인 블레이드를 반입하여 리프트 핀 위에 놓고 블레이드는 반응기 밖으로 반출된다. 이후에 상기 리프트 핀이 하강하여, 서셉터가 상승하는 과정에서 웨이퍼는 서셉터 위에 배치된다. 이후에 고온의 분위기에서 서셉터 위에 놓인 웨이퍼에 소스 가스를 공급하여 웨이퍼에 상의 에피텍셜 막이 성장된다.The process of growing an epitaxial film on a wafer is as follows. After the wafer is placed on the conveying blade, the blade on which the wafer is placed is carried in a reactor heated to a high temperature, placed on a lift pin, and the blade is taken out of the reactor. Thereafter, the lift pin is lowered and the wafer is placed on the susceptor while the susceptor is raised. Thereafter, a source gas is supplied to the wafer placed on the susceptor in a high-temperature atmosphere to grow an epitaxial film on the wafer.
이러한, 에피텍셜 공정에서 웨이퍼의 로딩 및 언로딩 시, 상기 리프트 핀은 상기 웨이퍼를 백사이드를 지지하게 되는데, 일반적인 방법으로는 서로 이격되는 세 개의 리프트 핀이 서셉터를 통과하여 자유로이 상하로 움직이면서 웨이퍼를 지지한다. 이때, 상기 리프트 핀의 하단부가 리프트 핀 샤프트에 의해서 밀려서 움직일 수 있다.During the loading and unloading of the wafer in the epitaxial process, the lift pin supports the backside of the wafer. In a general method, three lift pins spaced apart from each other pass through the susceptor to freely move the wafer up and down. Support. At this time, the lower end of the lift pin may be pushed and moved by the lift pin shaft.
여기서, 리프트 핀과 웨이퍼 백사이드와의 물리적 접촉에 의하여 웨이퍼에 핀 마크가 발생하게 된다. 이러한 핀 마크는 웨이퍼의 품질 열위의 원인이 되는 문제점이 있다. 따라서, 웨이퍼에 발생하는 핀 마크를 억제시킬 필요가 생겼다.Here, pin marks are generated on the wafer due to physical contact between the lift pin and the wafer back side. These pin marks have a problem that causes poor quality of the wafer. Accordingly, it is necessary to suppress pin marks generated on the wafer.
실시예는 웨이퍼에 에피텍셜 막을 성장시키는 공정에서, 리프트 핀과 웨이퍼가 접촉할 때, 접촉 순간의 속도를 감소시켜서 웨이퍼의 백사이드에 핀 마크를 방지하는 완충장치를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a shock absorber for preventing pin marks on the back side of the wafer by reducing the speed of the instant of contact when the lift pin and the wafer are in contact in the process of growing an epitaxial film on the wafer.
실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the embodiment is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the technical field to which the embodiment belongs from the following description.
본 발명의 일 실시예에 따른 완충장치는 결합홈을 포함하는 몸체; 및 상기 결합홈 내에 배치되는 완충부재를 포함하고, 상기 완충부재는 웨이퍼와 상기 리프트 핀이 접촉할 때, 충격을 완화할 수 있다.A shock absorber according to an embodiment of the present invention includes a body including a coupling groove; And a buffer member disposed in the coupling groove, wherein the buffer member may alleviate an impact when the wafer and the lift pin contact each other.
실시예에 따라, 상기 결합홈 내에 배치되어, 상기 리프트 핀과 직접 접촉하는 지지부를 더 포함할 수 있다.Depending on the embodiment, it is disposed in the coupling groove, it may further include a support portion in direct contact with the lift pin.
실시예에 따라, 상기 완충부재는 완충의 정도가 다른 물질이 다단으로 이루어질 수 있다.Depending on the embodiment, the buffer member may be formed of multiple layers of materials having different degrees of buffering.
실시예에 따라, 상기 완충부재는 실리콘 재질을 포함하는 제1 완충재를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the buffer member may include a first buffer material including a silicone material.
실시예에 따라, 상기 지지부의 상면에 배치되고, 소정의 두께를 가지는 제2 완충재를 더 포함 할 수 있다.According to an embodiment, a second cushioning material disposed on the upper surface of the support and having a predetermined thickness may be further included.
실시예에 따라, 상기 제2 완충재는 상기 리프트 핀의 경도보다 낮은 경도의 소재를 포함 할 수 있다.According to an embodiment, the second cushioning material may include a material having a hardness lower than that of the lift pin.
실시예에 따라, 상기 완충부재는 코일 형태의 완충 스프링인 제3 완충재를 포함 할 수 있다.According to an embodiment, the buffer member may include a third buffer material that is a coil-type buffer spring.
실시예에 따라, 상기 완충부재는 꺽인 지지대 형태의 완충 스프링인 제4 완충재를 포함 할 수 있다.According to an embodiment, the buffer member may include a fourth buffer material that is a buffer spring in the form of a bent support.
실시예에 따라, 웨이퍼와 리프트 핀이 접촉할 때 충격을 완화하는 결합홈을 포함할 수 있다.Depending on the embodiment, it may include a coupling groove for mitigating the impact when the wafer and the lift pin contact.
실시예에 따라, 소정의 공간을 가지는 몸체; 상기 몸체의 상면에 배치되는 결합홀; 상기 몸체의 측면에 배치되는 관통홀; 및 상기 공간에 배치되는 완충기체를 포함하고, 상기 완충기체는 상기 결합홀을 통해 결합된 리프트 핀의 하부에 배치되어, 웨이퍼와 상기 리프트 핀이 접촉할 때, 충격을 완화 할 수 있다.According to an embodiment, a body having a predetermined space; A coupling hole disposed on the upper surface of the body; A through hole disposed on the side of the body; And a buffer gas disposed in the space, wherein the buffer gas is disposed under the lift pin coupled through the coupling hole, so that when the wafer and the lift pin contact each other, an impact may be reduced.
본 발명의 일 실시예에 따른 에피텍셜 반응기는 웨이퍼를 배치하는 서셉터; 상기 서셉터를 통과하여 상하로 움직이고, 상기 웨이퍼를 지지하는 리프트 핀; 상기 리프트 핀을 승강시키는 리프트 핀 샤프트; 및 상기 리프트 핀 샤프트와 상기 리프트 핀 사이에 배치되는 완충장치를 포함하고, 상기 완충장치는 상기 리프트 핀과 상기 웨이퍼가 접촉할 때, 접촉 순간의 속도를 감소시킬 수 있다.An epitaxial reactor according to an embodiment of the present invention includes a susceptor for disposing a wafer; A lift pin that passes through the susceptor and moves up and down to support the wafer; A lift pin shaft for raising and lowering the lift pin; And a shock absorber disposed between the lift pin shaft and the lift pin, wherein the shock absorber may reduce a speed at an instant of contact when the lift pin and the wafer contact each other.
