WO2020110944A1 - 発光素子、表示装置及び電子機器 - Google Patents

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千種 山根
小堀　勇
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    • H10K2102/3026—Top emission

Definitions

  • organic electroluminescence display device As one type of organic electroluminescence display device (organic EL display device), a display device is known in which a transparent anode electrode is laminated on a reflection plate (light reflection layer) having a high light reflectance (for example, According to Japanese Patent Laid-Open No. 2016-143585), a resonance effect can be obtained by forming a reflector having a high light reflectance under the anode electrode.
  • the reflector (light reflecting layer) 51 is not provided below the peripheral edge of the anode electrode 31, the light emitted in the organic layer 33 escapes to the interlayer film 29a below the peripheral edge of the anode electrode 31. Therefore, the luminous efficiency may decrease, and the amount of light reflected by the reflection plate (light reflection layer) 51 is small.
  • the reference numerals in FIG. 35 will be described in the first embodiment.
  • the first electrode can be made of a transparent conductive material.
  • the transparent conductive material include “a transparent conductive material forming the first electrode” and the like described later.
  • the material forming the underlayer is made of a transparent conductive material, and the light reflecting layer is formed below the underlayer. be able to.
  • the transparent conductive material include “a transparent conductive material forming the first electrode” and the like described later.
  • the material forming the underlayer is made of a transparent insulating material, and the light reflecting layer is formed below the underlayer. be able to.
  • Specific examples of the transparent insulating material include SiO 2 , SiN, and SiON.
  • the display panel includes at least a first light emitting element (e.g., red light emitting element) that emits a first color (e.g., red) and a second light emitting element (e.g., green light) that emits a second color (e.g., green).
  • a first light emitting element e.g., red light emitting element
  • a second light emitting element e.g., green light
  • a plurality of light emitting element units each including two light emitting elements (for example, a green light emitting element) and a third light emitting element (for example, a blue light emitting element) that emits a third color (for example, blue) are provided. It can be in the form of.
  • a red light emitting element is configured by combining such an organic layer (light emitting portion) that emits white light and a red color filter layer (or a planarizing layer that functions as a red color filter layer), and an organic light emitting diode that emits white light is formed.
  • a green light emitting element is configured by combining a layer (light emitting portion) and a green color filter layer (or a flattening layer that functions as a green color filter layer), and an organic layer (light emitting portion) that emits white light and a blue color filter layer. (Or a flattening layer that functions as a blue color filter layer) to form a blue light emitting element. The flattening layer will be described later.
  • the organic layer may have a form composed of one light emitting layer.
  • the light emitting element is, for example, a red light emitting element having an organic layer containing a red light emitting layer, a green light emitting element having an organic layer containing a green light emitting layer, or a blue light emitting element having an organic layer containing a blue light emitting layer.
  • a red light emitting element having an organic layer containing a red light emitting layer a green light emitting element having an organic layer containing a green light emitting layer
  • a blue light emitting element having an organic layer containing a blue light emitting layer.
  • one pixel is composed of these three types of light emitting elements (sub-pixels).
  • the first substrate or the second substrate is a silicon semiconductor substrate, a high strain point glass substrate, a soda glass (Na 2 O/CaO/SiO 2 ) substrate, a borosilicate glass (Na 2 O/B 2 O 3 /SiO 2 ) substrate.
  • PMMA polymethylmethacrylate
  • PVA polyvinyl alcohol
  • PVP polyvinylphenol
  • PES polyethersulfone
  • PET polyethylene terephthalate
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the first electrode is made of a transparent oxide semiconductor material having a specific resistance value of 1 ⁇ 10 7 ⁇ cm or more
  • examples of the oxide semiconductor material forming the first electrode include ZnO, In 2 O 3 and It may be in a form containing at least one kind of material selected from the group consisting of SnO 2, but specifically, various oxides in the above-mentioned “transparent conductive material or the like constituting the first electrode”. Mention may be made of semiconductor materials. When various oxide semiconductor materials among the above-mentioned “transparent conductive material forming the first electrode” are used as the oxide semiconductor material, the forming condition (film forming condition) of the first electrode may be changed.
  • the thickness of the second electrode include 4 nm to 50 nm, preferably 4 nm to 20 nm, and more preferably 6 nm to 12 nm.
  • at least one material selected from the group consisting of Ag-Nd-Cu, Ag-Cu, Au and Al-Cu can be mentioned.
  • the second electrode is laminated from the organic layer side with the above-mentioned material layer and a so-called transparent electrode (for example, a thickness of 3 ⁇ 10 ⁇ 8 m to 1 ⁇ 10 ⁇ 6 m) made of, for example, ITO or IZO. It can also be a structure.
  • the flattening layer may have a function as a color filter layer.
  • a flattening layer may be made of a known color resist material.
  • a transparent filter may be provided for a light emitting element that emits white light.
  • the organic layer and the flattening layer are close to each other, so that color mixing is prevented even if the light emitted from the light emitting element is widened in angle. This can be effectively achieved and the viewing angle characteristics are improved.
  • the color filter layer may be provided independently of the flattening layer, above or above the flattening layer, and below or below the flattening layer.
  • the organic EL display device preferably has a resonator structure in order to further improve the light extraction efficiency.
  • the interface between the first electrode and the underlayer or the lower layer/interlayer insulating layer is provided under the underlayer and the light reflection layer is provided under the lower layer/interlayer insulating layer. Is a first interface formed by the interface between the light reflecting layer and the lower/interlayer insulating layer) and an interface between the second electrode and the organic layer (or the upper/interlayer above the second electrode).
  • the value of m 1 is larger than or equal to zero
  • the value of m 2 is independently a value of m 1, is a value of 0 or more
  • (m 1, m 2) (0,0 )
  • (m 1 , m 2 ) (0,1)
  • (m 1 , m 2 ) (1,0)
  • the average refractive index n ave is the refractive index of each layer constituting the organic layer (or the upper/interlayer insulating layer, the second electrode, the organic layer, the first electrode, the base layer, and the lower/interlayer insulating layer).
  • the thickness are summed and divided by the thickness of the organic layer (or the upper/interlayer insulating layer, the second electrode, the organic layer, the first electrode, the base layer and the lower/interlayer insulating layer, etc.). ..
  • a desired wavelength ⁇ (specifically, for example, a red wavelength, a green wavelength, a blue wavelength) of the light generated in the light emitting layer is determined, and the formula (1-1) and the formula (1-2) are determined. Based on the above, various parameters such as OL 1 and OL 2 in the light emitting element may be obtained to design the light emitting element.
  • the light absorption layer black matrix layer
  • the light absorption layer may be formed between the wavelength selection portions of the adjacent light emitting elements, which reliably suppresses the occurrence of color mixture between the adjacent light emitting elements. be able to.
  • a light absorbing layer may be formed between the outer edge portions of the adjacent lens members, or in some cases between the adjacent light emitting elements, which also allows the adjacent light emitting elements to be formed adjacent to each other. It is possible to reliably suppress the occurrence of color mixing between the light emitting elements.
  • the light absorption layer is made of, for example, a black resin film (specifically, for example, a black polyimide resin) having an optical density of 1 or more mixed with a black colorant, or a thin film. It is composed of a thin film filter utilizing the interference of.
  • Example 1 relates to the light emitting element according to the first aspect of the present disclosure and the display device of the present disclosure.
  • FIG. 1 shows a schematic partial cross-sectional view of a part of a light-emitting element forming the display device of Example 1, and a schematic partial cross-sectional view of the display device of Example 1 and a light-emitting element forming the display device.
  • the display device of Example 1 is specifically composed of an organic EL display device, and the light emitting element of Example 1 is specifically composed of an organic EL element.
  • the display device of Example 1 is a top emission type (top emission type) display device (top emission type display device) that emits light from the second substrate.
  • the light emitting element 10 of Example 1 or Examples 2 to 7 described later is The first electrode 31, the organic layer 33, and the second electrode 32 have a light emitting unit (laminated structure) 30 laminated in this order,
  • the first electrode 31 is composed of a first portion 31A, a second portion 31B and a third portion 31C,
  • the first portion 31A is located in the center of the first electrode 31,
  • the second portion 31B surrounds the first portion 31A
  • the third portion 31C surrounds the second portion 31B,
  • An underlying layer 51 is formed below the first portion 31A, the second portion 31B, and the third portion 31C of the first electrode 31,
  • the organic layer 33 is in contact with the first portion 31A of the first electrode 31 and at least in contact with the second portion 31B of the first electrode 31.
  • the organic layer 33 is in contact with the second portion 31B of the first electrode 31. That is, regarding the second portion 31B and the third portion 31C of the first electrode 31, the portion in contact with the organic layer 33 is the second portion 31B of the first electrode 31, and the portion not in contact with the organic layer 33 is the first portion. It is the third portion 31C of the one electrode 31.
  • the display device of Example 1 or Examples 2 to 8 described later is formed on the first substrate 41, the second substrate 42, and between the first substrate 41 and the second substrate 42.
  • a plurality of light emitting elements of Examples 1 to 7 are provided.
  • An insulating layer 28 is formed between the organic layer 33 and the third portion 31C of the first electrode 31.
  • the insulating layer 28 forms a so-called bank. That is, the insulating layer 28 corresponds to an inter-pixel separation layer.
  • An insulating material layer 29 is formed on the base 26 on which the first electrode 31 and the base layer 51 are not formed.
  • the color filter layer CF (CF R , CF G , CF B ) and the flattening layer 36 formed on the lens member 60 are bonded to the second substrate 42 via the sealing resin layer 37.
  • a thermosetting adhesive such as an acrylic adhesive, an epoxy adhesive, a urethane adhesive, a silicone adhesive, or a cyanoacrylate adhesive, or an ultraviolet curable adhesive is used.
  • the color filter layer CF is an OCCF (on-chip color filter layer) formed on the first substrate side. Then, by this, the distance between the organic layer 33 and the color filter layer CF can be shortened, and the light emitted from the organic layer 33 enters the adjacent color filter layers CF of other colors to cause color mixing.
  • the organic layer 33 has a laminated structure of a red light emitting layer, a green light emitting layer and a blue light emitting layer.
  • One pixel is composed of three light emitting elements, a red light emitting element 10R, a green light emitting element 10G, and a blue light emitting element 10B.
  • the organic layer 33 that constitutes the light emitting element 10 emits white light
  • each of the light emitting elements 10R, 10G, and 10B is a combination of the organic layer 33 that emits white light and the color filter layers CF R , CF G , and CF B. It is configured.
  • a light emitting element driving section is provided below the base body 26 made of SiO 2 formed by the CVD method.
  • the light emitting element drive unit can have a known circuit configuration.
  • the light emitting element drive unit is composed of a transistor (specifically, MOSFET) formed on a silicon semiconductor substrate corresponding to the first substrate 41.
  • the transistor 20 including a MOSFET includes a gate insulating layer 22 formed on the first substrate 41, a gate electrode 21 formed on the gate insulating layer 22, a source/drain region 24 formed on the first substrate 41, It comprises a channel forming region 23 formed between the source/drain regions 24, and an element isolation region 25 surrounding the channel forming region 23 and the source/drain regions 24.
  • the transistor 20 and the first electrode 31 (specifically, the extending portion 51D of the base layer 51) are electrically connected to each other via a contact plug 27 provided on the base 26.
  • one transistor 20 is shown for one light emitting element driving unit.
  • the first electrode 31 is made of a transparent conductive material (specifically, ITO or the like such as the above-mentioned “transparent conductive material forming the first electrode”).
  • the “transparent conductive material or the like forming the first electrode” is generally excellent in hole injection characteristics.
  • the second electrode 32 is formed of the above-mentioned semi-light transmissive material, or a laminated structure of the above-mentioned semi-light transmissive material and the above-mentioned “transparent conductive material forming the first electrode”.
  • the surface roughness value of the first portion 31A of the first electrode 31 becomes larger than the surface roughness values of the second portion 31B and the third portion 31C of the first electrode 31. Therefore, the value of the surface area per unit area of the top surface (interface with the organic layer 33) of the second portion 31B of the first electrode 31 is equal to the surface area per unit area of the top surface of the first portion 31A of the first electrode 31. Is smaller than the value of, the leak current in the second portion 31B of the first electrode 31 is reduced. As a result, abnormal light emission due to the leak current in the second portion 31B of the first electrode 31 can be suppressed, so that an organic EL display device having excellent light emission characteristics such as light emission efficiency can be realized. In particular, even if the pixel size is miniaturized for higher definition, it is possible to suppress the influence of the leakage current in the second portion 31B of the first electrode 31 on the light emitting region, and thus the light emitting characteristics are further improved. Can be planned.
  • R 1 to R 6 are each independently hydrogen, halogen, a hydroxy group, an amino group, an allure amino group, a substituted or unsubstituted carbonyl group having 20 or less carbon atoms, and a substituted or non-substituted group having 20 or less carbon atoms.
  • the light emitting layer is a light emitting layer that emits white light by color mixing, and for example, as described above, is formed by stacking a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer.
  • red light emitting layer when an electric field is applied, a part of the holes injected from the first electrode 31 and a part of the electrons injected from the second electrode 32 are recombined to generate red light. To do.
  • a red light emitting layer contains, for example, at least one material selected from a red light emitting material, a hole transporting material, an electron transporting material and both charge transporting materials.
  • the red light emitting material may be a fluorescent material or a phosphorescent material.
  • the interface between the underlying layer 51 and the first electrode 31 constitutes the first interface
  • the interface between the semi-transmissive material layer 35 and the upper/interlayer insulating layer 39A constitutes the second interface
  • the first interface and the first interface constitutes the first interface.
  • a resonator structure is formed between the two interfaces.
  • the thickness of the organic layer 33 is 8 ⁇ 10. It is preferably ⁇ 8 m or more and 5 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less, more preferably 1.5 ⁇ 10 ⁇ 7 m or more and 3.5 ⁇ 10 ⁇ 7 m or less.
  • the base film 39C is disposed below the light reflection layer 38, and the base film 39C has different thicknesses in the light emitting units 30 1 , 30 2 , and 30 3 . That is, in the illustrated example, the base film 39C is thicker in the order of the light emitting section 30 1 , the light emitting section 30 2 , and the light emitting section 30 3 .
  • the second electrode 32 may be covered as shown in a schematic partial cross-sectional view of a part of a modified example of the light emitting element that constitutes the display device of the fifth embodiment.
  • An upper layer/interlayer insulating layer 39A and a protective layer 34 are formed on the upper surface and the semi-transmissive material layer 35 is formed between the upper layer/interlayer insulating layer 39A and the protective layer 34.
  • the first electrode 31′ is common with the first electrode 31′ that constitutes the adjacent light emitting element. That is, the first electrode 31' is a solid electrode.
  • the first electrode 31' is composed of a first portion 31A', a second portion 31B' and a third portion 31C', and the first portion 31A' is located in the center of the first electrode 31' and The portion 31B' surrounds the first portion 31A', the third portion 31C' surrounds the second portion 31B', and the first portion 31A', the second portion 31B', and the third portion 31C' of the first electrode 31'.
  • a base layer 51 is formed below.
  • first electrode 31′ there is a common first electrode 31′ portion between the adjacent light emitting elements, but this portion is referred to as “extending portion 31D′ of the first electrode 31′” for convenience.
  • the extending portion 31D′ of the first electrode 31′ is formed on the insulating layer 28.
  • the first electrode 31′ is made of transparent oxide having a specific resistance value of 1 ⁇ 10 7 ⁇ cm or more. Composed of semiconductor materials.
  • the first electrode 31′ includes, for example, at least one material selected from the group consisting of ZnO, In 2 O 3 and SnO 2 .
  • the first electrode 31' also serves as a hole injection layer.
  • the high resistance oxide semiconductor material (for example, IZO) forming the first electrode 31 ′ has excellent hole injection characteristics. Therefore, the hole injection layer in the organic layer 33 can be replaced by such a first electrode 31'. Therefore, it is not necessary to form the hole injection layer in the organic layer 33, and the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer can be sequentially stacked.
  • the organic layer 33 may have a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked.
  • the surface roughness value of the first portion 31A′′ of the first electrode 31′′ is larger than the surface roughness values of the second portion 31B′′ and the third portion 31C′′ of the first electrode 31′′.
  • the first material forming the first portion 51A of the underlayer 51 located below the first portion 31A′′ of the electrode 31′′ is below the second portion 31B′′ and the third portion 31C′′ of the first electrode 31′′. Different from the second material forming the second portion 51B of the underlying layer 51 located at.
  • the crystallinity of the first portion 31A′′ of the first electrode 31′′ is different from the crystallinity of the second portion 31B′′ and the third portion 31C′′ of the first electrode 31′′.
  • the characteristics (surface roughness and crystallinity) of the portion 31D′′ depend on the insulating material layer 29 that is the base of the extending portion 31D′′ of the first electrode 31′′.
  • the configuration and structure of the light emitting element of Example 7 can be the same as the configuration and structure of the light emitting elements of Examples 1 to 6, and thus detailed description will be omitted. Note that an example to which the light emitting element of Example 3 is applied is shown in FIG. 19, an example to which the light emitting element of Example 4 is applied is shown in FIGS. 20 and 21, and an example to which the light emitting element of Example 5 is applied is shown in FIG. 23 and FIG.
  • an active matrix type organic EL display device 110 is a pixel array in which a plurality of light emitting elements 10 (10R, 10G, 10B) composed of organic EL elements are two-dimensionally arranged in a matrix.
  • the peripheral circuit includes, for example, a writing scanning unit 140, a driving scanning unit 150, and a signal output unit 160 mounted on the same display panel 111 as the pixel array unit 130, and each light emitting element of the pixel array unit 130. Drive ten. It is also possible to provide some or all of the writing scanning unit 140, the driving scanning unit 150, and the signal output unit 160 outside the display panel 111.
  • one pixel which is a unit for forming a color image, is composed of light emitting elements (subpixels, subpixels) that emit various colors. More specifically, in a display device compatible with color display, one pixel includes, for example, three light emitting elements (sub-pixels) of a red light emitting element 10R, a green light emitting element 10G, and a blue light emitting element 10B.
  • the scanning lines 131 1 to 131 m are connected to the output terminals of the corresponding rows of the writing scanning unit 140, respectively.
  • the drive lines 132 1 to 132 m are connected to the output ends of the corresponding rows of the drive scanning unit 150, respectively.
  • the signal lines 133 1 to 133 n are respectively connected to the output ends of the corresponding columns of the signal output section 160.
  • the writing scanning unit 140 is composed of a shift register circuit or the like.
  • the writing scanning unit 140 writes the writing scanning signals WS (WS 1 to WS m ) to the scanning lines 131 (131 1 to 131 m ) when writing the signal voltage of the video signal to each light emitting element 10 of the pixel array unit 130. ) Is sequentially supplied to sequentially scan the respective light emitting elements 10 of the pixel array section 130 row by row, that is, so-called line sequential scanning is performed.
  • the drive scanning unit 150 like the writing scanning unit 140, is configured by a shift register circuit or the like.
  • the drive scanning unit 150 emits light by supplying a light emission control signal DS (DS 1 to DS m ) to the drive lines 132 (132 1 to 132 m ) in synchronization with the line sequential scanning by the writing scanning unit 140.
  • the light emission/non-light emission (quenching) of the element 10 is controlled.
  • the signal output unit 160 has a signal voltage V sig (hereinafter also simply referred to as “signal voltage”) V sig and a reference voltage V ofs of a video signal according to luminance information supplied from a signal supply source (not shown). And are selectively output.
  • the reference voltage V ofs is a voltage corresponding to a reference voltage of the signal voltage V sig of the video signal (for example, a voltage corresponding to the black level of the video signal), or a voltage in the vicinity thereof.
  • the reference voltage V ofs is used as an initialization voltage when performing the correction operation.
  • the signal voltage V sig /reference voltage V ofs that is alternatively output from the signal output unit 160 is written to each light emitting element 10 of the pixel array unit 130 via the signal line 133 (133 1 to 133 n ). Writing is performed in units of rows of the light emitting elements selected by the line sequential scanning by the scanning unit 140. That is, the signal output unit 160 employs a line-sequential writing drive mode in which the signal voltage V sig is written in units of rows (lines) of light emitting elements.
  • FIG. 25 is a circuit diagram showing an example of the circuit configuration of the light emitting element drive unit (pixel circuit) in the active matrix organic EL display device 110.
  • the light emitting element 10 is an organic EL element.
  • the organic EL element is an example of a current-driven electro-optical element whose light emission luminance changes according to the value of current flowing through the element.
  • the sampling transistor 123 and the light emission control transistor 124 are also configured to use P-channel type transistors similarly to the driving transistor 122. Therefore, the driving transistor 122, the sampling transistor 123, and the light emission control transistor 124 have four terminals of source/gate/drain/back gate, instead of three terminals of source/gate/drain. The power supply voltage V dd is applied to the back gate.
  • sampling transistor 123 and the emission control transistor 124 are not limited to P-channel type transistors because they are switching transistors that function as switching elements. Therefore, the sampling transistor 123 and the light emission control transistor 124 may be an N-channel transistor or a mixture of a P-channel transistor and an N-channel transistor.
  • the sampling transistor 123 writes the signal voltage V sig of the video signal supplied from the signal output unit 160 through the signal line 133 into the storage capacitor 125 by sampling.
  • the light emission control transistor 124 is connected between the node of the power supply voltage V dd and the source electrode of the drive transistor 122, and controls light emission/non-light emission of the light emitting element 10 under the drive of the light emission control signal DS.
  • the storage capacitor 125 is connected between the gate electrode and the source electrode of the drive transistor 122.
  • the storage capacitor 125 holds the signal voltage V sig of the video signal written by sampling by the sampling transistor 123.
  • the drive transistor 122 drives the light emitting element 10 by supplying a drive current according to the holding voltage of the holding capacitor 125 to the light emitting element 10.
  • Example 9 relates to the electronic device of the present disclosure.
  • the display device of the present disclosure described above displays a video signal input to an electronic device or a video signal generated in the electronic device as an image or a video, and is a display unit of the electronic device in various fields. It can be used as a (display device).
  • the electronic device include, but are not limited to, a television set, a notebook personal computer, a digital still camera, a mobile terminal device such as a mobile phone, and a head mounted display.
  • the display device (display device) of the electronic device according to the present disclosure can be provided. By using the display device, a high-quality display image can be provided.
  • a smartphone, a head mounted display, and a digital still camera are illustrated below as specific examples of electronic devices that use the display device of the present disclosure.
  • the specific examples illustrated here are merely examples, and the present invention is not limited to these specific examples.
  • 26A and 26B are external views of a smartphone according to the first specific example of the electronic apparatus of the present disclosure.
  • 26A is an external view showing a first example of a smartphone
  • FIG. 26B is an external view showing a second example of a smartphone.
  • FIG. 27 shows an external view of a head mounted display according to a second specific example of the electronic apparatus of the present disclosure.
  • the main body unit 301 has a built-in control board and display unit for controlling the operation of the head mounted display 300.
  • the arm portion 302 supports the lens barrel 303 with respect to the body portion 301 by connecting the body portion 301 and the lens barrel 303. Specifically, the arm portion 302 fixes the lens barrel 303 to the body portion 301 by being coupled to the end portion of the body portion 301 and the end portion of the lens barrel 303. Further, the arm unit 302 has a built-in signal line for communicating data related to an image provided from the main unit 301 to the lens barrel 303.
  • the lens barrel 303 projects the image light provided from the main body 301 via the arm 302 through the lens 311 of the spectacles 310 toward the eyes of an observer wearing the head mounted display 300.
  • the display device of the present disclosure can be used as a display unit built in the main body 301. That is, the head mounted display 300 according to the second specific example has the display device of the present disclosure as its display unit.
  • FIG. 28A and 28B are external views of a lens-interchangeable mirrorless type digital still camera according to a third specific example of the electronic apparatus of the present disclosure.
  • FIG. 28A is a front view of the digital still camera and
  • FIG. It is a rear view of a still camera.
  • the display device of the present disclosure can be used as the viewfinder 415 in the lens-interchangeable mirrorless type digital still camera 400 having the above configuration.
  • the light emitting element and the display device of the present disclosure have been described above based on the preferred embodiments, but the present disclosure is not limited to these embodiments.
  • the light emitting element, the configuration, structure, system configuration, and light emitting element driving unit (pixel circuit) of the display device described in the embodiments are examples, and can be changed as appropriate, and the method for manufacturing the light emitting element described in the embodiments. Also, it can be changed appropriately.
  • the explanation has been given by taking the organic EL device (display panel) as an example, but the present disclosure can be applied to a display device other than the organic EL device.
  • the top emission type display device for extracting light from the second substrate has been described, but it is also possible to use a bottom emission type display device for extracting light from the first substrate.
  • FIG. 30 is a schematic partial cross-sectional view of a modified example 1 of the display device of Example 1 and the light-emitting element constituting the display device.
  • the light emitting side of the lens member 60 is provided with a collar.
  • Filter layers CF R , CF G , and CF B are provided.
  • a protective layer 34 made of acrylic resin is formed on the second electrode 32.
  • a lens member (on-chip microlens) 60 made of a known material is provided on or above the protective layer 34 (specifically, on the protective layer 34 ).
  • a color filter layer CF (CF R , CF G , CF B ) is provided on the surface of the second substrate 42 facing the first substrate 41.
  • FIG. 32 is a schematic partial cross-sectional view of a modified example 3 of the display device of Example 1 and the light emitting element constituting the display device.
  • the lens member 60 is omitted. That is, the top surface or upper protective layer 34 (specifically, on the protective layer 34) a color filter layer CF R, CF G, CF B is provided, the color filter layer CF R, CF The G , CF B and the second substrate 42 are bonded together by a sealing resin layer 37 made of an acrylic adhesive.
  • FIG. 34 shows a schematic partial cross-sectional view of a display device of Example 1 and a modified example 5 of the light emitting element constituting the display device.
  • this modified example 5 between the lens members 60 of the adjacent light emitting elements.
  • a light absorbing layer (black matrix layer) BM′ may be formed on the substrate.
  • the size of the wavelength selection section may be appropriately changed according to the light emitted from the light emitting element, or the size of the wavelength selection section (for example, a color filter layer) of the adjacent light emitting element may be changed.
  • the size of the light absorption layer black matrix layer
  • the size of the light absorption layer black matrix layer
  • [A10] The light emitting device according to [A08] or [A09], in which the first electrode also serves as a hole injection layer.
  • [A11] The light emitting device according to any one of [A01] to [A10], in which the underlayer is made of a material that reflects 50% or more of the amount of light emitted from the organic layer.
  • the material forming the underlayer is a transparent conductive material,
  • Organic layer 34... Protective layer, 35... Semi-light transmissive material layer, 36... Flattening layer, 37... Sealing resin layer, 38... Light Reflective layer, 39A... Upper layer/interlayer insulating layer, 39B... Lower layer/interlayer insulating layer, 39C... Underlayer film, 41... First substrate, 42... Second substrate, 51, 51′ ...Underlayer, 51A...First part of underlayer, 51B...Second part of underlayer, 51D...Extension part of underlayer, 60...Lens member (on-chip microlens ), CF, CF R , CF G , CF B ... Color filter layer, BM, BM'... Black matrix layer, 110... Organic EL display device, 111... Display panel, 122...