실시예에 따라, 상기 완충장치의 몸체는 내구성, 내열성 및 내부식성을 갖는 물질을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the body of the shock absorber may include a material having durability, heat resistance, and corrosion resistance.
상기 본 발명의 양태들은 본 발명의 바람직한 실시예들 중 일부에 불과하며, 본원 발명의 기술적 특징들이 반영된 다양한 실시예들이 당해 기술분야의 통상적인 지식을 가진 자에 의해 이하 상술할 본 발명의 상세한 설명을 기반으로 도출되고 이해될 수 있다.The aspects of the present invention are only some of the preferred embodiments of the present invention, and various embodiments reflecting the technical features of the present invention are detailed description of the present invention to be described below by a person of ordinary skill in the art. Can be derived and understood based on
실시예에 따른 완충장치 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기는 완충장치에 의한 구조적인 완충 작용을 통해 웨이퍼의 핀 마크를 개선하는 효과가 있다.The buffer device and the epitaxial reactor including the same according to the embodiment have an effect of improving the pin mark of the wafer through a structural buffering action by the buffer device.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtainable in the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the following description. will be.
이하에 첨부되는 도면들은 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 것으로, 상세한 설명과 함께 본 발명에 대한 실시예들을 제공한다. 다만, 본 발명의 기술적 특징이 특정 도면에 한정되는 것은 아니며, 각 도면에서 개시하는 특징들은 서로 조합되어 새로운 실시예로 구성될 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings are provided to aid understanding of the present invention and provide embodiments of the present invention together with a detailed description. However, the technical features of the present invention are not limited to a specific drawing, and features disclosed in each drawing may be combined with each other to constitute a new embodiment.
도 1은 본 발명에 따른 에피텍셜 반응기의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an epitaxial reactor according to the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다.2 is a view showing a shock absorber according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다. 3 is a view showing a shock absorber according to a second embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다.4 is a view showing a shock absorber according to a third embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다. 5 is a view showing a shock absorber according to a fourth embodiment of the present invention.
도 6 내지 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다.6 to 7 are views showing a shock absorber according to a fifth embodiment of the present invention.
일 실시예에 따른 완충장치는 결합홈을 포함하는 몸체; 및 상기 결합홈 내에 배치되는 완충부재를 포함하고, 상기 완충부재는 웨이퍼와 상기 리프트 핀이 접촉할 때, 충격을 완화할 수 있다.A shock absorber according to an embodiment includes a body including a coupling groove; And a buffer member disposed in the coupling groove, wherein the buffer member may alleviate an impact when the wafer and the lift pin contact each other.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to explain the present invention by way of example, and to aid understanding of the invention.
그러나, 본 발명에 일 실시예에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.However, the embodiments according to the embodiment of the present invention may be modified in various different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.In addition, relational terms such as "first" and "second," "upper" and "lower" used below do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. Thus, it may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명에 따른 에피텍셜 반응기의 개략도이다.1 is a schematic diagram of an epitaxial reactor according to the present invention.
도 1을 참조하면, 에피텍셜 반응기는 웨이퍼(60)를 반응기 내로 인입출 시키는 블레이드(50)와, 상기 블레이드(50)의 인출시에 웨이퍼(60)를 하측에서 지지하기 위하여 서로 이격되는 위치에 복수 개 배치되는 리프트 핀(10), 상기 리프트 핀(10)을 밀어 올리는 역할을 수행하는 리프트 핀 샤프트(20), 반응기의 동작 시에 웨이퍼(60)가 배치되는 서셉터(30), 상기 서셉터(30)를 승하강시키며 하측에서 지지하는 서셉터 샤프트(40)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the epitaxial reactor is located at a position spaced apart from each other in order to support the wafer 60 from the lower side when the blade 50 is withdrawn from the blade 50 and the blade 50 is withdrawn. A plurality of lift pins 10 are disposed, a lift pin shaft 20 that pushes up the lift pins 10, a susceptor 30 on which a wafer 60 is disposed during operation of the reactor, and the stand It may include a susceptor shaft 40 that lifts and lowers the septer 30 and supports it from the lower side.
에피텍셜 반응기는 이하와 같은 방식으로 동작한다. 반송용의 블레이드(50)가 웨이퍼(60)를 반응기 내에 반입하면, 리프트 핀(10)이 올라와서 웨이퍼(60)를 위에 받혀서 지지하고 블레이드(50)는 빠져 나간다. 이후에 리프트 핀(10)이 내려오고, 서셉터 샤프트(40)에 의해서 지지되는 서셉터(30)가 올라와서 웨이퍼(60)는 서셉터(30) 위에 놓이게 된다. 이후에는 단결정 막을 성장시키는 일련이 과정이 진행된다.The epitaxial reactor operates in the following manner. When the conveying blade 50 carries the wafer 60 into the reactor, the lift pin 10 is raised to support and support the wafer 60, and the blade 50 exits. Thereafter, the lift pin 10 comes down, and the susceptor 30 supported by the susceptor shaft 40 comes up, so that the wafer 60 is placed on the susceptor 30. After that, a series of processes of growing a single crystal film proceeds.
상기 리프트 핀(10)은 리프트 핀 샤프트(2)에 의해서 상하로 움직인다. 상기 리프트 핀 샤프트(20)은 상기 리프트 핀(10)과는 별도의 물품으로서, 서로 별도의 물품으로 배치되어 있다. 상기 리프트 핀(10)이 상방으로 이동해야 할 때에는 리프트 핀 샤프트(20)이 위로 올라와 상기 리프트 핀(10)을 밀어 올리고, 리프트 핀(10)이 내려가야 할 때에는, 리프트 핀 샤프트(20)이 하측으로 이동하여 리프트 핀(10)이 하측으로 내려올 수 있도록 한다. 리프트 핀 샤프트(20)이 아래로 계속 이동하면 리프트 핀(10)은 서셉터(30)에 걸려있고, 리프트 핀 샤프트(20)만 하측으로 더 이동할 수 있다.The lift pin 10 moves up and down by the lift pin shaft 2. The lift pin shaft 20 is a separate article from the lift pin 10 and is disposed as separate articles from each other. When the lift pin 10 needs to move upward, the lift pin shaft 20 rises and pushes up the lift pin 10, and when the lift pin 10 needs to go down, the lift pin shaft 20 It moves to the lower side so that the lift pin 10 can come down to the lower side. When the lift pin shaft 20 continues to move downward, the lift pin 10 is hung on the susceptor 30, and only the lift pin shaft 20 can move further downward.