  • Photographing lens unit (interchangeable lens), 413 ... Grip part, 414... Monitor, 415... Viewfinder (eyepiece window), WS, WS 1 to WS m ⁇ Write scan signal, DS, DS 1 to DS m ⁇ Light emission control signal, V sig ⁇ Signal voltage

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

発光素子は、第１電極、有機層、及び、第２電極がこの順に積層された発光部を有しており、第１電極は、第１部分、第２部分及び第３部分から構成されており、第１部分は第１電極の中央に位置し、第２部分は第１部分を囲み、第３部分は第２部分を囲み、第１電極の第１部分、第２部分及び第３部分の下には下地層が形成されており、有機層は、第１電極の第１部分と接しており、且つ、少なくとも第１電極の第２部分と接しており、第１電極の第１部分の表面粗さの値は、第１電極の第２部分及び第３部分の表面粗さの値よりも大きい。

Description

発光素子、表示装置及び電子機器
　本開示は、発光素子、表示装置及び電子機器に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）の１種に、光反射率が高い反射板（光反射層）の上に透明なアノード電極を積層して成る表示装置が知られており（例えば、特開２０１６－１４３５８５号公報参照）、アノード電極の下に光反射率が高い反射板を形成することで共振効果を得ることができる。
特開２０１６－１４３５８５号公報
　ところで、上記の特許公開公報に開示された表示装置では、発光素子の一部分の模式的な一部断面図である図３５の「Ｘ」で囲んだ領域に位置するアノード電極（第１電極）３１の周縁部で、アノード電極３１から有機層３３を経由して第２電極３２へとリーク電流が発生する結果、このリーク電流によって発光効率等の発光特性が悪化する虞がある。特に、高精細化のために画素サイズの微細化を図ると、アノード電極全体の面積に対する周縁部の面積の割合が増大し、周縁部でのリーク電流の影響が増大する。また、アノード電極３１の周縁部の下には反射板（光反射層）５１が設けられていないので、有機層３３において発光した光がアノード電極３１の周縁部の下の層間膜２９ａへと抜けてしまい、発光効率が低下する虞があるし、反射板（光反射層）５１によって反射される光量が少ない。尚、図３５における参照番号に関しては、実施例１において説明する。
　従って、本開示は、第１電極の周縁部でのリーク電流の影響が小さく、発光効率等の発光特性に優れた発光素子、係る発光素子を備えた表示装置、及び、係る表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子は、
　第１電極、有機層、及び、第２電極がこの順に積層された発光部（積層構造体）を有しており、
　第１電極は、第１部分、第２部分及び第３部分から構成されており、
　第１部分は、第１電極の中央に位置し、
　第２部分は、第１部分を囲み、
　第３部分は、第２部分を囲み、
　第１電極の第１部分、第２部分及び第３部分の下には下地層が形成されており、
　有機層は、第１電極の第１部分と接しており、且つ、少なくとも第１電極の第２部分と接している。
　そして、本開示の第１の態様に係る発光素子において、第１電極の第１部分の表面粗さの値は、第１電極の第２部分及び第３部分の表面粗さの値よりも大きい。ここで、表面粗さの値は、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３において規定された表面粗さＲａ（算術平均粗さ）である。尚、表面粗さの値は、例えば、発光素子の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて観察することで求めることができる。
　また、本開示の第２の態様に係る発光素子において、第１電極の第１部分の下に位置する下地層の第１部分を構成する第１の材料は、第１電極の第２部分及び第３部分の下に位置する下地層の第２部分を構成する第２の材料と異なる。
　更には、本開示の第３の態様に係る発光素子にあっては、第１電極の第１部分の結晶性は、第１電極の第２部分及び第３部分の結晶性と異なる。結晶性の違いは、例えば、ＸＲＤ法（Ｘ線回折法）に基づき求めることができる。
　上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板との間に形成され、本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子の複数を備えている。
　上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、本開示の表示装置を備えており、あるいは又、本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子を備えている。
図１は、実施例１の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図２は、実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の模式的な一部断面図である。 図３は、実施例２の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図４は、実施例４の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図５は、実施例４の表示装置を構成する発光素子の変形例の一部分の模式的な一部断面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、実施例４の共振器構造を有する発光素子における第１例及び第２例の発光素子の概念図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、実施例４の共振器構造を有する発光素子における第３例及び第４例の発光素子の概念図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、実施例４の共振器構造を有する発光素子における第５例及び第６例の発光素子の概念図である。 図９Ａ及び図９Ｂは、実施例４の共振器構造を有する発光素子における第７例の発光素子の概念図である。 図１０は、実施例５の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図１１は、実施例５の表示装置を構成する発光素子の変形例の一部分の模式的な一部断面図である。 図１２は、実施例６の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図１３は、実施例６の表示装置を構成する発光素子の変形例１の一部分の模式的な一部断面図である。 図１４は、実施例６の表示装置を構成する発光素子の変形例２の一部分の模式的な一部断面図である。 図１５は、実施例６の表示装置を構成する発光素子の変形例３の一部分の模式的な一部断面図である。 図１６は、実施例６の表示装置を構成する発光素子の変形例４の一部分の模式的な一部断面図である。 図１７は、実施例６の表示装置を構成する発光素子の変形例５の一部分の模式的な一部断面図である。 図１８は、実施例７の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図１９は、実施例７の表示装置を構成する発光素子の変形例１の一部分の模式的な一部断面図である。 図２０は、実施例７の表示装置を構成する発光素子の変形例２の一部分の模式的な一部断面図である。 図２１は、実施例７の表示装置を構成する発光素子の変形例３の一部分の模式的な一部断面図である。 図２２は、実施例７の表示装置を構成する発光素子の変形例４の一部分の模式的な一部断面図である。 図２３は、実施例７の表示装置を構成する発光素子の変形例５の一部分の模式的な一部断面図である。 図２４は、実施例８の表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。 図２５は、実施例８の表示装置において、発光素子（副画素）を駆動するための発光素子駆動部を構成する回路構成（画素回路）である。 図２６Ａ及び図２６Ｂは、それぞれ、実施例９の本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンの第１例及び第２例を示す外観図である。 図２７は、実施例９の本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイを示す外観図である。 図２８Ａ及び図２８Ｂは、それぞれ、実施例９の本開示の電子機器の具体例３に係るデジタルスチルカメラの正面図及び背面図である。 図２９Ａ、図２９Ｂ、図２９Ｃ及び図２９Ｄは、実施例１の表示装置における発光素子の配列を模式的に示す図である。 図３０は、実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例１の模式的な一部断面図である。 図３１は、実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例２の模式的な一部断面図である。 図３２は、実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例３の模式的な一部断面図である。 図３３は、実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例４の模式的な一部断面図である。 図３４は、実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例５の模式的な一部断面図である。 図３５は、アノード電極（第１電極）の周縁部で発生するリーク電流について説明するための従来の発光素子の一部分の模式的な一部断面図である。
　以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子、本開示の表示装置及び本開示の電子機器、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る発光素子、本開示の表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（本開示の第２の態様～第３の態様に係る発光素子、実施例１～実施例２の変形）
５．実施例４（実施例１～実施例３の変形）
６．実施例５（実施例４の変形）
７．実施例６（実施例１～実施例５の変形）
８．実施例７（実施例１～実施例６の変形）
９．実施例８（本開示の表示装置が適用されるアクティブマトリクス型表示装置［システム構成及び画素回路を含む］）
１０．実施例９（本開示の電子機器の具体例）
１１．その他
〈本開示の第１の態様～第３の態様に係る発光素子、本開示の表示装置及び本開示の電子機器、全般に関する説明〉
　本開示の第１の態様に係る発光素子、本開示の表示装置を構成する本開示の第１の態様に係る発光素子、及び、本開示の電子機器を構成する本開示の第１の態様に係る発光素子を、以下、総称して、『本開示の第１の態様に係る発光素子等』と呼ぶ場合がある。また、本開示の第２の態様に係る発光素子、本開示の表示装置を構成する本開示の第２の態様に係る発光素子、本開示の電子機器を構成する本開示の第２の態様に係る発光素子、本開示の第３の態様に係る発光素子、本開示の表示装置を構成する本開示の第３の態様に係る発光素子、及び、本開示の電子機器を構成する本開示の第３の態様に係る発光素子、並びに、本開示の第１の態様に係る発光素子等を、以下、総称して、『本開示の発光素子等』と呼ぶ場合がある。
　本開示の第１の態様に係る発光素子等において、第１電極の第１部分の下に位置する下地層の第１部分を構成する第１の材料は、第１電極の第２部分及び第３部分の下に位置する下地層の第２部分を構成する第２の材料と異なる形態とすることができる。そして、この場合、下地層の第１部分を構成する第１の材料は、金属又は合金から成り；下地層の第２部分を構成する第２の材料は、第１の材料とは異なる金属又は合金から成る形態とすることができる。更には、これらの場合、第１電極の第１部分の結晶性は、第１電極の第２部分及び第３部分の結晶性と異なる形態とすることができる。
　上記の好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、第１電極は透明導電性材料から成る形態とすることができる。透明導電性材料として、具体的には、例えば、後述する「第１電極を構成する透明導電性材料等」を挙げることができる。
　更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、各発光素子のそれぞれに第１電極が設けられている形態とすることができるし、あるいは又、第１電極は発光素子において共通化されている形態、即ち、第１電極はベタ電極である形態とすることができる。後者の場合、第１電極は、１×１０7Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を有する透明な酸化物半導体材料から成り；第１電極は、隣接する発光素子を構成する第１電極と共通である形態とすることができ、この場合、第１電極は、例えば、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を含む形態とすることができ、更には、これらの場合、第１電極は正孔注入層を兼ねている形態とすることができる。第１電極の膜厚は、２ｎｍ乃至１０ｎｍであることが望ましい。このような膜厚とすることで、正孔注入効率の向上や、発光素子間での第１電極を介した短絡（電流のリーク）の発生防止を達成することができる。尚、「１×１０7Ω・ｃｍ以上」とは、厳密に１×１０7Ω・ｃｍ以上である場合の他、実質的に１×１０7Ω・ｃｍ以上である場合も含む意味であり、設計上あるいは製造上、生じ得る種々のばらつきは許容される。
　更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、有機層で発光した光を反射させる機能を下地層が求められる場合、下地層は有機層の発光量の５０％以上を反射する材料から成る形態とすることができる。
　更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、下地層を構成する材料は透明導電性材料から成り、下地層の下方には光反射層が形成されている形態とすることができる。透明導電性材料として、具体的には、例えば、後述する「第１電極を構成する透明導電性材料等」を挙げることができる。あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、下地層を構成する材料は透明な絶縁材料から成り、下地層の下方には光反射層が形成されている形態とすることができる。透明な絶縁材料として、具体的には、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。
　更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、有機層と第１電極の第３部分との間には絶縁層が形成されている形態とすることができる。あるいは又、有機層は第１電極の第３部分と接している形態とすることができる。
　更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、有機層は白色又は多色を発光する形態とすることができる。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の発光素子等において、発光素子に備えられた有機層は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）層を含む形態とすることができる。即ち、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の表示装置は有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されている形態とすることができるし、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から構成されている形態とすることができる。有機ＥＬ素子は、素子に流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子である。
　表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータやビデオカメラ、デジタルスチルカメラを構成するモニタ装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニタ装置、プロジェクタに組み込まれた表示装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダ（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができるし、ＶＲ（Virtual Reality）用、ＭＲ（Mixed Reality）用、あるいは、ＡＲ（Augmented Reality）用の表示装置に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。本開示の表示装置を発光装置として使用して、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を構成することができる。
　本開示の表示装置にあっては、画素（あるいは副画素）の配列として、デルタ配列を挙げることができるし、あるいは又、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列、ペンタイル配列を挙げることができる。
　本開示の表示装置において、表示パネルは、少なくとも、第１の色（例えば、赤色）を出射する第１発光素子（例えば、赤色発光素子）、第２の色（例えば、緑色）を出射する第２発光素子（例えば、緑色発光素子）、及び、第３の色（例えば、青色）を出射する第３発光素子（例えば、青色発光素子）から構成された発光素子ユニットを、複数、有している形態とすることができる。即ち、表示装置にあっては、後述するように、白色を発光する発光部と赤色カラーフィルタ層とが組み合わされた赤色発光素子、白色を発光する発光部と緑色カラーフィルタ層とが組み合わされた緑色発光素子、及び、白色を発光する発光部と青色カラーフィルタ層とが組み合わされた青色発光素子のそれぞれが副画素として設けられ、これらの副画素から１画素が構成される。あるいは又、赤色を発光する発光部から構成された赤色発光素子、緑色を発光する発光部から構成された緑色発光素子、及び、青色を発光する発光部から構成された青色発光素子のそれぞれが副画素として設けられ、これらの副画素から１画素が構成される。あるいは又、赤色、緑色、青色以外の第４番目の色（光）を発光する発光部から構成された発光素子が、更に副画素として組み合わされていてもよいし、単色の画像を生成する表示装置とすることもできる。
　以下、発光素子に備えられた発光部が有機エレクトロルミネッセンス層を含む形態に関して、即ち、本開示の表示装置が有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されている形態に関して、説明を行う。
　表示装置は、
　第１基板、及び、第２基板、並びに、
　第１基板と第２基板との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子、
を備えており、
　発光素子は発光部を含み、
　第１基板の上に形成された基体上に設けられた発光部（積層構造体）は、
　第１電極、
　第２電極、及び、
　第１電極と第２電極とによって挟まれた有機層（有機エレクトロルミネッセンス層を含む発光層を含む）、
を少なくとも備えており、
　有機層からの光が、第２基板を介して外部に出射され、あるいは又、第１基板を介して外部に出射される。第２電極が第２基板側に設けられており、第１電極が第１基板側に設けられている。
　即ち、本開示の表示装置を、第２電極を介して第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）とすることもできるし、第１電極を介して第１基板から光を出射するボトムエミッション方式（下面発光方式）の表示装置（下面発光型表示装置）とすることもできる。
　発光部は、上述したとおり、第１電極、有機層及び第２電極から構成されている。第１電極と有機層とが接する領域を『発光領域』と呼ぶ。第１電極が有機層の一部と接している構成とすることができるし、有機層が第１電極の一部と接している構成とすることができる。具体的には、第１電極の大きさは有機層よりも小さい構成とすることができるし、あるいは又、第１電極の大きさは有機層と同じ大きさであるが、第１電極と有機層との間の一部分に絶縁層が形成されている構成とすることもできるし、あるいは又、第１電極の大きさは有機層より大きい構成とすることもできる。
　そして、有機層は白色光を出射する形態とすることができ、この場合、有機層は、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている形態とすることができる。具体的には、有機層は、赤色（波長：６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）を発光する赤色発光層、緑色（波長：４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍ）を発光する緑色発光層、及び、青色（波長：４５０ｎｍ乃至４９５ｎｍ）を発光する青色発光層の３層が積層された積層構造を有する形態とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、有機層は、青色を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、有機層は、青色を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。有機層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。そして、このような白色を発光する有機層（発光部）と赤色カラーフィルタ層（あるいは赤色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで赤色発光素子が構成され、白色を発光する有機層（発光部）と緑色カラーフィルタ層（あるいは緑色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで緑色発光素子が構成され、白色を発光する有機層（発光部）と青色カラーフィルタ層（あるいは青色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで青色発光素子が構成される。平坦化層については、後述する。上述したとおり、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子といった副画素の組合せによって１画素が構成される。場合によっては、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子及び白色（あるいは第４の色）を出射する発光素子（あるいは補色光を出射する発光素子）によって１画素を構成してもよい。また、単色の画像を生成する表示装置とすることもできる。異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている形態にあっては、実際には、異なる色を発光する発光層が混合し、明確に各層に分離されていない場合がある。