한편, 에피텍셜 반응기는 상기 리프트 핀(10)과 상기 웨이퍼(60)가 접촉하는 영역에, 접촉 순간의 속도를 감소시키는 완충장치(미도시)를 가질 수 있다. 완충장치(미도시)는 웨이퍼(60)와 리프트 핀(10)이 접촉할 때 발생하는 충격을 완화하여 리프트 핀(10)이 웨이퍼(60)의 백사이드에 접촉되는 순간 속도를 제어할 수 있다.Meanwhile, the epitaxial reactor may have a shock absorber (not shown) that decreases the speed at the moment of contact in a region where the lift pin 10 and the wafer 60 contact each other. The shock absorber (not shown) can control the instantaneous speed at which the lift pin 10 comes into contact with the back side of the wafer 60 by reducing an impact generated when the wafer 60 and the lift pin 10 contact each other.
도 2 내지 도 7는 도 1의 A부분을 확대하여 에피텍셜 반응기에 구비되는 완충장치의 일실시예들을 나타낸 도면들이다.2 to 7 are diagrams showing one embodiment of a shock absorber provided in the epitaxial reactor by expanding part A of FIG. 1.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다.2 is a view showing a shock absorber according to the first embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 완충장치(200)는 몸체(210), 지지부(220) 및 완충부재를 포함할 수 있다. 이때, 완충 부재는 완충의 정도가 다른 물질이 다단으로 구성될 수 있다. 몸체(210)의 하부에는 리프트 핀 샤프트(20)가 구비되고, 상기 리프트 핀 샤프트(20)는 몸체(210)를 지지한다. Referring to FIG. 2, the shock absorber 200 may include a body 210, a support 220, and a shock absorbing member. In this case, the buffer member may be composed of multiple layers of materials having different degrees of buffering. A lift pin shaft 20 is provided below the body 210, and the lift pin shaft 20 supports the body 210.
몸체(210)의 상부 영역에는 개구부를 가지는 결합홈(211)이 형성될 수 있다. 웨이퍼(60)와 리프트 핀(10)이 근접할 때, 리프트 핀(10)의 하부의 일부 영역이 몸체(210)에 형성된 결합홈(211) 안에 삽입될 수 있다. A coupling groove 211 having an opening may be formed in the upper region of the body 210. When the wafer 60 and the lift pin 10 are close to each other, a portion of the lower portion of the lift pin 10 may be inserted into the coupling groove 211 formed in the body 210.
실시예에 따라, 결합홈(211)은 웨이퍼(60)와 리프트 핀(10)이 근접할 때 완충 역할을 수행할 수 있다.Depending on the embodiment, the coupling groove 211 may play a buffering role when the wafer 60 and the lift pin 10 are close.
다른 실시에에 따라, 웨이퍼(60)와 리프트 핀(10)이 근접할 때, 리프트 핀(10)이 결합홈(211) 내에 배치되는 완충부재와 직접으로 접촉하거나 겹합홈(211) 내에 배치된 지지부와 접촉할 수 있다.According to another embodiment, when the wafer 60 and the lift pin 10 are in close proximity, the lift pin 10 is in direct contact with the buffer member disposed in the coupling groove 211 or disposed in the overlapping groove 211 It can come into contact with the support.
몸체(210)는 내구성, 내열성 및 내부식성을 갖는 소재로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, 몸체(210)는 쿼츠 계열의 재질, 스테인리스 스틸 재질의 소재 등을 포함할 수 있다. The body 210 may be made of a material having durability, heat resistance and corrosion resistance. For example, the body 210 may include a quartz-based material, a stainless steel material, or the like.
실시예에 따라, 완충장치는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에는 지지부(220) 및 제1 완충재(230)가 배치될 수 있다.Depending on the embodiment, the shock absorber may have a support 220 and a first shock absorber 230 disposed in the coupling groove 211 of the body 210.
지지부(220)는 상면은 평평한 평면이고, 리프트 핀(10)의 하부와 직접 접촉할 수 있다. The support part 220 has a flat top surface and may directly contact the lower portion of the lift pin 10.
상기 지지부(220)의 상면의 폭(d1)은 리프트 핀(10)의 직경(d2)보다 크며, 리프트 핀(10)이 지지부(220)에 수직방향으로 직립하여 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 지지부(220)의 상면은 상기 몸체(210)의 상면과 동일한 높이가 되도록 소정의 두께를 가질 수 있다.The width d1 of the upper surface of the support part 220 is larger than the diameter d2 of the lift pin 10, and the lift pin 10 may be disposed to be vertically positioned to the support part 220. The upper surface of the support part 220 may have a predetermined thickness so as to be the same height as the upper surface of the body 210.
제1 실시예에 따른 완충부재는 제1 완충재(230)를 포함할 수 있다. 제1 완충재(230)는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에 배치될 수 있다. 제1 완충재(230)의 하면은 상기 몸체(210)의 결합홈(211)의 바닥면과 접촉하고, 제1 완충재(230)의 측벽은 상기 몸체(210)의 결합홈(211)의 내측벽에 각각 접촉하고, 제1 완충재(230)의 상면은 상기 지지부(220)의 하면과 접촉할 수 있다. The buffer member according to the first embodiment may include a first buffer material 230. The first cushioning material 230 may be disposed in the coupling groove 211 of the body 210. The lower surface of the first buffer material 230 is in contact with the bottom surface of the coupling groove 211 of the body 210, and the side wall of the first buffer material 230 is an inner wall of the coupling groove 211 of the body 210 Respectively, and the upper surface of the first buffer material 230 may contact the lower surface of the support part 220.
제1 완충재(230)는 웨이퍼(미도시)와 리프트 핀(10)이 접촉 시 발생하는 충격을 완화하는 소재를 포함할 수 있다.The first buffer material 230 may include a material that mitigates an impact generated when the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact each other.
제1 완충재(230)는 실리콘 재질을 포함하는 소재로 이루어 질 수 있다. The first buffer material 230 may be made of a material including a silicon material.
제1 완충재(230)를 이루는 소재의 구조는 탄성을 갖는 다면체, 기공형(phorous) 및 구형(sphere arrange) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The structure of the material constituting the first cushioning material 230 may include any one of a polyhedron having elasticity, a phorous shape, and a sphere arrange.
만약, 웨이퍼(미도시)와 리프트 핀(10)이 접촉하였을 때, 리프트 핀(10)과 지지부(220)의 접촉으로 인하여 충격이 발생되고, 충격은 리프트 핀(10)을 통해 지지부(220)로 전달되고, 지지부(220)는 하부 방향으로 전달된다. 이후, 제1 완충재(230)에 의하여 충격이 완화되고, 제1 완충재(230)의 복원력에 의하여 지지부(220)는 최초의 위치로 되돌아올 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 리프트 핀(10)이 접촉되는 순간 속도를 제어할 수 있다.If, when the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact, an impact is generated due to the contact between the lift pin 10 and the support unit 220, and the impact is caused by the support unit 220 through the lift pin 10 Is transferred, and the support 220 is transferred downward. Thereafter, the impact is alleviated by the first buffer material 230, and the support part 220 may return to the initial position by the restoring force of the first buffer material 230. For this reason, the instantaneous speed at which the back side of the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact can be controlled.
이하에서는 제1 완충재(230)를 포함하는 완충장치(200)의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the shock absorber 200 including the first shock absorber 230 will be described.
리프트 핀 샤프트(20)가 상부방향으로 이동하여, 리프트 핀(10)이 상부방향으로 들어올려지게 되고, 리프트 핀(10)이 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 접촉하게 된다. The lift pin shaft 20 moves upward so that the lift pin 10 is lifted upward, and the lift pin 10 comes into contact with the back side of the wafer (not shown).
리프트 핀(10)이 완충장치(200)와 접촉할 때, 리프트 핀(10)의 하단이 먼저 완충장치의 지지부(220)의 상면에 접촉하게 되고, 리프트 핀(10)에 의하여 지지부(220)가 눌려지게 된다. 이후, 지지부(220)의 하부에 배치된 제1 완충재(230)에 의하여 지지부(220)와 리프트 핀(10)의 접촉에 의한 충격이 완화될 수 있다.When the lift pin 10 comes into contact with the shock absorber 200, the lower end of the lift pin 10 first comes into contact with the upper surface of the support part 220 of the shock absorber, and the support part 220 by the lift pin 10 Is pressed. Thereafter, the impact caused by the contact between the support part 220 and the lift pin 10 may be alleviated by the first cushioning material 230 disposed under the support part 220.
따라서, 리프트 핀(10)과 웨이퍼(미도시)의 백사이드가 접촉될 때, 순간의 속도가 감속될 수 있다. 즉, 리프트 핀 샤프트(20)의 상승에 따른 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 리프트 핀(10)이 접촉되는 순간 속도를 제어하여, 웨이퍼(미도시)의 백사이드에 발생하는 핀 마크를 방지할 수 있다.Accordingly, when the lift pin 10 and the back side of the wafer (not shown) contact each other, the instantaneous speed may be reduced. That is, by controlling the instantaneous speed of contact between the back side of the wafer (not shown) and the lift pin 10 due to the rise of the lift pin shaft 20, pin marks occurring on the back side of the wafer (not shown) can be prevented. have.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다. 3 is a view showing a shock absorber according to a second embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 완충장치(200)는 몸체(210), 지지부(220) 및 완충부재를 포함할 수 있다. 이때, 완충부재는 제1 완충재(230) 및 제2 완충재(240)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the shock absorber 200 may include a body 210, a support 220, and a shock absorber. In this case, the buffer member may include a first buffer material 230 and a second buffer material 240.
몸체(210)의 하부에는 리프트 핀 샤프트(20)가 구비되고, 상기 리프트 핀 샤프트(20)는 몸체(210)를 지지한다. 몸체(210)의 상부 영역에는 개구부를 가지는 결합홈(211)이 형성될 수 있다. 웨이퍼(미도시)와 리프트 핀(10)이 근접할 때, 리프트 핀(10)의 하부의 일부 영역이 몸체(210)에 형성된 결합홈(211) 안에 삽입될 수 있다.A lift pin shaft 20 is provided below the body 210, and the lift pin shaft 20 supports the body 210. A coupling groove 211 having an opening may be formed in the upper region of the body 210. When the wafer (not shown) and the lift pin 10 are in close proximity, a portion of the lower portion of the lift pin 10 may be inserted into the coupling groove 211 formed in the body 210.
몸체(210)는 내구성, 내열성 및 내부식성을 갖는 소재로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, 몸체(210)는 쿼츠 재질, 스테인리스 스틸 재질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 완충장치의 몸체(210)는 공정에 따른 고온에서도 안정적인 내구성, 내열성 및 내부식성을 갖는 소재로 이루어 질 수 있다. 이로 인해, 완충장치는 공정 진행 중 오염을 유발하지 않아 제품 품질에 영향을 줄일 수 있다. 완충장치는 공정 진행 중 동일한 성능을 유지할 수 있는 내구성을 갖는 소재로 이루어 질 수 있다.The body 210 may be made of a material having durability, heat resistance and corrosion resistance. For example, the body 210 may include at least one of a quartz material and a stainless steel material. The body 210 of the shock absorber may be made of a material having stable durability, heat resistance, and corrosion resistance even at high temperatures according to the process. For this reason, the shock absorber does not cause contamination during the process, thereby reducing the impact on product quality. The shock absorber may be made of a durable material capable of maintaining the same performance during the process.
실시예에 따라, 완충장치는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에는 지지부(220), 제1 완충재(230) 및 제2 완충재(240)가 배치될 수 있다. Depending on the embodiment, the shock absorber may have a support 220, a first shock absorber 230 and a second shock absorber 240 disposed in the coupling groove 211 of the body 210.
지지부(220)는 상면은 평평한 평면이고, 상기 지지부(220)의 상면은 제2 완충재(240)의 하면과 접촉할 수 있다. The upper surface of the support part 220 is a flat plane, and the upper surface of the support part 220 may contact the lower surface of the second buffer material 240.