　あるいは又、有機層は、１層の発光層から構成されている形態とすることができる。この場合、発光素子を、例えば、赤色発光層を含む有機層を有する赤色発光素子、緑色発光層を含む有機層を有する緑色発光素子、あるいは、青色発光層を含む有機層を有する青色発光素子から構成することができる。カラー表示の表示装置の場合、これらの３種類の発光素子（副画素）から１画素が構成される。あるいは又、赤色発光層を含む有機層を有する赤色発光素子、緑色発光層を含む有機層を有する緑色発光素子、及び、青色発光層を含む有機層を有する青色発光素子の積層構造から構成することもできる。カラーフィルタ層の形成は、原則、不要であるが、色純度向上のためにカラーフィルタ層を設けてもよい。
　基体は第１基板の上あるいは上方に形成されている。基体を構成する材料として、絶縁材料、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。基体は、基体を構成する材料に適した形成方法、具体的には、例えば、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。
　基体の下あるいは下方には、限定するものではないが、発光素子駆動部が設けられている。発光素子駆動部は、例えば、第１基板を構成するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）や、第１基板を構成する各種基板に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されている。発光素子駆動部を構成するトランジスタやＴＦＴと第１電極あるいは下地層とは、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して接続されている形態とすることができる。発光素子駆動部は、周知の回路構成（画素回路）とすることができる。第２電極は、表示パネルの外周部において、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して発光素子駆動部と接続される。
　第１電極は、各発光素子毎に設けられており、あるいは又、発光素子に共通して設けられている。即ち、第１電極は、所謂ベタ電極とされていてもよい。有機層は、各発光素子毎に設けられており、あるいは又、発光素子に共通して設けられている。第２電極は、複数の発光素子において共通電極とされていてもよい。即ち、第２電極は、所謂ベタ電極とされていてもよい。基体の下方あるいは下には第１基板が配置されており、第２電極の上方に第２基板が配置されている。第１基板側に発光素子が形成されている。発光部は基体上に設けられている。
　第１基板あるいは第２基板を、シリコン半導体基板、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）基板、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）基板、表面に絶縁材料層が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁材料層が形成された石英基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）から構成することができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、上面発光型表示装置の場合、第２基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求されるし、下面発光型表示装置の場合、第１基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求される。
　第１電極をアノード電極として機能させる場合、第１電極は透明導電性材料から成る形態において、第１電極を構成する透明導電性材料として、酸化インジウム、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ2Ｏ3、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、インジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ－ＧａＺｎＯ4）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩＴｉＯ（ＴｉドープのＩｎ2Ｏ3）、ＩｎＳｎ、ＩｎＳｎＺｎＯ、酸化錫（ＳｎＯ2）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ2）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、ＢドープのＺｎＯ、ＡｌＭｇＺｎＯ（酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛）といった酸化物半導体材料を挙げることができるし、あるいは又、酸化アンチモン、酸化チタン、ＮｉＯ、スピネル型酸化物、ＹｂＦｅ2Ｏ4構造を有する酸化物、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電性材料といった各種透明導電材料を挙げることができる。以下、これらの酸化物半導体材料を含む透明導電性材料を、便宜上、『第１電極を構成する透明導電性材料等』と呼ぶ場合がある。尚、第１電極を構成する透明導電性材料等は、単一の材料としてもよいし、複数の混合物としてもよい。これらの「第１電極を構成する透明導電性材料等」は、一般に、仕事関数の値が大きいため、正孔注入特性に優れている。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さい材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入特性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。
　第１電極が１×１０7Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を有する透明な酸化物半導体材料から成る形態において、第１電極を構成する酸化物半導体材料は、例えば、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を含む形態とすることができるが、具体的には、上記の「第１電極を構成する透明導電性材料等」の内の各種酸化物半導体材料を挙げることができる。上記の「第１電極を構成する透明導電性材料等」の内の各種酸化物半導体材料を酸化物半導体材料として用いる場合、第１電極の形成条件（成膜条件）を変えればよい。例えば、スパッタリング法を採用する場合、酸素ガス導入量（酸素ガス分圧）を制御することによって、具体的には、酸素ガス分圧を高くすることで、１×１０7Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を有する透明な酸化物半導体材料を成膜することができる。あるいは又、成膜後の酸化物半導体材料を熱酸化処理することで、あるいは又、成膜後の酸化物半導体材料を酸素雰囲気中で酸化させることで、比抵抗値の増加を図ってもよい。
　有機層で発光した光を反射させる機能を下地層が求められる場合、下地層を構成する材料として、あるいは又、光反射層を構成する材料として、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ－ＮｉやＡｌ－Ｎｄ、Ａｌ－Ｃｕ）、Ａｌ／Ｔｉ積層構造、Ａｌ－Ｃｕ／Ｔｉ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｓｍ－Ｃｕ）を挙げることができ、あるいは又、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ジルコニウム（Ｚｒ）を挙げることもでき、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。下地層や光反射層を構成する材料に依っては、成膜される下地層や光反射層の結晶状態の制御のために、例えば、ＴｉＮから成る下地膜を形成しておくことが好ましい。一方、下地層の下方に光反射層が形成されている場合、有機層で発光した光を透過させる機能が下地層に求められ、下地層を構成する材料として、上記の「第１電極を構成する透明導電性材料等」を挙げることができるし、あるいは又、前述したとおり、透明な絶縁材料（例えば、ＳｉＯ2やＳｉＮ、ＳｉＯＮ）を挙げることができる。
　あるいは又、本開示の第１の態様に係る発光素子等の好ましい形態において、第１の材料として、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ－Ｎｉ（アルミニウム－ニッケル）合金、Ａｌ－Ｃｕ（アルミニウム－銅）合金、Ａｇ（銀）、Ａｇ（銀）合金等を挙げることができるし、第２の材料として、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ－Ｎｉ（アルミニウム－ニッケル）合金、Ａｌ－Ｃｕ（アルミニウム－銅）合金、Ａｇ（銀）、Ａｇ（銀）合金等を挙げることができる。但し、第１の材料と第２の材料とは異なる。また、第２の材料の表面は酸化されていることが望ましい。
　トップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）にあっては、第２電極を構成する半光透過材料として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層（発光層）に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ－Ａｇ合金）］、マグネシウム－カルシウムとの合金（Ｍｇ－Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ－Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ－Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１～３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１～１０：１を例示することができる。第２電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、Ａｇ－Ｎｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ及びＡｌ－Ｃｕから成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０-8ｍ乃至１×１０-6ｍ）との積層構造とすることもできる。第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。第２電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、必要に応じて発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。
　あるいは又、第２電極を上記の透明電極あるいは上記の「第１電極を構成する透明導電性材料等」から構成し、第２電極の上方に保護層を介して上述した半光透過材料から成る半光透過材料層を形成してもよい。
　第１電極や第２電極、半光透過材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極、半光透過材料層を形成することが可能である。有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。
　有機層は有機発光材料を含む発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができる。
　発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。遮光部を構成する遮光材料として、具体的には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ2等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光部は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。
　第２電極を覆うように保護層が形成されていることが好ましい。また、保護層上あるいは上方にレンズ部材が形成されている形態、あるいは又、保護層上あるいは上方にカラーフィルタ層が形成され、カラーフィルタ層上あるいは上方にレンズ部材が形成されている形態、あるいは又、保護層上あるいは上方にレンズ部材が形成され、レンズ部材上あるいは上方にカラーフィルタ層が形成されている形態とすることができる。そして、これらの上に更に平坦化層が形成されている形態とすることができる。前述したとおり、カラーフィルタ層として機能する平坦化層を設けてもよい。半光透過材料層を形成する場合、上層・層間絶縁層と保護層の間に半光透過材料層を形成すればよい。
　保護層や平坦化層を構成する材料として、アクリル系樹脂を例示することができるし、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、アモルファスシリコン（α－Ｓｉ）、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2を例示することもできる。保護層や平坦化層は、単層構成とすることもできるし、複数層から構成することもできる。保護層や平坦化層の形成方法として、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知の方法に基づき形成することができる。また、保護層や平坦化層の形成方法として、更には、ＡＬＤ法を採用することもできる。保護層や平坦化層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。
　平坦化層と第２基板とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）を介して接合される。樹脂層（封止樹脂層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。樹脂層（封止樹脂層）が平坦化層を兼用していてもよい。
　上述したとおり、場合によっては、平坦化層はカラーフィルタ層としての機能を有する形態とすることもできる。このような平坦化層は、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。白色を出射する発光素子にあっては透明なフィルタを配設すればよい。このように平坦化層をカラーフィルタ層としても機能させることで、有機層と平坦化層（カラーフィルタ層）とが近接するので、発光素子から出射する光を広角化させても混色の防止を効果的に図ることができ、視野角特性が向上する。但し、カラーフィルタ層を、平坦化層とは別に、独立して、平坦化層上あるいは上方、平坦化層の下あるいは下方に設けてもよい。
　表示パネルの光を出射する最外面（具体的には、例えば、第２基板の外面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材（例えば、カバーガラス）を配してもよい。
　表示パネルにおいては、絶縁層や上層・層間絶縁層、下層・層間絶縁層、絶縁材料層が形成されるが、これらを構成する絶縁材料として、ＳｉＯ2、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide、低温ＣＶＤ－ＳｉＯ2）、低融点ガラス、ガラスペースト等のＳｉＯX系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＦ；ＳｉＣＮを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯx）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化バナジウム（ＶＯx）といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂といった各種樹脂や、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、誘電率ｋ（＝ε／ε0）が例えば３．５以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン（ポリパラキシリレン）、フッ化フラーレン）を挙げることができるし、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料）を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。場合によっては、基体を、あるいは又、下地層を構成する絶縁材料を、以上に説明した材料から構成してもよい。絶縁層や上層・層間絶縁層、下層・層間絶縁層、絶縁材料層、基体、下地層を構成する絶縁材料は、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。
　有機ＥＬ表示装置は、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。具体的には、第１電極と下地層との界面（あるいは、下地層の下に下層・層間絶縁層が設けられ、下層・層間絶縁層の下に光反射層が設けられた構造にあっては、光反射層と下層・層間絶縁層との界面によって構成された界面）によって構成された第１界面と、第２電極と有機層との界面（あるいは、第２電極の上に上層・層間絶縁層が設けられ、上層・層間絶縁層の上に半光透過材料層が設けられた構造にあっては、半光透過材料層と上層・層間絶縁層との界面によって構成された界面）によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極（あるいは第２電極及び半光透過材料層）から出射させる。そして、発光層の最大発光位置から第１界面までの光学距離をＯＬ1、発光層の最大発光位置から第２界面までの光学距離をＯＬ2とし、ｍ1及びｍ2を整数としたとき、以下の式（１－１）及び式（１－２）を満たす構成とすることができる。
０．７｛－Φ1／（２π）＋ｍ1｝≦２×ＯＬ1／λ≦１．２｛－Φ1／（２π）＋ｍ1｝　　　　　　　（１－１）
０．７｛－Φ2／（２π）＋ｍ2｝≦２×ＯＬ2／λ≦１．２｛－Φ2／（２π）＋ｍ2｝　　　　　　　（１－２）
ここで、
λ ：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ1：第１界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ1≦０
Φ2：第２界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ2≦０
である。
　ここで、ｍ1の値は０以上の値であり、ｍ2の値は、ｍ1の値と独立して、０以上の値であるが、（ｍ1，ｍ2）＝（０，０）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（０，１）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（１，０）である形態、（ｍ1，ｍ2）＝（１，１）である形態を例示することができる。
　発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ1とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ2とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をｎaveとしたとき、
ＯＬ1＝Ｌ1×ｎave
ＯＬ2＝Ｌ2×ｎave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎaveとは、有機層（あるいは、上層・層間絶縁層、第２電極、有機層、第１電極、下地層及び下層・層間絶縁層等）を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層（あるいは、上層・層間絶縁層、第２電極、有機層、第１電極、下地層及び下層・層間絶縁層等）の厚さで除したものである。
　発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、例えば、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき発光素子におけるＯＬ1，ＯＬ2等の各種パラメータを求めて、発光素子を設計すればよい。
　第１電極又は光反射層及び第２電極又は半光透過材料層は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ1，Φ2は、第１電極又は光反射層及び第２電極又は半光透過材料層を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、"Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS) 参照）。有機層や上層・層間絶縁層、下層・層間絶縁層等の屈折率も、エリプソメータを用いて測定することで求めることができる。
　このように、共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、白色光を発光する有機層から構成された赤色発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と赤色カラーフィルタ層（あるいは赤色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された赤色発光素子］は、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。また、白色光を発光する有機層から構成された緑色発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と緑色カラーフィルタ層（あるいは緑色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された緑色発光素子］は、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。更には、白色光を発光する有機層から構成された青色発光素子［場合によっては、白色光を発光する有機層と青色カラーフィルタ層（あるいは青色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された青色発光素子］は、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。即ち、発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子のそれぞれにおけるＯＬ1，ＯＬ2等の各種パラメータを求めて、各発光素子を設計すればよい。例えば、特開２０１２－２１６４９５の段落番号［００４１］には、有機層を共振部とした共振器構造を有する有機ＥＬ素子が開示されており、発光点（発光面）から反射面までの距離を適切に調整することが可能となるため、有機層の膜厚は、８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることがより好ましいと記載されている。通常、（Ｌ1＋Ｌ2＝Ｌ0）の値は、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子において異なる。