상기 지지부(220) 상면의 폭(d1)은 리프트 핀(10)의 직경(d2)보다 크며, 리프트 핀(10)이 지지부(220)에 수직방향으로 직립하여 위치하도록 배치될 수 있다.The width d1 of the upper surface of the support part 220 is larger than the diameter d2 of the lift pin 10, and the lift pin 10 may be disposed to be vertically positioned on the support part 220.
제1 완충재(230)는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에 배치될 수 있다.The first cushioning material 230 may be disposed in the coupling groove 211 of the body 210.
제1 완충재(230)의하면은 상기 몸체(210)의 결합홈(211)의 바닥면과 접촉하고, 제1 완충재(230)의 측벽은 상기 몸체(210)의 결합홈(211)의 내측벽에 각각 접촉하고, 제1 완충재(230)의 상면은 상기 지지부(220) 의 하면과 접촉할 수 있다.The bottom surface of the first buffer material 230 is in contact with the bottom surface of the coupling groove 211 of the body 210, and the sidewall of the first buffer material 230 is on the inner wall of the coupling groove 211 of the body 210. Each contact, and the upper surface of the first buffer material 230 may contact the lower surface of the support portion 220.
제1 완충재(230)는 웨이퍼(미도시)와 리프트 핀(10)이 접촉 시 발생하는 충격을 완화하는 소재를 포함할 수 있다.The first buffer material 230 may include a material that mitigates an impact generated when the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact each other.
제1 완충재(230)는 실리콘 재질을 포함하는 소재로 이루어 질 수 있다. The first buffer material 230 may be made of a material including a silicon material.
제1 완충재(230)를 이루는 소재의 구조는 탄성을 갖는 다면체, 기공형(phorous) 및 구형(sphere arrange) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The structure of the material constituting the first cushioning material 230 may include any one of a polyhedron having elasticity, a phorous shape, and a sphere arrange.
제1 완충재(230)는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에 배치될 수 있다. 제2 완충재(240)의 하면은 상기 지지부(220)의 상면과 접촉하고, 제2 완충재(240)의 측벽은 상기 몸체(210)의 결합홈(211)의 내측벽에 각각 접촉하고, 제2 완충재(240)의 상면의 일부 영역은 상기 리프트 핀(10) 하부 영역과 접촉할 수 있다.The first cushioning material 230 may be disposed in the coupling groove 211 of the body 210. The lower surface of the second buffer material 240 is in contact with the upper surface of the support part 220, the side wall of the second buffer material 240 is in contact with the inner wall of the coupling groove 211 of the body 210, respectively, and the second A partial region of the upper surface of the cushioning material 240 may contact the lower region of the lift pin 10.
이때, 제2 완충재(240)는 지지부(220) 의 평평한 상면에 균일한 두께로 도포되어, 평평한 상면을 이룰 수 있다.In this case, the second cushioning material 240 may be applied to the flat upper surface of the support part 220 with a uniform thickness, thereby forming a flat upper surface.
제2 완충재(240)는 리프트 핀(10)과 직접 접촉되는 연성의 소재를 포함할 수 있다.The second buffer material 240 may include a soft material that is in direct contact with the lift pin 10.
제2 완충재(240)는 리프트 핀(10)보다 낮은 경도의 소재로 이루어지며, 리프트 핀(10)이 안정적으로 지지부(220) 에 대하여 직립될 수 있다.The second cushioning material 240 is made of a material having a lower hardness than the lift pin 10, and the lift pin 10 may stably stand upright with respect to the support part 220.
또한, 제2 완충재(240)는 리프트 핀(10)과의 접촉에 따른 충격과 미끄러짐을 방지할 수 있는 소재를 포함할 수 있다. 이로 인해, 제2 완충재(240)는 리프트 핀(10)와 접촉할 때 손상을 주지 않으면서 이물질을 남기지 않는 소재를 포함할 수 있다.In addition, the second buffer material 240 may include a material capable of preventing impact and slipping due to contact with the lift pin 10. For this reason, the second cushioning material 240 may include a material that does not damage the lift pin 10 and does not leave a foreign substance when in contact with the lift pin 10.
제2 완충재(240)는 실리콘 재질을 포함하는 소재로 이루어 질 수 있다. The second buffer material 240 may be made of a material including a silicon material.
제2 완충재(240)를 이루는 소재의 구조는 탄성을 갖는 다면체, 기공형(phorous) 및 구형(sphere arrange) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The structure of the material constituting the second cushioning material 240 may include any one of a polyhedron having elasticity, a phorous shape, and a sphere arrange.
만약, 웨이퍼(미도시)와 리프트 핀(10)이 접촉하였을 때, 리프트 핀(10)과 제2 완충재(240)의 접촉으로 인하여 발생된 충격은 리프트 핀(10)을 통해 지지부(220)로 전달되고, 지지부(220)는 하부 방향으로 전달된다. 이후, 제1 완충재(230)에 의하여 충격이 완화되고, 제1 완충재(230)의 복원력에 의하여 지지부(220)는 최초의 위치로 되돌아올 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 리프트 핀(10)이 접촉되는 순간 속도를 제어할 수 있다.If, when the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact, the impact generated by the contact between the lift pin 10 and the second buffer material 240 is transmitted to the support 220 through the lift pin 10 It is transmitted, and the support part 220 is transmitted downward. Thereafter, the impact is alleviated by the first buffer material 230, and the support part 220 may return to the initial position by the restoring force of the first buffer material 230. For this reason, the instantaneous speed at which the back side of the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact can be controlled.
이하에서는 제1 완충재(230) 및 제2 완충재(240)를 포함하는 완충장치(200)의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the shock absorber 200 including the first shock absorber 230 and the second shock absorber 240 will be described.
리프트 핀 샤프트(20)가 상부방향으로 이동하여, 리프트 핀(10)이 상부방향으로 들어올려지게 되고, 리프트 핀(10)이 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 접촉하게 된다. The lift pin shaft 20 moves upward so that the lift pin 10 is lifted upward, and the lift pin 10 comes into contact with the back side of the wafer (not shown).
리프트 핀(10)이 완충장치(200)와 접촉할 때, 리프트 핀(10)의 하단이 먼저 완충장치의 제2 완충재(240)의 상면에 접촉하게 되고, 제2 완충재(240)와 지지부(220)가 리프트 핀(10)에 의하여 눌려지게 된다. 이때, 제2 완충재(240)에 의하여 지지부(220)와 리프트 핀(10)의 접촉에 의한 충격이 완화될 수 있다.When the lift pin 10 contacts the shock absorber 200, the lower end of the lift pin 10 first comes into contact with the upper surface of the second shock absorbing material 240 of the shock absorber, and the second shock absorbing material 240 and the support part ( 220) is pressed by the lift pin (10). In this case, the impact caused by contact between the support part 220 and the lift pin 10 may be alleviated by the second buffer material 240.