　更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示の発光素子等において、有機層から出射された光を収束（集束）あるいは発散させるためのレンズ部材を備えていてもよい。レンズ部材は、半球状、あるいは、球の一部から構成されている形態とすることができるし、あるいは、切頭円錐形（レンズ部材の光軸を含む仮想平面でレンズ部材を切断したときに得られるレンズ部材の断面形状が台形である立体形状）から構成されている形態とすることができるし、レンズ部材の光軸を含む仮想平面でレンズ部材を切断したときに得られるレンズ部材の断面形状が矩形（正方形や長方形）である形態とすることができ、広くは、レンズとして機能するのに適した形状から構成されている形態とすることができる。レンズ部材（オンチップマイクロレンズ）は、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド系樹脂等の透明樹脂材料、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の透明無機材料から構成することができ、透明樹脂材料を、メルトフローさせることで得ることができるし、あるいは又、エッチバックすることで得ることができるし、あるいは又、グレートーンマスクを用いたフォトリソグラフィ技術とエッチング法の組合せで得ることができるし、ナノプリント法に基づき透明樹脂材料をレンズ形状に形成するといった方法によって得ることもできる。カラーフィルタ層とレンズ部材の間に、レンズ部材と同様の材料で平坦化膜を形成してもよい。
　有機層から出射された光から所望の波長の光を取り出す波長選択部が設けられている形態とすることができる。また、隣接する発光素子の波長選択部の間に光吸収層（ブラックマトリクス層）が形成されている形態とすることができ、これによって、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。
　波長選択部は、例えば、上述したとおり、カラーフィルタ層から構成することができる。カラーフィルタ層は、所望の顔料や染料から成る着色剤を添加した樹脂によって構成されており、顔料や染料を選択することにより、目的とする赤色、緑色、青色等の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。あるいは又、波長選択部は、フォトニック結晶や、プラズモンを応用した波長選択素子（導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有するカラーフィルタ層。例えば、特開２００８－１７７１９１号公報参照）、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜、量子ドットから構成することもできる。以下、カラーフィルタ層で波長選択部を代表して説明を行うが、波長選択部はカラーフィルタ層に限定するものではない。発光素子が出射する光に対応して、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、適宜、変えてもよい。
　隣接するレンズ部材の外縁部の間に、あるいは、場合によっては隣接する発光素子の間には、光吸収層（ブラックマトリクス層）が形成されている形態とすることができ、これによっても、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。光吸収層（ブラックマトリクス層）は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成り、あるいは又、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものを挙げることができる。発光素子が出射する光に対応して、光吸収層（ブラックマトリクス層）の大きさを、適宜、変えてもよい。
　有機ＥＬ表示装置にあっては、正孔輸送層（正孔供給層）の厚さと電子輸送層（電子供給層）の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層（正孔供給層）よりも電子輸送層（電子供給層）を厚くしてもよく、これによって、低い駆動電圧で高効率化に必要、且つ、発光層への十分な電子供給が可能となる。即ち、アノード電極に相当する第１電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。
　実施例１は、本開示の第１の態様に係る発光素子及び本開示の表示装置に関する。実施例１の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図を図１に示し、実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の模式的な一部断面図を図２に示す。実施例１の表示装置は、具体的には、有機ＥＬ表示装置から構成されており、実施例１の発光素子は、具体的には、有機ＥＬ素子から構成されている。また、実施例１の表示装置は、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）である。
　実施例１、あるいは、後述する実施例２～実施例７の発光素子１０は、
　第１電極３１、有機層３３、及び、第２電極３２がこの順に積層された発光部（積層構造体）３０を有しており、
　第１電極３１は、第１部分３１Ａ、第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃから構成されており、
　第１部分３１Ａは、第１電極３１の中央に位置し、
　第２部分３１Ｂは、第１部分３１Ａを囲み、
　第３部分３１Ｃは、第２部分３１Ｂを囲み、
　第１電極３１の第１部分３１Ａ、第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの下には下地層５１が形成されており、
　有機層３３は、第１電極３１の第１部分３１Ａと接しており、且つ、少なくとも第１電極３１の第２部分３１Ｂと接している。
　具体的には、実施例１において、有機層３３は第１電極３１の第２部分３１Ｂと接している。即ち、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃに関しては、有機層３３が接している部分が第１電極３１の第２部分３１Ｂであり、有機層３３が接していない部分が第１電極３１の第３部分３１Ｃである。
　そして、実施例１の発光素子１０において、第１電極３１の第１部分３１Ａの表面粗さの値は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの表面粗さの値よりも大きい。具体的には、第１電極３１の第１部分３１Ａの表面粗さＲａの値は５ｎｍ乃至２０ｎｍであり、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの表面粗さＲａの値は５ｎｍ未満であることが望ましい。
　また、実施例１、あるいは、後述する実施例２～実施例８の表示装置は、第１基板４１、第２基板４２、及び、第１基板４１と第２基板４２との間に形成され、実施例１～実施例７の発光素子の複数を備えている。
　上述したとおり、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例８の表示装置において、発光素子１０に備えられた発光部３０は、有機エレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層）を含む。即ち、実施例１～実施例８の表示装置は有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されており、発光素子１０は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から構成されている。
　具体的には、実施例１の表示装置は、
　第１基板４１、及び、第２基板４２、並びに、
　第１基板４１と第２基板４２との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）、
を備えており、
　発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は発光部（積層構造体）３０を含み、
　第１基板４１の上に形成された基体２６上に設けられた発光部３０は、
　第１電極３１、
　第２電極３２、及び、
　第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた有機層（有機エレクトロルミネッセンス層を含む発光層を含む）３３、
を少なくとも備えており、
　実施例１にあっては、有機層３３からの光が、第２基板４２を介して外部に出射される。第２電極３２が第２基板４２側に設けられており、第１電極３１が第１基板４１側に設けられている。第１電極３１と有機層３３とが接する領域（より具体的には、下地層５１と第１電極３１と有機層３３とが重複する領域、云い換えれば、第１基板４１への下地層５１の正射影像と第１電極３１の正射影像と有機層３３の正射影像とが重複する領域）が発光領域である。
　また、有機層３３と第１電極３１の第３部分３１Ｃとの間には絶縁層２８が形成されている。絶縁層２８によって、所謂バンクが構成される。即ち、絶縁層２８は画素間分離層に相当する。第１電極３１及び下地層５１がその上に形成されていない基体２６の上には、絶縁材料層２９が形成されている。
　そして、第２電極３２の上には、第２電極３２を覆うようにアクリル系樹脂から成る保護層３４が形成されている。保護層３４の頂面又は上方には（実施例１にあっては、具体的には、保護層３４の上には）、周知の方法で、周知の材料から成るカラーフィルタ層ＣＦが形成されており、カラーフィルタ層ＣＦの上には、周知の方法で、周知の材料から成るレンズ部材（オンチップマイクロレンズ）６０が設けられている。カラーフィルタ層ＣＦ及びレンズ部材６０の上には、平坦化層３６が形成されている。発光部３０、カラーフィルタ層ＣＦ及びレンズ部材６０の外形形状を、便宜的に円形としたが、このような形状に限定されるものではない。カラーフィルタ層ＣＦ及びレンズ部材６０を設けることは必須ではなく、場合によっては、省略することもできる。
　カラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB）及びレンズ部材６０の上に形成された平坦化層３６は、封止樹脂層３７を介して第２基板４２に貼り合わされている。封止樹脂層３７を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。カラーフィルタ層ＣＦは、第１基板側に形成されたＯＣＣＦ（オンチップカラーフィルタ層）である。そして、これによって、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができ、有機層３３から出射した光が隣接する他色のカラーフィルタ層ＣＦに入射して混色が生じることを抑制することができるし、レンズ部材６０の幅広いレンズ設計が可能となる。場合によっては、平坦化層３６を省略し、レンズ部材６０及びカラーフィルタ層ＣＦを、封止樹脂層３７を介して第２基板４２に貼り合わせてもよい。
　有機ＥＬ素子から構成された実施例１～実施例７の発光素子１０において、有機層３３は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の積層構造を有する。１画素は、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂの３つの発光素子から構成されている。発光素子１０を構成する有機層３３は白色光を発光し、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、白色光を発光する有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBとの組合せから構成されている。赤色を表示すべき赤色発光素子１０Ｒには赤色カラーフィルタ層ＣＦRが備えられており、緑色を表示すべき緑色発光素子１０Ｇには緑色カラーフィルタ層ＣＦGが備えられており、青色を表示すべき青色発光素子１０Ｂには青色カラーフィルタ層ＣＦBが備えられている。赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂは、カラーフィルタ層、発光層の位置を除き、実質的に同じ構成、構造を有する。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子（表示素子）は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）は画素数の３倍である。実施例１の表示装置にあっては、副画素の配列として、図２９Ａに示すデルタ配列を挙げることができる。但し、図２９Ｂ、図２９Ｃ、図２９Ｄに示すようなストライプ配列等とすることもできる。場合によっては、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、青色発光素子１０Ｂ及び白色を出射する発光素子（あるいは補色光を出射する発光素子）によって１画素を構成してもよい。
　ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯ2から成る基体２６の下方には、発光素子駆動部が設けられている。発光素子駆動部は周知の回路構成とすることができる。発光素子駆動部は、第１基板４１に相当するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、ＭＯＳＦＥＴ）から構成されている。ＭＯＳＦＥＴから構成されたトランジスタ２０は、第１基板４１上に形成されたゲート絶縁層２２、ゲート絶縁層２２上に形成されたゲート電極２１、第１基板４１に形成されたソース／ドレイン領域２４、ソース／ドレイン領域２４の間に形成されたチャネル形成領域２３、並びに、チャネル形成領域２３及びソース／ドレイン領域２４を取り囲む素子分離領域２５から構成されている。トランジスタ２０と第１電極３１（具体的には、下地層５１の延在部５１Ｄ）とは、基体２６に設けられたコンタクトプラグ２７を介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの発光素子駆動部につき、１つのトランジスタ２０を図示した。
　第２電極３２は、表示パネルの外周部において、基体２６に形成された図示しないコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して発光素子駆動部と接続されている。表示パネルの外周部において、第２電極３２の下方に第２電極３２に接続された補助電極を設け、補助電極を発光素子駆動部と接続してもよい。
　第１電極３１はアノード電極として機能し、第２電極３２はカソード電極として機能する。
　そして、第１電極３１は透明導電性材料（具体的には、ＩＴＯ等、上述した「第１電極を構成する透明導電性材料等」）から成る。「第１電極を構成する透明導電性材料等」は、一般に、正孔注入特性に優れている。第２電極３２は、前述した半光透過材料、あるいは又、前述した半光透過材料と前述した「第１電極を構成する透明導電性材料等」との積層構造から成る。
　実施例１にあっては、有機層３３で発光した光を反射させる機能が下地層５１に求められる。それ故、下地層５１は、有機層３３の発光量の５０％以上を反射する材料から成ることが好ましい。具体的には、下地層５１は、Ａｌ、Ａｌ－Ｎｉ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｇ合金等から構成されている。第１電極３１の第１部分３１Ａの下に位置する下地層５１の部分を第１部分５１Ａ、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの下に位置する下地層５１の部分を第２部分５１Ｂとする。実施例１にあっては、下地層５１の第１部分５１Ａと第１電極３１の第１部分３１Ａとの界面における下地層５１の第１部分５１Ａの表面粗さの値（以下、便宜上、『下地層５１の第１部分５１Ａの表面粗さの値』と呼ぶ）は、下地層５１の第２部分５１Ｂと第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃとの界面における下地層５１の第２部分５１Ｂの表面粗さの値（以下、便宜上、『下地層５１の第２部分５１Ｂの表面粗さの値』と呼ぶ）よりも大きい。
　そして、その結果として、第１電極３１の第１部分３１Ａの表面粗さの値は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの表面粗さの値よりも大きくなる。従って、第１電極３１の第２部分３１Ｂの頂面（有機層３３との界面）の単位面積当たりの表面積の値が、第１電極３１の第１部分３１Ａの頂面の単位面積当たりの表面積の値よりも小さくなるので、第１電極３１の第２部分３１Ｂでのリーク電流が減少する。これにより、第１電極３１の第２部分３１Ｂでのリーク電流に起因する異常発光を抑えることができるため、発光効率等の発光特性に優れた有機ＥＬ表示装置を実現することができる。特に、高精細化のために画素サイズの微細化を図ったとしても、発光領域に対する第１電極３１の第２部分３１Ｂでのリーク電流の影響を抑えることができるため、発光特性の一層の向上を図ることができる。
　表面粗さと電気特性との関係を求めた。第１電極３１の第１部分３１Ａにおける電流密度の値で規格化したときの第１電極３１の第２部分３１Ｂ電流密度の値を以下の表１に示すが、表面粗さの減少に伴い、電流密度が減少することが判る。
〈表１〉
　　　　　　　　　　　　　　　　電流密度
第１電極３１の第１部分３１Ａ　　１．００
第１電極３１の第２部分３１Ｂ　　０．３３
　実施例１において、有機層３３は、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）、及び、電子注入層（ＥＩＬ：Electron InjectionLayer）の積層構造を有する。発光層は、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されており、前述したとおり、有機層３３から出射される光は白色である。具体的には、有機層は、上述したとおり、赤色を発光する赤色発光層、緑色を発光する緑色発光層、及び、青色を発光する青色発光層の３層が積層された構造を有する。有機層を、青色を発光する青色発光層、及び、黄色を発光する黄色発光層の２層が積層された構造とすることもできるし、青色を発光する青色発光層、及び、橙色を発光する橙色発光層の２層が積層された構造とすることができる。
　正孔注入層は、正孔注入効率を高める層であると共に、リークを防止するバッファ層として機能し、厚さは、例えば２ｎｍ乃至１０ｎｍ程度である。正孔注入層は、例えば、以下の式（Ａ）又は式（Ｂ）で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。尚、正孔注入層の端面が第２電極と接した状態になると、画素間の輝度バラツキ発生の主たる原因となり、表示画質の低下につながる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
　ここで、Ｒ1～Ｒ6は、それぞれ、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、又は、シリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲm（ｍ＝１～６）は環状構造を介して互いに結合してもよい。また、Ｘ1～Ｘ6は、それぞれ、独立に、炭素又は窒素原子である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
　正孔輸送層は発光層への正孔輸送効率を高める層である。発光層では、電界が加わると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層は発光層への電子輸送効率を高める層であり、電子注入層は発光層への電子注入効率を高める層である。
　正孔輸送層は、例えば、厚さが４０ｎｍ程度の４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）又はα－ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）から成る。
　発光層は、混色により白色光を生じる発光層であり、例えば、上述したとおり、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が積層されて成る。
　赤色発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光が発生する。このような赤色発光層は、例えば、赤色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが５ｎｍ程度の赤色発光層は、例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に、２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合したものから成る。
　緑色発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光が発生する。このような緑色発光層は、例えば、緑色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが１０ｎｍ程度の緑色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、クマリン６を５質量％混合したものから成る。
　青色発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、青色の光が発生する。このような青色発光層は、例えば、青色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが３０ｎｍ程度の青色発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合したものから成る。
　厚さが２０ｎｍ程度の電子輸送層は、例えば、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）から成る。厚さが０．３ｎｍ程度の電子注入層は、例えば、ＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等から成る。
　但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。また、例えば、発光層は、青色発光層と黄色発光層から構成されていてもよいし、青色発光層と橙色発光層から構成されていてもよい。
　以下、図１及び図２に示した実施例１の発光素子１０の製造方法の概要を説明する。
　　［工程－１００］
　先ず、シリコン半導体基板（第１基板４１）に発光素子駆動部を公知のＭＯＳＦＥＴ製造プロセスに基づき形成する。
　　［工程－１１０］
　次いで、ＣＶＤ法に基づき全面に基体２６を形成する。
　　［工程－１２０］
　そして、トランジスタ２０の一方のソース／ドレイン領域２４の上方に位置する基体２６の部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成し、接続孔を含む基体２６の上に、下地層５１を形成するための金属あるいは合金から成る下地層・形成層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき下地層・形成層をパターニングすることで、基体２６の一部分の上に下地層５１及び下地層の延在部５１Ｄを形成することができる。下地層５１は、各発光素子毎に分離されている。併せて、接続孔内に下地層５１（具体的には、下地層の延在部５１Ｄ）とトランジスタ２０とを電気的に接続するコンタクトホール（コンタクトプラグ）２７を形成することができる。
　　［工程－１３０］
　その後、下地層５１の第１部分５１Ａが露出したレジスト層を全面に形成し、露出した下地層５１の第１部分５１Ａにソフトエッチングを施すことで、下地層５１の第１部分５１Ａの表面を荒らした後、レジスト層を除去する。こうして、下地層５１の第１部分５１Ａの表面粗さの値が、下地層５１の第２部分５１Ｂの表面粗さの値よりも大きい状態を得ることができる。尚、ソフトエッチングの代わりに、例えば、アルゴンイオン等のイオンを露出した下地層５１の第１部分５１Ａに衝突させることで、下地層５１の第１部分５１Ａの表面を荒らしてもよい。あるいは又、下地層５１の表面を酸化（例えば、熱酸化）した後、あるいは下地層５１の表面に自然酸化膜を形成させた後、下地層５１の第１部分５１Ａの酸化膜（自然酸化膜）を除去する方法を採用してもよい。酸化膜上に形成された第１電極の表面粗さの値は、酸化膜が除去された領域上に形成された第１電極の表面粗さの値よりも小さいといった知見が得られている。それ故、これによっても、下地層５１の上に形成された第１電極３１において、第１電極３１の第１部分３１Ａの表面粗さの値は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの表面粗さの値よりも大きくなる。
　　［工程－１４０］
　その後、前述した「第１電極を形成するための透明導電性材料等」から成る第１電極・形成層を、例えば、スパッタリング法に基づき全面に成膜し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき第１電極・形成層をパターニングすることで、下地層５１の上に第１電極３１を形成することができる。第１電極３１は、各発光素子毎に分離されている。下地層５１の第１部分５１Ａの表面粗さの値が、下地層５１の第２部分５１Ｂの表面粗さの値よりも大きいが故に、第１電極３１の第１部分３１Ａの表面粗さの値は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの表面粗さの値よりも大きくなる。
　　［工程－１５０］
　次に、例えば、ＣＶＤ法に基づき基体２６の上に絶縁材料層２９を形成し、絶縁材料層２９に平坦化処理を施した後、ＣＶＤ法に基づき全面に絶縁層２８を形成し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって、第１電極３１と第１電極３１との間の基体２６の上、及び、第１電極の第３部分の上に絶縁層２８を残す。絶縁層２８に設けられた開口部２８Ａの底部には第１電極３１が露出しており、この第１電極３１の部分によって発光領域が構成される。尚、発光素子１０と発光素子１０との間に位置する絶縁層２８の部分の厚さを薄くしてもよい。
　　［工程－１６０］
　その後、第１電極３１及び絶縁層２８の上に、有機層３３を、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、スピンコート法やダイコート法等のコーティング法等によって成膜する。場合によっては、有機層３３を所望の形状にパターニングしてもよい。
　　［工程－１７０］
　次いで、例えば真空蒸着法等に基づき、全面に第２電極３２を形成する。場合によっては、第２電極３２を所望の形状にパターニングしてもよい。このようにして、第１電極３１上に、有機層３３及び第２電極３２を形成することができる。
　　［工程－１８０Ａ］
　その後、全面に保護層を形成し、保護層３４の頂面に平坦化処理を施す。
　　［工程－１８０Ｂ］
　その後、周知の方法で、保護層３４の上にカラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB）を形成し、更に、カラーフィルタ層ＣＦの上にレンズ部材６０を形成する。
　　［工程－１９０］
　そして、カラーフィルタ層ＣＦ及びレンズ部材６０の上に平坦化層３６を形成する。その後、平坦化層３６と第２基板４２とをアクリル系接着剤から成る封止樹脂層３７によって貼り合わせる。こうして、図１、図２に示した発光素子（有機ＥＬ素子）１０、実施例１の表示装置を得ることができる。このように、第２基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設けるのではなく、第１基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設ける、所謂ＯＣＣＦ型とすることで、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができ、レンズ部材６０の設計幅、設計自由度が広がるし、所謂ＯＣＣＦ型とするので、有機層３３との間の位置合わせに問題が生じる可能性が少ない。
　有機層３３はパターニングされていない。但し、これに限定するものではなく、有機層３３をパターニングしてもよい。即ち、有機層３３を副画素毎に塗り分け、赤色発光素子の有機層３３を赤色を発光する有機層から構成し、緑色発光素子の有機層３３を緑色を発光する有機層から構成し、青色発光素子の有機層３３を青色を発光する有機層から構成してもよい。
　実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の発光素子は共振器構造を有する。実施例２の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図を図３に示す。
　実施例２において、第２電極３２の上には、第２電極３２を覆うように、絶縁材料から成る上層・層間絶縁層３９Ａ、及び、アクリル系樹脂から成る保護層３４が形成されている。そして、上層・層間絶縁層３９Ａと保護層３４との間には半光透過材料層３５が形成されている。半光透過材料層３５は、前述した半光透過材料から成る。
　そして、下地層５１と第１電極３１との界面によって第１界面が構成され、半光透過材料層３５と上層・層間絶縁層３９Ａとの界面によって第２界面が構成され、第１界面と第２界面との間で共振器構造が構成される。発光面から反射面までの距離（具体的には、発光面から下地層５１及び半光透過材料層３５までの距離）を適切に調整するために、有機層３３の厚さは、８×１０-8ｍ以上、５×１０-7ｍ以下であることが好ましく、１．５×１０-7ｍ以上、３．５×１０-7ｍ以下であることがより好ましい。共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、赤色発光素子１０Ｒは、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。また、緑色発光素子１０Ｇは、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。更には、青色発光素子１０Ｂは、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。
　（Ｌ1＋Ｌ2＝Ｌ0）の値は、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子において異なる。従って、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子のそれぞれにおいて、上層・層間絶縁層３９Ａの厚さの最適化を図ることで、式（１－２）におけるΦ2の値を赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子において異ならせ、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子における共振器構造の最適化を図ることができる。尚、上層・層間絶縁層、下層・層間絶縁層は、「絶縁膜」と云い換えることができる。
　場合によっては、半光透過材料層３５を省略し、下地層５１と第１電極３１との間の界面である第１界面と、有機層３３と第２電極３２との間の界面である第２界面によって構成された共振器構造において、下地層５１の材料を変えることで、式（１－１）におけるΦ1の値を赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子において異ならせ、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子における共振器構造の最適化を図ってもよい。あるいは又、場合によっては、半光透過材料層３５を省略し、下地層５１と第１電極３１との間の界面である第１界面と、有機層３３と第２電極３２との間の界面である第２界面とによって構成された共振器構造において、第１界面から第２界面までの距離を、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子において異ならせてもよい。
　実施例２の発光素子は、実施例１の［工程－１８０Ａ］と同様の工程において、発光素子に応じた厚さを有する上層・層間絶縁層３９Ａ、半光透過材料層３５、保護層３４を形成し、保護層３４の頂面に平坦化処理を施せばよい。
　以上の点を除き、実施例２の表示装置の構成、構造は、実施例１において説明した表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例３は、本開示の第２の態様及び第３の態様に係る発光素子に関し、且つ、実施例１～実施例２の変形である。
　実施例３において、第１電極３１の第１部分３１Ａの下に位置する下地層５１の第１部分５１Ａを構成する第１の材料は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの下に位置する下地層５１の第２部分５１Ｂを構成する第２の材料と異なる。ここで、下地層５１の第１部分５１Ａを構成する第１の材料は、金属又は合金から成り、下地層５１の第２部分５１Ｂを構成する第２の材料は、第１の材料とは異なる金属又は合金から成る。具体的には、例えば、第１の材料としてＡｌ（アルミニウム）を挙げることができるし、例えば、第２の材料としてＡｌ－Ｎｉ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金を挙げることができる。また、第１電極３１の第１部分３１Ａの結晶性は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの結晶性と異なる。更には、第１電極３１の第１部分３１Ａの下に位置する下地層５１の第１部分５１Ａの結晶性は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの下に位置する下地層５１の第２部分５１Ｂの結晶性と異なる。あるいは又、第１電極３１の第１部分３１Ａを構成する材料の組成は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃを構成する材料の組成と異なるし、また、第１電極３１の第１部分３１Ａの下に位置する下地層５１の第１部分５１Ａを構成する材料の組成は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの下に位置する下地層５１の第２部分５１Ｂを構成する材料の組成と異なる。組成が異なる例として、酸素原子の含有率が異なる例を挙げることができる。Ａｌの結晶性とＡｌ－Ｎｉ合金等の結晶性とを比較した場合、Ａｌを、Ａｌ－Ｎｉ合金等よりも、一層アモルファス状態にすることができ、Ａｌの表面は、Ａｌ－Ｎｉ合金等の表面よりも滑らかになる。
　このように、下地層５１の第１部分５１Ａを構成する第１の材料が下地層の第２部分５１Ｂを構成する第２の材料と異なり、あるいは又、第１電極３１の第１部分３１Ａの結晶性は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの結晶性と異なる。その結果、第１電極３１の第１部分３１Ａの表面粗さの値が、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｂの表面粗さの値よりも大きくなり、実施例１において説明したと同様の効果を得ることができる。
　実施例３の発光素子の製造にあっては、実施例１の［工程－１３０］と同様の工程において、接続孔を含む基体２６の上に、金属あるいは合金から成る下地層・第１形成層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき下地層・第１形成層をパターニングすることで、基体２６の一部分の上に下地層５１の第１部分５１Ａを形成する。次いで、全面に、金属あるいは合金から成る下地層・第２形成層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次に、下地層・第２形成層の平坦化処理、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づく下地層・第２形成層のパターニングによって、基体２６の一部分の上に下地層５１の第２部分５１Ｂを形成することができる。下地層５１の第２部分５１Ｂは下地層５１の第１部分５１Ａを囲んでいる。
　以上の点を除き、実施例３の表示装置の構成、構造は、実施例１～実施例２において説明した表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　実施例４は、実施例１～実施例３の変形である。実施例４の発光素子は、実施例２において説明した発光素子と同様に、共振器構造を有する。実施例４の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図を図４に示す。
　実施例４の発光素子において、下地層５１’を構成する材料は、透明導電性材料（具体的には、例えば、前述した「第１電極を形成するための透明導電性材料等」）から成り、下地層５１’の下方には光反射層３８が形成されている。そして、下地層５１’と光反射層３８との間には下層・層間絶縁層３９Ｂが形成されている。
　光反射層３８と下層・層間絶縁層３９Ｂとの界面によって第１界面が構成され、第２電極３２と有機層３３との界面によって第２界面が構成され、第１界面と第２界面との間で共振器構造が構成される。そして、発光面から反射面までの距離（具体的には、発光面から光反射層３８及び第２電極３２までの距離）を適切に調整する。共振器構造を有する実施例４の表示装置にあっては、実施例２と同様に、実際には、赤色発光素子１０Ｒは、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。また、緑色発光素子１０Ｇは、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。更には、青色発光素子１０Ｂは、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。
　（Ｌ1＋Ｌ2＝Ｌ0）の値は、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子において異なる。従って、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子のそれぞれにおいて、下層・層間絶縁層３９Ｂの厚さの最適化を図ることで、式（１－１）におけるΦ1の値を赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子において異ならせ、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子における共振器構造の最適化を図ることができる。
　実施例４の発光素子は、例えば、以下の方法で製造することができる。
　即ち、先ず、実施例１の［工程－１００］～［工程－１１０］と同様の工程を実行する。そして、基体２６に接続孔を形成し、更に、基体２６の上に、光反射層３８を、例えば、スパッタリング法、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき形成する。接続孔は光反射層３８を構成する材料で埋め込まれる。次いで、全面に下層・層間絶縁層３９Ｂを形成した後、下層・層間絶縁層３９Ｂに接続孔を形成し、更に、下層・層間絶縁層３９Ｂの上に、下地層５１’を、例えば、スパッタリング法、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき形成する。接続孔は下地層５１’を構成する材料で埋め込まれる。こうして、下地層５１’の延在部５１Ｄ’とトランジスタ２０とを電気的に接続するコンタクトホール（コンタクトプラグ）２７を形成することができる。次いで、実施例１の［工程－１３０］と同様の工程を実行することで、下地層５１’の第１部分５１Ａ’の表面粗さの値が、下地層５１’の第２部分５１Ｂ’の表面粗さの値よりも大きい状態を得ることができる。あるいは又、実施例３と同様に工程を実行する。場合によっては、光反射層３８は、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７に接続されていなくともよい。
　その後、実施例１の［工程－１４０］～［工程－１９０］と同様の工程を実行する。あるいは又、実施例２において説明したと同様の工程を実行する。
　場合によっては、実施例４の表示装置を構成する発光素子の変形例の一部分の模式的な一部断面図を図５に示すように、実施例２と同様に、第２電極３２を覆うように上層・層間絶縁層３９Ａ、保護層３４が形成されており、上層・層間絶縁層３９Ａと保護層３４との間には半光透過材料層３５が形成されている形態とすることもできる。
　以上の点を除き、実施例４の表示装置の構成、構造は、実施例１～実施例３において説明した表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　共振器構造を設ける場合、前述したとおり、有機層３３を共振部とし、下地層５１’と第２電極３２とによって挟まれた共振器構造としてもよいし、下地層５１’と半光透過材料層３５とによって挟まれた共振器構造としてもよいし、実施例４のように、第１電極３１よりも下方に（第１基板４１側に）光反射層３８を形成し、有機層３３を共振部とし、光反射層３８と第２電極３２とによって挟まれた共振器構造としてもよい。
　以下、図６Ａ（第１例）、図６Ｂ（第２例）、図７Ａ（第３例）、図７Ｂ（第４例）、図８Ａ（第５例）、及び、図８Ｂ（第６例）、並びに、図９Ａ及び図９Ｂ（第７例）を参照して、第１例～第７例に基づき共振器構造について説明する。ここで、第１例～第４例において、第１電極及び第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。一方、第５例～第６例において、下地層と第１電極の合計厚さは、各発光部において異なり、第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。また、第７例において、下地層及び第１電極は、各発光部において異なる厚さを有する場合もあるし、同じ厚さを有する場合もあり、第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。尚。これらの図面においては、第１電極と下地層を併せて参照番号「３３1＋５１’」、「３３2＋５１’」、「３３3＋５１’」で表示している。また、第１電極と下地層を併せて、『第１電極等』と呼ぶ。
　尚、以下の説明において、第１発光素子１０1、第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3を構成する発光部を参照番号３０1，３０2，３０3で表し、第１電極を参照番号３１1，３１2，３１3で表し、第２電極を参照番号３２1，３２2，３２3で表し、有機層を参照番号３３1，３３2，３３3で表し、光反射層を参照番号３８1、３８2、３８3で表し、下層・層間絶縁層３９Ｂを参照番号３９Ｂ1，３９Ｂ2，３９Ｂ3，３９Ｂ1’，３９Ｂ2’，３９Ｂ3’で表す。
　図示した例では、式（１－１）及び式（１－２）から導かれる第１発光素子１０1、第２発光素子１０2及び第３発光素子１０3の共振器長を、第１発光素子１０1、第２発光素子１０2、第３発光素子１０3の順で短くしたが、即ち、Ｌ0の値を、第１発光素子１０1、第２発光素子１０2、第３発光素子１０3の順で短くしたが、これに限定するものではなく、ｍ1，ｍ2の値を、適宜、設定することで最適な共振器長を決定すればよい。
　共振器構造の第１例を有する発光素子の概念図を図６Ａに示し、共振器構造の第２例を有する発光素子の概念図を図６Ｂに示し、共振器構造の第３例を有する発光素子の概念図を図７Ａに示し、共振器構造の第４例を有する発光素子の概念図を図７Ｂに示す。第１例～第６例、第７例の一部において、発光部３０の第１電極等の下に下層・層間絶縁層３９Ｂ，３９Ｂ’が形成されており、下層・層間絶縁層３９Ｂ，３９Ｂ’の下に光反射層３８が形成されている。第１例～第４例において、下層・層間絶縁層３９Ｂ，３９Ｂ’の厚さは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。そして、下層・層間絶縁層３９Ｂ1，３９Ｂ2，３９Ｂ3，３９Ｂ1’，３９Ｂ2’，３９Ｂ3’の厚さを適切に設定することで、発光部３０の発光波長に対して最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　第１例では、発光部３０1，３０2，３０3において、第１界面（図面においては、点線で示す）は同じレベルとされる一方、第２界面（図面においては、一点鎖線で示す）のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。また、第２例では、発光部３０1，３０2，３０3において、第１界面は異なるレベルとされる一方、第２界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において同じである。
　第２例において、下層・層間絶縁層３９Ｂ1’，３９Ｂ2’，３９Ｂ3’は、光反射層３８の表面が酸化された酸化膜から構成されている。酸化膜から成る下層・層間絶縁層３９Ｂ’は、光反射層３８を構成する材料に依存して、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物等から構成される。光反射層３８の表面の酸化は、例えば、以下の方法で行うことができる。即ち、容器の中に充填された電解液中に、光反射層３８が形成された第１基板４１を浸漬する。また、光反射層３８と対向するように陰極を配置する。そして、光反射層３８を陽極として、光反射層３８を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、陽極である光反射層３８と陰極との電位差に比例する。それ故、光反射層３８1、３８2、３８3のそれぞれに発光部３０1，３０2，３０3に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、厚さの異なる酸化膜から成る下層・層間絶縁層３９Ｂ1’，３９Ｂ2’，３９Ｂ3’を、一括して、光反射層３８の表面に形成することができる。光反射層３８1、３８2、３８3の厚さ、下層・層間絶縁層３９Ｂ1’，３９Ｂ2’，３９Ｂ3’の厚さは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。
　第３例にあっては、光反射層３８の下に下地膜３９Ｃが配設されており、下地膜３９Ｃは、発光部３０1，３０2，３０3において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部３０1、発光部３０2、発光部３０3の順に、下地膜３９Ｃの厚さは厚い。
　第４例にあっては、成膜時の光反射層３８1，３８2，３８3の厚さが、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。第３例～第４例では、発光部３０1，３０2，３０3において、第２界面は同じレベルとされる一方、第１界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。
　第５例～第６例においては、第１電極等の厚さが、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。光反射層３８は各発光部３０において同じ厚さを有する。
　第５例において、第１界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において同じである一方、第２界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。
　第６例においては、光反射層３８の下に下地膜３９Ｃが配設されており、下地膜３９Ｃは、発光部３０1，３０2，３０3において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部３０1、発光部３０2、発光部３０3の順に、下地膜３９Ｃの厚さは厚い。第６例では、発光部３０1，３０2，３０3において、第２界面は同じレベルとされる一方、第１界面のレベルは、発光部３０1，３０2，３０3において異なる。