이후, 지지부(220)의 하부에 배치된 제1 완충재(230)에 의하여 지지부(220)와 리프트 핀(10)의 접촉에 의한 충격이 완화될 수 있다.Thereafter, the impact caused by the contact between the support part 220 and the lift pin 10 may be alleviated by the first cushioning material 230 disposed under the support part 220.
따라서, 리프트 핀(10)과 웨이퍼(미도시)의 백사이드가 접촉될 때, 순간의 속도가 감속될 수 있다. 즉, 리프트 핀 샤프트(20)의 상승에 따른 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 리프트 핀(10)이 접촉되는 순간 속도를 제어하여, 웨이퍼(미도시)의 백사이드에 발생하는 핀 마크를 방지할 수 있다.Accordingly, when the lift pin 10 and the back side of the wafer (not shown) contact each other, the instantaneous speed may be reduced. That is, by controlling the instantaneous speed of contact between the back side of the wafer (not shown) and the lift pin 10 due to the rise of the lift pin shaft 20, pin marks occurring on the back side of the wafer (not shown) can be prevented. have.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다. 상술한 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.4 is a view showing a shock absorber according to a third embodiment of the present invention. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences.
도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 완충장치는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에 배치되는 제3 완충재(250)를 포함할 수 있다. 제3 완충재(250)은 코일 스프링 형태를 가지는 탄성 물체일 수 있다.Referring to FIG. 4, the shock absorber according to the third embodiment may include a third shock absorbing material 250 disposed in the coupling groove 211 of the body 210. The third cushioning material 250 may be an elastic object having a coil spring shape.
실시예에 따라, 완충장치는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에 배치되며, 상기 제3 완충재(250)의 상부에 배치되는 지지부(220)를 더 포함할 수 있다.Depending on the embodiment, the shock absorber is disposed in the coupling groove 211 of the body 210, and may further include a support 220 disposed on the upper portion of the third shock absorber 250.
지지부(220)는 상면은 평평한 평면이고, 리프트 핀(10)의 하부와 직접 접촉할 수 있다. The support part 220 has a flat top surface and may directly contact the lower portion of the lift pin 10.
상기 지지부(220) 상면의 폭(d1)는 리프트 핀(10)의 몸체의 직경(d2)보다 크며, 리프트 핀(10)이 지지부(220)에 수직방향으로 직립하여 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 지지부(220)의 상면은 상기 몸체(210)의 상면과 동일한 높이가 되도록 소정의 두께를 가질 수 있다. 따라서, 제3 완충재(250)의 상부는 탄성을 가질 수 있다. 제3 완충재(250)의 상부의 탄성에 의한 복원력은 결합홈(211)의 바닥면을 향할 수 있다. 제3 완충재(250)는 지지부(220)의 상기 몸체의 상면과 동일한 평면상에 배치되도록 소정의 폭을 가질 수 있다.The width d1 of the upper surface of the support part 220 is larger than the diameter d2 of the body of the lift pin 10, and the lift pin 10 may be disposed to be vertically positioned to the support part 220. The upper surface of the support part 220 may have a predetermined thickness so as to be the same height as the upper surface of the body 210. Accordingly, the upper portion of the third buffer material 250 may have elasticity. The restoring force due to the elasticity of the upper portion of the third cushioning material 250 may be directed toward the bottom surface of the coupling groove 211. The third buffer material 250 may have a predetermined width so as to be disposed on the same plane as the upper surface of the body of the support part 220.
만약, 웨이퍼(미도시)와 리프트 핀(10)이 접촉하였을 때, 리프트 핀(10)과 지지부(220)의 접촉으로 인하여 충격이 발생되고, 충격은 리프트 핀(10)을 통해 지지부(220)로 전달되고, 지지부(220)는 하부 방향으로 전달된다. 이후, 제3 완충재(250)에 의하여 충격이 완화되고, 제3 완충재(250)의 복원력에 의하여 지지부(220)는 최초의 위치로 되돌아올 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 리프트 핀(10)이 접촉되는 순간 속도를 제어할 수 있다.If, when the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact, an impact is generated due to the contact between the lift pin 10 and the support unit 220, and the impact is caused by the support unit 220 through the lift pin 10 Is transferred, and the support 220 is transferred downward. Thereafter, the impact is alleviated by the third buffer material 250, and the support part 220 may return to the initial position by the restoring force of the third buffer material 250. For this reason, the instantaneous speed at which the back side of the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact can be controlled.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다. 상술한 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.5 is a view showing a shock absorber according to a fourth embodiment of the present invention. Contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the following will focus on differences.
도 5를 참조하면, 제4 실시예에 따른 완충장치는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에 배치되는 제4 완충재(260)를 포함할 수 있다. 제4 완충재(260)는 꺽인 지지대 형태를 가지는 탄성 물체일 수 있다. 예를 들어, 제4 완충재(260)은 판 스프링 형태일 수 있다.Referring to FIG. 5, the shock absorber according to the fourth embodiment may include a fourth shock absorber 260 disposed in the coupling groove 211 of the body 210. The fourth buffer material 260 may be an elastic object having a curved support shape. For example, the fourth buffer material 260 may be in the form of a leaf spring.
실시예에 따라, 완충장치는 몸체(210)의 결합홈(211) 내에 배치되며, 상기 제4 완충재(260)의 상부에 배치되는 지지부(220)를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the shock absorber is disposed in the coupling groove 211 of the body 210 and may further include a support 220 disposed above the fourth shock absorber 260.
제4 완충재(260)의 가장자리 영역은 결합홈(211)의 바닥면에 배치되어, 제4 완충재(260)를 고정하고, 제4 완충재(260)의 중앙 영역은 그루브(groove)를 이루며, 그루브는 지지부(220)의 하면과 접촉할 수 있다. The edge region of the fourth buffer material 260 is disposed on the bottom surface of the coupling groove 211 to fix the fourth buffer material 260, and the central region of the fourth buffer material 260 forms a groove, and the groove May contact the lower surface of the support 220.