　第７例において、下地層５１’は光反射層を兼ねており、第１電極等（３１1＋５１’，３１2＋５１’）を構成する材料の光学定数（具体的には、位相シフト量）が、発光部３０1，３０2において異なる。第１電極３１1，３１2，３１3、下地層５１’の厚さは、異なっていてもよいし、同じであってよい。
　実施例５は、実施例４の変形である。実施例５の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図を図１０に示す。
　実施例５の発光素子において、下地層５１”を構成する材料は透明な絶縁材料から成り、下地層５１”の下方には光反射層３８が形成されている。下地層５１”は、具体的には、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＮ又はＳｉＯＮから成る。そして、第１電極３１の第１部分３１Ａの下に位置する下地層５１”の第１部分５１Ａ”の表面粗さの値は、第１電極３１の第２部分３１Ｂ及び第３部分３１Ｃの下に位置する下地層５１”の第２部分５１Ｂ”の表面粗さの値よりも大きい。下地層５１”の下方には光反射層３８が形成されている。そして、下地層５１”と光反射層３８との間には下層・層間絶縁層３９Ｂが形成されている。
　実施例５の発光素子は、例えば、以下の方法で製造することができる。
　即ち、先ず、実施例１の［工程－１００］～［工程－１１０］と同様の工程を実行する。そして、基体２６に接続孔を形成し、更に、基体２６の上に、光反射層３８を、例えば、スパッタリング法、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき形成する。接続孔は光反射層３８を構成する材料で埋め込まれ、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７が形成される。次いで、全面に下層・層間絶縁層３９Ｂを形成した後、下層・層間絶縁層３９Ｂの上に、下地層５１”を、例えば、ＣＶＤ法に基づき形成する。下地層５１”はパターニングしなくともよいし、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきパターニングしてもよい。次いで、実施例１の［工程－１３０］と同様の工程を実行する。即ち、下地層５１”の第１部分５１Ａ”が露出したレジスト層を全面に形成し、露出した下地層５１”の第１部分５１Ａ”にソフトエッチングを施すことで、下地層５１”の第１部分５１Ａ”の表面を荒らした後、レジスト層を除去する。こうして、下地層５１”の第１部分５１Ａ”の表面粗さの値が、下地層５１”の第２部分５１Ｂの表面粗さの値よりも大きい状態を得ることができる。尚、ソフトエッチングの代わりに、例えば、アルゴンイオン等のイオンを露出した下地層５１”の第１部分５１Ａ”に衝突させることで、下地層５１”の第１部分５１Ａ”の表面を荒らしてもよい。
　その後、実施例１の［工程－１４０］～［工程－１９０］と同様の工程を実行する。あるいは又、実施例２において説明したと同様の工程を実行する。尚、実施例１の［工程－１４０］と同様の工程を実行するとき、基体２６に設けられたコンタクトプラグ２７と第１電極３１とを接続するコンタクトプラグ２７を下層・層間絶縁層３９Ｂ、下地層５１”に形成する。
　場合によっては、実施例５の表示装置を構成する発光素子の変形例の一部分の模式的な一部断面図を図１１に示すように、実施例２と同様に、第２電極３２を覆うように上層・層間絶縁層３９Ａ、保護層３４が形成されており、上層・層間絶縁層３９Ａと保護層３４との間には半光透過材料層３５が形成されている形態とすることもできる。
　以上の点を除き、実施例５の表示装置の構成、構造は、実施例４において説明した表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
　第１電極３１をＩＴＯから構成する場合、実施例１の［工程－１４０］において、第１電極・形成層を発光素子毎に分離形成した後、［工程－１５０］において、絶縁層２８を形成するが、このとき、図３５の「Ｘ」で囲んだ部分に示す領域においては、正孔注入特性を有する第１電極３１の表面が絶縁層２８のエッチングの際にダメージを受け、発光素子全体としての正孔注入特性にばらつきが生じる結果、発光特性がばらつく虞がある。
　実施例６は、実施例１～実施例５の変形である。実施例６の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図を図１２に示す。
　実施例６の発光素子において、第１電極３１’は、隣接する発光素子を構成する第１電極３１’と共通である。即ち、第１電極３１’はベタ電極である。第１電極３１’は、第１部分３１Ａ’、第２部分３１Ｂ’及び第３部分３１Ｃ’から構成されており、第１部分３１Ａ’は、第１電極３１’の中央に位置し、第２部分３１Ｂ’は第１部分３１Ａ’を囲み、第３部分３１Ｃ’は第２部分３１Ｂ’を囲み、第１電極３１’の第１部分３１Ａ’、第２部分３１Ｂ’及び第３部分３１Ｃ’の下には下地層５１が形成されている。隣接する発光素子の間には共通する第１電極３１’の部分が存在するが、この部分を、便宜上、『第１電極３１’の延在部３１Ｄ’』と呼ぶ。第１電極３１’の延在部３１Ｄ’は絶縁層２８上に形成されている。そして、発光素子間で第１電極３１’を介した短絡（電流のリーク）を防止するために、第１電極３１’は、１×１０7Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を有する透明な酸化物半導体材料から成る。具体的には、第１電極３１’は、例えば、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を含む。ここで、第１電極３１’は正孔注入層を兼ねている。このような第１電極３１’は、スパッタリング法において成膜するとき、酸素ガス導入量（酸素ガス分圧）を制御する（具体的には、高くする）ことによって得ることができる。より具体的には、例えば、ＩＺＯ（例えば、Ｉｎ2Ｏ3に１０質量％のＺｎＯを混合した混合物）をターゲットとして、酸素を過剰に添加した反応性スパッタリング法に基づき形成することができる。第１電極３１’の膜厚は２ｎｍ乃至１０ｎｍ程度であることが望ましい。場合によっては、第１電極３１’の成膜後、酸化処理を行うことで、１×１０7Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を有する透明な酸化物半導体材料から成る第１電極３１’を得ることもできる。
　第１電極３１’の第１部分３１Ａ’の表面粗さの値は、第１電極３１’の第２部分３１Ｂ’及び第３部分３１Ｃ’の表面粗さの値よりも大きい。また、第１電極３１’の第１部分３１Ａ’の下に位置する下地層５１の第１部分５１Ａを構成する第１の材料は、第１電極３１’の第２部分３１Ｂ’及び第３部分３１Ｃ’の下に位置する下地層５１の第２部分５１Ｂを構成する第２の材料と異なる。更には、第１電極３１’の第１部分３１Ａ’の結晶性は、第１電極３１’の第２部分３１Ｂ’及び第３部分３１Ｃ’の結晶性と異なる。第１電極３１’の延在部３１Ｄ’の特性（表面粗さや結晶性）は、第１電極３１’の延在部３１Ｄ’の下地である絶縁層２８に依存する。
　実施例６の発光素子の製造にあっては、実施例１の［工程－１００］～［工程－１３０］を実行する。あるいは又、実施例２～実施例５において説明した工程を実行する。そして、第１電極を形成することなく、［工程－１５０］を実行する。即ち、例えば、ＣＶＤ法に基づき基体２６の上に絶縁材料層２９を形成し、絶縁材料層２９に平坦化処理を施した後、ＣＶＤ法に基づき全面に絶縁層２８を形成し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって下地層５１の上方の絶縁層２８を除去し、発光素子１０と発光素子１０との間の基体２６の上に絶縁層２８を残す。絶縁層２８に設けられた開口部２８Ａの底部には下地層５１が露出している。その後、下地層５１上を含む全面に第１電極３１’を形成する。第１電極３１’はベタ電極であり、パターニングはされない。そして、実施例１の［工程－１６０］～［工程－１９０］あるいは実施例２～実施例５と同様の工程を実行すればよい。
　第１電極３１’を構成する高抵抗の酸化物半導体材料（例えばＩＺＯ）は、優れた正孔注入特性を有する。従って、有機層３３における正孔注入層を、このような第１電極３１’によって置き換えることができる。それ故、有機層３３には正孔注入層を形成する必要がなく、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が順に積層された構成とすることができる。但し、場合によっては、有機層３３を、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が順に積層された構成とすることもできる。
　実施例６の発光素子にあっては、第１電極３１’が高抵抗の酸化物半導体材料から成る。酸化物半導体材料は正孔注入材としての機能を有しており、第１電極３１’のエッチング加工を伴わないプロセスとすることができるため、第１電極３１’の表面の安定化による表示装置の画質向上を図ることができる。また、第１電極３１’のエッチング加工を伴わないので、第１電極３１’の膜厚の安定化を図ることができるため、光学的な膜厚が安定し、生産歩留りの向上を図ることができる。
　第１電極３１’を、酸化物半導体材料として十分に酸化が進んだ状態とすることで、仕事関数が高くなり、正孔注入特性を向上させることができる。比抵抗率の値は酸化の程度の判断の指標となり、比抵抗率が高くなるほど酸化が進んでいると判断することができる。そして、高比抵抗率を有する酸化物半導体材料を用いることで、正孔注入特性を向上させることが可能である。正孔注入性特性が向上することに関しては、発光領域が広い方が十分に再結合が行われるため、発光効率が向上する。従って、多数の発光層が積層された再結合領域が広い白色を有機層３３において発光する発光素子の方が、一層の発光層しか有さない単色光を発光する発光素子よりも、発光効率の増加を図ることができる。
　高抵抗の酸化物半導体材料を第１電極３１’に用いた発光素子の有機層３３において、再結合領域が狭い単色発光（例えば、青色発光）の場合と、再結合領域が広い白色発光素子（有機層は、例えば、青色発光層と緑色発光層と赤色発光層の積層構造を有する）を用いた場合の発光効率の変化を、以下の表２に示す。
〈表２〉
　　　　　　第１電極３１’の比抵抗値　　相対発光効率
青色単色　　１×１０-3Ω・ｃｍ　　　　　　１．００
青色単色　　１×１０7Ω・ｃｍ 　　　　　　０．９９
白色　　　　１×１０-3Ω・ｃｍ　　　　　　１．００
白色　　　　１×１０7Ω・ｃｍ 　　　　　　１．３３
　表２から明らかなように、有機層３３において発光層を積層した多色発光素子あるいは白色発光素子において、第１電極３１’を酸化物半導体材料から構成することで、発光効率の向上を図ることができることが判る。また、第１電極３１’を酸化物半導体材料から構成することで、駆動電圧の低電圧化（第１電極３１と比較して約１．２５ボルトの電圧低下）及び約２５％の発光効率の向上を達成することができることが判った。
　以上の点を除き、実施例６の表示装置の構成、構造は、実施例１～実施例５において説明した表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例３の発光素子を適用した例を図１３に示し、実施例４の発光素子を適用した例を図１４及び図１５に示し、実施例５の発光素子を適用した例を図１６及び図１７に示す。
　画素間に絶縁層２８を設けない場合であっても、画素間に絶縁層２８が設けられている場合と同様に、第１電極３１の外縁部でリーク電流が発生し、このリーク電流によって異常発光が生じ、発光効率等の発光特性が悪化する虞がある。
　実施例７は、実施例１～実施例６の変形である。実施例７の表示装置を構成する発光素子の一部分の模式的な一部断面図を図１８に示す。実施例７の発光素子にあっては絶縁層２８の形成が省略されており、有機層３３は第１電極３１”の第３部分３１Ｃ”と接している。隣接する発光素子との間には共通する第１電極３１”の部分が存在するが、この部分を、便宜上、『第１電極３１”の延在部３１Ｄ”』と呼ぶ。第１電極３１”の延在部３１Ｄ”は、絶縁材料層２９の上に形成されている。
　第１電極３１”の第１部分３１Ａ”の表面粗さの値は、第１電極３１”の第２部分３１Ｂ”及び第３部分３１Ｃ”の表面粗さの値よりも大きい。また、第１電極３１”の第１部分３１Ａ”の下に位置する下地層５１の第１部分５１Ａを構成する第１の材料は、第１電極３１”の第２部分３１Ｂ”及び第３部分３１Ｃ”の下に位置する下地層５１の第２部分５１Ｂを構成する第２の材料と異なる。更には、第１電極３１”の第１部分３１Ａ”の結晶性は、第１電極３１”の第２部分３１Ｂ”及び第３部分３１Ｃ”の結晶性と異なる。第１電極３１”の延在部３１Ｄ”の特性（表面粗さや結晶性）は、第１電極３１”の延在部３１Ｄ”の下地である絶縁材料層２９に依存する。
　以上の点を除き、実施例７の発光素子の構成、構造は、実施例１～実施例６の発光素子の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例３の発光素子を適用した例を図１９に示し、実施例４の発光素子を適用した例を図２０及び図２１に示し、実施例５の発光素子を適用した例を図２２及び図２３に示す。
　実施例８は、本開示の表示装置に関する。本開示の表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、電気光学素子が接続された画素回路（発光素子駆動部）内に設けられた能動素子（例えば、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）によって制御するアクティブマトリクス型表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとして、典型的には、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタやＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を例示することができる。
　ここでは、本開示の表示装置として、電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子を備えたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
［システム構成］
　図２４は、実施例８の表示装置であるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
　図２４に示すように、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１１０は、有機ＥＬ素子から成る複数の発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ、１０Ｂ）が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部１３０、及び、画素アレイ部１３０の周辺領域に配置される周辺回路（周辺駆動部）を有する。
　周辺回路は、例えば、画素アレイ部１３０と同じ表示パネル１１１上に搭載された書込み走査部１４０、駆動走査部１５０、及び、信号出力部１６０等を備えており、画素アレイ部１３０の各発光素子１０を駆動する。書込み走査部１４０、駆動走査部１５０、及び、信号出力部１６０の幾つかあるいは全部を表示パネル１１１外に設ける構成とすることも可能である。
　表示パネル１１１を構成する第１基板として、ガラス基板等の絶縁性透明基板を用いることもできるし、シリコン半導体基板等の半導体基板を用いることもできる。第１基板としてシリコン半導体基板等の半導体基板を用いる有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として好適に用いられる。
　カラー表示対応の有機ＥＬ表示装置１１０では、カラー画像を形成する際の単位となる１画素は種々の色を発光する発光素子（副画素、サブピクセル）から構成される。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１画素は、例えば、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂの３つの発光素子（副画素）から構成される。
　但し、１画素は、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ及び青色発光素子１０Ｂの３つの発光素子の組合せに限定されるものではなく、これらの３つの発光素子に更に１色あるいは複数色の発光素子を加えて１画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色を発光する白色発光素子を加えて１画素を構成し、あるいは又、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの発光素子を加えて１画素を構成することも可能である。
　画素アレイ部１３０においては、ｍ行、ｎ列の発光素子１０の配列に対して、第１の方向（行方向／水平方向）に沿って走査線１３１（１３１1～１３１m）と駆動線１３２（１３２1～１３２m）とが発光素子の行毎に配線されている。更に、ｍ行、ｎ列の発光素子１０の配列に対して、第２の方向（列方向／垂直方向）に沿って信号線１３３（１３３1～１３３n）が発光素子の列毎に配線されている。
　走査線１３１1～１３１mは、書込み走査部１４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線１３２1～１３２mは、駆動走査部１５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線１３３1～１３３nは、信号出力部１６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
　書込み走査部１４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部１４０は、画素アレイ部１３０の各発光素子１０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線１３１（１３１1～１３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1～ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部１３０の各発光素子１０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
　駆動走査部１５０は、書込み走査部１４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部１５０は、書込み走査部１４０による線順次走査に同期して、駆動線１３２（１３２1～１３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1～ＤＳm）を供給することによって発光素子１０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
　信号出力部１６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に『信号電圧』と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
　信号出力部１６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線１３３（１３３1～１３３n）を介して画素アレイ部１３０の各発光素子１０に対して、書込み走査部１４０による線順次走査によって選択された発光素子の行単位で書き込まれる。即ち、信号出力部１６０は、信号電圧Ｖsigを発光素子の行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
［発光素子駆動部（画素回路）］
　図２５は、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１１０における発光素子駆動部（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。発光素子１０は、有機ＥＬ素子から成る。有機ＥＬ素子は、素子に流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
　図２５に示すように、画素回路は、発光素子１０と、発光素子１０に電流を流すことによって発光素子１０を駆動する駆動回路（画素駆動回路）とによって構成されている。共通に配線された共通電源線１３４に発光素子１０の第２電極３２が接続されている。図中、参照符号「Ｃel」は、発光素子１０の等価容量を示す。
　発光素子１０を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ１２２、サンプリングトランジスタ１２３、発光制御トランジスタ１２４、保持容量１２５、及び、補助容量１２６を有する。ここでは、発光素子１０及びその駆動回路を、ガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコン半導体基板から成る第１基板４１上に形成することを想定し、駆動トランジスタ１２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
　また、実施例８では、サンプリングトランジスタ１２３及び発光制御トランジスタ１２４についても、駆動トランジスタ１２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ１２２、サンプリングトランジスタ１２３、及び、発光制御トランジスタ１２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
　但し、サンプリングトランジスタ１２３及び発光制御トランジスタ１２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ１２３及び発光制御トランジスタ１２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。
　このような構成の駆動回路において、サンプリングトランジスタ１２３は、信号出力部１６０から信号線１３３を通して供給される映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量１２５に書き込む。発光制御トランジスタ１２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ１２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、発光素子１０の発光／非発光を制御する。
　保持容量１２５は、駆動トランジスタ１２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量１２５は、サンプリングトランジスタ１２３によるサンプリングによって書き込まれた映像信号の信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ１２２は、保持容量１２５の保持電圧に応じた駆動電流を発光素子１０に流すことによって発光素子１０を駆動する。
　補助容量１２６は、駆動トランジスタ１２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量１２６は、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ１２２のソース電位が変動するのを抑制すると共に、駆動トランジスタ１２２のゲート－ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ１２２の閾値電圧Ｖthにする作用を有する。