제4 완충재(260)의 중앙 영역의 폭은 지지부(220)의 상기 몸체(210)의 상면과 동일한 평면상에 배치되도록 소정의 각도를 가질 수 있다.The width of the central region of the fourth cushioning material 260 may have a predetermined angle so as to be disposed on the same plane as the upper surface of the body 210 of the support part 220.
따라서, 리프트 핀(10)과 지지부(210)가 접촉하였을 때, 제4 완충재(260) 의 중앙 영역이 변형되고, 제4 완충재(260)의 복원력에 의하여 제4 완충재(260)의 중앙 영역은 최초의 위치로 되돌아올 수 있다. 즉, 제4 완충재(260)은 일정한 응력 및 변형을 견디는 소재로 이루어 질 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 리프트 핀(10)이 접촉되는 순간 속도를 제어할 수 있다.Accordingly, when the lift pin 10 and the support part 210 contact each other, the central region of the fourth buffer material 260 is deformed, and the central region of the fourth buffer material 260 is formed by the restoring force of the fourth buffer material 260. You can return to the original position. That is, the fourth buffer material 260 may be made of a material that withstands constant stress and deformation. For this reason, the instantaneous speed at which the back side of the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact can be controlled.
도 6 내지 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 완충장치를 도시한 도면이다.6 to 7 are views showing a shock absorber according to a fifth embodiment of the present invention.
도 6 내지 7을 참조하면, 완충장치(200)는 몸체(210)의 하부에 리프트 핀 샤프트(20)가 구비되고, 상기 리프트 핀 샤프트(20)는 몸체(210)를 지지한다.6 to 7, the shock absorber 200 includes a lift pin shaft 20 under the body 210, and the lift pin shaft 20 supports the body 210.
몸체(210)는 내부에 소정의 공간을 가지는 실린더일 수 있다. 이때, 상기 몸체(210)의 내부공간은 완충 역할을 수행하는 완충기체로 채워질 수 있다. 이때, 상기 몸체(210)의 내부공간은 일정한 압력을 유지할 수 있다. 예를 들어, 상기 완충기체는 수소 가스(H2)를 포함할 수 있다.The body 210 may be a cylinder having a predetermined space therein. In this case, the inner space of the body 210 may be filled with a buffer gas that serves as a buffer. At this time, the internal space of the body 210 may maintain a constant pressure. For example, the buffer gas may include hydrogen gas (H2).
몸체(210)의 상면은 결합홀(221)이 구비되고, 상기 결합홀(221)을 통해 리프트 핀(10)의 일부가 몸체(210)와 결합될 수 있다. The upper surface of the body 210 is provided with a coupling hole 221, and a part of the lift pin 10 may be coupled to the body 210 through the coupling hole 221.
이때, 상기 리프트 핀(10)의 하부 영역의 폭은 상기 결합홀(221)의 폭보다 크게 되어, 상기 리프트 핀(10)의 일부 영역과 상기 몸체(210)의 상면은 접할 수 있다. 따라서, 몸체 내부에 리프트 핀(110)이 상하로 이동 시, 리프트 핀(10)이 결합홀(221)로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다.In this case, the width of the lower area of the lift pin 10 is larger than the width of the coupling hole 221, so that a partial area of the lift pin 10 and the upper surface of the body 210 may contact each other. Accordingly, when the lift pin 110 moves up and down inside the body, it is possible to prevent the lift pin 10 from being separated from the coupling hole 221.
몸체(210)의 측면에는 완충기체가 유입 또는 배출되는 관통홀(222,223)이 배치될 수 있다. 이때, 상기 관통홀(222,223)은 몸체의 측벽의 하부 영역에 배치될 수 있다.Through holes 222 and 223 through which a buffer gas is introduced or discharged may be disposed on the side of the body 210. In this case, the through holes 222 and 223 may be disposed in a lower area of the sidewall of the body.
도 6 내지 도 7에는 2개의 관통홀(222,223)이 개시되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 몸체(210)의 측면에 복수의 관통홀이 배치될 수 있다.Although two through holes 222 and 223 are disclosed in FIGS. 6 to 7, it is not necessarily limited thereto, and a plurality of through holes may be disposed on a side surface of the body 210.
도 6은 참조하면, 웨이퍼(미도시)와 리프트 핀(10)이 접촉하였을 때, 웨이퍼(미도시)의 하중이 리프트 핀(10)으로 전달되어, 리프트 핀(10)은 이 상기 몸체(210) 내에서 아래로 이동할 수 있다. 따라서, 리프트 핀(10) 하부에 머물러있는 완충기체를 몸체(210) 아래로 밀어내게 된다. Referring to FIG. 6, when the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact, the load of the wafer (not shown) is transferred to the lift pin 10, and the lift pin 10 is the body 210 ) Can be moved down within. Accordingly, the buffer gas staying under the lift pin 10 is pushed under the body 210.
이때, 몸체(210)의 내부공간에 배치된 완충기체는 외부의 대기와 동일한 대기압상태로 있기 때문에 내부의 공기가 압축이 일어나며, 이후 완충기체는 몸체(210)의 측벽에 배치된 관통홀(222,223)을 경유하여 외부로 배출될 수 있다.At this time, since the shock absorber gas disposed in the inner space of the body 210 is in the same atmospheric pressure as the external atmosphere, the internal air is compressed, and then the shock absorber gas is through holes 222 and 223 disposed on the side walls of the body 210 It can be discharged to the outside via ).
따라서, 상기 웨이퍼(미도시)와 리프트 핀(10)의 접촉 시 발생하는 충격을 완충할 수 있다.Accordingly, an impact generated when the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact can be buffered.
한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 완충기체에 의하여 충격이 완화된 이후, 관통홀(222,223)을 통해 몸체(210)의 내부공간으로 완충기체가 유입될 수 있다. 이러한 복원력에 의하여 리프트 핀(10)은 최초의 위치로 되돌아올 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 리프트 핀(10)이 접촉되는 순간 속도를 제어할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 7, after the shock is alleviated by the shock absorber gas, the shock absorber gas may flow into the inner space of the body 210 through the through holes 222 and 223. By this restoring force, the lift pin 10 may return to its original position. For this reason, the instantaneous speed at which the back side of the wafer (not shown) and the lift pin 10 contact can be controlled.
이하에서는 완충장치(200)의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the shock absorber 200 will be described.
리프트 핀 샤프트(20)가 상부방향으로 이동하여, 리프트 핀(10)이 상부방향으로 들어올려지게 되고, 리프트 핀(10)이 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 접촉하게 된다. The lift pin shaft 20 moves upward so that the lift pin 10 is lifted upward, and the lift pin 10 comes into contact with the back side of the wafer (not shown).
웨이퍼(미도시)의 하중에 의하여 리프트 핀(10)의 하부로 이동하게 되고 리프트 핀(10)에 의하여 몸체(210)의 내부에 완충기체가 눌려지게 된다. 이후, 몸체의 내부에 배치된 완충기체에 의하여 충격이 완화될 수 있다.The load of the wafer (not shown) moves to the lower portion of the lift pin 10 and the buffer gas is pressed inside the body 210 by the lift pin 10. Thereafter, the shock may be alleviated by the buffer gas disposed inside the body.
따라서, 리프트 핀(10)과 웨이퍼(미도시)의 백사이드가 접촉될 때, 순간의 속도가 감속될 수 있다. 즉, 리프트 핀 샤프트(20)의 상승에 따른 웨이퍼(미도시)의 백사이드와 리프트 핀(10)이 접촉되는 순간 속도를 제어하여, 웨이퍼(미도시)의 백사이드에 발생하는 핀 마크를 방지할 수 있다.Accordingly, when the lift pin 10 and the back side of the wafer (not shown) contact each other, the instantaneous speed may be reduced. That is, by controlling the instantaneous speed of contact between the back side of the wafer (not shown) and the lift pin 10 due to the rise of the lift pin shaft 20, pin marks occurring on the back side of the wafer (not shown) can be prevented. have.
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, although the embodiments have been described by limited embodiments and drawings, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and variations from these descriptions for those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs. This is possible.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention is limited to the described embodiments and should not be defined, but should be defined by the claims to be described later as well as equivalents to the claims.
실시예의 완충장치 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기는 실리콘 단결정의 제조 공정 등에 사용될 수 있다.The buffer of the embodiment and the epitaxial reactor including the same may be used in a process of manufacturing a single crystal of silicon.

Claims (13)

  1. 결합홈을 포함하는 몸체; 및A body including a coupling groove; And
    상기 결합홈 내에 배치되는 완충부재를 포함하고,It includes a buffer member disposed in the coupling groove,
    상기 완충부재는 웨이퍼와 상기 리프트 핀이 접촉할 때, 충격을 완화하는 완충장치.The shock absorbing member is a shock absorbing device for mitigating an impact when the wafer and the lift pin contact.
  2. 제1 항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 결합홈 내에 배치되어, 상기 리프트 핀과 직접 접촉하는 지지부를 더 포함하는 완충장치.The shock absorber further comprises a support portion disposed in the coupling groove and in direct contact with the lift pin.
  3. 제 1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 완충부재는 The buffer member
    완충의 정도가 다른 물질이 다단으로 이루어진 완충장치.A shock absorber made of multiple layers of materials with different degrees of buffering.
  4. 제 1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 완충부재는 The buffer member
    실리콘 재질을 포함하는 제1 완충재를 포함하는 완충장치.A shock absorber comprising a first shock absorbing material comprising a silicone material.
  5. 제 4항에 있어서,The method of claim 4,
    상기 완충부재는The buffer member
    상기 지지부의 상면에 배치되고, It is disposed on the upper surface of the support,
    소정의 두께를 가지는 제2 완충재를 더 포함하는 완충장치.A shock absorber further comprising a second shock absorbing material having a predetermined thickness.
  6. 제 5항에 있어서,The method of claim 5,
    상기 제2 완충재는 The second cushioning material is
    상기 리프트 핀의 경도보다 낮은 경도의 소재를 포함하는 완충장치.A shock absorber comprising a material having a hardness lower than that of the lift pin.
  7. 제 1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 완충부재는 The buffer member
    코일 형태의 완충 스프링인 제3 완충재를 포함하는 완충장치.A shock absorber comprising a third shock absorbing material which is a coil-shaped shock absorbing spring.
  8. 제 1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 완충부재는 The buffer member
    꺽인 지지대 형태의 완충 스프링인 제4 완충재를 포함하는 완충장치.A shock absorber comprising a fourth shock absorber which is a buffer spring in the form of a bent support.
  9. 웨이퍼와 리프트 핀이 접촉할 때 충격을 완화하는 결합홈을 포함하는 완충장치.A shock absorber comprising a coupling groove for mitigating an impact when the wafer and the lift pin contact.
  10. 소정의 공간을 가지는 몸체;A body having a predetermined space;
    상기 몸체의 상면에 배치되는 결합홀;A coupling hole disposed on the upper surface of the body;
    상기 몸체의 측면에 배치되는 관통홀; 및A through hole disposed on the side of the body; And
    상기 공간에 배치되는 완충기체를 포함하고,It includes a buffer gas disposed in the space,
    상기 완충기체는The buffer gas is
    상기 결합홀을 통해 결합된 리프트 핀의 하부에 배치되어,It is disposed under the lift pin coupled through the coupling hole,
    웨이퍼와 상기 리프트 핀이 접촉할 때, 충격을 완화하는 완충장치.A shock absorber for mitigating an impact when the wafer and the lift pin contact.
  11. 웨이퍼를 배치하는 서셉터;A susceptor for placing the wafer;
    상기 서셉터를 통과하여 상하로 움직이고, 상기 웨이퍼를 지지하는 리프트 핀;A lift pin that passes through the susceptor and moves up and down to support the wafer;
    상기 리프트 핀을 승강시키는 리프트 핀 샤프트; 및A lift pin shaft for raising and lowering the lift pin; And
    상기 리프트 핀 샤프트와 상기 리프트 핀 사이에 배치되는 완충장치를 포함하고,A shock absorber disposed between the lift pin shaft and the lift pin,
    상기 완충장치는 상기 리프트 핀과 상기 웨이퍼가 접촉할 때, 접촉 순간의 속도를 감소시키는 에피텍셜 반응기.The shock absorber is an epitaxial reactor for reducing the speed of the instant of contact when the lift pin and the wafer are in contact.
  12. 제 11항에 있어서,The method of claim 11,
    상기 완충장치는 제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항의 완충장치인 에피텍셜 반응기.The epitaxial reactor is the buffer according to any one of claims 1 to 10.
  13. 제 12항에 있어서,The method of claim 12,
    상기 완충장치의 몸체는The body of the shock absorber
    내구성, 내열성 및 내부식성을 갖는 물질을 포함하는 에피텍셜 반응기.An epitaxial reactor comprising a material having durability, heat resistance and corrosion resistance.
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