　実施例９は、本開示の電子機器に関する。ところで、以上に説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、又は、電子機器内で生成した映像信号を、画像又は映像として表示する、種々の分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器として、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができるが、これらに限られるものではない。そして、第１電極の端部でのリーク電流の影響が小さく、発光効率等の発光特性に優れた表示装置を実現することができるので、電子機器の表示部（表示装置）として、本開示の表示装置を用いることで、高画質の表示画像を提供することができる。
　以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、スマートフォン、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルスチルカメラを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらの具体例に限られるものではない。
［具体例１：スマートフォンの例］
　本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンの外観図を図２６Ａ及び図２６Ｂに示す。図２６Ａは、スマートフォンの第１例を示す外観図であり、図２６Ｂは、スマートフォンの第２例を示す外観図である。
　第１例のスマートフォン２００Ａ及び第２例のスマートフォン２００Ｂは、表示部２１０と操作部２２０とを備えている。第１例のスマートフォン２００Ａの場合、操作部２２０は、筐体２３０の表示部２１０の下方部に設けられている。第２例のスマートフォン２００Ｂの場合、操作部２２０は、筐体２３０の上面部に設けられている。そして、スマートフォン２００Ａ，２００Ｂの表示部２１０として、本開示の表示装置を用いることができる。即ち、具体例１に係るスマートフォン２００Ａ，２００Ｂは、その表示部２１０として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
［具体例２：ヘッドマウントディスプレイの例］
　本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの外観図を図２７に示す。
　具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成を有する。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１を、直接的に人体の頭部に装着することもできる。
　本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
　鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着する観察者の目に向かって投射する。このヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。即ち、具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、その表示部として、本開示の表示装置を有している。
［具体例３：デジタルスチルカメラの例］
　本開示の電子機器の具体例３に係るレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラの外観図を図２８Ａ及び図２８Ｂに示すが、図２８Ａはデジタルスチルカメラの正面図であり、図２８Ｂはデジタルスチルカメラの背面図である。
　レンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラ４００は、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２によって導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
　上記の構成のレンズ交換式ミラーレスタイプのデジタルスチルカメラ４００において、ビューファインダ４１５に本開示の表示装置を用いることができる。
　以上、本開示の発光素子、表示装置を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した発光素子、表示装置の構成、構造、システム構成、発光素子駆動部（画素回路）は例示であり、適宜、変更することができるし、実施例において説明した発光素子の製造方法も、適宜、変更することができる。例えば、各実施例においては、専ら、有機ＥＬ装置（表示パネル）を例に挙げて説明を行ったが、有機ＥＬ装置以外の表示装置に対しても本開示を適用することができる。また、各実施例においては、第２基板から光を取り出すトップエミッション方式の表示装置を説明したが、第１基板から光を取り出すボトムエミッション方式の表示装置とすることもできる。
　平坦化層がカラーフィルタ層としての機能を有する形態とすることもできる。即ち、このような機能を有する平坦化層を、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。このように平坦化層をカラーフィルタ層としても機能させることで、有機層と平坦化層とを近接して配置することが可能となり、発光素子から出射する光を広角化させても混色の防止を効果的に図ることができ、視野角特性が向上する。
　実施例においては、専ら、白色発光素子とカラーフィルタ層の組合せから３つの副画素から１画素を構成したが、例えば、白色を出射する発光素子を加えた４つの副画素から１画素を構成してもよい。この場合、白色を出射する発光素子にあっては透明なフィルタを配設すればよい。また、実施例においては、発光素子駆動部をＭＯＳＦＥＴから構成したが、ＴＦＴから構成することもできる。第１電極や第２電極を、単層構造としてもよいし、多層構造としてもよい。
　図２に示した実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例を、以下、説明するが、これらの変形例を、あるいは又、これらの変形例を、適宜、組み合わせた変形例を、実施例１～実施例７に対しても適用することができる。
　実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例１の模式的な一部断面図を図３０に示すが、この変形例１においては、レンズ部材６０の光出射側に、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBが設けられている。具体的には、第２電極３２の上には、アクリル系樹脂から成る保護層３４が形成されている。そして、保護層３４の頂面又は上方には（具体的には、保護層３４の上には）、周知の材料から成るレンズ部材（オンチップマイクロレンズ）６０が設けられている。また、第１基板４１と対向する第２基板４２の面上にはカラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB）が設けられている。そして、カラーフィルタ層ＣＦとレンズ部材６０及び保護層３４とは、アクリル系接着剤から成る封止樹脂層３７によって貼り合わされている。レンズ部材５０の上に平坦化層を設け、カラーフィルタ層ＣＦと平坦化層とを、アクリル系接着剤から成る封止樹脂層３７によって貼り合わせてもよい。
　実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例２の模式的な一部断面図を図３１に示すが、この変形例２においては、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBが省略されている。即ち、保護層３４の頂面又は上方には（具体的には、保護層３４の上には）レンズ部材６０が設けられており、レンズ部材６０及び保護層３４と第２基板４２とは、アクリル系接着剤から成る封止樹脂層３７によって貼り合わされている。レンズ部材６０の上に平坦化層を設け、第２基板４２と平坦化層とを、アクリル系接着剤から成る封止樹脂層３７によって貼り合わせてもよい。尚、発光素子は、有機層が赤色を生じさせる赤色発光素子１０Ｒ、有機層が緑色を生じさせる緑色発光素子１０Ｇ、有機層が青色を生じさせる青色発光素子１０Ｂから構成されており、これらの３種類の発光素子（副画素）を組み合わせることで、１画素が構成されるといった変形例とすることもできる。この場合、色純度向上のためにカラーフィルタ層を設けてもよい。
　実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例３の模式的な一部断面図を図３２に示すが、この変形例３においては、レンズ部材６０が省略されている。即ち、保護層３４の頂面又は上方には（具体的には、保護層３４の上には）カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBが設けられており、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBと第２基板４２とは、アクリル系接着剤から成る封止樹脂層３７によって貼り合わされている。
　実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例４の模式的な一部断面図を図３３に示すが、この変形例４においては、隣接する発光素子のカラーフィルタ層ＣＦの間には光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭが形成されている。ブラックマトリクス層ＢＭは、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成る。
　実施例１の表示装置及び表示装置を構成する発光素子の変形例５の模式的な一部断面図を図３４に示すが、この変形例５においては、隣接する発光素子のレンズ部材６０の間には光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭ’が形成されている形態とすることもできる。
　或る発光素子に隣接した発光素子に、或る発光素子から出射した光が侵入し、光学的クロストークが発生することを防止するために、発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。即ち、発光素子と発光素子との間に溝部を形成し、この溝部を遮光材料で埋め込んで遮光部を形成してもよい。このように遮光部を設ければ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。また、色純度を向上させるため各画素に対してカラーフィルタ層を配置しているが、発光素子の構成に依っては、カラーフィルタ層の薄膜化若しくはカラーフィルタ層の省略が可能となり、カラーフィルタ層で吸収されていた光を取り出すことが可能となり、結果として発光効率の向上につながる。あるいは又、光吸収層（ブラックマトリクス層）に遮光性を付与してもよい。
　発光素子が出射する光に対応して、波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の大きさを、適宜、変えてもよいし、隣接する発光素子の波長選択部（例えば、カラーフィルタ層）の間に光吸収層（ブラックマトリクス層）が設けられている場合、発光素子が出射する光に対応して、光吸収層（ブラックマトリクス層）の大きさを、適宜、変えてもよい。
　尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《発光素子：第１の態様》
　第１電極、有機層、及び、第２電極がこの順に積層された発光部を有しており、
　第１電極は、第１部分、第２部分及び第３部分から構成されており、
　第１部分は、第１電極の中央に位置し、
　第２部分は、第１部分を囲み、
　第３部分は、第２部分を囲み、
　第１電極の第１部分、第２部分及び第３部分の下には下地層が形成されており、
　有機層は、第１電極の第１部分と接しており、且つ、少なくとも第１電極の第２部分と接しており、
　第１電極の第１部分の表面粗さの値は、第１電極の第２部分及び第３部分の表面粗さの値よりも大きい発光素子。
［Ａ０２］《発光素子：第２の態様》
　第１電極、有機層、及び、第２電極がこの順に積層された発光部を有しており、
　第１電極は、第１部分、第２部分及び第３部分から構成されており、
　第１部分は、第１電極の中央に位置し、
　第２部分は、第１部分を囲み、
　第３部分は、第２部分を囲み、
　第１電極の第１部分、第２部分及び第３部分の下には下地層が形成されており、
　有機層は、第１電極の第１部分と接しており、且つ、少なくとも第１電極の第２部分と接しており、
　第１電極の第１部分の下に位置する下地層の第１部分を構成する第１の材料は、第１電極の第２部分及び第３部分の下に位置する下地層の第２部分を構成する第２の材料と異なる発光素子。
［Ａ０３］《発光素子：第３の態様》
　第１電極、有機層、及び、第２電極がこの順に積層された発光部を有しており、
　第１電極は、第１部分、第２部分及び第３部分から構成されており、
　第１部分は、第１電極の中央に位置し、
　第２部分は、第１部分を囲み、
　第３部分は、第２部分を囲み、
　第１電極の第１部分、第２部分及び第３部分の下には下地層が形成されており、
　有機層は、第１電極の第１部分と接しており、且つ、少なくとも第１電極の第２部分と接しており、
　第１電極の第１部分の結晶性は、第１電極の第２部分及び第３部分の結晶性と異なる発光素子。
［Ａ０４］第１電極の第１部分の下に位置する下地層の第１部分を構成する第１の材料は、第１電極の第２部分及び第３部分の下に位置する下地層の第２部分を構成する第２の材料と異なる［Ａ０１］に記載の発光素子。
［Ａ０５］下地層の第１部分を構成する第１の材料は、金属又は合金から成り、
　下地層の第２部分を構成する第２の材料は、金属又は合金から成る［Ａ０２］に記載の発光素子。
［Ａ０６］第１電極の第１部分の結晶性は、第１電極の第２部分及び第３部分の結晶性と異なる［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０７］第１電極は透明導電性材料から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０８］第１電極は、１×１０7Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を有する透明な酸化物半導体材料から成り、
　第１電極は、隣接する発光素子を構成する第１電極と共通である［Ａ０１］乃至［Ａ０６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ０９］第１電極は、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を含む［Ａ０８］に記載の発光素子。
［Ａ１０］第１電極は正孔注入層を兼ねている［Ａ０８］又は［Ａ０９］に記載の発光素子。
［Ａ１１］下地層は有機層の発光量の５０％以上を反射する材料から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１２］下地層を構成する材料は透明導電性材料から成り、
　下地層の下方には光反射層が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１３］下地層を構成する材料は透明な絶縁材料から成り、
　下地層の下方には光反射層が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１１］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１４］有機層と第１電極の第３部分との間には絶縁層が形成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１５］有機層は第１電極の第３部分と接している［Ａ０１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１６］有機層は、白色又は多色を発光する［Ａ０１］乃至［Ａ１５］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１７］発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ１６］のいずれか１項に記載の発光素子。
［Ａ１８］《表示装置》
　第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板との間に形成され、［Ａ０１］乃至［Ａ１７］のいずれか１項に記載の発光素子の複数を備えている表示装置。
［Ａ１９］《電子機器》
　［Ａ１８］に記載の表示装置を備えている電子機器。
１０，１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ・・・発光素子、２０・・・トランジスタ、２１・・・ゲート電極、２２・・・ゲート絶縁層、２３・・・チャネル形成領域、２４・・・ソース／ドレイン領域、２５・・・素子分離領域、２６・・・基体、２７・・・コンタクトプラグ、２８・・・絶縁層、２８Ａ・・・絶縁層に設けられた開口部、２９・・・絶縁材料層、３０・・・発光部（積層構造体）、３１，３１’，３１”・・・第１電極、３１Ａ，３１Ａ’，３１Ａ”・・・第１電極の第１部分、３１Ｂ，３１Ｂ’，３１Ｂ”・・・第１電極の第２部分、３１Ｂ，３１Ｃ’，３１Ｃ”・・・第１電極の第３部分、３１Ｄ’，３１Ｄ”・・・第１電極の延在部、３２・・・第２電極、３３・・・有機層、３４・・・保護層、３５・・・半光透過材料層、３６・・・平坦化層、３７・・・封止樹脂層、３８・・・光反射層、３９Ａ・・・上層・層間絶縁層、３９Ｂ・・・下層・層間絶縁層、３９Ｃ・・・下地膜、４１・・・第１基板、４２・・・第２基板、５１，５１’・・・下地層、５１Ａ・・・下地層の第１部分、５１Ｂ・・・下地層の第２部分、５１Ｄ・・・下地層の延在部、６０・・・レンズ部材（オンチップマイクロレンズ）、ＣＦ，ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB・・・カラーフィルタ層、ＢＭ，ＢＭ’・・・ブラックマトリクス層、１１０・・・有機ＥＬ表示装置、１１１・・・表示パネル、１２２・・・駆動トランジスタ、１２３・・・サンプリングトランジスタ、１２４・・・発光制御トランジスタ、１２５・・・保持容量、１２６・・・補助容量、１３０・・・画素アレイ部、１３１1～１３１m・・・走査線、１１３２1～１３２m・・・駆動線、１３３1～１３３n・・・信号線、１４０・・・書込み走査部、１５０・・・駆動走査部、１６０・・・信号出力部、２００Ａ，２００Ｂ・・・スマートフォン、２１０・・・表示部、２２０・・・操作部、２３０・・・筐体、３００・・・ヘッドマウントディスプレイ、３０１・・・本体部、３０２・・・アーム部、３０３・・・鏡筒、３１０・・・眼鏡、３１１・・・レンズ、４００・・・デジタルスチルカメラ、４１１・・・カメラ本体部（カメラボディ）、４１２・・・撮影レンズユニット（交換レンズ）、４１３・・・グリップ部、４１４・・・モニタ、４１５・・・ビューファインダ（接眼窓）、ＷＳ，ＷＳ1～ＷＳm・・・書込み走査信号、ＤＳ，ＤＳ1～ＤＳm・・・発光制御信号、Ｖsig・・・信号電圧

Claims (19)

  1. 　第１電極、有機層、及び、第２電極がこの順に積層された発光部を有しており、
    　第１電極は、第１部分、第２部分及び第３部分から構成されており、
    　第１部分は、第１電極の中央に位置し、
    　第２部分は、第１部分を囲み、
    　第３部分は、第２部分を囲み、
    　第１電極の第１部分、第２部分及び第３部分の下には下地層が形成されており、
    　有機層は、第１電極の第１部分と接しており、且つ、少なくとも第１電極の第２部分と接しており、
    　第１電極の第１部分の表面粗さの値は、第１電極の第２部分及び第３部分の表面粗さの値よりも大きい発光素子。
  2. 　第１電極、有機層、及び、第２電極がこの順に積層された発光部を有しており、
    　第１電極は、第１部分、第２部分及び第３部分から構成されており、
    　第１部分は、第１電極の中央に位置し、
    　第２部分は、第１部分を囲み、
    　第３部分は、第２部分を囲み、
    　第１電極の第１部分、第２部分及び第３部分の下には下地層が形成されており、
    　有機層は、第１電極の第１部分と接しており、且つ、少なくとも第１電極の第２部分と接しており、
    　第１電極の第１部分の下に位置する下地層の第１部分を構成する第１の材料は、第１電極の第２部分及び第３部分の下に位置する下地層の第２部分を構成する第２の材料と異なる発光素子。
  3. 　第１電極、有機層、及び、第２電極がこの順に積層された発光部を有しており、
    　第１電極は、第１部分、第２部分及び第３部分から構成されており、
    　第１部分は、第１電極の中央に位置し、
    　第２部分は、第１部分を囲み、
    　第３部分は、第２部分を囲み、
    　第１電極の第１部分、第２部分及び第３部分の下には下地層が形成されており、
    　有機層は、第１電極の第１部分と接しており、且つ、少なくとも第１電極の第２部分と接しており、
    　第１電極の第１部分の結晶性は、第１電極の第２部分及び第３部分の結晶性と異なる発光素子。
  4. 　第１電極の第１部分の下に位置する下地層の第１部分を構成する第１の材料は、第１電極の第２部分及び第３部分の下に位置する下地層の第２部分を構成する第２の材料と異なる請求項１に記載の発光素子。
  5. 　下地層の第１部分を構成する第１の材料は、金属又は合金から成り、
    　下地層の第２部分を構成する第２の材料は、金属又は合金から成る請求項４に記載の発光素子。
  6. 　第１電極の第１部分の結晶性は、第１電極の第２部分及び第３部分の結晶性と異なる請求項１に記載の発光素子。
  7. 　第１電極は透明導電性材料から成る請求項１に記載の発光素子。
  8. 　第１電極は、１×１０7Ω・ｃｍ以上の比抵抗値を有する透明な酸化物半導体材料から成り、
    　第１電極は、隣接する発光素子を構成する第１電極と共通である請求項１に記載の発光素子。
  9. 　第１電極は、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3及びＳｎＯ2から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を含む請求項８に記載の発光素子。
  10. 　第１電極は正孔注入層を兼ねている請求項８に記載の発光素子。
  11. 　下地層は有機層の発光量の５０％以上を反射する材料から成る請求項１に記載の発光素子。
  12. 　下地層を構成する材料は透明導電性材料から成り、
    　下地層の下方には光反射層が形成されている請求項１に記載の発光素子。
  13. 　下地層を構成する材料は透明な絶縁材料から成り、
    　下地層の下方には光反射層が形成されている請求項１に記載の発光素子。
  14. 　有機層と第１電極の第３部分との間には絶縁層が形成されている請求項１に記載の発光素子。
  15. 　有機層は第１電極の第３部分と接している請求項１に記載の発光素子。
  16. 　有機層は、白色又は多色を発光する請求項１に記載の発光素子。
  17. 　発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る請求項１に記載の発光素子。
  18. 　第１基板、第２基板、及び、第１基板と第２基板との間に形成され、請求項１乃至請求項１７のいずれか１項に記載の発光素子の複数を備えている表示装置。
  19. 　請求項１８に記載の表示装置を備えている電子機器。
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